JP2015138145A - Optical modulator - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光変調器に関するものであり、特に、マッハツェンダー型光導波路を有する光変調器において、出力導波路を伝播する信号光や合波部から放出される放射光を受光素子で検出する構成を有する光変調器に関する。 The present invention relates to an optical modulator. In particular, in an optical modulator having a Mach-Zehnder type optical waveguide, signal light propagating through an output waveguide and radiated light emitted from a multiplexing unit are detected by a light receiving element. The present invention relates to an optical modulator having a configuration.
光通信分野や光計測分野において、マッハツェンダー型光導波路を有する強度変調器など各種の光変調器が用いられている。マッハツェンダー型光導波路から出力される光の強度変化は、変調電極に印加される電圧に対して正弦関数的な特性を示す。光変調器の用途に応じて、最適な出力光の強度を得るため、変調電極に印加される変調信号は、適切な動作バイアス点に設定することが必要となる。 Various optical modulators such as an intensity modulator having a Mach-Zehnder type optical waveguide are used in the optical communication field and the optical measurement field. The intensity change of light output from the Mach-Zehnder type optical waveguide exhibits a sinusoidal characteristic with respect to the voltage applied to the modulation electrode. In order to obtain an optimum output light intensity according to the use of the optical modulator, the modulation signal applied to the modulation electrode needs to be set to an appropriate operating bias point.
このため、従来では、光変調器から出力される信号光の一部、あるいはマッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される放射光を、モニタ光として、光検出器のような受光素子で検出し、光変調器の出力光の強度の状態をモニタすることが行われている。そして、受光素子の検出値(モニタ出力)に基づき、変調電極に印加される変調信号の動作バイアス点を調整(バイアス制御)している。 For this reason, conventionally, a part of the signal light output from the optical modulator or the radiated light emitted from the multiplexing part of the Mach-Zehnder optical waveguide is used as a monitor light by a light receiving element such as a photodetector. Detection and monitoring of the intensity state of the output light of the light modulator are performed. Based on the detection value (monitor output) of the light receiving element, the operation bias point of the modulation signal applied to the modulation electrode is adjusted (bias control).
特許文献1には、図1に示すような、基板1の外部に配置された、受光素子5で放射光をモニタする光変調器を開示している。具体的には、電気光学効果を有する基板1には、マッハツェンダー型光導波路(21〜24)を含む光導波路2が形成されている。マッハツェンダー型光導波路を構成する2つの分岐導波路に沿って、光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極が設けられているが、図面では省略されている。出力導波路24には、光ファイバ4が接続され、出射光を外部に導出するよう構成されている。
マッハツェンダー型光導波路の合波部23から放出される2つの放射光(R1,R2)は、基板1の端部に光ファイバ4を接続するための補強用キャピラリ3の内部を通過し、受光素子5に導入される。2つの放射光のいずれか一方を受光しても良いし、図1のように、両方の放射光を一つの受光素子で受光するよう構成しても良い。
The two radiated lights (R1, R2) emitted from the multiplexing unit 23 of the Mach-Zehnder type optical waveguide pass through the inside of the reinforcing
特許文献2には、図2及び3に示すように、光変調器を構成する基板1上に受光素子5を配置する構成が開示されている。具体的には、基板1には、マッハツェンダー型光導波路を含む光導波路2や、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極(不図示)が形成されている。受光素子5は、マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路24を跨ぐように配置されている。
図2では、受光素子5は、マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光を共に受光するよう構成している。放射光は基板1の内部を伝搬するが、放射光の伝搬する位置を精確にコントロールするために、放射光を導波する放射光用導波路(25,26)を設けることが可能である。受光素子5は、2つの放射光用導波路(25,26)にかかるように配置されている。
In FIG. 2, the
図3は、図2の一点鎖線X−X’における断面図である。放射光用導波路(25,26)に接触又は近接して高屈折率膜(40、41)を配置することにより、放射光の一部(R1,R2)は受光素子5の方に吸い上げられ、受光部50に入射する。
3 is a cross-sectional view taken along one-dot chain line X-X ′ in FIG. 2. By disposing the high refractive index films (40, 41) in contact with or in proximity to the radiation waveguide (25, 26), part of the radiation (R1, R2) is sucked up toward the
受光素子5は、放射光を受光するだけでなく、出力導波路24を伝搬する光波を受光するよう構成することも可能である。なお、特許文献1又は2に示されているように、2つの放射光を同時に受光し、両者の受光強度を調整することで、放射光を用いたモニタ光と出力導波路から出射される出力光との間の位相差を補償し、良好なモニタ特性を得ることができる。
The light receiving
特許文献1のように、基板1の外部に受光素子5を配置する場合には、同一基板上に複数のマッハツェンダー型光導波路を集積する場合や、基板の端面から離れた位置にマッハツェンダー型光導波路が形成され、当該マッハツェンダー型光導波路とキャピラリーと間に他の光導波路が存在する場合などでは、着目する光波のみを受光素子に導くことは極めて困難となる。
