JP2014092581A - Transparent conductive film with anti-reflective properties, touch panel, and image display device - Google Patents

Transparent conductive film with anti-reflective properties, touch panel, and image display device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive film which has anti-reflective properties and yet offers superior adhesion of a transparent conductive layer.SOLUTION: A transparent conductive film having anti-reflective properties comprises; a micro concavo-convex structure containing a resin and having a micro concavo-convex pattern; a fist transparent conductive layer containing either a combination of an organic compound and conductive-metal-containing nano-particles or a conductive organic polymer; and a second transparent conductive layer containing a conductive metallic oxide formed on at least one surface of a transparent base material in the described order. A surface of an outer most layer on the second transparent conductive layer side has a micro concavo-convex pattern with a micro-protrusion group comprising a group of micro-protrusions. The micro-protrusions are structured such that the shortest wavelength Λmin in a wavelength band of anti-reflection target light and a maximum value dmax of distance d between two adjacent micro-protrusions satisfy a relationship expressed as dmax≤Λmin, and that a cross-sectional area occupied by the material portion of each micro-protrusion in a horizontal cross-sectional plane perpendicular to a depth direction thereof continuously and gradually increases from an apex thereof toward the deepest point.

Description

本発明は、反射防止性透明導電フィルムと、これを用いたタッチパネル及び画像表示装置に関するものである。   The present invention relates to an antireflection transparent conductive film, a touch panel using the same, and an image display device.

近年、モバイル機器や携帯電話機器などが備える液晶表示素子などの表示装置上には、情報を入力するための抵抗膜式タッチパネル、あるいは、多点同時入力が可能な静電容量式タッチパネルが配置されるようになっている。   In recent years, a resistive touch panel for inputting information or a capacitive touch panel capable of simultaneous input of multiple points is disposed on a display device such as a liquid crystal display element included in a mobile device or a mobile phone device. It has become so.

抵抗膜式タッチパネルは、2つの透明導電フィルムがアクリル樹脂などの絶縁材料からなるスペーサを介して対向配置された構造を有する。透明導電フィルムは、タッチパネルの電極として機能するものであり、高分子フィルムなどの透明性を有する基材と、この基材上に形成された、ITO(Indium Tin Oxide)などの高屈折率の材料(例えば1.9〜2.1程度)からなる透明導電膜とを備える。静電容量式タッチパネルの場合は上記構成に留まらず、表裏あるいは絶縁層を介してXY座標を検出するための透明導電膜のパターニングが実施されている。また、上記透明導電フィルムの動作を確実なものとするために上記透明導電フィルムと、上記液晶表示素子との間に液晶表示素子から発生する電磁ノイズを除去するための上記反射防止透明導電層を設ける事も有効である。   The resistive touch panel has a structure in which two transparent conductive films are arranged to face each other with a spacer made of an insulating material such as acrylic resin. A transparent conductive film functions as an electrode for a touch panel. A transparent base material such as a polymer film and a material having a high refractive index such as ITO (Indium Tin Oxide) formed on the base material. And a transparent conductive film (for example, about 1.9 to 2.1). In the case of a capacitive touch panel, the transparent conductive film for detecting XY coordinates is not limited to the above-described configuration, and the XY coordinates are detected through the front and back surfaces or the insulating layer. In order to ensure the operation of the transparent conductive film, the antireflection transparent conductive layer for removing electromagnetic noise generated from the liquid crystal display element is provided between the transparent conductive film and the liquid crystal display element. It is also effective to provide it.

タッチパネル用としての透明導電フィルムには、例えば500Ω/□以下の表面抵抗値が求められている。また、上記反射防止透明導電層についても一定の表面抵抗値(例えば、10^6Ω/□以下)が必要とされる。また、透明導電フィルムには、抵抗膜式タッチパネルが配置される液晶表示素子などの表示装置の表示品質の劣化を避けるため、高い透過率が求められている。   A transparent conductive film for a touch panel is required to have a surface resistance value of, for example, 500Ω / □ or less. The antireflection transparent conductive layer also requires a certain surface resistance value (for example, 10 ^ 6Ω / □ or less). In addition, the transparent conductive film is required to have a high transmittance in order to avoid deterioration in display quality of a display device such as a liquid crystal display element on which a resistive touch panel is disposed.

所望の表面抵抗値を実現するためには、透明導電性フィルムを構成する透明導電膜を厚くする必要がある。しかしながら、高屈折率の材料である透明導電膜を厚くすると、透明導電膜と基材との界面における外光の反射が増加し、透明導電フィルムの透過率が低下してしまうため、表示装置の品質の劣化が生じる問題がある。   In order to realize a desired surface resistance value, it is necessary to increase the thickness of the transparent conductive film constituting the transparent conductive film. However, if the transparent conductive film, which is a high refractive index material, is thickened, the reflection of external light at the interface between the transparent conductive film and the substrate increases, and the transmittance of the transparent conductive film decreases. There is a problem that the quality deteriorates.

この問題を解決するために、例えば特許文献1では、基材と透明導電膜との間に反射防止膜を設けたタッチパネル用の透明導電フィルムが提案されている。この反射防止膜は、屈折率の異なる複数の誘電体膜を順次積層して形成されている。   In order to solve this problem, for example, Patent Document 1 proposes a transparent conductive film for a touch panel in which an antireflection film is provided between a base material and a transparent conductive film. This antireflection film is formed by sequentially laminating a plurality of dielectric films having different refractive indexes.

また、特許文献2には、基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された凸部または凹部からなる構造体と、上記構造体上に形成された透明導電膜とを備え、上記構造体がアスペクト比0.2以上1.78以下の錐体形状を有し、上記透明導電膜は上記構造体に倣った表面を有し、上記構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Dm1が、5nm以上80nm以下であり、上記透明導電膜の表面抵抗は、270Ω/□以上4000Ω/□以下の範囲である透明導電性電極が記載されている。
しかしながら、特許文献2に開示されている技術のように、可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された凸部または凹部からなる構造体上に、当該構造体に追随した表面を有するように蒸着法で薄膜の透明導電膜を形成すると、透明導電膜の密着性が悪いという問題があった。また、当該透明導電膜では、透明導電膜の導電率が不十分になるという問題があった。
Patent Document 2 includes a structure composed of convex portions or concave portions arranged on the surface of a substrate at a fine pitch equal to or smaller than the wavelength of visible light, and a transparent conductive film formed on the structure. The structure has a cone shape with an aspect ratio of 0.2 or more and 1.78 or less, the transparent conductive film has a surface that follows the structure, and an average film of the transparent conductive film at the top of the structure A transparent conductive electrode having a thickness D m 1 of 5 nm or more and 80 nm or less and a surface resistance of the transparent conductive film of 270Ω / □ or more and 4000Ω / □ or less is described.
However, as in the technique disclosed in Patent Document 2, a structure having a plurality of convex portions or concave portions arranged at a fine pitch equal to or smaller than the wavelength of visible light has a surface following the structure. When a thin transparent conductive film is formed by vapor deposition, there is a problem that the adhesion of the transparent conductive film is poor. Moreover, in the said transparent conductive film, there existed a problem that the electrical conductivity of a transparent conductive film became inadequate.

特開2003−136625号公報JP 2003-136625 A 特許4626721号公報Japanese Patent No. 4626721

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、反射防止性能を有しながら、透明導電層の密着性に優れた透明導電フィルムと、これを用いたタッチパネル及び画像表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a transparent conductive film excellent in adhesion of a transparent conductive layer while having antireflection performance, and a touch panel and an image display device using the transparent conductive film. With the goal.

本発明に係る反射防止性透明導電フィルムは、透明基材の少なくとも一方の面に、樹脂を含有してなり微細凹凸形状を有する微細凹凸構造体と、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせ又は導電性有機高分子を含有する第1透明導電層と、導電性金属酸化物を含有する第2透明導電層とをこの順で含み、
前記第2透明導電層側の最外層表面が、微小突起が集合してなる微小突起群を備えた微細凹凸を有し、前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛmin、当該微小突起の隣接突起間隔dの最大値をdmaxとしたときに、
dmax≦Λmin
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有することを特徴とする。
The antireflection transparent conductive film according to the present invention is a combination of a fine concavo-convex structure having a fine concavo-convex shape containing a resin on at least one surface of a transparent substrate, and an organic compound and conductive metal-containing nanoparticles. Or a first transparent conductive layer containing a conductive organic polymer and a second transparent conductive layer containing a conductive metal oxide in this order,
The outermost layer surface on the second transparent conductive layer side has fine irregularities provided with a group of minute protrusions formed by a collection of minute protrusions, and the minute protrusions have the shortest wavelength in the wavelength band of light for antireflection. , When the maximum value of the distance d between adjacent protrusions is dmax,
dmax ≦ Λmin
And the cross-sectional area occupancy rate of the material portion forming the microprojection in the horizontal cross section when it is assumed that the microprojection is cut in a horizontal plane perpendicular to the depth direction of the microprojection is It has the structure which increases gradually gradually as it approaches the deepest part direction from the top.

また、本発明に係るタッチパネルは、2つの電極フィルムそれぞれの電極面を一定間隔で対向させてなるタッチパネルであって、少なくとも1つの電極フィルムが、前記本発明に係る反射防止性透明導電フィルムであることを特徴とする。   The touch panel according to the present invention is a touch panel in which the electrode surfaces of two electrode films are opposed to each other at a constant interval, and at least one of the electrode films is the antireflection transparent conductive film according to the present invention. It is characterized by that.

また、本発明に係る画像表示装置は、前記本発明に係るタッチパネルを、画像表示面に備えたことを特徴とする。   The image display apparatus according to the present invention is characterized in that the touch panel according to the present invention is provided on an image display surface.

前記本発明に係る反射防止性透明導電フィルム、タッチパネル、及び画像表示装置においては、前記第2透明導電層側の最外層表面の前記微小突起の少なくとも一部が、頂点を複数有する微小突起であることが、透明導電層の密着性及び反射防止性能が向上する点から好ましい。   In the antireflection transparent conductive film, the touch panel, and the image display device according to the present invention, at least a part of the microprojections on the outermost layer surface on the second transparent conductive layer side are microprojections having a plurality of vertices. Is preferable from the viewpoint of improving the adhesion and antireflection performance of the transparent conductive layer.

本発明によれば、反射防止性能を有しながら、透明導電層の密着性に優れた透明導電フィルムと、これを用いたタッチパネル及び画像表示装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can provide the transparent conductive film excellent in the adhesiveness of a transparent conductive layer, and a touch panel and image display apparatus using the same, while having antireflection performance.

本発明に係る反射防止性透明導電フィルムの一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the antireflection transparent conductive film which concerns on this invention. 本発明に係る反射防止性透明導電フィルムの他の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another example of the antireflection transparent conductive film which concerns on this invention. 本発明に係る反射防止性透明導電フィルムの他の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another example of the antireflection transparent conductive film which concerns on this invention. 本発明に係る透明導電層の膜厚の定義を説明する図である。It is a figure explaining the definition of the film thickness of the transparent conductive layer which concerns on this invention. 頂点を複数有する多峰性の微小突起の説明に供する断面図(図5(a))、斜視図(図5(b))、平面図(図5(c))である。It is sectional drawing (FIG.5 (a)), a perspective view (FIG.5 (b)), and a top view (FIG.5 (c)) with which it uses for description of the multimodal microprotrusion which has two or more vertices. ドロネー図を示す図である。It is a figure which shows a Delaunay figure. 隣接突起間距離の計測に供する度数分布図である。It is a frequency distribution diagram used for measurement of the distance between adjacent protrusions. 微小突起高さの説明に供する度数分布図である。It is a frequency distribution diagram used for description of the microprojection height. 微小突起の谷底の包絡面が大きな凹凸面(うねり)を呈する形態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the form in which the envelope surface of the valley bottom of a microprotrusion exhibits a large uneven | corrugated surface (undulation). 本発明の反射防止性透明導電フィルムの製造工程のうち、透明基材に微細凹凸構造体を形成する工程の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the process of forming a fine grooving | roughness structure in a transparent base material among the manufacturing processes of the antireflection transparent conductive film of this invention. 本発明に係るタッチパネルの一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the touchscreen which concerns on this invention. 本発明に係る画像表示装置の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the image display apparatus which concerns on this invention.

次に、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その趣旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
本発明の反射防止性透明導電フィルムにおいては、厚みの厚いもの及び薄いものの両方の意味を含めて、「フィルム」と定義する。すなわち、通例、ロールの形で供給されない「シート状」や、シート状に比べて厚さが厚いものであり、完全に曲がらないもの、及び巻き取れるほどには曲がらないが、負荷をかけることによって湾曲する「板状」のものも、本発明の「フィルム」に包含される。
また、本発明において、(メタ)アクリル樹脂は、アクリル樹脂及び/又はメタクリル樹脂を意味し、(メタ)アクリレートは、アクリレート及び/又はメタクリレートを意味する。
また、本発明において樹脂とは、モノマーやオリゴマーの他、ポリマーを含む概念である。
Next, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made within the scope of the spirit thereof.
The antireflection transparent conductive film of the present invention is defined as “film” including the meaning of both thick and thin films. In other words, it is usually “sheet-like” that is not supplied in the form of a roll, or is thicker than a sheet-like one, does not bend completely, and does not bend enough to be wound, but by applying a load A curved “plate” is also included in the “film” of the present invention.
In the present invention, (meth) acrylic resin means acrylic resin and / or methacrylic resin, and (meth) acrylate means acrylate and / or methacrylate.
Moreover, in this invention, resin is the concept containing a polymer other than a monomer and an oligomer.

I.反射防止性透明導電フィルム
本発明に係る反射防止性透明導電フィルムは、透明基材の少なくとも一方の面に、樹脂を含有してなり微細凹凸形状を有する微細凹凸構造体と、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせ又は導電性有機高分子を含有する第1透明導電層と、導電性金属酸化物を含有する第2透明導電層とをこの順で含み、
前記第2透明導電層側の最外層表面が、微小突起が集合してなる微小突起群を備えた微細凹凸を有し、前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛmin、当該微小突起の隣接突起間隔dの最大値をdmaxとしたときに、
dmax≦Λmin
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有することを特徴とする。
I. Antireflective transparent conductive film The antireflective transparent conductive film according to the present invention includes a fine concavo-convex structure having a fine concavo-convex shape containing a resin on at least one surface of a transparent substrate, an organic compound, and a conductive property. A first transparent conductive layer containing a combination of metal-containing nanoparticles or a conductive organic polymer, and a second transparent conductive layer containing a conductive metal oxide in this order,
The outermost layer surface on the second transparent conductive layer side has fine irregularities provided with a group of minute protrusions formed by a collection of minute protrusions, and the minute protrusions have the shortest wavelength in the wavelength band of light for antireflection. , When the maximum value of the distance d between adjacent protrusions is dmax,
dmax ≦ Λmin
And the cross-sectional area occupancy rate of the material portion forming the microprojection in the horizontal cross section when it is assumed that the microprojection is cut in a horizontal plane perpendicular to the depth direction of the microprojection is It has the structure which increases gradually gradually as it approaches the deepest part direction from the top.

本発明の反射防止性透明導電フィルムは、前記第2透明導電層側の最外層表面が、上記特定の構造を有する微細凹凸を有するため、少なくとも透明導電層と外界(通常、空気層)との界面における反射防止効果と、透明導電フィルムの透過率向上を実現する反射防止性透明導電フィルムである。
上記特定の微細凹凸は、樹脂を含有してなり微細凹凸形状を有する微細凹凸構造体を含むことにより得られるため、微細凹凸構造体の微細凹凸形状が維持される必要がある。本発明の反射防止性透明導電フィルムは、微細凹凸構造体と、導電性金属酸化物を含有する第2透明導電層との間に、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせ又は導電性有機高分子を含有する第1透明導電層を介在させている。第1透明導電層が有機化合物乃至導電性有機高分子を含むため、樹脂を含有してなる微細凹凸構造体と前記第1透明導電層との密着性、更には前記第1透明導電層を介して前記第2透明導電層との密着性が良好となる。また、このような第1透明導電層は通常塗布法で形成されるため、前記微細凹凸構造体の微細凹凸形状を維持しつつ、通常蒸着法で形成される第2導電層の成膜性を向上し、ひいては第2透明導電層側の最外層表面の微細凹凸の形状も維持されるため、反射防止性能に優れる。
また、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせ又は導電性有機高分子を含有する第1透明導電層と、導電性金属酸化物を含有する第2透明導電層とをこの順で含み、透明導電層が2層構造となっているため、透明導電層の膜厚を十分に確保可能であって導電性に優れるようになる。
In the antireflection transparent conductive film of the present invention, since the outermost layer surface on the second transparent conductive layer side has fine irregularities having the specific structure, at least the transparent conductive layer and the outside (usually an air layer) It is an antireflection transparent conductive film that realizes an antireflection effect at the interface and an improvement in the transmittance of the transparent conductive film.
The specific fine unevenness is obtained by including a fine uneven structure containing a resin and having a fine uneven shape. Therefore, the fine uneven shape of the fine uneven structure needs to be maintained. The antireflective transparent conductive film of the present invention comprises a combination of an organic compound and conductive metal-containing nanoparticles or a conductive organic material between a fine concavo-convex structure and a second transparent conductive layer containing a conductive metal oxide. A first transparent conductive layer containing a polymer is interposed. Since the first transparent conductive layer contains an organic compound or a conductive organic polymer, the adhesion between the fine concavo-convex structure containing resin and the first transparent conductive layer, and further through the first transparent conductive layer. Thus, the adhesion with the second transparent conductive layer is improved. Moreover, since such a 1st transparent conductive layer is normally formed by the apply | coating method, the film formability of the 2nd conductive layer normally formed by a vapor deposition method is maintained, maintaining the fine uneven | corrugated shape of the said fine uneven structure. As a result, the shape of the fine irregularities on the surface of the outermost layer on the second transparent conductive layer side is also maintained, so that the antireflection performance is excellent.
In addition, a first transparent conductive layer containing a combination of an organic compound and conductive metal-containing nanoparticles or a conductive organic polymer, and a second transparent conductive layer containing a conductive metal oxide are included in this order. Since the conductive layer has a two-layer structure, the thickness of the transparent conductive layer can be sufficiently ensured and the conductivity is excellent.

