JP2014112789A - High frequency power amplifier - Google Patents
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 16
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 16
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
この発明は、整合回路を改良した高周波電力増幅器に関する。 The present invention relates to a high frequency power amplifier having an improved matching circuit.
一般的に、高周波電力増幅器は、最大の出力を得るために、整合回路を用いてトランジスタのインピーダンスを、入力および出力共に50Ωに整合させる必要がある。
したがって、整合回路のパターンは、トランジスタの最適な入力および出力インピーダンスに対して、整合が取れるように回路設計を行う。
しかし、実際には、トランジスタ自体の特性のばらつきや組立のばらつき等により、整合が設計から外れてしまう場合がある。
このため、整合が設計からずれたインピーダンスを最適点に移動させ、整合が取れるように調整が行われる。
Generally, in order to obtain the maximum output, the high-frequency power amplifier needs to match the impedance of the transistor to 50Ω for both input and output using a matching circuit.
Therefore, the circuit design is performed so that the matching circuit pattern can be matched to the optimum input and output impedance of the transistor.
However, in practice, the matching may be out of design due to variations in characteristics of the transistors themselves or variations in assembly.
For this reason, adjustment is performed so that the impedance whose matching is deviated from the design is moved to the optimum point and matching is achieved.
図8は従来例1による高周波電力増幅器を示す構成図である。
図8において、1a,1b,1dは線路、1cは結合部、102はインピーダンス調整用スタブからなる整合回路、103はスタブ、104はワイヤである。
従来例1では、複数のスタブ103がワイヤ104により直列に接続され、そのうちの一つのスタブ103と結合部1cの線路1dとがワイヤ104により接続される。
これら直列に接続される複数のスタブ103の数を調整することで、接続される複数のスタブ103による等価容量により、インピーダンスの調整を行う。
FIG. 8 is a block diagram showing a high frequency power amplifier according to Conventional Example 1. In FIG.
In FIG. 8, 1a, 1b, and 1d are lines, 1c is a coupling portion, 102 is a matching circuit including an impedance adjusting stub, 103 is a stub, and 104 is a wire.
In Conventional Example 1, a plurality of
By adjusting the number of the plurality of
図9は従来例2による高周波電力増幅器を示す構成図である。
図9において、1は線路、112はインピーダンス調整用スタブからなる整合回路、113は開放性スタブ、114は調整用ランド(スタブ)、115はワイヤである。
従来例2では、線路1の近傍に、開放性スタブ113が配置され、開放性スタブ113の周りには、サイズの小さな調整用ランド114が配置され、任意の調整用ランド114がワイヤ115により開放性スタブ113に接続され、開放性スタブ113と線路1とがワイヤ115により接続される。
これら開放性スタブ113に接続される調整用ランド114の数を調整することで、インピーダンスの微調整を行う。
なお、従来例2は、下記特許文献1に提案されている。
FIG. 9 is a block diagram showing a high-frequency power amplifier according to Conventional Example 2.
In FIG. 9, 1 is a line, 112 is a matching circuit composed of an impedance adjustment stub, 113 is an open stub, 114 is an adjustment land (stub), and 115 is a wire.
In Conventional Example 2, an
By adjusting the number of
Conventional example 2 is proposed in Patent Document 1 below.
従来例1および従来例2の高周波電力増幅器は以上のように構成されているので、インピーダンス調整を行うためにスタブを接続すると、接続されたスタブの長さは、ある周波数に対してλ/4の電気長になる。
つまり、ある周波数に対してスタブが接続された位置は、ショート点として見えてしまうため、ある周波数信号は出力側にほとんど伝達されない。
すなわち、共振点となって利得が大幅に劣化する周波数が存在するようになる。
利得が劣化する共振点が、使用する帯域付近にあると特性上大きな課題となる。
Since the high frequency power amplifiers of the conventional example 1 and the conventional example 2 are configured as described above, when a stub is connected to adjust the impedance, the length of the connected stub becomes λ / 4 with respect to a certain frequency. It becomes the electric length of.
