JP2014099574A - Lead frame heat releasing substrate and method of manufacturing the same - Google Patents

Lead frame heat releasing substrate and method of manufacturing the same Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low cost heat conduction substrate excellent at large current, high heat releasing, and high temperature, to provide a manufacturing method suitable also for production having a background of mass- production with multiple faces in a short step, and to provide a lead frame substrate capable of providing a large current circuit and a fine conductor circuit at the same time.SOLUTION: A heat conduction substrate includes, for a large current and excellent heat releasing usage, a high heat conduction material (including a filler) for an intermediate layer of a metal plate 6 and a lead frame. Or, the heat conduction substrate is a substrate of a laminate structure formed by thermal curing of a low elasticity resin. Spaces between adjacent surface layer conductor circuits are protected by a flattening resin. A large current thick copper circuit and a fine conductor circuit 8 may be integrated (provided side by side) at a same height as the lead frame.

Description

本発明は、電子機器の従来型パワー半導体、次世代パワー半導体、パワーモジュール等を用いた電流制御回路、及び大電流、高温に耐えうる最適な熱伝導基板とその製造方法に関するものである。The present invention relates to a current control circuit using a conventional power semiconductor, a next-generation power semiconductor, a power module, and the like of an electronic device, an optimum heat conductive substrate capable of withstanding a large current and a high temperature, and a method for manufacturing the same.

近年、電子機器の高性能化、小型化の要求に伴い、従来型から次世代パワー半導体(SiC)パワー系電子部品等を用いた回路モジュールには、大電流、高放熱と更なる小型化が求められている。また、パワー系電子部品(例えば,パワー半導体素子等)は大電流、高発熱を伴うため、大電流、高放熱に対応する熱伝導基板の上に実装する必要があり、これに伴う回路基板の放熱性と実装性を考慮した基板が必要となってきている。In recent years, with the demand for higher performance and smaller size of electronic equipment, circuit modules using conventional and next-generation power semiconductor (SiC) power electronic components have high current, high heat dissipation and further miniaturization. It has been demanded. In addition, since power electronic components (for example, power semiconductor elements) are accompanied by large current and high heat generation, it is necessary to mount them on a heat conductive substrate corresponding to large current and high heat dissipation. Substrates that take heat dissipation and mountability into account have become necessary.

制御機器、モータ等の産業機器の高性能化に伴い、大電力・高効率インバータなど大電力、大電流モジュールの変遷が進み、パワー半導体素子、大電流から熱が大量に発生、増加してきている。電気自動車(EV)、ハイブリッド自動車(HEV)、ロボット、太陽光発電、風力発電のパワーコンディショナー、産業用モータなどではSiC(シリコンカーバイド)の採用で大電流制御やハイパワー電源、モータ回路など様々な用途で電気的負荷の大きい小型化が進められて、この熱を効率良く放熱するため、現状で大電力モジュール基板では、要求に沿った熱伝導を持つ窒化アルミ、窒化珪素などのセラミックス基板とその表裏に銅板、アルミ板などの金属板を接合する場合が多い。With the improvement in performance of industrial equipment such as control equipment and motors, the transition of high power and high current modules such as high power and high efficiency inverters has progressed, and large amounts of heat have been generated and increased from power semiconductor elements and large currents. . Electric vehicles (EV), hybrid vehicles (HEV), robots, solar power generation, wind power generation power conditioners, industrial motors, etc., use SiC (silicon carbide) for large current control, high power power supplies, motor circuits, etc. In order to efficiently dissipate this heat as the electrical load is reduced with a large electrical load in the application, at present, the high power module substrate has a ceramic substrate such as aluminum nitride or silicon nitride that has thermal conductivity in accordance with the requirements, and its In many cases, a metal plate such as a copper plate or an aluminum plate is bonded to the front and back.

一方で、コスト面から放熱性を改良する技術として、従来のガラスエポキシ樹脂によるプリント基板に対し、アルミ金属基板や銅金属基板を使用し、片面、もしくは両面に絶縁層を介して、導体回路を形成する金属ベース基板が知られている。アルミ金属基板は小電力用途に向いているが、放熱性が十分でないなどの課題もある。On the other hand, as a technology to improve heat dissipation from the cost aspect, an aluminum metal substrate or a copper metal substrate is used for a conventional printed circuit board made of glass epoxy resin, and a conductor circuit is formed through an insulating layer on one side or both sides. Metal base substrates to be formed are known. Aluminum metal substrates are suitable for low-power applications, but there are problems such as insufficient heat dissipation.

さらに大電流、高放熱、熱伝導性を要求される基板などは、アルミナや窒化アルミなどのセラミックス基板が利用されるケースが多い。耐熱性や放熱性に優れて300℃から400℃に耐えられる。しかしながら、セラミックス基板などはまだまだコストが高く、機械的衝撃、強度に弱く、脆いなどの課題を持っている。In addition, ceramic substrates such as alumina and aluminum nitride are often used for substrates that require high current, high heat dissipation, and thermal conductivity. It has excellent heat resistance and heat dissipation and can withstand 300 to 400 ° C. However, ceramic substrates and the like are still expensive and have problems such as mechanical impact, weakness in strength, and brittleness.

特許3214696号公報Japanese Patent No. 3214696

上記の金属ベース基板、およびセラミックス基板は、仕様、性能及びコスト面で両立させることが困難なため、熱可塑性樹脂にリードフレームを一体化した射出成形による熱伝導モジュールが提案されている。しかし、成形面でフィラーなどの充填が十分できないため限界あり、放熱性が良くないなどの課題がある。従って、金属ベース基板、およびセラミック基板は、性能面、コスト面の両立等が大きな課題となっていた。
また、大電流用の厚い導体回路パターンと微細導体回路を同一面で併設するのが困難であった。
Since the above metal base substrate and ceramic substrate are difficult to achieve in terms of specifications, performance and cost, a heat conduction module by injection molding in which a lead frame is integrated with a thermoplastic resin has been proposed. However, there is a limit because the molding surface cannot be sufficiently filled with a filler and there are problems such as poor heat dissipation. Therefore, the metal base substrate and the ceramic substrate have been a major issue in terms of both performance and cost.
In addition, it is difficult to arrange a thick conductor circuit pattern for a large current and a fine conductor circuit on the same surface.