図1は、本発明に係る反射防止性透明導電フィルムの一例を模式的に示す断面図である。図1に示す反射防止性透明導電フィルム10は、透明基材1の一方の面に、当該透明基材1側から順に、樹脂を含有してなり微細凹凸形状を有する微細凹凸構造体2と、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせ又は導電性有機高分子を含有する第1透明導電層3と、導電性金属酸化物を含有する第2透明導電層4とを有し、第2透明導電層4側の最外層表面が上記特定の微細凹凸となっている。
図2に示す反射防止性透明導電フィルム10は、透明基材1の一方の表面に、樹脂を含有してなり微細凹凸形状を有する微細凹凸構造体2を有し、当該微細凹凸構造体2の表面上に、第1透明導電層3と、第2透明導電層4とをこの順に有し、第2透明導電層4側の最外層表面が上記特定の微細凹凸となっている。
以下、本発明に係る反射防止性透明導電フィルムに含まれる透明基材、微細凹凸構造体、第1透明導電層及び第2透明導電層について、順に説明する。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of an antireflection transparent conductive film according to the present invention. An antireflective transparent conductive film 10 shown in FIG. 1 includes a fine concavo-convex structure 2 having a fine concavo-convex shape, containing resin on one surface of the transparent base 1 in order from the transparent base 1 side, A first transparent conductive layer 3 containing a combination of an organic compound and conductive metal-containing nanoparticles or a conductive organic polymer, and a second transparent conductive layer 4 containing a conductive metal oxide, and a second transparent The outermost layer surface on the conductive layer 4 side has the specific fine irregularities.
An antireflective transparent conductive film 10 shown in FIG. 2 has a fine concavo-convex structure 2 containing a resin and having a fine concavo-convex shape on one surface of a transparent substrate 1. It has the 1st transparent conductive layer 3 and the 2nd transparent conductive layer 4 in this order on the surface, and the outermost layer surface by the side of the 2nd transparent conductive layer 4 becomes the said specific fine unevenness | corrugation.
Hereinafter, the transparent substrate, the fine concavo-convex structure, the first transparent conductive layer, and the second transparent conductive layer included in the antireflection transparent conductive film according to the present invention will be described in order.

<透明基材>
前記透明基材としては、透明導電フィルムに用いられる公知の透明基材を適宜選択して用いることができ、特に限定されない。前記透明基材に用いられる材料としては、例えば、透明樹脂が挙げられる。透明樹脂としては、例えば、トリアセチルセルロース等のアセチルセルロース系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリエチレンやポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエーテルサルホンやポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、アクロニトリル、メタクリロニトリル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等を挙げることができる。
また、前記透明基材に用いられる材料としては、前記透明樹脂の他に、例えばソーダ硝子、カリ硝子、鉛ガラス等の硝子、PLZT等のセラミックス、石英、蛍石等の各種透明無機材料等も挙げられる。
<Transparent substrate>
As said transparent base material, the well-known transparent base material used for a transparent conductive film can be selected suitably, and is not specifically limited. Examples of the material used for the transparent substrate include a transparent resin. Examples of the transparent resin include acetyl cellulose resins such as triacetyl cellulose, polyester resins such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, olefin resins such as polyethylene and polymethylpentene, acrylic resins, polyurethane resins, and polyethers. Examples include sulfone, polycarbonate, polysulfone, polyether, polyether ketone, acrylonitrile, methacrylonitrile, cycloolefin polymer, and cycloolefin copolymer.
In addition to the transparent resin, materials used for the transparent substrate include, for example, soda glass, potassium glass, lead glass, and other transparent inorganic materials such as ceramics such as PLZT, quartz, and fluorite. Can be mentioned.

前記透明基材は、可視光領域における透過率が80%以上であることが好ましく、90%以上であることがより好ましい。ここで、透明基材の透過率は、JIS K7361−1(プラスチック−透明材料の全光透過率の試験方法)により測定することができる。   The transparent substrate preferably has a transmittance in the visible light region of 80% or more, and more preferably 90% or more. Here, the transmittance | permeability of a transparent base material can be measured by JISK7361-1 (the test method of the total light transmittance of a plastic-transparent material).

前記透明基材の厚みは、本発明の透明導電フィルムの用途に応じて適宜設定することができ、特に限定されないが、通常20〜5000μmであり、前記透明基材は、ロールの形で供給されるもの、巻き取れるほどには曲がらないが負荷をかけることによって湾曲するもの、完全に曲がらないもののいずれであってもよい。   Although the thickness of the said transparent base material can be suitably set according to the use of the transparent conductive film of this invention, Although it does not specifically limit, Usually, it is 20-5000 micrometers, The said transparent base material is supplied with the form of a roll. However, it may be any one of those that do not bend to the extent that they can be wound, but that can be bent by applying a load, or those that do not bend completely.

本発明に用いられる透明基材の構成は、単一の層からなる構成に限られるものではなく、複数の層が積層された構成を有してもよい。複数の層が積層された構成を有する場合は、同一組成の層が積層されてもよく、また、異なった組成を有する複数の層が積層されてもよい。
また、透明基材と後述する微細凹凸構造体との密着性を向上させ、ひいては耐摩耗性を向上させるためのプライマー層を透明基材上に形成してもよい。このプライマー層は、透明基材および微細凹凸構造体との双方に密着性を有し、可視光学的に透明であれば良い。
前記プライマー層の材料としては、例えば、フッ素系コーティング剤及びシランカップリング剤等から適宜選択して使用することができる。前記フッ素系コーティング剤の市販品としては、例えば、フロロテクノロジー製のフロロサーフ FG−5010Z130等が挙げられ、前記シランカップリング剤の市販品としては、例えば、ハーベス製のデュラサーフプライマー DS−PC−3B等が挙げられる。
The configuration of the transparent substrate used in the present invention is not limited to a configuration consisting of a single layer, and may have a configuration in which a plurality of layers are laminated. When it has the structure by which the several layer was laminated | stacked, the layer of the same composition may be laminated | stacked, and the several layer which has a different composition may be laminated | stacked.
Moreover, you may form the primer layer for improving the adhesiveness of a transparent base material and the fine grooving | roughness structure mentioned later, and by extension, abrasion resistance on a transparent base material. This primer layer only needs to have adhesiveness to both the transparent substrate and the fine concavo-convex structure and be transparent in terms of visible optics.
As a material for the primer layer, for example, a material selected from a fluorine-based coating agent and a silane coupling agent can be used as appropriate. Examples of commercially available fluorine coating agents include Fluorosurf FG-5010Z130 manufactured by Fluoro Technology, and examples of commercially available silane coupling agents include Durasurf Primer DS-PC-3B manufactured by Harves. Etc.

また、前述の図2に示したように、後述する微細凹凸構造体は、当該透明基材の一方の面を賦形する等して、当該透明樹脂基材の表面に形成されたものであって、透明樹脂基材と微細凹凸構造体が単層構造であってもよい。   Further, as shown in FIG. 2 described above, the fine concavo-convex structure to be described later is formed on the surface of the transparent resin base material by shaping one surface of the transparent base material. The transparent resin base material and the fine concavo-convex structure may have a single layer structure.

<微細凹凸構造体>
透明基材の少なくとも一方の面に、樹脂を含有してなり微細凹凸形状を有する微細凹凸構造体を有する。
当該微細凹凸構造体は、図1に示したように、前記透明基材とは別の材料からなる別層として積層されていても良いし、図2に示したように、透明基材として透明樹脂基材が用いられ、当該透明樹脂基材と一体となって形成されていても良い。
また、層間の密着性、塗工適性、表面平滑性等の基材表面性能を向上させる点から、透明基材の少なくとも一方の面に、1層以上の中間層を介して、微細凹凸構造体が積層されている積層体となっていてもよい。
また、透明基材の両面に、直接又は他の層を介して、当該微細凹凸構造体を有していても良い。
<Fine uneven structure>
At least one surface of the transparent substrate has a fine concavo-convex structure containing a resin and having a fine concavo-convex shape.
The fine concavo-convex structure may be laminated as a separate layer made of a material different from the transparent base material as shown in FIG. 1, or transparent as a transparent base material as shown in FIG. A resin base material may be used and formed integrally with the transparent resin base material.
Moreover, from the point which improves base-material surface performances, such as adhesiveness between layers, coating suitability, and surface smoothness, a fine concavo-convex structure body via at least one intermediate layer on at least one surface of the transparent base material It may be a laminated body in which are stacked.
Moreover, you may have the said fine concavo-convex structure on both surfaces of a transparent base material directly or through another layer.

前記微細凹凸構造体を透明基材とは別の層として積層する場合、前記微細凹凸構造体は、樹脂を含有してなるものであり、更に樹脂組成物の硬化物からなることが好ましい。前記微小突起構造体の形成に用いられる樹脂組成物は、少なくとも樹脂を含み、必要に応じて重合開始剤等その他の成分を含有する。
前記樹脂としては、特に限定されないが、例えば、アクリレート系、エポキシ系、ポリエステル系等の電離放射線硬化性樹脂、アクリレート系、ウレタン系、エポキシ系、ポリシロキサン系等の熱硬化性樹脂、アクリレート系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系等の熱可塑性樹脂等の各種材料及び各種硬化形態の賦型用樹脂を使用することができる。なお、電離放射線とは、分子を重合させて硬化させ得るエネルギーを有する電磁波または荷電粒子を意味し、例えば、すべての紫外線(UV−A、UV−B、UV−C)、可視光線、ガンマー線、X線、電子線等が挙げられる。
When laminating the fine concavo-convex structure as a layer different from the transparent substrate, the fine concavo-convex structure is preferably made of a resin, and further made of a cured product of the resin composition. The resin composition used for forming the microprojection structure includes at least a resin and, if necessary, other components such as a polymerization initiator.
The resin is not particularly limited, for example, ionizing radiation curable resins such as acrylate, epoxy, and polyester, acrylate, urethane, epoxy, polysiloxane, and other thermosetting resins, acrylate, Various materials such as polyester resins, polycarbonate resins, polyethylene resins, polypropylene resins, and the like, and various types of curing resins can be used. The ionizing radiation means electromagnetic waves or charged particles having energy that can be cured by polymerizing molecules. For example, all ultraviolet rays (UV-A, UV-B, UV-C), visible rays, gamma rays , X-rays, electron beams and the like.

前記樹脂としては、中でも微細凹凸形状の成形性及び機械的強度に優れる点から電離放射線硬化性樹脂が好ましい。
本発明に用いられる電離放射線硬化性樹脂とは、分子中にラジカル重合性及び/又はカチオン重合性結合を有する単量体、低重合度の重合体、反応性重合体を適宜混合したものであり、後述する重合開始剤によって硬化されるものである。なお、非反応性重合体を含有してもよい。
As the resin, an ionizing radiation curable resin is preferable from the viewpoint of excellent formability and mechanical strength of a fine uneven shape.
The ionizing radiation curable resin used in the present invention is a mixture of a monomer having a radical polymerizable and / or cationic polymerizable bond in the molecule, a polymer having a low polymerization degree, and a reactive polymer. It is cured by a polymerization initiator described later. In addition, you may contain a non-reactive polymer.

前記樹脂組成物は、さらに必要に応じて、離型剤、光増感剤、酸化防止剤、重合禁止剤、架橋剤、赤外線吸収剤、帯電防止剤、粘度調整剤、密着性向上剤等を含有することもできる。   The resin composition further contains a release agent, a photosensitizer, an antioxidant, a polymerization inhibitor, a crosslinking agent, an infrared absorber, an antistatic agent, a viscosity modifier, an adhesion improver, etc., as necessary. It can also be contained.

微細凹凸構造体が有する微細凹凸形状は、当該微細凹凸形状を有する微細凹凸構造体表面上に、少なくとも後述する第1及び第2透明導電層を形成して、第2透明導電層側の最外層表面が、後述する特定の微細凹凸を有することができるものであれば特に限定されない。
後述する特定の微細凹凸の下地層となることから、当該微細凹凸構造体が有する微細凹凸形状の微小凸部も、後述する特定の微細凹凸の微小突起に類似の構造であることが好ましい。
例えば、当該微細凹凸構造体における微小凸部の隣接凸部間隔は、通常10〜300nmで設計することが好ましい。また、微小凸部の高さは、通常10〜400nmで設計することが好ましい。
The fine concavo-convex shape of the fine concavo-convex structure is formed by forming at least first and second transparent conductive layers, which will be described later, on the surface of the fine concavo-convex structure having the fine concavo-convex shape, and forming the outermost layer on the second transparent conductive layer side. The surface is not particularly limited as long as it can have specific fine irregularities described later.
Since it becomes an underlayer of specific fine unevenness described later, it is preferable that the fine unevenness of the fine unevenness included in the fine unevenness structure has a structure similar to the minute protrusion of the specific fine unevenness described later.
For example, it is preferable that the adjacent convex part interval of the fine convex part in the fine concavo-convex structure is usually designed to be 10 to 300 nm. Moreover, it is preferable to design the height of a micro convex part normally with 10-400 nm.

中でも、図3に示すように、前記微細凹凸構造体2が有する微細凹凸形状は、隣接する凸部2a及び凸部2a’間の谷底部2bに平坦部2cが存在することが好ましい。これにより、本発明の反射防止性透明導電フィルムの第2透明導電層側の最外層表面を、後述する微小突起群を備えた特定の微細凹凸形状とすることが容易となる。
なお、前記平坦部とは、前記微細凹凸構造体2において、隣接凸部の谷底を連ねた包絡面2dと凸部2a等との交線を「裾」(2e)とした場合に、隣接凸部間の裾2eから裾2e’までの微小突起を構成しない部分を意味する。前記平坦部の大きさは、本発明の反射防止性透明導電フィルムの第2透明導電層側の最外層表面を、後述する微細な凹凸形状にできる大きさに適宜調整することができるが、中でも、隣接する微小凸部間の裾から裾までの最短距離(図2中のE)が、50〜300nmであることが好ましく、50〜100nmであることが特に好ましい。なお、当該距離は、本発明の反射防止性透明導電フィルムを、隣接する微小凸部の頂部を含むように微細凹凸層を深さ方向に切断した垂直断面のTEM写真又はSEM写真を観察することにより測定することができる。
In particular, as shown in FIG. 3, it is preferable that the fine concavo-convex shape of the fine concavo-convex structure 2 has a flat portion 2 c at a valley bottom portion 2 b between adjacent convex portions 2 a and convex portions 2 a ′. Thereby, it becomes easy to make the outermost layer surface by the side of the 2nd transparent conductive layer of the antireflection transparent conductive film of this invention into the specific fine uneven | corrugated shape provided with the microprotrusion group mentioned later.
In addition, the said flat part is an adjacent convex in the said fine concavo-convex structure 2, when the intersection line of the envelope surface 2d which connected the valley bottom of the adjacent convex part, and convex part 2a etc. is made into a "hem" (2e). It means a portion that does not constitute a minute protrusion from the skirt 2e to the skirt 2e ′ between the portions. The size of the flat portion can be appropriately adjusted to a size that allows the outermost layer surface on the second transparent conductive layer side of the antireflection transparent conductive film of the present invention to have a fine uneven shape, which will be described later. The shortest distance (E in FIG. 2) from the skirt to the skirt between adjacent minute projections is preferably 50 to 300 nm, and particularly preferably 50 to 100 nm. In addition, the said distance observes the TEM photograph or SEM photograph of the vertical cross section which cut | disconnected the fine uneven | corrugated layer in the depth direction so that the antireflection transparent conductive film of this invention might contain the top part of an adjacent minute convex part. Can be measured.

微細凹凸構造体が、図1に示したように、前記透明基材とは別の材料からなる別層として積層されている場合の、当該微細凹凸層の厚み(図1のt)は、特に限定されないが、通常10〜300μmである。なお、微細凹凸層の厚みとは、微細凹凸層の透明基材側の界面から、当該微細凹凸層の微細凹凸面の最も高い頂部の高さまでの基材平面に対して垂線方向の距離を意味する。
また、前記微細凹凸構造体が、図2に示したように前記透明基材と一体化している場合、前記微細凹凸構造体と前記透明基材との合計厚み(図2のt’)は、特に限定されないが、通常20〜5300μmである。前記微細凹凸層と前記透明基材との合計厚みとは、微細凹凸面のもっとも高い頂部の高さから当該微細凹凸面と反対側の基材平面までの基材平面に対して垂線方向の距離を意味する。
As shown in FIG. 1, when the fine concavo-convex structure is laminated as a separate layer made of a material different from the transparent substrate, the thickness of the fine concavo-convex layer (t in FIG. 1) is particularly Although not limited, it is usually 10 to 300 μm. The thickness of the fine concavo-convex layer means the distance in the direction perpendicular to the substrate plane from the interface on the transparent substrate side of the fine concavo-convex layer to the height of the highest top of the fine concavo-convex surface of the fine concavo-convex layer. To do.
When the fine concavo-convex structure is integrated with the transparent substrate as shown in FIG. 2, the total thickness of the fine concavo-convex structure and the transparent substrate (t ′ in FIG. 2) is: Although not particularly limited, it is usually 20 to 5300 μm. The total thickness of the fine concavo-convex layer and the transparent substrate is a distance in a direction perpendicular to the substrate plane from the height of the highest top of the fine concavo-convex surface to the substrate plane opposite to the fine concavo-convex surface. Means.

<第1透明導電層>
本発明の反射防止性透明導電フィルムにおいて、前記微細凹凸構造体上に形成される第1透明導電層は、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせ、又は、導電性有機高分子を含有する。
第1透明導電層が有機化合物乃至導電性有機高分子を含むため、樹脂を含有してなる微細凹凸構造体と前記第1透明導電層との親和性が高くなり、密着性が優れたものになる。また、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせ又は導電性有機高分子を含有する第1透明導電層は、溶液塗布法で、上記樹脂を含有してなる微細凹凸構造体上に形成することが可能である。溶液塗布法で、上記樹脂を含有してなる微細凹凸構造体上に形成すると、第1透明導電層表面の凹凸形状を所望の形状にし易いというメリットがある。
<First transparent conductive layer>
In the antireflection transparent conductive film of the present invention, the first transparent conductive layer formed on the fine concavo-convex structure contains a combination of an organic compound and conductive metal-containing nanoparticles, or a conductive organic polymer. .
Since the first transparent conductive layer contains an organic compound or a conductive organic polymer, the affinity between the fine concavo-convex structure comprising the resin and the first transparent conductive layer is increased, and the adhesiveness is excellent. Become. Moreover, the 1st transparent conductive layer containing the combination of an organic compound and a conductive metal containing nanoparticle or a conductive organic polymer shall be formed on the fine concavo-convex structure formed by the solution coating method. Is possible. When formed on a fine concavo-convex structure containing the resin by a solution coating method, there is an advantage that the concavo-convex shape on the surface of the first transparent conductive layer can be easily formed into a desired shape.

導電性有機高分子としては、特に限定されず、ポリピロール、ポリインドール、ポリカルバゾール、ポリチオフェン(基本のポリチオフェンを含む、以下同様)系、ポリアニリン系、ポリアセチレン系、ポリフラン系、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリアズレン系、ポリパラフェニレン系、ポリパラフェニレンサルファイド系、ポリイソチアナフテン系、ポリチアジル等の鎖状導電性高分子や、ポリアセン系導電性高分子も利用することができる。中でも、導電性、透明性等の観点からポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)やポリアニリン系が好ましい。   The conductive organic polymer is not particularly limited, and is polypyrrole, polyindole, polycarbazole, polythiophene (including basic polythiophene, the same applies hereinafter), polyaniline, polyacetylene, polyfuran, polyparaphenylene vinylene, polyazulene. It is also possible to use chain-type conductive polymers such as poly-type, polyparaphenylene-type, polyparaphenylene sulfide-type, polyisothianaphthene-type, and polythiazyl, and polyacene-type conductive polymers. Of these, polyethylene dioxythiophene (PEDOT) and polyaniline are preferable from the viewpoints of conductivity and transparency.

