JP2015103544A - Storage device - Google Patents

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JP2015103544A
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Hiroyoshi Ajima
弘喜 味間
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圭 佐藤
健太郎 大矢
Kentaro Oya
健太郎 大矢
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a characteristic data use area in a storage device.SOLUTION: A storage unit 58 includes a code flash 60 and a data flash 62. Reference characteristic data of a control circuit 36 is stored in the code flash 60, and deviation data indicating the deviation between individual characteristic data and the reference characteristic data is stored in the data flash 62. The individual characteristic data is acquired on the basis of the reference characteristic data and the deviation data. A duty ratio is determined and supply current to a coil 30 is controlled on the basis of the individual characteristic data. Thus, the use area of the storage unit 58 can be reduced because the deviation data is stored, not the individual characteristic data. Also, accessibility can be improved because a free area of the data flash 62 can be enlarged.

Description

本発明は、制御回路の特性を表す特性データを記憶する記憶装置に関するものである。   The present invention relates to a storage device that stores characteristic data representing characteristics of a control circuit.

特許文献1に記載の記憶装置としてのEEPROMには、ソレノイドのコイルと、トランジスタ、抵抗等の複数の回路要素とを含む制御回路について、それら回路要素の各々の特性を表す要素特性データが記憶されている。そして、そのEEPROMに記憶された要素特性データに基づいてコイルへの供給電流が制御される。
特許文献2に記載の記憶装置としてのRAMには、ソレノイドのコイルを含む制御回路の実際の特性を表す個体特性データが記憶されている。そのRAMに記憶された個体特性データに基づいてコイルへの供給電流が制御される。
The EEPROM as a storage device described in Patent Document 1 stores element characteristic data representing characteristics of each circuit element of a control circuit including a solenoid coil and a plurality of circuit elements such as transistors and resistors. ing. The supply current to the coil is controlled based on the element characteristic data stored in the EEPROM.
The RAM as a storage device described in Patent Document 2 stores individual characteristic data representing actual characteristics of a control circuit including a solenoid coil. The supply current to the coil is controlled based on the individual characteristic data stored in the RAM.

特開平11−327602号公報JP 11-327602 A 特開2006−252416号公報JP 2006-252416 A

本発明の課題は、記憶装置の改良を図ることであり、例えば、制御回路の特性を表す特性データの使用領域を小さくしたり、より正確な特性データが記憶されるようにしたりすること等である。   An object of the present invention is to improve the storage device, for example, by reducing the use area of the characteristic data representing the characteristics of the control circuit or by storing more accurate characteristic data. is there.

課題を解決するための手段および効果Means and effects for solving the problem

本願発明に係る記憶装置は、制御回路の基準特性を表す基準特性データを記憶する第1記憶部と、制御回路の個体特性を表す個体特性データと基準特性データとの偏差である偏差データを記憶する第2記憶部とを含む。個体特性データと基準特性データとの差(偏差)を表す偏差データが取得され、偏差データが、基準特性データが記憶された第1記憶部とは異なる第2記憶部に記憶されるのである。
第1記憶部は、例えば、記憶容量が大きいが、記憶された情報が書き換えられることが少ないものとすることができる。具体的には、ROM,コードフラッシュ等が該当する。第1記憶部は、主として、制御回路(スイッチング素子等の回路要素を含む)等の設計段階においてプログラムコード等を記憶するのに用いられることが多い。
第2記憶部は、例えば、第1記憶部より記憶容量が小さく、第1記憶部よりデータの書き換え(書き込み、消去)が容易なものとすることができる。具体的には、EEPROM、データフラッシュ等が該当する。第2記憶部は、主として、設計後に取得されたデータ(工場内の学習値、ユーザ使用時の学習値等)の処理に用いられることが多い。
基準特性データは、例えば、設計段階で決められる制御回路の特性である基準特性を表す、画一的なデータとすることができる。個体特性データは、例えば、制御回路の個別の特性である個体特性を表すデータとすることができる。個体特性データは実際に取得される。特性データとは、制御回路の特性を表すデータであり、基準特性データ、個体特性データ、基準特性データおよび偏差データ、偏差データ等が該当する。偏差データは、個体特性の基準特性からの隔たりを表すデータであるため、特性データに該当するものであると考えることができる。
The storage device according to the present invention stores a first storage unit that stores reference characteristic data representing the reference characteristic of the control circuit, and deviation data that is a deviation between the individual characteristic data representing the individual characteristic of the control circuit and the reference characteristic data. And a second storage unit. Deviation data representing a difference (deviation) between the individual characteristic data and the reference characteristic data is acquired, and the deviation data is stored in a second storage unit different from the first storage unit in which the reference characteristic data is stored.
For example, the first storage unit may have a large storage capacity, but the stored information is rarely rewritten. Specifically, ROM, code flash, etc. are applicable. The first storage unit is often used mainly for storing a program code or the like in a design stage of a control circuit (including circuit elements such as switching elements).
For example, the second storage unit can have a smaller storage capacity than the first storage unit, and data can be rewritten (written or erased) more easily than the first storage unit. Specifically, an EEPROM, a data flash, etc. are applicable. The second storage unit is often used mainly for processing data acquired after design (learned values in a factory, learned values when used by a user, etc.).
The reference characteristic data can be uniform data representing, for example, a reference characteristic that is a characteristic of a control circuit determined at the design stage. The individual characteristic data can be data representing individual characteristics which are individual characteristics of the control circuit, for example. Individual characteristic data is actually acquired. The characteristic data is data representing the characteristics of the control circuit, and includes reference characteristic data, individual characteristic data, reference characteristic data, deviation data, deviation data, and the like. Since the deviation data is data representing a difference between the individual characteristics and the reference characteristics, it can be considered that the deviation data corresponds to the characteristics data.

