JP2015097446A - Power-supply device and image formation device - Google Patents

Power-supply device and image formation device Download PDF

Info

Publication number
JP2015097446A
JP2015097446A JP2013236841A JP2013236841A JP2015097446A JP 2015097446 A JP2015097446 A JP 2015097446A JP 2013236841 A JP2013236841 A JP 2013236841A JP 2013236841 A JP2013236841 A JP 2013236841A JP 2015097446 A JP2015097446 A JP 2015097446A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
fet
smoothing capacitor
power supply
predetermined value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013236841A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
佑介 斎藤
Yusuke Saito
佑介 斎藤
河津 孝夫
Takao Kawazu
孝夫 河津
伊藤 満作
Mansaku Ito
満作 伊藤
悠二 藤原
Yuji Fujiwara
悠二 藤原
林崎 実
Minoru Hayashizaki
実 林崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2013236841A priority Critical patent/JP2015097446A/en
Publication of JP2015097446A publication Critical patent/JP2015097446A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Control Or Security For Electrophotography (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent blocking of voltage supply due to an inrush current to a smoothing capacitor while preventing operation of the safety vent of the smoothing capacitor.SOLUTION: A power-supply device includes: a detection section 131 detecting a ripple voltage between terminals of a smoothing capacitor 108; an overvoltage protection circuit 130 maintaining an FET 110 to an on-state when a value according to the ripple voltage detected by the detection section 131 is larger than or equal to a first predetermined value; a fuse 102 blocking an AC voltage inputted to a rectifier element 107 according to the maintenance of the on-state of the FET 110 by the overvoltage protection circuit 130; and an inrush prevention circuit 164 operating or stopping the overvoltage protection circuit 130 according to a voltage supplied from an auxiliary coil 11b.

Description

本発明は、電源装置及び画像形成装置に関し、特にスイッチング電源、及びスイッチング電源を用いた画像形成装置に関する。   The present invention relates to a power supply device and an image forming apparatus, and more particularly to a switching power supply and an image forming apparatus using the switching power supply.

従来、商用交流電圧を入力として安定化された直流電圧を得る電源装置において、商用交流電源の電圧が所定の電圧よりも高い電圧であった場合に、回路を保護するための過電圧保護回路がある。このほかにも過電圧保護回路は、100Vと200Vのコンセントが共用である国や地域において、誤操作により高い電圧が供給された場合にも過電圧から回路を保護するようになっている。過電圧保護回路としては、例えば、特許文献1のような回路が提案されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, in a power supply device that obtains a stabilized DC voltage using a commercial AC voltage as an input, there is an overvoltage protection circuit for protecting the circuit when the voltage of the commercial AC power supply is higher than a predetermined voltage. . In addition, the overvoltage protection circuit protects the circuit from overvoltage even when a high voltage is supplied by mistake in a country or region where 100V and 200V outlets are shared. As an overvoltage protection circuit, for example, a circuit as in Patent Document 1 has been proposed.

特許第4612855号公報Japanese Patent No. 4612855

平滑コンデンサであるアルミ電解コンデンサに、定格電圧を十分に超える電圧が印加されると、漏れ電流が急激に増加し、発熱やガス発生に伴う内圧上昇による圧力弁の開弁が生じる。また、電圧印加から内圧上昇による開弁動作までの時間は、印加する電圧値や印加する時間によって異なる。例えば、印加する電圧値が定格を僅かに超える場合と、大きく超える場合とでは、僅かに超える場合の方が内圧上昇による開弁動作までの時間は長くなる。   When a voltage sufficiently exceeding the rated voltage is applied to the aluminum electrolytic capacitor, which is a smoothing capacitor, the leakage current increases rapidly, and the pressure valve opens due to heat generation and an increase in internal pressure due to gas generation. In addition, the time from voltage application to valve opening operation due to increase in internal pressure varies depending on the voltage value to be applied and the time to apply. For example, when the applied voltage value slightly exceeds the rating and when it greatly exceeds, the time until the valve opening operation due to the increase in internal pressure becomes longer.

交流入力電圧や交流入力電圧に相当する電圧を検出し、装置への電圧供給を遮断する過電圧保護手段は、平滑コンデンサの充電状態にかかわらず交流入力電圧を検出する方式である。このような方式では、僅かな時間でも定格電圧以上の交流入力電圧や、交流入力電圧に相当する電圧以上の電圧が検出された場合に、装置への電圧供給を遮断し、装置の動作を停止していた。また、電源オン時のように、平滑コンデンサに充電されている電荷がゼロの状態で電圧が供給されたときに、平滑コンデンサに突入電流が流れた場合、過電圧保護手段が動作して電圧供給が遮断される場合もあった。   The overvoltage protection means that detects an AC input voltage or a voltage corresponding to the AC input voltage and cuts off the voltage supply to the apparatus is a system that detects the AC input voltage regardless of the state of charge of the smoothing capacitor. In such a system, when an AC input voltage that is higher than the rated voltage or a voltage that is equal to or higher than the AC input voltage is detected for a short time, the voltage supply to the device is cut off and the operation of the device is stopped. Was. Also, when a voltage is supplied with the charge charged to the smoothing capacitor being zero, such as when the power is turned on, if an inrush current flows through the smoothing capacitor, the overvoltage protection means operates and the voltage supply is In some cases, it was blocked.

本発明は、このような状況のもとでなされたもので、平滑コンデンサの開弁を抑制しつつ、平滑コンデンサへの突入電流によって電圧供給が遮断されないようにすることを目的とする。   The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to prevent voltage supply from being interrupted by an inrush current to the smoothing capacitor while suppressing valve opening of the smoothing capacitor.

前述の課題を解決するために、本発明は以下の構成を備える。   In order to solve the above-described problems, the present invention has the following configuration.

(1)入力された交流電圧を整流する整流手段と、前記整流手段により整流された電圧を平滑する平滑コンデンサと、一次巻線、二次巻線及び補助巻線を有し、一次側と二次側を絶縁するトランスと、前記一次巻線に流れる電流をオン又はオフするスイッチング動作を行うスイッチング素子と、前記スイッチング素子の前記スイッチング動作を制御する制御手段と、を備える電源装置であって、前記平滑コンデンサの端子間のリプル電圧を検出する検出手段と、前記検出手段により検出したリプル電圧に応じた値が第一所定値以上となった場合に、前記スイッチング素子をオン状態に維持する保護手段と、前記保護手段により前記スイッチング素子がオン状態に維持されたことに応じて、前記整流手段に入力される交流電圧を遮断する遮断手段と、前記補助巻線から供給される電圧に応じて前記保護手段を動作又は停止させる切替手段と、を備えることを特徴とする電源装置。   (1) Rectifying means for rectifying the input AC voltage, a smoothing capacitor for smoothing the voltage rectified by the rectifying means, a primary winding, a secondary winding and an auxiliary winding, and a primary side and a secondary winding A power supply apparatus comprising: a transformer that insulates a secondary side; a switching element that performs a switching operation for turning on or off a current flowing through the primary winding; and a control unit that controls the switching operation of the switching element, Detection means for detecting a ripple voltage between the terminals of the smoothing capacitor, and protection for maintaining the switching element in an ON state when a value corresponding to the ripple voltage detected by the detection means is equal to or greater than a first predetermined value. And a blocking means for cutting off the AC voltage input to the rectifying means in response to the switching element being maintained in the ON state by the protection means. When the power supply apparatus characterized by comprising a switching means for operating or stopping the protective means according to a voltage supplied from the auxiliary winding.

(2)入力された交流電圧を整流する整流手段と、前記整流手段により整流された電圧を平滑する平滑コンデンサと、一次巻線と、二次巻線とを有し、一次側と二次側を絶縁するトランスと、前記一次巻線に流れる電流をオン又はオフするスイッチング動作を行うスイッチング素子と、前記スイッチング素子の前記スイッチング動作を制御する制御手段と、を備える電源装置であって、前記平滑コンデンサの端子間のリプル電圧を検出する検出手段と、前記検出手段により検出したリプル電圧に応じた値が第一所定値以上となった場合に、前記スイッチング素子をオン状態に維持する保護手段と、前記保護手段により前記スイッチング素子がオン状態に維持されたことに応じて、前記整流手段に入力される交流電圧を遮断する遮断手段と、前記平滑コンデンサに印加される電圧を検出する電圧検出手段と、前記電圧検出手段により検出された電圧に応じて前記保護手段を動作又は停止させる切替手段と、を備えることを特徴とする電源装置。   (2) Rectifying means for rectifying the input AC voltage, a smoothing capacitor for smoothing the voltage rectified by the rectifying means, a primary winding, and a secondary winding, and a primary side and a secondary side A power supply device comprising: a transformer that insulates; a switching element that performs a switching operation for turning on or off a current flowing through the primary winding; and a control unit that controls the switching operation of the switching element. Detecting means for detecting a ripple voltage between terminals of the capacitor; and protecting means for maintaining the switching element in an ON state when a value corresponding to the ripple voltage detected by the detecting means is equal to or greater than a first predetermined value; A blocking means for cutting off the AC voltage input to the rectifying means in response to the switching element being maintained in the ON state by the protection means; Power supply for a voltage detector for detecting a voltage applied to the smoothing capacitor, and a switching means for operating or stopping the protection means in accordance with the detected voltage by said voltage detection means, comprising: a.

(3)画像形成を行う画像形成手段と、前記(1)又は(2)に記載の電源装置と、を備えることを特徴とする画像形成装置。   (3) An image forming apparatus comprising: an image forming unit that performs image formation; and the power supply device according to (1) or (2).

本発明によれば、平滑コンデンサの開弁を抑制しつつ、平滑コンデンサへの突入電流によって電圧供給が遮断されないようにすることができる。   According to the present invention, it is possible to prevent the voltage supply from being interrupted by the inrush current to the smoothing capacitor while suppressing the valve opening of the smoothing capacitor.

実施例1の画像形成装置の全体構成の概略図1 is a schematic diagram of an overall configuration of an image forming apparatus according to a first embodiment. 実施例1の電源装置を示す図The figure which shows the power supply device of Example 1. 実施例1の回路動作を示す図The figure which shows the circuit operation | movement of Example 1. 実施例2の電源装置を示す図、入力電圧とリプル電圧の特性の一例を示す図The figure which shows the power supply device of Example 2, The figure which shows an example of the characteristic of an input voltage and a ripple voltage 実施例2の回路動作を示す図The figure which shows the circuit operation of Example 2.

以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

実施例1は、平滑コンデンサの圧力弁の開弁前に流れる漏れ電流により平滑コンデンサの両端に生じるリプル電圧を検出し、遮断手段を用いて平滑コンデンサへの電圧供給を遮断する回路構成である。これにより、本実施例では、平滑コンデンサの圧力弁の開弁を抑制する。また、本実施例では、電源オン時のように、平滑コンデンサに充電された電荷がゼロの状態で電圧が入力されたときに生じる突入電流による電圧変化と、定格電圧以上の電圧印加により平滑コンデンサの両端に生じるリプル電圧とを区別する。そして、電源オン時などの平滑コンデンサへの突入電流により電圧供給が遮断されることを抑制する構成である。   The first embodiment has a circuit configuration in which a ripple voltage generated at both ends of a smoothing capacitor is detected by a leakage current flowing before the pressure valve of the smoothing capacitor is opened, and voltage supply to the smoothing capacitor is cut off using a blocking unit. Thereby, in a present Example, the valve opening of the pressure valve of a smoothing capacitor is suppressed. Further, in this embodiment, the smoothing capacitor is changed by a voltage change caused by an inrush current that occurs when a voltage is input with the electric charge charged to the smoothing capacitor being zero, such as when the power is turned on, and a voltage exceeding the rated voltage is applied. And the ripple voltage generated at both ends of the. And it is the structure which suppresses that a voltage supply is interrupted | blocked by the rush current to the smoothing capacitor at the time of power-on.

