JP2013235013A - Biosensor kit - Google Patents

Biosensor kit Download PDF

Info

Publication number
JP2013235013A
JP2013235013A JP2013153540A JP2013153540A JP2013235013A JP 2013235013 A JP2013235013 A JP 2013235013A JP 2013153540 A JP2013153540 A JP 2013153540A JP 2013153540 A JP2013153540 A JP 2013153540A JP 2013235013 A JP2013235013 A JP 2013235013A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
biosensor
effect transistor
field effect
biosensor chip
reaction field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013153540A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5472520B2 (en
Inventor
Mitsuru Sakamoto
満 坂本
Hirohiko Urushiyama
裕彦 漆山
Hiroaki Kikuchi
洋明 菊地
Tomoaki Yamabayashi
智明 山林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsumi Electric Co Ltd filed Critical Mitsumi Electric Co Ltd
Priority to JP2013153540A priority Critical patent/JP5472520B2/en
Publication of JP2013235013A publication Critical patent/JP2013235013A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5472520B2 publication Critical patent/JP5472520B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide means capable of preventing a biosensor utilizing a field effect transistor from being deteriorated during storage or during conveyance, and thereby to achieve practical use of the biosensor utilizing the field effect transistor.SOLUTION: A biosensor kit comprises: a biosensor chip for measuring quantitatively detection material by a current value generated in a field effect transistor, when the detection material is reacted with detection object material recognition molecules immobilized in a reaction field connected to the field effect transistor; and a packing body comprising packing material comprising a metal film for sealing the biosensor chip. The biosensor chip comprises: the field effect transistor; and a mounting substrate for mounting the field effect transistor thereon.

Description

本発明は、バイオセンサチップを有するバイオセンサキットに関する。   The present invention relates to a biosensor kit having a biosensor chip.

バイオセンサとして、電界効果トランジスタ(FET)を用いたものが提案されている(特許文献1〜3を参照)。一般に、電界効果トランジスタを利用したバイオセンサは、電界効果トランジスタと、チャネル上に形成された被検出物質の反応場とを有する。反応場には、被検出物質を結合させるための反応膜が設けられている。そして、反応膜の上からゲート電極によってゲート電圧を印加して、そのときのソース−ドレイン電流を測定することにより、反応場に提供されている被検出物質の有無、濃度などを判定する。FETを利用したバイオセンサは、非常に高感度であり、その実用化の期待が高まっている。   A biosensor using a field effect transistor (FET) has been proposed (see Patent Documents 1 to 3). In general, a biosensor using a field effect transistor has a field effect transistor and a reaction field of a substance to be detected formed on a channel. The reaction field is provided with a reaction film for binding the substance to be detected. Then, a gate voltage is applied from above the reaction film with a gate electrode, and the source-drain current at that time is measured to determine the presence / absence, concentration, etc. of the substance to be detected provided in the reaction field. Biosensors using FETs have very high sensitivity, and expectations for their practical use are increasing.

特開2004−85392号公報JP 2004-85392 A 特開2006−201178号公報JP 2006-201178 A 特開2007−139762号公報JP 2007-139762 A

前述の通り、電界効果トランジスタを利用するバイオセンサは、高感度センサとしての期待が高まっているが、使用環境によって感度のばらつきが大きいという問題がある。感度のばらつきは、バイオセンサによる測定時の環境によっても生じるが、バイオセンサの保管状況によっても生じる。   As described above, biosensors using field effect transistors are expected to be highly sensitive sensors, but there is a problem that sensitivity varies greatly depending on the use environment. Sensitivity variation occurs depending on the environment at the time of measurement by the biosensor, but also depends on the storage state of the biosensor.

例えば、保管中のバイオセンサが湿気に晒されると、電界効果トランジスタのチャネル(特にカーボンナノチューブチャネル)が劣化して、ヒステリシスなどを生じることがある。また、保管中のバイオセンサが光に晒されると、FETの半導体基板に光が浸入して、特性を変化させることがある。あるいは、反応場に被検出物質を認識する分子が固定化されている場合には、バイオセンサの保管中にその分子が劣化して、感度が低下することもある。   For example, when the biosensor being stored is exposed to moisture, the channel of the field effect transistor (especially the carbon nanotube channel) may deteriorate, resulting in hysteresis and the like. Further, when the biosensor being stored is exposed to light, the light may enter the FET semiconductor substrate and change the characteristics. Or when the molecule | numerator which recognizes a to-be-detected substance is fix | immobilized in the reaction field, the molecule | numerator will deteriorate during storage of a biosensor, and a sensitivity may fall.

そこで本発明は、電界効果トランジスタを利用するバイオセンサを保管中または輸送中に劣化させない手段を提供することを目的とする。それにより、電界効果トランジスタを利用するバイオセンサの実用化を実現する。   Therefore, an object of the present invention is to provide means for preventing deterioration of a biosensor using a field effect transistor during storage or transportation. Thereby, practical application of a biosensor using a field effect transistor is realized.

本発明は、以下に示すバイオセンサキットに関する。
[1]電界効果トランジスタに接続された反応場に被検出物質認識分子を固定化して前記被検出物質認識分子に被検出物質を反応させたときに、前記電界効果トランジスタに発生する電流の値を測定されるバイオセンサチップと、前記バイオセンサチップおよび乾燥剤を密封する、金属膜を含む梱包材からなる第1梱包体と、前記被検出物質認識分子と、前記被検出物質認識分子を保湿状態で密封する、金属膜を含む梱包材からなる第2梱包体と、前記第1梱包体および前記第2梱包体を密封する、金属膜を含む梱包材からなる第3梱包体と、を含むバイオセンサキットであって、前記バイオセンサチップは、実装基板と、前記実装基板に実装された前記電界効果トランジスタと、前記実装基板上に形成された、前記電界効果トランジスタにゲート電位を供給する前記反応場と、を有し、前記実装基板には、前記電界効果トランジスタのソース電極に電気接続された外部接続端子と、前記電界効果トランジスタのドレイン電極に電気接続された外部接続端子と、前記反応場に所定電位を印加するための外部接続端子と、が設けられている、バイオセンサキット。
[2]前記反応場は、前記被検出物質認識分子を固定化するための表面処理がなされている、[1]に記載のバイオセンサキット。
[3]前記反応場の前記表面処理は、シラン化処理である、[2]に記載のバイオセンサキット。
[4]前記反応場の前記表面処理は、金または白金の薄膜が形成され、該薄膜上にSAM膜が形成される処理である、[2]に記載のバイオセンサキット。
[5]前記反応場は、前記実装基板上に配置された半導体基板に形成されている、[1]〜[4]のいずれか一項に記載のバイオセンサキット。
[6]前記実装基板は、無機材料、有機材料またはそれらの混成材料からなる、[1]〜[4]のいずれか一項に記載のバイオセンサキット。
The present invention relates to the following biosensor kit.
[1] When a substance to be detected is immobilized in a reaction field connected to a field effect transistor and a substance to be detected is reacted with the substance to be detected, the value of a current generated in the field effect transistor is A biosensor chip to be measured, a first packing body made of a packing material including a metal film that seals the biosensor chip and the desiccant, the substance-recognized molecule, and the substance-recognized molecule in a moisturized state And a second packing body made of a packing material containing a metal film and a third packing body made of a packing material containing a metal film and sealing the first packing body and the second packing body. In the sensor kit, the biosensor chip includes a mounting substrate, the field effect transistor mounted on the mounting substrate, and the field effect transistor formed on the mounting substrate. The reaction field for supplying a gate potential, and the mounting substrate is electrically connected to an external connection terminal electrically connected to a source electrode of the field effect transistor and to a drain electrode of the field effect transistor A biosensor kit provided with an external connection terminal and an external connection terminal for applying a predetermined potential to the reaction field.
[2] The biosensor kit according to [1], wherein the reaction field is subjected to a surface treatment for immobilizing the target substance recognition molecule.
[3] The biosensor kit according to [2], wherein the surface treatment of the reaction field is a silanization treatment.
[4] The biosensor kit according to [2], wherein the surface treatment of the reaction field is a treatment in which a thin film of gold or platinum is formed and a SAM film is formed on the thin film.
[5] The biosensor kit according to any one of [1] to [4], wherein the reaction field is formed on a semiconductor substrate disposed on the mounting substrate.
[6] The biosensor kit according to any one of [1] to [4], wherein the mounting substrate is made of an inorganic material, an organic material, or a hybrid material thereof.