前述のように、本記憶装置においては、基準特性データと偏差データとが互いに異なる記憶部に記憶されるため、これら基準特性データと偏差データとが同じ記憶部に記憶される場合に比較して、その記憶部(第1記憶部または第2記憶部)の特性データを記憶するために使用される領域(以下、単に使用領域と称する)を小さくすることができる。
また、個体特性データと偏差データとを比較すると、偏差データの方が少ない桁数で表すことができる。そのため、基準特性データと個体特性データとが記憶される場合に比較して、記憶装置全体の使用領域を小さくすることができる。
さらに、第2記憶部には偏差データが記憶されるため、個体特性データが記憶される場合と比較して、使用領域を小さくすることができる。換言すれば、第2記憶部の使用領域を同じにする場合には、その分、偏差データの有効数字を多くすることができ、より正確な(高精度の)個体特性データを取得することが可能となる。
また、基準特性データと偏差データとが記憶されれば、基準特性データも個体特性データも取得することができるのであり、基準特性データと個体特性データとの両方が記憶される場合と同様のデータが取得可能とされ、記憶される情報量を少なくすることができる。
As described above, in the present storage device, the reference characteristic data and the deviation data are stored in different storage units. Therefore, as compared with the case where the reference characteristic data and the deviation data are stored in the same storage unit. The area used for storing the characteristic data of the storage unit (the first storage unit or the second storage unit) (hereinafter simply referred to as the use region) can be reduced.
Further, when the individual characteristic data and the deviation data are compared, the deviation data can be represented by a smaller number of digits. Therefore, compared to the case where the reference characteristic data and the individual characteristic data are stored, the use area of the entire storage device can be reduced.
Furthermore, since the deviation data is stored in the second storage unit, the use area can be reduced as compared with the case where the individual characteristic data is stored. In other words, when the use area of the second storage unit is the same, the significant number of the deviation data can be increased correspondingly, and more accurate (high accuracy) individual characteristic data can be acquired. It becomes possible.
Further, if the reference characteristic data and the deviation data are stored, both the reference characteristic data and the individual characteristic data can be acquired, and the same data as when both the reference characteristic data and the individual characteristic data are stored. Can be acquired, and the amount of stored information can be reduced.

一方、本願発明に係る記憶装置はソレノイド制御装置に設けることができる。第1記憶部に記憶された基準特性データと、第2記憶部に記憶された偏差データとに基づいて個体特性データが取得され、取得された個体特性データに基づいてソレノイドのコイルへの供給電流が制御される。仮に、基準特性データと個体特性データとが第2記憶部に記憶された場合、あるいは、基準特性データが記憶されず、個体特性データのみが第2記憶部に記憶された場合において、第2記憶部に記憶された情報が消失した場合には、コイルへの供給電流の制御を良好に行うことが困難となる。それに対して、第1記憶部に基準特性データが記憶され、第2記憶部に偏差データが記憶されるようにすれば、第2記憶部に記憶されたデータが消失しても、第1記憶部に記憶された基準特性データに基づいてコイルへの供給電流を良好に制御することができる。   On the other hand, the storage device according to the present invention can be provided in the solenoid control device. Individual characteristic data is acquired based on the reference characteristic data stored in the first storage unit and the deviation data stored in the second storage unit, and the current supplied to the coil of the solenoid based on the acquired individual characteristic data Is controlled. If the reference characteristic data and the individual characteristic data are stored in the second storage unit, or if the reference characteristic data is not stored and only the individual characteristic data is stored in the second storage unit, the second storage is performed. When the information stored in the unit disappears, it becomes difficult to control the current supplied to the coil satisfactorily. On the other hand, if the reference characteristic data is stored in the first storage unit and the deviation data is stored in the second storage unit, even if the data stored in the second storage unit disappears, the first storage unit Based on the reference characteristic data stored in the unit, it is possible to satisfactorily control the current supplied to the coil.

偏差データの取得等は、記憶装置の出荷前に、工場の設備(外部装置)等を利用して行われるようにしたり、記憶装置の出荷後(ユーザ使用時)に、例えば、ソレノイド制御装置等において行われるようにしたりすることができる。また、工場内において第2記憶部に記憶された偏差データがユーザ使用時に適宜変更されるようにすることもできる。   The deviation data is acquired using factory equipment (external device) before the storage device is shipped, or after the storage device is shipped (when used by the user), for example, a solenoid control device or the like. Or can be done in In addition, the deviation data stored in the second storage unit in the factory can be changed as appropriate when the user uses it.

本発明の実施例に係る記憶装置を含むソレノイド制御装置によって制御される対象のソレノイドを有する電磁弁の断面図である。It is sectional drawing of the solenoid valve which has the solenoid of the object controlled by the solenoid control apparatus containing the memory | storage device which concerns on the Example of this invention. (a)上記コイルを含む制御回路の回路図である。(b)(a)における電流の変化を示す図である。(a) It is a circuit diagram of the control circuit containing the said coil. (b) It is a figure which shows the change of the electric current in (a). 上記ソレノイド制御装置を概念的に示す図である。It is a figure which shows the said solenoid control apparatus notionally. (a)上記制御回路の個体特性データ、偏差データを取得等する外部装置を概念的に示す図である。(b)上記外部装置に記憶された偏差データ取得等プログラムを表すフローチャートである。(a) It is a figure which shows notionally the external device which acquires the individual characteristic data of the said control circuit, and deviation data. (b) It is a flowchart showing programs, such as deviation data acquisition memorize | stored in the said external device. 上記制御回路における電流と電圧との関係である特性を概念的に示す図である。It is a figure which shows notionally the characteristic which is the relationship between the electric current and voltage in the said control circuit. 上記外部装置において個体特性が取得される場合の(a)電流の変化を示す図である。(b)取得された個体特性を概念的に示す図である。It is a figure which shows the change of (a) electric current when a solid characteristic is acquired in the said external device. (b) It is a figure which shows notionally the acquired individual characteristic. 上記ソレノイド制御装置における制御を概念的に示すブロック図である。It is a block diagram which shows notionally the control in the said solenoid control apparatus. 補間法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the interpolation method.

