JP2015034774A - Current detection system, current detection method, and charge control device - Google Patents

Current detection system, current detection method, and charge control device Download PDF

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進一 窪田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the occurrence of variations in detected values against variations in spaces between magnetic sensors and conductive wires of current detection systems.SOLUTION: A current detection system according to the present invention comprises: two terminals E, F; a conductor 101 constituting a current path having no branch between the terminals E, F; and a magnetic sensor 102 for detecting an intensity of a magnetic field generated by a current flowing in the conductor 101. The conductor 101 includes a first and a second conductor portion, each corresponding to different sections included in the current path. The first and second conductor portions are provided adjacent to each other and substantially parallel to each other, and the first and second conductor portions are provided so that, when a current flows in the conductor 101, currents reverse in direction to each other flow in the first and second conductor portions. The magnetic sensor 102 is disposed between the first and second conductor portions of the conductor 101.

Description

本発明は、磁気センサを用いた電流検出システム、電流検出方法、及び充電制御装置に関する。   The present invention relates to a current detection system using a magnetic sensor, a current detection method, and a charge control device.

磁気センサを用いた電流検出システムが知られている。磁気センサは、例えば、ホール素子及び磁気抵抗素子(AMR(Anisotropic Magnetoresistance)素子、GMR(Giant Magnetoresistance)素子、TMR(Tunneling Magnetoresistance)素子、など)を含む。このような電流検出システムは、測定すべき電流が流れる導電線の近傍に配置され、その導電線に流れる電流によって発生する磁界の強度を検出する。   A current detection system using a magnetic sensor is known. The magnetic sensor includes, for example, a Hall element and a magnetoresistive element (AMR (Anisotropic Magnetoresistance) element, GMR (Giant Magnetoresistance) element, TMR (Tunneling Magnetoresistance) element, etc.)). Such a current detection system is disposed in the vicinity of a conductive line through which a current to be measured flows, and detects the intensity of a magnetic field generated by the current flowing through the conductive line.

磁気センサを用いた電流検出システムとして、例えば、特許文献1〜3の発明が知られている。例えば、特許文献1によれば、導電線の近傍にホール素子が配置され、導電線を流れる電流により、ホール素子の最大応答軸に実質的に整列した方向に磁場が発生する。   As a current detection system using a magnetic sensor, for example, the inventions of Patent Documents 1 to 3 are known. For example, according to Patent Document 1, a Hall element is disposed in the vicinity of a conductive line, and a magnetic field is generated in a direction substantially aligned with the maximum response axis of the Hall element by a current flowing through the conductive line.

しかし、従来、磁気センサを用いた電流検出システムにおいて導電線と磁気センサとの間隔にばらつきがあると、導電線で発生して磁気センサに到達する磁界の磁束密度にもばらつきが生じる。これにより、電流検出システムの検出結果にばらつきを発生させ、精度を悪化させる。このため、高精度の電流検出システムを実現するためには、導電線と磁気センサとの間隔を一定に保って製造する高度な製造技術及び製造装置が必要となる。精度を確保するための補正を実施しようとすると、電流検出システムに補正機能の追加すること、及び、製造工程に補正工程を追加することが必要となり、コストが増大する。   However, conventionally, in a current detection system using a magnetic sensor, if the distance between the conductive wire and the magnetic sensor varies, the magnetic flux density of the magnetic field generated by the conductive wire and reaching the magnetic sensor also varies. As a result, the detection result of the current detection system is varied to deteriorate the accuracy. For this reason, in order to realize a highly accurate current detection system, an advanced manufacturing technique and manufacturing apparatus for manufacturing with a constant distance between the conductive wire and the magnetic sensor are required. If correction for ensuring accuracy is to be performed, it is necessary to add a correction function to the current detection system and to add a correction process to the manufacturing process, which increases costs.

本発明の目的は、導電線と磁気センサとの間隔のばらつきに対して検出値のばらつきが生じることを抑制することができる電流検出システムを提供することにある。   The objective of this invention is providing the electric current detection system which can suppress that the dispersion | variation in a detection value arises with respect to the dispersion | variation in the space | interval of a conductive wire and a magnetic sensor.

本発明の態様に係る電流検出システムによれば、
2つの端子と、
上記2つの端子間に分岐を持たない電流経路を構成する導体と、
上記導体を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備えた電流検出システムであって、
上記導体は、上記電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する第1及び第2の導体部分を含み、上記第1及び第2の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第1及び第2の導体部分は、上記導体に電流が流れるとき、上記第1及び第2の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第1及び第2の導体部分の間に配置されたことを特徴とする。
According to the current detection system of the aspect of the present invention,
Two terminals,
A conductor constituting a current path having no branch between the two terminals;
A current detection system comprising a magnetic sensor for detecting the intensity of a magnetic field generated by a current flowing through the conductor,
The conductor includes first and second conductor portions respectively corresponding to different sections included in the current path, wherein the first and second conductor portions are provided close to each other and substantially parallel to each other; The first and second conductor portions are provided such that when current flows through the conductor, currents in opposite directions flow through the first and second conductor portions,
The magnetic sensor is arranged between the first and second conductor portions.

本発明の電流検出システムによれば、導電線と磁気センサとの間隔のばらつきに対して検出値のばらつきが生じることを抑制することができる。   According to the current detection system of the present invention, it is possible to suppress the occurrence of variations in detection values with respect to variations in the distance between the conductive wire and the magnetic sensor.

