JP2015078443A - Pretreatment agent for electrolytic copper plating, pretreatment method for electrolytic copper plating, and electrolytic copper plating method - Google Patents

Pretreatment agent for electrolytic copper plating, pretreatment method for electrolytic copper plating, and electrolytic copper plating method Download PDF

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雅之 内海
Masayuki Uchiumi
雅之 内海
直之 大村
Naoyuki Omura
直之 大村
琢也 岡町
Takuya Okamachi
琢也 岡町
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pretreatment agent for electrolytic plating which does not impair adhesiveness between ground copper and a resist or adhesiveness between ground copper and an electrolytic copper plated film.SOLUTION: A method of pretreating a surface of a to-be-treated object having a resist pattern for circuit formation made by forming an electrolytic copper plated film on ground copper through electrolytic copper plating on which surface the circuit on the ground copper is to be formed is characterized by immersing the object having the ground copper in a pretreatment agent for electrolytic plating consisting of an aqueous solution comprising (A) 0.01-200 g/L of one or more adsorption inhibitors selected from triazole compounds, pyrazole compounds and imidazole compounds, (B) 0.01-200 g/L of chloride ion and (C) 0.1-200 g/L of a nonionic surfactant.

Description

本発明は、特に銅皮膜の上に回路形成のためのレジスト(インク又はドライフィルム)が施されているプリント配線板の前処理用として好適な電気銅めっき用前処理剤、電気銅めっきの前処理方法及び電気銅めっき方法に関する。   The present invention particularly relates to a pretreatment agent for electrolytic copper plating suitable for pretreatment of a printed wiring board in which a resist (ink or dry film) for circuit formation is applied on a copper film, before electrolytic copper plating. The present invention relates to a processing method and an electrolytic copper plating method.

プリント配線板には、両面プリント配線板や多層プリント配線板があり、それらには層間に回路を形成するためのビアホールやスルーホールが設けられる。上記ビアホールやスルーホールには、層間の導通をとるために無電解銅めっきが施され、また基板表面には回路を形成するためのレジストが形成される。その後、基板を前処理した後、電気銅めっきを施し、導体として必要な銅の厚さを確保している。   The printed wiring board includes a double-sided printed wiring board and a multilayer printed wiring board, which are provided with via holes and through holes for forming circuits between layers. The via hole or the through hole is subjected to electroless copper plating for providing conduction between layers, and a resist for forming a circuit is formed on the substrate surface. Then, after pre-treating the substrate, electrolytic copper plating is performed to ensure the necessary copper thickness as a conductor.

上記レジストは、特にアルカリ性で剥離するように設計されているため、電気銅めっきの前処理に用いる前処理剤は中性又は酸性、特に酸性とすることが多い。従来の酸性前処理剤は、一般的に界面活性剤と無機酸又は有機酸とを含んでいる。酸性前処理剤は、電気銅めっきを行う前にビアホールやスルーホール内へ濡れ性を付与したり、銅又は銅合金表面の汚れを除去したりするために使用されることが多い。   Since the resist is designed to be exfoliated in particular alkaline, the pretreatment agent used for the pretreatment of the electrolytic copper plating is often neutral or acidic, particularly acidic. Conventional acidic pretreatment agents generally contain a surfactant and an inorganic or organic acid. Acidic pretreatment agents are often used to impart wettability into via holes and through holes, and to remove stains on the surface of copper or copper alloys, before performing electrolytic copper plating.

回路の下地銅皮膜(無電解めっき銅及び銅箔)は、レジストを現像するときの薬品種、洗浄性及び乾燥むらなどによって表面が酸化され、該酸化物によって電気銅めっき皮膜と下地銅皮膜との密着性が阻害されることがあった。   The underlying copper film of the circuit (electroless plated copper and copper foil) is oxidized on the surface by the chemical type, detergency and drying unevenness when developing the resist. In some cases, the adhesion of the resin was inhibited.

今までの酸性前処理剤では、銅表面の酸化皮膜に対する洗浄効果が弱いと考えられており、そのため、より優れた洗浄効果を得るため、酸化皮膜を強力に除去する前処理剤の開発が求められていた。しかし、あまりに強力に洗浄すると、今度は下地銅とレジストとの密着性が悪くなり、レジストが剥離してしまうという問題が生じていた。   Conventional acidic pre-treatment agents are considered to have a weak cleaning effect on the oxide film on the copper surface. Therefore, in order to obtain a better cleaning effect, development of a pre-treatment agent that strongly removes the oxide film is required. It was done. However, if the cleaning is performed too strongly, the adhesion between the base copper and the resist deteriorates and the resist is peeled off.

なお、本発明に関連する先行技術文献としては、下記のものが挙げられる。   In addition, the following are mentioned as prior art documents relevant to the present invention.

特許第2604632号公報Japanese Patent No. 2604632 特開平3−191077号公報Japanese Patent Laid-Open No. 3-191077 特開2001−089882号公報JP 2001-089882 A 特許第4208826号公報Japanese Patent No. 4208826 特開2009−132967号公報JP 2009-132967 A 特開平10−212593号公報JP-A-10-212593 特開2005−113162号公報JP 2005-113162 A 特許第4090951号公報Japanese Patent No. 4090951 特開2005−333104号公報JP-A-2005-333104 特開2000−104177号公報JP 2000-104177 A

本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、下地銅とレジストとの密着性及び下地銅と電気銅めっき皮膜との密着性を阻害しない電気銅めっき用前処理剤、電気銅めっきの前処理方法及び電気銅めっき方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and is a pretreatment agent for electrolytic copper plating that does not impair the adhesion between the underlying copper and the resist and the adhesion between the underlying copper and the electrolytic copper plating film, before the electrolytic copper plating. It aims at providing a processing method and an electrolytic copper plating method.

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、従来考えられていたような強力な洗浄を行うのではなく、密着性への悪影響が大きいレジスト溶出成分が下地銅に吸着する前に、密着性への悪影響が小さい吸着防止剤成分を先に下地銅に吸着させて洗浄することによって、上記目的を達成できることを見出し、本発明をなすに至った。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors do not perform strong cleaning as previously thought, but adsorb resist adsorbing components that have a large adverse effect on adhesion to the underlying copper. Prior to this, the inventors have found that the above-mentioned object can be achieved by first adsorbing and washing an adsorption inhibitor component having a small adverse effect on adhesiveness on the base copper, thereby achieving the present invention.

