JP2015130056A - IC tag structure with sensor - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an IC tag structure with a sensor that is protected from a high voltage and can prevent a problem such as inability in communication and reduction in a communication area even when being installed in a high voltage apparatus.SOLUTION: An IC tag structure with a sensor includes: a tag body 2 installed in a high voltage apparatus; an IC chip 3 that is provided with the tag body 2 and monitors and stores the state of the high voltage apparatus; and an antenna wire 4 that is arranged on the tag body 2 in a loop formation to transmit monitoring data stored in the IC chip 3. The antenna wire 4 is composed of an insulation coating wire and semiconductive coating is applied on the installation surface of the high voltage apparatus where the tag body 2 is installed.

Description

本発明は、浮上式鉄道用地上コイル、モールド変圧器、モールド変流器などの高電圧モールド機器に適用されるセンサ付きICタグ構造に関する。   The present invention relates to a sensor-attached IC tag structure applied to high-voltage molding equipment such as a floating railway ground coil, molded transformer, and molded current transformer.

高電圧モールド機器とは、導体金属を絶縁用の樹脂で覆った電気機器であって、浮上式鉄道用地上コイル、モールド変圧器、モールド変流器などに適用されている。
具体的には、特許文献1に示される、樹脂材料による成形体(モールド)にコイルを埋め込み状態に一体化したモールド変圧器が知られている。
The high voltage molding equipment is an electric equipment in which a conductive metal is covered with an insulating resin, and is applied to a floating railway ground coil, a mold transformer, a mold current transformer, and the like.
Specifically, a mold transformer disclosed in Patent Document 1 in which a coil is embedded in an embedded state (mold) made of a resin material is known.

また、上記のような高電圧モールド機器には、機器の状態を監視して記憶するICチップと、該記憶データを送信するアンテナとからなるセンサ付きICタグが設置される場合がある。
例えば、特許文献2に示されるセンサ付きICタグ適用の高電圧機器では、検知対象の物理量を取得できるセンサ付きICタグを、外部にあるICタグリーダと通信が可能な位置に着脱自在に取り付けた構成が示されている。
Moreover, in the high voltage molding apparatus as described above, an IC tag with a sensor including an IC chip that monitors and stores the state of the apparatus and an antenna that transmits the stored data may be installed.
For example, in a high-voltage device using a sensor-attached IC tag disclosed in Patent Document 2, a sensor-attached IC tag that can acquire a physical quantity to be detected is detachably attached to a position where communication with an external IC tag reader is possible It is shown.

そして、このような特許文献2に示されるセンサ付きICタグにより、機器の状態に関する監視データを無線送信してコントロールセンターに送り、該コントロールセンターにて機器の管理を行うことが可能となる。   The sensor-equipped IC tag disclosed in Patent Document 2 can wirelessly transmit monitoring data related to the state of the device and send it to the control center, and the control center can manage the device.

特開2008−28222号公報JP 2008-28222 A 特開2008−99459号公報JP 2008-99459 A

ところで、上記のようなセンサ付きICタグでは、高電圧機器に設置した場合、センサタグ内のICチップなどの電子部品に高電圧が加わり、故障する恐れがある。さらに、センサタグを設置する高電圧機器の材質などの影響で、アンテナの共振周波数が基準値よりずれてしまい、通信エリアが顕著に縮小する問題や、通信ができなくなるという問題もあった。
また、このような通信エリア縮小を改善するためにアンテナの共振周波数を調整すれば良いが、高電圧機器に設置した後でセンサ付きICタグの共振周波数を調整するのは面倒であり、該センサ付きICタグに特別な周波数調整用の回路を事前に組み込むなどの余計な作業も必要となっていた。
By the way, when an IC tag with a sensor as described above is installed in a high-voltage device, a high voltage is applied to an electronic component such as an IC chip in the sensor tag, which may cause a failure. In addition, due to the influence of the material of the high voltage device in which the sensor tag is installed, the resonance frequency of the antenna deviates from the reference value, and there is a problem that the communication area is remarkably reduced and communication cannot be performed.
Further, in order to improve the reduction of the communication area, the resonance frequency of the antenna may be adjusted. However, it is troublesome to adjust the resonance frequency of the IC tag with a sensor after being installed in a high voltage device. Additional work such as incorporating a special frequency adjustment circuit in advance in the attached IC tag is also required.

この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、高電圧機器に設置した場合であっても、簡易な手段で共振周波数の調整を行うことが可能なセンサ付きICタグ構造を提供する。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and provides an IC tag structure with a sensor capable of adjusting a resonance frequency with simple means even when installed in a high-voltage device. To do.

上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明は、高電圧機器に設置されるタグ本体と、該タグ本体に設けられかつ前記高電圧機器の状態を監視するセンサを有するICチップと、前記タグ本体上にループ状に配置されて前記ICチップに記憶された監視データを送信するアンテナ線と、を具備するセンサ付きICタグ構造であって、前記アンテナ線は絶縁被覆電線から構成され、前記タグ本体が設置される前記高電圧機器の設置面には、半導電塗装が施されていることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention proposes the following means.
The present invention provides a tag main body installed in a high-voltage device, an IC chip provided on the tag main body and having a sensor for monitoring the state of the high-voltage device, and arranged in a loop on the tag main body. An IC tag structure with a sensor comprising: an antenna wire for transmitting monitoring data stored in an IC chip, wherein the antenna wire is composed of an insulation-coated electric wire, and the tag main body is installed on the high-voltage device. The installation surface is provided with a semiconductive coating.