本発明のバイオセンサキットによれば、保管または輸送中に、バイオセンサチップが具備する電界効果トランジスタの特性が変化しにくいので、安定したバイオセンシングが実現される。   According to the biosensor kit of the present invention, the characteristics of the field-effect transistor included in the biosensor chip are hardly changed during storage or transportation, so that stable biosensing is realized.

第一の態様のバイオセンサチップの第一の例である。It is a 1st example of the biosensor chip of a 1st aspect. 第一の態様のバイオセンサチップの第二の例である。It is a 2nd example of the biosensor chip of a 1st aspect. 第一の態様のバイオセンサチップの第三の例である。It is a 3rd example of the biosensor chip of a 1st aspect. 第一の態様のバイオセンサチップを含むバイオセンサキットの第一の例である。It is a 1st example of the biosensor kit containing the biosensor chip of a 1st aspect. 第一の態様のバイオセンサチップを含むバイオセンサキットの第二の例である。It is a 2nd example of the biosensor kit containing the biosensor chip of a 1st aspect. 第一の態様のバイオセンサチップを含むバイオセンサキットの第三の例である。It is a 3rd example of the biosensor kit containing the biosensor chip of a 1st aspect. 第一の態様のバイオセンサチップを有する検出システムの例である。It is an example of the detection system which has the biosensor chip of a 1st aspect. 第二の態様のバイオセンサチップの例である。It is an example of the biosensor chip of a 2nd aspect. 第二の態様のバイオセンサチップを含むバイオセンサキットの例である。It is an example of the biosensor kit containing the biosensor chip of a 2nd aspect. 第二の態様のバイオセンサチップを有する検出システムの例である。It is an example of the detection system which has the biosensor chip of a 2nd aspect.

バイオセンサキットについて
本発明のバイオセンサキットは、バイオセンサチップと、それを密封する梱包体とを有する。バイオセンサチップを密封する梱包体は、金属膜を有する積層フィルムであることが好ましい。外部から内部への水分の透過や、光の侵入を効果的に抑制するためである。梱包体は、例えば、それを構成するフィルムの内層を熱融着可能な樹脂層として、梱包体の開口部を融着により閉じられている。
Biosensor kit The biosensor kit of the present invention includes a biosensor chip and a package that seals the biosensor chip. The package that seals the biosensor chip is preferably a laminated film having a metal film. This is to effectively suppress moisture permeation from the outside to the inside and light penetration. For example, the packing body has a resin layer that can be heat-sealed as an inner layer of a film constituting the packing body, and the opening of the packing body is closed by fusing.

梱包体には、バイオセンサチップとともに、乾燥剤または吸湿剤が密封されていてもよい。バイオセンサチップが水分に晒されると、チップが劣化しやすいからである。また、梱包体には、センシングのための工程に用いられる要素、例えば反応場を洗浄するための洗浄手段や、洗浄後の反応場から洗浄液を除去する除去手段なども同封されうる。   A desiccant or a hygroscopic agent may be sealed in the package together with the biosensor chip. This is because when the biosensor chip is exposed to moisture, the chip is likely to deteriorate. In addition, elements used in the sensing process, for example, a cleaning unit for cleaning the reaction field, a removal unit for removing the cleaning liquid from the reaction field after cleaning, and the like can be enclosed in the package.

本発明のバイオセンサキットに含まれるバイオセンサチップは、電界効果トランジスタ素子を含むか否かによって、2つの態様に分けられる。第一の態様のバイオセンサチップは、電界効果トランジスタと、それを実装する実装基板と、を有する。一方、第二の態様のバイオセンサチップは、実装基板と、前記実装基板上に形成された反応場と、を有するが、電界効果トランジスタ構造を有さない。   The biosensor chip included in the biosensor kit of the present invention is divided into two modes depending on whether or not a field effect transistor element is included. The biosensor chip according to the first aspect includes a field effect transistor and a mounting substrate on which the field effect transistor is mounted. On the other hand, the biosensor chip of the second aspect has a mounting substrate and a reaction field formed on the mounting substrate, but does not have a field effect transistor structure.

被検出物質検出システムについて
本発明の被検出物質検出システムは、バイオセンサチップと検出装置とを具備する。バイオセンサチップは、前述の第一の態様/第二の態様のバイオセンサチップのいずれでもよい。電界効果トランジスタを含まない第二の態様のバイオセンサチップを具備する被検出物質検出システムは、電界効果トランジスタを含む検出装置を用いる。検出装置は、センシングのための工程に用いられる要素、例えば反応場を洗浄するための洗浄手段や、洗浄後の反応場から洗浄液を除去する除去手段なども具備しうる。
About a to-be-detected substance detection system The to-be-detected substance detection system of this invention comprises a biosensor chip and a detection apparatus. The biosensor chip may be any of the biosensor chips of the first aspect / second aspect described above. A detection target substance detection system including a biosensor chip according to the second aspect that does not include a field effect transistor uses a detection apparatus including a field effect transistor. The detection apparatus may also include elements used in the sensing process, for example, a cleaning unit for cleaning the reaction field, and a removal unit for removing the cleaning liquid from the reaction field after the cleaning.

以下において、第一の態様のバイオセンサチップと、第二の態様のバイオセンサチップとをそれぞれ説明する。   Hereinafter, the biosensor chip according to the first aspect and the biosensor chip according to the second aspect will be described.

第一の態様のバイオセンサチップ
第一の態様のバイオセンサチップは、電界効果トランジスタと、実装基板とを有する。電界効果トランジスタは、絶縁膜を有する半導体基板と、前記絶縁膜上に配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記絶縁膜上に配置され前記ソース電極及びドレイン電極に電気的に接続された半導体からなるチャネルとを有する。
Biosensor chip according to the first aspect The biosensor chip according to the first aspect includes a field effect transistor and a mounting substrate. The field effect transistor includes a semiconductor substrate having an insulating film, a source electrode and a drain electrode disposed on the insulating film, and a semiconductor disposed on the insulating film and electrically connected to the source electrode and the drain electrode. And a channel.

電界効果トランジスタの半導体基板は、通常はシリコン基板であるが、必ずしも限定されず、SOI基板や化合物半導体基板、ガラス基板でもよい。半導体基板の表面には、ソース電極/ドレイン電極およびチャネルが配置されるが、その配置面には絶縁膜が形成されている。絶縁膜は、特に限定されず、チャネルの種類などに応じて適宜選択されるべきであるが、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜、あるいはハフニウム酸化膜でありうる。   The semiconductor substrate of the field effect transistor is usually a silicon substrate, but is not necessarily limited, and may be an SOI substrate, a compound semiconductor substrate, or a glass substrate. A source electrode / drain electrode and a channel are arranged on the surface of the semiconductor substrate, and an insulating film is formed on the arrangement surface. The insulating film is not particularly limited and should be appropriately selected according to the type of channel, but may be a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a hafnium oxide film.

ソース電極およびドレイン電極は金属などの導電材料や半導体材料であればよく、特に制限されない。ソース電極とドレイン電極とを接続するチャネルは、半導体であればよく、カーボンナノチューブ、またはポリシリコンまたはアモルファスシリコン膜でありうる。チャネルがカーボンナノチューブである場合には、半導体基板の表面の絶縁膜はシリコン窒化膜やハフニウム酸化膜であると好ましい場合がある。一方、チャネルがポリシリコンまたはアモルファスシリコンである場合には、半導体基板の表面の絶縁膜がシリコン酸化膜やハフニウム酸化膜であると好ましい場合がある。   The source electrode and the drain electrode are not particularly limited as long as they are conductive materials such as metals or semiconductor materials. The channel connecting the source electrode and the drain electrode may be a semiconductor, and may be a carbon nanotube, a polysilicon, or an amorphous silicon film. When the channel is a carbon nanotube, the insulating film on the surface of the semiconductor substrate may be preferably a silicon nitride film or a hafnium oxide film. On the other hand, when the channel is polysilicon or amorphous silicon, the insulating film on the surface of the semiconductor substrate may be preferably a silicon oxide film or a hafnium oxide film.

