JP2014036411A

JP2014036411A - Semiconductor switch circuit and abnormal tissue detection apparatus

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Publication number: JP2014036411A
Application number: JP2012178289A
Authority: JP
Inventors: Kimimaro Yoshikawa; 公麿吉川; Azhari Afreen; アフリーンアズハリ
Original assignee: Hiroshima University NUC
Current assignee: Hiroshima University NUC
Priority date: 2012-08-10
Filing date: 2012-08-10
Publication date: 2014-02-24
Anticipated expiration: 2032-08-10
Also published as: JP5958814B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a radio interference owing to a leakage current.SOLUTION: Semiconductor switching elements 21 are inserted between respective antennas An and transmission/reception ports (Tx/Rx Ports). Semiconductor switching elements 22 are inserted between respective junctions of the semiconductor switching elements 21 and the antennas An, and a ground. Control signals CTn turn on the semiconductor switching elements 21 connected to any antennas An selected for transmission/reception and turn off the corresponding semiconductor switching elements 22, and on the other hand, turn off the semiconductor switching elements 21 connected to the remaining antennas An and turn on the corresponding semiconductor switching elements 22.

Description

本発明は、半導体スイッチ回路及び異常組織検出装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor switch circuit and an abnormal tissue detection device.

癌の診断は、例えば、Ｘ線や核磁気共鳴装置（ＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging））により対象部位の画像を撮像し、撮像した画像を分析することにより行われるのが一般的である（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、Ｘ線の生体への悪影響が懸念されるうえ、Ｘ線装置、ＭＲＩ装置は、小型化が困難である。さらに、これらの装置を用いて診断を行うためには、専門機関での受診が必須になる。 Diagnosis of cancer is generally performed by, for example, taking an image of a target region with an X-ray or a nuclear magnetic resonance apparatus (MRI (Magnetic Resonance Imaging)) and analyzing the taken image (for example, Patent Document 1). However, there are concerns about adverse effects of X-rays on the living body, and it is difficult to reduce the size of X-ray apparatuses and MRI apparatuses. Furthermore, in order to make a diagnosis using these devices, it is essential to have a medical examination at a specialized institution.

そこで、Ｘ線装置やＭＲＩ装置を用いずに、簡易な構成で簡単に異常組織を検出することが可能な異常組織検出装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。 In view of this, an abnormal tissue detection apparatus that can easily detect abnormal tissues with a simple configuration without using an X-ray apparatus or an MRI apparatus has been proposed (for example, see Patent Document 2).

特表２００７−０７１８７３号公報Special table 2007-071873 特開２０１０−６９１５８号公報JP 2010-69158 A

上記特許文献２に開示された異常組織検出装置には、複数、例えば１６個のアンテナの中からマイクロ波を送受信するアンテナのペアを選択するためのスイッチ回路が設けられている。このようなスイッチ回路としては、小型で消費電力の低いＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）スイッチ回路が用いられる。ＣＭＯＳスイッチ回路では、半導体スイッチング素子が用いられている。すなわち、ＣＭＯＳスイッチ回路は、リレー回路のように、選択されていないアンテナを物理的に絶縁しているわけではないので、リーク電流が選択されていないアンテナに流れ、リーク電流による成分が送受信されるマイクロ波の信号に混入し、混信が起こる可能性がある。 The abnormal tissue detection device disclosed in Patent Document 2 is provided with a switch circuit for selecting a pair of antennas that transmit and receive microwaves from among a plurality, for example, 16 antennas. As such a switch circuit, a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) switch circuit having a small size and low power consumption is used. In the CMOS switch circuit, a semiconductor switching element is used. That is, the CMOS switch circuit does not physically insulate the unselected antenna like the relay circuit, so the leak current flows through the unselected antenna, and the component due to the leak current is transmitted and received. Interference may occur in the microwave signal.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、リーク電流による混信を防ぐことができる半導体スイッチ回路及び異常組織検出装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor switch circuit and an abnormal tissue detection device that can prevent interference due to leakage current.

上記目的を達成するために、本発明の第１の観点に係る半導体スイッチ回路は、
マイクロ波の信号を送受信する複数のアンテナと、
前記複数のアンテナのうちのいずれかのアンテナから送信されるマイクロ波の電気信号を出力するとともに、前記複数のアンテナのうちのいずれかのアンテナで受信されたマイクロ波の電気信号を入力する信号入出力部と、
の間に設けられた半導体スイッチ回路であって、
前記各アンテナと前記信号入出力部の信号ポートとの間にそれぞれ挿入される第１の半導体スイッチング素子と、
前記各第１の半導体スイッチング素子と前記各アンテナとの間と、グラウンドとの間にそれぞれ挿入される第２の半導体スイッチング素子と、
送信用又は受信用として選択されたアンテナに接続された前記第１の半導体スイッチング素子をオンするとともに、オンとなった前記第１の半導体スイッチング素子に接続された前記第２の半導体スイッチング素子をオフする一方で、前記複数のアンテナのうちの残りのアンテナに接続された前記第１の半導体スイッチング素子をオフするとともに、オフとなった前記第１の半導体スイッチング素子に接続された前記第２の半導体スイッチング素子をオンする選択回路と、
を備える。 In order to achieve the above object, a semiconductor switch circuit according to a first aspect of the present invention includes:
A plurality of antennas for transmitting and receiving microwave signals;
A signal input for outputting a microwave electric signal transmitted from any one of the plurality of antennas and for inputting a microwave electric signal received by any one of the plurality of antennas. An output section;
A semiconductor switch circuit provided between
A first semiconductor switching element inserted between each antenna and a signal port of the signal input / output unit;
A second semiconductor switching element inserted between each first semiconductor switching element and each antenna, and between the ground,
Turn on the first semiconductor switching element connected to the antenna selected for transmission or reception, and turn off the second semiconductor switching element connected to the first semiconductor switching element turned on On the other hand, the first semiconductor switching element connected to the remaining antennas of the plurality of antennas is turned off, and the second semiconductor connected to the first semiconductor switching element turned off A selection circuit for turning on the switching element;
Is provided.

この場合、同じアンテナに接続する前記第１の半導体スイッチング素子と前記第２の半導体スイッチング素子とから成る回路が、複数のグループに分けられ、
前記各グループに対応する前記各第１の半導体スイッチング素子と、前記信号入出力部の信号ポートとの間にそれぞれ直列に２つずつ挿入される第３の半導体スイッチング素子と、
直列に接続された前記第３の半導体スイッチング素子の連接部分と、前記グラウンドとの間にそれぞれ挿入される第４の半導体スイッチング素子と、
をさらに備え、
前記選択回路は、
送信用又は受信用として選択されたアンテナのグループに対応する前記第３の半導体スイッチング素子をオンするとともに、オンとなった前記第３の半導体スイッチング素子に接続された前記第４の半導体スイッチング素子をオフする一方で、前記複数のアンテナのうちの残りのアンテナに接続された前記第３の半導体スイッチング素子をオフするとともに、オフとなった前記第３の半導体スイッチング素子に接続された前記第４の半導体スイッチング素子をオンする、
こととしてもよい。 In this case, a circuit composed of the first semiconductor switching element and the second semiconductor switching element connected to the same antenna is divided into a plurality of groups,
A third semiconductor switching element inserted in series between each first semiconductor switching element corresponding to each group and a signal port of the signal input / output unit;
A fourth semiconductor switching element inserted between a connecting portion of the third semiconductor switching elements connected in series and the ground;
Further comprising
The selection circuit includes:
The third semiconductor switching element corresponding to the group of antennas selected for transmission or reception is turned on, and the fourth semiconductor switching element connected to the third semiconductor switching element turned on is turned on While turning off, the third semiconductor switching element connected to the remaining antennas of the plurality of antennas is turned off, and the fourth semiconductor connected to the third semiconductor switching element turned off Turn on the semiconductor switching element,
It is good as well.

また、同じアンテナに接続する前記第１の半導体スイッチング素子と前記第２の半導体スイッチング素子とから成る回路が、第１のグループと第２のグループとに分けられ、
前記第１のグループの前記各第１の半導体スイッチング素子と、前記信号入出力部の送信ポートとの間にそれぞれ挿入される第５の半導体スイッチング素子と、
前記第２のグループの前記各第１の半導体スイッチング素子と、前記信号入出力部の受信ポートとの間にそれぞれ挿入される第６の半導体スイッチング素子と、
前記第１のグループの前記各第１の半導体スイッチング素子と、前記信号入出力部の受信ポートとの間にそれぞれ挿入される第７の半導体スイッチング素子と、
前記第２のグループの前記各第１の半導体スイッチング素子と、前記信号入出力部の送信ポートとの間にそれぞれ挿入される第８の半導体スイッチング素子と、
をさらに備え、
前記選択回路は、
送信用アンテナが前記第１のグループに対応し、受信用アンテナが前記第２のグループに対応する場合には、前記第５の半導体スイッチング素子及び前記第６の半導体スイッチング素子をオンするとともに、前記第７の半導体スイッチング素子及び前記第８の半導体スイッチング素子をオフし、
送信用アンテナが前記第２のグループに対応し、受信用アンテナが前記第１のグループに対応する場合には、前記第５の半導体スイッチング素子及び前記第６の半導体スイッチング素子をオフするとともに、前記第７の半導体スイッチング素子及び前記第８の半導体スイッチング素子をオンする、
こととしてもよい。 In addition, a circuit composed of the first semiconductor switching element and the second semiconductor switching element connected to the same antenna is divided into a first group and a second group,
A fifth semiconductor switching element inserted between each of the first semiconductor switching elements of the first group and a transmission port of the signal input / output unit;
A sixth semiconductor switching element inserted between each of the first semiconductor switching elements of the second group and a reception port of the signal input / output unit;
A seventh semiconductor switching element inserted between each of the first semiconductor switching elements of the first group and a reception port of the signal input / output unit;
An eighth semiconductor switching element inserted between each of the first semiconductor switching elements of the second group and a transmission port of the signal input / output unit;
Further comprising
The selection circuit includes:
When the transmitting antenna corresponds to the first group and the receiving antenna corresponds to the second group, the fifth semiconductor switching element and the sixth semiconductor switching element are turned on, and Turning off the seventh semiconductor switching element and the eighth semiconductor switching element;
When the transmitting antenna corresponds to the second group and the receiving antenna corresponds to the first group, the fifth semiconductor switching element and the sixth semiconductor switching element are turned off, and Turning on the seventh semiconductor switching element and the eighth semiconductor switching element;
It is good as well.

