JP2014082345A

JP2014082345A - Method for manufacturing circuit board

Info

Publication number: JP2014082345A
Application number: JP2012229562A
Authority: JP
Inventors: Koji Munakata; 浩次宗像
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2012-10-17
Filing date: 2012-10-17
Publication date: 2014-05-08

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a circuit board capable of forming a conductor wiring having a desired film thickness.SOLUTION: A method for manufacturing a circuit board having a wiring pattern comprises: a first step S12 of forming a water-repellent layer on both surfaces of an insulating substrate; a second step S13 of forming a recess on an upper surface of the insulating substrate; a third step S14 of imparting a catalyst into the recess; and a fourth step S15 of forming a wiring pattern in the recess by electroless plating treatment.

Description

本発明は、無電解めっき処理によって導体配線を形成する回路基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a circuit board manufacturing method for forming a conductor wiring by electroless plating.

絶縁層にインプリント法によって形成した溝部にメッキ層を形成した後に、エッチングやＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）によって絶縁層が露出するまで当該メッキ層を研磨することで、回路パターンを形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。 A method of forming a circuit pattern by forming a plated layer in a groove formed by an imprint method on an insulating layer and then polishing the plated layer until the insulating layer is exposed by etching or CMP (Chemical Mechanical Polishing) is known. (For example, refer to Patent Document 1).

特開２００７−３６２１７号公報JP 2007-36217 A

メッキ層をエッチングやＣＭＰによって研磨する際、回路パターンの線幅が広くなるほど当該配線パターンの必要な膜厚を確保することが難しくなるという問題がある。 When the plating layer is polished by etching or CMP, there is a problem that it becomes more difficult to secure a necessary film thickness of the wiring pattern as the line width of the circuit pattern becomes wider.

本発明が解決しようとする課題は、所望の膜厚を有する導体配線を形成することが可能な回路基板の製造方法を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a circuit board manufacturing method capable of forming a conductor wiring having a desired film thickness.

［１］本発明に係る回路基板の製造方法は、導体配線を有する回路基板の製造方法であって、樹脂基材の少なくとも一方の主面に撥水層を形成する第１の工程と、前記樹脂基材の前記主面に凹部を形成する第２の工程と、前記凹部内に触媒を付与する第３の工程と、無電解めっき処理によって前記凹部内に前記導体配線を形成する第４の工程と、を備えたことを特徴とする。 [1] A method for manufacturing a circuit board according to the present invention is a method for manufacturing a circuit board having a conductor wiring, the first step of forming a water repellent layer on at least one main surface of the resin base material, A second step of forming a recess in the main surface of the resin substrate, a third step of applying a catalyst in the recess, and a fourth step of forming the conductor wiring in the recess by electroless plating. And a process.

［２］上記発明において、前記第２の工程は、インプリント法又はレーザ加工によって前記凹部を形成することを含んでもよい。 [2] In the above invention, the second step may include forming the concave portion by imprinting or laser processing.

［３］上記発明において、前記第１の工程は、シランカップリング剤を用いて前記撥水層を形成することを含んでもよい。 [3] In the above invention, the first step may include forming the water-repellent layer using a silane coupling agent.

［４］上記発明において、前記回路基板の製造方法は、前記第１の工程の前に、前記樹脂基材の前記主面に対して、紫外線照射処理、プラズマ処理、コロナ放電処理、又はアルカリ処理を行う改質工程をさらに備ええてもよい。 [4] In the above invention, the method of manufacturing the circuit board may include ultraviolet irradiation treatment, plasma treatment, corona discharge treatment, or alkali treatment on the main surface of the resin base material before the first step. You may further provide the modification process which performs.

［５］上記発明において、前記紫外線は、１８５［ｎｍ］及び２５４［ｎｍ］の少なくとも一方の波長を含んでもよい。 [5] In the above invention, the ultraviolet ray may include at least one wavelength of 185 [nm] and 254 [nm].

