JP2014220275A - Photocoupler - Google Patents
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- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
Abstract
Description
本発明は、同一パッケージ内に発光素子と受光素子とが対向するように配置されたフォトカプラに関する。 The present invention relates to a photocoupler arranged in a single package so that a light emitting element and a light receiving element face each other.
一般的なフォトカプラは、2つのリードフレームが対向して間隔をおいて配され、入力側のリードフレームに発光素子(例えば、発光ダイオード)がマウント及びボンディングされ、出力側のリードフレームに受光素子(例えば、受光IC(Integrated Circuit))がマウント及びボンディングされ、発光素子と受光素子とが対向して間隔をおいて配された構成となっている。このようなフォトカプラでは、発光素子がシリコン樹脂等からなるポッティング樹脂で覆われ、発光素子を含むポッティング樹脂と受光素子とが光透過性の内部モールド樹脂で一体的に封止され、内部モールド樹脂の周囲が光不透過性の外部モールド樹脂で封止された構造になっている。 In general photocouplers, two lead frames are arranged to face each other with a space therebetween, a light emitting element (for example, a light emitting diode) is mounted and bonded to an input side lead frame, and a light receiving element is provided to an output side lead frame. (For example, a light receiving IC (Integrated Circuit)) is mounted and bonded, and the light emitting element and the light receiving element are arranged to face each other with a gap therebetween. In such a photocoupler, the light-emitting element is covered with a potting resin made of silicon resin or the like, and the potting resin including the light-emitting element and the light-receiving element are integrally sealed with a light-transmitting internal mold resin. The periphery is sealed with a light-impermeable external mold resin.
このようなフォトカプラとして、例えば、特許文献1では、23℃における1次モールド樹脂層(内部モールド樹脂)の熱膨張率をαAとし、二次モールド樹脂層(外部モールド樹脂)の熱膨張率をαBとしたとき、1.0<αA/αB≦1.3を満たし、二次モールド樹脂層(外部モールド樹脂)は、高化式フローテスターを用いて測定される175℃における溶融粘度が15Pa.s以下の樹脂組成物を硬化させてなる光結合型半導体素子(フォトカプラ)が開示されている。これにより、二次モールド樹脂層(外部モールド樹脂)に加わる内部応力を低減でき、クラックの発生を抑えることができる。また、リードフレームと二次モールド樹脂層(外部モールド樹脂)のはがれが生じにくい方向の力が働く。特許文献1に記載の光結合型半導体素子では、各モールド樹脂層(内部モールド樹脂、外部モールド樹脂)の形成は、180℃前後で行われるので、室温まで冷却されたときには、各モールド樹脂層(内部モールド樹脂、外部モールド樹脂)の線膨張係数の違いによる歪がパッケージ内に生じる。二次モールド樹脂層(外部モールド樹脂)の線膨張係数が一次モールド樹脂層(内部モールド樹脂)より小さい場合、一次モールド樹脂層(内部モールド樹脂)がより縮み、二次モールド樹脂層(外部モールド樹脂)がリードフレームを強く挟む方向に力が働く。これにより、二次モールド樹脂層(外部モールド樹脂)とリードフレームの密着性が高まり、樹脂を酸化する外部からの空気や水分の浸入が抑えられるので、光結合型半導体素子(フォトカプラ)の信頼性を向上させることができるとされている。
As such a photocoupler, for example, in
以下の分析は、本願発明者により与えられる。 The following analysis is given by the inventor.
しかしながら、特許文献1に記載の光結合型半導体素子では、二次モールド樹脂層(外部モールド樹脂)とリードフレームの界面の密着性を高めるために、一次モールド樹脂層(内部モールド樹脂)と二次モールド樹脂層(外部モールド樹脂)の線膨張係数を定めるだけでは、不十分である。つまり、二次モールド樹脂層(外部モールド樹脂)とリードフレームとの線膨張係数が大きく異なった場合、樹脂成形直後からの冷却過程で、線膨張係数差から生じる内部応力で、二次モールド樹脂層(外部モールド樹脂)とリードフレームとの界面で剥がれが生じ、空気が通り抜けるのに十分なだけの隙間が生じてしまう。
However, in the optically coupled semiconductor element described in
また、特許文献1に記載されたタイプの光結合型半導体素子では、光結合型半導体素子(フォトカプラ)の信頼性を高めるためには、さらにもう一つの対策が必要である。125℃を越える温度での動作試験では、モールド樹脂層(内部モールド樹脂、外部モールド樹脂)の酸化が、素子の特性の劣化を引き起こす。この酸化は、封入時に樹脂コーティング膜(ポッティング樹脂)と一次モールド樹脂層(内部モールド樹脂)との界面に生じる隙間に溜まる空気によってももたらされる。したがって、樹脂コーティング膜(ポッティング樹脂)と一次モールド樹脂層(内部モールド樹脂)との密着性を高め、剥がれが生じないようにしておかなければ、高温試験で生じる特性劣化を抑えることはできない。なお、特許文献1では、樹脂コーティング膜(ポッティング樹脂)と一次モールド樹脂層(内部モールド樹脂)との密着性に関する事項が見当たらない。
In addition, in the optically coupled semiconductor element of the type described in
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 Other problems and novel features will become apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.
一視点においては、フォトカプラにおいて、入力側リードフレームと、前記入力側リードフレームに対して対向して間隔をおいて配された出力側リードフレームと、前記入力側リードフレームにおける前記出力側リードフレーム側の面にマウントされた発光素子と、前記出力側リードフレームにおける前記入力側リードフレーム側の面にて前記発光素子に光学的に対向する位置にマウントされた受光素子と、前記発光素子を覆うポッティング樹脂と、前記発光素子を含む前記ポッティング樹脂、前記受光素子、前記入力側リードフレームの一部、及び、前記出力側リードフレームの一部を一体的に封止する透光性モールド樹脂と、前記透光性モールド樹脂、前記入力側リードフレームの他の一部、及び、前記出力側リードフレームの他の一部を覆う遮光性モールド樹脂と、を備え、前記ポッティング樹脂は、アスカーC硬度15以上28以下、又は、ショアA硬度5以上15以下であることを特徴とする。 In one aspect, in the photocoupler, an input-side lead frame, an output-side lead frame that is disposed opposite to the input-side lead frame, and the output-side lead frame in the input-side lead frame A light-emitting element mounted on the side surface, a light-receiving element mounted on a surface of the output-side lead frame on the input-side lead frame side at a position optically opposed to the light-emitting element, and covering the light-emitting element A potting resin, the potting resin including the light emitting element, the light receiving element, a part of the input side lead frame, and a translucent mold resin that integrally seals a part of the output side lead frame; The translucent mold resin, the other part of the input side lead frame, and the other part of the output side lead frame Comprising a light-shielding molded resin covering, wherein the potting resin is Asker C hardness of 15 or more 28 or less, or, and characterized in that the Shore A hardness of 5 to 15.
一視点によれば、高温保管または高温動作においても、特性劣化のない高い信頼性を有するフォトカプラを提供することができる。 According to one aspect, it is possible to provide a photocoupler having high reliability without deterioration of characteristics even during high-temperature storage or high-temperature operation.
