JP2014169787A - Slide mechanism and slide member - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、摺動機構および摺動部材に係り、従来と比較して極めて低い動摩擦係数を得ることが可能な摺動機構および摺動部材に関する。 The present invention relates to a sliding mechanism and a sliding member, and more particularly to a sliding mechanism and a sliding member that can obtain a dynamic friction coefficient that is extremely lower than that in the past.
従来までにポリマーブラシ層を有する摺動面が低い摩擦係数を示すことが知られている。たとえば、特許文献1では、DLC−Si膜上のポリマーブラシ膜を有するブロックと、同様のポリマーブラシ膜を有するリングとで構成される摺動機構が開示されている。この特許文献1では、たとえば、0.02と比較的低い動摩擦係数が達成されている。
Conventionally, it is known that a sliding surface having a polymer brush layer exhibits a low coefficient of friction. For example,
また、特許文献2では、原子間力顕微鏡を用いてポリマーブラシ面同士の摺動機構について詳細な検討がなされており、原子間力顕微鏡で測定可能なミクロレベルでのブラシ同士を摺動させた場合に、摩擦係数が0.001程度となることが報告されている。 Moreover, in patent document 2, the detailed study was made about the sliding mechanism of polymer brush surfaces using an atomic force microscope, and the brushes at a micro level measurable with an atomic force microscope were slid. In some cases, the friction coefficient is reported to be about 0.001.
しかしながら、上記特許文献1および特許文献2の技術は、いずれも、互いに摺動する両方の摺動面にポリマーブラシ層を設けるものであり、このように両方の摺動面にポリマーブラシ層を設ける場合には、基材となる材質が制限されてしまうという問題があり、さらには、設置コストも非常に高くなるため、現実的ではなく、実用レベルの面積を有する摺動面は実用化されていない。加えて、有機ポリマーからなるポリマーブラシ層は、摺動面の真実接触面に極めて大きな摩擦圧がかかるため、このような極めて大きな摩擦圧により、ポリマーブラシ層が破壊されてしまうという課題もある。
However, the techniques of
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、相互に摺動する摺動面のうち、一方の摺動面にのみポリマーブラシ層を有するような構成において、極めて低い動摩擦係数を実現可能な摺動機構、および該摺動機構を備える摺動部材を提供することにある。 The present invention has been made in view of such a situation, and an object thereof is to provide a very low dynamic friction coefficient in a configuration in which a polymer brush layer is provided only on one sliding surface among sliding surfaces sliding on each other. An object of the present invention is to provide a realizable sliding mechanism and a sliding member including the sliding mechanism.
本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究した結果、液体物質で膨潤されたポリマーブラシ層を有する摺動面と、最大高さSzが、該ポリマーブラシ層の平均分子鎖長よりも小さい摺動面とを組み合わせることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that the sliding surface having the polymer brush layer swollen with a liquid substance and the maximum height Sz are based on the average molecular chain length of the polymer brush layer. Furthermore, the present inventors have found that the above object can be achieved by combining with a small sliding surface, and have completed the present invention.
すなわち、本発明によれば、
〔1〕相互に摺動する摺動面を備える摺動機構であって、一方の摺動面(A)は、基材上に共有結合で固定された高分子を、液体物質で膨潤してなるポリマーブラシ層を有する摺動面であり、他方の摺動面(B)は、その最大高さSzが、前記ポリマーブラシ層の平均分子鎖長よりも小さい摺動面であることを特徴とする摺動機構、
〔2〕摺動速度0.5〜13800mm/秒の条件で摺動させた際における動摩擦係数が0.01以下であることを特徴とする前記〔1〕に記載の摺動機構、
〔3〕前記摺動面(A)と、前記摺動面(B)とが互いに異なる親媒性を有するものである前記〔1〕または〔2〕に記載の摺動機構、
〔4〕前記ポリマーブラシ層は、基材表面の面積に対する専有面積率が10%以上のグラフト密度にて高分子鎖がグラフトされてなることを特徴とする前記〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の摺動機構、
〔5〕前記ポリマーブラシ層を構成する高分子グラフト鎖が、前記基材表面に、表面開始リビングラジカル重合法で形成されたものであることを特徴とする前記〔4〕に記載の摺動機構、
〔6〕前記ポリマーブラシ層を構成する高分子グラフト鎖が、イオン性の解離基を有する高分子物質で構成されることを特徴とする前記〔4〕または〔5〕に記載の摺動機構、
〔7〕前記ポリマーブラシ層に含まれる、前記液体物質がイオン液体であることを特徴とする前記〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の摺動機構、
〔8〕前記摺動面(B)が、ケイ素を含有することを特徴とする前記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の摺動機構、
〔9〕前記摺動面(B)が、ケイ酸塩化合物、ガラス、および炭素質材料から選択される少なくとも1つを含有することを特徴とする前記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の摺動機構、
〔10〕前記摺動面(B)が、基材上に、最大高さSzが、前記ポリマーブラシ層の平均分子鎖長よりも小さい平滑膜を、硬化型の接着剤を介して接着されてなるものであり、前記接着剤の硬化時のビッカース硬度HVが1000以下であることを特徴とする前記〔1〕〜〔9〕のいずれかに記載の摺動機構、ならびに、
〔11〕前記〔1〕〜〔10〕のいずれかに記載の摺動機構を備える摺動部材、
が提供される。
That is, according to the present invention,
[1] A sliding mechanism having sliding surfaces that slide relative to each other, wherein one sliding surface (A) swells a polymer fixed by covalent bonding on a substrate with a liquid substance. The other sliding surface (B) is a sliding surface whose maximum height Sz is smaller than the average molecular chain length of the polymer brush layer. Sliding mechanism,
[2] The sliding mechanism according to the above [1], wherein a dynamic friction coefficient when sliding at a sliding speed of 0.5 to 13800 mm / sec is 0.01 or less,
[3] The sliding mechanism according to [1] or [2], wherein the sliding surface (A) and the sliding surface (B) have different lyophilic properties,
[4] Any of [1] to [3] above, wherein the polymer brush layer is formed by grafting polymer chains at a graft density of 10% or more with respect to the area of the substrate surface. The sliding mechanism according to
[5] The sliding mechanism according to [4], wherein the polymer graft chain constituting the polymer brush layer is formed on the substrate surface by a surface-initiated living radical polymerization method. ,
[6] The sliding mechanism according to [4] or [5], wherein the polymer graft chain constituting the polymer brush layer is composed of a polymer substance having an ionic dissociation group,
[7] The sliding mechanism according to any one of [1] to [6], wherein the liquid substance contained in the polymer brush layer is an ionic liquid,
[8] The sliding mechanism according to any one of [1] to [7], wherein the sliding surface (B) contains silicon,
[9] The sliding surface (B) contains at least one selected from a silicate compound, glass, and a carbonaceous material, and any one of the above [1] to [7] Described sliding mechanism,
[10] A smooth film having a maximum height Sz smaller than the average molecular chain length of the polymer brush layer is bonded to the sliding surface (B) on the base material via a curable adhesive. The sliding mechanism according to any one of [1] to [9] above, wherein the adhesive has a Vickers hardness HV of 1000 or less when cured, and
[11] A sliding member comprising the sliding mechanism according to any one of [1] to [10],
Is provided.