When the light receiving
これに対し、特許文献2のように、基板1の表面に受光素子を配置する構成は、着目する光波を精確に受光できる利点がある。しかしながら、光導波路を伝搬する光波の一部しか受光できないため、受光感度が低いという問題が生じる。しかも、受光部の面積を拡大して受光感度を向上させる場合には、受光部の面積の拡大に逆比例して、受光素子の周波数帯域が低下するという問題も発生する。
On the other hand, the configuration in which the light receiving element is arranged on the surface of the
本発明が解決しようとする課題は、上述したような問題を解決し、光変調器を構成する基板上に受光素子を配置した場合でも、受光素子の受光感度を高めると共に、受光素子の周波数帯域の低下を抑制した光変調器を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to solve the above-described problems and increase the light receiving sensitivity of the light receiving element and the frequency band of the light receiving element even when the light receiving element is arranged on the substrate constituting the optical modulator. It is an object of the present invention to provide an optical modulator that suppresses a decrease in the above.
上記課題を解決するため、本発明の光変調器は以下のような技術的特徴を有している。
(1) 基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、受光素子が、該基板上に配置されると共に、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路を伝播する信号光、又は該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される放射光のいずれかを受光するよう構成され、該受光素子内の受光部に入射する光波には、該受光素子内に入射した光波が直接入射する光波と、該受光素子内部で少なくとも1回以上の多重反射を経て入射する光波とが共に存在することを特徴とする。
In order to solve the above problems, the optical modulator of the present invention has the following technical features.
(1) In an optical modulator having a substrate, an optical waveguide including a Mach-Zehnder optical waveguide formed on the substrate, and a modulation electrode for modulating an optical wave propagating through the optical waveguide, the light receiving element includes: It is arranged on the substrate and receives either the signal light propagating through the output waveguide constituting the Mach-Zehnder type optical waveguide or the radiated light emitted from the combining portion of the Mach-Zehnder type optical waveguide. The light wave incident on the light receiving unit in the light receiving element includes a light wave directly incident on the light receiving element and a light wave incident on the light receiving element through at least one multiple reflection. Are both present.
(2) 上記(1)に記載の光変調器において、該受光素子が受光する光波は該信号光であり、該出力導波路と該受光素子との間には高屈折率構造が形成され、該基板の該放射光の伝搬している部分と該受光素子との間には低屈折率構造が形成されていることを特徴とする。 (2) In the optical modulator according to (1), the light wave received by the light receiving element is the signal light, and a high refractive index structure is formed between the output waveguide and the light receiving element, A low refractive index structure is formed between the portion of the substrate where the radiated light is propagated and the light receiving element.
(3) 上記(1)に記載の光変調器において、該受光素子が受光する光波は該放射光であり、該出力導波路と該受光素子との間には低屈折率構造が形成され、該基板の該放射光の伝搬している部分と該受光素子との間には高屈折率構造が形成されていることを特徴とする。 (3) In the optical modulator according to (1), the light wave received by the light receiving element is the emitted light, and a low refractive index structure is formed between the output waveguide and the light receiving element, A high refractive index structure is formed between the portion of the substrate where the radiated light is propagated and the light receiving element.
(4) 上記(3)に記載の光変調器において、該受光素子が受光する光波は該合波部から放出される2つの放射光であり、該低屈折率構造を挟む2つの該高屈折率構造の間隔は、該出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上であることを特徴とする。 (4) In the optical modulator described in (3) above, the light waves received by the light receiving element are two radiated lights emitted from the multiplexing unit, and the two high refractions sandwiching the low refractive index structure The spacing of the rate structures is characterized by being at least twice the mode diameter of the light wave propagating through the output waveguide.