この場合、前記第５の半導体スイッチング素子、前記第６の半導体スイッチング素子、前記第７の半導体スイッチング素子及び前記第８の半導体スイッチング素子は、直列に２つ接続され、
直列に接続された前記第５の半導体スイッチング素子の連接部分とグラウンドとの間、直列に接続された前記第６の半導体スイッチング素子の連接部分とグラウンドとの間にそれぞれ接続された第９の半導体スイッチング素子と、
直列に接続された前記第７の半導体スイッチング素子の連接部分とグラウンドとの間と、直列に接続された前記第８の半導体スイッチング素子の連接部分とグラウンドとの間にそれぞれ接続された第１０の半導体スイッチング素子と、
をさらに備え、
前記選択回路は、
送信用アンテナが前記第１のグループに対応し、受信用アンテナが前記第２のグループに対応する場合には、前記第９の半導体スイッチング素子をオフするとともに、前記第１０の半導体スイッチング素子をオンし、
送信用アンテナが前記第２のグループに対応し、受信用アンテナが前記第１のグループに対応する場合には、前記第９の半導体スイッチング素子をオンするとともに、前記第１０の半導体スイッチング素子をオフする、
こととしてもよい。 In this case, the fifth semiconductor switching element, the sixth semiconductor switching element, the seventh semiconductor switching element, and the eighth semiconductor switching element are connected in series,
A ninth semiconductor connected between the connection portion of the fifth semiconductor switching element connected in series and the ground, and between the connection portion of the sixth semiconductor switching element connected in series and the ground, respectively. A switching element;
A tenth portion connected between the connecting portion of the seventh semiconductor switching element connected in series and the ground, and a tenth portion connected between the connecting portion of the eighth semiconductor switching element connected in series and the ground, respectively. A semiconductor switching element;
Further comprising
The selection circuit includes:
When the transmitting antenna corresponds to the first group and the receiving antenna corresponds to the second group, the ninth semiconductor switching element is turned off and the tenth semiconductor switching element is turned on. And
When the transmitting antenna corresponds to the second group and the receiving antenna corresponds to the first group, the ninth semiconductor switching element is turned on and the tenth semiconductor switching element is turned off. To
It is good as well.

また、前記各アンテナは、正極側の電気信号と負極側の電気信号との差分である差動信号に基づくマイクロ波の送受信を行い、
前記信号入出力部は、前記差動信号の正極側の電気信号及び負極側の電気信号の入出力を行い、
前記各半導体スイッチング素子が、前記差動信号の正極側の電気信号と、負極側の電気信号とにそれぞれ対応して挿入されている、
こととしてもよい。 Each antenna performs transmission and reception of microwaves based on a differential signal that is a difference between an electrical signal on the positive electrode side and an electrical signal on the negative electrode side,
The signal input / output unit performs input / output of an electric signal on the positive electrode side and an electric signal on the negative electrode side of the differential signal,
Each of the semiconductor switching elements is inserted corresponding to a positive-side electrical signal and a negative-side electrical signal of the differential signal,
It is good as well.

また、本発明の第２の観点に係る異常組織検出装置は、
マイクロ波の信号を送受信する複数のアンテナと、
前記複数のアンテナのうちのいずれかのアンテナから送信されるマイクロ波の電気信号を出力するとともに、前記複数のアンテナのうちのいずれかのアンテナで受信されたマイクロ波の電気信号を入力し、入力したマイクロ波の電気信号に基づいて、生体中の異常組織の有無を判別するための信号処理を行う信号入出力部と、
前記複数のアンテナと前記信号入力部との間に設けられた本発明の半導体スイッチ回路と、
を備える。 In addition, the abnormal tissue detection device according to the second aspect of the present invention,
A plurality of antennas for transmitting and receiving microwave signals;
A microwave electrical signal transmitted from any one of the plurality of antennas is output, and a microwave electrical signal received by any one of the plurality of antennas is input and input. A signal input / output unit that performs signal processing for determining the presence or absence of abnormal tissue in the living body based on the electrical signal of the microwave
A semiconductor switch circuit of the present invention provided between the plurality of antennas and the signal input unit;
Is provided.

本発明によれば、第１の半導体スイッチング素子と各アンテナとの接続部分と、グラウンドとの間にそれぞれ挿入される第２の半導体スイッチング素子を備えている。このため、送信用アンテナ又は受信用アンテナとして選択されていないアンテナに接続された第１の半導体スイッチング素子に流れるリーク電流を、グラウンドに流すことができる。これにより、リーク電流による混信を防ぐことができる。 According to the present invention, the second semiconductor switching element inserted between the connection portion between the first semiconductor switching element and each antenna and the ground is provided. For this reason, the leak current flowing through the first semiconductor switching element connected to the antenna not selected as the transmitting antenna or the receiving antenna can be caused to flow to the ground. Thereby, the interference by leak current can be prevented.

癌組織を検出する手法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the method of detecting a cancer tissue. 本発明の実施の形態１に係る癌検出装置の斜視図である。1 is a perspective view of a cancer detection device according to Embodiment 1 of the present invention. 図２の癌検出装置の内部構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the internal structure of the cancer detection apparatus of FIG. 図３のアンテナアレイの配置例を示す図である。It is a figure which shows the example of arrangement | positioning of the antenna array of FIG. 図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、図３のスイッチ回路の一部の構成を示す回路図である。5A and 5B are circuit diagrams illustrating a partial configuration of the switch circuit of FIG. 図３のスイッチ回路の全体構成を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing an overall configuration of the switch circuit of FIG. 3. 図６の送信信号スイッチの回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the transmission signal switch of FIG. 図６の基本回路のグループの回路構成を示す回路図（その１）である。FIG. 7 is a circuit diagram (part 1) illustrating a circuit configuration of a group of basic circuits in FIG. 6. 図６の基本回路のグループの回路構成を示す回路図（その２）である。FIG. 7 is a circuit diagram (No. 2) illustrating a circuit configuration of a group of basic circuits in FIG. 6. リーク電流の流れの一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the flow of leakage current. 癌検出装置の各種特性を示すグラフである。It is a graph which shows the various characteristics of a cancer detection apparatus. 本発明の実施の形態２に係るスイッチ回路の全体構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the whole structure of the switch circuit which concerns on Embodiment 2 of this invention. 図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、図１１の切替回路の回路構成を示す回路図である。12A and 12B are circuit diagrams illustrating the circuit configuration of the switching circuit of FIG. 本発明の実施の形態３に係る切替回路の回路構成及び信号の流れ（その１）を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure and signal flow (the 1) of the switching circuit which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態３に係る切替回路の回路構成及び信号の流れ（その２）を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure and signal flow (the 2) of the switching circuit which concerns on Embodiment 3 of this invention. アイソレーション特性を示すグラフである。It is a graph which shows an isolation characteristic. 挿入損失特性を示すグラフである。It is a graph which shows an insertion loss characteristic. リターン損失特性を示すグラフである。It is a graph which shows a return loss characteristic. 本発明の実施の形態４に係る基本回路の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the basic circuit which concerns on Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態４に係る癌検出装置の各種特性を示すグラフである。It is a graph which shows the various characteristics of the cancer detection apparatus which concerns on Embodiment 4 of this invention.

以下、本発明の実施の形態に係る半導体スイッチ回路及び異常組織検出装置を、乳癌を検出する乳癌センサを例に、図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, a semiconductor switch circuit and an abnormal tissue detection device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings, taking a breast cancer sensor for detecting breast cancer as an example.

（実施の形態１）
本発明の実施の形態１について、説明する。 (Embodiment 1)
Embodiment 1 of the present invention will be described.

まず、癌組織を検出する手法について図１を参照して説明する。 First, a method for detecting cancer tissue will be described with reference to FIG.

まず、図１に模式的に示すように、生体表面に複数のアンテナＡ_１〜Ａ_４を一定間隔で配置する。 First, as schematically shown in FIG. 1, a plurality of antennas A _{1 to} A ₄ are arranged at regular intervals on the surface of a living body.

