JP2014171043A

JP2014171043A - Method for manufacturing piezoelectric vibrator

Info

Publication number: JP2014171043A
Application number: JP2013041015A
Authority: JP
Inventors: Yoshihisa Taya; 良久田家
Original assignee: SII Crystal Technology Inc
Current assignee: SII Crystal Technology Inc
Priority date: 2013-03-01
Filing date: 2013-03-01
Publication date: 2014-09-18

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a piezoelectric vibrator capable of conveniently mounting a compact piezoelectric vibrator by stably and accurately picking it up at a prescribed position and accurately transporting the piezoelectric vibrator to a prescribed position.SOLUTION: The method for manufacturing a piezoelectric vibrator comprises in a mounting step: a step of sucking a piezoelectric vibration piece using a sucking jig; a step of aligning the positions of the piezoelectric vibration piece and a stud bump; and a step of flip-chip joining the piezoelectric vibration piece to the stud bump. The sucking jig has a holding face for holding the piezoelectric vibration piece by a negative pressure, and a plurality of fine through-holes 86 penetrating from the holding face to a face on the opposite side of the holding face and used for generating the negative pressure, at least two or more of the through-holes overlapping the piezoelectric vibration piece in the sucking step.

Description

この発明は、圧電振動子の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a piezoelectric vibrator.

近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その一つとして、２層構造タイプの表面実装型の圧電振動子が知られている。このタイプの圧電振動子は、ベース基板とリッド基板とが直接接合されることでパッケージ化された２層構造になっており、両基板の間に形成されたキャビティ内の内部電極に圧電振動片が実装されている。 In recent years, a piezoelectric vibrator using a crystal or the like is used as a time source, a timing source of a control signal, a reference signal source, or the like in a mobile phone or a portable information terminal device. Various types of piezoelectric vibrators of this type are known. As one of them, a two-layer structure type surface mount type piezoelectric vibrator is known. This type of piezoelectric vibrator has a two-layer structure packaged by directly bonding a base substrate and a lid substrate, and a piezoelectric vibrating piece is connected to an internal electrode in a cavity formed between the two substrates. Has been implemented.

圧電振動片を内部電極に実装する方法として、エポキシ系樹脂等からなる溶剤に銀等の粒子を混合した導電性接着剤を用いて、圧電振動片を内部電極に直接接合するダイボンディングが知られている。具体的には、内部電極に導電性接着剤を塗布した後、圧電振動片を導電性接着剤に重ねて導電性接着剤を加熱することによって接続している。 As a method for mounting the piezoelectric vibrating piece on the internal electrode, die bonding is known in which a piezoelectric adhesive piece is directly bonded to the internal electrode using a conductive adhesive in which particles such as silver are mixed in a solvent made of epoxy resin or the like. ing. Specifically, after applying a conductive adhesive to the internal electrodes, the piezoelectric vibrating reeds are stacked on the conductive adhesive and connected by heating the conductive adhesive.

ここで、一般に、圧電振動片の周波数特性やインピーダンス特性等の電気的特性は、圧電振動片を封入しているキャビティ内が真空状態のほうが良い。しかし、エポキシ系樹脂等からなる溶剤は、高温になると蒸発してガスを発生する。このガスがキャビティ内に滞留することで、圧電振動片の発振周波数特性やインピーダンス特性等の電気的特性が悪化し、結果として圧電振動子の性能が悪化する虞がある。 Here, in general, the electrical characteristics such as frequency characteristics and impedance characteristics of the piezoelectric vibrating piece are better when the cavity in which the piezoelectric vibrating piece is sealed is in a vacuum state. However, a solvent composed of an epoxy resin or the like evaporates and generates a gas at a high temperature. When this gas stays in the cavity, electrical characteristics such as oscillation frequency characteristics and impedance characteristics of the piezoelectric vibrating piece are deteriorated, and as a result, the performance of the piezoelectric vibrator may be deteriorated.

そこで、導電性接着剤に代えて、台座部と、台座部から立設されるワイヤ部とを備える金属スタッドバンプを形成し、フリップチップ接合により圧電振動片を実装する方法が試みられている。具体的なフリップチップ接合の方法としては、フリップチップボンダの接合ヘッドの供給プローブで圧電振動片をピックアップし、その後、圧電振動片を実装プローブに受け渡し、実装プローブ上の圧電振動片を引き回し電極上に形成された金等の金属からなるスタッドバンプに押付け、圧電振動片に超音波を与えて振動させることにより、圧電振動片をスタッドバンプに接合する。 Therefore, instead of the conductive adhesive, a method of forming a metal stud bump including a pedestal portion and a wire portion erected from the pedestal portion and mounting the piezoelectric vibrating piece by flip chip bonding has been attempted. As a specific flip chip bonding method, a piezoelectric vibrating piece is picked up by a supply probe of a bonding head of a flip chip bonder, then the piezoelectric vibrating piece is transferred to the mounting probe, and the piezoelectric vibrating piece on the mounting probe is routed on the electrode. The piezoelectric vibrating piece is bonded to the stud bump by pressing against a stud bump made of a metal such as gold and applying an ultrasonic wave to the piezoelectric vibrating piece.

図８は従来の供給プローブを示す図である。図８（ａ）は圧電振動片の保持面を示す図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡＡ断面図である。供給プローブは、プローブ本体８１の中心に負圧の吸引穴８０が設けられている。図８に示すように、吸引穴８０から発生する負圧により、圧電振動片を供給プローブにピックアップする。 FIG. 8 shows a conventional supply probe. FIG. 8A is a view showing a holding surface of the piezoelectric vibrating piece, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. The supply probe is provided with a negative pressure suction hole 80 at the center of the probe main body 81. As shown in FIG. 8, the piezoelectric vibrating piece is picked up by the supply probe by the negative pressure generated from the suction hole 80.

近年の圧電振動片の小型化要求の高まりがある中で、小型の圧電振動片を小型のパッケージへ実装する必要があり、実装装置の小型化への対応が必要となってきている。この場合、圧電振動片の小型化により、従来の供給プローブでは、吸引穴８０に対して圧電振動片４が小さくなる。そのため、圧電振動片４が吸引穴に落ち込み、正しく吸着されない可能性がある。よって、圧電振動片が小型化した場合でも安定的に精度良く実装する必要があるためには、安定して正確に所定位置で圧電振動片を供給プローブにピックアップし、正確に所定の位置に実装プローブに搬送することが必要である。 In recent years, there is an increasing demand for downsizing of the piezoelectric vibrating piece, and it is necessary to mount the small piezoelectric vibrating piece in a small package, and it is necessary to cope with downsizing of the mounting apparatus. In this case, the piezoelectric vibrating reed 4 becomes smaller than the suction hole 80 in the conventional supply probe due to the miniaturization of the piezoelectric vibrating reed. Therefore, there is a possibility that the piezoelectric vibrating piece 4 falls into the suction hole and is not correctly adsorbed. Therefore, even if the piezoelectric vibrating piece is downsized, it is necessary to mount it stably and accurately. Therefore, the piezoelectric vibrating piece is picked up at a predetermined position stably and accurately, and mounted accurately at a predetermined position. It is necessary to transport to the probe.

そこで、特許文献1のように、電磁磁石のプローブを使用し、その磁力を利用することで、強磁性体材料が用いられた電極を形成された圧電振動片を搬送することが提案されている。しかしながら、圧電振振動片の電極材料を強磁性体材料と限定する必要があり、また、装置構成材料を電磁石の影響のない材料で構成するなどの必要があり、大掛かりな装置構成となる為、装置コスト増加につながる恐れがある。 Therefore, as disclosed in Patent Document 1, it is proposed to use an electromagnetic magnet probe and to transport a piezoelectric vibrating piece on which an electrode using a ferromagnetic material is formed by using the magnetic force thereof. . However, it is necessary to limit the electrode material of the piezoelectric vibration vibrating piece to a ferromagnetic material, and it is necessary to configure the device constituent material with a material that is not affected by the electromagnet, resulting in a large-scale device configuration. There is a risk of increasing the equipment cost.

特開２００８−２７１３３１号公報JP 2008-271331 A

そこで本発明は、上述の事情を鑑みてなされたものであって、簡易的に小型の圧電振動子を安定して正確に所定の位置でピックアップし、正確に所定の位置に圧電振動子を搬送することで、高精度に実装することが出来る圧電振動子の製造方法を提供する。 Accordingly, the present invention has been made in view of the above-described circumstances, and simply and easily picks up a small piezoelectric vibrator at a predetermined position stably and conveys the piezoelectric vibrator to a predetermined position accurately. Thus, a method of manufacturing a piezoelectric vibrator that can be mounted with high accuracy is provided.

振動部と、前記振動部に隣接する基部と、を有する圧電振動片と、
前記圧電振動片を収容するキャビティを備えたパッケージと、
を備えた圧電振動子の製造方法であって、
ワイヤボンダを使用して、前記パッケージに固着される台座部と、前記台座部から立設されるワイヤ部とを備えるスタッドバンプを形成するバンプ形成工程と、
前記圧電振動片を前記スタッドバンプにフリップチップ接合する実装工程と、
を有し、
前記フリップチップする実装工程で使用する圧電振動片を負圧によって保持する吸着治具（供給プローブ）は、微細な穴が複数設けられたことを特徴とする。 A piezoelectric vibrating piece having a vibrating portion and a base adjacent to the vibrating portion;
A package having a cavity for accommodating the piezoelectric vibrating piece;
A method of manufacturing a piezoelectric vibrator comprising:
A bump forming step of forming a stud bump including a pedestal portion fixed to the package and a wire portion erected from the pedestal portion using a wire bonder;
A mounting step in which the piezoelectric vibrating piece is flip-chip bonded to the stud bump;
Have
The suction jig (supply probe) for holding the piezoelectric vibrating reed used in the flip chip mounting process by a negative pressure is provided with a plurality of fine holes.

