JP2014182733A - Simulator, simulation method and simulation program for semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置のシミュレータ、シミュレーション方法及びシミュレーションプログラムに関し、例えば、アナログフロントエンド回路を含む半導体装置のシミュレータ、シミュレーション方法及びシミュレーションプログラムに好適に利用できるものである。 The present invention relates to a semiconductor device simulator, a simulation method, and a simulation program, and can be suitably used for a semiconductor device simulator, a simulation method, and a simulation program including an analog front-end circuit, for example.
近年、使い勝手の向上やエコシステムの拡大、ヘルスケアの浸透、セキュリティの強化などから、民生、産業、医療を始めとした各種機器でセンサの搭載が進んでいる。その背景として、センサデバイスとしての使い勝手の向上や、センサを実現するのに不可欠なアナログ回路の低電圧・低電力化が進み、システムの小型化、コストの低減が可能になったことが挙げられる。センサには温度センサ、赤外線センサ、光センサ、衝撃センサなど様々な種類があり、これら動作原理に応じてセンサ信号を処理する回路を構成し特性設定を行うことが行なわれている。 In recent years, sensors have been installed in various devices such as consumer, industrial, and medical due to improvements in usability, expansion of the ecosystem, penetration of healthcare, and enhancement of security. As the background, it is possible to improve the usability as a sensor device and the low voltage and low power of the analog circuit essential for realizing the sensor, making it possible to reduce the size and cost of the system. . There are various types of sensors such as a temperature sensor, an infrared sensor, an optical sensor, and an impact sensor, and a circuit for processing sensor signals is configured and characteristic settings are performed in accordance with these operating principles.
このような機器では、マイクロコンピュータ等の制御装置が、センサの測定結果に応じた制御処理を行っている。センサから出力される測定信号は、そのままでは、マイクロコンピュータ等の制御装置では処理できないため、マイクロコンピュータに入力する前にアナログフロントエンド（ＡＦＥ）回路によって一定レベルへ増幅したり、ノイズの除去等のアナログフロントエンド処理が行われている。このアナログフロントエンド処理は、センサの動作原理や特性に応じた設計が必要であり、またアナログ特有の設計ノウハウを要するため、目標とするセンサの動作原理や特性を絞込んだ上で、特定センサに向けて専用ＡＦＥ回路や専用ＩＣを開発することが行なわれてきた。 In such a device, a control device such as a microcomputer performs control processing according to the measurement result of the sensor. Since the measurement signal output from the sensor cannot be processed as it is by a control device such as a microcomputer, it is amplified to a certain level by an analog front end (AFE) circuit before being input to the microcomputer, noise removal, etc. Analog front-end processing is performed. This analog front-end processing requires a design according to the sensor's operating principle and characteristics, and requires analog-specific design know-how. For this reason, development of dedicated AFE circuits and dedicated ICs has been carried out.
このようなＡＦＥ回路を設計するための設計支援ツールとして従来から回路シミュレータ（単にシミュレータとも称する）が利用されている。回路シミュレータには、単体のコンピュータ上でシミュレーションを実行するスタンドアロン型シミュレータと、オンラインのウェブサーバ（Ｗｅｂサーバ）上でシミュレーションを実行するウェブサーバ型シミュレータ（ウェブシミュレータと称する）が普及している。例えば、従来のウェブシミュレータとして、非特許文献１の"ＷＥＢＥＮＣＨ Ｄｅｓｉｇｎｅｒ"が知られている。
Conventionally, a circuit simulator (also simply referred to as a simulator) has been used as a design support tool for designing such an AFE circuit. As circuit simulators, a stand-alone simulator that executes a simulation on a single computer and a web server type simulator (referred to as a web simulator) that executes a simulation on an online web server (Web server) are widely used. For example, “WEBENCH Designer” of Non-Patent
"ＷＥＢＥＮＣＨ Ｄｅｓｉｇｎｅｒ"は、センサ用のＡＦＥ回路を含む半導体装置のウェブシミュレータである。"ＷＥＢＥＮＣＨ Ｄｅｓｉｇｎｅｒ"では、ＡＦＥ回路に接続されるセンサをユーザが選択し、センサにより検出される物理量をユーザが設定して、シミュレーションを行うことができる。"ＷＥＢＥＮＣＨ Ｄｅｓｉｇｎｅｒ"では、シミュレーション結果を参考にして、ユーザがＡＦＥ回路内のアンプのゲインを調整することができる。 “WEBENCH Designer” is a web simulator of a semiconductor device including an AFE circuit for a sensor. In “WEBENCH Designer”, a user can select a sensor connected to the AFE circuit, and the user can set a physical quantity detected by the sensor and perform a simulation. In “WEBENCH Designer”, the user can adjust the gain of the amplifier in the AFE circuit with reference to the simulation result.
なお、従来の半導体装置のウェブシミュレータとして、特許文献１も知られている。
上記非特許文献１の"ＷＥＢＥＮＣＨ Ｄｅｓｉｇｎｅｒ"などのような従来のウェブシミュレータでは、シミュレーション対象の回路であるセンサに関する種々の情報をデータベース（記憶部）に登録し管理している。一般に、このようなシステムのデータベースは、シミュレータの管理者であるシステム開発者（管理者）がアクセスし、センサに関する情報の登録／更新を行っている。
In a conventional web simulator such as “WEBENCH Designer” of Non-Patent
しかしながら、従来のウェブシミュレータでは、システム開発者などのように登録するセンサについて関連が少なく精通していない者がデータベースへ登録／更新などの書き込みを行うため、誤ったセンサ情報を書き込む恐れがあるという問題があった。 However, in the conventional web simulator, a person who is not related and familiar with the sensor to register, such as a system developer, writes information such as registration / update to the database, so there is a risk of writing incorrect sensor information. There was a problem.
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 Other problems and novel features will become apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.
一実施の形態によれば、半導体装置のシミュレータは、センサ情報記憶部と、アカウント情報記憶部と、アクセス権限特定部と、センサ書き込み部と、シミュレーション実行部とを備える。 According to one embodiment, a simulator of a semiconductor device includes a sensor information storage unit, an account information storage unit, an access authority specifying unit, a sensor writing unit, and a simulation execution unit.
センサ情報記憶部は、第１のアクセスグループに属する第１のセンサ情報と第２のアクセスグループに属する第２のセンサ情報を記憶する。アカウント情報記憶部は、第１のアクセスグループに属するアカウントに対して、第１のアクセスグループへ第１のセンサ情報の書き込みを許可し、かつ、第２のアクセスグループへ第２のセンサ情報の書き込みを拒否する第１のアクセス権限情報を記憶する。アクセス権限特定部は、記憶された第１のアクセス権限情報を参照して、受け付けたアクセスのアカウントに応じて第１のアクセスグループ及び第２のアクセスグループへのアクセス権限を特定する。センサ書き込み部は、特定されたアクセス権限に基づき書き込みが許可された第１のアクセスグループへ、アクセスに応じて第１のセンサ情報の書き込みを行う。シミュレーション実行部は、アクセスに応じて、書き込まれた第１のセンサ情報のセンサと、回路構成が変更可能なアナログフロントエンド回路を有する半導体装置とを含む回路のシミュレーションを実行する。 The sensor information storage unit stores first sensor information belonging to the first access group and second sensor information belonging to the second access group. The account information storage unit permits an account belonging to the first access group to write the first sensor information to the first access group, and writes the second sensor information to the second access group. 1st access authority information which refuses is memorize | stored. The access authority specifying unit refers to the stored first access authority information, and specifies the access authority to the first access group and the second access group according to the accepted access account. The sensor writing unit writes the first sensor information according to the access to the first access group that is allowed to write based on the specified access authority. The simulation execution unit executes a simulation of a circuit including the sensor of the written first sensor information and a semiconductor device having an analog front-end circuit whose circuit configuration can be changed according to access.
前記一実施の形態によれば、誤ったセンサ情報の書き込みを防ぐことができる。 According to the embodiment, it is possible to prevent erroneous writing of sensor information.
（実施の形態１）
以下、図面を参照して実施の形態１について説明する。本実施の形態では、回路構成及び回路特性を変更可能な半導体装置に対し最適な設定を行うため、半導体装置と同じ回路についてシミュレーションを行う。
(Embodiment 1)
The first embodiment will be described below with reference to the drawings. In this embodiment mode, simulation is performed on the same circuit as the semiconductor device in order to optimally set the semiconductor device whose circuit configuration and circuit characteristics can be changed.
本実施の形態に係るシミュレータの理解を助けるため、まず、シミュレーション対象の回路を含む半導体装置について説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置を含むセンサシステムの構成を示している。 In order to assist the understanding of the simulator according to the present embodiment, first, a semiconductor device including a circuit to be simulated will be described. FIG. 1 shows a configuration of a sensor system including a semiconductor device according to this embodiment.
図１に示すように、このセンサシステムは、センサ２と、センサに接続された半導体装置１とを備えている。
As shown in FIG. 1, the sensor system includes a
センサ２には、検出結果に応じた電流を出力する電流出力型センサや、検出結果に応じた電圧を出力する電圧出力型センサ、検出結果に応じて微弱な差動信号出力するセンサなど様々なセンサを利用することが可能である。
The
半導体装置１は、ＭＣＵ部２００とＡＦＥ部１００とを有している。例えば、半導体装置１は、ＭＣＵ部２００の半導体チップと、ＡＦＥ部１００の半導体チップとを１つの半導体装置に搭載したＳｏＣ（System-on-a-chip）である。なお、ＭＣＵ部２００とＡＦＥ部１００とを含む１チップの半導体装置としてもよい。また、ＭＣＵ部２００のみを含む半導体装置と、ＡＦＥ部１００のみを含む半導体装置としてもよい。後述のシミュレータでは、センサ２と半導体装置１内のＡＦＥ部１００がシミュレーションの対象となる。以下、ＡＦＥ部１００及びＭＣＵ部２００を含む装置を半導体装置１と称する場合もあり、ＡＦＥ部１００のみ含む装置を半導体装置１と称する場合もある。なお、以降でＭＣＵ部２００とＡＦＥ部１００に分けて説明する機能は、その所属（ＭＣＵ部２００もしくはＡＦＥ部１００）を入れ替える場合もある。
The
ＭＣＵ部（制御部）２００は、ＡＦＥ部１００を介して入力されるセンサ２の測定信号（検出信号）をＡ／Ｄ変換し、検出結果に応じた制御処理を行うマイクロコントローラである。また、ＭＣＵ部２００は、ＡＦＥ部１００の構成及び特性を設定変更するための制御信号をＡＦＥ部１００へ出力する。
The MCU unit (control unit) 200 is a microcontroller that performs A / D conversion on the measurement signal (detection signal) of the
ＡＦＥ部（アナログ入力部）１００は、センサ２が出力する測定信号に対し、増幅やフィルタリング等のアナログフロントエンド処理を行い、ＭＣＵ部２００で処理可能な信号とするアナログ回路である。また、ＡＦＥ部１００は、図１に示すように、トポロジ（回路構成）が変更可能であり、さらに、パラメータ（回路特性）も変更可能である。
The AFE unit (analog input unit) 100 is an analog circuit that performs analog front-end processing such as amplification and filtering on the measurement signal output from the
図１の例のように、オペアンプ回路の構成から、Ｉ／Ｖアンプ、減算（差動）アンプ、加算アンプ、反転アンプ、非反転アンプ、計装アンプの構成に変更できる。また、非反転アンプのパラメータ例のように、動作点の変更、利得（ゲイン）の変更、オフセット調整を行うことができる。 As in the example of FIG. 1, the configuration of the operational amplifier circuit can be changed to the configuration of an I / V amplifier, a subtraction (differential) amplifier, an addition amplifier, an inverting amplifier, a non-inverting amplifier, and an instrumentation amplifier. Further, as in the parameter example of the non-inverting amplifier, the operating point can be changed, the gain can be changed, and the offset can be adjusted.
本実施の形態に係る半導体装置１は、ＡＦＥ部１００の内部回路の構成により、各用途に適した複数の種類（ＴＹＰＥ）の半導体装置を構成することができる。図２〜図２０を用いて、汎用システム向けであるＴＹＰＥ０の半導体装置１について説明し、図２１〜図２２を用いて、一般計測器向けであるＴＹＰＥ１の半導体装置１について説明し、図２３〜図２５を用いて、モータ制御向けであるＴＹＰＥ２の半導体装置１について説明する。なお、ＴＹＰＥ０〜２のいずれかを単に半導体装置１と称する場合もある。
In the
図２は、ＴＹＰＥ０の半導体装置１の回路ブロックを示している。図２に示すように、ＭＣＵ部２００は、ＣＰＵコア２１０、メモリ２２０、オシレータ２３０、タイマ２４０、入出力ポート２５０、Ａ／Ｄコンバータ２６０、ＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）インタフェース２７０を備えている。なお、ＭＣＵ部２００は、マイクロコントローラの機能を実現するためのその他の回路、例えば、ＤＭＡや各種演算回路等を備えている。
FIG. 2 shows a circuit block of the
ＣＰＵコア２１０は、メモリ２２０に格納されたプログラムを実行しプログラムに従った制御処理を行う。メモリ２２０は、ＣＰＵコア２１０で実行するプログラムや各種データを格納する。オシレータ２３０は、ＭＣＵ部２００の動作クロックを生成し、また、必要に応じてＡＦＥ部１００へクロックを供給する。タイマ２４０は、ＭＣＵ部２００の制御動作に利用される。
The
入出力ポート２５０は、半導体装置１の外部の装置とデータ等の入出力を行うためのインタフェースであり、例えば、後述のように外部のコンピュータ装置等と接続可能である。
The input /
Ａ／Ｄコンバータ２６０は、ＡＦＥ部１００を介して入力されるセンサ２の測定信号をＡ／Ｄ変換する。また、Ａ／Ｄコンバータ２６０の電源は、ＡＦＥ部１００から供給されている。
The A /
ＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）インタフェース２７０は、ＡＦＥ部１００とデータ等の入出力を行うためのインタフェースである。なお、ＳＰＩインタフェース２７０は、汎用的なシリアルインタフェースであり、ＳＰＩに対応していれば、他のマイクロコントローラ／マイクロコンピュータであっても、ＡＦＥ部１００と接続することができる。
An SPI (Serial Peripheral Interface)
図２のＴＹＰＥ０の半導体装置１は、汎用的な用途に対応可能な構成となっている。具体的には、様々な種類や特性のセンサを接続できるように、センサ用ＡＦＥ回路一式を搭載している。すなわち、ＡＦＥ部１００は、コンフィギュラブル・アンプ１１０、同期検波対応増幅アンプ（増幅アンプともいう）１２０、ＳＣ型ローパス・フィルタ（ローパス・フィルタともいう）１３０、ＳＣ型ハイパス・フィルタ（ハイパス・フィルタともいう）１４０、可変レギュレータ１５０、温度センサ１６０、汎用アンプ１７０、ＳＰＩインタフェース１８０、を備えている。
The
コンフィギュラブル・アンプ１１０は、センサ２等の外部から入力される信号を増幅する増幅回路であり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって回路構成及び特性、動作が設定可能である。コンフィギュラブル・アンプ１１０は、３ｃｈのアンプ、すなわち、３つのアンプを有している。この３つのアンプにより多くの回路構成を実現することができる。
The
増幅アンプ１２０は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の出力や、センサ２等の外部から入力される信号を増幅する同期検波対応の増幅回路であり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって特性、動作が設定可能である。
The amplifying
ローパス・フィルタ１３０は、コンフィギュラブル・アンプ１１０や増幅アンプ１２０の出力、センサ２等の外部から入力される信号に対し、高周波成分を除去し低周波成分を通過させるＳＣ型のフィルタであり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって特性、動作が設定可能である。ハイパス・フィルタ１４０は、コンフィギュラブル・アンプ１１０や増幅アンプ１２０の出力、センサ２等の外部から入力される信号に対し、低周波成分を除去し高周波成分を通過させるＳＣ型のフィルタであり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって特性、動作が設定可能である。
The low-
可変レギュレータ１５０は、ＭＣＵ部２００のＡ／Ｄコンバータ２６０へ電圧を供給する可変電圧源であり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって特性、動作が設定可能である。温度センサ１６０は、半導体装置１の温度を測定するセンサであり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって動作が設定可能である。
The
汎用アンプ１７０は、センサ２等の外部から入力される信号を増幅するアンプであり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって動作が設定可能である。ＳＰＩインタフェース１８０は、ＭＣＵ部２００とデータ等の入出力を行うためのインタフェースであり、ＭＣＵ部２００のＳＰＩインタフェース２７０とＳＰＩバスを介して接続されている。なお、半導体装置１がＭＣＵ部２００を有さない場合、ＳＰＩインタフェース１８０を半導体装置１の外部端子に接続し、外部端子経由で外部のマイクロコントローラやエミュレータ等とＡＦＥ部１００とを接続する。
The general-
次に、ＴＹＰＥ０の半導体装置１におけるＡＦＥ部１００の構成について詳細に説明する。図３は、ＡＦＥ部１００の各回路の接続関係を示している。ＳＰＩインタフェース１８０は、ＳＰＩバスに接続された外部端子（ＣＳ、ＳＣＬＫ、ＳＤＯ、ＳＤＩ）に接続されて、レジスタ（制御レジスタ）１８１を有している。ＭＣＵ部２００から、ＳＰＩインタフェースを介して、回路の構成・特性を変更するための構成情報（設定情報）が入力され、レジスタ１８１に格納される。レジスタ１８１は、ＡＦＥ部１００内の各回路に接続されており、レジスタ１８１の構成情報に応じてＡＦＥ部１００内の各回路の構成・特性が設定される。
Next, the configuration of the
コンフィギュラブル・アンプ１１０は、個別アンプＡＭＰ１、ＡＭＰ２、ＡＭＰ３を有しており、アンプの入出力を切り替えるスイッチＳＷ１０〜ＳＷ１５が接続されている。
The
個別アンプＡＭＰ１は、一方の入力端子がスイッチＳＷ１０を介してＭＰＸＩＮ１０またはＭＰＸＩＮ１１に接続され、他方の入力端子がスイッチＳＷ１１を介してＭＰＸＩＮ２０またはＭＰＸＩＮ２１に接続され、出力端子がＡＭＰ１＿ＯＵＴに接続されている。同様に、個別アンプＡＭＰ２は、一方の入力端子がスイッチＳＷ１２を介してＭＰＸＩＮ３０またはＭＰＸＩＮ３１に接続され、他方の入力端子がスイッチＳＷ１３を介してＭＰＸＩＮ４０またはＭＰＸＩＮ４１に接続され、出力端子がＡＭＰ２＿ＯＵＴに接続されている。 The individual amplifier AMP1 has one input terminal connected to MPXIN10 or MPXIN11 via the switch SW10, the other input terminal connected to MPXIN20 or MPXIN21 via the switch SW11, and an output terminal connected to AMP1_OUT. Similarly, the individual amplifier AMP2 has one input terminal connected to MPXIN30 or MPXIN31 via the switch SW12, the other input terminal connected to MPXIN40 or MPXIN41 via the switch SW13, and an output terminal connected to AMP2_OUT. Yes.
また、個別アンプＡＭＰ３は、一方の入力端子がスイッチＳＷ１４を介してＭＰＸＩＮ５０、ＭＰＸＩＮ５１またはＡＭＰ１の出力端子に接続され、他方の入力端子がスイッチＳＷ１５を介してＭＰＸＩＮ６０、ＭＰＸＩＮ６１またはＡＭＰ２の出力端子に接続され、出力端子がＡＭＰ３＿ＯＵＴに接続されている。ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力端子は、増幅アンプ１２０、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０にも接続されている。
The individual amplifier AMP3 has one input terminal connected to the output terminal of MPXIN50, MPXIN51 or AMP1 via the switch SW14, and the other input terminal connected to the output terminal of MPXIN60, MPXIN61 or AMP2 via the switch SW15. The output terminal is connected to AMP3_OUT. The output terminals of AMP1 to AMP3 are also connected to the
コンフィギュラブル・アンプ１１０は、レジスタ１８１の設定値に応じて、スイッチＳＷ１０〜ＳＷ１５が切り替えられて、ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の接続構成が変更され、内部の回路構成・特性も後述のように変更される。
In the
図４、図５は、スイッチＳＷ１０〜ＳＷ１５によるＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の接続切り替え例である。図４では、レジスタ１８１の設定により、スイッチＳＷ１０，１１を切り替えて、ＡＭＰ１の入力端子をＭＰＸＩＮ１０，ＭＰＸＩＮ２０に接続し、スイッチＳＷ１２，１３を切り替えて、ＡＭＰ２の入力端子をＭＰＸＩＮ３０，ＭＰＸＩＮ４０に接続し、スイッチＳＷ１４，１５を切り替えて、ＡＭＰ３の入力端子をＭＰＸＩＮ５０，ＭＰＸＩＮ６０に接続する。このように接続することで、ＡＭＰ１、ＡＭＰ２、ＡＭＰ３をそれぞれ独立のアンプとして動作させることができる。
4 and 5 are examples of connection switching of AMP1 to AMP3 by the switches SW10 to SW15. In FIG. 4, according to the setting of the
図５では、レジスタ１８１の設定により、スイッチＳＷ１０を切り替えて、ＡＭＰ１の一方の入力端子をＭＰＸＩＮ１０に接続し、スイッチＳＷ１３を切り替えて、ＡＭＰ２の一方の入力端子をＭＰＸＩＮ４０に接続し、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２を切り替えて、ＡＭＰ１の他方の入力端子とＡＭＰ２の他方の入力端子とを接続し、スイッチＳＷ１４，１５を切り替えて、ＡＭＰ３の一方の入力端子をＡＭＰ１の出力端子に接続し、ＡＭＰ３の他方の入力端子をＡＭＰ２の出力端子に接続する。このように接続することで、ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３を接続した計装アンプを構成することができる
In FIG. 5, according to the setting of the
また、図３に示すように、増幅アンプ１２０には、入力を切り替えるスイッチＳＷ１６、ＳＷ１７が接続されている。増幅アンプ１２０は、入力端子がスイッチＳＷ１６、ＳＷ１７を介してＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力端子、または、スイッチＳＷ１７を介してＧＡＩＮＡＭＰ＿ＩＮに接続され、出力端子がＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴに接続されている。増幅アンプ１２０の出力端子は、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０にも接続されている。なお、ＳＷ１６により、ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力端子と、外部端子及び増幅アンプとの接続を切り替えてもよい。
Also, as shown in FIG. 3, the
ローパス・フィルタ１３０には、入力を切り替えるスイッチＳＷ１８、ＳＷ１９が接続され、ハイパス・フィルタ１４０にも、入力を切り替えるスイッチＳＷ１８、ＳＷ２０が接続されている。ローパス・フィルタ１３０は、入力端子がスイッチＳＷ１６、ＳＷ１７、ＳＷ１８，ＳＷ１９を介してＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力端子、増幅アンプ１２０の出力端子、ＳＣ＿ＩＮ、またはスイッチＳＷ１９を介してハイパス・フィルタ１４０の出力端子に接続され、出力端子がＬＰＦ＿ＯＵＴに接続されている。ハイパス・フィルタ１４０は、入力端子がスイッチＳＷ１６、ＳＷ１７、ＳＷ１８，ＳＷ２０を介してＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力端子、増幅アンプ１２０の出力端子、ＳＣ＿ＩＮ、またはスイッチＳＷ１９を介してローパス・フィルタ１３０の出力端子に接続され、出力端子がＨＰＦ＿ＯＵＴに接続されている。なお、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０の出力端子と外部端子との間にスイッチを設けて、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０の出力端子と、外部端子及びＳＷ１９、ＳＷ２０との接続を切り替えてもよい。
Switches SW18 and SW19 for switching inputs are connected to the low-
増幅アンプ１２０、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０は、レジスタ１８１の設定値に応じて、スイッチＳＷ１６〜ＳＷ２０が切り替えられて、増幅アンプ１２０、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０の接続構成が変更され、内部の特性も後述のように変更される。
In the
図６、図７は、スイッチＳＷ１７〜ＳＷ２０による増幅アンプ１２０、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０の接続切り替え例である。図６では、レジスタ１８１の設定により、スイッチＳＷ１７を切り替えて、増幅アンプ１２０の入力端子をＡＭＰ１〜ＡＭＰ３のいずれかの出力端子に接続し、スイッチＳＷ１８，ＳＷ１９を切り替えて、ローパス・フィルタ１３０の入力端子を増幅アンプ１２０の出力端子に接続し、スイッチＳＷ２０を切り替えて、ハイパス・フィルタ１４０の入力端子をローパス・フィルタ１３０の出力端子に接続する。このように切り替えることで、ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３のいずれか、増幅アンプ１２０、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０の順に接続した回路を構成することができる。
FIGS. 6 and 7 are connection switching examples of the
図７では、レジスタ１８１の設定により、スイッチＳＷ１７を切り替えて、増幅アンプ１２０の入力端子をＧＡＩＮＡＭＰ＿ＩＮに接続し、スイッチＳＷ１８、ＳＷ２０を切り替えて、ハイパス・フィルタ１４０の入力端子をＳＣ＿ＩＮに接続し、スイッチＳＷ１９を切り替えて、ローパス・フィルタ１３０の入力端子をハイパス・フィルタ１４０の出力端子に接続する。このように切り替えることで、増幅アンプ１２０を１つの独立したアンプとして動作させ、また、ハイパス・フィルタ１４０、ローパス・フィルタ１３０の順に接続した回路を構成することができる。
In FIG. 7, according to the setting of the
また、図３に示すように、可変レギュレータ１５０は、出力端子がＢＧＲ＿ＯＵＴとＬＤＯ＿ＯＵＴに接続されている。可変レギュレータは、レジスタ１８１の設定値に応じて後述のように特性が変更される。
As shown in FIG. 3, the
温度センサ１６０は、出力端子がＴＥＭＰ＿ＯＵＴに接続されている。温度センサ１６０は、レジスタ１８１の設定値に応じて後述のように特性が変更される。
The output terminal of the
汎用アンプ１７０は、一方の入力端子がＡＭＰ４＿ＩＮ＿ＮＥに接続され、他方の入力端子がＡＭＰ４＿ＩＮ＿ＰＯに接続され、出力端子がＡＭＰ４＿ＯＵＴに接続されている。汎用アンプは、１つのオペアンプにより構成されており、レジスタ１８１の設定値に応じて、電源ＯＮ／ＯＦＦが設定される。
The general-
次に、図８〜図１４を用いて、コンフィギュラブル・アンプ１１０の具体的な回路構成について説明する。
Next, a specific circuit configuration of the
コンフィギュラブル・アンプ１１０は、センサ出力信号を増幅するためのアンプであり、制御レジスタの設定に応じて、トポロジ（回路構成）を変更できるとともに、パラメータ（回路特性）を変更できる。特性の変更としてゲインを可変に設定することができる。例えば、個別アンプを独立して使用する場合、ゲインを６ｄＢ〜４６ｄＢまで２ｄＢ単位で設定でき、計装アンプとして使用する場合、ゲインを２０ｄＢ〜６０ｄＢまで２ｄＢ単位で設定できる。また、スルーレートを可変に設定することもでき、パワーオフ・モードにより電源のオン／オフを切り替えることができる。
The
図８は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の個別アンプＡＭＰ１の回路構成を示している。なお、ＡＭＰ２、ＡＭＰ３も同様の構成である。
FIG. 8 shows a circuit configuration of the individual amplifier AMP1 of the
図８に示すように、個別アンプＡＭＰ１は、オペアンプ１１１を有し、オペアンプ１１１の各端子に接続される可変抵抗１１２ａ〜１１２ｄ、スイッチ１１３ａ〜１１３ｃ、ＤＡＣ１１４を有しており、図３のようにマルチプレクサ（スイッチ）ＳＷ１０、ＳＷ１１が接続されている。
As shown in FIG. 8, the individual amplifier AMP1 includes an
レジスタ１８１の設定値に応じて、マルチプレクサＳＷ１０、ＳＷ１１によりオペアンプ１１１の入力を切り替え、スイッチ１１３ａ、１１３ｂにより可変抵抗（入力抵抗）１１２ａ、１１２ｂの有無を切り替え、スイッチ１１３ｃによりＤＡＣ１１４の接続を切り替えることができる。なお、オペアンプ１１１の出力は、図３のようにＳＷ１６、ＳＷ１７、ＳＷ１８により、増幅アンプ１２０、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０との接続が切り替えられる。また、レジスタ１８１の設定値に応じて、可変抵抗１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄの抵抗値、ＤＡＣ１１４の設定を変えることで、ＡＭＰ１のゲイン、動作点、オフセット等を変更することができる。さらに、レジスタ１８１の設定値に応じて、電源オン／オフを制御できる。また、レジスタ１８１の設定値に応じて、オペアンプの動作モードを高速モード、中速モード、低速モードに変更することで、スルーレートを制御することができる。
Depending on the setting value of the
各スイッチ、マルチプレクサの切り替えにより、Ｉ／Ｖアンプ、反転アンプ、減算（差動）アンプ、非反転アンプ、加算アンプを構成することができる。 By switching each switch and multiplexer, an I / V amplifier, an inverting amplifier, a subtracting (differential) amplifier, a non-inverting amplifier, and an adding amplifier can be configured.
図９は、Ｉ／Ｖアンプを構成する例である。レジスタ１８１の設定に応じて、マルチプレクサＳＷ１０を切り替えて外部入力端子（ＭＰＸＩＮ１０）を反転入力端子に接続し、スイッチ１１３ａをオンして可変抵抗１１２ａを短絡する。この接続によりＩ／Ｖアンプが構成される。また、レジスタ１８１の設定により、可変抵抗１１２ａ、１１２ｄの抵抗値を変えることでアンプのゲインを設定する。このＩ／Ｖアンプは、外部入力端子から電流型センサの信号が入力されると、入力電流を電圧に変換して出力する。
FIG. 9 shows an example of configuring an I / V amplifier. According to the setting of the
図１０は、減算（差動）アンプを構成する例である。レジスタ１８１の設定に応じて、マルチプレクサＳＷ１０、ＳＷ１１を切り替えて外部入力端子（ＭＰＸＩＮ１０）を反転入力端子に接続し、外部入力端子（ＭＰＸＩＮ２０）を非反転入力端子に接続する。この接続により減算アンプが構成される。また、レジスタ１８１の設定により、可変抵抗１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｄの抵抗値を変えることでアンプのゲインを設定する。この減算アンプは、外部入力端子から２つの信号（Ｖ１，Ｖ２）が入力されると、一方の入力電圧から他方の入力電圧を差し引いた電圧（Ｖ２−Ｖ１）を出力する。
FIG. 10 shows an example of constructing a subtraction (differential) amplifier. Depending on the setting of the
図１１は、加算アンプを構成する例である。なお、ここでは、可変抵抗１１２ｂと反転入力端子の間にスイッチ１１３ｄを有しているものとする。レジスタ１８１の設定に応じて、マルチプレクサＳＷ１０、ＳＷ１１、スイッチ１１３ｄを切り替えて外部入力端子（ＭＰＸＩＮ１０）と外部入力端子（ＭＰＸＩＮ２０）を反転入力端子に接続する。この接続により加算アンプが構成される。また、レジスタ１８１の設定により、可変抵抗１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｄの抵抗値を変えることでアンプのゲインを設定する。この加算アンプは、外部入力端子から２つの信号（Ｖ１，Ｖ２）が入力されると、一方の入力電圧と他方の入力電圧を加算した電圧（Ｖ１＋Ｖ１）を出力する。
FIG. 11 is an example of configuring a summing amplifier. Here, it is assumed that a
図１２は、反転アンプを構成する例である。レジスタの設定に応じて、マルチプレクサＳＷ１０を切り替えて外部入力端子（ＭＰＸＩＮ１０）を反転入力端子に接続し、スイッチ１１３ｃをオンにしてＤＡＣ１１４の出力を非反転入力端子に接続する。この接続により反転アンプが構成される。また、レジスタ１８１の設定により、可変抵抗１１２ａ、１１２ｄの抵抗値を変えることでアンプのゲインを設定し、ＤＡＣの出力電圧を変えることで、アンプの動作点やオフセットを調整する。この反転アンプは、外部入力端子から電圧型センサの信号が入力されると、入力電圧を反転増幅した電圧を出力する。
FIG. 12 shows an example of forming an inverting amplifier. According to the register setting, the multiplexer SW10 is switched to connect the external input terminal (MPXIN10) to the inverting input terminal, and the
図１３、非反転アンプを構成する例である。レジスタの設定に応じて、マルチプレクサＳＷ１０を切り替えてＤＡＣ１１４の出力を反転入力端子に接続し、マルチプレクサＳＷ１１を切り替えて外部入力端子（ＭＰＸＩＮ２０）を非反転入力端子に接続する。この接続により非反転アンプが構成される。また、レジスタ１８１の設定により、可変抵抗１１２ａ、１１２ｄの抵抗値を変えることでアンプのゲインを設定し、ＤＡＣの出力電圧を変えることで、アンプの動作点やオフセットを調整する。この非反転アンプは、外部入力端子から電圧型センサの信号が入力されると、入力電圧を非反転増幅した（入力と同相の）電圧を出力する。
FIG. 13 shows an example of configuring a non-inverting amplifier. According to the register setting, the multiplexer SW10 is switched to connect the output of the
図１４は、ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３により計装アンプを構成する例である。図５で説明したように、レジスタ１８１の設定に応じて、マルチプレクサ（スイッチ）ＳＷ１０〜ＳＷ１５によりＡＭＰ１〜ＡＭＰ３を接続することで、図１４の計装アンプを構成できる。なお、各スイッチの図示を省略しているが、ＡＭＰ１では、スイッチ１１３ｂをオンして可変抵抗１１２ｂを短絡し、ＡＭＰ２では、スイッチ１１３ｂをオンして可変抵抗１１２ｂを短絡し、ＡＭＰ３では、スイッチ１１３ｃをオンし、ＤＡＣ１１４を非反転入力端子に接続している。
FIG. 14 shows an example in which an instrumentation amplifier is configured by AMP1 to AMP3. As described with reference to FIG. 5, the instrumentation amplifier of FIG. 14 can be configured by connecting AMP1 to AMP3 by multiplexers (switches) SW10 to SW15 according to the setting of the
また、レジスタ１８１の設定により、ＡＭＰ３の可変抵抗１１２ａ〜１１２ｄの抵抗値を変えることで計装アンプのゲインを設定し、ＤＡＣ１１４の出力電圧を変えることで、計装アンプの動作点やオフセットを調整する。この計装アンプは、外部入力端子から微弱な差動信号が入力されると、この差動信号を、ＡＭＰ１、ＡＭＰ２によりそれぞれ非反転増幅し、さらに、ＡＭＰ３により差動増幅した電圧を出力する。
Also, by setting the
次に、図１５〜図２０を用いて、ＡＦＥ部１００内のその他の回路の具体的な回路構成について説明する。
Next, specific circuit configurations of other circuits in the
図１５は、増幅アンプ１２０の回路構成を示している。増幅アンプ１２０は、同期検波機能に対応しており、入力信号の増幅や同期検波を行う。特性の変更として、増幅アンプ１２０は、ゲインを可変に設定することができる。例えば、ゲインを６ｄＢ〜４６ｄＢまで２ｄＢ単位で設定できる。また、パワーオフ・モードにより電源のオン／オフを切り替えることができる。
FIG. 15 shows a circuit configuration of the
図１５に示すように、増幅アンプ１２０は、オペアンプＡＭＰ２１、ＡＭＰ２２を有し、オペアンプＡＭＰ２１、ＡＭＰ２２の各端子に接続される可変抵抗１２１ａ、１２１ｃ、固定抵抗１２１ｂ、１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ及びＤＡＣ１２３を有している。また、図３のようにマルチプレクサ（スイッチ）ＳＷ１７が接続されている。さらに、同期検波を行うための同期検波制御部として、同期検波スイッチ１２４、固定抵抗１２５を有している。
As illustrated in FIG. 15, the
レジスタ１８１の設定値に応じて、マルチプレクサＳＷ１７が制御されて増幅アンプ１２０の入力を切り替える。また、レジスタ１８１の設定値に応じて、可変抵抗１２１ａ、１２１ｃの抵抗値、ＤＡＣ１２３の設定を変えることでＡＭＰ２１のゲイン、ＡＭＰ２１、ＡＭＰ２２の動作点、オフセット等を変更することができる。さらに、レジスタ１８１の設定値に応じて、オペアンプＡＭＰ２１，ＡＭＰ２２の電源オン／オフを制御できる。
In accordance with the set value of the
増幅アンプ１２０では、ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３、または外部入力端子から信号が入力されると、ＡＭＰ２１により反転増幅され、さらにＡＭＰ２２により反転増幅された信号が、ＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴへ出力される。
In the
また、ＭＣＵ部２００から同期クロックＣＬＫ＿ＳＹＮＣＨが入力され、同期クロックＣＬＫ＿ＳＹＮＣＨのタイミングで、同期検波スイッチ１２４の接続が切り替わり、ＡＭＰ２１とＡＭＰ２２のいずれかの出力信号がＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴへ出力される。
Further, the synchronous clock CLK_SYNCH is input from the
図１６は、増幅アンプ１２０の出力動作を示すタイミングチャートである。図１６（ａ）のように、ＡＭＰ２１は、入力信号の反転信号を出力し、図１６（ｂ）のように、ＡＭＰ２２は、さらに反転した信号を出力する。このＡＭＰ２２の出力信号が、増幅アンプ１２０の出力としてＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴへ出力される。
FIG. 16 is a timing chart showing the output operation of the
ＭＣＵ部２００は、ＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴに接続されており、ＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴの信号に応じたクロックを生成する。ここでは、図１６（ｃ）のように、ＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴが基準値よりもハイレベルの場合に、ハイレベルとなるＣＬＫ＿ＳＹＮＣＨを生成する。そして、この同期クロックＣＬＫ＿ＳＹＮＣＨを増幅アンプ１２０へ供給する。
The
同期検波スイッチ１２４は、このＣＬＫ＿ＳＹＮＣＫに応じて、ＡＭＰ２１、ＡＭＰ２２とＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴとの接続を切り替える。クロックＣＬＫ＿ＳＹＮＣＨがローレベルの場合、ＡＭＰ２１と接続してＡＰＭ２１の出力をＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴへ出力し、クロックＣＬＫ＿ＳＹＮＣＨがハイレベルの場合、ＡＭＰ２２と接続してＡＭＰ２２の出力をＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴへ出力する。そうすると、図１６（ｄ）のように、同期検波し、全波整流された信号が、ＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴから出力される。
The
図１７は、ローパス・フィルタ１３０の回路構成を示している。ローパス・フィルタ１３０は、カットオフ周波数可変のＳＣ（スイッチトキャパシタ）型ローパス・フィルタであり、入力信号のフィルタリングに用いられる。
FIG. 17 shows a circuit configuration of the low-
ローパス・フィルタ１３０の特性は、Ｑ値が固定値であり、例えば０．７０２である。特性の変更として、カットオフ周波数ｆｃを可変に設定することができる。例えば、９Ｈｚ〜９００Ｈｚまで設定できる。また、パワーオフ・モードにより電源のオン／オフを切り替えることができる。
The characteristic of the low-
図１７に示すように、ローパス・フィルタ１３０は、スイッチング信号を生成するスイッチング信号生成部１３１と、スイッチング信号に応じて入力信号をフィルタリングするフィルタ部１３２とを有している。
As illustrated in FIG. 17, the low-
スイッチング信号生成部１３１は、フリップフロップ１３３と複数のインバータ１３４を有している。フィルタ部１３２は、複数のオペアンプ１３５を有し、複数のオペアンプ１３５に接続される複数のスイッチ１３６、コンデンサ１３７、ＤＡＣ１３８に制御される可変電源１３９を有している。また、図３のようにマルチプレクサ（スイッチ）ＳＷ１９が接続されている。
The switching
レジスタ１８１の設定値に応じて、マルチプレクサＳＷ１９が制御されてローパス・フィルタ１３０の入力を切り替える。また、レジスタ１８１の設定値に応じて、ＤＡＣ１３８の設定を変えることで可変電源１３９を制御し、アンプの動作点、オフセット等を変更することができる。さらに、レジスタ１８１の設定値に応じて、ローパス・フィルタ１３０の電源をオン／オフを制御できる。
The multiplexer SW 19 is controlled according to the set value of the
ローパス・フィルタ１３０では、スイッチング信号生成部１３１において、外部からクロックＣＬＫ＿ＬＰＦが入力され、フリップフロップ１３３とインバータ１３４によりスイッチング信号Φ１、Φ２が生成される。フィルタ部１３２において、外部入力端子や増幅アンプ１２０等から信号が入力されると、３つのオペアンプ１３５を介して信号が出力され、その際、スイッチング信号Φ１、Φ２によりスイッチ１３６がオン／オフしてコンデンサ１３７の接続が切り替わる。そうすると、入力信号のカットオフ周波数よりも高周波成分を除去した信号が出力されることになる。
In the low-
このカットオフ周波数は、ＭＣＵ部２００により外部から入力されるクロックＣＬＫ＿ＬＰＦにより変更することができる。具体的には、カットオフ周波数ｆｃ＝０．００９×ｆｓ（スイッチング周波数 １／２ｆ ＣＬＫ＿ＬＰＦ）である。
This cutoff frequency can be changed by the clock CLK_LPF input from the outside by the
図１８は、ハイパス・フィルタ１４０の回路構成を示している。ハイパス・フィルタ１４０は、カットオフ周波数可変のＳＣ型ハイパス・フィルタであり、入力信号のフィルタリングに用いられる。
FIG. 18 shows a circuit configuration of the high-
ハイパス・フィルタ１４０の特性は、Ｑ値が固定値であり、例えば０．７０２である。特性の変更として、カットオフ周波数ｆｃを可変に設定することができる。例えば、８Ｈｚ〜８００Ｈｚまで設定できる。また、パワーオフ・モードにより電源のオン／オフを切り替えることができる。
As for the characteristics of the high-
図１８に示すように、ハイパス・フィルタ１４０は、スイッチング信号を生成するスイッチング信号生成部１４１と、スイッチング信号に応じて入力信号をフィルタリングするフィルタ部１４２とを有している。
As illustrated in FIG. 18, the high-
スイッチング信号生成部１４１は、フリップフロップ１４３と複数のインバータ１４４を有している。フィルタ部１４２は、複数のオペアンプ１４５を有し、複数のオペアンプ１４５に接続される複数のスイッチ１４６、コンデンサ１４７、ＤＡＣ１４８に制御される可変電源１４９を有している。また、図３のようにマルチプレクサ（スイッチ）ＳＷ２０が接続されている。
The switching
レジスタ１８１の設定値に応じて、マルチプレクサＳＷ２０が制御されてハイパス・フィルタ１４０の入力を切り替える。また、レジスタ１８１の設定値に応じて、ＤＡＣ１４８の設定を変えることで可変電源１４９を制御し、アンプの動作点、オフセット等を変更することができる。さらに、レジスタ１８１の設定値に応じて、ハイパス・フィルタ１４０の電源をオン／オフを制御できる。
In accordance with the set value of the
ハイパス・フィルタ１４０では、スイッチング信号生成部１４１において、外部からクロックＣＬＫ＿ＨＰＦが入力され、フリップフロップ１４３とインバータ１４４によりスイッチング信号Φ１、Φ２が生成される。フィルタ部１４２において、外部入力端子や増幅アンプ１２０等から信号が入力されると、３つのオペアンプ１４５を介して信号が出力され、その際、スイッチング信号Φ１、Φ２によりスイッチ１４６がオン／オフしてコンデンサ１４７の接続が切り替わる。そうすると、入力信号のカットオフ周波数よりも低周波成分を除去した信号が出力されることになる。
In the
このカットオフ周波数は、ＭＣＵ部２００により外部から入力されるクロックＣＬＫ＿ＨＰＦにより変更することができる。具体的には、カットオフ周波数ｆｃ＝０．００８×ｆｓ（スイッチング周波数 １／２ｆ ＣＬＫ＿ＨＰＦ）である。
This cutoff frequency can be changed by the clock CLK_HPF input from the outside by the
図１９は、可変レギュレータ１５０の回路構成を示している。可変レギュレータ１５０は、出力電圧を可変にするレギュレータであり、ＭＣＵ部２００のＡ／Ｄコンバータ２６０の基準電源生成回路である。例えば、特性の変更として、可変レギュレータ１５０は、出力電圧を２．０Ｖ〜３．３Ｖまで、±５％の精度で、０．１Ｖ単位で設定することができる。また出力電流は１５ｍＡで、出力電源のオン／オフを制御することができる。
FIG. 19 shows a circuit configuration of the
図１９に示すように、可変レギュレータ１５０は、オペアンプ１５１を有し、オペアンプ１５１の入力側に接続されるバンドギャップリファレンスＢＧＲ、オペアンプ１５１の出力側に接続されるトランジスタ１５２、１５３、固定抵抗１５４、可変抵抗１５５を有している。
As shown in FIG. 19, the
レジスタ１８１の設定値に応じて、ＢＧＲの電圧が設定され、可変抵抗１５５の抵抗値を変えることで出力電圧が変更できる。さらに、レジスタ１８１の設定値に応じて、オペアンプ１５１の電源オン／オフ、トランジスタ１５３のオン／オフが切り替えられ、出力電圧の出力開始／停止が制御される。
The BGR voltage is set according to the set value of the
可変レギュレータ１５０では、ＢＧＲの電圧がＢＧＲ＿ＯＵＴから出力される。ＢＧＲの電圧と可変抵抗１５５の電圧に応じてオペアンプ１５１が動作してトランジスタ１５２が制御され、固定抵抗１５４と可変抵抗１５５の比に応じた電圧が出力される。
In the
図２０は、温度センサ１６０の回路構成を示している。温度センサ１６０は、半導体装置１の温度を測定するセンサであり、ＭＣＵ部２００がこの測定結果に基づいて温度特性の補正等するために用いることができる。例えば、温度センサ１６０の特性として、出力温度係数は、−５ｍＶ／℃である。また、パワーオフ・モードにより電源のオン／オフを切り替えることができる。
FIG. 20 shows a circuit configuration of the
図２０に示すように、温度センサ１６０は、オペアンプ１６１を有し、オペアンプ１６１の入力側に接続される電流源１６２、ダイオード１６３、オペアンプ１６１の出力側に接続される固定抵抗１６４、１６５を有している。レジスタ１８１の設定値に応じて、オペアンプ１６１の電源をオン／オフすることができる。
As shown in FIG. 20, the
温度センサ１６０は、温度に応じてダイオード１６３の電圧が−２ｍＶ／℃で変化し、この電圧をオペアンプ１６１が非反転増幅して、−５ｍＶ／℃として出力する。
In the
このように、ＴＹＰＥ０の半導体装置１は、半導体装置内部のＡＦＥ部１００の回路構成や特性を可変に設定することができる。このため、一つの半導体装置で様々なセンサ等を接続することができ、多くの応用システム（アプリケーション）で使用することができる。
Thus, the
例えば、コンフィギュラブル・アンプ１１０の回路構成を、非反転アンプとした場合、電圧出力型のセンサを接続可能であるため、赤外線センサ、温度センサ、磁気センサ等を用いた応用システムに使用できる。一例として、赤外線センサを備えたデジタルカメラ、温度センサを備えたプリンタ、磁気センサを備えたタブレット端末、赤外線センサを備えたエアコン等に使用することができる。
For example, when the circuit configuration of the
また、コンフィギュラブル・アンプ１１０の回路構成を、計装アンプとした場合、微弱な差動出力のセンサを接続可能となるため、圧力センサ、ジャイロセンサ、ショックセンサ等を用いた応用システムに使用できる。一例として、圧力センサを備えた血圧計、圧力センサを備えた体重計、ジャイロセンサを備えた携帯電話、ショックセンサを備えた液晶テレビ等に使用することができる。
In addition, if the circuit configuration of the
さらに、コンフィギュラブル・アンプ１１０の回路構成を、Ｉ／Ｖアンプとした場合、電流出力のセンサを接続可能なため、フォトダイオード、人感センサ、赤外線センサ等を用いた応用システムに使用できる。一例として、フォトダイオードを備えたデジタルカメラ、人感センサを備えた監視カメラ、人感センサを備えた便座、赤外線センサを備えたバーコードリーダ等に使用することができる。
Further, when the circuit configuration of the
図２１は、ＴＹＰＥ１の半導体装置１の回路ブロックを示している。図２のＴＹＰＥ０の半導体装置では、用途を汎用システム向けとして、多くのセンサで必要となるＡＦＥ回路を全て備える構成とした。これに対し、ＴＹＰＥ１の半導体装置では、用途を一般計測器向けとして、一般計測器のセンサでのみ必要となるＡＦＥ回路に限定した構成としている。
FIG. 21 shows a circuit block of the
図２１に示すように、ＴＹＰＥ１の半導体装置１は、ＭＣＵ部２００の構成については図２と同様であり、ＡＦＥ部１００は、計装アンプ１９０、可変レギュレータ１５０、温度センサ１６０、ＳＰＩインタフェース１８０、を備えている。図２の半導体装置と比べると、コンフィギュラブル・アンプ、同期検波対応増幅アンプ、ＳＣ型ローパス・フィルタ、ＳＣ型ハイパス・フィルタ、汎用アンプを有しておらず、代わりに計装アンプのみ有する構成となっている。可変レギュレータ１５０、温度センサ１６０、ＳＰＩインタフェース１８０については、図２と同様である。
As shown in FIG. 21, the
計装アンプ１９０は、一般計測器のセンサに対応して、微弱な差動信号を増幅可能な増幅回路である。計装アンプ１９０は、図２のコンフィギュラブル・アンプ１１０が構成可能としていた計装アンプと同様の回路である。計装アンプ１９０は、回路構成は固定であり、特性のみ変更可能である。
The
図２２は、ＴＹＰＥ１の半導体装置１におけるＡＦＥ部１００の各回路の接続関係を示している。可変レギュレータ１５０、温度センサ１６０、ＳＰＩインタフェース１８０については、図３と同様である。
FIG. 22 shows a connection relation of each circuit of the
計装アンプ１９０は、回路構成が固定であるため、構成を切り替えるためのスイッチ（マルチプレクサ）を有していない。計装アンプ１９０は、一方の入力端子がＡＭＰ＿ＩＮ１に接続され、他方の入力端子がＡＭＰ＿ＩＮ２に接続され、出力端子がＡＭＰ＿ＯＵＴに接続されている。なお、複数の外部端子との接続を選択するためのスイッチを備えていてもよい。
Since the circuit configuration of the
ＴＹＰＥ１の半導体装置におけるＡＦＥ部１００の各回路の具体的な回路構成は図２の半導体装置と同様であるため説明を省略する。すなわち、計装アンプ１９０の回路構成は、図１４で示した構成であり、計装アンプ１９０は、図１４のように、抵抗値を変えることでゲインを設定でき、ＤＡＣの設定を変えることで、動作点やオフセット等を変更できる。
A specific circuit configuration of each circuit of the
このように、ＴＹＰＥ１の半導体装置１は、ＡＦＥ部１００の回路構成は固定であり特性のみを可変に設定することができる。このため、一つの半導体装置で特性が異なる特定のセンサに対応することができ、特定の応用システムで使用することができる。
Thus, in the
例えば、ＴＹＰＥ１の半導体装置で計装アンプを構成した場合と同様に、微弱な差動出力のセンサである圧力センサ、ジャイロセンサ、ショックセンサ等を用いた応用システムに使用可能である。 For example, it can be used for an application system using a pressure sensor, a gyro sensor, a shock sensor, or the like, which is a weak differential output sensor, as in the case where an instrumentation amplifier is configured by a semiconductor device of TYPE1.
