JP2014070020A - Method of producing triarylsulfonium salt - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of producing, easily and with a high yield and high purity, a triarylsulfonium salt often used as a photoacid generator or a photo cation polymerization initiator.SOLUTION: There is provided a method of producing a triarylsulfonium salt represented by the formula (2), where R, Rand Rrepresent a monocyclic carbon ring group which may have a substituent group, a condensed polycyclic carbon ring group which may have a substituent group, or a monocyclic heterocyclic group which may have a substituent group, and Xrepresents an inorganic acid ion or an organic acid ion, including reacting diaryl sulfoxide of R-S(O)-R(a) and an aromatic compound (b) in the presence of Lewis acid (c), sulfonic acid and/or carboxylic acid (d) as well as sulphuric acid, and further reacting with an alkali metal salt of inorganic acid, an ammonium salt of inorganic acid, an alkali metal salt of organic acid or an ammonium salt of organic acid.

Description

本発明は、半導体製造分野などでは化学増幅型レジスト用の光酸発生剤として、あるいはインク、塗料、接着剤などの分野では光カチオン重合開始剤として有用なトリアリールスルホニウム塩の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a triarylsulfonium salt useful as a photoacid generator for a chemically amplified resist in the field of semiconductor production or as a photocationic polymerization initiator in the field of ink, paint, adhesive or the like.

トリアリールスルホニウム塩の製造方法としては、ジアリールスルホキシドと芳香族化合物を反応させ、五酸化リンとメタンスルホン酸の溶液の存在下でジアリールスルホキシドと芳香族化合物とを反応させることにより製造する方法(特許文献1)、ポリアリールスルホキシドとポリアリールスルフィドを脱水剤の存在下に強酸と接触させることにより製造する方法(特許文献2)、塩化アルミニウムの存在下にジアリールスルホキシドと芳香族化合物を反応させることにより製造する方法(非特許文献1)等が知られている。   As a method for producing a triarylsulfonium salt, a method in which a diaryl sulfoxide and an aromatic compound are reacted with each other, and a diaryl sulfoxide and an aromatic compound are reacted in the presence of a solution of phosphorus pentoxide and methanesulfonic acid (patent) Document 1), a process for producing polyarylsulfoxide and polyarylsulfide by contacting with strong acid in the presence of a dehydrating agent (Patent Document 2), by reacting diarylsulfoxide with an aromatic compound in the presence of aluminum chloride A manufacturing method (Non-patent Document 1) and the like are known.

しかしながら、五酸化リンとメタンスルホン酸の溶液の存在下でジアリールスルホキシドと芳香族化合物とを反応させる方法においては、五酸化リンは非常に吸湿性が高く取り扱いが困難であり、また五酸化リンをメタンスルホン酸に溶解させるためには加熱条件下に長時間攪拌する必要があり、工業的に有利な製造方法とはいい難い。また、ポリアリールスルホキシドとポリアリールスルフィドを脱水剤の存在下に強酸と接触させることにより製造する方法においては、使用できる基質が限定されること、副反応が多く生成収率が低くなるおそれがあることなどの問題があった。また、塩化アルミニウムの存在下にジアリールスルホキシドと芳香族化合物を反応させる方法においては、低収率であるばかりでなく、ジアリールスルホキシドに対して通常等モル以上の塩化アルミニウムが必要であり、アニソールのように塩化アルミニウムと錯体を形成するような芳香族化合物を原料とした場合は、さらに反応性が低下するめ多量の塩化アルミニウムが必要となり廃水量が非常に多くなる等の問題があった。   However, in the method of reacting diaryl sulfoxide and an aromatic compound in the presence of a solution of phosphorus pentoxide and methanesulfonic acid, phosphorus pentoxide is very hygroscopic and difficult to handle. In order to dissolve in methanesulfonic acid, it is necessary to stir for a long time under heating conditions, which is not an industrially advantageous production method. In addition, in the method for producing polyarylsulfoxide and polyarylsulfide by contacting them with a strong acid in the presence of a dehydrating agent, the substrate that can be used is limited, and there are many side reactions, which may reduce the production yield. There was a problem such as. In addition, in the method of reacting diaryl sulfoxide and an aromatic compound in the presence of aluminum chloride, not only is the yield low, but usually an equimolar amount or more of aluminum chloride is required with respect to diaryl sulfoxide. In addition, when an aromatic compound that forms a complex with aluminum chloride is used as a raw material, there is a problem that a large amount of aluminum chloride is required to further reduce the reactivity and the amount of waste water becomes very large.

特開平05−004996号公報JP 05-004996 A 特開昭61−100557号公報JP-A-61-100557

J.Org.Chem.,1968,33,2671J. et al. Org. Chem. , 1968, 33, 2671

本発明の目的は、光酸発生剤あるいは光カチオン重合開始剤として多用されているトリアリールスルホニウム塩を簡便に、高収率、高純度で製造することができる製造方法を提供することにある。   The objective of this invention is providing the manufacturing method which can manufacture the triaryl sulfonium salt often used as a photo-acid generator or a photocationic polymerization initiator simply by a high yield and high purity.

本発明者らは、ジアリールスルホキシド(a)、芳香族化合物(b)並びにスルホン酸および/またはカルボン酸(d)の溶液に硫酸を滴下することによりトリアリールスルホニウム塩を製造できることを検討したが、この方法では基質により反応性に大きな差が有り、場合によっては非常に低収率となることが明らかとなった。そこで更に鋭意検討を重ねた結果、前記ジアリールスルホキシド(a)、芳香族化合物(b)並びにスルホン酸および/またはカルボン酸(d)の溶液に硫酸を加えた系に、従来技術では多量に使用する必要があった塩化アルミニウム等のルイス酸を触媒量添加することにより、劇的に反応性が向上し、且つ副生成物の生成を抑制できることを見出し、さらに改良を重ねて本発明に至った。   The present inventors examined that a triarylsulfonium salt can be produced by dropping sulfuric acid into a solution of diaryl sulfoxide (a), aromatic compound (b) and sulfonic acid and / or carboxylic acid (d). In this method, it was revealed that there was a large difference in reactivity depending on the substrate, and in some cases, the yield was very low. As a result of further diligent investigations, a large amount is used in the prior art in a system in which sulfuric acid is added to the diaryl sulfoxide (a), aromatic compound (b), and sulfonic acid and / or carboxylic acid (d) solution. The inventors have found that by adding a catalytic amount of Lewis acid such as aluminum chloride which has been required, the reactivity can be dramatically improved and the formation of by-products can be suppressed, and further improvements have been made to the present invention.

すなわち、本発明は例えば以下の項に記載の主題を包含する。
項1.
式(1):
That is, the present invention includes, for example, the subject matters described in the following sections.
Item 1.
Formula (1):

Figure 2014070020
Figure 2014070020

(式中、Rおよび、Rは、それぞれ独立して、置換基を有してもよい単環式炭素環基、置換基を有してもよい縮合多環式炭素環基、または置換基を有してもよい単環式複素環基を示す。)で表されるジアリールスルホキシド(a)、および芳香族化合物(b)を、ルイス酸(c)、スルホン酸および/またはカルボン酸(d)、ならびに硫酸の存在下で反応させ、
さらに無機酸のアルカリ金属塩、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアルカリ金属塩、又は有機酸のアンモニウム塩と反応させ、式(2)
式(2):
(Wherein R 1 and R 2 are each independently a monocyclic carbocyclic group which may have a substituent, a condensed polycyclic carbocyclic group which may have a substituent, or a substituent. A diaryl sulfoxide (a) represented by a monocyclic heterocyclic group which may have a group) and an aromatic compound (b), a Lewis acid (c), a sulfonic acid and / or a carboxylic acid ( d), as well as reacting in the presence of sulfuric acid,
Further reaction with an alkali metal salt of an inorganic acid, an ammonium salt of an inorganic acid, an alkali metal salt of an organic acid, or an ammonium salt of an organic acid, and the formula (2)
Formula (2):

Figure 2014070020
Figure 2014070020

(式中、RおよびRは前記に同じであり、Rは、RおよびRから独立して、置換基を有してもよい単環式炭素環基、置換基を有してもよい縮合多環式炭素環基または置換基を有してもよい単環式複素環基を示す。Xは、無機酸イオンまたは有機酸イオンを示す。)で表されるトリアリールスルホニウム塩を製造する方法。 (In the formula, R 1 and R 2 are the same as defined above, and R 3 independently has a monocyclic carbocyclic group, which may have a substituent, independently of R 1 and R 2. A condensed polycyclic carbocyclic group which may optionally be substituted or a monocyclic heterocyclic group which may have a substituent, wherein X represents an inorganic acid ion or an organic acid ion. A method for producing a salt.

なお、用いる芳香族化合物(b)の構造式は“R−H”と表記できる。 The structural formula of the aromatic compound (b) to be used can be expressed as “R 3 —H”.

項2.
芳香族化合物(b)がアリールアルキルエーテル、ポリアリールエーテル、アリールアルキルスルフィド、ポリアリールスルフィド、および置換基を有してもよいチオフェンからなる群より選ばれた少なくとも1種である、項1に記載のトリアリールスルホニウム塩を製造する方法。
項3.
ルイス酸(c)が塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、塩化鉄、臭化鉄、塩化亜鉛、および臭化亜鉛からなる群より選ばれた少なくとも1種である、項1または2に記載のトリアリールスルホニウム塩を製造する方法。
項4.
スルホン酸および/またはカルボン酸(d)が、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、酢酸、プロピオン酸からなる群より選ばれた少なくとも1種である、項1〜3のいずれかに記載のトリアリールスルホニウム塩を製造する方法。
項5.
前記ルイス酸(c)の使用割合が、ジアリールスルホキシド(a)1モルに対して0.0001〜0.1モルである、請求項1〜4のいずれかに記載のトリアリールスルホニウム塩を製造する方法。
Item 2.
Item 2. The aromatic compound (b) is at least one selected from the group consisting of arylalkyl ethers, polyaryl ethers, arylalkyl sulfides, polyaryl sulfides, and optionally substituted thiophenes. A method for producing a triarylsulfonium salt.
Item 3.
Item 3. The triarylsulfonium according to item 1 or 2, wherein the Lewis acid (c) is at least one selected from the group consisting of aluminum chloride, aluminum bromide, iron chloride, iron bromide, zinc chloride, and zinc bromide. A method for producing a salt.
Item 4.
Item 3. The triarylsulfonium according to any one of Items 1 to 3, wherein the sulfonic acid and / or carboxylic acid (d) is at least one selected from the group consisting of methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, acetic acid, and propionic acid. A method for producing a salt.
Item 5.
The triarylsulfonium salt according to any one of claims 1 to 4, wherein the use ratio of the Lewis acid (c) is 0.0001 to 0.1 mol with respect to 1 mol of the diaryl sulfoxide (a). Method.

本発明に係るトリアリールスルホニウム塩の製造方法を用いることにより、簡便に、高収率で高純度のトリアリールスルホニウム塩を製造することができる。   By using the method for producing a triarylsulfonium salt according to the present invention, a triarylsulfonium salt with high yield and high purity can be easily produced.

本発明に用いるジアリールスルホキシド(a)は下記式(1)で表される化合物である。   The diaryl sulfoxide (a) used in the present invention is a compound represented by the following formula (1).

Figure 2014070020
Figure 2014070020

式中、RおよびRは、それぞれ独立して、置換基を有してもよい単環式炭素環基、置換基を有してもよい縮合多環式炭素環基、または置換基を有してもよい単環式複素環基を示す。特に制限されないが、RおよびRは同じ基であることが好ましい。 In the formula, each of R 1 and R 2 independently represents a monocyclic carbocyclic group which may have a substituent, a condensed polycyclic carbocyclic group which may have a substituent, or a substituent. The monocyclic heterocyclic group which may have is shown. Although not particularly limited, R 1 and R 2 are preferably the same group.

前記置換基を有してもよい単環式炭素環基、置換基を有してもよい縮合多環式炭素環基、および、置換基を有してもよい単環式複素環基は、それぞれ、置換基を有する場合は、1つの置換基を有するものであってもよく、複数の置換基を有するものであってもよい。また、複数の置換基を有する場合における当該置換基は、同じ置換基であってもよく、あるいはそれぞれ異なる置換基であってもよい。特に限定されないが、置換基を有する場合には、置換基数は1、2又は3が好ましい。   The monocyclic carbocyclic group that may have a substituent, the condensed polycyclic carbocyclic group that may have a substituent, and the monocyclic heterocyclic group that may have a substituent, When each has a substituent, it may have one substituent or may have a plurality of substituents. In the case of having a plurality of substituents, the substituents may be the same substituent or different substituents. Although not particularly limited, when it has a substituent, the number of substituents is preferably 1, 2 or 3.

当該置換基を有してもよい単環式炭素環基としては、例えば、置換基を有してもよいフェニル基(つまり、フェニル基および置換基を有するフェニル基)等が挙げられる。   Examples of the monocyclic carbocyclic group which may have a substituent include a phenyl group which may have a substituent (that is, a phenyl group and a phenyl group having a substituent).

当該置換基を有してもよい縮合多環式炭素環基としては、例えば、置換基を有してもよいナフチル基(つまり、ナフチル基および置換基を有するナフチル基)等が挙げられる。   Examples of the condensed polycyclic carbocyclic group which may have a substituent include a naphthyl group (that is, a naphthyl group and a naphthyl group having a substituent) which may have a substituent.

当該置換基を有してもよい単環式複素環基としては、例えば、置換基を有してもよいチエニル基(つまり、チエニル基および置換基を有するチエニル基)等が挙げられる。   Examples of the monocyclic heterocyclic group that may have a substituent include a thienyl group that has a substituent (that is, a thienyl group and a thienyl group that has a substituent).

なお、前記の置換基としては、例えば、水酸基、アセトキシ基、フェニル基、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数1〜4のアルキルチオ基、フェノキシ基、フェニルチオ基、チエニルチオ基およびハロゲン原子等が挙げられる。   Examples of the substituent include a hydroxyl group, an acetoxy group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 4 carbon atoms, a phenoxy group, and phenylthio. Group, thienylthio group, halogen atom and the like.

炭素数1〜10のアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であってよく、直鎖状であることが好ましい。また、炭素数は、より好ましくは1〜8、さらに好ましくは1〜6、よりさらに好ましくは1〜4である。当該炭素数1〜10のアルキル基としては、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−へキシル基、n−オクチル基およびn−デシル基等が好ましく挙げられる。なかでもメチル基、エチル基が好ましい。   The alkyl group having 1 to 10 carbon atoms may be linear or branched, and is preferably linear. Moreover, carbon number becomes like this. More preferably, it is 1-8, More preferably, it is 1-6, More preferably, it is 1-4. Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, and n-octyl group. And n-decyl group and the like are preferable. Of these, a methyl group and an ethyl group are preferable.

炭素数1〜4のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、およびメトキシエトキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group, a tert-butoxy group, and a methoxyethoxy group. Etc.

炭素数1〜4のアルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基およびn−ブチルチオ基等が挙げられる。   Examples of the alkylthio group having 1 to 4 carbon atoms include a methylthio group, an ethylthio group, an n-propylthio group, and an n-butylthio group.

ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子等が挙げられる。   As a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, for example.

前記式(1)中においてRで示される基およびRで示される基としては、置換基を有してもよい単環式炭素環基または置換基を有してもよい単環式複素環基が好適であり、中でもフェニル基、置換基を有するフェニル基、チエニル基または置換基を有するチエニル基がより好適である。また、置換基を有するフェニル基および置換基を有するチエニル基における置換基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、n−ブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、ヒドロキシ基、アセトキシ基、フェノキシ基、フェニルチオ基、チエニルチオ基またはフッ素原子が好適であり、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基がより好適である。 In the formula (1), the group represented by R 1 and the group represented by R 2 may be a monocyclic carbocyclic group which may have a substituent or a monocyclic heterocycle which may have a substituent. A cyclic group is preferable, and among them, a phenyl group, a phenyl group having a substituent, a thienyl group, or a thienyl group having a substituent is more preferable. In addition, as a substituent in the phenyl group having a substituent and the thienyl group having a substituent, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, a methoxy group, an ethoxy group N-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group, isopropylthio group, n-butylthio group, tert- A butylthio group, a hydroxy group, an acetoxy group, a phenoxy group, a phenylthio group, a thienylthio group or a fluorine atom is preferable, and a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group are more preferable A.