一般に、圧電振動片を取り出す吸着治具は、その大きな吸着用の穴が一つだけ空けられており、その穴より負圧によって、個片化された圧電振動片を取り出す。しかしながら、圧電振動片が小型になってくると、穴に圧電振動片の一部だけ、場合によっては、半分以上が穴に落ち込むようにして、取り出されてしまうことになり、搬送時に不具合が生じてしまう。その対策として、穴の大きさを小さくすることが考えることが出来るが、吸着治具の穴は、一定の長さが必要であるため、機械的に加工することが大変困難である。
したがって、本発明では、微細な複数の穴が開けられるような薄い板を従来の吸着治具に圧着して取り付ける。または、埋め込むような形状としている。そのため、圧電振動片を所定の位置で安定的に取り出すことが出来きるため、実装用のプローブへ所定の位置へ受け渡すことが出来る。その結果、実装位置精度が出来るため、信頼性が確保できる。 In general, a suction jig for taking out a piezoelectric vibrating piece has only one large suction hole, and the piezoelectric vibrating piece is taken out from the hole by negative pressure. However, when the piezoelectric vibrating piece becomes smaller, only a part of the piezoelectric vibrating piece in the hole, or in some cases, more than half falls into the hole and is taken out, resulting in a problem during transportation. End up. As a countermeasure, it can be considered to reduce the size of the hole, but since the hole of the suction jig needs to have a certain length, it is very difficult to mechanically process it.
Therefore, in the present invention, a thin plate capable of forming a plurality of fine holes is attached by pressure bonding to a conventional suction jig. Alternatively, the shape is embedded. Therefore, since the piezoelectric vibrating piece can be stably taken out at a predetermined position, it can be transferred to a predetermined position to a mounting probe. As a result, mounting position accuracy can be achieved, and reliability can be ensured.

また、微細な穴が複数設けられた吸着治具は、微細な穴が複数設けられた平板と、前記平板の外周部に沿うように設けられたフレームと、単一の大きな穴が設けられた本体とを圧着して、構成されたことを特徴とする。
微細な穴が複数設けられた平板を従来の吸着治具に直接取り付けずに、外周部に沿うように一定の厚みのあるフレームをつけることで、空間が生まれる。このようにすることで、
平板に広い面積で微細な穴が空けることが出来るため、圧電振動片の全体をバキュームすることが出来るため、取出しが安定化する。 The suction jig provided with a plurality of fine holes is provided with a flat plate provided with a plurality of fine holes, a frame provided along the outer peripheral portion of the flat plate, and a single large hole. It is characterized by being constructed by crimping the main body.
A space is created by attaching a frame having a certain thickness along the outer periphery without directly attaching a flat plate having a plurality of fine holes to a conventional suction jig. By doing this,
Since a fine hole can be formed in a large area in the flat plate, the entire piezoelectric vibrating piece can be vacuumed, and the takeout is stabilized.

また、本発明の圧電振動子は、上述した圧電振動子の製造方法により製造されたことを特徴とする。
本発明によれば、圧電振動片とパッケージとのクリアランスを確保しつつ、圧電振動片の実装強度を確保できるので、信頼性に優れた圧電振動子を提供することができる。 The piezoelectric vibrator of the present invention is manufactured by the above-described method for manufacturing a piezoelectric vibrator.
According to the present invention, since the mounting strength of the piezoelectric vibrating piece can be ensured while ensuring the clearance between the piezoelectric vibrating piece and the package, a piezoelectric vibrator having excellent reliability can be provided.

本発明の発振器は、上述した圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の電子機器は、上述した圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の電波時計は、上述した圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明にかかる発振器、電子機器および電波時計によれば、圧電振動片とパッケージとのクリアランスを確保しつつ、安定的に高い実装位置精度を確保できる、信頼性に優れた圧電振動子を備えているので、信頼性の高い発振器、電子機器および電波時計を製造することができる。 The oscillator according to the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrator is electrically connected to an integrated circuit as an oscillator.
The electronic apparatus according to the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrator is electrically connected to a time measuring unit.
The radio-controlled timepiece of the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrator is electrically connected to a filter unit.
The oscillator, electronic device, and radio timepiece according to the present invention include a highly reliable piezoelectric vibrator that can stably ensure high mounting position accuracy while ensuring the clearance between the piezoelectric vibrating piece and the package. Therefore, a highly reliable oscillator, electronic device, and radio timepiece can be manufactured.

吸着治具（供給プローブ）は、圧電振動片より、十分小さな穴が複数設けられているため、圧電振動片を安定的に所定の位置で取り出すことが出来る。その結果、実装用吸着治具（実装プローブ）に正確に所定の位置に受け渡すことが可能であるため、安定的に高い精度で実装することが可能となる。したがって、圧電振動片とパッケージとのクリアランスを確保しつつ、安定的に高い実装位置精度を確保できる、信頼性に優れた圧電振動子を製造することが可能である。 Since the suction jig (supply probe) has a plurality of sufficiently smaller holes than the piezoelectric vibrating piece, the piezoelectric vibrating piece can be stably taken out at a predetermined position. As a result, since it can be accurately transferred to a predetermined position on the mounting suction jig (mounting probe), it is possible to stably mount with high accuracy. Therefore, it is possible to manufacture a highly reliable piezoelectric vibrator that can stably ensure high mounting position accuracy while ensuring the clearance between the piezoelectric vibrating piece and the package.

圧電振動子を示す外観斜視図である。It is an external appearance perspective view which shows a piezoelectric vibrator. 図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。FIG. 2 is an internal configuration diagram of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1, and is a plan view with a lid substrate removed. 図２のＡ−Ａ線における断面図である。It is sectional drawing in the AA of FIG. 圧電振動子の製造方法のフローチャートである。It is a flowchart of the manufacturing method of a piezoelectric vibrator. 本発明の供給治具を示す図である。It is a figure which shows the supply jig | tool of this invention. 本発明の供給治具を示す図である。It is a figure which shows the supply jig | tool of this invention. ウエハ体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a wafer body. 従来の吸着治具を示す図であるIt is a figure which shows the conventional suction jig.

（圧電振動子）
以下、本発明の実施形態に係る圧電振動子を、図面を参照して説明する。
なお、圧電振動子におけるベース基板のリッド基板との接合面を第１面Ｕとし、ベース基板の外側の面を第２面Ｌとして説明する。
図１は本実施形態における圧電振動子の外観斜視図である。図２は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。図３は図２のＡ−Ａ線における断面図である。 (Piezoelectric vibrator)
Hereinafter, a piezoelectric vibrator according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
In the following description, the bonding surface of the base substrate to the lid substrate of the piezoelectric vibrator is referred to as a first surface U, and the outer surface of the base substrate is referred to as a second surface L.
FIG. 1 is an external perspective view of a piezoelectric vibrator according to this embodiment. FIG. 2 is an internal configuration diagram of the piezoelectric vibrator, and is a plan view with the lid substrate removed. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.

図１から図３に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２およびリッド基板３が接合膜３５を介して陽極接合されたパッケージ９と、パッケージ９のキャビティＣに収納された圧電振動片４と、を備えた表面実装型の圧電振動子１である。 As shown in FIGS. 1 to 3, the piezoelectric vibrator 1 of this embodiment is housed in a package 9 in which a base substrate 2 and a lid substrate 3 are anodically bonded via a bonding film 35, and a cavity C of the package 9. The surface mount type piezoelectric vibrator 1 including the piezoelectric vibrating piece 4.

（圧電振動片）
圧電振動片４は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。圧電振動片４は、平行に配置された一対の振動腕部１０，１１からなる振動部と、前記一対の振動腕部１０，１１の基端側を一体的に固定する基部１２と、一対の振動腕部１０，１１の両主面上に形成された溝部１８とを備えている。この溝部１８は、該振動腕部１０，１１の長手方向に沿って振動腕部１０，１１の基端側から略中間付近まで形成されている。 (Piezoelectric vibrating piece)
The piezoelectric vibrating piece 4 is a tuning fork type vibrating piece formed of a piezoelectric material such as quartz, lithium tantalate, or lithium niobate, and vibrates when a predetermined voltage is applied. The piezoelectric vibrating reed 4 includes a vibrating portion including a pair of vibrating arm portions 10 and 11 arranged in parallel, a base portion 12 that integrally fixes the base end sides of the pair of vibrating arm portions 10 and 11, and a pair of And a groove portion 18 formed on both main surfaces of the vibrating arm portions 10 and 11. The groove portion 18 is formed from the proximal end side of the vibrating arm portions 10 and 11 to the vicinity of the middle along the longitudinal direction of the vibrating arm portions 10 and 11.

