JP2014010217A - Antireflective laminate - Google Patents

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Hideaki Morita
英明 森田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve an antireflection performance even when an incident angle of light is large.SOLUTION: An antireflection laminate relating to the present invention includes, from a substrate side, a plurality of thin film layers and a rugged part. In the antireflection laminate, the refractive index of at least one thin film layer is higher than the refractive index of the substrate; and the rugged part has an average pitch smaller than a wavelength of light as a target for use, in which the most recessed part reaches the thin film layers.

Description

本発明は、入射光の反射を抑制するため、基材の表面に設けられる反射防止積層体に関するものであり、特に、複数の薄膜層と、凹凸部を含んで構成される反射防止積層体に関するものである。   The present invention relates to an antireflection laminate that is provided on the surface of a base material in order to suppress reflection of incident light, and particularly relates to an antireflection laminate that includes a plurality of thin film layers and uneven portions. Is.

従来、ディスプレイ等において周囲の環境光等の映り込みを防止する、あるいは、カメラレンズ等の光学素子において迷光を防止するため反射防止構造が採用されている。このような反射防止構造としては、微細な凹凸形状を周期的に設けたモスアイ構造が知られている。   2. Description of the Related Art Conventionally, an antireflection structure has been employed to prevent ambient ambient light and the like from being reflected in a display or the like, or to prevent stray light in an optical element such as a camera lens. As such an antireflection structure, a moth-eye structure in which fine irregularities are periodically provided is known.

このようなモスアイ構造を有する反射防止構造として、特許文献1には、基材と反射防止層との間に、基材よりも低屈折率である低屈折率層を配置することで、反射防止層内の周期構造層に使用できる材料選択の自由度を向上させる反射防止構造体が開示されている。また、特許文献2には、透明基材の一方の面に1層以上の中間層を介して、微細凹凸構造を有する第1の層が設けられた反射防止物品が開示されている。この反射防止物品では、全ての隣り合った層間の屈折率差を0.01以上、0.11以下にするとともに、透明基材の屈折率nsと、第1の層の屈折率n1に所定の差を設けることで、反射率の低減が図られている。   As an antireflection structure having such a moth-eye structure, Patent Document 1 discloses an antireflection structure by disposing a low refractive index layer having a lower refractive index than the base material between the base material and the antireflection layer. An antireflective structure that improves the degree of freedom of material selection that can be used for the periodic structure layer within the layer is disclosed. Patent Document 2 discloses an antireflection article in which a first layer having a fine concavo-convex structure is provided on one surface of a transparent substrate via one or more intermediate layers. In this antireflection article, the refractive index difference between all adjacent layers is set to 0.01 or more and 0.11 or less, and the refractive index ns of the transparent substrate and the refractive index n1 of the first layer are set to predetermined values. By providing the difference, the reflectance is reduced.

国際公開第2008/102882号International Publication No. 2008/102882 特開2009−31764号公報JP 2009-31764 A

本発明は、周期的に設けられた凹凸部(モスアイ構造)を有する反射防止構造において、反射防止性能の向上が図られた反射防止積層体を提供することを目的とするものである。   An object of the present invention is to provide an antireflection laminate in which antireflection performance is improved in an antireflection structure having an uneven portion (moth eye structure) provided periodically.

そのため、本発明に係る反射防止積層体は、
基材の入射光側に設けられる反射防止積層体において、
前記基材側から順に、複数の薄膜層と、凹凸部を有し、
少なくとも1つの前記薄膜層の屈折率は、前記基材の屈折率よりも高く、
前記凹凸部の平均ピッチは、使用対象とされる光の波長以下であるとともに、最も凹んだ箇所は、前記薄膜層に達していることを特徴とする。
Therefore, the antireflection laminate according to the present invention is
In the antireflection laminate provided on the incident light side of the substrate,
In order from the base material side, it has a plurality of thin film layers and uneven portions,
The refractive index of at least one of the thin film layers is higher than the refractive index of the substrate,
The average pitch of the concave and convex portions is equal to or less than the wavelength of light to be used, and the most concave portion reaches the thin film layer.

