JP2014068882A - Radiation image photographing control device, radiation moving image photographing system, defect determination method for radiation image photographing apparatus and radiation image photographing control program - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、放射線画撮影制御装置、放射線画撮影システム、放射線動画撮影装置の欠陥判定方法、及び放射線画撮影制御プログラムに関する The present invention relates to a radiographic imaging control device, a radiographic imaging system, a defect determination method for a radiographic video imaging device, and a radiographic imaging control program.
近年、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、放射線量をデジタルデータ(電気信号)に変換できるFPD(Flat Panel Detector)等の放射線検出器(「電子カセッテ」等という場合がある)が実用化されており、この放射線検出器を用いて、照射された放射線量により表わされる放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置が実用化されている。 In recent years, radiation detectors such as FPD (Flat Panel Detector) that can arrange radiation sensitive layers on TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrates and convert radiation dose into digital data (electrical signals) In some cases, a radiation image capturing apparatus that captures a radiation image represented by the amount of irradiated radiation using this radiation detector has been put into practical use.
このような放射線画像撮影装置では、放射線の照射開始や停止を制御するために、放射線をモニタするための放射線照射量検出用画素が設けられているものがある。 Some of such radiographic imaging apparatuses are provided with a radiation irradiation amount detection pixel for monitoring radiation in order to control the start and stop of radiation irradiation.
例えば、特許文献1に記載の技術では、予め定めた放射線検出領域に均一に配置され、被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じた画像用電気信号をスイッチング素子を介して信号配線に出力する複数の画像用放射線検出素子と、複数の画像用放射線検出素子のそれぞれに隣接して配置されると共に、放射線検出領域に均一に且つ予め定めた繰り返しパターンで配置され、被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じたモニタ用電気信号を信号配線に直接出力する複数のモニタ用放射線検出素子と、を備えた放射線検出装置が提案されている。 For example, in the technique described in Patent Document 1, radiation that is uniformly arranged in a predetermined radiation detection region and that is applied to a subject is detected, and an electrical image signal corresponding to the detected radiation is transmitted via a switching element. A plurality of image radiation detection elements to be output to the wiring and a plurality of image radiation detection elements are disposed adjacent to each other, and are disposed in the radiation detection region uniformly and in a predetermined repeating pattern to irradiate the subject. There has been proposed a radiation detection device including a plurality of monitoring radiation detection elements that detect the detected radiation and directly output a monitoring electrical signal corresponding to the detected radiation to a signal wiring.
また、画像用放射線検出素子と、同様に、スイッチング素子を介して信号配線に電気信号を出力して放射線の照射量を検出するものや、別のセンサを設けて放射線の開始や停止するために放射線の照射量を検出するものも提案されている。 Similarly to the radiation detection element for imaging, in order to detect the radiation dose by outputting an electrical signal to the signal wiring via the switching element, or to start or stop radiation by providing another sensor Some have been proposed for detecting the radiation dose.
しかしながら、特許文献1に記載の技術では、放射線の照射量を検出する複数の放射線照射量検出用画素(モニタ用放射線検出素子)の各々の画素によって検出された信号が同一信号配線に流れるため、放射線照射量検出用画素に欠陥が発生した場合に、欠陥画素を検出し難い場合がある。 However, in the technique described in Patent Document 1, since signals detected by each pixel of a plurality of radiation dose detection pixels (monitoring radiation detection elements) for detecting the radiation dose flow to the same signal wiring, When a defect occurs in the radiation dose detection pixel, it may be difficult to detect the defective pixel.
また、特許文献1に記載の技術のように、放射線画像撮影用画素(画像用放射線検出素子)よりも照射量検出量画素(放射線モニタ用検出素子)が小さい場合には、S/N比の観点でも欠陥判別が難しい。 Further, as in the technique described in Patent Document 1, when the irradiation amount detection amount pixel (radiation monitor detection element) is smaller than the radiation image capturing pixel (image radiation detection element), the S / N ratio is reduced. It is difficult to identify defects from the viewpoint.
また、別センサ等を用いて放射線の照射量を検出する場合でも、放射線が照射されていない状態の信号に基づいて欠陥を検出することが可能であるが、センサの鉛直上にある異物や、放射線を可視光に変換するシンチレータの欠陥などによって発生する欠陥については検出することができない。 Moreover, even when detecting the radiation dose using another sensor or the like, it is possible to detect a defect based on a signal in a state where no radiation is irradiated, It is impossible to detect a defect caused by a defect of a scintillator that converts radiation into visible light.
本発明は、上記事実を考慮して成されたもので、放射線照射量検出用画素の欠陥を精度よく検出可能にすることを目的とする。 The present invention has been made in consideration of the above-described facts, and an object of the present invention is to make it possible to accurately detect a defect in a radiation dose detection pixel.
上記目的を達成するために本発明の放射線画像撮影装置は、放射線画像を撮影するための複数の放射線画像撮影用画素と、放射線の照射量を検出するための放射線照射量検出用画素と、前記放射線照射量検出用画素の周辺の前記放射線画像用画素の欠陥発生状況に基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定する判定手段と、を備えている。 In order to achieve the above object, a radiographic imaging apparatus according to the present invention includes a plurality of radiographic image capturing pixels for capturing a radiographic image, a radiation irradiation amount detecting pixel for detecting a radiation irradiation amount, Determination means for determining a defect of the radiation dose detection pixel based on a defect occurrence state of the radiation image pixel around the radiation dose detection pixel.
本発明の放射線画像撮影装置によれば、複数の放射線画像撮影用画素は、放射線画像を撮影するために用いられ、放射線照射量検出用画素は、放射線の照射量を検出するために用いられる。 According to the radiographic image capturing apparatus of the present invention, the plurality of radiographic image capturing pixels are used to capture a radiographic image, and the radiation dose detection pixels are used to detect the radiation dose.
そして、判定手段では、放射線照射量検出用画素の周辺の放射線画像撮影用画素の欠陥発生状況に基づいて、放射線照射量検出用画素の欠陥が判定される。例えば、鉛直上の異物等による欠陥の場合には、放射線照射量検出用画素の周辺の放射線画像撮影用画素も欠陥となる可能性が高いので、欠陥として判定することが可能である。これによって鉛直上の異物等による欠陥も検出可能でとなるので、放射線照射量検出用画素の欠陥を精度よく検出することが可能となる。 Then, the determination unit determines the defect of the radiation dose detection pixel based on the defect occurrence state of the radiation image capturing pixel around the radiation dose detection pixel. For example, in the case of a defect due to a vertical foreign matter or the like, the radiation image capturing pixels around the radiation dose detection pixels are likely to be defective, and therefore can be determined as defects. As a result, defects due to vertical foreign matter or the like can be detected, so that it is possible to accurately detect defects in the radiation dose detection pixels.
また、前記放射線撮影用画素及び前記放射線照射量検出用画素をそれぞれサブピクセルとして1画素が構成されている場合には、前記判定手段が、1画素を構成する前記放射線撮影用画素の欠陥発生状況に基づいて、同一画素中の前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定するようにしてもよい。すなわち、1画素中の放射線画像撮影用画素が欠陥である場合には、同じ画素中の放射線照射量検出用画素についても欠陥となる可能性が高いので、欠陥と判定するようにしてもよい。 In addition, when one pixel is configured with the radiation imaging pixel and the radiation irradiation amount detection pixel as sub-pixels, the determination unit has a defect occurrence state of the radiation imaging pixel constituting one pixel. Based on the above, the defect of the radiation dose detection pixel in the same pixel may be determined. That is, when the radiation image capturing pixel in one pixel is defective, the radiation irradiation amount detection pixel in the same pixel is likely to be defective, and may be determined as a defect.
また、前記判定手段は、周辺の前記放射線画像用画素に欠陥がない場合に、前記放射線照射量検出用画素で撮影された画素の値を周辺の前記放射線画像用画素の値から予測し、予測した値及び前記放射線照射量検出用画素の値に基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定するようにしてもよい。 In addition, the determination unit predicts a value of a pixel photographed by the radiation dose detection pixel from a value of the surrounding radiation image pixel when there is no defect in the surrounding radiation image pixel, The defect of the radiation dose detection pixel may be determined based on the measured value and the value of the radiation dose detection pixel.
さらに、前記放射線画像撮影用画素及び前記放射線照射量検出用画素がそれぞれ接続された信号線を更に備える場合には、前記判定手段が、前記放射線照射量検出用画素と同一の前記信号線に接続され、かつ前記放射線照射量検出用画素の前後に読み出される前記放射線画像用画素の欠陥発生状況に基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定するようにしてもよい。 Further, in the case of further comprising a signal line to which the radiation image capturing pixel and the radiation dose detection pixel are respectively connected, the determination unit is connected to the same signal line as the radiation dose detection pixel. In addition, the defect of the radiation dose detection pixel may be determined based on the defect occurrence status of the radiation image pixel read before and after the radiation dose detection pixel.
また、前記放射線画像撮影用画素は、照射された放射線に応じた電荷を発生するセンサ部、及び当該センサ部で発生された電荷を読み出して信号線へ出力するスイッチング素子を含み、前記放射線照射量検出用画素は、照射された放射線に応じた電荷を発生し、発生された電荷を前記信号線へ出力するセンサ部を含む構成としてもよい。 The radiation image capturing pixel includes a sensor unit that generates a charge corresponding to the irradiated radiation, and a switching element that reads the charge generated by the sensor unit and outputs the charge to a signal line. The detection pixel may include a sensor unit that generates a charge corresponding to the irradiated radiation and outputs the generated charge to the signal line.
なお、本発明は、上述の放射線動画撮影装置と、被検体を介して前記放射線画像撮影装置に放射線を照射する放射線照射手段と、を備えた放射線画像撮影システムとしてもよい。 In addition, this invention is good also as a radiographic imaging system provided with the above-mentioned radiographic imaging apparatus and the radiation irradiation means to irradiate the said radiographic imaging apparatus through a subject.
一方、本発明の放射線画像撮影装置の欠陥判定方法は、放射線画像を撮影するための複数の放射線画像撮影用画素と、放射線の照射量を検出するための放射線照射量検出用画素と、を備えた放射線画像撮影装置における、前記放射線照射量検出用画素の周辺の前記放射線画像用画素の欠陥発生状況を取得する取得ステップと、前記取得ステップの取得結果に基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定する判定ステップと、を有する。 On the other hand, the defect determination method of the radiographic image capturing apparatus of the present invention includes a plurality of radiographic image capturing pixels for capturing a radiographic image and a radiation dose detection pixel for detecting the radiation dose. In the radiographic imaging device, an acquisition step of acquiring a defect occurrence state of the radiation image pixel around the radiation exposure amount detection pixel, and the radiation irradiation amount detection pixel based on an acquisition result of the acquisition step A determination step of determining a defect of
本発明の放射線画像撮影装置の欠陥判定方法によれば、放射線画像撮影装置の複数の放射線画像撮影用画素は、放射線画像を撮影するために用いられ、放射線照射量検出用画素は、放射線の照射量を検出するために用いられる。 According to the defect determination method of the radiographic image capturing apparatus of the present invention, the plurality of radiographic image capturing pixels of the radiographic image capturing apparatus are used for capturing a radiographic image, and the radiation dose detection pixel is irradiated with radiation. Used to detect quantity.
取得ステップでは、放射線照射量検出用画素の周辺の放射線画像用画素の欠陥発生状況を取得する。 In the acquisition step, the defect occurrence status of the radiation image pixels around the radiation dose detection pixels is acquired.
そして、判定ステップでは、取得ステップの取得結果に基づいて、放射線照射量検出用画素の欠陥を判定する。例えば、鉛直上の異物等による欠陥の場合には、放射線照射量検出用画素の周辺の放射線画像撮影用画素も欠陥となる可能性が高いので、欠陥として判定することが可能である。これによって鉛直上の異物等による欠陥も検出可能でとなるので、放射線照射量検出用画素の欠陥を精度よく検出することが可能となる。 In the determination step, the defect of the radiation dose detection pixel is determined based on the acquisition result of the acquisition step. For example, in the case of a defect due to a vertical foreign matter or the like, the radiation image capturing pixels around the radiation dose detection pixels are likely to be defective, and therefore can be determined as defects. As a result, defects due to vertical foreign matter or the like can be detected, so that it is possible to accurately detect defects in the radiation dose detection pixels.
また、前記放射線撮影用画素及び前記放射線照射量検出用画素がそれぞれサブピクセルとされて1画素が構成されている場合には、前記判定ステップが、1画素を構成する前記放射線撮影用画素の欠陥発生状況に基づいて、同一画素中の前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定するようにしてもよい。すなわち、1画素中の放射線画像撮影用画素が欠陥である場合には、同じ画素中の放射線照射量検出用画素についても欠陥となる可能性が高いので、欠陥と判定するようにしてもよい。 In addition, when the radiation imaging pixel and the radiation irradiation amount detection pixel are subpixels to form one pixel, the determination step includes a defect in the radiation imaging pixel constituting one pixel. You may make it determine the defect of the said radiation irradiation amount detection pixel in the same pixel based on the generating condition. That is, when the radiation image capturing pixel in one pixel is defective, the radiation irradiation amount detection pixel in the same pixel is likely to be defective, and may be determined as a defect.