本発明によれば、相互に摺動する摺動面のうち、一方の摺動面にのみポリマーブラシ層を有するような構成において、極めて低い動摩擦係数を実現可能な摺動機構、および該摺動機構を備える摺動部材を提供することができる。 According to the present invention, a sliding mechanism capable of realizing an extremely low dynamic friction coefficient in a configuration in which a polymer brush layer is provided only on one of the sliding surfaces that slide with each other, and the sliding A sliding member provided with a mechanism can be provided.
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明に係る摺動機構の一例を示す模式図である。本発明の摺動機構は、基材10上に形成されたポリマーブラシ層20からなる第1摺動面を備える第1摺動部材100と、基材30上に形成された平滑化面40からなる第2摺動面を備える第2摺動部材300とを備え、これらポリマーブラシ層20からなる第1摺動面と、平滑層40からなる第2摺動面とが互いに対峙し、相互に摺動可能となっている。なお、本発明の摺動機構においては、通常、第1摺動部材100を固定した状態とし、第1摺動部材100上を、第2摺動部材300を移動させる構成(たとえば、図1中に矢印で示す方向に第2摺動部材300を移動させるような構成)とする。すなわち、通常、第2摺動部材300を可動部材として用いる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a sliding mechanism according to the present invention. The sliding mechanism of the present invention includes a first sliding
<第1摺動部材100>
基材10としては、特に限定されず、鋳鉄、鋼、ステンレス鋼などの鉄や鉄合金、アルミニウム、銅などの非鉄及び非鉄合金、さらには、シリコンウエハ、ガラス、石英などの非金属などを用いることができるが、後述するポリマーブラシ層20を、表面開始リビングラジカル重合法で形成するために必要となる、重合開始基をその表面に形成可能な材料、具体的には、シリコンウエハ、雲母の剥離片などの劈開性の鉱物、表面上に水酸基などの反応性置換基が存在するポリマー薄膜が付与された平面基材などが好ましく用いられる。
<First sliding
The
ポリマーブラシ層20は、図1に示すように、基材上に共有結合で固定された複数の高分子グラフト鎖を、液体物質で膨潤することにより形成された層であり、対峙する平滑層40からなる第2摺動面と、相互に摺動することで摺動する第1摺動面を形成する。
As shown in FIG. 1, the
ポリマーブラシ層20は、たとえば、前記基材10表面に、表面開始リビングラジカル重合法により高分子グラフト鎖を導入し、次いで、液体物質で膨潤させることにより形成される。
The
表面開始リビングラジカル重合法は、高分子グラフト鎖の起点となる基材10表面に、重合開始基を導入し、該重合開始基を始点として、リビングラジカル重合を行うことで、高分子グラフト鎖を形成する手法であり、たとえば、特開2009−59659号公報や特開2010−218984号公報に記載された方法などを適用することができる。
In the surface-initiated living radical polymerization method, a polymerization initiating group is introduced on the surface of the
高分子グラフト鎖を形成するためのモノマーとしては、限定されないが、摺動面の摩擦係数をより低減できるという点(特に、高分子グラフト鎖に膨潤させる液体物質として、イオン液体を組み合わせて用いた場合に、摺動面の摩擦係数をより低減できるという点)より、イオン性の解離基を有するモノマー(特に、イオン性の解離基と反応性二重結合基とを有するモノマー)を少なくとも用いることが好ましい。イオン性の解離基を有するモノマーを用いることにより、重合により得られる高分子グラフト鎖をイオン性の解離基を有するものとすることができる。なお、高分子グラフト鎖を形成するためのモノマーとしては、イオン性の解離基を有するモノマーに加えて、これと共重合可能なモノマーを用いてもよい。このようなイオン性の解離基を有するモノマーとしては、特に限定されないが、たとえば、下記一般式(1)に示す化合物などが挙げられる。
上記一般式(1)における一価のアニオンYとしては、特に限定されるものではなく、BF4 −、PF6 −、AsF6 −、SbF6 −、AlCl4 −、NbF6 −、HSO4 −、ClO4 −、CH3SO3 −、CF3SO3 −、CF3CO2 −、(CF3SO2)2N−、Cl−、Br−、I−等のアニオンを用いることができるが、液体物質に膨潤させた場合における液体物質中での解離度、安定性および移動度等を考慮すると、特に、BF4 −、PF6 −、(CF3SO2)2N−、CF3SO3 −、またはCF3CO2 −であることが好適である。 The monovalent anion Y in the general formula (1) is not particularly limited, and BF 4 − , PF 6 − , AsF 6 − , SbF 6 − , AlCl 4 − , NbF 6 − , HSO 4 − , ClO 4 − , CH 3 SO 3 − , CF 3 SO 3 − , CF 3 CO 2 − , (CF 3 SO 2 ) 2 N − , Cl − , Br − , I − and the like can be used. Considering the degree of dissociation, stability and mobility in the liquid material when swollen into the liquid material, in particular, BF 4 − , PF 6 − , (CF 3 SO 2 ) 2 N − , CF 3 SO 3 -, or CF 3 CO 2 - is suitably a.