［６］上記発明において、前記回路基板の製造方法は、前記第４の工程の後に、前記樹脂基材の前記主面に残っている前記撥水層を除去する第５の工程をさらに備えてもよい。 [6] In the above invention, the circuit board manufacturing method further includes a fifth step of removing the water-repellent layer remaining on the main surface of the resin base material after the fourth step. Also good.

本発明によれば、撥水層が形成された樹脂基材の主面に凹部を形成することで、無電解めっきを凹部内のみに選択的に析出させることができる。このため、無電解めっき後の研磨やエッチングが不要となるので、所望の膜厚を有する導体配線の形成することができる。 According to the present invention, the electroless plating can be selectively deposited only in the recesses by forming the recesses on the main surface of the resin base material on which the water repellent layer is formed. For this reason, since polishing and etching after electroless plating are not required, a conductor wiring having a desired film thickness can be formed.

図１は、本発明の実施形態における回路基板の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a circuit board according to an embodiment of the present invention. 図２は、本発明の実施形態における回路基板の製造方法を示す工程図である。FIG. 2 is a process diagram showing a method of manufacturing a circuit board in the embodiment of the present invention. 図３（ａ）〜図３（ｃ）は、図２の各工程における絶縁性基板の断面図である（その１）。3A to 3C are cross-sectional views of the insulating substrate in each step of FIG. 2 (No. 1). 図４（ａ）〜図４（ｂ）は、図２の各工程における絶縁性基板の断面図である（その２）。4A to 4B are cross-sectional views of the insulating substrate in each step of FIG. 2 (part 2).

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

先ず、本実施形態に係る製造方法によって作製された回路基板１の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は本実施形態における回路基板の断面図である。 First, the configuration of the circuit board 1 manufactured by the manufacturing method according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view of a circuit board in the present embodiment.

本実施形態における回路基板１は、図１に示すように、絶縁性基板２と、配線パターン４と、を備えている。この回路基板１は、例えば、フレキシブルプリント配線板、リジッドプリント配線板、インタポーザ等として使用することができる。本実施形態における絶縁性基板２が本発明における樹脂基材の一例に相当し、本実施形態における配線パターン４が本発明における導体配線の一例に相当する。 As shown in FIG. 1, the circuit board 1 in this embodiment includes an insulating substrate 2 and a wiring pattern 4. The circuit board 1 can be used as, for example, a flexible printed wiring board, a rigid printed wiring board, an interposer, or the like. The insulating substrate 2 in the present embodiment corresponds to an example of a resin base material in the present invention, and the wiring pattern 4 in the present embodiment corresponds to an example of a conductor wiring in the present invention.

絶縁性基板２は、電気絶縁性を有する樹脂材料から構成されたフレキシブルな樹脂基材である。この絶縁性基板２を構成する具体的な樹脂材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を例示することができる。なお、絶縁性基板２をリジッドな樹脂基材で構成してもよい。 The insulating substrate 2 is a flexible resin base made of a resin material having electrical insulation. Specific resin materials constituting the insulating substrate 2 include, for example, polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), polyphenylene sulfide (PPS), polybutylene terephthalate (PBT), liquid crystal polymer (LCP), Examples thereof include polyimide (PI), acrylonitrile-butadiene-styrene resin (ABS), polyethylene terephthalate (PET), and polyethylene naphthalate (PEN). The insulating substrate 2 may be made of a rigid resin base material.

本実施形態では、この絶縁性基板２の上面２ａに熱インプリント法によって凹部２１が形成されている。この凹部２１は、配線パターン４に対応した形状を有している。なお、凹部２１を光インプリント法によって形成してもよい。この場合には、例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）等で絶縁性基板２を構成してもよい。 In the present embodiment, a recess 21 is formed on the upper surface 2a of the insulating substrate 2 by a thermal imprint method. The recess 21 has a shape corresponding to the wiring pattern 4. In addition, you may form the recessed part 21 by the optical imprint method. In this case, for example, the insulating substrate 2 may be made of polydimethylsiloxane (PDMS) or the like.

