JP2014154328A - Control circuit for light-emitting device, light-emitting device using the same, and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光素子の駆動技術に関する。 The present invention relates to a driving technique for a light emitting element.
近年、液晶パネルのバックライトや照明機器として、LED(発光ダイオード)をはじめとする発光素子を利用した発光装置が利用される。図1は、本発明者らが検討した比較技術に係る発光装置1rの構成例を示す回路図である。なお図1の発光装置1rを、従来技術として認定してはならない。発光装置1は、LEDストリング(発光素子)6と、スイッチング電源4と、パワートランジスタQ1と、検出抵抗Rsと、制御回路2rと、を備える。
In recent years, light-emitting devices using light-emitting elements such as LEDs (light-emitting diodes) have been used as backlights and lighting devices for liquid crystal panels. FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration example of a light emitting device 1r according to a comparative technique examined by the present inventors. The light emitting device 1r shown in FIG. 1 should not be certified as a conventional technique. The
発光素子6は、直列に接続された複数のLEDを含む。スイッチング電源4は、入力端子P1に入力された入力電圧VINを昇圧して、出力端子P2に接続された発光素子6の第1端子(アノード)に駆動電圧VOUTを供給する。
The
パワートランジスタQ1は、NPN型バイポーラトランジスタであり、そのコレクタが、発光素子6の第2端子(カソード)と接続される。検出抵抗Rsは、パワートランジスタQ1のエミッタと接地端子の間に設けられる。
The power transistor Q <b> 1 is an NPN bipolar transistor, and its collector is connected to the second terminal (cathode) of the
パワートランジスタQ1、検出抵抗Rsおよび制御回路2rの第1トランジスタM1および第1誤差増幅器EA1は、駆動電流ILEDを生成する電流ドライバ8rを形成する。制御回路2rは、パワートランジスタQ1のベース電流Ibを調節することにより、パワートランジスタQ1が生成する駆動電流ILEDを、発光素子6の目標輝度に応じたレベルに安定化させる。
The power transistor Q1, the detection resistor Rs, the first transistor M1 of the
検出抵抗Rsには、駆動電流ILEDに比例した電圧降下Vsが発生する。第1誤差増幅器EA1は、電圧降下Vsが、目標輝度を指示する第1基準電圧VREFと一致するように、第1トランジスタM1のゲート電圧を調節し、その結果、第1トランジスタM1からパワートランジスタQ1に供給されるベース電流Ibをフィードバック制御する。これにより、駆動電流ILEDは、以下の電流量に安定化される。
ILED=VREF1/Rs
The detection resistor Rs, a voltage drop Vs proportional to the drive current I LED is generated. The first error amplifier EA1 adjusts the gate voltage of the first transistor M1 so that the voltage drop Vs matches the first reference voltage VREF indicating the target brightness. As a result, the first transistor M1 to the power transistor The base current Ib supplied to Q1 is feedback controlled. Thereby, the drive current I LED is stabilized to the following current amount.
I LED = V REF1 / Rs
電流ドライバ8rが、第1基準電圧VREF1に比例した駆動電流ILEDを生成するためには、パワートランジスタQ1が活性領域で動作することが望ましい。つまりパワートランジスタQ1のコレクタ電圧、つまり発光素子6のカソード電圧VLEDが、あるしきい値電圧より高く維持されている必要がある。そこで制御回路2rは、パワートランジスタQ1のコレクタ電圧VLEDが、所定の第2基準電圧VREF2と一致するように、駆動電圧VOUTをフィードバック制御する。第2基準電圧VREF2は、パワートランジスタQ1が活性領域で動作可能な電圧レベルに設定される。
In order for the current driver 8r to generate the drive current I LED proportional to the first reference voltage VREF1 , it is desirable that the power transistor Q1 operates in the active region. That is, the collector voltage of the power transistor Q1, that is, the cathode voltage V LED of the
第2誤差増幅器EA2は、コレクタ電圧VLEDと第2基準電圧VREF2の誤差を増幅し、誤差信号VERR2を生成する。パルス変調器10は、誤差信号VERR2に応じてデューティ比が調節されるパルス変調信号SPMを生成する。ドライバ20は、パルス変調信号SPMに応じて、スイッチング電源4のスイッチングトランジスタM11を駆動する。
The second error amplifier EA2 amplifies an error between the collector voltage V LED and the second reference voltage V REF2 and generates an error signal V ERR2 .
ここで、スイッチング電源4が生成する駆動電圧VOUTと、コレクタ電圧VLEDには、発光素子6の順方向電圧VFを用いて、以下の関係が成り立つ。
VLED=VOUT−VF
つまり、発光素子6の順方向電圧VFが小さくなると、コレクタ電圧VLEDは高くなる。図1の制御回路2rでは、第2誤差増幅器EA2に、コレクタ電圧VLEDが入力されるため、制御回路2rのLED端子に接続される回路素子の耐圧を高く設計する必要があり、コストが高くなる。
Here, the driving voltage V OUT of the
V LED = V OUT -V F
That is, when the forward voltage V F of the light-emitting
また制御回路2rを単一の半導体基板に集積化し、パッケージ化する場合、発光素子6のカソードと接続されるLED端子が必要となる。特に複数チャンネルの発光素子6を並列駆動する場合には、発光素子6のチャンネル数だけ、LED端子が必要となるため、回路面積の増大が顕著となる。
When the
なお、この課題は、本発明者らが独自に認識したものであり、当業者の一般的な技術認識ととらえてはならない。 This problem is uniquely recognized by the present inventors and should not be regarded as a general technical recognition of those skilled in the art.
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、発光装置の制御回路の耐圧を低下させ、および/または、その回路面積を低減することにある。 The present invention has been made in view of these problems, and one of exemplary purposes of an embodiment thereof is to reduce the withstand voltage of the control circuit of the light-emitting device and / or to reduce the circuit area. .