さらに本発明に係る反射防止積層体において、
前記凹凸部の入射光の入射方向に関する断面形状は、台形であることを特徴とする。
Furthermore, in the antireflection laminate according to the present invention,
The cross-sectional shape of the uneven portion with respect to the incident direction of incident light is a trapezoid.

さらに本発明に係る反射防止積層体において、
前記凹凸部の形状は、前記凹凸部の平均ピッチPに対して、上底が0.1P以下、下底が0.9P以上であることを特徴とする。
Furthermore, in the antireflection laminate according to the present invention,
The shape of the concavo-convex part is characterized in that the upper base is 0.1 P or less and the lower base is 0.9 P or more with respect to the average pitch P of the concavo-convex part.

さらに本発明に係る反射防止積層体において、
最も前記基材側に位置する薄膜層の屈折率は、前記基材の屈折率よりも高いことを特徴とする。
Furthermore, in the antireflection laminate according to the present invention,
The thin film layer located closest to the substrate has a refractive index higher than that of the substrate.

さらに本発明に係る反射防止積層体において、
複数の前記薄膜層は、前記基材側に位置するにしたがって、その屈折率が高くなることを特徴とする。
Furthermore, in the antireflection laminate according to the present invention,
The plurality of thin film layers have a refractive index that increases as they are positioned on the substrate side.

さらに本発明に係る反射防止積層体において、
前記凹凸部には、前記凹凸部を覆う被覆層が設けられていることを特徴とする。
Furthermore, in the antireflection laminate according to the present invention,
The uneven portion is provided with a coating layer covering the uneven portion.

本発明では、少なくとも1つの薄膜層の屈折率を基材の屈折率よりも高く設定するとともに、凹凸部の平均ピッチは、使用対象とされる光の波長以下であるとともに、最も凹んだ箇所が薄膜層に達している構成を採用することで、特に、入射角度が大きくなった場合においても、反射防止性能の向上を図ることが可能となる。   In the present invention, the refractive index of at least one thin film layer is set to be higher than the refractive index of the base material, the average pitch of the concavo-convex portions is equal to or less than the wavelength of light to be used, and the most concave portion By adopting the configuration reaching the thin film layer, it is possible to improve the antireflection performance, particularly when the incident angle is increased.

本発明の実施形態に係る反射防止積層体の配置の様子を示す模式図The schematic diagram which shows the mode of arrangement | positioning of the reflection preventing laminated body which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る反射防止積層体の詳細(側断面)を示す模式図(実施例1)The schematic diagram (Example 1) which shows the detail (side cross section) of the reflection preventing laminated body which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る反射防止積層体の詳細(側断面)を示す模式図(実施例1の変形例)The schematic diagram which shows the detail (side cross section) of the reflection preventing laminated body which concerns on embodiment of this invention (modified example of Example 1) 本発明の実施形態に係る反射防止積層体の詳細(上面)を示す模式図The schematic diagram which shows the detail (upper surface) of the antireflection laminated body which concerns on embodiment of this invention 従来の反射防止構造(側断面)を示す模式図(比較例1)Schematic diagram showing a conventional antireflection structure (side cross section) (Comparative Example 1) 反射防止構造(側断面)を示す模式図(比較例2)Schematic diagram showing antireflection structure (side cross section) (Comparative Example 2) 本発明の実施形態に係る反射防止積層体の詳細(側断面)を示す模式図(実施例2)The schematic diagram (Example 2) which shows the detail (side cross section) of the reflection preventing laminated body which concerns on embodiment of this invention. 実施例1の反射0次回折効率を示す図The figure which shows the reflective 0th-order diffraction efficiency of Example 1 実施例2の反射0次回折効率を示す図The figure which shows the reflective 0th-order diffraction efficiency of Example 2 本発明の実施形態に係る反射防止積層体の詳細(側断面)を示す模式図(実施例3)Schematic diagram showing details (side cross-section) of an antireflection laminate according to an embodiment of the present invention (Example 3)