従って、本発明は、下記電気銅めっき用前処理剤、電気銅めっきの前処理方法及び電気銅めっき方法を提供する。
請求項1:
下地銅上に電気銅めっきにより電気銅めっき皮膜を形成して回路を形成するためのレジストパターンが形成された被処理物の、上記下地銅の上記回路を形成する表面を前処理する方法であって、
(A)トリアゾール化合物、ピラゾール化合物及びイミダゾール化合物から選ばれる1種又は2種以上の吸着防止剤を0.01〜200g/L、
(B)塩化物イオンを0.01〜200g/L、及び
(C)ノニオン性界面活性剤を0.1〜200g/L
を必須成分として含有する水溶液である電気めっき用前処理剤に上記下地銅を有する被処理物を浸漬することを特徴とする電気銅めっきの前処理方法。
請求項2:
更に、(D)水溶性のエーテル類、アミン類、アルコール類、グリコールエーテル類、ケトン類、エステル類及び脂肪酸類から選ばれる1種又は2種以上の溶剤を0.01〜200g/Lで含有することを特徴とする請求項1記載の電気銅めっきの前処理方法。
請求項3:
更に、(E)酸を0.1〜200g/Lで含有することを特徴とする請求項1又は2記載の電気銅めっきの前処理方法。
請求項4:
更に、(F)酸化剤を0.01〜200g/Lで含有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の電気銅めっきの前処理方法。
請求項5:
上記下地銅を有する被処理物を、電気めっき用前処理剤に、25〜50℃の処理温度で、1〜30分間浸漬することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の電気銅めっきの前処理方法。
請求項6:
上記電気めっき用前処理剤に上記被処理物を浸漬し、かつ超音波処理又は電解処理を行うことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の電気銅めっきの前処理方法。
請求項7:
下地銅上に電気銅めっきにより電気銅めっき皮膜を形成して回路を形成するためのレジストパターンが形成された被処理物の、上記下地銅の上記回路を形成する表面を、請求項1乃至6のいずれか1項記載の前処理方法により前処理して、上記表面に電気銅めっきにより電気銅めっき皮膜を形成することを特徴とする電気銅めっき方法。
請求項8:
(A)トリアゾール化合物、ピラゾール化合物及びイミダゾール化合物から選ばれる1種又は2種以上の吸着防止剤を0.01〜200g/L、
(B)塩化物イオンを0.01〜200g/L、及び
(C)ノニオン性界面活性剤を0.1〜200g/L
を必須成分として含有する水溶液であることを特徴とする電気銅めっき用前処理剤。
請求項9:
更に、(D)水溶性のエーテル類、アミン類、アルコール類、グリコールエーテル類、ケトン類、エステル類及び脂肪酸類から選ばれる1種又は2種以上の溶剤を0.01〜200g/Lで含有することを特徴とする請求項8記載の電気銅めっき用前処理剤。
請求項10:
更に、(E)酸を0.1〜200g/Lで含有することを特徴とする請求項8又は9記載の電気銅めっき用前処理剤。
請求項11:
更に、(F)酸化剤を0.01〜200g/Lで含有することを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項記載の電気銅めっき用前処理剤。
Accordingly, the present invention provides the following pretreatment agent for electrolytic copper plating, pretreatment method for electrolytic copper plating, and electrolytic copper plating method.
Claim 1:
This is a method for pre-treating the surface of the base copper on which the circuit is formed, on which a resist pattern for forming a circuit is formed by forming an electrolytic copper plating film on the base copper by electrolytic copper plating. And
(A) 0.01 to 200 g / L of one or more adsorption inhibitors selected from triazole compounds, pyrazole compounds and imidazole compounds,
(B) 0.01-200 g / L of chloride ion, and (C) 0.1-200 g / L of nonionic surfactant.
A pretreatment method for electrolytic copper plating, comprising immersing the object to be treated having the base copper in a pretreatment agent for electroplating, which is an aqueous solution containing as an essential component.
Claim 2:
Further, (D) one or more solvents selected from water-soluble ethers, amines, alcohols, glycol ethers, ketones, esters and fatty acids are contained at 0.01 to 200 g / L. The pretreatment method for electrolytic copper plating according to claim 1, wherein:
Claim 3:
Furthermore, (E) acid is contained at 0.1-200 g / L, The pre-processing method of the electrolytic copper plating of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
Claim 4:
The pretreatment method for electrolytic copper plating according to any one of claims 1 to 3, further comprising (F) an oxidizing agent at 0.01 to 200 g / L.
Claim 5:
The to-be-processed object which has the said base copper is immersed in the pretreatment agent for electroplating at the process temperature of 25-50 degreeC for 1 to 30 minutes, The any one of Claims 1 thru | or 4 characterized by the above-mentioned. Pretreatment method for electrolytic copper plating.
Claim 6:
The pretreatment method for electrolytic copper plating according to any one of claims 1 to 5, wherein the object to be treated is immersed in the pretreatment agent for electroplating and subjected to ultrasonic treatment or electrolytic treatment.
Claim 7:
7. The surface of the substrate on which the circuit is formed, wherein the resist pattern for forming a circuit is formed by forming an electrolytic copper plating film on the underlying copper by electrolytic copper plating. An electrolytic copper plating method, wherein the electrolytic copper plating film is formed by electrolytic copper plating on the surface after pretreatment by the pretreatment method according to any one of the above.
Claim 8:
(A) 0.01 to 200 g / L of one or more adsorption inhibitors selected from triazole compounds, pyrazole compounds and imidazole compounds,
(B) 0.01-200 g / L of chloride ion, and (C) 0.1-200 g / L of nonionic surfactant.
A pretreatment agent for electrolytic copper plating, which is an aqueous solution containing as an essential component.
Claim 9:
Further, (D) one or more solvents selected from water-soluble ethers, amines, alcohols, glycol ethers, ketones, esters and fatty acids are contained at 0.01 to 200 g / L. The pretreatment agent for electrolytic copper plating according to claim 8.
Claim 10:
The pretreatment agent for electrolytic copper plating according to claim 8 or 9, further comprising (E) an acid in an amount of 0.1 to 200 g / L.
Claim 11:
The pretreatment agent for electrolytic copper plating according to any one of claims 8 to 10, further comprising (F) an oxidizing agent at 0.01 to 200 g / L.

