JP2014033034A

JP2014033034A - Wafer processing method

Info

Publication number: JP2014033034A
Application number: JP2012171709A
Authority: JP
Inventors: Kazuma Sekiya; 一馬関家
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2012-08-02
Filing date: 2012-08-02
Publication date: 2014-02-20

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer processing method capable of printing individual identification information (ID) of a device without reducing a transverse intensity of the device.SOLUTION: A wafer processing method for printing individual identification information of each device in a region corresponding to each device on a rear surface side of the wafer in which a plurality of devices are formed on a surface thereof includes the steps of: forming a resin layer by coating a resin on a rear surface of the wafer; and printing individual identification information of each device by irradiating a region corresponding to each device in the resin layer formed on the rear surface of the resin layer with a laser beam (identification information forming step).

Description

本発明は、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面側における各デバイスに対応する領域にデバイスに関する個体識別情報を印字するウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method for printing individual identification information about a device in a region corresponding to each device on the back side of the wafer on which a plurality of devices are formed on the front surface.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる複数のストリートが格子状に形成され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。 In a semiconductor device manufacturing process, a plurality of streets called streets arranged in a grid pattern are formed in a grid pattern on the surface of a substantially disk-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs and LSIs are formed in the partitioned areas. Form. Then, the semiconductor wafer is cut along the streets to divide the region in which the device is formed to manufacture individual semiconductor devices.

また、ウエーハを個々のデバイスに分割する前に、各デバイスに対応する裏面にレーザー光線を照射してデバイスの機能、製品番号、ロット番号等の個体識別情報（ID）を印字する技術が下記特許文献１に開示されている。 In addition, the following patent document describes a technique for printing individual identification information (ID) such as device function, product number, and lot number by irradiating a laser beam on the back surface corresponding to each device before dividing the wafer into individual devices. 1 is disclosed.

特開２００８−１７８８８６号公報JP 2008-178886 A

しかるに、デバイスの裏面にレーザー光線を照射して個体識別情報（ID）を印字すると、微細なクラックが内部に形成されデバイスの抗折強度を低下させるという問題がある。 However, when individual identification information (ID) is printed by irradiating the back surface of the device with a laser beam, there is a problem that fine cracks are formed inside and the bending strength of the device is lowered.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、デバイスの抗折強度を低下させることなくデバイスの個体識別情報（ID）を印字することができるウエーハの加工方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is to provide a wafer processing method capable of printing individual identification information (ID) of a device without reducing the bending strength of the device. It is to provide.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面側における各デバイスに対応する領域に各デバイスの個体識別情報を印字するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面に樹脂を被覆して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
ウエーハの裏面に形成された樹脂層における各デバイスに対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイスの個体識別情報を印字する識別情報形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, there is provided a wafer processing method for printing individual identification information of each device in an area corresponding to each device on the back side of the wafer on which a plurality of devices are formed on the front surface. There,
A resin layer forming step of forming a resin layer by coating a resin on the back surface of the wafer;
An identification information forming step of printing individual identification information of each device by irradiating a laser beam to a region corresponding to each device in the resin layer formed on the back surface of the wafer,
A method for processing a wafer is provided.

本発明によるウエーハの加工方法においては、ウエーハの裏面に形成された樹脂層における各デバイスに対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイスの個体識別情報を印字するので、ウエーハ自体はレーザー加工されないため、デバイスの内部に微細なクラックが発生することはない。従って、個々に分割されたデバイスの抗折強度を低下させることはない。 In the wafer processing method according to the present invention, since the laser beam is applied to the region corresponding to each device in the resin layer formed on the back surface of the wafer and the individual identification information of each device is printed, the wafer itself is not laser processed. No fine cracks are generated inside the device. Therefore, the bending strength of the individually divided device is not lowered.

本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハの斜視図。The perspective view of the wafer processed by the processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの加工方法における樹脂層形成工程の説明図。Explanatory drawing of the resin layer formation process in the processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの加工方法における識別情報形成工程を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。The perspective view of the laser processing apparatus for implementing the identification information formation process in the processing method of the wafer by this invention. 図３に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段のブロック構成図。The block block diagram of the laser beam irradiation means with which the laser processing apparatus shown in FIG. 3 is equipped. 図３に示すレーザー加工装置に装備される制御手段のブロック構成図。The block block diagram of the control means with which the laser processing apparatus shown in FIG. 3 is equipped. 図１に示すウエーハが図３に示すレーザー加工装置のチャックテーブルの所定位置に保持された状態における座標との関係を示す説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a relationship with coordinates in a state where the wafer shown in FIG. 1 is held at a predetermined position of the chuck table of the laser processing apparatus shown in FIG. 3. 図３に示すレーザー加工装置のチャックテーブルに保持されたウエーハを識別情報形成工程の開始位置に位置付けた状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which positioned the wafer hold | maintained at the chuck | zipper table of the laser processing apparatus shown in FIG. 3 in the starting position of an identification information formation process. 本発明によるウエーハの加工方法における識別情報形成工程が実施されたウエーハの斜視図。The perspective view of the wafer in which the identification information formation process in the processing method of the wafer by the present invention was carried out.