本発明の第1の実施形態に係る電流検出システムの構成を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a configuration of a current detection system according to a first embodiment of the present invention. 磁気抵抗素子のブリッジ回路として構成された磁気センサの構成を示す等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram which shows the structure of the magnetic sensor comprised as a bridge circuit of a magnetoresistive element. 本発明の第1の実施形態の変形例に係る電流検出システムの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the electric current detection system which concerns on the modification of the 1st Embodiment of this invention. 1つの導電線1に電流を流したときに発生する磁束について説明する図である。FIG. 4 is a diagram for explaining magnetic flux generated when a current is passed through one conductive wire 1. 図4の導電線1からの距離に対する磁束密度の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship of the magnetic flux density with respect to the distance from the conductive wire 1 of FIG. 2つの導電線2,3に流れる電流を検出する場合について説明する図である。It is a figure explaining the case where the electric current which flows into the two conductive wires 2 and 3 is detected. 図6の導電線2,3に電流を流したときに発生する磁束について説明する図である。It is a figure explaining the magnetic flux which generate | occur | produces when an electric current is sent through the conductive wires 2 and 3 of FIG. 図7の導電線2,3間の位置に対する磁束密度の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship of the magnetic flux density with respect to the position between the conductive wires 2 and 3 of FIG. 本発明の第2の実施形態に係る充電システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the charging system which concerns on the 2nd Embodiment of this invention.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1の実施形態.
図1は、本発明の第1の実施形態に係る電流検出システムの構成を示す斜視図である。電流検出システムは、端子E,F間に分岐を持たない電流経路を構成する導体101と、導体101を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサ102とを備えている。導体101は、電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する第1及び第2の導体部分を含む。第1及び第2の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、第1及び第2の導体部分は、導体101に電流が流れるとき、第1及び第2の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられる。導体101は、例えば、図1に示すように、ストリップ状の導体板をU字形に形成して構成される。磁気センサ102は、導体101の第1及び第2の導体部分の間に配置されている。磁気センサ102は、例えば、ホール素子、又は、AMR素子、GMR素子、もしくはTMR素子などの磁気抵抗素子を含む。導体101の端子Eから端子Fに向かって電流を流すと、電流によって発生する磁力線は、導体101の第1及び第2の導体部分の間(磁気センサ102が設けられた位置)では同じ方向になるので、2つの導体部分によって発生した磁界が互いに加算される。磁気センサ102は、加算された磁界の磁束密度を検出する。磁気センサ102は、信号線103,104を介して外部の信号処理回路(図示せず)に接続される。磁気センサ102が磁気抵抗素子である場合、導体101を流れる電流によって発生した磁界の強度が変化したとき、磁気抵抗素子の抵抗値が変化する。外部の信号処理回路は、磁気抵抗素子の抵抗値の変化を、信号線103,104を介して電圧又は電流の変化として検出し、この検出結果に基づいて導体101を流れる電流の大きさを計算する。
First embodiment.
FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of the current detection system according to the first embodiment of the present invention. The current detection system includes a conductor 101 that forms a current path having no branch between terminals E and F, and a magnetic sensor 102 that detects the intensity of a magnetic field generated by the current flowing through the conductor 101. The conductor 101 includes first and second conductor portions that respectively correspond to different sections included in the current path. The first and second conductor portions are provided in close proximity to each other and substantially parallel to each other, and the first and second conductor portions are connected to the first and second conductor portions when current flows through the conductor 101. It is provided so that a reverse current flows. For example, as shown in FIG. 1, the conductor 101 is formed by forming a strip-shaped conductor plate in a U shape. The magnetic sensor 102 is disposed between the first and second conductor portions of the conductor 101. The magnetic sensor 102 includes, for example, a Hall element or a magnetoresistive element such as an AMR element, a GMR element, or a TMR element. When a current is passed from the terminal E to the terminal F of the conductor 101, the lines of magnetic force generated by the current are in the same direction between the first and second conductor portions of the conductor 101 (position where the magnetic sensor 102 is provided). Therefore, the magnetic fields generated by the two conductor portions are added together. The magnetic sensor 102 detects the magnetic flux density of the added magnetic field. The magnetic sensor 102 is connected to an external signal processing circuit (not shown) via signal lines 103 and 104. When the magnetic sensor 102 is a magnetoresistive element, when the strength of the magnetic field generated by the current flowing through the conductor 101 changes, the resistance value of the magnetoresistive element changes. The external signal processing circuit detects a change in the resistance value of the magnetoresistive element as a change in voltage or current via the signal lines 103 and 104, and calculates the magnitude of the current flowing through the conductor 101 based on the detection result. To do.

次に、図4〜図8を参照して、図1の電流検出システムの動作原理について説明する。   Next, the operation principle of the current detection system of FIG. 1 will be described with reference to FIGS.

図4は、1つの導電線1に電流を流したときに発生する磁束について説明する図である。図4は、導電線(導電体でできた配線;電線、導線、プリント回路基板の導体パターン、など)1に電流を流したときに、導電線1の長手方向に垂直な平面に発生している磁束の状態を表す。導電線1に電流を流すと、アンペールの右ねじの法則に従って導電線1の周囲に磁場が発生する。中央の長方形が導電線1の断面であり、これに垂直な方向に向かって電流が流れている。導電線1を取り囲むように描かれている複数の同心円上の線が磁界を表し、線の間隔は磁束密度を表す。すなわち、線の間隔が狭いと磁束密度が大きく、線の間隔が広いと磁束密度が小さい。1つの導電線1に電流を流すと、磁界の強度(磁束密度と同義)は、導電線1からの距離の自乗に反比例する。   FIG. 4 is a diagram for explaining the magnetic flux generated when a current is passed through one conductive wire 1. FIG. 4 shows that when a current is passed through a conductive wire (wiring made of a conductor; an electric wire, a conductive wire, a conductor pattern of a printed circuit board, etc.) 1, it is generated on a plane perpendicular to the longitudinal direction of the conductive wire 1. Represents the state of magnetic flux. When a current is passed through the conductive wire 1, a magnetic field is generated around the conductive wire 1 according to Ampere's right-hand screw law. A central rectangle is a cross section of the conductive wire 1, and current flows in a direction perpendicular thereto. A plurality of concentric lines drawn so as to surround the conductive line 1 represent a magnetic field, and the interval between the lines represents a magnetic flux density. That is, when the line interval is narrow, the magnetic flux density is large, and when the line interval is wide, the magnetic flux density is small. When a current is passed through one conductive wire 1, the magnetic field strength (synonymous with magnetic flux density) is inversely proportional to the square of the distance from the conductive wire 1.