本発明によれば、センサ付きICタグのアンテナ線を絶縁被覆電線から構成し、かつタグ本体が設置される高電圧機器の設置面に半導電塗装を施すことにより、センサタグ内のICチップなど電子部品を高電圧から保護できる。
また、該アンテナ線を所定値(例えば0.4mm)以下の小径に形成することができ、これにより該アンテナ線の間隔を密にして線間容量(C)を大きくすることにより、アンテナ線と半導電塗装間の容量成分(C)がアンテナの共振周波数に及ぼす影響を抑えることができ、センサ付きICタグの設置環境(特に半導電塗装)に依存した共振周波数の低下、および、通信エリアの縮小を改善することができる。
According to the present invention, an antenna wire of an IC tag with a sensor is composed of an insulation-coated electric wire, and a semiconductive coating is applied to an installation surface of a high-voltage device on which the tag body is installed, so that an electronic device such as an IC chip in a sensor tag Components can be protected from high voltages.
In addition, the antenna wire can be formed to have a small diameter of a predetermined value (for example, 0.4 mm) or less, thereby increasing the inter-line capacitance (C) by increasing the spacing between the antenna wires, The influence of the capacitive component (C) between the semiconductive coatings on the resonance frequency of the antenna can be suppressed, the resonance frequency is lowered depending on the installation environment of the IC tag with the sensor (especially the semiconductive coating), and the communication area Reduction can be improved.

さらに、タグ本体を構成するカード基体を絶縁フィルムにより形成する/高電圧機器内における導体の設置箇所の側方にセンサ付きICタグを設置する/アンテナ線の一部の長さを変更して共振周波数を調整する可変長部を設ける/アンテナ線のループ内に該アンテナのループ面積を調整するための導体部材を設置する/タグ本体上にICチップ及びアンテナ線を覆って外的環境から電子部品を保護する絶縁体の保護フィルムを設置する、などの各種手段を追加的、選択的に設けることによって、センサ付きICタグを高電圧機器に設置した場合であっても、ICチップなど電子部品が高電圧から保護され、さらに、通信エリアの顕著な縮小や、通信ができなくなる問題を防止できる。   In addition, the card base that forms the tag body is formed of an insulating film. The IC tag with sensor is installed on the side of the conductor installation location in the high-voltage equipment. Provide variable length part to adjust frequency / Install conductor member to adjust loop area of antenna in loop of antenna line / Cover IC chip and antenna line on tag main body from electronic environment Even if the IC tag with a sensor is installed in a high-voltage device by additionally providing various means such as installing a protective film of an insulator that protects the electronic component such as an IC chip, It is protected from a high voltage, and further, it is possible to prevent a problem that the communication area is remarkably reduced and communication cannot be performed.

本発明の一実施形態に係るセンサ付きICタグの全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the IC tag with a sensor which concerns on one Embodiment of this invention. 図1のセンサ付きICタグが高電圧機器の外面に設置された状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in which the IC tag with a sensor of FIG. 1 was installed in the outer surface of a high voltage apparatus. (A)センサ付きICタグにおけるアンテナ線の設置状態を示す断面図、(B)は通常のセンサ付きICタグに印刷されたアンテナ線を示す断面図である。(A) Sectional drawing which shows the installation state of the antenna line in IC tag with a sensor, (B) is sectional drawing which shows the antenna line printed on the IC tag with a normal sensor. 本発明の一実施形態に係るアンテナ線と、比較対象となる印刷されたアンテナ線における線幅と共振周波数との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the line width and resonance frequency in the antenna line which concerns on one Embodiment of this invention, and the printed antenna line used as a comparison object. 本発明の一実施形態に係るアンテナ線と、比較対象となる印刷されたアンテナ線における(A)高電圧機器設置面に半導電塗装を塗布した場合の共振周波数とアンテナ線幅との関係を示すグラフ、および、(B)高電圧機器設置面に半導電塗装を塗布した場合の共振周波数のシフト量とアンテナ線幅との関係を示すグラフである。(A) In the antenna line which concerns on one Embodiment of this invention, and the printed antenna line used as a comparison object, the relationship between the resonant frequency at the time of apply | coating semiconductive coating to the high voltage apparatus installation surface and an antenna line width is shown. It is a graph which shows the relationship between the shift amount of the resonant frequency at the time of apply | coating a semiconductive coating to the high voltage apparatus installation surface, and the antenna line | wire width. 本発明の一実施形態に係るセンサ付きICタグの変形例1を示す平面図である。It is a top view which shows the modification 1 of the IC tag with a sensor which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るセンサ付きICタグの変形例2を示す平面図である。It is a top view which shows the modification 2 of the IC tag with a sensor which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るセンサ付きICタグの変形例3を示す平面図である。It is a top view which shows the modification 3 of the IC tag with a sensor which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るセンサ付きICタグの変形例4を示す平面図である。It is a top view which shows the modification 4 of the IC tag with a sensor which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るセンサ付きICタグの変形例5を示す平面図である。It is a top view which shows the modification 5 of the IC tag with a sensor which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るセンサ付きICタグの変形例6を示し、(A)は平面図、(B)は断面図である。The modification 6 of the IC tag with a sensor which concerns on one Embodiment of this invention is shown, (A) is a top view, (B) is sectional drawing.

