JP2015076421A

JP2015076421A - Dicing/die bonding tape and method for manufacturing semiconductor chip with pressure-sensitive adhesive layer

Info

Publication number: JP2015076421A
Application number: JP2013209817A
Authority: JP
Inventors: 倫生梶田; Michio Kajita; 紀憲藤田; Noritoshi Fujita
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2013-10-07
Filing date: 2013-10-07
Publication date: 2015-04-20

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dicing/die bonding tape hardly causing cracks in a base material layer in direct contact with a pressure-sensitive adhesive layer, in cutting the pressure-sensitive adhesive layer.SOLUTION: A dicing/die bonding tape 1 according to the present invention is used for obtaining a semiconductor chip with a pressure-sensitive adhesive layer by means of a pre-dicing method, and includes a pressure-sensitive adhesive layer 3, a base material layer 4 disposed on one surface side of the pressure-sensitive adhesive layer 3, and a dicing layer 5 disposed on a surface side of the base material layer 4, the surface side being opposite to a side of the pressure-sensitive adhesive layer 3. The dicing layer 5 has a region projecting further on a side than the outer peripheral side faces of the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the base material layer 4. The base material layer 4 has a breaking elongation of 100% or more in a first direction connecting between one end and a side opposing the one end, and also has a breaking elongation of 100% or more in a second direction orthogonal to the first direction.

Description

本発明は、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、該粘接着剤層付き半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープに関する。また、本発明は、上記ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法に関する。 The present invention relates to a dicing die bonding tape used for obtaining a semiconductor chip with an adhesive layer and used for die bonding of the semiconductor chip with an adhesive layer. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the semiconductor chip with an adhesive layer using the said dicing die-bonding tape.

半導体ウェーハから半導体チップを切り出す方法として、先ダイシング法と呼ばれているダイシング法が用いられている。先ダイシング法の一例は、例えば、下記の特許文献１に開示されている。 As a method for cutting a semiconductor chip from a semiconductor wafer, a dicing method called a pre-dicing method is used. An example of the prior dicing method is disclosed in Patent Document 1 below, for example.

先ダイシング法では、先ず、半導体素子が一方の表面に形成された円形の半導体ウェーハを用意する。この半導体ウェーハの上記半導体素子が形成された表面側に、ダイシングラインに沿って、完成時の半導体チップの厚さよりも深い溝を形成する。次に、溝が形成された半導体ウェーハの半導体素子が形成された表面に、保護シートを貼り付ける。その後、半導体ウェーハの保護シート側とは反対の表面を、完成時の半導体チップの厚さになるまで、研削及び研磨する。このようにして、半導体ウェーハを個々の半導体チップに分離する。それによって、薄い複数の半導体チップが得られる。 In the first dicing method, first, a circular semiconductor wafer having a semiconductor element formed on one surface is prepared. A groove deeper than the thickness of the completed semiconductor chip is formed along the dicing line on the surface side of the semiconductor wafer on which the semiconductor element is formed. Next, a protective sheet is affixed on the surface of the semiconductor wafer on which the grooves are formed, on which the semiconductor elements are formed. Thereafter, the surface of the semiconductor wafer opposite to the protective sheet side is ground and polished until the thickness of the semiconductor chip at the time of completion is reached. In this way, the semiconductor wafer is separated into individual semiconductor chips. Thereby, a plurality of thin semiconductor chips are obtained.

また、上記先ダイシング法により得られた個々の半導体チップを基板上に容易に実装するために、半導体チップの裏面にダイボンディング層が貼り付けられることが多い。このダイボンディング層付き半導体チップを得るために、ダイボンディング層とダイシング層とを備えるダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。 Further, in order to easily mount individual semiconductor chips obtained by the above-described dicing method on a substrate, a die bonding layer is often attached to the back surface of the semiconductor chip. In order to obtain this semiconductor chip with a die bonding layer, a dicing die bonding tape including a die bonding layer and a dicing layer is used.

ダイシング−ダイボンディングテープの一例として、下記の特許文献２，３には、接着シートと基材（ダイシングテープ）とが積層されたダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。このダイシング−ダイボンディングテープにおける接着シートは、ダイボンディング層であり、半導体チップの裏面に、接着シートが分割された接着剤層が積層され、接着剤層付き半導体チップを得るために用いられる。 As an example of the dicing die bonding tape, the following Patent Documents 2 and 3 disclose a dicing die bonding tape in which an adhesive sheet and a base material (dicing tape) are laminated. The adhesive sheet in this dicing die bonding tape is a die bonding layer, and an adhesive layer obtained by dividing the adhesive sheet is laminated on the back surface of the semiconductor chip, and is used to obtain a semiconductor chip with an adhesive layer.

特開平１１−４０５０２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-40502 特開２００５−２６０２０４号公報JP 2005-260204 A 特開２００６−０８０１４２号公報JP 2006-080142 A

特許文献２，３に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いて接着剤層付き半導体チップを得る際には、ダイシング−ダイボンディングテープを接着シート側から、分割後半導体ウェーハに貼り付ける。次に、レーザー光を照射したり、加熱又は冷却等したりして、接着シートを改質させる。次に、改質された接着シートと基材とを引き延ばして、該接着シートを分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ個々の半導体チップを離間して、半導体チップの裏面側に、切断された接着剤層を形成する。その後、接着剤層付き半導体チップを基材から剥離して、取り出す。取り出された接着剤層付き半導体チップは、接着剤層側から基板上に実装される。 When a semiconductor chip with an adhesive layer is obtained using the dicing die bonding tape described in Patent Documents 2 and 3, the dicing die bonding tape is attached to the semiconductor wafer after division from the adhesive sheet side. Next, the adhesive sheet is modified by irradiation with laser light, heating or cooling. Next, the modified adhesive sheet and the base material are stretched, and the adhesive sheet is divided and cut along the cut portion of the semiconductor wafer, and the individual semiconductor chips are separated from each other on the back side of the semiconductor chip. To form a cut adhesive layer. Thereafter, the semiconductor chip with an adhesive layer is peeled off from the substrate and taken out. The taken-out semiconductor chip with the adhesive layer is mounted on the substrate from the adhesive layer side.

特許文献２，３に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、基材と接着シートとを引き延ばしたときに、接着シートに直接接している基材に、亀裂が生じることがある。この結果、基材ごと接着剤層付き半導体チップがピックアップされることがある。基材ごとピックアップされた接着剤層付き半導体チップは、ダイボンディング不良の原因となる。 In the dicing-die bonding tape described in Patent Documents 2 and 3, when the base material and the adhesive sheet are stretched, cracks may occur in the base material that is in direct contact with the adhesive sheet. As a result, the semiconductor chip with the adhesive layer may be picked up together with the base material. The semiconductor chip with an adhesive layer picked up together with the base material causes die bonding failure.

本発明の目的は、粘接着剤層の切断時に、粘接着剤層に直接接している基材層に亀裂が生じ難く、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープを提供することである。また、本発明の目的は、上記ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法を提供することである。 The object of the present invention is to prevent the base material layer that is in direct contact with the adhesive layer from cracking when the adhesive layer is cut, and to improve the pick-up property of the semiconductor chip with the adhesive layer. It is to provide a dicing-die bonding tape. Moreover, the objective of this invention is providing the manufacturing method of the semiconductor chip with an adhesive layer using the said dicing die-bonding tape.

本発明の広い局面によれば、先ダイシング法により個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハに貼り付けられた後に、粘接着剤層を引き延ばすことにより切断することで、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、粘接着剤層と、前記粘接着剤層の一方の表面側に配置された基材層と、前記基材層の前記粘接着剤層側とは反対の表面側に配置されたダイシング層とを備え、前記ダイシング層が、前記粘接着剤層及び前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有し、一端と前記一端とは反対側とを結ぶ第１の方向における前記基材層の破断伸度が１００％以上であり、かつ、前記第１の方向と直交する第２の方向における前記基材層の破断伸度が１００％以上である、ダイシング−ダイボンディングテープが提供される。 According to a wide aspect of the present invention, after being attached to a semiconductor wafer after being divided into individual semiconductor chips by a prior dicing method, the adhesive layer is cut by stretching the adhesive layer, Used to obtain a semiconductor chip with an adhesive layer, an adhesive layer, a base material layer disposed on one surface side of the adhesive layer, and the adhesive layer of the base material layer A dicing layer disposed on the surface side opposite to the side, the dicing layer has a region projecting laterally from the outer peripheral side surfaces of the adhesive layer and the base material layer, and one end Of the base material layer in a second direction perpendicular to the first direction, and the elongation at break of the base material layer in the first direction connecting the opposite side to the one end is 100% or more Dicing die bonding with a breaking elongation of 100% or more Over-flops are provided.

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記基材層が、非粘着性を有する非粘着層である。 On the specific situation with the dicing die-bonding tape which concerns on this invention, the said base material layer is a non-adhesion layer which has non-adhesiveness.

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記基材層の材料が、ポリオレフィン樹脂である。 On the specific situation with the dicing die-bonding tape which concerns on this invention, the material of the said base material layer is polyolefin resin.