[実施形態1]
実施形態1に係るフォトカプラについて図面を用いて説明する。図1は、一実施形態に係るフォトカプラの構成を模式的に示した断面図である。
[Embodiment 1]
The photocoupler according to
フォトカプラ1は、入力された電気信号を発光素子4で光11に変換し、その光11を受光素子5で電気信号に変換して当該電気信号を出力する素子(電子部品)である。フォトカプラ1は、内部(遮光性モールド樹脂8の内側)に発光素子4と受光素子5が収められ、外部からの光を遮断する遮光性モールド樹脂8に封じ込められた構造になっている。フォトカプラ1は、内部において2つのリードフレーム2、3の各マウント部2a、3aが互いに対向して間隔をおいて配され、入力側リードフレーム2のマウント部2aに発光素子4がマウント及びボンディングされ、出力側リードフレーム3のマウント部3aに受光素子5がマウント及びボンディングされ、発光素子4と受光素子5とが対向して間隔をおいて配された構成となっている。フォトカプラ1は、入力側リードフレーム2と、出力側リードフレーム3と、発光素子4と、受光素子5と、ポッティング樹脂6と、透光性モールド樹脂7と、遮光性モールド樹脂8と、ボンディングワイヤ9と、ボンディングワイヤ10と、を有する。
The
入力側リードフレーム2は、電気信号が入力されるリードフレームである。入力側リードフレーム2は、導体よりなり、例えば、銅、銅系合金、鉄系合金(例えば、42アロイ)等を用いることができる。入力側リードフレーム2は、マウント部2aと、リード部2bと、を有する。マウント部2aには、出力側リードフレーム3のマウント部3a側の面にて、発光素子4がマウント(搭載、接着、表面実装)されており、発光素子4を覆うようにしてポッティング樹脂6が配されている。マウント部2aは、発光素子4のカソードと電気的に接続されている。リード部2bは、マウント部2aから遮光性モールド樹脂8の外部に引き出されたリード端子である。リード部2bは、マウント部2aを介して発光素子4のカソードと電気的に接続されている。なお、図示されていないが、入力側リードフレーム2は、マウント部2aと接続されていない外部に引き出されたリード部を有し、当該リード部にて発光素子4のアノードとボンディングワイヤ9を介して電気的に接続されている。入力側リードフレーム2は、マウント部2a、及び、リード部2bの一部(内部)、並びに、マウント部2aと接続されていないリード部(図示せず)の一部(内部)が透光性モールド樹脂7によって覆われており、透光性モールド樹脂7の外側にて、リード部2bの一部(中間部)、及び、マウント部2aと接続されていないリード部(図示せず)の一部(中間部)が遮光性モールド樹脂8によって覆われており、遮光性モールド樹脂8の外側にて、リード部2bの一部(外部)、及び、マウント部2aと接続されていないリード部(図示せず)の一部(外部)が露出している。以上のような構成により、入力側リードフレーム2は、リード部2bと、マウント部2aと接続されていないリード部(図示せず)との間に電流を流すことで、発光素子4に電流を流すことができる。
The input
出力側リードフレーム3は、電気信号が出力されるリードフレームである。出力側リードフレーム3は、導体よりなり、例えば、銅、銅系合金、鉄系合金(例えば、42アロイ)等を用いることができる。出力側リードフレーム3は、マウント部3aと、リード部3bと、を有する。マウント部3aには、入力側リードフレーム2のマウント部2a側の面にて、受光素子5がマウント(搭載、接着、表面実装)されている。マウント部3aは、ボンディングワイヤ10を介して受光素子5のエミッタと電気的に接続されている。リード部3bは、マウント部3aから遮光性モールド樹脂8の外部に引き出されたリード端子である。リード部3bは、マウント部3a及びボンディングワイヤ10を介して受光素子5のエミッタと電気的に接続されている。なお、図示されていないが、出力側リードフレーム3は、マウント部3aと接続されていない外部に引き出されたリード部を有し、当該リード部にて受光素子5のコレクタとボンディングワイヤ(図示せず;ボンディングワイヤ10とは別のもの)を介して電気的に接続されている。出力側リードフレーム3は、マウント部3a、及び、リード部3bの一部(内部)、並びに、マウント部3aと接続されていないリード部(図示せず)の一部(内部)が透光性モールド樹脂7によって覆われており、透光性モールド樹脂7の外側にて、リード部3bの一部(中間部)、及び、マウント部3aと接続されていないリード部(図示せず)の一部(中間部)が遮光性モールド樹脂8によって覆われており、遮光性モールド樹脂8の外側にて、リード部3bの一部(外部)、及び、マウント部3aと接続されていないリード部(図示せず)の一部(外部)が露出している。以上のような構成により、出力側リードフレーム3は、リード部3bと、マウント部3aと接続されていないリード部(図示せず)とから、受光素子5からの出力電圧を取り出すことができる。
The output
発光素子4は、入力された電気信号を光に変換する素子である。発光素子4には、例えば、発光ダイオードを用いることができる。発光素子4は、受光素子5と光学的に対向する位置に配される。発光素子4は、入力側リードフレーム2のマウント部2aにおける出力側リードフレーム3のマウント部3a側の面にマウント(搭載、接着、表面実装)されており、ポッティング樹脂6を介して透光性モールド樹脂7によって覆われている。発光素子4は、カソードが入力側リードフレーム2のマウント部2a及びリード部2bと電気的に接続されており、アノードがボンディングワイヤ9を介して、マウント部2aと接続されていないリード部(図示せず)に電気的に接続されている。
The
受光素子5は、入力された光を電気信号に変換する素子である。受光素子5には、例えば、フォトトランジスタ、SiフォトダイオードとICを集積した素子を用いることができる。受光素子5は、発光素子4と光学的に対向する位置に配される。受光素子5は、出力側リードフレーム3のマウント部3aにおける入力側リードフレーム2のマウント部2a側の面にマウント(搭載、接着、表面実装)されており、透光性モールド樹脂7によって覆われている。受光素子5は、エミッタがボンディングワイヤ10を介して出力側リードフレーム3のマウント部3a及びリード部3bに電気的に接続されており、コレクタがボンディングワイヤ(図示せず)を介して、マウント部3aと接続されていないリード部(図示せず)に電気的に接続されている。受光素子5は、受光素子5への入力光のある一定値を境に、出力電圧のON(H)とOFF(L)が切り替わるようになっている。この受光素子5での切り替わりが生じるときに発光素子4に流れている電流値がIFHL(LED順電流)である。
The
ポッティング樹脂6は、入力側リードフレーム2のマウント部2a上にマウントされた発光素子4を覆う透明な樹脂である。ポッティング樹脂6には、例えば、透明シリコン樹脂を用いることができる。
The
透光性モールド樹脂7は、入力側リードフレーム2のマウント部2a、リード部2bの一部(内部)、ポッティング樹脂6、ボンディングワイヤ9、出力側リードフレーム3のマウント部3a、リード部3bの一部(内部)、受光素子5、ボンディングワイヤ10を覆う透光性の樹脂である。透光性モールド樹脂7は、モールド(鋳型)成形されている。透光性モールド樹脂7には、例えば、透光性白色エポキシ樹脂を用いることができる。
The translucent mold resin 7 includes the
遮光性モールド樹脂8は、入力側リードフレーム2のリード部2bの一部(中間部)、出力側リードフレーム3のリード部3bの一部(中間部)、透光性モールド樹脂7を覆う遮光性の樹脂である。遮光性モールド樹脂8は、モールド(鋳型)成形されている。遮光性モールド樹脂8には、例えば、黒色エポキシ樹脂を用いることができる。
The light shielding
ボンディングワイヤ9は、発光素子4のアノードと入力側リードフレーム2のリード部(図示せず;マウント部2aと接続されていないリード部)とを電気的に接続するワイヤである。ボンディングワイヤ9は、発光素子4の近傍の部分でポッティング樹脂6に覆われており、その他の部分で透光性モールド樹脂7に覆われている。ボンディングワイヤ9には、例えば、金、銀、アルミニウム、銅等よりなるワイヤを用いることができる(ボンディングワイヤ10についても同様)。
The
ボンディングワイヤ10は、受光素子5のエミッタと出力側リードフレーム3のマウント部3a及びリード部3bとを電気的に接続するワイヤである。ボンディングワイヤ9は、透光性モールド樹脂7に覆われている。
The
