JP2014511033A - ミラーの表面形態を補正する方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
・ミラーの表面形態を補正するための層厚変動を有する補正層を施すステップと、
・第1層群を補正層に施すステップであり、第1層群は、上下に交互配置した複数の第1層及び第2層を含み、作動波長を有する放射線に対する第1層の屈折率は、作動波長を有する放射線の第2層の屈折率よりも大きいステップと
を含み、ミラーの表面形態を補正するための層厚変動を有する補正層を施すステップは、以下のステップ:
・反応ガスを含む雰囲気にミラーを導入するステップと、
・場所依存性層厚変動を有する補正層がミラーの照射面上で成長するように、場所依存性放射エネルギー密度を有する補正放射線をミラーに施すステップと
により行われる。
a.投影光学ユニットの波面収差を求めるステップと、
b.投影光学ユニットの波面収差から少なくとも1つのミラーの補正表面形態を計算するステップと、
c.上述の方法に従って少なくとも1つのミラーの表面形態を補正するステップと
を含む、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影光学ユニットの結像特性を補正する方法に関する。かかる結像特性を補正する方法は、表面形態を補正する方法に関してすでに上述した利点を有する。
の一定の放射電力密度であるとすると、1時間につき厚さ1nmの炭素層が成長する。この線形関係が生じるのは、光電子の数が補正放射線からの光子の数に線形に関連し、成長する炭素原子の数がさらに光電子の数に線形に関係するからである。成長速度と放射電力密度との間の線形関係は、放射電力密度I0が
となるまで成り立つ。より高い放射電力密度では、分圧が理由でさらに他の炭化水素分子がプロセスに利用可能でないので、成長速度はさらに上昇しない。したがって、この飽和が開始する放射電力密度I0は、炭化水素の分圧に関連する。
Sn+水素ラジカル→SnxHy(ガス状)
SnxHy(ガス状)+Ru→RuxSny+H2
Claims (17)
- 5nm〜30nmの範囲の作動波長を有する放射線を反射するミラー(1、201、301、401)の表面形態を補正する方法であって、前記ミラーは基板(3、203)を備える方法において、少なくとも以下のステップ:
・前記ミラー(1、201、301、401)の表面形態を補正するための層厚変動(21)を有する補正層(13、213)を施すステップと、
・第1層群(19、219)を前記補正層(13、213)に施すステップであり、前記第1層群(19、219)は、上下に交互配置した複数の第1層(9、209)及び第2層(11、211)を含み、前記作動波長を有する放射線に対する前記第1層(9、209)の屈折率は、前記作動波長を有する放射線の前記第2層(11、211)の屈折率よりも大きいステップと
を含み、前記ミラー(1、201、301、401)の表面形態を補正するために前記層厚変動(21)を有する前記補正層(13、213)を施すステップを、以下のステップ:
・反応ガス(15、215)を含む雰囲気に前記ミラー(1、201、301、401)を導入するステップと、
・場所依存性層厚変動(21)を有する補正層(13、213)が前記ミラー(1、201、301、401)の照射面上で成長するように、場所依存性放射エネルギー密度を有する補正放射線(17、217、317)を前記ミラー(1、201、301、401)に施すステップと
により行う方法。 - 請求項1に記載の方法において、
前記ミラーは、前記補正層(13、213)を施す前に、5nm〜30nmの範囲の作動波長を有する放射線を反射する反射コーティングを備え、該反射コーティングは、第2層群(5、205)を含み、該第2層群(5、205)は、上下に交互配置した複数の第1層(9、209)及び第2層(11、211)を含み、
前記作動波長を有する放射線に対する前記第1層(9、209)の屈折率は、前記作動波長を有する放射線に対する前記第2層(11、211)の屈折率よりも大きいことを特徴とする方法。 - 請求項1又は2に記載の方法において、
前記補正放射線(17、217、317)は、前記反応ガス(15、215)の成分又は化学反応生成物の堆積が生じるように前記反応ガス(15、215)の雰囲気と反応して、前記補正層(13、213)が堆積により成長するようにすることを特徴とする方法。 - 請求項3に記載の方法において、
前記ミラー(1、201、301、401)の一箇所での前記補正放射線(17、217、317)の放射エネルギー密度が高いほど、前記ミラー(1、201、301、401)のこの箇所での堆積が多いことを特徴とする方法。 - 請求項3又は4に記載の方法において、
