JP2014170795A - Laminate and piezoelectric/electrostrictive element - Google Patents

Laminate and piezoelectric/electrostrictive element Download PDF

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JP2014170795A JP2013040869A JP2013040869A JP2014170795A JP 2014170795 A JP2014170795 A JP 2014170795A JP 2013040869 A JP2013040869 A JP 2013040869A JP 2013040869 A JP2013040869 A JP 2013040869A JP 2014170795 A JP2014170795 A JP 2014170795A
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noble metal
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electrostrictive element
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Takaaki Koizumi
貴昭 小泉
Hisateru Ogawa
尚輝 小川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminate capable of improving a coverage factor of a noble metal film formed on an inorganic substrate and to provide a piezoelectric/electrostrictive element.SOLUTION: A piezoelectric/electrostrictive element 20 includes: a first electrode 21 and a piezoelectric body 22, wherein the first electrode 21 contains a noble metal and boron. A content of boron in the first electrode 21 is 15 ppm or more.

Description

本発明は、無機基板と貴金属膜とを備える積層体及び圧電/電歪素子に関する。   The present invention relates to a laminate including an inorganic substrate and a noble metal film, and a piezoelectric / electrostrictive element.

従来、セラミックス材料によって構成される無機基板と、無機基板上に配置される貴金属膜と、を備える圧電/電歪素子が広く利用されている。   Conventionally, a piezoelectric / electrostrictive element including an inorganic substrate made of a ceramic material and a noble metal film disposed on the inorganic substrate has been widely used.

ここで、貴金属膜が熱処理時に凝集することを抑えるために、熱処理前に貴金属膜を急熱及び急冷する手法が提案されている(特許文献1参照)。   Here, in order to prevent the noble metal film from agglomerating during the heat treatment, a method of rapidly heating and rapidly cooling the noble metal film before the heat treatment has been proposed (see Patent Document 1).

特開2001−303257号公報JP 2001-303257 A

しかしながら、特許文献1の手法では、急熱及び急冷するための高価な設備を準備しなければならず、また処理工程が増えるため大量生産に適していない。   However, the method of Patent Document 1 is not suitable for mass production because it requires preparation of expensive equipment for rapid heating and rapid cooling and increases the number of processing steps.

そこで、貴金属膜の被覆率を簡便に向上するための技術開発が期待されている。このような技術は、圧電/電歪素子に限られず、例えば装飾用の無機基板上に貴金属膜を形成する際にも有用である。   Therefore, technological development for simply improving the coverage of the noble metal film is expected. Such a technique is not limited to a piezoelectric / electrostrictive element, and is useful when, for example, a noble metal film is formed on a decorative inorganic substrate.

本発明は、上述の状況に鑑みてなされたものであり、無機基板上に形成される貴金属膜の被覆率を向上可能な積層体及び圧電/電歪素子を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above situation, and an object thereof is to provide a laminate and a piezoelectric / electrostrictive element capable of improving the coverage of a noble metal film formed on an inorganic substrate.

本発明に係る積層体は、無機基板と、貴金属膜と、を備える。無機基板は、無機材料によって構成される。貴金属膜は、無機基板上に配置され、貴金属とホウ素を含有する。貴金属膜におけるホウ素の含有量は、15ppm以上である。   The laminate according to the present invention includes an inorganic substrate and a noble metal film. The inorganic substrate is made of an inorganic material. The noble metal film is disposed on the inorganic substrate and contains a noble metal and boron. The boron content in the noble metal film is 15 ppm or more.

本発明によれば、無機基板上に形成される貴金属膜の被覆率を向上可能な積層体及び圧電/電歪素子を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the laminated body and piezoelectric / electrostrictive element which can improve the coverage of the noble metal film formed on an inorganic substrate can be provided.

アクチュエータの構成を示す平面図Plan view showing the configuration of the actuator 図1のX−X断面図XX sectional view of FIG. 第1電極の厚み方向におけるホウ素の濃度分布の一例を示すグラフGraph showing an example of boron concentration distribution in the thickness direction of the first electrode 実施例に係る電極パターンを説明するための図The figure for demonstrating the electrode pattern which concerns on an Example. サンプルNo.2の二値化画像Binary image of sample No.2 サンプルNo.7の二値化画像Binary image of sample No.7 サンプルNo.7におけるホウ素、貴金属及びジルコニアの強度分布を示すグラフGraph showing the strength distribution of boron, noble metal and zirconia in sample No. 7

次に、図面を参照しながら、本発明に係る積層体を適用した圧電/電歪素子を備えるアクチュエータについて説明する。ただし、本発明に係る積層体は圧電/電歪素子以外の様々な構造体に適用可能である。   Next, an actuator including a piezoelectric / electrostrictive element to which the laminate according to the present invention is applied will be described with reference to the drawings. However, the laminated body according to the present invention can be applied to various structures other than the piezoelectric / electrostrictive element.

なお、以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なっている場合がある。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。   In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, the drawings are schematic, and the ratio of each dimension may be different from the actual one. Accordingly, specific dimensions and the like should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.

(アクチュエータ100の構成)
アクチュエータ100の構成について、図面を参照しながら説明する。図1は、アクチュエータ100の構成を示す平面図である。図2は、図1のX−X断面図である。
(Configuration of actuator 100)
The configuration of the actuator 100 will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing the configuration of the actuator 100. FIG. 2 is a sectional view taken along line XX in FIG.

アクチュエータ100は、基体10と、圧電/電歪素子20と、を備える。   The actuator 100 includes a base 10 and a piezoelectric / electrostrictive element 20.

