JP2014103015A - Organic electroluminescent device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence device.
以下、有機エレクトロルミネッセンスを「有機EL」と記す。
従来、素子基板と、前記素子基板上に設けられた有機EL素子と、前記有機EL素子上に設けられた封止板と、を有する有機EL装置が知られている。前記有機EL素子は、第1電極と、第2電極と、前記両電極の間に設けられた有機層と、を有する。
有機EL装置は、代表的には、照明装置、画像表示装置などに利用されている。
Hereinafter, organic electroluminescence is referred to as “organic EL”.
Conventionally, an organic EL device having an element substrate, an organic EL element provided on the element substrate, and a sealing plate provided on the organic EL element is known. The organic EL element includes a first electrode, a second electrode, and an organic layer provided between the two electrodes.
Organic EL devices are typically used in lighting devices, image display devices, and the like.
近年では、フレキシブルデバイスの開発が進められている。このような状況下、前記素子基板としてフレキシブルな合成樹脂板が用いられた有機EL装置が知られている。しかしながら、合成樹脂板は水分や酸素などに対するバリア性が低く、合成樹脂板を用いた有機EL素子は、耐久性が低いという問題点がある。
かかる問題点に鑑みて、特許文献1には、発光素子の素子基板として金属箔を用いることが開示され、特許文献2には、発光素子用の素子基板としてガラス板を用いることが開示されている。
In recent years, development of flexible devices has been promoted. Under such circumstances, an organic EL device using a flexible synthetic resin plate as the element substrate is known. However, the synthetic resin plate has a low barrier property against moisture, oxygen and the like, and the organic EL element using the synthetic resin plate has a problem of low durability.
In view of such problems,
しかしながら、水蒸気などに対するバリア性に優れた金属箔又はガラス板を素子基板として用いても、封止板としてバリア性の低い合成樹脂板を用いた場合には、耐久性に優れた有機EL素子を構成できない。
また、封止板としてバリア性の高い材料を用いた場合でも、有機EL装置を使用し続けることによって生じる熱によって又は有機EL素子を高温高湿環境下で保管することによって素子基板や封止板が変形し、その結果、有機EL装置が歪むことがある。前記歪みによって、素子基板又は封止板が剥離し、有機EL素子に水分などが侵入するので、有機EL装置の耐久性が低下する。また、前記歪みによって、有機EL素子の駆動寿命が低下する。
However, even when a metal foil or glass plate having excellent barrier properties against water vapor or the like is used as an element substrate, when a synthetic resin plate having low barrier properties is used as a sealing plate, an organic EL element having excellent durability is obtained. Cannot be configured.
Further, even when a material having a high barrier property is used as the sealing plate, the element substrate or the sealing plate can be obtained by heat generated by continuing to use the organic EL device or by storing the organic EL element in a high temperature and high humidity environment. May deform, and as a result, the organic EL device may be distorted. Due to the distortion, the element substrate or the sealing plate is peeled off, and moisture and the like enter the organic EL element, so that the durability of the organic EL device is lowered. Further, the driving life of the organic EL element is reduced due to the distortion.
本発明の目的は、耐久性に優れた有機EL装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide an organic EL device having excellent durability.
本発明の有機EL装置は、素子基板と、前記素子基板の上に設けられた有機EL素子と、前記有機EL素子の上に設けられた封止板と、を有し、前記素子基板又は封止板のいずれか一方が、金属箔を含み、前記素子基板又は封止板の他方が、ガラス板を含み、前記素子基板の線膨張係数と封止板の線膨張係数の差の絶対値が、12ppm/℃以下である。 The organic EL device of the present invention includes an element substrate, an organic EL element provided on the element substrate, and a sealing plate provided on the organic EL element. Either one of the stop plates includes a metal foil, the other of the element substrate or the sealing plate includes a glass plate, and the absolute value of the difference between the linear expansion coefficient of the element substrate and the linear expansion coefficient of the sealing plate is , 12 ppm / ° C. or less.
本発明の好ましい有機EL装置は、前記ガラス板の少なくとも一方面に、合成樹脂層が設けられている。
本発明の好ましい有機EL装置は、前記素子基板及び封止板が、可撓性を有する。
本発明の好ましい有機EL装置は、前記封止板が、接着層を介して前記有機EL素子の上に接着されている。
In a preferred organic EL device of the present invention, a synthetic resin layer is provided on at least one surface of the glass plate.
In a preferred organic EL device of the present invention, the element substrate and the sealing plate have flexibility.
In a preferred organic EL device of the present invention, the sealing plate is bonded onto the organic EL element via an adhesive layer.
本発明の有機EL装置は、長期間使用しても、熱による歪みが生じ難い。
本発明によれば、局所的に劣化し難く、耐久性に優れた有機EL装置を提供できる。
Even if the organic EL device of the present invention is used for a long time, distortion due to heat hardly occurs.
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the organic electroluminescent apparatus which is hard to deteriorate locally and was excellent in durability can be provided.
以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。ただし、各図における層厚及び長さなどの寸法は、実際のものとは異なっていることに留意されたい。
また、本明細書において、用語の頭に、「第1」、「第2」を付す場合があるが、この第1などは、用語を区別するためだけに付加されたものであり、その順序や優劣などの特別な意味を持たない。「平面形状」は、素子基板の表面に対して鉛直方向から見た形状を指す。「PPP〜QQQ]という表記は、「PPP以上QQQ以下」を意味する。
The present invention will be described below with reference to the drawings. However, it should be noted that dimensions such as layer thickness and length in each figure are different from actual ones.
Further, in the present specification, there are cases where “first” and “second” are added to the beginning of the term, but this first etc. is added only for distinguishing the terms, and the order thereof. And has no special meaning such as superiority or inferiority. The “planar shape” refers to a shape viewed from the vertical direction with respect to the surface of the element substrate. The notation “PPP to QQQ” means “PPP or more and QQQ or less”.
[有機EL装置の構成]
図1及び図2は、本発明の1つの実施形態に係る有機EL装置を示す。図3は、本発明の他の実施形態に係る有機EL装置を示す。なお、前記他の実施形態に係る有機EL装置の平面図は、省略している。前記他の実施形態に係る有機EL装置を構成する各部と、前記1つの実施形態に係る有機EL装置を構成する各部とが、同様な内容である場合、他の実施形態に係る有機EL装置の各部の説明を省略し、図3において前記1つの実施形態の各部の符号をそのまま援用する。
ただし、本発明の有機EL装置は、図1乃至図3に示す構成に限定されるわけではない。
[Configuration of organic EL device]
1 and 2 show an organic EL device according to one embodiment of the present invention. FIG. 3 shows an organic EL device according to another embodiment of the present invention. The plan view of the organic EL device according to the other embodiment is omitted. When each part which comprises the organic EL device which concerns on the said other embodiment, and each part which comprises the organic EL apparatus which concerns on the said one embodiment are the same contents, of the organic EL apparatus which concerns on other embodiment Description of each part is abbreviate | omitted and the code | symbol of each part of the said one embodiment is used as it is in FIG.
