JP2013200250A - Power measurement device - Google Patents

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JP2013200250A JP2012069409A JP2012069409A JP2013200250A JP 2013200250 A JP2013200250 A JP 2013200250A JP 2012069409 A JP2012069409 A JP 2012069409A JP 2012069409 A JP2012069409 A JP 2012069409A JP 2013200250 A JP2013200250 A JP 2013200250A
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Eiji Iwami
英司 岩見
Hiroshi Yoshida
博 吉田
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Panasonic Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power measurement device that removes unnecessary components from detection voltage output by a magnetic sensor used for measuring the power supplied from an external power source to a load, in order to perform accurate power measurement.SOLUTION: A magnetic sensor is disposed near part of a load line for supplying power to a load from an external power source, and the magnetic sensor is supplied with current from the external power source. A filter is provided for removing fundamental frequency components and harmonic components from detection voltage output from the magnetic sensor, and load power is obtained on the basis of the resulting DC components.

Description

本発明は、外部電源を負荷に接続する負荷線路を流れる負荷電流によって変動する磁界の変化を利用して負荷へ供給される負荷電力を計測するための電力計測装置に関するものである。   The present invention relates to a power measuring device for measuring load power supplied to a load by using a change in a magnetic field that varies with a load current flowing through a load line connecting an external power source to the load.

非特許文献1や非特許文献2に示されるように、磁気抵抗素子やホール素子等の磁気センサを使用して、負荷で消費される電力を求めるように設計された電力測定装置が従来から提案されている。これらの磁気センサは、電源から負荷に流れる電流によって発生する磁気によって影響うけて検出電圧が変化する現象を利用するものであり、検出電圧は電力を示す成分を含むことから、求める電力は検出電圧の関数として表される。しかしながら、この種の磁気センサから出力される検出電圧には、求める電力に直接関係しない成分が含まれるため、より正確に電力を算出することが望まれる。   As shown in Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2, a power measuring device designed to obtain power consumed by a load by using a magnetic sensor such as a magnetoresistive element or a Hall element has been proposed. Has been. These magnetic sensors use a phenomenon in which the detection voltage changes due to the influence of magnetism generated by the current flowing from the power source to the load. Since the detection voltage includes a component indicating power, the required power is the detection voltage. Expressed as a function of However, since the detection voltage output from this type of magnetic sensor includes a component that is not directly related to the required power, it is desirable to calculate the power more accurately.

磁性膜を用いた薄膜電力計(電気学会マグネティックス研究会資料VOL.MAG−05No.182)Thin-film wattmeter using magnetic film (The Institute of Electrical Engineers of Japan Magnetics Study Group data VOL.MAG-05No.182) 磁性膜を用いた薄膜電力計(電気学会マグネティックス研究会資料VOL.MAG−08No.192)Thin film wattmeter using magnetic film (The Institute of Electrical Engineers of Japan Magnetics Study Group data VOL.MAG-08No.192)

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、磁気センサから出力される検出電圧に基づいて、外部電源から負荷に供給される電力の計測を正確に行うことができる電力測定装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to accurately measure the power supplied from an external power source to a load based on the detection voltage output from the magnetic sensor. It is to provide a power measuring device that can be performed.

この目的を実現するために、本発明の電力測定装置は、負荷線路に流れる負荷電流にて発生する磁界の影響を受けて変化する検出電圧を出力する磁気センサを使用し、負荷で消費される電力と関連のない変動成分を除去することを技術的な課題とする。   In order to realize this object, the power measuring device of the present invention uses a magnetic sensor that outputs a detection voltage that changes under the influence of a magnetic field generated by a load current flowing in a load line, and is consumed by a load. It is a technical problem to remove fluctuation components not related to electric power.

外部電源を負荷に接続する負荷線路を流れる負荷電流によって変動する磁界の変化を利用して負荷へ供給される負荷電力を計測するための電力計測装置である。この電力計測装置は、前記負荷線路の一部に近接配置される磁気センサと、前記磁気センサから出力される検出電圧に基づいて負荷電力を算出する電力演算器とを備える。前記磁気センサは外部電源からの電流が入力される電流入力端を有し、前記磁気センサは負荷線路に流れる負荷電流にて発生する磁界の影響を受けて磁気センサ自身に流れるセンサ電流が変化し、このセンサ電流の変化に応じた検出電圧を出力するように構成される。前記検出電圧は、DC電圧成分と基本周波数成分と高調波成分とを含む。前記電力計測装置は、前記磁気センサから出力される前記検出電圧から基本周波数成分と高調波成分を除去するフィルタを備えたことを特徴とする。   It is a power measuring device for measuring load power supplied to a load using a change in a magnetic field that varies with a load current flowing through a load line connecting an external power source to the load. The power measuring device includes a magnetic sensor disposed close to a part of the load line, and a power calculator that calculates load power based on a detection voltage output from the magnetic sensor. The magnetic sensor has a current input terminal to which current from an external power source is input. The magnetic sensor is affected by a magnetic field generated by a load current flowing through a load line, and a sensor current flowing through the magnetic sensor itself changes. The detection voltage corresponding to the change in the sensor current is output. The detection voltage includes a DC voltage component, a fundamental frequency component, and a harmonic component. The power measuring device includes a filter that removes a fundamental frequency component and a harmonic component from the detection voltage output from the magnetic sensor.

前記外部電源は、所定の周波数を有する交流電源である。前記フィルタは、上記交流電源の周波数未満の周波数成分を通過させるローパスフィルタであることが好ましい。   The external power source is an AC power source having a predetermined frequency. The filter is preferably a low-pass filter that allows a frequency component less than the frequency of the AC power supply to pass.

前記磁気センサは、負荷電流にて発生する磁界の影響を受けて、電気抵抗値が変化する
複数の磁気抵抗素子で構成される。前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化に応じた検出電圧を出力するように構成されたことが好ましい。
The magnetic sensor is composed of a plurality of magnetoresistive elements whose electrical resistance values change under the influence of a magnetic field generated by a load current. It is preferable that a detection voltage corresponding to a change in the resistance value of the magnetoresistive element is output.

前記磁気抵抗素子がフルブリッジ回路を構成し、このブリッジ回路はその電流入力端が前記外部電源に接続され、前記ブリッジ回路の電圧出力端間に前記検出電圧が発生するように構成されたことが好ましい。   The magnetoresistive element constitutes a full bridge circuit, and the bridge circuit is configured such that a current input terminal thereof is connected to the external power source and the detection voltage is generated between voltage output terminals of the bridge circuit. preferable.

上記電力演算器は、電圧平均出力部を有する。上記交流電源の周期の整数倍である単位期間に亘って前記検出電圧を加算した加算電圧を求める加算回路を備える。この加算電圧を単位期間で除算した平均検出電圧に基づいて電力を算出するように構成されたことが好ましい。   The power calculator has a voltage average output unit. An adder circuit is provided for obtaining an added voltage obtained by adding the detected voltages over a unit period that is an integral multiple of the period of the AC power supply. It is preferable that the power is calculated based on an average detection voltage obtained by dividing the added voltage by a unit period.

前記電力計測装置は、前記磁気センサから出力されるアナログの検出電圧を増幅する増幅器と、前記増幅器の出力をデジタルの検出電圧に変換するAD変換器と、前記磁気センサから出力される検出電圧の値の大小を示すゲインを判断するゲイン判断回路とを備える。前記電力計測装置は、上記デジタルの検出電圧に基づいて電力を演算するように構成される。上記ゲイン判断回路は、上記ゲインに基づいて、前記AD変換器に与える上限基準電圧を変化させて、前記AD変換器の分解レベルを検出電圧に対応させるように構成されたことが好ましい。   The power measuring device includes an amplifier that amplifies an analog detection voltage output from the magnetic sensor, an AD converter that converts an output of the amplifier into a digital detection voltage, and a detection voltage output from the magnetic sensor. A gain determination circuit for determining a gain indicating the magnitude of the value. The power measuring device is configured to calculate power based on the digital detection voltage. The gain determination circuit is preferably configured to change an upper limit reference voltage applied to the AD converter based on the gain so that a decomposition level of the AD converter corresponds to a detected voltage.

前記磁気抵抗素子は薄膜抵抗素子であり、複数の薄膜抵抗素子が同一のセンサ配列面に配列され、前記負荷線路の一部を前記センサ配列面と平行な状態に保持するための線路保持具が備えられたことが好ましい。   The magnetoresistive element is a thin film resistive element, a plurality of thin film resistive elements are arranged on the same sensor arrangement surface, and a line holder for holding a part of the load line in a state parallel to the sensor arrangement surface It is preferable that it is provided.

前記フルブリッジ回路を構成する磁気抵抗素子に対して一定の外部直流磁界を与えるための磁界付与手段を備えることが好ましい。   It is preferable to include a magnetic field applying means for applying a constant external DC magnetic field to the magnetoresistive elements constituting the full bridge circuit.

好ましくは、前記磁界付与手段は、前記磁気センサに近接する部位の負荷線路の周りに負荷線路を流れる負荷電流にて発生する磁界と直交する方向に、前記外部直流磁界を作用させるように構成されたことを特徴とする。   Preferably, the magnetic field applying means is configured to cause the external DC magnetic field to act in a direction orthogonal to a magnetic field generated by a load current flowing through a load line around a load line in a vicinity of the magnetic sensor. It is characterized by that.

前記フルブリッジ回路は、互いに90度の角度で接続された4つの線分のそれぞれに、前記各磁気抵抗素子が位置するように構成され、各線分での前記磁気抵抗素子がミアンダ形状とされることが好ましい。   The full bridge circuit is configured such that each magnetoresistive element is positioned on each of four line segments connected to each other at an angle of 90 degrees, and the magnetoresistive elements in each line segment have a meander shape. It is preferable.

