JP2015047648A - Processing method for laminate, and method of manufacturing electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、積層体の加工方法、および電子デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a laminate processing method and an electronic device manufacturing method.
板状の積層体の加工には回転砥石が用いられる(例えば特許文献1参照)。回転砥石は、その中心軸を中心に回転させられると共に積層体の外周に沿って相対的に移動させられ、積層体の外周の少なくとも一部を研削する。 A rotating grindstone is used for processing the plate-shaped laminate (see, for example, Patent Document 1). The rotating grindstone is rotated about its central axis and is relatively moved along the outer periphery of the laminated body to grind at least a part of the outer periphery of the laminated body.
図23は、従来の積層体の加工方法を示す図である。図23に示すように、積層体310および回転砥石330は水平に配される。回転砥石330は積層体310を削る砥粒面331を外周に有し、砥粒面331は溝を形成する。
FIG. 23 is a diagram illustrating a conventional method for processing a laminated body. As shown in FIG. 23, the laminated
積層体310と回転砥石330との上下方向における相対位置は常に同じであり、回転砥石330の砥粒面331の一部のみが摩耗する。また、積層体310を構成する各層311、312は、薄く、欠けやすい。欠片313は回転砥石330の摩耗を促進する。これらのため、回転砥石330が偏摩耗しやすかった。
The relative position in the vertical direction of the laminated
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、回転砥石の偏摩耗を低減した積層体の加工方法の提供を主な目的とする。 This invention is made | formed in view of the said subject, Comprising: The main objective is to provide the processing method of the laminated body which reduced the uneven wear of a rotating grindstone.
上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
回転砥石によって板状の積層体の外周の少なくとも一部を研削する研削工程を有し、
前記回転砥石は前記積層体を研削する砥粒面を有し、
前記回転砥石が回転軸を中心に1回転する間に、前記回転砥石の前記砥粒面全体が前記積層体の外周と接触する、積層体の加工方法が提供される。
In order to solve the above problems, according to one aspect of the present invention,
Having a grinding step of grinding at least a part of the outer periphery of the plate-like laminate with a rotating grindstone,
The rotating grindstone has an abrasive surface for grinding the laminate,
There is provided a processing method of a laminated body in which the entire abrasive grain surface of the rotating grindstone is in contact with the outer periphery of the laminated body while the rotating grindstone makes one rotation around a rotation axis.
本発明の一態様によれば、回転砥石の偏摩耗を低減した積層体の加工方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, a method for processing a laminated body in which uneven wear of a rotating grindstone is reduced is provided.
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して、説明を省略する。尚、本実施形態の板状の積層体は、積層体を構成する複数の層のうち所定の層同士の間で剥離可能なものであるが、剥離困難なものでもよく、例えば液晶ディスプレイでもよい。本明細書において、積層体を構成する層同士が互いに接触する境界を積層界面と呼ぶ。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding components are denoted by the same or corresponding reference numerals, and description thereof is omitted. In addition, although the plate-shaped laminated body of this embodiment is a thing which can peel between predetermined layers among the several layers which comprise a laminated body, it may be difficult to peel and may be a liquid crystal display, for example. . In this specification, the boundary where the layers constituting the laminate are in contact with each other is called a laminate interface.
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態による加工前の積層体を示す側面図である。加工前の積層体10は、例えば図1に示すようにガラス基板11およびガラス基板11と剥離可能に結合する補強板12を備える。積層体10は、後述の加工方法で加工された後、製品の製造に用いられる。1つの製品の製造に、複数の積層体10が用いられてもよい。製品としては、例えば画像表示装置、太陽電池、薄膜2次電池などの電子デバイスが挙げられる。画像表示装置としては、例えば液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ELディスプレイなどが挙げられる。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a side view showing a laminated body before processing according to the first embodiment of the present invention. For example, as shown in FIG. 1, the
ガラス基板11は、製品の一部となるものであって、ガラス基板11上には、製品の製造工程において、製品の種類に応じた機能膜が形成される。機能膜は、1つの層および複数の層のいずれで構成されてもよい。
The
ガラス基板11のガラスとしては、例えば無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスなどが挙げられる。酸化物系ガラスは、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が40質量%〜90質量%のガラスが好ましい。ガラス基板11のガラスは、製品の種類に応じて選択される。例えば、液晶ディスプレイの場合、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス(無アルカリガラス)が用いられる。
Examples of the glass of the
ガラス基板11の厚さは、例えば0.3mm以下であり、より好ましくは0.1mm以下、さらに好ましくは0.05mm以下である。また、ガラス基板11の厚さは、成形性の観点から、好ましくは0.01mm以上である。
The thickness of the
補強板12は、補強板12とガラス基板11との剥離操作が行われるまで、ガラス基板11と結合し、ガラス基板11を補強する。補強板12の厚さは、ガラス基板11の厚さよりも厚くてよい。補強板12は、製品の製造工程の途中で、ガラス基板11から剥離され、製品の一部とはならない。
The reinforcing plate 12 is bonded to the
補強板12は、熱処理による反りや剥離を防止するため、ガラス基板11との熱膨張差の小さいものが好ましい。そのため、補強板12はガラス板を含むものが好ましく、ガラス基板11のガラスと、補強板12のガラスとは同種のガラスであることが好ましい。
The reinforcing plate 12 preferably has a small difference in thermal expansion from the
補強板12は、例えば、ガラス基板11と剥離可能に結合する中間膜としての有機膜13、および有機膜13を介してガラス基板11を支持する支持板14を含む。有機膜13とガラス基板11とは、その間に作用するファンデルワールス力などにより剥離可能に結合される。
The reinforcing plate 12 includes, for example, an
有機膜13は、有機膜13とガラス基板11との剥離操作が行われるまで、ガラス基板11の位置ずれを防止する。有機膜13は剥離操作によってガラス基板11から容易に剥離する。剥離操作によるガラス基板11の破損を防止できる。
The
有機膜13は、支持板14との結合力がガラス基板11との結合力よりも相対的に高くなるように形成される。剥離操作時に意図しない有機膜13と支持板14との剥離が防止できる。
The
有機膜13は、例えば、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、またはポリイミドシリコーン樹脂などで形成される。耐熱性や剥離性の観点から、シリコーン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂が好ましい。
The
シリコーン樹脂は、特開2011−46174に開示のものが好ましい。具体的には、シリコーン樹脂は、下記線状オルガノポリシロキサン(a)と下記線状オルガノポリシロキサン(b)とを含む硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化物であることが好ましい。 As the silicone resin, those disclosed in JP2011-46174A are preferable. Specifically, the silicone resin is preferably a cured product of a curable silicone resin composition containing the following linear organopolysiloxane (a) and the following linear organopolysiloxane (b).
