JP2013536008A - 密封シールされた眼科デバイス及びこれを作る方法 - Google Patents

Abstract

近年の多くの移植可能眼科デバイスは、眼及び／又は周囲組織に有害な物質をリークし得る電気的活性セルのような電子コンポーネントを含む。開示される移植可能眼科デバイスにおいて、電子コンポーネントは、二以上のガラスウェハを一緒に接合して形成されたキャビティ内に密封シールされる。レーザ溶融接合、加圧接合、又は陽極接合により当該ガラスウェハを一緒に接合し、ヘリウムリーク試験を受けた場合に約５×１０^−１２Ｐａｍ^３ｓ^−１未満の速度でリークするシールを作り得る。ウェハにおいてチャネルを貫通する導電材料から形成される密封シールされたフィードスルーが、密封キャビティ内部のコンポーネントへの電気接続を与える。場合により導電材料は、熱膨張係数（ＣＴＥ）がガラスウェハのＣＴＥにほぼ等しい（例えばこれの１０％以内）。熱的に誘導される導電材料及びガラスウェハの膨張及び収縮に起因するリークが最小化される。

Description

本発明は、密封シールされた眼科デバイス及びこれを作る方法に関する。

（関連出願の相互参照）
本願は、２０１０年７月２６日に出願された名称「Intraocular Implant with Hermetically Sealed Liquid Crystal Cell」の米国仮出願第６１／３６７，５１１号、２０１０年７月２７日に出願された名称「Intraocular Implant with Hermetically Sealed Liquid Crystal Cell with Dynamic Diffractive Lens and/or Dynamic Refractive Lens and/or Dynamic Aperture」の米国仮出願第６１／３６７，９５６号、２０１０年９月７日に出願された名称「Hermetically Sealed Feed-Throughs to Establish Electrical Connection through Thin Glass Wafers」の米国仮出願第６１／３８０，３４０、及び２０１０年９月１３日に出願された名称「Low Temperature Glass to Glass Anodic Bonding」の米国仮出願第６１／３８２，０４１号の利益を主張する。上記参照出願はそれぞれ、ここに参照としてその全体が組み入れられる。

近距離及び中間距離物体に焦点を合わせる個人の能力に影響を及ぼす２つの主要な症状、すなわち老眼及び偽水晶体眼が存在する。老眼とは、多くの場合は加齢に伴う人間の眼の水晶体調節性低下である。老眼の個人にあっては、この調節性低下によって、第１に近距離物体に焦点を合わせることができなくなり、その後中間距離物体に焦点を合わせることができなくなる。米国では、老眼の人がほぼ９０００万から１億人存在すると見積もられている。全世界では、老眼の人はほぼ１６億人存在すると見積もられている。

老眼を修正する標準的なツールは、読書用眼鏡、多焦点眼科レンズ、及び単眼視野を与えるのに適したコンタクトレンズである。読書用眼鏡は、近距離焦点問題を修正するべく単数の屈折力を有する。多焦点レンズは、所定距離範囲にわたって焦点問題を修正するべく、一を超える焦点距離（すなわち屈折力）を有する。多焦点光学系は、眼鏡、コンタクトレンズ、及び「眼内レンズ（intraocular lenses（ＩＯＬｓ））」において使用される。多焦点眼科レンズは、レンズの面積を異なる屈折力の複数領域に分割することによって機能する。多焦点レンズは、累進屈折力レンズ（Progressive Addition Lens（ＰＡＬ））のような連続屈折力をもたらす連続表面からなり得る。代替的に、多焦点レンズは、二焦点又は三焦点のような不連続屈折力をもたらす不連続表面からもなり得る。単眼視野を与えるのに適したコンタクトレンズは、異なる屈折力を有する２つのコンタクトレンズである。一方のコンタクトレンズは、主に遠距離焦点問題を修正するためにあり、他方のコンタクトレンズは、主に近距離焦点問題を修正するためにある。

偽水晶体眼とは、眼の水晶体をＩＯＬに交換することである。通常は、白内障手術において水晶体の外科的除去に引き続いて行われる。実際のところ、個人は、十分に長生きをすれば白内障になる。さらに、白内障を患うほとんどの個人は、生涯のうちどこかで白内障手術を受ける。米国では年ほぼ１２０万回の白内障手術が行われると見積もられている。偽水晶体の個人において、水晶体の不在は、近距離又は中間距離物体いずれかに焦点を合わせることができないこととなる完全な調節欠如を引き起こす。

従来のＩＯＬｓは単焦点球面レンズである。これは、遠い物体（例えば２メートル離れた物体）に対して焦点が合った網膜イメージを与える。一般に、球面ＩＯＬの焦点距離（又は屈折力）は、中心窩における小角度（例えば約７度）に対応する遠い物体を見ることに基づいて選択される。残念ながら、単焦点ＩＯＬｓは、固定焦点距離を有するので、眼の自然な調節応答を模倣又は代用することができない。幸いなことに、損傷を受け又は除去された水晶体の調節の代替として可変屈折力を与えるべく、液晶セルのような電気的活性要素を有する眼科デバイスを使用することができる。例えば、電気的活性要素は、動的可変屈折力を与えるシャッターとして使用することができる。これは、ここにその全体が参照として組み入れられる特許文献１に開示されている。

電気的活性要素等の電子コンポーネントを有するＩＯＬｓは、電気的活性要素に使用される液晶材料のような潜在的な異物が、眼及び周囲組織に漏れ入ることがないように十分にシールする必要がある。今日、電気的活性要素等の電子コンポーネントを有するＩＯＬｓは、当該コンポーネントをエポキシ、ポリウレタン、又は他の適切なタイプの硬化性化合物のシェルにポッティング又はカプセル化することによって作られている。残念ながら、ポッティング化合物は、ＩＯＬｓにおける電気的接続を目的として使用される生体親和性金属に対し、十分に接着するとは限らない。また、ポッティング化合物は、２０年以上になり得るＩＯＬの耐用年数にわたって劣化し得る。

代替的に、一緒に接着される複数のガラス片間に複数のコンポーネントをシールすることもできる。当該ガラス片は、一ガラス片上に当該コンポーネントを接続するワイヤとともに接着剤でコーティングされる。当該ガラス片を一緒に押圧して当該ワイヤを変形させると、その変形されたワイヤのまわりに接着剤が流れることとなる。接着剤シールも、ＩＯＬの耐用年数にわたって劣化し得る。加えて、接着剤が必ずしも、当該変形ワイヤのまわりに完全なシールを形成するとは限らない。