また、本発明においては、上記導電性高分子の導電性をより高めるために、ドーピング処理を施すことが好ましい。導電性高分子に対するドーパントとしては、例えば、炭素数が6〜30の炭化水素基を有するスルホン酸(以下「長鎖スルホン酸」ともいう。)あるいはその重合体(例えば、ポリスチレンスルホン酸)、ハロゲン、ルイス酸、プロトン酸、遷移金属ハロゲン化物、遷移金属化合物、アルカリ金属、アルカリ土類金属、MClO(M=Li、Na)、R(R=CH、C、C)、又はR(R=CH、C、C)からなる群から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。なかでも、上記長鎖スルホン酸及びその重合体が好ましく、例えば、PEDOT:PSS(ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリ(スチレンスルホン酸塩))が好適に用いられる。 Moreover, in this invention, in order to raise the electroconductivity of the said conductive polymer more, it is preferable to perform a doping process. As a dopant for the conductive polymer, for example, a sulfonic acid having a hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms (hereinafter also referred to as “long-chain sulfonic acid”) or a polymer thereof (for example, polystyrene sulfonic acid), halogen , Lewis acid, proton acid, transition metal halide, transition metal compound, alkali metal, alkaline earth metal, MClO 4 (M = Li + , Na + ), R 4 N + (R═CH 3 , C 4 H 9 , C 6 H 5 ), or R 4 P + (R═CH 3 , C 4 H 9 , C 6 H 5 ). Especially, the said long chain sulfonic acid and its polymer are preferable, for example, PEDOT: PSS (polyethylene dioxythiophene poly (styrene sulfonate)) is used suitably.

長鎖スルホン酸としては、ジノニルナフタレンジスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等が挙げられる。ハロゲンとしては、Cl、Br、I、ICl、IBr、IF等が挙げられる。ルイス酸としては、PF、AsF、SbF、BF、BCl、BBr、SO、GaCl等が挙げられる。
プロトン酸としては、HF、HCl、HNO、HSO、HBF、HClO、FSOH、ClSOH、CFSOH等が挙げられる。
遷移金属ハロゲン化物としては、NbF、TaF、MoF、WF、RuF、BiF、TiCl、ZrCl、MoCl、MoCl、WCl、FeCl、TeCl、SnCl、SeCl、FeBr、SnI等が挙げられる。遷移金属化合物としては、AgClO、AgBF、La(NO、Sm(NO等が挙げられる。アルカリ金属としては、Li、Na、K、Rb、Cs等が挙げられる。アルカリ土類金属としては、Be、Mg、Ca、Sc、Ba等が挙げられる。
上記ドーパントは、導電性高分子100質量部に対して、0.001質量部以上含まれていることが好ましい。さらには、0.5質量部以上含まれていることがより好ましい。
Examples of the long chain sulfonic acid include dinonyl naphthalene disulfonic acid, dinonyl naphthalene sulfonic acid, and dodecylbenzene sulfonic acid. Examples of the halogen include Cl 2 , Br 2 , I 2 , ICl 3 , IBr, IF 5 and the like. Examples of the Lewis acid include PF 5 , AsF 5 , SbF 5 , BF 3 , BCl 3 , BBr 3 , SO 3 , GaCl 3 and the like.
Examples of the protonic acid include HF, HCl, HNO 3 , H 2 SO 4 , HBF 4 , HClO 4 , FSO 3 H, ClSO 3 H, CF 3 SO 3 H, and the like.
The transition metal halide, NbF 5, TaF 5, MoF 5, WF 5, RuF 5, BiF 5, TiCl 4, ZrCl 4, MoCl 5, MoCl 3, WCl 5, FeCl 3, TeCl 4, SnCl 4, SeCl 4 , FeBr 3 , SnI 5 and the like. The transition metal compound, AgClO 4, AgBF 4, La (NO 3) 3, Sm (NO 3) 3 and the like. Examples of the alkali metal include Li, Na, K, Rb, and Cs. Examples of the alkaline earth metal include Be, Mg, Ca, Sc, and Ba.
It is preferable that 0.001 mass part or more of the said dopant is contained with respect to 100 mass parts of conductive polymers. Furthermore, it is more preferable that 0.5 mass part or more is contained.

一方、本発明の第1透明導電層に用いられる有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせにおいて、有機化合物は、例えば、ナノ粒子表面に存在する保護剤やバインダー成分として用いられるものが挙げられる。当該保護剤としては、ナノ粒子に親和性の高い官能基と分散溶媒に親和性の高い部分を有する有機化合物が挙げられ、所謂界面活性剤、分散剤等として機能するものから、導電性金属含有ナノ粒子に合わせて適宜選択されれば良い。本発明で用いられる有機化合物は、低分子化合物であっても、高分子化合物であっても良く、また、上記導電性有機高分子を用いても良い。   On the other hand, in the combination of the organic compound and conductive metal-containing nanoparticles used in the first transparent conductive layer of the present invention, examples of the organic compound include those used as a protective agent or binder component present on the nanoparticle surface. . Examples of the protective agent include organic compounds having a functional group having a high affinity for nanoparticles and a portion having a high affinity for a dispersion solvent, and those that function as so-called surfactants, dispersants, and the like contain conductive metals. What is necessary is just to select suitably according to a nanoparticle. The organic compound used in the present invention may be a low molecular compound or a high molecular compound, and the conductive organic polymer may be used.

また、第1透明導電層に用いられる導電性金属含有ナノ粒子としては、導電性金属が含有されれば良く、導電性金属を含む場合の他、導電性金属酸化物等の導電性金属化合物を含むナノ粒子であっても良い。
導電性金属としては、6族の遷移金属、7族の遷移金属、8族の遷移金属、9族の遷移金属、10族(8A族)の遷移金属、11族(1B族)の遷移金属、12族(2B)の遷移金属、13族(3B)の典型金属、14族(4B)の典型金属を使用するのが望ましく、より具体的には、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、亜鉛(Zn)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、錫(Sn)、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されるものが挙げられる。前記導電性金属は単独または2種以上の金属を混合して使用することもでき、2種以上の金属の合金を使用することもできる。
導電性金属化合物としては、金属に配位子が配位した金属錯体、金属に有機または無機の化学基が共有結合およびイオン結合した金属化合物である。導電性金属酸化物としては、第2透明導電層において詳述するものを好適に用いることができる。それ以外の導電性金属化合物としては、具体的には、水酸化銅(II)(Cu(OH))、チオシアン酸銅(I)(CuSCN)、硝酸銅(II)(Cu(NO)、硝酸パラジウム(Pd(NO)、硝酸銀(AgNO)、亜硝酸銀(AgNO)、硫酸銅(II)(CuSO)、硫酸アルミニウム(Al(SO)、硫酸亜鉛(ZnSO)、シアン化金(I)(AuCN)などが挙げられる。
Moreover, as a conductive metal containing nanoparticle used for a 1st transparent conductive layer, what is necessary is just to contain a conductive metal, In addition to the case where a conductive metal is included, conductive metal compounds, such as a conductive metal oxide, are included. Nanoparticles may be included.
Examples of conductive metals include Group 6 transition metals, Group 7 transition metals, Group 8 transition metals, Group 9 transition metals, Group 10 (Group 8A) transition metals, Group 11 (Group 1B) transition metals, It is desirable to use a transition metal of Group 12 (2B), a typical metal of Group 13 (3B), a typical metal of Group 14 (4B), and more specifically, molybdenum (Mo), chromium (Cr), tungsten (W), nickel (Ni), palladium (Pd), platinum (Pt), zinc (Zn), copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), aluminum (Al), gallium (Ga), indium Examples thereof include those selected from the group consisting of (In), tin (Sn), and combinations thereof. The conductive metal may be used alone or in combination of two or more metals, or an alloy of two or more metals may be used.
Examples of the conductive metal compound include a metal complex in which a ligand is coordinated to a metal, and a metal compound in which an organic or inorganic chemical group is covalently bonded and ionically bonded to a metal. As the conductive metal oxide, those described in detail in the second transparent conductive layer can be suitably used. Specific examples of other conductive metal compounds include copper (II) hydroxide (Cu (OH) 2 ), copper (I) thiocyanate (CuSCN), and copper (II) nitrate (Cu (NO 3 )). 2 ), palladium nitrate (Pd (NO 3 ) 2 ), silver nitrate (AgNO 3 ), silver nitrite (AgNO 2 ), copper sulfate (II) (CuSO 4 ), aluminum sulfate (Al 2 (SO 4 ) 3 ), sulfuric acid Zinc (ZnSO 4 ), gold cyanide (I) (AuCN), and the like can be given.

前記導電性金属含有ナノ粒子の粒径は、特に限定されないが、透明性に優れる点から、平均粒径が1〜20nmであることが好ましく、1〜10nmであることが特に好ましい。なお、本発明において平均粒径とは、TEM写真又はSEM写真から測定される算術平均粒径であり、例えば、50〜200万倍で撮影されたTEM写真又はSEM写真を用いて粒子の観察を行い、観察した粒子100個の粒径の算術平均値をもって平均粒径とすることができる。また、本発明において、粒子の形状が、短径と長径を有する回転楕円体形状や棒状等、アスペクト比の概念を含む形状である場合、当該粒子の粒径は、短径と長径の平均値とする。   The particle diameter of the conductive metal-containing nanoparticles is not particularly limited, but the average particle diameter is preferably 1 to 20 nm and particularly preferably 1 to 10 nm from the viewpoint of excellent transparency. In addition, in this invention, an average particle diameter is an arithmetic average particle diameter measured from a TEM photograph or a SEM photograph, for example, observation of particle | grains using the TEM photograph or SEM photograph image | photographed by 2 to 2 million times. The arithmetic average value of the particle diameters of 100 particles observed and observed can be used as the average particle diameter. Further, in the present invention, when the particle shape is a shape including the concept of aspect ratio, such as a spheroid shape or a rod shape having a minor axis and a major axis, the particle size of the particle is an average value of the minor axis and the major axis. And

本発明の第1透明導電層に用いられる有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせにおいて、有機化合物は、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の合計量に対して0.01〜50重量%程度含まれることが好ましく、0.1〜30重量%程度含まれることが更に好ましい。   In the combination of the organic compound and the conductive metal-containing nanoparticles used in the first transparent conductive layer of the present invention, the organic compound is 0.01 to 50% by weight based on the total amount of the organic compound and the conductive metal-containing nanoparticles. About 0.1 to 30% by weight is more preferable.

第1透明導電層の形成方法としては、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、ディスペンサ印刷法、スリットコート法、ダイコート法、ドクターブレードコート法、ワイヤーバーコート法、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法等の溶液塗布法が好適に用いられる。   The first transparent conductive layer can be formed by inkjet printing, screen printing, gravure printing, offset printing, flexographic printing, dispenser printing, slit coating, die coating, doctor blade coating, wire bar coating. A solution coating method such as a method, a spin coating method, a dip coating method, or a spray coating method is preferably used.

図4に、本発明の第1透明導電層の膜厚を説明する図を示す。本発明における第1透明導電層3において、前記微細凹凸構造体の凸部の頂部5における透明導電層の膜厚D1、及び谷部6における透明導電層の膜厚D3については、前記微小突起間の谷底を連ねた包絡面7に対して法線方向8の、前記透明導電層の前記微小突起構造体側界面9から前記透明導電層表面11までの距離とする。
一方、微小凸部の高さ(H)の1/2(H/2)の部分など、微小凸部の斜面における前記透明導電層の膜厚D2については、微小凸部の斜面の法線方向12の距離とする。
FIG. 4 is a diagram illustrating the film thickness of the first transparent conductive layer of the present invention. In the 1st transparent conductive layer 3 in this invention, about the film thickness D1 of the transparent conductive layer in the top part 5 of the convex part of the said fine concavo-convex structure body, and the film thickness D3 of the transparent conductive layer in the trough part 6, it is between said microprotrusion. The distance from the microprojection structure-side interface 9 of the transparent conductive layer to the transparent conductive layer surface 11 in the normal direction 8 with respect to the envelope surface 7 connecting the valley bottoms.
On the other hand, regarding the film thickness D2 of the transparent conductive layer on the slope of the minute projection, such as a half (H / 2) portion of the height (H) of the minute projection, the normal direction of the slope of the minute projection The distance is 12.

前記第1透明導電層の厚みは、特に限定されないが、前記微細凹凸構造体の凸部の頂部5における第1透明導電層の平均膜厚D1−1は、0〜20nmの範囲内であることが好ましく、特に0〜10nmの範囲内であることが好ましい。また、前記微細凹凸構造体の谷部6における第1透明導電層の平均膜厚D3−1は、1〜60nmの範囲内であることが好ましく、特に1〜30nmの範囲内であることが好ましい。また、微小凸部の高さの1/2における第1透明導電層の平均膜厚D2−1は、0.1〜40nmの範囲内であることが好ましく、特に0.1〜20nmの範囲内であることが好ましい。
前記第1透明導電層の厚みが、前記下限値未満であると連続層を形成するのが困難になる恐れがあり、前記上限値を超えると反射防止性能が悪化する恐れがあり、また、第2透明導電層側の最外層表面を特定の微細凹凸とすることが困難となる恐れがある。
Although the thickness of the said 1st transparent conductive layer is not specifically limited, The average film thickness D1-1 of the 1st transparent conductive layer in the top part 5 of the convex part of the said fine concavo-convex structure is in the range of 0-20 nm. Is preferable, and it is particularly preferably in the range of 0 to 10 nm. Moreover, it is preferable that the average film thickness D3-1 of the 1st transparent conductive layer in the trough part 6 of the said fine concavo-convex structure is in the range of 1 to 60 nm, and particularly in the range of 1 to 30 nm. . Moreover, it is preferable that the average film thickness D2-1 of the 1st transparent conductive layer in 1/2 of the height of a micro convex part exists in the range of 0.1-40 nm, and especially in the range of 0.1-20 nm. It is preferable that
If the thickness of the first transparent conductive layer is less than the lower limit, it may be difficult to form a continuous layer. If the thickness exceeds the upper limit, the antireflection performance may be deteriorated. 2 It may be difficult to make the surface of the outermost layer on the side of the transparent conductive layer have specific fine irregularities.

<第2透明導電層>
本発明の反射防止性透明導電フィルムにおいては、前記第1透明導電層上に導電性金属酸化物を含有する第2透明導電層を有する。
導電性金属酸化物は、導電性有機高分子及び導電性金属含有ナノ粒子と比べて同じ膜厚で作成した場合に導電性を良好にし易いが、前記微細凹凸構造体に直接薄膜を積層しようとすると、密着性が悪いという問題があった。本発明においては、前記微細凹凸構造体に、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせ又は導電性有機高分子を含有する第1透明導電層を介して、導電性金属酸化物を含有する第2透明導電層を積層する。そのため、微細凹凸構造体と第1透明導電層と第2透明導電層の密着性を向上しながら、第2透明導電層側の最外層表面の凹凸形状を特定の微細凹凸を有するように形成し易いというメリットがある。また、透明導電層が上記2層構造となっているため、最外層表面を特定の微細凹凸にしながら、透明導電層の膜厚を十分に確保可能であって導電性に優れるようになる。
<Second transparent conductive layer>
The antireflection transparent conductive film of the present invention has a second transparent conductive layer containing a conductive metal oxide on the first transparent conductive layer.
Conductive metal oxide is easy to improve the conductivity when made with the same film thickness as the conductive organic polymer and conductive metal-containing nanoparticles, but trying to laminate a thin film directly on the fine concavo-convex structure Then, there existed a problem that adhesiveness was bad. In the present invention, the fine concavo-convex structure has a conductive metal oxide containing a combination of an organic compound and conductive metal-containing nanoparticles or a first transparent conductive layer containing a conductive organic polymer. Two transparent conductive layers are laminated. Therefore, while improving the adhesion between the fine concavo-convex structure, the first transparent conductive layer, and the second transparent conductive layer, the concavo-convex shape on the outermost layer surface on the second transparent conductive layer side is formed to have specific fine concavo-convex. There is a merit that it is easy. Moreover, since the transparent conductive layer has the above-mentioned two-layer structure, the film thickness of the transparent conductive layer can be sufficiently secured while the outermost surface is made to have specific fine irregularities, and the conductivity becomes excellent.

導電性金属酸化物としては、透明酸化物半導体であることが好ましく、例えば、SnO2、InO2、ZnOおよびCdOなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるSn、In、ZnおよびCdのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系(複合)酸化物を用いることができる。透明導電層を構成する材料としては、例えばITO(In23、SnO2:インジウム錫酸化物)、AZO(Al23、ZnO:アルミドープ酸化亜鉛)、SZO、FTO(フッ素ドープ酸化錫)、SnO2(酸化錫)、GZO(ガリウムドープ酸化亜鉛)、IZO(In23、ZnO:酸化インジウム亜鉛)などが挙げられるが、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、ITOが好ましい。これらの導電性金属酸化物としては、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。 The conductive metal oxide is preferably a transparent oxide semiconductor, for example, a binary compound such as SnO 2 , InO 2 , ZnO and CdO, or a constituent element of the binary compound, Sn, In, Zn and Cd. Among these, a ternary compound containing at least one element or a multi-component (composite) oxide can be used. Examples of the material constituting the transparent conductive layer include ITO (In 2 O 3 , SnO 2 : indium tin oxide), AZO (Al 2 O 3 , ZnO: aluminum-doped zinc oxide), SZO, and FTO (fluorine-doped tin oxide). ), SnO 2 (tin oxide), GZO (gallium-doped zinc oxide), IZO (In 2 O 3 , ZnO: indium zinc oxide), etc., but high reliability, low resistivity, etc. From the viewpoint, ITO is preferable. These conductive metal oxides are preferably in a mixed state of amorphous and polycrystal from the viewpoint of improving conductivity.

前記導電性金属酸化物の結晶粒子の粒径は、特に限定されないが、透明性に優れる点から、平均粒径が1〜20nmであることが好ましく、1〜10nmであることが特に好ましい。なお、本発明において平均粒径とは、TEM写真又はSEM写真から測定される算術平均粒径であり、例えば、50〜200万倍で撮影されたTEM写真又はSEM写真を用いて粒子の観察を行い、観察した粒子100個の粒径の算術平均値をもって平均粒径とすることができる。また、本発明において、粒子の形状が、短径と長径を有する回転楕円体形状や棒状等、アスペクト比の概念を含む形状である場合、当該粒子の粒径は、短径と長径の平均値とする。   The particle size of the conductive metal oxide crystal particles is not particularly limited, but the average particle size is preferably 1 to 20 nm, and particularly preferably 1 to 10 nm, from the viewpoint of excellent transparency. In addition, in this invention, an average particle diameter is an arithmetic average particle diameter measured from a TEM photograph or a SEM photograph, for example, observation of particle | grains using the TEM photograph or SEM photograph image | photographed by 2 to 2 million times. The arithmetic average value of the particle diameters of 100 particles observed and observed can be used as the average particle diameter. Further, in the present invention, when the particle shape is a shape including the concept of aspect ratio, such as a spheroid shape or a rod shape having a minor axis and a major axis, the particle size of the particle is an average value of the minor axis and the major axis. And

第2透明導電層の形成方法としては、特に限定されず、例えば、ゾルゲル法、液相析出法、スプレー法、パイロゾル法等の液相法、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法等の気相法が挙げられる。中でも、連続層の薄膜を形成することが容易な点から、気相法が好ましく、特にスパッタリング法が好ましい。   The method for forming the second transparent conductive layer is not particularly limited, and for example, a liquid phase method such as a sol-gel method, a liquid phase deposition method, a spray method, or a pyrosol method, a gas phase such as a sputtering method, a vacuum deposition method, or a CVD method. Law. Among these, the vapor phase method is preferable, and the sputtering method is particularly preferable because it is easy to form a continuous layer thin film.