基体10は、セラミックス材料によって構成される板状部材である。基体10は、底面に形成された凹部10aを有する。凹部10aが形成されることによって、圧電/電歪素子20の屈曲変位を大きくすることができる。なお、凹部は図1のように長方形であってもよく、正方形、多角形、円形、楕円形、くびれを備えた形状などでもよい。   The base 10 is a plate-like member made of a ceramic material. The base 10 has a recess 10a formed on the bottom surface. By forming the recess 10a, the bending displacement of the piezoelectric / electrostrictive element 20 can be increased. The recess may be rectangular as shown in FIG. 1, and may be a square, polygon, circle, ellipse, or a shape with a constriction.

基体10の材料としては、例えば、安定化された酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、ムライト、窒化アルミニウム及び窒化珪素からなる群より選択される少なくとも一種を含むが好ましく、機械的強度及び靭性に優れる安定化された酸化ジルコニウムが特に好ましい。   The material of the substrate 10 includes, for example, at least one selected from the group consisting of stabilized zirconium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, mullite, aluminum nitride, and silicon nitride, and is excellent in mechanical strength and toughness. Stabilized zirconium oxide is particularly preferred.

圧電/電歪素子20は、基体10の上面に配置される。圧電/電歪素子20は、第1電極21と、圧電体22と、第2電極23と、を有する。   The piezoelectric / electrostrictive element 20 is disposed on the upper surface of the substrate 10. The piezoelectric / electrostrictive element 20 includes a first electrode 21, a piezoelectric body 22, and a second electrode 23.

第1電極21は、基体10上に配置される貴金属膜の一例である。本実施形態において、第1電極21の平面形状は、二隅が切り欠かれた矩形状であるが、これに限られるものではない。第1電極21の平面形状は、櫛形、サンドイッチ形或いはタイガースキン形などであってもよい。   The first electrode 21 is an example of a noble metal film disposed on the substrate 10. In the present embodiment, the planar shape of the first electrode 21 is a rectangular shape with two corners cut off, but is not limited thereto. The planar shape of the first electrode 21 may be a comb shape, a sandwich shape, a tiger skin shape, or the like.

第1電極21は、貴金属を主成分として含有している。第1電極21が含有する貴金属としては、Pt、Au、Ag、Rh、Pd及びIr、或いはこれらの合金から選択される少なくとも一種を挙げることができる。なお、本実施形態において、組成物Xが物質Yを「主成分として含有する」とは、組成物X全体のうち、物質Yが好ましくは60重量%以上を占め、より好ましくは70重量%以上を占め、さらに好ましくは90重量%以上を占めることを意味する。   The first electrode 21 contains a noble metal as a main component. Examples of the noble metal contained in the first electrode 21 include at least one selected from Pt, Au, Ag, Rh, Pd and Ir, or alloys thereof. In the present embodiment, the composition X “contains the substance Y as the main component” means that the substance Y preferably accounts for 60% by weight or more, more preferably 70% by weight or more in the entire composition X. More preferably 90% by weight or more.

また、第1電極21は、ホウ素を含有する。第1電極21におけるホウ素の含有量は、15ppm以上であることが好ましい。これによって、第1電極21の厚みが局所的に薄くなることが抑えられ、第1電極21による90%以上の被覆率を達成することができる。   The first electrode 21 contains boron. The boron content in the first electrode 21 is preferably 15 ppm or more. Thereby, the thickness of the first electrode 21 is suppressed from being locally reduced, and a coverage of 90% or more by the first electrode 21 can be achieved.

なお、ホウ素の含有量は、第1電極21の断面において、GD-OES(グロー放電発光分光分析)装置でホウ素及び貴金属の強度を測定し、貴金属の積算強度に対するホウ素の積算強度の比を算出して得ることができる。従って、本実施形態において、第1電極21におけるホウ素の含有量は、貴金属の濃度に対するホウ素の濃度の比のことである。従って、第1電極21が貴金属及びホウ素以外の物質を含有している場合には、その物質の存在を排除して、貴金属とホウ素の濃度だけに着目してホウ素の含有量を算出すべきである。   The boron content is determined by measuring the strength of boron and noble metal with a GD-OES (glow discharge optical emission spectrometry) device in the cross section of the first electrode 21 and calculating the ratio of the cumulative strength of boron to the cumulative strength of noble metal. Can be obtained. Therefore, in the present embodiment, the boron content in the first electrode 21 is the ratio of the boron concentration to the noble metal concentration. Therefore, when the first electrode 21 contains a substance other than the noble metal and boron, the presence of the substance should be excluded, and the boron content should be calculated by focusing only on the concentration of the noble metal and boron. is there.

さらに、第1電極21におけるホウ素の含有量は、40ppm以上700ppm以下であることがより好ましい。これによって、第1電極21による99%以上の被覆率を達成することができる。   Furthermore, the boron content in the first electrode 21 is more preferably 40 ppm or more and 700 ppm or less. As a result, a coverage of 99% or more by the first electrode 21 can be achieved.

なお、被覆率とは、基体10側から光を照射した場合に、第1電極21で遮光された黒色領域と光が透過した白色領域の比率から算出することができる。   The coverage can be calculated from the ratio between the black area shielded by the first electrode 21 and the white area through which light is transmitted when light is irradiated from the substrate 10 side.

ここで、図3は、第1電極21の厚み方向におけるホウ素及び貴金属の濃度分布の一例を示すグラフである。このようなグラフは、GD-OES(グロー放電発光分光分析)装置によってホウ素及び貴金属の強度分布を測定することによって作成することができる。具体的には、ホウ素及び貴金属の強度はホウ素及び貴金属の濃度と相関するため、強度を規格化することによって濃度分布を把握することができる。   Here, FIG. 3 is a graph showing an example of the concentration distribution of boron and noble metal in the thickness direction of the first electrode 21. Such a graph can be created by measuring the intensity distribution of boron and noble metals with a GD-OES (Glow Discharge Optical Emission Spectroscopy) apparatus. Specifically, since the strength of boron and noble metal correlates with the concentration of boron and noble metal, the concentration distribution can be grasped by normalizing the strength.

