JP2015103544A - Storage device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、制御回路の特性を表す特性データを記憶する記憶装置に関するものである。 The present invention relates to a storage device that stores characteristic data representing characteristics of a control circuit.
特許文献1に記載の記憶装置としてのEEPROMには、ソレノイドのコイルと、トランジスタ、抵抗等の複数の回路要素とを含む制御回路について、それら回路要素の各々の特性を表す要素特性データが記憶されている。そして、そのEEPROMに記憶された要素特性データに基づいてコイルへの供給電流が制御される。
特許文献2に記載の記憶装置としてのRAMには、ソレノイドのコイルを含む制御回路の実際の特性を表す個体特性データが記憶されている。そのRAMに記憶された個体特性データに基づいてコイルへの供給電流が制御される。
The EEPROM as a storage device described in
The RAM as a storage device described in
本発明の課題は、記憶装置の改良を図ることであり、例えば、制御回路の特性を表す特性データの使用領域を小さくしたり、より正確な特性データが記憶されるようにしたりすること等である。 An object of the present invention is to improve the storage device, for example, by reducing the use area of the characteristic data representing the characteristics of the control circuit or by storing more accurate characteristic data. is there.
本願発明に係る記憶装置は、制御回路の基準特性を表す基準特性データを記憶する第1記憶部と、制御回路の個体特性を表す個体特性データと基準特性データとの偏差である偏差データを記憶する第2記憶部とを含む。個体特性データと基準特性データとの差(偏差)を表す偏差データが取得され、偏差データが、基準特性データが記憶された第1記憶部とは異なる第2記憶部に記憶されるのである。
第1記憶部は、例えば、記憶容量が大きいが、記憶された情報が書き換えられることが少ないものとすることができる。具体的には、ROM,コードフラッシュ等が該当する。第1記憶部は、主として、制御回路(スイッチング素子等の回路要素を含む)等の設計段階においてプログラムコード等を記憶するのに用いられることが多い。
第2記憶部は、例えば、第1記憶部より記憶容量が小さく、第1記憶部よりデータの書き換え(書き込み、消去)が容易なものとすることができる。具体的には、EEPROM、データフラッシュ等が該当する。第2記憶部は、主として、設計後に取得されたデータ(工場内の学習値、ユーザ使用時の学習値等)の処理に用いられることが多い。
基準特性データは、例えば、設計段階で決められる制御回路の特性である基準特性を表す、画一的なデータとすることができる。個体特性データは、例えば、制御回路の個別の特性である個体特性を表すデータとすることができる。個体特性データは実際に取得される。特性データとは、制御回路の特性を表すデータであり、基準特性データ、個体特性データ、基準特性データおよび偏差データ、偏差データ等が該当する。偏差データは、個体特性の基準特性からの隔たりを表すデータであるため、特性データに該当するものであると考えることができる。
The storage device according to the present invention stores a first storage unit that stores reference characteristic data representing the reference characteristic of the control circuit, and deviation data that is a deviation between the individual characteristic data representing the individual characteristic of the control circuit and the reference characteristic data. And a second storage unit. Deviation data representing a difference (deviation) between the individual characteristic data and the reference characteristic data is acquired, and the deviation data is stored in a second storage unit different from the first storage unit in which the reference characteristic data is stored.
For example, the first storage unit may have a large storage capacity, but the stored information is rarely rewritten. Specifically, ROM, code flash, etc. are applicable. The first storage unit is often used mainly for storing a program code or the like in a design stage of a control circuit (including circuit elements such as switching elements).
For example, the second storage unit can have a smaller storage capacity than the first storage unit, and data can be rewritten (written or erased) more easily than the first storage unit. Specifically, an EEPROM, a data flash, etc. are applicable. The second storage unit is often used mainly for processing data acquired after design (learned values in a factory, learned values when used by a user, etc.).
The reference characteristic data can be uniform data representing, for example, a reference characteristic that is a characteristic of a control circuit determined at the design stage. The individual characteristic data can be data representing individual characteristics which are individual characteristics of the control circuit, for example. Individual characteristic data is actually acquired. The characteristic data is data representing the characteristics of the control circuit, and includes reference characteristic data, individual characteristic data, reference characteristic data, deviation data, deviation data, and the like. Since the deviation data is data representing a difference between the individual characteristics and the reference characteristics, it can be considered that the deviation data corresponds to the characteristics data.