では、本発明の実施形態に係る反射防止積層体について図を用いて説明を行う。図1は、本発明の実施形態に係る反射防止積層体2の配置の様子を示す模式図である。図1には、基材1上に設けられた反射防止積層体2の断面の様子が示されている。本実施形態の反射防止積層体2は、ディスプレイ等の表示装置の表示面、あるいは、レンズなど各種光学素子の表面、あるいは、太陽電池を構成するシリコン(Si)などの太陽電池材料の表面など、入射光の反射防止を必要とする基材1の表面に配設される。ここで、反射防止積層体2に対する入射角度αは、反射防止積層体2の表面に対する垂線となす角度にて定義される。   Now, the antireflection laminate according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing a state of arrangement of the antireflection laminate 2 according to the embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a cross-sectional state of the antireflection laminate 2 provided on the substrate 1. The antireflection laminate 2 of the present embodiment includes a display surface of a display device such as a display, a surface of various optical elements such as a lens, or a surface of a solar cell material such as silicon (Si) constituting the solar cell, It is disposed on the surface of the substrate 1 that needs to prevent reflection of incident light. Here, the incident angle α with respect to the antireflection laminate 2 is defined as an angle formed with a perpendicular to the surface of the antireflection laminate 2.

近年、例えば、ディスプレイ等では、入射角度αが±40゜以内(対称性を考慮する場合、+40゜以内)、可視波長全域で反射率が0.1%以下とする高性能な反射防止性能が求められている。特に、入射角度αが大きい斜めからの入射光に対して反射防止性能を向上させることが求められている。本実施形態では、このような状況を鑑み、反射防止積層体2に対する入射光の入射角度が大きくなった場合においても反射率を抑え、反射防止性能の向上を図ることとしている。   In recent years, for example, displays and the like have a high-performance antireflection performance in which the incident angle α is within ± 40 ° (within + 40 ° when considering symmetry) and the reflectance is 0.1% or less over the entire visible wavelength range. It has been demanded. In particular, it is required to improve the antireflection performance for incident light from an oblique direction with a large incident angle α. In the present embodiment, in view of such a situation, even when the incident angle of incident light with respect to the antireflection laminate 2 is increased, the reflectance is suppressed and the antireflection performance is improved.

(実施例1)
図2は、本発明の実施形態に係る反射防止積層体の詳細(側断面)を示す模式図である。図2は、図1の表面付近を拡大表示した模式図となっている。反射防止積層体2は、基材1側から順に、第2薄膜層23、第1薄膜層22、凹凸部21を有して構成されている。基材1、第1薄膜層22、第2薄膜層23、凹凸部21は、何れも使用対象とされる光の波長において透過性を有する材料が使用される。本実施形態では可視光において透過性を有することとしている。
Example 1
FIG. 2 is a schematic diagram showing details (side cross-section) of the antireflection laminate according to the embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram in which the vicinity of the surface of FIG. 1 is enlarged and displayed. The antireflection laminate 2 includes a second thin film layer 23, a first thin film layer 22, and an uneven portion 21 in order from the base material 1 side. The base material 1, the first thin film layer 22, the second thin film layer 23, and the concavo-convex portion 21 are all made of a material having transparency at the wavelength of light to be used. In this embodiment, it has transparency in visible light.