(5) 上記(1)に記載の光変調器において、該受光素子で受光する光波は、基板に形成された溝又は該基板に配置された反射部材により、該受光素子側に導かれることを特徴とする。 (5) In the optical modulator according to (1), the light wave received by the light receiving element is guided to the light receiving element side by a groove formed on the substrate or a reflecting member disposed on the substrate. Features.
(6) 上記(5)に記載の光変調器において、該受光素子が受光する光波は該合波部から放出される2つの放射光であり、該出力導波路を挟む2つの該溝又は2つの該反射部材の間隔は、該出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上であることを特徴とする。 (6) In the optical modulator according to (5), the light wave received by the light receiving element is two radiated lights emitted from the multiplexing unit, and the two grooves or 2 sandwiching the output waveguide The interval between the two reflecting members is at least twice the mode diameter of the light wave propagating through the output waveguide.
(7) 上記(1)又は(3)乃至(6)に記載の光変調器において、該受光素子が受光する光波は該合波部から放出される2つの放射光であり、該受光素子の該基板に対する配置位置を調整することで、前記2つの放射光の受光量の比を調整することを特徴とする。 (7) In the optical modulator described in the above (1) or (3) to (6), the light wave received by the light receiving element is two radiated lights emitted from the multiplexing unit. By adjusting the arrangement position with respect to the substrate, the ratio of the received light amounts of the two radiated lights is adjusted.
(8) 上記(1)乃至(7)のいずれかに記載の光変調器において、該基板には、該放射光を導波する放射光用導波路が形成されていることを特徴とする。 (8) The optical modulator according to any one of (1) to (7), wherein the substrate is provided with a radiated light waveguide that guides the radiated light.
(9) 上記(1)乃至(8)のいずれかに記載の光変調器において、該基板の厚みは20μm以下であることを特徴とする。 (9) In the optical modulator according to any one of (1) to (8), the thickness of the substrate is 20 μm or less.
請求項1に係る発明により、基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、受光素子が、該基板上に配置されると共に、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路を伝播する信号光、又は該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される放射光のいずれかを受光するよう構成され、該受光素子内の受光部に入射する光波には、該受光素子内に入射した光波が直接入射する光波と、該受光素子内部で少なくとも1回以上の多重反射を経て入射する光波とが共に存在するため、同一の受光部により多くの光波が入射するため、受光素子の受光感度を高めることが可能となる。しかも、受光素子の受光部の面積を拡大する必要もないため、受光素子の周波数帯域の低下を招くことも無い。
According to the invention of
以下、本発明の光変調器について詳細に説明する。
本発明の光変調器は、図4に示すように、基板1と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路27と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極(不図示)とを有する光変調器において、受光素子5が、該基板上に配置されると共に、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路を伝播する信号光、又は該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される放射光のいずれかを受光するよう構成され、該受光素子内の受光部50に入射する光波には、該受光素子内に入射した光波が直接入射する光波L1と、該受光素子内部で少なくとも1回以上の多重反射を経て入射する光波L2とが共に存在することを特徴とする。
Hereinafter, the optical modulator of the present invention will be described in detail.
As shown in FIG. 4, the optical modulator of the present invention includes a
基板1としては、石英、半導体など光導波路を形成できる基板であれば良く、特に、電気光学効果を有する基板である、LiNbO3,LiTaO3又はPLZT(ジルコン酸チタン酸鉛ランタン)のいずれかの単結晶が好適に利用可能である。特に、本発明に好適な基板は、基板の厚みが20μm以下のものである。このような薄板では、光波が基板内に閉じ込められ易く、光導波路を伝搬する光波と基板内を伝搬する光波の分離が難しい。このため、本発明の光変調器のように基板上に受光素子を配置することで、効率的に着目する光波を受光することが可能となる。しかも、基板内を伝搬する不要光も多くなることから、特許文献1又は2に示すように、2つの放射光を同時に受光することで、より精確なモニタ信号を得ることも可能となる。
The
基板に形成する光導波路27は、例えば、LiNbO3基板(LN基板)上にチタン(Ti)などの高屈折率物質を熱拡散することにより形成される。また、光導波路となる部分の両側に溝を形成したリブ型光導波路や光導波路部分を凸状としたリッジ型導波路も利用可能である。また、PLC等の異なる基板に光導波路を形成し、これらの基板を貼り合せ集積した光回路にも、本発明を適用することが可能である。
The
変調電極は、信号電極や接地電極から構成され、基板表面に、Ti・Auの電極パターンを形成し、金メッキ方法などにより形成することが可能である。さらに、必要に応じて光導波路形成後の基板表面に誘電体SiO2等のバッファ層を設けることも可能である。なお、基板(光導波路)内を伝搬する信号光や放射光を、受光素子側に導出する領域においては、バッファ層を形成すると、放射光を効率良く導出することが難しくなるため、当該領域にはバッファ層を形成しないことが好ましい。 The modulation electrode is composed of a signal electrode and a ground electrode, and can be formed by forming a Ti / Au electrode pattern on the surface of the substrate and using a gold plating method or the like. Furthermore, a buffer layer such as a dielectric SiO 2 can be provided on the substrate surface after the formation of the optical waveguide, if necessary. In a region where signal light or radiated light propagating in the substrate (optical waveguide) is led out to the light receiving element side, it is difficult to efficiently derive radiated light if a buffer layer is formed. Preferably does not form a buffer layer.