本発明の実施形態について、図1〜図11を参照して説明する。
図1は本願発明に係るセンサ付きICタグ1であり、図2はセンサ付きICタグ1が設置された高電圧機器50である。
これらの図に示されるように、センサ付きICタグ1は、高電圧機器50に設置されるタグ本体2と、該タグ本体2に設けられて高電圧機器50の状態を監視して記憶するICチップ3と、タグ本体2上にループ状に配置されてICチップ3に記憶された監視データを送信するアンテナ線4と、を具備するものであって、アンテナ線4は絶縁被覆電線から構成されている。
ICチップ3は、内部に固定コンデンサ3Aを有しかつ接続ライン5を介してセンサ6に接続される構成であって、該センサ6にて、高電圧機器50に関する情報(例えば、温度・振動加速度などの現状の監視データの他、機器の運用履歴データ)を検出し、その内部に設置されたメモリ(図示略)に記憶する。
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 shows an IC tag 1 with a sensor according to the present invention, and FIG. 2 shows a high voltage device 50 in which the IC tag 1 with a sensor is installed.
As shown in these drawings, the sensor-equipped IC tag 1 includes a tag main body 2 installed in the high-voltage device 50, and an IC provided in the tag main body 2 for monitoring and storing the state of the high-voltage device 50. A chip 3 and an antenna wire 4 that is arranged in a loop on the tag body 2 and transmits monitoring data stored in the IC chip 3, and the antenna wire 4 is formed of an insulation-coated electric wire. ing.
The IC chip 3 has a fixed capacitor 3A inside and is connected to a sensor 6 via a connection line 5, and the sensor 6 uses the information related to the high-voltage device 50 (for example, temperature / vibration acceleration). In addition to the current monitoring data such as, the operation history data of the device is detected and stored in a memory (not shown) installed therein.

また、センサ付きICタグ1のタグ本体2を構成するカード基体7は、絶縁フィルムにより形成されており、この絶縁フィルムによって、高電圧機器50の高電圧に対するICタグ本体2の絶縁性能を向上する。
なお、高電圧機器50の具体例としては、リニアモーターカーに使用される浮上式鉄道用地上コイルの他、モールド変圧器、モールド変流器などの高電圧モールド機器がある。また、本例の高電圧機器50は、内部に導体51を有し、該導体51を樹脂52でモールドした構造となっている。
Further, the card base 7 constituting the tag body 2 of the sensor-attached IC tag 1 is formed of an insulating film, and this insulating film improves the insulation performance of the IC tag body 2 against the high voltage of the high-voltage device 50. .
Specific examples of the high-voltage device 50 include a high-voltage molded device such as a molded transformer and a molded current transformer, in addition to a floating railway ground coil used in a linear motor car. The high voltage device 50 of this example has a conductor 51 inside, and the conductor 51 is molded with a resin 52.

また、図3(A)に示されるように、センサ付きICタグ1のタグ本体2の背面で、かつ該タグ本体2が設置される高電圧機器50の設置面には、半導電塗装Dが施されている。
この半導電塗装Dは高電圧機器50の電界集中を緩和して、ICタグ本体2が高電圧によって故障するのを防止する。
具体的には、タグ本体2の背面に金属を配置した場合は、該金属からの反射波の影響により通信ができなくなる場合や、基準値から共振周波数が増加して、通信エリアが顕著に狭くなる場合がある。また、タグ本体2全体を半導電性塗装で覆った場合は、電磁波が遮蔽されて通信ができなくなるという問題がある。このような問題の発生を防止するために、本例では、タグ本体2が設置される高電圧機器50の設置面のみに、半導電塗装Dを施している。
なお、半導電塗装Dには、金属の粒や炭素をフィラーとして混入した塗料が使用される。ただし、通常の金属と同じ抵抗値にすると、先に述べたとおり、該金属からの反射波の影響によって通信ができなくなる場合や、共振周波数が増加して、通信エリアが顕著に狭くなる場合があるため、一般的な金属に対して抵抗値が充分に大きいこと(例えば、100Ω〜10,000Ω)が求められる。また、図2では、半導電塗装Dをモールド52の全面に施したが、塗装箇所はモールド52の全面に限定されず、センサ付きICタグ1の設置面のみ、及びその設置面の周辺のみであっても、これら半導電塗装Dが接地されていれば良い。
Further, as shown in FIG. 3A, a semiconductive coating D is formed on the back surface of the tag main body 2 of the IC tag with sensor 1 and on the installation surface of the high voltage device 50 on which the tag main body 2 is installed. It has been subjected.
This semiconductive coating D alleviates the electric field concentration of the high voltage device 50 and prevents the IC tag body 2 from being damaged by the high voltage.
Specifically, when a metal is disposed on the back surface of the tag body 2, communication becomes impossible due to the influence of a reflected wave from the metal, or the communication frequency is remarkably narrow due to an increase in the resonance frequency from the reference value. There is a case. Further, when the entire tag body 2 is covered with a semiconductive coating, there is a problem that electromagnetic waves are shielded and communication becomes impossible. In order to prevent the occurrence of such a problem, in this example, the semiconductive coating D is applied only to the installation surface of the high voltage device 50 on which the tag body 2 is installed.
For the semiconductive coating D, a paint in which metal particles or carbon is mixed as a filler is used. However, if the resistance value is the same as that of a normal metal, as described above, communication may not be possible due to the influence of reflected waves from the metal, or the communication area may be significantly narrowed due to an increase in resonance frequency. Therefore, it is required that the resistance value is sufficiently large (for example, 100Ω to 10,000Ω) with respect to a general metal. In FIG. 2, the semiconductive coating D is applied to the entire surface of the mold 52, but the coating location is not limited to the entire surface of the mold 52, but only on the installation surface of the IC tag 1 with sensor and only on the periphery of the installation surface. Even if it exists, these semiconductive coatings D should just be earth | grounded.

また、図2に示されるように、高電圧機器50に対するセンサ付きICタグ1のタグ本体2の設置位置は、該高電圧機器50内における導体51の設置箇所の側方に設置されている。
これは、高電圧機器50における導体51の背面側にセンサ付きICタグ1を設置した場合には、アンテナ4からの電磁波が該導体51からの反射波の影響を受けるためであり、図2に示されるように、その影響(矢印mで示す)を防止するために、センサ付きICタグ1を、高電圧機器50の導体51側方に設置している。
As shown in FIG. 2, the installation position of the tag main body 2 of the IC tag with sensor 1 with respect to the high voltage device 50 is installed on the side of the installation location of the conductor 51 in the high voltage device 50.
This is because when the sensor-attached IC tag 1 is installed on the back side of the conductor 51 in the high-voltage device 50, the electromagnetic wave from the antenna 4 is affected by the reflected wave from the conductor 51. FIG. As shown, in order to prevent the influence (indicated by an arrow m), the IC tag with sensor 1 is installed on the side of the conductor 51 of the high-voltage device 50.