図5は、図4の導電線1からの距離に対する磁束密度の関係を示すグラフである。図5のグラフは、図4の導電線1の表面(C点)を距離0mmとし、導電線1から4mm離れた位置(D点)まで磁界強度を示す。図5からわかるように、導電線1から離れるにつれて磁束密度は急激に低下する。   FIG. 5 is a graph showing the relationship of the magnetic flux density with respect to the distance from the conductive wire 1 in FIG. The graph of FIG. 5 shows the magnetic field strength up to a position (point D) that is 4 mm away from the conductive line 1 with the surface (point C) of the conductive line 1 of FIG. As can be seen from FIG. 5, the magnetic flux density rapidly decreases as the distance from the conductive wire 1 increases.

図6は、2つの導電線2,3に流れる電流を検出する場合について説明する図である。
導電線2,3は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、導電線2,3には互いに逆向きの電流I1,I2が流れる。電流I1,I2の大きさは同じである。
FIG. 6 is a diagram for explaining a case where a current flowing through two conductive lines 2 and 3 is detected.
The conductive lines 2 and 3 are provided close to each other and substantially parallel to each other, and currents I1 and I2 in opposite directions flow through the conductive lines 2 and 3, respectively. The magnitudes of the currents I1 and I2 are the same.

図7は、図6の導電線2,3に電流を流したときに発生する磁束について説明する図である。図7は、導電線2,3に電流を流したときに、図6のWXYZ平面に発生している磁束の状態を表す。導電線2,3に電流を流すと、アンペールの右ねじの法則に従って導電線2,3の周囲に磁場が発生する。電流I1,I2のが互いに逆方向に流れるので、導電線2,3の間の磁束の向きは一致する。従って、導電線2を流れる電流によって発生する磁束と導電線3を流れる電流によって発生する磁束とは互いに加算され、磁束密度は、1つの導電線1に電流が流れる場合(図4)よりも大きくなっている。   FIG. 7 is a diagram for explaining the magnetic flux generated when a current is passed through the conductive wires 2 and 3 in FIG. FIG. 7 shows the state of magnetic flux generated in the WXYZ plane of FIG. 6 when a current is passed through the conductive wires 2 and 3. When a current is passed through the conductive lines 2 and 3, a magnetic field is generated around the conductive lines 2 and 3 in accordance with Ampere's right-hand rule. Since the currents I1 and I2 flow in opposite directions, the directions of the magnetic flux between the conductive lines 2 and 3 match. Therefore, the magnetic flux generated by the current flowing through the conductive wire 2 and the magnetic flux generated by the current flowing through the conductive wire 3 are added to each other, and the magnetic flux density is larger than when the current flows through one conductive wire 1 (FIG. 4). It has become.

図8は、図7の導電線2,3間の位置に対する磁束密度の関係を示すグラフである。図7の導電線2,3が互いに対向する面のうち、導電線2の表面(A点)を0mmとしたとき、導電線3の表面(B点)は、導電線2の表面から4mmの距離にあるとする。図8からわかるように、磁束密度が最低になるのはA点及びB点の中間(距離2mm)の位置であり、この位置から導電線2又は3に近づくにつれて磁束密度が増加していく。図8では範囲外になるので図示していないが、磁束密度は、導電線2の表面(A点)及び導電線3の表面(B点)の付近において最大になる。   FIG. 8 is a graph showing the relationship of the magnetic flux density with respect to the position between the conductive lines 2 and 3 in FIG. When the surface (point A) of the conductive line 2 is 0 mm among the surfaces where the conductive lines 2 and 3 of FIG. 7 face each other, the surface (point B) of the conductive line 3 is 4 mm from the surface of the conductive line 2. Suppose you are at a distance. As can be seen from FIG. 8, the magnetic flux density is lowest at a position between the point A and the point B (distance 2 mm), and the magnetic flux density increases as the conductive wire 2 or 3 is approached from this position. Although not shown in FIG. 8 because it is out of range, the magnetic flux density is maximized in the vicinity of the surface of the conductive wire 2 (point A) and the surface of the conductive wire 3 (point B).

以下、1つの導電線1に電流を流す場合(図5)と、互いに近接して互いに実質的に平行に設けられた2つの導電線2,3に互いに逆向きの電流を流す場合(図8)、すなわち図1の電流検出システムの場合とを比較する。   Hereinafter, when a current is passed through one conductive line 1 (FIG. 5), and when currents flowing in opposite directions are passed through two conductive lines 2 and 3 provided in close proximity to each other and substantially parallel to each other (FIG. 8). ), That is, the case of the current detection system of FIG.

