JP2014071159A - Resist composition, method for forming resist pattern, polymeric compound, and compound - Google Patents

Resist composition, method for forming resist pattern, polymeric compound, and compound Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition which has high solubility with an alkali developing solution while maintaining lithographic characteristics and which can achieve reduction of defects, and to provide a method for forming a resist pattern using the resist composition.SOLUTION: The resist composition generates an acid by exposure and exhibits changes in the solubility with an alkali developing solution by an action of the acid. The composition comprises a polymeric compound having a structural unit that includes a base decomposable group and is crosslinked by a crosslinking structure.

Description

本発明は、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法に関する。   The present invention relates to a resist composition and a resist pattern forming method.

リソグラフィー技術においては、例えば基板の上にレジスト材料からなるレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。レジスト膜の露光部が現像液に溶解する特性に変化するレジスト材料をポジ型、露光部が現像液に溶解しない特性に変化するレジスト材料をネガ型という。
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。
微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化(高エネルギー化)が行われている。具体的には、従来は、g線、i線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、KrFエキシマレーザーや、ArFエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されている。また、これらのエキシマレーザーより短波長(高エネルギー)のEUV(極紫外線)や、EB(電子線)、X線などについても検討が行われている。
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。(特許文献1〜2)
In lithography technology, for example, a resist film made of a resist material is formed on a substrate, and the resist film is selectively exposed and developed to form a resist pattern having a predetermined shape on the resist film. The process to perform is performed. A resist material in which the exposed portion of the resist film changes to a property that dissolves in the developer is referred to as a positive type, and a resist material that changes to a property in which the exposed portion does not dissolve in the developer is referred to as a negative type.
In recent years, in the manufacture of semiconductor elements and liquid crystal display elements, pattern miniaturization has been rapidly progressing due to advances in lithography technology.
As a technique for miniaturization, the exposure light source is generally shortened in wavelength (increased energy). Specifically, conventionally, ultraviolet rays typified by g-line and i-line have been used, but at present, mass production of semiconductor elements using a KrF excimer laser or an ArF excimer laser has started. Further, studies have been made on EUV (extreme ultraviolet), EB (electron beam), X-rays and the like having shorter wavelengths (higher energy) than these excimer lasers.
Resist materials are required to have lithography characteristics such as sensitivity to these exposure light sources and resolution capable of reproducing a pattern with fine dimensions.
Conventionally, as a resist material satisfying such requirements, a chemically amplified resist composition containing a base material component whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid and an acid generator component that generates an acid upon exposure. Things are used. (Patent Documents 1 and 2)

特開2010−204187号公報JP 2010-204187 A 特開2011−008001号公報JP 2011-008001 A

リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が進むなか、化学増幅型レジスト組成物とアルカリ現像液とを組み合わせたアルカリ現像プロセスにも、種々のリソグラフィー特性の改善がよりいっそう求められる。   As the lithography technology further advances and the application field expands, the alkali development process combining a chemically amplified resist composition and an alkali developer is required to further improve various lithography properties.

アルカリ現像プロセスに用いるレジスト組成物には、レジストパターンのディフェクト(表面欠陥)を軽減させるため、アルカリ現像液に対する高い溶解性が求められている。例えば特許文献1では構成単位にフッ素原子を有する高分子化合物を基材成分として使用している。また特許文献2では構成単位にフッ素原子を有する高分子化合物を添加剤成分として使用している。レジスト組成物のアルカリ現像液に対する溶解性を高める手段として、特許文献1,2のように特定の構成単位を有する高分子化合物を用いる他、高分子化合物の低分子量化が考えられる。しかし、高分子化合物を低分子量化すると、その高分子化合物が基材成分である場合はレジスト膜のTgが低下し、リソグラフィー特性が悪化したり、添加剤成分で有る場合はレジスト膜における表面偏析効果が低下したりするという問題点がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、リソグラフィー特性を維持しながらアルカリ現像液に対する高い溶解性を持ち、ディフェクトの低減を達成することができるレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。
The resist composition used in the alkali development process is required to have high solubility in an alkali developer in order to reduce defects (surface defects) in the resist pattern. For example, Patent Document 1 uses a polymer compound having a fluorine atom as a structural unit as a base material component. In Patent Document 2, a polymer compound having a fluorine atom as a structural unit is used as an additive component. As means for increasing the solubility of the resist composition in an alkaline developer, a polymer compound having a specific structural unit is used as described in Patent Documents 1 and 2, and the molecular weight of the polymer compound can be reduced. However, when the molecular weight of the polymer compound is lowered, the Tg of the resist film is lowered when the polymer compound is a base component, and the lithography properties are deteriorated. When the polymer compound is an additive component, surface segregation in the resist film is caused. There is a problem that the effect is reduced.
The present invention has been made in view of the above circumstances, has a high solubility in an alkaline developer while maintaining lithography properties, and can achieve a reduction in defects, and uses the resist composition. It is an object of the present invention to provide a resist pattern forming method.

上記課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。   In order to solve the above problems, the present invention employs the following configuration.

すなわち、本発明の第一の態様は、露光により酸を発生し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された構成単位を有する高分子化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物である。   That is, the first aspect of the present invention is a resist composition that generates an acid upon exposure and changes its solubility in an alkaline developer by the action of the acid, and is crosslinked with a crosslinked structure containing a base-decomposable group. A resist composition containing a polymer compound having a structural unit.

本発明の第二の態様は、支持体上に、前記第一の態様のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。   According to a second aspect of the present invention, a resist film is formed on a support using the resist composition of the first aspect, the resist film is exposed, and the resist film is developed to form a resist. It is a resist pattern formation method including the process of forming a pattern.

本発明の第三の態様は、塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された下記一般式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物を提供する。   The third aspect of the present invention provides a polymer compound having a structural unit represented by the following general formula (I) containing a base-decomposable group and crosslinked with a crosslinked structure.

Figure 2014071159
[式中、Rは独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Yは独立に2価の連結基であり、Vは置換基を有していてもよいn価のフッ素化アルキレン基であり、Vは独立に2価の連結基である。nは2〜4であり、R、YおよびVは同一でも異なっていてもよい。ただし、Vの少なくとも1つは炭素数1〜3のアルキレン基である。]
Figure 2014071159
[Wherein, R is independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Y 1 is independently a divalent linking group, and V 1 is substituted. An optionally substituted valent fluorinated alkylene group, and V 2 is independently a divalent linking group. n is 2 to 4, and R, Y 1 and V 2 may be the same or different. However, at least one of V 2 is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. ]

本発明の第四の態様は、下記一般式(II)で表される化合物である。   A fourth aspect of the present invention is a compound represented by the following general formula (II).

Figure 2014071159
[式中、Rは独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Yは独立に2価の連結基であり、Vは置換基を有していてもよいn価のフッ素化アルキレン基であり、Vは独立に2価の連結基である。nは2〜4であり、R、YおよびVは同一でも異なっていてもよい。ただし、Vの少なくとも1つは炭素数1〜3のアルキレン基である。]
Figure 2014071159
[Wherein, R is independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Y 1 is independently a divalent linking group, and V 1 is substituted. An optionally substituted valent fluorinated alkylene group, and V 2 is independently a divalent linking group. n is 2 to 4, and R, Y 1 and V 2 may be the same or different. However, at least one of V 2 is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. ]

本発明によれば、リソグラフィー特性を維持しながらアルカリ現像液に対する高い溶解性を持ち、ディフェクトの低減を達成することができるレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することができる。   According to the present invention, there are provided a resist composition that has high solubility in an alkaline developer while maintaining lithography properties and can achieve a reduction in defects, and a resist pattern forming method using the resist composition. be able to.

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物(樹脂、重合体、共重合体)を構成するモノマー単位(単量体単位)を意味する。
In the present specification and claims, “aliphatic” is a relative concept with respect to aromatics, and is defined to mean groups, compounds, etc. that do not have aromaticity.
Unless otherwise specified, the “alkyl group” includes linear, branched and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups.
The “alkylene group” includes linear, branched, and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups unless otherwise specified. The same applies to the alkyl group in the alkoxy group.
The “halogenated alkyl group” is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with a halogen atom, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
“Fluorinated alkyl group” or “fluorinated alkylene group” refers to a group in which part or all of the hydrogen atoms of an alkyl group or alkylene group are substituted with fluorine atoms.
“Structural unit” means a monomer unit (monomer unit) constituting a polymer compound (resin, polymer, copolymer).

「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、アクリル酸(CH=CH−COOH)のカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。
アクリル酸エステルは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基は、水素原子以外の原子又は基であり、たとえば炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。
以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルをα置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括して「(α置換)アクリル酸エステル」ということがある。
「ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
“A structural unit derived from an acrylate ester” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of an acrylate ester.
“Acrylic acid ester” is a compound in which the hydrogen atom at the carboxy group terminal of acrylic acid (CH 2 ═CH—COOH) is substituted with an organic group.
In the acrylate ester, the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent. The substituent that replaces the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom is an atom or group other than a hydrogen atom, such as an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a hydroxy group. An alkyl group etc. are mentioned. The α-position carbon atom of the acrylate ester is a carbon atom to which a carbonyl group is bonded unless otherwise specified.
Hereinafter, an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position is substituted with a substituent may be referred to as an α-substituted acrylate ester. Further, the acrylate ester and the α-substituted acrylate ester may be collectively referred to as “(α-substituted) acrylate ester”.
“A structural unit derived from hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative.

「ヒドロキシスチレン誘導体」とは、ヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子を有機基で置換したもの、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンのベンゼン環に、水酸基以外の置換基が結合したもの、等が挙げられる。なお、α位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
ヒドロキシスチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
「ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位」とは、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ビニル安息香酸誘導体」とは、ビニル安息香酸のα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のカルボキシ基の水素原子を有機基で置換したもの、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のベンゼン環に、水酸基およびカルボキシ基以外の置換基が結合したもの、等が挙げられる。なお、α位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
「スチレン」とは、スチレンおよびスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたものも含む概念とする。
「スチレンから誘導される構成単位」、「スチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、スチレン又はスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
“Hydroxystyrene derivative” is a concept including those in which the hydrogen atom at the α-position of hydroxystyrene is substituted with another substituent such as an alkyl group or an alkyl halide group, and derivatives thereof. The derivatives include those in which the hydrogen atom at the α-position may be substituted with a substituent, the hydrogen atom of the hydroxyl group of hydroxystyrene substituted with an organic group, and the hydrogen atom at the α-position substituted with a substituent. Examples include those in which a substituent other than a hydroxyl group is bonded to a good benzene ring of hydroxystyrene. The α-position (α-position carbon atom) means a carbon atom to which a benzene ring is bonded unless otherwise specified.
Examples of the substituent for substituting the hydrogen atom at the α-position of hydroxystyrene include the same substituents as those mentioned as the substituent at the α-position in the α-substituted acrylic ester.
The “structural unit derived from vinyl benzoic acid or a vinyl benzoic acid derivative” means a structural unit configured by cleavage of an ethylenic double bond of vinyl benzoic acid or a vinyl benzoic acid derivative.
The “vinyl benzoic acid derivative” is a concept including a compound in which the hydrogen atom at the α-position of vinyl benzoic acid is substituted with another substituent such as an alkyl group or an alkyl halide group, and derivatives thereof. These derivatives include those obtained by substituting the hydrogen atom of the carboxy group of vinyl benzoic acid with an organic group, which may be substituted with a hydrogen atom at the α-position, and the hydrogen atom at the α-position with a substituent. Examples thereof include those in which a substituent other than a hydroxyl group and a carboxy group is bonded to the benzene ring of vinyl benzoic acid. The α-position (α-position carbon atom) means a carbon atom to which a benzene ring is bonded unless otherwise specified.
“Styrene” is a concept that includes styrene and those in which the α-position hydrogen atom of styrene is substituted with another substituent such as an alkyl group or a halogenated alkyl group.
“Structural unit derived from styrene” and “structural unit derived from styrene derivative” mean a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of styrene or a styrene derivative.

上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基)等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、水酸基で置換した基が挙げられる。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、1〜5が好ましく、1が最も好ましい。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
The alkyl group as the substituent at the α-position is preferably a linear or branched alkyl group, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group) and the like.
Specific examples of the halogenated alkyl group as the substituent at the α-position include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned “alkyl group as the substituent at the α-position” are substituted with a halogen atom. It is done. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
Specific examples of the hydroxyalkyl group as a substituent at the α-position include a group in which part or all of the hydrogen atoms of the “alkyl group as the substituent at the α-position” are substituted with a hydroxyl group. 1-5 are preferable and, as for the number of the hydroxyl groups in this hydroxyalkyl group, 1 is the most preferable.
“Exposure” is a concept including general irradiation of radiation.

≪レジスト組成物≫
本発明第一の態様のレジスト組成物は、露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)(以下「(A)成分」という。)を含有する。
かかるレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部では酸が発生し、該酸の作用により(A)成分の現像液に対する溶解性が変化する一方で、未露光部では(A)成分の現像液に対する溶解性が変化しないため、露光部と未露光部との間で現像液に対する溶解性の差が生じる。そのため該レジスト膜を現像すると、当該レジスト組成物がポジ型の場合は露光部が溶解除去されてポジ型のレジストパターンが形成され、当該レジスト組成物がネガ型の場合は未露光部が溶解除去されてネガ型のレジストパターンが形成される。
本明細書においては、露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されるネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。
本発明のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。
本発明のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。また、本発明のレジスト組成物は、レジストパターン形成時の現像処理にアルカリ現像液を用いる。
≪Resist composition≫
The resist composition according to the first aspect of the present invention is a resist composition that generates an acid upon exposure and changes its solubility in a developer by the action of an acid, and its solubility in a developer changes by the action of an acid. Contains a substrate component (A) (hereinafter referred to as “component (A)”).
When a resist film is formed using such a resist composition and the resist film is selectively exposed, an acid is generated in the exposed portion, and the action of the acid causes the solubility of the component (A) in the developer. On the other hand, since the solubility of the component (A) in the developer does not change in the unexposed area, a difference in solubility in the developer occurs between the exposed area and the unexposed area. Therefore, when the resist film is developed, when the resist composition is positive, the exposed portion is dissolved and removed to form a positive resist pattern. When the resist composition is negative, the unexposed portion is dissolved and removed. As a result, a negative resist pattern is formed.
In this specification, a resist composition in which an exposed portion is dissolved and removed to form a positive resist pattern is referred to as a positive resist composition, and a resist composition that forms a negative resist pattern in which an unexposed portion is dissolved and removed. Is referred to as a negative resist composition.
The resist composition of the present invention may be a positive resist composition or a negative resist composition.
The resist composition of the present invention may be a positive resist composition or a negative resist composition. In addition, the resist composition of the present invention uses an alkaline developer for development processing at the time of forming a resist pattern.

本発明のレジスト組成物は露光により酸を発生する酸発生能を有するものであり、基材成分が露光により酸を発生してもよく、基材成分とは別に配合された添加剤成分が露光により酸を発生してもよい。
具体的には、本発明のレジスト組成物は、
(1)露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(以下、「(B)成分」という。)を含有するものであってもよく;
(2)(A)成分が露光により酸を発生する成分であってもよく;
(3)(A)成分が露光により酸を発生する成分であり、且つ、さらに(B)成分を含有するものであってもよい。
すなわち、上記(2)及び(3)の場合、(A)成分は、「露光により酸を発生し、且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分」となる。(A)成分が露光により酸を発生し、且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分である場合、後述する(A1)成分が、露光により酸を発生し、且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1’)(以下、「(A1’)成分」ということがある。)であることが好ましい。このような(A1’)成分としては、露光により酸を発生する構成単位を有する樹脂を用いることができる。露光により酸を発生する構成単位としては、公知のものを用いることができる。なかでも、本発明においては上記(1)の場合であることが特に好ましい。
The resist composition of the present invention has an acid generating ability to generate an acid upon exposure, the base material component may generate an acid upon exposure, and an additive component blended separately from the base material component is exposed. May generate an acid.
Specifically, the resist composition of the present invention comprises:
(1) It may contain an acid generator component (B) (hereinafter referred to as “component (B)”) that generates an acid upon exposure;
(2) The component (A) may be a component that generates an acid upon exposure;
(3) The component (A) is a component that generates an acid upon exposure, and may further contain a component (B).
That is, in the case of the above (2) and (3), the component (A) is a “base material component that generates an acid upon exposure and changes its solubility in a developer due to the action of the acid”. When the component (A) is a base material component that generates an acid upon exposure and the solubility in the developer changes due to the action of the acid, the later-described component (A1) generates an acid upon exposure, and the acid It is preferably a resin component (A1 ′) (hereinafter sometimes referred to as “(A1 ′) component”) whose solubility in a developing solution is changed by the action. As such a component (A1 ′), a resin having a structural unit that generates an acid upon exposure can be used. A well-known thing can be used as a structural unit which generate | occur | produces an acid by exposure. Among these, in the present invention, the case (1) is particularly preferable.

<基材成分(A)>
本発明のレジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)(以下「基材成分(A)」ともいう。)を含有することが好ましい。
ここで「基材成分」とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。前記基材成分として用いられる「分子量が500以上の有機化合物」は、非重合体と重合体とに大別される。
非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、分子量が500以上4000未満の非重合体を低分子化合物という。
重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。以下、分子量が1000以上の重合体を高分子化合物という。高分子化合物の場合、「分子量」としてはGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。以下、高分子化合物を単に「樹脂」ということがある。
<Base material component (A)>
The resist composition of the present invention preferably contains a base component (A) (hereinafter also referred to as “base component (A)”) whose solubility in an alkaline developer is changed by the action of an acid.
Here, the “base component” is an organic compound having a film forming ability, and an organic compound having a molecular weight of 500 or more is preferably used. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film-forming ability is improved and a nano-level resist pattern is easily formed. “Organic compounds having a molecular weight of 500 or more” used as the base component are roughly classified into non-polymers and polymers.
As the non-polymer, those having a molecular weight of 500 or more and less than 4000 are usually used. Hereinafter, a nonpolymer having a molecular weight of 500 or more and less than 4000 is referred to as a low molecular compound.
As the polymer, those having a molecular weight of 1000 or more are usually used. Hereinafter, a polymer having a molecular weight of 1000 or more is referred to as a polymer compound. In the case of a polymer compound, the “molecular weight” is a polystyrene-reduced mass average molecular weight measured by GPC (gel permeation chromatography). Hereinafter, the polymer compound may be simply referred to as “resin”.

(構成単位(a1))
基材成分(A)は、構成単位(a1)を含有することが好ましい。構成単位(a1)は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。
「酸分解性基」は、酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。
酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。
極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基(−SOH)等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に−OHを含有する極性基(以下「OH含有極性基」ということがある。)が好ましく、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。
酸分解性基としてより具体的には、前記極性基が酸解離性基で保護された基(たとえばOH含有極性基の水素原子を、酸解離性基で保護した基)が挙げられる。
ここで「酸解離性基」とは、
(i)酸の作用により、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基、又は、
(ii)酸の作用により一部の結合が開裂した後、さらに脱炭酸反応が生じることにより、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る基、
の双方をいう。
酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、(A1)成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、相対的に、現像液に対する溶解性が変化し、現像液が有機系現像液の場合には溶解性が減少する。
(Structural unit (a1))
The substrate component (A) preferably contains the structural unit (a1). The structural unit (a1) is a structural unit containing an acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid.
The “acid-decomposable group” is an acid-decomposable group that can cleave at least part of bonds in the structure of the acid-decomposable group by the action of an acid.
Examples of the acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid include a group that decomposes by the action of an acid to generate a polar group.
Examples of the polar group include a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, a sulfo group (—SO 3 H), and the like. Among these, a polar group containing —OH in the structure (hereinafter sometimes referred to as “OH-containing polar group”) is preferable, a carboxy group or a hydroxyl group is preferable, and a carboxy group is particularly preferable.
More specifically, examples of the acid-decomposable group include groups in which the polar group is protected with an acid-dissociable group (for example, a group in which a hydrogen atom of an OH-containing polar group is protected with an acid-dissociable group).
Here, “acid-dissociable group” means
(I) an acid-dissociable group capable of cleaving a bond between the acid-dissociable group and an atom adjacent to the acid-dissociable group by the action of an acid, or
(Ii) a group capable of cleaving a bond between the acid-dissociable group and an atom adjacent to the acid-dissociable group by further decarboxylation after partial bond cleavage by the action of an acid ,
Both.
The acid-dissociable group constituting the acid-decomposable group must be a group having a lower polarity than the polar group generated by dissociation of the acid-dissociable group. Is dissociated, a polar group having a polarity higher than that of the acid dissociable group is generated to increase the polarity. As a result, the polarity of the entire component (A1) increases. As the polarity increases, the solubility in the developer changes relatively, and when the developer is an organic developer, the solubility decreases.

酸解離性基としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。
上記極性基のうち、カルボキシ基または水酸基を保護する酸解離性基としては、たとえば、下記一般式(a1−r−1)で表される酸解離性基(以下、便宜上「アセタール型酸解離性基」ということがある)が挙げられる。
The acid-dissociable group is not particularly limited, and those that have been proposed as acid-dissociable groups for base resins for chemically amplified resists can be used.
Among the polar groups, examples of the acid dissociable group that protects a carboxy group or a hydroxyl group include an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-1) (hereinafter referred to as “acetal acid dissociable for convenience”). Group ”).

Figure 2014071159
[式中、Ra’、Ra’は水素原子またはアルキル基、Ra’は炭化水素基、Ra’は、Ra’、Ra’のいずれかと結合して環を形成してもよい。]
Figure 2014071159
[Wherein, Ra ′ 1 and Ra ′ 2 are hydrogen atoms or alkyl groups, Ra ′ 3 is a hydrocarbon group, and Ra ′ 3 may be bonded to either Ra ′ 1 or Ra ′ 2 to form a ring. Good. ]

式(a1−r−1)中、Ra’、Ra’のアルキル基としては、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の炭素原子に結合してもよい置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。 In formula (a1-r-1), Ra ′ 1 and Ra ′ 2 are exemplified as substituents that may be bonded to the α-position carbon atom in the description of the α-substituted acrylate ester described above. Examples thereof include the same as the alkyl group, preferably a methyl group or an ethyl group, and most preferably a methyl group.

Ra’の炭化水素基としては、炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、炭素数1〜10のアルキル基がより好ましく;直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1,1−ジメチルエチル基、1,1−ジエチルプロピル基、2,2−ジメチルプロピル基、2,2,−ジメチルブチル基等が挙げられる。 The hydrocarbon group for Ra ′ 3 is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a linear or branched alkyl group is preferable, specifically , Methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1,1-dimethylethyl group, 1,1-diethylpropyl group 2,2-dimethylpropyl group, 2,2, -dimethylbutyl group and the like can be mentioned.

Ra’が環状の炭化水素基となる場合、脂肪族でも芳香族でもよく、また多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3〜6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7〜12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。 When Ra ′ 3 is a cyclic hydrocarbon group, it may be aliphatic or aromatic, may be polycyclic, or may be monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing one hydrogen atom from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing one hydrogen atom from a polycycloalkane, and the polycycloalkane is preferably one having 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane. , Norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

芳香族炭化水素基となる場合、含まれる芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基);前記アリール基の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基);等が挙げられる。前記アルキレン基(アリールアルキル基中のアルキル鎖)の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
In the case of an aromatic hydrocarbon group, specific examples of the aromatic ring contained include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene; carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring. An aromatic heterocycle partially substituted with a heteroatom; and the like. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
Specifically, the aromatic hydrocarbon group is a group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring (aryl group); a group in which one of the hydrogen atoms of the aryl group is substituted with an alkylene group (for example, Benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, arylalkyl group such as 2-naphthylethyl group); and the like. The alkylene group (the alkyl chain in the arylalkyl group) preferably has 1 to 4 carbon atoms, more preferably 1 to 2 carbon atoms, and particularly preferably 1 carbon atom.

Ra’が、Ra’、Ra’のいずれかと結合して環を形成する場合、該環式基としては、4〜7員環が好ましく、4〜6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。 When Ra ′ 3 is bonded to either Ra ′ 1 or Ra ′ 2 to form a ring, the cyclic group is preferably a 4- to 7-membered ring, and more preferably a 4- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic group include a tetrahydropyranyl group and a tetrahydrofuranyl group.

上記極性基のうち、カルボキシ基を保護する酸解離性基としては、たとえば、下記一般式(a1−r−2)で表される酸解離性基が挙げられる(下記式(a1−r−2)で表される酸解離性基のうち、アルキル基により構成されるものを、以下、便宜上「第3級アルキルエステル型酸解離性基」ということがある)。   Among the polar groups, examples of the acid dissociable group that protects the carboxy group include an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-2) (the following formula (a1-r-2) Among the acid dissociable groups represented by), those composed of an alkyl group may hereinafter be referred to as “tertiary alkyl ester type acid dissociable groups” for convenience).

