JP2014166306A - カプセル型内視鏡用位置認識装置 - Google Patents

Abstract

【課題】消費電力を抑制すると共に、装置の大型化を招くことなく、生体内部に投与されるカプセル型内視鏡の位置を認識する。
【解決手段】磁気センサーを有するカプセル型内視鏡の生体内部における位置を検出するカプセル型内視鏡用位置認識装置１は、複数のコイルを二次元配列して複数のグリッドを形成したコイルアレイ３と、コイルアレイ３をカプセル型内視鏡５の投与された生体に接近させた状態で複数のコイルのうちから選択したコイルに対して電流を流すことにより、生体内部に磁界を発生させる磁界制御部２０と、カプセル型内視鏡５から磁気センサーによる磁界の測定値を取得する測定値取得部２１と、測定値取得部２１によって取得される測定値に基づき、コイルアレイ３の複数のグリッドのうちから、生体内部においてカプセル型内視鏡５が位置するグリッドを特定するグリッド特定部２２と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、生体内に投与されて生体内部を撮影するカプセル型内視鏡の生体内における位置を検出するカプセル型内視鏡用位置認識装置に関する。

従来、人間やその他動物の口腔より生体内にカプセル型内視鏡を投与して生体内部の画像を撮影する方法が知られている（例えば特許文献１，２）。この種の撮影方法では、カプセル型内視鏡によって撮影される画像が生体内部のどの部位を撮影したものであるかを特定することが重要となる。

特許文献１の従来技術は、生体内に投与されるカプセル型内視鏡に３軸磁気センサーを搭載すると共に、生体外部のマスタ装置に所定の位置関係で第１コイルと第２コイルとを設け、それら第１コイルと第２コイルのそれぞれに時分割で電流を流すことにより、生体内部のカプセル型内視鏡にそれぞれ異なる方向の第１磁界と第２磁界とを印加する。そしてカプセル型内視鏡の３軸磁気センサーで検出される第１磁界と第２磁界の測定値に基づいて三角測量の原理で演算を行うことにより、マスタ装置に対するカプセル型内視鏡の位置を特定する。

特許文献２の従来技術は、生体外部から生体内部に対して一定方向の磁界を印加し、その磁界をカプセル型内視鏡に設けた３軸磁気センサーで検知することにより、印加磁界に対するカプセル型内視鏡の向きを算出する。そしてカプセル型内視鏡は、生体内部の消化器官などの配置を示す配置情報を予め記憶しており、印加磁界に対するカプセル型内視鏡の向きの履歴と、配置情報とを照合することによって生体内部における位置を特定する。

特開２００６−２１２０５１号公報 特開２０１１−１５９０４号公報

しかしながら、特許文献１の従来技術は、生体外部の２箇所に設けられた第１コイルと第２コイルのそれぞれが生体内部に対して磁界を印加する構成であるが、磁界の強度は距離の３乗に反比例して減衰する。それ故、第１コイルと第２コイルのそれぞれが生体内のどこに位置するか分からないカプセル型内視鏡に対して３軸磁気センサーで検知可能な強い磁界を発生させる必要があり、各コイルに流す電流が増加する。その結果、消費電力が大きくなるという問題がある。

また特許文献２の従来技術では、生体内部のほぼ全体に対して一定方向の磁界を印加するため、生体を包囲するように巻き回したコイルを配置する必要がある。そのため、装置が大型化するという問題がある。

本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、消費電力を抑制すると共に、装置の大型化を招くことなく実現可能なカプセル型内視鏡用位置認識装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、まず第１に、本発明に係るカプセル型内視鏡用位置認識装置は、磁気センサーを有するカプセル型内視鏡の生体内部における位置を検出するものであり、複数のコイルを二次元配列して複数のグリッドを形成したコイルアレイと、コイルアレイをカプセル型内視鏡の投与された生体に接近させた状態で複数のコイルのうちから選択したコイルに対して電流を流すことにより、生体内部に磁界を発生させる磁界制御手段と、カプセル型内視鏡から磁気センサーによる磁界の測定値を取得する測定値取得手段と、測定値取得手段によって取得される測定値に基づき、コイルアレイの複数のグリッドのうちから、生体内部においてカプセル型内視鏡が位置するグリッドを特定するグリッド特定手段と、を備える構成である。かかる構成によれば、コイルアレイを生体に接近させた状態で各コイルに電流を流して必要な磁界を生体内部に印加し、カプセル型内視鏡が位置するグリッドを特定することができるので、装置の大型化を招くことなく、消費電力を抑制するができる。

第２に、本発明は、上記第１の構成において、コイルアレイは、複数の矩形状コイルの長辺を縦方向に配置して横方向に並べた第１コイル群と、複数の矩形状コイルの長辺を横方向に配置して縦方向に並べた第２コイル群とを有し、第１コイル群と第２コイル群とを重ね合わせて縦方向の矩形状コイルと横方向の矩形状コイルとが互いに交叉する領域によって複数のグリッドを形成し、磁界制御手段は、複数の矩形状コイルのうちから選択する一の矩形状コイルに対して順次電流を流し、グリッド特定手段は、第１コイル群に含まれる一の矩形状コイルに電流が順次供給されているときに測定値取得手段によって取得される測定値に基づき、第１コイル群に含まれる複数の矩形状コイルのうちから生体内部におけるカプセル型内視鏡の位置に対応する矩形状コイルを特定すると共に、第２コイル群に含まれる一の矩形状コイルに電流が順次供給されているときに測定値取得手段によって取得される測定値に基づき、第２コイル群に含まれる複数の矩形状コイルのうちから生体内部におけるカプセル型内視鏡の位置に対応する矩形状コイルを特定し、第１及び第２コイル群のそれぞれから特定された２つの矩形状コイルに基づいて生体内部においてカプセル型内視鏡が位置するグリッドを特定する構成である。

第３に、本発明は、上記第２の構成において、生体内部におけるカプセル型内視鏡の姿勢を検出する姿勢検出手段を更に備え、磁気センサーは互いに直交する３軸方向の磁界を検出する３軸磁気センサーであり、磁界制御手段は、第１コイル群のうちからグリッド特定手段によって特定されたグリッドを挟んで横方向両側に位置する２つの矩形状コイルを選択すると共に、第２コイル群のうちからグリッド特定手段によって特定されたグリッドを挟んで縦方向両側に位置する２つの矩形状コイルを選択し、第１及び第２コイル群から選択した２つの矩形状コイルに対して所定方向の電流を順次流し、姿勢検出手段は、磁界制御手段によって第１及び第２コイル群のそれぞれから選択された２つの矩形状コイルに対して電流が供給されているときに測定値取得手段によって取得される３軸磁気センサーの３軸方向の測定値に基づき、コイルアレイに対するカプセル型内視鏡の姿勢を検出する構成である。