米国特許第７，９２６，９４０号明細書

ここに開示されるテクノロジの実施例は、密封シールされたフィードスルーと密封シールされたキャビティを有する移植可能眼科デバイス、及び当該移植可能眼科デバイスを作る方法を含む。例示的な移植可能眼科デバイスは、密封シールされたフィードスルーを有する第１基板を含む。当該フィードスルーは、第１基板の第１側から当該第１基板の第２側への、電気的連通のための導電経路を与える。第１基板の第１側は、例えば陽極又はレーザ溶融接合を使用して第２基板に接合される。電子コンポーネントを包含する密封シールされたキャビティが、少なくとも部分的に画定される。当該電子コンポーネントは密封シールされたフィードスルーが与える導電経路と電気的に連通する。ヘリウムリーク試験を受ける際、密封シールされたフィードスルー及び密封シールされたキャビティは、約５×１０^−１２Ｐａｍ^３ｓ^−１未満の速度でリークする。

いくつかの実施例において、密封シールされたフィードスルーは、直径約１００μｍから約２５０μｍのチャネルを作ることによって形成される。当該チャネルは、第１基板の第１側及び第２側を接続する。当該チャネルは、チタン、ニッケル、金、鉄、又はこれらの合金のような導電材料によって充填される。これにより、第１基板の第１側及び第２側をつなぐ導電経路が与えられる。いくつかの場合、導電材料は、熱膨張係数（coefficient of thermal expansion（ＣＴＥ））が第１基板のＣＴＥとほぼ等しい。例えば、導電材料及び第１基板のＣＥＴは約２．０ｐｐｍから約５．０ｐｐｍであり得る。導電材料は、電子コンポーネントと電気的に連通する。当該電子コンポーネントは、特定用途向け集積回路プロセッサ、キャパシタ、メモリ、プログラマブルロジックアナライザ、アナログデジタル変換器、又はバッテリ充電器であり得る。

例示的な密封シールされたフィードスルーは、厚さ約１０μｍから約２００μｍ及び／又は抵抗約１０オーム以下の、金のような生体親和性導電材料によってコーティング又はキャップがされる。生体親和性導電材料は、密封シールされたフィードスルーと、密封シールされたキャビティの外にある電気的活性要素のような電子コンポーネントとの電気接続を与える。いくつかの例では、電気的活性要素は、（ｉ）ガラス管を介して他のキャビティを液晶材料で充填することと、（ｉｉ）当該ガラス管を封止して当該キャビティ内の液晶材料をシールすることとによって作られる。代替的に、電気的活性要素は、（ｉ）例えばアミノシラン、シラノール、及び／又は他のヒドロキシシラン誘導体を使用して変性された内部表面を有するチャネルを介して一のキャビティを液晶材料で充填することと、（ｉｉ）当該チャネルをつぶして当該キャビティ内の液晶材料をシールすることとによって作ることもできる。

いくつかのデバイスにおいて、第１及び第２基板は、Ｂｏｒｏｆｌｏａｔ（登録商標）３３のようなホウケイ酸ガラス及び／又は石英ガラス製である。各基板は厚さ約２５から３００μｍである。密封シールされたキャビティを画定するべく、レーザ溶融接合、加圧接合、又は陽極接合を使用して第１基板の第２側に第３基板を結合することができる。当該基板の一以上は、当該密封シールされたキャビティのまわりに堆積されるコンフォーマル層によって少なくとも部分的にコーティングされ得る。これにより、密封シールされたキャビティにおいて進展し得る割れ又は亀裂を通してのリークが防止される。

上述の概要は例示的にすぎず、なんら限定を意図しない。上述の例示的側面、実施例、及び特徴に加え、以下の図面及び詳細な説明を参照することによって、さらなる側面、実施例、及び特徴が明らかとなる。

本明細書に組み入れられ及びこれの一部をなす添付図面は、本発明の実施例を例示し、当該記載とともに本発明の原理を説明する役割を果たす。

移植可能眼科デバイスに使用される密封シールされた電子アセンブリの分解図である。 一対のウェハ間に形成される代替的密封シールされたキャビティの立面図である。 一対のウェハ間に形成される代替的密封シールされたキャビティの平面図である。 密封シールされた電子アセンブリにおける代替的コイル配列を示す。 密封シールされた電子アセンブリにおける代替的コイル配列を示す。 密封シールされた電子アセンブリにおける代替的コイル配列を示す。 密封シールされた電子アセンブリにおける代替的コイル配列を示す。 密封シールされたキャビティ内に配置されたコイルの立面図を示す。 密封シールされたキャビティ内に配置されたコイルの平面図を示す。 ガラスウェハにおける密封シールされたフィードスルーの製造を示す。 金でキャップされ及びＢｏｒｏｆｌｏａｔ（登録商標）３３ガラスウェハに製造されたＮｉＦｅフィードスルーの平面図を示す。 金でキャップされ及びＢｏｒｏｆｌｏａｔ（登録商標）３３ガラスウェハに製造されたＮｉＦｅフィードスルーの立面図を示す。 電子コンポーネントを包含する密封シールされたキャビティを形成するべくレーザ溶融接合によって一緒に接合された複数のガラスウェハの写真である。 電子コンポーネントを包含する密封シールされたキャビティを形成するべくレーザ溶融接合によって一緒に接合された複数のガラスウェハの写真である。 電子コンポーネントを包含する密封シールされたキャビティを形成するガラスウェハの陽極接合を例示する。 接合されたウェハの接合強度を測定する手によるねじり試験を例示する。 接合されたウェハの接合強度を測定する押圧試験を例示する。 電気的活性要素におけるキャビティに、ガラス管を介して液晶材料を充填することを例示する。 電気的活性要素におけるキャビティに、ガラス管を介して液晶材料を充填することを例示する。 電気的活性要素におけるキャビティに、ガラス管を介して液晶材料を充填することを例示する。 電気的活性要素におけるキャビティに、内部表面が織り目加工されたチャネルのアレイを介して液晶材料を充填することを例示する。 電気的活性セル及びその電気接続の分解側面図を示す。 図１４Ａ及び１４Ｂはそれぞれ、密封されたシールにおける割れ又は亀裂を通るリークからの保護を与えるコンフォーマルコーティングを有するウェハの立面図及び平面図を示す。

密封シールされたキャビティ及びフィードスルーを有する移植可能眼科デバイス

患者の視覚に影響を与える偽水晶体眼、無水晶体症等の症状を永久的又は半永久的に修正する役割を果たすべく、典型的には、眼内レンズ、眼内インプラント、角膜インレイ、及び角膜オンレイのような移植可能眼科デバイスが眼に移植される。例示的な移植可能眼科デバイスは、眼の前房又は後房において、嚢袋又は角膜実質の中に（角膜インレイと同様）若しくは角膜上皮層の中に（角膜オンレイと同様）又は眼の任意の解剖学的構造内に挿入又は移植され得る。これらは眼自体に挿入又は移植されるので、液晶材料又はバッテリに使用される電解質のような異物を、眼又は周囲組織の中にリーク又は又は浸出させてはならない。さもなくば、これらは眼及び／又は眼の周囲組織に取り返しのつかない障害をもたらし得る。

