JP2014146887A - Elastic wave element, branching filter and communication module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)素子等の弾性波素子、分波
器および通信モジュールに関する。
The present invention relates to an acoustic wave device such as a surface acoustic wave (SAW) device, a duplexer, and a communication module.
圧電基板と、圧電基板の主面上に設けられたIDT(InterDigitalTransducer)のような励振電極とを有する弾性波素子が知られている。このような弾性波素子は、例えば、分波器の送信フィルタ、受信フィルタなどに利用されている。 2. Description of the Related Art An acoustic wave element having a piezoelectric substrate and an excitation electrode such as an IDT (InterDigital Transducer) provided on the main surface of the piezoelectric substrate is known. Such an acoustic wave element is used for, for example, a transmission filter and a reception filter of a duplexer.
弾性波素子において、素子の非線形性によって発生する電気的な歪波によって電気特性が低下することがある。例えば、弾性波素子を用いた分波器においては、送信帯域および受信帯域の帯域外の妨害波と、送信波とが混合されて、受信帯域内に歪波が生じる。この歪波は相互変調歪(IMD:Inter-Modulation Distortion)と呼ばれ、無線装置の通信品質(SN比)を低下させる原因の一つとなっている。この他、送信波の整数倍の周波数を持つ高調波歪が発生し、これが他の無線装置の通信を妨害するといった問題が生じる可能性もある。 In an acoustic wave device, electrical characteristics may be deteriorated by an electrical distortion wave generated by the nonlinearity of the device. For example, in a duplexer using an elastic wave element, interference waves outside the transmission band and the reception band are mixed with the transmission wave, and a distorted wave is generated in the reception band. This distorted wave is called inter-modulation distortion (IMD: Inter-Modulation Distortion), and is one of the causes of lowering the communication quality (S / N ratio) of the wireless device. In addition, there is a possibility that harmonic distortion having a frequency that is an integral multiple of the transmission wave is generated, which may cause a problem that the communication of other wireless devices is interrupted.
そこで歪波によるSN比の低下を抑制するために、分波器を構成するラダー型フィルタの直列共振子または並列共振子を静電容量を変えずに分割する方法が知られている(例えば、特許文献1)。これは直列共振子または並列共振子を分割することによって、その共振子に印加される電圧を分散させて歪波を抑制するものである。 Therefore, in order to suppress a decrease in the S / N ratio due to a distorted wave, a method is known in which a series resonator or a parallel resonator of a ladder filter constituting a duplexer is divided without changing capacitance (for example, Patent Document 1). In this method, by dividing a series resonator or a parallel resonator, a voltage applied to the resonator is dispersed to suppress distortion waves.
しかしながら、静電容量を変えずに共振子を分割すると分割前に比べて、共振子が大型化し、ひいては弾性波素子が大型化してしまう。 However, if the resonator is divided without changing the capacitance, the resonator becomes larger and the elastic wave element becomes larger than before the division.
本発明はかかる実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、共振子を分割することなく、歪波の影響を抑制できる弾性波素子、分波器および通信モジュールを提供することである。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an elastic wave element, a duplexer, and a communication module that can suppress the influence of a distorted wave without dividing a resonator. .
本発明の一態様の弾性波素子は、圧電基板と、該圧電基板の上面に配置された少なくとも1つの励振電極とを有する弾性波素子である。励振電極は、前記圧電基板を伝搬する弾性波の伝搬方向に延びた第1バスバー電極と、前記第1バスバー電極に対向して配置されて前記伝搬方向に延びた第2バスバー電極とを有する。また、励振電極は、一端が前記第1バスバー電極に接続されて該第1バスバー電極から前記第2バスバー電極に向かって前記伝搬方向に直交する方向に延びているとともに他端が前記第2バスバー電極から離れて位置している第1前半部と、該第1前半部の横に間隔を空けて配置されて前記伝搬方向に直交する方向に延びているとともに両端が前記第1および第2バスバー電極から離れて位置している第1後半部と、前記第1前半部および前記第1後半部の前記第2バスバー電極側の端部同士を接続している第1折り返し部とを有する複数の第1電極指を有する。また、励振電極は、一端が前記第2バスバー電極に接続されて該第2バスバー電極から前記第
1バスバー電極に向かって前記伝搬方向に直交する方向に延びているとともに前記第1後半部の横に間隔を空けて配置されて他端が前記第1バスバー電極から離れて位置している第2前半部と、前記第1前半部と前記第1後半部との間に配置されて前記伝搬方向に直交する方向に延びているとともに両端が前記第1バスバー電極および前記第1折り返し部から離れて位置している第2後半部と、前記第2前半部および前記第2後半部の第1バスバー電極側の端部同士を接続している第2折り返し部とを有する複数の第2電極指を有する。
The acoustic wave device of one embodiment of the present invention is an acoustic wave device including a piezoelectric substrate and at least one excitation electrode disposed on the upper surface of the piezoelectric substrate. The excitation electrode includes a first bus bar electrode extending in the propagation direction of the elastic wave propagating through the piezoelectric substrate, and a second bus bar electrode disposed facing the first bus bar electrode and extending in the propagation direction. The excitation electrode has one end connected to the first bus bar electrode and extends from the first bus bar electrode toward the second bus bar electrode in a direction perpendicular to the propagation direction, and the other end is connected to the second bus bar electrode. A first front half located away from the electrodes, and spaced apart from the first front half and extending in a direction perpendicular to the propagation direction, and both ends of the first and second bus bars A plurality of first rear portions located away from the electrodes, and a first folded portion connecting the first front half portion and the first second half portion on the second bus bar electrode side. Having a first electrode finger; The excitation electrode is connected at one end to the second bus bar electrode and extends from the second bus bar electrode toward the first bus bar electrode in a direction perpendicular to the propagation direction. The propagation direction is arranged between a second front half portion that is spaced apart from the first bus bar electrode and the other end is located away from the first bus bar electrode, and the first front half portion and the first second half portion. A second rear half portion that extends in a direction orthogonal to the first bus bar and has both ends positioned away from the first bus bar electrode and the first folded portion, and the first bus bar of the second front half portion and the second rear half portion. A plurality of second electrode fingers each having a second folded portion connecting the end portions on the electrode side.