本発明の電気めっき用前処理剤は、下地銅とレジストとの密着性を阻害せず、また、下地銅と電気銅めっき皮膜との密着性を阻害しない。   The pretreatment agent for electroplating of the present invention does not inhibit the adhesion between the base copper and the resist, and does not inhibit the adhesion between the base copper and the electrolytic copper plating film.

実施例における下地銅とめっき皮膜との密着性評価の方法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the method of adhesiveness evaluation of the base copper and plating film in an Example.

以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の電気めっき用前処理剤は、
(A)トリアゾール化合物、ピラゾール化合物、イミダゾール化合物、カチオン性界面活性剤及び両性界面活性剤から選ばれる1種又は2種以上の吸着防止剤、及び
(B)塩化物イオン
を必須成分とする水溶液である。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The pretreatment agent for electroplating of the present invention is
(A) One or more adsorption inhibitors selected from triazole compounds, pyrazole compounds, imidazole compounds, cationic surfactants and amphoteric surfactants, and (B) aqueous solutions containing chloride ions as essential components. is there.

(A)吸着防止剤
本発明の(A)吸着防止剤は、金属表面に優先して吸着し、レジスト溶出成分の金属表面への吸着を抑制する働きをするものである。本発明の(A)吸着防止剤は、トリアゾール化合物、ピラゾール化合物、イミダゾール化合物、カチオン性界面活性剤及び両性界面活性剤であり、これらは1種単独でも2種以上を併用して使用してもよい。本発明の(A)成分の分子量(重合体の場合は、重量平均分子量を表す)は、1,000以下であることが好ましく、特に60〜900であることが好ましい。
(A) Adsorption inhibitor The (A) adsorption inhibitor of this invention adsorb | sucks preferentially on a metal surface, and functions to suppress adsorption | suction to the metal surface of a resist elution component. The (A) adsorption inhibitor of the present invention is a triazole compound, a pyrazole compound, an imidazole compound, a cationic surfactant and an amphoteric surfactant, and these may be used alone or in combination of two or more. Good. The molecular weight of the component (A) of the present invention (in the case of a polymer, the weight average molecular weight) is preferably 1,000 or less, and particularly preferably 60 to 900.

上記トリアゾール化合物として具体的には、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリアゾール、アミノトリアゾール、アミノベンゾトリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール等を挙げることができる。上記ピラゾール化合物として具体的には、ピラゾール、ジメチルピラゾール、フェニルピラゾール、メチルフェニルピラゾール、アミノピラゾール等を挙げることができる。また、上記イミダゾール化合物として具体的には、イミダゾール、メチルイミダゾール、フェニルイミダゾール等を挙げることができる。   Specific examples of the triazole compound include triazole, benzotriazole, methylbenzotriazole, aminotriazole, aminobenzotriazole, and hydroxybenzotriazole. Specific examples of the pyrazole compound include pyrazole, dimethylpyrazole, phenylpyrazole, methylphenylpyrazole, and aminopyrazole. Specific examples of the imidazole compound include imidazole, methylimidazole, and phenylimidazole.

上記カチオン性界面活性剤としては、例えば、アルキルトリメチルアンモニウム型、ジアルキルジメチルアンモニウム型、トリアルキルメチルアンモニウム型、テトラアルキルアンモニウム型、ベンジル型、ピリジニウム型、ジアンモニウム型、アミン塩型等を挙げることができる。また、上記両性界面活性剤としては、例えば、アミンオキシド型、ベタイン型、イミダゾリン型、アミノジ酢酸型、アラニン型、グリシン型、硫酸エステル型、スルホン酸型、リン酸エステル型等を挙げることができる。   Examples of the cationic surfactant include alkyltrimethylammonium type, dialkyldimethylammonium type, trialkylmethylammonium type, tetraalkylammonium type, benzyl type, pyridinium type, diammonium type, and amine salt type. it can. Examples of the amphoteric surfactant include amine oxide type, betaine type, imidazoline type, aminodiacetic acid type, alanine type, glycine type, sulfate ester type, sulfonic acid type, and phosphate ester type. .

本発明の(A)成分としてトリアゾール化合物、ピラゾール化合物、イミダゾール化合物を用いる場合、その濃度は0.01〜200g/Lであることが好ましく、特に0.05〜10g/Lであることが好ましい。0.01g/L未満の場合、吸着量が少なすぎて本発明の効果が得られないおそれがある。一方、200g/Lを超えると、レジストが剥離するおそれがあり、また、経済性も低下する。   When using a triazole compound, a pyrazole compound, or an imidazole compound as the component (A) of the present invention, the concentration is preferably 0.01 to 200 g / L, and particularly preferably 0.05 to 10 g / L. If it is less than 0.01 g / L, the amount of adsorption may be too small to obtain the effects of the present invention. On the other hand, when it exceeds 200 g / L, the resist may be peeled off, and the economical efficiency is also lowered.

また、本発明の(A)成分としてカチオン性界面活性剤、両性界面活性剤を用いる場合、その濃度は0.01〜200g/Lであることが好ましく、特に0.5〜10g/Lであることが好ましい。0.01g/L未満の場合、吸着量が少なすぎて本発明の効果が得られないおそれがある。一方、200g/Lを超えると、レジストが剥離するおそれがあり、また、経済性も低下する。なお、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤としては、市販品を使用することができる。   Further, when a cationic surfactant or an amphoteric surfactant is used as the component (A) of the present invention, the concentration is preferably 0.01 to 200 g / L, particularly 0.5 to 10 g / L. It is preferable. If it is less than 0.01 g / L, the amount of adsorption may be too small to obtain the effects of the present invention. On the other hand, when it exceeds 200 g / L, the resist may be peeled off, and the economical efficiency is also lowered. In addition, a commercial item can be used as a cationic surfactant and an amphoteric surfactant.