以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。 Preferred embodiments of a wafer processing method according to the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハが示されている。図１に示すウエーハ１０は、シリコンウエーハからなり、表面１０ａに複数のストリート１０１が格子状に配列されているとともに、該複数のストリート１０１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス１０２が形成されている。なお、図示の実施形態におけるウエーハ１０には、中心を示すマークSが形成されている。このように形成されたウエーハ１０は、裏面１０bを研削して所定の仕上がり厚み(例えば、１００μm)に形成される。 FIG. 1 shows a wafer to be processed by the wafer processing method according to the present invention. A wafer 10 shown in FIG. 1 is made of a silicon wafer, and a plurality of streets 101 are arranged in a lattice pattern on a surface 10a, and devices 102 such as ICs and LSIs are arranged in a plurality of regions partitioned by the plurality of streets 101. Is formed. Note that a mark S indicating the center is formed on the wafer 10 in the illustrated embodiment. The wafer 10 thus formed is formed to have a predetermined finished thickness (for example, 100 μm) by grinding the back surface 10b.

上記ウエーハ１０の裏面１０b側における各デバイス１０２に対応する領域に各デバイスの個体識別情報を印字するために、本発明においては先ずウエーハ１０の裏面１０bに樹脂を被覆して樹脂層を形成する樹脂層形成工程を実施する。この樹脂層形成工程は、図２の(a)に示す樹脂層形成装置２０を用いて実施する。図２の(a)に示す樹脂層形成装置２０は、被加工物であるウエーハを保持するスピンナーテーブル２０１と、該スピンナーテーブル２０１に保持された被加工物であるウエーハの上面に液状樹脂を供給する液状樹脂供給ノズル２０２とからなっている。上記スピンナーテーブル２０１は、上面である保持面に負圧が作用するように構成されており、図示しない吸引手段を作動することによりスピンナーテーブル２０１上に載置された被加工物であるウエーハを吸引保持するように構成されている。このように構成されたスピンナーテーブル２０１は、図示しない回転駆動機構によって回転せしめられるように構成されている。上記液状樹脂供給ノズル２０２は、図示しない液状樹脂供給手段に接続されている。なお、図示しない液状樹脂供給手段は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の液状樹脂を供給する。 In order to print individual identification information of each device in a region corresponding to each device 102 on the back surface 10b side of the wafer 10, in the present invention, a resin is first formed by coating the back surface 10b of the wafer 10 with a resin. A layer forming step is performed. This resin layer forming step is performed using a resin layer forming apparatus 20 shown in FIG. A resin layer forming apparatus 20 shown in FIG. 2A supplies a spinner table 201 that holds a wafer that is a workpiece, and supplies a liquid resin to the upper surface of the wafer that is the workpiece held by the spinner table 201. And a liquid resin supply nozzle 202. The spinner table 201 is configured such that a negative pressure acts on a holding surface which is an upper surface, and a wafer as a workpiece placed on the spinner table 201 is sucked by operating suction means (not shown). Configured to hold. The spinner table 201 configured as described above is configured to be rotated by a rotation driving mechanism (not shown). The liquid resin supply nozzle 202 is connected to liquid resin supply means (not shown). A liquid resin supply means (not shown) supplies a liquid resin such as a polyimide resin or an epoxy resin.