図２３は、ＴＹＰＥ２の半導体装置１の回路ブロックの他の例を示している。図２のＴＹＰＥ０の半導体装置では、用途を汎用システム向けとして、多くのセンサで必要となるＡＦＥ回路を全て備える構成とした。これに対し、ＴＹＰＥ２の半導体装置では、用途をモータ制御向けとして、モータ制御でのみ必要となるＡＦＥ回路に限定した構成としている。
FIG. 23 shows another example of the circuit block of the
図２３に示すように、ＴＹＰＥ２の半導体装置１は、ＭＣＵ部２００の構成については図２と同様であり、ＡＦＥ部１００は、コンパレータ内蔵高速計装アンプ１９１、温度センサ１６０、ＳＰＩインタフェース１８０を備えている。図２の半導体装置と比べると、コンフィギュラブル・アンプ、同期検波対応増幅アンプ、ＳＣ型ローパス・フィルタ、ＳＣ型ハイパス・フィルタ、汎用アンプ、可変レギュレータを有しておらず、代わりにコンパレータ内蔵高速計装アンプ１９１のみ有する構成となっている。温度センサ１６０、ＳＰＩインタフェース１８０については、図２と同様である。
As shown in FIG. 23, the
コンパレータ内蔵高速計装アンプ（高速計装アンプともいう）１９１は、モータ制御に対応して、微弱な差動信号を高速に増幅可能な増幅回路であり、さらに、出力電圧を比較するコンパレータを内蔵している。ＡＦＥ部１００は、多相モータの制御を可能にするため、高速計装アンプ１９１を複数（多ｃｈ）有しており、ここでは４つ（４ｃｈ）の計装アンプを有している。高速計装アンプ１９１は、回路構成が固定であり、特性のみ変更可能である。
A high-speed instrumentation amplifier with built-in comparator (also referred to as a high-speed instrumentation amplifier) 191 is an amplifier circuit capable of amplifying a weak differential signal at high speed in response to motor control, and further includes a comparator for comparing output voltages. doing. The
図２４は、ＴＹＰＥ２の半導体装置１におけるＡＦＥ部１００の各回路の接続関係を示している。温度センサ１６０、ＳＰＩインタフェース１８０については、図３と同様である。
FIG. 24 shows a connection relation of each circuit of the
高速計装アンプ１９１は、回路構成が固定であるため、構成を切り替えるスイッチ（マルチプレクサ）を有していない。４つの高速計装アンプ１９１−１〜１９１−４は、それぞれ独立した構成となっている。
Since the high-
すなわち、高速計装アンプ１９１−１〜１９１−４は、一方の入力端子がそれぞれＡＭＰ＿ＩＮ１０，２０，３０，４０に接続され、他方の入力端子がそれぞれＡＭＰ＿ＩＮ１１，２１，３１，４１に接続され、アンプの出力端子がそれぞれＡＭＰ＿ＯＵＴ１〜４に接続され、コンパレータの出力端子がそれぞれＣＯＭＰ＿ＯＵＴ１〜４に接続されている。なお、複数の外部端子との接続を選択するためのスイッチを備えていてもよい。 That is, in the high-speed instrumentation amplifiers 191-1 to 191-4, one input terminal is connected to AMP_IN10, 20, 30, 40, respectively, and the other input terminal is connected to AMP_IN11, 21, 31, 41, respectively. Output terminals of the comparators are connected to AMP_OUT1 to 4, respectively, and the output terminals of the comparators are connected to COMP_OUT1 to 4, respectively. Note that a switch for selecting connection with a plurality of external terminals may be provided.
図２５は、高速計装アンプ１９１の具体的な回路構成を示している。高速計装アンプ１９１は、モータ制御向けコンパレータ内蔵高速計装アンプであり、モータ制御に使用されるセンサの出力信号の増幅と電圧比較を行う。特性の変更として、高速計装アンプ１９１は、ゲインを可変に設定することができる。例えば、ゲインを１０ｄＢ〜３４ｄＢまで２ｄＢ単位で設定できる。また、スルーレートを可変に設定することもでき、パワーオフ・モードにより電源のオン／オフを切り替えることができる。
FIG. 25 shows a specific circuit configuration of the high-
また、高速計装アンプ１９１は、高速計装アンプ出力比較用コンパレータを内蔵しており、このコンパレータはヒステリシス電圧及び基準電圧が可変である。
The high-
図２５に示すように、高速計装アンプ１９１は、計装アンプとして動作するオペアンプ１９２ａ及び１９２ｂ、ヒステリシスコンパレータとして動作するオペアンプ１９２ｃを有し、オペアンプ１９２ａ〜１９２ｃに接続される可変抵抗１９３ａ〜１９３ｃ、固定抵抗１９４ａ〜１９４ｂ及びＤＡＣ１９５ａ、１９５ｂを有している。
As shown in FIG. 25, the high-
レジスタ１８１の設定値に応じて、可変抵抗１９３ａ〜１９３ｃの抵抗値、ＤＡＣ１９５ａの設定を変えることで高速計装アンプ１９１のゲイン、アンプの動作点、オフセット等を変更することができる。また、ＤＡＣ１９５ｂの設定により、コンパレータのヒステリシス電圧（基準電圧）を変更することができる。さらに、レジスタ１８１の設定値に応じて、オペアンプ１９２ａ〜１９２ｃの電源オン／オフを制御できる。
By changing the resistance values of the
高速計装アンプ１９１では、外部入力端子ＡＭＰＩＮＭｎ、ＡＭＰＩＮＰｎ（ＡＭＰＩＮ１０，１１〜ＡＭＰＩＮ４０，４１に対応）から差動信号が入力されると、オペアンプ１９２ａ、１９２ｂから構成される２段の計装アンプにより高速に非反転増幅された信号が、ＡＭＰＯＵＴｎ（ＡＭＰＯＵＴ１〜ＡＭＰＯＵＴ４に対応）へ出力される。さらに、オペアンプ１９２ｃから構成されるヒステリシスコンパレータにより、ＡＭＰＯＵＴｎの出力信号と基準電圧とを比較した比較信号が出力される。なお、ＭＣＵ部２００はＡＭＰＯＵＴｎ及びＣＯＭＰＯＵＴｎの信号に応じてモータ制御を行う。
In the high-
このように、ＴＹＰＥ２の半導体装置１は、ＡＦＥ部１００の回路構成は固定であり特性のみを可変に設定することができる。このため、一つの半導体装置で特性が異なる特定のセンサの特定に対応することができ、特定の応用システムで使用することができる。特に、多相モータの駆動回路などに接続できる。
Thus, in the
以上説明したような半導体装置１によって次のような効果が得られる。まず、小型化と低消費電力化を図ることができる。半導体装置１の内部にＭＣＵとＡＦＥ回路を含めた構成としたため、実装基板上に複数のアナログ回路ＩＣを実装する場合と比べて、小型化が可能である。また、低消費電力モードに対応して、ＡＦＥ部の電源をオフし、ＭＣＵ部のスリープモードとすることができるため、消費電力を低減することが可能である。
The following effects can be obtained by the
また、アナログＩＣの開発工程を短縮することができる。センサに適したアナログ回路を開発するためには、通常、回路設計、マスク設計、マスク製作、サンプル製作の工程が必要となるため、３〜８月程度かかる場合がある。半導体装置１の設定を変更するだけで、センサに対応したアナログ回路を構成することができるため、回路設計〜サンプル製作までの開発工程を行わずに半導体装置の開発が可能である。したがって、センサシステムを短期に開発し、早期にタイムリーに市場投入することができる。
In addition, the analog IC development process can be shortened. In order to develop an analog circuit suitable for a sensor, circuit design, mask design, mask fabrication, and sample fabrication processes are usually required, so it may take about 3 to 8 months. Since the analog circuit corresponding to the sensor can be configured simply by changing the setting of the
また、同一の半導体装置１で複数の応用システムに対応することができる。半導体装置１では、回路構成を自由に変更することができるようにしたため、一つの半導体装置で電流型センサや電圧型センサ等の様々なセンサを接続することが可能である。センサごとに別々の半導体装置を開発する必要がないため、開発期間を短縮することができる。
Further, the
さらに、ＴＹＰＥ１の半導体装置１では、一般計測器向けとして、一般計測器に必要となる計装アンプ等のみを備え、ＴＹＰＥ２の半導体装置１では、モータ制御向けとして、モータ制御に必要となる高速計装アンプ等のみを備えることとした。このため、半導体装置に不要な回路を有していないため、回路構成が簡素となり、さらに半導体装置の小型化を図ることができ、低消費電力化も可能である。
Further, the
以上のような半導体装置１では、接続するセンサに応じてＡＦＥ部１００の構成及び特性を決定する必要があるため、センサと半導体装置１を用いたセンサシステムの設計開発において、センサ及び半導体装置１の動作についてシミュレーションが行われる。以下、センサと半導体装置１からなるセンサシステムの開発工程で行われるシミュレーションについて説明する。ここでは、主にＡＦＥ部１００のみを含む半導体装置１をシミュレーション対象として説明するが、ＡＦＥ部１００及びＭＣＵ部２００を含む半導体装置１についても同様にシミュレーションを行うことができる。
In the
図２６は、本実施の形態に係る半導体装置１の動作をシミュレーションするためのシミュレーションシステム（設計支援システム）の構成を示している。
FIG. 26 shows a configuration of a simulation system (design support system) for simulating the operation of the
図２６に示すように、このシミュレーションシステムは、ネットワーク６を介して通信可能に接続されたユーザ端末３、ウェブシミュレータ４、センサベンダ端末５、システム開発者端末８を備えている。ユーザ端末３は、シミュレーションシステムのユーザが操作する端末であり、ユーザの操作に応じてウェブシミュレータ４へアクセスし、ユーザ所望の構成による半導体装置１のシミュレーションの実行を要求する。センサベンダ端末５は、センサを製造／販売するセンサベンダが操作する端末であり、センサベンダの操作に応じてウェブシミュレータ４へアクセスし、センサベンダ所望のセンサに関する情報の登録／更新／削除を要求し、さらに半導体装置１のシミュレーションの実行を要求する。システム開発者端末（管理端末）８は、ウェブシミュレータ４を開発（管理）するシステム開発者（管理者）が操作する端末であり、システム開発者の操作に応じてウェブシミュレータ４へアクセスし、センサに関する情報の登録／更新／削除を要求し、さらに半導体装置１のシミュレーションの実行を要求する。ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３、センサベンダ端末５、システム開発者端末８からの要求に応じて半導体装置１のシミュレーションを実行し、また、センサベンダ端末５、システム開発者端末８からの要求に応じてセンサに関する情報を記憶部４２０（データベース）に登録／更新／削除（以下、更新には削除を含む場合がある）する。なお、本実施の形態では、主に、センサに関する情報の登録または更新に関して説明するが、センサに関する情報を削除する場合についても更新と同様に本実施の形態を適用することが可能である。
As shown in FIG. 26, this simulation system includes a
ユーザ端末３は、主に、ウェブブラウザ３００ａ、記憶部３１０ａを有している。ウェブシミュレータ４は、主に、ウェブサーバ４００、シミュレーション制御部４１０、記憶部４２０を有している。センサベンダ端末５は、主に、ウェブブラウザ３００ｂ、記憶部３１０ｂを有している。システム開発者端末８は、主に、ウェブブラウザ３００ｃ、記憶部３１０ｃを有している。
The
ネットワーク６は、例えばインターネット等であり、ユーザ端末３、センサベンダ端末５及びシステム開発者端末８と、ウェブシミュレータ４との間でウェブページ情報が伝送可能なネットワークである。ネットワーク６は、有線ネットワークでもよいし、無線ネットワークでもよい。
The
ユーザ端末３のウェブブラウザ３００ａは、ウェブサーバ４００から受信したウェブページ情報に基づいてウェブページを表示装置に表示する。ウェブブラウザ３００ａは、ユーザからの操作を受け付け、ユーザの操作に応じてウェブサーバ４００にアクセスし、ウェブシミュレータ４でシミュレーションを実行するためのユーザインタフェースでもある。
The
ユーザ端末３の記憶部３１０ａは、ユーザ端末３の機能を実現するための各種データやプログラム等が記憶される。また、記憶部３１０ａは、後述のように、半導体装置１のレジスタ１８１に設定するためのレジスタ情報をウェブシミュレータ４からダウンロードし記憶する。
The
センサベンダ端末５のウェブブラウザ３００ｂは、ウェブサーバ４００から受信したウェブページ情報に基づいてウェブページを表示装置に表示する。ウェブブラウザ３００ｂは、センサベンダからの操作を受け付け、センサベンダの操作に応じてウェブサーバ４００にアクセスし、ウェブシミュレータ４にセンサに関する情報を登録／更新、またはシミュレーションを実行するためのセンサベンダ（ユーザ）インタフェースでもある。センサベンダ端末５の記憶部３１０ｂは、センサベンダ端末５の機能を実現するための各種データやプログラム等が記憶される。
The
システム開発者端末８のウェブブラウザ３００ｃは、ウェブサーバ４００から受信したウェブページ情報に基づいてウェブページを表示装置に表示する。ウェブブラウザ３００ｃは、システム開発者からの操作を受け付け、システム開発者の操作に応じてウェブサーバ４００にアクセスし、ウェブシミュレータ４にセンサに関する情報を登録／更新、またはシミュレーションを実行するためのシステム開発者（ユーザ）インタフェースでもある。システム開発者端末８の記憶部３１０ｃは、システム開発者端末８の機能を実現するための各種データやプログラム等が記憶される。
The
なお、ウェブブラウザ３００ａ、３００ｂ及び３００ｃは同様の構成であるため、いずれか／全てを単にウェブブラウザ３００と称する場合がある。また、記憶部３１０ａ、３１０ｂ及び３１０ｃも同様の構成であるため、いずれか／全てを単に記憶部３１０と称する場合がある。
Since the
ウェブシミュレータ４のウェブサーバ４００は、ウェブブラウザ３００にウェブシミュレータのウェブサービスを提供するサーバである。ウェブサーバ４００は、ウェブブラウザ３００からのアクセスを受け付け、アクセスに応じてウェブブラウザ３００に表示するためのウェブページ情報を送信する。
The
ウェブシミュレータ４のシミュレーション制御部４１０は、センサ及び半導体装置１のシミュレーション機能を実現する。後述のように、ウェブシミュレータ４は、シミュレーション対象であるセンサ及び半導体装置１の回路構成を設定し、シミュレーションに必要なパラメータを設定し、シミュレーションを実行する。
The
ウェブシミュレータ４の記憶部４２０は、ウェブシミュレータ４の機能を実現するための各種データやプログラム等が記憶される。後述のように、記憶部４２０は、選択可能なセンサの情報やセンサに適したバイアス回路の情報、センサ及びバイアス回路に適したアナログ回路の情報等を記憶する。
The
ユーザ端末３、センサベンダ端末５及びシステム開発者端末８は、クライアント装置として動作するパーソナルコンピュータなどのコンピュータ装置であり、ウェブシミュレータ４は、サーバ装置として動作するワークステーションなどのコンピュータ装置である。図２７は、ユーザ端末３、ウェブシミュレータ４、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８を実現するためのハードウェア構成の例を示している。なお、ユーザ端末３、ウェブシミュレータ４、センサベンダ端末５及びシステム開発者端末８は、それぞれ単一のコンピュータでなくとも、複数のコンピュータによって構成することも可能である。
The
図２７に示すように、ユーザ端末３、ウェブシミュレータ４、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８は、一般的なコンピュータ装置であり、中央処理装置（ＣＰＵ）３１とメモリ３４とを含んでいる。ＣＰＵ３１とメモリ３４は、バスを介して補助記憶装置としてのハードディスク装置（ＨＤＤ）３５に接続される。ユーザ端末３、センサベンダ端末５及びシステム開発者端末８は、ユーザ・インターフェース・ハードウェアとして、例えば、ユーザまたはセンサベンダが入力するためのポインティング・デバイス（マウス、ジョイスティック等）やキーボード等の入力装置３２や、ＧＵＩ等の視覚データをユーザに提示するためのＣＲＴや液晶ディスプレイなどの表示装置３３を有している。ウェブシミュレータ４についても、ユーザ端末３、センサベンダ端末５及びシステム開発者端末８と同様にユーザ・インタフェース・ハードウェアを有しても良い。
As shown in FIG. 27, the
ＨＤＤ３５等の記憶媒体はオペレーティングシステムと協働してＣＰＵ３１等に命令を与え、ユーザ端末３、ウェブシミュレータ４、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８の機能を実施するためのブラウザプログラムやシミュレーションプログラムを記憶することができる。このプログラムは、メモリ３４にロードされることによって実行される。
A storage medium such as the
また、ユーザ端末３、ウェブシミュレータ４、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８は、外部装置と接続するための入出力インタフェース（Ｉ／Ｏ）３６やＮＩＣ（Network Interface Card）３７を有している。例えば、ユーザ端末３は、入出力インタフェース３６として半導体装置１等に接続するためのＵＳＢ等を備えている。ユーザ端末３、ウェブシミュレータ４、センサベンダ端末５及びシステム開発者端末８は、ネットワーク６に接続するためのＮＩＣ３７としてイーサネット（登録商標）カード等を備えている。
The
図２８Ａ及び図２８Ｂは、ウェブシミュレータ４におけるシミュレーション制御部４１０の機能ブロックと、記憶部４２０に記憶される各種データを示している。なお、図２８Ａ及び図２８Ｂは一例であり、後述する本実施の形態に係る処理や画面表示が実現できればその他の構成であってもよい。
28A and 28B show functional blocks of the
シミュレーション制御部４１０は、ＣＰＵ３１がシミュレーションプログラムを実行することでシミュレーションのための各部の機能を実現している。図２８Ａに示すように、シミュレーション制御部４１０は、主に、ウェブページ処理部４１１、回路設定部４１２、パラメータ設定部４１３、シミュレーション実行部４１５、レジスタ情報生成部４１６、認証処理部４１７、センサ登録更新部４１８を有している。
The
記憶部４２０は、ＨＤＤ３５やメモリ３４により実現されている。図２８Ｂに示すように、記憶部４２０は、センサデータベース４２１、センサバイアス回路データベース４２２、コンフィギュラブルアナログ回路データベース４２３、ＡＦＥデータベース４２４、ウェブページ情報記憶部４２５、回路情報記憶部４２６、パラメータ記憶部４２７、結果情報記憶部４２８、レジスタ情報記憶部４２９、入力パターン記憶部４３０、アカウントデータベース４３１を有している。なお、各データベースや各記憶部は、必要に応じて分割または統合してもよい。例えば、センサデータベース４２１とセンサバイアス回路データベース４２２を１つのセンサデータベースとしてもよい。また、センサバイアス回路データベース４２２を登録用データベースとシミュレーション用データベースに分けてもよい。
The
センサデータベース（センサ情報記憶部）４２１は、半導体装置１に接続するセンサに関するセンサ情報を格納するデータベースである。センサ情報は、各種センサのデータシートの情報であり、センサのタイプ（種類）や特性、出力信号の種別を示す出力形体や端子数等の情報が含まれている。センサデータベース４２１には、センサとタイプ及び特性とが関連付けて記憶されている。また、センサをセンサデータベース４２１に登録したセンサベンダも関連付けられており、センサを登録したセンサベンダのみが、当該センサ情報を更新することができる。また、センサデータベース４２１では、各センサ情報にフラグ（データフラグ）が関連付けられている。このフラグは、少なくともセンサベンダがセンサ情報にアクセスし確認したことを示し、センサ情報が正確である（保証する）ことを意味するフラグである。例えば、フラグには、センサ情報を登録したことを示す登録フラグ、センサ情報を更新したことを示す更新フラグ、センサ情報をセンサベンダが確認したことを示す確認済フラグ等が含まれる。
The sensor database (sensor information storage unit) 421 is a database that stores sensor information related to sensors connected to the
センサバイアス回路データベース（バイアス回路情報記憶部）４２２は、各種センサで使用可能なバイアス回路（バイアス方法）を格納するデータベースである。バイアス回路の情報として、バイアス回路を構成する素子や、各素子の接続関係、出力端子等の情報が含まれている。センサバイアス回路データベース４２２には、センサデータベース４２１に登録されたセンサとバイアス回路とが関連付けて記憶されている。
The sensor bias circuit database (bias circuit information storage unit) 422 is a database that stores bias circuits (bias methods) that can be used in various sensors. Information on the bias circuit includes information on elements constituting the bias circuit, connection relations between the elements, output terminals, and the like. The sensor
特に、センサバイアス回路データベース４２２は、センサをセンサデータベース４２１に登録するために使用される登録用バイアス回路データ（第１のバイアス回路情報）４２２ａと、シミュレーションを行うセンサを選択するために使用されるシミュレーション用バイアス回路データ（第２のバイアス回路情報）４２２ｂを含んでいる。登録用バイアス回路データ４２２ａは、センサベンダがセンサを登録（更新）する場合に、センサベンダが選択可能なバイアス回路を表示するため、センサの種類とバイアス回路が関連付けられている。シミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂは、ユーザがシミュレーションを行う場合に、シミュレーション対象としてユーザが選択可能なバイアス回路を表示するため、各センサとバイアス回路が関連付けられている。また、センサバイアス回路データベース４２２（４２２ａ及び４２２ｂ）に格納されたバイアス回路は、バイアス回路を登録したセンサベンダと関連付けられており、バイアス回路を登録したセンサベンダとシステム開発者(管理者)のみが、当該バイアス回路情報を更新・選択することができる。
In particular, the sensor
コンフィギュラブルアナログ回路データベース４２３は、センサとセンサバイアス回路に最適なアナログ回路を選択するためのデータベースである。コンフィギュラブルアナログ回路の情報として、半導体装置１のコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成や入力端子等の情報が含まれている。コンフィギュラブルアナログ回路データベース４２３には、センサ及びバイアス回路と、コンフィギュラブル・アンプ１１０の構成とが関連付けられている。
The configurable
ＡＦＥデータベース４２４は、半導体装置１のデータシートを格納するデータベースである。特に、半導体装置１のＡＦＥ部１００のシミュレーションを行うため、データシートにはＡＦＥ部１００の構成や特性等の情報が含まれている。ＡＦＥデータベース４２４には、半導体装置１とＡＦＥ部１００の構成とが関連付けられている。例えば、ＡＦＥデータベース４２４には、上記のＴＹＰＥ０〜ＴＹＰＥ２の半導体装置１のデータシートが格納されている。
The
ウェブページ情報記憶部４２５は、ユーザ端末３、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８のウェブブラウザ３００に各種画面を表示するためのウェブページ情報を記憶する。ウェブページ情報は、後述のように半導体装置１をシミュレーションするためのＧＵＩを含むウェブページ（画面）を表示するための情報である。
The web page
回路情報記憶部（回路設定ファイル記憶部）４２６は、シミュレーションの対象となる回路の回路設定ファイル（回路情報）を記憶する。この回路設定ファイルには、センサやバイアス回路、ＡＦＥ部１００の回路素子や各素子の接続関係等の構成情報が含まれ、回路パラメータ等の特性情報も含まれている。回路情報記憶部４２６には、複数の回路設定ファイルが格納される。この例では、デフォルト回路設定ファイル４２６ａ、ベンダ回路設定ファイル４２６ｂ、ユーザ回路設定ファイル４２６ｃが含まれる。デフォルト回路設定ファイル４２６ａは、ウェブシミュレータがセンサ及びバイアス回路に基づいて自動的に設定する（自動接続する）デフォルトの回路情報である。ベンダ回路設定ファイル４２６ｂは、センサ及びバイアス回路に適した設定としてセンサベンダが設定する（センサベンダが推奨する）回路情報である。ユーザ回路設定ファイル４２６ｃは、シミュレーションを行うためにユーザが設定する回路情報である。
The circuit information storage unit (circuit setting file storage unit) 426 stores a circuit setting file (circuit information) of a circuit to be simulated. The circuit setting file includes configuration information such as sensors, bias circuits, circuit elements of the
パラメータ記憶部４２７は、シミュレーション条件として、シミュレーションの実行に必要なシミュレーションパラメータを記憶する。このシミュレーションパラメータには、物理量などの入力情報等が含まれている。
The
結果情報記憶部４２８は、シミュレーションの実行結果である結果情報を記憶する。この結果情報には、過渡解析、ＡＣ解析、フィルタ効果解析、同期検波解析のシミュレーション結果として、ＡＦＥ部１００の各回路の入出力波形が含まれている。レジスタ情報記憶部４２９は、半導体装置１のレジスタ１８１に設定するレジスタ情報（構成情報）を記憶する。入力パターン記憶部４３０は、センサに入力する信号の複数の波形パターンの情報を記憶する。入力パターン記憶部４３０には、入力パターンとして、後述するような正弦波や方形波、三角波、ステップ応答などのパターンが記憶されている。
The result
アカウントデータベース４３１は、ウェブシミュレータ４にログインしデータベースへアクセスするためのアカウント情報を記憶する。アカウントデータベース４３１は、アカウント情報として、ユーザやセンサベンダごとに割り当てたアカウントＩＤとパスワードを関連付けた認証テーブル４３１ａを記憶する。また、アカウントＩＤごとにデータベース（記憶部）へのアクセス権限が設定されたアクセス権限テーブル４３１ｂを記憶する。なお、認証テーブル４３１ａ及びアクセス権限テーブル４３１ｂは、システム開発者により予め登録されている。
The
図２９は、アクセス権限テーブル４３１ｂの一例を示している。図２９に示すように、アクセス権限テーブル４３１ｂでは、アカウントＩＤごとにアクセス権限が設定されている。また、各アカウントＩＤのアクセス権限は、登録／更新するデータに対してセンサベンダごとに設定されている。これにより、センサに関連するセンサベンダのアカウントＩＤのみのアクセスを可能にし、他のセンサベンダのアカウントＩＤのアクセスを不可とする。アクセス権限には、センサデータベース４２１に各センサベンダのセンサを登録・更新（変更）する権限、センサバイアス回路データベース４２２に各センサベンダのバイアス回路を登録・更新する権限、センサバイアス回路データベース４２２に登録されている各センサベンダのバイアス回路を選択・更新する権限、シミュレーションを実行する権限が含まれる。センサバイアス回路データベース４２２の登録・更新する権限により、登録用バイアス回路データ４２２ａにバイアス回路を登録・更新することが可能となり、センサバイアス回路データベース４２２の選択・更新する権限により、シミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂにバイアス回路を選択・更新することが可能となる。
FIG. 29 shows an example of the access authority table 431b. As shown in FIG. 29, in the access authority table 431b, an access authority is set for each account ID. The access authority for each account ID is set for each sensor vendor for the data to be registered / updated. As a result, only the account ID of the sensor vendor related to the sensor can be accessed, and the account IDs of other sensor vendors cannot be accessed. The access authority includes the authority to register / update (change) the sensor of each sensor vendor in the
アクセス権限テーブル４３１ｂにより、アカウントＩＤに応じて、センサベンダ、ユーザ、システム開発者のいずれかを識別し、アクセス権限を判定（決定）できる。図２９の例では、システム開発者、センサベンダＡ社のアカウントＡ１及びＡ２、センサベンダＢ社のアカウントＢ１及びＢ２、ユーザのアクセス権限が設定されている。システム開発者のアカウントＩＤの場合、センサデータベース４２１及びセンサバイアス回路データベース４２２を含む全てのデータベースの登録・更新（修正）が可能となるように設定されている。具体的には、システム開発者は、センサデータベース４２１にＡ社及びＢ社のセンサの登録・更新が可能であり、センサバイアス回路データベース４２２（登録用バイアス回路データ４２２ａ）に共用（各社共通）のバイアス回路、Ａ社及びＢ社のセンサに対応するバイアス回路の登録・更新が可能であり、センサバイアス回路データベース４２２（シミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂ）にＡ社及びＢ社のセンサに対応するバイアス回路の選択・更新が可能であり、また、登録済みの全てのセンサ及びバイアス回路を用いてシミュレーションを実行することが可能である。
The access authority table 431b can identify (determine) the access authority by identifying one of the sensor vendor, the user, and the system developer according to the account ID. In the example of FIG. 29, system developer, accounts A1 and A2 of sensor vendor A company, accounts B1 and B2 of sensor vendor B company, and user access authority are set. In the case of the account ID of the system developer, all the databases including the
センサベンダのアカウントＩＤの場合、センサデータベース４２１に記憶されているセンサのうち、当該センサベンダが登録したセンサのみ更新（修正）可能に設定され、センサバイアス回路データベース４２２に記憶されているバイアス回路のうち、当該センサベンダが登録したセンサに対応するバイアス回路のみ更新（修正）可能に設定されている。センサベンダのアカウントごとにアクセス権限を設定することにより、他のセンサベンダのセンサ情報を誤って更新することを防ぎ、センサ情報の信頼性を向上させる。
In the case of a sensor vendor account ID, among the sensors stored in the
この例では、センサベンダＡ社のアカウントＡ１の場合、センサデータベース４２１にＡ社のセンサの登録・更新が可能であり、センサバイアス回路データベース４２２（登録用バイアス回路データ４２２ａ）にＡ社のセンサに対応するバイアス回路の登録・更新が可能であり、センサバイアス回路データベース４２２（シミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂ）にＡ社のセンサに対応するバイアス回路の選択・更新が可能であり、また、登録済みのＡ社のセンサ及びバイアス回路を用いてシミュレーションを実行することが可能である。アカウントＡ１では、Ｂ社のセンサ及びバイアス回路の登録・更新・選択、共用のバイアス回路の登録・更新についてアクセス権限がないため行うことができない。センサベンダＡ社のアカウントＡ２の場合、センサデータベース４２１にＡ社のセンサの登録・更新が可能であり、センサバイアス回路データベース４２２（シミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂ）にＡ社のセンサに対応するバイアス回路の選択・更新が可能であり、また、登録済みのＡ社のセンサ及びバイアス回路を用いてシミュレーションを実行することが可能である。アカウントＡ２では、Ｂ社のセンサ及びバイアス回路の登録・更新・選択、共用及びＡ社のバイアス回路の登録・更新についてアクセス権限がないため行うことができない。
In this example, in the case of the account A1 of the sensor vendor A, the sensor of the company A can be registered / updated in the
センサベンダＢ社のアカウントＢ１の場合、センサデータベース４２１にＢ社のセンサの登録・更新が可能であり、センサバイアス回路データベース４２２（登録用バイアス回路データ４２２ａ）にＢ社のセンサに対応するバイアス回路の登録・更新が可能であり、センサバイアス回路データベース４２２（シミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂ）にＢ社のセンサに対応するバイアス回路の選択・更新が可能であり、また、登録済みのＢ社のセンサ及びバイアス回路を用いてシミュレーションを実行することが可能である。アカウントＢ１では、Ａ社のセンサ及びバイアス回路の登録・更新・選択、共用のバイアス回路の登録・更新についてアクセス権限がないため行うことができない。センサベンダＢ社のアカウントＢ２の場合、センサバイアス回路データベース４２２（シミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂ）にＢ社のセンサに対応するバイアス回路の選択・更新が可能であり、また、登録済みのＢ社のセンサ及びバイアス回路を用いてシミュレーションを実行することが可能である。アカウントＢ２では、Ａ社のセンサの登録・更新、Ｂ社のセンサ及びバイアス回路の登録・更新・選択、共用及びＡ社のバイアス回路の登録・更新についてアクセス権限がないため行うことができない。
In the case of the account B1 of the sensor vendor B, it is possible to register / update the sensor of the company B in the
なお、バイアス回路の登録／更新するためには、シミュレータのシミュレーションモデルの知識も必要であり、シミュレーションツールの変更の有無について判断できなければバイアス回路を登録／更新することができない。このため、例えば、アカウントＡ１及びＢ１は、シミュレータにも精通した者に割り当てて、バイアス回路の登録／更新を可能とし、アカウントＡ２及びＢ２は、シミュレータの知識が無い者に割り当てて、バイアス回路の選択／登録のみを可能とする。 Note that in order to register / update the bias circuit, knowledge of the simulation model of the simulator is also required, and the bias circuit cannot be registered / updated unless it can be determined whether or not the simulation tool has been changed. For this reason, for example, accounts A1 and B1 are assigned to those who are also familiar with the simulator to enable registration / update of the bias circuit, and accounts A2 and B2 are assigned to those who do not have knowledge of the simulator, Only selection / registration is possible.
ユーザのアカウントＩＤの場合、センサデータベース４２１及びセンサバイアス回路データベース４２２において、一般公開されたデータに対し参照のみ可能で、更新（修正）は不可能に設定されている。ユーザのアカウントＩＤの場合、登録済みの一般公開されているセンサ及びバイアス回路を用いてシミュレーションを実行することが可能であり、センサ及びバイアス回路の登録・更新・選択についてアクセス権限がないため行うことができない。なお、ユーザは、センサベンダのセンサを登録・更新することはできないが、ユーザ独自のセンサ（カスタムセンサ）をセンサデータベース４２１に登録・更新することが可能である。
In the case of the user account ID, in the
ウェブページ処理部（ウェブページ表示部）４１１は、ウェブページ情報記憶部４２５に記憶されたウェブページ情報を、ウェブサーバ４００を介してユーザ端末３、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８へ送信することで、ウェブブラウザ３００にＧＵＩを含むウェブページ（画面）を表示し、さらに、ユーザ、センサベンダまたはシステム開発者によるウェブページのＧＵＩへの入力操作をユーザ端末３、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８から受け付ける。
The web page processing unit (web page display unit) 411 transmits the web page information stored in the web page
すなわち、ウェブページ処理部４１１は、ユーザ端末３、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８との入出力をＧＵＩにより実現する入出力インタフェースである。ウェブページ処理部４１１は、ユーザ端末３、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８からのアクセスを受け付け、ユーザ端末３、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８との入出力を行うアクセスインタフェース４１０ａを含んでいる。
In other words, the web
アクセスインタフェース４１０ａは、認証処理部４１７により判定されたアクセス権限に応じて、センサデータベース４２１及びセンサバイアス回路データベース４２２へアクセスする。センサベンダは、センサデータベース４２１へセンサ情報を登録／更新可能なアクセス権限を有するように設定されており、センサベンダがセンサベンダ端末５を操作してセンサデータベース４２１へセンサ情報を登録／更新することができる。ユーザは、センサデータベース４２１のセンサ情報を参照可能なアクセス権限を有するように設定されており、ユーザがユーザ端末３を操作してセンサデータベース４２１において、一般公開されたセンサ情報を参照し、そのセンサ情報を使用してシミュレーションを行うことができる。
The
なお、ウェブページ処理部４１１がユーザ端末３、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８に表示する各画面は、アクセスインタフェース４１０ａで実現される。なお、センサベンダ端末５にのみ表示される画面は、センサベンダ入出力インタフェースで実現し、ユーザ端末３にのみ表示される画面は、ユーザ入出力インタフェースで実現し、システム開発者端末８にのみ表示される画面は、開発者入出力インタフェースで実現し、センサベンダ端末５、ユーザ端末３及びシステム開発者端末８に表示される画面は、アクセスインタフェース４１０ａで実現してもよい。
Each screen displayed on the
言い換えると、ウェブページ処理部４１１は、各画面を表示するための表示部を有しているともいえる。すなわち、ウェブページ処理部４１１は、センサ表示部４１１ａ、バイアス回路表示部４１１ｂ、ＡＦＥ表示部４１１ｃ、入力パターン表示部４１１ｄを有している。センサ表示部４１１（選択部）ａは、センサデータベース４２１を参照して、ユーザまたはセンサベンダが選択したセンサのタイプ（もしくは出力形体等）に対応する複数のセンサを表示する。また、センサ表示部４１１ａは、アクセス権限が許可されているセンサのみを選択し、例えば、アクセスしているセンサベンダに関連するセンサのみを表示する。バイアス回路表示部（選択部）４１１ｂは、センサバイアス回路データベース４２２を参照して、選択（入力）されたセンサに対応する複数のバイアス回路を表示する。また、バイアス回路表示部４１１ｂは、アクセス権限が許可されているバイアス回路のみを選択し、例えば、アクセスしているセンサベンダに関連するバイアス回路のみを表示する。ＡＦＥ表示部（半導体装置表示部）４１１ｃは、ＡＦＥデータベース４２４を参照して、設定された回路構成のコンフィギュラブル・アンプ１１０を有する複数の半導体装置１を表示する。入力パターン表示部４１１ｄは、入力パターン記憶部４３０に記憶されている複数の波形パターンを表示する。また、ウェブページ処理部４１１は、各画面に対応したその他の表示部、センサリスト画面を表示するセンサリスト表示部、各画面にフラグを表示するフラグ表示部等を有する。
In other words, it can be said that the web
回路設定部４１２は、ユーザまたはセンサベンダによるウェブページ（画面）の入力操作に応じて、回路設定ファイル（回路情報）を生成し、回路情報記憶部４２６に記憶する。回路設定部４１２は、センサ、バイアス回路、半導体装置１の選択に応じて回路設定ファイルを生成する。例えば、回路設定部４１２は、センサ選択部４１２ａ、バイアス回路選択部４１２ｂ、ＡＦＥ選択部４１２ｃ、接続構成設定部４１２ｄを有している。
The
センサ選択部（センサ情報入力部）４１２ａは、ウェブページ処理部４１１が表示した、センサデータベース４２１に含まれる複数のセンサからユーザ、センサベンダまたはシステム開発者の操作により選択されたセンサの情報に基づいて回路設定ファイルを生成する。また、センサ選択部４１２ａは、選択されたセンサに特性等の必要な情報をユーザ、センサベンダまたはシステム開発者から入力され、入力された情報に基づいて回路設定ファイルを生成する。センサ選択部４１２ａは、センサベンダ（アクセスインタフェースを介して）がセンサデータベース４２１に登録／更新するセンサ情報を入力するセンサ情報入力部でもある。また、センサ選択部４１２ａは、ユーザ（アクセスインタフェースを介して）がユーザ独自のセンサ（カスタムセンサ）をセンサデータベース４２１に登録／更新するセンサ情報を入力するセンサ情報入力部でもある。
The sensor selection unit (sensor information input unit) 412a is based on information on sensors selected by a user, a sensor vendor, or a system developer from a plurality of sensors included in the
バイアス回路選択部４１２ｂは、ウェブページ処理部４１１が表示した、選択されたセンサに適した複数のバイアス回路から、アクセス権限に基づいて、ユーザまたはセンサベンダの操作により選択されたバイアス回路の情報に基づいて回路設定ファイルを生成する。
The bias
ＡＦＥ選択部（半導体装置選択）４１２ｃは、ウェブページ処理部４１１が表示した、ＡＦＥデータベース４２４に含まれる複数の半導体装置１からユーザまたはセンサベンダの操作により選択された半導体装置１の情報に基づいて回路設定ファイルを生成する。接続構成設定部（回路構成設定部）４１２ｄは、コンフィギュラブルアナログ回路データベース４２３を参照し、選択されたセンサ及びバイアス回路に適したコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成及び接続関係を特定し、また、ユーザまたはセンサベンダの操作によりコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成及び接続関係を設定し、回路設定ファイル（構成情報）を生成する。また、接続構成設定部４１２ｄは、ユーザまたはセンサベンダの操作により設定されたコンフィギュラブル・アンプ１１０の特性に基づいて回路設定ファイル（特性情報）を生成する。
The AFE selection unit (semiconductor device selection) 412c is based on information on the
パラメータ設定部４１３は、ユーザまたはセンサベンダによるウェブページ（画面）の入力操作に応じて、シミュレーションを実行するためのパラメータを生成し、パラメータ記憶部４２７に記憶する。パラメータ設定部（入力パターン選択部）４１３は、ウェブページ処理部４１１が表示した複数の波形パターンの中からユーザ操作にしたがって選択された、センサに入力される物理量の入力パターンの情報を生成する。
The
シミュレーション実行部４１５は、回路情報記憶部４２６及びパラメータ記憶部４２７を参照し、記憶されている回路設定ファイル（回路情報）及びパラメータに基づいてシミュレーションを実行する。シミュレーション実行部４１５は、物理量変換部（物理量対電気特性換算機能）４５０、自動設定部４５１、過渡解析部４５２、ＡＣ解析部４５３、フィルタ効果解析部４５４、同期検波解析部４５５を有している。
The
物理量変換部４５０は、センサの入力情報である物理量をセンサ出力の電気信号に変換する。物理量変換部４５０は、パラメータ記憶部４２７を参照し、設定された物理量の入力パターンにしたがい、時系列の順に変動する物理量に対応してセンサの出力信号を生成する。
The physical
自動設定部（回路特性設定部）４５１は、ＡＦＥ部１００の回路特性を自動的に設定し、設定した回路設定ファイル（特性情報）を回路情報記憶部４２６に記憶する。自動設定部４５１は、回路情報記憶部４２６の回路設定ファイルの構成情報を参照し、設定されたセンサ及びバイアス回路、コンフィギュラブル・アンプ１１０の回路構成において、自動的に適切なコンフィギュラブル・アンプ１１０のゲイン・オフセットを設定する。自動設定部４５１は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の動作をシミュレーションし、最適なゲイン・オフセットとなるように、コンフィギュラブル・アンプ１１０のＤＡＣ電圧やゲイン等の回路パラメータを調整する。
The automatic setting unit (circuit characteristic setting unit) 451 automatically sets the circuit characteristics of the
過渡解析部４５２は、過渡特性を解析するためＡＦＥ部１００の入出力特性をシミュレーションし、シミュレーション結果を結果情報記憶部４２８に記憶する。過渡解析部４５２は、回路情報記憶部４２６及びパラメータ記憶部４２７を参照し、各パラメータをシミュレーション条件として設定された構成の回路動作をシミュレーションし、入出力特性を示す波形を生成する。過渡解析部４５２は、時系列に入力される物理量の入力パターンについて物理量変換部４５０が変換したセンサ出力信号をＡＦＥ部１００の入力信号として、ＡＦＥ部１００の動作をシミュレーションし、ＡＦＥ部１００の各回路の時系列の出力信号を生成する。
The
ＡＣ解析部４５３は、ＡＣ特性を解析するためＡＦＥ部１００の周波数特性をシミュレーションし、シミュレーション結果を結果情報記憶部４２８に記憶する。ＡＣ解析部４５３は、回路情報記憶部４２６及びパラメータ記憶部４２７を参照し、各パラメータをシミュレーション条件として設定された構成の回路動作をシミュレーションし、周波数特性を示す波形を生成する。ＡＣ解析部４５３は、周波数ごとに物理量の入力パターンを生成し、物理量変換部４５０が変換したセンサ出力信号をＡＦＥ部１００の入力信号として、ＡＦＥ部１００の動作をシミュレーションし、ＡＦＥ部１００の各回路の周波数ごとの出力信号を生成する。
The
フィルタ効果解析部４５４は、フィルタ効果を解析するためノイズが発生する環境におけるＡＦＥ部１００の入出力特性をシミュレーションし、シミュレーション結果を結果情報記憶部４２８に記憶する。フィルタ効果解析部４５４は、回路情報記憶部４２６及びパラメータ記憶部４２７を参照し、各パラメータをシミュレーション条件として設定された構成の回路動作をシミュレーションし、ノイズ環境における入出力特性を示す波形を生成する。フィルタ効果解析部４５４は、時系列に入力される物理量の入力パターンにノイズを付加し、ノイズを付加した信号を物理量変換部４５０が変換したセンサ出力信号をＡＦＥ部１００の入力信号として、ＡＦＥ部１００の動作をシミュレーションし、ＡＦＥ部１００の各回路の時系列の出力信号を生成する。
The filter
同期検波解析部４５５は、同期検波動作を解析するためＡＦＥ部１００の同期検波動作をシミュレーションし、シミュレーション結果を結果情報記憶部４２８に記憶する。同期検波解析部４５５は、回路情報記憶部４２６及びパラメータ記憶部４２７を参照し、各パラメータをシミュレーション条件として設定された構成の回路動作をシミュレーションし、同期検波動作を示す波形を生成する。同期検波解析部４５５は、時系列に入力される物理量の入力パターンと、図１６で示したような同期クロックを入力として、ＡＦＥ部１００の動作をシミュレーションし、ＡＦＥ部１００の各回路の時系列の出力信号を生成する。
The synchronous
レジスタ情報生成部４１６は、半導体装置１のレジスタ１８１に設定するレジスタ情報を生成し、レジスタ情報記憶部４２９に記憶する。レジスタ情報生成部４１６は、回路情報記憶部４２６の回路設定ファイルを参照し、設定されているＡＦＥ部１００の回路構成及び回路特性に応じてレジスタ情報を生成する。
The register
認証処理部４１７は、ユーザ端末３、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８からログイン要求を受け付け、認証処理を行う。認証処理部４１７は、アカウントデータベース４３１の認証テーブル４３１ａを参照し、ウェブブラウザ３００に入力されたアカウントＩＤとパスワードに基づいてアカウントの認証を行う。また、認証処理部４１７は、アカウントデータベース４３１のアクセス権限テーブル４３１ｂを参照し、アカウントＩＤにより利用者がセンサベンダ、ユーザ、あるいはシステム開発者であるのかを識別し、それぞれのアクセス権限にしたがって、センサデータベース４２１及びセンサバイアス回路データベース４２２へのデータの登録・更新を可能とする。
The
図３０Ａは、図２９のアクセス権限テーブル４３１ｂにおけるアカウントＡ１及びＢ２によるアクセスに対する認証処理の概要を示している。センサベンダ端末５によりアカウントＡ１でウェブシミュレータ４にアクセスすると、アクセスインタフェース４１０ａがアクセスを受け付け、認証処理部４１７が認証を行う。認証処理部４１７は、認証テーブル４３１ａを参照し、アカウントＡ１とパスワードが一致した場合に認証成功と判定する。さらに、認証処理部４１７は、アクセス権限テーブル４３１ｂを参照し、アカウントＡ１のアクセス権限を判定する。図２９のアクセス権限テーブル４３１ｂにより、アカウントＡ１は、センサデータベース４２１にＡ社のセンサの登録・更新が可能となり、センサバイアス回路データベース４２２にＡ社のセンサに対応するバイアス回路の登録・更新が可能となり、センサバイアス回路データベース４２２にＡ社のセンサに対応するバイアス回路の選択・更新が可能となり、登録済みのＡ社のセンサ及びバイアス回路を用いてシミュレーションを実行することが可能となる。また、アカウントＢ２は、センサバイアス回路データベース４２２にＢ社のセンサに対応するバイアス回路の選択・更新が可能となり、登録済みのＢ社のセンサ及びバイアス回路を用いてシミュレーションを実行することが可能となる。また、センサバイアス回路データベース４２２には、共用のバイアス回路が登録されており、システム開発者は、図２９のアクセス権限テーブル４３１ｂにより、共用、Ａ社、Ｂ社の全てのバイアス回路の登録・更新、選択・更新が可能である。
図３０Ｂは、センサバイアス回路データベース４２２に登録されているバイアス回路データの関連付けのイメージを示している。図３０Ｂに示すように、例えば、共用のバイアス回路ｄ１〜ｄ６、Ａ社のバイアス回路ｄ７〜ｄ１０、Ｂ社のバイアス回路ｄ１１〜ｄ１３が登録用バイアス回路データ４２２ａに登録されている。登録用バイアス回路データ４２２ａでは、各バイアス回路はセンサベンダに関連付けられるとともに、センサの種類とも関連付けられている。例えば、Ａ社のセンサに適したバイアス回路として、共用のバイアス回路とＡ社のバイアス回路のうち、バイアス回路ｄ１〜ｄ４、ｄ６〜ｄ１０が関連付けられており、センサベンダが選択可能なバイアス回路としてｄ１〜ｄ４、ｄ６〜ｄ１０が画面表示される。センサベンダは、バイアス回路ｄ１〜ｄ４、ｄ６〜ｄ１０の中から、センサのシミュレーションに適切なバイアス回路として、バイアス回路ｄ１、ｄ４、ｄ８、ｄ９を選択すると、シミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂにバイアス回路ｄ１、ｄ４、ｄ８、ｄ９とセンサが関連付けて登録される。これらのバイアス回路ｄ１、ｄ４、ｄ８、ｄ９がシミュレーション時に選択可能なバイアス回路として画面表示され、ユーザが、バイアス回路ｄ８を選択すると、センサとバイアス回路ｄ８がシミュレーション対象の回路として関連付けられて、シミュレーションが行われる。
FIG. 30A shows an outline of authentication processing for access by the accounts A1 and B2 in the access authority table 431b of FIG. When the
FIG. 30B shows an image of association of bias circuit data registered in the sensor
センサ登録更新部（センサ情報登録部）４１８は、アクセス権限に基づいて、ユーザ端末３、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８から入力されたセンサ情報を、入力するアカウントのセンサベンダ等に関連付けてセンサデータベース４２１に登録／更新する。また、センサ登録更新部４１８は、アクセス権限に基づいて、ユーザ端末３、センサベンダ端末５またはシステム開発者端末８から入力されたセンサに関連するバイアス回路の情報（シミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂ）を、入力するアカウントのセンサベンダ等に関連付けてセンサバイアス回路データベース４２２に登録／更新する。
The sensor registration update unit (sensor information registration unit) 418 associates the sensor information input from the
また、図２８Ｃのように、図２８Ａ及び図２８Ｂに示したブロックのうちの一部のブロックによりウェブシミュレータ４を構成してもよい。例えば、図２８Ｃに示すように、ウェブシミュレータ４は、センサデータベース（センサ情報記憶部）４２１と、アカウントデータベース（アカウント情報記憶部）４３１と、認証処理部（アクセス権限特定部）４１７と、センサ登録更新部（センサ書き込み部）４１８と、シミュレーション実行部４１５とを備えている。
Further, as shown in FIG. 28C, the
図２８Ｃでは、センサデータベース４２１は、第１のアクセスグループ（例えば、センサベンダＡ社）に属する第１のセンサ情報と第２のアクセスグループ（例えば、センサベンダＢ社）に属する第２のセンサ情報を記憶する。アカウントデータベース４３１は、第１のアクセスグループに属するアカウントに対して、第１のアクセスグループへ第１のセンサ情報の書き込み（登録または書き込み）を許可し、かつ、第２のアクセスグループへ第２のセンサ情報の書き込みを拒否するアクセス権限テーブル４３１ｂ（第１のアクセス権限情報）を記憶する。認証処理部４１７は、記憶されたアクセス権限テーブル４３１ｂを参照して、受け付けたアクセスのアカウントに応じて第１のアクセスグループ及び第２のアクセスグループへのアクセス権限を特定する。センサ登録更新部４１８は、特定されたアクセス権限に基づき書き込みが許可された第１のアクセスグループへ、アクセスに応じて第１のセンサ情報の書き込みを行う。シミュレーション実行部４１５は、前記アクセスに応じて、前記書き込まれた第１のセンサ情報のセンサと、回路構成が変更可能なアナログフロントエンド回路を有する半導体装置１とを含む回路のシミュレーションを実行する。
In FIG. 28C, the
次に、本実施の形態に係るシミュレーションシステムで実行されるシミュレーション方法について説明する。このシミュレーション方法は、主にウェブシミュレータ４で各処理が実行され、ユーザ端末３またはセンサベンダ端末５の表示装置に画面表示を行うことで実現されるため、以下ではウェブシミュレータ４で実行される処理について説明する。なお、以下では、主にユーザ端末３またはセンサベンダ端末５からアクセスがあった場合の動作について説明するが、システム開発者端末８からアクセスがあった場合については、全てのデータベースに対して登録・更新が可能となる点を除いて、ユーザ端末３及びセンサベンダ端末５と同様であるため、説明を省略する。
Next, a simulation method executed by the simulation system according to the present embodiment will be described. Since this simulation method is realized mainly by executing each process in the
図３１のフローチャートは、本実施の形態に係るシミュレーション処理の全体の流れを示している。このシミュレーション処理では、まず、ウェブシミュレータ４（ウェブページ処理部４１１）はユーザ端末３またはセンサベンダ端末５にログイン画面を表示させ、ユーザまたはセンサベンダがログインを行う（Ｓ１０１）。ユーザ端末３またはセンサベンダ端末５のウェブブラウザ３００において、ユーザまたはセンサベンダがウェブシミュレータ４のＵＲＬを指定すると、ウェブブラウザ３００がウェブサーバ４００にアクセスし、ウェブシミュレータ４においてシミュレーションプログラムが起動する。そうすると、ウェブページ処理部４１１は、ログイン画面のウェブページ情報をユーザ端末３またはセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００にログイン画面を表示させる。そして、ウェブブラウザ３００にユーザまたはセンサベンダがアカウントＩＤとパスワードを入力すると、認証処理部４１７がアカウントデータベース４３１の認証テーブル４３１ａを参照しアカウントの認証を行う。また、認証処理部４１７は、アクセス権限テーブル４３１ｂを参照し、アカウントＩＤによりセンサベンダかユーザかを識別してアクセス権限を判定し、以降の処理では、アクセス権限に応じた処理が実行される。
The flowchart in FIG. 31 shows the overall flow of the simulation processing according to the present embodiment. In this simulation process, first, the web simulator 4 (web page processing unit 411) displays a login screen on the
なお、ログイン画面はユーザとセンサベンダで共通でも、独立していてもどちらでも構わない。また、シミュレーション処理において、ユーザとセンサベンダとでログイン処理を異なる処理としてもよい。例えば、ウェブシミュレータ４のＵＲＬをセンサベンダとユーザで別々に設定し、センサベンダ用のＵＲＬにアクセスした場合、Ｓ１０１のログイン処理を実行し、ユーザ用のＵＲＬにアクセスした場合、Ｓ１０１のログイン処理は省略して次のＳ１０２のガイダンス画面から処理を開始してもよい。
The login screen may be shared by the user and the sensor vendor or may be independent. In the simulation process, the login process may be different between the user and the sensor vendor. For example, when the URL of the
次いで、ウェブシミュレータ４（ウェブページ処理部４１１）はユーザ端末３またはセンサベンダ端末５にガイダンス画面を表示させる（Ｓ１０２）。Ｓ１０１のログインによりアカウントの認証が成功すると、ウェブページ処理部４１１は、シミュレータの開始ページであるガイダンス画面のウェブページ情報をユーザ端末３またはセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００にガイダンス画面を表示させる。
Next, the web simulator 4 (web page processing unit 411) displays a guidance screen on the
次いで、ウェブシミュレータ４（回路設定部４１２、センサ登録更新部４１８）は、センサ及びバイアス回路登録選択処理を実行する（Ｓ１０３）。Ｓ１０１のガイダンス画面において、ユーザまたはセンサベンダがセンサを選択するための操作を行うと、アカウントのアクセス権限に応じた処理、すなわち、アカウントがセンサベンダの場合、センサ登録更新部４１８は、センサ及びバイアス回路のデータベースへの登録及び更新する処理を実行し、アカウントがユーザの場合、回路設定部４１２は、センサ及びバイアス回路を選択する処理を実行する。センサ及びバイアス回路登録選択処理の詳細については後述する。回路設定部４１２は、センサ及びバイアス回路選択処理により選択（登録／更新）されたセンサ及びバイアス回路を、シミュレーション対象の回路として回路情報記憶部４２６の回路設定ファイルに記憶する。
Next, the web simulator 4 (
次いで、ウェブシミュレータ４（ウェブページ処理部４１１）はユーザ端末３またはセンサベンダ端末５に物理量入力画面を表示させ、ユーザまたはセンサベンダが物理量を入力する（Ｓ１０４）。Ｓ１０３のセンサ選択画面やバイアス回路選択画面において、ユーザまたはセンサベンダがセンサの物理量を入力するための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はユーザまたはセンサベンダがセンサの物理量を入力するための物理量入力画面のウェブページ情報をユーザ端末３またはセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００に物理量入力画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、センサに入力する物理量を時系列に入力するための複数の入力パターン（入力波形）を物理量入力画面に表示し、ユーザまたはセンサベンダがシミュレーションで使用する入力パターンを選択する。また、ウェブページ処理部４１１は、センサデータベース４２１を参照し、選択されたセンサに応じた物理量の入力範囲を物理量入力画面に表示し、ユーザまたはセンサベンダが物理量の入力範囲を設定する。物理量入力画面において、ユーザまたはセンサベンダがセンサに入力する物理量の入力パターンと入力範囲を入力すると、パラメータ設定部４１３は、入力されたパラメータをパラメータ記憶部４２７に設定する。
Next, the web simulator 4 (web page processing unit 411) displays a physical quantity input screen on the
次いで、ウェブシミュレータ４（ウェブページ処理部４１１）はユーザ端末３またはセンサベンダ端末５にＡＦＥ選択画面を表示させ、ユーザまたはセンサベンダがＡＦＥ（半導体装置）を選択する（Ｓ１０５）。Ｓ１０２のガイダンス画面やＳ１０３のセンサ選択画面等において、ユーザまたはセンサベンダが半導体装置１（ＡＦＥ部１００）を選択するための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はユーザまたはセンサベンダが半導体装置１を選択するためのＡＦＥ選択画面のウェブページ情報をユーザ端末３またはセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００にＡＦＥ選択画面を表示させる。
Next, the web simulator 4 (web page processing unit 411) displays an AFE selection screen on the
ウェブページ処理部４１１は、ＡＦＥデータベース４２４を参照し、選択されたセンサ及びバイアス回路に適したコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成を含む半導体装置１を抽出する。このとき、コンフィギュラブルアナログ回路データベース４２３を参照し、選択されたセンサ及びバイアス回路に適したコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成を決定し、決定した構成のコンフィギュラブル・アンプ１１０を含む半導体装置１を抽出する。さらに、ウェブページ処理部４１１は、ユーザまたはセンサベンダが半導体装置１の構成などの絞り込み条件を指定すると、ＡＦＥデータベース４２４から絞り込み条件に該当する半導体装置１を抽出し、抽出した半導体装置１のリストをＡＦＥ選択画面に表示する。ＡＦＥ選択画面において表示された半導体装置１のリストの中からユーザまたはセンサベンダが使用する半導体装置１（ＡＦＥ部１００）を選択すると、回路設定部４１２（ＡＦＥ選択部４１２ｃ）は、選択された半導体装置１のＡＦＥ部１００をシミュレーション対象の回路として回路情報記憶部４２６の回路設定ファイルに記憶する。
The web
次いで、ウェブシミュレータ４（回路設定部４１２）は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の構成と接続関係を決定する（Ｓ１０６）。Ｓ１０３でセンサ及びバイアス回路が選択され、Ｓ１０５で半導体装置１が選択されると、回路設定部４１２は、コンフィギュラブルアナログ回路データベース４２３を参照し、選択されたセンサ及びバイアス回路に適したコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成を決定し、センサ及びバイアス回路とコンフィギュラブル・アンプ１１０との接続関係（接続端子）をデフォルト（自動接続）の構成として決定する。回路設定部４１２（接続構成設定部４１２ｄ）は、決定したコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成と接続関係の情報を回路情報記憶部４２６のデフォルト回路設定ファイル４２６ａに記憶する。アカウントがセンサベンダの場合、１つのセンサに対し複数のバイアス回路が選択可能であるため、バイアス回路ごとに接続関係を決定し、バイアス回路ごとの複数のデフォルト回路設定ファイル４２６ａに記憶する。
Next, the web simulator 4 (circuit setting unit 412) determines the configuration and connection relationship of the configurable amplifier 110 (S106). When the sensor and the bias circuit are selected in S103 and the
次いで、ウェブシミュレータ４（回路設定部４１２）は、センサＡＦＥ接続処理を実行する（Ｓ１０７）。Ｓ１０５で半導体装置１が選択され、Ｓ１０６でセンサ及びバイアス回路とコンフィギュラブル・アンプ１１０との接続関係が決定すると、ユーザまたはセンサベンダがシミュレーション対象の回路の接続を選択できるようにするためセンサＡＦＥ接続処理を実行する。このセンサＡＦＥ接続処理の詳細については後述する。回路設定部４１２は、選択された接続関係をシミュレーション対象の回路の接続関係として回路情報記憶部４２６の回路設定ファイルに記憶する。
Next, the web simulator 4 (circuit setting unit 412) executes a sensor AFE connection process (S107). When the
次いで、ウェブシミュレータ４（自動設定部４５１）は、自動設定処理を実行する（Ｓ１０８）。Ｓ１０３〜Ｓ１０７でセンサ及びバイアス回路、コンフィギュラブル・アンプ１１０の構成及び接続関係が決定すると、自動設定部４５１は、コンフィギュラブル・アンプ１１０のデフォルト値を自動的に設定するため、自動設定処理を実行する。この自動設定処理の詳細については後述する。自動設定部４５１は、自動設定処理により設定されたコンフィギュラブル・アンプ１１０のＤＡＣ出力やゲイン等の回路パラメータを回路情報記憶部４２６の回路設定ファイルに記憶する。
Next, the web simulator 4 (automatic setting unit 451) executes an automatic setting process (S108). When the configuration and connection relationship of the sensor and bias circuit and the
次いで、ウェブシミュレータ４（シミュレーション実行部４１５）は、シミュレーション実行処理を行う（Ｓ１０９）。Ｓ１０３〜Ｓ１０８でセンサ及びバイアス回路、半導体装置１（ＡＦＥ部１００）の構成及び接続関係が決定すると、シミュレーション実行部４１５はユーザまたはセンサベンダの操作にしたがって過渡解析、ＡＣ解析、フィルタ効果解析、同期検波解析などのためのシミュレーションを実行する。このシミュレーション実行処理の詳細については後述する。シミュレーション実行部４１５は、シミュレーション実行処理により得られたシミュレーション結果を結果情報記憶部４２８に記憶する。
Next, the web simulator 4 (simulation execution unit 415) performs a simulation execution process (S109). When the configuration and connection relation of the sensor and bias circuit and the semiconductor device 1 (AFE unit 100) are determined in S103 to S108, the
次いで、ウェブシミュレータ４（ウェブページ処理部４１１）はユーザ端末３またはセンサベンダ端末５に部品リスト画面を表示させる（Ｓ１１０）。Ｓ１０２のガイダンス画面やＳ１０９のシミュレーション画面（後述）において、ユーザまたはセンサベンダが部品リスト（ＢＯＭ：Bills of Materials）を表示するための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１は部品リストを表示するための部品リスト画面のウェブページ情報をユーザ端末３またはセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００に部品リスト画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、回路情報記憶部４２６の回路設定ファイルを参照し、シミュレーション対象に選択されたセンサ及び半導体装置１を含む部品リストを部品リスト画面に表示する。表示する部品リストは部品の購入サイトにリンクが設定されており、部品リスト画面において、ユーザが部品を選択すると部品の購入サイトにアクセスされ、部品を購入することができる。
Next, the web simulator 4 (web page processing unit 411) displays a parts list screen on the
次いで、ウェブシミュレータ４（レジスタ情報生成部４１６）は、レジスタ情報を生成する（Ｓ１１１）。Ｓ１０３〜Ｓ１０９で半導体装置１（ＡＦＥ部１００）の回路構成及び回路特性が決定すると、レジスタ情報生成部４１６は半導体装置１のレジスタ１８１に設定するためのレジスタ情報を生成する。レジスタ情報生成部４１６は、回路情報記憶部４２６の回路設定ファイルを参照して半導体装置１の回路構成及び回路特性に基づいてレジスタ情報を生成し、生成したレジスタ情報をレジスタ情報記憶部４２９に記憶する。なお、レジスタ情報はレポート画面に表示されるため、Ｓ１１１のレジスタ情報の生成は、レポート画面の表示までに実行されていればよい。
Next, the web simulator 4 (register information generation unit 416) generates register information (S111). When the circuit configuration and circuit characteristics of the semiconductor device 1 (AFE unit 100) are determined in S103 to S109, the register
次いで、ウェブシミュレータ４（ウェブページ処理部４１１）はユーザ端末３またはセンサベンダ端末５にレポート画面を表示させる（Ｓ１１２）。Ｓ１０２のガイダンス画面やＳ１０９のシミュレーション画面等において、ユーザまたはセンサベンダがシミュレーション結果を出力するための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はシミュレーション結果を含むレポート画面のウェブページ情報をユーザ端末３またはセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００にレポート画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、結果情報記憶部４２８を参照し、シミュレーション結果をレポート画面に表示する。また、ウェブページ処理部４１１は、回路情報記憶部４２６、パラメータ記憶部４２７、レジスタ情報記憶部４２９を参照し、シミュレーション対象のセンサ及びバイアス回路、半導体装置１の回路構成、接続関係、パラメータを表示し、半導体装置１のレジスタ情報も表示する。さらに、レポート画面において、ユーザまたはセンサベンダの操作に応じてレジスタ情報をユーザ端末３またはセンサベンダ端末５へダウンロードすることができる。
Next, the web simulator 4 (web page processing unit 411) displays a report screen on the
図３２は、本実施の形態に係るセンサ及びバイアス回路登録選択処理を示しており、図３１のＳ１０３の処理に相当し、特に、センサベンダ用の処理を示している。すなわち、Ｓ１０３において、アカウントがセンサベンダの場合に、この処理が実行される。 FIG. 32 shows the sensor and bias circuit registration selection process according to the present embodiment, which corresponds to the process of S103 of FIG. 31, and particularly shows the process for the sensor vendor. That is, this process is executed when the account is a sensor vendor in S103.