好ましくは、前記磁気センサはホール素子で構成され、前記負荷線路の一部を前記ホール素子の面と垂直方向となるように保持する線路保持具を備えたことを特徴とする。   Preferably, the magnetic sensor includes a Hall element, and includes a line holder that holds a part of the load line in a direction perpendicular to the surface of the Hall element.

外部電源から電力を負荷に供給する負荷線路の一部に磁気センサが近接配置されると共に、磁気センサにはこの外部電源からの電流が供給される。磁気センサから出力される検出電圧から基本周波数成分と高調波成分を除去するフィルタが設けられ、その結果得られたDC成分に基づいて負荷電力を求める。これにより、不要な成分を除去して、正確な電力測定を行う。   A magnetic sensor is disposed close to a part of a load line for supplying power from an external power source to a load, and current from the external power source is supplied to the magnetic sensor. A filter for removing the fundamental frequency component and the harmonic component from the detection voltage output from the magnetic sensor is provided, and the load power is obtained based on the DC component obtained as a result. Thereby, unnecessary components are removed and accurate power measurement is performed.

本発明の一実施形態に係る電力計測装置を示す概略斜視図。1 is a schematic perspective view showing a power measuring device according to an embodiment of the present invention. 同上の電力測定装置の回路を示すブロック図。The block diagram which shows the circuit of an electric power measuring apparatus same as the above. 同上の電力計測装置で使用する磁気センサから出力される検出電圧を示す波形図。The wave form diagram which shows the detection voltage output from the magnetic sensor used with an electric power measuring apparatus same as the above. 同上の磁気センサの出力特性のばらつきを補正する方式を説明するグラフ図。The graph explaining the system which correct | amends the dispersion | variation in the output characteristic of a magnetic sensor same as the above. (A)同上の電力計測装置で使用する増幅器の増幅率を決定するゲイン切替回路スイッチにて増幅率を小さく設定した場合を示す回路図。(B)同上のゲイン切替回路スイッチにて増幅率を大きく設定した場合を示す回路図。(A) The circuit diagram which shows the case where an amplification factor is set small with the gain switching circuit switch which determines the amplification factor of the amplifier used with an electric power measuring device same as the above. (B) The circuit diagram which shows the case where an amplification factor is set largely with the gain switching circuit switch same as the above. (A)(B)(C)同上の電力計測装置で使用するオフセット電圧補正部にて電力計測モードから補正モードへ移行する場合の状態の変化を示す回路図。(D)(E)(F)同上のオフセット電圧補正部にて補正モードから電力測定モードへ移行する場合の状態の変化を示す回路図。(A) (B) (C) The circuit diagram which shows the change of a state when changing to a correction mode from electric power measurement mode in the offset voltage correction | amendment part used with the electric power measurement apparatus same as the above. (D) (E) (F) The circuit diagram which shows the change of a state in the case of shifting to a power measurement mode from correction mode in the offset voltage correction part same as the above. 同上の磁気センサを構成する4つの磁気抵抗素子のフルブリッジ回路を示す概略図。Schematic which shows the full bridge circuit of four magnetoresistive elements which comprise the magnetic sensor same as the above. 同上の磁気センサを含むセンサユニットを示す概略平面図。The schematic plan view which shows the sensor unit containing a magnetic sensor same as the above. 本発明の他の実施形態で使用するセンサユニットを示す平面図。The top view which shows the sensor unit used in other embodiment of this invention. (A)本発明の他の実施形態で使用するセンサユニットを示す平面図。(B)同上のセンサユニットの側面図。(A) The top view which shows the sensor unit used in other embodiment of this invention. (B) The side view of a sensor unit same as the above. (A)本発明の他の実施形態で使用するセンサユニットを示す平面図。(B)同上のセンサユニットの部分断面側面図。(A) The top view which shows the sensor unit used in other embodiment of this invention. (B) The partial cross section side view of a sensor unit same as the above. (A)本発明の他の実施形態で使用するセンサユニットを示す平面図。(B)同上のセンサユニットの部分断面側面図。(A) The top view which shows the sensor unit used in other embodiment of this invention. (B) The partial cross section side view of a sensor unit same as the above. (A)本発明の他の実施形態で使用するセンサユニットを示す平面図。(B)同上のセンサユニットの部分断面側面図。(A) The top view which shows the sensor unit used in other embodiment of this invention. (B) The partial cross section side view of a sensor unit same as the above. (A)本発明の他の実施形態で使用するセンサユニットを示す平面図。(B)同上のセンサユニットの断面図。(A) The top view which shows the sensor unit used in other embodiment of this invention. (B) Sectional drawing of a sensor unit same as the above. (A)本発明の他の実施形態で使用するセンサユニットを示す平面図。(B)同上のセンサユニットの断面図。(A) The top view which shows the sensor unit used in other embodiment of this invention. (B) Sectional drawing of a sensor unit same as the above. (A)本発明の他の実施形態で使用するセンサユニットを示す平面図。(B)同上のセンサユニットの断面図。(A) The top view which shows the sensor unit used in other embodiment of this invention. (B) Sectional drawing of a sensor unit same as the above. 同上のセンサユニットと負荷線路と一部との位置関係を示す概略図。Schematic which shows the positional relationship of a sensor unit same as the above, a load line, and one part. (A)本発明の他の実施形態で使用する磁気センサを示す平面図。(B)同上の磁気センサで構成するブリッジ回路を示す概略図。(A) The top view which shows the magnetic sensor used in other embodiment of this invention. (B) Schematic which shows the bridge circuit comprised with a magnetic sensor same as the above. 同上の各実施形態で使用する磁気センサと負荷線路との位置関係を示す概略図。Schematic which shows the positional relationship of the magnetic sensor and load line which are used in each embodiment same as the above. 本発明の他の実施形態で使用する磁気センサがホール素子で構成された場合のホール素子と負荷線路の一部との位置関係を示す概略図。Schematic which shows the positional relationship of a Hall element and a part of load line when the magnetic sensor used by other embodiment of this invention is comprised with a Hall element.

(第1の実施形態)
本発明の電力計測装置150は、外部電源を負荷300に接続する負荷線路310を流れる負荷電流によって変動する磁界の変化を利用して負荷300へ供給される負荷電力320を計測するものである。磁界の変化を検出する素子として磁気抵抗素子15やホール素子450が使用される。この種の磁気センサ10に、外部電源からの電流を流すと共に、外部電源を負荷300に接続する負荷線路310の一部を磁気センサ10に近接配置すると、負荷線路310を流れる負荷電流によって発生する磁界の影響を受けて、磁気センサ10に流れる電流が変化する。この変化に対応する電圧が磁気センサ10から出力される。磁気センサ10から出力される検出電圧(V)は、一般に、負荷300に供給される電力を表す成分(P)と、磁気センサ10に固有のパラメータ(K)との積として表される(V=P・K)。従って、負荷電力(P)は、検出電圧(V)をパラメータ(K)で除算することによって求められる(P=V/K)。本発明はこの原理を利用して、負荷で消費される電力を計測するように構成されたものある。
(First embodiment)
The power measuring device 150 of the present invention measures load power 320 supplied to the load 300 using a change in magnetic field that varies with a load current flowing through a load line 310 that connects an external power source to the load 300. The magnetoresistive element 15 and the hall element 450 are used as elements for detecting a change in the magnetic field. When a current from an external power source is supplied to this type of magnetic sensor 10 and a part of the load line 310 that connects the external power source to the load 300 is disposed close to the magnetic sensor 10, it is generated by the load current flowing through the load line 310. Under the influence of the magnetic field, the current flowing through the magnetic sensor 10 changes. A voltage corresponding to this change is output from the magnetic sensor 10. The detection voltage (V) output from the magnetic sensor 10 is generally expressed as a product of a component (P) representing the power supplied to the load 300 and a parameter (K) unique to the magnetic sensor 10 (V = P · K). Therefore, the load power (P) is obtained by dividing the detected voltage (V) by the parameter (K) (P = V / K). The present invention is configured to measure the power consumed by the load using this principle.

本発明の電力計測装置150は、図1に示すように、磁気センサ10を内蔵したハウジ
ング200と、負荷線路310の一部を磁気センサ10に近接させた状態に保持する線路保持具210とを備え、ハウジング200には、磁気センサ10から出力される検出電圧(V)を処理して負荷電力(P)を求めるための処理回路が内蔵される。線路保持具210に測定する負荷線路310の一部を保持することで、磁気センサ10が負荷線路310に発生する磁界の影響を受ける構成としている。線路保持具210は、ハウジング200の一端に形成した開閉自在のドア220を備え、ドア220を開いた状態で負荷線路310の一部がドア220の内部にできるガイド孔215に導かれる。ドア220の内側には、負荷線路310の一部を磁気センサ10と一定の距離に維持するための位置決め手段が備えられる。位置決め手段としては、負荷線路310の一部をガイド孔215の周壁へ当接させるためバネ214が使用される。
As shown in FIG. 1, the power measuring device 150 of the present invention includes a housing 200 containing the magnetic sensor 10 and a line holder 210 that holds a part of the load line 310 close to the magnetic sensor 10. The housing 200 includes a processing circuit for processing the detection voltage (V) output from the magnetic sensor 10 to obtain the load power (P). By holding a part of the load line 310 to be measured on the line holder 210, the magnetic sensor 10 is configured to be affected by the magnetic field generated in the load line 310. The track holder 210 includes an openable / closable door 220 formed at one end of the housing 200, and a part of the load track 310 is guided to a guide hole 215 formed inside the door 220 with the door 220 opened. Positioning means for maintaining a part of the load line 310 at a constant distance from the magnetic sensor 10 is provided inside the door 220. As positioning means, a spring 214 is used to bring a part of the load line 310 into contact with the peripheral wall of the guide hole 215.