上述した樹脂層形成装置２０によって樹脂層形成工程を実施するには、スピンナーテーブル２０１の上面である保持面にウエーハ１０の表面１０ａ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、スピンナーテーブル２０１上にウエーハ１０を吸引保持する。従って、スピンナーテーブル２０１上に保持されたウエーハ１０は、図２の(a)に示すように裏面１０bが上側となる。このようにしてスピンナーテーブル２０１上にウエーハ１０を吸引保持したならば、図２の(a)に示すように液状樹脂供給ノズル２０２の噴出口２０２aをスピンナーテーブル２０１上に保持されたウエーハ１０の中心部に位置付け、図示しない液状樹脂供給手段を作動して、液状樹脂供給ノズル２０２の噴出口２０２aから例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の液状樹脂２００を所定量滴下する。なお、液状樹脂２００の滴下量は、ウエーハ１０の裏面１０bに形成される保護膜の厚みが数μmになるように設定されている。このようにして液状樹脂２００を滴下したならば、スピンナーテーブル２０１を図２の(a)において矢印２０１aで示す方向に３００〜１０００rpmの回転速度で所定時間（例えば１分間）回転する。この結果、図２の(b)および(c)に示すようにウエーハ１０の裏面１０bの中央領域に滴下された液状樹脂２００は、遠心力によって外周部まで流動し、ウエーハ１０の裏面１０bを被覆して樹脂層２１０を形成する。 In order to perform the resin layer forming process by the resin layer forming apparatus 20 described above, the surface 10 a side of the wafer 10 is placed on the holding surface which is the upper surface of the spinner table 201. Then, the wafer 10 is sucked and held on the spinner table 201 by operating a suction means (not shown). Accordingly, the wafer 10 held on the spinner table 201 has the back surface 10b on the upper side as shown in FIG. When the wafer 10 is sucked and held on the spinner table 201 in this way, the jet port 202a of the liquid resin supply nozzle 202 is centered on the spinner table 201 as shown in FIG. The liquid resin supply means (not shown) is operated, and a predetermined amount of liquid resin 200 such as polyimide resin or epoxy resin is dropped from the jet port 202a of the liquid resin supply nozzle 202. The dropping amount of the liquid resin 200 is set so that the thickness of the protective film formed on the back surface 10b of the wafer 10 is several μm. When the liquid resin 200 is dropped in this manner, the spinner table 201 is rotated for a predetermined time (for example, 1 minute) at a rotational speed of 300 to 1000 rpm in the direction indicated by the arrow 201a in FIG. As a result, as shown in FIGS. 2 (b) and 2 (c), the liquid resin 200 dropped onto the central region of the back surface 10b of the wafer 10 flows to the outer peripheral portion by centrifugal force and covers the back surface 10b of the wafer 10. Thus, the resin layer 210 is formed.

上述した樹脂層形成工程を実施したならば、ウエーハ１０の裏面１０bに形成された樹脂層２１０におけるデバイス１０２に対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイスの個体識別情報を印字する識別情報形成工程を実施する。この識別情報形成工程は、図３乃至図５に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置２は、静止基台２aと、該静止基台２aに矢印Ｘで示すX軸方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２aにX軸方向と直交する矢印Ｙで示すY軸方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線照射ユニット支持機構４に矢印Ｚで示すZ軸方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。 If the resin layer formation process mentioned above is implemented, the identification information formation process which irradiates a laser beam to the area | region corresponding to the device 102 in the resin layer 210 formed in the back surface 10b of the wafer 10, and prints individual identification information of each device. To implement. This identification information forming step is performed using the laser processing apparatus shown in FIGS. The laser processing apparatus 2 shown in FIG. 3 includes a stationary base 2a, a chuck table mechanism 3 that is disposed on the stationary base 2a so as to be movable in the X-axis direction indicated by an arrow X, and holds a workpiece. The laser beam irradiation unit support mechanism 4 is arranged on the table 2a so as to be movable in the Y axis direction indicated by the arrow Y orthogonal to the X axis direction, and the laser beam irradiation unit support mechanism 4 is movable in the Z axis direction indicated by the arrow Z And a laser beam irradiation unit 5 disposed in the.

上記チャックテーブル機構３は、静止基台２a上にX軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設された第１の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上にY軸方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物であるウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。 The chuck table mechanism 3 includes a pair of guide rails 31 and 31 disposed in parallel along the X-axis direction on the stationary base 2a, and a machining feed direction indicated by an arrow X on the guide rails 31 and 31 ( A first sliding block 32 movably arranged in the X-axis direction), a second sliding block 33 movably arranged on the first sliding block 32 in the Y-axis direction, and the first A cover table 35 supported by a cylindrical member 34 on a second sliding block 33 and a chuck table 36 as a workpiece holding means are provided. The chuck table 36 includes a suction chuck 361 formed of a porous material, and a wafer as a workpiece is held on the suction chuck 361 by suction means (not shown). The chuck table 36 configured as described above is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 34.

上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面にY軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿ってX軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿ってX軸方向に移動させるためのX軸方向移動手段３７を具備している。このX軸方向移動手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２aに固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿ってX軸方向に移動せしめられる。 The first sliding block 32 has a pair of guided grooves 321 and 321 fitted to the pair of guide rails 31 and 31 on the lower surface thereof, and is parallel to the upper surface along the Y-axis direction. A pair of formed guide rails 322 and 322 are provided. The first sliding block 32 configured in this way moves in the X-axis direction along the pair of guide rails 31, 31 when the guided grooves 321, 321 are fitted into the pair of guide rails 31, 31. Configured to be possible. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes X-axis direction moving means 37 for moving the first sliding block 32 along the pair of guide rails 31, 31 in the X-axis direction. The X-axis direction moving means 37 includes a male screw rod 371 disposed in parallel between the pair of guide rails 31 and 31, and a drive source such as a pulse motor 372 for rotationally driving the male screw rod 371. It is out. One end of the male screw rod 371 is rotatably supported by a bearing block 373 fixed to the stationary base 2a, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 372. The male screw rod 371 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the first sliding block 32. Therefore, when the male screw rod 371 is driven forward and backward by the pulse motor 372, the first sliding block 32 is moved along the guide rails 31, 31 in the X-axis direction.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置２は、上記チャックテーブル３６のX軸方向移動量即ちX軸方向位置を検出するためのX軸方向位置検出手段３７４を備えている。このX軸方向位置検出手段３７４は、案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７４aと、第１の滑動ブロック３２に配設され第１の滑動ブロック３２とともにリニアスケール３７４aに沿って移動する読み取りヘッド３７４bとからなっている。このX軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のX軸方向移動量即ちX軸方向の位置を検出する。 The laser processing apparatus 2 in the illustrated embodiment includes X-axis direction position detection means 374 for detecting the X-axis direction movement amount of the chuck table 36, that is, the X-axis direction position. The X-axis direction position detecting means 374 moves along the linear scale 374a together with the linear scale 374a disposed along the guide rail 31 and the first sliding block 32 along the linear scale 374a. It consists of a read head 374b. In the illustrated embodiment, the reading head 374b of the X-axis direction position detecting means 374 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. The control means described later counts the input pulse signal to detect the amount of movement of the chuck table 36 in the X-axis direction, that is, the position in the X-axis direction.

