JP2014187130A - Organic electroluminescent element, display device and illuminating device, evaluation method of hole transport material - Google Patents

Organic electroluminescent element, display device and illuminating device, evaluation method of hole transport material Download PDF

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弘彦 深川
Takahisa Shimizu
貴央 清水
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element including a luminous layer using a both charge-transport or electron transport host material, and a hole transport layer, and having a long life and high luminous efficiency, and to provide an evaluation method of a hole transport material for use in an organic EL element.SOLUTION: In an organic electroluminescent element 1 having a luminous layer 6 and a hole transport layer 7 arranged in contact therewith, between a pair of electrodes, the luminous layer 6 is composed of a host material and a gest material of luminescent material. The host material is an electron transport material or a both charge-transport material of hole and electron, and the hole transport layer 7 is the organic electroluminescent element 1 containing a hole transport material composed of a dibenzothiophene derivative.

Description

本発明は、表示装置や照明装置に好適に用いられる有機エレクトロルミネッセンス(以下、エレクトロルミネッセンス(電界発光)を「EL」と記す場合がある。)素子、これを備えた表示装置および照明装置、有機EL素子に用いる正孔輸送材料の評価方法に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence (hereinafter, electroluminescence (electroluminescence) may be referred to as “EL”) element that is suitably used for a display device or a lighting device, a display device and a lighting device including the same, an organic The present invention relates to a method for evaluating a hole transport material used for an EL element.

有機EL素子は、薄く、柔軟でフレキシブルである。また、有機EL素子を用いた表示装置は、現在主流となっている液晶表示装置やプラズマ表示装置と比べて、高輝度、高精細な表示が可能である。さらに、有機EL素子を用いた表示装置は、液晶表示装置に比べて視野角が広い。このため、有機EL素子は、今後、テレビや携帯電話のディスプレイ等として、利用の拡大が期待されている。
また、有機EL素子は、照明装置としての利用も期待されている。
The organic EL element is thin, flexible and flexible. In addition, a display device using an organic EL element can display with high brightness and high definition as compared with a liquid crystal display device and a plasma display device which are currently mainstream. Furthermore, a display device using an organic EL element has a wider viewing angle than a liquid crystal display device. For this reason, the use of organic EL elements is expected in the future as displays for televisions and mobile phones.
The organic EL element is also expected to be used as a lighting device.

有機EL素子は、陰極と陽極との間に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等の複数の層が積層された構造を有している。現在、有機EL素子の各層を構成するのに適した材料について、研究、開発が行われている。   The organic EL element has a structure in which a plurality of layers such as an electron transport layer, a light emitting layer, and a hole transport layer are laminated between a cathode and an anode. Currently, research and development have been conducted on materials suitable for constituting each layer of the organic EL element.

発光層としては、電荷輸送・再結合の役割を担うホスト材料と、発光する発光材料(ゲスト材料)とから構成されているものがある。このような発光層では、陽極から供給された正孔と陰極から供給された電子とが、主にホスト材料で再結合して励起状態を生成する。この時、一重項励起状態(S)と三重項励起状態(T)とを25:75の割合で生成する。一重項励起状態(S)からの発光は、蛍光発光と呼ばれている。また、三重項励起状態(T)からの発光は、リン光発光と呼ばれている。 As a light emitting layer, there is one composed of a host material that plays a role of charge transport and recombination and a light emitting material (guest material) that emits light. In such a light emitting layer, holes supplied from the anode and electrons supplied from the cathode are recombined mainly by the host material to generate an excited state. At this time, a singlet excited state (S 1 ) and a triplet excited state (T 1 ) are generated at a ratio of 25:75. Light emission from the singlet excited state (S 1 ) is called fluorescence emission. In addition, light emission from the triplet excited state (T 1 ) is called phosphorescence emission.

一般に、蛍光発光を利用する有機EL素子においては、一重項励起状態(S) のエネルギーしか発光として取り出すことができない。これに対して、リン光発光を利用する有機EL素子においては、ゲスト材料のSからゲスト材料のTに項間交差(ISC)が起こることで、全ての励起状態のエネルギーを発光として取り出すことができる。したがって、リン光発光を利用する有機EL素子では、蛍光発光を利用する有機EL素子と比較して、発光効率の向上が期待できる。このため、近年、リン光発光を利用する有機EL素子の研究が盛んに行われている(例えば、非特許文献1および非特許文献2参照)。 In general, in an organic EL element utilizing fluorescence, only energy in a singlet excited state (S 1 ) can be extracted as light emission. On the other hand, in an organic EL element using phosphorescence emission, inter-system crossing (ISC) occurs from S 1 of the guest material to T 1 of the guest material, thereby extracting all excited state energy as light emission. be able to. Therefore, the organic EL element using phosphorescence emission can be expected to improve the light emission efficiency as compared with the organic EL element using fluorescence emission. For this reason, in recent years, research on organic EL elements using phosphorescence has been actively conducted (for example, see Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2).

リン光発光する発光層に使用されるホスト材料としては、例えば、カルバゾールを置換基に有する材料が多数報告されている(例えば、非特許文献3参照)。カルバゾールは、大きい三重項励起状態(T)のエネルギーを有するものであるため、リン光発光を利用する発光効率の高い有機EL素子を得るための材料として、好ましい。 As a host material used for a light emitting layer that emits phosphorescence, for example, many materials having carbazole as a substituent have been reported (for example, see Non-Patent Document 3). Since carbazole has a large triplet excited state (T 1 ) energy, it is preferable as a material for obtaining an organic EL element having high emission efficiency utilizing phosphorescence emission.

リン光発光を利用する有機EL素子において、カルバゾールを置換基に有する材料をホスト材料として用いた場合、エネルギーの閉じ込めの観点から、ホスト材料の三重項励起状態(T)のエネルギーを、ゲスト材料の三重項励起状態(T)のエネルギーよりも大きくする必要がある(例えば、非特許文献4参照)。 In the organic EL element using phosphorescence emission, when a material having carbazole as a substituent is used as the host material, the energy of the triplet excited state (T 1 ) of the host material is changed from the viewpoint of energy confinement to the guest material. It is necessary to make it larger than the energy of the triplet excited state (T 1 ) (see, for example, Non-Patent Document 4).

また、カルバゾールは、正孔輸送性を有するものである。カルバゾールを置換基に有する材料をホスト材料として用いた発光層では、電子に対して正孔が過剰となっている。発光層に供給された過剰な正孔は、電子と再結合することなく、発光層から抜け出てしまう。このため、発光層の陰極側に接して配置される電子輸送層の材料として、発光層の陰極側界面において高い正孔ブロック性が得られるものを用いて、発光層から抜け出す正孔を防止している。   Carbazole has a hole transporting property. In a light emitting layer using a material having carbazole as a substituent as a host material, holes are excessive with respect to electrons. Excess holes supplied to the light emitting layer escape from the light emitting layer without recombining with electrons. For this reason, as a material for the electron transport layer disposed in contact with the cathode side of the light emitting layer, a material that has a high hole blocking property at the cathode side interface of the light emitting layer is used to prevent holes that escape from the light emitting layer. ing.

さらに、ホスト材料としてカルバゾールを置換基に有する材料を用いた発光層では、発光領域が発光層の陰極側界面に拡がっているため、発光層の陰極側に接して配置される電子輸送層の材料には、高い電子輸送性に加えて大きい三重項励起状態(T)のエネルギーが要求される。このような条件を満たす電子輸送層の材料として、近年、多数の材料が報告されている(例えば、非特許文献5および非特許文献6参照)。 Furthermore, in the light emitting layer using a material having carbazole as a substituent as a host material, the light emitting region extends to the cathode side interface of the light emitting layer, and therefore the electron transport layer material disposed in contact with the cathode side of the light emitting layer In addition to high electron transport properties, large triplet excited state (T 1 ) energy is required. In recent years, a large number of materials have been reported as materials for the electron transport layer satisfying such conditions (see, for example, Non-Patent Document 5 and Non-Patent Document 6).

一方、近年、正孔と電子の両方の電荷を輸送できる両電荷輸送性のホスト材料や、電子輸送性のホスト材料も多数報告されている(例えば、非特許文献7〜非特許文献10参照)。   On the other hand, in recent years, a host material having both charge transporting properties capable of transporting both holes and electrons and a host material having electron transporting properties have been reported (for example, see Non-Patent Documents 7 to 10). .

M. A. Baldo, D. F. O’Brien, Y. You, A. Shoustikov, S. Sibley, M. E. Thompson and S. R. Forrest, Nature 395, 151 (1998).M. A. Baldo, D. F. O'Brien, Y. You, A. Shoustikov, S. Sibley, M. E. Thompson and S. R. Forrest, Nature 395, 151 (1998). M. A. Baldo, M. E. Thompson, and S. R. Forrest, Nature 403, 750 (2000).M. A. Baldo, M. E. Thompson, and S. R. Forrest, Nature 403, 750 (2000). L. Xiao, Z. Chen, B. Qu, J. Luo, S. Kong, Q. Gong, J. Kido, Adv. Mater., 23, 926 (2011).L. Xiao, Z. Chen, B. Qu, J. Luo, S. Kong, Q. Gong, J. Kido, Adv. Mater., 23, 926 (2011). S. Tokito, T. Iijima, Y. Suzuri, H. Kita, T. Tsuzuki, F. Sato, Appl. Phys. Lett. 83, 569 (2003).S. Tokito, T. Iijima, Y. Suzuri, H. Kita, T. Tsuzuki, F. Sato, Appl. Phys. Lett. 83, 569 (2003). S-J. Su, T. Chiba, T. Takeda, J. Kido, Adv. Mater., 20, 2125 (2008).S-J. Su, T. Chiba, T. Takeda, J. Kido, Adv. Mater., 20, 2125 (2008). S-J. Su, H. Sasabe, Y-J, Pu, K. Nakayama, J. Kido, Adv. Mater., 22, 3311 (2010).S-J. Su, H. Sasabe, Y-J, Pu, K. Nakayama, J. Kido, Adv. Mater., 22, 3311 (2010). H. Sasabe, N. Toyota, H. Nakanishi, T. Ishizaka, Y-J. Pu, J. Kido Adv. Mater., 24, 3212 (2012).H. Sasabe, N. Toyota, H. Nakanishi, T. Ishizaka, Y-J. Pu, J. Kido Adv. Mater., 24, 3212 (2012). S. O. Jeon, S. E. Jang, H. S. Son, J. Y. Lee Adv. Mater., 23, 1436 (2011).S. O. Jeon, S. E. Jang, H. S. Son, J. Y. Lee Adv. Mater., 23, 1436 (2011). H-H. Chou, C-H. Cheng, Adv. Mater., 22, 2468 (2010).H-H. Chou, C-H. Cheng, Adv. Mater., 22, 2468 (2010). Z. Q. Gao, M. Luo, X. H. Sun, H. L. Tam, M. S. Wong, B. X. Mi, P. F. Xia, K. W. Cheah, C. H. Chen Adv. Mater., 21, 688 (2009).Z. Q. Gao, M. Luo, X. H. Sun, H. L. Tam, M. S. Wong, B. X. Mi, P. F. Xia, K. W. Cheah, C. H. Chen Adv. Mater., 21, 688 (2009). W. S. Jeon, T. J. Park, J. J. Park, S. Y. Kim, J. Jang, J. H. Kwon, R. Pode, Appl. Phys. Lett. 92, 113311 (2008).W. S. Jeon, T. J. Park, J. J. Park, S. Y. Kim, J. Jang, J. H. Kwon, R. Pode, Appl. Phys. Lett. 92, 113311 (2008). S. Y. Kim, W. S. Jeon, T. J. Park, R. Pode, J. Jang, J. H. Kwon, Appl. Phys. Lett. 94, 133303 (2009).S. Y. Kim, W. S. Jeon, T. J. Park, R. Pode, J. Jang, J. H. Kwon, Appl. Phys. Lett. 94, 133303 (2009). J. H. Seo, S. J. Lee, B. M. Seo, S. J. Moon, K. H. Lee, J. K. Park, S. S. Yoon, Y. K. Kim, Org. Electro. 11, 1759 (2011).J. H. Seo, S. J. Lee, B. M. Seo, S. J. Moon, K. H. Lee, J. K. Park, S. S. Yoon, Y. K. Kim, Org. Electro. 11, 1759 (2011).

正孔と電子の両方の電荷を輸送できる両電荷輸送性のホスト材料や、電子輸送性のホスト材料を用いた発光層では、発光層に供給された電子が過剰となっている。発光層に供給された過剰な電子は、正孔と再結合することなく、発光層から抜け出てしまう。発光層から抜け出す電子を防止して、発光効率を向上させるためには、発光層の陽極側に接して配置される正孔輸送層の材料として、高い正孔輸送性を有しているとともに、発光層の陽極側界面において高い電子ブロック性が得られるものを用いる必要がある。   In a light-emitting layer using a both-charge-transporting host material that can transport both holes and electrons and an electron-transporting host material, electrons supplied to the light-emitting layer are excessive. Excess electrons supplied to the light emitting layer escape from the light emitting layer without recombining with holes. In order to prevent electrons that escape from the light emitting layer and improve the light emission efficiency, as a material of the hole transport layer disposed in contact with the anode side of the light emitting layer, it has high hole transportability, It is necessary to use a material capable of obtaining a high electron blocking property at the anode side interface of the light emitting layer.