発明の実施形態Embodiment of the Invention

以下、本発明の一実施形態に係る記憶装置について説明する。本記憶装置は車両に搭載されたソレノイド制御装置に設けられる。ソレノイド制御装置は、電磁弁に含まれるソレノイドへの供給電流を制御するものである。電磁弁は、車載装置(流体圧作動装置、流体圧制御対象装置と称することができる)の流体圧を制御するものであり、例えば、車輪の回転を抑制する流体圧ブレーキの流体圧を制御するものとしたり、車体側部材と車輪側部材との間の間隔を調整する車高調整アクチュエータにおける流体圧(流体の流入・流出)を制御するものとしたり、トランスミッションのクラッチ油圧を制御するものとしたりすること等ができる。
なお、流体は液体であっても気体であってもよい。また、ソレノイド制御装置の制御対象であるソレノイドは、電磁弁以外のアクチュエータに含まれるものとすることができる。
さらに、偏差データは、車両の外部の、例えば、工場等に設置された外部装置を利用して取得されるようにしても、車両に搭載された、例えば、ソレノイド制御装置において取得されるようにしてもよい。
Hereinafter, a storage device according to an embodiment of the present invention will be described. This storage device is provided in a solenoid control device mounted on the vehicle. The solenoid control device controls a supply current to a solenoid included in the solenoid valve. The electromagnetic valve controls the fluid pressure of an in-vehicle device (which can be referred to as a fluid pressure operating device or a fluid pressure control target device), for example, controls the fluid pressure of a fluid pressure brake that suppresses the rotation of a wheel. To control the fluid pressure (fluid inflow / outflow) in the vehicle height adjustment actuator that adjusts the distance between the vehicle body side member and the wheel side member, or to control the clutch hydraulic pressure of the transmission You can do it.
The fluid may be a liquid or a gas. Further, the solenoid that is the control target of the solenoid control device can be included in an actuator other than the electromagnetic valve.
Further, even if the deviation data is acquired by using an external device installed outside the vehicle, for example, in a factory, the deviation data is acquired by, for example, a solenoid control device mounted on the vehicle. May be.

[ソレノイド制御装置]
以下、本発明の一実施例である記憶装置を備えたソレノイド制御装置について図面に基づいて詳細に説明する。
ソレノイド制御装置の制御対象であるソレノイドを含む電磁弁の一例を図1に示す。電磁弁10は、ポペット弁部12とソレノイド14とを含む。ポペット弁部12は、弁子20、弁座21、スプリング22等を備える。ソレノイド14は、コイル30とプランジャ32とを備える。コイル30への供給電流の制御によりプランジャ32が作動させられ、それに伴って弁子20が弁座21に対して接近・離間させられる。電磁弁10は、高圧側と低圧側との間の差圧に応じた力が弁子20を弁座21から離間させる向きに作用する姿勢で設けられる。図1に記載の電磁弁10においては、高圧側に高圧源が接続され、低圧側に流体圧作動装置が接続され、流体圧作動装置の流体圧が制御される。
[Solenoid control device]
Hereinafter, a solenoid control device including a storage device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
An example of a solenoid valve including a solenoid that is a control target of the solenoid control device is shown in FIG. The electromagnetic valve 10 includes a poppet valve portion 12 and a solenoid 14. The poppet valve unit 12 includes a valve element 20, a valve seat 21, a spring 22, and the like. The solenoid 14 includes a coil 30 and a plunger 32. The plunger 32 is operated by controlling the supply current to the coil 30, and the valve element 20 is moved toward and away from the valve seat 21 accordingly. The electromagnetic valve 10 is provided in a posture in which a force corresponding to a differential pressure between the high pressure side and the low pressure side acts in a direction to separate the valve element 20 from the valve seat 21. In the solenoid valve 10 shown in FIG. 1, a high pressure source is connected to the high pressure side, a fluid pressure actuator is connected to the low pressure side, and the fluid pressure of the fluid pressure actuator is controlled.

コイル30を含む制御回路36を図2(a)に示す。制御回路36は、コイル30、電源40、スイッチング素子42等が直列に接続されて構成される。抵抗44はコイル30、スイッチング素子42を有するICの抵抗等、制御回路36の全体の抵抗を等価的に記載したものである。制御回路36には電流モニタ46が接続される。
スイッチング素子42は例えばトランジスタとすることができ、デューティ制御されることにより、コイル30に印加される電圧が制御されて、コイル30に流れる電流が制御される。コイル30に印加される電圧は、デューティ比が大きい場合は小さい場合より大きくなるため、本実施例においては、電圧をデューティ比で表す。
図2(a)に示す制御回路36において、
u(t)=R・i(t)+L・di(t)/dt
が成立する。u(t)はスイッチング素子42のデューティ制御によりコイル30に印加された電圧であり、i(t)はコイル30に流れる電流である。また、Lはコイル30のインダクタンスであり、Rは制御回路36全体の抵抗値である。
上式をラプラス変換すると(d/dt=s)、下式が得られる。
I(s)={1/(L・s+R)}・U(s)
上式に示すように、電圧(デューティ比)と電流との間の伝達関数は一次遅れ応答の式で表される。図2(b)に示すように、電流値は、デューティ比の変化に対して(過渡的に)、遅れて増加し、その後(定常的に)、デューティ比および抵抗値で決まる一定の大きさとなる。
A control circuit 36 including the coil 30 is shown in FIG. The control circuit 36 includes a coil 30, a power supply 40, a switching element 42, and the like connected in series. The resistor 44 is an equivalent description of the overall resistance of the control circuit 36 such as the resistance of an IC having the coil 30 and the switching element 42. A current monitor 46 is connected to the control circuit 36.
The switching element 42 can be a transistor, for example, and by controlling the duty, the voltage applied to the coil 30 is controlled, and the current flowing through the coil 30 is controlled. Since the voltage applied to the coil 30 is larger when the duty ratio is large than when it is small, in this embodiment, the voltage is represented by the duty ratio.
In the control circuit 36 shown in FIG.
u (t) = R · i (t) + L · di (t) / dt
Is established. u (t) is a voltage applied to the coil 30 by duty control of the switching element 42, and i (t) is a current flowing through the coil 30. L is the inductance of the coil 30, and R is the resistance value of the entire control circuit 36.
When the above equation is Laplace transformed (d / dt = s), the following equation is obtained.
I (s) = {1 / (L · s + R)} · U (s)
As shown in the above equation, the transfer function between the voltage (duty ratio) and the current is expressed by a first-order lag response equation. As shown in FIG. 2B, the current value increases with a delay with respect to the change in the duty ratio (transiently), and thereafter (steadily) with a constant magnitude determined by the duty ratio and the resistance value. Become.

