JP2013232992A - Surface acoustic wave device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、主として移動体通信機器において使用される表面実装型の弾性表面波デバイスに関するものである。 The present invention relates to a surface-mount type surface acoustic wave device mainly used in mobile communication equipment.
従来の弾性表面波デバイスは、図７に示すように、圧電基板１の表面に複数の櫛形電極２と、複数のパッド電極３と、前記複数の櫛形電極２間および櫛形電極２とパッド電極３との間を接続する配線４を設け、そして、前記圧電基板１の上において櫛形電極２を囲むように側壁５を設けるとともに、前記櫛形電極２を上面から覆うように側壁５の上面に金属製の天板６を接着層７を介して接着することにより、櫛形電極２の励振空間８を確保し、さらに、その上を封止樹脂９で覆うことにより外形を確保し、そして、前記封止樹脂９を貫通する柱状電極１０を用いて封止樹脂９の上に設けられた外部端子１１とパッド電極３とを電気的に接続するようにしていた。 As shown in FIG. 7, the conventional surface acoustic wave device has a plurality of comb-shaped electrodes 2, a plurality of pad electrodes 3, a space between the plurality of comb-shaped electrodes 2, and a comb-shaped electrode 2 and a pad electrode 3. And a side wall 5 is provided on the piezoelectric substrate 1 so as to surround the comb-shaped electrode 2, and a metal is formed on the upper surface of the side wall 5 so as to cover the comb-shaped electrode 2 from the upper surface. By adhering the top plate 6 with the adhesive layer 7, the excitation space 8 of the comb-shaped electrode 2 is secured, and the outer shape is secured by covering it with the sealing resin 9, and the sealing The external electrode 11 provided on the sealing resin 9 and the pad electrode 3 are electrically connected using the columnar electrode 10 penetrating the resin 9.
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。 As prior art document information relating to the invention of this application, for example, Patent Document 1 is known.
しかしながら、このような弾性表面波デバイスでは、側壁５による誘電率の寄与を抑制するため、配線４と天板６との間に側壁５を設けずに空間を設けて寄生容量の発生を抑制しているが、櫛形電極２の面積の大きい箇所では、天板６が封止樹脂９の注入圧力や外力などによりたわんだ時に、櫛形電極２や配線４と天板６との距離が短くなって寄生容量が増大してしまい、弾性表面波デバイスの電気特性が低下してしまうという課題が生じるものであった。そのため、従来の弾性表面波デバイスにおいては、励振空間８の高さを高く設定する必要があり、低背化には限界があった。 However, in such a surface acoustic wave device, in order to suppress the contribution of the dielectric constant by the side wall 5, a space is provided between the wiring 4 and the top plate 6 without providing the side wall 5, thereby suppressing the generation of parasitic capacitance. However, in the part where the area of the comb electrode 2 is large, the distance between the comb electrode 2 and the wiring 4 and the top plate 6 is shortened when the top plate 6 is bent by the injection pressure or external force of the sealing resin 9. The parasitic capacitance increases and the electrical characteristics of the surface acoustic wave device deteriorate. Therefore, in the conventional surface acoustic wave device, it is necessary to set the height of the excitation space 8 high, and there is a limit to reducing the height.
本発明は上記従来の課題を解決するもので、低背化することが可能な弾性表面波デバイスを提供することを目的とするものである。 The present invention solves the above-described conventional problems, and an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device that can be reduced in height.
上記目的を達成するために、本発明は、圧電基板と、前記圧電基板の表面に設けられた櫛形電極と、前記櫛形電極に接続された配線と、前記圧電基板の上に設けられ、かつ前記櫛形電極を囲む側壁と、前記側壁の上に設けられ、かつ前記櫛形電極の励振空間を覆う天板と、を備え、前記配線の中に非導体部を設け、前記側壁の内側に前記側壁と非接触になるように、前記非導体部の上に前記圧電基板側から前記天板側に至る柱状部を設けた構成を有する。 In order to achieve the above object, the present invention provides a piezoelectric substrate, a comb electrode provided on the surface of the piezoelectric substrate, a wiring connected to the comb electrode, the piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate. A side wall that surrounds the comb-shaped electrode, and a top plate that is provided on the side wall and covers the excitation space of the comb-shaped electrode, and a non-conductor portion is provided in the wiring, and the side wall is provided inside the side wall. A columnar portion extending from the piezoelectric substrate side to the top plate side is provided on the non-conductor portion so as to be non-contact.