上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動させるための第１のY軸方向移動手段３８を具備している。この第１のY軸方向移動手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３8１と、該雄ネジロッド３8１を回転駆動するためのパルスモータ３8２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３8１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３8２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３8１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３8２によって雄ネジロッド３8１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動せしめられる。 The second sliding block 33 is provided with a pair of guided grooves 331 and 331 which are fitted to a pair of guide rails 322 and 322 provided on the upper surface of the first sliding block 32 on the lower surface thereof. By fitting the guided grooves 331 and 331 to the pair of guide rails 322 and 322, the guided grooves 331 and 331 are configured to be movable in the Y-axis direction. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes a first Y for moving the second sliding block 33 in the Y-axis direction along a pair of guide rails 322 and 322 provided in the first sliding block 32. An axial movement means 38 is provided. The first Y-axis direction moving means 38 includes a male screw rod 381 disposed in parallel between the pair of guide rails 322 and 322, and a pulse motor 382 for driving the male screw rod 381 to rotate. Contains sources. One end of the male screw rod 381 is rotatably supported by a bearing block 383 fixed to the upper surface of the first slide block 32, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 382. The male screw rod 381 is screwed into a through female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the center portion of the second sliding block 33. Therefore, the second sliding block 33 is moved in the Y-axis direction along the guide rails 322 and 322 by driving the male screw rod 381 forward and backward by the pulse motor 382.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記第２の滑動ブロック３３のY軸方向移動量即ちY軸方向位置を検出するためのY軸方向位置検出手段３８４を備えている。このY軸方向位置検出手段３８４は、案内レール３２２に沿って配設されたリニアスケール３８４aと、第２の滑動ブロック３３に配設され第２の滑動ブロック３３とともにリニアスケール３８４aに沿って移動する読み取りヘッド３８４bとからなっている。このY軸方向位置検出手段３８４の読み取りヘッド３８４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のY軸方向移動量即ちY軸方向の位置を検出する。 The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes Y-axis direction position detection means 384 for detecting the amount of movement of the second sliding block 33 in the Y-axis direction, that is, the Y-axis direction position. The Y-axis direction position detecting means 384 moves along the linear scale 384a together with the linear scale 384a disposed along the guide rail 322 and the second sliding block 33. And a reading head 384b. In the illustrated embodiment, the reading head 384b of the Y-axis direction position detecting means 384 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. The control means described later counts the input pulse signal to detect the amount of movement of the chuck table 36 in the Y-axis direction, that is, the position in the Y-axis direction.

上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２a上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上にY軸方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面にチャックテーブル３６の保持面に対して垂直なZ軸方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿ってY軸方向に移動させるための第２のY軸方向移動手段４３を具備している。この第２のY軸方向移動手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ネジロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２aに固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿ってY軸方向に移動せしめられる。 The laser beam irradiation unit support mechanism 4 includes a pair of guide rails 41, 41 arranged in parallel along the indexing feed direction (Y-axis direction) indicated by an arrow Y on the stationary base 2a, A movable support base 42 is provided on 41 so as to be movable in the Y-axis direction. The movable support base 42 includes a movement support portion 421 that is movably disposed on the guide rails 41, 41, and a mounting portion 422 that is attached to the movement support portion 421. The mounting portion 422 is provided with a pair of guide rails 423 and 423 extending in the Z-axis direction perpendicular to the holding surface of the chuck table 36 on one side surface. The laser beam irradiation unit support mechanism 4 in the illustrated embodiment includes second Y-axis direction moving means 43 for moving the movable support base 42 in the Y-axis direction along the pair of guide rails 41, 41. Yes. The second Y-axis direction moving means 43 includes a male screw rod 431 disposed in parallel between the pair of guide rails 41, 41, a pulse motor 432 for driving the male screw rod 431, and the like. Contains sources. One end of the male screw rod 431 is rotatably supported by a bearing block (not shown) fixed to the stationary base 2a, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 432 by transmission. The male screw rod 431 is screwed into a female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the moving support portion 421 constituting the movable support base 42. For this reason, when the male screw rod 431 is driven to rotate forward and reversely by the pulse motor 432, the movable support base 42 is moved along the guide rails 41, 41 in the Y-axis direction.