[画像形成装置の構成]
図1は、画像形成装置として電子写真方式のレーザービームプリンタ(以下、単にプリンタという)の一例を示す概略図である。ここで、プリンタ10における画像形成動作について説明する。用紙Pは、給紙トレイ11から給紙ローラ12により一枚ずつ給紙され、搬送ローラ13によって所定のタイミングでプロセスカートリッジ14へ搬送される。また、プロセスカートリッジ14は、感光ドラム15と帯電ローラ16と現像ローラ17を有している。感光ドラム15には、帯電ローラ16が圧接して配置されており、この帯電ローラ16により、感光ドラム15の表面が一様に帯電される。その後、露光手段であるスキャナユニット19により、画像情報に基づいた露光が行われ、感光ドラム15の表面上に静電潜像が形成される。スキャナユニット19による露光の位置よりも感光ドラム15の回転方向(図中矢印方向(時計回り方向))下流側には、現像ローラ17が備えられている。感光ドラム15上に形成された静電潜像が現像ローラ17に対向する位置にくると、静電潜像に現像ローラ17からトナーが供給され、感光ドラム15上にトナー像(可視像)が形成される。
[Configuration of Image Forming Apparatus]
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of an electrophotographic laser beam printer (hereinafter simply referred to as a printer) as an image forming apparatus. Here, an image forming operation in the printer 10 will be described. The sheets P are fed one by one from the sheet feed tray 11 by the sheet feed roller 12 and are transported to the process cartridge 14 by the transport roller 13 at a predetermined timing. Further, the process cartridge 14 has a photosensitive drum 15, a charging roller 16, and a developing roller 17. A charging roller 16 is disposed in pressure contact with the photosensitive drum 15, and the surface of the photosensitive drum 15 is uniformly charged by the charging roller 16. Thereafter, exposure based on image information is performed by the scanner unit 19 serving as an exposure unit, and an electrostatic latent image is formed on the surface of the photosensitive drum 15. A developing roller 17 is provided downstream of the exposure position by the scanner unit 19 in the rotation direction of the photosensitive drum 15 (the arrow direction (clockwise direction in the figure)). When the electrostatic latent image formed on the photosensitive drum 15 comes to a position facing the developing roller 17, toner is supplied to the electrostatic latent image from the developing roller 17, and a toner image (visible image) is formed on the photosensitive drum 15. Is formed.

一方で、用紙Pは、感光ドラム15に形成されたトナー像の移動速度に同期したタイミングで搬送される。そして、感光ドラム15に到達した用紙Pは、感光ドラム15と転写ローラ20の圧接部からなる転写ニップ部で、感光ドラム15上のトナー像を転写される。トナー像が転写された用紙Pは、定着器21に搬送される。定着器21は、互いに対向して圧接された2つのローラからなり、熱と圧力により、用紙P上のトナー像を定着させる。その後、用紙Pは排紙ローラ22、23によってプリンタ10の機外へと排出され、一連のプリント動作を終了する。なお、クリーニング装置18は、感光ドラム15を清掃する手段である。上述した一連のプリント動作では、スキャナユニット19等、上述した各装置を駆動させる必要があり、プリンタ10には電源装置が必要である。なお、電源装置が搭載される画像形成装置は、図1に示す画像形成装置に限定されるものではなく、例えばタンデム方式やロータリー方式等のカラーの画像形成装置等であってもよい。   On the other hand, the paper P is conveyed at a timing synchronized with the moving speed of the toner image formed on the photosensitive drum 15. Then, the paper P that has reached the photosensitive drum 15 is transferred with the toner image on the photosensitive drum 15 at a transfer nip portion formed by a pressure contact portion between the photosensitive drum 15 and the transfer roller 20. The paper P on which the toner image is transferred is conveyed to the fixing device 21. The fixing device 21 includes two rollers that are pressed against each other, and fixes the toner image on the paper P by heat and pressure. Thereafter, the paper P is discharged out of the printer 10 by the paper discharge rollers 22 and 23, and a series of printing operations is completed. The cleaning device 18 is a means for cleaning the photosensitive drum 15. In the series of printing operations described above, it is necessary to drive the above-described devices such as the scanner unit 19 and the printer 10 requires a power supply device. The image forming apparatus on which the power supply device is mounted is not limited to the image forming apparatus shown in FIG. 1, and may be a color image forming apparatus such as a tandem method or a rotary method.

[電源装置の構成]
図2は、本実施例の電源装置を説明するための回路構成図である。電源装置は、保護手段である過電圧保護回路130を有している。図2中、一点鎖線部で示される過電圧保護回路130は、いずれも破線部で示される、検出手段である検出部131、フィルタ部132、平滑部133及び電圧調整部134を有している。検出部131は、コンデンサ及び抵抗を有しており、リプル電圧を検出する。フィルタ部132は、抵抗、コンデンサ及びダイオードを有している。平滑部133は、抵抗とコンデンサを有している。電圧調整部134は、抵抗を有している。更に、過電圧保護回路130は、Nチャネル型の電界効果トランジスタ(以下、単にFETとする)135、Pチャネル型のFET138、抵抗136、137、ダイオード139を有している。また、DCHは平滑コンデンサ108のプラス極のノードを、DCLは平滑コンデンサ108のマイナス極のノードをそれぞれ示しており、過電圧保護回路130に接続されている。
[Configuration of power supply unit]
FIG. 2 is a circuit configuration diagram for explaining the power supply device of this embodiment. The power supply apparatus has an overvoltage protection circuit 130 that is a protection means. In FIG. 2, the overvoltage protection circuit 130 indicated by the alternate long and short dash line includes a detection unit 131, a filter unit 132, a smoothing unit 133, and a voltage adjustment unit 134, all of which are indicated by broken lines. The detection unit 131 includes a capacitor and a resistor, and detects a ripple voltage. The filter unit 132 includes a resistor, a capacitor, and a diode. The smoothing unit 133 has a resistor and a capacitor. The voltage adjustment unit 134 has a resistance. The overvoltage protection circuit 130 further includes an N-channel field effect transistor (hereinafter simply referred to as FET) 135, a P-channel FET 138, resistors 136 and 137, and a diode 139. Further, DCH indicates a positive pole node of the smoothing capacitor 108, and DCL indicates a negative pole node of the smoothing capacitor 108, which are connected to the overvoltage protection circuit 130.

更に、過電圧保護回路130は、切替手段である突入抑制回路164を有している。突入抑制回路164は、後述するように、トランス111の補助巻線111cから供給される電圧SubPowerに応じて過電圧保護回路130を動作又は停止させる機能を有している。突入抑制回路164は、Nチャネル型のFET158、Pチャネル型のFET159及び抵抗160、161、162、163を有している。突入抑制回路164は、平滑コンデンサ108に充電された電荷がゼロの状態で、ACインレット101から電圧が供給されたときに流れる突入電流によって、第一のFETであるFET135が動作するのを抑制するために設けられている。   Further, the overvoltage protection circuit 130 has an inrush suppression circuit 164 that is a switching means. As will be described later, the inrush suppression circuit 164 has a function of operating or stopping the overvoltage protection circuit 130 according to the voltage SubPower supplied from the auxiliary winding 111c of the transformer 111. The inrush suppression circuit 164 includes an N-channel FET 158, a P-channel FET 159, and resistors 160, 161, 162, and 163. The inrush suppression circuit 164 suppresses the operation of the FET 135, which is the first FET, by the inrush current that flows when a voltage is supplied from the AC inlet 101 while the electric charge charged in the smoothing capacitor 108 is zero. It is provided for.

ACインレット101から入力された交流電圧による電流は、整流手段である整流素子107により全波整流され、平滑コンデンサ108に充電される。更に、起動抵抗109により供給される電流によって、制御手段である電源IC120が起動し、スイッチング素子であるNチャネル型のFET110をオン又はオフさせる(以降、スイッチング動作という)。電源装置は、FET110のスイッチング動作により、トランス111にスイッチング電流を流すことで動作を開始する。ここで、トランス111は、一次側と二次側を絶縁するもので、一次巻線111a、二次巻線111b及び補助巻線111cを有している。トランス111が動作すると、トランス111の補助巻線111cとダイオード118、電解コンデンサ119により生成された直流電圧SubPowerが、電源IC120の電源電圧として供給されるようになる。これにより、電源IC120は、安定動作を続けることが可能となる。なお、直流電圧SubPowerは、過電圧保護回路130のFET138のソース端子と、突入抑制回路164の抵抗161の一端に印加されている。   The current due to the AC voltage input from the AC inlet 101 is full-wave rectified by the rectifying element 107 as rectifying means, and charged to the smoothing capacitor 108. Further, the power supply IC 120 as the control means is activated by the current supplied from the activation resistor 109, and the N-channel FET 110 as the switching element is turned on or off (hereinafter referred to as switching operation). The power supply device starts operation by causing a switching current to flow through the transformer 111 by the switching operation of the FET 110. Here, the transformer 111 insulates the primary side from the secondary side, and includes a primary winding 111a, a secondary winding 111b, and an auxiliary winding 111c. When the transformer 111 is operated, the DC voltage SubPower generated by the auxiliary winding 111c of the transformer 111, the diode 118, and the electrolytic capacitor 119 is supplied as the power supply voltage of the power supply IC 120. As a result, the power supply IC 120 can continue stable operation. Note that the DC voltage SubPower is applied to the source terminal of the FET 138 of the overvoltage protection circuit 130 and one end of the resistor 161 of the inrush suppression circuit 164.

更に、トランス111により変圧された二次側の電圧は、二次側整流ダイオード122と電解コンデンサ123により平滑され、安定した直流電圧が出力される。二次側から出力される直流電圧の電圧制御は、次のように行われる。二次側の直流電圧は、抵抗126、抵抗127により分圧され、シャントレギュレータ129に入力される。そして、シャントレギュレータ129とフォトカプラ121によりフィードバック信号が生成され、フィードバック信号が電源IC120に入力されることによりフィードバック制御が行われる。そして、電源IC120がFET110のスイッチング動作のデューティ及び周波数を変化させることで、電源装置は安定した直流電圧をVoutとして出力している。なお、電源装置は、遮断手段であるヒューズ102、Yコンデンサ(ラインバイパスコンデンサ)103、104、Xコンデンサ(アクロス・ザ・ラインコンデンサ)105を備える。また、電源装置は、コモンモードコイル106、共振コンデンサ113、コンデンサ114、抵抗115、116、117、抵抗124、125、コンデンサ128を備える。なお、図2中の記号A〜Fについては後述する。   Further, the secondary voltage transformed by the transformer 111 is smoothed by the secondary rectifier diode 122 and the electrolytic capacitor 123, and a stable DC voltage is output. The voltage control of the DC voltage output from the secondary side is performed as follows. The DC voltage on the secondary side is divided by resistors 126 and 127 and input to shunt regulator 129. Then, a feedback signal is generated by the shunt regulator 129 and the photocoupler 121, and feedback control is performed by inputting the feedback signal to the power supply IC 120. The power supply IC 120 changes the duty and frequency of the switching operation of the FET 110, so that the power supply device outputs a stable DC voltage as Vout. The power supply device includes a fuse 102, Y capacitors (line bypass capacitors) 103 and 104, and an X capacitor (across-the-line capacitor) 105, which are interruption means. The power supply device also includes a common mode coil 106, a resonance capacitor 113, a capacitor 114, resistors 115, 116, 117, resistors 124, 125, and a capacitor 128. Note that symbols A to F in FIG. 2 will be described later.

[過電圧保護回路の動作]
図3(a)は、平滑コンデンサ108の端子間(両端)のリプル電圧による電流変化を検出する過電圧保護回路130の動作の一例を示したものである。図3(a)(A)は平滑コンデンサ108の下流に流れる電流、図3(a)(B)は検出部131の抵抗の両端の電圧、図3(a)(C)はフィルタ部132のダイオードの両端の電圧を示す。また、図3(a)(D)はFET135のゲート・ソース間の電圧、図3(a)(E)はFET135のドレイン・ソース間の電圧、図3(a)(F)はダイオード139のアノードの電位を示す。横軸はいずれも時間である。また、図3(a)には、平滑コンデンサ108に通常の電圧が印加されている期間(通常電圧印加と記載)と、過電圧が印加されている期間(過電圧印加と記載)を示す。なお、図2の過電圧保護回路130に示したA〜Fの記号は、図3(a)(A)〜図3(a)(F)に対応している。
[Operation of overvoltage protection circuit]
FIG. 3A shows an example of the operation of the overvoltage protection circuit 130 that detects a change in current due to the ripple voltage between the terminals (both ends) of the smoothing capacitor 108. 3A and 3A are currents flowing downstream of the smoothing capacitor 108, FIGS. 3A and 3B are voltages across the resistance of the detection unit 131, and FIGS. Indicates the voltage across the diode. 3A and 3D show the voltage between the gate and source of the FET 135, FIGS. 3A and 3E show the voltage between the drain and source of the FET 135, and FIGS. 3A and 3F show the voltage of the diode 139. Indicates the potential of the anode. The horizontal axis is time. FIG. 3A shows a period during which a normal voltage is applied to the smoothing capacitor 108 (described as normal voltage application) and a period during which an overvoltage is applied (described as overvoltage application). Note that the symbols A to F shown in the overvoltage protection circuit 130 in FIG. 2 correspond to FIGS. 3A, 3A, 3A, and 3F.

