JP2013257908A - 表示装置及び表示装置の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表示装置は、対向する第1の面と第2の面との間に配された電気光学材料2と、前記第1の面に配され、電気光学材料2に電気信号を与える導体40を有する第1の基板A10と、前記第2の面に配され、電気光学材料2に電気信号を与える第1の導電膜A12と、前記第1及び第2の面によって挟まれる領域の外側に配された第2の導電膜B14と、第2の導電膜B14における電流を検出する電流検出回路13と、電流検出回路13により電流が検出される期間に亘り、導体40及び第1の導電膜A12のうち、より第2の導電膜B14の近くに配された一方に第2の導電膜B14と略同一の電圧を印加するとともに他方をフローティングとするか、又は、これらの双方に第2の導電膜B14と略同一の電圧を印加する制御回路30と、を備える。
【選択図】図1
Description
対向する第1の面と第2の面との間に配された電気光学材料と、
前記第1の面に配され、前記電気光学材料に電気信号を与える導体を有する第1の基板と、
前記第2の面に配され、前記電気光学材料に電気信号を与える第1の導電膜と、
前記第1及び第2の面によって挟まれる領域の外側に配された第2の導電膜と、
前記第2の導電膜における電流を検出する電流検出回路と、
前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記導体及び前記第1の導電膜のうち、より前記第2の導電膜の近くに配された一方に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加するとともに他方をフローティングとするか、又は、これらの双方に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加する制御回路と、を備えることを特徴とする。
前記電気光学材料が、液晶、電気泳動体、帯電粒子、エレクトロクロミック材料、EL材料、ガス、半導体又は蛍光体であることが好ましい。
前記第2の導電膜に交流電圧を印加する交流電圧源を備え、
前記電流検出回路は、前記交流電圧源と前記第2の導電膜との間における電流を検出することが好ましい。
前記電気光学材料が、液晶を主成分とし、
前記第1の導電膜が、透明であり、
前記第2の導電膜が、透明であり、前記第1及び第2の面によって挟まれる領域に対して、前記第1の導電膜と同じ側に配され、
前記第1及び第2の導電膜に挟まれた第2の基板を備え、
前記制御回路は、前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記導体であって表示領域の内部から外部に亘って延在するものをフローティングとするとともに前記第1の導電膜に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加するか、又は、これらの双方に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加することが好ましい。
前記導体が、表示領域内部から外部に亘って延在する蓄積容量線を含み、
前記制御回路は、前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記蓄積容量線をフローティングとするとともに前記第1の導電膜に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加するか、又は、これらの双方に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加することが好ましい。
前記導体が、表示領域内部から外部に亘って延在する走査線を含み、
前記走査線と前記走査線を駆動する走査線駆動回路とがスイッチ素子を介して接続されるか、又は、前記走査線駆動回路はハイレベル、ロウレベル及びハイインピーダンスの3値を出力するとともに前記走査線駆動回路と前記走査線とが直接接続されることが好ましい。
前記電気光学材料が、液晶を主成分とし、
前記第1及び第2の導電膜はいずれも透明であり、
前記第2の導電膜は、前記第1及び第2の面によって挟まれる領域に対して、前記第1の導電膜と同じ側に配され、
前記第1の導電膜を配する第2の基板と、
前記第2の導電膜を配する第3の基板と、を備え、
前記制御回路は、前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記導体であって表示領域内部から外部に亘って延在するものをフローティングとするとともに前記第1の導電膜に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加するか、又は、これらの双方に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加することが好ましい。