第2透明導電層の厚みも、前記第1透明導電層の厚みと同様に定義される。第2透明導電層の厚みは、特に限定されないが、前記微細凹凸構造体の凸部の頂部5における第2透明導電層の平均膜厚D1−2は、1〜60nmの範囲内であることが好ましく、特に1〜30nmの範囲内であることが好ましい。また、前記微細凹凸構造体の谷部6における第2透明導電層の平均膜厚D3−2は、0〜20nmの範囲内であることが好ましく、特に0〜10nmの範囲内であることが好ましい。また、微小凸部の高さの1/2における第2透明導電層の平均膜厚D2−2は、0.1〜40nmの範囲内であることが好ましく、特に0.1〜20nmの範囲内であることが好ましい。
前記第2透明導電層の厚みが、前記下限値未満であると導電性を向上するのが困難になる恐れがあり、前記上限値を超えると反射防止性能が悪化する恐れがあり、また、第2透明導電層側の最外層表面を特定の微細凹凸とすることが困難となる恐れがある。
The thickness of the second transparent conductive layer is also defined in the same manner as the thickness of the first transparent conductive layer. Although the thickness of a 2nd transparent conductive layer is not specifically limited, The average film thickness D1-2 of the 2nd transparent conductive layer in the top part 5 of the convex part of the said fine concavo-convex structure is in the range of 1-60 nm. It is particularly preferable that the thickness is in the range of 1 to 30 nm. Moreover, it is preferable that the average film thickness D3-2 of the 2nd transparent conductive layer in the trough part 6 of the said fine concavo-convex structure body exists in the range of 0-20 nm, and it is especially preferable that it exists in the range of 0-10 nm. . Moreover, it is preferable that the average film thickness D2-2 of the 2nd transparent conductive layer in 1/2 of the height of a micro convex part exists in the range of 0.1-40 nm, especially in the range of 0.1-20 nm. It is preferable that
If the thickness of the second transparent conductive layer is less than the lower limit, it may be difficult to improve the conductivity, and if it exceeds the upper limit, the antireflection performance may be deteriorated. 2 It may be difficult to make the surface of the outermost layer on the side of the transparent conductive layer have specific fine irregularities.

なお、前記第1透明導電層は、連続層であることが好ましいが、海島構造の海部分のような、島状に層が形成されていない部分を含む連続層であっても良い。一方、前記第2透明導電層は、下地となる前記第1透明導電層との接触部分を有すれば、海島構造の島部分のような、不連続層であっても良い。前記第1透明導電層と第2透明導電層の積層体は、後述するパターニングの前段階においては、前記微細凹凸構造体の表面全体を被覆するように形成されることが好ましい。   The first transparent conductive layer is preferably a continuous layer, but may be a continuous layer including a portion where the layer is not formed in an island shape, such as a sea portion of a sea-island structure. On the other hand, the second transparent conductive layer may be a discontinuous layer such as an island portion of a sea-island structure as long as it has a contact portion with the first transparent conductive layer as a base. The laminated body of the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer is preferably formed so as to cover the entire surface of the fine concavo-convex structure in a stage before patterning described later.

また、前記第1透明導電層と第2透明導電層の膜厚の合計は、特に限定されないが、前記微細凹凸構造体の凸部の頂部5における透明導電層(第1透明導電層と第2透明導電層の膜厚の合計)の平均膜厚D1は、1〜80nmの範囲内であることが好ましく、特に1〜40nmの範囲内であることが好ましい。また、前記微細凹凸構造体の谷部6における透明導電層(第1透明導電層と第2透明導電層の膜厚の合計)の平均膜厚D3は、1〜80nmの範囲内であることが好ましく、特に1〜40nmの範囲内であることが好ましい。また、微小凸部の高さの1/2における透明導電層(第1透明導電層と第2透明導電層の膜厚の合計)の平均膜厚D2は、0.2〜80nmの範囲内であることが好ましく、特に0.2〜40nmの範囲内であることが好ましい。   Further, the total thickness of the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer is not particularly limited, but the transparent conductive layer (the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer at the top 5 of the convex portion of the fine concavo-convex structure body). The average film thickness D1 of the total thickness of the transparent conductive layers is preferably in the range of 1 to 80 nm, and particularly preferably in the range of 1 to 40 nm. Moreover, the average film thickness D3 of the transparent conductive layer (the total thickness of the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer) in the valley 6 of the fine concavo-convex structure is in the range of 1 to 80 nm. It is particularly preferable that the thickness is in the range of 1 to 40 nm. Moreover, the average film thickness D2 of the transparent conductive layer (the total film thickness of the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer) at ½ of the height of the minute convex portion is within a range of 0.2 to 80 nm. It is preferable that it is within a range of 0.2 to 40 nm.

また、透明導電層(第1透明導電層と第2透明導電層)の表面抵抗は、用途に応じて、適宜選択されれば良く特に限定されないが、500Ω/□以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは250Ω/□以下の範囲内である。このような範囲の表面抵抗にすることで、種々の方式のタッチパネルの上部電極、または下部電極として透明導電フィルムを用いることができるからである。ここで、透明導電層の表面抵抗は、4端子測定(JIS K 7194)により求めることができる。   The surface resistance of the transparent conductive layer (the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer) is not particularly limited as long as it is appropriately selected depending on the application, but is preferably in the range of 500Ω / □ or less. More preferably, it is in the range of 250Ω / □ or less. This is because by setting the surface resistance within such a range, a transparent conductive film can be used as an upper electrode or a lower electrode of various types of touch panels. Here, the surface resistance of the transparent conductive layer can be determined by 4-terminal measurement (JIS K 7194).

<最外層表面の微細凹凸>
本発明においては、前記第2透明導電層側の最外層表面が、微小突起が集合してなる微小突起群を備えた微細凹凸を有し、前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛmin、当該微小突起の隣接突起間隔dの最大値をdmaxとしたときに、
dmax≦Λmin
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有することを特徴とする。
なお、「第2透明導電層側の最外層表面」とは、前記微細凹凸構造体、前記第1透明導電層及び前記第2透明導電層を含む側の面の透明基材が存在する面とは反対側の最外層表面を意味し、第2透明導電層が最外層である場合は第2透明導電層の表面であり、第2透明導電層の上に更に他の層が積層されている場合は、当該他の層の表面である。
<Fine irregularities on the outermost layer surface>
In the present invention, the surface of the outermost layer on the second transparent conductive layer side has fine irregularities provided with a group of minute protrusions formed by a collection of minute protrusions, and the minute protrusions have a wavelength band of light for preventing reflection. Is the shortest wavelength Λmin, and the maximum value of the distance d between adjacent protrusions of the microprotrusions is dmax,
dmax ≦ Λmin
And the cross-sectional area occupancy rate of the material portion forming the microprojection in the horizontal cross section when it is assumed that the microprojection is cut in a horizontal plane perpendicular to the depth direction of the microprojection is It has the structure which increases gradually gradually as it approaches the deepest part direction from the top.
The “outermost layer surface on the second transparent conductive layer side” is a surface on which the transparent substrate on the side including the fine concavo-convex structure, the first transparent conductive layer, and the second transparent conductive layer is present. Means the surface of the outermost layer on the opposite side. When the second transparent conductive layer is the outermost layer, it is the surface of the second transparent conductive layer, and another layer is laminated on the second transparent conductive layer. In the case, it is the surface of the other layer.

前記微小突起は、隣接する突起間隔d(図1参照)が、反射防止を図る波長帯域の最短波長Λmin以下(d≦Λmin)となるよう密接して配置される。本発明に係る反射防止性透明導電フィルムを、タッチパネルに配置して視認性を向上せしめることを主目的として使用する場合は、この最短波長Λminは、個人差、視聴条件を加味した可視光領域の最短波長(通常380nm)に設定され、間隔dは、ばらつきを考慮して通常100〜300nmとされる。
またこの間隔dに係る隣接する微小突起は、いわゆる隣り合う微小突起であり、基材側の付け根部分である微小突起の裾の部分が接している突起である。本発明に係る透明導電フィルムでは、微小突起が密接して配置されることにより、微小突起間の谷の部位を順次辿るようにして線分を作成すると、平面視において各微小突起を囲む多角形状領域を多数連結してなる網目状の模様が作製されることになる。間隔dに係る隣接する微小突起は、この網目状の模様を構成する一部の線分を共有する突起である。
The minute protrusions are closely arranged so that the distance d between adjacent protrusions (see FIG. 1) is not more than the shortest wavelength Λmin (d ≦ Λmin) of the wavelength band for preventing reflection. When the antireflection transparent conductive film according to the present invention is used mainly for the purpose of improving visibility by placing it on a touch panel, this shortest wavelength Λmin is in the visible light region taking into account individual differences and viewing conditions. The shortest wavelength (usually 380 nm) is set, and the interval d is usually 100 to 300 nm in consideration of variations.
The adjacent minute protrusions related to the distance d are so-called adjacent minute protrusions, which are in contact with the hem portion of the minute protrusion which is the base portion on the base material side. In the transparent conductive film according to the present invention, when the microprojections are arranged closely so that a line segment is created so as to sequentially follow the valley portions between the microprojections, a polygonal shape surrounding each microprojection in plan view A mesh-like pattern formed by connecting a large number of regions is produced. The adjacent minute protrusions related to the distance d are protrusions that share a part of the line segments constituting the mesh pattern.

前記微小突起は、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有することから反射防止効果を発揮する。前記微細凹凸構造体と、外界(通常は空気)との間の急激で不連続な屈折率変化を、連続的で漸次変化する屈折率変化に変えることが可能となるからである。光の反射は、物質界面の不連続な急激な屈折率変化によって生じる現象であるから、透明導電フィルム表面に於ける屈折率変化を、空間的に連続的に変化する様にすることによって、該透明導電フィルム表面に於ける光反射が減るのである。
尚、前記微細凹凸構造体は、通常は透明で光は透過する物となるが、不透明の物であっても、その表面反射を低下する反射防止効果は得られる。
前記各微小突起は、基材に植立するように、さらに基材より先端側に向かうに従って徐々に断面積が小さくなるように(先細りとなるように)作製され、具体的な形状としては、例えば、半球、回転楕円体の半裁形状及び円錐形や四角錐形等の錐形体等が挙げられる。
When the microprotrusions are assumed to have been cut along a horizontal plane perpendicular to the depth direction of the microprotrusions, the cross-sectional area occupancy of the material portion forming the microprotrusions in the horizontal cross section is the deepest from the top of the microprotrusions. Since it has a structure that gradually increases gradually as it approaches the part direction, it exhibits an antireflection effect. This is because an abrupt and discontinuous change in refractive index between the fine concavo-convex structure and the outside (usually air) can be changed to a continuous and gradually changing refractive index change. Since light reflection is a phenomenon caused by a sudden and rapid change in refractive index at the material interface, the refractive index change on the surface of the transparent conductive film is made to change spatially and continuously. This is because light reflection on the surface of the transparent conductive film is reduced.
The fine concavo-convex structure is usually transparent and allows light to pass therethrough, but even an opaque object can provide an antireflection effect that reduces surface reflection.
Each of the microprotrusions is produced so that the cross-sectional area gradually decreases toward the tip side from the base material so as to be planted on the base material (so that it tapers). For example, hemispheres, spheroid semi-circular shapes, and cones such as cones and quadrangular pyramids are exemplified.

前記微小突起は、その少なくとも一部が、頂部を複数有するもの(以下、「多峰性の微小突起」と称する場合がある。)であることが好ましい。前記微小突起として多峰性の微小突起を含むことにより、本発明の反射防止性透明導電フィルムは反射防止性及び密着性がより向上する。なお、多峰性の微小突起との対比により、頂部が1つのみの微小突起を「単峰性の微小突起」と称する場合がある。また多峰性の微小突起、単峰性の微小突起に係る各頂部を形成する各凸部を、適宜、「峰」と称する。
なお、微小突起が多峰性の微小突起の場合、前記谷底部とは、当該多峰性の微小突起が有する複数の頂部間の凹部は含まず、微小突起間の凹部を意味する。また、当該多峰性の微小突起の頂部とは、複数の頂部の中で最も高い頂部を意味する。
また、第2透明導電層側の最外層表面に多峰性の微小突起を形成するには、前記微細凹凸構造体において、上記第1透明導電層と第2透明導電層を積層した後に多峰性の微小突起となるように、多峰性の微小凸部を形成しておくことが好ましい。
It is preferable that at least a part of the microprotrusions have a plurality of apexes (hereinafter sometimes referred to as “multimodal microprotrusions”). By including multimodal microprotrusions as the microprotrusions, the antireflection transparent conductive film of the present invention is further improved in antireflection and adhesion. Note that a microprojection having only one apex may be referred to as a “unimodal microprojection” in comparison with a multimodal microprojection. In addition, each convex portion forming each top portion related to a multi-peak microprojection and a single-peak microprojection is appropriately referred to as a “peak”.
When the microprotrusions are multimodal microprotrusions, the valley bottom does not include the recesses between the tops of the multimodal microprotrusions, and means the recesses between the microprotrusions. Moreover, the top of the multimodal microprotrusion means the highest top of the plurality of tops.
In addition, in order to form multi-peaked microprotrusions on the outermost layer surface on the second transparent conductive layer side, in the fine concavo-convex structure, the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer are laminated and then multi-peaked. It is preferable to form multi-peaked micro-projections so as to form a characteristic micro-projection.

図5は、この頂点を複数有する多峰性の微小突起の説明に供する断面図(図5(a))、斜視図(図5(b))、平面図(図5(c))である。なおこの図5は、理解を容易にするために模式的に示す図であり、図5(a)は、連続する微小突起の頂点を結ぶ折れ線により断面を取って示す図である。この図5(b)及び図5(c)において、xy方向は、基材1の面内方向であり、z方向は微小突起の高さ方向である。反射防止性透明導電フィルムの第2透明導電層側の最外層表面11において、多くの微小突起12は、基材1より離れて頂点に向かうに従って徐々に断面積(高さ方向に直交する面(図5においてXY平面と平行な面)で切断した場合の断面積)が小さくなって、頂点が1つにより作製される。しかしながら中には、複数の微小突起が結合したかのように、先端部分に溝gが形成され、頂点が2つになったもの(12A)、頂点が3つになったもの(12B)、さらには頂点が4つ以上のもの(図示略)が存在した。なお単峰性の微小突起12の形状は、概略、回転放物面の様な頂部の丸い形状、或いは円錐の様な頂点の尖った形状で近似することができる。一方、多峰性の微小突起12A、12Bの形状は、概略、単峰性の微小突起12の頂部近傍に溝状の凹部を切り込んで、頂部を複数の峰に分割したような形状で近似される。多峰性の微小突起12A、12Bの形状は、或いは、複数の峰を含み高さ方向(図5ではZ軸方向)を含む仮想的切断面で切断した場合の縦断面形状が、極大点を複数個含み各極大点近傍が上に凸の曲線になる代数曲線Z=a+a+・・+a2n2n+・・で近似されるような形状である。 FIG. 5 is a cross-sectional view (FIG. 5 (a)), a perspective view (FIG. 5 (b)), and a plan view (FIG. 5 (c)) for explaining the multi-peak microprotrusions having a plurality of vertices. . Note that FIG. 5 is a diagram schematically showing for easy understanding, and FIG. 5A is a diagram showing a cross section by a broken line connecting the vertices of continuous minute protrusions. 5B and 5C, the xy direction is the in-plane direction of the substrate 1, and the z direction is the height direction of the microprojections. On the outermost layer surface 11 on the second transparent conductive layer side of the antireflection transparent conductive film, many microprotrusions 12 gradually cross-sectional area (surface perpendicular to the height direction ( In FIG. 5, the cross-sectional area when cut along a plane parallel to the XY plane) is reduced, and one vertex is produced. However, in some cases, as if a plurality of microprotrusions were combined, a groove g was formed at the tip, and the apex was two (12A), the apex was three (12B), Furthermore, there were those having four or more vertices (not shown). The shape of the unimodal microprotrusion 12 can be approximated by a round shape at the top like a paraboloid of revolution, or a sharp shape at the apex like a cone. On the other hand, the shape of the multimodal microprotrusions 12A and 12B is roughly approximated by a shape in which a groove-shaped recess is cut in the vicinity of the top of the single-peak microprotrusion 12 and the top is divided into a plurality of peaks. The The shape of the multi-peak microprotrusions 12A and 12B, or the vertical cross-sectional shape when cutting along a virtual cut surface including a plurality of peaks and including the height direction (Z-axis direction in FIG. 5) is the maximum point. It is a shape that is approximated by an algebraic curve Z = a 2 X 2 + a 4 X 4 +... + A 2n X 2n +.

各微小突起の高さに高低差の有る微小突起群は、反射防止性能が広帯域化され、白色光のような多波長の混在する光、あるいは広帯域スペクトルを持つ光に対して、全スペクトル帯域で低反射率を実現するのに有利である。これは、かかる微小突起群によって良好な反射防止性能を発現し得る波長帯域が、隣接突起間距離dの他に、突起高さにも依存する為である。   The microprojections with different heights in the height of each microprotrusion have a broad antireflection performance, and have a wide spectral range for light with multiple wavelengths such as white light or light with a wideband spectrum. It is advantageous for realizing a low reflectance. This is because the wavelength band in which good antireflection performance can be exhibited by such a microprojection group depends not only on the distance d between adjacent projections but also on the projection height.

また、多峰性の微小突起が混在する場合には、単峰性の微小突起のみによる場合に比して反射防止の性能を向上することができるのは、図5に示すような多峰性の微小突起5A、5B等は、隣接突起間距離が同じ場合であっても、また突起高さが同じ場合であっても、単峰性の微小突起と比べて、より光の反射率が低減するからであり、多峰性の微小突起5A、5B等は、頂部より下(中腹及び麓)の形状が同じ単峰性の微小突起よりも、頂部近傍における有効屈折率の高さ方向の変化率が小さくなる為である。   In addition, when multi-peak microprojections coexist, the anti-reflection performance can be improved as compared with the case of using only single-peak micro-projections as shown in FIG. Even if the distance between adjacent protrusions is the same and the protrusion height is the same, the microprojections 5A, 5B, etc. of the microprojections have a lower light reflectance than the single-peak microprojections. This is because the multi-modal microprotrusions 5A, 5B, etc., change the effective refractive index in the height direction in the vicinity of the apex, compared to the monomodal microprotrusions below the apex (in the middle and the heel). This is because the rate is reduced.