ポッティング樹脂6の硬度は、アスカーC硬度15以上28以下が好ましく、より好ましくは21以上28以下である。または、ポッティング樹脂6の硬度は、ショアA硬度5以上15以下が好ましく、より好ましくは8以上15以下である。アスカーC硬度15未満(又はショアA硬度5未満)であると、ポッティング樹脂6の樹脂流れが発生し、アスカーC硬度28超(又はショアA硬度15超)であると、透光性モールド樹脂7の酸化抑制効果がなくなる。なお、アスカーC硬度21以上(又はショアA硬度8以上)とすることで、ポッティング樹脂6の樹脂流れが100%発生しなくなる。
The hardness of the
透光性モールド樹脂7及び遮光性モールド樹脂8のうち少なくとも1種の25℃から170℃の間の平均線膨張係数と、リードフレーム2、3の線膨張係数との差が10ppm/℃以下であり、好ましくは7ppm/℃以下である。10ppm/℃以下とすることによって、モールド樹脂7、8とリードフレーム2、3との間に働く内部応力を大きく低減でき、かつ、剥がれを抑制できる。7ppm/℃以下とすれば、モールド樹脂7、8とリードフレーム2、3との間の剥がれを100%なくせる。
The difference between the average linear expansion coefficient between 25 ° C. and 170 ° C. of at least one of the translucent mold resin 7 and the light shielding
遮光性モールド樹脂8の25℃から170℃の間の平均線膨張係数は、透光性モールド樹脂7の25℃から170℃の間の平均線膨張係数より小さいことが好ましい。つまり、透光性モールド樹脂7と遮光性モールド樹脂8の25℃から175℃の間の平均線膨張係数は、内側の透光性モールド樹脂7の方が大きい方が好ましい。これは、内側の透光性モールド樹脂7の線膨張係数が外側の遮光性モールド樹脂8の線膨張係数よりも小さいと、遮光性モールド樹脂8を形成して室温へ冷却することで、外側の遮光性モールド樹脂8がリードフレーム2、3から浮く(離れる)方向への力がかかり、衝撃等によって外側の遮光性モールド樹脂8がリードフレーム2、3から剥がれやすくなるためである。
The average linear expansion coefficient between 25 ° C. and 170 ° C. of the light-shielding
ポッティング樹脂6の量は、1.7×10−4cm3以上3.5×10−4cm3以下であることが好ましい。ポッティング樹脂6の樹脂流れを起きにくくするためには、ポッティング樹脂6の量を少なくした方がよい。ポッティング樹脂6の量を3.5×10−4cm3以下とすると、1000個を試行したときの樹脂流れ発生数がゼロに抑えられた。また、標準的な発光素子4(例えば、サイズ:縦・横350μm、高さ250μm)を覆うのに必要なポッティング樹脂6の量は1.7×10−4cm3以上であった。
The amount of the
実施形態1によれば、125℃以上の高温保管または高温動作においても、特性劣化のない高い信頼性を有するフォトカプラを提供することができる。 According to the first embodiment, it is possible to provide a photocoupler having high reliability without deterioration in characteristics even at high temperature storage or operation at 125 ° C. or higher.
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
本発明の実施例に係るフォトカプラについて従来例及び比較例を用いて説明する。 A photocoupler according to an embodiment of the present invention will be described using a conventional example and a comparative example.
まず、高温保管または高温動作を経ることで、フォトカプラの特性が劣化するメカニズムについて、従来例のケースを用いて説明する。図2は、従来例に係るフォトカプラにおける透光性モールド樹脂の酸化が起きるメカニズムを模式的に示した図である。 First, the mechanism by which the characteristics of the photocoupler deteriorate due to high-temperature storage or high-temperature operation will be described using a case of a conventional example. FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a mechanism in which oxidation of a translucent mold resin in a photocoupler according to a conventional example occurs.
図2のフォトカプラ1は、発光素子4に電流を流し、その発光素子4からの光を受光素子5へ導いて、受光素子5でフォトカレントを生じさせ、光の強度に比例した電圧や電流を出力する。そのため、発光素子4からの光の伝達経路の途中での光の減衰が大きいほど、出力は低下する。また、フォトカプラ1は、一般に、パッケージにはエポキシ樹脂とフィラー剤を主成分とするモールド樹脂17、18が用いられており、内側の透光性モールド樹脂17と、外側の遮光性モールド樹脂18とを有する二重モールド構造となっている。
The
発光素子4からの光は、ポッティング樹脂16及び透光性モールド樹脂17中を伝搬して、受光素子5に達する。透光性モールド樹脂17を構成するエポキシ樹脂は、空気の存在下で高温時に酸化されやすく、酸化されると変色して可視域の波長帯の光を強く吸収するようになるという性質を持つ。したがって、フォトカプラ1のパッケージ内に空気の溜り得る隙間が存在すると、その部分で酸化が顕著に生じることになる。フォトカプラ1の出力特性劣化に強く影響するのは、図2の透光性モールド樹脂17とポッティング樹脂16との界面近傍の酸化である。発光素子4からの光は、ポッティング樹脂16と透光性モールド樹脂17との界面を横切って、受光素子4に到達するので、この界面部分の光吸収が大きいと、出力特性は低下する。図2には、酸化の原因となる空気の浸入経路も示した。主な浸入経路は、リードフレーム2、3と遮光性モールド樹脂18の界面にできる隙間である。ここから浸入する空気は、劣化をもたらす時間的スケールの観点から論じると、2通りに分類できる。
The light from the
一つ目は、内側の透光性モールド樹脂17の封入時にできる、ポッティング樹脂16と透光性モールド樹脂17との隙間に溜る空気である。この隙間に溜る空気は、透光性モールド樹脂17の形成時に高温から室温に冷却される過程で浸入する。ポッティング樹脂16と透光性モールド樹脂17との隙間に溜る空気は、製品完成前からパッケージ内に存在するため、フォトカプラ1を高温下に置くとすぐに、透光性モールド樹脂17(エポキシ樹脂)の急激な酸化をもたらす。
The first is air accumulated in the gap between the potting
二つ目は、製品完成後に長時間かけて徐々に浸入する空気である。製品完成後に浸入する空気は、最初はパッケージ内には存在しないが、製品完成後に継続的に供給されるため、長期にわたって比較的緩やかな透光性モールド樹脂17(エポキシ樹脂)の酸化を引き起こす。 The second is air that gradually infiltrates over a long time after product completion. The air that enters after the product is completed does not initially exist in the package, but is continuously supplied after the product is completed, and thus causes relatively mild oxidation of the translucent mold resin 17 (epoxy resin) over a long period of time.