スイッチング素子42等を含む駆動回路48はコントローラ50により制御され、コイル30への供給電流が制御される。本実施例においては、図3に示すように、駆動回路48、コントローラ50等によりソレノイド制御装置としてのECU52が構成される。コントローラ50は、コンピュータを主体とするものであり、入出力部54、実行部56、記憶部58等を含む。入出力部54には、図示しない複数のセンサが接続されるとともに駆動回路48等が接続される。入出力部54には、複数の駆動回路が接続されることが多いが、図3には、そのうちの1つを示した。実行部56においては、入出力部54を介して入力されたセンサ検出値等と記憶部58に記憶されたプログラム、データ等に基づいて制御指令値が作成される。記憶部58は、コードフラッシュ60とデータフラッシュ62とを含み、複数のプログラム、データ等を記憶する。
コードフラッシュ60は、データフラッシュ62より記憶容量が大きく、主として、ECU52、電磁弁10(ソレノイド14)等の設計段階において作成されたプログラムコード、データ等が記憶される。本実施例においては、制御回路36の特性の1つとしての基準特性を表す基準特性データが記憶される。
データフラッシュ62は、コードフラッシュ60より記憶容量が小さく、書き換え(書き込み、消去)が容易なものである。主として、設計後に工場、ユーザ使用時に取得された学習値等が記憶されるのであり、制御回路36の特性の1つとしての個体特性を表す個体特性データと基準特性データとの偏差を表す偏差データが記憶される。
図3から明らかなように、記憶部58は、ECU52の構成要素であり、コードフラッシュ60もデータフラッシュ62もECU52内に設けられたものである。
The drive circuit 48 including the switching element 42 and the like is controlled by the controller 50, and the supply current to the coil 30 is controlled. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the drive circuit 48, the controller 50, and the like constitute an ECU 52 as a solenoid control device. The controller 50 is mainly a computer, and includes an input / output unit 54, an execution unit 56, a storage unit 58, and the like. The input / output unit 54 is connected to a plurality of sensors (not shown) and a drive circuit 48 and the like. Although a plurality of drive circuits are often connected to the input / output unit 54, one of them is shown in FIG. In the execution unit 56, a control command value is created based on the sensor detection value and the like input via the input / output unit 54 and the program and data stored in the storage unit 58. The storage unit 58 includes a code flash 60 and a data flash 62, and stores a plurality of programs, data, and the like.
The code flash 60 has a larger storage capacity than the data flash 62, and mainly stores program codes, data, and the like created in the design stage of the ECU 52, the solenoid valve 10 (solenoid 14), and the like. In the present embodiment, reference characteristic data representing a reference characteristic as one of the characteristics of the control circuit 36 is stored.
The data flash 62 has a smaller storage capacity than the code flash 60 and can be easily rewritten (written or erased). Mainly, a factory, a learning value acquired at the time of use by a user after design, and the like are stored, and deviation data representing a deviation between individual characteristic data representing one characteristic of the control circuit 36 and reference characteristic data Is memorized.
As apparent from FIG. 3, the storage unit 58 is a component of the ECU 52, and both the code flash 60 and the data flash 62 are provided in the ECU 52.

本実施例において、制御回路36の特性とは、コイル30に印加される電圧(本実施例においては、デューティ比で表す)とコイル30に流れる電流(制御回路36に流れる電流と同じであると考えることができる)との関係である。基準特性(基準モデル)とは、設計段階において決められた特性であり、画一的な特性である。基準特性を表す基準特性データの一例を図5の実線で示す(電流x、電圧としてのデューティ比y)。
y=a・x+b
なお、基準特性データは、設計段階においてコードフラッシュ60に記憶させられる。
そして、その基準特性に基づいて、駆動回路48、ソレノイド14等が設計、製造されるのであるが、駆動回路48(スイッチング素子42を含むIC回路等)、コイル30等の個々のばらつき等に起因して、制御回路36の個々の特性が基準特性からずれることがある。そこで、本実施例においては、制御回路36の個別の実際の特性である個体特性(個体モデル)が、車両の出荷前に、車両組み付け工場の設備等を利用して取得される。そして、個体特性を表す個体特性データから基準特性データを引くことにより偏差データが得られ、データフラッシュ62に記憶させられる。
In the present embodiment, the characteristics of the control circuit 36 are the same as the voltage applied to the coil 30 (represented by the duty ratio in the present embodiment) and the current flowing through the coil 30 (current flowing through the control circuit 36). Can be considered). The reference characteristic (reference model) is a characteristic determined at the design stage and is a uniform characteristic. An example of reference characteristic data representing the reference characteristic is shown by a solid line in FIG. 5 (current x, duty ratio y as voltage).
y = a · x + b
The reference characteristic data is stored in the code flash 60 at the design stage.
Based on the reference characteristics, the drive circuit 48, the solenoid 14 and the like are designed and manufactured. Due to individual variations of the drive circuit 48 (IC circuit including the switching element 42), the coil 30, etc. Thus, individual characteristics of the control circuit 36 may deviate from the reference characteristics. Therefore, in this embodiment, individual characteristics (individual models), which are individual actual characteristics of the control circuit 36, are acquired using the equipment of the vehicle assembly factory before the vehicle is shipped. Then, deviation data is obtained by subtracting the reference characteristic data from the individual characteristic data representing the individual characteristic, and is stored in the data flash 62.