また、このようなホスト材料を用いた発光層では、発光領域が発光層の陽極側(正孔輸送層側)界面に拡がっている。このため、発光材料がリン光材料である場合、発光層の陽極側に接して配置される正孔輸送層の材料として、高い正孔輸送性に加えて大きい三重項励起状態(T)のエネルギーを有するものを用いることが好ましい。正孔輸送層が大きい三重項励起状態(T)のエネルギーを有している場合、発光層から正孔輸送層への三重項励起状態(T)のエネルギーの移動を防止でき、発光層内に三重項励起状態(T)のエネルギーを閉じ込める効果が得られるため、発光効率が向上する。 In the light emitting layer using such a host material, the light emitting region extends to the anode side (hole transport layer side) interface of the light emitting layer. For this reason, when the light emitting material is a phosphorescent material, as a material of the hole transport layer disposed in contact with the anode side of the light emitting layer, in addition to high hole transportability, a large triplet excited state (T 1 ) It is preferable to use one having energy. When the hole transport layer has a large triplet excited state (T 1 ) energy, the triplet excited state (T 1 ) energy transfer from the light emitting layer to the hole transport layer can be prevented. Since the effect of confining the energy of the triplet excited state (T 1 ) inside is obtained, luminous efficiency is improved.

また、発光領域が発光層の陽極側界面に拡がっている場合、発光層の陽極側に接して配置される正孔輸送層に用いる材料の安定性が、有機EL素子の寿命に影響を与える。このため、発光層の陽極側に接して配置される正孔輸送層の材料として、優れた安定性を有するものを用いることが要求されている。   Further, when the light emitting region extends to the anode side interface of the light emitting layer, the stability of the material used for the hole transport layer disposed in contact with the anode side of the light emitting layer affects the life of the organic EL element. For this reason, it is required to use a material having excellent stability as the material of the hole transport layer disposed in contact with the anode side of the light emitting layer.

しかし、従来、両電荷輸送性または電子輸送性のホスト材料を用いた発光層と組み合わせて、長寿命で高い発光効率を有する有機EL素子を実現できる正孔輸送層の材料について、報告されていない。   However, there has been no report on a material for a hole transport layer that can realize an organic EL device having a long lifetime and high light emission efficiency in combination with a light emitting layer using a host material having both charge transport properties or electron transport properties. .

本発明は、上記課題を解決し、両電荷輸送性または電子輸送性のホスト材料を用いた発光層と、正孔輸送層とを備える長寿命で高い発光効率を有する有機EL素子および有機EL素子に用いる正孔輸送材料の評価方法を提供することを課題とする。
また、長寿命で高い発光効率を有する有機EL素子を備えた表示装置および照明装置を提供することを課題とする。
The present invention solves the above-described problems, and has a long-life organic EL element and an organic EL element having a light-emitting layer using a host material having both charge transporting properties or electron transporting properties and a hole transporting layer. It is an object of the present invention to provide a method for evaluating a hole transporting material used in the present invention.
It is another object of the present invention to provide a display device and a lighting device including an organic EL element having a long lifetime and high luminous efficiency.

本発明者は、上記課題を鑑みて、以下に示すように、検討を重ねた。
電子輸送性のホスト材料を含む発光層と、正孔輸送層とを備える有機EL素子を、正孔輸送層の材料のみ異ならせて複数製造した場合、各有機EL素子の外部量子効率は、正孔輸送層の材料の違いによって異なるものとなる。
しかし、この場合の有機EL素子の外部量子効率の差には、正孔輸送層の材料に応じて有機EL素子の駆動電圧が変化して、有機EL素子内の電荷バランスが変わることに起因する影響が含まれている。
In view of the above problems, the present inventor has repeatedly studied as described below.
When a plurality of organic EL devices including a light-emitting layer containing an electron-transporting host material and a hole transport layer are manufactured by changing only the material of the hole transport layer, the external quantum efficiency of each organic EL device is positive. It differs depending on the material of the hole transport layer.
However, the difference in the external quantum efficiency of the organic EL element in this case is due to the fact that the drive voltage of the organic EL element changes according to the material of the hole transport layer, and the charge balance in the organic EL element changes. The impact is included.

有機EL素子内の電荷バランスが変わったことに起因する影響は、有機EL素子の外部量子効率の差に含まれる正孔輸送層の材料自体の特性による影響と切り離して評価することは難しい。また、有機EL素子内の電荷バランスが変わったことに起因する影響は、正孔輸送層および発光層に用いた材料の組成、バンドギャップエネルギーや三重項励起状態(T)のエネルギーの大きさなどに基づいて容易に評価できるものではなかった。
したがって、上記の複数の有機EL素子における外部量子効率の差に基づいて、電子輸送性のホスト材料を用いた発光層に接して配置される正孔輸送層の材料自体の特性を厳密に評価することはできなかった。
It is difficult to evaluate the influence caused by the change in the charge balance in the organic EL element separately from the influence of the characteristics of the material of the hole transport layer itself included in the difference in the external quantum efficiency of the organic EL element. In addition, the influence caused by the change in the charge balance in the organic EL element is that the composition of the materials used for the hole transport layer and the light emitting layer, the band gap energy, and the triplet excited state (T 1 ) energy magnitude. It could not be easily evaluated based on the above.
Therefore, based on the difference in external quantum efficiency among the plurality of organic EL elements, the characteristics of the material of the hole transport layer disposed in contact with the light emitting layer using the electron transporting host material are strictly evaluated. I couldn't.

そこで、本発明者は、有機EL素子内の電荷バランスと外部量子効率との関係に着目して、検討を重ねた。そして、電子輸送性のホスト材料として有機EL素子内の電荷バランスに依存せずに高い発光効率が得られる材料を用いた発光層と、正孔輸送層とを備える有機EL素子を、正孔輸送層の材料のみ異ならせて複数製造し、外部量子効率を測定すればよいことを見出した。この場合、各有機EL素子の外部量子効率の差に含まれる有機EL素子内の電荷バランスに起因する影響は少ないものとなる。したがって、各有機EL素子の外部量子効率の差に基づいて、正孔輸送層の材料自体の特性を評価できる。   Therefore, the present inventor has repeatedly studied focusing on the relationship between the charge balance in the organic EL element and the external quantum efficiency. An organic EL device including a light emitting layer using a material that can obtain high light emission efficiency without depending on the charge balance in the organic EL device as an electron transporting host material, and a hole transport layer is used as a hole transport. It has been found that it is only necessary to manufacture a plurality of layers with different layer materials and measure the external quantum efficiency. In this case, the influence due to the charge balance in the organic EL element included in the difference in external quantum efficiency of each organic EL element is small. Therefore, the characteristics of the material of the hole transport layer itself can be evaluated based on the difference in external quantum efficiency of each organic EL element.

そこで、本発明者は、有機EL素子内の電荷バランスに依存せずに高い発光効率が得られる電子輸送性のホスト材料について、検討を重ねた。その結果、ホスト材料としてBepp2を用いた発光層と、発光層に接して配置される正孔輸送層とを備える有機EL素子を、正孔輸送層の材料のみ異ならせて複数製造し、外部量子効率を測定した場合、各有機EL素子の外部量子効率の差に基づいて、正孔輸送層の材料自体の特性を厳密に評価できることを見出した。   Therefore, the present inventor has repeatedly studied an electron transporting host material capable of obtaining high luminous efficiency without depending on the charge balance in the organic EL element. As a result, a plurality of organic EL elements each including a light-emitting layer using Bepp2 as a host material and a hole transport layer disposed in contact with the light-emitting layer are manufactured by changing only the material of the hole transport layer. When measuring efficiency, it discovered that the characteristic of the material itself of a positive hole transport layer itself could be strictly evaluated based on the difference of the external quantum efficiency of each organic EL element.

そして、本発明者は、正孔輸送層の材料のみ異ならせて製造した上記の複数の有機EL素子のうち、外部量子効率の高いものに用いた正孔輸送材料を、ホスト材料が電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料である場合に良好な特性を有するものと評価した。本発明者は、その評価結果から、ジベンゾチオフェン誘導体からなる正孔輸送材料を含む正孔輸送層を、両電荷輸送性または電子輸送性のホスト材料を用いた発光層に接して配置した有機EL素子とすることで、高い発光効率を有する有機EL素子が得られることを見出した。さらに、ジベンゾチオフェン誘導体が優れた安定性を有しているため、正孔輸送材料としてジベンゾチオフェン誘導体を用いることで、発光領域が発光層の正孔輸送層側界面に拡がっている場合に、長寿命の有機EL素子が得られることを確認し、本発明を完成させた。   Then, the present inventor uses a hole transport material used for a high external quantum efficiency among the plurality of organic EL elements manufactured by changing only the material of the hole transport layer, and the host material has an electron transport property. It was evaluated that the material or the hole and electron charge transporting material had good characteristics. Based on the evaluation results, the inventor of the present invention has arranged an organic EL in which a hole transport layer including a hole transport material composed of a dibenzothiophene derivative is disposed in contact with a light emitting layer using a host material having both charge transport properties or electron transport properties. It has been found that an organic EL device having high luminous efficiency can be obtained by using the device. Furthermore, since the dibenzothiophene derivative has excellent stability, the use of the dibenzothiophene derivative as the hole transport material can cause a long time when the light emitting region extends to the hole transport layer side interface of the light emitting layer. It was confirmed that a long-life organic EL element was obtained, and the present invention was completed.

すなわち、本発明は、以下の発明に関わるものである。
(1)一対の電極間に発光層と、前記発光層に接して配置される正孔輸送層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層は、ホスト材料と発光材料からなるゲスト材料とからなり、前記ホスト材料は、電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料であり、前記正孔輸送層は、ジベンゾチオフェン誘導体からなる正孔輸送材料を含むものであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
That is, the present invention relates to the following inventions.
(1) An organic electroluminescence device having a light emitting layer between a pair of electrodes and a hole transport layer disposed in contact with the light emitting layer, wherein the light emitting layer is a guest material made of a host material and a light emitting material. The host material is an electron transport material or a charge transport material of both holes and electrons, and the hole transport layer contains a hole transport material made of a dibenzothiophene derivative. Organic electroluminescence device.

(2)前記ジベンゾチオフェン誘導体は、下記一般式(1)に示される化合物であることを特徴とする(1)記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 (2) The organic electroluminescence device according to (1), wherein the dibenzothiophene derivative is a compound represented by the following general formula (1).

(3)前記正孔輸送材料のバンドギャップエネルギーが、前記ホスト材料のバンドギャップエネルギー以上であることを特徴とする(1)または(2)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(4)前記ゲスト材料は、リン光材料または熱活性型の遅延蛍光を発生する材料であることを特徴とする(1)〜(3)のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(5)前記ホスト材料は、金属錯体であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(6)前記発光層中の前記ゲスト材料の含有量が、1重量%以上15重量%未満であることを特徴とする(1)〜(5)のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(3) The organic electroluminescence device according to (1) or (2), wherein the band gap energy of the hole transport material is not less than the band gap energy of the host material.
(4) The organic electroluminescent element according to any one of (1) to (3), wherein the guest material is a phosphorescent material or a material that generates thermally activated delayed fluorescence.
(5) The organic electroluminescence element according to any one of (1) to (4), wherein the host material is a metal complex.
(6) The organic electroluminescence device according to any one of (1) to (5), wherein the content of the guest material in the light emitting layer is 1 wt% or more and less than 15 wt%. .

(7)(1)〜(6)のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示パネルと、該表示パネルを駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする表示装置。
(8)(1)〜(6)のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いて形成されていることを特徴とする照明装置。
(7) A display device comprising: a display panel using the organic electroluminescence element according to any one of (1) to (6); and a drive circuit for driving the display panel.
(8) An illuminating device formed using the organic electroluminescence element according to any one of (1) to (6).

(9)一対の電極間に発光層と、前記発光層に接して配置される正孔輸送層とを有し、前記発光層が、下記一般式(2)に示されるBepp2からなるホスト材料と発光材料からなるゲスト材料とからなり、前記正孔輸送層の正孔輸送材料のみ異なる複数の評価用有機エレクトロルミネッセンス素子を製造し、各評価用有機エレクトロルミネッセンス素子の外部量子効率を測定する工程と、前記複数の評価用有機エレクトロルミネッセンス素子のうち、前記外部量子効率の高いものに用いた正孔輸送材料を、ホスト材料が電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料である場合に良好な特性を有するものと評価する工程とを備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料の評価方法。 (9) a host material comprising a light-emitting layer between a pair of electrodes and a hole transport layer disposed in contact with the light-emitting layer, wherein the light-emitting layer is made of Bepp2 represented by the following general formula (2): A step of producing a plurality of organic electroluminescent devices for evaluation comprising a guest material made of a light emitting material, wherein only the hole transport material of the hole transport layer is different, and measuring the external quantum efficiency of each organic electroluminescent device for evaluation; When the host material is an electron transporting material or a hole and electron charge transporting material, the hole transporting material used for the high external quantum efficiency among the plurality of organic electroluminescent elements for evaluation The method for evaluating a hole transport material of an organic electroluminescence device, comprising: a step of evaluating that the material has good characteristics.

(10)各評価用有機エレクトロルミネッセンス素子が、前記正孔輸送層と前記発光層との間に電子ブロック層を有するものであることを特徴とする(9)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料の評価方法。 (10) Each of the organic electroluminescent elements for evaluation has an electron blocking layer between the hole transport layer and the light emitting layer. The positive electrode of the organic electroluminescent element according to (9) Evaluation method of pore transport material.