前述のように、本記憶装置においては、基準特性データと偏差データとが互いに異なる記憶部に記憶されるため、これら基準特性データと偏差データとが同じ記憶部に記憶される場合に比較して、その記憶部(第1記憶部または第2記憶部)の特性データを記憶するために使用される領域(以下、単に使用領域と称する)を小さくすることができる。
また、個体特性データと偏差データとを比較すると、偏差データの方が少ない桁数で表すことができる。そのため、基準特性データと個体特性データとが記憶される場合に比較して、記憶装置全体の使用領域を小さくすることができる。
さらに、第2記憶部には偏差データが記憶されるため、個体特性データが記憶される場合と比較して、使用領域を小さくすることができる。換言すれば、第2記憶部の使用領域を同じにする場合には、その分、偏差データの有効数字を多くすることができ、より正確な(高精度の)個体特性データを取得することが可能となる。
また、基準特性データと偏差データとが記憶されれば、基準特性データも個体特性データも取得することができるのであり、基準特性データと個体特性データとの両方が記憶される場合と同様のデータが取得可能とされ、記憶される情報量を少なくすることができる。
As described above, in the present storage device, the reference characteristic data and the deviation data are stored in different storage units. Therefore, as compared with the case where the reference characteristic data and the deviation data are stored in the same storage unit. The area used for storing the characteristic data of the storage unit (the first storage unit or the second storage unit) (hereinafter simply referred to as the use region) can be reduced.
Further, when the individual characteristic data and the deviation data are compared, the deviation data can be represented by a smaller number of digits. Therefore, compared to the case where the reference characteristic data and the individual characteristic data are stored, the use area of the entire storage device can be reduced.
Furthermore, since the deviation data is stored in the second storage unit, the use area can be reduced as compared with the case where the individual characteristic data is stored. In other words, when the use area of the second storage unit is the same, the significant number of the deviation data can be increased correspondingly, and more accurate (high accuracy) individual characteristic data can be acquired. It becomes possible.
Further, if the reference characteristic data and the deviation data are stored, both the reference characteristic data and the individual characteristic data can be acquired, and the same data as when both the reference characteristic data and the individual characteristic data are stored. Can be acquired, and the amount of stored information can be reduced.
一方、本願発明に係る記憶装置はソレノイド制御装置に設けることができる。第1記憶部に記憶された基準特性データと、第2記憶部に記憶された偏差データとに基づいて個体特性データが取得され、取得された個体特性データに基づいてソレノイドのコイルへの供給電流が制御される。仮に、基準特性データと個体特性データとが第2記憶部に記憶された場合、あるいは、基準特性データが記憶されず、個体特性データのみが第2記憶部に記憶された場合において、第2記憶部に記憶された情報が消失した場合には、コイルへの供給電流の制御を良好に行うことが困難となる。それに対して、第1記憶部に基準特性データが記憶され、第2記憶部に偏差データが記憶されるようにすれば、第2記憶部に記憶されたデータが消失しても、第1記憶部に記憶された基準特性データに基づいてコイルへの供給電流を良好に制御することができる。 On the other hand, the storage device according to the present invention can be provided in the solenoid control device. Individual characteristic data is acquired based on the reference characteristic data stored in the first storage unit and the deviation data stored in the second storage unit, and the current supplied to the coil of the solenoid based on the acquired individual characteristic data Is controlled. If the reference characteristic data and the individual characteristic data are stored in the second storage unit, or if the reference characteristic data is not stored and only the individual characteristic data is stored in the second storage unit, the second storage is performed. When the information stored in the unit disappears, it becomes difficult to control the current supplied to the coil satisfactorily. On the other hand, if the reference characteristic data is stored in the first storage unit and the deviation data is stored in the second storage unit, even if the data stored in the second storage unit disappears, the first storage unit Based on the reference characteristic data stored in the unit, it is possible to satisfactorily control the current supplied to the coil.
偏差データの取得等は、記憶装置の出荷前に、工場の設備(外部装置)等を利用して行われるようにしたり、記憶装置の出荷後(ユーザ使用時)に、例えば、ソレノイド制御装置等において行われるようにしたりすることができる。また、工場内において第2記憶部に記憶された偏差データがユーザ使用時に適宜変更されるようにすることもできる。 The deviation data is acquired using factory equipment (external device) before the storage device is shipped, or after the storage device is shipped (when used by the user), for example, a solenoid control device or the like. Or can be done in In addition, the deviation data stored in the second storage unit in the factory can be changed as appropriate when the user uses it.