また本発明は、圧電基板と、前記圧電基板の表面に設けられた櫛形電極と、前記櫛形電極に接続された配線と、前記圧電基板の上に設けられ、かつ前記櫛形電極を囲む側壁と、前記側壁の上に設けられ、かつ前記櫛形電極の励振空間を覆う天板と、を備え、前記側壁の内側に前記側壁と非接触になるように、前記配線の上から前記天板に至る複数の柱状部を設けた構成を有する。 The present invention also includes a piezoelectric substrate, a comb electrode provided on the surface of the piezoelectric substrate, a wiring connected to the comb electrode, a side wall provided on the piezoelectric substrate and surrounding the comb electrode, A top plate provided on the side wall and covering the excitation space of the comb-shaped electrode, and a plurality of pieces extending from the top of the wiring to the top plate so as to be in non-contact with the side wall inside the side wall. The columnar part is provided.
上記構成を有することにより、本発明の弾性表面波デバイスは、外力が加わった場合にも圧電基板と天板との距離を確保することができ、配線と天板との間の寄生容量の増加を抑制することができ、その結果、弾性表面波デバイスを低背化した場合であっても電気特性の低下を抑制することが可能になるという優れた効果を奏する。 With the above configuration, the surface acoustic wave device of the present invention can ensure the distance between the piezoelectric substrate and the top plate even when an external force is applied, and increase the parasitic capacitance between the wiring and the top plate. As a result, even if the surface acoustic wave device is reduced in height, it is possible to suppress the deterioration of electrical characteristics.
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて、本発明の特に請求項１に記載の発明について説明する。なお、上述した従来の弾性表面波デバイスと同様の構成については同じ符号を付して説明する。
(Embodiment 1)
Hereinafter, the first aspect of the present invention will be described with reference to the first embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected and demonstrated about the structure similar to the conventional surface acoustic wave device mentioned above.
図１は本発明の実施の形態１における弾性表面波デバイスの一例である弾性表面波デュプレクサの断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view of a surface acoustic wave duplexer that is an example of a surface acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
図１に示すように、その基本的な構造は、従来の弾性表面波デバイスと同様、圧電基板１の表面に複数の櫛形電極２と、複数のパッド電極３と、前記複数の櫛形電極２間および櫛形電極２とパッド電極３との間を接続する配線４を設け、そして、前記圧電基板１の上において櫛形電極２を囲むように側壁５を設けるとともに、前記櫛形電極２を上面から覆うように側壁５の上面に金属製の天板６を接着層７を介して接着することにより、櫛形電極２の励振空間８を確保し、さらに、その上を封止樹脂９で覆うことにより外形を確保し、そして、前記封止樹脂９を貫通する柱状電極１０を用いて封止樹脂９の上に設けられた外部端子１１とパッド電極３とを電気的に接続するようにしているもので、これにより、弾性表面波デバイスの一例である弾性表面波デュプレクサを構成しているものである。 As shown in FIG. 1, the basic structure is the same as that of a conventional surface acoustic wave device, on the surface of a piezoelectric substrate 1 between a plurality of comb electrodes 2, a plurality of pad electrodes 3, and the plurality of comb electrodes 2. In addition, a wiring 4 for connecting the comb electrode 2 and the pad electrode 3 is provided, and a side wall 5 is provided on the piezoelectric substrate 1 so as to surround the comb electrode 2 and the comb electrode 2 is covered from above. A metal top plate 6 is bonded to the upper surface of the side wall 5 through an adhesive layer 7 to secure an excitation space 8 for the comb-shaped electrode 2 and further covered with a sealing resin 9 to form an outer shape. And the external electrode 11 provided on the sealing resin 9 and the pad electrode 3 are electrically connected using the columnar electrode 10 penetrating the sealing resin 9. This is an example of a surface acoustic wave device. Those constituting the surface acoustic wave duplexer.
ここで、前記圧電基板１は、板厚１００〜３５０μｍ程度の回転ＹカットＸ伝播のタンタル酸リチウムで構成され、かつ前記櫛形電極２、パッド電極３および配線４は厚みが約１μｍのアルミニウムを主成分とする合金で構成され、また前記側壁５はフォトリソグラフィによりパターン形成され、かつ熱により硬化させるようにしたポリイミド系の樹脂で構成され、さらに前記天板６は１〜１０μｍ程度の銅箔６ａに厚さ２０〜４０μｍ程度のメッキ層６ｂを施したもので構成されているもので、これは外力に対して励振空間の形状を確保するとともに櫛形電極２の発熱に対して放熱性を確保するもので、グランドに接続しているものである。 Here, the piezoelectric substrate 1 is made of rotating Y-cut X-propagating lithium tantalate having a plate thickness of about 100 to 350 μm, and the comb electrode 2, pad electrode 3 and wiring 4 are mainly made of aluminum having a thickness of about 1 μm. The side wall 5 is composed of a polyimide resin that is patterned by photolithography and cured by heat, and the top plate 6 is a copper foil 6a of about 1 to 10 μm. Is provided with a plating layer 6b having a thickness of about 20 to 40 μm, which ensures the shape of the excitation space with respect to the external force and the heat dissipation with respect to the heat generation of the comb-shaped electrode 2. Which is connected to the ground.