本発明の一態様に係る分波器は、アンテナ端子と、送信信号をフィルタリングして前記アンテナ端子に出力する送信フィルタと、前記アンテナ端子からの受信信号をフィルタリングする受信フィルタと、を備え、前記送信フィルタは、上記の弾性波素子を備える。 A duplexer according to an aspect of the present invention includes an antenna terminal, a transmission filter that filters a transmission signal and outputs the filtered signal to the antenna terminal, and a reception filter that filters a reception signal from the antenna terminal, The transmission filter includes the above acoustic wave element.
本発明の一態様に係る通信モジュールは、アンテナと、該アンテナに電気的に接続された上記の分波器と、該分波器に電気的に接続されたRF−ICとを備える。 A communication module according to one embodiment of the present invention includes an antenna, the above-described duplexer electrically connected to the antenna, and an RF-IC electrically connected to the duplexer.
上記の構成によれば、弾性波素子を大型化することなく歪波の影響を抑制することができる。 According to said structure, the influence of a distorted wave can be suppressed, without enlarging an elastic wave element.
以下、本発明の実施形態に係るSAW素子および分波器について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。 Hereinafter, a SAW element and a duplexer according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings used in the following description are schematic, and the dimensional ratios and the like on the drawings do not necessarily match the actual ones.
第2の実施形態以降において、既に説明された実施形態の構成と同一または類似する構成については、既に説明された実施形態と同一の符号を付し、説明を省略することがある。 In the second and subsequent embodiments, configurations that are the same as or similar to the configurations of the already described embodiments may be denoted by the same reference numerals as those of the already described embodiments, and description thereof may be omitted.
<通信モジュール>
図1は、本発明の実施形態に係る通信モジュール101の要部を示すブロック図である。通信モジュール101は、電波を利用した無線通信を行うものである。分波器1は、通信モジュール101において送信周波数の信号と受信周波数の信号とを分波する機能を有している。
<Communication module>
FIG. 1 is a block diagram showing a main part of a
通信モジュール101において、送信すべき情報を含む送信情報信号TISは、RF−IC103によって変調および周波数の引き上げ(搬送波周波数の高周波信号への変換)がなされて送信信号TSとされる。送信信号TSは、バンドパスフィルタ105によって送信用の通過帯域以外の不要成分が除去され、増幅器107によって増幅されて分波器1に入力される。そして、分波器1は、入力された送信信号TSから送信用の通過帯域以外の不要成分を除去してアンテナ109に出力する。アンテナ109は、入力された電気信
号(送信信号TS)を無線信号(電波)に変換して送信する。
In the
また、通信モジュール101において、アンテナ109によって受信された無線信号は、アンテナ109によって電気信号(受信信号RS)に変換されて分波器1に入力される。分波器1は、入力された受信信号RSから受信用の通過帯域以外の不要成分を除去して増幅器111に出力する。出力された受信信号RSは、増幅器111によって増幅され、バンドパスフィルタ113によって受信用の通過帯域以外の不要成分が除去される。そして、受信信号RSは、RF−IC103によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号RISとされる。
In the
なお、送信情報信号TISおよび受信情報信号RISは、適宜な情報を含む低周波信号(ベースバンド信号)でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯域は、UMTS(Universal Mobile Telecommunications System)等の各種の規格に従ったものでよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか2つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図1では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図1は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。 The transmission information signal TIS and the reception information signal RIS may be low-frequency signals (baseband signals) including appropriate information, for example, analog audio signals or digitized audio signals. The passband of the radio signal may be in accordance with various standards such as UMTS (Universal Mobile Telecommunications System). The modulation method may be any of phase modulation, amplitude modulation, frequency modulation, or a combination of any two or more thereof. In FIG. 1, the direct conversion method is exemplified as the circuit method, but other appropriate methods may be used. For example, a double superheterodyne method may be used. FIG. 1 schematically shows only the main part, and a low-pass filter, an isolator or the like may be added at an appropriate position, and the position of an amplifier or the like may be changed.
<分波器>
図2は、本発明の実施形態に係る分波器1の構成を示す回路図である。分波器1は、図1において通信モジュール101に使用されているものである。
<Demultiplexer>
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of the
分波器1は、増幅器107からの送信信号TSが入力される送信端子3と、送信信号TSから送信用の通過帯域以外の不要成分を除去して出力する送信フィルタ5と、送信フィルタ5からの信号が入力されるアンテナ端子7とを有している。アンテナ端子7は、アンテナ109に接続される。
The
また、分波器1は、アンテナ109からアンテナ端子7を介して入力された受信信号RSから受信用の通過帯域以外の不要成分を除去して出力する受信フィルタ9と、受信フィルタ9からの信号が入力される受信端子11とを有している。受信端子11は、増幅器111に接続される。
Further, the
送信フィルタ5は、例えば、ラダー型SAWフィルタによって構成されている。すなわち、送信フィルタ5は、その入力側と出力側との間において直列に接続された1以上(本実施形態では3)の第1直列共振子15A−1〜第3直列共振子15A−3と、その直列のラインと基準電位部との間に設けられた1以上(本実施形態では2)の並列共振子15Bとを有している。なお、以下では、第1直列共振子15A−1〜第3直列共振子15A−3を単に「直列共振子15A」といい、これらを区別しないことがあり、また、直列共振子15Aおよび並列共振子15Bを単に「共振子15」といい、これらを区別しないことがある。
The
第1直列共振子15A−1は、送信フィルタ5においてアンテナ端子7に最も近い共振子15である。また、送信フィルタ5、受信フィルタ9とアンテナ端子7の間には、インピーダンスマッチング用の回路が挿入されてもよい。
The first series resonator 15 </ b> A- 1 is the resonator 15 closest to the antenna terminal 7 in the
受信フィルタ9は、例えば、多重モード型SAWフィルタ17と、その入力側に直列に接続された補助共振子15Cとを有している。なお、本実施形態において、多重モードは、2重モードを含むものとする。
The reception filter 9 includes, for example, a
<SAW素子>
図3は、本発明の実施形態に係るSAW素子51の平面図である。SAW素子51は、図2に示した分波器1において、第1直列共振子15A−1を構成するものである。
<SAW element>
FIG. 3 is a plan view of the SAW element 51 according to the embodiment of the present invention. The SAW element 51 constitutes the
なお、SAW素子51は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、直交座標系xyzを定義するとともに、z方向の正側(図3の紙面手前側)を上方として、上面、下面等の用語を用いるものとする。 Note that the SAW element 51 may be either upward or downward, but hereinafter, for convenience, the orthogonal coordinate system xyz is defined and the positive side in the z direction (the paper surface of FIG. 3). Terms such as the upper surface and the lower surface are used with the front side as the upper side.