図3に示すように、ホウ素の濃度は、第1電極21の内部から表面に近づくほど低下している。換言すれば、第1電極21におけるホウ素の濃度は、第1電極21の中央部において最も高く、第1電極21の表面において最も低い。   As shown in FIG. 3, the concentration of boron decreases from the inside of the first electrode 21 toward the surface. In other words, the concentration of boron in the first electrode 21 is highest at the center of the first electrode 21 and lowest at the surface of the first electrode 21.

また、ホウ素の濃度分布の半値幅W1は、貴金属の濃度分布の半値幅W2よりも小さい。これによって、ホウ素が第1電極21の内部に閉じこめられて、第1電極21の表面付近におけるホウ素の濃度を低下させることができる。そのため、第1電極21に電圧が印加された場合に、ホウ素が圧電体22に移動する現象(いわゆる、イオンマイグレーション)が生じることを抑制できる。   Further, the half-value width W1 of the boron concentration distribution is smaller than the half-value width W2 of the noble metal concentration distribution. Thereby, boron is confined inside the first electrode 21, and the concentration of boron in the vicinity of the surface of the first electrode 21 can be reduced. Therefore, when a voltage is applied to the first electrode 21, it is possible to suppress the phenomenon (so-called ion migration) in which boron moves to the piezoelectric body 22.

圧電体22は、無機材料によって構成される無機基板の一例である。圧電体22は、板状に形成されており、図2に示すように、第1主面22Sと第2主面22Tを有している。第1主面22Sには、第1電極21が配置され、第2主面22Tには、第2電極23が配置されている。   The piezoelectric body 22 is an example of an inorganic substrate made of an inorganic material. The piezoelectric body 22 is formed in a plate shape and has a first main surface 22S and a second main surface 22T as shown in FIG. The first electrode 21 is disposed on the first major surface 22S, and the second electrode 23 is disposed on the second major surface 22T.

圧電体22の材料としては、従来用いられている圧電体用のセラミックス材料を用いることができる。このようなセラミックス材料としては、具体的には、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛、ニッケルニオブ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、マンガンニオブ酸鉛、アンチモンスズ酸鉛、マンガンタングステン酸鉛、コバルトニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ナトリウムビスマス、ニオブ酸カリウムナトリウム、タンタル酸ストロンチウムビスマス等から選択される1つの材料又は複数の材料の混合物が挙げられる。特に、高い電気機械結合係数と圧電定数を有し、圧電/電歪膜の焼結時において、セラミックスで構成される基体部との反応性が小さく、安定した組成の材料が好適である。このような材料としては、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT系)及びマグネシウムニオブ酸鉛(PMN系)を主成分とする材料、チタン酸ナトリウムビスマスを主成分とする材料、チタン酸鉛−ジルコン酸鉛−マグネシウムニオブ酸鉛の三成分固溶系組成物を主成分とし、それに酸化ニッケルと酸化珪素が添加された材料、さらに、チタン酸鉛−ジルコン酸鉛−ニッケルニオブ酸ビスマスの三成分固溶系組成物を主成分とする材料が挙げられる。   As a material of the piezoelectric body 22, a conventionally used ceramic material for piezoelectric bodies can be used. Specific examples of such ceramic materials include lead zirconate, lead titanate, lead magnesium niobate, lead nickel niobate, lead zinc niobate, lead manganese niobate, lead antimony stannate, lead manganese tungstate. , A material selected from lead cobalt niobate, barium titanate, sodium bismuth titanate, potassium sodium niobate, strontium bismuth tantalate, and the like. In particular, a material having a high electromechanical coupling coefficient and a piezoelectric constant, a low reactivity with the substrate portion made of ceramics at the time of sintering the piezoelectric / electrostrictive film, and a stable composition are suitable. Examples of such a material include a material mainly composed of lead zirconate titanate (PZT) and lead magnesium niobate (PMN), a material mainly composed of sodium bismuth titanate, and lead titanate-lead zirconate. -A ternary solid solution composition of lead magnesium niobate as a main component, a material in which nickel oxide and silicon oxide are added, and a ternary solid solution composition of lead titanate-lead zirconate-bismuth nickel niobate The material which has as a main component is mentioned.

また、上述した圧電体22の材料には、ランタン、カルシウム、ストロンチウム、モリブデン、タングステン、バリウム、ニオブ、亜鉛、ニッケル、マンガン、セリウム、カドミウム、クロム、コバルト、アンチモン、鉄、イットリウム、タンタル、リチウム、ビスマス、スズ等の酸化物等から選択される1つの材料又は複数の材料の混合物が添加されていてもよい。例えば、主成分であるジルコン酸鉛、チタン酸鉛及びマグネシウムニオブ酸鉛を主成分として含むセラミックス材料にランタンやストロンチウムを添加することによって、坑電界や圧電特性を調整することができる。また、特性を著しく低下させることなく焼成温度を低くするために、炭酸リチウム、フッ化リチウム、或いはホウ酸リチウムなどのリチウム化合物を主成分として含むセラミックス材料に酸化鉛と酸化ビスマスの共晶化合物などを添加させてもよい。   The material of the piezoelectric body 22 described above includes lanthanum, calcium, strontium, molybdenum, tungsten, barium, niobium, zinc, nickel, manganese, cerium, cadmium, chromium, cobalt, antimony, iron, yttrium, tantalum, lithium, One material selected from oxides such as bismuth and tin, or a mixture of a plurality of materials may be added. For example, by adding lanthanum or strontium to a ceramic material that contains lead zirconate, lead titanate, and lead magnesium niobate as main components, the electric field and piezoelectric characteristics can be adjusted. In addition, in order to lower the firing temperature without significantly degrading the characteristics, eutectic compounds of lead oxide and bismuth oxide are added to ceramic materials containing lithium compounds such as lithium carbonate, lithium fluoride, or lithium borate as main components. May be added.

