JP2015004752A - Reflection type display apparatus - Google Patents

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好 徹 三
Toru Miyoshi
好 徹 三
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflection type display apparatus capable of suppressing a moire phenomenon without a precise alignment between a barrier pattern and a pixel electrode pattern.SOLUTION: A reflection type display apparatus is configured so that a display medium including at least one sort of electrically responsive material is sealed between two opposite substrates. One of the substrates has light permeability, and between the substrate and the other substrate are provided a plurality of pixel electrodes aligned in a periodic pattern and a plurality of electrode structures corresponding to the plurality of electrodes in this order from the substrate toward the other substrate. At least part of wiring corresponding to the electrode structures is provided in areas between the pixel electrodes in the view from the substrate side to the other substrate side.

Description

本発明は、電子ペーパー等に応用されている反射型表示装置に関する。   The present invention relates to a reflective display device applied to electronic paper and the like.

反射型表示装置として、最近、表示媒体に含まれる電気応答性材料として電気泳動体を用いた電気泳動表示装置が広く用いられている。電気泳動表示装置とは、空気中または溶媒中の電気泳動体(通常は電気泳動する粒子)の電気的な泳動、すなわち粒子移動を利用して情報を表示する装置である。通常、2枚の基板間に電界を与えることで電気的な泳動の状態が制御され、それによって所望の表示が実現されるように構成される。電気泳動体としては、荷電粒子の他、荷電粉体をも利用され得る。その場合、当該荷電粉体は気体中を電気的に泳動する。   Recently, as a reflective display device, an electrophoretic display device using an electrophoretic material as an electroresponsive material contained in a display medium has been widely used. An electrophoretic display device is a device that displays information by using electrophoretic migration, that is, particle movement, of an electrophoretic body (usually electrophoretic particles) in air or in a solvent. In general, an electrophoretic state is controlled by applying an electric field between two substrates, thereby realizing a desired display. As the electrophoretic body, charged powder as well as charged particles can be used. In that case, the charged powder electrophoreses in the gas.

電気泳動表示装置は、近年では特に、電子ペーパーとしての応用が注目されている。電子ペーパーとして応用する場合には、印刷物レベルの視認性(目にやさしい)、情報書き換えの容易性、低消費電力、軽量といった利点を享受できる。   In recent years, the electrophoretic display device has attracted attention especially as an electronic paper. When applied as an electronic paper, it is possible to enjoy advantages such as visibility at the printed matter level (easy for eyes), ease of information rewriting, low power consumption, and light weight.

電気泳動表示装置では、しかし、粒子や粉体の沈降や偏在に起因して、表示の不良、特にコントラストの低下が生じることがある。この現象を防止するべく、上下の電極基板間に隔壁を形成して、電気泳動する粒子や粉体の泳動空間、すなわち移動空間を微小な空間に分割することが採用されている。この微小な空間は、セルと呼ばれている。各セルの中に、電気泳動体を含むインキやガス(表示媒体)が封入されている。例えば特許文献1(特開2005−24868号公報)及び特許文献2(特表2011−524548号公報)には、そのようなタイプの電気泳動表示装置の従来例が開示されている。   However, in an electrophoretic display device, display defects, particularly a decrease in contrast, may occur due to sedimentation or uneven distribution of particles or powder. In order to prevent this phenomenon, it is used to form partition walls between the upper and lower electrode substrates and divide the migration space of the particles and powder to be electrophoresed, that is, the movement space into minute spaces. This minute space is called a cell. In each cell, ink or gas (display medium) containing an electrophoretic body is enclosed. For example, Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2005-24868) and Patent Document 2 (Japanese Patent Publication No. 2011-524548) disclose conventional examples of such an electrophoretic display device.

特開2005−24868号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-24868 特表2011−524548号公報Special table 2011-524548 gazette

本件発明者は、一方の基板の側から隔壁越しに他方の基板を観察する反射型表示装置について鋭意研究を重ねるうち、以下のような知見を得るに至った。   The present inventor has obtained the following knowledge while earnestly researching the reflective display device that observes the other substrate through the partition wall from the one substrate side.

前述のような反射型表示装置において、一方の基板と他方の基板との間に、少なくとも表示領域を覆う共通の透光性電極と、複数のセルを区画する隔壁と、周期的なパターンで配列された複数の画素電極とが、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て当該順序で設けられている。そして、各セル毎に、表示媒体に含まれる電気応答性材料の電気的な泳動の状態を制御することで、所望の表示を実現している。画素電極のパターンは、一般的には全体として長方形を成すような、マトリックス状の周期的な整列パターンである。そして一般的には、隔壁も、同様に周期性を有するパターンで形成されている。   In the reflective display device as described above, a common translucent electrode that covers at least the display region, a partition wall that partitions a plurality of cells, and a periodic pattern are arranged between one substrate and the other substrate. The plurality of pixel electrodes formed are provided in this order when viewed from the one substrate side toward the other substrate side. And the desired display is implement | achieved by controlling the electrophoretic state of the electroresponsive material contained in a display medium for every cell. The pattern of the pixel electrode is a matrix-like periodic alignment pattern that generally forms a rectangle as a whole. In general, the partition walls are also formed in a pattern having periodicity.

このため、隔壁のパターンと画素電極のパターンとが精密にアライメントされていない反射型表示装置においては、モアレ現象が発現して表示ムラが生じてしまう。特に高精細かつ大画面の反射型表示装置を製造する際には、より一層高い精度でアライメントを行う必要がある。   For this reason, in a reflective display device in which the partition pattern and the pixel electrode pattern are not precisely aligned, a moire phenomenon appears and display unevenness occurs. In particular, when manufacturing a high-definition and large-screen reflective display device, it is necessary to perform alignment with higher accuracy.

本発明は、このような事情に基づいて行われたものであり、その目的は、隔壁のパターンと画素電極のパターンとの精密なアライメントを要することなくモアレ現象の発現を抑制することが可能な反射型表示装置を提供することにある。   The present invention has been made based on such circumstances, and an object of the present invention is to suppress the occurrence of the moire phenomenon without requiring precise alignment between the partition pattern and the pixel electrode pattern. The object is to provide a reflective display device.

本発明は、各々電極が形成されている対向する2枚の基板間に少なくとも1種以上の電気応答性材料を含む表示媒体が封入されていて、前記2枚の基板間に所定の電界が与えられる際に前記表示媒体が所望の表示をする、反射型表示装置であって、一方の基板が透光性を有しており、前記一方の基板と他方の基板との間に、少なくとも表示領域を覆う共通の透光性電極と、複数のセルを区画する隔壁と、周期的なパターンで配列された複数の画素電極と、当該複数の画素電極に対応する複数の電極構造とが、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て当該順序で設けられており、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て画素電極間の領域には、前記電極構造に対する配線の少なくとも一部が配置されており、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て、前記画素電極の光反射特性と、前記画素電極間の領域に配置された前記配線の光反射特性とは、略同じであることを特徴とする反射型表示装置である。   In the present invention, a display medium containing at least one kind of electrically responsive material is sealed between two opposing substrates each having an electrode formed thereon, and a predetermined electric field is applied between the two substrates. A reflective display device in which the display medium displays a desired display when the one of the substrates is translucent, and at least a display region is provided between the one substrate and the other substrate. A common translucent electrode covering the plurality of cells, partition walls partitioning a plurality of cells, a plurality of pixel electrodes arranged in a periodic pattern, and a plurality of electrode structures corresponding to the plurality of pixel electrodes, In the order from the substrate side toward the other substrate side, and in the region between the pixel electrodes as viewed from the one substrate side toward the other substrate side. At least part of the wiring for the electrode structure is arranged The light reflection characteristics of the pixel electrodes and the light reflection characteristics of the wirings arranged in the region between the pixel electrodes when viewed from the one substrate side toward the other substrate side. Are reflective display devices characterized by being substantially the same.

本発明によれば、画素電極間の領域には、画素電極の光反射特性と略同じ光反射特性を有する配線が配置されているため、画素電極の光反射特性と、画素電極間の領域の光反射特性とが、略同じとなり、一方の基板側から他方の基板に向かう方向に見た画素電極のパターンの周期の視認性が低減される。これにより、モアレ現象の発現が抑制される。   According to the present invention, since the wiring having the light reflection characteristic substantially the same as the light reflection characteristic of the pixel electrode is arranged in the area between the pixel electrodes, the light reflection characteristic of the pixel electrode and the area between the pixel electrodes are The light reflection characteristics are substantially the same, and the visibility of the period of the pixel electrode pattern viewed from the one substrate side toward the other substrate is reduced. Thereby, the expression of the moire phenomenon is suppressed.

好ましくは、前記画素電極間の領域に配置された前記配線の前記一方の基板の側には、絶縁膜が設けられており、前記絶縁膜は、光透過率が90%以上である。この場合、絶縁膜は画素電極間の領域に配置された配線により反射される光を十分に透過させ得る。したがって、当該配線上に絶縁膜が配置されている画素電極間の領域の光反射特性が、画素電極間の領域に配置された配線そのものの光反射特性と略同じになり得る。   Preferably, an insulating film is provided on the one substrate side of the wiring disposed in the region between the pixel electrodes, and the insulating film has a light transmittance of 90% or more. In this case, the insulating film can sufficiently transmit light reflected by the wiring arranged in the region between the pixel electrodes. Therefore, the light reflection characteristic of the region between the pixel electrodes where the insulating film is arranged on the wiring can be substantially the same as the light reflection characteristic of the wiring itself arranged in the region between the pixel electrodes.

好ましくは、前記画素電極と前記画素電極間の領域に配置された前記配線とは、同じ材料で形成されている。この場合、画素電極の光反射特性と、画素電極間の領域の光反射特性、とを略同じにすることが容易である。   Preferably, the pixel electrode and the wiring arranged in a region between the pixel electrodes are formed of the same material. In this case, it is easy to make the light reflection characteristics of the pixel electrodes substantially the same as the light reflection characteristics of the region between the pixel electrodes.

例えば、前記電極構造は、TFT電極構造であり、前記画素電極間の領域に配置された前記配線は、ソース・ドレイン電極に電気的に接続されたデータ配線、及び/または、ゲート電極に電気的に接続されたスキャン配線である。   For example, the electrode structure is a TFT electrode structure, and the wiring arranged in the region between the pixel electrodes is electrically connected to a data wiring and / or a gate electrode electrically connected to a source / drain electrode. Scan wiring connected to the.

好ましくは、前記隔壁は、画素電極の周期的なパターンに対してモアレ縞を発生させないパターンで形成されている。この場合、モアレ現象の発現が顕著に抑制される。例えば、前記隔壁は、非周期的なパターンで形成されている。   Preferably, the partition is formed in a pattern that does not generate moire fringes with respect to the periodic pattern of the pixel electrodes. In this case, the occurrence of the moire phenomenon is remarkably suppressed. For example, the partition is formed in an aperiodic pattern.

あるいは、本発明は、少なくとも一方が透光性を有しており各々電極が形成されている対向する2枚の基板間に少なくとも1種以上の電気応答性材料を含む表示媒体が封入されていて、前記2枚の基板間に所定の電界が与えられる際に前記表示媒体が所望の表示をする、反射型表示装置、を製造する方法であって、透光性を有しており、少なくとも表示領域を覆う共通の透光性電極が形成された一方の基板の当該共通の透光性電極上に、複数のセルを区画する隔壁を形成する隔壁形成工程と、他方の基板上に複数の電極構造を形成する電極構造形成工程と、前記複数の電極構造上に当該複数の電極構造に対応する複数の画素電極を周期的なパターンで形成する画素電極形成工程と、前記一方の基板と前記他方の基板とを、当該一方の基板の前記隔壁の頂面と当該他方の基板の前記画素電極とが対向するように配置する対向基板配置工程と、を備え、前記電極構造形成工程において、前記電極構造のための配線の少なくとも一部が、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て画素電極間の領域に配置されるように形成され、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て、前記画素電極の光反射特性と、前記画素電極間の領域に配置された前記配線の光反射特性とは、略同じであることを特徴とする反射型表示装置の製造方法である。   Alternatively, in the present invention, a display medium containing at least one or more kinds of electrically responsive materials is sealed between two opposing substrates on which at least one has translucency and each electrode is formed. A method of manufacturing a reflective display device in which the display medium displays a desired display when a predetermined electric field is applied between the two substrates, and has a light-transmitting property and at least displays A partition forming step of forming a partition for partitioning a plurality of cells on the common transparent electrode of one substrate on which a common transparent electrode covering the region is formed, and a plurality of electrodes on the other substrate An electrode structure forming step of forming a structure, a pixel electrode forming step of forming a plurality of pixel electrodes corresponding to the plurality of electrode structures in a periodic pattern on the plurality of electrode structures, the one substrate and the other Before the other board A counter substrate arrangement step of arranging the top surface of the partition wall and the pixel electrode of the other substrate to face each other, and in the electrode structure formation step, at least a part of the wiring for the electrode structure includes: It is formed so as to be arranged in a region between pixel electrodes when viewed from the one substrate side toward the other substrate side, and in a direction from the one substrate side toward the other substrate side. As a result, the light reflection characteristic of the pixel electrode and the light reflection characteristic of the wiring arranged in the region between the pixel electrodes are substantially the same.