続いて、アンテナＡ_１からマイクロ波を放射する。放射されたマイクロ波の一部は、生体内に伝播する。一般に、癌組織ＣＡは、通常の生体組織に比して、５〜１０倍程度の高い誘電率を有することが知られている。したがって、癌組織ＣＡが存在する場合には、誘電率の異なる領域の界面、即ち、癌組織ＣＡの表面で、マイクロ波が反射され、アンテナＡ_２〜Ａ_４で受信される。 Subsequently, it radiates microwaves from the antenna A _1. Part of the emitted microwave propagates into the living body. In general, cancer tissue CA is known to have a dielectric constant about 5 to 10 times higher than that of normal living tissue. Therefore, when the cancer tissue CA exists, the microwave is reflected at the interface of the regions having different dielectric constants, that is, the surface of the cancer tissue CA, and is received by the antennas A _{2 to} A ₄ .

ここで、マイクロ波を放射してからアンテナＡ_２が反射波を受信するまでの時間をＴ_１２［ｓ］とすると、Ｔ_１２・ｃ（ｃ：生体中の光の速度）が、マイクロ波の行程距離となる。 Here, when the time from when the microwave is emitted until the antenna A ₂ receives the reflected wave is T ₁₂ [s], T ₁₂ · c (c: speed of light in the living body) is It becomes the distance.

従って、癌組織ＣＡは、アンテナＡ_１とＡ_２を焦点とし、アンテナＡ_１とＡ_２からの距離の和がＴ_１２・ｃとなる楕円Ｅ_１２上に位置することになる。 Accordingly, the cancer tissue CA is the antenna _{A 1} and _{A 2} is the focus, the sum of the distance from the antenna _{A 1} and _{A 2} will be located on an ellipse _{E 12} as a _{T 12} · c.

アンテナＡ_３〜Ａ_４が受信したマイクロ波についても同様の処理を行い、複数の楕円Ｅ_１２、Ｅ_１3、…の交点を求めることにより、癌組織ＣＡの位置を求めることができる。 The same processing is performed on the microwaves received by the antennas A _{3 to} A ₄ , and the position of the cancer tissue CA can be obtained by obtaining the intersection of a plurality of ellipses E ₁₂ , E ₁₃ ,.

さらに、送信用のアンテナをＡ_２に切替て、アンテナＡ_２からマイクロ波を放射し、これをアンテナＡ_１，Ａ_３、Ａ_４で受信して、同様の処理を行い、以後、送信アンテナをＡ_３、Ａ_４に順次切替ながら、マイクロ波を放射し、他のアンテナで反射波を受信し、同様の処理を行うことにより、癌組織ＣＡの位置をより正確に特定することが可能となる。 Furthermore, an antenna for transmitting Te switched to A _2, radiating microwaves from an antenna A _2, which was received by the antenna _{_{_{A 1, A 3, A 4}}} , performs the same processing, thereafter, the transmitting antenna While sequentially switching to A ₃ and A ₄ , a microwave is radiated, a reflected wave is received by another antenna, and the same processing is performed, whereby the position of the cancer tissue CA can be specified more accurately. .

なお、上述の例では、理解を容易にするため、２次元で説明したが、実際は、３次元で上述の処理を行うことになる。 In the above-described example, the description has been given in two dimensions for easy understanding, but in reality, the above-described processing is performed in three dimensions.

次に、このような手法を用いて、癌組織の有無及び位置を判別する癌検出装置１０について、説明する。 Next, the cancer detection apparatus 10 that determines the presence and position of cancer tissue using such a method will be described.

癌検出装置１０は、図２に示すように、本体１１と、表示装置１２とを備える。 As shown in FIG. 2, the cancer detection device 10 includes a main body 11 and a display device 12.

本体１１には、図３に示すように、アンテナアレイ１３と、スイッチ回路１４と、信号処理回路１５とが積層配置されている。 As shown in FIG. 3, an antenna array 13, a switch circuit 14, and a signal processing circuit 15 are stacked on the main body 11.

アンテナアレイ１３は、図４に模式的に示すように、マトリクス状に配置された複数のアンテナＡ１〜Ａｎのアレイから構成されている。このアンテナアレイ１３が、マイクロ波の信号を送受信する。 As schematically shown in FIG. 4, the antenna array 13 includes an array of a plurality of antennas A1 to An arranged in a matrix. This antenna array 13 transmits and receives microwave signals.

スイッチ回路１４は、半導体スイッチング素子を用いた半導体スイッチ回路である。スイッチ回路１４は、アンテナアレイ１３と信号処理回路１５との間に設けられている。スイッチ回路１４は、信号処理回路１５の制御の下、送受信を行うアンテナＡｎの切替を行う。 The switch circuit 14 is a semiconductor switch circuit using a semiconductor switching element. The switch circuit 14 is provided between the antenna array 13 and the signal processing circuit 15. The switch circuit 14 switches the antenna An that performs transmission and reception under the control of the signal processing circuit 15.

信号処理回路１５は、受信したマイクロ波の電気信号に基づいて、生体中の異常組織の有無を判別するための信号処理を行う。信号処理回路１５は、マイクロ波の送信信号をアンテナアレイ１３に出力するとともに、そのマイクロ波の受信信号をアンテナアレイ１３から入力する信号入出力部として動作する。また、信号処理回路１５は、スイッチ回路１４を制御するための制御信号をスイッチ回路１４に出力している。マイクロ波の送信信号、受信信号の入出力と、制御信号の出力とにより、信号処理回路１５は、アンテナアレイ１３のいずれかのアンテナＡｎから送信されるマイクロ波の電気信号を出力するとともに、アンテナアレイ１３のいずれかのアンテナＡｎで受信されたマイクロ波の電気信号を入力する。 The signal processing circuit 15 performs signal processing for determining the presence or absence of abnormal tissue in the living body based on the received microwave electrical signal. The signal processing circuit 15 outputs a microwave transmission signal to the antenna array 13 and operates as a signal input / output unit that inputs the microwave reception signal from the antenna array 13. The signal processing circuit 15 outputs a control signal for controlling the switch circuit 14 to the switch circuit 14. The signal processing circuit 15 outputs a microwave electrical signal transmitted from any one of the antennas An of the antenna array 13 and outputs an antenna by the input / output of the microwave transmission signal and the reception signal and the output of the control signal. A microwave electric signal received by any antenna An of the array 13 is input.

スイッチ回路１４の詳細な構成について説明する。図５（Ａ）、図５（Ｂ）には、スイッチ回路１４の一部の回路構成が示されている。図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示すように、スイッチ回路１４は、半導体スイッチング素子２１と、半導体スイッチング素子２２と、インバータ２５と、を備える。 A detailed configuration of the switch circuit 14 will be described. FIGS. 5A and 5B show a partial circuit configuration of the switch circuit 14. As shown in FIGS. 5A and 5B, the switch circuit 14 includes a semiconductor switching element 21, a semiconductor switching element 22, and an inverter 25.

半導体スイッチング素子２１のソースは、信号処理回路１５の信号ポート（Ｔｘ／ＲｘＰｏｒｔ）に接続されている。また、半導体スイッチング素子２１のドレインは、アンテナＡｎ（ｎ＝１、２、３、４、・・・）に接続されている。すなわち、半導体スイッチング素子２１は、アンテナＡｎと、信号処理回路１５の信号ポート（Ｔｘ／ＲｘＰｏｒｔ）との間に挿入されている。また、半導体スイッチング素子２１のゲートは、信号処理回路１５の制御信号ポートに接続されている。制御信号ポートからは制御信号ＣＴｎ（ｎ＝１、２、３、４、・・・）が出力される。すなわち、本実施の形態では、半導体スイッチング素子２１が第１の半導体スイッチング素子に対応する。 The source of the semiconductor switching element 21 is connected to the signal port (Tx / Rx Port) of the signal processing circuit 15. The drain of the semiconductor switching element 21 is connected to the antenna An (n = 1, 2, 3, 4,...). That is, the semiconductor switching element 21 is inserted between the antenna An and the signal port (Tx / Rx Port) of the signal processing circuit 15. The gate of the semiconductor switching element 21 is connected to the control signal port of the signal processing circuit 15. A control signal CTn (n = 1, 2, 3, 4,...) Is output from the control signal port. That is, in the present embodiment, the semiconductor switching element 21 corresponds to the first semiconductor switching element.

半導体スイッチング素子２２のソースは、半導体スイッチング素子２１のドレインに接続されている。また、半導体スイッチング素子２２のドレインは、接地されている。すなわち、半導体スイッチング素子２２は、半導体スイッチング素子２１のドレイン側とアンテナＡｎとの間と、グラウンドとの間にそれぞれ挿入されている。また、半導体スイッチング素子２２のゲートは、インバータ２５を介して、信号処理回路１５の制御信号ポートに接続されている。したがって、半導体スイッチング素子２２のゲートには、制御信号ＣＴｎの反転信号が入力される。 The source of the semiconductor switching element 22 is connected to the drain of the semiconductor switching element 21. The drain of the semiconductor switching element 22 is grounded. That is, the semiconductor switching element 22 is inserted between the drain side of the semiconductor switching element 21, the antenna An, and the ground. The gate of the semiconductor switching element 22 is connected to the control signal port of the signal processing circuit 15 through the inverter 25. Therefore, an inverted signal of the control signal CTn is input to the gate of the semiconductor switching element 22.