まず、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にセンサ選択画面を表示させ、センサベンダがセンサの種類を選択する（Ｓ１１）。図３１のＳ１０１のガイダンス画面において、センサベンダがセンサを選択するための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１は、センサを選択するためのセンサ選択画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにセンサ選択画面を表示させる。そして、センサ選択画面において、センサベンダがセンサの種類を選択すると、センサ登録更新部４１８は、選択されたセンサの種類を、登録／更新／削除するセンサの種類として識別する。
First, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１は、センサ選択画面に対するセンサベンダの操作を判定する（Ｓ１２）。ここでは、センサベンダがセンサの登録または更新の操作を行ったか否か判定する。アカウントのアクセス権限が、センサデータベース４２１の登録・更新可能、センサバイアス回路データベース４２２の登録・更新可能の場合、センサベンダの操作に応じて、Ｓ１３以降の処理が実行されてセンサベンダ自身のセンサ及びバイアス回路の登録が行われ、もしくは、Ｓ１８以降の処理が実行されてセンサベンダ自身のセンサ及びバイアス回路の更新が行われる。アカウントのアクセス権限がセンサバイアス回路データベース４２２の選択・更新可能の場合、センサベンダの操作に応じて、Ｓ１８以降の処理が実行されてセンサベンダ自身のバイアス回路の選択・更新が行われる。例えば、表示画面において、アクセス権限に応じて入力操作が制限されていてもよい。
Next, the web
Ｓ１２において、センサベンダがセンサの登録を選択した場合、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にセンサ特性画面を表示させ、センサベンダがセンサの特性を入力する（Ｓ１３）。Ｓ１１のセンサ選択画面において、センサベンダがセンサ登録のための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１は、センサの特性を設定するためのセンサ特性画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにセンサ特性画面を表示させる。センサ特性画面において、センサベンダがセンサの特性を設定すると、センサ登録更新部４１８は、設定されたセンサの特性情報をセンサデータベース４２１に記憶する。また、センサ登録更新部４１８は、Ｓ１１で選択されたセンサの種類もセンサデータベース４２１に記憶する。
In S12, when the sensor vendor selects sensor registration, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にバイアス回路選択画面を表示させ、センサベンダがバイアス回路を選択する（Ｓ１４）。Ｓ１３のセンサ特性画面において、センサベンダがバイアス回路を設定するための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はバイアス回路選択画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにバイアス回路選択画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、センサバイアス回路データベース４２２の登録用バイアス回路データ４２２ａを参照し、Ｓ１１で選択したセンサの種類に適した複数のバイアス回路を抽出し、バイアス回路選択画面に表示する。バイアス回路選択画面において表示された複数のバイアス回路の中からセンサベンダがバイアス回路を選択すると、センサ登録更新部４１８は、選択されたバイアス回路をセンサバイアス回路データベース４２２のシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂに記憶する。シミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂには、１つのセンサと複数のバイアス回路とを関連付けることが可能である。
Next, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にセンサ名入力画面を表示させ、センサベンダがセンサ名を入力する（Ｓ１５）。Ｓ１４のバイアス回路選択画面においてバイアス回路が選択されると、ウェブページ処理部４１１は、センサ名入力画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにセンサ名入力画面を表示させる。センサベンダは、センサ名入力画面に入力操作することで、任意のセンサ名を設定することができる。
Next, the web
次いで、センサ登録更新部４１８は、センサデータベース４２１及びセンサバイアス回路データベース４２２にセンサに関する情報を登録する（Ｓ１６）。Ｓ１５のセンサ名入力画面においてセンサ名が入力されると、センサ登録更新部４１８は、Ｓ１１〜Ｓ１５で設定された、センサの種類、特性及びセンサ名の情報をセンサデータベース４２１へ登録し、バイアス回路の情報をセンサバイアス回路データベース４２２へ登録する。なお、これらのセンサに関する情報は、Ｓ１１〜Ｓ１５の各入力時にデータベースに登録してもよいし、Ｓ１６でまとめてデータベースに登録してもよい。また、センサ登録更新部４１８は、センサデータベース４２１にセンサ情報を登録したことを示す登録フラグを設定する。
Next, the sensor
次いで、ウェブページ処理部４１１は、センサベンダ端末５にフラグ付きのセンサリスト画面を表示させる（Ｓ１７）。Ｓ１６においてデータベースへの登録が完了すると、ウェブページ処理部４１１は、センサリスト画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにセンサリスト画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、センサデータベース４２１を参照し、操作中のセンサベンダが既に登録済みのセンサを抽出し、今回、登録したセンサも含めてセンサリスト画面に表示する。また、センサリストの各センサについてデータフラグを参照し、データフラグの状態を表示する。ここでは、Ｓ１６でセンサを登録したため、登録フラグが設定されており、登録されたことを示すフラグマークを表示する。
Next, the web
一方、Ｓ１２において、センサベンダがセンサの更新を選択した場合、ウェブページ処理部４１１は、センサベンダ端末５にセンサリスト画面を表示させ、センサベンダがセンサを選択する（Ｓ１８）。Ｓ１１のセンサ選択画面において、センサベンダがセンサ更新のための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１は、センサリスト画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにセンサリスト画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、センサデータベース４２１を参照し、操作中のセンサベンダがアクセス権のある更新可能なセンサ、すなわち、操作中のセンサベンダが登録を行ったセンサを抽出し、センサリスト画面に表示する。そして、センサベンダが、センサリストの中から更新するセンサを選択する。
On the other hand, when the sensor vendor selects to update the sensor in S12, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にセンサ特性画面を表示させ、センサベンダがセンサの特性を入力する（Ｓ１９）。Ｓ１８のセンサリスト画面において、センサベンダが更新するセンサを選択すると、ウェブページ処理部４１１は、センサの特性を設定するためのセンサ特性画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにセンサ特性画面を表示させる。センサ特性画面において、センサベンダがセンサの特性を変更し設定すると、センサ登録更新部４１８は、設定されたセンサの特性情報により、センサデータベース４２１の該当するセンサ情報を更新する。
Next, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にバイアス回路選択画面を表示させ、センサベンダがバイアス回路を選択する（Ｓ２０）。Ｓ１９のセンサ特性画面において、センサベンダがバイアス回路を設定するための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はバイアス回路選択画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにバイアス回路選択画面を表示させる。Ｓ１４と同様に、ウェブページ処理部４１１は、センサバイアス回路データベース４２２の登録用バイアス回路データ４２２ａを参照し、Ｓ１１で選択したセンサの種類に適した複数のバイアス回路を抽出し、バイアス回路選択画面に表示する。バイアス回路選択画面において表示された複数のバイアス回路の中からセンサベンダがバイアス回路について選択の追加／削除を行うと、センサ登録更新部４１８は、バイアス回路の追加／削除をセンサバイアス回路データベース４２２のシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂに記憶する。
Next, the web
次いで、センサ登録更新部４１８が、センサデータベース４２１及びセンサバイアス回路データベース４２２のセンサに関する情報を更新する（Ｓ２１）。Ｓ２０のバイアス回路選択画面においてバイアス回路が更新されると、センサ登録更新部４１８は、Ｓ１１、Ｓ１８〜Ｓ２０で設定された、センサの種類、特性の情報をセンサデータベース４２１へ更新し、バイアス回路の情報をセンサバイアス回路データベース４２２へ更新する。なお、これらのセンサに関する情報は、Ｓ１１、Ｓ１８〜Ｓ２０の各入力時にデータベースに登録してもよいし、Ｓ２１でまとめてデータベースに登録してもよい。また、センサ登録更新部４１８は、センサデータベース４２１にセンサの情報を更新したことを示す更新フラグを設定する。
Next, the sensor
次いで、ウェブページ処理部４１１は、センサベンダ端末５にフラグ付きのセンサリスト画面を表示させる（Ｓ２２）。Ｓ２１においてデータベースの更新が完了すると、ウェブページ処理部４１１は、センサリスト画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにセンサリスト画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、センサデータベース４２１を参照し、操作中のセンサベンダが既に登録（更新）済みのセンサを抽出し、今回、更新したセンサも含めてセンサリスト画面に表示する。また、センサリストの各センサについてデータフラグを参照し、データフラグの状態を表示する。ここでは、Ｓ２１でセンサを更新したため、更新フラグが設定されており、更新されたことを示す印を表示する。以上、センサ及びバイアス回路を更新する方法について詳細に説明したが、センサ及びバイアス回路を削除する方法も同様の手順で実現できる事は言うまでもない。例えば、Ｓ１８のように表示したセンサリスト画面で選択したセンサを削除する操作を行うと、対応するセンサ及びバイアス回路の情報がセンサデータベース４２１及びセンサバイアス回路データベース４２２から削除される。
Next, the web
図３３は、本実施の形態に係るセンサ及びバイアス回路登録選択処理を示しており、図３１のＳ１０３の処理に相当し、特に、ユーザ用の処理を示している。すなわち、Ｓ１０３において、アカウントがユーザの場合に、この処理が実行される。 FIG. 33 shows the sensor and bias circuit registration selection processing according to the present embodiment, which corresponds to the processing of S103 of FIG. 31, and particularly shows processing for the user. That is, in S103, this process is executed when the account is a user.
まず、ウェブページ処理部４１１はユーザ端末３にセンサ選択画面を表示させ、ユーザがセンサの種類を選択する（Ｓ２３）。図３２のセンサベンダの場合と同様に、図３１のＳ１０１のガイダンス画面において、ユーザがセンサを選択するための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１は、センサを選択するためのセンサ選択画面のウェブページ情報をユーザ端末３へ送信し、ウェブブラウザ３００ａにセンサ選択画面を表示させる。そして、センサ選択画面において、ユーザがセンサの種類を選択すると、センサ登録更新部４１８または回路設定部４１２は、選択されたセンサの種類を、登録またはシミュレーション対象に設定するセンサの種類として識別する。
First, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１は、センサ選択画面において、ユーザがセンサの登録またはシミュレーション対象への選択の操作を行ったか否か判定する（Ｓ２４）。ユーザは、ユーザ独自のセンサ（カスタムセンサ）の登録・更新のみ可能であるため、ユーザの操作に応じて、Ｓ２５以降の処理が実行されてユーザ独自のセンサ及びバイアス回路の登録が行われる。
Next, the web
Ｓ２４において、ユーザがセンサの登録を選択した場合、ウェブページ処理部４１１はユーザ端末３にセンサ特性画面を表示させ、ユーザがセンサの特性を入力する（Ｓ２５）。Ｓ２３のセンサ選択画面において、ユーザがセンサ登録のための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１は、センサの特性を設定するためのセンサ特性画面のウェブページ情報をユーザ端末３へ送信し、ウェブブラウザ３００ａにセンサ特性画面を表示させる。センサ特性画面において、ユーザがセンサの特性を設定すると、センサ登録更新部４１８は、設定されたセンサの特性情報をセンサデータベース４２１に記憶する。また、センサ登録更新部４１８は、Ｓ２３で選択されたセンサの種類もセンサデータベース４２１に記憶する。
In S24, when the user selects sensor registration, the web
なお、ユーザが登録するセンサ情報等は、ウェブシミュレータ４の記憶部４２０に記憶してもよいし、ユーザ端末３の記憶部３１０ａに記憶してもよい。すなわち、ユーザ端末３の記憶部３１０ａに、ユーザのみが使用するデータを記憶するために、センサデータベース４２１やセンサバイアス回路データベース４２２、回路情報記憶部４２６等を備えていてもよい。
In addition, the sensor information etc. which a user registers may be memorize | stored in the memory |
次いで、ウェブページ処理部４１１はユーザ端末３にバイアス回路選択画面を表示させ、ユーザがバイアス回路を選択する（Ｓ２６）。Ｓ２５のセンサ特性画面において、ユーザがバイアス回路を設定するための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はバイアス回路選択画面のウェブページ情報をユーザ端末３へ送信し、ウェブブラウザ３００ａにバイアス回路選択画面を表示させる。図３２のＳ１４と同様に、ウェブページ処理部４１１は、センサバイアス回路データベース４２２の登録用バイアス回路データ４２２ａを参照し、Ｓ２３で選択したセンサの種類に適した複数のバイアス回路を抽出し、バイアス回路選択画面に表示する。バイアス回路選択画面において表示された複数のバイアス回路の中からユーザがバイアス回路を選択すると、センサ登録更新部４１８は、選択されたバイアス回路をセンサバイアス回路データベース４２２のシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂに記憶する。シミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂには、１つのセンサと１つのバイアス回路のみ関連付けることが可能である。
Next, the web
次いで、センサ登録更新部４１８は、センサデータベース４２１及びセンサバイアス回路データベース４２２にセンサに関する情報を登録する（Ｓ２７）。Ｓ２６のバイアス回路選択画面においてバイアス回路が入力されると、センサ登録更新部４１８は、Ｓ２３〜Ｓ２６で設定された、センサの種類、特性の情報をセンサデータベース４２１へ登録し、バイアス回路の情報をセンサバイアス回路データベース４２２へ登録する。なお、これらのセンサに関する情報は、Ｓ２３〜Ｓ２６の各入力時にデータベースに登録してもよいし、Ｓ２７でまとめてデータベースに登録してもよい。なお、ユーザが登録するセンサに関する情報は、ユーザ端末３の記憶部３０１ａに記憶してもよい。
Next, the sensor
一方、Ｓ２４において、ユーザがシミュレーション対象の選択を行った場合、ウェブページ処理部４１１は、ユーザ端末３にセンサリスト画面を表示させ、ユーザがセンサを選択する（Ｓ２８）。Ｓ２３のセンサ選択画面において、ユーザがシミュレーション対象選択のための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１は、センサリスト画面のウェブページ情報をユーザ端末３へ送信し、ウェブブラウザ３００ａにセンサリスト画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、センサデータベース４２１を参照し、Ｓ２３で選択したセンサの種類に該当するセンサを抽出し、センサリスト画面に表示する。そして、ユーザが、センサリストの中からシミュレーション対象とするセンサを選択する。回路設定部４１２は、選択されたセンサをシミュレーション対象の回路として回路情報記憶部４２６のユーザ回路設定ファイル４２６ｃに記憶する。
On the other hand, when the user selects a simulation target in S24, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１はユーザ端末３にセンサ特性設定（参照）画面を表示させる（Ｓ２９）。Ｓ２８のセンサリスト画面において、ユーザがセンサ特性を参照するための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１は、センサの参照するためのセンサ特性画面のウェブページ情報をユーザ端末３へ送信し、ウェブブラウザ３００ａにセンサ特性画面を表示させる。センサ特性参照画面において、ユーザはセンサの特性を参照してシミュレーションを行うセンサの特性を確認する。
Next, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１はユーザ端末３にバイアス回路選択画面を表示させ、ユーザがバイアス回路を選択する（Ｓ３０）。Ｓ２９のセンサ特性設定（参照）画面において、ユーザがバイアス回路を設定するための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はバイアス回路選択画面のウェブページ情報をユーザ端末３へ送信し、ウェブブラウザ３００ａにバイアス回路選択画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、センサバイアス回路データベース４２２のシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂを参照し、特定のセンサに適したバイアス回路を抽出し、バイアス回路選択画面に表示する。バイアス回路選択画面において表示された複数のバイアス回路の中からユーザがバイアス回路について選択を行うと、回路設定部４１２は、選択されたバイアス回路をシミュレーション対象の回路として回路情報記憶部４２６のユーザ回路設定ファイル４２６ｃに記憶する。
Next, the web
図３４は、本実施の形態に係るセンサＡＦＥ接続処理を示しており、図３１のＳ１０７の処理に相当し、特に、センサベンダ用の処理を示している。すなわち、Ｓ１０７において、アカウントがセンサベンダの場合に、この処理が実行される。 FIG. 34 shows the sensor AFE connection process according to the present embodiment, which corresponds to the process of S107 of FIG. 31, and particularly shows the process for the sensor vendor. That is, in S107, this process is executed when the account is a sensor vendor.
まず、ウェブページ処理部４１１は、センサベンダ端末５にセンサＡＦＥ接続画面を表示させる（Ｓ３１）。図３１のＳ１０５のＡＦＥ選択画面において、センサベンダがセンサと半導体装置１を接続するための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダがセンサと半導体装置１とを接続するためのセンサＡＦＥ接続画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにセンサＡＦＥ接続画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、選択されたセンサ及びバイアス回路の出力端子と、選択された半導体装置１（ＡＦＥ部１００）の入力端子とを表示し、センサベンダがセンサ及びバイアス回路と半導体装置１との接続関係を選択できるように表示する。アカウントがセンサベンダの場合、１つのセンサに対して複数のバイアス回路を選択できるため、複数のバイアス回路ごとに接続関係を設定できるように表示する。
First, the web
また、ウェブページ処理部４１１は、センサベンダ端末５のセンサＡＦＥ接続画面に自動接続の接続関係を表示させる（Ｓ３２）。ウェブページ処理部４１１は、デフォルトの自動接続の接続状態として、図３１のＳ１０６で決定した接続関係によりセンサ及びバイアス回路と半導体装置１とを接続するように、回路情報記憶部４２６のデフォルト回路設定ファイル４２６ａを参照し、接続関係を表示する。ウェブページ処理部４１１は、複数のバイアス回路ごとに自動接続の接続関係を表示する。
Further, the web
さらに、回路設定部４１２は、センサベンダの操作に従い、センサベンダ推奨接続の設定及び登録を行う（Ｓ３３）。センサＡＦＥ接続画面において、センサベンダはユーザに推奨する推奨接続を設定する。センサベンダがセンサ及びバイアス回路と半導体装置１との接続関係を選択すると、回路設定部４１２（接続構成設定部４１２ｄ）は、選択された接続関係をセンサベンダ推奨接続として回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂに記憶する。複数のバイアス回路ごとにセンサベンダ推奨接続の接続関係を設定し、回路情報記憶部４２６の複数のベンダ回路設定ファイル４２６ｂに記憶する。
Further, the
図３５は、本実施の形態に係るセンサＡＦＥ接続処理を示しており、図３１のＳ１０７の処理に相当し、特に、ユーザ用の処理を示している。すなわち、Ｓ１０７において、アカウントがユーザの場合に、この処理が実行される。 FIG. 35 shows a sensor AFE connection process according to the present embodiment, which corresponds to the process of S107 of FIG. 31, and particularly shows a process for a user. That is, in S107, this process is executed when the account is a user.
まず、ウェブページ処理部４１１は、ユーザ端末３にセンサＡＦＥ接続画面を表示させる（Ｓ３４）。図３１のＳ１０５のＡＦＥ選択画面において、ユーザがセンサと半導体装置１を接続するための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はユーザがセンサと半導体装置１とを接続するためのセンサＡＦＥ接続画面のウェブページ情報をユーザ端末３へ送信し、ウェブブラウザ３００ａにセンサＡＦＥ接続画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、選択されたセンサ及びバイアス回路の出力端子と、選択された半導体装置１（ＡＦＥ部１００）の入力端子とを表示し、ユーザがセンサ及びバイアス回路と半導体装置１との接続関係を選択できるように表示する。アカウントがユーザの場合、１つのセンサに対して１つのバイアス回路を設定できるため、１つのバイアス回路について接続関係を設定できるように表示する。
First, the web
また、ウェブページ処理部４１１は、ユーザ端末３のセンサＡＦＥ接続画面に自動接続及びセンサベンダ推奨接続の接続関係を表示させる（Ｓ３５）。ウェブページ処理部４１１は、デフォルトの自動接続の接続状態として、図３１のＳ１０６で決定した接続関係によりセンサ及びバイアス回路と半導体装置１とを接続するように、回路情報記憶部４２６のデフォルト回路設定ファイル４２６ａを参照し、接続関係を表示する。さらに、ウェブページ処理部４１１は、センサベンダ推奨接続の接続状態として、図３４のＳ３３でセンサベンダが選択した接続関係によりセンサ及びバイアス回路と半導体装置１とを接続するように、回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂを参照し、接続関係を表示する。ウェブページ処理部４１１は、１つのバイアス回路について、自動接続及びセンサベンダ推奨接続の接続関係を表示する。
Further, the web
さらに、回路設定部４１２は、ユーザの操作に従い、ユーザが接続するユーザ接続のシミュレーション対象回路の設定を行う（Ｓ３６）。センサＡＦＥ接続画面において、ユーザがセンサ及びバイアス回路と半導体装置１との接続関係を選択すると、回路設定部４１２（接続構成設定部４１２ｄ）は、選択された接続関係をシミュレーション対象の回路の接続関係として回路情報記憶部４２６のユーザ回路設定ファイル４２６ｃに記憶する。１つのバイアス回路について１つの接続関係を設定し、回路情報記憶部４２６の１つユーザ回路設定ファイル４２６ｃに記憶する。
Further, the
図３６は、本実施の形態に係るシミュレーション実行処理を示しており、図３１のＳ１０９の処理に相当し、特に、センサベンダ用の処理を示している。すなわち、Ｓ１０９において、アカウントがセンサベンダの場合に、この処理が実行される。 FIG. 36 shows a simulation execution process according to the present embodiment, which corresponds to the process of S109 of FIG. 31, and particularly shows a process for a sensor vendor. That is, in S109, this process is executed when the account is a sensor vendor.
まず、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にシミュレーション画面を表示させる（Ｓ２０１）。図３１のＳ１０９においてシミュレーション実行処理が開始されると、ウェブページ処理部４１１はシミュレーションを実行するためのシミュレーション画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにシミュレーション画面を表示させる。
First, the web
また、ウェブページ処理部４１１は、センサベンダ端末５のシミュレーション画面に自動接続及びベンダ推奨接続の接続関係を表示させる（Ｓ２０２）。図３４で表示したセンサＡＦＥ接続画面と同様に、ウェブページ処理部４１１は、デフォルトの自動接続の接続状態として、図３１のＳ１０６で決定した接続関係によりセンサ及びバイアス回路と半導体装置１とを接続するように、回路情報記憶部４２６のデフォルト回路設定ファイル４２６ａを参照し、接続関係を表示する。また、ウェブページ処理部４１１は、センサベンダ推奨接続の接続状態として、図３４のＳ３３でセンサベンダが選択した接続関係によりセンサ及びバイアス回路と半導体装置１とを接続するように、回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂを参照し、接続関係を表示する。ウェブページ処理部４１１は、センサに対応する複数のバイアス回路ごとに、自動接続及びセンサベンダ推奨接続の接続関係を表示する。
Further, the web
Ｓ２０１及びＳ２０２のシミュレーション画面におけるセンサベンダの操作に応じて、以下のＳ２０４〜Ｓ２１１の各処理が実行される（Ｓ２０３）。これらの処理は、シミュレーション画面が表示されている間繰り返し実行されている。 The following processes of S204 to S211 are executed according to the operation of the sensor vendor on the simulation screens of S201 and S202 (S203). These processes are repeatedly executed while the simulation screen is displayed.
シミュレーション画面において、センサベンダがパラメータ入力のための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にパラメータ入力のための画面表示を行い、センサベンダがシミュレーションに必要なパラメータを入力する（Ｓ２０４）。シミュレーション画面において、センサベンダがパラメータ入力のためのパラメータ入力ボタン等をクリックすると、ウェブページ処理部４１１は、パラメータ入力画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにパラメータ入力画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、パラメータ記憶部４２７に既に設定されているパラメータやデフォルト値をパラメータ入力画面に表示する。パラメータ入力画面において、センサベンダがパラメータを入力し決定すると、パラメータ設定部４１３は、入力されたパラメータをパラメータ記憶部４２７に記憶する。
When the sensor vendor performs an operation for parameter input on the simulation screen, the web
シミュレーション画面において、センサベンダがコンフィギュラブル・アンプ１１０の設定のための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にアンプ設定画面を表示させ、センサベンダがコンフィギュラブル・アンプ１１０の設定を行う（Ｓ２０５）。この設定により、センサベンダ推奨接続の構成及び特性を設定する。シミュレーション画面で自動接続またはベンダ推奨接続が表示された状態において、センサベンダがアンプのアイコン等をクリックすると、ウェブページ処理部４１１は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の詳細を設定するためのアンプ設定画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにアンプ設定画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、回路情報記憶部４２６のデフォルト回路設定ファイル４２６ａまたはベンダ回路設定ファイル４２６ｂに既に設定されているアンプの回路構成及び回路特性をアンプ設定画面に表示する。ベンダ推奨接続のアンプ設定画面において、センサベンダがコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成及び特性を設定し決定すると、回路設定部４１２は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の構成及び特性を回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂに設定する。
When the sensor vendor performs an operation for setting the
シミュレーション画面において、センサベンダがセンサの設定のための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にセンサ設定画面を表示させ、センサベンダがセンサの設定を行う（Ｓ２０６）。この設定により、センサベンダ推奨接続の構成及び特性を設定する。シミュレーション画面で自動接続またはベンダ推奨接続が表示された状態において、センサベンダがセンサの設定ボタン等をクリックすると、ウェブページ処理部４１１は、センサ設定画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにセンサ設定画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、回路情報記憶部４２６のデフォルト回路設定ファイル４２６ａまたはベンダ回路設定ファイル４２６ｂに既に設定されているセンサの情報をセンサ設定画面に表示する。ベンダ推奨接続のセンサ設定画面において、センサベンダがセンサの情報を設定し決定すると、回路設定部４１２は、センサの回路情報を回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂに設定する。
When the sensor vendor performs an operation for setting the sensor on the simulation screen, the web
シミュレーション画面において、センサベンダが自動設定のための操作を行うと自動設定処理を実行し（Ｓ２０７）、センサベンダが過渡解析のための操作を行うと過渡解析処理を実行し（Ｓ２０８）、センサベンダがＡＣ解析のための操作を行うとＡＣ解析処理を実行し（Ｓ２０９）、センサベンダがフィルタ効果解析のための操作を行うとフィルタ効果解析処理を実行し（Ｓ２１０）、センサベンダが同期検波解析のための操作を行うと同期検波解析処理を実行する（Ｓ２１１）。これらの処理の詳細については後述する。 When the sensor vendor performs an operation for automatic setting on the simulation screen, an automatic setting process is executed (S207), and when the sensor vendor performs an operation for a transient analysis, a transient analysis process is executed (S208). When an operation for AC analysis is performed, AC analysis processing is executed (S209). When a sensor vendor performs an operation for filter effect analysis, filter effect analysis processing is executed (S210), and the sensor vendor performs synchronous detection analysis. When the operation for the above is performed, the synchronous detection analysis process is executed (S211). Details of these processes will be described later.
図３７は、本実施の形態に係るシミュレーション実行処理を示しており、図３１のＳ１０９の処理に相当し、特に、ユーザ用の処理を示している。すなわち、Ｓ１０９において、アカウントがユーザの場合に、この処理が実行される。 FIG. 37 shows a simulation execution process according to the present embodiment, which corresponds to the process of S109 of FIG. 31, and particularly shows a process for a user. That is, in S109, this process is executed when the account is a user.
まず、ウェブページ処理部４１１はユーザ端末３にシミュレーション画面を表示させる（Ｓ２１２）。図３１のＳ１０９においてシミュレーション実行処理が開始されると、図３６のＳ２０１と同様に、ウェブページ処理部４１１はシミュレーションを実行するためのシミュレーション画面のウェブページ情報をユーザ端末３へ送信し、ウェブブラウザ３００ａにシミュレーション画面を表示させる。
First, the web
また、ウェブページ処理部４１１は、ユーザ端末３のシミュレーション画面に自動接続及びベンダ推奨接続の接続関係を表示させる（Ｓ２１３）。図３６のＳ２０２と同様に、ウェブページ処理部４１１は、デフォルトの自動接続の接続状態として、回路情報記憶部４２６のデフォルト回路設定ファイル４２６ａを参照し、センサ及びバイアス回路と半導体装置１とを接続して表示する。また、図３６のＳ２０２と同様に、ウェブページ処理部４１１は、センサベンダ推奨接続の接続状態として、回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂを参照し、センサ及びバイアス回路と半導体装置１とを接続して表示する。ウェブページ処理部４１１は、センサに対応する１つのバイアス回路について、自動接続及びセンサベンダ推奨接続の接続関係を表示する。
Further, the web
Ｓ２１２及びＳ２１３のシミュレーション画面におけるユーザの操作に応じて、以下のＳ２１５〜Ｓ２１７、Ｓ２０７〜Ｓ２１１の各処理が実行される（Ｓ２１４）。これらの処理は、シミュレーション画面が表示されている間繰り返し実行されている。 In response to a user operation on the simulation screens of S212 and S213, the following processes of S215 to S217 and S207 to S211 are executed (S214). These processes are repeatedly executed while the simulation screen is displayed.
シミュレーション画面において、ユーザがパラメータ入力のための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はユーザ端末３にパラメータ入力のための画面表示を行い、ユーザがシミュレーションに必要なパラメータを入力する（Ｓ２１５）。図３６のＳ２０４と同様に、ウェブページ処理部４１１は、パラメータ入力画面のウェブページ情報をユーザ端末３へ送信し、ウェブブラウザ３００ａにパラメータ入力画面を表示させる。パラメータ入力画面において、ユーザがパラメータを入力し決定すると、パラメータ設定部４１３は、入力されたパラメータをパラメータ記憶部４２７に記憶する。
When the user performs an operation for parameter input on the simulation screen, the web
シミュレーション画面において、ユーザがコンフィギュラブル・アンプ１１０の設定のための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はユーザ端末３にアンプ設定画面を表示させ、ユーザがコンフィギュラブル・アンプ１１０の設定を行う（Ｓ２１６）。この設定により、シミュレーション対象回路であるユーザ接続の構成及び特性を設定する。図３６のＳ２０５と同様に、ウェブページ処理部４１１は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の詳細を設定するためのアンプ設定画面のウェブページ情報をユーザ端末３へ送信し、ウェブブラウザ３００ａにアンプ設定画面を表示させる。自動接続またはベンダ推奨接続のアンプ設定画面において、ユーザがコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成及び特性を設定し決定すると、回路設定部４１２は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の構成及び特性を回路情報記憶部４２６のユーザ回路設定ファイル４２６ｃに設定する。
When the user performs an operation for setting the
シミュレーション画面において、ユーザがセンサの設定のための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１はユーザ端末３にセンサ設定画面を表示させ、ユーザがセンサの設定を行う（Ｓ２１７）。この設定により、シミュレーション対象回路であるユーザ接続の構成及び特性を設定する。図３６のＳ２０６と同様に、ウェブページ処理部４１１は、センサ設定画面のウェブページ情報をユーザ端末３へ送信し、ウェブブラウザ３００ａにセンサ設定画面を表示させる。自動接続またはベンダ推奨接続のセンサ設定画面において、ユーザがセンサの情報を設定し決定すると、回路設定部４１２は、センサの回路情報を回路情報記憶部４２６のユーザ回路設定ファイル４２６ｃに設定する。
When the user performs an operation for setting the sensor on the simulation screen, the web
図３６と同様に、シミュレーション画面において、ユーザが自動設定のための操作を行うと自動設定処理を実行し（Ｓ２０７）、ユーザが過渡解析のための操作を行うと過渡解析処理を実行し（Ｓ２０８）、ユーザがＡＣ解析のための操作を行うとＡＣ解析処理を実行し（Ｓ２０９）、ユーザがフィルタ効果解析のための操作を行うとフィルタ効果解析処理を実行し（Ｓ２１０）、ユーザが同期検波解析のための操作を行うと同期検波解析処理を実行する（Ｓ２１１）。これらの処理の詳細について以下に説明する。 Similarly to FIG. 36, when the user performs an operation for automatic setting on the simulation screen, an automatic setting process is executed (S207), and when the user performs an operation for transient analysis, the transient analysis process is executed (S208). When the user performs an operation for AC analysis, AC analysis processing is executed (S209). When the user performs an operation for filter effect analysis, the filter effect analysis processing is executed (S210), and the user performs synchronous detection. When an operation for analysis is performed, synchronous detection analysis processing is executed (S211). Details of these processes will be described below.
図３８は、本実施の形態に係る自動設定処理を示しており、図３１のＳ１０８，図３６及び図３７のＳ２０７の処理に相当する。例えば、シミュレーション画面においてユーザまたはセンサベンダが自動設定ボタンをクリックすると自動設定処理が開始される。 FIG. 38 shows the automatic setting process according to the present embodiment, and corresponds to the process of S108 of FIG. 31, FIG. 36, and S207 of FIG. For example, when the user or sensor vendor clicks the automatic setting button on the simulation screen, the automatic setting process is started.
まず、自動設定部４５１は、自動設定を行うコンフィギュラブル・アンプ１１０のターゲット範囲を取得する（Ｓ３０１）。自動設定部４５１は、ＡＦＥデータベース４２４を参照し、半導体装置１内のコンフィギュラブル・アンプ１１０の出力動作が可能なターゲット範囲（ダイナミックレンジ）を取得する。
First, the
次いで、自動設定部４５１は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の入力に接続されるＤＡＣを初期設定し（Ｓ３０２）、コンフィギュラブル・アンプ１１０のゲインを初期設定する（Ｓ３０３）。自動設定部４５１は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の入力信号がセンター値（中央値）となるようにＤＡＣの出力電圧を初期設定する。また、自動設定部４５１は、コンフィギュラブル・アンプ１１０のゲインを任意の値に初期設定する。
Next, the
次いで、自動設定部４５１は、コンフィギュラブル・アンプ１１０のシミュレーションを実行する（Ｓ３０４）。自動設定部４５１は、センサの出力信号、ＤＡＣの出力電圧、コンフィギュラブル・アンプ１１０のゲインをシミュレーション条件に設定して、コンフィギュラブル・アンプ１１０の動作をシミュレーションする。例えば、自動設定部４５１は、センサの出力信号の最小値、最大値やセンター値をコンフィギュラブル・アンプ１１０に入力したときの、コンフィギュラブル・アンプ１１０の出力信号を算出する。
Next, the
次いで、自動設定部４５１は、ＤＡＣの出力電圧を調整する（Ｓ３０５）。自動設定部４５１は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の出力電圧のセンター値が電源電圧のセンター値となるようにＤＡＣの出力電圧を調整する。自動設定部４５１は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の出力電圧のセンター値と電源電圧のセンター値とを比較し、比較結果に大小応じて、ＤＡＣの出力電圧を大きく、または、小さくする。
Next, the
次いで、自動設定部４５１は、シミュレーション結果がコンフィギュラブル・アンプ１１０のターゲット範囲内かどうか判定する（Ｓ３０６）。自動設定部４５１は、シミュレーションによるコンフィギュラブル・アンプ１１０の出力信号の最小値及び最大値とターゲット範囲を比較する。入力信号が最小値のときのコンフィギュラブル・アンプ１１０の出力信号とターゲット範囲の最小値とを比較し、ターゲット範囲の最小値よりもシミュレーション結果の方が小さい場合に範囲外と判定し、シミュレーション結果の方が大きい場合に範囲内と判定する。入力信号が最大値のときのコンフィギュラブル・アンプ１１０の出力信号とターゲット範囲の最大値とを比較し、ターゲット範囲の最大値よりもシミュレーション結果の方が大きい場合に範囲外と判定し、シミュレーション結果の方が小さい場合に範囲内と判定する。
Next, the
シミュレーション結果がコンフィギュラブル・アンプ１１０のターゲット範囲外の場合、自動設定部４５１はアンプのゲインを再設定する（Ｓ３０７）。例えば、コンフィギュラブル・アンプ１１０の出力信号の最小値がターゲット範囲の最小値よりも小さい場合、アンプのゲインを大きくし、コンフィギュラブル・アンプ１１０の出力信号の最大値がターゲット範囲の最大値よりも大きい場合、アンプのゲインを小さくする。そして、再度コンフィギュラブル・アンプ１１０のシミュレーションを実行（Ｓ３０４）、ＤＡＣの調整（Ｓ３０５）、ターゲット範囲の判定（Ｓ３０６）を繰り返す。
When the simulation result is outside the target range of the
シミュレーション結果がコンフィギュラブル・アンプ１１０のターゲット範囲内の場合、自動設定部４５１は、適切なゲイン・オフセットが設定されたため、自動設定処理を終了する。このときのコンフィギュラブル・アンプ１１０のゲイン及びＤＡＣの設定情報を、回路情報記憶部４２６の回路設定ファイルに記憶する。
When the simulation result is within the target range of the
図３９及び図４０を用いて、自動設定処理の具体例について説明する。図３９は、コンフィギュラブル・アンプ１１０で１つのＤＡＣを使用して非反転アンプを構成した場合の例であり、図１３と同様の回路構成である。すなわち、図３９のコンフィギュラブル・アンプ１１０では、オペアンプＯＰ１の反転入力端子に抵抗Ｒ１を介してＤＡＣ２を接続し、オペアンプＯＰ１の出力端子と反転入力端子とを抵抗Ｒ２を介してフィードバック接続し、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子にセンサ２を接続する。
A specific example of the automatic setting process will be described with reference to FIGS. 39 and 40. FIG. 39 shows an example in which a non-inverting amplifier is configured by using one DAC in the
図３９のコンフィギュラブル・アンプ１１０を自動設定する場合、まず、ＤＡＣ２の出力電圧を、センサの出力電圧（Ｖｉｎ±ｘ）のセンター値に設定し（Ｓ３０２）、オペアンプＯＰ１のゲインを任意に設定する（Ｓ３０３）。
When the
次いで、オペアンプＯＰ１の動作をシミュレーションしつつＤＡＣ２の出力電圧を調整する（Ｓ３０４，Ｓ３０５）。オペアンプＯＰ１の出力電圧がＶｃｃのセンター値（Ｖｃｃ／２）となるようにＤＡＣ２の出力電圧を調整する。
Next, the output voltage of the
次いで、コンフィギュラブル・アンプ１１０のターゲット範囲は例えばＶｃｃ／２±０．８Ｖ〜Ｖｃｃ／２±１Ｖであり、オペアンプＯＰ１の出力電圧がターゲット範囲内かどうか判定する（Ｓ３０６）。オペアンプＯＰ１の出力電圧がターゲット範囲内であれば自動設定処理を終了し、ターゲット範囲外であれば、ターゲット範囲内となるまでオペアンプＯＰ１のゲイン再設定（Ｓ３０７）、ＤＡＣ調整（Ｓ３０５）を繰り返す。
Next, the target range of the
図４０は、コンフィギュラブル・アンプ１１０で２つのＤＡＣを使用して差動アンプを構成した場合の例であり、図１０と同様の回路構成である。すなわち、図４０のコンフィギュラブル・アンプ１１０では、オペアンプＯＰ１の反転入力端子に抵抗Ｒ１を介してＤＡＣ２を接続し、オペアンプＯＰ１の出力端子と反転入力端子とを抵抗Ｒ２を介してフィードバック接続し、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子に抵抗Ｒ３を介してセンサ２を接続するとともに抵抗Ｒ４を介してＤＡＣ１を接続する。
FIG. 40 shows an example in which a differential amplifier is configured using two DACs in the
図４０のコンフィギュラブル・アンプ１１０を自動設定する場合、まず、ＤＡＣ１の出力電圧をＶＣＣのセンター値（Ｖｃｃ／２＝２．５Ｖ）に設定し、ＤＡＣ２をセンサの出力電圧（Ｖｉｎ±ｘ）のセンター値に設定する（Ｓ３０２）。そして、オペアンプＯＰ１のゲインを任意に設定する（Ｓ３０３）。
When the
次いで、オペアンプＯＰ１の動作をシミュレーションしつつＤＡＣ１の出力電圧を調整する（Ｓ３０４，Ｓ３０５）。オペアンプＯＰ１の出力電圧がＶｃｃのセンター値（Ｖｃｃ／２）となるようにＤＡＣ１の出力電圧を調整する。
Next, the output voltage of the
次いで、コンフィギュラブル・アンプ１１０のターゲット範囲は例えばＶｃｃ／２±０．８Ｖ〜Ｖｃｃ／２±１Ｖであり、オペアンプＯＰ１の出力電圧がターゲット範囲内かどうか判定する（Ｓ３０６）。オペアンプＯＰ１の出力電圧がターゲット範囲内であれば自動設定処理を終了し、ターゲット範囲外であれば、ターゲット範囲内となるまでオペアンプＯＰ１のゲイン再設定（Ｓ３０７）、ＤＡＣ調整（Ｓ３０５）を繰り返す。
Next, the target range of the
図４１は、本実施の形態に係る過渡解析処理を示しており、図３６及び図３７のＳ２０８の処理に相当する。例えば、シミュレーション画面においてユーザまたはセンサベンダが過渡解析ボタンをクリックすると過渡解析処理が開始される。 FIG. 41 shows the transient analysis process according to the present embodiment, and corresponds to the process of S208 in FIGS. For example, when the user or sensor vendor clicks the transient analysis button on the simulation screen, the transient analysis process is started.