第４に、本発明は、上記第３の構成において、姿勢検出手段によって生体内部におけるカプセル型内視鏡の姿勢が検出されることに伴い、当該姿勢と、グリッド特定手段によって特定されたグリッドを構成する第１コイル群の一の矩形状コイルに電流が供給されているときに測定値取得手段によって取得された測定値と、グリッド特定手段によって特定されたグリッドを構成する第２コイル群の一の矩形状コイルに電流が供給されているときに測定値取得手段によって取得された測定値とに基づき、グリッド特定手段によって特定されたグリッド内におけるカプセル型内視鏡の位置を検出する位置検出手段を更に備える構成である。

第５に、本発明は、上記第４の構成において、位置検出手段は、グリッド特定手段によって特定されたグリッドを構成する一の矩形状コイルに電流が供給されているときに測定値取得手段によって取得された測定値に基づいてカプセル型内視鏡とコイルアレイとの距離を特定し、グリッド特定手段によって特定されたグリッド内におけるカプセル型内視鏡の位置を、その距離に応じて検出する構成である。

第６に、本発明は、上記第２乃至第５のいずれかの構成において、第１及び第２コイル群のそれぞれは、横方向又は縦方向に隣接する複数の矩形状コイルが互いに所定幅重なった状態に設けられる構成である。

本発明によれば、装置の大型化を招くことなく、消費電力を抑制することができる。

カプセル型内視鏡用位置認識装置の一構成例を示す図である。 コイルアレイの一構成例を示す図である。 コイルアレイにおけるグリッドの構成例を示す図である。 カプセル型内視鏡の内部構成の一例を示す図である。 １つのコイルに電流を流して磁界を発生させた例を示す図である。 Ａ−Ａ'線上での磁界測定結果を示す図である。 Ｂ−Ｂ'線上での磁界測定結果を示す図である。 ２つのコイルに電流を流して磁界を発生させた例を示す図である。 Ｃ−Ｃ'線上での磁界測定結果を示す図である。 Ｄ−Ｄ'線上での磁界測定結果を示す図である。 カプセル型内視鏡の位置及び姿勢を特定するためのフローチャートである。 グリッド特定部が一の矩形状コイルを特定する概念を示す図である。 姿勢検出処理の概念を説明する図である。 位置特定処理の詳細な処理手順の一例を示すフローチャートである。 カプセル型内視鏡に作用する磁界強度とカプセル型内視鏡のＺ方向の位置との関係を示す図である。 変換係数とカプセル型内視鏡のＺ方向の位置との関係を示す図である。

以下、本発明に関する好ましい実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。尚、以下に説明する実施形態において互いに共通する部材には同一符号を付しており、それらについての重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一実施形態であるカプセル型内視鏡用位置認識装置１（以下、単に「位置認識装置１」という。）の一構成例を示す図である。この位置認識装置１は、撮影対象者の口腔から生体内に投与されるカプセル型内視鏡５の生体内部における位置を特定する装置であり、カプセル型内視鏡５と無線通信を行って各種情報を収集する装置本体２と、撮影対象者の腹部又は背部に近接させた状態に配置されるシート状又はパネル状のコイルアレイ３とを備える。コイルアレイ３にはＸＹＺ３次元座標系が設定されており、例えばこの座標系が撮影対象者に対してほぼ一定の位置関係となるように配置される。

コイルアレイ３は、図２（ａ）に示すように複数のコイルを二次元配列することにより、撮影対象者の腹部又は背部に対向する面内に複数のグリッドＧを形成したものである。本実施形態のコイルアレイ３は、例えば短辺１０ｃｍ、長辺４０ｃｍの矩形状にワイヤーを所定回数巻き回した複数の矩形状コイルで構成される。具体的に説明すると、このコイルアレイ３は、図２（ｂ）に示す第１コイル群３ａと、図２（ｃ）に示す第２コイル群３ｂとを重ね合わせて構成される。第１コイル群３ａは、複数の矩形状コイル３１〜３７の長辺を縦方向（Ｙ方向）に配置して横方向（Ｘ方向）に並べたものであり、隣り合うコイルどうしを短辺方向の半分の領域が互いに重なるようにして配置したものである。尚、第１コイル群３ａに含まれる複数の矩形状コイル３１〜３７のそれぞれを区別しないときには、それらを総称して矩形状コイル３０（又はコイル３０）と呼ぶ。また第２コイル群３ｂは、複数の矩形状コイル４１〜４７の長辺を横方向（Ｘ方向）に配置して縦方向（Ｙ方向）に並べたものであり、隣り合うコイルどうしを短辺方向の半分の領域が互いに重なるようにして配置したものである。尚、第２コイル群３ｂに含まれる複数の矩形状コイル４１〜４７のそれぞれを区別しないときには、それらを総称して矩形状コイル４０（又はコイル４０）と呼ぶ。

図３は、コイルアレイ３に形成されるグリッドＧを説明する図である。上記のような第１及び第２コイル群３ａ，３ｂを互いに重ね合わせることにより、コイルアレイ３においては、図３（ａ）に示すように第１コイル群３ａに含まれる矩形状コイル３０と第２コイル群３ｂに含まれる矩形状コイル４０とが互いに交叉する。そしてこの交叉によって形成される正方形の閉領域がひとつのグリッドＧを形成する。コイルアレイ３にはそのような閉領域が複数形成されるため、それら複数の閉領域のそれぞれによってグリッドＧが形成される。また本実施形態では、上述したように第１及び第２コイル群３ａ，３ｂのそれぞれにおいて、互いに隣り合うコイルどうしを短辺方向の半分の領域が重なるように配置しているため、コイルアレイ３の中央部においては、図３（ｂ）に示すように、一のグリッドＧ１の１／４ずつの領域がその周囲に位置する４つのグリッドＧ２〜Ｇ５と重複するグリッド配置となる。

図１に戻り、装置本体２は、アンテナ１０、通信制御部１１、撮影画像取得部１２、撮影画像記録部１３、記憶部１４、磁界制御部２０、測定値取得部２１、グリッド特定部２２、姿勢検出部２３及び位置検出部２４を備えており、生体内に投与されたカプセル型内視鏡５によって撮影される生体内部の撮影画像を取得すると共に、コイルアレイ３に含まれる各矩形状コイル３０，４０に対して所定の電流Ｉを流すことによって生体内部に発生させる磁界を制御し、カプセル型内視鏡５によってその磁界を測定した測定値に基づき、生体内部におけるカプセル型内視鏡５の位置及び姿勢を特定して撮影画像と共に記録するものである。

アンテナ１０は、生体内部のカプセル型内視鏡５と無線による通信を行うものである。通信制御部１１は、アンテナ１０を介してカプセル型内視鏡５に各種のコマンドなどを送信すると共に、カプセル型内視鏡５から送信される撮影画像や磁界の測定値などを受信するものである。撮影画像取得部１２は、例えば撮影コマンドを通信制御部１１に出力してカプセル型内視鏡５に送信することにより、カプセル型内視鏡５に生体内部の画像を撮影させてその撮影画像を取得する。撮影画像記録部１３は、撮影画像取得部１２によって取得された撮影画像を、メモリやハードディスクなどで構成される不揮発性の記憶部１４に記録する。

