JP2015069925A

JP2015069925A - Organic electroluminescent display device

Info

Publication number: JP2015069925A
Application number: JP2013205615A
Authority: JP
Inventors: 木村　泰一; Taiichi Kimura; 泰一木村
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2013-09-30
Filing date: 2013-09-30
Publication date: 2015-04-13

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve improvement in reliability of an organic electroluminescent display device.SOLUTION: An organic electroluminescent display device 1a comprises: a TFT substrate 20; and a light-emitting layer 33 formed on a display region D of the TFT substrate. The TFT substrate includes: an organic barrier layer 8 formed in at least the display region and made of an organic material; a first metal layer 7 covering a lower surface 8a of the organic barrier layer; a second metal layer 9 covering an upper surface 8b of the organic barrier layer; and a thin-film transistor 11 formed on the second metal layer.

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence display device.

近年、可撓性を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置が開発されている。このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、湾曲可能な樹脂基板を基材としており、樹脂基板上に薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ（thin film transistor）基板と、発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス（organic electro luminescent）素子とを備えている。 In recent years, flexible organic electroluminescence display devices have been developed. Such an organic electroluminescence display device uses a bendable resin substrate as a base material, a thin film transistor (TFT) substrate in which a thin film transistor is formed on the resin substrate, and an organic electroluminescent (organic electro luminescent display) having a light emitting layer. ) Element.

このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置としては例えば、特許文献１において、樹脂基板上に窒化シリコン膜からなる第１のバリア層と、樹脂フィルム層と、窒化シリコン膜からなる第２のバリア層と、薄膜トランジスタと、が順に積層されたＴＦＴ基板を有する構成が開示されている。この第２のバリア層は、第２の樹脂フィルムの上面と側面を覆うように形成されている。 As such an organic electroluminescence display device, for example, in Patent Document 1, a first barrier layer made of a silicon nitride film on a resin substrate, a resin film layer, and a second barrier layer made of a silicon nitride film, A configuration having a TFT substrate in which thin film transistors are sequentially stacked is disclosed. The second barrier layer is formed so as to cover the upper surface and the side surface of the second resin film.

特開２０１１−２２７３６９号公報JP 2011-227369 A

特許文献１に記載のフレキシブルな有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、樹脂基板や第１、第２のバリア層が薄くなるほどその防水性が低下し、樹脂フィルム層に水分が浸透するおそれが生じる。また、樹脂フィルム層に水分が浸透すると、複数の画素にわたって水分が拡散する。そして、樹脂フィルム層の水分が拡散した部分は劣化し、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の不良発生のおそれが生じる。 In the flexible organic electroluminescence display device described in Patent Document 1, as the resin substrate and the first and second barrier layers become thinner, the waterproof property is lowered, and there is a possibility that moisture penetrates into the resin film layer. Further, when moisture penetrates into the resin film layer, moisture diffuses over a plurality of pixels. And the part where the water | moisture content of the resin film layer spread | diffused deteriorates, and there exists a possibility that the defect generation | occurrence | production of an organic electroluminescent display apparatus may arise.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の信頼性の向上を実現することを目的とする。 This invention is made | formed in view of such a situation, Comprising: It aims at implement | achieving the improvement of the reliability of an organic electroluminescent display apparatus.

（１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、ＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板の表示領域上に形成された発光層と、を備え、前記ＴＦＴ基板は、少なくとも前記表示領域に形成された、有機材料からなる有機バリア層と、前記有機バリア層の下面を覆う第１金属層と、前記有機バリア層の上面を覆う第２金属層と、前記第２金属層上に形成された薄膜トランジスタと、を有することを特徴とする。 (1) An organic electroluminescence display device of the present invention includes a TFT substrate and a light emitting layer formed on a display region of the TFT substrate, and the TFT substrate is an organic material formed at least in the display region. An organic barrier layer made of a material; a first metal layer covering a lower surface of the organic barrier layer; a second metal layer covering an upper surface of the organic barrier layer; and a thin film transistor formed on the second metal layer. It is characterized by having.

（２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）において、前記有機バリア層の側面が前記第２金属層によって覆われていてもよい。 (2) In the organic electroluminescence display device of the present invention, in (1), a side surface of the organic barrier layer may be covered with the second metal layer.

（３）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）または（２）において、前記ＴＦＴ基板が、有機材料からなる湾曲可能な有機基材を有し、前記第１金属層が前記有機基材上に形成されていてもよい。 (3) In the organic electroluminescence display device of the present invention, in (1) or (2), the TFT substrate has a bendable organic base material made of an organic material, and the first metal layer is the organic group. It may be formed on a material.

（４）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（３）のいずれか一項において、前記第１金属層及び前記第２金属層の少なくとも一方は、複数の金属層が積層してもよい。 (4) The organic electroluminescence display device of the present invention is the organic electroluminescence display device according to any one of (1) to (3), wherein at least one of the first metal layer and the second metal layer is formed by laminating a plurality of metal layers. May be.

（５）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は（１）乃至（４）のいずれか一項において、前記ＴＦＴ基板が、前記表示領域とその外側の非表示領域とに区画され、前記第１金属層及び前記第２金属層の外周が、平面視で前記非表示領域の外周よりも内側にあってもよい。 (5) The organic electroluminescence display device according to the present invention is the organic electroluminescence display device according to any one of (1) to (4), wherein the TFT substrate is partitioned into the display area and a non-display area outside the display area. The outer periphery of the layer and the second metal layer may be inside the outer periphery of the non-display area in plan view.

（６）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（５）のいずれか一項において、前記第１金属層の下側に、金属からなる熱拡散層が形成されていてもよい。 (6) In the organic electroluminescence display device of the present invention, in any one of (1) to (5), a thermal diffusion layer made of metal may be formed below the first metal layer. .

（７）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（６）のいずれか一項において、前記第１金属層がグランドとして機能してもよい。 (7) In the organic electroluminescence display device of the present invention, in any one of (1) to (6), the first metal layer may function as a ground.

（８）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（７）のいずれか一項において、前記第１金属層及び前記第２金属層が蒸着により形成されてもよい。 (8) In the organic electroluminescence display device of the present invention, in any one of (1) to (7), the first metal layer and the second metal layer may be formed by vapor deposition.