本発明によれば、画素電極間の領域には、画素電極の光反射特性と略同じ光反射特性を有する配線が配置されるため、画素電極の光反射特性と、画素電極間の領域の光反射特性とが、略同じとなり、一方の基板側から他方の基板に向かう方向に見た画素電極のパターンの周期の視認性が低減される。これにより、モアレ現象の発現が抑制される。   According to the present invention, since the wiring having the light reflection characteristic substantially the same as the light reflection characteristic of the pixel electrode is arranged in the area between the pixel electrodes, the light reflection characteristic of the pixel electrode and the light in the area between the pixel electrodes are arranged. The reflection characteristics are substantially the same, and the visibility of the period of the pixel electrode pattern viewed from the one substrate side toward the other substrate is reduced. Thereby, the expression of the moire phenomenon is suppressed.

あるいは、本発明は、少なくとも一方が透光性を有しており各々電極が形成されている対向する2枚の基板間に少なくとも1種以上の電気応答性材料を含む表示媒体が封入されていて、前記2枚の基板間に所定の電界が与えられる際に前記表示媒体が所望の表示をする、反射型表示装置、を製造する方法であって、透光性を有している一方の基板の少なくとも表示領域を覆うように形成される共通の透光性電極に対向するように、他方の基板上に複数の電極構造を形成する電極構造形成工程と、前記複数の電極構造上に当該複数の電極構造に対応する複数の画素電極を周期的なパターンで形成する画素電極形成工程と、前記画素電極形成工程の後に実施され、前記他方の基板の前記画素電極が形成されている側に、複数のセルを区画する隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記一方の基板と前記他方の基板とを、当該一方の基板の前記透光性電極と当該他方の基板の前記隔壁の頂面とが対向するように配置する対向基板配置工程と、を備え、前記電極構造形成工程において、前記電極構造のための配線の少なくとも一部が、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て画素電極間の領域に配置されるように形成され、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て、前記画素電極の光反射特性と、前記画素電極間の領域に配置された前記配線の光反射特性とは、略同じであることを特徴とする反射型表示装置の製造方法である。   Alternatively, in the present invention, a display medium containing at least one or more kinds of electrically responsive materials is sealed between two opposing substrates on which at least one has translucency and each electrode is formed. A method of manufacturing a reflective display device in which the display medium displays a desired display when a predetermined electric field is applied between the two substrates, wherein the one substrate has translucency An electrode structure forming step of forming a plurality of electrode structures on the other substrate so as to face a common translucent electrode formed so as to cover at least the display region, and the plurality of electrode structures on the plurality of electrode structures A pixel electrode forming step of forming a plurality of pixel electrodes corresponding to the electrode structure in a periodic pattern, and after the pixel electrode forming step, on the side of the other substrate on which the pixel electrode is formed, Bulkhead partitioning multiple cells A partition forming step to be formed, and the one substrate and the other substrate are arranged so that the translucent electrode of the one substrate faces the top surface of the partition of the other substrate And in the electrode structure forming step, at least a part of the wiring for the electrode structure is between pixel electrodes when viewed in a direction from the one substrate side toward the other substrate side. The pixel electrode is formed so as to be disposed in a region and viewed in a direction from the one substrate side toward the other substrate side, and the light reflection characteristic of the pixel electrode and the region disposed between the pixel electrodes This is a reflection type display device manufacturing method characterized in that the light reflection characteristics of the wiring are substantially the same.

本発明によれば、画素電極間の領域には、画素電極の光反射特性と略同じ光反射特性を有する配線が配置されるため、画素電極の光反射特性と、画素電極間の領域の光反射特性とが、略同じとなり、一方の基板側から他方の基板に向かう方向に見た画素電極のパターンの周期の視認性が低減される。これにより、モアレ現象の発現が抑制される。   According to the present invention, since the wiring having the light reflection characteristic substantially the same as the light reflection characteristic of the pixel electrode is arranged in the area between the pixel electrodes, the light reflection characteristic of the pixel electrode and the light in the area between the pixel electrodes are The reflection characteristics are substantially the same, and the visibility of the period of the pixel electrode pattern viewed from the one substrate side toward the other substrate is reduced. Thereby, the expression of the moire phenomenon is suppressed.

好ましくは、前記電極構造形成工程は、前記画素電極間の領域に配置された前記配線上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を有しており、前記絶縁膜は、光透過率が90%以上である。この場合、絶縁膜は画素電極間の領域に配置された配線により反射される光を十分に透過させ得る。したがって、当該配線上に絶縁膜が配置されている画素電極間の領域の光反射特性が、画素電極間の領域に配置された配線そのものの光反射特性と略同じになり得る。   Preferably, the electrode structure forming step includes an insulating film forming step of forming an insulating film on the wiring arranged in a region between the pixel electrodes, and the insulating film has a light transmittance of 90%. That's it. In this case, the insulating film can sufficiently transmit light reflected by the wiring arranged in the region between the pixel electrodes. Therefore, the light reflection characteristic of the region between the pixel electrodes where the insulating film is arranged on the wiring can be substantially the same as the light reflection characteristic of the wiring itself arranged in the region between the pixel electrodes.

好ましくは、前記画素電極と前記画素電極間の領域に配置された前記配線とは、同じ材料で形成される。この場合、画素電極の光反射特性と、画素電極間の領域の光反射特性、とを略同じにすることが容易である。   Preferably, the pixel electrode and the wiring disposed in the region between the pixel electrodes are formed of the same material. In this case, it is easy to make the light reflection characteristics of the pixel electrodes substantially the same as the light reflection characteristics of the region between the pixel electrodes.

例えば、前記電極構造は、TFT電極構造であり、前記画素電極間の領域に配置された前記配線は、ソース・ドレイン電極に電気的に接続されたデータ配線、及び/または、ゲート電極に電気的に接続されたスキャン配線である。   For example, the electrode structure is a TFT electrode structure, and the wiring arranged in the region between the pixel electrodes is electrically connected to a data wiring and / or a gate electrode electrically connected to a source / drain electrode. Scan wiring connected to the.

好ましくは、前記隔壁は、画素電極の周期的なパターンに対してモアレ縞を発生させないパターンで形成されている。この場合、モアレ現象の発現が顕著に抑制される。例えば、前記隔壁は、非周期的なパターンで形成されている。   Preferably, the partition is formed in a pattern that does not generate moire fringes with respect to the periodic pattern of the pixel electrodes. In this case, the occurrence of the moire phenomenon is remarkably suppressed. For example, the partition is formed in an aperiodic pattern.

本発明によれば、隔壁のパターンと画素電極のパターンとの精密なアライメントを要することなくモアレ現象の発現を抑制することが可能な反射型表示装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the reflection type display apparatus which can suppress the expression of a moire phenomenon without requiring precise alignment with the pattern of a partition and the pattern of a pixel electrode can be provided.

図1は、本発明の一実施の形態による反射型表示装置の構成を概略的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a reflective display device according to an embodiment of the present invention. 図2は、本発明の一実施の形態による反射型表示装置の製造方法を概略的に示すフロー図である。FIG. 2 is a flowchart schematically showing a manufacturing method of the reflective display device according to the embodiment of the present invention. 図3は、隔壁形成工程の一例を概略的に示す図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing an example of the partition wall forming step. 図4は、隔壁のパターンの例を示す図。詳しくは、図4(a)が、六角形の単位パターンを規則的に配列してなるハニカム状の周期的なパターンを示す図であり、図4(b)が、矩形の単位パターンを規則的に配列してなる格子状の周期的なパターンを示す図であり、図4(c)が、画素電極のマトリックス状の周期的なパターンに対して、モアレ縞を発生させないような非周期的なパターンを示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a partition pattern. Specifically, FIG. 4A is a diagram showing a honeycomb-shaped periodic pattern in which hexagonal unit patterns are regularly arranged, and FIG. 4B is a diagram showing regular rectangular unit patterns. FIG. 4C illustrates a non-periodic pattern in which moire fringes are not generated with respect to the matrix-shaped periodic pattern of pixel electrodes. It is a figure which shows a pattern. 図5は、隔壁の頂面の幅の定義について説明する図である。FIG. 5 is a diagram for explaining the definition of the width of the top surface of the partition wall. 図6は、接着層形成工程の一例を概略的に示す図である。FIG. 6 is a diagram schematically showing an example of the adhesive layer forming step. 図7は、表示媒体配置工程の一例を概略的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing an example of the display medium arranging step. 図8は、導電性ペーストの機能を説明するための概略図である。FIG. 8 is a schematic view for explaining the function of the conductive paste. 図9は、他方の基板上にマトリックス状の周期的なパターンで配列された画素電極を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing pixel electrodes arranged in a matrix-like periodic pattern on the other substrate. 図10は、画素電極と、当該画素電極に対応するTFT電極構造と、を概略的に示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a pixel electrode and a TFT electrode structure corresponding to the pixel electrode. 図11は、モアレ現象の発現のメカニズムを説明するための図である。FIG. 11 is a diagram for explaining the mechanism of the occurrence of the moire phenomenon. 図12は、本発明によるモアレ現象の発現を抑制するメカニズムを説明するための図である。FIG. 12 is a diagram for explaining a mechanism for suppressing the occurrence of the moire phenomenon according to the present invention. 図13は、本発明の一実施の形態による電極構造において採用可能なTFT電極構造の構造と、当該TFT電極構造のためのデータ配線及びスキャン配線の一方の基板が配置される側の材料と、画素電極一方の基板が配置される側の材料と、半導体の材料と、絶縁膜としてのゲート絶縁膜及びパッシベーション層の材料と、の組み合わせの例を示す図である。FIG. 13 shows a structure of a TFT electrode structure that can be employed in an electrode structure according to an embodiment of the present invention, a material on one side where one substrate of data wiring and scan wiring for the TFT electrode structure is disposed, It is a figure which shows the example of the combination of the material by which the board | substrate of one side of a pixel electrode is arrange | positioned, the material of a semiconductor, and the material of the gate insulating film and passivation layer as an insulating film. 図14は、画素電極の側から他方の基板の側に向かう方向に見た、画素電極と電極構造のための配線との配置関係を説明するための図である。詳しくは、図14(a)が、電極構造上に形成された画素電極を概略的に示す平面図であり、図14(b)が、図14(a)の部分拡大図であって、画素電極間の領域の幅と、当該画素電極間の領域に配置された配線の幅と、の関係を説明するための図である。FIG. 14 is a diagram for explaining the positional relationship between the pixel electrode and the wiring for the electrode structure, as viewed from the pixel electrode side toward the other substrate side. Specifically, FIG. 14A is a plan view schematically showing a pixel electrode formed on the electrode structure, and FIG. 14B is a partially enlarged view of FIG. It is a figure for demonstrating the relationship between the width | variety of the area | region between electrodes, and the width | variety of the wiring arrange | positioned at the area | region between the said pixel electrodes. 図15は、対向基板配置工程において、一方の基板の隔壁頂面に他方の基板が接着されている様子を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing a state where the other substrate is bonded to the partition wall top surface of one substrate in the counter substrate arranging step. 図16は、本発明の比較例による表示パネルにおける、一方の基板の側から他方の基板の側に向かう方向に見た、画素電極と電極構造のための配線との配置関係を説明するための図である。FIG. 16 is a diagram for explaining the arrangement relationship between the pixel electrode and the wiring for the electrode structure when viewed from the one substrate side toward the other substrate side in the display panel according to the comparative example of the present invention. FIG.