That is, since the position where the stub is connected to a certain frequency appears as a short point, a certain frequency signal is hardly transmitted to the output side.
That is, there is a frequency at which the gain is greatly degraded as a resonance point.
If the resonance point where the gain is deteriorated is in the vicinity of the band to be used, it becomes a big problem in characteristics.
このように、共振周波数は、接続されたスタブの長さによって決まる。
例えば、図8で示した従来例1の構成において、直列にスタブ103を接続してインピーダンス調整を行うと、このスタブ103の長さに応じた共振点が生じる。
この共振点が使用帯域付近に生じた場合、スタブ103の長さを変えることで共振点位置をずらす必要があるが、このスタブ103の長さに応じて形成される等価容量によってインピーダンス調整を行っているため、スタブ103の長さを変えられず、共振周波数もずらすことができない課題が生じる。
Thus, the resonance frequency is determined by the length of the connected stub.
For example, in the configuration of Conventional Example 1 shown in FIG. 8, when impedance adjustment is performed by connecting the
When this resonance point occurs in the vicinity of the use band, it is necessary to shift the resonance point position by changing the length of the
また、図9で示した従来例2の構成では、開放性スタブ113に接続される調整用ランド114の数を調整することで、インピーダンスを微調整できるようになっているが、スタブの長さは、単一の大きなサイズの開放性スタブ113でほぼ決まってしまい、サイズの小さな調整用ランド114ではスタブの長さを大きく変えることができず、よって、共振周波数も大きくずらすことができない課題が生じる。
In the configuration of Conventional Example 2 shown in FIG. 9, the impedance can be finely adjusted by adjusting the number of
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、スタブによって形成される等価容量を確保しつつ、スタブの長さを大きく変えて共振周波数を大きくずらす高周波電力増幅器を得ることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a high-frequency power amplifier that greatly changes the resonance frequency by largely changing the length of the stub while ensuring the equivalent capacitance formed by the stub. With the goal.
この発明の高周波電力増幅器は、インピーダンス調整用スタブにおいて、複数のスタブが配置され、複数のスタブのうちの一部または全部のスタブが第一のワイヤにより接続され、それら第一のワイヤにより接続された複数のスタブのうちの少なくとも一つのスタブと線路とが第二のワイヤにより接続されると共に、それら第一のワイヤにより接続された複数のスタブのうちの一部または全部が閉ループ接続されるものである。 In the high frequency power amplifier according to the present invention, a plurality of stubs are arranged in the impedance adjustment stub, and a part or all of the plurality of stubs are connected by the first wire, and are connected by the first wire. In addition, at least one stub of the plurality of stubs and the line are connected by the second wire, and part or all of the plurality of stubs connected by the first wire are closed-loop connected It is.
この発明によれば、インピーダンス調整用スタブは、第一のワイヤにより接続された複数のスタブのうちの一部または全部が閉ループ接続されるようにした。
閉ループ接続される複数のスタブは、等価容量が直列に接続したときと同等となり、同時にスタブの長さが直列に接続したときと比べて電気長が短くなるので、共振周波数が大きくなる。
よって、スタブによって形成される等価容量を確保しつつ、スタブの長さを大きく変えて共振周波数を大きくずらすことができる効果がある。
According to the present invention, the impedance adjusting stub is configured such that a part or all of the plurality of stubs connected by the first wire are closed-loop connected.
A plurality of stubs connected in a closed loop have the same equivalent capacitance as when connected in series, and at the same time, the length of the stub is shorter than when connected in series, so that the resonance frequency is increased.
Therefore, there is an effect that the resonance frequency can be greatly shifted by largely changing the length of the stub while securing the equivalent capacitance formed by the stub.