However, the organic EL device of the present invention is not limited to the configuration shown in FIGS.
図1及び図2において、本発明の有機EL装置1は、素子基板2と、前記素子基板2上に設けられた有機EL素子3と、前記有機EL素子3を封止する封止板4と、を有する。
前記有機EL素子3は、第1電極31と、第2電極32と、前記両電極31,32の間に設けられた有機層33と、を有する。
前記封止板4は、第1電極31の端子311及び第2電極32の端子321を除いて、有機EL素子3の側端面を含んで有機EL素子3の表面を覆っている。なお、封止板4を有機EL素子3に固着するため、封止板4と素子基板2の間には、接着層5が設けられている。この接着層5を介して封止板4が素子基板2に接着されている。
1 and 2, an
The organic EL element 3 includes a
The
前記素子基板2が導電性を有する場合には、電気的な短絡を防止するため、素子基板2と第1電極31の間に電気絶縁層(図示せず)が設けられる。
なお、図3に示すように、必要に応じて、第2電極32と封止板4の間に、バリア層6が設けられていてもよい。
When the
As illustrated in FIG. 3, a barrier layer 6 may be provided between the
有機EL装置1の平面形状は、略長方形状とされている。第1電極31の端子311の平面形状は、帯状であり、前記略長方形状の一方の長辺に沿って延び、第2電極32の端子321の平面形状は、帯状であり、前記略長方形状の他方の長辺に沿って延びている。
もっとも、前記各端子311,321は長辺に沿って延設されている場合に限られず、短辺に沿って延設されていてもよい。また、前記各端子311,321は、帯状に限られず、弧状、スポット的な形状などであってもよい。
さらに、有機EL装置1の平面形状も略長方形状に限られず、例えば、正方形状、略円形状などに形成されていてもよい。
The planar shape of the
However, the
Furthermore, the planar shape of the
第1電極31の端子311の側縁311a及び第2電極32の端子321の側縁321aが、それぞれ素子基板2の側縁21a,22aよりも内側に位置するように、第1電極31及び第2電極32が設けられている。
なお、図3に示すように、第1電極31の端子311の側縁311a及び第2電極32の端子321の側縁321aが、それぞれ素子基板2の側縁21a,22aに一致するように、両電極31,32が設けられていてもよい。
The
As shown in FIG. 3, the
前記素子基板2又は封止板4のいずれか一方は、金属箔を含み、前記素子基板又は封止板の他方は、ガラス板を含む。つまり、前記素子基板2が金属箔を含む基板である場合には、前記封止板4はガラス板を含む基板であり、他方、前記素子基板2がガラス板を含む基板である場合には、前記封止板4は金属箔を含む基板である。素子基板2又は封止板4のいずれか一方として、金属箔を含む基板を用いることにより、有機EL素子3へ水蒸気などが侵入することを効果的に抑制できる上、前記素子3から発生する熱を円滑に外部へ放散できる。かかるバリア性と放熱性により、有機EL装置の駆動寿命を延ばすことができる。なお、前記いずれか他方としてガラス板を用いることにより、有機EL素子3からの光を外部に出射させることができる。
前記金属箔を含む基板及びガラス板を含む基板は、可撓性(フレキシブル性)を有することが好ましい。前記可撓性を有する基板は、例えば、ロール状に巻き取ることができる程度に柔軟なシート状物を意味する。
Either the
It is preferable that the board | substrate containing the said metal foil and the board | substrate containing a glass plate have flexibility (flexibility). The flexible substrate means, for example, a sheet-like material that is flexible enough to be wound up in a roll shape.
前記素子基板2の線膨張係数と封止板4の線膨張係数の差の絶対値は、12ppm/℃以下であることが必要である。なお、前記素子基板2の線膨張係数と封止板4の線膨張係数の差の下限は、零である。
本明細書において、線膨張係数は、JIS K 7197に準じたTMA法(熱機械分析法)によって測定される値をいう。
The absolute value of the difference between the linear expansion coefficient of the
In this specification, the linear expansion coefficient refers to a value measured by a TMA method (thermomechanical analysis method) according to JIS K7197.
有機EL装置1を使用し続けた際に生じる熱によって、又は、有機EL素子を高温高湿環境下で保管することによって、前記素子基板2及び封止板4が膨張するが、両者の線膨張係数の差の絶対値が12ppm/℃以下であることにより、素子基板2と封止板4の膨張差に起因する有機EL装置1の歪みが極めて小さくなる。
仮に、前記有機EL装置の歪みが大きい場合には、(1)素子基板又は封止板が有機EL素子から剥離する、(2)素子基板又は封止板にクラックが発生し、有機EL素子内に酸素や水分が侵入する、(3)有機EL素子が歪むことによって有機EL素子が局所的に劣化する、などの問題が生じる。このような場合、有機EL装置の耐久性が低下し、有機EL装置の製品寿命が低下する。
この点、本発明の有機EL装置1は、上述のように、素子基板2と封止板4の膨張差に起因する歪みが極めて小さいので、耐久性に優れ且つ製品寿命も長い。さらに、本発明の有機EL装置1においては、有機EL素子が局所的に劣化することに起因した、有機EL素子の駆動寿命の低下を防止できる。
The
If the strain of the organic EL device is large, (1) the element substrate or the sealing plate is peeled off from the organic EL element, (2) a crack occurs in the element substrate or the sealing plate, and the inside of the organic EL element Oxygen and moisture enter the surface, and (3) the organic EL element is locally degraded due to distortion of the organic EL element. In such a case, the durability of the organic EL device is reduced, and the product life of the organic EL device is reduced.
In this respect, the
本発明の有機EL装置1は、有機層33が発光材料で形成されているので、照明装置、画像表示装置などの発光パネルとして利用できる。
以下、発光する有機EL装置1を例に採って、その形成材料などを説明する。
Since the organic layer 33 is formed of a light emitting material, the
Hereinafter, taking the
(有機EL素子)
前記有機EL素子の第1電極は、例えば、陽極である。
前記第1電極(陽極)の形成材料は、特に限定されず、例えば、インジウム錫酸化物(ITO);酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO);アルミニウム;金;白金;ニッケル;タングステン;銅;合金;などが挙げられる。ボトムエミッション型の発光体を形成する場合には、透明な第1電極が用いられる。第1電極の厚みは、特に限定されず、通常、0.01μm〜1.0μmである。
本明細書において、透明の指標としては、例えば、全光線透過率70%以上、好ましくは80%以上が例示できる。ただし、全光線透過率は、JIS K 7105(プラスチックの光学的特性試験方法)に準じた測定法によって測定される値をいう。
(Organic EL device)
The first electrode of the organic EL element is, for example, an anode.
The material for forming the first electrode (anode) is not particularly limited. For example, indium tin oxide (ITO); indium tin oxide containing silicon oxide (ITSO); aluminum; gold; platinum; nickel; tungsten; Alloy; and the like. When forming a bottom emission type light emitter, a transparent first electrode is used. The thickness of the first electrode is not particularly limited, and is usually 0.01 μm to 1.0 μm.