前記補正放射線(17、217、317)は、電磁放射線、イオン放射線、電子放射線、又は化学ラジカルの放射線を含むことを特徴とする方法。 - 請求項3〜5のいずれか1項に記載の方法において、
前記成分又は前記化学反応生成物は、以下の群:炭素、ケイ素、硫黄、リン、フッ素、又はこれら元素ベースの有機化合物、及び無機金属化合物に由来することを特徴とする方法。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法において、
前記補正放射線(17、217、317)は、250nm未満の波長を有する電磁放射線であり、照射ミラー面(18、218)から光電子が放出されて前記反応ガス(15、215)の吸着分子の解離をもたらして、前記補正層(13、213)が前記反応ガス(15、215)の解離生成物の1つの堆積により成長するようにすることを特徴とする方法。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法において、
前記補正放射線(17、217、317)は、前記反応ガス(15、215)中の水素化金属化合物の富化をもたらす水素ラジカルを含むことで、金属堆積が起こり、その結果としてこの金属を含む補正層(13、213)が成長することを特徴とする方法。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法において、
前記補正放射線(17、217、317)を前記ミラー(1、201、301、401)に施す前に、前記補正層(13、213)の成長速度を制御するために補助層(225)を前記ミラーに施すことを特徴とする方法。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法により製造したミラー。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の投影光学ユニット(431)のミラー(1、201、301、401)の表面形態を補正する方法を含む、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影光学ユニット(431)の結像特性を補正する方法。
- マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影光学ユニット(431)の結像特性を補正する方法であって、以下のステップ:
a.前記投影光学ユニット(431)の波面収差を求めるステップと、
b.前記投影光学ユニット(431)の波面収差から少なくとも1つのミラー(1、201、301、401)の補正表面形態を計算するステップと、
c.請求項1〜9のいずれか1項に従って前記少なくとも1つのミラー(1、201、301、401)の表面形態を補正するステップと
を含む方法。 - 5nm〜30nmの範囲の作動波長を有する放射線を反射する、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置で用いる、基板(3、203)及び反射コーティングを備えたミラー(1、201、301、401)であって、
前記反射コーティングは、第1層群(19、219)及び第2層群(5、205)を含み、
該第2層群(5、205)を前記基板と前記第1層群(19、219)との間に配置し、
該第1層群(19、219)及び前記第2層群(5、205)はそれぞれ、上下に交互配置した複数の第1層(9、209)及び第2層(11、211)を含み、前記作動波長を有する放射線に対する前記第1層(9、209)の屈折率は、前記作動波長を有する放射線に対する前記第2層(11、211)の屈折率よりも大きく、
前記ミラー(1、201、301、401)の表面形態を補正するための層厚変動(21)を有する補正層(13、213)を、前記第2群(5、205)と前記第1群(19、219)との間に配置し、前記補正層(13、213)は、以下の成分:炭素、硫黄、リン、フッ素、又はこれら元素ベースの有機化合物、及び無機金属化合物の少なくとも1つを含有するミラー。 - 請求項13に記載のミラーにおいて、
前記第1群(19、219)は、21個よりも多い層数を含むことを特徴とするミラー。 - 請求項13又は14に記載のミラーにおいて、
前記第2層群(5、205)及び前記第1層群(19、219)を同じ作動波長を反射するよう具現したことを特徴とするミラー。 - 請求項13〜15のいずれか1項に記載のミラー(1、201、301、401)を備えたマイクロリソグラフィ露光装置用の投影レンズ(401)。
- 請求項16に記載の投影レンズを備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置。
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