まず、過渡解析部４５２は、シミュレーションを行う回路の回路情報を取得する（Ｓ３１１）。過渡解析部４５２は、回路情報記憶部４２６を参照し、センサ及びバイアス回路、半導体装置１（ＡＦＥ部１００）の回路構成及び接続関係を取得する。
First, the
次いで、過渡解析部４５２は、シミュレーションを行うためのパラメータを取得する（Ｓ３１２）。過渡解析部４５２は、パラメータ記憶部４２７を参照し、センサに入力される物理量の入力パターンや、シミュレーションする回路のパラメータを取得する。
Next, the
次いで、過渡解析部４５２は、センサに入力される物理量を初期設定する（Ｓ３１３）。過渡解析部４５２は、センサに入力される物理量の入力パターンにより、最初に入力される物理量を設定する。物理量は時系列順に入力するため、時刻情報も初期化する。
Next, the
次いで、過渡解析部４５２は、半導体装置１（ＡＦＥ部１００）のシミュレーションを実行する（Ｓ３１４）。物理量変換部４５０が入力される物理量に対応したセンサの出力信号を算出し、過渡解析部４５２は、このセンサの出力信号やアンプのゲイン等をシミュレーション条件として、半導体装置１の動作をシミュレーションする。
Next, the
次いで、過渡解析部４５２は、シミュレーションの結果を記憶する（Ｓ３１５）。過渡解析部４５２は、シミュレーションの結果として半導体装置１の各回路の出力信号を、現在の時刻情報と対応させて結果情報記憶部４２８に記憶する。
Next, the
次いで、過渡解析部４５２は、物理量の入力パターンが終了かどうか判定する（Ｓ３１６）。過渡解析部４５２は、現在の時刻情報と、物理量の入力パターンが終了する最大時刻とを比較し、物理量の入力が終了かどうか判定する。
Next, the
物理量の入力パターンが終了ではない場合、過渡解析部４５２は入力する物理量を更新する（Ｓ３１７）。過渡解析部４５２は、時刻情報を次の時刻に進め、入力パターンから時刻に対応する物理量を設定する。更新した物理量により、シミュレーション実行（Ｓ３１４）、結果記憶（Ｓ３１５）を行い、物理量の入力パターンが終了するまで繰り返す。
If the physical quantity input pattern is not complete, the
物理量の入力パターンが終了の場合、過渡解析部４５２はシミュレーション結果を表示し（Ｓ３１８）、過渡解析処理を終了する。過渡解析部４５２は、結果情報記憶部４２８を参照し、記憶しておいたシミュレーション結果を時系列順に並べてプロットした信号の波形をシミュレーション画面に表示する。
When the input pattern of the physical quantity is finished, the
図４２は、本実施の形態に係るＡＣ解析処理を示しており、図３６及び図３７のＳ２０９の処理に相当する。例えば、シミュレーション画面においてユーザがＡＣ解析ボタンをクリックするとＡＣ解析処理が開始される。 FIG. 42 shows the AC analysis processing according to the present embodiment, and corresponds to the processing of S209 in FIGS. For example, when the user clicks the AC analysis button on the simulation screen, the AC analysis process is started.
まず、ＡＣ解析部４５３は、シミュレーションを行う回路の回路情報を取得する（Ｓ３２１）。ＡＣ解析部４５３は、回路情報記憶部４２６を参照し、センサ及びバイアス回路、半導体装置１（ＡＦＥ部１００）の回路構成及び接続関係を取得する。
First, the
次いで、ＡＣ解析部４５３は、シミュレーションを行うためのパラメータを取得する（Ｓ３２２）。ＡＣ解析部４５３は、パラメータ記憶部４２７を参照し、センサに入力される物理量の入力パターンや、シミュレーションする回路のパラメータを取得する。
Next, the
次いで、ＡＣ解析部４５３は、センサに入力される物理量の値を設定する。次にＡＣ解析を行う周波数を初期設定する（Ｓ３２３）。ＡＣ解析部４５３は、ＡＣ解析の周波数の初期値として最小値または最大値に設定する。
Next, the
次いで、ＡＣ解析部４５３は、半導体装置１（ＡＦＥ部１００）のシミュレーションを実行する（Ｓ３２４）。物理量変換部４５０が入力される物理量に対応したセンサの出力信号を算出し、ＡＣ解析部４５３は、このセンサの出力信号やアンプのゲイン等をシミュレーション条件として、半導体装置１の動作をシミュレーションする。
Next, the
次いで、ＡＣ解析部４５３は、シミュレーションの結果を記憶する（Ｓ３２５）。ＡＣ解析部４５３は、シミュレーションの結果として半導体装置１の各回路の出力信号を、現在の周波数情報と対応させて結果情報記憶部４２８に記憶する。
Next, the
次いで、ＡＣ解析部４５３は、ＡＣ解析の周波数が終了かどうか判定する（Ｓ３２６）。ＡＣ解析部４５３は、現在のＡＣ解析の周波数情報と、ＡＣ解析の周波数情報の最大値または最小値とを比較し、ＡＣ解析の周波数の入力が終了かどうか判定する。
Next, the
ＡＣ解析の周波数が終了ではない場合、ＡＣ解析部４５３は周波数を更新する（Ｓ３２７）。ＡＣ解析部４５３は、周波数情報を次の周波数に更新し、更新した周波数においてシミュレーションの実行（Ｓ３２４）、結果記憶（Ｓ３２５）を行い、周波数が終了となるまで繰り返す。
When the frequency of AC analysis is not the end, the
ＡＣ解析の周波数が終了の場合、ＡＣ解析部４５３はシミュレーション結果を表示し（Ｓ３２８）、ＡＣ解析処理を終了する。ＡＣ解析部４５３は、結果情報記憶部４２８を参照し、記憶しておいたシミュレーション結果を周波数順に並べてプロットした信号の波形をシミュレーション画面に表示する。
When the frequency of AC analysis ends, the
図４３は、本実施の形態に係るフィルタ効果解析処理を示しており、図３６及び図３７のＳ２１０の処理に相当する。例えば、シミュレーション画面においてユーザがフィルタ効果ボタンをクリックするとフィルタ効果解析処理が開始される。 FIG. 43 shows the filter effect analysis process according to the present embodiment, and corresponds to the process of S210 in FIGS. For example, when the user clicks the filter effect button on the simulation screen, the filter effect analysis process is started.
まず、フィルタ効果解析部４５４は、シミュレーションを行う回路の回路情報を取得する（Ｓ３３１）。フィルタ効果解析部４５４は、回路情報記憶部４２６を参照し、センサ及びバイアス回路、半導体装置１（ＡＦＥ部１００）の回路構成及び接続関係を取得する。
First, the filter
次いで、フィルタ効果解析部４５４は、シミュレーションを行うためのパラメータを取得する（Ｓ３３２）。フィルタ効果解析部４５４は、パラメータ記憶部４２７を参照し、センサに入力される物理量の入力パターンや、シミュレーションする回路のパラメータを取得する。
Next, the filter
次いで、フィルタ効果解析部４５４は、物理量の入力パターンにノイズを付加する（Ｓ３３３）。フィルタ効果解析部４５４は、フィルタ効果のシミュレーションを行うために、ノイズパターンを生成し、センサに入力される物量の入力パターンにノイズを付加する。
Next, the filter
次いで、フィルタ効果解析部４５４は、センサに入力される物理量を初期設定する（Ｓ３３４）。フィルタ効果解析部４５４は、ノイズを付加した物理量の入力パターンにより、最初に入力される物理量を設定する。物理量は時系列順に入力するため、時刻情報も初期化する。
Next, the filter
次いで、フィルタ効果解析部４５４は、半導体装置１（ＡＦＥ部１００）のシミュレーションを実行する（Ｓ３３５）。物理量変換部４５０が入力される物理量に対応したセンサの出力信号を算出し、フィルタ効果解析部４５４は、このセンサの出力信号やアンプのゲイン等をシミュレーション条件として、半導体装置１の動作をシミュレーションする。
Next, the filter
次いで、フィルタ効果解析部４５４は、シミュレーションの結果を記憶する（Ｓ３３６）。フィルタ効果解析部４５４は、シミュレーションの結果として半導体装置１の各回路の出力信号を、現在の時刻情報と対応させて結果情報記憶部４２８に記憶する。
Next, the filter
次いで、フィルタ効果解析部４５４は、物理量の入力パターンが終了かどうか判定する（Ｓ３３７）。フィルタ効果解析部４５４は、現在の時刻情報と、ノイズを付加した物理量の入力パターンが終了する最大時刻とを比較し、物理量の入力が終了かどうか判定する。
Next, the filter
物理量の入力パターンが終了ではない場合、フィルタ効果解析部４５４は物理量を更新する（Ｓ３３８）。フィルタ効果解析部４５４は、時刻情報を次の時刻に進め、ノイズを付加した入力パターンから時刻に対応する物理量を設定する。更新した物理量により、シミュレーション実行（Ｓ３３５）、結果記憶（Ｓ３３６）を行い、物理量の入力パターンが終了するまで繰り返す。
If the physical quantity input pattern is not complete, the filter
物理量の入力パターンが終了の場合、フィルタ効果解析部４５４はシミュレーション結果を表示し（Ｓ３３９）、フィルタ効果解析処理を終了する。フィルタ効果解析部４５４は、結果情報記憶部４２８を参照し、記憶しておいたシミュレーション結果を時系列順に並べてプロットした信号の波形をシミュレーション画面に表示する。
When the physical quantity input pattern is finished, the filter
図４４は、本実施の形態に係る同期検波解析処理を示しており、図３６及び図３７のＳ２１１の処理に相当する。例えば、シミュレーション画面においてユーザが同期検波ボタンをクリックすると過渡解析処理が開始される。 FIG. 44 shows the synchronous detection analysis processing according to the present embodiment, which corresponds to the processing of S211 in FIGS. For example, when the user clicks the synchronous detection button on the simulation screen, the transient analysis process is started.
まず、同期検波解析部４５５は、シミュレーションを行う回路の回路情報を取得する（Ｓ３４１）。同期検波解析部４５５は、回路情報記憶部４２６を参照し、センサ及びバイアス回路、半導体装置１（ＡＦＥ部１００）の回路構成及び接続関係を取得する。
First, the synchronous
次いで、同期検波解析部４５５は、シミュレーションを行うためのパラメータを取得する（Ｓ３４２）。同期検波解析部４５５は、パラメータ記憶部４２７を参照し、センサに入力される物理量の入力パターンや、シミュレーションする回路のパラメータを取得する。
Next, the synchronous
次いで、同期検波解析部４５５は、入力される同期検波パターンを初期設定する（Ｓ３４３）。同期検波解析部４５５は、センサに入力される物理量の入力パターンにより、最初に入力される物理量を設定する。また、同期検波パターンとして、同期検波のために入力する同期クロックＣＬＫ＿ＳＹＮＣＨを初期設定する。
Next, the synchronous
次いで、同期検波解析部４５５は、半導体装置１（ＡＦＥ部１００）のシミュレーションを実行する（Ｓ３４４）。物理量変換部４５０が入力される物理量に対応したセンサの出力信号を算出し、同期検波解析部４５５は、このセンサの出力信号やアンプのゲイン等をシミュレーション条件として、半導体装置１の動作をシミュレーションする。
Next, the synchronous
次いで、同期検波解析部４５５は、シミュレーションの結果を記憶する（Ｓ３４５）。同期検波解析部４５５は、シミュレーションの結果として半導体装置１の各回路の出力信号を、現在の時刻情報と対応させて結果情報記憶部４２８に記憶する。
Next, the synchronous
次いで、同期検波解析部４５５は、物理量の入力パターンもしくは同期検波パターンが終了するかどうか判定する（Ｓ３４６）。同期検波解析部４５５は、現在の時刻情報と、物理量の入力パターンもしくは同期検波パターンが終了する最大時刻とを比較し、物理量もしくは同期検波の入力が終了かどうか判定する。
Next, the synchronous
物理量もしくは同期検波の入力が終了ではない場合、同期検波解析部４５５は物理量及び同期検波入力を更新する（Ｓ３４７）。同期検波解析部４５５は、時刻情報を次の時刻に進め、入力パターンから時刻に対応する物理量を設定し、同期検波パターンから時刻に対応する同期クロックを設定する。更新した物理量、同期クロックにより、シミュレーション実行（Ｓ３４４）、結果記憶（Ｓ３４５）を行い、物理量もしくは同期検波入力が終了するまで繰り返す。
When the input of the physical quantity or the synchronous detection is not complete, the synchronous
物理量もしくは同期検波の入力が終了の場合、同期検波解析部４５５はシミュレーション結果を表示し（Ｓ３４８）、同期検波解析処理を終了する。同期検波解析部４５５は、結果情報記憶部４２８を参照し、記憶しておいたシミュレーション結果を時系列順に並べてプロットした信号の波形をシミュレーション画面に表示する。
When the input of the physical quantity or the synchronous detection is completed, the synchronous
次に、本実施の形態に係るシミュレーションシステムの具体的な動作例について、ユーザ端末３またはセンサベンダ端末５に表示される画面例を参照しつつ説明する。なお、各画面例は、本実施の形態に係るシミュレーション処理のためにユーザまたはセンサベンダのインタフェースとして表示される画面であり、主にウェブシミュレータ４のウェブページ処理部４１１等が画面を表示するためのウェブページ情報をユーザ端末３またはセンサベンダ端末５に送信することで各画面表示が実現される。
Next, a specific operation example of the simulation system according to the present embodiment will be described with reference to a screen example displayed on the
以下、（動作例１）センサベンダによるセンサ情報の登録動作例、（動作例２）センサベンダによるセンサ情報の更新動作例、（動作例３）センサベンダによる推奨接続設定及びシミュレーション動作例、（動作例４）ユーザによるセンサ情報の登録動作例、（動作例５）ユーザによるシミュレーション動作例について、順に説明する。
（動作例１）センサベンダによるセンサ情報の登録動作例
(Operation example 1) Sensor information registration operation example by sensor vendor, (Operation example 2) Sensor information update operation example by sensor vendor, (Operation example 3) Recommended connection setting and simulation operation example by sensor vendor, (Operation Example 4 A sensor information registration operation example by a user and (Operation example 5) a simulation operation example by a user will be described in order.
(Operation example 1) Sensor information registration operation example by sensor vendor
まず、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にログイン画面を表示する（図３１のＳ１０１）。図４５は、このログイン画面の表示例である。図４５に示すように、ウェブブラウザ３００ｂのウィンドウ全体にログイン画面Ｐ１１０が表示される。ログイン画面Ｐ１１０には、アカウント情報入力エリアＰ１１１と「ログイン」ボタンＰ１１５が表示される。アカウント情報入力エリアＰ１１１には、アカウント名（ユーザが入力するユーザ名またはセンサベンダが入力するセンサベンダ名）を入力するためのユーザ名入力ボックスＰ１１２、パスワードを入力するためのパスワード入力ボックスＰ１１３、ログイン状態の保持を指定するためのログイン状態保持チェックボックスＰ１１４が表示される。
First, the
センサベンダが、ユーザ名入力ボックスＰ１１２にアカウント名（アカウントＩＤ）を入力し、パスワード入力ボックスＰ１１３にパスワードを入力した後、「ログイン」ボタンＰ１１５をクリックするとウェブシミュレータ４でアカウントの認証が行われ、また、アクセス権限が決定する。
When the sensor vendor inputs an account name (account ID) in the user name input box P112 and inputs a password in the password input box P113, the
次いで、ウェブシミュレータ４は、アカウントの認証が成功すると、センサベンダ端末５にガイダンス画面を表示する（図３１のＳ１０２）。図４６は、このガイダンス画面の表示例である。図４６に示すように、ウェブブラウザ３００ｂのウィンドウ全体にウェブシミュレータ画面Ｐ１００が表示され、ウェブシミュレータ画面Ｐ１００の内部にシミュレーションに必要な処理のための各画面が表示される。
Next, when the account authentication is successful, the
ウェブシミュレータ画面Ｐ１００は、上部に各画面に共通して表示されるタブ表示エリアＰ１０を有する。タブ表示エリアＰ１０には、各画面表示を選択するためのタブＰ１１〜Ｐ１７が表示される。タブ表示エリアＰ１０は、各画面に共通で表示されるため、どの画面からでもユーザまたはセンサベンダ所望の任意の画面表示へ切り替えることができる。 The web simulator screen P100 has a tab display area P10 that is displayed in common on each screen. Tabs P11 to P17 for selecting each screen display are displayed in the tab display area P10. Since the tab display area P10 is displayed in common on each screen, any screen display desired by the user or the sensor vendor can be switched from any screen.
例えば、「ガイダンス」タブＰ１１をクリックするとガイダンス画面が表示され、「センサ選択」タブＰ１２をクリックするとセンサ選択状態画面が表示され、「ＡＦＥ選択」タブＰ１３をクリックするとＡＦＥ選択画面が表示され、「センサＡＦＥ接続」タブＰ１４をクリックするとセンサＡＦＥ接続画面が表示され、「シミュレーション」タブＰ１５をクリックするとシミュレーション画面が表示され、「部品リスト」タブＰ１６をクリックすると部品リスト表示画面が表示され、「レポート」タブＰ１７をクリックするとレポート画面が表示される。 For example, when the “guidance” tab P11 is clicked, the guidance screen is displayed, when the “sensor selection” tab P12 is clicked, the sensor selection status screen is displayed, and when the “AFE selection” tab P13 is clicked, the AFE selection screen is displayed. Clicking the “Sensor AFE connection” tab P14 displays the sensor AFE connection screen. Clicking the “Simulation” tab P15 displays the simulation screen. Clicking the “Parts list” tab P16 displays the part list display screen. When the tab “P17” is clicked, a report screen is displayed.
図４６に示すように、ログイン成功時や「ガイダンス」タブＰ１１が選択された場合、ウェブシミュレータ画面Ｐ１００の略中央部にガイダンス画面Ｐ１０１が表示される。 As shown in FIG. 46, when the login is successful or when the “guidance” tab P11 is selected, the guidance screen P101 is displayed in the approximate center of the web simulator screen P100.
ガイダンス画面Ｐ１０１には、ユーザまたはセンサベンダがウェブシミュレータの使用方法について一目でわかるように、ウェブシミュレータの使用方法の流れを示すフローチャートイメージＰ１０２が表示され、また、「シミュレーションスタート」ボタンＰ１０３が表示される。例えば、ガイダンス表示のフローチャートイメージＰ１０２は、図３１で説明したウェブシミュレータの動作に対応しており、また、タブＰ１１〜Ｐ１７で表示される各画面にも対応している。 The guidance screen P101 displays a flowchart image P102 showing the flow of how to use the web simulator so that the user or sensor vendor can understand at a glance how to use the web simulator, and also displays a “simulation start” button P103. The For example, the guidance display flowchart image P102 corresponds to the operation of the web simulator described in FIG. 31, and also corresponds to each screen displayed on the tabs P11 to P17.
ガイダンス画面Ｐ１０１に表示されるフローチャートイメージＰ１０２の各ステップには、ユーザまたはセンサベンダが各内容を把握し易いようにアイコン（不図示）や概要の説明文が表示される。例えば、ステップ１の「センサ選択」では、センサ品名とバイアス回路、センサ入力条件を設定することが表示される。ステップ２の「ＡＦＥ選択」では、センサへ接続するＡＦＥ（半導体装置１）を選択することが表示される。ステップ３の「センサ接続」では、センサとＡＦＥ（半導体装置１）の接続を設定することが表示される。ステップ４の「シミュレーション」では、シミュレーション実行と表示を行うことが表示される。ステップ５の「部品リスト」では、シミュレーションした部品リストを表示することが表示される。ステップ６の「レポート」では、シミュレーション結果を表示することが表示される。ステップ７の「設計管理」では、シミュレーションの内容を保存することが表示される。
In each step of the flowchart image P102 displayed on the guidance screen P101, an icon (not shown) and an outline description are displayed so that the user or the sensor vendor can easily grasp the contents. For example, “sensor selection” in
また、「シミュレーションスタート」ボタンＰ１０３をクリックすると、シミュレーションを開始するために必要な画面が表示される。例えば、シミュレーションの開始として、センサを選択するためセンサ選択画面が表示される。 Further, when the “simulation start” button P103 is clicked, a screen necessary for starting the simulation is displayed. For example, at the start of simulation, a sensor selection screen is displayed to select a sensor.
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にセンサ選択画面を表示する（図３２のＳ１１）。図４７は、このセンサ選択画面の表示例である。図４７に示すように、「シミュレーションスタート」ボタンＰ１０３のクリックや「センサ選択」タブＰ１２が選択された場合、ウェブシミュレータ画面Ｐ１００の略中央部にセンサ選択画面Ｐ２００が表示される。
Next, the
図４７や他の画面にも共通するように、ウェブシミュレータ画面Ｐ１００の右端の上部と下部には、２つの進むボタンＰ２１が表示され、左端の上部と下部には、２つの戻るボタンＰ２２が表示される。進むボタンＰ２１をクリックすると次の操作画面が表示され、戻るボタンＰ２２をクリックすると前の操作画面が表示される。例えば、センサ選択画面Ｐ２００が表示されている場合、進むボタンＰ２１をクリックするとＡＦＥ選択画面が表示され、戻るボタンＰ２２をクリックするとガイダンス画面が表示される。 47 and other screens, two forward buttons P21 are displayed at the upper and lower portions of the right end of the web simulator screen P100, and two return buttons P22 are displayed at the upper and lower portions of the left end. Is done. When the forward button P21 is clicked, the next operation screen is displayed, and when the back button P22 is clicked, the previous operation screen is displayed. For example, when the sensor selection screen P200 is displayed, the AFE selection screen is displayed when the forward button P21 is clicked, and the guidance screen is displayed when the return button P22 is clicked.
図４７に示すように、センサ選択画面Ｐ２００には、現在のセンサの選択状態が表示される。センサ選択画面Ｐ２００には、センサ単位にセンサの選択状態を示すセンサ選択フレームＰ２１０が表示される。センサ選択フレームＰ２１０のセンサ名表示エリアＰ２１１に、現在選択されているセンサタイプとセンサ名が表示される。図４７では、センサがまだ選択されていないため、センサ名に「未選択」と表示されている。 As shown in FIG. 47, the sensor selection screen P200 displays the current sensor selection state. On the sensor selection screen P200, a sensor selection frame P210 indicating a sensor selection state for each sensor is displayed. The currently selected sensor type and sensor name are displayed in the sensor name display area P211 of the sensor selection frame P210. In FIG. 47, since the sensor is not yet selected, “unselected” is displayed as the sensor name.
センサ選択フレームＰ２１０のセンサタイププルダウンメニューＰ２１２は、複数のセンサタイプをプルダウンリスト表示し、ユーザがプルダウンリストからセンサタイプ（センサ種別）を選択する。「詳細設定」ボタンＰ２１３は、センサの詳細を設定するセンサ詳細画面を表示するためのボタンである。センサ詳細画面により、プルダウンメニューＰ２１２で選択したタイプのセンサについて詳細に設定する。 The sensor type pull-down menu P212 of the sensor selection frame P210 displays a plurality of sensor types in a pull-down list, and the user selects a sensor type (sensor type) from the pull-down list. The “detailed setting” button P213 is a button for displaying a sensor detail screen for setting sensor details. The sensor details screen is used to set in detail the type of sensor selected in the pull-down menu P212.
センサ選択フレームＰ２１０の下方に「センサ追加」ボタンＰ２１５が表示される。「センサ追加」ボタンＰ２１５は、センサを追加して選択するためのボタンである。「センサ追加」ボタンＰ２１５をクリックする毎に、センサ選択フレームＰ２１０の表示が追加される。 An “add sensor” button P215 is displayed below the sensor selection frame P210. The “add sensor” button P215 is a button for adding and selecting a sensor. Each time the “sensor addition” button P215 is clicked, the display of the sensor selection frame P210 is added.
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にセンサ詳細画面及びセンサ特性画面を表示する（図３２のＳ１２及びＳ１３）。図４８は、図４７のセンサ選択画面Ｐ２００からセンサの詳細を設定するために表示されるセンサ詳細画面Ｐ２２０及びセンサ特性画面Ｐ２８０の表示例である。この例では、図４７のようなセンサ選択画面Ｐ２００と図４８のようなセンサ詳細画面Ｐ２２０の２つの画面でセンサを選択するため、２つの画面がセンサ選択画面であるとも言える。
Next, the
図４８に示すように、センサ詳細画面Ｐ２２０は、ウェブシミュレータ画面Ｐ１００から独立したポップアップ画面である。センサ詳細画面Ｐ２２０は、図４７のセンサ選択画面Ｐ２００で「詳細設定」ボタンＰ２１３をクリックしたときにポップアップ表示される。 As shown in FIG. 48, the sensor detail screen P220 is a pop-up screen independent of the web simulator screen P100. The sensor detail screen P220 pops up when the “detailed setting” button P213 is clicked on the sensor selection screen P200 of FIG.
センサ詳細画面Ｐ２２０は、各画面に共通する表示として、上部にセンサタイプ表示エリアＰ２２１、部品検索／登録選択エリアＰ２２２、タブ表示エリアＰ２３０を有し、右下に「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２２３及び「Ｃａｎｃｅｌ」ボタンＰ２２４が表示される。 The sensor detail screen P220 has a sensor type display area P221, a part search / registration selection area P222, and a tab display area P230 at the top as displays common to the screens, and a “Save” button P223 and “Cancel” at the lower right. Button P224 is displayed.
センサタイプ表示エリアＰ２２１には、センサ選択画面Ｐ２００のセンサタイププルダウンメニューＰ２１２で選択したセンサタイプが表示される。図４８では、選択されたセンサタイプとして圧力センサが表示されている。 The sensor type selected in the sensor type pull-down menu P212 on the sensor selection screen P200 is displayed in the sensor type display area P221. In FIG. 48, a pressure sensor is displayed as the selected sensor type.
部品検索／登録選択エリアＰ２２２には、センサデータベース４２１に登録されている中からセンサを検索する「部品検索」ラジオボタンＰ２２２ａ、センサベンダがセンサデータベース４２１にセンサを新規登録する「新規登録部品」ラジオボタンＰ２２２ｂが表示される。「部品検索」ラジオボタンＰ２２２ａと「新規登録部品」ラジオボタンＰ２２２ｂのいずれかを選択できる。
In the part search / registration selection area P222, a “part search” radio button P222a for searching for a sensor from among those registered in the
タブ表示エリアＰ２３０には、各画面表示を選択するためのタブＰ２３１〜Ｐ２３４が表示される。例えば、「センサ選択」タブＰ２３１をクリックするとセンサリスト画面（センサ詳細選択画面）が表示され、「バイアス回路」タブＰ２３２をクリックするとバイアス回路選択画面が表示され、「センサ入力」タブＰ２３３をクリックすると物理量入力画面が表示され、「センサ特性」タブＰ２３４をクリックするとセンサ特性画面が表示される。 Tabs P231 to P234 for selecting each screen display are displayed in the tab display area P230. For example, when the “sensor selection” tab P231 is clicked, a sensor list screen (sensor details selection screen) is displayed, when the “bias circuit” tab P232 is clicked, the bias circuit selection screen is displayed, and when the “sensor input” tab P233 is clicked. When the physical quantity input screen is displayed and the “sensor characteristics” tab P234 is clicked, the sensor characteristics screen is displayed.
「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２３５をクリックすることにより、センサ詳細画面Ｐ２２０の各画面で設定した内容がウェブシミュレータ４に保存される。すなわち、センサやバイアス回路の情報が、センサデータベース４２１、センサバイアス回路データベース４２２に格納される。
By clicking the “Save” button P235, the contents set in each screen of the sensor details screen P220 are stored in the
センサ選択画面Ｐ２００で「詳細設定」ボタンＰ２１３がクリックされ、部品検索／登録選択エリアＰ２２２で「新規登録部品」ラジオボタンＰ２２２ｂが選択された場合や「センサ特性」タブＰ２３４が選択された場合、センサ詳細画面Ｐ２２０内にセンサ特性画面Ｐ２８０が表示される。センサ特性画面Ｐ２８０には、特性グラフＰ２８１と特性プロット入力エリアＰ２８２が表示される。特性グラフＰ２８１で、グラフの各プロットをクリックやドラッグ操作することで特性を設定する。また、特性プロット入力エリアＰ２８２では、挿入ボタンＰ２８２ｃによりプロットを追加し、各プロットの座標ボックスＰ２８２ａに数値入力することで特性を設定する。さらに、プロット削除ボタンＰ２８２ｂにより、プロットを削除できる。例えば、アカウントのアクセス権限が、センサデータベース４２１の登録・更新可能な場合に、センサ特性画面Ｐ２８０が表示及び操作可能となり、登録するセンサの特性が入力できる。
When the “detailed setting” button P213 is clicked on the sensor selection screen P200 and the “new registered component” radio button P222b is selected in the component search / registration selection area P222, or when the “sensor characteristics” tab P234 is selected, the sensor A sensor characteristics screen P280 is displayed in the details screen P220. A characteristic graph P281 and a characteristic plot input area P282 are displayed on the sensor characteristic screen P280. In the characteristic graph P281, the characteristic is set by clicking or dragging each plot of the graph. In the characteristic plot input area P282, a plot is added by the insert button P282c, and a characteristic is set by inputting a numerical value into the coordinate box P282a of each plot. Further, the plot can be deleted by the plot deletion button P282b. For example, when the account access authority can register / update the
図４８の例は、センサに圧力センサが選択された場合の表示例である。特性グラフＰ２８１には、ｘ軸を検出圧力、ｙ軸を出力電圧として、検出する圧力に対する出力電圧の特性が表示される。特性プロット入力エリアＰ２８２で６個のプロットの座標が設定され、このプロットの特性が特性グラフＰ２８１に表示されている。この状態で「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２２３をクリックすると、センサデータベース４２１に当該センサの特性が登録される。
The example of FIG. 48 is a display example when a pressure sensor is selected as the sensor. The characteristic graph P281 displays the characteristics of the output voltage with respect to the detected pressure, where the x axis is the detected pressure and the y axis is the output voltage. The coordinates of six plots are set in the characteristic plot input area P282, and the characteristics of this plot are displayed in the characteristic graph P281. If the “Save” button P223 is clicked in this state, the sensor characteristics are registered in the
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にバイアス回路選択画面を表示する（図３２のＳ１４）。図４９は、このバイアス回路選択画面の表示例である。図４９に示すように、センサ詳細画面Ｐ２２０において「バイアス回路」タブＰ２３２が選択された場合、バイアス回路選択画面Ｐ２５０が表示される。バイアス回路選択画面Ｐ２５０には、Ｓ１４で説明したように、選択したセンサに適したバイアス回路が表示される。センサに応じたバイアス回路を表示することにより、簡単な操作で最適なバイアス回路を選択することができる。例えば、アカウントのアクセス権限が、センサバイアス回路データベース４２２の登録・更新可能、センサバイアス回路データベース４２２の選択・更新可能な場合に、バイアス回路選択画面Ｐ２５０が表示及び操作可能となり、バイアス回路を選択できる。
Next, the
バイアス回路選択画面Ｐ２５０には、回路一覧Ｐ２５１と選択回路Ｐ２５２が表示される。回路一覧Ｐ２５１には、センサに使用可能な全てのバイアス回路の回路イメージが表示され、選択回路Ｐ２５２には、回路一覧Ｐ２５１でセンサベンダ（ユーザ）が選択したバイアス回路の回路イメージが表示される。センサベンダは、回路一覧Ｐ２５１から複数のバイアス回路を選択することができる。 The bias circuit selection screen P250 displays a circuit list P251 and a selection circuit P252. The circuit list P251 displays circuit images of all the bias circuits usable for the sensor, and the selection circuit P252 displays the circuit images of the bias circuits selected by the sensor vendor (user) in the circuit list P251. The sensor vendor can select a plurality of bias circuits from the circuit list P251.
図４９は、センサに圧力センサが選択された場合のバイアス回路選択画面Ｐ２５０の表示例であり、回路一覧Ｐ２５１に、圧力センサに適したバイアス回路としてバイアス回路Ｐ２５１ａ〜Ｐ２５１ｅが表示されている。センサベンダ（ユーザ）がバイアス回路Ｐ２５１ｂを選択すると、選択回路Ｐ２５２にバイアス回路Ｐ２５１ｂと同じ回路イメージが表示される。 FIG. 49 is a display example of the bias circuit selection screen P250 when a pressure sensor is selected as the sensor, and bias circuits P251a to P251e are displayed in the circuit list P251 as bias circuits suitable for the pressure sensor. When the sensor vendor (user) selects the bias circuit P251b, the same circuit image as the bias circuit P251b is displayed on the selection circuit P252.
図５０は、図４９のバイアス回路選択画面Ｐ２５０において、センサベンダが２つのバイアス回路を選択する例を示している。すなわち、センサベンダがバイアス回路を設定する場合、実際にセンサに接続可能な全てのバイアス回路を選択するため、センサに応じて複数のバイアス回路が選択される。回路一覧Ｐ２５１に、バイアス回路Ｐ２５１ａ〜Ｐ２５１ｅが表示されており、センサベンダがバイアス回路Ｐ２５１ｄ、Ｐ２５１ｅを選択し、選択回路Ｐ２５２にバイアス回路Ｐ２５１ｄ、Ｐ２５１ｅと同じ回路イメージが表示される。この状態で「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２２３をクリックすると、選択したバイアス回路をセンサバイアス回路データベース４２２のシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂに記憶する。
FIG. 50 shows an example in which the sensor vendor selects two bias circuits on the bias circuit selection screen P250 of FIG. That is, when the sensor vendor sets the bias circuit, a plurality of bias circuits are selected according to the sensor in order to select all the bias circuits that can be actually connected to the sensor. Bias circuits P251a to P251e are displayed in the circuit list P251, the sensor vendor selects the bias circuits P251d and P251e, and the same circuit image as the bias circuits P251d and P251e is displayed on the selection circuit P252. When the “Save” button P223 is clicked in this state, the selected bias circuit is stored in the simulation
図５１〜図５３は、バイアス回路選択画面Ｐ２５０に表示するセンサに適したバイアス回路の抽出方法の例を示している。例えば、図５１〜図５３のようにセンサバイアス回路データベース４２２に１６種類のバイアス回路が用意されており、この中からセンサの種類に応じてバイアス回路を抽出する。センサバイアス回路データベース４２２において、各バイアス回路とセンサの種類とが関連付けられており、センサの種類に対応してバイアス回路が特定される。センサの種類に応じたバイアス回路を表示しセンサベンダが選択可能とすることにより、最適なバイアス回路を簡易かつ正確に設定することができる。なお、ここでは、センサの種類に応じて表示するバイアス回路を選択するが、その他のセンサ情報に応じてバイアス回路を選択してもよい。例えば、差動出力や電圧出力、電流出力等のセンサの出力形体に応じてバイアス回路を選択してもよいし、センサの種類及びセンサの出力形体に応じてバイアス回路を選択してもよい。例えば、センサバイアス回路データベース４２２において、各バイアス回路とセンサの出力形体とを関連付けておけば、センサの出力形体に対応してバイアス回路を特定できる。センサの出力形体に応じたバイアス回路を表示しセンサベンダが選択可能とした場合も、センサの種類と同様に、最適なバイアス回路を簡易かつ正確に設定することができる。
51 to 53 show an example of a bias circuit extraction method suitable for the sensor displayed on the bias circuit selection screen P250. For example, as shown in FIGS. 51 to 53, 16 types of bias circuits are prepared in the sensor
図５１は、圧力センサに適したバイアス回路を抽出する例である。圧力センサには「差動電圧出力型」と「電圧出力型」があるため、これらのセンサに接続可能なバイアス回路、ここでは５個のバイアス回路を抽出し、センサベンダが選択可能とする。差動電圧出力型の圧力センサには、差動電圧用のバイアス回路５０１及び５０３、ブリッジ型のバイアス回路５０２が接続可能であり、電圧出力型の圧力センサには、電圧出力用のバイアス回路５０４及び５０５が接続可能であり、これらのバイアス回路を抽出する。
FIG. 51 is an example of extracting a bias circuit suitable for a pressure sensor. Since there are “differential voltage output type” and “voltage output type” pressure sensors, bias circuits connectable to these sensors, here, five bias circuits are extracted, and the sensor vendor can select them. A differential voltage output type pressure sensor can be connected to differential
例えば、センサバイアス回路データベース４２２の登録用バイアス回路データ４２２ａに、圧力センサとバイアス回路５０１〜５０５が関連付けられており、登録用バイアス回路データ４２２ａを参照することで、圧力センサに応じたバイアス回路を抽出し表示する。
For example, the pressure sensor and the
センサベンダは、表示されたバイアス回路５０１〜５０５の中から、登録するセンサの出力形体によって「差動電圧出力型」もしくは「電圧出力型」のバイアス回路を選択し、ユーザがシミュレーションで使用するバイアス回路として、センサバイアス回路データベース４２２のシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂに登録する。センサベンダが登録した「差動電圧出力型」もしくは「電圧出力型」の複数のバイアス回路の中から、ユーザがシミュレーションを行う１つのバイアス回路を選択する。
The sensor vendor selects a “differential voltage output type” or “voltage output type” bias circuit from the displayed
図５２は、温度センサに適したバイアス回路を抽出する例である。温度センサには「電圧出力型」と「電流出力型」があるため、これらのセンサに接続可能なバイアス回路、ここでは４個のバイアス回路を抽出し、センサベンダが選択可能とする。電圧出力型の温度センサには、電圧出力用のバイアス回路５０６及び５０７が接続可能であり、電流出力型の温度センサには、電流出力用のバイアス回路５０８及び５０９が接続可能であり、これらのバイアス回路を抽出する。
FIG. 52 is an example of extracting a bias circuit suitable for a temperature sensor. Since there are “voltage output type” and “current output type” temperature sensors, bias circuits that can be connected to these sensors, here, four bias circuits are extracted, and the sensor vendor can select them. Voltage output bias
例えば、センサバイアス回路データベース４２２の登録用バイアス回路データ４２２ａに、温度センサとバイアス回路５０６〜５０９が関連付けられており、登録用バイアス回路データ４２２ａを参照することで、温度センサに応じたバイアス回路を抽出し表示する。
For example, the temperature sensor and the
センサベンダは、表示されたバイアス回路５０６〜５０９の中から、登録するセンサの出力形体によって「電圧出力型」もしくは「電流出力型」のバイアス回路を選択し、ユーザがシミュレーションで使用するバイアス回路として、センサバイアス回路データベース４２２のシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂに登録する。センサベンダが登録した「電圧出力型」もしくは「電流出力型」の複数のバイアス回路の中から、ユーザがシミュレーションを行う１つのバイアス回路を選択する。
The sensor vendor selects a “voltage output type” or “current output type” bias circuit from among the displayed
図５３は、フォトトランジスタに適したバイアス回路を抽出する例である。フォトトランジスタには「電圧出力型」と「電流出力型」があるため、これらのセンサに接続可能なバイアス回路、ここでは４個のバイアス回路を抽出し、センサベンダが選択可能とする。電圧出力型のフォトトランジスタには、電圧出力用のバイアス回路５１１及び５１２が接続可能であり、電流出力型のフォトトランジスタには、電流出力用のバイアス回路５１０及び５１３が接続可能であり、これらのバイアス回路を抽出する。
FIG. 53 shows an example of extracting a bias circuit suitable for a phototransistor. Since there are “voltage output type” and “current output type” phototransistors, bias circuits connectable to these sensors, here, four bias circuits are extracted, and the sensor vendor can select them. Voltage output bias
例えば、センサバイアス回路データベース４２２の登録用バイアス回路データ４２２ａに、フォトトランジスタとバイアス回路５１０〜５１３が関連付けられており、登録用バイアス回路データ４２２ａを参照することで、フォトトランジスタに応じたバイアス回路を抽出し表示する。
For example, the phototransistor and the
センサベンダは、表示されたバイアス回路５１０〜５１３の中から、登録するセンサの出力形体によって「電圧出力型」もしくは「電流出力型」のバイアス回路を選択し、ユーザがシミュレーションで使用するバイアス回路として、センサバイアス回路データベース４２２のシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂに登録する。センサベンダが登録した「電圧出力型」もしくは「電流出力型」の複数のバイアス回路の中から、ユーザがシミュレーションを行う１つのバイアス回路を選択する。
The sensor vendor selects a “voltage output type” or “current output type” bias circuit from among the displayed
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にセンサ名入力画面を表示する（図３２のＳ１５）。図５４は、このセンサ名入力画面の表示例である。ここでは、センサ名入力画面として、図４７と同じセンサ選択画面Ｐ２００を使用する。センサの特性やバイアス回路を設定すると、センサ選択フレームＰ２１０のセンサ名表示エリアＰ２１１には、デフォルトのセンサ名（「ＸＸＸＸＸＸ」など）が表示される。例えば、センサ名表示エリアＰ２１１のセンサ名をクリックすると、入力状態となり、センサ名を入力する。
Next, the
さらに、センサ選択画面Ｐ２００には、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２１６が表示され、「Ｓａｖｅ」ボタンをクリックすると、センサの種類、特性及びセンサ名がセンサデータベース４２１へ登録され、バイアス回路がセンサバイアス回路データベース４２２へ登録される（図３２のＳ１６）。このとき、アカウントＩＤに対応するセンサベンダが、センサ及びバイアス回路に関連付けられて登録される。すなわち、アクセスしているセンサベンダ自身のセンサ及びバイアス回路のみが登録可能である。
Further, a “Save” button P216 is displayed on the sensor selection screen P200. When the “Save” button is clicked, the sensor type, characteristics, and sensor name are registered in the
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にフラグ付きのセンサリスト画面を表示する（図３２のＳ１７）。図５５は、このセンサリスト画面Ｐ２４０の表示例である。図５５に示すように、センサ選択画面Ｐ２００で「詳細設定」ボタンＰ２１３がクリックされ、部品検索／登録選択エリアＰ２２２で「部品検索」ラジオボタンＰ２２２ａが選択された場合や「センサ選択」タブＰ２３１が選択された場合、センサ詳細画面Ｐ２２０内にセンサリスト画面（センサ詳細選択画面）Ｐ２４０が表示される。
Next, the
センサリスト画面Ｐ２４０の上部には、センサ絞り込み条件Ｐ２４３及びセンサリストＰ２４４が表示される。絞り込み条件Ｐ２４３として、「品番による検索」エリアＰ２４３ａと「センサ検索」エリアＰ２４３ｂが表示される。 In the upper part of the sensor list screen P240, a sensor narrowing condition P243 and a sensor list P244 are displayed. As a narrowing condition P243, a “search by product number” area P243a and a “sensor search” area P243b are displayed.
「品番による検索」エリアＰ２４３ａでは、「品番」入力ボックスに検索したいセンサの品番を入力する。「センサ検索」エリアＰ２４３ｂには、センサタイプに応じた絞り込み条件が表示される。図５５では、センサタイプが圧力センサであるため、「メーカ」プルダウンメニュー、「出力タイプ」プルダウンメニュー、「圧力」入力ボックスが表示される。 In the “search by product number” area P243a, the product number of the sensor to be searched is input in the “product number” input box. In the “sensor search” area P243b, narrow-down conditions corresponding to the sensor type are displayed. In FIG. 55, since the sensor type is a pressure sensor, a “maker” pull-down menu, an “output type” pull-down menu, and a “pressure” input box are displayed.
「メーカ」プルダウンメニューには、特定のメーカのセンサを検索対象とするためにメーカ名を指定したり、全てのメーカのセンサを検索対象とするために「Ａｎｙ」を指定できる。「出力タイプ」プルダウンメニューには、特定の出力タイプのセンサを検索対象とするために電流出力タイプや電圧出力タイプを指定したり、全ての出力タイプのセンサを検索対象とするために「Ａｎｙ」を指定できる。「圧力」入力ボックスには圧力センサの特性によりセンサを検索するため、圧力センサが検出可能な圧力の最小値と最大値を設定する。 In the “Manufacturer” pull-down menu, a manufacturer name can be specified to search for a sensor of a specific manufacturer, or “Any” can be specified to search for sensors of all manufacturers. In the “output type” pull-down menu, a current output type or a voltage output type is designated to search for a sensor of a specific output type, or “Any” is used to search for all output type sensors. Can be specified. In the “pressure” input box, a minimum value and a maximum value of pressure that can be detected by the pressure sensor are set in order to search for the sensor based on the characteristics of the pressure sensor.
絞り込み条件Ｐ２４３とセンサリストＰ２４４の間に、「検索」ボタンＰ２４５と「リセット」ボタンＰ２４６が表示される。「検索」ボタンＰ２４５をクリックすることにより、絞り込み条件Ｐ２４３で設定した条件によりセンサデータベースの検索が行われ、検索結果がセンサリストＰ２４４に表示される。「リセット」ボタンＰ２４６をクリックすると、絞り込み条件Ｐ２４３で設定した絞り込み条件（検索条件）がリセットされ、画面表示が何も設定されていない初期状態となる。 A “search” button P245 and a “reset” button P246 are displayed between the narrowing condition P243 and the sensor list P244. By clicking the “Search” button P245, the sensor database is searched according to the conditions set in the narrowing-down condition P243, and the search result is displayed in the sensor list P244. When the “reset” button P246 is clicked, the narrowing condition (search condition) set in the narrowing condition P243 is reset, and an initial state in which no screen display is set is set.
センサリストＰ２４４には、絞り込み条件Ｐ２４３で設定した条件に該当するセンサのリストが表示される。「品番による検索」エリアＰ２４３ａで品番を設定した場合、センサデータベース４２１の中から、センサタイプが圧力センサであり、かつ、設定した品番に該当するセンサが表示される。「センサ検索」エリアＰ２４３ｂでメーカ、出力タイプ、圧力を設定した場合、センサデータベースの中から、センサタイプが圧力センサであり、かつ、設定した、メーカ、出力タイプ、圧力に該当するセンサが表示される。ここでは、操作中のセンサベンダが既に登録を行った全てのセンサが表示される。
In the sensor list P244, a list of sensors corresponding to the condition set in the narrowing-down condition P243 is displayed. When the product number is set in the “search by product number” area P243a, the sensor type is the pressure sensor and the sensor corresponding to the set product number is displayed from the
センサリストＰ２４４には、センサタイプに応じて、複数の欄に各センサの情報が表示される。図５５では、圧力センサであるため、センサごとに品番（Part#）、メーカ（Manufacturer）、データシート（Datasheet）、詳細説明（Description）、圧力特性（Pressure）が表示される。データシートの欄にはＰＤＦアイコンが表示され、ＰＤＦアイコンをクリックするとデータシートのＰＤＦファイルが表示される。詳細説明の欄には、高精度センサやシリコンセンサ等の種別が表示され、圧力特性の欄には、検出圧力の最小値及び最大値が表示される。 In the sensor list P244, information on each sensor is displayed in a plurality of columns according to the sensor type. In FIG. 55, since it is a pressure sensor, a product number (Part #), a manufacturer (Manufacturer), a data sheet (Datasheet), a detailed description (Description), and a pressure characteristic (Pressure) are displayed for each sensor. A PDF icon is displayed in the column of the data sheet. When the PDF icon is clicked, a PDF file of the data sheet is displayed. In the detailed description column, types such as a high-precision sensor and a silicon sensor are displayed, and in the pressure characteristic column, the minimum value and the maximum value of the detected pressure are displayed.
センサタイプや絞り込み条件を指定してセンサリストＰ２４４を表示することにより、簡単な操作で所望のセンサを選択することができる。 By displaying the sensor list P244 by specifying the sensor type and the narrowing-down condition, a desired sensor can be selected with a simple operation.
さらに、センサリストＰ２４４にＳ１７で説明したデータフラグの状態を示すフラグマークＰ２４４ａを表示する。図５５では、センサベンダが登録した圧力センサの左側に、新規登録を示すフラグマークＰ２４４ａが表示されている。フラグマークを表示することにより、どのセンサが登録（更新）されたのかを一目で認識することができる。なお、新規登録（更新）されたセンサを識別できればよいため、フラグマークに限らず、センサの表示部分の色等を変更して表示してもよい。このフラグマークＰ２４４ａを確認した後、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２２３をクリックして、センサを登録してもよい。以上でセンサベンダによるセンサ情報の登録が完了する。
（動作例２）センサベンダによるセンサ情報の更新動作例
Further, a flag mark P244a indicating the state of the data flag described in S17 is displayed on the sensor list P244. In FIG. 55, a flag mark P244a indicating new registration is displayed on the left side of the pressure sensor registered by the sensor vendor. By displaying the flag mark, it is possible to recognize at a glance which sensor has been registered (updated). Note that since it is only necessary to identify a newly registered (updated) sensor, not only the flag mark but also the color of the display portion of the sensor may be changed and displayed. After confirming the flag mark P244a, the sensor may be registered by clicking the “Save” button P223. This completes registration of sensor information by the sensor vendor.
(Operation example 2) Sensor information update operation example by sensor vendor
上記センサベンダがセンサ情報を登録する動作例１と同様に、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５に、図４５のログイン画面Ｐ１１０を表示し（図３１のＳ１０１）、図４６のガイダンス画面Ｐ１０１を表示し（図３１のＳ１０２）、図４７のセンサ選択画面Ｐ２００を表示する（図３２のＳ１１）。
Similarly to the first operation example in which the sensor vendor registers sensor information, the
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にセンサリスト画面を表示する（図３２のＳ１２及びＳ１８）。図５６は、このセンサリスト画面Ｐ２４０の表示例であり、ここでは、登録（更新）前のため、フラグを示すフラグマークＰ２４４ａは表示されていない。すなわち、図５６のセンサリスト画面Ｐ２４０は、センサベンダがセンサ情報を登録する際の図５５と同様の画面表示である。すなわち、センサ選択画面Ｐ２００で「詳細設定」ボタンＰ２１３がクリックされ、部品検索／登録選択エリアＰ２２２で「部品検索」ラジオボタンＰ２２２ａが選択された場合や「センサ選択」タブＰ２３１が選択された場合、センサ詳細画面Ｐ２２０内にセンサリスト画面Ｐ２４０が表示される。
Next, the
「品番による検索」エリアＰ２４３ａと「センサ検索」エリアＰ２４３ｂによる絞り込み条件Ｐ２４３にしたがってセンサリストＰ２４４が表示される。ここでは、Ｓ１８で説明したように、センサリストＰ２４４には、更新可能なアクセス権限のあるセンサ、すなわち、操作中のセンサベンダが登録を行ったセンサ（同じベンダのセンサ）のみが表示される。センサリストには更新可能なセンサのみ表示されるため、選択操作が容易になるとともに、他のセンサベンダのセンサを誤って選択することを防ぐことができる。そして、センサベンダはセンサリストＰ２４４の中から更新するセンサをクリックし選択する。 The sensor list P244 is displayed in accordance with the narrowing condition P243 by the “search by product number” area P243a and the “sensor search” area P243b. Here, as described in S18, only sensors with access authority that can be updated, that is, sensors registered by the currently operating sensor vendor (sensors of the same vendor) are displayed in the sensor list P244. Since only the sensors that can be updated are displayed in the sensor list, the selection operation is facilitated, and it is possible to prevent erroneous selection of sensors from other sensor vendors. Then, the sensor vendor clicks and selects the sensor to be updated from the sensor list P244.