平滑コンデンサ108に過電圧が印加されている場合、図3(a)(A)に示すように、平滑コンデンサ108の下流に流れる電流は、時間とともに大きくなる。過電圧保護回路130は、検出部131により平滑コンデンサ108の両端のリプル電圧による電流変化を検出する。検出部131は、コンデンサを介して流れる電流を抵抗で電圧変換するため、図3(a)(B)に示すように、電圧の平均値がゼロとなる波形が検出される。検出部131で検出された信号は、フィルタ部132により図3(a)(C)のような商用電源の周波数(以下、商用周波数という)のリプル電圧として検出される。   When an overvoltage is applied to the smoothing capacitor 108, as shown in FIGS. 3A and 3A, the current flowing downstream of the smoothing capacitor 108 increases with time. The overvoltage protection circuit 130 detects a change in current due to the ripple voltage across the smoothing capacitor 108 by the detection unit 131. Since the detection unit 131 converts the current flowing through the capacitor into a voltage with a resistor, as shown in FIGS. 3A and 3B, a waveform in which the average value of the voltage is zero is detected. The signal detected by the detection unit 131 is detected by the filter unit 132 as a ripple voltage having a commercial power source frequency (hereinafter referred to as a commercial frequency) as shown in FIGS.

また、上述したように、直流電圧SubPowerは過電圧保護回路130の突入抑制回路164の抵抗161の一端に接続されている。抵抗161の他端には抵抗160の一端が接続されており、抵抗161と抵抗160の接続点はFET158のゲート端子に接続されている。このため、直流電圧SubPowerが生成されると、直流電圧SubPowerを抵抗161と抵抗160により分圧した値がFET158のゲート・ソース間に印加される。そして、直流電圧SubPowerを抵抗160、161で分圧した電圧が、第二のFETであるFET158が動作(オン)する電圧(以下、動作閾値ともいう)以上(第二所定値以上)となると、FET158がオン状態となる。また、FET158は、直流電圧SubPowerが動作閾値未満(第二所定値未満)ではオンしない。なお、直流電圧SubPowerが生成されるまでには、電解コンデンサ119により時定数が設けられている。即ち、電解コンデンサ119が充電されると、直流電圧SubPowerは一定の電圧値となる。図3(a)に示す状態では、電源装置がオンされてから所定時間が経過し、直流電圧SubPowerは一定の電圧値になっているものとし、突入抑制回路164においてFET158はオン状態になっているものとする。   Further, as described above, the DC voltage SubPower is connected to one end of the resistor 161 of the inrush suppression circuit 164 of the overvoltage protection circuit 130. One end of the resistor 160 is connected to the other end of the resistor 161, and the connection point between the resistor 161 and the resistor 160 is connected to the gate terminal of the FET 158. For this reason, when the DC voltage SubPower is generated, a value obtained by dividing the DC voltage SubPower by the resistor 161 and the resistor 160 is applied between the gate and the source of the FET 158. When the voltage obtained by dividing the DC voltage SubPower with the resistors 160 and 161 becomes equal to or higher than the voltage (hereinafter also referred to as an operation threshold) of the FET 158 that is the second FET (hereinafter also referred to as an operation threshold), The FET 158 is turned on. Further, the FET 158 is not turned on when the DC voltage SubPower is less than the operation threshold (less than the second predetermined value). A time constant is provided by the electrolytic capacitor 119 until the DC voltage SubPower is generated. That is, when the electrolytic capacitor 119 is charged, the DC voltage SubPower becomes a constant voltage value. In the state shown in FIG. 3A, it is assumed that a predetermined time has elapsed since the power supply device was turned on, the DC voltage SubPower has a constant voltage value, and the FET 158 is turned on in the inrush suppression circuit 164. It shall be.

FET158がオン状態になると、抵抗162と抵抗163を介してFET158に電流が流れ、FET159のゲート・ソース間に電位差が生じる。FET159のゲート・ソース間電圧がFET159の動作閾値を超えると、FET159がオン状態となり、平滑部133に電圧が供給され、平滑部133により直流電圧に平滑される。平滑部133により平滑された直流電圧は電圧調整部134に入力され、電圧調整部134が有する2つの抵抗により分圧される。ここで、電圧調整部134により分圧された電圧は、平滑コンデンサ108のリプル電圧の検出結果でもあるため、以降、リプル電圧検出結果ともいう。電圧調整部134により出力されたリプル電圧検出結果は、FET135のゲート端子に印加される。そして、リプル電圧検出結果(図3(a)(D)の実線)が、図3(a)(D)に破線で示すFET135の動作閾値以上(第一所定値以上)となると、FET135がオン状態となる。また、FET135は、リプル電圧検出結果が動作閾値未満(第一所定値未満)ではオンしない。   When the FET 158 is turned on, a current flows through the FET 158 via the resistors 162 and 163, and a potential difference is generated between the gate and source of the FET 159. When the gate-source voltage of the FET 159 exceeds the operation threshold value of the FET 159, the FET 159 is turned on, the voltage is supplied to the smoothing unit 133, and the smoothing unit 133 smoothes the DC voltage. The DC voltage smoothed by the smoothing unit 133 is input to the voltage adjusting unit 134 and divided by two resistors included in the voltage adjusting unit 134. Here, since the voltage divided by the voltage adjusting unit 134 is also a detection result of the ripple voltage of the smoothing capacitor 108, it is also referred to as a ripple voltage detection result hereinafter. The ripple voltage detection result output by the voltage adjustment unit 134 is applied to the gate terminal of the FET 135. When the ripple voltage detection result (solid line in FIGS. 3A and 3D) is equal to or higher than the operation threshold value of the FET 135 indicated by the broken line in FIGS. 3A and 3D, the FET 135 is turned on. It becomes a state. The FET 135 is not turned on when the ripple voltage detection result is less than the operation threshold (less than the first predetermined value).

(通常電圧が印加されている場合)
通常の入力電圧では、トランス111の二次側に過大な負荷電流が流れることはないため、平滑コンデンサ108の両端のリプル電圧が異常に大きくなることはない(図3(a)(A))。従って、検出部131(図3(a)(B))、フィルタ部132(図3(a)(C))、平滑部133、電圧調整部134と検出されたリプル電圧検出結果である図3(a)(D)に示す電圧は、FET135の動作閾値まで達しない。このため、FET135はオフ状態となる(図3(a)(E))。FET135がオフ状態となると、FET138のゲート・ソース間電圧は同電位となり、FET138はオフ状態となる。FET138がオフ状態となることにより、直流電圧SubPowerがFET138、ダイオード139を介してFET110へ印加されることはない(図3(a)(F))。このため、FET110は、電源IC120により制御され、安定したスイッチング動作を行う。
(When normal voltage is applied)
With a normal input voltage, an excessive load current does not flow on the secondary side of the transformer 111, so that the ripple voltage across the smoothing capacitor 108 does not increase abnormally (FIGS. 3A and 3A). . Therefore, the detection unit 131 (FIGS. 3A and 3B), the filter unit 132 (FIGS. 3A and 3C), the smoothing unit 133, and the voltage adjustment unit 134 are detected ripple voltage detection results. (A) The voltage shown in (D) does not reach the operating threshold value of the FET 135. For this reason, the FET 135 is turned off (FIGS. 3A and 3E). When the FET 135 is turned off, the gate-source voltage of the FET 138 becomes the same potential, and the FET 138 is turned off. When the FET 138 is turned off, the DC voltage SubPower is not applied to the FET 110 via the FET 138 and the diode 139 (FIGS. 3A and 3F). Therefore, the FET 110 is controlled by the power supply IC 120 and performs a stable switching operation.

(過電圧が印加されている場合)
次に、平滑コンデンサ108の定格電圧を十分に超える電圧が印加されたときについて説明する。平滑コンデンサ108の順方向に、定格電圧を十分に超える電圧を印加すると、平滑コンデンサ108内で漏れ電流が急激に増加し、発熱やガス発生に伴う内圧上昇が生じる。このとき、図3(a)(A)に示すように、急激に漏れ電流が流れ、短時間で内圧が上昇する。この急激な漏れ電流により平滑コンデンサ108の両端に生じるリプル電圧による電流変化(図3(a)(A))は、図3(a)(B)に示すように、過電圧保護回路130の検出部131により電圧に変換されて検出される。検出部131により検出された信号は、フィルタ部132により商用周波数のリプル電圧として検出され(図3(a)(C))、平滑部133により直流電圧に平滑される。大きな漏れ電流により生じるリプル電圧は大きく、電圧調整部134に生じるリプル電圧検出結果は、図3(a)(D)に示すように徐々に大きくなる。そして、リプル電圧検出結果がFET135の動作閾値以上となったときに、FET135はオン状態となる(図3(a)(E))。これにより、図3(a)(E)に示すように、FET135のドレイン・ソース間電圧は飽和状態となり、抵抗136、137に直流電圧SubPowerから電流が流れる。
(When overvoltage is applied)
Next, a case where a voltage sufficiently exceeding the rated voltage of the smoothing capacitor 108 is applied will be described. When a voltage sufficiently exceeding the rated voltage is applied in the forward direction of the smoothing capacitor 108, the leakage current rapidly increases in the smoothing capacitor 108, and the internal pressure rises due to heat generation and gas generation. At this time, as shown in FIGS. 3A and 3A, the leakage current suddenly flows, and the internal pressure rises in a short time. The current change (FIGS. 3A and 3A) caused by the ripple voltage generated at both ends of the smoothing capacitor 108 due to the sudden leakage current is detected by the detection unit of the overvoltage protection circuit 130 as shown in FIGS. It is converted into a voltage by 131 and detected. The signal detected by the detector 131 is detected as a commercial frequency ripple voltage by the filter unit 132 (FIGS. 3A and 3C), and is smoothed to a DC voltage by the smoothing unit 133. The ripple voltage generated by the large leakage current is large, and the ripple voltage detection result generated in the voltage adjustment unit 134 gradually increases as shown in FIGS. When the ripple voltage detection result is equal to or higher than the operation threshold value of the FET 135, the FET 135 is turned on (FIGS. 3A and 3E). As a result, as shown in FIGS. 3A and 3E, the drain-source voltage of the FET 135 is saturated, and current flows from the DC voltage SubPower to the resistors 136 and 137.

そして、直流電圧SubPowerから抵抗137に電流が流れることにより抵抗137に電位差が生じ、FET138のゲート・ソース間電圧が動作閾値を超えると、FET138がオン状態となる。FET138がオン状態となることによって、図3(a)(F)に示すように、FET138、ダイオード139を介して、直流電圧SubPowerがFET110の制御端子であるゲート端子に印加される。これにより、FET110は、電源IC120からのスイッチング動作の制御にかかわらず、オン状態を維持することとなる。このように、本実施例では、平滑コンデンサ108の定格電圧を超える過電圧が入力されても、FET135のゲート・ソース間電圧が動作閾値を超えるまでの間は、電源IC120によるFET110のスイッチング動作が継続される。   When a current flows from the DC voltage SubPower to the resistor 137, a potential difference is generated in the resistor 137. When the gate-source voltage of the FET 138 exceeds the operation threshold, the FET 138 is turned on. When the FET 138 is turned on, the DC voltage SubPower is applied to the gate terminal, which is the control terminal of the FET 110, via the FET 138 and the diode 139, as shown in FIGS. As a result, the FET 110 is kept on regardless of the control of the switching operation from the power supply IC 120. Thus, in this embodiment, even if an overvoltage exceeding the rated voltage of the smoothing capacitor 108 is input, the switching operation of the FET 110 by the power supply IC 120 continues until the gate-source voltage of the FET 135 exceeds the operation threshold. Is done.