したがって、これら2通りの空気の浸入を抑制することで、透光性モールド樹脂17(エポキシ樹脂)の酸化を大きく遅らせることができる。このための手法について、以下に説明する。 Therefore, the oxidation of the translucent mold resin 17 (epoxy resin) can be greatly delayed by suppressing the intrusion of these two types of air. A method for this will be described below.
まず、透光性モールド樹脂とポッティング樹脂との隙間の空気溜りを回避する手法として、透光性モールド樹脂とポッティング樹脂との密着性を高めることが考えられる。このことを確認するために、以下の3つの場合で効果を比較してみる。 First, as a technique for avoiding air accumulation in the gap between the translucent mold resin and the potting resin, it is conceivable to improve the adhesion between the translucent mold resin and the potting resin. In order to confirm this, the effects are compared in the following three cases.
(A1)ポッティング樹脂の硬度を小さく(従来例のポッティング樹脂の硬度よりも小さく)して、透光性モールド樹脂の表面の凹凸に追随して変形できるようにする(実施例1)。
(A2)ポッティング樹脂の表面を改質(従来例のポッティング樹脂の表面を改質)して、化学的に活性にし、モールド樹脂と化学結合させる(比較例1)。この表面改質は、透光性モールド樹脂を注入成形する前に、ポッティング樹脂表面をUV照射もしくはArプラズマ照射し、ポッティング樹脂表面を化学的に活性化することで実現できる。
(A3)上記2つの策のいずれも採用しない場合(従来例)。
(A1) The potting resin has a small hardness (smaller than the hardness of the conventional potting resin) so that it can be deformed following the irregularities on the surface of the translucent mold resin (Example 1).
(A2) The surface of the potting resin is modified (the surface of the conventional potting resin is modified) to be chemically activated and chemically bonded to the mold resin (Comparative Example 1). This surface modification can be realized by chemically activating the potting resin surface by irradiating the potting resin surface with UV irradiation or Ar plasma before injection molding the translucent mold resin.
(A3) When neither of the above two measures is adopted (conventional example).
ここで、実施例1、比較例1、従来例では、リードフレーム(図1の2、3に相当;銅)、発光素子(図1の4に相当;LED)、受光素子(図1の5に相当;フォトダイオード)、透光性モールド樹脂(図1の7に相当;透光性白色エポキシ樹脂)、及び、遮光性モールド樹脂(図1の8に相当;黒色エポキシ樹脂)については共通である。発光素子(図1の4に相当)は、サイズが縦・横350μmかつ高さ250μmのLED(Light Emitting Diode)チップである。LEDチップは、n型GaAs基板(厚さ約100μm)、n型Al0.5Ga0.5As(厚さ100μm)、p型Al0.15Ga0.85As(厚さ10μm)、p型Al0.5Ga0.5As(厚さ40μm)、p側とn側のそれぞれの電極、を含む構造からなる。実施例1のポッティング樹脂(図1の6に相当;透明シリコン樹脂)の硬度は、アスカーC硬度で26である。また、従来例及び比較例1のポッティング樹脂(図1の6に相当;透明シリコン樹脂)の硬度は、アスカーC硬度で35である。
Here, in Example 1, Comparative Example 1, and the conventional example, a lead frame (corresponding to 2 and 3 in FIG. 1; copper), a light emitting element (corresponding to 4 in FIG. 1; LED), a light receiving element (5 in FIG. 1). Photodiode), translucent mold resin (corresponding to 7 in FIG. 1; translucent white epoxy resin), and light-shielding mold resin (corresponding to 8 in FIG. 1; black epoxy resin). is there. The light emitting element (corresponding to 4 in FIG. 1) is an LED (Light Emitting Diode) chip whose size is 350 μm in length and width and 250 μm in height. The LED chip has an n-type GaAs substrate (thickness of about 100 μm), an n-type Al 0.5 Ga 0.5 As (
ここでの効果の比較は、IFHLの経時的な変化を調べることで行う。IFHLというのは、受光素子(フォトダイオード)の後段に付いているICのON(H)、OFF(L)を切り替えるために必要な、発光素子(LED)に流す電流値であり、受光素子への入力光の強度が一定のレベルに達するときの発光素子の電流値といってよい。したがって、IFHLが上昇するということは、発光素子の発光強度が低下しているか、光伝達経路での光損失が増大しているか、受光素子の感度が低下していることを意味する。ここでの検証に用いた、発光素子及び受光素子は、175℃以下の保管や150℃以下の通電では、10000時間以内に顕著な劣化をしないことを確認している。したがって、もし、IFHLが上昇したとすれば、その原因は、光伝達経路での光損失増大にあることになる。 The comparison of the effect here is performed by examining the temporal change of IFHL. IFHL is a current value that flows through the light emitting element (LED), which is necessary for switching ON (H) and OFF (L) of the IC attached to the rear stage of the light receiving element (photodiode). It can be said that the current value of the light emitting element when the intensity of the input light reaches a certain level. Therefore, an increase in IFHL means that the light emission intensity of the light emitting element is decreased, the light loss in the light transmission path is increased, or the sensitivity of the light receiving element is decreased. It has been confirmed that the light-emitting element and the light-receiving element used for the verification here do not significantly deteriorate within 10,000 hours when stored at 175 ° C. or lower or energized at 150 ° C. or lower. Therefore, if IFHL increases, the cause is an increase in optical loss in the optical transmission path.
フォトカプラを空気雰囲気の中、175℃で1000時間保管した場合の結果を図3〜図5に示す。図3〜図5は、フォトカプラのIFHLの経時的変化を示したものであり、図3は実施例1、図4は比較例1、図5は従来例の図である。(A1)のケース(実施例1)では、IFHLの上昇は小さく、ほとんど劣化がないものと考えられるが(図3参照)、(A2)のケース(比較例1)、(A3)のケース(従来例)ではIFHLの上昇が顕著にみられ、劣化していることがわかる(図4、図5参照)。 The results when the photocoupler is stored at 175 ° C. for 1000 hours in an air atmosphere are shown in FIGS. 3 to 5 show changes over time in the IFHL of the photocoupler, FIG. 3 shows Example 1, FIG. 4 shows Comparative Example 1, and FIG. 5 shows a conventional example. In the case of (A1) (Example 1), it is considered that the increase in IFHL is small and hardly deteriorated (see FIG. 3), but the case of (A2) (Comparative Example 1) and the case of (A3) ( In the conventional example, it can be seen that IFHL is significantly increased and deteriorated (see FIGS. 4 and 5).