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による高周波電力増幅器(ワイヤ接続されていない状態)を示す構成図である。
図1において、1a,1b,1dは線路、1cは結合部、2はインピーダンス調整用スタブからなる整合回路、3は調整用大スタブ、4は調整用小スタブである。
結合部1cの線路1dの近傍には、サイズの大きな複数の調整用大スタブ3が配置され、複数の調整用大スタブ3の周りにはサイズの小さい複数の調整用小スタブ4が配置される。
図1は未だワイヤが接続されていない状態を示したものである。
Embodiment 1 FIG.
1 is a block diagram showing a high-frequency power amplifier (not connected by wire) according to Embodiment 1 of the present invention.
In FIG. 1, 1a, 1b, and 1d are lines, 1c is a coupling portion, 2 is a matching circuit including an impedance adjustment stub, 3 is an adjustment large stub, and 4 is an adjustment small stub.
A plurality of large adjustment
FIG. 1 shows a state where wires are not yet connected.
図2はこの発明の実施の形態1による高周波電力増幅器(ワイヤ接続されてた状態)を示す構成図である。
線路1dのインピーダンスを調整する際には、一つの調整用大スタブ3と線路1dをワイヤ5により接続し、複数の調整用大スタブ3を閉ループになるようにワイヤ5で互いに接続する。
なお、閉ループになるように接続する調整用大スタブ3の数は、期待する等価容量に応じて任意であって良い。
さらに、調整用大スタブ3と任意数の調整用小スタブ4をワイヤ5により接続する。
この調整用小スタブ4の接続により、等価容量の微調整を行う。
なお、この調整用大スタブ3は、ワイヤ5を互いに複数打つことができ、ワイヤ5により閉ループを形成可能な大きさとする。
このように構成することで、スタブを長さ方向だけでなく、幅方向にも大きさを調整できる。
FIG. 2 is a block diagram showing a high-frequency power amplifier (wired state) according to Embodiment 1 of the present invention.
When adjusting the impedance of the
Note that the number of
Further, the adjustment
By connecting the adjustment
The adjustment
By configuring in this way, the size of the stub can be adjusted not only in the length direction but also in the width direction.
次に動作について説明する。
スタブを用いてインピーダンス調整を行う際には、そのスタブの電気長に応じた共振点が発生する。
このとき、調整用大スタブ3を使って、複数の調整用大スタブ3をワイヤ5により並列に接続することで、複数の調整用大スタブ3によって形成される等価容量は、直列に接続するときと同等となり、同時に複数の調整用大スタブ3の長さが直列で接続するときに比べ電気長が短くなるので共振周波数は大きくなる。
以上のような原理で使用帯域付近に生じた共振点をずらすことが可能となる。
Next, the operation will be described.
When impedance adjustment is performed using a stub, a resonance point corresponding to the electrical length of the stub is generated.
At this time, when the plurality of
The resonance point generated in the vicinity of the use band can be shifted by the principle as described above.
図3はシミュレーションの対象となる高周波電力増幅器を示す構成図である。
図3において、6は入力側の線路1から入力される高周波を増幅して出力側の線路1に出力するトランジスタ(FET:Field Effect Transistor)、7はトランジスタ6と入力側の線路1および出力側の線路1と接続するワイヤ、8は入力端子、9は出力端子である。
なお、整合回路2は、トランジスタ6の入力側の線路1および出力側の線路1に設けられている。
FIG. 3 is a block diagram showing a high frequency power amplifier to be simulated.