第2電極23は、圧電体22上に配置される。第2電極23の材料としては、第1電極21の材料と同様の材料を用いることができる。ただし、第2電極23はホウ素を含有していなくてもよい。   The second electrode 23 is disposed on the piezoelectric body 22. As the material of the second electrode 23, the same material as that of the first electrode 21 can be used. However, the second electrode 23 may not contain boron.

(アクチュエータ100の製造方法)
次に、アクチュエータ100の製造方法について説明する。
(Manufacturing method of actuator 100)
Next, a method for manufacturing the actuator 100 will be described.

まず、基体10用のセラミックス材料を所望の形状に成形した後に焼成することによって、基体10を作製する。具体的には、まず、セラミックス粉末、ビヒクル、分散剤、可塑剤及び溶剤からなるスラリーを準備する。次に、スラリーを混練した後に乾燥することによって粘土状の素地を形成する。次に、凹部10aに対応する凸部を有する金型で素地をプレスし、所定条件で焼成することによって、凹部10aを有する基体10が形成される。なお、凹部10aは、上述のスラリーでグリーンシートを形成し、複数枚のグリーンシートをパンチで打抜き、積層することによっても形成することができる。   First, the substrate 10 is manufactured by forming a ceramic material for the substrate 10 into a desired shape and then firing it. Specifically, first, a slurry composed of ceramic powder, vehicle, dispersant, plasticizer and solvent is prepared. Next, the slurry is kneaded and then dried to form a clay-like substrate. Next, the substrate 10 having the recesses 10a is formed by pressing the substrate with a mold having the protrusions corresponding to the recesses 10a and firing it under predetermined conditions. In addition, the recessed part 10a can also be formed by forming a green sheet with the above-mentioned slurry, punching a plurality of green sheets with a punch, and laminating.

次に、基体10を加熱したふっ化水素酸(HF)に10分間浸漬することによって、表面を粗面化する。   Next, the surface is roughened by immersing the substrate 10 in heated hydrofluoric acid (HF) for 10 minutes.

次に、基体10の表面上に所定パターン(図1参照)のフォトレジストを現像する。   Next, a photoresist having a predetermined pattern (see FIG. 1) is developed on the surface of the substrate 10.

次に、無電解めっきの触媒核となる貴金属原子をスパッタリングによって基体10上に塗布した後、フォトレジストを剥離することによりパターニングする。   Next, after applying noble metal atoms serving as catalyst nuclei for electroless plating onto the substrate 10 by sputtering, patterning is performed by removing the photoresist.

次に、貴金属めっき液の基本液、還元剤、アンモニア水溶液及び純水の混合液に酸化ホウ素を適量加えた後、60℃で安定するまでマグネティックスターラーで攪拌して貴金属めっき液を建浴する。   Next, an appropriate amount of boron oxide is added to a mixed solution of a basic solution of a noble metal plating solution, a reducing agent, an aqueous ammonia solution and pure water, and then stirred with a magnetic stirrer until stable at 60 ° C., and a noble metal plating solution is erected.

次に、触媒核を含む基体10を貴金属めっき液に浸漬することによって、無電解めっきを施す。これによって、貴金属とホウ素を含有する第1電極21がパターニングされる。   Next, electroless plating is performed by immersing the base 10 including the catalyst core in a noble metal plating solution. Thereby, the first electrode 21 containing a noble metal and boron is patterned.

次に、第1電極21がパターニングされた基体10を電気炉に投入して所定の条件で加熱した後、室温まで自然冷却する。この際、第1電極21に含まれるホウ素が貴金属の焼結性を低下させることによって、貴金属の粒成長に伴う凝集が抑えられる。その結果、貴金属材料が局所的に薄くなることが抑制されて、第1電極21が全体的に均一な厚みとなる。   Next, the substrate 10 on which the first electrode 21 is patterned is put into an electric furnace, heated under predetermined conditions, and then naturally cooled to room temperature. At this time, boron contained in the first electrode 21 reduces the sinterability of the noble metal, thereby suppressing aggregation associated with the noble metal grain growth. As a result, local thinning of the noble metal material is suppressed, and the first electrode 21 has a uniform thickness as a whole.

次に、圧電体22用のセラミックス粉末、ビヒクル、分散剤及び可塑剤からなるグリーンシートを第1電極21上に配置する。   Next, a green sheet made of ceramic powder, a vehicle, a dispersant, and a plasticizer for the piezoelectric body 22 is disposed on the first electrode 21.

次に、所定温度に加熱することでグリーンシートを脱脂した後、電気炉に投入して所定条件で加熱し、室温まで自然冷却する。   Next, after degreasing the green sheet by heating to a predetermined temperature, the green sheet is put into an electric furnace, heated under predetermined conditions, and naturally cooled to room temperature.

次に、スクリーン印刷法やスピンコート、スプレーコートなどの方法によって貴金属ペーストまたはレジネートやコロイドインクを圧電体22上に塗布して焼成することで第2電極23を形成する。   Next, the second electrode 23 is formed by applying a precious metal paste, resinate, or colloidal ink onto the piezoelectric body 22 and baking it by a method such as screen printing, spin coating, spray coating, or the like.

(作用及び効果)
(1)第1電極21におけるホウ素の含有量は、15ppm以上である。これによって、第1電極21の厚みが局所的に薄くなることを抑えることができるため、第1電極21の被覆率を簡便に向上させることができる。
(Function and effect)
(1) The boron content in the first electrode 21 is 15 ppm or more. Thereby, since it can suppress that the thickness of the 1st electrode 21 becomes thin locally, the coverage of the 1st electrode 21 can be improved simply.