以下、本発明の一実施形態に係る記憶装置について説明する。本記憶装置は車両に搭載されたソレノイド制御装置に設けられる。ソレノイド制御装置は、電磁弁に含まれるソレノイドへの供給電流を制御するものである。電磁弁は、車載装置(流体圧作動装置、流体圧制御対象装置と称することができる)の流体圧を制御するものであり、例えば、車輪の回転を抑制する流体圧ブレーキの流体圧を制御するものとしたり、車体側部材と車輪側部材との間の間隔を調整する車高調整アクチュエータにおける流体圧(流体の流入・流出)を制御するものとしたり、トランスミッションのクラッチ油圧を制御するものとしたりすること等ができる。
なお、流体は液体であっても気体であってもよい。また、ソレノイド制御装置の制御対象であるソレノイドは、電磁弁以外のアクチュエータに含まれるものとすることができる。
さらに、偏差データは、車両の外部の、例えば、工場等に設置された外部装置を利用して取得されるようにしても、車両に搭載された、例えば、ソレノイド制御装置において取得されるようにしてもよい。
Hereinafter, a storage device according to an embodiment of the present invention will be described. This storage device is provided in a solenoid control device mounted on the vehicle. The solenoid control device controls a supply current to a solenoid included in the solenoid valve. The electromagnetic valve controls the fluid pressure of an in-vehicle device (which can be referred to as a fluid pressure operating device or a fluid pressure control target device), for example, controls the fluid pressure of a fluid pressure brake that suppresses the rotation of a wheel. To control the fluid pressure (fluid inflow / outflow) in the vehicle height adjustment actuator that adjusts the distance between the vehicle body side member and the wheel side member, or to control the clutch hydraulic pressure of the transmission You can do it.
The fluid may be a liquid or a gas. Further, the solenoid that is the control target of the solenoid control device can be included in an actuator other than the electromagnetic valve.
Further, even if the deviation data is acquired by using an external device installed outside the vehicle, for example, in a factory, the deviation data is acquired by, for example, a solenoid control device mounted on the vehicle. May be.
[ソレノイド制御装置]
以下、本発明の一実施例である記憶装置を備えたソレノイド制御装置について図面に基づいて詳細に説明する。
ソレノイド制御装置の制御対象であるソレノイドを含む電磁弁の一例を図1に示す。電磁弁10は、ポペット弁部12とソレノイド14とを含む。ポペット弁部12は、弁子20、弁座21、スプリング22等を備える。ソレノイド14は、コイル30とプランジャ32とを備える。コイル30への供給電流の制御によりプランジャ32が作動させられ、それに伴って弁子20が弁座21に対して接近・離間させられる。電磁弁10は、高圧側と低圧側との間の差圧に応じた力が弁子20を弁座21から離間させる向きに作用する姿勢で設けられる。図1に記載の電磁弁10においては、高圧側に高圧源が接続され、低圧側に流体圧作動装置が接続され、流体圧作動装置の流体圧が制御される。
[Solenoid control device]
Hereinafter, a solenoid control device including a storage device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
An example of a solenoid valve including a solenoid that is a control target of the solenoid control device is shown in FIG. The
コイル30を含む制御回路36を図2(a)に示す。制御回路36は、コイル30、電源40、スイッチング素子42等が直列に接続されて構成される。抵抗44はコイル30、スイッチング素子42を有するICの抵抗等、制御回路36の全体の抵抗を等価的に記載したものである。制御回路36には電流モニタ46が接続される。
スイッチング素子42は例えばトランジスタとすることができ、デューティ制御されることにより、コイル30に印加される電圧が制御されて、コイル30に流れる電流が制御される。コイル30に印加される電圧は、デューティ比が大きい場合は小さい場合より大きくなるため、本実施例においては、電圧をデューティ比で表す。
図2(a)に示す制御回路36において、
u(t)=R・i(t)+L・di(t)/dt
が成立する。u(t)はスイッチング素子42のデューティ制御によりコイル30に印加された電圧であり、i(t)はコイル30に流れる電流である。また、Lはコイル30のインダクタンスであり、Rは制御回路36全体の抵抗値である。
上式をラプラス変換すると(d/dt=s)、下式が得られる。
I(s)={1/(L・s+R)}・U(s)
上式に示すように、電圧(デューティ比)と電流との間の伝達関数は一次遅れ応答の式で表される。図2(b)に示すように、電流値は、デューティ比の変化に対して(過渡的に)、遅れて増加し、その後(定常的に)、デューティ比および抵抗値で決まる一定の大きさとなる。
A
The switching
In the
u (t) = R · i (t) + L · di (t) / dt
Is established. u (t) is a voltage applied to the
When the above equation is Laplace transformed (d / dt = s), the following equation is obtained.
