JP2015082851A - 電力変換装置のゲート駆動回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】電力変換装置のゲート駆動回路において、制御回路部とゲート駆動回路間を電気的に絶縁すると共に、装置の小型化を図る。
【解決手段】ケース51の側面のうち発光素子44,46および受光素子45,47間の沿面距離が最も短い面に、凸部54、または、凹部を少なくとも一つ形成する。また、前記ケース51内には、各光絶縁信号伝送素子間の光信号経路を仕切り、凸部55、または、凹部が少なくとも一つ形成された仕切り板52を設ける。
【選択図】図2
【解決手段】ケース51の側面のうち発光素子44,46および受光素子45,47間の沿面距離が最も短い面に、凸部54、または、凹部を少なくとも一つ形成する。また、前記ケース51内には、各光絶縁信号伝送素子間の光信号経路を仕切り、凸部55、または、凹部が少なくとも一つ形成された仕切り板52を設ける。
【選択図】図2
Description
本発明は電力変換装置のゲート駆動回路に係り、特に、各々の半導体スイッチングデバイスに印加される電圧が高い電力変換装置のゲート駆動回路に関する。
図7は、一般的な3相インバータの一例を示す主回路構成図であり、図7に示すように、6個の半導体スイッチングデバイス(以下、半導体デバイスと称する)S1〜S6により構成されている。使用する半導体デバイスS1〜S6は様々な種類のものが考えられるが、図7では大容量の電力変換装置に使用されることが多いIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を例に図示している。
なお、以下で述べる問題点および実施形態等はIGBTに限定されるものではなく、FETなどの電圧制御型自己消弧型半導体スイッチングデバイスであれば共通である。
3相インバータは半導体デバイスS1〜S6のON/OFFを制御回路部において決定し制御することにより、所望の交流電圧出力を得ることができる。各々の半導体デバイスのON/OFFはゲート−エミッタ間の電圧により決定される。例えば、半導体デバイスS1のON/OFFはゲート端子Gs1−エミッタ端子Es1間の電圧により、半導体デバイスS2のON/OFFはゲート端子Gs2−エミッタ端子Es2間の電圧により決定される。
エミッタ端子Es2の電位は常に直流部のN端子の電位であるが、エミッタ端子Es1の電位は半導体デバイスS1がON時は直流部のP端子の電位で、半導体デバイスS2がON時は直流部のN端子の電位となる。このように各々の半導体デバイスのエミッタ電位は異なるため、各々のゲート−エミッタ間電圧は絶縁された電圧とする必要がある。
図8は一般的な電力変換装置の概略図である。制御回路部10内のゲート信号生成部11で生成した半導体デバイスS1〜S6のON/OFFのゲート信号は各々絶縁されたゲート駆動回路40に入力され、絶縁されたゲート−エミッタ間電圧となりS1〜S6(半導体デバイス70)に入力される。
ゲート信号生成部11から出力されるゲート信号は光絶縁信号伝送素子(例えば、フォトカプラ:以下、フォトカプラと称する)41aにより絶縁され、ゲートドライバ60に出力される。また、制御回路部10内の電源生成部13から供給されるゲート駆動回路40の電源はトランス50により絶縁され、ゲートドライバ60に出力される。さらに、ゲート駆動回路40内のゲートドライバ60からは、ゲートドライバ60および半導体デバイス70の状態を示す状態信号が出力される。この状態信号は、例えば、ゲートドライバ60の電源異常や半導体デバイス70の短絡などであり、装置の停止などに利用される。この状態信号もフォトカプラ41bにより絶縁され、制御回路部10内の状態検知部12に出力される。
出力電圧が数kvのインバータなど、半導体デバイスに印加される電圧が非常に高い電力変換装置の場合、絶縁耐圧が不足するため制御回路部10とゲート駆動回路40との間の絶縁信号伝送に一般的なフォトカプラを使用することができない。
図9に示すように、フォトカプラは1対の発光素子100と受光素子110を外部からの光を遮断するケース120に収めた素子であるため、絶縁に必要な沿面距離を長くなるようなケース120を用意することにより、高耐圧の光絶縁信号伝送素子を構成することが可能である。
しかしながら、沿面距離の長いケースを用いることにより、筐体が大きくなり、その結果、装置が大きくなるという問題がある。また、この場合、発光素子100と受光素子110間の距離が長くなり、発光素子の輝度を大幅に上げる必要があった。