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にセンサ特性画面を表示する（図３２のＳ１９）。図５７は、この特性画面Ｐ２８０の表示例である。図５７のセンサ特性画面Ｐ２８０は、センサベンダがセンサ情報を登録する際の図４８のセンサ特性画面Ｐ２８０と同様の画面表示である。センサリスト画面Ｐ２４０でセンサが選択され、「センサ特性」タブＰ２３４が選択された場合に、センサ特性画面Ｐ２８０が表示される。例えば、アカウントのアクセス権限が、センサデータベース４２１の登録・更新可能な場合に、センサ特性画面Ｐ２８０が表示及び操作可能となり、更新するセンサの特性が入力できる。
Next, the
まず、選択されたセンサについて、センサデータベース４２１に登録されているセンサの特性が特性グラフＰ２８１及び特性プロット入力エリアＰ２８２に表示される。そして、センサベンダは、特性グラフＰ２８１のプロットを操作したり、特性プロット入力エリアＰ２８２に入力することで特性を変更する。例えば、図５７の例では、プロットが２点しかないため、挿入ボタンＰ２８２ｃをクリックしてプロットを追加し、座標ボックスＰ２８２ａに数値を入力することで、図４８のような特性に変更する。この状態で「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２２３をクリックすると、センサデータベース４２１に当該センサの特性が更新される。
First, for the selected sensor, the characteristics of the sensors registered in the
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にバイアス回路選択画面を表示する（図３２のＳ２０）。図５８は、このバイアス回路選択画面の表示例である。図５８のバイアス回路選択画面Ｐ２５０は、センサベンダがセンサ情報を登録する際の図４９のバイアス回路選択画面Ｐ２５０と同様であり、さらに、バイアス回路を追加／削除するための「追加」ボタンＰ２５２ａ及び「削除」ボタンＰ２５２ｂが表示される。センサリスト画面Ｐ２４０でセンサが選択され、「バイアス回路」タブＰ２３２が選択された場合、バイアス回路選択画面Ｐ２５０が表示される。例えば、アカウントのアクセス権限が、センサバイアス回路データベース４２２の登録・更新可能、センサバイアス回路データベース４２２の選択・更新可能な場合に、バイアス回路選択画面Ｐ２５０が表示及び操作可能となり、バイアス回路を選択できる。
Next, the
まず、選択されたセンサについて、センサバイアス回路データベース４２２のシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂに登録されているバイアス回路が、選択回路Ｐ２５２に表示され、センサの種類に応じた選択可能なバイアス回路が回路一覧Ｐ２５１に表示される。なお、センサの種類に限らず、その他のバイアス回路を選択したい場合には、全てのバイアス回路を表示するようにしてもよい。バイアス回路を追加する場合、回路一覧Ｐ２５１で追加するバイアス回路を選択し、「追加」ボタンＰ２５２ａをクリックすると、選択したバイアス回路の回路イメージが選択回路Ｐ２５２に表示される。バイアス回路を削除する場合、選択回路Ｐ２５２または回路一覧Ｐ２５１で削除するバイアス回路を選択し、「削除」ボタンＰ２５２ｂをクリックすると、選択したバイアス回路の回路イメージが選択回路Ｐ２５２から消去される。この状態で「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２２３をクリックすると、追加または削除後のバイアス回路により、センサバイアス回路データベース４２２のシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂが更新される（図３２のＳ２１）。
First, for the selected sensor, the bias circuit registered in the simulation
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にフラグ付きのセンサリスト画面を表示する（図３２のＳ２２）。センサベンダがセンサ情報を登録する際の図５５と同様に、部品検索／登録選択エリアＰ２２２で「部品検索」ラジオボタンＰ２２２ａが選択された場合や「センサ選択」タブＰ２３１が選択された場合、センサ詳細画面Ｐ２２０内にＰ２４０が表示される。
Next, the
そして、センサリストＰ２４４にＳ２２で説明したデータフラグの状態を示すフラグマークＰ２４４ａを表示する。図５５のように、センサベンダが更新した圧力センサの左側に、更新されたことを示すためにフラグマークＰ２４４ａが表示されている。なお、センサを新規登録した場合のフラグマークとセンサの登録情報を更新した場合のフラグマークを異なるようにしてもよい。例えば、センサベンダが、フラグマークＰ２４４ａをクリックして新規登録のフラグマークか更新のフラグマークを選択するようにしてもよい。このフラグマークＰ２４４ａを確認した後、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２２３をクリックして、センサを登録してもよい。以上でセンサベンダによるセンサ情報の更新が完了する。
（動作例３）センサベンダによる推奨接続設定及びシミュレーション動作例
Then, a flag mark P244a indicating the state of the data flag described in S22 is displayed on the sensor list P244. As shown in FIG. 55, a flag mark P244a is displayed on the left side of the pressure sensor updated by the sensor vendor to indicate that it has been updated. The flag mark when the sensor is newly registered may be different from the flag mark when the sensor registration information is updated. For example, the sensor vendor may select the newly registered flag mark or the updated flag mark by clicking the flag mark P244a. After confirming the flag mark P244a, the sensor may be registered by clicking the “Save” button P223. Thus, the update of sensor information by the sensor vendor is completed.
(Operation example 3) Recommended connection setting by sensor vendor and simulation operation example
動作例３では、上記動作例１または動作例２でセンサベンダが登録または更新したセンサ及びバイアス回路を半導体装置１に接続してシミュレーションを行う。センサベンダがシミュレーションを行うことで、センサやバイアス回路の登録内容の確認や、センサベンダ推奨接続の登録内容を確認することができる。動作例１の図４８〜図５０のように、センサ詳細画面Ｐ２２０によりセンサの特性及びバイアス回路を登録する。また、動作例２の図５７〜図５８のように、センサ詳細画面Ｐ２２０によりセンサの特性及びバイアス回路を更新する。
In the operation example 3, the sensor and the bias circuit registered or updated by the sensor vendor in the operation example 1 or the operation example 2 are connected to the
その後、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５に物理量入力画面を表示する（図３１のＳ１０４）。図５９は、この物理量入力画面の表示例である。図５９に示すように、センサ詳細画面Ｐ２２０において「センサ入力」タブＰ２３３が選択された場合、センサ詳細画面Ｐ２２０内に物理量入力画面Ｐ２６０が表示される。なお、ここでは、センサ詳細画面において物理量の入力設定を行うが、シミュレーションを実行するまでに設定が完了していればよいため、シミュレーション画面などその他の画面において物理量の入力設定を行ってもよい。
Thereafter, the
物理量入力画面Ｐ２６０には、入力パターン一覧Ｐ２６１と入力パラメータエリアＰ２６２が表示される。入力パターン一覧Ｐ２６１には、センサに入力される物理量の入力パターンとして選択可能なパターンが表示され、入力パラメータエリアＰ２６２には選択した入力パターンを詳細に設定するパラメータが表示される。図３１のＳ１０４で説明したように、設定された入力パターン及びパラメータがパラメータ記憶部４２７に記憶される。
On the physical quantity input screen P260, an input pattern list P261 and an input parameter area P262 are displayed. In the input pattern list P261, patterns that can be selected as input patterns of physical quantities input to the sensor are displayed, and in the input parameter area P262, parameters that set the selected input pattern in detail are displayed. As described in S104 of FIG. 31, the set input pattern and parameters are stored in the
入力パターン一覧Ｐ２６１では、所定の入力パターンＰ２６１ａ〜Ｐ２６１ｄと、ユーザ（センサベンダ）が任意の入力パターンを定義する「ユーザ定義」パターンＰ２６１ｅが選択できる。所定の入力パターンとして、正弦波の「サイン」パターンＰ２６１ａ、方形波の「パルス」パターンＰ２６１ｂ、ステップ応答波形の「ステップ」パターンＰ２６１ｃ、三角波の「三角波」パターンＰ２６１ｄが選択できる。 In the input pattern list P261, predetermined input patterns P261a to P261d and a “user defined” pattern P261e in which a user (sensor vendor) defines an arbitrary input pattern can be selected. As a predetermined input pattern, a sine wave “sine” pattern P261a, a square wave “pulse” pattern P261b, a step response waveform “step” pattern P261c, and a triangular wave “triangular wave” pattern P261d can be selected.
入力パラメータエリアＰ２６２には、入力パターン一覧Ｐ２６１で選択したパターンと、センサ選択画面で選択したセンサ（登録または更新したセンサ）に応じたパラメータが表示される。図５９の例は、センサに温度センサが選択され、かつ、入力パターンとして正弦波の「サイン」パターンＰ２６１ａが選択されている。正弦波の入力パターンであるため、入力パラメータエリアＰ２６２には、入力パラメータとして、最小値、最大値及び周波数の入力ボックスが表示され、センサが圧力センサであるため最小値及び最大値の単位は「℃」となる。 In the input parameter area P262, parameters corresponding to the pattern selected in the input pattern list P261 and the sensor (registered or updated sensor) selected on the sensor selection screen are displayed. In the example of FIG. 59, a temperature sensor is selected as the sensor, and a sine wave “sine” pattern P261a is selected as an input pattern. Since the input pattern is a sine wave, the input parameter area P262 displays input boxes for the minimum value, maximum value, and frequency as input parameters. Since the sensor is a pressure sensor, the unit of the minimum value and maximum value is “ ° C ".
図６０は、図５９の物理量入力画面Ｐ２６０の他の例である。図６０では、センサに圧力センサが選択され、かつ、入力パターンとして正弦波の「サイン」パターンＰ２６１ａが選択されている。正弦波の入力パターンであるため、入力パラメータエリアＰ２６２には、入力パラメータとして、最小値、最大値及び周波数の入力ボックスが表示され、センサが圧力センサであるため最小値及び最大値の単位は「Ｐａ」となる。 FIG. 60 is another example of the physical quantity input screen P260 of FIG. In FIG. 60, a pressure sensor is selected as the sensor, and a sine wave “sine” pattern P261a is selected as the input pattern. Since the input pattern is a sine wave, the input parameter area P262 displays input boxes for the minimum value, maximum value, and frequency as input parameters. Since the sensor is a pressure sensor, the unit of the minimum value and maximum value is “ Pa ".
図６１は、図５９の物理量入力画面Ｐ２６０の他の例である。図６１では、センサにフォトトランジスタが選択され、かつ、入力パターンとして正弦波の「サイン」パターンＰ２６１ａが選択された例である。正弦波の入力パターンであるため、入力パラメータエリアＰ２６２には、入力パラメータとして、最小値、最大値及び周波数の入力ボックスが表示され、センサがフォトトランジスタであるため最小値及び最大値の単位は「ｗ／ｍ２」となる。 FIG. 61 is another example of the physical quantity input screen P260 of FIG. FIG. 61 shows an example in which a phototransistor is selected as a sensor and a sine wave “sine” pattern P261a is selected as an input pattern. Since the input pattern is a sine wave, the input parameter area P262 displays input boxes for the minimum value, maximum value, and frequency as input parameters. Since the sensor is a phototransistor, the unit of the minimum value and maximum value is “ w / m 2 ”.
また、入力パラメータエリアＰ２６２では、選択された入力パターンに応じた入力パラメータを表示し設定することで、各入力波形のパターンを正確に特定することができる。例えば、入力パターンが正弦波の場合、上記のように最小値、最大値及び周波数を設定する。入力パターンが方形波の場合、最小値、最大値、立上り速度及び立下り速度を設定する。入力パターンが三角波の場合、最小値、最大値及び周波数を設定する。入力パターンがステップ応答の場合、最小値、最大値、立上りタイミング及び立上り速度を設定する。また、入力パラメータの最小値及び最大値には、デフォルトとし選択したセンサの特性に応じた値が表示される。すなわち、センサデータベース４２１に登録されたセンサ情報を参照し、センサが検出可能な最小値及び最大値を取得して表示する。これにより、ユーザ（センサベンダ）がセンサの特性を調べる必要がなく、また、誤ってセンサの性能を超えて入力範囲を指定することを防ぐことができる。
Further, in the input parameter area P262, by displaying and setting the input parameters according to the selected input pattern, the pattern of each input waveform can be specified accurately. For example, when the input pattern is a sine wave, the minimum value, the maximum value, and the frequency are set as described above. When the input pattern is a square wave, the minimum value, maximum value, rising speed and falling speed are set. When the input pattern is a triangular wave, the minimum value, maximum value, and frequency are set. When the input pattern is a step response, the minimum value, maximum value, rising timing and rising speed are set. Further, as the minimum value and maximum value of the input parameter, values corresponding to the characteristics of the sensor selected as the default are displayed. That is, referring to the sensor information registered in the
物理量入力画面Ｐ２６０に、複数の入力波形を表示し、所定の入力波形のパターンによりセンサに入力される物理量を選択することにより、アナログ回路の様々な特性を簡易に解析することができる。一例として、図５９〜図６１で選択可能な各入力波形の特徴を説明する。 Various characteristics of the analog circuit can be easily analyzed by displaying a plurality of input waveforms on the physical quantity input screen P260 and selecting a physical quantity input to the sensor according to a predetermined input waveform pattern. As an example, the characteristics of each input waveform that can be selected in FIGS. 59 to 61 will be described.
図６２（ａ）は、正弦波の入力パターンでアナログ回路（半導体装置１）の動作をシミュレーションする場合の入力信号と出力信号を示している。正弦波の場合、入力信号と同相の同相信号Ｐ２６２ａと、シミュレーション結果である出力信号Ｐ２６２ｂとを比較することで、歪の有無や位相差など全般的な確認を最適に行うことができる。また出力信号波形がクリップしているかどうかを確認することもできる。シミュレーション結果の表示画面で、図６２（ａ）のように波形を重ねて表示することにより、ユーザ（センサベンダ）が一目で周波数特性を確認できる。 FIG. 62A shows an input signal and an output signal in the case of simulating the operation of the analog circuit (semiconductor device 1) with a sine wave input pattern. In the case of a sine wave, by comparing the in-phase signal P262a that is in phase with the input signal and the output signal P262b that is a simulation result, it is possible to optimally confirm the overall presence or absence of distortion and the phase difference. It is also possible to check whether the output signal waveform is clipped. On the simulation result display screen, the user (sensor vendor) can confirm the frequency characteristics at a glance by displaying the waveforms in a superimposed manner as shown in FIG.
すなわち、正弦波の入力パターンを使用することで、その周波数における周波数特性をユーザが容易に確認でき、確認結果に応じて適切にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成や特性を設定することができる。
That is, by using the sine wave input pattern, the user can easily confirm the frequency characteristics at that frequency, and the configuration and characteristics of the
また、シミュレーション実行部４１５が、シミュレーション結果により位相差などを検出し、検出結果に応じて自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成や特性を設定することも可能である。シミュレーション実行部４１５は、正弦波の入力パターンを入力した場合のコンフィギュラブル・アンプ１１０のシミュレーションを行い、シミュレーション結果の周波数特性に応じて、コンフィギュラブル・アンプ１１０の接続段数を設定する。シミュレーション実行部４１５は、必要な周波数において、適正な増幅性能が実現できない場合は、コンフィギュラブル・アンプ１１０を多段のアンプ構成とする。例えば、正弦波の周波数１００ｋＨｚにおいて、３０ｄＢの増幅性能が必要な場合、一段のコンフィギュラブル・アンプ１１０では増幅性能が未達となる場合がある。その場合は、コンフィギュラブル・アンプ１１０を二段構成として、ＡＭＰ１（１５ｄＢ）とＡＭＰ２（１５ｄＢ）とを接続した構成とすることで、所望の周波数特性を得ることができる。
In addition, the
図６２（ｂ）は、方形波の入力パターンでアナログ回路（半導体装置１）の動作をシミュレーションする場合の入力信号と出力信号を示している。方形波の場合、入力信号と同相の同相信号Ｐ２６２ｃと、シミュレーション結果である出力信号Ｐ２６２ｄを比較することで、応答性能の確認を最適に行うことができる。シミュレーション結果の表示画面で、図６２（ｂ）のように波形を重ねて表示することにより、ユーザ（センサベンダ）が一目で応答性能を確認できる。 FIG. 62B shows an input signal and an output signal in the case of simulating the operation of the analog circuit (semiconductor device 1) with a square wave input pattern. In the case of a square wave, the response performance can be optimally checked by comparing the in-phase signal P262c in phase with the input signal and the output signal P262d as a simulation result. On the simulation result display screen, the user (sensor vendor) can confirm the response performance at a glance by displaying the waveforms in a superimposed manner as shown in FIG.
すなわち、方形波の入力パターンを使用することで、応答性能をユーザ（センサベンダ）が容易に確認でき、確認結果に応じて適切にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成や特性を設定することができる。
That is, by using the square wave input pattern, the response performance can be easily confirmed by the user (sensor vendor), and the configuration and characteristics of the
また、シミュレーション実行部４１５が、シミュレーション結果により信号の歪みや遅延などを検出し、検出結果に応じて自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成や特性を設定することも可能である。シミュレーション実行部４１５は、方形波の入力パターンを入力した場合のコンフィギュラブル・アンプ１１０のシミュレーションを行い、シミュレーション結果の応答性能に応じて、コンフィギュラブル・アンプ１１０の動作モードを設定する。シミュレーション実行部４１５は、応答性が足りずに立ち上がり特性が歪んでいる場合には、コンフィギュラブル・アンプ１１０の動作モードを変更する。動作モードは、消費電流とトレードオフとなるため、方形波で応答性能を確認して最適な動作モードを選択する。例えば、最初にコンフィギュラブル・アンプ１１０の設定が低速モードで応答性能が未達の場合には、コンフィギュラブル・アンプ１１０の設定を中速モードまたは高速モードに変更することで、所望の応答特性を得ることができる。
In addition, the
図６２（ｃ）は、三角波の入力パターンでアナログ回路（半導体装置１）の動作をシミュレーションする場合の入力信号と出力信号を示している。三角波の場合、入力信号と同相の同相信号Ｐ２６２ｅと、シミュレーション結果である出力信号Ｐ２６２ｆを比較することで、電源範囲外のクリップの確認を最適に行うことができる。シミュレーション結果の表示画面で、図６２（ｃ）のように波形を重ねて表示することにより、ユーザ（センサベンダ）が一目でクリップ状態を確認できる。 FIG. 62C shows an input signal and an output signal when the operation of the analog circuit (semiconductor device 1) is simulated with a triangular wave input pattern. In the case of a triangular wave, by comparing the in-phase signal P262e that is in phase with the input signal and the output signal P262f that is a simulation result, it is possible to optimally check a clip outside the power supply range. On the simulation result display screen, the user (sensor vendor) can check the clip state at a glance by displaying the waveforms in a superimposed manner as shown in FIG.
すなわち、三角波の入力パターンを使用することで、アンプのオフセットやゲインが正しいか確認することができる。出力信号のクリップ状態をユーザ（センサベンダ）が容易に確認でき、確認結果に応じて適切にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成や特性を設定することができる。
That is, by using a triangular wave input pattern, it is possible to confirm whether the offset and gain of the amplifier are correct. The user (sensor vendor) can easily confirm the clip state of the output signal, and the configuration and characteristics of the
また、シミュレーション実行部４１５が、シミュレーション結果により信号の最小値及び最大値のクリップを検出し、検出結果に応じて自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成や特性を設定することも可能である。シミュレーション実行部４１５は、三角波の入力パターンを入力した場合のコンフィギュラブル・アンプ１１０のシミュレーションを行い、シミュレーション結果のクリップ状態に応じて、コンフィギュラブル・アンプ１１０のオフセットまたはゲインを設定する。シミュレーション実行部４１５は、出力信号の波形の上下どちらかにクリップが発生している場合にはアンプのオフセット量を変更することで、所望の範囲の出力信号を得ることができる。上下両方にクリップが発生している場合には、コンフィギュラブル・アンプ１１０増幅度が大き過ぎるため、アンプのゲインを下げることで、所望の範囲の出力信号を得ることができる。
Further, the
図６２（ｄ）は、ステップ応答波形の入力パターンでアナログ回路（半導体装置１）の動作をシミュレーションする場合の入力信号と出力信号を示している。ステップ応答波形の場合、入力信号と同相の同相信号Ｐ２６２ｇと、シミュレーション結果である出力信号Ｐ２６２ｈとを比較することで、応答性能の確認に最適に行うことができる。シミュレーション結果の表示画面で、図６２（ｄ）のように波形を重ねて表示することにより、ユーザ（センサベンダ）が一目で応答性能を確認できる。 FIG. 62D shows an input signal and an output signal when simulating the operation of the analog circuit (semiconductor device 1) with the input pattern of the step response waveform. In the case of a step response waveform, the in-phase signal P262g having the same phase as the input signal can be compared with the output signal P262h as a simulation result, so that the response performance can be optimally confirmed. On the simulation result display screen, the user (sensor vendor) can confirm the response performance at a glance by displaying the waveforms as shown in FIG.
すなわち、ステップ応答波形の入力パターンを使用することで、方形波のように同時に立ち上りと立ち下がりは確認できないが、パルス幅を考慮する必要がなく簡便に応答特性を確認することができる。またステップ応答波形により、電源投入直後の応答の確認に使用することができる。ステップ応答波形の入力パターンを使用することで、応答性能をユーザ（センサベンダ）が容易に確認でき、確認結果に応じて適切にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成や特性を設定することができる。また、シミュレーション実行部４１５が、シミュレーション結果により信号の歪みや遅延などを検出し、検出結果に応じて自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成や特性を設定することも可能である。
That is, by using the input pattern of the step response waveform, the rise and fall cannot be confirmed at the same time as in the case of a square wave, but the response characteristics can be easily confirmed without considering the pulse width. The step response waveform can be used to confirm the response immediately after the power is turned on. By using the input pattern of the step response waveform, the user (sensor vendor) can easily confirm the response performance, and the configuration and characteristics of the
図６３は、図５９の物理量入力画面Ｐ２６０において、「ユーザ定義」パターンＰ２６１ｅが選択された場合の表示例である。図６３に示すように「ユーザ定義」パターンＰ２６１ｅが選択されると、物理量入力画面Ｐ２６０には、図５９の入力パラメータエリアＰ２６２に代えて、ユーザ定義入力エリアＰ２７０が表示される。 FIG. 63 is a display example when the “user-defined” pattern P261e is selected on the physical quantity input screen P260 of FIG. As shown in FIG. 63, when the “user-defined” pattern P261e is selected, a user-defined input area P270 is displayed on the physical quantity input screen P260 instead of the input parameter area P262 of FIG.
ユーザ定義入力エリアＰ２７０には、選択されたセンサに応じた、入力パターングラフＰ２７１とプロット入力エリアＰ２７２が表示される。入力パターングラフＰ２７１では、グラフの各プロットをクリックやドラッグ操作することで入力パターンを設定する。プロット入力エリアＰ２７２では、グラフの各プロットを数値入力することで入力パターンを設定する。なお、入力パターングラフのプロット数は、プロット挿入（追加）ボタン等により任意に追加することができる（不図示）。 In the user-defined input area P270, an input pattern graph P271 and a plot input area P272 corresponding to the selected sensor are displayed. In the input pattern graph P271, an input pattern is set by clicking or dragging each plot of the graph. In the plot input area P272, an input pattern is set by numerically inputting each plot of the graph. Note that the number of plots of the input pattern graph can be arbitrarily added by using a plot insertion (add) button or the like (not shown).
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にＡＦＥ選択画面を表示する（図３１のＳ１０５）。図６４は、このＡＦＥ選択画面の表示例である。図６４に示すように、ウェブシミュレータ画面Ｐ１００において「ＡＦＥ選択」タブＰ１３が選択された場合、ＡＦＥ選択画面Ｐ３００が表示される。
Next, the
ＡＦＥ選択画面Ｐ３００は、上部にＡＦＥ絞り込み条件Ｐ３１０が表示され、下部にＡＦＥリストＰ３２０が表示される。ＡＦＥ絞り込み条件Ｐ３１０には、選択されたセンサ及びバイアス回路により特定された半導体装置１をさらに絞り込むための条件が表示される。
On the AFE selection screen P300, an AFE narrowing-down condition P310 is displayed at the top, and an AFE list P320 is displayed at the bottom. In the AFE narrowing-down condition P310, a condition for further narrowing down the
図６４では、ＡＦＥ絞り込み条件Ｐ３１０として、「増幅器」エリアＰ３１１、「フィルタ」エリアＰ３１２、「その他」エリアＰ３１３、「ＤＡＣ」エリアＰ３１４が表示される。「増幅器」エリアＰ３１１には、反転アンプを検索条件とするための「反転」チェックボックス、非反転アンプを検索条件とするための「非反転」チェックボックス、差動アンプを検索条件とするための「差動」チェックボックス、ＩＶアンプを検索条件とするための「ＩＶ」チェックボックス、計装アンプを検索条件とするための「計装」チェックボックスが表示される。「増幅器」エリアＰ３１１では、コンフィギュラブル・アンプ１１０の構成により半導体装置１を検索するため、検索条件に該当するチェックボックスをクリックしてチェックする。
In FIG. 64, “Amplifier” area P311, “Filter” area P312, “Other” area P313, and “DAC” area P314 are displayed as AFE narrowing-down conditions P310. The “amplifier” area P311 includes an “invert” check box for using an inverting amplifier as a search condition, a “non-invert” check box for using a non-inverting amplifier as a search condition, and a differential amplifier for using a differential amplifier as a search condition. A “differential” check box, an “IV” check box for using an IV amplifier as a search condition, and an “instrumentation” check box for using an instrumentation amplifier as a search condition are displayed. In the “amplifier” area P311, in order to search for the
「フィルタ」エリアＰ３１２には、ローパス・フィルタを検索条件とするための「ローパス・フィルタ」チェックボックス、ハイパス・フィルタを検索条件とするための「ハイパス・フィルタ」チェックボックスが表示される。「フィルタ」エリアＰ３１２では、フィルタの構成により半導体装置１を検索するため、検索条件に該当するチェックボックスをクリックしてチェックする。
In the “filter” area P312, a “low-pass filter” check box for using a low-pass filter as a search condition and a “high-pass filter” check box for using a high-pass filter as a search condition are displayed. In the “filter” area P312, in order to search for the
「その他」エリアＰ３１３には、電源レギュレータ（可変レギュレータ１５０）を検索条件とするための「電源レギュレータ」、電源リファレンスを検索条件とするための「電源リファレンス」、温度センサを検索条件とするための「温度センサ」が表示される。「その他」エリアＰ３１３では、電源レギュレータ等の構成により半導体装置１を検索するため検索条件に該当するチェックボックスをクリックしてチェックする。
In the “others” area P313, a “power supply regulator” for using the power supply regulator (variable regulator 150) as a search condition, a “power supply reference” for using the power supply reference as a search condition, and a temperature sensor for using the temperature sensor as a search condition “Temperature sensor” is displayed. In the “others” area P313, a check box corresponding to the search condition is clicked to search for the
「ＤＡＣ」エリアＰ３１４には、ＤＡＣの「分解能」プルダウンメニュー、「Ｃｈ数」プルダウンメニューが表示される。「分解能」プルダウンメニューには、特定ビットの分解能の半導体装置１を検索対象とするためにビット数を指定したり、全ての分解能の半導体装置１を検索対象とするために「Ａｎｙ」を指定する。「Ｃｈ数」プルダウンメニューには、特定のＣｈ数の半導体装置１を検索対象とするためにＣｈ数を指定したり、全てのＣｈ数の半導体装置１を検索対象とするために「Ａｎｙ」を指定する。
In the “DAC” area P314, a “resolution” pull-down menu and a “Ch number” pull-down menu of the DAC are displayed. In the “Resolution” pull-down menu, the number of bits is specified to search for the
絞り込み条件Ｐ３１０とＡＦＥリストＰ３２０の間に、「検索」ボタンＰ３１５と「リセット」ボタンＰ３１６が表示される。「検索」ボタンＰ３１５をクリックすることにより、絞り込み条件Ｐ３１０で設定した条件によりＡＦＥデータベースの検索が行われ、検索結果がＡＦＥリストＰ３２０に表示される。「リセット」ボタンＰ３１６をクリックすると、絞り込み条件Ｐ３１０で設定した絞り込み条件（検索条件）がリセットされ、画面表示が何も設定されていない初期状態となる。 A “search” button P315 and a “reset” button P316 are displayed between the filtering condition P310 and the AFE list P320. By clicking the “search” button P315, the AFE database is searched according to the conditions set in the narrowing-down condition P310, and the search results are displayed in the AFE list P320. When the “reset” button P316 is clicked, the narrowing condition (search condition) set in the narrowing condition P310 is reset, and an initial state in which no screen display is set is set.
ＡＦＥリストＰ３２０には、選択（登録／更新）したセンサ及びバイアス回路に適した半導体装置１であり、かつ、絞り込み条件Ｐ３１０で設定した絞り込み条件に該当する半導体装置１のリストが表示される。図３１のＳ１０６で説明したように、センサ及びバイアス回路が選択されると（登録または更新されると）、センサに接続可能な半導体装置１が決定する。ＡＦＥデータベース４２４から、センサに接続可能であり、かつ、設定した絞り込み条件に該当する半導体装置１が表示される。
The AFE list P320 displays a list of
ＡＦＥリストＰ３２０には、複数の欄に各半導体装置１の情報が表示される。図６４では、半導体装置１ごとに品番（Part Number）、説明（Description）、データシート（Datasheet）、パッケージタイプ（Package）、チャンネル数（Channels）、ＤＡＣ構成（DAC）、電源電圧（VDD）が表示される。データシートの欄にはＰＤＦアイコンが表示され、ＰＤＦアイコンをクリックするとデータシートのＰＤＦファイルが表示される。
In the AFE list P320, information of each
ＡＦＥリストＰ３２０に、センサ及びバイアス回路に適した半導体装置１を表示し、かつ、絞り込み条件に該当する半導体装置１を表示することにより、簡単な操作で所望の半導体装置１を選択することができる。ユーザ（センサベンダ）は、表示されている情報をもとにＡＦＥリストＰ３２０の中から使用する半導体装置１をクリックし選択する。図３１のＳ１０５のように、ＡＦＥリストＰ３２０からセンサを選択すると半導体装置１の回路情報が回路情報記憶部４２６の回路設定ファイルに記憶される。
By displaying the
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にセンサＡＦＥ接続画面を表示する（図３４のＳ３１）。図６５は、このセンサＡＦＥ接続画面の表示例である。図６５に示すように、ウェブシミュレータ画面Ｐ１００において「センサＡＦＥ接続」タブＰ１４が選択された場合、センサＡＦＥ接続画面Ｐ４００が表示される。
Next, the
センサＡＦＥ接続画面Ｐ４００は、上部にバイアス回路選択エリアＰ４０１を有する。バイアス回路選択エリアＰ４０１には、バイアス回路選択画面Ｐ２５０でセンサベンダが設定したバイアス回路を選択するためのタブが表示される。図６５では、「バイアス回路Ｂ１」タブＰ４０１ａと「バイアス回路Ｂ２」タブＰ４０１ｂが表示されている。「バイアス回路Ｂ１」タブＰ４０１ａをクリックすると、センサ及びバイアス回路Ｂ１と半導体装置１を接続する構成がセンサＡＦＥ接続画面Ｐ４００に表示されて、バイアス回路Ｂ１を含む回路の接続関係が設定可能となる。また、「バイアス回路Ｂ２」タブＰ４０１ｂをクリックすると、センサ及びバイアス回路Ｂ２と半導体装置１を接続する構成がセンサＡＦＥ接続画面Ｐ４００に表示されて、バイアス回路Ｂ２を含む回路の接続関係が設定可能となる。
The sensor AFE connection screen P400 has a bias circuit selection area P401 at the top. In the bias circuit selection area P401, a tab for selecting a bias circuit set by the sensor vendor on the bias circuit selection screen P250 is displayed. In FIG. 65, a “bias circuit B1” tab P401a and a “bias circuit B2” tab P401b are displayed. When the “bias circuit B1” tab P401a is clicked, the configuration for connecting the sensor and bias circuit B1 and the
センサＡＦＥ接続画面Ｐ４００では、左側に、自動接続とセンサベンダ推奨接続を選択する接続選択フレームＰ４１０が表示される。ここでは、自動接続のセンサ及びバイアス回路の接続状態を示す接続選択フレームＰ４１０ａ、センサベンダ推奨接続のセンサ及びバイアス回路の接続状態を示す接続選択フレームＰ４１０ｂが表示されている。接続選択フレームＰ４１０は、図４７のセンサ選択フレームＰ２１０と同様、センサ名表示エリアＰ４１１に選択されているセンサタイプ及びセンサの品番が表示され、「詳細設定」ボタンＰ４１２が表示される。 In the sensor AFE connection screen P400, a connection selection frame P410 for selecting automatic connection and sensor vendor recommended connection is displayed on the left side. Here, a connection selection frame P410a indicating the connection state of the automatically connected sensor and bias circuit, and a connection selection frame P410b indicating the connection state of the sensor and bias circuit recommended by the sensor vendor are displayed. In the connection selection frame P410, as in the sensor selection frame P210 of FIG. 47, the selected sensor type and sensor product number are displayed in the sensor name display area P411, and the “detailed setting” button P412 is displayed.
さらに、接続選択フレームＰ４１０には、バイアス回路の情報が表示される。接続選択フレームＰ４１０には、バイアスを設定するバイアスプルダウンメニューＰ４１３が表示される。例えば、バイアスプルダウンメニューＰ４１３には、選択したバイアス回路に応じてバイアスの供給方法のリストが表示され、ＶＤＤやＧＮＤなどの供給方法が選択できる。さらに、接続選択フレームＰ４１０には、選択したバイアス回路に応じた出力信号を表示する出力信号表示Ｐ４１４と、半導体装置１の入力端子を表示する入力端子表示Ｐ４１５とが、接続関係に対応して表示されている。
Further, information on the bias circuit is displayed in the connection selection frame P410. In the connection selection frame P410, a bias pull-down menu P413 for setting a bias is displayed. For example, the bias pull-down menu P413 displays a list of bias supply methods according to the selected bias circuit, and a supply method such as VDD or GND can be selected. Furthermore, in the connection selection frame P410, an output signal display P414 that displays an output signal corresponding to the selected bias circuit and an input terminal display P415 that displays the input terminal of the
センサＡＦＥ接続画面Ｐ４００では、接続選択フレームＰ４１０の右側に、半導体装置１の回路構成のイメージを示す半導体装置イメージＰ４２０が表示され、半導体装置イメージＰ４２０の各入力端子に対応する位置に入力端子プルダウンメニューＰ４３０が表示される。
In the sensor AFE connection screen P400, a semiconductor device image P420 indicating an image of the circuit configuration of the
半導体装置イメージＰ４２０は、半導体装置１の入出力端子と、半導体装置１の内部の各回路との接続関係が表示されている。半導体装置イメージＰ４２０は、図３で説明したような実際の半導体装置１の接続関係と対応して表示されている。
In the semiconductor device image P420, the connection relationship between the input / output terminals of the
入力端子プルダウンメニューＰ４３０には、各入力端子に接続されるセンサ及びバイアス回路の出力信号が表示される。入力端子プルダウンメニューＰ４３０をクリックしてセンサの出力信号を選択することができ、また、センサの出力信号表示Ｐ４１４のアイコンをプルダウンメニューＰ４３０へドラッグ操作して接続関係を設定することもできる。 In the input terminal pull-down menu P430, output signals of sensors and bias circuits connected to the respective input terminals are displayed. The output signal of the sensor can be selected by clicking the input terminal pull-down menu P430, and the connection relation can also be set by dragging the icon of the sensor output signal display P414 to the pull-down menu P430.
入力端子プルダウンメニューＰ４３０の上方には、センサと半導体装置１とを自動接続するための「自動接続」ボタンＰ４３１、センサベンダ推奨接続を設定するための「センサベンダ推奨接続」ボタンＰ４３２が表示される。
Above the input terminal pull-down menu P430, an “automatic connection” button P431 for automatically connecting the sensor and the
図３１のＳ１０６で説明したように、センサ及びバイアス回路が選択（登録／更新）されると、コンフィギュラブル・アンプ１１０の構成と接続関係が決定し、センサＡＦＥ接続画面Ｐ４００では、Ｓ１０６で決定した接続関係が自動的にデフォルトで表示される。「自動接続」ボタンＰ４３１をクリックすると、このデフォルトの接続関係が表示される。また、接続選択フレームＰ４１０の「詳細設定」ボタンＰ４１２によりセンサの設定を変更した場合に、「自動接続」ボタンＰ４３１をクリックすることにより、設定変更したセンサに対応して新たにセンサと半導体装置１とを自動的に接続する。
As described in S106 of FIG. 31, when the sensor and the bias circuit are selected (registered / updated), the configuration and connection relationship of the
「センサベンダ推奨接続」ボタンＰ４３２をクリックすると、センサベンダ推奨接続の接続関係をセンサベンダが設定可能となる。例えば、入力端子プルダウンメニューＰ４３０によりセンサと半導体装置１との接続関係を選択する。自動接続の接続関係を表示する場合とセンサベンダ推奨接続の接続関係を表示する場合とで、接続を示す線や文字を別の色で表示するようにしてもよい。センサＡＦＥ接続画面Ｐ４００の右下には、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ４０２が表示されており、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ４０２をクリックすると、図３４のＳ３３で説明したように、選択した接続関係が回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂに記憶される。
When the “sensor vendor recommended connection” button P432 is clicked, the sensor vendor can set the connection relationship of the sensor vendor recommended connection. For example, the connection relationship between the sensor and the
図６５の例の接続関係を説明する。自動接続の接続選択フレームＰ４１０ａでは圧力センサとバイアス回路の選択により２出力であり、この２出力とコンフィギュラブル・アンプ１１０の個別アンプとが自動的に接続される。具体的には、圧力センサの出力信号（出力端子）Ｓ＿１が半導体装置１の入力端子ＭＰＸＩＮ４０に接続され、圧力センサの出力信号（出力端子）Ｓ＿２が半導体装置１の入力端子ＭＰＸＩＮ２０に接続されている。半導体装置１では、ＭＰＸＩＮ４０がＣＨ２のＡＭＰ（コンフィギュラブル・アンプ１１０の個別アンプＡＭＰ２）の非反転入力端子に接続され、ＭＰＸＩＮ２０がＣＨ１のＡＭＰ（コンフィギュラブル・アンプ１１０の個別アンプＡＭＰ１）の非反転入力端子に接続されている。ＣＨ１〜ＣＨ３は計装アンプ（Instrumentation）を構成し、圧力センサの出力信号Ｓ＿１及びＳ＿２は、この計装アンプにより増幅されて出力端子ＡＭＰ３＿ＯＵＴから出力される。また、この例では、ベンダ推奨接続でも同様の接続関係となっている。
The connection relationship in the example of FIG. 65 will be described. In the connection selection frame P410a for automatic connection, there are two outputs by selecting the pressure sensor and the bias circuit, and these two outputs and the individual amplifiers of the
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にシミュレーション画面を表示する（図３６のＳ２０１）。図６６は、このシミュレーション画面の表示例である。図６６に示すように、ウェブシミュレータ画面Ｐ１００において「シミュレーション」タブＰ１５が選択された場合、シミュレーション画面Ｐ５００が表示される。シミュレーション画面Ｐ５００は、シミュレーションの各種設定のための表示と、シミュレーション実行結果とを表示することができ、図６６は、シミュレーション実行前の状態を示している。
Next, the
シミュレーション画面Ｐ５００は、左上部にバイアス回路選択エリアＰ５０１を有する。バイアス回路選択エリアＰ５０１には、図６５のセンサＡＦＥ接続画面Ｐ４００のバイアス回路選択エリアＰ４０１と同様、バイアス回路選択画面Ｐ２５０でセンサベンダが設定したバイアス回路を選択するためのタブが表示される。図６６では、「バイアス回路Ｂ１」タブＰ５０１ａと「バイアス回路Ｂ２」タブＰ５０１ｂが表示されている。「バイアス回路Ｂ１」タブＰ５０１ａをクリックすると、センサ及びバイアス回路Ｂ１と半導体装置１を接続する構成がシミュレーション画面Ｐ５００に表示されて、バイアス回路Ｂ１を含む回路の設定及びシミュレーションが可能となる。また、「バイアス回路Ｂ２」タブＰ５０１ｂをクリックすると、センサ及びバイアス回路Ｂ２と半導体装置１を接続する構成がシミュレーション画面Ｐ５００に表示されて、バイアス回路Ｂ２を含む回路の設定及びシミュレーションが可能となる。
The simulation screen P500 has a bias circuit selection area P501 at the upper left. In the bias circuit selection area P501, as in the bias circuit selection area P401 on the sensor AFE connection screen P400 of FIG. 65, a tab for selecting a bias circuit set by the sensor vendor on the bias circuit selection screen P250 is displayed. In FIG. 66, a “bias circuit B1” tab P501a and a “bias circuit B2” tab P501b are displayed. When the “bias circuit B1” tab P501a is clicked, a configuration for connecting the sensor and bias circuit B1 and the
シミュレーション画面Ｐ５００では、左側に、自動接続とセンサベンダ推奨接続を選択する接続選択フレーム（タブ）Ｐ５１０が表示される。ここでは、自動接続のセンサ及びバイアス回路の接続状態を示す接続選択フレーム（自動接続タブ）Ｐ５１０ａ、センサベンダ推奨接続のセンサ及びバイアス回路の接続状態を示す接続選択フレーム（センサベンダ推奨接続タブ）Ｐ５１０ｂが表示されている。 On the simulation screen P500, a connection selection frame (tab) P510 for selecting automatic connection and sensor vendor recommended connection is displayed on the left side. Here, a connection selection frame (automatic connection tab) P510a indicating the connection status of the automatically connected sensor and bias circuit, a connection selection frame (sensor vendor recommended connection tab) P510b indicating the connection status of the sensor and bias circuit recommended sensor vendor connection. Is displayed.
接続選択フレームＰ５１０は、図６５の接続選択フレームＰ４１０と同様、センサ名表示エリアＰ５１１に選択されているセンサタイプ及びセンサの品番が表示され、バイアス供給方法Ｐ５１３、出力信号と入力端子の接続関係Ｐ５１４、「詳細設定」ボタンＰ５１６が表示される。また、接続選択フレームＰ５１０には、設定されている物理量の入力パターンのイメージを示す入力波形イメージＰ５１２、設定されているバイアス回路の回路イメージを示すバイアス回路イメージＰ５１５が表示される。 As in the connection selection frame P410 of FIG. 65, the connection selection frame P510 displays the selected sensor type and the sensor part number in the sensor name display area P511, the bias supply method P513, and the connection relationship P514 between the output signal and the input terminal. , “Detailed setting” button P516 is displayed. Further, in the connection selection frame P510, an input waveform image P512 showing an image of an input pattern of a set physical quantity and a bias circuit image P515 showing a circuit image of a set bias circuit are displayed.
シミュレーション画面Ｐ５００では、接続選択フレームＰ５１０の右側に、半導体装置１の各回路を設定する半導体装置設定エリアＰ５２０が表示される。半導体装置設定エリアＰ５２０には、半導体装置１の構成に対応した回路ブロックが表示される。
On the simulation screen P500, a semiconductor device setting area P520 for setting each circuit of the
個別アンプブロックＰ５２１〜Ｐ５２３は、半導体装置１のコンフィギュラブル・アンプ１１０のＣＨ１〜ＣＨ３の個別アンプＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の設定を行うための設定メニューを表示する。個別アンプブロックＰ５２１〜Ｐ５２３では、「AMP Enable」チェックボックスによりアンプのオン／オフを設定し、「Config」プルダウンメニューによりアンプの構成を設定し、「Gain」プルダウンメニューによりアンプのゲインを設定し、「DAC Enable」チェックボックスによりＤＡＣのオン／オフを設定し、「DAC」プルダウンメニューによりＤＡＣの出力電圧を設定する。
The individual amplifier blocks P521 to P523 display a setting menu for setting the individual amplifiers AMP1 to AMP3 of CH1 to CH3 of the
例えば、「Config」プルダウンメニューでは、「Differential」を選択するとアンプの構成が差動アンプとなり、「Inverting」を選択するとアンプの構成が反転アンプとなり、「Non-Inverting」を選択するとアンプの構成が非反転アンプとなり、「I/V」を選択するとアンプの構成がＩＶアンプとなる。この例では、「InstAMP」（計装アンプ）が選択されている。また、図３８の自動設定処理で説明したように、選択されたアンプ及びバイアス回路に応じて、アンプのゲイン及びオフセット自動設定される。個別アンプブロックＰ５２１〜Ｐ５２３では、自動設定処理により設定されたゲイン及びＤＡＣ出力電圧がデフォルトで表示される。 For example, in the “Config” pull-down menu, selecting “Differential” selects the differential amplifier configuration, selecting “Inverting” selects the inverted amplifier configuration, and selecting “Non-Inverting” configures the amplifier configuration. When it is a non-inverting amplifier and “I / V” is selected, the amplifier configuration is an IV amplifier. In this example, “InstAMP” (instrumentation amplifier) is selected. Further, as described in the automatic setting process of FIG. 38, the gain and offset of the amplifier are automatically set according to the selected amplifier and bias circuit. In the individual amplifier blocks P521 to P523, the gain and the DAC output voltage set by the automatic setting process are displayed by default.
また、個別アンプブロックＰ５２１〜Ｐ５２３の「Ｚｏｏｍ」をクリックすると、アンプのブロック図を参照しながら各種設定が可能である。具体的には、図６７のように、アンプ設定画面Ｐ６００をポップアップ表示し設定する。アンプ設定画面Ｐ６００では、実際の半導体装置１のアンプと同じ回路イメージが表示され、例えば、図８で示したアンプの回路構成が表示される。
In addition, by clicking “Zoom” in the individual amplifier blocks P521 to P523, various settings can be made with reference to the block diagram of the amplifier. Specifically, as shown in FIG. 67, the amplifier setting screen P600 is popped up and set. On the amplifier setting screen P600, the same circuit image as the amplifier of the
アンプ設定画面Ｐ６００では、プルダウンメニューＰ６０１〜Ｐ６０４によりアンプの入力端子、出力端子の接続先が設定され、プルダウンメニューＰ６０５によりアンプのゲインが設定され、プルダウンメニューＰ６０６〜Ｐ６０８により入力抵抗の有無、ＤＡＣの接続が設定され、チェックボックスＰ６０９及びプルダウンメニューＰ６１０によりＤＡＣのオン／オフと出力電圧が設定される。アンプ設定画面Ｐ６００の右下には、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ６２０が表示されており、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ６２０をクリックすると、図３６のＳ２０６で説明したように、設定したアンプの構成及び特性が回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂに記憶される。
In the amplifier setting screen P600, connection destinations of amplifier input terminals and output terminals are set by pull-down menus P601 to P604, amplifier gains are set by pull-down menu P605, presence / absence of input resistance, DAC The connection is set, and the on / off of the DAC and the output voltage are set by the check box P609 and the pull-down menu P610. A “Save” button P620 is displayed on the lower right side of the amplifier setting screen P600. When the “Save” button P620 is clicked, as described in S206 of FIG. 36, the configuration and characteristics of the set amplifier are circuit information. The data is stored in the vendor
図６６のゲインアンプブロックＰ５２４は、半導体装置１の増幅アンプ１２０の設定を行うための設定メニューを表示する。ゲインアンプブロックＰ５２４では、個別アンプブロックＰ５２１〜Ｐ５２３と同様にアンプの設定を行う。ゲインアンプブロックＰ５２４では、「AMP Enable」チェックボックスによりアンプのオン／オフを設定し、「Gain」プルダウンメニューによりアンプのゲインを設定し、「DAC Enable」チェックボックスによりＤＡＣのオン／オフを設定し、「DAC」プルダウンメニューによりＤＡＣの出力電圧を設定する。
The gain amplifier block P524 in FIG. 66 displays a setting menu for setting the
フィルタブロックＰ５２５は、半導体装置１のローパス・フィルタ１３０及びハイパス・フィルタ１４０の設定を行うための設定メニューを表示する。フィルタブロックＰ５２５では、「Order」プルダウンメニューにより、フィルタ回路の通過順序を設定し「LPF Enable」チェックボックスによりローパス・フィルタのオン／オフを設定し、「LPF Cutoff」プルダウンメニューにより、ローパス・フィルタのカットオフ周波数を設定し、「HPF Enable」チェックボックスによりハイパス・フィルタのオン／オフを設定し、「HPF Cutoff」プルダウンメニューにより、ハイパス・フィルタのカットオフ周波数を設定する。
The filter block P525 displays a setting menu for setting the low-
例えば、「Order」プルダウンメニューでは、「LPF」を選択すると、ローパス・フィルタのみ通過する構成となり、「HPF」を選択すると、ハイパス・フィルタのみ通過する構成となり、「LPF→HPF」を選択すると、ローパス・フィルタ、ハイパス・フィルタの順に通過する構成となり、「HPF→LPF」を選択した場合、 ハイパス・フィルタ、ローパス・フィルタの順に通過する構成となる。 For example, in the “Order” pull-down menu, when “LPF” is selected, only the low-pass filter is passed. When “HPF” is selected, only the high-pass filter is passed. When “LPF → HPF” is selected, The low-pass filter and the high-pass filter are passed in this order. When “HPF → LPF” is selected, the high-pass filter and the low-pass filter are passed in this order.
ＤＡＣブロックＰ５２６は、各アンプに接続されるＤＡＣの基準電圧の設定を行うための設定メニューを表示する。ＤＡＣブロックＰ５２６では、「DACVRT」プルダウンメニューにより、ＤＡＣの設定電圧上限値を設定し、「DACVRB」プルダウンメニューにより、ＤＡＣの設定電圧下限値を設定する。 The DAC block P526 displays a setting menu for setting the reference voltage of the DAC connected to each amplifier. In the DAC block P526, the DAC setting voltage upper limit value is set by the “DACVRT” pull-down menu, and the DAC setting voltage lower limit value is set by the “DACVRB” pull-down menu.
可変レギュレータブロックＰ５２７は、半導体装置１の可変レギュレータ１５０の設定を行うための設定メニューを表示する。可変レギュレータブロックＰ５２７では、「Enable」チェックボックスにより、可変レギュレータのオン／オフを設定し、「LDO」プルダウンメニューには、可変レギュレータの出力電圧を設定する。
The variable regulator block P527 displays a setting menu for setting the
温度センサブロックＰ５２８、半導体装置１の温度センサ１６０の設定を行うための設定メニューを表示する。温度センサブロックＰ５２８では、「Enable」チェックボックスにより、温度センサのオン／オフを設定する。汎用アンプブロックＰ５２９は、半導体装置１の汎用アンプ１７０の設定を行うための設定メニューを表示する温度センサブロックＰ５２８では、「Enable」チェックボックスにより、汎用アンプのオン／オフを設定する。
A setting menu for setting the temperature sensor block P528 and the
半導体装置設定エリアＰ５２０の右下には、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ５０２が表示されており、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ５０２をクリックすると、図３６のＳ２０６で説明したように、設定したアンプの構成及び特性が回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂに記憶される。
A “Save” button P502 is displayed at the lower right of the semiconductor device setting area P520. When the “Save” button P502 is clicked, the configuration and characteristics of the set amplifier are displayed as described in S206 of FIG. The information is stored in the vendor
半導体装置設定エリアＰ５２０の上部領域には、各回路の共通設定エリアＰ５３０が表示される。共通設定エリアＰ５３０には、「VDD」プルダウンメニューにより電源電圧を設定し、「Amp Mode」プルダウンメニューによりアンプモードを設定し、「Temperature」入力ボックスにより半導体装置１の温度が設定できる。「Amp Mode」プルダウンメニューでは、アンプ動作モードとして高速モードを示す「High」や低速モードを示す「Low」を選択する。
A common setting area P530 for each circuit is displayed in the upper area of the semiconductor device setting area P520. In the common setting area P530, the power supply voltage can be set by the “VDD” pull-down menu, the amplifier mode can be set by the “Amp Mode” pull-down menu, and the temperature of the
共通設定エリアＰ５３０の上方には、シミュレーションを実行するためのボタンＰ５３１〜Ｐ５３６が表示されている。「自動設定」ボタンＰ５３１は、図３８の自動設定処理を実行するためのボタンである。接続選択フレームＰ５１０の「詳細設定」ボタンＰ５１６により設定変更した場合に、「自動設定」ボタンＰ５３１をクリックすることにより、設定変更したセンサに対応した構成でアンプのゲイン及びオフセットを調整し、アンプのゲイン及びＤＡＣ出力電圧を自動的に設定する。 Buttons P531 to P536 for executing a simulation are displayed above the common setting area P530. The “automatic setting” button P531 is a button for executing the automatic setting process of FIG. When the setting is changed by the “detailed setting” button P516 of the connection selection frame P510, by clicking the “automatic setting” button P531, the gain and offset of the amplifier are adjusted with the configuration corresponding to the changed sensor, and the amplifier Gain and DAC output voltage are set automatically.