I (s) = {1 / (L · s + R)} · U (s)
As shown in the above equation, the transfer function between the voltage (duty ratio) and the current is expressed by a first-order lag response equation. As shown in FIG. 2B, the current value increases with a delay with respect to the change in the duty ratio (transiently), and thereafter (steadily) with a constant magnitude determined by the duty ratio and the resistance value. Become.
スイッチング素子42等を含む駆動回路48はコントローラ50により制御され、コイル30への供給電流が制御される。本実施例においては、図3に示すように、駆動回路48、コントローラ50等によりソレノイド制御装置としてのECU52が構成される。コントローラ50は、コンピュータを主体とするものであり、入出力部54、実行部56、記憶部58等を含む。入出力部54には、図示しない複数のセンサが接続されるとともに駆動回路48等が接続される。入出力部54には、複数の駆動回路が接続されることが多いが、図3には、そのうちの1つを示した。実行部56においては、入出力部54を介して入力されたセンサ検出値等と記憶部58に記憶されたプログラム、データ等に基づいて制御指令値が作成される。記憶部58は、コードフラッシュ60とデータフラッシュ62とを含み、複数のプログラム、データ等を記憶する。
コードフラッシュ60は、データフラッシュ62より記憶容量が大きく、主として、ECU52、電磁弁10(ソレノイド14)等の設計段階において作成されたプログラムコード、データ等が記憶される。本実施例においては、制御回路36の特性の1つとしての基準特性を表す基準特性データが記憶される。
データフラッシュ62は、コードフラッシュ60より記憶容量が小さく、書き換え(書き込み、消去)が容易なものである。主として、設計後に工場、ユーザ使用時に取得された学習値等が記憶されるのであり、制御回路36の特性の1つとしての個体特性を表す個体特性データと基準特性データとの偏差を表す偏差データが記憶される。
図3から明らかなように、記憶部58は、ECU52の構成要素であり、コードフラッシュ60もデータフラッシュ62もECU52内に設けられたものである。
The
The
The data flash 62 has a smaller storage capacity than the
As apparent from FIG. 3, the
本実施例において、制御回路36の特性とは、コイル30に印加される電圧(本実施例においては、デューティ比で表す)とコイル30に流れる電流(制御回路36に流れる電流と同じであると考えることができる)との関係である。基準特性(基準モデル)とは、設計段階において決められた特性であり、画一的な特性である。基準特性を表す基準特性データの一例を図5の実線で示す(電流x、電圧としてのデューティ比y)。
y=a・x+b
なお、基準特性データは、設計段階においてコードフラッシュ60に記憶させられる。
そして、その基準特性に基づいて、駆動回路48、ソレノイド14等が設計、製造されるのであるが、駆動回路48(スイッチング素子42を含むIC回路等)、コイル30等の個々のばらつき等に起因して、制御回路36の個々の特性が基準特性からずれることがある。そこで、本実施例においては、制御回路36の個別の実際の特性である個体特性(個体モデル)が、車両の出荷前に、車両組み付け工場の設備等を利用して取得される。そして、個体特性を表す個体特性データから基準特性データを引くことにより偏差データが得られ、データフラッシュ62に記憶させられる。
In the present embodiment, the characteristics of the
y = a · x + b
The reference characteristic data is stored in the
Based on the reference characteristics, the
[偏差データの取得]
偏差データは、前述のように、車両組み付け工場の設備(外部装置70と称する)を利用して取得される。外部装置70は、図4(a)に示すように、コンピュータを主体とするものであり、ECU52に接続される。外部装置70とECU52との間のデータ通信等により、制御回路36についての個体特性データ、偏差データの取得等が行われるのであり、外部装置70に記憶された図4(b)のフローチャートで表されるプログラムの実行に従って行われる。なお、図4(a)には、外部装置70とECU52とが接続された場合を示すが、外部装置70の機能により、外部装置70と制御回路36とが接続されたり、外部装置70とコントローラ50とが接続されたりする場合もある。また、電源、電流モニタ等については、工場にある設備を使用することもできる。
[Obtain deviation data]
As described above, the deviation data is acquired using equipment (referred to as the external device 70) of the vehicle assembly factory. As shown in FIG. 4A, the
ステップ1(以下、S1と略称する。他のステップについても同様とする)において、制御回路36についての個体特性データが取得される。個体特性データは、例えば、複数の実測点(xk、hk)に基づいて取得される1つの直線で表すことができる。
実測点(xk、hk)は、電流モニタ46によって検出された制御回路36に実際に流れた電流と、実際のスイッチング素子42の制御に用いられたデューティ比とで表されるx−h座標上の点である。実測点は、それぞれ、複数回ずつ検出されて統計的に処理された代表値(例えば、平均値)として取得されるようにすることができる。