(B)塩化物イオン
本発明において、(B)塩化物イオンは、金属の結晶粒界に吸着することで酸による金属表面の洗浄性能の均一性を向上させる働きを有する。塩化物イオンを供給する化合物としては、塩酸、塩化アンモニウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化物イオンを含有するカチオン性界面活性剤(カチオン染料を含む)、オキソ塩化物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、上記塩化物イオンを供給する化合物は、1種単独でも2種以上を併用して使用してもよい。
(B) Chloride Ion In the present invention, the (B) chloride ion has a function of improving the uniformity of the cleaning performance of the metal surface by the acid by adsorbing to the crystal grain boundary of the metal. Compounds that supply chloride ions include hydrochloric acid, ammonium chloride, sodium chloride, potassium chloride, cationic surfactants containing chloride ions (including cationic dyes), oxo chlorides, etc. It is not limited. In addition, the said compound which supplies a chloride ion may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

本発明の前処理剤中の塩化物イオンの濃度は、0.01〜200g/Lであることが好ましく、特に0.04〜100g/L、とりわけ0.2〜50g/Lであることが好ましい。0.01g/L未満の場合は、洗浄性能が得られないおそれがあり、一方、200g/Lを超えると、下地銅が変色するおそれがあり、また、経済性も低下する。   The concentration of chloride ions in the pretreatment agent of the present invention is preferably 0.01 to 200 g / L, particularly 0.04 to 100 g / L, and particularly preferably 0.2 to 50 g / L. . If it is less than 0.01 g / L, the cleaning performance may not be obtained. On the other hand, if it exceeds 200 g / L, the base copper may be discolored, and the economic efficiency is also lowered.

本発明において、上記(A)及び(B)成分が溶液中で共存することで、後工程の電気めっきによる皮膜の密着性が向上する効果がある。これは、(A)成分が、レジスト溶出成分の金属表面への吸着を抑制し、(B)成分が銅を有する基板表面を効果的に洗浄することで、銅−銅間の密着性が向上するものである。   In this invention, there exists an effect which the adhesiveness of the film | membrane by the electroplating of a post process improves by coexisting the said (A) and (B) component in a solution. This is because the component (A) suppresses adsorption of the resist-eluting component to the metal surface, and the (B) component effectively cleans the substrate surface having copper, thereby improving the adhesion between copper and copper. To do.

(C)ノニオン性界面活性剤
本発明の前処理剤は、上記(A)及び(B)成分に加えて、(C)ノニオン性界面活性剤を含有することが好ましい。ノニオン性界面活性剤は、被処理物の濡れ性を高め、吸着効果と洗浄効果を向上させることができる。ノニオン性界面活性剤としては、アルキルエーテル型、アルキルフェニルエーテル型、アルキルアミン型、アルキルアミド型、多価アルコールエーテル型、脂肪酸エステル型、POE多価アルコール脂肪酸エステル型、多価アルコール脂肪酸エステル型、アセチレングリコール型、ポリオキシアルキレン、ポリオキシエチレンで平均HLB値が10〜18であるノニオン性界面活性剤等を挙げることができ、これらは市販品を使用することができる。
(C) Nonionic surfactant The pretreatment agent of the present invention preferably contains (C) a nonionic surfactant in addition to the components (A) and (B). The nonionic surfactant can increase the wettability of the object to be processed and improve the adsorption effect and the cleaning effect. Nonionic surfactants include alkyl ether type, alkyl phenyl ether type, alkyl amine type, alkyl amide type, polyhydric alcohol ether type, fatty acid ester type, POE polyhydric alcohol fatty acid ester type, polyhydric alcohol fatty acid ester type, Nonionic surfactants having an acetylene glycol type, polyoxyalkylene, polyoxyethylene, and an average HLB value of 10 to 18 can be used, and commercially available products can be used.

ノニオン性界面活性剤を使用する場合、その濃度は0.1〜200g/Lであることが好ましく、0.5〜10g/Lであることがより好ましい。0.1g/L未満の場合は、濡れ性が得られないことがあり、200g/Lを超えると、レジストが剥離することがあり、また、経済性も低下する。   When using a nonionic surfactant, it is preferable that the density | concentration is 0.1-200 g / L, and it is more preferable that it is 0.5-10 g / L. When the amount is less than 0.1 g / L, wettability may not be obtained. When the amount exceeds 200 g / L, the resist may be peeled off, and the economical efficiency is lowered.

なお、(A)成分としてカチオン性界面活性剤や両性界面活性剤を使用した場合は、濡れ性が十分に確保されていれば、別途(C)成分を添加しなくてもよい。   In addition, when a cationic surfactant or an amphoteric surfactant is used as the component (A), it is not necessary to add the component (C) separately as long as the wettability is sufficiently ensured.

(D)溶剤
本発明の前処理剤は、上記成分に加えて、(D)溶剤を含有することが好ましい。溶剤は、下地銅を洗浄する助剤として作用することができる。(D)成分の溶剤としては、水溶性のエーテル類、アミン類、アルコール類、グリコールエーテル類、ケトン類、エステル類、脂肪酸類が挙げられ、特にジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、エチルアミン、エタノールアミン、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド等のアミン類、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール類、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ブチルラクトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸セロソルブ等のエステル類、プロピオン酸、酪酸、ギ酸、酢酸、乳酸等の脂肪酸類等が好ましい。なお、これらの溶剤は、1種単独でも2種以上を併用して使用してもよい。
(D) Solvent The pretreatment agent of the present invention preferably contains (D) a solvent in addition to the above components. The solvent can act as an auxiliary agent for cleaning the base copper. Examples of the solvent of component (D) include water-soluble ethers, amines, alcohols, glycol ethers, ketones, esters, and fatty acids, especially ethers such as dioxane and tetrahydrofuran, ethylamine, and ethanolamine. , Amines such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide, alcohols such as methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol and propylene glycol, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, diethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol mono Glycol ethers such as ethyl ether and propylene glycol monoethyl ether, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and butyl lactone, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate and Esters such as cellosolve, propionic acid, butyric acid, formic acid, acetic acid, fatty acids such as lactic acid are preferred. In addition, you may use these solvents individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

溶剤を添加する場合、その濃度は0.01〜200g/Lであることが好ましく、特に0.1〜50g/Lであることが好ましい。0.01g/L未満の場合は、洗浄性能が向上しないことがあり、一方200g/Lを超えると、レジストが剥離することがあり、また、経済性も低下する。   When adding a solvent, it is preferable that the density | concentration is 0.01-200 g / L, and it is especially preferable that it is 0.1-50 g / L. When the amount is less than 0.01 g / L, the cleaning performance may not be improved. On the other hand, when the amount exceeds 200 g / L, the resist may be peeled off, and the economical efficiency is lowered.

