JP2014048550A - Light receiving component and manufacturing method for optical receiver module - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve highly accurate alignment without making assembly step complex and complicated and without increasing cost.SOLUTION: A light receiving component comprises: a communication photo diode 102 formed on a chip substrate 101; and a plurality of aligning parts 103 formed on the chip substrate 101. The communication photo diode 102 has a light absorption layer 122 formed from semiconductor. The communication photo diode 102 is, for example, a rear incident type in which light is made incident on from the chip substrate 101 side. Light to be made incident on the communication photo diode 102 is transmitted through the chip substrate 101. The aligning parts 103 are composed of a material that blocks the light, and has a hole 131 smaller than the light receiving area of the communication photo diode 102.

Description

本発明は、光ファイバ通信用に用いられる受光部品および光受信モジュールの製造方法に関する。   The present invention relates to a light receiving component used for optical fiber communication and a method for manufacturing an optical receiving module.

光ファイバ通信用の受光器においては、光ファイバを伝播してきた信号光が、フォトダイオードの受光部で損失無く光電変換されることが望ましい。このためには、光ファイバやプレーナ型光回路などの光部品の光出射端から出射される光のスポットが、フォトダイオードの受光面内に収まることが重要となる。このために、一般には、光部品とフォトダイオードとの間には集光レンズが用いられている。特に、高速動作が要求されるフォトダイオードにおいては、接合容量を小さくするために受光面積を小さくすることになり、集光レンズの必要性が増している。   In a light receiving device for optical fiber communication, it is desirable that the signal light propagating through the optical fiber is photoelectrically converted without loss at the light receiving portion of the photodiode. For this purpose, it is important that the spot of light emitted from the light emitting end of an optical component such as an optical fiber or a planar optical circuit is within the light receiving surface of the photodiode. For this reason, a condensing lens is generally used between the optical component and the photodiode. In particular, in photodiodes that require high-speed operation, the light receiving area is reduced in order to reduce the junction capacitance, and the need for a condensing lens is increasing.

一方、近年の通信容量の増大に伴いWDM(Wavelength Division Multiplexing)などの多重化方式が一般的となっている。このような多重化された光信号を、光フィルタで分離して配列された各々の光として受光するため、受光モジュールは、複数のフォトダイオードおよび集光レンズを配列した状態(アレイ化された状態)で用いられている。このような、受光モジュールは、複数のフォトダイオードが配列されたフォトダイオードアレイチップと、複数の集光レンズが配列されたレンズアレイ、およびファイバーや平面型光回路などの光部品を固定実装して形成されている。これらの実装を行う際には、フォトダイオードの光電変換が最大効率となるように、各部品の位置を最適化する調芯の工程が重要となる。   On the other hand, multiplexing methods such as WDM (Wavelength Division Multiplexing) have become common with the recent increase in communication capacity. In order to receive such multiplexed optical signals as respective light separated and arranged by an optical filter, the light receiving module is in a state in which a plurality of photodiodes and condenser lenses are arranged (in an arrayed state). ). In such a light receiving module, a photodiode array chip in which a plurality of photodiodes are arranged, a lens array in which a plurality of condensing lenses are arranged, and optical components such as fibers and a planar optical circuit are fixedly mounted. Is formed. When performing these mountings, an alignment process for optimizing the position of each component is important so that the photoelectric conversion of the photodiode has maximum efficiency.

上述した調芯として、光受信モジュールを組み立てる際に、フォトダイオードアレイチップと、これに接続するPLCや空間結合用レンズなどとの両者に、位置合わせマークや嵌め合わせの構造を設け、これらの機械的精度に頼って光軸を合わせる方法がある。この場合、例えば、嵌め合わせて組み立てるだけで調芯が完了するため、調芯の工程が極めて短時間で行え、コストの低減が可能である(非特許文献1参照)。   As described above, when assembling the optical receiver module, both the photodiode array chip and the PLC and space coupling lens connected thereto are provided with alignment marks and fitting structures. There is a method to match the optical axis depending on the accuracy. In this case, for example, since alignment is completed simply by fitting and assembling, the alignment process can be performed in an extremely short time, and the cost can be reduced (see Non-Patent Document 1).

しかしながら、この調芯では、機械的な精度に頼っているため、フォトダイオードに入射する光のスポットサイズに対する、フォトダイオードの受光面積のマージンが、組み立て実装時のばらつきに対して十分大きいことが必要となる。このため、上述したマージンが十分大きくないと、実用的な許容誤差を設定することができない。例えば、前述したように、高速化のためにフォトダイオードの受光面積を小さくすると、十分なマージンが取れず、上述した調芯は実用的ではなくなる。   However, since this alignment relies on mechanical precision, the margin of the photodiode's light-receiving area relative to the spot size of the light incident on the photodiode must be sufficiently large with respect to variations during assembly and mounting. It becomes. For this reason, a practical tolerance cannot be set unless the margin described above is sufficiently large. For example, as described above, if the light receiving area of the photodiode is reduced for speeding up, a sufficient margin cannot be obtained, and the above-described alignment is not practical.

上述した方法に対し、フォトダイオードを受光動作状態とし、各フォトダイオードの受光部で光電変換されて発生する光電流の強度を確認することで、調芯を行う方法がある。この調芯では、実際に光強度を検出しているため、例えば、高速化のためにフォトダイオードの受光面積を小さくした場合でも、十分な精度が得られる。   In contrast to the above-described method, there is a method of performing alignment by setting photodiodes in a light receiving operation state and confirming the intensity of the photocurrent generated by photoelectric conversion at the light receiving portion of each photodiode. In this alignment, since the light intensity is actually detected, for example, sufficient accuracy can be obtained even when the light receiving area of the photodiode is reduced for speeding up.

H. Takahara et al. , "Passively Aligned LD/PD Array Submodules by Using Micro-Capillaries",IEEE TRANSACTIONS ON ADVANCED PACKAGING, vol.23, no.2, pp.323-327, 2000.H. Takahara et al., "Passively Aligned LD / PD Array Submodules by Using Micro-Capillaries", IEEE TRANSACTIONS ON ADVANCED PACKAGING, vol.23, no.2, pp.323-327, 2000.

しかしながら、上述した調芯では、フォトダイオードを動作状態とするために、フォトダイオードと外部電源と接続する配線構造などを、調芯工程の前に形成しておくことが必要となり、組み立て工程が煩雑になる。特に、光部品およびレンズアレイが先に固定してあり、フォトダイオードアレイチップを動かして調芯する構成の場合には、各フォトダイオードに接続する電源接続のための配線の取り回しが複雑になる。また、固定実装の前の事前の配線工程は、高コストである。このように、高い精度で行う調芯では、組み立て工程が煩雑,複雑となり、コストの上昇を招くという問題があった。   However, in the above-described alignment, in order to put the photodiode in an operating state, it is necessary to form a wiring structure for connecting the photodiode and the external power source before the alignment process, and the assembly process is complicated. become. In particular, in the case where the optical component and the lens array are fixed in advance and the photodiode array chip is moved and aligned, the wiring of the power supply connection to each photodiode is complicated. Also, the prior wiring process before fixed mounting is expensive. As described above, the alignment performed with high accuracy has a problem that the assembling process becomes complicated and complicated, resulting in an increase in cost.

本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、組み立て工程を煩雑,複雑にすること無く、コストの上昇を招くこと無く高い精度で調芯が行えるようにすることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and enables alignment with high accuracy without increasing the cost without making the assembly process complicated and complicated. With the goal.

本発明に係る受光部品は、半導体からなる光吸収層を備えて対象とする光が透過するチップ基板の上に形成された通信用フォトダイオードと、光を遮断する材料から構成されて通信用フォトダイオードの受光領域より小さい孔径の孔部を備えてチップ基板の上に形成された複数の位置合わせ部とを備える。   The light receiving component according to the present invention includes a communication photodiode formed on a chip substrate that includes a light absorption layer made of a semiconductor and transmits light of interest, and a communication photo And a plurality of alignment portions formed on the chip substrate, each having a hole portion having a smaller hole diameter than the light receiving region of the diode.

上記受光部品において、チップ基板が実装される実装基板と、孔部に対応して実装基板に形成された貫通孔とを備えるようにしてもよい。   The light receiving component may include a mounting substrate on which the chip substrate is mounted and a through hole formed in the mounting substrate corresponding to the hole.

上記受光部品において、半導体からなる光吸収層を備えてチップ基板の上に形成された信号強度確認用フォトダイオードと、信号強度確認用フォトダイオードの上面に形成された電極とを備え、上記孔部は、電極に形成されているようにしてもよい。   The light receiving component includes a signal intensity confirmation photodiode formed on a chip substrate with a light absorption layer made of a semiconductor, and an electrode formed on an upper surface of the signal intensity confirmation photodiode, May be formed on the electrode.