この凹部２１の内面を含めた絶縁性基板２の上面２ａには、紫外線照射処理によって改質層２２が形成されている。この改質層２２は、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボキシル基等の親水性を有する極性基を有しており、数十ｎｍ〜数百ｎｍの厚さを有している。なお、この改質層２２は、凹部２１の内面の少なくとも一部に形成されていればよい。例えば、凹部２１の底面２１１のみに改質層２２が形成されていてもよい。また、この改質層２２を、紫外線照射処理に代えて、プラズマ処理、コロナ放電処理、又はアルカリ処理によって形成してもよい。 A modified layer 22 is formed on the upper surface 2a of the insulating substrate 2 including the inner surface of the recess 21 by ultraviolet irradiation treatment. The modified layer 22 has a polar group having hydrophilicity such as a hydroxyl group, a carbonyl group, or a carboxyl group, and has a thickness of several tens to several hundreds of nm. The modified layer 22 only needs to be formed on at least a part of the inner surface of the recess 21. For example, the modified layer 22 may be formed only on the bottom surface 211 of the recess 21. The modified layer 22 may be formed by plasma treatment, corona discharge treatment, or alkali treatment instead of the ultraviolet irradiation treatment.

凹部２１の内部には、無電解銅めっき処理によって銅（Ｃｕ）が充填されており、配線パターン４が形成されている。なお、無電解めっき処理によって配線パターン４を形成するのであれば、当該配線パターン４を構成する導電性材料は、特に銅に限定されず、例えばニッケル（Ｎｉ）等であってもよい。 The recess 21 is filled with copper (Cu) by electroless copper plating, and the wiring pattern 4 is formed. In addition, if the wiring pattern 4 is formed by electroless plating, the conductive material constituting the wiring pattern 4 is not particularly limited to copper, and may be nickel (Ni), for example.

なお、配線パターン４の形状、数、配置等は、図１に示す例に限定されない。また、本実施形態では、絶縁性基板２の片面２ａのみに配線パターン４を形成する例について説明したが、特にこれに限定されない。例えば、配線パターン４を絶縁性基板２の両面２ａ，２ｂに形成してもよいし、絶縁性基板２にスルーホールやバイアホールを形成してもよい。さらに、上述した回路基板１を積層して多層プリント配線板を形成してもよい。 The shape, number, arrangement, etc. of the wiring pattern 4 are not limited to the example shown in FIG. Moreover, although this embodiment demonstrated the example which forms the wiring pattern 4 only in the single side | surface 2a of the insulating board | substrate 2, it is not limited to this in particular. For example, the wiring pattern 4 may be formed on both surfaces 2 a and 2 b of the insulating substrate 2, or through holes and via holes may be formed in the insulating substrate 2. Further, the circuit board 1 described above may be laminated to form a multilayer printed wiring board.

次に、本実施形態における回路基板１の製造方法について、図２、図３（ａ）〜図４（ｂ）を参照しながら説明する。 Next, the manufacturing method of the circuit board 1 in this embodiment is demonstrated, referring FIG. 2, FIG. 3 (a)-FIG.4 (b).

図２は本実施形態における回路基板の製造方法を示す工程図、図３（ａ）〜図４（ｂ）は図２の各工程における絶縁性基板の断面図である。 FIG. 2 is a process diagram showing a method of manufacturing a circuit board in the present embodiment, and FIGS. 3A to 4B are cross-sectional views of an insulating substrate in each process of FIG.

本実施形態では、先ず、図２のステップＳ１１において、図３（ａ）に示すように、上方の光源（不図示）から絶縁性基板２に向かって紫外線を照射して、絶縁性基板２の上面２ａに改質層２２を形成する。 In the present embodiment, first, in step S11 of FIG. 2, as shown in FIG. 3A, the insulating substrate 2 is irradiated with ultraviolet rays from an upper light source (not shown) to form the insulating substrate 2. The modified layer 22 is formed on the upper surface 2a.