In the present specification, examples of the transparent index include a total light transmittance of 70% or more, preferably 80% or more. However, the total light transmittance means a value measured by a measurement method according to JIS K 7105 (plastic optical property test method).
前記有機EL素子の有機層は、少なくとも2つの層からなる積層体である。有機層の構造としては、例えば、(A)正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層の、3つの層からなる構造、(B)正孔輸送層及び発光層の、2つの層からなる構造、(C)発光層及び電子輸送層、の2つの層からなる構造、などが挙げられる。
前記(B)の有機層は、発光層が電子輸送層を兼用している。前記(C)の有機層は、発光層が正孔輸送層を兼用している。
本発明に用いられる有機層は、前記(A)〜(C)の何れの構造であってもよい。
以下、前記(A)の構造を有する有機層について簡単に説明する。
The organic layer of the organic EL element is a laminate composed of at least two layers. As the structure of the organic layer, for example, (A) a structure composed of three layers, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, and (B) composed of two layers, a hole transport layer and a light emitting layer. Examples thereof include a structure, (C) a structure composed of two layers of a light emitting layer and an electron transport layer.
In the organic layer (B), the light emitting layer also serves as the electron transport layer. In the organic layer (C), the light emitting layer also serves as the hole transport layer.
The organic layer used in the present invention may have any of the structures (A) to (C).
Hereinafter, the organic layer having the structure (A) will be briefly described.
正孔輸送層は、第1電極の表面に設けられる。また、例えば、正孔注入層が、第1電極の表面に設けられ、前記正孔注入層の表面に正孔輸送層が設けられていてもよい。
正孔輸送層の形成材料は、正孔輸送機能を有する材料であれば特に限定されず、公知の材料を用いることができる。
正孔輸送層の厚みは、特に限定されず、駆動電圧を下げるという観点から、1nm〜500nmが好ましい。
The hole transport layer is provided on the surface of the first electrode. For example, the hole injection layer may be provided on the surface of the first electrode, and the hole transport layer may be provided on the surface of the hole injection layer.
The material for forming the hole transport layer is not particularly limited as long as it is a material having a hole transport function, and a known material can be used.
The thickness of the hole transport layer is not particularly limited, and is preferably 1 nm to 500 nm from the viewpoint of lowering the driving voltage.
発光層は、正孔輸送層の表面に設けられる。
発光層の形成材料は、発光性を有する材料であれば特に限定されず、公知の材料を用いることができる。
発光層の厚みは、特に限定されず、例えば、2nm〜500nmが好ましい。
The light emitting layer is provided on the surface of the hole transport layer.
The material for forming the light emitting layer is not particularly limited as long as it is a light emitting material, and a known material can be used.
The thickness of a light emitting layer is not specifically limited, For example, 2 nm-500 nm are preferable.
電子輸送層は、発光層の表面に設けられる。また、例えば、電子注入層が、電子輸送層の表面に設けられ、前記電子注入層の表面に第2電極が設けられていてもよい。
電子輸送層の形成材料は、電子輸送機能を有する材料であれば特に限定されず、公知の材料を用いることができる。
電子輸送層の厚みは、特に限定されず、駆動電圧を下げるという観点から、1nm〜500nmが好ましい。
The electron transport layer is provided on the surface of the light emitting layer. For example, the electron injection layer may be provided on the surface of the electron transport layer, and the second electrode may be provided on the surface of the electron injection layer.
The material for forming the electron transport layer is not particularly limited as long as it is a material having an electron transport function, and a known material can be used.
The thickness of the electron transport layer is not particularly limited, and is preferably 1 nm to 500 nm from the viewpoint of lowering the driving voltage.
前記有機EL素子の第2電極は、例えば、陰極である。
前記第2電極の形成材料は、特に限定されず、トップエミッション型の発光体を形成する場合には、透明な第2電極が用いられる。透明及び導電性を有する第2電極の形成材料としては、インジウム錫酸化物(ITO);酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO);アルミニウムなどの導電性金属を添加した酸化亜鉛(ZnO:Al);マグネシウム−銀合金などが挙げられる。第2電極の厚みは、特に限定されず、通常、0.01μm〜1.0μmである。
The second electrode of the organic EL element is, for example, a cathode.
The material for forming the second electrode is not particularly limited, and a transparent second electrode is used when forming a top emission type light emitter. As a material for forming the transparent and conductive second electrode, indium tin oxide (ITO); indium tin oxide containing silicon oxide (ITSO); zinc oxide to which a conductive metal such as aluminum is added (ZnO: Al) ); Magnesium-silver alloy and the like. The thickness of the second electrode is not particularly limited, and is usually 0.01 μm to 1.0 μm.
前記バリア層は、有機EL素子を保護し、水分や酸素などの侵入を防止するために設けられる。前記バリア層の形成材料は、特に限定されず、金属酸化物膜、酸化窒化膜、窒化膜、酸化炭化窒化膜などが挙げられる。バリア層の厚みは、特に限定されず、例えば、50nm〜50μmである。 The barrier layer is provided to protect the organic EL element and prevent intrusion of moisture and oxygen. The material for forming the barrier layer is not particularly limited, and examples thereof include a metal oxide film, an oxynitride film, a nitride film, and an oxycarbonitride film. The thickness of the barrier layer is not particularly limited and is, for example, 50 nm to 50 μm.
(素子基板)
素子基板は、有機EL素子を支持し、且つ有機EL素子に水分や酸素などが侵入することを防止するために設けられる。
前記素子基板としては、金属箔を含む基板、又は、ガラス板を含む基板の何れか一方が用いられる。前記金属箔を含む基板及びガラス板を含む基板については、下記に詳述する。
また、上述のように、素子基板は、式:0≦|素子基板の線膨張係数−封止板の線膨張係数|≦12ppm/℃、を満たすものが用いられる。
好ましくは、0≦|素子基板の線膨張係数−封止板の線膨張係数|≦10ppm/℃であり、より好ましくは、0≦|素子基板の線膨張係数−封止板の線膨張係数|≦7ppm/℃である。
(Element board)
The element substrate is provided to support the organic EL element and prevent moisture, oxygen, and the like from entering the organic EL element.
As the element substrate, either a substrate including a metal foil or a substrate including a glass plate is used. The board | substrate containing the said metal foil and the board | substrate containing a glass plate are explained in full detail below.
As described above, the element substrate satisfying the formula: 0 ≦ | linear expansion coefficient of element substrate−linear expansion coefficient of sealing plate | ≦ 12 ppm / ° C. is used.
Preferably, 0 ≦ | linear expansion coefficient of the element substrate−linear expansion coefficient of the sealing plate | ≦ 10 ppm / ° C., more preferably 0 ≦ | linear expansion coefficient of the element substrate−linear expansion coefficient of the sealing plate | ≦ 7 ppm / ° C.
前記素子基板は、例えば、可撓性を有する基板を用いることができる。
前記素子基板は、透明及び不透明の何れでよい。ボトムエミッション型の有機EL装置を形成する場合には、素子基板として、透明な基板(つまり、ガラス板を含む基板)が用いられる。
As the element substrate, for example, a flexible substrate can be used.