基材1には、屈折率が1.5の透明材料を使用している。この基材1の表面には、複数の薄膜層が設けられている。本実施形態では、第1薄膜層22、第2薄膜層23からなる2つの薄膜層にて構成されている。本実施形態では、第1薄膜層22に酸化シリコン(SiO2)を、第2薄膜層23に酸化チタン(TiO2)を使用している。また、本実施形態において、第1薄膜層22の膜厚は、0.060μm、第2薄膜層23の膜厚は、0.002μmとしている。 A transparent material having a refractive index of 1.5 is used for the substrate 1. A plurality of thin film layers are provided on the surface of the substrate 1. In the present embodiment, the first thin film layer 22 and the second thin film layer 23 are constituted by two thin film layers. In the present embodiment, silicon oxide (SiO 2 ) is used for the first thin film layer 22, and titanium oxide (TiO 2 ) is used for the second thin film layer 23. In the present embodiment, the film thickness of the first thin film layer 22 is 0.060 μm, and the film thickness of the second thin film layer 23 is 0.002 μm.

反射防止性能を向上させるため、これら複数の薄膜層22、23の内、何れか1つの屈折率は、基材1の屈折率よりも高く設定されている。本実施形態では、特に、基材1に接する第2薄膜層23の屈折率が、使用対象とされる光の波長において、基材1の屈折率よりも高くなるように第2薄膜層23の材料を選定している。さらに、複数の薄膜層22、23における屈折率は、基材1側に位置するに従い、高くなるように設定することが好ましい。   In order to improve the antireflection performance, any one of the plurality of thin film layers 22 and 23 is set to have a higher refractive index than the refractive index of the substrate 1. In the present embodiment, in particular, the second thin film layer 23 is in contact with the base material 1 so that the refractive index of the second thin film layer 23 is higher than the refractive index of the base material 1 at the wavelength of light to be used. Material is selected. Furthermore, it is preferable that the refractive indexes in the plurality of thin film layers 22 and 23 are set to be higher as they are located on the substrate 1 side.

第1薄膜層22の表面に設けられる本実施形態の凹凸部21は、2次元周期構造を有しており、1つの凹凸部11は、ちょうど頂点部が切り取られた四角錐形状を有している(モスアイ構造)。したがって、図2に記載されるように、入射光の入射方向に関する凹凸部21の断面は台形形状となっている。なお、凹凸部21の最も凹んだ箇所に相当する谷部21bは、第1薄膜層22に達することが必要とされる。凹凸部21の形成は、例えば、光硬化性樹脂で平坦な層を形成し、そこに凹凸部21の型を押し当てた状態でUV光を照射することで光硬化性樹脂を硬化させる(インプリント)など各種形態によって行うことが可能である。その際、谷部21bを第1薄膜層22に達するようにするため、インプリントを行った後、凹凸部21の谷部21bをエッチングなどによって切削することとしてもよい。なお、凹凸部21の断面を台形形状としているが、台形形状の頂部21aの幅が0、すなわち、三角形状とすることも可能である。   The concavo-convex portion 21 of the present embodiment provided on the surface of the first thin film layer 22 has a two-dimensional periodic structure, and one concavo-convex portion 11 has a quadrangular pyramid shape with a vertex portion cut off. Yes (moth eye structure). Therefore, as shown in FIG. 2, the cross section of the concavo-convex portion 21 in the incident direction of incident light has a trapezoidal shape. It should be noted that the valley portion 21 b corresponding to the most recessed portion of the uneven portion 21 needs to reach the first thin film layer 22. The uneven portion 21 is formed by, for example, forming a flat layer with a photocurable resin and curing the photocurable resin by irradiating UV light in a state where the mold of the uneven portion 21 is pressed thereon (in). Printing) and the like. At that time, in order to reach the valley portion 21b to the first thin film layer 22, after imprinting, the valley portion 21b of the uneven portion 21 may be cut by etching or the like. Although the cross section of the concavo-convex portion 21 is trapezoidal, the width of the trapezoidal top portion 21a may be 0, that is, a triangular shape.