図2は、本発明の電力計測装置150の一実施形態の回路を示すもので、電力計測装置150は、基本的に、磁気センサ10、増幅器20、AD変換器40、電力演算器100とで構成される。   FIG. 2 shows a circuit of an embodiment of the power measuring device 150 of the present invention. The power measuring device 150 basically includes the magnetic sensor 10, the amplifier 20, the AD converter 40, and the power calculator 100. Composed.

この実施形態では、磁気センサ10として4つの磁気抵抗素子15のフルブリッジ回路を使用する。磁気抵抗素子15は平面内に配列され、線路保持具210で保持される負荷線路310の一部が、図1に示すように、この平面と平行となるように、磁気抵抗素子15に近接配置される。フルブリッジ回路の第1電流入力端11と第2電流入力端12は外部電源からの電流が入力されるように電流制限抵抗110を介して電源入力端子111で接続され、フルブリッジ回路の第1電圧出力端13と第2電圧出力端14は増幅器20に接続される。フルブリッジ回路は、負荷線路310の一部に近接して配置される結果、負荷線路310を流れる電流によって磁気抵抗素子15の抵抗値が変化し、ブリッジ回路の第1電圧出力端13と第2電圧出力端14の間に検出電圧が発生するように構成され、この検出電圧が増幅器20に入力される。   In this embodiment, a full bridge circuit of four magnetoresistive elements 15 is used as the magnetic sensor 10. The magnetoresistive elements 15 are arranged in a plane, and are arranged close to the magnetoresistive elements 15 so that a part of the load line 310 held by the line holder 210 is parallel to the plane as shown in FIG. Is done. The first current input terminal 11 and the second current input terminal 12 of the full bridge circuit are connected to each other at a power input terminal 111 via a current limiting resistor 110 so that a current from an external power supply is input. The voltage output terminal 13 and the second voltage output terminal 14 are connected to the amplifier 20. As a result of the full bridge circuit being arranged close to a part of the load line 310, the resistance value of the magnetoresistive element 15 is changed by the current flowing through the load line 310, and the first voltage output terminal 13 and the second voltage output terminal 13 of the bridge circuit are changed. A detection voltage is generated between the voltage output terminals 14, and this detection voltage is input to the amplifier 20.

磁気センサ10から出力される検出電圧Vは、以下の式で表す。   The detection voltage V output from the magnetic sensor 10 is expressed by the following equation.

前記の式は、磁気センサ10から出力される検出電圧が、基本周波数成分(ω)と、DC電圧成分(DC)と、高調波数成分(2ω)で構成されていることを示している。I1は負荷線路310を流れる負荷電流を示し、I2は、磁気センサ10に入力するセンサ電流を示している。V1は、負荷電力320を示す。K1K2K3は、磁気センサ10の抵抗値によって固定される磁気センサ10の固有のパラメータである。R1、R2、R3、R4は、各磁気抵抗素子の抵抗値である。検出電圧の波形は、図3で示すような波形となる。図3では、DC電圧成分が2.5V、基本周波数成分(ω)と高調波数成分(2ω)を合わせたものが、点線で表されている波形となる。この波形が、増幅器20の出力である。電流制限抵抗110を介することにより、負荷電力320を電流値が小さなセンサ電流I2と変換し、安定的に磁気センサ10に電流を流すことが可能となる。   The above expression indicates that the detection voltage output from the magnetic sensor 10 is composed of a fundamental frequency component (ω), a DC voltage component (DC), and a harmonic number component (2ω). I 1 indicates a load current flowing through the load line 310, and I 2 indicates a sensor current input to the magnetic sensor 10. V1 indicates the load power 320. K1K2K3 is a unique parameter of the magnetic sensor 10 that is fixed by the resistance value of the magnetic sensor 10. R1, R2, R3, and R4 are resistance values of the magnetoresistive elements. The waveform of the detection voltage is as shown in FIG. In FIG. 3, the DC voltage component is 2.5 V, and the combination of the fundamental frequency component (ω) and the harmonic number component (2ω) is the waveform represented by the dotted line. This waveform is the output of the amplifier 20. By passing through the current limiting resistor 110, the load power 320 can be converted into a sensor current I 2 having a small current value, and the current can be stably passed through the magnetic sensor 10.

増幅器20は、磁気センサ10の第1電圧出力端13と第2電圧出力端14から出力されるアナログの検出電圧の増幅を行う。増幅器20の出力は、AD変換器40によってデジタル値に変換された後に、電力演算器100に入力される。電力演算器100は、AD変換器40から出力された検出電圧と、磁気センサ10の出力特性を示すパラメータ(K)から負荷電力値を演算する。   The amplifier 20 amplifies the analog detection voltage output from the first voltage output terminal 13 and the second voltage output terminal 14 of the magnetic sensor 10. The output of the amplifier 20 is converted to a digital value by the AD converter 40 and then input to the power calculator 100. The power calculator 100 calculates a load power value from the detected voltage output from the AD converter 40 and the parameter (K) indicating the output characteristics of the magnetic sensor 10.

増幅器20とAD変換器40との間には、フィルタ30を設けられる。外部電源は、所定の周波数を有する交流電源である。このため、フィルタ30には、交流電源の周波数未満の周波数成分を通過させるローパスフィルタを用いる。これにより、検出電圧(数1参照)からDC電圧成分(DC)のみを取り出し、AD変換器40に伝送する。以下、DC電圧成分を数式にて示す。   A filter 30 is provided between the amplifier 20 and the AD converter 40. The external power source is an AC power source having a predetermined frequency. For this reason, the filter 30 is a low-pass filter that allows a frequency component lower than the frequency of the AC power supply to pass. As a result, only the DC voltage component (DC) is extracted from the detected voltage (see Equation 1) and transmitted to the AD converter 40. Hereinafter, the DC voltage component is expressed by a mathematical expression.

増幅器20は、磁気センサ10の第1電圧出力端13と第2電圧出力端14で出力された検出電圧をそのゲインに応じた可変の増幅率で増幅を行うように構成されている。増幅器20は、図5のように、ゲイン切替スイッチ回路21を備える。増幅器20は、反転入力端子、非反転入力端子、出力端子とを有し、演算増幅回路(OPアンプ)25を備えたものである。磁気センサ10の電圧出力端13と演算増幅回路25の反転入力端子との間には、直列に接続された第1抵抗26と第2抵抗27とを備える。さらに、演算増幅回路25の出力端と反転入力端子との間には、第3抵抗28が備えられる。増幅器20の出力端がAD変換器40の入力端に接続される。ゲイン切替スイッチ回路21は、第1の状態と第2の状態を切り替えるように構成されている。第1の状態は、図5(A)に示すように、反転入力端子が第1抵抗26と第2抵抗27との直列回路を介して磁気センサ10の電圧出力端13に接続されると共に、第2抵抗27と反転入力端子との間の接続点24と演算増幅回路25の出力端子との間に第3抵抗28が接続される。第2の状態は、図5(B)に示すように、反転入力端子が第1抵抗26を介して磁気センサ10の電圧出力端13に接続されると共に、演算増幅回路25の出力端子と反転入力端子との間に、第2抵抗27と第3抵抗28との直列回路が帰還抵抗として接続される。ゲイン切替スイッチ回路21は、ゲインが所定値以下の時に第1の状態に切り替わり、それ以外の時には第2の状態に切り替えられるように構成している。ゲインの大きさは、素子の出力によって決まる。素子の出力が小さいときには高ゲインとなり、素子の出力が大きいときには、低ゲインとなる。ゲインの所定値の判断は、後に述べるゲイン判断回路60で行われており、判断結果がゲイン切替スイッチ回路21に伝達される。このように、磁気センサ10から出力される検出電圧の大きさによって、ゲインの大きさを可変できることで、検出電圧が比較的小さい場合でも、電力測定を正確に行うことが可能となる。   The amplifier 20 is configured to amplify the detection voltage output from the first voltage output terminal 13 and the second voltage output terminal 14 of the magnetic sensor 10 with a variable amplification factor corresponding to the gain. The amplifier 20 includes a gain changeover switch circuit 21 as shown in FIG. The amplifier 20 has an inverting input terminal, a non-inverting input terminal, and an output terminal, and includes an operational amplifier circuit (OP amplifier) 25. A first resistor 26 and a second resistor 27 connected in series are provided between the voltage output terminal 13 of the magnetic sensor 10 and the inverting input terminal of the operational amplifier circuit 25. Further, a third resistor 28 is provided between the output terminal of the operational amplifier circuit 25 and the inverting input terminal. The output terminal of the amplifier 20 is connected to the input terminal of the AD converter 40. The gain changeover switch circuit 21 is configured to switch between the first state and the second state. In the first state, as shown in FIG. 5A, the inverting input terminal is connected to the voltage output terminal 13 of the magnetic sensor 10 through a series circuit of the first resistor 26 and the second resistor 27, and A third resistor 28 is connected between the connection point 24 between the second resistor 27 and the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier circuit 25. In the second state, as shown in FIG. 5B, the inverting input terminal is connected to the voltage output terminal 13 of the magnetic sensor 10 via the first resistor 26 and is inverted with respect to the output terminal of the operational amplifier circuit 25. A series circuit of the second resistor 27 and the third resistor 28 is connected as a feedback resistor between the input terminals. The gain changeover switch circuit 21 is configured to be switched to the first state when the gain is equal to or lower than a predetermined value, and to be switched to the second state at other times. The magnitude of the gain is determined by the output of the element. When the element output is small, the gain is high, and when the element output is large, the gain is low. The determination of the predetermined gain value is performed by a gain determination circuit 60 described later, and the determination result is transmitted to the gain changeover switch circuit 21. As described above, since the magnitude of the gain can be varied depending on the magnitude of the detection voltage output from the magnetic sensor 10, it is possible to accurately measure the power even when the detection voltage is relatively small.