また、前記接着層７は厚みが１〜１０μｍ程度のエポキシ系の樹脂で構成され、かつ前記封止樹脂９は酸化シリコンをフィラーとして配合したエポキシ系の樹脂で構成され、そして、前記柱状電極１０は銅を主成分としてメッキにより形成され、さらに前記外部端子１１は銅などの金属製の導体から成るもので、弾性表面波デュプレクサにおけるアンテナ端子、送信端子、受信端子、グランド端子として機能するものである。 The adhesive layer 7 is made of an epoxy resin having a thickness of about 1 to 10 μm, the sealing resin 9 is made of an epoxy resin containing silicon oxide as a filler, and the columnar electrode 10 Is formed by plating with copper as a main component, and the external terminal 11 is made of a metal conductor such as copper, and functions as an antenna terminal, a transmission terminal, a reception terminal, and a ground terminal in a surface acoustic wave duplexer. is there.
そして、本発明の実施の形態１においては、複数の櫛形電極２間および櫛形電極２とパッド電極３との間を接続する配線４の上に天板６に至る非導電性の柱状部１２を設けたものである。このように本発明の実施の形態１においては、側壁５とほぼ同じ高さの柱状部１２を櫛形電極２の近くにおいて配線４と天板６との間に設けているため、天板６のたわみを抑制することができるとともに、配線４と天板６との間の距離を確保することができ、これにより、弾性表面波デバイスを低背化しても配線４と天板６との間の容量結合による寄生容量の発生を抑制することができるため、弾性表面波デバイスの低背化が可能となるものである。 In Embodiment 1 of the present invention, the non-conductive columnar portion 12 reaching the top plate 6 is formed on the wiring 4 connecting the plurality of comb electrodes 2 and between the comb electrodes 2 and the pad electrodes 3. It is provided. As described above, in Embodiment 1 of the present invention, the columnar portion 12 having substantially the same height as the side wall 5 is provided between the wiring 4 and the top plate 6 near the comb-shaped electrode 2. In addition to being able to suppress deflection, it is possible to secure a distance between the wiring 4 and the top plate 6, so that even if the surface acoustic wave device is reduced in height, the distance between the wiring 4 and the top plate 6 can be reduced. Since the generation of parasitic capacitance due to capacitive coupling can be suppressed, the surface acoustic wave device can be reduced in height.
次に、本発明の実施の形態１における弾性表面波デバイスの一例である弾性表面波デュプレクサのパターン配置について図２（ａ）（ｂ）を参照しながら説明する。 Next, a pattern arrangement of a surface acoustic wave duplexer that is an example of the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
図２（ａ）は本発明の実施の形態１における弾性表面波デバイスの圧電基板の上の電極パターン配置図、図２（ｂ）は同弾性表面波デバイスの圧電基板の上の側壁および柱状部のパターン配置図である。 FIG. 2A is an electrode pattern arrangement diagram on the piezoelectric substrate of the surface acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2B is a side wall and a columnar portion on the piezoelectric substrate of the surface acoustic wave device. FIG.
図２（ａ）および図２（ｂ）において、３ａはアンテナ端子に接続するパッド電極、３ｂは送信端子に接続するパッド電極、３ｃは受信端子に接続するパッド電極、３ｄはグランド端子に接続するパッド電極で、前記パッド電極３ａからパッド電極３ｂ側の回路が送信回路、パッド電極３ａからパッド電極３ｃ側の回路が受信回路である。そして、前記パッド電極３ａからパッド電極３ｂまでの直列線路上およびパッド電極３ａからパッド電極３ｃまでの直列線路上の配線４ａは信号ラインを構成しているもので、これらの直列線路上の櫛形電極２が直列共振器である。また、直列線路から分岐してパッド電極３ｄに繋がる並列線路上の櫛形電極２は並列共振器を構成し、そして、並列線路上の櫛形電極２とパット電極３ｄを接続する配線４ｂはグランドラインを構成しているものである。そしてまた、ポリイミド系の樹脂により構成された側壁５は、前記圧電基板１の上において櫛形電極２を囲むように設けられているものである。 2A and 2B, 3a is a pad electrode connected to the antenna terminal, 3b is a pad electrode connected to the transmission terminal, 3c is a pad electrode connected to the reception terminal, and 3d is connected to the ground terminal. In the pad electrode, a circuit on the pad electrode 3b side from the pad electrode 3a is a transmitting circuit, and a circuit on the pad electrode 3c side from the pad electrode 3a is a receiving circuit. The wiring 4a on the series line from the pad electrode 3a to the pad electrode 3b and on the series line from the pad electrode 3a to the pad electrode 3c constitutes a signal line, and the comb electrodes on these series lines 2 is a series resonator. Further, the comb electrode 2 on the parallel line branched from the series line and connected to the pad electrode 3d constitutes a parallel resonator, and the wiring 4b connecting the comb electrode 2 and the pad electrode 3d on the parallel line has a ground line. It is what constitutes. Further, the side wall 5 made of polyimide resin is provided on the piezoelectric substrate 1 so as to surround the comb-shaped electrode 2.
