JP2015029098A - Light emission electrochemical cell and system, use thereof, and method for operating them - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emission electrochemical cell that has a long lifetime and can efficiently emit light.SOLUTION: A light emission device has a first electrode 11, a second electrode 12, and a light emission active material 13 which comes into contact with the first and second electrodes to separate them. The device includes a combination of a conjugate polymer and an electrolyte, which includes ions to enables electrochemical doping with the conjugate polymer. The ratio of the ions and conjugate polymer is so selected as to form: (i) a doped region for each electrode interface (enabling injection and transport of an electron charge carrier to and via the doped region with a zero or low overvoltage); (ii) and an effective undoped region separating the doped region (where the injected electron charge carrier can be recombined by excitation of the conjugate polymer and the polymer can be deexcited by light emission).

Description

技術分野
本開示は、2つの電極間に配置された活物質としての混合可動イオンをもつ共役ポリマーに基づく発光デバイスに関し、これは長い動作寿命と効率的な発光を可能にする。この発光デバイスはフレキシブルな基板上にフレキシブルな形態で作製することができる。
TECHNICAL FIELD The present disclosure relates to light emitting devices based on conjugated polymers with mixed mobile ions as the active material disposed between two electrodes, which allows for a long operating life and efficient light emission. This light-emitting device can be manufactured in a flexible form on a flexible substrate.

背景
同時の効率的で、耐久性で、フレキシブルで、低コストの発光デバイスというビジョンは、エンドユーザーおよび製造者の両方の視点から非常に魅力的であるが、同時に現時点では実効的に解決されていないまま残っている、重要な科学的で技術的な挑戦を提起する。登場しつつあるフルオレセンス蛍光有機半導体は、それらのよりありふれた無機の対応物と対照的に、低温で比較的簡単な方法によって処理することができ、それ自体でフレキシブルな基板の使用および低コストのロールツーロール製造に適合する。したがって、低分子(SM)または共役ポリマー(CP)の形態にある有機半導体をベースとする発光デバイスは、巨大な科学的および経済的な興味をひき、現在の主要な焦点は有機発光ダイオード(OLED)の開発を目指している。
Background The vision of simultaneous efficient, durable, flexible, and low-cost light-emitting devices is very attractive from both the end-user and manufacturer's perspective, but at the same time has been effectively resolved at the same time. Raises important scientific and technical challenges that remain untouched. Emerging fluorescing fluorescent organic semiconductors, in contrast to their more common inorganic counterparts, can be processed in a relatively simple manner at low temperatures, as such using a flexible substrate and low Suitable for cost roll-to-roll manufacturing. Thus, light emitting devices based on organic semiconductors in the form of small molecules (SM) or conjugated polymers (CP) have attracted enormous scientific and economic interests, and the current main focus is organic light emitting diodes (OLEDs). ).

SM系OLEDは、活物質の特性を多層スタック内部の様々な層の制御可能な化学ドーピングによって調整できる点において興味深い特性を示し、このような適切に設計されたデバイスの性能は最近ではかなり目覚しいレベルに達している。しかし、SM系OLEDに伴う顕著な欠点は、これらが典型的には溶液処理およびロールツーロール製造に適しておらず、製造の簡単さおよびコストにおいて付随する不利益がある。他方、CP系OLEDは簡単で低コストのポリマー活物質の溶液処理に適合しているが、実際にはドーピングを実現できないという事実に苦慮している。結果として、良好なデバイス性能を達成するためには、CP−OLEDに低仕事関数で高反応性のカソード物質を使用することが必要であり、製造および安定性の視点からデバイスの機能に負の影響をもつ。   SM-based OLEDs exhibit interesting properties in that the properties of the active material can be tuned by controllable chemical doping of various layers inside the multilayer stack, and the performance of such well-designed devices has recently been quite impressive. Has reached. However, the significant drawbacks associated with SM-based OLEDs are that they are typically not suitable for solution processing and roll-to-roll manufacturing, with associated disadvantages in manufacturing simplicity and cost. On the other hand, CP-based OLEDs are compatible with simple and low-cost solution processing of polymer active materials, but suffer from the fact that in practice doping cannot be realized. As a result, to achieve good device performance, it is necessary to use a low work function, highly reactive cathode material in CP-OLED, which is negative to the function of the device from a manufacturing and stability perspective. Has an effect.

代替的な(かつしばしば見落とされている)有機発光デバイスは発光電気化学セル(LEC)。その独特な動作は、可動イオンが有機半導体と均質に混合していること、およびこれらのイオンがデバイス動作中に再分布して電子電荷の注入、輸送および再結合を可能にすることに基づいている。さらに、CP系LECは(普通の元素たとえばC、H、O、N、などをベースとする)潜在的に安価な物質を用いて溶液から直接処理することができ、したがって最初に概説した将来の高性能発光デバイスに対する要求のほとんどを提供する。しかし、LECの電流発生についての重大な欠点(これは産業および学界からの現在の限定された興味を合理化する)は、不適切な動作寿命に関係する。   An alternative (and often overlooked) organic light emitting device is a light emitting electrochemical cell (LEC). Its unique behavior is based on the fact that mobile ions are intimately mixed with the organic semiconductor and that these ions are redistributed during device operation to allow injection, transport and recombination of electronic charges. Yes. In addition, CP-based LECs can be processed directly from solution using potentially inexpensive materials (based on common elements such as C, H, O, N, etc.) and thus the future outlined in the first It provides most of the demand for high performance light emitting devices. However, a significant drawback to current generation in LECs, which streamlines current limited interest from industry and academia, is associated with inadequate operating life.

長い寿命、高い電力変換効率、および/またはフレキシブルな設計を有する機能性LECの分野における従来技術がある。   There are prior arts in the field of functional LEC with long lifetime, high power conversion efficiency, and / or flexible design.

US2008/0084158および Shao, Y., G.C. Bazan, and A.J. Heeger, Long- lifetime polymer light-emitting electrochemical cells「長寿命ポリマー発光電気化学セル」, Advanced Materials, 2007. 19(3): p. 365-+は、100−1000時間というLECデバイスについてのかなりの動作寿命を開示している。彼らは、活物質中の希薄濃度の電解質成分(イオン性液体)を開示している。しかし、これらの開示は、相分離がLECの寿命に非常に制限的な影響をもつという理論に基づいている。これらの開示によれば、改善された寿命は、活物質中の2つの構成物質(イオン性液体および共役ポリマー)が、これらが両方とも疎水性であるため、単相を形成するという事実による。   US2008 / 0084158 and Shao, Y., GC Bazan, and AJ Heeger, Long-lifetime polymer light-emitting electrochemical cells, Advanced Materials, 2007. 19 (3): p. 365- + Discloses a significant operating lifetime for LEC devices of 100-1000 hours. They disclose dilute electrolyte components (ionic liquids) in the active material. However, these disclosures are based on the theory that phase separation has a very restrictive effect on LEC lifetime. According to these disclosures, the improved lifetime is due to the fact that the two constituents in the active material (ionic liquid and conjugated polymer) form a single phase because they are both hydrophobic.

Cao, Y., et al., Efficient, fast response light-emitting electrochemical cells: Electroluminescent and solid electrolyte polymers with interpenetrating network morphology「効率的な、高速応答の発光電気化学セル:相互侵入ネットワーク形態をもつエレクトロルミネッセントおよび固体電解質ポリマー」, Applied Physics Letters, 1996. 68(23): p. 3218-3220.は、{MEH−PPV+PEO+LiCFSO}をベースとする活物質混合物に界面活性剤を添加した場合の同様な「単相」アプローチを開示している。彼らは、かなりの輝度で約100時間の動作寿命をもつLECデバイスを達成している。重要なことであるが、著者らは通常の高濃度のLiCFSO塩およびイオン溶解性かつイオン輸送性のPEOポリマーを用いている。 Cao, Y., et al., Efficient, fast response light-emitting electrochemical cells: Electroluminescent and solid electrolyte polymers with interpenetrating network morphology “Efficient, fast response light-emitting electrochemical cells: electroluminescence with interpenetrating network morphology” St. and Solid Electrolyte Polymers ", Applied Physics Letters, 1996. 68 (23): p. 3218-3220., In the case of adding a surfactant to an active material mixture based on {MEH-PPV + PEO + LiCF 3 SO 3 }. A similar “single phase” approach is disclosed. They have achieved LEC devices with a significant brightness and an operating life of about 100 hours. Importantly, the authors use conventional high concentrations of LiCF 3 SO 3 salt and ion-soluble and ion-transporting PEO polymers.

本明細書において研究された、希薄濃度の親水性電解質とブレンドされた疎水性共役ポリマー(ここではイオン溶解性かつイオン輸送性の固体溶媒PEOとブレンドされた塩KCFSO)を含む活物質混合物(相分離した活物質を形成する)を有するLEDデバイスの分野においては、従来技術はほとんどないようである。 Active material comprising a hydrophobic conjugated polymer (here, the salt KCF 3 SO 3 blended with an ion-soluble and ion-transporting solid solvent PEO) blended with a dilute hydrophilic electrolyte studied herein There appears to be little prior art in the field of LED devices having a mixture (forming a phase separated active material).

deMello, J. C, et al., Ionic space-charge effects in polymer light- emitting diodes「ポリマー発光ダイオードにおけるイオン性空間電荷効果」, Physical Review B, 1998. 57(20): p. 12951-12963.は、彼らのLECデバイスのいくつかにおける低濃度の塩を開示しているが、イオン溶解性かつイオン輸送性の固体溶媒の濃度を高く保ち、したがって全電解質の含量が高い。さらに、この開示はデバイスの動作メカニズムに焦点をあて、たとえば動作寿命に関していかなるデータも報告していない。   deMello, J. C, et al., Ionic space-charge effects in polymer light-emitting diodes, Physical Review B, 1998. 57 (20): p. 12951-12963. Disclose low concentrations of salt in some of their LEC devices, but keep the concentration of ionic soluble and ion transportable solid solvents high, and therefore the total electrolyte content is high. Furthermore, this disclosure focuses on the operating mechanism of the device and does not report any data, for example, regarding operating lifetime.

活物質として単にMEH−PPVを含み、2lm/W未満または約2lm/Wに等しい電力変換効率を有する最先端のOLEDが下記に示されている。 Spreitzer, H., et al., Soluble phenyl-substituted PPVs - New materials for highly efficient polymer LEDs「可溶なフェニル置換PPV−高効率のポリマーLEDのための新物質」, Advanced Materials, 1998. 10(16): p. 1340-+, Hsiao, C.C., et al., High-efficiency polymer light-emitting diodes based on poly 2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene with plasma-polymerized CHF3-modified indium tin oxide as an anode「ポリ2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレンをベースとし、アノードとしてプラズマ重合CHF3修飾インジウム錫酸化物を有する高効率ポリマー発光ダイオード」, Applied Physics Letters, 2006. 88(3), Wu, X.F., et al., High-quality poly 2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-p-phenylenevinylene synthesized by a solid-liquid two-phase reaction: Characterizations and electroluminescence properties「固液二層反応によって合成された、高品質のポリ2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキシルオキシ)−p−フェニレンビニレン:特性評価およびエレクトロルミネセンス特性」, Journal of Polymer Science Part a-Polymer Chemistry, 2004. 42(12): p. 3049-3054, およびMalliaras, G.G., et al., Electrical characteristics and
efficiency of single-layer organic light-emitting diodes「単層有機発光ダイオードの電気特性および効率」, Physical Review B, 1998. 58(20): p. 13411-13414.。この高性能OLEDは低仕事関数であり、したがって非常に反応性であるカソードのための金属(典型的にはCa)を用いているが、本明細書において開示した、活物質中にMEH−PPVを含むLECデバイスは安定なAlカソードを用いながら類似またはより良好な電力変換効率を示すことは注目に値する。
State-of-the-art OLEDs that simply include MEH-PPV as the active material and have a power conversion efficiency of less than 2 lm / W or equal to about 2 lm / W are shown below. Spreitzer, H., et al., Soluble phenyl-substituted PPVs-New materials for highly efficient polymer LEDs, Advanced Materials, 1998. 10 (16 ): p. 1340- +, Hsiao, CC, et al., High-efficiency polymer light-emitting diodes based on poly 2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy) -1,4-phenylene vinylene with plasma-polymerized CHF3 -modified indium tin oxide as an anode "High efficiency polymer light-emitting diode based on poly 2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy) -1,4-phenylene vinylene and having plasma polymerized CHF3 modified indium tin oxide as anode '', Applied Physics Letters, 2006. 88 (3), Wu, XF, et al., High-quality poly 2-methoxy-5- (2'-ethylhexyloxy) -p-phenylenevinylene synthesized by a solid-liquid two-phase reaction: Characterization and electroluminescence properties High quality poly 2-methoxy-5- (2'-ethylhexyloxy) -p-phenylene vinylene: characterization and electroluminescence properties ", Journal of Polymer Science Part a-Polymer Chemistry, 2004. 42 (12 ): p. 3049-3054, and Malliaras, GG, et al., Electrical characteristics and
efficiency of single-layer organic light-emitting diodes, Physical Review B, 1998. 58 (20): p. 13411-13414. This high performance OLED uses a metal (typically Ca) for the cathode that has a low work function and is therefore very reactive, but the MEH-PPV in the active material disclosed herein. It is noteworthy that LEC devices including include a similar or better power conversion efficiency while using a stable Al cathode.

Santos, G., et al., Opto-electrical properties of single layer flexible electroluminescence device with ruthenium complex「ルテニウム錯体を用いた単層フレキシブルエレクトロルミネセンスデバイスの光電特性」, Journal of Non- Crystalline Solids, 2008. 354(19-25): p. 2571-2574 には、最初のフレキシブルSM系LECが開示されているが、1cd/mという非常に限られた輝度レベルと0.003lm/Wという非常に低い電力効率である。 Santos, G., et al., Opto-electrical properties of single layer flexible electroluminescence device with ruthenium complex, Journal of Non-Crystalline Solids, 2008. 354 (19-25): p. 2571-2574 discloses the first flexible SM LEC, but with a very limited brightness level of 1 cd / m 2 and very low power of 0.003 lm / W Efficiency.

したがって、改善されたまたは代替的な発光デバイス、特に長い動作寿命を有する、および/または使用用途に関して増加した汎用性を示すようなデバイスに対するニーズがある。   Accordingly, there is a need for improved or alternative light emitting devices, particularly those devices that have a long operational life and / or exhibit increased versatility with respect to their application.

概要
本開示の一般的な目的は、従来のデバイスに伴う不都合の少なくとも一部を緩和または除去する発光デバイスを提供することである。個別の目的は発光デバイス、システム、および/またはより長いデバイスの寿命を可能にする動作方式を提供することを含む。
SUMMARY A general object of the present disclosure is to provide a light emitting device that mitigates or eliminates at least some of the disadvantages associated with conventional devices. Individual objectives include providing operating schemes that allow lifetimes of light emitting devices, systems, and / or longer devices.

本発明は添付の独立請求項によって定義されており、実施形態は添付の従属請求項、以下の説明および図面に記載されている。   The invention is defined by the appended independent claims, and embodiments are set forth in the accompanying dependent claims, the following description and the drawings.

第1の態様によれば、第1の電極と、第2の電極と、第1および第2の電極に接触してこれらを分離する発光活物質とを有する発光デバイスが提供される。前記活物質は、共役ポリマーと電解質との組み合わせを含み、前記電解質はイオンを含み、共役ポリマーの電気化学ドーピングを可能にする。イオンと共役ポリマーとの比は(i)、(ii)の形成を可能にするように選択される:
(i)それぞれの電極界面のドープ領域であって、これらはゼロまたは低過電圧で、それぞれ、ドープ領域へのおよびこれを通しての電子電荷キャリアの注入および輸送を可能にする、および
(ii)ドープ領域を分離する実効的なアンドープ領域であって、注入された電子電荷キャリアは共役ポリマーの励起により再結合可能であり、前記ポリマーは発光により脱励起可能である。イオンと共役ポリマーとの比は、前記アンドープ領域が実効的にアンドープのままで前記イオンを含まず、前記活物質中の実質的にすべてのイオンが前記ドープ領域に閉じ込められるように十分に低い。
According to the first aspect, there is provided a light emitting device having a first electrode, a second electrode, and a luminescent active material that contacts and separates the first and second electrodes. The active material includes a combination of a conjugated polymer and an electrolyte, and the electrolyte includes ions, enabling electrochemical doping of the conjugated polymer. The ratio of ions to conjugated polymer is selected to allow the formation of (i), (ii):
(I) doped regions at each electrode interface, which allow injection and transport of electronic charge carriers into and through the doped regions, respectively, at zero or low overvoltage, and (ii) doped regions An effective undoped region that separates the injected electronic charge carriers can be recombined by excitation of the conjugated polymer, and the polymer can be de-excited by emission. The ratio of ions to conjugated polymer is low enough so that the undoped region remains effectively undoped and does not contain the ions, and substantially all ions in the active material are confined to the doped region.

具体的な個別の材料の組み合わせ、形状および温度、イオンと共役ポリマーとの比(典型的には質量比)は、通常の実験、たとえば本明細書に記載したものによって決定することができる。ドーピング前線(これらはそれぞれの電極から成長しはじめる)が会う前にイオンのアクセスが欠乏すれば、アンドープ領域はアンドープのままであろう。   Specific individual material combinations, shapes and temperatures, ion to conjugated polymer ratios (typically mass ratios) can be determined by routine experimentation, such as those described herein. If the access of ions is depleted before the doping fronts (which begin to grow from their respective electrodes) meet, the undoped region will remain undoped.

本開示は、発光デバイスの動作寿命を制限する因子が活物質中で生じる副反応であるという理解に基づいている。したがって、活物質中で利用できるイオンおよび他の電解質成分の量を制限することによって、このような副反応の発生および影響を低減することができ、それによって発光デバイスの動作寿命を向上させる。   The present disclosure is based on the understanding that the factors that limit the operating lifetime of light emitting devices are side reactions that occur in the active material. Therefore, by limiting the amount of ions and other electrolyte components available in the active material, the occurrence and effects of such side reactions can be reduced, thereby improving the operational lifetime of the light emitting device.

従来技術と比較して、疎水性共役ポリマーおよび親水性電解質の混合物を用い、こうして相分離しがちな活物質混合物を生成し、それでいて、類似またはより良好な動作寿命を達成できる。したがって、LECにおける長い動作寿命のために、要求ではないが、単相活物質が可能であり、ありふれた親水性電解質(本質的に、イオン性液体を除くすべての電解質)が一般的に機能するであろう。このことは明らかに使用できる電解質の数をかなり拡張させる。   Compared to the prior art, a mixture of hydrophobic conjugated polymer and hydrophilic electrolyte is used, thus producing an active material mixture that is prone to phase separation, yet a similar or better operating life can be achieved. Thus, because of the long operating lifetime in LEC, a single phase active material is possible, although not a requirement, and common hydrophilic electrolytes (essentially all electrolytes except ionic liquids) generally function. Will. This clearly extends the number of electrolytes that can be used considerably.

したがって、共役ポリマーが疎水性でもよく電解質が親水性でもよいし、または共役ポリマーが親水性でもよく電解質が疎水性でもよい。こうして2つの成分は二相または多相混合物を生成するであろう。   Accordingly, the conjugated polymer may be hydrophobic and the electrolyte may be hydrophilic, or the conjugated polymer may be hydrophilic and the electrolyte may be hydrophobic. Thus, the two components will produce a two-phase or multiphase mixture.

前記共役ポリマーおよび電解質は相分離混合物を形成してもよく、その成分は1nmないし1mmの範囲のスケールで分離している
前記成分は約50nmないし約100μm、または約400nmないし約10μmの範囲のスケールで分離していてもよい。
The conjugated polymer and electrolyte may form a phase separation mixture, the components of which are separated on a scale in the range of 1 nm to 1 mm The component is on a scale in the range of about 50 nm to about 100 μm, or about 400 nm to about 10 μm May be separated.

代わりに、前記組み合わせは単相の組み合わせでもよい。   Alternatively, the combination may be a single phase combination.

上記の本発明の概念は、単相デバイス、すなわち親水性共役ポリマーと親水性電解質、または疎水性共役ポリマーと疎水性電解質を含むデバイスと組み合わせてもよい。特に、基板、電極、共役ポリマー、および電解質のための材料の選択は、本明細書に記載したものである。電解質中の構成材料の濃度ならびに駆動方式も、本明細書の記載したようなものである。   The above inventive concept may be combined with a single phase device, ie a device comprising a hydrophilic conjugated polymer and a hydrophilic electrolyte, or a hydrophobic conjugated polymer and a hydrophobic electrolyte. In particular, the selection of materials for the substrate, electrode, conjugated polymer, and electrolyte are those described herein. The concentration of the constituent material in the electrolyte and the driving method are also as described in this specification.

前記イオンと共役ポリマーとの比は、励起した共役ポリマーとドープ領域のドーパントとイオンとの間の有害な相互作用を実効的になくすアンドープ領域の幅を与えるように選択されるであろう。   The ratio of the ions to the conjugated polymer will be selected to provide an undoped region width that effectively eliminates deleterious interactions between the excited conjugated polymer and doped region dopants and ions.

前記電極が少なくとも部分的に互いに重なる実施形態においては、前記イオンと共役ポリマーとの比は、前記実効的にアンドープな領域の幅が約10nmないし200nm、または約10−100nmまたは約10−50nmまたは約20nmになるように選択されるであろう。   In embodiments where the electrodes at least partially overlap one another, the ratio of the ions to the conjugated polymer is such that the width of the effectively undoped region is about 10 nm to 200 nm, or about 10-100 nm or about 10-50 nm or It will be selected to be about 20 nm.