また、前記判定ステップは、周辺の前記放射線画像用画素に欠陥がない場合に、前記放射線照射量検出用画素で撮影された画素の値を周辺の前記放射線画像用画素の値から予測し、予測した値と前記放射線照射量検出用画素の値とに基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定するようにしてもよい。 Further, the determination step predicts a value of a pixel photographed by the radiation dose detection pixel from a value of the surrounding radiation image pixel when there is no defect in the surrounding radiation image pixel, The defect of the radiation dose detection pixel may be determined based on the measured value and the value of the radiation dose detection pixel.
さらに、前記放射線画像撮影装置が、前記放射線画像撮影用画素及び前記放射線照射量検出用画素がそれぞれ接続された信号線を更に備える場合には、前記判定ステップが、前記放射線照射量検出用画素と同一の前記信号線に接続され、かつ前記放射線照射量検出用画素の前後に読み出される前記放射線画像用画素の欠陥発生状況に基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定するようにしてもよい。 Furthermore, when the radiographic image capturing apparatus further includes a signal line to which the radiographic image capturing pixel and the radiation irradiation amount detection pixel are respectively connected, the determination step includes the radiation irradiation amount detection pixel and The defect of the radiation dose detection pixel is determined based on the defect occurrence status of the radiation image pixel connected to the same signal line and read out before and after the radiation dose detection pixel. Also good.
なお、本発明は、コンピュータを、上述の放射線画像撮影装置における前記判定手段として機能させるための放射線画像撮影プログラムとしてもよい。 In addition, this invention is good also as a radiographic imaging program for functioning a computer as the said determination means in the above-mentioned radiographic imaging apparatus.
以上説明した如く本発明では、放射線照射量検出用画素の欠陥を精度よく検出可能にすることができる、という優れた効果を有する。 As described above, the present invention has an excellent effect that it is possible to detect a defect of a radiation dose detection pixel with high accuracy.
以下、各図面を参照して本実施の形態の一例について説明する。 Hereinafter, an example of the present embodiment will be described with reference to the drawings.
まず、本実施の形態の放射線画像処理装置を備えた放射線画像撮影システム全体の概略構成について説明する。図1には、本実施の形態の放射線画像撮影システムの一例の全体構成の概略の概略構成図を示す。本実施の形態の放射線画像撮影システム10は、動画像としての放射線画像に加え、静止画像を撮影することが可能である。なお、本実施の形態において動画像とは、静止画像を高速に次々と表示して、動画像として認知させることをいい、静止画像を撮影し、電気信号に変換し、伝送して当該電気信号から静止画像を再生する、というプロセスを高速に繰り返すものである。従って、前記「高速」の度合いによって、予め定められた時間内に同一領域(一部または全部)を複数回撮影し、かつ連続的に再生する、いわゆる「コマ送り」も動画像に包含されるものとする。また、本実施の形態の放射線画像撮影システム10は、電子カセッテ20自身が、放射線の照射開始(撮影開始)を検出する機能及び放射線の照射停止(撮影終了)を検出する機能を有している。 First, a schematic configuration of the entire radiographic image capturing system including the radiographic image processing apparatus of the present embodiment will be described. FIG. 1 shows a schematic configuration diagram of an overall configuration of an example of a radiographic imaging system according to the present exemplary embodiment. The radiographic image capturing system 10 of the present embodiment can capture still images in addition to radiographic images as moving images. Note that in this embodiment, a moving image refers to displaying still images one after another at a high speed and recognizing them as moving images. The still images are captured, converted into electric signals, transmitted, and transmitted. The process of replaying a still image is repeated at high speed. Therefore, so-called “frame advance”, in which the same area (part or all) is photographed a plurality of times within a predetermined time and continuously reproduced depending on the degree of “high speed”, is also included in the moving image. Shall. Moreover, the radiographic imaging system 10 of this Embodiment has the function in which the electronic cassette 20 itself detects a radiation irradiation start (imaging start) and a radiation irradiation stop (imaging end). .
本実施の形態の放射線画像撮影システム10は、コンソール16を介して外部のシステム(例えば、RIS:Radiology INformation System:放射線情報システム)から入力された指示(撮影メニュー)に基づいて、医師や放射線技師等の操作により放射線画像の撮影を行う機能を有するものである。 The radiographic imaging system 10 of the present exemplary embodiment is based on an instruction (imaging menu) input from an external system (for example, RIS: Radiology Information System) via the console 16 and a doctor or radiographer. It has a function of taking a radiographic image by an operation such as the above.
また、本実施の形態の放射線画像撮影システム10は、撮影された放射線画像をコンソール16のディスプレイ50や放射線画像読影装置18に表示させることにより、医師や放射線技師等に放射線画像を読影させる機能を有するものである。 The radiographic image capturing system 10 of the present embodiment has a function of causing a doctor, a radiographer, or the like to interpret a radiographic image by displaying the captured radiographic image on the display 50 of the console 16 or the radiographic image interpretation device 18. It is what you have.
本実施の形態の放射線画像撮影システム10は、放射線発生装置12、放射線画像処理装置14、コンソール16、記憶部17、放射線画像読影装置18、及び電子カセッテ20を備えている。 The radiographic imaging system 10 according to the present exemplary embodiment includes a radiation generation device 12, a radiographic image processing device 14, a console 16, a storage unit 17, a radiographic image interpretation device 18, and an electronic cassette 20.
放射線発生装置12は、電源22、放射線照射制御部23、及び高電圧発生装置24を備えている。放射線照射制御部23は、放射線画像処理装置14の放射線制御部62の制御に基づいて放射線照射源25から放射線Xを撮影台32上の被検者30の撮影対象部位に照射させる機能を有している。本実施の形態の放射線照射制御部23は、電源22から供給された電流を高電圧発生装置24に供給し、高電圧発生装置24により発生させた高電圧を放射線照射源25に供給し、放射線Xを発生させている。なお、電源22は、交流電源及び直流電源のいずれであってもよい。また、高電圧発生装置24は、単相変圧器方式、三相変圧器方式、インバータ方式、及びコンデンサ方式のいずれであってもよい。また、図1では、据え付け型の放射線発生装置12を示しているがこれに限らず、放射線発生装置12は、モバイル形式であってもよい。 The radiation generator 12 includes a power supply 22, a radiation irradiation controller 23, and a high voltage generator 24. The radiation irradiation control unit 23 has a function of irradiating the imaging target region of the subject 30 on the imaging table 32 from the radiation irradiation source 25 based on the control of the radiation control unit 62 of the radiation image processing apparatus 14. ing. The radiation irradiation control unit 23 according to the present embodiment supplies the current supplied from the power supply 22 to the high voltage generator 24, supplies the high voltage generated by the high voltage generator 24 to the radiation irradiation source 25, and generates radiation. X is generated. The power source 22 may be either an AC power source or a DC power source. Moreover, the high voltage generator 24 may be any of a single-phase transformer system, a three-phase transformer system, an inverter system, and a capacitor system. In addition, FIG. 1 shows a stationary radiation generator 12, but the invention is not limited to this, and the radiation generator 12 may be of a mobile type.
被検者30を透過した放射線Xは、撮影台32内部の保持部34に保持された電子カセッテ20に照射される。電子カセッテ20は、被検者30を透過した放射線Xの線量に応じた電荷を発生し、発生した電荷量に基づいて放射線画像を示す画像情報を生成して出力する機能を有するものである。本実施の形態の電子カセッテ20は、放射線検出器26を備えて構成されている。なお、本実施の形態において「線量」とは、放射線強度のことをいい、例えば、単位時間当たりに所定の管電圧と所定の管電流にて照射する放射線のことをいう。 The radiation X transmitted through the subject 30 is applied to the electronic cassette 20 held by the holding unit 34 inside the imaging table 32. The electronic cassette 20 has a function of generating a charge corresponding to the dose of the radiation X transmitted through the subject 30, generating image information indicating a radiation image based on the generated charge amount, and outputting the image information. The electronic cassette 20 according to the present embodiment includes a radiation detector 26. In the present embodiment, “dose” refers to radiation intensity, for example, radiation applied at a predetermined tube voltage and a predetermined tube current per unit time.
本実施の形態では、電子カセッテ20により出力された放射線画像を示す画像情報は、放射線画像処理装置14を介してコンソール16に入力される。本実施の形態のコンソール16は、無線通信(LAN:Local Area Network)等を介して外部システム(RIS)等から取得した撮影メニューや各種情報等を用いて、放射線発生装置12及び電子カセッテ20の制御を行う機能を有している。また、本実施の形態のコンソール16は、放射線画像処理装置14との間で放射線画像の画像情報を含む各種情報の送受信を行う機能と共に、電子カセッテ20との間で各種情報の送受信を行う機能を有している。 In the present embodiment, image information indicating a radiographic image output from the electronic cassette 20 is input to the console 16 via the radiographic image processing device 14. The console 16 according to the present embodiment uses the radiographing device 12 and the electronic cassette 20 using an imaging menu and various information acquired from an external system (RIS) or the like via wireless communication (LAN: Local Area Network) or the like. It has a function to perform control. In addition, the console 16 according to the present embodiment has a function of transmitting / receiving various information including image information of a radiographic image to / from the radiographic image processing apparatus 14 and a function of transmitting / receiving various information to / from the electronic cassette 20. have.
本実施の形態のコンソール16は、サーバー・コンピュータとして構成されており、制御部49、ディスプレイドライバ48、ディスプレイ50、操作入力検出部52、操作パネル54、I/O部56、I/F部57、及びI/F部58を備えて構成されている。 The console 16 of the present embodiment is configured as a server computer, and includes a control unit 49, a display driver 48, a display 50, an operation input detection unit 52, an operation panel 54, an I / O unit 56, and an I / F unit 57. , And an I / F unit 58.
制御部49は、コンソール16全体の動作を制御する機能を有しており、CPU、ROM、RAM、及びHDDを備えている。CPUは、コンソール16全体の動作を制御する機能を有しており、ROMには、CPUで使用される制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されている。RAMは、各種データを一時的に記憶する機能を有しており、HDD(ハードディスク・ドライブ)は、各種データを記憶して保持する機能を有している。 The control unit 49 has a function of controlling the operation of the entire console 16 and includes a CPU, a ROM, a RAM, and an HDD. The CPU has a function of controlling the operation of the entire console 16, and various programs including a control program used by the CPU are stored in advance in the ROM. The RAM has a function of temporarily storing various data, and the HDD (hard disk drive) has a function of storing and holding various data.
ディスプレイドライバ48は、ディスプレイ50への各種情報の表示を制御する機能を有している。本実施の形態のディスプレイ50は、撮影メニューや撮影された放射線画像等を表示する機能を有している。操作入力検出部52は、操作パネル54に対する操作状態を検出する機能を有している。操作パネル54は、放射線画像の撮影に関する操作指示を、医師や放射線技師等が入力するためのものである。本実施の形態では操作パネル54は、例えば、タッチパネル、タッチペン、複数のキー、及びマウス等を含んで構成されている。なお、タッチパネルとして構成する場合は、ディスプレイ50と同一として構成してもよい。 The display driver 48 has a function of controlling display of various information on the display 50. The display 50 according to the present embodiment has a function of displaying an imaging menu, a captured radiographic image, and the like. The operation input detection unit 52 has a function of detecting an operation state with respect to the operation panel 54. The operation panel 54 is used by a doctor, a radiographer, or the like to input operation instructions related to radiographic image capturing. In the present embodiment, the operation panel 54 includes, for example, a touch panel, a touch pen, a plurality of keys, a mouse, and the like. When configured as a touch panel, it may be configured the same as the display 50.
また、I/O部56及びI/F部58は、無線通信により、放射線画像処理装置14及び放射線発生装置24との間で各種情報の送受信を行うと共に、電子カセッテ20との間で画像情報等の各種情報の送受信を行う機能を有している。また、I/F部57は、RISとの間で、各種情報の送受信を行う機能を有している。 The I / O unit 56 and the I / F unit 58 transmit and receive various types of information to and from the radiographic image processing apparatus 14 and the radiation generation apparatus 24 through wireless communication, and also perform image information with the electronic cassette 20. And the like. The I / F unit 57 has a function of transmitting / receiving various types of information to / from the RIS.
制御部49、ディスプレイドライバ48、操作入力検出部52、I/F部58、及びI/O部56は、システムバスやコントロールバス等のバス59を介して相互に情報等の授受が可能に接続されている。従って、制御部49は、ディスプレイドライバ48を介したディスプレイ50への各種情報の表示の制御、並びに、I/F部58を介した放射線発生装置12及び電子カセッテ20との各種情報の送受信の制御を各々行うことができる。 The control unit 49, the display driver 48, the operation input detection unit 52, the I / F unit 58, and the I / O unit 56 are connected so that information can be exchanged with each other via a bus 59 such as a system bus or a control bus. Has been. Therefore, the control unit 49 controls the display of various information on the display 50 via the display driver 48 and controls the transmission / reception of various information with the radiation generator 12 and the electronic cassette 20 via the I / F unit 58. Can be performed respectively.