本発明のリードフレーム基板は、このような背景に基づき大電流特性、放熱特性、コスト面等においても優れ、発熱部品搭載も可能な放熱基板であり、実施例にあるような熱硬化性樹脂と高熱伝導性フィラーを組合せて、一例として熱伝導率2W/mK以上、耐熱性250℃以上など様々な樹脂を選択することにより、放熱性効率を上げ、より少ない製造プロセスにて低コスト製造可能な製造方法を提供する。
また、微細導体(薄銅)回路と大電流(厚銅)回路を同一面で併設することも可能である為、より小型化な大電流、放熱効率性高いパワーデバイス向け基板を提供できる。
Based on such a background, the lead frame substrate of the present invention is a heat dissipation substrate that is excellent in large current characteristics, heat dissipation characteristics, cost, etc., and can be mounted with a heat generating component. By combining high heat conductive fillers and selecting various resins such as heat conductivity of 2 W / mK or higher and heat resistance of 250 ° C. or higher as an example, heat dissipation efficiency can be increased and low cost manufacturing can be achieved with fewer manufacturing processes. A manufacturing method is provided.
In addition, since a fine conductor (thin copper) circuit and a large current (thick copper) circuit can be provided on the same surface, it is possible to provide a substrate for a power device that is smaller in size and has high heat dissipation efficiency.

本発明は、金属板とリードフレームの中間層に高熱伝導材(絶縁性樹脂)を積層させる構造で、表層リードフレームの隣接間は平滑剤(平坦化樹脂)により絶縁層を塗布して保護し、リードフレーム回路面と保護絶縁層を面一に大電流、高放熱できる熱伝導基板である。
平滑剤はエポキシ樹脂、フェノール樹脂などを主成分に構成されたものを使用できる。
リードフレーム材として、銅を主体に無酸素銅(記号:C1020)、タフピッチ銅(記号:C1100)とその他の銅合金なども使用できる。
一方、リードフレームの導体間にさらに微細導体回路を施すことも可能であり、その場合は、導体と保護絶縁層も含め表層部に無電解銅メッキ、及び電解銅メッキを施した後に、感光性液状エッチングレジスト(又は、感光性ドライフィルムエッチングレジスト)、露光、現像、エッチングによって必要な導体回路形成を実施する。
The present invention has a structure in which a high thermal conductive material (insulating resin) is laminated on an intermediate layer between a metal plate and a lead frame, and an insulating layer is applied and protected between the adjacent lead layer lead frames with a smoothing agent (flattening resin). This is a heat conductive substrate that can provide high current and high heat dissipation with the lead frame circuit surface and the protective insulating layer flush with each other.
As the smoothing agent, those composed mainly of an epoxy resin, a phenol resin or the like can be used.
As the lead frame material, oxygen-free copper (symbol: C1020), tough pitch copper (symbol: C1100), and other copper alloys, mainly copper, can be used.
On the other hand, it is also possible to apply a fine conductor circuit between the conductors of the lead frame. In that case, after applying electroless copper plating and electrolytic copper plating to the surface layer part including the conductor and the protective insulating layer, the photosensitive property Necessary conductor circuits are formed by liquid etching resist (or photosensitive dry film etching resist), exposure, development, and etching.

本発明は、上記課題を少ない製造プロセスで信頼性高く、大電流用途の放熱性に優れた低コスト基板を実現することができる特徴がある。The present invention is characterized in that it is possible to realize a low-cost substrate with high reliability and high heat dissipation for high-current applications by reducing the above-mentioned problems with a few manufacturing processes.

本発明の中間層に使用する絶縁層としては、市販高熱伝導樹脂、及び低弾性樹脂などを使用することができる。すでに、熱伝導率5W/mK以上、耐熱性250℃以上の熱硬化性樹脂などが開発されている。
絶縁層は、耐熱性のガラスクロスなど繊維の織布、不織布からなるのが機械強度、耐電圧と耐熱性も確保しやすいため好ましい。また、高放熱性に加え、厳しい温度サイクル環境、半田クラックにも耐えられる信頼性が高い低弾性樹脂を使用して基板を作成することもできる。
As the insulating layer used for the intermediate layer of the present invention, commercially available high thermal conductive resins, low elastic resins, and the like can be used. A thermosetting resin having a thermal conductivity of 5 W / mK or higher and a heat resistance of 250 ° C. or higher has already been developed.
The insulating layer is preferably made of a woven or non-woven fiber such as a heat-resistant glass cloth because it is easy to ensure mechanical strength, withstand voltage and heat resistance. In addition to high heat dissipation, a substrate can also be formed using a low-elasticity resin with high reliability that can withstand severe temperature cycle environments and solder cracks.

リードフレームの導体回路間に微細導体回路を作成する場合は、実施例として、無電解銅メッキ、及び電解銅メッキを25から50μ程度に回路面側に施し、その後、感光性エッチングレジスト、露光、現像、銅エッチングプロセスを行うことで微細導体回路の形成を行なう事ができる。When creating a fine conductor circuit between the conductor circuits of the lead frame, as an example, electroless copper plating and electrolytic copper plating are applied to the circuit surface side to about 25 to 50 μ, and then a photosensitive etching resist, exposure, A fine conductor circuit can be formed by performing development and a copper etching process.