このような実施形態においては、前記イオンを与える塩の質量と共役ポリマーの質量との比が、下記式に従って計算されるzの約0.01−3倍、または約0.1−3倍、または約0.5−2倍または約0.5−1倍に選択される:

Figure 2015029098
In such embodiments, the ratio of the mass of the salt that provides the ion to the mass of the conjugated polymer is about 0.01-3 times z, or about 0.1-3 times, calculated according to the following formula: Or about 0.5-2 times or about 0.5-1 times:
Figure 2015029098

ここで、xdopingはドープ領域におけるドーピング濃度であり、dtotは電極間の全距離であり、dpnは(電極間方向の)アンドープ領域の幅であり、Msaltは塩のモル質量であり、MCPruは共役ポリマーの繰り返し単位のモル質量である。式中のすべてのパラメーターは、dpnを除いて、通常の実験、たとえば本明細書に記載したものによって決定または測定することができる。こうして、上記式に示されるように、1つの特定のz値は1つの特定のdpn(これは選択されるが)に関連する。 Where x doping is the doping concentration in the doped region, d tot is the total distance between the electrodes, d pn is the width of the undoped region (in the direction between the electrodes), and M salt is the molar mass of the salt , M CPru is the molar mass of the repeating unit of the conjugated polymer. All parameters in the formula can be determined or measured by routine experimentation, such as those described herein, with the exception of dpn . Thus, as shown in the above equation, one particular z value is associated with one particular d pn (although it is selected).

前記イオンの質量と前記共役ポリマーの質量との比は約0.005−0.10、または約0.01−0.06でよい。   The ratio of the ion mass to the conjugated polymer mass may be about 0.005-0.10, or about 0.01-0.06.

他の実施形態において、前記電極は実質的に同一平面上にあってよく、前記イオンと前記共役ポリマーとの比は、前記実効的にアンドープな領域の幅が約10nmないし70μm、または約100nmないし70μm、または約1μmないし70μm、または約10μmないし70μm、または約10μmないし20μmになるように選択される。   In other embodiments, the electrodes may be substantially coplanar and the ratio of the ions to the conjugated polymer is such that the width of the effectively undoped region is about 10 nm to 70 μm, or about 100 nm to It is selected to be 70 μm, or about 1 μm to 70 μm, or about 10 μm to 70 μm, or about 10 μm to 20 μm.

どちらの場合でも、前記イオンと前記共役ポリマーとの比は、少なくとも20時間の連続動作で、少なくとも40時間の連続動作で、少なくとも60時間の連続動作で、少なくとも80時間の連続動作で、少なくとも100時間の連続動作で、少なくとも150時間の連続動作で、または少なくとも200時間の連続動作で、または少なくとも1か月間の連続動作で100cd/mを超える輝度を与える、または少なくとも4か月間20cd/mを超える輝度を維持する、少なくとも4日間400cd/mを超える輝度を維持する、または少なくとも24時間1000cd/mを超える輝度を維持するように選択されるであろう。 In either case, the ratio of the ions to the conjugated polymer is at least 100 hours of continuous operation for at least 20 hours, at least 40 hours of continuous operation, at least 60 hours of continuous operation, at least 80 hours of continuous operation. Gives brightness over 100 cd / m 2 in continuous operation for hours, continuous operation for at least 150 hours, or continuous operation for at least 200 hours, or continuous operation for at least one month, or 20 cd / m for at least four months maintaining the brightness of greater than 2, it will be selected to maintain at least 4 days to maintain a luminance of more than 400 cd / m 2, or at least brightness in excess of 24 hours 1000 cd / m 2.

前記共役ポリマーはポリ(パラフェニレンビニレン(PPV)、ポリフルオレニレン(PF)、ポリ(1,4−フェニレン)(PP)、ポリチオフェン(PT)、ならびにこれらの中性およびイオン性の誘導体からなる群より選択されるであろう。   The conjugated polymer comprises poly (paraphenylene vinylene (PPV), polyfluorenylene (PF), poly (1,4-phenylene) (PP), polythiophene (PT), and neutral and ionic derivatives thereof. Will be more selected.

特に、前記共役ポリマーはポリ[2−メトキシ−5−(2−エチル−ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン]であろう。   In particular, the conjugated polymer will be poly [2-methoxy-5- (2-ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylene vinylene].

前記共役ポリマーは、フェニル置換PPVコポリマー、たとえばスーパーイエローを含むであろう。   The conjugated polymer will comprise a phenyl substituted PPV copolymer, such as Super Yellow.

前記電解質はゲル電解質を含んでいてもよい。   The electrolyte may include a gel electrolyte.

代わりに、または補完として、前記電解質は実質的に固体の電解質を含んでいてもよい。   Alternatively or as a complement, the electrolyte may comprise a substantially solid electrolyte.

代わりに、または補完として、前記電解質は実質的に液体の電解質を含んでいてもよい。   Alternatively or as a complement, the electrolyte may comprise a substantially liquid electrolyte.

デバイスはさらに、電極間に所定の距離を維持するように設けられたスペーサーを有していてもよい。液体または半固体(ゲル)の電解質を用いる場合、デバイスの設計に応じて、スペーサーを用いて電極を互いから所望の距離に維持し、デバイスの短絡を避けてもよい。   The device may further include a spacer provided to maintain a predetermined distance between the electrodes. When using a liquid or semi-solid (gel) electrolyte, depending on the design of the device, spacers may be used to maintain the electrodes at a desired distance from each other to avoid shorting the device.

前記電解質は塩を含んでいてもよい。   The electrolyte may contain a salt.

前記塩は、カチオン、たとえばLi、Na、K、Rb、Mg、またはAgと、分子アニオン、たとえばCFSO、ClO、または(CFSONとを含む、少なくとも1つの金属塩を含んでいてもよい。 The salt comprises at least one metal comprising a cation, such as Li, Na, K, Rb, Mg, or Ag, and a molecular anion, such as CF 3 SO 3 , ClO 4 , or (CF 3 SO 2 ) 2 N. It may contain salt.

前記電解質は少なくとも1つのイオン性液体を含んでいてもよい。   The electrolyte may include at least one ionic liquid.

前記活物質中の電解質はイオン溶解性物質を含んでいてもよい。前記イオン溶解性物質の濃度はイオンの解離を可能にするのに十分高く、かつ少なくとも20時間の連続動作で、少なくとも40時間の連続動作で、少なくとも60時間の連続動作で、少なくとも80時間の連続動作で、少なくとも100時間の連続動作で、少なくとも150時間の連続動作で、または少なくとも200時間の連続動作で、または少なくとも1か月間の連続動作で100cd/mを超える輝度を与える、または少なくとも4か月間20cd/mを超える輝度を維持する、少なくとも4日間400cd/mを超える輝度を維持する、または少なくとも24時間1000cd/mを超える輝度を維持するのに十分低いであろう。 The electrolyte in the active material may contain an ion soluble material. The concentration of the ion-soluble substance is sufficiently high to allow ion dissociation and is continuous for at least 20 hours, continuously for at least 40 hours, continuously for at least 60 hours, and continuously for at least 80 hours. In operation, at least 100 hours of continuous operation, at least 150 hours of continuous operation, or at least 200 hours of continuous operation, or at least one month of continuous operation, giving a brightness greater than 100 cd / m 2 , or at least 4 either maintain the brightness of greater than monthly 20 cd / m 2, it will be at least 4 days to maintain a luminance of more than 400 cd / m 2, or sufficiently low to maintain at least a luminance of greater than 24 hours 1000 cd / m 2.

具体的な個別の材料の組み合わせ、形状および温度について、前記塩およびイオン溶解性物質の濃度は、通常の実験、たとえば本明細書に記載したものによって決定することができる。   For specific individual material combinations, shapes, and temperatures, the concentration of the salt and ion-soluble substance can be determined by routine experimentation, such as those described herein.

特定の実施形態において、前記イオン溶解性物質と前記共役ポリマーとの質量比は、約0.01−0.25、約0.01−0.20、約0.01−0.17、約0.05−0.25、約0.05−0.20、約0.05−0.17、約0.08−0.25、約0.08−0.20または約0.085−0.17であろう。   In certain embodiments, the mass ratio of the ionic soluble material to the conjugated polymer is about 0.01-0.25, about 0.01-0.20, about 0.01-0.17, about 0. .05-0.25, about 0.05-0.20, about 0.05-0.17, about 0.08-0.25, about 0.08-0.20, or about 0.085-0. 17 would be.

前記イオン溶解性物質は少なくとも1つのポリマー物質を含んでいてもよい。   The ion soluble material may comprise at least one polymeric material.

前記ポリマー物質はポリ(エチレンオキシド)、ポリ(プロピレンオキシド)、メトキシエトキシ−エトキシ置換ポリホスファザン、およびポリエーテル系ポリウレタン、またはこれらの組み合わせからなる群より選択されるであろう。   The polymeric material will be selected from the group consisting of poly (ethylene oxide), poly (propylene oxide), methoxyethoxy-ethoxy substituted polyphosphazan, and polyether-based polyurethane, or combinations thereof.

前記イオン溶解性物質は少なくとも1つの非ポリマーのイオン溶解性物質、たとえばクラウンエーテルを含んでいてもよい。   The ionic soluble material may include at least one non-polymeric ionic soluble material, such as a crown ether.

前記活物質は界面活性剤、またはポリマーの非イオン溶解性物質、たとえばポリスチレンを含んでいてもよい。   The active material may comprise a surfactant or a polymeric non-ionic soluble material, such as polystyrene.

1つの特定の実施形態において、前記電解質はポリ(エチレンオキシド)に溶解したKCFSOを含んでいてもよい。 In one particular embodiment, the electrolyte may comprise KCF 3 SO 3 dissolved in poly (ethylene oxide).

前記デバイスは基板上に形成されるであろう。   The device will be formed on a substrate.

前記基板は実効的にノンフレキシブル、たとえばガラスまたはガラス様物質でもよい。   The substrate may be effectively non-flexible, such as glass or glass-like material.

前記基板は実効的にフレキシブルでもよい。「実効的にフレキシブル」によって、基板は破断なしに目に見える曲げを可能にするほどフレキシブルであることを意味する。   The substrate may be effectively flexible. By “effectively flexible” is meant that the substrate is flexible enough to allow visible bending without breaking.

前記基板はポリマー物質、たとえばポリ(エチレンテレフタレート)、ポリ(エチレンナフタレート)、ポリ(イミド)、ポリ(カーボネート)、またはこれらの組み合わせもしくは誘導体を含んでいてもよい。   The substrate may include a polymeric material such as poly (ethylene terephthalate), poly (ethylene naphthalate), poly (imide), poly (carbonate), or combinations or derivatives thereof.

前記基板は金属箔、たとえば鋼、Ti、Al、インコネル合金、またはコバールを含んでいてもよい。   The substrate may include a metal foil, such as steel, Ti, Al, Inconel alloy, or Kovar.

前記基板は紙または紙様物質を含んでいてもよい。   The substrate may include paper or paper-like material.

電極の一方または両方は直接的または間接的に前記基板上に堆積されていてもよい。   One or both of the electrodes may be directly or indirectly deposited on the substrate.

前記第1および第2の電極の一方または両方は導電性で透明または半透明であってもよい。   One or both of the first and second electrodes may be conductive and transparent or translucent.

具体的には、電極は半透明酸化物、たとえばインジウム錫酸化物、または半透明金属の薄膜、たとえばAu、Ag、Pt、またはAlを含んでいてもよい。   Specifically, the electrode may include a translucent oxide, such as indium tin oxide, or a translucent metal thin film, such as Au, Ag, Pt, or Al.

代わりに、または補完として、前記第1および第2の電極の一方または両方は導電性ポリマー、たとえばポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホネート)の薄膜で被覆されている。   Alternatively or as a complement, one or both of the first and second electrodes are coated with a thin film of a conductive polymer, such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -poly (styrene sulfonate).

前記第1および第2の電極の一方または両方は金属を含んでいてもよい。前記金属は安定な金属、たとえばAl、AgまたはAuを含んでいるであろう。   One or both of the first and second electrodes may include a metal. The metal will include a stable metal, such as Al, Ag or Au.

第2の態様によれば、上記のような発光デバイスと、前記第1および第2の電極に接続された電源と含む、光を発生するための方法が提供される。前記電源は前記デバイスとともに用いることができる、電力を発生するのに適した任意の手段、たとえばバッテリー、または変換された主電源電圧であろう。   According to a second aspect, there is provided a method for generating light comprising a light emitting device as described above and a power source connected to the first and second electrodes. The power source may be any means suitable for generating electrical power that can be used with the device, such as a battery or converted mains voltage.

前記電源は発光デバイスの予備バイアスを与えるように設けられていてもよい。   The power source may be provided to provide a preliminary bias for the light emitting device.

このような予備バイアスによって、より「クリーンな」カソード界面およびより中心にあるp−n接合を与えることができる;前者は、カソード界面での過電圧の形成を阻害するので魅力的である。結果はデバイスのより長い動作寿命およびより高い電力変換効率であろう。後者は、金属電極による発光の消光を阻害するので魅了的である。したがって、結果はより高い電力変換効率であろう。   Such a pre-bias can provide a “cleaner” cathode interface and a more central pn junction; the former is attractive because it inhibits the formation of overvoltages at the cathode interface. The result will be a longer operating life and higher power conversion efficiency of the device. The latter is fascinating because it inhibits quenching of light emission by the metal electrode. The result will therefore be higher power conversion efficiency.

前記電源は、実効的なp−n接合を形成するのに十分な電圧および/または電流および期間で、予備バイアスを与えるように設けられている。   The power supply is provided to provide a pre-bias at a voltage and / or current and duration sufficient to form an effective pn junction.

非限定的な例として、発光ゾーンが電極界面から少なくとも10nm離れている場合および印加された過電圧の主要部分が発光ゾーンを越えて低下する場合に、p−n接合は実効的であろう。   As a non-limiting example, a pn junction will be effective when the emission zone is at least 10 nm away from the electrode interface and when the major portion of the applied overvoltage drops beyond the emission zone.

たとえば、前記予備バイアスは、1時間未満、30分間未満、20分間未満、15分間未満、10分間未満、5分間未満、1分間未満、30秒間未満、15秒間未満、5秒間または1秒間未満の期間の間、与えられるであろう。   For example, the pre-bias is less than 1 hour, less than 30 minutes, less than 20 minutes, less than 15 minutes, less than 10 minutes, less than 5 minutes, less than 1 minute, less than 30 seconds, less than 15 seconds, less than 5 seconds or less than 1 second. Will be given for a period of time.

前記発光デバイスが実質的に初期状態または緩和状態にあるときにのみ、前記予備バイアスが与えられるであろう。   The pre-bias will only be provided when the light emitting device is in a substantially initial or relaxed state.

前記電源は、定格駆動電圧と定格駆動電圧より高い予備バイアス電圧とを与えるように設けられていてもよい。典型的な定格駆動電圧は約2−4V、たとえば2V、3Vまたは4Vであろう。   The power source may be provided to provide a rated drive voltage and a preliminary bias voltage higher than the rated drive voltage. A typical rated drive voltage would be about 2-4V, for example 2V, 3V or 4V.

たとえば、前記予備バイアス電圧は、定格駆動電圧より約10%−1000%高い、定格駆動電圧より約10%−500%高い、定格駆動電圧より約10%−100%高い、定格駆動電圧より約30%−100%高い、または定格駆動電圧より約30%−50%高いであろう。   For example, the preliminary bias voltage is about 10% -1000% higher than the rated driving voltage, about 10% -500% higher than the rated driving voltage, about 10% -100% higher than the rated driving voltage, about 30% higher than the rated driving voltage. % -100% higher, or about 30-50% higher than the rated drive voltage.

前記電源は、定格駆動電流と定格駆動電流より高い予備バイアス駆動電流とを与えるように設けられていてもよい。   The power supply may be provided to provide a rated drive current and a pre-bias drive current higher than the rated drive current.

典型的な定格駆動電流密度は約100A/mであろう。 A typical rated drive current density would be about 100 A / m 2 .

たとえば、前記予備バイアス電流は、定格駆動電流の約2−100倍、定格駆動電流の約2−50倍、定格駆動電流の約2−20倍、または定格駆動電流の約5−20倍であろう。   For example, the preliminary bias current is about 2-100 times the rated drive current, about 2-50 times the rated drive current, about 2-20 times the rated drive current, or about 5-20 times the rated drive current. Let's go.

前記電源は、前記発光デバイスを実質的に定電流で駆動するように設けられているであろう。定電流駆動回路はよく知られているので、これは好適な駆動方式を構成するであろう。   The power source will be provided to drive the light emitting device at a substantially constant current. Since constant current drive circuits are well known, this will constitute a preferred drive scheme.

前記電源は、前記発光デバイスに常時接続されるように設けられていてもよい。   The power source may be provided so as to be always connected to the light emitting device.

第3の態様によれば、上記の、光を発生するためのデバイスまたはシステムの使用が提供される。   According to a third aspect, there is provided the use of a device or system for generating light as described above.

第4の態様によれば、前記発光デバイスを予備バイアスすることを含む、上記のデバイスを操作する方法が提供される。   According to a fourth aspect, there is provided a method of operating the above device comprising pre-biasing the light emitting device.

前記予備バイアスは実効的なp−n接合を形成するのに十分な電圧および期間で与えられるであろう。   The pre-bias will be applied at a voltage and duration sufficient to form an effective pn junction.

たとえば、前記予備バイアスは1時間未満、30分間未満、20分間未満、15分間未満、10分間未満、5分間未満、1分間未満、30秒間未満、15秒間未満、5秒間または1秒間未満の期間の間、与えられるであろう。   For example, the pre-bias is less than 1 hour, less than 30 minutes, less than 20 minutes, less than 15 minutes, less than 10 minutes, less than 5 minutes, less than 1 minute, less than 30 seconds, less than 15 seconds, less than 5 seconds or less than 1 second Will be given during.

前記予備バイアスは前記発光デバイスが実質的に初期状態または緩和状態にあるときに与えられるであろう。   The pre-bias will be provided when the light emitting device is in a substantially initial or relaxed state.

前記発光デバイスの定格駆動電圧より高い予備バイアス電圧が与えられるであろう。   A pre-bias voltage higher than the rated drive voltage of the light emitting device will be provided.

代わりに、または補完として、前記発光デバイスの定格駆動電流より高い予備バイアス電流を与えてもよい。   Alternatively, or as a complement, a pre-bias current higher than the rated drive current of the light emitting device may be provided.

前記発光デバイスを実質的に定電流で駆動するであろう。   The light emitting device will be driven at a substantially constant current.

前記予備バイアスは、その一部を形成する成分の使用または試験に関連して与えてもよい。   The pre-bias may be provided in connection with the use or testing of components that form part of it.