線状オルガノポリシロキサン(a)は、アルケニル基を1分子あたり少なくとも2個有するものである。 The linear organopolysiloxane (a) has at least two alkenyl groups per molecule.
線状オルガノポリシロキサン(b)は、ケイ素原子に結合した水素原子を1分子あたり少なくとも3個有するものであって、かつ、ケイ素原子に結合した水素原子の少なくとも1個を分子末端に有するものである。 The linear organopolysiloxane (b) has at least three hydrogen atoms bonded to silicon atoms per molecule and has at least one hydrogen atom bonded to silicon atoms at the molecular end. is there.
硬化性シリコーン樹脂組成物における全アルケニル基に対する全ケイ素原子に結合した水素原子のモル比(水素原子/アルケニル基)は、0.7〜1.05であることが好ましい。 The molar ratio of hydrogen atoms bonded to all silicon atoms to all alkenyl groups in the curable silicone resin composition (hydrogen atom / alkenyl group) is preferably 0.7 to 1.05.
硬化性シリコーン樹脂組成物は、ケイ素元素に結合した水素原子とアルケニル基との反応を促進する触媒などの添加物を含んでよい。触媒としては、例えば白金系、パラジウム系、ロジウム系などが挙げられる。 The curable silicone resin composition may contain an additive such as a catalyst for promoting the reaction between a hydrogen atom bonded to silicon element and an alkenyl group. Examples of the catalyst include platinum, palladium, and rhodium.
有機膜13は、支持板14との結合力がガラス基板11との結合力よりも相対的に高くなるように形成されればよい。有機膜13の形成方法としては、下記の(1)〜(3)の方法がある。
The
(1)支持板14上に塗布した樹脂組成物を硬化させて有機膜13を形成した後、有機膜13を介してガラス基板11と支持板14とを圧着する。支持板14と有機膜13の結合力が、ガラス基板11と有機膜13の結合力よりも高くなりやすい。
(1) After the resin composition applied on the
(2)所定の基材上に塗布した樹脂組成物を硬化させて有機膜13を形成した後、所定の基材から有機膜13を剥離し、有機膜13を介してガラス基板11と支持板14とを圧着する。結合力に差を付けるため、ガラス基板11および支持板14の少なくとも一方の表面を予め表面処理してよい。
(2) After the resin composition applied on a predetermined base material is cured to form the
(3)ガラス基板11と支持板14との間に挟んだ樹脂組成物を硬化させて有機膜13を形成する。結合力に差を付けるため、ガラス基板11および支持板14の少なくとも一方の表面を予め表面処理してよい。
(3) The
上記(1)及び(2)の方法における圧着は、クリーン度の高い環境下で実施されてよい。圧着時の周辺の気圧は、大気圧でもよいが、空気の噛み込みを抑制するため、大気圧よりも低い負圧であることが好ましい。圧着の方式としては、ロール式、プレス式などがある。圧着温度は、室温よりも高い温度でもよいが、有機膜の劣化を防止するため、室温であってよい。 The pressure bonding in the methods (1) and (2) may be performed in an environment with a high degree of cleanliness. The atmospheric pressure at the time of pressure bonding may be atmospheric pressure, but is preferably a negative pressure lower than atmospheric pressure in order to suppress air entrainment. There are a roll type, a press type, and the like as a method of pressure bonding. The pressure bonding temperature may be higher than room temperature, but may be room temperature in order to prevent deterioration of the organic film.
樹脂組成物は、縮合反応型、付加反応型、紫外線硬化型、電子線硬化型のいずれの仕組みで硬化するものでもよい。付加反応型の樹脂組成物は、硬化しやすく、剥離性に優れ、耐熱性も高いため、特に好ましい。 The resin composition may be cured by any mechanism of condensation reaction type, addition reaction type, ultraviolet ray curable type, and electron beam curable type. The addition reaction type resin composition is particularly preferable because it easily cures, has excellent peelability, and has high heat resistance.
また、樹脂組成物は、溶剤型、エマルジョン型、無溶剤型のいずれの形態で使用されるものでよいが、生産性、環境特性の観点で、無溶剤型が好ましい。また、無溶剤型の樹脂組成物は、硬化時に発泡しうる溶剤を含まないため、欠陥の少ない有機膜13が得られる。
The resin composition may be used in any form of a solvent type, an emulsion type, and a solventless type, but a solventless type is preferable from the viewpoint of productivity and environmental characteristics. Further, since the solventless resin composition does not contain a solvent that can foam during curing, the
樹脂組成物の塗布方法としては、例えばスプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などがある。これらの塗布方法は、樹脂組成物の種類に応じて適宜選択される。 Examples of the method for applying the resin composition include spray coating, die coating, spin coating, dip coating, roll coating, bar coating, screen printing, and gravure coating. These coating methods are appropriately selected according to the type of the resin composition.