また、多峰性の微小突起が混在する場合には、単峰性の微小突起のみによる場合に比して、頂部より下(中腹及び麓)の形状が同じ単峰性の微小突起よりも、頂部近傍における表面積が大きくなるため、密着性が向上する。   In addition, when multi-peaked microprojections are mixed, compared to the case of only single-peaked microprojections, the shape below the top (middle and heel) is the same as the single-peaked microprojections. Since the surface area in the vicinity of the top is increased, the adhesion is improved.

なお多峰性の微小突起は、反射防止性及び密着性を向上する効果を発揮する点からは、表面に存在する全微小突起中における多峰性の微小突起の個数の比率は10%以上であることが好ましい。特に多峰性の微小突起による反射防止性及び密着性を向上する効果を十分に奏する為には、該多峰性の微小突起の比率は30%以上、好ましくは50%以上とすることが好ましい。   In addition, the ratio of the number of the multimodal microprotrusions in the entire microprotrusions existing on the surface is 10% or more from the viewpoint that the multimodal microprotrusions have the effect of improving the antireflection property and the adhesion. Preferably there is. In particular, in order to sufficiently exhibit the effect of improving the antireflection and adhesion due to the multimodal microprotrusions, the ratio of the multimodal microprotrusions is preferably 30% or more, and preferably 50% or more. .

前記微小突起群において、高さHが同じ微小突起が一定周期で規則正しく配置されている場合、前記反射防止効果を得るためには、例えば特開昭50−70040号公報、特許第4632589号公報、特許第4270806号公報等に開示のように、隣接突起間隔dは、突起配列の周期p(d=p)となる。これにより可視光線帯域の最長波長をλmax、最短波長をλminとした場合に、最低限、可視光線帯域の最長波長において反射防止効果を奏し得る必要最小限の条件は、Λmin=λmaxである為、p≦λmaxとなり、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得る必要十分の条件は、Λmin=λminであるため、p≦λminとなる。   In the microprojection group, when microprojections having the same height H are regularly arranged at a constant period, in order to obtain the antireflection effect, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 50-70040, Japanese Patent No. 4632589, As disclosed in Japanese Patent No. 4270806 and the like, the adjacent protrusion interval d is a protrusion arrangement period p (d = p). Thus, when the longest wavelength in the visible light band is λmax and the shortest wavelength is λmin, the minimum necessary condition that can exhibit an antireflection effect at the longest wavelength in the visible light band is Λmin = λmax. Since p ≦ λmax, the necessary and sufficient condition for exhibiting the antireflection effect for all wavelengths in the visible light band is Λmin = λmin, and therefore p ≦ λmin.

なお波長λmax、λminは、観察条件、光の強度(輝度)、個人差等にも依存して多少幅を持ち得るが、標準的には、λmax=780nm及びλmin=380nmとされる。これらにより可視光線帯域の全波長に対する反射防止効果をより確実に奏し得る好ましい条件は、d≦300nmであり、より好ましい条件は、d≦200nmとなる。なお反射防止効果の発現及び反射率の等方性(低角度依存性)の確保等の理由から、隣接突起間隔dの下限値は、通常、d≧50nm、好ましくは、d≧100nmとされる。これに対して突起の高さH(図1参照)は、十分な反射防止効果を発現させる観点より、H≧0.2×λmax=156nm(λmax=780nmとして)とされる。また、突起の高さHは、反射防止効果の点から、通常、350nm以下とされる。   The wavelengths λmax and λmin may have some width depending on observation conditions, light intensity (luminance), individual differences, and the like, but are typically λmax = 780 nm and λmin = 380 nm. A preferable condition that can more reliably exhibit an antireflection effect for all wavelengths in the visible light band is d ≦ 300 nm, and a more preferable condition is d ≦ 200 nm. Note that the lower limit value of the distance d between adjacent protrusions is usually d ≧ 50 nm, preferably d ≧ 100 nm, for reasons such as the appearance of an antireflection effect and the securing of isotropic (low angle dependency) reflectance. . On the other hand, the height H of the protrusion (see FIG. 1) is H ≧ 0.2 × λmax = 156 nm (assuming λmax = 780 nm) from the viewpoint of exhibiting a sufficient antireflection effect. Further, the height H of the protrusion is usually 350 nm or less from the viewpoint of the antireflection effect.

また、前記微小突起においては、アスペクト比(平均突起高さH/平均隣接突起間隔d)が0.8〜2.5であることが好ましく、更に、0.8〜2.1であることが好ましい。   Further, in the minute protrusions, the aspect ratio (average protrusion height H / average adjacent protrusion interval d) is preferably 0.8 to 2.5, and more preferably 0.8 to 2.1. preferable.

一方、上記多峰性の微小突起が混在する場合のように、前記微細凹凸構造体の微小突起が不規則に配置されている場合には、隣接突起間隔dはばらつきを有することになる。そこでこのような場合、間隔dは以下のように算定される。   On the other hand, when the microprotrusions of the fine concavo-convex structure are irregularly arranged as in the case where the multimodal microprotrusions coexist, the adjacent protrusion interval d varies. Therefore, in such a case, the interval d is calculated as follows.

(1)先ず、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)又は走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)を用いて突起の面内配列(突起配列の平面視形状)を検出する。   (1) First, an in-plane arrangement of projections (planar shape of the projection arrangement) is detected using an atomic force microscope (AFM) or a scanning electron microscope (SEM).

(2)続いてこの求められた面内配列から各突起の高さの極大点(以下、単に極大点と称する。)を検出する。なお極大点を求める方法としては、平面視形状と対応する断面形状の拡大写真とを逐次対比して極大点を求める方法、平面視拡大写真の画像処理によって極大点を求める方法等、種々の手法を適用することができる。   (2) Subsequently, a maximum point of the height of each protrusion (hereinafter simply referred to as a maximum point) is detected from the obtained in-plane arrangement. There are various methods for obtaining the maximum point, such as a method of sequentially comparing the planar view shape and the enlarged photograph of the corresponding cross-sectional shape to obtain the maximum point, and a method of obtaining the maximum point by image processing of the plan view enlarged photo. Can be applied.

(3)次に検出した極大点を母点とするドロネー図(Delaunary Diagram)を作成する。ここでドロネー図とは、各極大点を母点としてボロノイ分割を行った場合に、ボロノイ領域が隣接する母点同士を隣接母点と定義し、各隣接母点同士を線分で結んで得られる3角形の集合体からなる網状図形である。各3角形は、ドロネー3角形と呼ばれ、各3角形の辺(隣接母点同士を結ぶ線分)は、ドロネー線と呼ばれる。図6は、ドロネー図(白色の線分により表される図である)を原画像と重ね合わせた図である。   (3) Next, a Delaunay diagram with the detected maximum point as a generating point is created. Here, Delaunay diagram is obtained by dividing the Voronoi region adjacent to the Voronoi region when the Voronoi division is performed with each local maximum as the generating point, and connecting the adjacent generating points with line segments. This is a net-like figure made up of triangular aggregates. Each triangle is called a Delaunay triangle, and a side of each triangle (a line segment connecting adjacent generating points) is called a Delaunay line. FIG. 6 is a diagram in which a Delaunay diagram (a diagram represented by a white line segment) is superimposed on the original image.

(4)次に、各ドロネー線の線分長の度数分布、すなわち隣接する極大点間の距離(以下、隣接突起間距離と言う)の度数分布を求める。図7は、図6のドロネー図から作成した度数分布のヒストグラムである。なお、図5に示すように、突起の頂部に溝状等の凹部が存在したり、あるいは頂部が複数の峰に分裂している場合は、求めた度数分布から、このような突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に分裂している微細構造に起因するデータを除去し、突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を作成する。   (4) Next, the frequency distribution of the line segment length of each Delaunay line, that is, the frequency distribution of the distance between adjacent maximum points (hereinafter referred to as the distance between adjacent protrusions) is obtained. FIG. 7 is a histogram of the frequency distribution created from the Delaunay diagram of FIG. In addition, as shown in FIG. 5, when a concave portion such as a groove exists at the top of the protrusion, or when the top is divided into a plurality of peaks, from the obtained frequency distribution, the top of such a protrusion is The data resulting from the fine structure in which the concave portion exists and the fine structure in which the top portion is divided into a plurality of peaks are removed, and only the data of the projection body itself is selected to create a frequency distribution.

具体的には、突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に分裂している微小突起(多峰性の微小突起)に係る微細構造においては、このような微細構造を備えていない微小突起(単峰性の微小突起)の場合の数値範囲から、隣接極大点間距離が明らかに大きく異なることになる。これによりこの特徴を利用して対応するデータを除去することにより突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を検出する。より具体的には、例えば微小突起(群)の平面視の拡大写真から、5〜20個程度の互いに隣接する単峰性の微小突起を選んで、その隣接極大点間距離の値を標本抽出し、この標本抽出して求められる数値範囲から明らかに外れる値(通常、標本抽出して求められる隣接極大点間距離平均値に対して、値が1/2以下のデータ)を除外して度数分布を検出する。図7の例では、隣接極大点間距離が56nm以下のデータ(矢印Aにより示す左端の小山)を除外する。なお図7は、このような除外する処理を行う前の度数分布を示すものである。   Specifically, a fine structure in which a concave portion exists on the top of the protrusion, or a fine structure related to a fine protrusion (multi-modal micro protrusion) in which the top is divided into a plurality of peaks has such a fine structure. From the numerical range in the case of the microprotrusions that are not (single-peak microprotrusions), the distance between adjacent local maximum points is clearly greatly different. Thus, by removing the corresponding data using this feature, only the data of the projection body itself is selected and the frequency distribution is detected. More specifically, for example, about 5 to 20 adjacent single-peaked microprojections are selected from an enlarged photograph of the microprojections (group) in plan view, and the value of the distance between adjacent maximum points is sampled. However, the frequency is excluded by excluding values that are clearly out of the numerical range obtained by sampling (usually, data having a value of 1/2 or less of the average distance between adjacent maximum points obtained by sampling). Detect distribution. In the example of FIG. 7, data having a distance between adjacent maximal points of 56 nm or less (the leftmost small mountain indicated by the arrow A) is excluded. FIG. 7 shows a frequency distribution before such exclusion processing is performed.

(5)このようにして求めた隣接突起間隔dの度数分布から平均値dAVG及び標準偏差σを求める。ここでこのようにして得られる度数分布を正規分布とみなして平均値dAVG及び標準偏差σを求めると、図7の例では、平均値dAVG=158nm、標準偏差σ=38nmとなった。これにより隣接突起間隔dの最大値を、dmax=dAVG+2σとし、この例ではdmax=234nmとなる。 (5) The average value d AVG and the standard deviation σ are determined from the frequency distribution of the adjacent protrusion intervals d thus determined. Here, when the frequency distribution obtained in this way is regarded as a normal distribution and the average value d AVG and the standard deviation σ are obtained, the average value d AVG = 158 nm and the standard deviation σ = 38 nm are obtained in the example of FIG. As a result, the maximum value of the distance d between adjacent protrusions is set to dmax = d AVG + 2σ, and dmax = 234 nm in this example.

なお同様の手法を適用して突起の高さを定義する。この場合、上述の(2)により求められる極大点から、特定の基準位置からの各極大点位置の相対的な高さの差を取得してヒストグラム化する。図8は、このようにして求められる突起付け根位置を基準(高さ0)とした突起高さHの度数分布のヒストグラムを示す図である。このヒストグラムによる度数分布から突起高さの平均値HAVG、標準偏差σを求める。ここでこの図7の例では、平均値HAVG=178nm、標準偏差σ=30nmである。これによりこの例では、突起の高さは、平均値HAVG=178nmとなる。なお図8に示す突起高さHのヒストグラムにおいて、多峰性の微小突起の場合は、頂部を複数有していることにより、1つの突起に対してこれら複数のデータが混在することになる。そこでこの場合は麓部が同一の微小突起に属するそれぞれ複数の頂部の中から高さの最も高い頂部を、当該微小突起の突起高さとして採用して度数分布を求める。 The same method is applied to define the height of the protrusion. In this case, a relative height difference of each local maximum point position from a specific reference position is acquired from the local maximum point obtained by the above (2), and is histogrammed. FIG. 8 is a diagram showing a histogram of the frequency distribution of the protrusion height H with the protrusion root position obtained in this way as a reference (height 0). The average value HAVG of the protrusion height and the standard deviation σ are obtained from the frequency distribution based on the histogram. Here in the example of FIG. 7, the average value H AVG = 178 nm, the standard deviation sigma = 30 nm. Thus in this example, the height of the projections is an average value H AVG = 178 nm. In the histogram of the protrusion height H shown in FIG. 8, in the case of a multi-peak microprotrusion, the plurality of data are mixed for one protrusion because the protrusion has a plurality of apexes. Therefore, in this case, the frequency distribution is obtained by adopting, as the projection height of the microprojection, the top portion having the highest height from among the plurality of apexes belonging to the same microprojection.

突起が不規則に配置されている場合には、このようにして求められる隣接突起間距離の最大値dmax=dAVG+2σ、突起の高さの平均値HAVGが、規則正しく配置されている場合の上述の条件を満足することが必要である。具体的には、反射防止効果を発現する微小突起間距離の条件は、dmax≦Λminとなる。最低限、可視光線帯域の最長波長において反射防止効果を奏し得る必要最小限の条件は、Λmin=λmaxである為、dmax≦λmaxとなり、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得る必要十分の条件は、Λmin=λminである為、dmax≦λminとなる。そして、可視光線帯域の全波長に対する反射防止効果をより確実に奏し得る好ましい条件は、dmax≦300nmであり、更に好ましい条件は、dmax≦200nmである。また反射防止効果の発現及び反射率の等方性(低角度依存性)の確保等の理由から、通常、dmax≧50nmであり、好ましくは、dmax≧100nmとされる。また突起高さについては、十分な反射防止効果を発現する為には、HAVG≧0.2×λmax=156nm(λmax=780nmとして)とされる。また、HAVGは、反射防止効果の点から、好ましくは350nm以下とされる。突起高さの分布は、通常、50〜350nmである。 If the protrusions are irregularly arranged, when this way the maximum value of the adjacent protrusions distance obtained by dmax = d AVG + 2σ, average H AVG height of projections are arranged regularly It is necessary to satisfy the above conditions. Specifically, the condition of the distance between the microprotrusions that exhibits the antireflection effect is dmax ≦ Λmin. At a minimum, the minimum necessary condition that can exhibit the antireflection effect at the longest wavelength in the visible light band is Λmin = λmax, so dmax ≦ λmax, and the antireflection effect can be achieved for all wavelengths in the visible light band. The necessary and sufficient condition is dmax ≦ λmin because Λmin = λmin. A preferable condition that can more reliably exhibit the antireflection effect for all wavelengths in the visible light band is dmax ≦ 300 nm, and a more preferable condition is dmax ≦ 200 nm. Also, dmax ≧ 50 nm is usually satisfied and dmax ≧ 100 nm is preferable because of the antireflection effect and ensuring the isotropic (low angle dependency) of the reflectance. The height of the protrusion is set to HAVG ≧ 0.2 × λmax = 156 nm (assuming λmax = 780 nm) in order to exhibit a sufficient antireflection effect. HAVG is preferably 350 nm or less from the viewpoint of the antireflection effect. The projection height distribution is usually 50 to 350 nm.

上述した図6〜図8に係る測定結果は、図5に示すような頂点を複数有する、多峰性の微小突起の実施形態における測定結果であり、図7に示す度数分布においては、隣接突起間隔d(横軸の値)について、20nm及び40nmの短距離の極大値と120nm及び164nmの長距離の極大値との2種類の極大値が存在する。これらの極大値のうちの長距離の極大値は、微小突起本体(頂部よりも下の中腹から麓にかけての部分)の配列に対応し、一方、短距離の極大値は頂部近傍に存在する複数の頂点(峰)に対応する。これにより極大点間距離の度数分布によっても、多峰性の微小突起の存在を見て取ることができる。   The measurement results according to FIGS. 6 to 8 described above are the measurement results in the embodiment of the multi-modal microprojections having a plurality of vertices as shown in FIG. 5, and in the frequency distribution shown in FIG. Regarding the distance d (value on the horizontal axis), there are two types of maximum values, short-range maximum values of 20 nm and 40 nm and long-range maximum values of 120 nm and 164 nm. Among these maximum values, the maximum value of the long distance corresponds to the arrangement of the microprojection bodies (the part from the middle to the heel below the top part), while the maximum value of the short distance exists in the vicinity of the top part. Corresponds to the apex (peak) of. As a result, the presence of multi-peaked microprotrusions can be seen also from the frequency distribution of the distance between the maximal points.

なお上述した突起の高さを測る際の基準位置は、隣接する微小突起の間の谷底(高さの極小点)を高さ0の基準とする。但し、係る谷底の高さ自体が場所によって異なる場合(例えば、後述するように、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面が微小突起の隣接突起間距離に比べて大きな周期でうねった凹凸形状を有する場合等)は、(1)先ず、透明基材1の表面又は裏面から測った各谷底の高さの平均値を、該平均値が収束するに足る面積の中で算出する。(2)次いで、該平均値の高さを有し、且つ透明基材1の表面又は裏面と平行な面を基準面として考える。(3)その後、該基準面を改めて高さ0として、該基準面からの各微小突起の高さを算出する。   In addition, the reference position when measuring the height of the protrusion described above is based on the valley bottom (minimum point of height) between the adjacent minute protrusions as a reference of height 0. However, when the height of the valley bottom itself varies depending on the location (for example, as will be described later, the concave and convex shape in which the envelope surface connecting the valley bottoms between the microprotrusions undulates with a larger period than the distance between adjacent microprotrusions (1) First, the average value of the height of each valley bottom measured from the front surface or the back surface of the transparent substrate 1 is calculated within an area sufficient for the average value to converge. (2) Next, a plane having the average height and parallel to the front or back surface of the transparent substrate 1 is considered as a reference plane. (3) Then, the height of each microprotrusion from the reference surface is calculated by setting the reference surface to a height of 0 again.

隣接する微小突起の間の谷底の高さ自体が場所によって異なる場合とは、例えば、図9に示すように、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面が隣接微小突起間距離に比べて大きな周期Pでうねった凹凸形状を有する場合等が挙げられる。すなわち、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面が、可視光線帯域の最長波長λmax以上の周期P(すなわちP>λmaxである)でうねった大きな凹凸形状としてもよい。当該大きな凹凸形状は、透明基材1の表裏面に平行なXY平面(図9参照)における1方向(例えばX方向)のみでこれと直交する方向(例えばY方向)には一定高さであっても良いし、或いはXY平面における2方向(X方向及びY方向)共にうねりを有していても良い。P>λmaxを満たす周期Pでうねった凹凸面13が多数の微小突起からなる微細凹凸構造体に重畳することによって、微細凹凸構造体で完全に反射防止しきれずに残った反射光を散乱し、残留反射光、とくに鏡面反射光を更に視認し難くし、その結果、反射防止効果を一段と向上させることができる。   For example, as shown in FIG. 9, the height of the valley bottom between adjacent microprotrusions varies depending on the location. The envelope surface connecting the valley bottoms between the microprotrusions is larger than the distance between adjacent microprotrusions. The case where it has the uneven | corrugated shape wavy with the period P is mentioned. In other words, the envelope surface connecting the valley bottoms between the microprotrusions may have a large concavo-convex shape wavy with a period P (that is, P> λmax) equal to or longer than the longest wavelength λmax of the visible light band. The large concavo-convex shape has a constant height in only one direction (for example, the X direction) on the XY plane (see FIG. 9) parallel to the front and back surfaces of the transparent substrate 1 and in a direction perpendicular to the same (for example, the Y direction). Alternatively, the two directions (X direction and Y direction) in the XY plane may have undulations. The uneven surface 13 undulating with a period P satisfying P> λmax is superimposed on the fine uneven structure body composed of a large number of microprojections, thereby scattering the reflected light remaining without being completely prevented from being reflected by the fine uneven structure body, Residual reflected light, particularly specularly reflected light, can be made more difficult to visually recognize, and as a result, the antireflection effect can be further improved.