前記電気光学材料が、液晶を主成分とし、
前記第1の導電膜は、不透明であるとともに開口部を有し、
前記第2の導電膜は、透明であり、前記第1及び第2の面によって挟まれる領域に対して、前記第1の導電膜と同じ側に配され、
前記第1及び第2の導電膜に挟まれた第2の基板を備え、
前記制御回路は、前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記導体であって表示領域の内部から外部に亘って延在するものをフローティングとするとともに前記第1の導電膜に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加するか、又は、これらの双方に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加することが好ましい。
電気光学材料と、
前記電気光学材料に電気信号を与える導体と、
前記電気光学材料に電気信号を与える第1の導電膜と、
表示装置の表示面に設けられた第2の導電膜と、
前記第2の導電膜における電流を検出する電流検出回路と、
前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記導体及び前記第1の導電膜のいずれか一方に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加するとともに他方をフローティングとするか、又は、これらの双方に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加する制御回路と、を備えることを特徴とする。
対向する第1の面と第2の面との間に配された電気光学材料と、
前記第1の面に配され、前記電気光学材料に電気信号を与える導体を有する第1の基板と、
前記第2の面に配され、前記電気光学材料に電気信号を与える第1の導電膜と、
前記第1及び第2の面によって挟まれる領域の外側に配された第2の導電膜と、を備える表示装置の駆動方法であって、
電流検出回路によって、前記第2の導電膜における電流を検出する工程と、
前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、制御回路によって、前記導体及び前記第1の導電膜のうち、より前記第2の導電膜の近くに配された一方に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加するとともに他方をフローティングとするか、又は、これらの双方に前記第2の導電膜と略同一の電圧を印加する工程と、を含む。
本発明の第4の視点に係る表示装置は、
対向する第1の面と第2の面との間に配された電気光学材料と、
前記第1の面に配され、前記電気光学材料に電気信号を与える導体を有する第1の基板と、
前記第2の面に配され、前記電気光学材料に電気信号を与える第1の導電膜と、
前記第1及び第2の面によって挟まれる領域の外側に配された第2の導電膜と、
前記第2の導電膜における電流を検出する電流検出回路と、を備える表示装置であって、
前記導体は、走査線および信号線を有し、
前記表示装置は、前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記導体及び前記第1の導電膜のうち、より前記第2の導電膜の近くに配された一方に前記第2の導電膜に印加された電圧と振幅及び位相が略同一の電圧を印加するとともに他方をフローティングとする制御回路と、
前記走査線と前記信号線の交点に対応して形成された画素電極と、
前記画素電極と前記信号線を電気的に接続または非接続とするトランジスタ素子と、を備え、
前記制御回路は、前記導体をフローティングとする場合、前記走査線および前記信号線をフローティングとする。
本発明の第5の視点に係る表示装置は、
電気光学材料と、
前記電気光学材料に電気信号を与える導体と、
前記電気光学材料に電気信号を与える第1の導電膜と、
表示装置の表示面に設けられた第2の導電膜と、
前記第2の導電膜における電流を検出する電流検出回路と、を備える表示装置であって、
前記導体は走査線および信号線を有し、
前記表示装置は、前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記導体及び前記第1の導電膜のいずれか一方に前記第2の導電膜に印加された電圧と振幅及び位相が略同一の電圧を印加するとともに他方をフローティングとする制御回路と、
前記走査線と前記信号線の交点に対応して形成された画素電極と、
前記画素電極と前記信号線を電気的に接続または非接続とするトランジスタ素子と、を備え、
前記制御回路は、前記導体をフローティングとする場合、前記走査線および前記信号線をフローティングとする。