磁界制御部２０、測定値取得部２１、グリッド特定部２２、姿勢検出部２３及び位置検出部２４は、撮影画像取得部１２と連携動作し、カプセル型内視鏡５が生体内部の画像を撮影した時点での生体内部におけるカプセル型内視鏡５の位置及び姿勢を特定する。磁界制御部２０は、コイルアレイ３に含まれる複数の矩形状コイル３０，４０のうちから選択した１つ又は２つのコイルに対して電流Ｉを流すことにより、コイルアレイ３の一部に局所的な磁界を発生させて生体内部に印加するものである。測定値取得部２１は、磁界制御部２０によって生体内部に磁界が印加されている状態で、通信制御部１１に測定コマンドを出力してカプセル型内視鏡５に送信することにより、カプセル型内視鏡５においてその磁界を測定した測定値を取得する。そして測定値取得部２１は、カプセル型内視鏡５から取得する磁界の測定値をメモリなどの図示しない記憶手段に一時保存する。グリッド特定部２２は、測定値取得部２１によって取得された磁界の測定値に基づき、コイルアレイ３に形成される複数のグリッドのうちから、生体内部におけるカプセル型内視鏡５の位置に対応する一つのグリッドを特定する。姿勢検出部２３は、測定値取得部２１によって取得された磁界の測定値に基づき、グリッド特定部２２で特定された一のグリッドの閉領域内においてカプセル型内視鏡５がどの方向を向いているかを検知してカプセル型内視鏡５の姿勢を検出する。さらに位置検出部２４は、測定値取得部２１によって取得された磁界の測定値に基づき、グリッド特定部２２で特定された一のグリッドの閉領域内におけるカプセル型内視鏡５の具体的な座標位置を検出する。尚、グリッド特定部２２、姿勢検出部２３及び位置検出部２４における具体的な検出手法は後述する。

撮影画像記録部１３は、グリッド特定部２２で特定される一のグリッドに関するグリッド情報、姿勢検出部２３で検出される姿勢情報、及び、位置検出部２４で検出される座標情報のそれぞれを撮影画像に付加して記憶部１４に記録する。これにより、カプセル型内視鏡５で撮影された撮影画像に対し、生体内部の撮影位置と撮影方向とを対応付けて記録しておくことができる。

図４は、カプセル型内視鏡５の内部構成の一例を示す図である。カプセル型内視鏡５は、錠剤態様に形成されたケースの内部に、アンテナ５０、通信制御部５１、撮影制御部５２、撮像部５３、照明部５４、センサー制御部５５及び磁気センサー５６を備え、装置本体２から受信するコマンドに応じて撮影動作や生体内部の磁界測定動作を行うように構成される。アンテナ５０は、装置本体２と無線による通信を行うものであり、通信制御部５１は、アンテナ５０を介して装置本体２から送信される各種コマンドを受信すると共に、撮影画像や磁界の測定値などを装置本体２へ送信するものである。撮影制御部５２は、撮影コマンドを受信した場合に動作し、撮像部５３を駆動制御して画像を撮影する。また撮影制御部５２は、撮像部５３の撮影タイミングに同期して照明部５４を発光させることにより、生体内部を照明した状態で画像撮影を行う。そして撮影制御部５２は、撮像部５３によって撮影された画像を取得し、その撮影画像を通信制御部５１に出力して装置本体２へ送信する。センサー制御部５５は、測定コマンドを受信した場合に動作し、磁気センサー５６を駆動することにより、カプセル型内視鏡５に作用している磁界の測定を行う。

本実施形態の磁気センサー５６は、カプセル型内視鏡５において固有に定義されるＸＹＺの互いに直交する３軸方向の磁界を個別に測定するため、Ｘ軸磁気センサー５７と、Ｙ軸磁気センサー５８と、Ｚ軸磁気センサー５９とを備えた３軸磁気センサーである。Ｘ軸磁気センサー５７は、カプセル型内視鏡５に作用する磁界のうち、カプセル型内視鏡５に定義されたＸ軸方向の磁界成分を検出するものである。またＹ軸磁気センサー５８はそのＸ軸と直交する方向に定義されたＹ軸方向の磁界成分を検出するものであり、Ｚ軸磁気センサー５９はそれらＸ軸とＹ軸との双方に直交する方向に定義されたＺ軸方向の磁界成分を検出するものである。尚、カプセル型内視鏡５は生体内部を進行していくことに伴ってその姿勢を逐次変化させていくため、各磁気センサー５７，５８，５９によるＸ，Ｙ，Ｚの磁界検出方向は、上述したコイルアレイ３に設定されるＸＹＺ３次元座標系のＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸には必ずしも一致しない。

次に、カプセル型内視鏡５の位置を特定するためにコイルアレイ３で発生させる磁界について説明する。図５は、コイルアレイ３の１つのコイル３０に電流Ｉを流して磁界を発生させた例を示す図である。図５（ａ）に示すように第１コイル群３ａに含まれる１つのコイル３０に電流Ｉを流すと、図中破線矢印で示すような磁界が発生する。このとき発生する磁界をコイル３０からＺ軸方向に所定間隔Ｄ（例えばＤ＝５ｃｍ）だけ離れた位置に設定した測定面９でＸ，Ｙ，Ｚの３軸方向について測定する。尚、図５に示すＸＹＺ座標系は、コイルアレイ３の３次元座標系に対応するものである。また測定面９における測定箇所は、図５（ｂ）に示すように、平面視でコイル３０の中心を通り、横方向（Ｘ方向）に横断するＡ−Ａ'線上と、縦方向（Ｙ方向）に横断するＢ−Ｂ'線上の２箇所である。すなわち、Ａ−Ａ'線は、電流Ｉが流れるコイル３０の長辺中央を通ってコイル３０の内側領域を横断し、Ｂ−Ｂ'線は、短辺中央を通ってコイル３０の内側領域を横断する。

図６は測定面９のＡ−Ａ'線上で磁界を測定した結果を示す図であり、（ａ）はＸ方向の磁界Ｈｘを、（ｂ）はＹ方向の磁界Ｈｙを、（ｃ）はＺ方向の磁界Ｈｚを、（ｄ）は磁界の強度Ｈを示している。ここで図中のＬｘは、コイル３０の短辺幅を示している。また、磁界の強度Ｈは、次式で表される値である。

図６（ａ）に示すように、Ａ−Ａ'線上におけるＸ方向の磁界Ｈｘは、電流Ｉが流れるコイル３０のワイヤー位置にほぼ一致して極大値と極小値とを示し、コイル３０の内側領域では測定位置に比例して変化する。また図６（ｂ）に示すようにＡ−Ａ'線上においてＹ方向の磁界Ｈｙは、ほぼ０で均一である。また図６（ｃ）に示すようにＡ−Ａ'線上におけるＺ方向の磁界Ｈｚは、コイル３０の内側領域においてコイル３０の中心に向かう程負側に強い磁界となる。そして図６（ｄ）に示すようにそれらを総合した磁界の強度Ｈもまた、コイル３０の中心に向かう程、大きな強度の磁界となる。