図５（Ａ）に示すように、信号処理回路１５から出力される制御信号ＣＴｎがハイレベル（１）となると、半導体スイッチング素子２１はオンとなり、半導体スイッチング素子２２はオフとなる。この状態であれば、信号処理回路１５の送信ポート（ＲｘＰｏｒｔ）から出力されたマイクロ波の電気信号は、アンテナＡｎに出力され、アンテナＡｎからマイクロ波が放射されるか、アンテナＡｎで受信されたマイクロ波の電気信号は、信号処理回路１５の受信ポート（ＲｘＰｏｒｔ）に入力される。 As shown in FIG. 5A, when the control signal CTn output from the signal processing circuit 15 becomes high level (1), the semiconductor switching element 21 is turned on and the semiconductor switching element 22 is turned off. In this state, the microwave electrical signal output from the transmission port (Rx Port) of the signal processing circuit 15 is output to the antenna An, and the microwave is radiated from the antenna An or received by the antenna An. The microwave electrical signal is input to the reception port (Rx Port) of the signal processing circuit 15.

図５（Ｂ）に示すように、信号処理回路１５から出力される制御信号ＣＴｎがローレベル（０）となると、半導体スイッチング素子２１はオフとなり、半導体スイッチング素子２２はオンとなる。この状態であれば、信号処理回路１５の送受信ポート（Ｔｘ／ＲｘＰｏｒｔ）と、アンテナＡｎとは非接続となり、アンテナＡｎではマイクロ波の送受信は行われない。仮に、信号処理回路１５から半導体スイッチング素子２１を通してアンテナＡｎの方へリーク電流が流れたとしても、そのリーク電流は、半導体スイッチング素子２２を通ってグラウンドに流れるようになる。 As shown in FIG. 5B, when the control signal CTn output from the signal processing circuit 15 becomes low level (0), the semiconductor switching element 21 is turned off and the semiconductor switching element 22 is turned on. In this state, the transmission / reception port (Tx / Rx Port) of the signal processing circuit 15 is not connected to the antenna An, and microwave transmission / reception is not performed in the antenna An. Even if a leak current flows from the signal processing circuit 15 to the antenna An through the semiconductor switching element 21, the leak current flows to the ground through the semiconductor switching element 22.

スイッチ回路１４は図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示されるようなアンテナＡｎに接続される回路を基本回路としている。以下では、この回路構成を基本回路３０とする。 The switch circuit 14 uses a circuit connected to the antenna An as shown in FIGS. 5A and 5B as a basic circuit. Hereinafter, this circuit configuration is referred to as a basic circuit 30.

図６には、スイッチ回路１４の全体回路の回路構成が示されている。図６に示すように、スイッチ回路１４は、アンテナＡｎに接続する１６個の基本回路３０を有している。基本回路３０は、４個ずつの４グループに分けられている。 FIG. 6 shows a circuit configuration of the entire circuit of the switch circuit 14. As shown in FIG. 6, the switch circuit 14 has 16 basic circuits 30 connected to the antenna An. The basic circuit 30 is divided into four groups of four.

スイッチ回路１４は、送信信号スイッチ（１Ｐ４Ｔスイッチ）３１と受信信号スイッチ（１Ｐ４Ｔスイッチ）３２とをさらに備えている。送信信号スイッチ３１は、インダクタ２３を介して信号処理回路１５の送信ポートと接続されている。 The switch circuit 14 further includes a transmission signal switch (1P4T switch) 31 and a reception signal switch (1P4T switch) 32. The transmission signal switch 31 is connected to the transmission port of the signal processing circuit 15 via the inductor 23.

送信信号スイッチ３１は、信号処理回路１５の送信ポートから出力された送信信号を入力する。送信信号スイッチ３１は、４つの送信ポートを有しており、送信するアンテナに接続された基本回路３０が属するグループにインダクタ２３を介して接続された送信ポートから、入力した送信信号を出力する。 The transmission signal switch 31 inputs the transmission signal output from the transmission port of the signal processing circuit 15. The transmission signal switch 31 has four transmission ports, and outputs an input transmission signal from the transmission port connected via the inductor 23 to the group to which the basic circuit 30 connected to the transmitting antenna belongs.

受信信号スイッチ３２は、インダクタ２３を介して信号処理回路１５の受信ポートと接続されている。受信信号スイッチ３２は、受信アンテナとして選択されたアンテナＡｎから出力されたマイクロ波の受信信号をインダクタ２３を介して４つの受信ポートから入力する。受信信号スイッチ３２は、入力した受信信号を信号処理回路１５の受信ポートに出力する。 The reception signal switch 32 is connected to the reception port of the signal processing circuit 15 via the inductor 23. The reception signal switch 32 inputs microwave reception signals output from the antenna An selected as the reception antenna from the four reception ports via the inductor 23. The reception signal switch 32 outputs the input reception signal to the reception port of the signal processing circuit 15.

図７には、送信信号スイッチ３１の回路構成が示されている。図７に示すように、送信信号スイッチ３１には、半導体スイッチング素子４０、４１、４２によって構成される回路が４組設けられている。半導体スイッチング素子４０、４１は、送信ポートの入力と、送信ポート出力Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄとの間にそれぞれ直列に挿入されている。また、半導体スイッチング素子４２は、半導体スイッチング素子４０と半導体スイッチング素子４１との間と、グラウンド（ＧＮＤ）との間に挿入されている。 FIG. 7 shows a circuit configuration of the transmission signal switch 31. As shown in FIG. 7, the transmission signal switch 31 is provided with four sets of circuits including semiconductor switching elements 40, 41, and 42. The semiconductor switching elements 40 and 41 are inserted in series between the input of the transmission port and the transmission port outputs A, B, C, and D, respectively. The semiconductor switching element 42 is inserted between the semiconductor switching element 40 and the semiconductor switching element 41 and between the ground (GND).

送信ポート出力Ａから送信信号を出力する場合には、送信ポート出力Ａに接続された半導体スイッチング素子４０、４１をオンとし、オンとなった半導体スイッチング素子４０、４１に接続された半導体スイッチング素子４２をオフとする。その他の送信ポート出力Ｂ、Ｃ、Ｄに接続された半導体スイッチング素子４０、４１についてはオフとし、半導体スイッチング素子４２についてはオンとする。送信ポート出力Ｂ、Ｃ、Ｄから出力する場合も同様である。 When a transmission signal is output from the transmission port output A, the semiconductor switching elements 40 and 41 connected to the transmission port output A are turned on, and the semiconductor switching element 42 connected to the semiconductor switching elements 40 and 41 turned on. Turn off. The semiconductor switching elements 40 and 41 connected to the other transmission port outputs B, C, and D are turned off, and the semiconductor switching element 42 is turned on. The same applies to output from the transmission port outputs B, C, and D.

なお、半導体スイッチング素子４０、４１、４２のゲートには、信号処理回路１５から出力された制御信号ＣＴｎに基づく信号が入力される。この信号の入力により、半導体スイッチング素子４０、４１、４２の上述の制御が実施される。 A signal based on the control signal CTn output from the signal processing circuit 15 is input to the gates of the semiconductor switching elements 40, 41, 42. By the input of this signal, the above-described control of the semiconductor switching elements 40, 41, and 42 is performed.

受信信号スイッチ３２の回路構成も図７と同じであり、半導体スイッチング素子４０、４１、４２によって構成される回路が４組設けられており、その回路が、信号処理回路１５の受信ポートと、４つの受信ポート入力との間に挿入されている。なお、受信信号スイッチ３２の４つの受信ポートを、受信ポート入力Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄとする。 The circuit configuration of the reception signal switch 32 is the same as that in FIG. 7, and four sets of circuits each including the semiconductor switching elements 40, 41, and 42 are provided. Is inserted between two receiving port inputs. The four reception ports of the reception signal switch 32 are designated as reception port inputs A, B, C, and D.

図６に戻り、送信信号スイッチ３１の送信ポート出力Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、インダクタ２３を介して対応するグループを構成する４つの基本回路３０に接続されている。例えば、送信ポート出力Ａから送信信号が出力された場合には、グループＡの各基本回路３０に送信信号が入力される。 Returning to FIG. 6, the transmission port outputs A, B, C, and D of the transmission signal switch 31 are connected to the four basic circuits 30 constituting the corresponding group via the inductor 23. For example, when a transmission signal is output from the transmission port output A, the transmission signal is input to each basic circuit 30 of group A.

スイッチ回路１４は、４つのデマルチプレクサ３３をさらに備える。デマルチプレクサ３３は、基本回路３０のグループ毎に設けられている。４つのデマルチプレクサ３３には、信号処理回路１５から出力される制御信号が入力されている。制御信号には、どのアンテナＡｎを送信用、受信用として選択すべきか否かを示す情報が含まれている。各マルチプレクサ３３は、この制御信号ＣＴｎに基づいて、送信用又は受信用として選択されたアンテナに接続された基本回路３０が、接続するグループに含まれているか否かを判定する。 The switch circuit 14 further includes four demultiplexers 33. The demultiplexer 33 is provided for each group of the basic circuit 30. A control signal output from the signal processing circuit 15 is input to the four demultiplexers 33. The control signal includes information indicating which antenna An should be selected for transmission and reception. Based on this control signal CTn, each multiplexer 33 determines whether or not the basic circuit 30 connected to the antenna selected for transmission or reception is included in the group to be connected.