Figure 2014071159
[式中、Ra’〜Ra’は炭化水素基であり、Ra’、Ra’は互いに結合して環を形成してもよい。]
Figure 2014071159
[Wherein, Ra ′ 4 to Ra ′ 6 are hydrocarbon groups, and Ra ′ 5 and Ra ′ 6 may be bonded to each other to form a ring. ]

Ra’〜Ra’の炭化水素基としては前記Ra’と同様のものが挙げられる。Ra’は炭素数1〜5のアルキル基であることが好ましい。Ra’、Ra’が互いに結合して環を形成する場合、下記一般式(a1−r2−1)で表される基が挙げられる。 As the hydrocarbon group for Ra ′ 4 to Ra ′ 6, the same groups as those described above for Ra ′ 3 can be mentioned. Ra ′ 4 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. In the case where Ra ′ 5 and Ra ′ 6 are bonded to each other to form a ring, a group represented by general formula (a1-r2-1) shown below can be given.

また、上記極性基のうち水酸基を保護する酸解離性基としては、たとえば、下記一般式(a1−r−3)で表される酸解離性基(以下、便宜上「第3級アルキルオキシカルボニル酸解離性基」ということがある)が挙げられる。   Examples of the acid dissociable group for protecting the hydroxyl group among the polar groups include, for example, an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-3) (hereinafter referred to as “tertiary alkyloxycarbonyl acid for convenience”). Sometimes referred to as a “dissociable group”).

Figure 2014071159
[式中、Ra’〜Ra’はアルキル基を示す。]
Figure 2014071159
[Wherein, Ra ′ 7 to Ra ′ 9 represent an alkyl group. ]

式(a1−r−3)中、Ra’〜Ra’は炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、1〜3がより好ましい。
また、各アルキル基の合計の炭素数は、3〜7であることが好ましく、3〜5であることがより好ましく、3〜4であることが最も好ましい。
In formula (a1-r-3), Ra ′ 7 to Ra ′ 9 are preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably 1 to 3 groups.
Moreover, it is preferable that the total carbon number of each alkyl group is 3-7, it is more preferable that it is 3-5, and it is most preferable that it is 3-4.

構成単位(a1)としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位;ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位の水酸基における水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位;ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位の−C(=O)−OHにおける水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位等が挙げられる。   The structural unit (a1) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and an acid whose polarity is increased by the action of an acid. A structural unit containing a decomposable group; a structural unit in which at least a part of hydrogen atoms in the hydroxyl group of a structural unit derived from hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative is protected by a substituent containing the acid-decomposable group; vinylbenzoic acid or Examples include a structural unit in which at least a part of hydrogen atoms in —C (═O) —OH of a structural unit derived from a vinylbenzoic acid derivative is protected by a substituent containing the acid-decomposable group.

構成単位(a1)としては、上記のなかでも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
構成単位(a1)として、下記一般式(a1−1)で表される構成単位が好ましい。
Among the above, the structural unit (a1) is preferably a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent.
As the structural unit (a1), structural units represented by general formula (a1-1) shown below are preferred.

Figure 2014071159
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Vaはエーテル結合、ウレタン結合、又はアミド結合を有していてもよい2価の炭化水素基であり、na1はそれぞれ独立に0〜2であり、Raは上記式(a1−r−1)〜(a1−r−2)で表される酸解離性基である。Waはna2+1価の炭化水素基であり、na2はそれぞれ独立に1〜3であり、Raは上記式(a1−r−1)または(a1−r−3)で表される酸解離性基である。]
Figure 2014071159
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 1 is a divalent hydrocarbon group which may have an ether bond, a urethane bond, or an amide bond, n a1 is independently 0 to 2, and Ra 1 is the above formula (a1-r— 1) It is an acid dissociable group represented by (a1-r-2). Wa 1 is a n a2 +1 valent hydrocarbon group, n a2 is independently 1 to 3, and Ra 2 is represented by the above formula (a1-r-1) or (a1-r-3). It is an acid dissociable group. ]

前記一般式(a1−1)中、炭素数1〜5のアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基は、前記炭素数1〜5のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Rとしては、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。
Vaの炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。Vaにおける2価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
またVaとしては上記2価の炭化水素基がエーテル結合、ウレタン結合、又はアミド結合を介して結合したものが挙げられる。
In the general formula (a1-1), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, specifically, a methyl group, an ethyl group, Examples include propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like. The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
R is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is most preferably a hydrogen atom or a methyl group in terms of industrial availability.
The hydrocarbon group for Va 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group as a divalent hydrocarbon group in Va 1 may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
More specific examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, and the like.
Examples of Va 1 include those in which the divalent hydrocarbon group is bonded through an ether bond, a urethane bond, or an amide bond.

前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜6がより好ましく、1〜4がさらに好ましく、1〜3が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[−CH−]、エチレン基[−(CH−]、トリメチレン基[−(CH−]、テトラメチレン基[−(CH−]、ペンタメチレン基[−(CH−]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCH−CH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6, more preferably 1 to 4, and most preferably 1 to 3.
As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable. Specifically, a methylene group [—CH 2 —], an ethylene group [— (CH 2 ) 2 —], a trimethylene group [ — (CH 2 ) 3 —], tetramethylene group [— (CH 2 ) 4 —], pentamethylene group [— (CH 2 ) 5 —] and the like can be mentioned.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferred, and specifically, —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ). 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as - CH (CH 3) CH 2 - , - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 - alkyl trimethylene groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - And the like alkyl alkylene group such as an alkyl tetramethylene group of. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3〜6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7〜12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include an alicyclic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring), and an alicyclic hydrocarbon group that is linear or branched. Examples thereof include a group bonded to the end of a chain aliphatic hydrocarbon group and a group in which an alicyclic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include those described above.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane. , Norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。
前記Vaにおける2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、炭素数が3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜10が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基);前記芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基);等が挙げられる。前記アルキレン基(アリールアルキル基中のアルキル鎖)の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having an aromatic ring.
The aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va 1 preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30 carbon atoms, still more preferably 5 to 20 carbon atoms, and 6 to 6 carbon atoms. 15 is particularly preferred and 6-10 is most preferred. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is hetero Aromatic heterocycles substituted with atoms; and the like. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
Specifically, the aromatic hydrocarbon group is a group obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic hydrocarbon ring (arylene group); a group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring (aryl group) ) In which one of the hydrogen atoms is substituted with an alkylene group (for example, arylalkyl such as benzyl, phenethyl, 1-naphthylmethyl, 2-naphthylmethyl, 1-naphthylethyl, 2-naphthylethyl, etc.) Group in which one hydrogen atom is further removed from the aryl group in the group); and the like. The alkylene group (the alkyl chain in the arylalkyl group) preferably has 1 to 4 carbon atoms, more preferably 1 to 2 carbon atoms, and particularly preferably 1 carbon atom.

前記式(a1−2)中、Waにおけるna2+1価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。該脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味し、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、或いは直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基と構造中に環を含む脂肪族炭化水素基とを組み合わせた基が挙げられ、具体的には、上述の式(a1−1)のVaと同じ基が挙げられる。
前記na2+1価は、2〜4価が好ましく、2又は3価がより好ましい。
In the formula (a1-2), the n a2 +1 valent hydrocarbon group in Wa 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity, may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group including a ring in the structure, or a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. It includes a group formed by combining an aliphatic hydrocarbon group in the structure containing a ring, and specific examples thereof include the same groups as Va 1 of the aforementioned formula (a1-1).
The n a2 +1 valence is preferably 2 to 4, and more preferably 2 or 3.

前記式(a1−2)としては、特に、下記一般式(a1−2−01)で表される構成単位が好ましい。   As the formula (a1-2), a structural unit represented by general formula (a1-2-01) shown below is particularly desirable.

Figure 2014071159
Figure 2014071159

式(a1−2−01)中、Raは上記式(a1−r−1)または(a1−r−3)で表される酸解離性基である。na2は1〜3の整数であり、1又は2であることが好ましく、1であることがより好ましい。cは0〜3の整数であり、0又は1であることが好ましく、1であることがより好ましい。Rは前記と同じである。
以下に上記式(a1−1)、(a1−2)の具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
In formula (a1-2-01), Ra 2 is an acid dissociable group represented by the above formula (a1-r-1) or (a1-r-3). n a2 is an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2, and more preferably 1. c is an integer of 0 to 3, preferably 0 or 1, and more preferably 1. R is the same as described above.
Specific examples of the above formulas (a1-1) and (a1-2) are shown below. In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 2014071159
Figure 2014071159

Figure 2014071159
Figure 2014071159

Figure 2014071159
Figure 2014071159

Figure 2014071159
Figure 2014071159

Figure 2014071159
Figure 2014071159

(A)成分中の構成単位(a1)の割合は、(A)成分を構成する全構成単位に対し、20〜80モル%が好ましく、20〜75モル%がより好ましく、25〜70モル%がさらに好ましい。下限値以上とすることによって、感度、解像性、LWR等のリソグラフィー特性も向上する。また、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。   The proportion of the structural unit (a1) in the component (A) is preferably from 20 to 80 mol%, more preferably from 20 to 75 mol%, more preferably from 25 to 70 mol%, based on all structural units constituting the component (A). Is more preferable. By setting the lower limit value or more, lithography properties such as sensitivity, resolution, and LWR are also improved. Moreover, the balance with another structural unit can be taken by making it below an upper limit.

(構成単位(a2))
基材成分(A)は、ラクトン含有環式基を含む構成単位(a2)をさらに含有することが好ましい。
構成単位(a2)のラクトン環式基は、基材成分(A)をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高めるうえで有効なものである。
なお、前記構成単位(a1)がその構造中にラクトン含有環式基を含むものである場合、該構成単位は構成単位(a2)にも該当するが、このような構成単位は構成単位(a1)に該当し、構成単位(a2)には該当しないものとする。
(Structural unit (a2))
The substrate component (A) preferably further contains a structural unit (a2) containing a lactone-containing cyclic group.
The lactone cyclic group of the structural unit (a2) is effective in enhancing the adhesion of the resist film to the substrate when the base component (A) is used for forming the resist film.
In addition, when the structural unit (a1) includes a lactone-containing cyclic group in the structure, the structural unit also corresponds to the structural unit (a2). However, such a structural unit is included in the structural unit (a1). Applicable and not applicable to the structural unit (a2).

「ラクトン含有環式基」とは、その環骨格中に−O−C(=O)−を含む環(ラクトン環)を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
構成単位(a2)におけるラクトン含有環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、下記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−7)で表される基が挙げられる。以下、「*」は結合手を表す。
The “lactone-containing cyclic group” refers to a cyclic group containing a ring (lactone ring) containing —O—C (═O) — in the ring skeleton. The lactone ring is counted as the first ring. When only the lactone ring is present, it is called a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.
The lactone-containing cyclic group in the structural unit (a2) is not particularly limited, and any lactone-containing cyclic group can be used. Specific examples include groups represented by the following general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7). Hereinafter, “*” represents a bond.

Figure 2014071159
[式中、Ra’21はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり;R”は水素原子またはアルキル基であり;A”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、n’は0〜2の整数であり、m’は0または1である。]
Figure 2014071159
[Wherein, Ra ′ 21 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, a hydroxyalkyl group or a cyano group. Yes; R ″ is a hydrogen atom or an alkyl group; A ″ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and n ′ is 0 to 2 And m ′ is 0 or 1. ]

前記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−7)中、A”は、酸素原子(−O−)もしくは硫黄原子(−S−)を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。A”における炭素数1〜5のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に−O−または−S−が介在する基が挙げられ、たとえば−O−CH−、−CH−O−CH−、−S−CH−、−CH−S−CH−等が挙げられる。A”としては、炭素数1〜5のアルキレン基または−O−が好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。Ra’21におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、前記一般式(a0)におけるV a1における2価の環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。 In general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), A ″ represents an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (—S—), and may have 1 to 5 carbon atoms. The alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A ″ is preferably a linear or branched alkylene group, a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, An isopropylene group etc. are mentioned. When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include a group in which —O— or —S— is interposed between the terminal or carbon atoms of the alkylene group, such as —O—CH 2. -, - CH 2 -O-CH 2 -, - S-CH 2 -, - CH 2 -S-CH 2 - , and the like. A ″ is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or —O—, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group. An alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom in Ra ′ 21 . , A halogenated alkyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and a hydroxyalkyl group, each having a divalent cyclic group in V 0 a1 in the general formula (a0) Examples of the preferred substituent include the same alkyl groups, alkoxy groups, halogenated alkyl groups, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl groups.

下記に一般式(a2−r−1)〜(a2−r−7)で表される基の具体例を挙げる。   Specific examples of groups represented by general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) are given below.

Figure 2014071159
Figure 2014071159

構成単位(a2)としては、ラクトン含有環式基を有するものであれば他の部分の構造は特に限定されないが、下記一般式(a2−1)で表される構成単位が挙げられる。   The structural unit (a2) is not particularly limited as long as it has a lactone-containing cyclic group, and examples thereof include structural units represented by the following general formula (a2-1).

Figure 2014071159
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Ya21は単結合または2価の連結基であり、La21は−O−、−COO−、−CON(R’)−、−OCO−、−CONHCO−又は−CONHCS−であり、R’は水素原子またはメチル基を示す。ただしLa21が−O−の場合、Ya21は−CO−にはならない。Ra21はラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−SO−含有環式基である。]
Figure 2014071159
[Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Ya 21 is a single bond or a divalent linking group, and La 21 is —O -, -COO-, -CON (R ')-, -OCO-, -CONHCO- or -CONHCS-, wherein R' represents a hydrogen atom or a methyl group. However, when La 21 is —O—, Ya 21 is not —CO—. Ra 21 is a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or an —SO 2 -containing cyclic group. ]

Ya21の2価の連結基としては特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。 The divalent linking group of Ya 21 is not particularly limited, and preferred examples thereof include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent and a divalent linking group containing a hetero atom.

(置換基を有していてもよい2価の炭化水素基)
2価の連結基としての炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。
脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられ、具体的には、上述の式(a1−1)におけるVaで例示した基が挙げられる。
(Divalent hydrocarbon group which may have a substituent)
The hydrocarbon group as the divalent linking group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.
An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, and the like. Specifically, the above-described formula (a1- The group illustrated by Va 1 in 1) is mentioned.

前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、カルボニル基等が挙げられる。   The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and a carbonyl group.

前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基としては、具体的には、上述の式(a1−1)におけるVaで例示した基が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、−O−、−C(=O)−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−が好ましい。
As the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, a cyclic aliphatic hydrocarbon group which may contain a substituent containing a hetero atom in the ring structure (excluding two hydrogen atoms from the aliphatic hydrocarbon ring) Group), a group in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is bonded to the end of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and the cyclic aliphatic hydrocarbon group is a linear or branched chain fatty acid. Group intervening in the middle of the group hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include those described above.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
Specific examples of the cyclic aliphatic hydrocarbon group include the groups exemplified for Va 1 in the above formula (a1-1).
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and a carbonyl group.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group. Most preferred is an ethoxy group.
Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.
In the cyclic aliphatic hydrocarbon group, a part of carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent containing a hetero atom. As the substituent containing the hetero atom, —O—, —C (═O) —O—, —S—, —S (═O) 2 —, and —S (═O) 2 —O— are preferable.

2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基としては、具体的には、上述の式(a1−1)におけるVaで例示された基が挙げられる。
前記芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子およびハロゲン化アルキル基としては、前記環状の脂肪族炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group include groups exemplified by Va 1 in the above formula (a1-1).
In the aromatic hydrocarbon group, a hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. For example, a hydrogen atom bonded to an aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and a hydroxyl group.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
Examples of the alkoxy group, the halogen atom and the halogenated alkyl group as the substituent include those exemplified as the substituent for substituting the hydrogen atom of the cyclic aliphatic hydrocarbon group.

(ヘテロ原子を含む2価の連結基)
ヘテロ原子を含む2価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。
(Divalent linking group containing a hetero atom)
The hetero atom in the divalent linking group containing a hetero atom is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and a halogen atom.

Ya21がヘテロ原子を含む2価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとして、−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−、−NH−C(=NH)−(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−、一般式−Y21−O−Y22−、−Y21−O−、−Y21−C(=O)−O−、−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−または−Y21−O−C(=O)−Y22−で表される基[式中、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m’は0〜3の整数である。]等が挙げられる。
前記へテロ原子を含む2価の連結基が−C(=O)−NH−、−NH−、−NH−C(=NH)−の場合、そのHはアルキル基、アシル等の置換基で置換されていてもよい。該置換基(アルキル基、アシル基等)は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8であることがさらに好ましく、1〜5であることが特に好ましい。
式−Y21−O−Y22−、−Y21−O−、−Y21−C(=O)−O−、−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−または−Y21−O−C(=O)−Y22−中、Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記2価の連結基としての説明で挙げた「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」と同様のものが挙げられる。
21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
式−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−で表される基において、m’は0〜3の整数であり、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−で表される基としては、式−Y21−C(=O)−O−Y22−で表される基が特に好ましい。なかでも、式−(CHa’−C(=O)−O−(CHb’−で表される基が好ましい。該式中、a’は、1〜10の整数であり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1〜10の整数であり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。
When Ya 21 is a divalent linking group containing a hetero atom, preferred examples of the linking group include —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, and —O—C. (═O) —O—, —C (═O) —NH—, —NH—, —NH—C (═NH) — (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group). .), - S -, - S (= O) 2 -, - S (= O) 2 -O-, the formula -Y 21 -O-Y 22 -, - Y 21 -O -, - Y 21 - A group represented by C (═O) —O—, — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 — or —Y 21 —O—C (═O) —Y 22 — In the formula, Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom, and m ′ is an integer of 0 to 3. ] Etc. are mentioned.
When the divalent linking group containing a hetero atom is —C (═O) —NH—, —NH—, —NH—C (═NH) —, H is a substituent such as an alkyl group or acyl. May be substituted. The substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.
Formula -Y 21 -O-Y 22 -, - Y 21 -O -, - Y 21 -C (= O) -O -, - [Y 21 -C (= O) -O] m '-Y 22 - or -Y 21 -O-C (= O ) -Y 22 - in, Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the divalent hydrocarbon group include those similar to the “divalent hydrocarbon group optionally having substituent (s)” mentioned in the description of the divalent linking group.
Y 21 is preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, more preferably a linear alkylene group, still more preferably a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methylene group or an ethylene group. preferable.
Y 22 is preferably a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and more preferably a methylene group, an ethylene group or an alkylmethylene group. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.
In the group represented by the formula — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 —, m ′ is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, Or 1 is more preferable, and 1 is particularly preferable. That is, the group represented by the formula — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 — is represented by the formula —Y 21 —C (═O) —O—Y 22 —. The group is particularly preferred. Among these, a group represented by the formula — (CH 2 ) a ′ —C (═O) —O— (CH 2 ) b ′ — is preferable. In the formula, a ′ is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, further preferably 1 or 2, and most preferably 1. b ′ is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1.

本発明におけるYa21としては、単結合、又はエステル結合[−C(=O)−O−]、エーテル結合(−O−)、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基若しくはこれらの組合せであることが好ましい。 Ya 21 in the present invention is a single bond, an ester bond [—C (═O) —O—], an ether bond (—O—), a linear or branched alkylene group, or a combination thereof. It is preferable.

以下に、上記一般式(a2−1)で表される構成単位の具体例をあげる。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。 Specific examples of the structural unit represented by the general formula (a2-1) are given below. In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 2014071159
Figure 2014071159

(構成単位(a3))
基材成分(A)は、構成単位(a3)を有していてもよい。構成単位(a3)は、極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位(ただし、上述した構成単位(a1)、(a2)に該当するものを除く)である。
基材成分(A)が構成単位(a3)を有することにより、(A)成分の親水性が高まり、解像性の向上に寄与すると考えられる。
極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。
脂肪族炭化水素基としては、炭素数1〜10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基(好ましくはアルキレン基)や、環状の脂肪族炭化水素基(環式基)が挙げられる。該環式基としては、単環式基でも多環式基でもよく、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該環式基としては多環式基であることが好ましく、炭素数は7〜30であることがより好ましい。
その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから2個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから2個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから2個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから2個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。
(Structural unit (a3))
The base material component (A) may have a structural unit (a3). The structural unit (a3) is a structural unit containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group (except for those corresponding to the structural units (a1) and (a2) described above).
It is considered that when the substrate component (A) has the structural unit (a3), the hydrophilicity of the component (A) is increased, and the resolution is improved.
Examples of the polar group include a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, and a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of an alkyl group is substituted with a fluorine atom. A hydroxyl group is particularly preferable.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (preferably an alkylene group) and a cyclic aliphatic hydrocarbon group (cyclic group). The cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. For example, a resin for a resist composition for an ArF excimer laser can be appropriately selected from those proposed. The cyclic group is preferably a polycyclic group, and more preferably 7 to 30 carbon atoms.
Among them, a structural unit derived from an acrylate ester containing an aliphatic polycyclic group containing a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, or an alkyl group is substituted with a fluorine atom Is more preferable. Examples of the polycyclic group include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane and the like. Specific examples include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among these polycyclic groups, there are groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from norbornane, and groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from tetracyclododecane. Industrially preferable.

構成単位(a3)としては、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むものであれば特に限定されることなく任意のものが使用可能である。
構成単位(a3)としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位が好ましい。
構成単位(a3)としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素数1〜10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基のときは、アクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましく、該炭化水素基が多環式基のときは、下記の式(a3−1)で表される構成単位、式(a3−2)で表される構成単位、式(a3−3)で表される構成単位が好ましいものとして挙げられる。
The structural unit (a3) is not particularly limited as long as it contains a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group, and any structural unit can be used.
The structural unit (a3) is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and includes a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group A structural unit is preferred.
The structural unit (a3) is derived from a hydroxyethyl ester of acrylic acid when the hydrocarbon group in the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. When the hydrocarbon group is a polycyclic group, the structural unit represented by the following formula (a3-1), the structural unit represented by the formula (a3-2), the formula ( The structural unit represented by a3-3) is preferred.

Figure 2014071159
[式中、Rは前記と同じであり、jは1〜3の整数であり、kは1〜3の整数であり、t’は1〜3の整数であり、lは1〜5の整数であり、sは1〜3の整数である。]
Figure 2014071159
[Wherein, R is the same as above, j is an integer of 1 to 3, k is an integer of 1 to 3, t ′ is an integer of 1 to 3, and l is an integer of 1 to 5] And s is an integer of 1 to 3. ]

式(a3−1)中、jは1又は2であることが好ましく、1であることがさらに好ましい。jが2の場合、水酸基が、アダマンチル基の3位と5位に結合しているものが好ましい。jが1の場合、水酸基が、アダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。
jは1であることが好ましく、特に、水酸基が、アダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。
In formula (a3-1), j is preferably 1 or 2, and more preferably 1. When j is 2, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3rd and 5th positions of the adamantyl group. When j is 1, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.
j is preferably 1, and it is particularly preferred that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.

式(a3−2)中、kは1であることが好ましい。シアノ基は、ノルボルニル基の5位または6位に結合していることが好ましい。
式(a3−3)中、t’は1であることが好ましい。lは1であることが好ましい。sは1であることが好ましい。これらは、アクリル酸のカルボキシ基の末端に、2−ノルボルニル基または3−ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールは、ノルボルニル基の5又は6位に結合していることが好ましい。
In formula (a3-2), k is preferably 1. The cyano group is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.
In formula (a3-3), t ′ is preferably 1. l is preferably 1. s is preferably 1. In these, a 2-norbornyl group or a 3-norbornyl group is preferably bonded to the terminal of the carboxy group of acrylic acid. The fluorinated alkyl alcohol is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.

基材成分(A)が含有する構成単位(a3)は1種であってもよく2種以上であってもよい。
基材成分(A)中、構成単位(a3)の割合は、当該基材成分(A)を構成する全構成単位の合計に対し、5〜50モル%であることが好ましく、5〜40モル%がより好ましく、5〜25モル%がさらに好ましい。
構成単位(a3)の割合を下限値以上とすることにより、構成単位(a3)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
The structural unit (a3) contained in the base component (A) may be one type or two or more types.
In the base material component (A), the proportion of the structural unit (a3) is preferably 5 to 50 mol%, and preferably 5 to 40 mol, based on the total of all the structural units constituting the base material component (A). % Is more preferable, and 5 to 25 mol% is more preferable.
By setting the proportion of the structural unit (a3) to the lower limit value or more, the effect of including the structural unit (a3) can be sufficiently obtained, and by setting the proportion of the structural unit (a3) to the upper limit value or less, balance with other structural units can be obtained. It becomes easy.