また、上記受光部品において、チップ基板に上に形成された配線を備え、上記孔部は、配線に形成されているようにしてもよい。   The light receiving component may further include a wiring formed on the chip substrate, and the hole may be formed in the wiring.

本発明に係る光受信モジュールの製造方法は、半導体からなる光吸収層を備える通信用フォトダイオードを対象とする光が透過するチップ基板の上に形成する第1工程と、光を遮断する材料から構成されて通信用フォトダイオードの受光領域より小さい孔径の孔部を備える複数の位置合わせ部をチップ基板の上に形成する第2工程と、通信用フォトダイオードに対応する第1光導波路および位置合わせ部に対応する第2光導波路が一体に形成された光部品を形成する第3工程と、光部品の光出射側にチップ基板を挟んで光検出手段を配置する第4工程と、第2光導波路より出射する位置合わせ光が孔部を透過して光検出手段に検出される状態に光部品とチップ基板とを位置合わせしてチップ基板に光部品を組み合わせて光受信モジュールとする第5工程とを備える。   A method of manufacturing an optical receiver module according to the present invention includes a first step of forming a communication photodiode having a light absorption layer made of a semiconductor on a chip substrate through which light is transmitted, and a light blocking material. A second step of forming a plurality of alignment portions on the chip substrate, the first optical waveguide corresponding to the communication photodiode, and the alignment; A third step of forming an optical component in which a second optical waveguide corresponding to the portion is integrally formed, a fourth step of arranging a light detection means with a chip substrate sandwiched between the light emission sides of the optical component, and a second optical The optical component and the chip substrate are aligned so that the alignment light emitted from the waveguide is transmitted through the hole and detected by the light detection means, and the optical component is combined with the chip substrate to form an optical receiving module. And a fifth step.

上記光受信モジュールの製造方法において、チップ基板を実装基板に実装する第6工程を備え、第5工程では、実装基板に光部品を実装してチップ基板に光部品を組み合わせるようにしてもよい。   The method for manufacturing an optical receiver module may include a sixth step of mounting the chip substrate on the mounting substrate. In the fifth step, the optical component may be mounted on the mounting substrate and the optical component may be combined with the chip substrate.

以上説明したように、本発明によれば、光を遮断する材料から構成されて通信用フォトダイオードの受光領域より小さい孔径の孔部を備えてチップ基板の上に形成された複数の位置合わせ部を用いるようにしたので、組み立て工程を煩雑,複雑にすること無く、コストの上昇を招くこと無く高い精度で調芯が行えるようになるという優れた効果が得られる。   As described above, according to the present invention, a plurality of alignment portions that are formed on a chip substrate and are formed of a material that blocks light and have a hole diameter smaller than the light receiving area of the communication photodiode. Therefore, it is possible to obtain an excellent effect that alignment can be performed with high accuracy without making the assembly process complicated and complicated and without causing an increase in cost.

図1は、本発明の実施の形態1における受光部品の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a light receiving component according to Embodiment 1 of the present invention. 図2は、本発明の実施の形態1における他の受光部品の構成を示す平面図(a)および断面図(b)である。FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is a cross-sectional view showing the configuration of another light receiving component in the first embodiment of the present invention. 図3Aは、本発明の実施の形態1における光受信モジュールの製造方法を説明するための各工程における状態を模式的に示す断面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view schematically showing a state in each step for explaining the method of manufacturing the optical receiver module in the first embodiment of the present invention. 図3Bは、本発明の実施の形態1における光受信モジュールの製造方法を説明するための各工程における状態を模式的に示す断面図である。FIG. 3B is a cross-sectional view schematically showing a state in each step for describing the method for manufacturing the optical receiver module according to Embodiment 1 of the present invention. 図3Cは、本発明の実施の形態1における光受信モジュールの製造方法を説明するための各工程における状態を模式的に示す断面図である。FIG. 3C is a cross-sectional view schematically showing a state in each step for describing the method for manufacturing the optical receiver module according to Embodiment 1 of the present invention. 図4は、本発明の実施の形態1における受光部品を用いた光受信モジュールの構成例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration example of an optical receiving module using the light receiving component according to Embodiment 1 of the present invention. 図5は、本発明の実施の形態2における受光部品を用いた光受信モジュールの構成例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration example of an optical receiver module using the light receiving component in Embodiment 2 of the present invention. 図6は、本発明の実施の形態3における受光部品を用いた光受信モジュールの構成例を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration example of an optical receiving module using the light receiving component according to Embodiment 3 of the present invention. 図7は、本発明の実施の形態4における受光部品を用いた光受信モジュールの構成例を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of an optical reception module using the light receiving component according to Embodiment 4 of the present invention. 図8は、本発明の実施の形態5における受光部品およびこの受光部品を用いた光受信モジュールの構成例を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a configuration example of a light receiving component and a light receiving module using the light receiving component in the fifth embodiment of the present invention.

以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

[実施の形態1]
はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における受光部品の構成を示す断面図である。この受光部品は、チップ基板101の上に形成された通信用フォトダイオード102と、チップ基板101の上に形成された複数の位置合わせ部103とを備える。
[Embodiment 1]
First, Embodiment 1 of the present invention will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a light receiving component according to Embodiment 1 of the present invention. The light receiving component includes a communication photodiode 102 formed on the chip substrate 101 and a plurality of alignment portions 103 formed on the chip substrate 101.

通信用フォトダイオード102は、半導体からなる光吸収層122を備える。例えば、通信用フォトダイオード102は、チップ基板101の上に形成されたn型の半導体層121と、半導体層121の上に形成された光吸収層122と、光吸収層122の上に形成されたp型の半導体層123とを備えるいわゆるpin型のフォトダイオードである。また、通信用フォトダイオード102は、半導体層123の上に形成された電極124と、半導体層121に接続する図示しない電極とを備える。通信用フォトダイオード102は、例えば、チップ基板101の側より光を入射する裏面入射型の構造を有する。チップ基板101は、通信用フォトダイオード102に入射する対象とする波長の光が透過する機能を有する(あるいは、部材から成る)。   The communication photodiode 102 includes a light absorption layer 122 made of a semiconductor. For example, the communication photodiode 102 is formed on the n-type semiconductor layer 121 formed on the chip substrate 101, the light absorption layer 122 formed on the semiconductor layer 121, and the light absorption layer 122. This is a so-called pin type photodiode including the p type semiconductor layer 123. The communication photodiode 102 includes an electrode 124 formed on the semiconductor layer 123 and an electrode (not shown) connected to the semiconductor layer 121. The communication photodiode 102 has, for example, a back-illuminated structure in which light is incident from the chip substrate 101 side. The chip substrate 101 has a function of transmitting light having a target wavelength incident on the communication photodiode 102 (or made of a member).

また、位置合わせ部103は、上述した光を遮断する材料から構成され、通信用フォトダイオード102の受光領域より小さい孔径の孔部131を備えている。   The alignment unit 103 is made of the above-described material that blocks light, and includes a hole 131 having a smaller hole diameter than the light receiving region of the communication photodiode 102.

例えば、図2に示すように、チップ基板101の上には、配線203,配線204,配線205が形成されており、配線203に孔部131を形成することで、位置合わせ部としてもよい。なお、配線204は、通信用フォトダイオード102の半導体層123の上に形成された電極224に接続している。この例では、電極224はリング状に形成され、中央部に光が入射可能とされている。また、配線205は、通信用フォトダイオード102の半導体層121上に形成された電極225に接続している。   For example, as shown in FIG. 2, wiring 203, wiring 204, and wiring 205 are formed on the chip substrate 101, and a hole 131 may be formed in the wiring 203 to serve as an alignment portion. Note that the wiring 204 is connected to an electrode 224 formed over the semiconductor layer 123 of the communication photodiode 102. In this example, the electrode 224 is formed in a ring shape so that light can enter the central portion. The wiring 205 is connected to an electrode 225 formed on the semiconductor layer 121 of the communication photodiode 102.