ソース電極およびドレイン電極、ならびにチャネルには、湿気が接触したり、光が照射されないように、封止されていることが好ましい。チャネルに湿気が接触したり、光があたると、電界効果トランジスタの特性が著しく変化することがあり、適切な検出を行えないことがある。特に、チャネルがポリシリコンまたはアモルファスシリコンである場合には光の影響を受けやすい。封止は、水分や光の透過性の低い無機材料または有機材料で、ソース電極およびドレイン電極、ならびにチャネルを被覆すればよい。また、チャネルがカーボンナノチューブの場合は、特に湿気が特性に与える影響が大きい。そのため、少なくともチャネル上にシリコン窒化膜やハフニウム酸化膜などでパッシベーション膜を形成し、その上を無機材料または有機材料で被覆すればよい。   The source electrode, the drain electrode, and the channel are preferably sealed so that moisture does not come in contact with them or light is not irradiated. When the channel is exposed to moisture or exposed to light, the characteristics of the field effect transistor may change significantly, and proper detection may not be performed. In particular, when the channel is polysilicon or amorphous silicon, it is easily affected by light. Sealing may be performed by covering the source electrode, the drain electrode, and the channel with an inorganic material or an organic material having low permeability to moisture and light. In addition, when the channel is a carbon nanotube, the influence of moisture on the characteristics is particularly great. Therefore, a passivation film may be formed at least on the channel with a silicon nitride film, a hafnium oxide film, or the like, and may be covered with an inorganic material or an organic material.

さらに、電界効果トランジスタは、ゲート電極としての作用を有する反応場を、半導体基板に有する。反応場は、半導体基板の表面のうち、ソース電極/ドレイン電極およびチャネルが配置される側の表面にあってもよく、その反対側の表面にあってもよい。反応場の表面にも、絶縁膜があることが好ましい。   Furthermore, the field effect transistor has a reaction field having a function as a gate electrode in a semiconductor substrate. The reaction field may be on the surface of the semiconductor substrate on the side where the source / drain electrodes and the channel are arranged, or on the opposite surface. It is preferable that an insulating film is also present on the surface of the reaction field.

半導体基板に形成された反応場には、所望の電位(走査電位または参照電位)を印加する必要がある。そのため、反応場の周囲の一部または全部に、ゲート電極が配置されていることが好ましい。ゲート電極の材質も特に制限されず、金、白金、チタン、アルミニウムなどの金属や、導電性プラスチックなどであればよい。   It is necessary to apply a desired potential (scanning potential or reference potential) to the reaction field formed on the semiconductor substrate. For this reason, it is preferable that a gate electrode is disposed in part or all of the periphery of the reaction field. The material of the gate electrode is not particularly limited, and may be a metal such as gold, platinum, titanium, or aluminum, or a conductive plastic.

反応場には、その表面に被検出物質を認識する分子が固定されているか、または前記分子を固定できるようにされている。被検出物質を認識する分子の例には、抗体や酵素、レクチンなどのタンパク質、核酸、オリゴ糖または多糖、あるいはそれらの構造を有する物質が含まれ;対象とする被検出物質に特異的に反応するものを適宜選択する。被検出物質は、特定のタンパク質や化学物質などである。   In the reaction field, a molecule for recognizing the substance to be detected is fixed on the surface, or the molecule can be fixed. Examples of molecules that recognize a substance to be detected include antibodies, enzymes, proteins such as lectins, nucleic acids, oligosaccharides or polysaccharides, or substances having a structure thereof; they react specifically with the target substance to be detected. Select what you want. The substance to be detected is a specific protein or chemical substance.

反応場の表面に被検出物質を認識する分子が固定されている場合には、固定された分子が劣化しないように、反応場が保湿されていることが好ましい場合がある。前述した被検出物質認識分子は、一般的に乾燥により劣化しやすいからである。反応場を保湿するには、反応場を覆う保湿シールを配置すればよい。保湿シールとは、水分を透過させにくいフィルムを、剥離可能な粘着剤で反応場を覆うように貼り付ける部材である。水分を透過させにくいフィルムとは、例えば金属層を有する多層フィルムである。   When molecules that recognize a substance to be detected are immobilized on the surface of the reaction field, it may be preferable that the reaction field is moisturized so that the immobilized molecules do not deteriorate. This is because the aforementioned substance to be detected-recognizing molecule generally tends to be deteriorated by drying. In order to keep the reaction field moist, a moisturizing seal that covers the reaction field may be arranged. A moisturizing seal is a member that affixes a film that is difficult to transmit moisture so as to cover the reaction field with a peelable adhesive. The film that hardly allows moisture to permeate is, for example, a multilayer film having a metal layer.

一方、反応場の表面に被検出物質を認識する分子が固定されておらず、必要に応じて固定できるようにされている場合には、被検出物質を認識する分子は、バイオセンサチップとともに前記梱包体に密封されていることが好ましい。梱包体に密封された被検出物質を認識する分子は、さらに別途の梱包材にて密封されていることが好ましい。前記の通り、電界効果トランジスタは、水分に接触しないことが好ましいが、一方で、被検出物質を認識する分子は保湿環境にある方が好ましい場合が多いからである。   On the other hand, when the molecule for recognizing the substance to be detected is not fixed on the surface of the reaction field and can be fixed as necessary, the molecule for recognizing the substance to be detected is combined with the biosensor chip. It is preferable that the package is hermetically sealed. It is preferable that the molecule that recognizes the target substance sealed in the package is further sealed with a separate packing material. As described above, it is preferable that the field effect transistor does not come into contact with moisture. On the other hand, it is often preferable that the molecule recognizing the substance to be detected is in a moisturizing environment.

反応場の表面に被検出物質を認識する分子を、必要に応じて固定できるようにするには、例えば、反応場の表面をシラン化処理すればよい。シラン化処理とは、シランカップリング剤などによる表面処理などが含まれる。反応場の表面にSAM(Self-Assembly Monolayer)膜が形成されていてもよい。SAM膜を形成するには、まず、反応場の表面に金属薄膜(例えば金または白金の薄膜)を形成し、その金属箔膜上にSAM膜を配置すればよい。   In order to make it possible to immobilize a molecule that recognizes a substance to be detected on the surface of the reaction field as needed, for example, the surface of the reaction field may be silanized. The silanization treatment includes surface treatment with a silane coupling agent or the like. A SAM (Self-Assembly Monolayer) film may be formed on the surface of the reaction field. In order to form the SAM film, first, a metal thin film (for example, a thin film of gold or platinum) is formed on the surface of the reaction field, and the SAM film may be disposed on the metal foil film.

第一の態様のバイオセンサチップは、電界効果トランジスタが実装された実装基板を有する。実装基板は、絶縁材料からなり、また光透過性を有しないことが好ましい。実装基板を透過した光が、電界効果トランジスタのチャネルや半導体基板にあたると、その特性が変化するからである。例えば、実装基板は色素を含有する有機樹脂成形体であってもよい。   The biosensor chip according to the first aspect includes a mounting substrate on which a field effect transistor is mounted. The mounting substrate is preferably made of an insulating material and does not have optical transparency. This is because the characteristics change when light transmitted through the mounting substrate hits the channel of the field effect transistor or the semiconductor substrate. For example, the mounting substrate may be an organic resin molded body containing a pigment.

実装基板には、電界効果トランジスタのソース電極、ドレイン電極およびゲート電極のそれぞれに電気接続した端子を有する。これらの端子を通じて、第一の態様のバイオセンサチップが検出装置(後述)に装着される。   The mounting substrate has terminals electrically connected to the source electrode, the drain electrode, and the gate electrode of the field effect transistor. Through these terminals, the biosensor chip of the first aspect is attached to a detection device (described later).