尚、凹凸面4の周期Pが前面に渡って一定では無く分布を有する場合は、該凹凸面について凸部間距離の度数分布を求め、その平均値をPAVG、標準偏差をΣとしたときの、
MIN=PAVG―2Σ
として定義する最小隣接突起間距離を以って周期Pの代わりとして設計する。即ち、微細凹凸構造体の残留反射光の散乱効果を十分奏し得る条件は、
MIN>λmax
である。通常、P又はPMINは1〜200μm、好ましくは10〜100μmとされる。
なお、前記周期Pは、本発明の透明導電フィルムを、厚み方向に切断した垂直断面のTEM写真又はSEM写真を用いて観察することにより測定することができる。
When the period P of the concavo-convex surface 4 has a distribution that is not constant over the front surface, the frequency distribution of the distance between the convexes is obtained for the concavo-convex surface, and the average value is P AVG and the standard deviation is Σ. of,
P MIN = P AVG -2Σ
Designed as an alternative to period P with a minimum inter-protrusion distance defined as That is, the conditions that can sufficiently exhibit the scattering effect of the residual reflected light of the fine concavo-convex structure are as follows:
P MIN > λmax
It is. Usually, P or P MIN is 1 to 200 μm, preferably 10 to 100 μm.
In addition, the said period P can be measured by observing the transparent conductive film of this invention using the TEM photograph or SEM photograph of the vertical cross section cut | disconnected in the thickness direction.

また、前記周期Pでうねった大きな凹凸形状の高低差(図9中のh)は、反射防止効果の点から、10μm以下であることが好ましく、500nm〜2μmの範囲内であることが、より好ましい。なお、前記周期Pでうねった大きな凹凸形状とは、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面の凹凸形状であるから、前記突起間の高さうねりは、例えば500nm以上離れた微小突起の谷底部の位置の高低差を測定することにより求めることができる。微小突起の谷底部の位置は、本発明の透明導電フィルムを、厚み方向に切断した垂直断面のTEM写真又はSEM写真を用いて観察することにより求めることができる。   Further, the height difference (h in FIG. 9) of the large uneven shape undulated in the period P is preferably 10 μm or less from the viewpoint of the antireflection effect, and more preferably in the range of 500 nm to 2 μm. preferable. In addition, since the large uneven | corrugated shape which wavy with the said period P is an uneven | corrugated shape of the envelope surface which connected the valley bottom between each microprotrusion, the height waviness between the said protrusions is the valley bottom of the microprotrusion which separated 500 nm or more, for example It can be obtained by measuring the height difference of the position of the part. The position of the valley bottom of the fine protrusion can be determined by observing the transparent conductive film of the present invention using a TEM photograph or SEM photograph of a vertical section cut in the thickness direction.

<透明導電層のパターニング>
本発明に係る反射防止性透明導電フィルムにおいては、前記第1透明導電層及び第二透明導電層からなる透明導電層が、パターニングされてなり、透明導電層形成領域と透明導電層非形成領域を有する態様が、透明導電層が例えば座標認識用の配線として機能する点から好適に用いられる。
透明導電層をパターニングする方法は、特に限定されず、例えば、フォトレジストを用いてドライエッチングを行う方法等が挙げられる。
<Patterning of transparent conductive layer>
In the antireflection transparent conductive film according to the present invention, the transparent conductive layer comprising the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer is patterned to form a transparent conductive layer forming region and a transparent conductive layer non-forming region. The transparent conductive layer is preferably used from the point that the transparent conductive layer functions as, for example, a wiring for coordinate recognition.
The method for patterning the transparent conductive layer is not particularly limited, and examples thereof include a method of performing dry etching using a photoresist.

透明導電層をパターニングする場合、前記透明導電層非形成領域においては、更に前記微細凹凸構造体が除去されてなることが、透明導電層のパターンを目立ちにくくする点から好ましい。透明導電層非形成領域に、前記微細凹凸構造体が形成されたままであると、透明導電層非形成領域と透明導電層形成領域との間の屈折率差がより大きくなるからである。透明導電層非形成領域において、更に前記微細凹凸構造体を除去する方法としても、ドライエッチングを行う方法等が挙げられる。   When patterning the transparent conductive layer, it is preferable that the fine concavo-convex structure is further removed in the transparent conductive layer non-forming region from the viewpoint of making the pattern of the transparent conductive layer inconspicuous. This is because the difference in refractive index between the transparent conductive layer non-forming region and the transparent conductive layer forming region becomes larger when the fine concavo-convex structure is still formed in the transparent conductive layer non-forming region. As a method for further removing the fine concavo-convex structure in the transparent conductive layer non-formation region, there may be mentioned a method of performing dry etching.

また、透明導電層をパターニングする場合、前記透明導電層非形成領域においては、前記透明導電層非形成領域が、前記微細凹凸構造体と屈折率差が0.14以下の樹脂組成物の硬化物で充填されてなることも、透明導電層のパターンを目立ちにくくする点から好ましい。前記充填される樹脂組成物としては、前記微細凹凸構造体と同じ組成のものであることが、屈折率差を低減する点から、特に好ましい。   Moreover, when patterning a transparent conductive layer, in the said transparent conductive layer non-formation area | region, the said transparent conductive layer non-formation area | region is the hardened | cured material of the resin composition whose refractive index difference is 0.14 or less with the said fine concavo-convex structure body It is also preferable that the transparent conductive layer pattern is less noticeable. It is particularly preferable that the resin composition to be filled has the same composition as the fine concavo-convex structure from the viewpoint of reducing the refractive index difference.

<その他の層>
本発明の反射防止性透明導電フィルムは、図1に示すように透明基材の一方の面にのみ微細凹凸構造体、第1透明導電層及び第2透明導電層を有するものであっても良いし、透明基材のもう一方の面にも同様の層構成を有することにより、両面に微細凹凸構造体と透明導電層を有するものであっても良い。
また、本発明の反射防止性透明導電フィルムは、微細凹凸構造体を有しない面に、その他の層を更に有していても良い。その他の層としては、例えば、従来公知の単層或いは多層構成の反射防止層、光拡散による防眩性(或いは反射防止)を付与する層、傷付き防止等の為に従来公知のハードコート層等が挙げられる。
また、本発明の反射防止性透明導電フィルムにおいて、透明導電層側表面に、剥離可能な保護フィルムを仮接着した状態で保管、搬送、売買、後加工又は施工を行い、適時、該保護フィルムを剥離除去する形態とすることもできる。
<Other layers>
The antireflection transparent conductive film of the present invention may have a fine uneven structure, a first transparent conductive layer, and a second transparent conductive layer only on one surface of a transparent substrate as shown in FIG. And it may have a fine concavo-convex structure and a transparent conductive layer on both surfaces by having the same layer constitution on the other surface of the transparent substrate.
Moreover, the anti-reflective transparent conductive film of this invention may have further another layer in the surface which does not have a fine concavo-convex structure. Other layers include, for example, a conventionally known single layer or multilayer antireflection layer, a layer imparting antiglare property (or antireflection) by light diffusion, a conventionally known hard coat layer for preventing scratches, etc. Etc.
In addition, in the antireflection transparent conductive film of the present invention, the protective film that can be peeled off is temporarily attached to the surface of the transparent conductive layer, and then stored, transported, bought and sold, post-processed or constructed, It can also be made into the form which peels and removes.

<反射防止性透明導電フィルムの製造方法>
本発明の反射防止性透明導電フィルムの製造方法は、上述した本発明の透明導電フィルムを製造することができる方法であれば特に限定されないが、例えば、(i)透明基材上に微細凹凸構造体を形成する工程、(ii)当該微細凹凸構造体上に透明導電層を形成する工程を含む製造方法が挙げられる。前記(ii)の工程における透明導電層の形成方法は、既に説明した通りであるので、ここでは省略する。
以下、前記(i)の工程における微細凹凸構造体の形成方法について詳細に説明する。
<Method for producing antireflection transparent conductive film>
Although the manufacturing method of the anti-reflective transparent conductive film of this invention will not be specifically limited if it is a method which can manufacture the transparent conductive film of this invention mentioned above, For example, (i) Fine uneven structure on a transparent base material And (ii) a production method including a step of forming a transparent conductive layer on the fine concavo-convex structure. The method for forming the transparent conductive layer in the step (ii) is as described above, and is omitted here.
Hereinafter, the formation method of the fine concavo-convex structure in the step (i) will be described in detail.

透明基材上に、微細凹凸構造体を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、まず透明基材上に、微細凹凸構造体形成用樹脂組成物を塗布し、微細凹凸構造体形成用原版の微細突起形状を、当該微細凹凸構造体形成用樹脂組成物に賦型した後、該樹脂組成物を硬化させることにより微細凹凸構造体を形成し、微細凹凸構造体及び透明基材からなる積層体を前記微細凹凸構造体形成用原版から剥離する方法等を挙げることができる。
微細凹凸構造体形成用原版の微細突起形状を微細凹凸構造体形成用樹脂組成物に賦型し、該樹脂組成物を硬化させる方法は、該樹脂組成物の種類等に応じて適宜選択することができる。
The method for forming the fine concavo-convex structure on the transparent substrate is not particularly limited. For example, first, a fine concavo-convex structure forming resin composition is applied on the transparent substrate to form the fine concavo-convex structure. After forming the fine protrusion shape of the original plate into the resin composition for forming the fine concavo-convex structure, the resin composition is cured to form a fine concavo-convex structure, and the fine concavo-convex structure and a transparent substrate are used. Examples include a method of peeling the laminate from the original plate for forming a fine concavo-convex structure.
The method of shaping the fine protrusion shape of the fine concavo-convex structure forming original plate into the fine concavo-convex structure forming resin composition and curing the resin composition is appropriately selected according to the type of the resin composition, etc. Can do.

前記微細凹凸構造体形成用原版としては、繰り返し使用した際に変形および摩耗するものでなければ、特に限定されるものではなく、金属製であっても良く、樹脂製であっても良いが、通常、金属製が好適に用いられる。耐変形性および耐摩耗性に優れているからである。
前記微細凹凸構造体形成用原版の微細突起形状を有する面は、特に限定されないが、酸化されやすく、陽極酸化による加工が容易である点から、アルミニウムからなることが好ましい。
前記微細凹凸構造体形成用原版は、具体的には、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム等の金属製の母材の表面に、直接に又は各種の中間層を介して、スパッタリング等により純度の高いアルミニウム層が設けられ、当該アルミニウム層に微細突起形状を形成したものが挙げられる。前記母材は、前記アルミニウム層を設ける前に、電解溶出作用と、砥粒による擦過作用の複合による電解複合研磨法によって母材の周側面を超鏡面化しても良い。
前記微細凹凸構造体形成用原版に微細突起形状を形成する方法としては、例えば、陽極酸化法によって前記アルミニウム層の表面に複数の微細孔を形成する陽極酸化工程と、前記アルミニウム層をエッチングすることにより前記微細孔の開口部にテーパー形状を形成する第1エッチング工程と、前記アルミニウム層を前記第1エッチング工程のエッチングレートよりも高いエッチングレートでエッチングすることにより前記微細孔の孔径を拡大する第2エッチング工程とを順次繰り返し実施することによって形成することができる。
The fine concavo-convex structure forming original plate is not particularly limited as long as it is not deformed and worn when repeatedly used, and may be made of metal or resin, Usually, metal is used suitably. This is because it is excellent in deformation resistance and wear resistance.
The surface having the fine protrusion shape of the original plate for forming a fine concavo-convex structure is not particularly limited, but is preferably made of aluminum from the viewpoint of being easily oxidized and easily processed by anodization.
Specifically, the original plate for forming a fine concavo-convex structure has high purity, for example, by sputtering or the like directly on the surface of a metal base material such as stainless steel, copper, or aluminum, or through various intermediate layers. An aluminum layer is provided, and the aluminum layer is formed with a fine protrusion shape. Before providing the aluminum layer, the base material may be formed into a super-mirror surface on the peripheral side surface by an electrolytic composite polishing method that combines electrolytic elution action and abrasion action by abrasive grains.
As a method for forming a fine protrusion shape on the original plate for forming a fine concavo-convex structure, for example, an anodic oxidation step of forming a plurality of fine holes on the surface of the aluminum layer by an anodic oxidation method, and etching the aluminum layer A first etching step for forming a tapered shape in the opening of the microhole, and a step of expanding the hole diameter of the microhole by etching the aluminum layer at an etching rate higher than the etching rate of the first etching step. It can be formed by sequentially repeating the two etching steps.

微細凹凸形状を形成する際には、アルミニウム層の純度(不純物量)や結晶粒径、陽極酸化処理及び/又はエッチング処理の諸条件を適宜調整することによって、所望の形状とすることができる。前記陽極酸化処理において、より具体的には、液温、印加する電圧、陽極酸化に供する時間等の管理により、微細孔をそれぞれ目的とする深さ及び微小突起形状に対応する形状に作製することができる。
前記頂点を複数有する多峰性の微小突起形状も、陽極酸化処理及びエッチング処理の交互の繰り返しにより作製することができる。
なお、本発明においては、前記微細凹凸構造体に少なくとも第1透明導電層と第2透明導電層を積層した後に、その最外層表面が上記特定の微細凹凸を有するように、微細凹凸構造体の微細凹凸形状が設計され、それに基づき、微細凹凸構造体形成用原版が設計される。
このようにして、前記微細凹凸構造体形成用原版は、深さ方向に徐々に孔径が小さくなる多数の微細孔が密に作製される。当該微細凹凸構造体形成用原版を用いて製造される微細凹凸構造体には、前記微細孔に対応して、頂部に近付くに従って徐々に径が小さくなる微小突起群を備えた微細突起が形成される。すなわち、微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する微小突起群を備えた微細突起形状が形成される。
When forming the fine concavo-convex shape, a desired shape can be obtained by appropriately adjusting the purity (amount of impurities), crystal grain size, anodizing treatment and / or etching treatment conditions of the aluminum layer. More specifically, in the anodizing treatment, the micropores are formed into shapes corresponding to the target depth and microprojection shape, respectively, by managing the liquid temperature, the voltage to be applied, the time for the anodizing, and the like. Can do.
A multi-peaked microprojection shape having a plurality of vertices can also be produced by alternately repeating an anodizing process and an etching process.
In the present invention, after laminating at least the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer on the fine uneven structure, the outermost surface of the fine uneven structure has the specific fine unevenness. A fine concavo-convex shape is designed, and based on that, a fine concavo-convex structure forming original plate is designed.
In this way, in the fine concavo-convex structure forming original plate, a large number of fine holes whose diameters are gradually reduced in the depth direction are densely produced. In the fine concavo-convex structure manufactured using the original plate for forming the fine concavo-convex structure, a fine protrusion having a minute protrusion group that gradually decreases in diameter as it approaches the top corresponding to the fine hole is formed. The That is, the cross-sectional area occupancy of the material portion forming the microprojection in the horizontal cross section when it is assumed that the microprojection is cut in a horizontal plane orthogonal to the depth direction of the microprojection approaches the deepest portion direction from the top of the microprojection. As a result, a fine protrusion shape having a group of minute protrusions that gradually and continuously increase is formed.

また、前記微細凹凸構造体形成用原版の形状は、所望の形状を賦型することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、平板状であっても良く、ロール状であっても良いが、生産性向上の観点からは、ロール状の金型(以下、「ロール金型」と称する場合がある。)が好ましい。
本発明において用いられるロール金型としては、例えば、母材として、円筒形状の金属材料を用い、当該母材の周側面に直接又は各種の中間層を介して設けられたアルミニウム層に、上述したように、陽極酸化処理、エッチング処理の繰り返しにより、微細な凹凸形状が形成されたものが挙げられる。
In addition, the shape of the original plate for forming a fine concavo-convex structure is not particularly limited as long as a desired shape can be formed, and may be, for example, a flat plate shape or a roll shape. However, from the viewpoint of improving productivity, a roll-shaped mold (hereinafter sometimes referred to as “roll mold”) is preferable.
As the roll mold used in the present invention, for example, a cylindrical metal material is used as a base material, and the above-described aluminum layer is provided on the peripheral side surface of the base material directly or through various intermediate layers. Thus, what formed the fine uneven | corrugated shape by repeating an anodizing process and an etching process is mentioned.

図10に、微細凹凸構造体形成用樹脂組成物として紫外線硬化性樹脂組成物を用い、微細凹凸構造体形成用原版としてロール金型を用いた場合に、透明基材上に微細凹凸構造体を形成する方法の一例を示す。
図10に示す方法では、樹脂供給工程において、ダイ21により帯状フィルム形態の透明基材1に、未硬化で液状の紫外線硬化性樹脂組成物を塗布し、微小突起形状の受容層2’を形成する。なお紫外線硬化性樹脂組成物の塗布については、ダイ21による場合に限らず、各種の手法を適用することができる。続いて、押圧ローラ23により、反射防止性透明導電フィルムの賦型用金型であるロール金型22の周側面に透明基材1を加圧押圧し、これにより透明基材1に受容層2’を密着させると共に、ロール金型22の周側面に作製された微細な凹凸形状の凹部に、受容層2’を構成する紫外線硬化性樹脂組成物を充分に充填する。この状態で、紫外線の照射により紫外線硬化性樹脂組成物を硬化させ、これにより透明基材1の表面に微細凹凸構造体2を作製する。続いて剥離ローラ24を介してロール金型12から、硬化した微細凹凸構造体2と一体に透明基材1を剥離する。必要に応じてこの透明基材1にハードコート層等の別層を形成した後、所望の大きさに切断して反射防止性透明導電フィルムを作製する。これにより反射防止性透明導電フィルムは、ロール材による長尺の透明基材1に、微細凹凸構造体形成用原版であるロール金型22の周側面に作製された微細突起形状を順次賦型して、効率良く大量生産される。
In FIG. 10, when an ultraviolet curable resin composition is used as a resin composition for forming a fine concavo-convex structure and a roll die is used as a master for forming a fine concavo-convex structure, the fine concavo-convex structure is formed on a transparent substrate. An example of a forming method is shown.
In the method shown in FIG. 10, in the resin supplying step, an uncured and liquid UV curable resin composition is applied to the transparent substrate 1 in the form of a belt-like film by the die 21 to form a microprojection-shaped receiving layer 2 ′. To do. In addition, about application | coating of an ultraviolet curable resin composition, not only the case by the die | dye 21 but various methods are applicable. Subsequently, the transparent substrate 1 is pressed and pressed by the pressing roller 23 onto the peripheral side surface of the roll mold 22 which is a mold for shaping the antireflection transparent conductive film, whereby the receiving layer 2 is applied to the transparent substrate 1. In addition, the ultraviolet curable resin composition constituting the receiving layer 2 ′ is sufficiently filled in the concave portions of the fine irregularities formed on the peripheral side surface of the roll mold 22. In this state, the ultraviolet curable resin composition is cured by irradiation with ultraviolet rays, whereby the fine concavo-convex structure 2 is produced on the surface of the transparent substrate 1. Subsequently, the transparent substrate 1 is peeled from the roll die 12 through the peeling roller 24 integrally with the hardened fine uneven structure 2. If necessary, another layer such as a hard coat layer is formed on the transparent substrate 1 and then cut into a desired size to produce an antireflection transparent conductive film. As a result, the antireflection transparent conductive film sequentially shapes the fine protrusion shape produced on the peripheral side surface of the roll mold 22 which is the original plate for forming the fine concavo-convex structure on the long transparent substrate 1 made of a roll material. Efficient mass production.