また、上記試験終了後に、フォトカプラの断面を観察したものを図6〜図8に示す。図6は実施例1、図7は比較例1、図8は従来例の図である。(A2)のケース(比較例1)、(A3)のケース(従来例)では、透光性モールド樹脂27、17とポッティング樹脂26、16との界面、透光性モールド樹脂27、17と遮光性モールド樹脂28、18の界面等に強い変色(変色部27a、17a)がみられるのに対して(図7、図8参照)、(A1)のケース(実施例1)では、そのような変色は見られない(図6参照)。これらの結果は、次のように解釈できる。
Moreover, what observed the cross section of the photocoupler after completion | finish of the said test is shown in FIGS. 6 is a diagram of Example 1, FIG. 7 is a diagram of Comparative Example 1, and FIG. 8 is a diagram of a conventional example. In the case of (A2) (Comparative Example 1) and the case of (A3) (conventional example), the interface between the translucent mold resins 27 and 17 and the potting resins 26 and 16, the translucent mold resins 27 and 17 and the light shielding. In the case (Example 1) of (A1), strong discoloration (
(A1)のケース(実施例1)では、ポッティング樹脂6の硬度が低いために、ポッティング樹脂6が透光性モールド樹脂7の表面の凹凸に追随して変形し、分子間に働くファンデルワールス力により、わずかの隙間もなく密着している(図6参照)。
In the case of (A1) (Example 1), since the
(A2)のケース(比較例1)では、化学結合することによりポッティング樹脂26と透光性モールド樹脂27とが接触している部分の付着力は高まるが、ポッティング樹脂26の硬度が高いために、ポッティング樹脂26と透光性モールド樹脂27とが接触していない部分が残り、この部分に溜る空気が透光性モールド樹脂27の酸化をもたらす(図7参照)。
In the case of (A2) (Comparative Example 1), the adhesive force at the portion where the potting
(A3)のケース(従来例)では、ポッティング樹脂16と透光性モールド樹脂17とを強く付着させる力が働かないため、界面の広い領域にわたって隙間が生じ、その隙間に溜る空気が透光性モールド樹脂17の酸化をもたらす(図8参照)。
In the case of (A3) (conventional example), since the force for strongly adhering the potting
以上のように、ポッティング樹脂とモールド樹脂を実効的に密着させることができるのは、(A1)のケース(実施例1)のみであることがわかった。したがって、ポッティング樹脂の硬度はある値以下に抑える必要がある。ただし、ポッティング樹脂の硬度の値が小さすぎると、続く透光性モールド樹脂の注入成形時に、ポッティング樹脂が流れてしまう可能性がある。 As described above, it was found that only the case (Example 1) of (A1) can effectively make the potting resin and the mold resin in close contact with each other. Therefore, it is necessary to suppress the hardness of the potting resin to a certain value or less. However, if the hardness value of the potting resin is too small, the potting resin may flow during the subsequent injection molding of the translucent mold resin.
そこで、樹脂酸化と樹脂流れの面から、適切なポッティング樹脂の硬度範囲を調べたところ、図9及び図10に示すように、アスカーC硬度で21以上かつ28以下、又は、ショアA硬度で8以上かつ15以下であることがわかった。この範囲は、透光性モールド樹脂の注入速度を下げることでポッティング樹脂を流れにくくすることにより、それぞれ、アスカーC硬度で15以上かつ28以下、ショアA硬度で5以上かつ15以下に広げることができるので、使用する製造ラインの特徴に合わせて適宜選択すればよい。なお、ポッティング樹脂の硬度の上限を決めているのはモールド樹脂とポッティング樹脂の付着力であり、これはポッティング樹脂の硬度でほぼ一律に決まる。 Therefore, when the hardness range of an appropriate potting resin was examined from the aspects of resin oxidation and resin flow, as shown in FIGS. 9 and 10, Asker C hardness was 21 or more and 28 or less, or Shore A hardness was 8 It was found to be 15 or more. This range can be expanded to an Asker C hardness of 15 to 28 and a Shore A hardness of 5 to 15 by making the potting resin difficult to flow by reducing the injection rate of the translucent mold resin. Therefore, it may be selected as appropriate according to the characteristics of the production line to be used. Note that the upper limit of the hardness of the potting resin is determined by the adhesion between the mold resin and the potting resin, and this is almost uniformly determined by the hardness of the potting resin.
次に、製品完成後に長時間かけて徐々に浸入する空気を遮断する手法について説明する。 Next, a method for blocking air that gradually enters over a long time after the product is completed will be described.
遮光性モールド樹脂に使われている黒色エポキシ樹脂も空気を通すが、程度は小さい。フォトカプラの寿命に関係するほどの酸化をもたらす空気の浸入経路としては、リードフレームと遮光性モールド樹脂との間にできる隙間が支配的である。この隙間は、遮光性モールド樹脂の成形過程で温度が高温から室温に冷却されるときに、リードフレームと遮光性モールド樹脂との界面に剥がれが生じることによってできる。したがって、リードフレームと遮光性モールド樹脂との界面の隙間をなくためには、リードフレームと遮光性モールド樹脂との密着性を高めて、剥がれないようにすることが必要になる。一般に、異なる材料が接している界面での剥がれは、内部応力が付着力より大きくなった時に生じる。したがって、リードフレームと遮光性モールド樹脂との密着性を高めるには、下記2通りの手法のいずれか、または両方を行えば良い。 The black epoxy resin used for the light-shielding mold resin also allows air to pass, but the degree is small. A gap formed between the lead frame and the light-shielding mold resin is dominant as an air intrusion path that brings about oxidation that is related to the life of the photocoupler. This gap can be formed by peeling at the interface between the lead frame and the light-shielding mold resin when the temperature is cooled from high temperature to room temperature in the process of molding the light-shielding mold resin. Therefore, in order to eliminate the gap at the interface between the lead frame and the light-shielding mold resin, it is necessary to improve the adhesion between the lead frame and the light-shielding mold resin so as not to peel off. In general, peeling at an interface where different materials are in contact occurs when the internal stress becomes larger than the adhesive force. Therefore, in order to improve the adhesion between the lead frame and the light-shielding mold resin, one or both of the following two methods may be performed.
(B1)遮光性モールド樹脂を付着力の高いものにする。
(B2)リードフレームとモールド樹脂の界面近傍に働く内部応力を低く抑える。
(B1) The light-shielding mold resin has a high adhesive force.
(B2) The internal stress acting near the interface between the lead frame and the mold resin is kept low.
(B1)の手法を単独で採用した場合、リードフレームと遮光性モールド樹脂との界面での剥がれが抑えられたとしても、遮光性モールド樹脂の内部に大きな内部応力が残る。これは、フォトカプラの信頼性の観点からは好ましくない。フォトカプラの温度の上昇下降が繰り返された場合、遮光性モールド樹脂に割れが発生するリスクが高まるからである。 When the method (B1) is employed alone, a large internal stress remains inside the light-shielding mold resin even if peeling at the interface between the lead frame and the light-shielding mold resin is suppressed. This is not preferable from the viewpoint of the reliability of the photocoupler. This is because when the temperature of the photocoupler is repeatedly raised and lowered, the risk of cracking in the light-shielding mold resin increases.