基材成分(A)は、さらに、必要に応じて、酸非解離性環式基を含む構成単位(a4)を有してもよい。(A1)成分が構成単位(a4)を有することにより、形成されるレジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。また、基材成分(A)の疎水性が高まると考えられる。疎水性の向上は、特に有機溶剤現像の場合に、解像性、レジストパターン形状等の向上に寄与すると考えられる。
構成単位(a4)における「酸非解離性環式基」は、露光により後述の(B)成分から酸が発生した際に、該酸が作用しても解離することなくそのまま当該構成単位中に残る環式基である。
構成単位(a4)としては、例えば酸非解離性の脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位等が好ましい。該多環式基は、例えば、前記の構成単位(a1)の場合に例示したものと同様のものを例示することができ、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
特にトリシクロデシル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。これらの多環式基は、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。
また、構成単位(a4)としては、酸非解離性の芳香族基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位、スチレンから誘導される構成単位、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位等も好ましい。
構成単位(a4)として、具体的には、下記一般式(a4−1)〜(a4−6)の構造のもの、ビニル(ヒドロキシ)ナフタレン、(ヒドロキシ)ナフチル(メタ)アクリレート
(ヒドロキシ)ベンジル(メタ)アクリレート等を例示することができる。
The base component (A) may further have a structural unit (a4) containing an acid non-dissociable cyclic group, if necessary. When the component (A1) has the structural unit (a4), the dry etching resistance of the formed resist pattern is improved. Moreover, it is thought that the hydrophobicity of a base material component (A) increases. The improvement in hydrophobicity is thought to contribute to the improvement of resolution, resist pattern shape, etc., particularly in the case of organic solvent development.
The “acid non-dissociable cyclic group” in the structural unit (a4) is not directly dissociated even when the acid acts when an acid is generated from the later-described component (B) by exposure. The remaining cyclic group.
As the structural unit (a4), for example, a structural unit derived from an acrylate ester containing a non-acid-dissociable aliphatic polycyclic group is preferable. Examples of the polycyclic group include those exemplified in the case of the structural unit (a1), and for ArF excimer laser and KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser). A number of hitherto known materials can be used as the resin component of the resist composition.
In particular, at least one selected from a tricyclodecyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecyl group, an isobornyl group, and a norbornyl group is preferable in terms of industrial availability. These polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.
Moreover, as the structural unit (a4), a structural unit derived from an acrylate ester containing an acid non-dissociable aromatic group, a structural unit derived from styrene, a structural unit derived from hydroxystyrene, and the like are also preferable.
Specific examples of the structural unit (a4) include those having the following general formulas (a4-1) to (a4-6), vinyl (hydroxy) naphthalene, (hydroxy) naphthyl (meth) acrylate (hydroxy) benzyl ( A meth) acrylate etc. can be illustrated.

Figure 2014071159
[式中、Rαは水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。]
Figure 2014071159
[Wherein, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. ]

かかる構成単位(a4)を基材成分(A)に含有させる際、構成単位(a4)の割合は、基材成分(A)を構成する全構成単位の合計に対し、1〜30モル%であることが好ましく、10〜20モル%であることがより好ましい。   When this structural unit (a4) is contained in the substrate component (A), the proportion of the structural unit (a4) is 1 to 30 mol% with respect to the total of all the structural units constituting the substrate component (A). It is preferable that it is 10 to 20 mol%.

(構成単位(a5))
基材成分(A)は、−SO−含有環式基を含む構成単位(a5)をさらに含有することが好ましい。
(Structural unit (a5))
The substrate component (A) preferably further contains a structural unit (a5) containing a —SO 2 — containing cyclic group.

基材成分(A)が有していてもよい「−SO−含有環式基」とは、その環骨格中に−SO−を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、−SO−における硫黄原子(S)が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に−SO−を含む環をひとつ目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。−SO−含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
−SO−含有環式基は、特に、その環骨格中に−O−SO−を含む環式基、すなわち−O−SO−中の−O−S−が環骨格の一部を形成するスルトン(sultone)環を含有する環式基であることが好ましい。−SO−含有環式基として、より具体的には、下記一般式(a5−r−1)〜(a5−r−4)で表される基が挙げられる。
The “—SO 2 -containing cyclic group” that the substrate component (A) may have refers to a cyclic group containing a ring containing —SO 2 — in its ring skeleton, specifically Is a cyclic group in which the sulfur atom (S) in —SO 2 — forms part of the cyclic skeleton of the cyclic group. The ring containing —SO 2 — in the ring skeleton is counted as the first ring, and when it is only the ring, it is a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is a polycyclic group regardless of the structure. Called. The —SO 2 — containing cyclic group may be monocyclic or polycyclic.
-SO 2 - containing cyclic group, in particular, -O-SO 2 - within the ring skeleton cyclic group containing, i.e. -O-SO 2 - -O-S- medium is a part of the ring skeleton A cyclic group containing a sultone ring to be formed is preferable. More specifically, examples of the —SO 2 -containing cyclic group include groups represented by the following general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4).

Figure 2014071159
[式中、Ra’51はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり;R”は水素原子またはアルキル基であり;A”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、n’は0〜2の整数である。]
Figure 2014071159
[Wherein, Ra ′ 51 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, a hydroxyalkyl group or a cyano group. Yes; R ″ is a hydrogen atom or an alkyl group; A ″ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and n ′ is 0 to 2 Is an integer. ]

前記一般式(a5−r−1)〜(a5−r−4)中、A”は前記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−7)中のA”と同様である。Ra’51におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、前記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−7)中のRa’21と同様である。 In the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), A ″ is the same as A ″ in the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7). As the alkyl group, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl group in Ra ′ 51 , the above general formulas (a2-r-1) to (a2 The same as Ra ′ 21 in −r-7).

下記に一般式(a5−r−1)〜(a5−r−4)で表される基の具体例を挙げる。式中の「Ac」は、アセチル基を示す。   Specific examples of groups represented by general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are given below. “Ac” in the formula represents an acetyl group.

Figure 2014071159
Figure 2014071159

Figure 2014071159
Figure 2014071159

Figure 2014071159
Figure 2014071159

構成単位(a5)としては、−SO−含有環式基を有するものであれば他の部分の構造は特に限定されないが、前記一般式(a2−1)のRa21が前記一般式(a5−r−1)〜(a5−r−4)のいずれかで表される基である構成単位が挙げられる。 As the structural unit (a5), there is no particular limitation on the structure of the other moiety as long as it has a —SO 2 — containing cyclic group, but Ra 21 in the above general formula (a2-1) represents the above general formula (a5). The structural unit which is group represented by either -r-1)-(a5-r-4) is mentioned.

−SO−含有環式基としては、上記の中でも、前記一般式(a5−r−1)で表される基が好ましく、前記化学式(r−sl−1−1)、(r−sl−1−18)、(r−sl−3−1)および(r−sl−4−1)のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも一種を用いることがより好ましく、前記化学式(r−sl−1−1)で表される基が最も好ましい。 As the —SO 2 — containing cyclic group, among the above, a group represented by the general formula (a5-r-1) is preferable, and the chemical formulas (r-sl-1-1) and (r-sl— It is more preferable to use at least one selected from the group consisting of groups represented by any one of 1-18), (r-sl-3-1) and (r-sl-4-1), The group represented by (r-sl-1-1) is most preferable.

本発明において、基材成分(A)は、後述の塩基分解性基又は後述の一般式(I)で表される塩基分解性基を有していてもよい。   In the present invention, the base component (A) may have a base-decomposable group described later or a base-decomposable group represented by the following general formula (I).

基材成分(A)は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、アゾビスイソ酪酸ジメチルのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等により重合させることによって得ることができる。
また、基材成分(A)には、上記重合の際に、たとえばHS−CH−CH−CH−C(CF−OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に−C(CF−OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やLER(ラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸)の低減に有効である。
The base material component (A) is obtained by polymerizing a monomer that derives each structural unit by a known radical polymerization using a radical polymerization initiator such as azobisisobutyronitrile (AIBN) or dimethyl azobisisobutyrate. Can be obtained by:
In the base component (A), a chain transfer agent such as HS—CH 2 —CH 2 —CH 2 —C (CF 3 ) 2 —OH is used in combination during the above polymerization. it may be introduced -C (CF 3) 2 -OH group at the terminal. As described above, a copolymer introduced with a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with a fluorine atom reduces development defects and LER (line edge roughness: uneven unevenness of line side walls). It is effective in reducing

基材成分(A)の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算基準)は、特に限定されるものではなく、1000〜50000が好ましく、1500〜40000がより好ましく、2000〜30000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
分散度(Mw/Mn)は、特に限定されず、1.0〜5.0が好ましく、1.0〜4.0がより好ましく、1.0〜3.0が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。
The mass average molecular weight (Mw) of the substrate component (A) (polystyrene conversion standard by gel permeation chromatography (GPC)) is not particularly limited, preferably 1000 to 50000, more preferably 1500 to 40000, 2000 to 30000 is most preferable. If it is below the upper limit of this range, it has sufficient solubility in a resist solvent to be used as a resist, and if it is above the lower limit of this range, dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are good.
The dispersity (Mw / Mn) is not particularly limited, but is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 4.0, and most preferably 1.0 to 3.0. Mn represents a number average molecular weight.

基材成分(A)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   A base material component (A) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

本発明のレジスト組成物において、基材成分(A)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明のレジスト組成物中、基材成分(A)の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。
In the resist composition of the present invention, the substrate component (A) may be used alone or in combination of two or more.
In the resist composition of the present invention, the content of the base component (A) may be adjusted according to the resist film thickness to be formed.

本発明で用いるレジスト組成物中、基材成分(A)の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。   In the resist composition used in the present invention, the content of the base component (A) may be adjusted according to the resist film thickness to be formed.

本発明において、基材成分(A)は、後述する、塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された構成単位を有する高分子化合物を含有することが好ましい。   In this invention, it is preferable that a base material component (A) contains the high molecular compound which has a structural unit which contains the base-decomposable group mentioned later and was bridge | crosslinked by the crosslinked structure.

<塩基分解性基を含み、架橋構造で架橋された構成単位を有する高分子化合物>
本発明のレジスト組成物は、塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された構成単位(以下、「構成単位(o1)」ということがある。)を有する高分子化合物を含有する。
「塩基分解性基」とは、アルカリ現像液の作用により分解性を示す基である。「アルカリ現像液に対して分解性を示す」とは、0.1〜30質量%のアルカリ現像液の作用により分解し(好ましくは、23℃において、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液の作用で分解し)、アルカリ現像液に対する溶解性が増大することを意味する。これは、塩基(アルカリ現像液)の作用によりエステル結合が分解(加水分解)し、親水基が生成することによる。塩基分解性基としては、塩基により分解して、ポリマーをアルカリ現像液に可溶性にする基であれば特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の塩基分解性基として提案されているものを使用することができる。
<Polymer compound having a base-decomposable group and having a structural unit crosslinked with a crosslinked structure>
The resist composition of the present invention contains a polymer compound having a structural unit containing a base-decomposable group and crosslinked with a crosslinked structure (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (o1)”).
The “base decomposable group” is a group that exhibits decomposability by the action of an alkali developer. “Showing degradability with respect to alkali developer” means decomposing by the action of an alkali developer of 0.1 to 30% by mass (preferably 2.38% by mass of tetramethylammonium hydroxide at 23 ° C. (TMAH) is decomposed by the action of an aqueous solution), which means that the solubility in an alkali developer is increased. This is because the ester bond is decomposed (hydrolyzed) by the action of a base (alkaline developer) to generate a hydrophilic group. The base-decomposable group is not particularly limited as long as it is a group that decomposes with a base and makes the polymer soluble in an alkaline developer, and has been proposed as a base-decomposable group of a base resin for a chemically amplified resist. You can use what you have.

本発明において、前記塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された構成単位は、前記塩基分解性基を含み、主鎖を構成する一部と、主鎖を構成する他部と、それらを結合している架橋構造とを組み合わせた構成単位であれば特に限定されない。
本発明において、架橋構造としては、下記一般式(I”)で表される架橋構造が挙げられる。
In the present invention, the structural unit that includes the base-decomposable group and is crosslinked with a cross-linked structure includes the base-decomposable group, and combines a part that constitutes the main chain and another part that constitutes the main chain, The structural unit is not particularly limited as long as it is a structural unit in combination with the crosslinked structure.
In the present invention, examples of the crosslinked structure include a crosslinked structure represented by the following general formula (I ″).

Figure 2014071159
[Vは置換基を有していてもよいn’価のフッ素化アルキレン基であり、Vは独立に2価の連結基である。n’は2〜4であり、Vは同一でも異なっていてもよい。ただし、Vの少なくとも1つは炭素数1〜3のアルキレン基である。]
Figure 2014071159
[V 1 is an optionally substituted n′-valent fluorinated alkylene group, and V 2 is independently a divalent linking group. n ′ is 2 to 4, and V 2 may be the same or different. However, at least one of V 2 is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. ]

前記一般式(I”)中、V及びVは、後述の下記一般式(I)中のV及びVと同様である。 In the general formula (I "), V 1 and V 2 are the same as V 1 and V 2 in the following general formula below (I).

架橋構造で架橋された構成単位が高分子架橋体の1分子内に2個以上存在する場合には、架橋構造の構造がすべて同一であってもよく、異なっていてもよい。架橋構造で架橋された構成単位を有する高分子化合物の構造は、通常、主鎖と架橋構造とから形成される網目構造となり、高分子架橋体の1分子が有する主鎖の平均数としては、2個以上であれば特に限定されるものではない。   When two or more structural units crosslinked by a crosslinked structure are present in one molecule of the polymer crosslinked body, the structures of the crosslinked structures may all be the same or different. The structure of the polymer compound having a structural unit crosslinked with a crosslinked structure is usually a network structure formed of a main chain and a crosslinked structure, and the average number of main chains of one molecule of the polymer crosslinked body is as follows: If it is two or more, it will not specifically limit.

前記架橋構造で架橋された構成単位(o1)は、下記一般式(I)で表される構成単位であることが好ましい。   The structural unit (o1) crosslinked with the crosslinked structure is preferably a structural unit represented by the following general formula (I).

Figure 2014071159
[式中、Rは独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Yは独立に2価の連結基であり、Vは置換基を有していてもよいn価のフッ素化アルキレン基であり、Vは独立に2価の連結基である。nは2〜4であり、R、YおよびVは同一でも異なっていてもよい。ただし、Vの少なくとも1つは炭素数1〜3のアルキレン基である。]
Figure 2014071159
[Wherein, R is independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Y 1 is independently a divalent linking group, and V 1 is substituted. An optionally substituted valent fluorinated alkylene group, and V 2 is independently a divalent linking group. n is 2 to 4, and R, Y 1 and V 2 may be the same or different. However, at least one of V 2 is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. ]

前記一般式(I)中、Rは前記同様である。
Rとしては、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。
In the general formula (I), R is the same as described above.
R is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is most preferably a hydrogen atom or a methyl group in terms of industrial availability.

前記一般式(I)中、Yは2価の連結基である。Yの2価の連結基としては特に限定されないが、前記一般式(a2−1)中の、Ya21における2価の連結基と同様の基が挙げられる。 In the general formula (I), Y 1 is a divalent linking group. No particular limitation is imposed on the divalent linking group for Y 1, in the general formula (a2-1), include the same groups as the divalent linking group for Ya 21.

本発明におけるYとしては、エステル結合[−C(=O)−O−]、エーテル結合(−O−)、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基又はこれらの組合せであることが好ましい。 Y 1 in the present invention is preferably an ester bond [—C (═O) —O—], an ether bond (—O—), a linear or branched alkylene group, or a combination thereof.

前記一般式(I)中、Vは置換基を有していてもよいフッ素化アルキレン基である。
におけるフッ素化アルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。該アルキレン基の炭素数は、1〜12が好ましく、1〜5がより好ましく、2〜4が特に好ましい。
In the general formula (I), V 1 is a fluorinated alkylene group which may have a substituent.
Examples of the fluorinated alkylene group for V 1 include groups in which part or all of the hydrogen atoms of a linear or branched alkylene group have been substituted with fluorine atoms. 1-12 are preferable, as for carbon number of this alkylene group, 1-5 are more preferable, and 2-4 are especially preferable.

として具体的には、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、−(CF−、−(CF−、−(CF−、−CF(CF)CF−、−CF(CFCF)−、−C(CF−、−CF(CF)CFCF−、−CFCF(CF)CF−、−CF(CF)CF(CF)−、−C(CFCF−、−CF(CFCF)CF−、−CF(CFCFCF)−、−C(CF)(CFCF)−;−CHF−、−CFCHCF−、−CFCHCHCF−、−CFCHCFCF−、−CFCH(CF)CHCF−、−CFCH(CFCF)CF−、−CFC(CH)(CF)CF−、−CFCHCHCHCF−、−CFCHCHCFCF−、−CH(CF)CHCHCF−、−CFCHCH(CF)CHCF−、−CH(CF)CH(CF)−、−C(CFCHCF−等が挙げられる。 Specific examples V 1, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, - (CF 2) 4 -, - (CF 2) 6 -, - (CF 2) 8 -, - CF (CF 3 ) CF 2 -, - CF (CF 2 CF 3) -, - C (CF 3) 2 -, - CF (CF 3) CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 3) CF (CF 3) -, - C (CF 3) 2 CF 2 -, - CF (CF 2 CF 3) CF 2 -, - CF (CF 2 CF 2 CF 3) -, - C (CF 3) (CF 2 CF 3) -; - CHF -, - CF 2 CH 2 CF 2 -, - CF 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - CF 2 CH 2 CF 2 CF 2 -, - CF 2 CH ( CF 3) CH 2 CF 2 -, - CF 2 CH (CF 2 CF 3) CF -, - CF 2 C (CH 3) (CF 3) CF 2 -, - CF 2 CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - CF 2 CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 -, - CH (CF 3) CH 2 CH 2 CF 2 -, - CF 2 CH 2 CH (CF 3) CH 2 CF 2 -, - CH (CF 3) CH (CF 3) -, - C (CF 3) 2 CH 2 CF 2 - , etc. Is mentioned.

前記のフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。
たとえば、Vにおけるフッ素化アルキレン基の一部のメチレン基(またはフルオロメチレン基)が炭素数5〜10の2価の脂肪族環式基または芳香族環式基で置換されていてもよい。当該脂肪族環式基は、前記Ra’の環状の炭化水素基から水素原子をさらに1つ除いた2価の基が好ましく、シクロへキシレン基、1,5−アダマンチレン基、2,6−アダマンチレン基、又はフェニレン基がより好ましい。
その他のフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数1〜4のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。
The fluorinated alkylene group may have a substituent.
For example, a part of the methylene group (or fluoromethylene group) of the fluorinated alkylene group in V 1 may be substituted with a divalent aliphatic cyclic group or aromatic cyclic group having 5 to 10 carbon atoms. The aliphatic cyclic group is preferably a divalent group obtained by further removing one hydrogen atom from the cyclic hydrocarbon group of Ra ′ 3. A cyclohexylene group, 1,5-adamantylene group, 2,6 -An adamantylene group or a phenylene group is more preferable.
Examples of the substituent that other fluorinated alkylene groups may have include an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms and a hydroxyl group.

前記一般式(I)中、Vは独立に2価の連結基であり、ただし、Vの少なくとも1つは炭素数1〜3のアルキレン基である。Vの少なくとも1つを炭素数1〜3のアルキレン基とすることで、架橋構造のアルカリ現像液の作用による分解性がより良好となる。
2価の連結基としては、前記一般式(a2−1)中の、Ya21における2価の連結基と同様の基が挙げられる。それらのうち、好ましくは、炭素数1〜10のアルキレン基またはエーテル結合もしくはエステル結合を有する炭素数1〜10のアルキレン基である。
また少なくとも1つの、炭素数1〜3のアルキレン基となるVに隣接するVの炭素原子には、フッ素原子が結合していると好ましい。炭素数1〜3のアルキレン基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基が挙げられる。本発明において、Vはメチレン基又はエチレン基が好ましい。
In the general formula (I), V 2 is independently a divalent linking group, provided that at least one of V 2 is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. By making at least one of V 2 an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, the decomposability due to the action of an alkali developer having a crosslinked structure is further improved.
As a bivalent coupling group, the group similar to the bivalent coupling group in Ya 21 in the said general formula (a2-1) is mentioned. Among these, Preferably, it is a C1-C10 alkylene group or a C1-C10 alkylene group which has an ether bond or an ester bond.
The at least one, the carbon atom of V 1 adjacent to V 2 as the alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, preferably fluorine atoms are bonded. As a C1-C3 alkylene group, a linear or branched alkylene group is preferable, and a methylene group, ethylene group, and n-propylene group are mentioned. In the present invention, V 2 is preferably a methylene group or an ethylene group.

前記一般式(I)中、nは2〜4の整数であり、2又は3であることが好ましい。   In the general formula (I), n is an integer of 2 to 4, and preferably 2 or 3.

以下に前記一般式(I)で表される構成単位(o1)の具体例を挙げる。式中、Rαは水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。 Specific examples of the structural unit (o1) represented by the general formula (I) are given below. In the formula, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 2014071159
Figure 2014071159

本発明のレジスト組成物は、塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された構成単位(o1)を有する高分子化合物を含有することにより、アルカリ現像した際に、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する。より具体的には、下記の反応式(I’)のように、構成単位(o1)が分解すると考えられる。   The resist composition of the present invention contains a polymer compound having a structural unit (o1) that contains a base-decomposable group and is crosslinked with a crosslinked structure, so that the solubility in an alkali developer increases when alkali development is performed. To do. More specifically, it is considered that the structural unit (o1) is decomposed as shown in the following reaction formula (I ′).

Figure 2014071159
[式中、Rは独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Yは独立に2価の連結基であり、Vは置換基を有していてもよいn価のフッ素化アルキレン基であり、Vは独立に2価の連結基である。nは2〜4であり、R、YおよびVは同一でも異なっていてもよい。ただし、Vの少なくとも1つは炭素数1〜3のアルキレン基である。]
Figure 2014071159
[Wherein, R is independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Y 1 is independently a divalent linking group, and V 1 is substituted. An optionally substituted valent fluorinated alkylene group, and V 2 is independently a divalent linking group. n is 2 to 4, and R, Y 1 and V 2 may be the same or different. However, at least one of V 2 is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. ]

<酸発生剤成分;(B)成分>
本発明のレジスト組成物は、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(以下、(B)成分という。)を含有することが好ましい。(B)成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。
このような酸発生剤としては、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが挙げられる。なかでも、オニウム塩系酸発生剤を用いるのが好ましい。
<Acid generator component; (B) component>
The resist composition of the present invention preferably contains an acid generator component (B) that generates an acid upon exposure (hereinafter referred to as component (B)). The component (B) is not particularly limited, and those that have been proposed as acid generators for chemically amplified resists can be used.
Examples of such acid generators include onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate acid generators, bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes, and diazomethanes such as poly (bissulfonyl) diazomethanes. Examples include an acid generator, a nitrobenzyl sulfonate acid generator, an imino sulfonate acid generator, and a disulfone acid generator. Of these, it is preferable to use an onium salt acid generator.

オニウム塩系酸発生剤としては、例えば、下記の一般式(b−1)で表される化合物(以下「(b−1)成分」ともいう)、一般式(b−2)で表される化合物(以下「(b−2)成分」ともいう)、又は一般式(b−3)で表される化合物(以下「(b−3)成分」ともいう)を用いることができる。   Examples of the onium salt-based acid generator include a compound represented by the following general formula (b-1) (hereinafter also referred to as “(b-1) component”) and a general formula (b-2). A compound (hereinafter also referred to as “(b-2) component”) or a compound represented by the general formula (b-3) (hereinafter also referred to as “(b-3) component”) can be used.

Figure 2014071159
[式中、R101、R104〜R108はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。R104、R105は、相互に結合して環を形成していてもよい。R106〜R107のいずれか2つは、相互に結合して環を形成していてもよい。R102はフッ素原子または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基である。Y101は単結合または酸素原子を含む2価の連結基である。V101〜V103はそれぞれ独立に単結合、アルキレン基、またはフッ素化アルキレン基である。L101〜L102はそれぞれ独立に単結合または酸素原子である。L103〜L105はそれぞれ独立に単結合、−CO−又は−SO−である。M’m+はm価の有機カチオンである(前記式(b1−1)の化合物におけるカチオンを除く)。]
Figure 2014071159
[Wherein, R 101 and R 104 to R 108 each independently has a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a substituent. A chain alkenyl group which may be present. R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring. Any two of R 106 to R 107 may be bonded to each other to form a ring. R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom. V 101 to V 103 are each independently a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. L 101 to L 102 are each independently a single bond or an oxygen atom. L 103 to L 105 are each independently a single bond, —CO— or —SO 2 —. M ′ m + is an m-valent organic cation (excluding the cation in the compound of the formula (b1-1)). ]

{アニオン部}
・(b−1)成分のアニオン部
式(b−1)中、R101は、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。
{Anion part}
-Anion moiety of component (b-1) In formula (b-1), R 101 represents a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, Alternatively, a chain alkenyl group which may have a substituent.