「解析の設定」ボタンＰ５３２は、図３６のＳ２０４でシミュレーションパラメータを入力するためのボタンである。例えば、「解析の設定」ボタンＰ５３２をクリックすると、設定可能なパラメータの一覧がポップアップ表示され、各パラメータを設定する。図３６のＳ２０４で説明したように、設定したパラメータがパラメータ記憶部４２７に記憶される。
The “analysis setting” button P532 is a button for inputting simulation parameters in S204 of FIG. For example, when the “analysis setting” button P532 is clicked, a list of parameters that can be set pops up, and each parameter is set. As described in S204 of FIG. 36, the set parameters are stored in the
「過渡解析」ボタンＰ５３３は、図４１の過渡解析処理を実行するためのボタンである。「過渡解析」ボタンＰ５３３をクリックすると、図４１で説明したように、設定された回路情報及びパラメータをシミュレーション条件として、半導体装置１に物理量を時系列で入力した場合の動作をシミュレーションし、シミュレーションした結果をシミュレーション画面Ｐ５００に表示する。
The “transient analysis” button P533 is a button for executing the transient analysis processing of FIG. When the “transient analysis” button P533 is clicked, as described with reference to FIG. 41, the operation when a physical quantity is input to the
「ＡＣ解析」ボタンＰ５３４は、図４２のＡＣ解析処理を実行するためのボタンである。「ＡＣ解析」ボタンＰ５３４をクリックすると、図４２で説明したように、設定された回路情報及びパラメータをシミュレーション条件として、半導体装置１に周波数ごとに物理量を入力した場合の動作をシミュレーションし、シミュレーションした結果をシミュレーション画面Ｐ５００に表示する。
The “AC analysis” button P534 is a button for executing the AC analysis processing of FIG. When the “AC analysis” button P534 is clicked, as described with reference to FIG. 42, the operation when a physical quantity is input to the
「フィルタ効果」ボタンＰ５３５は、図４３のフィルタ効果解析処理を実行するためのボタンである。「フィルタ効果」ボタンＰ５３５をクリックすると、図４３で説明したように、設定された回路情報及びパラメータをシミュレーション条件として、半導体装置１にノイズを付加した物理量を入力した場合の動作をシミュレーションし、シミュレーションした結果をシミュレーション画面Ｐ５００に表示する。
The “filter effect” button P535 is a button for executing the filter effect analysis process of FIG. When the “filter effect” button P535 is clicked, as described with reference to FIG. 43, the operation when a physical quantity added with noise is input to the
「同期検波回路」ボタンＰ５３６は、図４４の同期検波解析処理を実行するためのボタンである。「同期検波回路」ボタンＰ５３６をクリックすると、図４４で説明したように、設定された回路情報及びパラメータをシミュレーション条件として、半導体装置１に物理量及び同期信号を入力した場合の動作をシミュレーションし、シミュレーションした結果をシミュレーション画面Ｐ５００に表示する。
The “synchronous detection circuit” button P536 is a button for executing the synchronous detection analysis process of FIG. When the “synchronous detection circuit” button P536 is clicked, as described with reference to FIG. 44, the operation when a physical quantity and a synchronization signal are input to the
図６８Ａ〜図６８Ｃは、図６６のシミュレーション画面Ｐ５００に接続選択フレームＰ５１０ａ（自動接続タブ）選択時の過渡解析結果が追加表示された場合の表示例である。なお、図６８Ａ〜図６８Ｃは、連続して表示される画面を分割して図示している。 68A to 68C are display examples when the transient analysis result when the connection selection frame P510a (automatic connection tab) is selected is additionally displayed on the simulation screen P500 of FIG. 68A to 68C divide and display continuously displayed screens.
図６８Ａ〜図６８Ｃに示すように、図６６のシミュレーション画面Ｐ５００において、自動接続の接続選択フレームＰ５１０ａをクリックし、「過渡解析」ボタンＰ５３３をクリックし過渡解析処理を実行すると、シミュレーション画面Ｐ５００には、半導体装置設定エリアＰ５２０の下側に過渡解析結果Ｐ７００が表示される。 As shown in FIGS. 68A to 68C, when the connection selection frame P510a for automatic connection is clicked on the simulation screen P500 of FIG. 66 and the “transient analysis” button P533 is clicked to execute the transient analysis processing, the simulation screen P500 The transient analysis result P700 is displayed below the semiconductor device setting area P520.
過渡解析結果Ｐ７００では、結果グラフＰ７０１〜Ｐ７０５にそれぞれシミュレーション結果の信号波形がまとめて表示される。結果グラフＰ７０１は、センサの出力信号の波形をまとめて表示する。例えば、過渡解析結果Ｐ７００は、自動接続の構成のシミュレーション結果である。図６８Ｂの結果グラフＰ７０１では、センサの出力信号ＳＥＮＳＥ＿ＯＵＴ１及びＳＥＮＳＥ＿ＯＵＴ２（センサの出力信号Ｓ＿１及びＳ＿２）が表示されている。 In the transient analysis result P700, the signal waveforms of the simulation results are collectively displayed in the result graphs P701 to P705. The result graph P701 displays the waveforms of the sensor output signals together. For example, the transient analysis result P700 is a simulation result of an automatic connection configuration. In the result graph P701 in FIG. 68B, sensor output signals SENSE_OUT1 and SENSE_OUT2 (sensor output signals S_1 and S_2) are displayed.
結果グラフＰ７０２は、アンプの出力信号の波形をまとめて表示する。図６８Ｂの結果グラフＰ７０２では、ＡＭＰ３＿ＯＵＴ及びＡＭＰ１＿ＯＵＴ（ＣＨ３及びＣＨ１のアンプの出力信号）が表示されている。 The result graph P702 displays the waveform of the output signal of the amplifier together. In the result graph P702 of FIG. 68B, AMP3_OUT and AMP1_OUT (output signals of the amplifiers of CH3 and CH1) are displayed.
結果グラフＰ７０３は、ゲインアンプとフィルタの出力信号の波形をまとめて表示する。図６８Ｂの結果グラフＰ７０３では、ＨＰＦ＿ＯＵＴ（ハイパス・フィルタの出力信号）、ＬＰＦ＿ＯＵＴ（ローパス・フィルタの出力信号）、ＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴ（同期検波回路の出力信号）、ＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴ（ゲインアンプの出力信号）が表示されている。 A result graph P703 collectively displays the waveforms of the output signals of the gain amplifier and the filter. In the result graph P703 of FIG. 68B, HPF_OUT (high-pass filter output signal), LPF_OUT (low-pass filter output signal), SYNCH_OUT (synchronous detection circuit output signal), and GAINAMP_OUT (gain amplifier output signal) are displayed. Yes.
結果グラフＰ７０４は、ＤＡＣとその他の出力信号の波形をまとめて表示する。図６８Ｂの結果グラフＰ７０４では、ＴＥＭＰ＿ＯＵＴ（温度センサの出力信号）、ＬＤＯ＿ＯＵＴ（電源レギュレータの出力信号）、ＤＡＣ４＿ＯＵＴ、ＤＡＣ３＿ＯＵＴ及びＤＡＣ１＿ＯＵＴ（ＤＡＣ４，ＤＡＣ３及びＤＡＣ１の出力信号）が表示されている。 The result graph P704 collectively displays the DAC and other output signal waveforms. In the result graph P704 of FIG. 68B, TEMP_OUT (output signal of the temperature sensor), LDO_OUT (output signal of the power supply regulator), DAC4_OUT, DAC3_OUT, and DAC1_OUT (output signals of DAC4, DAC3, and DAC1) are displayed.
結果グラフＰ７０５は、全ての出力信号の波形をまとめて表示する。図６８Ｃの結果グラフＰ７０５では、結果グラフＰ７０１〜Ｐ７０４に表示された、ＴＥＭＰ＿ＯＵＴ、ＬＤＯ＿ＯＵＴ、ＤＡＣ４＿ＯＵＴ、ＤＡＣ３＿ＯＵＴ、ＤＡＣ１＿ＯＵＴ、ＨＰＦ＿ＯＵＴ、ＬＰＦ＿ＯＵＴ、ＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴ、ＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴ、ＡＭＰ３＿ＯＵＴ、ＡＭＰ１＿ＯＵＴ、ＳＥＮＳＥ＿ＯＵＴ２、ＳＥＮＳＥ＿ＯＵＴ１が表示されている。 The result graph P705 displays all output signal waveforms together. 68C, TEMP_OUT, LDO_OUT, DAC4_OUT, DAC3_OUT, DAC1_OUT, HPF_OUT, LPF_OUT, SYNCH_OUT, GAINAMP_OUT, AMP3_OUT, AMP1_OUT, and SENSE_OUT1 are displayed in the result graphs P701 to P704.
図６９Ａ〜図６９Ｃは、図６６のシミュレーション画面Ｐ５００に接続選択フレームＰ５１０ｂ（センサベンダ推奨接続タブ）選択時の過渡解析結果が追加表示された場合の表示例である。なお、図６９Ａ〜図６９Ｃは、連続して表示される画面を分割して図示している。 69A to 69C are display examples when the transient analysis result when the connection selection frame P510b (sensor vendor recommended connection tab) is selected is additionally displayed on the simulation screen P500 of FIG. 69A to 69C show the screens that are continuously displayed by dividing them.
図６９Ａ〜図６９Ｃ示すように、図６６または図６８Ａ〜図６８Ｃのシミュレーション画面Ｐ５００において、センサベンダ推奨接続の接続選択フレームＰ５１０ｂをクリックし、さらに「過渡解析」ボタンＰ５３３をクリックし過渡解析処理を実行すると、シミュレーション画面Ｐ５００には、半導体装置設定エリアＰ５２０の下側に過渡解析結果Ｐ７１０が表示される。 69A to 69C, on the simulation screen P500 of FIG. 66 or 68A to 68C, the connection selection frame P510b of the sensor vendor recommended connection is clicked, and the “transient analysis” button P533 is further clicked to perform the transient analysis processing. When executed, a transient analysis result P710 is displayed below the semiconductor device setting area P520 on the simulation screen P500.
過渡解析結果Ｐ７１０は、過渡解析結果Ｐ７００と同様に、結果グラフＰ７１１〜Ｐ７１５にそれぞれシミュレーション結果の信号波形がまとめて表示される。例えば、過渡解析結果Ｐ７００は自動接続の構成のシミュレーション結果であり、過渡解析結果Ｐ７１０はセンサベンダ推奨接続の構成のシミュレーション結果である。 In the transient analysis result P710, similarly to the transient analysis result P700, the signal waveforms of the simulation results are collectively displayed in the result graphs P711 to P715. For example, the transient analysis result P700 is a simulation result of the automatic connection configuration, and the transient analysis result P710 is a simulation result of the sensor vendor recommended connection configuration.
図６９Ｂの結果グラフＰ７１１では、センサの出力信号ＳＥＮＳＥ＿ＯＵＴ１が表示されている。図６９Ｂの結果グラフＰ７１２では、ＡＭＰ３＿ＯＵＴ及びＡＭＰ２＿ＯＵＴが表示されている。図６９Ｂの結果グラフＰ７１３では、ＨＰＦ＿ＯＵＴ、ＬＰＦ＿ＯＵＴ、ＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴ、ＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴが表示されている。図６９Ｂの結果グラフＰ７１４では、ＴＥＭＰ＿ＯＵＴ、ＬＤＯ＿ＯＵＴ、ＤＡＣ４＿ＯＵＴ、ＤＡＣ３＿ＯＵＴ及びＤＡＣ２＿ＯＵＴが表示されている。図６９Ｃの結果グラフＰ７１５では、結果グラフＰ７１１〜Ｐ７１４に表示された、ＴＥＭＰ＿ＯＵＴ、ＬＤＯ＿ＯＵＴ、ＤＡＣ４＿ＯＵＴ、ＤＡＣ３＿ＯＵＴ、ＤＡＣ２＿ＯＵＴ、ＨＰＦ＿ＯＵＴ、ＬＰＦ＿ＯＵＴ、ＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴ、ＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴ、ＡＭＰ３＿ＯＵＴ、ＡＭＰ２＿ＯＵＴ、ＳＥＮＳＥ＿ＯＵＴ１が表示されている。 In the result graph P711 of FIG. 69B, the sensor output signal SENSE_OUT1 is displayed. In the result graph P712 of FIG. 69B, AMP3_OUT and AMP2_OUT are displayed. In the result graph P713 of FIG. 69B, HPF_OUT, LPF_OUT, SYNCH_OUT, and GAINAMP_OUT are displayed. In the result graph P714 of FIG. 69B, TEMP_OUT, LDO_OUT, DAC4_OUT, DAC3_OUT, and DAC2_OUT are displayed. 69C, TEMP_OUT, LDO_OUT, DAC4_OUT, DAC3_OUT, DAC2_OUT, HPF_OUT, LPF_OUT, SYNCH_OUT, GAINAMP_OUT, AMP3_OUT, AMP2_OUT, and SENSE_OUT1 are displayed in the result graphs P711 to P714.
図７０は、図４３のフィルタ効果解析処理の結果として表示される結果グラフの表示例である。「フィルタ効果」ボタンＰ５３５をクリックしフィルタ効果解析処理を実行すると、シミュレーション画面Ｐ５００の下側にフィルタ効果結果画面が表示される。フィルタ効果結果画面には、過渡解析結果と同様に複数の結果グラフが表示され、その結果グラフの一つとして図７０の結果グラフＰ７２０が表示される。 FIG. 70 is a display example of a result graph displayed as a result of the filter effect analysis process of FIG. When the “filter effect” button P535 is clicked to execute the filter effect analysis process, a filter effect result screen is displayed below the simulation screen P500. A plurality of result graphs are displayed on the filter effect result screen in the same manner as the transient analysis results, and a result graph P720 of FIG. 70 is displayed as one of the result graphs.
結果グラフＰ７２０では、ノイズを含むセンサのセンサ出力信号Ｐ７２１、センサ出力信号Ｐ７２１をアンプにより増幅したアンプ出力信号Ｐ７２２、アンプ出力信号Ｐ７２２をフィルタによりノイズを除去したフィルタ出力信号Ｐ７２３をまとめて（重ねて）表示する。フィルタ適用前のセンサ出力信号Ｐ７２１及びアンプ出力信号Ｐ７２２と、フィルタ適用後のフィルタ出力信号Ｐ７２３とを重ねて表示することで、フィルタ前後の波形を簡易に比較でき、フィルタの効果を一目で確認することができる。 In the result graph P720, the sensor output signal P721 of the sensor including noise, the amplifier output signal P722 obtained by amplifying the sensor output signal P721 using an amplifier, and the filter output signal P723 obtained by removing the noise from the amplifier output signal P722 using a filter are collectively (overlapped). )indicate. By superimposing and displaying the sensor output signal P721 and amplifier output signal P722 before applying the filter and the filter output signal P723 after applying the filter, the waveforms before and after the filter can be easily compared, and the effect of the filter can be confirmed at a glance. be able to.
従来、フィルタの効果を確認するためには、横軸を周波数軸として周波数特性により確認していたため、フィルタの効果が視覚的に分かり難かった。これに対し、図７０のように表示することで、ユーザがフィルタ効果をすぐに確認できるため、ユーザにとって利便性が高い。 Conventionally, in order to confirm the effect of a filter, since the horizontal axis is a frequency axis, the frequency characteristic is confirmed, so that the filter effect is difficult to visually understand. On the other hand, since the user can immediately confirm the filter effect by displaying as shown in FIG. 70, the convenience for the user is high.
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５に部品リスト画面を表示する（図３１のＳ１１０）。図７１は、この部品リスト画面の表示例である。図７１に示すように、ウェブシミュレータ画面Ｐ１００において、「部品リスト」タブＰ１６が選択された場合、部品リスト画面Ｐ８００が表示される。
Next, the
部品リスト画面Ｐ８００には、部品購入先を選択するタブＰ８１０、Ｐ８２０が表示される。「Chip1Stop」タブＰ８１０を選択すると、部品リストＰ８１１が表示される。部品リストＰ８１１には、センサベンダが登録／更新したセンサ、シミュレーションで選択した半導体装置１の一覧が表示される。部品リストＰ８１１では、複数の欄に各部品の情報が表示される。図７１では、部品ごとに、部品名（Ref）、部品数（Qty）、品番（Find Part Number）、メーカ（Manufacturer）、説明（Description）、価格（In Stock-Price）が表示されている。「CHECKOUT」ボタンＰ８２２をクリックすることで、部品を購入することができる。
On the parts list screen P800, tabs P810 and P820 for selecting parts purchase destinations are displayed. When the “Chip1Stop” tab P810 is selected, a parts list P811 is displayed. The parts list P811 displays a list of sensors registered / updated by the sensor vendor and the
次いで、ウェブシミュレータ４は、センサベンダ端末５にレポート画面を表示する（図３１のＳ１１２）。図７２Ａ〜図７２Ｆは、このレポート画面の表示例である。なお、図７２Ａ〜図７２Ｆは、連続して表示される画面を分割して図示している。図７２Ａ〜図７２Ｆに示すように、ウェブシミュレータ画面Ｐ１００において、「レポート」タブＰ１７が選択された場合、レポート画面Ｐ９００が表示される。
Next, the
レポート画面Ｐ９００は、上部にバイアス回路選択エリアＰ９０３を有する。バイアス回路選択エリアＰ９０３には、バイアス回路選択画面Ｐ２５０でセンサベンダが設定したバイアス回路を選択するためのタブが表示される。図７２Ａでは、「バイアス回路Ｂ１」タブＰ９０３ａと「バイアス回路Ｂ２」タブＰ９０３ｂが表示されている。「バイアス回路Ｂ１」タブＰ９０３ａをクリックすると、センサ及びバイアス回路Ｂ１と半導体装置１を接続した構成のシミュレーション結果等がレポート画面Ｐ９００に表示される。また、「バイアス回路Ｂ２」タブＰ９０３ｂをクリックすると、センサ及びバイアス回路Ｂ２と半導体装置１を接続した構成のシミュレーション結果等がレポート画面Ｐ９００に表示される。
The report screen P900 has a bias circuit selection area P903 at the top. In the bias circuit selection area P903, a tab for selecting a bias circuit set by the sensor vendor on the bias circuit selection screen P250 is displayed. In FIG. 72A, a “bias circuit B1” tab P903a and a “bias circuit B2” tab P903b are displayed. When the “bias circuit B1” tab P903a is clicked, a simulation result of a configuration in which the sensor and bias circuit B1 and the
レポート画面Ｐ９００では、バイアス回路選択エリアＰ９０３の下に、シミュレーションで使用した半導体装置を識別するための半導体装置識別エリアＰ９０１が表示される。半導体装置識別エリアＰ９０１には、ＡＦＥ選択画面で選択されてシミュレーションが行われた半導体装置１の品番が表示される。図７２Ａの例では、半導体装置識別エリアＰ９０１に選択された半導体装置１の品番「RAA730500Z」が表示されている。
On the report screen P900, a semiconductor device identification area P901 for identifying the semiconductor device used in the simulation is displayed below the bias circuit selection area P903. In the semiconductor device identification area P901, the product number of the
また、半導体装置識別エリアＰ９０１の右側には、ＰＤＦアイコンＰ９０２が表示されている。ＰＤＦアイコンＰ９０２をクリックすると、レポート画面Ｐ９００全体をＰＤＦ形式の１つのファイルとしたＰＤＦファイルがセンサベンダ端末５（ユーザ端末３）にダウンロードされる。すなわち、レポート画面Ｐ９００に表示される、半導体装置識別エリアＰ９０１、センサ表示エリアＰ９１０、レジスタ表示エリアＰ９２０、接続表示エリアＰ９３０、スマートアナログ表示エリアＰ９４０、部品リスト表示エリアＰ９５０、結果表示エリアＰ９６０の全体が１つのＰＤＦファイルに含まれてダウンロードされる。 A PDF icon P902 is displayed on the right side of the semiconductor device identification area P901. When the PDF icon P902 is clicked, a PDF file having the entire report screen P900 as one file in the PDF format is downloaded to the sensor vendor terminal 5 (user terminal 3). That is, the entire semiconductor device identification area P901, sensor display area P910, register display area P920, connection display area P930, smart analog display area P940, parts list display area P950, and result display area P960 displayed on the report screen P900. It is included in one PDF file and downloaded.
レポート画面Ｐ９００では、半導体装置識別エリアＰ９０１の下にセンサ表示エリアＰ９１０が表示される。センサ表示エリアＰ９１０は、センサ選択画面でセンサベンダが登録／更新し、シミュレーションが行われたセンサについて、センサタイプ及び品番、メーカが表示され、さらに、バイアス回路選択画面でセンサベンダが登録／更新し、シミュレーションが行われたバイアス回路がセンサごとに表示される。図７２Ａの例では、センサ表示エリアＰ９１０に、センサベンダが登録／更新した圧力センサ及びバイアス回路が表示されている。 In the report screen P900, a sensor display area P910 is displayed below the semiconductor device identification area P901. In the sensor display area P910, the sensor type is registered / updated by the sensor vendor on the sensor selection screen, and the sensor type, product number, and manufacturer are displayed for the simulated sensor, and the sensor vendor is registered / updated on the bias circuit selection screen. The simulated bias circuit is displayed for each sensor. In the example of FIG. 72A, the pressure sensor and the bias circuit registered / updated by the sensor vendor are displayed in the sensor display area P910.
レポート画面Ｐ９００では、センサ表示エリアＰ９１０の下にレジスタ表示エリアＰ９２０が表示される。レジスタ表示エリアＰ９２０には、センサごとにレジスタ情報Ｐ９２１、「ダウンロード」ボタンＰ９２２が表示される。「ダウンロード」ボタンＰ９２２をクリックするとレジスタ情報Ｐ９２１に表示されているレジスタ情報がセンサベンダ端末５（ユーザ端末３）にダウンロードされる。 In the report screen P900, a register display area P920 is displayed below the sensor display area P910. In the register display area P920, register information P921 and a “download” button P922 are displayed for each sensor. When the “download” button P922 is clicked, the register information displayed in the register information P921 is downloaded to the sensor vendor terminal 5 (user terminal 3).
レジスタ情報Ｐ９２１には、シミュレーション画面で設定されてシミュレーションが行われた半導体装置１の構成に対応するレジスタ情報が表示される。図３１のＳ１１１で説明したように設定されている回路情報やパラメータに基づいて、半導体装置１のレジスタ１８１に設定するレジスタ情報が生成される。なお、自動接続の構成におけるレジスタ情報及びベンダ推奨接続におけるレジスタ情報を表示してもよい。
In the register information P921, register information corresponding to the configuration of the
レポート画面Ｐ９００では、レジスタ表示エリアＰ９２０の下に接続表示エリアＰ９３０が表示される。接続表示エリアＰ９３０には、センサＡＦＥ接続画面でセンサベンダが設定しシミュレーションが行われたセンサベンダ推奨接続における、センサと半導体装置１との接続関係が表示される。接続表示エリアＰ９３０には、センサＡＦＥ接続画面と同様に、接続選択フレームＰ９３１と半導体装置イメージＰ９３２が表示される。なお、自動接続の接続関係及びベンダ推奨接続の接続関係を表示してもよい。
In the report screen P900, a connection display area P930 is displayed below the register display area P920. In the connection display area P930, the connection relationship between the sensor and the
レポート画面Ｐ９００では、接続表示エリアＰ９３０の下にスマートアナログ（半導体装置）表示エリアＰ９４０が表示される。スマートアナログ表示エリアＰ９４０には、センサごとに半導体装置１の設定情報Ｐ９４１が表示される。
On the report screen P900, a smart analog (semiconductor device) display area P940 is displayed below the connection display area P930. In the smart analog display area P940, setting information P941 of the
設定情報Ｐ９４１には、シミュレーション画面で設定されてシミュレーションが行われた半導体装置１の構成に対応する設定情報が表示される。設定情報Ｐ９４１には、シミュレーション画面で設定した半導体装置１の各パラメータの設定値が表示される。また、設定情報Ｐ９４１と上記のレジスタ表示エリアで表示されるレジスタ情報Ｐ９２１とは対応しており、レジスタ情報Ｐ９２１で設定される内容を設定情報Ｐ９４１により確認することもできる。なお、自動接続の構成における設定情報及びベンダ推奨接続における設定情報を表示してもよい。
In the setting information P941, setting information corresponding to the configuration of the
レポート画面Ｐ９００では、スマートアナログ表示エリアＰ９４０の下に部品リスト表示エリアＰ９５０が表示される。部品リスト表示エリアＰ９５０には、部品リスト画面と同様に、シミュレーションで使用された半導体装置１及びセンサの部品リストが表示される。部品リスト表示エリアＰ９５０には、部品リスト画面Ｐ８００と同様に部品名（Others）、部品数（Quantity）、品番（Description）、メーカ（Additional Parameters）が表示される。
In the report screen P900, a parts list display area P950 is displayed below the smart analog display area P940. In the parts list display area P950, the parts list of the
レポート画面Ｐ９００では、部品リスト表示エリアＰ９５０の下に結果表示エリアＰ９６０が表示される。結果表示エリアＰ９６０には、シミュレーション画面でシミュレーションが行われて表示されたシミュレーション結果が表示される。図７２Ｄ〜図７２Ｆでは、図６８Ｂ〜図６８Ｃ、図６９Ｂ〜図６９Ｃと同様に、自動接続の過渡解析結果Ｐ９６１、ベンダ推奨接続の過渡解析結果Ｐ９６２が表示されている。過渡解析結果Ｐ９６１には、図６８Ｂ〜図６８Ｃの結果グラフＰ７０１〜Ｐ７０５と同様の結果グラフＰ９６１ａ〜Ｐ９６１ｅが表示され、過渡解析結果Ｐ９６２には、図６９Ｂ〜図６９Ｃの結果グラフＰ７１１〜Ｐ７１５と同様の結果グラフＰ９６２ａ〜Ｐ９６２ｅが表示されている。以上でセンサベンダによるシミュレーション動作が終了する。
（動作例４）ユーザによるセンサ情報の登録動作例
On the report screen P900, a result display area P960 is displayed below the parts list display area P950. In the result display area P960, the simulation result displayed by the simulation performed on the simulation screen is displayed. 72D to 72F, the automatic connection transient analysis result P961 and the vendor recommended connection transient analysis result P962 are displayed as in FIGS. 68B to 68C and 69B to 69C. The transient analysis result P961 displays result graphs P961a to P961e similar to the result graphs P701 to P705 of FIGS. 68B to 68C, and the transient analysis result P962 is similar to the result graphs P711 to P715 of FIGS. 69B to 69C. The result graphs P962a to P962e are displayed. This completes the simulation operation by the sensor vendor.
(Operation Example 4) Sensor information registration operation example by the user
まず、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３にログイン画面を表示する（図３１のＳ１０１）。ユーザ端末３に図４５と同様のログイン画面Ｐ１１０を表示し、ユーザがアカウント名及びパスワードを入力する。次いで、ウェブシミュレータ４は、アカウントの認証が成功すると、ユーザ端末３に図４６と同様のガイダンス画面を表示する（図３１のＳ１０２）。次いで、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３に図４７と同様のセンサ選択画面を表示し（図３３のＳ２３）、ユーザがセンサタイプを選択する。
First, the
次いで、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３にセンサ特性画面を表示する（図３３のＳ２４及びＳ２５）。図７３は、このセンサ特性画面の表示例である。図７３のセンサ特性画面Ｐ２８０は、センサベンダがセンサ情報を登録する際の図４８と同様の画面表示であり、部品検索／登録選択エリアＰ２２２の「新規登録部品」ラジオボタンＰ２２２ｂの代わりに、ユーザがセンサデータベース４２１にセンサを登録するための「未登録／カスタム部品」ラジオボタンＰ２２２ｃが表示される。
Next, the
図４７のセンサ選択画面Ｐ２００で「詳細設定」ボタンＰ２１３がクリックされ、部品検索／登録選択エリアＰ２２２で「未登録／カスタム部品」ラジオボタンＰ２２２ｃが選択された場合や「センサ選択」タブＰ２３１が選択された場合、センサ詳細画面Ｐ２２０内にセンサ特性画面Ｐ２８０が表示される。ユーザは、ユーザ独自のセンサのみ登録・更新可能であるため、センサ特性画面Ｐ２８０により、ユーザ独自のセンサの特性が入力できる。 When the “detailed setting” button P213 is clicked on the sensor selection screen P200 of FIG. 47 and the “unregistered / custom parts” radio button P222c is selected in the part search / registration selection area P222, the “sensor selection” tab P231 is selected. If it has been done, the sensor characteristic screen P280 is displayed in the sensor details screen P220. Since the user can register and update only the sensor unique to the user, the sensor characteristic screen P280 allows the user to input the characteristic of the sensor unique to the user.
センサ特性画面Ｐ２８０では、図４８と同様に、特性グラフＰ２８１及び特性プロット入力エリアＰ２８２が表示され、ユーザが特性を設定する。そして、設定した状態で「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２２３をクリックすると、センサデータベース４２１に当該センサの特性が登録される。このとき、アカウントＩＤのユーザが、センサに関連付けられて登録される。
On the sensor characteristic screen P280, as in FIG. 48, a characteristic graph P281 and a characteristic plot input area P282 are displayed, and the user sets the characteristic. When the “Save” button P223 is clicked in the set state, the characteristics of the sensor are registered in the
次いで、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３にバイアス回路選択画面を表示する（図３３のＳ２６）。図７４は、このバイアス回路選択画面の表示例である。図７４のバイアス回路選択画面Ｐ２５０は、センサベンダがセンサ情報を登録する際の図４９と同様の画面表示であり、部品検索／登録選択エリアＰ２２２の「新規登録部品」ラジオボタンＰ２２２ｂの代わりに、ユーザがセンサデータベース４２１にセンサを登録するための「未登録／カスタム部品」ラジオボタンＰ２２２ｃが表示される。ここでは、「未登録／カスタム部品」ラジオボタンＰ２２２ｃが選択されている。
Next, the
図７４のバイアス回路選択画面Ｐ２５０には、Ｓ２６で説明したように、選択したセンサに適した、センサの種類に応じたバイアス回路が回路一覧Ｐ２５１に表示される。なお、センサの種類に限らず、その他のバイアス回路を選択したい場合には、全てのバイアス回路を表示するようにしてもよい。ユーザがバイアス回路を設定する場合、シミュレーションを行うための回路を選択するため、ユーザは、回路一覧Ｐ２５１から登録するバイアス回路を一つだけ選択することができる。 On the bias circuit selection screen P250 of FIG. 74, as described in S26, bias circuits suitable for the selected sensor and corresponding to the type of sensor are displayed in the circuit list P251. Note that not only the type of sensor but also other bias circuits may be selected, all the bias circuits may be displayed. When the user sets a bias circuit, the user can select only one bias circuit to be registered from the circuit list P251 in order to select a circuit for simulation.
図７４の例では、回路一覧Ｐ２５１に、バイアス回路Ｐ２５１ａ〜Ｐ２５１ｅが表示されており、ユーザがバイアス回路Ｐ２５１ｂを選択し、選択回路Ｐ２５２にバイアス回路Ｐ２５１ｂと同じ回路イメージが表示される。この状態で「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２２３をクリックすると、選択したバイアス回路をセンサバイアス回路データベース４２２のシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂに記憶する（図３３のＳ２７）。このとき、アカウントＩＤのユーザが、バイアス回路に関連付けられて登録される。
In the example of FIG. 74, bias circuits P251a to P251e are displayed in the circuit list P251, the user selects the bias circuit P251b, and the same circuit image as the bias circuit P251b is displayed on the selection circuit P252. When the “Save” button P223 is clicked in this state, the selected bias circuit is stored in the simulation
図７５は、ユーザがセンサを登録した後のセンサ選択画面Ｐ２００の表示例を示している。図７５に示すように、ユーザがセンサの特性及びバイアス回路を設定し登録すると、センサ選択フレームＰ２１０のセンサ名表示エリアＰ２１１には所定の登録名（「Ｃｕｓｔｏｍ」など）が表示される。なお、センサベンダがセンサ情報を登録する際の図５４と同様に、センサ名をユーザが編集可能としてもよい。
（動作例５）ユーザによるシミュレーション動作例
FIG. 75 shows a display example of the sensor selection screen P200 after the user registers the sensor. As shown in FIG. 75, when the user sets and registers the sensor characteristics and bias circuit, a predetermined registration name (such as “Custom”) is displayed in the sensor name display area P211 of the sensor selection frame P210. Note that the sensor name may be editable by the user as in FIG. 54 when the sensor vendor registers the sensor information.
(Operation example 5) Simulation operation example by user
動作例５では、上記動作例１または動作例２でセンサベンダが登録または更新したセンサ及びバイアス回路や、上記動作例４でユーザが登録したセンサ及びバイアス回路を半導体装置１に接続して、ユーザがシミュレーションを行う。動作例４と同様に、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３に、図４５のログイン画面Ｐ１１０を表示し（図３１のＳ１０１）、図４６のガイダンス画面Ｐ１０１を表示し（図３１のＳ１０２）、図４７のセンサ選択画面Ｐ２００を表示する（図３３のＳ２３）。
In the operation example 5, the sensor and bias circuit registered or updated by the sensor vendor in the operation example 1 or the operation example 2 or the sensor and bias circuit registered by the user in the operation example 4 are connected to the
次いで、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３にセンサリスト画面Ｐ２４０を表示する（図３３のＳ２４及びＳ２８）。図７６は、このセンサリスト画面Ｐ２４０の表示例である。図７６のセンサリスト画面Ｐ２４０は、センサベンダがセンサ情報を登録／更新する際の図５５や図５６と同様である。すなわち、センサ選択画面Ｐ２００で「詳細設定」ボタンＰ２１３がクリックされ、部品検索／登録選択エリアＰ２２２で「部品検索」ラジオボタンＰ２２２ａが選択された場合や「センサ選択」タブＰ２３１が選択された場合、センサ詳細画面Ｐ２２０内にセンサリスト画面Ｐ２４０が表示される。
Next, the
「品番による検索」エリアＰ２４３ａと「センサ検索」エリアＰ２４３ｂによる絞り込み条件Ｐ２４３にしたがってセンサリストＰ２４４が表示される。ここでは、Ｓ２８で説明したように、センサリストＰ２４４には、ユーザが選択したセンサの種類の全てのセンサが表示される。 The sensor list P244 is displayed in accordance with the narrowing condition P243 by the “search by product number” area P243a and the “sensor search” area P243b. Here, as described in S28, the sensor list P244 displays all sensors of the sensor type selected by the user.
図５５や図５６は、センサタイプとして圧力センサを選択した場合の表示例であったのに対し、図７６は、センサタイプとして温度センサを選択した場合の表示例である。図７６では、センサタイプ表示エリアＰ２２１に温度センサが表示され、「センサ検索」エリアＰ２４３ｂには、温度センサに対応した絞り込み条件（検索条件）が表示される。図７６では、「メーカ」プルダウンメニュー、「出力タイプ」プルダウンメニュー、「温度」入力ボックスが表示される。「温度」入力ボックスには温度センサの特性によりセンサを検索するため、温度センサが検出可能な圧力の最小値と最大値を設定する。 FIG. 55 and FIG. 56 are display examples when a pressure sensor is selected as the sensor type, whereas FIG. 76 is a display example when a temperature sensor is selected as the sensor type. In FIG. 76, a temperature sensor is displayed in the sensor type display area P221, and a narrowing condition (search condition) corresponding to the temperature sensor is displayed in the “sensor search” area P243b. In FIG. 76, a “maker” pull-down menu, an “output type” pull-down menu, and a “temperature” input box are displayed. In the “temperature” input box, a minimum value and a maximum value of pressure that can be detected by the temperature sensor are set in order to search for the sensor by the characteristics of the temperature sensor.
センサリストＰ２４４は、温度センサに対応して、センサごとに品番（Part#）、メーカ、データシート、詳細説明（Description）、温度特性（Temperature）が表示される。詳細説明の欄には、電圧出力や電流出力の出力タイプ等が表示され、温度特性の欄には、検出温度の最小値及び最大値が表示される。 The sensor list P244 displays the part number (Part #), manufacturer, data sheet, detailed description (Description), and temperature characteristic (Temperature) for each sensor corresponding to the temperature sensor. In the detailed description column, output types of voltage output and current output are displayed, and in the temperature characteristic column, the minimum value and the maximum value of the detected temperature are displayed.
なお、その他のセンサにおいても図７６と同様、センサリスト画面Ｐ２４０ではセンサタイプに応じた表示及び検索が行われる。例えば、センサタイプがフォトトランジスタの場合、絞り込み条件（検索条件）やセンサリストの表示欄として、暗電流ＩＤやピーク感度波長λｐ、検出レンジ等が表示され、検索が可能である。 Also in other sensors, display and search corresponding to the sensor type are performed on the sensor list screen P240 as in FIG. For example, when the sensor type is a phototransistor, the dark current ID, the peak sensitivity wavelength λp, the detection range, and the like are displayed as a narrowing-down condition (search condition) and sensor list display column, and the search can be performed.
ユーザは、表示されている情報をもとにセンサリストＰ２４４の中から使用するセンサをクリックし選択する。ユーザがセンサリストＰ２４４からセンサを選択するとセンサの回路情報が回路情報記憶部４２６のユーザ回路設定ファイル４２６ｃに記憶される。
The user clicks and selects a sensor to be used from the sensor list P244 based on the displayed information. When the user selects a sensor from the sensor list P244, sensor circuit information is stored in the user
次いで、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３にバイアス回路選択画面を表示する（図３３のＳ３０）。図７７は、このバイアス回路選択画面の表示例である。図７７のバイアス回路選択画面Ｐ２５０は、ユーザがセンサ情報を登録する際の図７４と同様の画面表示である。バイアス回路選択画面Ｐ２５０には、図３３のＳ３０で説明したように、選択したセンサに適した、センサベンダが登録済みのバイアス回路が表示される。センサに応じたバイアス回路を表示することにより、簡単な操作で最適なバイアス回路を選択することができる。
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バイアス回路選択画面Ｐ２５０には、回路一覧Ｐ２５１と選択回路Ｐ２５２が表示される。回路一覧Ｐ２５１には、センサに使用可能な全てのバイアス回路の回路イメージが表示され、選択回路Ｐ２５２には、回路一覧Ｐ２５１でユーザが選択したバイアス回路の回路イメージが表示される。 The bias circuit selection screen P250 displays a circuit list P251 and a selection circuit P252. The circuit list P251 displays circuit images of all bias circuits that can be used for the sensor, and the selection circuit P252 displays circuit images of bias circuits selected by the user in the circuit list P251.
図７７は、センサにフォトトランジスタが選択された場合のバイアス回路選択画面Ｐ２５０の表示例であり、回路一覧Ｐ２５１に、フォトトランジスタに適したバイアス回路としてバイアス回路Ｐ２５３ａ〜Ｐ２５３ｄが表示されている。すなわち、センサベンダがシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂにバイアス回路Ｐ２５３ａ〜Ｐ２５３ｄを登録している場合の表示例である。ユーザがバイアス回路Ｐ２５３ａを選択し選択回路Ｐ２５２にバイアス回路Ｐ２５３ａと同じ回路イメージが表示されている。図３３のＳ３０で説明したように、選択したバイアス回路の回路情報が回路情報記憶部４２６のユーザ回路設定ファイル４２６ｃに記憶される。
FIG. 77 is a display example of the bias circuit selection screen P250 when a phototransistor is selected as a sensor, and bias circuits P253a to P253d are displayed as bias circuits suitable for the phototransistor in the circuit list P251. That is, this is a display example when the sensor vendor registers the bias circuits P253a to P253d in the simulation
バイアス回路選択画面Ｐ２５０に、センサに応じた複数のバイアス回路を表示することにより、センサの使用用途や使用環境に応じた最適なバイアス回路を選択することができる。一例として、図７７で選択可能な各バイアス回路の特徴を説明する。バイアス回路Ｐ２５３ｂ及びＰ２５３ｃは、電流出力型センサを電圧出力に変換して接続するときに適したバイアス回路であり、バイアス回路Ｐ２５３ａ及びＰ２５３ｄは、電流出力型センサをそのまま電流出力として接続するのに適したバイアス回路である。 By displaying a plurality of bias circuits corresponding to the sensor on the bias circuit selection screen P250, it is possible to select an optimum bias circuit according to the use application or use environment of the sensor. As an example, the characteristics of each bias circuit selectable in FIG. 77 will be described. The bias circuits P253b and P253c are suitable for connecting current output type sensors to voltage outputs, and the bias circuits P253a and P253d are suitable for connecting the current output type sensors as current outputs as they are. Bias circuit.
バイアス回路Ｐ２５３ｃは、電流出力側センサに対しコレクタ共通型でバイアス供給する回路である。バイアス回路Ｐ２５３ｃでは、フォトトランジスタのコレクタにバイアス電源が供給され、エミッタが抵抗を介して接地されている。エミッタに接続される抵抗の両端がセンサ出力端子であり、半導体装置１の入力端子に接続される。バイアス回路Ｐ２５３ｃは、外部電源によりバイアスを供給して照度を電圧として取り出す例であるため、センサに接続するコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成は、非反転アンプを用いることが好ましい。したがって、バイアス回路Ｐ２５３ｃを選択すると自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成が非反転アンプに設定され、バイアス回路Ｐ２５３ｃと非反転アンプが接続するように設定される。バイアス回路Ｐ２５３ｃは、照度が小さい時、電圧小の方向の信号を出力するため、照度が小さいアプリケーションに最適である。
The bias circuit P253c is a circuit that supplies a bias to the current output side sensor in a common collector type. In the bias circuit P253c, bias power is supplied to the collector of the phototransistor, and the emitter is grounded via a resistor. Both ends of the resistor connected to the emitter are sensor output terminals, which are connected to the input terminal of the
バイアス回路Ｐ２５３ｂは、電流出力側センサに対しエミッタ共通型でバイアス供給する回路である。バイアス回路Ｐ２５３ｂでは、フォトトランジスタのエミッタが接地され、コレクタが抵抗を介してバイアス電源に接続されている。コレクタに接続される抵抗の両端がセンサ出力端子であり、半導体装置１の入力端子に接続される。バイアス回路Ｐ２５３ｂは、外部電源によりバイアスを供給して照度を電圧として取り出す例であるため、センサに接続するコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成は、非反転アンプを用いることが好ましい。したがって、バイアス回路Ｐ２５３ｂを選択すると自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成が非反転アンプに設定され、バイアス回路Ｐ２５３ｂと非反転アンプが接続するように設定される。バイアス回路Ｐ２５３ｂは、照度が大きい時、電圧小の方向の信号を出力するため、照度が大きいアプリケーションに最適である。
The bias circuit P253b is a circuit that supplies a bias to the current output side sensor in a common emitter type. In the bias circuit P253b, the emitter of the phototransistor is grounded, and the collector is connected to a bias power source via a resistor. Both ends of the resistor connected to the collector are sensor output terminals, which are connected to the input terminal of the
バイアス回路Ｐ２５３ａは、電流出力側センサに対しコレクタにバイアス供給する回路である。バイアス回路Ｐ２５３ａでは、フォトトランジスタのコレクタがセンサ出力端子であり半導体装置１の入力端子に接続され、エミッタが接地されている。バイアス回路Ｐ２５３ａは、外部からバイアスを供給せずに、照度を電流として取り出す例であるため、センサに接続するコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成は、ＩＶアンプを用いることが好ましい。したがって、バイアス回路Ｐ２５３ａを選択すると自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成がＩＶアンプに設定され、バイアス回路Ｐ２５３ａとＩＶアンプが接続するように設定される。バイアス回路Ｐ２５３ａは、照度が小さいときのコンフィギュラブル・アンプ１１０のオペアンプの出力はほぼオペアンプの基準電圧となり、照度が増加するにつれて、オペアンプの電圧は増加する。このため、バイアス回路Ｐ２５３ａは照度が小さいアプリケーションに最適である。
The bias circuit P253a is a circuit that supplies a bias to the collector with respect to the current output side sensor. In the bias circuit P253a, the collector of the phototransistor is the sensor output terminal, which is connected to the input terminal of the
バイアス回路Ｐ２５３ｄでは、フォトトランジスタのコレクタにバイアス電源を供給し、エミッタがセンサ出力端子であり半導体装置１の入力端子に接続されている。バイアス回路Ｐ２５３ｄは、外部からバイアスを供給せずに、照度を電流として取り出す例であるため、センサに接続するコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成は、ＩＶアンプを用いることが好ましい。したがって、バイアス回路Ｐ２５３ｄを選択すると自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成がＩＶアンプに設定され、バイアス回路Ｐ２５３ｄとＩＶアンプが接続するように設定される。バイアス回路Ｐ２５３ｄは、照度が小さいときのコンフィギュラブル・アンプ１１０のオペアンプの電圧はほぼオペアンプの基準電圧となり、照度が増加するにつれて、オペアンプの電圧は減少する。このため、バイアス回路Ｐ２５３ｄは照度が大きいアプリケーションに最適である。
In the bias circuit P253d, bias power is supplied to the collector of the phototransistor, and the emitter is a sensor output terminal and is connected to the input terminal of the
図７８は、図７７のバイアス回路選択画面Ｐ２５０の他の例である。図７８は、センサにホイートストンブリッジ型の圧力センサが選択された場合の表示例であり、圧力センサに適したバイアス回路として、回路一覧Ｐ２５１に一つのバイアス回路Ｐ２５４が表示されている。すなわち、センサベンダがシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂにバイアス回路Ｐ２５４を登録している場合の表示例である。回路一覧Ｐ２５１に一つしかバイアス回路Ｐ２５４が表示されていないため、このバイアス回路Ｐ２５４が選択回路Ｐ２５２に表示されている。
FIG. 78 is another example of the bias circuit selection screen P250 of FIG. FIG. 78 shows a display example when a Wheatstone bridge type pressure sensor is selected as the sensor, and one bias circuit P254 is displayed in the circuit list P251 as a bias circuit suitable for the pressure sensor. That is, this is a display example when the sensor vendor registers the bias circuit P254 in the simulation
また、図７９に示すように、図７８のバイアス回路Ｐ２５４に加えて他のバイアス回路を表示し、選択できるようにしてもよい。図７９の例では、バイアス回路選択画面Ｐ２５０にホイートストンブリッジ型の圧力センサのバイアス回路として、回路一覧Ｐ２５１にバイアス回路Ｐ２５４ａ及び２５４ｂが表示されており、選択されたバイアス回路Ｐ２５４ａが選択回路Ｐ２５２に表示されている。すなわち、センサベンダがシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂにバイアス回路Ｐ２５４ａ〜Ｐ２５４ｂを登録している場合の表示例である。
As shown in FIG. 79, other bias circuits may be displayed and selected in addition to the bias circuit P254 of FIG. In the example of FIG. 79, the bias circuit P254a and 254b are displayed on the circuit list P251 as the bias circuit of the Wheatstone bridge type pressure sensor on the bias circuit selection screen P250, and the selected bias circuit P254a is displayed on the selection circuit P252. Has been. That is, this is a display example when the sensor vendor has registered the bias circuits P254a to P254b in the simulation
バイアス回路Ｐ２５４ａは、電圧出力型圧力センサにバイアス電源を直接供給する回路である。バイアス回路Ｐ２５４ａでは、圧力センサであるホイートストンブリッジは、上端にバイアス電源が供給され、下端が接地され、右端及び左端がセンサ出力端子となって半導体装置１の入力端子に接続される。バイアス回路Ｐ２５４ａは、外部電源によりバイアスを供給して圧力を電圧として取り出す例であるため、センサに接続するコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成は、計装アンプを用いることが好ましい。したがって、バイアス回路Ｐ２５４ａを選択すると自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成が計装アンプに設定され、バイアス回路Ｐ２５４ａと計装アンプが接続するように設定される。
The bias circuit P254a is a circuit that directly supplies bias power to the voltage output type pressure sensor. In the bias circuit P254a, the Wheatstone bridge, which is a pressure sensor, is supplied with bias power at the upper end, grounded at the lower end, and connected to the input terminal of the
バイアス回路Ｐ２５４ｂは、電圧出力型圧力センサに抵抗を介してバイアス電源を供給する回路である。バイアス回路Ｐ２５４ｂでは、圧力センサであるホイートストンブリッジは、上端に抵抗を介してバイアス電源が供給され、下端が接地され、右端及び左端がセンサ出力端子となって半導体装置１の入力端子に接続される。バイアス回路Ｐ２５４ｂは、外部電源によりバイアスを供給して圧力を電圧として取り出す例であるため、センサに接続するコンフィギュラブル・アンプ１１０は、計装アンプを用いることが好ましい。したがって、バイアス回路Ｐ２５４ｂを選択すると自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成が計装アンプに設定され、バイアス回路Ｐ２５４ｂと計装アンプが接続するように設定される。
The bias circuit P254b is a circuit that supplies bias power to the voltage output pressure sensor via a resistor. In the bias circuit P254b, the Wheatstone bridge, which is a pressure sensor, is supplied with bias power via a resistor at the upper end, grounded at the lower end, and connected to the input terminal of the
図８０は、図７７のバイアス回路選択画面Ｐ２５０の他の例である。図８０は、センサとして電流トランスデューサ型の圧力センサが選択された場合の表示例であり、圧力センサに適したバイアス回路として、回路一覧Ｐ２５１にバイアス回路Ｐ２５４ｃ及びＰ２５４ｄが表示されている。すなわち、センサベンダがシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂにバイアス回路Ｐ２５４ｃ〜Ｐ２５４ｄを登録している場合の表示例である。選択回路Ｐ２５２には、選択されたバイアス回路Ｐ２５４ｃが表示されている。
FIG. 80 is another example of the bias circuit selection screen P250 of FIG. FIG. 80 shows a display example when a current transducer type pressure sensor is selected as the sensor, and bias circuits P254c and P254d are displayed in the circuit list P251 as bias circuits suitable for the pressure sensor. That is, this is a display example when the sensor vendor has registered the bias circuits P254c to P254d in the simulation
バイアス回路Ｐ２５４ｃは、電流出力型圧力センサから検出信号として電流を取り出す回路である。バイアス回路Ｐ２５４ｃでは、圧力センサは、一端にバイアス電源が供給され、他端がセンサ出力端子となって半導体装置１の入力端子に接続される。バイアス回路Ｐ２５４ｃは、外部からバイアスを供給せずに、出力信号を電流として取り出す例であるため、センサに接続するコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成は、ＩＶアンプを用いることが好ましい。したがって、バイアス回路Ｐ２５４ｃを選択すると自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成がＩＶアンプに設定され、バイアス回路Ｐ２５４ｃとＩＶアンプが接続するように設定される。
The bias circuit P254c is a circuit that extracts current as a detection signal from the current output type pressure sensor. In the bias circuit P254c, one end of the pressure sensor is supplied with a bias power supply, and the other end serves as a sensor output terminal and is connected to the input terminal of the
バイアス回路Ｐ２５４ｄは、電流出力型圧力センサに検出信号として電流を引き込む回路である。バイアス回路Ｐ２５４ｄでは、圧力センサは、一端がセンサ出力端子となって半導体装置１の入力端子に接続し、他端を接地する。バイアス回路Ｐ２５４ｄは、外部からバイアスを供給せずに、出力信号を電流として取り出す例であるため、センサに接続するコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成は、ＩＶアンプを用いることが好ましい。したがって、バイアス回路Ｐ２５４ｄを選択すると自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成がＩＶアンプに設定され、バイアス回路Ｐ２５４ｄとＩＶアンプが接続するように設定される。
The bias circuit P254d is a circuit that draws a current as a detection signal into the current output type pressure sensor. In the bias circuit P254d, one end of the pressure sensor serves as a sensor output terminal and is connected to the input terminal of the
図８１は、図７７のバイアス回路選択画面Ｐ２５０の他の例である。図８１は、センサに温度センサが選択された場合の表示例であり、温度センサに適したバイアス回路として、回路一覧Ｐ２５１にバイアス回路２５５ａ及びＰ２５５ｂが表示されている。すなわち、センサベンダがシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂにバイアス回路Ｐ２５５ａ〜Ｐ２５５ｂを登録している場合の表示例である。選択回路Ｐ２５２には、選択されたバイアス回路Ｐ２５５ａが表示されている。
FIG. 81 is another example of the bias circuit selection screen P250 of FIG. FIG. 81 shows a display example when a temperature sensor is selected as the sensor. Bias circuits 255a and P255b are displayed in the circuit list P251 as bias circuits suitable for the temperature sensor. That is, this is a display example when the sensor vendor registers the bias circuits P255a to P255b in the simulation
バイアス回路２５５ａは、電圧出力型の温度センサにバイアス電源を供給し出力信号を直接出力する回路である。バイアス回路２５５ａでは、温度センサは、一端にバイアス電源が供給され、他端が接地され、出力端子が半導体装置１の入力端子にのみ接続される。例えば、バイアス回路２５５ａは、外部電源によりバイアスを供給して温度を電圧として取り出す例であるため、センサに接続するコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成は、非反転アンプを用いることが好ましい。したがって、バイアス回路Ｐ２５５ａを選択すると自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成が非反転アンプに設定され、バイアス回路Ｐ２５５ａと非反転アンプが接続するように設定される。
The bias circuit 255a is a circuit that supplies a bias power to a voltage output type temperature sensor and directly outputs an output signal. In the bias circuit 255 a, the temperature sensor is supplied with a bias power supply at one end, is grounded at the other end, and has an output terminal connected only to the input terminal of the
バイアス回路２５５ｂは、電圧出力型の温度センサにバイアス電源を供給し、接地抵抗を介して出力信号を出力する回路である。バイアス回路２５５ｂでは、温度センサは、一端にバイアス電源が供給され、他端が接地され、出力端子が接地抵抗に接続されるとともに半導体装置１の入力端子に接続される。例えば、バイアス回路２５５ｂは、外部電源によりバイアスを供給して温度を電圧として取り出す例であるため、センサに接続するコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成は、非反転アンプを用いることが好ましい。したがって、バイアス回路Ｐ２５５ｂを選択すると自動的にコンフィギュラブル・アンプ１１０の構成が非反転アンプに設定され、バイアス回路Ｐ２５５ｂと非反転アンプが接続するように設定される。またバイアス回路２５５ｂは、電流出力型の温度センサにも用いられ、電流出力を接地抵抗で電圧に変換する際に使用される。
The bias circuit 255b is a circuit that supplies a bias power source to a voltage output type temperature sensor and outputs an output signal via a ground resistor. In the bias circuit 255b, one end of the temperature sensor is supplied with a bias power supply, the other end is grounded, the output terminal is connected to the ground resistance, and the input terminal of the
次いで、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３に物理量入力画面を表示する（図３１のＳ１０４）。ユーザ端末３は、センサベンダがシミュレーションを行う際の図５９と同様に物理量入力画面Ｐ２６０を表示し、ユーザは物理量の入力パターン及びパラメータを設定する。
Next, the
また、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３にセンサ特性画面Ｐ２８０を表示する。図８２は、このセンサ特性画面Ｐ２８０の表示例である。センサ特性画面Ｐ２８０は、ユーザがセンサ情報を登録する際の図４８と同様の画面表示であり、センサ詳細画面Ｐ２２０において「センサ特性」タブＰ２３４が選択された場合に表示される。特性グラフＰ２８１にはセンサの物理量に対する入出力特性が表示され、特性プロット入力エリアＰ２８２には動作可能なレンジが表示される。ユーザは、センサ特性画面Ｐ２８０により使用するセンサの特性を確認する。
Further, the
図８２の例は、センサに温度センサが選択された場合の表示例である。特性グラフＰ２８１には、ｘ軸を検出温度、ｙ軸を出力電圧として、検出する温度に対する出力電圧の特性が表示される。特性グラフＰ２８１の表示範囲と同じ温度の範囲及び出力電圧の範囲が特性プロット入植エリアＰ２８２に表示されている。 The example of FIG. 82 is a display example when a temperature sensor is selected as the sensor. The characteristic graph P281 displays the characteristics of the output voltage with respect to the detected temperature, where the x axis is the detected temperature and the y axis is the output voltage. The same temperature range and output voltage range as the display range of the characteristic graph P281 are displayed in the characteristic plot settlement area P282.