上記（１）乃至（８）のいずれかによれば、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、有機バリア層への水分の浸透が抑えられる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の信頼性の向上を実現することができる。 According to any one of the above (1) to (8), the penetration of moisture into the organic barrier layer can be suppressed as compared with the organic electroluminescence display device not having this configuration. For this reason, the improvement of the reliability of an organic electroluminescent display apparatus is realizable.

図１は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of the organic electroluminescence display device according to the first embodiment. 図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view taken along the line II-II of the organic electroluminescence display device shown in FIG. 図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩＩ領域の部分拡大図である。FIG. 3 is a partial enlarged view of region III of the organic electroluminescence display device shown in FIG. 図４は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。4 is a partially enlarged view showing a modification of the organic electroluminescence display device shown in FIG. 2 in the same field of view as FIG. 図５は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を図２と同様の視野において示す概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the organic electroluminescence display device according to the second embodiment in the same field of view as FIG. 図６は図５に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図２と同様の視野において示す概略断面図である。6 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the organic electroluminescence display device shown in FIG. 5 in the same field of view as FIG.

以下、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａを例として図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。 Hereinafter, an organic electroluminescence display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings, taking the organic electroluminescence display device 1a as an example. Note that the drawings referred to in the following description may show the features that are enlarged for convenience in order to make the features easier to understand, and the dimensional ratios of the respective components are not always the same as the actual ones. Absent. In addition, the materials and the like exemplified in the following description are examples, and each component may be different from them, and can be changed and implemented without changing the gist thereof.

図１は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの概略平面図であり、図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａのＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは可撓性を有しており、表示領域Ｄと非表示領域Ｅとに区画されたＴＦＴ基板（薄膜トランジスタ基板）２０と、フレキシブル回路基板２と、ＴＦＴ基板２０の非表示領域Ｅ上に配置されたＩＣチップ（Integrated Circuit）３と、ＴＦＴ基板２０の表示領域Ｄに対向して配置された対向基板５０と、を有している。 FIG. 1 is a schematic plan view of the organic electroluminescence display device 1a according to the first embodiment, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line II-II of the organic electroluminescence display device 1a shown in FIG. The organic electroluminescence display device 1 a has flexibility, and the TFT substrate (thin film transistor substrate) 20 divided into the display region D and the non-display region E, the flexible circuit substrate 2, and the non-display of the TFT substrate 20. An IC chip (Integrated Circuit) 3 disposed on the region E and a counter substrate 50 disposed to face the display region D of the TFT substrate 20 are provided.

ＩＣチップ３は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの外部からフレキシブル回路基板２を介して画像データが供給される、ＴＦＴ基板２０上に配置されたＩＣ（Integrated Circuit）である。図１に示すように、ＩＣチップ３は、ＴＦＴ基板２０の上面２０ａのうち、対向基板５０が配置されていない領域２０ａ_１に設けられている。また、ＩＣチップ３は、非表示領域Ｅに形成された図示しない配線によって、後述する薄膜トランジスタ１１に接続されている。 The IC chip 3 is an IC (Integrated Circuit) disposed on the TFT substrate 20 to which image data is supplied from the outside of the organic electroluminescence display device 1 a via the flexible circuit board 2. As shown in FIG. 1, the IC chip 3 is provided in a region 20 a ₁ where the counter substrate 50 is not disposed on the upper surface 20 a of the TFT substrate 20. Further, the IC chip 3 is connected to a thin film transistor 11 described later by a wiring (not shown) formed in the non-display area E.

ＴＦＴ基板２０は、後述する薄膜トランジスタ１１が形成されるための部材であり、表示領域Ｄとその外側の非表示領域Ｅとに区画されている。ＴＦＴ基板２０は表示領域Ｄと非表示領域Ｅにおいて、熱拡散層４上に、有機基材５と、第１ＳｉＮ層６ａと、第１ＳｉＯ_２層６ｂと、第１金属層７と、有機バリア層８と、第２金属層９と、第２ＳｉＮ層１０ａと、第２ＳｉＯ_２層１０ｂとが積層されており、第２ＳｉＯ_２層１０ｂの表示領域Ｄ上に薄膜トランジスタ１１を有する回路層１２が形成されている。 The TFT substrate 20 is a member for forming a thin film transistor 11 described later, and is divided into a display region D and a non-display region E outside thereof. In the display area D and the non-display area E, the TFT substrate 20 has an organic base material 5, a first SiN layer 6 a, a first SiO ₂ layer 6 b, a first metal layer 7, and an organic barrier layer on the thermal diffusion layer 4. 8, a second metal layer 9, a second SiN layer 10a, and a second SiO ₂ layer 10b are laminated, and a circuit layer 12 having a thin film transistor 11 is formed on the display region D of the _second SiO ₂ layer 10b. Yes.

また、ＴＦＴ基板２０の表示領域Ｄ上には、平坦化膜１３と有機エレクトロルミネッセンス素子形成領域２９と封止膜４０とが積層され、封止膜４０上には、充填剤４５を介して対向基板５０が配置されている。この充填剤４５は、非表示領域Ｅに配置されたシール材Ｓによって封止されている。 Further, the planarizing film 13, the organic electroluminescence element forming region 29, and the sealing film 40 are stacked on the display region D of the TFT substrate 20, and are opposed to each other via the filler 45 on the sealing film 40. A substrate 50 is disposed. The filler 45 is sealed with a sealing material S disposed in the non-display area E.

図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａのＩＩＩ領域の部分拡大図である。以下、各構成についてその詳細を説明する。熱拡散層４は、薄膜トランジスタ１１や、有機エレクトロルミネッセンス素子形成領域２９における、後述する有機エレクトロルミネッセンス素子３０からの熱を拡散させるために設けられる層である。熱拡散層４は金属からなることが好ましいが、熱を拡散させる機能を有すればその他の材料から形成されていてもよい。また、熱拡散層４は、少なくとも表示領域Ｄにおける第１金属層７の下側（有機基材５側）を覆うように形成されていればよいが、図２に示すように表示領域Ｄから非表示領域Ｅまでの全面にわたって形成されていてもよい。 FIG. 3 is a partially enlarged view of region III of the organic electroluminescence display device 1a shown in FIG. Details of each component will be described below. The thermal diffusion layer 4 is a layer provided for diffusing heat from the organic electroluminescence element 30 described later in the thin film transistor 11 and the organic electroluminescence element formation region 29. The thermal diffusion layer 4 is preferably made of metal, but may be formed of other materials as long as it has a function of diffusing heat. Further, the thermal diffusion layer 4 may be formed so as to cover at least the lower side (the organic base material 5 side) of the first metal layer 7 in the display region D. However, as shown in FIG. It may be formed over the entire surface up to the non-display area E.