次に、図3〜図5を参照して本実施形態のアンテナ線4の構成について具体的に説明する。
上述したセンサ付きICタグ1のアンテナ線4は、図3(A)に示されるように、線幅が0.4mm以下の絶縁被覆電線によって構成され、かつタグ本体2上に接着されている。また、通常のアンテナ線(符号60で示す)は、図3(B)に示されるように印刷処理によりタグ本体2上に設置されている。
Next, the configuration of the antenna line 4 of the present embodiment will be specifically described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 3A, the antenna line 4 of the sensor-attached IC tag 1 described above is constituted by an insulated coated electric wire having a line width of 0.4 mm or less, and is adhered to the tag main body 2. Further, a normal antenna line (indicated by reference numeral 60) is installed on the tag main body 2 by a printing process as shown in FIG.

次に、図4を参照して、本発明に係るアンテナ線4の線幅と共振周波数との関係について説明する。
図4において、符号(1)〜(3)で示すアンテナ線4は、絶縁被覆電線により製作した本発明に係るアンテナ線であって、それぞれの線幅(d1)が、0.26mm、0.32mm、0.4mmに設定されている。また、符号(4)で示すアンテナ線は、印刷により製作したものあって、線幅(d2)が0.8mm、線間が0.3mmにそれぞれ設定されている。
なお、符号(1)〜(4)で示す各アンテナにおいて、左側の棒グラフ(斜線あり)はタグ本体2が設置される高電圧機器50の設置面に半導電塗装Dが塗布される前の形態、また、右側の棒グラフ(斜線なし)は、該半導電塗装Dが塗布された後の形態の測定結果を示している。
Next, the relationship between the line width of the antenna wire 4 according to the present invention and the resonance frequency will be described with reference to FIG.
In FIG. 4, antenna wires 4 indicated by reference numerals (1) to (3) are antenna wires according to the present invention manufactured by an insulation-coated electric wire, and each line width (d1) is 0.26 mm, 0. It is set to 32 mm and 0.4 mm. The antenna line indicated by reference numeral (4) is produced by printing, and the line width (d2) is set to 0.8 mm, and the distance between the lines is set to 0.3 mm.
In each antenna indicated by reference numerals (1) to (4), the left bar graph (with diagonal lines) is a form before the semiconductive coating D is applied to the installation surface of the high voltage device 50 on which the tag body 2 is installed. In addition, the bar graph on the right side (without diagonal lines) shows the measurement results of the form after the semiconductive coating D is applied.

また、本発明に係るアンテナ線4(アンテナ線(1)〜(3))の線幅は、0.4mm以下であるが、印刷によりアンテナ線を作製する場合(アンテナ線(4))には、膜厚が薄くなるので、アンテナ線の抵抗値を下げるために線幅を拡大する必要があり、このため、線幅を0.8mmに設定している。
さらに、印刷によるアンテナ線の場合、ショートを防ぐために線間も広げる必要があるが、本発明に係る絶縁被覆電線のアンテナ線4ではアンテナ線の抵抗値が低く、さらに、絶縁されているため、線幅を細くして、線間を密にできる。
Moreover, although the line width of the antenna wire 4 (antenna wires (1) to (3)) according to the present invention is 0.4 mm or less, the antenna wire is produced by printing (antenna wire (4)). Since the film thickness is reduced, it is necessary to increase the line width in order to reduce the resistance value of the antenna line. For this reason, the line width is set to 0.8 mm.
Furthermore, in the case of an antenna line by printing, it is necessary to widen the line to prevent a short circuit, but the resistance value of the antenna line is low in the antenna line 4 of the insulated wire according to the present invention, and further, since it is insulated, The line width can be narrowed and the space between the lines can be increased.

そして、上述した符号(1)〜(4)で示すアンテナ線を比較した場合、絶縁被覆電線により製作した本発明に係る0.4mm以下のアンテナ線4(アンテナ線(1)〜(3))では、半導電塗装Dの塗布の有無に係らず、基準値(本例では、13.56MHz付近)からの共振周波数の低下が低く抑えられ、通信への影響がほとんどないことが確認されている。これに対して、比較例として示した印刷されたアンテナ線(アンテナ線(4))では、特に、半導電塗装Dが施されている場合に、共振周波数が、12.485MHzまで低下し、通信が困難となることが確認されている。
すなわち、本実施形態では、高電圧機器50の電界集中を緩和して、ICタグ本体2が高電圧によって故障するのを防止するために、センサ付きICタグ1のタグ本体2が設置される高電圧機器50の設置面に半導電塗装Dを施した場合であっても、線幅が0.4mm以下の絶縁被覆電線でアンテナ線4(アンテナ線(1)〜(3))を構成して、線間を密にすれば、共振周波数の低下を抑えられ、通信エリアの縮小が抑えられることが確認されている。
And when comparing the antenna wires indicated by the above-mentioned symbols (1) to (4), the antenna wire 4 (antenna wires (1) to (3)) of 0.4 mm or less according to the present invention manufactured by an insulation-coated wire. Therefore, it is confirmed that the decrease in the resonance frequency from the reference value (in this example, around 13.56 MHz) is suppressed to a low level regardless of whether or not the semiconductive coating D is applied, and there is almost no influence on communication. . On the other hand, in the printed antenna line (antenna line (4)) shown as the comparative example, particularly when the semiconductive coating D is applied, the resonance frequency is reduced to 12.485 MHz, and communication is performed. Has been confirmed to be difficult.
That is, in the present embodiment, in order to alleviate the electric field concentration of the high-voltage device 50 and prevent the IC tag main body 2 from being damaged by a high voltage, the tag main body 2 of the sensor-equipped IC tag 1 is installed. Even when the semiconductive coating D is applied to the installation surface of the voltage device 50, the antenna wire 4 (antenna wires (1) to (3)) is configured with an insulation coated electric wire having a line width of 0.4 mm or less. It has been confirmed that if the distance between the lines is increased, the decrease in the resonance frequency can be suppressed and the reduction in the communication area can be suppressed.