このステップＳ１１で使用される光源としては、例えば、低圧水銀灯を例示することができる。この低圧水銀灯は、波長が１８５［ｎｍ］の紫外線と、波長が２５４［ｎｍ］の紫外線を主に発生する。前者の光エネルギーは６４７［ｋＪ／ｍｏｌ］であり、後者の光エネルギーが４７２［ｋＪ／ｍｏｌ］である。これに対し、例えば、絶縁性基板２を構成する有機化合物のＣ−Ｈ結合の結合エネルギーは４５７［ｋＪ／ｍｏｌ］であり、上述の紫外線の光エネルギーの方が分子結合の結合エネルギーよりも強い。このため、この紫外線照射によって、当該絶縁性基板２の表面２ａの分子結合が断ち切られて、上述のような親水性の極性基を有する改質層２２が形成される。 As a light source used in step S11, for example, a low-pressure mercury lamp can be exemplified. This low-pressure mercury lamp mainly generates ultraviolet light having a wavelength of 185 [nm] and ultraviolet light having a wavelength of 254 [nm]. The former light energy is 647 [kJ / mol], and the latter light energy is 472 [kJ / mol]. On the other hand, for example, the bond energy of the C—H bond of the organic compound constituting the insulating substrate 2 is 457 [kJ / mol], and the above-described ultraviolet light energy is stronger than the bond energy of the molecular bond. . For this reason, by this ultraviolet irradiation, the molecular bond of the surface 2a of the insulating substrate 2 is cut off, and the modified layer 22 having the hydrophilic polar group as described above is formed.

この改質層２２において後述する撥水層３から露出している部分は、めっき用の触媒を含有した溶液がぬれ易く触媒を吸着させ易くなっており、銅が析出し易くなっている。一方、改質層２２において撥水層３で覆われた部分は、当該撥水層３の撥水作用によってめっき用の触媒が吸着しないため、銅が析出しないようになっている。 A portion of the modified layer 22 exposed from a water-repellent layer 3 described later easily wets the solution containing the catalyst for plating, and easily adsorbs the catalyst, so that copper is easily deposited. On the other hand, the portion covered with the water repellent layer 3 in the modified layer 22 is not adsorbed with the catalyst for plating due to the water repellent action of the water repellent layer 3, so that copper does not precipitate.

また、こうした紫外線照射によって形成された改質層２２は、表面に微細な孔が形成された多孔質の構造を有している。このため、めっき用の触媒を含有した溶液に絶縁性基板２を浸漬すると、当該溶液が改質層２２の微細な孔に浸透し、この穴の内部から銅を析出させることができるので、アンカー効果によって配線パターン４の密着性を向上させることができる。 The modified layer 22 formed by such ultraviolet irradiation has a porous structure in which fine pores are formed on the surface. For this reason, when the insulating substrate 2 is immersed in a solution containing a catalyst for plating, the solution penetrates into the fine holes of the modified layer 22, and copper can be deposited from the inside of the holes. The adhesiveness of the wiring pattern 4 can be improved by the effect.

なお、このステップＳ１１において、紫外線照射に代えて、プラズマ処理、コロナ放電処理、又はアルカリ処理によって、絶縁性基板２の上面２ａに改質層２２を形成してもよい。なお、アルカリ処理とは、例えば、水酸化ナトリウム水溶液に絶縁性基板２を浸漬するウエット処理である。 In step S11, the modified layer 22 may be formed on the upper surface 2a of the insulating substrate 2 by plasma treatment, corona discharge treatment, or alkali treatment instead of ultraviolet irradiation. Note that the alkali treatment is, for example, a wet treatment in which the insulating substrate 2 is immersed in an aqueous sodium hydroxide solution.

例えば、コロナ放電処理によって形成された改質層は、上述のような親水性の極性基を有すると共に、当該コロナ放電の放電ストリークによる熱的衝撃によって粗面化されているので、アンカー効果によって配線パターン４の密着性を向上させることができる。 For example, a modified layer formed by corona discharge treatment has a hydrophilic polar group as described above, and is roughened by a thermal shock due to a discharge streak of the corona discharge. The adhesion of the pattern 4 can be improved.

なお、絶縁性基板２と配線パターン４との密着性を十分に確保できる場合には、このステップＳ１１を省略してもよい。すなわち、絶縁性基板２の上面２ａに改質層２２を形成しなくてもよい。 Note that step S11 may be omitted if sufficient adhesion between the insulating substrate 2 and the wiring pattern 4 can be secured. That is, the modified layer 22 may not be formed on the upper surface 2a of the insulating substrate 2.