図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段６を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、Z軸方向に移動可能に支持される。 The laser beam irradiation unit 5 in the illustrated embodiment includes a unit holder 51 and laser beam irradiation means 6 attached to the unit holder 51. The unit holder 51 is provided with a pair of guided grooves 511 and 511 that are slidably fitted to a pair of guide rails 423 and 423 provided in the mounting portion 422. By being fitted to the guide rails 423 and 423, the guide rails 423 and 423 are supported so as to be movable in the Z-axis direction.

図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿ってZ軸方向に移動させるための集光点位置調整手段としてのZ軸方向移動手段５３を具備している。Z軸方向移動手段５３は、一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザー光線照射手段６を案内レール４２３、４２３に沿ってZ軸方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ５３２を正転駆動することによりレーザー光線照射手段６を上方に移動し、パルスモータ５３２を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段６を下方に移動するようになっている。 The laser beam irradiation unit 5 in the illustrated embodiment includes Z-axis direction moving means 53 as focusing point position adjusting means for moving the unit holder 51 along the pair of guide rails 423 and 423 in the Z-axis direction. ing. The Z-axis direction moving means 53 includes a drive source such as a male screw rod (not shown) disposed between the pair of guide rails 423 and 423 and a pulse motor 532 for rotationally driving the male screw rod. Then, the male screw rod (not shown) is driven to rotate forward and backward by the pulse motor 532, thereby moving the unit holder 51 and the laser beam irradiation means 6 along the guide rails 423 and 423 in the Z-axis direction. In the illustrated embodiment, the laser beam irradiation means 6 is moved upward by driving the pulse motor 532 forward, and the laser beam irradiation means 6 is moved downward by driving the pulse motor 532 in the reverse direction. Yes.

図示のレーザー光線照射手段６は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング６１を含んでいる。ケーシング６１内には図４に示すようにパルスレーザー光線発振手段６２と、該パルスレーザー光線発振手段６２から発振されパルスレーザー光線の出力を調整する出力調整手段６３と、該出力調整手段によって出力が調整されたパルスレーザー光線の光軸をX軸方向およびY軸方向に偏向するスキャナー６４と、該スキャナー６４によって光軸が偏向されたレーザー光線を集光してチャックテーブル３６に保持された被加工物に照射する集光器６５とを具備している。 The illustrated laser beam application means 6 includes a cylindrical casing 61 arranged substantially horizontally. In the casing 61, as shown in FIG. 4, the output is adjusted by the pulse laser beam oscillation means 62, the output adjustment means 63 for adjusting the output of the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillation means 62, and the output adjustment means. A scanner 64 that deflects the optical axis of the pulsed laser beam in the X-axis direction and the Y-axis direction, and a laser beam whose optical axis is deflected by the scanner 64 is collected and irradiated to the workpiece held on the chuck table 36. And an optical device 65.

上記パルスレーザー光線発振手段６２は、パルスレーザー光線発振器６２１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段６２２とから構成されている。パルスレーザー光線発振器６２１は、図示の実施形態においてはＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー発振器からなり、シリコン等の被加工物に対して吸収性を有する波長(例えば３５５ｎｍ)のパルスレーザー光線LBを発振する。繰り返し周波数設定手段６２２は、パルスレーザー光線発振器６２１から発振されるパルスレーザー光線の周波数を設定する。 The pulse laser beam oscillating means 62 is composed of a pulse laser beam oscillator 621 and a repetition frequency setting means 622 attached thereto. In the illustrated embodiment, the pulse laser beam oscillator 621 is a YVO4 laser or a YAG laser oscillator, and oscillates a pulse laser beam LB having a wavelength (for example, 355 nm) that is absorptive to a workpiece such as silicon. The repetition frequency setting means 622 sets the frequency of the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillator 621.

上記スキャナー６４は、図示の実施形態においてはガルバノミラーによって構成され、後述する制御手段によって制御され、パルスレーザー光線発振器６２１から発振されるパルスレーザー光線をX軸方向およびY軸方向に揺動して集光器６５に導く。なお、スキャナー６４としては、ポリゴンミラーやピエゾミラーを用いることができる。 The scanner 64 is constituted by a galvanometer mirror in the illustrated embodiment, and is controlled by a control means to be described later. Guide to vessel 65. As the scanner 64, a polygon mirror or a piezo mirror can be used.