本発明のリードフレーム放熱基板の実施例に基づく概略製造プロセスは、以下の通りである。
実施例は、リードフレームの導体パターン形成を最初に金型外形プレス、又はエッチングにて形成後に積層するタイプであり、リードフレームの導体断面を垂直形状に形成できる為、隣接導体回路間の精度を高める場合、及び量産性などに適している。(実施例1)
もうひとつの実施例は導体パターン形成前のリードフレームを積層、密着させた後に、リードフレーム面をエッチングして導体回路を形成するタイプである。(実施例2)
この場合、隣接導体回路との電気的絶縁を確保する為、導体パターンのトップとボトムの両方で適切なスペースが確保される必要がある。エッチングファクタによる影響があるため、導体回路間の間隙精度が緩和できる場合、もしくは微細導体回路のライン/スペース(100μmから1mm)が不要か、大きく広い場合には適用できる。
A schematic manufacturing process based on the embodiment of the lead frame heat dissipation board of the present invention is as follows.
The embodiment is a type in which the lead frame conductor pattern is first formed by die outer shape press or etching and then laminated, and since the conductor cross section of the lead frame can be formed in a vertical shape, the accuracy between adjacent conductor circuits is improved. It is suitable for increasing and mass productivity. Example 1
Another embodiment is a type in which a lead frame before conductor pattern formation is laminated and adhered, and then the lead frame surface is etched to form a conductor circuit. (Example 2)
In this case, in order to ensure electrical insulation from the adjacent conductor circuit, it is necessary to secure an appropriate space at both the top and bottom of the conductor pattern. Since it is affected by the etching factor, it can be applied when the gap accuracy between the conductor circuits can be relaxed, or when the line / space (100 μm to 1 mm) of the fine conductor circuit is unnecessary or large.

(実施例1のプロセス概要)
(a)リードフレームのパターン作成
金型プレス、又はエッチング工程にて、所定の導体パターン形状に加工
(b)銅、またはアルミベース板、絶縁層(熱伝導性、低弾性樹脂)、リードフレームを3層に重ねた構造にしてレイアップ
(c)熱プレスによる積層工程
(d)表層部のバフ研磨、化学研磨工程
(e)表層部の粗化工程
(f)リードフレーム面に平滑剤(アンダーコート)塗布工程
(g)機械研磨(セラミックバフ)工程
(h)リードフレーム隣接間に微細導体回路形成の場合、必要に応じてデスミアを実施後、全面銅メッキ工程を実施
(i)感光性エッチングレジスト(ラミネート)、パターン露光、現像、銅エッチング、レジスト剥離工程を経て導体回路を形成
(j)ソルダーレジスト塗布工程
(k)回路形成後の表面処理(Niメッキ、Auメッキなど)工程、及び外形加工
(Process overview of Example 1)
(A) Lead frame pattern creation Mold press or etching process into a predetermined conductor pattern shape (b) Copper or aluminum base plate, insulating layer (thermally conductive, low elastic resin), lead frame Laminated up by three layers (c) Lamination process by hot pressing (d) Buff polishing of surface layer part, Chemical polishing process (e) Roughening process of surface layer part (f) Smoothing agent (under) (Coating) Application process (g) Mechanical polishing (ceramic buffing) process (h) In the case of forming a fine conductor circuit between the lead frames, after the desmear is performed as necessary, the entire copper plating process is performed (i) Photosensitive etching Resist (laminate), pattern exposure, development, copper etching, forming resist circuit through resist stripping process (j) solder resist coating process (k) surface treatment after circuit formation ( i plating, Au plating, etc.) processes, and trimmed

(実施例2のプロセス概要)
(a)銅、又はアルミベース板、絶縁層(熱伝導性、低弾性樹脂)、リードフレームを順次3層に重ねた構造にしてレイアップ
(b)熱プレスによる積層工程
(c)表層金属部に感光性エッチングレジスト(ラミネート)、露光、現像、銅エッチングにて表層リードフレームの導体回路を形成
(d)表層部のバフ研磨、化学研磨工程
(e)表層部粗化工程
(f)リードフレーム面に平滑剤(アンダーコート)塗布工程
(g)表層部機械研磨(セラミックバフなど)工程
(h)リードフレーム間に微細導体回路形成の場合、全面銅メッキ工程を実施
(i)感光性エッチングレジスト(ラミネート)、パターン露光、現像、銅エッチング、レジスト剥離工程を経て導体回路を形成
(j)導体回路面の凹凸が大きい場合は、静電方式などによるソルダーレジスト塗布工程
(k)回路形成後の表面処理(Niメッキ、Auメッキなど)工程、及び外形加工
(Process overview of Example 2)
(A) Copper or aluminum base plate, insulating layer (thermal conductivity, low-elasticity resin), lead frame with a structure in which three layers are stacked in order, (b) Lamination process by hot pressing (c) Surface metal part A conductive circuit of a surface layer lead frame is formed by photosensitive etching resist (laminate), exposure, development, and copper etching. (D) Surface buff polishing, chemical polishing step (e) Surface layer roughening step (f) Lead frame Smoothing (undercoat) coating process on the surface (g) Surface layer mechanical polishing (ceramic buffing) process (h) In the case of forming a fine conductor circuit between the lead frames, the entire copper plating process is performed (i) Photosensitive etching resist (Lamination), pattern exposure, development, copper etching, resist stripping process to form a conductor circuit (j) If the conductor circuit surface has large irregularities, Over the resist coating step (k) the surface treatment after the circuit formation (Ni plating, Au plating, etc.) processes, and trimmed