本発明の第6の視点に係る、表示装置の駆動方法は、
対向する第1の面と第2の面との間に配された電気光学材料と、
前記第1の面に配され、前記電気光学材料に電気信号を与える導体を有する第1の基板と、
前記第2の面に配され、前記電気光学材料に電気信号を与える第1の導電膜と、
前記第1及び第2の面によって挟まれる領域の外側に配された第2の導電膜と、を備える表示装置の駆動方法であって、
電流検出回路によって、前記第2の導電膜における電流を検出する工程と、
前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、制御回路によって、前記導体及び前記第1の導電膜のうち、より前記第2の導電膜の近くに配された一方に前記第2の導電膜に印加された電圧と振幅及び位相が略同一の電圧を印加するとともに他方をフローティングとする工程と、を含み、
前記導体は、走査線および信号線を有し、
前記表示装置は、前記走査線と前記信号線の交点に対応して形成された画素電極と、
前記画素電極と前記信号線を電気的に接続または非接続とするトランジスタ素子と、を備え、
前記フローティングとする工程において、前記導体をフローティングとする場合、前記走査線および前記信号線をフローティングとする。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る表示装置の構成を示すブロック図である。図1を参照すると、表示装置1は、電気光学材料2、導体40、導電膜A12、導電膜B14、電流検出回路13、及び、制御回路30を備える。
本発明の第2の実施形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。
図2は、本発明の第2の実施形態に係る表示装置の斜視図である。表示装置1は、基板A10と、対向基板19と、これら基板に挟まれた電気光学材料(液晶等)2、及び、偏光板702a、702bを備える。
次に、本実施例に係る表示装置1の動作について説明する。まず、表示装置1の全体構成と動作に関し、図面を参照しつつ説明する。図5は、図2及び図3に示した表示装置1の主要な導体の電圧を示すタイミングチャートである。図5を参照すると、Vaは導電膜B14の電圧、Vcは導電膜A12の電圧、Veは各蓄積容量線8a〜8x(8xは最後の蓄積容量線を示す。)の電圧、6a〜6xは各走査線を走査の順に示している。図3は、3本の走査線のみを明示しているが、走査線の本数は任意とすることができる。図5における6xは最後に走査される走査線の電圧に対応する。
x=k1+k2・(i2+i3)/(i1+i2+i3+i4) (式1)
y=k1+k2・(i1+i2)/(i1+i2+i3+i4) (式2)
本実施形態に係る表示装置による第1の効果として、導電膜B14の寄生容量(厳密には、寄生容量として検出される信号)を顕著に減少させることができる。また、本実施形態に係る表示装置による第2の効果として、人の指24と導電膜B14とで形成される静電容量と比較して、表示装置の表示内容に伴う静電容量の変動を小さくすることができる。以下では、これらの効果を実証するために行った対照実験とともに、これらの効果について説明する。
図8に関する上記の説明において、本発明の構成の場合、スイッチTFTのゲート・ソース間電圧Vgsは表示期間終了時の電圧(−1V)が位置検出期間中も保持されることを説明した。ゲート・ソース間電圧Vgsが−1Vとなるのは、画素に書き込む電圧が最低の場合であり、図7のVpix_low(1V)の場合である。
本発明の第3の実施形態について図面を参照して説明する。図16は、本実施形態に係る表示装置の一例の斜視図である。本実施形態は、上記の第2の実施形態を変形したものである。実施形態2においては、対向基板19と導電膜B14とは一体として形成されている。一方、本実施形態においては、保護基板705と導電膜B(位置検出導電膜)14とを一体として形成する。基板A(表示装置基板)10の構成は、実施形態2におけるものと同一である。
実施形態2に対する説明で述べたのと同様に、本実施形態に係る表示装置においても、上記の第1ないし第3の効果が得られる。また、本実施形態においては、実施形態1と比較して、より堅牢な表示装置が得られる。さらに、本実施形態に係る表示装置においては、平坦な、いわゆるシームレスな形状の電子機器が得られるという効果がある。以下では、図17を参照しつつ、本実施形態によってもたらされる効果について説明する。
本発明の第3の2の実施形態について、図24〜図29を参照して説明する。本実施形態は、一例として、従来の薄膜トランジスタ液晶表示装置を使用して、本発明を実施した場合に相当する。従来の薄膜トランジスタ液晶表示装置の一例として、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ液晶表示装置を使用することができる。
となる。