有機基材５は有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの基材として機能する湾曲可能な基材である。有機基材５は例えば樹脂などの有機材料からなり、具体的には例えばポリイミドが用いられる。なお、有機基材５の材料は有機材料に限られず、ＴＦＴ基板２０を湾曲可能な柔軟性を有する材料であれば、その他の材料であってもよい。 The organic base material 5 is a bendable base material that functions as a base material of the organic electroluminescence display device 1a. The organic base material 5 consists of organic materials, such as resin, for example, specifically, a polyimide is used, for example. The material of the organic base material 5 is not limited to an organic material, and any other material may be used as long as the material has flexibility capable of bending the TFT substrate 20.

有機基材５上には、第１ＳｉＮ層６ａと第１ＳｉＯ_２層６ｂとが形成されている。このように第１ＳｉＮ層６ａと第１ＳｉＯ_２層６ｂとが有機基材５の上面を覆うように形成されていることにより、有機基材５の外側から侵入した水分が薄膜トランジスタ１１や有機エレクトロルミネッセンス素子３０に浸透することが防がれる。なお、本実施形態においては、有機基材５側から対向基板５０側へ第１ＳｉＮ層６ａと第１ＳｉＯ_２層６ｂとが順に積層されているが、ＳｉＮ層とＳｉＯ_２層の順序は逆でもよい。また、第１ＳｉＮ層６ａと第１ＳｉＯ_２層６ｂは、二層が積層した構造に限られず、少なくともいずれか一方が形成されていてもよい。 On the organic substrate 5, a first 1SiN layer 6a and the 1SiO ₂ layer 6b is formed. By thus a first 1SiN layer 6a and the 1SiO ₂ layer 6b is formed to cover the upper surface of the organic substrate 5, moisture entering from the outside of the organic substrate 5 is a thin film transistor 11 and the organic electroluminescence element Penetration into 30 is prevented. In the present embodiment, the first SiN layer 6a and the first SiO ₂ layer 6b are sequentially laminated from the organic base material 5 side to the counter substrate 50 side, but the order of the SiN layer and the SiO ₂ layer may be reversed. . Further, the first SiN layer 6a and the first SiO ₂ layer 6b are not limited to a structure in which two layers are stacked, and at least one of them may be formed.

なお、第１ＳｉＮ層６ａと第１ＳｉＯ_２層６ｂが有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの基材として機能し、かつ、湾曲可能な程度の厚さを有するのであれば、先述した有機基材５の代わりに、これらが基材として用いられてもよい。 Note that the 1SiN layer 6a and the 1SiO ₂ layer 6b functions as a substrate for an organic electroluminescence display device 1a, and, if having a thickness enough to be bent, in place of the organic base material 5 previously described These may be used as a substrate.

第１金属層７は、後述する有機バリア層８への水分の浸透を防ぎ、かつ、薄膜トランジスタ１１及び有機エレクトロルミネッセンス素子３０からの熱を拡散するために設けられている。第１金属層７は、後述する有機バリア層８の下面８ａの全面を覆っていることが好ましいが、下面８ａの少なくとも一部を覆うように形成されていればよい。 The first metal layer 7 is provided to prevent moisture from penetrating into the organic barrier layer 8 to be described later and to diffuse the heat from the thin film transistor 11 and the organic electroluminescence element 30. The first metal layer 7 preferably covers the entire lower surface 8a of the organic barrier layer 8 to be described later, but may be formed so as to cover at least a part of the lower surface 8a.

第１金属層７の材料としては、具体的には例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、またはこれらの合金であるＴｉＷやＭｏＷを用いることができる。なお、第１金属層７の材料はここに挙げた金属に限定されず、その他の金属であってもよい。 Specifically, for example, Al, Ti, Mo, W, or an alloy thereof such as TiW or MoW can be used as the material of the first metal layer 7. In addition, the material of the 1st metal layer 7 is not limited to the metal quoted here, Another metal may be sufficient.

また、第１金属層７の厚さは、１００ｎｍ以上、１μｍ以下であることが好ましいが、蒸着により形成されたものであれば１００ｎｍ未満の厚さであってもよい。蒸着により形成された第１金属層７は、他の方法で形成された金属層と比べてその表面粗さが小さくなる。このため、第１金属層７が１００ｎｍ未満の厚さであっても、十分な防水性を確保することができる。また、第１金属層７はグランドとして機能してもよい。具体的には例えば、第１金属層７は、図示しない配線に接続されることにより一定の電位に保たれる。 The thickness of the first metal layer 7 is preferably 100 nm or more and 1 μm or less, but may be less than 100 nm as long as it is formed by vapor deposition. The first metal layer 7 formed by vapor deposition has a smaller surface roughness than metal layers formed by other methods. For this reason, even if the first metal layer 7 has a thickness of less than 100 nm, sufficient waterproofness can be ensured. The first metal layer 7 may function as a ground. Specifically, for example, the first metal layer 7 is kept at a constant potential by being connected to a wiring (not shown).