そのため、図10に示すように絶縁の必要な回路間の沿面距離を長く取ることのできる光ファイバ(例えば、ライトガイド)30を信号伝達手段として使用するのが一般的である。しかし、光ファイバや光送信器14,43,光受信器15,42は高価であるため、これを使用した場合、電力変換装置の価格の上昇につながる。
また、特許文献1において、図11に示すように、フォトカプラ41のケース120の表面に凹部或いは凸部を設けることにより、沿面距離を長くし高耐圧化を図る技術が提案されている。これを応用すれば、小型の筐体でありながら対向して設置される発光素子100と受光素子110間で信号伝送するフォトカプラを製作することが可能である。
図11に示すように、発光素子100と受光素子110間の直線距離をp、発光素子100の厚さ(=受光素子110の厚さ)をq、凹部の幅(=凸部の幅)をr、ケースの厚さをd、発光素子100の幅(=受光素子110の幅=凹部内部の空間距離)をa、凸部の突出方向の長さ(=凹部の深さ方向の長さ)をbとする。図11よりそれぞれの長さの関係を考える。凹部がn個(図11ではn=3)のフォトカプラを考え、素子の縦方向の距離をp、q、r、dを使って表すと以下の(1)式となる。
ここで、p、q、dは必要な耐電圧や使用する素子、ケース素材によって決まる定数である。rは変更できるが、例えば、JISC60664−1により安全上の理由で最小値が決められている。よって前記(1)式を変形することによりnの最大値はrの変数として以下の(2)式のように与えられる。
また、必要な沿面距離をlとして、lをp、q、b、nで表すと、以下の(3)式となる。
ここで、l,p,qは必要な耐電圧や使用する素子によって決まる定数であり、nの最大値は前記(2)式によって決まる。よって、前記(3)式を変形することにより、凸部の突出方向の長さ(=凹部の深さ方向の長さ)bは以下の(4)式のように与えられる。
このように、凸部の突出方向の長さ(=凹部の深さ方向の長さ)bは l−p−q/2(1+n) よりも小さくすることはできない。
ところで、上記に記載したとおり、制御回路部10からゲート駆動回路40へ伝送するゲート信号と、ゲート駆動回路40から制御回路部10へ伝送する状態信号と、の2方向の信号伝送の必要があるため、2つのフォトカプラが必要となる。
図11に示すフォトカプラを2台並べてゲート駆動回路40に実装する場合、図12のように凸部の突出方向の長さ(=凹部の深さ方向の長さ)bが大きいため実装面積が大きくなってしまうという問題点があった。
以上示したようなことから、電力変換装置のゲート駆動回路において、制御回路部とゲート駆動回路間を電気的に絶縁すると共に、装置の小型化を図ることが課題となる。
本発明は、前記従来の問題に鑑み、案出されたもので、その一態様は、相対向するように配置され、制御回路部から入力されるゲート信号および制御回路部への出力信号を光絶縁しながら信号伝送する発光素子および受光素子と、を有する2以上の光絶縁信号伝送素子と、前記2以上の光絶縁信号伝送素子を収納するケースと、を備えた電力変換装置のゲート駆動回路であって、前記ケースの側面のうち少なくとも発光素子および受光素子間の沿面距離が最も短い面に凸部、または、凹部が少なくとも一つ形成され、前記ケース内には、各光絶縁信号伝送素子間の光信号経路を仕切り、凸部または凹部が少なくとも一つ形成された仕切り板が設けられたことを特徴とする。
また、他の態様として、相対向するように配置され、制御回路部から入力されるゲート信号および制御回路部への出力信号を光絶縁しながら信号伝送する発光素子および受光素子と、を有する2以上の光絶縁信号伝送素子と、前記2以上の光絶縁信号伝送素子を収納するケースと、を備えた電力変換装置のゲート駆動回路であって、前記ケースの側面のうち少なくとも発光素子および受光素子間の沿面距離が最も短い面に凸部、または凹部が少なくとも一つ形成され、前記ケースの発光素子,受光素子が設けられる面に、受光素子が対となる発光素子以外の発光を検出値下限値以上入射しないように遮蔽する遮蔽板が立設されたことを特徴とする。
本発明によれば、電力変換装置のゲート駆動回路において、光絶縁信号伝送素子を小型化するともに、制御回路部とゲート駆動回路間を電気的に絶縁することが可能となる。
以下、本発明における電力変換装置のゲート駆動回路の実施形態1〜4を図1〜図6に基づいて説明する。
[実施形態1]
図1は、本実施形態1における電力変換装置を示す概略図である。電力変換装置は、3相インバータを構成する半導体デバイス70と、制御回路部10と、ゲート駆動回路40と、を備えている。
図1は、本実施形態1における電力変換装置を示す概略図である。電力変換装置は、3相インバータを構成する半導体デバイス70と、制御回路部10と、ゲート駆動回路40と、を備えている。