直流電圧SubPowerは、FET110を十分にオンできる電圧であり、FET110に直流電圧SubPowerが印加されると、FET110のゲート・ソース間電圧が上昇してFET110はオン状態を維持するようになる。その結果、図3(a)(F)に示すように、ダイオード139が導通している間に、ヒューズ102がヒューズの溶断時間に達するとヒューズ溶断に至り、ヒューズ102は完全にオープンとなって、平滑コンデンサ108の圧力弁の開弁を抑制することができる。なお、本実施例では、ヒューズ102の溶断時間が、平滑コンデンサ108の開弁時間よりも短い時間(溶断時間<開弁時間)となるように、FET135が動作するタイミングが決定されているものとする。   The DC voltage SubPower is a voltage that can sufficiently turn on the FET 110. When the DC voltage SubPower is applied to the FET 110, the gate-source voltage of the FET 110 rises and the FET 110 maintains the on state. As a result, as shown in FIGS. 3A and 3F, when the fuse 102 reaches the blow time of the fuse while the diode 139 is conducting, the fuse is blown, and the fuse 102 is completely opened. The opening of the pressure valve of the smoothing capacitor 108 can be suppressed. In this embodiment, the timing at which the FET 135 operates is determined so that the fusing time of the fuse 102 is shorter than the valve opening time of the smoothing capacitor 108 (fusing time <valve opening time). To do.

(平滑コンデンサに充電されている電荷がゼロのとき)
一方、電源オフからオンされたときのように、図3(b)に、平滑コンデンサ108に充電されている電荷がゼロの状態で、ACインレット101から電圧が供給されたときの、過渡的な状態の各部の動作を示す。ここで、図3(b)(A)は図3(a)(A)に、図3(b)(D)は図3(a)(D)に、図3(b)(F)は、図3(a)(F)に対応している。また、図3(b)(SubPower)は直流電圧SubPowerの電圧波形を示す図である。図3(b)(A)に示すように、平滑コンデンサ108に充電されている電荷がゼロの状態で、ACインレット101から電圧が供給される(交流入力電圧がオフの状態からオンの状態に遷移する)と、平滑コンデンサ108に突入電流が流れる。ここで、過電圧保護回路130が突入抑制回路164を有していない場合、図3(b)(D)に二点鎖線で示すFET135のゲート・ソース間電圧は、平滑コンデンサ108に流れた突入電流によって、破線で示すFET135の動作閾値以上となってしまう。そして、過電圧保護回路130が働き、ヒューズ102の溶断に至る。ここで、図3(b)(F)に、突入抑制回路164がない場合の直流電圧SubPowerの波形を二点鎖線で示す。なお、図3(b)(F)の黒丸印は、FET110の動作電圧を示し、一点鎖線で描かれた部分は、突入抑制回路164がない場合にヒューズ102が溶断するまでの時間(溶断時間)を示している。
(When the charge on the smoothing capacitor is zero)
On the other hand, FIG. 3B shows a transient state when a voltage is supplied from the AC inlet 101 in a state where the electric charge charged in the smoothing capacitor 108 is zero as when the power is turned off. The operation of each part of the state is shown. 3B and 3A are shown in FIGS. 3A and 3A, FIGS. 3B and 3D are shown in FIGS. 3A and 3D, and FIGS. 3B and 3F are shown in FIGS. This corresponds to FIGS. 3A and 3F. FIG. 3B (SubPower) is a diagram showing a voltage waveform of the DC voltage SubPower. As shown in FIGS. 3B and 3A, a voltage is supplied from the AC inlet 101 when the electric charge charged in the smoothing capacitor 108 is zero (the AC input voltage is changed from the OFF state to the ON state). When the transition occurs, an inrush current flows through the smoothing capacitor 108. Here, when the overvoltage protection circuit 130 does not have the inrush suppression circuit 164, the voltage between the gate and the source of the FET 135 indicated by a two-dot chain line in FIGS. 3B and 3D is the inrush current flowing in the smoothing capacitor 108. As a result, the operation threshold of the FET 135 indicated by the broken line is exceeded. Then, the overvoltage protection circuit 130 is activated and the fuse 102 is blown. Here, in FIGS. 3B and 3F, the waveform of the DC voltage SubPower when there is no inrush suppression circuit 164 is indicated by a two-dot chain line. The black circles in FIGS. 3B and 3F indicate the operating voltage of the FET 110, and the portion drawn by the alternate long and short dash line is the time until the fuse 102 is blown when the inrush suppression circuit 164 is not present (melting time). ).

ACインレット101から電圧が供給されてから直流電圧SubPowerが所定の電圧になるまでには、補助巻線111cに接続された電解コンデンサ119を充電するための時間が必要である。従って、本実施例で示したような突入抑制回路164がある場合、図3(b)(SubPower)に実線で示すように、直流電圧SubPowerが所定の電圧になるまでの間、FET158のゲート・ソース間電圧はFET158の動作閾値以上とはならない。言い換えれば、直流電圧SubPowerが所定の電圧になったときに、抵抗160、161により分圧された電圧がFET158の動作電圧以上となるように構成している。このため、直流電圧SubPowerが所定の電圧になるまでにはFET158はオン状態とはならず、FET159もオン状態になることはない。よって、図3(b)(D)に実線で示すように、図2中のD点におけるリプル電圧検出結果の電圧はFET135の動作閾値を超えず、過電圧保護回路130は動作しない。このため、図3(b)(F)に示すように、FET110に直流電圧SubPowerが印加されることはなく、平滑コンデンサ108への突入電流によるヒューズ102の溶断を抑制することができる。なお、突入抑制回路164によって過電圧保護回路130が動作しない期間(直流電圧SubPowerが所定の電圧になるまでの期間)を、突入抑制期間とする。   It takes time to charge the electrolytic capacitor 119 connected to the auxiliary winding 111c after the voltage is supplied from the AC inlet 101 until the DC voltage SubPower becomes a predetermined voltage. Therefore, when there is the inrush suppression circuit 164 as shown in the present embodiment, as shown by a solid line in FIG. 3B (SubPower), the gate of FET 158 is turned on until the DC voltage SubPower becomes a predetermined voltage. The source-to-source voltage does not exceed the operation threshold of the FET 158. In other words, when the DC voltage SubPower becomes a predetermined voltage, the voltage divided by the resistors 160 and 161 is configured to be equal to or higher than the operating voltage of the FET 158. Therefore, the FET 158 is not turned on until the DC voltage SubPower becomes a predetermined voltage, and the FET 159 is not turned on. Therefore, as indicated by solid lines in FIGS. 3B and 3D, the voltage of the ripple voltage detection result at point D in FIG. 2 does not exceed the operation threshold value of the FET 135, and the overvoltage protection circuit 130 does not operate. For this reason, as shown in FIGS. 3B and 3F, the DC voltage SubPower is not applied to the FET 110, and the fusing of the fuse 102 due to the inrush current to the smoothing capacitor 108 can be suppressed. Note that a period during which the overvoltage protection circuit 130 is not operated by the inrush suppression circuit 164 (a period until the DC voltage SubPower becomes a predetermined voltage) is defined as an inrush suppression period.

このように、本実施例の電源装置は、平滑コンデンサ108の圧力弁の開弁直前に流れる漏れ電流による平滑コンデンサ108の両端に生じるリプル電圧を過電圧保護回路130で検出する構成である。過電圧保護回路130によって過電圧を検出した場合には、FET110をオン状態に維持して、ヒューズ102を溶断しオープン状態にすることで、平滑コンデンサ108の圧力弁の開弁を抑制できる。そして、本実施例では、電源オン時など、平滑コンデンサ108に充電されている電荷がゼロの状態のときに、突入電流を検知して過電圧保護回路130が動作してしまい、ヒューズ102が溶断されてしまうことを防止する構成である。即ち、ACインレット101から電圧が供給されたときの平滑コンデンサ108への突入電流による電圧変化と、定格電圧以上の電圧印加に対する平滑コンデンサ108の開弁直前における平滑コンデンサ108の両端に生じるリプル電圧とを区別している。これにより本実施例では、電源オン時の平滑コンデンサ108への突入電流による電圧供給の遮断を抑制することができる。   As described above, the power supply apparatus according to the present embodiment has a configuration in which the overvoltage protection circuit 130 detects the ripple voltage generated at both ends of the smoothing capacitor 108 due to the leakage current that flows immediately before the pressure valve of the smoothing capacitor 108 is opened. When an overvoltage is detected by the overvoltage protection circuit 130, the FET 110 is maintained in an on state, and the fuse 102 is blown to an open state, whereby the opening of the pressure valve of the smoothing capacitor 108 can be suppressed. In this embodiment, when the electric charge charged in the smoothing capacitor 108 is zero, such as when the power is turned on, the inrush current is detected and the overvoltage protection circuit 130 operates, and the fuse 102 is blown. It is the structure which prevents that. That is, a voltage change due to an inrush current to the smoothing capacitor 108 when a voltage is supplied from the AC inlet 101, and a ripple voltage generated at both ends of the smoothing capacitor 108 immediately before the smoothing capacitor 108 is opened when a voltage exceeding the rated voltage is applied. Are distinguished. As a result, in this embodiment, it is possible to suppress interruption of voltage supply due to inrush current to the smoothing capacitor 108 when the power is turned on.

以上、本実施例によれば、平滑コンデンサの開弁を抑制しつつ、平滑コンデンサへの突入電流によって電圧供給が遮断されないようにすることができる。   As described above, according to this embodiment, it is possible to prevent the voltage supply from being interrupted by the inrush current to the smoothing capacitor while suppressing the valve opening of the smoothing capacitor.

実施例2では、平滑コンデンサの両端のリプル電圧と、平滑コンデンサの両端に入力される電圧を検出し、両方の電圧が動作閾値以上となった場合に、遮断手段を用いて平滑コンデンサへの電圧供給を遮断する構成について説明する。本実施例は、このような構成により、平滑コンデンサへの圧力弁の開弁を抑制する。この構成により、実施例1の効果に加え、平滑コンデンサの開弁前に流れる漏れ電流によるリプル電圧と、通常動作入力電圧範囲内で大きい負荷電流が流れたときに生じるリプル電圧とを、判別することができる。更に、本実施例は、平滑コンデンサの両端に相当する電圧を入力電圧検出回路で検出し、入力電圧検出回路が動作しているときのみ、所定の直流電圧を生成する回路を備える構成である。そして、生成された所定の直流電圧を遮断手段の電源とすることで、制御ICが補助巻線からではなく、別電源から電力供給されている構成でも平滑コンデンサの開弁直前のリプル電圧を検出する構成である。   In Example 2, the ripple voltage at both ends of the smoothing capacitor and the voltage input to both ends of the smoothing capacitor are detected, and when both voltages are equal to or higher than the operating threshold, the voltage to the smoothing capacitor is used by using a cutoff means. A configuration for cutting off the supply will be described. The present embodiment suppresses the opening of the pressure valve to the smoothing capacitor by such a configuration. With this configuration, in addition to the effects of the first embodiment, the ripple voltage due to the leakage current flowing before the smoothing capacitor is opened and the ripple voltage generated when a large load current flows within the normal operation input voltage range are discriminated. be able to. Furthermore, the present embodiment is configured to include a circuit that detects a voltage corresponding to both ends of the smoothing capacitor with an input voltage detection circuit and generates a predetermined DC voltage only when the input voltage detection circuit is operating. And by using the generated DC voltage as the power supply for the cutoff means, the ripple voltage immediately before the smoothing capacitor is opened can be detected even when the control IC is powered from a separate power supply instead of from the auxiliary winding. It is the structure to do.

[電源装置の構成]
図4(a)は、本実施例の電源装置を説明するための回路構成図である。なお、実施例1で説明した構成と同じ構成には同じ符号を付し、説明は省略する。本実施例のトランス111は、一次巻線111aと二次巻線111bを有し、補助巻線は有していない。図4(a)中破線部で示す電圧検出手段である入力電圧検出回路140は、時定数フィルタと、時定数フィルタに接続したNチャネル型のFET143と、抵抗148、149と、を備える。更に、入力電圧検出回路140は、FET144と、PNP型のバイポーラトランジスタ(以下、単にトランジスタという)145と、抵抗150、151と、を備える。ここで、時定数フィルタは、DCHに接続されたツェナーダイオード141と、ツェナーダイオード141に接続された抵抗146と、コンデンサ142と、から構成される。抵抗148、149は、FET143のオン動作により、平滑コンデンサ108の両端の電圧を検出する。FET144は、抵抗149の両端に生じる電圧検出結果によって、オンオフ動作を行う。トランジスタ145は、FET144の状態に応じて動作が切り替わる。図4(a)に示す電源IC120は、起動抵抗109により起動されたあと、別電源152からの電圧供給により安定して動作する。また、本実施例の入力電圧検出回路140は、NPN型のバイポーラトランジスタ(以下、トランジスタとする)153、抵抗154、155、156、ツェナーダイオード157を備えている。
[Configuration of power supply unit]
FIG. 4A is a circuit configuration diagram for explaining the power supply device of this embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as the structure demonstrated in Example 1, and description is abbreviate | omitted. The transformer 111 of this embodiment has a primary winding 111a and a secondary winding 111b, and does not have an auxiliary winding. The input voltage detection circuit 140 as voltage detection means indicated by a broken line portion in FIG. 4A includes a time constant filter, an N-channel FET 143 connected to the time constant filter, and resistors 148 and 149. Further, the input voltage detection circuit 140 includes an FET 144, a PNP bipolar transistor (hereinafter simply referred to as a transistor) 145, and resistors 150 and 151. Here, the time constant filter includes a Zener diode 141 connected to DCH, a resistor 146 connected to the Zener diode 141, and a capacitor 142. The resistors 148 and 149 detect the voltage across the smoothing capacitor 108 when the FET 143 is turned on. The FET 144 performs an on / off operation according to a voltage detection result generated at both ends of the resistor 149. The operation of the transistor 145 is switched according to the state of the FET 144. The power supply IC 120 shown in FIG. 4A is stably operated by the voltage supply from the separate power supply 152 after being activated by the activation resistor 109. The input voltage detection circuit 140 of this embodiment includes an NPN bipolar transistor (hereinafter referred to as a transistor) 153, resistors 154, 155, and 156, and a Zener diode 157.