上記一般式(1)で表される化合物のなかでも、摺動面の摩擦係数の低減効果がより大きいという点より、下記一般式(2)〜(9)で表される化合物が特に好適に用いることができる。なお、これらは一種単独で、あるいは二種以上を併用して用いることができる。
また、表面開始リビングラジカル重合法により重合を行うに際し、基材10表面に重合開始基を導入する方法としては、特に限定されないが、重合開始剤を溶剤に溶解あるいは分散することで、重合開始剤溶液を調製し、調製した重合開始剤溶液中に基材10を浸漬する方法などが挙げられる。
In addition, when performing polymerization by the surface-initiated living radical polymerization method, a method for introducing a polymerization initiating group to the surface of the
重合開始剤としては、特に限定されないが、基材10に結合可能な基と、ラジカル発生基とを有する化合物が好ましく、たとえば、特開2010−218984号公報に開示されている重合開始剤、すなわち、TEMPO系、ATRP系、RAFT系、RTCP系の重合開始剤を用いることができる。これらのなかでも、TEMPO系、RAFT系、RTCP系の重合開始剤がより好ましい。また、TEMPO系の重合開始剤の中では、特にDEPN系の重合開始剤が好ましい。なお、基材10に結合可能な基としては、たとえば、−SiCl3、−Si(CH3)Cl2、−Si(CH3) 2Cl、−Si(OR)3(これらの式中、Rはメチル、エチル、プロピルまたはブチルを示す。)などが挙げられる。
Although it does not specifically limit as a polymerization initiator, The compound which has the group couple | bonded with the
そして、上述した重合開始剤を用いて、基材10表面に重合開始基を導入し、次いで、重合開始基を導入した基材10を、上述したモノマーを含有する重合反応溶液に浸漬し、必要に応じて加熱することで、基材10表面に、重合単位として上述したモノマーを含有する高分子グラフト鎖を形成することができる。なお、重合反応溶液には、上述したモノマーの他、各種ラジカル開始剤や、溶剤など重合反応に必要な成分を含有させることができる。
Then, using the polymerization initiator described above, a polymerization initiating group is introduced on the surface of the
本発明においては、基材10表面に形成する高分子グラフト鎖は、基材10表面の面積に対する専有面積率(ポリマー断面積当たりの占有率)で10%以上となるようなグラフト密度で形成されることが好ましく、より好ましくは15%以上、さらに好ましくは20%以上である。なお、グラフト密度は、グラフト鎖の数平均分子量(Mn)の絶対値、グラフトされたポリマー量、基材10の表面積より算出することができる。また、ポリマーブラシ層20中の専有面積率は、ポリマーの伸びきり形態における繰り返し単位長さとポリマーのバルク密度より断面積を求め、グラフト密度を掛けて算出することができる。なお、専有面積率は、基材10表面をグラフト点(1つ目のモノマー)が占める割合という意味になる(最密充填で100%、これ以上にはグラフトできない)。
In the present invention, the polymer graft chains formed on the surface of the
また、ポリマーブラシ層20を構成する高分子グラフト鎖の平均分子鎖長さLp(すなわち、ポリマーブラシ長)は、好ましくは10nm以上であり、実用的な観点より、10〜1000nmの範囲であることがより好ましい。高分子グラフト鎖の平均分子鎖長さLpが短すぎると、摺動特性が低下し、動摩擦係数の低減効果が得られなくなってしまう。また、高分子グラフト鎖の平均分子鎖長さLpは、たとえば、高分子グラフト鎖を構成するモノマーの種類や、重合条件等により調整することができる。
Further, the average molecular chain length L p (that is, the polymer brush length) of the polymer graft chains constituting the
なお、高分子グラフト鎖の平均分子鎖長さLpは、たとえば、高分子グラフト鎖の数平均分子量(Mn)、および分子量分布(Mw/Mn)を測定し、これらの測定結果から求めることができる。また、高分子グラフト鎖の数平均分子量(Mn)、および分子量分布(Mw/Mn)は、たとえば、フッ化水素酸処理により基材10から高分子グラフト鎖を切り出し、切り出した高分子グラフト鎖を用いてゲルパーミエーションクロマトグラフ法により測定する方法が挙げられる。あるいは、重合時に生成するフリーポリマーが基材10に導入された高分子グラフト鎖と等しい分子量を有すると仮定し、該フリーポリマーについてゲルパーミエーションクロマトグラフ法により、数平均分子量(Mn)、および分子量分布(Mw/Mn)を測定し、これをそのまま用いる方法を採用してもよい。なお、第1摺動面を形成するポリマーブラシの分子量分布(Mw/Mn)は1に近いことが好ましく、好適には、1.3以下であり、より好ましくは1.25以下、さらに好ましくは1.2以下、特に好ましくは1.15以下である。
The average molecular chain length L p of the polymer graft chain can be obtained, for example, by measuring the number average molecular weight (Mn) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polymer graft chain. it can. The number average molecular weight (Mn) and molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polymer graft chain are determined by, for example, cutting out the polymer graft chain from the
本発明のポリマーブラシ層20は、上述したように、基材10上に形成された高分子グラフト鎖に、液体物質を膨潤させることにより形成される層であり、高分子グラフト鎖に膨潤させる液体物質としては、高分子グラフト鎖に対して膨潤性を示す化合物であればよく特に限定されないが、高分子グラフト鎖との親和性が高い(特に、高分子グラフト鎖が、イオン性の解離基を有するものである場合に、特に高い親和性を示す)という観点より、イオン液体が好ましい。
As described above, the
イオン液体としては、たとえば、下記一般式(10)で示され、融点が50℃以下、好ましくは25℃以下であるものを用いることができる。
炭素数1〜5のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、2−プロピル基、ブチル基、ペンチル基等が挙げられる。R’−O−(CH2)n−で表されるアルコキシアルキル基としては、メトキシまたはエトキシメチル基、メトキシまたはエトキシエチル基、メトキシまたはエトキシプロピル基、メトキシまたはエトキシブチル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, 2-propyl group, butyl group, and pentyl group. Examples of the alkoxyalkyl group represented by R′—O— (CH 2 ) n — include a methoxy or ethoxymethyl group, a methoxy or ethoxyethyl group, a methoxy or ethoxypropyl group, and a methoxy or ethoxybutyl group.
また、R3、R4、R5およびR6のいずれか2個の基が環を形成している化合物としては、Xに窒素原子を採用した場合には、アジリジン環、アゼチジン環、ピロリジン環、ピペリジン環等を有する4級アンモニウム塩、一方、Xにリン原子を採用した場合には、ペンタメチレンホスフィン(ホスホリナン)環等を有する4級ホスホニウム塩等が挙げられる。 In addition, as a compound in which any two groups of R 3 , R 4 , R 5 and R 6 form a ring, when a nitrogen atom is employed for X, an aziridine ring, an azetidine ring, a pyrrolidine ring And quaternary ammonium salts having a piperidine ring, etc., on the other hand, when a phosphorus atom is employed for X, quaternary phosphonium salts having a pentamethylenephosphine (phosphorinane) ring and the like can be mentioned.