特にRで示される基及び/又はRで示される基が、置換基を有するフェニル基である場合は、具体例として2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基(すなわち、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基)、2−エチルフェニル基、3−エチルフェニル基、4−エチルフェニル基、2−n−プロピルフェニル基、3−n−プロピルフェニル基、4−n−プロピルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、3−イソプロピルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、2−n−ブチルフェニル基、3−n−ブチルフェニル基、4−n−ブチルフェニル基、2−tert−ブチルフェニル基、3−tert−ブチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、2−メトキシフェニル基、3−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、2−エトキシフェニル基、3−エトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、2−n−プロポキシフェニル基、3−n−プロポキシフェニル基、4−n−プロポキシフェニル基、2−イソプロポキシフェニル基、3−イソプロポキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、2−n−ブトキシフェニル基、3−n−ブトキシフェニル基、4−n−ブトキシフェニル基、2−イソブトキシフェニル基、3−イソブトキシフェニル基、4−イソブトキシフェニル基、2−sec−ブトキシフェニル基、3−sec−ブトキシフェニル基、4−sec−ブトキシフェニル基、2−tert−ブトキシフェニル基、3−tert−ブトキシフェニル基、4−tert−ブトキシフェニル基、2−メチルチオフェニル基、3−メチルチオフェニル基、4−メチルチオフェニル基、2−エチルチオフェニル基、3−エチルチオフェニル基、4−エチルチオフェニル基、2−n−プロピルチオフェニル基、3−n−プロピルチオフェニル基、4−n−プロピルチオフェニル基、2−イソプロピルチオフェニル基、3−イソプロピルチオフェニル基、4−イソプロピルチオフェニル基、2−n−ブチルチオフェニル基、3−n−ブチルチオフェニル基、4−n−ブチルチオフェニル基、2−tert−ブチルチオフェニル基、3−tert−ブチルチオフェニル基、4−tert−ブチルチオフェニル基、2−ヒドロキシフェニル基、3−ヒドロキシフェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、2−アセトキシフェニル基、3−アセトキシフェニル基、4−アセトキシフェニル基、2−フルオロフェニル基、3−フルオロフェニル基、4−フルオロフェニル基、2−クロロフェニル基、3−クロロフェニル基、4−クロロフェニル基、2−ブロモフェニル基、3−ブロモフェニル基、4−ブロモフェニル基、2−ヨードフェニル基、3−ヨードフェニル基、4−ヨードフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、3,4−ジメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基が好ましく挙げられ、なかでも4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−n−プロピルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、4−n−ブチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、4−n−プロポキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、4−n−ブトキシフェニル基、4−メチルチオフェニル基、4−フルオロフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基が好ましい。 In particular, when the group represented by R 1 and / or the group represented by R 2 is a phenyl group having a substituent, specific examples include a 2-methylphenyl group, a 3-methylphenyl group, a 4-methylphenyl group ( That is, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group), 2-ethylphenyl group, 3-ethylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 2-n-propylphenyl group, 3-n-propylphenyl Group, 4-n-propylphenyl group, 2-isopropylphenyl group, 3-isopropylphenyl group, 4-isopropylphenyl group, 2-n-butylphenyl group, 3-n-butylphenyl group, 4-n-butylphenyl Group, 2-tert-butylphenyl group, 3-tert-butylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 2-methoxyphenyl group, 3-methoxyphenyl 4-methoxyphenyl group, 2-ethoxyphenyl group, 3-ethoxyphenyl group, 4-ethoxyphenyl group, 2-n-propoxyphenyl group, 3-n-propoxyphenyl group, 4-n-propoxyphenyl group, 2 -Isopropoxyphenyl group, 3-isopropoxyphenyl group, 4-isopropoxyphenyl group, 2-n-butoxyphenyl group, 3-n-butoxyphenyl group, 4-n-butoxyphenyl group, 2-isobutoxyphenyl group 3-isobutoxyphenyl group, 4-isobutoxyphenyl group, 2-sec-butoxyphenyl group, 3-sec-butoxyphenyl group, 4-sec-butoxyphenyl group, 2-tert-butoxyphenyl group, 3-tert -Butoxyphenyl group, 4-tert-butoxyphenyl group, 2-methylthiophenyl Group, 3-methylthiophenyl group, 4-methylthiophenyl group, 2-ethylthiophenyl group, 3-ethylthiophenyl group, 4-ethylthiophenyl group, 2-n-propylthiophenyl group, 3-n-propylthio Phenyl group, 4-n-propylthiophenyl group, 2-isopropylthiophenyl group, 3-isopropylthiophenyl group, 4-isopropylthiophenyl group, 2-n-butylthiophenyl group, 3-n-butylthiophenyl group 4-n-butylthiophenyl group, 2-tert-butylthiophenyl group, 3-tert-butylthiophenyl group, 4-tert-butylthiophenyl group, 2-hydroxyphenyl group, 3-hydroxyphenyl group, 4 -Hydroxyphenyl group, 2-acetoxyphenyl group, 3-acetoxyphenyl group, 4-acetoxy group Phenyl group, 2-fluorophenyl group, 3-fluorophenyl group, 4-fluorophenyl group, 2-chlorophenyl group, 3-chlorophenyl group, 4-chlorophenyl group, 2-bromophenyl group, 3-bromophenyl group, 4- Preferred examples include bromophenyl group, 2-iodophenyl group, 3-iodophenyl group, 4-iodophenyl group, 2,4-dimethylphenyl group, 3,4-dimethylphenyl group, and 2,4,6-trimethylphenyl group. Among them, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-n-propylphenyl group, 4-isopropylphenyl group, 4-n-butylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-methoxyphenyl Group, 4-ethoxyphenyl group, 4-n-propoxyphenyl group, 4-isopropoxyphenyl group, -n- butoxyphenyl group, 4-methylthiophenyl group, 4-fluorophenyl group, 2,4-dimethylphenyl group is preferable.

また、Rで示される基及び/又はRで示される基が、ビフェニル基である場合は、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基であってよく、中でも4−ビフェニル基が好ましい。ナフチル基である場合は、1−ナフチル基、2−ナフチル基であってよく、中でも2−ナフチル基が好ましい。 When the group represented by R 1 and / or the group represented by R 2 is a biphenyl group, it may be a 2-biphenyl group, a 3-biphenyl group, or a 4-biphenyl group, and among them, a 4-biphenyl group. Is preferred. When it is a naphthyl group, it may be a 1-naphthyl group or a 2-naphthyl group, and among them, a 2-naphthyl group is preferable.

また、Rで示される基及び/又はRで示される基が、チエニル基である場合は、2−チエニル基及び3−チエニル基のいずれでもよく、2−チエニル基が好ましい。 In addition, when the group represented by R 1 and / or the group represented by R 2 is a thienyl group, either a 2-thienyl group or a 3-thienyl group may be used, and a 2-thienyl group is preferable.

また、Rで示される基及び/又はRで示される基が、置換基を有するチエニル基である場合には、具体例として3−メチルチエニル基、4−メチルチエニル基、5−メチルチエニル基(特に3−メチルチオフェン−2−イル基、4−メチルチオフェン−2−イル基、5−メチルチオフェン−2−イル基)が好ましく挙げられる。 When the group represented by R 1 and / or the group represented by R 2 is a thienyl group having a substituent, specific examples include a 3-methylthienyl group, a 4-methylthienyl group, and a 5-methylthienyl group. A group (particularly 3-methylthiophen-2-yl group, 4-methylthiophen-2-yl group, 5-methylthiophen-2-yl group) is preferably exemplified.

式(1)で表されるジアリールスルホキシドの具体例としては、
ジフェニルスルホキシド、ビス(4−メチルフェニル)スルホキシド、ビス(4−エチルフェニル)スルホキシド、ビス(4−n−プロピルフェニル)スルホキシド、ビス(4−イソプロピルフェニル)スルホキシド、ビス(4−n−ブチルフェニル)スルホキシド、ビス(4−tert−ブチルフェニル)スルホキシド、ビス(4−ビフェニル)スルホキシド、
ビス(4−メトキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−エトキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−n−プロポキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−イソプロポキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−n−ブトキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−イソブトキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−sec−ブトキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−tert−ブトキシフェニル)スルホキシド、
ビス(4−メチルチオフェニル)スルホキシド、ビス(4−エチルチオフェニル)スルホキシド、ビス(4−n−プロピルチオフェニル)スルホキシド、ビス(4−イソプロピルチオフェニル)スルホキシド、ビス(4−n−ブチルチオフェニル)スルホキシド、ビス(4−tert−ブチルチオフェニル)スルホキシド、4−メチルフェニル−(2,4−ジメチルフェニル)スルホキシド
ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−アセトキシフェニル)スルホキシド、
ビス(4−フルオロフェニル)スルホキシド、ビス(4−クロロフェニル)スルホキシド、ビス(4−ブロモフェニル)スルホキシド、ビス(4−ヨードフェニル)スルホキシド、
ビス(2,4−ジメチルフェニル)スルホキシド、ビス(3,4−ジメチルフェニル)スルホキシド、ビス(2,4,6−トリメチルフェニル)スルホキシド、
ジ−(2−チエニル)スルホキシド、ジ−(2−ナフチル)スルホキシド等が挙げられる。
Specific examples of the diaryl sulfoxide represented by the formula (1) include
Diphenyl sulfoxide, bis (4-methylphenyl) sulfoxide, bis (4-ethylphenyl) sulfoxide, bis (4-n-propylphenyl) sulfoxide, bis (4-isopropylphenyl) sulfoxide, bis (4-n-butylphenyl) Sulfoxide, bis (4-tert-butylphenyl) sulfoxide, bis (4-biphenyl) sulfoxide,
Bis (4-methoxyphenyl) sulfoxide, bis (4-ethoxyphenyl) sulfoxide, bis (4-n-propoxyphenyl) sulfoxide, bis (4-isopropoxyphenyl) sulfoxide, bis (4-n-butoxyphenyl) sulfoxide, Bis (4-isobutoxyphenyl) sulfoxide, bis (4-sec-butoxyphenyl) sulfoxide, bis (4-tert-butoxyphenyl) sulfoxide,
Bis (4-methylthiophenyl) sulfoxide, bis (4-ethylthiophenyl) sulfoxide, bis (4-n-propylthiophenyl) sulfoxide, bis (4-isopropylthiophenyl) sulfoxide, bis (4-n-butylthiophenyl) ) Sulfoxide, bis (4-tert-butylthiophenyl) sulfoxide, 4-methylphenyl- (2,4-dimethylphenyl) sulfoxide bis (4-hydroxyphenyl) sulfoxide, bis (4-acetoxyphenyl) sulfoxide,
Bis (4-fluorophenyl) sulfoxide, bis (4-chlorophenyl) sulfoxide, bis (4-bromophenyl) sulfoxide, bis (4-iodophenyl) sulfoxide,
Bis (2,4-dimethylphenyl) sulfoxide, bis (3,4-dimethylphenyl) sulfoxide, bis (2,4,6-trimethylphenyl) sulfoxide,
Examples include di- (2-thienyl) sulfoxide, di- (2-naphthyl) sulfoxide, and the like.

これらの中でも、ジフェニルスルホキシド、ビス(4−メチルフェニル)スルホキシド、ビス(4−エチルフェニル)スルホキシド、ビス(4−n−プロピルフェニル)スルホキシド、ビス(4−イソプロピルフェニル)スルホキシド、ビス(4−n−ブチルフェニル)スルホキシド、ビス(4−メトキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−エトキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−n−プロポキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−イソプロポキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−n−ブトキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−メチルチオフェニル)スルホキシド、ビス(4−フルオロフェニル)スルホキシドおよびビス(2,4−ジメチルフェニル)スルホキシドが好適に用いられる。   Among these, diphenyl sulfoxide, bis (4-methylphenyl) sulfoxide, bis (4-ethylphenyl) sulfoxide, bis (4-n-propylphenyl) sulfoxide, bis (4-isopropylphenyl) sulfoxide, bis (4-n -Butylphenyl) sulfoxide, bis (4-methoxyphenyl) sulfoxide, bis (4-ethoxyphenyl) sulfoxide, bis (4-n-propoxyphenyl) sulfoxide, bis (4-isopropoxyphenyl) sulfoxide, bis (4-n -Butoxyphenyl) sulfoxide, bis (4-methylthiophenyl) sulfoxide, bis (4-fluorophenyl) sulfoxide and bis (2,4-dimethylphenyl) sulfoxide are preferably used.

前記ジアリールスルホキシドは、公知の物質であるか、又は公知の方法により容易に製造される。市販されているものをそのまま使用してもよいし、適宜製造したものを使用してもよい。ジアリールスルホキシドの製造方法としては特に限定されず、例えば、ジアリールスルホキシドが、式(1)におけるRとRが共に4−メチルフェニル基であるビス(4−メチルフェニル)スルホキシドである場合は、トルエンと塩化チオニルとをトリフルオロメタンスルホン酸の存在下で反応させる方法(Synlett.,1999,1397)、また、ジアリールスルホキシドが、式(1)におけるRが4−メチルフェニル基であり、Rが2,4−ジメチルフェニル基である4−メチルフェニル−(2,4−ジメチルフェニル)スルホキシドである場合は、m−キシレンとp−トルエンスルフィニルクロリドとを塩化アルミニウムの存在下で反応させる方法(J.Org.Chem.,1974,39,1203)等の公知の方法により製造することができる。 The diaryl sulfoxide is a known substance or can be easily produced by a known method. What is marketed may be used as it is, and what was manufactured suitably may be used. The method for producing diaryl sulfoxide is not particularly limited. For example, when diaryl sulfoxide is bis (4-methylphenyl) sulfoxide in which R 1 and R 2 in formula (1) are both 4-methylphenyl groups, A method of reacting toluene and thionyl chloride in the presence of trifluoromethanesulfonic acid (Synlett., 1999, 1397), or diaryl sulfoxide, wherein R 1 in formula (1) is a 4-methylphenyl group, R 2 Is 4-methylphenyl- (2,4-dimethylphenyl) sulfoxide in which is a 2,4-dimethylphenyl group, a method of reacting m-xylene and p-toluenesulfinyl chloride in the presence of aluminum chloride ( J. Org. Chem., 1974, 39, 1203) It can manufacture by the method of.

本発明に係る芳香族化合物(b)は、式(2)におけるアリール基(R)を導入する作用を果たす化合物である。芳香族化合物(b)は、芳香環上に少なくとも1つ以上の水素原子を有する化合物である。(b)としては、例えば置換基を有してもよい単環式炭素環化合物、置換基を有してもよい縮合多環式炭素環化合物または置換基を有してもよい単環式複素環化合物が挙げられる。 The aromatic compound (b) according to the present invention is a compound that functions to introduce the aryl group (R 3 ) in the formula (2). The aromatic compound (b) is a compound having at least one hydrogen atom on the aromatic ring. Examples of (b) include a monocyclic carbocyclic compound which may have a substituent, a condensed polycyclic carbocyclic compound which may have a substituent, or a monocyclic heterocycle which may have a substituent. A ring compound is mentioned.

前記置換基を有してもよい単環式炭素環化合物、置換基を有してもよい縮合多環式炭素環化合物、および、置換基を有してもよい単環式複素環化合物は、それぞれ独立して、置換基を有する場合は、1つの置換基を有するものであってもよく、複数の置換基を有するものであってもよい。また、複数の置換基を有する場合における当該置換基は、同種の置換基であってもよく、あるいは異なる置換基であってもよい。特に限定されないが、置換基を有する場合には、置換基数は1、2又は3が好ましい。   The monocyclic carbocyclic compound which may have the substituent, the condensed polycyclic carbocyclic compound which may have a substituent, and the monocyclic heterocyclic compound which may have a substituent, When each has a substituent, it may have one substituent or may have a plurality of substituents. In the case of having a plurality of substituents, the substituents may be the same type of substituents or different substituents. Although not particularly limited, when it has a substituent, the number of substituents is preferably 1, 2 or 3.

当該置換基を有してもよい単環式炭素環化合物としては、例えば、ベンゼンおよび置換基を有するベンゼン等が挙げられる。   Examples of the monocyclic carbocyclic compound which may have the substituent include benzene and benzene having a substituent.

当該置換基を有してもよい縮合多環式炭素環化合物としては、例えば、ナフタレンおよび置換基を有するナフタレン等が挙げられる。   Examples of the condensed polycyclic carbocyclic compound which may have the substituent include naphthalene and naphthalene having a substituent.

当該置換基を有してもよい単環式複素環化合物としては、例えば、チオフェンおよび置換基を有するチオフェン等が挙げられる。   Examples of the monocyclic heterocyclic compound which may have a substituent include thiophene and thiophene having a substituent.