1つの導電線1に電流を流す場合には、前述のように、磁束密度は、導電線1からの距離の自乗に反比例して低下する。ここで、例えば、導電線1の表面から2mmの位置に磁気センサを配置した電流検出システムを想定する。これは、特許文献1の電流検出システムに相当する。この場合、図5によれば、磁気センサは約1.25μTの磁界(距離2mmのとき)の中にある。ところで、実際に電流検出システムを量産するときには、磁気センサを導電線1の表面から正確に2mmの位置に配置することは不可能であり、必ず、所定の製造ばらつきが生じる。例えば、導電線1の表面から磁気センサまでの距離のばらつきが1.5mm〜2.5mm(2.0mm±0.5)あると仮定すると、距離1.5mmのとき、磁束密度は最大値2.2μTになり、距離2.5mmのとき、磁束密度は最小値0.8μTになる。従って、磁束密度の理想値1.25μT(距離2mmのとき)と比較すると、磁束密度は、その最大値のときに+76%変化し、その最小値のときに−36%変化する。また、磁束密度の最大値は、磁束密度の最小値の2.75倍である。   When a current is passed through one conductive wire 1, the magnetic flux density decreases in inverse proportion to the square of the distance from the conductive wire 1 as described above. Here, for example, a current detection system in which a magnetic sensor is arranged at a position 2 mm from the surface of the conductive wire 1 is assumed. This corresponds to the current detection system of Patent Document 1. In this case, according to FIG. 5, the magnetic sensor is in a magnetic field of about 1.25 μT (at a distance of 2 mm). By the way, when the current detection system is actually mass-produced, it is impossible to dispose the magnetic sensor at an accurate position of 2 mm from the surface of the conductive wire 1, and a predetermined manufacturing variation always occurs. For example, assuming that the variation in the distance from the surface of the conductive wire 1 to the magnetic sensor is 1.5 mm to 2.5 mm (2.0 mm ± 0.5), the magnetic flux density has a maximum value of 2 when the distance is 1.5 mm. When the distance is 2.5 mm, the magnetic flux density has a minimum value of 0.8 μT. Therefore, compared with the ideal value of magnetic flux density of 1.25 μT (at a distance of 2 mm), the magnetic flux density changes by + 76% at the maximum value and by −36% at the minimum value. The maximum value of the magnetic flux density is 2.75 times the minimum value of the magnetic flux density.

一方、互いに近接して互いに実質的に平行に設けられた2つの導電線2,3に互いに逆向きの電流を流す場合には、前述のように、磁束密度は、導電線2,3の中間の位置において最小になる。図8によれば、導電線2,3の中間の位置(距離2mmのとき)において、磁気センサは約2.5μTの磁界の中にある。例えば、導電線2,3間における磁気センサの位置のばらつきが距離1.5mm〜2.5mm(2.0mm±0.5)あると仮定する。この場合、距離1.5mm及び2.5mmのとき、磁束密度は最大値3.0μTになり、距離2.0mmのとき、磁束密度は最小値2.5μTになる。従って、磁束密度の理想値2.5μT(距離2mmのとき)と比較すると、磁束密度は、その最大値のときに+20%変化し、その最小値のときに0%の変化になる。これらの変化率は、1つの導電線1に電流を流す場合(+76%及び−36%)よりも大幅に少ない。また、磁束密度の最大値は、磁束密度の最小値の1.2倍である。従って、導電線2,3間における磁気センサの位置のばらつきにより磁束密度が変動する範囲もまた、1つの導電線1に電流を流す場合(磁束密度の最大値が磁束密度の最小値の2.75倍)よりも大幅に小さい。この磁束密度の変動を補正するためには、1つの導電線1に電流を流す場合には、理想値の−36%〜+76%にわたって補正可能でなければならないのに対して、図1の電流検出システムの場合では、0%〜+20%にわたって補正可能であれば十分である。従って、図1の電流検出システムによれば、補正回路の規模の縮小、補正精度の向上、及び製造コストの削減が見込めるという利点がある。   On the other hand, when currents flowing in opposite directions are passed through two conductive wires 2 and 3 provided in close proximity to each other and substantially parallel to each other, as described above, the magnetic flux density is intermediate between the conductive wires 2 and 3. At the position of According to FIG. 8, the magnetic sensor is in a magnetic field of about 2.5 μT at an intermediate position between the conductive wires 2 and 3 (at a distance of 2 mm). For example, it is assumed that the variation in the position of the magnetic sensor between the conductive wires 2 and 3 is a distance of 1.5 mm to 2.5 mm (2.0 mm ± 0.5). In this case, when the distance is 1.5 mm and 2.5 mm, the magnetic flux density has a maximum value of 3.0 μT, and when the distance is 2.0 mm, the magnetic flux density has a minimum value of 2.5 μT. Therefore, compared with the ideal value 2.5 μT of the magnetic flux density (when the distance is 2 mm), the magnetic flux density changes by + 20% at the maximum value and changes by 0% at the minimum value. These rates of change are significantly less than when current is passed through one conductive line 1 (+ 76% and −36%). The maximum value of the magnetic flux density is 1.2 times the minimum value of the magnetic flux density. Accordingly, the range in which the magnetic flux density fluctuates due to the variation in the position of the magnetic sensor between the conductive wires 2 and 3 is also applied when current flows through one conductive wire 1 (the maximum value of the magnetic flux density is 2. 75 times). In order to correct this variation in magnetic flux density, when a current is passed through one conductive line 1, it must be correctable over the range of −36% to + 76% of the ideal value, whereas the current in FIG. In the case of a detection system, it is sufficient if correction is possible over 0% to + 20%. Therefore, according to the current detection system of FIG. 1, there is an advantage that the scale of the correction circuit can be reduced, the correction accuracy can be improved, and the manufacturing cost can be reduced.