一方、増幅器20の増幅率を可変とする構成に加えて或いはこれに替えて、AD変換器40はその分解能を検出電圧に合わせる、すなわち、AD変換器40のステップ幅を、検出電圧に応じて変化させるように構成される。このために、AD変換器40の下限基準電圧を0Vに固定し、AD変換器40に与えられる上限基準電圧が、検出電圧に応じて変化するように構成される。例えば、AD変換器40の分解能を10ビットとした場合、検出電圧の値に応じて上限基準電圧を変化させることで、1023で割った値がステップ幅とすることができる。この結果、検出電圧が小さい時でも、検出電圧の変動を精密に認識して、正確な電力測定が可能となる。   On the other hand, in addition to or instead of the configuration in which the amplification factor of the amplifier 20 is variable, the AD converter 40 adjusts the resolution to the detection voltage, that is, the step width of the AD converter 40 is set according to the detection voltage. Configured to change. For this purpose, the lower limit reference voltage of the AD converter 40 is fixed to 0 V, and the upper limit reference voltage supplied to the AD converter 40 is configured to change according to the detection voltage. For example, when the resolution of the AD converter 40 is 10 bits, the value divided by 1023 can be used as the step width by changing the upper limit reference voltage according to the value of the detection voltage. As a result, even when the detection voltage is small, it is possible to accurately recognize the fluctuation of the detection voltage and perform accurate power measurement.

AD変換器40から出力される検出電圧は電力演算器100にて、電力値に変換される。電力演算器100は、図2に示すように、電圧平均出力部50と係数決定部80と電力値演算部90を有する。   The detected voltage output from the AD converter 40 is converted into a power value by the power calculator 100. As illustrated in FIG. 2, the power calculator 100 includes a voltage average output unit 50, a coefficient determination unit 80, and a power value calculation unit 90.

電圧平均出力部50は、加算処理部51と平均処理部52を有する。加算処理部51は
、加算回路を有し、AD変換器40から伝送される瞬時のDC電圧成分を、ある単位時間に亘って加算し加算電圧を出力する。平均処理部52は、加算処理部51から出力された加算電圧を単位期間で除算することで平均検出電圧を算出する。単位時間は、例えば、負荷電力320所定の周波数を有する交流電源である負荷電源の周波数の周期の2倍と設定される。単位期間の開始及び終了制御は、発振器53とタイマ54で行う。
The voltage average output unit 50 includes an addition processing unit 51 and an average processing unit 52. The addition processing unit 51 includes an addition circuit, adds the instantaneous DC voltage component transmitted from the AD converter 40 over a certain unit time, and outputs an addition voltage. The average processing unit 52 calculates the average detection voltage by dividing the addition voltage output from the addition processing unit 51 by the unit period. The unit time is set to, for example, twice the cycle of the frequency of the load power source that is an AC power source having a predetermined frequency. The start and end control of the unit period is performed by the oscillator 53 and the timer 54.

電力値演算部90は、平均処理部52から出力される平均検出電圧に基づいて、負荷で消費される電力値を決定し、決定された電力値は電力測定装置に備えられる或いは外部に設けられる表示手段91に伝達されてここで電力値が表示される。   The power value calculation unit 90 determines a power value consumed by the load based on the average detection voltage output from the average processing unit 52, and the determined power value is provided in the power measurement device or provided outside. It is transmitted to the display means 91 where the power value is displayed.

電力値演算部90は、平均処理部52から出力される平均検出電圧に基づいて、負荷で消費される電力値を算出する。電力値演算部90は、係数決定部80にて記憶されている磁気センサ10の固有のパラメータ(K)で負荷電力を積算する。   The power value calculation unit 90 calculates the power value consumed by the load based on the average detection voltage output from the average processing unit 52. The power value calculation unit 90 integrates the load power with the unique parameter (K) of the magnetic sensor 10 stored in the coefficient determination unit 80.

パラメータ(K)は、係数決定部80によって算出され、ここに記憶されている。係数決定部80は、パラメータ(K)を算出する係数付与手段81と、複数のパラメータ(K1、K2)を記憶しておく係数記憶手段82と、電力値演算部90へ適切なパラメータを選択的に出力する係数切替回路83とで構成されている。   The parameter (K) is calculated by the coefficient determining unit 80 and stored here. The coefficient determination unit 80 selectively selects an appropriate parameter for the coefficient giving unit 81 for calculating the parameter (K), the coefficient storage unit 82 for storing a plurality of parameters (K1, K2), and the power value calculation unit 90. And a coefficient switching circuit 83 that outputs the signal.

係数付与手段81は、使用される磁気センサ10に固有の出力特性に合致する適切なパラメータを求めるために構成され、既知の負荷電力を電力計測装置150で測定することによって、磁気センサ10の較正を行い、個々の電力計測装置150で使用される磁気センサ10の出力特性のばらつきの影響を無くす。このため、本発明の電力計測装置150では、このパラメータを決定するための較正モードを備え、この較正モードでは、電力値が大きい場合のパラメータと電力値が小さい場合についてそれぞれ適切なパラメータを求める。   The coefficient giving means 81 is configured to obtain an appropriate parameter that matches the output characteristic specific to the magnetic sensor 10 to be used, and calibrates the magnetic sensor 10 by measuring a known load power with the power measuring device 150. To eliminate the influence of variations in output characteristics of the magnetic sensor 10 used in each power measuring device 150. For this reason, the power measuring apparatus 150 of the present invention includes a calibration mode for determining this parameter, and in this calibration mode, an appropriate parameter is obtained for each of a parameter when the power value is large and a case where the power value is small.

既知の負荷電力320は、例えば、一定電圧のテスト用交流電源から与えられ、例えば、2A〜7Aの小電流を流したときの第1パラメータと、10A〜30Aの大電流を流した時の第2パラメータが、係数付与手段81によって求められる。図4に示すように、小電流を流した時の第1パラメータを求める場合は、例えば、2Aの電流を第1基準電流、7Aの電流を第2基準電流として、それぞれの場合に、係数付与手段81は、磁気センサ10から出力される第1検出電圧と第2検出電圧とを求める。第1検出電圧と第2検出電圧の差と、第1基準電流と第2基準電流の差との比を第1パラメータ(K1)として算出するように構成され、求められた第1パラメータ(K1)は、係数記憶手段82に記憶される。   The known load power 320 is supplied from, for example, a constant-voltage test AC power supply. Two parameters are obtained by the coefficient applying means 81. As shown in FIG. 4, when obtaining a first parameter when a small current is passed, for example, a current of 2A is a first reference current and a current of 7A is a second reference current. The means 81 obtains a first detection voltage and a second detection voltage output from the magnetic sensor 10. A ratio between the difference between the first detection voltage and the second detection voltage and the difference between the first reference current and the second reference current is calculated as the first parameter (K1), and the obtained first parameter (K1) is calculated. ) Is stored in the coefficient storage means 82.

一方、同図に示すように、大電流を流した時の第2パラメータを求める場合は、10Aの電流を第3基準電流、30Aの電流を第4基準電流として、それぞれの場合に、係数付与手段81は、磁気センサ10から出力される第3検出電圧と第4検出電圧とを求め、第3検出電圧と第4検出電圧の差と、第3基準電流と第4基準電流の差との比を第2パラメータ(K2)として算出するように構成されている。   On the other hand, as shown in the figure, when obtaining a second parameter when a large current is passed, a current is applied to 10A as a third reference current, and a current of 30A is set as a fourth reference current. The means 81 obtains the third detection voltage and the fourth detection voltage output from the magnetic sensor 10, and determines the difference between the third detection voltage and the fourth detection voltage and the difference between the third reference current and the fourth reference current. The ratio is calculated as the second parameter (K2).

このようにして、較正モードにおいて求められて記憶される第1パラメータ(K1)と第2パラメータ(K2)は、実際の電力測定モードにおいて、係数切替回路83によって選択的に電力値演算部90に出力される。検出電圧が所定値以下の時、すなわち、検出電圧で示される負荷電力が所定値以下の時、係数切替回路83は第1パラメータ(K1)を電力値演算部90へ出力し、それ以外は第2パラメータ(K2)を電力値演算器90へ出力するように構成される。より詳しくは、係数切替回路83は、増幅器20のゲイン切替スイッチ回路21が第1の状態を示したときに、第1パラメータ(K1)を電力値出力部
90に出力し、ゲイン切替スイッチ回路21が第2の状態を示したときに、第2パラメータ(K2)を電力値出力部90に出力する。
Thus, the first parameter (K1) and the second parameter (K2) obtained and stored in the calibration mode are selectively supplied to the power value calculation unit 90 by the coefficient switching circuit 83 in the actual power measurement mode. Is output. When the detected voltage is equal to or lower than the predetermined value, that is, when the load power indicated by the detected voltage is equal to or lower than the predetermined value, the coefficient switching circuit 83 outputs the first parameter (K1) to the power value calculating unit 90, otherwise The two parameters (K2) are configured to be output to the power value calculator 90. More specifically, the coefficient switching circuit 83 outputs the first parameter (K1) to the power value output unit 90 when the gain switching switch circuit 21 of the amplifier 20 indicates the first state, and the gain switching circuit 21 Indicates the second state, the second parameter (K2) is output to the power value output unit 90.