そして、本発明の実施の形態１においては、圧電基板１の上において、櫛形電極２に接続する配線４のうち、信号ラインの配線４ａの上に位置して天板６に至る非導電性の柱状部１２を設けたものである。 In Embodiment 1 of the present invention, on the piezoelectric substrate 1, among the wirings 4 connected to the comb-shaped electrode 2, the nonconductive material is located on the signal line wiring 4 a and reaches the top plate 6. A columnar portion 12 is provided.
ここでは、図２（ａ）（ｂ）に示しているように、櫛形電極２の近くにおける信号ラインの配線４ａの上には側壁５を設けずに空間を設けるとともに、配線４ａの上に側壁５とは独立した複数の孤立した柱状部１２を設けるとよい。これは、信号ラインの配線４ａとグランドラインに繋がる天板６との間に電位差が存在し、そして、これらの間の誘電性の物質による影響を最小限にすることにより寄生容量の発生を抑制できるためである。一方、グランドラインの配線４ｂは天板６と同電位であって、寄生容量が発生しないため、側壁５で覆ってもよいものである。 Here, as shown in FIGS. 2A and 2B, a space is provided on the signal line wiring 4a near the comb electrode 2 without providing the side wall 5, and a side wall is formed on the wiring 4a. It is preferable to provide a plurality of isolated columnar portions 12 independent of 5. This is because there is a potential difference between the wiring 4a of the signal line and the top plate 6 connected to the ground line, and the generation of parasitic capacitance is suppressed by minimizing the influence of the dielectric material between them. This is because it can. On the other hand, the wiring 4b of the ground line has the same potential as the top plate 6 and does not generate a parasitic capacitance, and therefore may be covered with the side wall 5.
なお、上記した本発明の実施の形態１における弾性表面波デバイスにおいては、弾性表面波デュプレクサを一例に挙げて説明したが、その他の弾性表面波デバイスに適用した場合においても、同様の効果を有するものである。 In the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention described above, the surface acoustic wave duplexer has been described as an example, but the same effect can be obtained when applied to other surface acoustic wave devices. Is.
（実施の形態２）
以下、実施の形態２を用いて、本発明の特に請求項２に記載の発明について説明する。
(Embodiment 2)
The second aspect of the present invention will be described below with reference to the second embodiment.
この実施の形態２においては、上記した本発明の実施の形態１と共通する構成部品については同一番号を付しており、その説明は省略する。 In the second embodiment, the same reference numerals are given to the components common to the above-described first embodiment of the present invention, and the description thereof is omitted.
なお、この実施の形態２において、上記した本発明の実施の形態１と相違する点は、柱状部１２の下の配線４に非導体部を設けたことである。 The second embodiment is different from the first embodiment of the present invention described above in that a non-conductor portion is provided in the wiring 4 under the columnar portion 12.
図３は本発明の実施の形態２における弾性表面波デバイスの一例である弾性表面波デュプレクサの断面図である。 FIG. 3 is a cross-sectional view of a surface acoustic wave duplexer that is an example of a surface acoustic wave device according to Embodiment 2 of the present invention.
図３に示すように、本発明の実施の形態２においては、複数の櫛形電極２間および櫛形電極２とパッド電極３との間を接続する配線４の中に非導体部１３を設けるとともに、この非導体部１３の上に位置して圧電基板１から天板６に至る非導電性の柱状部１２を設けたものである。このように、配線４の導体の上に柱状部１２を設けずに、配線４の中に非導体部１３を設け、そして、この非導体部１３の上に位置して柱状部１２を設けることにより、配線４と天板６との間の容量結合に対する柱状部１２の誘電率の影響を最小限にすることができるため、弾性表面波デバイスの低背化がさらに可能となるものである。 As shown in FIG. 3, in the second embodiment of the present invention, the non-conductor portion 13 is provided in the wiring 4 that connects the plurality of comb-shaped electrodes 2 and between the comb-shaped electrodes 2 and the pad electrode 3, A non-conductive columnar portion 12 is provided on the non-conductor portion 13 and extends from the piezoelectric substrate 1 to the top plate 6. As described above, the non-conductor portion 13 is provided in the wiring 4 without providing the columnar portion 12 on the conductor of the wiring 4, and the columnar portion 12 is provided on the non-conductor portion 13. As a result, the influence of the dielectric constant of the columnar portion 12 on the capacitive coupling between the wiring 4 and the top plate 6 can be minimized, so that the surface acoustic wave device can be further reduced in height.