隣り合う凹凸部21は、ピッチPを有して配列され周期構造を形成している。ピッチPは、使用対象とされる光の波長(本実施形態では可視光)以下に設定されている。本実施形態では、一定のピッチPとしているが、このピッチPはランダムであってもよい。その場合、平均ピッチが使用対象とされる光の波長以下となるように設定される。図4には、図2における反射防止積層体2の上面図が示されている。図2に示される側断面は、ちょうど図4の頂部21aを含むA−A間において切断したときの様子となっている。図4のB−B間において切断したときにおいても、図2と同様の側断面が現れることとなる。本実施形態では、凹凸部21のピッチPを0.18μm、凹凸部21の高さHを0.45μmとしている。また、凹凸部21には、屈折率1.5の透明材料を使用している。   Adjacent irregularities 21 are arranged with a pitch P to form a periodic structure. The pitch P is set to be equal to or less than the wavelength of light to be used (visible light in the present embodiment). In the present embodiment, the pitch P is constant, but the pitch P may be random. In that case, the average pitch is set to be equal to or less than the wavelength of light to be used. 4 shows a top view of the antireflection laminate 2 in FIG. The side cross section shown in FIG. 2 is exactly the state when cut along AA including the top 21a of FIG. Even when cut between BB in FIG. 4, a side cross section similar to that in FIG. 2 appears. In the present embodiment, the pitch P of the uneven portions 21 is 0.18 μm, and the height H of the uneven portions 21 is 0.45 μm. Further, a transparent material having a refractive index of 1.5 is used for the uneven portion 21.

図2の実施形態では、凹凸部21の形状を、ピッチPと凹凸部21の下底Bの長さを等しくしているが、凹凸部21の形状は、下記に記す範囲内で自由に変更することが可能である。凹凸部21の上底の長さTは、ピッチPに対して0.1倍以下、すなわち、T≦0.1Pとなるように設定することが好ましい。また、凹凸部21の下底の長さBは、ピッチPに対して0.9倍以上、すなわち、B≧0.9Pとなるように設定することが好ましい。図3には、凹凸部21の下底をピッチPより小さくした場合の実施形態について、その断面形状が模式的に示されている。下底PをピッチPより小さい長さとした場合、谷部
21bにおいて、第1薄膜層22が一部露出した構成となる。
In the embodiment of FIG. 2, the shape of the uneven portion 21 is equal to the pitch P and the length of the lower base B of the uneven portion 21, but the shape of the uneven portion 21 can be freely changed within the range described below. Is possible. The length T of the upper base of the concavo-convex portion 21 is preferably set to be 0.1 times or less with respect to the pitch P, that is, T ≦ 0.1P. In addition, the length B of the bottom of the concavo-convex portion 21 is preferably set to be 0.9 times or more with respect to the pitch P, that is, B ≧ 0.9P. FIG. 3 schematically shows the cross-sectional shape of the embodiment in which the bottom of the uneven portion 21 is made smaller than the pitch P. When the lower bottom P has a length smaller than the pitch P, the first thin film layer 22 is partially exposed in the valley portion 21b.

このような本実施形態の反射防止積層体の反射効率を比較するための比較例を図5、図6に示しておく。何れの比較例も基材1には、実施例1と同じ屈折率1.5の透明材料を使用している。   Comparative examples for comparing the reflection efficiency of the antireflection laminate of this embodiment are shown in FIGS. In any of the comparative examples, the transparent material having the same refractive index of 1.5 as that of Example 1 is used for the substrate 1.