図１は、一の例示的移植可能眼科デバイスのための電子アセンブリ１００の分解図である。これは、当該デバイス１００からの異物が眼へリークすることを防止するべく密封シールされたキャビティ１１０及びフィードスルー１１２を有する。ここに定義するが、密封シールされたキャビティ又はフィードスルーは、米国材料試験協会（ＡＳＴＭ）Ｅ４９３／Ｅ４９３Ｍ−１１の、５．０×１０^−１２Ｐａｍ^３ｓ^−１によるヘリウムリーク試験に合格するキャビティ又はフィードスルーである。好ましい実施例において、ヘリウムリーク中に密封シールからリークするヘリウムの量は検出不能、すなわちヘリウムの通常大気濃度未満である。

アセンブリ１００は、中間ウェハ１０４におけるキャビティ１１０内に配置される電子コンポーネントを含む。当該電子コンポーネントは、この場合、異なる機能ブロックを有し、かつ、付加的電子コンポーネントとともに集合配置され得る特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣｓ）１３０である。ＡＳＩＣｓ１３０は、３次元すべての機械的公差が±１０μｍとなるＴｉＡｇＮｉＡｕパッド材料を介しての熱圧接合を使用して、サブコンポーネントとともに集合配置され得る。当該アセンブリはまた、０１００５ＳＭＤ表面実装キャパシタのようなＡｇＰｂキャパシタ（図示せず）を含み得る。これは、異方性導電接着剤によって、±５０μｍの側方整合公差でプリント回路基板（ＰＣＢ）（図示せず）に接合される。好ましい実施例において、ＰＣＢ表面からキャパシタ頂部までの高さの合計は約２５５±１０μｍである。

キャビティ１１０は、底部ウェハ１０２と頂部ウェハ１０６との間にある中間ウェハ１０４に複数のアパチャを密封することによって画定される。底部ウェハ１０２及び頂部ウェハ１０６は、以下に説明するように、レーザ溶融接合、加圧接合、及び／又は陽極接合を使用して一緒に接合され得る。電気的活性セル１６０及びぼかし体（obscuration）１６２のような他の要素が、ウェハ１０２、１０４、及び１０６間に貼り付けられ又はシールされ得る。ぼかし体１６２は、入射光の９０％超過を吸収する不透明層を含む。ウェハ１０２、１０４、及び１０６は、ホウケイ酸ガラス（例えばＢｏｒｏｆｌｏａｔ（登録商標）３３又はＤ２６３（登録商標））、ピュアシリカ（ＳｉＯ_２）、石英ガラス、又は他の任意の適切な材料から作られ得る。

図２Ａ及び２Ｂはそれぞれ、キャビティ２１０が代替底部ウェハ２０２と代替頂部ウェハ２０６との間に形成された代替アセンブリ２００の立面図及び平面図である。頂部ウェハ２０６は、アパチャを画定する代わりに、２つの空洞又は凹部を両端に含む。各凹部は、ＡＳＩＣ１３０及び／又は他の電子コンポーネントを保持するのに十分な大きさである。ＡＳＩＣ１３０及び／又は他のコンポーネントが凹部内に位置決めされ、例えばレーザ溶融接合又は陽極接合によって底部ウェハ２０２を頂部ウェハ２０６に接合することでキャビティ２１０が形成される。密封シールされたフィードスルー１１２は、キャビティ２１０においてＡＳＩＣ１３０及び／又は他の電子コンポーネントへの電気接続を与える。当業者であれば、ウェハ及びキャビティの他の配列も可能であることがわかる。例えば、キャビティは２つのウェハにおける凹部間に形成されてよい。加えて、単数のウェハが、図１を参照して記載されたキャビティを形成するアパチャと、図２Ａ及び２Ｂを参照して記載されたキャビティを形成する凹部との双方を含んでもよい。

図１を再び参照すると、ＡＳＩＣｓ１３０は、頂部ウェハ１０６を貫通するフィードスルー１１２を介してバッテリ１４０に電気接続される。再充電可能であってよいバッテリ１４０は複数のセル１４１を含む。複数のセル１４１は、セパレータ１４４により離隔保持され、ケーシング１４２の中に覆われる。ケーシング１４２は、２５年以上までのリーク保護を与える。バッテリケーシング隔離リング１４６が、アセンブリ１００の残りからセル１４１を絶縁し、バッテリインサートプレート１４８がバッテリ１４０及びそのコンポーネントを、頂部ウェハ１０６に対して所定位置に保持する。

アセンブリ１００はまた、バッテリ１４０を再充電するべく使用することができる誘導アンテナコイル１５０及び光起電力セル１７０も含む。コイル１５０及び光起電力セル１７０はまた、例えば一方又は双方のＡＳＩＣｓ１３０についてのメモリ格納情報を更新及び／又は抽出するべく、外部プロセッサとの無線通信に使用することもできる。光起電力セル１７０はまた、調節トリガ、瞳孔直径変化、及び／又は他の生理学的若しくは環境的兆候を、平均感度約０．４８ｎＡ／ルクスｍｍ^２で検出するべく使用することもできる。いくつかの実施例において、アセンブリ１００は、２つのＴｉＡｕ-ＰＩＮ-ＺｎＯ光起電力セル、すなわち直径約１．１７５から１．２２５ｍｍの第１セル及び寸法約０．１ｍｍ×１．８ｍｍの第２セルを含む。いくつかの例では、コイル１５０は、約５．７ｍｍ×２．６ｍｍの周囲に配置された約１５回の巻線を有する。

コイル１５０及び光起電力セル１７０はまた、フィードスルー１１２を介してＡＳＩＣｓ１３０と電気的に連通する。例えば、ＡＳＩＣｓ１３０の一方におけるバッテリ充電器（図示せず）が、その全体がここに参照として組み入れられるＦｅｈｒらによる国際特許出願第ＵＳ２０１１／０４０８９６号明細書に記載される再充電プロセスを制御してもよい。同様に、ＡＳＩＣｓ１３０の一方におけるプロセッサが、Ｆｅｈｒらによる国際特許出願第ＵＳ２０１１／０４０８９６号明細書に記載される瞳孔直径を代表する信号を光起電力セル１７０から受信してもよい。プロセッサはまた、例えば、その全体がここに参照として組み入れられる特許文献１に記載されているように、光起電力セル１７０からの信号への応答として、電気的活性セル１６０によって画定されるアパチャの直径を制御してもよい。

図３Ａから３Ｄは、電子アセンブリの残りに対するコイル１５０の様々な配列を示す。例えば、コイル１５０は、図３Ａ及び３Ｃに示されるように、バッテリ１４０のまわりをラップすることができる。バッテリ１４０まわりの巻線コイル１５０は、コイル１５０に対して良好な機械的安定性を与えるが、インプラントの組み付け方法（例えばコイル１５０の前のバッテリ１４０）に制約を課し得る。バッテリ１４０はまた、コイル１５０と外部電磁気源（アンテナ）との誘導結合に干渉を与え得る。