本発明のある態様は、発光装置の制御回路に関する。発光装置は、発光素子と、発光素子の第1端子に駆動電圧を供給するスイッチング電源と、そのコレクタが発光素子の第2端子と接続されたNPN型バイポーラトランジスタのパワートランジスタと、パワートランジスタのエミッタと接地端子の間に設けられた検出抵抗と、を備える。制御回路は、パワートランジスタのベースと接続され、パワートランジスタにベース電流を供給する第1トランジスタと、検出抵抗の電圧降下に応じた第1検出電圧と所定の第1基準電圧の誤差を増幅することにより第1誤差信号を生成し、第1トランジスタの制御端子に出力する第1誤差増幅器と、ベース電流が所定の目標電流に近づくように大きさが調節される第2誤差信号を生成するフィードバック回路と、第2誤差信号に応じてデューティ比が調節されるパルス変調信号を生成するパルス変調器と、パルス変調信号に応じて、スイッチング電源のスイッチングトランジスタを駆動するドライバと、を備える。 One embodiment of the present invention relates to a control circuit of a light-emitting device. A light emitting device includes a light emitting element, a switching power supply that supplies a driving voltage to a first terminal of the light emitting element, an NPN bipolar transistor power transistor having a collector connected to the second terminal of the light emitting element, and an emitter of the power transistor. And a detection resistor provided between the ground terminal and the grounding terminal. The control circuit is connected to the base of the power transistor and amplifies an error between the first transistor for supplying a base current to the power transistor and the first detection voltage corresponding to the voltage drop of the detection resistor and a predetermined first reference voltage. To generate a first error signal and output it to the control terminal of the first transistor, and a feedback circuit for generating a second error signal whose magnitude is adjusted so that the base current approaches a predetermined target current And a pulse modulator that generates a pulse modulation signal whose duty ratio is adjusted according to the second error signal, and a driver that drives the switching transistor of the switching power supply according to the pulse modulation signal.
この態様によると、電流ドライバのパワートランジスタにNPN型バイポーラトランジスタを用いた発光装置において、コレクタ電圧を検出してフィードバックにより安定化させることに代えて、パワートランジスタのベース電流を目標値に安定させることにより、パワートランジスタのコレクタエミッタ間電圧、すなわちコレクタ電圧を、ベース電流に応じた目標レベルに安定化できる。これにより、制御回路は、パワートランジスタのコレクタ電圧を検出する必要がないため、耐圧を下げることができ、および/または、回路面積を小さくできる。 According to this aspect, in the light emitting device using the NPN type bipolar transistor as the power transistor of the current driver, the base current of the power transistor is stabilized at the target value instead of detecting the collector voltage and stabilizing it by feedback. Thus, the collector-emitter voltage of the power transistor, that is, the collector voltage can be stabilized at a target level corresponding to the base current. Thereby, since the control circuit does not need to detect the collector voltage of the power transistor, the breakdown voltage can be lowered and / or the circuit area can be reduced.
発光装置は、複数のチャンネルを有してもよい。発光素子、パワートランジスタ、検出抵抗、第1トランジスタ、第1誤差増幅器のセットは、チャンネルごとに設けられてもよい。フィードバック回路は、複数のチャンネルのうち、ベース電流が最も大きいチャンネルをフィードバックチャンネルとし、当該フィードバックチャンネルのベース電流にもとづいて、第2誤差信号を生成してもよい。
これにより、フィードバックチャンネルのパワートランジスタのコレクタ電圧を、フィードバックによって目標レベルに安定化でき、その他のチャンネルのパワートランジスタのコレクタ電圧を、目標レベルより高いレベルに維持することができる。
The light emitting device may have a plurality of channels. A set of the light emitting element, the power transistor, the detection resistor, the first transistor, and the first error amplifier may be provided for each channel. The feedback circuit may use a channel having the largest base current among the plurality of channels as a feedback channel, and generate the second error signal based on the base current of the feedback channel.
Thereby, the collector voltage of the power transistor of the feedback channel can be stabilized to the target level by feedback, and the collector voltage of the power transistor of the other channel can be maintained at a level higher than the target level.
フィードバック回路は、チャンネルごとに設けられ、ベース電流を、それに応じた第2検出電圧に変換する複数のベース電流検出部と、フィードバックチャンネルの第2検出電圧と所定の第2基準電圧の誤差を増幅することにより、第2誤差信号を生成する第2誤差増幅器と、を含んでもよい。 The feedback circuit is provided for each channel, and a plurality of base current detection units that convert the base current into a second detection voltage corresponding to the feedback circuit, and amplifies an error between the second detection voltage of the feedback channel and a predetermined second reference voltage. And a second error amplifier for generating a second error signal.
ベース電流検出部は、ベース電流が増大するほど第2検出電圧が低下するように構成されてもよい。第2誤差増幅器は、複数のチャンネルそれぞれの第2検出電圧のうち最も低い電圧と第2基準電圧の誤差を増幅してもよい。これにより、ベース電流が最も大きなチャンネルを、フィードバックチャンネルとして選択することができる。 The base current detection unit may be configured such that the second detection voltage decreases as the base current increases. The second error amplifier may amplify an error between the lowest voltage among the second detection voltages of the plurality of channels and the second reference voltage. Thereby, the channel with the largest base current can be selected as the feedback channel.
ベース電流検出部は、所定のバイアス電流を生成する定電流源と、ベース電流を所定係数倍した検出電流を生成する電流増幅回路と、その一端の電位が固定され、バイアス電流と検出電流を合成した電流の経路上に設けられた変換抵抗と、を備え、変換抵抗の電圧降下を、第2検出電圧として出力してもよい。
この構成によれば、ベース電流が増大するほど第2検出電圧を低下させることができる。また、所定係数に応じてフィードバックゲインを定めることができる。
The base current detection unit is a constant current source that generates a predetermined bias current, a current amplifier circuit that generates a detection current obtained by multiplying the base current by a predetermined coefficient, and a potential at one end thereof is fixed to synthesize the bias current and the detection current. A conversion resistor provided on the current path, and a voltage drop of the conversion resistor may be output as the second detection voltage.
According to this configuration, the second detection voltage can be reduced as the base current increases. Further, the feedback gain can be determined according to the predetermined coefficient.
電流増幅回路は、ベース電流に第1係数を乗じた第1電流を生成する第1電流変換部と、第1電流に第2係数を乗じて、検出電流を生成する第2電流変換部と、を含んでもよい。 The current amplification circuit includes: a first current converter that generates a first current obtained by multiplying a base current by a first coefficient; a second current converter that generates a detection current by multiplying the first current by a second coefficient; May be included.
第1電流変換部は、その一端の電位が固定され、ベース電流の経路上に設けられた第1抵抗と、第1抵抗の電圧降下を、それに比例した第1電流に変換する第1電圧/電流変換回路と、を含んでもよい。 The first current conversion unit has a fixed potential at one end, a first resistor provided on the path of the base current, and a first voltage / a voltage that converts a voltage drop of the first resistor into a first current proportional thereto. And a current conversion circuit.