より十分な理解のために、次に、添付の図面と関連して記載した以下の説明を参照する。
図1は、1:0.085:0.03の量比で活物質を含むITO/PEDOT/{MEH−PPV:PEO:KCFSO}/Alサンドイッチセルの長期動作を示す。このデバイスをT=295Kおよび定電流モードで動作させた。初期の「予備バイアス」電流、Ipre−bias=0.005をt=0.5時間印加し、その後にI=0.001Aでの長期の無遮断動作を行った。挿入図は、動作中における、フレキシブルなPET基板上に設置された同様のデバイスの順応性を示す。 図2は、ポリ[2−メトキシ−5−(2−エチル−ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン](MEH−PPV)、ポリエチレンオキシド(PEO)、KCFSOおよび「スーパーイエロー」の化学構造を示す。 図3は、デバイス構造の模式図であり、図2aはプラナー表面セル構成、図2bは垂直サンドイッチセル構成である。 図4は、V=5VおよびT=360Kでの動作中の、1mmの電極間ギャップをもつプラナーAu/MEH−PPV+PEO+KCFSO/Au LECの写真である。MEH−PPV:PEO:KCFSOの量比は各セットの写真の表題に含まれている。正極および負極を写真Iで明確にしており、ドープされたMEH−PPVは電極界面から進む暗い領域に相当する。 図5は、V=5VおよびT=360Kでの動作中の、1mmの電極間ギャップをもつプラナーAu/MEH−PPV+PEO+KCFSO/Au LECについて電流対時間を示す。MEH−PPV:PEO:KCFSOの量比は挿入図に含まれている。 図6は、LECデバイスにおける、ノンバイアスの初期状態のLEC(図5a)、およびドーピング(図bおよびc)、および発光(図5d)のプロセスを模式的に示す。初期のドーピングの形成および進展はイオン欠乏により停止し(図5d)、その結果、適切なサイズのアンドープのp−n接合を、エキシトン拡散距離の2倍に相当する幅で設計することができる(図5d)。電荷注入界面での電気二重層は明確化のために省略している。 図7は、上の挿入図で特定したように、活物質中の異なるKCFSO塩濃度をもつITO/{MEH−PPV:PEO: KCFSOKCFSO}/Alサンドイッチセルの輝度の一時的な発生を示す。下の挿入図は活物質中に塩を含まないデバイスについてのデータを示す。すべてのデバイスをV=3VおよびT=360Kで駆動した。 図8は、上の挿入図で特定したように、活物質中の異なるPEO濃度をもつITO/{MEH−PPV:PEO:KCFSO}/Alサンドイッチセルの輝度の一時的な発生を示す。デバイスをV=3VおよびT=360Kで駆動した。 図9は、それぞれ、T=360KならびにV=5V(上のパネル)およびV=15V(下のパネル)での動作中の、1mmの電極間ギャップをもつプラナーAu/{MEH−PPV+PEO+KCFSO}/Au表面セルにおけるドーピング前線の伝播およびそれに続く発光を示す。印加電圧の時間を各々の写真の下部に示す。 図10は、種々の印加電圧で動作中の、1mmの電極間ギャップをもつプラナーAu/{MEH−PPV+PEO+KCFSO}/Au表面セルについて、時間の関数として(p−n接合が生じる時間に対して規格化されている)、それぞれp−型およびn−型ドーピング前線の平均位置を示す。 図11は、1cmの電極間ギャップをもつプラナーAu/{MEH−PPV+PEO+KCFSO}/Au表面セルをV=30VおよびT=360Kで12時間動作後のアノード(左)およびカソード(右)の界面の光学顕微鏡像である。右のAu電極のちょうど左の白い線はカソードの電気化学的副反応の生成物であるようにみえる。 図12は、Au(上のグラフ)およびMEH−PPVの薄膜でコートされたAu(下のグラフ)の作用電極(WE)を用いて記録されたサイクリックボルタンメトリーのデータを示す。電解質溶液は、それぞれ、0.1MのTBAPFが入ったCHCN(左のグラフ)および0.1MのKCFSO+2MのPEOが入ったCHCN(右のグラフ)であった。銀ワイヤを擬参照電極として用い、各測定の最後にFc/Fc参照レドックス対に対して校正した。対向電極はPtであり、スキャン速度は25mV/sであった。 図13は、(MEH−PPV)共役ポリマー(CP)のバンドギャップ内に位置する{KCFSO+PEO}電解質の還元準位をもつLECについての模式的な電子−エネルギー準位図である。(b)アノードでのCPのp−型ドーピングをカソードでの電解質の電気化学的副反応でバランスさせるときの「初期段階」動作中、および(c)それに続くp−型ドーピングをn−型ドーピングでバランスさせるときの「後期段階」動作中の電子およびイオンの応答。より大きい円はイオンを示し、より小さい白抜きおよび中実の円はそれぞれ正孔および電子を示し、矢印は電気化学ドーピングをもたらす電子電荷注入を示す。明確化のために、界面の電気二重層を省略している。 図14は、Alカソードおよび1:0.085:0.03の質量比をもつ{MEH−PPV:PEO:KCFSO}活物質を含むサンドイッチセルの輝度の一時的な発生を示す。V=3Vで長期動作を行った。各々のアノード構造および初期測定プロトコルについての詳細を上の挿入図に特定する。下の挿入図は時間の関数としての電力効率を示す。 図15は、1:0.085:0.03の活物質質量比をもつITO/PEDOT/{MEH−PPV:PEO:KCFSO}/Alサンドイッチセルの輝度(左)および電圧(右)の一時的な発生を示す。デバイスをT=295Kおよび定電流モードで動作させた。初期「予備バイアス」電流、Ipre−bias=0.005Aをt=0.5時間印加した後、I=0.001Aで長期動作させた。 図16は、フレキシブルなPET基板上に設けた、1:0.085:0.03の活物質質量比をもつITO/{MEH−PPV:PEO:KCFSO}/Alサンドイッチセルの写真である。屈曲させたデバイスの写真をT=295KおよびI=0.005Aでの動作中に撮影した。 図17は、1:0.085:0.03の活物質質量比をもつITO/PEDOT/{スーパーイエロー:PEO:KCFSO}/Alサンドイッチセルの輝度の一時的な発生を示す。デバイスをT=295Kおよび定電流モードで動作させた。初期「予備バイアス」電流、Ipre−bias=0.01Aをt=0.4時間印加した後、I=0.001Aで長期動作させた。 図18は、フレキシブルなPET基板上に設けた、1:0.085:0.03の活物質質量比をもつITO/{スーパーイエロー:PEO:KCFSO}/Alサンドイッチセルの写真である。屈曲させたデバイスの写真をT=295Kでの動作中に撮影した。
For a more complete understanding, reference is now made to the following description, taken in conjunction with the accompanying drawings.
1, 1: 0.085: 0.03 in ratio containing the active material in the ITO / PEDOT / shows the long-term operation of the {MEH-PPV:: PEO KCF 3 SO 3} / Al sandwich cell. The device was operated in T = 295K and constant current mode. An initial “pre-bias” current, I pre-bias = 0.005 was applied for t = 0.5 hours, followed by a long-term uninterrupted operation at I = 0.001A. The inset shows the conformability of a similar device placed on a flexible PET substrate during operation. FIG. 2 shows poly [2-methoxy-5- (2-ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylene vinylene] (MEH-PPV), polyethylene oxide (PEO), KCF 3 SO 3 and “super yellow”. The chemical structure is shown. 3 is a schematic diagram of the device structure, FIG. 2a is a planar surface cell configuration and FIG. 2b is a vertical sandwich cell configuration. FIG. 4 is a photograph of a planar Au / MEH-PPV + PEO + KCF 3 SO 3 / Au LEC with a 1 mm interelectrode gap during operation at V = 5 V and T = 360 K. MEH-PPV: PEO: ratio of KCF 3 SO 3 is contained in the title pictures of each set. The positive and negative electrodes are clarified in Photo I, and the doped MEH-PPV corresponds to the dark region that proceeds from the electrode interface. Figure 5 shows a current versus time for the planar Au / MEH-PPV + PEO + KCF 3 SO 3 / Au LEC having in operation at V = 5V and T = 360K, the inter-electrode gap of 1 mm. MEH-PPV: PEO: ratio of KCF 3 SO 3 is included in the inset. FIG. 6 schematically illustrates the non-bias initial LEC (FIG. 5a), doping (FIGS. B and c), and light emission (FIG. 5d) processes in the LEC device. Initial doping formation and evolution is stopped by ion depletion (FIG. 5d), so that an appropriately sized undoped pn junction can be designed with a width corresponding to twice the exciton diffusion length ( FIG. 5d). The electric double layer at the charge injection interface is omitted for clarity. 7, as specified by the inset above, different KCF of the active material 3 SO 3 ITO having a salt concentration / {MEH-PPV: PEO: KCF 3 SO 3 KCF 3 SO 3} / the Al sandwich cells Indicates a temporary occurrence of brightness. The inset below shows data for a device that does not contain salt in the active material. All devices were driven at V = 3V and T = 360K. FIG. 8 shows the temporal generation of the brightness of an ITO / {MEH-PPV: PEO: KCF 3 SO 3 } / Al sandwich cell with different PEO concentrations in the active material, as specified in the inset above. . The device was driven at V = 3V and T = 360K. FIG. 9 shows a planar Au / {MEH-PPV + PEO + KCF 3 SO 3 with a 1 mm interelectrode gap during operation at T = 360K and V = 5V (upper panel) and V = 15V (lower panel), respectively. } / Au surface cell propagation and subsequent emission in a Au surface cell. The applied voltage time is shown at the bottom of each photo. FIG. 10 shows for a planar Au / {MEH-PPV + PEO + KCF 3 SO 3 } / Au surface cell with a 1 mm interelectrode gap operating at various applied voltages as a function of time (at the time when the pn junction occurs). The average positions of the p-type and n-type doping fronts are shown respectively. FIG. 11 shows the anode (left) and cathode (right) of a planar Au / {MEH-PPV + PEO + KCF 3 SO 3 } / Au surface cell with a 1 cm interelectrode gap after 12 hours of operation at V = 30 V and T = 360 K. It is an optical microscope image of an interface. The white line just to the left of the right Au electrode appears to be the product of a cathode electrochemical side reaction. FIG. 12 shows cyclic voltammetry data recorded using working electrodes (WE) of Au (top graph) and Au (bottom graph) coated with a thin film of MEH-PPV. The electrolyte solution was respectively, TBAPF 6 of 0.1M entered CH 3 CN (left graph) and 0.1M of KCF 3 SO 3 + 2M of the PEO containing a CH 3 CN (right graph). A silver wire was used as a pseudo reference electrode and calibrated against the Fc / Fc + reference redox pair at the end of each measurement. The counter electrode was Pt, and the scan speed was 25 mV / s. FIG. 13 is a schematic electron-energy level diagram for an LEC having a reduced level of {KCF 3 SO 3 + PEO} electrolyte located within the band gap of the (MEH-PPV) conjugated polymer (CP). (B) during “initial stage” operation when balancing p-type doping of CP at the anode with electrochemical side reactions of electrolyte at the cathode, and (c) subsequent p-type doping to n-type doping. Response of electrons and ions during "late stage" operation when balancing with. Larger circles indicate ions, smaller open and solid circles indicate holes and electrons, respectively, and arrows indicate electron charge injection resulting in electrochemical doping. For clarity, the electrical double layer at the interface is omitted. FIG. 14 shows the temporal generation of luminance of a sandwich cell containing an Al cathode and a {MEH-PPV: PEO: KCF 3 SO 3 } active material having a mass ratio of 1: 0.085: 0.03. Long-term operation was performed at V = 3V. Details about each anode structure and initial measurement protocol are specified in the inset above. The bottom inset shows power efficiency as a function of time. 15, 1: 0.085: 0.03 of active material weight ratio with ITO / PEDOT / {MEH-PPV : PEO: KCF 3 SO 3} / Al luminance sandwich cell (left) and the voltage (right) Indicates a temporary occurrence. The device was operated in T = 295K and constant current mode. An initial “pre-bias” current, I pre-bias = 0.005A, was applied for t = 0.5 hours and then operated for a long time at I = 0.001A. FIG. 16 is a photograph of an ITO / {MEH-PPV: PEO: KCF 3 SO 3 } / Al sandwich cell with an active material mass ratio of 1: 0.085: 0.03 provided on a flexible PET substrate. is there. A photograph of the bent device was taken during operation at T = 295K and I = 0.005A. FIG. 17 shows the temporal generation of brightness of ITO / PEDOT / {Super Yellow: PEO: KCF 3 SO 3 } / Al sandwich cell with an active material mass ratio of 1: 0.085: 0.03. The device was operated in T = 295K and constant current mode. An initial “pre-bias” current, I pre-bias = 0.01 A, was applied for t = 0.4 hours and then operated for a long time at I = 0.001 A. FIG. 18 is a photograph of an ITO / {super yellow: PEO: KCF 3 SO 3 } / Al sandwich cell with an active material mass ratio of 1: 0.085: 0.03 provided on a flexible PET substrate. . A picture of the bent device was taken during operation at T = 295K.

実施形態の説明
以下の開示において、かなりの効率的な発光での無遮断動作の、1か月を超えるレコード長期動作寿命をもつCP系LEC(これ以降、LEC)を設計および製造できることが示されるであろう。この方法は、活物質の組成の注意深い調整と適切な動作プロトコルとの組み合わせに基づいている。これらの2つのアプローチは、SM−OLEDのそれに類似したドーピング構造の設計を可能にし、一方で同時に寿命を制限する化学的および電気化学的な副反応を最小限にすることが示されている。また、類似の目覚しいデバイス性能をもつ、最初の機能的なフレキシブルLECを実証している。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS In the following disclosure, it is shown that a CP-based LEC (hereinafter LEC) can be designed and manufactured with a record long-term operating life of more than one month, with uninterrupted operation with fairly efficient light emission. Will. This method is based on a combination of careful adjustment of the active material composition and an appropriate operating protocol. These two approaches have been shown to allow the design of doping structures similar to that of SM-OLEDs while at the same time minimizing chemical and electrochemical side reactions that limit lifetime. It also demonstrates the first functional flexible LEC with similar remarkable device performance.

次に、発光電気化学セル(LEC)の動作寿命および電力変換効率のかなりの改善をもたらす、汎用のデバイスおよび方法を示す。具体的には、疎水性共役ポリマー(ここではMEH−PPVまたはスーパーイエロー)とブレンドした、意図的に低濃度の親水性電解質(ここでは{PEO+KCFSO})を用いることにより、および際立った特徴が初期動作中の高い予備バイアスである適切な動作プロトコルを用いることにより、>100cd/mというかなりの輝度および比較的高い電力変換効率(MEH−PPVで2lm/W、スーパーイエローで6lm/W)で約1000時間の動作寿命を実証することができる。このような、共役ポリマーとしてMEH−PPVをもつ耐久性LECについて輝度および電圧の一時的な発生を図1に示す。さらに、類似の有望なデバイス性能をもつ最初の機能的なフレキシブルLECを開示し、動作中のこのような形状適合デバイスを挿入図に示す。 Next, general purpose devices and methods that provide significant improvements in the operating life and power conversion efficiency of light emitting electrochemical cells (LECs) are presented. Specifically, by using a deliberately low concentration of hydrophilic electrolyte (here {PEO + KCF 3 SO 3 }) blended with a hydrophobic conjugated polymer (here MEH-PPV or Super Yellow) and distinguished By using a suitable operating protocol whose features are high pre-bias during initial operation, significant brightness of> 100 cd / m 2 and relatively high power conversion efficiency (2 lm / W for MEH-PPV, 6 lm / W for super yellow) An operating life of about 1000 hours can be demonstrated with W). The temporary generation of brightness and voltage for such a durable LEC with MEH-PPV as the conjugated polymer is shown in FIG. In addition, the first functional flexible LEC with similar promising device performance is disclosed, and such a conforming device in operation is shown in the inset.

以前のLECデバイスを越える改善されたデバイス性能に対する起源は、望ましくない副反応の実効的な阻害である。以下、下記を合理的に説明する。   The origin for improved device performance over previous LEC devices is the effective inhibition of unwanted side reactions. The following will be explained rationally.

(i)なぜ、活物質中の電解質含量の最適化によってデバイスの発光領域における化学的な副反応が除去/最少化されるのか、および
(ii)なぜ、適切な動作プロトコルによって電極界面での電気化学的な副反応が除去/最少化されるのか。最初に、前者の達成(i)を詳細に説明する。
(I) why optimization of the electrolyte content in the active material eliminates / minimizes chemical side reactions in the light emitting region of the device; and (ii) why electricity at the electrode interface is determined by a suitable operating protocol. Will chemical side reactions be removed / minimized? First, the achievement (i) of the former will be described in detail.

「表面セル」構成のプラナーLECのデバイス性能へのイオン濃度の影響を調べた(デバイス構成の概略図については図3aを参照のこと)。デバイス構造は、1mmの電極間ギャップをもつ2つのAu電極11および12の上または下に配置された、共役ポリマーのポリ[2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン](MEH−PPV、図2a参照),イオン溶媒和性およびイオン輸送性ポリマーのポリ(エチレンオキシド)(PEO、図2b参照)および塩のKCFSO(図2c参照)の活物質混合物からなる;電極/活物質アセンブリは基板10の上に配置されている。表面セルの調製および動作に関する実験的な詳細については、補遺1を参照のこと。 The effect of ion concentration on the device performance of the planar LEC in the “surface cell” configuration was investigated (see FIG. 3a for a schematic diagram of the device configuration). The device structure is a conjugated polymer poly [2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy) -1,4-phenylene disposed above or below two Au electrodes 11 and 12 with an interelectrode gap of 1 mm. From the active material mixture of vinylene] (MEH-PPV, see FIG. 2a), ion solvating and ion transporting polymer poly (ethylene oxide) (PEO, see FIG. 2b) and the salt KCF 3 SO 3 (see FIG. 2c). The electrode / active material assembly is disposed on the substrate 10. See Appendix 1 for experimental details on surface cell preparation and operation.

図4は、(上部から底部へ)徐々に減少する塩濃度をもつ、4つの代表的なプラナー表面セルデバイスの動作中に記録された写真を示す。デバイスを暗室中においてUV光(これはMEH−PPVのフォトルミネセンスPLを励起する)の下に動作させ、その結果、ギャップ内のドープされたMEH−PPVを(ドーピング消光PLによる)暗い領域として区別することができる。写真Iにおいて、正極20を+で、負極21を−でマークしている。すべてのデバイスは、正極にp−型ドーピング形成23および負極にn−型ドーピング形成24の両方を示す(写真IIIおよびIVを参照のこと)。連続的な発光性p−n接合25は、いちばん上の2つの「イオンリッチ」デバイス(図4aおよび4bにおける写真VI)においてのみ形成され、一方最も「イオンプア」なデバイスは、2つのドーピング前線が互いからかなりの距離で完全な停止に至るので(図4d)、いかなるp−n接合形成も示されない(なお、LECにおけるp−型およびn−型のドーピングプロセスを説明する概略図を図6に示している)。   FIG. 4 shows photographs recorded during operation of four representative planar surface cell devices with gradually decreasing salt concentrations (from top to bottom). The device is operated in the dark room under UV light (which excites the photoluminescence PL of MEH-PPV), so that the doped MEH-PPV in the gap as a dark region (due to doping quenching PL) Can be distinguished. In Photo I, positive electrode 20 is marked with + and negative electrode 21 is marked with-. All devices show both p-type doping formation 23 on the positive electrode and n-type doping formation 24 on the negative electrode (see Photos III and IV). The continuous emissive pn junction 25 is formed only in the top two “ion rich” devices (photo VI in FIGS. 4a and 4b), while the most “ion poor” device has two doping fronts. No complete pn junction formation is shown because it leads to a complete stop at a considerable distance from each other (note that a schematic diagram illustrating the p-type and n-type doping processes in LEC is shown in FIG. Shown).

図5は、図4の写真と並行して記録した、電流対時間のグラフを示している。各々のグラフは6−10のデバイスからのデータの平均を示す。時間に伴う電流の顕著な増加は2つのイオンリッチなデバイスでのみ観察され、これは発光性のp−n接合形成を示している。   FIG. 5 shows a graph of current versus time recorded in parallel with the photograph of FIG. Each graph shows the average of data from 6-10 devices. A significant increase in current with time is observed only in the two ion-rich devices, indicating luminescent pn junction formation.

ドーピングの初期の出現から、2つのイオンリッチなデバイスにおけるp−n接合形成のときまでおよび2つのイオンプアなデバイスにおけるドーピング前線の移動が停止するときまで、電流を積分し、この電荷をドープ領域の観察された体積(図4および原子間力顕微鏡によって実施された厚さ測定から求められる)で除算することにより、我々は、ドーパント濃度;x〜0.09±0.02ドーパント/MEH−PPV繰返し単位およびx〜0013±0.03ドーパント/MEH−PPV繰返し単位に無関係に、p−型およびn−型のドープ領域におけるドーピング濃度が本質的に同じであることを見出している。この観察は、2つのイオンリッチなデバイスについてp−n接合形成の時点で(図5)、電流、したがって実効的なデバイス抵抗が同じであることと一致している。イオンプアなデバイスは低導電率のかなりのアンドープ領域を含み、したがって実効的なデバイス抵抗は例外なくかなり高い。 From the initial appearance of doping until the time of pn junction formation in two ion-rich devices and until the movement of the doping front in two ion-poor devices stops, the current is integrated and this charge is integrated into the doped region. By dividing by the observed volume (determined from the thickness measurements performed by FIG. 4 and atomic force microscope), we determined that the dopant concentration; x p ˜0.09 ± 0.02 dopant / MEH-PPV It has been found that the doping concentration in the p-type and n-type doped regions is essentially the same, regardless of the repeat unit and x n ~ 0013 ± 0.03 dopant / MEH-PPV repeat unit. This observation is consistent with the same current and therefore effective device resistance at the time of pn junction formation for the two ion-rich devices (FIG. 5). Ion poor devices contain significant undoped regions with low conductivity, so the effective device resistance is, without exception, quite high.

これらの観察に伴う結論は、ドーピング前線が、(i)それらが出会って発光性のp−n接合を形成する(図4aおよび4b参照)まで、または(ii)活物質中のすべてのイオンが電気化学的なドーピング中に消費され、その時点で接合の形成なしにドーピング前線の前進が停止する(図4cおよび4dで観察される)まで、本質的に一定のドーピング濃度で伝播することである。   The conclusions with these observations are that the doping front is either (i) until they meet to form a luminescent pn junction (see FIGS. 4a and 4b) or (ii) all ions in the active material are It is consumed during electrochemical doping, at which point it propagates at an essentially constant doping concentration until the forward of the doping front stops (observed in FIGS. 4c and 4d) without junction formation. .

この新規な知識は、より普通で実際的な「サンドイッチセル」LEC(本明細書においては、図3bに模式的に示しているように、ガラス基板10上の透明なインジウム錫酸化物ITOのアノード11’とAlカソード12’との間にサンドイッチされたdtot〜150nmの全厚さをもつ活物質13の薄膜を含む)におけるドーピング構造の適切な設計についての指針を与える。提案したドーピング設計のシナリオを図6に図示する。コンセプトは、効率的な電子電荷の注入および輸送は電極(図6におけるカソード30およびアノード31)に隣接する明確なドープ領域の存在に依存し、一方で注入された正孔と電子との効率的な発光性再結合は20nmのオーダーのdpnの幅をもつアンドープp−n接合領域37の存在により利益を得る。後者のサイズは、正孔と電子との再結合がアンドープのp−n接合領域において起こること、エキシトン(結合した電子−正孔ペア)の実効的な拡散距離が約10nmであること、およびドーピングがCPのフルオレセンスを実効的に消光させることによって誘導される。さらに、明確なドープ領域におけるカウンターイオンドーパントとして、活物質32中にすべてのカチオン33およびアニオン34を閉じ込めることによって、一方でp−n接合領域で生成されたエキシトンの間および他方でドープ領域中に位置するイオンおよび/またはドーパントの間の相互作用が最小限になり、このことは動作寿命にとって有利であろう。 This new knowledge is based on the more common and practical “sandwich cell” LEC (herein, as shown schematically in FIG. 3b, the transparent indium tin oxide ITO anode on the glass substrate 10). Provides guidance for the proper design of the doping structure in the active material 13 (including a thin film of active material 13 with a total thickness of d tot ˜150 nm sandwiched between 11 ′ and the Al cathode 12 ′). The proposed doping design scenario is illustrated in FIG. The concept is that efficient electron charge injection and transport depends on the presence of a well-defined doped region adjacent to the electrodes (cathode 30 and anode 31 in FIG. 6), while efficient injection of injected holes and electrons. Emissive recombination benefits from the presence of an undoped pn junction region 37 having a d pn width on the order of 20 nm. The latter size means that recombination of holes and electrons occurs in the undoped pn junction region, the effective diffusion distance of excitons (bonded electron-hole pairs) is about 10 nm, and doping Are induced by effectively quenching the fluorescence of CP. Furthermore, by confining all cations 33 and anions 34 in the active material 32 as counter ion dopants in the well-doped region, on the one hand between excitons generated in the pn junction region and on the other hand in the doped region. Interactions between located ions and / or dopants are minimized, which may be advantageous for operating lifetime.