図1は、本発明の一実施の形態による反射型表示装置の構成を概略的に示す断面図である。本実施の形態による反射型表示装置は、少なくとも一方が透光性を有しており各々電極が形成されている対向する2枚の基板間11,16に少なくとも1種以上の電気応答性材料を含む表示媒体13が封入されていて、2枚の基板11,16間に所定の電界が与えられる際に表示媒体13が所望の表示をするようになっている。ここで、本件の明細書及び特許請求の範囲において「透光性」とは、光を透過する性質、という程度の意味である。本実施の形態においては、視認側に配置される基板は、全光透過率が50%以上、好ましくは80%以上、さらに好ましくは90%以上となるような透光性を有している。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a reflective display device according to an embodiment of the present invention. In the reflective display device according to this embodiment, at least one kind of electrically responsive material is provided between two opposing substrates 11 and 16 on which at least one has translucency and each electrode is formed. The display medium 13 is enclosed, and the display medium 13 displays a desired display when a predetermined electric field is applied between the two substrates 11 and 16. Here, in the specification and claims of the present application, “translucent” means a property of transmitting light. In this embodiment mode, the substrate disposed on the viewing side has a light-transmitting property such that the total light transmittance is 50% or more, preferably 80% or more, and more preferably 90% or more.

図1乃至図16において、一方の基板11の面上には、電極が設けられているが、それらの電極の図示は省略されている。本実施の形態においては、一方の基板11が視認側に配置され、他方の基板16が非視認側に配置される。   In FIG. 1 to FIG. 16, electrodes are provided on the surface of one substrate 11, but these electrodes are not shown. In the present embodiment, one substrate 11 is disposed on the viewing side, and the other substrate 16 is disposed on the non-viewing side.

一方の基板11としては、ポリエチレン(PE)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等の透光性フィルムや透光性ガラスに、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO)等の透光性を有する電極(透光性電極)を少なくとも一方の基板11の表示領域を覆うように付したものが、典型的に用いられ得る。ここで「表示領域」とは、反射型表示装置における所望の表示に利用される領域をいう。   One substrate 11 includes a light-transmitting film such as polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), or light-transmitting glass, and indium tin oxide (ITO). ), Zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO), or the like having a translucent electrode (translucent electrode) so as to cover the display region of at least one substrate 11 is typically used. obtain. Here, the “display area” refers to an area used for desired display in the reflective display device.

透光性電極は、塗工法やスパッタリング、真空蒸着法、CVD法等によって形成され得る。透光性電極は、本実施の形態では、アクティブマトリクス駆動用の共通電極として形成されている。   The translucent electrode can be formed by a coating method, sputtering, a vacuum deposition method, a CVD method, or the like. In this embodiment, the translucent electrode is formed as a common electrode for active matrix driving.

一方の基板11の厚みは、10μm〜1mmが好適である。10μmよりも薄いと、パネルとしての強度を得ることができず、破損に至る危険度が増す一方、1mmよりも厚いと、パネル重量が重くなり過ぎて取り扱いが不便になるし、コストも高くなるからである。破損しにくく取り扱いが容易である好適な厚みの範囲は、50μm〜300μm程度である。   The thickness of one substrate 11 is preferably 10 μm to 1 mm. If it is thinner than 10 μm, the strength as a panel cannot be obtained and the risk of breakage increases. On the other hand, if it is thicker than 1 mm, the panel weight becomes too heavy and the handling becomes inconvenient and the cost also increases. Because. A suitable thickness range that is difficult to break and easy to handle is about 50 μm to 300 μm.

一方の基板11は、ロール状でもシート状でもどちらでも適用可能である。   One substrate 11 can be applied in either a roll shape or a sheet shape.

他方の基板16としては、樹脂フィルム、樹脂板、ガラス、エポキシガラス(ガラエポ)等の基材が用いられ得る。また他方の基板16は、透光性を有する基材が用いられてもよい。さらに透光性を有しているが不透明な基材であってもよく、電極面とは異なるもう一方の面を粗面化した不透明なガラス基材、樹脂フィルム、樹脂板、ガラス、エポキシガラス(ガラエポ)等が用いられ得る。本実施の形態では、他方の基板16は、視認側と反対側の位置に配置されるため、透光性を有している必然性はない。しかし、熱膨張特性など一方の基板11と同じ物性が必要とされる場合は、一方の基板11と同様の透光性の部材が使用され得る。   As the other substrate 16, a substrate such as a resin film, a resin plate, glass, epoxy glass (glass epoxy) or the like can be used. The other substrate 16 may be a translucent base material. Furthermore, it may be an opaque base material that is translucent, but an opaque glass base material, resin film, resin plate, glass, epoxy glass with the other surface different from the electrode surface roughened. (Garaepo) or the like can be used. In the present embodiment, since the other substrate 16 is disposed at a position opposite to the viewing side, there is no necessity of having translucency. However, when the same physical properties as the one substrate 11 such as thermal expansion characteristics are required, a light-transmitting member similar to the one substrate 11 can be used.

他方の基板16の表示媒体側の面には、後の工程において、複数の画素電極161と、当該複数の画素電極に対応する電極構造163とが、設けられる。本実施の形態では、電極構造163は、アクティブマトリクス駆動用のTFT(Thin Film Transistor)層に対応する電極構造である。   In a later step, a plurality of pixel electrodes 161 and an electrode structure 163 corresponding to the plurality of pixel electrodes are provided on the surface of the other substrate 16 on the display medium side. In the present embodiment, the electrode structure 163 is an electrode structure corresponding to a TFT (Thin Film Transistor) layer for active matrix driving.

他方の基板16の厚みも、一方の基板11の厚みと同様に、10μm〜1mmが好適である。10μmよりも薄いと、パネルとしての強度を得ることができず、破損に至る危険度が増す一方、1mmよりも厚いと、パネル重量が重くなり過ぎて取り扱いが不便になるし、コストも高くなるからである。破損しにくく取り扱いが容易である好適な厚みの範囲は、50μm〜300μm程度である。   The thickness of the other substrate 16 is preferably 10 μm to 1 mm, similarly to the thickness of the one substrate 11. If it is thinner than 10 μm, the strength as a panel cannot be obtained and the risk of breakage increases. On the other hand, if it is thicker than 1 mm, the panel weight becomes too heavy and the handling becomes inconvenient and the cost also increases. Because. A suitable thickness range that is difficult to break and easy to handle is about 50 μm to 300 μm.

他方の基板16も、ロール状でもシート状でもどちらでも適用可能である。   The other substrate 16 can be applied in either a roll shape or a sheet shape.

<反射型表示装置の製造方法>
図2は、本発明の一実施の形態による反射型表示装置の製造方法を概略的に示すフロー図である。
<Method for manufacturing reflective display device>
FIG. 2 is a flowchart schematically showing a manufacturing method of the reflective display device according to the embodiment of the present invention.

図3は、隔壁形成工程の一例を概略的に示す図である。図3に示すように、まず、一般には水平方向に載置される一方の基板11の上面に、例えばフォトリソグラフィ法(紫外線(UV)照射による露光→現像→焼成)によって、隔壁12が形成される。隔壁12は、後述する複数のセルを規定する部材である。   FIG. 3 is a diagram schematically showing an example of the partition wall forming step. As shown in FIG. 3, first, a partition wall 12 is formed on the upper surface of one substrate 11 generally placed in a horizontal direction by, for example, photolithography (exposure by ultraviolet (UV) irradiation → development → firing). The The partition wall 12 is a member that defines a plurality of cells to be described later.

隔壁12は、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、常温硬化樹脂等によって構成可能であり、隔壁12の形成方法は、フォトリソグラフィ法の他、エンボス加工などの型転写方法も採用され得る。さらに、所望のパターンの構造物を隔壁として製造しておいて、それを一方の基板11に貼り付けるという方法も採用され得る。隔壁12は、後述する画素電極161の上に形成されてもよい。   The partition wall 12 can be composed of an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, a room temperature curable resin, or the like. As a method for forming the partition wall 12, a mold transfer method such as embossing can be adopted in addition to the photolithography method. Further, a method of manufacturing a structure having a desired pattern as a partition and sticking the structure to one substrate 11 may be employed. The partition wall 12 may be formed on the pixel electrode 161 described later.

隔壁12は、本実施の形態では、図4(a)に示すような六角形の単位パターンを規則的に配列したハニカム状の周期的なパターンで形成される。もっとも、隔壁12のパターンとしては、他の形状も採用可能であり、例えば、図4(b)に示すような矩形の単位パターンを規則的に配列した正方格子状の周期的なパターンであってもよい。さらに、隔壁12のパターンは、図4(c)に示すような非周期的なパターン、すなわち後述する画素電極161の周期的なパターンに対してモアレ現象を発生させないようなパターンであってもよい。ここで、隔壁12の非周期的なパターンの具体例としては、例えば、隔壁12によって区画された複数のセルの互いの形状が異なるような隔壁12のパターンが挙げられる。この場合、全てのセルについて互いの形状が異なっていてもよいし、一部のセルについてのみ互いの形状が異なっていてもよい。また、セルの形状の変化の仕方については、周期性があってもよいし、周期性がなくてもよい。   In the present embodiment, the partition walls 12 are formed in a honeycomb-like periodic pattern in which hexagonal unit patterns as shown in FIG. 4A are regularly arranged. Of course, other shapes can be adopted as the pattern of the partition wall 12, for example, a square lattice periodic pattern in which rectangular unit patterns as shown in FIG. 4B are regularly arranged. Also good. Further, the pattern of the partition wall 12 may be a non-periodic pattern as shown in FIG. 4C, that is, a pattern that does not cause a moiré phenomenon with respect to a periodic pattern of a pixel electrode 161 described later. . Here, as a specific example of the non-periodic pattern of the partition walls 12, for example, a pattern of the partition walls 12 in which the plurality of cells partitioned by the partition walls 12 are different from each other. In this case, the shape may be different for all the cells, or the shape may be different for only some of the cells. In addition, the method of changing the cell shape may or may not have periodicity.

隔壁12の頂面の幅は、9μm〜50μm、好ましくは9μm〜20μmである。9μmというのは、隔壁12が倒れることなくパターニングできる線幅の下限である。隔壁12の頂面の幅が9μm未満である場合、隔壁12の長さが60μm以上に亘るようなパターンでは、少なくとも隔壁12の一部が倒れたり、剥がれたり、剥がれた隔壁12が基板上を移動したりする。そうなった場合には、隔壁12による粒子の移動を防ぐという機能が失われ、表示品質が劣化してしまう。一方、好適な範囲の上限である50μmというのは、目視したときに隔壁12が目立ち過ぎない上限である。   The width of the top surface of the partition wall 12 is 9 μm to 50 μm, preferably 9 μm to 20 μm. 9 μm is the lower limit of the line width at which the partition wall 12 can be patterned without falling down. When the width of the top surface of the partition wall 12 is less than 9 μm, in a pattern in which the length of the partition wall 12 is 60 μm or more, at least a part of the partition wall 12 falls, peels off, or the separated partition wall 12 moves over the substrate. Or move. In that case, the function of preventing the movement of particles by the partition wall 12 is lost, and the display quality is deteriorated. On the other hand, the upper limit of 50 μm, which is the upper limit of the preferred range, is an upper limit at which the partition wall 12 is not too conspicuous when visually observed.

ここで、隔壁12の頂面の幅の定義を、図5に示す。頂面の角が丸まっていなければ、図5(a)や図5(b)に示すように、頂面の幅はそのまま定義される。一方、頂面の角が丸まっている場合には、図5(c)や図5(d)に示すように、頂面の延長面と壁面の延長面との交線間の幅として理解される。評価のための測定方法としては、隔壁12が形成された一方の基板11を硬化性樹脂にて包埋し、ミクロートーム(大和光機工業株式会社製:FX−801)により隔壁12の断面を切り出し、走査電子顕微鏡(SEM)によって撮影した画像に基づいて各幅を測定することができる。   Here, the definition of the width of the top surface of the partition wall 12 is shown in FIG. If the corners of the top surface are not rounded, the width of the top surface is defined as it is, as shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b). On the other hand, when the corner of the top surface is rounded, it is understood as the width between the intersection lines of the extended surface of the top surface and the extended surface of the wall surface, as shown in FIG. 5 (c) and FIG. 5 (d). The As a measuring method for evaluation, one substrate 11 on which the partition wall 12 was formed was embedded in a curable resin, and a cross section of the partition wall 12 was cut out by a microtome (Daiwa Kogyo Kogyo Co., Ltd .: FX-801). Each width can be measured based on an image taken by a scanning electron microscope (SEM).

隔壁12の厚みは、5〜50μm、好ましくは10〜50μmである。5μm以下では、充填するインキ量が少なく、十分な表示特性、特にコントラストが得られない一方、50μm以上では、パネルの厚みが厚すぎて、駆動電圧が上昇し過ぎてしまう。低駆動電圧で良好な表示特性が得られるという観点から、10〜50μmの範囲の厚みが好適である。   The thickness of the partition wall 12 is 5 to 50 μm, preferably 10 to 50 μm. If the thickness is 5 μm or less, the amount of ink to be filled is small and sufficient display characteristics, particularly contrast, cannot be obtained. From the viewpoint that good display characteristics can be obtained at a low driving voltage, a thickness in the range of 10 to 50 μm is preferable.