In FIG. 3, 6 is a transistor (FET: Field Effect Transistor) that amplifies a high frequency input from the input line 1 and outputs it to the
The
図3で示すような内部整合型FETを考えた場合、スタブでトランジスタ6の最適インピーダンスに調整した場合、スタブを直列に接続したときと、並列に接続したときのシミュレーション結果を図4に示す。
図8で示した従来例1のようにスタブを直列に接続すると、5GHzの使用帯域近傍の6.5GHzに共振点が発生する。
しかし、実施の形態1のようにスタブを並列に接続して、スタブの長さを短くすることで共振点が高域側の8.6GHzに大きくずれていることが分かる。
このとき、共振点がずれた以外は、利得の特性が変わらないのが分かる。
実施の形態1の構成で示したように、スタブの接続方法を直列型から並列型に変えることで、トンランジス6の特性に影響を与えることなく、共振点位置を大きく変える調整が可能となる。
Considering the internal matching FET as shown in FIG. 3, FIG. 4 shows the simulation results when the stub is adjusted to the optimum impedance of the
When stubs are connected in series as in Conventional Example 1 shown in FIG. 8, a resonance point is generated at 6.5 GHz in the vicinity of the 5 GHz use band.
However, it can be seen that the resonance point is greatly shifted to 8.6 GHz on the high frequency side by connecting the stubs in parallel as in the first embodiment and shortening the length of the stubs.
At this time, it can be seen that the gain characteristic does not change except that the resonance point is shifted.
As shown in the configuration of the first embodiment, by changing the stub connection method from the serial type to the parallel type, it is possible to make an adjustment for greatly changing the resonance point position without affecting the characteristics of the
なお、実施の形態1において、複数の調整用大スタブ3および複数の調整用小スタブ4を配置したが、複数の調整用大スタブ3のみの配置、あるいは、複数の調整用小スタブ4のみの配置であっても良く、任意数のスタブをワイヤ5により閉ループに接続すれば、トンランジス6の特性に影響を与えることなく、共振点位置を大きく変える調整が可能となる。
また、調整用大スタブ3は、結合部1cの線路1dの近傍に接続されているが、線路1上の任意の位置に接続しても良い。
In the first embodiment, the plurality of
Further, the adjustment
以上のように、実施の形態1によれば、整合回路2において、ワイヤ5により接続された複数の調整用大スタブ3および複数の調整用小スタブ4のうちの一部または全部が閉ループ接続されるようにした。
閉ループ接続される複数のスタブは、等価容量が直列に接続したときと同等となり、同時にスタブの長さが直列に接続したときと比べて電気長が短くなるので、共振周波数が大きくなる。
よって、スタブによって形成される等価容量を確保しつつ、スタブの長さを大きく変えて共振周波数を大きくずらすことができる。
As described above, according to the first embodiment, in the
A plurality of stubs connected in a closed loop have the same equivalent capacitance as when connected in series, and at the same time, the length of the stub is shorter than when connected in series, so that the resonance frequency is increased.
Therefore, it is possible to greatly change the resonance frequency by largely changing the length of the stub while securing the equivalent capacitance formed by the stub.
また、結合部1cの線路1dの近傍には、サイズの大きな複数の調整用大スタブ3が配置され、複数の調整用大スタブ3の周りには、サイズの小さい複数の調整用小スタブ4が配置され、複数の調整用大スタブ3のうちの一部または全部が閉ループ接続されるようにした。
よって、ワイヤ5の数を大きく増やすこと無く、閉ループ接続することができることから、ワイヤ5に関する製造を容易にすることができる。
Also, a plurality of large adjustment
Therefore, since it is possible to make a closed loop connection without greatly increasing the number of
実施の形態2.
図5はこの発明の実施の形態2による高周波電力増幅器を示す構成図である。
図5において、12はインピーダンス調整用スタブからなる整合回路、13は調整用大スタブ、14は調整用小スタブである。
結合部1cの線路1dの近傍には、サイズの小さい複数の調整用小スタブ14が配置され、複数の調整用小スタブ14の周りにはサイズの大きい複数の調整用大スタブ13が配置される。
5 is a block diagram showing a high frequency power amplifier according to
In FIG. 5, 12 is a matching circuit made up of impedance adjustment stubs, 13 is an adjustment large stub, and 14 is an adjustment small stub.