第1電圧/電流変換回路は、その一端の電位が固定され、第1抵抗とペアリングされた第2抵抗と、第2抵抗の他端と接続された第2トランジスタと、その第1入力端子に、第2抵抗の他端の電圧が入力され、その第2入力端子に、第2抵抗と第2トランジスタの接続点の電位が入力され、その出力端子が第2トランジスタの制御端子と接続された第3誤差増幅器と、を含み、第2トランジスタに流れる電流が、第1電流であってもよい。 The first voltage / current conversion circuit has a potential at one end fixed, a second resistor paired with the first resistor, a second transistor connected to the other end of the second resistor, and a first input terminal thereof The voltage at the other end of the second resistor is input, the potential at the connection point of the second resistor and the second transistor is input to the second input terminal, and the output terminal is connected to the control terminal of the second transistor. A third error amplifier, and the current flowing through the second transistor may be the first current.
第2電流変換部は、その一端の電位が固定され、第1電流の経路上に設けられた第3抵抗と、第3抵抗の電圧降下を、それに比例した検出電流に変換する第2電圧/電流変換回路と、を含んでもよい。 The second current conversion unit has a fixed potential at one end thereof, a third resistor provided on the path of the first current, and a second voltage / And a current conversion circuit.
第2電圧/電流変換回路は、その一端の電位が固定され、第3抵抗とペアリングされた第4抵抗と、第4抵抗の他端と接続された第3トランジスタと、その第1入力端子に、第3抵抗の他端の電圧が入力され、その第2入力端子に、第4抵抗と第3トランジスタの接続点の電位が入力され、その出力端子が第3トランジスタの制御端子と接続された第4誤差増幅器と、を含み、第3トランジスタに流れる電流が、検出電流であってもよい。 The second voltage / current conversion circuit has a potential fixed at one end thereof, a fourth resistor paired with the third resistor, a third transistor connected to the other end of the fourth resistor, and a first input terminal thereof. The voltage at the other end of the third resistor is input, the potential at the connection point of the fourth resistor and the third transistor is input to the second input terminal, and the output terminal is connected to the control terminal of the third transistor. And a fourth error amplifier, and the current flowing through the third transistor may be a detection current.
第1電流変換部および第2電流変換部は、互いに天地反転した対称な構成を有してもよい。 The first current conversion unit and the second current conversion unit may have a symmetrical configuration that is inverted from each other.
第1電流変換部は、ベース電流を所定係数倍して折り返し、第1電流を生成する第1カレントミラー回路を含んでもよい。 The first current converter may include a first current mirror circuit that generates a first current by multiplying the base current by a predetermined coefficient.
第2電流変換部は、第1電流を所定係数倍して折り返し、検出電流を生成する第2カレントミラー回路を含んでもよい。 The second current converter may include a second current mirror circuit that folds the first current by a predetermined coefficient and generates a detection current.
第1トランジスタ、第1誤差増幅器、ベース電流検出部、第2誤差増幅器、パルス変調器は、ひとつの半導体基板に一体集積化されてもよい。 The first transistor, the first error amplifier, the base current detection unit, the second error amplifier, and the pulse modulator may be integrated on a single semiconductor substrate.
発光素子は、直列に接続された複数の発光ダイオードを含むLEDストリングであってもよい。 The light emitting element may be an LED string including a plurality of light emitting diodes connected in series.
本発明の別の態様は発光装置に関する。発光装置は、発光素子と、発光素子の第1端子に駆動電圧を供給するスイッチング電源と、そのコレクタが発光素子の第2端子と接続されたNPN型バイポーラトランジスタのパワートランジスタと、パワートランジスタのエミッタと接地端子の間に設けられた検出抵抗と、上述のいずれかの制御回路と、を備える。 Another embodiment of the present invention relates to a light emitting device. A light emitting device includes a light emitting element, a switching power supply that supplies a driving voltage to a first terminal of the light emitting element, an NPN bipolar transistor power transistor having a collector connected to the second terminal of the light emitting element, and an emitter of the power transistor. And a detection resistor provided between the ground terminal and one of the control circuits described above.
本発明の別の態様は電子機器に関する。電子機器は、液晶パネルと、液晶パネルのバックライトとして設けられた上述の発光装置と、を備える。 Another embodiment of the present invention relates to an electronic device. The electronic apparatus includes a liquid crystal panel and the above-described light emitting device provided as a backlight of the liquid crystal panel.
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。 Note that any combination of the above-described constituent elements and the constituent elements and expressions of the present invention replaced with each other among methods, apparatuses, systems, and the like are also effective as an aspect of the present invention.
本発明のある態様によれば、発光装置の制御回路の耐圧を低下させ、および/または、その回路面積を低減することができる。 According to an aspect of the present invention, the breakdown voltage of the control circuit of the light emitting device can be reduced and / or the circuit area can be reduced.
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。 The present invention will be described below based on preferred embodiments with reference to the drawings. The same or equivalent components, members, and processes shown in the drawings are denoted by the same reference numerals, and repeated descriptions are omitted as appropriate. The embodiments do not limit the invention but are exemplifications, and all features and combinations thereof described in the embodiments are not necessarily essential to the invention.
本明細書において、「部材Aが、部材Bと接続された状態」とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合のほか、部材Aと部材Bが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
In this specification, “the state in which the member A is connected to the member B” means that the member A and the member B are electrically connected in addition to the case where the member A and the member B are physically directly connected. It includes the case of being indirectly connected through another member that does not affect the connection state.
Similarly, “the state in which the member C is provided between the member A and the member B” refers to the case where the member A and the member C or the member B and the member C are directly connected, as well as an electrical condition. It includes the case of being indirectly connected through another member that does not affect the connection state.