図７は測定面９のＢ−Ｂ'線上で磁界を測定した結果を示す図であり、（ａ）はＸ方向の磁界Ｈｘを、（ｂ）はＹ方向の磁界Ｈｙを、（ｃ）はＺ方向の磁界Ｈｚを、（ｄ）は磁界の強度Ｈを示している。ここで図中のＬｙは、コイル３０の長辺幅を示している。図７（ａ）に示すように、Ｂ−Ｂ'線上におけるＸ方向の磁界Ｈｘは、ほぼ０で均一である。また図７（ｂ）に示すようにＢ−Ｂ'線上におけるＹ方向の磁界Ｈｙは、電流Ｉが流れるコイル３０のワイヤー位置にほぼ一致して極大値と極小値とを示す。また図７（ｃ）に示すようにＢ−Ｂ'線上におけるＺ方向の磁界Ｈｚは、コイル３０の内側領域において負側に強い磁界となる。そして図７（ｄ）に示すように、それらを総合した磁界の強度Ｈは、コイル３０の内側領域において大きな強度の磁界となるが、コイル３０の内側領域の中央においてはほぼ一定の値となるのに対し、コイル３０のワイヤー位置に近づくと急激に低下する。

以上のことから、コイルアレイ３に含まれる１つの矩形状コイル３０，４０に電流Ｉを流して磁界を発生させた場合には、（１）電流Ｉを流すコイル３０，４０の短辺を横断する方向（Ｂ−Ｂ'線方向）に関し、コイル３０，４０の内側領域の中央において磁界の強度Ｈがほぼ均一な状態となり、中央よりも外側においては磁界の強度Ｈが低下する、（２）その矩形状コイル３０，４０の長辺を横断する方向（Ａ−Ａ'線方向）に関し、磁界の強度Ｈがコイル３０，４０の内側領域の中心に近づく程強くなる、（３）その矩形状コイル３０，４０の長辺を横断する方向（Ａ−Ａ'線方向）に関し、Ｘ方向（Ａ−Ａ'方向）の磁界Ｈｘの強度がコイル３０，４０の内側領域の位置に応じて比例して変化する、という３つの測定原理が得られる。

次に図８は、コイルアレイ３の２つのコイル３０に電流Ｉを流して磁界を発生させた例を示す図である。電流Ｉを流す２つのコイル３０は、少なくとも上述したグリッド１個分の間隔を隔てたものから選択される。尚、図８の例では、グリッド１個分の間隔を隔てた位置にある２つのコイル３０に対して電流Ｉを流したものである。図８（ａ）に示すように、２つのコイル３０にそれぞれ異なる方向の電流Ｉを流すと、図中破線矢印で示すような磁界が発生する。すなわち、一方のコイル面からは上から下に向かう磁界が発生し、他方のコイル面からは下から上に向かう磁界が発生する。このとき発生する磁界を、上記と同様、２つのコイル３０からＺ軸方向に所定間隔Ｄだけ離れた位置に設定した測定面９でＸ，Ｙ，Ｚの３軸方向について測定する。測定面９における測定箇所は、図８（ｂ）に示すように、平面視で２つのコイル３０の間のグリッドに対応する領域Ｒにおいて、その領域Ｒの中心を通り、横方向（Ｘ方向）に横断するＣ−Ｃ'線上と、縦方向（Ｙ方向）に横断するＤ−Ｄ'線上の２箇所である。

図９は測定面９のＣ−Ｃ'線上で磁界を測定した結果を示す図であり、（ａ）はＸ方向の磁界Ｈｘを、（ｂ）はＹ方向の磁界Ｈｙを、（ｃ）はＺ方向の磁界Ｈｚを示している。ここで図中のＲｘは、１つのグリッドに対応する領域ＲのＸ方向幅を示している。図９（ａ）に示すように、Ｃ−Ｃ'線上におけるＸ方向の磁界Ｈｘは、領域Ｒ内において多少の変化が見られるものの、ほぼ一定の値となる。また図９（ｂ）に示すようにＣ−Ｃ'線上においてＹ方向の磁界Ｈｙは、ほぼ０で均一である。また図９（ｃ）に示すようにＣ−Ｃ'線上におけるＺ方向の磁界Ｈｚは、領域Ｒの内側の位置に応じて強度が変化するが、領域Ｒの中央の領域（例えばＲｘ／２の領域）に注目すると、多少の変化は見られるものの、ほぼ０で一定の状態とみなすことができる。また、電流Ｉを流す２つのコイル３０を更に離れた位置から選択すれば、領域Ｒの位置に応じた強度変化が小さくなるため、このＺ方向の磁界Ｈｚは領域Ｒの全域においてほぼ０で一定とみなすこともできる。

図１０は測定面９のＤ−Ｄ'線上で磁界を測定した結果を示す図であり、（ａ）はＸ方向の磁界Ｈｘを、（ｂ）はＹ方向の磁界Ｈｙを、（ｃ）はＺ方向の磁界Ｈｚを示している。ここで図中のＲｙは、１つのグリッドに対応する領域ＲのＹ方向幅を示している。図１０（ａ）に示すように、Ｄ−Ｄ'線上におけるＸ方向の磁界Ｈｘは、領域Ｒ内においてほぼ均一な値となる。また図１０（ｂ）に示すようにＤ−Ｄ'線上においてＹ方向の磁界Ｈｙは、ほぼ０で均一である。また図１０（ｃ）に示すようにＤ−Ｄ'線上におけるＺ方向の磁界Ｈｚについても、ほぼ０で均一である。

以上のことから、少なくともグリッド１個分を隔てた２つの矩形状コイル３０に電流Ｉを流して磁界を発生させた場合には、（４）それら２つの矩形状コイル３０の間のグリッドに対応する領域Ｒには、一方の矩形状コイルから他方の矩形状コイルに向かう一方向（Ｘ方向）の磁界成分だけを印加することができる、という４つ目の測定原理が得られる（図１０（ａ）参照）。

本実施形態の位置認識装置１は、上述した測定原理（１）〜（４）に基づいて生体内部におけるカプセル型内視鏡５の位置及び姿勢を特定するものである。以下、これについて詳しく説明する。

図１１は、位置認識装置１の装置本体２において行われる処理手順の一例を示すフローチャートである。装置本体２は、コイルアレイ３がカプセル型内視鏡５の投与された生体に近接配置された状態でこのフローチャートの処理を開始し、撮影処理を実行する（ステップＳ１）。この撮影処理（ステップＳ１）では、撮影画像取得部１２が機能し、例えばオペレータによって操作入力される撮影指示に基づき撮影コマンドをカプセル型内視鏡５に送信し、カプセル型内視鏡５によって生体内部が撮影された撮影画像を取得する。尚、撮影画像取得部１２は、一定周期毎に撮影コマンドを送信してカプセル型内視鏡５から撮影画像を取得するものであっても良い。