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイシング−ダイボンディングテープは、離型層をさらに備え、前記粘接着剤層の前記基材層側とは反対側の表面が、前記離型層に貼り付けられており、前記ダイシング層の前記粘接着剤層及び前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域の表面が、前記離型層に貼り付けられている。 In a specific aspect of the dicing die bonding tape according to the present invention, the dicing die bonding tape further includes a release layer, and a surface of the adhesive layer opposite to the base material layer side is provided. The surface of the adhesive layer of the dicing layer and the surface of the region that protrudes laterally from the outer peripheral side surface of the base material layer are attached to the release layer. It has been.

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記離型層が長尺状であり、長尺状の前記離型層の長さ方向に並んで、前記離型層の表面上に、前記粘接着剤層と前記基材層と前記ダイシング層との積層体が複数配置されており、前記第１の方向が、前記離型層の長さ方向に沿う方向である。 In a specific aspect of the dicing die-bonding tape according to the present invention, the release layer has a long shape, and is arranged in a length direction of the long release layer, on the surface of the release layer. A plurality of laminates of the adhesive layer, the base material layer, and the dicing layer are arranged, and the first direction is a direction along the length direction of the release layer.

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイシング層が、基材と、前記基材の一方の表面側に配置された粘着部とを有し、前記基材層の前記粘接着剤層側とは反対の表面側に、前記ダイシング層が前記粘着部側から配置されている。 In a specific aspect of the dicing die-bonding tape according to the present invention, the dicing layer includes a base material and an adhesive portion arranged on one surface side of the base material, The dicing layer is disposed from the pressure-sensitive adhesive portion side on the surface side opposite to the adhesive layer side.

本発明の広い局面によれば、上述したダイシング−ダイボンディングテープと、保護シート及び前記保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体とを用いて、前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記積層体の前記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、前記ダイシング層をダイシングリングに貼り付ける工程と、前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、前記粘接着剤層を引き延ばして、前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断する工程と、切断の後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層の剥離を行い、前記半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, the above-described dicing die bonding tape, a protective sheet, a laminated semiconductor wafer that is laminated on one surface of the protective sheet, and divided into individual semiconductor chips are provided. Using the laminate, attaching the adhesive layer of the dicing die bonding tape to the semiconductor wafer after the division of the laminate, attaching the dicing layer to a dicing ring, A step of peeling the protective sheet from the semiconductor wafer after the division, a step of extending the adhesive layer and cutting along the cut portion of the semiconductor wafer after the division, and the semiconductor chip attached after the cutting A step of peeling off the adhesive layer and removing the semiconductor chip together with the adhesive layer. A semiconductor chip manufacturing method with adhesive layer.

本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法のある特定の局面では、前記粘接着剤層付き半導体チップの製造方法は、半導体ウェーハの第１の表面に、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、切り込みが形成された前記半導体ウェーハの前記第１の表面に保護シートを貼り付ける工程と、前記保護シートが貼り付けられた前記半導体ウェーハの前記第１の表面とは反対の第２の表面を研削し、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、前記積層体を得る工程をさらに備える。 In a specific aspect of the method for manufacturing a semiconductor chip with an adhesive layer according to the present invention, the method for manufacturing a semiconductor chip with an adhesive layer includes the semiconductor wafer individually on a first surface of the semiconductor wafer. A step of forming a cut for dividing the semiconductor chip, a step of attaching a protective sheet to the first surface of the semiconductor wafer on which the cut is formed, and a step of attaching the protective sheet to the semiconductor wafer. The method further includes the step of grinding the second surface opposite to the first surface, dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor chips, and obtaining the stacked body.

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、粘接着剤層と基材層とダイシング層とがこの順で積層されており、一端と該一端とは反対側とを結ぶ第１の方向における上記基材層の破断伸度が１００％以上であり、かつ、上記第１の方向と直交する第２の方向における上記基材層の破断伸度が１００％以上であるので、上記粘接着剤層と上記基材層と上記ダイシング層とを引き延ばして、粘接着剤層を切断するときに、粘接着剤層に直接接している基材層に亀裂を生じ難くすることができる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。 In the dicing die-bonding tape according to the present invention, the adhesive layer, the base material layer, and the dicing layer are laminated in this order, and the above-described first direction connecting one end and the opposite side of the one end. Since the breaking elongation of the base material layer is 100% or more and the breaking elongation of the base material layer in the second direction orthogonal to the first direction is 100% or more, the adhesive When the layer, the base material layer, and the dicing layer are stretched to cut the adhesive layer, the base material layer that is in direct contact with the adhesive layer can be hardly cracked. As a result, the pick-up property of the semiconductor chip with an adhesive layer can be enhanced.

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。1A and 1B are a partially cutaway plan view and a partially cutaway front sectional view schematically showing a dicing die bonding tape according to an embodiment of the present invention. 図２（ａ）〜（ｄ）は、粘接着剤層付き半導体チップを製造する際に用いられる積層体を得る各工程の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。2A to 2D are partially cutaway front cross-sectional views for explaining an example of each process for obtaining a laminated body used when manufacturing a semiconductor chip with an adhesive layer. 図３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。FIGS. 3A and 3B are partially cutaway front views for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor chip with an adhesive layer using a dicing die bonding tape according to an embodiment of the present invention. It is sectional drawing. 図４（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。4A and 4B are partially cutaway front views for explaining an example of a method for manufacturing a semiconductor chip with an adhesive layer using a dicing die bonding tape according to an embodiment of the present invention. It is sectional drawing. 図５（ａ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けるときの状態を示す正面断面図であり、図５（ｂ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けた後の状態を示す平面図である。FIG. 5A is a front sectional view showing a state when the dicing die bonding tape is attached to the dicing ring, and FIG. 5B is a view after the dicing die bonding tape is attached to the dicing ring. It is a top view which shows a state. 図６（ａ）及び（ｂ）は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの変形例を模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。FIGS. 6A and 6B are a partially cutaway plan view and a partially cutaway front sectional view schematically showing a modification of the dicing die bonding tape shown in FIG.

以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.

（ダイシング−ダイボンディングテープ）
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、先ダイシング法により個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハに貼り付けられた後に、粘接着剤層を引き延ばすことにより切断することで、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられる。本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、粘接着剤層と、該粘接着剤層の一方の表面側に配置された基材層と、該基材層の上記粘接着剤層側とは反対の表面側に配置されたダイシング層とを備える。上記ダイシング層は、上記粘接着剤層及び上記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、一端と上記一端とは反対側とを結ぶ第１の方向における上記基材層の破断伸度が１００％以上であり、かつ、上記第１の方向と直交する第２の方向における上記基材層の破断伸度が１００％以上である。すなわち、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、互いに直交する２つの方向において、上記基材層の破断伸度が高く設定されている。 (Dicing die bonding tape)
The dicing die-bonding tape according to the present invention is bonded to a semiconductor wafer after being divided into individual semiconductor chips by a pre-dicing method, and then is cut by stretching the adhesive layer, so that the adhesive Used to obtain a semiconductor chip with an adhesive layer. The dicing die-bonding tape according to the present invention includes an adhesive layer, a base material layer disposed on one surface side of the adhesive layer, and the adhesive layer side of the base material layer. And a dicing layer disposed on the opposite surface side. The dicing layer has a region projecting laterally from the outer peripheral side surfaces of the adhesive layer and the base material layer. In the dicing die-bonding tape according to the present invention, the elongation at break of the base material layer in a first direction connecting one end and the side opposite to the one end is 100% or more, and the first direction The elongation at break of the base material layer in the second direction orthogonal to each other is 100% or more. That is, in the dicing die bonding tape according to the present invention, the breaking elongation of the base material layer is set high in two directions orthogonal to each other.

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、上述した構成が備えられているので、実際の粘接着剤層付き半導体チップを得る際のプロセスで想定される基材層の伸びよりも、２つの方向における基材層の伸び特性が十分に高められており、基材層に内側から外側に向かって引っ張り応力が加えられても、基材層に亀裂が生じ難い。また、基材層における亀裂の発生を抑えつつ、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って精度よく切断できる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。 Since the dicing-die bonding tape according to the present invention has the above-described configuration, the dicing-die bonding tape has two more than the elongation of the base material layer assumed in the process for obtaining the actual semiconductor chip with an adhesive layer. The elongation characteristics of the base material layer in the direction are sufficiently enhanced, and even if a tensile stress is applied to the base material layer from the inside to the outside, the base material layer is hardly cracked. Moreover, the said adhesive layer can be cut | disconnected accurately along the cut part of the said semiconductor wafer after a division | segmentation, suppressing generation | occurrence | production of the crack in a base material layer. As a result, the pick-up property of the semiconductor chip with an adhesive layer can be enhanced.

なお、基材層がオレフィン樹脂などの合成樹脂により形成されている場合には、基材層の生産時に、流れ方向に樹脂の配向が生じている。このため、基材層のある方向の破断伸度がある程度高くても、その方向と直交する方向の破断伸度は低いことが多く、直交する２つの方向における破断伸度の２つの値が同じにならないことが多い。 When the base material layer is formed of a synthetic resin such as an olefin resin, the resin is oriented in the flow direction during the production of the base material layer. For this reason, even if the breaking elongation in a certain direction of the base material layer is somewhat high, the breaking elongation in the direction orthogonal to the direction is often low, and the two values of the breaking elongation in the two orthogonal directions are the same. Often not.