以上の理由から、本発明では(B2)の手法を採用している。内部応力を抑えるためには、リードフレーム及び遮光性モールド樹脂の線膨張係数を広い温度領域にわたって近い値になるようにしてやればよい。遮光性モールド樹脂の鋳型への注入温度は180℃以上であり、この温度で遮光性モールド樹脂が流体から徐々に固体へと変化するので、この温度の近辺では、リードフレームと遮光性モールド樹脂との界面に働く内部応力は小さいが、室温へ冷却する過程で、線膨張係数差に起因した内部応力が働くようになる。この内部応力が付着力を上回るほど大きいと、剥がれが生じる。 For the above reason, the method (B2) is adopted in the present invention. In order to suppress the internal stress, the linear expansion coefficients of the lead frame and the light-shielding mold resin may be made close to each other over a wide temperature range. The temperature at which the light-shielding mold resin is injected into the mold is 180 ° C. or more, and at this temperature, the light-shielding mold resin gradually changes from a fluid to a solid. Although the internal stress acting on the interface is small, the internal stress due to the difference in linear expansion coefficient works in the process of cooling to room temperature. If the internal stress is so great as to exceed the adhesive force, peeling occurs.
図11及び図12に二重モールド構造を想定した場合の、遮光性モールド樹脂18、8と銅製のリードフレーム2との内部応力をシミュレーションした結果を示す。図11は従来例、図12は実施例2である。
11 and 12 show the results of simulating the internal stress between the light-shielding
ここで、実施例2、従来例では、リードフレーム(図1の2、3に相当)、発光素子(図1の4に相当;LED)、及び、受光素子(図1の5に相当;フォトダイオード)、については共通である。実施例2のポッティング樹脂(図1の6に相当;透明シリコン樹脂)の硬度は、アスカーC硬度で26である。また、従来例のポッティング樹脂(図1の6に相当;透明シリコン樹脂)の硬度は、アスカーC硬度で35である。また、実施例2において、25℃から175℃の間の平均線膨張係数は、透光性モールド樹脂7(透光性白色エポキシ樹脂)が37ppm/℃、遮光性モールド樹脂8(黒色エポキシ樹脂)が15ppm/℃である。また、従来例において、25℃から175℃の間の平均線膨張係数は、透光性モールド樹脂17(透光性白色エポキシ樹脂)が37ppm/℃、遮光性モールド樹脂18(黒色エポキシ樹脂)が37ppm/℃である。リードフレーム(図1の2、3に相当)には、銅(線膨張係数:約18ppm/℃)を用いた。 Here, in Example 2 and the conventional example, a lead frame (corresponding to 2 and 3 in FIG. 1), a light emitting element (corresponding to 4 in FIG. 1; LED), and a light receiving element (corresponding to 5 in FIG. 1; photo) The same applies to the diode). The hardness of the potting resin of Example 2 (corresponding to 6 in FIG. 1; transparent silicon resin) is 26 in Asker C hardness. The hardness of the conventional potting resin (corresponding to 6 in FIG. 1; transparent silicon resin) is 35 in Asker C hardness. In Example 2, the average linear expansion coefficient between 25 ° C. and 175 ° C. is 37 ppm / ° C. for the light-transmitting mold resin 7 (translucent white epoxy resin), and the light-shielding mold resin 8 (black epoxy resin). Is 15 ppm / ° C. In the conventional example, the average linear expansion coefficient between 25 ° C. and 175 ° C. is 37 ppm / ° C. for the translucent mold resin 17 (translucent white epoxy resin) and the light-shielding mold resin 18 (black epoxy resin). 37 ppm / ° C. Copper (linear expansion coefficient: about 18 ppm / ° C.) was used for the lead frame (corresponding to 2 and 3 in FIG. 1).
内部応力のシミュレーションは、185℃で遮光性モールド樹脂を鋳型注入し、室温まで冷却したという想定で行った。リードフレームとの線膨張係数が大きく異なる従来例(図11参照)に係る遮光性モールド樹脂18では、リードフレーム2と遮光性モールド樹脂18との界面の近傍に大きな内部応力がかかっている。一方、リードフレーム2及び遮光性モールド樹脂8の線膨張係数の差が小さい実施例2(図12参照)に係る遮光性モールド樹脂8では、内部応力が小さいことがわかる。
The simulation of the internal stress was performed on the assumption that a light-shielding mold resin was injected at 185 ° C. and cooled to room temperature. In the light-shielding
実際にリードフレームと遮光性モールド樹脂との界面に剥がれが生じるか否かを確認するために、実施例2及び従来例のフォトカプラパッケージを製作し、赤インク浸入実験を行った結果を図13及び図14に示す。 In order to confirm whether or not peeling occurs at the interface between the lead frame and the light-shielding mold resin, the photocoupler package of Example 2 and the conventional example was manufactured, and the result of the red ink penetration experiment was shown in FIG. And shown in FIG.
ここで、赤インク浸入実験とは、1気圧より高いある圧力で、一定の時間、赤い染料を含んだ水溶液(赤インク)にフォトカプラのパッケージを浸漬し、その後、パッケージを分解(遮光性モールド樹脂の割り出し)して、赤インクがどこまで浸入しているかを確認する実験である。これにより、パッケージの密閉性を調べることできる。通常は、パッケージの密着性が最も弱い部分から赤インクが浸入する。 Here, the red ink intrusion experiment is performed by immersing the photocoupler package in an aqueous solution (red ink) containing a red dye at a pressure higher than 1 atm for a certain period of time, and then disassembling the package (light-shielding mold). This is an experiment to check how far the red ink has infiltrated. Thereby, the sealing property of a package can be investigated. Usually, the red ink enters from the portion where the adhesiveness of the package is the weakest.
この結果、従来例ではリードフレーム2と遮光性モールド樹脂18との界面から赤インクの浸入(赤インク浸入部17b)が見られたのに対して(図14参照)、実施例2では、赤インクの浸入は見られなかった(図13参照)。
As a result, in the conventional example, red ink intrusion (red
上記のことから、従来例(遮光性モールド樹脂18の付着力が高いもの)では、内部応力が強く働いた結果、剥がれが生じたものと考えられる。一方、実施例2では、遮光性モールド樹脂8とリードフレーム2との25℃から170℃の間の平均線膨張係数の差を10ppm/℃以下とすることによって、遮光性モールド樹脂8とリードフレーム2との間に働く内部応力を大きく低減でき、かつ、遮光性モールド樹脂8とリードフレーム2との界面の剥がれを抑制できることがわかった。
From the above, it is considered that peeling occurred as a result of strong internal stress in the conventional example (those with high adhesion of the light-shielding mold resin 18). On the other hand, in Example 2, the difference in average linear expansion coefficient between 25 ° C. and 170 ° C. between the light-shielding
ここで、二重モールド構造の場合、モールド樹脂には、外側の遮光性モールド樹脂と、内側の透光性モールド樹脂とがあるが、外部空気の浸入を抑えるためには、遮光性モールド樹脂及び透光性モールド樹脂のどちらか一方または両方のモールド樹脂がリードフレームから剥がれなければ良い。したがって、二重モールド構造の場合には、外部の空気の浸入を抑えるために必要な条件は、遮光性モールド樹脂及び透光性モールド樹脂のどちらか一方または両方のリードフレームとの25℃から170℃の間の平均線膨張係数の差が10ppm/℃以下であること、となる。7ppm/℃以下であれば100%剥がれがない。なお、線膨張係数差の上限及び下限を決めているのは、モールド樹脂とリードフレームとの間に剥がれが生じるか否かであり、これはモールド樹脂の内部応力でほぼ一律に決まる。 Here, in the case of a double mold structure, the mold resin includes an outer light-shielding mold resin and an inner light-transmitting mold resin. In order to suppress intrusion of external air, the light-shielding mold resin and It is sufficient that one or both of the translucent mold resins is not peeled off from the lead frame. Therefore, in the case of the double mold structure, the condition necessary for suppressing the ingress of external air is from 25 ° C. to 170 ° C. with either one or both of the light shielding mold resin and the light transmitting mold resin. The difference in average linear expansion coefficient between ° C is 10 ppm / ° C or less. If it is 7 ppm / ° C. or less, there is no 100% peeling. The upper and lower limits of the linear expansion coefficient difference are determined by whether or not peeling occurs between the mold resin and the lead frame, and this is determined almost uniformly by the internal stress of the mold resin.