本発明の光変調器の特徴は、図4のように、基板内又は基板に形成された光導波路27を伝搬する光波L0の一部をモニタする際には、フォトダイオード(PD)などで構成される受光素子5の受光感度を高めるため、受光素子内に入射した光波を受光部50に直接入射させるだけでなく、受光素子内部で少なくとも1回以上の多重反射を経て受光部50に入射させることである。
As shown in FIG. 4, the optical modulator of the present invention is configured by a photodiode (PD) or the like when monitoring a part of the light wave L0 propagating in the
受光素子5を構成する基板51内で放射光を多重反射させるためには、光波が反射する場所に、誘電体多層膜や金属反射膜などの反射膜を配置することが好ましい。例えば、図4に示すように埋込み電極を構成する金属膜の下面で反射させたり、図示されていないが、基板51の外周面の少なくとも一部に誘電体多層膜や金属膜を配置して、反射効率を上げることが可能である。しかも、誘電体多層膜や金属膜を利用することで、受光素子基板の表面状態(汚れ等)によらず安定した反射が可能となる。
In order to multiplexly reflect the radiated light within the
受光素子5の基板51の屈折率が3.16(InPの場合)と高屈折率であるため、モニタすべき信号光や放射光が受光素子の基板内に入って来る入射角度によっては、全反射を利用することも可能である。具体例として、光導波路27をLN基板1に形成した光導波路(n=2.15)とし、受光素子の基板51の材質をInP(n=3.16)とすれば、受光素子基板内への入射角度は、LN基板の法線を基準として、約42度である。また、受光素子基板の外周面(周囲を空気と仮定すると)での全反射角は、約18度である。このため、入射角が18〜42度の範囲で受光素子基板内に入射した光波は、当該基板内で全反射による多重反射を実現することができる。
Since the refractive index of the
図4では、多重反射する光波L2は、埋込み電極の下面での反射、基板51の側壁面での反射、そして、基板51の下面での反射の合計3回の反射で構成されている。本発明の光変調器は、この実施例に限定されず、例えば、基板51の側壁面のみで1回反射して、受光部50に光波が入射するよう構成することも可能である。
In FIG. 4, the light wave L <b> 2 that is multiple-reflected is composed of three reflections in total: reflection on the lower surface of the embedded electrode, reflection on the side wall surface of the
多重反射を1回含む場合、受光感度は約1.5倍になる。しかも、受光部へ直接入射する光波L1と、PD基板内で多重反射した光波L2との間の時間遅延は微小であり、2ps程度である。これは周波数に変換すると500GHz相当であり、受光部の周波数応答速度は高々40GHz程度であるので、受光素子のモニタ信号の波形が歪むことはない。 When multiple reflection is included once, the light receiving sensitivity is about 1.5 times. In addition, the time delay between the light wave L1 directly incident on the light receiving portion and the light wave L2 that is multiple-reflected in the PD substrate is very small, about 2 ps. This is equivalent to 500 GHz when converted to frequency, and the frequency response speed of the light receiving unit is at most about 40 GHz, so that the waveform of the monitor signal of the light receiving element is not distorted.