A plurality of small adjustment
線路1dのインピーダンスを調整する際には、一つの調整用小スタブ14と線路1dをワイヤ5により接続し、その調整用小スタブ14と任意数の調整用小スタブ14をワイヤ5により接続する。
この調整用小スタブ14の接続により、等価容量の微調整を行う。
さらに、複数の調整用大スタブ13を閉ループになるようにワイヤ5で互いに接続し、その調整用大スタブ13と調整用小スタブ14をワイヤ5により接続する。
なお、閉ループになるように接続する調整用大スタブ13の数は、期待する等価容量に応じて任意であって良い。
また、この調整用大スタブ13は、ワイヤ5を互いに複数打つことができ、ワイヤ5により閉ループを形成可能な大きさとする。
このように構成することで、スタブを長さ方向だけでなく、幅方向にも大きさを調整できる。
When adjusting the impedance of the
The equivalent capacitance is finely adjusted by the connection of the adjustment
Further, the plurality of
Note that the number of
The adjustment
By configuring in this way, the size of the stub can be adjusted not only in the length direction but also in the width direction.
なお、実施の形態2において、複数の調整用大スタブ13および複数の調整用小スタブ14を配置したが、複数の調整用大スタブ13のみの配置、あるいは、複数の調整用小スタブ14のみの配置であっても良く、任意数のスタブをワイヤ5により閉ループに接続すれば、トンランジス6の特性に影響を与えることなく、共振点位置を大きく変える調整が可能となる。
また、調整用大スタブ13は、結合部1cの線路1dの近傍に接続されているが、線路1上の任意の位置に接続しても良い。
In the second embodiment, the plurality of
Further, the adjustment
以上のように、実施の形態2によれば、整合回路12において、ワイヤ5により接続された複数の調整用大スタブ13および複数の調整用小スタブ14のうちの一部または全部が閉ループ接続されるようにした。
閉ループ接続される複数のスタブは、等価容量が直列に接続したときと同等となり、同時にスタブの長さが直列に接続したときと比べて電気長が短くなるので、共振周波数が大きくなる。
よって、スタブによって形成される等価容量を確保しつつ、スタブの長さを大きく変えて共振周波数を大きくずらすことができる。
As described above, according to the second embodiment, in the
A plurality of stubs connected in a closed loop have the same equivalent capacitance as when connected in series, and at the same time, the length of the stub is shorter than when connected in series, so that the resonance frequency is increased.
Therefore, it is possible to greatly change the resonance frequency by largely changing the length of the stub while securing the equivalent capacitance formed by the stub.
また、結合部1cの線路1dの近傍には、サイズの小さい複数の調整用小スタブ14が配置され、複数の調整用小スタブ14の周りには、サイズの大きな複数の調整用大スタブ13が配置され、複数の調整用大スタブ13のうちの一部または全部が閉ループ接続されるようにした。
よって、ワイヤ5の数を大きく増やすこと無く、閉ループ接続することができることから、ワイヤ5に関する製造を容易にすることができる。
Further, a plurality of small adjustment
Therefore, since it is possible to make a closed loop connection without greatly increasing the number of
実施の形態3.
図6はこの発明の実施の形態3による高周波電力増幅器を示す構成図である。
図6において、22はインピーダンス調整用スタブからなる整合回路、23,25は調整用大スタブ、24は調整用小スタブである。
結合部1cの線路1dの近傍には、サイズの大きい複数の調整用大スタブ23が配置され、複数の調整用大スタブ23の周りにはサイズの小さい複数の調整用小スタブ24が配置され、複数の調整用小スタブ24の周りにはサイズの大きい複数の調整用大スタブ25が配置される。
FIG. 6 is a block diagram showing a high frequency power amplifier according to
In FIG. 6, 22 is a matching circuit made up of impedance adjustment stubs, 23 and 25 are adjustment large stubs, and 24 is an adjustment small stub.