上記集光器６５は、上記ウエーハ１０の直径に対応する直径を有する像側テレセントリック対物レンズ６５１を備えている。この像側テレセントリック対物レンズ６５１は、スキャナー６４によって光軸が偏向されたレーザー光線を集光して像側テレセントリック対物レンズ６５１の光軸に対して平行にチャックテーブル３６に保持された被加工物であるウエーハ１０に照射する。 The condenser 65 includes an image side telecentric objective lens 651 having a diameter corresponding to the diameter of the wafer 10. The image-side telecentric objective lens 651 is a workpiece that is collected and held on the chuck table 36 parallel to the optical axis of the image-side telecentric objective lens 651 by condensing the laser beam whose optical axis is deflected by the scanner 64. Irradiate the wafer 10.

図３に戻って説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工装置２は、ケーシング６１の前端部に配設され上記レーザー光線照射手段６によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段７を備えている。この撮像手段７は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。 Returning to FIG. 3, the description will be continued. The laser processing apparatus 2 in the illustrated embodiment includes an imaging unit 7 that is disposed at the front end portion of the casing 61 and detects a processing region to be laser processed by the laser beam irradiation unit 6. ing. The imaging means 7 includes an infrared illumination means for irradiating a workpiece with infrared rays, an optical system for capturing infrared rays emitted by the infrared illumination means, in addition to a normal imaging device (CCD) for imaging with visible light, An image sensor (infrared CCD) that outputs an electrical signal corresponding to the infrared rays captured by the optical system is used, and the captured image signal is sent to a control means to be described later.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置２は、図５に示す制御手段８を具備している。制御手段８はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）８１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）８２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３と、カウンター８４と、入力インターフェース８５および出力インターフェース８６を備えている。制御手段８の入力インターフェース８５には、上記X軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４b、Y軸方向位置検出手段３８４の読み取りヘッド３８４bおよび撮像手段７等からの検出信号が入力される。そして、制御手段８の出力インターフェース８６からは、上記パルスモータ３７２、パルスモータ３８２、パルスモータ４３２、パルスモータ５３２、パルスレーザー光線照射手段６のパルスレーザー光線発振手段６２および出力調整手段６３、スキャナー６４等に制御信号を出力する。なお、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３には、上記図１に示すウエーハ１０の各デバイス１０２のX,Y座標値における設計値のデータが格納されている。 The laser processing apparatus 2 in the illustrated embodiment includes a control means 8 shown in FIG. The control means 8 is constituted by a computer, and a central processing unit (CPU) 81 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 82 that stores a control program and the like, and a readable and writable memory that stores arithmetic results and the like. A random access memory (RAM) 83, a counter 84, an input interface 85, and an output interface 86 are provided. Detection signals from the reading head 374 b of the X-axis direction position detecting unit 374, the reading head 384 b of the Y-axis direction position detecting unit 384, the imaging unit 7, and the like are input to the input interface 85 of the control unit 8. From the output interface 86 of the control means 8, the pulse motor 372, the pulse motor 382, the pulse motor 432, the pulse motor 532, the pulse laser beam oscillating means 62 of the pulse laser beam irradiation means 6, the output adjusting means 63, the scanner 64, etc. Output a control signal. The random access memory (RAM) 83 stores design value data in the X and Y coordinate values of each device 102 of the wafer 10 shown in FIG.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置２は以上のように構成されており、以下レーザー加工装置２を用いて実施する識別情報形成工程について説明する。
上述したように樹脂層形成工程が実施されたウエーハ１０は、図３に示すレーザー加工装置２のチャックテーブル３６上に表面１０ａ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによりウエーハ１０は、チャックテーブル３６上に吸引保持される。従って、チャックテーブル３６上に吸引保持されたウエーハ１０は、裏面１０bに被覆された樹脂層２１０が上側となる。なお、ウエーハ１０の表面１０ａに形成されたデバイス１０２に傷を付けないために、ウエーハ１０の表面１０ａに保護テープを貼着することが望ましい。 The laser processing apparatus 2 in the illustrated embodiment is configured as described above, and an identification information forming process performed using the laser processing apparatus 2 will be described below.
As described above, the wafer 10 on which the resin layer forming step has been performed places the surface 10a side on the chuck table 36 of the laser processing apparatus 2 shown in FIG. The wafer 10 is sucked and held on the chuck table 36 by operating a suction means (not shown). Therefore, the wafer 10 sucked and held on the chuck table 36 has the resin layer 210 coated on the back surface 10b on the upper side. In order to prevent the device 102 formed on the surface 10a of the wafer 10 from being scratched, it is desirable to attach a protective tape to the surface 10a of the wafer 10.