(2)ホウ素の濃度分布の半値幅W1は、貴金属の濃度分布の半値幅W2よりも小さい。これによって、第1電極21の表面におけるホウ素の濃度が低下されて、イオンマイグレーションが生じることを抑制できる。   (2) The half-value width W1 of the boron concentration distribution is smaller than the half-value width W2 of the noble metal concentration distribution. As a result, the concentration of boron on the surface of the first electrode 21 is reduced, and the occurrence of ion migration can be suppressed.

(他の実施形態)
本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない範囲で種々の変形又は変更が可能である。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the embodiment described above, and various modifications or changes can be made without departing from the scope of the present invention.

例えば、上記実施形態では、無電解めっきによって第1電極21が形成されることとしたが、電解めっき、スパッタ、蒸着などによっても形成することができる。また、1μm以上の厚みに形成してもよい場合には、塗布法によって第1電極21を形成することができる。   For example, in the above embodiment, the first electrode 21 is formed by electroless plating, but it can also be formed by electrolytic plating, sputtering, vapor deposition, or the like. Moreover, when you may form in thickness of 1 micrometer or more, the 1st electrode 21 can be formed by the apply | coating method.

また、上記実施形態では、本発明に係る積層体を圧電/電歪素子に適用した場合について説明したが、本発明に係る積層体は他の様々な構成に適用可能である。例えば、本発明に係る積層体は、装飾用の無機基板上に貴金属膜が形成された装飾用部材などにも適用可能である。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where the laminated body which concerns on this invention was applied to the piezoelectric / electrostrictive element, the laminated body which concerns on this invention is applicable to other various structures. For example, the laminate according to the present invention can be applied to a decorative member in which a noble metal film is formed on a decorative inorganic substrate.

また、上記実施形態では、アクチュエータ100が凹部10aを有することとしたが、本発明に係る積層体は、凹部10aを有さないアクチュエータ100にも適用可能である。   Moreover, in the said embodiment, although the actuator 100 decided to have the recessed part 10a, the laminated body which concerns on this invention is applicable also to the actuator 100 which does not have the recessed part 10a.

以下において本発明に係る実施例について説明する。ただし、本発明は以下に説明する実施例に限定されるものではない。   Examples according to the present invention will be described below. However, the present invention is not limited to the examples described below.

[サンプルNo.1〜No.9の作製]
以下のようにして、サンプルNo.1〜No.9を作製した。
[Production of sample No. 1 to No. 9]
Samples No. 1 to No. 9 were produced as follows.

まず、予め80μm×0.8mmの凹部が300本(85μmピッチ)で二列形成された外形寸法が40mm×30mm、厚さ0.25mmの部分安定化ジルコニア基板を50℃に加熱したふっ化水素酸に10分間浸漬することによって、表面を粗面化した。   First, hydrogen fluoride obtained by heating a partially stabilized zirconia substrate having an outer dimension of 40 mm × 30 mm and a thickness of 0.25 mm, in which 300 recesses (85 μm pitch) of 80 μm × 0.8 mm were formed in advance, to 50 ° C. The surface was roughened by dipping in acid for 10 minutes.

次に、フォトレジストPMER-N(東京応化工業製)を用いて、図4に示すように、2mm×30mmのライン電極、75μm×1mmの300本の櫛歯電極(85μmピッチ)、及び10mm×10mmのパッド電極を含むパターンを二列現像した。   Next, using a photoresist PMER-N (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), as shown in FIG. 4, 2 mm × 30 mm line electrodes, 75 μm × 1 mm 300 comb electrodes (85 μm pitch), and 10 mm × A pattern including a 10 mm pad electrode was developed in two rows.

次に、無電解めっきの触媒核としてのPtをスパッタリングで部分安定化ジルコニア基板に塗布し、レジストを剥離することによりパターニングした。   Next, Pt as a catalyst core for electroless plating was applied to a partially stabilized zirconia substrate by sputtering, and the resist was removed for patterning.

次に、ポリプロピレン製の容器に、100mlのレクトロレスPt100の基本液(日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース製、Pt含有量0.4g)と、2mlの還元剤と、pHを12にするための10mlのアンモニア水溶液と、を投入して、総量が200mlになるように純水をさらに追加した。   Next, in a polypropylene container, 100 ml of Lectoroles Pt100 basic solution (manufactured by Nippon Electroplating Engineers, Pt content 0.4 g), 2 ml of reducing agent, 10 ml of pH 12 Aqueous ammonia solution was added, and pure water was further added so that the total amount became 200 ml.

次に、所定量の酸化ホウ素(関東化学製)をめっき液に添加して、60℃で安定するまでマグネティックスターラーで攪拌した。酸化ホウ素の添加量は表1に示す通りであるが、サンプルNo.1では酸化ホウ素を添加しなかった。   Next, a predetermined amount of boron oxide (manufactured by Kanto Chemical) was added to the plating solution and stirred with a magnetic stirrer until stable at 60 ° C. The amount of boron oxide added is as shown in Table 1. In sample No. 1, no boron oxide was added.

次に、Pt触媒核が形成された部分安定化ジルコニア基板をめっき液に浸漬したまま、0.5Hzで20分間揺動した。これによって、膜厚0.5μmのPtめっき電極を形成した。   Next, the partially stabilized zirconia substrate on which the Pt catalyst nucleus was formed was rocked at 0.5 Hz for 20 minutes while being immersed in the plating solution. Thereby, a Pt plating electrode having a film thickness of 0.5 μm was formed.