本実施の形態の放射線画像処理装置14は、コンソール16からの指示に基づいて、放射線発生装置12及び電子カセッテ20を制御する機能を有すると共に、電子カセッテ20から受信した放射線画像の記憶部17への記憶、並びにコンソール16のディスプレイ50や放射線画像読影装置18への表示を制御する機能を有するものである。 The radiographic image processing apparatus 14 according to the present embodiment has a function of controlling the radiation generating apparatus 12 and the electronic cassette 20 based on an instruction from the console 16 and also stores the radiographic image received from the electronic cassette 20 into the storage unit 17. And the function of controlling the display on the display 50 of the console 16 and the display on the radiographic image interpretation device 18.
また、本実施の形態の放射線画像処理装置14は、システム制御部60、放射線制御部62、パネル制御部64、画像処理制御部66、及びI/F部68を備えている。 The radiographic image processing apparatus 14 according to the present embodiment includes a system control unit 60, a radiation control unit 62, a panel control unit 64, an image processing control unit 66, and an I / F unit 68.
システム制御部60は、放射線画像処理装置14全体を制御する機能を有すると共に、放射線画像撮影システム10を制御する機能を有している。システム制御部60は、CPU、ROM、RAM、及びHDDを備えている。CPUは、放射線画像処理装置14全体及び放射線画像撮影システム10の動作を制御する機能を有しており、ROMには、CPUで使用される制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されている。RAMは、各種データを一時的に記憶する機能を有しており、HDDは、各種データを記憶して保持する機能を有している。放射線制御部62は、コンソール16の指示等に基づいて、放射線発生装置12の放射線照射制御部23を制御する機能を有している。パネル制御部64は、コンソール16の指示等に基づいて、電子カセッテ20を制御する機能を有している。画像処理制御部66は、放射線画像に対して各種画像処理を施す機能を有している。 The system control unit 60 has a function of controlling the entire radiographic image processing apparatus 14 and a function of controlling the radiographic image capturing system 10. The system control unit 60 includes a CPU, ROM, RAM, and HDD. The CPU has a function of controlling operations of the entire radiographic image processing apparatus 14 and the radiographic imaging system 10, and various programs including a control program used by the CPU are stored in advance in the ROM. The RAM has a function of temporarily storing various data, and the HDD has a function of storing and holding various data. The radiation control unit 62 has a function of controlling the radiation irradiation control unit 23 of the radiation generator 12 based on an instruction from the console 16 or the like. The panel control unit 64 has a function of controlling the electronic cassette 20 based on an instruction from the console 16 or the like. The image processing control unit 66 has a function of performing various image processing on the radiation image.
システム制御部60、放射線制御部62、パネル制御部64、及び画像処理制御部66は、システムバスやコントロールバス等のバス69を介して相互に情報等の授受が可能に接続されている。 The system control unit 60, the radiation control unit 62, the panel control unit 64, and the image processing control unit 66 are connected to each other via a bus 69 such as a system bus or a control bus so that information can be exchanged.
本実施の形態の記憶部17は、撮影された放射線画像及び当該放射線画像に関係する情報を記憶する機能を有するものである。記憶部17としては、例えば、HDD等が挙げられる。 The storage unit 17 of the present embodiment has a function of storing a captured radiographic image and information related to the radiographic image. An example of the storage unit 17 is an HDD.
また、本実施の形態の放射線画像読影装置18は、撮影された放射線画像を読影者が読影するための機能を有する装置であり、特に限定されないが、いわゆる、読影ビューワやコンソール等が挙げられる。本実施の形態の放射線画像読影装置18は、パーソナル・コンピュータとして構成されており、コンソール16や放射線画像処理装置14と同様に、CPU、ROM、RAM、HDD、ディスプレイドライバ、ディスプレイ40、操作入力検出部、操作パネル42、I/O部、及びI/F部を備えて構成されている。なお、図1では、記載が煩雑になるのを避けるため、これらの構成のうち、ディスプレイ40及び操作パネル42のみを示し、その他の記載を省略している。 The radiographic image interpretation device 18 according to the present embodiment is a device having a function for a radiographer to interpret a captured radiographic image, and is not particularly limited, and examples thereof include a so-called radiogram interpretation viewer and console. The radiographic image interpretation apparatus 18 of this embodiment is configured as a personal computer, and, like the console 16 and the radiographic image processing apparatus 14, a CPU, ROM, RAM, HDD, display driver, display 40, and operation input detection. Unit, operation panel 42, I / O unit, and I / F unit. In FIG. 1, only the display 40 and the operation panel 42 are shown, and other descriptions are omitted in order to avoid complicated description.
次に、本実施の形態の電子カセッテ20の概略構成について説明する。図2に、本実施の形態の電子カセッテ20の一例の概略構成図を示す。本実施の形態では、X線等の放射線を一旦光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出器26に本発明を適用した場合について説明する。本実施の形態では、電子カセッテ20は、間接変換方式の放射線検出器26を備えて構成されている。なお、図2では、放射線を光に変換するシンチレータの記載は省略している。 Next, a schematic configuration of the electronic cassette 20 according to the present embodiment will be described. In FIG. 2, the schematic block diagram of an example of the electronic cassette 20 of this Embodiment is shown. In the present embodiment, a case will be described in which the present invention is applied to an indirect conversion radiation detector 26 that once converts radiation such as X-rays into light and converts the converted light into electric charges. In the present embodiment, the electronic cassette 20 includes an indirect conversion type radiation detector 26. In FIG. 2, description of a scintillator that converts radiation into light is omitted.
本実施の形態の電子カセッテ20は、放射線検出器26に対する放射線Xの照射が開始されたときに当該照射開始を検知して放射線画像の撮影を開始する等、放射線画像の撮影動作を制御する同期制御処理を行う。また、電子カセッテ20は、放射線検出器26に対する放射線Xの照射量を検出して累積照射量に基づいて放射線画像の撮影を終了させる等、放射線画像の撮影動作を制御するAEC(Automatic Exposure Control)制御処理を行う。 The electronic cassette 20 according to the present embodiment detects synchronization of radiographic image capturing operations, such as detecting the start of radiation and starting radiographic imaging when radiation X irradiation to the radiation detector 26 is started. Perform control processing. In addition, the electronic cassette 20 detects an irradiation amount of the radiation X to the radiation detector 26 and terminates the capturing of the radiation image based on the accumulated irradiation amount, for example, AEC (Automatic Exposure Control) for controlling the capturing operation of the radiation image. Perform control processing.
放射線検出器26には、光を受けて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するセンサ部103と、センサ部103に蓄積された電荷を読み出すためのスイッチング素子であるTFTスイッチ74と、を含んで構成される画素100が複数、マトリックス状に配置されている。本実施の形態では、シンチレータによって変換された光が照射されることにより、センサ部103が、電荷が発生する。 The radiation detector 26 includes a sensor unit 103 that receives light to generate electric charge, accumulates the generated electric charge, and a TFT switch 74 that is a switching element for reading out the electric charge accumulated in the sensor unit 103. A plurality of pixels 100 constituted by the above are arranged in a matrix. In the present embodiment, the sensor unit 103 generates electric charges when irradiated with light converted by the scintillator.
各画素100は、一方向(図2のゲート配線方向)及び当該ゲート配線方向に対する交差方向(図2の信号配線方向)にマトリクス状に複数配置されている。図2では、画素100の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素100はゲート配線方向及び信号配線方向に1024個×1024個配置されている。 A plurality of pixels 100 are arranged in a matrix in one direction (gate wiring direction in FIG. 2) and in a direction intersecting with the gate wiring direction (signal wiring direction in FIG. 2). In FIG. 2, the arrangement of the pixels 100 is shown in a simplified manner. For example, 1024 × 1024 pixels 100 are arranged in the gate wiring direction and the signal wiring direction.
本実施の形態では、複数の画素100のうち、放射線画像撮影用画素100Aと放射線照射量検出用画素100Bが予め定められている。図2では、放射線照射量検出用画素100Bを破線で囲んでいる。放射線画像撮影用画素100Aは、放射線Xを検出して放射線Xが示す画像を生成するために用いられる。放射線照射量検出用画素100Bは、放射線Xの照射開始や停止等を検出するための放射線Xの検知に用いられる画素であり、TFTスイッチ74のオン/オフに関わらず、電荷の蓄積期間であっても、電荷を出力する画素であり、本実施の形態では、TFTスイッチ74のソースとドレインを短絡している。 In the present embodiment, among the plurality of pixels 100, a radiation image capturing pixel 100A and a radiation irradiation amount detection pixel 100B are determined in advance. In FIG. 2, the radiation dose detection pixel 100B is surrounded by a broken line. The radiation image capturing pixel 100A is used to detect the radiation X and generate an image indicated by the radiation X. The radiation irradiation amount detection pixel 100B is a pixel used for detection of the radiation X for detecting the start or stop of irradiation of the radiation X, and is a charge accumulation period regardless of whether the TFT switch 74 is on or off. However, it is a pixel that outputs electric charge, and in this embodiment, the source and drain of the TFT switch 74 are short-circuited.
また、放射線検出器26には、基板71(図4参照)上に、TFTスイッチ74をオン/オフするための複数のゲート配線101と、上記センサ部103に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線73と、が互いに交差して設けられている。本実施の形態では、一方向の各画素列に信号配線73が1本ずつ設けられ、交差方向の各画素列にゲート配線101が1本ずつ設けられており、例えば、画素100がゲート配線方向及び信号配線方向に1024個×1024個配置されている場合、信号配線73及びゲート配線101は1024本ずつ設けられている。 The radiation detector 26 has a plurality of gate wirings 101 for turning on / off the TFT switch 74 and a plurality for reading out the charges accumulated in the sensor unit 103 on the substrate 71 (see FIG. 4). The signal wiring 73 is provided so as to cross each other. In this embodiment, one signal wiring 73 is provided for each pixel column in one direction, and one gate wiring 101 is provided for each pixel column in the cross direction. For example, the pixel 100 is arranged in the gate wiring direction. When 1024 × 1024 are arranged in the signal wiring direction, 1024 signal wirings 73 and 1024 gate wirings 101 are provided.
さらに、放射線検出器26には、各信号配線73と並列に共通電極配線95が設けられている。共通電極配線95は、一端及び他端が並列に接続されており、一端が所定のバイアス電圧を供給するバイアス電源110に接続されている。センサ部103は共通電極配線95に接続されており、共通電極配線95を介してバイアス電圧が印加されている。 Further, the radiation detector 26 is provided with a common electrode wiring 95 in parallel with each signal wiring 73. The common electrode wiring 95 has one end and the other end connected in parallel, and one end connected to a bias power supply 110 that supplies a predetermined bias voltage. The sensor unit 103 is connected to the common electrode wiring 95, and a bias voltage is applied via the common electrode wiring 95.
ゲート配線101には、各TFTスイッチ74をスイッチングするためのスキャン信号が流れる。このようにスキャン信号が各ゲート配線101に流れることによって、各TFTスイッチ74がスイッチングされる。 A scan signal for switching each TFT switch 74 flows through the gate wiring 101. In this way, each TFT switch 74 is switched by the scan signal flowing through each gate wiring 101.
信号配線73には、各画素100のTFTスイッチ74のスイッチング状態に応じて、各画素100に蓄積された電荷に応じた電気信号が流れる。より具体的には、各信号配線73には、当該信号配線73に接続された画素100の何れかのTFTスイッチ74がオンされることにより蓄積された電荷量に応じた電気信号が流れる。 An electric signal corresponding to the electric charge accumulated in each pixel 100 flows through the signal wiring 73 in accordance with the switching state of the TFT switch 74 of each pixel 100. More specifically, an electric signal corresponding to the amount of charge accumulated by turning on any TFT switch 74 of the pixel 100 connected to the signal wiring 73 flows through each signal wiring 73.
各信号配線73には、各信号配線73に流れ出した電気信号を検出する信号検出回路105が接続されている。また、各ゲート配線101には、各ゲート配線101にTFTスイッチ74をオン/オフするためのスキャン信号を出力するスキャン信号制御回路104が接続されている。図2では、信号検出回路105及びスキャン信号制御回路104を1つに簡略化して示しているが、例えば、信号検出回路105及びスキャン信号制御回路104を複数設けて所定本(例えば、256本)毎に信号配線73又はゲート配線101を接続する。例えば、信号配線73及びゲート配線101が1024本ずつ設けられている場合、スキャン信号制御回路104を4個設けて256本ずつゲート配線101を接続し、信号検出回路105も4個設けて256本ずつ信号配線73を接続する。 Each signal wiring 73 is connected to a signal detection circuit 105 that detects an electrical signal flowing out to each signal wiring 73. Each gate line 101 is connected to a scan signal control circuit 104 that outputs a scan signal for turning on / off the TFT switch 74 to each gate line 101. In FIG. 2, the signal detection circuit 105 and the scan signal control circuit 104 are shown in a simplified form. However, for example, a plurality of signal detection circuits 105 and a plurality of scan signal control circuits 104 are provided (for example, 256). The signal wiring 73 or the gate wiring 101 is connected every time. For example, when 1024 signal wirings 73 and 1024 gate wirings 101 are provided, four scan signal control circuits 104 are provided, 256 gate wirings 101 are connected, and four signal detection circuits 105 are provided 256. The signal wiring 73 is connected one by one.