次いで、図２のステップＳ１２において、図３（ｂ）に示すように、例えば、ディッピング法や大気中又は真空中での気相成膜法によってシランカップリング剤を絶縁性基板２の両面２ａ，２ｂに付着させる。これにより、単分子〜数分子程度の厚さを有する撥水層３が絶縁性基板２の両面２ａ，２ｂに形成される。 Next, in step S12 of FIG. 2, as shown in FIG. 3 (b), the silane coupling agent is applied to both surfaces 2a, 2a, 2b, Adhere to 2b. Thereby, the water-repellent layer 3 having a thickness of about a single molecule to several molecules is formed on both surfaces 2 a and 2 b of the insulating substrate 2.

上記のシランカップリング剤は、疎水性の官能基が末端に修飾されており、このため撥水性を発現する。シランカップリング剤としては、アルコキシオリゴマー、シラン、シリルカ剤等を例示することができ、その中でもシランの具体例として、例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ、Ｃ_６Ｈ_１９ＮＳｉ_２）等の撥水処理剤を例示することができる。 The above-mentioned silane coupling agent has a hydrophobic functional group modified at the terminal, and thus exhibits water repellency. Examples of silane coupling agents include alkoxy oligomers, silanes, silylica agents, etc. Among them, specific examples of silane include water repellent such as hexamethyldisilazane (HMDS, C ₆ H ₁₉ NSi ₂ ). A processing agent can be illustrated.

なお、このステップＳ１２において、撥水層３を絶縁性基板２の両面２ａ，２ｂに形成することが好ましい。後述する触媒付与処理Ｓ１４や無電解めっき処理Ｓ１５において絶縁性基板２を液体に浸漬した際に、絶縁性基板２内に水分が浸入すると配線パターン４の密着性が低下する。これに対し、本実施形態では、絶縁性基板２の両面２ａ，２ｂが撥水層３で覆われているので、絶縁性基板２内への水分の浸入を防止することができる。 In step S12, the water repellent layer 3 is preferably formed on both surfaces 2a and 2b of the insulating substrate 2. When the insulating substrate 2 is immersed in a liquid in a catalyst application process S14 or an electroless plating process S15, which will be described later, if moisture enters the insulating substrate 2, the adhesion of the wiring pattern 4 decreases. On the other hand, in this embodiment, since both surfaces 2a and 2b of the insulating substrate 2 are covered with the water repellent layer 3, it is possible to prevent moisture from entering the insulating substrate 2.

次いで、図２のステップＳ１３において、図３（ｃ）に示すように、絶縁性基板２とインプリントモールド５を所定温度まで加熱した後に、インプリントモールド５を絶縁性基板２の上面２ａに押し付ける。 Next, in step S13 of FIG. 2, as shown in FIG. 3C, after heating the insulating substrate 2 and the imprint mold 5 to a predetermined temperature, the imprint mold 5 is pressed against the upper surface 2a of the insulating substrate 2. .

このインプリントモールド５は、例えば、シリコン（Ｓｉ）から構成される熱インプリント用の金型であり、図３（ｃ）に示すように、ベース部５１と、３つの凸部５２と、を有している。凸部５２は、下方に突出するようにベース部５１に設けられており、配線パターン４の形状に対応している。 The imprint mold 5 is, for example, a thermal imprint mold made of silicon (Si). As shown in FIG. 3C, a base portion 51 and three convex portions 52 are provided. Have. The convex portion 52 is provided on the base portion 51 so as to protrude downward, and corresponds to the shape of the wiring pattern 4.

このインプリントモールド５は、例えば、電子ビームリソグラフィ、フォトリソグラフィ、エッチングといった半導体製造技術等を用いて形成されている。なお、このインプリントモールド５を、シリコンに代えて、石英（ＳｉＯ_２）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）、グラッシーカーボン（ＧＣ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）等で構成してもよい。 The imprint mold 5 is formed using, for example, a semiconductor manufacturing technique such as electron beam lithography, photolithography, or etching. The imprint mold 5 is made of quartz (SiO ₂ ), silicon carbide (SiC), glassy carbon (GC), nickel (Ni), copper (Cu), tantalum (Ta) or the like instead of silicon. May be.