ここで、図4(b)に、平滑コンデンサ108の両端に印加される電圧とリプル電圧の関係について示す。図4(b)の縦軸はリプル電圧[V]、横軸は平滑コンデンサ108の両端に印加される電圧[V]を示している。一般に、トランス111の二次側の出力電圧を一定にした場合、平滑コンデンサ108の両端に印加される電圧を大きくすると、トランス111の一次側に流れるスイッチング電流は小さくなる。このため、平滑コンデンサ108の両端に生じるリプル電圧は小さくなる。従って、図4(b)に示すように、平滑コンデンサ108の両端に印加される電圧とリプル電圧は右下がりの特性で表わされる。   Here, FIG. 4B shows the relationship between the voltage applied to both ends of the smoothing capacitor 108 and the ripple voltage. 4B, the vertical axis represents the ripple voltage [V], and the horizontal axis represents the voltage [V] applied across the smoothing capacitor 108. In general, when the output voltage on the secondary side of the transformer 111 is constant, if the voltage applied to both ends of the smoothing capacitor 108 is increased, the switching current flowing on the primary side of the transformer 111 is reduced. For this reason, the ripple voltage generated at both ends of the smoothing capacitor 108 becomes small. Therefore, as shown in FIG. 4B, the voltage applied to both ends of the smoothing capacitor 108 and the ripple voltage are represented by a right-down characteristic.

また、トランス111の二次側のVoutで消費される出力電圧を大きくすると、トランス111の一次側にも大きなスイッチング電流が流れる。このため、電源装置によっては、通常動作電圧範囲内でのリプル電圧が大きくなる場合もある。例として、トランス111の二次側のVoutで消費される負荷電流が大きい場合を図4(b)に示す。図4(b)で、Vripは、平滑コンデンサ108の開弁前に流れる漏れ電流によるリプル電圧であり、Vmaxは、通常動作電圧範囲内で大きい負荷電流が流れた場合に生じる最大リプル電圧である。本実施例の過電圧保護回路130は、検出部131、フィルタ部132、平滑部133、電圧調整部134、突入抑制回路164から構成されている。リプル電圧Vripよりも最大リプル電圧Vmaxが大きい場合、過電圧保護回路130は、最大リプル電圧Vmaxを検出し動作するおそれがある。このため、本実施例では、漏れ電流によるリプル電圧と通常動作電圧範囲内でのリプル電圧とを区別する手段として、過電圧保護回路130と入力電圧検出回路140とを備える構成である。   Further, when the output voltage consumed by Vout on the secondary side of the transformer 111 is increased, a large switching current flows also on the primary side of the transformer 111. For this reason, depending on the power supply device, the ripple voltage within the normal operating voltage range may increase. As an example, FIG. 4B shows a case where the load current consumed by Vout on the secondary side of the transformer 111 is large. In FIG. 4B, Vrip is a ripple voltage due to a leakage current flowing before the smoothing capacitor 108 is opened, and Vmax is a maximum ripple voltage generated when a large load current flows within the normal operating voltage range. . The overvoltage protection circuit 130 according to this embodiment includes a detection unit 131, a filter unit 132, a smoothing unit 133, a voltage adjustment unit 134, and an inrush suppression circuit 164. When the maximum ripple voltage Vmax is larger than the ripple voltage Vrip, the overvoltage protection circuit 130 may operate by detecting the maximum ripple voltage Vmax. For this reason, in this embodiment, the overvoltage protection circuit 130 and the input voltage detection circuit 140 are provided as means for distinguishing between the ripple voltage due to the leakage current and the ripple voltage within the normal operating voltage range.

[電源装置の動作]
本実施例の電源装置の動作を説明する。なお、回路の条件は以下のとおりである。平滑コンデンサ108の耐圧電圧は、直流電圧V2[V]であり、V3[V]以上で漏れ電流が流れ始める。ツェナーダイオード141のツェナー電圧はVz1[V]、ツェナーダイオード157のツェナー電圧はVz2[V]であり、Vz1とVz2の和が電圧V2(=Vz1+Vz2)になるよう構成されている。ツェナー電圧Vz2は、FET143を十分にオンできる電圧である。FET144は、平滑コンデンサ108の両端に電圧V2[V]以上(第三所定値以上)の電圧が印加されたときに動作するように、抵抗148、149により設計されている。また、FET135は平滑コンデンサ108の両端のリプル電圧がFET135の動作閾値であるVo[V](第一所定値)以上のときに動作するよう設計されている。即ち、平滑コンデンサ108の両端のリプル電圧がVo[V]以上となったときに、過電圧保護回路130が動作する。
[Power supply operation]
The operation of the power supply device of this embodiment will be described. The circuit conditions are as follows. The withstand voltage of the smoothing capacitor 108 is a DC voltage V2 [V], and a leakage current starts to flow when V3 [V] or higher. The Zener voltage of the Zener diode 141 is Vz1 [V], the Zener voltage of the Zener diode 157 is Vz2 [V], and the sum of Vz1 and Vz2 is configured to be a voltage V2 (= Vz1 + Vz2). The Zener voltage Vz2 is a voltage that can sufficiently turn on the FET 143. The FET 144 is designed by resistors 148 and 149 so as to operate when a voltage of V2 [V] or more (third predetermined value or more) is applied across the smoothing capacitor 108. The FET 135 is designed to operate when the ripple voltage across the smoothing capacitor 108 is equal to or higher than Vo [V] (first predetermined value) that is the operation threshold of the FET 135. That is, the overvoltage protection circuit 130 operates when the ripple voltage across the smoothing capacitor 108 becomes equal to or higher than Vo [V].

(1)V1以上V2未満の電圧が印加された場合(V1≦V<V2)
通常動作は実施例1と同じため省略する。また、図5(a)は、平滑コンデンサ108にV1以上V2未満の電圧が印加された場合の、過電圧保護回路130及び入力電圧検出回路140の動作の一例を示したものである。図5(a)(A)、図5(a)(D)、図5(a)(F)は、それぞれ図3(a)(A)、図3(a)(D)、図3(a)(F)と同様であり説明を省略する。図5(a)(Vth)は、入力電圧検出回路140が過電圧保護回路130に出力する検出電圧Vthの波形である。図5(b)〜図5(d)についても同様である。図5(a)には、平滑コンデンサ108に通常電圧が印加されている状態で、トランス111の二次側のVoutで消費される負荷電流が小さい場合と大きい場合の各波形を示している。
(1) When a voltage of V1 or more and less than V2 is applied (V1 ≦ V <V2)
Since the normal operation is the same as that of the first embodiment, it is omitted. FIG. 5A shows an example of operations of the overvoltage protection circuit 130 and the input voltage detection circuit 140 when a voltage of V1 or more and less than V2 is applied to the smoothing capacitor 108. FIGS. 5A, 5A, 5D and 5A are respectively shown in FIGS. 3A, 3A, 3D, 3D. a) It is the same as (F) and will not be described. FIG. 5A (Vth) is a waveform of the detection voltage Vth output from the input voltage detection circuit 140 to the overvoltage protection circuit 130. The same applies to FIGS. 5B to 5D. FIG. 5A shows respective waveforms when the load current consumed by Vout on the secondary side of the transformer 111 is small and large when a normal voltage is applied to the smoothing capacitor 108.

平滑コンデンサ108の両端に印加される電圧はV2未満であり、ツェナーダイオード141とツェナーダイオード157のツェナー電圧の和であるV2(=Vz1+Vz2)を超えない。このため、ツェナーダイオード141を介して抵抗146に電流は流れないため、FET143のゲート・ソース間電圧はFET143の動作閾値より低い電圧となる。よって、FET143はオフ状態となり、FET144のゲート・ソース間電圧はFET144の動作電圧より低い電圧となるため、FET144もオフ状態となる。トランジスタ145のベース・エミッタ間電圧もトランジスタ145の動作閾値を超えないため、トランジスタ145もオフ状態となる。従って、図5(a)(Vth)に示すように、トランジスタ145を介して電圧Vthが過電圧保護回路130に供給されることはない。   The voltage applied across the smoothing capacitor 108 is less than V2, and does not exceed V2 (= Vz1 + Vz2) which is the sum of the Zener voltages of the Zener diode 141 and the Zener diode 157. For this reason, since no current flows through the resistor 146 via the Zener diode 141, the gate-source voltage of the FET 143 is lower than the operating threshold value of the FET 143. Accordingly, the FET 143 is turned off, and the gate-source voltage of the FET 144 is lower than the operating voltage of the FET 144, so that the FET 144 is also turned off. Since the base-emitter voltage of the transistor 145 does not exceed the operation threshold value of the transistor 145, the transistor 145 is also turned off. Therefore, as shown in FIG. 5A (Vth), the voltage Vth is not supplied to the overvoltage protection circuit 130 via the transistor 145.

また、電圧Vthが過電圧保護回路130に供給されないため、FET158のゲート・ソース間電圧は、FET158の動作閾値より低い電圧となり、FET158はオフ状態となる。従って、抵抗162、163を介してFET158のドレイン・ソース間に電流は流れず、FET159のゲート・ソース間電圧はFET159の動作閾値を超えない。このため、FET159もオフ状態となる。従って、図5(a)(D)に示すように、FET135のゲート・ソース間電圧もFET135の動作閾値を超えることはなく、FET135はオフ状態となる。結果として、FET138はオフ状態となり、図5(a)(F)に示すように電圧VthがFET138を介してFET110に供給されることはなく、FET110は、電源IC120の制御により安定したスイッチング動作を行う。このように、平滑コンデンサ108の両端に印加される電圧がV1以上V2未満である場合、入力電圧検出回路140は検出電圧Vthを出力せず、過電圧保護回路130は動作しない。   Further, since the voltage Vth is not supplied to the overvoltage protection circuit 130, the gate-source voltage of the FET 158 is lower than the operation threshold value of the FET 158, and the FET 158 is turned off. Therefore, no current flows between the drain and source of the FET 158 via the resistors 162 and 163, and the gate-source voltage of the FET 159 does not exceed the operating threshold value of the FET 159. For this reason, the FET 159 is also turned off. Therefore, as shown in FIGS. 5A and 5D, the gate-source voltage of the FET 135 does not exceed the operation threshold value of the FET 135, and the FET 135 is turned off. As a result, the FET 138 is turned off, and the voltage Vth is not supplied to the FET 110 via the FET 138 as shown in FIGS. 5A and 5F, and the FET 110 performs a stable switching operation by the control of the power supply IC 120. Do. Thus, when the voltage applied across the smoothing capacitor 108 is not less than V1 and less than V2, the input voltage detection circuit 140 does not output the detection voltage Vth, and the overvoltage protection circuit 130 does not operate.