本実施形態の圧電振動片４は、一対の振動腕部１０，１１の外表面上に形成されて一対の振動腕部１０，１１を振動させる第１の励振電極１３および第２の励振電極１４からなる励振電極１５と、圧電振動片４をパッケージに実装するために基部１２に形成されたマウント電極１６，１７と、第１の励振電極１３および第２の励振電極１４とマウント電極１６，１７とを電気的接続する引き出し電極１９，２０と、を有している。 The piezoelectric vibrating reed 4 according to the present embodiment is formed on the outer surface of the pair of vibrating arm portions 10 and 11, and the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 that vibrate the pair of vibrating arm portions 10 and 11. The mounting electrodes 16 and 17 formed on the base 12 for mounting the piezoelectric vibrating reed 4 on the package, the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14, and the mount electrodes 16 and 17. And lead electrodes 19 and 20 that are electrically connected to each other.

本実施形態において、励振電極１５および引き出し電極１９，２０は、後述するマウント電極１６，１７の下地層と同じ材料のクロムにより単層膜が形成されている。これにより、マウント電極１６，１７の下地層を成膜するのと同時に、励振電極１５および引き出し電極１９，２０を成膜することができる。ただし、この場合に限られず、例えば、ニッケルやアルミニウム、チタン等により励振電極１５および引き出し電極１９，２０を成膜しても構わない。 In the present embodiment, the excitation electrode 15 and the extraction electrodes 19 and 20 are formed of a single layer film of chromium made of the same material as the underlayer of the mount electrodes 16 and 17 described later. Thereby, the excitation electrode 15 and the extraction electrodes 19 and 20 can be formed simultaneously with the formation of the underlying layers of the mount electrodes 16 and 17. However, the present invention is not limited to this. For example, the excitation electrode 15 and the extraction electrodes 19 and 20 may be formed of nickel, aluminum, titanium, or the like.

励振電極１５は、一対の振動腕部１０，１１を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極である。励振電極１５を構成する第１の励振電極１３および第２の励振電極１４は、一対の振動腕部１０，１１の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、第１の励振電極１３が、一方の振動腕部１０の溝部１８上と他方の振動腕部１１の両側面上とに主に形成され、第２の励振電極１４が、一方の振動腕部１０の両側面上と他方の振動腕部１１の溝部１８上とに主に形成されている。また、第１の励振電極１３および第２の励振電極１４は、基部１２の両主面上において、それぞれ引き出し電極１９，２０を介して、後述するマウント電極１６，１７に電気的に接続されている。 The excitation electrode 15 is an electrode that vibrates the pair of vibrating arm portions 10 and 11 at a predetermined resonance frequency in a direction toward or away from each other. The first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 constituting the excitation electrode 15 are formed by being patterned on the outer surfaces of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 while being electrically separated from each other. . Specifically, the first excitation electrode 13 is mainly formed on the groove portion 18 of one vibration arm portion 10 and on both side surfaces of the other vibration arm portion 11, and the second excitation electrode 14 is formed on one side. Are formed mainly on both side surfaces of the vibrating arm portion 10 and on the groove portion 18 of the other vibrating arm portion 11. The first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 are electrically connected to mount electrodes 16 and 17 (described later) via lead electrodes 19 and 20 on both main surfaces of the base portion 12, respectively. Yes.

本実施形態のマウント電極１６，１７は、クロムと金との積層膜であり、水晶と密着性の良いクロム膜を下地層として成膜した後に、表面に金の薄膜を仕上げ層として成膜することにより形成される。ただし、この場合に限られず、例えば、クロムとニクロムを下地層として成膜した後に、表面にさらに金の薄膜を仕上げ層として成膜しても構わない。このようにマウント電極１６，１７の仕上げ層を金としているのは、後述するスタッドバンプと同じ材料にして、マウント電極１６，１７とスタッドバンプとの金属拡散を十分に実現するためである。 The mount electrodes 16 and 17 of this embodiment are laminated films of chromium and gold. After a chromium film having good adhesion to crystal is formed as a base layer, a gold thin film is formed on the surface as a finishing layer. Is formed. However, the present invention is not limited to this. For example, after forming chromium and nichrome as a base layer, a gold thin film may be further formed as a finishing layer on the surface. The reason why the finish layers of the mount electrodes 16 and 17 are made of gold is that the same material as stud bumps described later is used to sufficiently realize metal diffusion between the mount electrodes 16 and 17 and the stud bumps.

また、一対の振動腕部１０，１１の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜２１が被膜されている。この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。これら粗調膜２１ａおよび微調膜２１ｂを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部１０，１１の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。 Further, a weight metal film 21 for adjusting (frequency adjustment) to vibrate its own vibration state within a predetermined frequency range is coated on the tips of the pair of vibrating arm portions 10 and 11. The weight metal film 21 is divided into a coarse adjustment film 21a used when the frequency is roughly adjusted and a fine adjustment film 21b used when the frequency is finely adjusted. By adjusting the frequency using the coarse adjustment film 21a and the fine adjustment film 21b, the frequency of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be kept within the range of the nominal frequency of the device.

（パッケージ）
図１、図３に示すように、リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる陽極接合可能な基板であり、略板状に形成されている。リッド基板３におけるベース基板２との接合面側には、圧電振動片４を収容するキャビティ用凹部３ａが形成されている。 (package)
As shown in FIGS. 1 and 3, the lid substrate 3 is a substrate capable of anodic bonding made of a glass material, for example, soda-lime glass, and is formed in a substantially plate shape. A cavity recess 3 a for accommodating the piezoelectric vibrating reed 4 is formed on the side of the lid substrate 3 that is bonded to the base substrate 2.

リッド基板３におけるベース基板２との接合面側の全体に、陽極接合用の接合膜３５が形成されている。すなわち接合膜３５は、キャビティ用凹部３ａの内面全体に加えて、キャビティ用凹部３ａの周囲の額縁領域に形成されている。本実施形態の接合膜３５はシリコン膜で形成されているが、接合膜３５をアルミニウムで形成することも可能である。後述するように、この接合膜３５とベース基板２とが陽極接合されることにより、キャビティＣが真空封止されている。 A bonding film 35 for anodic bonding is formed on the entire bonding surface side of the lid substrate 3 with the base substrate 2. That is, the bonding film 35 is formed in the frame area around the cavity recess 3a in addition to the entire inner surface of the cavity recess 3a. Although the bonding film 35 of this embodiment is formed of a silicon film, the bonding film 35 can also be formed of aluminum. As will be described later, the bonding film 35 and the base substrate 2 are anodically bonded, whereby the cavity C is vacuum-sealed.

ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる基板であり、図１から図３に示すように、リッド基板３と同等の外形で略板状に形成されている。また、このベース基板２には、ベース基板２を厚さ方向に貫通する一対の貫通孔３０，３１と、一対の貫通電極３２，３３とが形成されている。 The base substrate 2 is a substrate made of a glass material, for example, soda lime glass, and is formed in a substantially plate shape with the same outer shape as the lid substrate 3 as shown in FIGS. Further, the base substrate 2 is formed with a pair of through holes 30 and 31 penetrating the base substrate 2 in the thickness direction, and a pair of through electrodes 32 and 33.

図２および図３に示すように、貫通孔３０，３１は、圧電振動子１を形成したときにキャビティＣ内に収まるように形成される。より詳しく説明すると、本実施形態の貫通孔３０，３１は、後述する実装工程で実装される圧電振動片４の基部１２側に対応した位置に一方の貫通孔３０が形成され、振動腕部１０，１１の先端側に対応した位置に他方の貫通孔３１が形成される。図３に示すように、本実施形態の貫通孔３０，３１は、第１面Ｕ側から第２面Ｌ側にかけて、内形が次第に大きくなるように形成されており、貫通孔３０，３１の中心軸Ｏを含む断面形状がテーパ状となるように形成されている。なお、テーパ角度は中心軸Ｏに対して１０度から２０度程度となるように形成される。また、本実施形態では、貫通孔３０，３１の中心軸Ｏに垂直な方向の断面形状は、円形状となるように形成されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the through holes 30 and 31 are formed so as to be accommodated in the cavity C when the piezoelectric vibrator 1 is formed. More specifically, in the through holes 30 and 31 of the present embodiment, one through hole 30 is formed at a position corresponding to the base 12 side of the piezoelectric vibrating reed 4 that is mounted in a mounting process to be described later. , 11 is formed in the other through hole 31 at a position corresponding to the tip side. As shown in FIG. 3, the through holes 30 and 31 of the present embodiment are formed so that the inner shape gradually increases from the first surface U side to the second surface L side. The cross-sectional shape including the central axis O is formed in a tapered shape. The taper angle is formed to be about 10 to 20 degrees with respect to the central axis O. In the present embodiment, the cross-sectional shape in the direction perpendicular to the central axis O of the through holes 30 and 31 is formed to be a circular shape.

以下に貫通電極の説明をする。なお、以下には貫通電極３２を例にして説明するが、貫通電極３３についても同様である。
貫通電極３２は、図３に示すように、貫通孔３０の内部に配置されたガラスの筒体６および導電部材７によって形成されたものである。 The through electrode will be described below. In the following description, the through electrode 32 is described as an example, but the same applies to the through electrode 33.
As shown in FIG. 3, the through electrode 32 is formed by the glass cylinder 6 and the conductive member 7 disposed inside the through hole 30.