(置換基を有していてもよい環式基)
前記環式基は、環状の炭化水素基であることが好ましく、該環状の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。
101における芳香族炭化水素基は、前記式(a1−1)のVaにおける2価の芳香族炭化水素基で挙げた芳香族炭化水素環、または2以上の芳香環を含む芳香族化合物から水素原子を1つ除いたアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
101における環状の脂肪族炭化水素基は、前記式(a1−1)のVaにおける2価の脂肪族炭化水素基で挙げたモノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンから水素原子を1つ除いた基が挙げられ、アダマンチル基、ノルボルニル基が好ましい。
また、R101における環状の炭化水素基は、複素環等のようにヘテロ原子を含んでもよく、具体的には上記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−7)でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、上記一般式(a5−r−1)〜(a5−r−4)でそれぞれ表される−SO−含有環式基、その他以下に挙げる複素環式基が挙げられる。
(Cyclic group which may have a substituent)
The cyclic group is preferably a cyclic hydrocarbon group, and the cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group.
The aromatic hydrocarbon group for R 101 is the aromatic hydrocarbon ring mentioned for the divalent aromatic hydrocarbon group for Va 1 in the formula (a1-1), or an aromatic compound containing two or more aromatic rings. Examples include an aryl group in which one hydrogen atom is removed, and a phenyl group and a naphthyl group are preferable.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 is a group obtained by removing one hydrogen atom from the monocycloalkane or polycycloalkane mentioned as the divalent aliphatic hydrocarbon group for Va 1 in the formula (a1-1). And an adamantyl group and a norbornyl group are preferable.
In addition, the cyclic hydrocarbon group in R 101 may contain a hetero atom such as a heterocycle, and is specifically represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7). include-containing cyclic group, a heterocyclic group mentioned for other less - lactone-containing cyclic group, -SO 2 respectively represented by the general formula (a5-r-1) ~ (a5-r-4) to be It is done.

Figure 2014071159
Figure 2014071159

101の環状の炭化水素基における置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。
置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
Examples of the substituent in the cyclic hydrocarbon group of R 101 include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, and a nitro group.
The alkyl group as a substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
The alkoxy group as a substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, or a tert-butoxy group. Most preferred is an ethoxy group.
Examples of the halogen atom as a substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
As the halogenated alkyl group as a substituent, a part or all of hydrogen atoms such as an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, and the like And a group substituted with a halogen atom.

(置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基)
101の鎖状のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよい。
直鎖状のアルキル基としては、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜15であることがより好ましく、3〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
(A chain alkyl group which may have a substituent)
The chain alkyl group for R 101 may be either linear or branched.
The linear alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decanyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group, tetradecyl group Group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, heicosyl group, docosyl group and the like.
The branched alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, Examples include 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like.

(置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基)
101の鎖状のアルケニル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、炭素数が2〜10であることが好ましく、2〜5がより好ましく、2〜4がさらに好ましく、3が特に好ましい。直鎖状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状のアルケニル基としては、例えば、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。
鎖状のアルケニル基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。
(Chain-like alkenyl group which may have a substituent)
The chain alkenyl group for R 101 may be either linear or branched, preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5, still more preferably 2 to 4, more preferably 3 Is particularly preferred. Examples of the linear alkenyl group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butynyl group. Examples of the branched alkenyl group include a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group.
Among the above, the chain alkenyl group is particularly preferably a propenyl group.

101の鎖状のアルキル基またはアルケニル基における置換基としては、たとえば、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、上記R101における環式基等が挙げられる。 Examples of the substituent in the chain alkyl group or alkenyl group of R 101 include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, an amino group, and the cyclic group in R 101 described above. Can be mentioned.

なかでも、R101は、置換基を有していてもよい環式基が好ましく、置換基を有していてもよい環状の炭化水素基であることがより好ましい。より具体的には、フェニル基、ナフチル基、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前記式(a2−r−1)〜(a2−r−7)でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、上記一般式(a5−r−1)〜(a5−r−4)でそれぞれ表される−SO−含有環式基などが好ましい。 Among these, R 101 is preferably a cyclic group which may have a substituent, and more preferably a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. More specifically, a phenyl group, a naphthyl group, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane, and lactones represented by the above formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), respectively. The containing cyclic group, the —SO 2 -containing cyclic group represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), respectively, and the like are preferable.

式(b−1)中、Y101は、単結合または酸素原子を含む2価の連結基である。
101が酸素原子を含む2価の連結基である場合、該Y101は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子(エーテル結合:−O−)、エステル結合(−C(=O)−O−)、オキシカルボニル基(−O−C(=O)−)、アミド結合(−C(=O)−NH−)、カルボニル基(−C(=O)−)、カーボネート結合(−O−C(=O)−O−)等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。当該組み合わせに、さらにスルホニル基(−SO−)が連結されていてもよい。当該組み合わせとしては、たとえば下記式(y−al−1)〜(y−al−7)でそれぞれ表される連結基が挙げられる。
In formula (b-1), Y 101 represents a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom.
When Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, Y 101 may contain an atom other than an oxygen atom. Examples of atoms other than oxygen atoms include carbon atoms, hydrogen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms.
Examples of the divalent linking group containing an oxygen atom include an oxygen atom (ether bond: —O—), an ester bond (—C (═O) —O—), and an oxycarbonyl group (—O—C (═O). )-), Amide bond (—C (═O) —NH—), carbonyl group (—C (═O) —), carbonate bond (—O—C (═O) —O—), etc. A combination of a non-hydrocarbon oxygen atom-containing linking group and an alkylene group; and the like. A sulfonyl group (—SO 2 —) may be further linked to the combination. Examples of the combination include linking groups represented by the following formulas (y-al-1) to (y-al-7), respectively.

Figure 2014071159
[式中、V’101は単結合または炭素数1〜5のアルキレン基であり、V’102は炭素数1〜30の2価の飽和炭化水素基である。]
Figure 2014071159
[Wherein, V ′ 101 is a single bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and V ′ 102 is a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms. ]

V’102における2価の飽和炭化水素基は、炭素数1〜30のアルキレン基であることが好ましい。 The divalent saturated hydrocarbon group for V ′ 102 is preferably an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms.

V’101およびV’102におけるアルキレン基としては、直鎖状のアルキレン基でもよく分岐鎖状のアルキレン基でもよく、直鎖状のアルキレン基が好ましい。
V’101およびV’102におけるアルキレン基として、具体的には、メチレン基[−CH−];−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;エチレン基[−CHCH−];−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−等のアルキルエチレン基;トリメチレン基(n−プロピレン基)[−CHCHCH−];−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[−CHCHCHCH−];−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[−CHCHCHCHCH−]等が挙げられる。
また、V’101又はV’102における前記アルキレン基における一部のメチレン基が、炭素数5〜10の2価の脂肪族環式基で置換されていてもよい。当該脂肪族環式基は、前記式(a1−r−1)中のRa’の環状の脂肪族炭化水素基から水素原子をさらに1つ除いた2価の基が好ましく、シクロへキシレン基、1,5−アダマンチレン基または2,6−アダマンチレン基がより好ましい。
The alkylene group for V ′ 101 and V ′ 102 may be a linear alkylene group or a branched alkylene group, and a linear alkylene group is preferred.
Specific examples of the alkylene group in V ′ 101 and V ′ 102 include a methylene group [—CH 2 —]; —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ). 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as ethylene Groups [—CH 2 CH 2 —]; —CH (CH 3 ) CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 CH 2 —, —CH (CH 2 CH - 3) CH 2 alkyl groups such as, trimethylene group (n- propylene group) [- CH 2 CH 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 - and the like alkyl trimethylene group; tetramethylene [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - alkyl tetramethylene group and the like; pentamethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -] , and the like.
Moreover, some methylene groups in the alkylene group in V ′ 101 or V ′ 102 may be substituted with a C 5-10 divalent aliphatic cyclic group. The aliphatic cyclic group is preferably a divalent group obtained by further removing one hydrogen atom from the cyclic aliphatic hydrocarbon group of Ra ′ 3 in the formula (a1-r-1). 1,5-adamantylene group or 2,6-adamantylene group is more preferable.

101としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、上記式(y−al−1)〜(y−al−5)でそれぞれ表される連結基が好ましい。 Y 101 is preferably a divalent linking group containing an ester bond or an ether bond, and linking groups represented by the above formulas (y-al-1) to (y-al-5) are preferred.

式(b−1)中、V101は、単結合、アルキレン基、またはフッ素化アルキレン基である。V101におけるアルキレン基、フッ素化アルキレン基は、炭素数1〜4であることが好ましい。V101におけるフッ素化アルキレン基としては、V101におけるアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。なかでも、V101は、単結合、又は炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基であることが好ましい。 In formula (b-1), V 101 represents a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. The alkylene group and fluorinated alkylene group for V 101 preferably have 1 to 4 carbon atoms. Examples of the fluorinated alkylene group for V 101 include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkylene group for V 101 have been substituted with fluorine atoms. Among them, V 101 is preferably a single bond, or a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.

式(b−1)中、R102は、フッ素原子または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基である。R102は、フッ素原子または炭素数1〜5のパーフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。 In formula (b-1), R 102 represents a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 102 is preferably a fluorine atom or a C 1-5 perfluoroalkyl group, and more preferably a fluorine atom.

(b−1)成分のアニオン部の具体例としては、たとえば、
101が単結合となる場合、トリフルオロメタンスルホネートアニオンやパーフルオロブタンスルホネートアニオン等のフッ素化アルキルスルホネートアニオンが挙げられ;Y101が酸素原子を含む2価の連結基である場合、下記式(an−1)〜(an−3)のいずれかで表されるアニオンが挙げられる。
As a specific example of the anion part of the component (b-1), for example,
When Y 101 is a single bond, examples thereof include fluorinated alkyl sulfonate anions such as trifluoromethanesulfonate anion and perfluorobutanesulfonate anion; when Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, the following formula (an An anion represented by any one of (-1) to (an-3).

Figure 2014071159
[式中、R”101は、置換基を有していてもよい脂肪族環式基、前記式(r−hr−1)〜(r−hr−6)でそれぞれ表される基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基であり;R”102は、置換基を有していてもよい脂肪族環式基、前記式(a2−r−1)〜(a2−r−7)でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、又は前記一般式(a5−r−1)〜(a5−r−4)でそれぞれ表される−SO−含有環式基であり;R”103は、置換基を有していてもよい芳香族環式基、置換基を有していてもよい脂肪族環式基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり;V”101は、フッ素化アルキレン基であり;L”101は、−C(=O)−又は−SO−であり;v”はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、q”はそれぞれ独立に1〜20の整数であり、n”は0または1である。]
Figure 2014071159
[Wherein R ″ 101 represents an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a group represented by each of the above formulas (r-hr-1) to (r-hr-6), or a substituent. A chain-like alkyl group which may have a group; R ″ 102 represents an aliphatic cyclic group which may have a substituent, the above formulas (a2-r-1) to (a2-r); lactone-containing cyclic group represented respectively by -7), or the formula (a5-r-1) ~ (a5-r-4) with -SO 2 respectively represented - be-containing cyclic group; R 103 is an aromatic cyclic group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. There; V "101 is an fluorinated alkylene group; L" 101 is, -C (= O) - or -SO 2 - a and; v "0 to 3 are each independently Is an integer, q "are each independently an integer of 1 to 20, n" is 0 or 1. ]

R”101、R”102およびR”103の置換基を有していてもよい脂肪族環式基は、前記R101における環状の脂肪族炭化水素基として例示した基であることが好ましい。前記置換基としては、R101における環状の脂肪族炭化水素基を置換してもよい置換基と同様のものが挙げられる。 The aliphatic cyclic group which may have a substituent of R ″ 101 , R ″ 102 and R ″ 103 is preferably a group exemplified as the cyclic aliphatic hydrocarbon group in R 101 . Examples of the substituent include the same substituents that may be substituted for the cyclic aliphatic hydrocarbon group in R 101 .

R”103における置換基を有していてもよい芳香族環式基は、前記R101における環状の炭化水素基における芳香族炭化水素基として例示した基であることが好ましい。前記置換基としては、R101における該芳香族炭化水素基を置換してもよい置換基と同様のものが挙げられる。 The aromatic cyclic group which may have a substituent in R ″ 103 is preferably the group exemplified as the aromatic hydrocarbon group in the cyclic hydrocarbon group in R 101 . , R 101 and the same substituents that may be substituted for the aromatic hydrocarbon group.

R”101における置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基は、前記R101における鎖状のアルキル基として例示した基であることが好ましい。R”103における置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基は、前記R101における鎖状のアルケニル基として例示した基であることが好ましい。V”101は、好ましくは炭素数1〜3のフッ素化アルキレン基であり、特に好ましくは、−CF−、−CFCF−、−CHFCF−、−CF(CF)CF−、−CH(CF)CF−である。 The chain alkyl group which may have a substituent in R ″ 101 is preferably the group exemplified as the chain alkyl group in R 101. The chain in R ″ 103 has a substituent. The good chain alkenyl group is preferably the group exemplified as the chain alkenyl group in R 101 . V ″ 101 is preferably a fluorinated alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, and particularly preferably —CF 2 —, —CF 2 CF 2 —, —CHFCF 2 —, —CF (CF 3 ) CF 2 —. , —CH (CF 3 ) CF 2 —.

・(b−2)成分のアニオン部
式(b−2)中、R104、R105は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、それぞれ、式(b−1)中のR101と同様のものが挙げられる。ただし、R104、R105は、相互に結合して環を形成していてもよい。
104、R105は、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は直鎖状若しくは分岐鎖状のフッ素化アルキル基であることがより好ましい。
該鎖状のアルキル基の炭素数は1〜10であることが好ましく、より好ましくは炭素数1〜7、さらに好ましくは炭素数1〜3である。R104、R105の鎖状のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。また、R104、R105の鎖状のアルキル基においては、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また、200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。前記鎖状のアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70〜100%、さらに好ましくは90〜100%であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基である。
式(b−2)中、V102、V103は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、またはフッ素化アルキレン基であり、それぞれ、式(b−1)中のV101と同様のものが挙げられる。
式(b−2)中、L101〜L102は、それぞれ独立に単結合又は酸素原子である。
-Anion part of component (b-2) In formula (b-2), R 104 and R 105 may each independently have a cyclic group which may have a substituent or a substituent. Examples thereof include a good chain alkyl group or a chain alkenyl group which may have a substituent, and examples thereof include the same as those described above for R 101 in formula (b-1). However, R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring.
R 104 and R 105 are preferably a chain alkyl group which may have a substituent, and are a linear or branched alkyl group, or a linear or branched fluorinated alkyl group. It is more preferable.
The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 7 carbon atoms, and still more preferably 1 to 3 carbon atoms. The carbon number of the chain alkyl group of R 104 and R 105 is preferably as small as possible for reasons such as good solubility in a resist solvent within the above carbon number range. In addition, in the chain alkyl group of R 104 and R 105, the greater the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms, the stronger the acid strength, and against high-energy light and electron beams of 200 nm or less Since transparency improves, it is preferable. The proportion of fluorine atoms in the chain alkyl group, that is, the fluorination rate is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. Perfluoroalkyl group.
In formula (b-2), V 102 and V 103 are each independently a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group, and each of them is the same as V 101 in formula (b-1). Can be mentioned.
In formula (b-2), L 101 to L 102 each independently represents a single bond or an oxygen atom.

・(b−3)成分のアニオン部
式(b−3)中、R106〜R108は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、それぞれ、式(b−1)中のR101と同様のものが挙げられる。
103〜L105は、それぞれ独立に、単結合、−CO−又は−SO−である。
-Anion part of (b-3) component In formula (b-3), R < 106 > -R < 108 > may have the cyclic group which may have a substituent, and a substituent each independently. Examples thereof include a good chain alkyl group or a chain alkenyl group which may have a substituent, and examples thereof include the same as those described above for R 101 in formula (b-1).
L 103 to L 105 are each independently a single bond, —CO— or —SO 2 —.

{カチオン部}
式(b−1)、(b−2)及び(b−3)中、M’m+は、前記式(b1−1)の化合物におけるカチオン以外のm価の有機カチオンであり、なかでもスルホニウムカチオンまたはヨードニウムカチオンであることが好ましく、下記の一般式(ca−1)〜(ca−4)でそれぞれ表されるカチオンが特に好ましい。
{Cation part}
In the formulas (b-1), (b-2) and (b-3), M ′ m + is an m-valent organic cation other than the cation in the compound of the formula (b1-1), and in particular, a sulfonium cation Or it is preferable that it is an iodonium cation, and the cation respectively represented by the following general formula (ca-1)-(ca-4) is especially preferable.

Figure 2014071159
[式中、R201〜R207、およびR211〜R212は、それぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基またはアルケニル基を表し、R201〜R203、R206〜R207、R211〜R212は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R208〜R209はそれぞれ独立に水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表し、R210は置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基、アルケニル基、又は−SO−含有環式基であり、L201は−C(=O)−または−C(=O)−O−を表し、Y201は、それぞれ独立に、アリーレン基、アルキレン基またはアルケニレン基を表し、xは1または2であり、W201は(x+1)価の連結基を表す。]
Figure 2014071159
[Wherein, R 201 to R 207 and R 211 to R 212 each independently represents an aryl group, an alkyl group or an alkenyl group which may have a substituent, and R 201 to R 203 , R 206 to R 207 and R 211 to R 212 may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and R 210 is an aryl group, alkyl group, alkenyl group, or —SO 2 — containing an optionally substituted substituent. A cyclic group, L 201 represents —C (═O) — or —C (═O) —O—, Y 201 each independently represents an arylene group, an alkylene group or an alkenylene group, and x represents 1 or 2 and W 201 represents a (x + 1) -valent linking group. ]

201〜R207、およびR211〜R212におけるアリール基としては、炭素数6〜20の無置換のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
201〜R207、およびR211〜R212におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素数1〜30のものが好ましい。
201〜R207、およびR211〜R212におけるアルケニル基としては、炭素数が2〜10であることが好ましい。
201〜R207、およびR210〜R212が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、シアノ基、アミノ基、アリール基、アリールチオ基、下記式(ca−r−1)〜(ca−r−7)でそれぞれ表される基が挙げられる。
置換基としてのアリールチオ基におけるアリール基としては、R101で挙げたものと同様であり、具体的にフェニルチオ基又はビフェニルチオ基が挙げられる。
Examples of the aryl group in R 201 to R 207 and R 211 to R 212 include an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a phenyl group and a naphthyl group are preferable.
The alkyl group in R 201 to R 207 and R 211 to R 212 is a chain or cyclic alkyl group and preferably has 1 to 30 carbon atoms.
The alkenyl group in R 201 to R 207 and R 211 to R 212 preferably has 2 to 10 carbon atoms.
Examples of the substituent that R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an aryl group, and an arylthio group. And groups represented by the following formulas (ca-r-1) to (ca-r-7).
The aryl group in the arylthio group as a substituent is the same as that described for R 101 , and specifically includes a phenylthio group or a biphenylthio group.

Figure 2014071159
[式中、R’201はそれぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい環式基、鎖状のアルキル基、または鎖状のアルケニル基である。]
Figure 2014071159
[Wherein, R ′ 201 each independently represents a hydrogen atom, an optionally substituted cyclic group, a chain alkyl group, or a chain alkenyl group. ]

R’201の置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基は、上記式(b−1)中のR101と同様のものが挙げられる他、置換基を有していてもよい環式基又は置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基として上記式(a1−r−2)で表される酸解離性基と同様のものも挙げられる。 The cyclic group which may have a substituent of R ′ 201, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent are as described above. In addition to the same groups as those described above for R 101 in formula (b-1), a cyclic group which may have a substituent or a chain alkyl group which may have a substituent may have the above formula ( Examples thereof include the same acid dissociable groups represented by a1-r-2).

201〜R203、R206〜R207、R211〜R212は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、硫黄原子、酸素原子、窒素原子等のヘテロ原子や、カルボニル基、−SO−、−SO−、−SO−、−COO−、−CONH−または−N(R)−(該Rは炭素数1〜5のアルキル基である。)等の官能基を介して結合してもよい。形成される環としては、式中のイオウ原子をその環骨格に含む1つの環が、イオウ原子を含めて、3〜10員環であることが好ましく、5〜7員環であることが特に好ましい。形成される環の具体例としては、たとえばチオフェン環、チアゾール環、ベンゾチオフェン環、チアントレン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、9H−チオキサンテン環、チオキサントン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、テトラヒドロチオフェニウム環、テトラヒドロチオピラニウム環等が挙げられる。 R 201 ~R 203, R 206 ~R 207, R 211 ~R 212 , when bonded to each other to form a ring with the sulfur atom, a sulfur atom, an oxygen atom, or a hetero atom such as nitrogen atom, carbonyl group, -SO -, - SO 2 - , - SO 3 -, - COO -, - CONH- , or -N (R N) - (. the R N is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms), etc. You may couple | bond through the functional group of. As the ring to be formed, one ring containing a sulfur atom in the ring skeleton in the formula is preferably a 3- to 10-membered ring, particularly a 5- to 7-membered ring, including the sulfur atom. preferable. Specific examples of the ring formed include, for example, thiophene ring, thiazole ring, benzothiophene ring, thianthrene ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, 9H-thioxanthene ring, thioxanthone ring, thianthrene ring, phenoxathiin ring, tetrahydro A thiophenium ring, a tetrahydrothiopyranium ring, etc. are mentioned.

208〜R209は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表し、
水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基が好ましく、アルキル基となる場合相互に結合し
て環を形成してもよい。
R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms,
A hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable.

210は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は置換基を有していてもよい−SO−含有環式基である。
210におけるアリール基としては、炭素数6〜20の無置換のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
210におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素数1〜30のものが好ましい。
210におけるアルケニル基としては、炭素数が2〜10であることが好ましい。
210における、置換基を有していてもよい−SO−含有環式基としては、上記一般式(a2−1)中のRa21の「−SO−含有環式基」と同様のものが挙げられ、上記一般式(a5−r−1)で表される基が好ましい。
R 210 may have an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or a substituent. -SO 2 - containing cyclic group.
The aryl group in R 210, include unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a phenyl group, a naphthyl group.
The alkyl group for R 210 is preferably a chain or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.
The alkenyl group for R 210 preferably has 2 to 10 carbon atoms.
The —SO 2 — containing cyclic group which may have a substituent in R 210 is the same as the “—SO 2 — containing cyclic group” of Ra 21 in the general formula (a2-1). The group represented by the general formula (a5-r-1) is preferable.

201は、それぞれ独立に、アリーレン基、アルキレン基又はアルケニレン基を表す。
201におけるアリーレン基は、上記式(b−1)中のR101における芳香族炭化水素基として例示したアリール基から水素原子を1つ除いた基が挙げられる。
201におけるアルキレン基、アルケニレン基は、上記一般式(a1−1)中のVaにおける2価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
Y 201 each independently represents an arylene group, an alkylene group or an alkenylene group.
Examples of the arylene group for Y 201 include a group in which one hydrogen atom has been removed from the aryl group exemplified as the aromatic hydrocarbon group for R 101 in the above formula (b-1).
Examples of the alkylene group and alkenylene group for Y 201 include the same aliphatic hydrocarbon groups as the divalent hydrocarbon group for Va 1 in the general formula (a1-1).

前記式(ca−4)中、xは、1または2である。
201は、(x+1)価、すなわち2価または3価の連結基である。
201における2価の連結基としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、前記一般式(a2−1)におけるYa21と同様の炭化水素基が例示できる。W201における2価の連結基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、環状であることが好ましい。なかでも、アリーレン基の両端に2個のカルボニル基が組み合わされた基が好ましい。アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ、フェニレン基が特に好ましい。
201における3価の連結基としては、前記W201における2価の連結基から水素原子を1個除いた基、前記2価の連結基にさらに前記2価の連結基が結合した基などが挙げられる。W201における3価の連結基としては、アリーレン基に2個のカルボニル基が結合した基が好ましい。
In the formula (ca-4), x is 1 or 2.
W 201 is a (x + 1) valent, that is, a divalent or trivalent linking group.
The divalent linking group in W 201 is preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and examples thereof include the same hydrocarbon groups as Ya 21 in the general formula (a2-1). The divalent linking group in W 201 may be linear, branched or cyclic, and is preferably cyclic. Of these, a group in which two carbonyl groups are combined at both ends of the arylene group is preferable. Examples of the arylene group include a phenylene group and a naphthylene group, and a phenylene group is particularly preferable.
Examples of the trivalent linking group in W 201 include a group obtained by removing one hydrogen atom from the divalent linking group in W 201 , a group in which the divalent linking group is further bonded to the divalent linking group, and the like. Can be mentioned. The trivalent linking group in W 201 is preferably a group in which two carbonyl groups are bonded to an arylene group.

式(ca−1)で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式(ca−1−1)〜(ca−1−63)でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。   Specific examples of suitable cations represented by the formula (ca-1) include cations represented by the following formulas (ca-1-1) to (ca-1-63), respectively.