The element substrate may be either transparent or opaque. When forming a bottom emission type organic EL device, a transparent substrate (that is, a substrate including a glass plate) is used as an element substrate.
(封止板)
封止板は、有機EL素子を保護し、且つ有機EL素子に水分や酸素などが侵入することを防止するために設けられる。
前記封止板としては、金属箔を含む基板、又は、ガラス板を含む基板の何れか他方が用いられる。前記金属箔を含む基板及びガラス板を含む基板については、下記に詳述する。
前記封止板は、例えば、可撓性を有する基板を用いることができる。
前記封止板は、透明及び不透明の何れでよい。トップエミッション型の有機EL装置を形成する場合には、封止板として、透明な基板(つまり、ガラス板を含む基板)が用いられる。
(Sealing plate)
The sealing plate is provided to protect the organic EL element and prevent moisture, oxygen, and the like from entering the organic EL element.
As the sealing plate, either the substrate including the metal foil or the substrate including the glass plate is used. The board | substrate containing the said metal foil and the board | substrate containing a glass plate are explained in full detail below.
As the sealing plate, for example, a flexible substrate can be used.
The sealing plate may be either transparent or opaque. In the case of forming a top emission type organic EL device, a transparent substrate (that is, a substrate including a glass plate) is used as a sealing plate.
(金属箔を含む基板)
金属箔を含む基板は、シート状物であり、好ましくは、可撓性を有するシート状物である。
金属箔を含む基板としては、金属箔のみ、又は、金属箔の一方面若しくは双方面に絶縁層が積層された積層体などが挙げられる。
前記金属箔としては、ステンレス箔、アルミニウム箔、銅箔、銀箔、金箔、黄銅箔、ニッケル箔、チタン箔、スズ箔、銅合金箔、ニッケル合金箔などが挙げられる。
これらの箔は、金属の圧延加工などの方法で得ることができる。
(Substrate containing metal foil)
The board | substrate containing metal foil is a sheet-like thing, Preferably, it is a sheet-like thing which has flexibility.
As a board | substrate containing metal foil, the laminated body etc. with which the insulating layer was laminated | stacked only on metal foil or one side or both sides of metal foil are mentioned.
Examples of the metal foil include stainless steel foil, aluminum foil, copper foil, silver foil, gold foil, brass foil, nickel foil, titanium foil, tin foil, copper alloy foil, and nickel alloy foil.
These foils can be obtained by methods such as metal rolling.
前記金属箔の厚みは、特に限定されないが、例えば、10μm〜150μmであり、好ましくは10μm〜100μmである。金属箔の厚みが前記よりも小さいと、水分及び酸素の侵入を十分に防止できず、一方、金属箔の厚みが前記よりも大きいと、金属箔が可撓性を有さなくなる。 Although the thickness of the said metal foil is not specifically limited, For example, they are 10 micrometers-150 micrometers, Preferably they are 10 micrometers-100 micrometers. If the thickness of the metal foil is smaller than the above, it is not possible to sufficiently prevent the intrusion of moisture and oxygen. On the other hand, if the thickness of the metal foil is larger than the above, the metal foil will not have flexibility.
前記絶縁層は、有機EL素子の電極が短絡することを防止するために設けられる。
前記絶縁層の形成材料としては、酸化珪素、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化銅などの金属酸化物;窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物;ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂などの合成樹脂;などが挙げられる。これらは、1種単独で又は2種以上を使用できる。
前記絶縁層の線膨張係数は、特に限定されないが、金属箔と同等であることが好ましい。
前記絶縁層の厚みは、特に限定されない。絶縁層が無機材料から形成される場合には、その厚みは10nm〜1000nmであり、絶縁層が合成樹脂材料から形成される場合には、その厚みは1μm〜50μmである。
The insulating layer is provided to prevent the electrode of the organic EL element from being short-circuited.
Examples of the material for forming the insulating layer include metal oxides such as silicon oxide, zinc oxide, aluminum oxide, titanium oxide, and copper oxide; metal nitrides such as silicon nitride and aluminum nitride; polyester, polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, And synthetic resins such as polyarylate, polyimide, polycycloolefin, and norbornene resin. These can be used alone or in combination of two or more.
The linear expansion coefficient of the insulating layer is not particularly limited, but is preferably equivalent to the metal foil.
The thickness of the insulating layer is not particularly limited. When the insulating layer is formed of an inorganic material, the thickness is 10 nm to 1000 nm. When the insulating layer is formed of a synthetic resin material, the thickness is 1 μm to 50 μm.
前記金属箔を含む基板の水分透過率は、0.01mg/m2・day以下が好ましい。前記金属箔を含む基板の酸素透過率は、0.01cc/m2・day・atm以下が好ましい。このような低い水分透過率及び酸素透過率を有する基板を用いることにより、有機EL素子に水分及び酸素が侵入することを効果的に抑制できる。
前記水分透過率は、JIS K 7129−1992年に準じた測定法によって測定される値をいう。前記酸素透過率は、JIS K 7126−1987年に準じた測定法によって測定される値をいう。
前記金属箔を含む基板の線膨張係数は、特に限定されないが、例えば、25ppm/℃以下であり、好ましくは20ppm/℃以下である。前記金属箔を含む基板の線膨張係数の下限は、理論上、零である。もっとも、実際上、線膨張係数が零の金属箔を入手することは困難である。このため、前記金属箔を含む基板の線膨張係数は、3ppm/℃以上であり、好ましくは5ppm/℃以上である。
The substrate including the metal foil preferably has a moisture permeability of 0.01 mg / m 2 · day or less. The oxygen permeability of the substrate including the metal foil is preferably 0.01 cc / m 2 · day · atm or less. By using a substrate having such a low moisture permeability and oxygen permeability, it is possible to effectively prevent moisture and oxygen from entering the organic EL element.
The moisture permeability refers to a value measured by a measuring method according to JIS K 7129-1992. The oxygen permeability refers to a value measured by a measuring method according to JIS K 7126-1987.
Although the linear expansion coefficient of the board | substrate containing the said metal foil is not specifically limited, For example, it is 25 ppm / degrees C or less, Preferably it is 20 ppm / degrees C or less. The lower limit of the linear expansion coefficient of the substrate including the metal foil is theoretically zero. In practice, however, it is difficult to obtain a metal foil having a linear expansion coefficient of zero. For this reason, the linear expansion coefficient of the board | substrate containing the said metal foil is 3 ppm / degrees C or more, Preferably it is 5 ppm / degrees C or more.
(ガラス板を含む基板)
ガラス板を含む基板は、透明なシート状物であり、好ましくは、可撓性を有するシート状物である。
ガラス板を含む基板としては、ガラス板のみ、又は、ガラス板の一方面若しくは双方面に樹脂層が積層された積層体などが挙げられる。
(Substrate including glass plate)
The substrate including the glass plate is a transparent sheet-like material, and preferably a flexible sheet-like material.