デマルチプレクサ３３は、送信用又は受信用として選択されたアンテナＡｎに接続された基本回路３０が、接続するグループに含まれている場合には、そのアンテナＡｎに接続された基本回路３０に出力する制御信号ＣＴｎをハイレベルとし、他の基本回路３０に出力される制御信号ＣＴｎについてはローレベルとする。図８Ａでは、制御信号ＣＴ１がハイレベルとなり、制御信号ＣＴ２、ＣＴ３、ＣＴ４がローレベルとなって、アンテナＡ１が選択される様子が示されている。なお、図８Ｂに示すように、アンテナＡｎと基本回路３０とが、インダクタとしてのボンディングワイヤ２４を介して接続されるようにしてもよい。 When the basic circuit 30 connected to the antenna An selected for transmission or reception is included in the connected group, the demultiplexer 33 outputs the basic circuit 30 connected to the antenna An to the basic circuit 30 connected to the antenna An. The control signal CTn is set to the high level, and the control signal CTn output to the other basic circuit 30 is set to the low level. FIG. 8A shows a state where the control signal CT1 becomes high level, the control signals CT2, CT3, and CT4 become low level and the antenna A1 is selected. As shown in FIG. 8B, the antenna An and the basic circuit 30 may be connected via a bonding wire 24 as an inductor.

また、デマルチプレクサ３３は、送信用又は受信用として選択されたアンテナに接続された基本回路３０が、接続するグループに含まれていない場合には、すべての基本回路３０に出力される制御信号ＣＴｎをローレベルとする。 Further, the demultiplexer 33 controls the control signal CTn output to all the basic circuits 30 when the basic circuit 30 connected to the antenna selected for transmission or reception is not included in the group to be connected. Is low level.

図６に戻り、アンテナＡ１が送信用アンテナとして選択され、アンテナＡ１３が受信用アンテナとして選択された場合が示されている。図６に示すように、この場合、信号処理回路１５から出力された送信信号はインダクタ２３を介してグループＡの各基本回路３０に入力される。ここで、アンテナＡ１に接続された各基本回路３０がハイレベルの制御信号ＣＴｎを入力している。この結果、送信信号に基づくマイクロ波はアンテナＡ１から放射される。 Returning to FIG. 6, the case where the antenna A1 is selected as the transmitting antenna and the antenna A13 is selected as the receiving antenna is shown. As shown in FIG. 6, in this case, the transmission signal output from the signal processing circuit 15 is input to each basic circuit 30 of the group A via the inductor 23. Here, each basic circuit 30 connected to the antenna A1 receives a high-level control signal CTn. As a result, the microwave based on the transmission signal is radiated from the antenna A1.

一方、受信信号スイッチ３２及びデマルチプレクサ３３の選択動作により、アンテナＡ１３が、受信用アンテナとして選択されているので、アンテナＡ１３で受信されたマイクロ波の電気信号は、信号処理回路１５の受信ポートへ入力される。この場合、アンテナＡ１、Ａ１３以外のアンテナに対応する基本回路３０では、半導体スイッチング素子２２がオンとなっているため、リーク電流が流れたとしても、そのリーク電流をグラウンドに流すことができる。 On the other hand, since the antenna A13 is selected as the receiving antenna by the selection operation of the reception signal switch 32 and the demultiplexer 33, the microwave electrical signal received by the antenna A13 is sent to the reception port of the signal processing circuit 15. Entered. In this case, in the basic circuit 30 corresponding to the antennas other than the antennas A1 and A13, since the semiconductor switching element 22 is turned on, even if a leak current flows, the leak current can flow to the ground.

信号処理回路１５は、このようにして、送信用、受信用のアンテナを切替ながら、受信したマイクロ波の電気信号を入力して、その電気信号に基づいて、生体中の異常組織の有無を判別するための信号処理を行う。 In this way, the signal processing circuit 15 inputs the received microwave electrical signal while switching the transmitting and receiving antennas, and determines the presence or absence of abnormal tissue in the living body based on the electrical signal. Signal processing is performed.

以上詳細に説明したように、この実施の形態によれば、半導体スイッチング素子２１と各アンテナとの接続部分と、グラウンドとの間にそれぞれ挿入される半導体スイッチング素子２２を備えている。このため、送信用アンテナ又は受信用アンテナとして選択されていないアンテナＡｎに流れるリーク電流を、グラウンドに流すことができる。これにより、リーク電流による混信を防ぐことができる。 As described above in detail, according to this embodiment, the semiconductor switching element 22 is inserted between the connection portion between the semiconductor switching element 21 and each antenna and the ground. For this reason, the leak current which flows through the antenna An which is not selected as the transmitting antenna or the receiving antenna can be supplied to the ground. Thereby, the interference by leak current can be prevented.

また、本実施の形態によれば、送信信号スイッチ３１及び受信信号スイッチ３２を備えている。これらの回路には、半導体スイッチング素子４０、４１、４２が設けられている。対応するグループのアンテナＡｎが、送信用又は受信用として選択されていない場合には、半導体スイッチング素子４０、４１はオフとなるが、図９に示すように、例えば受信信号スイッチ３２から、送信信号スイッチ３１に向けてリーク電流が流れる可能性がある。しかしながら、送信信号スイッチ３１では、オフとなっている半導体スイッチング素子４０、４１に接続された半導体スイッチング素子４２がオンとなっているので、リーク電流はそのままグラウンドに流れ、送信信号にリーク電流の成分が流れることはない。 Further, according to the present embodiment, the transmission signal switch 31 and the reception signal switch 32 are provided. These circuits are provided with semiconductor switching elements 40, 41 and 42. When the antenna An of the corresponding group is not selected for transmission or reception, the semiconductor switching elements 40 and 41 are turned off. However, as shown in FIG. There is a possibility that a leakage current flows toward the switch 31. However, in the transmission signal switch 31, since the semiconductor switching element 42 connected to the semiconductor switching elements 40, 41 that are turned off is turned on, the leakage current flows directly to the ground, and the leakage current component in the transmission signal Will not flow.

図１０には、本実施の形態に係るスイッチ回路１４のＳ−Ｐパラメータ、すなわち挿入損失、入力リターン損失、アイソレーションの特性が示されている。挿入損失は、半導体スイッチング素子２１、２２等を挿入することにより発生する損失を示している。また、入力リターン損失は、反射によるマイクロ波の損失を示している。アイソレーションは、半導体スイッチング素子２１、２２による絶縁性を示している。図１０に示すように、挿入損失は全帯域において０ｄＢ以下であり、入力リターン損失、アイソレーションとともに良好となっている。 FIG. 10 shows SP parameters of the switch circuit 14 according to the present embodiment, that is, characteristics of insertion loss, input return loss, and isolation. The insertion loss indicates a loss generated by inserting the semiconductor switching elements 21, 22 and the like. The input return loss indicates the loss of microwaves due to reflection. The isolation indicates insulation by the semiconductor switching elements 21 and 22. As shown in FIG. 10, the insertion loss is 0 dB or less in the entire band, which is good with input return loss and isolation.

（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２について説明する。 (Embodiment 2)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.

本実施の形態に係る癌検出装置１０は、スイッチ回路１４の一部の構成が、上記実施の形態１と異なる。図１１には、本実施の形態に係るスイッチ回路１４の回路構成が示されている。 The cancer detection apparatus 10 according to the present embodiment is different from the first embodiment in the configuration of a part of the switch circuit 14. FIG. 11 shows a circuit configuration of the switch circuit 14 according to the present embodiment.

図１１に示すように、本実施の形態に係るスイッチ回路１４も、基本回路３０を回路の基本構成としているが、同じアンテナＡｎに接続する半導体スイッチング素子２１と半導体スイッチング素子２２とから成る基本回路３０が、グループＡとグループＢとに分けられている。本実施の形態では、グループＡが第１のグループに対応し、グループＢが第２のグループに対応する。 As shown in FIG. 11, the switch circuit 14 according to the present embodiment also has the basic circuit 30 as a basic circuit configuration, but the basic circuit including the semiconductor switching element 21 and the semiconductor switching element 22 connected to the same antenna An. 30 are divided into group A and group B. In the present embodiment, group A corresponds to the first group, and group B corresponds to the second group.

このスイッチ回路１４は、グループＡのアンテナＡｎを送信用として用いる場合には、グループＢのアンテナＡｎを受信用として選択する。また、スイッチ回路１４は、グループＢのアンテナＡｎを送信用として用いる場合には、グループＡのアンテナＡｎを受信用として選択する。 When the antenna An of group A is used for transmission, the switch circuit 14 selects the antenna An of group B for reception. In addition, when the antenna An of group B is used for transmission, the switch circuit 14 selects the antenna An of group A for reception.

そこで、スイッチ回路１４は、送信用のアンテナＡｎのグループと、受信用のアンテナのグループとを切替る切替回路（２Ｐ２Ｔスイッチ）３５をさらに備えている。 Therefore, the switch circuit 14 further includes a switching circuit (2P2T switch) 35 that switches between a group of antennas An for transmission and a group of antennas for reception.

図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）には、切替回路３５の回路構成が示されている。図１２（Ａ）に示すように、切替回路３５は、半導体スイッチング素子５０、５１、５２、５３を備えている。 12A and 12B show the circuit configuration of the switching circuit 35. FIG. As illustrated in FIG. 12A, the switching circuit 35 includes semiconductor switching elements 50, 51, 52, and 53.

