JP2013181071A - Polymer compound, composition including the same, ink composition, thin film and element - Google Patents

Polymer compound, composition including the same, ink composition, thin film and element Download PDF

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Kazuo Takimiya
和男 瀧宮
Itaru Ozaka
格 尾坂
Tomoya Kashiki
友也 樫木
Kenji Kohiro
健司 小廣
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Hiroshima University NUC
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Hiroshima University NUC
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    • Y02E10/549Organic PV cells

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polymer compound capable of obtaining high charge mobility; a thin film and an ink composition including the polymer compound; an organic thin film transistor equipped with the thin film; and an image sensor equipped with the organic thin film transistor.SOLUTION: This polymer compound has structural units represented by formulae (1-1), (1-2) and (1-3) and a structural unit comprising a bivalent heterocyclic group or the like. in formulae, Erepresents -S- or the like.

Description

本発明は、高分子化合物、これを含む組成物、インク組成物、薄膜及び素子(有機薄膜トランジスタ及び光電変換素子)、並びに該素子を備えるイメージセンサーに関する。   The present invention relates to a polymer compound, a composition containing the same, an ink composition, a thin film and an element (an organic thin film transistor and a photoelectric conversion element), and an image sensor including the element.

有機薄膜トランジスタは、低コストであり、また柔軟で折り曲げ可能である等の特性を有するため、電子ペーパー、フレキシブルディスプレイ等の用途に好適に用いることができ、近年、注目されている。   Organic thin film transistors are low in cost and have characteristics such as flexibility and bendability, and thus can be suitably used for applications such as electronic paper and flexible displays, and have attracted attention in recent years.

有機薄膜トランジスタは、有機物により構成される電荷輸送性(ここで、電荷とは、ホール及び電子を意味する。以下同様。)を有する層を備えているが、この有機物としては、主として有機半導体材料が用いられる。このような有機半導体材料として、溶媒に溶解させた状態で塗布法により層(即ち、有機半導体層であり、一般的に活性層とも呼ばれる。)を形成できる高分子化合物が検討されており、例えば、チオフェン骨格を有する高分子化合物が提案されている(非特許文献1)。   An organic thin film transistor includes a layer having a charge transporting property (herein, charge means holes and electrons; the same shall apply hereinafter) composed of an organic substance. As the organic substance, an organic semiconductor material is mainly used. Used. As such an organic semiconductor material, a high molecular compound capable of forming a layer (that is, an organic semiconductor layer and generally also referred to as an active layer) by a coating method in a state dissolved in a solvent has been studied. A polymer compound having a thiophene skeleton has been proposed (Non-patent Document 1).

Organic Electronics 6(2005)p.142〜146Organic Electronics 6 (2005) p. 142-146

有機薄膜トランジスタの特性は、有機半導体層における電荷の移動度に主に依存し、この電荷の移動度が高いほど有機薄膜トランジスタの電界効果移動度が向上し、特性の優れたものとなる。近年では、有機薄膜トランジスタの用途も多様化しており、従来にも増して高い電界効果移動度が得られることが求められている。しかしながら、上述したような従来の高分子化合物を有機半導体層に用いた場合は、近年求められているような高い移動度を十分に得ることは困難であった。   The characteristics of the organic thin film transistor mainly depend on the charge mobility in the organic semiconductor layer, and the higher the charge mobility, the better the field effect mobility of the organic thin film transistor and the better the characteristics. In recent years, applications of organic thin film transistors have been diversified, and higher field effect mobility is required than ever before. However, when the conventional polymer compound as described above is used for the organic semiconductor layer, it has been difficult to obtain sufficient high mobility as required in recent years.

そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、有機半導体層に用いた場合に高い電荷の移動度が得られる高分子化合物を提供することを目的とする。また、本発明は、この高分子化合物を含む組成物、インク組成物、薄膜及び素子(有機薄膜トランジスタ、光電変換素子)、並びに該素子を備えるイメージセンサーを提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a polymer compound that can obtain high charge mobility when used in an organic semiconductor layer. Another object of the present invention is to provide a composition containing the polymer compound, an ink composition, a thin film and an element (an organic thin film transistor, a photoelectric conversion element), and an image sensor including the element.

上記目的を達成するために、本発明は、式:

Figure 2013181071

〔式中、
は、−O−、−S−、−SO−、−SO−又は−Se−を表す。複数存在するEは、同一でも異なっていてもよい。
は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、フッ素原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するRは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環状構造を形成していてもよい。〕
で表される構造単位と、
式:
Figure 2013181071

〔式中、
Arは、アリーレン基、2価の複素環基、−CR=CR−又は−C≡C−を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するRは、同一でも異なっていてもよい。〕
で表される構造単位と、を有する高分子化合物を提供する。 To achieve the above objective, the present invention provides a compound of the formula:
Figure 2013181071

[Where,
E 1 represents —O—, —S—, —SO 2 —, —SO— or —Se—. A plurality of E 1 may be the same or different.
R 1 is a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent aromatic heterocyclic group, aryloxy group, arylthio group, alkenyl group, alkynyl group, amino group, silyl group, fluorine atom, It represents an acyl group, an acyloxy group, an amide group, a carboxyl group, a nitro group or a cyano group, and these groups may have a substituent. A plurality of R 1 may be the same or different, and may be bonded to each other to form a cyclic structure together with the carbon atom to which each is bonded. ]
A structural unit represented by
formula:
Figure 2013181071

[Where,
Ar represents an arylene group, a divalent heterocyclic group, —CR g ═CR g — or —C≡C—, and these groups optionally have a substituent. R g represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group or a cyano group, and these groups may have a substituent. A plurality of R g may be the same or different. ]
And a polymer unit having a structural unit represented by:

本発明の高分子化合物は、式(1−1)、(1−2)又は(1−3)で表される構造単位を有していることで、有機半導体層に用いた場合に高い電荷の移動度を発揮することができる。その要因は必ずしも明らかではないものの、芳香族性を有する環が複数縮環しており、しかもこの縮環した構造の対称性が高く、高分子化合物の主鎖同士が重なり易い(パッキングし易い)ことによると考えられる。また、本発明の高分子化合物は、上記の特定の構造単位を有することから、溶媒への溶解性が高い傾向にあり、後述のインク組成物の状態として、塗布法により有機半導体層を形成することも比較的容易な傾向がある。   The polymer compound of the present invention has a structural unit represented by the formula (1-1), (1-2) or (1-3), so that it has a high charge when used in an organic semiconductor layer. The mobility of can be demonstrated. Although the cause is not necessarily clear, a plurality of aromatic rings are condensed, and the structure of the condensed structure is highly symmetric, so that the main chains of the polymer compound are easy to overlap (easy to pack). It is thought that. In addition, since the polymer compound of the present invention has the specific structural unit described above, it tends to be highly soluble in a solvent, and an organic semiconductor layer is formed by a coating method as a state of an ink composition described later. It also tends to be relatively easy.

式(1−1)〜(1−3)で表される構造単位においては、Eが、−O−(酸素原子)、−S−(硫黄原子)又は−Se−(セレン原子)であると好ましく、−S−又は−O−であるとより好ましく、−S−であると特に好ましい。このような構造を有する高分子化合物を有機半導体層に用いることで、より高い電荷の移動度を得ることができる。 In the structural units represented by formulas (1-1) to (1-3), E 1 is —O— (oxygen atom), —S— (sulfur atom), or —Se— (selenium atom). -S- or -O- is more preferable, and -S- is particularly preferable. By using a polymer compound having such a structure for the organic semiconductor layer, higher charge mobility can be obtained.

式(1−1)〜(1−3)で表される構造単位においては、Rが、水素原子、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルキル基、ハロゲン原子、アシル基又はアシルオキシ基であると好ましく、アルキル基であるとより好ましい。本発明の高分子化合物の原料となるモノマーの合成が容易となるためである。 In the structural units represented by formulas (1-1) to (1-3), R 1 is a hydrogen atom, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group, an alkyl group, a halogen atom, an acyl group, or acyloxy. A group is preferred, and an alkyl group is more preferred. This is because it becomes easy to synthesize a monomer as a raw material of the polymer compound of the present invention.

本発明の高分子化合物は、前述の式(1−1)、(1−2)又は(1−3)で表される構造単位に加えて、式(2)で表される構造単位を有していることで、有機半導体層に用いた場合に高い電荷の移動度を発揮することができる。   The polymer compound of the present invention has a structural unit represented by the formula (2) in addition to the structural unit represented by the formula (1-1), (1-2) or (1-3). Thus, when used in the organic semiconductor layer, high charge mobility can be exhibited.

式(2)で表される構造単位におけるArは、5員環(炭素原子数2〜12)を有する2価の複素環基又は炭素原子数6〜18の単環のアリーレン基であると好ましい。なお、2価の複素環基は、単環または多環(つまり、複数の単環が直接結合した2価の複素環基)のいずれであってもよい。こうすることで、有機半導体層に用いた場合により高い電荷の移動度が得られるようになる。   Ar in the structural unit represented by the formula (2) is preferably a divalent heterocyclic group having a 5-membered ring (2 to 12 carbon atoms) or a monocyclic arylene group having 6 to 18 carbon atoms. . The divalent heterocyclic group may be monocyclic or polycyclic (that is, a divalent heterocyclic group in which a plurality of monocycles are directly bonded). By so doing, higher charge mobility can be obtained when used in an organic semiconductor layer.

また、有機半導体層に用いた場合により高い電荷の移動度が得られるので、式(2)で表される構造単位におけるArは、式(3−1)〜式(3−14)で表される基であることが好ましく、式(3−1)、式(3−2)、式(3−6)〜(3−13)で表される基であることがより好ましく、式(3−6)であることが更に好ましい。   In addition, since higher charge mobility can be obtained when used in the organic semiconductor layer, Ar in the structural unit represented by Formula (2) is represented by Formula (3-1) to Formula (3-14). A group represented by formula (3-1), formula (3-2), or formula (3-6) to (3-13), and more preferably a group represented by formula (3- 6) is more preferable.

Figure 2013181071

〔式中、
は、−O−、−S−又は−Se−を表す。Eが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アシル基、アシルオキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Rが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
nは、0〜1の整数を表す。
Xは、式(Z−1)〜(Z−7)で表される2価の基を表す。
Yは、−C(R−、−N(R)−、アリーレン基又は2価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Yが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Rは、水素原子、アルキル基、アリール基又は1価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Rが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
Figure 2013181071

[式中、
は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Rが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
は、−O−、−S−、−C(=O)−、−S(=O)−、−SO−、−Si(R)(R)−、−N(R)−、−B(R)−、−P(R)−又は−P(=O)(R)−を表す。Rは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
Figure 2013181071

[Where,
E 2 represents —O—, —S— or —Se—. When two or more E2 exists, they may be the same or different.
R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group, an acyl group, an acyloxy group, or a halogen atom, and these groups have a substituent. Also good. When a plurality of R 2 are present, they may be the same or different.
n represents an integer of 0 to 1.
X represents a divalent group represented by formulas (Z-1) to (Z-7).
Y represents —C (R 3 ) 2 —, —N (R 3 ) —, an arylene group or a divalent heterocyclic group, and these groups optionally have a substituent. When a plurality of Y are present, they may be the same or different. R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a monovalent aromatic heterocyclic group, and these groups may have a substituent. When a plurality of R 3 are present, they may be the same or different. ]
Figure 2013181071

[Where:
R 4 is a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent aromatic heterocyclic group, aryloxy group, arylthio group, alkenyl group, alkynyl group, amino group, silyl group, halogen atom, It represents an acyl group, an acyloxy group, an amide group, a carboxyl group, a nitro group or a cyano group, and these groups may have a substituent. When a plurality of R 4 are present, they may be the same or different.
E 3 represents —O—, —S—, —C (═O) —, —S (═O) —, —SO 2 —, —Si (R 5 ) (R 5 ) —, —N (R 5 ) -, - B (R 5 ) -, - P (R 5) - or -P (= O) (R 5 ) - represents a. R 5 is a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent aromatic heterocyclic group, aryloxy group, arylthio group, alkenyl group, alkynyl group, amino group, silyl group, halogen atom, It represents an acyl group, an acyloxy group, an amide group, a carboxyl group, a nitro group or a cyano group, and these groups may have a substituent. ]

本発明はまた、本発明の高分子化合物を含む組成物、本発明の高分子化合物と溶媒とを含有するインク組成物、及び、本発明の組成物と溶媒とを含むインク組成物を提供する。このようなインク組成物は、高分子化合物が均一に溶媒に分散又は溶解したものとなるため、塗布法により有機半導体層等を形成するのに有効である。   The present invention also provides a composition comprising the polymer compound of the present invention, an ink composition comprising the polymer compound of the present invention and a solvent, and an ink composition comprising the composition of the present invention and a solvent. . Such an ink composition is effective for forming an organic semiconductor layer or the like by a coating method because the polymer compound is uniformly dispersed or dissolved in a solvent.

本発明はまた、本発明の高分子化合物を含む薄膜を提供する。本発明の薄膜は、本発明の高分子化合物を含むことから、有機半導体層に用いた場合に高い電荷の移動度を発揮することができる。   The present invention also provides a thin film containing the polymer compound of the present invention. Since the thin film of the present invention contains the polymer compound of the present invention, it can exhibit high charge mobility when used in an organic semiconductor layer.

本発明はまた、第1の電極と第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有し、該活性層に本発明の高分子化合物を含む素子を提供する。該素子は、有機薄膜トランジスタ、光電変換素子又はイメージセンサーであると好ましい。特に、本発明の有機薄膜トランジスタは、活性層の電荷の移動度が高いため、高い電界効果移動度が得られるものとなる。   The present invention also includes a first electrode and a second electrode, an active layer between the first electrode and the second electrode, and the polymer compound of the present invention in the active layer. An element comprising: The element is preferably an organic thin film transistor, a photoelectric conversion element, or an image sensor. In particular, since the organic thin film transistor of the present invention has high charge mobility in the active layer, high field effect mobility can be obtained.

本発明はさらに、本発明の素子を備えるイメージセンサーを提供する。このイメージセンサーは、活性層の電荷の移動度が高いため、優れた特性を発揮することができる。   The present invention further provides an image sensor comprising the element of the present invention. This image sensor can exhibit excellent characteristics because the charge mobility of the active layer is high.

本発明の高分子化合物は、有機半導体層に用いた場合に、高い電荷の移動度を得ることができるほか、このような有機半導体層の形成が容易なものでもある。そして、本発明によれば、かかる高分子化合物を含む組成物、薄膜の形成に有利なインク組成物、及びこのようなインク組成物によって好適に得られ、有機半導体層に用いた場合に高い電荷の移動度を有する薄膜を提供することができる。   When the polymer compound of the present invention is used in an organic semiconductor layer, high charge mobility can be obtained, and such an organic semiconductor layer can be easily formed. According to the present invention, a composition containing such a polymer compound, an ink composition advantageous for the formation of a thin film, and a high charge suitably obtained by such an ink composition and used in an organic semiconductor layer A thin film having the mobility can be provided.