このような最適化されたLECのターンオン中の提案したシナリオを図6に図示する。p−型およびn−型のドーピング形成および前進(それぞれ36および35)は、イオン欠乏が始まり、設計したp−n接合37が形成される(図6d参照)まで、一定のドーピング濃度で起こる(図6bおよび6c参照)。このような適所のドーピング構造により、図6dに図示したように、一方でp−n接合領域中に形成されたエキシトン38とドープ領域中の存在していない非補償イオンおよび/または遠く離れたドーパントとの間の相互作用を最少化することを期待できる。換言すれば、p−n接合の幅は、電子の注入および輸送の効率を譲歩することなく、拡散するエキシトンのドープ領域への漏出を最少化するように設計される。さらに、このような塩濃度の最少化はエキシトンとイオン/ドーパントとの間の相互作用を実効的に減少させ、p−n接合領域における望ましくない副反応を減少でき、付随して動作寿命を改善できるであろう。   The proposed scenario during turn-on of such an optimized LEC is illustrated in FIG. The p-type and n-type doping formation and advancement (36 and 35, respectively) occurs at a constant doping concentration until ion depletion begins and the designed pn junction 37 is formed (see FIG. 6d). See FIGS. 6b and 6c). Such a suitable doping structure allows excitons 38 formed in the pn junction region and uncompensated ions and / or far away dopants in the doped region, as illustrated in FIG. 6d. Can be expected to minimize the interaction between In other words, the width of the pn junction is designed to minimize leakage of the diffusing exciton into the doped region without compromising the efficiency of electron injection and transport. Furthermore, such minimization of salt concentration can effectively reduce the interaction between excitons and ions / dopants, reduce unwanted side reactions in the pn junction region, and concomitantly improve operating lifetime. It will be possible.

この望ましいドーピング構造を可能にする、活物質中の塩の質量とCPの質量との間の「理想」の比(zideal)は、以下の一般式(誘導については、補遺2を参照のこと)により計算することができる:

Figure 2015029098
The “ideal” ratio (z ideal ) between the mass of salt and the mass of CP in the active material that enables this desirable doping structure is given by the following general formula (see Appendix 2 for derivation) ) Can be calculated by:
Figure 2015029098

ここで、xdopingはドープ領域におけるドーピング濃度であり、dtotは活物質の全長(電極間距離に等しい)であり、dpnはアンドープ領域の(電極間方向の)長さであり、Msaltは塩のモル質量であり、MCPruは共役ポリマーの繰り返し単位のモル質量である。 Where x doping is the doping concentration in the doped region, d tot is the total length of the active material (equal to the distance between the electrodes), d pn is the length of the undoped region (in the direction between the electrodes), and M salt Is the molar mass of the salt, and M CPru is the molar mass of the repeating unit of the conjugated polymer.

式(1)における関連する値を詰めることによって、dpn=20nmをもつ望ましいドーピング構造の形成を可能にする理想のz値は、dtot〜150nmをもち、{MEH−PPV+PEO+KCFSO}の活物質をもつサンドイッチセルについて、z=zideal=0.03であることがわかった。 The ideal z value that allows the formation of the desired doping structure with d pn = 20 nm by filling in the relevant values in equation (1) has d tot ˜150 nm and is {MEH−PPV + PEO + KCF 3 SO 3 } It was found that z = z ideal = 0.03 for sandwich cells with active material.

図7は、上の挿入図で特定したように、活物質中のKCFSO塩とMEH−PPVとの質量比がz=0.25からz=0.03の範囲であるサンドイッチセルLECについて、時間の関数としての輝度を示す(サンドイッチセルデバイスの調製に関する詳細は例1に含まれている)。z=0のデバイスも同じ条件下で試験したが、発光を検出できなかった(下の挿入図参照)。これは、AlカソードからアンドープMEH−PPVへの電子注入に対する大きなバリアを考慮して予想されるとおりである。デバイスをV=3VおよびT=360Kで駆動した:高温の使用(これは動作寿命を約2倍まで低下させることがわかっている)は、これが妥当な時間枠以内でかなりの数のデバイスをふるい分けることを可能にすることによって動機づけられている(すべての提示したデータは少なくとも2つの初期のデバイスに関して記録された平均である)。動作寿命(輝度が100cd/m未満に落ちる時間と定義される)および電力効率(〜0.2lm/W;データは示していない)の両方は塩濃度に比較的関係がなく、このことは機能的なドーピング構造が低いz=0.03で達成できるが、LECの限定された動作寿命に背後にある主な原因は、単に過剰な塩に由来する副反応に起源があるのではないことを示している;より具体的には主な寿命を制限する反応は、エキシトンと非補償イオンおよび/またはドーパントとの間の相互作用に直接起因するものではない。 FIG. 7 shows a sandwich cell LEC in which the mass ratio of KCF 3 SO 3 salt to MEH-PPV in the active material is in the range of z = 0.25 to z = 0.03 as specified in the inset above. Shows the brightness as a function of time (details on the preparation of sandwich cell devices are contained in Example 1). A device with z = 0 was also tested under the same conditions, but no luminescence was detected (see inset below). This is as expected considering the large barrier against electron injection from the Al cathode into the undoped MEH-PPV. The device was driven at V = 3V and T = 360K: use of high temperature (which has been found to reduce operating lifetime by a factor of about 2) sifts a significant number of devices within a reasonable time frame. (All presented data is the average recorded for at least two initial devices). Both the operating lifetime (defined as the time the luminance falls below 100 cd / m 2 ) and power efficiency (˜0.2 lm / W; data not shown) are relatively independent of salt concentration, Although a functional doping structure can be achieved at low z = 0.03, the main cause behind the limited operating lifetime of LEC is not simply due to side reactions originating from excess salt More specifically, the main lifetime limiting reaction is not directly attributable to the interaction between excitons and uncompensated ions and / or dopants.

しかし、LECの活物質は典型的にはCPおよび塩に加えて第3のイオン溶媒和性かつイオン輸送性の成分(ここでは、PEO)を含み、そこで次にLEC性能へのPEO濃度の影響に注目が移っている。KCFSO塩とMEH−PPVとの間の質量比をz=0.03の低い値で一定に保ち、PEOとMEH−PPVとの間の質量比をy=1.35(デバイスにおいて用いられる典型的な値)からy=0.058へ変えることが選択される。 However, LEC active materials typically contain a third ion solvating and ion transporting component (here PEO) in addition to CP and salt, where the effect of PEO concentration on LEC performance is then Attention has shifted to. The mass ratio between the KCF 3 SO 3 salt and MEH-PPV is kept constant at a low value of z = 0.03, and the mass ratio between PEO and MEH-PPV is y = 1.35 (used in the device). It is chosen to change from y (typical value) to y = 0.058.

図8は、PEOの濃度がデバイス性能に重大な影響をもつことを表している。動作寿命はPEOの量を減少させるにつれて単調かつ劇的に増加し、y=1.35で約2時間からy=0.085で約65時間になることがわかっている。y=1.35の高PEO含量をもつデバイスについて約0.2lm/Wと比較して、低PEO含量のデバイス(y≦0.34)は約0.5−0.7lm/Wのより大きい電力効率を示すけれども、電力効率はいまだにかなり小さい(データは示していない)。   FIG. 8 shows that the concentration of PEO has a significant impact on device performance. It has been found that the operating lifetime increases monotonically and dramatically as the amount of PEO is decreased, from about 2 hours at y = 1.35 to about 65 hours at y = 0.085. Compared to about 0.2 lm / W for devices with high PEO content of y = 1.35, devices with low PEO content (y ≦ 0.34) are greater than about 0.5-0.7 lm / W Although showing power efficiency, power efficiency is still quite small (data not shown).

さらに、Wagberg, T., et al., On the limited operational lifetime of light- emitting electrochemical cells「発光電気化学セルの限定された動作寿命に関して」, Advanced Materials, 2008. 20(9): p. 1744- 1746.に記載されているように、LECにおける寿命を制限する副反応の化学的な痕跡および空間的な位置を特定するという意図で、同じ活物質成分をもつオープンなプラナー表面セル構造を利用した。事後のデバイスを光学的に検査することによって、MEH−PPVポリマーのビニル基およびフルオレセンス能力が、LEC動作の最後に激しくかつ非可逆的に損なわれるが、p−n接合においてまたはその近い周辺の限定された空間領域においてのみであることがわかっている。   Furthermore, Wagberg, T., et al., On the limited operational lifetime of light-emitting electrochemical cells, Advanced Materials, 2008. 20 (9): p. 1744- As described in 1746, an open planar surface cell structure with the same active material components was utilized with the intention of identifying chemical traces and spatial location of side reactions that limit lifetime in LEC. . By optically inspecting the subsequent device, the vinyl groups and fluorescein capabilities of the MEH-PPV polymer are severely and irreversibly impaired at the end of LEC operation, but at or near the pn junction. Only in a limited spatial region.

したがって、図7および図8に示される結果を考慮すると、主な寿命を制限する反応は、MEH−PPV鎖上のエキシトンと{PEO+KCFSO}電解質の空間的な共存および化学的相互作用に関係していることは非常に妥当と思われる。さらに、この不可逆的な化学反応は、光励起されたMEH−PPVのLUMOから{PEO+KCFSO}電解質の非占有エネルギー準位への電子移動によって開始されること、およびそれに続く化学反応はMEH−PPVポリマーの露出したビニル基の化学的攻撃を含むことが提案されている。活性物質中の電解質含量が通常の高い割合(ここでは、y=1.35、z=0.25)からかなり低い割合(y=0.085、z=0.03)に減少した場合、p−n接合領域におけるMEH−PPVエキシトンと電解質との相互作用の実効的な減少は、図8において観察されるように、デバイス寿命における著しい30倍の増加を合理的に説明する。 Therefore, considering the results shown in FIGS. 7 and 8, the main lifetime limiting reaction is due to the spatial coexistence and chemical interaction of excitons on the MEH-PPV chain with the {PEO + KCF 3 SO 3 } electrolyte. It seems very relevant to be involved. Furthermore, this irreversible chemical reaction is initiated by electron transfer from the LUMO of the photoexcited MEH-PPV to the unoccupied energy level of the {PEO + KCF 3 SO 3 } electrolyte, and the subsequent chemical reaction is MEH − It has been proposed to include chemical attack of the exposed vinyl groups of the PPV polymer. If the electrolyte content in the active material is reduced from a normal high rate (here y = 1.35, z = 0.25) to a much lower rate (y = 0.085, z = 0.03), p The effective reduction of the MEH-PPV exciton interaction with the electrolyte in the -n junction region reasonably explains a significant 30-fold increase in device lifetime, as observed in FIG.

次に、第2の部分、すなわちデバイス性能への動作プロトコルの影響に注目を移す。図9は、1mmの電極間ギャップをもつ2つの代表的なプラナーAu/{MEH−PPV+PEO+KCFSO}/Au表面セルデバイスについて、ドーピング前線の前進およびそれに続く発光の一連の写真を示す。写真中で、正のアノード20は左に位置し、負のカソード21は右に位置する。ドープ領域23および24は電極界面で生じる暗い領域として見える(破線でマークしている)。写真の上のパネルに示しているデバイスはV=5Vでバイアスし、写真の下のパネルに示しているデバイスはV=15Vでバイアスしている。提示した写真は、同じ文字でマークした2つの写真で、p−型ドーピング前線が電極間ギャップにおいて同じ距離を前進しているように選択した。 Next, the focus is shifted to the second part, the influence of the operating protocol on the device performance. 9, the two representative planar Au / {MEH-PPV + PEO + KCF 3 SO 3} / Au surface cell device with an electrode gap of 1 mm, a series of photos of the forward and subsequent emission doping front. In the photograph, the positive anode 20 is located on the left and the negative cathode 21 is located on the right. Doped regions 23 and 24 appear as dark regions occurring at the electrode interface (marked with dashed lines). The device shown in the upper panel of the photo is biased with V = 5V, and the device shown in the lower panel of the photo is biased with V = 15V. The presented photos were two photos marked with the same letter and were chosen so that the p-type doping front advanced the same distance in the interelectrode gap.

p−型ドーピングの開始に比べて、n−型ドーピングの開始は両方のデバイスにおいて遅れていることが明らかである(図4のデバイスにおいても観察されたとおりである);図9において2つの写真b)を参照されたい。ここでは、n−型ドーピング24ではなくp−型ドーピング23がはっきり見える。さらに、n−型ドーピング24の最初の形跡において、V=15Vでバイアスしたデバイスでは写真c)ですでに見られるが、V=5Vでバイアスしたデバイスでは写真d)でのみ見られるように、n−型ドーピングの開始のこの遅れはV=5Vでバイアスしたデバイスでかなり顕著である。n−型ドーピングの開始の遅れは、V=5Vでバイアスしたデバイスでは、発光性p−n接合25が負のカソード21により近く形成される(写真eおよびfを参照のこと)という直接的な結果を有する。   It is clear that the start of n-type doping is delayed in both devices compared to the start of p-type doping (as observed in the device of FIG. 4); two pictures in FIG. See b). Here, not the n-type doping 24 but the p-type doping 23 is clearly visible. Furthermore, in the first evidence of n-type doping 24, n already seen in photo c) for devices biased at V = 15V, but only in photo d) for devices biased at V = 5V, n This delay in onset of -type doping is quite noticeable in devices biased at V = 5V. The delay in the onset of n-type doping is directly related to the fact that in devices biased at V = 5V, the luminescent pn junction 25 is formed closer to the negative cathode 21 (see photos e and f). Have a result.

調査したすべてのデバイス(全部で>40)における2つの他の興味深く、一貫した観察はドーピング前線の形状に関する。第1に、p−型前線の形状は時間につれておよび電圧を増加させるにつれてぎざぎざになり、これはイオン輸送で制限されたターンオンプロセスの直接の結果である。第2に、ここではより関連しているが、初期のn−型前線は、初期のp−型前線にない、スパイク様の見かけを示す。この問題には後に戻ってくるであろう。   Two other interesting and consistent observations on all devices investigated (> 40 in total) relate to the shape of the doping front. First, the shape of the p-type front becomes jagged with time and with increasing voltage, which is a direct result of the turn-on process limited by ion transport. Second, although more relevant here, the initial n-type front shows a spike-like appearance that is not present in the initial p-type front. This issue will come back later.

図10は、種々の印加電圧で、時間の関数として(p−n接合が生じる時間に対して規格化されている)p−型ドーピング前線およびn−型ドーピング前線の平均位置を示す。3つの一般的な傾向がはっきりしている:(i)p−型ドーピングの開始時間は本質的に印加電圧に関係がない;(ii)n−型ドーピングの開始は、低印加電圧でより著しい;(iii)(時間=1.0で観察されるように)発光性p−n接合の平均位置は、V=20Vで1mmの電極間ギャップをもつデバイスにおける正のアノードから0.59mm離れたところから、V=5Vで0.76mmまで、印加電圧を減少させるにつれて、負のカソードに向ってシフトする。   FIG. 10 shows the average position of the p-type doping front and the n-type doping front (normalized to the time at which the pn junction occurs) as a function of time at various applied voltages. Three general trends are evident: (i) p-type doping onset time is essentially independent of applied voltage; (ii) n-type doping onset is more pronounced at low applied voltage (Iii) The average position of the emissive pn junction (as observed at time = 1.0) is 0.59 mm away from the positive anode in a device with a 1 mm interelectrode gap at V = 20V. From there, V = 5V to 0.76 mm, as the applied voltage is decreased, it shifts towards the negative cathode.

p−型ドーピングの開始と比較して、n−型ドーピングの開始の遅れがかなり増加すること、および低温ではp−n接合がカソード側にシフトすることがわかっているので(データは示していない)、温度を低下させることに伴い、類似の挙動が観察されている。これらの活物質は強く温度依存するイオン伝導性を示すことは十分に確立しているので、我々はn−型ドーピングの開始における増加する遅れ、および結果としてのp−n接合のカソードシフトが、低減したイオン伝導性に起因すると考える。   Compared to the onset of p-type doping, the delay in the onset of n-type doping is significantly increased, and at low temperatures the pn junction is known to shift to the cathode side (data not shown) ) And similar behavior has been observed with decreasing temperature. Since these active materials are well established to exhibit strongly temperature-dependent ionic conductivity, we have an increasing delay in the onset of n-type doping, and the resulting cathode shift of the pn junction, This is attributed to the reduced ionic conductivity.

均衡したレドックスが、ドーピングの前進の間、LECにおける2つの電極界面で維持されるべきである(1つの電極での限定されたファラデードーピングを、他の電極での非ファラデー電気二重層形成によって補償することが原理的に可能であるけれども、J. H. Shin, S. Xiao, and L. Edman, Polymer light-emitting electrochemical cells: The formation and effects of doping-induced micro shorts「ポリマー発光電気化学セル:ドーピング誘導マイクロショートの形成および効果」, Advanced Functional Materials, 2006. 16(7): p. 949-956には、この効果は小さすぎて、たとえば図9および10[10]で調べたワイドギャップデバイスにおけるn−型ドーピングの開始のかなりの遅れを説明することができない)。したがって、CPのn−型ドーピング以外の他の電気化学反応がカソード界面で起こりうるに違いなく、このような反応を総称的に「電気化学的副反応」と呼ぶことを選択している。   A balanced redox should be maintained at the two electrode interface in the LEC during the doping advance (limited Faraday doping at one electrode is compensated by non-Faraday electric double layer formation at the other electrode. Although it is possible in principle, JH Shin, S. Xiao, and L. Edman, Polymer light-emitting electrochemical cells: The formation and effects of doping-induced micro shorts "Short Formation and Effect", Advanced Functional Materials, 2006. 16 (7): p. 949-956, this effect is too small, for example n- in wide gap devices investigated in FIGS. 9 and 10 [10]. The considerable delay in the start of type doping cannot be explained). Therefore, other electrochemical reactions other than n-type doping of CP must occur at the cathode interface, and we have chosen to refer to such reactions generically as “electrochemical side reactions”.

p−型およびn−型のドーピングの開始の間のかなりの時間差を示す、デバイスのカソード界面での電気化学的副反応についての直接目に見える証拠が、光学顕微鏡像によって与えられている。図11は、V=30Vでの長期動作後の、1cmという極端に大きい電極間ギャップをもつプラナーAu/{MEH−PPV+PEO+KCFSO}/Au表面セルの、アノード界面40(左)およびカソード界面41(右)を示している。アノード界面40は長期動作後に「クリーン」な見かけを保持しているが、負のAu電極と{MEH−PPV+PEO+KCFSO}活物質との間のカソード界面に明るい「劣化層」43が出現した。遅いドーピング速度を示すデバイス、すなわち低い過電圧および/または低温で(活物質のイオン伝導性が非常に低い場合)、および大きな電極間ギャップで動作するデバイスにおいて、劣化層を見つけることが最も簡単なことがわかったことは興味深い。 Optical microscopy images provide direct visible evidence for electrochemical side reactions at the cathode interface of the device, showing a significant time difference between the onset of p-type and n-type doping. FIG. 11 shows the anode interface 40 (left) and cathode interface of a planar Au / {MEH-PPV + PEO + KCF 3 SO 3 } / Au surface cell with an extremely large interelectrode gap of 1 cm after long-term operation at V = 30V. 41 (right). The anode interface 40 maintains a “clean” appearance after long-term operation, but a bright “degraded layer” 43 appears at the cathode interface between the negative Au electrode and the {MEH-PPV + PEO + KCF 3 SO 3 } active material. . It is easiest to find a degraded layer in devices that exhibit slow doping rates, ie devices that operate at low overvoltages and / or low temperatures (if the ionic conductivity of the active material is very low) and with large interelectrode gaps It is interesting to know that.

LECの種々の構成要素、すなわちAu電極、MEH−PPVポリマー、および{KCFSO+PEO}電解質の電子構造への洞察が、サイクリックボルタンメトリー(CV)によって与えられる。図12は、作用電極としてベアAu(上のグラフ)またはMEH−PPVの薄膜でコートされたAu(下のグラフ)を用い、電解質溶液としてTBAPFが入ったCHCN(左のグラフ)または{KCFSO+PEO}が入ったCHCN(右のグラフ)を用いて記録されたCVデータを示す。上左のグラフはベアAu電極が検査された電圧範囲(Fc/Fc対に対して−2.6Vないし+0.8Vにわたる)で電気化学的に不活性であることを示しているが、下左のグラフはMEH−PPVがFc/Fcに対して−2.3Vで可逆的にn−型ドープ(還元)され、Fc/Fcに対して+0.1Vで可逆的にp−型ドープ(酸化)されうることを示している。電解質をTBAPFから{KCFSO+PEO}へ変えた場合、ベアAu電極システム(上右のグラフ)およびMEH−PPVコートAu電極システム(下右のグラフ)の両方において、不可逆的な還元反応が生じることで状況が変化している。これらのデータに基づいて、MEH−PPVが可逆的にn−型ドープされるよりも低い電位で{KCFSO+PEO}電解質が不可逆的に還元されるという結論が導かれるであろう。 Insights into the electronic structure of the various components of the LEC, namely the Au electrode, the MEH-PPV polymer, and the {KCF 3 SO 3 + PEO} electrolyte are given by cyclic voltammetry (CV). FIG. 12 shows the use of bare Au (top graph) or MEH-PPV thin film coated Au (bottom graph) as the working electrode and CH 3 CN (left graph) with TBAPF 6 as the electrolyte solution or CV data recorded using CH 3 CN (right graph) with {KCF 3 SO 3 + PEO} is shown. The upper left graph shows that the bare Au electrode is electrochemically inactive in the voltage range tested (over -2.6V to + 0.8V for the Fc / Fc + pair), left graph is MEH-PPV is reversibly n- type doped at -2.3V against Fc / Fc + (reduction), reversibly p- type doped + 0.1 V with respect to Fc / Fc + It shows that it can be oxidized. Irreversible reduction reaction in both bare Au electrode system (upper right graph) and MEH-PPV coated Au electrode system (lower right graph) when the electrolyte is changed from TBAPF 6 to {KCF 3 SO 3 + PEO} The situation has changed due to the occurrence of Based on these data, the conclusion will be drawn that the {KCF 3 SO 3 + PEO} electrolyte is irreversibly reduced at a lower potential than MEH-PPV is reversibly n-doped.