本発明の有機EL素子は、一対の電極間に発光層と、発光層に接して配置される正孔輸送層とを有し、発光層は、ホスト材料と発光材料からなるゲスト材料とからなり、ホスト材料は、電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料であり、正孔輸送層は、ジベンゾチオフェン誘導体からなる正孔輸送材料を含むものであるため、発光領域が発光層の正孔輸送層側界面に拡がっている。本発明の有機EL素子では、発光領域が発光層の正孔輸送層側界面に拡がっている場合に寿命に影響を与える正孔輸送層が、安定性に優れたジベンゾチオフェン誘導体からなる正孔輸送材料を含むものであるため、長寿命のものとなる。   The organic EL device of the present invention has a light emitting layer between a pair of electrodes and a hole transport layer disposed in contact with the light emitting layer, and the light emitting layer is composed of a host material and a guest material made of the light emitting material. The host material is an electron transporting material or a hole and electron charge transporting material, and the hole transporting layer includes a hole transporting material composed of a dibenzothiophene derivative, so that the light emitting region is the positive electrode of the light emitting layer. It spreads to the pore transport layer side interface. In the organic EL device of the present invention, when the light emitting region extends to the hole transport layer side interface of the light emitting layer, the hole transport layer that affects the lifetime is a hole transport composed of a dibenzothiophene derivative having excellent stability. Since it contains materials, it has a long life.

また、本発明の有機EL素子では、ホスト材料が、電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料であり、正孔輸送層が、ジベンゾチオフェン誘導体からなる正孔輸送材料を含むものであるため、高い発光効率が得られる。
このように本発明の有機EL素子は、長寿命で高い発光効率を有するものであるため、表示装置や照明装置に好適に用いることができる。
In the organic EL device of the present invention, the host material is an electron transporting material or a charge transporting material for both holes and electrons, and the hole transporting layer includes a hole transporting material composed of a dibenzothiophene derivative. Therefore, high luminous efficiency can be obtained.
Thus, since the organic EL element of the present invention has a long lifetime and high luminous efficiency, it can be suitably used for a display device or a lighting device.

また、本発明の正孔輸送材料の評価方法は、一対の電極間に発光層と、前記発光層に接して配置される正孔輸送層とを有し、前記発光層が、Bepp2からなるホスト材料と発光材料からなるゲスト材料とからなり、前記正孔輸送層の正孔輸送材料のみ異なる複数の評価用有機EL素子を製造し、各評価用有機EL素子の外部量子効率を測定する工程と、前記複数の評価用有機EL素子のうち、前記外部量子効率の高いものに用いた正孔輸送材料を、ホスト材料が電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料である場合に良好な特性を有するものと評価する工程とを備える方法であり、各評価用有機EL素子の外部量子効率の差に含まれる電荷バランスに起因する影響が非常に少ないため、正孔輸送層の材料自体の特性を厳密に評価できる。
したがって、本発明の正孔輸送材料の評価方法を用いて、両電荷輸送性または電子輸送性のホスト材料を用いた発光層と組み合わせることで、長寿命で高い発光効率を有する有機EL素子を実現できる正孔輸送層の材料を探索できる。
The method for evaluating a hole transport material of the present invention includes a light emitting layer between a pair of electrodes and a hole transport layer disposed in contact with the light emitting layer, and the light emitting layer is a host made of Bepp2. A step of producing a plurality of organic EL elements for evaluation comprising a material and a guest material comprising a light emitting material, wherein only the hole transport material of the hole transport layer is different, and measuring the external quantum efficiency of each organic EL element for evaluation; The hole transport material used for the high external quantum efficiency among the plurality of organic EL elements for evaluation when the host material is an electron transport material or a hole and electron charge transport material. And a step of evaluating that it has good characteristics, and since the influence due to the charge balance included in the difference in external quantum efficiency of each organic EL element for evaluation is very small, the material of the hole transport layer Strict evaluation of its own characteristics Kill.
Therefore, by using the method for evaluating a hole transporting material of the present invention and combining with a light emitting layer using a host material having both charge transporting properties or electron transporting properties, an organic EL device having a long lifetime and high luminous efficiency is realized. The material of the hole transport layer that can be searched can be searched.

図1は、本発明の有機EL素子の一例を説明するための概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of the organic EL element of the present invention. 図2は、本発明の有機EL素子の他の例を説明するための概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining another example of the organic EL element of the present invention. 図3(a)は輝度と印加電力との関係を示したグラフであり、図3(b)は電流密度と印加電力との関係を示したグラフであり、図3(c)は輝度と印加電力との関係を示したグラフである。3A is a graph showing the relationship between luminance and applied power, FIG. 3B is a graph showing the relationship between current density and applied power, and FIG. 3C is a graph showing luminance and applied power. It is the graph which showed the relationship with electric power.

以下、本発明について、例を挙げて詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の有機EL素子の一例を説明するための概略断面図である。図1に示す本実施形態の有機EL素子1は、基板2上に第1電極9と、正孔注入層8と、正孔輸送層7と、発光層6と、電子輸送層5と、電子注入層4と、第2電極3とがこの順に形成された積層構造を有するものであり、一対の電極(第1電極9、第2電極3)間に発光層6と、発光層6に接して配置される正孔輸送層7とを有するものである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples.
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of the organic EL element of the present invention. The organic EL element 1 of this embodiment shown in FIG. 1 includes a first electrode 9, a hole injection layer 8, a hole transport layer 7, a light emitting layer 6, an electron transport layer 5, and an electron on a substrate 2. The injection layer 4 and the second electrode 3 have a laminated structure formed in this order, and are in contact with the light emitting layer 6 and the light emitting layer 6 between a pair of electrodes (first electrode 9 and second electrode 3). And a hole transport layer 7 disposed in a row.

図1に示す有機EL素子1は、基板2上に形成された有機EL素子を構成する積層構造の全てが有機化合物からなるものである。
なお、図1に示す有機EL素子1は、基板2上に形成された有機EL素子1を構成する積層構造に、無機化合物からなる層が含まれているHOILED素子であってもよい。この場合、例えば、図1に示す有機EL素子1において、無機化合物からなる層として、無機の酸化物からなる電子注入層4と、無機の酸化物からなる正孔注入層8とが設けられているものとすることができる。無機化合物は、有機化合物と比較して安定であるため、HOILED素子は、無機化合物からなる層を含まない有機EL素子と比較して、酸素や水に対する耐性が高く、好ましい。
The organic EL element 1 shown in FIG. 1 is one in which the entire laminated structure constituting the organic EL element formed on the substrate 2 is made of an organic compound.
Note that the organic EL element 1 shown in FIG. 1 may be a HOILED element in which a layered structure of the organic EL element 1 formed on the substrate 2 includes a layer made of an inorganic compound. In this case, for example, in the organic EL element 1 shown in FIG. 1, an electron injection layer 4 made of an inorganic oxide and a hole injection layer 8 made of an inorganic oxide are provided as layers made of an inorganic compound. Can be. Since inorganic compounds are more stable than organic compounds, HOILED elements are preferable because they have higher resistance to oxygen and water than organic EL elements that do not include layers made of inorganic compounds.

なお、図1に示す有機EL素子1においては、電子注入層4と正孔注入層8とが設けられている場合を例に挙げて説明するが、例えば、電子注入層4および/または正孔注入層8はなくてもよい。また、図1に示す有機EL素子1においては、有機化合物からなる電子注入層4に代えて無機化合物からなる電子注入層を設けてもよいし、有機化合物からなる正孔注入層8に代えて無機化合物からなる正孔注入層を設けてもよい。   In the organic EL element 1 shown in FIG. 1, the case where the electron injection layer 4 and the hole injection layer 8 are provided will be described as an example. The injection layer 8 may be omitted. Further, in the organic EL element 1 shown in FIG. 1, an electron injection layer made of an inorganic compound may be provided instead of the electron injection layer 4 made of an organic compound, or instead of the hole injection layer 8 made of an organic compound. A hole injection layer made of an inorganic compound may be provided.

図1に示す有機EL素子1は、基板2側と反対側に光を取り出すトップエミッション型のものであってもよいし、基板2側に光を取り出すボトムエミッション型のものであってもよい。
また、図1に示す有機EL素子1は、基板2と発光層6との間に陽極として機能する第1電極9が配置された順構造のものである。
The organic EL element 1 shown in FIG. 1 may be a top emission type that extracts light to the side opposite to the substrate 2 side, or may be a bottom emission type that extracts light to the substrate 2 side.
The organic EL element 1 shown in FIG. 1 has a forward structure in which a first electrode 9 that functions as an anode is disposed between a substrate 2 and a light emitting layer 6.

「基板」
基板2の材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらの1種又は2種以上を用いることができる。
"substrate"
As the material of the substrate 2, resin materials such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, cycloolefin polymer, polyamide, polyethersulfone, polymethyl methacrylate, polycarbonate, polyarylate, quartz glass, soda glass, etc. A glass material etc. are mentioned, These 1 type (s) or 2 or more types can be used.

有機EL素子1がボトムエミッション型のものである場合には、基板2の材料として、透明のものを用いる。
有機EL素子1がトップエミッション型のものである場合には、基板2の材料として、透明のものだけでなく不透明のものも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜(絶縁膜)を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
When the organic EL element 1 is a bottom emission type, a transparent material is used as the material of the substrate 2.
When the organic EL element 1 is a top emission type, not only a transparent material but also an opaque material can be used as the material of the substrate 2. Examples of the opaque substrate include a substrate made of a ceramic material such as alumina, an oxide film (insulating film) formed on the surface of a metal substrate such as stainless steel, and a substrate made of a resin material. It is done.

基板2の平均厚さは、0.1〜30mmであることが好ましく、0.1〜10mmであることがより好ましい。基板2の平均厚さは、デジタルマルチメーター、ノギスにより測定できる。   The average thickness of the substrate 2 is preferably 0.1 to 30 mm, and more preferably 0.1 to 10 mm. The average thickness of the substrate 2 can be measured with a digital multimeter or a caliper.

「第1電極」
図1に示す有機EL素子1における第1電極9は、陽極として機能するものである。第1電極9の材料としては、ITO(インジウム酸化錫)、IZO(インジウム酸化亜鉛)、FTO(フッ素酸化錫)、In、SnO、Sb含有SnO、Al含有ZnO等の酸化物等が挙げられる。この中でも、第1電極9の材料として、ITO、IZO、FTOを用いることが好ましい。
第1電極9の平均厚さは、特に制限されないが、10〜500nmであることが好ましく、100〜200nmであることがより好ましい。
第1電極9の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
"First electrode"
The first electrode 9 in the organic EL element 1 shown in FIG. 1 functions as an anode. Examples of the material of the first electrode 9 include oxides such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), FTO (fluorine tin oxide), In 3 O 3 , SnO 2 , Sb-containing SnO 2 , and Al-containing ZnO. Etc. Among these, it is preferable to use ITO, IZO, or FTO as the material of the first electrode 9.
The average thickness of the first electrode 9 is not particularly limited, but is preferably 10 to 500 nm, and more preferably 100 to 200 nm.
The average thickness of the first electrode 9 can be measured by a stylus profilometer or spectroscopic ellipsometry.

「正孔注入層」
本実施形態における正孔注入層8は、正孔注入層8の材料として通常用いることができるいずれの化合物を用いてもよく、これらを混合して用いてもよい。具体的には、正孔注入層8の材料として、下記一般式(3)に示されるPEDOT:PSS、フタロシアニン(HPc)、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物等が挙げられ、これらの1種又は2種以上を用いることができる。
"Hole injection layer"
For the hole injection layer 8 in the present embodiment, any compound that can be normally used as the material of the hole injection layer 8 may be used, or a mixture thereof may be used. Specifically, examples of the material for the hole injection layer 8 include metal or metal-free phthalocyanine compounds such as PEDOT: PSS, phthalocyanine (H 2 Pc), and copper phthalocyanine represented by the following general formula (3). 1 type, or 2 or more types of these can be used.

また、正孔注入層8が、無機化合物からなるからなるものである場合には、金属酸化物層などの無機の酸化物からなる層であることが好ましい。金属酸化物層としては、特に制限されないが、例えば、酸化バナジウム(V)、酸化モリブテン(MoO)、酸化ルテニウム(RuO)等の1種又は2種以上を用いることができる。これらの中でも、正孔注入層8は、酸化バナジウム又は酸化モリブテンを主成分とするものが好ましい。正孔注入層8が酸化バナジウムおよび/または酸化モリブテンを主成分とするものである場合、第1電極9(陽極)から正孔を注入して発光層6又は正孔輸送層7へ輸送する正孔注入層8としての機能が、より優れたものとなる。また、酸化バナジウムおよび酸化モリブテンは、それ自体の正孔輸送性が高いため、第1電極9から発光層6又は正孔輸送層7への正孔の注入効率が低下するのを好適に防止できる。 Further, when the hole injection layer 8 is made of an inorganic compound, the hole injection layer 8 is preferably a layer made of an inorganic oxide such as a metal oxide layer. As the metal oxide layer is not particularly limited, for example, vanadium oxide (V 2 O 5), molybdenum oxide (MoO 3), can be used alone or in combination, such as ruthenium oxide (RuO 2). Among these, the hole injection layer 8 is preferably composed mainly of vanadium oxide or molybdenum oxide. When the hole injection layer 8 is composed mainly of vanadium oxide and / or molybdenum oxide, positive holes are injected from the first electrode 9 (anode) and transported to the light emitting layer 6 or the hole transport layer 7. The function as the hole injection layer 8 is more excellent. Further, since vanadium oxide and molybdenum oxide itself have high hole transport properties, it is possible to suitably prevent the efficiency of hole injection from the first electrode 9 to the light emitting layer 6 or the hole transport layer 7 from being lowered. .