SAW素子51は、例えば、1ポートSAW共振子として構成されており、圧電基板53と、圧電基板53の上面53aに設けられた励振電極55および反射器57を有している。なお、SAW素子51は、上記の他、励振電極55および反射器57の上面に配置される付加膜、励振電極55および反射器57と圧電基板53との間に介在する接着層、圧電基板53の上面53aを励振電極55および反射器57の上から覆う保護層等を有していてもよい。図3では、励振電極55に信号の入出力を行うための配線およびパッドは図示を省略している。
The SAW element 51 is configured as a 1-port SAW resonator, for example, and includes a piezoelectric substrate 53, an
圧電基板53は、例えば、タンタル酸リチウム(LiTaO3)単結晶、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板である。より具体的には、42°±10°Y−XカットのLiTaO3、128°±10°Y−XカットのLiNbO3基板もしくは0°±10°Y−XカットのLiNbO3基板などを使用することができる。圧電基板53の平面形状および各種寸法は適宜に設定されてよい。 The piezoelectric substrate 53 is a single crystal substrate having piezoelectricity, such as a lithium tantalate (LiTaO 3 ) single crystal or a lithium niobate (LiNbO 3 ) single crystal. More specifically, a 42 ° ± 10 ° YX cut LiTaO 3 , a 128 ° ± 10 ° YX cut LiNbO 3 substrate, or a 0 ° ± 10 ° YX cut LiNbO 3 substrate is used. be able to. The planar shape and various dimensions of the piezoelectric substrate 53 may be set as appropriate.
励振電極55は、圧電基板53の上面53aに形成された導電層からなり、第1バスバー電極61A、第2バスバー電極61B、複数の第1電極指63A、複数の第2電極指63Bなどを有している。なお、以下では、例えば第1バスバー電極61Aおよび第2バスバー電極61Bを単にバスバー電極61といい、これらを区別しないことがある。また、第1バスバー電極61Aを構成する部材あるいは第1バスバー電極61Aに接続された部材については、「第1電極指63A」のように、「第1」および「A」を付すことがあり、第2バスバー電極61Bを構成する部材あるいは第2バスバー電極61Bに接続される部材については、「第2電極指63B」等のように、「第2」および「B」を付すことがある。また、第1電極指63Aと第2電極指63Bのように対応するもの同士をまとめて称するときは、「第1」、「第2」、「A」、および「B」を省略して、単に「電極指」と称することがある。
The
第1、第2バスバー電極61A、61Bは、例えば、長尺状であり、一定の幅でSAWの伝搬方向(x方向)に直線状に延びている。第1バスバー電極61Aと第2バスバー電極61Bは、SAWの伝搬方向に直交する方向(y方向)において対向している。また、第1バスバー電極61Aと第2バスバー電極61Bは、例えば、互いに平行であり、両者の間の距離は、SAWの伝搬方向において一定である。
The first and second
複数の第1電極指63Aおよび第2電極指63Bは、SAWの伝搬方向(x方向)に沿って一定の間隔で交互に配列されている。SAW素子51における第1、第2電極指63A,63Bは、その全体的な形状が従来知られた電極指とは大きく異なっている。
The plurality of
SAW素子51における電極指の具体的な形状を図4を用いて説明する。図4は図3に示す励振電極55の一部を抜き出した拡大平面部である。SAW素子51における電極指63は従来の電極指と同様にバスバー電極61から延びる直線状の部分を有するとともに、そこから折り返す部分を有している。
A specific shape of the electrode finger in the SAW element 51 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is an enlarged plane portion obtained by extracting a part of the
より具体的には、第1電極指63Aは、第1前半部21と第1折り返し部22と第1後半部23とから構成されており、第2電極指63Bは、第2前半部25と第2折り返し部26と第2後半部27とから構成されている。
More specifically, the
第1前半部21は、一端が第1バスバー電極61Aに接続されており、第2バスバー電極61Bに向かってy方向に延びている。第1前半部21の他端は、第2バスバー電極61Bの手前に位置している。第1後半部23は、第1前半部21の横に間隔を空けて配置されておりy方向に延びている。また第1後半部23の両端は第1、第2バスバー電極61A、61Bから離れて位置している。第1折り返し部22は第1前半部21および第2後半部27の第1バスバー電極側の端部同士を接続している。
One end of the first front half 21 is connected to the first
第2前半部25は、一端が第2バスバー電極61Bに接続されており、第1バスバー電極61Aに向かってy方向に延びている。第2前半部25の他端は、第2バスバー電極61Bの手前に位置している。第2後半部27は、第1前半部21と第1後半部23との間に配置されており、y方向に延びている。また、第2後半部27の両端は第1バスバー電極61Aおよび第1折り返し部22から離れて位置している。第2折り返し部26は、第2前半部25および第2後半部27の第1バスバー電極側の端部同士を接続している。
One end of the second front half 25 is connected to the second
第1、第2電極指63A,63Bはこのように折り返し構造となっており、全体として鉤型の形状となっている。
The first and
SAW素子51においては、このように鉤型の形状となっている第1、第2電極指63A,63Bが互いに鉤型の部分で噛み合うように配置されている。すなわち、第1電極指63Aの第1後半部23は、第2電極指63Bを構成する第2前半部25と第2後半部27との間に入り込むように配置されており、第2電極指63Bの第2後半部27は、第1電極指63Aを構成する第1前半部21と第1後半部23との間に入り込むように配置されている。
In the SAW element 51, the first and
励振電極55をこのような構造とすることによって後述するように歪波を低減することができる。よって、SAW素子51によれば、共振子の分割をせずに歪波の低減を図ることができるため、共振子を分割するときのようにSAW素子51の大幅な大型化を招くことなく、歪波を低減することができる。
With the
また第1電極指63Aと第2電極指63Bとは、交差領域(第1電極指63Aと第2電極指63Bとがx方向に沿って重なる領域)においては、異なる電位の電極指が交互に配列されることとなり、その領域の部分を見れば通常のSAW素子と変わらない。すなわち、励振電極55によって励振されたSAWは第1電極指63Aと第2電極指63Bとの交差領域を伝搬する。
In addition, the
図3に戻って、複数の電極指63は、そのピッチpが、例えば、共振させたい周波数でのSAWの波長λの半波長と同等となるように設定されている。ピッチpは、例えば、隣接する第1電極指63Aと第2電極指63Bとの中心間距離によって規定される。SAWの波長λは、例えば、1.5μm〜6μmである。