(E)酸
本発明の前処理剤は、上記成分に加えて、(E)酸を含むことが好ましい。酸は、金属上の酸化皮膜を除去する効果を向上させることができる。上記酸としては、無機酸、有機酸のいずれでもよく、例えば、無機酸としては、硫酸、硝酸、フッ酸、リン酸等が挙げられ、有機酸としては、クエン酸、ギ酸、乳酸、アルキルスルホン酸等が挙げられる。これらの酸は、1種単独でも2種以上を併用して使用してもよい。
(E) Acid In addition to the said component, it is preferable that the pretreatment agent of this invention contains (E) acid. The acid can improve the effect of removing the oxide film on the metal. The acid may be either an inorganic acid or an organic acid. Examples of the inorganic acid include sulfuric acid, nitric acid, hydrofluoric acid, and phosphoric acid. Examples of the organic acid include citric acid, formic acid, lactic acid, and alkylsulfone. An acid etc. are mentioned. These acids may be used alone or in combination of two or more.

本発明の前処理剤が酸を含む場合、その濃度は0.1〜200g/Lであることが好ましく、特に1〜100g/Lであることが好ましい。0.1g/L未満の場合は、酸化皮膜の除去効果が得られないことがあり、200g/Lを超えると、レジストが剥離することがあり、また、経済性も低下する。   When the pretreatment agent of the present invention contains an acid, the concentration is preferably 0.1 to 200 g / L, and particularly preferably 1 to 100 g / L. When the amount is less than 0.1 g / L, the effect of removing the oxide film may not be obtained. When the amount exceeds 200 g / L, the resist may be peeled off, and the economy is also lowered.

なお、(B)塩化物イオンの供給源として塩酸を使用した場合、又は(D)溶剤として脂肪酸類を添加した場合は、酸の濃度が上記適正範囲を満たしていれば、別途(E)成分を添加しなくてもよい。   (B) When hydrochloric acid is used as a supply source of chloride ions, or (D) when fatty acids are added as a solvent, the component (E) is separately provided if the acid concentration satisfies the above appropriate range. May not be added.

(F)酸化剤
本発明の前処理剤には、上記成分に加えて、(F)酸化剤を添加することが好ましい。酸化剤は、下地銅を洗浄する助剤として作用することができる。酸化剤としては、例えば、過酸化物、塩化第二鉄、塩化第二銅、過酸化水素水等が挙げられるが、これらに限定されない。なお、これらの酸化剤は、1種単独でも2種以上を併用して使用してもよい。
(F) Oxidizing agent In addition to the above components, it is preferable to add (F) an oxidizing agent to the pretreatment agent of the present invention. The oxidizing agent can act as an auxiliary agent for cleaning the base copper. Examples of the oxidizing agent include, but are not limited to, peroxide, ferric chloride, cupric chloride, aqueous hydrogen peroxide, and the like. In addition, you may use these oxidizing agents individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

酸化剤を添加する場合は、その濃度は、0.01〜200g/Lであることが好ましく、特に1〜50g/Lであることが好ましい。0.01g/L未満の場合は、洗浄性能が向上しないことがあり、一方200g/Lを超えると、下地銅が変色することがあり、また、経済性も低下する。   When an oxidizing agent is added, the concentration is preferably 0.01 to 200 g / L, and particularly preferably 1 to 50 g / L. If it is less than 0.01 g / L, the cleaning performance may not be improved. On the other hand, if it exceeds 200 g / L, the base copper may be discolored, and the economy is also lowered.

本発明の前処理剤は、下地銅皮膜(無電解めっき銅、銅箔など)の上に、電気銅めっきにより電気銅めっき皮膜を形成して回路を形成するために、レジスト(インク又はドライフィルム)が施され、回路のレジストパターンが形成されているプリント配線板の、電気銅めっき皮膜を形成する下地銅皮膜の表面の前処理に好適に使用される。前処理方法としては、本発明の前処理剤に被処理物を浸漬させる方法が好適に採用される。本発明の前処理剤を用いて電気めっきの前処理を行う場合、処理温度は25〜50℃であることが好ましく、特に30〜45℃であることが好ましい。25℃未満では洗浄が不十分となることがあり、50℃を超えると、レジストが剥離することがある。   The pretreatment agent of the present invention is a resist (ink or dry film) for forming a circuit by forming an electrolytic copper plating film on an underlying copper film (electroless plated copper, copper foil, etc.) by electrolytic copper plating. ), And is preferably used for pretreatment of the surface of the base copper film that forms the electrolytic copper plating film of the printed wiring board on which the circuit resist pattern is formed. As the pretreatment method, a method of immersing the workpiece in the pretreatment agent of the present invention is preferably employed. When performing the electroplating pretreatment using the pretreatment agent of the present invention, the treatment temperature is preferably 25 to 50 ° C, and particularly preferably 30 to 45 ° C. If it is less than 25 ° C., cleaning may be insufficient, and if it exceeds 50 ° C., the resist may be peeled off.

また、前処理の処理時間は1〜30分間であることが好ましく、特に2〜10分間であることが好ましい。1分間未満では十分な洗浄効果が得られないことがあり、30分間を超えるとレジストが剥離することがある。   The pretreatment time is preferably 1 to 30 minutes, particularly preferably 2 to 10 minutes. If it is less than 1 minute, a sufficient cleaning effect may not be obtained, and if it exceeds 30 minutes, the resist may be peeled off.