本実施形態では、筒体６は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体６は、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚みに形成されている。筒体６の中心には、導電部材７が筒体６を貫通するように配されている。さらに、筒体６は、導電部材７および貫通孔３０に対して強固に固着している。そして、筒体６および導電部材７は、貫通孔３０を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持している。 In the present embodiment, the cylindrical body 6 is obtained by baking paste-like glass frit. The cylindrical body 6 is flat at both ends and is formed to have substantially the same thickness as the base substrate 2. A conductive member 7 is arranged at the center of the cylinder 6 so as to penetrate the cylinder 6. Further, the cylindrical body 6 is firmly fixed to the conductive member 7 and the through hole 30. The cylindrical body 6 and the conductive member 7 completely close the through hole 30 and maintain the airtightness in the cavity C.

図２、図３に示すように、ベース基板２の第１面Ｕ側には、一対の引き回し電極３６，３７がパターニングされている。一対の引き回し電極３６，３７のうち、一方の引き回し電極３６は、一方の貫通電極３２の真上に位置するように形成されている。また、他方の引き回し電極３７は、一方の引き回し電極３６に隣接した位置から、振動腕部１０，１１に沿って前記振動腕部１０，１１の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極３３の真上に位置するように形成されている。引き回し電極３６，３７は、クロムと金との積層膜であり、クロム膜を下地層として成膜した後に、表面に金の薄膜を仕上げ層として成膜している。後述するスタッドバンプと同じ材料の金により引き回し電極３６，３７の仕上げ層を形成しているので、引き回し電極３６，３７上にスタッドバンプを接合する際に接合強度を確保できる。 As shown in FIGS. 2 and 3, a pair of routing electrodes 36 and 37 are patterned on the first surface U side of the base substrate 2. Of the pair of lead-out electrodes 36 and 37, one lead-out electrode 36 is formed so as to be positioned immediately above one through-electrode 32. The other routing electrode 37 is routed from the position adjacent to the one routing electrode 36 along the vibrating arm portions 10 and 11 to the distal end side of the vibrating arm portions 10 and 11, and then the other through electrode 33. It is formed so that it may be located just above. The lead-out electrodes 36 and 37 are laminated films of chromium and gold. After the chromium film is formed as a base layer, a gold thin film is formed on the surface as a finishing layer. Since the finishing layers of the routing electrodes 36 and 37 are formed of gold made of the same material as a stud bump described later, the bonding strength can be secured when the stud bump is bonded on the routing electrodes 36 and 37.

圧電振動片４のマウント電極１６，１７は、前述したスタッドバンプを介してベース基板２に実装されている。これにより、圧電振動片４の一方のマウント電極１６が、一方の引き回し電極３６を介して一方の貫通電極３２に導通し、他方のマウント電極１７が、他方の引き回し電極３７を介して他方の貫通電極３３に導通するようになっている。 The mount electrodes 16 and 17 of the piezoelectric vibrating piece 4 are mounted on the base substrate 2 via the stud bumps described above. Thereby, one mount electrode 16 of the piezoelectric vibrating reed 4 is electrically connected to one through electrode 32 through one routing electrode 36, and the other mount electrode 17 is passed through the other routing electrode 37 to the other penetration electrode. The electrode 33 is electrically connected.

またベース基板２の第２面Ｌには、図１、図３に示すように、一対の外部電極３８，３９が形成されている。一対の外部電極３８，３９は、ベース基板２の長手方向の両端部に形成され、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ電気的に接続されている。 A pair of external electrodes 38 and 39 are formed on the second surface L of the base substrate 2 as shown in FIGS. The pair of external electrodes 38 and 39 are formed at both ends in the longitudinal direction of the base substrate 2, and are electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively.

このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極３８，３９に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片４の第１の励振電極１３および第２の励振電極１４からなる励振電極１５に電圧を印加することができるので、一対の振動腕部１０，１１を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。この一対の振動腕部１０，１１の振動を利用して、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として利用することができる。 When the piezoelectric vibrator 1 configured in this way is operated, a predetermined drive voltage is applied to the external electrodes 38 and 39 formed on the base substrate 2. As a result, a voltage can be applied to the excitation electrode 15 including the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 of the piezoelectric vibrating reed 4, so that the pair of vibrating arm portions 10 and 11 are moved closer to and away from each other. Can be vibrated at a predetermined frequency. The vibration of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be used as a time source, a timing source for control signals, a reference signal source, or the like.

（圧電振動子の製造方法）
次に、上述した圧電振動子の製造方法を、フローチャートを参照しながら説明する。
図４は本実施形態の圧電振動子の製造方法のフローチャートである。図７は、ウエハ体の分解斜視図である。なお、図７に示す点線は、後に行う切断工程で切断する切断線Ｍを図示している。 (Piezoelectric vibrator manufacturing method)
Next, a method for manufacturing the above-described piezoelectric vibrator will be described with reference to a flowchart.
FIG. 4 is a flowchart of the manufacturing method of the piezoelectric vibrator of this embodiment. FIG. 7 is an exploded perspective view of the wafer body. In addition, the dotted line shown in FIG. 7 has shown the cutting line M cut | disconnected by the cutting process performed later.

本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程Ｓ１０と、リッド基板用ウエハ作製工程Ｓ２０と、ベース基板用ウエハ作製工程Ｓ３０と、組立工程（Ｓ５０以降）を有している。そのうち、圧電振動片作製工程Ｓ１０、リッド基板用ウエハ作製工程Ｓ２０およびベース基板用ウエハ作製工程Ｓ３０は、並行して実施することが可能である。 The piezoelectric vibrator manufacturing method according to the present embodiment mainly includes a piezoelectric vibrating piece manufacturing step S10, a lid substrate wafer manufacturing step S20, a base substrate wafer manufacturing step S30, and an assembly step (S50 and subsequent steps). doing. Among them, the piezoelectric vibrating piece producing step S10, the lid substrate wafer producing step S20, and the base substrate wafer producing step S30 can be performed in parallel.

（圧電振動片作製工程）
圧電振動片作製工程Ｓ１０では、図２、図３に示す圧電振動片４を作製する。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュなどの鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄などの適切な処理を施した後、該ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片４の外形形状にパターニングするとともに、金属膜の成膜およびパターニングを行って、励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７および重り金属膜２１を形成する。これにより、複数の圧電振動片４を作製することができる。次に、圧電振動片４の共振周波数の粗調を行う。これは、重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、振動腕部１０，１１の重量を変化させることで行う。 (Piezoelectric vibrating piece manufacturing process)
In the piezoelectric vibrating piece producing step S10, the piezoelectric vibrating piece 4 shown in FIGS. 2 and 3 is produced. Specifically, a quartz Lambert rough is first sliced at a predetermined angle to obtain a wafer having a constant thickness. Subsequently, the wafer is lapped and roughly processed, and then the work-affected layer is removed by etching, and then mirror polishing such as polishing is performed to obtain a wafer having a predetermined thickness. Subsequently, after performing appropriate processing such as cleaning on the wafer, the wafer is patterned into an outer shape of the piezoelectric vibrating reed 4 by photolithography technique, and a metal film is formed and patterned to obtain the excitation electrode 15, Lead electrodes 19 and 20, mount electrodes 16 and 17, and weight metal film 21 are formed. Thereby, the some piezoelectric vibrating piece 4 is producible. Next, the resonance frequency of the piezoelectric vibrating reed 4 is roughly adjusted. This is performed by irradiating the coarse adjustment film 21 a of the weight metal film 21 with laser light to evaporate a part thereof and changing the weight of the vibrating arm portions 10 and 11.

（リッド基板用ウエハ作製工程）
リッド基板用ウエハ作製工程Ｓ２０では、図７に示すように、後にリッド基板となるリッド基板用ウエハ５０を作製する。まず、ソーダ石灰ガラスからなる円板状のリッド基板用ウエハ５０を、所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去する（Ｓ２１）。次いで、キャビティ形成工程Ｓ２２では、リッド基板用ウエハ５０におけるベース基板用ウエハ４０との接合面に、キャビティ用凹部３ａを複数形成する。キャビティ用凹部３ａの形成は、加熱プレス成型やエッチング加工などによって行う。次に、接合面研磨工程Ｓ２３では、ベース基板用ウエハ４０との接合面を研磨する。 (Wad manufacturing process for lid substrate)
In the lid substrate wafer manufacturing step S20, as shown in FIG. 7, a lid substrate wafer 50 to be a lid substrate later is manufactured. First, the disc-shaped lid substrate wafer 50 made of soda-lime glass is polished and washed to a predetermined thickness, and then the outermost work-affected layer is removed by etching or the like (S21). Next, in the cavity forming step S <b> 22, a plurality of cavity recesses 3 a are formed on the bonding surface of the lid substrate wafer 50 to the base substrate wafer 40. The cavity recess 3a is formed by hot press molding or etching. Next, in the bonding surface polishing step S23, the bonding surface with the base substrate wafer 40 is polished.