因みに、インプリントモールド５を、ニッケルや銅等の金属材料で構成する場合には、シリコン等でモールドを一旦形成し、当該モールドの凹凸パターンを樹脂材料に転写して離型した後に、当該樹脂材料にめっき等で金属材料を充填して剥離することで、金属製のモールドを形成する。 Incidentally, in the case where the imprint mold 5 is made of a metal material such as nickel or copper, the mold is once formed with silicon or the like, and after the mold concavo-convex pattern is transferred to the resin material and released, the resin A metal mold is formed by filling the material with a metal material by plating or the like and peeling it off.

このインプリントモールド５が絶縁性基板２の上面２ａに押し付けられると、図３（ｃ）に示すように、インプリントモールド５の表面形状（本例では３つの凸部５２）が絶縁性基板２に転写される。これにより、絶縁性基板２の上面２ａに３つの凹部２１が形成される。 When the imprint mold 5 is pressed against the upper surface 2a of the insulating substrate 2, as shown in FIG. 3C, the surface shape of the imprint mold 5 (three convex portions 52 in this example) is the insulating substrate 2. Is transcribed. As a result, three recesses 21 are formed in the upper surface 2a of the insulating substrate 2.

また、本実施形態では、このインプリントモールド５の凸部５２の押圧に伴って、凹部２１で、表面積が増加すると共に樹脂材料が流動して表層が内側に潜り込んむ。そのため、インプリント前と比べて、当該凹部２１内の表面における撥水層３の密度が著しく低下している。 Further, in the present embodiment, as the convex portion 52 of the imprint mold 5 is pressed, the surface area is increased and the resin material flows in the concave portion 21 so that the surface layer enters inside. For this reason, the density of the water-repellent layer 3 on the surface in the recess 21 is significantly lower than before imprinting.

一方、上述のように改質層２２は撥水層３よりも厚いので、インプリントモールド５の凸部５２の押圧によって凹部２１が形成されても、当該凹部２１内の表面には改質層２２が残っている。 On the other hand, since the modified layer 22 is thicker than the water-repellent layer 3 as described above, even if the concave portion 21 is formed by pressing the convex portion 52 of the imprint mold 5, the modified layer is formed on the surface in the concave portion 21. 22 remains.

すなわち、本実施形態では、このステップＳ１３におけるインプリント法によって、絶縁性基板２に凹部２１を形成すると同時に、凹部２１内の表面に改質層２２を残しつつ当該凹部２１内の撥水層３の密度を低下させており、これにより、凹部２１内における撥水効果が大幅に弱められている。 That is, in the present embodiment, the recess 21 is formed in the insulating substrate 2 by the imprint method in step S13, and at the same time, the water repellent layer 3 in the recess 21 is left on the surface in the recess 21. Thus, the water repellent effect in the recess 21 is greatly weakened.

これに対し、絶縁性基板２の表面２ａにおける凹部２１以外の領域では、撥水層３がインプリント前と同様に維持されているので、十分な撥水効果が確保されている。 On the other hand, in the region other than the concave portion 21 on the surface 2a of the insulating substrate 2, the water repellent layer 3 is maintained in the same manner as before imprinting, so that a sufficient water repellent effect is ensured.

なお、インプリントモールド法に代えて、レーザ加工によって絶縁性基板２の上面２ａに凹部２１を形成してもよい。この場合には、凹部２１の形成と同時にレーザ光のエネルギーによって凹部２１内の撥水層３も破壊されることで、凹部２１内における撥水効果が大幅に弱められる。 In place of the imprint molding method, the recess 21 may be formed on the upper surface 2a of the insulating substrate 2 by laser processing. In this case, the water-repellent layer 3 in the recess 21 is also destroyed by the energy of the laser beam simultaneously with the formation of the recess 21, so that the water-repellent effect in the recess 21 is greatly weakened.