また上述の実施形態では、ロール金型を使用した賦型処理によりフィルム形状による反射防止性透明導電フィルムを生産する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、反射防止性透明導電フィルムの形状に係る透明基材の形状に応じて、例えば平板、特定の曲面形状による微細凹凸構造体形成用原版を使用した枚葉の処理により反射防止性透明導電フィルムを作成する場合等、賦型処理に係る工程、微細凹凸構造体形成用原版は、反射防止性透明導電フィルムの形状に係る透明基材の形状に応じて適宜変更することができる。   Moreover, although the above-mentioned embodiment described the case where the antireflection transparent conductive film by a film shape was produced by the shaping process using a roll metal mold | die, this invention is not limited to this, Antireflection transparent conductive film Depending on the shape of the transparent base material according to the shape, for example, when forming an antireflection transparent conductive film by processing a flat plate or a single wafer using a fine uneven structure forming original plate with a specific curved surface shape, a shaping process The step for forming a fine concavo-convex structure body can be appropriately changed according to the shape of the transparent substrate according to the shape of the antireflection transparent conductive film.

II.タッチパネル
本発明に係るタッチパネルは、2つの電極フィルムそれぞれの電極面を一定間隔で対向させてなるタッチパネルであって、少なくとも1つの電極フィルムが、
透明基材の少なくとも一方の面に、樹脂を含有してなり微細凹凸形状を有する微細凹凸構造体と、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせ又は導電性有機高分子を含有する第1透明導電層と、導電性金属酸化物を含有する第2透明導電層とをこの順で含み、
前記第2透明導電層側の最外層表面が、微小突起が集合してなる微小突起群を備えた微細凹凸を有し、前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛmin、当該微小突起の隣接突起間隔dの最大値をdmaxとしたときに、
dmax≦Λmin
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有する、反射防止性透明導電フィルムであることを特徴とする。
II. Touch panel The touch panel according to the present invention is a touch panel in which the electrode surfaces of two electrode films are opposed to each other at a constant interval, and at least one electrode film is
A first transparent material containing a fine concavo-convex structure containing a resin and having a fine concavo-convex shape, a combination of an organic compound and conductive metal-containing nanoparticles, or a conductive organic polymer on at least one surface of the transparent substrate. Including a conductive layer and a second transparent conductive layer containing a conductive metal oxide in this order,
The outermost layer surface on the second transparent conductive layer side has fine irregularities provided with a group of minute protrusions formed by a collection of minute protrusions, and the minute protrusions have the shortest wavelength in the wavelength band of light for antireflection. , When the maximum value of the distance d between adjacent protrusions is dmax,
dmax ≦ Λmin
And the cross-sectional area occupancy rate of the material portion forming the microprojection in the horizontal cross section when it is assumed that the microprojection is cut in a horizontal plane perpendicular to the depth direction of the microprojection is It is an antireflection transparent conductive film having a structure that gradually increases gradually as it approaches the deepest part from the top.

本発明に係るタッチパネル30は、図11にその一例を示すように、2枚の電極フィルム10が、スペーサを介して互いに電極を一定間隔Gで対向させて配置されている。該2枚の電極フィルムの少なくとも一方は、前記本発明に係る反射防止性透明導電フィルムからなる。特に、図11の形態においては、2枚の電極フィルムとも本発明の反射防止性透明導電フィルムからなる。
本発明のタッチパネルは、2つの電極フィルムのうち、少なくとも1つの電極フィルムが、前記本発明に係る反射防止性透明導電フィルムであれば良く、その他の部分は、従来公知の各種方式のタッチパネルの各種構成を採用することができる。
In the touch panel 30 according to the present invention, as shown in FIG. 11 as an example, two electrode films 10 are arranged with their electrodes facing each other at a predetermined interval G via a spacer. At least one of the two electrode films is made of the antireflection transparent conductive film according to the present invention. In particular, in the embodiment shown in FIG. 11, the two electrode films are both made of the antireflection transparent conductive film of the present invention.
In the touch panel of the present invention, at least one of the two electrode films may be the antireflection transparent conductive film according to the present invention, and the other parts are various types of conventionally known various types of touch panels. A configuration can be employed.

図10の形態においては、2枚の電極フィルムは電極面が互いに対向するように配置されているが、2枚の電極フィルムの電極面が視聴者側から見て全て裏面になるように配置されても良いし、2枚の電極フィルムの電極面が視聴者側から見て全て表面になるように配置されても良い。更に、2枚の電極フィルムの電極面を、視聴者側から見て、1枚目の電極フィルムの電極面を表側、2枚目の電極フィルムの電極面を裏側となるように配置しても良い。   In the form of FIG. 10, the two electrode films are arranged so that the electrode surfaces face each other, but are arranged so that the electrode surfaces of the two electrode films are all back as viewed from the viewer side. Alternatively, the electrode surfaces of the two electrode films may be arranged so as to be all surfaces when viewed from the viewer side. Further, the electrode surfaces of the two electrode films may be arranged so that the electrode surface of the first electrode film is the front side and the electrode surface of the second electrode film is the back side when viewed from the viewer side. good.

また、前述のように、前記本発明に係る反射防止性透明導電フィルムの前記透明導電層が、パターニングされてなり、透明導電層形成領域と透明導電層非形成領域を有する場合には、透明導電層が、例えば座標認識用の配線として機能し、静電容量式タッチパネルに好適に用いられる。   Further, as described above, when the transparent conductive layer of the antireflection transparent conductive film according to the present invention is patterned and has a transparent conductive layer forming region and a transparent conductive layer non-forming region, The layer functions as a wiring for coordinate recognition, for example, and is suitably used for a capacitive touch panel.

例えば、光拡散による防眩性或いは反射防止性を付与する層を、タッチパネル表面に設けた構成であっても良い。また、タッチパネル表面には、該反射防止層の有無に拘らず、傷付き防止等の為に従来公知のハードコート層を設けても良い。なお、反射防止層はハードコート層の上に設けるのが効果的である。   For example, the structure which provided the layer which provides the glare-proof property or antireflection property by light diffusion in the touchscreen surface may be sufficient. Further, a conventionally known hard coat layer may be provided on the surface of the touch panel to prevent scratches or the like regardless of the presence or absence of the antireflection layer. It is effective to provide the antireflection layer on the hard coat layer.

III.画像表示装置
本発明に係る画像表示装置は、2つの電極フィルムそれぞれの電極面を一定間隔で対向させてなるタッチパネルであって、少なくとも1つの電極フィルムが、
透明基材の少なくとも一方の面に、樹脂を含有してなり微細凹凸形状を有する微細凹凸構造体と、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせ又は導電性有機高分子を含有する第1透明導電層と、導電性金属酸化物を含有する第2透明導電層とをこの順で含み、
前記第2透明導電層側の最外層表面が、微小突起が集合してなる微小突起群を備えた微細凹凸を有し、前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛmin、当該微小突起の隣接突起間隔dの最大値をdmaxとしたときに、
dmax≦Λmin
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有する、反射防止性透明導電フィルムであるタッチパネルを、画像表示面に備えたことを特徴とする。
III. Image display device The image display device according to the present invention is a touch panel in which the electrode surfaces of two electrode films are opposed to each other at a constant interval, and at least one electrode film is
A first transparent material containing a fine concavo-convex structure containing a resin and having a fine concavo-convex shape, a combination of an organic compound and conductive metal-containing nanoparticles, or a conductive organic polymer on at least one surface of the transparent substrate. Including a conductive layer and a second transparent conductive layer containing a conductive metal oxide in this order,
The outermost layer surface on the second transparent conductive layer side has fine irregularities provided with a group of minute protrusions formed by a collection of minute protrusions, and the minute protrusions have the shortest wavelength in the wavelength band of light for antireflection. , When the maximum value of the distance d between adjacent protrusions is dmax,
dmax ≦ Λmin
And the cross-sectional area occupancy rate of the material portion forming the microprojection in the horizontal cross section when it is assumed that the microprojection is cut in a horizontal plane perpendicular to the depth direction of the microprojection is The image display surface is provided with a touch panel, which is an antireflection transparent conductive film, having a structure that gradually and gradually increases from the top toward the deepest portion.

本発明の画像表示装置40は、図12に示すように、本発明に係るタッチパネル30を、表示パネル41の画像表示面に配置して成る構成の、画像表示装置である。タッチパネルは、表示パネル41と接着層を介して貼り合わされても良いし、タッチパネル30との間に空隙を空けて、LCD等のフラットパネルディスプレイによる画像表示パネル41が配置されても良い。タッチパネル30が、画像表示面と対向する面に前記微細凹凸構造体を有する場合には、タッチパネル30の裏側に間に空隙を空けて、LCD等のフラットパネルディスプレイによる画像表示パネル41が配置されることが好ましい。
なお、本発明の画像表示装置にあっては、単に表示機能のみを有する装置(例えば、LCDモニター、CRTモニター等)でも良いが、装置の機能の一部として表示機能を有する装置も該当する。例えば、後述する用途で述べる如く、PDA乃至は携帯情報端末、カーナビゲーションシステム等である。
The image display device 40 of the present invention is an image display device having a configuration in which the touch panel 30 according to the present invention is arranged on the image display surface of a display panel 41 as shown in FIG. The touch panel may be bonded to the display panel 41 via an adhesive layer, or an image display panel 41 using a flat panel display such as an LCD may be disposed with a gap between the touch panel 30 and the touch panel 30. When the touch panel 30 has the fine concavo-convex structure on the surface facing the image display surface, an image display panel 41 using a flat panel display such as an LCD is disposed with a space between the back side of the touch panel 30. It is preferable.
The image display device of the present invention may be a device having only a display function (for example, an LCD monitor, a CRT monitor, etc.), but a device having a display function as a part of the function of the device is also applicable. For example, as described later in the application, it is a PDA or a portable information terminal, a car navigation system, or the like.

本発明によるタッチパネルは、各種表示装置の表示部における入力手段(透明タブレットも含む)として使用され得る。この様な入力機能付きの表示装置は、例えば、LCD(液晶ディスプレイ)、ELD(エレクトロルミネッセントディスプレイ)、PDP(プラズマディスプレイ)等のFPD(フラットパネルディスプレイ)、或いは、CRT等を表示パネルに用いた装置である。なかでも、自己発光型では無い為に、相対的に外光による表示性能の低下が起きやすいLCDは、本発明による効果がより大きく得られる点で好適である。なお、本発明における表示装置としては、文字盤上に指針を有する時計に代表される機械式のアナログメータ等の様な機械的手段で情報を表示するものも包含するものとする。   The touch panel by this invention can be used as an input means (a transparent tablet is also included) in the display part of various display apparatuses. Such a display device with an input function includes, for example, an LCD (liquid crystal display), an ELD (electroluminescent display), an FPD (flat panel display) such as a plasma display (PDP), or a CRT as a display panel. The device used. In particular, since the display is not a self-luminous type, an LCD that is relatively susceptible to deterioration in display performance due to external light is preferable in that the effect of the present invention can be obtained more greatly. The display device according to the present invention includes a display device that displays information by mechanical means such as a mechanical analog meter represented by a timepiece having hands on a dial.

上記の様な入力機能付き表示装置を有する各種製品としては、例えば、電子手帳等のPDA乃至は携帯情報端末(機器)、或いは、カーナビゲーションシステム、POS(販売時点情報管理)端末、携帯型オーダー入力端末、ATM(現金自動預金支払兼用機)、ファクシミリ、固定電話端末、携帯電話端末、デシタルカメラ、ビデオカメラ、パソコン、パソコン用ディスプレイ、テレビジョン受像機、テレビ用モニターディスプレイ、券売機、計測機器、電卓、電子楽器等の電子機器、複写機、ECR(金銭登録機)等の事務機器、或いは、洗濯機、電子レンジ等の電気製品がある。   Examples of various products having a display device with an input function as described above include PDAs such as electronic notebooks or portable information terminals (devices), car navigation systems, point-of-sale (POS) terminals, portable orders Input terminal, ATM (automatic cash deposit payment machine), facsimile, landline phone terminal, mobile phone terminal, digital camera, video camera, personal computer, PC display, television receiver, TV monitor display, ticket vending machine, measuring instrument There are electronic devices such as calculators and electronic musical instruments, office machines such as copiers and ECRs (cash register machines), and electrical products such as washing machines and microwave ovens.

(微細凹凸構造体形成用原版の作製)
純度99.50%の圧延されたアルミニウム板を、研磨後、0.02Mシュウ酸水溶液の電解液中で、化成電圧40V、20℃の条件にて120秒間、陽極酸化を実施した。次に、第一エッチング処理として、陽極酸化後の電解液で60秒間エッチング処理を行った。続いて、第二エッチング処理として、1.0Mリン酸水溶液で150秒間孔径処理を行った。さらに、上記処理を繰り返し、これらを合計5回追加実施した。これにより、アルミニウム基板上に微細な凹凸形状が形成された陽極酸化アルミニウム層が形成された。最後に、フッ素系離型剤を塗布し、余分な離型剤を洗浄することで、微細凹凸構造体形成用原版を得た。なお、アルミニウム層に形成された微細凹凸形状は、微小突起構造体の平均隣接突起間距離100nm、平均深さ200nmで、深さ方向に徐々に孔径が小さくなるような多数の微細孔が密に形成され、且つ、微小突起の一部が、頂点を複数有する微小突起となるような微細孔が存在する微細凹凸形状であった。
(Preparation of original plate for forming fine relief structure)
The polished aluminum plate having a purity of 99.50% was polished and then anodized in an electrolytic solution of 0.02 M oxalic acid aqueous solution for 120 seconds under conditions of a conversion voltage of 40 V and 20 ° C. Next, as a first etching process, an etching process was performed for 60 seconds with the electrolytic solution after anodization. Subsequently, as the second etching treatment, a pore size treatment was performed with a 1.0 M phosphoric acid aqueous solution for 150 seconds. Furthermore, the said process was repeated and these were added and implemented 5 times in total. As a result, an anodized aluminum layer having fine irregularities formed on the aluminum substrate was formed. Finally, a fluorine-based mold release agent was applied and the excess mold release agent was washed to obtain an original plate for forming a fine relief structure. The fine unevenness formed in the aluminum layer has an average distance between adjacent projections of 100 nm and an average depth of 200 nm of the microprojection structure, and a large number of micropores whose pore diameter gradually decreases in the depth direction. It was formed, and it was the fine uneven | corrugated shape in which a micropore exists so that a part of microprotrusion may become a microprotrusion which has multiple apexes.

(微細凹凸構造体形成用樹脂組成物の調製)
ジペンタエリスリトールへキサアクリレート(DPHA)20重量部、アロニックスM−260(東亜合成社製)70重量部、ヒドロキシエチルアクリレート10重量部、及び光重合開始剤としてルシリンTPO(BASF社製)3重量部を混合し、紫外線硬化性の微細凹凸構造体形成用樹脂組成物を調製した。
(Preparation of resin composition for forming fine relief structure)
20 parts by weight of dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA), 70 parts by weight of Aronix M-260 (manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.), 10 parts by weight of hydroxyethyl acrylate, and 3 parts by weight of lucillin TPO (manufactured by BASF) as a photopolymerization initiator Were mixed to prepare an ultraviolet curable resin composition for forming a fine relief structure.

(実施例1)
1.微細凹凸構造体の形成
前記微細凹凸構造体形成用樹脂組成物を、前記微細凹凸構造体形成用原版の微細突起面が覆われ、硬化後の微細凹凸構造体の厚さが20μmとなるように塗布、充填し、その上に透明基材として厚さ80μmのトリアセチルセルロースフィルム(富士フィルム社製)を斜めから貼り合わせた後、貼り合わせられた貼合体をゴムローラーで10N/cm2の加重で圧着した。金型全体に均一な組成物が塗布されたことを確認し、フィルム側から2000mJ/cm2のエネルギーで紫外線を照射して樹脂組成物を硬化させた。その後、金型より剥離し透明基材と、平均隣接突起間隔が100nm、平均突起高さ200nmで、且つ、微小突起の一部が頂点を複数有する微小突起である微細凹凸構造体との積層体を得た。
Example 1
1. Formation of fine concavo-convex structure body The resin composition for forming a fine concavo-convex structure body is formed so that the fine projection surface of the original plate for forming the fine concavo-convex structure body is covered, and the thickness of the fine concavo-convex structure body after curing is 20 μm. After coating and filling, a 80 μm thick triacetyl cellulose film (manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) was laminated obliquely thereon as a transparent substrate, and then the bonded laminate was loaded with a rubber roller at a load of 10 N / cm 2. Crimped. After confirming that the uniform composition was applied to the entire mold, the resin composition was cured by irradiating ultraviolet rays with energy of 2000 mJ / cm 2 from the film side. Thereafter, the laminate of the transparent substrate peeled off from the mold and the fine concavo-convex structure which is a fine protrusion having an average adjacent protrusion interval of 100 nm, an average protrusion height of 200 nm, and a part of the fine protrusions having a plurality of apexes. Got.

2.第1透明導電層の形成
得られた積層体の微細凹凸構造体の微細凹凸面上に、PEDOT:PSS分散液(商品名クレビオス、ヘレウス社)を用いて、グラビア印刷法(グラビア版:セル形状 180line/inch、版深 50μm)により第1透明導電層を形成した。
2. Formation of the first transparent conductive layer A gravure printing method (gravure plate: cell shape) using a PEDOT: PSS dispersion (trade name Clevios, Heraeus) on the fine uneven surface of the fine uneven structure of the obtained laminate. The first transparent conductive layer was formed by 180 line / inch, plate depth 50 μm.