Returning to FIG. 3, the plurality of
第1、第2電極指63A,63Bの全体の長さは、例えば、互いに同等であり、対応する構成部材同士の長さも互いに同等である。すなわち、第1前半部21と第2前半部25は互いに同じ長さであり、第1折り返し部22と第2折り返し部26は互いに同じ長さであり、第1後半部23と第2後半部27は互いに同じ長さである。なお、第1電極指63Aと第2電極指63Bの全体の長さは、互いに異なっていてもよいし、対応する構成部材同士の長さが異なっていてもよい。
The entire lengths of the first and
また第1、第2電極指63A、63Bはそれぞれ全体にわたって同じ幅wで形成されており、互いに同じ幅wである。
Further, the first and
これらの寸法は、SAW素子51に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。電極指63の幅wは、例えば、電極指63のピッチpに対して0.4p〜0.7pである。なお、電極指63の幅wは、電極指全体にわたって同一でなくてもよく、例えば、その電極指を構成する前半部、折り返し部、および後半部のそれぞれが異なる幅となっていてもよい。また第1電極指63Aと第2電極指63Bとで異なる幅wにしてもよい。
These dimensions are appropriately set according to the electrical characteristics required for the SAW element 51. The width w of the
SAW素子51において、第1バスバー電極61Aは複数の第1ダミー電極指65Aを有し、第2バスバー電極61Bは複数の第2ダミー電極指65Bを有している。
In the SAW element 51, the first
第1ダミー電極指65Aは、第1バスバー電極61Aの第2バスバー電極61Bに面する側面から第2バスバー電極61Bに向かって少し伸びた部分である。第1ダミー電極指65Aは、隣り合う第1電極指63A間の中央に配置されており、第1後半部23と同一直線状に位置している。なお、第1ダミー電極指65Aは、隣り合う第1電極指63A間の中央からずれた位置に配置されていてもよいし、第1後半部23と同一直線状からずれた位置に配置されていてもよい。
The first
同様に第2ダミー電極指65Bは、第2バスバー電極61Bの第1バスバー電極61Aに面する側面から第1バスバー電極61Aに向かって少し伸びた部分である。第2ダミー電極指65Bは、隣り合う第2電極指63B間の中央に配置されており、第2後半部27と同一直線状に位置しているが、第1ダミー電極指65Aと同様に必ずしもこのような位置関係になくてもよい。
Similarly, the second
第1、第2ダミー電極指65A、65Bの幅(x方向)は、例えば、電極指63の幅wと同等である。ダミー電極指65の長さ(y方向)は、電極指63よりも短く、例えば、2μm〜5μmである。
The width (x direction) of the first and second
第1ダミー電極指65Aの先端は、第2電極指63Bの第2折り返し部26と第1ギャップ67Aを介して対向している。第2ダミー電極指65Bの先端は、第1電極指63Aの第1折り返し部22と第2ギャップ67Bを介して対向している。また第1電極指63Aの先端(第1後半部23の先端)は、第2折り返し部26と第3ギャップ63Cを介して対向している。第2電極指63Bの先端(第2後半部27の先端)は、第1折り返し部22と第4ギャップ67Dを介して対向している。
The tip of the first
複数の第1ギャップ67Aの数は、複数の第1ダミー電極指65Aの本数と同じである。複数の第2ギャップ67Bの数は、複数の第2ダミー電極指65Bの本数と同じである。複数の第3ギャップ67Cの数は、複数の第1後半部23の数と同じである。複数の第4ギャップ67Dの数は、複数の第2後半部27の数と同じである。
The number of the plurality of first gaps 67A is the same as the number of the plurality of first
また、複数のギャップ67の幅は、複数の電極指63の幅wと同等である。複数のギャップ67の長さlg(y方向の大きさ。以下、ギャップの長さを「ギャップ長」と称することがある。)は、例えば、ギャップ67同士で互いに同一であり、その長さはSAW素子51に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。例えば、ギャップ長lgは、0.1λ〜0.6λである。なお、ギャップ長lgはギャップ67ごとに異なっていてもよい。
The width of the plurality of
励振電極55は、例えば、金属によって形成されている。この金属としては、例えば、
AlまたはAlを主成分とする合金(Al合金)が挙げられる。Al合金は、例えば、Al−Cu合金である。なお、励振電極55は、複数の金属層から構成されてもよい。励振電極55の厚みは適宜に設定されてよい。
The
Examples thereof include Al or an alloy containing Al as a main component (Al alloy). The Al alloy is, for example, an Al—Cu alloy. The
励振電極55によって圧電基板53に交流電圧が印加されると、圧電基板53の上面53a付近において上面53aに沿ってx方向に伝搬するSAWが誘起される。また、SAWは、電極指63によって反射される。そして、電極指63のピッチpを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指63によって取り出される。このようにして、SAW素子51は、共振子もしくはフィルタとして機能する。
When an AC voltage is applied to the piezoelectric substrate 53 by the
反射器57は、圧電基板53の上面53aに形成された導電層によって構成されており、平面視において格子状に形成されている。すなわち、反射器57は、SAWの伝搬方向に交差する方向において互いに対向する一対のバスバー電極およびこれらバスバー電極間においてSAWの伝搬方向に直交する方向(y方向)に延びる複数の電極指を有している。反射器57の複数の電極指は、励振電極55の複数の電極指63と概ね同等のピッチで配列されている。
The
反射器57も励振電極55と同様にAlなどの金属によって形成されている。これら励振電極55および反射器57は、圧電基板53の上面53aに従来周知の成膜法によって金属材料からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法などによって金属膜をパターニングすることで形成することができる。
Similarly to the
次に図4および図5を用いてSAW素子51が歪波を抑制することができるメカニズムを説明する。図5は従来から知られている通常の電極指構造からなる励振電極の一部分の拡大平面図であり、SAW素子51と対応する部材には同じ符号を付している。 Next, a mechanism by which the SAW element 51 can suppress distortion waves will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 5 is an enlarged plan view of a part of a conventional excitation electrode having a conventional electrode finger structure, and members corresponding to the SAW element 51 are denoted by the same reference numerals.