特に、置換基として、上記R′がメチル基であり、nが2のメトキシエチル基を少なくとも1つ有する4級アンモニウム塩が好適である。
また、置換基として、メチル基、2つのエチル基、およびアルコキシエチル基を有する下記一般式(11)で示される4級塩も好適に用いることができる。
Moreover, the quaternary salt shown by the following general formula (11) which has a methyl group, two ethyl groups, and an alkoxyethyl group as a substituent can also be used suitably.
上記一般式(10)、(11)における一価のアニオンYとしては、特に限定されるものではなく、BF4 −、PF6 −、AsF6 −、SbF6 −、AlCl4 −、NbF6 −、HSO4 −、ClO4 −、CH3SO3 −、CF3SO3 −、CF3CO2 −、(CF3SO2)2N−、Cl−、Br−、I−等のアニオンを用いることができるが、非水系有機溶媒中での解離度、安定性および移動度等を考慮すると、特に、BF4 −、PF6 −、(CF3SO2)2N−、CF3SO3 −、またはCF3CO2 −であることが好適である。 The monovalent anion Y in the general formulas (10) and (11) is not particularly limited, and BF 4 − , PF 6 − , AsF 6 − , SbF 6 − , AlCl 4 − and NbF 6 −. , HSO 4 − , ClO 4 − , CH 3 SO 3 − , CF 3 SO 3 − , CF 3 CO 2 − , (CF 3 SO 2 ) 2 N − , Cl − , Br − , I − and the like are used. However, considering the dissociation degree, stability, mobility and the like in a non-aqueous organic solvent, BF 4 − , PF 6 − , (CF 3 SO 2 ) 2 N − , CF 3 SO 3 − Or CF 3 CO 2 — .
本発明において、上記一般式(10),(11)で示される4級塩のうち、好適に用いられる4級アンモニウム塩および4級ホスホニウム塩の具体例としては、以下の化合物(12)〜(20)が挙げられ(Meはメチル基、Etはエチル基を示す。)、特に、低温特性等に優れた蓄電デバイスを得ることを考慮すると、下記式(12)または(17)で示される4級アンモニウム塩を用いることがより好ましく、粘度が低く、そのため、摺動時の動摩擦係数をより低減できるという点より、下記式(17)で示される4級アンモニウム塩が特に好ましい。
また、本発明においては、上記一般式(10)で表される化合物以外のイオン液体を用いてもよく、たとえば、このようなイオン液体としては、下記一般式(21)に示すイミダゾリウムイオンを含むイオン液体や、下記式(22)〜(27)に示すその他の芳香族系カチオンを含むイオン液体などが挙げられる。なお、これらイミダゾリウムイオンを含むイオン液体およびその他の芳香族系カチオンを含むイオン液体を形成するカウンターアニオンとしては、上記一般式(10)、(11)に示す化合物と同様の一価のアニオンを挙げることができる。
本発明において、基材10上に形成された高分子グラフト鎖に、液体物質を膨潤させる方法としては、特に限定されないが、たとえば、基材10上に形成された高分子グラフト鎖に、液体物質を塗布して、その後、静置する方法や、高分子グラフト鎖を形成した基材10を液状物質中に浸漬させる方法などが挙げられる。
In the present invention, the method for swelling the liquid substance in the polymer graft chain formed on the
<第2摺動部材300>
次いで、上述した基材10上に形成されたポリマーブラシ層20からなる第1摺動部材100とともに、本発明の摺動機構を構成する第2摺動部材300について説明する。第2摺動部材300は、図1に示すように、基材30と、基材30上に形成された平滑化面40とを備え、平滑化面40が、第1摺動部材100のポリマーブラシ層20により形成される第1摺動面と相互に摺動する第2摺動面を構成する。
<
Next, the second sliding
基材30としては特に限定されず、特に限定されず、鋳鉄、鋼、ステンレス鋼などの鉄や鉄合金、アルミニウム、銅などの非鉄及び非鉄合金、さらには、シリコンウエハ、ガラス、石英などの非金属などを用いることができる。
The
また、本発明の第2摺動部材300は、第1摺動部材100のポリマーブラシ層20により形成される第1摺動面と対峙する面に、平滑化面40が形成される。平滑化面40は、その表面の最大高さSzが、第1摺動部材100のポリマーブラシ層20を構成する高分子グラフト鎖の平均分子鎖長さLpよりも小さくなるように制御された面(すなわち、Sz<Lpである面)であり、最大高さSzは、平均分子鎖長さLpよりも小さければよいが、「最大高さSz/平均分子鎖長さLp」の割合が小さいほど、摺動時における動摩擦係数をより小さくすることができる。Sz>Lpの場合はブラシ層が対峙する摺動面の凸部により破壊される可能性が増大するため、「最大高さSz/平均分子鎖長さLp」の割合が小さければ小さいほど良い。「最大高さSz/平均分子鎖長さLp」の割合は、好ましくは0.7以下、より好ましくは0.5以下であり、特に好ましくは0.3以下であり、このような範囲であれば安定した低摩擦摺動を得られるであろう。また、後述する実施例の様に 2.41/120=0.02程度であるならば全く問題はない。「最大高さSz/平均分子鎖長さLp」の割合が小さいほど、摺動時における動摩擦係数をより小さくすることができる。また、最大高さSzは、均分子鎖長さLpとの関係で、上記範囲内にあればよいが、通常、最大高さSzは100nm以下であり、より好ましくは50nm以下、特に好ましくは5nm以下である。なお、最大高さSzは、平滑化面40の最大ピークと最深の谷の間の高さであり、ISO25178に従って測定することができる。
Moreover, the 2nd sliding
本発明によれば、第2摺動部材300の平滑化面40の表面における最大高さSzを、高分子グラフト鎖の平均分子鎖長さLpよりも小さくなるように制御することにより、第1摺動部材100と、第2摺動部材300とを互いに摺動させた場合に、第2摺動部材300の摺動面の凹凸により、高分子グラフト鎖に引っ掛かり、これにより摩擦係数が増大してしまうことを有効に防止することができるものである。そして、その結果として、本発明によれば、摺動時の動摩擦係数を、好ましくは0.018以下、より好ましくは0.01以下、さらに好ましくは0.001以下、さらに好ましくは0.0005以下と極めて低い水準とすることができるものである。なお、本発明においては、摺動速度0.5〜13800mm/秒の条件で摺動させた際における動摩擦係数が上記範囲であればよく、好ましくは0.5〜500mm/秒の条件、より好ましくは摺動速度1〜100mm/秒の条件、さらに好ましくは摺動速度1〜20mm/秒の条件で摺動させた際における動摩擦係数が上記範囲であることが望ましい。また、摺動時の荷重は、通常、0.1〜10Nの範囲である。特に、本発明によれば、このような摺動速度条件および荷重条件において、上述した動摩擦係数を実現できることにより、幅広い用途に好適に用いることができる。
According to the present invention, by controlling the maximum height Sz on the surface of the smoothing