上述したようにウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、X軸方向移動手段３７によって撮像手段７の直下に位置付けられる。チャックテーブル３６が撮像手段７の直下に位置付けられると、チャックテーブル３６上のウエーハ１０は、図６に示す座標位置に位置付けられた状態となる。この状態で、チャックテーブル３６に保持されたウエーハ１０に形成されている格子状のストリート１０１がX軸方向とY軸方向に平行に配設されているか否かのアライメント工程を実施する。即ち、撮像手段７によってチャックテーブル３６に保持されたウエーハ１０を撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してアライメント作業を行う。このとき、ウエーハ１０のストリート１０１が形成されている表面１０ａは下側に位置しているが、撮像手段７が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、ウエーハ１０の裏面１０bから透かしてストリート１０１を撮像することができる。このようにしてアライメント工程が実施されたチャックテーブル３６上のウエーハ１０は、図６に示す座標値に位置付けられたことになる。 As described above, the chuck table 36 that sucks and holds the wafer 10 is positioned immediately below the imaging unit 7 by the X-axis direction moving unit 37. When the chuck table 36 is positioned directly below the imaging means 7, the wafer 10 on the chuck table 36 is in a state positioned at the coordinate position shown in FIG. In this state, an alignment process is performed to determine whether or not the grid-like streets 101 formed on the wafer 10 held on the chuck table 36 are arranged in parallel to the X-axis direction and the Y-axis direction. That is, the wafer 10 held on the chuck table 36 is imaged by the imaging means 7 and image processing such as pattern matching is performed to perform alignment work. At this time, the surface 10a on which the street 101 of the wafer 10 is formed is positioned on the lower side. Since the image pickup means including an output image pickup device (infrared CCD) or the like is provided, the street 101 can be picked up from the back surface 10b of the wafer 10 through the watermark. Thus, the wafer 10 on the chuck table 36 on which the alignment process has been performed is positioned at the coordinate values shown in FIG.

次に、ウエーハ１０の裏面１０bに形成された樹脂層２１０におけるデバイス１０２に対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイス１０２の個体識別情報を印字する識別情報形成工程を実施する。識別情報形成工程は、先ずX軸方向移動手段３７および第１のY軸方向移動手段３８を作動してチャックテーブル３６を移動し、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納されている図６に示すウエーハ１０の中心Sの座標値を、図7で示すようにレーザー光線照射手段６の集光器６５の直下に位置付ける。そして、制御手段８は、レーザー光線照射手段６のパルスレーザー光線発振手段６２および出力調整手段６３を制御するとともにスキャナー６４を制御し、上述した像側テレセントリック対物レンズ６５１を備えた集光器６５から上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されているデバイス１０２の一つにパルスレーザー光線を照射しつつ、識別情報に対応してスキャナー６４ウエーハ１０を作動する。この結果、ウエーハ１０の裏面１０bに形成された樹脂層２１０における一つのデバイス１０２に対応する領域には、図８の(a)に示すように個体識別情報１１０が印字される。 Next, an identification information forming step is performed in which individual identification information of each device 102 is printed by irradiating a region corresponding to the device 102 in the resin layer 210 formed on the back surface 10b of the wafer 10 with a laser beam. In the identification information forming step, first, the X-axis direction moving means 37 and the first Y-axis direction moving means 38 are operated to move the chuck table 36 and are stored in the random access memory (RAM) 203 shown in FIG. The coordinate value of the center S of the wafer 10 shown is positioned directly below the condenser 65 of the laser beam irradiation means 6 as shown in FIG. The control unit 8 controls the pulse laser beam oscillation unit 62 and the output adjustment unit 63 of the laser beam irradiation unit 6 and also controls the scanner 64. The control unit 8 controls the random number from the condenser 65 including the image-side telecentric objective lens 651 described above. While irradiating one of the devices 102 stored in the access memory (RAM) 83 with a pulsed laser beam, the scanner 64 wafer 10 is operated in accordance with the identification information. As a result, individual identification information 110 is printed in an area corresponding to one device 102 in the resin layer 210 formed on the back surface 10b of the wafer 10, as shown in FIG.

なお、上記識別情報形成工程における加工条件は、例えば下記の通り設定されている。
光源：YAGレーザー
波長：３５５ｎｍ
平均出力：０．５W
繰り返し周波数：１０kHz
集光スポット径：φ２０μｍ The processing conditions in the identification information forming step are set as follows, for example.
Light source: YAG laser Wavelength: 355nm
Average output: 0.5W
Repetition frequency: 10kHz
Condensing spot diameter: φ20μm

上述した識別情報形成工程をウエーハ１０の裏面１０bに被覆された樹脂層２１０における全てのデバイス１０２に対応する領域に実施することにより、図８の(b)に示すようにウエーハ１０の裏面１０bに形成された樹脂層２１０には全てのデバイス１０２に対応する領域にそれぞれ個体識別情報１１０が印字される。このようにして個体識別情報１１０が印字されたウエーハ１０は、次工程である分割工程においてストリート１０１に沿って切断され個々のデバイス１０２に分割される。 By performing the above-described identification information forming process in the region corresponding to all the devices 102 in the resin layer 210 coated on the back surface 10b of the wafer 10, the back surface 10b of the wafer 10 is formed as shown in FIG. The individual identification information 110 is printed on the formed resin layer 210 in areas corresponding to all the devices 102. In this way, the wafer 10 on which the individual identification information 110 is printed is cut along the street 101 and divided into individual devices 102 in the next division step.