図4および図5において、第1バスバー電極61Aおよび第1バスバー電極61Aに接続されている各部材が、第2バスバー電極61Bおよび第2バスバー電極61Bに接続されている各部材よりも電位が高い状態にあるとする。
4 and 5, each member connected to the first
まず図5を参照しつつ歪波の発生メカニズムについて説明する。第1バスバー電極61Aの電位が第2バスバー電極61Bの電位よりも高い状態にあるとき、図5に示すように黒塗りの矢印で示した方向の電場Eが発生している。すなわち、電極指63の交差領域では、SAWの伝搬方向(x方向)に沿った電場Exが発生し、ギャップ67の領域ではSAWの伝搬方向に直交する方向(y方向)に沿った電場Eyが発生する。
First, the generation mechanism of the distorted wave will be described with reference to FIG. When the potential of the first
このような電場が発生すると圧電体からなる圧電基板53が有する非線形性によって歪電流が発生する。歪電流のうち、2次の非線形性に起因する電流I2は電場Eの2乗に比例する。すなわち、I2=αE2
なる式で表される歪電流I2が発生する。この式で、αは圧電基板の結晶方位に依存する係数である。歪電流I2は電場Eの2乗に比例するため、電場Eの極性に寄らず圧電基板の結晶方位に対して同じ方向に流れる。つまり、図5に示したように、x方向の電場Exに対してはx方向の歪電流I2xが流れ、y方向の電場Eyに対してはy方向の歪電流I2y(第1ギャップ67Aにおける歪電流をI2yA、第2ギャップ67Bにおける歪電流をI2yBとする。)が流れる。なお、ここではαが正の定数である場合について説明したが、実際のαは圧電基板の材料および結晶方位に依存する複素数となる。
When such an electric field is generated, a distorted current is generated due to nonlinearity of the piezoelectric substrate 53 made of a piezoelectric material. Of the distorted current, the current I 2 resulting from the second-order nonlinearity is proportional to the square of the electric field E. That is, I 2 = αE 2
A distortion current I 2 expressed by the following formula is generated. In this equation, α is a coefficient depending on the crystal orientation of the piezoelectric substrate. Since the strain current I 2 is proportional to the square of the electric field E, it flows in the same direction with respect to the crystal orientation of the piezoelectric substrate regardless of the polarity of the electric field E. That is, as shown in FIG. 5, a distorted current I 2x in the x direction flows for the electric field Ex in the x direction, and a distorted current I 2y in the y direction (the first gap 67A) for the electric field Ey in the y direction. the distortion current I 2y a, a distortion current in the second gap 67B and I 2y B in.) flows. Here, the case where α is a positive constant has been described, but actual α is a complex number depending on the material and crystal orientation of the piezoelectric substrate.
ここでx方向に沿った歪電流I2xに着目すると、第1電極指63Aを流れる歪電流I2xは、第1電極指63Aに流れ込む歪電流I2xと第1電極指63Aから流れ出る歪電
流I2xとが逆方向であるため打ち消しあって0になる。このため、歪電流I2xに基づく歪波がSAW素子の外部に出力されることはない。第2電極指63Bにおいても同様に歪電流I2xは打ち消し合う。よって励振電極55の交差領域全体における歪電流I2は打ち消しあってSAW素子の外部に歪波として出力されることはない。
Here, when attention is paid to the distortion current I 2x along the x-direction, the distortion current I 2x flowing through the
一方、y方向に沿った電場Eyに着目すると、第1ダミー電極指65Aと第2電極指63Bとの第1ギャップ67Aにおける歪電流I2yA、第2ダミー電極指65Bと第1電極指63Aとの第2ギャップ67Bにおける歪電流I2yBはいずれも同方向であるため、これらの歪電流I2yは打ち消し合わない。
On the other hand, focusing on the electric field E y along the y direction, the strain current I 2y A in the first gap 67A between the first
このように打ち消し合わずに残ったギャップ67における歪電流I2yが歪波の発生要因の1つになっていると考えられる。
Thus, it is considered that the distorted current I 2y in the
そこでSAW素子51では、電極指63を折り返す構造とすることによって、ギャップ67における歪電流I2yを打ち消すようにしている。電極指63を折り返す構造とすることによってギャップ67における歪電流I2yを打ち消すことができる理由を図4を参照して説明する。
In view of this, the SAW element 51 has a structure in which the
図4において左上の第1ギャップ67Aに着目すると、第1ダミー電極指65Aと第2電極指63Bの第2折り返し部26との間には、そこに発生した電場Eyに基づく歪電流I2yAが流れる。次に第3ギャップ67Cに着目すると、第1電極指63Aの第1後半部23と第2電極指63Bの第2折り返し部26との間には、そこに発生した電場Eyに基づく歪電流I2yCが流れる。上述のように歪電流I2は電場Eの極性に寄らず圧電基板の結晶方位に対して同じ方向に流れるため、歪電流I2yAと歪電流I2yCはy方向に沿って同じ方向に流れる。そうすると、第1ダミー電極指65Aから第2折り返し部26に流れ込む歪電流I2yAと第2折り返し部26から第1後半部23に流れ出るI2yCは逆方向に流れるため互いに打ち消し合うこととなる。
Focusing on the first gap 67A in the upper left in FIG. 4, a strain current I 2y A based on the electric field Ey generated there between the first
同様に第2ギャップ67Bにおいても、第2ギャップ67Bに発生する歪電流I2yBが第4ギャップ67Dに発生する歪電流I2yDによって打ち消されることとなる。 Similarly, in the second gap 67B, the distorted current I 2y B generated in the second gap 67B is canceled by the distorted current I 2y D generated in the fourth gap 67D.