図5に示される比較例1は、基材1上に、凹凸部31のみで構成された反射防止構造3を有して構成されている。この比較例1における凹凸部31は、図2の実施例1と同じ構成(凹凸部31のピッチPを0.18μm、凹凸部31の高さHを0.45μm)としている。また、凹凸部21には、屈折率1.5の透明材料を使用している。一方、図6の比較例2は、1層からなる薄膜層32と、凹凸部31にて反射防止構造3を形成した場合となっている。比較例2においても、凹凸部31は、実施例1と同じ構成(凹凸部31のピッチPを0.18μm、凹凸部31の高さHを0.45μm)としている。また、薄膜層32には、膜厚0.013μmの酸化シリコン(SiO2)を使用している。 The comparative example 1 shown in FIG. 5 is configured to have an antireflection structure 3 composed only of the concavo-convex portions 31 on the base material 1. The uneven portion 31 in the comparative example 1 has the same configuration as that of the first embodiment shown in FIG. 2 (the pitch P of the uneven portion 31 is 0.18 μm and the height H of the uneven portion 31 is 0.45 μm). Further, a transparent material having a refractive index of 1.5 is used for the uneven portion 21. On the other hand, Comparative Example 2 in FIG. 6 is a case where the antireflection structure 3 is formed by the thin film layer 32 composed of one layer and the uneven portion 31. Also in the comparative example 2, the uneven portion 31 has the same configuration as that of the first embodiment (the pitch P of the uneven portion 31 is 0.18 μm, and the height H of the uneven portion 31 is 0.45 μm). The thin film layer 32 is made of silicon oxide (SiO 2 ) having a thickness of 0.013 μm.

表1には、実施例1と比較例1、2の反射防止性能の結果を示す。ここでは、入射光に波長0.4〜0.7μmのランダム偏光を使用した場合における、各入射角度における平均の反射0次回折効率(単位:%)が示されている。比較例1、2における何れの入射角度においても反射0次回折効率は、0.1%以下を達成しているが、実施例1は、比較例1、2よりも反射0次回折効率がさらに抑えられたものとなっており、反射防止性能の向上が図られていることが分かる。   Table 1 shows the results of the antireflection performance of Example 1 and Comparative Examples 1 and 2. Here, the average reflection zero-order diffraction efficiency (unit:%) at each incident angle when random polarized light having a wavelength of 0.4 to 0.7 μm is used as incident light is shown. The reflection zero-order diffraction efficiency is 0.1% or less at any incident angle in Comparative Examples 1 and 2, but Example 1 has a reflection zero-order diffraction efficiency higher than that of Comparative Examples 1 and 2. It can be seen that the anti-reflection performance is improved.

Figure 2014010217
Figure 2014010217

図8には、実施例1における反射0次回折効率がグラフで示されている。このグラフから分かるように入射角度が40゜以下では、何れの波長においても反射0次回折効率が0.1[%]以下に抑えられており、反射防止性能の向上が図られている。   FIG. 8 is a graph showing the reflection zero-order diffraction efficiency in Example 1. As can be seen from this graph, when the incident angle is 40 ° or less, the reflection zero-order diffraction efficiency is suppressed to 0.1 [%] or less at any wavelength, and the antireflection performance is improved.

(実施例2)
図7には、本発明の実施形態に係る反射防止積層体の詳細(側断面)を示す模式図が示されている。実施例1では、基材1と凹凸部21の間に、第1薄膜層22、第2薄膜層23からなる2層の薄膜層を設けることとしたが、これら薄膜層の層数はさらに増やすこととしても良い。この実施例2では、第1薄膜層22、第2薄膜層23、第3薄膜層24、3層の薄膜層を設けることで、実施例1よりもさらなる反射防止性能の向上が図られている。薄膜層は3層以上とすることも可能である。
(Example 2)
The schematic diagram which shows the detail (side cross section) of the reflection preventing laminated body which concerns on embodiment of this invention is shown by FIG. In Example 1, two thin film layers including the first thin film layer 22 and the second thin film layer 23 are provided between the base material 1 and the uneven portion 21, but the number of these thin film layers is further increased. It's also good. In the second embodiment, by providing the first thin film layer 22, the second thin film layer 23, the third thin film layer 24, and the three thin film layers, the antireflection performance is further improved as compared with the first embodiment. . The thin film layer may be three or more layers.