信号検出回路105は、各信号配線73毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路120(図6参照)を内蔵している。信号検出回路105では、各信号配線73より入力される電気信号を増幅回路により増幅し、ADC(アナログ・デジタル変換器)によりデジタル信号へ変換する(詳細後述)。 The signal detection circuit 105 incorporates an amplification circuit 120 (see FIG. 6) for amplifying an input electric signal for each signal wiring 73. In the signal detection circuit 105, an electric signal input from each signal wiring 73 is amplified by an amplifier circuit and converted into a digital signal by an ADC (analog / digital converter) (details will be described later).
この信号検出回路105及びスキャン信号制御回路104には、信号検出回路105において変換されたデジタル信号に対してノイズ除去などの所定の処理を施すとともに、信号検出回路105に対して信号検出のタイミングを示す制御信号を出力し、スキャン信号制御回路104に対してスキャン信号の出力のタイミングを示す制御信号を出力する制御部106が接続されている。 The signal detection circuit 105 and the scan signal control circuit 104 are subjected to predetermined processing such as noise removal on the digital signal converted by the signal detection circuit 105, and the signal detection circuit 105 is provided with a signal detection timing. A control unit 106 that outputs a control signal indicating the timing of outputting the scan signal is connected to the scan signal control circuit 104.
本実施の形態の制御部106は、マイクロコンピュータによって構成されており、CPU(中央処理装置)、ROMおよびRAM、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部を備えている。制御部106は、ROMに記憶されたプログラムをCPUで実行することにより、放射線画像の撮影のための制御を行う。また、制御部106は、上記所定の処理が施された画像データに対して、各放射線照射量検出用画素100Bの画像データを補間する処理(補間処理)を行って、照射された放射線Xが示す画像を生成する。すなわち、制御部106は、各放射線照射量検出用画素100Bの画像データを、上記所定の処理が施された画像データに基づいて補間することで、照射された放射線Xが示す画像を生成する。 The control unit 106 according to the present embodiment is configured by a microcomputer, and includes a nonvolatile storage unit including a CPU (Central Processing Unit), a ROM and a RAM, a flash memory, and the like. The control unit 106 performs control for radiographic imaging by executing a program stored in the ROM by the CPU. Further, the control unit 106 performs a process (interpolation process) for interpolating the image data of each radiation irradiation amount detection pixel 100B on the image data on which the predetermined process has been performed, so that the irradiated radiation X is obtained. Generate the image shown. That is, the control unit 106 generates an image indicated by the irradiated radiation X by interpolating the image data of each radiation irradiation amount detection pixel 100B based on the image data subjected to the predetermined processing.
図3には、本実施形態に係る間接変換方式の放射線検出器26の構造を示す平面図が示されており、図4には、図3の放射線画像撮影用画素100AのA−A線断面図が示されており、図5には、図3の放射線照射量検出用画素100BのB−B線断面図が示されている。 図4に示すように、放射線検出器26の画素100Aは、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板71上に、ゲート配線101(図3参照)、ゲート電極72が形成されており、ゲート配線101とゲート電極72は接続されている(図3参照)。このゲート配線101、ゲート電極72が形成された配線層(以下、この配線層を「第1信号配線層」ともいう)は、Al若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした積層膜を用いて形成されているが、これらに限定されるものではない。 3 is a plan view showing the structure of the radiation detector 26 of the indirect conversion type according to the present embodiment, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA of the radiographic image capturing pixel 100A of FIG. FIG. 5 is a sectional view taken along line BB of the radiation dose detection pixel 100B of FIG. As shown in FIG. 4, the pixel 100A of the radiation detector 26 includes a gate wiring 101 (see FIG. 3) and a gate electrode 72 formed on an insulating substrate 71 made of non-alkali glass or the like. 101 and the gate electrode 72 are connected (see FIG. 3). The wiring layer in which the gate wiring 101 and the gate electrode 72 are formed (hereinafter, this wiring layer is also referred to as “first signal wiring layer”) uses Al or Cu, or a laminated film mainly composed of Al or Cu. Although formed, it is not limited to these.
この第1信号配線層上には、一面に絶縁膜85が形成されており、ゲート電極72上に位置する部位がTFTスイッチ74におけるゲート絶縁膜として作用する。この絶縁膜85は、例えば、SiNX等からなっており、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)成膜により形成される。 An insulating film 85 is formed on one surface of the first signal wiring layer, and a portion located on the gate electrode 72 functions as a gate insulating film in the TFT switch 74. The insulating film 85 is made of, for example, SiN X or the like, and is formed by, for example, CVD (Chemical Vapor Deposition) film formation.
絶縁膜85上のゲート電極72上には、半導体活性層78が島状に形成されている。この半導体活性層78は、TFTスイッチ74のチャネル部であり、例えば、アモルファスシリコン膜からなる。 A semiconductor active layer 78 is formed in an island shape on the gate electrode 72 on the insulating film 85. The semiconductor active layer 78 is a channel portion of the TFT switch 74 and is made of, for example, an amorphous silicon film.
これらの上層には、ソース電極79、及びドレイン電極83が形成されている。このソース電極79及びドレイン電極83が形成された配線層には、ソース電極79、ドレイン電極83とともに、信号配線73が形成されている。ソース電極79は信号配線73に接続されている(図3参照)。ソース電極79、ドレイン電極83、及び信号配線73が形成された配線層(以下、この配線層を「第2信号配線層」ともいう)は、Al若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした積層膜が用いて形成されるが、これらに限定されるものではない。当該ソース電極79及びドレイン電極83と半導体活性層78との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層(図示省略)が形成されている。これらによりスイッチング用のTFTスイッチ74が構成される。なお、TFTスイッチ74は後述する下部電極81により収集、蓄積される電荷の極性によってソース電極79とドレイン電極83が逆となる。 On these upper layers, a source electrode 79 and a drain electrode 83 are formed. In the wiring layer in which the source electrode 79 and the drain electrode 83 are formed, a signal wiring 73 is formed together with the source electrode 79 and the drain electrode 83. The source electrode 79 is connected to the signal wiring 73 (see FIG. 3). The wiring layer in which the source electrode 79, the drain electrode 83, and the signal wiring 73 are formed (hereinafter, this wiring layer is also referred to as a “second signal wiring layer”) is a laminated layer mainly composed of Al or Cu or Al or Cu. The film is formed using, but is not limited to these. Between the source electrode 79 and the drain electrode 83 and the semiconductor active layer 78, an impurity doped semiconductor layer (not shown) made of impurity doped amorphous silicon or the like is formed. These constitute a switching TFT switch 74. In the TFT switch 74, the source electrode 79 and the drain electrode 83 are reversed depending on the polarity of charges collected and accumulated by the lower electrode 81 described later.
これら第2信号配線層を覆い、基板71上の画素100が設けられた領域のほぼ全面(ほぼ全領域)には、TFTスイッチ74や信号配線73を保護するために、TFT保護膜層98が形成されている。このTFT保護膜層98は、例えば、SiNX等からなっており、例えば、CVD成膜により形成される。 In order to protect the TFT switch 74 and the signal wiring 73, a TFT protective film layer 98 is provided on almost the entire area (substantially the entire area) where the pixels 100 are provided on the substrate 71 so as to cover these second signal wiring layers. Is formed. The TFT protective film layer 98 is made of, for example, SiN X or the like, and is formed by, for example, CVD film formation.
このTFT保護膜層98上には、塗布型の層間絶縁膜82が形成されている。この層間絶縁膜82は、低誘電率(比誘電率εr=2〜4)の感光性の有機材料(例えば、ポジ型感光性アクリル系樹脂:メタクリル酸とグリシジルメタクリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した材料など)により1〜4μmの膜厚で形成されている。 A coating type interlayer insulating film 82 is formed on the TFT protective film layer 98. This interlayer insulating film 82 is a photosensitive organic material having a low dielectric constant (relative dielectric constant εr = 2 to 4) (for example, a positive photosensitive acrylic resin: a base made of a copolymer of methacrylic acid and glycidyl methacrylate). It is formed with a film thickness of 1 to 4 μm by a material obtained by mixing a polymer with a naphthoquinonediazide positive photosensitive agent.
本実施の形態の放射線検出器26では、この層間絶縁膜82によって層間絶縁膜82上層と下層に配置される金属間の容量を低く抑えている。また、一般的にこのような材料は平坦化膜としての機能も有しており、下層の段差が平坦化される効果も有する。本実施の形態の放射線検出器26では、この層間絶縁膜82及びTFT保護膜層98のドレイン電極83と対向する位置にコンタクトホール87が形成されている。 In the radiation detector 26 of the present embodiment, the capacitance between the metals arranged in the upper layer and the lower layer of the interlayer insulating film 82 is suppressed by the interlayer insulating film 82. In general, such a material also has a function as a flattening film, and has an effect of flattening a lower step. In the radiation detector 26 of the present embodiment, a contact hole 87 is formed at a position facing the drain electrode 83 of the interlayer insulating film 82 and the TFT protective film layer 98.
層間絶縁膜82上には、コンタクトホール87を埋めつつ、画素領域を覆うようにセンサ部103の下部電極81が形成されており、この下部電極81は、TFTスイッチ74のドレイン電極83と接続されている。この下部電極81は、後述する半導体層91が1μm前後と厚い場合には導電性があれば材料に制限がほとんどない。このため、Al系材料、ITO等導電性の金属を用いて形成すれば問題ない。 A lower electrode 81 of the sensor unit 103 is formed on the interlayer insulating film 82 so as to cover the pixel region while filling the contact hole 87, and the lower electrode 81 is connected to the drain electrode 83 of the TFT switch 74. ing. If the semiconductor layer 91 described later is as thick as about 1 μm, the material of the lower electrode 81 is not limited as long as it has conductivity. For this reason, there is no problem if it is formed using an Al-based material, a conductive metal such as ITO.
一方、半導体層91の膜厚が薄い場合(0.2〜0.5μm前後)、半導体層91で光が吸収が十分でないため、TFTスイッチ74への光照射によるリーク電流の増加を防ぐため、遮光性メタルを主体とする合金、若しくは積層膜とすることが好ましい。 On the other hand, when the thickness of the semiconductor layer 91 is thin (around 0.2 to 0.5 μm), light is not sufficiently absorbed by the semiconductor layer 91, so that an increase in leakage current due to light irradiation to the TFT switch 74 is prevented. An alloy mainly composed of a light-shielding metal or a laminated film is preferable.
下部電極81上には、フォトダイオードとして機能する半導体層91が形成されている。本実施の形態では、半導体層91として、n+層、i層、p+層(n+アモルファスシリコン、アモルファスシリコン、p+アモルファスシリコン)を積層したPIN構造のフォトダイオードを採用しており、下層からn+層21A、i層21B、p+層21Cを順に積層して形成する。i層21Bは、光が照射されることにより電荷(一対の自由電子と自由正孔)が発生する。n+層21A及びp+層21Cは、コンタクト層として機能し、下部電極81及び後述する上部電極92とi層21Bをと電気的に接続する。 A semiconductor layer 91 that functions as a photodiode is formed on the lower electrode 81. In the present embodiment, a PIN structure photodiode in which an n + layer, an i layer, and a p + layer (n + amorphous silicon, amorphous silicon, p + amorphous silicon) are stacked is employed as the semiconductor layer 91, and the n + layer 21A is formed from the lower layer. , I layer 21B and p + layer 21C are sequentially stacked. The i layer 21 </ b> B generates charges (a pair of free electrons and free holes) when irradiated with light. The n + layer 21A and the p + layer 21C function as contact layers, and electrically connect the lower electrode 81 and an upper electrode 92 described later to the i layer 21B.
各半導体層91上には、それぞれ個別に上部電極92が形成されている。この上部電極92には、例えば、ITOやIZO(酸化亜鉛インジウム)などの光透過性の高い材料を用いている。本実施の形態に係る放射線検出器26では、上部電極92や半導体層91、下部電極81を含んでセンサ部103が構成されている。 An upper electrode 92 is individually formed on each semiconductor layer 91. For the upper electrode 92, for example, a material having high light transmittance such as ITO or IZO (zinc oxide indium) is used. In the radiation detector 26 according to the present exemplary embodiment, the sensor unit 103 includes the upper electrode 92, the semiconductor layer 91, and the lower electrode 81.
層間絶縁膜82、半導体層91及び上部電極92上には、上部電極92に対応する一部で開口97Aを持ち、各半導体層91を覆うように、塗布型の層間絶縁膜93が形成されている。 On the interlayer insulating film 82, the semiconductor layer 91, and the upper electrode 92, a coating type interlayer insulating film 93 is formed so as to have a part of the opening 97 </ b> A corresponding to the upper electrode 92 and cover each semiconductor layer 91. Yes.
この層間絶縁膜93上には、共通電極配線95がAl若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした合金あるいは積層膜で形成されている。共通電極配線95は、開口97A付近にコンタクトパッド97が形成され、層間絶縁膜93の開口97Aを介して上部電極92と電気的に接続される。 On the interlayer insulating film 93, the common electrode wiring 95 is formed of Al or Cu, or an alloy or laminated film mainly composed of Al or Cu. The common electrode wiring 95 has a contact pad 97 formed in the vicinity of the opening 97 </ b> A and is electrically connected to the upper electrode 92 through the opening 97 </ b> A of the interlayer insulating film 93.