セルの開口率は、70%以上が好ましく、特に90%以上が好ましい。高開口率であるほど、表示可能エリアが広くなるため、高コントラストを得ることができる。   The cell aperture ratio is preferably 70% or more, and particularly preferably 90% or more. The higher the aperture ratio, the wider the displayable area, so that high contrast can be obtained.

次に、隔壁12上に接着層22が形成される(接着層形成工程:図2の工程(2))。この接着層形成工程では、例えば転写法や印刷法により、ポリエステル系熱可塑性接着剤のような熱可塑性樹脂が、1μm〜100μmの厚みで形成される。好ましくは、1μm〜50μmの厚みで形成され、特に好ましくは、1μm〜20μmの厚みで形成される。   Next, the adhesive layer 22 is formed on the partition wall 12 (adhesive layer forming step: step (2) in FIG. 2). In this adhesive layer forming step, a thermoplastic resin such as a polyester-based thermoplastic adhesive is formed with a thickness of 1 μm to 100 μm by, for example, a transfer method or a printing method. Preferably, it is formed with a thickness of 1 μm to 50 μm, particularly preferably with a thickness of 1 μm to 20 μm.

転写法として典型的な熱転写法の一例について具体的な説明を補足すれば、図6に示すように、例えば基材21としてのPETフィルム上に20μmの厚みでポリエステル系熱可塑性接着剤のような接着剤221を形成した転写シート20を用意する。次に、この転写シート20を、接着剤221の面が一方の基板11の隔壁12の頂面上に配置されるように、一方の基板11と対向して配置する。この状態で、一方の基板11と転写シート20とを、常温で1kPaの圧力でラミネートする。ラミネートの後で、一方の基板11を、一方の基板11側の隔壁12の端部が一方の基板11とは反対の側の当該隔壁12の頂面よりも高い位置となるように向けられた状態にして、一方の基板11と転写シート20とを接着剤221の軟化点または融点より高い温度で一方の基板11と転写シート20とを1分間加熱する。これにより、隔壁12上に接着層22が形成される。   Supplementing a specific description of an example of a typical thermal transfer method as a transfer method, as shown in FIG. 6, for example, a polyester-based thermoplastic adhesive having a thickness of 20 μm on a PET film as a substrate 21. A transfer sheet 20 on which an adhesive 221 is formed is prepared. Next, the transfer sheet 20 is arranged to face the one substrate 11 so that the surface of the adhesive 221 is arranged on the top surface of the partition wall 12 of the one substrate 11. In this state, one substrate 11 and the transfer sheet 20 are laminated at a normal temperature and a pressure of 1 kPa. After laminating, one substrate 11 was oriented such that the end of the partition wall 12 on the one substrate 11 side was positioned higher than the top surface of the partition wall 12 on the side opposite to the one substrate 11. In this state, the one substrate 11 and the transfer sheet 20 are heated for one minute at a temperature higher than the softening point or melting point of the adhesive 221. Thereby, the adhesive layer 22 is formed on the partition wall 12.

接着層22を形成するための接着剤221としては、熱可塑性材料を用いた接着剤が好ましく、加熱により軟化して、冷却すると固化する性質を有し、冷却と加熱を繰り返した場合に、塑性が可逆的に保たれる材料である。   As the adhesive 221 for forming the adhesive layer 22, an adhesive using a thermoplastic material is preferable. It has a property of softening by heating and solidifying when cooled, and is plastic when repeated cooling and heating. Is a material that is reversibly maintained.

熱可塑性材料からなる接着剤を接着層として用いた場合には、転写シート基材21上の固化している接着剤221をその軟化点または融点を超える温度にまで加熱することにより軟化させて、隔壁頂面のみに確実に接着剤221を熱転写することもできる。また、熱転写後の接着剤221は常温まで冷却して再び固化することにより、タック、すなわちねばつきが無くなるため、取り扱いの便宜が極めて良い。また、タック、すなわちねばつきが無いことによって、セル内に充填された表示媒体13が接着剤221と接着してしまうことがない。そして、再び隔壁頂面の接着剤21をその軟化点または融点を超える温度にまで加熱して軟化させることにより、タック、すなわちねばつきを有するようになるため、他方の基板16に確実に接着される。他方の基板16との接着後の接着剤221は、再び常温においてはタック、すなわちねばつきが無いため、やはり表示媒体13が接着剤221と接着してしまうことがなく、表示品質の低下のおそれもない。   When an adhesive made of a thermoplastic material is used as an adhesive layer, the adhesive 221 solidified on the transfer sheet substrate 21 is softened by heating to a temperature exceeding its softening point or melting point, The adhesive 221 can be reliably thermally transferred only to the top surface of the partition wall. Further, since the adhesive 221 after thermal transfer is cooled to room temperature and solidified again, tackiness, i.e., stickiness, is eliminated. Further, since there is no tack, that is, stickiness, the display medium 13 filled in the cell does not adhere to the adhesive 221. The adhesive 21 on the top surface of the partition wall is again heated to a temperature exceeding its softening point or melting point to be softened, so that it has tackiness, that is, stickiness, so that it is securely bonded to the other substrate 16. The Since the adhesive 221 after being bonded to the other substrate 16 is not tacked again at room temperature, that is, has no stickiness, the display medium 13 is not bonded to the adhesive 221 again, and the display quality may be deteriorated. Nor.

具体的には、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリウレタンなどの熱可塑性ベースポリマーや、天然ゴム、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、スチレン−イソプレンブロック共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレン共重合体などの熱可塑性エラストマーを主成分とし、粘着性付与樹脂や可塑剤を配合した樹脂が主に使用される。   Specifically, thermoplastic base polymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, polyester, polyamide, polyolefin, polyurethane, natural rubber, styrene-butadiene block copolymer, styrene-isoprene block copolymer, styrene-ethylene. A resin mainly composed of a thermoplastic elastomer such as a butylene-styrene block copolymer or a styrene-ethylene-propylene-styrene copolymer, and a tackifier resin or a plasticizer is mainly used.

隔壁12と接着剤221との密着性を上げるために、隔壁12に紫外線照射やプラズマ処理などにより表面処理が施されてもよいし、プライマーが形成されてもよい。あるいは、接着剤221の方にシランカップリング剤が添加されてもよい。   In order to improve the adhesion between the partition wall 12 and the adhesive 221, the partition wall 12 may be subjected to a surface treatment by ultraviolet irradiation, plasma treatment, or the like, or a primer may be formed. Alternatively, a silane coupling agent may be added to the adhesive 221.

次に、一方の基板11上に表示媒体としてのインキ13が配置される(表示媒体配置工程:図2の工程(3))。図7は、表示媒体配置工程の一例を概略的に示す図である。ここでは、(1)ディスペンサ31あるいはインクジェット、ダイコートからインキ13が滴下され(インキ滴下工程)、(2)アプリケータ32あるいはドクターブレード、ドクターナイフ、中央スキージによって面内均一となるようにインキ13が塗布される(インキ塗布工程)。なお、インキ13は、一方の基板16上に配置されてもよい。   Next, the ink 13 as a display medium is placed on one substrate 11 (display medium placement step: step (3) in FIG. 2). FIG. 7 is a diagram schematically showing an example of the display medium arranging step. Here, (1) the ink 13 is dropped from the dispenser 31 or inkjet or die coat (ink dropping step), and (2) the ink 13 is made uniform in the surface by the applicator 32 or doctor blade, doctor knife, and central squeegee. It is applied (ink application process). The ink 13 may be disposed on one substrate 16.

表示媒体13としては、少なくとも1種以上の電気応答性材料を含む表示媒体が用いられ得る。電気応答性材料としては、電荷粒子材料、液晶材料があり、電荷粒子材料には白や黒、カラーなどの色づけされた粒子が電場に応答して移動するいわゆる電気泳動材料、または、粒子が二色に色分けされ電場により回転するツイストボールに代表される材料、または、電場により移動するナノ粒子材料等がある。一方、液晶材料は、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)で知られる透過と散乱を電気的に制御する材料や、液晶に色素を混合した材料、コレステリック液晶材料などがある。これらの電気応答性を有し光学特性を変化させる材料は、種類を問わずセルに隔離する必要があり、本発明の適用対象である。   As the display medium 13, a display medium containing at least one or more kinds of electrically responsive materials can be used. Examples of the electroresponsive material include a charged particle material and a liquid crystal material, and the charged particle material includes a so-called electrophoretic material in which colored particles such as white, black, and color move in response to an electric field, or two particles. There are materials typified by twist balls that are color-coded and rotated by an electric field, or nanoparticle materials that move by an electric field. On the other hand, the liquid crystal material includes a material for electrically controlling transmission and scattering known as PDLC (Polymer Dispersed Liquid Crystal), a material in which a liquid crystal is mixed with a dye, a cholesteric liquid crystal material, and the like. These materials that have electrical responsiveness and change optical characteristics need to be isolated into cells regardless of the type, and are subject to application of the present invention.

図2に戻って、表示媒体配置工程の後で、導電性ペースト塗布工程が実施される(導電性ペースト塗布工程:図2の工程(4))。図8は、導電性ペーストの機能を説明するための概略図である。導電性ペースト14は、例えば銀ペーストのような金属ペーストであり、例えばディスペンサ41あるいはインクジェット、タンポ印刷、パット印刷、スタッピング印刷によって所定位置に塗布される。導電性ペースト14は、図8に示すように、他方の基板16に電圧をかけるための配線として機能する。一方の基板11の透光性電極と他方の基板16の画素電極161との間に所定の電界(電圧)が与えられる際、表示媒体であるインキ13中の電気応答性材料が駆動され、文字パターン等の所望の情報が表示される。その後、電界が与えられなくなっても、新たな電界が両基板間に与えられるまで、当該情報表示状態が維持される。   Returning to FIG. 2, after the display medium placement step, a conductive paste application step is performed (conductive paste application step: step (4) in FIG. 2). FIG. 8 is a schematic view for explaining the function of the conductive paste. The conductive paste 14 is a metal paste such as a silver paste, and is applied to a predetermined position by, for example, a dispenser 41 or ink jet, tampo printing, pad printing, or stacking printing. As shown in FIG. 8, the conductive paste 14 functions as a wiring for applying a voltage to the other substrate 16. When a predetermined electric field (voltage) is applied between the translucent electrode of one substrate 11 and the pixel electrode 161 of the other substrate 16, the electrically responsive material in the ink 13 which is a display medium is driven, and the characters Desired information such as a pattern is displayed. Thereafter, even if the electric field is no longer applied, the information display state is maintained until a new electric field is applied between the two substrates.

次に、他方の基板16上に、複数の電極構造163が形成され(電極構造形成工程:図2の工程(5))、当該複数の電極構造163上に、当該複数の電極構造163に対応する複数の画素電極が形成される(画素電極形成工程:図2の工程(6))。本実施の形態の電極構造163は、TFT電極構造である。また、画素電極161は、図9に示すようなマトリックス状の周期的なパターンで形成される。   Next, a plurality of electrode structures 163 are formed on the other substrate 16 (electrode structure forming step: step (5) in FIG. 2), and the plurality of electrode structures 163 are corresponding to the plurality of electrode structures 163. A plurality of pixel electrodes are formed (pixel electrode forming step: step (6) in FIG. 2). The electrode structure 163 of this embodiment is a TFT electrode structure. The pixel electrode 161 is formed in a matrix-like periodic pattern as shown in FIG.

より詳細には、図10に示すように、他方の基板16上にアクティブマトリックス駆動用のTFT層に対応するTFT電極構造163が、図9に示す画素電極161のマトリックス状のパターンに対応して、全体としてマトリックス状に形成される。各TFT電極構造163は、ソース・ドレイン電極とゲート電極とを有しており、ソース・ドレイン電極には、データ配線が電気的に接続されており、ゲート電極には、スキャン配線169が電気的に接続されている。   More specifically, as shown in FIG. 10, the TFT electrode structure 163 corresponding to the active matrix driving TFT layer on the other substrate 16 corresponds to the matrix pattern of the pixel electrode 161 shown in FIG. The whole is formed in a matrix. Each TFT electrode structure 163 has a source / drain electrode and a gate electrode. A data wiring is electrically connected to the source / drain electrode, and a scan wiring 169 is electrically connected to the gate electrode. It is connected to the.