Figure 2014071159
Figure 2014071159

Figure 2014071159
Figure 2014071159

Figure 2014071159
[式中、g1、g2、g3は繰返し数を示し、g1は1〜5の整数であり、g2は0〜20の整数であり、g3は0〜20の整数である。]
Figure 2014071159
[Wherein, g1, g2, and g3 represent the number of repetitions, g1 is an integer of 1 to 5, g2 is an integer of 0 to 20, and g3 is an integer of 0 to 20. ]

Figure 2014071159
[式中、R”201は水素原子又は置換基であって、置換基としては前記R201〜R207、およびR210〜R212が有していてもよい置換基として挙げたものと同様である。]
Figure 2014071159
[Wherein R ″ 201 is a hydrogen atom or a substituent, and the substituent is the same as the substituents that R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have. is there.]

前記式(ca−3)で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式(ca−3−1)〜(ca−3−6)でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。   Specific examples of suitable cations represented by the formula (ca-3) include cations represented by the following formulas (ca-3-1) to (ca-3-6).

Figure 2014071159
Figure 2014071159

前記式(ca−4)で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式(ca−4−1)〜(ca−4−2)でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。   Specific examples of suitable cations represented by the formula (ca-4) include cations represented by the following formulas (ca-4-1) to (ca-4-2).

Figure 2014071159
Figure 2014071159

(B)成分は、上述した酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明のレジスト組成物が(B)成分を含有する場合、(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して0.5〜60質量部が好ましく、1〜50質量部がより好ましく、1〜40質量部がさらに好ましい。(B)成分の含有量を上記範囲とすることで、パターン形成が充分に行われる。また、レジスト組成物の各成分を有機溶剤に溶解した際、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。
As the component (B), one type of acid generator described above may be used alone, or two or more types may be used in combination.
When the resist composition of this invention contains (B) component, 0.5-60 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of (A) component, and, as for content of (B) component, 1-50 mass parts Is more preferable, and 1-40 mass parts is further more preferable. By forming the content of the component (B) within the above range, pattern formation is sufficiently performed. Moreover, when each component of a resist composition is melt | dissolved in the organic solvent, since a uniform solution is obtained and storage stability becomes favorable, it is preferable.

<塩基性化合物成分;(D)成分>
本発明のレジスト組成物は、(A)成分に加えて、または(A)成分および(B)成分に加えて、さらに、酸拡散制御剤成分(以下「(D)成分」ともいう。)を含有してもよい。
(D)成分は、前記(B)成分等から露光により発生する酸をトラップするクエンチャー(酸拡散制御剤)として作用するものである。
本発明における(D)成分は、露光により分解して酸拡散制御性を失う光崩壊性塩基(D1)(以下「(D1)成分」という。)であってもよく、該(D1)成分に該当しない含窒素有機化合物(D2)(以下「(D2)成分」という。)であってもよい。
<Basic compound component; (D) component>
In addition to the component (A) or the components (A) and (B), the resist composition of the present invention further includes an acid diffusion controller component (hereinafter also referred to as “component (D)”). You may contain.
The component (D) acts as a quencher (acid diffusion controller) that traps acid generated by exposure from the component (B) and the like.
The component (D) in the present invention may be a photodegradable base (D1) (hereinafter referred to as “(D1) component”) that is decomposed by exposure and loses acid diffusion controllability. A non-corresponding nitrogen-containing organic compound (D2) (hereinafter referred to as “component (D2)”) may be used.

[(D1)成分]
(D1)成分を含有するレジスト組成物とすることで、レジストパターンを形成する際に、露光部と非露光部のコントラストを向上させることができる。
(D1)成分としては、露光により分解して酸拡散制御性を失うものであれば特に限定されず、下記一般式(d1−1)で表される化合物(以下「(d1−1)成分」という。)、下記一般式(d1−2)で表される化合物(以下「(d1−2)成分」という。)及び下記一般式(d1−3)で表される化合物(以下「(d1−3)成分」という。)からなる群より選ばれる1種以上の化合物が好ましい。
(d1−1)〜(d1−3)成分は、露光部においては分解して酸拡散制御性(塩基性)を失うためクエンチャーとして作用せず、未露光部においてクエンチャーとして作用する。
[(D1) component]
By forming the resist composition containing the component (D1), the contrast between the exposed portion and the non-exposed portion can be improved when forming a resist pattern.
The component (D1) is not particularly limited as long as it is decomposed by exposure and loses acid diffusion controllability, and is a compound represented by the following general formula (d1-1) (hereinafter referred to as “(d1-1) component”). ), A compound represented by the following general formula (d1-2) (hereinafter referred to as “(d1-2) component”) and a compound represented by the following general formula (d1-3) (hereinafter referred to as “(d1- One or more compounds selected from the group consisting of “3) component”) are preferred.
The components (d1-1) to (d1-3) are decomposed in the exposed portion and lose acid diffusion controllability (basicity), and thus do not act as a quencher, and act as a quencher in an unexposed portion.

Figure 2014071159
[式中、Rd〜Rdは置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。ただし、式(d1−2)中のRdにおける、S原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子は結合していないものとする。Ydは単結合、または2価の連結基である。Mm+はそれぞれ独立にm価の有機カチオンである。]
Figure 2014071159
[Wherein Rd 1 to Rd 4 are a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain which may have a substituent. Of the alkenyl group. However, a fluorine atom is not bonded to a carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 in the formula (d1-2). Yd 1 is a single bond or a divalent linking group. M m + is each independently an m-valent organic cation. ]

{(d1−1)成分}
・アニオン部
式(d1−1)中、Rdは置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、R101と同様のものが挙げられる。
これらのなかでも、Rdとしては、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい脂肪族環式基、又は置換基を有していてもよい鎖状の炭化水素基が好ましい。これらの基が有していてもよい置換基としては水酸基、フッ素原子又はフッ素化アルキル基が好ましい。
前記芳香族炭化水素基としてはフェニル基もしくはナフチル基がより好ましい。
前記脂肪族環式基としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。
前記鎖状の炭化水素基としては、鎖状のアルキル基が好ましい。鎖状のアルキル基としては、炭素数が1〜10であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖状のアルキル基;1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基等の分岐鎖状のアルキル基;が挙げられる。
{(D1-1) component}
During Anion formula (d1-1), Rd 1 is have an optionally substituted cyclic group which may have a substituent chain alkyl group or a substituted group, Or a similar chain alkenyl group to the same as R 101 .
Among these, Rd 1 may have an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a substituent. A chain hydrocarbon group is preferred. The substituent that these groups may have is preferably a hydroxyl group, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group.
The aromatic hydrocarbon group is more preferably a phenyl group or a naphthyl group.
The aliphatic cyclic group is more preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane or tetracyclododecane.
As the chain hydrocarbon group, a chain alkyl group is preferable. The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and specifically includes a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, and a nonyl group. A linear alkyl group such as a group or decyl group; 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group And branched chain alkyl groups such as 2-ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group, and the like.

前記鎖状のアルキル基が置換基としてフッ素原子又はフッ素化アルキル基を有するフッ素化アルキル基である場合、フッ素化アルキル基の炭素数は、1〜11が好ましく、1〜8がより好ましく、1〜4がさらに好ましい該フッ素化アルキル基は、フッ素原子以外の原子を含有してもよい。フッ素原子以外の原子としては、たとえば酸素原子、炭素原子、水素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
Rdとしては、直鎖状のアルキル基を構成する一部又は全部の水素原子がフッ素原子により置換されたフッ素化アルキル基であることが好ましく、直鎖状のアルキル基を構成する水素原子の全てがフッ素原子で置換されたフッ素化アルキル基(直鎖状のパーフルオロアルキル基)であることが好ましい。
When the chain alkyl group is a fluorinated alkyl group having a fluorine atom or a fluorinated alkyl group as a substituent, the fluorinated alkyl group preferably has 1 to 11 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms. The fluorinated alkyl group, which is more preferably ˜4, may contain an atom other than a fluorine atom. Examples of atoms other than fluorine atoms include oxygen atoms, carbon atoms, hydrogen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms.
Rd 1 is preferably a fluorinated alkyl group in which some or all of the hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are substituted by fluorine atoms, and the hydrogen atom constituting the linear alkyl group It is preferable that all are fluorinated alkyl groups (linear perfluoroalkyl groups) substituted with fluorine atoms.

以下に(d1−1)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。   Preferred specific examples of the anion moiety of the component (d1-1) are shown below.

Figure 2014071159
Figure 2014071159

・カチオン部
式(d1−1)中、Mm+は、m価の有機カチオンである。
m+の有機カチオンとしては、特に限定されず、例えば、前記一般式(ca−1)〜(ca−4)でそれぞれ表されるカチオンと同様のものが挙げられ、前記式(ca−1−1)〜(ca−1−63)でそれぞれ表されるカチオンが好ましい。
(d1−1)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
-Cation part In formula (d1-1), Mm + is an m-valent organic cation.
The organic cation of M m + is not particularly limited, and examples thereof include those similar to the cations represented by the general formulas (ca-1) to (ca-4), respectively, and the formula (ca-1- Cations represented by 1) to (ca-1-63) are preferable.
As the component (d1-1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

{(d1−2)成分}
・アニオン部
式(d1−2)中、Rdは、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、R101と同様のものが挙げられる。
ただし、Rdにおける、S原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子は結合していない(フッ素置換されていない)ものとする。これにより、(d1−2)成分のアニオンが適度な弱酸アニオンとなり、(D)成分のクエンチング能が向上する。
Rdとしては、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましく、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等から1個以上の水素原子を除いた基(置換基を有していてもよい);カンファー等から1個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。
Rdの炭化水素基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、前記式(d1−1)のRdにおける炭化水素基(芳香族炭化水素基、脂肪族炭化水素基)が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
{(D1-2) component}
· During anion formula (d1-2), Rd 2 is has an optionally substituted cyclic group which may have a substituent chain alkyl group or a substituted group, A chain alkenyl group which may be the same as R 101 .
However, a fluorine atom is not bonded to a carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 (not fluorine-substituted). Thereby, the anion of (d1-2) component turns into a moderate weak acid anion, and the quenching ability of (D) component improves.
Rd 2 is preferably an aliphatic cyclic group which may have a substituent, and a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane or the like. (It may have a substituent); it is more preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from camphor or the like.
The hydrocarbon group of Rd 2 may have a substituent, and examples of the substituent include a hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon group, aliphatic hydrocarbon group) in Rd 1 of the formula (d1-1). The same thing as the substituent which may have is mentioned.

以下に(d1−2)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。   Preferred specific examples of the anion moiety of the component (d1-2) are shown below.

Figure 2014071159
Figure 2014071159

・カチオン部
式(d1−2)中、Mm+は、m価の有機カチオンであり、前記式(d1−1)中のMm+と同様である。
(d1−2)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
-Cation part In formula (d1-2), Mm + is an m-valent organic cation, and is the same as Mm + in formula (d1-1).
As the component (d1-2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

{(d1−3)成分}
・アニオン部
式(d1−3)中、Rdは置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、R101と同様のものが挙げられ、フッ素原子を含む環式基、鎖状のアルキル基、又は鎖状のアルケニル基であることが好ましい。中でも、フッ素化アルキル基が好ましく、前記Rdのフッ素化アルキル基と同様のものがより好ましい。
{(D1-3) component}
During Anion formula (d1-3), Rd 3 is have an optionally substituted cyclic group which may have a substituent chain alkyl group or a substituted group, A chain alkenyl group that may be the same as R 101, and is preferably a cyclic group containing a fluorine atom, a chain alkyl group, or a chain alkenyl group. Among them, a fluorinated alkyl group is preferable, and the same as the fluorinated alkyl group for Rd 1 is more preferable.

式(d1−3)中、Rdは、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、R101と同様のものが挙げられる。
中でも、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、環式基であることが好ましい。
Rdにおけるアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rdのアルキル基の水素原子の一部が水酸基、シアノ基等で置換されていてもよい。
Rdにおけるアルコキシ基は、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、炭素数1〜5のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が挙げられる。なかでも、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。
In formula (d1-3), Rd 4 may have a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a substituent. Examples of the chain alkenyl group include those similar to R 101 .
Among these, an alkyl group, an alkoxy group, an alkenyl group, or a cyclic group which may have a substituent is preferable.
The alkyl group in Rd 4 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group. Tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like. A part of the hydrogen atoms of the alkyl group of Rd 4 may be substituted with a hydroxyl group, a cyano group, or the like.
The alkoxy group in Rd 4 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples of the alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n- Examples include butoxy group and tert-butoxy group. Of these, a methoxy group and an ethoxy group are preferable.

Rdにおけるアルケニル基は、上記R101と同様のものが挙げられ、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基が好ましい。これらの基はさらに置換基として、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を有していても良い。 Examples of the alkenyl group in Rd 4 include those similar to R 101 described above, and a vinyl group, a propenyl group (allyl group), a 1-methylpropenyl group, and a 2-methylpropenyl group are preferable. These groups may further have, as a substituent, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

Rdにおける環式基は、上記R101と同様のものが挙げられ、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた脂環式基、又は、フェニル基、ナフチル基等の芳香族基が好ましい。Rdが脂環式基である場合、レジスト組成物が有機溶剤に良好に溶解することにより、リソグラフィー特性が良好となる。また、Rdが芳香族基である場合、EUV等を露光光源とするリソグラフィーにおいて、該レジスト組成物が光吸収効率に優れ、感度やリソグラフィー特性が良好となる。 Examples of the cyclic group for Rd 4 include the same groups as those described above for R 101, and one or more hydrogen atoms are removed from a cycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane, adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. An alicyclic group or an aromatic group such as a phenyl group or a naphthyl group is preferred. When Rd 4 is an alicyclic group, the resist composition is well dissolved in an organic solvent, whereby the lithography properties are improved. In addition, when Rd 4 is an aromatic group, in lithography using EUV or the like as an exposure light source, the resist composition is excellent in light absorption efficiency, and sensitivity and lithography characteristics are good.

式(d1−3)中、Ydは、単結合、または2価の連結基である。
Ydにおける2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基(脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基)、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が挙げられる。これらはそれぞれ、前記式(a2−1)におけるYa21の2価の連結基の説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。
Ydとしては、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、アルキレン基又はこれらの組み合わせであることが好ましい。アルキレン基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であることがより好ましく、メチレン基又はエチレン基であることがさらに好ましい。
In formula (d1-3), Yd 1 represents a single bond or a divalent linking group.
The divalent linking group in Yd 1 is not particularly limited, but may be a divalent hydrocarbon group (aliphatic hydrocarbon group or aromatic hydrocarbon group) which may have a substituent, or a hetero atom containing 2 Valent linking groups and the like. These may be the same as those exemplified in the description of the divalent linking group of Ya 21 in the formula (a2-1).
Yd 1 is preferably a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, an alkylene group, or a combination thereof. The alkylene group is preferably a linear or branched alkylene group, and more preferably a methylene group or an ethylene group.

以下に(d1−3)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。   Preferred specific examples of the anion moiety of the component (d1-3) are shown below.

Figure 2014071159
Figure 2014071159

Figure 2014071159
Figure 2014071159

・カチオン部
式(d1−3)中、Mm+は、m価の有機カチオンであり、前記式(d1−1)中のMm+と同様である。
(d1−3)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
-Cation part In formula (d1-3), Mm + is an m-valent organic cation, and is the same as Mm + in formula (d1-1).
As the component (d1-3), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(D1)成分は、上記(d1−1)〜(d1−3)成分のいずれか1種のみを用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(D1)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0.5〜10質量部であることが好ましく、0.5〜8質量部であることがより好ましく、1〜8質量部であることがさらに好ましい。
(D1)成分の含有量が好ましい下限値以上であると、特に良好なリソグラフィー特性及びレジストパターン形状が得られる。一方、上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。
As the component (D1), only one of the above components (d1-1) to (d1-3) may be used, or two or more may be used in combination.
The content of the component (D1) is preferably 0.5 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 8 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the component (A). More preferably, it is part by mass.
When the content of the component (D1) is not less than the preferable lower limit value, particularly good lithography characteristics and a resist pattern shape can be obtained. On the other hand, when it is not more than the upper limit value, the sensitivity can be maintained well and the throughput is also excellent.

前記の(d1−1)成分、(d1−2)成分の製造方法は、特に限定されず、公知の方法により製造することができる。   The manufacturing method of said (d1-1) component and (d1-2) component is not specifically limited, It can manufacture by a well-known method.

(D1)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0.5〜10.0質量部であることが好ましく、0.5〜8.0質量部であることがより好ましく、1.0〜8.0質量部であることがさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、特に良好なリソグラフィー特性及びレジストパターン形状が得られる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。   The content of the component (D1) is preferably 0.5 to 10.0 parts by mass and more preferably 0.5 to 8.0 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). 1.0 to 8.0 parts by mass is even more preferable. When it is at least the lower limit of the above range, particularly good lithography properties and resist pattern shape can be obtained. When the amount is not more than the upper limit of the above range, the sensitivity can be maintained satisfactorily and the throughput is excellent.

((D2)成分)
(D)成分は、上記(D1)成分に該当しない含窒素有機化合物成分(以下、(D2)成分という。)を含有していてもよい。
(D2)成分としては、酸拡散制御剤として作用するものであり、且つ(D1)成分に該当しないものであれば特に限定されず、公知のものから任意に用いればよい。なかでも、脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。
脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1〜12であることが好ましい。
脂肪族アミンとしては、アンモニアNHの水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン(アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン)又は環式アミンが挙げられる。
アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デシルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、炭素数5〜10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ−n−ペンチルアミン又はトリ−n−オクチルアミンが特に好ましい。
((D2) component)
(D) component may contain the nitrogen-containing organic compound component (henceforth (D2) component) which does not correspond to the said (D1) component.
The component (D2) is not particularly limited as long as it functions as an acid diffusion control agent and does not correspond to the component (D1), and any known component may be used. Of these, aliphatic amines, particularly secondary aliphatic amines and tertiary aliphatic amines are preferred.
An aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic groups preferably have 1 to 12 carbon atoms.
Examples of the aliphatic amine include an amine (alkyl amine or alkyl alcohol amine) or a cyclic amine in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group or hydroxyalkyl group having 12 or less carbon atoms.
Specific examples of alkylamines and alkyl alcohol amines include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine; diethylamine, di-n-propylamine, di- -Dialkylamines such as n-heptylamine, di-n-octylamine, dicyclohexylamine; trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine , Trialkylamines such as tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decylamine, tri-n-dodecylamine; diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, Li isopropanolamine, di -n- octanol amines, alkyl alcohol amines tri -n- octanol amine. Among these, a trialkylamine having 5 to 10 carbon atoms is more preferable, and tri-n-pentylamine or tri-n-octylamine is particularly preferable.

環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの(脂肪族単環式アミン)であっても多環式のもの(脂肪族多環式アミン)であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6〜10のものが好ましく、具体的には、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。
Examples of the cyclic amine include heterocyclic compounds containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).
Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine and piperazine.
As the aliphatic polycyclic amine, those having 6 to 10 carbon atoms are preferable. Specifically, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5. 4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, and the like.

その他の脂肪族アミンとしては、トリス(2−メトキシメトキシエチル)アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシメトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2−{2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられ、トリエタノールアミントリアセテートが好ましい。   Other aliphatic amines include tris (2-methoxymethoxyethyl) amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl} amine, tris {2 -(1-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris [2- {2- (2-hydroxy Ethoxy) ethoxy} ethyl] amine, triethanolamine triacetate and the like, and triethanolamine triacetate is preferable.

また、(D2)成分としては、芳香族アミンを用いてもよい。
芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、2,6−ジイソプロピルアニリン、N−tert−ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。
As the component (D2), an aromatic amine may be used.
Aromatic amines include aniline, pyridine, 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or derivatives thereof, diphenylamine, triphenylamine, tribenzylamine, 2,6-diisopropylaniline, N-tert-butoxy. And carbonylpyrrolidine.

(D2)成分は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(D2)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。
(D2) A component may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.
(D2) A component is normally used in 0.01-5.0 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component. By setting the content in the above range, the resist pattern shape, the stability over time, and the like are improved.

(D)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明のレジスト組成物が(D)成分を含有する場合、(D)成分は、(A)成分100質量部に対して、0.1〜15質量部であることが好ましく、0.3〜12質量部であることがより好ましく、0.5〜12質量部であることがさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、レジスト組成物とした際、LWR等のリソグラフィー特性がより向上する。また、より良好なレジストパターン形状が得られる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。
(D) A component may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.
When the resist composition of this invention contains (D) component, it is preferable that (D) component is 0.1-15 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component, 0.3- More preferably, it is 12 mass parts, and it is still more preferable that it is 0.5-12 mass parts. When it is at least the lower limit of the above range, lithography properties such as LWR are further improved when a resist composition is used. Further, a better resist pattern shape can be obtained. When the amount is not more than the upper limit of the above range, the sensitivity can be maintained satisfactorily and the throughput is excellent.

<任意成分>
[(E)成分]
本発明のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物(E)(以下、(E)成分という。)を含有させることができる。
有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。
リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数6〜15のアリール基等が挙げられる。
リン酸の誘導体としては、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。
ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。
ホスフィン酸の誘導体としては、ホスフィン酸エステルやフェニルホスフィン酸などが挙げられる。
(E)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(E)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常、0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。
<Optional component>
[(E) component]
The resist composition of the present invention comprises, as optional components, an organic carboxylic acid, a phosphorus oxo acid, and derivatives thereof for the purpose of preventing sensitivity deterioration and improving the resist pattern shape, retention stability over time, and the like. At least one compound (E) selected from the group (hereinafter referred to as component (E)) can be contained.
As the organic carboxylic acid, for example, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid and the like are suitable.
Examples of phosphorus oxo acids include phosphoric acid, phosphonic acid, and phosphinic acid. Among these, phosphonic acid is particularly preferable.
Examples of the oxo acid derivative of phosphorus include esters in which the hydrogen atom of the oxo acid is substituted with a hydrocarbon group, and the hydrocarbon group includes an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and 6 to 6 carbon atoms. 15 aryl groups and the like.
Examples of phosphoric acid derivatives include phosphoric acid esters such as di-n-butyl phosphate and diphenyl phosphate.
Examples of phosphonic acid derivatives include phosphonic acid esters such as phosphonic acid dimethyl ester, phosphonic acid-di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester, and phosphonic acid dibenzyl ester.
Examples of phosphinic acid derivatives include phosphinic acid esters and phenylphosphinic acid.
(E) A component may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
(E) A component is normally used in 0.01-5.0 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component.

[(F)成分]
本発明のレジスト組成物は、レジスト膜に撥水性を付与するため、フッ素原子を含む構成単位(f)(以下、「構成単位(f)」という。)を有する含フッ素樹脂成分(F)(以下、「樹脂成分(F)」という。)を含有することが好ましい。なお、構成単位(f)は架橋構造を有さないものとする。樹脂成分(F)としては、例えば、特開2010−002870号公報、特開2010−032994号公報、特開2010−277043号公報、特開2011−13569号公報、特開2011−128226号公報に記載の含フッ素高分子化合物を用いることができる。
[(F) component]
The resist composition of the present invention has a fluorine-containing resin component (F) (F) having a structural unit (f) containing fluorine atoms (hereinafter referred to as “structural unit (f)”) in order to impart water repellency to the resist film. Hereinafter, it is preferable to contain “resin component (F)”. Note that the structural unit (f) does not have a crosslinked structure. Examples of the resin component (F) include JP 2010-002870 A, JP 2010-032994 A, JP 2010-277043 A, JP 2011-13569 A, and JP 2011-128226 A. The described fluorine-containing polymer compound can be used.

構成単位(f)は、下記一般式(f−1)で表される構成単位であることが好ましい。   The structural unit (f) is preferably a structural unit represented by the following general formula (f-1).

Figure 2014071159
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。LfはO又はNHである。Yf01は単結合又は2価の連結基であり、Rf10は有機基であり、Yf01又はRf10の少なくとも一方はフッ素原子を有する。vは0又は1である。]
Figure 2014071159
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Lf 1 is O or NH. Yf 01 is a single bond or a divalent linking group, Rf 10 is an organic group, and at least one of Yf 01 or Rf 10 has a fluorine atom. v is 0 or 1. ]

式(f−1)中、Rは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Rの炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基としては、上述したα位の炭素原子に結合する置換基としての炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基とそれぞれ同様である。なかでも、Rとしては、水素原子又はメチル基であることが好ましい。   In formula (f-1), R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. As the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R, the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as the substituent bonded to the α-position carbon atom described above, and 1 carbon atom It is the same as each of the halogenated alkyl groups of ˜5. Of these, R is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

式(f−1)中、LfはO(酸素原子)又はNHであり、O(酸素原子)であることが好ましい。
式(f−1)中、vは0又は1である。vが0であるとは、式中の−C(=O)−Lf−が単結合となることを意味する。
In the formula (f-1), Lf 1 is O (oxygen atom) or NH, and preferably O (oxygen atom).
In formula (f-1), v is 0 or 1. v and is 0, -C in the formula (= O) -Lf 1 - means that a single bond.