次に、上述した受光部品を用いた光受信モジュールの製造方法について、図3A〜図3Cを用いて説明する。図3A〜図3Cは、実施の形態1における光受信モジュールの製造方法を説明するための各工程における状態を模式的に示す断面図である。図3A〜図3Cにおいて、図1と同じ構成については同一の符号を付けている。   Next, a method for manufacturing an optical receiver module using the above-described light receiving component will be described with reference to FIGS. 3A to 3C. 3A to 3C are cross-sectional views schematically showing states in respective steps for explaining the method of manufacturing the optical receiver module in the first embodiment. 3A to 3C, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

まず、図3Aに示すように、通信用フォトダイオード102をチップ基板101の上に形成する(第1工程)。例えば、高抵抗なInPからなるチップ基板101の上に、有機金属気相成長(MOVPE)法などのエピタキシャル成長法により、n型InP層、ノンドープInGaAs層、およびp型InGaAs層を順次に形成する。次に、公知のフォトリソグラフィーおよびエッチング技術により、上述したp型InGaAs層,ノンドープInGaAs層,およびn型InP層をメサ型に加工し、半導体層121,光吸収層122,半導体層123からなる通信用フォトダイオード102とする。また、半導体層121および半導体層123に、各々オーミック接触する電極を形成する。半導体層123には、電極124がオーミック接触する。   First, as shown in FIG. 3A, a communication photodiode 102 is formed on a chip substrate 101 (first step). For example, an n-type InP layer, a non-doped InGaAs layer, and a p-type InGaAs layer are sequentially formed on a chip substrate 101 made of high-resistance InP by an epitaxial growth method such as a metal organic chemical vapor deposition (MOVPE) method. Next, the p-type InGaAs layer, the non-doped InGaAs layer, and the n-type InP layer described above are processed into a mesa shape by a known photolithography and etching technique, and communication including the semiconductor layer 121, the light absorption layer 122, and the semiconductor layer 123 is performed. The photodiode 102 is used. In addition, electrodes in ohmic contact with each of the semiconductor layer 121 and the semiconductor layer 123 are formed. The electrode 124 is in ohmic contact with the semiconductor layer 123.

なお、通信用フォトダイオード102が、基板101を通過する裏面入射型の場合には、素子上部に配置する電極(電極124)は、中心部で光が透過しない構成がよい。例えば、通信用フォトダイオード102の半導体層123の上(素子上部)の全域を覆う状態に電極124を形成するとよい。これは、基板101の側から入射される信号光が、素子上部の電極で反射されることで、半導体からなる光吸収層を2度通過することになり、光結合効率が向上するためである。この点は、後述する裏面入射型の他の実施の形態についても同様である。   Note that in the case where the communication photodiode 102 is a back-illuminated type that passes through the substrate 101, the electrode (electrode 124) disposed on the upper portion of the element preferably has a configuration that does not transmit light at the center. For example, the electrode 124 may be formed so as to cover the entire area of the semiconductor layer 123 of the communication photodiode 102 (upper part of the element). This is because the signal light incident from the substrate 101 side is reflected by the electrode on the upper part of the element and passes through the light absorption layer made of a semiconductor twice, thereby improving the optical coupling efficiency. . This also applies to other back-illuminated type embodiments described later.

また、通信用フォトダイオード102の受光領域より小さい孔径の孔部131を備える複数の位置合わせ部103をチップ基板101の上に形成する(第2工程)。例えば、チップ基板101の主表面上に、位置合わせ部103を形成する箇所に開口部を備えるマスクパターンを公知のフォトリソグラフィーにより形成し、この状態で真空蒸着技術によりAuからなるメタル膜を形成し、この後、上記マスクパターンを除去(リフトオフ)することで位置合わせ部103が形成できる。上記マスクパターンに、孔部131に対応するレジストが存在するパターン部を形成しておけば、上記リフトオフ工程において、孔部131も同時に形成できる。   In addition, a plurality of alignment portions 103 having hole portions 131 having a smaller diameter than the light receiving region of the communication photodiode 102 are formed on the chip substrate 101 (second step). For example, on the main surface of the chip substrate 101, a mask pattern having an opening at a position where the alignment portion 103 is to be formed is formed by known photolithography, and in this state, a metal film made of Au is formed by a vacuum deposition technique. Thereafter, the alignment portion 103 can be formed by removing (lifting off) the mask pattern. If a pattern portion in which a resist corresponding to the hole portion 131 exists is formed in the mask pattern, the hole portion 131 can be formed at the same time in the lift-off process.

例えば、2つの位置合わせ部103を設け、図2(a)に示すような平面図において、2つの孔部131を通る直線上に、2つの通信用フォトダイオード102の受光部が配置される状態にすればよい。   For example, the two alignment portions 103 are provided, and the light receiving portions of the two communication photodiodes 102 are arranged on a straight line passing through the two hole portions 131 in the plan view as shown in FIG. You can do it.

次に、図3Bに示すように、通信用フォトダイオード102に対応する光ファイバ(第1光導波路)302および位置合わせ部103に対応する光ファイバ(第2光導波路)303が一体に形成された光部品300を形成し(第3工程)、形成した光部品300の光出射側をチップ基板101の裏面に配置する。ここでは、光ファイバ302には、集光レンズ304が設けられ、光ファイバ302から出射する光を集光する。同様に、光ファイバ303には、集光レンズ305が設けられ、光ファイバ303から出射する光を集光する。また、各集光レンズの配置間隔、各光ファイバの配置間隔、および通信用フォトダイオード102や位置合わせ部103の配置間隔は、各々一致したものとする。ファイバ303と集光レンズ305は、ファイバ302と集光レンズ304と同じ構造である方が、製造が容易である。   Next, as shown in FIG. 3B, an optical fiber (first optical waveguide) 302 corresponding to the communication photodiode 102 and an optical fiber (second optical waveguide) 303 corresponding to the alignment unit 103 are integrally formed. The optical component 300 is formed (third step), and the light emitting side of the formed optical component 300 is disposed on the back surface of the chip substrate 101. Here, the optical fiber 302 is provided with a condensing lens 304 to condense light emitted from the optical fiber 302. Similarly, the optical fiber 303 is provided with a condensing lens 305 for condensing light emitted from the optical fiber 303. Also, it is assumed that the arrangement intervals of the condenser lenses, the arrangement intervals of the optical fibers, and the arrangement intervals of the communication photodiode 102 and the alignment unit 103 are the same. The fiber 303 and the condensing lens 305 are easier to manufacture if they have the same structure as the fiber 302 and the condensing lens 304.

次に、図3Cに示すように、光部品300の光出射側にチップ基板101を挟んで光検出部306を配置する(第4工程)。光検出部306は、例えば、単独のフォトダイオードでもよく、また、撮像管や複数のフォトダイオードから構成されたイメージセンサであればよい。この後、光ファイバ303より出射する調芯光331が、孔部131を通過して光検出部306に検出される状態に、光部品300とチップ基板101とを位置合わせする。この状態で、チップ基板101に光部品300を組み合わせて光受信モジュールとする(第5工程)。なお、言うまでもないが、光検出部306は、調芯を行う製造過程で用いられるものであり、光受信モジュールを構成するものではなく、製造後には光受信モジュールから切り離される。   Next, as shown in FIG. 3C, the light detection unit 306 is disposed on the light emitting side of the optical component 300 with the chip substrate 101 interposed therebetween (fourth step). The light detection unit 306 may be, for example, a single photodiode, or may be an image sensor including an imaging tube or a plurality of photodiodes. Thereafter, the optical component 300 and the chip substrate 101 are aligned so that the alignment light 331 emitted from the optical fiber 303 passes through the hole 131 and is detected by the light detection unit 306. In this state, the optical component 300 is combined with the chip substrate 101 to form an optical receiving module (fifth step). Needless to say, the light detection unit 306 is used in the manufacturing process of aligning and does not constitute the light receiving module, and is separated from the light receiving module after manufacturing.

例えば、光ファイバ303より調芯光331を出射し、また、光検出部306を動作させた状態で、チップ基板101と光部品300とを相対的に移動させ、光検出部306で最大受光強度の調芯光331が受光された位置で、チップ基板101と光部品300とを接着剤などで固定すればよい。この状態では、光ファイバ303より出射する調芯光331の光軸(中心)が、孔部131を通過する状態となっている。   For example, the alignment light 331 is emitted from the optical fiber 303 and the chip substrate 101 and the optical component 300 are relatively moved while the light detection unit 306 is operated. The chip substrate 101 and the optical component 300 may be fixed with an adhesive or the like at the position where the alignment light 331 is received. In this state, the optical axis (center) of the alignment light 331 emitted from the optical fiber 303 passes through the hole 131.