正孔注入層8の平均厚さは、特に限定されないが、1〜1000nmであることが好ましく、5〜50nmであることがより好ましい。
正孔注入層8の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
Although the average thickness of the positive hole injection layer 8 is not specifically limited, It is preferable that it is 1-1000 nm, and it is more preferable that it is 5-50 nm.
The average thickness of the hole injection layer 8 can be measured at the time of film formation with a crystal oscillator thickness meter.

「正孔輸送層」
正孔輸送層7は、発光層6に接して配置されている。図1に示す有機EL素子1の発光層6では、後述するように、発光領域が発光層6の正孔輸送層7側(陽極側)界面に拡がっている。
正孔輸送層7に用いる正孔輸送材料としては、ジベンゾチオフェン誘導体が用いられている。ジベンゾチオフェン誘導体としては上記一般式(1)に示される化合物であるDBTPBを用いることが好ましい。ジベンゾチオフェン誘導体の中でもDBTPBは、バンドギャップエネルギーが大きく、三重項励起状態(T)のエネルギーの高いものであり、正孔輸送材料として好ましい。また、DBTPBは、発光層6のホスト材料として、上記一般式(2)に示されるBepp2を用いた場合に、長寿命で高い発光効率を有する有機EL素子を実現できるため、好ましい。
`` Hole transport layer ''
The hole transport layer 7 is disposed in contact with the light emitting layer 6. In the light emitting layer 6 of the organic EL element 1 shown in FIG. 1, the light emitting region extends to the hole transport layer 7 side (anode side) interface of the light emitting layer 6 as described later.
A dibenzothiophene derivative is used as a hole transport material used for the hole transport layer 7. As the dibenzothiophene derivative, DBTPB which is a compound represented by the above general formula (1) is preferably used. Among the dibenzothiophene derivatives, DBTPB has a large band gap energy and a high triplet excited state (T 1 ) energy, and is preferable as a hole transport material. DBTPB is preferable because it can realize an organic EL element having a long lifetime and high luminous efficiency when Bepp2 represented by the general formula (2) is used as a host material of the light emitting layer 6.

図1に示す有機EL素子1では、後述するように、発光層6のホスト材料として、電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料が用いられている。したがって、発光層6では、電荷の再結合領域が正孔輸送層/発光層界面に接している。本実施形態においては、正孔輸送層7に用いる正孔輸送材料として、バンドギャップエネルギーが大きく、高い電子ブロック性が得られるジベンゾチオフェン誘導体が用いられている。したがって、図1に示す有機EL素子1では、発光層6に供給された過剰な電子が、正孔と再結合することなく、発光層6から正孔輸送層7に抜け出てしまうことを防止できる。よって、発光層6から正孔輸送層7に電子が抜け出てしまうことによる発光効率の低下が抑制され、高い発光効率が得られる。   In the organic EL element 1 shown in FIG. 1, as will be described later, an electron transporting material or a hole and electron charge transporting material is used as a host material of the light emitting layer 6. Therefore, in the light emitting layer 6, the charge recombination region is in contact with the hole transport layer / light emitting layer interface. In the present embodiment, as the hole transport material used for the hole transport layer 7, a dibenzothiophene derivative having a large band gap energy and high electron blocking properties is used. Therefore, in the organic EL element 1 shown in FIG. 1, it is possible to prevent excess electrons supplied to the light emitting layer 6 from escaping from the light emitting layer 6 to the hole transporting layer 7 without recombining with holes. . Therefore, a decrease in light emission efficiency due to the escape of electrons from the light emitting layer 6 to the hole transport layer 7 is suppressed, and high light emission efficiency is obtained.

正孔輸送層7のバンドギャップエネルギーは、発光層6のホスト材料のバンドギャップエネルギー以上であることが好ましい。正孔輸送層7のバンドギャップエネルギーが、発光層6のホスト材料のバンドギャップエネルギー以上である場合、正孔輸送層7の電子ブロック性がより一層高いものとなり、発光層6に供給された過剰な電子が、発光層6から正孔輸送層7に抜け出てしまうことをより効果的に防止でき、より一層高い発光効率が得られる。   The band gap energy of the hole transport layer 7 is preferably not less than the band gap energy of the host material of the light emitting layer 6. When the band gap energy of the hole transport layer 7 is equal to or higher than the band gap energy of the host material of the light emitting layer 6, the electron blocking property of the hole transport layer 7 becomes much higher, and the excess supplied to the light emitting layer 6 is increased. It is possible to more effectively prevent such electrons from escaping from the light emitting layer 6 to the hole transporting layer 7, and higher luminous efficiency can be obtained.

また、図1に示す有機EL素子1は、正孔輸送層7が、三重項励起状態(T)のエネルギーの高い材料であるベンゾチオフェン誘導体からなる正孔輸送材料を含むものであるので、発光層6から正孔輸送層7に三重項励起状態(T)のエネルギーが移動することを防止でき、発光層6内に三重項励起状態(T)のエネルギーを閉じ込める効果が得られる。よって、後述する発光材料がリン光材料である場合に、ホスト材料の励起状態のエネルギーを効率よくリン光発光として取り出すことができる。 In the organic EL device 1 shown in FIG. 1, the hole transport layer 7 includes a hole transport material made of a benzothiophene derivative that is a material having a high triplet excited state (T 1 ) energy. It is possible to prevent the triplet excited state (T 1 ) energy from being transferred from 6 to the hole transport layer 7, and the effect of confining the triplet excited state (T 1 ) energy in the light emitting layer 6 can be obtained. Therefore, when the light emitting material described later is a phosphorescent material, the energy of the excited state of the host material can be efficiently extracted as phosphorescent light emission.

正孔輸送層7の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nmであることが好ましく、20〜100nmであることがより好ましい。
正孔輸送層7の平均厚さは、例えば、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。
Although the average thickness of the positive hole transport layer 7 is not specifically limited, It is preferable that it is 10-150 nm, and it is more preferable that it is 20-100 nm.
The average thickness of the hole transport layer 7 can be measured by, for example, a stylus profilometer or spectroscopic ellipsometry.

本実施形態において正孔輸送層7に用いる正孔輸送材料は、以下に示す評価方法を用いて、発光層6に用いるホスト材料として両電荷輸送性または電子輸送性のものを用いた場合に、高い発光効率を有する有機EL素子1の得られる材料を探索した結果に基づいて決定されたものである。   In the present embodiment, the hole transport material used for the hole transport layer 7 uses the following evaluation method, and when the host material used for the light emitting layer 6 is a material having both charge transport properties or electron transport properties, This is determined based on a result of searching for a material from which the organic EL element 1 having high luminous efficiency can be obtained.

本実施形態の正孔輸送材料の評価方法では、まず、複数の評価用有機EL素子を製造する。本実施形態における複数の評価用有機EL素子は、一対の電極間に発光層と、発光層に接して配置される正孔輸送層とを有し、発光層が、電子輸送性のものである上記一般式(2)に示されるBepp2(例えば、非特許文献11、非特許文献12参照)からなるホスト材料と発光材料からなるゲスト材料とからなり、正孔輸送層の正孔輸送材料のみ異なるものである。   In the hole transport material evaluation method of this embodiment, first, a plurality of evaluation organic EL elements are manufactured. The plurality of organic EL elements for evaluation in the present embodiment have a light emitting layer between a pair of electrodes and a hole transport layer disposed in contact with the light emitting layer, and the light emitting layer has an electron transporting property. It consists of a host material composed of Bepp2 (see, for example, Non-patent Document 11 and Non-patent Document 12) shown in the general formula (2) and a guest material composed of a light emitting material, and only the hole transport material of the hole transport layer is different. Is.

本実施形態においては、評価用有機EL素子として、図1に示す有機EL素子1と同じ構造を有し、発光層のホスト材料としてBepp2を用い、正孔輸送層の正孔輸送材料のみ異なるものを複数製造する。
なお、評価用有機EL素子の構造は、評価した正孔輸送材料を実際に用いる有機EL素子の構造に応じて適宜決定できる。評価用有機EL素子の構造は、評価結果の信頼性を向上させるために、評価した正孔輸送材料を使用する有機EL素子の構造に類似する構造であることが好ましく、評価した正孔輸送材料を使用する有機EL素子の構造と同じであることがより好ましい。
In this embodiment, the organic EL element for evaluation has the same structure as the organic EL element 1 shown in FIG. 1, uses Bepp2 as the host material of the light emitting layer, and differs only in the hole transport material of the hole transport layer. A plurality of products are manufactured.
In addition, the structure of the organic EL element for evaluation can be appropriately determined according to the structure of the organic EL element that actually uses the evaluated hole transport material. The structure of the organic EL element for evaluation is preferably a structure similar to the structure of the organic EL element using the evaluated hole transport material in order to improve the reliability of the evaluation result, and the evaluated hole transport material It is more preferable that the structure is the same as that of the organic EL device using the above.

次いで、各評価用有機EL素子の外部量子効率を測定する。外部量子効率の測定方法としては、公知の方法を用いることができる。
その後、複数の評価用有機EL素子のうち、外部量子効率の高いものに用いた正孔輸送材料を、ホスト材料が電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料である場合に高い発光効率を有する有機EL素子1の得られる良好な特性を有するものと評価して、本実施形態の有機EL素子1における正孔輸送層7の正孔輸送材料として使用する。
Next, the external quantum efficiency of each organic EL element for evaluation is measured. As a method for measuring the external quantum efficiency, a known method can be used.
Thereafter, the hole transport material used for the organic EL element for evaluation having a high external quantum efficiency is high when the host material is an electron transport material or a hole and electron charge transport material. The organic EL device 1 having luminous efficiency is evaluated as having good characteristics, and is used as a hole transport material for the hole transport layer 7 in the organic EL device 1 of the present embodiment.

本実施形態においては、上記の評価方法を用いて正孔輸送層7に用いる正孔輸送材料を評価するので、各評価用有機EL素子の外部量子効率の差に含まれる電荷バランスに起因する影響が非常に少なく、正孔輸送層の材料自体の特性を厳密に評価できる。したがって、本実施形態において良好な特性を有すると評価した正孔輸送材料を正孔輸送層7は、両電荷輸送性または電子輸送性のホスト材料を用いた発光層と組み合わせて使用することで、確実に高い発光効率を有する有機EL素子を実現できる信頼性の高いものとなる。   In this embodiment, since the hole transport material used for the hole transport layer 7 is evaluated using the above evaluation method, the influence caused by the charge balance included in the difference in the external quantum efficiency of each organic EL element for evaluation. Therefore, the characteristics of the material of the hole transport layer itself can be strictly evaluated. Therefore, the hole transport material 7 evaluated as having good characteristics in the present embodiment, the hole transport layer 7 is used in combination with a light emitting layer using a host material having both charge transport properties or electron transport properties, The organic EL element having a high luminous efficiency can be realized with high reliability.

また、本実施形態において用いる各評価用有機EL素子は、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有するものであってもよい。このような評価用有機EL素子を用いて、正孔輸送材料を評価した場合、正孔と再結合することなく発光層から正孔輸送層に電子が抜け出てしまうことによる評価への影響が抑制されるので、正孔輸送層の材料自体の特性をより厳密に評価できる。
電子ブロック層に用いる材料としては、例えば、有機EL素子の電子ブロック層として使用可能な材料を用いることができる。
Moreover, each organic EL element for evaluation used in the present embodiment may have an electron block layer between the hole transport layer and the light emitting layer. When the hole transport material is evaluated using such an organic EL element for evaluation, the influence on the evaluation due to the escape of electrons from the light emitting layer to the hole transport layer without recombination with holes is suppressed. Therefore, the characteristics of the material of the hole transport layer itself can be evaluated more strictly.
As a material used for an electronic block layer, the material which can be used as an electronic block layer of an organic EL element can be used, for example.

なお、正孔輸送層7は、図1に示すように、1層のみからなるものであってもよいし、上述した発光層6に接して配置される正孔輸送層7の正孔注入層8側に、1層以上の第2正孔輸送層(不図示)を有するものであってもよい。
第2正孔輸送層に用いる正孔輸送性有機材料としては、各種p型の高分子材料(有機ポリマー)や、各種p型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。
As shown in FIG. 1, the hole transport layer 7 may consist of only one layer, or the hole injection layer of the hole transport layer 7 disposed in contact with the light emitting layer 6 described above. It may have one or more second hole transport layers (not shown) on the 8 side.
As the hole transporting organic material used for the second hole transporting layer, various p-type polymer materials (organic polymers) and various p-type low molecular materials can be used alone or in combination.

具体的には、第2正孔輸送層の材料として、例えば、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(α−NPD)、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられる。これらの第2正孔輸送層の材料は、他の化合物との混合物として用いることもでき、一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン/スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)等が挙げられる。   Specifically, as a material of the second hole transport layer, for example, N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine ( α-NPD), polyarylamine, fluorene-arylamine copolymer, fluorene-bithiophene copolymer, poly (N-vinylcarbazole), polyvinylpyrene, polyvinylanthracene, polythiophene, polyalkylthiophene, polyhexylthiophene, poly ( p-phenylene vinylene), polytinylene vinylene, pyrene formaldehyde resin, ethylcarbazole formaldehyde resin or derivatives thereof. These materials for the second hole transport layer can also be used as a mixture with other compounds. For example, poly (3,4-ethylenedioxythiophene / styrenesulfonic acid) is used as a mixture containing polythiophene. (PEDOT / PSS).