なお、前記の置換基としては、例えば、水酸基、アセトキシ基、フェニル基、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数1〜4のアルキルチオ基、フェノキシ基、フェニルチオ基、チエニルチオ基およびハロゲン原子等が挙げられる。   Examples of the substituent include a hydroxyl group, an acetoxy group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 4 carbon atoms, a phenoxy group, and phenylthio. Group, thienylthio group, halogen atom and the like.

炭素数1〜10のアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であってよく、直鎖状であることが好ましい。また、炭素数は、より好ましくは1〜8、さらに好ましくは1〜6、よりさらに好ましくは1〜4である。当該炭素数1〜10のアルキル基としては、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−へキシル基、n−オクチル基およびn−デシル基等が好ましく挙げられる。なかでもメチル基、エチル基が好ましい。   The alkyl group having 1 to 10 carbon atoms may be linear or branched, and is preferably linear. Moreover, carbon number becomes like this. More preferably, it is 1-8, More preferably, it is 1-6, More preferably, it is 1-4. Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n- A hexyl group, n-octyl group, n-decyl group, etc. are mentioned preferably. Of these, a methyl group and an ethyl group are preferable.

炭素数1〜4のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、およびメトキシエトキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group, a tert-butoxy group, and a methoxyethoxy group. Etc.

炭素数1〜4のアルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基およびn−ブチルチオ基等が挙げられる。   Examples of the alkylthio group having 1 to 4 carbon atoms include a methylthio group, an ethylthio group, an n-propylthio group, and an n-butylthio group.

ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子等が挙げられる。   As a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, for example.

前記芳香族化合物(b)としては、置換基を有してもよい単環式炭素環化合物および置換基を有してもよい単環式複素環化合物が好適であり、中でも置換基を有するベンゼン(例えばアリールアルキルエーテル、ポリアリールエーテル、アリールアルキルスルフィド、ポリアリールスルフィド等)、置換基を有してもよいチオフェン(つまりチオフェンおよび置換基を有するチオフェン)がより好適である。   As the aromatic compound (b), a monocyclic carbocyclic compound which may have a substituent and a monocyclic heterocyclic compound which may have a substituent are preferable, and among them, benzene having a substituent (For example, arylalkyl ethers, polyaryl ethers, arylalkyl sulfides, polyaryl sulfides, etc.) and thiophene that may have a substituent (that is, thiophene and thiophene having a substituent) are more preferable.

また、置換基を有するベンゼンおよび置換基を有するチオフェンにおける置換基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、フェノキシ基、フェニルチオ基、チエニルチオ基またはフッ素原子が好適であり、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、メチルチオ基、フェニルチオ基またはチエニルチオ基がより好適に用いられる。   Moreover, as a substituent in benzene having a substituent and thiophene having a substituent, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, a methoxy group, an ethoxy group, n -Propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, methylthio group, ethylthio group, phenoxy group, phenylthio group, thienylthio group or fluorine atom are preferred, methyl group , Ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, methylthio group, phenylthio group or thienylthio group are more preferably used. It is done.

芳香族化合物(b)としては、具体的には、例えば、
トルエン、エチルベンゼン、n−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、n−ブチルベンゼン、tert−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、n−プロポキシベンゼン、イソプロポキシベンゼン、n−ブトキシベンゼン、イソブトキシベンゼン、sec−ブトキシベンゼン、tert−ブトキシベンゼン、チオアニソール、エチルチオベンゼン、n−プロピルチオベンゼン、i−プロピルチオベンゼン、n−ブチルチオベンゼン、t−ブチルチオベンゼン、フェノール、アセトキシベンゼン、フルオロベンゼン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ビフェニル、ジフェニルエーテル、3−メチルジフェニルエーテル、3−フェノキシフェノール、p−フェノキシフェノール、3−フェノキシベンゾイルアルコール、ジフェニルスルフィド、フェニル−p−トリルスルフィド、4−エチルフェニルチオベンゼン、4−n−プロピルフェニルチオベンゼン、4−i−プロピルフェニルチオベンゼン、4−n−ブチルフェニルチオベンゼン、4−t−ブチルフェニルチオベンゼン、
ナフタレン、メチルナフタレン、メトキシナフタレン、
チオフェン、メチルチオフェン、エチルチオフェン、n−プロピルチオフェン、イソプロピルチオフェン、n−ブチルチオフェン、tert−ブチルチオフェン、メトキシチオフェン、エトキシチオフェン、n−プロポキシチオフェン、イソプロポキシチオフェン、n−ブトキシチオフェン、イソブトキシチオフェン、sec−ブトキシチオフェン、tert−ブトキシチオフェン、メチルチオチオフェン、エチルチオチオフェン、ヒドロキシチオフェン、アセトキシチオフェン、フェニルチオフェン、フェニルチオチオフェン、ビチオフェン、ジチエニルエーテル(2つのチオフェンが−O−で結合された構造を有する化合物;特に両チオフェンの2位が−O−で結合されたものが好ましい)、ジチエニルスルフィド(2つのチオフェンが−S−で結合された構造を有する化合物;特に両チオフェンの2位が−S−で結合されたものが好ましい)、等が挙げられる。
As an aromatic compound (b), specifically, for example,
Toluene, ethylbenzene, n-propylbenzene, isopropylbenzene, n-butylbenzene, tert-butylbenzene, anisole, ethoxybenzene, n-propoxybenzene, isopropoxybenzene, n-butoxybenzene, isobutoxybenzene, sec-butoxybenzene, tert-butoxybenzene, thioanisole, ethylthiobenzene, n-propylthiobenzene, i-propylthiobenzene, n-butylthiobenzene, t-butylthiobenzene, phenol, acetoxybenzene, fluorobenzene, chlorobenzene, bromobenzene, biphenyl , Diphenyl ether, 3-methyldiphenyl ether, 3-phenoxyphenol, p-phenoxyphenol, 3-phenoxybenzoyl alcohol, diphen Sulfide, phenyl-p-tolyl sulfide, 4-ethylphenylthiobenzene, 4-n-propylphenylthiobenzene, 4-i-propylphenylthiobenzene, 4-n-butylphenylthiobenzene, 4-t-butylphenylthio benzene,
Naphthalene, methylnaphthalene, methoxynaphthalene,
Thiophene, methylthiophene, ethylthiophene, n-propylthiophene, isopropylthiophene, n-butylthiophene, tert-butylthiophene, methoxythiophene, ethoxythiophene, n-propoxythiophene, isopropoxythiophene, n-butoxythiophene, isobutoxythiophene, sec-butoxythiophene, tert-butoxythiophene, methylthiothiophene, ethylthiothiophene, hydroxythiophene, acetoxythiophene, phenylthiophene, phenylthiothiophene, bithiophene, dithienyl ether (having a structure in which two thiophenes are linked by -O- Compounds, particularly those in which the 2-positions of both thiophenes are bonded by -O-), dithienyl sulfide (two thiophenes are Compounds having a combined structure S-; particularly those 2-position of the two thiophene joined by -S- is preferred), and the like.

なお、上に(b)の具体例として列挙した化合物のうち、ジフェニルエーテル、3−メチルジフェニルエーテル、3−フェノキシフェノール、p−フェノキシフェノール、3−フェノキシベンゾイルアルコール、ジチエニルエーテルはポリアリールエーテルであり、ジフェニルスルフィド、フェニル−p−トリルスルフィド、4−エチルフェニルチオベンゼン、4−n−プロピルフェニルチオベンゼン、4−i−プロピルフェニルチオベンゼン、4−n−ブチルフェニルチオベンゼン、4−t−ブチルフェニルチオベンゼン、フェニルチオチオフェン、ジチエニルスルフィドはポリアリールスルフィドであり、チオアニソール、エチルチオベンゼン、n−プロピルチオベンゼン、i−プロピルチオベンゼン、n−ブチルチオベンゼン、t−ブチルチオベンゼンはアリールアルキルスルフィドである。   Of the compounds listed above as specific examples of (b), diphenyl ether, 3-methyldiphenyl ether, 3-phenoxyphenol, p-phenoxyphenol, 3-phenoxybenzoyl alcohol, and dithienyl ether are polyaryl ethers, Diphenyl sulfide, phenyl-p-tolyl sulfide, 4-ethylphenylthiobenzene, 4-n-propylphenylthiobenzene, 4-i-propylphenylthiobenzene, 4-n-butylphenylthiobenzene, 4-t-butylphenyl Thiobenzene, phenylthiothiophene, and dithienyl sulfide are polyaryl sulfides such as thioanisole, ethylthiobenzene, n-propylthiobenzene, i-propylthiobenzene, n-butylthiobenzene, and t-butyl. Lucio benzene is aryl alkyl sulfide.

これらの中でも、トルエン、エチルベンゼン、n−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、n−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、n−プロポキシベンゼン、イソプロポキシベンゼン、n−ブトキシベンゼン、ジフェニルエーテル、チオアニソール、ジフェニルスルフィド、
ビチオフェン、フェニルチオフェン、フェニルチオチオフェン、ジチエニルスルフィド、が好適に用いられる。
Among these, toluene, ethylbenzene, n-propylbenzene, isopropylbenzene, n-butylbenzene, anisole, ethoxybenzene, n-propoxybenzene, isopropoxybenzene, n-butoxybenzene, diphenyl ether, thioanisole, diphenyl sulfide,
Bithiophene, phenylthiophene, phenylthiothiophene, dithienyl sulfide are preferably used.

本発明に係るルイス酸(c)としては特に限定されるものではないが、具体的には、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ化アルミニウム、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄、塩化亜鉛、臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛、塩化チタン、臭化チタン、塩化スズ、臭化スズ、ヨウ化スズ等の金属ハロゲン化物、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、三ヨウ化ホウ素等のハロゲン化ホウ素化合物、塩化アンチモン、フッ化アンチモン等のハロゲン化アンチモン化合物、
ジメチルアルミニウムクロライド、メチルアルミニウムジクロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、エチルアルミニウムジクロライド、
トリフェニルホウ素、トリス(ペンタフルオロフェニル)ホウ素等の有機ホウ素化合物、
トリフルオロメタンスルホン酸ナトリウム、トリフルオロメタンスルホン酸亜鉛、トリフルオロメタンスルホン酸銅、トリフルオロメタンスルホン酸ランタン、トリフルオロメタンスルホン酸スカンジウム等の金属トリフラート、等が挙げられる。
The Lewis acid (c) according to the present invention is not particularly limited. Specifically, aluminum chloride, aluminum bromide, aluminum iodide, iron chloride, iron bromide, iron iodide, zinc chloride, Metal halides such as zinc bromide, zinc iodide, titanium chloride, titanium bromide, tin chloride, tin bromide, tin iodide, boron trifluoride, boron trichloride, boron tribromide, boron triiodide, etc. Boron halide compounds, antimony halide compounds such as antimony chloride and antimony fluoride,
Dimethylaluminum chloride, methylaluminum dichloride, diethylaluminum chloride, ethylaluminum dichloride,
Organoboron compounds such as triphenylboron and tris (pentafluorophenyl) boron,
And metal triflates such as sodium trifluoromethanesulfonate, zinc trifluoromethanesulfonate, copper trifluoromethanesulfonate, lanthanum trifluoromethanesulfonate, and scandium trifluoromethanesulfonate.

これらの中でも、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、塩化鉄、臭化鉄、塩化亜鉛、臭化亜鉛等の金属ハロゲン化物が好適に用いられる。これら、ルイス酸(c)は1種単独で使用してもよいし、あるいは2種以上を併用してもよい。   Among these, metal halides such as aluminum chloride, aluminum bromide, iron chloride, iron bromide, zinc chloride, and zinc bromide are preferably used. These Lewis acids (c) may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

限定的な解釈を望むものではないが、本発明にかかるスルホン酸および/またはカルボン酸(d)は、反応溶媒としてだけでなく、反応を促進させるための酸成分としての役割も兼ねると考えられる。また、スルホン酸および/またはカルボン酸(d)は、本発明で用いられる硫酸と芳香族化合物(b)等の基質とが直接接触して分解することを防ぐ緩衝剤のような役割を果たすと考えられる。   Although a limited interpretation is not desired, it is considered that the sulfonic acid and / or carboxylic acid (d) according to the present invention serves not only as a reaction solvent but also as an acid component for promoting the reaction. . In addition, the sulfonic acid and / or carboxylic acid (d) serves as a buffer that prevents the sulfuric acid and the substrate such as the aromatic compound (b) used in the present invention from coming into direct contact and decomposing. Conceivable.

前記スルホン酸としては、アルキルスルホン酸、芳香族スルホン酸等が挙げられる。これらの中でも、アルキルスルホン酸が好ましく、炭素数1〜8のアルキルスルホン酸がより好ましい。具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、オクタンスルホン酸等が挙げられる。   Examples of the sulfonic acid include alkyl sulfonic acid and aromatic sulfonic acid. Among these, alkylsulfonic acid is preferable, and alkylsulfonic acid having 1 to 8 carbon atoms is more preferable. Specific examples include methane sulfonic acid, ethane sulfonic acid, propane sulfonic acid, butane sulfonic acid, pentane sulfonic acid, and octane sulfonic acid.

前記カルボン酸としては、アルキルカルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。これらの中でも、アルキルカルボン酸が好ましく、炭素数1〜8のアルキルカルボン酸がより好ましい。具体的には、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸等が挙げられる。   Examples of the carboxylic acid include alkyl carboxylic acids and aromatic carboxylic acids. Among these, alkyl carboxylic acids are preferable, and alkyl carboxylic acids having 1 to 8 carbon atoms are more preferable. Specific examples include acetic acid, propionic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid and the like.

これらの中でも、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、酢酸、およびプロピオン酸からなる群より選ばれた少なくとも1種が好適に用いられる。これら、スルホン酸および/またはカルボン酸(d)は1種単独で使用してもよいし、あるいは2種以上を併用してもよい。すなわち、(d)として、上記スルホン酸及び上記カルボン酸からなる群より選択される少なくとも1種を用いることができる。   Among these, at least one selected from the group consisting of methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, acetic acid, and propionic acid is preferably used. These sulfonic acid and / or carboxylic acid (d) may be used alone or in combination of two or more. That is, as (d), at least one selected from the group consisting of the sulfonic acid and the carboxylic acid can be used.

前記芳香族化合物(b)の使用割合は、特に制限されるものではないが、収率を向上させる観点および経済性の観点から、式(1)で表されるジアリールスルホキシド(a)1モルに対して0.8〜2モルであることが好ましく、0.9〜1.8モルであることがより好ましく、0.9〜1.5モルであることがさらに好ましい。前記芳香族化合物(b)の使用割合が(a)1モルに対して0.8モル以上であれば、未反応のジアリールスルホキシド(a)が多くなって収率が低下するおそれをより低減できる。また、芳香族化合物(b)の使用割合が(a)1モルに対して2モル以下であると、使用量から考えて、より経済的である。   The use ratio of the aromatic compound (b) is not particularly limited, but from the viewpoint of improving the yield and economy, the diaryl sulfoxide (a) represented by the formula (1) is added to 1 mol. The amount is preferably 0.8 to 2 mol, more preferably 0.9 to 1.8 mol, and still more preferably 0.9 to 1.5 mol. If the use ratio of the aromatic compound (b) is 0.8 mol or more with respect to 1 mol of (a), it is possible to further reduce the possibility that the unreacted diaryl sulfoxide (a) increases and the yield decreases. . Moreover, it is more economical considering the usage-amount that the usage-amount of an aromatic compound (b) is 2 mol or less with respect to 1 mol of (a).

前記ルイス酸(c)の使用割合は、従来技術に比べ、非常に小さくてよい。(いわゆる触媒量を用いるだけでよい。)このため、従来技術に比べ、排水量を格段に低減することが出来るなど、有利である。特に制限されるものではないが、収率を向上させる観点および経済性の観点から、ジアリールスルホキシド(a)1モルに対して0.0001〜0.1モルであることが好ましく、0.001〜0.05モルであることがより好ましく、0.002〜0.03モルであることがさらに好ましい。
ルイス酸(c)の使用割合が(a)1モルに対して0.0001モル以上であれば、より高収率となり得る。また、ルイス酸(c)の使用割合が(a)1モルに対して0.1モル以下である場合、より経済的である。
The use ratio of the Lewis acid (c) may be very small as compared with the prior art. (It is only necessary to use a so-called catalyst amount.) For this reason, it is advantageous in that the amount of drainage can be remarkably reduced as compared with the prior art. Although not particularly limited, from the viewpoint of improving the yield and economical efficiency, it is preferably 0.0001 to 0.1 mol with respect to 1 mol of diaryl sulfoxide (a), 0.001 to The amount is more preferably 0.05 mol, and further preferably 0.002 to 0.03 mol.
If the use ratio of the Lewis acid (c) is 0.0001 mol or more per 1 mol of (a), a higher yield can be obtained. Moreover, when the usage-amount of Lewis acid (c) is 0.1 mol or less with respect to 1 mol of (a), it is more economical.