図８３は、図８２のセンサ特性画面Ｐ２８０の他の例である。図８３は、センサにフォトトランジスタが選択された場合の表示例である。特性グラフＰ２８１には、ｘ軸を検出照度、ｙ軸を出力電流として、検出する照度に対する出力電流の特性が表示される。特性グラフＰ２８１の表示範囲と同じ照度の範囲及び出力電流の範囲が特性プロット入力エリアＰ２８２に表示されている。 FIG. 83 is another example of the sensor characteristic screen P280 of FIG. FIG. 83 shows a display example when a phototransistor is selected as the sensor. The characteristic graph P281 displays the characteristics of the output current with respect to the detected illuminance, where the x axis is the detected illuminance and the y axis is the output current. The same illuminance range and output current range as the display range of the characteristic graph P281 are displayed in the characteristic plot input area P282.
次いで、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３にＡＦＥ選択画面を表示する（図３１のＳ１０５）。ユーザ端末３は、センサベンダがシミュレーションを行う際の図６４と同様にＡＦＥ選択画面Ｐ３００を表示し、ユーザはＡＦＥリストから半導体装置１を選択する。
Next, the
次いで、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３にセンサＡＦＥ接続画面を表示する（図３５のＳ３４）。図８４は、このＡＦＥ接続画面の表示例である。図８４のセンサＡＦＥ接続画面Ｐ４００は、センサベンダがシミュレーションを行う際の図６５と同様の画面表示であり、図６５と比べてバイアス回路選択エリアＰ４０１及び「Ｓａｖｅ」ボタンＰ４０２を有していない。
Next, the
図６５と同様に、図８４のセンサＡＦＥ接続画面Ｐ４００には、「自動接続」ボタンＰ４３１、「センサベンダ推奨接続」ボタンＰ４３２、自動接続用の接続選択フレームＰ４１０ａ、センサベンダ推奨接続用の接続選択フレームＰ４１０ｂが表示される。 As in FIG. 65, the sensor AFE connection screen P400 in FIG. 84 includes an “automatic connection” button P431, a “sensor vendor recommended connection” button P432, a connection selection frame P410a for automatic connection, and a connection selection for sensor vendor recommended connection. A frame P410b is displayed.
ユーザが「自動接続」ボタンＰ４３１をクリックすると、回路情報記憶部４２６のデフォルト回路設定ファイル４２６ａに基づき、自動接続用の接続選択フレームＰ４１０ａのセンサ及びバイアス回路と半導体装置イメージＰ４２０とが、デフォルトの自動接続の接続関係で接続される。ユーザが「センサベンダ推奨接続」ボタンＰ４３２をクリックすると、回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂに基づき、センサベンダ推奨接続用の接続選択フレームＰ４１０ｂのセンサ及びバイアス回路と半導体装置イメージＰ４２０とが、センサベンダが設定した接続関係で接続される。
When the user clicks the “automatic connection” button P431, based on the default
また、自動接続またはセンサベンダ推奨接続の接続関係が表示された状態で、ユーザが入力端子プルダウンメニューＰ４３０によりセンサと半導体装置１との接続関係を選択することができる。ユーザが接続関係を選択すると、図３５のＳ３６で説明したように、選択した接続関係が回路情報記憶部４２６のユーザ回路設定ファイル４２６ｃに設定される。
In addition, the user can select the connection relationship between the sensor and the
次いで、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３にシミュレーション画面を表示する（図３７のＳ２１２）。図８５は、このシミュレーション画面の表示例である。図８５のシミュレーション画面Ｐ５００は、センサベンダがシミュレーションを行う際の図６６と同様の画面表示であり、図６６と比べてバイアス回路選択エリアＰ５０１及び「Ｓａｖｅ」ボタンＰ５０２を有していない。
Next, the
図６６と同様に、図８５のシミュレーション画面Ｐ５００には、自動接続用の接続選択フレームＰ５１０ａとセンサベンダ推奨接続用の接続選択フレームＰ５１０ｂが表示される。ユーザが自動接続用の接続選択フレームＰ５１０ａを選択すると、回路情報記憶部４２６のデフォルト回路設定ファイル４２６ａに基づき、半導体装置設定エリアＰ５２０の各回路ブロックがデフォルト値に設定された状態で表示される。ユーザがセンサベンダ推奨接続用の接続選択フレームＰ５１０ｂを選択すると、回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂに基づき、半導体装置設定エリアＰ５２０の各回路ブロックがセンサベンダ推奨接続の設定値に設定された状態で表示される。また、自動接続またはセンサベンダ推奨接続の設定値が表示された状態で、ユーザが各回路ブロックの設定値を変更することができる。ユーザが設定値を変更すると、図３７のＳ２１６で説明したように、設定したパラメータが、回路情報記憶部４２６のユーザ回路設定ファイル４２６ｃに設定される。
Similarly to FIG. 66, a connection selection frame P510a for automatic connection and a connection selection frame P510b for sensor vendor recommended connection are displayed on the simulation screen P500 of FIG. When the user selects the connection selection frame P510a for automatic connection, each circuit block in the semiconductor device setting area P520 is displayed in a state where the default value is set based on the default
そして、「過渡解析」ボタンＰ５３３、「ＡＣ解析」ボタンＰ５３４、「フィルタ効果」ボタンＰ５３５、「同期検波回路」ボタンＰ５３６をクリックすると、設定した構成でシミュレーションが実行され、シミュレーション画面Ｐ５００にシミュレーション結果が表示される。シミュレーション結果は、図６８Ａ〜６８Ｃ、図６９Ａ〜図６９Ｃと同様に、半導体装置設定エリアＰ５２０に下に表示される。 When the “transient analysis” button P533, “AC analysis” button P534, “filter effect” button P535, and “synchronous detection circuit” button P536 are clicked, a simulation is executed with the set configuration, and the simulation result is displayed on the simulation screen P500. Is displayed. The simulation results are displayed below in the semiconductor device setting area P520, as in FIGS. 68A to 68C and FIGS. 69A to 69C.
次いで、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３に部品リスト画面を表示する（図３１のＳ１１０）。ユーザ端末３は、センサベンダがシミュレーションを行う際の図７１と同様に部品リスト画面Ｐ８００を表示し、ユーザが選択しシミュレーションを行ったセンサ及び半導体装置１の一覧が表示される。
Next, the
次いで、ウェブシミュレータ４は、ユーザ端末３にレポート画面を表示する（図３１のＳ１１２）。ユーザ端末３は、センサベンダがシミュレーションを行う際の図７２Ａ〜図７２Ｆと同様のレポート画面Ｐ９００を表示する。なお、ユーザはバイアス回路を１つしか選択できないため、バイアス回路選択エリアＰ９０３は表示されない。
Next, the
レポート画面Ｐ９００では、半導体装置識別エリアＰ９０１に、ＡＦＥ選択画面でユーザが選択した半導体装置１が表示される。センサ表示エリアＰ９１０には、センサ選択画面でユーザが選択したセンサ、バイアス回路選択画面でユーザが選択したバイアス回路が表示される。レジスタ表示エリアＰ９２０、接続表示エリアＰ９３０、スマートアナログ表示エリアＰ９４０には、センサＡＦＥ接続画面及びシミュレーション画面でユーザが設定した構成及び特性の情報が表示される。部品リスト表示エリアＰ９５０には、ユーザが選択しシミュレーションを行ったセンサ及び半導体装置１の一覧が表示される。結果表示エリアＰ９６０には、ユーザの設定によるシミュレーション結果が表示される。以上でユーザによるシミュレーション動作が終了する。
In the report screen P900, the
以上のように本実施の形態では、回路構成及び回路特性を変更可能な半導体装置１の動作をウェブシミュレータによりシミュレーションすることとした。ウェブシミュレータ上でシミュレーションを実行するため、ユーザ端末（センサベンダ端末）にシミュレータの環境が不要であり、手軽にユーザ（センサベンダ）がシミュレーションを行うことができる。回路構成及び回路特性を変更可能な半導体装置１と同じアナログ回路（ＡＦＥ）についてシミュレーションを行うため、ユーザ（センサベンダ）の簡単な操作で、様々な構成や特性のアナログ回路についてシミュレーションを行うことができる。
As described above, in the present embodiment, the operation of the
特に、本実施の形態では、ウェブシミュレータに対してユーザやシステム開発者の他にセンサベンダがアクセスすることができる。センサベンダは、ウェブシミュレータにアクセスし、設定されたアクセス権限の範囲で、センサやバイアス回路の情報をデータベース（センサデータベース、センサバイアス回路データベース）に登録／更新可能である。これにより、アクセスするセンサベンダに関連するセンサの情報のみをデータベースに登録／更新することができるため、誤ったセンサ情報の登録／更新を防ぐことができる。したがって、ユーザは、この情報を用いてシミュレーションを精度よく行うことができる。 In particular, in this embodiment, the sensor vendor can access the web simulator in addition to the user and the system developer. The sensor vendor can access the web simulator and register / update information on sensors and bias circuits in a database (sensor database, sensor bias circuit database) within the range of the set access authority. As a result, only sensor information related to the accessing sensor vendor can be registered / updated in the database, so that erroneous registration / update of sensor information can be prevented. Therefore, the user can perform a simulation accurately using this information.
従来は、シミュレータ開発者のみがセンサデータベースを登録／更新／削除していた。この場合、シミュレータ開発者が大量のセンサをデータベースに全て正確に登録することや、登録した情報を管理することは非常に困難である。シミュレータ開発者は、大量のセンサを登録することにより、多くのユーザに利用されることを望むため、センサデータベースのデータ登録／更新／削除の管理は大きな課題であった。また、センサベンダにとっては、誤ったセンサ情報によりシミュレーションが行われるとセンサの販売等に影響がある。センサベンダは、センサに最も詳しいため、センサの正確な情報をユーザに提供し、多くのユーザが正しくセンサを使用することを望んでいる。さらに、ユーザは、大量のセンサが登録されている信頼性の高いシミュレータを利用したいと考え、正確なセンサの情報により精度よくシミュレーションを行うことを望んでいる。これらの課題を解決するため、本実施の形態では、シミュレータ開発者以外のセンサベンダがセンサデータベースに対しセンサベンダ自身に関連するセンサ情報について登録／更新／削除を可能とした。 Conventionally, only the simulator developer has registered / updated / deleted the sensor database. In this case, it is very difficult for the simulator developer to accurately register all of a large number of sensors in the database and to manage the registered information. Since a simulator developer desires to be used by many users by registering a large number of sensors, management of data registration / update / deletion of the sensor database has been a big problem. For sensor vendors, if simulation is performed with incorrect sensor information, sensor sales and the like are affected. Since sensor vendors are most familiar with sensors, they provide users with accurate sensor information and many users want to use the sensors correctly. Furthermore, the user wants to use a highly reliable simulator in which a large number of sensors are registered, and desires to perform accurate simulation with accurate sensor information. In order to solve these problems, in this embodiment, sensor vendors other than the simulator developer can register / update / delete sensor information related to the sensor vendor itself from the sensor database.
すなわち、従来のシステムでは、センサデータベースの情報は、一般的な仕様からの参照に留まり、センサ製品個別の特性を網羅するのは困難であった。そのため、ユーザがシミュレーション出力結果の妥当性を判断するためには、実センサでの検証結果を補足しなければならなかった。これに対し本実施の形態では、センサベンダがセンサデータベースに自信に関連するセンサを登録することができる。したがって、センサデータベースの情報をセンサ製品個別の特性に正確に対応させることができ、また、センサベンダからの製品リリースにリアルタイムに対応することができるため、シミュレーション結果の信頼性が向上する。 That is, in the conventional system, the information in the sensor database is merely a reference from a general specification, and it is difficult to cover the characteristics of each sensor product. Therefore, in order for the user to judge the validity of the simulation output result, the verification result of the actual sensor had to be supplemented. On the other hand, in this embodiment, the sensor vendor can register a sensor related to confidence in the sensor database. Therefore, the information in the sensor database can be accurately associated with the characteristics of each sensor product, and the product release from the sensor vendor can be handled in real time, so that the reliability of the simulation result is improved.
また、センサベンダがセンサを登録する場合に、センサの種類などに基づきセンサに対応した複数のバイアス回路が自動的にセンサベンダに表示される。センサベンダは、表示された複数のバイアス回路からセンサに最適なバイアス回路を選択しデータベースに登録できる。このように、センサベンダが全てのバイアス回路から選択する必要はなく、センサに最適なバイアス回路を簡易に正確に選択することができる。さらに、ユーザは、センサベンダが登録したバイアス回路を利用してシミュレーションを行うため、最適な回路構成で精度よくシミュレーションを行うことができる。 In addition, when the sensor vendor registers a sensor, a plurality of bias circuits corresponding to the sensor are automatically displayed on the sensor vendor based on the type of sensor. The sensor vendor can select the optimum bias circuit for the sensor from a plurality of displayed bias circuits and register it in the database. In this way, it is not necessary for the sensor vendor to select from all the bias circuits, and the optimum bias circuit for the sensor can be selected easily and accurately. Furthermore, since the user performs the simulation using the bias circuit registered by the sensor vendor, the user can perform the simulation accurately with the optimum circuit configuration.
（実施の形態２）
以下、図面を参照して実施の形態２について説明する。本実施の形態では、実施の形態１と比べてレポート画面の表示処理が異なり、その他は実施の形態１と同様である。本実施の形態では、図３１のＳ１１２において、ウェブページ処理部４１１は、次のレポート表示処理を実行する。
(Embodiment 2)
The second embodiment will be described below with reference to the drawings. In the present embodiment, report screen display processing is different from that in the first embodiment, and the other processes are the same as those in the first embodiment. In the present embodiment, in S112 of FIG. 31, the web
図８６は、本実施の形態に係るレポート表示処理を示しており、図３１のＳ１１２の処理に相当し、特に、センサベンダ用の処理を示している。すなわち、Ｓ１１２において、アカウントがセンサベンダの場合に、この処理が実行される。 FIG. 86 shows the report display process according to the present embodiment, which corresponds to the process of S112 of FIG. 31, and particularly shows the process for the sensor vendor. That is, in S112, this process is executed when the account is a sensor vendor.
まず、ウェブページ処理部４１１は、センサの特性がセンサベンダによって更新されたか否か判定する（Ｓ４０１）。Ｓ１０９のシミュレーション画面等において、センサベンダがシミュレーション結果を出力するための操作を行うと、レポート画面の表示内容を決めるため、センサデータベース４２１を参照し、センサの特性の更新について判定する。
First, the web
Ｓ４０１において、センサの特性が更新されていない場合、ウェブページ処理部４１１は、自動接続の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果等を取得する（Ｓ４０２）。ウェブページ処理部４１１は、回路情報記憶部４２６のデフォルト回路設定ファイル４２６ａを参照して、自動接続のセンサ及びバイアス回路、半導体装置１の回路構成及び回路特性を取得し、結果情報記憶部４２８を参照して、自動接続のシミュレーション結果を取得し、レジスタ情報記憶部４２９を参照して、自動接続のレジスタ情報を取得する。１つのセンサに対して複数のバイアス回路が設定されている場合、複数のバイアス回路ごとに、自動接続の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果、レジスタ情報を取得する。
If the sensor characteristics have not been updated in S401, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１は、ベンダ推奨接続の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果等を取得する（Ｓ４０３）。ウェブページ処理部４１１は、回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂを参照して、ベンダ推奨接続のセンサ及びバイアス回路、半導体装置１の回路構成及び回路特性を取得し、結果情報記憶部４２８を参照して、ベンダ推奨接続のシミュレーション結果を取得し、レジスタ情報記憶部４２９を参照して、ベンダ推奨接続のレジスタ情報を取得する。１つのセンサに対して複数のバイアス回路が設定されている場合、複数のバイアス回路ごとに、ベンダ推奨接続の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果、レジスタ情報を取得する。
Next, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１は、自動接続の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果等と、ベンダ推奨の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果等を比較したレポート画面をセンサベンダ端末５に表示させる（Ｓ４０４）。ウェブページ処理部４１１は、Ｓ４０２の内容とＳ４０３の内容を含むレポート画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにレポート画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、Ｓ４０２で取得した自動接続とＳ４０４で取得したベンダ推奨のセンサ及びバイアス回路、半導体装置１の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果、レジスタ情報を、並べて対比するようにレポート画面に表示させる。１つのセンサに対して複数のバイアス回路が設定されている場合、複数のバイアス回路ごとに、ベンダ推奨接続の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果、レジスタ情報を対比して表示する。
Next, the web
一方、Ｓ４０１において、センサの特性が更新されている場合、ウェブページ処理部４１１は、センサの特性の更新（変更）前後について、自動接続の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果等を取得する（Ｓ４０５）。本実施の形態では、センサの特性の更新前の構成やシミュレーション結果等を回路情報記憶部４２６や結果情報記憶部４２８に記憶している。
On the other hand, when the sensor characteristics are updated in S401, the web
ウェブページ処理部４１１は、回路情報記憶部４２６のデフォルト回路設定ファイル４２６ａを参照して、センサの特性の変更前後における自動接続のセンサ及びバイアス回路、半導体装置１の回路構成及び回路特性を取得し、結果情報記憶部４２８を参照して、センサの特性の変更前後における自動接続のシミュレーション結果を取得し、レジスタ情報記憶部４２９を参照して、センサの特性の変更前後における自動接続のレジスタ情報を取得する。１つのセンサに対して複数のバイアス回路が設定されている場合、複数のバイアス回路ごとに、センサの特性の変更前後における自動接続の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果、レジスタ情報を取得する。
The web
次いで、ウェブページ処理部４１１は、センサの特性の更新（変更）前後について、ベンダ推奨接続の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果等を取得する（Ｓ４０６）。ウェブページ処理部４１１は、回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂを参照して、センサの特性の変更前後におけるベンダ推奨接続のセンサ及びバイアス回路、半導体装置１の回路構成及び回路特性を取得し、結果情報記憶部４２８を参照して、センサの特性の変更前後におけるベンダ推奨接続のシミュレーション結果を取得し、レジスタ情報記憶部４２９を参照して、センサの特性の変更前後におけるベンダ推奨接続のレジスタ情報を取得する。１つのセンサに対して複数のバイアス回路が設定されている場合、複数のバイアス回路ごとに、センサの特性の変更前後における、ベンダ推奨接続の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果、レジスタ情報を取得する。
Next, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１は、センサの特性の更新（変更）前後について、自動接続の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果等と、ベンダ推奨の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果等を比較したレポート画面をセンサベンダ端末５に表示させる（Ｓ４０７）。ウェブページ処理部４１１は、Ｓ４０５の内容とＳ４０６の内容を含むレポート画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにレポート画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、センサの特性の変更前後について、Ｓ４０５で取得した自動接続とＳ４０６で取得したベンダ推奨のセンサ及びバイアス回路、半導体装置１の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果、レジスタ情報を、並べて対比するようにレポート画面に表示させる。１つのセンサに対して複数のバイアス回路が設定されている場合、複数のバイアス回路ごとに、センサの特性の変更前後における、ベンダ推奨接続の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果、レジスタ情報を対比して表示する。
Next, the web
図８７は、本実施の形態に係るレポート表示処理を示しており、図３１のＳ１１２の処理に相当し、特に、ユーザ用の処理を示している。すなわち、Ｓ１１２において、アカウントがユーザの場合に、この処理が実行される。 FIG. 87 shows a report display process according to the present embodiment, which corresponds to the process of S112 of FIG. 31, and particularly shows a process for a user. That is, in S112, this process is executed when the account is a user.
まず、ウェブページ処理部４１１は、センサの特性がユーザによって更新されたか否か判定する（Ｓ４０８）。Ｓ１０９のシミュレーション画面等において、ユーザがシミュレーション結果を出力するための操作を行うと、レポート画面の表示内容を決めるため、センサデータベース４２１を参照し、センサの特性の更新について判定する。
First, the web
Ｓ４０８において、センサの特性が更新されていない場合、ウェブページ処理部４１１は、シミュレーションを行った回路構成及び回路特性、シミュレーション結果等を取得する（Ｓ４０９）。ウェブページ処理部４１１は、回路情報記憶部４２６のユーザ回路設定ファイル４２６ｃを参照して、センサ及びバイアス回路、半導体装置１の回路構成及び回路特性を取得し、結果情報記憶部４２８を参照して、シミュレーション結果を取得し、レジスタ情報記憶部４２９を参照して、レジスタ情報を取得する。
If the sensor characteristics have not been updated in S408, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１は、シミュレーションを行った回路構成及び回路特性、シミュレーション結果等を含むレポート画面をユーザ端末３に表示させる（Ｓ４１０）。ウェブページ処理部４１１は、Ｓ４０９の内容を含むレポート画面のウェブページ情報をユーザ端末３へ送信し、ウェブブラウザ３００ａにレポート画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、Ｓ４０９で取得したセンサ及びバイアス回路、半導体装置１の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果、レジスタ情報をレポート画面に表示させる。
Next, the web
一方、Ｓ４０８において、センサの特性が更新されている場合、ウェブページ処理部４１１は、センサの特性の更新（変更）前後について、シミュレーションを行った回路構成及び回路特性、シミュレーション結果等を取得する（Ｓ４１１）。本実施の形態では、センサの特性の更新前の構成やシミュレーション結果等を回路情報記憶部４２６や結果情報記憶部４２８に記憶している。
On the other hand, if the sensor characteristics have been updated in S408, the web
ウェブページ処理部４１１は、回路情報記憶部４２６のユーザ回路設定ファイル４２６ｃを参照して、センサの特性の変更前後におけるセンサ及びバイアス回路、半導体装置１の回路構成及び回路特性を取得し、結果情報記憶部４２８を参照して、センサの特性の変更前後におけるシミュレーション結果を取得し、レジスタ情報記憶部４２９を参照して、センサの特性の変更前後におけるレジスタ情報を取得する。
The web
次いで、ウェブページ処理部４１１は、センサの特性の更新（変更）前後について、シミュレーションを行った回路構成及び回路特性、シミュレーション結果等を含むレポート画面をユーザ端末３に表示させる（Ｓ４１２）。ウェブページ処理部４１１は、Ｓ４１１の内容を含むレポート画面のウェブページ情報をユーザ端末３へ送信し、ウェブブラウザ３００ａにレポート画面を表示させる。ウェブページ処理部４１１は、センサの特性の変更前後について、Ｓ４１１で取得したセンサ及びバイアス回路、半導体装置１の回路構成及び回路特性、シミュレーション結果、レジスタ情報を対比してレポート画面に表示させる。センサの特性の変更前後において、シミュレーションを行った回路構成及び回路特性、シミュレーション結果、レジスタ情報を対比して表示する。
Next, the web
図８８Ａ〜図８８Ｃは、本実施の形態に係るレポート画面の表示例である。図８８Ａ〜図８８Ｃは、例えば、センサベンダがセンサの特性を更新した場合の表示例である。図８８Ａ〜図８８Ｃに示すように、レポート画面Ｐ９００に、センサの特性の更新前と更新後のレポート内容を左右に画面横方向に並べて表示する。なお、ユーザが登録したセンサ（カスタムセンサ）を更新した場合も同様に表示される。 88A to 88C are display examples of the report screen according to the present embodiment. 88A to 88C are display examples when the sensor vendor updates the sensor characteristics, for example. As shown in FIGS. 88A to 88C, the report contents before and after the update of the sensor characteristics are displayed side by side in the horizontal direction of the screen on the report screen P900. It is also displayed in the same manner when the sensor (custom sensor) registered by the user is updated.
レポート画面Ｐ９００の左側のレポートエリアＰ９００ａは、センサの特性更新前のレポート内容を表示するエリアであり、レポート画面Ｐ９００の右側のレポートエリアＰ９００ｂは、センサの特性更新後のレポート内容を表示するエリアである。レポートエリアＰ９００ａ及びＰ９００ｂには、それぞれ図７２Ａ〜図７２Ｄと同様に、センサ表示エリアＰ９１０、レジスタ表示エリアＰ９２０、接続表示エリアＰ９３０、スマートアナログ表示エリアＰ９４０、部品リスト表示エリアＰ９５０、結果表示エリアＰ９６０を表示する。 The report area P900a on the left side of the report screen P900 is an area for displaying the report contents before the sensor characteristic update, and the report area P900b on the right side of the report screen P900 is an area for displaying the report contents after the sensor characteristic update. is there. Similarly to FIGS. 72A to 72D, the report areas P900a and P900b include a sensor display area P910, a register display area P920, a connection display area P930, a smart analog display area P940, a parts list display area P950, and a result display area P960, respectively. indicate.
以上のように本実施の形態では、ウェブシミュレータが表示するレポート画面において２つのレポートを並べて表示するようにした。特に、センサ特性の更新前及び更新後や、自動接続及びベンダ推奨接続を表示する。これにより、センサ特性の更新前と更新後とのレポートや、自動接続とベンダ推奨接続とのレポートを、センサベンダ（ユーザ）が簡単に比較することができる。シミュレーションを行った構成やシミュレーション結果の違いを一目で認識できる。このため、センサベンダ（ユーザ）が回路構成や特性を変更する必要があるかどうかを容易に判断でき、シミュレーションを行うセンサ、バイアス回路、半導体装置を適切に設定することができる。 As described above, in this embodiment, two reports are displayed side by side on the report screen displayed by the web simulator. In particular, the automatic connection and vendor recommended connection are displayed before and after the sensor characteristics are updated. Accordingly, the sensor vendor (user) can easily compare the report before and after the update of the sensor characteristics and the report of the automatic connection and the vendor recommended connection. It is possible to recognize at a glance the difference between the simulation configuration and the simulation result. For this reason, it is possible to easily determine whether the sensor vendor (user) needs to change the circuit configuration or characteristics, and it is possible to appropriately set the sensor, the bias circuit, and the semiconductor device that perform the simulation.
（実施の形態３）
以下、図面を参照して実施の形態３について説明する。図８９は、本実施の形態に係るウェブシミュレータの構成を示している。
(Embodiment 3)
The third embodiment will be described below with reference to the drawings. FIG. 89 shows the configuration of the web simulator according to the present embodiment.
図８９に示すように、ウェブシミュレータ４は、実施の形態１の図２８Ａ及び図２８Ｂと比べて、シミュレーション制御部４１０にフォーマット変換部４４０、フォーマットエラー判定部４４１を備えており、記憶部４２０にフォーマット情報記憶部４３２を備えている。
As shown in FIG. 89, the
フォーマット情報記憶部４３２は、入力される入力センサデータベース（センサ情報）を、ウェブシミュレータ４のシミュレータセンサデータベース（センサデータベース４２１）のフォーマットに変換するために必要なフォーマット情報を記憶する。例えば、フォーマット情報には、入力センサデータベースのフォーマットを分析するための分析データや、入力センサデータベースのフォーマットを変換するための変換データ等が含まれる。分析データは、シミュレータセンサデータベースの項目（フィールド）を含むフォーマット（テンプレート）等である。変換データは、データベースの各項目の変換パターンや変換ルール等である。
The format
フォーマット変換部（変換アダプタ）４４０は、センサベンダから入力された入力センサデータベース（センサ情報）のフォーマットを、ウェブシミュレータ４のシミュレータセンサデータベース（センサデータベース４２１）のフォーマットに変換する。フォーマット変換部４４０は、フォーマット情報記憶部４３２の分析データに基づいて入力センサデータベースのフォーマットを分析し、さらにフォーマット情報記憶部４３２の変換データに基づいて入力センサデータベースをシミュレータセンサデータベースのフォーマットに変換する。
The format conversion unit (conversion adapter) 440 converts the format of the input sensor database (sensor information) input from the sensor vendor into the format of the simulator sensor database (sensor database 421) of the
フォーマットエラー判定部４４１は、フォーマット変換後の入力センサデータベース（センサ情報）について、フォーマットエラー等のエラーの有無を判定する。フォーマットエラー判定部４４１は、シミュレーションデータベースの各項目についてエラーを判定する。
The format
図９０は、本実施の形態に係るセンサ及びバイアス回路登録選択処理を示しており、図３１のＳ１０３の処理に相当し、特に、センサベンダ用の処理を示している。すなわち、Ｓ１０３において、アカウントがセンサベンダの場合に、この処理が実行される。 FIG. 90 shows the sensor and bias circuit registration selection process according to this embodiment, which corresponds to the process of S103 of FIG. 31, and particularly shows the process for the sensor vendor. That is, this process is executed when the account is a sensor vendor in S103.
まず、実施の形態１の図３２と同様にウェブページ処理部４１１がセンサベンダ端末５にセンサ選択画面を表示させ、センサベンダがセンサの種類を選択する（Ｓ１１）。次いで、ウェブページ処理部４１１は、センサ選択画面に対するセンサベンダの操作を判定する（Ｓ５０１）。ここでは、センサベンダがセンサの登録、更新またはファイル入力の操作を行ったか否か判定する。Ｓ５０１において、登録操作または更新操作を行った場合は、図３２と同様の処理となる。
First, as in FIG. 32 of the first embodiment, the web
Ｓ５０１において、センサベンダがファイル入力の操作を行った場合、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にファイル入力画面を表示させ、センサベンダがセンサ情報を含むセンサ情報ファイルを入力する（Ｓ５０２）。Ｓ５０１の操作判定（センサ選択画面）において、センサベンダがファイル（データベース）入力のための操作を行うと、ウェブページ処理部４１１は、ファイルを入力するためのファイル入力画面のウェブページ情報をセンサベンダ端末５へ送信し、ウェブブラウザ３００ｂにファイル入力画面を表示させる。ファイル入力画面において、センサベンダがセンサ情報を含む入力センサデータベースのファイルを入力すると、入力センサデータベースのファイルがセンサベンダ端末５からウェブシミュレータ４へ入力（アップロード）される。
If the sensor vendor performs a file input operation in S501, the web
次いで、フォーマット変換部４４０は、センサベンダから入力された入力センサデータベースのフォーマットを分析し（Ｓ５０３）、フォーマット分析結果に基づいて、入力センサデータベースのフォーマットを変換する（Ｓ５０４）。フォーマット変換部４４０は、フォーマット情報記憶部４３２の分析データを参照し入力センサデータベースのフォーマットを分析する。例えば、入力センサデータベースを検索し、分析データに含まれる項目の文字列が含まれるか否か判定する。フォーマット変換部４４０は、フォーマット情報記憶部４３２の変換データを参照し、フォーマット分析結果に基づいて入力センサデータベースをシミュレータセンサデータベースのフォーマットに変換する。例えば、入力センサデータベースに分析データの項目の文字列が含まれる場合、変換データで定義された文字列に置換する。
Next, the
図９１Ａ及び図９１Ｂは、フォーマット変換部４４０によるフォーマット変換イメージを示している。なお、ここでは、入力センサデータベースとして複数のセンサ情報を一度に入力しているが、１つのセンサ情報のみを入力してもよい。
91A and 91B show a format conversion image by the
図９１Ａのように、例えば、入力センサデータベースＤ１０１が入力されると、フォーマット変換部４４０は、入力センサデータベースＤ１０１のフォーマットを分析する。フォーマット変換部４４０は、入力センサデータベースＤ１０１の項目が横並びか縦並びが判定し、この場合、横並びの欄から項目の文字列を抽出する。フォーマット変換部４４０は、抽出した項目を分析データの項目比較し、項目の一致／不一致や項目の順番を判定する。フォーマット変換部４４０は、一致する項目について項目の順番を特定し、不一致の項目について変換データに基づいて置換する文字列を特定する。
As shown in FIG. 91A, for example, when the input sensor database D101 is input, the
図９１Ａでは、シミュレータセンサデータベースＤ１０３は、項目が横並びの順に、"Ｎｏ"、"センサ種類"、"メーカ"、"型名"、"入力範囲（ＭＩＮ）"、"入力範囲（ＭＡＸ）"、"単位"、"出力形体"が並んでいる。これに対し、入力センサデータベースＤ１０１は、項目が横並びの順に、"Ｎｏ"、"型名"、"センサ種類"、"入力範囲（ＭＩＮ）"、"入力範囲（ＭＡＸ）"、"出力形体"が並んでいる。なお、センサデータベースには、その他、必要な情報が格納される。例えば、特性グラフ、出力端子数、バイアス回路等を格納してもよい。 In FIG. 91A, the simulator sensor database D103 includes items “No”, “Sensor type”, “Manufacturer”, “Model name”, “Input range (MIN)”, “Input range (MAX)”, "Unit" and "Output form" are lined up. On the other hand, in the input sensor database D101, “No”, “type name”, “sensor type”, “input range (MIN)”, “input range (MAX)”, “output form” are arranged in the order in which the items are arranged side by side. Are lined up. The sensor database stores other necessary information. For example, a characteristic graph, the number of output terminals, a bias circuit, and the like may be stored.
入力センサデータベースＤ１０１とシミュレータセンサデータベースＤ１０３を比較して、入力センサデータベースＤ１０１の"Ｎｏ"、"型名"、"センサ種類"、"入力範囲（ＭＩＮ）"、"入力範囲（ＭＡＸ）"、"出力形体"の項目が、シミュレータセンサデータベースＤ１０３に存在するため、その項目の順番を特定する。また、入力センサデータベースＤ１０１には、シミュレータセンサデータベースＤ１０３の"メーカ"、"単位"の項目は、Ｄ１０１には存在しない。この場合、変換パターンの例として、"メーカ"の項目は、センサベンダのアカウントから取得し、"単位"の項目は、入力範囲の各文字列を解析して取得する。 Comparing the input sensor database D101 and the simulator sensor database D103, the input sensor database D101 "No", "model name", "sensor type", "input range (MIN)", "input range (MAX)", " Since the item “output form” exists in the simulator sensor database D103, the order of the items is specified. In addition, the “sensor” and “unit” items of the simulator sensor database D103 do not exist in the input sensor database D101. In this case, as an example of the conversion pattern, the “manufacturer” item is acquired from the sensor vendor account, and the “unit” item is acquired by analyzing each character string in the input range.
これらの変換ルールにしたがって入力センサデータベースＤ１０１をシミュレータセンサデータベースＤ１０３のフォーマットに変換する。すなわち、一致する項目について、"Ｎｏ"は１番目の項目、"型名"は４番目の項目、"センサ種類"は２番目の項目、"入力範囲（ＭＩＮ）"は５番目の項目、"入力範囲（ＭＡＸ）"は６番目の項目、"出力形体"は８番目の項目にそれぞれ変換する。さらに、不一致の項目について、"メーカ"の項目には、センサベンダのアカウント名を登録し、"単位"の項目には、入力範囲の末尾の文字列から取得した単位を登録する。 The input sensor database D101 is converted into the format of the simulator sensor database D103 according to these conversion rules. That is, for the matching items, “No” is the first item, “Type name” is the fourth item, “Sensor type” is the second item, “Input range (MIN)” is the fifth item, “ “Input range (MAX)” is converted into the sixth item, and “Output form” is converted into the eighth item. Further, for the mismatched item, the account name of the sensor vendor is registered in the “manufacturer” item, and the unit acquired from the last character string of the input range is registered in the “unit” item.
図９１Ｂでは、シミュレータセンサデータベースＤ１０３のフォーマットはＢ８９Ａと同様である。入力センサデータベースＤ１０２は、項目が縦並びの順に、"Ｎｏ"、"型名"、"センサ種類"、"出力形体"、"入力範囲（ＭＩＮ）"、"入力範囲（ＭＡＸ）"、"単位"が並んでいる。 In FIG. 91B, the format of the simulator sensor database D103 is the same as B89A. In the input sensor database D102, "No", "type name", "sensor type", "output form", "input range (MIN)", "input range (MAX)", "unit" "Is lined up.
入力センサデータベースＤ１０２とシミュレータセンサデータベースＤ１０３を比較して、入力センサデータベースＤ１０２の"Ｎｏ"、"型名"、"センサ種類"、"出力形体"、"入力範囲（ＭＩＮ）"、"入力範囲（ＭＡＸ）"、"単位"の項目が、シミュレータセンサデータベースＤ１０３に存在するため、その項目の順番を特定する。また、入力センサデータベースＤ１０２には、"メーカ"の項目は存在しない。例えば、図９１Ａと同様に、変換パターンの例として、"メーカ"の項目は、センサベンダのアカウントから取得する。 The input sensor database D102 and the simulator sensor database D103 are compared, and the “No”, “model name”, “sensor type”, “output form”, “input range (MIN)”, “input range ( MAX) "," unit "items exist in the simulator sensor database D103, and therefore the order of the items is specified. In addition, the “sensor” item does not exist in the input sensor database D102. For example, as in FIG. 91A, as an example of the conversion pattern, the item “maker” is acquired from the account of the sensor vendor.
これらの変換ルールにしたがって入力センサデータベースＤ１０２をシミュレータセンサデータベースＤ１０３のフォーマットに変換する。すなわち、一致する項目について、項目を横並びにするとともに、"Ｎｏ"は１番目の項目、"型名"は４番目の項目、"センサ種類"は２番目の項目、"出力形体"は８番目の項目、"入力範囲（ＭＩＮ）"は５番目の項目、"入力範囲（ＭＡＸ）"は６番目の項目、"単位"は７番目の項目にそれぞれ変換する。さらに、不一致の項目について、"メーカ"の項目には、センサベンダのアカウント名を登録する。 In accordance with these conversion rules, the input sensor database D102 is converted into the format of the simulator sensor database D103. That is, for the matching items, the items are arranged side by side, “No” is the first item, “Type name” is the fourth item, “Sensor type” is the second item, and “Output form” is the eighth item. “Input range (MIN)” is converted into the fifth item, “input range (MAX)” is converted into the sixth item, and “unit” is converted into the seventh item. Furthermore, for the mismatched items, the sensor vendor account name is registered in the “manufacturer” item.
次いで、フォーマットエラー判定部４４１は、変換された入力センサデータベースについてエラーの有無を判定し、エラーリストの表示及びエラー修正を行う（Ｓ５０５）。フォーマットエラー判定部４４１は、フォーマット変換後の入力センサデータベースについて、センサデータベース４２１に登録するために、異常なデータが存在しないかどうかエラーを判定する。
Next, the format
例えば、センサの種類が、ウェブシミュレータ４の認識できない種類かどうか、入力範囲が、ウェブシミュレータ４が許容範囲外かどうか、センサ特性が、プロット数やプロットの変動により異常な特性かどうか等を判定する。フォーマットエラー判定部４４１がエラーと判定した場合、センサベンダ端末５にエラーリストを表示し、センサベンダがエラー箇所のデータを修正する。
For example, it is determined whether the sensor type is a type that the
また、入力されたデータと、以前に登録されたデータとを比較し、異なる情報の部分をエラーと判定してもよい。例えば、入力されたセンサと同じグループのセンサが登録されている場合、同じグループのセンサの情報と大きく異なる情報についてエラーと判定してもよい。なお、同じグループのセンサは、型名の先頭の文字列により識別することができる。 Further, the input data may be compared with previously registered data, and a portion of different information may be determined as an error. For example, when a sensor of the same group as the input sensor is registered, information that is significantly different from information of the sensor of the same group may be determined as an error. Sensors in the same group can be identified by the first character string of the model name.
次いで、センサ登録更新部４１８は、エラー修正後のセンサリスト（入力センサデータベース）をセンサデータベース４２１及びセンサバイアス回路データベース４２２に登録し（Ｓ５０６）、ウェブページ処理部４１１は、センサベンダ端末５にフラグ付きのセンサリスト画面を表示させる（Ｓ５０７）。
Next, the sensor
次に、本実施の形態に係るシミュレーションシステムにおけるセンサベンダ端末５に表示される画面例について説明する。
Next, an example of a screen displayed on the
図９２は、図９０のＳ５０２で表示されるファイル入力画面の表示例である。図９２に示すように、本実施の形態では、センサ詳細画面Ｐ２２０の上部の部品検索／登録選択エリアＰ２２２に、「部品検索」ラジオボタンＰ２２２ａ、「新規登録部品」ラジオボタンＰ２２２ｂに加えて、「新規部品一括登録」ラジオボタンＰ２２２ｄが表示される。 FIG. 92 is a display example of the file input screen displayed in S502 of FIG. As shown in FIG. 92, in the present embodiment, in the part search / registration selection area P222 at the top of the sensor details screen P220, in addition to the “part search” radio button P222a and the “newly registered part” radio button P222b, A “new component batch registration” radio button P222d is displayed.
センサ選択画面Ｐ２００で「詳細設定」ボタンＰ２１３がクリックされ、部品検索／登録選択エリアＰ２２２で「新規部品一括登録」ラジオボタンＰ２２２ｄが選択された場合、センサ詳細画面Ｐ２２０内にファイル入力画面Ｐ２９０が表示される。ファイル入力画面Ｐ２９０には、ファイル入力ボックスＰ２９１、「インポート」ボタンＰ２９２が表示される。ファイル入力ボックスＰ２９１に入力するファイル名（入力センサデータベース名）を入力し、「インポート」ボタンＰ２９２をクリックすると、ファイルがウェブシミュレータ４に取り込まれる。入力センサデータベースが入力されると、フォーマット変換部４４０がフォーマット変換を行う。
When the “detailed setting” button P213 is clicked on the sensor selection screen P200 and the “new component batch registration” radio button P222d is selected in the component search / registration selection area P222, a file input screen P290 is displayed in the sensor details screen P220. Is done. On the file input screen P290, a file input box P291 and an “import” button P292 are displayed. When a file name (input sensor database name) to be input is input to the file input box P291 and the “import” button P292 is clicked, the file is taken into the
なお、フォーマット変換部４４０でウェブシミュレータに登録可能な形式に変換するため、入力するファイルのフォーマットは任意のフォーマットでよい。例えば、エクセル（登録商標）ファイル、ＸＭＬファイル、ＣＳＶファイル等でもよい。また、データシートのＰＤＦファイルや、データシートをスキャナで読み込んだデータでもよい。
Since the
図９３は、図９０のＳ５０５で表示されるエラーリストの表示例である。ここでは、エラーリストとして、センサリスト画面Ｐ２４０のセンサリストＰ２４４にエラーフラグを付して表示する。入力センサデータベースのファイルが入力され、フォーマット変換がおこなわれると、センサ詳細画面Ｐ２２０内にセンサリスト画面Ｐ２４０が表示される。センサリストＰ２４４にフォーマットエラー判定部４４１のエラー判定に基づいて、エラーが存在するセンサの左側に、入力エラーを示すフラグマークＰ２４４ｂが表示される。なお、エラーと判定されたセンサを識別できればよいため、フラグマークに限らず、センサの表示部分の色等を変更して表示してもよい。
FIG. 93 is a display example of the error list displayed in S505 of FIG. Here, an error flag is added to the sensor list P244 on the sensor list screen P240 and displayed as an error list. When a file of the input sensor database is input and format conversion is performed, a sensor list screen P240 is displayed in the sensor details screen P220. Based on the error determination of the format
図９４Ａ及び図９４Ｂは、センサ特性にエラーがある場合のエラーの詳細を表示するエラー詳細画面の表示例である。ここでは、エラー詳細画面として、センサ特性画面にエラーフラグを付して表示する。図９３のセンサリスト画面Ｐ２４０において、エラーが表示されているセンサを選択すると、図９４Ａ及び図９４Ｂのように、センサ特性画面が表示され、画面右端に入力エラーを示すフラグマークＰ２８３が表示される。 94A and 94B are display examples of an error detail screen that displays details of an error when there is an error in the sensor characteristics. Here, the error detail screen is displayed with an error flag attached to the sensor characteristic screen. When a sensor displaying an error is selected on the sensor list screen P240 of FIG. 93, a sensor characteristic screen is displayed as shown in FIGS. 94A and 94B, and a flag mark P283 indicating an input error is displayed on the right end of the screen. .
図９４Ａは、"ＭＩＮ"と"ＭＡＸ"が"０"で、特性をプロットすることができないため、特性エラーと判定される例である。図９４Ｂは、特性のプロットが異常な値となっているため、特性エラーと判定される例である。センサの特性は、入力物理量が増加するにしたがって出力電圧も増加すべきところ、図９４Ｂでは、入力物理量の増加に伴い、出力電圧が増加した後、減少しているためエラーと判定される。また、センサ特性の理想値を予測し、入力された特性が予測から大きく外れた場合にエラーと判定してもよい。 FIG. 94A is an example in which a characteristic error is determined because “MIN” and “MAX” are “0” and the characteristic cannot be plotted. FIG. 94B is an example in which a characteristic error is determined because the characteristic plot has an abnormal value. As for the sensor characteristics, the output voltage should increase as the input physical quantity increases. In FIG. 94B, the output voltage increases and then decreases as the input physical quantity increases. Alternatively, the ideal value of the sensor characteristic may be predicted, and an error may be determined when the input characteristic deviates greatly from the prediction.
図９４Ａ及び図９４Ｂのセンサ特性画面において、センサ特性の更新（図３３のＳ１９）と同様に、特性グラフＰ２８１や特性プロット入力エリアＰ２８２を操作し、センサ特性を修正することで、特性のエラーを取り除く。 In the sensor characteristic screens of FIGS. 94A and 94B, in the same manner as the update of the sensor characteristic (S19 in FIG. 33), the characteristic error is corrected by operating the characteristic graph P281 and the characteristic plot input area P282 to correct the sensor characteristic. remove.
図９５は、バイアス回路にエラーがある場合のエラーの詳細を表示するエラー詳細画面の表示例である。ここでは、エラー詳細画面として、バイアス回路選択画面にエラーフラグを付して表示する。図９３のセンサリスト画面Ｐ２４０において、エラーが表示されているセンサを選択すると、図９５のように、バイアス回路選択画面が表示され、画面上部に入力エラーを示すフラグマークＰ２５２ｄが表示される。 FIG. 95 is a display example of an error details screen that displays details of an error when there is an error in the bias circuit. Here, the error details screen is displayed with an error flag attached to the bias circuit selection screen. When a sensor displaying an error is selected on the sensor list screen P240 of FIG. 93, a bias circuit selection screen is displayed as shown in FIG. 95, and a flag mark P252d indicating an input error is displayed at the top of the screen.
図９５のバイアス回路選択画面には、全くバイアス回路が表示されていないため、バイアス回路を選択可能にする「選択」ボタンＰ２５２ｃが表示されている。「選択」ボタンＰ２５２ｃをクリックすると、図９６のように全てのバイアス回路が回路一覧Ｐ２５１に表示され、バイアス回路が選択可能となる。回路一覧Ｐ２５１からバイアス回路を選択し、選択回路Ｐ２５２に選択されたバイアス回路が表示することで、バイアス回路のエラーを取り除く。 Since the bias circuit is not displayed at all on the bias circuit selection screen in FIG. 95, a “select” button P252c for selecting the bias circuit is displayed. When the “select” button P252c is clicked, all the bias circuits are displayed in the circuit list P251 as shown in FIG. 96, and the bias circuits can be selected. By selecting a bias circuit from the circuit list P251 and displaying the selected bias circuit on the selection circuit P252, an error in the bias circuit is removed.