となり、キャパシタC11〜C14の容量はすべて正の値であるため、i1>i2が成り立つ。したがって、キャパシタC11は、Voff電源端子と交流的グランドの間に配置してはならない。
上記説明では、走査線駆動回路616の入力端子にスイッチ素子312を接続する構成例を説明したが、信号線駆動回路15の入力端子にスイッチ素子312を接続しても良い。この場合、信号線駆動回路15のハイインピーダンス出力機能を使用せず、図26のキャパシタC11と同様にキャパシタを配置することによって、図26のキャパシタC13と同様にして生じる信号線4の寄生容量を、低減させることができる。
実施形態2に対する説明で述べたのと同様に、本実施形態に係る表示装置においても、上記の第1ないし第3の効果が得られる。
本発明の第4の実施形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。図18は、本実施形態に係る表示装置の一例の断面図である。実施形態4は、対向基板19において、導電膜A12が必要とされないような表示装置である。
導電膜B14と、表示装置基板10との間に、遮光体708を利用した網目状の導電層を配設し、この遮光体708に位置検出用導電膜と同じ交流電圧を印加することによって、導電膜B14の寄生容量を削減することができる。また、遮光体708がシールドとして機能するため、表示に伴う電気光学材料2の容量の変化の影響を受けることがなくなる。また、基板A10上の配線に上記と同じ交流電圧を印加したり、表示装置基板上の導体をフローティングとしたりすることによって、遮光体708からみた基板Aの静電容量が小さくなる。その結果として、遮光体708の時定数は小さくなり、遮光体708の外周から内部に亘って上記の交流電圧が印加されることにより、上記の第1及び第2の効果が得られる。また、上記と同様の理由により、上記の第3の効果も得られる。
本発明の第5の実施形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。図20は、本実施形態に係る表示装置の一例の断面の模式図である。本実施形態は、電気泳動素子を利用した電気泳動型表示装置(Electrophoretic Display、EPD)である。以下、図20を参照して、マイクロカプセル型電気泳動素子を用いたEPD表示装置について説明する。
本実施形態に係る表示装置においても、実施形態2と同様に、上記の第1及び第2の効果が得られる。
本発明の第6の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図21は、本実施形態に係る表示装置による位置検出の原理を示すための一例たる回路図である。上記の実施形態においては、導電膜B14に対して直接交流電圧を印加していた。一方、本実施形態においては、ペン(図21における指示体200)が交流電圧源22に接続されており、インピーダンスZを介して流れる電流を電流検出回路13a、13bによって検出する。
本発明の第7の実施形態について図面を参照して説明する。図22は、本実施形態に係る表示装置、すなわち、EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置の一例の断面図である。画素電極4302として、仕事関数の大きい透明導電膜が用いられる。画素電極4302上に、開口部を設けた絶縁膜が形成される。この開口部において、画素電極4302上に、有機EL層4304が形成される。有機EL層4304として、公知の有機EL材料又は無機EL材料を用いることができる。有機EL層4304上に、遮光性を有する導電膜(一例として、アルミニウム、銅若しくは銀を主成分とする導電膜又はこれらの導電膜と他の導電膜との積層膜)から成る陰極4305が形成される。
上記の実施形態2ないし7は、液晶表示装置、電気泳動型表示装置及びEL表示装置を例として説明した。しかし、これらの実施形態2ないし7は、勿論、他の方式(例えば、帯電粒子、エレクトロクロミック材料、ガス、半導体、蛍光体)を利用した表示装置についても同様に適用することができる。
2 電気光学材料
4、4a〜4c 信号線
6、6a〜6c、6x 走査線
8、8a〜8c、8x 蓄積容量線
10 基板A(表示装置基板)
11 表示領域
12 導電膜A(対向電極)
13、13a〜13d 電流検出回路
14 導電膜B(位置検出導電膜)
15 信号線駆動回路
16、16a〜16c、17、17a〜17c、18a、21 スイッチ
19 対向基板
20、20a〜20d 導通手段
21a〜21e 単極双投スイッチ
22 交流電圧源
23 基板B
24 指
25 キャパシタ
26 画素電極
27 ソース電極
28、28a〜28d、29、29a〜29d 電極
30 制御回路
40 導体
41 基板
101、311 CN(コネクタ)
102 EPDフィルム
113 マイクロカプセル