[偏差データの取得]
偏差データは、前述のように、車両組み付け工場の設備(外部装置70と称する)を利用して取得される。外部装置70は、図4(a)に示すように、コンピュータを主体とするものであり、ECU52に接続される。外部装置70とECU52との間のデータ通信等により、制御回路36についての個体特性データ、偏差データの取得等が行われるのであり、外部装置70に記憶された図4(b)のフローチャートで表されるプログラムの実行に従って行われる。なお、図4(a)には、外部装置70とECU52とが接続された場合を示すが、外部装置70の機能により、外部装置70と制御回路36とが接続されたり、外部装置70とコントローラ50とが接続されたりする場合もある。また、電源、電流モニタ等については、工場にある設備を使用することもできる。
[Obtain deviation data]
As described above, the deviation data is acquired using equipment (referred to as the external device 70) of the vehicle assembly factory. As shown in FIG. 4A, the external device 70 is mainly a computer and is connected to the ECU 52. The individual characteristic data and deviation data of the control circuit 36 are acquired by data communication between the external device 70 and the ECU 52, and the data is represented by the flowchart of FIG. 4B stored in the external device 70. Is performed according to the execution of the program to be executed. 4A shows a case where the external device 70 and the ECU 52 are connected, the external device 70 and the control circuit 36 are connected by the function of the external device 70, or the external device 70 and the controller are connected. 50 may be connected. Moreover, about a power supply, an electric current monitor, etc., the installation in a factory can also be used.

ステップ1(以下、S1と略称する。他のステップについても同様とする)において、制御回路36についての個体特性データが取得される。個体特性データは、例えば、複数の実測点(x、h)に基づいて取得される1つの直線で表すことができる。
実測点(x、h)は、電流モニタ46によって検出された制御回路36に実際に流れた電流と、実際のスイッチング素子42の制御に用いられたデューティ比とで表されるx−h座標上の点である。実測点は、それぞれ、複数回ずつ検出されて統計的に処理された代表値(例えば、平均値)として取得されるようにすることができる。
例えば、外部装置70からECU52に、図6(a)に示す設定電流値(x、x、x、・・)を表す情報が順番に供給される。ECU52において、デューティ比を変化させることにより、電流モニタ46によって検出される電流が設定電流値となるデューティ比(h、h、h・・)が取得される。そして、ECU52から外部装置70に、取得されたデューティ比(h、h、h・・)を表す情報が供給される。外部装置70において、図6(b)に示すように、複数個の互いに異なる実測点(x、h)が取得される。
取得された複数の実測点(x、h)に基づいて(例えば、最小二乗法等により)個体特性データを表す直線が取得されるが、その一例を図5の一点鎖線で示す。
h=γ・x+c
なお、電流0(x)の場合のデューティ比(h)は、一点鎖線の切片(h=c)として取得することができる。
In step 1 (hereinafter abbreviated as S1, the same applies to other steps), individual characteristic data for the control circuit 36 is acquired. The individual characteristic data can be represented by, for example, one straight line acquired based on a plurality of actual measurement points (x k , h k ).
The actual measurement points (x k , h k ) are x−h expressed by the current actually flowing through the control circuit 36 detected by the current monitor 46 and the duty ratio used for the actual control of the switching element 42. A point on the coordinates. The actual measurement points can be acquired as representative values (for example, average values) detected and statistically processed multiple times.
For example, information representing the set current values (x 1 , x 2 , x 3 ,...) Shown in FIG. 6A is sequentially supplied from the external device 70 to the ECU 52. In the ECU 52, the duty ratio (h 1 , h 2 , h 3 ...) At which the current detected by the current monitor 46 becomes the set current value is obtained by changing the duty ratio. Then, information representing the acquired duty ratios (h 1 , h 2 , h 3 ...) Is supplied from the ECU 52 to the external device 70. In the external device 70, as shown in FIG. 6B, a plurality of different measurement points (x k , h k ) are acquired.
A straight line representing individual characteristic data is acquired (for example, by the method of least squares) based on the acquired plurality of actual measurement points (x k , h k ), and an example thereof is indicated by a one-dot chain line in FIG.
h = γ · x + c
Incidentally, the duty ratio when the current zero (x 0) (h 0) can be obtained as the intercept of the dashed line (h 0 = c).

S2において偏差データが取得される。偏差は、同じ電流に対する、個体特性データのデューティ比と基準特性データのデューティ比との差である。例えば、図5に示すように、設定電流値(x)の各々に対応する個体特性データのデューティ比(h)から基準特性データのデューティ比(y)を引くことによって偏差データΔyが取得される。
Δy=h−y
(Δy、Δy、Δy、Δy・・)
例えば、ECU52においてコードフラッシュ60から読み出された基準特性データが外部装置70へ供給され、外部装置70において、S1において取得された個体特性データを用いて、偏差データΔyが取得されるようにすることができる。
そして、S3において、取得された偏差データΔyがデータフラッシュ62に記憶される。例えば、外部装置70はECU52に、偏差データΔyを供給するとともに、それら偏差データΔyを記憶部58のデータフラッシュ62に記憶する指令等を出力する。ECU52において、偏差データΔyがデータフラッシュ62に記憶させられる。
なお、偏差データを取得する際に用いられる個体特性データのデューティ比hとして実測点のデューティ比を用いてもよい。複数の実測点により個体特性データが表されると考えることができるからである。
Deviation data is acquired in S2. The deviation is the difference between the duty ratio of the individual characteristic data and the duty ratio of the reference characteristic data for the same current. For example, as shown in FIG. 5, the deviation data Δy k is obtained by subtracting the duty ratio (y k ) of the reference characteristic data from the duty ratio (h k ) of the individual characteristic data corresponding to each of the set current values (x k ). Is acquired.
Δy k = h k −y k
(Δy 0 , Δy 1 , Δy 2 , Δy 3 ...)
For example, the reference characteristic data read from the code flash 60 in the ECU 52 is supplied to the external device 70, and the deviation data Δy k is acquired in the external device 70 using the individual characteristic data acquired in S1. can do.
In S 3, the obtained deviation data Δy k is stored in the data flash 62. For example, the external device 70 supplies the ECU 52 with the deviation data Δy k and outputs a command or the like for storing the deviation data Δy k in the data flash 62 of the storage unit 58. In the ECU 52, the deviation data Δy k is stored in the data flash 62.
Note that the duty ratio at the actual measurement point may be used as the duty ratio h k of the individual characteristic data used when obtaining the deviation data. This is because it can be considered that individual characteristic data is represented by a plurality of actually measured points.