電圧平均出力部50と係数決定部80との間には、ゲイン判断回路60が備えられる。ゲイン判断回路60は、電圧平均出力部50から出力される平均検出電圧に対して、ゲインの大きさを判断する。ゲインに対して、一定の電圧値の範囲内であれば、低ゲインと判断し、一定の電圧値の範囲を超えれば、高ゲインと認識する構成としている。さらに、判断をした後、増幅器20に低ゲイン信号もしくは高ゲイン信号を伝送する。この信号を伝送することで、増幅器20はゲイン切替スイッチ回路21の切り替えを行う。   A gain determining circuit 60 is provided between the voltage average output unit 50 and the coefficient determining unit 80. The gain determination circuit 60 determines the magnitude of the gain with respect to the average detection voltage output from the voltage average output unit 50. If the gain is within a certain voltage value range, the gain is determined to be low, and if it exceeds the certain voltage value range, the gain is recognized as a high gain. Further, after the determination, a low gain signal or a high gain signal is transmitted to the amplifier 20. By transmitting this signal, the amplifier 20 switches the gain changeover switch circuit 21.

電圧平均出力部50と係数決定部80との間には、オフセット電圧補正部70を備える。オフセット電圧補正部70は、増幅器20やAD変換器40や電圧平均出力部50の各回路で不可避に生じるDC電圧であるオフセット電圧を求め、電力決定部90へこれらの回路を経て入力される磁気センサ10からの検出電圧からオフセット電圧を取り除く。すなわち、電圧平均出力部50から出力される平均検出電圧からオフセット電圧を減じるように構成される。この結果、電力測定装置の較正が行われ、余分なオフセット電圧を平均検出電圧から削除され、求める負荷電力をより正確に反映する検出電圧が得られる。特に、増幅器20には、使用する場所の温度によって変動するDC電圧成分が含まれるため、このDC電圧成分を取り除くことで、温度変化による出力誤差を無くすことができる。   An offset voltage correction unit 70 is provided between the voltage average output unit 50 and the coefficient determination unit 80. The offset voltage correction unit 70 obtains an offset voltage, which is a DC voltage inevitably generated in each circuit of the amplifier 20, the AD converter 40, and the voltage average output unit 50, and is input to the power determination unit 90 through these circuits. The offset voltage is removed from the detected voltage from the sensor 10. That is, the offset voltage is subtracted from the average detection voltage output from the voltage average output unit 50. As a result, the power measuring apparatus is calibrated, and the excess offset voltage is deleted from the average detection voltage, and a detection voltage that more accurately reflects the required load power is obtained. In particular, since the amplifier 20 includes a DC voltage component that varies depending on the temperature of the place where the amplifier 20 is used, an output error due to a temperature change can be eliminated by removing the DC voltage component.

このようなオフセット電圧補正を定期的に行うために、電力計測装置150はモード切替手段を含む。モード切替手段は、オフセット電圧の検出を行う補正モードと、負荷電力を計測する電力計測モードとを選択的に決定するように構成され、図6のように、電流制限抵抗110と第1電流入力端11との間に挿入された入力切替スイッチ120を備える。入力切替スイッチ120は、主切替スイッチ121と副切替スイッチ125とで構成される。主切替スイッチ121は、外部電源と磁気センサ10の第1電流入力端11との間に挿入されて、外部電源と磁気センサ10の第1電流入力端11との接続と切断を選択的に行うように構成される。副切替スイッチ125は、主切替スイッチ121の前段で外部電源とこの外部電源よりも低い基準電位(接地電位)129との接続と切断を選択的に行うように構成される。   In order to periodically perform such offset voltage correction, the power measuring device 150 includes a mode switching unit. The mode switching means is configured to selectively determine a correction mode for detecting the offset voltage and a power measurement mode for measuring the load power. As shown in FIG. 6, the current limiting resistor 110 and the first current input are configured. An input changeover switch 120 inserted between the end 11 is provided. The input changeover switch 120 includes a main changeover switch 121 and a sub changeover switch 125. The main changeover switch 121 is inserted between the external power supply and the first current input terminal 11 of the magnetic sensor 10 to selectively connect and disconnect the external power supply and the first current input terminal 11 of the magnetic sensor 10. Configured as follows. The sub changeover switch 125 is configured to selectively connect and disconnect an external power supply and a reference potential (ground potential) 129 lower than the external power supply before the main changeover switch 121.

モード切替手段は、図6A、6Fに示すように、電力計測モードを選択したときには、外部電源から磁気センサ10への電流を許可するように構成され、補正モードを選択した時に、図6C、6Dに示すように、外部電源から磁気センサ10への電流を遮断した状態での、磁気センサ10から出力されるDC成分を取り出すように構成される。図6Aに示す電力計測モードから図6Cに示す補正モードに切り替わる際には、図6Bに示すように、主切替スイッチ121が外部電源を磁気センサ10の第1電流入力端11に接続した状態で、副切替スイッチ125を動作させて外部電源を基準電位129に接続するように切り替えた後、主切替スイッチ121を外部電源から切り離すようにモード切替手段が構成される。   As shown in FIGS. 6A and 6F, the mode switching unit is configured to allow a current from the external power source to the magnetic sensor 10 when the power measurement mode is selected. When the correction mode is selected, the mode switching unit is configured as shown in FIGS. As shown in FIG. 5, the DC component output from the magnetic sensor 10 in a state where the current from the external power source to the magnetic sensor 10 is interrupted is extracted. When switching from the power measurement mode shown in FIG. 6A to the correction mode shown in FIG. 6C, the main changeover switch 121 is connected to the first current input terminal 11 of the magnetic sensor 10 as shown in FIG. 6B. The mode switching means is configured to disconnect the main changeover switch 121 from the external power supply after the sub changeover switch 125 is operated to switch the external power supply to the reference potential 129.

一方、図6Dに示す補正モードから図6Fに示す電力測定モードに切り替える際には、図6Eに示すように、副切替スイッチ125で外部電源を接地電位129に接続した状態で、主切替スイッチ121を外部電源に接続した後に、図6Fに示すように、副切替スイッチ125を動作させて外部電源を接地電位129から切断するようにモード切替手段が構成された。このように、モード切替手段は、電力計測モードと補正モードとの切替時に、図6Bや図6Eに示すような、暫定状態を作り出すように構成される。この結果、外部電源を磁気センサと基準電位とへ選択的に切り替えるために設けられるスイッチへ、モード切替時に大電流が瞬時に流れることがなく、スイッチを過大なストレスから保護できる。   On the other hand, when switching from the correction mode shown in FIG. 6D to the power measurement mode shown in FIG. 6F, as shown in FIG. 6E, the main selector switch 121 is connected with the external power source connected to the ground potential 129 by the sub selector switch 125. As shown in FIG. 6F, the mode switching means is configured to operate the sub changeover switch 125 to disconnect the external power supply from the ground potential 129 after connecting to the external power supply. As described above, the mode switching means is configured to create a provisional state as shown in FIGS. 6B and 6E when switching between the power measurement mode and the correction mode. As a result, a large current does not instantaneously flow to the switch provided for selectively switching the external power source between the magnetic sensor and the reference potential, and the switch can be protected from excessive stress.

以下、磁気センサ10について詳細を述べる。   Details of the magnetic sensor 10 will be described below.

本実施形態の磁気センサ10は、図7で示すように、4つの磁気抵抗素子15のフルブリッジ回路で構成される。磁気抵抗素子15は薄膜構造体であり、図8に示すように、薄膜として形成される。4つの磁気抵抗素子15は、図7に示すように、同一平面内にブリッジ接続で配列され、ブリッジの4辺は互いに直交し、ブリッジの1辺を形成する磁気抵抗素子15はミアンダ形状とされる。   As shown in FIG. 7, the magnetic sensor 10 of the present embodiment is configured by a full bridge circuit of four magnetoresistive elements 15. The magnetoresistive element 15 is a thin film structure, and is formed as a thin film as shown in FIG. As shown in FIG. 7, the four magnetoresistive elements 15 are arranged in a bridge connection in the same plane, the four sides of the bridge are orthogonal to each other, and the magnetoresistive elements 15 forming one side of the bridge are in a meander shape. The

ミアンダ形状とは、図7で示すように、ブリッジの1辺の線分と略垂直方向に電流を流す長さ(L)とブリッジの1辺の線分と略並行方向に電流を流す幅(W)とが順に繰り返されるよう形成された形状である。例えば、長さLは1mm、幅Wは10μmである。このため、一つのミアンダ形状での電流方向は、ブリッジの1辺に対して垂直となる主線路と、ブリッジの1辺に対して平行となる副線路との2方向となっている。すなわち、主線路は、電流が180度異なる2方向の導体が存在する。さらに、ブリッジの各辺上にミアンダ形状の磁気抵抗素子15を構成することで、限られた範囲の中で、磁気抵抗素子15の有効長を増大させている。従って、磁気抵抗素子15自体の抵抗値を大きくとれ、抵抗値の変動を表す出力電圧を大きくすることができる。   As shown in FIG. 7, the meander shape is a length (L) of flowing a current in a direction substantially perpendicular to a line segment on one side of the bridge and a width (A) for flowing a current in a direction substantially parallel to the line segment on one side of the bridge. W) and the shape formed so as to be repeated in order. For example, the length L is 1 mm and the width W is 10 μm. For this reason, the current direction in one meander shape is two directions: a main line perpendicular to one side of the bridge and a sub-line parallel to one side of the bridge. That is, the main line has two-direction conductors with currents differing by 180 degrees. Furthermore, by configuring the meander-shaped magnetoresistive element 15 on each side of the bridge, the effective length of the magnetoresistive element 15 is increased within a limited range. Therefore, the resistance value of the magnetoresistive element 15 itself can be increased, and the output voltage representing the variation in resistance value can be increased.

磁気センサ10は、ブリッジの4辺が互いに90度となっており、この結果、隣り合う磁気抵抗素子15での抵抗変化が反対となり、効率よく抵抗値の不平衡を起こすことができて検出電圧を大きくすることが出来る。   In the magnetic sensor 10, the four sides of the bridge are 90 degrees from each other. As a result, the resistance change between the adjacent magnetoresistive elements 15 is reversed, and the resistance value can be unbalanced efficiently. Can be increased.