有機膜13の厚さは、好ましくは100μm以下である。有機膜13の厚さが100μmを超えると、有機膜13の材料費が高く、また、有機膜13にクラックが生じやすい。クラックが生じる原因としては、(1)樹脂組成物の乾燥収縮、(2)樹脂組成物の硬化収縮、(3)ガラスと樹脂との熱膨張差が挙げられる。(1)は樹脂組成物が溶剤を含む場合に生じる。溶剤が蒸発して樹脂組成物が収縮するとき、その収縮が樹脂組成物を支持する基板によって妨げられ、応力が生じ、クラックが生じる。(2)の場合、硬化反応による水などの生成物が脱けることによって、クラックが生じる。(3)の場合、乾燥後、冷却時に、樹脂の熱収縮がガラスの熱収縮よりも著しく大きいために、クラックが生じる。有機膜13の厚さは、より好ましくは50μm以下、さらに好ましくは30μm以下である。
The thickness of the
また、有機膜13の厚さは、好ましくは1μm以上である。有機膜13に異物が埋没できる。硬化前、樹脂組成物は流動性を有するので、樹脂組成物に異物が埋没する。硬化後、積層前に、有機膜13とガラス基板11との間に異物が入る場合、有機膜13が弾性変形することによって有機膜13に異物が埋没する。
The thickness of the
有機膜13の外形は、有機膜13がガラス基板11の全体を支持できるように、図1に示すようにガラス基板11の外形と同一か、ガラス基板11の外形よりも大きいことが好ましい。有機膜13の外形がガラス基板11の外形よりも大きいと、有機膜13のガラス基板11からはみ出す部分を撓み変形させることで補強板12とガラス基板11との剥離が徐々に行われ、剥離が円滑に行われる。
The outer shape of the
尚、本実施形態の有機膜13は、1種類の有機膜からなるが、複数種類の有機膜からなっていてもよい。この場合、「中間膜の厚さ」は全ての有機膜の合計の厚さを意味する。
In addition, although the
支持板14は、有機膜13を介してガラス基板11を支持する。支持板14は、ガラス基板11との熱膨張差の小さいガラス板であることが好ましい。
The
支持板14としてのガラス板の厚さは、好ましくは0.7mm以下である。また、支持板14としてのガラス板の厚さは、ガラス基板11の補強のため、好ましくは0.4mm以上である。
The thickness of the glass plate as the
支持板14の外形は、支持板14が有機膜13の全体を支持できるように、図1に示すように有機膜13の外形と同一であるか、有機膜13の外形よりも大きいことが好ましい。
The outer shape of the
尚、本実施形態の支持板14は、ガラス板のみからなる単板であるが、ガラス板および樹脂膜からなる複合板でもよい。
The
図2は、図1の積層体を研削する第1の研削工程を示す図であって、図3の矢印II方向から見た図である。図3は、図2の矢印III方向から見た図である。図4は、図2および図3に示す第1の研削工程によって得られる積層体を示す図である。図4において、第1の研削工程に供される積層体10を破線で示す。図5は、図4の積層体を研削する第2の研削工程を示す図であって、図6の矢印V方向から見た図である。図6は、図5の矢印VI方向から見た図である。図7は、図5および図6に示す第2の研削工程によって得られる積層体を示す図である。図7において、第2の研削工程に供される積層体10Aを破線で示す。
FIG. 2 is a diagram showing a first grinding process for grinding the laminated body of FIG. 1, and is a diagram seen from the direction of arrow II in FIG. FIG. 3 is a view seen from the direction of arrow III in FIG. FIG. 4 is a view showing a laminate obtained by the first grinding step shown in FIGS. 2 and 3. In FIG. 4, the
積層体10の加工方法は、第1の研削工程と、第2の研削工程とを有する。第1の研削工程は、積層体を所望の寸法に整えると共に、ガラス基板の側面、有機膜の側面、および支持板の側面を略面一にする工程である。第2の研削工程は、第1の研削工程によって得られる積層体を面取りする工程である。
The processing method of the
第1の研削工程では、図2および図3に示すように回転砥石21によって積層体10の外周の少なくとも一部を研削し、図4に示す積層体10Aを得る。図4に示す積層体10Aは、図1に示す積層体10を回転砥石21によって研削したものである。
In the first grinding step, as shown in FIGS. 2 and 3, at least a part of the outer periphery of the laminate 10 is ground by the rotating
回転砥石21は、図2および図3に示すように円柱状(円盤状を含む)であって、積層体10を研削する砥粒面21aを外周に有し、砥粒面21aに研削溝を有しない。砥粒面21aは砥粒およびボンドを含む。砥粒およびボンドの種類は一般的なものであってよい。例えば回転砥石21としては、メタルボンド砥石、電着砥石、ビトリファイドボンド砥石、弾性砥石などが挙げられる。
As shown in FIGS. 2 and 3, the rotating
尚、本実施形態の回転砥石21は、円柱状であるが、円錐台状でもよい。回転砥石21の砥粒面は、テーパを有してもよい。
In addition, although the
回転砥石21は、その中心軸を中心に回転させられると共に積層体10の外周に沿って相対的に移動させられ、積層体10の外周の少なくとも一部を研削する。回転砥石21および積層体10が相対的に移動させられるとき、どちらが移動させられてもよく、両方が移動させられてもよい。
The rotating
回転砥石21の中心軸は、図2に示すように、積層体10の板厚方向中心面と同一平面上に配置され、略矩形状の積層体10の1辺に対して平行とされる。当該1辺が回転砥石21によって研削される。複数の辺が順次研削されてもよい。回転砥石21の中心軸上に、回転軸X21が配設される。
As shown in FIG. 2, the central axis of the
回転砥石21の砥粒面21aは、図2に示すように環状の曲面であって、図3に示す一方の側端21bから他方の側端21cまで連続的に積層体10の外周と接触する。この状態で、回転砥石21が回転軸X21を中心に回転する。そのため、回転砥石21が回転軸X21を中心に1回転する間に、回転砥石21の砥粒面21a全体が積層体10の外周と接触する。よって、従来のように回転砥石の砥粒面の一部のみが積層体と接触する場合に比べて回転砥石21の偏摩耗が低減できる。
The
ところで、積層体10を構成する各層は、薄く、欠けやすい。欠片は、回転砥石21の摩耗を促進する。欠片は、積層体10の積層界面付近において発生しやすい。
By the way, each layer constituting the laminate 10 is thin and easily chipped. The piece promotes the wear of the