本実施の形態においては、画素電極161、データ配線168及びスキャン配線169の配置、並びに、画素電極161、データ配線168、スキャン配線169及び絶縁膜164a,164bの材料は、モアレ現象の発現を抑制するように決定される。ここで、図11及び図12を参照して、モアレ現象の発現を効果的に抑制するための、画素電極161、データ配線168及びスキャン配線169の配置、並びに、画素電極161、データ配線168、スキャン配線169及び絶縁膜164a,164bの材料について説明する。本実施の形態においては、絶縁膜164aはゲート絶縁膜であり、絶縁膜164bはパッシベーション層である。   In this embodiment mode, the arrangement of the pixel electrode 161, the data wiring 168, and the scan wiring 169 and the material of the pixel electrode 161, the data wiring 168, the scan wiring 169, and the insulating films 164a and 164b suppress the occurrence of the moire phenomenon. To be decided. Here, with reference to FIGS. 11 and 12, the arrangement of the pixel electrode 161, the data wiring 168, and the scan wiring 169, and the pixel electrode 161, the data wiring 168, and the like for effectively suppressing the occurrence of the moire phenomenon. The materials of the scan wiring 169 and the insulating films 164a and 164b will be described. In this embodiment, the insulating film 164a is a gate insulating film, and the insulating film 164b is a passivation layer.

図11は、モアレ現象の発現のメカニズムを説明するための図である。本件発明者が得た知見によれば、モアレ現象は、図11に示すように、一方の基板11側から他方の基板の側16に向かう方向に見て、次の2つの周期的なパターンが視認されることにより生じる。第1のパターンは、隔壁12の周期的なパターン、あるいは、隔壁12が光透過率の高い材料で形成されている場合には、周期的なパターンで形成されている隔壁12に対応して視認される光透過率の高い高透過率部分の周期的なパターンである。また、第2のパターンは、他方の基板16の絶縁膜164の上に周期的に配置されている画素電極161の光反射特性が画素電極161間の領域の光反射特性と顕著に異なることにより視認される、光反射特性の周期的な変化のパターンである。すなわち、前述の第1のパターンと第2のパターンとが異なる周期及び回転ズレを伴って重なり合うことにより、一方の基板11側から見て周期的な濃淡が発生し、これがモアレ現象の発現の原因となっていると考えられる。   FIG. 11 is a diagram for explaining the mechanism of the occurrence of the moire phenomenon. According to the knowledge obtained by the present inventor, the moire phenomenon has the following two periodic patterns when viewed from one substrate 11 side toward the other substrate side 16 as shown in FIG. Generated by being visually recognized. The first pattern is visually recognized corresponding to the periodic pattern of the partition walls 12 or, when the partition walls 12 are formed of a material having a high light transmittance, corresponding to the partition walls 12 formed of the periodic pattern. It is the periodic pattern of the high transmittance part with high light transmittance. Further, the second pattern is because the light reflection characteristics of the pixel electrodes 161 periodically arranged on the insulating film 164 of the other substrate 16 are significantly different from the light reflection characteristics of the region between the pixel electrodes 161. It is a pattern of a periodic change of the light reflection characteristic that is visually recognized. That is, when the first pattern and the second pattern overlap with each other with different periods and rotational deviations, periodic shading occurs when viewed from the one substrate 11 side, which is the cause of the occurrence of the moire phenomenon. It is thought that.

したがって、図12に示すように、画素電極161が形成されている領域と画素電極161間の領域との間の光反射特性の差を低減させて、他方の基板16上に周期的な光反射特性の変化のパターンが形成されることを抑制すれば、モアレ現象の発現が抑制されると考えられる。   Therefore, as shown in FIG. 12, the difference in the light reflection characteristics between the region where the pixel electrode 161 is formed and the region between the pixel electrodes 161 is reduced, and the periodic light reflection is performed on the other substrate 16. If the formation of the characteristic change pattern is suppressed, the occurrence of the moire phenomenon is considered to be suppressed.

本実施の形態では、モアレ現象の発現を抑制するために、一方の基板11の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、画素電極161の光反射特性と画素電極161間の領域の光反射特性とが略同じとなるように、画素電極161、データ配線168及びスキャン配線169の配置、並びに、画素電極161、データ配線168、スキャン配線169及び絶縁膜164a,164bの材料を、TFT電極構造163の構造や当該TFT電極構造163に用いられる半導体165の材料に応じて決定する。   In the present embodiment, in order to suppress the occurrence of the moire phenomenon, the light reflection characteristics of the pixel electrode 161 and the region between the pixel electrodes 161 when viewed from the one substrate 11 side toward the other substrate 16 side. The arrangement of the pixel electrode 161, the data line 168, and the scan line 169, and the material of the pixel electrode 161, the data line 168, the scan line 169, and the insulating films 164a and 164b are set so that the light reflection characteristics are substantially the same. It is determined according to the structure of the TFT electrode structure 163 and the material of the semiconductor 165 used for the TFT electrode structure 163.

ここで、本実施の形態では、光反射特性は、平均反射率である。平均反射率は、例えば、近赤外顕微分光測定機(オリンパス社製:USPM−RU−W)を用いて測定可能である。本実施の形態においては、波長が400nm〜800nmの範囲内の光について、波長が10nmずつ異なる種々の波長の光の対象物における反射率を各波長の光について測定し、得られた測定値の平均値が、当該対象物の平均反射率として定義される。また、同様に、2つの対象物について、400nm〜800nmの波長範囲の光であって波長が10nmずつ異なる種々の波長の光の各対象物における反射率を各波長の光について測定し、同一波長の光毎に当該2つの対象物の反射率の差の絶対値を求め、得られた絶対値の平均値が、当該2つの対象物の平均反射率の差として定義される。そして、当該平均反射率の差が30%以内である場合に、当該2つの対象物の光反射特性は略同じであると評価される。   Here, in the present embodiment, the light reflection characteristic is an average reflectance. The average reflectance can be measured, for example, using a near-infrared microspectrophotometer (Olympus: USPM-RU-W). In the present embodiment, with respect to light within a wavelength range of 400 nm to 800 nm, the reflectance of each wavelength of light having different wavelengths by 10 nm is measured for each wavelength of light, and the obtained measurement values are obtained. The average value is defined as the average reflectance of the object. Similarly, with respect to two objects, the reflectance of each object of various wavelengths of light having a wavelength range of 400 nm to 800 nm and different wavelengths by 10 nm is measured for each wavelength of light, and the same wavelength. The absolute value of the difference in reflectance between the two objects is obtained for each light, and the average value of the obtained absolute values is defined as the difference in average reflectance between the two objects. When the difference in average reflectance is within 30%, the light reflection characteristics of the two objects are evaluated to be substantially the same.

TFT電極構造163の構造と、当該TFT電極構造163のためのデータ配線168及びスキャン配線169の一方の基板11が配置される側の材料と、画素電極161の一方の基板11が配置される側の材料と、半導体165の材料と、絶縁膜としてのゲート絶縁膜164a及びパッシベーション層164bの材料と、の組み合わせとしては、例えば図13に示すような組み合わせが採用可能である。   The structure of the TFT electrode structure 163, the material on which the one substrate 11 of the data wiring 168 and the scan wiring 169 for the TFT electrode structure 163 is disposed, and the side on which the one substrate 11 of the pixel electrode 161 is disposed. As a combination of the above material, the material of the semiconductor 165, and the material of the gate insulating film 164a and the passivation layer 164b as insulating films, for example, a combination as shown in FIG. 13 can be employed.

画素電極161、データ配線168及びスキャン配線169は、他方の基板16の側から一方の基板11が配置される側に向かって異なる金属で作られた複数の層を積層して形成され得るが、本実施の形態においては、画素電極161、データ配線168及びスキャン配線169の少なくとも一方の基板11が配置される側は、同じ材料で形成される。これにより、画素電極161、データ配線168及びスキャン配線169の一方の基板11が配置される側の面は、同一の光反射特性を有することとなる。ここで、「同じ材料」という用語の意味には、構成成分が完全に同一の材料のみならず、主成分が同じであれば不純物等、若干の構成成分の違いを有する材料も含まれるものとする。   The pixel electrode 161, the data line 168, and the scan line 169 may be formed by stacking a plurality of layers made of different metals from the other substrate 16 side toward the side where the one substrate 11 is disposed. In this embodiment mode, at least one of the pixel electrode 161, the data wiring 168, and the scan wiring 169 on which the substrate 11 is disposed is formed using the same material. As a result, the surface of the pixel electrode 161, the data wiring 168, and the scan wiring 169 on the side where the one substrate 11 is disposed has the same light reflection characteristics. Here, the meaning of the term “same material” includes not only a material whose constituent components are completely the same, but also a material having a slight difference in constituent components such as impurities if the main components are the same. To do.

本実施の形態においては、絶縁膜164a及び164bの材料は、絶縁膜164aと絶縁膜164bとを併せた光透過率が90%以上となるような光透過率の高い材料が採用される。   In this embodiment, the insulating films 164a and 164b are made of a material having a high light transmittance such that the combined light transmittance of the insulating films 164a and 164b is 90% or more.

ここで、「光透過率」とは、対象物の一方の側から他方の側に向かって、光が当該対象物を通過する割合の平均値をいう。光透過率は、例えば、近赤外顕微分光測定機(オリンパス社製:USPM−RU−W)を用いて測定可能である。本実施の形態においては、波長が400nm〜800nmの範囲内の光について、波長が10nmずつ異なる種々の波長の光が対象物を一方の側から他方の側へ通過する割合を各波長の光について測定し、得られた測定値の平均値が、当該対象物の光透過率として定義される。   Here, the “light transmittance” refers to an average value of the rate at which light passes through the object from one side of the object toward the other side. The light transmittance can be measured, for example, using a near-infrared microspectrophotometer (Olympus: USPM-RU-W). In the present embodiment, with respect to light having a wavelength in the range of 400 nm to 800 nm, the ratio of light having various wavelengths that are different by 10 nm each passing through the object from one side to the other is determined for each wavelength light. The average value of the measured values obtained by measurement is defined as the light transmittance of the object.

以下では、各材料の光透過率は、当該材料の一方の基板11が配置される側から他方の基板16の側に向かう方向あるいは他方の基板16の側から一方の基板11が配置される側に向かう方向における光透過率として記載される。   Below, the light transmittance of each material is the direction from the side where one substrate 11 of the material is arranged toward the other substrate 16 or the side where one substrate 11 is arranged from the other substrate 16 side. It is described as the light transmittance in the direction toward.

絶縁膜164a及び164bの材料として前述のような光透過率の高い材料が選択されることにより、一方の基板11が配置される側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、絶縁膜164aないし164bは、データ配線168ないしスキャン配線169から反射される光を十分に透過させることができる。この結果、データ配線168ないしスキャン配線169上に絶縁膜164a及び164bが配置された画素電極161間の領域166の光反射特性が、データ配線168及びスキャン配線169そのものの光反射特性と略同じとなる。   By selecting a material having a high light transmittance as described above as the material of the insulating films 164a and 164b, the insulating film is viewed from the side where the one substrate 11 is disposed toward the other substrate 16 side. The lights 164a to 164b can sufficiently transmit light reflected from the data lines 168 to the scan lines 169. As a result, the light reflection characteristics of the region 166 between the pixel electrodes 161 in which the insulating films 164a and 164b are arranged on the data wiring 168 or the scan wiring 169 are substantially the same as the light reflection characteristics of the data wiring 168 and the scan wiring 169 itself. Become.

また、本実施の形態においては、画素電極161、データ配線168及びスキャン配線169の配置は、データ配線168及びスキャン配線169の少なくとも一部が、画素電極161の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、電極構造163上の画素電極161間の領域に配置されるように決定される。すなわち、図14(a)及び図14(b)に示すように、画素電極161、データ配線168及びスキャン配線169は、隣り合う画素電極161の互いに対向する縁部が、画素電極161の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、当該縁部の下に配置されているデータ配線168ないしスキャン配線169の対向する縁部上、または当該データ配線168ないしスキャン配線169の対向する縁部の間に位置するように、形成される。本実施の形態においては、画素電極161間の領域の幅Weは、5μm程度であり、データ配線168の幅Wd及びスキャン配線169の幅Wsは、5μm〜10μm程度である。   In this embodiment mode, the pixel electrode 161, the data wiring 168, and the scan wiring 169 are arranged so that at least a part of the data wiring 168 and the scan wiring 169 extends from the pixel electrode 161 side to the other substrate 16 side. It is determined so as to be disposed in a region between the pixel electrodes 161 on the electrode structure 163 when viewed in the direction of the head. That is, as shown in FIGS. 14A and 14B, the pixel electrode 161, the data wiring 168, and the scan wiring 169 are arranged so that the edges of the adjacent pixel electrodes 161 facing each other are from the pixel electrode 161 side. When viewed in the direction toward the other substrate 16, the data wiring 168 or scan wiring 169 disposed below the edge is opposed to the edge, or the data wiring 168 or scan wiring 169 is opposed to the edge. It forms so that it may be located between parts. In the present embodiment, the width We of the region between the pixel electrodes 161 is about 5 μm, and the width Wd of the data wiring 168 and the width Ws of the scan wiring 169 are about 5 μm to 10 μm.