このように、本実施例においては、基準特性データと個体特性データとの偏差を表す偏差データが取得されて、記憶されて、記憶装置としての記憶部58が製造される。データフラッシュ62の記憶容量はコードフラッシュ60と比較して少なく、また、データの書き込み、消去が容易であることから、多くのデータの処理に使用される。そのため、データフラッシュ62の使用可能領域(空き領域)は大きくしておくことが望ましい。
一方、個体特性データと偏差データとを比較すると、偏差データの方が使用されるデータ量が少ない。例えば、データフラッシュ62にn個のデューティ比h(h、h、h、・・・hn−1)から構成される個体特性データが記憶される場合に使用される容量は、Q(byte)×n(個)×αとなる。αは、複数の記憶方法で記憶される場合(例えば、フェールセーフのため)に、それに応じて決まる値である。それに対して、n個の偏差(Δy、Δy、Δy、・・・Δyn−1)から構成される偏差データが記憶される場合に使用される容量は、Q′(byte)×n(個)×αとなる。データ1個が使用する容量は、デューティ比の絶対値より偏差(デューティ比の差)の方が小さいため(Q′<Q)、偏差データが記憶されるようにすれば、その分、データフラッシュ62の使用領域を小さくすることができる。その結果、データフラッシュ62の空き領域を大きくすることができ、データフラッシュ62のアクセス性を向上させることができる。
また、使用領域を同じにすれば、その分、偏差データの有効数字を多くすることができ、個体特性データを精度よく取得することができる。
なお、設定電流値(x)が予め決められているため、特性を表すデューティ比を電流値と関係付けて記憶する必要はなく、それによっても使用領域を小さくすることができる。
以上のように、コードフラッシュ60に基準特性データが記憶され、データフラッシュ62に偏差データが記憶されて記憶部58が製造された後に、車両が出荷される。
Thus, in this embodiment, deviation data representing the deviation between the reference characteristic data and the individual characteristic data is acquired and stored, and the storage unit 58 as a storage device is manufactured. The data flash 62 has a smaller storage capacity than the code flash 60, and is easy to write and erase data, so it is used for processing a large amount of data. Therefore, it is desirable to increase the usable area (empty area) of the data flash 62.
On the other hand, when the individual characteristic data and the deviation data are compared, the deviation data uses a smaller amount of data. For example, the capacity used when individual characteristic data composed of n duty ratios h (h 0 , h 1 , h 2 ,... H n−1 ) is stored in the data flash 62 is Q (byte) × n (pieces) × α. α is a value determined according to a plurality of storage methods (for example, for fail-safe). On the other hand, when the deviation data composed of n deviations (Δy 0 , Δy 1 , Δy 2 ,... Δy n−1 ) is stored, the capacity used is Q ′ (byte) × n (pieces) × α. The capacity used by one piece of data is smaller in the deviation (duty ratio difference) than the absolute value of the duty ratio (Q '<Q). The use area of 62 can be reduced. As a result, the free area of the data flash 62 can be increased, and the accessibility of the data flash 62 can be improved.
Further, if the use area is the same, the significant number of the deviation data can be increased correspondingly, and the individual characteristic data can be obtained with high accuracy.
Since the set current value (x k ) is determined in advance, it is not necessary to store the duty ratio representing the characteristic in association with the current value, and the use area can be reduced accordingly.
As described above, after the reference characteristic data is stored in the code flash 60 and the deviation data is stored in the data flash 62 and the storage unit 58 is manufactured, the vehicle is shipped.

なお、第1記憶部、第2記憶部の少なくとも一方は、ECUの外に設けられたものであってもよい(例えば、第1記憶部をROMとして、第2記憶部をEEPROMとすることもできる。)。その場合には、ECUと外部メモリとによってソレノイド制御装置が構成される。
また、本実施例においては、車両の組み立て工場等において、個体特性データが取得されてデータフラッシュ62に記憶されるようにされているが、車両の出荷後の、実際のソレノイド制御中に個体特性データが取得されて、データフラッシュ62に記憶されるようにしたり、ソレノイド制御中に取得された個体特性データによってデータフラッシュ62に記憶されたデータが適宜変更されるようにしたりすることもできる。
さらに、個体特性データと基準特性データとの偏差である偏差データに限定されず、偏差と1対1に対応する偏差関連データが記憶されるようにすることもできる。偏差関連データと基準特性データとに基づいて個体特性データが取得され、それに基づいてコイル30への供給電流が制御されることになる。
Note that at least one of the first storage unit and the second storage unit may be provided outside the ECU (for example, the first storage unit may be a ROM and the second storage unit may be an EEPROM). it can.). In that case, a solenoid control device is constituted by the ECU and the external memory.
In this embodiment, the individual characteristic data is acquired and stored in the data flash 62 in a vehicle assembly factory or the like, but the individual characteristic is being controlled during actual solenoid control after the vehicle is shipped. Data may be acquired and stored in the data flash 62, or the data stored in the data flash 62 may be appropriately changed according to the individual characteristic data acquired during solenoid control.
Furthermore, the present invention is not limited to the deviation data that is the deviation between the individual characteristic data and the reference characteristic data, and deviation-related data corresponding to the deviation on a one-to-one basis may be stored. The individual characteristic data is acquired based on the deviation related data and the reference characteristic data, and the supply current to the coil 30 is controlled based on the individual characteristic data.