式(f−1)中、Yf01は、単結合又は2価の連結基である。
Yf01の2価の連結基としては、前記一般式(a2−1)中の、Ya21における2価の連結基と同様の基が挙げられる。但し、Yf01の2価の連結基は、その構造中に酸分解性基を有しない。該酸分解性基としては、前述した構成単位(a1)における「酸の作用により極性が増大する酸分解性基」と同じものが挙げられる。
In formula (f-1), Yf 01 represents a single bond or a divalent linking group.
Examples of the divalent linking group for Yf 01 include the same groups as the divalent linking group for Ya 21 in formula (a2-1). However, the divalent linking group of Yf 01 does not have an acid-decomposable group in its structure. Examples of the acid-decomposable group include the same groups as the “acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid” in the structural unit (a1).

Yf01としては、単結合、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましく、単結合、−C(=O)−O−を含む2価の連結基、又は−O−を含む2価の連結基であることがより好ましい。
vが0の場合、Yf01の2価の連結基としては、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基と−O−C(=O)−を含む2価の連結基との組合せ、置換基を有していてもよい2価の脂環式基、置換基を有していてもよい2価の脂環式基と−O−を含む2価の連結基との組合せが好ましい。
より具体的には、置換基を有していてもよいフェニル基又はナフチル基からさらに水素原子を1つ除いた基、置換基を有していてもよいフェニル基又はナフチル基からさらに水素原子を1つ除いた基と−O−C(=O)−との組合せ、置換基を有していてもよいフェニル基又はナフチル基からさらに水素原子を1つ除いた基と−O−C(=O)−と直鎖状のアルキレン基との組合せ、置換基を有していてもよいシクロアルカンから水素原子を2つ除いた基、置換基を有していてもよいシクロアルカンから水素原子を2つ除いた基と−O−との組合せが特に好ましい。
Yf 01 is preferably a single bond or a divalent linking group containing a hetero atom, a single bond, a divalent linking group containing —C (═O) —O—, or a divalent linking group containing —O—. More preferably, it is a linking group.
When v is 0, the divalent linking group of Yf 01 is a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or a divalent aromatic carbon which may have a substituent. A combination of a hydrogen group and a divalent linking group containing —O—C (═O) —, a divalent alicyclic group which may have a substituent, or a substituent which may have 2 A combination of a divalent alicyclic group and a divalent linking group containing -O- is preferred.
More specifically, a group obtained by further removing one hydrogen atom from an optionally substituted phenyl group or naphthyl group, or an additional hydrogen atom from an optionally substituted phenyl group or naphthyl group. A combination of a group obtained by removing one and —O—C (═O) —, a group obtained by further removing one hydrogen atom from a phenyl group or a naphthyl group which may have a substituent, and —O—C (= A combination of O)-and a linear alkylene group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a cycloalkane which may have a substituent, and a hydrogen atom from a cycloalkane which may have a substituent. A combination of a group excluding two and -O- is particularly preferred.

また、vが1の場合、Yf01の2価の連結基としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基と、−C(=O)−O−を含む2価の連結基との組合せ、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基と−O−を含む2価の連結基との組合せ、置換基を有していてもよい2価の鎖状炭化水素基と−O−C(=O)−を含む2価の連結基との組合せが好ましく;置換基を有していてもよい2価の鎖状炭化水素基又は芳香族炭化水素基と−C(=O)−O−との組合せ、置換基を有していてもよい2価の鎖状炭化水素基又は芳香族炭化水素基と−O−C(=O)−との組合せ、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基と−O−と置換基を有していてもよい2価の鎖状炭化水素基との組合せ、置換基を有していてもよい2価の鎖状炭化水素基と−O−C(=O)−と置換基を有していてもよい2価の鎖状炭化水素基との組合せがより好ましい。
Yf01が2価の連結基である場合、Yf01はフッ素原子を有していてもよく、有していなくてもよい。Yf01が単結合の場合、又は、Yf01の2価の連結基がフッ素原子を有しない場合は、後述するRf10の有機基がフッ素原子を有するものとする。
When v is 1, the divalent linking group of Yf 01 is a divalent hydrocarbon group that may have a substituent and a divalent hydrocarbon group including —C (═O) —O—. A combination with a linking group, a combination of a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent and a divalent linking group containing -O-, a divalent which may have a substituent A combination of a chain hydrocarbon group and a divalent linking group containing —O—C (═O) — is preferable; a divalent chain hydrocarbon group or aromatic hydrocarbon which may have a substituent A combination of a group and —C (═O) —O—, a divalent chain hydrocarbon group or aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and —O—C (═O) — Combination, combination of a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, -O- and a divalent chain hydrocarbon group which may have a substituent, having a substituent Divalent that may be A combination of a chain hydrocarbon group, —O—C (═O) —, and a divalent chain hydrocarbon group which may have a substituent is more preferable.
When Yf 01 is a divalent linking group, Yf 01 may or may not have a fluorine atom. When Yf 01 is a single bond or when the divalent linking group of Yf 01 does not have a fluorine atom, the organic group of Rf 10 described later has a fluorine atom.

式(f−1)中、Rf10は有機基である。
Rf10の有機基は、フッ素原子を有する有機基であっても、フッ素原子を有しない有機基であってもよいが、上記Yf01が単結合の場合、又はYf01の2価の連結基がフッ素原子を有しない場合は、Rf10の有機基がフッ素原子を有する。
ここで、「フッ素原子を有する有機基」とは、有機基における水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基をいう。
Rf10の有機基としては、たとえば、フッ素原子を有していてもよい炭化水素基が好ましく挙げられる。該フッ素原子を有していてもよい炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。
In the formula (f-1), Rf 10 is an organic group.
The organic group of Rf 10 may be an organic group having a fluorine atom or an organic group having no fluorine atom. However, when Yf 01 is a single bond, or a divalent linking group of Yf 01 When does not have a fluorine atom, the organic group of Rf 10 has a fluorine atom.
Here, the “organic group having a fluorine atom” refers to a group in which part or all of the hydrogen atoms in the organic group are substituted with fluorine atoms.
Preferred examples of the organic group for Rf 10 include a hydrocarbon group optionally having a fluorine atom. The hydrocarbon group which may have a fluorine atom may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

Rf10の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基は、炭素数1〜15であることが好ましく、炭素数1〜10であることがより好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜5であることが最も好ましい。
環状のアルキル基(脂環式基)は、炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜10であることがより好ましく、炭素数6〜10であることがさらに好ましく、炭素数5〜7であることが最も好ましい。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group represented by Rf 10 include a linear, branched or cyclic alkyl group.
The linear or branched alkyl group preferably has 1 to 15 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, still more preferably 1 to 8 carbon atoms, and 1 carbon atom. Most preferred is ~ 5.
The cyclic alkyl group (alicyclic group) preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, still more preferably 6 to 10 carbon atoms, and 5 carbon atoms. Most preferred is ~ 7.

Rf10の芳香族炭化水素基は、炭素数5〜30であることが好ましく、炭素数5〜20がより好ましく、6〜15がさらに好ましく、6〜12が最も好ましく、フェニル基又はナフチル基が特に好ましい。 The aromatic hydrocarbon group represented by Rf 10 preferably has 5 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 20 carbon atoms, still more preferably 6 to 15 carbon atoms, most preferably 6 to 12 carbon atoms, and a phenyl group or a naphthyl group. Particularly preferred.

これらのアルキル基や芳香族炭化水素基は、フッ素原子で置換されていることが好ましく、アルキル基や芳香族炭化水素基における水素原子の25%以上がフッ素原子で置換されていることが好ましく、50%以上がフッ素原子で置換されていることがより好ましく、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたものであってもよい。
また、これらのアルキル基や芳香族炭化水素基は、フッ素原子以外の置換基で置換されていてもよい。フッ素原子以外の置換基としては、水酸基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数1〜5のフッ素化アルコキシ基等が挙げられる。また、環状のアルキル基や芳香族炭化水素基は、炭素数1〜5のアルキル基で置換されていてもよい。炭素数1〜5のアルキル基としては、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、上述したα位の置換基としての炭素数1〜5のアルキル基と同様である。
These alkyl groups and aromatic hydrocarbon groups are preferably substituted with fluorine atoms, and preferably 25% or more of the hydrogen atoms in the alkyl groups and aromatic hydrocarbon groups are substituted with fluorine atoms, More preferably, 50% or more is substituted with fluorine atoms, and all hydrogen atoms may be substituted with fluorine atoms.
Moreover, these alkyl groups and aromatic hydrocarbon groups may be substituted with a substituent other than a fluorine atom. Examples of the substituent other than the fluorine atom include a hydroxyl group, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorinated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and the like. In addition, the cyclic alkyl group and the aromatic hydrocarbon group may be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms may be linear or branched and is the same as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as the α-position substituent described above.

前記一般式(f−1)で表される構成単位(f)のうち、フッ素原子を有するものの好ましい具体例としては、下記一般式(f−1−1)〜(f−1−5)でそれぞれ表される構成単位が挙げられる。   Among the structural units (f) represented by the general formula (f-1), preferred specific examples of those having a fluorine atom include the following general formulas (f-1-1) to (f-1-5). Examples of the structural unit are as follows.

Figure 2014071159
[式中、Rは前記同様であり、Rf11、Rf12及びRf13はフッ素原子を有する有機基であり、Yf01、Lfは前記同様であり、Yf02〜Yf03は2価の連結基であり、Rf14、Rf15はフッ素原子を有していてもよい有機基である。Yf02又はRf14の少なくとも一方、及び、Yf03又はRf15の少なくとも一方はフッ素原子を有する。]
Figure 2014071159
[In the formula, R is the same as above, Rf 11 , Rf 12 and Rf 13 are organic groups having a fluorine atom, Yf 01 and Lf 1 are the same as above, and Yf 02 to Yf 03 are divalent linkages. Rf 14 and Rf 15 are organic groups which may have a fluorine atom. At least one of Yf 02 or Rf 14 and at least one of Yf 03 or Rf 15 have a fluorine atom. ]

式(f−1−1)中、Rf11はフッ素原子を有する有機基であって、フッ素原子を有する芳香族炭化水素基、フッ素原子及び水酸基で置換されたアルキル基とフッ素原子を有していてもよい芳香族炭化水素基との組合せ、フッ素原子及び炭素数1〜5のフッ素化アルコキシ基で置換されたアルキル基と芳香族炭化水素基との組合せであることが好ましい。
フッ素原子を有する芳香族炭化水素基としては、上記Rf10の芳香族炭化水素基の一部又は全部の水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられる。
In formula (f-1-1), Rf 11 is an organic group having a fluorine atom, and has an aromatic hydrocarbon group having a fluorine atom, a fluorine atom, an alkyl group substituted with a hydroxyl group, and a fluorine atom. It is preferably a combination of an aromatic hydrocarbon group, an alkyl group substituted with a fluorine atom and a fluorinated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and an aromatic hydrocarbon group.
Examples of the aromatic hydrocarbon group having a fluorine atom include those in which a part or all of the aromatic hydrocarbon groups of Rf 10 are substituted with fluorine atoms.

式(f−1−2)中、Yf01は単結合又は2価の連結基であって、上記Yf01と同じである。
Rf12はフッ素原子を有する有機基であって、フッ素原子及び水酸基で置換された鎖状のアルキル基、フッ素原子及び水酸基で置換されたアルキル基と環状のアルキル基との組合せが好ましい。
鎖状のアルキル基、環状のアルキル基としては、上記Rf10の脂肪族炭化水素基(直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基)と同様のものが挙げられる。
In formula (f-1-2), Yf 01 is a single bond or a divalent linking group, and is the same as Yf 01 above.
Rf 12 represents an organic group having a fluorine atom, a fluorine atom and a hydroxyl group in the substituted chain alkyl group, a combination of alkyl groups and cyclic alkyl group substituted with a fluorine atom and a hydroxyl group are preferred.
Examples of the chain alkyl group and the cyclic alkyl group include those similar to the aliphatic hydrocarbon group of Rf 10 (linear, branched or cyclic alkyl group).

式(f−1−3)中、Lfは前記同様である。
Rf13はフッ素原子を有する有機基であって、フッ素原子を有する鎖状のアルキル基、フッ素原子を有する環状のアルキル基、フッ素原子を有する芳香族炭化水素基、フッ素原子及び水酸基で置換された鎖状のアルキル基、フッ素原子及び水酸基で置換された芳香族炭化水素基、又はフッ素原子及び水酸基で置換されたアルキル基と環状のアルキル基との組合せが好ましい。
フッ素原子を有する環状のアルキル基、芳香族炭化水素基としては、上記Rf10の環状のアルキル基、芳香族炭化水素基の一部又は全部の水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられる。
In formula (f-1-3), Lf 1 is the same as described above.
Rf 13 is an organic group having a fluorine atom, and is substituted with a chain alkyl group having a fluorine atom, a cyclic alkyl group having a fluorine atom, an aromatic hydrocarbon group having a fluorine atom, a fluorine atom and a hydroxyl group A chain alkyl group, an aromatic hydrocarbon group substituted with a fluorine atom and a hydroxyl group, or a combination of an alkyl group substituted with a fluorine atom and a hydroxyl group and a cyclic alkyl group is preferred.
Examples of the cyclic alkyl group and aromatic hydrocarbon group having a fluorine atom include those in which a part or all of the cyclic alkyl group and aromatic hydrocarbon group of Rf 10 are substituted with fluorine atoms. .

式(f−1−4)中、Yf02は2価の連結基であって、上記Yf01の2価の連結基と同様のものが挙げられる。
なかでもYf02としては、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基が好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基又はナフチル基からさらに水素原子を1つ除いた基が特に好ましい。
置換基としては、フッ素原子、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましい。Yf02がフッ素原子を有しない場合、Rf14がフッ素原子を有する。
式(f−1−4)中、Rf14はフッ素原子を有していてもよい有機基であって、上記Rf10の有機基と同様のものが挙げられる。Rf14としては、フッ素原子を有していてもよい直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、その炭素数は1〜5であることが好ましい。
In formula (f-1-4), Yf 02 is a divalent linking group, and examples thereof include the same divalent linking groups as those described above for Yf 01 .
The inter alia Yf 02, aromatic hydrocarbon group or a divalent optionally having substituent preferably, further removing one hydrogen atom from a phenyl group or a naphthyl group which may have a substituent The group is particularly preferred.
As the substituent, a fluorine atom and an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms are preferable. When Yf 02 does not have a fluorine atom, Rf 14 has a fluorine atom.
In formula (f-1-4), Rf 14 is an organic group which may have a fluorine atom, and examples thereof include the same organic groups as those described above for Rf 10 . The Rf 14, alkyl group of fluorine atoms have they may be linear or branched preferably, the number of carbon atoms is preferably 1-5.

式(f−1−5)中、Lfは前記同様である。
Yf03は2価の連結基であって、上記Yf01の2価の連結基と同様のものが挙げられる。
なかでもYf03としては、置換基を有していてもよい2価の脂肪族炭化水素基、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基、エーテル結合(−O−)、エステル結合(−C(=O)−O−、−O−C(=O)−)又はこれらの組合せが好ましい。
置換基としては、フッ素原子、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましい。
Yf03における2価の脂肪族炭化水素基、2価の芳香族炭化水素基は、それぞれ、該炭化水素基を構成する炭素原子が酸素原子、窒素原子で置換されていてもよい。
Yf03がフッ素原子を有しない場合、Rf15がフッ素原子を有する。
式(f−1−5)中、Rf15はフッ素原子を有していてもよい有機基であって、上記Rf14と同様である。
In formula (f-1-5), Lf 1 is the same as described above.
Yf 03 is a divalent linking group, and examples thereof include the same divalent linking groups as Yf 01 described above.
Among them, as Yf 03 , a divalent aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an ether bond (—O—) , An ester bond (—C (═O) —O—, —O—C (═O) —) or a combination thereof is preferable.
As the substituent, a fluorine atom and an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms are preferable.
In the divalent aliphatic hydrocarbon group and divalent aromatic hydrocarbon group in Yf 03, the carbon atom constituting the hydrocarbon group may be substituted with an oxygen atom and a nitrogen atom, respectively.
When Yf 03 does not have a fluorine atom, Rf 15 has a fluorine atom.
In formula (f-1-5), Rf 15 is an organic group which may have a fluorine atom, and is the same as Rf 14 above.

以下に、式(f−1−1)〜(f−1−5)でそれぞれ表される構成単位の具体例を示す。式中、Rβは水素原子又はメチル基である。 Specific examples of structural units represented by formulas (f-1-1) to (f-1-5) are shown below. In the formula, is a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 2014071159
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Figure 2014071159
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フッ素原子を有する構成単位(f)としては、前記式(f−1−1)〜(f−1−5)のいずれかで表される構成単位からなる群より選択される少なくとも1種が好ましい。
なかでも、レジスト膜表面の撥水化の効果がより高いことから、前記式(f−1−3)又は(f−1−5)で表される構成単位がより好ましい。
The structural unit (f) having a fluorine atom is preferably at least one selected from the group consisting of structural units represented by any one of the formulas (f-1-1) to (f-1-5). .
Among these, the structural unit represented by the formula (f-1-3) or (f-1-5) is more preferable because the effect of water repellency on the resist film surface is higher.

本発明において、樹脂成分(F)は、フッ素原子を含有しかつ塩基分解性基を有する構成単位(f1)(以下、「構成単位(f1)」という。)を有していてもよい。
構成単位(f1)における塩基分解性基は、例えば下記式(f1−r−1)〜(f1−r−4)で表される基が挙げられる。
In the present invention, the resin component (F) may have a structural unit (f1) containing a fluorine atom and having a base-decomposable group (hereinafter referred to as “structural unit (f1)”).
Examples of the base decomposable group in the structural unit (f1) include groups represented by the following formulas (f1-r-1) to (f1-r-4).

Figure 2014071159
[式中、Rf’はそれぞれ独立してフッ素原子を有していてもよい有機基である。]
Figure 2014071159
[Wherein, Rf ′ 1 independently represents an organic group which may have a fluorine atom. ]

前記式(f1−r−1)〜(f1−r−4)中、Rf’は前記Rf14またはRf15におけるフッ素原子を有していてもよい有機基と同様である。 In the formulas (f1-r-1) to (f1-r-4), Rf ′ 1 is the same as the organic group which may have a fluorine atom in the Rf 14 or Rf 15 .

構成単位(f1)は、フッ素原子を有しかつ塩基分解性基を有していれば特に限定されず、例えば前記構成単位(f)において前記式(f1−r−1)〜(f1−r−4)で表されるいずれかの基を有する構成単位等が挙げられる。中でも下記一般式(f1−1)または(f1−2)で表される構成単位であることが好ましい。   The structural unit (f1) is not particularly limited as long as it has a fluorine atom and a base-decomposable group. For example, in the structural unit (f), the structural units (f1-r-1) to (f1-r) -4), and the like. Among these, a structural unit represented by the following general formula (f1-1) or (f1-2) is preferable.

Figure 2014071159
[式中、Rは前記同様であり、Rf102およびRf103はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を表し、Rf102およびRf103は同じであっても異なっていてもよい。nfは1〜5の整数であり、Rf104およびRf105はそれぞれ独立してフッ素原子又は炭素数1〜5のフッ素化アルキル基を表し、Rf104およびRf105は同じであっても異なっていてもよい。
Rf100はフッ素原子有する有機基であり、Rf101はフッ素原子を有していてもよい有機基である。]
Figure 2014071159
[Wherein, R is the same as defined above, and Rf 102 and Rf 103 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Rf 102 and Rf 103 may be the same or different. nf 1 is an integer of 1 to 5, Rf 104 and Rf 105 each independently represent a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and Rf 104 and Rf 105 are the same or different. May be.
Rf 100 is an organic group having a fluorine atom, and Rf 101 is an organic group optionally having a fluorine atom. ]

式中、Rは前記同様である。Rとしては、水素原子またはメチル基が好ましい。
式中、Rf102およびRf103のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。Rf102およびRf103の炭素数1〜5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1〜5のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましい。Rf102およびRf103の炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基として、具体的には、上記炭素数1〜5のアルキル基の水素原子の一部または全部が、ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。なかでもRf102およびRf103としては、水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、またはエチル基が好ましく水素原子がより好ましい。
式(f1−2)中、Rf104およびRf105としては、フッ素原子又はトリフルオロメチル基が好ましい。
式中、nfは1〜5の整数であって、1〜3の整数が好ましく、1又は2であることがより好ましい。
In the formula, R is the same as described above. R is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
In the formula, examples of the halogen atom of Rf 102 and Rf 103 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of Rf 102 and Rf 103 include the same as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R, and a methyl group or an ethyl group is preferable. Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of Rf 102 and Rf 103 include a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with a halogen atom. Can be mentioned. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. The inter alia Rf 102 and Rf 103, a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms is preferable, a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or an ethyl group is preferably a hydrogen atom, and more preferred.
In formula (f1-2), Rf 104 and Rf 105 are preferably a fluorine atom or a trifluoromethyl group.
In the formula, nf 1 is an integer of 1 to 5, preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1 or 2.

式(f1−1)中、Rf100は前記フッ素原子有する有機基と同様であり、フッ素原子を含む炭化水素基が好ましく、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよく、炭素数は1〜20であることが好ましく、炭素数1〜15であることがより好ましく、炭素数1〜10が特に好ましい。
また、フッ素原子を含む炭化水素基は、当該炭化水素基における水素原子の25%以上がフッ素化されていることが好ましく、50%以上がフッ素化されていることがより好ましく、60%以上がフッ素化されていることが、浸漬露光時のレジスト膜の疎水性が高まることから、特に好ましい。
なかでも、Rf100としては、炭素数1〜6のフッ素化炭化水素基が特に好ましく、−CH−CF、−CH−CF−CF、−CH(CF、−CH−CH−CF、−CH−CH−CF−CF、−CH−CH−CF−CF−CF、−CH−CH−CF−CF−CF−CFが最も好ましい。
In the formula (f1-1), Rf 100 is the same as the organic group having a fluorine atom, preferably a hydrocarbon group containing a fluorine atom, and may be linear, branched or cyclic, and carbon. The number is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 10 carbon atoms.
The hydrocarbon group containing a fluorine atom preferably has 25% or more of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group fluorinated, more preferably 50% or more fluorinated, and 60% or more. Fluorination is particularly preferable because the hydrophobicity of the resist film during immersion exposure is increased.
Among these, as Rf 100, particularly preferably a fluorinated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, -CH 2 -CF 3, -CH 2 -CF 2 -CF 3, -CH (CF 3) 2, -CH 2 -CH 2 -CF 3, -CH 2 -CH 2 -CF 2 -CF 3, -CH 2 -CH 2 -CF 2 -CF 2 -CF 3, -CH 2 -CH 2 -CF 2 -CF 2 - Most preferred is CF 2 -CF 3 .

前記式(f1−2)中、Rf101は、前記フッ素原子有していてもよい有機基と同様であり、Rf100と同様のものが好適に挙げられる他、メチル基、−CH−CH−C17、−CH−CH−CH−CF、−CH−CH−CH−C、−CH−CH−CH−CH−CF、が挙げられる。 In the formula (f1-2), Rf 101 is the same as the organic group which may have a fluorine atom, preferably the same as Rf 100 , methyl group, —CH 2 —CH 2 -C 8 F 17, -CH 2 -CH 2 -CH 2 -CF 3, -CH 2 -CH 2 -CH 2 -C 2 F 5, -CH 2 -CH 2 -CH 2 -CH 2 -CF 3 .

樹脂成分(F)は、前記構成単位(a1)を有していてもよい。
樹脂成分(F)としてより具体的には、上記式(f−1−1)〜(f−1−5)で表される構成単位(f)を有する重合体、より好適には上記式(f1−1)又は(f1−2)で表される構成単位(f1)を有する重合体が挙げられる。かかる重合体としては、構成単位(f)又は(f1)のみからなる重合体(ホモポリマー);上記式(f−1−1)〜(f−1−5)で表される構成単位(f)及び上記式(f1−1)又は(f1−2)で表される構成単位(f1)のいずれかの構成単位と、前記構成単位(a1)との共重合体;上記式(f−1−1)〜(f−1−5)で表される構成単位(f)及び上記式(f1−1)又は(f1−2)で表される構成単位(f1)のいずれかの構成単位と、前記構成単位(a1)と、前記構成単位(a2)とを含む共重合体が好ましい。
The resin component (F) may have the structural unit (a1).
More specifically, as the resin component (F), a polymer having the structural unit (f) represented by the above formulas (f-1-1) to (f-1-5), more preferably the above formula ( The polymer which has the structural unit (f1) represented by f1-1) or (f1-2) is mentioned. Examples of such a polymer include a polymer consisting of only the structural unit (f) or (f1) (homopolymer); structural units represented by the above formulas (f-1-1) to (f-1-5) (f ) And a copolymer of any one of the structural units (f1) represented by the formula (f1-1) or (f1-2) and the structural unit (a1); the above formula (f-1) -1) to (f-1-5) and the structural unit (f) and any one of the structural units (f1) represented by the formula (f1-1) or (f1-2) A copolymer containing the structural unit (a1) and the structural unit (a2) is preferable.