有機バリア層８は、有機基材５の外側から侵入した水分が薄膜トランジスタ１１や有機エレクトロルミネッセンス素子形成領域２９に浸透することを防ぐために設けられている。例えば、第１ＳｉＮ層６ａと第１ＳｉＯ_２層６ｂのＣＶＤ成膜時や、第１金属層７のスパッタ時に付着した異物によりカバレッジ不良によるピンホールが発生して水分の浸透防止が損なわれたとしても、一旦有機バリア層８により、これらの膜の表面が平坦化される。このため、次工程以降の成膜において、カバレッジ不良となった箇所が引き継がれることが防がれるとともに、水分の浸透防止機能を維持することが可能になる。有機バリア層８は有機材料からなり、第１金属層７によってその下面８ａが覆われている。有機バリア層８は例えばポリイミドからなるが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａを湾曲可能とする有機材料であれば、その他の材料が用いられてもよい。有機バリア層８は表示領域Ｄの全面を覆うように形成されていることが好ましく、非表示領域Ｅにまでわたって形成されていることが特に好ましい。 The organic barrier layer 8 is provided to prevent moisture that has entered from the outside of the organic substrate 5 from penetrating into the thin film transistor 11 and the organic electroluminescence element forming region 29. For example, even when the first SiN layer 6a and the first SiO ₂ layer 6b are formed by CVD, or when foreign matter adhered during sputtering of the first metal layer 7 causes pinholes due to poor coverage and the prevention of moisture penetration is impaired. The surfaces of these films are flattened by the organic barrier layer 8 once. For this reason, in the film formation after the next step, it is possible to prevent the location where the coverage is poor from being taken over and to maintain the moisture permeation preventing function. The organic barrier layer 8 is made of an organic material, and the lower surface 8 a is covered with the first metal layer 7. The organic barrier layer 8 is made of, for example, polyimide, but other materials may be used as long as the organic electroluminescent display device 1a can be bent. The organic barrier layer 8 is preferably formed so as to cover the entire surface of the display region D, and particularly preferably formed over the non-display region E.

第２金属層９は、有機バリア層８への水分の浸透を防ぎ、かつ、薄膜トランジスタ１１及び有機エレクトロルミネッセンス素子３０からの熱を拡散するために設けられている。第２金属層９は有機バリア層８の上面８ｂ全体を覆うように形成されていることが好ましい。また、第２金属層９の材料としては、第１金属層７と同様にＡｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、またはこれらの合金であるＴｉＷやＭｏＷなどの金属を選択することができる。また、第２金属層９の厚さは、１００ｎｍ以上、１μｍ以下であることが好ましいが、蒸着により形成された第２金属層９であれば、１００ｎｍ未満の厚さであってもよい。 The second metal layer 9 is provided in order to prevent the penetration of moisture into the organic barrier layer 8 and to diffuse the heat from the thin film transistor 11 and the organic electroluminescence element 30. The second metal layer 9 is preferably formed so as to cover the entire upper surface 8 b of the organic barrier layer 8. As the material of the second metal layer 9, similarly to the first metal layer 7, a metal such as Al, Ti, Mo, W, or an alloy thereof such as TiW or MoW can be selected. The thickness of the second metal layer 9 is preferably 100 nm or more and 1 μm or less, but may be less than 100 nm as long as the second metal layer 9 is formed by vapor deposition.

なお、第１金属層７及び第２金属層９の構成は図３に示すものに限られず、その少なくとも一方が、複数の金属層が積層してなる金属層であってもよい。図４は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。具体的には例えば、第１金属層７は、第１ＳｉＯ_２層６ｂ上を覆うように形成された第一層７ａと、第一層７ａ上に積層された第二層７ｂとから構成されており、第２金属層９は、有機バリア層８の上面８ｂを覆うように形成された第一層９ａと、第一層９ａ上に積層された第二層９ｂとから構成されている。 The configurations of the first metal layer 7 and the second metal layer 9 are not limited to those shown in FIG. 3, and at least one of them may be a metal layer formed by laminating a plurality of metal layers. FIG. 4 is a partially enlarged view showing a modification of the organic electroluminescence display device 1a shown in FIG. 2 in the same field of view as FIG. Specifically, for example, the first metal layer 7 includes a first layer 7a formed so as to cover the first SiO ₂ layer 6b and a second layer 7b stacked on the first layer 7a. The second metal layer 9 is composed of a first layer 9a formed so as to cover the upper surface 8b of the organic barrier layer 8, and a second layer 9b laminated on the first layer 9a.

このような第一層７ａ、第二層７ｂ、第一層９ａ及び第二層９ｂの材料としては、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、またはこれらの合金であるＴｉＷやＭｏＷなどが挙げられるが、これらに限定されず、その他の金属であってもよい。また、第１金属層７及び第２金属層９は図４に示すような二層構造に限られず、三以上の金属層が積層してもよい。なお、第１金属層７及び第２金属層９は、両方が複数の金属層が積層してなることが特に好ましいが、少なくともいずれか一方が積層構造を有していてもよい。 Examples of the material of the first layer 7a, the second layer 7b, the first layer 9a, and the second layer 9b include Al, Ti, Mo, W, or TiW or MoW that are alloys thereof. However, it is not limited to these, and other metals may be used. Further, the first metal layer 7 and the second metal layer 9 are not limited to the two-layer structure as shown in FIG. 4, and three or more metal layers may be laminated. The first metal layer 7 and the second metal layer 9 are particularly preferably formed by laminating a plurality of metal layers, but at least one of them may have a laminated structure.

図３に示すように、第２金属層９上には、第２ＳｉＮ層１０ａと第２ＳｉＯ_２層１０ｂとが形成されている。このように、第２ＳｉＮ層１０ａと第２ＳｉＯ_２層１０ｂとが第２金属層９の上面を覆うように形成されることにより、有機基材５の外側から侵入した水分が薄膜トランジスタ１１や有機エレクトロルミネッセンス素子３０に浸透することが防がれる。なお、第２ＳｉＮ層１０ａと第２ＳｉＯ_２層１０ｂの積層の順序は図３に示す順に限られず、その逆でもよい。 As shown in FIG. 3, a second SiN layer 10 a and a second SiO ₂ layer 10 b are formed on the second metal layer 9. In this way, the second SiN layer 10a and the _second SiO ₂ layer 10b are formed so as to cover the upper surface of the second metal layer 9, so that moisture that has entered from the outside of the organic base material 5 can be obtained from the thin film transistor 11 or the organic electroluminescence. Infiltration into the element 30 is prevented. Note that the order of stacking the _second SiN layer 10a and the _second SiO ₂ layer 10b is not limited to the order shown in FIG. 3, and vice versa.