本発明により、大電流、高放熱性に優れた低コストのリードフレーム放熱基板を提供することができる。また、大電流(厚銅)回路と制御(薄銅)回路の導体回路を併設することができる。
短い工程で基板製造を実施できる為、量産性を背景とした生産に適している。セラミック基板のような小サイズ基板と異なり、多面付けでの基板製造プロセスが容易にできることから生産性を上げることができる。
次世代パワー半導体などに向け、絶縁層を選択することにより、耐衝撃性、厳しい温度サイクル、放熱性などにも適合した大電流、高温に耐えうる最適な熱伝導基板を提供することができる。
According to the present invention, it is possible to provide a low-cost lead frame heat dissipation board excellent in high current and high heat dissipation. In addition, a conductor circuit of a large current (thick copper) circuit and a control (thin copper) circuit can be provided.
Since the substrate can be manufactured in a short process, it is suitable for production against the background of mass productivity. Unlike a small-sized substrate such as a ceramic substrate, productivity can be increased because a substrate manufacturing process with multiple surfaces can be easily performed.
By selecting an insulating layer for next-generation power semiconductors and the like, it is possible to provide an optimum thermal conductive substrate that can withstand high currents and high temperatures that are suitable for impact resistance, severe temperature cycling, heat dissipation, and the like.

実施例の形態をあらわす概略積層レイアップ説明図Outline lamination layup explanatory diagram showing the form of the embodiment 積層後の形態をあらわす概略断面説明図Schematic cross-sectional explanatory diagram showing the form after lamination 平坦化樹脂塗布後の形態をあらわす概略断面説明図Schematic cross-sectional explanatory diagram showing the form after applying the flattening resin 基板表面平坦化の状態を表す概略断面説明図Schematic cross-sectional explanatory drawing showing the state of substrate surface flattening リードフレームと微細導体回路の概略断面図Schematic cross section of lead frame and fine conductor circuit リードフレームと導体回路の概略平面図Schematic plan view of lead frame and conductor circuit リードフレームと導体回路の概略平面図(外形加工後)Schematic plan view of lead frame and conductor circuit (after outline processing) リードフレームと導体回路の概略平面図(エッチング工程後)Schematic plan view of lead frame and conductor circuit (after etching process)

1:熱板
2:クッション材(離形紙)
3:プレス板(SUS)
4:リードフレーム材
5:絶縁材(熱伝導材、低弾性樹脂など)
6:金属板(銅、アルミニウム材など)
7:平滑剤(平坦化樹脂)
8:微細導体回路
1: Hot plate 2: Cushion material (release paper)
3: Press plate (SUS)
4: Lead frame material 5: Insulating material (thermal conductive material, low elastic resin, etc.)
6: Metal plate (copper, aluminum material, etc.)
7: Smoothing agent (flattening resin)
8: Fine conductor circuit

実施例1における、図1は、熱プレスにより積層する時のレイアップの一例を示す。
リードフレーム基板のベースになる金属板6に熱伝導性のある絶縁材5とリードフレーム材4を重ね、その両サイドには離型性を有するクッション材2を置き、プレス板3で挟むことが好ましい。加熱プレスの熱板1とSUSなどを使用するプレス板3の間には、クッション材2などの離型紙を置くことにより、打痕の防止と押圧力が均一になるようにする。
リードフレーム材としては、種々の合金類、無酸素銅(記号:C1020)、タフピッチ銅(記号:C1100)などが選択でき、例えば、厚みは0.2mmから1mm程度である。加工性、電気伝導性、電流容量により材料、厚みを選択して最適化できる。リードフレームの導体パターン形成方法としては、エッチングでも良いが、金型プレスによる打ち抜きがパターンの同一性、量産性の面から適している。
金型プレスの場合は、バリなどが発生しやすいことから、レイアップ前には研磨工程を実施して、バリを除去し、滑らかにする。
FIG. 1 in Example 1 shows an example of layup when laminating by hot pressing.
A heat conductive insulating material 5 and a lead frame material 4 are stacked on a metal plate 6 serving as a base of a lead frame substrate, and a cushioning material 2 having releasability is placed on both sides of the metal plate 6 and sandwiched between press plates 3. preferable. A release paper such as a cushioning material 2 is placed between the hot plate 1 of the hot press and the press plate 3 using SUS, etc., so as to prevent dents and make the pressing force uniform.
As the lead frame material, various alloys, oxygen-free copper (symbol: C1020), tough pitch copper (symbol: C1100), and the like can be selected. For example, the thickness is about 0.2 mm to 1 mm. The material and thickness can be selected and optimized according to processability, electrical conductivity, and current capacity. Etching may be used as a method for forming a lead frame conductor pattern, but punching with a die press is suitable in terms of pattern identity and mass productivity.
In the case of a die press, burrs and the like are likely to occur. Therefore, a polishing process is performed before laying up to remove and smooth the burrs.

ベースになる金属板6としては、通常は銅板、アルミ板、または合金などが使用される。銅板の場合は、無酸素銅(記号:C1020)、タフピッチ銅(記号:C1100)などが多く利用される。絶縁材5としては、ガラス繊維、ポリイミド樹脂とエポキシ樹脂など熱による反応硬化樹脂からなるシート状の基材(プリプレグ)を用いることができる。各種のものが市販されており、それら仕様に合わせていずれも選択、使用できる。絶縁層の平坦、厚みと強度などを一定に保つためには、ガラス繊維入りが好ましい。
また、特に、温度サイクル条件などが厳しい環境用には、実装される部品との間で熱膨張に伴う半田クラックなど防止のために、低弾性の樹脂を使用した絶縁材が適している。
As the metal plate 6 serving as a base, a copper plate, an aluminum plate, an alloy, or the like is usually used. In the case of a copper plate, oxygen-free copper (symbol: C1020), tough pitch copper (symbol: C1100), etc. are often used. As the insulating material 5, a sheet-like base material (prepreg) made of a reactive curable resin such as glass fiber, polyimide resin, and epoxy resin can be used. Various products are commercially available, and any of them can be selected and used according to their specifications. In order to keep the flatness, thickness and strength of the insulating layer constant, glass fiber is preferable.
In particular, an insulating material using a low-elasticity resin is suitable for an environment where temperature cycle conditions are severe, in order to prevent a solder crack caused by thermal expansion with a mounted component.