第一の態様のバイオセンサチップは、例えば以下のプロセスにて製造されうる。
1)半導体基板の表面にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ハフニウム酸化膜等の絶縁膜を形成する。例えば、熱酸化法、CVD法などで絶縁膜を成膜すればよい。
2)絶縁膜上に、ソース電極とドレイン電極、および両電極を接続するチャネルを形成する。カーボンナノチューブチャネルであれば、例えばエチルアルコール等の有機材料を用いたCVD法や既製のカーボンナノチューブにより作成され、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンチャネルであれば、CVD法やエピタキシャル成長法などで形成されうる。チャネル形成後、少なくともチャネル上にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ハフニウム酸化膜などの絶縁膜からなるパッシベーション膜を形成し、チャネル両端部を開口する。その後、導電材料を例えばスパッタリング法で被着させることによりチャネル端部と接合させ、不要部分をエッチング除去することでソース電極およびドレイン電極が形成される。
The biosensor chip of the first aspect can be manufactured, for example, by the following process.
1) An insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a hafnium oxide film is formed on the surface of the semiconductor substrate. For example, an insulating film may be formed by a thermal oxidation method, a CVD method, or the like.
2) On the insulating film, a source electrode and a drain electrode, and a channel connecting both electrodes are formed. If it is a carbon nanotube channel, it can be formed by a CVD method using an organic material such as ethyl alcohol or a ready-made carbon nanotube, and if it is a polysilicon or amorphous silicon channel, it can be formed by a CVD method or an epitaxial growth method. After forming the channel, a passivation film made of an insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a hafnium oxide film is formed on at least the channel, and both ends of the channel are opened. Thereafter, a conductive material is deposited by, for example, a sputtering method to join the channel end portion, and unnecessary portions are removed by etching to form a source electrode and a drain electrode.

3)半導体基板に反応場を形成する。本態様では、反応場は、ソース電極、ドレイン電極およびチャネルが形成される側の表面上に、上記1)で形成された絶縁膜上の所望の領域に形成される。反応場には、被検出物質認識分子を固定可能なように表面処理をする。その表面処理は、液中測定と気中測定とで、その表面処理の方法が異なる。液中測定に用いられる場合は、液体サンプルによるイオン発生を抑えるため、化学的に安定した金あるいは白金等の金属の膜を、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などで形成する。その後、被検出物質認識分子の固定化を容易にするためにSAM膜を形成する。気中測定の場合は、シランカップリング剤などによる表面処理を行なう。さらに、反応場の周囲または近傍に、走査電極または参照電極を配置して、反応場に所望の電位を印加できるようにする。この走査電極または参照電極は、例えば、上記2)でソース電極、ドレイン電極を形成する際に同時に形成する。   3) A reaction field is formed on the semiconductor substrate. In this embodiment, the reaction field is formed in a desired region on the insulating film formed in 1) above on the surface on which the source electrode, the drain electrode, and the channel are formed. The reaction field is subjected to a surface treatment so that the substance to be detected can be immobilized. As for the surface treatment, the method of the surface treatment differs between the measurement in liquid and the measurement in air. When used for in-liquid measurement, a chemically stable metal film such as gold or platinum is formed by, for example, a vacuum deposition method or a sputtering method in order to suppress the generation of ions from the liquid sample. Thereafter, a SAM film is formed to facilitate the immobilization of the substance-recognizing molecule. In the case of air measurement, surface treatment with a silane coupling agent or the like is performed. Further, a scanning electrode or a reference electrode is arranged around or in the vicinity of the reaction field so that a desired potential can be applied to the reaction field. This scanning electrode or reference electrode is formed at the same time when the source electrode and the drain electrode are formed in the above 2), for example.

4)電界効果トランジスタを含む半導体基板を、実装基板に実装して、バイオセンサチップとする。実装基板には、3つの外部接続端子が形成されている。実装基板の各端子を、電界効果トランジスタのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極に、例えば、ワイヤーボンディング法あるいはバンプ接続法により接続する。   4) A semiconductor substrate including a field effect transistor is mounted on a mounting substrate to form a biosensor chip. Three external connection terminals are formed on the mounting substrate. Each terminal of the mounting substrate is connected to the source electrode, drain electrode, and gate electrode of the field effect transistor by, for example, a wire bonding method or a bump connection method.

5)ソース電極、ドレイン電極、チャネル、および各端子の接続部を、水分や光の透過性の低い無機材料または有機材料で、例えば、ポッティング法、トランスファーモールド法を用いて封止する。封止前には、封止材料の剥離を防止するため、バイオセンサチップ上をプラズマクリーニング処理を施してもよい。但し、電界効果トランジスタにカーボンナノチューブを用いている場合は、プラズマによりカーボンナノチューブが破壊される可能性が高いため、例えば、カーボンナノチューブ上に金属によるシールド層を設けることにより、プラズマによる破壊を防止することができる。   5) The source electrode, the drain electrode, the channel, and the connection portion of each terminal are sealed with an inorganic material or an organic material having a low moisture or light permeability using, for example, a potting method or a transfer molding method. Before sealing, a plasma cleaning process may be performed on the biosensor chip in order to prevent peeling of the sealing material. However, when carbon nanotubes are used for the field effect transistor, there is a high possibility that the carbon nanotubes are destroyed by the plasma. For example, by providing a shield layer made of metal on the carbon nanotubes, the destruction by the plasma is prevented. be able to.

上記5)を経て得られたバイオセンサチップを、乾燥剤または吸湿剤を備えた梱包体に密封することで、バイオセンサキットが得られる。バイオセンサチップに予め被検出物質認識分子を固定化する場合は、反応場を保湿シールで覆う。また、バイオセンサチップに予め被検出物質認識分子を固定化しない場合は、別に梱包された被検出物質認識分子を梱包体に同封する。なお、梱包体には、不活性ガスを充填してもよい。   A biosensor kit is obtained by sealing the biosensor chip obtained through the above 5) in a packaging body provided with a desiccant or a hygroscopic agent. When the substance to be detected is immobilized on the biosensor chip in advance, the reaction field is covered with a moisturizing seal. In addition, when the detection substance recognition molecule is not immobilized on the biosensor chip in advance, the detection substance recognition molecule separately packed is enclosed in the package. Note that the packing body may be filled with an inert gas.

図1には、第一の態様のバイオセンサチップの第一の例が示される。図1Aはバイオセンサチップ10の平面図であり、図1Bはバイオセンサチップ10のA−A’断面図である。図1に示されるバイオセンサチップ10は、実装基板11と、電界効果トランジスタを構成する半導体基板20とソース電極21とドレイン電極22とチャネル23と反応場24と走査電極または参照電極25とを有する。さらに、実装基板11の端部には、3つの外部接続端子30(30A、30B、30C)が配置されており、それぞれ、ソース電極21、ドレイン電極22、走査電極または参照電極25に電気接続されている。   FIG. 1 shows a first example of the biosensor chip of the first embodiment. FIG. 1A is a plan view of the biosensor chip 10, and FIG. 1B is a cross-sectional view of the biosensor chip 10 taken along the line A-A ′. A biosensor chip 10 shown in FIG. 1 includes a mounting substrate 11, a semiconductor substrate 20 constituting a field effect transistor, a source electrode 21, a drain electrode 22, a channel 23, a reaction field 24, and a scan electrode or a reference electrode 25. . Further, three external connection terminals 30 (30A, 30B, 30C) are arranged at the end of the mounting substrate 11, and are electrically connected to the source electrode 21, the drain electrode 22, the scan electrode, or the reference electrode 25, respectively. ing.

バイオセンサチップ10のソース電極21とドレイン電極22とチャネル23を封止部材40で封止して、遮光することが好ましい。封止部材40は、光を透過しない部材であればよく、有機樹脂であっても無機物であってもよい。なお、バイオセンサチップ10の少なくともチャネル23上は、パッシベーション膜(図示せず)で覆われている。   It is preferable that the source electrode 21, the drain electrode 22, and the channel 23 of the biosensor chip 10 are sealed with a sealing member 40 to shield the light. The sealing member 40 may be a member that does not transmit light, and may be an organic resin or an inorganic material. Note that at least the channel 23 of the biosensor chip 10 is covered with a passivation film (not shown).