上述した調芯においては、位置合わせ部103(孔部131)および通信用フォトダイオード102の位置関係と、光ファイバ303(集光レンズ305)および光ファイバ302(集光レンズ304)の位置関係とは、同じ状態としているので、光ファイバ302より出射する光の光軸も、対応する通信用フォトダイオード102の受光中央部を通過する状態となり、最大受光効率となる配置が得られる。また、この調芯では、通信用フォトダイオード102において、入射する光を検出している必要が無く、言い換えると、通信用フォトダイオード102に外部電源と接続するための配線などを接続しておく必要が無い。   In the alignment described above, the positional relationship between the alignment unit 103 (hole 131) and the communication photodiode 102, and the positional relationship between the optical fiber 303 (condensing lens 305) and the optical fiber 302 (condensing lens 304). Are in the same state, the optical axis of the light emitted from the optical fiber 302 also passes through the light receiving central portion of the corresponding communication photodiode 102, and an arrangement with the maximum light receiving efficiency is obtained. In this alignment, the communication photodiode 102 does not need to detect incident light. In other words, the communication photodiode 102 needs to be connected with wiring for connecting to an external power source. There is no.

なお、孔部131の大きさ(孔径)については、用いる集光レンズ305に応じて決定すればよい。これは、集光レンズ305の特性に依存する調芯光のビーム径に比較して孔部131が大きすぎると、孔部131の中心部に調芯光の光軸が配置されていなくても、光検出部306では、最大受光強度の状態と検出されるため、高い精度で中心位置を決定することができないからである。孔部131の孔径は、調芯光のビーム径と同等程度が望ましい。ただし、孔部131の孔径は、少なくとも、通信用フォトダイオード102の受光領域より小さくしておく。   The size (hole diameter) of the hole 131 may be determined according to the condenser lens 305 to be used. This is because if the hole 131 is too large compared to the beam diameter of the alignment light depending on the characteristics of the condenser lens 305, the optical axis of the alignment light is not arranged at the center of the hole 131. This is because the light detection unit 306 detects the state of the maximum light reception intensity, and thus cannot determine the center position with high accuracy. The hole diameter of the hole 131 is preferably about the same as the beam diameter of the alignment light. However, the hole diameter of the hole 131 is at least smaller than the light receiving region of the communication photodiode 102.

より詳細に説明すると、ピンホール径は小さすぎると透過光強度が検出限界まで低減してしまうので、調芯光の強度分布をガウシアン分布であるとみなし、ガウシアンビーム半径の0.23倍以上であることが望ましい。また、ピンホール径は大きすぎると位置合わせの際に、位置に対する光検出部の検出光強度の関係がビーム中心付近で変化しないフラットトップの形状となり、ビーム位置調整に波形処理などの演算処理が必要となって処理が複雑になるため、ビーム径の2倍程度までに抑えることが望ましい。   More specifically, if the pinhole diameter is too small, the transmitted light intensity is reduced to the detection limit. Therefore, the intensity distribution of the alignment light is regarded as a Gaussian distribution, and is not less than 0.23 times the Gaussian beam radius. It is desirable to be. If the pinhole diameter is too large, the relationship between the detected light intensity of the light detector and the position will be a flat top shape that does not change near the center of the beam at the time of alignment, and calculation processing such as waveform processing is required for beam position adjustment. Since it becomes necessary and the process becomes complicated, it is desirable to suppress it to about twice the beam diameter.

また、粗く調芯するための大きめの孔部を備える複数の粗調位置合わせ部と、精度よく位置固定するための微調用の小さい孔径の孔部を備える複数の微調位置合わせ部と設けるようにしてもよい。微調位置合わせ部のみの場合、孔部の孔径が小さいため、この位置を検出することが容易ではなく時間がかかる場合がある。これに対し、粗調位置合わせ部を設けることで、より迅速に位置合わせ部の位置を検出することが可能となり、調芯に要する時間が短縮できるようになる。   In addition, a plurality of coarse alignment parts having large holes for coarse alignment and a plurality of fine adjustment parts having small diameter holes for fine adjustment to fix the position accurately are provided. May be. In the case of only the fine alignment portion, since the hole diameter of the hole portion is small, it is not easy to detect this position and it may take time. On the other hand, by providing the coarse alignment unit, it is possible to detect the position of the alignment unit more quickly, and the time required for alignment can be shortened.

なお、図4に示すように、各光ファイバはファイバーブロック311で固定し、また、集光レンズ304および集光レンズ305は、集光レンズアレイ基板312にバンプ401により固定して用いるようにしてもよい。この例では、通信用フォトダイオード102は、光部品300に対する向きが逆になり、素子の上側(上面)より光を入射する構成となる。この場合、通信用フォトダイオード102の素子上部の電極は、図2を用いて説明した電極224と同様にリング状に形成され、中央部に光が入射可能とされていればよい。なお、素子上部の電極が、計測する通信波長帯の光を透過する材料から構成されている場合、電極の形状はリング状に制限されるものではない。   As shown in FIG. 4, each optical fiber is fixed by a fiber block 311, and the condenser lens 304 and the condenser lens 305 are used by being fixed to the condenser lens array substrate 312 by bumps 401. Also good. In this example, the communication photodiode 102 has a configuration in which the direction with respect to the optical component 300 is reversed and light enters from the upper side (upper surface) of the element. In this case, the electrode above the element of the communication photodiode 102 may be formed in a ring shape like the electrode 224 described with reference to FIG. 2, and light may be incident on the central portion. In addition, when the electrode of the element upper part is comprised from the material which permeate | transmits the light of the communication wavelength band to measure, the shape of an electrode is not restrict | limited to a ring shape.

[実施の形態2]
次に、本発明の実施の形態2について図5を用いて説明する。図5は、本発明の実施の形態2における受光部品の構成、およびこの受光部品を用いた光受信モジュールの構成を示す断面図である。
[Embodiment 2]
Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the light receiving component according to Embodiment 2 of the present invention and the configuration of an optical receiving module using this light receiving component.

まず、受光部品は、チップ基板101の上に形成された通信用フォトダイオード102と、チップ基板101の上に形成された複数の位置合わせ部103とを備える。通信用フォトダイオード102は、実施の形態1と同様に、半導体からなる光吸収層(不図示)を備える。チップ基板101は、通信用フォトダイオード102に入射する対象とする光が透過する。また、位置合わせ部103は、上述した光を遮断する材料から構成され、通信用フォトダイオード102の受光領域より小さい孔径の孔部131を備えている。これらの構成は、前述した実施の形態1と同様であり、同じ構成については同一の符号を付けている。   First, the light receiving component includes a communication photodiode 102 formed on the chip substrate 101, and a plurality of alignment portions 103 formed on the chip substrate 101. Similar to the first embodiment, the communication photodiode 102 includes a light absorption layer (not shown) made of a semiconductor. The chip substrate 101 transmits target light incident on the communication photodiode 102. The alignment unit 103 is made of the above-described material that blocks light, and includes a hole 131 having a smaller hole diameter than the light receiving region of the communication photodiode 102. These configurations are the same as those in the first embodiment described above, and the same reference numerals are given to the same configurations.

また、光受信モジュールは、通信用フォトダイオード102に対応する光ファイバ(第1光導波路)502および位置合わせ部103に対応する光ファイバ(第2光導波路)503が一体に形成された光部品500を備える。各光ファイバは、ファイバーブロック511で固定されている。また、集光レンズ504および集光レンズ505は、集光レンズアレイ基板512に固定されている。集光レンズ504により光ファイバ502から出射した光を集光し、集光レンズ505により光ファイバ503から出射した光を集光する。また、各集光レンズの配置間隔、各光ファイバの配置間隔、および通信用フォトダイオード102や位置合わせ部103の配置間隔は、各々一致している。   The optical receiving module includes an optical component 500 in which an optical fiber (first optical waveguide) 502 corresponding to the communication photodiode 102 and an optical fiber (second optical waveguide) 503 corresponding to the alignment unit 103 are integrally formed. Is provided. Each optical fiber is fixed by a fiber block 511. Further, the condenser lens 504 and the condenser lens 505 are fixed to the condenser lens array substrate 512. The light emitted from the optical fiber 502 is condensed by the condenser lens 504, and the light emitted from the optical fiber 503 is condensed by the condenser lens 505. In addition, the arrangement intervals of the condenser lenses, the arrangement intervals of the optical fibers, and the arrangement intervals of the communication photodiode 102 and the alignment unit 103 are the same.