積層体10の積層界面の少なくとも1つ(本実施形態ではガラス基板11と有機膜13との界面および有機膜13と支持板14との界面)が砥粒面21aの一端21bから他端21cまで連続的に接触した状態で第1の研削工程が行われる。欠片の当たる確率が砥粒面21aのどこでも同じになるので、欠片による偏摩耗が低減できる。
At least one of the lamination interfaces of the laminate 10 (in this embodiment, the interface between the
第1の研削工程によって得られる積層体10Aは、加工前の積層体10と同様に、ガラス基板11Aおよび補強板12Aを有する。この補強板12Aは、加工前の補強板12と同様に、有機膜13Aおよび支持板14Aを有する。ガラス基板11Aの側面、有機膜13Aの側面、および支持板14Aの側面は回転砥石21によって略面一とされ、積層体10Aの側面は積層体10Aの主面に対して略垂直とされる。
The
第2の研削工程では、積層体10Aの回転砥石21によって研削された部分を複数のマルチ砥石31、34によって面取りし、積層体10Bを得る。図7に示す積層体10Bは、図4に示す積層体10Aをマルチ砥石31、34によって面取りしたものである。
In the second grinding step, a portion of the
複数のマルチ砥石31、34は、組み合わせて用いられ、図4に示す積層体10Aの主面と側面との境界部15A、16Aを削り、図7に示す面取り部15B、16Bを作成する。面取り部15B、16Bは、積層体10Bの主面に対して斜めの平面である。面取り部15B、16Bは、積層体10Bの主面に対して垂直な平坦部17Bを介してつながる。
積層体10Bの主面に対して垂直な位置決めピンなどの物体が積層体10Bの側面に当たるとき、互いに平行な物体と平坦部17Bとが接触する。よって、物体と積層体10Bとの接触状態が安定化し、物体が位置決めピンの場合、位置決め精度が良い。
The plurality of
When an object such as a positioning pin perpendicular to the main surface of the
上側のマルチ砥石31は、図6に示すように複数の回転砥石32、33を含む。複数の回転砥石32、33は、同軸的に連結され、同時に同じ回転数で回転させられてよい。各回転砥石32、33は、円柱状であって、積層体10Aを研削する砥粒面32a、33aを外周に有し、砥粒面32a、33aに研削溝を有しない。
The
尚、本実施形態の回転砥石32、33は、円柱状であるが、円錐台状でもよい。回転砥石32、33の砥粒面は、テーパを有してもよい。
In addition, although the
各回転砥石32、33は、その中心軸を中心に回転させられる共に積層体10Aの外周に沿って相対的に移動させられ、積層体10Aの回転砥石21によって研削された部分を研削する。マルチ砥石31および積層体10Aが相対的に移動させられるとき、どちらが移動させられてもよく、両方が移動させられてもよい。
Each
各回転砥石32、33の中心軸は、図6に示すように積層体10Aの板厚方向中心面よりも上方に配置され、略矩形状の積層体10Aの1辺に対して平行とされる。当該1辺が各回転砥石32、33によって研削される。複数の辺が順次研削されてもよい。各回転砥石32、33の中心軸上に、回転軸X31が配設される。
As shown in FIG. 6, the central axes of the
下側のマルチ砥石34は、上側のマルチ砥石31と同様に構成され、複数の回転砥石35、36を含む。各回転砥石35、36の中心軸は、積層体10Aの板厚方向中心面よりも下方に配置され、略矩形状の積層体10Aの1辺に対して平行とされる。各回転砥石35、36の中心軸上に、回転軸X34が配設される。
The
各回転砥石32、33、35、36の砥粒面32a、33a、35a、36aは、環状の曲面であって、図6に示す一方の側端32b、33b、35b、36bから他方の側端32c、33c、35c、36cまで連続的に積層体10Aの外周と接触する。この状態で、各回転砥石32、33、35、36がそれぞれの回転軸X31、X34を中心に回転する。そのため、各回転砥石32、33、35、36がそれぞれの回転軸X31、X34を中心に1回転する間に、各回転砥石32、33、35、36の砥粒面全体が積層体10Aの外周と接触する。よって、従来に比べて各回転砥石32、33、35、36の偏摩耗が低減できる。
The
積層体10Aの積層界面のいずれも(本実施形態ではガラス基板11Aと有機膜13Aとの界面および有機膜13Aと支持板14Aとの界面)が各砥粒面32a、33a、35a、36aと接触しない状態で第2の研削工程が行われる(図7参照)。第2の研削工程において、積層体10Aの積層界面のいずれも研削されないため、欠片の発生が低減でき、欠片による偏摩耗が抑制できる。
Any of the lamination interfaces of the
尚、本実施形態では、第1の研削工程において、回転砥石21が用いられるが、回転砥石21の代わりに複数のマルチ砥石31、34のうちの1つが用いられてもよく、残りのマルチ砥石は第1の研削工程には用いられなくてもよい。
In the present embodiment, the rotating
また、本実施形態では、第2の研削工程において、加工時間の短縮のため、複数のマルチ砥石31、34を用いて複数の面取り部15B、16Bを同時に形成するが、いずれか1つのマルチ砥石を用いて複数の面取り部15B、16Bを順次形成してもよい。
In the present embodiment, in the second grinding step, the plurality of
また、本実施形態では、第2の研削工程の前に、第1の研削工程が行われるが、第1の研削工程が行われなくてもよい。例えば第1の研削工程の代わりに、切断工程が行われてもよい。切断工程は、第1の研削工程と同様に、積層体を所望の寸法に整えると共に、ガラス基板の側面、有機膜の側面、および支持板の側面を略面一にすることができる。 In the present embodiment, the first grinding process is performed before the second grinding process, but the first grinding process may not be performed. For example, a cutting process may be performed instead of the first grinding process. In the cutting step, as in the first grinding step, the laminate can be adjusted to a desired size, and the side surface of the glass substrate, the side surface of the organic film, and the side surface of the support plate can be made substantially flush.