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。 Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments and examples of the present invention with reference to the drawings.

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す図である。図１（ａ）は部分切欠平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。なお、図１及び後述の図では、図示の便宜上、寸法及び大きさは、実際の寸法及び大きさから適宜変更している。 1A and 1B are diagrams schematically showing a dicing die bonding tape according to an embodiment of the present invention. Fig.1 (a) is a partial notch top view, FIG.1 (b) is a partial notch front sectional drawing which follows the II line | wire in Fig.1 (a). In FIG. 1 and the drawings to be described later, for the convenience of illustration, dimensions and sizes are appropriately changed from actual dimensions and sizes.

図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型層２を有する。離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３と、基材層４と、ダイシング層５とがこの順に積層されている。粘接着剤層３の一方の表面３ａ（第１の表面）側に、ダイシング層５が配置されている。粘接着剤層３とダイシング層５との間に基材層４が配置されている。 As shown in FIGS. 1A and 1B, the dicing die bonding tape 1 has a long release layer 2. On the upper surface 2 a of the release layer 2, the adhesive layer 3, the base material layer 4, and the dicing layer 5 are laminated in this order. A dicing layer 5 is disposed on one surface 3 a (first surface) side of the adhesive layer 3. A base material layer 4 is disposed between the adhesive layer 3 and the dicing layer 5.

粘接着剤層３の一方の表面３ａ（第１の表面）に、基材層４が積層されている。粘接着剤層３の他方の表面３ｂ（第２の表面）に離型層２が積層されている。基材層４の一方の表面４ａ（第１の表面）に粘接着剤層３が積層されている。基材層４の粘接着剤層３側とは反対側の他方の表面４ｂ（第２の表面）に、ダイシング層５が積層されている。 A base material layer 4 is laminated on one surface 3 a (first surface) of the adhesive layer 3. A release layer 2 is laminated on the other surface 3 b (second surface) of the adhesive layer 3. The adhesive layer 3 is laminated on one surface 4 a (first surface) of the base material layer 4. A dicing layer 5 is laminated on the other surface 4b (second surface) of the base material layer 4 opposite to the adhesive layer 3 side.

ダイシング層５は、基材５Ａと、粘着部５Ｂとを有する。粘着部５Ｂは、基材５Ａの一方の表面に積層されている。ダイシング層５は、粘着部５Ｂ側から基材層４の表面に積層されている。 The dicing layer 5 includes a base material 5A and an adhesive portion 5B. The adhesive part 5B is laminated on one surface of the base material 5A. The dicing layer 5 is laminated on the surface of the base material layer 4 from the adhesive part 5B side.

ダイシング−ダイボンディングテープ１は、図１（ａ）に示す矢印Ｘで示す方向（流れ方向）に搬送されて、剥離及び貼付工程が行われる。 The dicing-die bonding tape 1 is conveyed in the direction (flow direction) indicated by the arrow X shown in FIG.

離型層２は、長尺状である。長尺状の離型層２の長さ方向に並んで、離型層２の表面上に、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５との積層体が複数配置されている。積層体は等間隔に配置されている。上記積層体の側方において、離型層２の上面２ａに保護シートが設けられていてもよい。 The release layer 2 has a long shape. A plurality of laminates of the adhesive layer 3, the base material layer 4, and the dicing layer 5 are arranged on the surface of the release layer 2 side by side in the length direction of the long release layer 2. . The laminated bodies are arranged at equal intervals. A protective sheet may be provided on the upper surface 2 a of the release layer 2 on the side of the laminate.

粘接着剤層３及び基材層４の平面形状は、略円形である。ダイシング層５の平面形状は略円形である。粘接着剤層３の径は、基材層４の径と同じであってもよく、異なってもよい。基材層４の径は、粘接着剤層３の径よりも大きいことが好ましい。基材層４の外周側面は、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも外側に張り出していることが好ましく、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも側方に貼り出している領域を有することが好ましい。また、基材層４の外周側面は、粘接着剤層により覆われていないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４との大きさがこのような好ましい関係を満足すると、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の基材層４が積層されている部分に半導体ウェーハを正確に位置合わせできる。また、半導体ウェーハを粘接着剤層３に、より一層確実に貼り付けることができる。 The planar shapes of the adhesive layer 3 and the base material layer 4 are substantially circular. The planar shape of the dicing layer 5 is substantially circular. The diameter of the adhesive layer 3 may be the same as or different from the diameter of the base material layer 4. The diameter of the base material layer 4 is preferably larger than the diameter of the adhesive layer 3. It is preferable that the outer peripheral side surface of the base material layer 4 protrudes outward from the outer peripheral side surface 3c of the adhesive layer 3, and the region pasted to the side from the outer peripheral side surface 3c of the adhesive layer 3 It is preferable to have. Moreover, it is preferable that the outer peripheral side surface of the base material layer 4 is not covered with the adhesive layer. When the size of the adhesive layer 3 and the base material layer 4 satisfies such a preferable relationship, the base material layer of the adhesive layer 3 is attached when the semiconductor wafer is attached to the adhesive layer 3. The semiconductor wafer can be accurately aligned with the portion where 4 is laminated. In addition, the semiconductor wafer can be more reliably attached to the adhesive layer 3.

ダイシング層５の径は、粘接着剤層３及び基材層４の径よりも大きい。ダイシング層５の外周側面は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している。従って、ダイシング層５は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。ダイシング層５と粘接着剤層３及び基材層４との大きさがこのような好ましい関係を満足することによっても、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の基材層４が貼り付けられている部分に、半導体ウェーハを正確に位置合わせすることができる。貼り付けの後には、半導体ウェーハが貼り付けられた粘接着剤層３の一方の表面３ａ上に基材層４を確実に配置できる。このため、基材層４からの粘接着剤層３の剥離性を高めることで、ダイシングの後に、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４から容易に剥離できる。特に、基材層４が非粘着性を有する非粘着層である場合には、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４からより一層容易に剥離できる。このため、生産ロスを低減でき、歩止まりを向上できる。さらに、ダイシングリングと半導体ウェーハとを異なる層に貼り付けることができるので、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とをそれぞれ最適な材料により構成できる。このため、切削性及びピックアップ性と、ダイボンディング後の接合信頼性とを高くすることができる。 The diameter of the dicing layer 5 is larger than the diameters of the adhesive layer 3 and the base material layer 4. The outer peripheral side surface of the dicing layer 5 projects outward from the outer peripheral side surfaces of the adhesive layer 3 and the base material layer 4. Therefore, the dicing layer 5 has a region projecting laterally from the outer peripheral side surfaces of the adhesive layer 3 and the base material layer 4. Even when the size of the dicing layer 5 and the adhesive layer 3 and the base material layer 4 satisfies such a preferable relationship, the adhesive is adhered when the semiconductor wafer is attached to the adhesive layer 3. The semiconductor wafer can be accurately aligned with the portion of the agent layer 3 where the base material layer 4 is attached. After pasting, the base material layer 4 can be reliably disposed on the one surface 3a of the adhesive layer 3 to which the semiconductor wafer is pasted. For this reason, the semiconductor chip with the adhesive agent layer 3 can be easily peeled from the base material layer 4 after dicing by improving the peelability of the adhesive layer 3 from the base material layer 4. In particular, when the base material layer 4 is a non-adhesive layer having non-adhesive properties, the semiconductor chip with the adhesive layer 3 can be more easily peeled from the base material layer 4. For this reason, production loss can be reduced and yield can be improved. Furthermore, since the dicing ring and the semiconductor wafer can be attached to different layers, the adhesive layer 3, the base material layer 4, and the dicing layer 5 can be made of optimum materials, respectively. For this reason, cutting property and pick-up property, and the joining reliability after die bonding can be made high.

ダイシング層５は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している延長部５ｘを有する。ダイシング層５の延長部５ｘの片面が、粘着部５Ｂにより離型層２の上面に貼り付けられている。すなわち、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側の領域で、ダイシング層５が離型層２の上面に貼り付けられている。 The dicing layer 5 has an extension portion 5 x that projects outward from the outer peripheral side surfaces of the adhesive layer 3 and the base material layer 4. One surface of the extension portion 5x of the dicing layer 5 is attached to the upper surface of the release layer 2 by the adhesive portion 5B. That is, the dicing layer 5 is attached to the upper surface of the release layer 2 in a region outside the outer peripheral side surfaces of the adhesive layer 3 and the base material layer 4.

ダイシング層５が延長部５ｘを有するのは、粘接着剤層３の他方の表面に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも外側に位置する延長部５ｘの粘着部５Ｂに、ダイシングリングを貼り付けるためである。 The dicing layer 5 has the extension portion 5x when the semiconductor wafer is attached to the other surface of the adhesive layer 3 and the extension portion 5x located outside the outer peripheral side surface 3c of the adhesive layer 3. This is because a dicing ring is attached to the adhesive portion 5B.

ダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５は外周部分に、貼り付け開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点５Ｃを有する。貼付起点５Ｃは、言い換えれば、剥離起点である。すなわち、ダイシング層５の貼り付けの際に、貼付起点５Ｃから剥離が行われる。貼付起点５Ｃは貼付開始部分であり、剥離開始部分である。貼付起点５Ｃは、ダイシング層５の一端に形成されている。粘接着剤層付き半導体チップを得る際には、貼付起点５Ｃからダイシング層５の外周部分をダイシングリングに貼り付ける。ダイシング層５のダイシングリングに貼り付けられる部分は、粘着性を有する粘着部５Ｂである。 In the dicing die-bonding tape 1, the dicing layer 5 has a sticking start point 5C attached to the dicing ring at the start of sticking on the outer peripheral portion. In other words, the sticking starting point 5C is a peeling starting point. That is, when the dicing layer 5 is pasted, peeling is performed from the pasting starting point 5C. The sticking start point 5C is a sticking start part and a peeling start part. The sticking start point 5 </ b> C is formed at one end of the dicing layer 5. When obtaining a semiconductor chip with an adhesive layer, the outer peripheral portion of the dicing layer 5 is stuck to the dicing ring from the sticking starting point 5C. The part pasted on the dicing ring of the dicing layer 5 is an adhesive part 5B having adhesiveness.

ダイシング−ダイボンディングテープ１では、貼付起点５Ｃである一端と、該一端とは反対側とを結ぶ第１の方向における基材層４の破断伸度が１００％以上であり、かつ、上記第１の方向と直交する第２の方向における基材層４の破断伸度が１００％以上である。 In the dicing die-bonding tape 1, the elongation at break of the base material layer 4 in the first direction connecting one end that is the sticking start point 5C and the side opposite to the one end is 100% or more, and the first The elongation at break of the base material layer 4 in the second direction perpendicular to the direction is 100% or more.

ダイシング−ダイボンディングテープ１では、上記第１の方向が、離型層２の長さ方向に沿う方向であり、ダイシング−ダイボンディングテープ１の流れ方向であることが好ましく、基材層４のＭＤ方向であることが好ましい。 In the dicing die bonding tape 1, the first direction is a direction along the length direction of the release layer 2, and is preferably the flow direction of the dicing die bonding tape 1. The direction is preferred.

上記離型層の材料としては、プラスチック樹脂が挙げられ、具体的には、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂や、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂や、ポリ塩化ビニル樹脂や、アクリル樹脂等が挙げられる。 Examples of the material for the release layer include plastic resins, and specifically, polyester resins such as polyethylene terephthalate resin, polyethylene resins, polypropylene resins, polytetrafluoroethylene resins, polymethylpentene resins, polyvinyl acetate resins, and the like. Polyolefin resin, polyvinyl chloride resin, acrylic resin, and the like.

上記離型層の表面は離型処理されていてもよい。上記離型層は単層であってもよく、複数層であってもよい。上記離型層が複数層である場合には、各層は異なる樹脂により形成されていてもよい。 The surface of the release layer may be subjected to a release treatment. The release layer may be a single layer or a plurality of layers. When the release layer is a plurality of layers, each layer may be formed of different resins.

上記離型層の取扱い性又は剥離性をより一層高める観点からは、上記離型層の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。 From the viewpoint of further improving the handleability or releasability of the release layer, the thickness of the release layer is preferably 10 μm or more, and preferably 100 μm or less.

上記粘接着剤層は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。上記粘接着剤層は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。 The adhesive layer is a layer used for die bonding of semiconductor chips. The adhesive layer is used for bonding a semiconductor chip to a substrate or another semiconductor chip.

上記粘接着剤層は、例えば適宜の硬化性樹脂などの硬化性化合物を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。上記粘接着剤層付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着剤層付き半導体チップを上記粘接着剤層側から基板等の被着体に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、上記粘接着剤層を硬化させることにより、上記粘接着剤層を介して、被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。 The adhesive layer is formed of, for example, a curable resin composition containing a curable compound such as an appropriate curable resin, or a thermoplastic resin. Since the curable resin composition before curing is soft, it is easily deformed by an external force. After obtaining the semiconductor chip with the adhesive layer, the obtained semiconductor chip with the adhesive layer is laminated on an adherend such as a substrate from the adhesive layer side. Thereafter, the semiconductor chip can be firmly bonded to the adherend via the adhesive layer by applying heat or light energy to cure the adhesive layer.

上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。該硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、及びカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と硬化促進剤とを併用してもよい。 A curing agent is used for curing the curable resin composition. Examples of the curing agent include heat curing acid anhydride curing agents such as trialkyltetrahydrophthalic anhydride, latent curing agents such as phenol curing agents, amine curing agents or dicyandiamide, and cationic catalyst curing. Agents and the like. In order to adjust the curing speed or the physical properties of the cured product, the curing agent and the curing accelerator may be used in combination.

上記粘接着剤層の厚みは特に限定されない。上記粘接着剤層の厚みは、一般的には５μｍ以上、１５０μｍ以下である。半導体装置の設計寸法に応じて、適正な粘接着剤層の厚みが選定される。 The thickness of the adhesive layer is not particularly limited. The thickness of the adhesive layer is generally 5 μm or more and 150 μm or less. An appropriate thickness of the adhesive layer is selected according to the design dimensions of the semiconductor device.

上記基材層の材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂や、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂や、ポリ塩化ビニル樹脂や、アクリル樹脂等が挙げられる。ダイシングの際のエキスパンド性に優れており、基材層に亀裂がより一層生じ難くかつ環境負荷が小さいために、ポリオレフィン樹脂が好ましい。ダイシングの際のエキスパンド性に優れており、かつ環境負荷が小さいために、ポリオレフィン樹脂が好ましい。引張荷重が小さいため、ポリエチレン樹脂が特に好ましい。 As the material of the base material layer, polyester resin such as polyethylene terephthalate resin, polyolefin resin such as polyethylene resin, polypropylene resin, polytetrafluoroethylene resin, polymethylpentene resin, polyvinyl acetate resin, polyvinyl chloride resin, An acrylic resin etc. are mentioned. Polyolefin resins are preferred because they have excellent expandability during dicing, are less prone to cracking in the base material layer, and have a low environmental load. Polyolefin resins are preferred because of their excellent expandability during dicing and low environmental impact. Polyethylene resin is particularly preferred because of its low tensile load.

上記基材層は、粘着性を有する粘着層であってもよく、非粘着性を有する（粘着性を有さない）非粘着層であってもよい。上記基材層の上記粘接着剤層側の表面は非粘着性を有することが好ましい。上記基材層の上記ダイシング層側の表面は非粘着性を有していてもよい。なお、「非粘着性」とは、表面が粘着性を有さないだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかない程度の粘着性を有する場合も含まれることとする。具体的には、「非粘着性」とは、上記基材層をステンレス板に貼り付けて、上記基材層を３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、粘着力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。 The base material layer may be an adhesive layer having adhesiveness, or may be a non-adhesive layer having non-adhesiveness (not having adhesiveness). The surface of the base material layer on the side of the adhesive layer is preferably non-tacky. The surface of the base material layer on the dicing layer side may have non-adhesiveness. The term “non-adhesive” includes not only the surface having no adhesiveness but also the case where the surface has such an adhesiveness that it does not stick when touched with a finger. Specifically, “non-adhesive” means that when the base material layer is attached to a stainless steel plate and the base material layer is peeled off at a peeling speed of 300 mm / min, the adhesive strength is 0.05 N / 25 mm. It means less than the width.

上記基材層の厚みは特に限定されない。上記基材層の厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、好ましくは８０μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下である。上記基材層の厚みが上記下限以上であると、エクスパンド性がより一層高くなる。上記基材層の厚みが上記上限以下であると、厚みがより一層均一になり、ダイシングの精度がよく一層高くなる。上記基材層の厚みは、３０μｍ以上、５０μｍ以下であることが特に好ましい。上記基材層の厚みが３０μｍ以上、５０μｍ以下であると、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性がより一層良好になる。 The thickness of the base material layer is not particularly limited. The thickness of the base material layer is preferably 5 μm or more, more preferably 10 μm or more, preferably 80 μm or less, more preferably 50 μm or less. When the thickness of the base material layer is not less than the above lower limit, the expandability is further enhanced. When the thickness of the base material layer is not more than the above upper limit, the thickness becomes even more uniform and the accuracy of dicing is further improved. The thickness of the base material layer is particularly preferably 30 μm or more and 50 μm or less. When the thickness of the base material layer is 30 μm or more and 50 μm or less, the pickup property of the semiconductor chip with an adhesive layer is further improved.

上記ダイシング層は、上記基材と、上記粘着部とを有することが好ましい。上記粘着部は粘着剤層であることが好ましい。 The dicing layer preferably has the base material and the adhesive portion. The adhesive part is preferably an adhesive layer.

上記基材層と上記ダイシング層との剥離力は、上記粘接着剤層と上記基材層との剥離力よりも大きいことが好ましい。このような剥離力を満足するように上記粘着部が構成されていることが好ましい。 It is preferable that the peeling force between the base material layer and the dicing layer is larger than the peeling force between the adhesive layer and the base material layer. It is preferable that the pressure-sensitive adhesive portion is configured to satisfy such a peeling force.