A plurality of large adjustment
線路1dのインピーダンスを調整する際には、一つの調整用大スタブ23と線路1dをワイヤ5により接続し、複数の調整用大スタブ23を閉ループになるようにワイヤ5で互いに接続する。
また、複数の調整用大スタブ25を閉ループになるようにワイヤ5で互いに接続する。
なお、閉ループになるように接続する調整用大スタブ23,25の数は、期待する等価容量に応じて任意であって良い。
さらに、調整用小スタブ24同士をワイヤ5により接続し、調整用大スタブ23と調整用小スタブ24、調整用小スタブ24と調整用大スタブ25をワイヤ5により接続する。
この調整用小スタブ24の接続により、等価容量の微調整を行う。
なお、この調整用大スタブ23,25は、ワイヤ5を互いに複数打つことができ、ワイヤ5により閉ループを形成可能な大きさとする。
このように構成することで、スタブを長さ方向だけでなく、幅方向にも大きさを調整できる。
When adjusting the impedance of the
Further, the plurality of
The number of
Further, the adjustment
By connecting the adjustment
The adjustment
By configuring in this way, the size of the stub can be adjusted not only in the length direction but also in the width direction.
なお、実施の形態3において、複数の調整用大スタブ23,25および複数の調整用小スタブ24を配置したが、複数の調整用大スタブ23のみの配置、あるいは、複数の調整用小スタブ24のみの配置であっても良く、任意数のスタブをワイヤ5により閉ループに接続すれば、トンランジス6の特性に影響を与えることなく、共振点位置を大きく変える調整が可能となる。
また、線路1dの近い側から調整用大スタブ23、調整用小スタブ24、調整用大スタブ25の順で、サイズの異なるスタブが配置されているが、配置される順番はどのような順番であっても良い。
さらに、調整用大スタブ23は、結合部1cの線路1dの近傍に接続されているが、線路1上の任意の位置に接続しても良い。
In the third embodiment, the plurality of
Further, stubs of different sizes are arranged in the order of the adjustment
Further, the adjustment
以上のように、実施の形態3によれば、整合回路22において、ワイヤ5により接続された複数の調整用大スタブ23,25および複数の調整用小スタブ24のうちの一部または全部が閉ループ接続されるようにした。
閉ループ接続される複数のスタブは、等価容量が直列に接続したときと同等となり、同時にスタブの長さが直列に接続したときと比べて電気長が短くなるので、共振周波数が大きくなる。
よって、スタブによって形成される等価容量を確保しつつ、スタブの長さを大きく変えて共振周波数を大きくずらすことができる。
As described above, according to the third embodiment, in the
A plurality of stubs connected in a closed loop have the same equivalent capacitance as when connected in series, and at the same time, the length of the stub is shorter than when connected in series, so that the resonance frequency is increased.
Therefore, it is possible to greatly change the resonance frequency by largely changing the length of the stub while securing the equivalent capacitance formed by the stub.
また、結合部1cの線路1dの近傍には、サイズの大きい複数の調整用大スタブ23が配置され、複数の調整用大スタブ23の周りには、サイズの小さい複数の調整用小スタブ24が配置され、複数の調整用小スタブ24の周りには、サイズの大きい複数の調整用大スタブ25が配置され、複数の調整用大スタブ23,25のうちの一部または全部が閉ループ接続されるようにした。
よって、ワイヤ5の数を大きく増やすこと無く、閉ループ接続することができることから、ワイヤ5に関する製造を容易にすることができる。
さらに、インピーダンス調整の自由度、およびスタブの長さと幅の調整の自由度を広げることができる。
Also, a plurality of large adjustment
Therefore, since it is possible to make a closed loop connection without greatly increasing the number of
Furthermore, the degree of freedom in adjusting the impedance and the degree of freedom in adjusting the length and width of the stub can be increased.
実施の形態4.