本発明において、樹脂成分(F)は、構成単位(o1)を有する高分子化合物(F1)(以下「高分子化合物(F1)」という。)を含有していてもよい。高分子化合物(F1)が有する、構成単位(o1)中の塩基分解性基は、塩基により分解して、ポリマーの親水性を向上させる基であれば特に限定されない。また、構成単位(o1)中の架橋構造で架橋された構成単位は、主鎖を構成する一部と、それを結合している架橋基とを合わせた構造により構成された構成単位であれば特に限定されない。
本発明において、樹脂成分(F)が含有していてもよい高分子化合物(F1)が有する構成単位(o1)は、より具体的には、上記一般式(I)で表される構成単位であることが好ましい。
In the present invention, the resin component (F) may contain a polymer compound (F1) having a structural unit (o1) (hereinafter referred to as “polymer compound (F1)”). The base decomposable group in the structural unit (o1) of the polymer compound (F1) is not particularly limited as long as it is a group that decomposes with a base and improves the hydrophilicity of the polymer. In addition, the structural unit cross-linked by the cross-linked structure in the structural unit (o1) is a structural unit composed of a structure in which a part of the main chain and a cross-linking group that binds the main chain are combined. There is no particular limitation.
In the present invention, the structural unit (o1) of the polymer compound (F1) that may be contained in the resin component (F) is more specifically a structural unit represented by the general formula (I). Preferably there is.

レジスト組成物がフッ素原子含有ポリマーを有する場合、レジスト組成物の分子量が小さいと、フッ素が表層へ偏析しにくくなるため、添加量を増やす必要がある。フッ素原子含有ポリマーの添加量を増加させると、リソグラフィー特性の悪化を招くという問題点がある。レジスト組成物がフッ素添加剤を含有する場合、フッ素添加剤を含有するレジスト組成物、又はフッ素添加剤が塩基分解性基を主鎖に含む高分子化合物を有することにより、アルカリ現像前はフッ素添加剤をレジスト膜表面に偏析させることができ、アルカリ現像時には主鎖が分解するため、現像液に対する溶解性を向上させることができると考えられる。   In the case where the resist composition has a fluorine atom-containing polymer, if the molecular weight of the resist composition is small, fluorine is difficult to segregate to the surface layer, so the amount added needs to be increased. When the amount of the fluorine atom-containing polymer added is increased, there is a problem that the lithography properties are deteriorated. When the resist composition contains a fluorine additive, the resist composition containing the fluorine additive, or the fluorine additive has a polymer compound containing a base-decomposable group in the main chain, so that fluorine is added before alkali development. The agent can be segregated on the resist film surface, and the main chain is decomposed during alkali development, so that it is considered that the solubility in the developer can be improved.

本発明のレジスト組成物は、前記基材成分(A)と、構成単位(o1)を有する高分子化合物(F1)を含有していることが好ましい。さらに前記高分子化合物(F1)が、フッ素原子を含む構成単位(f)を有していることが好ましい。   The resist composition of the present invention preferably contains the base material component (A) and the polymer compound (F1) having the structural unit (o1). Further, the polymer compound (F1) preferably has a structural unit (f) containing a fluorine atom.

前記高分子化合物(F1)は、構成単位(f)として前記構成単位(f1)を有していることが好ましい。さらに(F1)は前記構成単位(a1)を有していてもよい。   The polymer compound (F1) preferably has the structural unit (f1) as the structural unit (f). Further, (F1) may have the structural unit (a1).

樹脂成分(F)の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準)は、1000〜100000が好ましく、5000〜80000がより好ましく、10000〜60000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
樹脂成分(F)の分散度(Mw/Mn)は、1.0〜5.0が好ましく、1.0〜4.0がより好ましく、1.2〜3.0が最も好ましい。
1000-100000 are preferable, as for the mass average molecular weight (Mw) (polystyrene conversion reference | standard by gel permeation chromatography) of a resin component (F), 5000-80000 are more preferable, and 10000-60000 are the most preferable. If it is below the upper limit of this range, it has sufficient solubility in a resist solvent to be used as a resist, and if it is above the lower limit of this range, dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are good.
The dispersity (Mw / Mn) of the resin component (F) is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 4.0, and most preferably 1.2 to 3.0.

樹脂成分(F)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
樹脂成分(F)は、(A)成分100質量部に対して、0.5〜20質量部の割合で用いられ、1〜10質量部が好ましく、1.5〜5質量部がより好ましい。
A resin component (F) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
Resin component (F) is used in a proportion of 0.5 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of component (A), preferably 1 to 10 parts by mass, and more preferably 1.5 to 5 parts by mass.

本発明のレジスト組成物は、構成単位(o1)を有する高分子化合物を含有するが、基材成分(A)が当該高分子化合物を含有する場合、(A)成分全体に対する割合は、50質量%以上であることが好ましく、60質量%以上であることがより好ましく、70質量%以上であることが好ましい。上限は特に限定されないが100質量%であることが好ましい。上記範囲とすることで、リソグラフィー特性がより向上すると考えられる。
本発明のレジスト組成物において、含フッ素樹脂成分(F)が構成単位(o1)を含む高分子化合物(F1)を含有する場合、(F)成分全体に対する(F1)の割合は、1〜100質量%であることが好ましく、10〜100質量%であることがより好ましい。
上記範囲とすることで、リソグラフィー特性とディフェクト低減の特性が向上すると考えられる。
本発明のレジスト組成物において、基材成分(A)が構成単位(o1)を含む高分子化合物を含有し、かつ(F)成分が高分子化合物(F1)を含有する場合、各成分における当該高分子化合物の割合は、それぞれ上記と同様であり、上記範囲内とすることでリソグラフィー特性とディフェクト低減の特性が向上すると考えられる。
The resist composition of the present invention contains a polymer compound having the structural unit (o1), but when the substrate component (A) contains the polymer compound, the ratio to the total component (A) is 50 mass. % Or more, preferably 60% by mass or more, and more preferably 70% by mass or more. Although an upper limit is not specifically limited, It is preferable that it is 100 mass%. By setting it within the above range, it is considered that the lithography characteristics are further improved.
In the resist composition of the present invention, when the fluorine-containing resin component (F) contains the polymer compound (F1) containing the structural unit (o1), the ratio of (F1) to the entire component (F) is 1 to 100. It is preferable that it is mass%, and it is more preferable that it is 10-100 mass%.
By setting it within the above range, it is considered that lithography characteristics and defect reduction characteristics are improved.
In the resist composition of the present invention, when the substrate component (A) contains a polymer compound containing the structural unit (o1) and the component (F) contains the polymer compound (F1), the component in each component The ratio of the polymer compound is the same as described above, and it is considered that the lithography characteristics and defect reduction characteristics are improved by setting the ratio within the above range.

本発明のレジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。   The resist composition of the present invention further contains, if desired, miscible additives such as additional resins for improving the performance of the resist film, dissolution inhibitors, plasticizers, stabilizers, colorants, antihalation agents, A dye or the like can be appropriately added and contained.

[(S)成分]
本発明のレジスト組成物は、材料を有機溶剤(以下、(S)成分ということがある)に溶解させて製造することができる。
(S)成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。
たとえば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、シクロヘキサノン、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤、ジメチルスルホキシド(DMSO)などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
なかでも、PGMEA、PGME、γ−ブチロラクトン、ELが好ましい。
また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比(質量比)は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてEL又はシクロヘキサノンを配合する場合は、PGMEA:EL又はシクロヘキサノンの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2、さらに好ましくは3:7〜7:3である。
また、(S)成分として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30〜95:5とされる。
(S)成分の使用量は特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1〜20質量%、好ましくは2〜15質量%の範囲内となるように用いられる。
[(S) component]
The resist composition of the present invention can be produced by dissolving the material in an organic solvent (hereinafter sometimes referred to as (S) component).
As the component (S), any component can be used as long as it can dissolve each component to be used to form a uniform solution. Conventionally, any one of known solvents for chemically amplified resists can be used. Two or more types can be appropriately selected and used.
For example, lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, 2-heptanone; ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol Polyhydric alcohols such as: ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol monoacetate and the like compounds having an ester bond, the polyhydric alcohols or monomethyl ether of the compound having an ester bond , Monoalkyl ethers such as monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having an ether bond [in these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) are preferred]; cyclic ethers such as dioxane, and lactic acid Esters such as methyl, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate; anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, Diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, butyl phenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene, etc. An aromatic organic solvent, dimethyl sulfoxide (DMSO), etc. can be mentioned.
These organic solvents may be used independently and may be used as 2 or more types of mixed solvents.
Of these, PGMEA, PGME, γ-butyrolactone, and EL are preferable.
Moreover, the mixed solvent which mixed PGMEA and the polar solvent is also preferable. The blending ratio (mass ratio) may be appropriately determined in consideration of the compatibility between PGMEA and the polar solvent, preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. It is preferable to be within the range.
More specifically, when EL or cyclohexanone is blended as the polar solvent, the mass ratio of PGMEA: EL or cyclohexanone is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. . Moreover, when mix | blending PGME as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: PGME becomes like this. Preferably it is 1: 9-9: 1, More preferably, it is 2: 8-8: 2, More preferably, it is 3: 7-7: 3.
In addition, as the component (S), a mixed solvent of at least one selected from PGMEA and EL and γ-butyrolactone is also preferable. In this case, the mixing ratio of the former and the latter is preferably 70:30 to 95: 5.
(S) The usage-amount of a component is not specifically limited, It is a density | concentration which can be apply | coated to a board | substrate etc., and is suitably set according to a coating film thickness. Generally, it is used so that the solid content concentration of the resist composition is in the range of 1 to 20% by mass, preferably 2 to 15% by mass.

≪レジストパターン形成方法≫
本発明第二の態様のレジストパターン形成方法は、より具体的には、たとえば以下の様にして行うことができる。
まず支持体上に、前記レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、ベーク(ポストアプライベーク(PAB))処理を、たとえば80〜150℃の温度条件にて40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施してレジスト膜を形成する。次に、該レジスト膜に対し、例えばArF露光装置、電子線描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターンが形成されたマスク(マスクパターン)を介した露光、またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等による選択的露光を行った後、ベーク(ポストエクスポージャーベーク(PEB))処理を、たとえば80〜150℃の温度条件にて40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施す。該レジスト膜を、有機系現像液を用いて現像処理した後、好ましくは有機溶剤を含有するリンス液を用いてリンス処理し、乾燥を行う。
前記現像処理またはリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。
また、場合によっては、現像処理、リンス処理または超臨界流体による処理の後、残存する有機溶剤を除去するために、ベーク(ポストベーク)処理を行ってもよい。
≪Resist pattern formation method≫
More specifically, the resist pattern forming method of the second aspect of the present invention can be performed, for example, as follows.
First, the resist composition is applied onto a support using a spinner or the like, and a baking (post-apply bake (PAB)) treatment is performed, for example, at a temperature of 80 to 150 ° C. for 40 to 120 seconds, preferably 60 to 90 seconds. To form a resist film. Next, the resist film is exposed through a mask (mask pattern) on which a predetermined pattern is formed using an exposure apparatus such as an ArF exposure apparatus, an electron beam drawing apparatus, or an EUV exposure apparatus, or a mask pattern. After performing selective exposure by drawing or the like by direct irradiation with an electron beam without passing through, baking (post-exposure baking (PEB)) treatment is performed, for example, at a temperature of 80 to 150 ° C. for 40 to 120 seconds, preferably 60 Apply for ~ 90 seconds. The resist film is developed with an organic developer, and then preferably rinsed with a rinse containing an organic solvent and dried.
After the development process or the rinsing process, a process of removing the developer or the rinsing liquid adhering to the pattern with a supercritical fluid may be performed.
In some cases, a baking (post-baking) treatment may be performed after the development treatment, the rinsing treatment or the supercritical fluid treatment in order to remove the remaining organic solvent.

支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜(無機BARC)が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜(有機BARC)や多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。
ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜(下層有機膜)と、少なくとも一層のレジスト膜(上層レジスト膜)とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。すなわち、多層レジスト法によれば、下層有機膜により所要の厚みを確保できるため、レジスト膜を薄膜化でき、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。
多層レジスト法には、基本的に、上層レジスト膜と、下層有機膜との二層構造とする方法(2層レジスト法)と、上層レジスト膜と下層有機膜との間に一層以上の中間層(金属薄膜等)を設けた三層以上の多層構造とする方法(3層レジスト法)とに分けられる。
The support is not particularly limited, and a conventionally known one can be used, and examples thereof include a substrate for electronic components and a substrate on which a predetermined wiring pattern is formed. More specifically, a silicon substrate, a metal substrate such as copper, chromium, iron, and aluminum, a glass substrate, and the like can be given. As a material for the wiring pattern, for example, copper, aluminum, nickel, gold or the like can be used.
Further, the support may be a substrate in which an inorganic and / or organic film is provided on the above-described substrate. An inorganic antireflection film (inorganic BARC) is an example of the inorganic film. Examples of the organic film include organic films such as an organic antireflection film (organic BARC) and a lower organic film in a multilayer resist method.
Here, the multilayer resist method is a method in which at least one organic film (lower organic film) and at least one resist film (upper resist film) are provided on a substrate, and the resist pattern formed on the upper resist film is used as a mask. This is a method of patterning a lower organic film, and it is said that a pattern with a high aspect ratio can be formed. That is, according to the multilayer resist method, the required thickness can be secured by the lower organic film, so that the resist film can be thinned and a fine pattern with a high aspect ratio can be formed.
In the multilayer resist method, basically, a method having a two-layer structure of an upper layer resist film and a lower layer organic film (two layer resist method), and one or more intermediate layers between the upper layer resist film and the lower layer organic film And a method of forming a multilayer structure of three or more layers (metal thin film etc.) (three-layer resist method).

露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、Fエキシマレーザー、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。前記レジスト組成物は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EBまたはEUV用としての有用性が高く、ArFエキシマレーザー、EBまたはEUV用として特に有用である。 The wavelength used for exposure is not particularly limited, and ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-ray, soft X-ray, etc. Can be done using radiation. The resist composition is highly useful for KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV, and is particularly useful for ArF excimer laser, EB or EUV.

レジスト膜の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光(ドライ露光)であってもよく、液浸露光(Liquid Immersion Lithography)であってもよい。
液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たし、その状態で露光(浸漬露光)を行う露光方法である。
液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
空気の屈折率よりも大きく、かつ前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
フッ素系不活性液体の具体例としては、CHCl、COCH、COC、C等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70〜180℃のものが好ましく、80〜160℃のものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。
フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。
さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ(2−ブチル−テトラヒドロフラン)(沸点102℃)を挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン(沸点174℃)を挙げることができる。
液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。
The exposure method of the resist film may be normal exposure (dry exposure) performed in an inert gas such as air or nitrogen, or may be immersion exposure (Liquid Immersion Lithography).
In immersion exposure, the space between the resist film and the lens at the lowest position of the exposure apparatus is previously filled with a solvent (immersion medium) having a refractive index larger than that of air, and exposure (immersion exposure) is performed in that state. It is an exposure method.
As the immersion medium, a solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film to be exposed is preferable. The refractive index of such a solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.
Examples of the solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicon-based solvent, and a hydrocarbon-based solvent.
Specific examples of the fluorine-based inert liquid include a fluorine-based compound such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as a main component. Examples thereof include liquids, and those having a boiling point of 70 to 180 ° C are preferable, and those having a boiling point of 80 to 160 ° C are more preferable. It is preferable that the fluorine-based inert liquid has a boiling point in the above range since the medium used for immersion can be removed by a simple method after the exposure is completed.
As the fluorine-based inert liquid, a perfluoroalkyl compound in which all hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms is particularly preferable. Specific examples of the perfluoroalkyl compound include a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound.
More specifically, examples of the perfluoroalkyl ether compound include perfluoro (2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point: 102 ° C.). Examples of the perfluoroalkylamine compound include perfluorotributylamine ( Boiling point of 174 ° C.).
As the immersion medium, water is preferably used from the viewpoints of cost, safety, environmental problems, versatility, and the like.

アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば0.1〜30質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液が挙げられる。
溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、(A)成分(露光前の(A)成分)を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。
有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としてはたとえば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、たとえばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。
界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001〜5質量%であり、0.005〜2質量%が好ましく、0.01〜0.5質量%がより好ましい。
現像処理は、公知の現像方法により実施でき、該方法としてはたとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法(パドル法)、支持体表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)等が挙げられる。
Examples of the alkali developer used for the development treatment in the alkali development process include a 0.1 to 30% by mass tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution.
The organic solvent contained in the organic developer used for the development process in the solvent development process is not particularly limited as long as it can dissolve the component (A) (component (A) before exposure). It can be selected as appropriate. Specifically, polar solvents such as ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents, ether solvents, and hydrocarbon solvents can be used.
A known additive can be blended in the organic developer as required. Examples of the additive include a surfactant. The surfactant is not particularly limited. For example, ionic or nonionic fluorine-based and / or silicon-based surfactants can be used.
When the surfactant is blended, the blending amount is usually 0.001 to 5% by weight, preferably 0.005 to 2% by weight, and 0.01 to 0.00% with respect to the total amount of the organic developer. 5 mass% is more preferable.
The development treatment can be carried out by a known development method, for example, a method in which a support is immersed in a developer for a certain period of time (dip method), and the developer is raised on the surface of the support by surface tension and left stationary for a certain period of time. Method (Paddle method), Method of spraying developer on the surface of support (spray method), Continuous application of developer while scanning developer nozzle at constant speed on support rotating at constant speed And a method (dynamic dispensing method).

≪高分子化合物≫
本発明の第三の態様は、塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された下記一般式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物である。下記一般式(I)に関する説明は、上記と同様である。また、本発明の高分子化合物は、下記一般式(I)で表される塩基分解性基と、酸の作用により極性が増大する酸解離性基を含む構成単位(a1)を有していてもよい。構成単位(a1)についての説明は、前記同様である。さらに、本発明の高分子化合物は、下記一般式(I)で表される塩基分解性基と、フッ素原子を含む構成単位(f)を有していてもよい。構成単位(f)の説明は、前記同様である。
≪Polymer compound≫
The third aspect of the present invention is a polymer compound having a structural unit represented by the following general formula (I) that contains a base-decomposable group and is crosslinked with a crosslinked structure. The explanation about the following general formula (I) is the same as above. Further, the polymer compound of the present invention has a structural unit (a1) containing a base-decomposable group represented by the following general formula (I) and an acid-dissociable group whose polarity is increased by the action of an acid. Also good. The description of the structural unit (a1) is the same as described above. Furthermore, the polymer compound of the present invention may have a base decomposable group represented by the following general formula (I) and a structural unit (f) containing a fluorine atom. The description of the structural unit (f) is the same as described above.

Figure 2014071159
[式中、Rは独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Yは独立に2価の連結基であり、Vは置換基を有していてもよいn価のフッ素化アルキレン基であり、Vは独立に2価の連結基である。nは2〜4であり、R、YおよびVは同一でも異なっていてもよい。ただし、Vの少なくとも1つは炭素数1〜3のアルキレン基である。]
Figure 2014071159
[Wherein, R is independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Y 1 is independently a divalent linking group, and V 1 is substituted. An optionally substituted valent fluorinated alkylene group, and V 2 is independently a divalent linking group. n is 2 to 4, and R, Y 1 and V 2 may be the same or different. However, at least one of V 2 is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. ]

≪化合物≫
本発明の第四の態様は、下記一般式(II)で表される化合物である。
≪Compound≫
A fourth aspect of the present invention is a compound represented by the following general formula (II).

Figure 2014071159
[式中、Rは独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Yは独立に2価の連結基であり、Vは置換基を有していてもよいn価のフッ素化アルキレン基であり、Vは独立に2価の連結基である。nは2〜4であり、R、YおよびVは同一でも異なっていてもよい。ただし、Vの少なくとも1つは炭素数1〜3のアルキレン基である。]
Figure 2014071159
[Wherein, R is independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Y 1 is independently a divalent linking group, and V 1 is substituted. An optionally substituted valent fluorinated alkylene group, and V 2 is independently a divalent linking group. n is 2 to 4, and R, Y 1 and V 2 may be the same or different. However, at least one of V 2 is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. ]

一般式(10)中の、R、Y、V、V及びnに関する説明は、上記一般式(I)におけるR、Y、V、V及びnに関する説明と同様である。 Formula (10) in, R, an explanation of Y 1, V 1, V 2 and n, are as described R, relates Y 1, V 1, V 2 and n in the general formula (I).

本発明のレジスト組成物は、リソグラフィー特性を維持しつつ、レジストパターンのディフェクト(表面欠陥)を軽減させるという効果を奏する。その理由は明らかではないが、以下のように推察される。
本発明のレジスト組成物は、塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された構成単位(構成単位(o1))を有する高分子化合物を含有する。これにより、アルカリ現像プロセスにおいて、現像時に構成単位(o1)が分解することにより分子量が低減すると考えられる。構成単位(o1)が分解することによりアルカリ現像液に対する溶解性が向上するため、溶け残りによるレジストパターンのディフェクト(表面欠陥)を軽減させることができると推察される。
一方、現像前においては、構成単位(o1)は分解しないため、レジスト組成物が低分子量であることによるTgの低下や、リソグラフィー特性の悪化といった問題は生じないと考えられる。よって、リソグラフィー特性を維持しつつ、ディフェクト(表面欠陥)を軽減させることができると考えられる。
The resist composition of the present invention has the effect of reducing resist pattern defects (surface defects) while maintaining lithography properties. The reason is not clear, but is presumed as follows.
The resist composition of the present invention contains a polymer compound having a structural unit (structural unit (o1)) containing a base-decomposable group and crosslinked with a crosslinked structure. Thereby, in the alkali development process, it is considered that the molecular weight is reduced by decomposing the structural unit (o1) during development. It is presumed that the defect (surface defect) of the resist pattern due to the undissolved portion can be reduced because the structural unit (o1) is decomposed to improve the solubility in an alkaline developer.
On the other hand, since the structural unit (o1) is not decomposed before development, it is considered that problems such as a decrease in Tg and a deterioration in lithography properties due to the low molecular weight of the resist composition do not occur. Therefore, it is considered that defects (surface defects) can be reduced while maintaining the lithography characteristics.

以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention more concretely, this invention is not limited to a following example.