図1の電流検出システムは、導体101における電流が往復する2つの導体部分の間に磁気センサ102を配置したことを特徴とする。電流が逆方向に流れる2つの導体部分の中間に磁気センサ102を配置すると、磁気センサ102の位置の誤差に起因して生じる磁束密度の誤差を小さくすることができる。これにより、導体101と磁気センサ102との間隔がばらついても検出結果のばらつきが生じにくい電流検出システムを実現できる。   The current detection system of FIG. 1 is characterized in that a magnetic sensor 102 is disposed between two conductor portions in which a current in the conductor 101 reciprocates. If the magnetic sensor 102 is arranged in the middle of two conductor portions in which current flows in opposite directions, an error in magnetic flux density caused by an error in the position of the magnetic sensor 102 can be reduced. Thereby, even if the space | interval of the conductor 101 and the magnetic sensor 102 varies, the electric current detection system which cannot produce the dispersion | variation in a detection result is realizable.

図1の電流検出システムにおいて、磁気センサ102は、樹脂又はプラスチックなどにより導体101の第1及び第2の導体部分の間に固定されてもよい。これにより、電流検出システムは1つの部品として取り扱いやすくなる。   In the current detection system of FIG. 1, the magnetic sensor 102 may be fixed between the first and second conductor portions of the conductor 101 by resin or plastic. This makes it easier to handle the current detection system as a single component.

図1の電流検出システムにおいて、磁気センサ102が間に設けられる導体101の2つの導体部分は、完全な平行でなくてもよい。2つの導体部分が互いに例えば10°の角度を有して設けられていても、図8の特性に大きな影響を与えることはなく、従って、電流検出システムの校正により2つの導体部分の間の角度の影響を除去することができる。   In the current detection system of FIG. 1, the two conductor portions of the conductor 101 provided with the magnetic sensor 102 do not have to be completely parallel. Even if the two conductor parts are provided with an angle of, for example, 10 ° with respect to each other, the characteristic of FIG. 8 is not significantly affected, so that the angle between the two conductor parts is not affected by calibration of the current detection system. Can be removed.

図2は、磁気抵抗素子のブリッジ回路として構成された磁気センサの構成を示す等価回路図である。磁気センサは、磁気抵抗素子のブリッジ回路として構成されてもよい。図2の磁気センサ112は、磁気抵抗素子R1〜R4のブリッジ回路として構成され、信号線113〜116を介して外部の信号処理回路(図示せず)に接続される。磁気抵抗素子R1〜R4は、例えば、AMR素子、GMR素子、又はTMR素子である。磁気抵抗素子R1〜R4は、それぞれ、矢印の向きの磁場の強弱に応じて増減する抵抗値を有する。従って、例えば図2において右向きの磁場が増大するとき、磁気抵抗素子R1,R3の抵抗値は増大し、磁気抵抗素子R2,R4の抵抗値は減少する。従って、信号線114,116を介して電圧を印加したとき、信号線113,115における電圧は、磁場の強度の変化に応じて敏感に変化する。さらに、信号線113,115における電圧には、互いに逆の変化が生じる。このため、信号線113,115における電圧の差を計算することにより、磁場の強度の変化を高い感度で検出することができる。   FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing a configuration of a magnetic sensor configured as a bridge circuit of a magnetoresistive element. The magnetic sensor may be configured as a bridge circuit of magnetoresistive elements. 2 is configured as a bridge circuit of magnetoresistive elements R1 to R4, and is connected to an external signal processing circuit (not shown) via signal lines 113 to 116. The magnetoresistive elements R1 to R4 are, for example, AMR elements, GMR elements, or TMR elements. Each of the magnetoresistive elements R1 to R4 has a resistance value that increases or decreases according to the strength of the magnetic field in the direction of the arrow. Therefore, for example, when the rightward magnetic field in FIG. 2 increases, the resistance values of the magnetoresistive elements R1 and R3 increase, and the resistance values of the magnetoresistive elements R2 and R4 decrease. Therefore, when a voltage is applied via the signal lines 114 and 116, the voltage on the signal lines 113 and 115 changes sensitively according to a change in the strength of the magnetic field. Further, the voltages on the signal lines 113 and 115 are oppositely changed. Therefore, by calculating the voltage difference between the signal lines 113 and 115, a change in magnetic field strength can be detected with high sensitivity.