半導体スイッチング素子５０は、グループＡの各半導体スイッチング素子２１と信号処理回路１５の送信ポートとの間に挿入されている。本実施の形態では、半導体スイッチング素子５０が第５の半導体スイッチング素子に対応する。 The semiconductor switching element 50 is inserted between each semiconductor switching element 21 of group A and the transmission port of the signal processing circuit 15. In the present embodiment, the semiconductor switching element 50 corresponds to a fifth semiconductor switching element.

また、半導体スイッチング素子５１は、グループＢの各半導体スイッチング素子２１と信号処理回路１５の受信ポートとの間に挿入されている。本実施の形態では、半導体スイッチング素子５１が第６の半導体スイッチング素子に対応する。 The semiconductor switching element 51 is inserted between each semiconductor switching element 21 of group B and the reception port of the signal processing circuit 15. In the present embodiment, the semiconductor switching element 51 corresponds to a sixth semiconductor switching element.

また、半導体スイッチング素子５２は、グループＡの各半導体スイッチング素子２１と信号処理回路１５の受信ポートとの間に挿入されている。本実施の形態では、半導体スイッチング素子５２が第７の半導体スイッチング素子に対応する。 The semiconductor switching element 52 is inserted between each semiconductor switching element 21 of group A and the reception port of the signal processing circuit 15. In the present embodiment, the semiconductor switching element 52 corresponds to a seventh semiconductor switching element.

また、半導体スイッチング素子５３は、グループＢの各半導体スイッチング素子２１と信号処理回路１５の送信ポートとの間に挿入されている。本実施の形態では、半導体スイッチング素子５３が第８の半導体スイッチング素子に対応する。 The semiconductor switching element 53 is inserted between each semiconductor switching element 21 of group B and the transmission port of the signal processing circuit 15. In the present embodiment, the semiconductor switching element 53 corresponds to an eighth semiconductor switching element.

半導体スイッチング素子５０、５１のゲートには、信号処理回路１５から出力される制御信号ＣＴが入力される。一方、切替回路３５には、インバータ５４がさらに設けられている。インバータ５４は、制御信号ＣＴを反転させる。半導体スイッチング素子５２、５３のゲートには、制御信号ＣＴの反転信号が入力される。 A control signal CT output from the signal processing circuit 15 is input to the gates of the semiconductor switching elements 50 and 51. On the other hand, the switching circuit 35 is further provided with an inverter 54. The inverter 54 inverts the control signal CT. An inverted signal of the control signal CT is input to the gates of the semiconductor switching elements 52 and 53.

例えば、図１２（Ａ）に示すように、送信用アンテナをグループＡに属するアンテナＡｎとし、受信用アンテナをグループＢに属するアンテナＡｎとする場合には、制御信号ＣＴをハイレベルとする。これにより、半導体スイッチング素子５０、５１がオンとなり、半導体スイッチング素子５２、５３がオフとなる。このようにすれば、送信ポートから出力された送信信号は、グループＡに対応するアンテナＡｎに出力され、グループＢに対応するアンテナＡｎで受信された受信信号は、受信ポートへ出力される。 For example, as shown in FIG. 12A, when the transmitting antenna is the antenna An belonging to the group A and the receiving antenna is the antenna An belonging to the group B, the control signal CT is set to the high level. Thereby, the semiconductor switching elements 50 and 51 are turned on, and the semiconductor switching elements 52 and 53 are turned off. In this way, the transmission signal output from the transmission port is output to the antenna An corresponding to the group A, and the reception signal received by the antenna An corresponding to the group B is output to the reception port.

また、図１２（Ｂ）に示すように、送信用アンテナをグループＢに属するアンテナＡｎとし、受信用アンテナをグループＡに属するアンテナＡｎとする場合には、制御信号ＣＴをローレベルとする。これにより、半導体スイッチング素子５０、５１がオフとなり、半導体スイッチング素子５２、５３がオンとなる。このようにすれば、信号処理回路１５の送信ポートから出力された送信信号は、グループＢに対応するアンテナＡｎに出力され、グループＡに対応するアンテナＡｎで受信された受信信号は、信号処理回路１５の受信ポートへ出力される。 Also, as shown in FIG. 12B, when the transmitting antenna is the antenna An belonging to the group B and the receiving antenna is the antenna An belonging to the group A, the control signal CT is set to the low level. Thereby, the semiconductor switching elements 50 and 51 are turned off, and the semiconductor switching elements 52 and 53 are turned on. In this way, the transmission signal output from the transmission port of the signal processing circuit 15 is output to the antenna An corresponding to the group B, and the reception signal received by the antenna An corresponding to the group A is the signal processing circuit. It is output to 15 reception ports.

（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３について説明する。 (Embodiment 3)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.

本実施の形態では、切替回路３５の構成が上記実施の形態２と異なる。図１３及び図１４には、切替回路３５の回路構成が示されている。図１３に示すように、切替回路３５には、半導体スイッチング素子５０、５１、５２、５３の代わりに、それぞれ半導体スイッチング素子６０、６１、６２の組み合わせから成る回路が挿入されている。半導体スイッチング素子５０、５１、５２、５３の代わりに挿入されている回路をそれぞれ回路Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄとする。 In the present embodiment, the configuration of the switching circuit 35 is different from that of the second embodiment. 13 and 14 show the circuit configuration of the switching circuit 35. FIG. As shown in FIG. 13, in the switching circuit 35, instead of the semiconductor switching elements 50, 51, 52, 53, circuits each composed of a combination of semiconductor switching elements 60, 61, 62 are inserted. Circuits inserted in place of the semiconductor switching elements 50, 51, 52, and 53 are referred to as circuits A, B, C, and D, respectively.

より詳細には、本実施の形態では、回路Ａでは、第５の半導体スイッチング素子としての半導体スイッチング素子６０、６１が直列に２つ接続されている。また、回路Ｂでは、第６の半導体スイッチング素子としての半導体スイッチング素子６０、６１が直列に２つ接続されている。また、回路Ｃでは、第７の半導体スイッチング素子としての半導体スイッチング素子６０、６１が直列に２つ接続されている。回路Ｄでは、第８の半導体スイッチング素子としての半導体スイッチング素子６０、６１が直列に２つ接続されている。 More specifically, in the present embodiment, in the circuit A, two semiconductor switching elements 60 and 61 as fifth semiconductor switching elements are connected in series. In the circuit B, two semiconductor switching elements 60 and 61 as sixth semiconductor switching elements are connected in series. Further, in the circuit C, two semiconductor switching elements 60 and 61 as seventh semiconductor switching elements are connected in series. In the circuit D, two semiconductor switching elements 60 and 61 as eighth semiconductor switching elements are connected in series.

さらに、回路Ａにおいて、直列に接続された半導体スイッチング素子６０、６１の連接部分とグラウンドとの間には、第９の半導体スイッチング素子としての半導体スイッチング素子６２が挿入されている。また、回路Ｂにおいて、直列に接続された半導体スイッチング素子６０、６１の連接部分とグラウンドとの間には、半導体スイッチング素子６２が挿入されている。 Further, in the circuit A, a semiconductor switching element 62 as a ninth semiconductor switching element is inserted between the connecting portion of the semiconductor switching elements 60 and 61 connected in series and the ground. Further, in the circuit B, a semiconductor switching element 62 is inserted between the connecting portion of the semiconductor switching elements 60 and 61 connected in series and the ground.

また、回路Ｃでも、直列に接続された半導体スイッチング素子６０、６１の連接部分とグラウンドとの間に半導体スイッチング素子６２が挿入されている。さらに、回路Ｄでも、直列に接続された半導体スイッチング素子６０、６１の連接部分とグラウンドとの間にそれぞれ接続された半導体スイッチング素子６２が挿入されている。 Also in the circuit C, the semiconductor switching element 62 is inserted between the connecting portion of the semiconductor switching elements 60 and 61 connected in series and the ground. Further, also in the circuit D, the semiconductor switching elements 62 respectively connected between the connecting portions of the semiconductor switching elements 60 and 61 connected in series and the ground are inserted.

例えば、図１３に示すように、送信用アンテナをグループＡに対応するアンテナＡｎとし、受信用アンテナをグループＢに対応するアンテナＡｎとする場合には、回路Ａ、Ｂの半導体スイッチング素子６０、６１をオンするとともに半導体スイッチング素子６２をオフする一方、回路Ｃ、Ｄの半導体スイッチング素子６０、６１をオフするとともに半導体スイッチング素子６２をオンする。このようにすれば、信号処理回路１５の送信ポートから出力された送信信号は、グループＡに対応するアンテナＡｎに出力され、グループＢに対応するアンテナＡｎで受信された受信信号は、信号処理回路１５の受信ポートへ出力される。 For example, as shown in FIG. 13, when the transmitting antenna is the antenna An corresponding to the group A and the receiving antenna is the antenna An corresponding to the group B, the semiconductor switching elements 60 and 61 of the circuits A and B are used. Is turned on and the semiconductor switching element 62 is turned off, while the semiconductor switching elements 60 and 61 of the circuits C and D are turned off and the semiconductor switching element 62 is turned on. In this way, the transmission signal output from the transmission port of the signal processing circuit 15 is output to the antenna An corresponding to the group A, and the reception signal received by the antenna An corresponding to the group B is the signal processing circuit. It is output to 15 reception ports.