図13は、概略的な電子−エネルギー準位の形態で、提案したLECの動作メカニズムを示す。CVデータと一致させて、我々は図13(a)にMEH−PPVの伝導帯端(n−型ドーピング準位におおよそ対応する)よりも低いエネルギーに{KCFSO+PEO}電解質の還元準位を含ませている。図13(b)に示したように、「初期段階」動作の間に、アノードでのMEH−PPVのp−型ドーピング(酸化)およびカソードでの電解質の還元によって、LEC内の電気化学的なレドックスバランスが維持される。後者の反応は電気化学的副反応に対応し、これは初期段階動作の間のn−型ドーピングの欠如で(図9および図10参照)および負のAu電極と活物質との間の界面での劣化層(図11参照)の形で現れる。「後期段階」動作の間に、アノードでのp−型ドーピングは代わりにカソードでのn−型ドーピングによってバランスされ、図9および図10においてn−型ドーピングが現れるのはこのプロセスの間である。 FIG. 13 shows the operating mechanism of the proposed LEC in the form of a schematic electron-energy level. Consistent with the CV data, we show in FIG. 13 (a) that the reduction level of the {KCF 3 SO 3 + PEO} electrolyte is lower than the conduction band edge of MEH-PPV (which roughly corresponds to the n-type doping level). The position is included. As shown in FIG. 13 (b), during the “early stage” operation, the electrochemical in the LEC is reduced by p-type doping (oxidation) of MEH-PPV at the anode and reduction of the electrolyte at the cathode. Redox balance is maintained. The latter reaction corresponds to an electrochemical side reaction, which is due to the lack of n-type doping during early stage operation (see FIGS. 9 and 10) and at the interface between the negative Au electrode and the active material. Appear in the form of a deteriorated layer (see FIG. 11). During “late phase” operation, p-type doping at the anode is instead balanced by n-type doping at the cathode, and it is during this process that n-type doping appears in FIGS. 9 and 10. .

この段階で注目するに値する問題は、電気化学的副反応とAuカソードでのn−型ドーピングとの間の遷移であり、なぜそれがより高い印加電圧および/または活物質の増加したイオン伝導性でより早く起こるのかである。副反応は熱力学的に好ましいカソード反応である(これはCVデータによってサポートされている)が、n−型ドーピングはAuカソード界面で速度的に好ましいカソード反応であることが提案されている。これは、小さい駆動電圧で非常に小さい過電圧を利用する場合すなわちすべての過電圧は低イオン伝導性のアンドープ領域にわたって落ちるので、n−型ドーピング反応は単純にエネルギー的にアクセスできないため、熱力学的に好ましい副反応が勝つ、という結果になる。より高い駆動電圧または(p−型およびn−型の領域を分離する)アンドープ領域のイオン伝導性が増加する(そのイオン伝導性が増加するため、またはドープングプロセスの後期段階の間にそれはサイズが減少するため)場合、この状況は変化する。このとき、副反応およびn−型ドーピングの両方を可能にするようにカソード界面で利用できる十分な過電圧があるからである。このようなシナリオにおいては、速度的に好ましい反応であるn−型ドーピングが優勢になる。さらに、後期段階動作の間、実効的なカソード界面がAuカソードではなくn−型ドーピング前線に位置する場合、得られたデータはn−型ドーピングが優勢なプロセスであることを示している。   A problem worthy of note at this stage is the transition between electrochemical side reactions and n-type doping at the Au cathode, which is why higher applied voltage and / or increased ionic conductivity of the active material. It will happen sooner. While side reactions are thermodynamically preferred cathode reactions (which are supported by CV data), it has been proposed that n-type doping is a kinetically preferred cathode reaction at the Au cathode interface. This is because when using very small overvoltages with small drive voltages, i.e. all overvoltages fall over the undoped region of low ion conductivity, the n-type doping reaction is simply not energetically accessible, so thermodynamically The result is a favorable side reaction wins. The higher the drive voltage or the ionic conductivity of the undoped region (which separates the p-type and n-type regions) increases (because of its increased ionic conductivity or during later stages of the doping process This situation will change. This is because there is sufficient overvoltage available at the cathode interface to allow both side reactions and n-type doping. In such a scenario, n-type doping, which is a kinetically favorable reaction, dominates. Furthermore, during late phase operation, if the effective cathode interface is located at the n-type doping front rather than the Au cathode, the data obtained indicate that n-type doping is the dominant process.

電気化学的副反応の2つの直接目に見える結論は、n−型ドーピングの開始が遅れること、およびp−n接合がカソードへ向かってシフトすることである。また、電気化学的副反応はAuカソードの表面に反応残渣を生成し(図11において視覚化されている)、これは次に初期のn−型ドーピングを少なくとも部分的に妨害するであろうということが予想できる。副反応に伴って、Auアノード表面ではなくAuカソード表面において部分的なパッシベーション層が存在することは、初期のn−型ドーピング前線が初期のp−型前線にはないスパイク様の見かけを示すという観察(図9参照)とも一致している。負のAu電極と活物質との間の絶縁性劣化層の存在は、ターンオンした発光性p−n接合を含むLEDにおける電圧分布の意味合いをもつ。それが、たとえばp−n接合から劣化層へのシフトに対する過電圧のかなりの部分を引き起こすと考えるのが妥当なためである。   Two directly visible conclusions of the electrochemical side reaction are that the onset of n-type doping is delayed and that the pn junction shifts towards the cathode. Also, electrochemical side reactions produce reaction residues on the surface of the Au cathode (visualized in FIG. 11), which will then at least partially interfere with the initial n-type doping. I can expect that. The presence of a partial passivation layer on the Au cathode surface rather than on the Au anode surface with side reactions indicates that the initial n-type doping front has a spike-like appearance that is not present in the initial p-type front. This is consistent with the observation (see FIG. 9). The presence of an insulative degradation layer between the negative Au electrode and the active material has implications for voltage distribution in an LED including a light-emitting pn junction that is turned on. This is because it is reasonable to think that it causes a significant part of the overvoltage for a shift from, for example, a pn junction to a degraded layer.

したがって、カソードの副反応を最小化し、デバイス性能を改善するためには、初期のドーピング形成プロセス中に大きな電位(「予備バイアス」)を印加することが妥当である。その後、p−n接合が生じたとき、印加電位を低減して長期動作を可能にするのが適切である。図14で、サンドイッチセルの性能に関するこの動作プロトコルの効果を説明する。   Therefore, to minimize cathode side reactions and improve device performance, it is reasonable to apply a large potential ("pre-bias") during the initial doping formation process. Thereafter, when a pn junction occurs, it is appropriate to reduce the applied potential to enable long-term operation. FIG. 14 illustrates the effect of this operating protocol on sandwich cell performance.

サンドイッチセルデバイスは図7および図8に示したのと同じであるが、顕著な違いは、試験をT=360Kの高温の代わりに室温で行ったことである。Tの低下は、約2倍までの動作寿命の改善をもたらした。さらに、ITOアノードの表面を導電性ポリマーであるPEDOTの薄い平坦化層でコートする確立された手法を用いて、ITO表面の粗さがデバイス性能に影響するかどうかを調べた;しかし、我々はこの追加の層はわずかの改善をもたらすにすぎないことを見出している。Tの低下およびアノード界面でのPEDOT層の導入によるデバイス性能への累積的な効果を図14に示す(白抜きの四角をスターと比較すること)。   The sandwich cell device is the same as shown in FIGS. 7 and 8, with the notable difference that the test was performed at room temperature instead of high temperature of T = 360K. The decrease in T resulted in an improvement in operating life up to about twice. In addition, using established techniques to coat the surface of the ITO anode with a thin planarization layer of the conductive polymer PEDOT, we investigated whether the roughness of the ITO surface affects device performance; We have found that this additional layer provides only a slight improvement. The cumulative effect on device performance due to the decrease in T and the introduction of the PEDOT layer at the anode interface is shown in FIG. 14 (compare the open square with the star).

初期ドーピングプロセス中にVpre−bias=4Vでサンドイッチセルデバイスを「予備バイアス」し、続いてかなりの発光が達成されドーピングが完了したときに(t〜0.5時間で)、電圧をV=3Vに低下する。大きな予備バイアス(図14における中実の円)の使用の結果は明らかに有望である。動作寿命は約125時間から約175時間に増加し、電力効率は約0.5−0.6lm/Wの高い値から約1.9lm/Wへ著しく増加する。 During the initial doping process, the sandwich cell device is “pre-biased” with V pre-bias = 4V, and when significant emission is achieved and doping is complete (from t to 0.5 hours), the voltage is set to V = It drops to 3V. The result of using a large reserve bias (solid circle in FIG. 14) is clearly encouraging. The operating life increases from about 125 hours to about 175 hours, and the power efficiency increases significantly from a high value of about 0.5-0.6 lm / W to about 1.9 lm / W.

デバイスのターンオンの間の高い予備バイアスは、{PEO+KCFSO}電解質を含むカソード副反応を犠牲にしてn−型ドーピングの増加した量をもたらすであろうということが予想される。長期動作の間の必然的で望ましい結論はより「クリーン」なカソード界面とより中心寄りのp−n接合である;前者はカソード界面での過電圧の生成を阻害するため魅力的であり、一方で後者は、Lee, K. W., et al., Photophysical properties of tris(bipyridyl)ruthenium(II) thin films and devices「トリス(ビピリジル)ルテニウム(II)薄膜およびデバイスの光物理特性」, Physical Chemistry Chemical Physics, 2003. 5(12): p. 2706-2709に記載されているように、近くの金属電極によるエキシトン消滅、およびJ. H. Shin, S. Xiao, and L. Edman, Polymer light-emitting electrochemical cells: The formation and effects of doping-induced micro shorts「ポリマー発光電気化学セル:ドーピング誘導マイクロショートの形成および効果」, Advanced Functional Materials, 2006. 16(7): p. 949-956およびJohansson, T., et al., Light-emitting electrochemical cells from oligo(ethylene oxide)-substituted polythiophenes: Evidence for in situ doping「オリゴ(エチレンオキシド)置換ポリチオフェンによる発光電気化学セル:インサイチュドーピングについての証拠」, Chemistry of Materials, 1999. 11(11): p. 3133- 3139に記載されているように、ドーピングに誘導された短絡の生成に関する文献記載の問題を実効的に除去するため望ましい。これらのプロセスの阻害は増加した電力変換効率に直接的に関係し、一方で特にドーピングショートおよびカソード副反応の除去は改善された動作寿命をもたらすことが予想できる。したがって、電気化学的な副反応を軽減する高い予備バイアスに伴う観察された改善された素子性能を合理化することが正しそうに思われる。さらに、高い予備バイアスはターンオン時間の見方からも魅力的であり、我々はVpre−bias=4Vで予備バイアスされたデバイスは、V=3Vで一定にバイアスされた同じデバイスよりも、>70倍速く、100cd/mの輝度に達する。 It is expected that a high pre-bias during device turn-on will result in an increased amount of n-type doping at the expense of cathode side reactions involving {PEO + KCF 3 SO 3 } electrolyte. The necessary and desirable conclusion during long-term operation is a “cleaner” cathode interface and a more central pn junction; the former is attractive because it inhibits the generation of overvoltage at the cathode interface, while The latter, Lee, KW, et al., Photophysical properties of tris (bipyridyl) ruthenium (II) thin films and devices, “Photophysical properties of tris (bipyridyl) ruthenium (II) thin films and devices”, Physical Chemistry Chemical Physics, 2003 5 (12): Exciton annihilation by nearby metal electrodes, as described in p. 2706-2709, and JH Shin, S. Xiao, and L. Edman, Polymer light-emitting electrochemical cells: The formation and effects of doping-induced micro shorts "Polymer light-emitting electrochemical cells: Formation and effects of doping-induced micro shorts", Advanced Functional Materials, 2006. 16 (7): p. 949-956 and Johansson, T., et al., Light-emitting electrochemical ce lls from oligo (ethylene oxide) -substituted polythiophenes: Evidence for in situ doping -It is desirable to effectively eliminate the literature issues related to the generation of doping induced shorts as described in 3139. The inhibition of these processes is directly related to the increased power conversion efficiency, while the removal of doping shorts and cathode side reactions in particular can be expected to result in an improved operating life. Thus, it seems likely to rationalize the observed improved device performance with high pre-bias that mitigates electrochemical side reactions. In addition, the high pre-bias is attractive from a turn-on time perspective, and we see that a device pre- biased with V pre-bias = 4V is> 70 times faster than the same device biased constant at V = 3V. Reaching a luminance of 100 cd / m 2 .

デバイス性能への動作プロトコルの強い影響に触発されて、バイアスモードの効果を研究することを選択した。図15は、一定の電圧(図7−8および図14の場合のように定電圧モード)の代わりに、一定の電流(定電流モード)で動作させたサンドイッチセルについて、時間の関数として輝度および電圧を示す。カソード副反応を最少化し、ターンオン時間を速めるために、我々は初期予備バイアス電流をIpre−bias=0.005Aの高い値で0.5時間に設定し、その直後に電流をI=0.001Aに低下させた。結果は非常に有望である:初期の電力効率が>2lm/Wであり、動作時間は約1000時間すなわち>40日間という目覚しい値に達する。また、I=0.001Aで1か月を超える無遮断動作の間の印加電圧はV=4Vを超えないことも注目に値する。 Inspired by the strong influence of operating protocols on device performance, we chose to study the effect of bias mode. FIG. 15 shows brightness and brightness as a function of time for sandwich cells operated at a constant current (constant current mode) instead of a constant voltage (constant voltage mode as in FIGS. 7-8 and 14). Indicates voltage. In order to minimize cathode side reactions and speed up turn-on time, we set the initial pre-bias current to 0.5 hour with a high value of I pre-bias = 0.005A and immediately after that I = 0. Reduced to 001A. The result is very promising: the initial power efficiency is> 2 lm / W and the operating time reaches a remarkable value of about 1000 hours or> 40 days. It is also noteworthy that the applied voltage during the uninterrupted operation exceeding 1 month at I = 0.001A does not exceed V = 4V.

図15における改善されたデバイス性能は、Ipre−bias=0.005Aで最初の数秒間の高電流動作の間に、V≒6Vの結果としての高い初期電圧に起因する。さらに、高い予備バイアスは、図7、図8および図14における定電圧動作の間に印加された、V=3−4Vの低い初期バイアスと比較して、望ましくないカソードの電気化学的副反応を阻害するであろう。さらに、エキシトンの非発光減衰およびジュール加熱により(接合はアンドープで、それ自体デバイスの最も抵抗のある部分である)、自己加熱効果は定常状態動作の間のp−n接合領域においてかなり優勢であることが注目される;また Wagberg, T., et al., On the limited operational lifetime of light-emitting electrochemical cells「発光電気化学セルの限定された動作寿命に関して」, Advanced Materials, 2008. 20(9): p. 1744-+, および Zhang, Y.G. and J. Gao, Lifetime study of polymer light-emitting electrochemical cells「ポリマー発光電気化学セルの寿命研究」, Journal of Applied Physics, 2006. 100(8) に記載されているように、定電圧モードと比較したとき、定電流モードにおける良好な性能は、部分的に、おそらくp−n接合領域の良好な熱管理にも帰することができる。 The improved device performance in FIG. 15 is due to the high initial voltage resulting in V≈6V during the first few seconds of high current operation at I pre-bias = 0.005A. Furthermore, the high pre-bias reduces undesirable cathode electrochemical side reactions compared to the low initial bias of V = 3-4V applied during constant voltage operation in FIGS. 7, 8 and 14. Will inhibit. Furthermore, due to exciton non-radiative decay and Joule heating (the junction is undoped and is itself the most resistive part of the device), the self-heating effect is quite prevalent in the pn junction region during steady state operation. Wagberg, T., et al., On the limited operational lifetime of light-emitting electrochemical cells, Advanced Materials, 2008. 20 (9) : p. 1744- +, and Zhang, YG and J. Gao, Lifetime study of polymer light-emitting electrochemical cells, Journal of Applied Physics, 2006. 100 (8). As can be seen, the good performance in the constant current mode when compared to the constant voltage mode can be attributed, in part, to good thermal management of the pn junction region.

さらに、始めての、フレキシブルなITO被覆PET基板上の非常に機能的なLECデバイスを実証する。図16は2つの写真を示し、これらは動作中のこのようなサンドイッチセルの形状適合性を示す。I=0.001Aの高い印加電流での加速寿命試験により、このようなフレキシブルLECデバイスのデバイス性能(すなわち、最大輝度、電力変換効率、および動作寿命)は、フレキシブルでないガラス基板上に設けられた、先に示したデバイスの最も良好な性能と同等であることがわかっている。   Furthermore, the first highly functional LEC device on a flexible ITO coated PET substrate is demonstrated. FIG. 16 shows two photographs, which show the conformability of such a sandwich cell in operation. Device performance (ie, maximum brightness, power conversion efficiency, and operating life) of such flexible LEC devices was provided on a non-flexible glass substrate by accelerated life testing at high applied currents of I = 0.001A. It has been found to be equivalent to the best performance of the device shown above.

最後に、上述した活物質組成物の最適化および高予備バイアスプロトコルを用いることによって、他の活物質成分を用いて目覚しいデバイス性能を達成できることを実証する。たとえば、共役ポリマーとしてMEH−PPVの代わりに「スーパーイエロー」(化学構造については図2d参照)を用いた。図17は、Ipre−bias=0.01Aで0.4時間、その直後に電流をI=0.001Aに低下して動作させたサンドイッチセルデバイスについて初期輝度対時間の試験を示す。このような黄色発光デバイスの電力変換効率は6lm/Wに達することがあり、初期動作寿命データは、適切な低電解質濃度をもち、適切な動作プロトコルにさらしたこのようなスーパーイエローデバイスは、同様に最適化したMEH−PPV系デバイスと同等の動作寿命を示しうることを示している。図18に、我々は動作中の十分にフレキシブルなスーパーイエロー系LECデバイスを示す。 Finally, it demonstrates that by using the active material composition optimization and high pre-bias protocol described above, remarkable device performance can be achieved with other active material components. For example, “super yellow” (see FIG. 2 d for chemical structure) was used as the conjugated polymer instead of MEH-PPV. FIG. 17 shows an initial luminance versus time test for a sandwich cell device operated at I pre-bias = 0.01A for 0.4 hours and immediately thereafter with the current reduced to I = 0.001A. The power conversion efficiency of such a yellow light emitting device can reach 6 lm / W, the initial operating lifetime data is the same for a super yellow device with an appropriate low electrolyte concentration and exposed to an appropriate operating protocol. It can be shown that the operating life equivalent to that of the MEH-PPV-based device optimized can be shown. In FIG. 18, we show a fully flexible Super Yellow LEC device in operation.

要約すると、活物質の組成および動作のプロトコルはLECのデバイス性能に顕著な影響をもつことが実証されている。具体的には、安定なITOおよびAl電極の間にサンドイッチされた{MEH−PPV:PEO:KCFSO}の活物質混合物を有する赤色発光LECは、{PEO:KCFSO}電解質の濃度を最適化し、初期動作の間に高い予備バイアスを印加すれば、>100cd/mというかなりの輝度および2lm/Wという高い電力変換効率で約1000時間の目覚しい動作寿命を達成できる。不利な化学的および電気化学的な副反応の軽減に向けた2つの実効的な経路(これらは別個にまたはいっしょに用いてもよい)を実証した。さらに、非常に有望なフレキシブルLECを実証した。 In summary, active material composition and operational protocols have been demonstrated to have a significant impact on LEC device performance. Specifically, sandwiched between the stable ITO and Al electrodes red emission LEC having an active material mixture {MEH-PPV:: PEO KCF 3 SO 3} is, {PEO: KCF 3 SO 3 } electrolyte By optimizing the concentration and applying a high pre-bias during initial operation, a remarkable operating life of about 1000 hours can be achieved with significant brightness> 100 cd / m 2 and high power conversion efficiency of 2 lm / W. Two effective pathways for reducing adverse chemical and electrochemical side reactions (these may be used separately or together) have been demonstrated. Furthermore, a very promising flexible LEC was demonstrated.


本開示を、以下の具体的な例によりさらに説明するが、これはいずれにしてもクレームされた発明の範囲および内容を限定するものと解釈すべきではない。
EXAMPLES The present disclosure is further illustrated by the following specific examples, which should not be construed as limiting the scope and content of the claimed invention in any way.