図4の光波L1及びL2が、受光部50に共に入射するよう調整するには、例えば、基板1(又は光導波路27)に対して受光素子5の配置位置を調整し、受光感度が最も高くなる位置に受光素子を固定するよう設定することができる。
In order to adjust the light waves L1 and L2 in FIG. 4 to be incident on the
受光素子内にモニタすべき光波を導入するには、特許文献2にも開示されているように、光導波路等の光波を導波している箇所に、受光素子基板51を直接接触させる方法だけでなく、図4のように、光導波路27等と受光素子基板51との間に高屈折率膜(42,43)を介在させる方法もある。この場合は、高屈折率膜の屈折率は、光導波路27(または、光波を導波している基板1)の屈折率よりも高く、受光素子基板51の屈折率よりも低く設定することが必要である。このように、モニタすべき光波が伝搬している部分と受光素子との間には高屈折率構造(光波が伝搬している部分より高い屈折率を有する構造)を設け、他方、モニタすべきできない光波(受光素子への入射を抑制すべき光波)が伝搬している部分と受光素子との間には低屈折率構造(光波が伝搬している部分より低い屈折率を有する構造)を設けている。低屈折率構造としては、低屈折率膜を配置するだけでなく、空気層を介在させる構成であっても良い。
In order to introduce a light wave to be monitored in the light receiving element, as disclosed in
また、特許文献2にも開示されているように、基板1(又は光導波路27)に不図示の溝又は反射部材を配置して、モニタ光の一部を受光素子の方に導くことも可能である。
Further, as disclosed in
図2及び3のように、受光素子が受光する光波が、マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光であり、2つの光波を同時に受光する場合について説明する。 The case where the light waves received by the light receiving element are two radiated lights emitted from the combining part of the Mach-Zehnder type optical waveguide as shown in FIGS. 2 and 3 and the two light waves are received simultaneously will be described.
図3に示すように、低屈折率構造60を挟む2つの高屈折率構造(40,41)を配置する場合には、該高屈折率構造の間隔Wは、出力導波路24を伝搬する光波のモード径の2倍以上であることが好ましい。これは、出力導波路を伝搬する光波まで受光素子に吸い上げることを抑制するためである。また、基板1に溝や反射部材を配置して、モニタすべき光波を受光素子側に偏向させる場合も、同様に、出力導波路24を挟む2つの溝又は2つの反射部材の間隔Wは、出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上であることが好ましい。
As shown in FIG. 3, when two high-refractive index structures (40, 41) sandwiching the low-
更に本発明の光変調器においても、特許文献2と同様に、受光素子5の基板1(又は光導波路25,26)に対する配置位置を調整することで、2つの放射光の受光量の比を調整することが可能となる。また、図2のように、放射光を導波する放射光用導波路(25,26)を設けることにより、放射光を受光素子5へ、より効率的に導くことが可能となる。
Further, in the optical modulator of the present invention as well, as in
以上のように、本発明に係る光変調器によれば、光変調器を構成する基板上に受光素子を配置した場合でも、受光素子の受光感度を高めると共に、受光素子の周波数帯域の低下を抑制した光変調器を提供することが可能となる。 As described above, according to the optical modulator of the present invention, even when the light receiving element is arranged on the substrate constituting the optical modulator, the light receiving sensitivity of the light receiving element is increased and the frequency band of the light receiving element is reduced. It is possible to provide a suppressed optical modulator.
1 基板
2,27 光導波路
21 入力導波路
22 分岐導波路
23 合波部
24 出力導波路
25,26 放射光用導波路
3 キャピラリ
5 受光素子
50 受光部
40〜43 高屈折率構造
60 低屈折率構造
DESCRIPTION OF
Claims (9)
受光素子が、該基板上に配置されると共に、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路を伝播する信号光、又は該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される放射光のいずれかを受光するよう構成され、
該受光素子内の受光部に入射する光波には、該受光素子内に入射した光波が直接入射する光波と、該受光素子内部で少なくとも1回以上の多重反射を経て入射する光波とが共に存在することを特徴とする光変調器。 In an optical modulator having a substrate, an optical waveguide including a Mach-Zehnder optical waveguide formed on the substrate, and a modulation electrode for modulating a light wave propagating through the optical waveguide,
The light receiving element is disposed on the substrate, and either of the signal light propagating through the output waveguide constituting the Mach-Zehnder type optical waveguide, or the emitted light emitted from the combining portion of the Mach-Zehnder type optical waveguide Is configured to receive light,
The light wave incident on the light receiving portion in the light receiving element includes both the light wave directly incident on the light receiving element and the light wave incident on the light receiving element through at least one multiple reflection. An optical modulator characterized by:
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