また、第２ＳｉＮ層１０ａと第２ＳｉＯ_２層１０ｂは、いずれか一方が形成されていてもよく、ボトムゲートアモルファスＴＦＴの場合は第２ＳｉＮ層１０ａ、トップゲート低温ポリシリコンＴＦＴの場合は第２ＳｉＯ_２層１０ｂが形成されていることが好ましい。 Further, either one of the _second SiN layer 10a and the _second SiO ₂ layer 10b may be formed. In the case of the bottom gate amorphous TFT, the second SiN layer 10a, and in the case of the top gate low-temperature polysilicon TFT, the second SiO ₂ layer. 10b is preferably formed.

回路層１２は、薄膜トランジスタ１１及び図示しない電気配線が形成された層であり、有機エレクトロルミネッセンス素子３０を駆動するために形成されている。 The circuit layer 12 is a layer in which the thin film transistor 11 and electric wiring (not shown) are formed, and is formed to drive the organic electroluminescence element 30.

薄膜トランジスタ１１は第２金属層９上に画素Ｐごとに形成されており、具体的には例えば、ポリシリコン半導体層１１ａ、第１の絶縁膜１１ｂ、ゲート電極１１ｃ、第２の絶縁膜１１ｄ、ソース・ドレイン電極１１ｅ、及び、第３の絶縁膜１１ｆから構成されている。このうち、第２の絶縁膜１１ｄ及び第３の絶縁膜１１ｆは、ゲート電極１１ｃとソース・ドレイン電極１１ｅとの間の絶縁性を保つために形成されている。 The thin film transistor 11 is formed on the second metal layer 9 for each pixel P. Specifically, for example, a polysilicon semiconductor layer 11a, a first insulating film 11b, a gate electrode 11c, a second insulating film 11d, a source -It is comprised from the drain electrode 11e and the 3rd insulating film 11f. Among these, the second insulating film 11d and the third insulating film 11f are formed to maintain insulation between the gate electrode 11c and the source / drain electrode 11e.

回路層１２上（第３の絶縁膜１１ｆ上）は、絶縁材料からなる平坦化膜１３によって覆われている。平坦化膜１３は、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス素子３０との間に形成されることにより有機エレクトロルミネッセンス素子３０の発光層の平坦化や、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス素子３０との間を電気的に絶縁する。 The circuit layer 12 (on the third insulating film 11f) is covered with a planarizing film 13 made of an insulating material. The planarization film 13 is formed between the thin film transistor 11 and the organic electroluminescence element 30 to thereby planarize the light emitting layer of the organic electroluminescence element 30 and to electrically connect the thin film transistor 11 and the organic electroluminescence element 30. Insulate.

平坦化膜１３は、例えばＳｉＯ_２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等の絶縁性を有する材料からなる。また、平坦化膜１３には、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス素子３０とを接続するコンタクトホール３２ａが形成されている。 The planarizing film 13 is made of an insulating material such as SiO ₂ , SiN, acrylic, or polyimide. In addition, a contact hole 32 a that connects the thin film transistor 11 and the organic electroluminescence element 30 is formed in the planarizing film 13.

また、平坦化膜１３上の各画素Ｐに対応する領域には、図示しない反射膜が形成されていてもよい。反射膜は、後述する有機エレクトロルミネッセンス素子３０から出射した光を対向基板５０側へ向けて反射するために設けられる。反射膜は、光反射率が高いほど好ましく、例えばアルミニウムや銀（Ａｇ）等からなる金属膜を用いることができる。 In addition, a reflective film (not shown) may be formed in a region corresponding to each pixel P on the planarizing film 13. The reflective film is provided to reflect light emitted from the organic electroluminescence element 30 described later toward the counter substrate 50 side. The reflective film preferably has a higher light reflectance, and for example, a metal film made of aluminum, silver (Ag), or the like can be used.

ＴＦＴ基板２０の表示領域Ｄ上に対応する平坦化膜１３上の領域には、有機エレクトロルミネッセンス素子形成領域２９が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス素子形成領域２９は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子３０と画素分離膜１４とを有している。 An organic electroluminescence element formation region 29 is formed in a region on the planarizing film 13 corresponding to the display region D of the TFT substrate 20. The organic electroluminescence element forming region 29 has a plurality of organic electroluminescence elements 30 and a pixel separation film 14.

有機エレクトロルミネッセンス素子３０は、各画素Ｐに応じてマトリクス状に形成されている。また、有機エレクトロルミネッセンス素子３０は、陽極３２と、少なくとも発光層を有する有機層３３と、有機層３３上を覆うように形成された陰極３４とを有することにより、発光源として機能する。 The organic electroluminescence element 30 is formed in a matrix according to each pixel P. The organic electroluminescence element 30 functions as a light emission source by including an anode 32, an organic layer 33 having at least a light emitting layer, and a cathode 34 formed so as to cover the organic layer 33.

陽極３２は、有機層３３に駆動電流を注入する電極である。陽極３２はコンタクトホール３２ａに接続することにより、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続されて、薄膜トランジスタ１１から駆動電流が供給される。 The anode 32 is an electrode that injects a drive current into the organic layer 33. The anode 32 is electrically connected to the thin film transistor 11 by being connected to the contact hole 32 a, and a driving current is supplied from the thin film transistor 11.

陽極３２は導電性を有する材料からなる。陽極３２の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であることが好ましいが、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物等の透光性及び導電性を有する材料であってもよい。なお、反射膜が銀等の金属からなり、かつ、陽極３２に接触するものであれば、反射膜は陽極３２の一部として機能する。 The anode 32 is made of a conductive material. Specifically, the material of the anode 32 is preferably, for example, ITO (Indium Tin Oxide), but IZO (indium zinc composite oxide), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, aluminum oxide composite oxide, A material having translucency and conductivity may be used. If the reflective film is made of a metal such as silver and is in contact with the anode 32, the reflective film functions as a part of the anode 32.

隣接する各陽極３２同士の間には、隣接する画素Ｐ同士の境界に沿って画素分離膜１４が形成されている。画素分離膜１４は、隣接する陽極３２同士の接触と、陽極３２と陰極３４との間の漏れ電流と、を防止する機能を有する。画素分離膜１４は絶縁材料からなり、具体的には例えば、感光性の樹脂組成物からなる。 A pixel separation film 14 is formed between the adjacent anodes 32 along the boundary between the adjacent pixels P. The pixel separation film 14 has a function of preventing contact between adjacent anodes 32 and leakage current between the anode 32 and the cathode 34. The pixel isolation film 14 is made of an insulating material, specifically, for example, a photosensitive resin composition.

