JP2013243565A - 半導体装置とその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CPU内に設けられる揮発性レジスタのうち、少なくともスタックポインタとプログラムカウンタのデータを不揮発性とする。例えば、演算論理部及びデコーダと信号を送受信するレジスタを有し、前記レジスタは、スタックポインタとプログラムカウンタを有し、前記スタックポインタ及び前記プログラムカウンタが不揮発性メモリにより構成されているCPUが搭載されている半導体装置とする。
【選択図】図1
Description
102 演算処理部
104 電源
106 記憶部
108 レジスタ
110 演算論理部
112 デコーダ
114 汎用レジスタ
116 割り込み用レジスタ
118 命令レジスタ
120 スタックポインタ
122 プログラムカウンタ
130 トランジスタ
132 データ保持部
134 キャパシタ
136 ゲート端子
138 入力端子
200 半導体基板
202a 埋め込み絶縁領域
202b 埋め込み絶縁領域
204 第1の絶縁層
206 第1の導電層
208a 不純物領域
208b 不純物領域
210 第2の絶縁層
212 第3の絶縁層
214a 第2の導電層
214b 第2の導電層
216a 第3の導電層
216b 第3の導電層
216c 第3の導電層
218 第4の絶縁層
220 第5の絶縁層
222 半導体層
224 第5の絶縁層
226 半導体層
228 第4の導電層
230a 第4の導電層
230b 第4の導電層
232 第6の絶縁層
234 第5の導電層
236 第7の絶縁層
Claims (5)
- 演算論理部及びデコーダと信号を送受信するレジスタを有し、
前記レジスタは、スタックポインタとプログラムカウンタを有し、
前記スタックポインタ及び前記プログラムカウンタが不揮発性メモリにより構成されているCPUを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記レジスタが、前記デコーダと信号を送受信する命令レジスタを有する半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記不揮発性メモリは、前記スタックポインタ及び前記プログラムカウンタとトランジスタを介して電気的に接続されたノードであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、
前記トランジスタでは、チャネル幅1μmあたりのオフ電流が、10aA(1×10−17A)以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3または請求項4に記載の半導体装置の駆動方法であって、
前記CPUの電力の供給を停止する要求により前記スタックポインタと前記プログラムカウンタのデータ保持部をフローティングにし、
前記CPUへの電力の供給を停止し、
前記CPUの復帰要求により、前記データ保持部を電気的に接続して復帰させることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
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Citations (5)
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JP2004078772A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Fujitsu Ltd | マイクロコンピュータ装置の待機時の処理方法およびマイクロコンピュータ装置 |
JP2010055531A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fujitsu Ltd | データ処理装置 |
JP2010086407A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Rohm Co Ltd | 電子機器 |
JP2011103453A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 論理回路及び半導体装置 |
JP2011171723A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 信号処理回路、及び信号処理回路の駆動方法 |
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2012
- 2012-05-22 JP JP2012116120A patent/JP2013243565A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004078772A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Fujitsu Ltd | マイクロコンピュータ装置の待機時の処理方法およびマイクロコンピュータ装置 |
JP2010055531A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fujitsu Ltd | データ処理装置 |
JP2010086407A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Rohm Co Ltd | 電子機器 |
JP2011103453A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 論理回路及び半導体装置 |
JP2011171723A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 信号処理回路、及び信号処理回路の駆動方法 |
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