図2は、実施の形態に係る制御回路2を備える発光装置1を示す回路図である。発光装置1は、複数のチャンネルCH1〜CHNで構成され、複数のチャンネルCH1〜CHNごとに設けられた複数の発光素子6_1〜6_Nと、スイッチング電源4と、チャンネルごとに設けられた複数のパワートランジスタQ1_1〜Q1_Nと、チャンネルごとに設けられた複数の検出抵抗Rs1〜RsNと、制御回路2と、を備える。
FIG. 2 is a circuit diagram showing the
発光素子6は、直列に接続された複数のLEDを含むLEDストリングである。複数のチャンネルの発光素子6_1〜6_Nの第1端子(アノード)は共通に接続されている。スイッチング電源4は、昇圧型のDC/DCコンバータであり、入力端子P1に入力された入力電圧VINを昇圧し、その出力端子P2に接続された複数の発光素子6の第1端子(アノード)に駆動電圧VOUTを供給する。
The
スイッチング電源4は、インダクタL1、整流ダイオードD1、スイッチングトランジスタM11、出力キャパシタC1を含む。出力回路102のトポロジーは一般的であるため、説明を省略する。
The switching
制御回路2のスイッチング端子SWは、スイッチングトランジスタM11のゲートと接続される。制御回路2は、発光素子6の点灯に必要な出力電圧VOUTが得られ、かつ発光素子6が目標輝度で発光するように、フィードバックによりデューティ比が調節されるゲートパルス信号G1を生成し、スイッチングトランジスタM11のスイッチング動作を制御する。
The switching terminal SW of the control circuit 2 is connected to the gate of the switching transistor M11. The control circuit 2 generates a gate pulse signal G1 whose duty ratio is adjusted by feedback so that the output voltage VOUT required for lighting the
制御回路2は、ひとつの半導体基板上に一体集積化された機能ICである。なお、「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節用に一部の抵抗やキャパシタなどが半導体基板の外部に設けられていてもよい。またスイッチングトランジスタM11は制御回路2に内蔵されてもよい。 The control circuit 2 is a functional IC integrated on a single semiconductor substrate. Note that “integrated integration” includes the case where all the circuit components are formed on a semiconductor substrate and the case where the main components of the circuit are integrated, and is used for adjusting circuit constants. Part of the resistors, capacitors, and the like may be provided outside the semiconductor substrate. The switching transistor M11 may be built in the control circuit 2.
複数のパワートランジスタQ1_1〜Q1_NはNPN型のバイポーラトランジスタであり、それぞれのコレクタは、対応する発光素子6_1〜6_Nの第2端子(カソード)と接続される。
複数の検出抵抗Rs1〜RsNはそれぞれ、対応するパワートランジスタQ1_1〜Q1_Nのエミッタと接地端子の間に設けられる。
The plurality of power transistors Q1_1 to Q1_N are NPN bipolar transistors, and their collectors are connected to the second terminals (cathodes) of the corresponding light emitting elements 6_1 to 6_N.
The plurality of detection resistors Rs1 to RsN are provided between the emitters of the corresponding power transistors Q1_1 to Q1_N and the ground terminal, respectively.
制御回路2は、複数のチャンネルCH1〜CHNごとに設けられた複数の第1トランジスタM1_1〜M1_N、複数のチャンネルCH1〜CHNごとに設けられた複数の第1誤差増幅器EA1_1〜EA1_N、フィードバック回路30、パルス変調器10、ドライバ20を備える。
The control circuit 2 includes a plurality of first transistors M1_1 to M1_N provided for each of the plurality of channels CH1 to CHN, a plurality of first error amplifiers EA1_1 to EA1_N provided for each of the plurality of channels CH1 to CHN, a
各チャンネルCHにおいて、第1トランジスタM1、第1誤差増幅器EA1、パワートランジスタQ1、検出抵抗Rsは、対応する発光素子6に駆動電流ILEDを供給する電流ドライバ8を形成する。
In each channel CH, the first transistor M1, the first error amplifier EA1, the power transistor Q1, and the detection resistor Rs form a current driver 8 that supplies a drive current I LED to the corresponding
第iチャンネルCHi(1≦i≦N)の第1トランジスタM1_iは、対応するパワートランジスタQ1_iのベースと接続され、対応するパワートランジスタQ1_iにベース電流Ibiを供給する。
第iチャンネルCHiの第1誤差増幅器EA1は、対応する検出抵抗Rsiの電圧降下Vsiに応じた第1検出電圧Vsiと所定の第1基準電圧VREF1の誤差を増幅することにより第1誤差信号VERR1を生成し、対応する第1トランジスタM1の制御端子(ゲート)に出力する。第1トランジスタM1はバイポーラトランジスタであってもよい。
The first transistor M1_i of the i-th channel CHi (1 ≦ i ≦ N) is connected to the base of the corresponding power transistor Q1_i, and supplies the base current Ibi to the corresponding power transistor Q1_i.
The first error amplifier EA1 of the i-th channel CHi is first detected voltage Vsi and a first error signal by amplifying an error of a predetermined first reference voltage V REF1 V corresponding to the voltage drop Vsi corresponding sense resistor Rsi ERR1 is generated and output to the control terminal (gate) of the corresponding first transistor M1. The first transistor M1 may be a bipolar transistor.
この構成により、各チャンネルにおいて、パワートランジスタQ1に流れる駆動電流ILEDが、目標量ILED_REF=VREF1/Rsに安定化される。 With this configuration, in each channel, the drive current I LED flowing in the power transistor Q1 is stabilized to the target amount I LED_REF = V REF1 / Rs.
フィードバック回路30は、第1トランジスタM1に流れる電流Ibが所定の目標電流IbREFに近づくように大きさが調節される第2誤差信号VERR2を生成する。より具体的には、複数のチャンネルのうち、第1トランジスタM1に流れる電流Ibが最も大きいチャンネルをフィードバックチャンネルCHjとし、当該フィードバックチャンネルCHjの第1トランジスタM1に流れる電流Ibjにもとづいて、第2誤差信号VERR2を生成する。
たとえばフィードバック回路30は、複数のベース電流検出部31_1〜31_Nと、第2誤差増幅器EA2を含む。
第iチャンネルのベース電流検出部31_iは、対応する第1トランジスタM1_iに流れる電流、すなわち対応するパワートランジスタQ1_iのベース電流Ibiを、それに応じた第2検出電圧VDETiに変換する。
For example, the
The i-th channel base current detection unit 31_i converts the current flowing through the corresponding first transistor M1_i, that is, the base current Ibi of the corresponding power transistor Q1_i, into a second detection voltage V DET i corresponding thereto.
第2誤差増幅器EA2は、複数のチャンネルの第2検出電圧VDET1〜VDETNのうちフィードバックチャンネルの第2検出電圧VDETjと、所定の第2基準電圧VREF2の誤差を増幅することにより、第2誤差信号VERR2を生成する。 The second error amplifier EA2 is possible to amplify the second detection voltage V DET j feedback channels among the plurality of channels second detection voltage V DET 1 to V DET N, an error of a predetermined second reference voltage V REF2 Thus, the second error signal V ERR2 is generated.