有機層３３は少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された層であり、陽極３２上を覆うように形成されている。有機層３３は、陽極３２毎に形成された構成に限られず、表示領域Ｄ内のうち、画素Ｐの配置されている領域の全面を覆うように形成されていてもよい。有機層３３は光を発する発光層を有しており、その発光は、白色でも、その他の色であってもよい。 The organic layer 33 is a layer formed of an organic material having at least a light emitting layer, and is formed so as to cover the anode 32. The organic layer 33 is not limited to the configuration formed for each anode 32, and may be formed so as to cover the entire area of the display area D in which the pixels P are arranged. The organic layer 33 has a light emitting layer that emits light, and the light emission may be white or other colors.

有機層３３は、例えば、陽極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであれば、その積層構造は限定されない。発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。 For example, the organic layer 33 is formed by laminating a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer (not shown) in order from the anode 32 side. In addition, the laminated structure of the organic layer 33 is not restricted to what was mentioned here, If the light emitting layer is included at least, the laminated structure will not be limited. The light emitting layer is composed of, for example, an organic electroluminescent material that emits light by combining holes and electrons.

陰極３４は、有機層３３上を覆うように形成されている。陰極３４は、画素Ｐ毎に形成された構成に限られず、表示領域Ｄ内のうち、画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成されていてもよい。このような構成を有することにより、陰極３４は複数の有機エレクトロルミネッセンス素子３０の有機層３３に共通に接触する。 The cathode 34 is formed so as to cover the organic layer 33. The cathode 34 is not limited to the configuration formed for each pixel P, and may be formed so as to cover the entire area of the display area D where the pixels P are arranged. By having such a configuration, the cathode 34 is in common contact with the organic layers 33 of the plurality of organic electroluminescence elements 30.

陰極３４は透光性及び導電性を有する材料からなる。陰極３４の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯであることが好ましいが、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、あるいは銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したものであってもよい。 The cathode 34 is made of a material having translucency and conductivity. Specifically, the material of the cathode 34 is preferably, for example, ITO. However, a conductive metal oxide such as ITO or InZnO mixed with a metal such as silver or magnesium, or a metal thin film such as silver or magnesium. And a conductive metal oxide may be laminated.

有機エレクトロルミネッセンス素子３０上（陰極３４上）は、複数の画素Ｐにわたって封止膜４０により覆われている。封止膜４０は、有機層３３をはじめとする各層への酸素や水分の浸透を防ぐ、絶縁材料からなる透明の膜であり、例えばＴＦＴ基板２０全体を覆うように形成されている。 The organic electroluminescence element 30 (on the cathode 34) is covered with a sealing film 40 over a plurality of pixels P. The sealing film 40 is a transparent film made of an insulating material that prevents permeation of oxygen and moisture into each layer including the organic layer 33. For example, the sealing film 40 is formed so as to cover the entire TFT substrate 20.

封止膜４０の上面４０ａは、例えば無機材料からなる充填剤４５を介して対向基板５０によって覆われている。対向基板５０は例えば平面視でＴＦＴ基板２０よりも小さい外周を有する基板であり、ＴＦＴ基板２０の表示領域Ｄに対向するように配置されている。 The upper surface 40a of the sealing film 40 is covered with the counter substrate 50 via a filler 45 made of, for example, an inorganic material. The counter substrate 50 is a substrate having an outer periphery smaller than that of the TFT substrate 20 in a plan view, for example, and is disposed so as to face the display region D of the TFT substrate 20.

このような対向基板５０としては具体的には例えば、有機層３３の発光層が白色光を発するものである場合には、カラーフィルタ基板を用いることができる。対向基板５０としてカラーフィルタ基板を用いることにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａはカラー表示を可能とする。 Specifically, for example, when the light emitting layer of the organic layer 33 emits white light, a color filter substrate can be used as the counter substrate 50. By using a color filter substrate as the counter substrate 50, the organic electroluminescence display device 1a enables color display.

本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、有機バリア層８の下面８ａが第１金属層７によって覆われ、その上面８ｂが第２金属層９によって覆われていることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、有機バリア層８への水分の浸入が抑えられる。このため、有機バリア層８に水分が浸透することによる有機バリア層８の品質の劣化や不良発生が防がれ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの信頼性の向上を実現することができる。 The organic electroluminescence display device 1 a according to the present embodiment has this configuration because the lower surface 8 a of the organic barrier layer 8 is covered with the first metal layer 7 and the upper surface 8 b is covered with the second metal layer 9. In comparison with an organic electroluminescence display device that does not, moisture permeation into the organic barrier layer 8 is suppressed. For this reason, the deterioration of the quality of the organic barrier layer 8 and the occurrence of defects due to the penetration of moisture into the organic barrier layer 8 are prevented, and the reliability of the organic electroluminescence display device 1a can be improved.

また、このような構成を有することにより、有機基材５の下側から有機エレクトロルミネッセンス素子３０の有機層３３への水分浸透が抑えられる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、有機層３３の品質の劣化や不良発生などによる画質の低下が抑えられる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの高画質化、高輝度化を実現することができる。 Further, by having such a configuration, moisture penetration from the lower side of the organic base material 5 into the organic layer 33 of the organic electroluminescence element 30 is suppressed. For this reason, compared with the organic electroluminescent display device which does not have this structure, the fall of the image quality by deterioration of the quality of the organic layer 33, defect generation | occurrence | production, etc. is suppressed. For this reason, high image quality and high brightness of the organic electroluminescence display device 1a can be realized.

また、表示領域Ｄに第１金属層７と第２金属層９が形成されていることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、薄膜トランジスタ１１及び有機エレクトロルミネッセンス素子３０からの熱が拡散されやすい。このため、熱による有機層３３の劣化や、それに伴う輝度の低下が抑えられ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの信頼性向上、高輝度化を実現することができる。 In addition, since the first metal layer 7 and the second metal layer 9 are formed in the display region D, heat from the thin film transistor 11 and the organic electroluminescence element 30 can be obtained as compared with an organic electroluminescence display device that does not have this configuration. Is easily diffused. For this reason, deterioration of the organic layer 33 due to heat and a decrease in luminance associated therewith can be suppressed, and it is possible to improve the reliability and increase the luminance of the organic electroluminescence display device 1a.