加えて、本発明によれば、第1摺動部材100と、第2摺動部材300とを互いに摺動させた場合に、第2摺動部材300の摺動面の凹凸により、高分子グラフト鎖が引っ掛かることで、高分子グラフト鎖が破壊されてしまい、これにより、摺動回数を増加させるにしたがって、高分子グラフト鎖の破壊が進むことに伴い動摩擦係数が増大してしまうという問題も有効に防止することができる。すなわち、本発明によれば、このような高分子グラフト鎖の破壊を有効に防止することができるため、摺動回数を増加させた場合でも、摺動時の動摩擦係数を上述した極めて低い水準に適切に保つことができる。
In addition, according to the present invention, when the first sliding
なお、平滑化面40を形成するための材料としては、特に限定されず、最大高さSzを所望の水準とすることができるような材料であればよいが、たとえば、雲母などの劈開性の鉱物(劈開性の鉱物の劈開面)、ケイ酸塩化合物などのケイ素を含有する物質、ホウケイ酸ガラスやソーダガラスなどのガラス、炭素質材料が挙げられる。これらのなかでも、ナノオーダーレベルで平滑性を実現することができるという点より、シリコン単結晶、シリカ薄膜、ガラス、ガラス状カーボンなどが好ましく、シリカ薄膜、ガラスが特に好ましい。また、平滑化面40を構成する材料としては、最大高さSzを所望の水準とすることができることに加えて、表面の親媒性を選択することが可能なものが好ましい。特に、摺動する際の相手材となる、ポリマーブラシ層20はその分子構造制御により親水性あるいは親油性のコントロール(親媒性のコントロール)が可能である。たとえば、膨潤させる液体としてイオン液体を用いたイオン液体型ポリマーブラシの場合、BF4アニオンを有するイオン液体型ポリマーブラシは水に対して強い親和性を示し、親水性のポリマーブラシ表面を与える。一方、トリフルオロスルホン酸イミドアニオン(TFSIアニオン)を有するイオン液体型ポリマーブラシは有機溶媒に対して強い親和性を示し、親油性のポリマーブラシ表面を与える。ここでブラシ面に相対する平滑化面40を、ブラシと異なる親媒性を持つ材料で形成することにより、親水性―疎水性反発力を利用することで、摺動時の動摩擦係数のさらなる低減が可能となる。すなわち、ポリマーブラシ層20と、平滑化面40とを互いに異なる親媒性を有するものとすることが好ましく、これにより動摩擦係数のさらなる低減が可能となり、さらには、高い耐荷重性および優れた繰り返し耐久性を実現することができる。換言すれば、親水性ポリマーブラシには親油性の平滑化面40を、親油性ポリマーブラシには親水性の平滑化面40を組み合わせることで動摩擦係数のさらなる低減、高い耐荷重性および優れた繰り返し耐久性を実現することができる。特に親油性あるいは疎水性の平滑化面に親水性を付与するには簡便ないくつかの方法が知られているので、平滑化面40を構成する材料として、親水性を有しない材料を用い、平滑面40を形成した後に、その表面に、親水性を付与するための改質処理を行ってもよい。改質処理は、たとえば、プラズマ処理、コロナ放電、または化学蒸着(CVD)などにより行うことができる。
In addition, it does not specifically limit as a material for forming the smoothing
基材30上に、平滑化面40を形成する方法としては、特に限定されず、平滑化面40の形成に用いる材料に応じて適宜、選択すればよいが、平滑化面40を形成する材料を接着剤などを介して貼り付ける方法や、蒸着させる方法、あるいは、劈開性の鉱物などの柔らかい材料である場合には、基材30の平滑化面40を形成する面を劈開性の鉱物に擦り付けて、その劈開性を利用して転写させる方法などが挙げられる。
The method for forming the smoothed
平滑化面40を形成する材料を接着剤を介して貼り付ける方法に用いる、接着剤の種類、化学組成は、特に限定されるものではないが、低温下においても硬度が著しく上がることが無く、脆くない接着剤が好ましい。このような接着剤としては、十分な耐熱性を有する接着剤であれば、熱可塑性でも用いることが可能な場合もあるが、好ましくは熱硬化性の樹脂ベースの硬化型の接着剤が好適である。ただし、高温下において著しく可塑化し、流動するような接着剤は好ましくない。このような熱硬化型の接着剤としては、ポリウレタン系、エポキシ系、ゴム系、アクリル系、メタクリル系接着剤が好適である。なお、接着剤には、耐熱性、機械強度を向上させる目的で、接着剤にフィラーを添加することも好ましく、フィラーとしては、カーボン、有機物、無機物、金属、ガラスなどの粉末や繊維、ウイスカーが挙げられる。また、硬化型の接着剤としては、硬化後のビッカース硬度HVが、1000以下であるものが好ましく、より好ましくは500以下、さらに好ましくは200以下、さらにより好ましくは50以下、特に好ましくは5以下である。また、硬化後のビッカース硬度HVの下限は、特に限定されないが、好ましくは0.001以上、より好ましくは0.01以上、さらに好ましくは0.05以上、さらにより好ましくは0.2以上、特に好ましくは0.5以上である。硬化後のビッカース硬度HVが上記範囲にある硬化型の接着剤を使用することで、接着剤により構成される層を、適度なクッション性を有するものとすることができ、繰り返し摩擦での低摩擦特性維持(繰り返し耐久性)をより向上させることができる。なお、硬化型の接着剤のビッカース硬度HVは、たとえば、硬化型の接着剤を所定の形状に成形し、硬化させることで測定用サンプルを作製し、該測定用サンプルについて、ビッカース硬度計を用いた測定を行うことにより、測定することができる。
The type and chemical composition of the adhesive used in the method of attaching the material forming the smoothing
以下に、実施例を挙げて、本発明についてより具体的に説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
<シリコン基板表面への重合開始基の導入>
固定化開始剤としての3−(3−(トリエトキシシリル)プロピルチオ)プロピル−2−ブロモ−2−メチルプロパネート0.5g、エタノール50g、およびアンモニア2.8gを混合した溶液に、任意のサイズにカットしたシリコン基板を浸漬し、24時間静置した。その後、エタノールで洗浄・乾燥を行うことで、表面に重合開始基が導入されたシリコン基板を得た。
<Introduction of polymerization initiating groups to the silicon substrate surface>
A solution prepared by mixing 0.5 g of 3- (3- (triethoxysilyl) propylthio) propyl-2-bromo-2-methylpropanoate as an immobilization initiator, 50 g of ethanol, and 2.8 g of ammonia was mixed with any size. The cut silicon substrate was dipped and allowed to stand for 24 hours. Then, the silicon substrate by which the polymerization initiation group was introduce | transduced on the surface was obtained by performing washing | cleaning and drying with ethanol.