スルホン酸および/またはカルボン酸(d)の使用割合は、特に制限されるものではないが、ジアリールスルホキシド(a)1モルに対して1〜50モルであることが好ましく、2〜30モルであることがより好ましい。スルホン酸および/またはカルボン酸(d)の使用割合が(a)1モルに対して1モル以上である場合、収率がより向上しえる。また、スルホン酸および/またはカルボン酸(d)の使用割合が(a)1モルに対して50モル以下の場合、より経済的である。   The ratio of the sulfonic acid and / or carboxylic acid (d) used is not particularly limited, but is preferably 1 to 50 mol, and preferably 2 to 30 mol, per 1 mol of diaryl sulfoxide (a). It is more preferable. When the use ratio of the sulfonic acid and / or carboxylic acid (d) is 1 mol or more per 1 mol of (a), the yield can be further improved. Moreover, when the usage-amount of a sulfonic acid and / or carboxylic acid (d) is 50 mol or less with respect to 1 mol of (a), it is more economical.

硫酸の使用割合は、特に制限されるものではないが、ジアリールスルホキシド(a)1モルに対して1〜20モルであることが好ましく、2〜10モルであることがより好ましい。硫酸の使用割合が(a)1モルに対して1モル以上である場合は、収率が低下するおそれがある。また、硫酸の使用割合が(a)1モルに対して20モル以下であれば、より経済的である。特に制限されないが、前記の硫酸の使用割合を効率よく達成するため、濃硫酸を用いることが好ましい。市販の濃硫酸を好ましく用いることができる。なお、市販の濃硫酸は通常96〜98質量%程度の濃度である。   Although the usage-amount of a sulfuric acid is not restrict | limited in particular, It is preferable that it is 1-20 mol with respect to 1 mol of diaryl sulfoxide (a), and it is more preferable that it is 2-10 mol. When the use ratio of sulfuric acid is 1 mol or more per 1 mol of (a), the yield may be reduced. Moreover, if the usage-amount of a sulfuric acid is 20 mol or less with respect to 1 mol of (a), it is more economical. Although not particularly limited, concentrated sulfuric acid is preferably used in order to efficiently achieve the above-described use ratio of sulfuric acid. Commercially available concentrated sulfuric acid can be preferably used. Commercially available concentrated sulfuric acid usually has a concentration of about 96 to 98% by mass.

本発明にかかる、ジアリールスルホキシド(a)、および芳香族化合物(b)とを、ルイス酸(c)、スルホン酸および/またはカルボン酸(d)、ならびに硫酸の存在下で反応させる方法において、撹拌効率を向上させる等の目的で、スルホラン、ジクロロメタン、クロロホルム等の溶媒を、スルホン酸および/またはカルボン酸(d)と共に反応溶媒として用いてもよい。これらの溶媒(スルホラン、ジクロロメタン及びクロロホルムからなる群より選択される少なくとも1種)を用いる場合の使用量は、ジアリールスルホキシド(a)100質量部に対して30〜2000質量部であることが好ましく、50〜1000質量部であることがより好ましい。   In the method of reacting diaryl sulfoxide (a) and aromatic compound (b) according to the present invention in the presence of Lewis acid (c), sulfonic acid and / or carboxylic acid (d), and sulfuric acid, stirring is carried out. For the purpose of improving efficiency, a solvent such as sulfolane, dichloromethane or chloroform may be used as a reaction solvent together with the sulfonic acid and / or carboxylic acid (d). The amount used when using these solvents (at least one selected from the group consisting of sulfolane, dichloromethane and chloroform) is preferably 30 to 2000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of diaryl sulfoxide (a), More preferably, it is 50-1000 mass parts.

前記反応における反応温度は、−20〜100℃であることが好ましく、−15〜70℃であることがより好ましく、−10〜50℃であることがさらに好ましい。反応温度が−20℃以上である場合、反応速度が遅くなることで反応に長時間を要するおそれが、より低減される。また、反応温度が100℃以下である場合は、副反応が起こりやすく、収率および純度が低下するおそれがより低減される。反応時間は、反応温度等により異なるが、通常、0.5〜48時間であり、好ましくは1〜24時間である。   The reaction temperature in the reaction is preferably -20 to 100 ° C, more preferably -15 to 70 ° C, and further preferably -10 to 50 ° C. When reaction temperature is -20 degreeC or more, the possibility that reaction may require a long time because reaction rate becomes slow is reduced more. Moreover, when reaction temperature is 100 degrees C or less, a side reaction tends to occur and a possibility that a yield and purity fall may be reduced more. Although reaction time changes with reaction temperature etc., it is 0.5 to 48 hours normally, Preferably it is 1 to 24 hours.

式(2)で表されるトリアリールスルホニウム塩は、ジアリールスルホキシド(a)と芳香族化合物(b)との前記反応の後(好ましくは当該反応に引き続いて)、当該反応物を無機酸のアルカリ金属塩、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアルカリ金属塩、又は有機酸のアンモニウム塩と反応させることにより製造することができる。   The triarylsulfonium salt represented by the formula (2) is obtained after the reaction of the diaryl sulfoxide (a) with the aromatic compound (b) (preferably following the reaction), and the reaction product is converted to an alkali acid alkali salt. It can be produced by reacting with a metal salt, an ammonium salt of an inorganic acid, an alkali metal salt of an organic acid, or an ammonium salt of an organic acid.

前記無機酸の具体例としては、
ヘキサフルオロアンチモン酸、ヘキサフルオロヒ酸、ヘキサフルオロリン酸、ペンタフルオロヒドロキソアンチモン酸、テトラフルオロホウ酸、トリフルオロトリストリフルオロメチルリン酸、トリフルオロトリスペンタフルオロエチルリン酸、トリフルオロトリスヘプタフルオロプロピルリン酸、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸、テトラキス(トリフルオロメチルフェニル)ホウ酸、トリフルオロ(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸、テトラキス(ジフルオロフェニル)ホウ酸、ジフルオロビス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸等が挙げられる。
Specific examples of the inorganic acid include
Hexafluoroantimonic acid, hexafluoroarsenic acid, hexafluorophosphoric acid, pentafluorohydroxoantimonic acid, tetrafluoroboric acid, trifluorotristrifluoromethyl phosphoric acid, trifluorotrispentafluoroethyl phosphoric acid, trifluorotrisheptafluoropropyl phosphoric acid,
Tetrakis (pentafluorophenyl) boric acid, tetrakis (trifluoromethylphenyl) boric acid, trifluoro (pentafluorophenyl) boric acid, tetrakis (difluorophenyl) boric acid, difluorobis (pentafluorophenyl) boric acid, etc. .

前記無機酸のアルカリ金属塩の具体例としては、前記無機酸のリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等が挙げられる。前記無機酸のアンモニウム塩の具体例としては、前記無機酸の、アンモニウムイオン(NH4+)を含むアンモニウム塩や、第四級アンモニウム塩が挙げられる。第四級アンモニウム塩としては、例えば、テトラ−n−ブチルアンモニウム塩等が挙げられる。 Specific examples of the alkali metal salt of the inorganic acid include lithium salt, sodium salt, potassium salt and the like of the inorganic acid. Specific examples of the inorganic acid ammonium salt include an ammonium salt containing an ammonium ion (NH 4+ ) or a quaternary ammonium salt of the inorganic acid. Examples of the quaternary ammonium salt include tetra-n-butylammonium salt.

前記有機酸の具体例としては、
メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、オクタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、パーフルオロブタンスルホン酸、パーフルオロヘキサンスルホン酸、
ベンゼンスルホン酸、ベンゼン−1,3−ジスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、アントラキノン−1−スルホン酸、アントラキノン−2−スルホン酸、アントラキノン−1,5−ジスルホン酸、カンファースルホン酸、
ビス(フルオロスルホニル)イミド、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、ビス(ノナフルオロブタンスルホニル)イミド、シクロ−ヘキサフルオロプロパン−1,3−ビス(スルホニル)イミド、トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メチド等を挙げることができる。
Specific examples of the organic acid include
Methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, propanesulfonic acid, butanesulfonic acid, octanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, perfluorobutanesulfonic acid, perfluorohexanesulfonic acid,
Benzenesulfonic acid, benzene-1,3-disulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, anthraquinone-1-sulfonic acid, anthraquinone-2-sulfonic acid, anthraquinone-1,5-disulfonic acid, camphorsulfonic acid,
Bis (fluorosulfonyl) imide, bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, bis (nonafluorobutanesulfonyl) imide, cyclo-hexafluoropropane-1,3-bis (sulfonyl) imide, tris (trifluoromethanesulfonyl) methide, etc. be able to.

前記有機酸のアルカリ金属塩の具体例としては、前記有機酸のリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等が挙げられる。前記有機酸のアンモニウム塩の具体例としては、前記有機酸の、アンモニウムイオン(NH4+)を含むアンモニウム塩や、第四級アンモニウム塩が挙げられる。第四級アンモニウム塩としては、例えば、テトラ−n−ブチルアンモニウム塩等が挙げられる。 Specific examples of the alkali metal salt of the organic acid include lithium salt, sodium salt and potassium salt of the organic acid. Specific examples of the organic acid ammonium salt include ammonium salts containing ammonium ions (NH 4+ ) and quaternary ammonium salts of the organic acids. Examples of the quaternary ammonium salt include tetra-n-butylammonium salt.

これらの塩の中でも、得られるトリアリールスルホニウム塩を光酸発生剤または光カチオン重合開始剤として用いた際に発生する酸の酸強度の観点および安全性の観点等から、ヘキサフルオロリン酸ナトリウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、トリフルオロトリスペンタフルオロエチルリン酸ナトリウム、トリフルオロトリスペンタフルオロエチルリン酸カリウム、トリフルオロトリスヘプタフルオロプロピルリン酸ナトリウム、トリフルオロトリスヘプタフルオロプロピルリン酸カリウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸リチウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ナトリウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸カリウム、トリフルオロメタンスルホン酸ナトリウム、トリフルオロメタンスルホン酸カリウム、パーフルオロブタンスルホン酸ナトリウム、パーフルオロブタンスルホン酸カリウム、p−トルエンスルホン酸ナトリウム、p−トルエンスルホン酸カリウム、カンファースルホン酸ナトリウム、カンファースルホン酸カリウム、ビス(フルオロスルホニル)イミドカリウム、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドリチウム、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドカリウム、ビス(ノナフルオロブタンスルホニル)イミドカリウム、ビス(ノナフルオロブタンスルホニル)イミドアンモニウム、シクロ−ヘキサフルオロプロパン−1,3−ビス(スルホニル)イミドカリウム、トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メチドリチウムが好ましい。   Among these salts, from the viewpoint of the acid strength and safety of the acid generated when the obtained triarylsulfonium salt is used as a photoacid generator or a photocationic polymerization initiator, sodium hexafluorophosphate, Potassium hexafluorophosphate, sodium trifluorotrispentafluoroethyl phosphate, potassium trifluorotrispentafluoroethyl phosphate, sodium trifluorotriseptafluoropropyl phosphate, potassium trifluorotriseptafluoropropyl phosphate, tetrakis (pentafluoro Phenyl) lithium borate, sodium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, potassium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, sodium trifluoromethanesulfonate, trifluoromethanesulfo Acid potassium, sodium perfluorobutanesulfonate, potassium perfluorobutanesulfonate, sodium p-toluenesulfonate, potassium p-toluenesulfonate, sodium camphorsulfonate, potassium camphorsulfonate, bis (fluorosulfonyl) imide potassium, bis (Trifluoromethanesulfonyl) imide lithium, bis (trifluoromethanesulfonyl) imide potassium, bis (nonafluorobutanesulfonyl) imide potassium, bis (nonafluorobutanesulfonyl) imidoammonium, cyclo-hexafluoropropane-1,3-bis (sulfonyl) ) Imidopotassium and tris (trifluoromethanesulfonyl) methide lithium are preferred.

前記無機酸のアルカリ金属塩、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアルカリ金属塩、又は有機酸のアンモニウム塩の使用割合は、特に限定されるものではないが、ジアリールスルホキシド(a)1モルに対して0.8〜2モルであることが好ましく、0.9〜1.5モルであることがより好ましい。当該塩の使用割合が(a)1モルに対して0.8モル以上である場合、収率がより向上しえる。また、当該塩の使用割合が2モル以下の場合、より経済的である。なお、無機酸のアルカリ金属塩、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩は、いずれも水溶液として用いることができる。水溶液として用いる場合の濃度としては、1〜80質量%であることが好ましく、3〜50質量%であることがより好ましい。   The use ratio of the alkali metal salt of inorganic acid, ammonium salt of inorganic acid, alkali metal salt of organic acid, or ammonium salt of organic acid is not particularly limited, but relative to 1 mol of diaryl sulfoxide (a) 0.8 to 2 mol is preferable, and 0.9 to 1.5 mol is more preferable. When the use ratio of the salt is 0.8 mol or more per 1 mol of (a), the yield can be further improved. Moreover, when the usage-amount of the said salt is 2 mol or less, it is more economical. Any of alkali metal salts of inorganic acids, ammonium salts of inorganic acids, alkali metal salts of organic acids, and ammonium salts of organic acids can be used as an aqueous solution. As a density | concentration when using as aqueous solution, it is preferable that it is 1-80 mass%, and it is more preferable that it is 3-50 mass%.

前記反応物と無機酸のアルカリ金属塩、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアルカリ金属塩、又は有機酸のアンモニウム塩とを反応させる操作としては、特に限定されるものではなく、前記反応物と当該塩を混合すればよい。例えば、前記反応後の反応溶液に所定量の当該塩を添加する方法、反応後の反応溶液を所定量の当該塩に添加する方法、反応後の反応溶液を所定量の水に添加して縮合反応物の水溶液を形成させた後に当該塩を添加する方法、および、反応後の反応溶液を所定量の水に添加して縮合反応物の水溶液を形成させた後に当該水溶液を当該塩に添加する方法等が挙げられる。これらの反応の際、必要に応じて、水酸化ナトリウムなどの塩基性物質を用いて、反応系中に存在する酸性成分を中和してもよい。   The operation of reacting the reactant with an alkali metal salt of an inorganic acid, an ammonium salt of an inorganic acid, an alkali metal salt of an organic acid, or an ammonium salt of an organic acid is not particularly limited. What is necessary is just to mix the said salt. For example, a method of adding a predetermined amount of the salt to the reaction solution after the reaction, a method of adding the reaction solution after the reaction to a predetermined amount of the salt, a condensation after adding the reaction solution after the reaction to a predetermined amount of water A method of adding the salt after forming an aqueous solution of the reaction product, and adding the reaction solution after the reaction to a predetermined amount of water to form an aqueous solution of the condensation reaction product, and then adding the aqueous solution to the salt Methods and the like. During these reactions, if necessary, an acidic component present in the reaction system may be neutralized using a basic substance such as sodium hydroxide.

また、これらの操作の際に、モノクロロベンゼン、酢酸エチルおよびジクロロメタン等の有機溶媒を存在させていてもよい。   In these operations, an organic solvent such as monochlorobenzene, ethyl acetate and dichloromethane may be present.

反応温度は、特に制限されないが、−10〜100℃であることが好ましく、0〜80℃であることがより好ましい。反応温度が−10℃以上の場合、反応速度がより早く進行しえる。また、反応温度が100℃以下である場合、エネルギー効率の観点等からより効率的である。   The reaction temperature is not particularly limited, but is preferably −10 to 100 ° C., and more preferably 0 to 80 ° C. When the reaction temperature is −10 ° C. or higher, the reaction rate can proceed faster. Moreover, when reaction temperature is 100 degrees C or less, it is more efficient from a viewpoint of energy efficiency.

かくして得られるトリアリールスルホニウム塩は、反応終了後、精製してもよい。精製方法としては、析出した固体を濾別する方法、あるいは、モノクロロベンゼン、酢酸エチルおよびジクロロメタン等の有機溶媒を用いて抽出した後、当該有機溶媒を留去する方法等が挙げられる。   The triarylsulfonium salt thus obtained may be purified after completion of the reaction. Examples of the purification method include a method in which the precipitated solid is separated by filtration, or a method in which extraction is performed using an organic solvent such as monochlorobenzene, ethyl acetate, and dichloromethane, and then the organic solvent is distilled off.