このとき、グループＣ、Ｄにリーク電流が流れ込んだ場合でも、そのリーク電流は、半導体スイッチング素子６２を介してグラウンドに流れ込むため、リーク電流による混信の発生が防止されている。 At this time, even when a leak current flows into the groups C and D, the leak current flows into the ground via the semiconductor switching element 62, so that interference due to the leak current is prevented.

例えば、図１４に示すように、送信用アンテナをグループＢに対応するアンテナＡｎとし、受信用アンテナをグループＡに対応するアンテナＡｎとする場合には、回路Ａ、Ｂの半導体スイッチング素子６０、６１をオフするとともに半導体スイッチング素子６２をオンする一方、回路Ｃ、Ｄの半導体スイッチング素子６０、６１をオンするとともに半導体スイッチング素子６２をオフする。このようにすれば、信号処理回路１５の送信ポートから出力された送信信号は、グループＢに対応するアンテナＡｎに出力され、グループＡに対応するアンテナＡｎで受信された受信信号は、信号処理回路１５の受信ポートへ出力される。 For example, as shown in FIG. 14, when the transmitting antenna is the antenna An corresponding to the group B and the receiving antenna is the antenna An corresponding to the group A, the semiconductor switching elements 60 and 61 of the circuits A and B are used. Is turned off and the semiconductor switching element 62 is turned on, while the semiconductor switching elements 60 and 61 of the circuits C and D are turned on and the semiconductor switching element 62 is turned off. In this way, the transmission signal output from the transmission port of the signal processing circuit 15 is output to the antenna An corresponding to the group B, and the reception signal received by the antenna An corresponding to the group A is the signal processing circuit. It is output to 15 reception ports.

このとき、グループＡ、Ｂにリーク電流が流れ込んだ場合でも、そのリーク電流は、半導体スイッチング素子６２を介してグラウンドに流れ込むため、リーク電流による混信の発生が防止されている。 At this time, even when a leak current flows into the groups A and B, the leak current flows into the ground via the semiconductor switching element 62, so that interference due to the leak current is prevented.

図１５には、上記実施の形態１、２、３に係る癌検出装置１０のアイソレーション特性が示されている。図１５では、上記実施の形態１に係る癌検出装置１０のアイソレーション特性が実線で示されている。また、上記実施の形態２に係る癌検出装置１０のアイソレーション特性が点線で示されている。上記実施の形態３に係る癌検出装置１０のアイソレーション特性が一点鎖線で示されている。図１５に示すように、上記実施の形態１、２、３に係る癌検出装置１０のアイソレーション特性は全帯域で、０ｄＢ以下となり安定しているが、本実施の形態１、３に係る癌検出装置１０は、本実施の形態２に係る癌検出装置１０よりも良好な特性となっている。これは、送信信号スイッチ３１、受信信号スイッチ３２や切替回路３５において、半導体スイッチング素子を２つ直列に接続し、直列に接続された部分を接地することによって実現されるものである。 FIG. 15 shows the isolation characteristics of the cancer detection apparatus 10 according to the first, second, and third embodiments. In FIG. 15, the isolation characteristic of the cancer detection apparatus 10 according to the first embodiment is indicated by a solid line. Moreover, the isolation characteristic of the cancer detection apparatus 10 according to the second embodiment is indicated by a dotted line. The isolation characteristic of the cancer detection apparatus 10 according to the third embodiment is indicated by a one-dot chain line. As shown in FIG. 15, the isolation characteristics of the cancer detection apparatus 10 according to the first, second, and third embodiments are stable at 0 dB or less in all bands, but the cancer according to the first and third embodiments are stable. The detection device 10 has better characteristics than the cancer detection device 10 according to the second embodiment. This is realized by connecting two semiconductor switching elements in series in the transmission signal switch 31, the reception signal switch 32, and the switching circuit 35, and grounding the serially connected portions.

図１６には、上記実施の形態１、２、３に係る癌検出装置１０の挿入損失特性が示されている。図１６では、上記実施の形態１の癌検出装置１０の挿入損失特性が実線で示されている。また、上記実施の形態２に係る癌検出装置１０の挿入損失特性が点線で示され、上記実施の形態３に係る癌検出装置１０の挿入損失特性が一点鎖線で示されている。図１６に示すように、上記実施の形態１、２、３に係る癌検出装置１０の挿入損失特性は、全帯域で０ｄＢ以下となっており、良好な特性を示している。 FIG. 16 shows insertion loss characteristics of the cancer detection apparatus 10 according to the first, second, and third embodiments. In FIG. 16, the insertion loss characteristic of the cancer detection apparatus 10 of the first embodiment is shown by a solid line. Further, the insertion loss characteristic of the cancer detection apparatus 10 according to the second embodiment is indicated by a dotted line, and the insertion loss characteristic of the cancer detection apparatus 10 according to the third embodiment is indicated by a one-dot chain line. As shown in FIG. 16, the insertion loss characteristic of the cancer detection apparatus 10 according to the first, second, and third embodiments is 0 dB or less in the entire band, indicating a good characteristic.

図１７には、上記実施の形態１、２、３に係る癌検出装置１０のリターン損失特性が示されている。図１７では、上記実施の形態１の癌検出装置１０のリターン損失特性が実線で示されている。また、上記実施の形態２に係る癌検出装置１０のリターン損失特性が点線で示され、上記実施の形態３に係る癌検出装置１０のリターン損失特性が一点鎖線で示されている。図１７に示すように、上記実施の形態１、２、３に係る癌検出装置１０のリターン損失特性は、全帯域で０ｄＢ以下となっており、良好な特性を示している。 FIG. 17 shows the return loss characteristics of the cancer detection apparatus 10 according to the first, second, and third embodiments. In FIG. 17, the return loss characteristic of the cancer detection apparatus 10 of the first embodiment is shown by a solid line. Further, the return loss characteristic of the cancer detection apparatus 10 according to the second embodiment is indicated by a dotted line, and the return loss characteristic of the cancer detection apparatus 10 according to the third embodiment is indicated by a one-dot chain line. As shown in FIG. 17, the return loss characteristics of the cancer detection apparatus 10 according to the first, second, and third embodiments are 0 dB or less in the entire band, indicating good characteristics.

（実施の形態４）
次に、本発明の実施の形態４について説明する。 (Embodiment 4)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.

本実施の形態では、アンテナＡｎは、正極側の電気信号と負極側の電気信号との差分である差動信号に基づくマイクロ波の送受信を行う。また、信号処理回路１５の信号ポートは、差動信号の正極側の電気信号及び負極側の電気信号の入出力を行う。 In the present embodiment, the antenna An transmits and receives microwaves based on a differential signal that is a difference between an electrical signal on the positive electrode side and an electrical signal on the negative electrode side. The signal port of the signal processing circuit 15 inputs and outputs a positive-side electrical signal and a negative-side electrical signal of the differential signal.

図１８には、本実施の形態に係る基本回路３０の回路構成が示されている。図１８に示すように、基本回路３０は、送信信号回路８０と、受信信号回路８１とに分けられている。 FIG. 18 shows a circuit configuration of the basic circuit 30 according to the present embodiment. As shown in FIG. 18, the basic circuit 30 is divided into a transmission signal circuit 80 and a reception signal circuit 81.

送信信号回路８０は、半導体スイッチング素子７０、７１、７２、７３を備えている。
半導体スイッチング素子７０、７１が、差動信号の正極側の電気信号に対応して挿入されている。また、半導体スイッチング素子７２、７３は、負極側の電気信号に対応して挿入されている。 The transmission signal circuit 80 includes semiconductor switching elements 70, 71, 72 and 73.
Semiconductor switching elements 70 and 71 are inserted corresponding to the electrical signal on the positive side of the differential signal. Further, the semiconductor switching elements 72 and 73 are inserted corresponding to the electric signal on the negative electrode side.

半導体スイッチング素子７０、７２は、図５（Ａ）等の半導体スイッチング素子２１と同じであり、半導体スイッチング素子７１、７３は、図５（Ａ）等の半導体スイッチング素子２２と同じである。 The semiconductor switching elements 70 and 72 are the same as the semiconductor switching element 21 shown in FIG. 5A and the like, and the semiconductor switching elements 71 and 73 are the same as the semiconductor switching element 22 shown in FIG. 5A and the like.

すなわち、送信信号回路８０は、差動信号の正極側、負極側の送信信号をアンテナＡｎに送信するための半導体スイッチング素子７０、７２と、送信信号を送信しない時に、正極側の送信信号と負極側の送信信号の送信経路を接地するための半導体スイッチング素子７１、７３を備える。 That is, the transmission signal circuit 80 includes semiconductor switching elements 70 and 72 for transmitting the positive and negative transmission signals of the differential signal to the antenna An, and the positive transmission signal and the negative polarity when the transmission signal is not transmitted. The semiconductor switching elements 71 and 73 for grounding the transmission path of the transmission signal on the side are provided.

受信信号回路８１の構成は、送信信号回路８０の構成とほぼ同じである。 The configuration of the reception signal circuit 81 is almost the same as the configuration of the transmission signal circuit 80.