熱伝導性のある絶縁層は薄い方が放熱特性を高められるが、一方で耐電圧が低下傾向になるため、耐電圧仕様を満足する絶縁厚を選択して最適化する。絶縁層の厚みは、耐電圧と熱伝導性を考慮して、例えば、厚さ50μから0.2mmで設定する場合が多い。
一例として、絶縁層はガラス繊維入りの100μ厚(3W/mK)で耐電圧4kVの実績があるものが既に製品提供されている。また、熱伝導率5W/mK以上、耐熱性250℃以上の熱硬化性樹脂が既に開発されている。
The thinner the heat conductive insulating layer, the higher the heat dissipation characteristics. On the other hand, the withstand voltage tends to decrease, so the insulation thickness that satisfies the withstand voltage specification is selected and optimized. The thickness of the insulating layer is often set to a thickness of 50 μ to 0.2 mm in consideration of withstand voltage and thermal conductivity, for example.
As an example, a product having an insulation layer with a glass fiber-containing thickness of 100 μm (3 W / mK) and a withstand voltage of 4 kV has already been provided. In addition, thermosetting resins having a thermal conductivity of 5 W / mK or higher and a heat resistance of 250 ° C. or higher have already been developed.

レイアップ後は、樹脂により選択された温度プロファイルに準じて、熱プレスによる積層を実施し、その結果は図2に示される積層体を得ることができる。
熱プレスによる樹脂に対する硬化温度は一例として160℃から180℃範囲で、圧力は2から3MPaが適切である。
熱プレスにおいては、絶縁性樹脂5にリードフレーム材4を重ね、ベースに銅板6などを挟み加熱、加圧処理を実施することにより熱硬化にて接着させる。樹脂との密着力を高める為、リードフレーム面とベース面の絶縁層との接着する表面は密着力を高めるため事前に機械的、化学的に粗化を施しておくことが好ましい。
After the layup, lamination by hot pressing is performed according to the temperature profile selected by the resin, and as a result, a laminate shown in FIG. 2 can be obtained.
As an example, the curing temperature for the resin by hot pressing is in the range of 160 ° C. to 180 ° C., and the pressure is suitably 2 to 3 MPa.
In the hot press, the lead frame material 4 is superposed on the insulating resin 5, and a copper plate 6 or the like is sandwiched between the bases, and heating and pressurizing processes are performed to bond them by thermosetting. In order to increase the adhesion with the resin, it is preferable to mechanically and chemically roughen the surface where the lead frame surface and the insulating layer of the base surface are bonded in advance in order to increase the adhesion.

実施例1の図2は、積層後の形態をあらわす断面図であり、図1のレイアップに基づきリードフレーム材4、絶縁材5と金属板6を積層後の断面状況を示す。リードフレーム材4と絶縁材5は密着しているが、表面部分は凹凸が発生して平滑にはならない。リードフレーム材4のある部分が凸形状、無い部分が凹形状となって仕上がる。FIG. 2 of Example 1 is a cross-sectional view showing a form after lamination, and shows a cross-sectional state after lamination of the lead frame material 4, the insulating material 5, and the metal plate 6 based on the layup of FIG. The lead frame material 4 and the insulating material 5 are in intimate contact, but the surface portion is uneven and does not become smooth. A part where the lead frame material 4 is formed is a convex shape, and a part where the lead frame material 4 is not is a concave shape.

実施例1の図3は、平坦化樹脂塗布後の形態をあらわす断面図であり、表面を平滑にするために平滑剤7をリードフレーム材4側の凹凸部へ、スクリーンメッシュにて塗布し、120℃にて仮硬化させたのちに、180℃にて熱硬化させる。平滑剤7は、一例として熱硬化タイプのアンダーコートなどがありエポキシ樹脂が主成分でフェノールが含まれた耐薬品性、耐熱性、機械的強度が優れており、銅厚400um以上の基板の平坦化に適用できる。この樹脂は、また耐屈曲性に優れているため薄い小型基板などにも適している。
平坦化樹脂として、特に高い耐熱性が要求される場合は、シリコン樹脂などのシリコン含有のレジストなども選択できる。
FIG. 3 of Example 1 is a cross-sectional view showing the form after the application of the planarizing resin, and in order to smooth the surface, the smoothing agent 7 is applied to the concavo-convex portion on the lead frame material 4 side with a screen mesh, After pre-curing at 120 ° C., heat curing at 180 ° C. The smoothing agent 7 is, for example, a thermosetting undercoat, and is excellent in chemical resistance, heat resistance and mechanical strength, which is mainly composed of an epoxy resin and contains phenol, and is flat on a substrate having a copper thickness of 400 μm or more. It can be applied to This resin is also suitable for thin small substrates because of its excellent bending resistance.
In the case where particularly high heat resistance is required as the planarizing resin, a silicon-containing resist such as a silicon resin can be selected.

実施例1の図4は、基板表面平坦化の状態をあらわす概略断面図であり、一例として、図3の塗布後の基板に対し、セラミックバフなど使用し(コンベア速度:1m/min程度)リードフレーム材を含めて表面を研磨する。リードフレーム面が表面に露出するまで研磨を実施することにより、表面を平坦化する。これにより、リードフレームの導体表面と隣接間は全て表面を面一にすることができる。FIG. 4 of Example 1 is a schematic cross-sectional view showing a state of flattening the substrate surface. As an example, a ceramic buff or the like is used for the substrate after application of FIG. 3 (conveyor speed: about 1 m / min). Polish the surface including the frame material. By polishing until the lead frame surface is exposed to the surface, the surface is flattened. As a result, the entire surface of the lead frame between the conductor surface and the adjacent surface can be made flush.