また、トリアリールスルホニウム塩を溶液として得たい場合は、例えば前記濃縮物に所望の有機溶媒を添加、再溶解させる方法等により溶液とすることができる。
このような有機溶媒としては、例えば、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコール−1−メチルエーテル−2−アセテート、乳酸エチル、カルビトール、カルビトールアセテートなどが挙げられる。
Moreover, when it is desired to obtain the triarylsulfonium salt as a solution, it can be made into a solution by, for example, a method of adding a desired organic solvent to the concentrate and re-dissolving it.
Examples of such an organic solvent include propylene carbonate, γ-butyrolactone, propylene glycol-1-methyl ether-2-acetate, ethyl lactate, carbitol, carbitol acetate, and the like.

本発明の製造方法により製造したトリアリールスルホニウム塩は非常に高純度であり、そのままで光酸発生剤あるいは光カチオン重合開始剤として使用できるが、さらに、必要に応じて、モノクロロベンゼン、トルエン、酢酸エチル、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、n−ヘプタン、水又はこれらの混合液等の溶媒による再結晶、活性炭処理、あるいはカラム精製等の常法により精製することができる。   The triarylsulfonium salt produced by the production method of the present invention has a very high purity and can be used as it is as a photoacid generator or a photocationic polymerization initiator. However, if necessary, monochlorobenzene, toluene, acetic acid can be used. It can be purified by a conventional method such as recrystallization with a solvent such as ethyl, acetone, methanol, ethanol, isopropanol, n-heptane, water or a mixture thereof, activated carbon treatment, or column purification.

本発明の製造方法により製造したトリアリールスルホニウム塩は
式(2):
The triarylsulfonium salt produced by the production method of the present invention has the formula (2):

Figure 2014070020
Figure 2014070020

(式中、RおよびRは、前記に同じであり、Rは、RおよびRから独立して、置換基を有してもよい単環式炭素環基、置換基を有してもよい縮合多環式炭素環基または置換基を有してもよい単環式複素環基を示す。Xは、無機酸イオンまたは有機酸イオンを示す。)で表される。 (Wherein, R 1 and R 2 are the same as defined above, and R 3 has a monocyclic carbocyclic group which may have a substituent, independently of R 1 and R 2 , and has a substituent. A condensed polycyclic carbocyclic group which may optionally be substituted or a monocyclic heterocyclic group which may have a substituent, wherein X represents an inorganic acid ion or an organic acid ion.

前記式(2)中においてRで示される基およびRで示される基は、前記に同じである。(すなわち、前記式(1)で表されるジアリールスルホキシド(a)のRで示される基およびRで示される基と同一である。)
前記式(2)中においてRは、前記芳香族化合物(b)から水素原子1個を除いた1価のアリール基である。言い換えれば、前記芳香族化合物(b)の構造式は“R−H”と記載することができる。
In the formula (2), the group represented by R 1 and the group represented by R 2 are the same as described above. (That is, it is the same as the group represented by R 1 and the group represented by R 2 of the diaryl sulfoxide (a) represented by the formula (1)).
In the formula (2), R 3 is a monovalent aryl group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic compound (b). In other words, the structural formula of the aromatic compound (b) can be described as “R 3 —H”.

としては、例えば、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいチエニル基が例示される。当該置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいチエニル基、の「置換基」としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、アセトキシ基、ハロゲン原子、フェノキシ基、フェニルチオ基、チエニル基、チエニルオキシ基、チエニルチオ基等が挙げられる。ここでのアルキル基の炭素数は、1〜8が好ましく、1〜6がより好ましい。ここでのアルコキシ基の炭素数は、1〜6が好ましく、1〜4がより好ましい。 Examples of R 3 include a phenyl group that may have a substituent, a naphthyl group that may have a substituent, and a thienyl group that may have a substituent. As the “substituent” of the phenyl group which may have a substituent, the naphthyl group which may have a substituent, and the thienyl group which may have a substituent, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group Hydroxy group, acetoxy group, halogen atom, phenoxy group, phenylthio group, thienyl group, thienyloxy group, thienylthio group and the like. 1-8 are preferable and, as for carbon number of an alkyl group here, 1-6 are more preferable. 1-6 are preferable and, as for carbon number of an alkoxy group here, 1-4 are more preferable.

なかでも、上で芳香族化合物(b)の具体例として列挙した各化合物の構造式を“R−H”と記載した場合の基Rを好ましく用いることができる。 Among them, the group R 3 in the case where the structural formula of each compound listed as a specific example of the aromatic compound (b) is described as “R 3 —H” can be preferably used.

としては、具体的には、フェニル基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルチオフェニル基、ヒドロキシフェニル基、アセトキシフェニル基、ハロゲン置換フェニル基、フェノキシフェニル基、フェニルチオフェニル基、ナフチル基、アルキルナフチル基、チエニル基、アルキルチエニル基、アルキルチオチエニル基、ヒドロキシチエニル基、アセトキシチエニル基、ビチエニル基、フェニルチエニル基、フェニルチオチエニル基、或いはR−Hがジチエニルエーテル又はジチエニルスルフィドである基(ここでアルキルフェニル基、アルキルチオ基、アルキルナフチル基、アルキルチエニル基、又はアルキルチオチエニル基のアルキル基は、それぞれ独立して、炭素数が1〜8が好ましく、1〜6がより好ましい。また、アルコキシフェニル基のアルコキシ基の炭素数は1〜6が好ましく、1〜4がより好ましい。)が例示でき、
より具体的には、メチルフェニル基、エチルフェニル基、n−プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、n−ブチルフェニル基、tert−ブチルフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、n−プロポキシフェニル基、イソプロポキシフェニル基、n−ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、sec−ブトキシフェニル基、tert−ブトキシフェニル基、メチルチオフェニル基、エチルチオフェニル基、ヒドロキシフェニル基、アセトキシフェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ビフェニル基、フェノキシフェニル基、フェニルチオフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、メトキシナフチル基、チエニル基、メチルチエニル基、エチルチエニル基、n−プロピルチエニル基、イソプロピルチエニル基、n−ブチルチエニル基、tert−ブチルチエニル基、メトキシチエニル基、エトキシチエニル基、n−プロポキシチエニル基、イソプロポキシチエニル基、n−ブトキシチエニル基、イソブトキシチエニル基、sec−ブトキシチエニル基、tert−ブトキシチエニル基、メチルチオチエニル基、エチルチオチエニル基、ヒドロキシチエニル基、アセトキシチエニル基、ビチエニル基、フェニルチエニル基、フェニルチオチエニル基、
−Hがジチエニルエーテル(両チオフェンの2位が−O−で結合されたものが好ましい))又はジチエニルスルフィド(両チオフェンの2位が−S−で結合されたものが好ましい))である基、が好ましく例示でき、
さらに具体的には、
2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基(すなわち、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基)、2−エチルフェニル基、3−エチルフェニル基、4−エチルフェニル基、2−n−プロピルフェニル基、3−n−プロピルフェニル基、4−n−プロピルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、3−イソプロピルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、2−n−ブチルフェニル基、3−n−ブチルフェニル基、4−n−ブチルフェニル基、2−tert−ブチルフェニル基、3−tert−ブチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、2−メトキシフェニル基、3−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、2−エトキシフェニル基、3−エトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、2−n−プロポキシフェニル基、3−n−プロポキシフェニル基、4−n−プロポキシフェニル基、2−イソプロポキシフェニル基、3−イソプロポキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、2−n−ブトキシフェニル基、3−n−ブトキシフェニル基、4−n−ブトキシフェニル基、2−イソブトキシフェニル基、3−イソブトキシフェニル基、4−イソブトキシフェニル基、2−sec−ブトキシフェニル基、3−sec−ブトキシフェニル基、4−sec−ブトキシフェニル基、2−tert−ブトキシフェニル基、3−tert−ブトキシフェニル基、4−tert−ブトキシフェニル基、2−メチルチオフェニル基、3−メチルチオフェニル基、4−メチルチオフェニル基、2−エチルチオフェニル基、3−エチルチオフェニル基、4−エチルチオフェニル基、2−ヒドロキシフェニル基、3−ヒドロキシフェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、2−アセトキシフェニル基、3−アセトキシフェニル基、4−アセトキシフェニル基、2−フルオロフェニル基、3−フルオロフェニル基、4−フルオロフェニル基、2−クロロフェニル基、3−クロロフェニル基、4−クロロフェニル基、2−ブロモフェニル基、3−ブロモフェニル基、4−ブロモフェニル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、2−フェノキシフェニル基、3−フェノキシフェニル基、4−フェノキシフェニル基、2−フェニルチオフェニル基、3−フェニルチオフェニル基、4−フェニルチオフェニル基、
1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−メチル−1−ナフチル基、3−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、5−メチル−1−ナフチル基、6−メチル−1−ナフチル基、7−メチル−1−ナフチル基、8−メチル−1−ナフチル基、1−メチル−2−ナフチル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−2−ナフチル基、5−メチル−2−ナフチル基、6−メチル−2−ナフチル基、7−メチル−2−ナフチル基、8−メチル−2−ナフチル基、2−メトキシ−1−ナフチル基、3−メトキシ−1−ナフチル基、4−メトキシ−1−ナフチル基、5−メトキシ−1−ナフチル基、6−メトキシ−1−ナフチル基、7−メトキシ−1−ナフチル基、8−メトキシ−1−ナフチル基、1−メトキシ−2−ナフチル基、3−メトキシ−2−ナフチル基、4−メトキシ−2−ナフチル基、5−メトキシ−2−ナフチル基、6−メトキシ−2−ナフチル基、7−メトキシ−2−ナフチル基、8−メトキシ−2−ナフチル基、
2−チエニル基、3−チエニル基、
3−メチルチエニル基、4−メチルチエニル基、5−メチルチエニル基(特に3−メチルチオフェン−2−イル基、4−メチルチオフェン−2−イル基、5−メチルチオフェン−2−イル基)、
3−エチルチエニル基、4−エチルチエニル基、5−エチルチエニル基(特に3−エチルチオフェン−2−イル基、4−エチルチオフェン−2−イル基、5−エチルチオフェン−2−イル基)、
3−n−プロピルチエニル基、4−n−プロピルチエニル基、5−n−プロピルチエニル基(特に3−n−プロピルチオフェン−2−イル基、4−n−プロピルチオフェン−2−イル基、5−n−プロピルチオフェン−2−イル基)、
3−イソプロピルチエニル基、4−イソプロピルチエニル基、5−イソプロピルチエニル基(特に3−イソプロピルチオフェン−2−イル基、4−イソプロピルチオフェン−2−イル基、5−イソプロピルチオフェン−2−イル基)、
3−n−ブチルチエニル基、4−n−ブチルチエニル基、5−n−ブチルチエニル基(特に3−n−ブチルチオフェン−2−イル基、4−n−ブチルチオフェン−2−イル基、5−n−ブチルチオフェン−2−イル基)、
3−tert−ブチルチエニル基、4−tert−ブチルチエニル基、5−tert−ブチルチエニル基(特に3−tert−ブチルチオフェン−2−イル基、4−tert−ブチルチオフェン−2−イル基、5−tert−ブチルチオフェン−2−イル基)、
3−メトキシチエニル基、4−メトキシチエニル基、5−メトキシチエニル基(特に3−メトキシチオフェン−2−イル基、4−メトキシチオフェン−2−イル基、5−メトキシチオフェン−2−イル基)、
3−エトキシチエニル基、4−エトキシチエニル基、5−エトキシチエニル基(特に3−エトキシチオフェン−2−イル基、4−エトキシチオフェン−2−イル基、5−エトキシチオフェン−2−イル基)、
3−n−プロポキシチエニル基、4−n−プロポキシチエニル基、5−n−プロポキシチエニル基(特に3−n−プロポキシチオフェン−2−イル基、4−n−プロポキシチオフェン−2−イル基、5−n−プロポキシチオフェン−2−イル基)、
3−イソプロポキシチエニル基、4−イソプロポキシチエニル基、5−イソプロポキシチエニル基(特に3−イソプロポキシチオフェン−2−イル基、4−イソプロポキシチオフェン−2−イル基、5−イソプロポキシチオフェン−2−イル基)、
3−n−ブトキシチエニル基、4−n−ブトキシチエニル基、5−n−ブトキシチエニル基(特に3−n−ブトキシチオフェン−2−イル基、4−n−ブトキシチオフェン−2−イル基、5−n−ブトキシチオフェン−2−イル基)、
3−イソブトキシチエニル基、4−イソブトキシチエニル基、5−イソブトキシチエニル基(特に3−イソブトキシチオフェン−2−イル基、4−イソブトキシチオフェン−2−イル基、5−イソブトキシチオフェン−2−イル基)、
3−sec−ブトキシチエニル基、4−sec−ブトキシチエニル基、5−sec−ブトキシチエニル基(特に3−sec−ブトキシチオフェン−2−イル基、4−sec−ブトキシチオフェン−2−イル基、5−sec−ブトキシチオフェン−2−イル基)、
3−tert−ブトキシチエニル基、4−tert−ブトキシチエニル基、5−tert−ブトキシチエニル基(特に3−tert−ブトキシチオフェン−2−イル基、4−tert−ブトキシチオフェン−2−イル基、5−tert−ブトキシチオフェン−2−イル基)、
3−メチルチオチエニル基、4−メチルチオチエニル基、5−メチルチオチエニル基(特に3−(メチルチオ)チオフェン−2−イル基、4−(メチルチオ)チオフェン−2−イル基、5−(メチルチオ)チオフェン−2−イル基)、
3−エチルチオチエニル基、4−エチルチオチエニル基、5−エチルチオチエニル基(特に3−(エチルチオ)チオフェン−2−イル基、4−(エチルチオ)チオフェン−2−イル基、5−(エチルチオ)チオフェン−2−イル基)、
3−ヒドロキシチエニル基、4−ヒドロキシチエニル基、5−ヒドロキシチエニル基(特に3−ヒドロキシチオフェン−2−イル基、4−ヒドロキシチオフェン−2−イル基、5−ヒドロキシチオフェン−2−イル基)、
3−アセトキシチエニル基、4−アセトキシチエニル基、5−アセトキシチエニル基(特に3−アセトキシチオフェン−2−イル基、4−アセトキシチオフェン−2−イル基、5−アセトキシチオフェン−2−イル基)、
3−フェニルチエニル基、4−フェニルチエニル基、5−フェニルチエニル基(特に3−フェニルチオフェン−2−イル基、4−フェニルチオフェン−2−イル基、5−フェニルチオフェン−2−イル基)、
3−フェニルチオチエニル基、4−フェニルチオチエニル基、5−フェニルチオチエニル基(特に3−(フェニルチオ)チオフェン−2−イル基、4−(フェニルチオ)チオフェン−2−イル基、5−(フェニルチオ)チオフェン−2−イル基)、あるいは、
以下の構造式で表される基;
Specifically, as R 3 , phenyl group, alkylphenyl group, alkoxyphenyl group, alkylthiophenyl group, hydroxyphenyl group, acetoxyphenyl group, halogen-substituted phenyl group, phenoxyphenyl group, phenylthiophenyl group, naphthyl group, An alkylnaphthyl group, thienyl group, alkylthienyl group, alkylthiothienyl group, hydroxythienyl group, acetoxythienyl group, bitienyl group, phenylthienyl group, phenylthiothienyl group, or R 3 —H is a dithienyl ether or dithienyl sulfide Group (wherein the alkyl group of the alkylphenyl group, alkylthio group, alkylnaphthyl group, alkylthienyl group, or alkylthiothienyl group each independently has 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms). The number of carbon atoms of the alkoxy group alkoxyphenyl group 1-6 is preferably, 1 to 4 is more preferred.). Examples of
More specifically, methylphenyl group, ethylphenyl group, n-propylphenyl group, isopropylphenyl group, n-butylphenyl group, tert-butylphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, n-propoxyphenyl group, Isopropoxyphenyl group, n-butoxyphenyl group, isobutoxyphenyl group, sec-butoxyphenyl group, tert-butoxyphenyl group, methylthiophenyl group, ethylthiophenyl group, hydroxyphenyl group, acetoxyphenyl group, fluorophenyl group, chlorophenyl Group, bromophenyl group, biphenyl group, phenoxyphenyl group, phenylthiophenyl group, naphthyl group, methylnaphthyl group, methoxynaphthyl group, thienyl group, methylthienyl group, ethylthienyl group, n-propylthienyl Group, isopropylthienyl group, n-butylthienyl group, tert-butylthienyl group, methoxythienyl group, ethoxythienyl group, n-propoxythienyl group, isopropoxythienyl group, n-butoxythienyl group, isobutoxythienyl group, sec -Butoxythienyl group, tert-butoxythienyl group, methylthiothienyl group, ethylthiothienyl group, hydroxythienyl group, acetoxythienyl group, bitienyl group, phenylthienyl group, phenylthiothienyl group,
R 3 —H is dithienyl ether (preferably one in which the 2-positions of both thiophenes are linked by —O—) or dithienyl sulfide (preferably one in which the 2-positions of both thiophenes are linked by —S—)) Can be preferably exemplified,
More specifically,
2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group (ie, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group), 2-ethylphenyl group, 3-ethylphenyl group, 4- Ethylphenyl group, 2-n-propylphenyl group, 3-n-propylphenyl group, 4-n-propylphenyl group, 2-isopropylphenyl group, 3-isopropylphenyl group, 4-isopropylphenyl group, 2-n- Butylphenyl group, 3-n-butylphenyl group, 4-n-butylphenyl group, 2-tert-butylphenyl group, 3-tert-butylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 2-methoxyphenyl group, 3-methoxyphenyl group, 4-methoxyphenyl group, 2-ethoxyphenyl group, 3-ethoxyphenyl group, 4-ethoxyphenyl group, 2 n-propoxyphenyl group, 3-n-propoxyphenyl group, 4-n-propoxyphenyl group, 2-isopropoxyphenyl group, 3-isopropoxyphenyl group, 4-isopropoxyphenyl group, 2-n-butoxyphenyl group 3-n-butoxyphenyl group, 4-n-butoxyphenyl group, 2-isobutoxyphenyl group, 3-isobutoxyphenyl group, 4-isobutoxyphenyl group, 2-sec-butoxyphenyl group, 3-sec- Butoxyphenyl group, 4-sec-butoxyphenyl group, 2-tert-butoxyphenyl group, 3-tert-butoxyphenyl group, 4-tert-butoxyphenyl group, 2-methylthiophenyl group, 3-methylthiophenyl group, 4- Methylthiophenyl group, 2-ethylthiophenyl group, 3-ethylthiophene Group, 4-ethylthiophenyl group, 2-hydroxyphenyl group, 3-hydroxyphenyl group, 4-hydroxyphenyl group, 2-acetoxyphenyl group, 3-acetoxyphenyl group, 4-acetoxyphenyl group, 2-fluorophenyl Group, 3-fluorophenyl group, 4-fluorophenyl group, 2-chlorophenyl group, 3-chlorophenyl group, 4-chlorophenyl group, 2-bromophenyl group, 3-bromophenyl group, 4-bromophenyl group, 2-biphenyl Group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, 2-phenoxyphenyl group, 3-phenoxyphenyl group, 4-phenoxyphenyl group, 2-phenylthiophenyl group, 3-phenylthiophenyl group, 4-phenylthiophenyl group ,
1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-methyl-1-naphthyl group, 3-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 5-methyl-1-naphthyl group, 6-methyl- 1-naphthyl group, 7-methyl-1-naphthyl group, 8-methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl-2-naphthyl group, 5-methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group, 8-methyl-2-naphthyl group, 2-methoxy-1-naphthyl group, 3-methoxy-1 -Naphthyl group, 4-methoxy-1-naphthyl group, 5-methoxy-1-naphthyl group, 6-methoxy-1-naphthyl group, 7-methoxy-1-naphthyl group, 8-methoxy-1-naphthyl group, 1 -Methoxy-2-naphthyl group, 3 Methoxy-2-naphthyl group, 4-methoxy-2-naphthyl group, 5-methoxy-2-naphthyl group, 6-methoxy-2-naphthyl group, 7-methoxy-2-naphthyl group, 8-methoxy-2-naphthyl group Group,
2-thienyl group, 3-thienyl group,
3-methylthienyl group, 4-methylthienyl group, 5-methylthienyl group (especially 3-methylthiophen-2-yl group, 4-methylthiophen-2-yl group, 5-methylthiophen-2-yl group),
3-ethylthienyl group, 4-ethylthienyl group, 5-ethylthienyl group (especially 3-ethylthiophen-2-yl group, 4-ethylthiophen-2-yl group, 5-ethylthiophen-2-yl group),
3-n-propylthienyl group, 4-n-propylthienyl group, 5-n-propylthienyl group (especially 3-n-propylthiophen-2-yl group, 4-n-propylthiophen-2-yl group, 5 -N-propylthiophen-2-yl group),
3-isopropylthienyl group, 4-isopropylthienyl group, 5-isopropylthienyl group (especially 3-isopropylthiophen-2-yl group, 4-isopropylthiophen-2-yl group, 5-isopropylthiophen-2-yl group),
3-n-butylthienyl group, 4-n-butylthienyl group, 5-n-butylthienyl group (especially 3-n-butylthiophen-2-yl group, 4-n-butylthiophen-2-yl group, 5 -N-butylthiophen-2-yl group),
3-tert-butylthienyl group, 4-tert-butylthienyl group, 5-tert-butylthienyl group (especially 3-tert-butylthiophen-2-yl group, 4-tert-butylthiophen-2-yl group, 5 -Tert-butylthiophen-2-yl group),
3-methoxythienyl group, 4-methoxythienyl group, 5-methoxythienyl group (especially 3-methoxythiophen-2-yl group, 4-methoxythiophen-2-yl group, 5-methoxythiophen-2-yl group),
3-ethoxythienyl group, 4-ethoxythienyl group, 5-ethoxythienyl group (especially 3-ethoxythiophen-2-yl group, 4-ethoxythiophen-2-yl group, 5-ethoxythiophen-2-yl group),
3-n-propoxythienyl group, 4-n-propoxythienyl group, 5-n-propoxythienyl group (especially 3-n-propoxythiophen-2-yl group, 4-n-propoxythiophen-2-yl group, 5 -N-propoxythiophen-2-yl group),
3-isopropoxythienyl group, 4-isopropoxythienyl group, 5-isopropoxythienyl group (especially 3-isopropoxythiophen-2-yl group, 4-isopropoxythiophen-2-yl group, 5-isopropoxythiophene- 2-yl group),
3-n-butoxythienyl group, 4-n-butoxythienyl group, 5-n-butoxythienyl group (especially 3-n-butoxythiophen-2-yl group, 4-n-butoxythiophen-2-yl group, 5 -N-butoxythiophen-2-yl group),
3-isobutoxythienyl group, 4-isobutoxythienyl group, 5-isobutoxythienyl group (especially 3-isobutoxythiophen-2-yl group, 4-isobutoxythiophen-2-yl group, 5-isobutoxythiophene- 2-yl group),
3-sec-butoxythienyl group, 4-sec-butoxythienyl group, 5-sec-butoxythienyl group (especially 3-sec-butoxythiophen-2-yl group, 4-sec-butoxythiophen-2-yl group, 5 -Sec-butoxythiophen-2-yl group),
3-tert-butoxythienyl group, 4-tert-butoxythienyl group, 5-tert-butoxythienyl group (especially 3-tert-butoxythiophen-2-yl group, 4-tert-butoxythiophen-2-yl group, 5 -Tert-butoxythiophen-2-yl group),
3-methylthiothienyl group, 4-methylthiothienyl group, 5-methylthiothienyl group (especially 3- (methylthio) thiophen-2-yl group, 4- (methylthio) thiophen-2-yl group, 5- (methylthio) thiophene- 2-yl group),
3-ethylthiothienyl group, 4-ethylthiothienyl group, 5-ethylthiothienyl group (especially 3- (ethylthio) thiophen-2-yl group, 4- (ethylthio) thiophen-2-yl group, 5- (ethylthio) ) Thiophen-2-yl group),
3-hydroxythienyl group, 4-hydroxythienyl group, 5-hydroxythienyl group (especially 3-hydroxythiophen-2-yl group, 4-hydroxythiophen-2-yl group, 5-hydroxythiophen-2-yl group),
3-acetoxythienyl group, 4-acetoxythienyl group, 5-acetoxythienyl group (especially 3-acetoxythiophen-2-yl group, 4-acetoxythiophen-2-yl group, 5-acetoxythiophen-2-yl group),
3-phenylthienyl group, 4-phenylthienyl group, 5-phenylthienyl group (especially 3-phenylthiophen-2-yl group, 4-phenylthiophen-2-yl group, 5-phenylthiophen-2-yl group),
3-phenylthiothienyl group, 4-phenylthiothienyl group, 5-phenylthiothienyl group (especially 3- (phenylthio) thiophen-2-yl group, 4- (phenylthio) thiophen-2-yl group, 5- (phenylthio) ) Thiophen-2-yl group), or
A group represented by the following structural formula;