コイル１５０はまた、図１及び３Ｂに示されるように、分離サポート１５２まわりに巻くこともできる。いくつかの場合、非球面レンズ又は球面レンズのような光学系がサポート１５２に統合され得る。例えば、当該サポートの外部表面の一部に、入射光を屈折又は回折させるカーブ又はパターンを施してもよい。分離サポート１５２はまた、所定コンポーネント（例えば，バッテリ１４０）をコイル１５０の前に搭載する必要性をなくすことによって製造プロセスの柔軟性を増加させる。これはまた、コイル１５０を潜在的な干渉源から離れた経路に従わせることによって、コイル結合効率を最適化することもできる。しかしながら、分離サポート１５２は、移植可能眼科デバイスの製造複雑性及び総質量を増加させ得る。

代替的に、コイル１５０は自立型であってもよい。すなわち、付加的なサポートをなんら必要としなくてもよい。他のコイルと同様、自立型コイルも、許容可能な機械的公差内で位置決めする必要があり、接着剤を使用してウェハに対し所定位置に保持され得る。自立型コイルが、アクリル、樹脂、又は他の媒体における電子アセンブリ１００のカプセル化中に変形しないよう注意が必要である。

コイル１５０は、図３Ｃに示されるように頂部ウェハ１０６上に位置決めされて複数のバッテリ１４０の間又はこれらのまわりの空間を充填する。代替的に、コイル１５０は、図３Ｄに示されるように底部ウェハ２０２の底部側上又はこれのまわりに位置決めすることもできる。コイル１５０を底部ウェハ２０２の底部に取り付けることは、コイル１５０に対する位置決め公差を緩和し、ぼかし体１６２の位置決めを簡単にする。底部ウェハ２０２を貫通するフィードスルー１１２及び／又は底部ウェハ２０２の周縁を巡るワイヤが、コイル１５０と、ＡＳＩＣ（ｓ）１３０、バッテリ１４０、及び他の任意電子コンポーネントとを接続する。

コイル１５０はまた、図４Ａ及び４Ｂに示されるように、キャビティ内にシールされてコイル１５０とＡＳＩＣｓ１３０との間のフィードスルーの必要性を排除することもできる。この例では、コイル１５０は、０．３ｍｍ厚のガラス「ディスク」の内部に埋め込まれる。当該「ディスク」の一側上には２つの電気接続が存在する。コイル１５０がキャビティ内に密封シールされるので、非生体親和性材料をコイルワイヤに対して（例えば金の代わりに銅）及び絶縁層に対して使用することができる。コイル１５０をキャビティ内に密封することはまた、コイル１５０をキャビティ内のコンポーネントに接続する生体親和性導電材料を使用する必要性も排除する。

コイル１５０は以下のようにしてキャビティ内にシールすることができる。まず、コイル１５０を保持する深いキャビティ及び電気接続１５４を保持する浅いキャビティが、頂部ウェハ２０６の中にマシニング加工される。適切なマシニング法は、等方性エッチング（例えば湿式エッチング）、異方性エッチング（例えば深い反応性イオンエッチング）、マイクロサンドブラスト、レーザアブレーション、及び超音波マイクロマシニングを含むがこれらに限られない。頂部ウェハ２０２のマシニング加工された表面は、底部ウェハ２０２との密封接合を可能とするべく（再）研磨される。

次に、当該深いキャビティの内部にコイル１５０が挿入され、当該浅いキャビティの内部において２つのエンドワイヤがフィードスルーに接続されて電気接続１５４が形成される。ワイヤ及びコイル１５０は、加圧圧縮接合、ワイヤ接合、接着（導電性接着剤による）、及び直接的なはんだづけ（非生体親和性であり得る共晶材料の使用による）を使用して接続することができる。ひとたびコイル１５０が適切に位置決めかつ接続されると、底部ウェハ２０２は、以下に記載するレーザ溶融接合、加圧接合、又は低温陽極接合を使用して頂部ウェハ２０６に接合される。必要であれば、底部ウェハ２０２及び／又は頂部ウェハ２０６は、当該スタックの全体厚さが低減されるように薄くすることができる。当業者であれば、コイル１５０をキャビティ内及び／又は他のキャビティ内に他の態様で配置できることが容易にわかる。例えば、コイル１５０は、ＡＳＩＣ、キャパシタ、又は他の電子コンポーネントを収容するキャビティの内部壁に対して巻くことができる。

密封シールされたフィードスルーを製造する

図１に示されるもののような電子アセンブリの製造は、密封シールされたフィードスルー１１２の製造から開始される。フィードスルー１１２、アパチャ、カットライン、及び他のポイントが、ガラスウェハのような一基板上に約１から１０μｍの精度でレイアウトされる。次に、当該基板は、フィードスルー１１２及び他のアパチャがドリル又はエッチングされた後、図１、２Ａ、及び２Ｂ．に示されるもののような個々のウェハにカット又はダイスされる。当該複数のウェハは、他のコンポーネントと組み合わされ及び一緒に接合されてアセンブリを形成する。当該アセンブリは、アクリル等の適切な材料にカプセル化される。

図５は、密封シールされたフィードスルー１１２を作る一方法を例示する。フィードスルー１１２の製造は、ホウケイ酸ガラス等の適切な材料であり得るガラス基板３０２の一側の中に、凹部３０４をドリル又はエッチングすることから開始される。例えば、凹部３０４は、レーザアブレーション（例えば紫外レーザによる）、マイクロサンドブラスト、又は超音波マイクロマシニングによって形成することができる。基板３０２の当該表面は、保護を目的としてドリル又はエッチングの前にレジスト層によってコーティングされ得る。基板３０２は厚さ約２５から３００μｍであり、好ましくは約１２５から２００μｍ（例えば約１７５μｍ）である。次に、基板３０２の他側の中に、もう一つの凹部がドリル又はエッチングされてチャネル３０６が形成される。チャネル３０６は基板３０２を貫通する。いくつかの場合、チャネル３０６は、２つの円錐台の小さい方の端を合わせて置くことにより形成されるほぼ砂時計又はディアボロのような形状とされる。チャネル３０６は直径約５０から３００μｍであり、好ましくは約１００から２５０μｍである。平均直径は約２００μｍであり得る。（代替的に、チャネル３０６は、第１凹部３０２を単にドリル又はエッチングを続けることによって形成することもできる。これにより、基板３０２の一側に大きな開口を有し及び基板３０２の他側に小さな開口を有する円錐台のような形状のチャネルを得ることができる。）