第2正孔輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nmであることが好ましく、20〜100nmであることがより好ましい。
第2正孔輸送層の平均厚さは、例えば、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。
Although the average thickness of a 2nd positive hole transport layer is not specifically limited, It is preferable that it is 10-150 nm, and it is more preferable that it is 20-100 nm.
The average thickness of the second hole transport layer can be measured, for example, by a stylus profilometer or spectroscopic ellipsometry.

「発光層」
発光層6は、電荷輸送・再結合の役割を担うホスト材料と、発光材料からなるゲスト材料とからなる。
ホスト材料としては、電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料が用いられている。具体的には、電子輸送性のホスト材料として、上記一般式(2)に示されるBepp2、下記一般式(4)〜(9)に示される化合物などが挙げられ、特に、金属錯体である上記一般式(2)に示されるBepp2であることが好ましい。
"Light emitting layer"
The light emitting layer 6 includes a host material that plays a role of charge transport and recombination, and a guest material made of a light emitting material.
As the host material, an electron transporting material or a hole and electron charge transporting material is used. Specifically, examples of the electron transporting host material include Bepp2 represented by the above general formula (2), compounds represented by the following general formulas (4) to (9), and the like. It is preferable that it is Bepp2 shown by General formula (2).

ホスト材料として、Bepp2等の金属錯体を用いることで、ホスト材料からゲスト材料へのエネルギー移動が効率的に起こるものとなり、高い発光効率を有する有機EL素子1が得られる。   By using a metal complex such as Bepp2 as the host material, energy transfer from the host material to the guest material occurs efficiently, and the organic EL element 1 having high luminous efficiency can be obtained.

また、正孔と電子の両電荷輸送性のホスト材料としては、下記一般式(10)〜(33)に示される化合物などが挙げられる。   Examples of the host material having both charge transporting properties of holes and electrons include compounds represented by the following general formulas (10) to (33).

ゲスト材料としては、リン光材料を用いることが好ましい。
リン光材料としては、下記一般式(34)に示される緑色リン光材料であるIr(mppy)などが挙げられる。ゲスト材料としてリン光材料を用いることで、リン光発光を利用する有機EL素子となり、ゲスト材料として蛍光材料を用いた有機EL素子と比較して、発光効率を向上させることができ、好ましい。
As the guest material, a phosphorescent material is preferably used.
Examples of the phosphorescent material include Ir (mppy) 3 which is a green phosphorescent material represented by the following general formula (34). By using a phosphorescent material as a guest material, an organic EL element using phosphorescence emission is obtained, and light emission efficiency can be improved as compared with an organic EL element using a fluorescent material as a guest material.

発光層6中のゲスト材料の含有量は、1重量%以上15重量%未満であることが好ましい。発光層6中のゲスト材料の含有量を上記範囲とすることで、より一層優れた発光効率が得られる。発光層6中のゲスト材料の含有量が上記範囲未満である場合、ホスト材料からゲスト材料へのエネルギー移動が十分に起こらず、ホスト材料自体が発光して、発光効率が低下する恐れがある。また、発光層6中のゲスト材料の含有量が上記範囲を超える場合、ホスト材料の電子輸送性が不十分となり、ゲスト材料が電荷を運ぶことによって、発光領域が発光層6の正孔輸送層7側界面から離れてしまい、発光効率が低下する恐れがある。   The content of the guest material in the light emitting layer 6 is preferably 1% by weight or more and less than 15% by weight. By setting the content of the guest material in the light emitting layer 6 in the above range, a further excellent luminous efficiency can be obtained. When the content of the guest material in the light emitting layer 6 is less than the above range, energy transfer from the host material to the guest material does not occur sufficiently, and the host material itself emits light, which may reduce the light emission efficiency. In addition, when the content of the guest material in the light emitting layer 6 exceeds the above range, the electron transport property of the host material becomes insufficient, and the guest material carries charge, so that the light emitting region is a hole transport layer of the light emitting layer 6. There is a possibility that the luminous efficiency is lowered due to separation from the 7-side interface.

発光層6の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nmであることが好ましく、20〜100nmであることがより好ましい。
発光層6の平均厚さは、触針式段差計により測定してもよいし、水晶振動子膜厚計により発光層6の成膜時に測定してもよい。
Although the average thickness of the light emitting layer 6 is not specifically limited, It is preferable that it is 10-150 nm, and it is more preferable that it is 20-100 nm.
The average thickness of the light emitting layer 6 may be measured by a stylus type step meter, or may be measured at the time of forming the light emitting layer 6 by a crystal resonator film thickness meter.

「電子輸送層」
電子輸送層5に用いる材料としては、フェニル−ディピレニルホスフィンオキサイド(POPy)のようなホスフィンオキサイド誘導体、トリス−1,3,5−(3’−(ピリジン−3’’−イル)フェニル)ベンゼン(TmPyPhB)のようなピリジン誘導体、(2−(3−(9−カルバゾリル)フェニル)キノリン(mCQ))のようなキノリン誘導体、2−フェニル−4,6−ビス(3,5−ジピリジルフェニル)ピリミジン(BPyPPM)のようなピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、バソフェナントロリン(BPhen)のようなフェナントロリン誘導体、2,4−ビス(4−ビフェニル)−6−(4’−(2−ピリジニル)−4−ビフェニル)−[1,3,5]トリアジン(MPT)のようなトリアジン誘導体、3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)のようなトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾール)(PBD)のようなオキサジアゾール誘導体、2,2’,2’’−(1,3,5−ベントリイル)−トリス(1−フェニル−1−H−ベンズイミダゾール)(TPBI)のようなイミダゾール誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(Zn(BTZ))、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq3)などに代表される各種金属錯体、2,5−ビス(6’−(2’,2’’−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール(PyPySPyPy)等のシロール誘導体に代表される有機シラン誘導体等が挙げられ、これらの1種又は2種以上を用いることができる。これらの電子輸送層の材料の中でも、POPyのようなホスフィンオキサイド誘導体、Alqのような金属錯体、TmPyPhBのようなピリジン誘導体を用いることが好ましい。
"Electron transport layer"
Examples of materials used for the electron transport layer 5 include phosphine oxide derivatives such as phenyl-dipyrenylphosphine oxide (POPy 2 ), tris-1,3,5- (3 ′-(pyridin-3 ″ -yl) phenyl. ) Pyridine derivatives such as benzene (TmPyPhB), quinoline derivatives such as (2- (3- (9-carbazolyl) phenyl) quinoline (mCQ)), 2-phenyl-4,6-bis (3,5-dipyridyl) Pyrimidine derivatives such as phenyl) pyrimidine (BPyPPM), pyrazine derivatives, phenanthroline derivatives such as bathophenanthroline (BPhen), 2,4-bis (4-biphenyl) -6- (4 '-(2-pyridinyl) -4 -Biphenyl)-[1,3,5] triazine (MPT) and other triazine derivatives, 3-phenyl Triazole derivatives such as 4- (1′-naphthyl) -5-phenyl-1,2,4-triazole (TAZ), oxazole derivatives, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl- Oxadiazole derivatives such as 1,3,4-oxadiazole) (PBD), 2,2 ′, 2 ″-(1,3,5-bentriyl) -tris (1-phenyl-1-H— Imidazole derivatives such as benzimidazole (TPBI), aromatic tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene and perylene, bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzothiazolate] zinc (Zn (BTZ) 2 ), tris (8- Various metal complexes represented by hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3), 2,5-bis (6 ′-(2 ′, 2 ″ -bipyridyl))-1,1- Organic silane derivatives typified by silole derivatives such as methyl-3,4-diphenyl silole (PyPySPyPy) and the like, can be used alone or in combination of two or more thereof. Among these electron transport layer material, phosphine oxide derivatives such as Popy 2, metal complexes such as Alq 3, it is preferable to use pyridine derivatives such as TmPyPhB.

電子輸送層5の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nmであることが好ましく、20〜100nmであることが、より好ましい。
電子輸送層5の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
Although the average thickness of the electron carrying layer 5 is not specifically limited, It is preferable that it is 10-150 nm, and it is more preferable that it is 20-100 nm.
The average thickness of the electron transport layer 5 can be measured by a stylus profilometer or spectroscopic ellipsometry.

「電子注入層」
電子注入層4として有機化合物からなるものを設ける場合には、電子注入層の材料として通常用いることができるいずれの化合物を用いてもよく、これらを混合して用いてもよい。具体的に例えば、ポリエチレンイミン、ポリ(9,9−ビス(6’’−トリメチルアンモニウムヘキシル)フルオレン−コ−アルト−フェニレン)ウィズブロマイドコウンテリオンズ(FPQ−Br)、ポリ(9,9−ビス(3’−ジメチルアミノ)プロピル)2,7−フルオレン−アルト−2,7−(9、9−ジオクティルフルオレン)(PFNR)、ポリアルキレンオキシド等が挙げられる。
"Electron injection layer"
In the case of providing an electron injection layer 4 made of an organic compound, any compound that can be normally used as a material for the electron injection layer may be used, or a mixture thereof may be used. Specifically, for example, polyethyleneimine, poly (9,9-bis (6 ″ -trimethylammonium hexyl) fluorene-co-alt-phenylene) with bromide counties (FPQ-Br), poly (9,9-bis) (3′-dimethylamino) propyl) 2,7-fluorene-alt-2,7- (9,9-dioctylfluorene) (PFNR 2 ), polyalkylene oxide and the like.

また、電子注入層4が、無機化合物からなるからなるものである場合には、金属酸化物層などの無機の酸化物からなる層であることが好ましい。金属酸化物層としては、特に制限されないが、例えば、酸化チタン(TiO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タングステン(WO)、酸化二オブ(Nb)、酸化鉄(Fe)、酸化錫(SnO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化ハフニウム(HfO)、酸化ジルコニウム(ZrO)、酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO)から選ばれる1種又は2種以上を用いることができる。これらの金属酸化物層からなる電子注入層4は、電子注入層としての機能や、電極(陰極)としての機能を備えている。
また、電子注入層4の材料は、上記の材料に限定されるものではなく、例えば、LiFなどを用いてもよい。
Moreover, when the electron injection layer 4 consists of an inorganic compound, it is preferable that it is a layer consisting of inorganic oxides, such as a metal oxide layer. The metal oxide layer is not particularly limited. For example, titanium oxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), tungsten oxide (WO 3 ), niobium oxide (Nb 2 O 5 ), iron oxide (Fe 2 O) 3 ), one or more selected from tin oxide (SnO 2 ), magnesium oxide (MgO), hafnium oxide (HfO 2 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), and indium gallium zinc oxide (IGZO) may be used. it can. The electron injection layer 4 made of these metal oxide layers has a function as an electron injection layer and a function as an electrode (cathode).
Further, the material of the electron injection layer 4 is not limited to the above material, and for example, LiF may be used.

電子注入層4の平均厚さは、特に限定されないが、1〜1000nmであることが好ましく、2〜100nmであることがより好ましい。
電子注入層4の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
Although the average thickness of the electron injection layer 4 is not specifically limited, It is preferable that it is 1-1000 nm, and it is more preferable that it is 2-100 nm.
The average thickness of the electron injection layer 4 can be measured by a stylus profilometer or spectroscopic ellipsometry.

「第2電極」
図1に示す有機EL素子1における第2電極3は、陰極として機能するものである。第2電極3としては、Au、Pt、Ag、Cu、Alまたはこれらを含む合金等が挙げられる。この中でも、第2電極3としてAu、Ag、Alを用いることが好ましい。
第2電極3の平均厚さは、特に限定されないが、10〜1000nmであることが好ましく、30〜150nmであることがより好ましい。また、第2電極3として不透過な材料を用いる場合でも、例えば、平均厚さを10〜30nm程度にすることで、トップエミッション型及び透明型の陽極として使用できる。
第2電極3の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により第2電極3の成膜時に測定できる。
"Second electrode"
The second electrode 3 in the organic EL element 1 shown in FIG. 1 functions as a cathode. Examples of the second electrode 3 include Au, Pt, Ag, Cu, Al, and alloys containing these. Among these, it is preferable to use Au, Ag, or Al as the second electrode 3.
Although the average thickness of the 2nd electrode 3 is not specifically limited, It is preferable that it is 10-1000 nm, and it is more preferable that it is 30-150 nm. Even when an opaque material is used for the second electrode 3, for example, by setting the average thickness to about 10 to 30 nm, it can be used as a top emission type or transparent type anode.
The average thickness of the second electrode 3 can be measured at the time of film formation of the second electrode 3 by using a quartz vibrator thickness meter.

図1に示す本実施形態の有機EL素子1は、公知の方法を適宜使用して製造できる。   The organic EL element 1 of the present embodiment shown in FIG. 1 can be manufactured using a known method as appropriate.

本実施形態の有機EL素子1は、第1電極9と第2電極3との間に発光層6と、発光層6に接して配置される正孔輸送層7とを有し、発光層6が、ホスト材料と発光材料からなるゲスト材料とからなり、ホスト材料が、電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料であり、正孔輸送層7が、ジベンゾチオフェン誘導体からなる正孔輸送材料を含むものであるため、発光領域が発光層6の正孔輸送層7側界面に拡がっている。本実施形態においては、発光領域が発光層6の正孔輸送層7側界面に拡がっている場合に、有機EL素子の寿命に影響を与える正孔輸送層7が、安定性に優れた正孔輸送材料を含むものであるため、長寿命のものとなる。   The organic EL element 1 according to the present embodiment includes a light emitting layer 6 and a hole transport layer 7 disposed in contact with the light emitting layer 6 between the first electrode 9 and the second electrode 3. Is composed of a host material and a guest material made of a light emitting material, the host material is an electron transporting material or a charge transporting material for both holes and electrons, and the hole transporting layer 7 is a positive material made of a dibenzothiophene derivative. Since the hole transport material is included, the light emitting region extends to the hole transport layer 7 side interface of the light emitting layer 6. In the present embodiment, when the light emitting region extends to the hole transport layer 7 side interface of the light emitting layer 6, the hole transport layer 7 that affects the lifetime of the organic EL element is a hole having excellent stability. Since it includes a transport material, it has a long life.