上記ダイシング層における上記基材の材料としては、プラスチック樹脂が挙げられ、具体的には、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂や、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂や、ポリ塩化ビニル樹脂や、アクリル樹脂等が挙げられる。ダイシングの際のエキスパンド性に優れており、かつ環境負荷が小さいために、ポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレン樹脂が特に好ましい。 Examples of the material of the base material in the dicing layer include plastic resins. Specifically, polyester resins such as polyethylene terephthalate resin, polyethylene resins, polypropylene resins, polytetrafluoroethylene resins, polymethylpentene resins, polyvinyl resins. Examples thereof include polyolefin resins such as acetate resins, polyvinyl chloride resins, and acrylic resins. Polyolefin resins are preferred and polyethylene resins are particularly preferred because of their excellent expandability during dicing and low environmental impact.

上記粘着部は特に限定されない。上記粘着部を構成する粘着剤の具体例として、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤及びゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。感圧タイプのアクリル系粘着剤が用いられた場合、ダイシングリングを上記粘着部からより一層容易に剥離できる。さらに、上記粘着部のコストを低減できる。 The said adhesion part is not specifically limited. Specific examples of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive part include an acrylic pressure-sensitive adhesive, a special synthetic rubber-based pressure-sensitive adhesive, a synthetic resin-based pressure-sensitive adhesive, and a rubber-based pressure-sensitive adhesive. Of these, a pressure-sensitive acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable. When a pressure-sensitive type acrylic pressure-sensitive adhesive is used, the dicing ring can be more easily peeled from the pressure-sensitive adhesive part. Furthermore, the cost of the said adhesion part can be reduced.

上記ダイシング層の厚みは特に限定されない。上記ダイシング層の厚みは、好ましくは５２μｍ以上、より好ましくは８２μｍ以上、好ましくは２５０μｍ以下、より好ましくは２１０μｍ以下である。 The thickness of the dicing layer is not particularly limited. The thickness of the dicing layer is preferably 52 μm or more, more preferably 82 μm or more, preferably 250 μm or less, more preferably 210 μm or less.

上記ダイシング層における上記基材の厚みは特に限定されない。上記ダイシング層における基材の厚みは、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１６０μｍ以下である。上記基材の合計の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、半導体ウェーハをより一層精度よくダイシングでき、ピックアップ性をより一層高めることができる。さらに、上記離型層の剥離性及び上記ダイシング層のエクスパンド性がより一層高くなる。 The thickness of the base material in the dicing layer is not particularly limited. The thickness of the substrate in the dicing layer is preferably 50 μm or more, more preferably 80 μm or more, preferably 200 μm or less, more preferably 160 μm or less. When the total thickness of the base materials is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the semiconductor wafer can be diced with higher accuracy and the pickup property can be further enhanced. Furthermore, the peelability of the release layer and the expandability of the dicing layer are further enhanced.

上記粘着部の厚みは特に限定されない。上記粘着部の厚みは、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。上記粘着部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、上記基材層と上記ダイシング層との剥離力を適度な範囲に制御することが容易になる。 The thickness of the said adhesion part is not specifically limited. The thickness of the adhesive part is preferably 2 μm or more, more preferably 5 μm or more, preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less. It becomes easy to control the peeling force of the said base material layer and the said dicing layer to a moderate range as the thickness of the said adhesion part is more than the said minimum and below the said upper limit.

図１に示すダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５は、基材５Ａと粘着部５Ｂとが積層された多層構造を有する。図６（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ６１のように、単層のダイシング層６２を形成してもよい。この場合には、ダイシング層６２を、粘着性を有する材料により形成することが好ましい。なお、ダイシング層６２は、ダイシング層５の貼付起点５Ｃと同様の貼付起点６２Ｃを有する。 In the dicing die bonding tape 1 shown in FIG. 1, the dicing layer 5 has a multilayer structure in which a base material 5A and an adhesive portion 5B are laminated. A single-layer dicing layer 62 may be formed as in the dicing-die bonding tape 61 shown in FIGS. In this case, it is preferable that the dicing layer 62 is formed of an adhesive material. The dicing layer 62 has a sticking start point 62C similar to the sticking start point 5C of the dicing layer 5.

（粘接着剤層付き半導体チップの製造方法）
次に、図１（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法の一例を以下説明する。 (Manufacturing method of semiconductor chip with adhesive layer)
Next, an example of a method for manufacturing a semiconductor chip with an adhesive layer when the dicing die bonding tape 1 shown in FIGS. 1A and 1B is used will be described.

先ず、ダイシング−ダイボンディングテープ１と、積層体２１とを用意する。 First, the dicing die bonding tape 1 and the laminated body 21 are prepared.

図２（ｄ）に示すように、積層体２１は、保護シート２２と、保護シート２２の一方の表面２２ａ（第１の表面）に積層されている分割後半導体ウェーハ２３とを有する。分割後半導体ウェーハ２３は個々の半導体チップに分割されている。分割後半導体ウェーハ２３の平面形状は略円形である。分割後半導体ウェーハ２３は、複数の半導体チップがマトリクス状に集合された状態である。分割後半導体ウェーハ２３は、ある方向Ｌ１（例えば縦方向）と、方向Ｌ１と直交する方向Ｌ２（例えば横方向）とに沿って、分割されている。分割後半導体ウェーハ２３は、後の切断（割裂）工程において、ダイシングラインに沿って、個々の半導体チップに分割される。 As illustrated in FIG. 2D, the stacked body 21 includes a protective sheet 22 and a divided semiconductor wafer 23 that is stacked on one surface 22 a (first surface) of the protective sheet 22. After the division, the semiconductor wafer 23 is divided into individual semiconductor chips. The planar shape of the divided semiconductor wafer 23 is substantially circular. The divided semiconductor wafer 23 is in a state in which a plurality of semiconductor chips are assembled in a matrix. The divided semiconductor wafer 23 is divided along a certain direction L1 (for example, the vertical direction) and a direction L2 (for example, the horizontal direction) orthogonal to the direction L1. The divided semiconductor wafer 23 is divided into individual semiconductor chips along dicing lines in a subsequent cutting (split) process.

分割後半導体ウェーハ２３を備える積層体２１は、周知のダイシング法に従って、得ることができる。例えば、積層体２１は、図２（ａ）〜（ｄ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。 The laminated body 21 including the divided semiconductor wafer 23 can be obtained according to a known dicing method. For example, the laminated body 21 can be obtained as follows through the respective steps shown in FIGS.

先ず、図２（ａ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａを用意する。半導体ウェーハ２３Ａは分割前半導体ウェーハである。半導体ウェーハ２３Ａの平面形状は円形である。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。 First, as shown in FIG. 2A, a semiconductor wafer 23A is prepared. The semiconductor wafer 23A is a pre-division semiconductor wafer. The planar shape of the semiconductor wafer 23A is a circle. On the surface 23a of the semiconductor wafer 23A, circuits for forming individual semiconductor chips are formed in each region partitioned by streets in a matrix.

図２（ｂ）に示すように、用意した半導体ウェーハ２３Ａを表面２３ａ側からダイシングする。ダイシングの後、半導体ウェーハ２３Ａは分断されていない。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、個々の半導体チップに分割するための切り込み２３ｃが形成されている。ダイシングは、例えば、高速回転するブレードを備えるダイシング装置等を用いて行われる。 As shown in FIG. 2B, the prepared semiconductor wafer 23A is diced from the surface 23a side. After the dicing, the semiconductor wafer 23A is not divided. On the surface 23a of the semiconductor wafer 23A, cuts 23c for dividing into individual semiconductor chips are formed. The dicing is performed using, for example, a dicing apparatus including a blade that rotates at high speed.

次に、図２（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａに、保護シート２２を貼り付ける。その後、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂを研削し、半導体ウェーハ２３Ａの厚みを薄くする。ここでは、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削している。このようにして、図２（ｄ）に示す積層体２１を得ることができる。 Next, as shown in FIG. 2C, a protective sheet 22 is attached to the surface 23a of the semiconductor wafer 23A. Thereafter, the back surface 23b of the semiconductor wafer 23A is ground to reduce the thickness of the semiconductor wafer 23A. Here, the back surface 23b of the semiconductor wafer 23A is ground to the notch 23c portion. Thus, the laminated body 21 shown in FIG.2 (d) can be obtained.

半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削することが好ましい。研削は、例えば研削磁石等を備えるグラインダなどの研削機を用いて行われる。研削時には、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには保護シート２２が貼り付けられているので、回路に研削屑が付着しない。また、研削後に半導体ウェーハ２３Ａが個々の半導体チップに分割されても、複数の半導体チップがばらばらにならずに保護シート２２に貼り付けられたままである。 The back surface 23b of the semiconductor wafer 23A is preferably ground to the notch 23c portion. Grinding is performed using a grinder such as a grinder equipped with a grinding magnet or the like. At the time of grinding, since the protective sheet 22 is affixed to the surface 23a of the semiconductor wafer 23A, grinding waste does not adhere to the circuit. Moreover, even if the semiconductor wafer 23A is divided into individual semiconductor chips after grinding, the plurality of semiconductor chips remain attached to the protective sheet 22 without being separated.