本発明はまた、本発明の高分子化合物を含む有機半導体層を備えており、優れた電界効果移動度を得ることができる有機トランジスタや、この有機トランジスタを備える面状光源及び表示装置を提供することができる。このような本発明の有機トランジスタは、具体的には、液晶ディスプレイや電子ペーパーの駆動回路、照明用としての曲面状や平面状の光源のスイッチ回路、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の駆動回路にも有用である。   The present invention also provides an organic transistor that includes the organic semiconductor layer containing the polymer compound of the present invention and can obtain excellent field effect mobility, and a planar light source and a display device including the organic transistor. be able to. Specifically, the organic transistor of the present invention includes a driving circuit for a liquid crystal display and electronic paper, a switch circuit for a curved or flat light source for illumination, a segment type display element, and a dot matrix flat panel. It is also useful for driving circuits such as displays.

さらに、本発明の高分子化合物は、光電変換素子の有機半導体層の材料としても使用でき、そのような有機半導体層を備える光電変換素子は、太陽電池モジュールやイメージセンサーとして有用である。   Furthermore, the polymer compound of the present invention can also be used as a material for an organic semiconductor layer of a photoelectric conversion element, and a photoelectric conversion element including such an organic semiconductor layer is useful as a solar cell module or an image sensor.

第1実施形態に係る有機トランジスタの模式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of an organic transistor according to a first embodiment. 第2実施形態に係る有機トランジスタの模式断面図である。It is a schematic cross section of the organic transistor which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る有機トランジスタの模式断面図である。It is a schematic cross section of the organic transistor which concerns on 3rd Embodiment. 第4実施形態に係る有機トランジスタの模式断面図である。It is a schematic cross section of the organic transistor which concerns on 4th Embodiment. 第5実施形態に係る有機トランジスタの模式断面図である。It is a schematic cross section of the organic transistor which concerns on 5th Embodiment. 第6実施形態に係る有機トランジスタの模式断面図である。It is a schematic cross section of the organic transistor which concerns on 6th Embodiment. 第7実施形態に係る有機トランジスタの模式断面図である。It is a schematic cross section of the organic transistor which concerns on 7th Embodiment. 実施形態に係る光電変換素子の模式断面図である。It is a schematic cross section of the photoelectric conversion element which concerns on embodiment.

以下、必要に応じて図面を参照することにより、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as necessary. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted.

本明細書中、「構造単位」とは、高分子化合物中に1個以上存在する単位構造を意味する。「構造単位」は、「繰返し単位」(即ち、高分子化合物中に2個以上存在する単位構造)として高分子化合物中に含まれることが好ましい。   In the present specification, the “structural unit” means a unit structure present in one or more polymer compounds. The “structural unit” is preferably contained in the polymer compound as a “repeating unit” (that is, a unit structure present in two or more in the polymer compound).

<高分子化合物>
(第1構造単位)
本発明の高分子化合物は、前記式(1−1)〜(1−3)で表される構造単位(以下、第1構造単位」という場合がある。)を含む。第1構造単位は、高分子化合物中に一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。
<Polymer compound>
(First structural unit)
The polymer compound of the present invention includes structural units represented by the above formulas (1-1) to (1-3) (hereinafter sometimes referred to as first structural units). The first structural unit may be contained alone or in combination of two or more in the polymer compound.

これらの式(1−1)〜(1−3)が有していてもよい好適な基や原子は以下のとおりである。   Suitable groups and atoms that these formulas (1-1) to (1-3) may have are as follows.

式(1−1)〜(1−3)中、Eは、−O−、−S−、−SO−、−SO−又は−Se−を表す。複数存在するEは、同一でも異なっていてもよい。 In formulas (1-1) to (1-3), E 1 represents —O—, —S—, —SO 2 —, —SO— or —Se—. A plurality of E 1 may be the same or different.

は、本発明の高分子化合物を有機半導体層に用いることで、より高い電荷の移動度を得ることができるため、−S−又は−O−が好ましく、−S−がより好ましい。 E 1 is preferably -S- or -O-, and more preferably -S-, because a higher charge mobility can be obtained by using the polymer compound of the present invention for the organic semiconductor layer.

式(1−1)〜(1−3)中、Rは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するRは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環状構造を形成していてもよい。 In formulas (1-1) to (1-3), R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group, an aryloxy group, an arylthio group, or an alkenyl. Represents a group, an alkynyl group, an amino group, a silyl group, a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, an amide group, a carboxyl group, a nitro group or a cyano group, and these groups may have a substituent. A plurality of R 1 may be the same or different, and may be bonded to each other to form a cyclic structure together with the carbon atom to which each is bonded.

ここで、アルキル基は、直鎖、分岐のいずれでもよく、シクロアルキル基であってもよい。直鎖アルキル基および分岐アルキル基が有する炭素原子数(後述の置換基の炭素原子数は含まない。)は、通常1〜60であり、1〜20であることが好ましい。シクロアルキル基が有する炭素原子数(後述の置換基の炭素原子数は含まない。)は、通常3〜60であり、3〜20であることが好ましい。アルキル基の中でも、直鎖アルキル基又は分岐アルキル基が好ましく、直鎖アルキル基がより好ましい。
アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−ヘキサデシル基等の直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、2−エチルヘキシル基、3,7−ジメチルオクチル基等の分岐アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。
アルキル基は置換基を有していてもよく、アルキル基が有していてもよい置換基としては、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。置換基を有しているアルキル基の具体例としては、メトキシエチル基、ベンジル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。
Here, the alkyl group may be linear or branched, and may be a cycloalkyl group. The number of carbon atoms (not including the number of carbon atoms of the substituent described below) of the linear alkyl group and the branched alkyl group is usually 1 to 60, and preferably 1 to 20. The number of carbon atoms of the cycloalkyl group (not including the number of carbon atoms of the substituent described later) is usually 3 to 60, and preferably 3 to 20. Among the alkyl groups, a linear alkyl group or a branched alkyl group is preferable, and a linear alkyl group is more preferable.
Specific examples of the alkyl group include a straight chain alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-hexyl group, an n-octyl group, an n-dodecyl group, and an n-hexadecyl group, Examples thereof include branched alkyl groups such as isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, 2-ethylhexyl group, and 3,7-dimethyloctyl group, and cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group.
The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent that the alkyl group may have include an alkoxy group, an aryl group, and a halogen atom. Specific examples of the alkyl group having a substituent include a methoxyethyl group, a benzyl group, a trifluoromethyl group, and a perfluorohexyl group.

アルコキシ基は、直鎖、分岐いずれでもよく、シクロアルコキシ基であってもよい。直鎖アルコキシ基および分岐アルコキシ基が有する炭素原子数(後述の置換基の炭素原子数は含まない。)は、通常1〜20である。シクロアルコキシ基が有する炭素原子数(後述の置換基の炭素原子数は含まない。)は、通常3〜20である。
アルコキシ基の具体例としては、n−ブチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、n−ドデシルオキシ基等が挙げられ、n−ブチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基、n−ヘキサデシルオキシ等の直鎖アルキルオキシ基が好ましい。
アルコキシ基は置換基を有していてもよく、アルコキシ基が有していてもよい置換基としては、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。
The alkoxy group may be linear or branched, and may be a cycloalkoxy group. The straight-chain alkoxy group and the branched alkoxy group usually have 1 to 20 carbon atoms (not including the carbon atoms of the substituents described later). The number of carbon atoms of the cycloalkoxy group (not including the number of carbon atoms of the substituents described later) is usually 3-20.
Specific examples of the alkoxy group include n-butyloxy group, n-hexyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, n-dodecyloxy group, and the like. A straight-chain alkyloxy group such as -hexyloxy group, n-dodecyloxy group, n-hexadecyloxy is preferable.
The alkoxy group may have a substituent, and examples of the substituent that the alkoxy group may have include an aryl group and a halogen atom.

アルキルチオ基は、直鎖、分岐いずれでもよく、シクロアルキルチオ基であってもよい。直鎖アルキルチオ基および分岐アルキルチオ基が有する炭素原子数(後述の置換基の炭素原子数は含まない。)は、通常1〜20である。シクロアルキルチオ基が有する炭素原子数(後述の置換基の炭素原子数は含まない。)は、通常3〜20である。
アルキルチオ基の具体例としては、n−ブチルチオ基、n−ヘキシルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、n−ドデシルチオ基、n−ヘキサデシルチオ等が挙げられ、n−ブチルチオ基、n−ヘキシルチオ基、n−ドデシルチオ基、n−ヘキサデシルチオ等の直鎖アルキルチオ基が好ましい。
アルキルチオ基は置換基を有していてもよく、アルキルチオ基が有していてもよい置換基としては、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。
The alkylthio group may be linear or branched, and may be a cycloalkylthio group. The number of carbon atoms of the straight chain alkylthio group and the branched alkylthio group (not including the number of carbon atoms of the substituent described later) is usually 1-20. The number of carbon atoms of the cycloalkylthio group (not including the number of carbon atoms of the substituents described later) is usually 3-20.
Specific examples of the alkylthio group include n-butylthio group, n-hexylthio group, 2-ethylhexylthio group, 3,7-dimethyloctylthio group, n-dodecylthio group, n-hexadecylthio group and the like, and n-butylthio group , N-hexylthio group, n-dodecylthio group, n-hexadecylthio and other linear alkylthio groups are preferable.
The alkylthio group may have a substituent, and examples of the substituent that the alkylthio group may have include an aryl group and a halogen atom.

アリール基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子1個を除いた残りの原子団であり、ベンゼン環を有する基、縮合環を有する基、独立したベンゼン環及び縮合環から選ばれる2個以上が直接結合した基を含む。アリール基が有する炭素原子数(後述の置換基の炭素原子数は含まない。)は、通常6〜60であり、6〜20であることが好ましい。
アリール基の具体例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−フルオレニル基、3−フルオレニル基、4−フルオレニル基、4−フェニルフェニル基等が挙げられる。
アリール基は置換基を有していてもよく、アリール基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、1価の芳香族複素環基、ハロゲン原子等が挙げられる。置換基を有するアリール基としては、4−ヘキシルフェニル基、3,5−ジメトキシフェニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。アリール基が置換基を有する場合、置換基としてはアルキル基が好ましい。
An aryl group is a remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom directly bonded to a carbon atom constituting an aromatic ring from an aromatic hydrocarbon which may have a substituent, a group having a benzene ring, a condensed group It includes a group in which two or more selected from a group having a ring, an independent benzene ring and a condensed ring are directly bonded. The number of carbon atoms of the aryl group (not including the number of carbon atoms of the substituents described below) is usually 6 to 60, and preferably 6 to 20.
Specific examples of the aryl group include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group, 9-anthracenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group. 2-fluorenyl group, 3-fluorenyl group, 4-fluorenyl group, 4-phenylphenyl group and the like.
The aryl group may have a substituent, and examples of the substituent that the aryl group may have include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, a monovalent aromatic heterocyclic group, and a halogen atom. It is done. Examples of the aryl group having a substituent include 4-hexylphenyl group, 3,5-dimethoxyphenyl group, and pentafluorophenyl group. When the aryl group has a substituent, the substituent is preferably an alkyl group.

1価の芳香族複素環基は、置換基を有していてもよい芳香族性を有する複素環式化合物から、芳香環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子1個を除いた残りの原子団であり、縮合環を有する基、独立した芳香族複素環及び縮合環から選ばれる2個以上が直接結合した基を含む。1価の芳香族複素環基が有する炭素原子数(後述の置換基の炭素原子数は含まない。)は、通常2〜60であり、3〜20であることが好ましい。
1価の芳香族複素環基の具体例としては、2−フリル基、3−フリル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、2−オキサゾリル基、2−チアゾリル基、2−イミダゾリル基、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基、2−ベンゾフリル基、2−ベンゾチエニル基、2−チエノチエニル基等が挙げられる。
1価の芳香族複素環基は置換基を有していてもよく、1価の芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。置換基を有する1価の芳香族複素環基としては、5−オクチル−2−チエニル基、5−フェニル−2−フリル基等が挙げられる。1価の芳香族複素環基が置換基を有する場合、置換基としてはアルキル基が好ましい。
The monovalent aromatic heterocyclic group is the remainder obtained by removing one hydrogen atom directly bonded to the carbon atom constituting the aromatic ring from the aromatic compound which may have a substituent. It is an atomic group and includes a group in which two or more selected from a group having a condensed ring, an independent aromatic heterocyclic ring and a condensed ring are directly bonded. The number of carbon atoms of the monovalent aromatic heterocyclic group (not including the number of carbon atoms of the substituent described later) is usually 2 to 60, and preferably 3 to 20.
Specific examples of the monovalent aromatic heterocyclic group include 2-furyl group, 3-furyl group, 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-pyrrolyl group, 3-pyrrolyl group, 2-oxazolyl group, 2 -Thiazolyl group, 2-imidazolyl group, 2-pyridyl group, 3-pyridyl group, 4-pyridyl group, 2-benzofuryl group, 2-benzothienyl group, 2-thienothienyl group and the like.
The monovalent aromatic heterocyclic group may have a substituent, and examples of the substituent that the monovalent aromatic heterocyclic group may have include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, and an aryl group. And halogen atoms. Examples of the monovalent aromatic heterocyclic group having a substituent include a 5-octyl-2-thienyl group and a 5-phenyl-2-furyl group. When the monovalent aromatic heterocyclic group has a substituent, the substituent is preferably an alkyl group.

アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアリールオキシ基の炭素原子数は、通常6〜20である。
アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
The aryloxy group may have a substituent, and the number of carbon atoms of the aryloxy group excluding the substituent is usually 6-20.
Specific examples of the aryloxy group include a phenoxy group, a 1-naphthyloxy group, and a 2-naphthyloxy group.

アリールチオ基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアリールチオ基の炭素原子数は、通常6〜20である。
アリールチオ基の具体例としては、フェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、2−ナフチルチオ基等が挙げられる。
The arylthio group may have a substituent, and the number of carbon atoms of the arylthio group excluding the substituent is usually 6 to 20.
Specific examples of the arylthio group include a phenylthio group, a 1-naphthylthio group, and a 2-naphthylthio group.

アルケニル基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアルケニル基の炭素原子数は、通常2〜20である。
アルケニル基の具体例としては、ビニル基、1−オクテニル基等が挙げられる。
The alkenyl group may have a substituent, and the number of carbon atoms of the alkenyl group excluding the substituent is usually 2-20.
Specific examples of the alkenyl group include a vinyl group and a 1-octenyl group.