また、本実施形態の有機EL素子1では、ホスト材料が、電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料であり、正孔輸送層7が、ジベンゾチオフェン誘導体からなる正孔輸送材料を含むものであるため、高い発光効率が得られる。   In the organic EL device 1 of the present embodiment, the host material is an electron transporting material or a hole and electron charge transporting material, and the hole transporting layer 7 is a hole transporting material made of a dibenzothiophene derivative. Therefore, high luminous efficiency can be obtained.

(第2実施形態)
図2は、本発明の有機EL素子の他の例を説明するための概略断面図である。図2に示す本実施形態の有機EL素子1Aは、基板2上に第1電極9と、電子注入層4と、電子輸送層5と、発光層6と、正孔輸送層7と、正孔注入層8と、第2電極3とがこの順に形成された積層構造を有するものである。
(Second Embodiment)
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining another example of the organic EL element of the present invention. An organic EL element 1A of the present embodiment shown in FIG. 2 includes a first electrode 9, an electron injection layer 4, an electron transport layer 5, a light emitting layer 6, a hole transport layer 7, and a hole on a substrate 2. The injection layer 8 and the second electrode 3 have a laminated structure formed in this order.

図2に示す有機EL素子1Aにおける第1電極9は陰極として機能するものであり、第2電極3は陽極として機能するものである。
図2に示す有機EL素子1Aは、基板2上に陰極として機能する第1電極9が形成され、基板2と発光層6との間に第1電極9が配置された逆構造のものである。
The first electrode 9 in the organic EL element 1A shown in FIG. 2 functions as a cathode, and the second electrode 3 functions as an anode.
The organic EL element 1 </ b> A shown in FIG. 2 has a reverse structure in which a first electrode 9 that functions as a cathode is formed on a substrate 2, and the first electrode 9 is disposed between the substrate 2 and the light emitting layer 6. .

図2に示す本実施形態の有機EL素子1Aと、図1に示す本実施形態の有機EL素子1との異なるところは、電子注入層4と、電子輸送層5と、発光層6と、正孔輸送層7と、正孔注入層8の積層順序が逆になっているところのみである。したがって、図2に示す本実施形態の有機EL素子1Aにおいて、図1に示す有機EL素子1と同じ部材には、同じ符号を付し、説明を省略する。   The difference between the organic EL element 1A of this embodiment shown in FIG. 2 and the organic EL element 1 of this embodiment shown in FIG. 1 is that an electron injection layer 4, an electron transport layer 5, a light emitting layer 6, and a positive This is only where the stacking order of the hole transport layer 7 and the hole injection layer 8 is reversed. Therefore, in the organic EL element 1A of the present embodiment shown in FIG. 2, the same members as those of the organic EL element 1 shown in FIG.

なお、本発明の有機EL素子は、図1および図2に示す有機EL素子に限定されるものではない。すなわち、本発明の有機EL素子は、第1電極9と第2電極3との間に発光層6と、発光層6に接して配置される正孔輸送層7とを有していればよく、電子注入層4、電子輸送層5、第2正孔輸送層、正孔注入層8は、必要に応じて形成すればよい。
また、本発明の有機EL素子は、図1に示す各層の間に、さらに他の層を有していてもよい。
In addition, the organic EL element of this invention is not limited to the organic EL element shown in FIG.1 and FIG.2. That is, the organic EL element of the present invention only needs to have the light emitting layer 6 and the hole transport layer 7 disposed in contact with the light emitting layer 6 between the first electrode 9 and the second electrode 3. The electron injection layer 4, the electron transport layer 5, the second hole transport layer, and the hole injection layer 8 may be formed as necessary.
Moreover, the organic EL element of this invention may have another layer between each layer shown in FIG.

本発明の有機EL素子においては、有機EL素子の特性をさらに向上させる等の理由から、必要に応じて例えば、正孔阻止層、電子素子層などを有していてもよい。
これらの層を形成するための材料としては、これらの層を形成するために通常用いられる材料を用いることができる。また、これらの層を形成する方法としては、これらの層を形成するために通常用いられる方法を用いることができる。
The organic EL element of the present invention may have, for example, a hole blocking layer, an electronic element layer, and the like as necessary for the purpose of further improving the characteristics of the organic EL element.
As a material for forming these layers, a material usually used for forming these layers can be used. Moreover, as a method for forming these layers, a method usually used for forming these layers can be used.

また、本発明の有機EL素子は、最近研究が加速している熱活性型遅延蛍光(TADF)を利用したものであってもよい。
この場合、ゲスト材料としては、熱活性型の遅延蛍光を発生する材料を用いる。熱活性型の遅延蛍光を発生する材料としては、下記一般式(35)〜(38)に示される化合物などが挙げられる。
Further, the organic EL device of the present invention may be one using thermally activated delayed fluorescence (TADF), which has recently been accelerated.
In this case, as the guest material, a material that generates thermally activated delayed fluorescence is used. Examples of the material that generates thermally activated delayed fluorescence include compounds represented by the following general formulas (35) to (38).

本発明の有機EL素子は、有機化合物層の材料を適宜選択することによって発光色を変化させることができるし、カラーフィルター等を併用して所望の発光色を得ることもできる。そのため、表示装置の発光部位や照明装置として好適に用いることができる。
本発明の表示装置は、長寿命で高い発光効率を有する本発明の有機EL素子を用いた表示パネルと、該表示パネルを駆動する駆動回路と、を有するものである。このため、表示装置として好ましいものとなる。
また、本発明の照明装置は、長寿命で高い発光効率を有する本発明の有機EL素子を備えるものである。このため、照明装置として好ましいものとなる。
The organic EL device of the present invention can change the emission color by appropriately selecting the material of the organic compound layer, and can also obtain a desired emission color by using a color filter or the like in combination. Therefore, it can be suitably used as a light emitting part of a display device or a lighting device.
The display device of the present invention has a display panel using the organic EL element of the present invention having a long lifetime and high light emission efficiency, and a drive circuit for driving the display panel. For this reason, it is preferable as a display device.
Moreover, the illuminating device of this invention is equipped with the organic EL element of this invention which has a long lifetime and high luminous efficiency. For this reason, it becomes a preferable thing as an illuminating device.

以下に示す2つの評価用有機EL素子を製造し、評価した。
「評価用有機EL素子A」
基板上に、ITO(酸化インジウム錫)からなる第1電極(陽極)と、PEDOT:PSSからなる厚み30nmの正孔注入層と、下記一般式(39)に示されるα−NPDからなる厚み40nmの正孔輸送層と、下記一般式(40)に示されるIr(ppz)からなる厚み10nmの電子ブロック層と、ゲスト材料としてIr(mppy)を用い、ホスト材料としてBepp2を用い、発光層6中のゲスト材料の含有量を6重量%とした厚み35nm発光層と、下記一般式(41)に示されるTPBIからなる厚み40nmの電子輸送層と、LiF膜からなる厚み1nmの電子注入層と、Al膜からなる第2電極(陰極)とを公知の方法により順に形成した。
The following two organic EL elements for evaluation were manufactured and evaluated.
"Evaluation organic EL element A"
On a substrate, a first electrode (anode) made of ITO (indium tin oxide), a hole injection layer with a thickness of 30 nm made of PEDOT: PSS, and a thickness of 40 nm made of α-NPD represented by the following general formula (39) A hole transport layer, a 10 nm thick electron blocking layer made of Ir (ppz) 3 represented by the following general formula (40), Ir (mppy) 3 as a guest material, and Bepp 2 as a host material. 35 nm thick light emitting layer with a guest material content of 6% by weight in layer 6, 40 nm thick electron transport layer made of TPBI represented by the following general formula (41), and 1 nm thick electron injection made of LiF film A layer and a second electrode (cathode) made of an Al film were sequentially formed by a known method.

「評価用有機EL素子B」
電子輸送層の材料をETM−143(商品名:保土谷化学製)に代えたこと以外は、評価用有機EL素子Aと同様にして、評価用有機EL素子Bを形成した。
"Evaluation organic EL element B"
Evaluation organic EL element B was formed in the same manner as evaluation organic EL element A, except that the material of the electron transport layer was changed to ETM-143 (trade name: manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.).

得られた評価用有機EL素子Aおよび評価用有機EL素子Bについて、輝度と印加電力との関係、電流密度と印加電力との関係、電流密度と外部量子効率との関係を調べた。その結果を図3(a)〜図3(c)に示す。
図3(a)は輝度と印加電力との関係を示したグラフであり、図3(b)は電流密度と印加電力との関係を示したグラフであり、図3(c)は輝度と印加電力との関係を示したグラフである。
With respect to the obtained organic EL element for evaluation A and organic EL element for evaluation B, the relationship between luminance and applied power, the relationship between current density and applied power, and the relationship between current density and external quantum efficiency were examined. The results are shown in FIGS. 3 (a) to 3 (c).
3A is a graph showing the relationship between luminance and applied power, FIG. 3B is a graph showing the relationship between current density and applied power, and FIG. 3C is a graph showing luminance and applied power. It is the graph which showed the relationship with electric power.

なお、評価用有機EL素子Aおよび評価用有機EL素子Bの電子ブロック層の材料に用いたIr(ppz)は、電子ブロック性の高い材料である。しかし、Ir(ppz)を用いた電子ブロック層を有する有機EL素子は、寿命の短いものとなる。このため、評価用有機EL素子Aおよび評価用有機EL素子Bについて、寿命の評価は行っていない。 In addition, Ir (ppz) 3 used for the material of the electronic block layer of the evaluation organic EL element A and the evaluation organic EL element B is a material having a high electron blocking property. However, an organic EL element having an electron block layer using Ir (ppz) 3 has a short lifetime. For this reason, the evaluation of the lifetime of the evaluation organic EL element A and the evaluation organic EL element B is not performed.

図1(a)および図1(b)に示すように、評価用有機EL素子Aと比較して評価用有機EL素子Bの方が、低い駆動電圧で動作していることが分かる。また、図1(c)に示すように、評価用有機EL素子Aおよび評価用有機EL素子Bは、両者とも20%以上の高い外部量子効率が得られている。   As shown in FIG. 1A and FIG. 1B, it can be seen that the evaluation organic EL element B is operated at a lower drive voltage than the evaluation organic EL element A. Moreover, as shown in FIG.1 (c), both the organic EL element for evaluation A and the organic EL element for evaluation B have a high external quantum efficiency of 20% or more.

通常、リン光発光を利用する有機EL素子においては、外部量子効率が素子の電荷バランスに大きく依存する(例えば、非特許文献13参照)。
しかし、図1(c)に示すように、ホスト材料としてBepp2を用いている評価用有機EL素子Aおよび評価用有機EL素子Bでは、両者の電子輸送層の材料を代えることで電荷バランスを異ならせているのにも関わらず、電荷バランスに依存せずにいずれも高い発光効率が得られた。この理由は、電子輸送性のホスト材料としてBepp2を用いることで、ホスト材料からゲスト材料へのエネルギー移動が効率的に起こったためであると考えられる。
Usually, in an organic EL device using phosphorescence emission, the external quantum efficiency largely depends on the charge balance of the device (see, for example, Non-Patent Document 13).
However, as shown in FIG. 1C, in the evaluation organic EL element A and the evaluation organic EL element B using Bepp2 as the host material, the charge balance is different by changing the material of the both electron transport layers. In spite of this, high luminous efficiency was obtained regardless of the charge balance. The reason for this is considered to be that energy transfer from the host material to the guest material occurred efficiently by using Bepp2 as the electron transporting host material.

このことから、ホスト材料としてBepp2を用いた発光層と、正孔輸送層とを備える有機EL素子を、正孔輸送層の材料のみ異ならせて複数製造し、外部量子効率を測定した結果に基づいて、正孔輸送層の材料自体の特性を評価できることが確認できた。
また、図1(c)に示す結果から、ホスト材料としてBepp2を用い、正孔輸送層の材料として電子ブロック性が高く、三重項励起状態(T)のエネルギーの閉じ込めができるものを用いることで、発光効率の高い有機EL素子が得られることが推定できる。
From this, based on the result of manufacturing a plurality of organic EL elements each having a light-emitting layer using Bepp2 as a host material and a hole transport layer, differing only in the material of the hole transport layer, and measuring the external quantum efficiency Thus, it was confirmed that the characteristics of the material of the hole transport layer itself can be evaluated.
In addition, from the results shown in FIG. 1C, Bepp2 is used as the host material, and a material having a high electron blocking property and capable of confining the energy of the triplet excited state (T 1 ) is used as the material of the hole transport layer. Thus, it can be estimated that an organic EL element with high luminous efficiency can be obtained.