なお、電力変換装置の主回路は、図7と同様に構成されているものとする。
制御回路部10は、ゲート信号生成部11と、状態検知部12と、電源生成部13と、を備えている。ゲート駆動回路40は、フォトカプラと、フォトカプラを収納するケース51と、トランス50と、ゲートドライバ60と、を備えている。フォトカプラは、発光素子44,46と、受光素子45,47により構成されている。
制御回路部10内のゲート信号生成部11で生成されたゲート信号は銅線20によりゲート駆動回路40内の発光素子44に出力される。発光素子44により光信号に変換されたゲート信号は受光素子45で受信され、制御回路部10から絶縁した電気信号に再変換される。この電気信号はゲートドライバ60に入力され、半導体デバイス70のゲート−エミッタ間電圧を制御する。
また、ゲートドライバ60から出力される半導体デバイス70やゲートドライバ60の状態信号は電気信号として発光素子46に出力される。発光素子46により光信号に変換された状態信号は受光素子47で受信され、ゲート駆動回路40から絶縁した電気信号に再変換される。この電気信号は制御回路部10内の状態検知部12に入力される。状態検知部12に入力された状態信号は装置の停止などに利用される。
ここで発光素子44、46および受光素子45、47は、ケース51に収納される。上記ゲート信号と状態信号は、信号の入出力の向きが互いに逆である。すなわち本実施形態1は双方向信号伝送が可能である。
上述したように、電力変換装置において各々の半導体デバイス70のエミッタ電位は同一ではなく、各々のゲート−エミッタ間電圧は絶縁する必要がある。ゲート駆動回路40と半導体デバイス70は同電位であるため、制御回路部10とゲート駆動回路40は絶縁が必要である。
本実施形態1においては、制御回路部10とゲート駆動回路40の間の伝送路は銅線20を利用しながら、発光素子44−受光素子45間および発光素子46−受光素子47間で光信号による絶縁を行う。
ここで、発光素子44、46および受光素子45、47は外部から光ノイズが入射しないようケース51に収納する。前記ケース51の形状は、略直方体でも略円柱形であってもよい。また、発光素子44−受光素子45間は制御回路部10とゲート駆動回路40の間の高電圧に耐える必要がある。発光素子46−受光素子47間も同様である。そのため、図2に示すように、ケース51の側面(発光素子44,46,受光素子45,47が設けられていない面)のうち少なくとも発光素子44−受光素子45,発光素子46−受光素子47間の沿面距離が最も短い面に凸部54を設け、凹凸を形成する。
なお、ケース51の側面のうち沿面距離の最も短い面に凹凸を形成し沿面距離を長くすればよいため、凸部54の代わりに凹部を設けてもよい。また、ケース51の側面のうち沿面距離の最も短い面以外の面にも凸部、または凹部を形成してもよい。さらに、凸部54、または、凹部は少なくとも一つ形成されれば、一つでも複数でもよい。
また、ケース51内には発光素子44−受光素子45間と発光素子46−受光素子47間の2系統の光信号経路が必要である。そのため、ケース51の内部に2系統の光信号経路を仕切る仕切り板52を設ける。この仕切り板52についても、図2に示すように、制御回路部10とゲート駆動回路40の間の高電圧に耐える必要があるため、沿面距離が長くなるよう凸部55を設け、凹凸を形成する。
なお、仕切り板52に凹凸が形成し沿面距離が長くなればよいため、凸部55の代わりに凹部を設けてもよい。また、本実施形態1では、発光素子44,受光素子47(受光素子45,発光素子46)の中間位置を図2のaとすると、aを基準として凸部と凹部がそれぞれ交互に複数設けられている。
以上示したように、本実施形態1における電力変換装置のゲート駆動回路によれば、ケース51の側面のうち前記沿面距離の最も短い面,および仕切り板52に凸部54,55(または凹部)を形成したため、沿面距離が長くなり、半導体デバイス70に印加される電圧が高圧であっても、制御回路部10とゲート駆動回路40間を電気的に絶縁することが可能となる。
また、2つのフォトカプラを1つのケース51内に収納しているため、沿面距離を長くするために、ケース51に凹凸を形成しても装置の大型化を最小限に抑制することが可能となる。
さらに、本実施形態1では、制御回路部10とゲート駆動回路40との間を銅線で接続しているため、光ファイバ等の高価な部材を使用した場合と比較して、コストを削減することができる。
また、本実施形態1における電力変換装置のゲート駆動回路によれば、制御回路部10とゲート駆動回路40間の双方向の信号伝送が可能となる。
[実施形態2]