As a board | substrate containing a glass plate, the laminated body by which the resin layer was laminated | stacked only on the glass plate or the one surface or both surfaces of the glass plate is mentioned.
前記ガラス板は、通常、無機ガラスから形成される。前記無機ガラスとしては、例えば、組成による分類によれば、ソーダ石灰ガラス、ホウ酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、石英ガラスなどが挙げられ、アルカリ成分による分類によれば、無アルカリガラス、低アルカリガラスなどが挙げられる。前記ガラス中のアルカリ金属成分の含有量は、好ましくは15質量%以下であり、より好ましくは10質量%以下である。
前記ガラス板の厚みは、特に限定されないが、例えば、10μm〜100μmであり、好ましくは20μm〜70μmであり、より好ましくは25μm〜55μmである。
The glass plate is usually formed from inorganic glass. Examples of the inorganic glass include soda lime glass, borate glass, aluminosilicate glass, and quartz glass according to the classification according to the composition. According to the classification according to the alkali component, alkali-free glass, low alkali glass, and the like. Is mentioned. Content of the alkali metal component in the said glass becomes like this. Preferably it is 15 mass% or less, More preferably, it is 10 mass% or less.
Although the thickness of the said glass plate is not specifically limited, For example, they are 10 micrometers-100 micrometers, Preferably they are 20 micrometers-70 micrometers, More preferably, they are 25 micrometers-55 micrometers.
前記無機ガラスの形成方法は、特に限定されず、任意の適切な方法を採用できる。例えば、前記無機ガラスは、シリカやアルミナなどの主原料と、芒硝や酸化アンチモンなどの消泡剤と、カーボンなどの還元剤とを含む混合物を、1400℃〜1600℃の温度で溶融し、薄板状に成形した後、冷却することによって得ることができる。 The method for forming the inorganic glass is not particularly limited, and any appropriate method can be adopted. For example, the inorganic glass is obtained by melting a mixture containing a main raw material such as silica or alumina, an antifoaming agent such as sodium nitrate or antimony oxide, and a reducing agent such as carbon at a temperature of 1400 ° C. to 1600 ° C. It can be obtained by cooling into a shape.
前記無機ガラスは、市販品をそのまま用いてもよく、又は、市販の無機ガラスを所望の厚みになるように研磨して用いてもよい。市販の無機ガラスとしては、例えば、コーニング社製「7059」、「1737」または「EAGLE2000」、旭硝子社製「AN100」、NHテクノグラス社製「NA−35」、日本電気硝子社製「OA−10」などが挙げられる。 As the inorganic glass, a commercially available product may be used as it is, or a commercially available inorganic glass may be polished to have a desired thickness. Examples of commercially available inorganic glasses include “7059”, “1737” or “EAGLE 2000” manufactured by Corning, “AN100” manufactured by Asahi Glass, “NA-35” manufactured by NH Techno Glass, and “OA-” manufactured by Nippon Electric Glass. 10 "and the like.
前記樹脂層の形成材料としては、透明であれば特に限定されず、任意の適切な樹脂を用いることができる。例えば、前記樹脂層の形成材料としては、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂などの熱硬化型又は紫外線硬化型樹脂が挙げられる。特に、表面平滑性に優れた樹脂層を形成できることから、樹脂層の形成材料としては、エポキシ系樹脂を主成分とする樹脂組成物を用いることが好ましい。 The material for forming the resin layer is not particularly limited as long as it is transparent, and any appropriate resin can be used. For example, examples of the material for forming the resin layer include a thermosetting or ultraviolet curable resin such as a polyethersulfone resin, a polycarbonate resin, an epoxy resin, an acrylic resin, and a polyolefin resin. In particular, since a resin layer excellent in surface smoothness can be formed, it is preferable to use a resin composition containing an epoxy resin as a main component as a material for forming the resin layer.
前記エポキシ系樹脂は、分子中にエポキシ基を持つ高分子であれば、特に限定されない。前記エポキシ系樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、及びこれらの水添加物などのビスフェノール型;フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型などのノボラック型;トリグリシジルイソシアヌレート型、ヒダントイン型などの含窒素環型;脂環式型;脂肪族型;ナフタレン型、ビフェニル型などの芳香族型;グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型などのグリシジル型;ジシクロペンタジエン型などのジシクロ型;エステル型;エーテルエステル型;これらの変性型;などが挙げられる。これらのエポキシ系樹脂は、1種単独で、又は2種以上を併用できる。
好ましくは、樹脂層は、特開2008−107510号に開示された、一般式(I)、(II)、(III)及び(IV)で表されるエポキシ系プレポリマーの硬化層である。
前記ガラス板の一方面又は双方面に前記樹脂層を形成する方法についても、特開2008−107510号に開示された方法を採用できる。
The epoxy resin is not particularly limited as long as it is a polymer having an epoxy group in the molecule. Examples of the epoxy resin include bisphenol types such as bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, and water additives thereof; novolak types such as phenol novolac type and cresol novolac type; triglycidyl isocyanurate type; Nitrogen-containing ring type such as hydantoin type; alicyclic type; aliphatic type; aromatic type such as naphthalene type and biphenyl type; glycidyl type such as glycidyl ether type, glycidyl amine type and glycidyl ester type; dicyclopentadiene type, etc. Dicyclo type; ester type; ether ester type; modified type thereof; and the like. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.
Preferably, the resin layer is a cured layer of an epoxy-based prepolymer represented by general formulas (I), (II), (III) and (IV) disclosed in JP-A-2008-107510.
The method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-107510 can also be adopted as a method of forming the resin layer on one or both surfaces of the glass plate.
前記樹脂層の厚みは、特に限定されないが、例えば、1μm〜100μmであり、より好ましくは1μm〜50μmである。樹脂層がガラス板の双方面に設けられる場合、それぞれの樹脂層の厚みは、同一であってもよく或いは異なっていてもよいが、好ましくは、それぞれの樹脂層の厚みは同一である。また、それぞれの樹脂層は、同一の材料で構成されていてもよく或いは異なる材料で構成されていてもよいが。好ましくは、それぞれの樹脂層は、同一の材料で構成される。 Although the thickness of the said resin layer is not specifically limited, For example, they are 1 micrometer-100 micrometers, More preferably, they are 1 micrometer-50 micrometers. When the resin layers are provided on both sides of the glass plate, the thickness of each resin layer may be the same or different, but preferably the thickness of each resin layer is the same. Moreover, each resin layer may be comprised with the same material, or may be comprised with a different material. Preferably, each resin layer is made of the same material.