アルキニル基は、置換基を有していてもよく、置換基を除いたアルキニル基の炭素原子数は、通常2〜20である。
アルキニル基の具体例としては、エチニル基、1−オクチニル基、2−フェニルエチニル基、トリメチルシリルエチニル基等が挙げられる。
The alkynyl group may have a substituent, and the alkynyl group excluding the substituent usually has 2 to 20 carbon atoms.
Specific examples of the alkynyl group include ethynyl group, 1-octynyl group, 2-phenylethynyl group, trimethylsilylethynyl group and the like.

アミノ基は、置換基を有していてもよく、置換基を有していてもよいアミノ基の炭素原子数は、通常1〜40である。
置換基を有していてもよいアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、1−ナフチルアミノ基、2−ナフチルアミノ基、ピリジルアミノ基等が挙げられる。
The amino group may have a substituent, and the number of carbon atoms of the amino group that may have a substituent is usually 1 to 40.
Specific examples of the amino group which may have a substituent include a methylamino group, a dimethylamino group, a diethylamino group, a diisopropylamino group, a dicyclohexylamino group, a pyrrolidyl group, a piperidyl group, a phenylamino group, a diphenylamino group, Examples include 1-naphthylamino group, 2-naphthylamino group, pyridylamino group and the like.

シリル基は、置換基を有していてもよく、置換基を有していてもよいシリル基の炭素原子数は、通常1〜60である。
置換基を有していてもよいシリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、tert−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。
The silyl group may have a substituent, and the number of carbon atoms of the silyl group that may have a substituent is usually 1 to 60.
Specific examples of the silyl group which may have a substituent include a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a tripropylsilyl group, a triisopropylsilyl group, a tert-butyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, and a tribenzylsilyl group. , Diphenylmethylsilyl group, dimethylphenylsilyl group and the like.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。   Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

アシル基は、置換基を有していてもよく、置換基を有していてもよいアシル基の炭素原子数は、通常1〜20である。
置換基を有していてもよいアシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。
The acyl group may have a substituent, and the number of carbon atoms of the acyl group that may have a substituent is usually 1-20.
Specific examples of the acyl group that may have a substituent include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, a pivaloyl group, a benzoyl group, a trifluoroacetyl group, and a pentafluorobenzoyl group.

アシルオキシ基は、置換基を有していてもよく、置換基を有していてもよいアシルオキシ基の炭素原子数は、通常1〜20である。
置換基を有していてもよいアシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
The acyloxy group may have a substituent, and the number of carbon atoms of the acyloxy group that may have a substituent is usually 1 to 20.
Specific examples of the acyloxy group which may have a substituent include an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, a pivaloyloxy group, a benzoyloxy group, a trifluoroacetyloxy group, and a pentafluorobenzoyloxy group.

アミド基は、置換基を有していてもよい。
置換基を有していてもよいアミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジベンズアミド基等が挙げられる。
The amide group may have a substituent.
Specific examples of the amide group which may have a substituent include a formamide group, an acetamide group, a propioamide group, a butyroamide group, a benzamide group, a trifluoroacetamide group, a pentafluorobenzamide group, a diformamide group, a diacetamide group, And dibenzamide group.

は、本発明の高分子化合物の原料となるモノマーの合成の容易さの観点からは、水素原子、アルキル基、アルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、アリール基、1価の芳香族複素環基がより好ましく、水素原子、アルキル基、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子がさらに好ましい。 R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkylthio group, an acyl group, an acyloxy group, a halogen atom, an aryl group, a monovalent fragrance from the viewpoint of ease of synthesis of the monomer that is a raw material for the polymer compound of the present invention. A group heterocyclic group is more preferable, and a hydrogen atom, an alkyl group, an acyl group, an acyloxy group, and a halogen atom are more preferable.

高分子化合物の主鎖同士が重なり易くすることで(パッキングし易くすることで)、有機半導体層に用いた場合により高い電荷の移動度を発揮し得るので、式(1−1)〜(1−3)で表される構造単位が有するRは、各構造単位が点対称となるように選択される(つまり、各構造単位を180°回転した際に対応するR同士が同じ基である)ことが好適である。 By making the main chains of the polymer compound easily overlap each other (by facilitating packing), when used in the organic semiconductor layer, higher charge mobility can be exhibited, so that the formulas (1-1) to (1 R- 1 of the structural unit represented by -3) is selected so that each structural unit is point-symmetric (that is, the corresponding R 1 when the structural units are rotated by 180 ° are the same group). It is preferred that

第1構造単位としては、式(1−1)〜式(1−12)で表される構造単位が好ましく、式(1−1)〜式(1−5)、式(1−11)および式(1−12)で表される構造単位がより好ましく、式(1−1)、式(1−5)および式(1−11)で表される構造単位がさらに好ましい。   As the first structural unit, structural units represented by formula (1-1) to formula (1-12) are preferable, and formula (1-1) to formula (1-5), formula (1-11) and The structural unit represented by Formula (1-12) is more preferable, and the structural unit represented by Formula (1-1), Formula (1-5), and Formula (1-11) is more preferable.

Figure 2013181071
Figure 2013181071

(第2構造単位)
本発明の高分子化合物は、前記式(2)で表される構造単位(以下、「第2構造単位」という場合がある。)を含む。第2構造単位は、高分子化合物中に一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。
(Second structural unit)
The polymer compound of the present invention includes a structural unit represented by the formula (2) (hereinafter sometimes referred to as “second structural unit”). The second structural unit may be contained alone or in combination of two or more in the polymer compound.

式(2)中、Arは、アリーレン基、2価の複素環基、−CR=CR−又は−C≡C−で表される基を表し、これらは置換基を有していてもよい。Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するRは、同一でも異なっていてもよい。 In formula (2), Ar represents an arylene group, a divalent heterocyclic group, a group represented by —CR g ═CR g — or —C≡C—, which may have a substituent. Good. R g represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group or a cyano group, and these groups may have a substituent. A plurality of R g may be the same or different.

アリーレン基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子2個を除いた残りの原子団であり、ベンゼン環を有する基、縮合環を有する基、独立したベンゼン環及び縮合環から選ばれる2個以上が直接結合した基を含む。アリーレン基が有する炭素原子数(後述の置換基の炭素原子数は含まない。)は、通常6〜60であり、6〜20であることが好ましい。
アリーレン基が有する置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、ハロゲン原子が挙げられる。アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基及びハロゲン原子の定義、具体例は、Rで表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基及びハロゲン原子の定義、具体例と同じである。
アリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、テトラセンジイル基、ピレンジイル基、ペンタセンジイル基、ペリレンジイル基、フルオレンジイル基が挙げられる。
An arylene group is a remaining atomic group obtained by removing two hydrogen atoms directly bonded to a carbon atom constituting an aromatic ring from an aromatic hydrocarbon which may have a substituent, a group having a benzene ring, a condensed group It includes a group in which two or more selected from a group having a ring, an independent benzene ring and a condensed ring are directly bonded. The number of carbon atoms of the arylene group (not including the number of carbon atoms of the substituents described later) is usually 6 to 60, and preferably 6 to 20.
Examples of the substituent that the arylene group has include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group, and a halogen atom. Definition of alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent aromatic heterocyclic group and halogen atom, specific examples are alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent represented by R 1 The definition and specific examples of the aromatic heterocyclic group and halogen atom are the same.
Specific examples of the arylene group include a phenylene group, naphthalenediyl group, anthracenediyl group, phenanthenediyl group, tetracenediyl group, pyrenediyl group, pentacenediyl group, perylenediyl group, and fluorenediyl group.

アリーレン基としては、式(9a)〜(9f)で表される基が好ましく、式(9a)および(9f)で表される基がより好ましい。   As the arylene group, groups represented by formulas (9a) to (9f) are preferable, and groups represented by formulas (9a) and (9f) are more preferable.

Figure 2013181071
Figure 2013181071

式(9a)〜(9f)中、R93、R94及びR96は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の基であり、R95は、1価の基である。また、uは、0以上の整数である。1価の基としては、Rと同様なものが挙げられる。なお、上記式で表される構造中、複数のR93、R94又はR95が含まれる場合、同じ符号で示される基同士は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R93、R94、R95及びR96のうちの2種、或いは、同じ符号で表される基同士が、同じ炭素原子又は隣接する炭素原子に結合している場合は、この関係にある基同士はそれぞれが結合する炭素原子とともに環状構造を形成していてもよい。この場合に形成される環状構造は、単環でも縮合環でもよく、炭化水素環でも複素環でもよい。また、これらの環は、置換基を有していてもよい。形成される環状構造としては、単環の炭化水素環や、ヘテロ原子として酸素原子又は硫黄原子を含む単環の複素環が好ましい。 In formulas (9a) to (9f), R 93 , R 94 and R 96 are each independently a hydrogen atom or a monovalent group, and R 95 is a monovalent group. U is an integer of 0 or more. Examples of the monovalent group include those similar to R 1 . In the structure represented by the above formula, when a plurality of R 93 , R 94 or R 95 are included, the groups represented by the same reference numerals may be the same or different. In addition, when two groups out of R 93 , R 94 , R 95 and R 96 or groups represented by the same symbol are bonded to the same carbon atom or an adjacent carbon atom, this relationship is established. Certain groups may form a cyclic structure together with the carbon atoms to which they are bonded. The cyclic structure formed in this case may be a single ring or a condensed ring, and may be a hydrocarbon ring or a heterocyclic ring. Moreover, these rings may have a substituent. As the cyclic structure formed, a monocyclic hydrocarbon ring or a monocyclic heterocycle containing an oxygen atom or a sulfur atom as a hetero atom is preferable.

2価の複素環基は、置換基を有していてもよい複素環式化合物から芳香環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子2個を除いた残りの原子団であり、縮合環を有する基、独立した複素環及び縮合環から選ばれる2個以上が直接結合した基を含む。2価の複素環基が有する炭素原子数(後述の置換基の炭素原子数は含まない。)は、通常2〜60であり、3〜20であることが好ましい。
2価の複素環基が有する置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、ハロゲン原子が挙げられる。アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基及びハロゲン原子の定義、具体例は、Rで表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基及びハロゲン原子の定義、具体例と同じである。
2価の複素環基の具体例としては、オキサジアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、オキサゾールジイル基、チアゾールジイル基、チオフェンジイル基、ビチオフェンジイル基、テルチオフェンジイル基、クアテルチオフェンジイル基、ピロールジイル基、フランジイル基、セレノフェンジイル基、ピリジンジイル基、ピラジンジイル基、ピリミジンジイル基、トリアジンジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ベンゾピロールジイル基、ベンゾフランジイル基、キノリンジイル基、イソキノリンジイル基、チエノチオフェンジイル基、ベンゾジチオフェンジイル基、ベンゾチアジアゾールジイル基、キノキサリンジイル基が挙げられる。
The divalent heterocyclic group is a remaining atomic group obtained by removing two hydrogen atoms directly bonded to a carbon atom constituting an aromatic ring from an optionally substituted heterocyclic compound, and forming a condensed ring. And a group in which two or more selected from an independent heterocyclic ring and a condensed ring are directly bonded. The number of carbon atoms of the divalent heterocyclic group (not including the number of carbon atoms of the substituent described later) is usually 2 to 60, and preferably 3 to 20.
Examples of the substituent that the divalent heterocyclic group has include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group, and a halogen atom. Definition of alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent aromatic heterocyclic group and halogen atom, specific examples are alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent represented by R 1 The definition and specific examples of the aromatic heterocyclic group and halogen atom are the same.
Specific examples of the divalent heterocyclic group include oxadiazole diyl group, thiadiazole diyl group, oxazole diyl group, thiazole diyl group, thiophene diyl group, bithiophene diyl group, terthiophene diyl group, quaterthiophene diyl group, Pyrrole diyl group, furandyl group, selenophene diyl group, pyridine diyl group, pyrazine diyl group, pyrimidine diyl group, triazine diyl group, benzothiophene diyl group, benzopyrrole diyl group, benzofuran diyl group, quinoline diyl group, isoquinoline diyl group, thienothiophene Examples thereof include a diyl group, a benzodithiophene diyl group, a benzothiadiazole diyl group, and a quinoxaline diyl group.

2価の複素環基としては、例えば、式(10a)〜(10h)で表される基が挙げられる。   Examples of the divalent heterocyclic group include groups represented by formulas (10a) to (10h).

Figure 2013181071

[式中、Rは、水素原子又は1価の基を表す。複数存在するRは、同一でも異なっていてもよい。]
Figure 2013181071

[Wherein, R f represents a hydrogen atom or a monovalent group. A plurality of R f may be the same or different. ]

で表される1価の基としては、Rと同様なものが挙げられる。 Examples of the monovalent group represented by R f include the same groups as R 1 .

また、好ましくは、Arが、式(1−1)〜(1−3)で表される構造単位とともに高分子化合物を形成する際に、高分子化合物の主鎖となる骨格において、炭素原子同士の結合や炭素原子とヘテロ原子との結合により、多重結合と単結合とが交互に繰り返して連なったπ共役系が形成されるように選択される基である。このようなπ共役系としては、例えば、式(E1)中の点線内で示される構造等が挙げられる。

Figure 2013181071
Preferably, when Ar forms a polymer compound together with the structural units represented by formulas (1-1) to (1-3), in the skeleton that becomes the main chain of the polymer compound, And a group selected to form a π-conjugated system in which multiple bonds and single bonds are alternately repeated. Examples of such a π-conjugated system include a structure shown within a dotted line in the formula (E1).
Figure 2013181071

Arは、高分子化合物を有機半導体層に用いた場合の電荷の移動度をより向上させる観点からは、アリーレン基又は2価の複素環基が好ましく、2価の複素環基がより好ましく、2価の芳香族複素環基がさらに好ましく、式(3−1)〜式(3−14)で表される構造単位が特に好ましい。その中でも、式(3−1)、式(3−2)、式(3−6)〜(3−13)で表される構造単位が好ましく、式(3−6)で表される構造単位がより好ましい。   Ar is preferably an arylene group or a divalent heterocyclic group, more preferably a divalent heterocyclic group, from the viewpoint of further improving the charge mobility when a polymer compound is used in the organic semiconductor layer. A valent aromatic heterocyclic group is more preferable, and structural units represented by formula (3-1) to formula (3-14) are particularly preferable. Among these, the structural unit represented by Formula (3-1), Formula (3-2), and Formula (3-6) to (3-13) is preferable, and the structural unit represented by Formula (3-6) Is more preferable.