また、本実施形態では、第2の研削工程において、上側の回転砥石32、33および下側の回転砥石35、36が積層体の積層界面のいずれにも接触しないが、積層界面の少なくとも1つと接触してもよい。例えば、ガラス基板11Aの厚さが支持板14Aの厚さよりも薄く、有機膜13Aの厚さがガラス基板11Aの厚さや支持板14Aの厚さに対して無視できる程度に薄い場合、積層体の積層界面が上側の回転砥石と接触することがある。この場合、積層体の積層界面が上側の回転砥石の砥粒面の一端から他端まで連続的に接触した状態で第2の研削工程が行われてよい。
In the present embodiment, in the second grinding step, the upper
次に、上記加工方法によって得られる積層体10Bを用いた電子デバイスの製造方法について説明する。
Next, the manufacturing method of the electronic device using the
上記加工方法によって得られる積層体10Bは、加工前の積層体10と同様に、ガラス基板11Bおよび補強板12Bを有する。この補強板12Bは、加工前の補強板12と同様に、有機膜13Bおよび支持板14Bを有する。
The
電子デバイスの製造方法は、積層体10Bのガラス基板11B上に機能膜を形成する工程と、機能膜を形成したガラス基板11Bと補強板12Bとを剥離する工程とを有する。以下、具体例について説明する。
The method for manufacturing an electronic device includes a step of forming a functional film on the
液晶ディスプレイの製造方法は、例えば、TFT基板作製工程(図8参照)、CF基板作製工程(図9参照)、組み立て工程(図10参照)、および剥離工程(図11参照)を有する。 The liquid crystal display manufacturing method includes, for example, a TFT substrate manufacturing process (see FIG. 8), a CF substrate manufacturing process (see FIG. 9), an assembly process (see FIG. 10), and a peeling process (see FIG. 11).
TFT基板作製工程では、図8に示すように、積層体10Bのガラス基板11B上に薄膜トランジスタ(TFT)41などを形成してTFT基板42を作製する。TFT基板42は、ガラス基板11Bおよび薄膜トランジスタ41などを含む。TFT基板42の作製方法は、一般的なものであるので、説明を省略する。
In the TFT substrate manufacturing process, as shown in FIG. 8, a thin film transistor (TFT) 41 or the like is formed on the
CF基板作製工程では、図9に示すように、別の積層体10Bのガラス基板11B上にカラーフィルタ43などを形成してCF基板44を作製する。CF基板44は、ガラス基板11Bおよびカラーフィルタ43などを含む。CF基板44の作製方法は、一般的なものであるので、説明を省略する。
In the CF substrate manufacturing process, as shown in FIG. 9, a
組み立て工程は、図10に示すように、TFT基板42とCF基板44との間に液晶材45を封止する工程を有する。TFT基板42とCF基板44との間に液晶材45を注入する方法は、減圧注入法、滴下注入法のいずれでもよい。
As shown in FIG. 10, the assembly process includes a process of sealing a
剥離工程では、図11に示すように、ガラス基板11Bと補強板12Bとを剥離する。ガラス基板11Bは液晶ディスプレイの一部となり、補強板12Bは液晶ディスプレイの一部とならない。剥離工程は、本実施形態では組み立て工程の後に行われるが、TFT基板作製工程およびCF基板作製工程の後であればよく、組み立て工程の前、または、組み立て工程の途中で行われてもよい。
In the peeling step, as shown in FIG. 11, the
尚、本実施形態では、薄膜トランジスタ41およびカラーフィルタ43をそれぞれ別の積層体10Bのガラス基板11B上に形成したが、いずれかを単板のガラス基上に形成してもよい。
In the present embodiment, the
有機ELディスプレイ(OLED)の製造方法は、例えば、有機EL素子形成工程(図12参照)、貼り合わせ工程(図13参照)、および剥離工程(図14参照)を有する。 The method for manufacturing an organic EL display (OLED) includes, for example, an organic EL element forming step (see FIG. 12), a bonding step (see FIG. 13), and a peeling step (see FIG. 14).
有機EL素子形成工程では、図12に示すように、積層体10Bのガラス基板11B上に有機EL素子51を形成する。有機EL素子51は、例えば、透明電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などからなる。有機EL素子51の形成方法は、一般的な方法であるので、説明を省略する。
In the organic EL element forming step, as shown in FIG. 12, the
貼り合わせ工程では、図13に示すように、有機EL素子51が形成されたガラス基板11Bと対向基板52とを貼り合わせる。
In the bonding step, as shown in FIG. 13, the
剥離工程では、図14に示すように、ガラス基板11Bと補強板12Bとを剥離する。ガラス基板11Bは有機ELディスプレイの一部となり、補強板12Bは有機ELディスプレイの一部とならない。剥離工程は、本実施形態では貼り合わせ工程の後に行われるが、有機EL素子形成工程の後に行われればよく、貼り合わせ工程の前、または、貼り合わせ工程の途中で行われてもよい。
In the peeling step, as shown in FIG. 14, the
太陽電池の製造方法は、太陽電池素子形成工程(図15参照)、および剥離工程(図16参照)を有する。 The method for manufacturing a solar cell includes a solar cell element forming step (see FIG. 15) and a peeling step (see FIG. 16).
太陽電池素子形成工程では、図15に示すように、積層体10Bのガラス基板11B上に太陽電池素子61を形成する。太陽電池素子61は、例えば、透明電極層、半導体層などからなる。太陽電池素子61の形成方法は、一般的な方法であるので、説明を省略する。
In the solar cell element forming step, as shown in FIG. 15, the
剥離工程では、図16に示すように、ガラス基板11Bと補強板12Bとを剥離する。ガラス基板11Bは太陽電池の一部となり、補強板12Bは太陽電池の一部とならない。剥離工程は、太陽電池素子形成工程の後に行われてよい。
In the peeling process, as shown in FIG. 16, the
[第2実施形態]
第2実施形態の加工方法と、上記第1実施形態の加工方法とは、用いる回転砥石の種類が異なる。以下、相違点について主に説明する。
[Second Embodiment]
The processing method of the second embodiment is different from the processing method of the first embodiment in the type of rotary grindstone used. Hereinafter, the difference will be mainly described.