次に、部分安定化ジルコニア基板を水洗した後、50℃で10分間乾燥し、さらに100℃で10分間乾燥することによって、電極がパターニングされた部分安定化ジルコニア基板を得た。   Next, the partially stabilized zirconia substrate was washed with water, dried at 50 ° C. for 10 minutes, and further dried at 100 ° C. for 10 minutes to obtain a partially stabilized zirconia substrate having electrodes patterned thereon.

次に、電極が形成された部分安定化ジルコニア基板をアルミナ製のセッターに載せてアルミナ製の匣鉢に入れた。この際、ガスが抜けるように、スペーサーを用いて5mmの隙間を設けて蓋をした。   Next, the partially stabilized zirconia substrate on which the electrode was formed was placed on an alumina setter and placed in an alumina mortar. At this time, a 5 mm gap was provided with a spacer so that the gas could escape.

次に、匣鉢を電気炉に投入して、昇温速度200℃/hで最高温度1100℃まで加熱して2時間保持した後、600℃まで200℃/hで降温し、さらに室温まで自然冷却させた。以上によって、サンプルNo.1〜No.9に係る積層体が完成した。   Next, the mortar is put into an electric furnace, heated to a maximum temperature of 1100 ° C at a rate of temperature increase of 200 ° C / h and held for 2 hours, then cooled to 600 ° C at 200 ° C / h, and further to room temperature. Allow to cool. The laminated body which concerns on sample No.1-No.9 was completed by the above.

次に、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする圧電粉末、ポリビニルブチラールからなるビヒクル、分散剤及び可塑剤からなる厚さ6μmのグリーンシートを切断して、積層体の電極上に積層した。   Next, a piezoelectric sheet mainly composed of lead zirconate titanate, a vehicle made of polyvinyl butyral, a 6 μm thick green sheet made of a dispersant and a plasticizer was cut and laminated on the electrodes of the laminate.

次に、550℃でグリーンシートを脱脂した。   Next, the green sheet was degreased at 550 ° C.

次に、昇温速度500℃/hで最高温度1000℃まで加熱して2時間保持した後、600℃まで200℃/hで降温し、さらに室温まで自然冷却させた。これによって、厚さ3μmの圧電セラミックス膜を得た。   Next, after heating to a maximum temperature of 1000 ° C. at a rate of temperature increase of 500 ° C./h and holding for 2 hours, the temperature was decreased to 600 ° C. at 200 ° C./h, and then naturally cooled to room temperature. Thereby, a piezoelectric ceramic film having a thickness of 3 μm was obtained.

次に、AuレジネートE-9802(エヌイーケムキャット製)を圧電セラミックス上にスクリーン印刷して焼成することによって、厚み0.15μmの上部電極膜を形成した。   Next, Au resinate E-9802 (manufactured by NV Chemcat) was screen-printed on the piezoelectric ceramic and fired to form an upper electrode film having a thickness of 0.15 μm.

次に、フォトリソプロセスを用いて、圧電セラミックス膜と上部電極膜を櫛歯状に残るようにレジストでパターン形成し、AURUM-401(関東化学製)及びWPZ-2029(アデカ製)を用いて湿式エッチングした。以上により、櫛歯パターンの圧電セラミックス膜と上部電極膜を備える圧電/電歪膜型素子を作製した。   Next, using a photolithographic process, the piezoelectric ceramic film and the upper electrode film are patterned with a resist so that they remain in a comb shape, and wet using AURUM-401 (manufactured by Kanto Chemical) and WPZ-2029 (manufactured by ADEKA). Etched. As described above, a piezoelectric / electrostrictive film type element including a comb-shaped piezoelectric ceramic film and an upper electrode film was manufactured.

[サンプルNo.10〜No.18の作製]
上記サンプルNo.1〜No.9では、無電解めっきで電極を形成したが、サンプルNo.10〜No.18では、電解めっきで電極を形成した。
[Production of sample No. 10 to No. 18]
In Samples No. 1 to No. 9, electrodes were formed by electroless plating. In Samples No. 10 to No. 18, electrodes were formed by electrolytic plating.

具体的には、触媒核としてのPtをパターニングした後、0.05mol/lのジニトロアンミン白金溶液(田中貴金属工業製)と0.85mol/lの酢酸ナトリウム(関東化学製)と0.95mol/lの炭酸ナトリウム(関東化学製)のめっき液を建浴した。   Specifically, after patterning Pt as a catalyst nucleus, 0.05 mol / l dinitroammine platinum solution (Tanaka Kikinzoku Kogyo), 0.85 mol / l sodium acetate (Kanto Chemical) and 0.95 mol / l 1 plating solution of sodium carbonate (manufactured by Kanto Kagaku) was erected.

次に、所定量の酸化ホウ素(関東化学製)をめっき液に添加して、80℃で安定するまでマグネティックスターラーで攪拌した。酸化ホウ素の添加量は表1に示す通りであるが、サンプルNo.10では酸化ホウ素を添加しなかった。   Next, a predetermined amount of boron oxide (manufactured by Kanto Chemical) was added to the plating solution and stirred with a magnetic stirrer until stable at 80 ° C. The amount of boron oxide added is as shown in Table 1, but no boron oxide was added in sample No. 10.

次に、Pt触媒核が形成された部分安定化ジルコニア基板を、電流密度100A/m2のめっき液に浸漬した状態で250秒保持した。 Next, the partially stabilized zirconia substrate on which the Pt catalyst nuclei were formed was held for 250 seconds while being immersed in a plating solution having a current density of 100 A / m 2 .

そして、サンプルNo.1〜No.9と同様の工程を経て、サンプルNo.10〜No.18の積層体と圧電/電歪膜型素子を作製した。   And the laminated body and piezoelectric / electrostrictive film type | mold element of sample No.10-No.18 were produced through the process similar to sample No.1-No.9.