ベース電流検出部31_iは、対応する第1トランジスタM1_iに流れる電流Ibiが増大するほど第2検出電圧VDET2が低下するように構成される。第2誤差増幅器EA2は、複数のチャンネルそれぞれの第2検出電圧VDET1〜VDETNのうち最も低い電圧と第2基準電圧VREF2の誤差を増幅する。これにより、複数のチャンネルのうち、第2検出電圧VDETが最も低いチャンネルをフィードバックチャンネルとすることができる。
The base current detection unit 31_i is configured such that the second detection voltage V DET2 decreases as the current Ibi flowing through the corresponding first transistor M1_i increases. The second error amplifier EA2 amplifies an error between the lowest voltage among the second
パルス変調器10は、第2誤差信号VERR2に応じてデューティ比が調節されるパルス変調信号SPMを生成する。パルス変調器10の構成は特に限定されず、公知の、あるいは将来利用可能な回路を用いればよい。たとえばパルス変調器10には、電圧モード、ピーク電流モード、平均電流モードをはじめとするさまざまな形式の変調器が利用できる。またパルス変調の方式は、パルス幅変調やパルス周波数変調などが利用できる。
ドライバ20は、パルス変調信号SPMに応じて、スイッチング電源4のスイッチングトランジスタM11を駆動する。
以上が制御回路2の構成である。
図3(a)、(b)は、図2の制御回路2の動作を示す図である。
The above is the configuration of the control circuit 2.
3A and 3B are diagrams illustrating the operation of the control circuit 2 in FIG.
図3(a)は、ベース電流Ibと第2検出電圧VDETの関係を示す。図中の黒丸は、複数のチャンネル(N=4)それぞれの動作点を示す。上述のように、第1トランジスタM1に流れる電流Ibが最も大きいチャンネル、言い換えれば、第2検出電圧VDETが最も低いチャンネルCHjが、フィードバックチャンネルとなり、その電圧レベルが第2基準電圧VREF2と一致するようにフィードバックがかかる。その結果、フィードバックチャンネルにおけるベース電流Ibjは、第2基準電圧VREF2に応じた目標レベルIbREFに安定化される。その他のチャンネルでは、ベース電流Ibは、目標レベルIbREFよりも小さくなる。つまり全チャンネルにおいて、ベース電流Ibが、目標レベルIbREFを超えないように制御される。 FIG. 3A shows the relationship between the base current Ib and the second detection voltage V DET . Black circles in the figure indicate operating points of a plurality of channels (N = 4). As described above, the channel in which the current Ib flowing through the first transistor M1 is the largest, in other words, the channel CHj in which the second detection voltage V DET is the lowest is the feedback channel, and its voltage level matches the second reference voltage V REF2. Take feedback. As a result, the base current Ibj in the feedback channel is stabilized at the target level Ib REF corresponding to the second reference voltage V REF2 . In other channels, the base current Ib is smaller than the target level Ib REF . That is, in all channels, the base current Ib is controlled so as not to exceed the target level Ib REF .
図3(b)は、パワートランジスタQ1の電圧電流特性(コレクタエミッタ間電圧VCE−コレクタ電流Ic)を示す。
全てのチャンネルにおいて、コレクタ電流Ic、つまり駆動電流ILEDが等しい目標レベルILED_REF(=VREF1/Rs)に安定化されているとき、ベース電流Ibが大きいほど、コレクタエミッタ間電圧VCEは小さくなる。したがって、コレクタエミッタ間電圧VCEは、フィードバックチャンネルCHjにおいて最小値VMINとなる。
FIG. 3B shows the voltage-current characteristic of the power transistor Q1 (collector-emitter voltage V CE -collector current Ic).
In all channels, when the collector current Ic, that is, the drive current I LED is stabilized at the same target level I LED_REF (= V REF1 / Rs), the collector-emitter voltage V CE decreases as the base current Ib increases. Become. Therefore, the collector-emitter voltage V CE becomes the minimum value V MIN in the feedback channel CHj.
実施の形態に係る制御回路2によれば、電流ドライバ8のパワートランジスタQ1にNPN型バイポーラトランジスタを用いた発光装置1において、コレクタ電圧VLEDを検出してフィードバックにより安定化させることに代えて、パワートランジスタQ1のベース電流Ibを目標値IbREFに安定させることができる。これにより、パワートランジスタQ1のコレクタエミッタ間電圧VCE、すなわちコレクタ電圧VLEDを、ベース電流IbREFに応じた目標レベルVMINに安定化できる。
According to the control circuit 2 according to the embodiment, in the
制御回路2は、パワートランジスタQ1のコレクタ電圧VLEDを直接的に検出する必要がないため、耐圧を下げることができ、および/または、回路面積を小さくできる。 Since the control circuit 2 does not need to directly detect the collector voltage V LED of the power transistor Q1, the breakdown voltage can be lowered and / or the circuit area can be reduced.
特に制御回路2が、半導体基板に集積化され、パッケージ化される場合、コレクタ電圧VLEDを検出するためのLED端子が不要となるため、回路面積を大幅に低減することができる。 In particular, when the control circuit 2 is integrated on a semiconductor substrate and packaged, an LED terminal for detecting the collector voltage V LED is not necessary, so that the circuit area can be greatly reduced.
加えて、制御回路2によれば、フィードバックチャンネル以外のチャンネルでは、コレクタエミッタ間電圧VCEは、フィードバックチャンネルのコレクタエミッタ間電圧VMINよりも高く維持される。 In addition, according to the control circuit 2, in the channels other than the feedback channel, the collector-emitter voltage VCE is maintained higher than the collector-emitter voltage VMIN of the feedback channel.
ここで、各チャンネルのパワートランジスタQ1のコレクタ電圧VLEDは、検出抵抗Rsの電圧降下VsとパワートランジスタQ1のコレクタエミッタ間電圧VCEの和であり、検出抵抗Rsの電圧降下Vsは第1基準電圧VREF1と等しい。
VLED=VCE+Vs=VCE+VREF1
Here, the collector voltage V LED of the power transistor Q1 of each channel is the sum of the collector-emitter voltage V CE of the voltage drop Vs and the power transistor Q1 of the detection resistor Rs, a voltage drop Vs of the detection resistor Rs is the first reference It is equal to the voltage V REF1 .
V LED = V CE + Vs = V CE + V REF1
したがってこの発光装置1によれば、フィードバックチャンネルにおいて、コレクタ電圧VLEDが最低電圧VMIN+VREF1なり、その他のチャンネルにおいては、コレクタ電圧VLEDを最低電圧VMIN+VREF1より高い領域に維持することができる。これにより、全チャンネルにおいて、発光素子6を安定的に発光させることができる。
Therefore, according to the light-emitting
続いて、制御回路2の具体的な構成例を説明する。
図4は、ベース電流検出部31の構成例を示す回路図である。図4には、単一のチャンネルCHiのみが示される。ベース電流検出部31_iは、定電流源32、電流増幅回路34、変換抵抗36を備える。
定電流源32は、所定のバイアス電流Icを生成する。電流増幅回路34は、第1トランジスタM1_iからパワートランジスタQ1_iに供給されるベース電流Ibiを所定係数倍(×K)した検出電流IDETiを生成する。
変換抵抗36の一端は接地され、その電位が固定される。変換抵抗36は、バイアス電流Icと検出電流IDETiを合成した電流Idの経路上に設けられる。合成電流Idは、以下の式(1)で与えられる。
Id=Ic−IDETi …(1)
Next, a specific configuration example of the control circuit 2 will be described.
FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a configuration example of the base
The constant
One end of the
Id = Ic−I DET i (1)
変換抵抗36には、合成電流Idに比例した電圧降下が発生する。ベース電流検出部31_iは、変換抵抗36の電圧降下を、第2検出電圧VDETiとして出力する。変換抵抗36の抵抗値をRtとするとき、第2検出電圧VDETiは、以下の式(2)で与えられる。
VDETi=Rt×Id=Rt×(Ic−IDETi)
=Rt×(Ic−K×Ibi) …(2)
A voltage drop proportional to the combined current Id occurs in the
V DET i = Rt × Id = Rt × (Ic−I DET i)
= Rt × (Ic−K × Ibi) (2)
このベース電流検出部31によれば、図3(a)に示すように、ベース電流Ibiがゼロのとき、第2検出電圧VDETiを最大値VMAX=Rt×Icとし、ベース電流Ibiが増大するにしたがって低下させることができる。
According to the base
図5は、図4のベース電流検出部31のさらに具体的な構成例を示す回路図である。電流増幅回路34は、第1電流変換部38、第2電流変換部40を備える。第1電流変換部38は、第1トランジスタM1_iに流れる電流Ibiに第1係数K1を乗じた第1電流I1を生成する。第2電流変換部40は、第1電流I1に第2係数K2を乗じて、検出電流IDETiを生成する。
IDETi=K1×K2×Ibi
FIG. 5 is a circuit diagram showing a more specific configuration example of the base
IDET i = K1 × K2 × Ibi
第1電流変換部38は、第1抵抗R1、第1電圧/電流変換回路42を含む。第1抵抗R1の一端の電位は固定され、ベース電流Ibiの経路上に設けられる。第1電圧/電流変換回路42は、第1抵抗R1の電圧降下VR1を、それに比例した第1電流I1に変換する。
The first
第1電圧/電流変換回路42は、第2抵抗R2、第2トランジスタM2、第3誤差増幅器EA3、を含む。第2抵抗R2は、その一端の電位が固定され、第1抵抗R1とペアリングされる。第2トランジスタM2は、第2抵抗R2の他端と接続される。第3誤差増幅器EA3の第1入力端子には、第2抵抗R2の他端の電圧が入力され、その第2入力端子には、第2抵抗R2と第2トランジスタM2の接続点の電位が入力され、その出力端子は、第2トランジスタM2の制御端子(ゲート)と接続される。第2トランジスタM2に流れる電流が、第1電流I1となる。
The first voltage /
この構成によれば、Ibi×R1=I1×R2が成り立つ。したがって、第1係数K1は、
K1=I1/Ibi=R1/R2
となる。
According to this configuration, Ibi × R1 = I1 × R2 holds. Therefore, the first coefficient K1 is
K1 = I1 / Ibi = R1 / R2
It becomes.
第1電流変換部38および第2電流変換部40は、互いに天地反転した対称な構成を有する。第2電流変換部40は、第3抵抗R3および第2電圧/電流変換回路44を含む。第3抵抗R3は、その一端の電位が固定され、第1電流I1の経路上に設けられる。第2電圧/電流変換回路44は、第3抵抗R3の電圧降下VR3を、それに比例した検出電流IDETiに変換する。
The first
第2電圧/電流変換回路44は、第4抵抗R4、第3トランジスタM3、第4誤差増幅器EA4を含む。第4抵抗R4は、第3抵抗R3とペアリングされ、その一端の電位が固定される。第3トランジスタM3は、第4抵抗R4の他端と接続される。第4誤差増幅器EA4の第1入力端子には、第3抵抗R3の他端の電圧が入力され、その第2入力端子には、第4抵抗R4と第3トランジスタM3の接続点の電位が入力され、その出力端子は、第3トランジスタM3の制御端子と接続される。第3トランジスタM3に流れる電流が、検出電流IDETiである。 The second voltage / current conversion circuit 44 includes a fourth resistor R4, a third transistor M3, and a fourth error amplifier EA4. The fourth resistor R4 is paired with the third resistor R3, and the potential at one end thereof is fixed. The third transistor M3 is connected to the other end of the fourth resistor R4. The voltage at the other end of the third resistor R3 is input to the first input terminal of the fourth error amplifier EA4, and the potential at the connection point between the fourth resistor R4 and the third transistor M3 is input to the second input terminal. The output terminal is connected to the control terminal of the third transistor M3. The current flowing through the third transistor M3 is the detection current IDET i.
この構成によれば、I1×R3=IDETi×R4が成り立つ。したがって、第2係数K2は、
K2=IDETi/I1=R3/R4
となる。
According to this configuration, I1 × R3 = IDET i × R4 holds. Therefore, the second coefficient K2 is
K2 = I DET i / I1 = R3 / R4
It becomes.
図5の電流増幅回路34によれば、ベース電流Ibiに比例した検出電流IDETiを生成できる。
According to the
続いて、発光装置1の用途を説明する。図6は、図2の発光装置1を備える電子機器500の例を示す図である。電子機器500はたとえば液晶ディスプレイ装置、テレビ受像器、カーナビ用ディスプレイ、あるいは液晶パネルを有する携帯電話端末、タブレットPC、オーディオプレイヤなどである。
Then, the use of the light-emitting
電子機器500は、LCD(Liquid Crystal Display)パネル5を備える。複数の発光素子6_1〜6_Nは、LCDパネル5の背面にバックライトとして設けられる。電子機器500の筐体内には、図示しないスイッチング電源4、制御回路2、パワートランジスタQ1、検出抵抗Rsが内蔵される。
The
この電流増幅回路34によれば、ベース電流Ibが増大すると、第1抵抗R1の電圧降下VR1が増大し、第1トランジスタM1のドレインソース間電圧が小さくなり、ベース電流Ibが小さくなる方向にフィードバックがかかる。これにより、回路保護をかけることができる。
According to the
以上、本発明について、実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセス、それらの組み合わせには、さまざまな変形例が存在しうる。以下、こうした変形例について説明する。 The present invention has been described based on the embodiments. This embodiment is an exemplification, and various modifications may exist in each of those constituent elements, each processing process, and a combination thereof. Hereinafter, such modifications will be described.