図17は、第2実施形態による第1の研削工程を示す図であって、図18の矢印XVII方向から見た図である。図18は、図17の矢印XVIII方向から見た図である。図17および図18に示す第1の研削工程によって得られる積層体は、図4に示す積層体と同様であるので図示を省略する。図19は、第2実施形態による第2の研削工程を示す図であって、図20の矢印XIX方向から見た図である。図20は、図19の矢印XX方向から見た図である。図19および図20に示す第2の研削工程によって得られる積層体は、図7に示す積層体と同様であるので図示を省略する。 FIG. 17 is a diagram showing a first grinding process according to the second embodiment, and is a diagram seen from the direction of arrow XVII in FIG. 18. 18 is a view as seen from the direction of arrow XVIII in FIG. The laminate obtained by the first grinding step shown in FIGS. 17 and 18 is the same as the laminate shown in FIG. FIG. 19 is a diagram showing a second grinding process according to the second embodiment, and is a diagram seen from the direction of the arrow XIX in FIG. 20 is a view as seen from the direction of arrow XX in FIG. The laminate obtained by the second grinding step shown in FIGS. 19 and 20 is the same as the laminate shown in FIG.
積層体10の加工方法は、第1の研削工程と、第2の研削工程とを有する。第1の研削工程は、積層体を所望の寸法に整えると共に、ガラス基板の側面、有機膜の側面、および支持板の側面を略面一にする工程である。第2の研削工程は、第1の研削工程によって得られる積層体を面取りする工程である。
The processing method of the
第1の研削工程では、図17および図18に示すように回転砥石としてのカップ砥石121によって積層体10の外周の少なくとも一部を研削し、図4に示す積層体10Aを得る。
In the first grinding step, as shown in FIGS. 17 and 18, at least a part of the outer periphery of the
カップ砥石121は、円盤部および円筒部を有する。円盤部と円筒部とは同軸的に連結される。円筒部における円盤部とは反対側の端面が積層体10を研削する砥粒面121aとなる。
The
カップ砥石121は、その中心軸を中心に回転させられると共に積層体10の外周に沿って相対的に移動させられ、積層体10の外周の少なくとも一部を研削する。カップ砥石121および積層体10が相対的に移動させられるとき、どちらが移動させられてもよく、両方が移動させられてもよい。
The
カップ砥石121の中心軸は、図17および図18に示すように積層体10の板厚方向中心面と同一平面上に配置され、略矩形状の積層体10の1辺に対して垂直とされる。当該1辺がカップ砥石121によって研削される。複数の辺が順次研削されてもよい。カップ砥石121の中心軸上に、回転軸X121が配設される。
The center axis of the
カップ砥石121の砥粒面121aは、図18に示すように環状の平面であって、外周121bから内周121cまで連続的に積層体10の外周と接触する。この状態で、カップ砥石121が回転軸X121を中心に回転する。そのため、カップ砥石121が回転軸X121を中心に1回転する間に、カップ砥石121の砥粒面121a全体が積層体10の外周と接触する。よって、従来のように回転砥石の砥粒面の一部のみが積層体と接触する場合に比べてカップ砥石121の偏摩耗が低減できる。
The
積層体10の積層界面の少なくとも1つ(本実施形態ではガラス基板11と有機膜13との界面および有機膜13と支持板14との界面)が砥粒面121aの一端121bから他端121cまで連続的に接触した状態で第1の研削工程が行われる。欠片の当たる確率が砥粒面121aのどこでも同じになるので、欠片による偏摩耗が低減できる。
At least one of the lamination interfaces of the laminate 10 (in this embodiment, the interface between the
尚、本実施形態によれば、カップ砥石121が回転軸X121を中心に半回転すると、カップ砥石121の砥粒面121a全体が積層体10の外周と接触する。
Note that, according to the present embodiment, when the
第2の研削工程では、積層体10Aのカップ砥石121によって研削された部分を複数のカップ砥石131、134によって面取りし、図7に示す積層体10Bを得る。
In the second grinding step, the portion of the
複数のカップ砥石131、134は、組み合わせて用いられ、図4に示す積層体10Aの主面と側面との境界部15A、16Aを削り、図7に示す面取り部15B、16Bを作成する。面取り部15B、16Bは、積層体10Bの主面に対して斜めの平面である。面取り部15B、16Bは、積層体10Bの主面に対して垂直な平坦部17Bを介してつながる。
The plurality of
尚、本実施形態では、加工時間の短縮のため、複数のカップ砥石131、134を用いて複数の面取り部15B、16Bを同時に形成するが、いずれか1つのカップ砥石を用いて複数の面取り部15B、16Bを順次形成してもよい。また、本実施形態では、第2の研削工程と第1の研削工程とで異なるカップ砥石が用いられるが、同じカップ砥石が用いられてもよい。具体的には、第1の研削工程において、図17に示すカップ砥石121の代わりに、図19に示すカップ砥石131、134のいずれかが用いられてもよい。
In the present embodiment, a plurality of
各カップ砥石131、134は、その中心軸を中心に回転させられる共に積層体10Aの外周に沿って相対的に移動させられ、積層体10Aのカップ砥石121によって研削された部分を研削する。カップ砥石131、134および積層体10Aが相対的に移動させられるとき、どちらが移動させられてもよく、両方が移動させられてもよい。
Each
1つのカップ砥石131の中心軸は、図19に示すように積層体10Aの矩形状の上面に対して斜めとされ、当該上面に対して垂直な方向から見た場合に当該上面の1辺に対して垂直とされる。当該1辺がカップ砥石131によって研削される。複数の辺が順次研削されてもよい。カップ砥石131の中心軸上に、回転軸X131が配設される。
As shown in FIG. 19, the central axis of one
他の1つのカップ砥石134の中心軸は、積層体10Aの矩形状の下面に対して斜めとされ、当該下面に対して垂直な方向から見た場合に当該下面の1辺に対して垂直とされる。当該1辺がカップ砥石134によって研削される。複数の辺が順次研削されてもよい。カップ砥石134の中心軸上に、回転軸X134が配設される。
The center axis of the