図９７は、図９０のＳ５０７で表示されるフラグ付きのセンサリスト画面の表示例である。入力センサデータベースのフォーマットが変換され、エラーが修正されると、センサ詳細画面Ｐ２２０内にセンサリスト画面Ｐ２４０が表示される。センサベンダがセンサを新規登録する場合と同様に、センサリストＰ２４４の全てのセンサの左側に、一括新規登録を示すフラグマークＰ２４４ａが表示されている。このフラグマークＰ２４４ａを確認した後、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２２３をクリックして、全てのセンサをセンサデータベースに一括登録する。 FIG. 97 is a display example of a sensor list screen with a flag displayed in S507 of FIG. When the format of the input sensor database is converted and the error is corrected, a sensor list screen P240 is displayed in the sensor details screen P220. Similar to the case where the sensor vendor newly registers a sensor, a flag mark P244a indicating batch new registration is displayed on the left side of all the sensors in the sensor list P244. After confirming the flag mark P244a, the “Save” button P223 is clicked to register all the sensors in the sensor database at once.
以上のように本実施の形態では、センサ情報をファイル（データベース）により入力（インポート）することを可能とし、入力されるセンサ情報（データベースファイル）のフォーマットを、ウェブシミュレータのセンサデータベースのフォーマットに変換することとした。これにより、様々なフォーマットでセンサ情報を入力できるため、簡易な操作でセンサ情報を入力することができる。複数のセンサ情報をまとめて入力することも可能なため、大量なセンサ情報を一括で登録することができる。 As described above, in this embodiment, sensor information can be input (imported) by a file (database), and the format of the input sensor information (database file) is converted to the sensor database format of the web simulator. It was decided to. Thereby, since sensor information can be input in various formats, it is possible to input sensor information with a simple operation. Since a plurality of sensor information can be input together, a large amount of sensor information can be registered at a time.
（実施の形態４）
以下、図面を参照して実施の形態４について説明する。実施の形態１では１つのセンサに対し１つのセンサ特性を登録してシミュレーションを行ったのに対し、本実施の形態では１つのセンサに対し複数の使用環境（物理環境条件）ごとのセンサ特性を登録してシミュレーションを行う。
(Embodiment 4)
The fourth embodiment will be described below with reference to the drawings. In the first embodiment, one sensor characteristic is registered for one sensor and a simulation is performed. In this embodiment, the sensor characteristic for each of a plurality of use environments (physical environmental conditions) is obtained for one sensor. Register and simulate.
図９８は、圧力センサにおける圧力に対する出力電圧の特性の一例を示している。また、図９８は、一定の駆動条件の下、−４０℃の低温における特性Ｔ１、２５℃の常温における特性Ｔ２、１２５℃の高温における特性Ｔ３を示している。図９８に示すように、温度によって特性の傾きが異なりセンサ感度が変動する。−４０℃の場合、２５℃と比べて特性の傾きが急であるため感度が高く、１２５℃の場合、２５℃と比べて特性の傾きが緩やかであるため感度が低い。 FIG. 98 shows an example of output voltage characteristics with respect to pressure in the pressure sensor. FIG. 98 shows a characteristic T1 at a low temperature of −40 ° C., a characteristic T2 at a normal temperature of 25 ° C., and a characteristic T3 at a high temperature of 125 ° C. under a certain driving condition. As shown in FIG. 98, the slope of the characteristic varies depending on the temperature, and the sensor sensitivity varies. In the case of −40 ° C., the sensitivity is high since the slope of the characteristic is steep compared to 25 ° C., and the sensitivity is low in the case of 125 ° C. because the slope of the characteristic is gentle compared to 25 ° C.
そうすると、常温（２５℃）のみのセンサ特性を用いてシミュレーションを行うと、ユーザの使用環境が低温（−４０℃）や高温（１２５℃）の場合にはセンサ特性が変化しているため、使用環境に応じて精度よくシミュレーションを行うことができない。 Then, if simulation is performed using sensor characteristics only at room temperature (25 ° C), the sensor characteristics change when the user's usage environment is low (-40 ° C) or high (125 ° C). The simulation cannot be performed accurately according to the environment.
そこで、本実施の形態では、２５℃の特性に加えて、低温（−４０℃）、高温（１２５℃）の特性も登録し、使用環境に応じたシミュレーションを行う。例えば、−４０℃の時のセンサ感度は２５℃に対して約１０％増加(ゲインにして０．８ｄＢ増加)することから、２５℃に対してアンプのゲインを０．８ｄＢ減少させた設定ファイルを生成し、また、１２５℃の時のセンサ感度は２５℃に対して約１２％減少(ゲインにして１．１ｄＢ減少)することから、２５℃に対してゲインを１．１ｄＢ増加させた設定ファイルを生成し、シミュレーションを行う。 Therefore, in this embodiment, in addition to the characteristics at 25 ° C., the characteristics at low temperature (−40 ° C.) and high temperature (125 ° C.) are also registered, and simulation according to the use environment is performed. For example, the sensor sensitivity at -40 ° C increases by about 10% (increased by 0.8 dB as a gain) with respect to 25 ° C. Therefore, the setting file with the gain of the amplifier reduced by 0.8 dB relative to 25 ° C In addition, the sensor sensitivity at 125 ° C decreases by about 12% with respect to 25 ° C (a gain is reduced by 1.1 dB), so the gain is increased by 1.1 dB relative to 25 ° C. Generate a file and perform a simulation.
図９９は、フォトトランジスタにおける照度に対する出力電流（光電流）の特性を示し、図１００は、一定の駆動条件の下、フォトトランジスタにおける温度に対する相対的な出力電流（光電流）の特性を示している。図１００に示すように、温度によって出力電流が異なりセンサ感度が変動する。低温の場合、高温と比べて出力電流が小さくなるため感度が低く、高温の場合、低温と比べて出力電流が大きくなるため感度が高い。 FIG. 99 shows characteristics of output current (photocurrent) with respect to illuminance in the phototransistor, and FIG. 100 shows characteristics of output current (photocurrent) relative to temperature in the phototransistor under a certain driving condition. Yes. As shown in FIG. 100, the output current varies depending on the temperature, and the sensor sensitivity varies. When the temperature is low, the output current is small compared to the high temperature and thus the sensitivity is low. When the temperature is high, the output current is large and the sensitivity is high.
そうすると、圧力センサと同様に、常温のみのセンサ特性を用いてシミュレーションを行うと、使用環境に応じて精度よくシミュレーションを行うことができない。そこで、本実施の形態では、常温（２５℃）の特性に加えて、低温、高温の特性も登録し、使用環境に応じたシミュレーションを行う。例えば、０℃の時のセンサ感度は２５℃に対して約１４％減少(ゲインにして１．３ｄＢ減少)することから、２５℃に対してアンプのゲインを１．３ｄＢ増加させ、さらにオフセットを変更した設定ファイルを生成し、また、６０℃時のセンサ感度は２５℃に対して約２０％増加(ゲインにして１．６ｄＢ減少)することから、２５℃に対してアンプのゲインを１．６ｄＢ増加させ、さらにオフセットを変更した設定ファイルを生成、シミュレーションを行う。 Then, similarly to the pressure sensor, if the simulation is performed using the sensor characteristics only at room temperature, the simulation cannot be performed accurately according to the use environment. Therefore, in this embodiment, in addition to the characteristics at normal temperature (25 ° C.), the characteristics at low temperature and high temperature are also registered, and simulation according to the use environment is performed. For example, the sensor sensitivity at 0 ° C decreases by about 14% with respect to 25 ° C (the gain decreases by 1.3 dB). Therefore, the gain of the amplifier is increased by 1.3 dB with respect to 25 ° C, and the offset is further reduced. A modified setting file is generated, and the sensor sensitivity at 60 ° C. increases by about 20% with respect to 25 ° C. (decreases by 1.6 dB as a gain). A setting file with an increase of 6 dB and a further offset change is generated and simulated.
なお、センサの使用環境として、圧力センサやフォトトランジスタにおける温度の例を説明するが、その他、センサ特性に影響を与える物理環境であればよく、光センサにおける距離や、赤外センサにおける圧力等についても同様に本実施の形態を適用可能である。 In addition, although the example of the temperature in a pressure sensor or a phototransistor will be described as the usage environment of the sensor, any other physical environment that affects the sensor characteristics may be used. For the distance in the optical sensor, the pressure in the infrared sensor, etc. Similarly, the present embodiment can be applied.
以下、本実施の形態を実現するウェブシミュレータの具体例について説明する。本実施の形態では、実施の形態１と比べて使用環境ごとのセンサ特性を登録しシミュレーションを行う点のみが異なり、その他は実施の形態１と同様である。 Hereinafter, a specific example of a web simulator that realizes the present embodiment will be described. The present embodiment is different from the first embodiment only in that the sensor characteristics for each use environment are registered and the simulation is performed, and the others are the same as in the first embodiment.
例えば、本実施の形態では、図１０１のように、図２８Ａ及び図２８Ｂに示したブロックのうちの一部のブロックによりウェブシミュレータ４を構成してもよい。図１０１のウェブシミュレータ４は、センサデータベース（センサ情報記憶部）４２１と、回路設定部（選択部）４１２と、シミュレーション実行部４１５とを備えている。
For example, in the present embodiment, as shown in FIG. 101, the
図１０１では、センサデータベース４２１は、一定の駆動条件、かつ、異なる複数の物理環境条件で動作するセンサが有する前記複数の物理環境条件に対応した複数のセンサ特性、すなわち、センサ特性に影響を与える物理環境条件ごとのセンサ特性を記憶する。回路設定部４１２は、センサ特性のセンサと回路構成が変更可能なアナログフロントエンド回路を含む半導体装置１とを接続した接続回路の構成を設定する設定ファイルを、物理環境条件ごとに生成する。また、回路設定部４１２は、複数の物理環境条件の中からシミュレーションを行う物理環境条件を選択する。シミュレーション実行部４１５は、物理環境条件ごとのセンサ特性及び設定ファイルに基づいて、選択された物理環境条件に対応するセンサ特性のセンサと、半導体装置１とを含む接続回路のシミュレーションを物理環境条件ごとに実行する。
In FIG. 101, the
また、ウェブシミュレータ４は、その他、物理環境条件ごとにセンサ特性を表示するセンサ特性表示部、表示されたセンサ特性に対する入力操作に応じて当該センサ特性の登録／更新を行うセンサ登録更新部、物理環境条件ごとに接続回路の構成を表示する接続表示部、表示された接続回路の構成に対する入力操作に応じて設定ファイルの登録／更新を行う設定ファイル登録更新部等を備えていてもよい。
In addition, the
本実施の形態では、図３２のセンサ及びバイアス回路登録選択処理において、使用環境ごとに複数のセンサ特性を登録・更新する。すなわち、図３２のＳ１２において、センサベンダがセンサの登録を選択した場合、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にセンサ特性画面を表示させ、センサベンダが複数のセンサ特性を入力する（Ｓ１３）。このとき、センサ特性画面に１つのセンサに対して使用環境ごとに複数のセンサ特性を入力できるように表示する。センサ特性画面において、センサベンダが使用環境ごとにセンサ特性を設定すると、センサ登録更新部４１８は、設定された複数のセンサ特性情報を使用環境に関連付けてセンサデータベース４２１に記憶する。
In the present embodiment, in the sensor and bias circuit registration selection process of FIG. 32, a plurality of sensor characteristics are registered / updated for each use environment. That is, in S12 of FIG. 32, when the sensor vendor selects sensor registration, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にバイアス回路選択画面を表示させ、センサベンダがバイアス回路を選択する（Ｓ１４）。実施の形態１と同様に、センサ登録更新部４１８は、バイアス回路選択画面でセンサベンダに選択されたバイアス回路をセンサバイアス回路データベース４２２のシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂに記憶する。ここでは、シミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂに、１つのセンサに対し複数のバイアス回路を選択するが、１つのセンサの複数のセンサ特性に対しそれぞれ複数のバイアス回路を選択してもよい。例えば、バイアス回路選択画面において、センサベンダが使用環境ごとにバイアス回路を選択し、センサ登録更新部４１８が、選択されたバイアス回路を使用環境に関連付けてシミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂに記憶してもよい。
Next, the web
一方、図３２のＳ１８において、センサベンダがセンサリストからセンサを選択すると、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にセンサ特性画面を表示させ、センサベンダが複数のセンサ特性を入力する（Ｓ１９）。Ｓ１３のセンサ特性の登録と同様に、センサ特性画面において、センサベンダが使用環境ごとにセンサ特性を変更し設定すると、センサ登録更新部４１８は、設定された複数のセンサ特性情報により、センサデータベース４２１の該当するセンサ情報を更新する。
On the other hand, when the sensor vendor selects a sensor from the sensor list in S18 of FIG. 32, the web
次いで、ウェブページ処理部４１１はセンサベンダ端末５にバイアス回路選択画面を表示させ、センサベンダがバイアス回路を選択する（Ｓ２０）。Ｓ１４と同様に、１つのセンサに対し複数のバイアス回路を選択してもよいし、１つのセンサの複数のセンサ特性に対しそれぞれ複数のバイアス回路を選択してもよい。例えば、バイアス回路選択画面において、センサベンダが使用環境ごとにバイアス回路を更新（追加／削除）すると、センサ登録更新部４１８が、シミュレーション用バイアス回路データ４２２ｂの該当するバイアス回路を更新する。
Next, the web
また、本実施の形態では、図３４のセンサＡＦＥ接続処理において、使用環境ごとに接続関係を設定する。すなわち、図３４のように、センサベンダ端末５にセンサＡＦＥ接続画面を表示し（Ｓ３１）、センサＡＦＥ接続画面に自動接続の接続関係を表示し（Ｓ３２）、さらに、回路設定部４１２は、センサベンダの操作に従い、複数のセンサベンダ推奨接続の設定及び登録を行う（Ｓ３３）。センサＡＦＥ接続画面において、使用環境ごとに複数のセンサベンダ推奨接続を設定できるように表示する。センサＡＦＥ接続画面において、センサベンダはユーザに推奨する推奨接続を使用環境ごとに設定すると、回路設定部４１２は、選択されたセンサベンダ推奨接続の接続関係を使用環境に関連付けて回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂに記憶する。なお、複数のバイアス回路が設定されている場合、バイアス回路ごとにセンサベンダ推奨接続を設定するため、バイアス回路及び使用環境の組み合わせごとにそれぞれセンサベンダ推奨接続を設定し記憶する。
In the present embodiment, the connection relationship is set for each use environment in the sensor AFE connection process of FIG. That is, as shown in FIG. 34, the sensor AFE connection screen is displayed on the sensor vendor terminal 5 (S31), the connection relation of the automatic connection is displayed on the sensor AFE connection screen (S32), and the
また、本実施の形態では、図３６〜図４３のシミュレーション処理において、使用環境ごとにシミュレーションを行う。すなわち、図３６及び図３７のように、センサベンダ端末５またはユーザ端末３にシミュレーション画面を表示し（Ｓ２０１、Ｓ２１２）、シミュレーション画面に自動接続及びベンダ推奨接続の接続関係を表示し（Ｓ２０２、Ｓ２１３）、センサベンダまたはユーザの操作に応じて、各シミュレーション処理が実行される（Ｓ２０３、Ｓ２１４）。シミュレーション画面において、使用環境ごとにシミュレーションを実行できるように表示する。使用環境ごとのセンサ特性、接続関係に基づいてシミュレーションを行う。図３８では使用環境ごとに自動設定処理（アンプのゲイン設定）を実行し、図４１では使用環境ごとに過渡解析処理を実行し、図４２では使用環境ごとにＡＣ解析処理を実行し、図４３では使用環境ごとにフィルタ効果解析処理を実行し、図４４では使用環境ごとに同期検波解析処理を実行する。
Moreover, in this Embodiment, it simulates for every use environment in the simulation process of FIGS. 36-43. That is, as shown in FIGS. 36 and 37, the simulation screen is displayed on the
次に、本実施の形態に係る画面表示の具体例について説明する。図１０２は、本実施の形態に係るセンサ詳細画面Ｐ２２０内のセンサ特性画面Ｐ２８０の表示例である。このセンサ特性画面Ｐ２８０により、センサベンダが使用環境ごとにセンサ特性を登録・更新する。 Next, a specific example of screen display according to the present embodiment will be described. FIG. 102 is a display example of the sensor characteristic screen P280 in the sensor detail screen P220 according to the present embodiment. With this sensor characteristic screen P280, the sensor vendor registers / updates the sensor characteristic for each use environment.
図１０２のセンサ特性画面Ｐ２８０は、実施の形態１と比べて、上部に使用環境選択エリアＰ２８４を有する。使用環境選択エリアＰ２８４には、センサを使用する環境を選択するためのタブが表示される。図１０２は、圧力センサの使用環境の一例として、使用環境選択エリアＰ２８４に、「−４０℃」タブＰ２８４ａ、「２５℃」タブＰ２８４ｂ、「１２５℃」タブＰ２８４ｃが表示されている。 The sensor characteristic screen P280 in FIG. 102 has a use environment selection area P284 in the upper part as compared with the first embodiment. In the use environment selection area P284, a tab for selecting an environment in which the sensor is used is displayed. In FIG. 102, as an example of the usage environment of the pressure sensor, a “−40 ° C.” tab P284a, a “25 ° C.” tab P284b, and a “125 ° C.” tab P284c are displayed in the usage environment selection area P284.
図１０２のように、「−４０℃」タブＰ２８４ａをクリックすると、−４０℃のセンサ特性の入力状態となる。この状態で、センサベンダが、図９８のようなデータシートの特性をもとにして、特性グラフＰ２８１及び特性プロット入力エリアＰ２８２にセンサ特性を設定し、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２２３をクリックすると、センサデータベース４２１に−４０℃のセンサ特性が登録・更新される。また、図１０３のように、「２５℃」タブＰ２８４ｂをクリックすると、２５℃のセンサ特性の入力状態となる。この状態で、センサベンダが、図９８のようなデータシートの特性をもとにして、特性グラフＰ２８１及び特性プロット入力エリアＰ２８２にセンサ特性を設定し、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２２３をクリックすると、センサデータベース４２１に２５℃のセンサ特性が登録・更新される。また、図１０４のように、「１２５℃」タブＰ２８４ｃをクリックすると、１２５℃のセンサ特性の入力状態となる。この状態で、センサベンダが、図９８のようなデータシートの特性をもとにして、特性グラフＰ２８１及び特性プロット入力エリアＰ２８２にセンサ特性を設定し、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ２２３をクリックすると、センサデータベース４２１に１２５℃のセンサ特性が登録・更新される。 As shown in FIG. 102, when the “−40 ° C.” tab P284a is clicked, the sensor characteristic input state of −40 ° C. is entered. In this state, when the sensor vendor sets the sensor characteristics in the characteristic graph P281 and the characteristic plot input area P282 based on the characteristics of the data sheet as shown in FIG. 98, and clicks the “Save” button P223, the sensor database A sensor characteristic of −40 ° C. is registered / updated in 421. Further, as shown in FIG. 103, when the “25 ° C.” tab P284b is clicked, the sensor characteristic input state of 25 ° C. is entered. In this state, when the sensor vendor sets the sensor characteristics in the characteristic graph P281 and the characteristic plot input area P282 based on the characteristics of the data sheet as shown in FIG. 98, and clicks the “Save” button P223, the sensor database A sensor characteristic of 25 ° C. is registered / updated in 421. Also, as shown in FIG. 104, when the “125 ° C.” tab P284c is clicked, the sensor characteristic input state of 125 ° C. is entered. In this state, when the sensor vendor sets the sensor characteristics in the characteristic graph P281 and the characteristic plot input area P282 based on the characteristics of the data sheet as shown in FIG. 98, and clicks the “Save” button P223, the sensor database A sensor characteristic of 125 ° C. is registered / updated in 421.
なお、図９９及び図１００のようなデータシートの特性をもとに、フォトトランジスタの温度ごとの複数のセンサ特性を登録・更新してもよい。また、図９９のような常温時のセンサ特性と、図１００のような温度特性とをセンサベンダが入力し、ウェブシミュレータ４が温度特性をもとに温度ごとの複数のセンサ特性を生成し、登録・更新してもよい。
A plurality of sensor characteristics for each temperature of the phototransistor may be registered / updated based on the characteristics of the data sheet as shown in FIGS. Further, the sensor vendor inputs the sensor characteristics at normal temperature as shown in FIG. 99 and the temperature characteristics as shown in FIG. 100, and the
図１０５は、本実施の形態に係るセンサＡＦＥ接続画面Ｐ４００の表示例である。このセンサＡＦＥ接続画面Ｐ４００により、センサベンダが使用環境ごとのベンダ推奨接続を設定する。 FIG. 105 is a display example of the sensor AFE connection screen P400 according to the present embodiment. With this sensor AFE connection screen P400, the sensor vendor sets a vendor recommended connection for each use environment.
図１０５のセンサＡＦＥ接続画面Ｐ４００は、実施の形態１と比べて、上部に使用環境選択エリアＰ４０３を有する。使用環境選択エリアＰ４０３には、センサを使用する環境を選択するためのタブが表示される。使用環境選択エリアＰ４０３には、図１０２で登録したセンサ特性に対応したタブが表示され、図１０５では、使用環境選択エリアＰ４０３に、「−４０℃」タブＰ４０３ａ、「２５℃」タブＰ４０３ｂ、「１２５℃」タブＰ４０３ｃが表示されている。なお、センサＡＦＥ接続画面Ｐ４００には、実施の形態１と同様に、バイアス回路選択エリアＰ４０１にバイアス回路を選択するタブを表示してもよい。 The sensor AFE connection screen P400 in FIG. 105 has a use environment selection area P403 in the upper part as compared with the first embodiment. In the use environment selection area P403, a tab for selecting an environment in which the sensor is used is displayed. In the use environment selection area P403, tabs corresponding to the sensor characteristics registered in FIG. 102 are displayed. In FIG. 105, in the use environment selection area P403, a “−40 ° C.” tab P403a, a “25 ° C.” tab P403b, “ The “125 ° C.” tab P403c is displayed. In the sensor AFE connection screen P400, a tab for selecting a bias circuit may be displayed in the bias circuit selection area P401, as in the first embodiment.
「−４０℃」タブＰ４０３ａをクリックすると、−４０℃における接続関係の入力状態となる。この状態で、センサベンダが、入力端子プルダウンメニューＰ４３０等を操作してセンサと半導体装置１の接続関係を設定し、「Ｓａｖｅ」ボタンＰ４０２をクリックすると、選択した接続関係が−４０℃のベンダ推奨接続として、回路情報記憶部４２６のベンダ回路設定ファイル４２６ｂに記憶される。
When the “−40 ° C.” tab P403a is clicked, a connection relation input state at −40 ° C. is entered. In this state, the sensor vendor operates the input terminal pull-down menu P430, etc. to set the connection relationship between the sensor and the
図１０６は、本実施の形態に係るシミュレーション画面Ｐ５００の表示例である。このシミュレーション画面Ｐ５００により、センサベンダまたはユーザが使用環境ごとのシミュレーションを行う。 FIG. 106 is a display example of a simulation screen P500 according to the present embodiment. On this simulation screen P500, the sensor vendor or the user performs a simulation for each use environment.
図１０６のシミュレーション画面Ｐ５００は、実施の形態１と比べて、上部に使用環境選択エリアＰ５０３を有する。使用環境選択エリアＰ５０３には、センサを使用する環境を選択するためのタブが表示される。使用環境選択エリアＰ５０３には、図１０２で登録したセンサ特性に対応したタブが表示され、図１０６では、使用環境選択エリアＰ５０３に、「−４０℃」タブＰ５０３ａ、「２５℃」タブＰ５０３ｂ、「１２５℃」タブＰ５０３ｃが表示されている。なお、シミュレーション画面Ｐ５００には、実施の形態１と同様に、バイアス回路選択エリアＰ５０１にバイアス回路を選択するタブを表示してもよい。 The simulation screen P500 in FIG. 106 has a use environment selection area P503 in the upper part as compared with the first embodiment. In the use environment selection area P503, a tab for selecting an environment in which the sensor is used is displayed. In the use environment selection area P503, tabs corresponding to the sensor characteristics registered in FIG. 102 are displayed. In FIG. 106, in the use environment selection area P503, a “−40 ° C.” tab P503a, a “25 ° C.” tab P503b, “ The “125 ° C.” tab P503c is displayed. In the simulation screen P500, a tab for selecting a bias circuit may be displayed in the bias circuit selection area P501 as in the first embodiment.
「−４０℃」タブＰ５０３ａをクリックすると、−４０℃におけるシミュレーションの実行可能状態となる。この状態で、センサベンダまたはユーザが、「過渡解析」ボタンＰ５３３等をクリックすると、−４０℃のセンサ特性及び接続関係でシミュレーションが実行される。 When the “−40 ° C.” tab P503a is clicked, the simulation is executable at −40 ° C. In this state, when the sensor vendor or the user clicks the “transient analysis” button P533 or the like, a simulation is executed with the sensor characteristics and connection relation of −40 ° C.
なお、実施の形態２のように、レポート画面において、使用環境ごとのシミュレーション結果を並べて表示してもよい。 As in the second embodiment, simulation results for each use environment may be displayed side by side on the report screen.
また、実施の形態３のように、複数のセンサの使用環境ごとのセンサ特性を一括で登録してもよい。図１０７は、一括登録するための入力センサデータベースＤ１１０の例である。図１０７では、図９１Ａと比べて、"出力単位"、"環境依存"、"依存範囲"、"センサ特性"の項目が追加されている。"環境依存"には、温度や距離、圧力などの使用環境の種類が格納され、"依存範囲"には、使用する環境条件が格納され、"センサ特性"に使用環境ごとのセンサ特性が格納される。このようなファイルをインポートすることで、複数のセンサの使用環境ごとのセンサ特性を一度に登録することができる。 Further, as in the third embodiment, sensor characteristics for each usage environment of a plurality of sensors may be registered in a lump. FIG. 107 shows an example of the input sensor database D110 for batch registration. In FIG. 107, items of “output unit”, “environment dependence”, “dependence range”, and “sensor characteristics” are added as compared to FIG. 91A. “Environment Dependent” stores the type of operating environment such as temperature, distance, and pressure, “Dependent Range” stores the environmental conditions to be used, and “Sensor Characteristics” stores sensor characteristics for each operating environment. Is done. By importing such a file, sensor characteristics for each usage environment of a plurality of sensors can be registered at one time.
以上のように本実施の形態では、使用環境（物理環境条件）ごとにセンサ特性を登録し、設定ファイルを生成しシミュレーションを行うようにした。これにより、使用環境に合わせた適切なシミュレーション条件でシミュレーションを行うことができるため、精度よくシミュレーションを行うことができる。 As described above, in this embodiment, sensor characteristics are registered for each use environment (physical environment condition), a setting file is generated, and a simulation is performed. As a result, the simulation can be performed under an appropriate simulation condition according to the use environment, so that the simulation can be performed with high accuracy.
（実施の形態５）
図１０８は、本実施の形態に係る半導体装置の設定システムの構成の一例を示している。この設定システムは、実施の形態１〜４のように、センサベンダまたはユーザが登録したセンサを用いてユーザがシミュレーションを行い、その後、ユーザ端末３がウェブシミュレータ４から取得したレジスタ情報を半導体装置１に設定するシステムである。図１０８に示すように、この設定システムは、半導体装置１を搭載する評価ボード１０、センサ２を搭載するセンサボード、ユーザ端末３及びエミュレータ７を備えている。
(Embodiment 5)
FIG. 108 shows an example of the configuration of a semiconductor device setting system according to this embodiment. In this setting system, as in the first to fourth embodiments, a user performs simulation using a sensor vendor or a sensor registered by the user, and then the register information acquired by the
評価ボード１０は、ＵＳＢインタフェース１１、センサインタフェース１２を備えている。ユーザ端末３はエミュレータ７を介してＵＳＢケーブルによりＵＳＢインタフェース１１に接続され、ＵＳＢインタフェース１１を介して、ユーザ端末３及びエミュレータ７と半導体装置１との間で入出力可能に接続される。センサボード２０はセンサインタフェース１２により接続され、センサインタフェース１２を介して、センサ２と半導体装置１とが入出力可能に接続される。
The
エミュレータ７は、半導体装置１のＭＣＵ部２００に接続されて、ＭＣＵ部２００をエミュレートする。ユーザ端末３は、エミュレータ７に接続することで、ＡＦＥ部１００のレジスタ情報や、ＭＣＵ部２００のプログラムの書き込みが可能である。
The
図１０９は、図１０８の設定システムにおいて半導体装置１の設定を行う方法を示している。実施の形態１のように、まず、半導体装置１の動作についてウェブシミュレータ４でシミュレーションを行う（Ｓ６０１）。ユーザ端末３はウェブシミュレータ４にアクセスし、ウェブシミュレータ４上でシミュレーションを実行する。実施の形態１のように、ユーザ端末３はウェブシミュレータ４のシミュレーション画面を操作することにより、ウェブシミュレータ４でセンサ及びバイアス回路に応じて設定した半導体装置１の動作をシミュレーションする。
FIG. 109 shows a method for setting the
次いで、ユーザ端末３はレジスタ情報をダウンロードする（Ｓ６０２）。実施の形態１のように、ユーザ端末３はウェブシミュレータ４のレポート画面を操作することにより、ウェブシミュレータ４で生成された半導体装置１のレジスタ情報をダウンロードする。ユーザ端末３はダウンロードしたレジスタ情報を記憶部３１０に記憶する。
Next, the
次いで、ユーザ端末３は部品を購入する（Ｓ６０３）。実施の形態１のように、ユーザ端末３はウェブシミュレータ４の部品リスト画面を操作し、シミュレーションを行ったセンサ及び半導体装置１を部品販売業者から購入する。ユーザは購入したセンサをセンサボード２０へ接続するとともに半導体装置１を評価ボード１０へ接続し、図１０８の設定システムを構築する。
Next, the
次いで、ユーザ端末３は半導体装置１にレジスタ情報を書き込む（Ｓ６０４）。構築した図１０８の設定システムにおいて、ユーザ端末３は、ウェブシミュレータ４からダウンロードしたレジスタ情報を、半導体装置１のレジスタ１８１へエミュレータ７を介して書き込む。
Next, the
これにより、半導体装置１のＡＦＥ部１００の設定が完了する。その後、半導体装置１を起動すると、レジスタ１８１に書き込まれたレジスタ情報のよってＡＦＥ部１００の構成及び特性が設定され、ＡＦＥ部１００が動作を開始する。すなわち、シミュレーションを行った構成により半導体装置１を動作させることができる。
Thereby, the setting of the
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で 種々変更可能であることはいうまでもない。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
１ 半導体装置
２ センサ
３ ユーザ端末
４ ウェブシミュレータ
５ センサベンダ端末
６ ネットワーク
７ エミュレータ
８ システム開発者端末
１０ 評価ボード
１１ ＵＳＢインタフェース
１２ センサインタフェース
２０ センサボード
３２ 入力装置
３３ 表示装置
３４ メモリ
３５ ＨＤＤ
３６ 入出力インタフェース
３７ ＮＩＣ
１００ ＡＦＥ（アナログフロントエンド）部
１１０ コンフィギュラブル・アンプ
１１１ オペアンプ
１１２ 可変抵抗
１１３ スイッチ
１２０ （同期検波対応）増幅アンプ
１２１ 抵抗（可変抵抗、固定抵抗）
１２４ 同期検波スイッチ
１２５ 固定抵抗
１３０ ローパス・フィルタ
１３１ スイッチング信号生成部
１３２ フィルタ部
１３３ フリップフロップ
１３４ インバータ
１３５ オペアンプ
１３６ スイッチ
１３７ コンデンサ
１３９ 可変電源
１４０ ハイパス・フィルタ
１４１ スイッチング信号生成部
１４２ フィルタ部
１４３ フリップフロップ
１４４ インバータ
１４５ オペアンプ
１４６ スイッチ
１４７ コンデンサ
１４９ 可変電源
１５０ 可変レギュレータ
１５１ オペアンプ
１５２、１５３ トランジスタ
１５４ 固定抵抗
１５５ 可変抵抗
１６０ 温度センサ
１６１ オペアンプ
１６２ 電流源
１６３ ダイオード
１６４ 固定抵抗
１７０ 汎用アンプ
１８０ ＳＰＩインタフェース
１８１ レジスタ
１９０ 計装アンプ
１９１ （コンパレータ内蔵）高速計装アンプ
１９２ オペアンプ
１９３ 可変抵抗
１９４ 固定抵抗
２００ ＭＣＵ部
２１０ ＣＰＵコア
２２０ メモリ
２３０ オシレータ
２４０ タイマ
２５０ 入出力ポート
２６０ Ａ／Ｄコンバータ
２７０ ＳＰＩインタフェース
３００、３００ａ、３００ｂ、３００ｃ ウェブブラウザ
３１０、３１０ａ、３１０ｂ、３１０ｃ 記憶部
４００ ウェブサーバ
４１０ シミュレーション制御部
４１０ａ アクセスインタフェース４１１ ウェブページ処理部
４１１ａ センサ表示部
４１１ｂ バイアス回路表示部
４１１ｃ ＡＦＥ表示部
４１１ｄ 入力パターン表示部
４１２ 回路設定部
４１２ａ センサ選択部
４１２ｂ バイアス回路選択部
４１２ｃ ＡＦＥ選択部
４１２ｄ 接続構成選択部
４１３ パラメータ設定部
４１５ シミュレーション実行部
４１６ レジスタ情報生成部
４１７ 認証処理部
４１８ センサ登録更新部
４２０ 記憶部
４２１ センサデータベース
４２２ センサバイアス回路データベース
４２２ａ 登録用バイアス回路データ
４２２ｂ シミュレーション用バイアス回路データ
４２３ コンフィギュラブルアナログ回路データベース
４２４ ＡＦＥデータベース
４２５ ウェブページ情報記憶部
４２６ 回路情報記憶部
４２６ａ デフォルト回路設定ファイル
４２６ｂ ベンダ回路設定ファイル
４２６ｃ ユーザ回路設定ファイル
４２７ パラメータ記憶部
４２８ 結果情報記憶部
４２９ レジスタ情報記憶部
４３０ 入力パターン記憶部
４３１ アカウントデータベース
４３１ａ 認証テーブル
４３１ｂ アクセス権限テーブル
４３２ フォーマット情報記憶部
４４０ フォーマット変換部
４４１ フォーマットエラー判定部
４５０ 物理量変換部
４５１ 自動設定部
４５２ 過渡解析部
４５３ ＡＣ解析部
４５４ フィルタ効果解析部
４５５ 同期検波解析部
Ｐ１０ タブ表示エリア
Ｐ１００ ウェブシミュレータ画面
Ｐ１０１ ガイダンス画面
Ｐ１０２ フローチャートイメージ
Ｐ１１０ ログイン画面
Ｐ１１１ アカウント情報入力エリア
Ｐ１１２ ユーザ名入力ボックス
Ｐ１１３ パスワード入力ボックス
Ｐ１１４ ログイン状態保持チェックボックス
Ｐ２００ センサ選択画面
Ｐ２１０ センサ選択フレーム
Ｐ２２０ センサ詳細画面
Ｐ２２１ センサタイプ表示エリア
Ｐ２２２ 登録選択エリア
Ｐ２３０ タブ表示エリア
Ｐ２４０ センサリスト画面
Ｐ２４１ センサタイプ表示エリア
Ｐ２４２ センサ選択方法ラジオボタン
Ｐ２４３ センサ絞り込み条件
Ｐ２４４ センサリスト
Ｐ２５０ バイアス回路選択画面
Ｐ２５１ 回路一覧
Ｐ２５２ 選択回路
Ｐ２５３ バイアス回路
Ｐ２６０ 物理量入力画面
Ｐ２６１ 入力パターン一覧
Ｐ２６２ 入力パラメータエリア
Ｐ２７０ ユーザ定義入力エリア
Ｐ２８０ センサ特性画面
Ｐ２８１ 特性グラフ
Ｐ２８２ 特性プロット入力エリア
Ｐ２９０ ファイル入力画面
Ｐ２９１ ファイル入力ボックス
Ｐ３００ ＡＦＥ選択画面
Ｐ３１０ ＡＦＥ絞り込み条件
Ｐ３２０ ＡＦＥリスト
Ｐ４００ センサＡＦＥ接続画面
Ｐ４０１ バイアス回路選択エリア
Ｐ４１０ 接続選択フレーム
Ｐ４２０ 半導体装置イメージ
Ｐ４３０ 入力端子プルダウンメニュー
Ｐ５００ シミュレーション画面
Ｐ５０１ バイアス回路選択エリア
Ｐ５１０ 接続選択フレーム
Ｐ５２０ 半導体装置設定エリア
Ｐ５２１〜Ｐ５２３ 個別アンプブロック
Ｐ５２４ ゲインアンプブロック
Ｐ５２５ フィルタブロック
Ｐ５２６ ＤＡＣブロック
Ｐ５２７ 可変レギュレータブロック
Ｐ５２８ 温度センサブロック
Ｐ５２９ 汎用アンプブロック
Ｐ５３０ 共通設定エリア
Ｐ６００ アンプ設定画面
Ｐ７００ 過渡解析結果
Ｐ７０１〜Ｐ７０５ 結果グラフ
Ｐ７１０ 過渡解析結果
Ｐ７１１〜Ｐ７１５ 結果グラフ
Ｐ７２０ 結果グラフ
Ｐ７２１ センサ出力信号
Ｐ７２２ アンプ出力信号
Ｐ７２３ フィルタ出力信号
Ｐ８００ 部品リスト画面
Ｐ８１１ 部品リスト
Ｐ９００ レポート画面
Ｐ９０１ 半導体装置識別エリア
Ｐ９０３ バイアス回路選択エリア
Ｐ９１０ センサ表示エリア
Ｐ９２０ レジスタ表示エリア
Ｐ９３０ 接続表示エリア
Ｐ９３１ 接続選択フレーム
Ｐ９３２ 半導体装置イメージ
Ｐ９４０ スマートアナログ表示エリア
Ｐ９５０ 部品リスト表示エリア
Ｐ９６０ 結果表示エリア
Ｐ９６１、Ｐ９６２ 過渡解析結果
Ｐ９６１ａ〜Ｐ９６１ｅ 結果グラフ
Ｐ９６２ａ〜Ｐ９６２ｅ 結果グラフ
DESCRIPTION OF
36 I /
100 AFE (Analog Front End) 110
124 Synchronous detection switch 125 Fixed resistor 130 Low-pass filter 131 Switching signal generator 132 Filter unit 133 Flip-flop 134 Inverter 135 Operational amplifier 136 Switch 137 Capacitor 139 Variable power supply 140 High-pass filter 141 Switching signal generator 142 Filter unit 143 Flip-flop 144 Inverter 145 operational amplifier 146 switch 147 capacitor 149 variable power supply 150 variable regulator 151 operational amplifier 152, 153 transistor 154 fixed resistor 155 variable resistor 160 temperature sensor 161 operational amplifier 162 current source 163 diode 164 fixed resistor 170 general-purpose amplifier 180 SPI interface 181 register 190 instrumentation amplifier 191 High speed instrumentation (with built-in comparator) 192 Operational amplifier 193 Variable resistor 194 Fixed resistor 200 MCU unit 210 CPU core 220 Memory 230 Oscillator 240 Timer 250 I / O port 260 A / D converter 270 SPI interface 300, 300a, 300b, 300c Web browser 310, 310a, 310b, 310c Storage Unit 400 web server 410 simulation control unit 410a access interface 411 web page processing unit 411a sensor display unit 411b bias circuit display unit 411c AFE display unit 411d input pattern display unit 412 circuit setting unit 412a sensor selection unit 412b bias circuit selection unit 412c AFE selection Unit 412d connection configuration selection unit 413 parameter setting unit 415 simulation execution unit 416 register information generation unit 4 7 Authentication processing unit 418 Sensor registration update unit 420 Storage unit 421 Sensor database 422 Sensor bias circuit database 422a Registration bias circuit data 422b Simulation bias circuit data 423 Configurable analog circuit database 424 AFE database 425 Web page information storage unit 426 circuit Information storage unit 426a Default circuit setting file 426b Vendor circuit setting file 426c User circuit setting file 427 Parameter storage unit 428 Result information storage unit 429 Register information storage unit 430 Input pattern storage unit 431 Account database 431a Authentication table 431b Access authority table 432 Format information Storage unit 440 Format conversion unit 441 Format error determination unit 45 Physical quantity conversion unit 451 Automatic setting unit 452 Transient analysis unit 453 AC analysis unit 454 Filter effect analysis unit 455 Synchronous detection analysis unit P10 Tab display area P100 Web simulator screen P101 Guidance screen P102 Flowchart image P110 Login screen P111 Account information input area P112 User name Input box P113 Password input box P114 Login state maintenance check box P200 Sensor selection screen P210 Sensor selection frame P220 Sensor detail screen P221 Sensor type display area P222 Registration selection area P230 Tab display area P240 Sensor list screen P241 Sensor type display area P242 Sensor selection method Radio button P243 Sensor refinement condition P244 Sensor list P250 Via Circuit selection screen P251 circuit list P252 selection circuit P253 bias circuit P260 physical quantity input screen P261 input pattern list P262 input parameter area P270 user-defined input area P280 sensor characteristic screen P281 characteristic graph P282 characteristic plot input area P290 file input screen P291 file input box P300 AFE selection screen P310 AFE narrowing condition P320 AFE list P400 Sensor AFE connection screen P401 Bias circuit selection area P410 Connection selection frame P420 Semiconductor device image P430 Input terminal pull-down menu P500 Simulation screen P501 Bias circuit selection area P510 Connection selection frame P520 Semiconductor device setting Area P521 to P523 Individual amplifier block P5 24 gain amplifier block P525 filter block P526 DAC block P527 variable regulator block P528 temperature sensor block P529 general-purpose amplifier block P530 common setting area P600 amplifier setting screen P700 transient analysis result P701 to P705 result graph P710 transient analysis result P711 to P715 result graph P720 result Graph P721 Sensor output signal P722 Amplifier output signal P723 Filter output signal P800 Parts list screen P811 Parts list P900 Report screen P901 Semiconductor device identification area P903 Bias circuit selection area P910 Sensor display area P920 Register display area P930 Connection display area P931 Connection selection frame P932 Semiconductor device image P940 Smart analog display Rear P950 parts list display area P960 result display area P961, P962 transient analysis result P961a~P961e result graph P962a~P962e result graph
Claims (18)
前記第１のアクセスグループに属するアカウントに対して、前記第１のアクセスグループへ前記第１のセンサ情報の書き込みを許可し、かつ、前記第２のアクセスグループへ前記第２のセンサ情報の書き込みを拒否する第１のアクセス権限情報を記憶するアカウント情報記憶部と、
前記記憶された第１のアクセス権限情報を参照して、受け付けたアクセスのアカウントに応じて前記第１のアクセスグループ及び前記第２のアクセスグループへのアクセス権限を特定するアクセス権限特定部と、
前記特定されたアクセス権限に基づき書き込みが許可された前記第１のアクセスグループへ、前記アクセスに応じて前記第１のセンサ情報の書き込みを行うセンサ書き込み部と、
前記アクセスに応じて、前記書き込まれた第１のセンサ情報のセンサと、回路構成が変更可能なアナログフロントエンド回路を有する半導体装置とを含む回路のシミュレーションを実行するシミュレーション実行部と、
を備える半導体装置のシミュレータ。 A sensor information storage unit for storing first sensor information belonging to the first access group and second sensor information belonging to the second access group;
The account belonging to the first access group is allowed to write the first sensor information to the first access group, and the second sensor information is written to the second access group. An account information storage unit for storing first access authority information to be rejected;
An access authority specifying unit that refers to the stored first access authority information and specifies access authority to the first access group and the second access group according to an account of the received access;
A sensor writing unit that writes the first sensor information in response to the access to the first access group in which writing is permitted based on the identified access authority;
A simulation execution unit that executes a simulation of a circuit including the sensor of the written first sensor information and a semiconductor device having an analog front-end circuit whose circuit configuration can be changed in response to the access;
A semiconductor device simulator comprising:
請求項１に記載の半導体装置のシミュレータ。 The writing of the first or second sensor information includes registration or update of the first or second sensor information.
The simulator of the semiconductor device according to claim 1.
前記センサ書き込み部は、前記選択された第１のセンサ情報の書き込みを行う、
請求項１に記載の半導体装置のシミュレータ。 A selection unit that selects the first sensor information of the first access group that is allowed to be written based on the specified access authority;
The sensor writing unit writes the selected first sensor information;
The simulator of the semiconductor device according to claim 1.
請求項３に記載の半導体装置のシミュレータ。 The selection unit displays the first sensor information of the first access group in which the writing is permitted, and performs the writing in response to an input operation on the displayed first sensor information. Select sensor information,
A simulator for a semiconductor device according to claim 3.
前記アクセス権限特定部は、前記受け付けたアクセスのアカウントに応じて、前記第１のアクセス権限情報または前記第２のアクセス権限情報を参照し、前記第１のアクセスグループ及び前記第２のアクセスグループへのアクセス権限を特定する、
請求項１に記載の半導体装置のシミュレータ。 The account information storage unit allows an account belonging to the second access group to write the second sensor information to the second access group, and the first access group to the first access group. Storing the second access authority information that denies writing of the sensor information of 1;
The access authority specifying unit refers to the first access authority information or the second access authority information according to the accepted access account, and moves to the first access group and the second access group. Identify access rights for
The simulator of the semiconductor device according to claim 1.
前記第２のアクセスグループは、第２のセンサベンダに対応したグループである、
請求項１に記載の半導体装置のシミュレータ。 The first access group is a group corresponding to a first sensor vendor;
The second access group is a group corresponding to a second sensor vendor.
The simulator of the semiconductor device according to claim 1.
請求項６に記載の半導体装置のシミュレータ。 The sensor writing unit writes the first sensor vendor corresponding to the access account in association with the first sensor information;
A simulator for a semiconductor device according to claim 6.
前記第１のアクセス権限情報は、前記第１のアクセスグループへ前記第１のバイアス回路情報の書き込みを許可し、かつ、前記第２のアクセスグループへ前記第２のバイアス回路情報の書き込みを拒否するアクセス権限を規定し、
前記センサ書き込み部は、前記特定したアクセス権限に基づき、書き込みが許可された前記第１のアクセスグループへ、前記アクセスに応じて前記第１のバイアス回路情報の書き込みを行う、
請求項１に記載の半導体装置のシミュレータ。 A bias circuit information storage unit for storing first bias circuit information belonging to the first access group and second bias circuit information belonging to the second access group;
The first access authority information permits writing of the first bias circuit information to the first access group and denies writing of the second bias circuit information to the second access group. Define access rights,
The sensor writing unit writes the first bias circuit information according to the access to the first access group permitted to write based on the specified access authority.
The simulator of the semiconductor device according to claim 1.
前記センサ書き込み部は、前記選択された第１のバイアス回路情報の書き込みを行う、
請求項８に記載の半導体装置のシミュレータ。 A selection unit that selects the first bias circuit information of the first access group that is permitted to be written based on the specified access authority;
The sensor writing unit writes the selected first bias circuit information;
9. A simulator for a semiconductor device according to claim 8.
請求項９に記載の半導体装置のシミュレータ。 The selection unit displays the first bias circuit information of the first access group to which the writing is permitted, and performs the writing according to an input operation with respect to the displayed first bias circuit information. 1 bias circuit information is selected,
A semiconductor device simulator according to claim 9.
請求項９に記載の半導体装置のシミュレータ。 The selection unit selects the first bias circuit information of a bias circuit connectable to the sensor of the first sensor information at the time of simulation;
A semiconductor device simulator according to claim 9.
請求項１１に記載の半導体装置のシミュレータ。 The selection unit selects the first bias circuit information corresponding to a sensor type of the first sensor information;
12. A semiconductor device simulator according to claim 11.
請求項１１に記載の半導体装置のシミュレータ。 The selection selects the first bias circuit information corresponding to the output form of the sensor of the first sensor information;
12. A semiconductor device simulator according to claim 11.
前記アクセス権限特定部は、前記受け付けたアクセスのアカウントに応じて、前記第１のアクセス権限情報または前記第２のアクセス権限情報を参照し、前記第１のアクセスグループ及び前記第２のアクセスグループへのアクセス権限を特定する、
請求項８に記載の半導体装置のシミュレータ。 The account information storage unit allows an account belonging to the second access group to write the second bias circuit information to the second access group, and to the first access group Storing second access authority information refusing to write the second bias circuit information;
The access authority specifying unit refers to the first access authority information or the second access authority information according to the accepted access account, and moves to the first access group and the second access group. Identify access rights for
9. A simulator for a semiconductor device according to claim 8.
請求項１に記載の半導体装置のシミュレータ。 When the sensor writing unit writes the first sensor information in the sensor information storage unit, the sensor writing unit includes a flag display unit that displays a flag indicating that the first sensor information has been written.
The simulator of the semiconductor device according to claim 1.
請求項１に記載の半導体装置のシミュレータ。 A format conversion unit that converts the format of the sensor information file input to register the first sensor information into the format of the sensor information storage unit;
The simulator of the semiconductor device according to claim 1.
アカウント情報記憶部に、前記第１のアクセスグループに属するアカウントに対して、前記第１のアクセスグループへ前記第１のセンサ情報の書き込みを許可し、かつ、前記第２のアクセスグループへ前記第２のセンサ情報の書き込みを拒否する第１のアクセス権限情報を記憶し、
前記記憶された第１のアクセス権限情報を参照して、受け付けたアクセスのアカウントに応じて前記第１のアクセスグループ及び前記第２のアクセスグループへのアクセス権限を特定し、
前記特定されたアクセス権限に基づき書き込みが許可された前記第１のアクセスグループへ、前記アクセスに応じて前記第１のセンサ情報の書き込みを行い、
前記アクセスに応じて、前記書き込まれた第１のセンサ情報のセンサと、回路構成が変更可能なアナログフロントエンド回路を有する半導体装置とを含む回路のシミュレーションを実行する、
半導体装置のシミュレーション方法。 In the sensor information storage unit, the first sensor information belonging to the first access group and the second sensor information belonging to the second access group are stored,
The account information storage unit is allowed to write the first sensor information to the first access group for the account belonging to the first access group, and the second access group to the second access group. Storing the first access authority information that denies writing of the sensor information of
With reference to the stored first access authority information, the access authority to the first access group and the second access group is specified according to the account of the received access,
Write the first sensor information in response to the access to the first access group that is allowed to write based on the specified access authority,
In response to the access, a simulation of a circuit including the sensor of the written first sensor information and a semiconductor device having an analog front-end circuit whose circuit configuration can be changed is executed.
Semiconductor device simulation method.
センサ情報記憶部に、第１のアクセスグループに属する第１のセンサ情報と第２のアクセスグループに属する第２のセンサ情報を記憶し、
アカウント情報記憶部に、前記第１のアクセスグループに属するアカウントに対して、前記第１のアクセスグループへ前記第１のセンサ情報の書き込みを許可し、かつ、前記第２のアクセスグループへ前記第２のセンサ情報の書き込みを拒否する第１のアクセス権限情報を記憶し、
前記記憶された第１のアクセス権限情報を参照して、受け付けたアクセスのアカウントに応じて前記第１のアクセスグループ及び前記第２のアクセスグループへのアクセス権限を特定し、
前記特定されたアクセス権限に基づき書き込みが許可された前記第１のアクセスグループへ、前記アクセスに応じて前記第１のセンサ情報の書き込みを行い、
前記アクセスに応じて、前記書き込まれた第１のセンサ情報のセンサと、回路構成が変更可能なアナログフロントエンド回路を有する半導体装置とを含む回路のシミュレーションを実行する、
半導体装置のシミュレーションプログラム。 A simulation program for causing a computer to execute a simulation process of a semiconductor device, wherein the simulation process includes:
In the sensor information storage unit, the first sensor information belonging to the first access group and the second sensor information belonging to the second access group are stored,
The account information storage unit is allowed to write the first sensor information to the first access group for the account belonging to the first access group, and the second access group to the second access group. Storing the first access authority information that denies writing of the sensor information of
With reference to the stored first access authority information, the access authority to the first access group and the second access group is specified according to the account of the received access,
Write the first sensor information in response to the access to the first access group that is allowed to write based on the specified access authority,
In response to the access, a simulation of a circuit including the sensor of the written first sensor information and a semiconductor device having an analog front-end circuit whose circuit configuration can be changed is executed.
Simulation program for semiconductor devices.
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