次に装置本体２は、グリッド特定処理を実行する（ステップＳ２）。このとき装置本体２は、上述した測定原理（１），（２）に基づき、コイルアレイ３に形成された複数のグリッドのうち、生体内部においてカプセル型内視鏡５の位置に対応する一のグリッドを特定する。すなわち、磁界制御部２０がコイルアレイ３に含まれる各コイル３０，４０の矩形状コイル１つずつに対して所定電流Ｉを順番に流していき、測定値取得部２１は、各コイル３０，４０によって生体内部に印加される磁界をカプセル型内視鏡５に測定させ、その測定値を取得する。そしてグリッド特定部２２は、それらの測定値に基づき、第１コイル群３ａに含まれる複数の矩形状コイル３１〜３７の中からカプセル型内視鏡５の位置に対応する一の矩形状コイルを特定すると共に、第２コイル群３ｂに含まれる複数の矩形状コイル４１〜４７の中からカプセル型内視鏡５の位置に対応する一の矩形状コイルを特定し、それら特定した２つの矩形状コイルの交叉位置に形成されるグリッドを、カプセル型内視鏡５の位置に対応する一のグリッドとして特定する。ただし、測定値取得部２１によって取得される測定値は、カプセル型内視鏡５のＸＹＺ３軸の磁気センサー５７，５８，５９で検出される各軸方向の磁界強度である。そのため、グリッド特定部２２は、それら各軸方向の磁界強度に基づいて上記した数１の演算を行うことにより、カプセル型内視鏡５に作用している磁界強度Ｈを算出し、第１及び第２コイル群３ａ，３ｂのそれぞれからその磁界強度Ｈが最大値を示す一の矩形状コイルを特定する。

図１２は、グリッド特定部２２が第１コイル群３ａから一の矩形状コイルを特定する概念を示す図である。図１２に示すように、例えばカプセル型内視鏡５がコイルアレイ３のほぼ中央に位置するとき、そのカプセル型内視鏡５を内側に包含しているコイル３３，３４に電流Ｉを流すと、カプセル型内視鏡５の測定結果に基づいて得られる磁界強度Ｈは比較的大きな値となるのに対し、カプセル型内視鏡５を内側に包含していないコイル３１，３２，３５，３６，３７に同じ電流Ｉを流しても磁界強度Ｈが小さな値となる。またカプセル型内視鏡５を内側に包含している２つのコイル３３，３４に電流Ｉを流した場合を比較すると、カプセル型内視鏡５は、コイル３３の中心位置よりもコイル３４の中心位置に近いため、コイル３４に電流Ｉを流した場合の磁界強度Ｈが最大値Ｈｍａｘを示す。したがって、このような場合は、上述した測定原理（１），（２）に基づき、磁界強度Ｈが最大となる一の矩形状コイル３４を特定することにより、カプセル型内視鏡５がコイル中心に最も近い位置となる一のコイルを特定することができる。尚、第２コイル群３ｂから一の矩形状コイルを特定する場合もこれと同様である。そしてグリッド特定部２２は、上記のようにして第１及び第２コイル群３ａ，３ｂのそれぞれから特定した矩形状コイルが互いに交叉する位置に形成された一のグリッドを特定する。これにより、コイルアレイ３に形成された複数のグリッドのうち、特定された一のグリッドの中央の領域にカプセル型内視鏡５が最も接近して位置することが検出されたことになる。

次に装置本体２は、姿勢検出処理を実行する（ステップＳ３）。このとき装置本体２は、上述した測定原理（４）に基づき、特定された一のグリッド内においてカプセル型内視鏡５がどの方向を向いているかを特定する。すなわち、図１３（ａ）に示すように、磁界制御部２０は、第１コイル群３ａのうちからグリッド特定部２２によって特定されたグリッドＧを挟んで横方向（Ｘ方向）両側に位置する２つの矩形状コイル３２，３６を選択し、それら２つの矩形状コイル３２，３６に対して電流Ｉを流す。このとき、上述した測定原理（４）により、グリッドＧ内に位置するカプセル型内視鏡５に対して一方の矩形状コイル３２から他方の矩形状コイル３６に向かう一方向（Ｘ方向）の磁界成分ＨＸだけを印加することができる。そして測定値取得部２１は、図１３（ａ）に示す磁界成分ＨＸが印加されている状態でカプセル型内視鏡５にその磁界成分ＨＸを測定させ、その測定値を取得する。ただし、このときも測定値取得部２１によって取得される磁界成分ＨＸの測定値は、カプセル型内視鏡５のＸＹＺ３軸の磁気センサー５７，５８，５９で検出される各軸方向の磁界強度である。例えばカプセル型内視鏡５におけるＸＹＺ３軸のそれぞれを、ＳＸ軸、ＳＹ軸、ＳＺ軸とした場合、カプセル型内視鏡５の各磁気センサー５７，５８，５９で磁界成分ＨＸを検出して得られる測定値は、図１３（ｂ）に示すように、ＨＸ１，ＨＸ２，ＨＸ３となる。つまり、この測定値（ＨＸ１，ＨＸ２，ＨＸ３）により、カプセル型内視鏡５から見たコイルアレイ３のＸ軸方向を符号付きで特定することができる。

また磁界制御部２０は、上記と同様に、第２コイル群３ｂのうちからグリッド特定部２２によって特定されたグリッドＧを挟んで縦方向（Ｙ方向）両側に位置する２つの矩形状コイルを選択し、それら２つの矩形状コイルに対して電流Ｉを流し、グリッドＧ内に位置するカプセル型内視鏡５に対しＹ方向の磁界成分ＨＹだけを印加する。そして測定値取得部２１は、その状態でカプセル型内視鏡５の各磁気センサー５７，５８，５９で磁界成分ＨＹを検出して得られる測定値（ＨＹ１，ＨＹ２，ＨＹ３）を取得する。この測定値（ＨＹ１，ＨＹ２，ＨＹ３）により、カプセル型内視鏡５から見たコイルアレイ３のＹ軸方向を符号付きで特定することができる。

姿勢検出部２３は、測定値取得部２１によって取得される測定値に基づき、カプセル型内視鏡５から見たコイルアレイ３のＸ軸方向及びＹ軸方向を符号付きで特定する。また姿勢検出部２３は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の特定結果に基づき、カプセル型内視鏡５から見たコイルアレイ３のＺ軸方向を符号付きで特定する。その結果、コイルアレイ３のＸＹＺ３次元座標系に対して生体内部のカプセル型内視鏡５がどのような姿勢にあるかを特定することができる。