図5は、リードフレーム面に微細導体回路8を追加時の状態を示す断面図である。
平坦化された図4の基板に対し、パラジウム等のメッキ触媒を付着させ無電解メッキと電解メッキの組み合わせにより、一例として表面を20から50μmに均一メッキする。
無電解メッキは、銅、ニッケルなどのメッキ液が使用されるが、その後に銅エッチングにて導体回路8を形成するため、銅が好ましい。
表面に全面電解銅メッキを施した後に、感光性エッチングレジストなどラミネートし、導体回路8のパターン形状に応じて露光、現像、エッチングを実施し、形成する。
エッチング後は、残されたドライフィルムエッチングレジストなどを水酸化ナトリウム水溶液にて剥離し、その後洗浄、乾燥させることにより微細導体回路8を形成することができる。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state when the fine conductor circuit 8 is added to the lead frame surface.
For example, the surface of the flattened substrate shown in FIG. 4 is uniformly plated to a thickness of 20 to 50 μm by combining a plating catalyst such as palladium with a combination of electroless plating and electrolytic plating.
For the electroless plating, a plating solution such as copper or nickel is used. However, since the conductor circuit 8 is formed by copper etching after that, copper is preferable.
After the entire surface is subjected to electrolytic copper plating, a photosensitive etching resist or the like is laminated, and exposure, development, and etching are performed according to the pattern shape of the conductor circuit 8 to form.
After the etching, the remaining dry film etching resist or the like is peeled off with an aqueous sodium hydroxide solution, and then washed and dried, whereby the fine conductor circuit 8 can be formed.

図6は、実施例におけるリードフレーム枠と導体回路が一緒に付いた基板を上面から見た平面図である。
導体回路部とリードフレーム枠を接続して一緒に積層させているため、各導体が決められた位置に絶縁樹脂と密着させることができる。
上面から見える斜線部分はリードフレームの導体回路と配線回路で、それ以外の部分は平滑剤7による絶縁樹脂、またはソルダーレジストで埋められて保護されている。
リードフレームの導体が全てつながっているため、表面処理に電解メッキなどが必要になる場合は、メッキリードとして使用でき、新たなメッキリードが不要になり容易に実施することができる。
リードフレーム枠の周辺部分は、その後の工程で外形加工を実施する。外形加工後は、図7に示す。実施例としては、金型プレスで裏面から打ち抜き、バリが実装面側に発生しないように外形加工を仕上げる。
A−A’の切断面は図5で表され、底面の金属板に熱硬化樹脂と高熱伝導材を組み合わた高い電気絶縁性を有した樹脂と上部に導体回路を積層した構造が図面から分かる。
FIG. 6 is a plan view of the substrate with the lead frame frame and the conductor circuit attached together according to the embodiment as seen from above.
Since the conductor circuit portion and the lead frame frame are connected and laminated together, each conductor can be brought into close contact with the insulating resin at a predetermined position.
The shaded portion visible from the upper surface is a conductor circuit and a wiring circuit of the lead frame, and the other portions are protected by being filled with an insulating resin or a solder resist with a smoothing agent 7.
Since all the conductors of the lead frame are connected, when electrolytic plating or the like is required for the surface treatment, it can be used as a plating lead, and a new plating lead is not necessary and can be easily implemented.
The outer peripheral portion of the lead frame frame is processed in a subsequent process. FIG. 7 shows the outer shape after processing. As an example, the outer shape is finished so that burrs are not generated on the mounting surface side by punching from the back surface with a die press.
A cut surface of AA ′ is shown in FIG. 5, and a structure in which a metal plate on the bottom is laminated with a resin having high electrical insulation, which is a combination of a thermosetting resin and a high thermal conductive material, and a conductor circuit on the top is understood from the drawing. .

実施例における図8のリードフレーム基板は、耐電圧をさらに高めるため基板端面周辺に導体パターン、及びリードなどを出さない仕様、用途などに適している。
この場合の製造法としては、リードフレームは事前に導体パターン化せずに以下の工程で実施する。
リードフレーム基板のベースになる金属板6に熱伝導性のある絶縁材5と導体形成されていないリードフレーム材4を重ね、その両サイドには離型性を有するクッション材2を置き、プレス板3で挟むことが好ましい。加熱プレスの熱板1とSUSなどを使用するプレス板3の間には、クッション材2などの離型紙を置くことにより、打痕の防止と押圧力が均一になるようにする。導体形成されていないリードフレーム材としては、種々の合金類、無酸素銅、タフピッチ銅などが選択でき、厚みは例えば0.2mmから1mm程度でモジュール仕様に合わせて選択する。電流容量などにより材料の厚みを選択して最適化することになる。
The lead frame substrate of FIG. 8 in the embodiment is suitable for specifications and applications in which a conductor pattern and leads are not provided around the end face of the substrate in order to further increase the withstand voltage.
As a manufacturing method in this case, the lead frame is implemented in the following steps without forming a conductor pattern in advance.
An insulating material 5 having thermal conductivity and a lead frame material 4 not formed with a conductor are superimposed on a metal plate 6 serving as a base of the lead frame substrate, and a cushioning material 2 having releasability is placed on both sides thereof, and a press plate 3 is preferable. A release paper such as a cushioning material 2 is placed between the hot plate 1 of the hot press and the press plate 3 using SUS, etc., so as to prevent dents and make the pressing force uniform. As the lead frame material on which no conductor is formed, various alloys, oxygen-free copper, tough pitch copper, and the like can be selected. The thickness is, for example, about 0.2 mm to 1 mm, and is selected according to the module specifications. The material thickness is selected and optimized depending on the current capacity and the like.