すなわち、SAW素子51は、第1、第2電極指63A、63Bを折り曲げ構造にするとともに、折れ曲がった部分で互いに噛み合うようにしたことによって、第3ギャップ67C、第4ギャップ67Dのそれぞれに歪電流I2yC、I2yDを発生させて、第1、第2ギャップ67A、67Bで発生する歪電流I2yA、I2yBを打ち消すようにしたものである。
That is, in the SAW element 51, the first and
したがって、SAW素子51によれば、歪波の発生要因の1つと考えられるギャップ67における歪電流が打ち消し合うため、外部に出力される歪電流を小さくすることができ、結果として歪波の発生を抑えることができる。
Therefore, according to the SAW element 51, since the distorted current in the
また、1つのギャップ67に着目したときに、そのギャップ67における歪電流I2yの大きさはギャップの幅wgに比例し、ギャップの長さlgの2乗に反比例する。そこで、SAW素子51では、第1ギャップ67Aと第3ギャップ67Cの幅同士、第1ギャップ67Aと第3ギャップ67Cの長さ同士が同じになるようにしている。換言すれば、SAW素子51は、第1ダミー電極指65Aの幅と第1後半部23の幅が等しく、第1ダミー電極指65Aの先端から第2折り返し部26までの距離と第1後半部23の先端から第2折り返し部26までの距離とが等しくなっている。これにより、第1ギャップ67Aにおいて発生する歪電流I2yAの大きさと第3ギャップ67Cにおいて発生する歪電流I2yCの大きさが略等しくなり、歪波の抑制効果をよりいっそう高めることができる。
Further, when focusing on one
同様にして、第2ギャップ67Bと第4ギャップ67Dの幅同士、第2ギャップ67Bと第4ギャップ67Dの長さ同士についても互いに等しくなるようにしている。 Similarly, the widths of the second gap 67B and the fourth gap 67D and the lengths of the second gap 67B and the fourth gap 67D are made equal to each other.
ここで歪波を抑制する観点から、ギャップ幅wgおよびギャップ長lgについてより詳細に述べる。上述のようにギャップ67における歪電流I2yの大きさはギャップの幅wgに比例し、ギャップの長さlgの2乗に反比例するから、例えば、第1ギャップ67Aと第3ギャップ67Cにおいて、第1ギャップ67Aのギャップ幅をwg1、第1ギャップ67Aのギャップ長をlg1、第3ギャップ67Cのギャップ幅をwg3、第3ギャップ67Cのギャップ長をlg3とすると、
(wg1/lg1 2)=(wg3/lg3 2) (1)
が満たされていれば、第1ギャップ67Aにおいて発生する歪電流I2yAの大きさと第3ギャップ67Cにおいて発生するI2yCの大きさを略等しくすることができる。
Here in view of suppressing the distortion wave, described in more detail gap width w g and gap length l g. Magnitude of the distortion current I 2y in the
(W g1 / l g1 2 ) = (w g3 / l g3 2 ) (1)
Is satisfied, the magnitude of the distortion current I 2y A generated in the first gap 67A can be made substantially equal to the magnitude of I 2y C generated in the third gap 67C.
SAW素子51では、第1ギャップ67Aと第3ギャップ67Cのギャップ幅およびギャップ長がそれぞれ等しい。すなわち、wg1=wg3且つlg1=lg3であり、(1)式が満たされ、歪電流I2yAの大きさとI2yCの大きさを略等しい。 In the SAW element 51, the first gap 67A and the third gap 67C have the same gap width and gap length. That is, w g1 = w g3 and l g1 = l g3 , the expression (1) is satisfied, and the magnitude of the distortion current I 2y A is substantially equal to the magnitude of I 2y C.
その他にも、例えば、第1ギャップ67Aの幅を第3ギャップの幅の1/2(wg1=wg3/2)とし、第1ギャップ67Aの長さを第3ギャップの長さの1/4(lg1=lg3/4)とすることによって(1)式を満たすことができる。この場合は、第1ギャップ67Aのギャップ長lg1を狭めることができるから、歪波を抑制しつつ励振電極55を小型化することができる。
In addition, for example, the width of the first gap 67A is set to 1/2 of the width of the third gap (w g1 = w g3 / 2), and the length of the first gap 67A is set to 1 / of the length of the third gap. By setting 4 (l g1 = l g3 / 4), the expression (1) can be satisfied. In this case, since it is possible to narrow the gap length l g1 of the first gap 67A, it is possible to reduce the size of the
ただし、第1ギャップ67Aにおいて発生する歪電流I2yAの大きさと第3ギャップ67Cにおいて発生するI2yCの大きさが異なっていたとしても、第1ギャップ67Aに対して第3ギャップ67Cが存在すれば歪電流を打ち消す効果があるため、(1)式は必ずしも満たされている必要はない。 However, even if the magnitude of the distortion current I 2y A generated in the first gap 67A and the magnitude of I 2y C generated in the third gap 67C are different, the third gap 67C exists with respect to the first gap 67A. Since this has the effect of canceling the distortion current, the expression (1) does not necessarily have to be satisfied.
なお、第2ギャップ67Bと第4ギャップ67Dにおいても(1)式と同様の関係式が満たされることによって、両ギャップで発生する歪電流の大きさを略等しくすることができる。 In the second gap 67B and the fourth gap 67D, the relational expression similar to the expression (1) is satisfied, so that the magnitudes of strain currents generated in both gaps can be made substantially equal.