114 バインダー
115 溶媒
116 白粒子
117 黒粒子
118 電流供給線
200 指示体
202 スイッチング用TFT
203 制御用TFT
204 発光素子
207 保持容量
300、300a TAB接続端子
301 ESD(ElectroStatic Discharge)保護素子
304a、304b TAB(Tape Automated Bonding)
306a 第1のプリント基板(V接続基板)
306b 第2のプリント基板(H接続基板)
308 タイミングコントローラ
310 FPC(フレキシブルプリント基板)
312 スイッチ素子
314 VCOM駆動回路
316 サンプルアンドホールド回路
616 走査線駆動回路
702、702a、702b 偏光板
703 蓄積容量バス配線
704 グランド
705 保護基板
706 筐体
707 バックライト
708 遮光体
709 シール剤
711 平坦化膜
712 カラーフィルタ
800a〜800c COM配線
801 ドライバLSI
802 プリチャージ回路
803 走査線スイッチ群
804 デマルチプレクサ回路
805 蓄積容量線スイッチ群
900a、900b 面
4101、4104 シール材
4102 カバー材
4201 駆動TFT(ソース側駆動回路)
4302 画素電極(陽極)
4304 有機EL層
4305 陰極
C1〜C5、C11〜C14 キャパシタ
D ドレイン
DEMUX 配線
G ゲート
GATE_CTRL、PSP、VCS_CTRL 制御線
GCLK、GST 制御線
Na〜Ne ノード
P1.1、P2.1、P3.1 画素電極
PCS 電源線
S ソース
T1.1、T2.3、T3.1 薄膜トランジスタ(TFT)
VCOMDC 蓄積容量線
VDD、VSSG 電源線
Claims (16)
- 対向する第1の面と第2の面との間に配された電気光学材料と、
前記第1の面に配され、前記電気光学材料に電気信号を与える導体を有する第1の基板と、
前記第2の面に配され、前記電気光学材料に電気信号を与える第1の導電膜と、
前記第1及び第2の面によって挟まれる領域の外側に配された第2の導電膜と、
前記第2の導電膜における電流を検出する電流検出回路と、を備える表示装置であって、
前記導体は、走査線および信号線を有し、
前記表示装置は、前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記導体及び前記第1の導電膜のうち、より前記第2の導電膜の近くに配された一方に前記第2の導電膜に印加された電圧と振幅及び位相が略同一の電圧を印加するとともに他方をフローティングとする制御回路と、
前記走査線と前記信号線の交点に対応して形成された画素電極と、
前記画素電極と前記信号線を電気的に接続または非接続とするトランジスタ素子と、を備え、
前記制御回路は、前記導体をフローティングとする場合、前記走査線および前記信号線をフローティングとする、表示装置。 - 前記電気光学材料は、液晶、電気泳動体、帯電粒子、エレクトロクロミック材料、EL材料、ガス、半導体又は蛍光体である、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2の導電膜に交流電圧を印加する交流電圧源を備え、
前記電流検出回路は、前記交流電圧源と前記第2の導電膜との間における電流を検出する、請求項1又は2に記載の表示装置。 - 前記電気光学材料は、液晶を主成分とし、
前記第1の導電膜は、透明であり、
前記第2の導電膜は、透明であり、前記第1及び第2の面によって挟まれる領域に対して、前記第1の導電膜と同じ側に配され、
前記第1及び第2の導電膜に挟まれた第2の基板を備え、
前記制御回路は、前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記導体であって表示領域の内部から外部に亘って延在するものをフローティングとするとともに前記第1の導電膜に前記第2の導電膜に印加された電圧と振幅及び位相が略同一の電圧を印加する、請求項3に記載の表示装置。 - 前記導体は、表示領域内部から外部に亘って延在する蓄積容量線を含み、
前記制御回路は、前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記蓄積容量線をフローティングとするとともに前記第1の導電膜に前記第2の導電膜に印加された電圧と振幅及び位相が略同一の電圧を印加する、請求項4に記載の表示装置。 - 前記導体は、表示領域内部から外部に亘って延在する走査線を含み、
前記走査線と前記走査線を駆動する走査線駆動回路とがスイッチ素子を介して接続されるか、又は、前記走査線駆動回路はハイレベル、ロウレベル及びハイインピーダンスの3値を出力するとともに前記走査線駆動回路と前記走査線とが直接接続される、請求項4に記載の表示装置。 - 前記電気光学材料は、液晶を主成分とし、