現像工程の水洗条件及び乾燥むら等の程度によっては、下地銅表面の酸化皮膜が強固であり、電気銅めっき皮膜との密着性を阻害することがある。そのような場合は、本発明の前処理剤に被処理物を浸漬させながら、超音波処理を行うことが好ましい。前処理時に超音波処理を併用することで、洗浄性を向上させることができる。   Depending on the water washing conditions in the development process and the degree of drying unevenness, the oxide film on the surface of the underlying copper is strong, and the adhesion with the electrolytic copper plating film may be hindered. In such a case, it is preferable to perform ultrasonic treatment while immersing the workpiece in the pretreatment agent of the present invention. Washability can be improved by using ultrasonic treatment in combination with pretreatment.

同様に、下地銅表面の酸化皮膜が強固であり電気銅めっき皮膜との密着性を阻害することがあるような場合は、本発明の前処理剤に被処理物を浸漬させながら、電解処理を行ってもよい。前処理時に電解処理を併用することで、洗浄性を向上させることができる。   Similarly, when the oxide film on the surface of the underlying copper is strong and may interfere with the adhesion to the electrolytic copper plating film, the electrolytic treatment is performed while immersing the workpiece in the pretreatment agent of the present invention. You may go. By using the electrolytic treatment in combination with the pretreatment, the cleaning property can be improved.

本発明の電気めっき方法は、本発明の前処理剤を用いて被処理物を前処理した後、電気めっきを行う方法である。上記電気めっき方法としては、電気銅めっきが好適な対象であり、電気めっき方法としては、従来公知の電気めっき浴及び電気めっき条件を採用することができる。   The electroplating method of the present invention is a method of performing electroplating after pretreatment of an object to be processed using the pretreatment agent of the present invention. As the electroplating method, electrolytic copper plating is a suitable target, and conventionally known electroplating baths and electroplating conditions can be employed as the electroplating method.

以下に、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples.

評価用基板として、パナソニック電工(株)製R−1705にレジストフィルムを貼り付けたものを使用した。レジストフィルムとしては、旭化成イーマテリアルズ(株)製サンフォート(ADH252)又は日立化成工業(株)製フォテック(RY−3525)を使用した。ライン/スペースは25μm/25μmであり、電気銅めっきの膜厚は20μmとした。   As a substrate for evaluation, a substrate obtained by attaching a resist film to R-1705 manufactured by Panasonic Electric Works Co., Ltd. was used. As the resist film, Sunfort (ADH252) manufactured by Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd. or Fotec (RY-3525) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. was used. The line / space was 25 μm / 25 μm, and the film thickness of the electrolytic copper plating was 20 μm.

[実施例1〜24、比較例1〜18]
下記表2〜表5記載の組成になるように、各前処理剤を調製した。密着性評価は下記の方法によって行った。なお、表2〜表5において、単位は全てg/Lである。
[Examples 1 to 24, Comparative Examples 1 to 18]
Each pretreatment agent was prepared so that it might become a composition of following Table 2-Table 5. The adhesion evaluation was performed by the following method. In Tables 2 to 5, all units are g / L.

[下地銅とレジストとの密着性評価]
レジストフィルムを貼り付けた評価用基板を、前処理剤に浸漬し、35℃で3分間処理した。処理した評価用基板を光学顕微鏡(倍率200倍)で観察し、レジスト剥離の有無を評価した。レジストが剥離しなかった場合を密着性良好、レジストが剥離した場合を密着性不良とした。結果を表2〜表5に併記する。なお、表2〜表5中、○は密着性良好、×は密着性不良を表す。
[Evaluation of adhesion between underlying copper and resist]
The evaluation substrate with the resist film attached was immersed in a pretreatment agent and treated at 35 ° C. for 3 minutes. The processed evaluation substrate was observed with an optical microscope (200 times magnification) to evaluate the presence or absence of resist peeling. When the resist did not peel, the adhesion was good, and when the resist peeled, the adhesion was poor. The results are shown in Tables 2 to 5. In Tables 2 to 5, ◯ represents good adhesion, and x represents poor adhesion.

[下地銅とめっき皮膜との密着性評価]
下記表1の工程に従ってめっき処理を施した基板を40g/LのNaOH溶液に50℃で5分間浸漬し、レジストを剥離した。上記評価基板を光学顕微鏡で拡大(倍率200倍)し、L/S=25μm/25μmの銅配線間に、図1に示すように、カッターナイフ4の刃先を下地銅2に接触するまで入れ、めっき皮膜3を水平方向に弾いた。なお、図1中、1は基板を表す。その結果、めっき皮膜と共に下地銅が剥離して樹脂が見えた場合を密着性良好、めっき皮膜のみが剥離して下地銅が見えた場合を密着性不良とした。結果を表2〜表5に併記する。なお、表2〜表5中、○は密着性良好、×は密着性不良を表す。
[Evaluation of adhesion between base copper and plating film]
The substrate that had been plated in accordance with the steps shown in Table 1 below was immersed in a 40 g / L NaOH solution at 50 ° C. for 5 minutes to remove the resist. Enlarge the evaluation board with an optical microscope (magnification 200 times), and insert the cutting edge of the cutter knife 4 between the copper wirings of L / S = 25 μm / 25 μm until they contact the base copper 2 as shown in FIG. The plating film 3 was flipped in the horizontal direction. In FIG. 1, 1 represents a substrate. As a result, the adhesion was good when the base copper was peeled off together with the plating film and the resin was visible, and the adhesion was poor when only the plating film was peeled off and the base copper was visible. The results are shown in Tables 2 to 5. In Tables 2 to 5, ◯ represents good adhesion, and x represents poor adhesion.

Figure 2015078443
1)〜3)は、いずれも上村工業(株)製めっき浴ビアフィリング用添加剤
Figure 2015078443
1) to 3) are all additives for plating bath via filling manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.

Figure 2015078443
4)日油(株)製、ベタイン型両性界面活性剤
5)(株)ADEKA製、アミンオキシド型両性界面活性剤
6)日油(株)製、アルキルトリメチルアンモニウム型カチオン性界面活性剤
7)日油(株)製、ジアルキルジメチルアンモニウム型カチオン性界面活性剤
Figure 2015078443
4) NOF Corporation, betaine-type amphoteric surfactant 5) ADEKA Corporation, amine oxide-type amphoteric surfactant 6) NOF Corporation, alkyltrimethylammonium-type cationic surfactant 7) Dialkyldimethylammonium type cationic surfactant, manufactured by NOF Corporation

実施例1〜12の結果より、吸着防止剤と塩化物イオンからなる電気めっき用前処理剤は、密着性が良好であった。   From the results of Examples 1 to 12, the pretreatment agent for electroplating composed of an adsorption inhibitor and chloride ions had good adhesion.