次に、接合膜形成工程Ｓ２４では、ベース基板用ウエハ４０との接合面に、図１、図２に示す接合膜３５を形成する。接合膜３５は、ベース基板用ウエハ４０との接合面に加えて、キャビティＣの内面全体に形成してもよい。これにより、接合膜３５のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。接合膜３５の形成は、スパッタやＣＶＤ等の成膜方法によって行うことができる。なお、接合膜形成工程Ｓ２４の前に接合面研磨工程Ｓ２３を行っているので、接合膜３５の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ４０との安定した接合を実現することができる。 Next, in the bonding film forming step S <b> 24, the bonding film 35 shown in FIGS. 1 and 2 is formed on the bonding surface with the base substrate wafer 40. The bonding film 35 may be formed on the entire inner surface of the cavity C in addition to the bonding surface with the base substrate wafer 40. Thereby, the patterning of the bonding film 35 becomes unnecessary, and the manufacturing cost can be reduced. The bonding film 35 can be formed by a film forming method such as sputtering or CVD. In addition, since the bonding surface polishing step S23 is performed before the bonding film forming step S24, the flatness of the surface of the bonding film 35 is ensured, and stable bonding with the base substrate wafer 40 can be realized.

（ベース基板用ウエハ作製工程）
ベース基板用ウエハ作製工程Ｓ３０では、図７に示すように、後にベース基板となるベース基板用ウエハ４０を作製する。まず、ソーダ石灰ガラスからなる円板状のベース基板用ウエハ４０を、所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去する（Ｓ３１）。 (Base substrate wafer manufacturing process)
In the base substrate wafer manufacturing step S30, as shown in FIG. 7, a base substrate wafer 40 to be a base substrate later is manufactured. First, the disc-shaped base substrate wafer 40 made of soda-lime glass is polished and washed to a predetermined thickness, and then the work-affected layer on the outermost surface is removed by etching or the like (S31).

（貫通電極形成工程）
次いで、ベース基板用ウエハ４０に、一対の貫通電極３２，３３を形成する貫通電極形成工程Ｓ３２を行う。以下に、この貫通電極形成工程Ｓ３２について説明する。なお、以下には貫通電極３２の形成工程を例にして説明するが、貫通電極３３の形成工程についても同様である。 (Penetration electrode formation process)
Next, a through electrode forming step S32 for forming a pair of through electrodes 32 and 33 on the base substrate wafer 40 is performed. Below, this penetration electrode formation process S32 is demonstrated. In addition, although the formation process of the penetration electrode 32 is demonstrated below as an example, the formation process of the penetration electrode 33 is also the same.

まず、ベース基板用ウエハ４０の第２面Ｌから第１面Ｕにかけて、プレス加工等により図３に示す貫通孔３０を成型する。次に、貫通孔３０内に導電部材７を挿入してガラスフリットからなるペースト材を充填する。続いて、ペースト材を焼成して、図３に示すガラスの筒体６、貫通孔３０および導電部材７を一体化させる。最後に、ベース基板用ウエハ４０の第１面Ｕおよび第２面Ｌの両方を研磨して、第１面Ｕおよび第２面Ｌの両方に導電部材７を露出させつつ平坦面とすることにより、図３に示す貫通電極３２を貫通孔３０内に形成する。貫通電極３２により、ベース基板用ウエハ４０の第１面Ｕ側と第２面Ｌ側との導電性が確保されると同時に、キャビティＣ内の気密性を確保することができる。 First, the through hole 30 shown in FIG. 3 is formed from the second surface L to the first surface U of the base substrate wafer 40 by pressing or the like. Next, the conductive member 7 is inserted into the through hole 30 and filled with a paste material made of glass frit. Subsequently, the paste material is fired to integrate the glass cylinder 6, the through hole 30, and the conductive member 7 shown in FIG. 3. Finally, both the first surface U and the second surface L of the base substrate wafer 40 are polished so that the conductive member 7 is exposed on both the first surface U and the second surface L, thereby forming a flat surface. The through electrode 32 shown in FIG. 3 is formed in the through hole 30. The through electrode 32 can ensure the electrical conductivity between the first surface U side and the second surface L side of the base substrate wafer 40 and at the same time can ensure airtightness in the cavity C.

（電極パターン形成工程）
次に、図７に示すように、ベース基板用ウエハ４０の第１面Ｕに引き回し電極３６，３７を形成する、電極パターン形成工程Ｓ３４を行う。引き回し電極３６，３７を同一の材料で形成するので、引き回し電極３６，３７を同時に形成することができる。引き回し電極３６，３７は、スパッタ法や真空蒸着法等により形成された被膜を、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして形成される。 (Electrode pattern forming process)
Next, as shown in FIG. 7, an electrode pattern formation step S <b> 34 is performed in which lead-out electrodes 36 and 37 are formed on the first surface U of the base substrate wafer 40. Since the lead-out electrodes 36 and 37 are made of the same material, the lead-out electrodes 36 and 37 can be formed at the same time. The lead-out electrodes 36 and 37 are formed by patterning a film formed by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like by a photolithography technique.

次に、ベース基板用ウエハ４０の第２面Ｌに導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極３２，３３にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極３８，３９（図３参照）を形成する。この工程により、圧電振動片４は、貫通電極３２，３３を介して外部電極３８，３９と導通する。 Next, a conductive material is patterned on the second surface L of the base substrate wafer 40, and a pair of external electrodes 38 and 39 (see FIG. 3) electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively. Form. Through this process, the piezoelectric vibrating reed 4 is electrically connected to the external electrodes 38 and 39 via the through electrodes 32 and 33.

（バンプ形成工程）
次に、電極パターン形成工程Ｓ３４で形成された引き回し電極上にスタッドバンプを形成するバンプ形成工程Ｓ３５を行う。
バンプ形成工程Ｓ３５では、ワイヤボンダを使用して、ベース基板用ウエハ４０に形成された引き回し電極３６，３７に固着されるスタッドバンプＢを形成する。なお、引き回し電極３６上にスタッドバンプＢを形成する場合と同様に、引き回し電極３７上にスタッドバンプＢを形成される。
まず、不図示の電極を用いてアーク放電を行い、金ワイヤの先端に電流を流して溶解する。これにより、金ワイヤＷの先端に、のちの台座部となる金ボールを形成する。 (Bump formation process)
Next, a bump forming step S35 for forming stud bumps on the routing electrodes formed in the electrode pattern forming step S34 is performed.
In the bump forming step S35, a stud bump B fixed to the routing electrodes 36 and 37 formed on the base substrate wafer 40 is formed using a wire bonder. Note that the stud bump B is formed on the lead electrode 37 in the same manner as when the stud bump B is formed on the lead electrode 36.
First, arc discharge is performed using an electrode (not shown), and a current is passed through the tip of the gold wire to melt it. As a result, a gold ball that will later become a pedestal is formed at the tip of the gold wire W.

次に、金ボールを引き回し電極３６上に固着する。不図示のヒートステージ等により、予めベース基板用ウエハ４０を加熱しておく。その後、キャピラリを移動させ、金ボールを引き回し電極３６上に加圧して押付けつつ、超音波振動を印加して金ボールを引き回し電極３６上に固着する。
なお、図７では図面の見易さのためスタッドバンプの図示を省略している。この時点で、ベース基板用ウエハ作製工程Ｓ３０が終了する。 Next, the gold ball is drawn and fixed on the electrode 36. The base substrate wafer 40 is heated in advance by a heat stage (not shown) or the like. Thereafter, the capillary is moved, and the gold ball is routed and pressurized and pressed onto the electrode 36, and ultrasonic vibration is applied to draw the gold ball and adhere to the electrode 36.
In FIG. 7, the illustration of the stud bumps is omitted for easy viewing of the drawing. At this point, the base substrate wafer manufacturing step S30 ends.

（実装工程Ｓ５０）
実装工程Ｓ５０では、引き回し電極３６，３７上に形成されたスタッドバンプＢに圧電振動片４をフリップチップ接合する。図５に示すように、実装工程Ｓ５０で用いる実装装置は、不図示のフリップチップボンダに設けられた供給プローブ８３（吸着治具）と、不図示の実装プローブ（実装用吸着治具）とを備え、さらにベース基板用ウエハ４０を載置する不図示のヒートステージと、を備えている。具体的な実装工程Ｓ５０は以下の通りである。 (Mounting step S50)
In the mounting step S50, the piezoelectric vibrating reed 4 is flip-chip bonded to the stud bump B formed on the lead-out electrodes 36 and 37. As shown in FIG. 5, the mounting apparatus used in the mounting step S50 includes a supply probe 83 (suction jig) provided in a flip chip bonder (not shown) and a mounting probe (suction jig for mounting) not shown. And a heat stage (not shown) on which the base substrate wafer 40 is placed. A specific mounting process S50 is as follows.

まず、ヒートステージにより予めスタッドバンプＢを加熱しておく。次に、フリップチップボンダの供給プローブ８３で圧電振動片４を真空吸着してピックアップする吸着工程を行う。その後、圧電振動片４を保持する面を下側に移動させてから、供給プローブ８３を実装プローブと対向する位置に移送する。次に、実装プローブの所定位置へ圧電振動片４を受け渡す。この際、実装プローブの所定位置への受け渡しは、供給プローブ上の圧電振動片４の位置を画像認識した後に行う。実装プローブは圧電振動片４を吸着する。その後、実装プローブをベース基板用ウエハ４０上に移動して圧電振動片４とスタッドバンプとを位置合わせする位置合わせ工程を行う。なお、圧電振動片４は実装プローブの所定位置に配置されているため、この位置合わせを容易に行うことができる。 First, the stud bump B is heated in advance by a heat stage. Next, a suction process is performed in which the piezoelectric vibrating reed 4 is vacuum-sucked and picked up by the supply probe 83 of the flip chip bonder. Thereafter, the surface holding the piezoelectric vibrating reed 4 is moved downward, and then the supply probe 83 is transferred to a position facing the mounting probe. Next, the piezoelectric vibrating reed 4 is delivered to a predetermined position of the mounting probe. At this time, the mounting probe is transferred to a predetermined position after image recognition of the position of the piezoelectric vibrating reed 4 on the supply probe. The mounting probe sucks the piezoelectric vibrating piece 4. Thereafter, an alignment step is performed in which the mounting probe is moved onto the base substrate wafer 40 to align the piezoelectric vibrating reed 4 and the stud bump. Since the piezoelectric vibrating reed 4 is disposed at a predetermined position of the mounting probe, this alignment can be easily performed.