本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、第１金属層７及び第２金属層９の少なくとも一方が複数の金属層が積層してなることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて有機バリア層８及び有機エレクトロルミネッセンス素子３０の有機層３３への水分の浸透が抑えられる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの信頼性の向上、高画質化及び高輝度化を実現することができる。 The organic electroluminescence display device 1a according to the present embodiment is an organic electroluminescence display device that does not have this configuration by laminating a plurality of metal layers on at least one of the first metal layer 7 and the second metal layer 9. Compared with, the penetration of moisture into the organic barrier layer 8 and the organic layer 33 of the organic electroluminescent element 30 is suppressed. For this reason, the improvement of the reliability of the organic electroluminescent display device 1a, high image quality, and high brightness can be realized.

また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、有機材料からなる湾曲可能な有機基材５をＴＦＴ基板２０の基材として有することにより、フレキシブルでかつ防水性の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａを実現することができる。 Moreover, the organic electroluminescence display device 1a in the present embodiment has a flexible and highly waterproof organic electroluminescence display device 1a by having a bendable organic base material 5 made of an organic material as a base material of the TFT substrate 20. Can be realized.

また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、第１金属層７の下側に金属からなる熱拡散層４が形成されていることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、熱が拡散されやすい。このため、熱による有機層３３の劣化が抑えられ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの信頼性向上を実現することができる。 In addition, the organic electroluminescence display device 1a in the present embodiment includes an organic electroluminescence display device that does not have this configuration by forming the thermal diffusion layer 4 made of metal below the first metal layer 7. In comparison, heat is more likely to diffuse. For this reason, deterioration of the organic layer 33 due to heat can be suppressed, and the reliability of the organic electroluminescence display device 1a can be improved.

また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、第１金属層７がグランドとして機能することにより、第１金属層７が所定の電位に保たれ、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて有機バリア層８に静電気が帯電することを防止できる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの不良発生を防止することができる。 In addition, the organic electroluminescence display device 1a according to the present embodiment has an organic electroluminescence display that does not have this configuration because the first metal layer 7 functions as a ground, so that the first metal layer 7 is maintained at a predetermined potential. Compared with the device, the organic barrier layer 8 can be prevented from being charged with static electricity. For this reason, it is possible to prevent the occurrence of defects in the organic electroluminescence display device 1a.

次いで、第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂについて説明する。図５は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂを図２と同様の視野において示す概略断面図である。 Next, an organic electroluminescence display device 1b according to a second embodiment will be described. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the organic electroluminescence display device 1b according to the second embodiment in the same field of view as FIG.

第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、第１金属層７と有機バリア層８と第２金属層９との構成が、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａと異なっている。よって、以下、第１金属層７と有機バリア層８と第２金属層９とに関する構成について説明し、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａと同様の構成についてはその説明を省略する。 In the organic electroluminescence display device 1b according to the second embodiment, the configuration of the first metal layer 7, the organic barrier layer 8, and the second metal layer 9 is the same as that of the organic electroluminescence display device 1a according to the first embodiment. Is different. Therefore, hereinafter, the configuration related to the first metal layer 7, the organic barrier layer 8, and the second metal layer 9 will be described, and the description of the same configuration as the organic electroluminescence display device 1a according to the first embodiment will be omitted. To do.

本実施形態における第１金属層７は、その外周７ｃが平面視で非表示領域Ｅの外周Ｅ_１よりも内側に位置している。このため、第１金属層７の外周７ｃは第２ＳｉＮ層１０ａによって覆われている。 The first metal layer 7 in this embodiment, is located inside the periphery E ₁ of the non-display area E the outer periphery 7c is a plan view. For this reason, the outer periphery 7c of the first metal layer 7 is covered with the second SiN layer 10a.

有機バリア層８は、その側面８ｃが、平面視で図１に示す非表示領域Ｅの外周Ｅ_１及び第１金属層７の外周７ｃよりも内側に位置している。このような構成を有することにより、有機バリア層８の下面８ａは全面にわたって第１金属層７によって覆われる。 The organic barrier layer 8, the side surface 8c is located inside the outer periphery 7c of the outer peripheral E ₁ and the first metal layer 7 of the non-display area E shown in FIG. 1 in a plan view. By having such a configuration, the lower surface 8a of the organic barrier layer 8 is covered with the first metal layer 7 over the entire surface.

有機バリア層８の上面８ｂと側面８ｃは第２金属層９によって覆われている。また、第２金属層９の外周９ｃは平面視で非表示領域Ｅの外周Ｅ_１よりも内側に位置しており、第２ＳｉＮ層１０ａによって覆われている。 The upper surface 8 b and the side surface 8 c of the organic barrier layer 8 are covered with the second metal layer 9. The outer peripheral 9c of the second metal layer 9 is located inside the periphery E ₁ of the non-display area E in a plan view, it is covered by the 2SiN layer 10a.

本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、このような構成を有することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて有機バリア層８の側面８ｃからの水分の侵入が防がれる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの信頼性向上を実現することができる。 By having such a configuration, the organic electroluminescence display device 1b in the present embodiment prevents moisture from entering from the side surface 8c of the organic barrier layer 8 compared to an organic electroluminescence display device that does not have this configuration. It is. For this reason, the reliability improvement of the organic electroluminescent display apparatus 1b is realizable.

また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、このような構成を有することにより、第１金属層７の外周７ｃ及び第２金属層９の外周９ｃが非表示領域Ｅの外周Ｅ_１から露出することがない。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、第１金属層７及び第２金属層９の露出による劣化と、それによる防水性の低下を防ぐことができる。 Further, the organic electroluminescent display device 1b in this embodiment, by having such a configuration, the outer periphery 7c and the outer periphery 9c of the second metal layer 9 of the first metal layer 7 from the outer periphery E ₁ of the non-display area E There is no exposure. For this reason, compared with the organic electroluminescent display device which does not have this structure, the deterioration by the exposure of the 1st metal layer 7 and the 2nd metal layer 9 and the fall of waterproofness by it can be prevented.