上記半導電塗装Dを施した形態におけるアンテナ線(アンテナ線(1)〜(4))の線幅と共振周波数をまとめたものを、図5(A)(B)に示す。
これらの図5(A)(B)に示すように、センサ付きICタグ1のタグ本体2が設置される高電圧機器50の設置面に半導電塗装Dを施し、かつ線幅が0.4mm以下の絶縁被覆電線でアンテナ線4(アンテナ線(1)〜(3))を構成したセンサ付きICタグ1であれば、共振周波数の低下が抑えられ、通信エリアの縮小が抑えられることが確認されている。
5A and 5B show a summary of the line widths and resonance frequencies of the antenna wires (antenna wires (1) to (4)) in the form to which the semiconductive coating D is applied.
As shown in FIGS. 5A and 5B, a semiconductive coating D is applied to the installation surface of the high voltage device 50 on which the tag body 2 of the IC tag 1 with sensor is installed, and the line width is 0.4 mm. It is confirmed that the sensor-attached IC tag 1 in which the antenna wire 4 (antenna wires (1) to (3)) is constituted by the following insulated coated wires can suppress the decrease in the resonance frequency and the communication area. Has been.

上記実施形態に示すセンサ付きICタグ1では、高電圧機器50の設置面に半導電塗装Dを施し、かつ線幅が0.4mm以下の絶縁被覆電線でアンテナ線4(アンテナ線(1)〜(3))を構成したが、高電圧機器に設置した後でセンサ付きICタグの共振周波数を微調整して、さらに通信エリアの縮小を抑える場合は、以下の変形例1〜6のようにしても良い。   In the sensor-equipped IC tag 1 shown in the above embodiment, the installation surface of the high-voltage device 50 is subjected to the semiconductive coating D, and the antenna wire 4 (antenna wires (1) to (1)- (3)) is configured, but when finely adjusting the resonant frequency of the sensor-equipped IC tag after it is installed in a high-voltage device to further suppress the reduction of the communication area, the following modifications 1 to 6 are performed. May be.

(変形例1)
図6に示すように、センサ付きICタグ1のアンテナ線4の一部に、該アンテナ線4の一部の長さを変更して共振周波数を微調整する可変長部10を設けても良い。
この可変長部10は、アンテナ線4とICチップ3との間に位置する可変長ループ部11により構成されるものであって、該可変長ループ部11の大きさ(面積S)を変更することにより、インダクタンス(L成分)を微調整してアンテナ線4の共振周波数を使用条件に一致させる。
(Modification 1)
As shown in FIG. 6, a variable length portion 10 that finely adjusts the resonance frequency by changing the length of a part of the antenna line 4 may be provided on a part of the antenna line 4 of the IC tag with sensor 1. .
The variable length portion 10 is composed of a variable length loop portion 11 positioned between the antenna line 4 and the IC chip 3 and changes the size (area S) of the variable length loop portion 11. As a result, the inductance (L component) is finely adjusted so that the resonance frequency of the antenna line 4 matches the use condition.

具体的には、高電圧機器50にセンサ付きICタグ1を設置した後、アンテナ線4の末端に位置しかつ該アンテナ線4の一部を構成する導線4A,4Bによって可変長ループ部11を構成し、該導線4A,4Bのループ面積(符号Sで示す)を拡大することにより、インダクタンスを上昇させて共振周波数を低下させることができ、また、該導線4A,4Bのループ面積Sを縮小することにより、インダクタンスを低下させて共振周波数を上昇させることができる。
これによって、高電圧機器50にセンサ付きICタグ1を設置及び固定した後であっても、導線4A,4Bのループ面積Sを変更することによって、容易にアンテナ線4の共振周波数の微調整を行うことができる。
Specifically, after the IC tag 1 with the sensor is installed in the high voltage device 50, the variable length loop portion 11 is formed by the conductive wires 4A and 4B that are located at the end of the antenna wire 4 and constitute a part of the antenna wire 4. By configuring and enlarging the loop area (indicated by S) of the conducting wires 4A and 4B, the inductance can be increased and the resonance frequency can be lowered, and the loop area S of the conducting wires 4A and 4B can be reduced. By doing so, the inductance can be lowered and the resonance frequency can be raised.
As a result, even after the sensor-equipped IC tag 1 is installed and fixed to the high voltage device 50, the resonance frequency of the antenna wire 4 can be easily finely adjusted by changing the loop area S of the conducting wires 4A and 4B. It can be carried out.