図2には、第一の態様のバイオセンサチップの第二の例が示される。図2Aはバイオセンサチップ10’の平面図であり、図1Bはバイオセンサチップ10’のA−A’断面図である。図2に示されるバイオセンサチップ10’は、図1に示されるバイオセンサチップ10と同様の構成部材を含み、さらに反応場24に被検出物質認識分子26が固定されている。さらにバイオセンサチップ10’の反応場24は、保湿シール50で覆われて保湿されている。   FIG. 2 shows a second example of the biosensor chip of the first aspect. FIG. 2A is a plan view of the biosensor chip 10 ′, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of the biosensor chip 10 ′. A biosensor chip 10 ′ shown in FIG. 2 includes the same components as the biosensor chip 10 shown in FIG. 1, and a substance-to-be-detected molecule recognition molecule 26 is fixed to the reaction field 24. Further, the reaction field 24 of the biosensor chip 10 ′ is covered and moisturized with a moisturizing seal 50.

図3には、第一の態様のバイオセンサチップの第三の例が示される。図3Aはバイオセンサチップ10”の平面図であり、図3Bはバイオセンサチップ10”のA−A’断面図である。バイオセンサチップ10”は、図2に示されるバイオセンサチップ10’と同様の構成部材を含むが、反応場24が半導体基板20の裏面(ソース電極21とドレイン電極22とチャネル23とが配置されている面の裏面)にある。バイオセンサチップ10”の反応場24には、被検出物質認識分子26が固定されており、かつ保湿シール50が配置されている。ただし、バイオセンサチップ10と同様に、被検出物質認識分子26が固定されておらず、保湿シール50が配置されていなくてもよい。   FIG. 3 shows a third example of the biosensor chip of the first aspect. 3A is a plan view of the biosensor chip 10 ″, and FIG. 3B is an A-A ′ cross-sectional view of the biosensor chip 10 ″. The biosensor chip 10 ″ includes the same components as the biosensor chip 10 ′ shown in FIG. 2, but the reaction field 24 is disposed on the back surface of the semiconductor substrate 20 (the source electrode 21, the drain electrode 22, and the channel 23 are arranged). In the reaction field 24 of the biosensor chip 10 ″, the substance-to-be-detected molecule 26 is fixed, and the moisture retaining seal 50 is arranged. However, similarly to the biosensor chip 10, the substance to be detected recognition molecule 26 is not fixed, and the moisturizing seal 50 may not be disposed.

図4Aには、バイオセンサチップ10(図1参照)がチップ梱包体100に密封されたバイオセンサキットが示される。チップ梱包体100には、バイオセンサチップ10とともに、吸湿剤または乾燥剤110も密封されている。図4Bには、バイオセンサチップ10と、被検出認識分子26とがキット梱包体200に密封されたバイオセンサキットが示される。バイオセンサチップは、図4Aに示されるように、梱包体100に密封されている。また、被検出認識分子26も、別途の梱包体300に密封されている。   FIG. 4A shows a biosensor kit in which a biosensor chip 10 (see FIG. 1) is sealed in a chip package 100. The chip package 100 is sealed with a hygroscopic agent or a desiccant 110 together with the biosensor chip 10. FIG. 4B shows a biosensor kit in which the biosensor chip 10 and the molecule to be detected 26 are sealed in the kit package 200. The biosensor chip is sealed in the package 100 as shown in FIG. 4A. The detected recognition molecule 26 is also sealed in a separate package 300.

図5には、バイオセンサチップ10’(図2)がチップ梱包体100に密封されたバイオセンサキットが示される。チップ梱包体100には、バイオセンサチップ10’とともに、吸湿剤または乾燥剤110も密封されている。   FIG. 5 shows a biosensor kit in which the biosensor chip 10 ′ (FIG. 2) is sealed in the chip package 100. In the chip package 100, a hygroscopic agent or a desiccant 110 is sealed together with the biosensor chip 10 '.

図6には、バイオセンサチップ10”(図3)がチップ梱包体100に密封されたバイオセンサキットが示される。チップ梱包体100には、バイオセンサチップ10”とともに、吸湿剤または乾燥剤110も密封されている。   6 shows a biosensor kit in which a biosensor chip 10 ″ (FIG. 3) is sealed in a chip package 100. The chip package 100 includes a hygroscopic agent or a desiccant 110 together with the biosensor chip 10 ″. Is also sealed.

図7には、第一の態様のバイオセンサチップ(例として、バイオセンサチップ10’(図2参照))と、検出装置400とを具備する検出システムが示される。検出装置400には、3つの入力端子410(410A〜410C)と、入力端子410Aに接続された電流検出手段420と、該電流検出手段420に接続された電源470と、入力端子410Bに接続されたグラウンドと、入力端子410Cに接続された電源430とを含む検出回路440を含む。さらに、検出された電流に基づいて検出結果を判定する判定手段450と、結果を表示する表示手段460と、結果を記録する図示しない記憶手段とを備える。判定手段450は、検出された電流値を基に演算し、被検出物質の有無、濃度を判定するために必要な、プロセッサ、ROM、RAM等から構成される。表示手段460は、液晶、有機EL、プラズマディスプレイ等が用いられる。簡易な表示手段として、LEDによるランプ表示としてもよい。記憶手段は、書き換え可能な不揮発性メモリ、例えばフラッシュメモリからなる。   FIG. 7 shows a detection system including the biosensor chip according to the first aspect (for example, the biosensor chip 10 ′ (see FIG. 2)) and the detection device 400. The detection device 400 is connected to three input terminals 410 (410A to 410C), a current detection unit 420 connected to the input terminal 410A, a power source 470 connected to the current detection unit 420, and an input terminal 410B. And a detection circuit 440 including a power source 430 connected to the input terminal 410C. Furthermore, it comprises determination means 450 for determining the detection result based on the detected current, display means 460 for displaying the result, and storage means (not shown) for recording the result. The determination means 450 is composed of a processor, a ROM, a RAM, and the like necessary for calculating the presence / absence and concentration of a substance to be detected, based on the detected current value. As the display means 460, a liquid crystal, an organic EL, a plasma display, or the like is used. As a simple display means, a lamp display using LEDs may be used. The storage means is composed of a rewritable nonvolatile memory such as a flash memory.

検出装置400にバイオセンサチップ10’を装着して、検出装置の入力端子410A〜410Cを、それぞれ、バイオセンサチップ10’の外部接続端子30A〜30Cに接続させる。これにより、電源430は、走査電極または参照電極25に所望の電位を印加することができ;電流検出手段420は、チャネル23に流れる電流を検出することができる。   The biosensor chip 10 'is mounted on the detection device 400, and the input terminals 410A to 410C of the detection device are connected to the external connection terminals 30A to 30C of the biosensor chip 10', respectively. Thereby, the power source 430 can apply a desired potential to the scan electrode or the reference electrode 25; the current detection means 420 can detect the current flowing in the channel 23.

判定手段450には、例えば、検出される電流と被検出物質の量との関係(検量線など)が記憶されている。   For example, the determination unit 450 stores a relationship (a calibration curve or the like) between the detected current and the amount of the substance to be detected.

第二の態様のバイオセンサチップ
第二の態様のバイオセンサチップは、実装基板と、前記実装基板上に形成された反応場と、を有する。実装基板には半導体基板が配置されていてもよく、反応場は半導体基板に形成されていることが好ましい。第二の態様のバイオセンサチップの反応場には、所望の電位を印加する必要がある。そのため、反応場の周囲の一部または全部に、参照電極が配置されている。
Biosensor chip according to the second aspect The biosensor chip according to the second aspect includes a mounting substrate and a reaction field formed on the mounting substrate. A semiconductor substrate may be disposed on the mounting substrate, and the reaction field is preferably formed on the semiconductor substrate. It is necessary to apply a desired potential to the reaction field of the biosensor chip of the second aspect. For this reason, a reference electrode is arranged in part or all of the periphery of the reaction field.