(2)V2以上V3未満の電圧が印加された場合(V2≦V<V3)
次に、平滑コンデンサ108の両端に生じる電圧がV2以上V3未満の場合について説明する。図5(b)には、平滑コンデンサ108に通常電圧(V1≦V<V2)が印加され、その後、過電圧(V2≦V<V3)が印加され、再び通常電圧が印加されている様子を示している。この場合、平滑コンデンサ108の耐圧V2を僅かに超える電圧が、平滑コンデンサ108の両端に印加された状態になる。平滑コンデンサ108の両端にV2以上V3未満の電圧が短い時間印加されると、ツェナーダイオード141に電流が流れ、ツェナーダイオード141の両端電圧をツェナー電圧Vz1に等しい一定の値にしようとする。このときに流れる電流が抵抗146を介してツェナーダイオード157に流れ、ツェナーダイオード157の両端電圧をツェナー電圧Vz2に等しい一定の値にしようとする。従って、抵抗156及びコンデンサ142の両端電圧は、ツェナーダイオード157のツェナー電圧Vz2となる。そして、FET143の動作閾値よりも高い電圧がFET143のゲート・ソース間に印加されるため、FET143はオン状態となり、抵抗148と抵抗149の分圧によりFET144のゲート・ソース電圧が決まる。なお、抵抗156の両端電圧がVz2となるためにはコンデンサ142を十分に充電するための時間が必要である。このため、DCHに電圧が印加されてから所定の時間経過後に抵抗156の両端電圧がVz2となり、FET143がオン状態となる。
(2) When a voltage of V2 or more and less than V3 is applied (V2 ≦ V <V3)
Next, the case where the voltage generated at both ends of the smoothing capacitor 108 is V2 or more and less than V3 will be described. FIG. 5B shows a state in which a normal voltage (V1 ≦ V <V2) is applied to the smoothing capacitor 108, an overvoltage (V2 ≦ V <V3) is applied, and the normal voltage is applied again. ing. In this case, a voltage slightly exceeding the withstand voltage V2 of the smoothing capacitor 108 is applied to both ends of the smoothing capacitor 108. When a voltage of V2 or more and less than V3 is applied to both ends of the smoothing capacitor 108 for a short time, a current flows through the Zener diode 141, and the voltage across the Zener diode 141 is set to a constant value equal to the Zener voltage Vz1. The current flowing at this time flows to the Zener diode 157 via the resistor 146, and tries to make the voltage across the Zener diode 157 a constant value equal to the Zener voltage Vz2. Accordingly, the voltage across the resistor 156 and the capacitor 142 becomes the Zener voltage Vz2 of the Zener diode 157. Since a voltage higher than the operation threshold of the FET 143 is applied between the gate and the source of the FET 143, the FET 143 is turned on, and the gate-source voltage of the FET 144 is determined by the divided voltage of the resistor 148 and the resistor 149. In addition, in order for the voltage across the resistor 156 to be Vz2, it takes time to fully charge the capacitor 142. Therefore, the voltage across the resistor 156 becomes Vz2 after a predetermined time has elapsed since the voltage was applied to the DCH, and the FET 143 is turned on.

更に抵抗148、149の分圧により発生する電圧がFET144の動作閾値を超えるため、FET144はオン状態になる。また、トランジスタ153のベース端子はツェナーダイオード157のツェナー電圧Vz2となる。このため、トランジスタ153がオン状態となり、抵抗155の両端には、ツェナー電圧Vz2からトランジスタ153のベース・エミッタ間飽和電圧を差し引いた電圧Vdcが印加される。よって、抵抗150、151にトランジスタ153から電流が流れ、抵抗150の両端に電位差が発生する。抵抗150の両端に発生した電位差により、トランジスタ145のベース・エミッタ間電圧が動作閾値を超える。このため、トランジスタ145がオン状態となり、図5(b)(Vth)に示したように、所定の時間経過後、電圧Vdc(所定の電圧)がトランジスタ145を介して電圧Vthとして過電圧保護回路130に供給される。   Further, since the voltage generated by the voltage division of the resistors 148 and 149 exceeds the operation threshold value of the FET 144, the FET 144 is turned on. Further, the base terminal of the transistor 153 becomes the Zener voltage Vz2 of the Zener diode 157. Therefore, the transistor 153 is turned on, and a voltage Vdc obtained by subtracting the base-emitter saturation voltage of the transistor 153 from the Zener voltage Vz2 is applied to both ends of the resistor 155. Therefore, current flows from the transistor 153 to the resistors 150 and 151, and a potential difference is generated between both ends of the resistor 150. The base-emitter voltage of the transistor 145 exceeds the operation threshold due to the potential difference generated across the resistor 150. Therefore, the transistor 145 is turned on, and the voltage Vdc (predetermined voltage) is set to the voltage Vth via the transistor 145 after a predetermined time as shown in FIG. 5B (Vth). To be supplied.

また、電圧Vthが過電圧保護回路130に供給されると、電圧Vthを抵抗161と抵抗160により分圧した値がFET158のゲート・ソース間に印加される。そして、FET158のゲート・ソース間に印加された電圧がFET158の動作閾値を超えると、FET158がオン状態となる。FET158がオン状態になると、抵抗162と抵抗163を介して、FET158に電流が流れ、FET159のゲート・ソース間に電位差が生じる。FET159のゲート・ソース間電圧がFET159の動作閾値を超えると、FET159がオン状態となり、平滑部133に電圧が供給され、直流電圧に平滑される。   When the voltage Vth is supplied to the overvoltage protection circuit 130, a value obtained by dividing the voltage Vth by the resistor 161 and the resistor 160 is applied between the gate and source of the FET 158. When the voltage applied between the gate and source of the FET 158 exceeds the operation threshold value of the FET 158, the FET 158 is turned on. When the FET 158 is turned on, a current flows through the FET 158 via the resistor 162 and the resistor 163, and a potential difference is generated between the gate and source of the FET 159. When the gate-source voltage of the FET 159 exceeds the operation threshold value of the FET 159, the FET 159 is turned on, the voltage is supplied to the smoothing unit 133, and is smoothed to a DC voltage.

一方、図4(b)に示したとおり、平滑コンデンサ108の両端にV2以上V3未満の電圧が印加されているときに生じるリプル電圧は最小リプル電圧Vminよりも小さい。即ち、FET135が動作するリプル電圧Voよりも小さい。このため、検出部131及びフィルタ部132、平滑部133、電圧調整部134で検出されるリプル電圧検出結果は、図5(b)(D)に示すようにFET135の動作閾値よりも小さい。このため、FET135はオフ状態のままである。従って、抵抗136、137に電流は流れず、FET138のゲート・ソース間電圧は同電位となり、FET138はオフ状態のままである。結果として、図5(b)(F)に示したように電圧VthがFET138を介してFET110に印加されることはなく、FET110は、電源IC120の制御により安定したスイッチング動作を行う。このように、平滑コンデンサ108の両端に印加される電圧がV2以上V3未満である場合、入力電圧検出回路140は検出電圧Vthを出力するが、過電圧保護回路130は動作しない。   On the other hand, as shown in FIG. 4B, the ripple voltage generated when a voltage not lower than V2 and lower than V3 is applied across the smoothing capacitor 108 is smaller than the minimum ripple voltage Vmin. That is, it is smaller than the ripple voltage Vo at which the FET 135 operates. For this reason, the ripple voltage detection result detected by the detection unit 131, the filter unit 132, the smoothing unit 133, and the voltage adjustment unit 134 is smaller than the operation threshold value of the FET 135 as shown in FIGS. For this reason, the FET 135 remains off. Therefore, no current flows through the resistors 136 and 137, the gate-source voltage of the FET 138 becomes the same potential, and the FET 138 remains off. As a result, the voltage Vth is not applied to the FET 110 via the FET 138 as shown in FIGS. 5B and 5F, and the FET 110 performs a stable switching operation under the control of the power supply IC 120. As described above, when the voltage applied across the smoothing capacitor 108 is V2 or more and less than V3, the input voltage detection circuit 140 outputs the detection voltage Vth, but the overvoltage protection circuit 130 does not operate.

(3)V3以上の電圧が印加された場合(V3≦V)
次に、平滑コンデンサ108の両端に生じる電圧がV3以上の場合について説明する。図5(c)は、V3以上の電圧が印加された場合の過電圧保護回路130及び入力電圧検出回路140の動作の一例を示したものである。平滑コンデンサ108の耐圧V2を十分に超える電圧V3が平滑コンデンサ108の両端に印加されると、ツェナーダイオード141に電流が流れ、ツェナーダイオード141の両端電圧をツェナー電圧Vz1に等しい一定の値にしようとする。このときに流れる電流が抵抗146を介してツェナーダイオード157に流れ、ツェナーダイオード157の両端電圧をツェナー電圧Vz2に等しい一定の値にしようとする。従って、抵抗156及びコンデンサ142の両端電圧は、ツェナーダイオード157のツェナー電圧Vz2となる。FET143の動作閾値よりも高い電圧がFET143のゲート・ソース間に印加されるため、FET143はオン状態となり、抵抗148と149の分圧によりFET144のゲート・ソース電圧が決まる。
(3) When a voltage of V3 or higher is applied (V3 ≦ V)
Next, a case where the voltage generated across the smoothing capacitor 108 is V3 or higher will be described. FIG. 5C shows an example of operations of the overvoltage protection circuit 130 and the input voltage detection circuit 140 when a voltage of V3 or higher is applied. When a voltage V3 sufficiently exceeding the withstand voltage V2 of the smoothing capacitor 108 is applied across the smoothing capacitor 108, a current flows through the Zener diode 141, and the voltage across the Zener diode 141 is set to a constant value equal to the Zener voltage Vz1. To do. The current flowing at this time flows to the Zener diode 157 via the resistor 146, and tries to make the voltage across the Zener diode 157 a constant value equal to the Zener voltage Vz2. Accordingly, the voltage across the resistor 156 and the capacitor 142 becomes the Zener voltage Vz2 of the Zener diode 157. Since a voltage higher than the operation threshold of the FET 143 is applied between the gate and the source of the FET 143, the FET 143 is turned on, and the gate-source voltage of the FET 144 is determined by the divided voltage of the resistors 148 and 149.

更に、抵抗148、149の分圧により発生する電圧がFET144の動作閾値を超えるため、FET144はオン状態になる。また、トランジスタ153のベース端子はツェナーダイオード157のツェナー電圧Vz2となる。このため、トランジスタ153がオン状態となり、抵抗155の両端には、ツェナー電圧Vz2からトランジスタ153のベース・エミッタ間飽和電圧を差し引いた電圧Vdcが印加される。よって、抵抗150、151にトランジスタ153から電流が流れ、抵抗150の両端に電位差が発生する。抵抗150の両端に発生した電位差により、トランジスタ145のベース・エミッタ間電圧が動作閾値を超えるため、トランジスタ145がオン状態となる。そして、図5(c)(Vth)に示すように、所定の時間経過後、電圧Vdcがトランジスタ145を介して、電圧Vthとして過電圧保護回路130に供給される。   Further, since the voltage generated by the divided voltage of the resistors 148 and 149 exceeds the operation threshold value of the FET 144, the FET 144 is turned on. Further, the base terminal of the transistor 153 becomes the Zener voltage Vz2 of the Zener diode 157. Therefore, the transistor 153 is turned on, and a voltage Vdc obtained by subtracting the base-emitter saturation voltage of the transistor 153 from the Zener voltage Vz2 is applied to both ends of the resistor 155. Therefore, current flows from the transistor 153 to the resistors 150 and 151, and a potential difference is generated between both ends of the resistor 150. The voltage difference generated between both ends of the resistor 150 causes the base-emitter voltage of the transistor 145 to exceed the operation threshold, so that the transistor 145 is turned on. Then, as shown in FIG. 5C (Vth), after a predetermined time has elapsed, the voltage Vdc is supplied to the overvoltage protection circuit 130 as the voltage Vth through the transistor 145.

また、電圧Vthが過電圧保護回路130に供給されると、電圧Vthを抵抗161と抵抗160により分圧した値がFET158のゲート・ソース間に印加される。そして、FET158のゲート・ソース間に印加された電圧がFET158の動作閾値を超えると、FET158がオン状態となる。FET158がオン状態になると、抵抗162、163を介してFET158に電流が流れ、FET159のゲート・ソース間に電位差が生じる。FET159のゲート・ソース間電圧がFET159の動作閾値を超えると、FET159がオン状態となり、平滑部133に電圧が供給され、直流電圧に平滑される。   When the voltage Vth is supplied to the overvoltage protection circuit 130, a value obtained by dividing the voltage Vth by the resistor 161 and the resistor 160 is applied between the gate and source of the FET 158. When the voltage applied between the gate and source of the FET 158 exceeds the operation threshold value of the FET 158, the FET 158 is turned on. When the FET 158 is turned on, a current flows to the FET 158 via the resistors 162 and 163, and a potential difference is generated between the gate and the source of the FET 159. When the gate-source voltage of the FET 159 exceeds the operation threshold value of the FET 159, the FET 159 is turned on, the voltage is supplied to the smoothing unit 133, and is smoothed to a DC voltage.