図3は、本発明の第1の実施形態の変形例に係る電流検出システムの構成を示す斜視図である。電流検出システムは、端子C1,C2間に分岐を持たない電流経路を構成する導体111と、導体111を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサ112とを備えている。導体111は、導体111a,111bを含む。導体111aは、例えば、エッチング又はパンチングされた導体板として形成される。導体111bは、その一部が導体111aに近接して実質的に平行に設けられるように、所定の3次元形状を有して形成される。導体111aの一端には端子C2が設けられ、導体111bの一端には端子C1が設けられ、導体111a,111bの他端は互いに電気的に接続される。導体111aの一部及び導体111bの一部は、導体111の電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する。導体111aの一部及び導体111bの一部は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、導体111a,111bは、導体111に電流が流れるとき、導体111aの一部及び導体111bの一部に互いに逆向きの電流が流れるように設けられる。磁気センサ112は、導体111a,111bの間に配置され、例えば、導体111aの上に配置される。磁気センサ112は、例えば図2の磁気センサ112であり、信号線113〜116を介して端子S1〜S4に接続されている。信号線113〜116は、例えば、磁気センサ112の端子(図示せず)と、端子S1〜S4とをボンディングにより接続する導電性ワイヤである。端子S1〜S4は、例えば、エッチング又はパンチングされた導体板として形成される。端子S1〜S4は、外部の信号処理回路(図示せず)に接続される。外部の信号処理回路は、導体111を流れる電流によって発生した磁界の強度の変化を検出し、この検出結果に基づいて導体111を流れる電流の大きさを計算する。   FIG. 3 is a perspective view showing a configuration of a current detection system according to a modification of the first embodiment of the present invention. The current detection system includes a conductor 111 that forms a current path that does not have a branch between terminals C1 and C2, and a magnetic sensor 112 that detects the intensity of a magnetic field generated by the current flowing through the conductor 111. The conductor 111 includes conductors 111a and 111b. The conductor 111a is formed, for example, as a conductor plate that is etched or punched. The conductor 111b is formed to have a predetermined three-dimensional shape so that a part of the conductor 111b is provided in proximity to and substantially parallel to the conductor 111a. A terminal C2 is provided at one end of the conductor 111a, a terminal C1 is provided at one end of the conductor 111b, and the other ends of the conductors 111a and 111b are electrically connected to each other. A part of the conductor 111a and a part of the conductor 111b correspond to different sections included in the current path of the conductor 111, respectively. A part of the conductor 111a and a part of the conductor 111b are provided close to each other and substantially parallel to each other, and the conductors 111a and 111b are a part of the conductor 111a and a part of the conductor 111b when a current flows through the conductor 111. Are provided such that currents in opposite directions flow through each other. The magnetic sensor 112 is disposed between the conductors 111a and 111b, for example, disposed on the conductor 111a. The magnetic sensor 112 is, for example, the magnetic sensor 112 of FIG. 2 and is connected to the terminals S1 to S4 via the signal lines 113 to 116. The signal lines 113 to 116 are, for example, conductive wires that connect terminals (not shown) of the magnetic sensor 112 and the terminals S1 to S4 by bonding. The terminals S1 to S4 are formed as, for example, etched or punched conductor plates. Terminals S1-S4 are connected to an external signal processing circuit (not shown). The external signal processing circuit detects a change in the strength of the magnetic field generated by the current flowing through the conductor 111, and calculates the magnitude of the current flowing through the conductor 111 based on the detection result.

図3の電流検出システムによれば、図1の電流検出システムと同様に、導体111と磁気センサ112との間隔がばらついても検出結果のばらつきが生じにくい電流検出システムを実現できる。   According to the current detection system of FIG. 3, as in the current detection system of FIG. 1, it is possible to realize a current detection system in which detection results are less likely to vary even when the distance between the conductor 111 and the magnetic sensor 112 varies.

図3の電流検出システムは、広く普及している集積回路パッケージと同様に、磁気センサ112を樹脂等で充填したりモールド処理をしたりしてもよい。これにより、電流検出システムは1つの部品として取り扱いやすくなる。導体111a及び端子S1〜S4は、半導体パッケージのリードフレームと同様のものである。   In the current detection system of FIG. 3, the magnetic sensor 112 may be filled with a resin or the like, or may be subjected to a molding process, as in the case of widely used integrated circuit packages. This makes it easier to handle the current detection system as a single component. The conductor 111a and the terminals S1 to S4 are the same as the lead frame of the semiconductor package.

図3の電流検出システムにおいて、4つの信号線113〜116を有する電流センサ112に代えて、図1の2つの信号線103,104を有する電流センサ102を用いてもよい。   In the current detection system of FIG. 3, the current sensor 102 having the two signal lines 103 and 104 of FIG. 1 may be used instead of the current sensor 112 having the four signal lines 113 to 116.

第2の実施形態.
図9は、本発明の第2の実施形態に係る充電システムの構成を示すブロック図である。図9の充電システムは、電源装置201、充電制御装置202、及びバッテリ203を含む。充電制御装置202は、電源装置201からの電力供給を受けてバッテリ203に充電する。充電制御装置202は、導体101及び磁気センサ102を備えた電流検出システムを含み、バッテリ203に流れる電流Idetを検出する。さらに、充電制御装置202は、バッテリ203に印加される電圧Vdetを検出する。充電制御装置202は、検出された電流Idet及び電圧Vdetに基づいて、バッテリ203に出力する適切な電流及び電圧を決定する。充電制御装置202は、図1の電流検出システムと同様に構成された電流検出システムを用いることにより、バッテリ203に流れる電流Idet及びバッテリ203に充電された電力量を正確に検出することができる。
Second embodiment.
FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a charging system according to the second embodiment of the present invention. The charging system in FIG. 9 includes a power supply device 201, a charging control device 202, and a battery 203. The charging control device 202 receives power supplied from the power supply device 201 and charges the battery 203. The charging control device 202 includes a current detection system including the conductor 101 and the magnetic sensor 102 and detects a current Idet flowing through the battery 203. Further, the charging control device 202 detects a voltage Vdet applied to the battery 203. The charging control device 202 determines an appropriate current and voltage to be output to the battery 203 based on the detected current Idet and voltage Vdet. The charge control device 202 can accurately detect the current Idet flowing through the battery 203 and the amount of electric power charged in the battery 203 by using a current detection system configured similarly to the current detection system of FIG.

本発明の態様に係る電流検出システム、電流検出方法、及び充電制御装置は、以下の構成を備えたことを特徴とする。   A current detection system, a current detection method, and a charge control device according to an aspect of the present invention include the following configuration.