例えば、外部装置70からECU52に、図6(a)に示す設定電流値(x1、x2、x3、・・)を表す情報が順番に供給される。ECU52において、デューティ比を変化させることにより、電流モニタ46によって検出される電流が設定電流値となるデューティ比(h1、h2、h3・・)が取得される。そして、ECU52から外部装置70に、取得されたデューティ比(h1、h2、h3・・)を表す情報が供給される。外部装置70において、図6(b)に示すように、複数個の互いに異なる実測点(xk、hk)が取得される。
取得された複数の実測点(xk、hk)に基づいて(例えば、最小二乗法等により)個体特性データを表す直線が取得されるが、その一例を図5の一点鎖線で示す。
h=γ・x+c
なお、電流0(x0)の場合のデューティ比(h0)は、一点鎖線の切片(h0=c)として取得することができる。
In step 1 (hereinafter abbreviated as S1, the same applies to other steps), individual characteristic data for the
The actual measurement points (x k , h k ) are x−h expressed by the current actually flowing through the
For example, information representing the set current values (x 1 , x 2 , x 3 ,...) Shown in FIG. 6A is sequentially supplied from the
A straight line representing individual characteristic data is acquired (for example, by the method of least squares) based on the acquired plurality of actual measurement points (x k , h k ), and an example thereof is indicated by a one-dot chain line in FIG.
h = γ · x + c
Incidentally, the duty ratio when the current zero (x 0) (h 0) can be obtained as the intercept of the dashed
S2において偏差データが取得される。偏差は、同じ電流に対する、個体特性データのデューティ比と基準特性データのデューティ比との差である。例えば、図5に示すように、設定電流値(xk)の各々に対応する個体特性データのデューティ比(hk)から基準特性データのデューティ比(yk)を引くことによって偏差データΔykが取得される。
Δyk=hk−yk
(Δy0、Δy1、Δy2、Δy3・・)
例えば、ECU52においてコードフラッシュ60から読み出された基準特性データが外部装置70へ供給され、外部装置70において、S1において取得された個体特性データを用いて、偏差データΔykが取得されるようにすることができる。
そして、S3において、取得された偏差データΔykがデータフラッシュ62に記憶される。例えば、外部装置70はECU52に、偏差データΔykを供給するとともに、それら偏差データΔykを記憶部58のデータフラッシュ62に記憶する指令等を出力する。ECU52において、偏差データΔykがデータフラッシュ62に記憶させられる。
なお、偏差データを取得する際に用いられる個体特性データのデューティ比hkとして実測点のデューティ比を用いてもよい。複数の実測点により個体特性データが表されると考えることができるからである。
Deviation data is acquired in S2. The deviation is the difference between the duty ratio of the individual characteristic data and the duty ratio of the reference characteristic data for the same current. For example, as shown in FIG. 5, the deviation data Δy k is obtained by subtracting the duty ratio (y k ) of the reference characteristic data from the duty ratio (h k ) of the individual characteristic data corresponding to each of the set current values (x k ). Is acquired.
Δy k = h k −y k
(Δy 0 , Δy 1 , Δy 2 , Δy 3 ...)
For example, the reference characteristic data read from the
In S 3, the obtained deviation data Δy k is stored in the
Note that the duty ratio at the actual measurement point may be used as the duty ratio h k of the individual characteristic data used when obtaining the deviation data. This is because it can be considered that individual characteristic data is represented by a plurality of actually measured points.