以上のように、画素電極161、データ配線168及びスキャン配線169の配置、並びに、画素電極161、データ配線168、スキャン配線169及び絶縁膜164a,164bの材料を決定することにより、画素電極161の光反射特性と画素電極161間の領域の光反射特性とが略同じとなり、モアレの発現が有効に抑制される。   As described above, the arrangement of the pixel electrode 161, the data wiring 168, and the scan wiring 169, and the material of the pixel electrode 161, the data wiring 168, the scan wiring 169, and the insulating films 164a and 164b are determined. The light reflection characteristics and the light reflection characteristics in the region between the pixel electrodes 161 are substantially the same, and the occurrence of moire is effectively suppressed.

もっとも、画素電極161の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、画素電極161と、データ配線168ないしスキャン配線169と、の間には、隙間が形成されていてもよく、この場合、当該隙間の幅が5μm程度であればモアレの発現を実用上問題の生じない程度に抑制することができる。   However, a gap may be formed between the pixel electrode 161 and the data line 168 or the scan line 169 when viewed from the pixel electrode 161 side toward the other substrate 16 side. In this case, if the width of the gap is about 5 μm, the occurrence of moire can be suppressed to a level that does not cause a practical problem.

また、画素電極161、データ配線168及びスキャン配線169の一方の基板11が配置される側の材料は、必ずしも同一でなくてもよく、画素電極161の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、画素電極161の光反射特性と、データ配線168及びスキャン配線169上に絶縁膜164aないし164bが配置された画素電極161間の領域166の光反射特性と、の差がモアレの発現を実用上問題の生じない程度の差となれば、異なる材料が選択されてもよい。もっとも、電極構造163がボトムコンタクト構造の場合には、当該材料は、電極構造163の半導体とオーミックコンタクト可能な材料に限られる。電極構造163がトップコンタクト構造の場合には、配線を積層させることで、そのような制限を受けることなく、当該材料は選択され得る。   Further, the material on the side where the one substrate 11 of the pixel electrode 161, the data wiring 168, and the scan wiring 169 is not necessarily the same, and the direction from the pixel electrode 161 side toward the other substrate 16 side is not necessarily required. As shown in FIG. 3, the difference between the light reflection characteristics of the pixel electrode 161 and the light reflection characteristics of the region 166 between the pixel electrodes 161 in which the insulating films 164a to 164b are arranged on the data wiring 168 and the scan wiring 169 is the occurrence of moiré. However, different materials may be selected as long as the difference does not cause a practical problem. However, when the electrode structure 163 has a bottom contact structure, the material is limited to a material that can make ohmic contact with the semiconductor of the electrode structure 163. In the case where the electrode structure 163 is a top contact structure, the material can be selected without being restricted by stacking wirings.

その後、隔壁12上の接着層22と一方の基板11に対して対向する他方の基板16とが、隔壁12内のセル容積を超える余剰のインクを押し出しながら接着される(対向基板配置工程:図2の工程(6))。これにより、表示媒体(インキ13)が各セル内に封止される。なお、一方の基板11と他方の基板16との位置決めは、顕微鏡などを用いて隔壁12のパターンと画素電極16のパターンとの位置関係を精密に調節して行うものでなくてよく、例えば、一方の基板11に設けられたアライメント用のマークと、他方の基板16に設けられたアライメント用のマークと、を肉眼で観察して一致させながら、すなわち、隔壁12のパターンと画素電極16のパターンとの位置関係を精密に調節することなく、行うものでよい。   Thereafter, the adhesive layer 22 on the partition wall 12 and the other substrate 16 facing the one substrate 11 are bonded while extruding excess ink exceeding the cell volume in the partition wall 12 (opposing substrate placement step: FIG. Step 2 (6)). Thereby, the display medium (ink 13) is sealed in each cell. The positioning of the one substrate 11 and the other substrate 16 may not be performed by precisely adjusting the positional relationship between the pattern of the partition wall 12 and the pattern of the pixel electrode 16 using a microscope or the like. While aligning the alignment mark provided on one substrate 11 and the alignment mark provided on the other substrate 16 with the naked eye, that is, the pattern of the partition wall 12 and the pattern of the pixel electrode 16 It may be performed without precisely adjusting the positional relationship with.

対向基板接着工程は、図15に示すように、接着層22として転写された接着剤221を加熱させて接着力を得るようになっている。具体的には、ラミネータ91によって所定の熱圧着圧力(ラミネート圧力)を付与しながら、接着剤221を周辺からその軟化温度を超える温度にまで加熱して軟化させることによって、隔壁12と他方の基板16とを接着する。もっとも、他の熱圧着の態様が採用されてもよい。   In the counter substrate bonding step, as shown in FIG. 15, the adhesive 221 transferred as the adhesive layer 22 is heated to obtain an adhesive force. Specifically, the partition wall 12 and the other substrate are softened by heating the adhesive 221 from the periphery to a temperature exceeding the softening temperature while applying a predetermined thermocompression bonding pressure (laminating pressure) by the laminator 91. 16 is bonded. However, other thermocompression bonding modes may be employed.

更に、本実施の形態では、ラミネータ91による接着の後で、さらに両基板11、16の四辺(周辺部)を熱圧着する四辺熱圧着工程が実施される。具体的には、両基板11、16の四辺(周辺部)の下方にホットプレート92を敷いておいて、両基板11、16の四辺部を内側から外側に金属片93でラミネート圧を加えることで実施される。   Further, in the present embodiment, after bonding by the laminator 91, a four-side thermocompression bonding process is performed in which the four sides (peripheral portions) of both the substrates 11 and 16 are further thermocompression bonded. Specifically, a hot plate 92 is laid under the four sides (peripheral parts) of both substrates 11 and 16, and the lamination pressure is applied to the four sides of both substrates 11 and 16 with metal pieces 93 from the inside to the outside. Will be implemented.

その後、図2に示すように、ギロチン、上刃スライド装置、レーザカット装置、レーザーカッター等の断裁装置51によって所定のサイズに断裁され(断裁工程:図2の工程(7))、所望の反射型表示装置の製造が完了する。   Thereafter, as shown in FIG. 2, the sheet is cut into a predetermined size by a cutting device 51 such as a guillotine, an upper blade slide device, a laser cutting device, or a laser cutter (cutting step: step (7) in FIG. 2) and desired reflection. The production of the mold display device is completed.

本実施の形態によれば、画素電極161間の領域166には、画素電極161の光反射特性と略同じ光反射特性を有する配線168ないし169が配置されているため、画素電極161の光反射特性と、画素電極161間の領域166の光反射特性とが、略同じとなり、一方の基板11の側から他方の基板16の側に向かう方向に見た画素電極161のパターンの周期の視認性が低減される。これにより、モアレ現象の発現が抑制される。   According to the present embodiment, since the wirings 168 to 169 having substantially the same light reflection characteristics as the light reflection characteristics of the pixel electrode 161 are arranged in the region 166 between the pixel electrodes 161, the light reflection of the pixel electrode 161 is performed. The characteristics and the light reflection characteristics of the region 166 between the pixel electrodes 161 are substantially the same, and the visibility of the period of the pattern of the pixel electrode 161 when viewed from the one substrate 11 side toward the other substrate 16 side. Is reduced. Thereby, the expression of the moire phenomenon is suppressed.

また、画素電極161間の領域166に配置された配線168ないし169の一方の基板11の側には、絶縁膜164a及び164bが設けられており、絶縁膜164a及び164bは、光透過率が90%以上である。このため、絶縁膜164a及び164bは画素電極161間の領域166に配置された配線168ないし169により反射される光を十分に透過させ得る。したがって、当該配線168ないし169上に絶縁膜164a及び164bが配置されている画素電極161間の領域166光反射特性が、画素電極161間の領域166に配置された配線168ないし169そのものの光反射特性と略同じになる。   In addition, insulating films 164a and 164b are provided on one substrate 11 side of the wirings 168 to 169 arranged in the region 166 between the pixel electrodes 161, and the insulating films 164a and 164b have a light transmittance of 90. % Or more. Therefore, the insulating films 164a and 164b can sufficiently transmit the light reflected by the wirings 168 to 169 disposed in the region 166 between the pixel electrodes 161. Accordingly, the light reflection characteristics of the region 166 between the pixel electrodes 161 in which the insulating films 164a and 164b are disposed on the wirings 168 to 169 are the same as the light reflection of the wirings 168 to 169 themselves disposed in the region 166 between the pixel electrodes 161. It becomes almost the same as the characteristic.

また、画素電極161と画素電極161間の領域166に配置された配線168ないし169とは、同じ材料で形成されている。これにより、画素電極161の光反射特性と、画素電極161間の領域166の光反射特性、とを略同じにすることが容易である。   In addition, the wirings 168 to 169 arranged in the region 166 between the pixel electrode 161 and the pixel electrode 161 are formed of the same material. Thereby, it is easy to make the light reflection characteristics of the pixel electrodes 161 substantially the same as the light reflection characteristics of the region 166 between the pixel electrodes 161.

さらに、隔壁12が非周期的なパターンで形成されれば、モアレ現象の発現が顕著に抑制される。   Furthermore, if the partition walls 12 are formed in an aperiodic pattern, the occurrence of the moire phenomenon is remarkably suppressed.

次に、実際に行われた実施例について説明する。   Next, practical examples actually performed will be described.

<反射型表示装置の実施例>
<実施例1>
一方の基板11として、300mm×400mm×厚さ0.1mmのPET基板(東洋紡A4100)の一方の面に透光性電極として酸化インジウムスズ(ITO)蒸着膜(厚さ0.2μm)が設けられた基板が用意された。透光性電極は、スパッタリング、真空蒸着法、CVD法などの一般的な成膜方法によって形成され、酸化インジウムスズ(ITO)の他に、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO)等によっても形成され得る。
<Example of Reflective Display Device>
<Example 1>
As one substrate 11, an indium tin oxide (ITO) vapor deposition film (thickness 0.2 μm) is provided as a translucent electrode on one surface of a 300 mm × 400 mm × 0.1 mm thick PET substrate (Toyobo A4100). A prepared board was prepared. The translucent electrode is formed by a general film forming method such as sputtering, vacuum evaporation, or CVD, and in addition to indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO), etc. Can be formed.

次に、当該一方の基板11に、ネガ型感光性樹脂材料(デュポンMRCドライフィルムレジスト(株)製のドライフィルムレジスト)を20μmの厚さにラミネートして100℃、1分間の条件で加熱し、次いで露光マスクを使用して露光(露光量500mJ/cm)し、その後、1%KOH水溶液を用いた現像を30秒行い、200℃、60分間の条件で焼成することで、線幅が20μmの隔壁12が形成された。隔壁12のパターンは、正六角形の単位パターンが規則的に配列されたハニカムパターン(ピッチ300μm)が採用された。 Next, a negative photosensitive resin material (a dry film resist manufactured by DuPont MRC Dry Film Resist Co., Ltd.) is laminated on the one substrate 11 to a thickness of 20 μm and heated at 100 ° C. for 1 minute. Then, exposure is performed using an exposure mask (exposure amount: 500 mJ / cm 2 ), and thereafter development using a 1% KOH aqueous solution is performed for 30 seconds, followed by baking at 200 ° C. for 60 minutes. A 20 μm partition wall 12 was formed. As the pattern of the partition walls 12, a honeycomb pattern (pitch: 300 μm) in which regular hexagonal unit patterns are regularly arranged is adopted.

そして、転写フィルム基材21として厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム21(帝人・デュポン社製)が用いられ、これに接着層22形成用の接着材221としてヒートシール剤221(東洋紡製バイロン630)が厚さ20μmでダイコーダにて塗布され、乾燥された。これにより、10μmの接着層を有するロール状の転写シート20が作製された。なお、ヒートシール剤221の軟化温度は約110℃であった。   Then, a polyethylene terephthalate (PET) film 21 (manufactured by Teijin DuPont) having a thickness of 50 μm is used as the transfer film substrate 21, and a heat sealant 221 (Byron made by Toyobo) is used as the adhesive 221 for forming the adhesive layer 22. 630) was applied with a die coder with a thickness of 20 μm and dried. Thereby, a roll-shaped transfer sheet 20 having a 10 μm adhesive layer was produced. The softening temperature of the heat sealant 221 was about 110 ° C.