以上、図2における第1直列共振子15A−1を構成するSAW素子51について説明したが、第1直列共振子15A−1以外の第2、第3直列共振子15A−2、15A−3、第1、第2並列共振子15B−1、15B−2および補助共振子15Cの構成は、図5に示したように直線状の電極指63からなる励振電極となっている。なお、これらの共振子15においても、第1直列共振子15A−1と同様に電極指63を折り曲げた構造としてもよい。また、多重モード型SAWフィルタ17においても、同様の折り曲げ構造からなる電極指63としてもよい。
As described above, the SAW element 51 constituting the
相互変調歪は送信端子3から入力される送信波と、アンテナ端子7から入力される妨害波が、同時にSAW共振子に印加されることによって発生するため、送信波および妨害波の双方の強度が大きい第1直列共振子15A−1が最も強い歪波を発生させることが多い。このため、第1直列共振子15A−1の励振電極55を図3に示す構造とすることが、分波器全体の相互変調歪を抑制することに最も効果がある。ただし、その他の共振子、特にアンテナ端子7に近い第1並列共振子15B−1、補助共振子15Cもある程度の歪波の発生源になるため、これらの共振子における励振電極も同様の構造とすることで、更なる歪波の抑制を図ることができる。
Since the intermodulation distortion is generated when the transmission wave input from the
多重モード型SAWフィルタ17は、図2において模式的に示すように、例えば、縦結合型のものであり、SAWの伝搬方向において配列された複数(本実施形態では3つ)の励振電極55と、その両側に配置された反射器57とを有している。また、多重モード型SAWフィルタ17は、例えば、入力された不平衡信号を平衡信号に変換して出力する不平衡入力−平衡出力型のものである。
As schematically shown in FIG. 2, the
複数の共振子15および多重モード型SAWフィルタ17は、例えば、1つの圧電基板53の上面53aに共に設けられている。
The plurality of resonators 15 and the
実際にSAW素子を作製して、歪波を低減させる効果について確認した。具体的には、励振電極が図3に示す構造からなる実施例のSAW素子WEと、励振電極が図5に示すような従来と同様の構造からなる比較例のSAW素子Cについて、歪波の一種である2次高調波(H2)をスペクトラムアナライザーによって測定した。 A SAW element was actually fabricated and the effect of reducing distortion waves was confirmed. More specifically, the SAW element W E embodiment the excitation electrode is made of the structure shown in FIG. 3, the SAW element C of the comparative example excitation electrode is made of the same as conventional structure as shown in FIG. 5, strain wave The second harmonic (H2) which is a kind of the above was measured with a spectrum analyzer.
実施例のSAW素子WEと比較例のSAW素子Cは、励振電極55の構造のみが異なり、それ以外はすべて同じ条件で作製した。作製したSAW素子WEとSAW素子Cとで共通する条件の主なものは次の通りである。
・圧電基板53の材料:LiTaO3
・励振電極55の材料:Al−Cu合金
・電極指63の幅:1.15μm
・ダミー電極指65の幅:1.15μm
・デューティ:0.5
また、SAW素子WEの電極指63の本数は80(第1電極指:40本、第2電極指:40本)とし、SAW素子Cの電極指63の本数は160(第1電極指:80本、第2電極指:80本)とした。このようにSAW素子WEの電極指63の本数をSAW素子Cの電極指63の本数の1/2としたのは、SAW素子WEは1本の電極指が前半部と後半部とを有していることから、1本の電極指でSAW素子Cの電極指2本分の役割を果たすためである。よって、電極指の交差領域だけをみれば、SAW素子WEの電極指の本数とSAW素子Cの電極指の本数は同じとみなすことができる。
SAW element C of the comparative example and the SAW element W E examples differ only structure of the
-Material of the piezoelectric substrate 53: LiTaO 3
・ Width of dummy electrode finger 65: 1.15 μm
・ Duty: 0.5
Furthermore, SAW device W E is the number of
また、SAW素子WEにおいて、第1ギャップ67A、第2ギャップ67B、第3ギャップ67Cおよび第4ギャップ67Dのギャップ長lgをいずれも0.75μmとした。一方、SAW素子Cにおける電極指とダミー電極指の先端同士の間隔であるギャップ長は0.75μmとした。 Further, in the SAW element W E, the first gap 67A, second gap 67B, and both the gap length l g of the third gap 67C and the fourth gap 67D and 0.75 .mu.m. On the other hand, the gap length, which is the distance between the tips of the electrode fingers and the dummy electrode fingers in the SAW element C, was 0.75 μm.
図6に2次高調波の測定結果を示す。図6において実線が実施例のSAW素子WEの測定結果であり、破線が比較例のSAW素子Cの測定結果である。この測定結果から明らかなようにSAW素子WEは、SAW素子Cよりも2次高調波が低減されている。すなわち、実施例のSAW素子WEによって歪波を低減できることを確認できた。 FIG. 6 shows the measurement result of the second harmonic. A measurement result of the SAW element W E solid lines Example 6, the measurement results of the SAW element C of broken lines comparative example. The measurement results SAW device as apparent from W E is the second harmonic is lower than the SAW device C. That is, it was confirmed that can reduce the distortion wave by the SAW element W E of Example.
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
例えば上述した実施形態におけるSAW素子51は、ダミー電極指65を有するものであったが、図6に示すようにダミー電極指65がないものであってもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various aspects.
For example, the SAW element 51 in the above-described embodiment has the dummy electrode fingers 65, but may have no dummy electrode fingers 65 as shown in FIG.
また励振電極55の形状は、図示したものに限定されず、例えば、いわゆるアポダイズが施されたものであってもよい。また、励振電極55は、バスバー電極61が傾斜もしくは屈曲するものであってもよいし、バスバー電極61の弾性波の伝搬方向に直交する方向(y方向)の大きさが変化するものであってもよい。また、励振電極55は、電極指63のピッチが一定でなく、狭くなる部分が設けられてもよい。また、電極指63あるいはダ
ミー電極指65は、その先端の角部が面取りされていてもよいし、先端の幅(x方向)が大きくされていてもよい。
Further, the shape of the
また第1折り返し部22および第2折り返し部26は直線状以外の形状でもよく、例えば、円弧状として電極指63の全体形状がJ字状になるようにしてもよい。
Further, the first folded portion 22 and the second folded portion 26 may have a shape other than a linear shape. For example, the entire shape of the
21…第1前半部
22…第1折り返し部
23…第1後半部
25…第2前半部
26…第2折り返し部
27…第2後半部
51…SAW素子
53…圧電基板
53a…上面
55…励振電極
61A…第1バスバー電極
61B…第2バスバー電極
63A…第1電極指
63B…第2電極指
65A…第1ダミー電極指
65B…第2ダミー電極指
67A…第1ギャップ
67B…第2ギャップ
67C…第3ギャップ
67D…第4ギャップ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 ... 1st front half part 22 ... 1st folding | turning part 23 ... 1st second half part 25 ... 2nd front half part 26 ... 2nd folding | turning part 27 ... 2nd latter half part 51 ... SAW element 53 ... Piezoelectric substrate 53a ...