ひとたびチャネル３０６が完成すると、例えばガルバニック成長又は電気化学堆積によって、導電材料３０８がチャネル３０６内に堆積される。導電材料３０８は、金のような生体親和性材料であり得る。代替的に、導電材料３０８は、熱膨張係数（ＣＴＥ）が基板３０２のＣＴＥとほぼ等しい（例えばこれの１０％以内）ニッケル合金（例えばＮｉＦｅ）のような材料でもよい。いくつかの例では、導電材料３０８及び基板のＣＴＥｓは、約２．０から５．０ｐｐｍ、例えば３．３ｐｐｍであり得る。導電材料３０８のＣＴＥを基板３０２のＣＴＥにマッチさせることにより、当該インプラントの製造、試験、及び滅菌中のフィードスルー１１２及び基板３０２の加熱及び／又は冷却に起因するリーク又はインプラント劣化のリスクが低減される。導電材料３０８が生体親和性でない場合、チャネル３０６の内部表面は、保護外部層を与えるべく生体親和性材料によりコーティング又はライニングされ得る。例えば、チャネル３０６を、生体親和性チタンによりコーティング又はライニングし、その後導電性ニッケルにより充填することができる。

ひとたび完全に堆積されると、導電材料３０８は導電経路３１０を形成する。導電経路３１０は、チャネル３０６をシールし、及び基板３０２の一側から当該基板の他側への電気的連通を与える。（必要であれば、導電材料３０８及び／又は基板３０２は、チャネル３０６をシールするべく加熱される。）チャネル３０６が完全に充填された後、ガルバニック成長のために形成された任意の導電ベース層が除去されて過成長が防止される。

フィードスルー１１２は、金、ＴｉＡｕ、又は他の任意の適切な生体親和性導電材料から形成される生体親和性導電層３１４を介して、他の電気コンポーネント及び／又は接続部に接続される。層３１４は、当該導電経路の一側にあるチャネルアパチャに金球３１２を配置し、その後金球３１２を加熱又は圧縮することによって形成することができる。これにより、フィードスルー１１２の中心を貫通する導電経路３１０に低抵抗接触を与える生体親和性導電層３１４が形成される。溶融又は圧縮された金が厚すぎる場合、所望厚さまで研磨することができる。一般に、生体親和性導電層３１４の厚さは、その抵抗及びコストを決定する。すなわち、薄い層であれば安価となるが高抵抗となりがちである。好ましい実施例において、生体親和性導電層３１４は約１０から２００μｍの厚さ（例えば１００μｍ厚）及び約１０オーム以下の抵抗である。

図６Ａ及び６Ｂはそれぞれ、フィードスルー１１２の３×３マトリックスの平面図写真及び斜視図写真を示す。Ｂｏｒｏｆｌｏａｔ（登録商標）３３基板３０２にＮｉＦｅ導電経路３１０及び未研磨金導電層３１４が存在する。各フィードスルー１１２は、長さ約１５０μｍから約３００ミクロン、平均長さ約２００ミクロンの砂時計形状を有する。当該砂時計のウェスト部は直径約５０μｍであり、当該砂時計の端部は直径約１５０μｍである。基板３０２は、電子アセンブリを形成するべく使用される個々のウェハにダイスされ、劈開され、又は分離される。

ガラスウェハを接合して密封シールされたキャビティを形成する

上述のように、フィードスルーを有する複数のガラスウェハは、レーザ溶融接合、加圧接合、陽極接合等の適切な接合法を使用して一緒に接合され、密封シールされたキャビティを形成し得る。レーザ溶融接合又はレーザ溶接は特に魅力的である。互いに接触するウェハの当該領域のみを加熱することができるからである。その結果、当該ウェハ間に付着及び／又は配置されるコンポーネントが、当該溶融プロセス中に加熱されることがない。加えて、レーザ溶融接合は、一ガラス片を他ガラス片に直接接合するべく（すなわち当該ガラス片間の層なしで）使用することができる。これにより、付加的な材料及び堆積ステップが排除される。

レーザ溶融接合において、当該ウェハは互いに接触して保持される。超高速紫外レーザからのビームの焦点が、当該ウェハ間の界面に又はこれの近くに合わせられる。レーザは、当該ウェハを加熱するピコ秒又はフェムト秒の光パルスを放出する。これにより、当該ウェハが一緒に溶解又は溶融する。当該ウェハの周縁に沿った閉ループ内（又は単なる内部）をパルスレーザビームでスキャンすることにより、当該ウェハ間に密封シールが作られる。パルスレーザビームはまた、付加的な密封シールされた領域を当該ウェハの周囲内に作るべく、複数の閉ループをスキャンすることもできる。例えば、ＡＳＩＣをキャビティ内にシールすることができる。当該キャビティ自体が当該デバイスの周囲内にシールされる。図７Ａ及び７Ｂは、レーザ溶融接合により複数のガラスウェハを一緒に密封して形成された部分的に完成したインプラントの写真である。

代替的に、加圧圧縮接合を使用して複数のウェハを一緒に接合することもできる。相対的に厚い（例えば約５０から２５０μｍであって平均２００μｍ）金リング等の適切な材料が、少なくとも被接合ウェハの周囲に沿って堆積される。当該ウェハは互いに整合され、その後一緒に圧縮される。当該圧縮により、第１基板上の金リングが軟らかくなり第２基板に接着する（当該リングはまた、伸ばされるか又は変形される）。プロセス温度は３００℃未満に維持され得る。これは、当該ウェハ上に又は間に配置される所定コンポーネントに対する臨界温度である。

図８に示されるように、周知かつ十分に確立された低温（例えば約４００℃未満）陽極接合法を使用して複数対のアルカリ豊富ホウケイ酸ガラスウェハを一緒に接合することもできる。まず、被接合ガラスウェハの一方を、シリコン、ポリシリコン、タンタル、チタン、アルミニウム、及び／又はＳｉＮ_ｘの薄層６０６によってコーティングし、コーティングガラスウェハ６０８を形成する。コーティングウェハ６０８が清浄（例えばイソプロパノールにより）及び乾燥（例えば窒素ガスにより）され、その後、電圧源６１２に接続された頂部ツール６０２とチャック６１０との間にある未コーティングガラスウェハ６０４と整合される。

電圧源６１２の電圧ＶＢを数百ボルトに設定することにより、電流ＩＢがチャック６１０から頂部ツール６０２へ、コーティングガラスウェハ６０８、コーティング６０６、及び未コーティングガラスウェハ６０４を介して流れる。電流の流れにより、ガラスウェハ６０４及び６０８における陽イオン（例えばアルカリイオン）が、陰極として作用する頂部ツール６０２に向かってドリフトし、ガラスウェハ６０４及び６０８における陰イオンが、陽極として作用するチャック６１０に向かってドリフトする（これはまた、ウェハ温度を約２８０から３５０℃、例えば約３００℃にまで上昇させる）。その結果、コーティング６０６に接する未コーティングガラスウェハ６０４から陽イオンが枯渇し、コーティング６０６の他側上のコーティングガラスウェハ６０８から陰イオンが枯渇する。この枯渇により、コーティング６０６に接する未コーティング及びコーティングガラスウェハ６０４、６０８の表面の反応性が高まり、ウェハ６０４と６０８との間の強固な化学的接合の形成がもたらされる。