このように、本実施例においては、基準特性データと個体特性データとの偏差を表す偏差データが取得されて、記憶されて、記憶装置としての記憶部58が製造される。データフラッシュ62の記憶容量はコードフラッシュ60と比較して少なく、また、データの書き込み、消去が容易であることから、多くのデータの処理に使用される。そのため、データフラッシュ62の使用可能領域(空き領域)は大きくしておくことが望ましい。
一方、個体特性データと偏差データとを比較すると、偏差データの方が使用されるデータ量が少ない。例えば、データフラッシュ62にn個のデューティ比h(h0、h1、h2、・・・hn−1)から構成される個体特性データが記憶される場合に使用される容量は、Q(byte)×n(個)×αとなる。αは、複数の記憶方法で記憶される場合(例えば、フェールセーフのため)に、それに応じて決まる値である。それに対して、n個の偏差(Δy0、Δy1、Δy2、・・・Δyn−1)から構成される偏差データが記憶される場合に使用される容量は、Q′(byte)×n(個)×αとなる。データ1個が使用する容量は、デューティ比の絶対値より偏差(デューティ比の差)の方が小さいため(Q′<Q)、偏差データが記憶されるようにすれば、その分、データフラッシュ62の使用領域を小さくすることができる。その結果、データフラッシュ62の空き領域を大きくすることができ、データフラッシュ62のアクセス性を向上させることができる。
また、使用領域を同じにすれば、その分、偏差データの有効数字を多くすることができ、個体特性データを精度よく取得することができる。
なお、設定電流値(xk)が予め決められているため、特性を表すデューティ比を電流値と関係付けて記憶する必要はなく、それによっても使用領域を小さくすることができる。
以上のように、コードフラッシュ60に基準特性データが記憶され、データフラッシュ62に偏差データが記憶されて記憶部58が製造された後に、車両が出荷される。
Thus, in this embodiment, deviation data representing the deviation between the reference characteristic data and the individual characteristic data is acquired and stored, and the
On the other hand, when the individual characteristic data and the deviation data are compared, the deviation data uses a smaller amount of data. For example, the capacity used when individual characteristic data composed of n duty ratios h (h 0 , h 1 , h 2 ,... H n−1 ) is stored in the data flash 62 is Q (byte) × n (pieces) × α. α is a value determined according to a plurality of storage methods (for example, for fail-safe). On the other hand, when the deviation data composed of n deviations (Δy 0 , Δy 1 , Δy 2 ,... Δy n−1 ) is stored, the capacity used is Q ′ (byte) × n (pieces) × α. The capacity used by one piece of data is smaller in the deviation (duty ratio difference) than the absolute value of the duty ratio (Q '<Q). The use area of 62 can be reduced. As a result, the free area of the data flash 62 can be increased, and the accessibility of the data flash 62 can be improved.
Further, if the use area is the same, the significant number of the deviation data can be increased correspondingly, and the individual characteristic data can be obtained with high accuracy.
Since the set current value (x k ) is determined in advance, it is not necessary to store the duty ratio representing the characteristic in association with the current value, and the use area can be reduced accordingly.
As described above, after the reference characteristic data is stored in the
なお、第1記憶部、第2記憶部の少なくとも一方は、ECUの外に設けられたものであってもよい(例えば、第1記憶部をROMとして、第2記憶部をEEPROMとすることもできる。)。その場合には、ECUと外部メモリとによってソレノイド制御装置が構成される。
また、本実施例においては、車両の組み立て工場等において、個体特性データが取得されてデータフラッシュ62に記憶されるようにされているが、車両の出荷後の、実際のソレノイド制御中に個体特性データが取得されて、データフラッシュ62に記憶されるようにしたり、ソレノイド制御中に取得された個体特性データによってデータフラッシュ62に記憶されたデータが適宜変更されるようにしたりすることもできる。
さらに、個体特性データと基準特性データとの偏差である偏差データに限定されず、偏差と1対1に対応する偏差関連データが記憶されるようにすることもできる。偏差関連データと基準特性データとに基づいて個体特性データが取得され、それに基づいてコイル30への供給電流が制御されることになる。
Note that at least one of the first storage unit and the second storage unit may be provided outside the ECU (for example, the first storage unit may be a ROM and the second storage unit may be an EEPROM). it can.). In that case, a solenoid control device is constituted by the ECU and the external memory.