以上のように本発明によるウエーハの加工方法においては、ウエーハ１０の裏面１０bに形成された樹脂層２１０における各デバイスに対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイスの個体識別情報１１０を印字するので、ウエーハ自体はレーザー加工されないため、デバイス１０２の内部に微細なクラックが発生することはない。従って、個々に分割されたデバイス１０２の抗折強度を低下させることはない。 As described above, in the wafer processing method according to the present invention, the region corresponding to each device in the resin layer 210 formed on the back surface 10b of the wafer 10 is irradiated with the laser beam to print the individual identification information 110 of each device. Since the wafer itself is not laser processed, fine cracks are not generated inside the device 102. Therefore, the bending strength of the individually divided device 102 is not reduced.

２：レーザー加工装置
３：チャックテーブル機構
３１：案内レール
３６：チャックテーブル
３７：X軸方向移動手段
３７４：X軸方向位置検出手段
３８：第１のY軸方向移動手段
３８４：Y軸方向位置検出手段
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４３：第２のY軸方向移動手段
５：レーザー光線照射ユニット
５３：Z軸方向移動手段
６：レーザー光線照射手段
６２：パルスレーザー光線発振手段
６３：出力調整手段
６４：スキャナー
６５：集光器
７：撮像手段
８：制御手段
１０：ウエーハ
２０：樹脂層形成装置
２０１：スピンナーテーブル
２０２：液状樹脂供給ノズル
２１０：樹脂層 2: Laser processing device 3: Chuck table mechanism 31: Guide rail 36: Chuck table 37: X-axis direction moving means 374: X-axis direction position detecting means 38: First Y-axis direction moving means 384: Y-axis direction position detecting Means 4: Laser beam irradiation unit support mechanism 43: Second Y-axis direction moving means 5: Laser beam irradiation unit 53: Z-axis direction moving means 6: Laser beam irradiation means 62: Pulsed laser beam oscillation means 63: Output adjustment means 64: Scanner 65 : Condenser 7: Imaging means 8: Control means 10: Wafer 20: Resin layer forming apparatus 201: Spinner table 202: Liquid resin supply nozzle 210: Resin layer

次に、ウエーハ１０の裏面１０ｂに形成された樹脂層２１０におけるデバイス１０２に対応する領域にレーザー光線を照射して各デバイス１０２の個体識別情報を印字する識別情報形成工程を実施する。識別情報形成工程は、先ずＸ軸方向移動手段３７および第１のＹ軸方向移動手段３８を作動してチャックテーブル３６を移動し、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納されている図６に示すウエーハ１０の中心Ｓの座標値を、図７で示すようにレーザー光線照射手段６の集光器６５の直下に位置付ける。そして、制御手段８は、レーザー光線照射手段６のパルスレーザー光線発振手段６２および出力調整手段６３を制御するとともにスキャナー６４を制御し、上述した像側テレセントリック対物レンズ６５１を備えた集光器６５から上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されているデバイス１０２の一つにパルスレーザー光線を照射しつつ、識別情報に対応してスキャナー６４を作動する。この結果、ウエーハ１０の裏面１０ｂに形成された樹脂層２１０における一つのデバイス１０２に対応する領域には、図８の（ａ）に示すように個体識別情報１１０が印字される。 Next, an identification information forming step of printing individual identification information of each device 102 by irradiating a region corresponding to the device 102 in the resin layer 210 formed on the back surface 10b of the wafer 10 with a laser beam is performed. In the identification information forming step, first, the X-axis direction moving means 37 and the first Y-axis direction moving means 38 are operated to move the chuck table 36 and are stored in the random access memory (RAM) 203 shown in FIG. The coordinate value of the center S of the wafer 10 shown is positioned directly below the condenser 65 of the laser beam irradiation means 6 as shown in FIG. The control unit 8 controls the pulse laser beam oscillation unit 62 and the output adjustment unit 63 of the laser beam irradiation unit 6 and also controls the scanner 64, and the random number is collected from the condenser 65 including the image side telecentric objective lens 651 described above. While irradiating one of the devices 102 stored in the access memory (RAM) 83 with a pulsed laser beam, the scanner 64 is operated in accordance with the identification information. As a result, the individual identification information 110 is printed in the area corresponding to one device 102 in the resin layer 210 formed on the back surface 10b of the wafer 10, as shown in FIG.

Claims

A wafer processing method for printing individual identification information of each device in an area corresponding to each device on the back side of the wafer on which a plurality of devices are formed on the surface,
A resin layer forming step of forming a resin layer by coating a resin on the back surface of the wafer;
An identification information forming step of printing individual identification information of each device by irradiating a laser beam to a region corresponding to each device in the resin layer formed on the back surface of the wafer,
A method for processing a wafer.