以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not restricted to embodiment mentioned above. For example, the configuration described in the above-described embodiment may be replaced by a configuration that has substantially the same configuration, a configuration that exhibits the same operational effects, or a configuration that can achieve the same purpose.

例えば、第１金属層７及び第２金属層９は、有機バリア層の下面８ａの下側に対応する領域と、有機バリア層の上面８ｂの上側に対応する領域とを覆うものであれば、その少なくともいずれか一方は有機バリア層８に直接接触していなくてもよい。図６は図５に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの変形例を図２と同様の視野において示す概略断面図である。 For example, if the first metal layer 7 and the second metal layer 9 cover a region corresponding to the lower side of the lower surface 8a of the organic barrier layer and a region corresponding to the upper side of the upper surface 8b of the organic barrier layer, At least one of them may not be in direct contact with the organic barrier layer 8. 6 is a schematic sectional view showing a modification of the organic electroluminescence display device 1b shown in FIG. 5 in the same field of view as FIG.

具体的には例えば、図６に示すように第１金属層７は第１ＳｉＯ_２層６ｂ上を覆うように形成され、第１金属層７上は第１ＳｉＮ層６ａによって覆われている。また、第１ＳｉＮ層６ａには有機バリア層８の下面８ａが接するように配置されている。また、有機バリア層８の上面８ｂと側面８ｃは、第２ＳｉＮ層１０ａと第２金属層９によって覆われている。 Specifically, for example, as shown in FIG. 6, the first metal layer 7 is formed so as to cover the first SiO ₂ layer 6b, and the first metal layer 7 is covered with the first SiN layer 6a. Further, the first SiN layer 6a is arranged so that the lower surface 8a of the organic barrier layer 8 is in contact therewith. Further, the upper surface 8 b and the side surface 8 c of the organic barrier layer 8 are covered with the second SiN layer 10 a and the second metal layer 9.

第１金属層７及び第２金属層９は、有機バリア層の下面８ａの下側に対応する領域と、有機バリア層の上面８ｂの上側に対応する領域とをそれぞれ覆うものであれば、その配置は図６に示した構成に限定されない。なお、有機バリア層８と第１金属層７または第２金属層９の間に配置される絶縁層は、ＳｉＮからなる層であることが好ましい。 If the first metal layer 7 and the second metal layer 9 cover the region corresponding to the lower side of the lower surface 8a of the organic barrier layer and the region corresponding to the upper side of the upper surface 8b of the organic barrier layer, respectively, The arrangement is not limited to the configuration shown in FIG. The insulating layer disposed between the organic barrier layer 8 and the first metal layer 7 or the second metal layer 9 is preferably a layer made of SiN.

１ａ、１ｂ有機エレクトロルミネッセンス表示装置、２フレキシブル回路基板、３ドライバＩＣ、４熱拡散層、５有機基材、６ａ第１ＳｉＮ層、６ｂ第１ＳｉＯ_２層、７第１金属層、７ａ第一層、７ｂ第二層、７ｃ第１金属層の外周、８有機バリア層、８ａ下面、８ｂ上面、８ｃ側面、９第２金属層、９ａ第一層、９ｂ第二層、９ｃ第２金属層の外周、１０ａ第２ＳｉＮ層、１０ｂ第２ＳｉＯ_２層、１１薄膜トランジスタ、１２回路層、１３平坦化膜、１４画素分離膜、２０薄膜トランジスタ基板、３０有機エレクトロルミネッセンス素子、３２陽極、３２ａコンタクトホール、３３有機層、３４陰極、４０封止膜、４５充填剤、５０対向基板、Ｄ表示領域、Ｅ非表示領域、Ｅ_１外周、Ｐ画素、Ｓシール材。 1a, 1b organic electroluminescence display device, 2 flexible circuit board, 3 driver IC, 4 heat diffusion layer, 5 organic base material, 6a first SiN layer, 6b first SiO ₂ layer, 7 first metal layer, 7a first layer, 7b 2nd layer, 7c outer periphery of the first metal layer, 8 organic barrier layer, 8a lower surface, 8b upper surface, 8c side surface, 9 second metal layer, 9a first layer, 9b second layer, 9c outer periphery of the second metal layer 10a 2nd SiN layer, 10b 2nd SiO ₂ layer, 11 thin film transistor, 12 circuit layer, 13 planarization film, 14 pixel isolation film, 20 thin film transistor substrate, 30 organic electroluminescence element, 32 anode, 32a contact hole, 33 organic layer, 34 cathode, 40 sealing film 45 filler, 50 a counter substrate, D display region, E non-display area, _{E 1} outer circumference, P pixel, S sealant.

Claims

A TFT substrate;
A light emitting layer formed on the display region of the TFT substrate;
With
The TFT substrate is
An organic barrier layer made of an organic material formed at least in the display region;
A first metal layer covering a lower surface of the organic barrier layer;
A second metal layer covering an upper surface of the organic barrier layer;
A thin film transistor formed on the second metal layer;
An organic electroluminescence display device comprising:

The organic electroluminescence display device according to claim 1,
An organic electroluminescence display device, wherein a side surface of the organic barrier layer is covered with the second metal layer.

The organic electroluminescence display device according to claim 1 or 2,
The TFT substrate has a bendable organic base material made of an organic material,
The organic electroluminescence display device, wherein the first metal layer is formed on the organic substrate.

The organic electroluminescence display device according to any one of claims 1 to 3,
An organic electroluminescence display device, wherein at least one of the first metal layer and the second metal layer is formed by laminating a plurality of metal layers.

The organic electroluminescence display device according to any one of claims 1 to 4,
The TFT substrate is partitioned into the display area and a non-display area outside the display area,
An organic electroluminescence display device, wherein outer peripheries of the first metal layer and the second metal layer are inside the outer periphery of the non-display area in a plan view.

The organic electroluminescence display device according to any one of claims 1 to 5,
An organic electroluminescence display device, wherein a heat diffusion layer made of metal is formed below the first metal layer.

The organic electroluminescence display device according to any one of claims 1 to 6,
The organic electroluminescence display device, wherein the first metal layer functions as a ground.

In the organic electroluminescent display device according to any one of claims 1 to 7,
The organic electroluminescence display device, wherein the first metal layer and the second metal layer are formed by vapor deposition.