次に、実装プローブを下降させ、圧電振動片４のマウント電極１６，１７をスタッドバンプＢに所定の力で加圧して押付け、潰しながらフリップチップ接合する工程を行う。本実施形態では、スタッドバンプＢの高さが１０μｍ程度になるまでスタッドバンプＢを潰している。
なお、供給プローブ８３は以下のような形態を特徴としている。 Next, the mounting probe is lowered, and the mounting electrodes 16 and 17 of the piezoelectric vibrating reed 4 are pressed against the stud bump B with a predetermined force, pressed, and flip-chip bonded while being crushed. In the present embodiment, the stud bump B is crushed until the height of the stud bump B reaches about 10 μm.
The supply probe 83 is characterized by the following configuration.

図５に、本発明の供給プローブを示す。図５（ａ）は圧電振動片の保持面を示す図であり、図５（ｂ）は図８（ａ）のＡＡ断面図である。
供給プローブは、圧電振動片４を負圧によって保持する保持面と、保持面から保持面の反対側の面まで貫通し、負圧を発生する微細な複数の貫通孔８６と、を有する。
また、上述の吸着する工程において、少なくとも２つ以上の貫通孔８６を、圧電振動片と重なるように吸着する。 FIG. 5 shows a supply probe of the present invention. FIG. 5A is a view showing the holding surface of the piezoelectric vibrating piece, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
The supply probe includes a holding surface that holds the piezoelectric vibrating piece 4 with negative pressure, and a plurality of fine through holes 86 that penetrate from the holding surface to a surface opposite to the holding surface and generate negative pressure.
Further, in the above-described adsorption step, at least two or more through holes 86 are adsorbed so as to overlap the piezoelectric vibrating piece.

また、供給プローブは、複数の貫通孔８６を有する平板８５と、平板８５の外周部に沿うように設けられ、平板８５の外周部を保持するとともに、中央部を貫通し、複数の貫通孔８６と連通するスペーサー穴を有するスペーサー８４と、スペーサー８４の平板８５の外周部を保持する面と反対側の面を保持するとともに、中央部を貫通し、スペーサー穴と連通する１つの吸引穴８２を有するプローブ本体８１（本体）とを備える。また、平板８５とスペーサー８４とプローブ本体８１とが圧着して構成される。 The supply probe is provided along the flat plate 85 having a plurality of through-holes 86 and the outer peripheral portion of the flat plate 85, holds the outer peripheral portion of the flat plate 85, passes through the central portion, and has a plurality of through-holes 86. A spacer 84 having a spacer hole that communicates with the spacer 84, and a suction hole 82 that holds the surface opposite to the surface that holds the outer peripheral portion of the flat plate 85 of the spacer 84, penetrates the central portion, and communicates with the spacer hole. A probe main body 81 (main body). Further, the flat plate 85, the spacer 84, and the probe main body 81 are configured to be crimped.

また、本実施形態において、スペーサー８４は、プローブ本体の端辺を取り囲んで形成され、フレーム状に形成される。また、本実施形態において、吸着する工程で、少なくとも１つ以上の貫通孔８６は圧電振動片の基部と重なり、その他の少なくとも１つ以上の貫通孔８６は圧電振動片の振動部と重なるように吸着する。 In the present embodiment, the spacer 84 is formed so as to surround the end side of the probe body, and is formed in a frame shape. In the present embodiment, at least one or more through-holes 86 overlap with the base of the piezoelectric vibrating piece, and at least one other through-hole 86 overlaps with the vibrating portion of the piezoelectric vibrating piece in the adsorption step. Adsorb.

また、平板の広範囲で圧電振動片を吸着できるようにスペーサー８４を用いることで、供給プローブ本体８１と平板８５との間に空間が設けられる。そのため、吸着穴８０からの負圧のバキュームが、平板の広範囲に空けられた貫通孔８６を一様に負圧のバキュームをすることが可能である。その結果、小型の圧電振動片４が吸着穴８０へ落ち込むことがなく、貫通孔８６を介して、ピックアップすることが出来る。なお、供給プローブ本体８１とスペーサー８４と平板８５は、圧着して化学的に接続されている。 Moreover, a space is provided between the supply probe main body 81 and the flat plate 85 by using the spacer 84 so that the piezoelectric vibrating reed can be adsorbed in a wide range of the flat plate. Therefore, the negative pressure vacuum from the suction holes 80 can uniformly vacuum the through holes 86 formed in a wide area of the flat plate. As a result, the small piezoelectric vibrating reed 4 does not fall into the suction hole 80 and can be picked up through the through hole 86. The supply probe main body 81, the spacer 84, and the flat plate 85 are chemically connected by pressure bonding.

また、本実施形態において、複数の貫通孔８６は、平板８５の中央部に等間隔に配置されている。
プローブ本体８３は、端面が一辺２〜３ｍｍの矩形の柱状で構成される。また、吸引穴８２は開口部が円形に構成され、開口部の径が０．２〜０．３ｍｍで構成される。 In the present embodiment, the plurality of through holes 86 are arranged at equal intervals in the central portion of the flat plate 85.
The probe body 83 is configured as a rectangular column having an end surface of 2 to 3 mm on a side. Further, the suction hole 82 has a circular opening, and the opening has a diameter of 0.2 to 0.3 mm.

スペーサー８４は、端面の大きさ及び形状はプローブ本体８３と同一である。またスペーサー穴は開口部が円形に構成され、径が吸引穴より大きく形成される。例えば、スペーサー穴の径は、１．６〜２．４ｍｍである。なお、スペーサー穴の径は、圧電振動片全体より大きく形成することが好ましい。これにより、圧電振動片全体に対して吸引することができる。また、スペーサー８４は、平板８５と同一材料で形成することができる。これにより、エッチング加工が可能になる。 The spacer 84 has the same end face size and shape as the probe body 83. The spacer hole has a circular opening and is larger in diameter than the suction hole. For example, the diameter of the spacer hole is 1.6 to 2.4 mm. The diameter of the spacer hole is preferably larger than the entire piezoelectric vibrating piece. Thereby, it can attract with respect to the whole piezoelectric vibrating piece. The spacer 84 can be formed of the same material as the flat plate 85. Thereby, etching processing becomes possible.

平板８５は、プローブ本体８３と同一の大きさ及び形状に形成される。また、平板８５は、材質としては、エッチング加工で微細加工しやすい材質、ＳＵＳ３０４といったＳＵＳ材などを用いている。また、１つの貫通孔８６の径は、０．０５〜０．１ｍｍで形成される。貫通孔８６は、エッチング加工では０．０５ｍｍより小さい径に形成することが難しい。また、貫通孔８６が０．１ｍｍより大きい径の場合、平板８５をプローブ本体８３と同一の大きさで複数形成することが難しいため、平板８５が大きくなってしまう。 The flat plate 85 is formed in the same size and shape as the probe main body 83. Further, as the material of the flat plate 85, a material that can be finely processed by etching, a SUS material such as SUS304, or the like is used. The diameter of one through hole 86 is 0.05 to 0.1 mm. It is difficult to form the through hole 86 with a diameter smaller than 0.05 mm by etching. Further, when the through hole 86 has a diameter larger than 0.1 mm, it is difficult to form a plurality of the flat plates 85 with the same size as the probe main body 83, so that the flat plate 85 becomes large.

なお、貫通孔８６の径は、圧電振動片４の平板８５の保持面のうち、最も短い幅の部分より小さいことが好ましい。本実施形態の場合、貫通孔８６の径は、振動腕部の幅より小さく形成される。
また、吸着する工程において、３つ以上の貫通孔８６を圧電振動片４と重ねることが好ましい。これにより、平板８６の保持面に圧電振動片４が面で保持される。 The diameter of the through hole 86 is preferably smaller than the shortest width portion of the holding surface of the flat plate 85 of the piezoelectric vibrating piece 4. In the case of this embodiment, the diameter of the through hole 86 is formed smaller than the width of the vibrating arm portion.
Further, in the adsorbing step, it is preferable that three or more through holes 86 are overlapped with the piezoelectric vibrating piece 4. Thereby, the piezoelectric vibrating reed 4 is held on the holding surface of the flat plate 86 by the surface.

本実施形態において、供給プローブは、圧電振動片より、十分小さな穴が複数設けられているため、圧電振動片を安定的に所定の位置で取り出すことが出来る。その結果、実装プローブに正確に所定の位置に受け渡すことが可能であるため、安定的に高い精度で実装することが可能となる。したがって、圧電振動片とパッケージとのクリアランスを確保しつつ、安定的に高い実装位置精度を確保できる、信頼性に優れた圧電振動子を製造することが可能である。 In this embodiment, since the supply probe has a plurality of sufficiently smaller holes than the piezoelectric vibrating piece, the piezoelectric vibrating piece can be stably taken out at a predetermined position. As a result, since it can be accurately transferred to the mounting probe at a predetermined position, it is possible to stably mount with high accuracy. Therefore, it is possible to manufacture a highly reliable piezoelectric vibrator that can stably ensure high mounting position accuracy while ensuring the clearance between the piezoelectric vibrating piece and the package.