本実施形態において、第1薄膜層22には、フッ化マグネシウム(MgF2)が使用さ
れており、その膜厚は0.016μmとしている。第2薄膜層23には、酸化シリコン(SiO2)が使用されており、その膜厚は0.005μmとしている。また、第3薄膜層
24には、膜厚0.013μmのUV硬化樹脂(商品名:PAK−01)を使用している。また、本実施形態の凹凸部21は、実施例1と同じ構成(凹凸部21のピッチPを0.
18μm、凹凸部21の高さHを0.45μm、屈折率1.5)を使用している。
In the present embodiment, magnesium fluoride (MgF 2 ) is used for the first thin film layer 22, and the film thickness is 0.016 μm. Silicon oxide (SiO 2 ) is used for the second thin film layer 23, and the film thickness is 0.005 μm. Further, a UV curable resin (trade name: PAK-01) having a film thickness of 0.013 μm is used for the third thin film layer 24. Moreover, the uneven | corrugated | grooved part 21 of this embodiment is the same structure as Example 1 (The pitch P of the uneven | corrugated | grooved part 21 is set to 0.0.
18 μm, the height H of the concavo-convex portion 21 is 0.45 μm, and the refractive index is 1.5).

実施例2においても複数の薄膜層22、23、24の内、何れか1つの屈折率は、基材1の屈折率よりも高くすることが必要とされる。実施例2では、基材1に接する第3薄膜層24の屈折率が、使用対象とされる光の波長において、基材1の屈折率よりも高くなるように第3薄膜層24の材料を選定している。さらに、複数の薄膜層22、23、24における屈折率は、基材1側に位置するに従い、高くなるように設定することが好ましい。   Also in Example 2, the refractive index of any one of the plurality of thin film layers 22, 23, 24 is required to be higher than the refractive index of the substrate 1. In Example 2, the material of the third thin film layer 24 is made so that the refractive index of the third thin film layer 24 in contact with the base material 1 is higher than the refractive index of the base material 1 at the wavelength of light to be used. Selected. Furthermore, it is preferable to set the refractive indexes of the plurality of thin film layers 22, 23, and 24 so as to increase as they are positioned on the substrate 1 side.

表1には、実施例2の反射防止性能の結果を示す。ここでは、入射光に波長0.4〜0.7μmのランダム偏光を使用した場合における、各入射角度における平均の反射0次回折効率(単位:%)が示されている。実施例1では、比較例1、2よりも反射0次回折効率が抑えられたものであったが、実施例2では、実施例1と比較して反射0次回折効率がさらに抑えられており、反射防止性能の向上が図られていることが分かる。   Table 1 shows the results of the antireflection performance of Example 2. Here, the average reflection zero-order diffraction efficiency (unit:%) at each incident angle when random polarized light having a wavelength of 0.4 to 0.7 μm is used as incident light is shown. In Example 1, the reflected 0th-order diffraction efficiency was suppressed more than in Comparative Examples 1 and 2, but in Example 2, the reflected 0th-order diffraction efficiency was further suppressed as compared with Example 1. It can be seen that the antireflection performance is improved.

図9には、実施例2における反射0次回折効率がグラフで示されている。実施例1と同様、入射角度が40゜以下では、何れの波長においても反射0次回折効率が0.1[%]以下に抑えられている。また、図8に示した実施例1のグラフと比較して、特に波長0.50μm以上、入射角度40゜以下の反射0次回折効率の改善が図られていることが分かる。   FIG. 9 is a graph showing the reflection zero-order diffraction efficiency in Example 2. As in Example 1, when the incident angle is 40 ° or less, the reflection zero-order diffraction efficiency is suppressed to 0.1 [%] or less at any wavelength. Further, it can be seen that, compared with the graph of Example 1 shown in FIG. 8, the reflection zero-order diffraction efficiency is improved particularly at a wavelength of 0.50 μm or more and an incident angle of 40 ° or less.