Figure 2014070020
Figure 2014070020

,

Figure 2014070020
Figure 2014070020

又は Or

Figure 2014070020
Figure 2014070020

がより好ましく例示できる。 Can be illustrated more preferably.

前記式(2)中においてXで示される無機酸イオンは、反応に供した無機酸のアルカリ金属塩またはアンモニウム塩の無機酸のイオンである。具体的には、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロヒ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ペンタフルオロヒドロキソアンチモン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、トリフルオロトリストリフルオロメチルリン酸イオン、トリフルオロトリスペンタフルオロエチルリン酸イオン、トリフルオロトリスヘプタフルオロプロピルリン酸イオン、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸イオン、テトラキス(トリフルオロメチルフェニル)ホウ酸イオン、トリフルオロ(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸イオン、テトラキス(ジフルオロフェニル)ホウ酸イオンおよびジフルオロビス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸イオン等が例示できる。 In the formula (2), the inorganic acid ion represented by X is an inorganic acid ion of an alkali metal salt or an ammonium salt of an inorganic acid subjected to the reaction. Specifically, hexafluoroantimonate ion, hexafluoroarsenate ion, hexafluorophosphate ion, pentafluorohydroxoantimonate ion, tetrafluoroborate ion, trifluorotristrifluoromethyl phosphate ion, trifluorotrispenta Fluoroethyl phosphate ion, trifluorotriseptafluoropropyl phosphate ion, tetrakis (pentafluorophenyl) borate ion, tetrakis (trifluoromethylphenyl) borate ion, trifluoro (pentafluorophenyl) borate ion, tetrakis ( Examples thereof include difluorophenyl) borate ion and difluorobis (pentafluorophenyl) borate ion.

前記式(1)中においてXで示される有機酸イオンは、反応に供した有機酸のアルカリ金属塩またはアンモニウム塩の有機酸のイオンである。具体的には、メタンスルホン酸イオン、エタンスルホン酸イオン、プロパンスルホン酸イオン、ブタンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、パーフルオロブタンスルホン酸イオン、パーフルオロヘキサンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、ベンゼン−1,3−ジスルホン酸イオン、p−トルエンスルホン酸イオン、アントラキノン−1−スルホン酸イオン、アントラキノン−2−スルホン酸イオン、アントラキノン−1,5−ジスルホン酸イオン、カンファースルホン酸イオン、ビス(フルオロスルホニル)イミドイオン、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドイオン、ビス(ノナフルオロブタンスルホニル)イミドイオン、シクロ−ヘキサフルオロプロパン−1,3−ビス(スルホニル)イミドイオン、トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メチドイオン等が例示できる。 In the formula (1), the organic acid ion represented by X is an organic acid ion of an alkali metal salt or ammonium salt of an organic acid subjected to the reaction. Specifically, methane sulfonate ion, ethane sulfonate ion, propane sulfonate ion, butane sulfonate ion, octane sulfonate ion, trifluoromethane sulfonate ion, perfluorobutane sulfonate ion, perfluorohexane sulfonate ion, Benzenesulfonic acid ion, benzene-1,3-disulfonic acid ion, p-toluenesulfonic acid ion, anthraquinone-1-sulfonic acid ion, anthraquinone-2-sulfonic acid ion, anthraquinone-1,5-disulfonic acid ion, camphorsulfone Acid ion, bis (fluorosulfonyl) imide ion, bis (trifluoromethanesulfonyl) imide ion, bis (nonafluorobutanesulfonyl) imide ion, cyclo-hexafluoropropane-1,3 Bis (sulfonyl) imide ion, tris (trifluoromethanesulfonyl) Mechidoion like.

これらの中でも、得られるトリアリールスルホニウム塩を光酸発生剤または光カチオン重合開始剤として用いた際に発生する酸の酸強度の観点および安全性の観点から、ヘキサフルオロリン酸イオン、トリフルオロトリスペンタフルオロエチルリン酸イオン、トリフルオロトリスヘプタフルオロプロピルリン酸イオン、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、パーフルオロブタンスルホン酸イオン、p−トルエンスルホン酸イオン、カンファースルホン酸イオン、ビス(フルオロスルホニル)イミドイオン、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドイオン、ビス(ノナフルオロブタンスルホニル)イミドイオン、シクロ−ヘキサフルオロプロパン−1,3−ビス(スルホニル)イミドイオン及びトリス(トリフルオロメタンスルホニル)メチドイオンが好ましい。   Among these, from the viewpoint of the acid strength and safety of the acid generated when the obtained triarylsulfonium salt is used as a photoacid generator or a photocationic polymerization initiator, hexafluorophosphate ions, trifluorotris Pentafluoroethyl phosphate ion, trifluorotrisheptafluoropropyl phosphate ion, tetrakis (pentafluorophenyl) borate ion, trifluoromethanesulfonate ion, perfluorobutanesulfonate ion, p-toluenesulfonate ion, camphorsulfonate Ion, bis (fluorosulfonyl) imide ion, bis (trifluoromethanesulfonyl) imide ion, bis (nonafluorobutanesulfonyl) imide ion, cyclo-hexafluoropropane-1,3-bis (sulfonyl) ion Doion and tris (trifluoromethanesulfonyl) Mechidoion are preferred.