加えて、実施の形態2では、受光部品のチップ基板101が、実装基板522に実装されている。例えば、チップ基板101が、AuSnハンダなどによるバンプ401により実装基板522に実装(フリップチップ接続)されている。また、実装基板522には、孔部131に対応する(対向)する位置に、貫通孔523が形成されている。実装基板522は、例えば、セラミック基板から構成され、金(Au)から構成された配線を備える。配線は、公知のフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングすることで形成されたものである。このように、チップ基板101が実装された実装基板522と光部品500とが、固定用ブロック521により接続して組み立てられている。   In addition, in the second embodiment, the chip substrate 101 of the light receiving component is mounted on the mounting substrate 522. For example, the chip substrate 101 is mounted (flip chip connection) on the mounting substrate 522 by bumps 401 made of AuSn solder or the like. In addition, a through hole 523 is formed in the mounting substrate 522 at a position corresponding to (facing) the hole 131. The mounting substrate 522 is made of, for example, a ceramic substrate and includes wiring made of gold (Au). The wiring is formed by patterning using a known photolithography technique and etching technique. As described above, the mounting substrate 522 on which the chip substrate 101 is mounted and the optical component 500 are assembled by being connected by the fixing block 521.

実施の形態2では、調芯において、光ファイバ503より出射する調芯光531が、チップ基板101の裏面より入射して透過し、孔部131を通過し、貫通孔523を通過して光検出部306に最大受光強度で検出される状態に、光部品500と実装基板522とを位置合わせする。この状態で、実装基板522と光部品500とを固定用ブロック521で接続(接合)して光受信モジュールとする。   In the second embodiment, in the alignment, the alignment light 531 emitted from the optical fiber 503 is incident and transmitted from the back surface of the chip substrate 101, passes through the hole 131, passes through the through hole 523, and is detected. The optical component 500 and the mounting substrate 522 are aligned so that the unit 306 can detect the maximum received light intensity. In this state, the mounting substrate 522 and the optical component 500 are connected (joined) by the fixing block 521 to obtain an optical receiving module.

実施の形態2においても、上述した調芯においては、位置合わせ部103(孔部131)および通信用フォトダイオード102の位置関係と、光ファイバ503(集光レンズ505)および光ファイバ502(集光レンズ504)の位置関係とは、同じ状態としているので、光ファイバ502より出射する光の光軸も、対応する通信用フォトダイオード102の受光中央部を通過する状態となり、最大受光効率となる配置が得られる。また、この調芯では、通信用フォトダイオード102において、入射する光を検出している必要が無く、言い換えると、通信用フォトダイオード102に外部電源と接続するための配線などを接続しておく必要が無い。   Also in the second embodiment, in the alignment described above, the positional relationship between the alignment unit 103 (hole 131) and the communication photodiode 102, and the optical fiber 503 (condensing lens 505) and optical fiber 502 (condensing light). Since the positional relationship of the lens 504) is the same, the optical axis of the light emitted from the optical fiber 502 is also in a state of passing through the light receiving central portion of the corresponding communication photodiode 102, so that the maximum light receiving efficiency is obtained. Is obtained. In this alignment, the communication photodiode 102 does not need to detect incident light. In other words, the communication photodiode 102 needs to be connected with wiring for connecting to an external power source. There is no.

なお、調芯の精度は、実施の形態1と同様に、孔部131によって決定される。従って、実装基板522に形成する貫通孔523は、孔部131のように微細な孔径とする必要は無く、孔部131を通過した調芯光531を遮蔽しないように、十分大きな孔径としておくことが重要となる。なお、貫通孔523は、実装基板522における電気配線用のスルーホールで兼用してもよい。   Note that the alignment accuracy is determined by the hole 131 as in the first embodiment. Therefore, the through hole 523 formed in the mounting substrate 522 is not required to have a fine hole diameter like the hole 131, and has a sufficiently large hole diameter so as not to block the alignment light 531 that has passed through the hole 131. Is important. Note that the through hole 523 may also be used as a through hole for electrical wiring in the mounting substrate 522.

[実施の形態3]
次に、本発明の実施の形態3について図6を用いて説明する。図6は、本発明の実施の形態3における受光部品の構成、およびこの受光部品を用いた光受信モジュールの構成を示す断面図である。
[Embodiment 3]
Next, Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of the light receiving component according to Embodiment 3 of the present invention and the configuration of an optical receiver module using this light receiving component.

まず、受光部品は、チップ基板101の上に形成された通信用フォトダイオード102と、チップ基板101の上に形成された複数の位置合わせ部103とを備える。通信用フォトダイオード102は、実施の形態1と同様であり半導体からなる光吸収層(不図示)を備える。チップ基板101は、通信用フォトダイオード102に入射する対象とする光が透過する。また、位置合わせ部103は、上述した光を遮断する材料から構成され、通信用フォトダイオード102の受光領域より小さい孔径の孔部131を備えている。これらの構成は、前述した実施の形態1,2と同様であり、同じ構成については同一の符号を付けている。   First, the light receiving component includes a communication photodiode 102 formed on the chip substrate 101, and a plurality of alignment portions 103 formed on the chip substrate 101. The communication photodiode 102 is the same as that of the first embodiment and includes a light absorption layer (not shown) made of a semiconductor. The chip substrate 101 transmits target light incident on the communication photodiode 102. The alignment unit 103 is made of the above-described material that blocks light, and includes a hole 131 having a smaller hole diameter than the light receiving region of the communication photodiode 102. These configurations are the same as those of the first and second embodiments, and the same reference numerals are given to the same configurations.

また、光受信モジュールは、通信用フォトダイオード102に対応する光ファイバ302および位置合わせ部103に対応する光ファイバ303が一体に形成された光部品300を備える。各光ファイバは、ファイバーブロック311で固定されている。また、集光レンズ304および集光レンズ305は、集光レンズアレイ基板312に固定されている。集光レンズ304により光ファイバ302から出射した光を集光し、集光レンズ305により光ファイバ303から出射した光を集光する。また、各集光レンズの配置間隔、各光ファイバの配置間隔、および通信用フォトダイオード102や位置合わせ部103の配置間隔は、各々一致している。これらの構成は、実施の形態1と同様であり、同じ構成については同一の符号を付けている。   The optical receiving module also includes an optical component 300 in which an optical fiber 302 corresponding to the communication photodiode 102 and an optical fiber 303 corresponding to the alignment unit 103 are integrally formed. Each optical fiber is fixed by a fiber block 311. The condenser lens 304 and the condenser lens 305 are fixed to the condenser lens array substrate 312. The light emitted from the optical fiber 302 is condensed by the condenser lens 304, and the light emitted from the optical fiber 303 is condensed by the condenser lens 305. In addition, the arrangement intervals of the condenser lenses, the arrangement intervals of the optical fibers, and the arrangement intervals of the communication photodiode 102 and the alignment unit 103 are the same. These configurations are the same as those in the first embodiment, and the same reference numerals are given to the same configurations.

加えて、実施の形態3では、受光部品のチップ基板101が、実装基板622に実装されている。例えば、チップ基板101が、AuSnハンダなどによるバンプ401により実装基板622に実装(フリップチップ接続)されている。また、実装基板622には、孔部131に対応する(対向)する位置に、貫通孔623が形成されている。実装基板622は、例えば、セラミック基板から構成され、Auから構成された配線を備える。配線は、公知のフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングすることで形成されたものである。このように、実装基板622に実装されたチップ基板101と光部品300とが、接続して組み立てられている。実施の形態3では、チップ基板101の裏面が光部品300に接続(接合)されている。この接続状態は、実施の形態1と同様である。   In addition, in the third embodiment, the chip substrate 101 of the light receiving component is mounted on the mounting substrate 622. For example, the chip substrate 101 is mounted (flip chip connection) on the mounting substrate 622 by bumps 401 made of AuSn solder or the like. In addition, a through hole 623 is formed in the mounting substrate 622 at a position corresponding to (facing) the hole 131. The mounting substrate 622 is made of, for example, a ceramic substrate and includes wiring made of Au. The wiring is formed by patterning using a known photolithography technique and etching technique. As described above, the chip substrate 101 mounted on the mounting substrate 622 and the optical component 300 are connected and assembled. In the third embodiment, the back surface of the chip substrate 101 is connected (joined) to the optical component 300. This connection state is the same as in the first embodiment.

実施の形態3では、調芯において、光ファイバ303より出射する調芯光331が、チップ基板101の裏面より入射して透過し、孔部131を通過し、貫通孔623を通過して光検出部306に最大受光強度で検出される状態に、実装基板622に実装されたチップ基板101と光部品300とを位置合わせする。この状態で、チップ基板101の裏面と光部品300とを接続(接合)して光受信モジュールとする。   In the third embodiment, in the alignment, the alignment light 331 emitted from the optical fiber 303 is incident and transmitted from the back surface of the chip substrate 101, passes through the hole 131, passes through the through hole 623, and is detected. The chip substrate 101 mounted on the mounting substrate 622 and the optical component 300 are aligned so that the maximum light reception intensity is detected by the unit 306. In this state, the back surface of the chip substrate 101 and the optical component 300 are connected (bonded) to form an optical receiving module.