本発明の第1の態様に係る電流検出システムによれば、
2つの端子と、
上記2つの端子間に分岐を持たない電流経路を構成する導体と、
上記導体を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備えた電流検出システムであって、
上記導体は、上記電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する第1及び第2の導体部分を含み、上記第1及び第2の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第1及び第2の導体部分は、上記導体に電流が流れるとき、上記第1及び第2の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第1及び第2の導体部分の間に配置されたことを特徴とする。
According to the current detection system of the first aspect of the present invention,
Two terminals,
A conductor constituting a current path having no branch between the two terminals;
A current detection system comprising a magnetic sensor for detecting the intensity of a magnetic field generated by a current flowing through the conductor,
The conductor includes first and second conductor portions respectively corresponding to different sections included in the current path, wherein the first and second conductor portions are provided close to each other and substantially parallel to each other; The first and second conductor portions are provided such that when current flows through the conductor, currents in opposite directions flow through the first and second conductor portions,
The magnetic sensor is arranged between the first and second conductor portions.

本発明の第2の態様に係る電流検出システムによれば、第1の態様に係る電流検出システムにおいて、
上記磁気センサは磁気抵抗素子を含むことを特徴とする。
According to the current detection system according to the second aspect of the present invention, in the current detection system according to the first aspect,
The magnetic sensor includes a magnetoresistive element.

本発明の第3の態様に係る電流検出システムによれば、第2の態様に係る電流検出システムにおいて、
上記磁気抵抗素子は、AMR(Anisotropic Magnetoresistance)素子、GMR(Giant Magnetoresistance)素子、又はTMR(Tunneling Magnetoresistance)素子であることを特徴とする。
According to the current detection system according to the third aspect of the present invention, in the current detection system according to the second aspect,
The magnetoresistive element is an AMR (Anisotropic Magnetoresistance) element, a GMR (Giant Magnetoresistance) element, or a TMR (Tunneling Magnetoresistance) element.

本発明の第4の態様に係る電流検出システムによれば、第1〜第3のいずれかの態様に係る電流検出システムにおいて、
上記磁気センサはブリッジ回路として構成されたことを特徴とする。
According to the current detection system according to the fourth aspect of the present invention, in the current detection system according to any one of the first to third aspects,
The magnetic sensor is configured as a bridge circuit.

本発明の第5の態様に係る充電制御装置によれば、
電源装置からの電力供給を受けてバッテリに充電する充電制御装置において、上記充電制御装置は、
上記電源装置と上記バッテリとの間に分岐を持たない電流経路を構成する第1の区間を含む導体と、
上記導体の第1の区間を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備えた電流検出システムであって、
上記導体の第1の区間は、当該第1の区間に含まれる異なる部分区間にそれぞれ対応する第1及び第2の導体部分を含み、上記第1及び第2の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第1及び第2の導体部分は、上記導体の第1の区間に電流が流れるとき、上記第1及び第2の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第1及び第2の導体部分の間に配置され、
上記磁界の強度に基づいて上記バッテリに流れる電流の大きさを計算することを特徴とする。
According to the charge control device of the fifth aspect of the present invention,
In the charge control device that receives power supply from the power supply device and charges the battery, the charge control device includes:
A conductor including a first section constituting a current path having no branch between the power supply device and the battery;
A current detection system comprising a magnetic sensor for detecting the intensity of a magnetic field generated by a current flowing through the first section of the conductor,
The first section of the conductor includes first and second conductor portions that respectively correspond to different partial sections included in the first section, and the first and second conductor portions are adjacent to each other. The first and second conductor portions are provided substantially in parallel so that when current flows through the first section of the conductor, currents in opposite directions flow through the first and second conductor portions. Provided in
The magnetic sensor is disposed between the first and second conductor portions;
The magnitude of the current flowing through the battery is calculated based on the strength of the magnetic field.

本発明の第6の態様に係る充電制御装置によれば、
上記バッテリに印加される電圧を検出する電圧検出装置をさらに備えたことを特徴とする。
According to the charge control device of the sixth aspect of the present invention,
A voltage detecting device for detecting a voltage applied to the battery is further provided.

本発明の第7の態様に係る電流検出方法によれば、
電流検出システムにおいて2つの端子間の導体に流れる電流の大きさを検出する電流検出方法において、
上記電流検出システムは、
上記2つの端子間に分岐を持たない電流経路を構成する導体と、
上記導体を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備え、
上記導体は、上記電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する第1及び第2の導体部分を含み、上記第1及び第2の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第1及び第2の導体部分は、上記導体に電流が流れるとき、上記第1及び第2の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第1及び第2の導体部分の間に配置され、
上記電流検出方法は、
上記電流検出システムにより上記2つの端子間の導体に流れる電流によって発生した磁界の強度を検出するステップと、
上記磁界の強度に基づいて上記導体を流れる電流の大きさを計算するステップとを含む
ことを特徴とする。
According to the current detection method of the seventh aspect of the present invention,
In a current detection method for detecting the magnitude of a current flowing in a conductor between two terminals in a current detection system,
The current detection system is
A conductor constituting a current path having no branch between the two terminals;
A magnetic sensor for detecting the strength of the magnetic field generated by the current flowing through the conductor,
The conductor includes first and second conductor portions respectively corresponding to different sections included in the current path, wherein the first and second conductor portions are provided close to each other and substantially parallel to each other; The first and second conductor portions are provided such that when current flows through the conductor, currents in opposite directions flow through the first and second conductor portions,
The magnetic sensor is disposed between the first and second conductor portions;
The current detection method is
Detecting the intensity of the magnetic field generated by the current flowing in the conductor between the two terminals by the current detection system;
Calculating the magnitude of the current flowing through the conductor based on the strength of the magnetic field.

