JP2014149351A5

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Publication number: JP2014149351A5
Application number: JP2013016967A
Authority: JP
Filing date: 2013-01-31
Publication date: 2016-02-12
Anticipated expiration: 2033-01-31

Description

なお、この実施の形態１のマスクブランク用基板の製造方法で説明した方法により製造したマスクブランク用基板Ｍは、バイナリーマスクブランク、位相シフトマスクブランク、ナノインプリント用マスクブランクの製造に使用することができる。バイナリーマスクブランクは、ＭｏＳｉ系、Ｔａ系、Ｃｒ系のいずれであってもよい。位相シフトマスクブランクは、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、レベンソン型位相シフトマスクブランク、クロムレス型位相シフトマスクブランクのいずれであってもよい。 The mask blank substrate M manufactured by the method described in the mask blank substrate manufacturing method of the first embodiment can be used for manufacturing a binary mask blank, a phase shift mask blank, and a nanoimprint mask blank. . Binary mask blank is, MoSi-based, Ta system, may be any of the Cr-based. The phase shift mask blank may be any of a halftone type phase shift mask blank, a Levenson type phase shift mask blank, and a chromeless type phase shift mask blank.

Ｄ．反射型マスクの製造
次に、このようにして作製された反射型マスクブランク上に、電子線描画（露光）用化学増幅型レジストをスピンコート法により塗布し、加熱及び冷却工程を経て、膜厚が１５０ｎｍのレジスト膜を形成した。
その後、形成されたレジスト膜に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターンを形成した。
その後、このレジストパターンをマスクにして、吸収体膜のドライエッチングを行って、保護膜上に吸収体膜パターンを形成した。ドライエッチングガスとしては、塩素（Ｃｌ_２）ガスを用いた。
その後、レジストパターンを除去し、洗浄を行なった。 D. Manufacture of the reflective mask Next, the thus prepared was reflective mask on blank, a chemically amplified resist for electron beam writing (exposure) was applied by spin coating, through the heating and cooling steps, the film A resist film having a thickness of 150 nm was formed.
Thereafter, a desired pattern was drawn on the formed resist film using an electron beam drawing apparatus, and then developed with a predetermined developer to form a resist pattern.
Thereafter, using this resist pattern as a mask, the absorber film was dry-etched to form an absorber film pattern on the protective film. As a dry etching gas, chlorine (Cl ₂ ) gas was used.
Thereafter, the resist pattern was removed and cleaning was performed.

得られたガラス基板の主表面に対して、表面粗さ、平坦度を測定した。
表面粗さは、基板の中心の１μｍ×１μｍの領域に対して、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定した。表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１０ｎｍであった。
平坦度は、基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域に対して、平坦度測定装置（トロペル社製ＵｌｔｒａＦｌａｔ２００）により測定した。平坦度は５０ｎｍであった。
また、この比較例１の方法により、ガラス基板を５０枚作製したところ、平坦度３０ｎｍ以下のガラス基板の収率は８％であった。

Surface roughness and flatness were measured with respect to the main surface of the obtained glass substrate.
The surface roughness was measured with an atomic force microscope (AFM) for a 1 μm × 1 μm region at the center of the substrate. The surface roughness was 0.10 nm in terms of root mean square roughness (RMS).
The flatness was measured with respect to a 132 mm × 132 mm area excluding the peripheral area of the substrate with a flatness measuring device (UltraFlat 200 manufactured by Tropel). The flatness was 50 nm.
Further, when 50 glass substrates were produced by the method of Comparative Example 1, the yield of the glass substrate having a flatness of 30 nm or less was 8% .