熱プレスにおいては、絶縁性樹脂5にリードフレーム材4を重ね、ベースに銅板6などを挟んで加熱、加圧処理を実施することにより熱硬化にて接着させる。樹脂との密着力を高めるためにリードフレーム面とベース面の絶縁層との接着表面は密着力を確保するため事前に機械的、化学的に粗化を施しておくことが好ましい。
熱プレスによる積層を実施後に、リードフレームに導体回路を形成するために、感光性エッチングレジストなどラミネートし、露光、現像、銅エッチング、レジスト剥離の工程を実施し、表層部に導体パターンを形成する。厚銅の場合、エッチファクターの影響を考慮すると、導体間のスペースは回路の厚みに比例して広く確保しておく必要がある。
In the hot press, the lead frame material 4 is overlaid on the insulating resin 5, and the base plate is sandwiched between the copper plate 6 and the like, and is heated and pressurized to be bonded by thermosetting. In order to increase the adhesion with the resin, it is preferable that the adhesive surface between the lead frame surface and the insulating layer of the base surface is roughened mechanically and chemically in advance in order to ensure adhesion.
After laminating by hot press, in order to form a conductor circuit on the lead frame, laminating a photosensitive etching resist, etc., carrying out the steps of exposure, development, copper etching, resist stripping, and forming a conductor pattern on the surface layer part . In the case of thick copper, in consideration of the influence of the etch factor, it is necessary to secure a wide space between the conductors in proportion to the thickness of the circuit.

リードフレーム材4と絶縁材5は密着しているが、表面部分は凹凸が発生して平滑でなく、リードフレーム材4の導体部分が凸形状、導体の無い部分は凹形状となって仕上がるため、上記実施例の図3に続く工程で平坦化樹脂塗布、表面研磨工程、最終導体回路形成などを経て、表面メッキ処理などを実施し、リードフレーム基板を製造する。The lead frame material 4 and the insulating material 5 are in close contact with each other, but the surface portion is uneven and uneven, and the lead frame material 4 has a convex shape in the conductor portion and a concave shape in the portion without the conductor. In the process subsequent to FIG. 3 in the above-described embodiment, a flattening resin coating, a surface polishing process, a final conductor circuit formation, etc. are performed, and surface plating is performed to manufacture a lead frame substrate.

実施例1のリードフレーム基板の概略製造方法を以下に示す。
1)ベースになる圧延銅板(または、AL 板)に、エッチング、又はプレスカット後のリードフレーム材4を熱プレスで形成する。銅板、及びリードフレーム材4(通常1mm程度が多い)は事前に粗化し、絶縁層との密着強度をはかる。
絶縁樹脂(プリプレグ)は用途に応じて、高耐熱、高熱伝導、低弾性などから適切な樹脂を選択する。
2)熱プレスで基板積層完了後に、基板を取り出し、金属部は機械研磨、化学研磨などにより表面を平滑にする。次に平滑剤7を塗布するために表面は事前に粗化を行なう。
その後、表面はリードフレーム材4が積層された構造になっているため、リードフレーム材4と絶縁層の表面は凹凸の段差が生じている。
リードフレームと絶縁層5の凹凸を埋めるため平滑剤(平坦化樹脂)などを回路面全面に印刷塗布する。
平滑剤7を塗布したのち、リードフレーム間の樹脂(絶縁層)を硬化させる。
樹脂(絶縁層)を硬化させた後に、セラミックバフにて平滑剤7面とリードフレーム回路面を平坦化する。
3)リードフレームの隣接間に微細導体回路を形成する場合は、全面に無電解銅、及び電解銅メッキを実施する。実施例としては、通常20μから50μのメッキ厚が好ましい。
感光性エッチングレジスト(ラミネート)、パターン露光、現像、銅エッチング、レジスト剥離工程を経て導体回路を形成する。導体回路面には、ソルダーレジストを塗布する。
4)仕様に応じて、導体回路形成後の表面処理(Nメッキ、金メッキ)などを実施する。
A schematic manufacturing method of the lead frame substrate of Example 1 is shown below.
1) A lead frame material 4 after etching or press-cutting is formed on a rolled copper plate (or AL plate) serving as a base by hot pressing. The copper plate and the lead frame material 4 (usually about 1 mm in many cases) are roughened in advance to measure the adhesion strength with the insulating layer.
As the insulating resin (prepreg), an appropriate resin is selected from high heat resistance, high thermal conductivity, low elasticity, and the like according to applications.
2) After the substrate lamination is completed by hot pressing, the substrate is taken out and the surface of the metal part is smoothed by mechanical polishing, chemical polishing or the like. Next, in order to apply the smoothing agent 7, the surface is roughened in advance.
After that, since the surface has a structure in which the lead frame material 4 is laminated, the surface of the lead frame material 4 and the insulating layer has uneven steps.
A smoothing agent (flattening resin) or the like is printed and applied over the entire circuit surface in order to fill the unevenness of the lead frame and the insulating layer 5.
After applying the smoothing agent 7, the resin (insulating layer) between the lead frames is cured.
After the resin (insulating layer) is cured, the surface of the smoothing agent 7 and the lead frame circuit surface are flattened with a ceramic buff.
3) When a fine conductor circuit is formed between adjacent lead frames, electroless copper and electrolytic copper plating are performed on the entire surface. As an example, a plating thickness of usually 20 μ to 50 μ is preferable.
A conductive circuit is formed through a photosensitive etching resist (laminate), pattern exposure, development, copper etching, and resist stripping process. A solder resist is applied to the conductor circuit surface.
4) Depending on the specifications, surface treatment (N plating, gold plating) after forming the conductor circuit is performed.