次に、本実施形態2における電力変換装置のゲート駆動回路を説明する。実施形態1では、2系統の光信号経路を仕切るために仕切り板52を設けたが、本実施形態2は、仕切り板52の代わりに遮蔽板53を設けたものである。
次に、本実施形態2における電力変換装置のゲート駆動回路を説明する。実施形態1では、2系統の光信号経路を仕切るために仕切り板52を設けたが、本実施形態2は、仕切り板52の代わりに遮蔽板53を設けたものである。
実施形態1と同様に、発光素子44、46および受光素子45、47はケース51に収納し、そのケース51の側面のうち前記沿面距離の最も短い面に、凸部54(または、凹部)を形成する。
ケース51内には発光素子44−受光素子45間と発光素子46−受光素子47間の2系統の光信号経路が必要である。そのため、発光素子44の発光により受光素子47が誤検知しないように、また、発光素子46の発光により受光素子45が誤検知しないようにする必要がある。
しかしながら、発光素子44、46は一般的に指向性があり、光量のほとんどは前方に向けて照射される。また、受光素子45、47は検出下限値があり、発光素子44、46からの光がケース51の内部で反射し受光素子45、47に入射したとしても、その反射後の光量が上記検出下限値以下であれば、受光素子45、47は検出できない。
すなわち、図2の仕切り板52のように光信号経路を完全に仕切る必要はなく、図3に示すように、発光素子44,46,受光素子45,47が設けられる面に遮蔽板53を立設させることにより、誤検知は防ぐことができる。
この遮蔽板53を設けることにより、受光素子が対となる発光素子(45に対する44、および、47に対する46)以外の発光を検出下限値以上の光量、入射しないようにする。そのために遮蔽板53の長さsは、対となる発光素子以外からの上記検出下限値以上の光量を受光素子45、47に入射させない長さに設定する。
以上示したように、本実施形態における電力変換装置のゲート駆動回路によれば、実施形態1と同様の作用効果を奏する。
また、各遮蔽板53間は離間しているため、半導体デバイスに印加される電圧が高圧であっても、制御回路部10とゲート駆動回路40間を電気的に絶縁することが可能となる。
[実施形態3]
次に、本実施形態3における電力変換装置のゲート駆動回路を説明する。実施形態1と同様の箇所は説明を省略し、実施形態1と異なる点についてのみ説明する。
次に、本実施形態3における電力変換装置のゲート駆動回路を説明する。実施形態1と同様の箇所は説明を省略し、実施形態1と異なる点についてのみ説明する。
図4に示すように、ゲートドライバ60から出力される半導体デバイス70やゲートドライバ60の状態信号は単一とは限らず、複数ある場合がある(図4では2信号)。ここでは状態信号が2信号の場合について説明するが、さらに多くの状態信号がある場合も同一である。
複数の状態信号は各々発光素子46、48に伝送される。発光素子46により光信号に変換された状態信号は受光素子47で受信され、発光素子48により光信号に変換された状態信号は受光素子49で受信され、ゲート駆動回路40から絶縁した電気信号に再変換される。この電気信号は制御回路部10内の状態検知部12a,12bに出力される。状態検知部12a,12bに入力された状態信号は装置の停止などに利用される。
実施形態1と同様に制御回路部10とゲート駆動回路40の間の伝送路は銅線20を利用しながら、発光素子44−受光素子45間、発光素子46−受光素子47間および発光素子48−受光素子49間で光信号による絶縁を行う。上記ゲート信号と状態信号は、信号の入出力の向きが互いに逆である。すなわち、本実施形態3は双方向信号伝送が可能である。ここで、発光素子44、46、48および受光素子45、47、49は外部から光ノイズが入射しないようケース51に収納する。
発光素子44−受光素子45間は制御回路部10とゲート駆動回路40の間の高電圧に耐える必要がある。発光素子46−受光素子47間、発光素子48−受光素子49間も同様である。そのため、図5に示すように、ケース51の側面のうち前記沿面距離の最も短い面に凸部54(または、凹部)を設け、凹凸を形成する。
また、ケース51内には発光素子44−受光素子45間、発光素子46−受光素子47間および発光素子48−受光素子49間の3系統の光信号経路が必要である。そのため、ケース51の内部に3系統の光信号経路を仕切る仕切り板52を設ける。図5に示すように、仕切り板52についても制御回路部10とゲート駆動回路40の間の高電圧に耐える必要があるため、沿面距離が長くなるよう凸部55(または、凹部)を設ける。
以上示したように、本実施形態3における電力変換装置のゲート駆動回路によれば、実施形態1と同様の作用効果を奏する。