実施の形態3においても、上述した調芯においては、位置合わせ部103(孔部131)および通信用フォトダイオード102の位置関係と、光ファイバ303(集光レンズ305)および光ファイバ302(集光レンズ304)の位置関係とは、同じ状態としているので、光ファイバ302より出射する光の光軸も、対応する通信用フォトダイオード102の受光中央部を通過する状態となり、最大受光効率となる配置が得られる。また、この調芯では、通信用フォトダイオード102において、入射する光を検出している必要が無く、言い換えると、通信用フォトダイオード102に外部電源と接続するための配線などを接続しておく必要が無い。   Also in the third embodiment, in the alignment described above, the positional relationship between the alignment unit 103 (hole 131) and the communication photodiode 102, and the optical fiber 303 (condensing lens 305) and optical fiber 302 (condensing light). Since the positional relationship of the lens 304) is the same, the optical axis of the light emitted from the optical fiber 302 also passes through the light receiving central portion of the corresponding communication photodiode 102, and is arranged so as to have the maximum light receiving efficiency. Is obtained. In this alignment, the communication photodiode 102 does not need to detect incident light. In other words, the communication photodiode 102 needs to be connected with wiring for connecting to an external power source. There is no.

なお、調芯の精度は、実施の形態1と同様に、孔部131によって決定される。従って、実装基板622に形成する貫通孔623は、孔部131のように微細な孔径とする必要は無く、孔部131を通過した調芯光331を遮蔽しないように、十分大きな孔径としておくことが重要となる。なお、貫通孔623は、実装基板622における電気配線用のスルーホールで兼用してもよい。   Note that the alignment accuracy is determined by the hole 131 as in the first embodiment. Therefore, the through hole 623 formed in the mounting substrate 622 does not need to have a fine hole diameter like the hole 131, and has a sufficiently large hole diameter so as not to block the alignment light 331 that has passed through the hole 131. Is important. Note that the through hole 623 may also serve as a through hole for electrical wiring in the mounting substrate 622.

[実施の形態4]
次に、本発明の実施の形態4について図7を用いて説明する。図7は、本発明の実施の形態4における受光部品の構成、およびこの受光部品を用いた光受信モジュールの構成を示す断面図である。
[Embodiment 4]
Next, Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the light receiving component according to the fourth embodiment of the present invention and the configuration of an optical receiving module using the light receiving component.

まず、受光部品は、チップ基板101の上に形成された通信用フォトダイオード102と、チップ基板101の上に形成された複数の位置合わせ部103とを備える。通信用フォトダイオード102は、実施の形態1と同様であり半導体からなる光吸収層(不図示)を備える。チップ基板101は、通信用フォトダイオード102に入射する対象とする光が透過する。   First, the light receiving component includes a communication photodiode 102 formed on the chip substrate 101, and a plurality of alignment portions 103 formed on the chip substrate 101. The communication photodiode 102 is the same as that of the first embodiment and includes a light absorption layer (not shown) made of a semiconductor. The chip substrate 101 transmits target light incident on the communication photodiode 102.

なお、実施の形態4では、通信用フォトダイオード102は、素子の上側(上面)より光を入射する構成となる。この場合、通信用フォトダイオード102の素子上部の電極は、図2を用いて説明した電極224と同様にリング状に形成され、中央部に光が入射可能とされていればよい。なお、素子上部の電極が、計測する通信波長帯の光を透過する材料から構成されている場合、電極の形状はリング状に制限されるものではない。また、位置合わせ部103は、上述した光を遮断する材料から構成され、通信用フォトダイオード102の受光領域より小さい孔径の孔部131を備えている。これらの構成は、前述した実施の形態1〜3と同様であり、同じ構成については同一の符号を付けている。   In the fourth embodiment, the communication photodiode 102 is configured to receive light from the upper side (upper surface) of the element. In this case, the electrode above the element of the communication photodiode 102 may be formed in a ring shape like the electrode 224 described with reference to FIG. 2, and light may be incident on the central portion. In addition, when the electrode of the element upper part is comprised from the material which permeate | transmits the light of the communication wavelength band to measure, the shape of an electrode is not restrict | limited to a ring shape. The alignment unit 103 is made of the above-described material that blocks light, and includes a hole 131 having a smaller hole diameter than the light receiving region of the communication photodiode 102. These configurations are the same as those in the first to third embodiments, and the same components are denoted by the same reference numerals.

また、光受信モジュールは、通信用フォトダイオード102に対応する光ファイバ(第1光導波路)302および位置合わせ部103に対応する光ファイバ(第2光導波路)303が一体に形成された光部品300を備える。各光ファイバは、ファイバーブロック311で固定されている。また、集光レンズ304および集光レンズ305は、集光レンズアレイ基板312に固定されている。集光レンズ304により光ファイバ302から出射した光を集光し、集光レンズ305により光ファイバ303から出射した光を集光する。また、各集光レンズの配置間隔、各光ファイバの配置間隔、および通信用フォトダイオード102や位置合わせ部103の配置間隔は、各々一致している。これらの構成は、実施の形態1と同様であり、同じ構成については同一の符号を付けている。   The optical receiving module includes an optical component 300 in which an optical fiber (first optical waveguide) 302 corresponding to the communication photodiode 102 and an optical fiber (second optical waveguide) 303 corresponding to the alignment unit 103 are integrally formed. Is provided. Each optical fiber is fixed by a fiber block 311. The condenser lens 304 and the condenser lens 305 are fixed to the condenser lens array substrate 312. The light emitted from the optical fiber 302 is condensed by the condenser lens 304, and the light emitted from the optical fiber 303 is condensed by the condenser lens 305. In addition, the arrangement intervals of the condenser lenses, the arrangement intervals of the optical fibers, and the arrangement intervals of the communication photodiode 102 and the alignment unit 103 are the same. These configurations are the same as those in the first embodiment, and the same reference numerals are given to the same configurations.

加えて、実施の形態4では、受光部品のチップ基板101が、実装基板701に実装されている。例えば、チップ基板101が、AuSnハンダなどによるバンプ401により実装基板701に実装(フリップチップ接続)されている。また、実装基板701には、通信用フォトダイオード102および位置合わせ部103などが形成されている領域に対応して、開口部702が形成されている。   In addition, in the fourth embodiment, the chip substrate 101 of the light receiving component is mounted on the mounting substrate 701. For example, the chip substrate 101 is mounted (flip chip connection) on the mounting substrate 701 by bumps 401 made of AuSn solder or the like. In addition, an opening 702 is formed in the mounting substrate 701 corresponding to a region where the communication photodiode 102 and the alignment portion 103 are formed.

実装基板701は、例えば、セラミック基板から構成され、Auから構成された配線を備える。配線は、公知のフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングすることで形成されたものである。このように、実装基板701に実装されたチップ基板101と光部品300とが、組み立てられている。実施の形態4では、チップ基板101が実装された実装基板701が、光部品300の集光レンズアレイ基板312に接続して組み立てられている。   The mounting substrate 701 is made of, for example, a ceramic substrate and includes wiring made of Au. The wiring is formed by patterning using a known photolithography technique and etching technique. In this way, the chip substrate 101 and the optical component 300 mounted on the mounting substrate 701 are assembled. In the fourth embodiment, the mounting substrate 701 on which the chip substrate 101 is mounted is assembled by connecting to the condenser lens array substrate 312 of the optical component 300.

実施の形態4では、調芯において、光ファイバ303より出射する調芯光331が、チップ基板101の表面側より孔部131に入射して孔部131を通過してチップ基板101を透過し、光検出部306に最大受光強度で検出される状態に、実装基板701と光部品300を位置合わせする。この状態で、実装基板701と光部品300とを接続(接合)して光受信モジュールとする。   In the fourth embodiment, in the alignment, the alignment light 331 emitted from the optical fiber 303 enters the hole 131 from the surface side of the chip substrate 101, passes through the hole 131, and passes through the chip substrate 101. The mounting substrate 701 and the optical component 300 are aligned so that the light detection unit 306 can detect the maximum received light intensity. In this state, the mounting substrate 701 and the optical component 300 are connected (bonded) to form an optical receiving module.