尚、図１３（ａ）の例では、グリッドＧが特定された矩形状コイル３４を挟んでその矩形状コイル３４に隣接している２つの矩形状コイル３２，３６を選択して電流Ｉを流す場合を例示しているが、矩形状コイル３４から更に離れた位置にある２つの矩形状コイルを選択して電流Ｉを流しても良い。

次に装置本体２は、グリッド特定部２２で特定された一のグリッドＧ内におけるカプセル型内視鏡５の位置を特定する位置特定処理を実行する（ステップＳ４）。このとき装置本体２は、上述した測定原理（３）に基づき、特定された一のグリッド内におけるカプセル型内視鏡５の位置を特定する。すなわち、位置検出部２４は、姿勢検出部２３によって検出されたカプセル型内視鏡５の姿勢と、グリッド特定部２２によって特定されたグリッドを構成する第１コイル群３ａの一の矩形状コイルに電流Ｉが供給されているときに測定値取得部２１によって取得された測定値（ステップＳ２の処理の時に測定された測定値）とに基づき、カプセル型内視鏡５に作用するＸ方向（コイルアレイ３の３次元座標系におけるＸ方向）の磁界成分Ｈｘを算出する。この磁界成分Ｈｘは、図６（ａ）に示したようにカプセル型内視鏡５の位置に応じて比例変化するものである。そのため、位置検出部２４は、その算出した磁界成分Ｈｘの値に基づいてカプセル型内視鏡５のＸ方向の位置を特定する。また位置検出部２４は、上記と同様に、カプセル型内視鏡５の姿勢と、グリッド特定部２２によって特定されたグリッドを構成する第２コイル群３ｂの一の矩形状コイルに電流Ｉが供給されているときに測定値取得部２１によって取得された測定値（ステップＳ２の処理の時に測定された測定値）とに基づき、カプセル型内視鏡５に作用するＹ方向（コイルアレイ３の３次元座標系におけるＹ方向）の磁界成分Ｈｙを算出する。そして算出した磁界成分Ｈｙに基づきカプセル型内視鏡５のＹ方向の位置を特定する。これにより、グリッド特定部２２で特定された一のグリッドＧ内におけるカプセル型内視鏡５の詳細な位置座標を得ることができる。

この位置特定処理においては、グリッド特定処理の際に取得された測定値を利用することができる。そのため、グリッド特定処理の際に取得された測定値を利用して位置を特定するようにすれば、磁界制御部２０がコイルに電流を流して磁界を発生させる必要がなくなるので、消費電力を低減することができる。

ところで、カプセル型内視鏡５とコイルアレイ３とが常に所定間隔Ｄ（例えばＤ＝５ｃｍ）だけ離れた位置にあれば、図６（ａ）に示した磁界成分Ｈｘが比例変化するときの傾きが一定であるため、第１コイル群３ａから求める磁界成分Ｈｘ及び第２コイル群３ｂから求める磁界成分Ｈｙの値のそれぞれをＸ方向及びＹ方向の位置に変換するための変換係数を予め設定しておくことができる。そのため、位置検出部２４は、上述した演算により、グリッドＧ内におけるカプセル型内視鏡５のＸ方向及びＹ方向の位置を検出することが可能である。しかし、実際には、カプセル型内視鏡５が生体内部を進行していくに伴い、カプセル型内視鏡５とコイルアレイ３との距離、すなわちコイルアレイ３から見たカプセル型内視鏡５のＺ方向の位置が逐次変化する。そしてカプセル型内視鏡５のＺ方向の位置が変化すると、それに応じて、図６（ａ）に示した磁界成分Ｈｘが比例変化するときの傾きが変わるため、磁界成分Ｈｘ，Ｈｙの値をＸ方向及びＹ方向の位置に変換するための変換係数として常に同じ係数を用いていると、グリッドＧ内におけるカプセル型内視鏡５のＸ方向及びＹ方向の位置を精度良く検出することが難しくなる。そこで、グリッドＧ内におけるカプセル型内視鏡５のＸ方向及びＹ方向の位置をより精密に検出するようにするためには、次のような手法を採用することが好ましい。

図１４は、位置検出部２４によって行われる位置特定処理（ステップＳ４）の詳細な処理手順の一例を示すフローチャートである。位置検出部２４は、まずカプセル型内視鏡５がコイルアレイ３のＸＹＺ３次元座標系におけるＺ方向の位置を特定する（ステップＳ４１）。このとき、位置検出部２４は、グリッド特定部２２によって特定されたグリッドＧを構成する第１コイル群３ａの一の矩形状コイルに電流Ｉが供給されているときに測定値取得部２１によって取得された測定値（ステップＳ２の処理の時に測定された測定値）と、グリッド特定部２２によって特定されたグリッドを構成する第２コイル群３ｂの一の矩形状コイルに電流Ｉが供給されているときに測定値取得部２１によって取得された測定値（ステップＳ２の処理の時に測定された測定値）とのいずれか一方の測定値に基づいて上記数１の演算を行うことにより、カプセル型内視鏡５に作用している磁界強度Ｈを取得する。このとき、位置検出部２４は、ステップＳ２で算出された磁界強度Ｈを取得することにより、既にステップＳ２で行われた演算を繰り返し行わないようにしても良い。

図１５は、カプセル型内視鏡５に作用する磁界強度Ｈとカプセル型内視鏡５のＺ方向の位置との関係を示す図である。図１５（ａ）に示すように、カプセル型内視鏡５に作用する磁界強度Ｈは、コイルアレイ３からの距離が離れるほど減衰する。このような減衰曲線は、予め近似しておくことができる。図１５（ｂ）に示す近似関数ｆ（ｚ）は、磁界強度Ｈがカプセル型内視鏡５のＺ方向の位置に反比例するものとして減衰曲線の一定の範囲を一次式で近似したものである。この近似関数ｆ（ｚ）は、カプセル型内視鏡５が近似領域Ｒｚの範囲内にあれば、磁界強度Ｈの減衰曲線にほぼ一致すると言える。位置検出部２４は、このような近似関数ｆ（ｚ）の逆関数を予め記憶する。そして位置検出部２４は、カプセル型内視鏡５に作用している磁界強度Ｈを近似関数ｆ（ｚ）の逆関数に代入して演算することにより、コイルアレイ３のＸＹＺ３次元座標系におけるカプセル型内視鏡５のＺ方向の位置を特定する。尚、図１５（ｂ）に示す近似関数ｆ（ｚ）では、カプセル型内視鏡５がコイルアレイ３に対して３ｃｍ以下の距離にあるときには、減衰曲線にほぼ一致するとは言えなくなるが、コイルアレイ３と生体との設置間隔を調整すればカプセル型内視鏡５がそのような位置に存在することを未然に防止することができる。尚、近似関数ｆ（ｚ）を高次の近似式で表せば、近似領域Ｒｚの範囲を拡げることが可能である。