一方、図5に示すように、放射線検出器26の放射線照射量検出用画素100Bでは、ソース電極79とドレイン電極83とが接触するようにTFTスイッチ74が形成されている。すなわち、画素100Bでは、TFTスイッチ74のソースとドレインが短絡している。これにより、画素100Bでは、下部電極81に収集された電荷がTFTスイッチ74のスイッチング状態にかかわらず信号配線73に流れ出す。 On the other hand, as shown in FIG. 5, in the radiation dose detection pixel 100B of the radiation detector 26, the TFT switch 74 is formed so that the source electrode 79 and the drain electrode 83 are in contact with each other. That is, in the pixel 100B, the source and drain of the TFT switch 74 are short-circuited. As a result, in the pixel 100 </ b> B, the charges collected by the lower electrode 81 flow out to the signal wiring 73 regardless of the switching state of the TFT switch 74.
このように形成された放射線検出器26には、必要に応じてさらに光吸収性の低い絶縁性の材料により保護膜が形成されて、その表面に光吸収性の低い接着樹脂を用いて放射線変換層であるシンチレータが貼り付けられる。または、真空蒸着法により、シンチレータが形成される。シンチレータとしては、吸収可能な波長領域の光を発生できるような、比較的広範囲の波長領域を有した蛍光を発生するシンチレータが望ましい。このようなシンチレータとしては、CsI:Na、CaWO4、YTaO4:Nb、BaFX:Eu(XはBrまたはCl)、または、LaOBr:Tm、及びGOS等がある。具体的には、放射線XとしてX線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウム(CsI)を含むものが好ましく、X線照射時の発光スペクトルが420nm〜700nmにあるCsI:Tl(タリウムが添加されたヨウ化セシウム)やCsI:Naを用いることが特に好ましい。なお、CsI:Tlの可視光域における発光ピーク波長は565nmである。また、シンチレータとしてCsIを含むシンチレータを用いる場合、真空蒸着法で短冊状の柱状結晶構造として形成したものを用いることが好ましい。 In the radiation detector 26 formed in this way, a protective film is formed of an insulating material having a low light absorption as required, and radiation conversion is performed using an adhesive resin having a low light absorption on the surface. A layer scintillator is affixed. Alternatively, the scintillator is formed by a vacuum deposition method. As the scintillator, a scintillator that generates fluorescence having a relatively wide wavelength region that can generate light in an absorbable wavelength region is desirable. Examples of such a scintillator include CsI: Na, CaWO 4 , YTaO 4 : Nb, BaFX: Eu (X is Br or Cl), LaOBr: Tm, and GOS. Specifically, when imaging using X-rays as the radiation X, those containing cesium iodide (CsI) are preferable, and CsI: Tl (thallium is added) having an emission spectrum at 420 nm to 700 nm at the time of X-ray irradiation. It is particularly preferable to use cesium iodide) or CsI: Na. Note that the emission peak wavelength in the visible light region of CsI: Tl is 565 nm. Moreover, when using the scintillator containing CsI as a scintillator, it is preferable to use what was formed as a strip-like columnar crystal structure by the vacuum evaporation method.
放射線検出器26は、図4に示すように、半導体層91が形成された側から放射線Xが照射されて、当該放射線Xの入射面の裏面側に設けられたTFT基板により放射線画像を読み取る、いわゆる裏面読取方式(PSS(Pentration Side Sampling)方式)とされた場合、半導体層91上に設けられたシンチレータの同図上面側でより強く発光する。一方、TFT基板側から放射線Xが照射されて、当該放射線Xの入射面の表面側に設けられたTFT基板により放射線画像を読み取る、いわゆる表面読取方式(ISS(Irradiation Side Sampling)方式)とされた場合、TFT基板を透過した放射線Xがシンチレータに入射してシンチレータのTFT基板側がより強く発光する。TFT基板に設けられた各画素100のセンサ部103には、シンチレータで発生した光により電荷が発生する。このため、放射線検出器26は、表面読取方式とされた場合の方が裏面読取方式とされた場合よりもTFT基板に対するシンチレータの発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。 As shown in FIG. 4, the radiation detector 26 is irradiated with radiation X from the side on which the semiconductor layer 91 is formed, and reads a radiation image with a TFT substrate provided on the back side of the incident surface of the radiation X. In the case of a so-called back side scanning method (PSS (Pentation Side Sampling) method), light is emitted more strongly on the upper surface side of the scintillator provided on the semiconductor layer 91 in the figure. On the other hand, radiation X is irradiated from the TFT substrate side, and a radiation image is read by a TFT substrate provided on the surface side of the incident surface of the radiation X, which is a so-called surface reading method (ISS (Irradiation Side Sampling) method). In this case, the radiation X transmitted through the TFT substrate enters the scintillator, and the TFT substrate side of the scintillator emits light more strongly. Electric charges are generated in the sensor portion 103 of each pixel 100 provided on the TFT substrate by light generated by the scintillator. For this reason, the radiation detector 26 has a higher resolution of the radiographic image obtained by photographing because the light emission position of the scintillator with respect to the TFT substrate is closer when the front surface reading method is used than when the rear surface reading method is used.
なお、放射線検出器26は、図3〜図5に示したものに限らず、種々の変形が可能である。例えば、裏面読取方式の場合、放射線Xが到達する可能性が低いため、上述のものに代えて、放射線Xに対する耐性が低い、CMOS(Complementary Metal−Oxide Semiconductor)イメージセンサ等の他の撮影素子とTFTとを組み合わせてもよい。また、TFTのスキャン信号に相当するシフトパルスにより電荷をシフトしながら転送するCCD(Charge−Coupled Device)イメージセンサに置き換えるようにしてもよい。 The radiation detector 26 is not limited to those shown in FIGS. 3 to 5 and can be variously modified. For example, in the case of the back side scanning method, since there is a low possibility that the radiation X will reach, in place of the above, other imaging elements such as a CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) image sensor having low resistance to the radiation X You may combine with TFT. Further, it may be replaced with a charge-coupled device (CCD) image sensor that transfers charges while shifting them with a shift pulse corresponding to a TFT scan signal.
また例えば、フレキシブル基板を用いたものでもよい。フレキシブル基板としては、近年開発されたフロート法による超薄板ガラスを基材として用いたものを適用することが、放射線Xの透過率を向上させるうえで好ましい。なお、この際に適用できる超薄板ガラスについては、例えば、「旭硝子株式会社、"フロート法による世界最薄0.1ミリ厚の超薄板ガラスの開発に成功"、[online]、[平成23年8月20日検索]、インターネット<URL:http://www.agc.com/news/2011/0516.pdf>」に開示されている。 For example, a flexible substrate may be used. In order to improve the transmittance | permeability of the radiation X, it is preferable to apply what uses the ultra-thin glass by the float method developed recently as a base material as a flexible substrate. As for the ultra-thin glass that can be applied at this time, for example, “Asahi Glass Co., Ltd.,“ Successfully developed the world's thinnest 0.1 mm-thick ultra-thin glass by the float process ”, Aug. 20 search], Internet <URL: http://www.agc.com/news/2011/0516.pdf> ”.
次に、本実施の形態の信号検出回路105の概略構成について説明する。図6は、本実施の形態の信号検出回路105の一例の概略構成図である。本実施の形態の信号検出回路105は、増幅回路120、及びADC(アナログ・デジタル変換器)124を備えて構成されている。なお、図6では、図示を省略したが増幅回路120は、信号配線73毎に設けられている。すなわち、信号検出回路105は、放射線検出器26の信号配線73の数と同じ数の、複数の増幅回路120を備えて構成されている。 Next, a schematic configuration of the signal detection circuit 105 of the present embodiment will be described. FIG. 6 is a schematic configuration diagram of an example of the signal detection circuit 105 according to the present embodiment. The signal detection circuit 105 according to the present embodiment includes an amplification circuit 120 and an ADC (analog / digital converter) 124. Although not shown in FIG. 6, the amplifier circuit 120 is provided for each signal wiring 73. In other words, the signal detection circuit 105 includes a plurality of amplifier circuits 120 that are the same number as the number of signal wirings 73 of the radiation detector 26.
増幅回路120は、チャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ等のアンプ122と、アンプ122に並列に接続されたコンデンサCと、アンプ122に並列に接続された電荷リセット用のスイッチSW1と、を備えて構成されている。 The amplifier circuit 120 includes a charge amplifier circuit, and includes an amplifier 122 such as an operational amplifier, a capacitor C connected in parallel to the amplifier 122, and a charge reset switch SW1 connected in parallel to the amplifier 122. It is prepared for.
増幅回路120では、電荷リセット用のスイッチSW1がオフの状態で画素100のTFTスイッチ74により電荷(電気信号)が読み出され、コンデンサCにTFTスイッチ74により読み出された電荷が蓄積されて、蓄積される電荷量に応じてアンプ122から出力される電圧値が増加するようになっている。 In the amplifying circuit 120, the charge (electric signal) is read by the TFT switch 74 of the pixel 100 with the charge reset switch SW1 turned off, and the charge read by the TFT switch 74 is accumulated in the capacitor C. The voltage value output from the amplifier 122 increases in accordance with the amount of stored charge.
また、制御部106は、電荷リセット用スイッチSW1に電荷リセット信号を印加して電荷リセット用のスイッチSW1のオン/オフを制御するようになっている。なお、電荷リセット用のスイッチSW1がオン状態とされると、アンプ122の入力側と出力側とが短絡され、コンデンサCの電荷が放電される。 The control unit 106 applies a charge reset signal to the charge reset switch SW1 to control on / off of the charge reset switch SW1. When the charge reset switch SW1 is turned on, the input side and output side of the amplifier 122 are short-circuited, and the capacitor C is discharged.
ADC124は、S/H(サンプルホールド)スイッチSWがオン状態において、増幅回路120から入力されたアナログ信号である電気信号をデジタル信号に変換する機能を有するものである。ADC124は、デジタル信号に変換した電気信号(電荷情報)を制御部106に順次出力する。 The ADC 124 has a function of converting an electrical signal that is an analog signal input from the amplifier circuit 120 into a digital signal when the S / H (sample hold) switch SW is in an ON state. The ADC 124 sequentially outputs electrical signals (charge information) converted into digital signals to the control unit 106.
なお、本実施の形態のADC124には、信号検出回路105に備えられた全ての増幅回路120から出力された電気信号が入力される。すなわち、本実施の形態の信号検出回路105は、増幅回路120(信号配線73)の数にかかわらず、1つのADC124を備えている。 Note that the ADC 124 of this embodiment receives the electrical signals output from all the amplifier circuits 120 provided in the signal detection circuit 105. That is, the signal detection circuit 105 of this embodiment includes one ADC 124 regardless of the number of amplifier circuits 120 (signal wiring 73).
本実施の形態では、外部(例えば、放射線画像処理装置14)からの制御信号を必要としないで放射線Xの照射に関する検出を行うように構成している。本実施の形態では、放射線照射量検出用画素100Bが接続された信号配線73(図2の場合、D2、D3の少なくとも一方、例えば、D2)の電気信号(電荷情報)を信号検出回路105の増幅回路120で検出してデジタル信号に変換する。本実施の形態では、制御部106が、信号検出回路105により変換されたデジタル信号を取得し、設定されているパラメータに基づいて、放射線Xの照射開始及び照射停止の検出を行うように構成している。なお、本実施の形態で電気信号の「検出」とは、電気信号をサンプリングすることを示している。 In the present embodiment, it is configured to perform detection related to irradiation of the radiation X without requiring a control signal from the outside (for example, the radiation image processing apparatus 14). In the present embodiment, an electrical signal (charge information) of the signal wiring 73 (in the case of FIG. 2, at least one of D2 and D3, for example, D2) connected to the radiation dose detection pixel 100B is supplied to the signal detection circuit 105. The signal is detected by the amplifier circuit 120 and converted into a digital signal. In the present embodiment, the control unit 106 is configured to acquire the digital signal converted by the signal detection circuit 105 and detect the start and stop of irradiation of the radiation X based on the set parameters. ing. In this embodiment, “detection” of an electric signal indicates sampling of the electric signal.
図7は、本実施の形態の電子カセッテ20における制御部106の構成例を示す機能ブロック図である。 FIG. 7 is a functional block diagram showing a configuration example of the control unit 106 in the electronic cassette 20 of the present embodiment.
制御部106は、CPU160、ROM161、RAM162、及び入出力部163を備えており、それぞれシステムバスやデータバス等のバスに接続されている。 The control unit 106 includes a CPU 160, a ROM 161, a RAM 162, and an input / output unit 163, and each is connected to a bus such as a system bus or a data bus.
CPU160は、電子カセッテ20全体の動作を制御する機能を有しており、ROM161には、CPU160で使用される各種プログラムが予め記憶されている。RAM162は、各種データを一時的に記憶する機能を有して、ROM161に記憶されたプログラム等を展開して記憶する機能を有している。 The CPU 160 has a function of controlling the operation of the entire electronic cassette 20, and various programs used by the CPU 160 are stored in the ROM 161 in advance. The RAM 162 has a function of temporarily storing various data, and has a function of developing and storing programs and the like stored in the ROM 161.
入出力部163には、ハードディスク(HDD)165、I/F部166、スキャン信号制御回路104、及び信号検出回路105が接続されている。 A hard disk (HDD) 165, an I / F unit 166, a scan signal control circuit 104, and a signal detection circuit 105 are connected to the input / output unit 163.