(実施例3)
図10には、本発明の実施形態に係る反射防止積層体の詳細(側断面)を示す模式図が示されている。本実施形態では、図2で説明した実施例1の凹凸部21の表面に被覆層25が設けられている。この場合、被覆層25の屈折率は、凹凸部21の屈折率よりも小さく設定することが好ましい。
(Example 3)
The schematic diagram which shows the detail (side cross section) of the reflection preventing laminated body which concerns on embodiment of this invention is shown by FIG. In this embodiment, the coating layer 25 is provided on the surface of the concavo-convex portion 21 of Example 1 described in FIG. In this case, the refractive index of the covering layer 25 is preferably set to be smaller than the refractive index of the uneven portion 21.

なお、本発明はこれらの実施形態のみに限られるものではなく、それぞれの実施形態の構成を適宜組み合わせて構成した実施形態も本発明の範疇となるものである。   Note that the present invention is not limited to these embodiments, and embodiments configured by appropriately combining the configurations of the respective embodiments also fall within the scope of the present invention.

1…基材、2…反射防止積層体、21…凹凸部、21a…頂部、21b…谷部、22…第1薄膜層、23…第2薄膜層、24…第3薄膜層、25…被覆層、3…反射防止構造、31…凹凸部、32…薄膜層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base material, 2 ... Antireflection laminated body, 21 ... Uneven part, 21a ... Top part, 21b ... Valley part, 22 ... 1st thin film layer, 23 ... 2nd thin film layer, 24 ... 3rd thin film layer, 25 ... Coating Layer 3, antireflection structure 31, uneven portion 32, thin film layer

Claims (6)

基材の入射光側に設けられる反射防止積層体において、
前記基材側から順に、複数の薄膜層と、凹凸部を有し、
少なくとも1つの前記薄膜層の屈折率は、前記基材の屈折率よりも高く、
前記凹凸部の平均ピッチは、使用対象とされる光の波長以下であるとともに、最も凹んだ箇所は、前記薄膜層に達していることを特徴とする
反射防止積層体。
In the antireflection laminate provided on the incident light side of the substrate,
In order from the base material side, it has a plurality of thin film layers and uneven portions,
The refractive index of at least one of the thin film layers is higher than the refractive index of the substrate,
The average pitch of the concavo-convex portions is equal to or less than the wavelength of light to be used, and the most recessed portion reaches the thin film layer.
前記凹凸部の入射光の入射方向に関する断面形状は、台形であることを特徴とする
請求項1に記載の反射防止積層体。
The antireflection laminate according to claim 1, wherein a cross-sectional shape of the concavo-convex portion in the incident direction of incident light is a trapezoid.
前記凹凸部の形状は、前記凹凸部の平均ピッチPに対して、上底が0.1P以下、下底が0.9P以上であることを特徴とする
請求項2に記載の反射防止積層体。
The antireflection laminate according to claim 2, wherein the shape of the concavo-convex portion is 0.1 P or less in the upper base and 0.9 P or more in the lower base with respect to the average pitch P of the concavo-convex portions. .
最も前記基材側に位置する薄膜層の屈折率は、前記基材の屈折率よりも高いことを特徴とする
請求項1から請求項3の何れか1項に記載の反射防止積層体。
The antireflection laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein a refractive index of a thin film layer positioned closest to the substrate side is higher than a refractive index of the substrate.
複数の前記薄膜層は、前記基材側に位置するにしたがって、その屈折率が高くなることを特徴とする
請求項1から請求項4の何れか1項に記載の反射防止積層体。
The antireflection laminate according to any one of claims 1 to 4, wherein the plurality of thin film layers have a higher refractive index as they are positioned on the substrate side.
前記凹凸部には、前記凹凸部を覆う被覆層が設けられていることを特徴とする
請求項1から請求項5の何れか1項に記載の反射防止積層体。
The antireflection laminate according to any one of claims 1 to 5, wherein the uneven portion is provided with a coating layer that covers the uneven portion.
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