接合されたガラスウェハを試験する

図９及び１０は、接合されたガラスウェハの強度を測定するねじり及び剪断強度試験を例示する。ねじり試験において、接合されたガラスウェハ（例えば陽極接合されたウェハ６０４及び６０８）は、手によってねじり分離される（すなわち矢印に示されるように）。剪断強度試験において、接合されたガラスウェハ６０４及び６０８は、ウェハ６０４と６０８との界面平面に沿って加えられる力Ｆによって剪断分離される。

表１は、上述の陽極接合法を使用して一緒に接合されたガラスウェハのねじり及び剪断強度試験の結果を、様々な接合パラメータ及びコーティングについて示す。試験は、Ｂｏｒｏｆｌｏａｔ（登録商標）３３ホウケイ酸ガラスの、５００μｍ厚、１０．２センチメートル（４インチ）ウェハを使用して行われた。いくつかの場合、当該ウェハは試験前に１０ｍｍ×１０ｍｍチップにダイスされた。各試験は、接合されたウェハの十分な緩和を保証するべく接合後少なくとも１週間経ってから行われた。当該結果は、シリコン、アルミニウム、及びＩＴＯ／ＳｉＮ_ｘすべてが、相対的に低い接合温度において相対的に高い強度を与えることを示している。

液晶材料を電気的活性要素にシールする

ここに開示される移植可能眼科デバイスのいくつかの実施例は、プロセッサからの信号に応答して入射光を回折、屈折、及び／又は減衰させる電気的活性セルを含む。例えば、図１に示されるアセンブリ１００は電気的活性セル１６０を含む。電気的活性セル１６０は、アセンブリ１００における密封シールされたキャビティ１１０内に配置されるＡＳＩＣｓ１３０の一方又は双方によって作動される。例示的な電気的活性セルもまた、液晶材料のような電気的活性流体が眼又は周囲組織に漏れ入ることがないようにシールする必要がある。

図１１Ａから１１Ｃは、電気的活性要素９３０を形成するべくキャビティ９１０に液晶材料９３１を充填する一の例示的方法を示す。まず、上述の接合法の一つを使用して一対のガラス基板９０２及び９０４を一緒に接合することによってキャビティ９１０が作られる。しかしながら、製造者は、キャビティ９１０を密封する代わりに、一周縁に沿って直径約５０から２５０μｍの孔又はアパチャを残す。図１１Ａに示されるように、当該孔の内径よりもわずかに小さい外径を有するガラス管９２０が、当該孔に押し込まれて緊密なシールを形成するようになるまで、当該孔の中に挿入される。所望であれば、管９２０は、当該管９２０及び孔が一緒にシールされることを保証するべく加熱してもよい。

管９２０の中に挿入されたニードル９３２を介して液晶材料９３１がキャビティ９１０内に注入される。ニードル９３２は、２つのルーメンを形成する一対の同心壁を有する。当該ルーメンはすなわち、液晶材料９３１をキャビティ９１０の中に運ぶ中心ルーメン、及びキャビティ９１０からガスを除去する外部ルーメンである。（代替的に、キャビティ９１０は、２つの孔、すなわち液晶材料を注入する第１孔及び当該液晶材料に押されたガスを排出する第２孔を有してよい。）ひとたびキャビティ９１０が液晶材料９３１で充填されると、ガラス管９２０は、金ワイヤ又は管９２２によってシールされる。金ワイヤ又は管９２２はガラス管９２０の中に挿入され、その後加熱されて密封シールが形成される。所望であれば、ガラス管９２０及び金ワイヤ９２２の余剰部分を除去及び／又は研磨して除くこともできる。

図１２は、複数の微視的チャネルのアレイ１２３２を介して液晶材料が充填される一の代替的電気的活性要素１２３０を示す。いくつかの場合、アレイ１２３２は、数百から数千のチャネルを含み得る。これらはそれぞれ、直径約１０から５０μｍであって、電気的活性要素１２３０の周縁と、電気的活性要素１２３０の内部にあるキャビティ１２１０との間の流体連通経路を与える。液晶材料が、当該チャネルのいくつかを通ってキャビティに拡散し、押されたガスが他の複数のチャネルを介して外に流れる。いくつかの場合、当該チャネルの内部表面は変性、パターン、織り目加工等のパターンが施される（例えば、アミノシラン、シラノール、及び／又は他のヒドロキシシラン誘導体による処理を介して）。これにより、当該チャネルを通って流れる液体の表面エネルギーが低減されるので、液晶材料がさらに完全にキャビティ１２１０に充填される。熱処理（例えば、レーザアブレーション、火炎加熱等の表面加熱）によって当該チャネルがつぶされる。これにより、液晶材料が当該キャビティの外に漏れることを防止する密封シールが形成される。

図１３は、図１に示されるアセンブリ１００のような３ウェハ電子アセンブリの分解側面図である。電気的活性セルに関連づけられた電気接続が例示されている。液晶材料９３１は、頂部ウェハ１０６及び底部ウェハ１０２に接合される中間ウェハ１０４の両側にある複数のキャビティを充填する。頂部及び底部ウェハの一部が、ＩＴＯ及びＳｉＯ_２の層によってコーティングされる。当該層は、一以上の電極を形成するべくパターン化又はピクセル化され得る。当該電極は、業界において十分理解されている電気的活性セルの透過率又は反射率を動かす。中間ウェハ１０４を貫通する金チップ９４４が、底部ウェハ２０２上にあるＩＴＯ及びＳｉＯ_２の層を、密封シールされたキャビティ内から電気的活性セルを制御するＡＳＩＣ１３０に接続する。頂部ウェハ２０６上にあるＩＴＯ及びＳｉＯ_２の層は、ＡＳＩＣ１３０に直接接続される。ＩＴＯ及びＳｉＯ_２の層はまた、中間ウェハ１０４の複数部分を覆う。これにより、中間ウェハ１０４にある金フィードスルー９４６を介して電気的に結合される付加的な複数の電極が形成される。