HDDは、各種データを記憶して保持する機能を有しており、I/F部166は、無線通信または有線通信により、放射線画像処理装置14やコンソール16等との間で撮影メニューや放射線画像の画像情報等を含む各種情報の送受信を行う機能を有している。 The HDD has a function of storing and holding various data, and the I / F unit 166 has a radiography or wired communication with the radiographic image processing device 14, the console 16, or the like to obtain an imaging menu or radiographic image. It has a function of transmitting and receiving various information including image information.
本実施の形態の制御部106は、各種プログラムを起動して、スキャン制御回路104及び信号検出回路105を制御して、放射線検出器26による撮影を行う。また、制御部106は、放射線照射量検出用画素100Bから出力された電気信号(電荷情報)を取得して、放射線の照射開始及び照射停止を検出する機能を有している。 The control unit 106 according to the present embodiment activates various programs, controls the scan control circuit 104 and the signal detection circuit 105, and performs imaging by the radiation detector 26. Further, the control unit 106 has a function of acquiring the electrical signal (charge information) output from the radiation dose detection pixel 100B and detecting the start and stop of radiation irradiation.
ところで、上述のように構成された電子カセッテ20では、放射線照射量検出用画素100Bの欠陥を検出しにくい場合がある。 Incidentally, in the electronic cassette 20 configured as described above, it may be difficult to detect a defect in the radiation dose detection pixel 100B.
例えば、本実施の形態ように、TFTスイッチ74のソースとドレインを短絡した放射線照射量検出用画素100Bでは、図8(A)に示すように、1ライン(1本の信号配線73)上に複数(図8(A)では2つ)の放射線照射量検出用画素100Bが存在し、1ライン全ての放射線照射量検出用画素100Bの値が加算されて出力されるので、どの画素が欠陥なのか特定できない。また、放射線照射量検出用画素100Bの出力が放射線画像撮影用画素100Aの出力に比べて小さい場合には、S/N比の観点で欠陥判別が難しい。 For example, as in the present embodiment, in the radiation dose detection pixel 100B in which the source and drain of the TFT switch 74 are short-circuited, as shown in FIG. 8A, one line (one signal wiring 73) is provided. Since there are a plurality (two in FIG. 8A) of radiation dose detection pixels 100B and the values of the radiation dose detection pixels 100B of all the lines are added and output, which pixel is defective. I can not identify. Further, when the output of the radiation dose detection pixel 100B is smaller than the output of the radiation image capturing pixel 100A, it is difficult to determine the defect from the viewpoint of the S / N ratio.
さらに、別センサを用いた場合においても、センサのオフセット出力からセンサ単体の欠陥を検出することができても、他の要因で発生する欠陥(例えば、センサの鉛直上にある異物等)を検出することができない。 In addition, even when a separate sensor is used, a defect that occurs due to other factors (for example, a foreign object vertically above the sensor) can be detected even if a sensor defect can be detected from the offset output of the sensor. Can not do it.
そこで、本実施の形態では、制御部106が、放射線照射量検出用画素100Bの周辺の放射線画像撮影用画素100Aの欠陥発生状況に基づいて、放射線照射量検出用画素100Bの欠陥を判定するようになっている。 Therefore, in the present embodiment, the control unit 106 determines the defect of the radiation dose detection pixel 100B based on the defect occurrence status of the radiation image capturing pixel 100A around the radiation dose detection pixel 100B. It has become.
具体的には、図8(B)に示すように、注目する放射線照射量検出用画素100Bの周辺の放射線画像撮影用画素100Aが欠陥画素の場合には、注目の放射線照射量検出用画素100Bも欠陥画素と判定するようになっている。これにより、鉛直上に異物があることによる欠陥等も検出することが可能となる。 Specifically, as shown in FIG. 8B, when the radiation image capturing pixel 100A around the focused radiation dose detection pixel 100B is a defective pixel, the focused radiation dose detection pixel 100B. Are also determined as defective pixels. As a result, it is possible to detect a defect or the like due to the presence of a foreign object vertically.
なお、図8(B)の例では、放射線照射量検出用画素100Bの周辺の全て(8つ)の放射線画像撮影用画素が欠陥の場合に、注目の放射線照射量検出用画素100Bも欠陥として判定する例を示すが、周辺の放射線画像撮影用画素100Aの全てではなく、予め定めた数の周辺の放射線画像撮影用画素100Aが欠陥の場合に、放射線照射量検出用画素100Bが欠陥と判定するようにしてもよい。 In the example of FIG. 8B, when all (eight) radiation image capturing pixels around the radiation dose detection pixel 100B are defective, the target radiation dose detection pixel 100B is also defective. An example of determination will be shown. When a predetermined number of surrounding radiographic image capturing pixels 100A are defective but not all of the peripheral radiographic image capturing pixels 100A, the radiation dose detection pixel 100B is determined to be defective. You may make it do.
続いて、本実施の形態に係わる電子カセッテ20の制御部106で行われる処理の一例について説明する。図9は、制御部106で行われる放射線照射量検出用画素の欠陥画素検出処理の一例を示すフローチャートである。 Next, an example of processing performed by the control unit 106 of the electronic cassette 20 according to the present embodiment will be described. FIG. 9 is a flowchart illustrating an example of the defective pixel detection process for the radiation dose detection pixels performed by the control unit 106.
ステップS100では、放射線画像撮影用画素100Aの欠陥検出が行われてステップS102へ移行する。放射線画像撮影用画素100Aの欠陥検出は、例えば、放射線を照射しない状態の放射線画像撮影用画素100Aの値を読み出して、他の画素と予め定めた値以上異なる値の画素を欠陥画素と判定するようにしてもよいし、予め定めた撮影条件で放射線を照射した場合の放射線画像撮影用画素100Aの値を読み出して、当該撮影条件に対する基準値に対して予め定めた閾値以上異なる値を出力する画素を欠陥画素と判定するようにしてもよいし、他の方法を適用して欠陥画素を判定するようにしてもよい。 In step S100, defect detection of the radiographic image capturing pixel 100A is performed, and the process proceeds to step S102. The defect detection of the radiation image capturing pixel 100A is performed by, for example, reading the value of the radiation image capturing pixel 100A in a state in which no radiation is irradiated and determining a pixel having a value different from other pixels by a predetermined value or more as a defective pixel. Alternatively, the value of the radiographic image capturing pixel 100A when radiation is irradiated under a predetermined imaging condition is read, and a value different from a reference value for the imaging condition by a predetermined threshold or more is output. The pixel may be determined as a defective pixel, or the defective pixel may be determined by applying another method.
ステップS102では、注目の放射線照射量検出用画素100Bの周囲の放射線画像撮影画素の欠陥結果が取得されてステップS104へ移行する。 In step S102, the defect result of the radiographic imaging pixels around the target radiation dose detection pixel 100B is acquired, and the process proceeds to step S104.
ステップS104では、注目の放射線照射量検出用画素100Bが欠陥画素か否か判定される。該判定は、周囲全ての放射線画像撮影用画素100Aが欠陥画素か否かを判定してもよいし、周囲の放射線画像撮影用画素100Aのうち予め定めた数以上が欠陥画素か否かを判定するようにしてもよい。該判定が肯定された場合にはステップS106へ移行し、否定された場合にはステップS108へ移行する。 In step S104, it is determined whether the target radiation irradiation amount detection pixel 100B is a defective pixel. This determination may determine whether or not all surrounding radiographic image capturing pixels 100A are defective pixels, or determine whether or not a predetermined number or more of the surrounding radiographic image capturing pixels 100A are defective pixels. You may make it do. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S106, and if the determination is negative, the process proceeds to step S108.
ステップS106では、注目の放射線照射量検出用画素100Bが欠陥画素に設定されてステップS108へ移行する。すなわち、本実施形態では、周辺の放射線画像撮影用画素100Aが欠陥画素であり、注目の放射線照射量検出用画素100Bも欠陥の可能性が高いため欠陥画素であると判定することにより、放射線検出器26の鉛直上の異物等による欠陥画素を検出することが可能となる。実際には欠陥画素ではないこともあり得るが、後処理(例えば、放射線が所定量に達した場合に照射を停止する等の後処理)の信頼性を向上することができる。 In step S106, the target radiation irradiation amount detection pixel 100B is set as a defective pixel, and the process proceeds to step S108. That is, in the present embodiment, the surrounding radiation image capturing pixel 100A is a defective pixel, and the target radiation irradiation amount detection pixel 100B is also likely to be defective, so that it is determined as a defective pixel. It becomes possible to detect defective pixels due to foreign matter or the like on the vertical direction of the vessel 26. Although it may not actually be a defective pixel, the reliability of post-processing (for example, post-processing such as stopping irradiation when radiation reaches a predetermined amount) can be improved.
ステップS108では、全ての放射線照射量検出用画素100Bについて欠陥判定を終了したか否か判定され、該判定が否定された場合にはステップS110へ移行し、肯定されたところで、一連の放射線照射量検出用画素の欠陥画素検出処理を終了する。 In step S108, it is determined whether or not the defect determination has been completed for all the radiation dose detection pixels 100B. If the determination is negative, the process proceeds to step S110. The defective pixel detection process for the detection pixel is terminated.
ステップS110では、注目の放射線照射量検出用画素が変更されてステップS102に戻って上述の処理が繰り返される。 In step S110, the target radiation irradiation amount detection pixel is changed, the process returns to step S102, and the above-described processing is repeated.
このように、本実施の形態では、放射線照射量検出用画素100Bの周辺の放射線画像撮影用画素100Aの欠陥発生状況に基づいて、放射線照射量検出用画素100Bの欠陥を判定することで、鉛直上に異物がある場合や、1ライン上に複数の放射線照射量検出用画素100Bの値が加算される場合でも、欠陥画素を検出することが可能となる。 Thus, in the present embodiment, by determining the defect of the radiation dose detection pixel 100B based on the defect occurrence status of the radiation image capturing pixel 100A around the radiation dose detection pixel 100B, the vertical It is possible to detect a defective pixel even when there is a foreign substance on the top or when the values of a plurality of radiation dose detection pixels 100B are added to one line.
なお、電子カセッテ20自身で放射線Xの照射開始や停止を検出するための構成及び方法は本実施の形態に限定されない。例えば、上記では、放射線照射量検出用画素100Bとして、ソースとドレインが短絡されたTFTスイッチ74を備えた画素について説明したが、これに限らない。例えば、ドレイン電極83の途中から接続配線を形成して信号配線73と接続するようにしてもよい。この場合も、TFTスイッチ74のソースとドレインは実質的に短絡していることとなる。またTFTスイッチ74のソースとドレインを短絡させる場合、ゲート電極72をゲート配線101から離して形成するようにしてもよい。また例えば、放射線照射量検出用画素100Bでは、接続配線82及びコンタクトホール87を介して、センサ部103と信号配線73とを接続することにより、ドレイン電極83とコンタクトホール87の間を電気的に切断してもよい。 Note that the configuration and method for detecting the start and stop of radiation X by the electronic cassette 20 itself are not limited to the present embodiment. For example, in the above description, the pixel including the TFT switch 74 in which the source and the drain are short-circuited has been described as the radiation dose detection pixel 100B, but is not limited thereto. For example, a connection wiring may be formed in the middle of the drain electrode 83 and connected to the signal wiring 73. Also in this case, the source and drain of the TFT switch 74 are substantially short-circuited. Further, when the source and drain of the TFT switch 74 are short-circuited, the gate electrode 72 may be formed away from the gate wiring 101. Further, for example, in the radiation dose detection pixel 100 </ b> B, by connecting the sensor unit 103 and the signal wiring 73 via the connection wiring 82 and the contact hole 87, the drain electrode 83 and the contact hole 87 are electrically connected. It may be cut.
また、本実施の形態では、放射線照射量検出用画素100BとしてTFTスイッチ74が短絡された画素を用いる場合について説明したが、放射線照射量検出用画素100Bは、特に限定されない。例えば、放射線画像撮影用画素100Aと同一構成として、TFTスイッチ74が短絡していない画素を放射線照射量検出用画素100Bとして用いてもよい。この場合、画素100BのTFTスイッチ74の制御は、画素100AのTFTスイッチ74の制御とは独立して制御される。また、この場合の画素100Bは、放射線検出器26の所定の画素100を用いてもよいし、放射線検出器26内の画素100とは異なる画素を設けてもよい。 In the present embodiment, the case where a pixel with the TFT switch 74 short-circuited is used as the radiation dose detection pixel 100B. However, the radiation dose detection pixel 100B is not particularly limited. For example, as a radiation image capturing pixel 100A, a pixel in which the TFT switch 74 is not short-circuited may be used as the radiation dose detection pixel 100B. In this case, the control of the TFT switch 74 of the pixel 100B is controlled independently of the control of the TFT switch 74 of the pixel 100A. In this case, as the pixel 100B, the predetermined pixel 100 of the radiation detector 26 may be used, or a pixel different from the pixel 100 in the radiation detector 26 may be provided.