[化合物(8)の合成]
窒素雰囲気下で50.00gのアセトニトリル(AN)に、9.90gのカルボキシメチルメタクリレート、0.28gの4,4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)を加えて5℃に冷却した。 そこに14.04gの1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩(WSC)を添加し、さらに30.00gのアセトニトリルに溶解させた6.00gの2,2’,3,3’,4,4’,5,5’−オクタフルオロ−1,6−ヘキサンジオール(OFHD)をゆっくりと添加し、室温で3時間反応を行った。
反応終了後、反応液にt−ブチルメチルエーテル(TBME)を加えてから塩酸水溶液と純水で洗浄し、濃縮、乾燥することで目的の化合物(8)を11.34g得た。
この化合物(8)はNMR測定を行い、以下の結果から構造を同定した。
H−NMR(DMSO−d6):δ(ppm)=6.14(s、2H)、5.80(s、2H)、4.91(s、4H)、4.90(t、4H)、1.92(s、6H)
19F−NMR(DMSO−d6):δ(ppm)=−116.2(s、4F)、−120.6(s、4F)
[Synthesis of Compound (8)]
Under a nitrogen atmosphere, 9.90 g of carboxymethyl methacrylate and 0.28 g of 4,4-dimethylaminopyridine (DMAP) were added to 50.00 g of acetonitrile (AN) and cooled to 5 ° C. 14.04 g of 1-ethyl-3- (3-dimethylaminopropyl) carbodiimide hydrochloride (WSC) was added thereto and 6.00 g of 2,2 ′, 3 dissolved in 30.00 g of acetonitrile. 3 ′, 4,4 ′, 5,5′-octafluoro-1,6-hexanediol (OFHD) was slowly added, and the reaction was performed at room temperature for 3 hours.
After completion of the reaction, t-butyl methyl ether (TBME) was added to the reaction solution, washed with an aqueous hydrochloric acid solution and pure water, concentrated and dried to obtain 11.34 g of the desired compound (8).
This compound (8) was subjected to NMR measurement, and the structure was identified from the following results.
1 H-NMR (DMSO-d6): δ (ppm) = 6.14 (s, 2H), 5.80 (s, 2H), 4.91 (s, 4H), 4.90 (t, 4H) 1.92 (s, 6H)
19 F-NMR (DMSO-d6): δ (ppm) = − 116.2 (s, 4F), −120.6 (s, 4F)

Figure 2014071159
Figure 2014071159

化合物(8)と同様の方法で、化合物(9)〜(13)を合成した。
化合物(9)〜(13)についてもNMR測定を行い、以下の結果から構造を同定した。
化合物(9)
H−NMR(DMSO−d6):δ(ppm)=6.14(s、2H)、5.81(s、2H)、4.90(s、4H)、4.92(t、4H)、1.91(s、6H)
19F−NMR(DMSO−d6):δ(ppm)=−116.2(s、4F)、−120.4(s、2F)
化合物(10)
H−NMR(DMSO−d6):δ(ppm)=6.15(s、2H)、5.81(s、2H)、4.91(s、4H)、4.92(t、4H)、1.91(s、6H)
19F−NMR(DMSO−d6):δ(ppm)=−116.0(s、4F)、−120.8(brs、8F)
化合物(11)
H−NMR(DMSO−d6):δ(ppm)=6.20(s、2H)、5.82(s、2H)、5.35(m、2H)、4.83(t、4H)、1.91(s、6H)、1.80(m、8H)、0.89(t、6H)
19F−NMR(DMSO−d6):δ(ppm)=−116.5(s、4F)、−120.4(s、4F)
化合物(12)
H−NMR(DMSO−d6):δ(ppm)=6.21(s、2H)、5.84(s、2H)、5.38(m、2H)、4.49(t、4H)、2.80(m、4H)、1.90(s、6H)、1.75(m、8H)、0.89(t、6H)
19F−NMR(DMSO−d6):δ(ppm)=−107.2(s、4F)、−119.8(s、4F)
化合物(13)
H−NMR(DMSO−d6):δ(ppm)=6.13(s、2H)、5.84(s、2H)、4.90(t、4H)、1.92(s、6H)
19F−NMR(DMSO−d6):δ(ppm)=−116.1(s、4F)、−120.8(s、4F)
Compounds (9) to (13) were synthesized by the same method as for compound (8).
NMR measurement was also performed for the compounds (9) to (13), and the structure was identified from the following results.
Compound (9)
1 H-NMR (DMSO-d6): δ (ppm) = 6.14 (s, 2H), 5.81 (s, 2H), 4.90 (s, 4H), 4.92 (t, 4H) 1.91 (s, 6H)
19 F-NMR (DMSO-d6): δ (ppm) = − 116.2 (s, 4F), −120.4 (s, 2F)
Compound (10)
1 H-NMR (DMSO-d6): δ (ppm) = 6.15 (s, 2H), 5.81 (s, 2H), 4.91 (s, 4H), 4.92 (t, 4H) 1.91 (s, 6H)
19 F-NMR (DMSO-d6): δ (ppm) = − 116.0 (s, 4F), −120.8 (brs, 8F)
Compound (11)
1 H-NMR (DMSO-d6): δ (ppm) = 6.20 (s, 2H), 5.82 (s, 2H), 5.35 (m, 2H), 4.83 (t, 4H) 1.91 (s, 6H), 1.80 (m, 8H), 0.89 (t, 6H)
19 F-NMR (DMSO-d6): δ (ppm) = − 116.5 (s, 4F), −120.4 (s, 4F)
Compound (12)
1 H-NMR (DMSO-d6): δ (ppm) = 6.21 (s, 2H), 5.84 (s, 2H), 5.38 (m, 2H), 4.49 (t, 4H) 2.80 (m, 4H), 1.90 (s, 6H), 1.75 (m, 8H), 0.89 (t, 6H)
19 F-NMR (DMSO-d6): δ (ppm) = − 107.2 (s, 4F), −119.8 (s, 4F)
Compound (13)
1 H-NMR (DMSO-d6): δ (ppm) = 6.13 (s, 2H), 5.84 (s, 2H), 4.90 (t, 4H), 1.92 (s, 6H)
19 F-NMR (DMSO-d6): δ (ppm) = − 116.1 (s, 4F), −120.8 (s, 4F)

[高分子化合物の合成]
下記の表1に示す構造の高分子化合物1は下記方法で、下記の表1、2に示す構造の高分子化合物2〜20は高分子化合物1と同様の方法で合成した。
[Synthesis of polymer compounds]
The polymer compound 1 having the structure shown in Table 1 below was synthesized by the following method, and the polymer compounds 2 to 20 having the structures shown in Tables 1 and 2 were synthesized by the same method as the polymer compound 1.

[高分子化合物1の合成]
温度計、還流管、窒素導入管を繋いだセパラブルフラスコに、6.96gのメチルエチルケトン(MEK)を入れて、80℃に加熱した。ここに8.00g(35.37mmol)の下記化合物(1)、2.96g(13.20mmol)の下記化合物(2)、2.17g(4.22mmol)の下記化合物(3)、重合開始剤として15.84mmolのアゾビスイソ酪酸ジメチル(V−601)を、19.70gのMEKに溶解させた溶液を、窒素雰囲気下、3時間かけて滴下した。
滴下終了後、反応液を3時間加熱攪拌し、その後、反応液を室温まで冷却した。得られた反応重合液を大量のn−ヘプタンに滴下し、重合体を析出させる操作を行い、沈殿した白色粉体をろ別、乾燥して、高分子化合物1を5.37g得た。
この高分子化合物1について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量(Mw)は15,000、分子量分散度(Mw/Mn)は2.55であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル(600MHz_13C−NMR)により求められた化合物(1)、(2)、(3)のモル比は(1)/(2)/(3)=69/19/12であった。
[Synthesis of Polymer Compound 1]
In a separable flask connected with a thermometer, a reflux tube, and a nitrogen introduction tube, 6.96 g of methyl ethyl ketone (MEK) was placed and heated to 80 ° C. Here, 8.00 g (35.37 mmol) of the following compound (1), 2.96 g (13.20 mmol) of the following compound (2), 2.17 g (4.22 mmol) of the following compound (3), polymerization initiator As a solution, 15.84 mmol of dimethyl azobisisobutyrate (V-601) dissolved in 19.70 g of MEK was added dropwise over 3 hours under a nitrogen atmosphere.
After completion of dropping, the reaction solution was heated and stirred for 3 hours, and then the reaction solution was cooled to room temperature. The obtained reaction polymerization liquid was dropped into a large amount of n-heptane, and an operation for precipitating the polymer was performed. The precipitated white powder was filtered and dried to obtain 5.37 g of polymer compound 1.
For this polymer compound 1, the weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement was 15,000, and the molecular weight dispersity (Mw / Mn) was 2.55. The molar ratio of the compounds (1), (2), and (3) determined by carbon 13 nuclear magnetic resonance spectrum (600 MHz — 13 C-NMR) was (1) / (2) / (3) = 69/19. / 12.

Figure 2014071159
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得られた上記高分子化合物を用いて、以下の表3〜5に示す配合比で各成分を配合したレジスト組成物(実施例1〜20,比較例1〜4)を調製した。   Using the obtained polymer compound, resist compositions (Examples 1 to 20 and Comparative Examples 1 to 4) in which the respective components were blended at the blending ratios shown in Tables 3 to 5 below were prepared.

Figure 2014071159
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表3〜5中、各記号はそれぞれ以下の意味を有し、[]内の数値は配合量(質量部)である。
・(A)−13〜(A)−20:それぞれ前記高分子化合物13〜20。
・(B)−1:下記化合物(B)−1。
・(D)−1:下記化合物(D)−1。
・(F)−1〜(F)−12:それぞれ前記高分子化合物1〜12。
・(E)−1:サリチル酸。
・(S)−1:PGMEA/PGME/シクロヘキサノン(質量比45/30/25)の混合溶媒。
In Tables 3 to 5, each symbol has the following meaning, and the numerical value in [] is the blending amount (part by mass).
-(A) -13- (A) -20: The polymer compounds 13-20, respectively.
-(B) -1: The following compound (B) -1.
-(D) -1: The following compound (D) -1.
-(F) -1-(F) -12: The said high molecular compounds 1-12, respectively.
-(E) -1: salicylic acid.
-(S) -1: Mixed solvent of PGMEA / PGME / cyclohexanone (mass ratio 45/30/25).

Figure 2014071159
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得られたレジスト組成物を用いて以下の評価を行った。
<レジストパターンの形成1:実施例1〜17、比較例1〜3>
12インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物「ARC29A」(商品名、ブリュワーサイエンス社製)をスピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚90nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、該有機系反射防止膜上に、各例のレジスト組成物を、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、110℃で60秒間のベーク処理(PAB)を行ってレジスト膜(膜厚90nm)を成膜した。該レジスト膜に対し、次に、ArF液浸露光装置NSR−S609(ニコン社製;NA(開口数)=1.07,Cross pole(in/out=0.78/0.97)with Polano)、ArFエキシマレーザーを、マスクを介して選択的に照射した。その後、95℃で60秒間のベーク処理(PEB)を行い、さらに23℃にてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の2.38質量%水溶液(商品名:NMD−3、東京応化工業(株)製)を用いて10秒間のアルカリ現像を行った。
その結果、実施例1〜17、比較例1〜3において、ライン幅55nm、ピッチ110nmのラインアンドスペースのレジストパターン(以下「LSパターン」という。)が形成された。
The following evaluation was performed using the obtained resist composition.
<Resist pattern formation 1: Examples 1-17, Comparative Examples 1-3>
An organic antireflection film composition “ARC29A” (trade name, manufactured by Brewer Science) is applied onto a 12-inch silicon wafer using a spinner, and baked on a hot plate at 205 ° C. for 60 seconds to be dried. Thus, an organic antireflection film having a thickness of 90 nm was formed. Then, the resist composition of each example was uniformly applied on the organic antireflection film using a spinner, and baked (PAB) at 110 ° C. for 60 seconds to obtain a resist film (film thickness 90 nm). Was deposited. Next, the ArF immersion exposure apparatus NSR-S609 (Nikon Corporation; NA (numerical aperture) = 1.07, Cross pole (in / out = 0.78 / 0.97) with Polano) , ArF excimer laser was selectively irradiated through a mask. Thereafter, baking treatment (PEB) was performed at 95 ° C. for 60 seconds, and further a 2.38 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) at 23 ° C. (trade name: NMD-3, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) For 10 seconds.
As a result, in Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 3, a line-and-space resist pattern (hereinafter referred to as “LS pattern”) having a line width of 55 nm and a pitch of 110 nm was formed.

<レジストパターンの形成2:実施例18〜20、比較例4>
調製したレジスト組成物を、8インチシリコンウェーハ上にスピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で110℃、60秒間のプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、膜厚90nmのレジスト膜を形成した。
該レジスト膜に対して、ArF露光装置NSR−S302(製品名、Nikon社製)により、ArFエキシマレーザー(193nm)を、マスクを介して選択的に露光した。その後、95℃、60秒間の露光後加熱(PEB)処理を行った。さらに23℃にてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の2.38質量%水溶液(商品名:NMD−3、東京応化工業(株)製)を用いて30秒間のアルカリ現像を行った。その結果、実施例18〜20、比較例4において、ライン幅130nm、ピッチ260nmのラインアンドスペースのレジストパターン(以下「LSパターン」という。)が形成された。
<Resist Pattern Formation 2: Examples 18-20, Comparative Example 4>
The prepared resist composition is applied onto an 8-inch silicon wafer using a spinner, subjected to a pre-baking (PAB) treatment at 110 ° C. for 60 seconds on a hot plate, and dried to form a resist film having a thickness of 90 nm. Formed.
The resist film was selectively exposed with an ArF excimer laser (193 nm) through a mask using an ArF exposure apparatus NSR-S302 (product name, manufactured by Nikon). Thereafter, a post-exposure heating (PEB) treatment at 95 ° C. for 60 seconds was performed. Furthermore, alkali development for 30 seconds was performed using a 2.38 mass% aqueous solution (trade name: NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) at 23 ° C. As a result, in Examples 18 to 20 and Comparative Example 4, a line-and-space resist pattern (hereinafter referred to as “LS pattern”) having a line width of 130 nm and a pitch of 260 nm was formed.

[ラインワイズラフネス(LWR)の評価]
上記<レジストパターンの形成>で形成したライン幅55nm、ピッチ110nmのLSパターンと、ライン幅130nm、ピッチ260nmのLSパターンについてLWRを示す尺度である3σを求めた。
「3σ」は、走査型電子顕微鏡(加速電圧800V、商品名:S−9220、日立ハイテクノロジーズ社製)により、ライン幅を、ラインの長手方向に400箇所測定し、その測定結果から求めた標準偏差(σ)の3倍値(3s)(単位:nm)を示す。該3sの値が小さいほど、ライン側壁のラフネスが小さく、より均一幅のLSパターンが得られたことを意味する。その結果を「LWR(nm)」として表6〜8に示す。
[Evaluation of line width roughness (LWR)]
3σ, which is a measure of LWR, was determined for the LS pattern having a line width of 55 nm and a pitch of 110 nm and the LS pattern having a line width of 130 nm and a pitch of 260 nm formed in the above <resist pattern formation>.
“3σ” is a standard obtained from a measurement result obtained by measuring 400 line widths in the longitudinal direction of a line with a scanning electron microscope (acceleration voltage 800 V, trade name: S-9220, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). The triple value (3 s) (unit: nm) of the deviation (σ) is shown. The smaller the value of 3s, the smaller the roughness of the line side wall, which means that an LS pattern having a more uniform width was obtained. The results are shown in Tables 6 to 8 as “LWR (nm)”.

[露光量Eop(mJ/cm;感度)]
該LSパターンが形成される最適露光量Eop(mJ/cm;感度)を求めた。その結果を表6〜8に示す。
[Exposure Amount Eop (mJ / cm 2 ; Sensitivity)]
The optimum exposure dose Eop (mJ / cm 2 ; sensitivity) for forming the LS pattern was determined. The results are shown in Tables 6-8.

[ディフェクト評価]
上記のようにして得られたLSパターンを、KLAテンコール社製の表面欠陥観察装置KLA2371(製品名)を用いて観察した。シリコンウェーハ1枚あたりの未露光部の現像欠陥の個数を測定した。結果を表6〜7に示す。
[Defect evaluation]
The LS pattern obtained as described above was observed using a surface defect observation apparatus KLA2371 (product name) manufactured by KLA Tencor. The number of development defects in the unexposed area per silicon wafer was measured. The results are shown in Tables 6-7.

Figure 2014071159
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[塩基分解性確認]
0.02gの高分子化合物13を、0.60gの重アセトンに溶解させ、ここに0.10gのTMAH2.38wt%水溶液(NMD−3)を添加し室温で5分間攪拌した。その後0.10gの1wt%塩酸水溶液を添加してから19F−NMRを測定した。なお、下記(F−III)のピークについては、原料(OFHD)のピークと重なることを確認した。
その結果、未反応の高分子化合物13(m=1)を(F−I)、片側だけ分解してOH基になったものを(F−II)、両側分解してOH基になったものを(F−III)としたとき、これらの存在比は(F−I)/(F−II)/(F−III)=10/34/56だったことから、アルカリ現像液に対して分解することが確認された。なお、(F−IV)も分解により生成するが、19F−NMRの測定上観測されないので、存在比を求める際は、(F−I)、(F−II)、(F−III)のみを対象とした。
同様の条件で高分子化合物19(m=0)の分解性を確認したところ、(F−I)/(F−II)/(F−III)=100/0/0だったことから、こちらの構造では塩基分解性が非常に低いことが確認された。
[Verification of base degradability]
0.02 g of the polymer compound 13 was dissolved in 0.60 g of heavy acetone, and 0.10 g of TMAH 2.38 wt% aqueous solution (NMD-3) was added thereto, followed by stirring at room temperature for 5 minutes. Then, 19 F-NMR was measured after adding 0.10 g of a 1 wt% hydrochloric acid aqueous solution. In addition, about the peak of the following (F-III), it confirmed that it overlapped with the peak of a raw material (OFHD).
As a result, unreacted polymer compound 13 (m = 1) is (FI), only one side is decomposed to become an OH group (F-II), both sides are decomposed to be an OH group Is (F-III), the abundance ratio of these was (FI) / (F-II) / (F-III) = 10/34/56. Confirmed to do. In addition, although (F-IV) is also produced | generated by decomposition | disassembly, since it is not observed on the measurement of 19 F-NMR, when calculating | requiring abundance ratio, only (F-I), (F-II), (F-III) Targeted.
This is because (FI) / (F-II) / (F-III) = 100/0/0 when the degradability of polymer compound 19 (m = 0) was confirmed under the same conditions. This structure was confirmed to have very low base decomposability.

Figure 2014071159
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Claims (18)

露光により酸を発生し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された構成単位を有する高分子化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。   A resist composition that generates an acid upon exposure and changes its solubility in an alkaline developer by the action of the acid, and contains a polymer compound having a structural unit that includes a base-decomposable group and is crosslinked with a crosslinked structure. A resist composition characterized by the above. 前記架橋構造で架橋された構成単位が下記一般式(I)で表される請求項1に記載のレジスト組成物。
Figure 2014071159
[式中、Rは独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Yは独立に2価の連結基であり、Vは置換基を有していてもよいn価のフッ素化アルキレン基であり、Vは独立に2価の連結基である。nは2〜4であり、R、YおよびVは同一でも異なっていてもよい。ただし、Vの少なくとも1つは炭素数1〜3のアルキレン基である。]
The resist composition according to claim 1, wherein the structural unit crosslinked with the crosslinked structure is represented by the following general formula (I).
Figure 2014071159
[Wherein, R is independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Y 1 is independently a divalent linking group, and V 1 is substituted. An optionally substituted valent fluorinated alkylene group, and V 2 is independently a divalent linking group. n is 2 to 4, and R, Y 1 and V 2 may be the same or different. However, at least one of V 2 is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. ]
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有し、前記基材成分(A)が、塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された構成単位を有する高分子化合物を含有する請求項1または2に記載のレジスト組成物。   A polymer containing a base component (A) whose solubility in an alkali developer is changed by the action of an acid, and the base component (A) having a structural unit containing a base-decomposable group and cross-linked with a cross-linked structure The resist composition according to claim 1 or 2, comprising a compound. 前記基材成分(A)が酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する請求項3に記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 3, wherein the base material component (A) has a structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid. フッ素原子を含む構成単位(f)を有する含フッ素樹脂成分(F)を含有する請求項1〜4のいずれか一項に記載のレジスト組成物。   The resist composition as described in any one of Claims 1-4 containing the fluorine-containing resin component (F) which has a structural unit (f) containing a fluorine atom. 前記含フッ素樹脂成分(F)が、フッ素原子を有しかつ塩基分解性基を有する構成単位(f1)を有する請求項5に記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 5, wherein the fluororesin component (F) has a structural unit (f1) having a fluorine atom and a base-decomposable group. 前記含フッ素樹脂成分(F)が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する請求項5または6に記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 5 or 6, wherein the fluororesin component (F) has a structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid. 前記含フッ素樹脂成分(F)が、塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された構成単位を有する高分子化合物(F1)を含有する請求項5〜7いずれか一項に記載のレジスト組成物。   The resist composition according to any one of claims 5 to 7, wherein the fluorine-containing resin component (F) contains a polymer compound (F1) having a structural unit containing a base-decomposable group and crosslinked with a crosslinked structure. . 前記高分子化合物(F1)が、前記一般式(I)で表される塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された構成単位を有する請求項8に記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 8, wherein the polymer compound (F1) has a structural unit containing a base-decomposable group represented by the general formula (I) and crosslinked with a crosslinked structure. 酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された構成単位を有する高分子化合物(F1)を含有する請求項1または2に記載のレジスト組成物。   The base component (A) whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid, and the polymer compound (F1) having a structural unit containing a base-decomposable group and crosslinked with a crosslinked structure. 2. The resist composition according to 2. 前記高分子化合物(F1)が、フッ素原子を含む構成単位(f)を有する請求項10に記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 10, wherein the polymer compound (F1) has a structural unit (f) containing a fluorine atom. 前記高分子化合物(F1)が、フッ素原子を有しかつ塩基分解性基を有する構成単位(f1)を有する請求項10に記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 10, wherein the polymer compound (F1) has a structural unit (f1) having a fluorine atom and having a base-decomposable group. 前記高分子化合物(F1)が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する請求項10〜12のいずれか一項に記載のレジスト組成物。   The resist composition as described in any one of Claims 10-12 in which the said high molecular compound (F1) has a structural unit (a1) containing the acid-decomposable group which polarity increases by the effect | action of an acid. 支持体上に、請求項1〜13のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。   A step of forming a resist film on the support using the resist composition according to any one of claims 1 to 13, a step of exposing the resist film, and developing the resist film to form a resist pattern A resist pattern forming method including a forming step. 塩基分解性基を含み架橋構造で架橋された下記一般式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物。
Figure 2014071159
[式中、Rは独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Yは独立に2価の連結基であり、Vは置換基を有していてもよいn価のフッ素化アルキレン基であり、Vは独立に2価の連結基である。nは2〜4であり、R、YおよびVは同一でも異なっていてもよい。ただし、Vの少なくとも1つは炭素数1〜3のアルキレン基である。]
A polymer compound having a structural unit represented by the following general formula (I), which contains a base-decomposable group and is crosslinked with a crosslinked structure.
Figure 2014071159
[Wherein, R is independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Y 1 is independently a divalent linking group, and V 1 is substituted. An optionally substituted valent fluorinated alkylene group, and V 2 is independently a divalent linking group. n is 2 to 4, and R, Y 1 and V 2 may be the same or different. However, at least one of V 2 is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. ]
酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する請求項15に記載の高分子化合物。   The polymer compound according to claim 15, which has a structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid. フッ素原子を含む構成単位(f)を有する請求項15または16に記載の高分子化合物。   The polymer compound according to claim 15 or 16, which has a structural unit (f) containing a fluorine atom. 下記一般式(II)で表される化合物。
Figure 2014071159
[式中、Rは独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Yは独立に2価の連結基であり、Vは置換基を有していてもよいn価のフッ素化アルキレン基であり、Vは独立に2価の連結基である。nは2〜4であり、R、YおよびVは同一でも異なっていてもよい。ただし、Vの少なくとも1つは炭素数1〜3のアルキレン基である。]
The compound represented by the following general formula (II).
Figure 2014071159
[Wherein, R is independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Y 1 is independently a divalent linking group, and V 1 is substituted. An optionally substituted valent fluorinated alkylene group, and V 2 is independently a divalent linking group. n is 2 to 4, and R, Y 1 and V 2 may be the same or different. However, at least one of V 2 is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. ]
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017105769A (en) * 2015-12-09 2017-06-15 住友化学株式会社 Compound, resin, resist composition, and method for producing resist pattern
WO2019146680A1 (en) * 2018-01-26 2019-08-01 三菱ケミカル株式会社 Photosensitive resin composition, partition wall, organic electroluminescent element, image display device and lighting

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0790030A (en) * 1993-09-27 1995-04-04 Menicon Co Ltd Ocular lens material
US20040006188A1 (en) * 2002-06-21 2004-01-08 Eunkyoung Kim Fluorinated acrylate derivatives having carbonate groups and polymerizable composition comprising same
US20050026071A1 (en) * 2003-07-30 2005-02-03 Lee Geun Su Photoresist polymers and photoresist compositions comprising the same
JP2006003846A (en) * 2004-06-21 2006-01-05 Daito Chemix Corp Chemically amplified photoresist polymer
JP2011008001A (en) * 2009-06-25 2011-01-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition and resist pattern forming method
JP2011013569A (en) * 2009-07-03 2011-01-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive type resist composition, method of forming resist pattern using the same, and fluorine-contained high molecular compound
JP2011053366A (en) * 2009-08-31 2011-03-17 Mitsubishi Chemicals Corp Photosensitive resin composition and reaction development patterning method using the same
JP2012233181A (en) * 2011-04-19 2012-11-29 Sumitomo Chemical Co Ltd Resin, resist composition and method for producing resist pattern
WO2013141265A1 (en) * 2012-03-23 2013-09-26 Jsr株式会社 Photoresist composition, resist pattern forming method, and polymer

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0790030A (en) * 1993-09-27 1995-04-04 Menicon Co Ltd Ocular lens material
US20040006188A1 (en) * 2002-06-21 2004-01-08 Eunkyoung Kim Fluorinated acrylate derivatives having carbonate groups and polymerizable composition comprising same
US20050026071A1 (en) * 2003-07-30 2005-02-03 Lee Geun Su Photoresist polymers and photoresist compositions comprising the same
JP2006003846A (en) * 2004-06-21 2006-01-05 Daito Chemix Corp Chemically amplified photoresist polymer
JP2011008001A (en) * 2009-06-25 2011-01-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition and resist pattern forming method
JP2011013569A (en) * 2009-07-03 2011-01-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive type resist composition, method of forming resist pattern using the same, and fluorine-contained high molecular compound
JP2011053366A (en) * 2009-08-31 2011-03-17 Mitsubishi Chemicals Corp Photosensitive resin composition and reaction development patterning method using the same
JP2012233181A (en) * 2011-04-19 2012-11-29 Sumitomo Chemical Co Ltd Resin, resist composition and method for producing resist pattern
WO2013141265A1 (en) * 2012-03-23 2013-09-26 Jsr株式会社 Photoresist composition, resist pattern forming method, and polymer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017105769A (en) * 2015-12-09 2017-06-15 住友化学株式会社 Compound, resin, resist composition, and method for producing resist pattern
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