積層体２１を得た後、図３（ａ）に示すように、積層体２１を保護シート２２側からステージ２５上に載せる。ステージ２５上には、分割後半導体ウェーハ２３の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２６が設けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の他方の表面３ｂを、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付ける。また、露出したダイシング層５の延長部５ｘに位置する粘着部５Ｂを、貼付起点５Ｃからダイシングリング２６に貼り付ける。 After obtaining the laminated body 21, as shown in FIG. 3A, the laminated body 21 is placed on the stage 25 from the protective sheet 22 side. An annular dicing ring 26 is provided on the stage 25 at a position spaced apart from the outer peripheral side surface of the divided semiconductor wafer 23 by a predetermined distance. The other surface 3b of the exposed adhesive layer 3 is separated from the rear surface 23b of the semiconductor wafer 23 after being divided while peeling the release layer 2 of the dicing die bonding tape 1 or after peeling the release layer 2. paste. In addition, the adhesive portion 5B located at the extension portion 5x of the exposed dicing layer 5 is attached to the dicing ring 26 from the attachment starting point 5C.

図５（ａ）にダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付ける際の状態を正面断面図で示し、図５（ｂ）にダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けた後の状態を平面図で示す。 FIG. 5A is a front sectional view showing a state when the dicing layer 5 is attached to the dicing ring 26, and FIG. 5B is a plan view showing the state after the dicing layer 5 is attached to the dicing ring 26. Show.

図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付ける際には、剥離エッジ３２を用いて、ダイシング層５を貼付起点５Ｃから、離型層２の上面２ａから剥離する。剥離時に、貼付起点５Ｃ（一端）を突き出す。ダイシング層５の貼付起点５Ｃをダイシングリング２６に貼り付けて、貼付起点５Ｃ上をロール３１で押さえ付ける。そして、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に皺が生じないように、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を引き延ばしながら、ダイシング層５の外周部分をダイシングリング２６に貼り付けることが好ましい。 As shown in FIGS. 5A and 5B, when the dicing layer 5 is attached to the dicing ring 26, the peeling edge 32 is used to attach the dicing layer 5 from the sticking origin 5C to the upper surface of the release layer 2. Peel from 2a. At the time of peeling, the sticking origin 5C (one end) is protruded. The sticking start point 5C of the dicing layer 5 is attached to the dicing ring 26, and the top of the sticking start point 5C is pressed by the roll 31. And the outer peripheral part of the dicing layer 5 is extended, extending the adhesive layer 3, the base material layer 4, and the dicing layer 5 so that a wrinkle may not arise in the adhesive layer 3, the base material layer 4, and the dicing layer 5. Is preferably attached to the dicing ring 26.

ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けた後、図３（ｂ）に示すように、粘接着剤層３が貼り付けられた分割後半導体ウェーハ２３をステージ２５から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２６をダイシング層５に貼り付けた状態で取り出す。取り出した分割後半導体ウェーハ２３を表面２３ａが上方になるように裏返して、別のステージ２７上に載せる。 After the dicing layer 5 is attached to the dicing ring 26, as shown in FIG. 3B, the divided semiconductor wafer 23 to which the adhesive layer 3 is attached is taken out from the stage 25 and turned over. At this time, the dicing ring 26 is taken out with the dicing ring 26 attached to the dicing layer 5. The separated semiconductor wafer 23 taken out is turned over so that the front surface 23a faces upward, and is placed on another stage 27.

次に、図４（ａ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２３の表面２３ａから保護シート２２を剥離する。保護シート２２を剥離する際に、剥離を容易にするために、保護シート２２を加熱してもよい。ただし、保護シート２２を加熱する際に、粘接着剤層３を改質しないほうが好ましい。 Next, as shown in FIG. 4A, the protective sheet 22 is peeled from the surface 23 a of the divided semiconductor wafer 23. When the protective sheet 22 is peeled off, the protective sheet 22 may be heated to facilitate peeling. However, it is preferable not to modify the adhesive layer 3 when the protective sheet 22 is heated.

次に、図４（ｂ）に示すように、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを引き延ばして、粘接着剤層３をのみを切断する。このとき、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ａに沿って粘接着剤層３を切断し（ダイシング工程）、かつ分割後半導体ウェーハ２３における個々の半導体チップを離間させる。粘接着剤層３は、特定の基材層４に積層されており、かつ分割後半導体ウェーハ２３の裏面に貼り付けられているため、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ａに沿って、すなわちダイシングラインに沿って、粘接着剤層３を切断できる。粘接着剤層３の切断の後に、粘接着剤層３には切断部分３ｄが形成される。 Next, as shown in FIG.4 (b), the adhesive layer 3, the base material layer 4, and the dicing layer 5 are extended, and only the adhesive layer 3 is cut | disconnected. At this time, the adhesive layer 3 is cut along the cut portion 23a of the divided semiconductor wafer 23 (dicing step), and the individual semiconductor chips in the divided semiconductor wafer 23 are separated. Since the adhesive layer 3 is laminated on the specific base material layer 4 and is attached to the back surface of the divided semiconductor wafer 23, along the cut portion 23a of the divided semiconductor wafer 23, that is, The adhesive layer 3 can be cut along the dicing line. After cutting the adhesive layer 3, a cut portion 3 d is formed in the adhesive layer 3.

なお、本明細書では、粘接着剤層３を引き延ばして切断することを、割裂するともいう。粘接着剤層３を引き延ばして切断する作業（割裂）には、ダイシングも含まれることとし、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３を引き延ばして切断する（割裂する）ために用いることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１は、言い換えれば、割裂−ダイボンディングテープとも言える。 In the present specification, stretching and cutting the adhesive layer 3 is also referred to as splitting. Dicing is also included in the work (split) for extending and cutting the adhesive layer 3, and the dicing die bonding tape 1 is used for extending and cutting (split) the adhesive layer 3. Can be used. In other words, the dicing-die bonding tape 1 can be said to be a split-die bonding tape.

粘接着剤層３を引き伸ばす方法としては、例えば、ダイシングリング２６を押し下げる方法、並びに粘接着剤層３の下方から突き上げて、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に、図４（ｂ）に示す力Ａを付与する方法が挙げられる。力Ａの付与により、ダイシング層５が外側に向かって引っ張られ、それに呼応して基材層４に外側に向かって引っ張られる力Ｂ１，Ｂ２が付与され、結果として粘接着剤層３が引き伸ばされる。粘接着剤層３、基材層及びダイシング層５は、基材層４の上記第１の方向と上記第２の方向との双方に引き延ばされることが好ましく、中心から外側（径方向外側）に向かって全体が引き延ばされることが好ましく、中心から外側（径方向外側）に向かって全体が均一に引き延ばされることが好ましい。 As a method of stretching the adhesive layer 3, for example, a method of pushing down the dicing ring 26, and pushing up from below the adhesive layer 3, the adhesive layer 3, the base material layer 4 and the dicing layer 5 are pushed. A method of applying the force A shown in FIG. By applying the force A, the dicing layer 5 is pulled outward, and in response, the base layer 4 is applied with the forces B1 and B2 that are pulled outward. As a result, the adhesive layer 3 is stretched. It is. The adhesive layer 3, the base material layer, and the dicing layer 5 are preferably stretched in both the first direction and the second direction of the base material layer 4, and are outward from the center (outside in the radial direction). It is preferable that the whole is extended toward the outside), and it is preferable that the whole is uniformly extended from the center toward the outside (radially outside).

粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを引き伸ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質しないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５を引き伸ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質するために、粘接着剤層３を加熱（保護シート２２を剥離するための加熱を除く）及び冷却せず、かつレーザー光を照射しないことが好ましい。ただし、粘接着剤層３を改質してもよい。粘接着剤層３を改質しない場合であっても、粘接着剤層３付き半導体チップの製造効率がかなり高くなる。 It is preferable that the adhesive layer 3 is not modified before or during stretching of the adhesive layer 3, the base material layer 4, and the dicing layer 5. Before or during stretching the adhesive layer 3, the base material layer 4, and the dicing layer 5, the adhesive layer 3 is heated (the protective sheet 22 is peeled off) in order to modify the adhesive layer 3. It is preferable that the laser beam is not irradiated and the laser beam is not irradiated. However, the adhesive layer 3 may be modified. Even when the adhesive layer 3 is not modified, the manufacturing efficiency of the semiconductor chip with the adhesive layer 3 is considerably increased.