さらに、上記処理(図9のフローチャートによる処理)によって放射線照射量検出用画素100Bの欠陥画素が検出された場合には、欠陥画素の欠陥数や欠陥画素の出力値のずれ量に応じて、電子カセッテ20を使用しないようにしてもよいし、隣接または近くの放射線照射量検出用画素の出力値を用いて補間するようにしてもよいし、関心領域を算出するときのみに使用するようにしてもよいし、検出した欠陥部分のラインやブロックを除いて線量(放射線の照射量)を算出するようにしてもよい。また、放射線画像撮影用画素100Aと同一構成の放射線照射量検出用画素100Bの場合には、放射線照射量検出用画素100Bの画素配置を変更して使用するようにしても良い。 Furthermore, when a defective pixel of the radiation irradiation amount detection pixel 100B is detected by the above process (the process according to the flowchart of FIG. 9), an electron is detected according to the number of defects of the defective pixel and the amount of deviation of the output value of the defective pixel. The cassette 20 may not be used, may be interpolated using the output value of the adjacent or nearby radiation dose detection pixel, or used only when calculating the region of interest. Alternatively, the dose (radiation dose) may be calculated by excluding the detected defective line or block. Further, in the case of the radiation dose detection pixel 100B having the same configuration as the radiation image capturing pixel 100A, the pixel arrangement of the radiation dose detection pixel 100B may be changed and used.
次に、放射線照射量検出用画素100Bの欠陥判定に関する第1変形例について説明する。図11は、第1変形例の放射線照射量検出用画素の欠陥判定方法を説明するための図である。 Next, a first modification example regarding defect determination of the radiation dose detection pixel 100B will be described. FIG. 11 is a diagram for explaining a defect determination method for a radiation dose detection pixel according to a first modification.
上記の実施の形態では、放射線照射量検出用画素100Bの周囲として、放射線照射量検出用画素100Bに隣接する周りの8つの放射線画像撮影用画素100Aの欠陥の発生状況を用いたが、第1変形例では、図10に示すように、放射線照射量検出用画素100Bの同一ライン、かつ前後に読み出される正常な放射線画像撮影用画素100A(図10中の斜線画素の上下に位置するハッチングされた画素)の値に基づいて、放射線照射量検出用画素100Bの欠陥を判定するものである。 In the above embodiment, the defect occurrence state of the surrounding eight radiation image capturing pixels 100A adjacent to the radiation irradiation amount detection pixel 100B is used as the periphery of the radiation irradiation amount detection pixel 100B. In the modification, as shown in FIG. 10, normal radiation image capturing pixels 100 </ b> A (hatched above and below the hatched pixels in FIG. 10) that are read out in the same line and before and after the radiation irradiation amount detection pixels 100 </ b> B. Based on the value of the (pixel), the defect of the radiation dose detection pixel 100B is determined.
第1変形例では、注目の放射線照射量検出用画素100Bの前後に読み出される正常な放射線画像撮影用画素100Aの値から放射線照射量検出用画素100Bの値を予測して、予測結果と実際の放射線照射量検出用画素100Bの値とを比較する。これによって、複数の画素が加算されていても、予測値が予め定めた閾値以上外れる場合には、欠陥画素であることが分かるので、欠陥を判定することができる。 In the first modification, the value of the radiation dose detection pixel 100B is predicted from the value of the normal radiation image capturing pixel 100A read before and after the target radiation dose detection pixel 100B, and the prediction result and the actual The value of the radiation dose detection pixel 100B is compared. As a result, even if a plurality of pixels are added, if the predicted value exceeds a predetermined threshold value or more, it can be determined that the pixel is a defective pixel, so that a defect can be determined.
なお、第1変形例では、同一ライン上の放射線画像撮影用画素100Aを用いるものとするが、同一ラインでなくてもよい。また、放射線照射量検出用画素の値を予測する際には、放射線画像撮影用画素の読取ゲインの違いがある場合にはゲインの違いを考慮する必要がある。 In the first modification, the radiation image capturing pixels 100A on the same line are used, but they may not be on the same line. Further, when predicting the value of the radiation dose detection pixel, if there is a difference in reading gain of the radiation image capturing pixel, it is necessary to consider the difference in gain.
また、第1変形例では、放射線照射量検出用画素100Bの同一ライン、かつ前後に読み出される正常な放射線画像撮影用画素100Aの値に基づいて、放射線照射量検出用画素100Bの欠陥を判定するが、上記の実施の形態と同様に、放射線照射量検出用画素100Bの同一ラインの前後に読み出される放射線画像撮影用画素100Aの欠陥発生状況に基づいて、放射線照射量検出用画素100Bの欠陥を判定するようにしてもよい。例えば、放射線照射量検出用画素100Bの同一ラインの前後に読み出される放射線画像撮影用画素100Aが共に欠陥画素である場合には、放射線照射量検出用画素100Bも欠陥であると判定したり、放射線照射量検出用画素100Bの同一ラインの前後に読み出される放射線画像撮影用画素100Aのうち前後のどちらかが欠陥の場合に、放射線照射量検出用画素100Bも欠陥であると判定してもよい。 In the first modification, the defect of the radiation dose detection pixel 100B is determined based on the same line of the radiation dose detection pixel 100B and the value of the normal radiation image capturing pixel 100A read before and after. However, as in the above-described embodiment, the defect of the radiation dose detection pixel 100B is determined based on the defect occurrence state of the radiation image capturing pixel 100A read before and after the same line of the radiation dose detection pixel 100B. You may make it determine. For example, when the radiation image capturing pixels 100A read before and after the same line of the radiation dose detection pixel 100B are both defective pixels, it is determined that the radiation dose detection pixel 100B is also defective, When one of the radiation image capturing pixels 100A read before and after the same line of the irradiation amount detection pixel 100B is defective, the radiation irradiation amount detection pixel 100B may be determined to be defective.
ここで、第1変形例における電子カセッテ20の制御部106で行われる処理の一例について説明する。 Here, an example of processing performed by the control unit 106 of the electronic cassette 20 in the first modification will be described.
図11は、第1変形例の制御部106で行われる放射線照射量検出用画素の欠陥画素検出処理の一例を示すフローチャートである。なお、上記の実施の形態と同一処理については同一符号を付して説明する。 FIG. 11 is a flowchart illustrating an example of a defective pixel detection process for a radiation dose detection pixel performed by the control unit 106 according to the first modification. Note that the same processes as those in the above embodiment will be described with the same reference numerals.
ステップS100では、放射線画像撮影用画素100Aの欠陥検出が行われてステップS101へ移行する。放射線画像撮影用画素100Aの欠陥検出は、例えば、放射線を照射しない状態の放射線画像撮影用画素100Aの値を読み出して、他の画素と予め定めた値以上異なる値の画素を欠陥画素と判定するようにしてもよいし、予め定めた撮影条件で放射線を照射した場合の放射線画像撮影用画素100Aの値を読み出して、当該撮影条件に対する基準値に対して予め定めた閾値以上異なる値を出力する画素を欠陥画素と判定するようにしてもよいし、他の方法を適用して欠陥画素を判定するようにしてもよい。 In step S100, the defect detection of the radiographic image capturing pixel 100A is performed, and the process proceeds to step S101. The defect detection of the radiation image capturing pixel 100A is performed by, for example, reading the value of the radiation image capturing pixel 100A in a state in which no radiation is irradiated and determining a pixel having a value different from other pixels by a predetermined value or more as a defective pixel. Alternatively, the value of the radiographic image capturing pixel 100A when radiation is irradiated under a predetermined imaging condition is read, and a value different from a reference value for the imaging condition by a predetermined threshold or more is output. The pixel may be determined as a defective pixel, or the defective pixel may be determined by applying another method.
ステップS101では、周囲の正常な放射線画像撮影用画素100A(第1変形例では、注目の放射線照射量検出用画素100Bの前後に読み出される放射線画像撮影用画素100A)の値から注目の放射線照射量検出用画素100Bの値を予測する処理が行われてステップS104へ移行する。当該処理は、ステップS100の放射線画像撮影用画素100Aの欠陥検出結果から、注目の放射線照射量検出画素100Bの前後に読み出される欠陥のない正常な放射線画像撮影用画素100Aがあるか否か判定し、正常な放射線画像撮影画素100Aがある場合に、正常な放射線画像撮影用画素100Aの値から注目の放射線照射量検出画素100Bの値を予測する。なお、正常な放射線画像撮影用画素がない場合には、注目の放射線照射量検出用画素100Bも欠陥と判断する。 In step S101, the radiation dose of interest is calculated from the values of surrounding normal radiation image capture pixels 100A (in the first modification, the radiation image capture pixels 100A read before and after the focused radiation dose detection pixel 100B). A process of predicting the value of the detection pixel 100B is performed, and the process proceeds to step S104. In this process, it is determined from the defect detection result of the radiographic image capturing pixel 100A in step S100 whether there is a normal radiographic image capturing pixel 100A having no defect read before and after the target radiation dose detection pixel 100B. When there is a normal radiographic image capturing pixel 100A, the value of the target radiation dose detection pixel 100B is predicted from the value of the normal radiographic image capturing pixel 100A. When there is no normal radiation image capturing pixel, the target radiation irradiation amount detection pixel 100B is also determined to be defective.
ステップS104では、注目の放射線照射量検出用画素100Bが欠陥画素か否か判定される。該判定は、例えば、放射線画像撮影用画素100Aから予測した値と、実際の放射線照射量検出用画素100Bの値とが予め定めた閾値以上異なるか否かを判定し、該判定が肯定された場合にはステップS106へ移行し、否定された場合にはステップS108へ移行する。 In step S104, it is determined whether the target radiation irradiation amount detection pixel 100B is a defective pixel. The determination is made, for example, by determining whether or not the value predicted from the radiographic image capturing pixel 100A differs from the actual value of the radiation irradiation amount detection pixel 100B by a predetermined threshold value or more. In the case, the process proceeds to step S106, and in the case of negative, the process proceeds to step S108.
ステップS106では、注目の放射線照射量検出用画素100Bが欠陥画素に設定されてステップS108へ移行する。 In step S106, the target radiation irradiation amount detection pixel 100B is set as a defective pixel, and the process proceeds to step S108.
ステップS108では、全ての放射線照射量検出用画素100Bについて欠陥判定を終了したか否か判定され、該判定が否定された場合にはステップS110へ移行し、肯定されたところで、一連の放射線照射量検出用画素の欠陥画素検出処理を終了する。 In step S108, it is determined whether or not the defect determination has been completed for all the radiation dose detection pixels 100B. If the determination is negative, the process proceeds to step S110. The defective pixel detection process for the detection pixel is terminated.
ステップS110では、注目の放射線照射量検出用画素が変更されてステップS102に戻って上述の処理が繰り返される。 In step S110, the target radiation irradiation amount detection pixel is changed, the process returns to step S102, and the above-described processing is repeated.
続いて、放射線照射量検出用画素100Bの欠陥判定に関する第2変形例について説明する。図12(A)は第2変形例の画素構成を示す図であり、図12(B)は第2変形例の画素の回路構成を示す図であり、図12(C)は画素構成の変形例を示す図である。 Subsequently, a second modification example regarding defect determination of the radiation dose detection pixel 100B will be described. 12A is a diagram illustrating a pixel configuration of the second modification, FIG. 12B is a diagram illustrating a circuit configuration of the pixel of the second modification, and FIG. 12C is a modification of the pixel configuration. It is a figure which shows an example.
上記の実施の形態では、放射線照射量検出用画素100Bの周囲として、放射線照射量検出用画素100Bに隣接する周りの8つの放射線画像撮影用画素100Aの欠陥の発生状況を用いたが、第2変形例では、サブピクセルとして放射線照射量検出用画素が構成される場合について説明する。 In the above embodiment, the defect occurrence state of the surrounding eight radiation image capturing pixels 100A adjacent to the radiation irradiation amount detection pixel 100B is used as the periphery of the radiation irradiation amount detection pixel 100B. In the modified example, a case where a radiation dose detection pixel is configured as a sub-pixel will be described.
上記の実施の形態及び第1変形例では、放射線画像撮影用画素100Aと放射線照射量検出用画素100Bとが1画素としてそれぞれ存在したが、第2変形例の放射線検出器26は、1画素内に放射線画像撮影用画素100Aと放射線照射量検出用画素100Bとがそれぞれサブピクセルとして存在する。 In the above-described embodiment and the first modification, the radiation image capturing pixel 100A and the radiation irradiation amount detection pixel 100B exist as one pixel, but the radiation detector 26 of the second modification has one pixel. In addition, the radiation image capturing pixel 100A and the radiation dose detection pixel 100B exist as sub-pixels, respectively.
すなわち、第2変形例では、図12(A)、(B)に示すように、放射線画像撮影用画素100Aと、放射線照射量検出用画素100Bとが一対のサブピクセルとして1画素が構成されている。また、第2変形例では、放射線照射量検出用画素100Bは、TFTスイッチ74を設けずにセンサ部103が信号配線73に直接接続された構成とされている。これにより、ダイレクトに各センサ部103の電荷を読み取ることができるので、TFTスイッチ74を介してセンサ部106と信号配線73を接続した場合と比較して、迅速に放射線照射量検出(AEC)を行うことができる。 That is, in the second modified example, as shown in FIGS. 12A and 12B, the radiation image capturing pixel 100A and the radiation irradiation amount detection pixel 100B are configured as a pair of sub-pixels. Yes. In the second modification, the radiation dose detection pixel 100 </ b> B has a configuration in which the sensor unit 103 is directly connected to the signal wiring 73 without providing the TFT switch 74. As a result, the charge of each sensor unit 103 can be read directly, and therefore, compared with the case where the sensor unit 106 and the signal wiring 73 are connected via the TFT switch 74, the radiation dose detection (AEC) can be quickly performed. It can be carried out.