第1の例において、共役ポリマーであるポリ[2−メトキシ−5−(2−エチル−ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン](MEH−PPV)を受け入れたまま使用した。ポリ(エチレンオキシド)(PEO,M=5×10,Aldrich)および塩であるKCFSO(98%,Alfa Aesar)を真空下においてそれぞれ323Kおよび473Kの温度(T)で乾燥した。10mg/mL濃度のマスター溶液を調製した:クロロホルムに溶解したMEH−PPV(>99%,無水,Aldrich),およびクロロヘキサノンに別々に溶解したPEOおよびKCFSO(99%,Merck)。マスター溶液を一緒に混合して1:0.085:0.03のMEH−PPV:PEO:KCFSO質量比にすることによって、ブレンド溶液を調製した後、磁気ホットプレート上、T=323Kで少なくとも5時間撹拌した。インジウム錫酸化物(ITO)ガラス基板(1.5×1.5cm,20±5ohms/sq.,TFD Inc)を洗剤、アセトン、およびイソプロパノール溶液中での連続的な超音波処理により洗浄した。ブレンド溶液を800rpmでスピンコーティングすることによって活物質を堆積し、原子間力顕微鏡によって測定したところ、約150nmの膜厚を得た。その後、活物質をホットプレート上、T=333Kで少なくとも5時間乾燥した。p<2×10−4Paで熱蒸着によりAl電極を堆積した。いくつかのデバイスについて、活物質の堆積前に、4000rpmでITOの上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホネート)(PEDOT−PSS HO中の1.3wt%分散液,Sigma Aldrich)をスピンコートした。すべての上のデバイス製造操作は、基板の洗浄およびPEDOTの堆積を除いて、2つの相互接続されたN封入グローブボックス中(O<3ppm、HO<0.5ppm)で行った。試験前に、デバイスをクライオスタット中、2時間、T=360Kおよび高真空下(p<10−3Pa)でインサイチュ乾燥した。すべての測定は同じオプチカルアクセスクライオスタット中において高真空下(p<10−3Pa)で行った。コンピュータ制御の電源測定ユニット(Keithley 2400)を校正フォトダイオードと組み合わせてLECデバイスの光電特性評価に用いた。 In the first example, the conjugated polymer poly [2-methoxy-5- (2-ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylenevinylene] (MEH-PPV) was used as received. Poly (ethylene oxide) (PEO, M w = 5 × 10 6 , Aldrich) and the salt KCF 3 SO 3 (98%, Alfa Aesar) were dried under vacuum at temperatures (T) of 323 K and 473 K, respectively. The 10 mg / mL concentrated master solution was prepared: MEH-PPV dissolved in chloroform (> 99%, anhydrous, Aldrich), and PEO and dissolved separately in chloro hexanone KCF 3 SO 3 (99%, Merck). By mixing a master solution with 1: 0.085: 0.03 of MEH-PPV: PEO: by the KCF 3 SO 3 weight ratio, was prepared a blend solution, the magnetic hotplate, T = 323 K For at least 5 hours. Indium tin oxide (ITO) glass substrate (1.5 × 1.5 cm 2 , 20 ± 5 ohms / sq., TFD Inc) was cleaned by continuous sonication in detergent, acetone, and isopropanol solutions. An active material was deposited by spin coating the blend solution at 800 rpm, and a film thickness of about 150 nm was obtained as measured by an atomic force microscope. Thereafter, the active material was dried on a hot plate at T = 333K for at least 5 hours. Al electrodes were deposited by thermal evaporation at p <2 × 10 −4 Pa. For some devices, 1.3 wt% in poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -poly (styrene sulfonate) (PEDOT-PSS H 2 O) on ITO at 4000 rpm prior to active material deposition. The dispersion, Sigma Aldrich) was spin coated. All the above device fabrication operations were performed in two interconnected N 2 encapsulated glove boxes (O 2 <3 ppm, H 2 O <0.5 ppm), except for substrate cleaning and PEDOT deposition. Prior to testing, the device was dried in situ in a cryostat for 2 hours at T = 360 K and under high vacuum (p <10 −3 Pa). All measurements were performed under high vacuum (p <10 −3 Pa) in the same optical access cryostat. A computer-controlled power measurement unit (Keithley 2400) was used in combination with a calibration photodiode to evaluate the photoelectric properties of the LEC device.

他の例において、MEH−PPVの代わりに共役ポリマー「スーパーイエロー」を用いた。スーパーイエローは可溶性のフェニル置換PPVコポリマーであり、Merckから購入され、受け入れたまま使用した。これを上の例におけるMEH−PPVポリマーと同様に取り扱った。   In another example, the conjugated polymer “Super Yellow” was used instead of MEH-PPV. Super Yellow is a soluble phenyl substituted PPV copolymer, purchased from Merck and used as received. This was handled in the same manner as the MEH-PPV polymer in the above example.

さらに別の例において、フレキシブルでないITOガラス基板の代わりにフレキシブルなITO被覆ポリ(エチレンテレフタレート)(PET)基板(PET60,Visiontek Systems Ltd.)を用いた。これらの基板は受け入れたまま使用した。   In yet another example, a flexible ITO-coated poly (ethylene terephthalate) (PET) substrate (PET60, Visiontek Systems Ltd.) was used in place of the non-flexible ITO glass substrate. These substrates were used as received.

補遺1−表面セルに関する実験の詳細
ポリ[2−メトキシ−5−(2−エチル−ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン](MEH−PPV、Aldrich、M=40000−70000g/mol)を受け入れたままで使用した。ポリ(エチレンオキシド)(PEO、M=5×10、Aldrich)および塩KCFSO(98%、Alfa Aesar)を真空下において473Kの温度(T)で乾燥させた。クロロホルムに溶解したMEH−PPV(>99%、無水物、Aldrich)、ならびにシクロヘキサンに別々に溶解したPEOおよびKCFSO(99%、Merck)の10mg/L濃度のマスター溶液を調製した。これらのマスター溶液を、MEH−PPV:PEO:KCFSO=1:1.35:0.25の質量比で混合し、その後、磁気ホットプレート上、T=323Kで少なくとも5時間にわたって攪拌して、ブレンド溶液を調製した。次に、1.5×1.5cmのガラス基板を、洗浄剤、アセトンおよびイソプロパノール溶液中での超音波処理により清浄化した。p<2×10−4Paでの熱蒸発によって、100nm厚のAu電極をこれら清浄化したガラス基板上に堆積させた。電極間ギャップをAlシャドウマスクによって設けた。
Addendum 1—Experimental Details for Surface Cell Poly [2-methoxy-5- (2-ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylenevinylene] (MEH-PPV, Aldrich, M n = 40000-70000 g / mol) Used as received. Poly (ethylene oxide) (PEO, M w = 5 × 10 6 , Aldrich) and the salt KCF 3 SO 3 (98%, Alfa Aesar) were dried under vacuum at a temperature (T) of 473K. A 10 mg / L master solution of MEH-PPV (> 99%, anhydrous, Aldrich) dissolved in chloroform and PEO and KCF 3 SO 3 (99%, Merck) dissolved separately in cyclohexane was prepared. These master solutions, MEH-PPV: PEO: KCF 3 SO 3 = 1: 1.35: mixed with 0.25 weight ratio, then the magnetic hot plate, stirred for at least 5 hours at T = 323 K The blend solution was prepared. Next, a 1.5 × 1.5 cm 2 glass substrate was cleaned by sonication in a detergent, acetone and isopropanol solution. A 100 nm thick Au electrode was deposited on these cleaned glass substrates by thermal evaporation at p <2 × 10 −4 Pa. The interelectrode gap was provided by an Al shadow mask.

800rpmでの60秒間にわたるスピンコートによってブレンド溶液を堆積させて、150nmの厚さの活物質膜を得た。その後、この膜を、ホットプレート上、T=333Kで少なくとも5時間にわたり乾燥させた。最終的に、測定を即座に実行し、クライオスタット内で2時間にわたりT=360Kおよび真空下(p<10−3)でのインサイチュ乾燥を行った。基板の清浄化を除く上述のデバイス製造手順の全てを、Ar封入グローブボックス(O<3ppm、HO<0.5ppm)内で行った。デバイスの特性評価は、真空下(p<10−3)、光アクセスクライオスタット内で行った。電圧をかけて得られた電流を測定するのに、コンピュータ制御の電源測定ユニット(Keithley 2400)を用いた。ドーピングの前進の写真を、UV(λ=365nm)照射しながら、クライオスタットの光学窓を通して、マクロレンズを備えたデジタルカメラ(Cannon EOS 20D)を使用して記録した。 The blend solution was deposited by spin coating at 800 rpm for 60 seconds to obtain an active material film having a thickness of 150 nm. The membrane was then dried on a hot plate at T = 333K for at least 5 hours. Finally, measurements were performed immediately and in situ drying was performed in a cryostat for 2 hours at T = 360 K and under vacuum (p <10 −3 ). All of the device manufacturing procedures described above, except for substrate cleaning, were performed in an Ar-filled glove box (O 2 <3 ppm, H 2 O <0.5 ppm). Device characteristics were evaluated in a light access cryostat under vacuum (p <10 −3 ). A computer-controlled power measurement unit (Keithley 2400) was used to measure the current obtained by applying the voltage. Photos of the progress of doping were recorded using a digital camera with a macro lens (Cannon EOS 20D) through the optical window of the cryostat under UV (λ = 365 nm) illumination.

汎用電気化学ソフトウェア(GPES、Eco Chemie)を使用するコンピュータ制御ポテンシオスタット/ガルバノスタット(Autolab、PGSTAT302/FRA2、Eco Chemie)を用いて、サイクリックボルタンメトリー(CV)測定を行った。全ての測定を、Ar封入グローブボックス(O<3ppm、HO<0.5ppm)内で行った。電解液は、アセトニトリル(CHCN、無水物、≧99.8%、Aldrich)中の0.1Mのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスファート(TBAPF、≧99.0%、Fluka)か、またはアセトニトリル中の0.1Mのカリウムトリフルオロメタンスルフォナート(KCFSO、98%、Alfa Aesar)および2M(1リットルの溶液当たりのPEOの繰り返し単位の数として計算したもの)の低分子量PEO(Mw=400、Polysciences)の何れかであった。p=2×10−4Paでの熱蒸発によって、予め清浄化したガラス基板上に動作電極を堆積させた。MEH−PPV膜を、クロロホルム溶液(10mg/ml、>99%、無水物、Aldrich)からAu電極上に、800rpmで60秒間にわたってスピンコーティングし、その後、ホットプレート上、T=323Kで〜1時間にわたって乾燥させた。銀線を準参照電極として使用した。各測定の終わりに、〜10−5モルのフェロセンを電解液に添加して掃引を実行することによって、この銀線を、ビス−(η−シクロペンタジエニル)鉄(II)/ビス−(η−シクロペンタジエニル)鉄(II)イオン(フェロセン/フェロセニウムイオン、Fc/Fc)参照レドックス対(フェロセン、≧98%;Fluka)に対して較正した。Pt棒を対向電極として使用した。ベースラインと半値幅接線との交点に対応する還元/酸化開始電位を決定した。Fc/Fc参照レドックス対に対する全ての電位を報告した。 Cyclic voltammetry (CV) measurements were performed using a computer controlled potentiostat / galvanostat (Autolab, PGSTAT302 / FRA2, Eco Chemie) using general purpose electrochemical software (GPES, Eco Chemie). All measurements were performed in an Ar-filled glove box (O 2 <3 ppm, H 2 O <0.5 ppm). The electrolyte is either 0.1 M tetrabutylammonium hexafluorophosphate (TBAPF 6 , ≧ 99.0%, Fluka) in acetonitrile (CH 3 CN, anhydride, ≧ 99.8%, Aldrich) or acetonitrile. Low molecular weight PEO (Mw calculated as the number of repeating units of PEO per liter of solution) and 0.1 M potassium trifluoromethanesulfonate (KCF 3 SO 3 , 98%, Alfa Aesar) in = 400, Polysciences). The working electrode was deposited on a previously cleaned glass substrate by thermal evaporation at p = 2 × 10 −4 Pa. MEH-PPV membranes were spin-coated from chloroform solution (10 mg / ml,> 99%, anhydrous, Aldrich) onto Au electrodes at 800 rpm for 60 seconds, then ˜1 hour at T = 323 K on hot plate Dried over. A silver wire was used as a quasi-reference electrode. At the end of each measurement, the silver wire is converted to bis- (η-cyclopentadienyl) iron (II) / bis- (by adding 10 −5 mol of ferrocene to the electrolyte and performing a sweep. Calibrated against η-cyclopentadienyl) iron (II) + ion (ferrocene / ferrocenium ion, Fc / Fc + ) reference redox couple (ferrocene, ≧ 98%; Fluka). A Pt bar was used as the counter electrode. The reduction / oxidation onset potential corresponding to the intersection of the baseline and half width tangent was determined. All potentials for the Fc / Fc + reference redox pair were reported.

補遺2−式(1)の誘導
活物質(AM)中の共役ポリマー(CP)および塩(ならびに他の成分)の実効密度は

Figure 2015029098
Appendix 2-Derivation of Formula (1) The effective density of the conjugated polymer (CP) and salt (and other components) in the active material (AM) is
Figure 2015029098

によってそれらそれぞれの質量分率に関係しうる。ここでρAMは活物質の密度である。 Can be related to their respective mass fractions. Here ρ AM is the density of the active material.

CPおよびCPの繰り返し単位(CPru)の密度は同一である。

Figure 2015029098
The densities of CP and CP repeating units (CPru) are the same.
Figure 2015029098

活物質中の成分の数密度は

Figure 2015029098
The number density of the components in the active material is
Figure 2015029098

によって与えられる。ここでNはアボガドロ定数であり、Mは成分iのモル質量である。 Given by. Where N A is the Avogadro constant, M i is the molar mass of component i.

我々は、1価の塩の場合には以下が真実であることをさらに言及する。

Figure 2015029098
We further mention that in the case of monovalent salts the following is true:
Figure 2015029098

イオン欠乏の状態では、1つのタイプの全てのイオンが1つの別個のドーピング領域に蓄積しており、この場合、それらは静電気的にドーパントを補う(アニオンがp−型領域において正孔を補い、カチオンがn−型領域において電子を補う)。さらに、ドープ領域におけるドーピング濃度、およびそれ故にイオン濃度は一定である。したがって、各ドープ領域におけるドーパントおよびイオンの濃度は、

Figure 2015029098
In the ion deficient state, all ions of one type accumulate in one separate doping region, where they electrostatically supplement the dopant (anions supplement holes in the p-type region, Cations compensate for electrons in the n-type region). Furthermore, the doping concentration in the doped region and hence the ion concentration is constant. Therefore, the dopant and ion concentrations in each doped region are:
Figure 2015029098

によってそのドープ領域の体積(V、i=p、n)と、活物質の総体積(Vtot)とに関連する。 Is related to the volume of the doped region (V i , i = p, n) and the total volume of the active material (V tot ).

活物質の断面積が一定であるならば、p−型およびn−型ドーピング濃度についての式は

Figure 2015029098
If the cross-sectional area of the active material is constant, the equations for p-type and n-type doping concentration are
Figure 2015029098

と書き換えることができる。ここでdtotは電極間の総距離であり、dおよびdはp−型およびn−型領域のそれぞれの電極間方向での総距離である。 Can be rewritten. Here d tot is the total distance between the electrodes, d p and d n is the total distance in each of the inter-electrode direction of p- type and n- type region.

ドープ領域におけるドーピング分率(x、i=p、n)は、ここで以下の等式を用いて計算できる。

Figure 2015029098
The doping fraction (x i , i = p, n) in the doped region can now be calculated using the following equation:
Figure 2015029098

上の結果を盛り込んで特にp−型領域について解くことにより、我々は以下のことを見出した:

Figure 2015029098
Including the above results and solving for the p-type region in particular, we found the following:
Figure 2015029098

ここで、我々は、塩の質量と共役の質量との比zについて解く:

Figure 2015029098
Here we solve for the ratio z of the salt mass to the conjugate mass:
Figure 2015029098

我々が(ここで検討しているLECデバイスに対する最近の実験観察に合理的に従って(J. Fang, et al. Identifying and alleviating electrochemical side-reactions in light-emitting electrochemical cells, Journal of the American Chemical Society, 2008, 130(13): p. 4562-4568を参照のこと))2つのドープ領域におけるドーピング濃度を等しいと見積る場合、我々は対称性により

Figure 2015029098
We reasoned (J. Fang, et al. Identifying and alleviating electrochemical side-reactions in light-emitting electrochemical cells, Journal of the American Chemical Society, 2008 , 130 (13): p. 4562-4568)) If we estimate the doping concentrations in the two doped regions to be equal,
Figure 2015029098

および

Figure 2015029098
and
Figure 2015029098

であることを見出した。ここでdpnは未ドープp−n接合の幅である。 I found out. Here, d pn is the width of the undoped pn junction.

この特別な条件下では、式(11)を以下のように書き換えられる。

Figure 2015029098
Under these special conditions, equation (11) can be rewritten as:
Figure 2015029098

上記のような発光デバイスと、前記第1および第2の電極に接続された電源と含む、光を発生するための方法も開示される。前記電源は前記デバイスとともに用いることができる、電力を発生するのに適した任意の手段、たとえばバッテリー、または変換された主電源電圧であろう。 Also disclosed is a method for generating light comprising a light emitting device as described above and a power source connected to the first and second electrodes. The power source may be any means suitable for generating electrical power that can be used with the device, such as a battery or converted mains voltage.

第2の態様によれば、上記の、光を発生するためのデバイスまたはシステムの使用が提供される。 According to a second aspect, there is provided the use of a device or system for generating light as described above.

第3の態様によれば、前記発光デバイスを予備バイアスすることを含む、上記のデバイスを操作する方法が提供される。 According to a third aspect, there is provided a method of operating the above device comprising pre-biasing the light emitting device.