以下に示す実験例1〜8の有機EL素子を製造し、評価した。
「実験例1」
基板2上に、ITO(酸化インジウム錫)からなる第1電極9(陽極)と、PEDOT:PSSからなる厚み30nmの正孔注入層8と、α−NPDからなる厚み10nmの第2正孔輸送層(不図示)と、α−NPDからなる厚み10nmの正孔輸送層7と、ゲスト材料としてIr(mppy)を用い、ホスト材料としてBepp2を用い、発光層6中のゲスト材料の含有量を6重量%とした厚み35nm発光層6と、TPBIからなる厚み40nmの電子輸送層5と、LiF膜からなる厚み1nmの電子注入層4と、Al膜からなる第2電極3(陰極)とを公知の方法により順に形成し、図1に示す有機EL素子1を形成した。
The organic EL elements of Experimental Examples 1 to 8 shown below were manufactured and evaluated.
"Experiment 1"
On the substrate 2, a first electrode 9 (anode) made of ITO (indium tin oxide), a hole injection layer 8 made of PEDOT: PSS with a thickness of 30 nm, and a second hole transport made of α-NPD with a thickness of 10 nm. A layer (not shown), a 10 nm thick hole transport layer 7 made of α-NPD, Ir (mppy) 3 as a guest material, Bepp 2 as a host material, and the content of the guest material in the light emitting layer 6 A light emitting layer 6 having a thickness of 6% by weight, an electron transport layer 5 having a thickness of 40 nm made of TPBI, an electron injection layer 4 having a thickness of 1 nm made of a LiF film, and a second electrode 3 (cathode) made of an Al film. Were sequentially formed by a known method to form the organic EL element 1 shown in FIG.

「実験例2」
正孔輸送層7の材料を下記一般式(42)に示されるHMTPDに代えたこと以外は、実験例1と同様にして、実験例2の有機EL素子1を形成した。
"Experimental example 2"
Organic EL element 1 of Experimental Example 2 was formed in the same manner as Experimental Example 1 except that the material of the hole transport layer 7 was changed to HMTPD represented by the following general formula (42).

「実験例3」
正孔輸送層7の材料を下記一般式(43)に示されるTPD15に代えたこと以外は、実験例1と同様にして、実験例3の有機EL素子1を形成した。
"Experiment 3"
The organic EL element 1 of Experimental Example 3 was formed in the same manner as Experimental Example 1 except that the material of the hole transport layer 7 was changed to TPD15 represented by the following general formula (43).

「実験例4」
正孔輸送層7の材料を下記一般式(44)に示されるST1411:N,N'−Bis−(phenyl)−N,N'−bis−(4−triphenylmethyl−phenyl)−benzidineに代えたこと以外は、実験例1と同様にして、実験例4の有機EL素子1を形成した。
"Experimental example 4"
The material of the hole transport layer 7 was replaced with ST1411: N, N′-Bis- (phenyl) -N, N′-bis- (4-triphenylmethyl-phenyl) -benzidine represented by the following general formula (44). Except for this, the organic EL element 1 of Experimental Example 4 was formed in the same manner as Experimental Example 1.

「実験例5」
正孔輸送層7の材料をDBTPBに代えたこと以外は、実験例1と同様にして、実験例5の有機EL素子1を形成した。
「実験例6」
正孔輸送層7の材料を下記一般式(45)に示される3BTPDに代えたこと以外は、実験例1と同様にして、実験例6の有機EL素子1を形成した。
“Experimental Example 5”
The organic EL element 1 of Experimental Example 5 was formed in the same manner as Experimental Example 1 except that the material of the hole transport layer 7 was replaced with DBTPB.
"Experimental example 6"
The organic EL element 1 of Experimental Example 6 was formed in the same manner as Experimental Example 1, except that the material of the hole transport layer 7 was changed to 3BTPD represented by the following general formula (45).

「実験例7」
正孔輸送層7の材料を下記一般式(46)に示されるNPAPFに代えたこと以外は、実験例1と同様にして、実験例7の有機EL素子1を形成した。
"Experimental example 7"
The organic EL element 1 of Experimental Example 7 was formed in the same manner as Experimental Example 1, except that the material of the hole transport layer 7 was changed to NPAPF represented by the following general formula (46).

「実験例8」
正孔輸送層7の材料を下記一般式(47)に示されるCzTPに代えたこと以外は、実験例1と同様にして、実験例8の有機EL素子1を形成した。
"Experimental example 8"
The organic EL element 1 of Experimental Example 8 was formed in the same manner as Experimental Example 1 except that the material of the hole transport layer 7 was changed to CzTP represented by the following general formula (47).

実験例1〜実験例8において使用した正孔輸送層の材料と、ホスト材料であるBepp2の最高占有軌道(HOMO)・最低非占有軌道(LUMO)のエネルギー、バンドギャップエネルギーを表1に示す。
また、実験例1〜実験例8において使用した正孔輸送層の材料と、ゲスト材料であるIr(mppy)の三重項励起状態(T)のエネルギーを表1に示す。
Table 1 shows the material of the hole transport layer used in Experimental Examples 1 to 8, and the highest occupied orbital (HOMO) and lowest unoccupied orbital (LUMO) energy and band gap energy of the host material Bepp2.
Table 1 shows the material of the hole transport layer used in Experimental Examples 1 to 8 and the energy of the triplet excited state (T 1 ) of Ir (mppy) 3 that is the guest material.

このようにして得られた実験例1〜実験例8の有機EL素子の外部量子効率(EQE)、駆動電圧、正孔輸送層の発光の有無、素子寿命を測定した。その結果を表1に示す。
なお、有機EL素子の素子寿命は、表1に示す駆動電圧で有機EL素子を発光させた場合に輝度が半減するまでの寿命(時間)である。
また、正孔輸送層の発光の有無は、有機EL素子の発光スペクトルにおいて、ゲスト材料であるIr(mppy)の発光の短波長側に正孔輸送材料からの発光が観測されたものを「あり」と評価し、観測されなかったものを「なし」と評価した。
The external quantum efficiency (EQE), drive voltage, presence / absence of light emission from the hole transport layer, and device lifetime of the organic EL devices of Experimental Examples 1 to 8 thus obtained were measured. The results are shown in Table 1.
In addition, the element lifetime of an organic EL element is a lifetime (time) until a brightness | luminance is reduced by half when an organic EL element is made to light-emit with the drive voltage shown in Table 1. FIG.
Further, the presence or absence of light emission of the hole transport layer is obtained by observing light emission from the hole transport material on the short wavelength side of the light emission of Ir (mppy) 3 as the guest material in the emission spectrum of the organic EL element. “No” was evaluated, and those that were not observed were evaluated as “None”.

実験例1〜8の有機EL素子は、ホスト材料としてBepp2を用いた発光層と、正孔輸送層とを備え、正孔輸送層の材料のみ異ならせたものである。このため、実験例1〜8の有機EL素子のうち、外部量子効率を測定した結果の高いものに用いた正孔輸送材料を、ホスト材料が電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料である場合に良好な特性を有するものと評価できる。   The organic EL elements of Experimental Examples 1 to 8 are provided with a light emitting layer using Bepp2 as a host material and a hole transport layer, and only the material of the hole transport layer is different. For this reason, the hole transport material used for the organic EL elements of Experimental Examples 1 to 8 having a high result of measuring the external quantum efficiency, the host material is an electron transport material or both charge transport of holes and electrons. It can be evaluated that it has good characteristics when it is an adhesive material.

表1に示すように、実験例1では、ホスト材料であるBepp2と正孔輸送層の材料であるα−NPDとのLUMOのエネルギー位置は比較的近く、α−NPDの三重項エネルギーはゲスト材料であるIr(mppy)のそれよりも小さい。このため、α−NPDを正孔輸送層の材料として用いた実験例1の有機EL素子では、外部量子効率が低く、十分に高い発光効率が得られなかった。 As shown in Table 1, in Experimental Example 1, the energy position of LUMO between Bepp2 as the host material and α-NPD as the material of the hole transport layer is relatively close, and the triplet energy of α-NPD is the guest material. Is smaller than that of Ir (mppy) 3 . For this reason, in the organic EL element of Experimental Example 1 using α-NPD as the material for the hole transport layer, the external quantum efficiency was low, and a sufficiently high light emission efficiency was not obtained.

また、正孔輸送層の材料として、ホスト材料であるBepp2よりもバンドギャップエネルギーが小さいα−NPD・TPD15・NPAPFを用いた実験例1、実験例3、実験例7の有機EL素子では、正孔輸送層において蛍光発光が観測された。これは、発光層に供給された過剰な電子が、発光層から正孔輸送層に抜け出し、ホスト材料の励起状態が正孔輸送層の材料にエネルギー移動したためであると考えられる。このことにより、実験例1、実験例3、実験例7の有機EL素子では、リン光素子の発光効率の低下が起こっていると考えられる。   In addition, the organic EL elements of Experimental Example 1, Experimental Example 3, and Experimental Example 7 using α-NPD / TPD15 / NPAPPF having a band gap energy smaller than that of the host material Bepp2 as the material of the hole transport layer are positive. Fluorescence emission was observed in the hole transport layer. This is presumably because excess electrons supplied to the light emitting layer escaped from the light emitting layer to the hole transport layer, and the excited state of the host material was transferred to the material of the hole transport layer. Thus, in the organic EL elements of Experimental Example 1, Experimental Example 3, and Experimental Example 7, it is considered that the emission efficiency of the phosphorescent element is reduced.

一方で、正孔輸送層の材料として、α−NPDと類似の構造でそのナフタレン部の置換基構造が異なる、HMTPD、ST1411、DBTPBを用いた実験例2、実験例4、実験例5の有機EL素子では、正孔輸送層のバンドギャップエネルギーがホスト材料であるBepp2以上となっている。したがって、実験例2、実験例4、実験例5の有機EL素子では、ホスト材料の励起状態のエネルギーをリン光発光として取り出すことができる。このため、実験例1よりも高い発光効率が得られている。   On the other hand, organic materials of Experimental Example 2, Experimental Example 4, and Experimental Example 5 using HMTPD, ST1411, and DBTPB, which are similar in structure to α-NPD and different in the substituent structure of the naphthalene portion as the material of the hole transport layer. In the EL element, the band gap energy of the hole transport layer is equal to or higher than Bepp2, which is a host material. Therefore, in the organic EL elements of Experimental Example 2, Experimental Example 4, and Experimental Example 5, the energy of the excited state of the host material can be extracted as phosphorescence. For this reason, the luminous efficiency higher than Experimental Example 1 is obtained.

また、正孔輸送層の材料として、トリフェニルアミン骨格を持ち立体的な分子構造である3BTPDを用いた実験例6の有機EL素子では、バンドギャップエネルギーが大きく、高い電子ブロック性が得られる正孔輸送層を有しているため、高い発光効率が得られている。
一方で、実験例8の有機EL素子では、正孔輸送層の材料であるカルバゾール骨格が、三重項エネルギーおよびバンドギャップエネルギーが大きいものの、電子ブロック層として向いていなかったため、高い発光効率は得られなかったと考えられる。
In addition, in the organic EL device of Experimental Example 6 using 3BTPD having a triphenylamine skeleton as a material of the hole transport layer and having a three-dimensional molecular structure, the positive band gap energy is large and high electron blocking property is obtained. Since it has a hole transport layer, high luminous efficiency is obtained.
On the other hand, in the organic EL device of Experimental Example 8, although the carbazole skeleton, which is the material of the hole transport layer, has a large triplet energy and a band gap energy, it was not suitable as an electron blocking layer, so high luminous efficiency was obtained. Probably not.

表1に示すように、実験例2〜6、8の有機EL素子では、実験例1の有機EL素子よりも高い発光効率が得られた。したがって、実験例2〜6、8の有機EL素子に用いた正孔輸送材料は、ホスト材料が電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料である場合に良好な特性を有するものである。
しかし、表1に示すように、素子寿命については、実験例2〜6、8のうち実験例5のみが実験例1よりも良好な特性となった。
このことから、ホスト材料としてBepp2のような電子輸送性の材料を用いた場合、正孔輸送層の材料としてDBTPBのようなジベンゾチオフェン誘導体からなる材料が適していることが分かった。なぜなら、実験例2〜5の有機EL素子に用いた正孔輸送層の材料は、末端以外は、DBTPBと類似の構造であるにもかかわらず、実験例5のみが良好な寿命特性が得られたためである。
As shown in Table 1, the organic EL elements of Experimental Examples 2 to 6 and 8 had higher luminous efficiency than the organic EL element of Experimental Example 1. Therefore, the hole transport material used in the organic EL elements of Experimental Examples 2 to 6 and 8 has good characteristics when the host material is an electron transport material or a hole and electron charge transport material. It is.
However, as shown in Table 1, with respect to the element lifetime, only Experimental Example 5 out of Experimental Examples 2 to 6 and 8 had better characteristics than Experimental Example 1.
This indicates that when an electron transporting material such as Bepp2 is used as the host material, a material made of a dibenzothiophene derivative such as DBTPB is suitable as the material for the hole transporting layer. This is because the material of the hole transport layer used in the organic EL elements of Experimental Examples 2 to 5 has a similar structure to that of DBTPB except for the terminal, but only Experimental Example 5 has good life characteristics. This is because.