各カップ砥石131、134の砥粒面131a、134aは、環状の平面であって、図21に示す外周131b、134bから内周131c、134cまで連続的に積層体10Aの外周と接触する。この状態で、各カップ砥石131、134がそれぞれの回転軸X131、X134を中心に回転する。そのため、各カップ砥石131、134がそれぞれの回転軸X131、X134を中心に1回転する間に、各カップ砥石131、134の砥粒面131a、134a全体が積層体10Aの外周と接触する。よって、従来に比べて各カップ砥石131、134の偏摩耗が低減できる。
The
積層体10Aの積層界面のいずれも(本実施形態ではガラス基板11Aと有機膜13Aとの界面および有機膜13Aと支持板14Aとの界面)が各砥粒面131a、134aと接触しない状態で第2の研削工程が行われる(図7参照)。第2の研削工程において、積層体10Aの積層界面のいずれも研削されないため、欠片の発生が低減でき、欠片による偏摩耗が抑制できる。
Any of the lamination interfaces of the
尚、本実施形態では、第2の研削工程において、各カップ砥石131、134が積層体の積層界面のいずれにも接触しないが、積層界面の少なくとも1つと接触してもよい。例えば、ガラス基板11Aの厚さが支持板14Aの厚さよりも薄く、有機膜13Aの厚さがガラス基板11Aの厚さや支持板14Aの厚さに対して無視できる程度に薄い場合、積層体の積層界面が一方のカップ砥石131と接触することがある。この場合、積層体の積層界面がカップ砥石131の砥粒面131aの一端131bから他端131cまで連続的に接触した状態で第2の研削工程が行われてよい。
In the present embodiment, in the second grinding step, the
[第3実施形態]
第3実施形態の加工方法と、上記第1実施形態の加工方法とは、第2の研削工程において用いられる回転砥石の種類が異なる。第1の研削工程において用いられる回転砥石の種類は同じである。以下、相違点について主に説明する。
[Third Embodiment]
The processing method of the third embodiment is different from the processing method of the first embodiment in the type of the rotating grindstone used in the second grinding step. The kind of rotary grindstone used in the first grinding process is the same. Hereinafter, the difference will be mainly described.
図21は、第3実施形態による第2の研削工程を示す図であって、図22の矢印XXI方向から見た図である。図22は、図21の矢印XXII方向から見た図である。図21および図22に示す第2の研削工程によって得られる積層体は、図7に示す積層体10Bと同様であるので図示を省略する。
FIG. 21 is a diagram showing a second grinding process according to the third embodiment, and is a diagram seen from the direction of the arrow XXI in FIG. 22 is a view as seen from the direction of arrow XXII in FIG. Since the laminated body obtained by the second grinding step shown in FIGS. 21 and 22 is the same as the
第2の研削工程では、図21および図22に示すように回転砥石231によって図4に示す積層体10Aの外周の少なくとも一部を研削する。
In the second grinding step, at least a part of the outer periphery of the laminate 10A shown in FIG. 4 is ground by the
回転砥石231は、図21および図22に示すように円柱状であって、積層体10Aを研削する砥粒面231aを外周に有する。砥粒面231aは、断面V字状の研削溝を形成する。この研削溝は、研削溝の底部が平らなものである。図7に示す面取り部15B、16B同士の間に平坦部17Bが形成できる。
The
回転砥石231は、その中心軸を中心に回転させられると共に積層体10Aの外周に沿って相対的に移動させられ、積層体10Aの外周の少なくとも一部を研削する。回転砥石231および積層体10Aが相対的に移動させられるとき、どちらが移動させられてもよく、両方が移動させられてもよい。
The
回転砥石231の中心軸は、図21に示すように積層体10Aの主面に対して斜めに配置され、図22に示すように積層体10Aの主面に対して垂直な方向から見た場合に略矩形状の積層体10Aの1辺に対して平行とされる。当該1辺が回転砥石231によって研削される。複数の辺が順次研削されてもよい。回転砥石231の中心軸上に、回転軸X231が配設される。
The central axis of the
回転砥石231の砥粒面231aは、環状の曲面であって、図21に示す一方の側端231bから他方の側端231cまで連続的に積層体10Aの外周と接触する。この状態で、回転砥石231が回転軸X231を中心に回転する。そのため、回転砥石231が回転軸X231を中心に1回転する間に、回転砥石231の砥粒面231a全体が積層体10Aの外周と接触する。よって、従来のように回転砥石の砥粒面の一部のみが積層体と接触する場合に比べて回転砥石231の偏摩耗が低減できる。
The
積層体10Aの積層界面の少なくとも1つ(本実施形態ではガラス基板11Aと有機膜13Aとの界面および有機膜13Aと支持板14Aとの界面)が砥粒面231aの一端231bから他端231cまで連続的に接触した状態で第2の研削工程が行われる。欠片の当たる確率が砥粒面21aのどこでも同じになるので、欠片による偏摩耗が低減できる。
At least one of the lamination interfaces of the
また、回転砥石231の中心軸が積層体10の主面に対して斜めに配置されるので、積層体10の板厚の変動が問題とならない。回転砥石の中心軸が積層体の主面に対して垂直に配置される場合に回転砥石の偏摩耗を低減するためには研削溝の溝幅と積層体の板厚とが一致しなければならず、積層体の板厚の変動が問題となる。
Further, since the central axis of the
尚、本実施形態では、第2の研削工程に供する積層体10Aが、図2および図3に示す第1の研削工程によって得られるものであるが、図17および図18に示す第1の研削工程によって得られるものでもよい。また、第2の研削工程の前に、第1の研削工程が行われなくてもよい。
In the present embodiment, the
また、本実施形態の回転砥石231の研削溝は、断面V字状であり、研削溝の底部が平らなものであるが、丸いものや尖ったものでもよい。いずれの場合でも、回転砥石が回転軸を中心に1回転する間に、回転砥石の砥粒面全体が積層体と接触すればよい。
Further, the grinding groove of the
以上、積層体の加工方法などの実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。 As mentioned above, although embodiment of the processing method of a laminated body, etc. was described, this invention is not limited to the said embodiment etc., In the range of the summary of this invention described in the claim, various deformation | transformation and improvement Is possible.