<表面開始リビングラジカル重合によるポリマーブラシの合成>
不活性ガス雰囲気下にて、イオン性の解離基を有するモノマー(イオン液体モノマー)として、N,N−ジエチル−N−(2−メタクリロイルエチル)−N−メチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルフォニル)イミド(DEMM−TFSI)10g、ラジカル開始剤として、エチル−2−ブロモ酪酸エチル(EBIB)8.12mg、塩化銅(I)18.5mg、塩化銅(II)2.8mg、およびビピリジル65mgを、アセトニトリル10gに溶解することで、重合反応溶液を調製した。なお、重合反応溶液中に含有される各成分の割合をモル比で表すと、EBIB:ビピリジル:[塩化銅(I)と塩化銅(II)の合計]:DEMM−TFSI= 1:10:5:500となる。
<Synthesis of polymer brush by surface initiated living radical polymerization>
N, N-diethyl-N- (2-methacryloylethyl) -N-methylammonium bis (trifluoromethylsulfonyl) as a monomer having an ionic dissociation group (ionic liquid monomer) under an inert gas atmosphere 10 g of imide (DEMM-TFSI), 8.12 mg of ethyl-2-bromobutyrate (EBIB), 18.5 mg of copper (I) chloride, 2.8 mg of copper (II) chloride, and 65 mg of bipyridyl as radical initiator, A polymerization reaction solution was prepared by dissolving in 10 g of acetonitrile. In addition, when the ratio of each component contained in the polymerization reaction solution is expressed in molar ratio, EBIB: bipyridyl: [total of copper chloride (I) and copper chloride (II)]: DEMM-TFSI = 1: 10: 5 : 500.
次いで、上記にて製造した表面に重合開始基が導入されたシリコン基板を、上記にて調製した重合反応溶液に浸漬させ、50℃に加熱し、撹拌することで反応を開始した。反応時間は18時間とし、反応終了後アセトニトリルにて洗浄を行うことで、表面に高分子グラフト鎖が導入されたシリコン基板を得た。また、この際に合成系内において共同的に得られた遊離ポリマーの数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)を測定したところ、Mn=50,000、Mw/Mn=1.20であった。よって、シリコン基板表面に導入された高分子グラフト鎖も同様の数平均分子量および分子量分布を持つものであるといえる。また、数平均分子量および分子量分布より算出される高分子グラフト鎖の平均分子鎖長さLpは120nmであり、また、シリコン基板表面における面積占有率は30%であった。 Next, the reaction was started by immersing the silicon substrate having the polymerization initiation group introduced on the surface produced above in the polymerization reaction solution prepared above, heating to 50 ° C., and stirring. The reaction time was 18 hours, and after completion of the reaction, the substrate was washed with acetonitrile to obtain a silicon substrate having a polymer graft chain introduced on the surface. Moreover, when the number average molecular weight (Mn) and molecular weight distribution (Mw / Mn) of the free polymer jointly obtained in the synthesis system at this time were measured, Mn = 50,000, Mw / Mn = 1.20. Met. Therefore, it can be said that the polymer graft chain introduced into the silicon substrate surface also has the same number average molecular weight and molecular weight distribution. The average molecular chain length L p of the polymer graft chain calculated from the number average molecular weight and the molecular weight distribution was 120 nm, and the area occupation ratio on the silicon substrate surface was 30%.
なお、遊離ポリマーの数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)は、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー(GPC)により求めた。なお、測定に際しては、測定装置として、昭和電工(株)社製「Shodex GPC−101」(カラム(「Shodex OHpak SB−806M HQ」、昭和電工(株)社製)を2本直列に接続)を用い、また、溶離液として、0.2M硝酸ナトリウム水溶液と0.5M酢酸アセトニトリル溶液とを1:1(体積比)で混合したものを用いた。また、測定は40℃で行い、流量は、1.0 ml/minとした。そして、得られた測定結果より、Shodex480IIにより作製したポリエチレンオキシド換算の検量線を用いて、遊離ポリマーの数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)をそれぞれ求めた。 In addition, the number average molecular weight (Mn) and molecular weight distribution (Mw / Mn) of the free polymer were determined by gel permeation chromatography (GPC). In the measurement, as a measuring device, “Shodex GPC-101” manufactured by Showa Denko Co., Ltd. (two columns (“Shodex OHpak SB-806M HQ”, Showa Denko Co., Ltd.) connected in series) In addition, as an eluent, a 0.2 M sodium nitrate aqueous solution and a 0.5 M acetic acid acetonitrile solution mixed at 1: 1 (volume ratio) were used. The measurement was performed at 40 ° C., and the flow rate was 1.0 ml / min. And from the obtained measurement result, the number average molecular weight (Mn) and molecular weight distribution (Mw / Mn) of the free polymer were calculated | required using the calibration curve of polyethylene oxide conversion produced with Shodex480II, respectively.
m
<イオン液体による膨潤>
そして、上記により得られた高分子グラフト鎖が導入されたシリコン基板の、高分子グラフト鎖が導入されている面に、イオン液体としてのN,N−ジエチル−N−メチル−N−(2−メトキシエチル)アンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルフォニル)イミド(DEME−TFSI)を塗布し、12時間浸漬させることで、高分子グラフト鎖に膨潤させて、ポリマーブラシ層が形成されたシリコン基板を得た。
m
<Swelling with ionic liquid>
Then, N, N-diethyl-N-methyl-N- (2- (2)) as an ionic liquid is formed on the surface of the silicon substrate into which the polymer graft chain obtained as described above is introduced. Methoxyethyl) ammonium bis (trifluoromethylsulfonyl) imide (DEME-TFSI) was applied and immersed for 12 hours to swell the polymer graft chain to obtain a silicon substrate on which a polymer brush layer was formed. .