磁気抵抗素子15は、エポキシ樹脂などの保護膜で覆われているのが望ましい。この保護膜により磁気抵抗素子15に雰囲気中に含まれる磁性粉が直接付着することを無くして、出力特性の安定化を図ることが可能となる。   The magnetoresistive element 15 is preferably covered with a protective film such as an epoxy resin. This protective film prevents the magnetic powder contained in the atmosphere from directly adhering to the magnetoresistive element 15 and stabilizes the output characteristics.

磁気抵抗素子15としては、単層構造の強磁性薄膜のほか、(強磁性体/非磁性導電体)構造のアンチフェロ(結合)型薄膜、(高保磁力強磁性体/非磁性導電体/低保磁力強磁性体)構造の誘導フェリ(非結合)型薄膜、(半強磁性体/強磁性体/非磁性導電体/強磁性体)構造のスピンバルブ型薄膜、Co/Ag系統の非固溶系グラニュラー型薄膜などから選択して形成される。   As the magnetoresistive element 15, in addition to a ferromagnetic thin film having a single layer structure, an antiferro (coupled) thin film having a (ferromagnetic / nonmagnetic conductor) structure, (high coercive force ferromagnetic / nonmagnetic conductor / low Inductive ferri (non-coupled) type thin film having a coercive force ferromagnetic structure, spin valve type thin film having a (semi-ferromagnetic / ferromagnetic / non-magnetic conductor / ferromagnetic) structure, and non-solid Co / Ag family It is formed by selecting from a molten granular thin film.

上記の構成の磁気センサ10から出力される検出電圧を大きくするために、一定の外部直流磁界を磁気センサ10に与えることが可能である。   In order to increase the detection voltage output from the magnetic sensor 10 having the above-described configuration, a constant external DC magnetic field can be applied to the magnetic sensor 10.

以下に、外部直流磁界を磁気センサ10に与えるための種々の実施形態について説明する。各実施形態は、外部直流磁界を加えるための磁界付与手段を設けたこと以外は、上記の第1の実施形態と同一である。
(第2の実施形態)
本実施形態に係る電力計測装置は、磁気センサ10に加えて、外部電源との接続のための端子及び増幅器20との接続のための端子が一体に形成されたセンサユニット18の外部に、磁界付与手段を配置した構成を備える。図9のように、磁界付与手段はセンサユニット18の両側に配置された一対の永久磁石400で規定され、4つの磁気抵抗素子15が配列された平面と平行な方向に、直流磁界であるバイアス磁界(Hb)を与える。磁気センサ10に近接配置される負荷線路310の一部は、ここを流れる電流によって発生する磁界とバイアス磁界(Hb)が直交するように、線路保持具210によって位置決めされる。この構成により、磁界付与手段によってバイアス磁界(Hb)が均等に磁気センサ10に影響を与え、ぞれぞれの磁気抵抗素子15からの出力特性を安定にすることができる。このように、磁気センサ10へバイアス磁界(Hb)をかけることで、突入電流など
の大電流が印加された場合も磁化反転が起こらず、安定した電力計測が可能である。この場合、磁気抵抗素子15として強磁性の抵抗素子を使用するのが望ましい。
(第3の実施形態)
第3の実施形態に係る電力計測装置は、第2の実施形態で使用する構成の磁気センサ10を使用し、図10示すように、磁界付与手段としての単一の永久磁石400をセンサユニット18の背面に配置してセンサユニット18と永久磁石400とが一つのブロックとして実現されている。この実施形態においても、4つの磁気抵抗素子15が配置された平面と平行な方向に、直流磁界であるバイアス磁界(Hb)を与え、このバイアス磁界(Hb)は、線路保持具210によって位置決めされる負荷線路310の一部を流れる電流によって発生する磁界と直交する。
(第4の実施形態)
本実施形態に係る電力計測装置は、基本的に、第3の実施形態と同一であり、異なる点は、図11に示すように、センサユニット18両側に一対のヨーク410を配置したことである。このヨーク410は、永久磁石400の磁極端に対応する位置に配置され、永久磁石400で発生する外部直流磁界の漏れ磁束を吸収し、効率的に磁気センサ10へ外部直流磁界を作用させるもので、磁気効率を向上させる。この結果、比較的小さな永久磁石400の使用が可能となり、センサユニット18の小型化が達成される。この実施形態においても、磁気抵抗素子15として強磁性抵抗素子を使用するのが望ましい。
(第5の実施形態)
本実施形態に係る電力計測装置では、第2の実施形態で使用する構成の磁気センサ10を使用し、図12に示すように、磁界付与手段を構成する一対の永久磁石400をセンサユニット18の前面と背面とに配置してセンサユニット18と永久磁石400とが一つのブロックとして実現されている。この実施形態においても、4つの磁気抵抗素子15が配置された平面と平行な方向に、直流磁界であるバイアス磁界(Hb)を与え、このバイアス磁界(Hb)は、線路保持具210によって位置決めされる負荷線路310の一部を流れる電流によって発生する磁界と直交する。本実施形態においても、磁気抵抗素子15として強磁性の抵抗素子を使用するのが望ましい。
(第6の実施形態)
本実施形態に係る電力計測装置は、基本的に第5の実施形態と同一であり、異なる点は、図13に示すように、センサユニット18両側に一対のヨーク410を配置したことである。このヨーク410は、2つの永久磁石400の同極の磁極端間に配置され、永久磁石400で発生する外部直流磁界の漏れ磁束を吸収し、効率的に磁気センサへ外部直流磁界を作用させるもので、磁気効率を向上させる。この結果、比較的小さな永久磁石の使用が可能となり、センサユニット17の小型化が達成される。この実施形態においても、磁気抵抗素子15として強磁性抵抗素子を使用するのが望ましい。
(第7の実施形態)
本実施形態に係る電力計測装置は、図14に示すように、ガラス基板16上に、第1の実施形態と同じ構成の磁気センサ10と共に、一対の永久磁石400を磁気センサ10の両側に実装した構造を備える。永久磁石400は、前述の実施形態と同様に、4つの磁気抵抗素子15が配列された平面と平行な方向に、直流磁界であるバイアス磁界(Hb)を与える外部直流磁界付与手段を規定する。この実施形態においては、つや消しされたガラス基板16上にNiCo薄膜からなるミアンダ形状パターンの磁気抵抗素子15と、NdFeBの永久磁石400とが形成される。
(第8の実施形態)
本実施形態に係る電力計測装置では、図15に示すように、第1の実施形態と同様の構成の磁気センサ10が埋設された絶縁薄膜17を一対の磁性薄膜19で挟んだ構造のセンサユニット18をガラス基板16上に形成した構造を備える。磁性薄膜は、4つの磁気抵抗素子15が配列された平面と平行な方向に、直流磁界であるバイアス磁界(Hb)を与える磁界付与手段を構成する。磁気センサ10に近接配置される負荷線路310の一部は、ここを流れる電流によって発生する磁界とバイアス磁界(Hb)が直交するように、線
路保持具210によって位置決めされる。この構成によれば、センサユニット18を薄膜構造体とし実現でき、装置全体の薄型化が達成される。
Hereinafter, various embodiments for applying an external DC magnetic field to the magnetic sensor 10 will be described. Each embodiment is the same as the first embodiment except that a magnetic field applying unit for applying an external DC magnetic field is provided.
(Second Embodiment)
The power measuring apparatus according to the present embodiment includes a magnetic field outside the sensor unit 18 in which a terminal for connection to an external power source and a terminal for connection to the amplifier 20 are integrally formed in addition to the magnetic sensor 10. It has a configuration in which the providing means is arranged. As shown in FIG. 9, the magnetic field applying means is defined by a pair of permanent magnets 400 arranged on both sides of the sensor unit 18, and is a bias that is a DC magnetic field in a direction parallel to the plane on which the four magnetoresistive elements 15 are arranged. A magnetic field (Hb) is applied. A part of the load line 310 disposed close to the magnetic sensor 10 is positioned by the line holder 210 so that the magnetic field generated by the current flowing therethrough and the bias magnetic field (Hb) are orthogonal to each other. With this configuration, the bias magnetic field (Hb) uniformly affects the magnetic sensor 10 by the magnetic field applying means, and the output characteristics from each magnetoresistive element 15 can be stabilized. In this way, by applying a bias magnetic field (Hb) to the magnetic sensor 10, magnetization reversal does not occur even when a large current such as an inrush current is applied, and stable power measurement is possible. In this case, it is desirable to use a ferromagnetic resistive element as the magnetoresistive element 15.
(Third embodiment)
The power measuring apparatus according to the third embodiment uses the magnetic sensor 10 having the configuration used in the second embodiment, and, as shown in FIG. The sensor unit 18 and the permanent magnet 400 are realized as one block by being arranged on the back surface of the sensor. Also in this embodiment, a bias magnetic field (Hb) that is a DC magnetic field is applied in a direction parallel to the plane on which the four magnetoresistive elements 15 are arranged, and this bias magnetic field (Hb) is positioned by the line holder 210. Perpendicular to the magnetic field generated by the current flowing through part of the load line 310.
(Fourth embodiment)
The power measuring device according to this embodiment is basically the same as that of the third embodiment, and the difference is that a pair of yokes 410 are arranged on both sides of the sensor unit 18 as shown in FIG. . The yoke 410 is disposed at a position corresponding to the magnetic pole end of the permanent magnet 400, absorbs the leakage flux of the external DC magnetic field generated by the permanent magnet 400, and efficiently applies the external DC magnetic field to the magnetic sensor 10. , Improve the magnetic efficiency. As a result, the relatively small permanent magnet 400 can be used, and the sensor unit 18 can be downsized. Also in this embodiment, it is desirable to use a ferromagnetic resistance element as the magnetoresistive element 15.
(Fifth embodiment)
In the power measuring apparatus according to the present embodiment, the magnetic sensor 10 having the configuration used in the second embodiment is used, and as shown in FIG. The sensor unit 18 and the permanent magnet 400 are realized as one block by being arranged on the front surface and the back surface. Also in this embodiment, a bias magnetic field (Hb) that is a DC magnetic field is applied in a direction parallel to the plane on which the four magnetoresistive elements 15 are arranged, and this bias magnetic field (Hb) is positioned by the line holder 210. Perpendicular to the magnetic field generated by the current flowing through part of the load line 310. Also in the present embodiment, it is desirable to use a ferromagnetic resistive element as the magnetoresistive element 15.
(Sixth embodiment)
The power measuring apparatus according to this embodiment is basically the same as that of the fifth embodiment, and is different in that a pair of yokes 410 are arranged on both sides of the sensor unit 18 as shown in FIG. The yoke 410 is disposed between the same magnetic pole ends of the two permanent magnets 400, absorbs the leakage flux of the external DC magnetic field generated by the permanent magnets 400, and efficiently applies the external DC magnetic field to the magnetic sensor. In order to improve the magnetic efficiency. As a result, a relatively small permanent magnet can be used, and the sensor unit 17 can be downsized. Also in this embodiment, it is desirable to use a ferromagnetic resistance element as the magnetoresistive element 15.
(Seventh embodiment)
As shown in FIG. 14, the power measuring apparatus according to the present embodiment has a pair of permanent magnets 400 mounted on both sides of the magnetic sensor 10 on the glass substrate 16 together with the magnetic sensor 10 having the same configuration as that of the first embodiment. With the structure. The permanent magnet 400 defines external DC magnetic field applying means for applying a bias magnetic field (Hb) that is a DC magnetic field in a direction parallel to the plane in which the four magnetoresistive elements 15 are arranged, as in the above-described embodiment. In this embodiment, a meander-shaped pattern magnetoresistive element 15 made of a NiCo thin film and a NdFeB permanent magnet 400 are formed on a frosted glass substrate 16.
(Eighth embodiment)
In the power measuring apparatus according to this embodiment, as shown in FIG. 15, a sensor unit having a structure in which an insulating thin film 17 in which a magnetic sensor 10 having the same configuration as that of the first embodiment is embedded is sandwiched between a pair of magnetic thin films 19. 18 is provided on a glass substrate 16. The magnetic thin film constitutes a magnetic field applying unit that applies a bias magnetic field (Hb) that is a direct current magnetic field in a direction parallel to a plane in which the four magnetoresistive elements 15 are arranged. A part of the load line 310 disposed close to the magnetic sensor 10 is positioned by the line holder 210 so that the magnetic field generated by the current flowing therethrough and the bias magnetic field (Hb) are orthogonal to each other. According to this configuration, the sensor unit 18 can be realized as a thin film structure, and the entire apparatus can be reduced in thickness.