図６に供給プローブの変形例を示す。図６（ａ）は圧電振動片の保持面を示す図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡＡ断面図である。
変形例では、圧着という手法を取らず、供給プローブ本体８２に設けられた凹部に、スペーサー８４と平板８５とを埋め込む形態をとっている。
本体８２に設けられた凹部は、スペーサー８４と平板８５が丁度収まる大きさに設けられている。 FIG. 6 shows a modification of the supply probe. FIG. 6A is a view showing a holding surface of the piezoelectric vibrating piece, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
In the modified example, the technique of crimping is not used, and the spacer 84 and the flat plate 85 are embedded in the recess provided in the supply probe main body 82.
The recess provided in the main body 82 is provided with a size that allows the spacer 84 and the flat plate 85 to be accommodated.

すなわち、凹部は吸引穴より大きな径に形成され、凹部の底面が吸引穴の周の外側に形成される。また、スペーサー８４及び平板８５は凹部の底面と同一形状又は少し大きい大きさに形成される。この際、スペーサー８４のスペーサー穴の径は吸引穴の径と同一にしてもよい。この構成により、スペーサー８４は、凹部の底面に重なるようにプローブ本体８７に嵌合される。また、平板８４は、スペーサー８４に重なるようにプローブ本体８７に嵌合される。このとき、平板８５及びスペーサー８４の高さが、凹部の高さと同一になることが好ましい、これにより、供給プローブの端面が一面で構成される。
以上により、安定的に所定の位置に小型の圧電振動片４をピックアップすることが可能である。 That is, the recess is formed to have a larger diameter than the suction hole, and the bottom surface of the recess is formed outside the circumference of the suction hole. In addition, the spacer 84 and the flat plate 85 are formed in the same shape or a slightly larger size than the bottom surface of the recess. At this time, the diameter of the spacer hole of the spacer 84 may be the same as the diameter of the suction hole. With this configuration, the spacer 84 is fitted to the probe main body 87 so as to overlap the bottom surface of the recess. The flat plate 84 is fitted to the probe main body 87 so as to overlap the spacer 84. At this time, it is preferable that the height of the flat plate 85 and the spacer 84 is the same as the height of the concave portion, whereby the end surface of the supply probe is configured as a single surface.
As described above, the small piezoelectric vibrating piece 4 can be stably picked up at a predetermined position.

また、本変形例においても、供給プローブは、複数の貫通孔８６を有する平板８５と、平板８５の外周部に沿うように設けられ、平板８５の外周部を保持するとともに、中央部を貫通し、複数の貫通孔８６と連通するスペーサー穴を有するスペーサー８４と、スペーサー８４の平板８５の外周部を保持する面と反対側の面を保持するとともに、中央部を貫通し、スペーサー穴と連通する１つの吸引穴８２を有するプローブ本体８７（本体）とを備える。 Also in this modified example, the supply probe is provided along the flat plate 85 having the plurality of through holes 86 and the outer peripheral portion of the flat plate 85, holds the outer peripheral portion of the flat plate 85, and penetrates the central portion. The spacer 84 having a spacer hole communicating with the plurality of through-holes 86 and the surface of the spacer 84 opposite to the surface holding the outer peripheral portion of the flat plate 85 are held, and the central portion is penetrated to communicate with the spacer hole. And a probe main body 87 (main body) having one suction hole 82.

次に、所定の超音波出力および振動周波数で所定時間だけ実装プローブを超音波振動させて、圧電振動片４に超音波振動を印加する。本実施形態では、６００ｍＷ程度の超音波出力および１５ｋＨｚから２０ｋＨｚ程度の周波数で、水平方向および垂直方向に実装プローブを振動させて、圧電振動片４に超音波振動を印加する。これにより、マウント電極１６，１７とスタッドバンプＢとが金属拡散する。本実施形態では、フリップチップボンダの超音波出力を上述した６００ｍＷ程度としているので、スタッドバンプＢのほぼ全体が潰れて確実に金属拡散をすることができる。 Next, the mounting probe is ultrasonically vibrated for a predetermined time at a predetermined ultrasonic output and vibration frequency, and ultrasonic vibration is applied to the piezoelectric vibrating piece 4. In the present embodiment, the mounting probe is vibrated in the horizontal direction and the vertical direction at an ultrasonic output of about 600 mW and a frequency of about 15 kHz to 20 kHz, and ultrasonic vibration is applied to the piezoelectric vibrating piece 4. Thereby, the mount electrodes 16 and 17 and the stud bump B are diffused in metal. In the present embodiment, since the ultrasonic output of the flip chip bonder is set to about 600 mW as described above, almost the entire stud bump B is crushed and the metal can be diffused with certainty.

続いて、さらに加圧しつつ超音波振動を印加すると、マウント電極１６，１７とがさらに金属拡散する。したがって、圧電振動片４とベース基板用ウエハ４０との間に、実装高さの１０μｍから１５μｍを確保した状態で、基部１２およびスタッドバンプＢが機械的に固着される。また、本実施形態では、超音波出力を６００ｍＷとしたので、マウント電極１６，１７とスタッドバンプＢとの金属拡散を十分に実現できる。このように本実施形態の実装工程Ｓ５０では、圧電振動片４とベース基板用ウエハ４０とのクリアランスを確保しつつ、圧電振動片４の実装強度を確保できる。この時点で、実装工程Ｓ５０が終了する。 Subsequently, when ultrasonic vibration is applied while further applying pressure, the mount electrodes 16 and 17 are further diffused into the metal. Therefore, the base 12 and the stud bump B are mechanically fixed between the piezoelectric vibrating piece 4 and the base substrate wafer 40 in a state where a mounting height of 10 μm to 15 μm is secured. In this embodiment, since the ultrasonic output is 600 mW, metal diffusion between the mount electrodes 16 and 17 and the stud bump B can be sufficiently realized. As described above, in the mounting step S50 of the present embodiment, the mounting strength of the piezoelectric vibrating reed 4 can be ensured while the clearance between the piezoelectric vibrating reed 4 and the base substrate wafer 40 is ensured. At this point, the mounting process S50 ends.

次に、ウエハ体６０の状態で、キャビティＣ内に封止された個々の圧電振動子の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程Ｓ９０を行う。具体的には、図４に示す外部電極３８，３９から所定電圧を継続的に印加して、圧電振動片４を振動させつつ周波数を計測する。この状態で、ベース基板用ウエハ４０の外部からレーザ光を照射し、図５および図６に示す重り金属膜２１の微調膜２１ｂを蒸発させる。これにより、一対の振動腕部１０，１１の先端側の重量が低下するため、圧電振動片４の周波数が上昇する。これにより、圧電振動子の周波数を微調整して、公称周波数の範囲内に収めることができる。 Next, a fine adjustment step S90 in which the frequency of each piezoelectric vibrator sealed in the cavity C is finely adjusted to fall within a predetermined range in the state of the wafer body 60 is performed. Specifically, a predetermined voltage is continuously applied from the external electrodes 38 and 39 shown in FIG. 4 to measure the frequency while vibrating the piezoelectric vibrating reed 4. In this state, laser light is irradiated from the outside of the base substrate wafer 40 to evaporate the fine adjustment film 21b of the weight metal film 21 shown in FIGS. Thereby, since the weight of the tip side of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 is reduced, the frequency of the piezoelectric vibrating piece 4 is increased. As a result, the frequency of the piezoelectric vibrator can be finely adjusted to fall within the range of the nominal frequency.

（重ね合わせ工程Ｓ７０以降）
次に、図１０に戻り、ベース基板用ウエハ４０に対してリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる重ね合わせ工程Ｓ７０を行う。具体的には、図示しない基準マークなどを指標としながら、両ウエハ４０，５０を正しい位置にアライメントする。これにより、ベース基板用ウエハ４０に実装された圧電振動片４が、リッド基板用ウエハ５０のキャビティ用凹部３ａとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収容された状態となる。 (After superposition process S70)
Next, returning to FIG. 10, an overlaying step S <b> 70 for superimposing the lid substrate wafer 50 on the base substrate wafer 40 is performed. Specifically, both wafers 40 and 50 are aligned at the correct position while using a reference mark (not shown) as an index. As a result, the piezoelectric vibrating reed 4 mounted on the base substrate wafer 40 is accommodated in the cavity C surrounded by the cavity recess 3 a of the lid substrate wafer 50 and the base substrate wafer 40.