反応場は、第一の態様のバイオセンサチップと同様に、その表面に被検出物質を認識する分子が固定されているか、または前記分子を固定できるようにされている。また、保湿シールなどによって保湿されていてもよい。   Similar to the biosensor chip of the first aspect, the reaction field is configured such that a molecule that recognizes a substance to be detected is immobilized on the surface thereof, or the molecule can be immobilized. Further, it may be moisturized by a moisturizing seal or the like.

実装基板は、第一の態様における実装基板と同様である。実装基板には、反応場の参照電極に電位を印加するための外部接続端子と、反応場で発生する電位を取り出すための外部接続端子とが、配置されている。これらの端子を通じて、第二の態様のバイオセンサチップが検出装置(後述)に装着される。   The mounting board is the same as the mounting board in the first aspect. An external connection terminal for applying a potential to the reference electrode of the reaction field and an external connection terminal for extracting a potential generated in the reaction field are arranged on the mounting substrate. Through these terminals, the biosensor chip of the second aspect is attached to a detection device (described later).

第二の態様のバイオセンサチップは、例えば以下のプロセスにて製造されうる。
1)半導体基板の表面にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ハフニウム酸化膜等の絶縁膜を形成する。例えば、熱酸化法、CVD法などで絶縁膜を成膜すればよい。
2)上記1)で絶縁膜が形成された半導体基板の所望の領域に反応場を形成する。次に、絶縁膜の一部を反応場の電位を引き出すための電極予定部として開口する。次にこの反応場の周囲または近傍の絶縁膜上に、アルミニウム等の導電膜を形成し、ゲート電極または参照電極とそこから引き出された配線、後述する実装基板上の配線と接続するための接続端子、および反応場の電位を引き出すための電極をエッチングにより形成する。このように形成された反応場に、第一の態様と同様に被検出物質認識分子を固定可能なように表面処理をする。さらに、反応場に被検出物質認識分子を固定してもよい。
The biosensor chip according to the second aspect can be manufactured, for example, by the following process.
1) An insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a hafnium oxide film is formed on the surface of the semiconductor substrate. For example, an insulating film may be formed by a thermal oxidation method, a CVD method, or the like.
2) A reaction field is formed in a desired region of the semiconductor substrate on which the insulating film is formed in 1) above. Next, a part of the insulating film is opened as a planned electrode part for extracting the potential of the reaction field. Next, a conductive film made of aluminum or the like is formed on the insulating film around or in the vicinity of the reaction field, and the connection for connecting the gate electrode or the reference electrode to the wiring drawn from the conductive film or the wiring on the mounting substrate described later. A terminal and an electrode for extracting the potential of the reaction field are formed by etching. In the reaction field thus formed, a surface treatment is performed so that the substance to be detected can be immobilized as in the first embodiment. Furthermore, a substance to be detected may be immobilized on the reaction field.

3)反応場を有する半導体基板を、実装基板に実装して、バイオセンサチップとする。実装基板には、2つの外部接続端子が形成されている。一方は外部の電界効果トランジスタのゲート電極へ接続される端子へ、他方は走査電極または参照電極用の端子に例えば、ワイヤーボンディング法あるいはバンプ接続法によりそれぞれ接続する。これらの接続部は、水分の透過性の低い無機材料または有機材料で、例えば、ポッティング法、トランスファーモールド法を用いて封止する。   3) A semiconductor substrate having a reaction field is mounted on a mounting substrate to form a biosensor chip. Two external connection terminals are formed on the mounting substrate. One is connected to a terminal connected to the gate electrode of an external field effect transistor, and the other is connected to a terminal for a scanning electrode or a reference electrode by, for example, a wire bonding method or a bump connection method. These connecting portions are made of an inorganic material or an organic material having low moisture permeability, and are sealed using, for example, a potting method or a transfer molding method.

得られたバイオセンサチップを、梱包体に密封することで、バイオセンサキットが得られる。   A biosensor kit is obtained by sealing the obtained biosensor chip in a package.

なお、本態様のバイオセンサチップは、半導体基板に限らず、絶縁基板を用いることも可能である。例えば、ガラス基板を用いる場合は、実装基板を別に用意せずにバイオセンサチップを作成することができる。まずガラス基板上にアルミニウム等の導電膜を形成し、反応場と、反応場から引き出された配線および外部接続端子をエッチングにより形成する。次に反応場を覆うように、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ハフニウム酸化膜等の絶縁膜をCVD法により形成する。次に、反応場の周囲または近傍の絶縁膜上に、アルミニウム等の導電膜を形成し、走査電極または参照電極とそこから引き出された配線および外部接続端子をエッチングにより形成する。このようにして得られた反応場に、上記と同様の表面処理を施し、梱包体に密封することで、バイオセンサキットが得られる。   Note that the biosensor chip of this aspect is not limited to a semiconductor substrate, and an insulating substrate can also be used. For example, when a glass substrate is used, a biosensor chip can be created without preparing a separate mounting substrate. First, a conductive film such as aluminum is formed on a glass substrate, and a reaction field, wirings drawn from the reaction field, and external connection terminals are formed by etching. Next, an insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a hafnium oxide film is formed by a CVD method so as to cover the reaction field. Next, a conductive film made of aluminum or the like is formed on an insulating film around or near the reaction field, and a scan electrode or a reference electrode, wirings drawn therefrom and external connection terminals are formed by etching. A biosensor kit can be obtained by subjecting the reaction field thus obtained to the same surface treatment as described above and sealing it in a package.

図8Aは、第二の態様のバイオセンサチップの例を示す。バイオセンサチップ60は、実装基板61と、その上に配置された半導体基板70を有する。半導体基板70には、参照電極71と反応場72とが配置される。実装基板61上には、2つの外部接続端子80(ゲート電位印加用外部接続端子80Aと参照電位印加用外部接続端子80B)が配置される。封止部材90を配置してコネクタ部分を封止してもよい。   FIG. 8A shows an example of the biosensor chip of the second embodiment. The biosensor chip 60 includes a mounting substrate 61 and a semiconductor substrate 70 disposed thereon. A reference electrode 71 and a reaction field 72 are disposed on the semiconductor substrate 70. On the mounting substrate 61, two external connection terminals 80 (an external connection terminal for gate potential application 80A and an external connection terminal for reference potential application 80B) are arranged. A connector member may be sealed by arranging a sealing member 90.

図8Bは第二の態様のガラス基板を用いたバイオセンサチップの他の例を示す。バイオセンサチップ60-1は、ガラス基板65と、その上に形成された反応場72及び反応場電位引出し配線75と、その上に形成された絶縁膜66と、絶縁膜上に形成された参照電極71および参照電位印加用配線を有する。さらに、ガラス基板65上には、2つの外部接続端子(ゲート電位引出し用外部接続端子80Aと参照電位印加用外部接続端子80B)が配置される。   FIG. 8B shows another example of a biosensor chip using the glass substrate of the second embodiment. The biosensor chip 60-1 includes a glass substrate 65, a reaction field 72 and a reaction field potential extraction wiring 75 formed thereon, an insulating film 66 formed thereon, and a reference formed on the insulating film. It has an electrode 71 and a reference potential application wiring. Further, on the glass substrate 65, two external connection terminals (an external connection terminal 80A for extracting a gate potential and an external connection terminal 80B for applying a reference potential) are arranged.

図9Aは、チップ梱包体100に密封されたバイオセンサチップ60と、梱包体300に密封された被検出物質認識分子73と、を同封しているキット梱包体200を含むバイオセンサキットが示される。チップ梱包体100には、バイオセンサチップ60とともに、吸湿剤110も密封されている。   FIG. 9A shows a biosensor kit including a kit package 200 in which a biosensor chip 60 sealed in a chip package 100 and a substance to be detected recognition molecule 73 sealed in a package 300 are enclosed. . In the chip package 100, the hygroscopic agent 110 is sealed together with the biosensor chip 60.

図9Bは、図8に示されるバイオセンサチップ60の反応場72に被検出物質認識分子73を固定し、保湿シール(不図示)で反応場を覆っているバイオセンサチップ60’を、チップ梱包体100に密封したバイオセンサキットが示される。チップ梱包体100には、バイオセンサチップ60’とともに、吸湿剤110も密封されている。   FIG. 9B shows an example of a biosensor chip 60 ′ in which a detection substance recognition molecule 73 is fixed to the reaction field 72 of the biosensor chip 60 shown in FIG. 8 and the reaction field is covered with a moisturizing seal (not shown). A biosensor kit sealed to the body 100 is shown. In the chip package 100, the hygroscopic agent 110 is sealed together with the biosensor chip 60 '.