Figure 2013181071

[式中、
は、−O−、−S−又は−Se−を表す。Eが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アシル基、アシルオキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
nは0〜1の整数を表す。
Xは、式(Z−1)〜(Z−7)で表される2価の基を表す。
Yは、−C(R−、−N(R)−、アリーレン基又は2価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Rは、水素原子、アルキル基、アリール基又は1価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Rが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
Figure 2013181071

[Where:
E 2 represents —O—, —S— or —Se—. When two or more E2 exists, they may be the same or different.
R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group, an acyl group, an acyloxy group, or a halogen atom, and these groups have a substituent. Also good.
n represents an integer of 0 to 1.
X represents a divalent group represented by formulas (Z-1) to (Z-7).
Y represents —C (R 3 ) 2 —, —N (R 3 ) —, an arylene group or a divalent heterocyclic group, and these groups optionally have a substituent. R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a monovalent aromatic heterocyclic group, and these groups may have a substituent. When a plurality of R 3 are present, they may be the same or different. ]

Figure 2013181071

[式中、
は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Rが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
は、−O−、−S−、−C(=O)−、−S(=O)−、−SO−、−Si(R)(R)−、−N(R)−、−B(R)−、−P(R)−又は−P(=O)(R)−を表す。Rは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
Figure 2013181071

[Where:
R 4 is a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent aromatic heterocyclic group, aryloxy group, arylthio group, alkenyl group, alkynyl group, amino group, silyl group, halogen atom, It represents an acyl group, an acyloxy group, an amide group, a carboxyl group, a nitro group or a cyano group, and these groups may have a substituent. When a plurality of R 4 are present, they may be the same or different.
E 3 represents —O—, —S—, —C (═O) —, —S (═O) —, —SO 2 —, —Si (R 5 ) (R 5 ) —, —N (R 5 ) -, - B (R 5 ) -, - P (R 5) - or -P (= O) (R 5 ) - represents a. R 5 is a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent aromatic heterocyclic group, aryloxy group, arylthio group, alkenyl group, alkynyl group, amino group, silyl group, halogen atom, It represents an acyl group, an acyloxy group, an amide group, a carboxyl group, a nitro group or a cyano group, and these groups may have a substituent. ]

で表される、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子の定義、具体例は、前述のRで表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子の定義、具体例と同じである。 R is represented by 2, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group, an acyl group, an acyloxy group, the definition of a halogen atom, specific examples are represented by the aforementioned R 1 The definition of alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent aromatic heterocyclic group, acyl group, acyloxy group, halogen atom, and specific examples are the same.

で表される、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基の定義、具体例は、前述のRで表されるアルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基の定義、具体例と同じである。 Definition of alkyl group, aryl group and monovalent aromatic heterocyclic group represented by R 3 , specific examples are the alkyl group, aryl group and monovalent aromatic heterocyclic group represented by R 1 described above. Definitions and specific examples are the same.

及びRで表される、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基の定義、具体例は、前述のRで表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基の定義、具体例と同じである。 An alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group, an aryloxy group, an arylthio group, an alkenyl group, an alkynyl group, an amino group, a silyl group, represented by R 4 and R 5 Definitions of halogen atom, acyl group, acyloxy group, amide group, carboxyl group, specific examples are the alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent aromatic heterocyclic group represented by R 1 described above, Definitions and specific examples of aryloxy group, arylthio group, alkenyl group, alkynyl group, amino group, silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, amide group, and carboxyl group are the same as in the specific examples.

Yで表される、アリーレン基、2価の複素環基の定義、具体例は、前述のArで表されるアリーレン基、2価の複素環基の定義、具体例と同じである。   The definition and specific examples of the arylene group and divalent heterocyclic group represented by Y are the same as the definition and specific examples of the arylene group and divalent heterocyclic group represented by Ar described above.

本発明の高分子化合物を有機半導体層に用いた場合の電荷の移動度をより向上させる観点からは、式(3−1)〜式(3−14)で表される構造単位において、Rは、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。 From the viewpoint of further improving the charge mobility when the polymer compound of the present invention is used in the organic semiconductor layer, in the structural units represented by the formulas (3-1) to (3-14), R 2 Is preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

本発明の高分子化合物を有機半導体層に用いた場合の電荷の移動度をより向上させる観点からは、式(3−1)〜式(3−14)で表される構造単位において、Rは、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。 From the viewpoint of further improving the charge mobility when the polymer compound of the present invention is used in the organic semiconductor layer, in the structural units represented by the formulas (3-1) to (3-14), R 3 Is preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

本発明の高分子化合物を有機半導体層に用いた場合の電荷の移動度をより向上させる観点からは、式(3−6)で表される構造単位において、Xで表される式(Z−1)〜式(Z−6)中、Rは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基又は1価の芳香族複素環基が好ましく、水素原子又はアルキル基がより好ましい。 From the viewpoint of further improving the charge mobility when the polymer compound of the present invention is used in the organic semiconductor layer, the structural unit represented by the formula (3-6) is represented by the formula (Z- In 1) to formula (Z-6), R 4 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group or a monovalent aromatic heterocyclic group, and more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

本発明の高分子化合物を有機半導体層に用いた場合の電荷の移動度をより向上させる観点からは、Rは、アルキル基、アリール基又は1価の芳香族複素環基が好ましく、アリール基又はアルキル基がより好ましい。 From the viewpoint of further improving the charge mobility when the polymer compound of the present invention is used in the organic semiconductor layer, R 5 is preferably an alkyl group, an aryl group or a monovalent aromatic heterocyclic group, and an aryl group Or an alkyl group is more preferable.

第2構造単位を二個以上含む構造単位の例として、式(4−1)〜式(4−9)で表される構造単位が挙げられる。これらの構造単位の中でも、高分子化合物を有機半導体層に用いた場合の電荷の移動度をより向上させる観点からは、式(4−1)、式(4−5)、式(4−7)又は式(4−9)で表される構造単位を含む高分子化合物が好ましい。   Examples of the structural unit including two or more second structural units include structural units represented by formula (4-1) to formula (4-9). Among these structural units, from the viewpoint of further improving the charge mobility when the polymer compound is used in the organic semiconductor layer, the formula (4-1), the formula (4-5), the formula (4-7) Or a polymer compound containing a structural unit represented by formula (4-9).

Figure 2013181071
Figure 2013181071

Figure 2013181071
Figure 2013181071

(他の構造単位)
本発明の高分子化合物は、第1構造単位、第2構造単位以外の構造単位(以下、「他の構造単位」という場合がある。)を含んでいてもよい。他の構造単位は、高分子化合物中に一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。
(Other structural units)
The polymer compound of the present invention may contain a structural unit other than the first structural unit and the second structural unit (hereinafter sometimes referred to as “other structural unit”). Other structural units may be contained alone or in combination of two or more in the polymer compound.

他の構造単位としては、例えば、式−CR −で表される基、式−C(=O)−で表される基、式−C(=O)O−で表される基が挙げられる。Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
で表される、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基及びハロゲン原子の定義、具体例は、前述のRで表されるアルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基及びハロゲン原子の定義、具体例と同じである。
Examples of the other structural unit include a group represented by the formula —CR h 2 —, a group represented by the formula —C (═O) —, and a group represented by the formula —C (═O) O—. Can be mentioned. R h represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group or a halogen atom, and these groups optionally have a substituent.
Definitions and specific examples of the alkyl group, aryl group, monovalent aromatic heterocyclic group and halogen atom represented by R h are the alkyl group, aryl group, monovalent aromatic represented by the aforementioned R 1. The definition and specific examples of the heterocyclic group and the halogen atom are the same.

(高分子化合物)
本発明の高分子化合物は、高分子化合物を有機半導体層に用いた場合の電荷の移動度をより向上させる観点からは、共役高分子化合物であることが好ましい。
(Polymer compound)
The polymer compound of the present invention is preferably a conjugated polymer compound from the viewpoint of further improving the charge mobility when the polymer compound is used in the organic semiconductor layer.

本発明の高分子化合物を有機半導体層に用いた場合の電荷の移動度をより向上させる観点からは、高分子化合物が有する構造単位の合計に対して、第1構造単位と第2構造単位の合計が、50モル%以上であることが好ましく、70モル%以上であることがより好ましい。   From the viewpoint of further improving the charge mobility when the polymer compound of the present invention is used in the organic semiconductor layer, the first structural unit and the second structural unit are compared with the total of the structural units of the polymer compound. The total is preferably 50 mol% or more, and more preferably 70 mol% or more.

本発明の高分子化合物の具体例としては、式(5−1)〜式(5−22)で表される高分子化合物が挙げられる。   Specific examples of the polymer compound of the present invention include polymer compounds represented by formula (5-1) to formula (5-22).

Figure 2013181071
Figure 2013181071

Figure 2013181071
Figure 2013181071

Figure 2013181071
Figure 2013181071

本発明の高分子化合物は、分子鎖末端に重合反応に活性を示す基が残っていると、高分子化合物を有機半導体層に用いた場合の電荷の移動度が低下する可能性がある。そのため、分子鎖末端は、アリール基、1価の芳香族複素環基等の安定な基であることが好ましい。   In the polymer compound of the present invention, if a group showing activity in the polymerization reaction remains at the end of the molecular chain, the charge mobility may be reduced when the polymer compound is used in the organic semiconductor layer. Therefore, the molecular chain terminal is preferably a stable group such as an aryl group or a monovalent aromatic heterocyclic group.

本発明の高分子化合物は、いかなる種類の共重合体であってもよく、例えば、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体等のいずれであってもよい。   The polymer compound of the present invention may be any type of copolymer, such as a block copolymer, a random copolymer, an alternating copolymer, or a graft copolymer.

本発明の高分子化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(以下、「GPC」と言う。)で測定したポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)は、通常、1×10〜1×10である。薄膜作製時に良好な薄膜を形成する観点から、数平均分子量は1.5×10以上が好ましい。溶解性及び成膜性の観点から、数平均分子量は1×10以下であることが好ましい。 The number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (hereinafter referred to as “GPC”) of the polymer compound of the present invention is usually 1 × 10 3 to 1 × 10 8 . From the viewpoint of forming a good thin film during thin film production, the number average molecular weight is preferably 1.5 × 10 3 or more. From the viewpoints of solubility and film formability, the number average molecular weight is preferably 1 × 10 6 or less.

<高分子化合物の製造方法>
次に、本発明の高分子化合物の製造方法を説明する。
本発明の高分子化合物は、いかなる方法で製造してもよいが、例えば、式:X11−A11−X12で表される化合物と、式:X13−A12−X14で表される化合物とを、必要に応じて有機溶媒に溶解し、必要に応じて塩基を加え、適切な触媒を用いた公知のアリールカップリング等の重合方法により合成することができる。
<Method for producing polymer compound>
Next, a method for producing the polymer compound of the present invention will be described.
The polymer compound of the present invention may be produced by any method. For example, the polymer compound represented by the formula: X 11 -A 11 -X 12 and the formula: X 13 -A 12 -X 14 The compound can be dissolved in an organic solvent as necessary, a base is added as necessary, and the compound can be synthesized by a known polymerization method such as aryl coupling using an appropriate catalyst.

上記式中、A11は、前記式(1−1)、(1−2)及び(1−3)で表される構造単位を示し、A12は、前記式(2)で表される構造単位を示す。なお、上記式中、X11、X12、X13及びX14は、それぞれ独立に、重合反応性基を表す。 In the above formula, A 11 represents a structural unit represented by the formulas (1-1), (1-2) and (1-3), and A 12 represents a structure represented by the formula (2). Indicates the unit. In the above formula, X 11 , X 12 , X 13 and X 14 each independently represent a polymerization reactive group.

前記重合反応性基としては、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基(−B(OH)2)、トリアルキルスタンニル基等が挙げられる。 Examples of the polymerization reactive group include a halogen atom, a boric acid ester residue, a boric acid residue (—B (OH) 2 ), a trialkylstannyl group, and the like.

前記重合反応性基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。   Examples of the halogen atom that is the polymerization reactive group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

前記重合反応性基であるホウ酸エステル残基としては、下記式で示される基が挙げられる。

Figure 2013181071
Examples of the boric acid ester residue that is the polymerization reactive group include groups represented by the following formulae.
Figure 2013181071

前記重合反応性基であるトリアルキルスタンニル基としては、トリメチルスタンニル基、トリブチルスタンニル基が挙げられる。   Examples of the trialkylstannyl group that is the polymerization reactive group include a trimethylstannyl group and a tributylstannyl group.

前記アリールカップリング等の重合方法としては、Suzukiカップリング反応により重合する方法(Chemical Review、1995年、第95巻、2457−2483頁)、Stilleカップリング反応により重合する方法(European Polymer Journal、2005年、第41巻、2923−2933頁)等が挙げられる。   Examples of the polymerization method such as aryl coupling include polymerization by Suzuki coupling reaction (Chemical Review, 1995, 95, 2457-2483), polymerization by Stille coupling reaction (European Polymer Journal, 2005). Year 41, 2923-2933).

前記重合反応性基は、Suzukiカップリング反応等のニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いる場合には、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基等である。重合反応の簡便さの観点からは、臭素原子、ヨウ素原子、ホウ酸エステル残基が好ましい。
本発明の高分子化合物をSuzukiカップリング反応により重合する場合は、前記重合反応性基である、臭素原子、ヨウ素原子の合計モル数とホウ酸エステル残基の合計モル数との比率が0.7〜1.3とすることが好ましく、0.8〜1.2とすることがより好ましい。
The polymerization reactive group is a halogen atom, a boric acid ester residue, a boric acid residue, or the like when a nickel catalyst or a palladium catalyst such as a Suzuki coupling reaction is used. From the viewpoint of simplicity of the polymerization reaction, a bromine atom, an iodine atom, and a boric acid ester residue are preferable.
When the polymer compound of the present invention is polymerized by a Suzuki coupling reaction, the ratio of the total moles of bromine and iodine atoms and the total moles of boric acid ester residues, which are the polymerization reactive groups, is 0.00. It is preferable to set it as 7-1.3, and it is more preferable to set it as 0.8-1.2.

前記重合反応性基は、Stilleカップリング反応等のパラジウム触媒を用いる場合には、ハロゲン原子、トリアルキルスタンニル基等である。重合反応の簡便さの観点からは、臭素原子、ヨウ素原子、トリアルキルスタンニル基が好ましい。
本発明の高分子化合物をStilleカップリング反応により重合する場合は、前記重合反応性基である、臭素原子、ヨウ素原子の合計モル数とトリアルキルスタンニル基の合計モル数との比率が0.7〜1.3とすることが好ましく、0.8〜1.2とすることがより好ましい。
The polymerization reactive group is a halogen atom, a trialkylstannyl group or the like when a palladium catalyst such as Stille coupling reaction is used. From the viewpoint of simplicity of the polymerization reaction, a bromine atom, an iodine atom, and a trialkylstannyl group are preferable.
When the polymer compound of the present invention is polymerized by Stille coupling reaction, the ratio of the total number of moles of bromine atom and iodine atom and the total number of moles of trialkylstannyl group, which are the polymerization reactive groups, is 0.00. It is preferable to set it as 7-1.3, and it is more preferable to set it as 0.8-1.2.