次に、本発明の実施の形態２における弾性表面波デバイスの一例である弾性表面波デュプレクサのパターン配置について図４（ａ）（ｂ）を参照しながら説明する。 Next, a pattern arrangement of a surface acoustic wave duplexer, which is an example of a surface acoustic wave device according to Embodiment 2 of the present invention, will be described with reference to FIGS.
図４（ａ）は本発明の実施の形態２における弾性表面波デバイスの圧電基板の上の電極パターン配置図、図４（ｂ）は同弾性表面波デバイスの圧電基板の上の側壁および柱状部のパターン配置図である。 FIG. 4A is an electrode pattern arrangement diagram on the piezoelectric substrate of the surface acoustic wave device according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 4B is a side wall and columnar portion on the piezoelectric substrate of the surface acoustic wave device. FIG.
図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、本発明の実施の形態２においては、櫛形電極２に接続する配線のうち、信号ラインの配線４ａの中に非導体部１３を設けるとともに、この非導体部１３の上に位置して圧電基板１から天板６に至る非導電性の柱状部１２を設けたものである。 As shown in FIGS. 4A and 4B, in the second embodiment of the present invention, the non-conductor portion 13 is provided in the signal line wiring 4a among the wirings connected to the comb-shaped electrode 2. In addition, a non-conductive columnar portion 12 is provided on the non-conductor portion 13 and extends from the piezoelectric substrate 1 to the top plate 6.
ここでは、図４（ａ）（ｂ）に示しているように、櫛形電極２の近くにおける配線４ａの上には側壁５を設けずに空間を設け、そして、配線４ａの中に非導体部１３を設け、さらにこの非導体部１３の上に位置して柱状部１２を設けているもので、このような構成にしたことによる効果は、信号ラインの配線４ａにおいて著しいものである。これは、信号ラインの配線４ａとグランドラインに繋がる天板６との間に電位差が存在し、そして、これらの間に誘電性の物質を存在させないことにより寄生容量の発生を抑制できるためである。一方、グランドラインの配線４ｂは天板６と同電位であって、寄生容量が発生しないため、側壁５で覆ってもよいものである。 Here, as shown in FIGS. 4A and 4B, a space is provided on the wiring 4a near the comb-shaped electrode 2 without providing the side wall 5, and a non-conductor portion is formed in the wiring 4a. 13 and further provided with the columnar portion 12 positioned on the non-conductor portion 13, and the effect of such a configuration is remarkable in the wiring 4a of the signal line. This is because there is a potential difference between the wiring 4a of the signal line and the top plate 6 connected to the ground line, and the generation of parasitic capacitance can be suppressed by not having a dielectric substance between them. . On the other hand, the wiring 4b of the ground line has the same potential as the top plate 6 and does not generate a parasitic capacitance, and therefore may be covered with the side wall 5.
なお、送信回路における信号ラインにおいては、送信端子に繋がるパッド電極３ｂに近い側の櫛形電極２には大きな電力がかかるため、その櫛形電極２を繋ぐ配線４ａの中の非導体部１３を複数に分割し、そして、それぞれの非導体部１３の上に柱状部１２を設けると良く、このように配線４ａを分割するようにすれば、櫛形電極２に流入・流出する電流を局所的に集中させることなく均等化することが可能となるものであり、そして、抵抗成分の増加を抑制することによって、挿入損失の増加を抑制でき、かつ熱放散を均等化できるものである。 Note that in the signal line in the transmission circuit, a large amount of electric power is applied to the comb-shaped electrode 2 on the side close to the pad electrode 3b connected to the transmission terminal. Therefore, a plurality of non-conductor portions 13 in the wiring 4a connecting the comb-shaped electrode 2 are provided. It is preferable to divide and provide the columnar part 12 on each non-conductor part 13, and if the wiring 4a is divided in this way, the current flowing into and out of the comb electrode 2 is locally concentrated. It is possible to equalize without increasing, and by suppressing the increase of the resistance component, it is possible to suppress the increase in insertion loss and equalize the heat dissipation.