そして、転写シート20の上に、一方の基板11が、その隔壁12が形成されている側の面を下にした状態で載せられ、この状態で、1kPa程度の押圧力で常温でラミネートされた。その後、ヒートシール剤221の周辺がその軟化温度を超える温度、例えば130℃程度にまで加熱され、その状態で一方の基板11が、転写シート20から剥離された。その結果、ヒートシール剤221が隔壁12の頂面の全面に熱転写された。隔壁12の頂面に転写されたヒートシール剤221の高さ、すなわち、隔壁12の頂面からヒートシール剤221の頭頂部までの高さは、約7μmであった。   Then, one substrate 11 was placed on the transfer sheet 20 with the surface on which the partition wall 12 was formed facing down, and was laminated at room temperature with a pressing force of about 1 kPa in this state. . Thereafter, the periphery of the heat sealant 221 was heated to a temperature exceeding its softening temperature, for example, about 130 ° C., and one substrate 11 was peeled from the transfer sheet 20 in that state. As a result, the heat sealant 221 was thermally transferred to the entire top surface of the partition wall 12. The height of the heat sealant 221 transferred to the top surface of the partition wall 12, that is, the height from the top surface of the partition wall 12 to the top of the heat sealant 221 was about 7 μm.

続いて、表示媒体として、以下の成分を有するインキ13が用いられ、ディスペンサ31から滴下されて、中央スキージ32(ニューロング製のスキージ1:ウレタン樹脂製)にてスキージ処理されて、各セル内に充填された。基板幅方向にはみ出した余剰インキは、別の両端スキージ33a、33b(ニューロング製のスキージ2:ウレタン樹脂製)にて掻き取られ、さらにロールワイパ34にて拭き取られた。
<インキ成分>
・電気泳動粒子(二酸化チタン)・・・60重量部
・分散液 ・・・40重量部
Subsequently, an ink 13 having the following components is used as a display medium, dropped from the dispenser 31, and squeezed with a central squeegee 32 (Neurong squeegee 1: made of urethane resin), and then in each cell. Filled. Excess ink that protruded in the substrate width direction was scraped off by another squeegee 33a, 33b (Nelogue Squeegee 2: made of urethane resin), and further wiped off by a roll wiper 34.
<Ink component>
・ Electrophoretic particles (titanium dioxide): 60 parts by weight ・ Dispersion liquid: 40 parts by weight

続いて、隔壁パターン外周の一部(2mm×2mmの正方形領域)に、銀ペースト(藤倉化成製)がディスペンサ41によって点塗布された。   Subsequently, a silver paste (manufactured by Fujikura Kasei Co., Ltd.) was spot-coated by a dispenser 41 on a part of the outer periphery of the partition wall pattern (2 mm × 2 mm square region).

次いで、他方の基板16として、300mm×400mm×厚さ0.5mmの無アルカリガラス(日本電気硝子製OA−10G)が用意され、当該他方の基板16の一方の面に、酸化物薄膜トランジスタ(酸化物TFT)層に対応するTFT電極構造163、当該TFT電極構造163の為のデータ配線168及びスキャン配線169、並びに、当該TFT電極構造電極構造163に対応する画素電極161が、以下のようにして形成された。
<TFT電極構造>
・TFT電極構造163の構造:ボトムゲート・トップコンタクト構造
・データ配線168、スキャン配線169及び画素電極161:スパッタ法により、他方の基板16の側から一方の基板11が配置される側に向かってTi層(厚さ10nm)/Al層(厚さ100nm)/Ti層(厚さ10nm)の三層を当該順序で有するように形成
・ゲート絶縁膜164a:スパッタ法により、SiO膜(厚さ200nm、光透過率 96%)を形成
・酸化物半導体165:スパッタ法により、アモルファスInGaZnO(厚さ20nm)を形成
・パッシベーション層164b:スパッタ法により、SiO膜の上に塗布型透明紫外線硬化型樹脂(アデカ製FX−V550)層(厚さ4μm、光透過率94%)を形成(ゲート絶縁膜164a及びパッシベーション層164bを併せた光透過率90%)
Next, non-alkali glass (OA-10G manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) having a size of 300 mm × 400 mm × thickness 0.5 mm is prepared as the other substrate 16. TFT electrode structure 163 corresponding to the TFT layer, data wiring 168 and scan wiring 169 for the TFT electrode structure 163, and pixel electrode 161 corresponding to the TFT electrode structure electrode structure 163 are as follows. Been formed.
<TFT electrode structure>
TFT electrode structure 163 structure: bottom gate / top contact structure Data wiring 168, scan wiring 169 and pixel electrode 161: From the other substrate 16 side to the side where one substrate 11 is disposed by sputtering. Formed to have three layers of Ti layer (thickness 10 nm) / Al layer (thickness 100 nm) / Ti layer (thickness 10 nm) in this order. Gate insulating film 164a: SiO 2 film (thickness by sputtering) 200 nm, forming a light transmittance of 96%) - oxide semiconductor 165: by sputtering, an amorphous InGaZnO (thickness 20 nm) passivation layer 164b: by a sputtering method, a coating-type transparent ultraviolet curing on the SiO 2 film A resin (ADEKA FX-V550) layer (thickness 4 μm, light transmittance 94%) is formed (gate insulating film 164a). 90% transmission in conjunction fine passivation layer 164b)

なお、パターニングは、一般的なフォトリソ法により行われた。また、データ配線168とスキャン配線169と画素電極161とは、一方の基板11の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、隣り合う画素電極161の互いに対向する縁部と、画素電極161間の領域166に配置されたデータ配線168ないしスキャン配線169と、の間に隙間が無いように形成された。また、画素電極161と当該画素電極161に対応する電極構造163とは、600個×800個、行列方向に整列されて成るマトリックス状の周期的なパターンで形成された。   Patterning was performed by a general photolithography method. In addition, the data wiring 168, the scan wiring 169, and the pixel electrode 161 are arranged in such a manner that the edge of the adjacent pixel electrode 161 facing each other when viewed from the one substrate 11 side toward the other substrate 16 side, and the pixel electrode It was formed so that there was no gap between the data line 168 or the scan line 169 arranged in the region 166 between the electrodes 161. Further, the pixel electrode 161 and the electrode structure 163 corresponding to the pixel electrode 161 are formed in a matrix-like periodic pattern in which 600 × 800 are arranged in the matrix direction.

そして、大気中にて、一方の基板11の隔壁12上の接着層22の上に他方の基板16を、一方の基板11に設けられたアライメント用のマークと、他方の基板16に設けられたアライメント用のマークと、を肉眼で観察して一致させながら重ね合わせた。そして、重ね合わされた一方の基板11と他方の基板16とにラミネータ91で一定の熱圧着圧力をさらに付与しつつ、隔壁12内のセル容積を超える余剰のインクを押し出しながら、一方の基板11の隔壁12と他方の基板16とが密着された。   Then, in the atmosphere, the other substrate 16 is provided on the adhesive layer 22 on the partition wall 12 of the one substrate 11, and the alignment mark provided on the one substrate 11 and the other substrate 16 are provided. The alignment mark and the alignment mark were overlapped while being observed and matched with the naked eye. Then, while applying a constant thermocompression pressure with the laminator 91 to the one substrate 11 and the other substrate 16 that are superposed on each other, while extruding excess ink exceeding the cell volume in the partition wall 12, The partition wall 12 and the other substrate 16 were brought into close contact with each other.

熱圧着時の温度は、ヒートシール剤221の軟化点または融点付近より高い温度が好ましく、80℃〜150℃、好ましくは80℃〜90℃であり、本実施例では80℃であった。また、熱圧着圧力は、0.01MPa〜0.7MPaが好ましく、特には0.1MPa〜0.4MPaが好ましく、本実施例では0.3MPaであった。   The temperature at the time of thermocompression bonding is preferably higher than the softening point or near the melting point of the heat sealant 221, and is 80 ° C. to 150 ° C., preferably 80 ° C. to 90 ° C., and in this example, 80 ° C. The thermocompression bonding pressure is preferably 0.01 MPa to 0.7 MPa, particularly preferably 0.1 MPa to 0.4 MPa, and 0.3 MPa in this example.

その後、断裁装置51によって所定のサイズに断裁され、両方の基板11,16の周辺にディスペンサ(不図示)を用いて紫外線硬化樹脂(イー・エッチ・シー(株)製:LCB−610)を塗工して封止し、紫外線を露光(露光量700mJ/cm)して硬化させた(外周封止処理)。以上により表示パネルが作製された。 Thereafter, the sheet is cut into a predetermined size by the cutting device 51, and a UV curable resin (LCB-610, manufactured by E-Heat Sea Co., Ltd.) is applied to the periphery of both substrates 11 and 16 using a dispenser (not shown). Then, it was cured by exposure to ultraviolet rays (exposure amount 700 mJ / cm 2 ) (peripheral sealing treatment). Thus, a display panel was produced.

以上のようにして得られた表示パネルの画素電極161が形成されている領域及び画素電極161間の領域166に対して、近赤外顕微分光測定機(オリンパス社製:USPM−RU−W)を用いて、波長が400nm〜800nmの範囲内の光について、波長が10nmずつ異なる種々の波長の光の当該2つの領域における反射率を各波長の光について測定した。そして、各領域について、得られた測定値の平均値、すなわち平均反射率、を求めたところ、画素電極161が形成されている領域の平均反射率は60%であり、画素電極161間の領域166の平均反射率は50%であった。更に、画素電極161が形成されている領域及び画素電極161間の領域166の、同一波長の光毎の反射率の差の絶対値を求め、得られた絶対値の平均値を計算したところ、当該絶対値の平均値、すなわち平均反射率の差は、20%以内であった。すなわち、当該2つの領域の光反射特性は、略同一であった。   A near-infrared microspectrophotometer (Olympus: USPM-RU-W) is applied to the region where the pixel electrodes 161 of the display panel obtained as described above and the region 166 between the pixel electrodes 161 are formed. , The reflectance in the two regions of light of various wavelengths with different wavelengths by 10 nm was measured for light of each wavelength with respect to the light in the wavelength range of 400 nm to 800 nm. Then, when the average value of the obtained measurement values, that is, the average reflectance, was obtained for each region, the average reflectance of the region where the pixel electrode 161 was formed was 60%, and the region between the pixel electrodes 161 was The average reflectance of 166 was 50%. Further, the absolute value of the difference in reflectance for each light of the same wavelength in the region where the pixel electrode 161 is formed and the region 166 between the pixel electrodes 161 is obtained, and the average value of the obtained absolute values is calculated. The average of the absolute values, that is, the difference in average reflectance was within 20%. That is, the light reflection characteristics of the two regions are substantially the same.

そして、当該表示パネルについて表示品質を評価したが、モアレ現象によるムラはなく、一様な表示であった。これは、一方の基板11の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、画素電極161間の領域166に配置されたデータ配線168ないしスキャン配線169によって、画素電極161の光反射特性と、画素電極161間の領域166の光反射特性と、の差が低減されたためであると考えられる。すなわち、当該光反射特性の差が低減されたことにより、一方の基板11の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、画素電極のパターンの視認性が低減されたためであると考えられる。   Then, the display quality of the display panel was evaluated, but there was no unevenness due to the moire phenomenon, and the display was uniform. This is because the data wiring 168 or the scanning wiring 169 disposed in the region 166 between the pixel electrodes 161 is viewed in the direction from the one substrate 11 side toward the other substrate 16 side. This is because the difference between the light reflection characteristics of the region 166 between the pixel electrodes 161 is reduced. That is, it is considered that the visibility of the pattern of the pixel electrode is reduced when viewed from the one substrate 11 side toward the other substrate 16 side by reducing the difference in the light reflection characteristics. It is done.

<比較例1>
前記実施例1に対して、図16に示す従来型の画素電極161及びTFT電極構造163のためのデータ配線168及びスキャン配線169のように、画素電極161とデータ配線168とスキャン配線169とを、データ配線168及びスキャン配線169が主に画素電極161の下に配置されるように形成し、その他は同じ工程で、表示パネルを作製した。
<Comparative Example 1>
In contrast to the first embodiment, the pixel electrode 161, the data line 168, and the scan line 169 are arranged like the data line 168 and the scan line 169 for the conventional pixel electrode 161 and the TFT electrode structure 163 shown in FIG. The data line 168 and the scan line 169 were formed so as to be mainly disposed below the pixel electrode 161, and the other steps were the same process, and the display panel was manufactured.

以上のようにして得られた表示パネルの画素電極161が形成されている領域の平均反射率と、画素電極161間の領域166において配線が配置されている部分の平均反射率と、当該2つの領域の平均反射率の差と、を測定したところ、画素電極161が形成されている領域の平均反射率は約60%であり、画素電極161間の領域166において配線が配置されていない部分の平均反射率は約15%であり、当該2つの領域の平均反射率の差は50%以上であった。すなわち、当該2つの領域の光反射特性は、顕著に異なっていた。   The average reflectance of the region where the pixel electrode 161 of the display panel obtained as described above is formed, the average reflectance of the portion where the wiring is arranged in the region 166 between the pixel electrodes 161, and the two When the difference in the average reflectance of the region was measured, the average reflectance of the region where the pixel electrode 161 was formed was about 60%, and in the region 166 between the pixel electrodes 161, the portion where no wiring was arranged The average reflectance was about 15%, and the difference in average reflectance between the two regions was 50% or more. That is, the light reflection characteristics of the two regions were significantly different.

そして、当該表示パネルについて表示品質を評価したところ、モアレ現象によるムラが発生した。これは、一方の基板11の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、画素電極161間の領域166にTFT電極構造163のためのデータ配線168とスキャン配線169とがほとんど配置されておらず、画素電極161の光反射特性と画素電極161間の領域166の光反射特性との違いが顕著であったためであると考えられる。すなわち、当該光反射特性の顕著な違いにより、一方の基板11の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、画素電極161の周期的なパターンの視認性が高かったためであると考えられる。   And when the display quality was evaluated about the said display panel, the nonuniformity by a moire phenomenon generate | occur | produced. This is because the data wiring 168 and the scanning wiring 169 for the TFT electrode structure 163 are almost arranged in the region 166 between the pixel electrodes 161 when viewed from the one substrate 11 side toward the other substrate 16 side. This is probably because the difference between the light reflection characteristics of the pixel electrodes 161 and the light reflection characteristics of the region 166 between the pixel electrodes 161 was significant. That is, it is considered that the visibility of the periodic pattern of the pixel electrode 161 was high when viewed from the one substrate 11 side toward the other substrate 16 side due to the remarkable difference in the light reflection characteristics. It is done.

<実施例2>
前記実施例1に対して、データ配線168及びスキャン配線169を、他方の基板16の側から一方の基板11が配置される側に向かって、Ti層/Al層の二層を当該順序で有するように形成し、その他は同じ工程で、表示パネルを作製した。
<Example 2>
Compared to the first embodiment, the data wiring 168 and the scan wiring 169 have two layers of Ti layer / Al layer in this order from the side of the other substrate 16 toward the side where the one substrate 11 is arranged. A display panel was manufactured in the same process except for the above.

以上のようにして得られた表示パネルの画素電極161が形成されている領域の平均反射率と、画素電極161間の領域166において配線が配置されている部分の平均反射率と、当該2つの領域の平均反射率の差と、を測定したところ、画素電極161が形成されている領域の平均反射率は約60%であり、画素電極161間の領域166において配線が配置されていない部分の平均反射率は約70%であり、当該2つの領域の平均反射率の差は10%以内であった。すなわち、当該2つの領域の光反射特性は、略同一であった。   The average reflectance of the region where the pixel electrode 161 of the display panel obtained as described above is formed, the average reflectance of the portion where the wiring is arranged in the region 166 between the pixel electrodes 161, and the two When the difference in the average reflectance of the region was measured, the average reflectance of the region where the pixel electrode 161 was formed was about 60%, and in the region 166 between the pixel electrodes 161, the portion where no wiring was arranged The average reflectance was about 70%, and the difference in average reflectance between the two regions was within 10%. That is, the light reflection characteristics of the two regions are substantially the same.

そして、当該表示パネルについて表示品質を評価したところ、モアレ現象によるムラが僅かに発生したものの、当該ムラの視認性は実用上問題のない程度に低かった。これは、電極構造163のためのデータ配線168及びスキャン配線169の一方の基板11側の材料が、画素電極161の一方の基板11側の材料と異なっていたものの、一方の基板11の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、当該配線168ないし169によって、画素電極161の光反射特性と、画素電極161間の領域166の光反射特性と、の差が低減されたためであると考えられる。すなわち、当該光反射特性の差が低減されたことにより、一方の基板11の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、画素電極のパターンの視認性が低減されたためであると考えられる。   Then, when the display quality of the display panel was evaluated, the unevenness due to the moire phenomenon slightly occurred, but the visibility of the unevenness was low enough to cause no practical problem. This is because the material on the one substrate 11 side of the data wiring 168 and the scan wiring 169 for the electrode structure 163 is different from the material on the one substrate 11 side of the pixel electrode 161, but from the one substrate 11 side. This is because the wirings 168 to 169 reduce the difference between the light reflection characteristics of the pixel electrodes 161 and the light reflection characteristics of the region 166 between the pixel electrodes 161 when viewed in the direction toward the other substrate 16. it is conceivable that. That is, it is considered that the visibility of the pattern of the pixel electrode is reduced when viewed from the one substrate 11 side toward the other substrate 16 side by reducing the difference in the light reflection characteristics. It is done.

<実施例3>
前記実施例1に対して、電極構造163のためのデータ配線168及びスキャン配線169を、画素電極161と、データ配線168ないしスキャン配線169と、の間に0.1〜3μmの隙間が形成されるように配置し、その他は同じ工程で、表示パネルを作製した。
<Example 3>
Compared to the first embodiment, the data wiring 168 and the scanning wiring 169 for the electrode structure 163 are formed with a gap of 0.1 to 3 μm between the pixel electrode 161 and the data wiring 168 or the scanning wiring 169. A display panel was manufactured in the same process except for the above.

以上のようにして得られた表示パネルの画素電極161が形成されている領域の平均反射率と、画素電極161間の領域166において配線が配置されている部分の平均反射率と、当該2つの領域の平均反射率の差と、を測定したところ、画素電極161が形成されている領域の平均反射率は約60%であり、画素電極161間の領域166において配線が配置されていない部分の平均反射率は約40%〜50%であり、当該2つの領域の平均反射率の差は10%以内であった。すなわち、当該2つの領域の光反射特性は、略同一であった。   The average reflectance of the region where the pixel electrode 161 of the display panel obtained as described above is formed, the average reflectance of the portion where the wiring is arranged in the region 166 between the pixel electrodes 161, and the two When the difference in the average reflectance of the region was measured, the average reflectance of the region where the pixel electrode 161 was formed was about 60%, and in the region 166 between the pixel electrodes 161, the portion where no wiring was arranged The average reflectance was about 40% to 50%, and the difference in average reflectance between the two regions was within 10%. That is, the light reflection characteristics of the two regions are substantially the same.

そして、当該表示パネルについて表示品質を評価したところ、モアレ現象によるムラが僅かに発生したものの、当該ムラの視認性は実用上問題のない程度に低かった。これは、一方の基板11の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、画素電極161間の領域166に配置されたデータ配線168ないしスキャン配線169によって、画素電極161の光反射特性と、画素電極161間の領域166の光反射特性と、の差が低減されたためであると考えられる。すなわち、当該光反射特性の差が低減されたことにより、一方の基板11の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、画素電極のパターンの視認性が低減されたためであると考えられる。   Then, when the display quality of the display panel was evaluated, the unevenness due to the moire phenomenon slightly occurred, but the visibility of the unevenness was low enough to cause no practical problem. This is because the data wiring 168 or the scanning wiring 169 disposed in the region 166 between the pixel electrodes 161 is viewed in the direction from the one substrate 11 side toward the other substrate 16 side. This is because the difference between the light reflection characteristics of the region 166 between the pixel electrodes 161 is reduced. That is, it is considered that the visibility of the pattern of the pixel electrode is reduced when viewed from the one substrate 11 side toward the other substrate 16 side by reducing the difference in the light reflection characteristics. It is done.

<実施例4>
前記実施例1に対して、隔壁12を図4(c)に示すような非周期的なパターンで形成し、その他は同じ工程で、表示パネルを作製した。
<Example 4>
A partition panel 12 was formed in a non-periodic pattern as shown in FIG.

以上のようにして得られた表示パネルについて表示品質を評価したが、モアレ現象によるムラはなく、実施例1におけるよりもさらに一様な表示であった。これは、一方の基板11の側から他方の基板16の側に向かう方向に見て、画素電極161間の領域166に配置されたデータ配線168ないしスキャン配線169によって、画素電極のパターンの視認性が低減されたことに加えて、隔壁12が非周期的なパターンで形成されていることにより、隔壁12が形成する光透過率の高い高透過率部分のパターンも非周期的なパターンとなったためであると考えられる。   The display quality of the display panel obtained as described above was evaluated, but there was no unevenness due to the moire phenomenon, and the display was more uniform than in Example 1. This is because, when viewed in the direction from the one substrate 11 side toward the other substrate 16 side, the visibility of the pattern of the pixel electrode is determined by the data wiring 168 or the scanning wiring 169 arranged in the region 166 between the pixel electrodes 161. In addition to the reduction, the partition wall 12 is formed in an aperiodic pattern, so that the pattern of the high transmittance portion formed by the partition wall 12 having a high light transmittance is also an aperiodic pattern. It is thought that.

11 一方の基板
12 隔壁
13 インキ(表示媒体)
14 導電性ペースト
16 他方の基板
161 画素電極
163 電極構造
164a 絶縁膜
164b 絶縁膜
166 画素電極間の領域
20 転写シート
21 PETフィルム
22 接着層
221 ヒートシール剤
31 ディスペンサ
32 アプリケータ
33a スキージ
33b スキージ
34 ロールワイパ
51 断裁装置
91 ラミネータ
92 ホットプレート
93 金属片
11 One substrate 12 Partition 13 Ink (display medium)
14 conductive paste 16 other substrate 161 pixel electrode 163 electrode structure 164a insulating film 164b insulating film 166 region between pixel electrodes 20 transfer sheet 21 PET film 22 adhesive layer 221 heat sealant 31 dispenser 32 applicator 33a squeegee 33b squeegee 34 roll wiper 51 Cutting device 91 Laminator 92 Hot plate 93 Metal piece

Claims (4)

各々電極が形成されている対向する2枚の基板間に少なくとも1種以上の電気応答性材料を含む表示媒体が封入されていて、前記2枚の基板間に所定の電界が与えられる際に前記表示媒体が所望の表示をする、反射型表示装置であって、
一方の基板が透光性を有しており、
前記一方の基板と他方の基板との間に、少なくとも表示領域を覆う共通の透光性電極と、複数のセルを区画する隔壁と、周期的なパターンで配列された複数の画素電極と、当該複数の画素電極に対応する複数の電極構造とが、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て当該順序で設けられており、
前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て画素電極間の領域には、前記電極構造に対する配線の少なくとも一部が配置されており、
前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て、前記画素電極の光反射特性と、前記画素電極間の領域に配置された前記配線の光反射特性とは、略同じである
ことを特徴とする反射型表示装置。
When a display medium including at least one kind of electrically responsive material is sealed between two opposing substrates on which electrodes are formed, and when a predetermined electric field is applied between the two substrates, A reflective display device in which a display medium displays a desired display,
One substrate has translucency,
A common translucent electrode that covers at least a display region, a partition wall that partitions a plurality of cells, a plurality of pixel electrodes arranged in a periodic pattern, between the one substrate and the other substrate; A plurality of electrode structures corresponding to a plurality of pixel electrodes are provided in this order when viewed from the one substrate side toward the other substrate side,
In the region between the pixel electrodes as viewed in the direction from the one substrate side toward the other substrate side, at least a part of the wiring for the electrode structure is disposed,
When viewed in the direction from the one substrate side to the other substrate side, the light reflection characteristics of the pixel electrodes and the light reflection characteristics of the wirings arranged in the region between the pixel electrodes are substantially the same. A reflective display device characterized by the above.
前記画素電極と前記画素電極間の領域に配置された前記配線とは、同じ材料で形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の反射型表示装置。
The reflective display device according to claim 1, wherein the pixel electrode and the wiring arranged in a region between the pixel electrodes are formed of the same material.
前記電極構造は、TFT電極構造であり、
前記画素電極間の領域に配置された前記配線は、ソース・ドレイン電極に電気的に接続されたデータ配線、及び/または、ゲート電極に電気的に接続されたスキャン配線である
ことを特徴とする請求項1または2に記載の反射型表示装置。
The electrode structure is a TFT electrode structure,
The wiring arranged in the region between the pixel electrodes may be a data wiring electrically connected to the source / drain electrode and / or a scanning wiring electrically connected to the gate electrode. The reflective display device according to claim 1.
前記隔壁は、非周期的なパターンで形成されている
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の反射型表示装置。
4. The reflective display device according to claim 1, wherein the partition wall is formed in an aperiodic pattern.
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