粘接着剤層３を切断した後、粘接着剤層３が積層された状態で、半導体チップを粘接着剤層３ごと非粘着層４から剥離して、取り出す。このようにして、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合には、分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられている粘接着剤層３部分の下方には、基材層４が位置しているので、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性が高くなる。粘接着剤層３の切断の後、粘接着剤層３付き半導体チップを基材層４から剥離する前に、ダイシング層５を引き延ばして、個々の半導体チップ間の間隔をさらに拡張してもよい。また、ダイシングの後に、粘接着剤層３と基材層４との間の剥離力を変化させることなく、半導体チップを取り出すことが好ましい。基材層４が非粘着性を有する非粘着層である場合には、ダイシングの後に、上記剥離力を変化させなくても、粘接着剤層３付き半導体チップを無理なく取り出すことができる。 After the adhesive layer 3 is cut, the semiconductor chip is peeled off from the non-adhesive layer 4 together with the adhesive layer 3 in a state where the adhesive layer 3 is laminated and taken out. In this way, a semiconductor chip with the adhesive layer 3 can be obtained. When the dicing die-bonding tape 1 is used, since the base material layer 4 is located below the adhesive layer 3 portion to which the divided semiconductor wafer 23 is attached, the adhesive bonding is performed. The pick-up property of the semiconductor chip with the agent layer 3 is improved. After cutting the adhesive layer 3, before the semiconductor chip with the adhesive layer 3 is peeled from the base layer 4, the dicing layer 5 is extended to further expand the interval between the individual semiconductor chips. Also good. Moreover, it is preferable to take out a semiconductor chip, without changing the peeling force between the adhesive layer 3 and the base material layer 4 after dicing. When the base material layer 4 is a non-adhesive layer having non-adhesive properties, the semiconductor chip with the adhesive layer 3 can be taken out without difficulty after the dicing without changing the peeling force.

以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described by giving examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.

（実施例１）
エポキシ基含有アクリル樹脂（日油社製「Ｇ−２０５０Ｍ」）１５重量部と、エポキシ基含有アクリル樹脂（日油社製「Ｇ−０１５０Ｍ」）２０重量部と、フェノキシ系エポキシ樹脂（三菱化学社製「１００４Ｆ」）４５重量部と、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」）２０重量部と、酸無水物系硬化剤（三菱化学社製「ＹＨ−３０９」）３５重量部と、イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業社製「２ＭＡＯＫ−ＤＳ」）５重量部と、無水超微細無定形シリカ（トクヤマ社製「ＭＴ−１０」）１０重量部と、アミノシランカップリング剤（チッソ社製「Ｓ３２０」）１重量部とを配合し、配合物を得た。得られた配合物をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分５０重量％となるように添加し、撹拌し、粘接着剤である硬化性組成物を得た。 (Example 1)
15 parts by weight of an epoxy group-containing acrylic resin (“G-2050M” manufactured by NOF Corporation), 20 parts by weight of an epoxy group-containing acrylic resin (“G-0150M” manufactured by NOF Corporation), and a phenoxy-based epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation) "1004F") 45 parts by weight, bisphenol A type liquid epoxy resin (DIC "EXA-850CRP") 20 parts by weight, and acid anhydride curing agent (Mitsubishi Chemical Corporation "YH-309") 35 parts by weight Part, 5 parts by weight of an imidazole-based curing accelerator (“2MAOK-DS” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), 10 parts by weight of anhydrous ultrafine amorphous silica (“MT-10” manufactured by Tokuyama), and an aminosilane coupling agent 1 part by weight (“S320” manufactured by Chisso Corporation) was blended to obtain a blend. The obtained formulation was added to methyl ethyl ketone (MEK) so as to have a solid content of 50% by weight and stirred to obtain a curable composition as an adhesive.

離型層である離型フィルム上に、得られた硬化性組成物を厚み７μｍになるように塗布し、１００℃で３分間オーブン中で加熱乾燥し、離型層上に粘接着剤層を形成した。 The obtained curable composition was applied to a release film as a release layer so as to have a thickness of 7 μm, dried by heating in an oven at 100 ° C. for 3 minutes, and an adhesive layer on the release layer. Formed.

粘接着剤層の離型層側とは反対の表面に、非粘着性を有する非粘着層（基材層）としてポリエチレンフィルム（タマポリ社製「Ｋ１３０７−０１１２３）」、厚み２０μｍ）をラミネートし、ラミネート体を得た。ラミネート体を円形に切り抜いた後、基材層の粘接着剤層側とは反対の表面にダイシング層としてＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学社製粘着フィルム、厚み７０μｍのポリエチレン基材層の片面に厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている。）を粘着剤層側から貼り付けた。粘接着剤層よりも大きな円形にダイシング層を切り抜いた。このようにして、離型層／粘接着剤層／基材層／ダイシング層の積層構造を有する４層のダイシング−ダイボンディングテープを作製した。 On the surface opposite to the release layer side of the adhesive layer, a polyethylene film (Tamapoly “K1307-01123”, thickness 20 μm) is laminated as a non-tacky non-tacky layer (base material layer). A laminate was obtained. After the laminate was cut into a circular shape, PE tape # 6318-B (adhesive film made by Sekisui Chemical Co., Ltd., 70 μm thick polyethylene base layer) was formed as a dicing layer on the surface opposite to the adhesive layer side of the base layer. A rubber-based pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm is formed on one surface.) Was attached from the pressure-sensitive adhesive layer side. The dicing layer was cut out in a larger circle than the adhesive layer. Thus, a four-layer dicing-die bonding tape having a laminate structure of release layer / adhesive layer / base material layer / dicing layer was produced.

（実施例２）
非粘着性を有する非粘着層（基材層）として、ポリエチレンフィルム（タマポリ社製「Ｋ１１１２−０２３４５」、厚み２０μｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、４層のダイシング−ダイボンディングテープを作製した。 (Example 2)
As a non-adhesive layer (base material layer) having non-adhesiveness, a 4-layer dicing die is used in the same manner as in Example 1 except that a polyethylene film (“K1112-02345” manufactured by Tamapoly Co., Ltd., thickness 20 μm) is used. A bonding tape was prepared.

（比較例１）
非粘着性を有する非粘着層（基材層）として、ポリエチレンフィルム（タマポリ社製「ＧＦ」、厚み２０μｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、４層のダイシング−ダイボンディングテープを作製した。 (Comparative Example 1)
A four-layer dicing die bonding tape in the same manner as in Example 1 except that a polyethylene film (“GF” manufactured by Tamapoly Co., Ltd., thickness 20 μm) was used as the non-adhesive layer (base material layer) having non-adhesive properties. Was made.

（比較例２）
２−エチルへキシルアクリレート９５重量部と、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部と、光ラジカル発生剤であるイルガキュア６５１（ＢＡＳＦ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部と、ラウリルメルカプタン０．０１重量部とを酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製「カレンズＭ０１」）３．５重量部を反応させて、（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル共重合体を得た。アクリル共重合体は、重量平均分子量が７０万であり、酸価が０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。 (Comparative Example 2)
95 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 0.2 part by weight of Irgacure 651 (manufactured by BASF, 50% ethyl acetate solution) as a photo radical generator, and 0 lauryl mercaptan 0.011 part by weight was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Polymerization was performed by irradiating this solution with ultraviolet rays to obtain an ethyl acetate solution of the polymer. Further, 100 parts by weight of the solid content of this solution was reacted with 3.5 parts by weight of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (“Karenz M01” manufactured by Showa Denko KK) to obtain an acrylic (meth) acrylic resin crosslinked product. A copolymer was obtained. The acrylic copolymer had a weight average molecular weight of 700,000 and an acid value of 0.86 (mgKOH / g).

得られたアクリル共重合体１００重量部と、Ｕ−３２４Ａ（新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー）２重量部と、光ラジカル発生剤であるイルガキュア６５１（ＢＡＳＦ社製）１重量部とを配合し、酢酸エチルに溶解し、組成物を得た。この組成物を離型フィルム上に、厚み５０μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間オーブン中で加熱乾燥し、フィルム状の組成物層を形成した。この組成物層上に離型フィルムを貼り付けた。その後、上記組成物層に高圧水銀灯下で３６５ｎｍの紫外線を２０００ｍＪ／ｃｍ^２で照射し、両面に離型フィルムが貼り付けられた非粘着性を有する非粘着層（基材層）を形成した。 100 parts by weight of the obtained acrylic copolymer, 2 parts by weight of U-324A (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., urethane acrylic oligomer), and 1 part by weight of Irgacure 651 (manufactured by BASF) which is a photo radical generator It mix | blended and melt | dissolved in ethyl acetate and the composition was obtained. This composition was applied onto a release film so as to have a thickness of 50 μm, and dried in an oven at 110 ° C. for 3 minutes to form a film-like composition layer. A release film was affixed on this composition layer. Thereafter, the composition layer was irradiated with ultraviolet rays of 365 nm at 2000 mJ / cm ² under a high-pressure mercury lamp to form a non-adhesive non-adhesive layer (base material layer) having a release film attached on both sides.

上記両面に離型フィルムが貼り付けられた基材層の、両面に貼り付けられた離型フィルムを剥がし、この基材層を用いたこと以外は実施例１と同様にして、４層のダイシング−ダイボンディングテープを作製した。 Four-layer dicing is performed in the same manner as in Example 1 except that the release film attached to both surfaces of the substrate layer having the release film attached to both surfaces is peeled off and this substrate layer is used. -Die bonding tape was prepared.