図7はこの発明の実施の形態4による高周波電力増幅器を示す構成図である。
図7において、32はインピーダンス調整用スタブからなる整合回路、33は調整用大スタブ、34は調整用小スタブ、35は調整用特大スタブである。
結合部1cの線路1dの近傍には、サイズの大きい複数の調整用大スタブ33が配置され、複数の調整用大スタブ33の周りにはサイズの小さい複数の調整用小スタブ34が配置され、複数の調整用小スタブ34の周りにはサイズが特大の複数の調整用特大スタブ35が配置される。
FIG. 7 is a block diagram showing a high frequency power amplifier according to
In FIG. 7, 32 is a matching circuit comprising impedance adjustment stubs, 33 is an adjustment large stub, 34 is an adjustment small stub, and 35 is an adjustment extra large stub.
A plurality of large adjustment
線路1dのインピーダンスを調整する際には、一つの調整用大スタブ33と線路1dをワイヤ5により接続し、複数の調整用大スタブ33を閉ループになるようにワイヤ5で互いに接続する。
また、調整用小スタブ34同士をワイヤ5により接続し、調整用大スタブ33と調整用小スタブ34、調整用小スタブ34と調整用特大スタブ35をワイヤ5により接続し、複数の調整用特大スタブ35を閉ループになるように接続する。
この調整用小スタブ34の接続により、等価容量の微調整を行う。
なお、閉ループになるように接続する調整用大スタブ33および調整用特大スタブ35の数は、期待する等価容量に応じて任意であって良い。
また、この調整用大スタブ33および調整用特大スタブ35は、ワイヤ5を互いに複数打つことができ、ワイヤ5により閉ループを形成可能な大きさとする。
このように構成することで、スタブを長さ方向だけでなく、幅方向にも大きさを調整できる。
When adjusting the impedance of the
Further, the adjustment
By connecting the adjustment
The number of
In addition, the adjustment
By configuring in this way, the size of the stub can be adjusted not only in the length direction but also in the width direction.
なお、実施の形態4において、複数の調整用大スタブ33、複数の調整用小スタブ34および複数の調整用特大スタブ35を配置したが、複数の調整用大スタブ33のみの配置、あるいは、複数の調整用小スタブ34のみの配置、あるいは、複数の調整用特大スタブ35のみの配置であっても良く、任意数のスタブをワイヤ5により閉ループに接続すれば、トンランジス6の特性に影響を与えることなく、共振点位置を大きく変える調整が可能となる。
また、線路1dの近い側から調整用大スタブ33、調整用小スタブ34、調整用特大スタブ35の順で、サイズの異なるスタブが配置されているが、配置される順番はどのような順番であっても良い。
さらに、調整用大スタブ33は、結合部1cの線路1dの近傍に接続されているが、線路1上の任意の位置に接続しても良い。
さらに、調整用大スタブ33、調整用小スタブ34、調整用特大スタブ35の3種類の大きさのスタブを配置したが、大きさはさらに複数あっても良い。
In the fourth embodiment, the plurality of
Further, stubs having different sizes are arranged in the order of the adjustment
Further, the adjustment
Furthermore, although three types of stubs of the
以上のように、実施の形態4によれば、整合回路32において、ワイヤ5により接続された複数の調整用大スタブ33、複数の調整用小スタブ34、および複数の調整用特大スタブ35のうちの一部または全部が閉ループ接続されるようにした。
閉ループ接続される複数のスタブは、等価容量が直列に接続したときと同等となり、同時にスタブの長さが直列に接続したときと比べて電気長が短くなるので、共振周波数が大きくなる。
よって、スタブによって形成される等価容量を確保しつつ、スタブの長さを大きく変えて共振周波数を大きくずらすことができる。
As described above, according to the fourth embodiment, in the
A plurality of stubs connected in a closed loop have the same equivalent capacitance as when connected in series, and at the same time, the length of the stub is shorter than when connected in series, so that the resonance frequency is increased.