実施の形態4においても、上述した調芯においては、位置合わせ部103(孔部131)および通信用フォトダイオード102の位置関係と、光ファイバ303(集光レンズ305)および光ファイバ302(集光レンズ304)の位置関係とは、同じ状態としているので、光ファイバ302より出射する光の光軸も、対応する通信用フォトダイオード102の受光中央部を通過する状態となり、最大受光効率となる配置が得られる。また、この調芯では、通信用フォトダイオード102において、入射する光を検出している必要が無く、言い換えると、通信用フォトダイオード102に外部電源と接続するための配線などを接続しておく必要が無い。   Also in the fourth embodiment, in the alignment described above, the positional relationship between the alignment unit 103 (hole 131) and the communication photodiode 102, and the optical fiber 303 (condensing lens 305) and optical fiber 302 (condensing light). Since the positional relationship of the lens 304) is the same, the optical axis of the light emitted from the optical fiber 302 also passes through the light receiving central portion of the corresponding communication photodiode 102, and is arranged so as to have the maximum light receiving efficiency. Is obtained. In this alignment, the communication photodiode 102 does not need to detect incident light. In other words, the communication photodiode 102 needs to be connected with wiring for connecting to an external power source. There is no.

[実施の形態5]
次に、本発明の実施の形態5について図8を用いて説明する。図8は、本発明の実施の形態5における受光部品の構成、およびこの受光部品を用いた光受信モジュールの構成を示す断面図である。
[Embodiment 5]
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view showing the configuration of the light receiving component according to Embodiment 5 of the present invention and the configuration of an optical receiving module using this light receiving component.

まず、受光部品は、チップ基板101の上に形成された通信用フォトダイオード102を備える。通信用フォトダイオード102は、実施の形態1と同様であり半導体からなる光吸収層(不図示)を備える。また、チップ基板101は、通信用フォトダイオード102に入射する対象とする光が透過する。これらの構成は、実施の形態1と同様である。   First, the light receiving component includes a communication photodiode 102 formed on a chip substrate 101. The communication photodiode 102 is the same as that of the first embodiment and includes a light absorption layer (not shown) made of a semiconductor. In addition, the chip substrate 101 transmits light to be incident on the communication photodiode 102. These configurations are the same as those in the first embodiment.

また、実施の形態5では、チップ基板101の上に複数の信号強度確認用フォトダイオード802を備え、信号強度確認用フォトダイオード802の上面に形成された電極803に孔部831を形成し、これらで位置合わせ部を構成している。なお、電極803は、光を遮断する材料から構成され、また、孔部831は、通信用フォトダイオード102の受光領域より小さい孔径とされている。   Further, in the fifth embodiment, a plurality of signal intensity confirmation photodiodes 802 are provided on the chip substrate 101, and a hole 831 is formed in the electrode 803 formed on the upper surface of the signal intensity confirmation photodiode 802. The alignment part is configured by. Note that the electrode 803 is made of a material that blocks light, and the hole 831 has a smaller hole diameter than the light receiving region of the communication photodiode 102.

例えば、高抵抗なInPからなるチップ基板101の上に、MOVPE法などのエピタキシャル成長法により、n型InP層、ノンドープInGaAs層、およびp型InGaAs層を順次に形成する。次に、公知のフォトリソグラフィーおよびエッチング技術により、上述したp型InGaAs層、ノンドープInGaAs層,n型InP層をメサ型に加工し、p型半導体層,光吸収層,n型半導体層からなる信号強度確認用フォトダイオード802とすればよい。また、電極803は、p型半導体層にオーミック接触している。なお、n型半導体層にもオーミック接続する電極(不図示)が形成されている。これらは、通信用フォトダイオード102と同様の構成であり、通信用フォトダイオード102と同時に作製すればよい。   For example, an n-type InP layer, a non-doped InGaAs layer, and a p-type InGaAs layer are sequentially formed on a chip substrate 101 made of high resistance InP by an epitaxial growth method such as MOVPE. Next, the above-described p-type InGaAs layer, non-doped InGaAs layer, and n-type InP layer are processed into a mesa shape by a known photolithography and etching technique, and a signal composed of a p-type semiconductor layer, a light absorption layer, and an n-type semiconductor layer. The intensity confirmation photodiode 802 may be used. The electrode 803 is in ohmic contact with the p-type semiconductor layer. An electrode (not shown) that is ohmic-connected is also formed on the n-type semiconductor layer. These have the same structure as the communication photodiode 102 and may be manufactured at the same time as the communication photodiode 102.

また、光受信モジュールは、通信用フォトダイオード102に対応する光ファイバ(第1光導波路)302、および信号強度確認用フォトダイオード802に対応する光ファイバ(第2光導波路)303が、一体に形成された光部品300を備える。集光レンズ304により光ファイバ302から出射した光を集光し、集光レンズ305により光ファイバ303から出射した光を集光する。また、各集光レンズの配置間隔、各光ファイバの配置間隔、および通信用フォトダイオード102や信号強度確認用フォトダイオード802の配置間隔は、各々一致している。   In the optical receiving module, an optical fiber (first optical waveguide) 302 corresponding to the communication photodiode 102 and an optical fiber (second optical waveguide) 303 corresponding to the signal intensity confirmation photodiode 802 are integrally formed. The optical component 300 is provided. The light emitted from the optical fiber 302 is condensed by the condenser lens 304, and the light emitted from the optical fiber 303 is condensed by the condenser lens 305. In addition, the arrangement intervals of the condenser lenses, the arrangement intervals of the optical fibers, and the arrangement intervals of the communication photodiode 102 and the signal intensity confirmation photodiode 802 are the same.

実施の形態5では、調芯において、光ファイバ303より出射する調芯光331が、チップ基板101の裏面側より入射し、チップ基板101を透過して信号強度確認用フォトダイオード802に入射し、信号強度確認用フォトダイオード802を透過して孔部831を通過し、光検出部306に最大受光強度で検出される状態に、チップ基板101と光部品300を位置合わせする。この状態で、チップ基板101と光部品300とを接続(接合)して光受信モジュールとする。   In the fifth embodiment, in the alignment, the alignment light 331 emitted from the optical fiber 303 is incident from the back side of the chip substrate 101, is transmitted through the chip substrate 101, and is incident on the signal intensity confirmation photodiode 802. The chip substrate 101 and the optical component 300 are aligned so that the signal intensity confirmation photodiode 802 passes through the hole 831 and is detected by the light detection unit 306 with the maximum light reception intensity. In this state, the chip substrate 101 and the optical component 300 are connected (joined) to form an optical receiving module.

実施の形態5においても、上述した調芯においては、孔部831および通信用フォトダイオード102の位置関係と、光ファイバ303(集光レンズ305)および光ファイバ302(集光レンズ304)の位置関係とは、同じ状態としているので、光ファイバ302より出射する光の光軸も、対応する通信用フォトダイオード102の受光中央部を通過する状態となり、最大受光効率となる配置が得られる。また、この調芯では、通信用フォトダイオード102において、入射する光を検出している必要が無く、言い換えると、通信用フォトダイオード102に外部電源と接続するための配線などを接続しておく必要が無い。   Also in the fifth embodiment, in the above-described alignment, the positional relationship between the hole 831 and the communication photodiode 102 and the positional relationship between the optical fiber 303 (the condensing lens 305) and the optical fiber 302 (the condensing lens 304). Are in the same state, the optical axis of the light emitted from the optical fiber 302 also passes through the light receiving central portion of the corresponding communication photodiode 102, and an arrangement with the maximum light receiving efficiency is obtained. In this alignment, the communication photodiode 102 does not need to detect incident light. In other words, the communication photodiode 102 needs to be connected with wiring for connecting to an external power source. There is no.

また、実施の形態では、孔部831を設けている信号強度確認用フォトダイオード802は、上述したように、調芯に用いると共に、通信光の信号強度確認のために用いることができる。例えば、光ファイバ303に通信用強度確認光を伝播させることで、信号強度確認用フォトダイオード802を、通信用強度確認光のオン・オフを検出するために用いることができる。また、信号強度確認用フォトダイオード802は通信用フォトダイオード102と同時に作製すればよく、孔部831は、実施の形態1の孔部131と同様にして形成すればよいため、作製のために工程数が増加することが無い。   In the embodiment, the signal intensity confirmation photodiode 802 provided with the hole 831 can be used for alignment as well as for signal intensity confirmation of communication light as described above. For example, the signal strength confirmation photodiode 802 can be used to detect on / off of the communication strength confirmation light by propagating the communication strength confirmation light to the optical fiber 303. In addition, the signal strength confirmation photodiode 802 may be manufactured at the same time as the communication photodiode 102, and the hole 831 may be formed in the same manner as the hole 131 in Embodiment 1, and thus a process for manufacturing is performed. The number does not increase.