前記重合に用いられる有機溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が挙げられる。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。   Examples of the organic solvent used for the polymerization include benzene, toluene, xylene, chlorobenzene, dichlorobenzene, tetrahydrofuran, and dioxane. These organic solvents may be used alone or in combination of two or more.

前記重合に用いられる塩基としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基が挙げられる。   Examples of the base used for the polymerization include inorganic bases such as sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, potassium fluoride, cesium fluoride, and tripotassium phosphate, tetrabutylammonium fluoride, tetrabutylammonium chloride, and tetrabutyl bromide. Organic bases such as ammonium, tetraethylammonium hydroxide, and tetrabutylammonium hydroxide are listed.

前記重合に用いられる触媒としては、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム、パラジウムアセテート、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム等のパラジウム錯体等の遷移金属錯体と、必要に応じて、トリフェニルホスフィン、トリ−tert−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の配位子とからなる触媒である。これらの触媒は、予め合成したものを用いてもよいし、反応系中で調製したものをそのまま用いてもよい。また、これらの触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。   As the catalyst used for the polymerization, transition metal complexes such as tetrakis (triphenylphosphine) palladium, tris (dibenzylideneacetone) dipalladium, palladium acetate, dichlorobistriphenylphosphinepalladium and the like, and if necessary, It is a catalyst comprising a ligand such as triphenylphosphine, tri-tert-butylphosphine, tricyclohexylphosphine. As these catalysts, those synthesized in advance may be used, or those prepared in the reaction system may be used as they are. Moreover, these catalysts may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

前記重合の反応温度は、好ましくは0〜200℃であり、より好ましくは0〜150℃であり、さらに好ましくは0〜120℃である。   The polymerization reaction temperature is preferably 0 to 200 ° C, more preferably 0 to 150 ° C, and further preferably 0 to 120 ° C.

前記重合の反応時間は、通常、1時間以上であり、好ましくは2〜500時間である。   The reaction time of the polymerization is usually 1 hour or longer, preferably 2 to 500 hours.

前記重合の後処理は、公知の方法で行うことができ、例えば、メタノール等の低級アルコールに前記重合で得られた反応液を加えて析出させた沈殿をろ過、乾燥させる方法で行うことができる。   The post-treatment of the polymerization can be performed by a known method, for example, a method of adding a reaction solution obtained by the polymerization to a lower alcohol such as methanol and filtering and drying the precipitate. .

本発明の高分子化合物の純度が低い場合には、再結晶、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の方法にて精製すればよい。   When the purity of the polymer compound of the present invention is low, it may be purified by a method such as recrystallization, continuous extraction with a Soxhlet extractor, or column chromatography.

<組成物>
本発明の高分子化合物は、他の成分を含む組成物として、発光材料や電荷輸送材料として用いることもできる。このような組成物としては、例えば、本発明の高分子化合物と、ホール輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも1種類の材料と、を含有するものが挙げられる。ホール輸送材料及び電子輸送材料としては、後述する薄膜の説明で例示するものと同様のものを適用できる。
<Composition>
The polymer compound of the present invention can also be used as a light emitting material or a charge transport material as a composition containing other components. Examples of such a composition include those containing the polymer compound of the present invention and at least one material selected from the group consisting of a hole transport material, an electron transport material and a light emitting material. As the hole transport material and the electron transport material, the same materials as those exemplified in the description of the thin film described later can be applied.

本発明の高分子化合物と、ホール輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種類の材料との含有比率は、組成物の用途に応じて決めればよいが、組成物全体100重量部に対して、本発明の高分子化合物が20〜99重量部であると好ましく、40〜95重量部であるとより好ましい。   The content ratio of the polymer compound of the present invention to at least one material selected from the group consisting of a hole transport material, an electron transport material and a light emitting material may be determined according to the use of the composition, but the entire composition The polymer compound of the present invention is preferably 20 to 99 parts by weight and more preferably 40 to 95 parts by weight with respect to 100 parts by weight.

本発明の高分子化合物を含有する組成物の、GPCによるポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)は、1×10〜1×10であると好ましく、5×10〜1×10であるとより好ましい。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、1×10〜1×10であると好ましく、良好な成膜性が得られ、かつ、素子の作製に用いた場合に高い移動度が得られるので、1×10〜5×10であるとより好ましい。ここで、本発明の高分子化合物を含有する組成物の平均分子量とは、この組成物をGPCで分析して求めた値をいう。 The number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene by GPC of the composition containing the polymer compound of the present invention is preferably 1 × 10 3 to 1 × 10 8 , and 5 × 10 3 to 1 × 10 6 . More preferably. In addition, the weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene is preferably 1 × 10 3 to 1 × 10 8 , good film formability is obtained, and high mobility is obtained when used for device fabrication. Since it is obtained, it is more preferable in it being 1 * 10 < 4 > -5 * 10 < 6 >. Here, the average molecular weight of the composition containing the polymer compound of the present invention refers to a value obtained by analyzing this composition by GPC.

また、本発明の組成物は、後述するように、有機溶媒等の溶媒を含有させた溶液(以下、「インク組成物」という。)とすることもできる。以下、インク組成物の好適な形態について説明する。   The composition of the present invention can also be a solution containing a solvent such as an organic solvent (hereinafter referred to as “ink composition”), as will be described later. Hereinafter, a suitable form of the ink composition will be described.

<インク組成物>
本発明の高分子化合物を含有するインク組成物は、本発明の高分子化合物と溶媒とを含有するものである。また、インク組成物は、上述したような本発明の組成物と溶媒とを含有するものであってもよい。このインク組成物は、主に溶液の状態であり、印刷法等により薄膜を形成するのに有用である。インク組成物に含まれる本発明の高分子化合物及び溶媒以外の成分としては、ホール輸送材料、電子輸送材料、発光材料、安定剤、増粘剤(粘度を高めるための高分子量の化合物や貧溶媒)、粘度を下げるための低分子量の化合物、界面活性剤(表面張力を下げるためのもの)、酸化防止剤等が挙げられる。
<Ink composition>
The ink composition containing the polymer compound of the present invention contains the polymer compound of the present invention and a solvent. Further, the ink composition may contain the above-described composition of the present invention and a solvent. This ink composition is mainly in the form of a solution and is useful for forming a thin film by a printing method or the like. Components other than the polymer compound and solvent of the present invention contained in the ink composition include hole transport materials, electron transport materials, light emitting materials, stabilizers, thickeners (high molecular weight compounds for increasing viscosity and poor solvents ), Low molecular weight compounds for lowering viscosity, surfactants (for lowering surface tension), antioxidants, and the like.

インク組成物は、本発明の高分子化合物の1種類のみを含んでいてもよく、2種類以上を組み合わせて含んでいてもよい。   The ink composition may contain only one kind of the polymer compound of the present invention, or may contain two or more kinds in combination.

インク組成物における本発明の高分子化合物の割合は、インク組成物の全量100重量部に対して、0.1〜20重量部であると好ましく、0.5〜20重量部であるとより好ましく、1〜20重量部であるとさらに好ましい。このような割合で高分子化合物を含むことで、塗布法を良好に行うことができるとともに、本発明の高分子化合物の優れた特性を良好に発揮し得る薄膜等を形成し易くなる。   The ratio of the polymer compound of the present invention in the ink composition is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 0.5 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the ink composition. 1 to 20 parts by weight is more preferable. By including the polymer compound at such a ratio, the coating method can be performed satisfactorily, and a thin film or the like that can exhibit the excellent characteristics of the polymer compound of the present invention can be easily formed.

インク組成物の粘度は、用いる印刷法の種類によって調整すればよいが、例えば、インクジェット印刷法等の、インク組成物が吐出装置を経由する方法に適用する場合、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために、25℃において1〜20mPa・sの範囲であることが好ましい。   The viscosity of the ink composition may be adjusted depending on the type of printing method to be used. In order to prevent this, it is preferable that it is the range of 1-20 mPa * s in 25 degreeC.

インク組成物に用いる溶媒は、インク組成物中の固形成分を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−へプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   The solvent used in the ink composition is preferably one that can dissolve or uniformly disperse the solid components in the ink composition. Solvents include chloro solvents such as chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, ether solvents such as tetrahydrofuran, dioxane, anisole, toluene, xylene, etc. Aromatic hydrocarbon solvents, cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n-decane and other aliphatic hydrocarbon solvents, acetone, methyl ethyl ketone, Ketone solvents such as cyclohexanone, benzophenone and acetophenone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl cellosolve acetate, methyl benzoate and phenyl acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol Polyethyl alcohol and its derivatives such as monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, 1,2-hexanediol, methanol, ethanol, propanol, isopropanol And alcohol solvents such as cyclohexanol, sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide, and amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

これらのなかでも、高分子化合物の溶解性、粘度特性、成膜時の均一性が良好になるので、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましい。具体的には、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、n−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、n−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、sec−ブチルベンゼン、n−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、1−メチルナフタレン、テトラリン、アニソール、エトキシベンゼン、シクロヘキサン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、n−ヘプチルシクロヘキサン、n−ヘキシルシクロヘキサン、デカリン、安息香酸メチル、シクロヘキサノン、2−プロピルシクロヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−オクタノン、2−ノナノン、2−デカノン、ジシクロヘキシルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェノンが好適である。   Among these, since the solubility, viscosity characteristics, and uniformity during film formation of the polymer compound are improved, aromatic hydrocarbon solvents, ether solvents, aliphatic hydrocarbon solvents, ester solvents, ketones System solvents are preferred. Specifically, toluene, xylene, ethylbenzene, diethylbenzene, trimethylbenzene, n-propylbenzene, isopropylbenzene, n-butylbenzene, isobutylbenzene, sec-butylbenzene, n-hexylbenzene, cyclohexylbenzene, 1-methylnaphthalene, Tetralin, anisole, ethoxybenzene, cyclohexane, bicyclohexyl, cyclohexenylcyclohexanone, n-heptylcyclohexane, n-hexylcyclohexane, decalin, methyl benzoate, cyclohexanone, 2-propylcyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone 2-octanone, 2-nonanone, 2-decanone, dicyclohexyl ketone, acetophenone, and benzophenone are preferred.

溶媒としては、成膜性や素子特性が良好になるので、2種類以上を組み合わせて用いることが好ましく、2〜3種類を組み合わせて用いることがより好ましく、2種類を組み合わせて用いることが特に好ましい。   As a solvent, since film formability and device characteristics are improved, it is preferable to use a combination of two or more types, more preferably a combination of two to three types, and particularly preferably a combination of two types. .

2種類の溶媒を組み合わせる場合、そのうちの1種類の溶媒は25℃において固体状態のものでもよい。良好な成膜性が得られるので、少なくとも1種類の溶媒は、その沸点が180℃以上であることが好ましく、200℃以上であることがより好ましい。また、良好な粘度が得られるので、2種類の溶媒のいずれも、60℃において1重量%以上の本発明の高分子化合物を溶解するものであることが好ましく、特に、2種類の溶媒のうちの1種類の溶媒は、25℃において1重量%以上の本発明の高分子化合物を溶解するものであることが好ましい。   When combining two types of solvents, one of the solvents may be in a solid state at 25 ° C. In order to obtain good film formability, the boiling point of at least one kind of solvent is preferably 180 ° C. or higher, and more preferably 200 ° C. or higher. Moreover, since favorable viscosity is obtained, it is preferable that both of the two types of solvents are those capable of dissolving 1% by weight or more of the polymer compound of the present invention at 60 ° C., and particularly among the two types of solvents. It is preferable that the one kind of solvent dissolves 1% by weight or more of the polymer compound of the present invention at 25 ° C.

さらに、2種類以上の溶媒を組み合わせる場合は、良好な粘度及び成膜性が得られるので、組み合わせた溶媒のうち、沸点が最も高い溶媒が、全溶媒の重量の40〜90重量%であることが好ましく、50〜90重量%であることがより好ましく、65〜85重量%であることがさらに好ましい。   Furthermore, when two or more types of solvents are combined, good viscosity and film formability can be obtained. Therefore, among the combined solvents, the solvent having the highest boiling point should be 40 to 90% by weight of the total solvent weight. Is preferable, it is more preferable that it is 50 to 90 weight%, and it is more preferable that it is 65 to 85 weight%.

インク組成物が増粘剤として高分子量の化合物を含有する場合、この化合物は、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、素子を形成した場合の電荷輸送を阻害しないものであることが好ましい。このような増粘剤としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等が挙げられる。これらの高分子量の化合物は、ポリスチレン換算の重量平均分子量が50万以上であることが好ましく、100万以上であることがより好ましい。   When the ink composition contains a high molecular weight compound as a thickener, this compound is soluble in the same solvent as the polymer compound of the present invention and does not inhibit charge transport when a device is formed. It is preferable. Examples of such thickeners include high molecular weight polystyrene and high molecular weight polymethyl methacrylate. These high molecular weight compounds preferably have a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 500,000 or more, more preferably 1,000,000 or more.

また、増粘剤としては、インク組成物の成分中の固形分に対する貧溶媒を用いることもできる。このような貧溶媒を少量添加することで、粘度を適度に高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合は、インク組成物中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すればよい。インク組成物の保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、インク組成物全体100重量部に対して、50重量部以下であることが好ましく、30重量部以下であることがさらに好ましい。   Moreover, as a thickener, the poor solvent with respect to solid content in the component of an ink composition can also be used. The viscosity can be increased moderately by adding a small amount of such a poor solvent. When a poor solvent is added for this purpose, the type and amount of the solvent may be selected as long as the solid content in the ink composition does not precipitate. Considering the stability during storage of the ink composition, the amount of the poor solvent is preferably 50 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less, with respect to 100 parts by weight of the entire ink composition. .

酸化防止剤は、インク組成物の保存安定性を向上させるためのものである。酸化防止剤としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性であり、素子を形成した場合の電荷輸送を阻害しないものであればよく、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が例示される。   The antioxidant is for improving the storage stability of the ink composition. The antioxidant is not particularly limited as long as it is soluble in the same solvent as the polymer compound of the present invention and does not inhibit charge transport when the element is formed, and examples thereof include phenol-based antioxidants and phosphorus-based antioxidants. Is done.