「実験例9」
基板2上に、ITO(酸化インジウム錫)からなる第1電極9(陽極)と、PEDOT:PSSからなる厚み30nmの正孔注入層8と、α−NPDからなる厚み10nmの第2正孔輸送層(不図示)と、DBTPBからなる厚み10nmの正孔輸送層7と、ゲスト材料としてIr(mppy)を用い、ホスト材料として下記一般式(48)に示されるCBPを用い、発光層6中のゲスト材料の含有量を6重量%とした厚み35nm発光層6と、TPBIからなる厚み40nmの電子輸送層5と、LiF膜からなる厚み1nmの電子注入層4と、Al膜からなる第2電極3(陰極)とを公知の方法により順に形成し、図1に示す有機EL素子1を形成した。
"Experimental example 9"
On the substrate 2, a first electrode 9 (anode) made of ITO (indium tin oxide), a hole injection layer 8 made of PEDOT: PSS with a thickness of 30 nm, and a second hole transport made of α-NPD with a thickness of 10 nm. A light-emitting layer 6 using a layer (not shown), a 10 nm-thick hole transport layer 7 made of DBTPB, Ir (mppy) 3 as a guest material, and CBP represented by the following general formula (48) as a host material A light emitting layer 6 having a thickness of 35 nm with a guest material content of 6% by weight, an electron transport layer 5 having a thickness of 40 nm made of TPBI, an electron injection layer 4 having a thickness of 1 nm made of LiF film, and a first layer made of an Al film. Two electrodes 3 (cathode) were sequentially formed by a known method to form the organic EL element 1 shown in FIG.

「実験例10」
正孔輸送層7を形成しなかったこと以外は、実験例9と同様にして、実験例10の有機EL素子1を形成した。
"Experimental example 10"
The organic EL element 1 of Experimental Example 10 was formed in the same manner as Experimental Example 9 except that the hole transport layer 7 was not formed.

このようにして得られた実験例9および実験例10の有機EL素子の外部量子効率(EQE)、駆動電圧、素子寿命を実験例1と同様にして測定した。その結果を表2に示す。   The external quantum efficiency (EQE), drive voltage, and device lifetime of the organic EL devices of Experimental Examples 9 and 10 obtained in this manner were measured in the same manner as Experimental Example 1. The results are shown in Table 2.

表2に示すように、正孔輸送層を有する実験例9の外部量子効率は、正孔輸送層のない実験例10よりも高い。これは、実験例9では、正孔輸送層による三重項励起状態(T)のエネルギーの閉じ込めの効果が得られることによるものであると考えられる。
一方、寿命については実験例9よりも実験例10が長い。これは、実験例9および実験例10の有機EL素子では、ホスト材料として正孔輸送性の材料であるCBPを用いている。この場合、発光領域が発光層の電子輸送層側(陰極側)界面に拡がっている。したがって、正孔輸送層に用いる材料の安定性が、有機EL素子の寿命に与える影響が小さくなっているためと考えられる。
As shown in Table 2, the external quantum efficiency of Experimental Example 9 having the hole transport layer is higher than that of Experimental Example 10 having no hole transport layer. This is presumably because, in Experimental Example 9, the effect of confining the energy of the triplet excited state (T 1 ) by the hole transport layer is obtained.
On the other hand, Experimental Example 10 is longer than Experimental Example 9 in terms of life. This is because the organic EL elements of Experimental Example 9 and Experimental Example 10 use CBP, which is a hole transporting material, as the host material. In this case, the light emitting region extends to the electron transport layer side (cathode side) interface of the light emitting layer. Therefore, it is considered that the influence of the stability of the material used for the hole transport layer on the lifetime of the organic EL element is reduced.

また、実験例5および実験例9の結果から、ジベンゾチオフェン誘導体からなる正孔輸送層7は、ホスト材料として正孔輸送性の材料を用いた場合には、十分な寿命が得られず、ホスト材料としてBepp2のような電子輸送性または正孔と電子の両電荷輸送性材料の材料を組み合わせた場合に、長寿命で高い発光効率を有する有機EL素子が得られることが分かった。   Further, from the results of Experimental Example 5 and Experimental Example 9, the hole transport layer 7 made of a dibenzothiophene derivative does not have a sufficient lifetime when a hole transporting material is used as the host material, and the host It has been found that an organic EL device having a long lifetime and high luminous efficiency can be obtained when a material of an electron transporting material such as Bepp2 or a charge transporting material of both holes and electrons is combined.

「実験例11」
基板2上に、ITO(酸化インジウム錫)からなる第1電極9(陽極)と、PEDOT:PSSからなる厚み30nmの正孔注入層8と、α−NPDからなる厚み20nmの第2正孔輸送層(不図示)と、HMTPD、3BTPD、DBTPB、α−NPDからなる厚み10nmの正孔輸送層7と、ゲスト材料としてIr(mppy)を用い、ホスト材料として上記一般式(33)に示される両電荷輸送性材料であるBUPH1(非特許文献10参照)を用い、発光層6中のゲスト材料の含有量を6重量%とした厚み25nm発光層6と、TPBIからなる厚み40nmの電子輸送層5と、LiF膜からなる厚み1nmの電子注入層4と、Al膜からなる第2電極3(陰極)とを公知の方法により順に形成し、図1に示す有機EL素子1を形成した。
"Experimental example 11"
On the substrate 2, a first electrode 9 (anode) made of ITO (indium tin oxide), a hole injection layer 8 made of PEDOT: PSS with a thickness of 30 nm, and a second hole transport made of α-NPD with a thickness of 20 nm. A layer (not shown), a 10 nm-thick hole transport layer 7 made of HMTPD, 3BTPD, DBTPB, and α-NPD, Ir (mppy) 3 as a guest material, and the above general formula (33) as a host material The charge transport material BUPH1 (see Non-Patent Document 10), the light-emitting layer 6 has a thickness of 25 nm of the light-emitting layer 6 having a guest material content of 6% by weight, and the electron transport of TPBI having a thickness of 40 nm A layer 5, a 1 nm-thick electron injection layer 4 made of a LiF film, and a second electrode 3 (cathode) made of an Al film are sequentially formed by a known method to form the organic EL element 1 shown in FIG. did.

このようにして得られた実験例11の有機EL素子の外部量子効率(EQE)および素子寿命を実験例1と同様にして測定した。その結果を表3に示す。   The external quantum efficiency (EQE) and device lifetime of the organic EL device of Experimental Example 11 obtained in this manner were measured in the same manner as in Experimental Example 1. The results are shown in Table 3.

表3に示すように、α−NPD以外の材料からなる正孔輸送層を有する実験例11の外部量子効率は、α−NPDからなる正孔輸送層に有する素子よりも高い。
また、実験例11の外部量子効率は、表1に示すホスト材料として電子輸送性材料であるBepp2を用いた場合と、その大小関係が概ね一致する(3BTPD>HMTPD>DBTPB>α−NPD)。このことから、ホスト材料としてBUPH1を用いた場合にも、Bepp2を用いた場合と同じく、正孔輸送層の材料のみ異ならせて有機EL素子を複数製造し、外部量子効率を測定した場合、外部量子効率の高いものに用いた正孔輸送材料を、ホスト材料が電子輸送性材料または両電荷輸送性材料である場合に良好な特性を有するものと評価できることがわかる。
As shown in Table 3, the external quantum efficiency of Experimental Example 11 having the hole transport layer made of a material other than α-NPD is higher than that of the element having the hole transport layer made of α-NPD.
Further, the external quantum efficiency of Experimental Example 11 is almost the same as the case of using Bepp2, which is an electron transporting material, as the host material shown in Table 1 (3BTPD>HMTPD>DBTPB> α-NPD). From this, even when BUPH1 is used as the host material, as in the case of using Bepp2, only a material for the hole transport layer is made different to produce a plurality of organic EL elements and the external quantum efficiency is measured. It can be seen that the hole transporting material used for a material with high quantum efficiency can be evaluated as having good characteristics when the host material is an electron transporting material or a dual charge transporting material.

また、表1および表3に示すように、ホスト材料としてBUPH1を用いた場合、Bepp2を用いた場合よりも外部量子効率の差が小さくなっている。これは、両電荷輸送性材料であるBUPH1を用いた場合と比較して、電子輸送性材料であるBepp2を用いた場合の方が、発光領域が発光層の正孔輸送層側界面により局所化するためであると考えられる。   As shown in Tables 1 and 3, the difference in external quantum efficiency is smaller when BUPH1 is used as the host material than when Bepp2 is used. This is because the emission region is more localized at the hole transport layer side interface of the light emitting layer when Bepp2 is used as the electron transporting material than when using BUPH1 which is both charge transporting materials. It is thought that it is to do.

また、寿命に注目すると、表3に示す実験例11においても、表1に示すBepp2を用いた場合と同様に、DBTPB、α−NPDからなる正孔輸送層を有する素子に比べ、3BTPD、HMTPDからなる正孔輸送層を有する素子の寿命は短くなっている。
このことから、ホスト材料としてBUPH1のような両電荷輸送性の材料を用いた場合、正孔輸送層の材料としてDBTPBのようなジベンゾチオフェン誘導体からなる材料が適していることが分かった。
Further, when attention is paid to the lifetime, in Experimental Example 11 shown in Table 3, as in the case of using Bep2 shown in Table 1, 3BTPD and HMTPD are compared with the device having the hole transport layer made of DBTPB and α-NPD. The lifetime of a device having a hole transport layer made of is shortened.
From this, it was found that when a material having both charge transport properties such as BUPH1 is used as the host material, a material comprising a dibenzothiophene derivative such as DBTPB is suitable as the material of the hole transport layer.

なお、表1および表3に示すように、ホスト材料としてBUPH1を用いた場合、Bepp2を用いた場合よりも寿命の差が小さくなっている。この理由は、Bepp2よりもBUPH1の方が、材料自体の耐久性が低いためであると考えられる。   As shown in Tables 1 and 3, the difference in lifetime is smaller when BUPH1 is used as the host material than when Bepp2 is used. The reason for this is considered that DUPH1 has lower durability of the material itself than Bepp2.

1:有機EL素子(有機エレクトロルミネッセンス素子)、2:基板、3:第2電極、4:電子注入層、5:電子輸送層、6:発光層、7:正孔輸送層、8:正孔注入層、9:第1電極。 1: Organic EL element (organic electroluminescence element), 2: substrate, 3: second electrode, 4: electron injection layer, 5: electron transport layer, 6: light emitting layer, 7: hole transport layer, 8: hole Injection layer, 9: first electrode.

Claims (10)

一対の電極間に発光層と、前記発光層に接して配置される正孔輸送層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層は、ホスト材料と発光材料からなるゲスト材料とからなり、
前記ホスト材料は、電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料であり、
前記正孔輸送層は、ジベンゾチオフェン誘導体からなる正孔輸送材料を含むものであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
An organic electroluminescence device having a light emitting layer between a pair of electrodes and a hole transport layer disposed in contact with the light emitting layer,
The light emitting layer is composed of a host material and a guest material made of a light emitting material,
The host material is an electron transporting material or a hole and electron charge transporting material,
The organic electroluminescent device, wherein the hole transport layer includes a hole transport material made of a dibenzothiophene derivative.
前記ジベンゾチオフェン誘導体は、下記一般式(1)に示される化合物であることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the dibenzothiophene derivative is a compound represented by the following general formula (1).
前記正孔輸送材料のバンドギャップエネルギーが、前記ホスト材料のバンドギャップエネルギー以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   3. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein a band gap energy of the hole transport material is equal to or higher than a band gap energy of the host material. 前記ゲスト材料は、リン光材料または熱活性型の遅延蛍光を発生する材料であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the guest material is a phosphorescent material or a material that generates thermally activated delayed fluorescence. 前記ホスト材料は、金属錯体であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 4, wherein the host material is a metal complex. 前記発光層中の前記ゲスト材料の含有量が、1重量%以上15重量%未満であることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   6. The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the content of the guest material in the light emitting layer is 1% by weight or more and less than 15% by weight. 請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示パネルと、該表示パネルを駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする表示装置。   A display device comprising: a display panel using the organic electroluminescence element according to claim 1; and a drive circuit for driving the display panel. 請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いて形成されていることを特徴とする照明装置。   It forms using the organic electroluminescent element as described in any one of Claims 1-6, The illuminating device characterized by the above-mentioned. 一対の電極間に発光層と、前記発光層に接して配置される正孔輸送層とを有し、前記発光層が、下記一般式(2)に示されるBepp2からなるホスト材料と発光材料からなるゲスト材料とからなり、前記正孔輸送層の正孔輸送材料のみ異なる複数の評価用有機エレクトロルミネッセンス素子を製造し、各評価用有機エレクトロルミネッセンス素子の外部量子効率を測定する工程と、
前記複数の評価用有機エレクトロルミネッセンス素子のうち、前記外部量子効率の高いものに用いた正孔輸送材料を、ホスト材料が電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料である場合に良好な特性を有するものと評価する工程とを備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料の評価方法。
A light emitting layer between a pair of electrodes and a hole transport layer disposed in contact with the light emitting layer, wherein the light emitting layer is composed of a host material and a light emitting material made of Bepp2 represented by the following general formula (2). A plurality of organic electroluminescent elements for evaluation, which differ only in the hole transport material of the hole transport layer, and measuring the external quantum efficiency of each organic electroluminescent element for evaluation,
When the host material is an electron transporting material or a hole and electron charge transporting material, the hole transporting material used for the high external quantum efficiency among the plurality of organic electroluminescence elements for evaluation A method for evaluating a hole transport material of an organic electroluminescence element, comprising: a step of evaluating that it has good characteristics.
各評価用有機エレクトロルミネッセンス素子が、前記正孔輸送層と前記発光層との間に電子ブロック層を有するものであることを特徴とする請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料の評価方法。   Each organic electroluminescent element for evaluation has an electron block layer between the said positive hole transport layer and the said light emitting layer, The hole transport material of the organic electroluminescent element of Claim 9 characterized by the above-mentioned. Evaluation method.
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