次に、本発明の実施の形態２における弾性表面波デバイスの製造方法について、図５（ａ）〜（ｆ）を参照しながら説明する。 Next, a method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
まず、図５（ａ）に示すように、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムで構成された圧電基板１の表面に、フォトリソグラフィ技術を用いて複数の櫛形電極２、複数のパッド電極３、そして前記複数の櫛形電極２間および櫛形電極２とパッド電極３との間を接続する配線４をアルミニウムを主成分とする合金で形成する。このとき、配線４を櫛形電極２の近くにおいて分割し、そして、分割された配線４の間に非導体部１３を設ける。 First, as shown in FIG. 5A, a plurality of comb-shaped electrodes 2, a plurality of pad electrodes 3, and the above-described electrodes are formed on the surface of a piezoelectric substrate 1 made of lithium tantalate or lithium niobate using a photolithography technique. The wiring 4 that connects between the plurality of comb-shaped electrodes 2 and between the comb-shaped electrode 2 and the pad electrode 3 is formed of an alloy mainly composed of aluminum. At this time, the wiring 4 is divided near the comb-shaped electrode 2, and the non-conductor portion 13 is provided between the divided wirings 4.
次に、図５（ｂ）に示すように、感光性のポリイミド系樹脂を圧電基板１に塗布し、そして、露光、現像を行うことにより櫛形電極２を囲む側壁５を形成する。この側壁５の高さは５〜１５μｍ程度である。また、この側壁５を形成する工程において、この側壁５の形成と同時に、配線４の間に設けられた非導体部１３に感光性ポリイミド樹脂からなる柱状部１２を形成する。この同時形成により、柱状部１２の高さは側壁５の高さとほぼ同じとなるものである。 Next, as shown in FIG. 5B, a photosensitive polyimide resin is applied to the piezoelectric substrate 1, and the sidewall 5 surrounding the comb-shaped electrode 2 is formed by performing exposure and development. The height of the side wall 5 is about 5 to 15 μm. In the step of forming the side wall 5, the columnar portion 12 made of a photosensitive polyimide resin is formed on the non-conductive portion 13 provided between the wirings 4 simultaneously with the formation of the side wall 5. By this simultaneous formation, the height of the columnar portion 12 becomes substantially the same as the height of the side wall 5.
次に、図５（ｃ）に示すように、側壁５の上面および柱状部１２の上面に、銅箔６ａを接着層７を介して貼り合わせ、その上からレジストを用いて銅箔６ａを所定のパターンにエッチングする。そして、この上に金属からなるスパッタ膜を成膜する。 Next, as shown in FIG.5 (c), the copper foil 6a is bonded together on the upper surface of the side wall 5 and the upper surface of the columnar part 12 via the adhesive layer 7, and the copper foil 6a is predetermined | prescribed from it using a resist. Etch to the pattern. Then, a sputtered film made of metal is formed thereon.
次に、図５（ｄ）に示すように、圧電基板１の上に、メッキ層６ｂおよび柱状電極１０を形成する部分を開口したレジストパターン１４ａを形成し、そして、電解メッキによりメッキ層６ｂおよび柱状電極１０を形成する。 Next, as shown in FIG. 5 (d), a resist pattern 14a is formed on the piezoelectric substrate 1 with openings for forming the plating layer 6b and the columnar electrode 10, and the plating layer 6b and the plating layer 6b are formed by electrolytic plating. The columnar electrode 10 is formed.
次に、図５（ｅ）に示すように、柱状電極１０を形成する部分を開口したレジストパターン１４ｂを形成し、電解メッキを施すことにより柱状電極１０を更に上まで形成する。 Next, as shown in FIG. 5E, a resist pattern 14b having an opening at a portion where the columnar electrode 10 is to be formed is formed, and the columnar electrode 10 is formed further up by electrolytic plating.
次に、図５（ｆ）に示すように、レジストパターン１４ａ、１４ｂを除去した後、圧電基板１の表面全体を封止樹脂９で覆い、そして、この表面を研磨して平坦化するとともに、柱状電極１０の上面を露出させ、柱状電極１０の上面と電気的に接続された外部端子１１を形成する。その後、ダイシングにより圧電基板１および封止樹脂９を同時に切断することにより、集合基板から個片状の弾性表面波デバイスを得るものである。 Next, as shown in FIG. 5 (f), after removing the resist patterns 14a and 14b, the entire surface of the piezoelectric substrate 1 is covered with the sealing resin 9, and this surface is polished and flattened. The upper surface of the columnar electrode 10 is exposed, and the external terminal 11 electrically connected to the upper surface of the columnar electrode 10 is formed. Thereafter, the piezoelectric substrate 1 and the sealing resin 9 are simultaneously cut by dicing to obtain individual surface acoustic wave devices from the aggregate substrate.