さらに、インク組成物には、水、金属やその塩が、重量基準で1〜1000ppmの範囲で含まれていてもよい。金属の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等が挙げられる。その他、インク組成物には、ケイ素、リン、フッ素、塩素、臭素等が、重量基準で1〜1000ppmの範囲で含まれていてもよい。   Further, the ink composition may contain water, metal, or a salt thereof in a range of 1 to 1000 ppm on a weight basis. Specific examples of the metal include lithium, sodium, calcium, potassium, iron, copper, nickel, aluminum, zinc, chromium, manganese, cobalt, platinum, iridium and the like. In addition, the ink composition may contain silicon, phosphorus, fluorine, chlorine, bromine and the like in a range of 1 to 1000 ppm on a weight basis.

<薄膜>
本発明の高分子化合物を含有する薄膜は、例えば、有機半導体薄膜として適用できる。
<Thin film>
The thin film containing the polymer compound of the present invention can be applied as an organic semiconductor thin film, for example.

薄膜が有機半導体薄膜である場合、電子移動度又はホール移動度のいずれか大きい方が、10−5cm/Vs以上であることが好ましく、10−3cm/Vs以上であることがより好ましく、10−1cm/Vs以上であることがさらに好ましい。このような有機半導体薄膜を用いて、後述するような有機トランジスタを形成できる。 When the thin film is an organic semiconductor thin film, the larger one of the electron mobility and the hole mobility is preferably 10 −5 cm 2 / Vs or more, and more preferably 10 −3 cm 2 / Vs or more. Preferably, it is more preferably 10 −1 cm 2 / Vs or more. An organic transistor as described later can be formed using such an organic semiconductor thin film.

有機半導体薄膜の場合、その膜厚は、1nm〜100μmであると好ましく、2nm〜1000nmであるとより好ましく、3nm〜500nmであると更に好ましく、5nm〜200nmであると特に好ましい。   In the case of an organic semiconductor thin film, the film thickness is preferably 1 nm to 100 μm, more preferably 2 nm to 1000 nm, still more preferably 3 nm to 500 nm, and particularly preferably 5 nm to 200 nm.

有機半導体薄膜は、本発明の高分子化合物の1種類を単独で含むものであってもよく、2種類以上を組み合わせて含むものであってもよい。   The organic semiconductor thin film may contain one kind of the polymer compound of the present invention alone, or may contain two or more kinds in combination.

ホール輸送材料としては、公知のものが使用でき、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリアリールジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリアリーレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体が例示される。   As the hole transport material, known materials can be used, such as pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triaryldiamine derivatives, oligothiophenes and derivatives thereof, polyvinylcarbazole and derivatives thereof, polysilanes and derivatives thereof, side chains or main chains. Examples thereof include polysiloxane derivatives having an aromatic amine, polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof, polyarylene vinylene and derivatives thereof, and polythienylene vinylene and derivatives thereof.

また、電子輸送材料としては、公知のものが使用でき、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、C60等のフラーレン類及びその誘導体が例示される。 As the electron transport material, known materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane and its derivatives, benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, tetracyanoanthraquinodi. methane and its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, 8-hydroxyquinoline and metal complexes of derivatives thereof, polyquinoline and derivatives thereof, polyquinoxaline and its derivatives, polyfluorene and its derivatives, such as C 60 Examples include fullerenes and derivatives thereof.

また、本実施形態の薄膜は、用途によって、当該薄膜で吸収した光により電荷を発生させるために電荷発生材料を含んでいてもよい。電荷発生材料としては、公知のものが使用でき、アゾ化合物及びその誘導体、ジアゾ化合物及びその誘導体、無金属フタロシアニン化合物及びその誘導体、金属フタロシアニン化合物及びその誘導体、ペリレン化合物及びその誘導体、多環キノン系化合物及びその誘導体、スクアリリウム化合物及びその誘導体、アズレニウム化合物及びその誘導体、チアピリリウム化合物及びその誘導体、C60等のフラーレン類及びその誘導体が例示される。 Moreover, the thin film of this embodiment may contain the charge generation material in order to generate an electric charge with the light absorbed by the said thin film depending on a use. As the charge generation material, known materials can be used, azo compounds and derivatives thereof, diazo compounds and derivatives thereof, metal-free phthalocyanine compounds and derivatives thereof, metal phthalocyanine compounds and derivatives thereof, perylene compounds and derivatives thereof, polycyclic quinone series compounds and their derivatives, squarylium compounds and their derivatives, azulenium compounds and their derivatives, thiapyrylium compounds and their derivatives, fullerenes and derivatives thereof such as C 60 is illustrated.

さらに、本実施形態の薄膜は、その他、種々の機能を発現させるために必要な材料を含んでいてもよい。このような材料としては、吸収した光により電荷を発生させる機能を増感するためのため増感剤、安定性を増すための安定化剤、UV光を吸収するためのUV吸収剤が例示される。   Furthermore, the thin film of this embodiment may contain other materials necessary for expressing various functions. Examples of such materials include sensitizers for sensitizing the function of generating charges by absorbed light, stabilizers for increasing stability, and UV absorbers for absorbing UV light. The

また、薄膜は、機械的特性が向上するので、本発明の高分子化合物以外の高分子化合物を高分子バインダーとして含んでいてもよい。高分子バインダーとしては、電子輸送性又はホール輸送性を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好ましく用いられる。   Further, since the mechanical properties of the thin film are improved, a polymer compound other than the polymer compound of the present invention may be included as a polymer binder. As the polymer binder, those not extremely disturbing the electron transport property or hole transport property are preferable, and those having no strong absorption against visible light are preferably used.

このような高分子バインダーとしては、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)及びその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが例示される。   Examples of such a polymer binder include poly (N-vinylcarbazole), polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) and derivatives thereof, poly (2,5-thienylene vinylene) and derivatives thereof. Examples include derivatives, polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, and polysiloxane.

本実施形態の薄膜の製造方法としては、本発明の高分子化合物をそのまま用いるか、上述した組成物(例えば、インク組成物)を用いて成膜する方法が挙げられる。例えば、本発明の高分子化合物に、必要に応じて電子輸送材料、ホール輸送材料、高分子バインダー等を加えた溶液を用いた成膜による方法である。また、本発明の高分子化合物がオリゴマーの状態である場合等は、真空蒸着法により薄膜を形成することもできる。   Examples of the method for producing a thin film according to the present embodiment include a method of using the polymer compound of the present invention as it is, or a method of forming a film using the above-described composition (for example, an ink composition). For example, it is a method by film formation using a solution in which an electron transport material, a hole transport material, a polymer binder or the like is added to the polymer compound of the present invention as necessary. In addition, when the polymer compound of the present invention is in an oligomer state, a thin film can be formed by vacuum deposition.

薄膜の形成方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法、ディスペンサー印刷法等が挙げられ、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法が好ましく、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法がより好ましい。   Thin film formation methods include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, spray coating, screen printing, and flexographic printing. Method, offset printing method, ink jet printing method, capillary coating method, nozzle coating method, dispenser printing method, etc., screen printing method, flexographic printing method, offset printing method, ink jet printing method, dispenser printing method are preferable. A printing method, an inkjet printing method, and a dispenser printing method are more preferable.

溶液(例えば、インク組成物)等を用いて成膜する場合、用いる溶媒としては、本発明の高分子化合物のほか、混合する成分(電子輸送材料、ホール輸送材料、高分子バインダー等)を溶解させるものを用いることが好ましい。   When forming a film using a solution (for example, an ink composition) or the like, as a solvent to be used, in addition to the polymer compound of the present invention, components to be mixed (electron transport material, hole transport material, polymer binder, etc.) are dissolved. It is preferable to use what is to be used.

溶媒としては、上述したインク組成物に用いる溶媒を適用でき、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、n−ブチルベンゼン、sec−ブチルベンゼン、tert−ブチルベンゼン等の不飽和炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル類系溶媒が例示される。本発明の高分子化合物は、その構造や分子量にもよるが、これらの溶媒に0.1重量%以上溶解させることができることが多い。   As the solvent, the solvent used in the ink composition described above can be applied, and unsaturated hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, tetralin, decalin, bicyclohexyl, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, tert-butylbenzene, etc. Solvent, halogenated saturated hydrocarbon solvents such as carbon tetrachloride, chloroform, dichloromethane, dichloroethane, chlorobutane, bromobutane, chloropentane, bromopentane, chlorohexane, bromohexane, chlorocyclohexane, bromocyclohexane, chlorobenzene, dichlorobenzene, trichlorobenzene And halogenated unsaturated hydrocarbon solvents such as tetrahydrofuran, and ether solvents such as tetrahydrofuran and tetrahydropyran. Although the polymer compound of the present invention depends on its structure and molecular weight, it can often be dissolved in these solvents in an amount of 0.1% by weight or more.

本発明の高分子化合物を含有する有機半導体薄膜を製造する場合、その製造工程には、高分子化合物を配向させる工程が含まれていてもよい。この工程により高分子化合物を配向させた有機半導体薄膜は、主鎖分子又は側鎖分子が一方向に並ぶので、電荷の移動度が更に高いものとなる。   When manufacturing the organic-semiconductor thin film containing the high molecular compound of this invention, the process of orientating a high molecular compound may be included in the manufacturing process. In the organic semiconductor thin film in which the polymer compound is oriented by this process, the main chain molecules or the side chain molecules are arranged in one direction, and therefore the charge mobility is further increased.

高分子化合物を配向させる方法としては、液晶の配向手法として知られている方法を用いることができる。なかでもラビング法、光配向法、シェアリング法(ずり応力印加法)や引き上げ塗布法が、配向手法として簡便かつ有用で利用しやすく、ラビング法、シェアリング法が好ましい。   As a method of aligning the polymer compound, a method known as a liquid crystal alignment method can be used. Of these, the rubbing method, the photo-alignment method, the sharing method (shear stress application method) and the pulling coating method are simple, useful and easy to use as the alignment method, and the rubbing method and the sharing method are preferable.

<有機半導体素子>
本発明の高分子化合物は、有機半導体層に用いた場合に電荷の移動度が高いことから、有機半導体材料として、例えば、素子(例えば、有機半導体素子)の有機層に含ませて用いることができる。有機半導体素子としては、有機トランジスタ、光電変換素子、有機エレクトロルミネッセンス素子等が挙げられる。本発明の高分子化合物は、中でも、有機トランジスタの電荷輸送材料として特に有用である。
<Organic semiconductor element>
Since the high molecular compound of the present invention has high charge mobility when used in an organic semiconductor layer, it is used as an organic semiconductor material, for example, in an organic layer of an element (for example, an organic semiconductor element). it can. Examples of the organic semiconductor element include an organic transistor, a photoelectric conversion element, and an organic electroluminescence element. The polymer compound of the present invention is particularly useful as a charge transport material for organic transistors.

<有機トランジスタ>
有機トランジスタとしては、ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となり、本発明の高分子化合物を含む活性層と、該電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを備えた構成を有するものが挙げられる。このような構成を有する有機トランジスタとしては、電界効果型有機トランジスタ、静電誘導型有機トランジスタ等が挙げられる。
<Organic transistor>
The organic transistor has a source electrode and a drain electrode, a current path between these electrodes, an active layer containing the polymer compound of the present invention, and a gate electrode that controls the amount of current passing through the current path The thing which has is mentioned. Examples of the organic transistor having such a configuration include a field effect organic transistor and a static induction organic transistor.

電界効果型有機トランジスタは、通常、ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となり、本発明の高分子化合物を含む活性層と、該電流経路を通る電流量を制御するゲート電極と、活性層とゲート電極との間に配置される絶縁層とを有する有機トランジスタである。特に、ソース電極及びドレイン電極が、活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられている有機トランジスタが好ましい。   A field effect organic transistor usually has a source electrode and a drain electrode, a current path between these electrodes, an active layer containing the polymer compound of the present invention, and a gate electrode that controls the amount of current passing through the current path. The organic transistor having an active layer and an insulating layer disposed between the gate electrode. In particular, an organic transistor in which a source electrode and a drain electrode are provided in contact with an active layer and a gate electrode is provided with an insulating layer in contact with the active layer interposed therebetween is preferable.

静電誘導型有機トランジスタは、通常、ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となり、本発明の高分子化合物を含む活性層と、該電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを有し、該ゲート電極が活性層中に設けられている有機トランジスタである。特に、ソース電極、ドレイン電極、及び前記ゲート電極が、前記活性層に接して設けられている有機トランジスタが好ましい。   The electrostatic induction organic transistor usually has a source electrode and a drain electrode, a current path between these electrodes, an active layer containing the polymer compound of the present invention, and a gate electrode that controls the amount of current passing through the current path And the gate electrode is provided in the active layer. In particular, an organic transistor in which a source electrode, a drain electrode, and the gate electrode are provided in contact with the active layer is preferable.

ゲート電極は、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成でき、かつ、ゲート電極に印加した電圧で該電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、くし型電極である。   The gate electrode has only to have a structure in which a current path flowing from the source electrode to the drain electrode can be formed and the amount of current flowing through the current path can be controlled by a voltage applied to the gate electrode, for example, a comb electrode.

図1は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の一例を示す模式断面図である。図1に示す有機トランジスタ100は、基板1と、基板1上に所定の間隔を持って形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、ソース電極5及びドレイン電極6を覆うようにして基板1上に形成された活性層2と、活性層2上に形成された絶縁層3と、ソース電極5とドレイン電極6との間の領域上の絶縁層3を覆うように絶縁層3上に形成されたゲート電極4とを備えるものである。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. An organic transistor 100 shown in FIG. 1 includes a substrate 1, a source electrode 5 and a drain electrode 6 formed on the substrate 1 at a predetermined interval, and a source electrode 5 and a drain electrode 6 so as to cover the substrate 1. Formed on the insulating layer 3 so as to cover the active layer 2 formed on the insulating layer 3, the insulating layer 3 formed on the active layer 2, and the insulating layer 3 on the region between the source electrode 5 and the drain electrode 6. The gate electrode 4 is provided.

図2は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図2に示す有機トランジスタ110は、基板1と基板1上に形成されたソース電極5と、ソース電極5を覆うようにして基板1上に形成された活性層2と、ソース電極5と所定の間隔を持って活性層2上に形成されたドレイン電極6と、活性層2及びドレイン電極6上に形成された絶縁層3と、ソース電極5とドレイン電極6との間の領域上の絶縁層3を覆うように絶縁層3上に形成されたゲート電極4とを備えるものである。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. An organic transistor 110 shown in FIG. 2 includes a substrate 1, a source electrode 5 formed on the substrate 1, an active layer 2 formed on the substrate 1 so as to cover the source electrode 5, a source electrode 5, and a predetermined electrode The drain electrode 6 formed on the active layer 2 with an interval, the insulating layer 3 formed on the active layer 2 and the drain electrode 6, and the insulating layer on the region between the source electrode 5 and the drain electrode 6 And a gate electrode 4 formed on the insulating layer 3 so as to cover 3.