（破断伸度の評価）
実施例及び比較例における基材層として、縦５０ｍｍ×横１０ｍｍのサイズの基材層を用意した。引張試験器（オリエンテック社製「テンシロンＲＴＣ−１３１０」）を用いて、２３℃、標準間２５ｍｍ及び引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、得られた基材層の第１の方向と第２の方向との破断伸度を測定した。第１の方向は、貼付起点である一端と該一端とは反対側の他端とを結ぶ方向であり、ダイシング−ダイボンディングテープの流れ方向である。第２の方向は、第１の方向と直交する方向であり、ダイシング−ダイボンディングテープの流れ方向と直交する方向である。 (Evaluation of elongation at break)
As a base material layer in Examples and Comparative Examples, a base material layer having a size of 50 mm in length and 10 mm in width was prepared. Using a tensile tester (“Tensilon RTC-1310” manufactured by Orientec Co., Ltd.), the first direction and the second direction of the obtained base material layer were obtained at 23 ° C., 25 mm between standards, and 300 mm / min tensile speed. The elongation at break with the direction was measured. The first direction is a direction connecting one end as a sticking start point and the other end opposite to the one end, and is a flow direction of the dicing die bonding tape. The second direction is a direction orthogonal to the first direction and a direction orthogonal to the flow direction of the dicing die bonding tape.

（亀裂発生の評価）
先ダイシングされた分割後半導体ウェーハを有する積層体として、保護シートと、チップサイズ１０ｍｍ角に先ダイシングされた分割後半導体ウェーハ（シリコンミラーウェーハ、直径３００ｍｍ、厚み４０μｍ）との積層体を用いた。 (Evaluation of crack generation)
As a laminate having the pre-diced semiconductor wafer after division, a laminate of a protective sheet and a semiconductor wafer after division (silicon mirror wafer, diameter 300 mm, thickness 40 μm) pre-diced to a chip size of 10 mm square was used.

得られたダイシングーダイボンディングテープの離型層を粘接着剤層及びダイシング層から剥離して、粘接着剤層と、ダイシング層の外周部分とを露出させた。先ダイシングされた分割後半導体ウェーハの裏面に、ダイシング−ダイボンディングテープを粘接着剤層側から６０℃の温度でラミネートし、露出したダイシング層の外周部分をダイシングリングに貼り付けた。 The release layer of the obtained dicing die bonding tape was peeled off from the adhesive layer and the dicing layer to expose the adhesive layer and the outer peripheral portion of the dicing layer. A dicing die-bonding tape was laminated at a temperature of 60 ° C. from the adhesive layer side on the back surface of the divided semiconductor wafer that was previously diced, and the exposed outer peripheral portion of the dicing layer was attached to the dicing ring.

次に、粘接着剤層が貼り付けられた半導体ウェーハをステージから取り出して、裏返し、別のステージ上に載せた。その後、半導体ウェーハの表面から、６０℃で保護シートを剥離した。このとき、粘接着剤層は改質しないようにした。 Next, the semiconductor wafer with the adhesive layer attached was taken out of the stage, turned over, and placed on another stage. Thereafter, the protective sheet was peeled off at 60 ° C. from the surface of the semiconductor wafer. At this time, the adhesive layer was not modified.

次に、ダイボンダー（芝浦メカトロニクス社製「ＦＰＤ−７０００ＦＰ」）を用いて、２３℃及びエキスパンド量３．５ｍｍ、エキスパンド速度８ｍｍ／ｓｅｃの条件で、粘接着剤層と基材層とダイシング層とを引き延ばして、先ダイシングされた分割後半導体ウェーハの切断部分（ダイシングライン）に沿って、粘接着剤層を切断し、かつ先ダイシングされた分割後半導体ウェーハにおける個々の半導体チップを離間させた。 Next, using a die bonder ("FPD-7000FP" manufactured by Shibaura Mechatronics Co., Ltd.), the adhesive layer, the base material layer, and the dicing layer under the conditions of 23 ° C, an expansion amount of 3.5 mm, and an expansion speed of 8 mm / sec. The adhesive layer is cut along the cutting portion (dicing line) of the semiconductor wafer after the dicing after dicing, and the individual semiconductor chips in the dicing semiconductor wafer after dicing are separated from each other. .

上記の方法で粘接着剤層の切断を行った後、光学顕微鏡を用いて、基材層における亀裂の状態を観察した。亀裂の観察は、任意の個片化された半導体チップ間５０箇所に対して行い、亀裂発生個所の数を計測した。 After cutting the adhesive layer by the above method, the state of cracks in the base material layer was observed using an optical microscope. The cracks were observed at 50 points between any individual semiconductor chips, and the number of cracks was measured.

結果を下記の表１に示す。なお、亀裂発生箇所が無いか又は少ない場合に、粘接着剤層付き半導体チップの製造時に、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性に優れていた。 The results are shown in Table 1 below. In addition, when there were no or few crack generation | occurrence | production locations, the pick-up property of the semiconductor chip with an adhesive layer was excellent at the time of manufacture of the semiconductor chip with an adhesive layer.

１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
２ａ…上面
３…粘接着剤層
３ａ…一方の表面
３ｂ…他方の表面
３ｃ…外周側面
３ｄ…切断部分
４…基材層
４ａ…一方の表面
４ｂ…他方の表面
５…ダイシング層
５Ａ…基材
５Ｂ…粘着部
５ｘ…延長部
５Ｃ…貼付起点（一端）
２１…積層体
２２…保護シート
２２ａ…一方の表面
２３…分割後半導体ウェーハ
２３Ａ…半導体ウェーハ
２３ａ…表面
２３ｂ…裏面
２３ｃ…切り込み
２５…ステージ
２６…ダイシングリング
２７…ステージ
３１…ロール
３２…剥離エッジ
６１…ダイシング−ダイボンディングテープ
６２…ダイシング層
６２Ｃ…貼付起点（一端） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Dicing die-bonding tape 2 ... Release layer 2a ... Upper surface 3 ... Adhesive layer 3a ... One surface 3b ... Other surface 3c ... Outer peripheral side 3d ... Cutting part 4 ... Base material layer 4a ... One surface 4b ... the other surface 5 ... dicing layer 5A ... base material 5B ... adhesive part 5x ... extension part 5C ... sticking origin (one end)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 ... Laminated body 22 ... Protection sheet 22a ... One surface 23 ... Semiconductor wafer 23A after a division | segmentation 23A ... Semiconductor wafer 23a ... Front surface 23b ... Back surface 23c ... Notch 25 ... Stage 26 ... Dicing ring 27 ... Stage 31 ... Roll 32 ... Peeling edge 61 ... Dicing-die bonding tape 62 ... Dicing layer 62C ... Starting point (one end)

Claims

To obtain a semiconductor chip with an adhesive layer by cutting the adhesive layer after it has been attached to a semiconductor wafer after being divided into individual semiconductor chips by the prior dicing method. Used,
An adhesive layer;
A base material layer disposed on one surface side of the adhesive layer;
A dicing layer disposed on the surface side opposite to the adhesive layer side of the base material layer,
The dicing layer has a region projecting laterally from the outer peripheral side surface of the adhesive layer and the base material layer,
The base material layer in a second direction in which a breaking elongation of the base material layer in a first direction connecting one end and the opposite side to the one end is 100% or more and is orthogonal to the first direction. A dicing die bonding tape having a breaking elongation of 100% or more.

The dicing die bonding tape according to claim 1, wherein the base material layer is a non-adhesive layer having non-adhesiveness.

The dicing die bonding tape according to claim 1 or 2, wherein a material of the base material layer is a polyolefin resin.

With a release layer,
The surface opposite to the base material layer side of the adhesive layer is affixed to the release layer,
The surface of the area | region which protruded to the side rather than the outer peripheral side surface of the said adhesive layer of the said dicing layer and the said base material layer is affixed on the said mold release layer. The dicing-die bonding tape according to item 1.

With a release layer,
The release layer is elongated,
A plurality of laminates of the adhesive layer, the base material layer, and the dicing layer are arranged on the surface of the release layer side by side in the length direction of the long release layer. ,
The dicing-die bonding tape according to any one of claims 1 to 4, wherein the first direction is a direction along a length direction of the release layer.

The dicing layer has a base material, and an adhesive portion arranged on one surface side of the base material,
The dicing die according to any one of claims 1 to 5, wherein the dicing layer is disposed from the adhesive portion side on the surface side of the base material layer opposite to the adhesive layer side. Bonding tape.

The dicing-die bonding tape according to any one of claims 1 to 6, the protective sheet, and a semiconductor wafer after division that is laminated on one surface of the protective sheet and is divided into individual semiconductor chips. With a laminate having
Attaching the adhesive layer of the dicing die-bonding tape to the semiconductor wafer after the division of the laminate;
Attaching the dicing layer to a dicing ring;
Peeling the protective sheet from the divided semiconductor wafer;
Extending the adhesive layer and cutting along the cut portion of the semiconductor wafer after the division;
After cutting, the adhesive layer to which the semiconductor chip is attached is peeled off, and the semiconductor chip is removed together with the adhesive layer. Method.

Forming a notch in the first surface of the semiconductor wafer for dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor chips;
A step of attaching a protective sheet to the first surface of the semiconductor wafer in which the cuts are formed;
The method further comprises a step of grinding the second surface opposite to the first surface of the semiconductor wafer to which the protective sheet is attached, dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor chips, and obtaining the stacked body. The manufacturing method of the semiconductor chip with an adhesive agent layer of Claim 7.