前記ガラス板を含む基板の水分透過率は、0.01mg/m2・day以下が好ましい。前記ガラス板を含む基板の酸素透過率は、0.01cc/m2・day・atm以下が好ましい。このような低い水分透過率及び酸素透過率を有する基板を用いることにより、有機EL素子に水分及び酸素が侵入することを効果的に抑制できる。
前記水分透過率は、JIS K 7129−1992年に準じた測定法によって測定される値をいう。前記酸素透過率は、JIS K 7126−1987年に準じた測定法によって測定される値をいう。
前記ガラス板を含む基板の線膨張係数は、特に限定されないが、例えば、15ppm/℃以下であり、好ましくは12ppm/℃以下である。前記ガラス板を含む基板の線膨張係数の下限は、理論上、零である。もっとも、実際上、線膨張係数が零のガラス板を入手することは困難である。このため、前記ガラス板を含む基板の線膨張係数は、1ppm/℃以上であり、好ましくは2ppm/℃以上である。
The moisture permeability of the substrate including the glass plate is preferably 0.01 mg / m 2 · day or less. The substrate including the glass plate preferably has an oxygen permeability of 0.01 cc / m 2 · day · atm or less. By using a substrate having such a low moisture permeability and oxygen permeability, it is possible to effectively prevent moisture and oxygen from entering the organic EL element.
The moisture permeability refers to a value measured by a measuring method according to JIS K 7129-1992. The oxygen permeability refers to a value measured by a measuring method according to JIS K 7126-1987.
Although the linear expansion coefficient of the board | substrate containing the said glass plate is not specifically limited, For example, it is 15 ppm / degrees C or less, Preferably it is 12 ppm / degrees C or less. The lower limit of the linear expansion coefficient of the substrate including the glass plate is theoretically zero. In practice, however, it is difficult to obtain a glass plate having a linear expansion coefficient of zero. For this reason, the linear expansion coefficient of the board | substrate containing the said glass plate is 1 ppm / degrees C or more, Preferably it is 2 ppm / degrees C or more.
以下、実施例及び比較例を示し、本発明をさらに詳述する。ただし、本発明は、下記実施例に限定されるわけではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the present invention is not limited to the following examples.
(使用した基板)
(A)ガラス含有基板A
シリコーン処理の施された剥離フィルム間に、下記化学式で表されるエポキシ系樹脂(式(1):式(2)=50:50(重量比))を主成分とする樹脂組成物を挟み込み、50μm間隔に固定された金属ロールの間に通して、厚み30μmのエポキシ系樹脂層を含む積層体を得た。次に、紫外線照射装置(コンベア速度:2.5m/分)を用いて、前記積層体の一方の側から、紫外線を照射(照射エネルギー:250mJ/cm2)し、エポキシ系樹脂層を半硬化させて半硬化層を形成した。次に、一方の剥離フィルムを除去し、ラミネータを用いて、前記積層体の半硬化層を無機ガラス(松浪硝子工業(株)製の硼珪酸ガラス、厚み:30μm)の一方の側の表面に貼着した。前記無機ガラスのもう一方の側についても同様の操作を行い、前記半硬化層を貼着した。次いで、残っていた剥離フィルムを取り除いた後、紫外線を再照射(照射エネルギー:5000mJ/cm2以上)した。その後、130℃以上で加熱処理を10分以上施し、無機ガラスの両面の半硬化層を完全硬化させた。このようにして、30μmの樹脂層/30μmの無機ガラス/30μmの樹脂層の積層構造を有するガラス含有基板Aを得た。
(Substrate used)
(A) Glass-containing substrate A
A resin composition mainly composed of an epoxy resin represented by the following chemical formula (formula (1): formula (2) = 50: 50 (weight ratio)) is sandwiched between release films subjected to silicone treatment, A laminated body including an epoxy resin layer having a thickness of 30 μm was obtained by passing between metal rolls fixed at intervals of 50 μm. Next, using an ultraviolet irradiation device (conveyor speed: 2.5 m / min), ultraviolet rays are irradiated from one side of the laminate (irradiation energy: 250 mJ / cm 2 ), and the epoxy resin layer is semi-cured. To form a semi-cured layer. Next, one release film is removed, and a laminator is used to apply the semi-cured layer of the laminate to the surface of one side of inorganic glass (Matsunami Glass Industrial Co., Ltd. borosilicate glass, thickness: 30 μm). Sticked. The same operation was performed on the other side of the inorganic glass to attach the semi-cured layer. Subsequently, after removing the remaining release film, the film was irradiated again with ultraviolet rays (irradiation energy: 5000 mJ / cm 2 or more). Thereafter, heat treatment was performed at 130 ° C. or higher for 10 minutes or longer to completely cure the semi-cured layers on both sides of the inorganic glass. Thus, a glass-containing substrate A having a laminated structure of 30 μm resin layer / 30 μm inorganic glass / 30 μm resin layer was obtained.
(B)ガラス含有基板B
上記ガラス含有基板Aの無機ガラスの双方面に形成した樹脂層を各々10μmに変更したこと以外は、上記ガラス含有基板Aと同様にして、10μmの樹脂層/30μmの無機ガラス/10μmの樹脂層の積層構造を有するガラス含有基板Bを得た。
(B) Glass-containing substrate B
10 μm resin layer / 30 μm inorganic glass / 10 μm resin layer in the same manner as the glass-containing substrate A, except that the resin layers formed on both sides of the inorganic glass of the glass-containing substrate A were changed to 10 μm. A glass-containing substrate B having a multilayer structure was obtained.
(C)金属含有基板C
金属含有基板Cとして、厚み50μmのSUS444箔の上に、厚み3μmの絶縁層を積層したものを用いた。前記絶縁層は、アクリル樹脂(JSR(株)製 商品名「JEM−477」)を用い、ワイヤーバーで塗布し、前記ステンレス箔の一方面上に積層した。
(D)金属含有基板D
金属含有基板Dとして、厚み50μmのSUS304箔の上に、厚み3μmの絶縁層を積層したものを用いた。前記絶縁層は、アクリル樹脂(JSR(株)製 商品名「JEM−477」)を用い、ワイヤーバーで塗布し、前記ステンレス箔の一方面上に積層した。
(E)金属含有基板E
金属含有基板Eとして、厚み50μmの銅箔の上に、厚み3μmの絶縁層を積層したものを用いた。前記絶縁層は、アクリル樹脂(JSR(株)製 商品名「JEM−477」)を用い、ワイヤーバーで塗布し、前記銅箔の一方面上に積層した。
(F)金属含有基板F
金属含有基板Fとして、厚み50μmのアルミニウム箔の上に、厚み3μmの絶縁層を積層したものを用いた。前記絶縁層は、アクリル樹脂(JSR(株)製 商品名「JEM−477」)を用い、ワイヤーバーで塗布し、前記アルミニウム箔の一方面上に積層した。
なお、各厚みは、アンリツ製デジタルマイクロメーター「KC−351C型」を使用して測定した。
(C) Metal-containing substrate C
As the metal-containing substrate C, one obtained by laminating an insulating layer having a thickness of 3 μm on a SUS444 foil having a thickness of 50 μm was used. The insulating layer was coated with a wire bar using an acrylic resin (trade name “JEM-477” manufactured by JSR Corporation), and laminated on one surface of the stainless steel foil.