(変形例1)
フィードバック回路30の構成は図2のそれには限定されない。当業者であれば、第1トランジスタM1に流れる電流Ibと、その目標値IbREFの誤差に応じた信号VERR2を生成可能な回路にさまざまな変形例が存在することが理解される。
(Modification 1)
The configuration of the
たとえば、ベース電流検出部31は、第1トランジスタM1とともにカレントミラー回路を形成するトランジスタを含み、このトランジスタに流れる電流を電圧に変換してもよい。
For example, the base
また、図5のベース電流検出部31において、第1電流変換部38を、ベース電流Ibiを所定係数倍して折り返し、第1電流I1を生成する第1カレントミラー回路を用いて構成してもよい。同様に、第2電流変換部40を、第1電流I1を所定係数倍して折り返し、検出電流IDETiを生成する第2カレントミラー回路を用いて構成してもよい。
Further, in the base
(変形例2)
実施の形態では、多チャンネルの構成を説明したが、チャンネル数N=1においても本発明は有効である。
(Modification 2)
Although the multi-channel configuration has been described in the embodiment, the present invention is effective even when the number of channels N = 1.
(変形例3)
発光素子6は、LEDストリングには限定されず、現在、あるいは将来利用可能なその他の発光素子であってもよい。
(Modification 3)
The
(変形例4)
実施の形態では、発光装置1の用途として液晶パネルのバックライトを説明したが、本発明はそれには限定されない。たとえば発光装置1は、照明機器などにも利用可能である。
(Modification 4)
In the embodiment, the backlight of the liquid crystal panel has been described as an application of the
(変形例5)
実施の形態ではインダクタL1を用いた非絶縁型のスイッチング電源を説明したが、本発明はトランスを用いた絶縁型のスイッチング電源にも適用可能である。
(Modification 5)
In the embodiment, the non-insulated switching power supply using the inductor L1 has been described. However, the present invention can also be applied to an insulating switching power supply using a transformer.
(変形例6)
また、本実施の形態で説明した各信号の、ハイレベル、ローレベルの設定は一例であって、インバータなどによって適宜反転させることにより自由に変更することが可能である。
(Modification 6)
The setting of the high level and the low level of each signal described in this embodiment is an example, and can be freely changed by appropriately inverting it with an inverter or the like.
実施の形態にもとづき、具体的な語句を用いて本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められる。 Although the present invention has been described using specific terms based on the embodiments, the embodiments only illustrate the principles and applications of the present invention, and the embodiments are defined in the claims. Many variations and modifications of the arrangement are permitted without departing from the spirit of the present invention.
2…制御回路、EA1…第1誤差増幅器、EA2…第2誤差増幅器、10…パルス変調器、20…ドライバ、30…フィードバック回路、31…ベース電流検出部、32…定電流源、34…電流増幅回路、36…変換抵抗、38…第1電流変換部、40…第2電流変換部、42…第1電圧/電流変換回路、44…第2電圧/電流変換回路、M1…第1トランジスタ、M2…第2トランジスタ、M3…第3トランジスタ、M4…第4トランジスタ、R1…第1抵抗、R2…第2抵抗、R3…第3抵抗、R4…第4抵抗、EA3…第3誤差増幅器、EA4…第4誤差増幅器、1…発光装置、4…スイッチング電源、6…発光素子、8…電流ドライバ、500…電子機器、5…LCDパネル、Q1…パワートランジスタ、M1…第1トランジスタ、Rs…検出抵抗、L1…インダクタ、C1…出力キャパシタ、D1…整流ダイオード、M11…スイッチングトランジスタ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Control circuit, EA1 ... 1st error amplifier, EA2 ... 2nd error amplifier, 10 ... Pulse modulator, 20 ... Driver, 30 ... Feedback circuit, 31 ... Base current detection part, 32 ... Constant current source, 34 ...
Claims (17)
前記発光装置は、
発光素子と、
前記発光素子の第1端子に駆動電圧を供給するスイッチング電源と、
そのコレクタが前記発光素子の第2端子と接続されたNPN型バイポーラトランジスタのパワートランジスタと、
前記パワートランジスタのエミッタと接地端子の間に設けられた検出抵抗と、
を備え、
前記制御回路は、
前記パワートランジスタのベースと接続され、前記パワートランジスタにベース電流を供給する第1トランジスタと、
前記検出抵抗の電圧降下に応じた第1検出電圧と所定の第1基準電圧の誤差を増幅することにより第1誤差信号を生成し、前記第1トランジスタの制御端子に出力する第1誤差増幅器と、
前記ベース電流が所定の目標電流に近づくように大きさが調節される第2誤差信号を生成するフィードバック回路と、
前記第2誤差信号に応じてデューティ比が調節されるパルス変調信号を生成するパルス変調器と、
前記パルス変調信号に応じて、前記スイッチング電源のスイッチングトランジスタを駆動するドライバと、
を備えることを特徴とする制御回路。 A control circuit for a light emitting device,
The light emitting device
A light emitting element;
A switching power supply for supplying a driving voltage to the first terminal of the light emitting element;
A power transistor of an NPN bipolar transistor, the collector of which is connected to the second terminal of the light emitting element;
A detection resistor provided between an emitter of the power transistor and a ground terminal;
With
The control circuit includes:
A first transistor connected to a base of the power transistor and supplying a base current to the power transistor;
A first error amplifier that generates a first error signal by amplifying an error between a first detection voltage corresponding to a voltage drop of the detection resistor and a predetermined first reference voltage, and outputs the first error signal to a control terminal of the first transistor; ,
A feedback circuit for generating a second error signal whose magnitude is adjusted such that the base current approaches a predetermined target current;
A pulse modulator that generates a pulse modulation signal in which a duty ratio is adjusted according to the second error signal;
A driver for driving a switching transistor of the switching power supply according to the pulse modulation signal;
A control circuit comprising:
前記発光素子、前記パワートランジスタ、前記検出抵抗、前記第1トランジスタ、前記第1誤差増幅器のセットは、チャンネルごとに設けられ、
前記フィードバック回路は、複数のチャンネルのうち、前記ベース電流が最も大きいチャンネルをフィードバックチャンネルとし、当該フィードバックチャンネルの前記ベース電流にもとづいて、前記第2誤差信号を生成することを特徴とする請求項1に記載の制御回路。 The light emitting device has a plurality of channels,
A set of the light emitting element, the power transistor, the detection resistor, the first transistor, and the first error amplifier is provided for each channel.