In this embodiment, the individual characteristic data is acquired and stored in the data flash 62 in a vehicle assembly factory or the like, but the individual characteristic is being controlled during actual solenoid control after the vehicle is shipped. Data may be acquired and stored in the
Furthermore, the present invention is not limited to the deviation data that is the deviation between the individual characteristic data and the reference characteristic data, and deviation-related data corresponding to the deviation on a one-to-one basis may be stored. The individual characteristic data is acquired based on the deviation related data and the reference characteristic data, and the supply current to the
[ソレノイドへの供給電流の制御]
次に、記憶部58を備えたECU52におけるコイル30への供給電流の制御の一例について図7に基づいて説明する。
目標電流演算部80において、複数のセンサの検出値等に基づいてコイル30への供給電流の目標値である目標電流xrefが決定される。例えば、流体圧作動装置の目標流体圧が実現されるように目標電流xrefを決定することができる。目標デューティ比決定部82において、コードフラッシュ60に記憶された基準特性データと、データフラッシュ62に記憶された偏差データとに基づいて制御回路36の個体特性データが取得され、取得された個体特性データと目標電流xrefとに基づいて、スイッチング素子42を制御する場合の目標デューティ比Drefが、補間法を用いて決定される。
具体的に、目標電流xrefが入力されると、図8に示すように、目標電流xrefが間に位置する2つの設定電流値xk、xk+1が取得され(xk<xref<xk+1)、それらに対応する基準特性データ(yk、yk+1)、偏差(Δyk、Δyk+1)が取得され、個体特性データ(hk、hk+1)が取得される。
hk=yk+Δyk
hk+1=yk+1+Δyk+1
そして、2つの設定電流値xk、xk+1の間の個体特性を表す直線の傾きβが取得され、目標電流xrefが得られるような目標デューティ比Drefが決定される。
β=(hk+1−hk)/(xk+1−xk)
Dref=β・xref+c
c=y0+Δy0=b+Δy0
[Control of current supplied to solenoid]
Next, an example of control of the supply current to the
In the target
Specifically, when the target current xref is input, as shown in FIG. 8, two set current values x k and x k + 1 with the target current xref positioned therebetween are acquired (x k <xref <x k + 1 ). Reference characteristic data (y k , y k + 1 ) and deviation (Δy k , Δy k + 1 ) corresponding to them are acquired, and individual characteristic data (h k , h k + 1 ) are acquired.
h k = y k + Δy k
h k + 1 = y k + 1 + Δy k + 1
Then, the slope β of the straight line representing the individual characteristics between the two set current values x k and x k + 1 is acquired, and the target duty ratio Dref that can obtain the target current xref is determined.
β = (h k + 1 −h k ) / (x k + 1 −x k )
Dref = β · xref + c
c = y 0 + Δy 0 = b + Δy 0
温度対応補正部84において、目標デューティ比決定部82において決定されたデューティ比Drefが温度補正係数KTを用いて補正されて、出力される(デューティ比Dout)。制御回路36の抵抗値Rは温度の変化に伴って変化するため、制御回路36の特性も変化する。そこで、コイル30の温度が実際の温度あるいはそれに近い温度である場合の抵抗値等に基づいて温度補正係数KTが取得され、補正されるのである。また、温度対応補正部84によって出力されるデューティ比Doutはフィードフォワード制御指令値DFFである。また、温度に限らず特性が影響を受ける環境で補正されるようにすることもできるのであり、その場合には、環境対応補正部と称することもできる。
In the temperature corresponding
電源電圧対応補正部86においては、電源40の電圧の大きさに基づいて、入力されたデューティ比Doutが補正されて、出力される(Dout1)。電源電圧が低い場合は高い場合より、入力されたデューティ比Doutを大きくする補正が行われる。電源電圧とデューティ比の補正値との関係は予め取得されて、例えば、マップ化されて記憶されている。ノイズ除去部88においては、入力されたデューティ比Dout1が下限値(例えば、0とすることができる)と上限値(例えば、100%とすることができる)との間にない場合には、下限値、あるいは、上限値に決定されて、出力される(Dout2)。デューティ出力部90は、デューティ比Dout2でスイッチング素子42を駆動させることにより、それに応じた電流をコイル30に供給する。
In the power supply
一方、コイル30に流れた実際の電流である実電流は電流モニタ46によって検出され、フィードバックされる。
A/D変換部92において、電流モニタ46において検出された実電流xa(アナログ値)がディジタル値に変換されて出力される。電流モニタ補正部94において、電流モニタ46の温度等に基づいて入力されたディジタル値の補正等が行われる。ディジタルフィルタ96において、ノイズ等が除去されて、平滑化される。本実施例においては、移動平均値が取得されて、出力される(xaf)。
実デューティ比取得部98において、入力された実電流xafと個体特性データとに基づいて実電流xafに対応するデューティ比Dafが取得される。
具体的には、実電流xafが中間に位置する2つの設定電流値xm、xm+1が取得され(xm<xaf<xm+1)、それらに対応する基準特性データ(ym、ym+1)、偏差(Δym、Δym+1)が取得され、個体特性データ(hm、hm+1)が取得される。そして、2つの設定電流値xm、xm+1の間の傾きβ′が取得され、実電流xafに対応する実デューティ比Dafが決定される。