(変形例2)
図6に示す変形例1では、アンテナ線4の末端に可変長部10として、2本の導線4A,4Bのループ面積Sを調整可能な可変長ループ部11を設置したが、本変形例2の可変長ループ部12では、図7に示すように、これら2本の導線4A,4Bの内、1本の導線4Aの長さを調整することにより、ループ面積Sを変更して共振周波数を微調整しても良い。
具体的には、図7に示すように、アンテナ線4を構成する一方の導線4Bを直線に配置した状態で、他方の導線4Aに弛みを持たせ、この導線4Aの弛みにより共振周波数を微調整しても良い。具体的には、ループ面積(符号S1、S2で示す)のうち、S1を縮小、または、S2を拡大することにより、インダクタンスを上昇させて共振周波数を低下させることができ、また、該導線4A,4Bのループ面積S1を拡大、または、S2を縮小することにより、インダクタンスを低下させて共振周波数を上昇させることができる。
(Modification 2)
In the first modification shown in FIG. 6, the variable length loop portion 11 capable of adjusting the loop area S of the two conductors 4 </ b> A and 4 </ b> B is installed at the end of the antenna wire 4 as the variable length portion 10. In the variable length loop section 12, as shown in FIG. 7, by adjusting the length of one of the two conductors 4A and 4B, the loop area S is changed to change the resonance frequency. Fine adjustment may be made.
Specifically, as shown in FIG. 7, with one conductor 4B constituting the antenna wire 4 arranged in a straight line, the other conductor 4A is slackened, and the resonance frequency is reduced by the slack of the conductor 4A. You may adjust it. Specifically, by reducing S1 or expanding S2 in the loop area (indicated by reference numerals S1 and S2), the inductance can be increased and the resonance frequency can be lowered, and the conductor 4A , 4B can be increased, or the resonance frequency can be increased by reducing the inductance by increasing S2 or reducing S2.

(変形例3)
図7に示す変形例2の可変長部10では、アンテナ線4を構成する2本の導線4A,4Bのループ面積S1、S2を変更したが、本変形例3の可変長ループ部13では、図8に示すように、これら2本の導線4C,4Dの内、1本の導線4Dの長さを調整することにより、該導線4Dと、アンテナ線4の本体部4Eとの間のループ面積S3を変更して共振周波数を微調整しても良い。
具体的には、図8に示すように、アンテナ線4を構成する一方の導線4Cを、ICチップ3からアンテナ線4の本体部4Eに接続した状態で、他方の導線4Dを、アンテナ線4の中心を貫通させつつ弛ませ、この導線4Dの弛みの位置により共振周波数を微調整しても良い。
具体的には、矢印a方向に導線4Dを移動させて該導体4Dの上側に位置するループ面積(符号S3で示す)を拡大することにより、インダクタンスを上昇させて共振周波数を低下させることができ、また、矢印b方向に導線4Dを移動させて該導線4Dのループ面積S3を縮小することにより、インダクタンスを低下させて共振周波数を上昇させることができる。
(Modification 3)
In the variable length part 10 of the modification 2 shown in FIG. 7, the loop areas S1 and S2 of the two conductors 4A and 4B constituting the antenna line 4 are changed, but in the variable length loop part 13 of the modification 3, As shown in FIG. 8, by adjusting the length of one of the two conductive wires 4C and 4D, the loop area between the conductive wire 4D and the main body 4E of the antenna wire 4 is adjusted. The resonance frequency may be finely adjusted by changing S3.
Specifically, as shown in FIG. 8, one conductor 4C constituting the antenna line 4 is connected from the IC chip 3 to the main body 4E of the antenna line 4, and the other conductor 4D is connected to the antenna line 4 as shown in FIG. The resonance frequency may be finely adjusted according to the position of the slack of the conducting wire 4D.
Specifically, by moving the lead wire 4D in the direction of arrow a and enlarging the loop area (indicated by reference numeral S3) located above the conductor 4D, the inductance can be raised and the resonance frequency can be lowered. Further, by moving the conducting wire 4D in the direction of the arrow b and reducing the loop area S3 of the conducting wire 4D, the inductance can be lowered and the resonance frequency can be raised.

(変形例4)
変形例1〜3では、アンテナ線4の末端に位置する可変長ループ部11〜13(可変長部10)のループ面積を変更することで共振周波数を微調整したが、この変形例4では、図9に示すように、アンテナ線4の途中に可変長部10を設置して共振周波数を微調整しても良い。
具体的には、図9に示すように、アンテナ線4を構成する一方の導線4Fを、ICチップ3からアンテナ線4の本体部4Gに接続させた状態で、該アンテナ線4の途中に位置する導線4Hに弛みを持たせ、この導線4Hの弛みの位置により共振周波数を微調整しても良い。
具体的には、矢印c方向に導線4Hを移動させて該該導線4Hの図中右側に位置するループ面積(符号S4で示す)を拡大することにより、インダクタンスを上昇させて共振周波数を低下させることができ、また、矢印d方向に導線4Hを移動させてループ面積S4を縮小することにより、インダクタンスを低下させて共振周波数を上昇させることができる。
(Modification 4)
In Modifications 1 to 3, the resonance frequency was finely adjusted by changing the loop area of the variable length loop parts 11 to 13 (variable length part 10) located at the end of the antenna wire 4, but in Modification Example 4, As shown in FIG. 9, the variable length portion 10 may be installed in the middle of the antenna wire 4 to finely adjust the resonance frequency.
Specifically, as shown in FIG. 9, one conductor 4F constituting the antenna line 4 is connected to the main body 4G of the antenna line 4 from the IC chip 3 and positioned in the middle of the antenna line 4. The conducting wire 4H may be slackened, and the resonance frequency may be finely adjusted depending on the slack position of the conducting wire 4H.
Specifically, the lead wire 4H is moved in the direction of arrow c to increase the loop area (indicated by reference numeral S4) located on the right side of the lead wire 4H in the figure, thereby increasing the inductance and lowering the resonance frequency. In addition, by moving the lead wire 4H in the direction of the arrow d to reduce the loop area S4, the inductance can be reduced and the resonance frequency can be increased.