<摩耗試験用試料の準備>
摩耗試験用試料(第2摺動部材300に相当)として、以下の試料を準備した。
・未処理のシリカ球(株式会社伊藤製作所社製、直径10mmφ)
・シリカ薄膜形成シリカ球(上記未処理のシリカ球の表面に、接着剤にて厚さ3μmのシリカ薄膜(親水性の平滑膜)を接着させてなるシリカ球)
・ホウケイ酸ガラス層形成シリカ球(上記未処理のシリカ球の表面に、接着剤にて厚さ3〜8μmのホウケイ酸ガラス層(親水性の平滑膜)を接着させてなるシリカ球)
・ソーダガラス層形成シリカ球(上記未処理のシリカ球の表面に、接着剤にて厚さ3〜8μmのソーダガラス層(親水性の平滑膜)を接着させてなるシリカ球)
なお、各試料において、接着剤としては、エポキシ系接着剤(商品名「Epikote」、shell社製、ビッカース硬度HV:1)を使用した。エポキシ系接着剤のビッカース硬度HVは、エポキシ系接着剤を所定の形状に成形した後、硬化させることでサンプルを作製し、ビッカース硬度測定装置として、マイクロビッカース硬度計「MVK−HO」(akashi社製)を使用して、試験荷重F=100gF、試験力の保持時間=20秒の条件にて測定し、下記式により算出した(下記式中、dは、サンプルに圧子を押し込むことで荷重を掛け、その後、荷重を除いた後に残ったへこみの対角線の長さである。)。
The following samples were prepared as samples for wear tests (corresponding to the second sliding member 300).
・ Untreated silica sphere (made by Ito Seisakusho, diameter 10mmφ)
Silica thin film forming silica sphere (silica sphere formed by adhering a 3 μm thick silica thin film (hydrophilic smooth film) to the surface of the untreated silica sphere with an adhesive)
Borosilicate glass layer-forming silica sphere (silica sphere formed by adhering a 3-8 μm thick borosilicate glass layer (hydrophilic smooth film) to the surface of the untreated silica sphere)
・ Soda glass layer-forming silica spheres (silica spheres formed by adhering a 3-8 μm thick soda glass layer (hydrophilic smooth film) to the surface of the untreated silica spheres)
In each sample, an epoxy adhesive (trade name “Epikote”, manufactured by Shell, Vickers hardness HV: 1) was used as the adhesive. The Vickers hardness HV of the epoxy adhesive is prepared by molding the epoxy adhesive into a predetermined shape and then curing it. A micro Vickers hardness meter “MVK-HO” (akashi) is used as a Vickers hardness measuring device. , And the test load retention time was 20 seconds, and calculated according to the following formula (in the following formula, d is the load by pushing the indenter into the sample. It is the length of the diagonal line of the dent that was left after applying the load and then removing the load.)
なお、「未処理のシリカ球」は、その表面状態を、原子間力顕微鏡にて観察したところ(5μm×5μmの領域)、表面の最大高さ(Sz)が220nmであり、表面の二乗平均高さ(Sq)が20.3nmであった。得られた原子間力顕微鏡の構成ならびに測定条件を下記に示す。また、写真を図2(A)に示す。
・測定装置:原子間力顕微鏡「Agilent 5100」(Agilent Technologies社製)
・スキャナ:スモールスキャナ
・ノーズコーン:AACモード用
・ドライブモード:AAC
・カンチレバー:標準Siプローブ PointProbe NCH (Nano World社製)
・スキャンスピード:5μm/s
・表面形状の解析ソフト:Pico images Basic (Agilent Technologies社製)
なお、表面の二乗平均高さ(Sq)は、高さの分布の標準偏差であり、下記式により算出される。
・ Measuring device: Atomic force microscope “Agilent 5100” (Agilent Technologies)
-Scanner: Small scanner-Nose cone: For AAC mode-Drive mode: AAC
Cantilever: Standard Si probe PointProbe NCH (Nano World)
・ Scanning speed: 5μm / s
・ Surface shape analysis software: Pico images Basic (Agilent Technologies)
The root mean square height (Sq) is a standard deviation of the height distribution and is calculated by the following formula.
また、「シリカ薄膜形成シリカ球」は、その表面状態を、原子間力顕微鏡にて観察したところ(5μm×5μmの領域)、表面の最大高さ(Sz)が2.41nmであり、表面の二乗平均高さ(Sq)が0.311nmであった。得られた原子間力顕微鏡写真を図2(B)に示す。 In addition, when the surface state of the “silica thin film-forming silica sphere” was observed with an atomic force microscope (5 μm × 5 μm region), the maximum height (Sz) of the surface was 2.41 nm. The root mean square height (Sq) was 0.311 nm. The obtained atomic force micrograph is shown in FIG.
さらに、「ホウケイ酸ガラス層形成シリカ球」は、上記と同様に表面状態を観察したところ、表面の最大高さ(Sz)が5nmであり、表面の二乗平均高さ(Sq)が0.5nm、「ソーダガラス層形成シリカ球」は、表面の最大高さ(Sz)が5nmであり、表面の二乗平均高さ(Sq)が0.5nm、「雲母層形成シリカ球」は、表面の最大高さ(Sz)が5nmであり、表面の二乗平均高さ(Sq)が0.5nmであった。 Further, when the surface state of the “borosilicate glass layer-forming silica sphere” was observed in the same manner as described above, the maximum height (Sz) of the surface was 5 nm and the root mean square height (Sq) was 0.5 nm. , “Soda glass layer-forming silica sphere” has a maximum surface height (Sz) of 5 nm, and a surface mean square height (Sq) of 0.5 nm, “Mica layer-forming silica sphere” The height (Sz) was 5 nm and the root mean square height (Sq) was 0.5 nm.
<摩耗試験>
摩耗試験(ボールオンプレート摩擦試験)は、下記表1の組み合わせにて行った。なお、表1中において、「ポリマーブラシ層形成シリコン基板」は、上記にて調製したポリマーブラシ層が形成されたシリコン基板を示している。
<Abrasion test>
The abrasion test (ball-on-plate friction test) was performed with the combinations shown in Table 1 below. In Table 1, “polymer brush layer-formed silicon substrate” indicates a silicon substrate on which the polymer brush layer prepared above is formed.