また、平滑コンデンサ108の両端に平滑コンデンサ108の耐圧V2を超える電圧(V3以上の電圧)が印加されているため、図5(c)(A)に示すように漏れ電流が急激に増加し、発熱やガス発生に伴う内圧の上昇が生じる。この急激な漏れ電流による平滑コンデンサ108の両端のリプル電圧(例えば、図4(b)のリプル電圧Vrip)による電流変化を検出部131により検出する。検出部131により検出された信号は、フィルタ部132により商用周波数のリプル電圧として検出され、平滑部133で直流電圧に平滑される。図5(c)(D)に示すように、漏れ電流により生じたリプル電圧はVo(図4(b)参照)以上であるため、電圧調整部134に生じるリプル電圧検出結果も大きくなり、FET135の動作閾値以上となったときFET135はオン状態となる。これにより、FET138のゲート・ソース間電圧が動作閾値を超えてFET138がオン状態となる。従って、図5(c)(F)に示すように、FET138、ダイオード139を介して電圧VthがFET110に印加される。   Further, since a voltage exceeding the withstand voltage V2 of the smoothing capacitor 108 (voltage of V3 or more) is applied to both ends of the smoothing capacitor 108, the leakage current increases rapidly as shown in FIG. The internal pressure increases due to heat generation and gas generation. The detection unit 131 detects a change in current due to the ripple voltage (for example, the ripple voltage Vrip in FIG. 4B) at both ends of the smoothing capacitor 108 due to the sudden leakage current. The signal detected by the detection unit 131 is detected as a commercial frequency ripple voltage by the filter unit 132 and smoothed to a DC voltage by the smoothing unit 133. As shown in FIGS. 5C and 5D, since the ripple voltage generated by the leakage current is equal to or higher than Vo (see FIG. 4B), the ripple voltage detection result generated in the voltage adjustment unit 134 also increases, and the FET 135 The FET 135 is turned on when the operation threshold is exceeded. As a result, the gate-source voltage of the FET 138 exceeds the operating threshold value, and the FET 138 is turned on. Accordingly, as shown in FIGS. 5C and 5F, the voltage Vth is applied to the FET 110 via the FET 138 and the diode 139.

電圧VthはFET110を十分にオンできる電圧であり、FET110に電圧Vthが印加されると、FET110のゲート・ソース間電圧が上昇する。その結果、ヒューズの溶断時間に達するとヒューズ102がヒューズ溶断に至り、ヒューズ102は完全にオープンとなり、平滑コンデンサ108の圧力弁の開弁を抑制することができる。このように、平滑コンデンサ108の両端に印加される電圧がV3以上である場合、入力電圧検出回路140は検出電圧Vthを出力し、過電圧保護回路130も動作する。   The voltage Vth is a voltage that can sufficiently turn on the FET 110. When the voltage Vth is applied to the FET 110, the gate-source voltage of the FET 110 increases. As a result, when the fuse blowing time is reached, the fuse 102 is blown, the fuse 102 is completely opened, and the opening of the pressure valve of the smoothing capacitor 108 can be suppressed. Thus, when the voltage applied across the smoothing capacitor 108 is V3 or higher, the input voltage detection circuit 140 outputs the detection voltage Vth, and the overvoltage protection circuit 130 also operates.

(平滑コンデンサに充電されている電荷がゼロのとき)
一方、図5(d)は、電源オン時のように、平滑コンデンサ108に充電されている電荷がゼロの状態で、ACインレット101からV2以上(定格電圧以上)の電圧が平滑コンデンサ108に供給されたときの過渡的な状態の動作を示したものである。図5(d)(A)に示すように、平滑コンデンサ108に充電されている電荷がゼロの状態で、ACインレット101から電圧が供給されると、平滑コンデンサ108に突入電流が流れる。ここで、過電圧保護回路130が突入抑制回路164を有さない場合、図5(d)(D)に二点鎖線で示すように、リプル電圧検出結果は、破線で示すFET135の動作閾値以上となる。そして、過電圧保護回路130が動作し、ヒューズ102の溶断に至る。ここで、図5(d)(F)に、突入抑制回路164がない場合の電圧Vthの波形を二点鎖線で示す。なお、図5(d)(F)の黒丸印は、FET110の動作電圧を示し、一点鎖線で描かれた部分はヒューズ102の溶断時間を示している。
(When the charge on the smoothing capacitor is zero)
On the other hand, FIG. 5D shows that the voltage charged to the smoothing capacitor 108 is zero as in the case of power-on, and a voltage of V2 or more (rated voltage or more) is supplied to the smoothing capacitor 108 from the AC inlet 101. It shows the operation in a transitional state when it is done. As shown in FIGS. 5D and 5A, when a voltage is supplied from the AC inlet 101 while the electric charge charged in the smoothing capacitor 108 is zero, an inrush current flows through the smoothing capacitor 108. Here, when the overvoltage protection circuit 130 does not have the inrush suppression circuit 164, the ripple voltage detection result is equal to or higher than the operation threshold value of the FET 135 indicated by the broken line, as indicated by a two-dot chain line in FIGS. Become. Then, the overvoltage protection circuit 130 operates and the fuse 102 is blown. Here, in FIGS. 5D and 5F, the waveform of the voltage Vth when the inrush suppression circuit 164 is not provided is indicated by a two-dot chain line. 5D and 5F, the black circles indicate the operating voltage of the FET 110, and the portion drawn with a one-dot chain line indicates the fusing time of the fuse 102.

ACインレット101から電圧が供給されてから、電圧Vdcが所定の電圧になるまでには、コンデンサ142を充電するための時間が必要である。即ち、図5(d)(Vth)に実線で示すように、電圧Vthが所定の電圧(Vdc)になるまでには所定の時間(突入抑制期間という)が必要である。そして、突入抑制期間では、FET158のゲート・ソース間電圧はFET158の動作閾値以上とならないため、FET159がオン状態になることはない。従って、図5(d)(D)に実線で示す電位は、FET135の動作閾値を超えず、過電圧保護回路130は動作しない。このため、図5(d)(F)に実線で示すように、FET110に電圧Vthが印加されることはなく、突入電流によるヒューズ102の溶断を抑制することができる。このように、平滑コンデンサ108に突入電流が流れた場合、入力電圧検出回路140は検出電圧Vthを出力するが、過電圧保護回路130は動作しない。   It takes time to charge the capacitor 142 until the voltage Vdc reaches a predetermined voltage after the voltage is supplied from the AC inlet 101. That is, as indicated by a solid line in FIG. 5D (Vth), a predetermined time (referred to as an inrush suppression period) is required until the voltage Vth reaches the predetermined voltage (Vdc). In the inrush suppression period, the gate-source voltage of the FET 158 does not exceed the operation threshold value of the FET 158, so that the FET 159 is not turned on. Therefore, the potential indicated by the solid line in FIGS. 5D and 5D does not exceed the operation threshold of the FET 135, and the overvoltage protection circuit 130 does not operate. For this reason, as indicated by solid lines in FIGS. 5D and 5F, the voltage Vth is not applied to the FET 110, and the fusing of the fuse 102 due to the inrush current can be suppressed. Thus, when an inrush current flows through the smoothing capacitor 108, the input voltage detection circuit 140 outputs the detection voltage Vth, but the overvoltage protection circuit 130 does not operate.

以上説明したように、本実施例の電源装置は、過電圧保護回路130と入力電圧検出回路140を備えている。本実施例の過電圧保護回路130は、平滑コンデンサ108の圧力弁の開弁直前に流れる漏れ電流による平滑コンデンサ108の両端に生じるリプル電圧を検出する。また、本実施例の入力電圧検出回路140は、平滑コンデンサ108の両端に相当する電圧を検出する。そして、過電圧保護回路130と入力電圧検出回路140の両方が動作した場合に(図5(c))、FET110のオン状態を維持し、ヒューズ102をオープンにする。具体的には、過電圧保護回路130のFET135が動作閾値以上となり、且つ入力電圧検出回路140が電圧Vthを出力した場合に、FET110をオン状態に維持する。   As described above, the power supply device of this embodiment includes the overvoltage protection circuit 130 and the input voltage detection circuit 140. The overvoltage protection circuit 130 of this embodiment detects a ripple voltage generated at both ends of the smoothing capacitor 108 due to a leakage current that flows immediately before the pressure valve of the smoothing capacitor 108 is opened. In addition, the input voltage detection circuit 140 of this embodiment detects a voltage corresponding to both ends of the smoothing capacitor 108. When both the overvoltage protection circuit 130 and the input voltage detection circuit 140 operate (FIG. 5C), the FET 110 is kept on and the fuse 102 is opened. Specifically, when the FET 135 of the overvoltage protection circuit 130 is equal to or higher than the operation threshold and the input voltage detection circuit 140 outputs the voltage Vth, the FET 110 is maintained in the on state.

また、実施例1では、過電圧保護回路130は、電源IC120がFET110のスイッチング動作を制御することによってトランス111の補助巻線111cで生成される直流電圧SubPowerを電源としている。一方、本実施例では、トランス111が補助巻線を有しておらず、電源IC120は別電源152から電圧を供給されている。そして、本実施例の過電圧保護回路130は、別電源152ではなく、入力電圧検出回路140を電源とし、入力電圧検出回路140で生成される電圧Vthを供給されている。このため、本実施例の構成では、トランス111が補助巻線を有していない場合であっても、また別電源152の状態にかかわらず、過電圧保護回路130及び入力電圧検出回路140によって平滑コンデンサ108の圧力弁の開弁を抑制できる。   In the first embodiment, the overvoltage protection circuit 130 uses the DC voltage SubPower generated by the auxiliary winding 111c of the transformer 111 as the power supply when the power supply IC 120 controls the switching operation of the FET 110. On the other hand, in this embodiment, the transformer 111 does not have an auxiliary winding, and the power supply IC 120 is supplied with a voltage from another power supply 152. The overvoltage protection circuit 130 of this embodiment is supplied with the voltage Vth generated by the input voltage detection circuit 140 using the input voltage detection circuit 140 as a power supply, not the separate power supply 152. Therefore, in the configuration of this embodiment, even if the transformer 111 does not have an auxiliary winding, the smoothing capacitor is used by the overvoltage protection circuit 130 and the input voltage detection circuit 140 regardless of the state of the separate power supply 152. The opening of the pressure valve 108 can be suppressed.

更に、本実施例では、通常動作入力電圧範囲内で大きい負荷電流が流れたときに生じるリプル電圧と、平滑コンデンサ108の開弁直前のリプル電圧とを判別することができる。このため、平滑コンデンサ108の通常動作入力電圧範囲内で大きい負荷電流が流れた場合と、過電圧による平滑コンデンサ108の開弁直前でリプル電圧に大きな差がない場合に有効である。ここで、平滑コンデンサ108の通常動作入力電圧範囲内で大きい負荷電流が流れる場合には、例えば、通常動作入力電圧範囲が広い場合やトランス111の二次側負荷電流が大きい場合がある。   Further, in the present embodiment, it is possible to determine a ripple voltage generated when a large load current flows within a normal operation input voltage range and a ripple voltage immediately before the smoothing capacitor 108 is opened. This is effective when a large load current flows within the normal operation input voltage range of the smoothing capacitor 108 and when there is no significant difference in ripple voltage immediately before the smoothing capacitor 108 is opened due to overvoltage. Here, when a large load current flows within the normal operation input voltage range of the smoothing capacitor 108, for example, the normal operation input voltage range may be wide or the secondary side load current of the transformer 111 may be large.

また、本実施例では、入力電圧検出回路140を整流素子107より平滑コンデンサ108側(下流側)に設けたが、入力電圧検出回路140は平滑コンデンサ108の両端に相当する電圧を検出できればよい。従って、例えば整流素子107よりACインレット101側(上流側)に全波整流回路や半波整流回路等を設けて平滑コンデンサ108に相当する電圧を検出する回路で構成することも可能である。   In this embodiment, the input voltage detection circuit 140 is provided on the smoothing capacitor 108 side (downstream side) from the rectifying element 107, but the input voltage detection circuit 140 only needs to be able to detect a voltage corresponding to both ends of the smoothing capacitor 108. Therefore, for example, a full-wave rectifier circuit, a half-wave rectifier circuit, or the like may be provided on the AC inlet 101 side (upstream side) from the rectifier element 107 to detect a voltage corresponding to the smoothing capacitor 108.