(変形例5)
上記変形例1〜4では、センサ付きICタグ1のアンテナ線4の一部に、該アンテナ線4の一部の長さを変更して共振周波数を微調整する可変長部10を設けたが、これに限定されず、図10に示すように、導体部材20を設置しても良い。
この導体部材20は、タグ本体2上のICチップ3及びアンテナ線4のループ内に設置されて、該アンテナ線4のループ面積を調整するものである。また、この導体部材20は、タグ本体2上の平面に脱着自在に設置されるものであって、共振周波数を最適に調整するためのその設置位置も変更可能に構成されている。
(Modification 5)
In the first to fourth modifications, the variable length portion 10 that finely adjusts the resonance frequency by changing the length of a part of the antenna line 4 is provided in a part of the antenna line 4 of the sensor-attached IC tag 1. However, the present invention is not limited to this, and a conductor member 20 may be provided as shown in FIG.
The conductor member 20 is installed in the loop of the IC chip 3 and the antenna wire 4 on the tag main body 2 to adjust the loop area of the antenna wire 4. Further, the conductor member 20 is detachably installed on the plane on the tag main body 2, and the installation position for optimally adjusting the resonance frequency can be changed.

(変形例6)
上記変形例1〜5に加えて、タグ本体2上に、ICチップ3及びアンテナ線4を覆って外的環境から電子部品を保護する保護フィルム21を設置しても良い。この保護フィルム21は、図11(A)の平面図および(B)の断面図に示すように、タグ本体2を構成するカード基体7と同一か、もしくは、より若干小さい形状に形成された絶縁体であって、最上部に積層することにより、埃、水分、紫外線などの外的環境からICチップ3及びアンテナ線4を保護する。
(Modification 6)
In addition to the first to fifth modifications, a protective film 21 that covers the IC chip 3 and the antenna wire 4 and protects electronic components from the external environment may be installed on the tag body 2. As shown in the plan view of FIG. 11A and the cross-sectional view of FIG. 11B, the protective film 21 is an insulation formed in the same shape as the card base 7 constituting the tag body 2 or slightly smaller. By stacking on the top of the body, the IC chip 3 and the antenna wire 4 are protected from an external environment such as dust, moisture, and ultraviolet rays.

以上詳細に説明したように本実施形態に示すセンサ付きICタグ1によれば、ICチップ3に接続されたアンテナ線4を絶縁被覆電線から構成し、かつタグ本体2が設置される高電圧機器50の設置面に半導電塗装Dを施すことにより、ICタグ本体2が該高電圧機器50の高電圧から保護される。
さらに、該アンテナ線4を所定値(例えば0.4mm)以下の小径に形成することができ、これにより該アンテナ線4の間隔を密にして線間容量(C)を大きくすることで、アンテナ線と半導電塗装間の容量成分(C)がアンテナの共振周波数に及ぼす影響を抑えることができ、その結果、センサ付きICタグを、高電圧機器50の近くに設置した場合であっても、設置環境(特に半導電塗装)に依存した共振周波数の顕著な低下、および、通信エリアの顕著な縮小を改善することができる。
また、本実施形態のセンサ付きICタグ1のアンテナ線4を絶縁被覆電線から構成し、かつタグ本体2が設置される高電圧機器50の設置面に半導電塗装Dを施すという簡易な手段で、高電圧機器に設置しても、ICチップなど電子部品が高電圧から保護され、さらに、共振周波数の低下は抑えられ、従来のように、特別な周波数調整用の回路を組み込むなどの余計な構成も必要がない。
As described in detail above, according to the sensor-equipped IC tag 1 shown in the present embodiment, the antenna wire 4 connected to the IC chip 3 is composed of an insulation-coated electric wire, and the high-voltage device in which the tag body 2 is installed. The IC tag body 2 is protected from the high voltage of the high-voltage device 50 by applying the semiconductive coating D to the 50 installation surfaces.
Further, the antenna wire 4 can be formed to have a small diameter of a predetermined value (for example, 0.4 mm) or less, and thereby the distance between the antenna wires 4 is increased to increase the capacitance (C) between the antennas. The influence of the capacitive component (C) between the wire and the semiconductive coating on the resonance frequency of the antenna can be suppressed. As a result, even when the IC tag with a sensor is installed near the high voltage device 50, A significant decrease in the resonance frequency depending on the installation environment (especially a semiconductive coating) and a significant reduction in the communication area can be improved.
In addition, the antenna wire 4 of the IC tag with sensor 1 according to the present embodiment is constituted by an insulation-coated electric wire, and the semiconductive coating D is applied to the installation surface of the high voltage device 50 on which the tag body 2 is installed. Even when installed in high-voltage equipment, electronic components such as IC chips are protected from high voltages, and the decrease in resonance frequency is suppressed. As in the past, extra circuits such as special frequency adjustment circuits are incorporated. No configuration is required.

なお、上記実施形態のセンサ付きICタグ1では、ICチップ3に接続されたアンテナ線4を絶縁被覆電線からなり、かつタグ本体2が設置される高電圧機器50の設置面に半導電塗装Dを施すという構成を基本とするが、これに加えて、アンテナ線4の一部の長さを変更して共振周波数を微調整する可変長部10を設ける/ICチップ3ループ内にアンテナのループ面積を調整するための導体部材20を設置する/タグ本体2上にアンテナ線4を覆って外的環境から保護する絶縁体の保護フィルム21を設置する、などの変形例1〜6に示す各種手段を追加的、選択的に設けることによって、センサ付きICタグを高電圧機器50に設置した場合であっても、ICチップなど電子部品が高電圧から保護され、さらに、通信エリアの縮小や、通信ができなくなる問題を確実に防止することができる。   In the sensor-equipped IC tag 1 of the above embodiment, the antenna wire 4 connected to the IC chip 3 is made of an insulation-coated electric wire, and the semiconductive coating D is provided on the installation surface of the high-voltage device 50 on which the tag body 2 is installed. In addition to this, in addition to this, a variable length part 10 for finely adjusting the resonance frequency by changing the length of a part of the antenna line 4 is provided / the loop of the antenna in the IC chip 3 loop. Various modifications shown in the first to sixth modifications such as installing the conductor member 20 for adjusting the area / installing the protective film 21 of the insulator covering the antenna wire 4 and protecting from the external environment on the tag body 2 By providing the means additionally and selectively, even when the IC tag with sensor is installed in the high voltage device 50, the electronic components such as the IC chip are protected from the high voltage, and further, the communication area can be reduced, The signal is a problem that can not be can be reliably prevented.