この特別な条件下では、式(11)を以下のように書き換えられる。

Figure 2015029098
以下に、本願出願の当初の請求項の記載を実施の態様として付記する。
[1] 第1の電極と、第2の電極と、第1および第2の電極に接触してこれらを分離する発光活物質とを有する発光デバイスであって、前記活物質は、
共役ポリマーと電解質との組み合わせを含み、前記電解質はイオンを含み、共役ポリマーの電気化学ドーピングを可能にし、
イオンと共役ポリマーとの比は(i)、(ii)の形成を可能にするように選択され、
(i)それぞれの電極界面のドープ領域であって、これらはゼロまたは低過電圧で、それぞれ、ドープ領域へのおよびこれを通しての電子電荷キャリアの注入および輸送を可能にする、および
(ii)ドープ領域を分離する実効的なアンドープ領域であって、注入された電子電荷キャリアは共役ポリマーの励起により再結合可能であり、前記ポリマーは発光により脱励起可能である、
イオンと共役ポリマーとの比は、前記アンドープ領域が実効的にアンドープのままで前記イオンを含まず、前記活物質中の実質的にすべてのイオンが前記ドープ領域に閉じ込められるように十分に低い、発光デバイス。
[2] 前記共役ポリマーが疎水性で前記電解質が親水性であるか、または前記共役ポリマーが親水性で前記電解質が疎水性である、[1]に記載のデバイス。
[3] 前記共役ポリマーおよび電解質は相分離した混合物を形成し、その成分は1nmないし1mmの範囲のスケールで分離している、[1]に記載のデバイス。
[4] 前記成分は約50nmないし約100μm、または約400nmないし約10μmの範囲のスケールで分離している、[3]に記載のデバイス。
[5] 前記組み合わせは実質的に単相の組み合わせである、[1]に記載のデバイス。
[6] 前記イオンと共役ポリマーとの比は、励起した共役ポリマーとドープ領域のドーパントとイオンとの間の有害な相互作用を実効的になくすアンドープ領域の幅を与えるように選択される、[1]ないし[4]のいずれか1に記載のデバイス。
[7] 前記電極は少なくとも部分的に互いに重なり、前記イオンと共役ポリマーとの比は、前記実効的にアンドープな領域の幅が約10nmないし200nm、または約10−100nmまたは約10−50nmまたは約20nmになるように選択される、[6]に記載のデバイス。
[8] 前記イオンを与える塩の質量と共役ポリマーの質量との比が、下記式に従って計算されるzの約0.01−3倍、または約0.1−3倍、または約0.5−2倍または約0.5−1倍に選択される、
Figure 2015029098
(ここで、x doping はドープ領域におけるドーピング濃度であり、d tot は電極間の全距離であり、d pn は(電極間方向の)アンドープ領域の幅であり、M salt は塩のモル質量であり、M CPru は共役ポリマーの繰り返し単位のモル質量である)
[7]のデバイス。
[9] 前記イオンの質量と前記共役ポリマーの質量との比が約0.005−0.10、または約0.01−0.06である、[1]ないし[8]のいずれか1のデバイス。
[10] 前記電極は実質的に同一平面上にあり、前記イオンと前記共役ポリマーとの比は、前記実効的にアンドープな領域の幅が約10nmないし70μm、または約100nmないし70μm、または約1μmないし70μm、または約10μmないし70μm、または約10μmないし20μmになるように選択される、[1]ないし[6]のいずれか1に記載のデバイス。
[11] 前記イオンと前記共役ポリマーとの比は、少なくとも20時間の連続動作で、少なくとも40時間の連続動作で、少なくとも60時間の連続動作で、少なくとも80時間の連続動作で、少なくとも100時間の連続動作で、少なくとも150時間の連続動作で、または少なくとも200時間の連続動作で、または少なくとも1か月間の連続動作で100cd/m を超える輝度を与える、または少なくとも4か月間20cd/m を超える輝度を維持する、少なくとも4日間400cd/m を超える輝度を維持する、または少なくとも24時間1000cd/m を超える輝度を維持するように選択される、[1]ないし[10]のいずれか1に記載のデバイス。
[12] 前記共役ポリマーはポリ(パラフェニレンビニレン(PPV)、ポリフルオレニレン(PF)、ポリ(1,4−フェニレン)(PP)、ポリチオフェン(PT)、ならびにこれらの中性およびイオン性の誘導体からなる群より選択される、[1]ないし[11]のいずれか1に記載のデバイス。
[13] 前記共役ポリマーはポリ[2−メトキシ−5−(2−エチル−ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン]である、[12]に記載のデバイス。
[14] 前記共役ポリマーは、フェニル置換PPVコポリマー、たとえばスーパーイエローを含む、[1]ないし[12]のいずれか1に記載のデバイス。
[15] 前記電解質はゲル電解質を含む、[1]ないし[14]のいずれか1に記載のデバイス。
[16] 前記電解質は実質的に固体の電解質を含む、[1]ないし[15]のいずれか1に記載のデバイス。
[17] 前記電解質は実質的に液体の電解質を含む、[1]ないし[16]のいずれか1に記載のデバイス。
[18] さらに、電極間に所定の距離を維持するように設けられたスペーサーを有する、[1]ないし[17]のいずれか1に記載のデバイス。
[19] 前記電解質は塩を含む、[1]ないし[18]のいずれか1に記載のデバイス。
[20] 前記塩は少なくとも1つの金属塩を含み、前記塩はカチオン、たとえばLi、Na、K、Rb、Mg、またはAgと、分子アニオン、たとえばCF SO 、ClO 、または(CF SO Nとを含む、[19]に記載のデバイス。
[21] 前記活物質中の電解質はイオン溶解性物質を含む、[1]ないし[20]のいずれか1に記載のデバイス。
[22] 前記イオン溶解性物質の濃度はイオンの解離を可能にするのに十分高く、かつ少なくとも20時間の連続動作で、少なくとも40時間の連続動作で、少なくとも60時間の連続動作で、少なくとも80時間の連続動作で、少なくとも100時間の連続動作で、少なくとも150時間の連続動作で、または少なくとも200時間の連続動作で、または少なくとも1か月間の連続動作で100cd/m を超える輝度を与える、または少なくとも4か月間20cd/m を超える輝度を維持する、少なくとも4日間400cd/m を超える輝度を維持する、または少なくとも24時間1000cd/m を超える輝度を維持するのに十分低い、[21]に記載のデバイス。
[23] 前記イオン溶解性物質と前記共役ポリマーとの質量比は、約0.01−0.25、約0.01−0.20、約0.01−0.17、約0.05−0.25、約0.05−0.20、約0.05−0.17、約0.08−0.25、約0.08−0.20または約0.085−0.17である、[21]または[22]に記載のデバイス。
[24] 前記イオン溶解性物質は少なくとも1つのポリマー物質を含む、[21]ないし[23]のいずれか1に記載のデバイス。
[25] 前記ポリマー物質はポリ(エチレンオキシド)、ポリ(プロピレンオキシド)、メトキシエトキシ−エトキシ置換ポリホスファザン、およびポリエーテル系ポリウレタン、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、[24]に記載のデバイス。
[26] 前記イオン溶解性物質は少なくとも1つの非ポリマーのイオン溶解性物質、たとえばクラウンエーテルを含む、[21]ないし23]のいずれか1に記載のデバイス。
[27] 前記電解質は少なくとも1つのイオン性液体を含む、[1]ないし[26]のいずれか1に記載のデバイス。
[28] 前記活物質は界面活性剤、またはポリマーの非イオン溶解性物質、たとえばポリスチレンを含む、[1]ないし[27]のいずれか1に記載のデバイス。
[29] 前記電解質はポリ(エチレンオキシド)に溶解したKCF SO を含む、[1]ないし[28]のいずれか1に記載のデバイス。
[30] 前記デバイスは基板上に形成されている、[1]ないし[29]のいずれか1に記載のデバイス。
[31] 前記基板は実効的にノンフレキシブルである、[30]に記載のデバイス。
[32] 前記基板はガラスまたはガラス様物質を含む、[31]に記載のデバイス。
[33] 前記基板は実効的にフレキシブルである、[30]に記載のデバイス。
[34] 前記基板はポリマー物質を含む、[33]に記載のデバイス。
[35] 前記ポリマー物質はポリ(エチレンテレフタレート)、ポリ(エチレンナフタレート)、ポリ(イミド)、ポリ(カーボネート)、またはこれらの組み合わせもしくは誘導体のうち少なくとも1つを含む、[34]に記載のデバイス。
[36] 前記基板は金属または金属箔、たとえば鋼、Ti、Al、インコネル合金、またはコバールを含む、[30]ないし[35]のいずれか1に記載のデバイス。
[37] 前記基板は紙または紙様物質を含む、[30]ないし[36]のいずれか1に記載のデバイス。
[38] 電極の一方または両方は直接的または間接的に前記基板上に堆積されている、[30]ないし[37]のいずれか1に記載のデバイス。
[39] 前記第1および第2の電極の一方または両方は導電性で透明または半透明である、[1]ないし[38]のいずれか1に記載のデバイス。
[40] 前記導電性で透明な電極の一方または両方は半透明酸化物、たとえばインジウム錫酸化物、または半透明金属の薄膜、たとえばAu、Ag、Pt、またはAlを含む、[39]に記載のデバイス。
[41] 前記第1および第2の電極の一方または両方は導電性ポリマー、たとえばポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホネート)の薄膜で被覆されている、[1]ないし[40]のいずれか1に記載のデバイス。
[42] 前記第1および第2の電極の一方または両方は金属を含む、[1]ないし[41]のいずれか1に記載のデバイス。
[43] 前記電極は安定な金属、たとえばAl、AgまたはAuを含む、[42]に記載のデバイス。
[44] [1]ないし[43]のいずれか1に記載の発光デバイスと、
前記第1および第2の電極に接続された電源と
を有する、光を発生するためのシステム。
[45] 前記電源は発光デバイスの予備バイアスを与えるように設けられている、[44]に記載のシステム。
[46] 前記電源は、実効的なp−n接合を形成するのに十分な電圧および/または電流および期間で、予備バイアスを与えるように設けられている、[45]に記載のシステム。
[47] 前記予備バイアスを1時間未満、30分間未満、20分間未満、15分間未満、10分間未満、5分間未満、1分間未満、30秒間未満、15秒間未満、5秒間または1秒間未満の期間の間与える、[45]または[46]に記載のシステム。
[48] 前記予備バイアスを前記発光デバイスが実質的に初期状態または緩和状態にあるときにのみ与える、[45]ないし[47]のいずれか1に記載のシステム。
[49] 前記電源は、定格駆動電圧と定格駆動電圧より高い予備バイアス電圧とを与えるように設けられている、[45]ないし[47]のいずれか1に記載のシステム。
[50] 前記予備バイアス電圧は、定格駆動電圧より約10%−1000%高い、定格駆動電圧より約10%−500%高い、定格駆動電圧より約10%−100%高い、定格駆動電圧より約30%−100%高い、または定格駆動電圧より約30%−50%高い、[49]に記載のシステム。
[51] 前記電源は、定格駆動電流と定格駆動電流より高い予備バイアス駆動電流とを与えるように設けられている、[45]ないし[48]のいずれか1に記載のシステム。
[52] 前記予備バイアス電流は、定格駆動電流の約2−100倍、定格駆動電流の約2−50倍、定格駆動電流の約2−20倍、または定格駆動電流の約5−20倍である、[51]に記載のシステム。
[53] 前記電源は、前記発光デバイスを実質的に定電流で駆動するように設けられている、[44]ないし[52]のいずれか1に記載のシステム。
[54] 前記電源は、前記発光デバイスに常時接続されるように設けられている、[44]ないし[53]のいずれか1に記載のシステム。
[55] 光を発生するための、[1]ないし[43]のいずれか1に記載のデバイスまたは[44]ないし[54]のいずれか1に記載のシステムの使用。
[56] [1]ないし[43]のいずれか1に記載の発光デバイスを操作する方法であって、前記発光デバイスを予備バイアスする方法。
[57] 前記予備バイアスを実効的なp−n接合を形成するのに十分な電圧および期間で与える、[56]に記載の方法。
[58] 前記予備バイアスを1時間未満、30分間未満、20分間未満、15分間未満、10分間未満、5分間未満、1分間未満、30秒間未満、15秒間未満、5秒間または1秒間未満の期間の間与える、[56]または[57]に記載の方法。
[59] 前記予備バイアスを前記発光デバイスが実質的に初期状態または緩和状態にあるときに与える、[56]ないし[58]のいずれか1に記載の方法。
[60] 前記発光デバイスの定格駆動電圧より高い予備バイアス電圧を与える、[56]ないし[59]のいずれか1に記載の方法。
[61] 前記発光デバイスの定格駆動電流より高い予備バイアス電流を与える、[56]ないし[60]のいずれか1に記載の方法。
[62] 前記発光デバイスを実質的に定電流で駆動する、[56]ないし[59]のいずれか1に記載の方法。
[63] 前記予備バイアスを、一部を形成する成分の使用または試験に関連して与える、[56]ないし[62]のいずれか1に記載の方法。 Under these special conditions, equation (11) can be rewritten as:
Figure 2015029098
Below, the description of the initial claim of the present application is appended as an embodiment.
[1] A light-emitting device having a first electrode, a second electrode, and a light-emitting active material that contacts and separates the first and second electrodes, the active material comprising:
Comprising a combination of a conjugated polymer and an electrolyte, the electrolyte comprising ions, allowing electrochemical doping of the conjugated polymer;
The ratio of ions to conjugated polymer is selected to allow the formation of (i), (ii)
(I) doped regions at each electrode interface, which enable injection and transport of electronic charge carriers into and through the doped regions, respectively, at zero or low overvoltage, and
(Ii) an effective undoped region that separates the doped region, wherein the injected electronic charge carriers can be recombined by excitation of the conjugated polymer, and the polymer can be deexcited by emission;
The ratio of ions to conjugated polymer is low enough so that the undoped region remains effectively undoped and does not contain the ions, and substantially all ions in the active material are confined to the doped region; Light emitting device.
[2] The device according to [1], wherein the conjugated polymer is hydrophobic and the electrolyte is hydrophilic, or the conjugated polymer is hydrophilic and the electrolyte is hydrophobic.
[3] The device according to [1], wherein the conjugated polymer and the electrolyte form a phase-separated mixture, and the components are separated on a scale ranging from 1 nm to 1 mm.
[4] The device according to [3], wherein the components are separated on a scale ranging from about 50 nm to about 100 μm, or from about 400 nm to about 10 μm.
[5] The device according to [1], wherein the combination is a substantially single-phase combination.
[6] The ratio of ions to conjugated polymer is selected to provide an undoped region width that effectively eliminates deleterious interactions between the excited conjugated polymer and doped region dopants and ions. [1] The device according to any one of [4].
[7] The electrodes at least partially overlap each other, and the ratio of the ions to the conjugated polymer is such that the width of the effectively undoped region is about 10 nm to 200 nm, or about 10-100 nm, or about 10-50 nm or about The device according to [6], which is selected to be 20 nm.
[8] The ratio of the mass of the salt providing the ion to the mass of the conjugated polymer is about 0.01-3 times, or about 0.1-3 times, or about 0.5, calculated according to the following formula: -2 times or about 0.5-1 times selected,
Figure 2015029098
(Where x doping is the doping concentration in the doped region, d tot is the total distance between the electrodes, d pn is the width of the undoped region (in the direction between the electrodes), and M salt is the molar mass of the salt. And M CPru is the molar mass of the repeating unit of the conjugated polymer)
[7] The device.
[9] The ratio of the mass of the ion to the mass of the conjugated polymer is about 0.005-0.10, or about 0.01-0.06, any one of [1] to [8] device.
[10] The electrodes are substantially coplanar, and the ratio of the ions to the conjugated polymer is such that the effective undoped region width is about 10 nm to 70 μm, or about 100 nm to 70 μm, or about 1 μm. The device according to any one of [1] to [6], which is selected to be about 70 μm, or about 10 μm to 70 μm, or about 10 μm to 20 μm.
[11] The ratio of the ions to the conjugated polymer is at least 20 hours of continuous operation, at least 40 hours of continuous operation, at least 60 hours of continuous operation, at least 80 hours of continuous operation, at least 100 hours. in continuous operation, a continuous operation of at least 150 hours, or continuous operation of at least 200 hours, or providing the luminance exceeding 100 cd / m 2 in a continuous operation of at least one month, or at least 4 months 20 cd / m 2 Any of [1] to [10], selected to maintain a brightness greater than , to maintain a brightness greater than 400 cd / m 2 for at least 4 days , or to maintain a brightness greater than 1000 cd / m 2 for at least 24 hours The device according to 1.
[12] The conjugated polymer includes poly (paraphenylene vinylene (PPV), polyfluorenylene (PF), poly (1,4-phenylene) (PP), polythiophene (PT), and neutral and ionic derivatives thereof. The device according to any one of [1] to [11], which is selected from the group consisting of:
[13] The device according to [12], wherein the conjugated polymer is poly [2-methoxy-5- (2-ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylenevinylene].
[14] The device according to any one of [1] to [12], wherein the conjugated polymer comprises a phenyl-substituted PPV copolymer, for example, super yellow.
[15] The device according to any one of [1] to [14], wherein the electrolyte includes a gel electrolyte.
[16] The device according to any one of [1] to [15], wherein the electrolyte includes a substantially solid electrolyte.
[17] The device according to any one of [1] to [16], wherein the electrolyte includes a substantially liquid electrolyte.
[18] The device according to any one of [1] to [17], further comprising a spacer provided to maintain a predetermined distance between the electrodes.
[19] The device according to any one of [1] to [18], wherein the electrolyte includes a salt.
[20] The salt comprises at least one metal salt, the salt comprising a cation, such as Li, Na, K, Rb, Mg, or Ag, and a molecular anion, such as CF 3 SO 3 , ClO 4 , or (CF 3 SO 2 ) 2 N, The device according to [19].
[21] The device according to any one of [1] to [20], wherein the electrolyte in the active material includes an ion-soluble substance.
[22] The concentration of the ion-soluble substance is sufficiently high to allow ion dissociation, and at least 80 hours of continuous operation for at least 20 hours, at least 40 hours of continuous operation, at least 60 hours of continuous operation. Giving a brightness of more than 100 cd / m 2 in continuous operation for hours, in continuous operation for at least 100 hours, in continuous operation for at least 150 hours, or in continuous operation for at least 200 hours, or in continuous operation for at least one month ; or maintain at least 4 months 20 cd / m brightness greater than 2, to maintain the brightness of greater than at least 4 days 400 cd / m 2, or sufficiently low to maintain at least a luminance of greater than 24 hours 1000 cd / m 2, [ 21].
[23] The mass ratio of the ion-soluble substance to the conjugated polymer is about 0.01-0.25, about 0.01-0.20, about 0.01-0.17, about 0.05-. 0.25, about 0.05-0.20, about 0.05-0.17, about 0.08-0.25, about 0.08-0.20, or about 0.085-0.17. [21] or [22].
[24] The device according to any one of [21] to [23], wherein the ion-soluble substance includes at least one polymer substance.
[25] The device of [24], wherein the polymeric material is selected from the group consisting of poly (ethylene oxide), poly (propylene oxide), methoxyethoxy-ethoxy substituted polyphosphazan, and polyether-based polyurethane, or combinations thereof. .
[26] The device of any one of [21] to 23], wherein the ionic soluble material comprises at least one non-polymeric ionic soluble material, such as a crown ether.
[27] The device according to any one of [1] to [26], wherein the electrolyte includes at least one ionic liquid.
[28] The device according to any one of [1] to [27], wherein the active material includes a surfactant or a polymer non-ionic soluble material, such as polystyrene.
[29] The device according to any one of [1] to [28], wherein the electrolyte includes KCF 3 SO 3 dissolved in poly (ethylene oxide) .
[30] The device according to any one of [1] to [29], wherein the device is formed on a substrate.
[31] The device according to [30], wherein the substrate is effectively non-flexible.
[32] The device according to [31], wherein the substrate includes glass or a glass-like substance.
[33] The device according to [30], wherein the substrate is effectively flexible.
[34] The device of [33], wherein the substrate comprises a polymer material.
[35] The [34], wherein the polymeric material comprises at least one of poly (ethylene terephthalate), poly (ethylene naphthalate), poly (imide), poly (carbonate), or combinations or derivatives thereof. device.
[36] The device according to any one of [30] to [35], wherein the substrate includes a metal or a metal foil, such as steel, Ti, Al, an Inconel alloy, or Kovar.
[37] The device according to any one of [30] to [36], wherein the substrate includes paper or a paper-like substance.
[38] The device according to any one of [30] to [37], wherein one or both of the electrodes are directly or indirectly deposited on the substrate.
[39] The device according to any one of [1] to [38], wherein one or both of the first and second electrodes are conductive, transparent, or translucent.
[40] One or both of the conductive transparent electrodes comprise a translucent oxide, such as indium tin oxide, or a translucent metal thin film, such as Au, Ag, Pt, or Al. Devices.
[41] One or both of the first and second electrodes are coated with a thin film of a conductive polymer, such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -poly (styrenesulfonate), [1] to [40] The device according to any one of [40].
[42] The device according to any one of [1] to [41], wherein one or both of the first and second electrodes includes a metal.
[43] The device of [42], wherein the electrode comprises a stable metal, such as Al, Ag or Au.
[44] The light-emitting device according to any one of [1] to [43];
A power source connected to the first and second electrodes;
A system for generating light.
[45] The system of [44], wherein the power source is provided to provide a preliminary bias of the light emitting device.
[46] The system of [45], wherein the power supply is provided to provide a pre-bias at a voltage and / or current and duration sufficient to form an effective pn junction.
[47] The preliminary bias is less than 1 hour, less than 30 minutes, less than 20 minutes, less than 15 minutes, less than 10 minutes, less than 5 minutes, less than 1 minute, less than 30 seconds, less than 15 seconds, less than 5 seconds or less than 1 second. The system according to [45] or [46], which is given for a period of time.
[48] The system according to any one of [45] to [47], wherein the preliminary bias is applied only when the light emitting device is substantially in an initial state or a relaxed state.
[49] The system according to any one of [45] to [47], wherein the power supply is provided to provide a rated drive voltage and a preliminary bias voltage higher than the rated drive voltage.
[50] The preliminary bias voltage is about 10% -1000% higher than the rated drive voltage, about 10% -500% higher than the rated drive voltage, about 10% -100% higher than the rated drive voltage, about The system of [49], which is 30% -100% higher or about 30-50% higher than the rated drive voltage.
[51] The system according to any one of [45] to [48], wherein the power supply is provided to provide a rated drive current and a preliminary bias drive current higher than the rated drive current.
[52] The preliminary bias current is about 2-100 times the rated drive current, about 2-50 times the rated drive current, about 2-20 times the rated drive current, or about 5-20 times the rated drive current. The system according to [51].
[53] The system according to any one of [44] to [52], wherein the power source is provided to drive the light emitting device with a substantially constant current.
[54] The system according to any one of [44] to [53], wherein the power source is provided so as to be always connected to the light emitting device.
[55] Use of the device according to any one of [1] to [43] or the system according to any one of [44] to [54] to generate light.
[56] A method for operating the light emitting device according to any one of [1] to [43], wherein the light emitting device is pre-biased.
[57] The method according to [56], wherein the preliminary bias is applied at a voltage and a period sufficient to form an effective pn junction.
[58] The preliminary bias is less than 1 hour, less than 30 minutes, less than 20 minutes, less than 15 minutes, less than 10 minutes, less than 5 minutes, less than 1 minute, less than 30 seconds, less than 15 seconds, less than 5 seconds or less than 1 second. The method according to [56] or [57], which is given for a period of time.
[59] The method of any one of [56] to [58], wherein the preliminary bias is applied when the light emitting device is substantially in an initial state or a relaxed state.
[60] The method according to any one of [56] to [59], wherein a pre-bias voltage higher than a rated driving voltage of the light emitting device is applied.
[61] The method according to any one of [56] to [60], wherein a preliminary bias current higher than a rated drive current of the light emitting device is provided.
[62] The method according to any one of [56] to [59], wherein the light emitting device is driven with a substantially constant current.
[63] The method of any one of [56] to [62], wherein the pre-bias is provided in connection with the use or testing of a component that forms part.