次いで、図２のステップＳ１４において、特に図示しないが、絶縁性基板２の凹部２１内の表面に、無電解銅めっき処理用の触媒（例えば、パラジウム（Ｐｄ）など）を付与する。 Next, in step S14 of FIG. 2, although not particularly illustrated, a catalyst (for example, palladium (Pd)) for electroless copper plating is applied to the surface of the recess 21 of the insulating substrate 2.

本実施形態における触媒付与処理（触媒化処理）Ｓ１４は、例えば、キャタライジング工程と、アクセラレイティング工程と、から構成されている。 The catalyst application process (catalyzing process) S14 in the present embodiment includes, for example, a catalyzing process and an accelerating process.

キャタライジング工程では、絶縁性基板２をキャタリスト（パラジウムコロイド溶液）に浸漬することで、絶縁性基板２の凹部２１内の表面にパラジウムコロイド（Ｐｎ−Ｓｎ化合物）を吸着させる。なお、絶縁性基板２の表面２ａ，２ｂにおける凹部２１以外の領域については、パラジウムコロイドの吸着は撥水層３の撥水作用によって妨げられる。 In the catalyzing process, the colloidal palladium (Pn—Sn compound) is adsorbed on the surface of the concave portion 21 of the insulating substrate 2 by immersing the insulating substrate 2 in the catalyst (palladium colloid solution). In addition, in regions other than the recesses 21 on the surfaces 2 a and 2 b of the insulating substrate 2, the adsorption of the palladium colloid is hindered by the water repellent action of the water repellent layer 3.

次いで、アクセラレイティング工程では、絶縁性基板２をアクセラレータ（例えば、硫酸とホウフッ酸を主成分とする溶液）に浸漬することで、パラジウムコロイドの保護コロイド成分（Ｓｎ化合物）を除去して、パラジウム触媒を活性化させる。 Next, in the accelerating process, the insulating substrate 2 is immersed in an accelerator (for example, a solution containing sulfuric acid and borofluoric acid as main components) to remove the protective colloid component (Sn compound) of the palladium colloid, and thereby the palladium catalyst. To activate.

なお、触媒付与処理Ｓ１４における処理内容は、上記のキャタライジング工程やアクセラレイティング工程に限定されない。 In addition, the processing content in catalyst provision process S14 is not limited to said catalyzing process and an accelerating process.

次いで、図２のステップＳ１５において、絶縁性基板２を無電解銅めっき液に浸漬する。これにより、図４（ａ）に示すように、絶縁性基板２の凹部２１内のみに銅が析出し当該凹部２１内に銅が充填されることで、配線パターン４が形成される。 Next, in step S15 of FIG. 2, the insulating substrate 2 is immersed in an electroless copper plating solution. As a result, as shown in FIG. 4A, copper is deposited only in the recess 21 of the insulating substrate 2, and the recess 21 is filled with copper, whereby the wiring pattern 4 is formed.

次いで、図２のステップＳ１６において、図４（ｂ）に示すように、絶縁性基板２の両面２ａ，２ｂに対して紫外線を照射して、撥水層３を絶縁性基板２の両面２ａ，２ｂから除去することで、回路基板１が完成する。このステップＳ１６の処理により、回路基板１の表面にカバーレイを貼り付ける場合や、回路基板１を多層化する場合に、密着性の向上を図ることができる。 Next, in step S16 of FIG. 2, as shown in FIG. 4B, the both surfaces 2a and 2b of the insulating substrate 2 are irradiated with ultraviolet rays, so that the water repellent layer 3 is formed on both surfaces 2a and 2b of the insulating substrate 2. By removing from 2b, the circuit board 1 is completed. By the process of step S16, adhesion can be improved when a coverlay is attached to the surface of the circuit board 1 or when the circuit board 1 is multilayered.