Figure 2015078443
8)日本乳化剤(株)製、ポリオキシエチレンアルキルエーテル型ノニオン性界面活性剤
9)日信化学工業(株)製、アセチレングリコール型ノニオン性界面活性剤
Figure 2015078443
8) Polyoxyethylene alkyl ether type nonionic surfactant manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd. 9) Acetylene glycol type nonionic surfactant manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.

実施例13〜24の結果より、吸着防止剤と塩化物イオンのほか、ノニオン性界面活性剤、酸、溶剤、酸化剤を含む場合でも密着性は良好であった。   From the results of Examples 13 to 24, the adhesion was good even when a nonionic surfactant, an acid, a solvent, and an oxidizing agent were included in addition to the adsorption inhibitor and chloride ion.

Figure 2015078443
Figure 2015078443

Figure 2015078443
Figure 2015078443

従来の一般的な酸性前処理剤の組成である比較例16では、下地銅とめっき皮膜との密着性不良が発生した。比較例1〜5、8〜14の結果より、単一組成の溶液では下地銅とめっき皮膜との密着性不良が発生した。比較例6,7の結果より、塩化物イオンの代わりに臭化物イオンやフッ化物イオンを添加すると、下地銅とめっき皮膜との密着性不良が発生した。従来の一般的なマイクロエッチング液の組成である比較例15の結果より、マイクロエッチングすると下地銅とめっき皮膜との密着性不良が発生した。比較例17の結果より、塩化物イオンを含まないと下地銅とめっき皮膜との密着性不良が発生した。比較例18の結果より、吸着防止剤を含まないと下地銅とめっき皮膜との密着性不良が発生した。   In Comparative Example 16, which is a composition of a conventional general acidic pretreatment agent, poor adhesion between the base copper and the plating film occurred. From the results of Comparative Examples 1 to 5 and 8 to 14, in the single composition solution, adhesion failure between the base copper and the plating film occurred. From the results of Comparative Examples 6 and 7, when bromide ions or fluoride ions were added instead of chloride ions, poor adhesion between the base copper and the plating film occurred. From the result of Comparative Example 15 which is a composition of a conventional general microetching solution, adhesion failure between the base copper and the plating film occurred when microetching was performed. From the result of Comparative Example 17, if the chloride ion was not included, poor adhesion between the base copper and the plating film occurred. From the result of Comparative Example 18, if the adsorption inhibitor was not included, poor adhesion between the base copper and the plating film occurred.

[実施例25〜28]
実施例1の前処理剤を用いて、処理温度を25,30,45,50℃として前処理した以外は、上記の方法に従って密着性を評価した。結果を表6に示す。下地銅とレジストとの密着性及び下地銅とめっき皮膜との密着性は共に良好であった。
[Examples 25 to 28]
Adhesion was evaluated according to the above method except that the pretreatment agent of Example 1 was used for pretreatment at a treatment temperature of 25, 30, 45, and 50 ° C. The results are shown in Table 6. The adhesion between the base copper and the resist and the adhesion between the base copper and the plating film were both good.

Figure 2015078443
Figure 2015078443

[実施例29〜33]
実施例1の前処理剤を用いて、処理時間を1,5,10,20,30分間として前処理した以外は、上記の方法に従って密着性を評価した。結果を表7に示す。下地銅とレジストとの密着性及び下地銅とめっき皮膜との密着性は共に良好であった。
[Examples 29 to 33]
Adhesion was evaluated according to the above method except that the pretreatment agent of Example 1 was used for pretreatment at 1, 5, 10, 20, and 30 minutes. The results are shown in Table 7. The adhesion between the base copper and the resist and the adhesion between the base copper and the plating film were both good.

Figure 2015078443
Figure 2015078443

[参考例1]
表1の工程の前処理を行う前に評価用基板を120℃で2時間熱処理し、表面を酸化させた後、実施例1の前処理剤を用いて上記の方法に従って下地銅とめっき皮膜との密着性を評価した。結果を表8に示す。
[Reference Example 1]
The substrate for evaluation was heat-treated at 120 ° C. for 2 hours before the pretreatment of the steps in Table 1 to oxidize the surface, and then using the pretreatment agent of Example 1 according to the above method, the base copper and the plating film The adhesion was evaluated. The results are shown in Table 8.

[実施例34]
表1の工程の前処理を行う前に評価用基板を120℃で2時間熱処理し、表面を酸化させた後、表1の工程の前処理時において、評価用基板を実施例1の前処理剤に浸漬しながら超音波処理を行った以外は、上記の方法に従って下地銅とめっき皮膜との密着性を評価した。結果を表8に示す。
[Example 34]
The substrate for evaluation was heat-treated at 120 ° C. for 2 hours before the pretreatment of the process of Table 1 to oxidize the surface, and then the substrate for evaluation was pretreated in Example 1 during the pretreatment of the process of Table 1. The adhesion between the base copper and the plating film was evaluated according to the above method except that the ultrasonic treatment was performed while being immersed in the agent. The results are shown in Table 8.

[実施例35]
表1の工程の前処理を行う前に評価用基板を120℃で2時間熱処理し、表面を酸化させた後、表1の工程の前処理時において、評価用基板を実施例1の前処理剤に浸漬しながら電解処理(0.5V)を行った以外は、上記の方法に従って下地銅とめっき皮膜との密着性を評価した。結果を表8に示す。
[Example 35]
The substrate for evaluation was heat-treated at 120 ° C. for 2 hours before the pretreatment of the process of Table 1 to oxidize the surface, and then the substrate for evaluation was pretreated in Example 1 during the pretreatment of the process of Table 1. The adhesion between the base copper and the plating film was evaluated according to the above method except that the electrolytic treatment (0.5 V) was performed while immersed in the agent. The results are shown in Table 8.