本発明の製造方法により製造できるトリアリールスルホニウム塩の具体例としては、
ジフェニル(4−メトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファート、ジフェニル(4−メトキシフェニル)スルホニウムパーフルオロブタンスルホナート、ジフェニル(4−メトキシフェニル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニル(4−メトキシフェニル)スルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、(4−メトキシフェニル)スルホニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
ジフェニル(4−エトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファート、ジフェニル(4−エトキシフェニル)スルホニウムパーフルオロブタンスルホナート、ジフェニル(4−エトキシフェニル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニル(4−エトキシフェニル)スルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、(4−エトキシフェニル)スルホニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
ビス(4−メチルフェニル)(4−エトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファート、ビス(4−メチルフェニル)(4−エトキシフェニル)スルホニウムパーフルオロブタンスルホナート、ビス(4−メチルフェニル)(4−エトキシフェニル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−メチルフェニル)(4−エトキシフェニル)スルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ビス(4−メチルフェニル)(4−エトキシフェニル)スルホニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
ビス(4−メチルフェニル)(4−ブトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファート、ビス(4−メチルフェニル)(4−ブトキシフェニル)スルホニウムパーフルオロブタンスルホナート、ビス(4−メチルフェニル)(4−ブトキシフェニル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−メチルフェニル)(4−ブトキシフェニル)スルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ビス(4−メチルフェニル)(4−ブトキシフェニル)スルホニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
ビス(4−メトキシフェニル)(4−フェニルチオフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファート、ビス(4−メトキシフェニル)(4−フェニルチオフェニル)スルホニウムパーフルオロブタンスルホナート、ビス(4−メトキシフェニル)(4−フェニルチオフェニル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−メトキシフェニル)(4−フェニルチオフェニル)スルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、ビス(4−メトキシフェニル)(4−フェニルチオフェニル)スルホニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
ビス(4−メトキシフェニル)[5−(チオフェン−2−イルチオ)−チオフェン−2−イル]スルホニウムフルオロホスファート、ビス(4−メトキシフェニル)[5−(チオフェン−2−イルチオ)−チオフェン−2−イル]スルホニウムパーフルオロブタンスルホナート、ビス(4−メトキシフェニル)[5−(チオフェン−2−イルチオ)−チオフェン−2−イル]スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−メトキシフェニル)[5−(チオフェン−2−イルチオ)−チオフェン−2−イル]スルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ビス(4−メトキシフェニル)[5−(チオフェン−2−イルチオ)−チオフェン−2−イル]スルホニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
ビス(4−メチルフェニル)(4−フェノキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファート、ビス(4−メチルフェニル)(4−フェノキシフェニル)スルホニウムパーフルオロブタンスルホナート、ビス(4−メチルフェニル)(4−フェノキシフェニル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−メチルフェニル)(4−フェノキシフェニル)スルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ビス(4−メチルフェニル)(4−フェノキシフェニル)スルホニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
ビス(4−メトキシフェニル)[5−(チオフェン−2−イルチオ)−チオフェン−2−イル]テトラキスペンタフルオロフェニルボレート、
ジフェニル(4−メトキシフェニル)スルホニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
等が好ましく挙げられる。
Specific examples of the triarylsulfonium salt that can be produced by the production method of the present invention include:
Diphenyl (4-methoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate, diphenyl (4-methoxyphenyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, diphenyl (4-methoxyphenyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diphenyl (4-methoxyphenyl) sulfonium tetrakis ( Pentafluorophenyl) borate, (4-methoxyphenyl) sulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide,
Diphenyl (4-ethoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate, diphenyl (4-ethoxyphenyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, diphenyl (4-ethoxyphenyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diphenyl (4-ethoxyphenyl) sulfonium tetrakis ( Pentafluorophenyl) borate, (4-ethoxyphenyl) sulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide,
Bis (4-methylphenyl) (4-ethoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate, bis (4-methylphenyl) (4-ethoxyphenyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, bis (4-methylphenyl) (4-ethoxy) Phenyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-methylphenyl) (4-ethoxyphenyl) sulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, bis (4-methylphenyl) (4-ethoxyphenyl) sulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) Imide,
Bis (4-methylphenyl) (4-butoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate, bis (4-methylphenyl) (4-butoxyphenyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, bis (4-methylphenyl) (4-butoxy) Phenyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-methylphenyl) (4-butoxyphenyl) sulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, bis (4-methylphenyl) (4-butoxyphenyl) sulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) Imide,
Bis (4-methoxyphenyl) (4-phenylthiophenyl) sulfonium hexafluorophosphate, bis (4-methoxyphenyl) (4-phenylthiophenyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, bis (4-methoxyphenyl) (4 -Phenylthiophenyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-methoxyphenyl) (4-phenylthiophenyl) sulfonium tetrakispentafluorophenylborate, bis (4-methoxyphenyl) (4-phenylthiophenyl) sulfonium bis (trifluoro) Lomethanesulfonyl) imide,
Bis (4-methoxyphenyl) [5- (thiophen-2-ylthio) -thiophen-2-yl] sulfonium fluorophosphate, bis (4-methoxyphenyl) [5- (thiophen-2-ylthio) -thiophen-2 -Yl] sulfonium perfluorobutanesulfonate, bis (4-methoxyphenyl) [5- (thiophen-2-ylthio) -thiophen-2-yl] sulfonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-methoxyphenyl) [5- (Thiophen-2-ylthio) -thiophen-2-yl] sulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, bis (4-methoxyphenyl) [5- (thiophen-2-ylthio) -thiophen-2-yl] sulfonium bis ( Trifluoromethanesulfonyl) imide,
Bis (4-methylphenyl) (4-phenoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate, bis (4-methylphenyl) (4-phenoxyphenyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, bis (4-methylphenyl) (4-phenoxy) Phenyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-methylphenyl) (4-phenoxyphenyl) sulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, bis (4-methylphenyl) (4-phenoxyphenyl) sulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) Imide,
Bis (4-methoxyphenyl) [5- (thiophen-2-ylthio) -thiophen-2-yl] tetrakispentafluorophenylborate,
Diphenyl (4-methoxyphenyl) sulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide,
Etc. are preferable.

特に制限はされないが、本発明において、原料である式(1)で表されるジアリールスルホキシドに対する、得られる式(2)で表されるトリアリールスルホニウム塩の収率は、80%以上が好ましく、85%以上がより好ましく、90%以上がさらに好ましく、95%以上がよりさらに好ましい。   Although not particularly limited, in the present invention, the yield of the triarylsulfonium salt represented by the formula (2) obtained with respect to the diaryl sulfoxide represented by the formula (1) as a raw material is preferably 80% or more. 85% or more is more preferable, 90% or more is more preferable, and 95% or more is more preferable.

以下、本発明を実施例および比較例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例になんら限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further in detail, this invention is not limited to these Examples at all.

実施例1
<ジフェニル(4−エトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファートの作製>
撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた100mL容の四つ口フラスコに、ジフェニルスルホキシド20.2g(0.10モル)、エトキシベンゼン13.4g(0.11モル)、メタンスルホン酸28.8g(0.30モル)および塩化アルミニウム0.13g(0.001モル)を仕込み、内温を5〜15℃に保ちながら、濃硫酸50.6g(0.50モル)を2時間かけて滴下した。滴下終了後も同温度に維持しながら3時間撹拌することにより、縮合反応物の反応溶液を得た。ジフェニルスルホキシドの反応率は99%であった。
Example 1
<Preparation of diphenyl (4-ethoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate>
In a 100 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser, diphenylsulfoxide 20.2 g (0.10 mol), ethoxybenzene 13.4 g (0.11 mol), methanesulfonic acid 28.8 g (0.30 mol) and 0.13 g (0.001 mol) of aluminum chloride were added, and 50.6 g (0.50 mol) of concentrated sulfuric acid was added dropwise over 2 hours while maintaining the internal temperature at 5 to 15 ° C. . After completion of the dropwise addition, the reaction solution of the condensation reaction product was obtained by stirring for 3 hours while maintaining the same temperature. The reaction rate of diphenyl sulfoxide was 99%.

撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた500mL容の四つ口フラスコに、ヘキサフルオロリン酸カリウム19.3g(0.105モル)、水100gおよびモノクロロベンゼン100gを仕込み、内温を25〜40℃に保ちながら30分かけて前記反応溶液の全量を滴下した。さらに、30〜40℃で30分撹拌した後、モノクロロベンゼン層を分取した。次いで、得られたモノクロロベンゼン層を水50gで洗浄した後、モノクロロベンゼンを留去して淡黄色の濃縮物43.9gを得た。ジフェニルスルホキシドに対するジフェニル(4−エトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファートの収率は97.0%であり、HPLC分析による純度は98.3%であった。   A 500 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser was charged with 19.3 g (0.105 mol) of potassium hexafluorophosphate, 100 g of water and 100 g of monochlorobenzene, and the internal temperature was 25-40. The whole amount of the reaction solution was added dropwise over 30 minutes while maintaining the temperature. Furthermore, after stirring at 30-40 degreeC for 30 minutes, the monochlorobenzene layer was fractionated. Next, the obtained monochlorobenzene layer was washed with 50 g of water, and then monochlorobenzene was distilled off to obtain 43.9 g of a pale yellow concentrate. The yield of diphenyl (4-ethoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate with respect to diphenyl sulfoxide was 97.0%, and the purity by HPLC analysis was 98.3%.

実施例2
<ジフェニル(4−メトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファートの作製>
撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた100mL容の四つ口フラスコに、ジフェニルスルホキシド20.2g(0.10モル)、アニソール11.9g(0.11モル)、メタンスルホン酸28.8g(0.30モル)および塩化アルミニウム0.08g(0.0006モル)を仕込み、内温を5〜15℃に保ちながら、濃硫酸30.3g(0.30モル)を2時間かけて滴下した。滴下終了後、同温度に維持しながら4時間撹拌することにより、縮合反応物の反応溶液を得た。ジフェニルスルホキシドの反応率は99.7%であった。
Example 2
<Preparation of diphenyl (4-methoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate>
In a 100 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser, diphenylsulfoxide 20.2 g (0.10 mol), anisole 11.9 g (0.11 mol), methanesulfonic acid 28.8 g ( 0.30 mol) and 0.08 g (0.0006 mol) of aluminum chloride were charged, and 30.3 g (0.30 mol) of concentrated sulfuric acid was added dropwise over 2 hours while maintaining the internal temperature at 5 to 15 ° C. After completion of the dropwise addition, the reaction solution of the condensation reaction product was obtained by stirring for 4 hours while maintaining the same temperature. The reaction rate of diphenyl sulfoxide was 99.7%.

撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた500mL容の四つ口フラスコに、ヘキサフルオロリン酸カリウム19.3g(0.105モル)、水100gおよびモノクロロベンゼン100gを仕込み、内温を25〜35℃に保ちながら30分かけて前記反応溶液の全量を滴下した。さらに、30〜35℃で30分撹拌した後、モノクロロベンゼン層を分取した。次いで、得られたモノクロロベンゼン層を水50gで洗浄した後、モノクロロベンゼンを留去して淡黄色の濃縮物43.0gを得た。ジフェニルスルホキシドに対するジフェニル(4−メトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファートの収率は98.1%であり、HPLC分析による純度は99.3%であった。   A 500 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser was charged with 19.3 g (0.105 mol) of potassium hexafluorophosphate, 100 g of water and 100 g of monochlorobenzene, and the internal temperature was 25 to 35. The whole amount of the reaction solution was added dropwise over 30 minutes while maintaining the temperature. Furthermore, after stirring at 30-35 degreeC for 30 minutes, the monochlorobenzene layer was fractionated. Subsequently, the obtained monochlorobenzene layer was washed with 50 g of water, and then monochlorobenzene was distilled off to obtain 43.0 g of a pale yellow concentrate. The yield of diphenyl (4-methoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate with respect to diphenyl sulfoxide was 98.1%, and the purity by HPLC analysis was 99.3%.

実施例3
<ビス(4−メトキシフェニル)(4−フェニルチオフェニル)スルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートの作製>
撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた100mL容の四つ口フラスコに、ビス(4−メトキシフェニル)スルホキシド5.2g(0.02モル)、ジフェニルスルフィド3.9g(0.02モル)、メタンスルホン酸5.8g(0.06モル)および塩化アルミニウム0.03g(0.0002モル)を仕込み、内温を5〜15℃に保ちながら、濃硫酸6.1g(0.06モル)を1時間かけて滴下した。滴下終了後、同温度に維持しながら2時間撹拌し更に20〜25℃で1時間攪拌することにより、縮合反応物の反応溶液を得た。ビス(4−メトキシフェニル)スルホキシドの反応率は99.5%であった。
Example 3
<Preparation of bis (4-methoxyphenyl) (4-phenylthiophenyl) sulfonium tetrakispentafluorophenyl borate>
A 100 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser was charged with 5.2 g (0.02 mol) of bis (4-methoxyphenyl) sulfoxide, 3.9 g (0.02 mol) of diphenyl sulfide, While charging 5.8 g (0.06 mol) of methanesulfonic acid and 0.03 g (0.0002 mol) of aluminum chloride and maintaining the internal temperature at 5 to 15 ° C., 6.1 g (0.06 mol) of concentrated sulfuric acid was added. The solution was added dropwise over 1 hour. After completion of dropping, the mixture was stirred for 2 hours while maintaining the same temperature, and further stirred at 20 to 25 ° C. for 1 hour to obtain a reaction solution of the condensation reaction product. The reaction rate of bis (4-methoxyphenyl) sulfoxide was 99.5%.

撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた300mL容の四つ口フラスコに、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸リチウム(73wt%−ジエチルエーテル錯体)18.8g(0.02モル)、水100gおよびモノクロロベンゼン50gを仕込み、内温を30〜50℃に保ちながら30分かけて前記反応溶液の全量を滴下した。さらに、40〜50℃で30分撹拌した後、モノクロロベンゼン層を分取した。次いで、得られたモノクロロベンゼン層を水50gで洗浄した後、モノクロロベンゼンを留去して淡黄色の濃縮物21.1gを得た。ビス(4−メトキシフェニル)スルホキシドに対するビス(4−メトキシフェニル)(4−フェニルチオフェニル)スルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートの収率は95.0%であり、HPLC分析による純度は99.1%であった。   In a 300 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser, 18.8 g (0.02 mol) of tetrakis (pentafluorophenyl) lithium borate (73 wt% -diethyl ether complex), 100 g of water and Monochlorobenzene (50 g) was charged, and the entire amount of the reaction solution was added dropwise over 30 minutes while maintaining the internal temperature at 30 to 50 ° C. Furthermore, after stirring at 40-50 degreeC for 30 minutes, the monochlorobenzene layer was fractionated. Next, the obtained monochlorobenzene layer was washed with 50 g of water, and then monochlorobenzene was distilled off to obtain 21.1 g of a pale yellow concentrate. The yield of bis (4-methoxyphenyl) (4-phenylthiophenyl) sulfonium tetrakispentafluorophenylborate relative to bis (4-methoxyphenyl) sulfoxide was 95.0%, and the purity by HPLC analysis was 99.1%. there were.

実施例4
<ジフェニル(4−メトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファートの作製>
撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた200mL容の四つ口フラスコに、ジフェニルスルホキシド20.2g(0.10モル)、アニソール11.9g(0.11モル)、酢酸30.0g(0.50モル)および塩化アルミニウム0.13g(0.001モル)を仕込み、内温を5〜15℃に保ちながら、濃硫酸60.7g(0.60モル)を1時間かけて滴下した。滴下終了後、同温度に維持しながら2時間撹拌し、更に20〜25℃で3時間攪拌することにより、縮合反応物の反応溶液を得た。ジフェニルスルホキシドの反応率は99.3%であった。
Example 4
<Preparation of diphenyl (4-methoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate>
In a 200 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser, 20.2 g (0.10 mol) of diphenyl sulfoxide, 11.9 g (0.11 mol) of anisole, and 30.0 g (0. 50 mol) and 0.13 g (0.001 mol) of aluminum chloride were charged, and 60.7 g (0.60 mol) of concentrated sulfuric acid was added dropwise over 1 hour while maintaining the internal temperature at 5 to 15 ° C. After completion of the dropping, the mixture was stirred for 2 hours while maintaining the same temperature, and further stirred at 20 to 25 ° C. for 3 hours to obtain a reaction solution of the condensation reaction product. The reaction rate of diphenyl sulfoxide was 99.3%.

撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた500mL容の四つ口フラスコに、ヘキサフルオロリン酸カリウム19.3g(0.105モル)、水100gおよびモノクロロベンゼン100gを仕込み、内温を25〜35℃に保ちながら30分かけて前記反応溶液の全量を滴下した。さらに、30〜35℃で30分撹拌した後、モノクロロベンゼン層を分取した。次いで、得られたモノクロロベンゼン層を水50gで洗浄した後、モノクロロベンゼンを留去して淡黄色の濃縮物42.5gを得た。ジフェニルスルホキシドに対するジフェニル(4−メトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファートの収率は97.0%であり、HPLC分析による純度は99.1%であった。   A 500 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser was charged with 19.3 g (0.105 mol) of potassium hexafluorophosphate, 100 g of water and 100 g of monochlorobenzene, and the internal temperature was 25 to 35. The whole amount of the reaction solution was added dropwise over 30 minutes while maintaining the temperature. Furthermore, after stirring at 30-35 degreeC for 30 minutes, the monochlorobenzene layer was fractionated. Next, the obtained monochlorobenzene layer was washed with 50 g of water, and then monochlorobenzene was distilled off to obtain 42.5 g of a pale yellow concentrate. The yield of diphenyl (4-methoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate with respect to diphenyl sulfoxide was 97.0%, and the purity by HPLC analysis was 99.1%.

実施例5
<ビス(4−メチルフェニル)(4−ブトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファートの作製>
撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた100mL容の四つ口フラスコに、ビス(4−メチルフェニル)スルホキシド23.0g(0.10モル)、ブトキシベンゼン16.5g(0.11モル)、メタンスルホン酸28.8g(0.30モル)および塩化アルミニウム0.08g(0.0006モル)を仕込み、内温を5〜15℃に保ちながら、濃硫酸30.3g(0.30モル)を2時間かけて滴下した。滴下終了後、同温度に維持しながら4時間撹拌することにより、縮合反応物の反応溶液を得た。ビス(4−メチルフェニル)スルホキシドの反応率は98.5%であった。
Example 5
<Preparation of bis (4-methylphenyl) (4-butoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate>
In a 100 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser, 23.0 g (0.10 mol) of bis (4-methylphenyl) sulfoxide, 16.5 g (0.11 mol) of butoxybenzene, Charge 28.8 g (0.30 mol) of methanesulfonic acid and 0.08 g (0.0006 mol) of aluminum chloride and maintain 30.3 g (0.30 mol) of concentrated sulfuric acid while maintaining the internal temperature at 5 to 15 ° C. It was dripped over 2 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction solution of the condensation reaction product was obtained by stirring for 4 hours while maintaining the same temperature. The reaction rate of bis (4-methylphenyl) sulfoxide was 98.5%.

撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた500mL容の四つ口フラスコに、ヘキサフルオロリン酸カリウム19.3g(0.105モル)、水100gおよびモノクロロベンゼン100gを仕込み、内温を25〜35℃に保ちながら30分かけて前記反応溶液の全量を滴下した。さらに、30〜35℃で30分撹拌した後、モノクロロベンゼン層を分取した。次いで、得られたモノクロロベンゼン層を水50gで洗浄した後、モノクロロベンゼンを留去して淡黄色の濃縮物49.1gを得た。ビス(4−メチルフェニル)スルホキシドに対するビス(4−メチルフェニル)(4−ブトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファートの収率は96.6%であり、HPLC分析による純度は97.5%であった。   A 500 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser was charged with 19.3 g (0.105 mol) of potassium hexafluorophosphate, 100 g of water and 100 g of monochlorobenzene, and the internal temperature was 25 to 35. The whole amount of the reaction solution was added dropwise over 30 minutes while maintaining the temperature. Furthermore, after stirring at 30-35 degreeC for 30 minutes, the monochlorobenzene layer was fractionated. Subsequently, the obtained monochlorobenzene layer was washed with 50 g of water, and then monochlorobenzene was distilled off to obtain 49.1 g of a pale yellow concentrate. The yield of bis (4-methylphenyl) (4-butoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate relative to bis (4-methylphenyl) sulfoxide was 96.6%, and the purity by HPLC analysis was 97.5%. .

実施例6
<ビス(4−メチルフェニル)(4−エトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファートの作製>
撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた100mL容の四つ口フラスコに、ビス(4−メチルフェニル)スルホキシド23.0g(0.10モル)、エトキシベンゼン13.4g(0.11モル)、メタンスルホン酸28.8g(0.30モル)および塩化アルミニウム0.08g(0.0006モル)を仕込み、内温を5〜15℃に保ちながら、濃硫酸30.3g(0.30モル)を2時間かけて滴下した。滴下終了後、同温度に維持しながら4時間撹拌することにより、縮合反応物の反応溶液を得た。ビス(4−メチルフェニル)スルホキシドの反応率は99.2%であった。
Example 6
<Preparation of bis (4-methylphenyl) (4-ethoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate>
In a 100 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser, 23.0 g (0.10 mol) of bis (4-methylphenyl) sulfoxide, 13.4 g (0.11 mol) of ethoxybenzene, Charge 28.8 g (0.30 mol) of methanesulfonic acid and 0.08 g (0.0006 mol) of aluminum chloride and maintain 30.3 g (0.30 mol) of concentrated sulfuric acid while maintaining the internal temperature at 5 to 15 ° C. It was dripped over 2 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction solution of the condensation reaction product was obtained by stirring for 4 hours while maintaining the same temperature. The reaction rate of bis (4-methylphenyl) sulfoxide was 99.2%.

撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた500mL容の四つ口フラスコに、ヘキサフルオロリン酸カリウム19.3g(0.105モル)、水100gおよびモノクロロベンゼン100gを仕込み、内温を25〜35℃に保ちながら30分かけて前記反応溶液の全量を滴下した。さらに、30〜35℃で30分撹拌した後、モノクロロベンゼン層を分取した。次いで、得られたモノクロロベンゼン層を水50gで洗浄した後、モノクロロベンゼンを留去して淡黄色の濃縮物46.1gを得た。ビス(4−メチルフェニル)スルホキシドに対するビス(4−メチルフェニル)(4−エトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファートの収率は96.0%であり、HPLC分析による純度は98.7%であった。   A 500 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser was charged with 19.3 g (0.105 mol) of potassium hexafluorophosphate, 100 g of water and 100 g of monochlorobenzene, and the internal temperature was 25 to 35. The whole amount of the reaction solution was added dropwise over 30 minutes while maintaining the temperature. Furthermore, after stirring at 30-35 degreeC for 30 minutes, the monochlorobenzene layer was fractionated. Next, the obtained monochlorobenzene layer was washed with 50 g of water, and then monochlorobenzene was distilled off to obtain 46.1 g of a pale yellow concentrate. The yield of bis (4-methylphenyl) (4-ethoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate relative to bis (4-methylphenyl) sulfoxide was 96.0%, and the purity by HPLC analysis was 98.7%. .

実施例7
<ビス(4−メトキシフェニル)[5−(チオフェン−2−イルチオ)−チオフェン−2−イル]テトラキスペンタフルオロフェニルボレートの作製>
撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた100mL容の四つ口フラスコに、ビス(4−メトキシフェニル)スルホキシド5.2g(0.02モル)、2,2’−ジチエニルスルフィド4.0g(0.02モル)、酢酸9.6g(0.16モル)および塩化アルミニウム0.03g(0.0002モル)を仕込み、内温を5〜15℃に保ちながら、濃硫酸13.7g(0.14モル)を1時間かけて滴下した。滴下終了後、同温度に維持しながら4時間撹拌し、更に20〜25℃で2時間攪拌することにより、縮合反応物の反応溶液を得た。ビス(4−メトキシフェニル)スルホキシドの反応率は96.5%であった。
Example 7
<Preparation of bis (4-methoxyphenyl) [5- (thiophen-2-ylthio) -thiophen-2-yl] tetrakispentafluorophenylborate>
A 100 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser was charged with 5.2 g (0.02 mol) of bis (4-methoxyphenyl) sulfoxide and 4.0 g of 2,2′-dithienyl sulfide ( 0.02 mol), 9.6 g of acetic acid (0.16 mol) and 0.03 g of aluminum chloride (0.0002 mol) were charged, and 13.7 g of concentrated sulfuric acid was added while maintaining the internal temperature at 5 to 15 ° C. 14 mol) was added dropwise over 1 hour. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred for 4 hours while maintaining the same temperature, and further stirred at 20 to 25 ° C. for 2 hours to obtain a reaction solution of the condensation reaction product. The reaction rate of bis (4-methoxyphenyl) sulfoxide was 96.5%.

撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた300mL容の四つ口フラスコに、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸リチウム(73wt%−ジエチルエーテル錯体)18.8g(0.02モル)、水100gおよびモノクロロベンゼン50gを仕込み、内温を30〜50℃に保ちながら30分かけて前記反応溶液の全量を滴下した。さらに、40〜50℃で30分撹拌した後、モノクロロベンゼン層を分取した。次いで、得られたモノクロロベンゼン層を水50gで洗浄した後、モノクロロベンゼンを留去して淡黄色の濃縮物21.6gを得た。ビス(4−メトキシフェニル)スルホキシドに対するビス(4−メトキシフェニル)[5−(チオフェン−2−イルチオ)−チオフェン−2−イル]テトラキスペンタフルオロフェニルボレートの収率は96.2%であり、HPLC分析による純度は96.1%であった。   In a 300 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser, 18.8 g (0.02 mol) of tetrakis (pentafluorophenyl) lithium borate (73 wt% -diethyl ether complex), 100 g of water and Monochlorobenzene (50 g) was charged, and the entire amount of the reaction solution was added dropwise over 30 minutes while maintaining the internal temperature at 30 to 50 ° C. Furthermore, after stirring at 40-50 degreeC for 30 minutes, the monochlorobenzene layer was fractionated. Next, the obtained monochlorobenzene layer was washed with 50 g of water, and then monochlorobenzene was distilled off to obtain 21.6 g of a pale yellow concentrate. The yield of bis (4-methoxyphenyl) [5- (thiophen-2-ylthio) -thiophen-2-yl] tetrakispentafluorophenylborate relative to bis (4-methoxyphenyl) sulfoxide is 96.2%, HPLC The analytical purity was 96.1%.

実施例8
<ジフェニル(4−メトキシフェニル)スルホニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドの作製>
撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた100mL容の四つ口フラスコに、ジフェニルスルホキシド20.2g(0.10モル)、アニソール11.9g(0.11モル)、メタンスルホン酸28.8g(0.30モル)および塩化鉄(III)(無水)0.10g(0.0006モル)を仕込み、内温を5〜15℃に保ちながら、濃硫酸30.3g(0.30モル)を2時間かけて滴下した。滴下終了後、同温度に維持しながら4時間撹拌することにより、縮合反応物の反応溶液を得た。ジフェニルスルホキシドの反応率は99.6%であった。
Example 8
<Preparation of diphenyl (4-methoxyphenyl) sulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide>
In a 100 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser, diphenylsulfoxide 20.2 g (0.10 mol), anisole 11.9 g (0.11 mol), methanesulfonic acid 28.8 g ( 0.30 mol) and 0.10 g (0.0006 mol) of iron (III) chloride (anhydrous) were charged, and 30.3 g (0.30 mol) of concentrated sulfuric acid was added while maintaining the internal temperature at 5 to 15 ° C. It was added dropwise over time. After completion of the dropwise addition, the reaction solution of the condensation reaction product was obtained by stirring for 4 hours while maintaining the same temperature. The reaction rate of diphenyl sulfoxide was 99.6%.

撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた500mL容の四つ口フラスコに、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドリチウム30.1g(0.105モル)、水100gおよびモノクロロベンゼン100gを仕込み、内温を25〜35℃に保ちながら30分かけて前記反応溶液の全量を滴下した。さらに、30〜35℃で30分撹拌した後、モノクロロベンゼン層を分取した。次いで、得られたモノクロロベンゼン層を水50gで洗浄した後、モノクロロベンゼンを留去して淡黄色の濃縮物56.3gを得た。ジフェニルスルホキシドに対するジフェニル(4−メトキシフェニル)スルホニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドの収率は98.2%であり、HPLC分析による純度は99.3%であった。   A 500 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser was charged with 30.1 g (0.105 mol) of bis (trifluoromethanesulfonyl) imide lithium, 100 g of water and 100 g of monochlorobenzene, and the internal temperature was adjusted. While maintaining the temperature at 25 to 35 ° C., the entire amount of the reaction solution was added dropwise over 30 minutes. Furthermore, after stirring at 30-35 degreeC for 30 minutes, the monochlorobenzene layer was fractionated. Subsequently, the obtained monochlorobenzene layer was washed with 50 g of water, and then monochlorobenzene was distilled off to obtain 56.3 g of a pale yellow concentrate. The yield of diphenyl (4-methoxyphenyl) sulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide with respect to diphenyl sulfoxide was 98.2%, and the purity by HPLC analysis was 99.3%.

比較例1(実施例1に対応:AlCl なし)
実施例1において塩化アルミニウムを使用しなかった以外は同様に反応を行ったが、ジフェニルスルホキシドの反応率はわずか10%であった。その後、更に20〜25℃で3時間攪拌を継続したが、ジフェニルスルホキシドの反応率は20%であり、目的のスルホニウム塩であるジフェニル(4−エトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスファートの生成収率は10%であった。
Comparative Example 1 (corresponding to Example 1; no AlCl 3 )
The reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that aluminum chloride was not used, but the reaction rate of diphenyl sulfoxide was only 10%. Thereafter, stirring was further continued at 20 to 25 ° C. for 3 hours. The reaction rate of diphenyl sulfoxide was 20%, and the production yield of diphenyl (4-ethoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate, which is the target sulfonium salt, was 10%.

比較例2(実施例2に対応:メタンスルホン酸及び濃硫酸なし)
撹拌機、温度計および冷却器を備え付けた200mL容の四つ口フラスコに、アニソール11.9g(0.11モル)、モノクロロベンゼン100gおよび塩化アルミニウム26.7g(0.20モル)を仕込み、内温を20〜30℃に保ちながら、ジフェニルスルホキシド20.2g(0.10モル)を1時間かけて分割添加した。添加終了後、同温度に維持しながら5時間撹拌したが、反応は全く進行しなかった。
Comparative Example 2 (corresponding to Example 2: no methanesulfonic acid and concentrated sulfuric acid)
A 200 mL four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser was charged with 11.9 g (0.11 mol) of anisole, 100 g of monochlorobenzene and 26.7 g (0.20 mol) of aluminum chloride. While maintaining the temperature at 20 to 30 ° C., 20.2 g (0.10 mol) of diphenyl sulfoxide was added in portions over 1 hour. After completion of the addition, the mixture was stirred for 5 hours while maintaining the same temperature, but the reaction did not proceed at all.

以上の結果から、本発明の製造方法によれば、例えば光酸発生剤あるいは光カチオン重合開始剤として有用なトリアリールスルホニウム塩を、簡便に、高収率、高純度で製造することができることがわかった。   From the above results, according to the production method of the present invention, for example, a triarylsulfonium salt useful as a photoacid generator or a photocationic polymerization initiator can be easily produced in high yield and high purity. all right.

Claims (5)

式(1):
Figure 2014070020

(式中、RおよびRは、それぞれ独立して、置換基を有してもよい単環式炭素環基、置換基を有してもよい縮合多環式炭素環基、または置換基を有してもよい単環式複素環基を示す。)で表されるジアリールスルホキシド(a)、および芳香族化合物(b)を、ルイス酸(c)、スルホン酸および/またはカルボン酸(d)、ならびに硫酸の存在下で反応させた後、
無機酸のアルカリ金属塩、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアルカリ金属塩、又は有機酸のアンモニウム塩と反応させ、式(2)
式(2):
Figure 2014070020

(式中、RおよびRは前記に同じであり、Rは、RおよびRから独立して、置換基を有してもよい単環式炭素環基、置換基を有してもよい縮合多環式炭素環基または置換基を有してもよい単環式複素環基を示す。Xは、無機酸イオンまたは有機酸イオンを示す。)で表されるトリアリールスルホニウム塩を製造する方法。
Formula (1):
Figure 2014070020

(Wherein R 1 and R 2 are each independently a monocyclic carbocyclic group which may have a substituent, a condensed polycyclic carbocyclic group which may have a substituent, or a substituent. A diaryl sulfoxide (a) represented by the following formula (1) and an aromatic compound (b): a Lewis acid (c), a sulfonic acid and / or a carboxylic acid (d ), As well as in the presence of sulfuric acid,
Reaction with an alkali metal salt of an inorganic acid, an ammonium salt of an inorganic acid, an alkali metal salt of an organic acid, or an ammonium salt of an organic acid, formula (2)
Formula (2):
Figure 2014070020

(In the formula, R 1 and R 2 are the same as defined above, and R 3 independently has a monocyclic carbocyclic group, which may have a substituent, independently of R 1 and R 2. A condensed polycyclic carbocyclic group which may optionally be substituted or a monocyclic heterocyclic group which may have a substituent, wherein X represents an inorganic acid ion or an organic acid ion. A method for producing a salt.
芳香族化合物(b)がアリールアルキルエーテル、ポリアリールエーテル、アリールアルキルスルフィド、ポリアリールスルフィド、および置換基を有してもよいチオフェンからなる群より選ばれた少なくとも1種である、請求項1に記載のトリアリールスルホニウム塩を製造する方法。   The aromatic compound (b) is at least one selected from the group consisting of arylalkyl ethers, polyaryl ethers, arylalkyl sulfides, polyaryl sulfides, and optionally substituted thiophenes. A process for producing the described triarylsulfonium salt. ルイス酸(c)が塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、塩化鉄、臭化鉄、塩化亜鉛、および臭化亜鉛からなる群より選ばれた少なくとも1種である、請求項1または2に記載のトリアリールスルホニウム塩を製造する方法。   The triaryl according to claim 1 or 2, wherein the Lewis acid (c) is at least one selected from the group consisting of aluminum chloride, aluminum bromide, iron chloride, iron bromide, zinc chloride, and zinc bromide. A method for producing a sulfonium salt. スルホン酸および/またはカルボン酸(d)が、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、酢酸、プロピオン酸からなる群より選ばれた少なくとも1種である、請求項1〜3のいずれかに記載のトリアリールスルホニウム塩を製造する方法。   The triaryl according to any one of claims 1 to 3, wherein the sulfonic acid and / or carboxylic acid (d) is at least one selected from the group consisting of methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, acetic acid, and propionic acid. A method for producing a sulfonium salt. 前記ルイス酸(c)の使用割合が、ジアリールスルホキシド(a)1モルに対して0.0001〜0.1モルである、請求項1〜4のいずれかに記載のトリアリールスルホニウム塩を製造する方法。 The triarylsulfonium salt according to any one of claims 1 to 4, wherein the use ratio of the Lewis acid (c) is 0.0001 to 0.1 mol with respect to 1 mol of the diaryl sulfoxide (a). Method.
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