次に、空気の浸入に対して、それぞれ下記のように対処した4種類のサンプルについての信頼性試験結果について説明する。 Next, a description will be given of the reliability test results for four types of samples that deal with air intrusion as follows.
(C1)何も対策を施さないもの(従来例)。
(C2)ポッティング樹脂と透光性モールド樹脂の密着性を高めたもの(実施例3)。
(C3)リードフレームと遮光性モールド樹脂の密着性を高めたもの(実施例4)。
(C4)ポッティング樹脂と透光性モールド樹脂の密着性、及び、リードフレームと遮光性モールド樹脂の密着性を高めたもの(実施例5)。
(C1) No measures are taken (conventional example).
(C2) What improved the adhesiveness of potting resin and translucent mold resin (Example 3).
(C3) An improved adhesion between the lead frame and the light-shielding mold resin (Example 4).
(C4) Improved adhesion between potting resin and translucent mold resin, and adhesion between lead frame and light-shielding mold resin (Example 5).
ここで、(C2)及び(C4)のポッティング樹脂と透光性モールド樹脂の密着性を高める手法としては、低硬度のポッティング樹脂を用いる手法を採用した。また、(C3)及び(C4)のリードフレームと外部モールド樹脂の密着性を高める手法としては、リードフレームの線膨張係数に近い線膨張係数を有する外部モールド樹脂を採用する手法を採用した。 Here, as a technique for improving the adhesion between the potting resins (C2) and (C4) and the translucent mold resin, a technique using a potting resin with low hardness was adopted. Further, as a method for improving the adhesion between the lead frame (C3) and (C4) and the external mold resin, a method using an external mold resin having a linear expansion coefficient close to that of the lead frame was adopted.
なお、従来例、実施例3〜5では、リードフレーム(図1の2、3に相当;銅)、発光素子(図1の4に相当;LED)、及び、受光素子(図1の5に相当;フォトダイオード)、については共通である。実施例3、5のポッティング樹脂(図1の6に相当;透明シリコン樹脂)の硬度は、アスカーC硬度で26である。また、従来例及び実施例4のポッティング樹脂(図1の6に相当;透明シリコン樹脂)の硬度は、アスカーC硬度で35である。また、実施例4、5において、25℃から175℃の間の平均線膨張係数は、透光性モールド樹脂(図1の7に相当;透光性白色エポキシ樹脂)が37ppm/℃、遮光性モールド樹脂(図1の8に相当;黒色エポキシ樹脂)が15ppm/℃である。また、従来例及び実施例3において、25℃から175℃の間の平均線膨張係数は、透光性モールド樹脂(図1の7に相当;透光性白色エポキシ樹脂)が37ppm/℃、遮光性モールド樹脂(図1の8に相当;黒色エポキシ樹脂)が37ppm/℃である。 In the conventional example and Examples 3 to 5, a lead frame (corresponding to 2 and 3 in FIG. 1; copper), a light emitting element (corresponding to 4 in FIG. 1; LED), and a light receiving element (refer to 5 in FIG. 1). Equivalent; Photodiode) is common. The potting resin of Examples 3 and 5 (corresponding to 6 in FIG. 1; transparent silicon resin) has an Asker C hardness of 26. Further, the hardness of the potting resin of the conventional example and Example 4 (corresponding to 6 in FIG. 1; transparent silicon resin) is 35 in Asker C hardness. In Examples 4 and 5, the average linear expansion coefficient between 25 ° C. and 175 ° C. was 37 ppm / ° C. for the light-transmitting mold resin (corresponding to 7 in FIG. 1; light-transmitting white epoxy resin). Mold resin (corresponding to 8 in FIG. 1; black epoxy resin) is 15 ppm / ° C. Further, in the conventional example and Example 3, the average linear expansion coefficient between 25 ° C. and 175 ° C. is 37 ppm / ° C. for the light-transmitting mold resin (corresponding to 7 in FIG. 1; light-transmitting white epoxy resin). The mold resin (corresponding to 8 in FIG. 1; black epoxy resin) is 37 ppm / ° C.
これらのサンプルを、雰囲気温度150℃、LEDへの通電量25mAで行った信頼性試験の結果を図15〜図18に示す。図15は従来例、図16は実施例3、図17は実施例4、図18は実施例5のグラフである。グラフの横軸は試験時間で、縦軸はフォトカプラのIFHLの変化率(ΔIFHL)を表している。サンプルごとにIFHLが50%上昇する時間をそのサンプルの寿命とし、それぞれの試験ごとの全サンプルの寿命の平均値をその構造での推定寿命とした。推定寿命は、(C1)の従来例は約3000h(図15参照)、(C2)の実施例3は約5000h(図16参照)、(C3)の実施例4は約6000h(図17参照)、(C4)の実施例5は10000h以上(図18参照;事実上推定不能)と算出される。このことから、(C2)、(C3)の手法を単独で採用することによる効果が確認され、さらに、それらを組み合わせることで、それぞれ単独の場合よりも大幅に、フォトカプラの信頼性が改善されることが判明した。 The results of a reliability test in which these samples were performed at an ambient temperature of 150 ° C. and an LED energization amount of 25 mA are shown in FIGS. 15 is a graph of a conventional example, FIG. 16 is a graph of Example 3, FIG. 17 is a graph of Example 4, and FIG. The horizontal axis of the graph represents the test time, and the vertical axis represents the IFHL change rate (ΔIFHL) of the photocoupler. The time for which the IFHL rises by 50% for each sample was defined as the lifetime of the sample, and the average value of the lifetime of all samples for each test was defined as the estimated lifetime for the structure. The estimated lifetime is about 3000 h (see FIG. 15) in the conventional example of (C1), about 5000 h (see FIG. 16) in Example 3 of (C2), and about 6000 h (see FIG. 17) in Example 4 of (C3). , (C4) of Example 5 is calculated to be 10,000 h or longer (see FIG. 18; practically impossible to estimate). This confirms the effect of adopting the methods (C2) and (C3) alone, and combining them further significantly improves the reliability of the photocoupler compared to the case where each method is used alone. Turned out to be.