図10は、第二の態様のバイオセンサチップ60’(図9B参照)を、検出装置500に装着した被検出物質検出システムである。検出装置500には、2つの入力端子510(510Aと510B)と、電界効果トランジスタ540と、電流検出手段520と、電源580と、電源530と、を含む検出回路550を有する。入力端子510Aは、電界効果トランジスタ540のゲートに接続している。入力端子510Bは、電源530に接続している。さらに、検出された電流に基づいて検出結果を判定する判定手段560と、結果を表示する表示手段570と、結果を記録する図示しない記憶手段とを備える。判定手段560は、検出された電流値を基に演算し、被検出物質の有無、濃度を判定するために必要な、プロセッサ、ROM、RAM、等から構成される。表示手段570は、液晶、有機EL、プラズマディスプレイ等が用いられる。簡易な表示手段として、LEDによるランプ表示としてもよい。記憶手段は、書き換え可能な不揮発性メモリ、例えばフラッシュメモリからなる。電界効果トランジスタ540は、例えばカーボンナノチューブやポリシリコン、アモルファスシリコンからなるチャネルとソース電極、ドレイン電極から構成され、これらは、水分や光の透過性の低い無機材料または有機材料で封止されている。この検出装置500に電界効果トランジスタ540を設ける構成にすることにより、検出装置の数だけ高感度の電界効果トランジスタを用意するだけで良く、歩留の影響を軽減することができる。また、バイオセンサチップ自体を安価に作成することができる。   FIG. 10 shows a detection target substance detection system in which the biosensor chip 60 ′ (see FIG. 9B) of the second aspect is mounted on the detection apparatus 500. The detection device 500 includes a detection circuit 550 including two input terminals 510 (510A and 510B), a field effect transistor 540, current detection means 520, a power source 580, and a power source 530. The input terminal 510A is connected to the gate of the field effect transistor 540. The input terminal 510B is connected to the power source 530. Furthermore, it comprises determination means 560 for determining the detection result based on the detected current, display means 570 for displaying the result, and storage means (not shown) for recording the result. The determination unit 560 includes a processor, a ROM, a RAM, and the like necessary for calculating the presence / absence and concentration of the substance to be detected, based on the detected current value. As the display means 570, a liquid crystal, an organic EL, a plasma display, or the like is used. As a simple display means, a lamp display using LEDs may be used. The storage means is composed of a rewritable nonvolatile memory such as a flash memory. The field effect transistor 540 is composed of a channel made of, for example, carbon nanotube, polysilicon, or amorphous silicon, a source electrode, and a drain electrode, and these are sealed with an inorganic material or an organic material having low moisture and light permeability. . By providing the detection device 500 with the field effect transistor 540, it is only necessary to prepare as many field effect transistors as the number of detection devices, and the influence of yield can be reduced. In addition, the biosensor chip itself can be produced at low cost.

検出装置500にバイオセンサチップ60’を装着して、検出装置の入力端子510A〜510Bを、それぞれ、バイオセンサチップ60’の外部接続端子80A〜80Bに接続する。これにより、反応場72で発生した電位を、電界効果トランジスタ540のゲート電位とすることができ;電源530は、参照電極71に所望の参照電位を印加することができる。   The biosensor chip 60 'is mounted on the detection device 500, and the input terminals 510A to 510B of the detection device are connected to the external connection terminals 80A to 80B of the biosensor chip 60', respectively. Thereby, the potential generated in the reaction field 72 can be set as the gate potential of the field effect transistor 540; the power source 530 can apply a desired reference potential to the reference electrode 71.

判定手段570には、例えば、検出される電流と被検出物質の量との関係(検量線など)が記憶されている。   For example, the determination unit 570 stores a relationship (a calibration curve or the like) between the detected current and the amount of the substance to be detected.

被検出物質の検出方法
本発明のバイオセンサキットを用いて、例えば以下の方法で被検出物質を検出することができる。
Detection method of a substance to be detected Using the biosensor kit of the present invention, a substance to be detected can be detected by the following method, for example.

まず、本発明のバイオセンサキットの梱包体から、バイオセンサチップを取り出す。取り出したバイオセンサチップの反応場に、被検出物質認識物質が固定されていない場合には、被検出物質認識物質を固定化する。   First, the biosensor chip is taken out from the package of the biosensor kit of the present invention. If the substance to be detected is not fixed in the reaction field of the extracted biosensor chip, the substance to be detected is immobilized.

次に、被検出物質を含むサンプルを反応場に添加する。サンプルは通常、水溶液である。サンプル添加後、インキュベートする。その後、反応場を洗浄する。洗浄は、例えば水で行えばよい。洗浄後、好ましくは反応場における洗浄液(水)をできるだけ除去する。洗浄液の除去は、例えば減圧下で乾燥させたり、ガスを吹き付けて乾燥させたりすることができる。   Next, a sample containing the substance to be detected is added to the reaction field. The sample is usually an aqueous solution. Incubate after sample addition. Thereafter, the reaction field is washed. Cleaning may be performed with water, for example. After washing, the washing liquid (water) in the reaction field is preferably removed as much as possible. The cleaning liquid can be removed, for example, by drying under reduced pressure or by blowing a gas.

その後、バイオセンサチップを、前述の検出装置に装着する。装着後、電界効果トランジスタ(バイオセンサチップにあっても、検出装置にあってもよい)のチャネルに流れる電流を測定する。その測定結果に基づいて、サンプル中の被検出物質の有無、濃度を検出する。   Thereafter, the biosensor chip is mounted on the detection device described above. After mounting, the current flowing through the channel of the field effect transistor (either in the biosensor chip or in the detection device) is measured. Based on the measurement result, the presence / absence and concentration of the substance to be detected in the sample are detected.

電界効果トランジスタを利用するバイオセンサを保管中または輸送中に劣化させないことで、実用的な高感度バイオセンシングを実現する。   A practical high-sensitivity biosensing is realized by not degrading a biosensor using a field effect transistor during storage or transportation.

10,10’,10” バイオセンサチップ
11 実装基板
20 半導体基板
21 ソース電極
22 ドレイン電極
23 チャネル
24 反応場
25 走査電極または参照電極
26 被検出物質認識分子
30A,30B,30C 外部接続端子
40 封止部材
50 保湿シール
60,60’,60−1 バイオセンサチップ
61 実装基板
65 ガラス基板
66 絶縁膜
70 半導体基板
71 参照電極
72 反応場
73 被検出物質認識分子
75 反応場電位引出し配線
80A,80B 外部接続端子
90 封止部材
91 保湿シール
100 チップ梱包体
110 吸湿剤または乾燥剤
200 キット梱包体
300 梱包体
400 検出装置
410A,410B,410C 入力端子
420 電流検出手段
430 電源
440 検出回路
450 判定手段
460 表示手段
470 電源
500 検出装置
510A,510B 入力端子
520 電流検出手段
530 電源
540 電界効果トランジスタ
550 検出回路
560 判定手段
570 表示手段
580 電源
10, 10 ′, 10 ″ Biosensor chip 11 Mounting substrate 20 Semiconductor substrate 21 Source electrode 22 Drain electrode 23 Channel 24 Reaction field 25 Scanning electrode or reference electrode 26 Target substance recognition molecule 30A, 30B, 30C External connection terminal 40 Sealing Member 50 Moisturizing seal 60, 60 ′, 60-1 Biosensor chip 61 Mounting substrate 65 Glass substrate 66 Insulating film 70 Semiconductor substrate 71 Reference electrode 72 Reaction field 73 Detected substance recognition molecule 75 Reaction field potential extraction wiring 80A, 80B External connection Terminal 90 Sealing member 91 Moisturizing seal 100 Chip package 110 Hygroscopic agent or desiccant 200 Kit package 300 Package 400 Detection device 410A, 410B, 410C Input terminal 420 Current detection means 430 Power supply 440 Detection circuit 450 Determination means 460 Display Stage 470 power 500 detector 510A, 510B input terminal 520 current detecting means 530 Power 540 field effect transistor 550 detection circuit 560 determining means 570 Display means 580 Power