また、実施例1の補助巻線111cを有するトランス111を備える電源装置の構成に、本実施例の入力電圧検出回路140を備える構成を適用してもよい。即ち、本実施例の電源IC120が補助巻線111cから電圧を供給される構成としてもよい。   Further, the configuration including the input voltage detection circuit 140 according to the present embodiment may be applied to the configuration of the power supply apparatus including the transformer 111 having the auxiliary winding 111c according to the first embodiment. That is, the power supply IC 120 of this embodiment may be configured to be supplied with a voltage from the auxiliary winding 111c.

更に、上述した実施例1、2は、平滑コンデンサ108の両端に生じるリプル電圧を検出し、検出したリプル電圧に基づき開弁直前を判断する構成である。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば平滑コンデンサ108の両端に生じるリプル電圧の積分値を用いて開弁直前を判断してもよい。即ち、開弁直前を判断する閾値については、平滑コンデンサ108の両端に生じるリプル電圧に応じた値であれば、その他の値であってもよい。   Further, the first and second embodiments described above are configured to detect the ripple voltage generated at both ends of the smoothing capacitor 108 and determine immediately before opening the valve based on the detected ripple voltage. However, the present invention is not limited to this, and for example, it may be determined immediately before opening the valve using the integrated value of the ripple voltage generated across the smoothing capacitor 108. In other words, the threshold for determining immediately before opening the valve may be any other value as long as the value corresponds to the ripple voltage generated at both ends of the smoothing capacitor 108.

以上、本実施例によれば、平滑コンデンサの開弁を抑制しつつ、平滑コンデンサへの突入電流によって電圧供給が遮断されないようにすることができる。   As described above, according to this embodiment, it is possible to prevent the voltage supply from being interrupted by the inrush current to the smoothing capacitor while suppressing the valve opening of the smoothing capacitor.

102 ヒューズ
108 平滑コンデンサ
110 FET
130 過電圧保護回路
164 突入抑制回路
102 fuse 108 smoothing capacitor 110 FET
130 Overvoltage protection circuit 164 Inrush suppression circuit

Claims (13)

入力された交流電圧を整流する整流手段と、
前記整流手段により整流された電圧を平滑する平滑コンデンサと、
一次巻線、二次巻線及び補助巻線を有し、一次側と二次側を絶縁するトランスと、
前記一次巻線に流れる電流をオン又はオフするスイッチング動作を行うスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の前記スイッチング動作を制御する制御手段と、
を備える電源装置であって、
前記平滑コンデンサの端子間のリプル電圧を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出したリプル電圧に応じた値が第一所定値以上となった場合に、前記スイッチング素子をオン状態に維持する保護手段と、
前記保護手段により前記スイッチング素子がオン状態に維持されたことに応じて、前記整流手段に入力される交流電圧を遮断する遮断手段と、
前記補助巻線から供給される電圧に応じて前記保護手段を動作又は停止させる切替手段と、
を備えることを特徴とする電源装置。
Rectifying means for rectifying the input AC voltage;
A smoothing capacitor for smoothing the voltage rectified by the rectifying means;
A transformer having a primary winding, a secondary winding and an auxiliary winding, and insulating the primary side and the secondary side;
A switching element that performs a switching operation to turn on or off a current flowing through the primary winding;
Control means for controlling the switching operation of the switching element;
A power supply device comprising:
Detecting means for detecting a ripple voltage between terminals of the smoothing capacitor;
Protection means for maintaining the switching element in an ON state when a value corresponding to the ripple voltage detected by the detection means is equal to or greater than a first predetermined value;
A blocking means for cutting off the AC voltage input to the rectifying means in response to the switching element being maintained in the ON state by the protection means;
Switching means for operating or stopping the protection means according to the voltage supplied from the auxiliary winding;
A power supply apparatus comprising:
前記切替手段は、前記補助巻線から供給される電圧が第二所定値未満である場合には前記保護手段を停止させ、前記補助巻線から供給される電圧が前記第二所定値以上となった場合には前記保護手段を動作させることを特徴とする請求項1に記載の電源装置。   The switching means stops the protection means when the voltage supplied from the auxiliary winding is less than a second predetermined value, and the voltage supplied from the auxiliary winding becomes equal to or higher than the second predetermined value. 2. The power supply device according to claim 1, wherein the protection means is operated in the event of a failure. 前記保護手段は、前記検出手段により検出したリプル電圧に応じた値が前記第一所定値以上となった場合に、前記補助巻線から供給される電圧を前記スイッチング素子の制御端子に出力し、前記スイッチング素子をオン状態に維持することを特徴とする請求項2に記載の電源装置。   The protection means outputs a voltage supplied from the auxiliary winding to the control terminal of the switching element when a value corresponding to the ripple voltage detected by the detection means is equal to or greater than the first predetermined value. The power supply apparatus according to claim 2, wherein the switching element is maintained in an on state. 前記保護手段は、前記第一所定値以上で動作する第一のFETを有し、
前記第一のFETが動作することにより、前記補助巻線から供給される電圧が前記スイッチング素子の制御端子に出力されることを特徴とする請求項3に記載の電源装置。
The protection means includes a first FET that operates at the first predetermined value or more,
4. The power supply device according to claim 3, wherein when the first FET operates, a voltage supplied from the auxiliary winding is output to a control terminal of the switching element. 5.
前記切替手段は、第二のFETを有し、
前記第二所定値は、前記第二のFETの動作閾値であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の電源装置。
The switching means has a second FET,
5. The power supply device according to claim 2, wherein the second predetermined value is an operation threshold value of the second FET. 6.
入力された交流電圧を整流する整流手段と、
前記整流手段により整流された電圧を平滑する平滑コンデンサと、
一次巻線と、二次巻線とを有し、一次側と二次側を絶縁するトランスと、
前記一次巻線に流れる電流をオン又はオフするスイッチング動作を行うスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の前記スイッチング動作を制御する制御手段と、
を備える電源装置であって、
前記平滑コンデンサの端子間のリプル電圧を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出したリプル電圧に応じた値が第一所定値以上となった場合に、前記スイッチング素子をオン状態に維持する保護手段と、
前記保護手段により前記スイッチング素子がオン状態に維持されたことに応じて、前記整流手段に入力される交流電圧を遮断する遮断手段と、
前記平滑コンデンサに印加される電圧を検出する電圧検出手段と、
前記電圧検出手段により検出された電圧に応じて前記保護手段を動作又は停止させる切替手段と、
を備えることを特徴とする電源装置。
Rectifying means for rectifying the input AC voltage;
A smoothing capacitor for smoothing the voltage rectified by the rectifying means;
A transformer having a primary winding and a secondary winding and insulating the primary side and the secondary side;
A switching element that performs a switching operation to turn on or off a current flowing through the primary winding;
Control means for controlling the switching operation of the switching element;
A power supply device comprising:
Detecting means for detecting a ripple voltage between terminals of the smoothing capacitor;
Protection means for maintaining the switching element in an ON state when a value corresponding to the ripple voltage detected by the detection means is equal to or greater than a first predetermined value;
A blocking means for cutting off the AC voltage input to the rectifying means in response to the switching element being maintained in the ON state by the protection means;
Voltage detecting means for detecting a voltage applied to the smoothing capacitor;
Switching means for operating or stopping the protection means according to the voltage detected by the voltage detection means;
A power supply apparatus comprising:
前記切替手段は、前記電圧検出手段により検出された電圧が第二所定値未満である場合には前記保護手段を停止させ、前記電圧検出手段により検出された電圧が前記第二所定値以上となった場合には前記保護手段を動作させることを特徴とする請求項6に記載の電源装置。   The switching unit stops the protection unit when the voltage detected by the voltage detection unit is less than a second predetermined value, and the voltage detected by the voltage detection unit becomes equal to or higher than the second predetermined value. The power supply apparatus according to claim 6, wherein the protection means is operated in the event of a failure. 前記保護手段は、前記検出手段により検出したリプル電圧に応じた値が前記第一所定値以上となり、且つ、前記電圧検出手段により検出した電圧が第三所定値以上となった場合に、所定の電圧を前記スイッチング素子の制御端子に出力し、前記スイッチング素子をオン状態に維持することを特徴とする請求項7に記載の電源装置。   The protection means has a predetermined value when a value corresponding to the ripple voltage detected by the detection means is not less than the first predetermined value and the voltage detected by the voltage detection means is not less than a third predetermined value. The power supply apparatus according to claim 7, wherein a voltage is output to a control terminal of the switching element to maintain the switching element in an on state. 前記保護手段は、前記第一所定値以上で動作する第一のFETを有し、
前記第一のFETが動作することにより、前記所定の電圧が前記スイッチング素子の制御端子に出力されることを特徴とする請求項8に記載の電源装置。
The protection means includes a first FET that operates at the first predetermined value or more,
The power supply device according to claim 8, wherein the predetermined voltage is output to a control terminal of the switching element by the operation of the first FET.
前記切替手段は、第二のFETを有し、
前記第二のFETは、前記第二所定値以上で動作することを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の電源装置。
The switching means has a second FET,
The power supply device according to any one of claims 7 to 9, wherein the second FET operates at the second predetermined value or more.
前記検出手段により検出した電圧が前記第一所定値以上となってから前記遮断手段が溶断するまでの時間は、前記検出手段により検出したリプル電圧に応じた値が前記第一所定値以上となってから前記平滑コンデンサが開弁するまでの時間よりも短いことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の電源装置。   As for the time from when the voltage detected by the detection means becomes equal to or higher than the first predetermined value to when the blocking means blows, the value corresponding to the ripple voltage detected by the detection means becomes equal to or higher than the first predetermined value. The power supply device according to any one of claims 1 to 10, wherein a time period from when the smoothing capacitor is opened to when the smoothing capacitor is opened is shorter. 前記制御手段は、前記二次巻線から出力される電圧に基づいて、前記スイッチング素子の前記スイッチング動作を制御することを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の電源装置。   The power supply device according to claim 1, wherein the control unit controls the switching operation of the switching element based on a voltage output from the secondary winding. 画像形成を行う画像形成手段と、
請求項1乃至12のいずれか1項に記載の電源装置と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
Image forming means for forming an image;
A power supply device according to any one of claims 1 to 12,
An image forming apparatus comprising:
JP2013236841A 2013-11-15 2013-11-15 Power-supply device and image formation device Pending JP2015097446A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013236841A JP2015097446A (en) 2013-11-15 2013-11-15 Power-supply device and image formation device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013236841A JP2015097446A (en) 2013-11-15 2013-11-15 Power-supply device and image formation device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015097446A true JP2015097446A (en) 2015-05-21

Family

ID=53374503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013236841A Pending JP2015097446A (en) 2013-11-15 2013-11-15 Power-supply device and image formation device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2015097446A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190122554A (en) * 2018-04-20 2019-10-30 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 Laser apparatus and power supply apparatus thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190122554A (en) * 2018-04-20 2019-10-30 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 Laser apparatus and power supply apparatus thereof
KR102531290B1 (en) * 2018-04-20 2023-05-10 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 Laser apparatus and power supply apparatus thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6143499B2 (en) Power supply device and image forming apparatus
US8761631B2 (en) Power supply including zero-cross detection circuit, and image forming apparatus
US9391443B2 (en) Power supply apparatus and image forming apparatus
JP5645700B2 (en) Discharge circuit, power supply having discharge circuit, and image forming apparatus
US9274490B2 (en) Power supply apparatus and image forming apparatus
US20110280597A1 (en) Voltage detection device and image heating device
JP7114364B2 (en) Power supply and image forming apparatus
KR20130088796A (en) Power source, power failure detection apparatus, and image forming apparatus
US20140169811A1 (en) Image forming apparatus
US20190222112A1 (en) Power supply apparatus and image forming apparatus
JP2019004541A (en) Electric power supply and image formation device therewith
EP2390996B1 (en) Current resonance power supply
JP2014117129A (en) Power supply device, and electronic apparatus having the same
JP7259555B2 (en) image forming device
JP2015050845A (en) Power source device and image forming apparatus
JP5904807B2 (en) Power supply and image forming apparatus
JP2015097446A (en) Power-supply device and image formation device
US9343972B2 (en) Power supply switching rectification method according to input alternating voltage, and image forming apparatus having the same
JP6366353B2 (en) Image forming apparatus
JP2018110501A (en) Power supply device
JP2022114459A (en) Power supply device and image forming device
JP2014155370A (en) Power supply device and image forming apparatus
JP2023001472A (en) Power source device and image forming apparatus
JP2022057710A (en) Image formation device and overcurrent protection device
JP2021035270A (en) Power supply device and image formation apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20160215

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20160215