上記のようにしてカプセル型内視鏡５のＺ方向の位置を特定すると、次に位置検出部２４は、磁界成分Ｈｘ，Ｈｙの値をＸ方向及びＹ方向の位置に変換するための変換係数Ｋを特定する（ステップＳ４２）。すなわち、グリッドＧ内におけるカプセル型内視鏡５のＸ座標は、グリッドＧを構成する第１コイル群３ａの一の矩形状コイルに電流Ｉが流れている状態でカプセル型内視鏡５に作用するＸ方向（コイルアレイ３の３次元座標系におけるＸ方向）の磁界成分Ｈｘに対して変換係数Ｋを乗算することにより求められる。また、グリッドＧ内におけるカプセル型内視鏡５のＹ座標は、グリッドＧを構成する第２コイル群３ｂの一の矩形状コイルに電流Ｉが流れている状態でカプセル型内視鏡５に作用するＹ方向（コイルアレイ３の３次元座標系におけるＹ方向）の磁界成分Ｈｙに対して変換係数Ｋを乗算することにより求められる。このときの変換係数Ｋがカプセル型内視鏡５のＺ方向の位置に依存するため、位置検出部２４は、Ｘ座標及びＹ座標を算出するのに先立ち、カプセル型内視鏡５のＺ方向の位置に基づいて変換係数Ｋを特定する。

図１６（ａ）は、変換係数Ｋと、カプセル型内視鏡５のＺ方向の位置との関係を示す図である。すなわち、カプセル型内視鏡５とコイルアレイ３との距離が大きくなる程、変換係数Ｋが小さな値に変化する。このような変換係数Ｋの変化についても、予め近似しておくことができる。図１６（ｂ）に示す近似関数Ｋ（ｚ）は、図１６（ａ）の変換係数Ｋがカプセル型内視鏡５のＺ方向の位置に反比例して変化するものとして一定の範囲を一次式で近似したものである。この近似関数Ｋ（ｚ）は、例えば図１５（ｂ）に示した近似領域Ｒｚと同じ範囲内であれば、変換係数Ｋの変化とほぼ同様の変化を示すと言える。位置検出部２４は、このような近似関数Ｋ（ｚ）を予め記憶する。そして位置検出部２４は、ステップＳ４１で特定されたＺ方向の位置を近似関数Ｋ（ｚ）に代入して演算することにより、カプセル型内視鏡５のＺ方向の位置に応じた変換係数Ｋを特定する。尚、近似関数Ｋ（ｚ）を高次の近似式で表せば、変換係数Ｋをより高精度に特定することが可能である。

次に位置検出部２４は、姿勢検出部２３によって検出されたカプセル型内視鏡５の姿勢と、ステップＳ２の処理の時に測定された測定値とに基づき、グリッドＧを構成する第１コイル群３ａの一の矩形状コイルに電流Ｉが流れている状態でカプセル型内視鏡５に作用するＸ方向（コイルアレイ３の３次元座標系におけるＸ方向）の磁界成分Ｈｘを算出する（ステップＳ４３）。また位置検出部２４は、姿勢検出部２３によって検出されたカプセル型内視鏡５の姿勢と、ステップＳ２の処理の時に測定された測定値とに基づき、グリッドＧを構成する第２コイル群３ｂの一の矩形状コイルに電流Ｉが流れている状態でカプセル型内視鏡５に作用するＹ方向（コイルアレイ３の３次元座標系におけるＹ方向）の磁界成分Ｈｙを算出する（ステップＳ４４）。そして位置検出部２４は、ステップＳ４３で算出した磁界成分Ｈｘに基づいてＫ・Ｈｘの演算を行うことによりＸ座標を算出すると共に、ステップＳ４４で算出した磁界成分Ｈｙに基づいてＫ・Ｈｙの演算を行うことによりＹ座標を算出し、カプセル型内視鏡５のグリッドＧ内におけるＸ，Ｙ座標を特定する（ステップＳ４５）。

このように位置特定処理（ステップＳ４）において、カプセル型内視鏡５のＺ方向の位置を特定し、そのＺ方向の位置に基づいて磁界成分Ｈｘ，ＨｙをＸ方向及びＹ方向の座標位置に変換するための変換係数Ｋを特定することにより、カプセル型内視鏡５のＺ方向の位置が逐次変化する場合であっても、グリッドＧ内におけるカプセル型内視鏡５のＸ方向及びＹ方向の位置を精密に検出することができるようになる。

次に装置本体２は、撮影処理によって得られた撮影画像に対し、カプセル型内視鏡５の位置情報と姿勢情報とを付加して記憶部１４に記録する（ステップＳ５）。尚、位置情報には、グリッド特定処理で特定されたグリッド情報や、位置特定処理で検出されたＸＹ平面での座標情報などが含まれる。また姿勢情報の表現形式としては、姿勢行列、クォータニオン、オイラー角など、様々な表現形式があるが、いずれの形式であっても構わない。

そして装置本体２は、カプセル型内視鏡５による生体内部の撮影を終了するまで上記ステップＳ１〜Ｓ５を繰り返す（ステップＳ６）。この場合、グリッド特定処理（ステップＳ２）の実行回数が２回目以降となるので、磁界制御部２０はコイルアレイ３に含まれる全ての矩形状コイルに対して順に電流Ｉを流していく必要はない。すなわち、前回のグリッド特定処理において特定された一のグリッドの近傍に位置する幾つかの矩形状コイルだけに電流Ｉを順次流すことにより、その時点でカプセル型内視鏡５が位置する一のグリッドを効率的に特定することが可能であると共に、消費電力を低減することも可能である。そしてカプセル型内視鏡５による生体内部の撮影が全て終了すると、装置本体２による処理が終了する。

以上のように本実施形態の位置認識装置１は、複数のコイル３０，４０を二次元配列して複数のグリッドを形成したコイルアレイ３をカプセル型内視鏡５の投与された生体に接近させた状態に配置し、それら複数のコイル３０，４０のうちから選択したコイルに対して電流Ｉを流すことによって生体内部に磁界を印加すると共に、その磁界をカプセル型内視鏡５に設けられた磁気センサー５６で測定した測定値に基づき、生体内部においてカプセル型内視鏡５が位置するグリッドを特定する構成である。このような構成によれば、各コイルから生体内部に印加する磁界をそれ程強くする必要がないため、各コイルに流す電流を小さくすることができるので、消費電力を小さくすることが可能である。また、生体を包囲するように巻き回したコイルを配置する必要がないため、装置全体を小型化できるという利点もある。

このように本実施形態では、各コイルに流す電流を小さくすることができるので、各コイルによって生体内部に印加する磁界の強度を地磁気とほぼ同じレベルにすることができる。ただし、この場合は、カプセル型内視鏡５によって測定される磁界に地磁気成分が多く含まれることになり、無視することができない。そのため、カプセル型内視鏡５によって予め地磁気成分だけを測定した測定値を保持しておき、生体内部に磁界を印加したときには、その磁界の測定値から地磁気成分だけを測定した測定値を減算することにより、地磁気の影響を取り除くことが好ましい。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述したものに限られるものではなく、種々の変形例が適用可能である。例えば、上述したコイルアレイ３は、矩形状コイルを縦方向及び横方向に二次元配列してそれらが交叉する領域で複数のグリッドを構成したものであるが、これに限られるものではなく、例えば正方形のコイルを多数二次元配置して個々のコイルによってグリッドを形成したものであっても構わない。この場合であっても、カプセル型内視鏡５の位置に対応する一のグリッドを特定できる点では上記実施形態と何ら変わらない。