[実施形態4]
次に、本実施形態4における電力変換装置のゲート駆動回路を説明する。実施形態1〜3と同様の箇所は説明を省略し、実施形態1〜3と異なる点についてのみ説明する。
次に、本実施形態4における電力変換装置のゲート駆動回路を説明する。実施形態1〜3と同様の箇所は説明を省略し、実施形態1〜3と異なる点についてのみ説明する。
実施形態3と同様にゲートドライバ60から出力される状態信号は単一とは限らず、複数ある場合がある。ここでは状態信号が2信号の場合について説明するが、さらに多くの状態信号がある場合も同一である。
ここで、発光素子44、46、48および受光素子45、47、49は外部から光ノイズが入射しないようケース51に収納し、ケース51の側面のうち前記沿面距離の最も短い面に凸部54(または、凹部)を設け、凹凸を形成する。
また、ケース51内には発光素子44−受光素子45間、発光素子46−受光素子47間および発光素子48−受光素子49間の3系統の光信号経路が必要である。実施形態2と同様に発光素子の発光により対となる受光素子以外が誤検知しないようにする必要がある。
しかしながら、実施形態2と同様の理由により、光信号経路を完全に仕切る必要はなく、図6に示すように遮蔽板53を設けることで誤検知は防ぐことができる。この遮蔽板53を設けることにより発光素子の発光により対となる受光素子(44に対する45、および、46に対する47、および、48に対する49)以外からの検出下限値以上の光量を入射させないようにする。そのために遮蔽板53の長さsは、対となる発光素子以外からの上記検出下限値以上の光量を受光素子45、47、49に入射させない長さに設定する。
以上示したように、本実施形態4における電力変換装置のゲート駆動回路によれば、実施形態2と同様の作用効果を奏する。
以上、本発明において、記載された具体例に対してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想の範囲で多彩な変形および修正が可能であることは、当業者にとって明白なことであり、このような変形および修正が特許請求の範囲に属することは当然のことである。
例えば、実施形態2,4の図3,6では、前記遮蔽板53と発光素子44,46,48,受光素子45,47,49が接した状態で立設しているが、対となる発光素子以外からの光量を検出下限値以下に抑えられるのであれば、発光素子44,46,48,受光素子45,47,49から離れた位置から立設してもよい。同様に、図3,図6では、各発光素子と受光素子間に2つの遮蔽板53が立設しているが、対となる発光素子以外からの光量を検出下限値以下に抑えられるのであれば、一つの遮蔽板53でもよい。
また、電力変換装置として、特定の構成のみ説明したが、その他の構成であってもよい。
10…制御回路部
40…ゲート駆動回路
41…光絶縁信号伝送素子
44,46,48…発光素子
45,47,49…受光素子
51…ケース
52…仕切り板
53…遮蔽板
54,55…凸部
40…ゲート駆動回路
41…光絶縁信号伝送素子
44,46,48…発光素子
45,47,49…受光素子
51…ケース
52…仕切り板
53…遮蔽板
54,55…凸部
Claims (2)
- 相対向するように配置され、制御回路部から入力されるゲート信号および制御回路部への出力信号を光絶縁しながら信号伝送する発光素子および受光素子と、を有する2以上の光絶縁信号伝送素子と、
前記2以上の光絶縁信号伝送素子を収納するケースと、を備えた電力変換装置のゲート駆動回路であって、
前記ケースの側面のうち少なくとも発光素子および受光素子間の沿面距離が最も短い面に、凸部、または、凹部が少なくとも一つ形成され、
前記ケース内には、各光絶縁信号伝送素子間の光信号経路を仕切り、凸部または凹部が少なくとも一つ形成された仕切り板が設けられたことを特徴とする電力変換装置のゲート駆動回路。 - 相対向するように配置され、制御回路部から入力されるゲート信号および制御回路部への出力信号を光絶縁しながら信号伝送する発光素子および受光素子と、を有する2以上の光絶縁信号伝送素子と、
前記2以上の光絶縁信号伝送素子を収納するケースと、を備えた電力変換装置のゲート駆動回路であって、
前記ケースの側面のうち少なくとも発光素子および受光素子間の沿面距離が最も短い面に、凸部、または凹部が少なくとも一つ形成され、
前記ケースの発光素子,受光素子が設けられる面に、受光素子が対となる発光素子以外の発光を検出値下限値以上入射しないように遮蔽する遮蔽板が立設されたことを特徴とする電力変換装置のゲート駆動回路。
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