前記第1及び第2の導電膜はいずれも透明であり、
前記第2の導電膜は、前記第1及び第2の面によって挟まれる領域に対して、前記第1の導電膜と同じ側に配され、
前記第1の導電膜を配する第2の基板と、
前記第2の導電膜を配する第3の基板と、を備え、
前記制御回路は、前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記導体であって表示領域内部から外部に亘って延在するものをフローティングとするとともに前記第1の導電膜に前記第2の導電膜に印加された電圧と振幅及び位相が略同一の電圧を印加する、請求項3に記載の表示装置。 - 前記電気光学材料は、液晶を主成分とし、
前記第1の導電膜は、不透明であるとともに開口部を有し、
前記第2の導電膜は、透明であり、前記第1及び第2の面によって挟まれる領域に対して、前記第1の導電膜と同じ側に配され、
前記第1及び第2の導電膜に挟まれた第2の基板を備え、
前記制御回路は、前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記導体であって表示領域の内部から外部に亘って延在するものをフローティングとするとともに前記第1の導電膜に前記第2の導電膜に印加された電圧と振幅及び位相が略同一の電圧を印加する、請求項3に記載の表示装置。 - 電気光学材料と、
前記電気光学材料に電気信号を与える導体と、
前記電気光学材料に電気信号を与える第1の導電膜と、
表示装置の表示面に設けられた第2の導電膜と、
前記第2の導電膜における電流を検出する電流検出回路と、を備える表示装置であって、
前記導体は走査線および信号線を有し、
前記表示装置は、前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、前記導体及び前記第1の導電膜のいずれか一方に前記第2の導電膜に印加された電圧と振幅及び位相が略同一の電圧を印加するとともに他方をフローティングとする制御回路と、
前記走査線と前記信号線の交点に対応して形成された画素電極と、
前記画素電極と前記信号線を電気的に接続または非接続とするトランジスタ素子と、を備え、
前記制御回路は、前記導体をフローティングとする場合、前記走査線および前記信号線をフローティングとする、表示装置。 - 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の表示装置を備える、電子機器。
- 対向する第1の面と第2の面との間に配された電気光学材料と、
前記第1の面に配され、前記電気光学材料に電気信号を与える導体を有する第1の基板と、
前記第2の面に配され、前記電気光学材料に電気信号を与える第1の導電膜と、
前記第1及び第2の面によって挟まれる領域の外側に配された第2の導電膜と、を備える表示装置の駆動方法であって、
電流検出回路によって、前記第2の導電膜における電流を検出する工程と、
前記電流検出回路により電流が検出される期間に亘り、制御回路によって、前記導体及び前記第1の導電膜のうち、より前記第2の導電膜の近くに配された一方に前記第2の導電膜に印加された電圧と振幅及び位相が略同一の電圧を印加するとともに他方をフローティングとする工程と、を含み、
前記導体は、走査線および信号線を有し、
前記表示装置は、前記走査線と前記信号線の交点に対応して形成された画素電極と、
前記画素電極と前記信号線を電気的に接続または非接続とするトランジスタ素子と、を備え、
前記フローティングとする工程において、前記導体をフローティングとする場合、前記走査線および前記信号線をフローティングとする、表示装置の駆動方法。 - 前記導体と第2の電圧源はスイッチ素子を介して接続され、
前記導体と前記交流電圧源はキャパシタを介して接続されている、請求項3に記載の表示装置。 - 前記第1の導電膜と第3の電圧源はスイッチ素子を介して接続され、
前記第1の導電膜と前記交流電圧源はキャパシタを介して接続されている、請求項3に記載の表示装置。 - 前記導体を駆動する駆動回路と、
前記駆動回路の電源入力端子と、
前記電源入力端子に与える電圧を生成する電源回路と、を備え、
前記電源入力端子と前記電源回路はスイッチ素子を介して接続され、
前記電源入力端子と前記交流電圧源はキャパシタを介して接続されている、請求項3に記載の表示装置。 - 前記走査線を駆動する走査線駆動回路と、
前記走査線駆動回路の電源入力端子と、
前記電源入力端子に与える電圧を生成する電源回路と、を備え、
前記電源入力端子と前記電源回路はスイッチ素子を介して接続され、
走査線駆動回路の電源入力端子と前記交流電圧源はキャパシタを介して接続されている、請求項6に記載の表示装置。 - 請求項12乃至15のいずれか1項に記載の表示装置を備える、電子機器。
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