なお、このステップＳ１６において、紫外線照射に代えて、研磨処理や薬液処理により撥水層３を絶縁性基板２の両面２ａ，２ｂから除去してもよい。また、回路基板１へのカバーレイの貼付や回路基板１の多層化を行わない場合には、このステップＳ１６を省略してもよい。 In this step S16, the water repellent layer 3 may be removed from both surfaces 2a and 2b of the insulating substrate 2 by polishing treatment or chemical treatment instead of ultraviolet irradiation. Further, this step S16 may be omitted when the cover lay is not attached to the circuit board 1 or the circuit board 1 is not multilayered.

以上のように、本実施形態では、撥水層３が形成された絶縁性基板２の上面２ａに凹部２１を形成することで、無電解めっきを凹部２１内のみに選択的に析出させることができる。このため、無電解めっき後の研磨やエッチングが不要となるので、所望の膜厚を有する配線パターン４の形成することができ、所望の電気特性を確保することができる。 As described above, in the present embodiment, the electroless plating can be selectively deposited only in the recess 21 by forming the recess 21 on the upper surface 2a of the insulating substrate 2 on which the water repellent layer 3 is formed. it can. For this reason, since polishing and etching after electroless plating become unnecessary, the wiring pattern 4 having a desired film thickness can be formed, and desired electrical characteristics can be ensured.

本実施形態における撥水処理Ｓ１２が本発明における第１の工程の一例に相当し、本実施形態におけるインプリント処理Ｓ１３が本発明における第２の工程の一例に相当し、本実施形態における触媒付与処理Ｓ１４が本発明における第３の工程の一例に相当し、本実施形態における無電解めっき処理Ｓ１５が本発明における第４の工程の一例に相当する。 The water repellent treatment S12 in the present embodiment corresponds to an example of the first step in the present invention, the imprint processing S13 in the present embodiment corresponds to an example of the second step in the present invention, and the catalyst application in the present embodiment. The process S14 corresponds to an example of a third process in the present invention, and the electroless plating process S15 in the present embodiment corresponds to an example of a fourth process in the present invention.

また、本実施形態における改質処理Ｓ１１が本発明における改質工程の一例に相当し、本実施形態における除去処理Ｓ１６が本発明における第５の工程の一例に相当する。 Further, the modification process S11 in the present embodiment corresponds to an example of a modification process in the present invention, and the removal process S16 in the present embodiment corresponds to an example of a fifth process in the present invention.

なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The embodiment described above is described for facilitating the understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

１…回路基板
２…絶縁性基板
２ａ…上面
２ｂ…下面
２１…凹部
２１１…底面
２２…改質層
３…撥水層
４…配線パターン
５…インプリントモールド
５１…ベース部
５２…凸部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Circuit board 2 ... Insulating substrate 2a ... Upper surface 2b ... Lower surface 21 ... Concave 211 ... Bottom 22 ... Modified layer 3 ... Water-repellent layer 4 ... Wiring pattern 5 ... Imprint mold 51 ... Base part 52 ... Convex part

Claims

A method of manufacturing a circuit board having conductor wiring,
A first step of forming a water repellent layer on at least one main surface of the resin substrate;
A second step of forming a recess in the main surface of the resin substrate;
A third step of providing a catalyst in the recess;
And a fourth step of forming the conductor wiring in the recess by an electroless plating process.

It is a manufacturing method of the circuit board according to claim 1, Comprising:
The method of manufacturing a circuit board, wherein the second step includes forming the concave portion by imprinting or laser processing.

A method of manufacturing a circuit board according to claim 1 or 2,
The method of manufacturing a circuit board, wherein the first step includes forming the water repellent layer using a silane coupling agent.

A method for manufacturing a circuit board according to any one of claims 1 to 3,
Prior to the first step, the circuit further comprises a reforming step of performing ultraviolet irradiation treatment, plasma treatment, corona discharge treatment, or alkali treatment on the main surface of the resin base material. A method for manufacturing a substrate.

A method of manufacturing a circuit board according to claim 4,
The ultraviolet ray includes at least one wavelength of 185 [nm] and 254 [nm].

A method for manufacturing a circuit board according to any one of claims 1 to 5,
A circuit board manufacturing method, further comprising a fifth step of removing the water-repellent layer remaining on the main surface of the resin base material after the fourth step.