[サンプルNo.19〜No.26の作製]
上記サンプルNo.1〜No.9では、無電解めっきでPt電極を形成したが、サンプルNo.19〜No.26では、電解めっきでAu電極を形成した。
[Production of Sample No. 19 to No. 26]
In the samples No. 1 to No. 9, the Pt electrode was formed by electroless plating, while in Samples No. 19 to No. 26, the Au electrode was formed by electrolytic plating.

具体的には、触媒核としてのAuをパターニングした後、Auめっき液NCF-500(NEケムキャット製)を建浴した。   Specifically, after patterning Au as a catalyst nucleus, an Au plating solution NCF-500 (manufactured by NE Chemcat) was constructed.

次に、所定量の酸化ホウ素(関東化学製)をめっき液に添加して、30℃で安定するまでマグネティックスターラーで攪拌した。酸化ホウ素の添加量は表1に示す通りであるが、サンプルNo.19では酸化ホウ素を添加しなかった。   Next, a predetermined amount of boron oxide (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) was added to the plating solution and stirred with a magnetic stirrer until stable at 30 ° C. The amount of boron oxide added is as shown in Table 1, but in sample No. 19, no boron oxide was added.

次に、Au触媒核が形成された部分安定化ジルコニア基板を、電流密度100A/m2のAuめっき液に浸漬した状態で250秒保持した。 Next, the partially stabilized zirconia substrate on which the Au catalyst nuclei were formed was held for 250 seconds while immersed in an Au plating solution having a current density of 100 A / m 2 .

そして、サンプルNo.1〜No.9と同様の工程を経て、サンプルNo.19〜No.26の積層体と圧電/電歪膜型素子を作製した。   And the laminated body and piezoelectric / electrostrictive film type | mold element of sample No. 19-No. 26 were produced through the process similar to sample No. 1-No.

[電極の被覆率]
サンプルNo.1〜No.26の積層体において、電極の被覆率を測定した。
[Electrode coverage]
In the laminates of Samples No. 1 to No. 26, the electrode coverage was measured.

具体的には、部分安定化ジルコニア基板の裏面から光を照射しながら、500倍率の顕微鏡(ニコン製ECLIPSE LV150N)で電極を撮像した。次に、撮像画像上において、遮光された領域と光が透過した領域とを黒/白で二値化処理した。そして、電極全体の面積に対する遮光された領域の面積の比率を被覆率(%)として算出した。被覆率の算出結果を表1に纏めて示す。   Specifically, the electrode was imaged with a 500 × microscope (Nikon ECLIPSE LV150N) while irradiating light from the back surface of the partially stabilized zirconia substrate. Next, on the captured image, the light-shielded area and the light-transmitting area were binarized with black / white. And the ratio of the area of the light-shielded area | region with respect to the area of the whole electrode was computed as a coverage (%). The calculation results of the coverage are summarized in Table 1.

なお、図5はサンプルNo.2の二値化画像であり、図6はサンプルNo.7の二値化画像である。表1に示すとおり、サンプルNo.2の被覆率は95%であり、サンプルNo.7の被覆率は100%であった。   5 is a binarized image of sample No. 2, and FIG. 6 is a binarized image of sample No. 7. As shown in Table 1, the coverage of sample No. 2 was 95%, and the coverage of sample No. 7 was 100%.

[電極における成分濃度]
サンプルNo.1〜No.26の積層体において、パッド電極における成分濃度を測定した。
[Concentration of components at electrode]
In the laminated body of sample No. 1 to No. 26, the component concentration in the pad electrode was measured.

具体的には、GD-OES装置GD-Profiler2(堀場製作所製)を用いて、パッド電極の厚み方向におけるホウ素、貴金属(Pt又はAu)及びジルコニアの強度(濃度)を測定した。そして、得られたデータからホウ素及び貴金属の強度分布(濃度分布)の半値幅および積算強度を計測した。貴金属の濃度分布の半値幅に対するホウ素の濃度分布の半値幅の比率と、積算強度の算出結果を表1に纏めて示す。貴金属の積算強度に対するホウ素の積算強度の比(B/Pt、又は、B/Au)は、電極におけるホウ素の含有量(濃度)に対応している。   Specifically, the strength (concentration) of boron, noble metal (Pt or Au) and zirconia in the thickness direction of the pad electrode was measured using a GD-OES apparatus GD-Profiler2 (manufactured by Horiba). And the half value width and integrated intensity | strength of the intensity distribution (concentration distribution) of boron and a noble metal were measured from the obtained data. Table 1 summarizes the ratio of the half-value width of the boron concentration distribution to the half-value width of the noble metal concentration distribution and the calculation result of the integrated intensity. The ratio (B / Pt or B / Au) of the boron integrated strength to the precious metal integrated strength corresponds to the boron content (concentration) in the electrode.

なお、図7は、サンプルNo.7におけるホウ素、Pt及びジルコニアの強度分布を示すグラフである。図7では、Pt電極だけでなく、ジルコニア基板における強度分布も示されている。   FIG. 7 is a graph showing the intensity distribution of boron, Pt and zirconia in sample No. 7. In FIG. 7, not only the Pt electrode but also the intensity distribution in the zirconia substrate is shown.

[圧電/電歪膜型素子の信頼性評価]
サンプルNo.1,10,19以外の圧電/電歪膜型素子において、添加されたホウ素のイオンマイグレーションが生じるか否かを評価した。
[Reliability evaluation of piezoelectric / electrostrictive membrane elements]
It was evaluated whether or not ion migration of the added boron occurred in piezoelectric / electrostrictive film type elements other than Sample Nos. 1, 10, and 19.