101,111,111a,111b…導体、
102,112…磁気センサ、
103,104,113〜116…信号線、
201…電源装置、
202…充電制御装置、
203…バッテリ、
C1,C2,S1〜S4…端子、
R1〜R4…磁気抵抗素子。
101, 111, 111a, 111b ... conductors,
102, 112 ... Magnetic sensor,
103, 104, 113 to 116 ... signal lines,
201 ... power supply,
202 ... charge control device,
203 ... Battery,
C1, C2, S1 to S4 ... terminals,
R1 to R4: magnetoresistive elements.

特開2011−069837号公報JP 2011-069837 A 特許第4579538号公報Japanese Patent No. 4579538 特開2003−329749号公報JP 2003-329749 A

Claims (7)

2つの端子と、
上記2つの端子間に分岐を持たない電流経路を構成する導体と、
上記導体を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備えた電流検出システムであって、
上記導体は、上記電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する第1及び第2の導体部分を含み、上記第1及び第2の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第1及び第2の導体部分は、上記導体に電流が流れるとき、上記第1及び第2の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第1及び第2の導体部分の間に配置されたことを特徴とする電流検出システム。
Two terminals,
A conductor constituting a current path having no branch between the two terminals;
A current detection system comprising a magnetic sensor for detecting the intensity of a magnetic field generated by a current flowing through the conductor,
The conductor includes first and second conductor portions respectively corresponding to different sections included in the current path, wherein the first and second conductor portions are provided close to each other and substantially parallel to each other; The first and second conductor portions are provided such that when current flows through the conductor, currents in opposite directions flow through the first and second conductor portions,
The current detection system, wherein the magnetic sensor is disposed between the first and second conductor portions.
上記磁気センサは磁気抵抗素子を含むことを特徴とする請求項1記載の電流検出システム。   The current detection system according to claim 1, wherein the magnetic sensor includes a magnetoresistive element. 上記磁気抵抗素子は、AMR(Anisotropic Magnetoresistance)素子、GMR(Giant Magnetoresistance)素子、又はTMR(Tunneling Magnetoresistance)素子であることを特徴とする請求項2記載の電流検出システム。   3. The current detection system according to claim 2, wherein the magnetoresistive element is an AMR (Anisotropic Magnetoresistance) element, a GMR (Giant Magnetoresistance) element, or a TMR (Tunneling Magnetoresistance) element. 上記磁気センサはブリッジ回路として構成されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の電流検出システム。   The current detection system according to claim 1, wherein the magnetic sensor is configured as a bridge circuit. 電源装置からの電力供給を受けてバッテリに充電する充電制御装置において、上記充電制御装置は、
上記電源装置と上記バッテリとの間に分岐を持たない電流経路を構成する第1の区間を含む導体と、
上記導体の第1の区間を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備えた電流検出システムであって、
上記導体の第1の区間は、当該第1の区間に含まれる異なる部分区間にそれぞれ対応する第1及び第2の導体部分を含み、上記第1及び第2の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第1及び第2の導体部分は、上記導体の第1の区間に電流が流れるとき、上記第1及び第2の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第1及び第2の導体部分の間に配置され、
上記磁界の強度に基づいて上記バッテリに流れる電流の大きさを計算することを特徴とする充電制御装置。
In the charge control device that receives power supply from the power supply device and charges the battery, the charge control device includes:
A conductor including a first section constituting a current path having no branch between the power supply device and the battery;
A current detection system comprising a magnetic sensor for detecting the intensity of a magnetic field generated by a current flowing through the first section of the conductor,
The first section of the conductor includes first and second conductor portions that respectively correspond to different partial sections included in the first section, and the first and second conductor portions are adjacent to each other. The first and second conductor portions are provided substantially in parallel so that when current flows through the first section of the conductor, currents in opposite directions flow through the first and second conductor portions. Provided in
The magnetic sensor is disposed between the first and second conductor portions;
A charge control device that calculates the magnitude of a current flowing through the battery based on the strength of the magnetic field.
上記バッテリに印加される電圧を検出する電圧検出装置をさらに備えたことを特徴とする請求項5記載の充電制御装置。   6. The charge control device according to claim 5, further comprising a voltage detection device for detecting a voltage applied to the battery. 電流検出システムにおいて2つの端子間の導体に流れる電流の大きさを検出する電流検出方法において、
上記電流検出システムは、
上記2つの端子間に分岐を持たない電流経路を構成する導体と、
上記導体を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備え、
上記導体は、上記電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する第1及び第2の導体部分を含み、上記第1及び第2の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第1及び第2の導体部分は、上記導体に電流が流れるとき、上記第1及び第2の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第1及び第2の導体部分の間に配置され、
上記電流検出方法は、
上記電流検出システムにより上記2つの端子間の導体に流れる電流によって発生した磁界の強度を検出するステップと、
上記磁界の強度に基づいて上記導体を流れる電流の大きさを計算するステップとを含む
ことを特徴とする電流検出方法。
In a current detection method for detecting the magnitude of a current flowing in a conductor between two terminals in a current detection system,
The current detection system is
A conductor constituting a current path having no branch between the two terminals;
A magnetic sensor for detecting the strength of the magnetic field generated by the current flowing through the conductor,
The conductor includes first and second conductor portions respectively corresponding to different sections included in the current path, wherein the first and second conductor portions are provided close to each other and substantially parallel to each other; The first and second conductor portions are provided such that when current flows through the conductor, currents in opposite directions flow through the first and second conductor portions,
The magnetic sensor is disposed between the first and second conductor portions;
The current detection method is
Detecting the intensity of the magnetic field generated by the current flowing in the conductor between the two terminals by the current detection system;
Calculating the magnitude of the current flowing through the conductor based on the strength of the magnetic field.
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