第1乃至第8の実施形態では、増幅器20やAD変換器40等の処理回路を構成する電子部品を実装するプリント配線基板へ、磁気センサ10を実装したセンサユニット18を搭載するよう構成が採用される。これに代えて、プリント配線基板上へ、上記の処理回路を構成する電子部品と共に、磁気センサ10を規定する磁気抵抗素子15を形成することも可能である。いずれの場合でも、増幅器20やAD変換器40はチップ部品で構成して処理回路を集積化することができる。また、処理回路を実装するプリント配線基板上に、絶縁膜を介して磁気センサ10を積層してモノリシック素子とすることも可能である。   In the first to eighth embodiments, a configuration is adopted in which the sensor unit 18 mounted with the magnetic sensor 10 is mounted on a printed wiring board on which electronic components that configure processing circuits such as the amplifier 20 and the AD converter 40 are mounted. Is done. Instead of this, it is also possible to form the magnetoresistive element 15 defining the magnetic sensor 10 on the printed wiring board together with the electronic components constituting the processing circuit. In any case, the amplifier 20 and the AD converter 40 can be constituted by chip parts to integrate the processing circuit. It is also possible to stack the magnetic sensor 10 on a printed wiring board on which a processing circuit is mounted via an insulating film to form a monolithic element.

前述の実施形態では、磁気センサ10を複数のミアンダ形状の磁気抵抗素子で構成した例をしめしたが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、その他の形状の磁気抵抗素子を使用することが可能である。
(第9の実施形態)
本実施形態は、図16乃至図18に示すように、4つの磁気抵抗素子15が円環状に連続した磁気抵抗環510とその内側に配置された円形の補助抵抗素子520とが同一平面上に配列された磁気センサ10を使用する。この磁気センサ10に近接配置される負荷線路310の一部は、磁気抵抗環510の直径方向に沿うように配置され、この負荷線路310に平行となる磁気抵抗環510の直径方向の両端が外部電源への接続用の入力端530となり、負荷線路310と直行する方向に一致する磁気抵抗環510の直径方向の両端が検出電圧の出力端540となる。磁気抵抗環510及び補助抵抗素子520は、ガラス基板やシリコン基板の上に形成される薄膜によって形成される。磁気抵抗環510の内部空間に電気的に隔離された補助抵抗素子520は、磁気抵抗環510の電気抵抗値に影響を及ぼすものではないが、磁気的には磁性抵抗環510と結合することにより、多くの磁束を発生させることができ、磁気センサ10の高感度化を図ることができる。
(第10の実施形態)
本実施形態では、図18に示すように、4つの磁気抵抗素子15が正方形に配列された磁気抵抗環550を備える磁気センサ10が使用される。この磁気センサ10に近接配置される負荷線路310の一部は、磁気抵抗環550の一つの対角線に沿うように配置され、この負荷線路310に平行となる磁気抵抗環550の対角線の両端が外部電源への接続用の入力端570となり、負荷線路310と直行する方向に一致する磁気抵抗環550の対角線の両端が検出電圧の出力端580となる。磁気抵抗環550及び補助抵抗素子560は、ガラス基板やシリコン基板の上に形成される薄膜によって形成される。
In the above-described embodiment, the example in which the magnetic sensor 10 is configured by a plurality of meander-shaped magnetoresistive elements has been described. However, the present invention is not limited to these embodiments, and other forms of magnetoresistive elements are used. It is possible to use.
(Ninth embodiment)
In this embodiment, as shown in FIGS. 16 to 18, a magnetoresistive ring 510 in which four magnetoresistive elements 15 are connected in an annular shape and a circular auxiliary resistive element 520 arranged on the inside thereof are on the same plane. An arrayed magnetic sensor 10 is used. A part of the load line 310 arranged close to the magnetic sensor 10 is arranged along the diameter direction of the magnetoresistive ring 510, and both ends in the diameter direction of the magnetoresistive ring 510 parallel to the load line 310 are external. Both ends in the diameter direction of the magnetoresistive ring 510 that coincide with the direction orthogonal to the load line 310 become the output ends 540 of the detection voltage. The magnetoresistive ring 510 and the auxiliary resistance element 520 are formed by a thin film formed on a glass substrate or a silicon substrate. The auxiliary resistance element 520 electrically isolated in the inner space of the magnetoresistive ring 510 does not affect the electrical resistance value of the magnetoresistive ring 510, but is magnetically coupled to the magnetic resistance ring 510. A large amount of magnetic flux can be generated, and the sensitivity of the magnetic sensor 10 can be increased.
(Tenth embodiment)
In this embodiment, as shown in FIG. 18, the magnetic sensor 10 including the magnetoresistive ring 550 in which the four magnetoresistive elements 15 are arranged in a square is used. A part of the load line 310 arranged close to the magnetic sensor 10 is arranged along one diagonal line of the magnetoresistive ring 550, and both ends of the diagonal line of the magnetoresistive ring 550 parallel to the load line 310 are external. The both ends of the diagonal line of the magnetoresistive ring 550 that coincides with the direction orthogonal to the load line 310 become the output terminal 580 of the detection voltage. The magnetoresistive ring 550 and the auxiliary resistance element 560 are formed by a thin film formed on a glass substrate or a silicon substrate.

上記のいずれの実施形態においても、磁気センサ10に近接配置される負荷線路310の一部は、磁気抵抗素子15が配列された平面に対して一定の距離となるように線路保持具によって位置決めされ、負荷線路310の一部を流れる電流によって発生する磁界が、図18(B)に示すように、磁気抵抗素子15が配列された平面に及ぶように設定される。
(第11の実施形態)
本実施形態は、磁気抵抗素子15に代えてホール素子450で磁気センサ10を構成した例を示す。その他の構成及び作用は、図2に示す実施形態と同様であるため、その説明を省略する。ここで使用するホール素子450も前述の実施形態の磁気センサ10と同様に、入力端と出力端を備え、負荷線路の一部に近接配置される。このホール素子450の入力端は外部電源へ電流制限抵抗を介して接続されることで、外部電源からの電流が入力される。このホール素子450は負荷線路を流れる電流によって発生する磁界の影響を受けて変動する検出電圧を出力端から出力する。この検出電圧は、第1の実施形態と同様の成分を含むことから、第1の実施形態と同様の増幅器20、AD変換器40、フィルタ30、電力演算器100を使用して、負荷電力が算出される。この場合、図20に示すよう
に、ホール素子450の最も広い面に対して、負荷線路310を流れる電流によって発生する磁界が直行するように、線路保持具210によって、負荷線路310の一部をホール素子450に対して位置決めすることが望まれる。
In any of the above-described embodiments, a part of the load line 310 arranged close to the magnetic sensor 10 is positioned by the line holder so as to be a fixed distance with respect to the plane on which the magnetoresistive elements 15 are arranged. The magnetic field generated by the current flowing through a part of the load line 310 is set so as to cover the plane on which the magnetoresistive elements 15 are arranged as shown in FIG.
(Eleventh embodiment)
The present embodiment shows an example in which the magnetic sensor 10 is configured by a Hall element 450 instead of the magnetoresistive element 15. Other configurations and operations are the same as those of the embodiment shown in FIG. Similarly to the magnetic sensor 10 of the above-described embodiment, the Hall element 450 used here includes an input end and an output end, and is disposed close to a part of the load line. The input terminal of the Hall element 450 is connected to an external power supply via a current limiting resistor, so that a current from the external power supply is input. The Hall element 450 outputs a detection voltage that fluctuates under the influence of a magnetic field generated by a current flowing through the load line from an output terminal. Since this detection voltage includes the same components as those in the first embodiment, the load power is reduced by using the amplifier 20, the AD converter 40, the filter 30, and the power calculator 100 similar to those in the first embodiment. Calculated. In this case, as shown in FIG. 20, a part of the load line 310 is formed by the line holder 210 so that the magnetic field generated by the current flowing through the load line 310 is perpendicular to the widest surface of the Hall element 450. Positioning with respect to the Hall element 450 is desired.