コンフォーマルコーティング

図１４Ａ及び１４Ｂは、コンフォーマルコーティング１４０２によってコーティングされた底部ウェハ２０２を示す。コンフォーマルコーティング１４０２によって、接合されたウェハ間に形成された密封シールにおける割れ及び亀裂から保護する付加的な層が与えられる。コーティング１４０２は、当該密封シールにある微視的割れを介して流体がキャビティから逃げることを防止する。典型的なコーティング１４０２は、生体親和性かつ透明な材料の一以上の層を含む。各層は、厚さが約１００から３００ｎｍ、例えば約２００ｎｍである。例えば、コーティング１４０２は、各層約１５０ｎｍ厚の２層を含んでよい。通常、多くの薄層は、単数の厚い層よりも良好な保護を与える。生体親和性かつ透明なコーティングであることに加え、コーティング材料はまた、アクリル材料に対して及び当該移植可能眼科デバイスを作るべく使用される堆積プロセスに対して不活性でなければならない。適切な材料には、炭化シリコン（ＳｉＣ）、窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４）、及び／又はシリカ（ＳｉＯ_２）が含まれる。炭化シリコン（ＳｉＣ）は、高温堆積プロセスを使用してダイヤモンド状の層に形成することができる。窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４）は、熱膨張係数が低く、弾性係数が適度に高く、及び、セラミックに対する破壊靱性が著しく高い。シリカ（ＳｉＯ_２）は、安定性が良好であって非常に良好な誘電体であり、十分に周知であり、及び、極めて十分に確立された堆積プロセスを使用して堆積することができる。

結論

ここでは、フロー図が使用される。フロー図の使用は、行われる工程の順序に関して制限することを意味するわけではない。ここに記載される主題は時々、異なるコンポーネントであって、他の異なるコンポーネントに包含されるか又は接続される異なるコンポーネントを例示する。描かれた当該アーキテクチャが単なる例示であって、実際には、同じ機能性を達成する多くの他のアーキテクチャが実装できることを理解すべきである。概念的な意味において、同じ機能性を達成する複数のコンポーネントの任意配列は、所望の機能性を達成するべく、有効に「関連づけ」られる。したがって、特定の機能性を達成するべく組み合わせられる、ここでの任意の２つコンポーネントは、アーキテクチャ又は媒介コンポーネントにかかわらず、所望の機能性を達成すべく互いに「関連づけ」られているとみなすことができる。同様に、このように関連づけられる任意の２つのコンポーネントはまた、所望の機能性を達成するべく互いに「動作可能に接続」又は「動作可能に結合」されているとみなすこともできる。このように関連づけることができる任意の２つのコンポーネントは、所望の機能性を達成するべく互いに「動作可能に結合可能」であるとみなすこともできる。動作可能に結合可能の具体例は、物理的につがいになることができる（mateable）及び／又は物理的に相互作用する複数のコンポーネント及び／又は無線的に相互作用可能な及び／又は無線的に相互作用する複数のコンポーネント及び／又は論理的に相互作用する及び／又は論理的に相互作用可能な複数のコンポーネントを含むがこれらに限られない。

ここでの実質的に任意の複数及び／又は単数の用語の使用に関し、当業者は、文脈及び／又は用途に適するように複数から単数に及び／又は単数から複数に変換することができる。ここでは、明確性を目的として、様々な単数／複数の置き換えを明示的に記載してもよい。

当業者が理解すべきことだが、一般に、ここに及び特に添付の特許請求の範囲（例えば添付の特許請求の範囲の本文）に使用される用語が一般に「オープンな」用語として意図されることを理解する（例えば「〜を含んでいる」は「〜を含んでいるがこれに限られない」と解釈すべきであり、「〜を有する」は「少なくとも〜を有する」と解釈すべきであり、「〜を含む」は「〜を含むがこれに限られない」と解釈すべきである等）。当業者がさらに理解すべきことだが、導入される請求項記載の具体的番号が意図されている場合、当該意図は明示的に当該請求項に記載され、当該記載が不在の場合は当該意図が存在しない。例えば、理解を助けるものとして、以下の添付された特許請求の範囲は、請求項記載を導入するべく「少なくとも一つ」及び「一以上」という導入フレーズの用法を包含し得る。

しかしながら、当該フレーズの使用は、たとえ同請求項が、「一以上」又は「少なくとも一つ」という導入フレーズ及び「一の」又は「一つの」のような不定冠詞（例えば、「一の」及び／又は「一つの」は典型的に「少なくとも一つの」又は「一以上の」を意味すると解釈すべきである）を含むとしても、不定冠詞「一の」又は「一つの」による請求項記載の導入が、当該導入された請求項記載を包含する任意の特定請求項を、当該記載を一つのみ包含する発明に限定するものと解釈してはならない。同じことは、請求項記載を導入するべく使用される定冠詞の使用にも当てはまる。加えて、たとえ、導入された請求項記載の具体的な番号が明示的に記載されていても、当業者は、当該記載が典型的に、少なくとも当該記載の番号を意味すると解釈すべきである（例えば、単なる「２つの記載」との記載は、他の修飾語がなければ、少なくとも２つの記載又は二以上の記載を意味するのが典型的である）。

さらに、「Ａ、Ｂ、及びＣの少なくとも一つ等」に類似する慣例が使用される場合において、当該慣例は一般に、当業者が当該慣例を理解するという意味に意図される（例えば、「Ａ、Ｂ、及びＣの少なくとも一つを有するシステム」は、Ａ単独、Ｂ単独、Ｃ単独、Ａ及びＢ一緒、Ａ及びＣ一緒、Ｂ及びＣ一緒、並びに／又はＡ、Ｂ、及びＣ一緒等を含むがこれらに限られない）。「Ａ、Ｂ、又はＣの少なくとも一つ等」に類似する慣例が使用される場合において、当該慣例は一般に、当業者が当該慣例を理解するという意味に意図される（例えば、「Ａ、Ｂ、及びＣの少なくとも一つを有するシステム」は、Ａ単独、Ｂ単独、Ｃ単独、Ａ及びＢ一緒、Ａ及びＣ一緒、Ｂ及びＣ一緒、並びに／又はＡ、Ｂ、及びＣ一緒等を含むがこれらに限られない）。

当業者がさらに理解すべきことだが、二以上の代替的用語を表す実質的に任意の離接的接続語及び／又はフレーズは、当該記載、請求項、又は図面において、当該用語の一つ、当該用語のいずれか、又は双方の用語を含む可能性を検討すべきものと理解すべきである。例えば、「Ａ又はＢ」というフレーズは、「Ａ」、「Ｂ」、又は「Ａ及びＢ」の可能性を含むと理解すべきである。

例示的な実施例の上記記載は、例示及び説明を目的として提示されてきた。これは、開示された正確な形態に関して包括的又は限定的であることを意図するわけではなく、上記教示に照らして修正例及び変形例が可能であって、開示の実施例の実施から得ることができる。意図されることだが、本発明の範囲はここに添付される特許請求の範囲及びその均等物によって画定される。

Claims (38)