具体的には、パッド電極にリードを半田付けした圧電/電歪膜型素子を恒温恒湿槽に入れた。次に、外部ポートから引き出したリードをDC電源(NF回路製)とマルチメーター(ケースレー製)に接続して、恒温恒湿槽内を40℃湿度85%の環境に保持した状態で5時間放置した。次に、DC電源を制御して0〜60Vまで1V/秒で電圧を印加しながらマルチメーターで電流値を測定した。そして、印加電圧と電流値から抵抗値を換算した。   Specifically, a piezoelectric / electrostrictive film type element in which a lead was soldered to a pad electrode was placed in a constant temperature and humidity chamber. Next, the lead pulled out from the external port is connected to a DC power source (manufactured by NF circuit) and a multimeter (manufactured by Keithley), and is left for 5 hours with the temperature and humidity chamber kept in an environment of 40 ° C. and humidity of 85%. did. Next, the DC power supply was controlled, and the current value was measured with a multimeter while applying a voltage of 1 V / second from 0 to 60 V. And the resistance value was converted from the applied voltage and the current value.

表1では、電気抵抗値が1MΩ・m以上であったサンプルを◎(イオンマイグレーションなし)と評価し、電気抵抗値が1MΩ・mより小さかったサンプルを○(イオンマイグレーションあり)と評価した。   In Table 1, samples having an electric resistance value of 1 MΩ · m or more were evaluated as ◎ (no ion migration), and samples having an electric resistance value smaller than 1 MΩ · m were evaluated as ◯ (with ion migration).

表1に示すように、貴金属電極におけるホウ素の含有量が15ppm以上であったサンプルでは、90%以上の被覆率を達成することができた。これは、添加されたホウ素が貴金属の焼結性を低下させたことによって、貴金属の凝集を抑えることができたためである。 As shown in Table 1, in the sample in which the boron content in the noble metal electrode was 15 ppm or more, a coverage of 90% or more could be achieved. This is because the added boron has reduced the sinterability of the noble metal, thereby suppressing the aggregation of the noble metal.

また、貴金属電極におけるホウ素の含有量が40ppm以上700ppm以下であったサンプルでは、99%以上の被覆率を達成することができた。これは、ホウ素の含有量が特に適切であり、貴金属の凝集を効果的に抑えることができたためである。   In addition, in the sample in which the boron content in the noble metal electrode was 40 ppm or more and 700 ppm or less, a coverage of 99% or more could be achieved. This is because the boron content is particularly appropriate and aggregation of the noble metal can be effectively suppressed.

また、貴金属の濃度分布の半値幅に対するホウ素の濃度分布の半値幅の比率が100%未満のサンプルでは、電気抵抗値が1MΩ・m以上であり、イオンマイグレーションが発生していないことが確認された。これは、貴金属電極の内部にホウ素を閉じこめることによって、貴金属電極の表面にホウ素が析出することを抑制できたためである。   In addition, in the sample where the ratio of the half-value width of the boron concentration distribution to the half-value width of the noble metal concentration distribution was less than 100%, it was confirmed that the electric resistance value was 1 MΩ · m or more and no ion migration occurred. . This is because boron can be prevented from being deposited on the surface of the noble metal electrode by confining boron inside the noble metal electrode.

なお、サンプルNo.1,10,19以外の全てのサンプルでは、図7と同様に、ホウ素の濃度が内部から表面に近づくほど低下していることが確認された。   In all samples other than sample Nos. 1, 10, and 19, it was confirmed that the concentration of boron decreased as it approached the surface from the inside, as in FIG.

10 基体
20 圧電/電歪素子
21 第1電極
22 圧電体
23 第2電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Base body 20 Piezoelectric / electrostrictive element 21 1st electrode 22 Piezoelectric body 23 2nd electrode

Claims (6)

無機材料によって構成される無機基板と、
無機基板上に配置され、貴金属とホウ素を含有する貴金属膜と、
を備え、
貴金属膜におけるホウ素の含有量は、15ppm以上である、
積層体。
An inorganic substrate composed of an inorganic material;
A noble metal film disposed on an inorganic substrate and containing a noble metal and boron;
With
The boron content in the noble metal film is 15 ppm or more.
Laminated body.
貴金属膜におけるホウ素の含有量は、40ppm以上700ppm以下である、
請求項1に記載の積層体。
The boron content in the noble metal film is 40 ppm or more and 700 ppm or less,
The laminate according to claim 1.
貴金属膜は、貴金属としてPtを含有する、
請求項1又は2に記載の積層体。
The noble metal film contains Pt as a noble metal,
The laminate according to claim 1 or 2.
無機材料によって構成される無機基板と、
前記無機基板の第1主面上に配置され、貴金属とホウ素を含有する第1電極と、
前記無機基板の第2主面上に配置される第2電極と、
を備え、
第1電極におけるホウ素の含有量は、15ppm以上である、
圧電/電歪素子。
An inorganic substrate composed of an inorganic material;
A first electrode disposed on the first main surface of the inorganic substrate and containing a noble metal and boron;
A second electrode disposed on a second main surface of the inorganic substrate;
With
The boron content in the first electrode is 15 ppm or more.
Piezoelectric / electrostrictive element.
第1電極の厚み方向におけるホウ素の濃度は、第1電極の内部から表面に近づくほど低下する、
請求項4に記載の圧電/電歪素子。
The concentration of boron in the thickness direction of the first electrode decreases as it approaches the surface from the inside of the first electrode.
The piezoelectric / electrostrictive element according to claim 4.
第1電極の厚み方向において、ホウ素の濃度分布の半値幅は、貴金属の濃度分布の半値幅よりも小さい、
請求項4又は5に記載の圧電/電歪素子。
In the thickness direction of the first electrode, the half-value width of the boron concentration distribution is smaller than the half-value width of the noble metal concentration distribution.
The piezoelectric / electrostrictive element according to claim 4 or 5.
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