また、信号強度確認用フォトダイオード802の受光径(メサ径)は、孔部831の径より大きくても何ら問題は無い。通信光の信号強度確認では、高速な光電変換が必要ではなく、接合容量を小さくする必要が無いためである。なお、上述の場合、調芯時に調芯光331が、信号強度確認用フォトダイオード802を透過し、一部吸収されるが、調芯光331の強度については調整が可能であるので、問題とはならない。   Further, there is no problem even if the light receiving diameter (mesa diameter) of the signal intensity confirmation photodiode 802 is larger than the diameter of the hole 831. This is because the signal intensity confirmation of communication light does not require high-speed photoelectric conversion and does not require a reduction in junction capacitance. In the case described above, the alignment light 331 passes through the signal intensity confirmation photodiode 802 and is partially absorbed during alignment, but the intensity of the alignment light 331 can be adjusted. Must not.

以上に説明したように、本発明によれば、通信用フォトダイオードの受光領域より小さい孔径の孔部を備えてチップ基板の上に形成された複数の位置合わせ部を用いて調芯を行うようにしたので、組み立て工程を煩雑,複雑にすること無く、コストの上昇を招くこと無く高い精度で調芯が行えるようになる。   As described above, according to the present invention, alignment is performed using a plurality of alignment portions that are formed on the chip substrate and have a hole diameter smaller than the light receiving area of the communication photodiode. Therefore, alignment can be performed with high accuracy without complicating and complicating the assembly process and without increasing the cost.

なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、上述では、2つの位置合わせ部を備える場合を例示したが、これに限るものでは無く、1つのチップ基板に3つ以上の位置合わせ部を備えるようにしてもよい。また、上述では、光部品として光ファイバを用いるようにしたが、これに限るものではなく、プレーナ型光導波路(光回路)を用いるようにしてもよい。   The present invention is not limited to the embodiment described above, and many modifications and combinations can be implemented by those having ordinary knowledge in the art within the technical idea of the present invention. It is obvious. For example, in the above description, the case where the two alignment units are provided is illustrated, but the present invention is not limited to this, and three or more alignment units may be provided on one chip substrate. In the above description, the optical fiber is used as the optical component. However, the present invention is not limited to this, and a planar optical waveguide (optical circuit) may be used.

また、集光レンズは、チップ基板に形成されているようにしてもよい。例えば、チップ基板の裏面側に、公知のエッチング技術により、主表面側のフォトダイオード形成位置や孔部形成位置にあわせて各々レンズを形成しておけばよい。例えば、フレネルゾーンプレート、あるいは凸レンズなどが形成可能である。このように構成することで、光部品の側に、レンズを設ける必要が無くなる。   The condensing lens may be formed on the chip substrate. For example, a lens may be formed on the back surface side of the chip substrate by a known etching technique in accordance with the photodiode formation position and the hole formation position on the main surface side. For example, a Fresnel zone plate or a convex lens can be formed. With this configuration, it is not necessary to provide a lens on the optical component side.

101…チップ基板、102…通信用フォトダイオード、103…位置合わせ部、121…半導体層、122…光吸収層、123…半導体層、124…電極、131…孔部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 ... Chip substrate, 102 ... Communication photodiode, 103 ... Positioning part, 121 ... Semiconductor layer, 122 ... Light absorption layer, 123 ... Semiconductor layer, 124 ... Electrode, 131 ... Hole.

Claims (6)

半導体からなる光吸収層を備えて対象とする光が透過するチップ基板の上に形成された通信用フォトダイオードと、
前記光を遮断する材料から構成されて前記通信用フォトダイオードの受光領域より小さい孔径の孔部を備えて前記チップ基板の上に形成された複数の位置合わせ部と
を備えることを特徴とする受光部品。
A communication photodiode formed on a chip substrate having a light absorption layer made of a semiconductor and transmitting light of interest;
And a plurality of alignment portions formed on the chip substrate, each having a hole portion having a hole diameter smaller than a light receiving region of the communication photodiode. parts.
請求項1記載の受光部品において、
前記チップ基板が実装される実装基板と、
前記孔部に対応して前記実装基板に形成された貫通孔と
を備えることを特徴とする受光部品。
The light receiving component according to claim 1,
A mounting substrate on which the chip substrate is mounted;
A light receiving component comprising: a through hole formed in the mounting substrate corresponding to the hole.
請求項1または2記載の受光部品において、
半導体からなる光吸収層を備えて前記チップ基板の上に形成された信号強度確認用フォトダイオードと、
前記信号強度確認用フォトダイオードの上面に形成された電極と
を備え、
前記孔部は、前記電極に形成されていることを特徴とする受光部品。
In the light receiving component according to claim 1 or 2,
A signal intensity confirmation photodiode formed on the chip substrate with a light absorption layer made of a semiconductor,
An electrode formed on the upper surface of the signal intensity confirmation photodiode,
The light receiving component, wherein the hole is formed in the electrode.
請求項1または2記載の受光部品において、
前記チップ基板に上に形成された配線を備え、
前記孔部は、前記配線に形成されていることを特徴とする受光部品。
In the light receiving component according to claim 1 or 2,
Provided with wiring formed on the chip substrate,
The light receiving component, wherein the hole is formed in the wiring.
半導体からなる光吸収層を備える通信用フォトダイオードを対象とする光が透過するチップ基板の上に形成する第1工程と、
前記光を遮断する材料から構成されて前記通信用フォトダイオードの受光領域より小さい孔径の孔部を備える複数の位置合わせ部を前記チップ基板の上に形成する第2工程と、
前記通信用フォトダイオードに対応する第1光導波路および前記位置合わせ部に対応する第2光導波路が一体に形成された光部品を形成する第3工程と、
前記光部品の光出射側に前記チップ基板を挟んで光検出手段を配置する第4工程と、
前記第2光導波路より出射する位置合わせ光が前記孔部を透過して前記光検出手段に検出される状態に前記光部品と前記チップ基板とを位置合わせして前記チップ基板に前記光部品を組み合わせて光受信モジュールとする第5工程と
を備えることを特徴とする光受信モジュールの製造方法。
A first step of forming a communication photodiode including a light absorption layer made of a semiconductor on a chip substrate through which light is transmitted;
A second step of forming, on the chip substrate, a plurality of alignment portions each made of a material that blocks light and having a hole portion having a hole diameter smaller than a light receiving region of the communication photodiode;
A third step of forming an optical component in which a first optical waveguide corresponding to the communication photodiode and a second optical waveguide corresponding to the alignment portion are integrally formed;
A fourth step of disposing a light detection means on the light emission side of the optical component with the chip substrate interposed therebetween;
The optical component and the chip substrate are aligned in a state where alignment light emitted from the second optical waveguide passes through the hole and is detected by the light detection means, and the optical component is placed on the chip substrate. And a fifth step of combining to form an optical receiver module. A method for manufacturing an optical receiver module, comprising:
請求項5記載の光受信モジュールの製造方法において、
前記チップ基板を実装基板に実装する第6工程を備え、
前記第5工程では、前記実装基板に前記光部品を実装して前記チップ基板に前記光部品を組み合わせることを特徴とする光受信モジュールの製造方法。
In the manufacturing method of the optical receiving module according to claim 5,
A sixth step of mounting the chip substrate on a mounting substrate;
In the fifth step, the optical component is mounted on the mounting substrate, and the optical component is combined with the chip substrate.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016170187A (en) * 2015-03-11 2016-09-23 日本電信電話株式会社 Optical waveguide circuit, and optical device
JP6023256B1 (en) * 2015-04-21 2016-11-09 日本電信電話株式会社 MSM-PD and optoelectronic integrated circuit
JP2019161004A (en) * 2018-03-13 2019-09-19 日本電信電話株式会社 Lens integration photo detector and inspection method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05264871A (en) * 1992-03-19 1993-10-15 Nec Corp Method and jig for assembling optical parallel transmission module

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05264871A (en) * 1992-03-19 1993-10-15 Nec Corp Method and jig for assembling optical parallel transmission module

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016170187A (en) * 2015-03-11 2016-09-23 日本電信電話株式会社 Optical waveguide circuit, and optical device
JP6023256B1 (en) * 2015-04-21 2016-11-09 日本電信電話株式会社 MSM-PD and optoelectronic integrated circuit
JP2016207796A (en) * 2015-04-21 2016-12-08 日本電信電話株式会社 Msm-pd and optoelectronic integrated circuit
JP2019161004A (en) * 2018-03-13 2019-09-19 日本電信電話株式会社 Lens integration photo detector and inspection method thereof
WO2019176668A1 (en) * 2018-03-13 2019-09-19 日本電信電話株式会社 Lens-integrated light-receiving element and method of examining same
US11557685B2 (en) * 2018-03-13 2023-01-17 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Lens-integrated light-receiving element and method of examining same

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