β′=(hm+1−hm)/(xm+1−xm)
Daf=β′・xaf+c
そして、実電流xafに対応するデューティ比Dafと目標電流Irefに対応するデューティ比Drefとの差である偏差(Dref−Daf)が取得され、PID制御部00に供給される。PID制御部100においては、デューティ比の偏差(Dref−Daf)が小さくなるように、フィードバック制御値DFBが取得される。そして、温度対応補正部304から出力されたフィードフォワード指令値DFFに加えられる。
On the other hand, an actual current that is an actual current flowing through the
In the A /
The actual duty
Specifically, two set current values x m and x m + 1 in which the actual current xaf is located in the middle are acquired (x m <xaf <x m + 1 ), and the corresponding reference characteristic data (y m , y m + 1 ) , Deviation (Δy m , Δy m + 1 ) is acquired, and individual characteristic data (h m , h m + 1 ) is acquired. Then, the slope β ′ between the two set current values x m and x m + 1 is acquired, and the actual duty ratio Daf corresponding to the actual current xaf is determined.
β ′ = (h m + 1 −h m ) / (x m + 1 −x m )
Daf = β ′ · xaf + c
Then, a deviation (Dref−Daf) that is a difference between the duty ratio Daf corresponding to the actual current xaf and the duty ratio Dref corresponding to the target current Iref is acquired and supplied to the PID control unit 00. In the
以上のように、本実施例においては、コードフラッシュ60に記憶された基準特性データとデータフラッシュ62に記憶された偏差データとに基づいて個体特性データが取得され、個体特性データに基づいてスイッチング素子42へのデューティ比が決定される。コイル30への供給電流の制御が制御回路36の実際の個別の特性に基づいて行われるのであり、供給電流の制御を精度よく行うことができる。その結果、流体圧作動装置の応答性の向上を図ることができ、流体圧の制御精度を向上させることができる。
また、基準特性データがコードフラッシュ60に記憶されているため、データフラッシュ62に記憶された偏差データが何等かの原因により消失しても、基準特性データに基づいてフィードフォワード制御値DFFを作成することが可能となる。
As described above, in this embodiment, individual characteristic data is acquired based on the reference characteristic data stored in the
Further, since the reference characteristic data is stored in the
本実施例においては、記憶部58が記憶装置に対応し、コードフラッシュ60が第1記憶部、データフラッシュ62が第2記憶部に対応する。また、外部装置70は、偏差データ取得装置と称したり、偏差データ取得・記憶制御装置と称したり、記憶装置作成装置と称したりすることができる。
In this embodiment, the
本発明は、上記実施例に記載の態様の他、当業者の知識に基づき、種々の変更、改良を施した態様で実施することができる。 The present invention can be implemented in variously modified and improved modes based on the knowledge of those skilled in the art, in addition to the modes described in the above embodiments.
10:電磁弁 14:ソレノイド 30:コイル 42:スイッチング素子 46:電流モニタ 48:駆動回路 50:コントローラ 52:ECU 58:記憶部 60:コードフラッシュ 62:データフラッシュ 70:外部装置 82:目標デューティ比決定部 98:実デューティ比決定部 10: Solenoid valve 14: Solenoid 30: Coil 42: Switching element 46: Current monitor 48: Drive circuit 50: Controller 52: ECU 58: Storage unit 60: Code flash 62: Data flash 70: External device 82: Target duty ratio determination Unit 98: Actual duty ratio determining unit
Claims (1)
前記制御回路について予め定められた前記関係である基準特性を表す基準特性データを記憶する第1記憶部と、
前記制御回路の個別の実際の前記関係である個体特性を表す個体特性データと前記基準特性データとの偏差である偏差データを記憶する第2記憶部と
を含むことを特徴とする記憶装置。 A storage device for storing characteristic data representing a characteristic that is a relationship between voltage and current in a control circuit including a coil,
A first storage unit that stores reference characteristic data representing a reference characteristic that is the relationship determined in advance for the control circuit;
A storage device, comprising: a second storage unit that stores deviation data that is a deviation between individual characteristic data representing individual characteristics that are the individual actual relationships of the control circuit and the reference characteristic data.
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