（実施の形態３）
以下、実施の形態３を用いて、本発明の特に請求項３に記載の発明について説明する。
(Embodiment 3)
The third embodiment of the present invention will be described below in particular.
この実施の形態３においては、上記した本発明の実施の形態２と共通する構成部品については同一番号を付しており、その説明は省略する。 In the third embodiment, the same reference numerals are given to the components common to the above-described second embodiment of the present invention, and the description thereof is omitted.
なお、この実施の形態３において、上記した本発明の実施の形態２と相違する点は、柱状部１２の下部外周端を非導体部１３の周囲の配線４にかかるように形成したことである。 The third embodiment is different from the second embodiment of the present invention described above in that the lower outer peripheral end of the columnar portion 12 is formed so as to cover the wiring 4 around the non-conductor portion 13. .
図６は本発明の実施の形態３における弾性表面波デバイスの一例である弾性表面波デュプレクサの断面図である。 FIG. 6 is a cross-sectional view of a surface acoustic wave duplexer which is an example of a surface acoustic wave device according to Embodiment 3 of the present invention.
図６に示すように、本発明の実施の形態３においては、柱状部１２の下部外周端を非導体部１３の周囲の配線４にかかるように形成したもので、このような構成とすることにより、外力に対する柱状部１２の特に下部における強度をより強固に確保することができるとともに、櫛形電極２から発生する熱も柱状部１２を通して天板６に効果的に伝えることができ、これにより、良好な放熱特性を得ることができるものである。この放熱特性の向上は、耐電力特性を向上させることができるものであり、そして、この耐電力特性の向上は多段の櫛形電極の段数を減らすことができるなど、櫛形電極の面積を小さくすることも可能となり、その結果、更なる小型化が可能になるものである。 As shown in FIG. 6, in Embodiment 3 of the present invention, the lower outer peripheral end of the columnar part 12 is formed so as to cover the wiring 4 around the non-conductor part 13. Thus, the strength at the lower portion of the columnar portion 12 with respect to external force can be secured more firmly, and the heat generated from the comb-shaped electrode 2 can be effectively transmitted to the top plate 6 through the columnar portion 12, thereby Good heat dissipation characteristics can be obtained. This improvement in heat dissipation characteristics can improve the power handling characteristics, and this improvement in power handling characteristics can reduce the number of stages of multi-stage comb electrodes, etc. As a result, further miniaturization becomes possible.
また、前記柱状部１２の壁面は、図６に示すように上から下に向けて広がるようにテーパー形状にしても良いもので、このような構成とすることにより、配線４と天板６との間の容量結合に対する柱状部１２の誘電率の寄与をより抑制することができるため、寄生容量をより効果的に抑制することができるものである。 Further, the wall surface of the columnar portion 12 may be tapered so as to spread from the top to the bottom as shown in FIG. 6. With this configuration, the wiring 4, the top plate 6, Since the contribution of the dielectric constant of the columnar portion 12 to the capacitive coupling between the two can be further suppressed, the parasitic capacitance can be more effectively suppressed.
本発明に係る弾性表面波デバイスは、低背化を実現することができ、主として移動体通信機器に用いられる面実装型の弾性表面波フィルタや弾性表面波デュプレクサなどの弾性表面波デバイス等において有用となるものである。 The surface acoustic wave device according to the present invention can realize a low profile and is useful in surface acoustic wave devices such as surface-mount surface acoustic wave filters and surface acoustic wave duplexers that are mainly used in mobile communication devices. It will be.
１ 圧電基板
２ 櫛形電極
３ パッド電極
４ 配線
５ 側壁
６ 天板
８ 励振空間
９ 封止樹脂
１１ 外部端子
１２ 柱状部
１３ 非導体部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Piezoelectric substrate 2 Comb electrode 3 Pad electrode 4 Wiring 5 Side wall 6 Top plate 8 Excitation space 9 Sealing resin 11 External terminal 12 Columnar part 13 Non-conductor part
Claims (7)
前記圧電基板の表面に設けられた櫛形電極と、
前記櫛形電極に接続された配線と、
前記圧電基板の上に設けられ、かつ前記櫛形電極を囲む側壁と、
前記側壁の上に設けられ、かつ前記櫛形電極の励振空間を覆う天板と、を備え、
前記配線の中に非導体部を設け、
前記側壁の内側に前記側壁と非接触になるように、前記非導体部の上に前記圧電基板側から前記天板側に至る柱状部を設けた弾性表面波デバイス。 A piezoelectric substrate;
Comb-shaped electrodes provided on the surface of the piezoelectric substrate;
Wiring connected to the comb electrode;
A side wall provided on the piezoelectric substrate and surrounding the comb electrode;
A top plate provided on the side wall and covering the excitation space of the comb electrode;
Provide a non-conductor portion in the wiring,
A surface acoustic wave device in which a columnar portion extending from the piezoelectric substrate side to the top plate side is provided on the non-conductor portion so as not to contact the side wall inside the side wall.