1. 移植可能眼科デバイスであって、
   密封シールされたフィードスルーを有する第１基板であって、前記フィードスルーは前記第１基板の第１側から前記第１基板の第２側への電気的連通のための導電経路を与える第１基板と、
   密封シールされたキャビティの少なくとも一部を画定するべく前記第１基板の第１側に接合された第２基板と、
   前記密封シールされたキャビティ内にあって前記密封シールされたフィードスルーが与える前記導電経路と電気的に連通する電子コンポーネントと
   を含む移植可能眼科デバイス。
2. 前記密封シールされたフィードスルーは、
   前記第１基板の第１側及び第２側を接続するチャネルと、
   前記導電経路を与える前記チャネル内の導電材料と
   を含む、請求項１に記載の移植可能眼科デバイス。
3. 前記導電材料は、熱膨張係数が前記第１基板の熱膨張係数とほぼ等しい、請求項２に記載の移植可能眼科デバイス。
4. 前記導電材料及び前記第１基板の熱膨張係数は、約２．０ｐｐｍから約５．０ｐｐｍである、請求項３に記載の移植可能眼科デバイス。
5. 前記導電材料は、チタン、ニッケル、金、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項２に記載の移植可能眼科デバイス。
6. 前記フィードスルーは、直径が約１００μｍから約２５０μｍである、請求項１に記載の移植可能眼科デバイス。
7. ヘリウムリーク試験を受けた場合に前記密封シールされたフィードスルー及び前記密封シールされたキャビティは、少なくとも約５×１０^−１２Ｐａｍ^３ｓ^−１の速度でリークする、請求項１に記載の移植可能眼科デバイス。
8. 前記第１基板及び第２基板の少なくとも一つはホウケイ酸ガラス及び／又は石英ガラスを含む、請求項１に記載の移植可能眼科デバイス。
9. 前記第１基板は、厚さが約２５μｍから約３００μｍである、請求項１に記載の移植可能眼科デバイス。
10. 前記第１基板は、前記第２基板にレーザ溶融接合される、請求項１に記載の移植可能眼科デバイス。
11. 前記第１基板は、前記第２基板に陽極接合される、請求項１に記載の移植可能眼科デバイス。
12. 前記電子コンポーネントは、特定用途向け集積回路プロセッサ、キャパシタ、メモリ、プログラマブルロジックアナライザ、アナログデジタル変換器、及びバッテリ充電器を含む、請求項１に記載の移植可能眼科デバイス。
13. 前記密封シールされたフィードスルーと他の電子コンポーネントとの間に電気接続を与える生体親和性導電材料をさらに含む、請求項１に記載の移植可能眼科デバイス。
14. 前記生体親和性導電材料は、厚さが約１０μｍから約２００μｍである、請求項１３に記載の移植可能眼科デバイス。
15. 前記生体親和性導電材料は、抵抗が約１０オーム以下である、請求項１３に記載の移植可能眼科デバイス。
16. 前記第１基板の第２側に接合されて前記密封シールされたキャビティを画定する第３基板をさらに含む、請求項１に記載の移植可能眼科デバイス。
17. 前記密封シールされたフィードスルーを介して前記電子コンポーネントと電気的に連通する電気的活性要素をさらに含む、請求項１に記載の移植可能眼科デバイス。
18. 前記密封シールされたキャビティまわりに堆積されるコンフォーマルコーティングをさらに含み、
    前記密封シールされたキャビティにおいて進展し得る割れ又は亀裂を通してのリークが防止される、請求項１に記載の移植可能眼科デバイス。
19. 移植可能眼科デバイスを作る方法であって、
    （ａ）密封シールされたフィードスルーと電気的に連通する電子コンポーネントを配置することであって、前記フィードスルーは第１基板の第１側から前記第１基板の第２側への導電経路を与えることと、
    （ｂ）前記電子コンポーネントを包含する密封シールされたキャビティの少なくとも一部を画定するべく前記第１基板の第１側に第２基板を接合することと
    を含む方法。
20. （ａ）は、
    前記第１基板の第１側から前記第１基板の第２側へのチャネルを作ることと、
    前記チャネルに導電材料を充填して前記導電経路を画定することと
    をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
21. （ａ）は、
    前記第１基板及び導電材料の少なくとも一つを加熱して前記チャネルを密封シールすることによって、前記密封シールされたフィードスルーを形成することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
22. 前記チャネルは、直径が約１００μｍから約２５０μｍである、請求項２０に記載の方法。
23. 前記導電材料は、熱膨張係数が前記第１基板の熱膨張係数とほぼ等しい、請求項２０に記載の方法。
24. 前記導電材料及び前記第１基板の熱膨張係数は、約２．０ｐｐｍから約５．０ｐｐｍである、請求項２２に記載の方法。
25. 前記導電材料は、チタン、ニッケル、金、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項２０に記載の方法。
26. （ａ）は、前記チャネルの一端を介して前記導電材料と電気的に連通する生体親和性導電層を形成することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
27. 前記生体親和性導電層及び前記導電経路を介して前記電子コンポーネントと電気的に連通する他の電子コンポーネントを配置することをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
28. （ｂ）は、前記第２基板を前記第１基板の第１側に溶融接合することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
29. （ｂ）は、前記第２基板を前記第１基板の第１側に陽極接合することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
30. 前記第１基板の第２側に第３基板を接合して前記密封シールされたキャビティを画定することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
31. 前記密封シールされたフィードスルーを介して前記電子コンポーネントと電気的に連通する電気的活性要素を配置することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
32. （ｉ）ガラス管を介してキャビティに液晶材料を充填することと、
    （ｉｉ）前記ガラス管を閉じて前記液晶材料を前記キャビティにシールすることと
    によって前記電気的活性要素を作ることをさらに含む、請求項３１に記載の方法。
33. （ｉ）変性された内部表面を有するチャネルを介してキャビティに液晶材料を充填することと、
    （ｉｉ）前記チャネルをつぶして前記液晶材料を前記キャビティにシールすることと
    によって前記電気的活性要素を作ることをさらに含む、請求項３１に記載の方法。
34. アミノシラン、シラノール、及び／又はヒドロキシシラン誘導体によって前記チャネルを処理して前記変性された内部表面を作ることをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
35. 前記密封シールされたキャビティの少なくとも一部のまわりにコンフォーマルコーティングを堆積することをさらに含み、
    前記密封シールされたキャビティにおいて進展し得る割れを通してのリークが防止される、請求項１９に記載の方法。
36. ヘリウムリーク試験を受けた場合に前記密封シールされたフィードスルー及び前記密封シールされたキャビティは、少なくとも約５×１０^−１２Ｐａｍ^３ｓ^−１の速度でリークする、請求項１９に記載の方法。
37. 前記第１基板及び第２基板の少なくとも一つはホウケイ酸ガラスを含む、請求項１９に記載の方法。
38. 前記第１基板は、厚さが約２５μｍから約３００μｍである、請求項１９に記載の方法。

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