3.第2透明導電層の形成
得られた積層体の第1透明導電層の微細凹凸面上に、スパッタ装置(SMD-750;アルバック社製)を用い、150℃でITOをスパッタリングし、ITOの連続層からなる第2透明導電層を形成することにより、実施例1の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層(第1透明導電層及び第2透明導電層の合計)の平均膜厚D1は62nm、前記微小突起の高さの1/2における前記透明導電層の平均膜厚D2は18nm、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をD3は13nmであった。
第2透明導電層側の最外層表面は、本発明で特定した微細凹凸を有していた。
なお、上記D1、D2、及びD3は、それぞれ、微細凹凸構造体の頂部を含むように厚み方向に切断した垂直断面のTEM写真を用いて観察することにより求めた。D1、D2、及びD3の測定を透明導電フィルムから無作為に選び出された10箇所で繰り返し行い、測定値D1、D2、及びD3を平均(算術平均)して、平均膜厚D1、D2、及びD3を求めた。
3. Formation of the second transparent conductive layer On the fine irregular surface of the first transparent conductive layer of the obtained laminate, ITO was sputtered at 150 ° C. using a sputtering apparatus (SMD-750; manufactured by ULVAC, Inc.). The antireflection transparent conductive film of Example 1 was obtained by forming the 2nd transparent conductive layer which consists of layers.
The average film thickness D1 of the transparent conductive layer (the total of the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer) at the top of the microprotrusions is 62 nm, and the average of the transparent conductive layers at half the height of the microprotrusions. The film thickness D2 was 18 nm, and the average film thickness of the transparent conductive layer in the valleys between the fine protrusions was D3.
The outermost layer surface on the second transparent conductive layer side had the fine irregularities specified in the present invention.
In addition, said D1, D2, and D3 each were calculated | required by observing using the TEM photograph of the vertical cross section cut | disconnected in the thickness direction so that the top part of a fine concavo-convex structure might be included. The measurement of D1, D2, and D3 is repeated at 10 points randomly selected from the transparent conductive film, the measured values D1, D2, and D3 are averaged (arithmetic average), and the average film thicknesses D1, D2, And D3.

(実施例2)
実施例1において、第1透明導電層として、PEDOT:PSS分散液の代わりにポリアニリン分散液(商品名オルメコン、日産化学社)を用いた以外は実施例1と同様にして、透明導電層が下記平均膜厚となるように、第1透明導電層を形成した。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層(第1透明導電層及び第2透明導電層の合計)の平均膜厚D1は63nm、前記微小突起の高さの1/2における前記透明導電層の平均膜厚D2は19nm、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をD3は12nmであった。
第2透明導電層側の最外層表面は、本発明で特定した微細凹凸を有していた。
(Example 2)
In Example 1, the transparent conductive layer is the same as in Example 1 except that a polyaniline dispersion (trade name Olmecon, Nissan Chemical Co., Ltd.) was used instead of the PEDOT: PSS dispersion as the first transparent conductive layer. The first transparent conductive layer was formed so as to have an average film thickness.
The average film thickness D1 of the transparent conductive layer (the total of the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer) at the top of the fine protrusion is 63 nm, and the average of the transparent conductive layer is ½ of the height of the fine protrusion. The film thickness D2 was 19 nm, and the average film thickness of the transparent conductive layer in the valleys between the fine protrusions was D3.
The outermost layer surface on the second transparent conductive layer side had the fine irregularities specified in the present invention.

(実施例3)
実施例1において、第1透明導電層として、PEDOT:PSS分散液の代わりに、有機化合物と銀ナノ粒子が含まれる銀ナノ粒子インク(商品名 ナノメタルインキL−Agシリーズ、アルバック株式会社)を用いて、グラビア印刷法(グラビア版:セル形状 180line/inch、版深 50μm)を用いた以外は実施例1と同様にして、透明導電層が下記平均膜厚となるように、第1透明導電層を形成した。
前記微小突起の頂部における前記透明導電層(第1透明導電層及び第2透明導電層の合計)の平均膜厚D1は62nm、前記微小突起の高さの1/2における前記透明導電層の平均膜厚D2は17nm、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をD3は11nmであった。
第2透明導電層側の最外層表面は、本発明で特定した微細凹凸を有していた。
(Example 3)
In Example 1, silver nanoparticle ink (trade name: Nanometal Ink L-Ag Series, ULVAC, Inc.) containing an organic compound and silver nanoparticles is used as the first transparent conductive layer instead of the PEDOT: PSS dispersion. The first transparent conductive layer was formed in the same manner as in Example 1 except that the gravure printing method (gravure plate: cell shape 180 line / inch, plate depth 50 μm) was used. Formed.
The average film thickness D1 of the transparent conductive layer (the total of the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer) at the top of the microprotrusions is 62 nm, and the average of the transparent conductive layers at half the height of the microprotrusions. The film thickness D2 was 17 nm, and the average film thickness of the transparent conductive layer in the valleys between the fine protrusions was D3.
The outermost layer surface on the second transparent conductive layer side had the fine irregularities specified in the present invention.

(比較例1)
実施例1において、第1透明導電層は形成せずに、第2透明導電層のみを、実施例1の透明導電層(第1透明導電層及び第2透明導電層の合計)の平均膜厚の厚みと概ね同様の膜厚になるように、ITOからなる透明導電層を形成した以外は、実施例1と同様にして、比較例1の反射防止性透明導電フィルムを得た。
前記微小突起の頂部における透明導電層の平均膜厚D1は60nm、前記微小突起の高さの1/2における前記透明導電層の平均膜厚D2は15nm、前記微小突起間の谷部における前記透明導電層の平均膜厚をD3は5nmであった。
(Comparative Example 1)
In Example 1, the first transparent conductive layer was not formed, and only the second transparent conductive layer was replaced by the average film thickness of the transparent conductive layer of Example 1 (the total of the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer). An antireflective transparent conductive film of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that a transparent conductive layer made of ITO was formed so as to have a film thickness substantially the same as the thickness of.
The average film thickness D1 of the transparent conductive layer at the top of the microprotrusions is 60 nm, the average film thickness D2 of the transparent conductive layer at half the height of the microprotrusions is 15 nm, and the transparent at the valleys between the microprotrusions. The average thickness D3 of the conductive layer was 5 nm.

(評価)
各実施例及び各比較例で得られた反射防止性透明導電フィルムについて、下記の評価を行った。評価結果をそれぞれ表1に示す。
(Evaluation)
The following evaluation was performed about the antireflection transparent conductive film obtained by each Example and each comparative example. The evaluation results are shown in Table 1, respectively.

<導電率>
各実施例及び比較例で得られた反射防止性透明導電フィルムの表面抵抗を、4端子法(JIS K 7194)により測定した。タッチパネル配線に必要とされる表面抵抗500Ω/□以下である場合に、OK判定とした。
OK:500Ω/□以下
NG:500Ω/□超過
<Conductivity>
The surface resistance of the antireflection transparent conductive film obtained in each Example and Comparative Example was measured by a four-terminal method (JIS K 7194). When the surface resistance required for touch panel wiring is 500Ω / □ or less, it was determined as OK.
OK: 500Ω / □ or less NG: Over 500Ω / □

<密着性>
各実施例及び比較例で得られた反射防止性透明導電フィルムについて、クロスカット法(JIS K 5600−5−6)において、分類0〜2をOK判定とした。
OK:分類0〜2
NG:分類3〜5
<Adhesion>
About the anti-reflective transparent conductive film obtained by each Example and the comparative example, the classification | category 0-2 was set to OK determination in the crosscut method (JISK5600-5-6).
OK: Classification 0-2
NG: Classification 3-5

<反射率>
黒アクリル板(日東樹脂工業製、製品名CLAREX)に粘着剤(パナック製、製品名パナクリーンPDR5)を介して、各実施例及び各比較例で得られた反射防止性透明導電フィルムの透明基材側を貼合し、分光器(島津製作所製、分光光度計UV−3100PC)にて5°正反射率を測定した。
<Reflectance>
The transparent base of the antireflection transparent conductive film obtained in each Example and each Comparative Example through a black acrylic plate (manufactured by Nitto Jushi Kogyo Co., Ltd., product name CLAREX) via an adhesive (manufactured by Panac, product name Panaclean PDR5) The material side was bonded and the 5 ° regular reflectance was measured with a spectroscope (manufactured by Shimadzu Corporation, spectrophotometer UV-3100PC).

(結果のまとめ)
実施例1〜3で得られた本発明の反射防止性透明導電フィルムは、微細凹凸構造体上に、本発明で特定した第1透明導電層と第2透明導電層を積層し、且つ、第2透明導電層側の最外層表面が上記特定の微細凹凸を有することから、反射防止性に優れながら、導電性及び密着性が良好であった。
一方、比較例1で得られた反射防止性透明導電フィルムは、透明導電層の密着性が悪かった上に、反射防止性能も劣るものであった。比較例1で得られた反射防止性透明導電フィルムにおいては、透明導電層の最外層表面が、本発明で特定した形状の微細凹凸を有するものではなくなったことから、反射率が高く、反射防止性能に劣っていたと推定される。
(Summary of results)
The antireflective transparent conductive film of the present invention obtained in Examples 1 to 3 is formed by laminating the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer specified in the present invention on the fine concavo-convex structure, and 2 Since the outermost layer surface on the transparent conductive layer side has the specific fine irregularities, the conductivity and adhesion were good while being excellent in antireflection properties.
On the other hand, the antireflective transparent conductive film obtained in Comparative Example 1 was inferior in antireflection performance in addition to poor adhesion of the transparent conductive layer. In the antireflective transparent conductive film obtained in Comparative Example 1, the outermost surface of the transparent conductive layer does not have the fine irregularities of the shape specified in the present invention. It is estimated that the performance was inferior.

(実施例4)
実施例1と同様にして、反射防止性透明導電フィルムを得た。次に、フォトリソグラフィー法を用いて、透明導電層のパターニングを行った。透明導電層のプラズマエッチングは、ドライエッチャー(商品名DEA−506T、キャノンアネルバエンジニアリング(株)製)を用いて、以下のプラズマエッチング条件(酸素プラズマ、出力:50W、ガス量:50sccm、ガス圧:50mTorr、照射時間5分)により行った。プラズマエッチングにより、透明導電層非形成領域を設け、更に、当該非形成領域に存在する微細凹凸構造体も除去し、実施例4の反射防止性透明導電フィルムを得た。
実施例4の反射防止性透明導電フィルムをタッチパネルに用いた場合に、透明導電層のパターンが目立ちにくいことが確認された。
(Example 4)
In the same manner as in Example 1, an antireflection transparent conductive film was obtained. Next, the transparent conductive layer was patterned using a photolithography method. For the plasma etching of the transparent conductive layer, a dry etcher (trade name DEA-506T, manufactured by Canon Anelva Engineering Co., Ltd.) was used, and the following plasma etching conditions (oxygen plasma, output: 50 W, gas amount: 50 sccm, gas pressure: 50 mTorr, irradiation time 5 minutes). The transparent conductive layer non-formation region was provided by plasma etching, and the fine concavo-convex structure present in the non-formation region was also removed to obtain the antireflection transparent conductive film of Example 4.
When the antireflection transparent conductive film of Example 4 was used for the touch panel, it was confirmed that the pattern of the transparent conductive layer was not noticeable.

(実施例5)
実施例1と同様にして、反射防止性透明導電フィルムを得た。次に、フォトリソグラフィー法を用いて、透明導電層のパターニングを行った。透明導電層のプラズマエッチングは、ドライエッチャー(商品名DEA−506T、キャノンアネルバエンジニアリング(株)製)を用いて、以下のプラズマエッチング条件(酸素プラズマ、出力:50W、ガス量:50sccm、ガス圧:50mTorr、照射時間5分)により行い、透明導電層非形成領域を設けた。次に、当該透明導電層非形成領域に、前述の微細凹凸構造体形成用樹脂組成物をグラビア印刷法でwet膜厚が10μmとなるように塗布し、表面をブラスチックドクターでドクタリングし、当該透明導電層非形成領域に、前述の微細凹凸構造体形成用樹脂組成物を充填した。その後、2000mJ/cm2のエネルギーで紫外線を照射して樹脂組成物を硬化させ、実施例5の反射防止性透明導電フィルムを得た。
実施例5の反射防止性透明導電フィルムをタッチパネルに用いた場合に、透明導電層のパターンが目立ちにくいことが確認された。
(Example 5)
In the same manner as in Example 1, an antireflection transparent conductive film was obtained. Next, the transparent conductive layer was patterned using a photolithography method. For the plasma etching of the transparent conductive layer, a dry etcher (trade name DEA-506T, manufactured by Canon Anelva Engineering Co., Ltd.) was used, and the following plasma etching conditions (oxygen plasma, output: 50 W, gas amount: 50 sccm, gas pressure: 50 mTorr, irradiation time 5 minutes) to provide a transparent conductive layer non-formation region. Next, in the transparent conductive layer non-formation region, the fine concavo-convex structure forming resin composition is applied by gravure printing so that the wet film thickness is 10 μm, and the surface is doctored with a plastic doctor, The transparent conductive layer non-formation region was filled with the above-described resin composition for forming a fine concavo-convex structure. Thereafter, the resin composition was cured by irradiating ultraviolet rays with an energy of 2000 mJ / cm 2 to obtain an antireflection transparent conductive film of Example 5.
When the antireflection transparent conductive film of Example 5 was used for the touch panel, it was confirmed that the pattern of the transparent conductive layer was not noticeable.

1 透明基材
2 微細凹凸構造体
3 第1透明導電層
4 第2透明導電層
10 反射防止性透明導電フィルム
21 ダイ
22 ロール金型
23 押圧ローラ
24 剥離ローラ
30 タッチパネル
40 画像表示装置
41 画像表示パネル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent base material 2 Fine uneven structure 3 1st transparent conductive layer 4 2nd transparent conductive layer 10 Antireflection transparent conductive film 21 Die 22 Roll metal mold 23 Press roller 24 Peeling roller 30 Touch panel 40 Image display apparatus 41 Image display panel

Claims (4)

透明基材の少なくとも一方の面に、樹脂を含有してなり微細凹凸形状を有する微細凹凸構造体と、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせ又は導電性有機高分子を含有する第1透明導電層と、導電性金属酸化物を含有する第2透明導電層とをこの順で含み、
前記第2透明導電層側の最外層表面が、微小突起が集合してなる微小突起群を備えた微細凹凸を有し、前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛmin、当該微小突起の隣接突起間隔dの最大値をdmaxとしたときに、
dmax≦Λmin
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有する、反射防止性透明導電フィルム。
A first transparent material containing a fine concavo-convex structure containing a resin and having a fine concavo-convex shape, a combination of an organic compound and conductive metal-containing nanoparticles, or a conductive organic polymer on at least one surface of the transparent substrate. Including a conductive layer and a second transparent conductive layer containing a conductive metal oxide in this order,
The outermost layer surface on the second transparent conductive layer side has fine irregularities provided with a group of minute protrusions formed by a collection of minute protrusions, and the minute protrusions have the shortest wavelength in the wavelength band of light for antireflection. , When the maximum value of the distance d between adjacent protrusions is dmax,
dmax ≦ Λmin
And the cross-sectional area occupancy rate of the material portion forming the microprojection in the horizontal cross section when it is assumed that the microprojection is cut in a horizontal plane perpendicular to the depth direction of the microprojection is An antireflection transparent conductive film having a structure that gradually and gradually increases from the top toward the deepest portion.
前記微小突起の少なくとも一部が、頂点を複数有する微小突起である、請求項1に記載の反射防止性透明導電フィルム。   The antireflection transparent conductive film according to claim 1, wherein at least a part of the microprojections is a microprojection having a plurality of vertices. 2枚の電極フィルムそれぞれの電極面を一定間隔で対向させてなるタッチパネルであって、少なくとも1つの電極フィルムが、透明基材の少なくとも一方の面に、樹脂を含有してなり微細凹凸形状を有する微細凹凸構造体と、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせ又は導電性有機高分子を含有する第1透明導電層と、導電性金属酸化物を含有する第2透明導電層とをこの順で含み、
前記第2透明導電層側の最外層表面が、微小突起が集合してなる微小突起群を備えた微細凹凸を有し、前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛmin、当該微小突起の隣接突起間隔dの最大値をdmaxとしたときに、
dmax≦Λmin
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有する、反射防止性透明導電フィルムであることを特徴とする、タッチパネル。
A touch panel in which electrode surfaces of two electrode films are opposed to each other at regular intervals, and at least one electrode film contains a resin on at least one surface of a transparent substrate and has a fine uneven shape. A fine concavo-convex structure, a first transparent conductive layer containing a combination of an organic compound and conductive metal-containing nanoparticles or a conductive organic polymer, and a second transparent conductive layer containing a conductive metal oxide are arranged in this order. Including
The outermost layer surface on the second transparent conductive layer side has fine irregularities provided with a group of minute protrusions formed by a collection of minute protrusions, and the minute protrusions have the shortest wavelength in the wavelength band of light for antireflection. , When the maximum value of the distance d between adjacent protrusions is dmax,
dmax ≦ Λmin
And the cross-sectional area occupancy rate of the material portion forming the microprojection in the horizontal cross section when it is assumed that the microprojection is cut in a horizontal plane perpendicular to the depth direction of the microprojection is A touch panel characterized by being an antireflection transparent conductive film having a structure that gradually and gradually increases from the top toward the deepest part.
2枚の電極フィルムそれぞれの電極面を一定間隔で対向させてなるタッチパネルであって、少なくとも一方側の電極フィルムが、透明基材の少なくとも一方の面に、樹脂を含有してなり微細凹凸形状を有する微細凹凸構造体と、有機化合物と導電性金属含有ナノ粒子の組み合わせ又は導電性有機高分子を含有する第1透明導電層と、導電性金属酸化物を含有する第2透明導電層とをこの順で含み、
前記第2透明導電層側の最外層表面が、微小突起が集合してなる微小突起群を備えた微細凹凸を有し、前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛmin、当該微小突起の隣接突起間隔dの最大値をdmaxとしたときに、
dmax≦Λmin
なる関係を有し、且つ、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有する、反射防止性透明導電フィルムであるタッチパネルを、画像表示面に備えた、画像表示装置。
It is a touch panel in which the electrode surfaces of two electrode films are opposed to each other at a constant interval, and at least one of the electrode films contains a resin on at least one surface of the transparent substrate, and has a fine uneven shape. A fine concavo-convex structure having a first transparent conductive layer containing a combination of an organic compound and conductive metal-containing nanoparticles or a conductive organic polymer, and a second transparent conductive layer containing a conductive metal oxide. Including in order,
The outermost layer surface on the second transparent conductive layer side has fine irregularities provided with a group of minute protrusions formed by a collection of minute protrusions, and the minute protrusions have the shortest wavelength in the wavelength band of light for antireflection. , When the maximum value of the distance d between adjacent protrusions is dmax,
dmax ≦ Λmin
And the cross-sectional area occupancy rate of the material portion forming the microprojection in the horizontal cross section when it is assumed that the microprojection is cut in a horizontal plane perpendicular to the depth direction of the microprojection is An image display device comprising a touch panel, which is an antireflection transparent conductive film, having a structure that gradually and gradually increases as approaching from the top toward the deepest portion, on the image display surface.
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