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was explained in full detail with reference to drawings, the concrete structure is not restricted to this embodiment, The design change etc. of the range which does not deviate from the summary of this invention are included.

本発明は、浮上式鉄道用地上コイル、モールド変圧器、モールド変流器などの高電圧モールド機器に適用されるセンサ付きICタグ構造に関する。   The present invention relates to a sensor-attached IC tag structure applied to high-voltage molding equipment such as a floating railway ground coil, molded transformer, and molded current transformer.

1 センサ付きICタグ
2 タグ本体
3 ICチップ
4 アンテナ線
4A 導線
4B 導線
4C 導線
4D 導線
4E 本体部
4F 導線
4G 本体部
4H 導線
6 センサ
7 カード基体
10 可変長部
11 可変長ループ部
12 可変長ループ部
13 可変長ループ部
20 導電部材
21 保護フィルム
50 高電圧機器
51 導体
52 モールド
D 半導電塗装
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 IC tag with a sensor 2 Tag main body 3 IC chip 4 Antenna wire 4A Conductor 4B Conductor 4C Conductor 4D Conductor 4E Main part 4F Conductor 4G Main part 4H Conductor 6 Sensor 7 Card base 10 Variable length part 11 Variable length loop part 12 Variable length loop part 12 Part
13 Variable length loop portion 20 Conductive member 21 Protective film 50 High voltage device 51 Conductor 52 Mold D Semiconductive coating

Claims (10)

高電圧機器に設置されるタグ本体と、該タグ本体に設けられかつ前記高電圧機器の状態を監視するセンサを有するICチップと、前記タグ本体上にループ状に配置されて前記ICチップに記憶された監視データを送信するアンテナ線と、を具備するセンサ付きICタグ構造であって、
前記アンテナ線は絶縁被覆電線から構成され、前記タグ本体が設置される前記高電圧機器の設置面には、半導電塗装が施されていることを特徴とするセンサ付きICタグ構造。
A tag main body installed in a high voltage device, an IC chip provided on the tag main body and having a sensor for monitoring the state of the high voltage device, and arranged in a loop on the tag main body and stored in the IC chip An IC tag structure with a sensor comprising an antenna line for transmitting the monitored data,
The sensor-attached IC tag structure, wherein the antenna wire is formed of an insulation-coated electric wire, and a semiconductive coating is applied to an installation surface of the high-voltage device on which the tag body is installed.
前記タグ本体を構成するカード基体は、絶縁フィルムにより形成されていることを特徴とする請求項1に記載のセンサ付きICタグ構造。   2. The IC tag structure with a sensor according to claim 1, wherein the card base constituting the tag main body is formed of an insulating film. 前記高電圧機器に対する前記タグ本体の設置位置は、該高電圧機器内の導体設置箇所の側方であることを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項に記載のセンサ付きICタグ構造。   3. The IC tag structure with a sensor according to claim 1, wherein an installation position of the tag main body with respect to the high-voltage device is a side of a conductor installation location in the high-voltage device. . 前記アンテナ線を構成する絶縁被覆電線は線幅が0.4mm以下に設定され、線間を密にしていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のセンサ付きICタグ構造。   The IC tag with a sensor according to any one of claims 1 to 3, wherein a wire width of the insulation-coated electric wire constituting the antenna wire is set to 0.4 mm or less and a space between the wires is dense. Construction. 前記アンテナ線の一部には、該アンテナ線の一部の長さを変更して共振周波数を調整する可変長部が形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のセンサ付きICタグ構造。   The variable length part which adjusts the resonance frequency by changing the length of a part of the antenna line is formed in a part of the antenna line. An IC tag structure with a sensor according to 1. 前記可変長部は、前記アンテナ線と前記ICチップとの間に位置する可変長ループ部により構成されることを特徴とする請求項5に記載のセンサ付きICタグ構造。   6. The sensor-attached IC tag structure according to claim 5, wherein the variable length portion includes a variable length loop portion positioned between the antenna line and the IC chip. 前記可変長ループ部は、2本の前記アンテナ線の導線の内、1本の導線の長さを調整することにより形成されることを特徴とする請求項6に記載のセンサ付きICタグ構造。   The IC tag structure with a sensor according to claim 6, wherein the variable length loop portion is formed by adjusting a length of one of the two conductors of the antenna line. 前記可変長部は、前記アンテナ線の途中に配置されることを特徴とする請求項5に記載のセンサ付きICタグ構造。   The sensor-equipped IC tag structure according to claim 5, wherein the variable length portion is disposed in the middle of the antenna line. 前記タグ本体上の前記アンテナ線のループ内には、該アンテナのループ面積を調整するための導体部材が設置されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のセンサ付きICタグ構造。   The sensor according to any one of claims 1 to 8, wherein a conductor member for adjusting a loop area of the antenna is installed in a loop of the antenna line on the tag main body. IC tag structure with. 前記タグ本体上には、ICチップ及びアンテナ線を覆って外的環境から電子部品を保護する絶縁体の保護フィルムが設置されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のセンサ付きICタグ構造。   The protective film of the insulator which covers an IC chip and an antenna wire and protects an electronic component from an external environment is installed on the tag main body. The IC tag structure with a sensor as described.
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