Therefore, it is possible to greatly change the resonance frequency by largely changing the length of the stub while securing the equivalent capacitance formed by the stub.
また、結合部1cの線路1dの近傍には、サイズの大きい複数の調整用大スタブ33が配置され、複数の調整用大スタブ33の周りには、サイズの小さい複数の調整用小スタブ34が配置され、複数の調整用小スタブ34の周りには、サイズが特大の複数の調整用特大スタブ35が配置され、複数の調整用大スタブ33および複数の調整用特大スタブ35のうちの一部または全部が閉ループ接続されるようにした。
よって、ワイヤ5の数を大きく増やすこと無く、閉ループ接続することができることから、ワイヤ5に関する製造を容易にすることができる。
さらに、インピーダンス調整の自由度、およびスタブの長さと幅の調整の自由度を広げることができる。
A plurality of
Therefore, since it is possible to make a closed loop connection without greatly increasing the number of
Furthermore, the degree of freedom in adjusting the impedance and the degree of freedom in adjusting the length and width of the stub can be increased.
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。 In the present invention, within the scope of the invention, any combination of the embodiments, or any modification of any component in each embodiment, or omission of any component in each embodiment is possible. .
1a,1b,1d 線路、1c 結合部、2,12,22,32 整合回路、3,13,23,25,33 調整用大スタブ、4,14,24,34 調整用小スタブ、5,7 ワイヤ、6 トランジスタ、8 入力端子、9 出力端子、35 調整用特大スタブ。 1a, 1b, 1d line, 1c coupling portion, 2, 12, 22, 32 matching circuit, 3, 13, 23, 25, 33 adjustment large stub, 4, 14, 24, 34 adjustment small stub, 5, 7 Wire, 6 transistors, 8 input terminals, 9 output terminals, 35 Extra large stub for adjustment.
Claims (4)
インピーダンス調整用スタブを含む、入力側の線路および出力側の線路のうちの少なくともいずれか一方に設けられた整合回路とを備え、
上記インピーダンス調整用スタブは、
複数のスタブが配置され、
上記複数のスタブのうちの一部または全部のスタブが第一のワイヤにより接続され、
それら第一のワイヤにより接続された複数のスタブのうちの少なくとも一つのスタブと上記線路とが第二のワイヤにより接続されると共に、
それら第一のワイヤにより接続された複数のスタブのうちの一部または全部が閉ループ接続されることを特徴とする高周波電力増幅器。 A transistor that amplifies the high frequency input from the input line and outputs it to the output line;
Including a matching circuit provided on at least one of the input-side line and the output-side line, including an impedance adjustment stub,
The impedance adjustment stub is
Multiple stubs are placed,
A part or all of the plurality of stubs are connected by a first wire,
At least one stub of the plurality of stubs connected by the first wire and the line are connected by the second wire,
A high-frequency power amplifier, wherein a part or all of the plurality of stubs connected by the first wire are connected in a closed loop.
少なくとも2種類以上の異なるサイズを持つ複数のスタブが配置され、
サイズの大きい複数のスタブのうちの一部または全部が閉ループ接続されることを特徴とする請求項1記載の高周波電力増幅器。 The impedance adjustment stub is
A plurality of stubs having at least two different sizes are arranged,
2. The high frequency power amplifier according to claim 1, wherein a part or all of a plurality of stubs having a large size are connected in a closed loop.
上記線路の近傍にサイズの大きい複数のスタブが配置されることを特徴とする請求項2記載の高周波電力増幅器。 The impedance adjustment stub is
3. The high frequency power amplifier according to claim 2, wherein a plurality of large stubs are disposed in the vicinity of the line.
上記線路の近傍にサイズの小さい複数のスタブが配置されることを特徴とする請求項2記載の高周波電力増幅器。 The impedance adjustment stub is
3. The high frequency power amplifier according to claim 2, wherein a plurality of small stubs are arranged in the vicinity of the line.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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Country Status (1)
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