[ソレノイドへの供給電流の制御]
次に、記憶部58を備えたECU52におけるコイル30への供給電流の制御の一例について図7に基づいて説明する。
目標電流演算部80において、複数のセンサの検出値等に基づいてコイル30への供給電流の目標値である目標電流xrefが決定される。例えば、流体圧作動装置の目標流体圧が実現されるように目標電流xrefを決定することができる。目標デューティ比決定部82において、コードフラッシュ60に記憶された基準特性データと、データフラッシュ62に記憶された偏差データとに基づいて制御回路36の個体特性データが取得され、取得された個体特性データと目標電流xrefとに基づいて、スイッチング素子42を制御する場合の目標デューティ比Drefが、補間法を用いて決定される。
具体的に、目標電流xrefが入力されると、図8に示すように、目標電流xrefが間に位置する2つの設定電流値x、xk+1が取得され(x<xref<xk+1)、それらに対応する基準特性データ(y、yk+1)、偏差(Δy、Δyk+1)が取得され、個体特性データ(h、hk+1)が取得される。
=y+Δy
k+1=yk+1+Δyk+1
そして、2つの設定電流値x、xk+1の間の個体特性を表す直線の傾きβが取得され、目標電流xrefが得られるような目標デューティ比Drefが決定される。
β=(hk+1−h)/(xk+1−x
Dref=β・xref+c
c=y+Δy=b+Δy
[Control of current supplied to solenoid]
Next, an example of control of the supply current to the coil 30 in the ECU 52 provided with the storage unit 58 will be described with reference to FIG.
In the target current calculation unit 80, a target current xref that is a target value of a supply current to the coil 30 is determined based on detection values of a plurality of sensors. For example, the target current xref can be determined so that the target fluid pressure of the fluid pressure actuator is achieved. In the target duty ratio determination unit 82, the individual characteristic data of the control circuit 36 is acquired based on the reference characteristic data stored in the code flash 60 and the deviation data stored in the data flash 62, and the acquired individual characteristic data And the target current xref, the target duty ratio Dref when controlling the switching element 42 is determined using an interpolation method.
Specifically, when the target current xref is input, as shown in FIG. 8, two set current values x k and x k + 1 with the target current xref positioned therebetween are acquired (x k <xref <x k + 1 ). Reference characteristic data (y k , y k + 1 ) and deviation (Δy k , Δy k + 1 ) corresponding to them are acquired, and individual characteristic data (h k , h k + 1 ) are acquired.
h k = y k + Δy k
h k + 1 = y k + 1 + Δy k + 1
Then, the slope β of the straight line representing the individual characteristics between the two set current values x k and x k + 1 is acquired, and the target duty ratio Dref that can obtain the target current xref is determined.
β = (h k + 1 −h k ) / (x k + 1 −x k )
Dref = β · xref + c
c = y 0 + Δy 0 = b + Δy 0

温度対応補正部84において、目標デューティ比決定部82において決定されたデューティ比Drefが温度補正係数KTを用いて補正されて、出力される(デューティ比Dout)。制御回路36の抵抗値Rは温度の変化に伴って変化するため、制御回路36の特性も変化する。そこで、コイル30の温度が実際の温度あるいはそれに近い温度である場合の抵抗値等に基づいて温度補正係数KTが取得され、補正されるのである。また、温度対応補正部84によって出力されるデューティ比Doutはフィードフォワード制御指令値DFFである。また、温度に限らず特性が影響を受ける環境で補正されるようにすることもできるのであり、その場合には、環境対応補正部と称することもできる。   In the temperature corresponding correction unit 84, the duty ratio Dref determined by the target duty ratio determination unit 82 is corrected using the temperature correction coefficient KT and output (duty ratio Dout). Since the resistance value R of the control circuit 36 changes as the temperature changes, the characteristics of the control circuit 36 also change. Therefore, the temperature correction coefficient KT is acquired and corrected based on the resistance value or the like when the temperature of the coil 30 is an actual temperature or a temperature close thereto. Further, the duty ratio Dout output by the temperature correspondence correction unit 84 is a feedforward control command value DFF. Further, the correction can be made not only in the temperature but also in the environment where the characteristics are affected. In this case, the correction can be called an environment compatible correction unit.

電源電圧対応補正部86においては、電源40の電圧の大きさに基づいて、入力されたデューティ比Doutが補正されて、出力される(Dout1)。電源電圧が低い場合は高い場合より、入力されたデューティ比Doutを大きくする補正が行われる。電源電圧とデューティ比の補正値との関係は予め取得されて、例えば、マップ化されて記憶されている。ノイズ除去部88においては、入力されたデューティ比Dout1が下限値(例えば、0とすることができる)と上限値(例えば、100%とすることができる)との間にない場合には、下限値、あるいは、上限値に決定されて、出力される(Dout2)。デューティ出力部90は、デューティ比Dout2でスイッチング素子42を駆動させることにより、それに応じた電流をコイル30に供給する。   In the power supply voltage correction unit 86, the input duty ratio Dout is corrected and output based on the voltage level of the power supply 40 (Dout1). When the power supply voltage is low, the input duty ratio Dout is corrected to be larger than when the power supply voltage is high. The relationship between the power supply voltage and the correction value of the duty ratio is acquired in advance, and is mapped and stored, for example. In the noise removing unit 88, when the input duty ratio Dout1 is not between a lower limit value (for example, 0) and an upper limit value (for example, 100%), the lower limit The value or the upper limit value is determined and output (Dout2). The duty output unit 90 supplies the current corresponding to the coil 30 by driving the switching element 42 with the duty ratio Dout2.