前記送信回路または受信回路の信号ライン上の前記櫛形電極間を繋ぐ前記配線の１つの中に複数個の前記非導体部を設け、
前記複数個の非導体部のそれぞれに前記柱状部を設けた請求項１記載の弾性表面波デバイス。 The comb electrode and the wiring constitute a transmission circuit or a reception circuit,
A plurality of the non-conductor portions are provided in one of the wirings connecting the comb-shaped electrodes on the signal line of the transmission circuit or the reception circuit;
The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the columnar portion is provided in each of the plurality of non-conductor portions.
前記圧電基板の表面に設けられた櫛形電極と、
前記櫛形電極に接続された配線と、
前記圧電基板の上に設けられ、かつ前記櫛形電極を囲む側壁と、
前記側壁の上に設けられ、かつ前記櫛形電極の励振空間を覆う天板と、を備え、
前記側壁の内側に前記側壁と非接触になるように、前記配線の上から前記天板に至る複数の柱状部を設けた弾性表面波デバイス。 A piezoelectric substrate;
Comb-shaped electrodes provided on the surface of the piezoelectric substrate;
Wiring connected to the comb electrode;
A side wall provided on the piezoelectric substrate and surrounding the comb electrode;
A top plate provided on the side wall and covering the excitation space of the comb electrode;
A surface acoustic wave device provided with a plurality of columnar portions from above the wiring to the top plate so as to be in non-contact with the side wall inside the side wall.
前記送信回路または受信回路の信号ライン上の前記櫛形電極間を繋ぐ前記配線の１つの上に前記複数の柱状部を設けた請求項４記載の弾性表面波デバイス。 The comb electrode and the wiring constitute a transmission circuit or a reception circuit,
The surface acoustic wave device according to claim 4, wherein the plurality of columnar portions are provided on one of the wirings connecting between the comb electrodes on a signal line of the transmission circuit or the reception circuit.
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015156626A (en) * | 2014-01-16 | 2015-08-27 | 京セラ株式会社 | Acoustic wave element, demultiplexer, and communication device |
| WO2015190166A1 (en) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | 株式会社村田製作所 | Surface acoustic wave device |
| WO2016017307A1 (en) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | 株式会社村田製作所 | Ladder type filter |
| CN106464231A (en) * | 2014-05-20 | 2017-02-22 | 株式会社村田制作所 | Elastic wave device and manufacturing method therefor |
| JP2017523697A (en) * | 2014-07-31 | 2017-08-17 | スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 | Elastic wave device |
| US20190052242A1 (en) * | 2015-12-24 | 2019-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017110993A1 (en) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社村田製作所 | High frequency module |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09512677A (en) * | 1994-05-02 | 1997-12-16 | シーメンス マツシタ コンポーネンツ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンデイート ゲゼルシヤフト | Electronic device encapsulation equipment |
| JP2008085620A (en) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave device, filter device and communications equipment |
-
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09512677A (en) * | 1994-05-02 | 1997-12-16 | シーメンス マツシタ コンポーネンツ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンデイート ゲゼルシヤフト | Electronic device encapsulation equipment |
| JP2008085620A (en) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave device, filter device and communications equipment |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015156626A (en) * | 2014-01-16 | 2015-08-27 | 京セラ株式会社 | Acoustic wave element, demultiplexer, and communication device |
| CN106464231A (en) * | 2014-05-20 | 2017-02-22 | 株式会社村田制作所 | Elastic wave device and manufacturing method therefor |
| WO2015190166A1 (en) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | 株式会社村田製作所 | Surface acoustic wave device |
| JPWO2015190166A1 (en) * | 2014-06-12 | 2017-04-20 | 株式会社村田製作所 | Surface acoustic wave device |
| WO2016017307A1 (en) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | 株式会社村田製作所 | Ladder type filter |
| JPWO2016017307A1 (en) * | 2014-07-28 | 2017-04-27 | 株式会社村田製作所 | Ladder type filter |
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| JP2017523697A (en) * | 2014-07-31 | 2017-08-17 | スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 | Elastic wave device |
| US20190052242A1 (en) * | 2015-12-24 | 2019-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US11476831B2 (en) * | 2015-12-24 | 2022-10-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
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