例えば、上記実施形態では、補強板の中間膜として有機膜が用いられるが、無機膜が用いられてもよい。無機膜は、例えばメタルシリサイド、窒化物、炭化物、および炭窒化物からなる群から選択される少なくとも1種を含む。 For example, in the above embodiment, an organic film is used as the intermediate film of the reinforcing plate, but an inorganic film may be used. The inorganic film includes, for example, at least one selected from the group consisting of metal silicide, nitride, carbide, and carbonitride.
メタルシリサイドは、例えばW、Fe、Mn、Mg、Mo、Cr、Ru、Re、Co、Ni、Ta、Ti、Zr、およびBaからなる群から選択される少なくとも1種を含むものであり、好ましくはタングステンシリサイドである。 The metal silicide includes, for example, at least one selected from the group consisting of W, Fe, Mn, Mg, Mo, Cr, Ru, Re, Co, Ni, Ta, Ti, Zr, and Ba. Is tungsten silicide.
窒化物は、例えばSi、Hf、Zr、Ta、Ti、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Sn、In、B、Cr、Mo、およびBaからなる群から選択される少なくとも1種を含むものであり、好ましくは窒化アルミニウム、窒化チタン、または窒化ケイ素である。 The nitride is, for example, at least one selected from the group consisting of Si, Hf, Zr, Ta, Ti, Nb, Na, Co, Al, Zn, Pb, Mg, Sn, In, B, Cr, Mo, and Ba. It contains seeds, preferably aluminum nitride, titanium nitride, or silicon nitride.
炭化物は、例えばTi、W、Si、Zr、およびNbからなる群から選択される少なくとも1種を含むものであり、好ましくは炭化ケイ素である。 The carbide includes, for example, at least one selected from the group consisting of Ti, W, Si, Zr, and Nb, and is preferably silicon carbide.
炭窒化物は、例えばTi、W、Si、Zr、およびNbからなる群から選択される少なくとも1種を含むものであり、好ましくは炭窒化ケイ素である。 The carbonitride includes, for example, at least one selected from the group consisting of Ti, W, Si, Zr, and Nb, and is preferably silicon carbonitride.
メタルシリサイド、窒化物、炭化物、および炭窒化物は、その材料に含まれるSi、NまたはCと、その材料に含まれる他の元素との間の電気陰性度の差が小さく、分極が小さい。そのため、無機膜と水との反応性が低く、無機膜の表面に水酸基が生じにくい。よって、無機膜とガラス基板との離型性が良好に保たれる。 Metal silicide, nitride, carbide, and carbonitride have a small difference in electronegativity between Si, N, or C contained in the material and other elements contained in the material, and have a small polarization. Therefore, the reactivity between the inorganic film and water is low, and hydroxyl groups are unlikely to be generated on the surface of the inorganic film. Therefore, the releasability between the inorganic film and the glass substrate is kept good.
また、上記実施形態の補強板は中間膜と支持板とを有するが、中間膜は無くてもよい。例えば、補強板はガラス板のみで構成され、補強板としてのガラス板とガラス基板11とが直接接触していてもよい。
Moreover, although the reinforcing plate of the said embodiment has an intermediate film and a support plate, there may not be an intermediate film. For example, the reinforcing plate may be composed only of a glass plate, and the glass plate as the reinforcing plate and the
また、上記実施形態では、基板としてガラス基板が用いられるが、セラミック基板、樹脂基板、金属基板などが用いられてもよい。同様に、上記実施形態では支持板としてガラス板が用いられるが、セラミック板、樹脂板、金属板などが用いられてもよい。 Moreover, in the said embodiment, although a glass substrate is used as a board | substrate, a ceramic substrate, a resin substrate, a metal substrate, etc. may be used. Similarly, in the above embodiment, a glass plate is used as the support plate, but a ceramic plate, a resin plate, a metal plate, or the like may be used.
10、10A、10B 積層体
11、11A、11B ガラス基板
12、12A、12B 補強板
13、13A、13B 中間膜
14、14A、14B 支持板
21 回転砥石
31 マルチ砥石
32、33 回転砥石
34 マルチ砥石
35、36 回転砥石
121、131、134 カップ砥石
10, 10A,
Claims (7)
前記回転砥石は前記積層体を研削する砥粒面を有し、
前記回転砥石が回転軸を中心に1回転する間に、前記回転砥石の前記砥粒面全体が前記積層体の外周と接触する、積層体の加工方法。 Having a grinding step of grinding at least a part of the outer periphery of the plate-like laminate with a rotating grindstone,
The rotating grindstone has an abrasive surface for grinding the laminate,
The processing method of a laminated body, wherein the entire abrasive grain surface of the rotating grindstone is in contact with the outer periphery of the laminated body while the rotating grindstone makes one rotation around a rotation axis.
前記機能膜が形成された前記基板と前記補強板とを剥離する工程とを有する、電子デバイスの製造方法。 Forming a functional film on a substrate of a laminate processed by the processing method according to claim 4 or 5,
The manufacturing method of an electronic device which has the process of peeling the said board | substrate with which the said functional film was formed, and the said reinforcement board.
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