図3は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図3に示す有機トランジスタ120は、基板1と基板1上に形成されたゲート電極4と、ゲート電極4を覆うようにして基板1上に形成された絶縁層3と、ゲート電極4が下部に形成されている絶縁層3の領域の一部を覆うように、絶縁層3上に所定の間隔を持って形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、ソース電極5及びドレイン電極6の一部を覆うように絶縁層3上に形成された活性層2とを備えるものである。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. The organic transistor 120 shown in FIG. 3 includes a substrate 1, a gate electrode 4 formed on the substrate 1, an insulating layer 3 formed on the substrate 1 so as to cover the gate electrode 4, and the gate electrode 4 at the bottom. A source electrode 5 and a drain electrode 6 formed on the insulating layer 3 with a predetermined interval so as to cover a part of the region of the insulating layer 3 formed, and a part of the source electrode 5 and the drain electrode 6 And an active layer 2 formed on the insulating layer 3 so as to cover the surface.

図4は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図4に示す有機トランジスタ130は、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極4と、ゲート電極4を覆うようにして基板1上に形成された絶縁層3と、ゲート電極4が下部に形成されている絶縁層3の領域の一部を覆うように絶縁層3上に形成されたソース電極5と、ソース電極5の一部を覆うようにして絶縁層3上に形成された活性層2と、活性層2の一部を覆うように、ソース電極5と所定の間隔を持って絶縁層3上に形成されたドレイン電極6とを備えるものである。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. An organic transistor 130 shown in FIG. 4 includes a substrate 1, a gate electrode 4 formed on the substrate 1, an insulating layer 3 formed on the substrate 1 so as to cover the gate electrode 4, and the gate electrode 4 at the bottom. The source electrode 5 formed on the insulating layer 3 so as to cover a part of the region of the insulating layer 3 formed on the active layer 3 and the active formed on the insulating layer 3 so as to cover a part of the source electrode 5 A layer 2 and a drain electrode 6 formed on the insulating layer 3 at a predetermined interval so as to cover a part of the active layer 2 are provided.

図5は、本発明の有機トランジスタ(静電誘導型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図5に示す有機トランジスタ140は、基板1と、基板1上に形成されたソース電極5と、ソース電極5上に形成された活性層2と、活性層2上に所定の間隔を持って複数形成されたゲート電極4と、ゲート電極4の全てを覆うようにして活性層2上に形成された活性層2a(活性層2aを構成する材料は、活性層2と同一であっても異なっていてもよい)と、活性層2a上に形成されたドレイン電極6とを備えるものである。   FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (static induction organic transistor) of the present invention. The organic transistor 140 shown in FIG. 5 includes a substrate 1, a source electrode 5 formed on the substrate 1, an active layer 2 formed on the source electrode 5, and a plurality of active transistors 2 with a predetermined interval on the active layer 2. The formed gate electrode 4 and the active layer 2a formed on the active layer 2 so as to cover the gate electrode 4 (the material constituting the active layer 2a is the same as or different from that of the active layer 2). And a drain electrode 6 formed on the active layer 2a.

図6は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図6に示す有機トランジスタ150は、基板1と、基板1上に形成された活性層2と、活性層2上に所定の間隔を持って形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、ソース電極5及びドレイン電極6の一部を覆うようにして活性層2上に形成された絶縁層3と、ソース電極5が下部に形成されている絶縁層3の領域とドレイン電極6が下部に形成されている絶縁層3の領域とをそれぞれ一部覆うように、絶縁層3上に形成されたゲート電極4とを備えるものである。   FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. The organic transistor 150 shown in FIG. 6 includes a substrate 1, an active layer 2 formed on the substrate 1, a source electrode 5 and a drain electrode 6 formed on the active layer 2 with a predetermined interval, and a source electrode. 5 and an insulating layer 3 formed on the active layer 2 so as to cover a part of the drain electrode 6, a region of the insulating layer 3 in which the source electrode 5 is formed in the lower portion, and a drain electrode 6 are formed in the lower portion. And a gate electrode 4 formed on the insulating layer 3 so as to partially cover each region of the insulating layer 3.

図7は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図7に示す有機トランジスタ160は、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極4と、ゲート電極4を覆うようにして基板1上に形成された絶縁層3と、ゲート電極4が下部に形成されている絶縁層3の領域を覆うように形成された活性層2と、活性層2の一部を覆うように活性層2上に形成されたソース電極5と、活性層2の一部を覆うように、ソース電極5と所定の間隔を持って活性層2上に形成されたドレイン電極6とを備えるものである。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. The organic transistor 160 shown in FIG. 7 includes a substrate 1, a gate electrode 4 formed on the substrate 1, an insulating layer 3 formed on the substrate 1 so as to cover the gate electrode 4, and the gate electrode 4 at the bottom. An active layer 2 formed so as to cover the region of the insulating layer 3 formed on the active layer 2, a source electrode 5 formed on the active layer 2 so as to cover a part of the active layer 2, and one of the active layers 2 A source electrode 5 and a drain electrode 6 formed on the active layer 2 with a predetermined interval are provided so as to cover the portion.

図8は、本発明の光電変換素子の一例を示す模式断面図である。図8に示す光電変換素子300は、基板1と、基板1上に形成された第1の電極7aと、第1の電極7a上に形成された活性層2と、活性層2上に形成された第2の電極7bと、を備えるものである。   FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example of the photoelectric conversion element of the present invention. A photoelectric conversion element 300 shown in FIG. 8 is formed on the substrate 1, the first electrode 7a formed on the substrate 1, the active layer 2 formed on the first electrode 7a, and the active layer 2. And a second electrode 7b.

上述した本発明の有機トランジスタにおいては、活性層2及び/又は活性層2aは、本発明の高分子化合物を含有する薄膜によって構成され、ソース電極5とドレイン電極6との間の電流通路(チャネル)となる。また、ゲート電極4は、電圧を印加することにより電流通路(チャネル)を通る電流量を制御する。   In the organic transistor of the present invention described above, the active layer 2 and / or the active layer 2a is formed of a thin film containing the polymer compound of the present invention, and a current path (channel) between the source electrode 5 and the drain electrode 6 is formed. ) The gate electrode 4 controls the amount of current passing through the current path (channel) by applying a voltage.

このような電界効果型有機トランジスタは、公知の方法、例えば特開平5−110069号公報記載の方法により製造することができる。また、静電誘導型有機トランジスタは、特開2004−006476号に公報記載の方法等の公知の方法により製造することができる。   Such a field effect organic transistor can be produced by a known method, for example, a method described in JP-A-5-110069. The electrostatic induction organic transistor can be produced by a known method such as the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-006476.

基板1の材料は、有機トランジスタの特性を阻害しない材料であればよい。基板としては、ガラス基板、フレキシブルなフィルム基板、プラスチック基板を用いることができる。   The material of the substrate 1 may be any material that does not hinder the characteristics of the organic transistor. As the substrate, a glass substrate, a flexible film substrate, or a plastic substrate can be used.

絶縁層3の材料は、電気の絶縁性が高い材料であればよく、SiO、SiN、Ta、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、有機ガラス、フォトレジスト等を用いることができるが、低電圧化の観点からは、誘電率の高い材料を用いることが好ましい。 The material of the insulating layer 3 may be any material having high electrical insulation, and SiO x , SiN x , Ta 2 O 5 , polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl phenol, organic glass, photoresist, and the like can be used. From the viewpoint of lowering the voltage, it is preferable to use a material having a high dielectric constant.

絶縁層3の上に活性層2を形成する場合は、絶縁層3と活性層2の界面特性を改善するため、シランカップリング剤等の表面処理剤で絶縁層3の表面を処理して表面改質した後に活性層2を形成することも可能である。   When the active layer 2 is formed on the insulating layer 3, the surface of the insulating layer 3 is treated with a surface treatment agent such as a silane coupling agent in order to improve the interface characteristics between the insulating layer 3 and the active layer 2. It is also possible to form the active layer 2 after the modification.

有機電界効果トランジスタの場合、電子やホール等の電荷は、一般に絶縁層と活性層の界面付近を通過する。したがって、この界面の状態がトランジスタの移動度に大きな影響を与える。そこで、界面状態を改良して特性を向上させる方法として、シランカップリング剤による界面の制御が提案されている(例えば、表面化学、2007年、第28巻、第5号、p.242−248)。   In the case of an organic field effect transistor, charges such as electrons and holes generally pass near the interface between the insulating layer and the active layer. Therefore, the state of this interface greatly affects the mobility of the transistor. Therefore, as a method for improving the interface state and improving the properties, control of the interface with a silane coupling agent has been proposed (for example, Surface Chemistry, 2007, Vol. 28, No. 5, p. 242-248). ).

シランカップリング剤の例としては、アルキルクロロシラン類(オクチルトリクロロシラン(OTS)、オクタデシルトリクロロシラン(ODTS)、フェニルエチルトリクロロシラン等)、アルキルアルコキシしラン類、フッ素化アルキルクロロシラン類、フッ素化アルキルアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)等のシリルアミン化合物が挙げられる。また、表面処理剤で処理する前に、絶縁層表面をオゾンUV処理、Oプラズマ処理してもよい。 Examples of silane coupling agents include alkylchlorosilanes (octyltrichlorosilane (OTS), octadecyltrichlorosilane (ODTS), phenylethyltrichlorosilane, etc.), alkylalkoxysilanes, fluorinated alkylchlorosilanes, fluorinated alkylalkoxy. Examples thereof include silylamine compounds such as silanes and hexamethyldisilazane (HMDS). In addition, the surface of the insulating layer may be subjected to ozone UV treatment or O 2 plasma treatment before treatment with the surface treatment agent.

このような処理によって、絶縁層として用いられるシリコン酸化膜等の表面エネルギーを制御することができる。また、表面処理により、活性層を構成している膜の絶縁層上での配向性が向上し、高い電荷輸送性(移動度)が得られる。   By such treatment, the surface energy of the silicon oxide film or the like used as the insulating layer can be controlled. Further, the surface treatment improves the orientation of the film constituting the active layer on the insulating layer, and high charge transportability (mobility) can be obtained.

ゲート電極4には、金、白金、銀、銅、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、低抵抗ポリシリコン、低抵抗アモルファスシリコン等の金属や、錫酸化物、酸化インジウム、インジウム・錫酸化物(ITO)等の材料を用いることができる。これらの材料は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。なお、ゲート電極4としては、高濃度にドープされたシリコン基板を用いることも可能である。高濃度にドープされたシリコン基板は、ゲート電極としての性能とともに、基板としての性能も併有する。このような基板としての性能も有するゲート電極4を用いる場合には、基板1とゲート電極4とが接している有機トランジスタにおいて、基板1を省略してもよい。   The gate electrode 4 includes metals such as gold, platinum, silver, copper, chromium, palladium, aluminum, indium, molybdenum, low-resistance polysilicon, low-resistance amorphous silicon, tin oxide, indium oxide, indium / tin oxide. A material such as (ITO) can be used. These materials may be used alone or in combination of two or more. Note that a highly doped silicon substrate can be used as the gate electrode 4. A highly doped silicon substrate has not only the performance as a gate electrode but also the performance as a substrate. When the gate electrode 4 having such a performance as a substrate is used, the substrate 1 may be omitted in the organic transistor in which the substrate 1 and the gate electrode 4 are in contact with each other.

ソース電極5及びドレイン電極6は、低抵抗の材料から構成されることが好ましく、金、白金、銀、銅、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン等から構成されることが特に好ましい。これらの材料は1種単独で用いても2種以上を併用してもよい。   The source electrode 5 and the drain electrode 6 are preferably made of a low-resistance material, and particularly preferably made of gold, platinum, silver, copper, chromium, palladium, aluminum, indium, molybdenum or the like. These materials may be used alone or in combination of two or more.

前記有機トランジスタにおいて、ソース電極5及びドレイン電極6と、活性層2との間には、さらに他の化合物から構成された層が介在していてもよい。このような層としては、電子輸送性を有する低分子化合物、ホール輸送性を有する低分子化合物、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、これらの金属と有機化合物との錯体、ヨウ素、臭素、塩素、塩化ヨウ素等のハロゲン、硫酸、無水硫酸、二酸化硫黄、硫酸塩等の酸化硫黄化合物、硝酸、二酸化窒素、硝酸塩等の酸化窒素化合物、過塩素酸、次亜塩素酸等のハロゲン化化合物、アルキルチオール化合物、芳香族チオール類、フッ素化アルキル芳香族チオール類等の芳香族チオール化合物等からなる層が挙げられる。   In the organic transistor, a layer composed of another compound may be interposed between the source electrode 5 and the drain electrode 6 and the active layer 2. Examples of such layers include low molecular compounds having electron transport properties, low molecular compounds having hole transport properties, alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals, complexes of these metals with organic compounds, iodine, bromine, Halogens such as chlorine and iodine chloride, sulfur oxide compounds such as sulfuric acid, sulfuric anhydride, sulfur dioxide and sulfate, nitric oxide compounds such as nitric acid, nitrogen dioxide and nitrate, halogenated compounds such as perchloric acid and hypochlorous acid, Examples thereof include layers made of aromatic thiol compounds such as alkyl thiol compounds, aromatic thiols, and fluorinated alkyl aromatic thiols.

また、上述したような有機トランジスタを作製した後には、素子を保護するため、有機トランジスタ上に保護膜を形成することが好ましい。これにより、有機トランジスタが大気から遮断され、有機トランジスタの特性の低下を抑制することができる。また、有機トランジスタの上に駆動する表示デバイスを形成する場合、その形成工程における有機トランジスタへの影響も該保護膜により低減することができる。   In addition, after manufacturing the organic transistor as described above, it is preferable to form a protective film on the organic transistor in order to protect the element. Thereby, an organic transistor is interrupted | blocked from air | atmosphere and the fall of the characteristic of an organic transistor can be suppressed. Further, when a display device to be driven is formed on an organic transistor, the protective film can also reduce the influence on the organic transistor in the formation process.

保護膜を形成する方法としては、有機トランジスタを、UV硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のSiONx膜等で覆う方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため、有機トランジスタを作製後、有機トランジスタを大気にさらすことなく(例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で)保護膜を形成することが好ましい。 Examples of the method for forming the protective film include a method of covering the organic transistor with a UV curable resin, a thermosetting resin, an inorganic SiON x film, or the like. In order to effectively block the atmosphere, it is preferable to form a protective film after the organic transistor is manufactured without exposing the organic transistor to the atmosphere (for example, in a dry nitrogen atmosphere or in a vacuum).