2. The feedback circuit according to claim 1, wherein a channel having the largest base current among a plurality of channels is set as a feedback channel, and the second error signal is generated based on the base current of the feedback channel. Control circuit according to.
チャンネルごとに設けられ、前記ベース電流を、それに応じた第2検出電圧に変換する複数のベース電流検出部と、
前記フィードバックチャンネルの前記第2検出電圧と所定の第2基準電圧の誤差を増幅することにより、前記第2誤差信号を生成する第2誤差増幅器と、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の制御回路。 The feedback circuit includes:
A plurality of base current detection units provided for each channel and converting the base current into a second detection voltage according to the base current;
A second error amplifier that generates the second error signal by amplifying an error between the second detection voltage of the feedback channel and a predetermined second reference voltage;
The control circuit according to claim 2, comprising:
前記第2誤差増幅器は、複数のチャンネルそれぞれの前記第2検出電圧のうち最も低い電圧と前記第2基準電圧の誤差を増幅することを特徴とする請求項3に記載の制御回路。 The base current detection unit is configured such that the second detection voltage decreases as the base current increases.
The control circuit according to claim 3, wherein the second error amplifier amplifies an error between a lowest voltage among the second detection voltages of each of a plurality of channels and the second reference voltage.
所定のバイアス電流を生成する定電流源と、
前記ベース電流を所定係数倍した検出電流を生成する電流増幅回路と、
その一端の電位が固定され、前記バイアス電流と前記検出電流を合成した電流の経路上に設けられた変換抵抗と、
を備え、前記変換抵抗の電圧降下を、前記第WA2検出電圧として出力することを特徴とする請求項3に記載の制御回路。 The base current detector is
A constant current source for generating a predetermined bias current;
A current amplification circuit for generating a detection current obtained by multiplying the base current by a predetermined coefficient;
A potential of one end thereof is fixed, and a conversion resistor provided on a current path obtained by combining the bias current and the detection current;
The control circuit according to claim 3, further comprising: a voltage drop of the conversion resistor as the second WA2 detection voltage.
前記ベース電流に第1係数を乗じた第1電流を生成する第1電流変換部と、
前記第1電流に第2係数を乗じて、前記検出電流を生成する第2電流変換部と、
を含むことを特徴とする請求項5に記載の制御回路。 The current amplifier circuit is:
A first current converter that generates a first current obtained by multiplying the base current by a first coefficient;
A second current converter for generating the detected current by multiplying the first current by a second coefficient;
The control circuit according to claim 5, comprising:
その一端の電位が固定され、前記ベース電流の経路上に設けられた第1抵抗と、
前記第1抵抗の電圧降下を、それに比例した前記第1電流に変換する第1電圧/電流変換回路と、
を含むことを特徴とする請求項6に記載の制御回路。 The first current converter is
A potential of one end thereof is fixed, and a first resistor provided on the path of the base current;
A first voltage / current conversion circuit for converting a voltage drop of the first resistor into the first current proportional thereto;
The control circuit according to claim 6, further comprising:
その一端の電位が固定され、前記第1抵抗とペアリングされた第2抵抗と、
前記第2抵抗の他端と接続された第2トランジスタと、
その第1入力端子に、前記第2抵抗の他端の電圧が入力され、その第2入力端子に、前記第2抵抗と前記第2トランジスタの接続点の電位が入力され、その出力端子が前記第2トランジスタの制御端子と接続された第3誤差増幅器と、
を含み、前記第2トランジスタに流れる電流が、前記第1電流であることを特徴とする請求項7に記載の制御回路。 The first voltage / current conversion circuit includes:
A second resistor having a potential at one end fixed and paired with the first resistor;
A second transistor connected to the other end of the second resistor;
The voltage at the other end of the second resistor is input to the first input terminal, the potential at the connection point of the second resistor and the second transistor is input to the second input terminal, and the output terminal is A third error amplifier connected to the control terminal of the second transistor;
The control circuit according to claim 7, wherein a current flowing through the second transistor is the first current.
その一端の電位が固定され、前記第1電流の経路上に設けられた第3抵抗と、
前記第3抵抗の電圧降下を、それに比例した前記検出電流に変換する第2電圧/電流変換回路と、
を含むことを特徴とする請求項6に記載の制御回路。 The second current converter is
A third resistor provided on the path of the first current, the potential of one end of which is fixed;
A second voltage / current conversion circuit for converting a voltage drop of the third resistor into the detection current proportional thereto;
The control circuit according to claim 6, further comprising:
その一端の電位が固定され、前記第3抵抗とペアリングされた第4抵抗と、
前記第4抵抗の他端と接続された第3トランジスタと、
その第1入力端子に、前記第3抵抗の他端の電圧が入力され、その第2入力端子に、前記第4抵抗と前記第3トランジスタの接続点の電位が入力され、その出力端子が前記第3トランジスタの制御端子と接続された第4誤差増幅器と、
を含み、前記第3トランジスタに流れる電流が、前記検出電流であることを特徴とする請求項9に記載の制御回路。 The second voltage / current conversion circuit includes:
A fourth resistor having a fixed potential at one end and paired with the third resistor;
A third transistor connected to the other end of the fourth resistor;
The voltage at the other end of the third resistor is input to the first input terminal, the potential at the connection point of the fourth resistor and the third transistor is input to the second input terminal, and the output terminal is A fourth error amplifier connected to the control terminal of the third transistor;
The control circuit according to claim 9, wherein a current flowing through the third transistor is the detection current.
前記発光素子の第1端子に駆動電圧を供給するスイッチング電源と、
そのコレクタが発光素子の第2端子と接続されたNPN型バイポーラトランジスタのパワートランジスタと、
前記パワートランジスタのエミッタと接地端子の間に設けられた検出抵抗と、
請求項1から15のいずれかに記載の制御回路と、
を備えることを特徴とする発光装置。 A light emitting element;
A switching power supply for supplying a driving voltage to the first terminal of the light emitting element;
A power transistor of an NPN bipolar transistor whose collector is connected to the second terminal of the light emitting element;
A detection resistor provided between an emitter of the power transistor and a ground terminal;
A control circuit according to any of claims 1 to 15;
A light emitting device comprising:
前記液晶パネルのバックライトとして設けられた請求項16に記載の発光装置と、
を備えることを特徴とする電子機器。 LCD panel,
The light emitting device according to claim 16 provided as a backlight of the liquid crystal panel;
An electronic device comprising:
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