Claims (63)

第1の電極と、第2の電極と、第1および第2の電極に接触してこれらを分離する発光活物質とを有する発光デバイスであって、前記活物質は、
共役ポリマーと電解質との組み合わせを含み、前記電解質はイオンを含み、共役ポリマーの電気化学ドーピングを可能にし、
イオンと共役ポリマーとの比は(i)、(ii)の形成を可能にするように選択され、
(i)それぞれの電極界面のドープ領域であって、これらはゼロまたは低過電圧で、それぞれ、ドープ領域へのおよびこれを通しての電子電荷キャリアの注入および輸送を可能にする、および
(ii)ドープ領域を分離する実効的なアンドープ領域であって、注入された電子電荷キャリアは共役ポリマーの励起により再結合可能であり、前記ポリマーは発光により脱励起可能である、
イオンと共役ポリマーとの比は、前記アンドープ領域が実効的にアンドープのままで前記イオンを含まず、前記活物質中の実質的にすべてのイオンが前記ドープ領域に閉じ込められるように十分に低い、発光デバイス。
A light-emitting device having a first electrode, a second electrode, and a light-emitting active material that contacts and separates the first and second electrodes, the active material comprising:
Comprising a combination of a conjugated polymer and an electrolyte, the electrolyte comprising ions, allowing electrochemical doping of the conjugated polymer;
The ratio of ions to conjugated polymer is selected to allow the formation of (i), (ii)
(I) doped regions at each electrode interface, which allow injection and transport of electronic charge carriers into and through the doped regions, respectively, at zero or low overvoltage, and (ii) doped regions An effective undoped region that separates the injected electron charge carriers can be recombined by excitation of the conjugated polymer, and the polymer can be de-excited by emission.
The ratio of ions to conjugated polymer is low enough so that the undoped region remains effectively undoped and does not contain the ions, and substantially all ions in the active material are confined to the doped region; Light emitting device.
前記共役ポリマーが疎水性で前記電解質が親水性であるか、または前記共役ポリマーが親水性で前記電解質が疎水性である、請求項1に記載のデバイス。   The device of claim 1, wherein the conjugated polymer is hydrophobic and the electrolyte is hydrophilic, or the conjugated polymer is hydrophilic and the electrolyte is hydrophobic. 前記共役ポリマーおよび電解質は相分離した混合物を形成し、その成分は1nmないし1mmの範囲のスケールで分離している、請求項1に記載のデバイス。   The device of claim 1, wherein the conjugated polymer and the electrolyte form a phase separated mixture, the components of which are separated on a scale in the range of 1 nm to 1 mm. 前記成分は約50nmないし約100μm、または約400nmないし約10μmの範囲のスケールで分離している、請求項3に記載のデバイス。   4. The device of claim 3, wherein the components are separated on a scale in the range of about 50 nm to about 100 μm, or about 400 nm to about 10 μm. 前記組み合わせは実質的に単相の組み合わせである、請求項1に記載のデバイス。   The device of claim 1, wherein the combination is a substantially single phase combination. 前記イオンと共役ポリマーとの比は、励起した共役ポリマーとドープ領域のドーパントとイオンとの間の有害な相互作用を実効的になくすアンドープ領域の幅を与えるように選択される、請求項1ないし4のいずれか1項に記載のデバイス。   The ratio of the ions to the conjugated polymer is selected to provide an undoped region width that effectively eliminates deleterious interactions between the excited conjugated polymer and doped region dopants and ions. 5. The device according to any one of 4. 前記電極は少なくとも部分的に互いに重なり、前記イオンと共役ポリマーとの比は、前記実効的にアンドープな領域の幅が約10nmないし200nm、または約10−100nmまたは約10−50nmまたは約20nmになるように選択される、請求項6に記載のデバイス。   The electrodes at least partially overlap one another and the ratio of the ions to the conjugated polymer is such that the effective undoped region width is about 10 nm to 200 nm, or about 10-100 nm, or about 10-50 nm, or about 20 nm. The device of claim 6, selected as follows: 前記イオンを与える塩の質量と共役ポリマーの質量との比が、下記式に従って計算されるzの約0.01−3倍、または約0.1−3倍、または約0.5−2倍または約0.5−1倍に選択される、
Figure 2015029098
(ここで、xdopingはドープ領域におけるドーピング濃度であり、dtotは電極間の全距離であり、dpnは(電極間方向の)アンドープ領域の幅であり、Msaltは塩のモル質量であり、MCPruは共役ポリマーの繰り返し単位のモル質量である)
請求項7のデバイス。
The ratio of the mass of the salt that gives the ions to the mass of the conjugated polymer is about 0.01-3 times, or about 0.1-3 times, or about 0.5-2 times z calculated according to the following formula: Or about 0.5-1 times selected,
Figure 2015029098
(Where x doping is the doping concentration in the doped region, d tot is the total distance between the electrodes, d pn is the width of the undoped region (in the direction between the electrodes), and M salt is the molar mass of the salt. And M CPru is the molar mass of the repeating unit of the conjugated polymer)
The device of claim 7.
前記イオンの質量と前記共役ポリマーの質量との比が約0.005−0.10、または約0.01−0.06である、請求項1ないし8のいずれか1項のデバイス。   9. The device of any one of claims 1 to 8, wherein the ratio of the mass of ions to the mass of the conjugated polymer is about 0.005-0.10, or about 0.01-0.06. 前記電極は実質的に同一平面上にあり、前記イオンと前記共役ポリマーとの比は、前記実効的にアンドープな領域の幅が約10nmないし70μm、または約100nmないし70μm、または約1μmないし70μm、または約10μmないし70μm、または約10μmないし20μmになるように選択される、請求項1ないし6のいずれか1項に記載のデバイス。   The electrodes are substantially coplanar, and the ratio of the ions to the conjugated polymer is such that the width of the effectively undoped region is about 10 nm to 70 μm, or about 100 nm to 70 μm, or about 1 μm to 70 μm, 7. A device according to any one of the preceding claims, wherein the device is selected to be about 10 μm to 70 μm, or about 10 μm to 20 μm. 前記イオンと前記共役ポリマーとの比は、少なくとも20時間の連続動作で、少なくとも40時間の連続動作で、少なくとも60時間の連続動作で、少なくとも80時間の連続動作で、少なくとも100時間の連続動作で、少なくとも150時間の連続動作で、または少なくとも200時間の連続動作で、または少なくとも1か月間の連続動作で100cd/mを超える輝度を与える、または少なくとも4か月間20cd/mを超える輝度を維持する、少なくとも4日間400cd/mを超える輝度を維持する、または少なくとも24時間1000cd/mを超える輝度を維持するように選択される、請求項1ないし10のいずれか1項に記載のデバイス。 The ratio of the ions to the conjugated polymer is at least 20 hours of continuous operation, at least 40 hours of continuous operation, at least 60 hours of continuous operation, at least 80 hours of continuous operation, at least 100 hours of continuous operation. in continuous operation of at least 150 hours, or continuous operation of at least 200 hours, or at least provide the luminance exceeding 100 cd / m 2 1 or monthly continuous operation, or at least 4 or brightness of greater than monthly 20 cd / m 2 11. The method according to any one of claims 1 to 10, selected to maintain, maintain a brightness exceeding 400 cd / m 2 for at least 4 days, or maintain a brightness exceeding 1000 cd / m 2 for at least 24 hours. device. 前記共役ポリマーはポリ(パラフェニレンビニレン(PPV)、ポリフルオレニレン(PF)、ポリ(1,4−フェニレン)(PP)、ポリチオフェン(PT)、ならびにこれらの中性およびイオン性の誘導体からなる群より選択される、請求項1ないし11のいずれか1項に記載のデバイス。   The conjugated polymer comprises poly (paraphenylene vinylene (PPV), polyfluorenylene (PF), poly (1,4-phenylene) (PP), polythiophene (PT), and neutral and ionic derivatives thereof. The device according to claim 1, wherein the device is more selected. 前記共役ポリマーはポリ[2−メトキシ−5−(2−エチル−ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン]である、請求項12に記載のデバイス。   The device of claim 12, wherein the conjugated polymer is poly [2-methoxy-5- (2-ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylenevinylene]. 前記共役ポリマーは、フェニル置換PPVコポリマー、たとえばスーパーイエローを含む、請求項1ないし12のいずれか1項に記載のデバイス。   13. A device according to any one of the preceding claims, wherein the conjugated polymer comprises a phenyl substituted PPV copolymer, e.g. super yellow. 前記電解質はゲル電解質を含む、請求項1ないし14のいずれか1項に記載のデバイス。   The device according to claim 1, wherein the electrolyte includes a gel electrolyte. 前記電解質は実質的に固体の電解質を含む、請求項1ないし15のいずれか1項に記載のデバイス。   16. A device according to any one of the preceding claims, wherein the electrolyte comprises a substantially solid electrolyte. 前記電解質は実質的に液体の電解質を含む、請求項1ないし16のいずれか1項に記載のデバイス。   17. A device according to any one of the preceding claims, wherein the electrolyte comprises a substantially liquid electrolyte. さらに、電極間に所定の距離を維持するように設けられたスペーサーを有する、請求項1ないし17のいずれか1項に記載のデバイス。   The device according to any one of claims 1 to 17, further comprising a spacer provided to maintain a predetermined distance between the electrodes. 前記電解質は塩を含む、請求項1ないし18のいずれか1項に記載のデバイス。   The device according to claim 1, wherein the electrolyte contains a salt. 前記塩は少なくとも1つの金属塩を含み、前記塩はカチオン、たとえばLi、Na、K、Rb、Mg、またはAgと、分子アニオン、たとえばCFSO、ClO、または(CFSONとを含む、請求項19に記載のデバイス。 The salt comprises at least one metal salt, the salt comprising a cation, such as Li, Na, K, Rb, Mg, or Ag, and a molecular anion, such as CF 3 SO 3 , ClO 4 , or (CF 3 SO 2 ). and a 2 N, a device according to claim 19. 前記活物質中の電解質はイオン溶解性物質を含む、請求項1ないし20のいずれか1項に記載のデバイス。   The device according to any one of claims 1 to 20, wherein the electrolyte in the active material contains an ion-soluble substance. 前記イオン溶解性物質の濃度はイオンの解離を可能にするのに十分高く、かつ少なくとも20時間の連続動作で、少なくとも40時間の連続動作で、少なくとも60時間の連続動作で、少なくとも80時間の連続動作で、少なくとも100時間の連続動作で、少なくとも150時間の連続動作で、または少なくとも200時間の連続動作で、または少なくとも1か月間の連続動作で100cd/mを超える輝度を与える、または少なくとも4か月間20cd/mを超える輝度を維持する、少なくとも4日間400cd/mを超える輝度を維持する、または少なくとも24時間1000cd/mを超える輝度を維持するのに十分低い、請求項21に記載のデバイス。 The concentration of the ion-soluble substance is sufficiently high to allow ion dissociation and is continuous for at least 20 hours, continuously for at least 40 hours, continuously for at least 60 hours, and continuously for at least 80 hours. In operation, at least 100 hours of continuous operation, at least 150 hours of continuous operation, or at least 200 hours of continuous operation, or at least one month of continuous operation, giving a brightness greater than 100 cd / m 2 , or at least 4 either maintain the brightness of greater than monthly 20 cd / m 2, to maintain the brightness of greater than at least 4 days 400 cd / m 2, or sufficiently low to maintain at least a luminance of greater than 24 hours 1000 cd / m 2, to claim 21 The device described. 前記イオン溶解性物質と前記共役ポリマーとの質量比は、約0.01−0.25、約0.01−0.20、約0.01−0.17、約0.05−0.25、約0.05−0.20、約0.05−0.17、約0.08−0.25、約0.08−0.20または約0.085−0.17である、請求項21または22に記載のデバイス。   The mass ratio of the ion-soluble substance to the conjugated polymer is about 0.01-0.25, about 0.01-0.20, about 0.01-0.17, about 0.05-0.25. About 0.05-0.20, about 0.05-0.17, about 0.08-0.25, about 0.08-0.20, or about 0.085-0.17. The device according to 21 or 22. 前記イオン溶解性物質は少なくとも1つのポリマー物質を含む、請求項21ないし23のいずれか1項に記載のデバイス。   24. A device according to any one of claims 21 to 23, wherein the ion soluble material comprises at least one polymeric material. 前記ポリマー物質はポリ(エチレンオキシド)、ポリ(プロピレンオキシド)、メトキシエトキシ−エトキシ置換ポリホスファザン、およびポリエーテル系ポリウレタン、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項24に記載のデバイス。   25. The device of claim 24, wherein the polymeric material is selected from the group consisting of poly (ethylene oxide), poly (propylene oxide), methoxyethoxy-ethoxy substituted polyphosphazan, and polyether-based polyurethane, or combinations thereof. 前記イオン溶解性物質は少なくとも1つの非ポリマーのイオン溶解性物質、たとえばクラウンエーテルを含む、請求項21ないし23のいずれか1項に記載のデバイス。   24. A device according to any one of claims 21 to 23, wherein the ionic soluble material comprises at least one non-polymeric ionic soluble material, e.g. crown ether. 前記電解質は少なくとも1つのイオン性液体を含む、請求項1ないし26のいずれか1項に記載のデバイス。   27. A device according to any one of claims 1 to 26, wherein the electrolyte comprises at least one ionic liquid. 前記活物質は界面活性剤、またはポリマーの非イオン溶解性物質、たとえばポリスチレンを含む、請求項1ないし27のいずれか1項に記載のデバイス。   28. A device according to any one of the preceding claims, wherein the active material comprises a surfactant or a polymeric non-ionic soluble material, such as polystyrene. 前記電解質はポリ(エチレンオキシド)に溶解したKCFSOを含む、請求項1ないし28のいずれか1項に記載のデバイス。 The electrolyte includes a KCF 3 SO 3 dissolved in poly (ethylene oxide), according to any one of claims 1 to 28 devices. 前記デバイスは基板上に形成されている、請求項1ないし29のいずれか1項に記載のデバイス。   30. A device according to any one of claims 1 to 29, wherein the device is formed on a substrate. 前記基板は実効的にノンフレキシブルである、請求項30に記載のデバイス。   32. The device of claim 30, wherein the substrate is effectively non-flexible. 前記基板はガラスまたはガラス様物質を含む、請求項31に記載のデバイス。   32. The device of claim 31, wherein the substrate comprises glass or a glass-like material. 前記基板は実効的にフレキシブルである、請求項30に記載のデバイス。   32. The device of claim 30, wherein the substrate is effectively flexible. 前記基板はポリマー物質を含む、請求項33に記載のデバイス。   34. The device of claim 33, wherein the substrate comprises a polymeric material. 前記ポリマー物質はポリ(エチレンテレフタレート)、ポリ(エチレンナフタレート)、ポリ(イミド)、ポリ(カーボネート)、またはこれらの組み合わせもしくは誘導体のうち少なくとも1つを含む、請求項34に記載のデバイス。   35. The device of claim 34, wherein the polymeric material comprises at least one of poly (ethylene terephthalate), poly (ethylene naphthalate), poly (imide), poly (carbonate), or combinations or derivatives thereof. 前記基板は金属または金属箔、たとえば鋼、Ti、Al、インコネル合金、またはコバールを含む、請求項30ないし35のいずれか1項に記載のデバイス。   36. A device according to any one of claims 30 to 35, wherein the substrate comprises a metal or metal foil, such as steel, Ti, Al, an Inconel alloy or Kovar. 前記基板は紙または紙様物質を含む、請求項30ないし36のいずれか1項に記載のデバイス。   37. A device according to any one of claims 30 to 36, wherein the substrate comprises paper or paper-like material. 電極の一方または両方は直接的または間接的に前記基板上に堆積されている、請求項30ないし37のいずれか1項に記載のデバイス。   38. A device according to any one of claims 30 to 37, wherein one or both of the electrodes are directly or indirectly deposited on the substrate. 前記第1および第2の電極の一方または両方は導電性で透明または半透明である、請求項1ないし38のいずれか1項に記載のデバイス。   39. A device according to any preceding claim, wherein one or both of the first and second electrodes are conductive, transparent or translucent. 前記導電性で透明な電極の一方または両方は半透明酸化物、たとえばインジウム錫酸化物、または半透明金属の薄膜、たとえばAu、Ag、Pt、またはAlを含む、請求項39に記載のデバイス。   40. The device of claim 39, wherein one or both of the conductive transparent electrodes comprises a translucent oxide, such as indium tin oxide, or a thin film of translucent metal, such as Au, Ag, Pt, or Al. 前記第1および第2の電極の一方または両方は導電性ポリマー、たとえばポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホネート)の薄膜で被覆されている、請求項1ないし40のいずれか1項に記載のデバイス。   41. Any of the first and second electrodes are coated with a thin film of a conductive polymer such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -poly (styrene sulfonate). The device according to claim 1. 前記第1および第2の電極の一方または両方は金属を含む、請求項1ないし41のいずれか1項に記載のデバイス。   42. The device of any one of claims 1-41, wherein one or both of the first and second electrodes comprises a metal. 前記電極は安定な金属、たとえばAl、AgまたはAuを含む、請求項42に記載のデバイス。   43. The device of claim 42, wherein the electrode comprises a stable metal, such as Al, Ag or Au. 請求項1ないし43のいずれか1項に記載の発光デバイスと、
前記第1および第2の電極に接続された電源と
を有する、光を発生するためのシステム。
A light emitting device according to any one of claims 1 to 43;
A system for generating light having a power source connected to the first and second electrodes.
前記電源は発光デバイスの予備バイアスを与えるように設けられている、請求項44に記載のシステム。   45. The system of claim 44, wherein the power source is provided to provide a preliminary bias for the light emitting device. 前記電源は、実効的なp−n接合を形成するのに十分な電圧および/または電流および期間で、予備バイアスを与えるように設けられている、請求項45に記載のシステム。   46. The system of claim 45, wherein the power source is provided to provide a pre-bias at a voltage and / or current and duration sufficient to form an effective pn junction. 前記予備バイアスを1時間未満、30分間未満、20分間未満、15分間未満、10分間未満、5分間未満、1分間未満、30秒間未満、15秒間未満、5秒間または1秒間未満の期間の間与える、請求項45または46に記載のシステム。   The pre-bias for a period of less than 1 hour, less than 30 minutes, less than 20 minutes, less than 15 minutes, less than 10 minutes, less than 5 minutes, less than 1 minute, less than 30 seconds, less than 15 seconds, less than 5 seconds or less than 1 second 47. A system according to claim 45 or 46. 前記予備バイアスを前記発光デバイスが実質的に初期状態または緩和状態にあるときにのみ与える、請求項45ないし47のいずれか1項に記載のシステム。   48. The system of any one of claims 45 to 47, wherein the pre-bias is provided only when the light emitting device is substantially in an initial state or a relaxed state. 前記電源は、定格駆動電圧と定格駆動電圧より高い予備バイアス電圧とを与えるように設けられている、請求項45ないし47のいずれか1項に記載のシステム。   48. A system according to any one of claims 45 to 47, wherein the power source is provided to provide a rated drive voltage and a pre-bias voltage higher than the rated drive voltage. 前記予備バイアス電圧は、定格駆動電圧より約10%−1000%高い、定格駆動電圧より約10%−500%高い、定格駆動電圧より約10%−100%高い、定格駆動電圧より約30%−100%高い、または定格駆動電圧より約30%−50%高い、請求項49に記載のシステム。   The preliminary bias voltage is about 10% to 1000% higher than the rated driving voltage, about 10% to 500% higher than the rated driving voltage, about 10% to 100% higher than the rated driving voltage, and about 30% higher than the rated driving voltage. 50. The system of claim 49, wherein the system is 100% higher or about 30% -50% higher than a rated drive voltage. 前記電源は、定格駆動電流と定格駆動電流より高い予備バイアス駆動電流とを与えるように設けられている、請求項45ないし48のいずれか1項に記載のシステム。   49. A system according to any one of claims 45 to 48, wherein the power source is provided to provide a rated drive current and a pre-bias drive current that is higher than the rated drive current. 前記予備バイアス電流は、定格駆動電流の約2−100倍、定格駆動電流の約2−50倍、定格駆動電流の約2−20倍、または定格駆動電流の約5−20倍である、請求項51に記載のシステム。   The pre-bias current is about 2-100 times rated drive current, about 2-50 times rated drive current, about 2-20 times rated drive current, or about 5-20 times rated drive current. Item 52. The system according to Item 51. 前記電源は、前記発光デバイスを実質的に定電流で駆動するように設けられている、請求項44ないし52のいずれか1項に記載のシステム。   53. A system according to any one of claims 44 to 52, wherein the power source is provided to drive the light emitting device at a substantially constant current. 前記電源は、前記発光デバイスに常時接続されるように設けられている、請求項44ないし53のいずれか1項に記載のシステム。   54. The system according to any one of claims 44 to 53, wherein the power source is provided so as to be always connected to the light emitting device. 光を発生するための、請求項1ないし43のいずれか1項に記載のデバイスまたは請求項44ないし54のいずれか1項に記載のシステムの使用。   55. Use of a device according to any one of claims 1 to 43 or a system according to any one of claims 44 to 54 for generating light. 請求項1ないし43のいずれか1項に記載の発光デバイスを操作する方法であって、前記発光デバイスを予備バイアスする方法。   44. A method of operating a light emitting device according to any one of claims 1 to 43, wherein the light emitting device is pre-biased. 前記予備バイアスを実効的なp−n接合を形成するのに十分な電圧および期間で与える、請求項56に記載の方法。   57. The method of claim 56, wherein the pre-bias is applied at a voltage and duration sufficient to form an effective pn junction. 前記予備バイアスを1時間未満、30分間未満、20分間未満、15分間未満、10分間未満、5分間未満、1分間未満、30秒間未満、15秒間未満、5秒間または1秒間未満の期間の間与える、請求項56または57に記載の方法。   The pre-bias for a period of less than 1 hour, less than 30 minutes, less than 20 minutes, less than 15 minutes, less than 10 minutes, less than 5 minutes, less than 1 minute, less than 30 seconds, less than 15 seconds, less than 5 seconds or less than 1 second 58. A method according to claim 56 or 57, wherein: 前記予備バイアスを前記発光デバイスが実質的に初期状態または緩和状態にあるときに与える、請求項56ないし58のいずれか1項に記載の方法。   59. A method according to any one of claims 56 to 58, wherein the pre-bias is applied when the light emitting device is substantially in an initial state or a relaxed state. 前記発光デバイスの定格駆動電圧より高い予備バイアス電圧を与える、請求項56ないし59のいずれか1項に記載の方法。   60. A method according to any one of claims 56 to 59, wherein a pre-bias voltage higher than a rated drive voltage of the light emitting device is provided. 前記発光デバイスの定格駆動電流より高い予備バイアス電流を与える、請求項56ないし60のいずれか1項に記載の方法。   61. A method according to any one of claims 56 to 60, wherein a pre-bias current higher than a rated drive current of the light emitting device is provided. 前記発光デバイスを実質的に定電流で駆動する、請求項56ないし59のいずれか1項に記載の方法。   60. A method according to any one of claims 56 to 59, wherein the light emitting device is driven with a substantially constant current. 前記予備バイアスを、一部を形成する成分の使用または試験に関連して与える、請求項56ないし62のいずれか1項に記載の方法。   63. A method according to any one of claims 56 to 62, wherein the pre-bias is provided in connection with the use or testing of a component that forms part.
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