なお、本変形例は、図12(C)に示すように、複数の放射線画像撮影用画素100Aに対して1つの放射線照射量検出用画素100Bをサブピクセルとして持つ構成としてもよい。 In addition, this modification is good also as a structure which has the pixel 100B for one radiation irradiation amount detection as a sub pixel with respect to the pixel 100A for several radiographic imaging, as shown in FIG.12 (C).
ここで、第2変形例における電子カセッテ20の制御部106で行われる処理の一例について説明する。 Here, an example of processing performed by the control unit 106 of the electronic cassette 20 in the second modification will be described.
図13は、第2変形例の制御部106で行われる放射線照射量検出用画素の欠陥画素検出処理の一例を示すフローチャートである。なお、上記の実施の形態と同一処理については同一符号を付して説明する。 FIG. 13 is a flowchart illustrating an example of a defective pixel detection process for a radiation dose detection pixel performed by the control unit 106 according to the second modification. Note that the same processes as those in the above embodiment will be described with the same reference numerals.
ステップS100では、放射線画像撮影用画素100Aの欠陥検出が行われてステップS103へ移行する。放射線画像撮影用画素100Aの欠陥検出は、例えば、放射線を照射しない状態の放射線画像撮影用画素100Aの値を読み出して、他の画素と予め定めた値以上異なる値の画素を欠陥画素と判定するようにしてもよいし、予め定めた撮影条件で放射線を照射した場合の放射線画像撮影用画素100Aの値を読み出して、当該撮影条件に対する基準値に対して予め定めた閾値以上異なる値を出力する画素を欠陥画素と判定するようにしてもよいし、他の方法を適用して欠陥画素を判定するようにしてもよい。 In step S100, defect detection of the radiographic image capturing pixel 100A is performed, and the process proceeds to step S103. The defect detection of the radiation image capturing pixel 100A is performed by, for example, reading the value of the radiation image capturing pixel 100A in a state in which no radiation is irradiated and determining a pixel having a value different from other pixels by a predetermined value or more as a defective pixel. Alternatively, the value of the radiographic image capturing pixel 100A when radiation is irradiated under a predetermined imaging condition is read, and a value different from a reference value for the imaging condition by a predetermined threshold or more is output. The pixel may be determined as a defective pixel, or the defective pixel may be determined by applying another method.
ステップS103では、注目の放射線照射量検出用画素100Bと対の放射線画像撮影用画素100Aの欠陥検出結果が取得されてステップS104へ移行する。すなわち、注目の放射線照射量検出用画素100Bと1画素を構成する放射線画像撮影用画素100Aの欠陥検出結果を取得する。 In step S103, the defect detection result of the radiation image capturing pixel 100A paired with the target radiation irradiation amount detection pixel 100B is acquired, and the process proceeds to step S104. That is, the defect detection result of the radiation image capturing pixel 100A that constitutes one pixel with the target radiation irradiation amount detection pixel 100B is acquired.
ステップS104では、注目の放射線照射量検出用画素100Bが欠陥画素か否か判定される。該判定は、注目の放射線照射量検出用画素100Bと1画素を構成する放射線画像撮影用画素100Aが欠陥画素か否か判定し、該判定が肯定された場合にはステップS106へ移行し、否定された場合にはステップS108へ移行する。すなわち、注目の放射線照射量検出用画素100Bと1画素を構成する放射線画像撮影用画素100Aが欠陥の場合には、同一画素であるため、放射線照射量検出用画素100Bも欠陥の可能性が高いので、周辺の放射線画像撮影用画素100Aから放射線照射量検出用画素100Bの欠陥を判定することが可能となる。 In step S104, it is determined whether the target radiation irradiation amount detection pixel 100B is a defective pixel. In this determination, it is determined whether or not the radiation irradiation amount detection pixel 100B of interest and the radiographic image capturing pixel 100A constituting one pixel are defective pixels. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S106, and the determination is negative. If so, the process proceeds to step S108. That is, when the target radiation irradiation amount detection pixel 100B and the radiation image capturing pixel 100A constituting one pixel are defective, they are the same pixel, so the radiation irradiation amount detection pixel 100B is also highly likely to be defective. Therefore, it is possible to determine the defect of the radiation dose detection pixel 100B from the surrounding radiation image capturing pixel 100A.
ステップS106では、注目の放射線照射量検出用画素100Bが欠陥画素に設定されてステップS108へ移行する。 In step S106, the target radiation irradiation amount detection pixel 100B is set as a defective pixel, and the process proceeds to step S108.
ステップS108では、全ての放射線照射量検出用画素について欠陥判定を終了したか否か判定され、該判定が否定された場合にはステップS110へ移行し、肯定されたところで、一連の放射線照射量検出用画素の欠陥画素検出処理を終了する。 In step S108, it is determined whether or not the defect determination has been completed for all of the radiation dose detection pixels. If the determination is negative, the process proceeds to step S110. If the determination is affirmative, a series of radiation dose detection is performed. The defective pixel detection process for the working pixel is terminated.
ステップS110では、注目の放射線照射量検出用画素が変更されてステップS102に戻って上述の処理が繰り返される。 In step S110, the target radiation irradiation amount detection pixel is changed, the process returns to step S102, and the above-described processing is repeated.
なお、上記では、実施の形態及び各変形例を個別に説明したが、それぞれの放射線照射量検出用画素100Bの欠陥判定方法を組み合わせて欠陥判定を行うようにしてもよい。例えば、第1実施形態及び第1変形例の放射線照射量検出用画素の欠陥画素判定をそれぞれ行って両方の方法で欠陥画素と判定された場合に欠陥画素に設定するようにしてもよいし、何れかの方法で欠陥画素と判定された場合に欠陥画素に設定するようにしてもよい。また、第2変形例のような画素構成の場合には、実施の形態、第1変形例、及び第2変形例の放射線照射量検出用画素の欠陥画素判定をそれぞれ行って全ての方法で欠陥画素と判定された場合に欠陥画素に設定するようにしてもよいし、何れかの方法で欠陥画素と判定された場合に欠陥画素に設定するようにしてもよいし、或いは、2つ以上の方法で欠陥画素と判定された場合に欠陥画素に設定するようにしてもよい。 In the above description, the embodiment and each modification have been described individually. However, the defect determination may be performed by combining the defect determination methods of the respective radiation dose detection pixels 100B. For example, the defective pixel determination of the radiation dose detection pixel of the first embodiment and the first modification may be performed, and the defective pixel may be set when the defective pixel is determined by both methods, If it is determined as a defective pixel by any method, it may be set as a defective pixel. Further, in the case of the pixel configuration as in the second modified example, the defective pixel determination of the radiation dose detection pixels in the embodiment, the first modified example, and the second modified example is performed, respectively, and the defect is detected in all methods When it is determined as a pixel, it may be set as a defective pixel, or when it is determined as a defective pixel by any method, it may be set as a defective pixel, or two or more If it is determined as a defective pixel by the method, it may be set as a defective pixel.
また、上記の実施の形態及び各変形例では、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出器26に本発明を適用した場合について説明したが、これに限定されない。例えば、放射線を吸収して電荷に変換する光電変換層としてアモルファスセレン等の放射線Xを直接電荷に変換する材料を使用した直接変換方式の放射線検出器に本発明を適用してもよい。 In the above-described embodiment and each modification, the case where the present invention is applied to the radiation detector 26 of the indirect conversion type that converts the converted light into electric charges has been described, but the present invention is not limited to this. For example, the present invention may be applied to a direct-conversion radiation detector that uses a material that directly converts radiation X into charge, such as amorphous selenium, as a photoelectric conversion layer that absorbs radiation and converts it into charges.
その他、本実施の形態で説明した放射線画像撮影システム10、放射線発生装置12、電子カセッテ20、及び放射線検出器26等の構成、動作等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることは言うまでもない。 In addition, the configurations, operations, and the like of the radiographic imaging system 10, the radiation generator 12, the electronic cassette 20, and the radiation detector 26 described in the present embodiment are examples, and the scope of the present invention is not deviated. Needless to say, it can be changed according to the situation.
また、本実施の形態における放射線Xは、特に限定されるものではなく、X線やγ線等を適用することができる。 Moreover, the radiation X in this Embodiment is not specifically limited, X-ray, a gamma ray, etc. can be applied.
また、上記の実施の形態におけるフローチャートで示した処理は、プログラムとして各種記憶媒体に記憶して流通するようにしてもよい。 The processing shown in the flowcharts in the above embodiments may be stored and distributed as various programs in various storage media.
さらに、上記では、放射線照射量検出用画素の欠陥画素検出処理を制御部106で行う処理として説明したが、これに限るものではなく、例えば、放射線画像処理装置14で行う処理としてもよいし、コンソール16で行う処理としてもよい。 Furthermore, in the above description, the defective pixel detection process of the radiation dose detection pixel has been described as a process performed by the control unit 106. However, the present invention is not limited to this, and may be a process performed by the radiation image processing device 14, for example. The processing performed by the console 16 may be performed.
10 放射線画像撮影システム
12 放射線発生装置
14 放射線画像処理装置
16 コンソール
20 電子カセッテ
26 放射線検出器
100 画素
100A 放射線画像撮影用画素
100B 放射線照射量検出用画素
106 制御部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Radiation imaging system 12 Radiation generator 14 Radiation image processing apparatus 16 Console 20 Electronic cassette 26 Radiation detector 100 Pixel 100A Radiation imaging pixel 100B Radiation irradiation amount detection pixel 106 Control part
Claims (11)
放射線の照射量を検出するための放射線照射量検出用画素と、
前記放射線照射量検出用画素の周辺の前記放射線画像用画素の欠陥発生状況に基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定する判定手段と、
を備えた放射線画像撮影装置。 A plurality of radiation image capturing pixels for capturing a radiation image;
A radiation dose detection pixel for detecting the radiation dose,
Determination means for determining a defect of the radiation dose detection pixel based on a defect occurrence state of the radiation image pixel around the radiation dose detection pixel;
A radiographic imaging apparatus comprising:
前記判定手段が、1画素を構成する前記放射線撮影用画素の欠陥発生状況に基づいて、同一画素中の前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定する請求項1に記載の放射線画像撮影装置。 One pixel is configured with the radiation imaging pixel and the radiation dose detection pixel as sub-pixels,
The radiographic imaging device according to claim 1, wherein the determination unit determines a defect of the radiation dose detection pixel in the same pixel based on a defect occurrence state of the radiation imaging pixel constituting one pixel.
前記判定手段が、前記放射線照射量検出用画素と同一の前記信号線に接続され、かつ前記放射線照射量検出用画素の前後に読み出される前記放射線画像用画素の欠陥発生状況に基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定する請求項1〜3の何れか1項に記載の放射線画像撮影装置。 A signal line to which the radiation image capturing pixel and the radiation dose detection pixel are respectively connected;
The determination unit is connected to the same signal line as the radiation dose detection pixel, and is based on a defect occurrence state of the radiation image pixel read before and after the radiation dose detection pixel. The radiographic imaging apparatus of any one of Claims 1-3 which determine the defect of the pixel for irradiation amount detection.
被検体を介して前記放射線画像撮影装置に放射線を照射する放射線照射手段と、
を備えた放射線画像撮影システム。 The radiographic imaging apparatus according to any one of claims 1 to 5,
Radiation irradiating means for irradiating the radiation imaging apparatus with radiation through a subject;
Radiographic imaging system equipped with.
前記取得ステップの取得結果に基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定する判定ステップと、
を有する放射線画像撮影装置の欠陥判定方法。 In the radiation image capturing apparatus, comprising: a plurality of radiation image capturing pixels for capturing a radiation image; and a radiation irradiation amount detection pixel for detecting a radiation irradiation amount. An acquisition step of acquiring a defect occurrence status of the surrounding radiation image pixel;
A determination step of determining a defect of the radiation dose detection pixel based on the acquisition result of the acquisition step;
A method for determining a defect in a radiographic image capturing apparatus.
前記判定ステップが、1画素を構成する前記放射線撮影用画素の欠陥発生状況に基づいて、同一画素中の前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定する請求項7に記載の放射線画像撮影装置の欠陥判定方法。 The radiation imaging pixel and the radiation dose detection pixel are sub-pixels to form one pixel,
The radiographic imaging device according to claim 7, wherein the determination step determines a defect of the radiation dose detection pixel in the same pixel based on a defect occurrence state of the radiation imaging pixel constituting one pixel. Defect determination method.
前記判定ステップが、前記放射線照射量検出用画素と同一の前記信号線に接続され、かつ前記放射線照射量検出用画素の前後に読み出される前記放射線画像用画素の欠陥発生状況に基づいて、前記放射線照射量検出用画素の欠陥を判定する請求項7〜9の何れか1項に記載の放射線画像撮影装置の欠陥判定方法。 The radiographic image capturing apparatus further includes a signal line to which the radiographic image capturing pixel and the radiation irradiation amount detection pixel are connected,
The determination step is based on a defect occurrence state of the radiation image pixel connected to the same signal line as the radiation dose detection pixel and read before and after the radiation dose detection pixel. The defect determination method of the radiographic imaging apparatus of any one of Claims 7-9 which determines the defect of the pixel for irradiation amount detection.
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