(付記)
本発明の一視点においては、フォトカプラにおいて、入力側リードフレームと、前記入力側リードフレームに対して対向して間隔をおいて配された出力側リードフレームと、前記入力側リードフレームにおける前記出力側リードフレーム側の面にマウントされた発光素子と、前記出力側リードフレームにおける前記入力側リードフレーム側の面にて前記発光素子に光学的に対向する位置に配置された受光素子と、前記発光素子を覆うポッティング樹脂と、前記発光素子を含む前記ポッティング樹脂、前記受光素子、前記入力側リードフレームの一部、及び、前記出力側リードフレームの一部を一体的に封止する透光性モールド樹脂と、前記透光性モールド樹脂、前記入力側リードフレームの他の一部、及び、前記出力側リードフレームの他の一部を覆う遮光性モールド樹脂と、を備え、前記ポッティング樹脂は、アスカーC硬度15以上28以下、又は、ショアA硬度5以上15以下であることを特徴とする。
(Appendix)
In one aspect of the present invention, in a photocoupler, an input-side lead frame, an output-side lead frame disposed opposite to the input-side lead frame and spaced apart from each other, and the output in the input-side lead frame A light emitting element mounted on a surface on the side lead frame side, a light receiving element disposed on a surface on the input side lead frame side in the output side lead frame at a position optically opposed to the light emitting element, and the light emission A potting resin covering the element, the potting resin including the light emitting element, the light receiving element, a part of the input side lead frame, and a part of the output side lead frame are integrally sealed. Resin, the translucent mold resin, the other part of the input side lead frame, and the other part of the output side lead frame And a light-shielding molded resin covering the parts, the potting resin, Asker C hardness of 15 or more 28 or less, or, and characterized in that the Shore A hardness of 5 to 15.
本発明の前記フォトカプラにおいて、前記ポッティング樹脂は、アスカーC硬度21以上28以下、又は、ショアA硬度8以上15以下であることが好ましい。 In the photocoupler of the present invention, the potting resin preferably has an Asker C hardness of 21 to 28, or a Shore A hardness of 8 to 15.
本発明の前記フォトカプラにおいて、前記透光性モールド樹脂及び前記遮光性モールド樹脂のうち少なくとも1種の25℃から170℃の間の平均線膨張係数と、前記入力側リードフレーム及び前記出力側リードフレームの線膨張係数との差が10ppm/℃以下であることが好ましい。 In the photocoupler of the present invention, an average linear expansion coefficient between 25 ° C. and 170 ° C. of at least one of the light transmitting mold resin and the light shielding mold resin, the input side lead frame, and the output side lead The difference from the linear expansion coefficient of the frame is preferably 10 ppm / ° C. or less.
本発明の前記フォトカプラにおいて、前記透光性モールド樹脂及び前記遮光性モールド樹脂のうち少なくとも1種の25℃から170℃の間の平均線膨張係数と、前記入力側リードフレーム及び前記出力側リードフレームの線膨張係数との差が7ppm/℃以下であることが好ましい。 In the photocoupler of the present invention, an average linear expansion coefficient between 25 ° C. and 170 ° C. of at least one of the light transmitting mold resin and the light shielding mold resin, the input side lead frame, and the output side lead The difference from the coefficient of linear expansion of the frame is preferably 7 ppm / ° C. or less.
本発明の前記フォトカプラにおいて、前記遮光性モールド樹脂の25℃から170℃の間の平均線膨張係数は、前記透光性モールド樹脂の25℃から170℃の間の平均線膨張係数より小さいことが好ましい。 In the photocoupler of the present invention, an average linear expansion coefficient between 25 ° C. and 170 ° C. of the light-shielding mold resin is smaller than an average linear expansion coefficient between 25 ° C. and 170 ° C. of the translucent mold resin. Is preferred.
本発明の前記フォトカプラにおいて、前記ポッティング樹脂の量が1.7×10−4cm3以上かつ3.5×10−4cm3以下であることが好ましい。 In the photocoupler of the present invention, the amount of the potting resin is preferably 1.7 × 10 −4 cm 3 or more and 3.5 × 10 −4 cm 3 or less.
なお、本出願において図面参照符号を付している場合は、それらは、専ら理解を助けるためのものであり、図示の態様に限定することを意図するものではない。 Note that, in the present application, where reference numerals are attached to the drawings, these are only for the purpose of helping understanding, and are not intended to be limited to the illustrated embodiments.
また、本発明の全開示(請求の範囲及び図面を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素(各請求項の各要素、各実施形態ないし実施例の各要素、各図面の各要素等を含む)の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲及び図面を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。 Further, within the scope of the entire disclosure (including claims and drawings) of the present invention, the embodiments and examples can be changed and adjusted based on the basic technical concept. Various combinations or selections of various disclosed elements (including each element of each claim, each element of each embodiment or example, each element of each drawing, etc.) are included within the scope of the claims of the present invention. Is possible. That is, the present invention naturally includes various variations and modifications that could be made by those skilled in the art according to the entire disclosure including the claims and the drawings, and the technical idea.
1 フォトカプラ
2 入力側リードフレーム(リードフレーム)
2a マウント部
2b リード部
3 出力側リードフレーム(リードフレーム)
3a マウント部
3b リード部
4 発光素子
5 受光素子
6、16、26 ポッティング樹脂
7、17、27 透光性モールド樹脂(内部モールド樹脂)
8、18 遮光性モールド樹脂(外部モールド樹脂)
9、10 ボンディングワイヤ
11 光
17a、27a 変色部
17b 赤インク浸入部
1
2a Mount part
8, 18 Light-shielding mold resin (external mold resin)
9, 10 Bonding wire 11
Claims (4)
前記入力側リードフレームに対して対向して間隔をおいて配された出力側リードフレームと、
前記入力側リードフレームにおける前記出力側リードフレーム側の面にマウントされた発光素子と、
前記出力側リードフレームにおける前記入力側リードフレーム側の面にて前記発光素子に光学的に対向する位置にマウントされた受光素子と、
前記発光素子を覆うポッティング樹脂と、
前記発光素子を含む前記ポッティング樹脂、前記受光素子、前記入力側リードフレームの一部、及び、前記出力側リードフレームの一部を一体的に封止する透光性モールド樹脂と、
前記透光性モールド樹脂、前記入力側リードフレームの他の一部、及び、前記出力側リードフレームの他の一部を覆う遮光性モールド樹脂と、
を備え、
前記ポッティング樹脂は、アスカーC硬度15以上28以下、又は、ショアA硬度5以上15以下であるフォトカプラ。 An input side lead frame;
An output-side lead frame disposed at a distance from and facing the input-side lead frame;
A light emitting element mounted on a surface on the output side lead frame side of the input side lead frame;
A light receiving element mounted at a position optically opposed to the light emitting element on a surface of the output side lead frame on the input side lead frame side;
Potting resin covering the light emitting element;
A translucent molding resin that integrally seals the potting resin including the light emitting element, the light receiving element, a part of the input side lead frame, and a part of the output side lead frame;
A light-shielding mold resin that covers the translucent mold resin, another part of the input-side lead frame, and another part of the output-side lead frame;
With
The potting resin is a photocoupler having an Asker C hardness of 15 to 28, or a Shore A hardness of 5 to 15.
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JP2017135214A (en) * | 2016-01-26 | 2017-08-03 | 株式会社東芝 | Semiconductor device |
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JP2017135214A (en) * | 2016-01-26 | 2017-08-03 | 株式会社東芝 | Semiconductor device |
US11402591B2 (en) | 2020-03-19 | 2022-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical coupling device |
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