このように構成された有機トランジスタの一種である有機電界効果トランジスタは、アクティブマトリックス駆動方式の液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの画素駆動スイッチング素子等として適用できる。そして、上述した実施形態の有機電界効果トランジスタは、活性層として、本発明の高分子化合物を含有し、そのことにより電荷輸送性が向上した活性層とを備えているため、その電界効果移動度が高いものとなる。したがって、十分な応答速度を持つディスプレイの製造等に有用である。   An organic field effect transistor, which is a kind of organic transistor configured as described above, can be applied as a pixel drive switching element of an active matrix drive type liquid crystal display or an organic electroluminescence display. And since the organic field effect transistor of embodiment mentioned above is equipped with the active compound which contains the high molecular compound of this invention as an active layer, and the charge transport property improved by it, the field effect mobility is provided. Is expensive. Therefore, it is useful for manufacturing a display having a sufficient response speed.

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Examples will be shown below for illustrating the present invention in more detail, but the present invention is not limited to these examples.

(NMR分析)
NMR測定は、化合物を重クロロホルムに溶解させ、NMR装置(Varian社製、INOVA300)を用いて行った。
(NMR analysis)
The NMR measurement was performed by dissolving the compound in deuterated chloroform and using an NMR apparatus (Varian, INOVA300).

(分子量分析)
高分子化合物の数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィ(GPC、Waters社製、商品名:Alliance GPC 2000)を用いて求めた。測定する高分子化合物は、オルトジクロロベンゼンに溶解させ、GPCに注入した。GPCの移動相にはオルトジクロロベンゼンを用いた。カラムは、TSKgel GMHHR−H(S)HT(2本連結、東ソー製)を用いた。検出器にはUV検出器を用いた。
(Molecular weight analysis)
The number average molecular weight and the weight average molecular weight of the polymer compound were determined using gel permeation chromatography (GPC, manufactured by Waters, trade name: Alliance GPC 2000). The polymer compound to be measured was dissolved in orthodichlorobenzene and injected into GPC. Orthodichlorobenzene was used for the mobile phase of GPC. As the column, TSKgel GMHHR-H (S) HT (two linked, manufactured by Tosoh Corporation) was used. A UV detector was used as the detector.

合成例1
(化合物2の合成)

Figure 2013181071

窒素雰囲気下、シクロヘキサン溶液中、化合物1に4,4’−ジ−tert−ブチル−2,2’−ジピリジルと(1,5−シクロオクタジエン)(メトキシ)イリジウム(I)ダイマーの触媒存在下において、2当量のビス(ピナコラト)ジボロンを反応させることで化合物2を合成する。 Synthesis example 1
(Synthesis of Compound 2)
Figure 2013181071

In the presence of a catalyst of 4,4′-di-tert-butyl-2,2′-dipyridyl and (1,5-cyclooctadiene) (methoxy) iridium (I) dimer in compound 1 in a cyclohexane solution under a nitrogen atmosphere In this method, compound 2 is synthesized by reacting 2 equivalents of bis (pinacolato) diboron.

実施例1
(高分子化合物4の合成)

Figure 2013181071

アルゴン雰囲気下で、化合物2及び化合物3をトルエンに溶解させる。相間移動触媒としてメチルトリアルキルアンモニウムクロリド(シグマアルドリッチ社製、商品名Aliquat336(登録商標))をトルエンに対して加えた後、溶液にアルゴンをバブリングして脱気を行う。その後、化合物2に対して酢酸パラジウム及びトリス(o−メトキシフェニル)ホスフィンを加え、さらに飽和炭酸ナトリウム水溶液をトルエンに対して加え、還流下で反応を行う。反応後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウムの水溶液をトルエンの体積の半分の量加え、還流下で攪拌を行う。水層を除去後、水で2回、酢酸水溶液で2回、さらに水で2回洗浄し、メタノールに注いで固体を析出させる。固体をろ過後、乾燥し、得られた固体をo−ジクロロベンゼンに溶解させて溶液を調製し、アルミナ/シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いで固体を析出させ、固体をろ過後、乾燥して高分子化合物4を得る。 Example 1
(Synthesis of polymer compound 4)
Figure 2013181071

Under an argon atmosphere, Compound 2 and Compound 3 are dissolved in toluene. Methyltrialkylammonium chloride (manufactured by Sigma-Aldrich, trade name Aliquat 336 (registered trademark)) as a phase transfer catalyst is added to toluene, and degassing is performed by bubbling argon through the solution. Thereafter, palladium acetate and tris (o-methoxyphenyl) phosphine are added to Compound 2, and a saturated aqueous sodium carbonate solution is further added to toluene, followed by reaction under reflux. After the reaction, an aqueous solution of sodium diethyldithiocarbamate is added in half the volume of toluene, and the mixture is stirred under reflux. After removing the aqueous layer, it is washed twice with water, twice with an aqueous acetic acid solution and twice with water, and poured into methanol to precipitate a solid. The solid is filtered and dried, and the resulting solid is dissolved in o-dichlorobenzene to prepare a solution. The solution is passed through an alumina / silica gel column, and the resulting solution is poured into methanol to precipitate the solid, and the solid is filtered. Thereafter, the polymer compound 4 is obtained by drying.

実施例2
(有機トランジスタ1の作製及び評価)
高分子化合物4を含む溶液を用いて、図3に示す構造を有する有機トランジスタ1を作製する。
ゲート電極となる高濃度にドーピングされたn−型シリコン基板の表面を熱酸化し、シリコン酸化膜(以下、「熱酸化膜」という。)を形成する。熱酸化膜は絶縁層として機能する。次に、フォトリソグラフィ工程により熱酸化膜上にソース電極及びドレイン電極を作製する。該ソース電極及び該ドレイン電極は、熱酸化膜側からクロム(Cr)層と金(Au)層とを有し、チャネル長が20μm、チャネル幅が2mmである。こうして得られる熱酸化膜、ソース電極及びドレイン電極を形成した基板をアセトンで超音波洗浄を行ない、オゾンUVクリーナーでUVオゾン処理を行う。その後、β−フェネチルトリクロロシランで熱酸化膜の表面を修飾する。次に、上記表面処理した熱酸化膜、ソース電極及びドレイン電極上に、高分子化合物4のオルトジクロロベンゼン溶液をスピンコートし、有機半導体層(活性層)を形成する。その後、有機半導体層を加熱し、有機トランジスタ1を製造する。
Example 2
(Production and Evaluation of Organic Transistor 1)
Using the solution containing the polymer compound 4, the organic transistor 1 having the structure shown in FIG.
The surface of the heavily doped n-type silicon substrate to be the gate electrode is thermally oxidized to form a silicon oxide film (hereinafter referred to as “thermal oxide film”). The thermal oxide film functions as an insulating layer. Next, a source electrode and a drain electrode are formed on the thermal oxide film by a photolithography process. The source electrode and the drain electrode have a chromium (Cr) layer and a gold (Au) layer from the thermal oxide film side, and have a channel length of 20 μm and a channel width of 2 mm. The substrate on which the thermal oxide film, the source electrode and the drain electrode obtained in this way are formed is ultrasonically cleaned with acetone, and UV ozone treatment is performed with an ozone UV cleaner. Thereafter, the surface of the thermal oxide film is modified with β-phenethyltrichlorosilane. Next, an orthodichlorobenzene solution of the polymer compound 4 is spin-coated on the surface-treated thermal oxide film, source electrode, and drain electrode to form an organic semiconductor layer (active layer). Thereafter, the organic semiconductor layer is heated to manufacture the organic transistor 1.

得られる有機トランジスタ1のゲート電圧Vg、ソース・ドレイン間電圧Vsdを変化させ、トランジスタ特性を測定する。   The transistor characteristics are measured by changing the gate voltage Vg and the source-drain voltage Vsd of the organic transistor 1 obtained.

1…基板、2…活性層、2a…活性層、3…絶縁層、4…ゲート電極、5…ソース電極、6…ドレイン電極、7a…第1の電極、7b…第2の電極、100…第1実施形態に係る有機トランジスタ、110…第2実施形態に係る有機トランジスタ、120…第3実施形態に係る有機トランジスタ、130…第4実施形態に係る有機トランジスタ、140…第5実施形態に係る有機トランジスタ、150…第6実施形態に係る有機トランジスタ、160…第7実施形態に係る有機トランジスタ、300…実施形態に係る光電変換素子。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Active layer, 2a ... Active layer, 3 ... Insulating layer, 4 ... Gate electrode, 5 ... Source electrode, 6 ... Drain electrode, 7a ... 1st electrode, 7b ... 2nd electrode, 100 ... Organic transistor according to the first embodiment, 110 ... Organic transistor according to the second embodiment, 120 ... Organic transistor according to the third embodiment, 130 ... Organic transistor according to the fourth embodiment, 140 ... According to the fifth embodiment Organic transistor, 150... Organic transistor according to the sixth embodiment, 160... Organic transistor according to the seventh embodiment, 300.

Claims (12)

式:
Figure 2013181071

〔式中、
は、−O−、−S−、−SO−、−SO−又は−Se−を表す。複数存在するEは、同一でも異なっていてもよい。
は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するRは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環状構造を形成していてもよい。〕
で表される構造単位と、
式:
Figure 2013181071

〔式中、
ARは、アリーレン基、2価の複素環基、−CR=CR−又は−C≡C−を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するRは、同一でも異なっていてもよい。〕
で表される構造単位と、を有する高分子化合物。
formula:
Figure 2013181071

[Where,
E 1 represents —O—, —S—, —SO 2 —, —SO— or —Se—. A plurality of E 1 may be the same or different.
R 1 is a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent aromatic heterocyclic group, aryloxy group, arylthio group, alkenyl group, alkynyl group, amino group, silyl group, halogen atom, It represents an acyl group, an acyloxy group, an amide group, a carboxyl group, a nitro group or a cyano group, and these groups may have a substituent. A plurality of R 1 may be the same or different, and may be bonded to each other to form a cyclic structure together with the carbon atom to which each is bonded. ]
A structural unit represented by
formula:
Figure 2013181071

[Where,
AR represents an arylene group, a divalent heterocyclic group, —CR g ═CR g — or —C≡C—, and these groups optionally have a substituent. R g represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group or a cyano group, and these groups may have a substituent. A plurality of R g may be the same or different. ]
And a structural unit represented by the formula:
が、−S−又は−O−である、請求項1に記載の高分子化合物。 The polymer compound according to claim 1, wherein E 1 is —S— or —O—. が、水素原子、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルキル基、ハロゲン原子、アシル基又はアシルオキシ基である、請求項1又は2に記載の高分子化合物。 The polymer compound according to claim 1 , wherein R 1 is a hydrogen atom, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group, an alkyl group, a halogen atom, an acyl group, or an acyloxy group. Arが、式(3−1)〜式(3−14)で表される基のうちのいずれかである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の高分子化合物。
Figure 2013181071

[式中、
は、−O−、−S−又は−Se−を表す。Eが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アシル基、アシルオキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Rが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
nは、0〜1の整数を表す。
Xは、式(Z−1)〜(Z−7)で表される2価の基を表す。
Yは、−C(R−、−N(R)−、アリーレン基又は2価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Yが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Rは、水素原子、アルキル基、アリール基又は1価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Rが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
Figure 2013181071

[式中、
は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Rが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
は、−O−、−S−、−C(=O)−、−S(=O)−、−SO−、−Si(R)(R)−、−N(R)−、−B(R)−、−P(R)−又は−P(=O)(R)−を表す。Rは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
The polymer compound according to any one of claims 1 to 3, wherein Ar is any one of groups represented by formulas (3-1) to (3-14).
Figure 2013181071

[Where:
E 2 represents —O—, —S— or —Se—. When two or more E2 exists, they may be the same or different.
R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, a monovalent aromatic heterocyclic group, an acyl group, an acyloxy group, or a halogen atom, and these groups have a substituent. Also good. When a plurality of R 2 are present, they may be the same or different.
n represents an integer of 0 to 1.
X represents a divalent group represented by formulas (Z-1) to (Z-7).
Y represents —C (R 3 ) 2 —, —N (R 3 ) —, an arylene group or a divalent heterocyclic group, and these groups optionally have a substituent. When a plurality of Y are present, they may be the same or different. R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a monovalent aromatic heterocyclic group, and these groups may have a substituent. When a plurality of R 3 are present, they may be the same or different. ]
Figure 2013181071

[Where:
R 4 is a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent aromatic heterocyclic group, aryloxy group, arylthio group, alkenyl group, alkynyl group, amino group, silyl group, halogen atom, It represents an acyl group, an acyloxy group, an amide group, a carboxyl group, a nitro group or a cyano group, and these groups may have a substituent. When a plurality of R 4 are present, they may be the same or different.
E 3 represents —O—, —S—, —C (═O) —, —S (═O) —, —SO 2 —, —Si (R 5 ) (R 5 ) —, —N (R 5 ) -, - B (R 5 ) -, - P (R 5) - or -P (= O) (R 5 ) - represents a. R 5 is a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, monovalent aromatic heterocyclic group, aryloxy group, arylthio group, alkenyl group, alkynyl group, amino group, silyl group, halogen atom, It represents an acyl group, an acyloxy group, an amide group, a carboxyl group, a nitro group or a cyano group, and these groups may have a substituent. ]
請求項1〜4のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む、組成物。   The composition containing the high molecular compound as described in any one of Claims 1-4. 請求項1〜4のいずれか一項に記載の高分子化合物と溶媒とを含む、インク組成物。   An ink composition comprising the polymer compound according to any one of claims 1 to 4 and a solvent. 請求項5に記載の組成物と溶媒とを含む、インク組成物。   An ink composition comprising the composition according to claim 5 and a solvent. 請求項1〜4のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む、薄膜。   The thin film containing the high molecular compound as described in any one of Claims 1-4. 第1の電極と第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有し、該活性層に請求項1〜4のいずれかに記載の高分子化合物を含む素子。   It has a 1st electrode and a 2nd electrode, it has an active layer between this 1st electrode and this 2nd electrode, and this active layer is any one of Claims 1-4. A device containing a polymer compound. 有機薄膜トランジスタである、請求項9に記載の素子。   The device according to claim 9, which is an organic thin film transistor. 光電変換素子である、請求項9に記載の素子。   The device according to claim 9, which is a photoelectric conversion device. 請求項9に記載の素子を備えるイメージセンサー。   An image sensor comprising the element according to claim 9.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103897156A (en) * 2014-04-02 2014-07-02 国家纳米科学中心 Dibenzothiophene two-dimensional conjugated polymer with thiophene side chain, preparation method and application thereof
JP2015196661A (en) * 2014-04-01 2015-11-09 株式会社リコー Organic material and photoelectric conversion element
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WO2017159703A1 (en) 2016-03-16 2017-09-21 富士フイルム株式会社 Organic semiconductor composition, method for manufacturing organic thin film transistor, and organic thin film transistor

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