外部電源から負荷に供給される電力を計測するために使用する磁気センサより出力される検出電圧から、不要な成分を除去して、正確な電力測定を行う。   An unnecessary component is removed from the detection voltage output from the magnetic sensor used to measure the power supplied to the load from the external power supply, and accurate power measurement is performed.

10 磁気センサ
11 電流入力端(第1電流入力端)
12 電流入力端(第2電流入力端)
13 電圧出力端(第1電圧出力端)
14 電圧出力端(第2電圧出力端)
15 磁気抵抗素子
20 増幅器
30 フィルタ
40 AD変換器
50 電圧平均出力部
60 ゲイン判断回路
100 電力演算器
150 電力計測装置
210 線路保持具
310 負荷線路
320 負荷電力
450 ホール素子
10 Magnetic sensor 11 Current input terminal (first current input terminal)
12 Current input terminal (second current input terminal)
13 Voltage output terminal (first voltage output terminal)
14 Voltage output terminal (second voltage output terminal)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 Magnetoresistance element 20 Amplifier 30 Filter 40 AD converter 50 Voltage average output part 60 Gain judgment circuit 100 Power calculator 150 Power measuring device 210 Line holder 310 Load line 320 Load power 450 Hall element

Claims (11)

外部電源を負荷に接続する負荷線路を流れる負荷電流によって変動する磁界の変化を利用して負荷へ供給される負荷電力を計測するための電力計測装置であって、
この電力計測装置は、
前記負荷線路の一部に近接配置される磁気センサと、
前記磁気センサから出力される検出電圧に基づいて負荷電力を算出する電力演算器とを備え、
前記磁気センサは外部電源からの電流が入力される電流入力端を有し、
前記磁気センサは負荷線路に流れる負荷電流にて発生する磁界の影響を受けて磁気センサ自身に流れるセンサ電流が変化し、このセンサ電流の変化に応じた検出電圧を出力するように構成され、前記検出電圧は、DC電圧成分と基本周波数成分と高調波成分とを含み、前記電力計測装置は、前記磁気センサから出力される前記検出電圧から基本周波数成分と高調波成分を除去するフィルタを備えたことを特徴とする電力計測装置。
A power measuring device for measuring load power supplied to a load using a change in a magnetic field that varies with a load current flowing through a load line connecting an external power source to the load,
This power measuring device
A magnetic sensor disposed close to a part of the load line;
A power calculator that calculates load power based on the detection voltage output from the magnetic sensor,
The magnetic sensor has a current input terminal to which a current from an external power source is input,
The magnetic sensor is configured to change a sensor current flowing in the magnetic sensor itself under the influence of a magnetic field generated by a load current flowing in a load line, and output a detection voltage corresponding to the change in the sensor current, The detection voltage includes a DC voltage component, a fundamental frequency component, and a harmonic component, and the power measurement device includes a filter that removes the fundamental frequency component and the harmonic component from the detection voltage output from the magnetic sensor. A power measuring device characterized by that.
前記外部電源は、所定の周波数を有する交流電源であり、
前記フィルタは、上記交流電源の周波数未満の周波数成分を通過させるローパスフィルタであることを特徴とする請求項1に記載の電力計測装置。
The external power source is an AC power source having a predetermined frequency,
The power measuring apparatus according to claim 1, wherein the filter is a low-pass filter that allows a frequency component less than the frequency of the AC power supply to pass therethrough.
前記磁気センサは、負荷電流にて発生する磁界の影響を受けて、電気抵抗値が変化する複数の磁気抵抗素子で構成され、前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化に応じた検出電圧を出力するように構成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の電力計測装置。 The magnetic sensor is composed of a plurality of magnetoresistive elements whose electric resistance values change under the influence of a magnetic field generated by a load current, and outputs a detection voltage corresponding to the change in the resistance value of the magnetoresistive elements. The power measuring device according to claim 1, wherein the power measuring device is configured as described above. 前記磁気抵抗素子がフルブリッジ回路を構成し、このブリッジ回路はその電流入力端が前記外部電源に接続され、前記ブリッジ回路の電圧出力端間に前記検出電圧が発生するように構成されたことを特徴とする請求項3に記載の電力計測装置。 The magnetoresistive element forms a full bridge circuit, and the bridge circuit is configured such that the current input terminal is connected to the external power source and the detection voltage is generated between the voltage output terminals of the bridge circuit. The power measuring device according to claim 3, wherein 上記電力演算器は、電圧平均出力部を有し、上記交流電源の周期の整数倍である単位期間に亘って前記検出電圧を加算した加算電圧を求める加算回路を備え、この加算電圧を単位期間で除算した平均検出電圧に基づいて電力を算出するように構成されたことを特徴とする請求項2に記載の電力計測装置。 The power calculator includes a voltage average output unit, and includes an addition circuit that obtains an addition voltage obtained by adding the detection voltage over a unit period that is an integral multiple of the cycle of the AC power supply. The power measurement device according to claim 2, wherein the power measurement device is configured to calculate power based on an average detection voltage divided by. 前記電力計測装置は、
前記磁気センサから出力されるアナログの検出電圧を増幅する増幅器と、
前記増幅器の出力をデジタルの検出電圧に変換するAD変換器と、
前記磁気センサから出力される検出電圧の値の大小を示すゲインを判断するゲイン判断回路と、を備え、
前記電力計測装置は、上記デジタルの検出電圧に基づいて電力を演算するように構成され、
上記ゲイン判断回路は、上記ゲインに基づいて、前記AD変換器に与える上限基準電圧を変化させて、前記AD変換器の分解レベルを検出電圧に対応させるように構成されたことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の電力計測装置。
The power measuring device is
An amplifier for amplifying an analog detection voltage output from the magnetic sensor;
An AD converter for converting the output of the amplifier into a digital detection voltage;
A gain determination circuit that determines a gain indicating the magnitude of the value of the detection voltage output from the magnetic sensor;
The power measuring device is configured to calculate power based on the digital detection voltage,
The gain determination circuit is configured to change an upper limit reference voltage applied to the AD converter based on the gain so that a decomposition level of the AD converter corresponds to a detection voltage. Item 6. The power measuring device according to any one of Items 1 to 5.
前記磁気抵抗素子は薄膜抵抗素子であり、複数の薄膜抵抗素子が同一のセンサ配列面に配列され、
前記負荷線路の一部を前記センサ配列面と平行な状態に保持するための線路保持具が備えられたことを特徴とする請求項3から5のいずれかに記載の電力計測装置。
The magnetoresistive element is a thin film resistive element, and a plurality of thin film resistive elements are arranged on the same sensor array surface,
The power measuring device according to claim 3, further comprising a line holder for holding a part of the load line in a state parallel to the sensor array surface.
前記フルブリッジ回路を構成する磁気抵抗素子に対して一定の外部直流磁界を与えるための磁界付与手段を備えたことを特徴とする請求項4に記載の電力計測装置。 5. The power measuring apparatus according to claim 4, further comprising a magnetic field applying unit for applying a constant external DC magnetic field to the magnetoresistive elements constituting the full bridge circuit. 前記磁界付与手段は、前記磁気センサに近接する部位の負荷線路の周りに負荷線路を流れる負荷電流にて発生する磁界と直交する方向に、前記外部直流磁界を作用させるように構成されたことを特徴とする請求項8に記載の電力計測装置。 The magnetic field applying means is configured to cause the external DC magnetic field to act in a direction orthogonal to a magnetic field generated by a load current flowing through a load line around a load line in a region close to the magnetic sensor. The power measuring apparatus according to claim 8, wherein the power measuring apparatus is characterized. 前記フルブリッジ回路は、互いに90度の角度で接続された4つの線分のそれぞれに、前記磁気抵抗素子が位置するように構成され、
各線分での前記磁気抵抗素子がミアンダ形状とされたことを特徴とする請求項4に記載の電力計測装置。
The full bridge circuit is configured such that the magnetoresistive element is located on each of four line segments connected to each other at an angle of 90 degrees.
The power measuring apparatus according to claim 4, wherein the magnetoresistive element in each line segment has a meander shape.
前記磁気センサはホール素子で構成され、
前記負荷線路の一部を前記ホール素子の面と垂直方向となるように保持する線路保持具を備えたことを特徴とする請求項1に記載の電力計測装置。
The magnetic sensor is composed of a Hall element,
The power measuring device according to claim 1, further comprising a line holder that holds a part of the load line so as to be perpendicular to a surface of the Hall element.
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