具体的には、上記表1の各組み合わせ(実施例1〜3、比較例1,2)について、下側に第1摺動部材100を配置し、その上側に球状の第2摺動部材300を配置し、球状の第2摺動部材300について下記の荷重にて押し付けつつ、第1摺動部材100をスライドさせ、ロードセルの感知した摩擦力から動摩擦係数を測定した。なお、測定条件は下記のとおりとした。
・測定装置:表面性測定機「TRIBOGEAR」(新東科学社製)
・荷重 :500g
・移動速度:60mm/分(1.0mm/秒)
・試験温度:24.0℃
・試験湿度:25%
また、測定の結果、上記表1の各組み合わせ(実施例1〜3、比較例1,2)における動摩擦係数は、下記の通りであった。
・実施例1:動摩擦係数<0.001
・実施例2:動摩擦係数<0.001
・実施例3:動摩擦係数<0.001
・比較例1:動摩擦係数=0.128
・比較例2:動摩擦係数=0.042
Specifically, for each combination (Examples 1 to 3, Comparative Examples 1 and 2) in Table 1, the first sliding
・ Measuring device: Surface property measuring instrument "TRIBOGEAR"
・ Load: 500g
・ Movement speed: 60mm / min (1.0mm / sec)
Test temperature: 24.0 ° C
・ Test humidity: 25%
In addition, as a result of the measurement, the dynamic friction coefficient in each combination (Examples 1 to 3, Comparative Examples 1 and 2) in Table 1 was as follows.
Example 1: Coefficient of dynamic friction <0.001
Example 2: Coefficient of dynamic friction <0.001
Example 3: Coefficient of dynamic friction <0.001
Comparative Example 1: Coefficient of dynamic friction = 0.128
Comparative Example 2: Coefficient of dynamic friction = 0.042
上記の結果より、第1摺動部材100として、ポリマーブラシ層形成シリコン基板を用い、第2摺動部材300として、表面の最大高さ(Sz)が、ポリマーブラシ層の分子グラフト鎖の平均分子鎖長さLpよりも小さい摺動面を有する摺動部材(シリカ薄膜形成シリカ球)を用いることにより、摺動時における動摩擦係数を0.001未満と極めて低くできる結果となった(実施例1〜3)。特に、実施例1〜3においては、第2摺動部材300として、シリカ薄膜形成シリカ球、ホウケイ酸ガラス層形成シリカ球、ソーダガラス層形成シリカ球を用いることにより、これらの親水性により、親油性であるポリマーブラシ層に対して、親水性−疎水性反発力を示すことにより、動摩擦係数を極めて低くできたものと考えられる。また、この実施例1〜3においては、上記摩耗試験を複数回にわたって行った場合でも、動摩擦係数にほとんど変化は見られなかった。また、実施例1〜3について、静止摩擦係数を測定したところ、静止摩擦係数も0.02以下となり、静止摩擦係数も適切に低減されていた。
From the above results, a polymer brush layer-formed silicon substrate is used as the first sliding
一方、未処理のシリコン基板と、未処理のシリカ球とを組み合わせて用いた比較例1、および、ポリマーブラシ層形成シリコン基板と、未処理のシリカ球とを組み合わせて用いた比較例2は、いずれも、動摩擦係数が大きくなる結果となった。 On the other hand, Comparative Example 1 using a combination of an untreated silicon substrate and an untreated silica sphere, and Comparative Example 2 using a combination of a polymer brush layer-forming silicon substrate and an untreated silica sphere, In both cases, the dynamic friction coefficient increased.
また、上記表1の各組み合わせのうち、実施例1の組み合わせについて、下側に第1摺動部材100を配置し、その上側に球状の第2摺動部材300を配置し、球状の第2摺動部材300について下記の荷重にて押し付けつつ、第1摺動部材100をスライドさせる往復摺動を繰り返し行い、ロードセルの感知した摩擦力から動摩擦係数を測定することで、繰り返し耐久性の評価を行った。なお、測定条件は下記のとおりとした。
・測定装置:表面性測定機「TRIBOGEAR」(新東科学社製)
・荷重 :1000g
・移動速度:60mm/分(1.0mm/秒)
・試験温度:24.0℃
・試験湿度:25%
上記繰り返し往復摺動の結果、実施例1の組み合わせにおいては、1000gという高い荷重にて、往復摺動3000回以上行った後においても、動摩擦係数は0.001未満を維持しており、耐荷重性および繰り返し耐久性にも優れたものであった。なお、実施例2,3の組み合わせについても、実施例1と同程度の特性を有するものであるため、同様の結果が期待できる。
Moreover, among each combination of Table 1 above, for the combination of Example 1, the first sliding
・ Measuring device: Surface property measuring instrument "TRIBOGEAR"
・ Load: 1000g
・ Movement speed: 60mm / min (1.0mm / sec)
Test temperature: 24.0 ° C
・ Test humidity: 25%
As a result of the repeated reciprocating sliding, in the combination of Example 1, the dynamic friction coefficient is maintained below 0.001 even after the reciprocating sliding is performed 3000 times or more at a load as high as 1000 g. It was also excellent in durability and repeated durability. In addition, since the combination of Examples 2 and 3 has characteristics similar to those of Example 1, similar results can be expected.
100…第1摺動部材
10…基材
20…ポリマーブラシ層
300…第2摺動部材
30…基材
40…平滑化面
DESCRIPTION OF
Claims (11)
一方の摺動面(A)は、基材上に共有結合で固定された高分子を、液体物質で膨潤してなるポリマーブラシ層を有する摺動面であり、
他方の摺動面(B)は、その最大高さSzが、前記ポリマーブラシ層の平均分子鎖長よりも小さい摺動面であることを特徴とする摺動機構。 A sliding mechanism having sliding surfaces that slide relative to each other,
One sliding surface (A) is a sliding surface having a polymer brush layer formed by swelling a polymer fixed by covalent bonding on a substrate with a liquid substance,
The other sliding surface (B) has a maximum height Sz which is a sliding surface smaller than the average molecular chain length of the polymer brush layer.
前記接着剤の硬化時のビッカース硬度HVが1000以下であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の摺動機構。 The sliding surface (B) is formed by adhering a smooth film having a maximum height Sz smaller than the average molecular chain length of the polymer brush layer via a curable adhesive on the base material. Yes,
The sliding mechanism according to any one of claims 1 to 9, wherein a Vickers hardness HV when the adhesive is cured is 1000 or less.
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