また上述したコイルアレイ３では、複数の矩形状コイルの配置に関し、互いに隣り合うコイルどうしを短辺方向の半分の領域で互いに重なるようにして配置したものを例示した。しかし、これに限られるものでもなく、隣り合うコイルどうしは互いに重なっていなくても良い。また互いに隣り合うコイルどうしを重ねるように配置する場合であっても、その重なる領域は、必ずしも短辺方向の半分の領域に限られず、互いに所定幅重なった状態に設けられるものであれば良い。

また矩形状コイルのアスペクト比に関しては、一例として１：４（短辺１０ｃｍ、長辺４０ｃｍ）を例示した。しかし、短辺に対して長辺を長くすることにより、或いは、長辺に対して短辺を短くすることにより、アスペクト比のより大きな矩形状コイルを採用しても良い。アスペクト比の大きな矩形状コイルを用いれば、コイルアレイ３に形成されるグリッド数が増加するため、カプセル型内視鏡５の位置を特定する際の分解能が向上する。

また上記においては、カプセル型内視鏡５が人体に投与される場合を例示したが、カプセル型内視鏡５の投与対象は必ずしも人間に限られるものではなく、人間以外の動物であっても構わない。

１…カプセル型内視鏡用位置認識装置、２…装置本体、３…コイルアレイ、３ａ…第１コイル群、３ｂ…第２コイル群、２０…磁界制御部（磁界制御手段）、２１…測定値取得部（測定値取得手段）、２２…グリッド特定部（グリッド特定手段）、２３…姿勢検出部（姿勢検出手段）、２４…位置検出部（位置検出手段）。

Claims (6)

1. 磁気センサーを有するカプセル型内視鏡の生体内部における位置を検出するカプセル型内視鏡用位置認識装置であって、
   複数のコイルを二次元配列して複数のグリッドを形成したコイルアレイと、
   前記コイルアレイを前記カプセル型内視鏡の投与された生体に接近させた状態で前記複数のコイルのうちから選択したコイルに対して電流を流すことにより、生体内部に磁界を発生させる磁界制御手段と、
   前記カプセル型内視鏡から前記磁気センサーによる磁界の測定値を取得する測定値取得手段と、
   前記測定値取得手段によって取得される測定値に基づき、前記コイルアレイの複数のグリッドのうちから、生体内部において前記カプセル型内視鏡が位置するグリッドを特定するグリッド特定手段と、
   を備えることを特徴とするカプセル型内視鏡用位置認識装置。
2. 前記コイルアレイは、複数の矩形状コイルの長辺を縦方向に配置して横方向に並べた第１コイル群と、複数の矩形状コイルの長辺を横方向に配置して縦方向に並べた第２コイル群とを有し、前記第１コイル群と前記第２コイル群とを重ね合わせて縦方向の矩形状コイルと横方向の矩形状コイルとが互いに交叉する領域によって複数のグリッドを形成し、
   前記磁界制御手段は、前記複数の矩形状コイルのうちから選択する一の矩形状コイルに対して順次電流を流し、
   前記グリッド特定手段は、前記第１コイル群に含まれる一の矩形状コイルに電流が順次供給されているときに前記測定値取得手段によって取得される測定値に基づき、前記第１コイル群に含まれる複数の矩形状コイルのうちから生体内部における前記カプセル型内視鏡の位置に対応する矩形状コイルを特定すると共に、前記第２コイル群に含まれる一の矩形状コイルに電流が順次供給されているときに前記測定値取得手段によって取得される測定値に基づき、前記第２コイル群に含まれる複数の矩形状コイルのうちから生体内部における前記カプセル型内視鏡の位置に対応する矩形状コイルを特定し、前記第１及び第２コイル群のそれぞれから特定された２つの矩形状コイルに基づいて生体内部において前記カプセル型内視鏡が位置するグリッドを特定することを特徴とする請求項１に記載のカプセル型内視鏡用位置認識装置。
3. 生体内部における前記カプセル型内視鏡の姿勢を検出する姿勢検出手段、
   を更に備え、
   前記磁気センサーは、互いに直交する３軸方向の磁界を検出する３軸磁気センサーであり、
   前記磁界制御手段は、前記第１コイル群のうちから前記グリッド特定手段によって特定されたグリッドを挟んで横方向両側に位置する２つの矩形状コイルを選択すると共に、前記第２コイル群のうちから前記グリッド特定手段によって特定されたグリッドを挟んで縦方向両側に位置する２つの矩形状コイルを選択し、前記第１及び第２コイル群から選択した２つの矩形状コイルに対して所定方向の電流を順次流し、
   前記姿勢検出手段は、前記磁界制御手段によって前記第１及び第２コイル群のそれぞれから選択された２つの矩形状コイルに対して電流が供給されているときに前記測定値取得手段によって取得される前記３軸磁気センサーの３軸方向の測定値に基づき、前記コイルアレイに対する前記カプセル型内視鏡の姿勢を検出することを特徴とする請求項２に記載のカプセル型内視鏡用位置認識装置。
4. 前記姿勢検出手段によって生体内部における前記カプセル型内視鏡の姿勢が検出されることに伴い、当該姿勢と、前記グリッド特定手段によって特定されたグリッドを構成する前記第１コイル群の一の矩形状コイルに電流が供給されているときに前記測定値取得手段によって取得された測定値と、前記グリッド特定手段によって特定されたグリッドを構成する前記第２コイル群の一の矩形状コイルに電流が供給されているときに前記測定値取得手段によって取得された測定値とに基づき、前記グリッド特定手段によって特定されたグリッド内における前記カプセル型内視鏡の位置を検出する位置検出手段、
   を更に備えることを特徴とする請求項３に記載のカプセル型内視鏡用位置認識装置。
5. 前記位置検出手段は、前記グリッド特定手段によって特定されたグリッドを構成する一の矩形状コイルに電流が供給されているときに前記測定値取得手段によって取得された測定値に基づいて前記カプセル型内視鏡と前記コイルアレイとの距離を特定し、前記グリッド特定手段によって特定されたグリッド内における前記カプセル型内視鏡の位置を、前記距離に応じて検出することを特徴とする請求項４に記載のカプセル型内視鏡用位置認識装置。
6. 前記第１及び第２コイル群のそれぞれは、横方向又は縦方向に隣接する複数の矩形状コイルが互いに所定幅重なった状態に設けられることを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載のカプセル型内視鏡用位置認識装置。

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