Claims (6)

電界効果トランジスタに接続された反応場に被検出物質認識分子を固定化して前記被検出物質認識分子に被検出物質を反応させたときに、前記電界効果トランジスタに発生する電流の値を測定されるバイオセンサチップと、前記バイオセンサチップおよび乾燥剤を密封する、金属膜を含む梱包材からなる第1梱包体と、前記被検出物質認識分子と、前記被検出物質認識分子を保湿状態で密封する、金属膜を含む梱包材からなる第2梱包体と、前記第1梱包体および前記第2梱包体を密封する、金属膜を含む梱包材からなる第3梱包体と、を含むバイオセンサキットであって、
前記バイオセンサチップは、実装基板と、前記実装基板に実装された前記電界効果トランジスタと、前記実装基板上に形成された、前記電界効果トランジスタにゲート電位を供給する前記反応場と、を有し、
前記実装基板には、前記電界効果トランジスタのソース電極に電気接続された外部接続端子と、前記電界効果トランジスタのドレイン電極に電気接続された外部接続端子と、前記反応場に所定電位を印加するための外部接続端子と、が設けられている、
バイオセンサキット。
When a substance to be detected is immobilized in a reaction field connected to a field effect transistor and the substance to be detected is reacted with the substance to be detected, the value of a current generated in the field effect transistor is measured. A biosensor chip, a first packing body made of a packing material including a metal film, which seals the biosensor chip and the desiccant, and the target substance recognition molecule and the target substance recognition molecule are sealed in a moisturized state. A biosensor kit comprising: a second packing body made of a packing material containing a metal film; and a third packing body made of a packing material containing a metal film that seals the first packing body and the second packing body. There,
The biosensor chip includes a mounting substrate, the field effect transistor mounted on the mounting substrate, and the reaction field that is formed on the mounting substrate and supplies a gate potential to the field effect transistor. ,
An external connection terminal electrically connected to a source electrode of the field effect transistor, an external connection terminal electrically connected to a drain electrode of the field effect transistor, and a predetermined potential applied to the reaction field on the mounting substrate And an external connection terminal,
Biosensor kit.
前記反応場は、前記被検出物質認識分子を固定化するための表面処理がなされている、請求項1に記載のバイオセンサキット。   The biosensor kit according to claim 1, wherein the reaction field is subjected to a surface treatment for immobilizing the substance to be detected recognition molecule. 前記反応場の前記表面処理は、シラン化処理である、請求項2に記載のバイオセンサキット。   The biosensor kit according to claim 2, wherein the surface treatment of the reaction field is a silanization treatment. 前記反応場の前記表面処理は、金または白金の薄膜が形成され、該薄膜上にSAM膜が形成される処理である、請求項2に記載のバイオセンサキット。   The biosensor kit according to claim 2, wherein the surface treatment of the reaction field is a treatment in which a thin film of gold or platinum is formed and a SAM film is formed on the thin film. 前記反応場は、前記実装基板上に配置された半導体基板に形成されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載のバイオセンサキット。   The biosensor kit according to any one of claims 1 to 4, wherein the reaction field is formed on a semiconductor substrate arranged on the mounting substrate. 前記実装基板は、無機材料、有機材料またはそれらの混成材料からなる、請求項1〜4のいずれか一項に記載のバイオセンサキット。   The biosensor kit according to any one of claims 1 to 4, wherein the mounting substrate is made of an inorganic material, an organic material, or a hybrid material thereof.
JP2013153540A 2013-07-24 2013-07-24 Biosensor kit Active JP5472520B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013153540A JP5472520B2 (en) 2013-07-24 2013-07-24 Biosensor kit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013153540A JP5472520B2 (en) 2013-07-24 2013-07-24 Biosensor kit

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010064676A Division JP5402758B2 (en) 2010-03-19 2010-03-19 Biosensor kit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013235013A true JP2013235013A (en) 2013-11-21
JP5472520B2 JP5472520B2 (en) 2014-04-16

Family

ID=49761220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013153540A Active JP5472520B2 (en) 2013-07-24 2013-07-24 Biosensor kit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5472520B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023026843A1 (en) * 2021-08-24 2023-03-02 国立大学法人東京農工大学 Chemical sensor element or chemical sensor array mounted with recombinant olfactory receptor, chemical sensor using chemical sensor array, and method for producing sensitive film constituting chemical sensor element

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06229970A (en) * 1993-02-03 1994-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Humor constituent measuring device
JPH11271260A (en) * 1998-03-24 1999-10-05 Gunze Ltd Specimen measuring device
JP2001181597A (en) * 1999-12-24 2001-07-03 Three M Innovative Properties Co Electroconductive adhesive and bioelectric pole
JP2008082988A (en) * 2006-09-28 2008-04-10 Hokkaido Univ Detecting method utilizing multistage amplification
JP2008134255A (en) * 2007-12-17 2008-06-12 Hitachi Ltd Biomolecule detector, and biomolecule detection method using the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06229970A (en) * 1993-02-03 1994-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Humor constituent measuring device
JPH11271260A (en) * 1998-03-24 1999-10-05 Gunze Ltd Specimen measuring device
JP2001181597A (en) * 1999-12-24 2001-07-03 Three M Innovative Properties Co Electroconductive adhesive and bioelectric pole
JP2008082988A (en) * 2006-09-28 2008-04-10 Hokkaido Univ Detecting method utilizing multistage amplification
JP2008134255A (en) * 2007-12-17 2008-06-12 Hitachi Ltd Biomolecule detector, and biomolecule detection method using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023026843A1 (en) * 2021-08-24 2023-03-02 国立大学法人東京農工大学 Chemical sensor element or chemical sensor array mounted with recombinant olfactory receptor, chemical sensor using chemical sensor array, and method for producing sensitive film constituting chemical sensor element

Also Published As

Publication number Publication date
JP5472520B2 (en) 2014-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3197359B1 (en) Systems and methods for detecting a substance in bodily fluid
JP5402758B2 (en) Biosensor kit
Im et al. Development of a point-of-care testing platform with a nanogap-embedded separated double-gate field effect transistor array and its readout system for detection of avian influenza
Noyce et al. Electronic stability of carbon nanotube transistors under long-term bias stress
JP4081477B2 (en) Biomolecule detection apparatus and biomolecule detection method using the same
CN104737008B (en) Integrated circuit, sensing device further and measuring method with sensing transistor array
JP4731544B2 (en) Biomolecule detection apparatus and biomolecule detection method using the same
JP2006258661A (en) Organic transistor type biosensor, and biosensor measuring method
US7719004B2 (en) Sensor having hydrophobic coated elements
JP4456303B2 (en) pH sensor
US20170010237A1 (en) Ion sensor based on differential measurement, and production method
US9128035B2 (en) Sensor for registering an analyte concentration
US8093667B2 (en) Flexible gate electrode device for bio-sensing
Shojaei Baghini et al. Ultra‐thin ISFET‐based sensing systems
JP5472520B2 (en) Biosensor kit
CN108120752B (en) Sensor chip with air bridge reference electrode shading structure and preparation method
Ren et al. Field‐effect transistor‐based biosensor for pH sensing and mapping
JP2011196850A5 (en) Biosensor kit
TWI393880B (en) Method for sodium ion selective electrode, sodium ion selective electrode therefrom and sodium ion sensing device
Mokhtarifar et al. Low-cost EGFET-based pH-sensor using encapsulated ITO/PET-electrodes
Mokhtarifar et al. Indium tin oxide coated PET for differential pH‐sensing using field‐effect transistor based sensor
Mokhtarifar et al. EGFET differential pair with ITO as the extended-gate membrane for pH-sensing
KR20090039864A (en) Biosensor using a field effect transistor
JP2895561B2 (en) Semiconductor sensor device
JP2006138761A (en) Semiconductor sensor chip and semiconductor sensor

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131203

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140120

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5472520

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150