Claims (6)
前記励振電極は、
前記圧電基板を伝搬する弾性波の伝搬方向に延びた第1バスバー電極と、
前記第1バスバー電極に対向して配置されて前記伝搬方向に延びた第2バスバー電極と、
一端が前記第1バスバー電極に接続されて該第1バスバー電極から前記第2バスバー電極に向かって前記伝搬方向に直交する方向に延びているとともに他端が前記第2バスバー電極から離れて位置している第1前半部と、該第1前半部の横に間隔を空けて配置されて前記伝搬方向に直交する方向に延びているとともに両端が前記第1および第2バスバー電極から離れて位置している第1後半部と、前記第1前半部および前記第1後半部の前記第2バスバー電極側の端部同士を接続している第1折り返し部とを有する複数の第1電極指と、
一端が前記第2バスバー電極に接続されて該第2バスバー電極から前記第1バスバー電極に向かって前記伝搬方向に直交する方向に延びているとともに前記第1後半部の横に間隔を空けて配置されて他端が前記第1バスバー電極から離れて位置している第2前半部と、前記第1前半部と前記第1後半部との間に配置されて前記伝搬方向に直交する方向に延びているとともに両端が前記第1バスバー電極および前記第1折り返し部から離れて位置している第2後半部と、前記第2前半部および前記第2後半部の第1バスバー電極側の端部同士を接続している第2折り返し部とを有する複数の第2電極指と
を有している弾性波素子。 An acoustic wave device having a piezoelectric substrate and at least one excitation electrode disposed on the upper surface of the piezoelectric substrate,
The excitation electrode is
A first bus bar electrode extending in the propagation direction of the elastic wave propagating through the piezoelectric substrate;
A second bus bar electrode disposed facing the first bus bar electrode and extending in the propagation direction;
One end is connected to the first bus bar electrode and extends from the first bus bar electrode toward the second bus bar electrode in a direction perpendicular to the propagation direction, and the other end is located away from the second bus bar electrode. A first front half portion that is spaced apart from the first front half portion and extends in a direction perpendicular to the propagation direction, and both ends are located apart from the first and second bus bar electrodes. A plurality of first electrode fingers having a first second half part, and a first folded part connecting ends of the first second half part and the first second half part on the second busbar electrode side;
One end is connected to the second bus bar electrode, extends from the second bus bar electrode toward the first bus bar electrode in a direction orthogonal to the propagation direction, and is spaced apart from the first second half portion. The other end of the second half is located away from the first bus bar electrode, and the second half is disposed between the first front half and the first second half and extends in a direction perpendicular to the propagation direction. And both ends of the second rear half part located away from the first bus bar electrode and the first folded part, and the end parts of the second front half part and the second rear half part on the first bus bar electrode side A plurality of second electrode fingers each having a second folded portion connecting the elastic wave elements.
前記第2バスバー電極から前記第1折り返し部に向かって延びて該第1折り返し部に対して第2ギャップを有する位置に先端が位置している第2ダミー電極指とをさらに有する請求項1に記載の弾性波素子。 A first dummy electrode finger extending from the first bus bar electrode toward the second folded portion and having a tip located at a position having a first gap with respect to the second folded portion;
2. The second dummy electrode finger further extending from the second bus bar electrode toward the first folded portion and having a tip located at a position having a second gap with respect to the first folded portion. The elastic wave element as described.
前記第1ギャップの前記伝搬方向に直交する方向の長さは、前記第3ギャップの前記伝搬方向に直交する方向の長さに等しくなっており、
前記第2ギャップの前記伝搬方向の幅は、前記第2後半部の先端と前記第1折り返し部とのギャップである第4ギャップの前記伝搬方向の幅に等しく、
前記第2ギャップの前記伝搬方向に直交する方向の長さは、前記第4ギャップの前記伝搬方向に直交する方向の長さに等しくなっている請求項2に記載の弾性波素子。 The width of the first gap in the propagation direction is equal to the width of the third gap, which is a gap between the tip of the first second half and the second folded portion, in the propagation direction,
The length of the first gap in the direction perpendicular to the propagation direction is equal to the length of the third gap in the direction perpendicular to the propagation direction,
The width of the second gap in the propagation direction is equal to the width of the fourth gap, which is a gap between the tip of the second second half and the first folded portion, in the propagation direction,
3. The acoustic wave device according to claim 2, wherein a length of the second gap in a direction orthogonal to the propagation direction is equal to a length of the fourth gap in a direction orthogonal to the propagation direction.
前記第1ギャップの前記伝搬方向に直交する方向の長さは、前記第3ギャップの前記伝搬方向に直交する方向の長さよりも小さくなっており、
前記第2ギャップの前記伝搬方向の幅は、前記第2後半部の先端と前記第1折り返し部とのギャップである第4ギャップの前記伝搬方向の幅よりも小さく、
前記第2ギャップの前記伝搬方向に直交する方向の長さは、前記第4ギャップの前記伝搬方向に直交する方向の長さよりも小さくなっている請求項2に記載の弾性波素子。 The width of the first gap in the propagation direction is smaller than the width of the third gap, which is the gap between the tip of the first second half and the second folded portion, in the propagation direction,
The length of the first gap in the direction perpendicular to the propagation direction is smaller than the length of the third gap in the direction perpendicular to the propagation direction,
The width of the second gap in the propagation direction is smaller than the width of the fourth gap, which is a gap between the tip of the second second half and the first folded portion,
3. The acoustic wave device according to claim 2, wherein a length of the second gap in a direction orthogonal to the propagation direction is smaller than a length of the fourth gap in a direction orthogonal to the propagation direction.
分波器であって、
前記送信フィルタは、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の弾性波素子を有する分波器。 A duplexer comprising an antenna terminal, a transmission filter that filters a transmission signal and outputs the filtered signal to the antenna terminal, and a reception filter that filters a reception signal from the antenna terminal,
The duplexer having the acoustic wave element according to any one of claims 1 to 4, wherein the transmission filter.
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