一方、コイル30に流れた実際の電流である実電流は電流モニタ46によって検出され、フィードバックされる。
A/D変換部92において、電流モニタ46において検出された実電流xa(アナログ値)がディジタル値に変換されて出力される。電流モニタ補正部94において、電流モニタ46の温度等に基づいて入力されたディジタル値の補正等が行われる。ディジタルフィルタ96において、ノイズ等が除去されて、平滑化される。本実施例においては、移動平均値が取得されて、出力される(xaf)。
実デューティ比取得部98において、入力された実電流xafと個体特性データとに基づいて実電流xafに対応するデューティ比Dafが取得される。
具体的には、実電流xafが中間に位置する2つの設定電流値x、xm+1が取得され(x<xaf<xm+1)、それらに対応する基準特性データ(y、ym+1)、偏差(Δy、Δym+1)が取得され、個体特性データ(h、hm+1)が取得される。そして、2つの設定電流値x、xm+1の間の傾きβ′が取得され、実電流xafに対応する実デューティ比Dafが決定される。
β′=(hm+1−h)/(xm+1−x
Daf=β′・xaf+c
そして、実電流xafに対応するデューティ比Dafと目標電流Irefに対応するデューティ比Drefとの差である偏差(Dref−Daf)が取得され、PID制御部00に供給される。PID制御部100においては、デューティ比の偏差(Dref−Daf)が小さくなるように、フィードバック制御値DFBが取得される。そして、温度対応補正部304から出力されたフィードフォワード指令値DFFに加えられる。
On the other hand, an actual current that is an actual current flowing through the coil 30 is detected by the current monitor 46 and fed back.
In the A / D converter 92, the actual current xa (analog value) detected by the current monitor 46 is converted into a digital value and output. The current monitor correction unit 94 corrects the input digital value based on the temperature of the current monitor 46 and the like. In the digital filter 96, noise and the like are removed and smoothed. In this embodiment, the moving average value is acquired and output (xaf).
The actual duty ratio acquisition unit 98 acquires the duty ratio Daf corresponding to the actual current xaf based on the input actual current xaf and the individual characteristic data.
Specifically, two set current values x m and x m + 1 in which the actual current xaf is located in the middle are acquired (x m <xaf <x m + 1 ), and the corresponding reference characteristic data (y m , y m + 1 ) , Deviation (Δy m , Δy m + 1 ) is acquired, and individual characteristic data (h m , h m + 1 ) is acquired. Then, the slope β ′ between the two set current values x m and x m + 1 is acquired, and the actual duty ratio Daf corresponding to the actual current xaf is determined.
β ′ = (h m + 1 −h m ) / (x m + 1 −x m )
Daf = β ′ · xaf + c
Then, a deviation (Dref−Daf) that is a difference between the duty ratio Daf corresponding to the actual current xaf and the duty ratio Dref corresponding to the target current Iref is acquired and supplied to the PID control unit 00. In the PID control unit 100, the feedback control value DFB is acquired so that the deviation of the duty ratio (Dref−Daf) becomes small. Then, it is added to the feedforward command value DFF output from the temperature correspondence correction unit 304.

以上のように、本実施例においては、コードフラッシュ60に記憶された基準特性データとデータフラッシュ62に記憶された偏差データとに基づいて個体特性データが取得され、個体特性データに基づいてスイッチング素子42へのデューティ比が決定される。コイル30への供給電流の制御が制御回路36の実際の個別の特性に基づいて行われるのであり、供給電流の制御を精度よく行うことができる。その結果、流体圧作動装置の応答性の向上を図ることができ、流体圧の制御精度を向上させることができる。
また、基準特性データがコードフラッシュ60に記憶されているため、データフラッシュ62に記憶された偏差データが何等かの原因により消失しても、基準特性データに基づいてフィードフォワード制御値DFFを作成することが可能となる。
As described above, in this embodiment, individual characteristic data is acquired based on the reference characteristic data stored in the code flash 60 and the deviation data stored in the data flash 62, and the switching element is determined based on the individual characteristic data. The duty ratio to 42 is determined. Since the control of the supply current to the coil 30 is performed based on the actual individual characteristics of the control circuit 36, the supply current can be accurately controlled. As a result, the responsiveness of the fluid pressure actuator can be improved, and the fluid pressure control accuracy can be improved.
Further, since the reference characteristic data is stored in the code flash 60, the feedforward control value DFF is created based on the reference characteristic data even if the deviation data stored in the data flash 62 disappears due to some cause. It becomes possible.

本実施例においては、記憶部58が記憶装置に対応し、コードフラッシュ60が第1記憶部、データフラッシュ62が第2記憶部に対応する。また、外部装置70は、偏差データ取得装置と称したり、偏差データ取得・記憶制御装置と称したり、記憶装置作成装置と称したりすることができる。   In this embodiment, the storage unit 58 corresponds to a storage device, the code flash 60 corresponds to a first storage unit, and the data flash 62 corresponds to a second storage unit. The external device 70 can also be called a deviation data acquisition device, a deviation data acquisition / storage control device, or a storage device creation device.

本発明は、上記実施例に記載の態様の他、当業者の知識に基づき、種々の変更、改良を施した態様で実施することができる。   The present invention can be implemented in variously modified and improved modes based on the knowledge of those skilled in the art, in addition to the modes described in the above embodiments.

10:電磁弁 14:ソレノイド 30:コイル 42:スイッチング素子 46:電流モニタ 48:駆動回路 50:コントローラ 52:ECU 58:記憶部 60:コードフラッシュ 62:データフラッシュ 70:外部装置 82:目標デューティ比決定部 98:実デューティ比決定部   10: Solenoid valve 14: Solenoid 30: Coil 42: Switching element 46: Current monitor 48: Drive circuit 50: Controller 52: ECU 58: Storage unit 60: Code flash 62: Data flash 70: External device 82: Target duty ratio determination Unit 98: Actual duty ratio determining unit

Claims (1)

コイルを含む制御回路における電圧と電流との関係である特性を表す特性データを記憶する記憶装置であって、
前記制御回路について予め定められた前記関係である基準特性を表す基準特性データを記憶する第1記憶部と、
前記制御回路の個別の実際の前記関係である個体特性を表す個体特性データと前記基準特性データとの偏差である偏差データを記憶する第2記憶部と
を含むことを特徴とする記憶装置。
A storage device for storing characteristic data representing a characteristic that is a relationship between voltage and current in a control circuit including a coil,
A first storage unit that stores reference characteristic data representing a reference characteristic that is the relationship determined in advance for the control circuit;
A storage device, comprising: a second storage unit that stores deviation data that is a deviation between individual characteristic data representing individual characteristics that are the individual actual relationships of the control circuit and the reference characteristic data.
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