Figure 2015078443
Figure 2015078443

参考例1の結果より、基板表面に酸化皮膜が存在すると部分的に密着不良が発生した。実施例34,35の結果より、基板表面に酸化皮膜が存在する場合に、前処理時に超音波処理又は電解処理を併用すると、密着性不良は解消した。   From the result of Reference Example 1, poor adhesion occurred partially when an oxide film was present on the substrate surface. From the results of Examples 34 and 35, in the case where an oxide film is present on the substrate surface, when ultrasonic treatment or electrolytic treatment was used in combination with the pretreatment, the adhesion failure was eliminated.

1 基板
2 下地銅
3 めっき皮膜
4 カッターナイフ
1 Substrate 2 Base copper 3 Plating film 4 Cutter knife

Claims (11)

下地銅上に電気銅めっきにより電気銅めっき皮膜を形成して回路を形成するためのレジストパターンが形成された被処理物の、上記下地銅の上記回路を形成する表面を前処理する方法であって、
(A)トリアゾール化合物、ピラゾール化合物及びイミダゾール化合物から選ばれる1種又は2種以上の吸着防止剤を0.01〜200g/L、
(B)塩化物イオンを0.01〜200g/L、及び
(C)ノニオン性界面活性剤を0.1〜200g/L
を必須成分として含有する水溶液である電気めっき用前処理剤に上記下地銅を有する被処理物を浸漬することを特徴とする電気銅めっきの前処理方法。
This is a method for pre-treating the surface of the base copper on which the circuit is formed, on which a resist pattern for forming a circuit is formed by forming an electrolytic copper plating film on the base copper by electrolytic copper plating. And
(A) 0.01 to 200 g / L of one or more adsorption inhibitors selected from triazole compounds, pyrazole compounds and imidazole compounds,
(B) 0.01-200 g / L of chloride ion, and (C) 0.1-200 g / L of nonionic surfactant.
A pretreatment method for electrolytic copper plating, comprising immersing the object to be treated having the base copper in a pretreatment agent for electroplating, which is an aqueous solution containing as an essential component.
更に、(D)水溶性のエーテル類、アミン類、アルコール類、グリコールエーテル類、ケトン類、エステル類及び脂肪酸類から選ばれる1種又は2種以上の溶剤を0.01〜200g/Lで含有することを特徴とする請求項1記載の電気銅めっきの前処理方法。   Further, (D) one or more solvents selected from water-soluble ethers, amines, alcohols, glycol ethers, ketones, esters and fatty acids are contained at 0.01 to 200 g / L. The pretreatment method for electrolytic copper plating according to claim 1, wherein: 更に、(E)酸を0.1〜200g/Lで含有することを特徴とする請求項1又は2記載の電気銅めっきの前処理方法。   Furthermore, (E) acid is contained at 0.1-200 g / L, The pre-processing method of the electrolytic copper plating of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. 更に、(F)酸化剤を0.01〜200g/Lで含有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の電気銅めっきの前処理方法。   The pretreatment method for electrolytic copper plating according to any one of claims 1 to 3, further comprising (F) an oxidizing agent at 0.01 to 200 g / L. 上記下地銅を有する被処理物を、電気めっき用前処理剤に、25〜50℃の処理温度で、1〜30分間浸漬することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の電気銅めっきの前処理方法。   The to-be-processed object which has the said base copper is immersed in the pretreatment agent for electroplating at the process temperature of 25-50 degreeC for 1 to 30 minutes, The any one of Claims 1 thru | or 4 characterized by the above-mentioned. Pretreatment method for electrolytic copper plating. 上記電気めっき用前処理剤に上記被処理物を浸漬し、かつ超音波処理又は電解処理を行うことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の電気銅めっきの前処理方法。   The pretreatment method for electrolytic copper plating according to any one of claims 1 to 5, wherein the object to be treated is immersed in the pretreatment agent for electroplating and subjected to ultrasonic treatment or electrolytic treatment. 下地銅上に電気銅めっきにより電気銅めっき皮膜を形成して回路を形成するためのレジストパターンが形成された被処理物の、上記下地銅の上記回路を形成する表面を、請求項1乃至6のいずれか1項記載の前処理方法により前処理して、上記表面に電気銅めっきにより電気銅めっき皮膜を形成することを特徴とする電気銅めっき方法。   7. The surface of the substrate on which the circuit is formed, wherein the resist pattern for forming a circuit is formed by forming an electrolytic copper plating film on the underlying copper by electrolytic copper plating. An electrolytic copper plating method, wherein the electrolytic copper plating film is formed by electrolytic copper plating on the surface after pretreatment by the pretreatment method according to any one of the above. (A)トリアゾール化合物、ピラゾール化合物及びイミダゾール化合物から選ばれる1種又は2種以上の吸着防止剤を0.01〜200g/L、
(B)塩化物イオンを0.01〜200g/L、及び
(C)ノニオン性界面活性剤を0.1〜200g/L
を必須成分として含有する水溶液であることを特徴とする電気銅めっき用前処理剤。
(A) 0.01 to 200 g / L of one or more adsorption inhibitors selected from triazole compounds, pyrazole compounds and imidazole compounds,
(B) 0.01-200 g / L of chloride ion, and (C) 0.1-200 g / L of nonionic surfactant.
A pretreatment agent for electrolytic copper plating, which is an aqueous solution containing as an essential component.
更に、(D)水溶性のエーテル類、アミン類、アルコール類、グリコールエーテル類、ケトン類、エステル類及び脂肪酸類から選ばれる1種又は2種以上の溶剤を0.01〜200g/Lで含有することを特徴とする請求項8記載の電気銅めっき用前処理剤。   Further, (D) one or more solvents selected from water-soluble ethers, amines, alcohols, glycol ethers, ketones, esters and fatty acids are contained at 0.01 to 200 g / L. The pretreatment agent for electrolytic copper plating according to claim 8. 更に、(E)酸を0.1〜200g/Lで含有することを特徴とする請求項8又は9記載の電気銅めっき用前処理剤。   The pretreatment agent for electrolytic copper plating according to claim 8 or 9, further comprising (E) an acid in an amount of 0.1 to 200 g / L. 更に、(F)酸化剤を0.01〜200g/Lで含有することを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項記載の電気銅めっき用前処理剤。   The pretreatment agent for electrolytic copper plating according to any one of claims 8 to 10, further comprising (F) an oxidizing agent at 0.01 to 200 g / L.
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