(D) Metal-containing substrate D
As the metal-containing substrate D, one obtained by laminating an insulating layer having a thickness of 3 μm on a SUS304 foil having a thickness of 50 μm was used. The insulating layer was coated with a wire bar using an acrylic resin (trade name “JEM-477” manufactured by JSR Corporation), and laminated on one surface of the stainless steel foil.
(E) Metal-containing substrate E
As the metal-containing board | substrate E, what laminated | stacked the insulating layer of thickness 3 micrometers on the copper foil of thickness 50 micrometers was used. The insulating layer was coated with a wire bar using an acrylic resin (trade name “JEM-477” manufactured by JSR Corporation) and laminated on one surface of the copper foil.
(F) Metal-containing substrate F
As the metal-containing substrate F, a substrate in which an insulating layer having a thickness of 3 μm was laminated on an aluminum foil having a thickness of 50 μm was used. The insulating layer was coated with a wire bar using an acrylic resin (trade name “JEM-477” manufactured by JSR Corporation) and laminated on one surface of the aluminum foil.
Each thickness was measured using an Anritsu digital micrometer “KC-351C type”.
(基板の線膨張係数)
上記ガラス含有基板A乃至B及び金属含有基板C乃至Fについて、下記測定法により、それぞれ線膨張係数を測定した。その結果を表1に示す。
線膨張係数の測定は、TMA/SS150C(セイコーインスツル(株)製)を用いて、30℃〜150℃におけるTMA値(μm)を測定し、平均線膨張係数を算出した。
(Linear expansion coefficient of substrate)
About the said glass containing board | substrate A thru | or B and the metal containing board | substrates C thru | or F, the linear expansion coefficient was measured with the following measuring method, respectively. The results are shown in Table 1.
The linear expansion coefficient was measured by measuring the TMA value (μm) at 30 ° C. to 150 ° C. using TMA / SS150C (manufactured by Seiko Instruments Inc.), and calculating the average linear expansion coefficient.
[実施例1]
素子基板として、金属含有基板Cを用い、封止板として、ガラス含有基板Aを用いた。
そして、素子基板の絶縁層の上に、厚み100nmのアルミニウムを真空蒸着法にて製膜することにより、第1電極を形成した。この第1電極の上に、正孔注入層として厚み10nmの1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル(略称:HAT−CN)を製膜し、その正孔注入層の上に、正孔輸送層として厚み50nmのN,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(略称:NPB)を製膜し、その正孔輸送層の上に、電子輸送層を兼用する発光層として厚み45nmのトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)を製膜し、その発光層の上に、電子注入層として厚み0.5nmのLiFを製膜した。
さらに、この電子注入層の上に、第2電極として厚み5/15nmのMg/Ag(共蒸着)を真空蒸着にて製膜した。このようにして、素子基板の上に、有機EL素子を形成した。
次に、前記封止板の裏面に、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化型接着剤を塗布し(硬化時の接着剤の層厚が概ね10μmとなるように塗布)、前記有機EL素子の上に重ね合わせ、加熱することによって前記接着剤を硬化させることにより、有機EL素子を封止板で封止した。
このようにして、トップエミッション型の有機EL装置(発光装置)を作製した。
[Example 1]
A metal-containing substrate C was used as the element substrate, and a glass-containing substrate A was used as the sealing plate.
Then, a first electrode was formed by depositing aluminum having a thickness of 100 nm on the insulating layer of the element substrate by a vacuum deposition method. On the first electrode, 1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile (abbreviation: HAT-CN) having a thickness of 10 nm is formed as a hole injection layer, and the hole injection is performed. On the layer, N, N′-bis (naphthalen-1-yl) -N, N′-bis (phenyl) -benzidine (abbreviation: NPB) having a thickness of 50 nm was formed as a hole transporting layer. On the hole transport layer, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq) having a thickness of 45 nm was formed as a light-emitting layer also serving as an electron transport layer, and a thickness of 0. A 5 nm LiF film was formed.
Further, Mg / Ag (co-evaporation) having a thickness of 5/15 nm was formed as a second electrode on the electron injection layer by vacuum deposition. In this way, an organic EL element was formed on the element substrate.
Next, a thermosetting adhesive mainly composed of an epoxy resin is applied to the back surface of the sealing plate (applied so that the layer thickness of the adhesive at the time of curing is approximately 10 μm), and the organic EL element The organic EL element was sealed with a sealing plate by curing the adhesive by overlapping and heating.
Thus, a top emission type organic EL device (light emitting device) was produced.
[実施例2]
素子基板として、金属含有基板Dを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[Example 2]
A top emission type organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the metal-containing substrate D was used as the element substrate.
[実施例3]
素子基板として、金属含有基板Eを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[Example 3]
A top emission type organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the metal-containing substrate E was used as the element substrate.
[実施例4]
素子基板として、金属含有基板Cを用い、封止板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[Example 4]
A top emission type organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the metal-containing substrate C was used as the element substrate and the glass-containing substrate B was used as the sealing plate.
[実施例5]
素子基板として、金属含有基板Dを用い、封止板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[Example 5]
A top emission type organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the metal-containing substrate D was used as the element substrate and the glass-containing substrate B was used as the sealing plate.
[実施例6]
素子基板として、金属含有基板Eを用い、封止板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[Example 6]
A top emission type organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the metal-containing substrate E was used as the element substrate and the glass-containing substrate B was used as the sealing plate.
[実施例7]
素子基板として、ガラス含有基板Aを用い、封止板として、金属含有基板Cを用いた。
そして、素子基板の上に、厚み100nmのITOをスパッタリング法にて製膜することにより、第1電極を形成した。この第1電極の上に、正孔注入層として厚み10nmの1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル(略称:HAT−CN)を製膜し、その正孔注入層の上に、正孔輸送層として厚み50nmのN,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(略称:NPB)を製膜し、その正孔輸送層の上に、電子輸送層を兼用する発光層として厚み45nmのトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)を製膜し、その発光層の上に、電子注入層として厚み0.5nmのLiFを製膜した。
さらに、この電子注入層の上に、第2電極として厚み100nmのアルミニウムを真空蒸着にて製膜した。このようにして、素子基板の上に、有機EL素子を形成した。
次に、前記封止板の裏面に、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化型接着剤を塗布し(硬化時の接着剤の層厚が概ね10μmとなるように塗布)、前記有機EL素子の上に重ね合わせ、加熱することによって前記接着剤を硬化させることにより、有機EL素子を封止板で封止した。
このようにして、ボトムエミッション型の有機EL装置(発光装置)を作製した。
[Example 7]
A glass-containing substrate A was used as the element substrate, and a metal-containing substrate C was used as the sealing plate.
Then, a first electrode was formed on the element substrate by depositing ITO having a thickness of 100 nm by a sputtering method. On the first electrode, 1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile (abbreviation: HAT-CN) having a thickness of 10 nm is formed as a hole injection layer, and the hole injection is performed. On the layer, N, N′-bis (naphthalen-1-yl) -N, N′-bis (phenyl) -benzidine (abbreviation: NPB) having a thickness of 50 nm was formed as a hole transporting layer. On the hole transport layer, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq) having a thickness of 45 nm was formed as a light-emitting layer also serving as an electron transport layer, and a thickness of 0. A 5 nm LiF film was formed.