重ね合わせ工程Ｓ７０の後、重ね合わせた両ウエハ４０，５０を図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程Ｓ８０を行う。具体的には、接合膜３５とベース基板用ウエハ４０との間に所定の電圧を印加する。すると、接合膜３５とベース基板用ウエハ４０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片４をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合した、図１０に示すウエハ体６０を得ることができる。なお、図１０においては、図面を見易くするために、ウエハ体６０を分解した状態を図示しており、リッド基板用ウエハ５０から接合膜３５の図示を省略している。 After the superposition step S70, the superposed wafers 40 and 50 are put into an anodic bonding apparatus (not shown), and a joining step S80 for applying a predetermined voltage in a predetermined temperature atmosphere to perform anodic bonding is performed. Specifically, a predetermined voltage is applied between the bonding film 35 and the base substrate wafer 40. As a result, an electrochemical reaction occurs at the interface between the bonding film 35 and the base substrate wafer 40, and the two are firmly adhered to each other and anodic bonded. Thereby, the piezoelectric vibrating reed 4 can be sealed in the cavity C, and the wafer body 60 shown in FIG. 10 in which the base substrate wafer 40 and the lid substrate wafer 50 are bonded can be obtained. In FIG. 10, in order to make the drawing easy to see, a state in which the wafer body 60 is disassembled is illustrated, and the bonding film 35 is not illustrated from the lid substrate wafer 50.

接合工程Ｓ８０で接合されたウエハ体６０を図１０に示す切断線Ｍに沿って切断する切断工程Ｓ１００を行う。具体的には、まずウエハ体６０のベース基板用ウエハ４０の表面にＵＶテープを貼り付ける。次に、リッド基板用ウエハ５０側から切断線Ｍに沿ってレーザを照射する（スクライブ）。次に、ＵＶテープの表面から切断線Ｍに沿って切断刃を押し当て、ウエハ体６０を割断する（ブレーキング）。その後、ＵＶを照射してＵＶテープを剥離する。これにより、ウエハ体６０を複数の圧電振動子に分離することができる。なお、これ以外のダイシング等の方法によりウエハ体６０を切断してもよい。 A cutting step S100 for cutting the wafer body 60 bonded in the bonding step S80 along the cutting line M shown in FIG. 10 is performed. Specifically, a UV tape is first attached to the surface of the base substrate wafer 40 of the wafer body 60. Next, laser irradiation is performed along the cutting line M from the lid substrate wafer 50 side (scribing). Next, the cutting blade is pressed along the cutting line M from the surface of the UV tape to cleave the wafer body 60 (braking). Thereafter, the UV tape is peeled off by UV irradiation. Thereby, the wafer body 60 can be separated into a plurality of piezoelectric vibrators. The wafer body 60 may be cut by other methods such as dicing.

なお、切断工程Ｓ１００を行って個々の圧電振動子にした後に、微調工程Ｓ９０を行う工程順序でも構わない。但し、上述したように、微調工程Ｓ９０を先に行うことで、ウエハ体６０の状態で微調を行うことができるため、複数の圧電振動子をより効率良く微調することができる。よって、スループットの向上化を図ることができるため好ましい。 In addition, after performing cutting process S100 and making it to each piezoelectric vibrator, the process order which performs fine adjustment process S90 may be sufficient. However, as described above, by performing the fine adjustment step S90 first, fine adjustment can be performed in the state of the wafer body 60, and therefore, a plurality of piezoelectric vibrators can be finely adjusted more efficiently. Therefore, it is preferable because throughput can be improved.

その後、内部の電気特性検査Ｓ１１０を行う。即ち、圧電振動片４の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数および共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。最後に圧電振動子の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電振動子の製造が終了する。 Thereafter, an internal electrical characteristic inspection S110 is performed. That is, the resonance frequency, resonance resistance value, drive level characteristic (excitation power dependency of resonance frequency and resonance resistance value), etc. of the piezoelectric vibrating piece 4 are measured and checked. In addition, the insulation resistance characteristics and the like are also checked. Finally, an external appearance inspection of the piezoelectric vibrator is performed to finally check dimensions and quality. This completes the manufacture of the piezoelectric vibrator.

従来、機械加工の限界より、供給プローブの吸着穴の大きさは、圧電振動片４より十分に小さくすることが困難である。本発明では、エッチング加工が容易な材料を用いて、圧電振動片４より、十分に小さい吸着穴を形成することが可能である。また、その吸着穴を複数、圧電振動片４全体に配置することで、所定の位置でピックアップする安定度が高まる。その結果、実装プローブへ所定の位置に圧電振動片４を受け渡すことが出来るため、位置精度を確保することができるとともに、圧電振動片４のマウント電極１６，１７とスタッドバンプＢとの金属拡散を十分に実現することができるので、圧電振動片４の実装強度を確保できる。 Conventionally, it is difficult to make the size of the suction hole of the supply probe sufficiently smaller than that of the piezoelectric vibrating piece 4 due to the limit of machining. In the present invention, it is possible to form a suction hole that is sufficiently smaller than the piezoelectric vibrating reed 4 by using a material that can be easily etched. Further, by arranging a plurality of the suction holes over the entire piezoelectric vibrating reed 4, the stability of picking up at a predetermined position is increased. As a result, since the piezoelectric vibrating reed 4 can be delivered to a predetermined position to the mounting probe, positional accuracy can be ensured, and metal diffusion between the mount electrodes 16 and 17 of the piezoelectric vibrating reed 4 and the stud bump B can be ensured. Therefore, the mounting strength of the piezoelectric vibrating reed 4 can be ensured.

また、上述のように、圧電振動片４とベース基板とのクリアランスを確保できるので、圧電振動片４とベース基板との干渉を防止することができる。さらに、圧電振動片４の実装強度を確保できるので、圧電振動子の信頼性を向上させることができる。
なお、この発明は上述した実施の形態に限られるものではない。 Further, as described above, the clearance between the piezoelectric vibrating piece 4 and the base substrate can be ensured, so that the interference between the piezoelectric vibrating piece 4 and the base substrate can be prevented. Furthermore, since the mounting strength of the piezoelectric vibrating piece 4 can be ensured, the reliability of the piezoelectric vibrator can be improved.
The present invention is not limited to the embodiment described above.

本実施形態では、音叉型の圧電振動片を用いた圧電振動子を例に挙げて、パッケージの製造方法を説明した。しかし、例えばＡＴカット型の圧電振動片（厚み滑り振動片）を用いた圧電振動子に、上述した本発明のパッケージの製造方法を採用しても構わない。 In the present embodiment, the package manufacturing method has been described by taking a piezoelectric vibrator using a tuning fork type piezoelectric vibrating piece as an example. However, the above-described package manufacturing method of the present invention may be adopted for a piezoelectric vibrator using, for example, an AT-cut type piezoelectric vibrating piece (thickness sliding vibrating piece).

本実施形態において、表面実装型の圧電振動子を例にしてパッケージの製造方法を説明した。しかし、これに限らず、例えばシリンダーパッケージタイプの圧電振動子に本発明のパッケージの製造方法を採用しても構わない。 In the present embodiment, the package manufacturing method has been described using a surface-mount type piezoelectric vibrator as an example. However, the present invention is not limited to this. For example, the package manufacturing method of the present invention may be adopted for a cylinder package type piezoelectric vibrator.

１・・・圧電振動子４・・・圧電振動片９・・・パッケージ１０，１１・・・振動腕部（振動部）１２・・・基部８２・・・吸引穴８３・・・プローブ本体（本体）８４・・・スペーサー８５・・・平板８６・・・貫通孔８７・・・プローブ本体（本体）１１０・・・発振器１２０・・・携帯情報機器（電子機器）１２３・・・計時部１４０・・・電波時計１４１・・・フィルタ部Ｂ・・・スタッドバンプＣ・・・キャビティＳ３５・・・バンプ形成工程Ｓ５０・・・実装工程 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Piezoelectric vibrator 4 ... Piezoelectric vibration piece 9 ... Package 10, 11 ... Vibration arm part (vibration part) 12 ... Base part 82 ... Suction hole 83 ... Probe body ( 84) spacer 85 ... flat plate 86 ... through hole 87 ... probe main body (main body) 110 ... oscillator 120 ... portable information device (electronic device) 123 ... timing unit 140 ... Radio watch 141 ... Filter part B ... Stud bump C ... Cavity S35 ... Bump formation process S50 ... Mounting process

Claims

A piezoelectric vibrator comprising: a vibrating portion; a piezoelectric vibrating piece having a base adjacent to the vibrating portion; and a package having a cavity for housing the piezoelectric vibrating piece,
A bump forming step of forming a stud bump including a pedestal portion fixed to the package and a wire portion erected from the pedestal portion using a wire bonder;
A mounting step of flip-chip bonding the piezoelectric vibrating piece to the stud bump,
The mounting process includes
Adsorbing the piezoelectric vibrating piece with an adsorption jig;
Aligning the piezoelectric vibrating piece and the stud bump;
And flip chip bonding the piezoelectric vibrating piece to the stud bump,
The suction jig includes a holding surface that holds the piezoelectric vibrating piece by negative pressure, a plurality of fine through holes that penetrate from the holding surface to a surface opposite to the holding surface, and generate the negative pressure, Have
In the adsorbing step, at least two or more of the through holes overlap with the piezoelectric vibrating piece.

The suction jig is
A flat plate having a plurality of the through holes;
A spacer provided along the outer peripheral portion of the flat plate, holding the outer peripheral portion of the flat plate, penetrating the central portion, and having a spacer hole communicating with the plurality of through holes;
And a main body having one suction hole that passes through a central portion and communicates with the spacer hole, while holding a surface opposite to a surface that holds the outer peripheral portion of the flat plate of the spacer. The method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to claim 1.

2. The piezoelectric vibrator according to claim 1, wherein in the adsorbing step, at least one or more of the through holes overlap with the base portion, and at least one of the other through holes overlaps with the vibration portion. Manufacturing method.