実施例2のリードフレーム基板の概略製造方法を以下に示す。
1)銅板、及びリードフレーム材4(通常は1mm程度)は事前に粗化し、絶縁層との密着強度をはかる。
絶縁樹脂(プリプレグ)は用途に応じて、高耐熱、高熱伝導、低弾性などから適切な樹脂を選択する。
2)熱プレスで基板積層完了後に、基板を取り出し、バフ研磨、化学研磨などにより表面を平滑にする。リードフレーム材の導体回路の形成は、感光性エッチングレジスト、露光、現像、銅エッチング、剥離工程を通して導体回路の形成を実施する。
次に平滑剤7を塗布するために表面は粗化を実施する。
表面はリードフレーム材4が積層された構造になっているため、リードフレーム材4と絶縁層の表面は凹凸の段差が生じている。
リードフレームと絶縁層5の凹凸を埋めるため平滑剤(平坦化樹脂)などを前面に印刷する。
平滑剤7を塗布したのち、リードフレーム間の絶縁層を硬化させる。
絶縁層を硬化させた後に、セラミックバフにて平滑剤7面とリードフレーム回路面を平坦化する。
リードフレームの隣接間に微細導体回路がない場合、そのままソルダーレジストを塗布する。
3)リードフレームの隣接間に微細導体回路を形成する場合、全面に無電解銅、及び電解銅メッキのパネルメッキを実施する。実施例としては、通常20μから50μのメッキ厚が好ましいが、仕様に応じて適切なメッキ厚に対応させることも可能である。
感光性エッチングレジスト(ラミネート)、パターン露光、現像、銅エッチング、レジスト剥離工程を経て導体回路を形成する。導体回路面に、ソルダーレジストを塗布する。
4)必要に応じて、導体回路形成後の表面処理(Nメッキ、金メッキ)などを実施する。
A schematic manufacturing method of the lead frame substrate of Example 2 is shown below.
1) The copper plate and the lead frame material 4 (usually about 1 mm) are roughened in advance to measure the adhesion strength with the insulating layer.
As the insulating resin (prepreg), an appropriate resin is selected from high heat resistance, high thermal conductivity, low elasticity, and the like according to applications.
2) After substrate lamination is completed by hot pressing, the substrate is taken out and the surface is smoothed by buffing, chemical polishing or the like. The conductor circuit of the lead frame material is formed through a photosensitive etching resist, exposure, development, copper etching, and peeling process.
Next, in order to apply the smoothing agent 7, the surface is roughened.
Since the surface has a structure in which the lead frame material 4 is laminated, the surface of the lead frame material 4 and the insulating layer has uneven steps.
A smoothing agent (flattening resin) or the like is printed on the front surface to fill the unevenness of the lead frame and the insulating layer 5.
After applying the smoothing agent 7, the insulating layer between the lead frames is cured.
After the insulating layer is cured, the smoothing agent 7 surface and the lead frame circuit surface are flattened with a ceramic buff.
If there is no fine conductor circuit between adjacent lead frames, solder resist is applied as it is.
3) When a fine conductor circuit is formed between adjacent lead frames, panel plating of electroless copper and electrolytic copper plating is performed on the entire surface. As an embodiment, a plating thickness of 20 μm to 50 μm is usually preferable, but it is possible to correspond to an appropriate plating thickness according to the specification.
A conductive circuit is formed through a photosensitive etching resist (laminate), pattern exposure, development, copper etching, and resist stripping process. Apply solder resist to the conductor circuit surface.
4) If necessary, surface treatment (N plating, gold plating) after forming the conductor circuit is performed.

上記、実施例によるリードフレーム基板製造により、制御(薄銅微細導体)回路を含めた導体厚を高めた大電流(厚銅)回路とそれに伴う発熱に耐える構造であるため、実装回路面にパワーデバイス部品、パッケージ部品などを搭載して放熱、拡散性を高め、部品の長寿命化にも適した課題を解決する熱伝導基板を提供できる。Due to the manufacture of the lead frame substrate according to the above embodiment, the structure is designed to withstand the large current (thick copper) circuit with increased conductor thickness including the control (thin copper fine conductor) circuit and the heat generated by the circuit. By mounting device parts, package parts, etc., it is possible to provide a heat conduction substrate that improves heat dissipation and diffusibility and solves problems suitable for extending the life of parts.

Claims (4)

金属板、熱伝導絶縁層又は低弾性絶縁層とリードフレームからなる熱伝導基板であり、リードフレーム間は平滑剤(平坦化樹脂)により保護し、大電流導体回路と微細導体回路を同一平面で一体化(併設)形成できる高放熱用リードフレーム基板。It is a heat conductive substrate consisting of a metal plate, a heat conductive insulating layer or a low elastic insulating layer and a lead frame. The space between the lead frames is protected by a smoothing agent (flattening resin), and the large current conductor circuit and the fine conductor circuit are coplanar. Lead frame substrate for high heat dissipation that can be integrated (co-located). 上記、リードフレームは、タフピッチ銅、無酸素銅、その他の合金を含む銅板のいずれかひとつに記載のリードフレーム基板The lead frame is a lead frame substrate according to any one of copper plates including tough pitch copper, oxygen-free copper, and other alloys 上記、熱伝導絶縁層は、熱硬化性樹脂と高熱伝導性フィラー(エポキシ含む)、又は低弾性樹脂を含むリードフレーム基板The above-mentioned heat conductive insulating layer is a lead frame substrate including a thermosetting resin and a high heat conductive filler (including epoxy) or a low elastic resin. 請求項1のリードフレーム基板の製造方法2. A method of manufacturing a lead frame substrate according to claim 1.
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