Further, on the electron injection layer, aluminum having a thickness of 100 nm was formed as a second electrode by vacuum deposition. In this way, an organic EL element was formed on the element substrate.
Next, a thermosetting adhesive mainly composed of an epoxy resin is applied to the back surface of the sealing plate (applied so that the layer thickness of the adhesive at the time of curing is approximately 10 μm), and the organic EL element The organic EL element was sealed with a sealing plate by curing the adhesive by overlapping and heating.
Thus, a bottom emission type organic EL device (light emitting device) was produced.
[実施例8]
封止板として、金属含有基板Dを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
[Example 8]
A bottom emission type organic EL device was produced in the same manner as in Example 7 except that the metal-containing substrate D was used as the sealing plate.
[実施例9]
封止板として、金属含有基板Eを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
[Example 9]
A bottom emission type organic EL device was produced in the same manner as in Example 7 except that the metal-containing substrate E was used as the sealing plate.
[実施例10]
素子基板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
[Example 10]
A bottom emission type organic EL device was produced in the same manner as in Example 7 except that the glass-containing substrate B was used as the element substrate.
[実施例11]
封止板として、金属含有基板Dを用い、素子基板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
[Example 11]
A bottom emission type organic EL device was produced in the same manner as in Example 7 except that the metal-containing substrate D was used as the sealing plate and the glass-containing substrate B was used as the element substrate.
[実施例12]
封止板として、金属含有基板Eを用い、素子基板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
[Example 12]
A bottom emission type organic EL device was produced in the same manner as in Example 7 except that the metal-containing substrate E was used as the sealing plate and the glass-containing substrate B was used as the element substrate.
[比較例1]
素子基板として、金属含有基板Fを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[Comparative Example 1]
A top emission type organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the metal-containing substrate F was used as the element substrate.
[比較例2]
素子基板として、金属含有基板Fを用いたこと以外は、実施例4と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[Comparative Example 2]
A top emission type organic EL device was produced in the same manner as in Example 4 except that the metal-containing substrate F was used as the element substrate.
[比較例3]
封止板として、金属含有基板Fを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
[Comparative Example 3]
A bottom emission type organic EL device was produced in the same manner as in Example 7 except that the metal-containing substrate F was used as the sealing plate.
[比較例4]
封止板として、金属含有基板Fを用いたこと以外は、実施例10と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置(発光装置)を作製した。
[Comparative Example 4]
A bottom emission type organic EL device (light emitting device) was produced in the same manner as in Example 10 except that the metal-containing substrate F was used as the sealing plate.
[輝度保持率及び発光面積の変化の測定]
実施例1乃至12及び比較例1乃至4の有機EL装置のそれぞれを、定電流30mA/cm2で連続駆動させ、初期の輝度と、200時間後の輝度をそれぞれ測定した。それらの測定値を、下記式に代入して、輝度保持率(%)を算出した。その結果を表2に示す。
輝度保持率(%)=200時間発光後の輝度/初期の輝度
発光面積の変化は、実施例1乃至12及び比較例1乃至4の有機EL装置のそれぞれを、60℃、90%RHの恒温恒湿室内で非点灯の状態で保存した。保存初期と、200時間後に、有機EL装置をそれぞれ発光させ、顕微鏡観察によって発光面積を測定した。前記顕微鏡観察及び発光面積の測定は、(株)キーエンス製のデジタルマイクロスコープ(製品名「VHX−1000」)を用いて行った。それらの測定値を、下記式に代入して、輝度保持率(%)を算出した。その結果を表2に示す。
発光面積の変化(%)=200時間発光後の発光面積/初期の発光面積
[Measurement of change in luminance retention and emission area]
Each of the organic EL devices of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 4 was continuously driven at a constant current of 30 mA / cm 2 , and the initial luminance and the luminance after 200 hours were measured. The luminance retention (%) was calculated by substituting these measured values into the following equation. The results are shown in Table 2.
Luminance retention ratio (%) = luminance after 200 hours of light emission / initial luminance The change in the light emission area is the same for each of the organic EL devices of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 4 at a constant temperature of 60 ° C. and 90% RH. It was stored in a constant humidity room in a non-lighted state. At the initial stage of storage and after 200 hours, the organic EL device was caused to emit light, and the light emission area was measured by microscopic observation. The microscope observation and the measurement of the light emission area were performed using a digital microscope (product name “VHX-1000”) manufactured by Keyence Corporation. The luminance retention (%) was calculated by substituting these measured values into the following equation. The results are shown in Table 2.
Change in light emission area (%) = light emission area after 200 hours of light emission / initial light emission area
[評価]
実施例1乃至12と比較例1乃至4との対比から、素子基板の線膨張係数と封止板の線膨張係数の差の絶対値が、12ppm/℃以下(好ましくは8ppm/℃以下)である場合には、輝度保持率が高く、且つ発光面積の減少が小さい有機EL装置を構成できることが判る。
このように有機EL装置の製品寿命が長くなる主たる理由は、装置の駆動中に生じる熱によって素子基板及び封止板が剥離又はクラックを生じ難く、素子基板及び封止板の水分及び酸素バリア性が良好であること、及び、有機EL素子が局所的に劣化しないことなどが推定される。
[Evaluation]
From the comparison between Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 4, the absolute value of the difference between the linear expansion coefficient of the element substrate and the linear expansion coefficient of the sealing plate is 12 ppm / ° C. or less (preferably 8 ppm / ° C. or less). In some cases, it can be seen that an organic EL device having a high luminance retention rate and a small reduction in light emitting area can be configured.
As described above, the main reason why the product life of the organic EL device is prolonged is that the element substrate and the sealing plate are hardly peeled or cracked by heat generated during the driving of the device, and the moisture and oxygen barrier properties of the element substrate and the sealing plate are not easily generated. Is presumed to be good and the organic EL element is not locally degraded.
本発明の有機EL装置は、例えば、照明装置、画像表示装置などとして利用できる。 The organic EL device of the present invention can be used, for example, as an illumination device, an image display device, or the like.
1…有機EL装置、2…素子基板、3…有機EL素子、31…第1電極、32…第2電極、33…有機層、4…封止板、5…接着層
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記素子基板の上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の上に設けられた封止板と、を有し、
前記素子基板又は封止板のいずれか一方が、金属箔を含み、前記素子基板又は封止板の他方が、ガラス板を含み、
前記素子基板の線膨張係数と封止板の線膨張係数の差の絶対値が、12ppm/℃以下である、有機エレクトロルミネッセンス装置。 An element substrate;
An organic electroluminescence element provided on the element substrate;
A sealing plate provided on the organic electroluminescence element,
Either the element substrate or the sealing plate includes a metal foil, and the other of the element substrate or the sealing plate includes a glass plate,
An organic electroluminescence device, wherein an absolute value of a difference between a linear expansion coefficient of the element substrate and a linear expansion coefficient of the sealing plate is 12 ppm / ° C or less.
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