アンテナＡｎにより送信信号を送信する場合には、送信信号回路８０では、半導体スイッチング素子７０、７２をオンするとともに、半導体スイッチング素子７１、７３をオフする。また、受信信号回路８１では、半導体スイッチング素子７０、７２をオフするとともに、半導体スイッチング素子７１、７３をオンする。このようにすれば、受信信号回路８１において、送信信号によるリーク電流は、半導体スイッチング素子７１、７３からグラウンドに流れるようになる。 When a transmission signal is transmitted by the antenna An, the transmission signal circuit 80 turns on the semiconductor switching elements 70 and 72 and turns off the semiconductor switching elements 71 and 73. In the reception signal circuit 81, the semiconductor switching elements 70 and 72 are turned off and the semiconductor switching elements 71 and 73 are turned on. In this way, in the reception signal circuit 81, the leakage current due to the transmission signal flows from the semiconductor switching elements 71 and 73 to the ground.

アンテナＡｎから受信信号を受信する場合には、送信信号回路８０では、半導体スイッチング素子７０、７２をオフするとともに、半導体スイッチング素子７１、７３をオンする。また、受信信号回路８１では、半導体スイッチング素子７０、７２をオンするとともに、半導体スイッチング素子７１、７３をオフする。このようにすれば、送信信号回路８０において、受信信号によるリーク電流は、半導体スイッチング素子７１、７３からグラウンドに流れるようになる。 When receiving a reception signal from the antenna An, the transmission signal circuit 80 turns off the semiconductor switching elements 70 and 72 and turns on the semiconductor switching elements 71 and 73. In the reception signal circuit 81, the semiconductor switching elements 70 and 72 are turned on and the semiconductor switching elements 71 and 73 are turned off. In this way, in the transmission signal circuit 80, the leakage current due to the reception signal flows from the semiconductor switching elements 71 and 73 to the ground.

図１９には、本実施の形態に係る癌検出装置１０の各種特性が示されている。図１９に示すように、癌検出装置１０では、挿入損失、入力リターン損失、及びアイソレーションは、全帯域で０ｄＢ以下となっている。 FIG. 19 shows various characteristics of the cancer detection apparatus 10 according to the present embodiment. As shown in FIG. 19, in the cancer detection apparatus 10, the insertion loss, the input return loss, and the isolation are 0 dB or less in the entire band.

上記各実施の形態では、アンテナの数を１６個としたが、本発明はこれには限られず、アンテナの数は任意でよい。 In each of the above embodiments, the number of antennas is 16. However, the present invention is not limited to this, and the number of antennas may be arbitrary.

本発明は、この発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施の形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施の形態は、本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。すなわち、本発明の範囲は、実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。そして、特許請求の範囲内及びそれと同等の発明の意義の範囲内で施される様々な変形が、本発明の範囲内とみなされる。 Various embodiments and modifications can be made to the present invention without departing from the broad spirit and scope of the present invention. The above-described embodiments are for explaining the present invention and do not limit the scope of the present invention. In other words, the scope of the present invention is shown not by the embodiments but by the claims. Various modifications within the scope of the claims and within the scope of the equivalent invention are considered to be within the scope of the present invention.

本発明は、乳癌センサなどに用いられる半導体スイッチ回路に好適である。また、本発明は、乳癌センサに限らず、他の腫瘍等、生体内の誘電率の異なる領域の検出・判別に応用可能である。 The present invention is suitable for a semiconductor switch circuit used for a breast cancer sensor or the like. The present invention is not limited to breast cancer sensors, and can be applied to detection and discrimination of regions with different dielectric constants in the living body, such as other tumors.

１０癌検出装置
１１本体
１２表示装置
１３アンテナアレイ
１４スイッチ回路
１５信号処理回路
２１、２２半導体スイッチング素子
２３インダクタ
２４ボンディングワイヤ
２５インバータ
３０基本回路
３１送信信号スイッチ
３２受信信号スイッチ
３３デマルチプレクサ
３５切替回路
４０、４１、４２半導体スイッチング素子
５０、５１、５２、５３半導体スイッチング素子
５４インバータ
６０、６１、６２半導体スイッチング素子
７０、７１、７２、７３半導体スイッチング素子
８０送信信号回路
８１受信信号回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Cancer detection apparatus 11 Main body 12 Display apparatus 13 Antenna array 14 Switch circuit 15 Signal processing circuit 21, 22 Semiconductor switching element 23 Inductor 24 Bonding wire 25 Inverter 30 Basic circuit 31 Transmission signal switch 32 Reception signal switch 33 Demultiplexer 35 Switching circuit 40 , 41, 42 Semiconductor switching element 50, 51, 52, 53 Semiconductor switching element 54 Inverter 60, 61, 62 Semiconductor switching element 70, 71, 72, 73 Semiconductor switching element 80 Transmission signal circuit 81 Reception signal circuit

Claims

A plurality of antennas for transmitting and receiving microwave signals;
A signal input for outputting a microwave electric signal transmitted from any one of the plurality of antennas and for inputting a microwave electric signal received by any one of the plurality of antennas. An output section;
A semiconductor switch circuit provided between
A first semiconductor switching element inserted between each antenna and a signal port of the signal input / output unit;
A second semiconductor switching element inserted between each first semiconductor switching element and each antenna, and between the ground,
Turn on the first semiconductor switching element connected to the antenna selected for transmission or reception, and turn off the second semiconductor switching element connected to the first semiconductor switching element turned on On the other hand, the first semiconductor switching element connected to the remaining antennas of the plurality of antennas is turned off, and the second semiconductor connected to the first semiconductor switching element turned off A selection circuit for turning on the switching element;
A semiconductor switch circuit comprising:

A circuit composed of the first semiconductor switching element and the second semiconductor switching element connected to the same antenna is divided into a plurality of groups,
A third semiconductor switching element inserted in series between each first semiconductor switching element corresponding to each group and a signal port of the signal input / output unit;
A fourth semiconductor switching element inserted between a connecting portion of the third semiconductor switching elements connected in series and the ground;
Further comprising
The selection circuit includes:
The third semiconductor switching element corresponding to the group of antennas selected for transmission or reception is turned on, and the fourth semiconductor switching element connected to the third semiconductor switching element turned on is turned on While turning off, the third semiconductor switching element connected to the remaining antennas of the plurality of antennas is turned off, and the fourth semiconductor connected to the third semiconductor switching element turned off Turn on the semiconductor switching element,
The semiconductor switch circuit according to claim 1.

A circuit composed of the first semiconductor switching element and the second semiconductor switching element connected to the same antenna is divided into a first group and a second group,
A fifth semiconductor switching element inserted between each of the first semiconductor switching elements of the first group and a transmission port of the signal input / output unit;
A sixth semiconductor switching element inserted between each of the first semiconductor switching elements of the second group and a reception port of the signal input / output unit;
A seventh semiconductor switching element inserted between each of the first semiconductor switching elements of the first group and a reception port of the signal input / output unit;
An eighth semiconductor switching element inserted between each of the first semiconductor switching elements of the second group and a transmission port of the signal input / output unit;
Further comprising
The selection circuit includes:
When the transmitting antenna corresponds to the first group and the receiving antenna corresponds to the second group, the fifth semiconductor switching element and the sixth semiconductor switching element are turned on, and Turning off the seventh semiconductor switching element and the eighth semiconductor switching element;
When the transmitting antenna corresponds to the second group and the receiving antenna corresponds to the first group, the fifth semiconductor switching element and the sixth semiconductor switching element are turned off, and Turning on the seventh semiconductor switching element and the eighth semiconductor switching element;
The semiconductor switch circuit according to claim 1.

Two of the fifth semiconductor switching element, the sixth semiconductor switching element, the seventh semiconductor switching element, and the eighth semiconductor switching element are connected in series,
A ninth semiconductor connected between the connection portion of the fifth semiconductor switching element connected in series and the ground, and between the connection portion of the sixth semiconductor switching element connected in series and the ground, respectively. A switching element;
A tenth portion connected between the connecting portion of the seventh semiconductor switching element connected in series and the ground, and a tenth portion connected between the connecting portion of the eighth semiconductor switching element connected in series and the ground, respectively. A semiconductor switching element;
Further comprising
The selection circuit includes:
When the transmitting antenna corresponds to the first group and the receiving antenna corresponds to the second group, the ninth semiconductor switching element is turned off and the tenth semiconductor switching element is turned on. And
When the transmitting antenna corresponds to the second group and the receiving antenna corresponds to the first group, the ninth semiconductor switching element is turned on and the tenth semiconductor switching element is turned off. To
The semiconductor switch circuit according to claim 3.

Each antenna performs transmission and reception of microwaves based on a differential signal that is a difference between an electric signal on the positive electrode side and an electric signal on the negative electrode side,
The signal input / output unit performs input / output of an electric signal on the positive electrode side and an electric signal on the negative electrode side of the differential signal,
Each of the semiconductor switching elements is inserted corresponding to a positive-side electrical signal and a negative-side electrical signal of the differential signal,
The semiconductor switch circuit according to claim 1, wherein:

A plurality of antennas for transmitting and receiving microwave signals;
A microwave electrical signal transmitted from any one of the plurality of antennas is output, and a microwave electrical signal received by any one of the plurality of antennas is input and input. A signal input / output unit that performs signal processing for determining the presence or absence of abnormal tissue in the living body based on the electrical signal of the microwave
A semiconductor switch circuit of the present invention provided between the plurality of antennas and the signal input unit;
An abnormal tissue detection device comprising: