JP2013165014A - Organic el device and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL device capable of improving display quality, and an electronic apparatus.SOLUTION: The organic EL device includes: light-emitting elements 27 (27R, 27G and 27B) which include reflection films 41 (41R, 41G and 41B), pixel electrodes 24 (24R, 24G and 24B), a light-emitting layer 26, and a counter electrode 25 and resonates light between the reflection films 41 and the counter electrode 25; and an insulating film 56 having openings 101, 102 and 103 for defining light-emitting regions on the pixel electrodes 24. The peripheral edges of the reflection films 41 are arranged inside the openings 101, 102 and 103 in a plan view, respectively.

Description

本発明は、共振構造を有する有機EL装置、及び電子機器に関する。   The present invention relates to an organic EL device having a resonance structure and an electronic apparatus.

上記有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置は、陽極(画素電極)と陰極(対向電極)との間に発光材料からなる発光層が挟持された構造を有している。具体的には、例えば、特許文献1に記載のように、陽極上に発光領域を画定する開口部を有する隔壁が設けられている。   The organic EL (electroluminescence) device has a structure in which a light emitting layer made of a light emitting material is sandwiched between an anode (pixel electrode) and a cathode (counter electrode). Specifically, for example, as described in Patent Document 1, a partition wall having an opening for defining a light emitting region is provided on the anode.

また、特許文献2に記載のように、陽極における発光層とは反対側に金属反射膜を設け、発光層において発光した光を反射膜と陰極との間で往復させ、ピーク強度が高く幅が狭いスペクトルを有する光を取り出す構造が知られている。このような、光共振構造を設けることにより、発光の色再現性を向上させることができる。   Further, as described in Patent Document 2, a metal reflection film is provided on the opposite side of the anode from the light-emitting layer, and light emitted from the light-emitting layer is reciprocated between the reflection film and the cathode so that the peak intensity is high and the width is high. A structure for extracting light having a narrow spectrum is known. By providing such an optical resonant structure, the color reproducibility of light emission can be improved.

有機EL装置の製造方法としては、例えば、反射膜上に陽極を形成し、その上に各色に応じて光路長を変えるために透明導電膜を積層する。そして、その上に発光層、陰極を順次形成する。これにより、各色ごとに最適な光路長となるように構成することが可能となり、色再現性を向上させることができる。   As a method for manufacturing the organic EL device, for example, an anode is formed on a reflective film, and a transparent conductive film is laminated thereon in order to change the optical path length according to each color. Then, a light emitting layer and a cathode are sequentially formed thereon. This makes it possible to configure the optical path length to be optimum for each color, and improve color reproducibility.

特開2007−188653号公報JP 2007-188653 A 特開2007−108248号公報JP 2007-108248 A

しかしながら、開口部の内側の領域にある発光層と、開口部の周縁の隔壁上にある発光層とでは、光学距離が異なり共振波長が変わることから、最適な光路長(共振)の値がずれてしまい、開口部(発光領域)の周縁において異なる色が発光するという課題がある。つまり、表示品質が低下するという課題がある。   However, since the optical distance is different between the light emitting layer in the inner region of the opening and the light emitting layer on the partition wall at the periphery of the opening and the resonance wavelength changes, the value of the optimum optical path length (resonance) is shifted. Therefore, there is a problem that different colors emit light at the periphery of the opening (light emitting region). That is, there is a problem that display quality is deteriorated.

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   An aspect of the present invention has been made to solve at least a part of the above problems, and can be realized as the following forms or application examples.

[適用例1]本適用例に係る有機EL装置は、第1反射膜、第1画素電極、第1発光層、及び対向電極を有し、前記第1反射膜と前記対向電極との間で第1色の光を共振させる第1画素と、前記第1画素電極上に発光領域を規定する第1開口部を有する絶縁膜と、を備え、前記第1反射膜の周縁における少なくとも一部は、平面的に前記第1開口部より内側に配置されていることを特徴とする。   Application Example 1 An organic EL device according to this application example includes a first reflective film, a first pixel electrode, a first light-emitting layer, and a counter electrode, and between the first reflective film and the counter electrode. A first pixel that resonates light of the first color; and an insulating film having a first opening that defines a light emitting region on the first pixel electrode, wherein at least a part of the periphery of the first reflective film is Further, it is arranged on the inner side of the first opening in a plan view.

本適用例によれば、第1開口部の近傍で発生する共振波長からずれた光が出射されるのを低減できる。また換言すると、反射膜の周縁における少なくとも一部が第1開口部より内側に配置されているので、発光領域の一部と陰極との距離、及び発光領域の中央と陰極との距離を略同一にすることが出来る。よって、光学距離(光路長)を同じにすることが可能となり、開口部の周縁における少なくとも一部と開口部の中央部との色を同じにすることができる。これにより、発光部と周辺部との色の混在を抑えることが可能となり、色の純度を上げることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。   According to this application example, it is possible to reduce the emission of light deviated from the resonance wavelength generated in the vicinity of the first opening. In other words, since at least a part of the periphery of the reflective film is disposed inside the first opening, the distance between the part of the light emitting region and the cathode and the distance between the center of the light emitting region and the cathode are substantially the same. Can be made. Therefore, the optical distance (optical path length) can be made the same, and the color of at least a part of the periphery of the opening and the center of the opening can be made the same. Thereby, it becomes possible to suppress mixing of the color of a light emission part and a peripheral part, and it can raise the purity of a color. As a result, display quality can be improved.

[適用例2]上記適用例に係る有機EL装置において、前記第1開口部の長辺側に沿う前記第1反射膜の部分は、平面的に前記第1開口部より内側に配置されていることが好ましい。   Application Example 2 In the organic EL device according to the application example described above, the portion of the first reflective film along the long side of the first opening is planarly arranged on the inner side of the first opening. It is preferable.

本適用例によれば、発光色として色が目立ちやすい発光領域の長辺側に沿う反射膜の部分が第1開口部より内側に配置されているので、発光領域の中央部と色を同じにすることができると共に発光色として色を目立たせることが可能となり、表示品質を向上させることができる。   According to this application example, since the portion of the reflective film along the long side of the light emitting area where the color is easily noticeable as the light emitting color is arranged on the inner side of the first opening, the color is the same as the central portion of the light emitting area. In addition, it is possible to make the color conspicuous as a luminescent color, and display quality can be improved.

[適用例3]上記適用例に係る有機EL装置において、前記第1反射膜の少なくとも一部は、平面的に前記絶縁膜の傾斜面と平面的に重ならないことが好ましい。   Application Example 3 In the organic EL device according to the application example described above, it is preferable that at least a part of the first reflective film does not overlap the inclined surface of the insulating film in a plane.

本適用例によれば、絶縁膜の傾斜面と第1反射膜の一部とを平面的に重ならないように配置するので、絶縁膜の傾斜面上に形成された発光層と、傾斜面と重ならない領域の発光層との位置が変わることによる、発光色が異なることを防ぐことができる。   According to this application example, since the inclined surface of the insulating film and a part of the first reflective film are arranged so as not to overlap in plane, the light emitting layer formed on the inclined surface of the insulating film, the inclined surface, It is possible to prevent the emission color from being different due to a change in the position of the light emitting layer in a non-overlapping region.

[適用例4]上記適用例に係る有機EL装置において、第2反射膜、第2画素電極、第2発光層、及び前記対向電極を有し、前記第2反射膜と前記対向電極との間で前記第1色より長波長側の色である第2色の光を共振させる第2画素と、前記第2画素電極上に発光領域を規定する第2開口部を有する前記絶縁膜と、を備え、前記第1反射膜の周縁と前記第1開口部との隙間は、前記第2反射膜の周縁と前記第2開口部との隙間に比べて広くなるように形成されていることが好ましい。   Application Example 4 In the organic EL device according to the application example described above, the organic EL device includes a second reflective film, a second pixel electrode, a second light emitting layer, and the counter electrode, and is between the second reflective film and the counter electrode. A second pixel that resonates light of a second color that is a longer wavelength side than the first color, and the insulating film that has a second opening that defines a light emitting region on the second pixel electrode. It is preferable that the gap between the peripheral edge of the first reflective film and the first opening is formed so as to be wider than the gap between the peripheral edge of the second reflective film and the second opening. .

本適用例によれば、平面的に第1反射膜の周縁と第1開口部との隙間の方が広いので、第1開口部より発光する光の色が混色することを抑えることができる。例えば、第1開口部より発光する光の色は青色である。第2開口部より発光する光の色は緑色や赤色である。つまり、比較的見難い発光色(青色)の色を鮮明に表示することが可能となり、表示品質を向上させることができる。   According to this application example, since the gap between the peripheral edge of the first reflective film and the first opening is wider in plan view, it is possible to suppress color mixing of light emitted from the first opening. For example, the color of light emitted from the first opening is blue. The color of light emitted from the second opening is green or red. That is, it is possible to clearly display a light emitting color (blue) that is relatively difficult to see, and to improve display quality.

[適用例5]上記適用例に係る有機EL装置において、前記第1反射膜における前記第1発光層と反対側に、平面的に前記第1反射膜の形状より大きく前記第1反射膜より低い反射性を有する第1低反射膜を備え、前記第2反射膜における前記第2発光層と反対側に、平面的に前記第2反射膜の形状より大きく前記第2反射膜より低い反射性を有する第2低反射膜を備えることが好ましい。   Application Example 5 In the organic EL device according to the application example described above, on the side opposite to the first light emitting layer in the first reflective film, the shape is planarly larger than the shape of the first reflective film and lower than the first reflective film. A first low reflection film having reflectivity is provided, and on the opposite side of the second reflection film from the second light-emitting layer, the planarity is larger than the shape of the second reflection film and lower than the second reflection film. It is preferable to have the 2nd low reflection film which has.

本適用例によれば、第1反射膜と比較して低い反射性を有する第1低反射膜を第1反射膜の下方に配置することにより、平面的に第1反射膜の周囲に第1低反射膜を備えることが可能となり、第1低反射膜より下方からの光が第1開口部に入射することを防ぐことができる。言い換えれば、第1低反射膜を、絶縁膜の傾斜面と平面的に重なる領域に亘って配置する。よって、表示品質を向上させることができる。なお、第2反射膜側も同様である。   According to this application example, the first low reflection film having lower reflectivity than the first reflection film is disposed below the first reflection film, so that the first reflection film is planarly disposed around the first reflection film. A low reflection film can be provided, and light from below the first low reflection film can be prevented from entering the first opening. In other words, the first low reflection film is disposed over a region overlapping the inclined surface of the insulating film in a planar manner. Therefore, display quality can be improved. The same applies to the second reflective film side.

[適用例6]上記適用例に係る有機EL装置において、前記第1反射膜と前記第1低反射膜とは、第1容量回路の一部を構成し、前記第2反射膜と前記第2低反射膜とは、第2容量回路の一部を構成することが好ましい。   Application Example 6 In the organic EL device according to the application example, the first reflection film and the first low reflection film constitute a part of a first capacitance circuit, and the second reflection film and the second reflection film. The low reflective film preferably constitutes a part of the second capacitor circuit.

本適用例によれば、反射膜と低反射膜とを利用して容量回路を形成することができる。具体的には、反射膜と低反射膜との間の絶縁膜を誘電体膜として容量回路を構成する。   According to this application example, a capacitive circuit can be formed using the reflective film and the low reflective film. Specifically, a capacitor circuit is configured by using an insulating film between the reflective film and the low reflective film as a dielectric film.

[適用例7]本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機EL装置を備えることを特徴とする。   Application Example 7 An electronic apparatus according to this application example includes the organic EL device described above.

本適用例によれば、開口領域内から発光させることが可能となり、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。   According to this application example, it is possible to emit light from within the opening region, and it is possible to provide an electronic apparatus capable of improving display quality.

有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the organic EL device. 有機EL装置の構成を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the structure of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の構造を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the structure of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の構造を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the structure of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置を備えた電子機器の一例としてスマートフォンを示す模式図。The schematic diagram which shows a smart phone as an example of the electronic device provided with the organic EL apparatus. 変形例の有機EL装置の構造を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus of a modification.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。   In the following embodiments, for example, when “on the substrate” is described, the substrate is disposed so as to be in contact with the substrate, or is disposed on the substrate via another component, or the substrate. It is assumed that a part is arranged so as to be in contact with each other and a part is arranged via another component.

<有機EL装置の構成>
図1は、有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機EL装置の構成を、図1を参照しながら説明する。なお、本実施形態の有機EL装置は、トップエミッション構造で説明する。
<Configuration of organic EL device>
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the organic EL device. Hereinafter, the configuration of the organic EL device will be described with reference to FIG. The organic EL device of this embodiment will be described with a top emission structure.

図1に示すように、有機EL装置11は、複数の走査線12と、走査線12に対して交差する方向に延びる複数のデータ線13と、データ線13に並行に延びる複数の電源線14とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線12とデータ線13とにより区画された領域が画素領域として構成されている。データ線13は、データ線駆動回路15に接続されている。また、走査線12は、走査線駆動回路16に接続されている。   As shown in FIG. 1, the organic EL device 11 includes a plurality of scanning lines 12, a plurality of data lines 13 extending in a direction intersecting the scanning lines 12, and a plurality of power supply lines 14 extending in parallel to the data lines 13. Are wired in a grid pattern. An area partitioned by the scanning lines 12 and the data lines 13 is configured as a pixel area. The data line 13 is connected to the data line driving circuit 15. The scanning line 12 is connected to the scanning line driving circuit 16.

各画素領域には、走査線12を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT(Thin Film Transistor)21と、このスイッチング用TFT21を介してデータ線13から供給される画素信号を保持する保持容量22と、保持容量22によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT23(以下、「TFT素子23」と称する。)とが設けられている。更に、各画素領域には、TFT素子23を介して電源線14に電気的に接続したときに、電源線14から駆動電流が流れ込む画素電極24と、対向電極25と、この画素電極24と対向電極25との間に挟持された発光機能層26(第1発光層、第2発光層を含む)とが設けられている。   Each pixel region holds a switching TFT (Thin Film Transistor) 21 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 12 and a pixel signal supplied from the data line 13 via the switching TFT 21. A storage capacitor 22 is provided, and a driving TFT 23 (hereinafter referred to as “TFT element 23”) to which a pixel signal held by the storage capacitor 22 is supplied to the gate electrode is provided. Further, in each pixel region, when electrically connected to the power supply line 14 via the TFT element 23, a pixel electrode 24 into which a drive current flows from the power supply line 14, a counter electrode 25, and the pixel electrode 24 are opposed to each other. A light emitting functional layer 26 (including a first light emitting layer and a second light emitting layer) sandwiched between the electrodes 25 is provided.

有機EL装置11は、画素電極24と対向電極25と発光機能層26とにより構成される発光素子27(第1画素、第2画素)を複数備えている。また、有機EL装置11は、複数の発光素子27で構成される表示領域を備えている。   The organic EL device 11 includes a plurality of light emitting elements 27 (first pixel and second pixel) configured by the pixel electrode 24, the counter electrode 25, and the light emitting functional layer 26. In addition, the organic EL device 11 includes a display area composed of a plurality of light emitting elements 27.

この構成によれば、走査線12が駆動されてスイッチング用TFT21がオン状態になると、そのときのデータ線13の電位が保持容量22に保持され、保持容量22の状態に応じて、TFT素子23のオン・オフ状態が決まる。そして、TFT素子23のチャネルを介して、電源線14から画素電極24に電流が流れ、更に、発光機能層26を介して対向電極25に電流が流れる。ここで、TFT素子23のソースとドレインの間の導通状態、即ち、TFT素子23のチャネルの導通状態は、TFT素子23のゲートの電位により制御される。発光機能層26は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。   According to this configuration, when the scanning line 12 is driven and the switching TFT 21 is turned on, the potential of the data line 13 at that time is held in the holding capacitor 22, and the TFT element 23 depends on the state of the holding capacitor 22. ON / OFF state is determined. A current flows from the power supply line 14 to the pixel electrode 24 through the channel of the TFT element 23, and further a current flows to the counter electrode 25 through the light emitting functional layer 26. Here, the conduction state between the source and drain of the TFT element 23, that is, the conduction state of the channel of the TFT element 23 is controlled by the potential of the gate of the TFT element 23. The light emitting functional layer 26 emits light with a luminance corresponding to the amount of current flowing therethrough.

図2は、有機EL装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機EL装置の構成を、図2を参照しながら説明する。   FIG. 2 is a schematic plan view showing the configuration of the organic EL device. Hereinafter, the configuration of the organic EL device will be described with reference to FIG.

図2に示すように、有機EL装置11は、ガラス等からなる基板としての第1基材31に表示領域32(図中一点鎖線の内側の領域)と非表示領域33(一点鎖線の外側の領域)とを有する構成になっている。表示領域32には、実表示領域32a(二点鎖線の内側の領域)とダミー領域32b(図中二点鎖線の外側の領域)とが設けられている。   As shown in FIG. 2, the organic EL device 11 includes a display region 32 (region inside the one-dot chain line in the drawing) and a non-display region 33 (outside the one-dot chain line in the first base material 31 as a substrate made of glass or the like. Region). The display area 32 is provided with an actual display area 32a (area inside the two-dot chain line) and a dummy area 32b (area outside the two-dot chain line in the figure).

実表示領域32a内には、光が出射されるサブ画素34がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素34の各々は、スイッチング用TFT21及びTFT素子23(図1参照)の動作に伴って、R(赤:第2色)、G(緑:第2色)、B(青:第1色)各色を発光する構成となっている。   In the actual display area 32a, sub-pixels 34 from which light is emitted are arranged in a matrix. Each of the sub-pixels 34 has R (red: second color), G (green: second color), B (blue: first) in accordance with the operation of the switching TFT 21 and the TFT element 23 (see FIG. 1). 1 color) It is configured to emit each color.

ダミー領域32bには、主として各サブ画素34を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域32aの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路16が配置されており、実表示領域32aの図中上辺に沿うように検査回路35が配置されている。   In the dummy area 32b, a circuit for mainly causing each sub-pixel 34 to emit light is provided. For example, the scanning line driving circuit 16 is disposed along the left side and the right side of the actual display region 32a in the drawing, and the inspection circuit 35 is disposed along the upper side of the actual display region 32a in the drawing.

第1基材31の下辺には、フレキシブル基板36が設けられている。フレキシブル基板36には、各配線と接続された駆動用IC37が備えられている。   A flexible substrate 36 is provided on the lower side of the first base material 31. The flexible substrate 36 is provided with a driving IC 37 connected to each wiring.

図3は、有機EL装置の構造を示す模式平面図である。図4は、図3に示す有機EL装置のA−A’線に沿う模式断面図である。以下、有機EL装置の構造を、図3及び図4を参照しながら説明する。なお、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。   FIG. 3 is a schematic plan view showing the structure of the organic EL device. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along the line A-A ′ of the organic EL device shown in FIG. 3. Hereinafter, the structure of the organic EL device will be described with reference to FIGS. In addition, in order to show the configuration in an easy-to-understand manner, the layer thickness, dimensional ratio, angle, and the like of each component are appropriately changed.

図4に示すように、有機EL装置11は、複数の発光素子27(27R,27G,27B)(第1画素、第2画素を含む)が第1基材31の面上に配列された構成となっている。なお、第1基材31上に設けられた配線や回路、それらが形成されている層などの図示は省略する。   As shown in FIG. 4, the organic EL device 11 has a configuration in which a plurality of light emitting elements 27 (27R, 27G, 27B) (including a first pixel and a second pixel) are arranged on the surface of the first base material 31. It has become. In addition, illustration of the wiring provided on the 1st base material 31, the circuit, the layer in which they are formed, etc. is abbreviate | omitted.

各発光素子27(27R,27G,27B)は、複数の色彩(赤色、緑色、青色)のいずれかに対応した波長の光を発生する要素である。本実施形態では、発光素子27Rは赤色光を出射し、発光素子27Gは緑色光を出射し、発光素子27Bは青色光を出射するような構造でもよいし、各発光素子27が白色光を出射するような構造でもよい。   Each light emitting element 27 (27R, 27G, 27B) is an element that generates light having a wavelength corresponding to one of a plurality of colors (red, green, blue). In the present embodiment, the light emitting element 27R may emit red light, the light emitting element 27G may emit green light, and the light emitting element 27B may emit blue light, or each light emitting element 27 may emit white light. Such a structure may be used.

本実施形態の有機EL装置11は、上記したように、各発光素子27にて発生した光が第1基材31とは反対側に向かって進行するトップエミッション構造である。従って、ガラスなどの光透過性を有する板材の他、セラミックスや金属のシートなど不透明な板材を第1基材31として採用することができる。   As described above, the organic EL device 11 of the present embodiment has a top emission structure in which light generated in each light emitting element 27 travels toward the opposite side to the first base material 31. Therefore, an opaque plate material such as a ceramic or metal sheet can be used as the first base material 31 in addition to a light-transmitting plate material such as glass.

図3に示すように、第1基材31上には、配置位置の異なる反射膜41(41R(第2反射膜),41G(第2反射膜),41B(第1反射膜))が各発光素子27(27R,27G,27B)に対応して配置されている。反射膜41は、光反射性を有する材料によって形成される。材料としては、例えば、アルミニウムや銀、又はアルミニウムや銀を主成分とする合金などが挙げられる。   As shown in FIG. 3, on the first base material 31, reflection films 41 (41 R (second reflection film), 41 G (second reflection film), 41 B (first reflection film)) having different arrangement positions are provided. It arrange | positions corresponding to the light emitting element 27 (27R, 27G, 27B). The reflective film 41 is formed of a material having light reflectivity. Examples of the material include aluminum and silver, or an alloy mainly composed of aluminum or silver.

また、反射膜41(41R,41G,41B)の下方には、アレイ基板52に設けられた金属膜からの反射光を発光素子27側に入射させないための低反射膜55(55R(第2低反射膜),55G(第2低反射膜),55B(第1低反射膜))が設けられている。低反射膜55は、反射膜41よりも反射性の低い材料で構成されている。低反射膜55の材料としては、例えば、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)、銅(Su)、アモルファスカーボン(α−C)などが挙げられる。低反射膜55は、反射膜41の領域より一回り大きく形成されている。具体的には、例えば、平面的に後述する絶縁膜56の形成領域と重なる領域に亘って設けられている。   Also, below the reflective film 41 (41R, 41G, 41B), a low reflective film 55 (55R (second low level) for preventing the reflected light from the metal film provided on the array substrate 52 from entering the light emitting element 27 side. Reflection film), 55G (second low reflection film), 55B (first low reflection film)). The low reflection film 55 is made of a material that is less reflective than the reflection film 41. Examples of the material of the low reflection film 55 include titanium (Ti), titanium nitride (TiN), copper (Su), amorphous carbon (α-C), and the like. The low reflection film 55 is formed to be slightly larger than the area of the reflection film 41. Specifically, for example, it is provided over a region overlapping a formation region of an insulating film 56 to be described later in plan view.

そして、これらの反射膜41(41R,41G,41B)や低反射膜55(55R,55G,55B)を覆うように、絶縁層42が設けられている。なお、絶縁層42中に反射膜41を配置することから、絶縁層42の上面が凸凹することが考えられる。よって、絶縁層42の上面は、例えば、CMP(Chemical Mechanical Polishing)などの研磨法を利用して平坦化されていることが好ましい。これにより、反射膜41の厚みの差に起因する絶縁層42上の凸凹を平坦にすることができる。絶縁層42としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの有機樹脂によって形成されている。   An insulating layer 42 is provided so as to cover these reflective films 41 (41R, 41G, 41B) and the low reflective films 55 (55R, 55G, 55B). In addition, since the reflective film 41 is disposed in the insulating layer 42, it is considered that the upper surface of the insulating layer 42 is uneven. Therefore, the upper surface of the insulating layer 42 is preferably planarized by using a polishing method such as CMP (Chemical Mechanical Polishing). Thereby, the unevenness | corrugation on the insulating layer 42 resulting from the difference in the thickness of the reflecting film 41 can be made flat. For example, the insulating layer 42 is formed of an organic resin such as an acrylic resin or a polyimide resin.

このような構造において、反射膜41R,41G,41Bの配置位置を変えることにより、反射膜41の上面(表面)の位置(断面位置)を各色ごとに相違させることができる。つまり、各開口部(発光領域)101(第2開口部),102(第2開口部),103(第1開口部)で要求される発光波長に最適な共振を生じるように光路長が最適化された、光共振構造が採用されている。   In such a structure, the position (cross-sectional position) of the upper surface (front surface) of the reflective film 41 can be made different for each color by changing the arrangement position of the reflective films 41R, 41G, and 41B. That is, the optical path length is optimal so as to generate the optimum resonance for the emission wavelength required in each opening (light emitting region) 101 (second opening), 102 (second opening), 103 (first opening). An optical resonant structure is adopted.

絶縁層42上には、発光素子27R,27G,27Bが設けられている。発光素子27の各々は、画素電極24と、発光機能層26と、対向電極25とを有する。画素電極24は、例えば、ITO(indium tin oxide)、またはZnO2のような透明酸化物導電材料から形成される。本実施形態では、画素電極24はITOで形成される。 On the insulating layer 42, light emitting elements 27R, 27G, and 27B are provided. Each of the light emitting elements 27 includes a pixel electrode 24, a light emitting functional layer 26, and a counter electrode 25. The pixel electrode 24 is formed of a transparent oxide conductive material such as ITO (indium tin oxide) or ZnO 2 . In the present embodiment, the pixel electrode 24 is made of ITO.

また、画素電極24(24R(第2画素電極),24G(第2画素電極),24B(第1画素電極))を囲むように絶縁膜56が設けられている。言い換えれば、画素電極24(24R,24G,24B)上に、絶縁膜56によって囲まれた開口部(発光領域)101,102,103が設けられている。   In addition, an insulating film 56 is provided so as to surround the pixel electrode 24 (24R (second pixel electrode), 24G (second pixel electrode), 24B (first pixel electrode)). In other words, openings (light emitting regions) 101, 102, and 103 surrounded by the insulating film 56 are provided on the pixel electrode 24 (24R, 24G, and 24B).

絶縁膜56は、例えば、開口部101,102,103を規定する絶縁膜であり、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)などの無機蒸着材料で構成されている。絶縁膜56の厚みは、例えば、20nmである。絶縁膜56は、断面に見て傾斜面を有する台形状である。本実施形態の開口部101,102,103は、絶縁膜56によって囲まれた領域である。また換言すると、開口部101,102,103では発光機能層26に電流が流れて発光し、開口部101,102,103以外の領域では、画素電極24と対向電極25の間が絶縁膜56により絶縁されることになる。上述した反射膜41R,41G,41Bの周縁は、絶縁膜56によって囲まれた開口部101,102,103の周縁より内側に配置される。 The insulating film 56 is an insulating film that defines the openings 101, 102, and 103, for example, and is made of an inorganic vapor deposition material such as a silicon oxide film (SiO 2 ). The thickness of the insulating film 56 is, for example, 20 nm. The insulating film 56 has a trapezoidal shape having an inclined surface when viewed in cross section. The openings 101, 102, and 103 in this embodiment are regions surrounded by the insulating film 56. In other words, a current flows through the light emitting functional layer 26 in the openings 101, 102, and 103 to emit light. It will be insulated. The peripheral edges of the reflection films 41R, 41G, and 41B described above are arranged inside the peripheral edges of the openings 101, 102, and 103 surrounded by the insulating film 56.

具体的には、反射膜41R,41G,41Bの周縁(外周)は、平面的に開口部101,102,103の周縁と同じ位置であってもよいが、斜め光などの影響が考えられるため、周縁より内側に配置されていることが好ましい。また、絶縁膜56の形成精度に応じて開口部101,102,103と反射膜41との平面的な隙間を設けることが好ましい。   Specifically, the peripheral edges (peripheries) of the reflective films 41R, 41G, and 41B may be at the same position as the peripheral edges of the openings 101, 102, and 103 in plan view, but the influence of oblique light or the like is considered. It is preferable that it is arrange | positioned inside the periphery. Further, it is preferable to provide a planar gap between the openings 101, 102, 103 and the reflective film 41 according to the formation accuracy of the insulating film 56.

発光機能層26は、画素電極24及び絶縁膜56を覆うようにして形成される。詳述すると、発光機能層26は、複数の発光素子27に亘って連続して形成されている。発光機能層26の特性は、複数の発光素子27について共通である。なお、発光機能層26は、例えば、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層(第1発光層、第2発光層)と、電子輸送層と、電子注入層とを含むものとする。   The light emitting functional layer 26 is formed so as to cover the pixel electrode 24 and the insulating film 56. Specifically, the light emitting functional layer 26 is continuously formed across the plurality of light emitting elements 27. The characteristics of the light emitting functional layer 26 are common to the plurality of light emitting elements 27. The light emitting functional layer 26 includes, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer (first light emitting layer, second light emitting layer), an electron transport layer, and an electron injection layer.

発光層は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。画素電極24と対向電極25との間に電圧を印加することによって、発光機能層26(発光層)には、正孔輸送層から正孔が、また、電子輸送層から電子が注入され、発光層においてこれらが再結合したときに発光が行われる。本実施形態では、例えば、白色光を発する。   The light emitting layer is a layer of an organic light emitting material that exhibits an electroluminescence phenomenon. By applying a voltage between the pixel electrode 24 and the counter electrode 25, holes are injected from the hole transport layer into the light emitting functional layer 26 (light emitting layer), and electrons are injected from the electron transport layer to emit light. Light emission occurs when they recombine in the layer. In the present embodiment, for example, white light is emitted.

対向電極25は、発光機能層26を覆うように形成される。言い換えれば、対向電極25は、複数の発光素子27に亘って連続して形成されている。対向電極25は、その表面に達した光の一部を透過するとともに他の一部を反射する性質(すなわち半透過反射性)を持った半透過反射層として機能する。   The counter electrode 25 is formed so as to cover the light emitting functional layer 26. In other words, the counter electrode 25 is continuously formed across the plurality of light emitting elements 27. The counter electrode 25 functions as a transflective layer having a property of transmitting part of the light reaching the surface and reflecting the other part (that is, transflective).

また、対向電極25は、マグネシウム(Mg)や銀(Ag)、又はこれらを主成分とするマグネシウム銀合金(MgAg)で形成される。本実施形態においては、マグネシウム及び銀を発光機能層26上に共蒸着させて対向電極25を形成する。   The counter electrode 25 is made of magnesium (Mg), silver (Ag), or a magnesium silver alloy (MgAg) containing these as a main component. In this embodiment, magnesium and silver are co-evaporated on the light emitting functional layer 26 to form the counter electrode 25.

本実施形態における有機EL装置11では、反射膜41と対向電極25との間で発光機能層26が発する光を共振させる共振器構造が形成される。すなわち、発光機能層26が発する光は反射膜41と対向電極25との間で往復し、共振によって特定の波長の光が強められて対向電極25を透過して観察側(図4における上方)に進行する(トップエミッション方式)。   In the organic EL device 11 in the present embodiment, a resonator structure that resonates light emitted from the light emitting functional layer 26 is formed between the reflective film 41 and the counter electrode 25. That is, the light emitted from the light emitting functional layer 26 reciprocates between the reflection film 41 and the counter electrode 25, and light of a specific wavelength is strengthened by resonance and passes through the counter electrode 25 to be observed (upward in FIG. 4). (Top emission method)

発光素子27Rでは発光機能層26で発した白色光のうち赤色が強められ、発光素子27Gでは緑色が強められ、発光素子27Bでは青色が強められるように、各発光領域における反射膜41(41R,41G,41B)の膜厚が調整される。   In the light emitting element 27R, the red light of the white light emitted from the light emitting functional layer 26 is enhanced, the light emitting element 27G is enhanced in green, and the light emitting element 27B is enhanced in blue. 41G, 41B) is adjusted.

対向電極25上には、無機材料からなるパッシベーション層(図示せず)が形成される。パッシベーション層は、発光素子27に対する水や外気の浸入を防ぐための保護膜である。また、パッシベーション層は、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料から形成される。   A passivation layer (not shown) made of an inorganic material is formed on the counter electrode 25. The passivation layer is a protective film for preventing water and outside air from entering the light emitting element 27. The passivation layer is formed from an inorganic material having a low gas permeability such as silicon nitride or silicon oxynitride.

複数の発光素子27が形成された素子基板(例えば、第1基材31〜対向電極25)上には、カラーフィルター基板61が対向配置される。カラーフィルター基板61は、ガラスなどの光透過性を有する材料で形成される。カラーフィルター基板61のうち第1基材31との対向面には、カラーフィルター62(62R,62G,62B)及び遮光膜63が形成される。   On the element substrate (for example, the first base material 31 to the counter electrode 25) on which the plurality of light emitting elements 27 are formed, the color filter substrate 61 is disposed to face the element substrate. The color filter substrate 61 is formed of a light transmissive material such as glass. A color filter 62 (62R, 62G, 62B) and a light shielding film 63 are formed on the surface of the color filter substrate 61 facing the first base material 31.

遮光膜63は、各発光素子27に対応して開口64が形成された遮光性の膜体である。開口64内には、カラーフィルター62(62R,62G,62B)が形成される。   The light shielding film 63 is a light shielding film body in which an opening 64 is formed corresponding to each light emitting element 27. A color filter 62 (62R, 62G, 62B) is formed in the opening 64.

発光素子27Rに対応する開口64内には、赤色光を選択的に透過させる赤色用カラーフィルター62Rが形成されている。発光素子27Gに対応する開口64内には、緑色光を選択的に透過させる緑色用カラーフィルター62Gが形成されている。発光素子27Bに対応する開口64内には、青色光を選択的に透過させる青色用カラーフィルター62Bが形成されている。   A red color filter 62R that selectively transmits red light is formed in the opening 64 corresponding to the light emitting element 27R. A green color filter 62G that selectively transmits green light is formed in the opening 64 corresponding to the light emitting element 27G. A blue color filter 62B that selectively transmits blue light is formed in the opening 64 corresponding to the light emitting element 27B.

カラーフィルター62及び遮光膜63が形成されたカラーフィルター基板61は、封止層65を介して第1基材31と貼り合わされる。封止層65は、透明の樹脂材料、例えば、エポキシ樹脂などの硬化性樹脂から形成される。   The color filter substrate 61 on which the color filter 62 and the light shielding film 63 are formed is bonded to the first base material 31 via the sealing layer 65. The sealing layer 65 is formed from a transparent resin material, for example, a curable resin such as an epoxy resin.

このように、平面的に開口部101,102,103の周縁より反射膜41R,41G,41Bの外周が内側に配置されているので、開口部101〜103の近傍で発生する共振波長からずれた光が出射されるのを低減できる。具体的には、開口部101〜103内における反射膜41の外周と対向電極25との距離、及び開口部101〜103における反射膜41の中央と対向電極25との距離を略同一にすることが出来る。よって、光学距離(光路長)を同じにすることが可能となり、開口部101〜103の周縁と開口部101〜103の中央部との色を同じにすることができる。これにより、開口部101〜103内における色の混在を抑えることが可能となり、色の純度を上げることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。   As described above, since the outer periphery of the reflection films 41R, 41G, and 41B is arranged on the inner side from the periphery of the openings 101, 102, and 103, it is shifted from the resonance wavelength generated in the vicinity of the openings 101 to 103. The emission of light can be reduced. Specifically, the distance between the outer periphery of the reflective film 41 in the openings 101 to 103 and the counter electrode 25 and the distance between the center of the reflective film 41 in the openings 101 to 103 and the counter electrode 25 are made substantially the same. I can do it. Therefore, it becomes possible to make optical distance (optical path length) the same, and the color of the periphery of the opening parts 101-103 and the center part of the opening parts 101-103 can be made the same. As a result, it is possible to suppress the mixture of colors in the openings 101 to 103, and the color purity can be increased. As a result, display quality can be improved.

<電子機器の構成>
図5は、上記した有機EL装置を備えた電子機器の一例としてスマートフォンを示す模式図である。以下、有機EL装置を備えたスマートフォンの構成を、図5を参照しながら説明する。
<Configuration of electronic equipment>
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a smartphone as an example of an electronic apparatus including the organic EL device described above. Hereinafter, the structure of the smart phone provided with the organic EL device will be described with reference to FIG.

図5に示すように、スマートフォン71は、表示部72及びアイコン73を有している。表示部72は、内部に組み込まれた有機EL装置11によって、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した有機EL装置11は、上記スマートフォン71の他、携帯電話機、ヘッドマウントディスプレイ、EVF(Electrical View Finder)、小型プロジェクター、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。   As shown in FIG. 5, the smartphone 71 has a display unit 72 and an icon 73. The display unit 72 can perform high-quality display using the organic EL device 11 incorporated therein. The above-described organic EL device 11 includes, in addition to the smartphone 71, a mobile phone, a head mounted display, an EVF (Electrical View Finder), a small projector, a mobile computer, a digital camera, a digital video camera, a display, an in-vehicle device, and an audio device. It can be used for various electronic devices such as an exposure apparatus and a lighting device.

以上詳述したように、本実施形態の有機EL装置11、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the organic EL device 11 and the electronic apparatus of the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本実施形態の有機EL装置11によれば、絶縁膜56で囲まれた開口部101〜103の周縁より反射膜41(41R,41G,41B)の外周が内側になるように配置されるので、つまり、絶縁膜56の傾斜面と反射膜41とを平面的に重ならないように配置するので、開口部101〜103の近傍で発生する共振波長からずれた光が出射されるのを低減できる。具体的には、開口部101〜103の周縁と対向電極25との距離、及び開口部101〜103の中央と対向電極25との距離を同じにすることが出来る。よって、これらの領域の光学距離(光路長)を同じにすることが可能となり、開口部101〜103の周縁と開口部101〜103の中央部との色を同じにすることができる。これにより、開口部101〜103とその周辺領域との色の混在を抑えることが可能となり、色の純度を上げることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。   (1) According to the organic EL device 11 of the present embodiment, the reflective film 41 (41R, 41G, 41B) is disposed so that the outer periphery of the reflective film 41 (41R, 41G, 41B) is inside from the peripheral edge of the openings 101 to 103 surrounded by the insulating film 56. In other words, the inclined surface of the insulating film 56 and the reflective film 41 are arranged so as not to overlap in plane, so that light deviated from the resonance wavelength generated in the vicinity of the openings 101 to 103 is emitted. Can be reduced. Specifically, the distance between the periphery of the openings 101 to 103 and the counter electrode 25 and the distance between the center of the openings 101 to 103 and the counter electrode 25 can be made the same. Therefore, the optical distances (optical path lengths) of these regions can be made the same, and the colors of the periphery of the openings 101 to 103 and the center of the openings 101 to 103 can be made the same. As a result, it is possible to suppress the mixture of colors in the openings 101 to 103 and the peripheral area thereof, and the color purity can be increased. As a result, display quality can be improved.

(2)本実施形態の有機EL装置11によれば、反射膜41(41R,41G,41B)と比較して低い反射性を有する低反射膜55(55R,55G,55B)を反射膜41の下方に配置することにより、平面的に反射膜41の周囲に低反射膜55を配置することが可能となり、低反射膜55より下方からの反射光が発光素子27側に入射することを防ぐことができる。具体的には、低反射膜55を、絶縁膜56(絶縁膜56の傾斜面)と平面的に重なるように配置する。よって、表示品質を向上させることができる。   (2) According to the organic EL device 11 of the present embodiment, the low reflection film 55 (55R, 55G, 55B) having lower reflectivity than the reflection film 41 (41R, 41G, 41B) is used as the reflection film 41. By disposing it below, it becomes possible to dispose the low reflection film 55 around the reflection film 41 in a plan view, and prevent reflected light from below the low reflection film 55 from entering the light emitting element 27 side. Can do. Specifically, the low reflection film 55 is disposed so as to overlap the insulating film 56 (the inclined surface of the insulating film 56) in a planar manner. Therefore, display quality can be improved.

(3)本実施形態によれば、開口部101〜103(発光領域)内から発光させることが可能となり、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。   (3) According to this embodiment, it is possible to emit light from within the openings 101 to 103 (light emitting region), and it is possible to provide an electronic device that can improve display quality.

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。   The aspect of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification. It is included in the range. Moreover, it can also implement with the following forms.

(変形例1)
上記したように、反射膜41(41R,41G,41B)の外周は、平面的に開口部101〜103の全周より内側になるような配置であることに限定されず、例えば、図6に示すような配置関係でもよい。図6は、有機EL装置の変形例の構成を示す模式平面図である。
(Modification 1)
As described above, the outer periphery of the reflective film 41 (41R, 41G, 41B) is not limited to being arranged so as to be inward of the entire periphery of the openings 101 to 103 in a plan view. For example, FIG. An arrangement relationship as shown may be used. FIG. 6 is a schematic plan view showing a configuration of a modified example of the organic EL device.

図6に示す有機EL装置111は、開口部101〜103の長辺側に沿う反射膜141R,141G,141Bの辺が、開口部101〜103より内側になるように配置されている。また、開口部101〜103の短辺側に沿う反射膜141R,141G,141Bの辺は、開口部101〜103より外側に配置されている。これによれば、発光色として色が目立ちやすい発光領域(開口部101〜103)の長辺側に沿う反射膜141の辺が開口部101〜103より内側に配置されているので、発光領域の中央部と周辺との色を同じにすることができると共に発光色として色を目立たせることが可能となり、表示品質を向上させることができる。   The organic EL device 111 shown in FIG. 6 is arranged so that the sides of the reflective films 141R, 141G, and 141B along the long sides of the openings 101 to 103 are located inside the openings 101 to 103. Further, the sides of the reflective films 141R, 141G, and 141B along the short sides of the openings 101 to 103 are disposed outside the openings 101 to 103. According to this, since the side of the reflective film 141 along the long side of the light emitting region (opening portions 101 to 103) whose color is easily noticeable as the emission color is arranged inside the opening portions 101 to 103, The color of the central portion and the periphery can be made the same, and the color can be made conspicuous as the emission color, and the display quality can be improved.

(変形例2)
上記したように、反射膜41の外周と絶縁膜56の開口部101〜103との平面的な隙間は、各発光素子27R,27G,27Bにおいて同等であることに限定されず、例えば、青色の発光素子27Bにおける開口部103と反射膜41Bとの平面的な隙間が、その他の色の発光素子27R,27Gより広くなるように設定してもよい。つまり、見難い青色の光を鮮明に表示することが可能となり、表示品質をさせることができる。
(Modification 2)
As described above, the planar gap between the outer periphery of the reflective film 41 and the openings 101 to 103 of the insulating film 56 is not limited to being equal in each of the light emitting elements 27R, 27G, and 27B. The planar gap between the opening 103 and the reflective film 41B in the light emitting element 27B may be set to be wider than the light emitting elements 27R and 27G of other colors. In other words, it is possible to clearly display hard-to-see blue light, and display quality can be improved.

(変形例3)
上記したように、反射膜41の下方に低反射膜55を配置していることに限定されず、低反射膜55を配置しない構成であってもよい。これによれば、反射膜41より下側の金属膜からの反射光の影響が少ない場合に適用することが好ましく、表示品質を従来の構成より向上させることができる。
(Modification 3)
As described above, the present invention is not limited to the low reflection film 55 disposed below the reflection film 41, and the low reflection film 55 may not be disposed. According to this, it is preferable to apply when the influence of the reflected light from the metal film below the reflective film 41 is small, and the display quality can be improved from the conventional configuration.

(変形例4)
上記したように、絶縁層42の上面を平坦化していることに限定されず、例えば、反射膜41などを形成しても表示品質に影響がないようであれば、絶縁層42の上面を平坦化せずに形成するようにしてもよい。
(Modification 4)
As described above, the upper surface of the insulating layer 42 is not limited to being flattened. For example, if the reflective film 41 or the like does not affect display quality, the upper surface of the insulating layer 42 is flattened. You may make it form, without forming.

(変形例5)
上記したように、反射膜41と低反射膜55との間に絶縁層を配置することに限定されず、例えば、誘電体層を配置するようにしてもよい。これによれば、反射膜41(第1反射膜、第2反射膜)と誘電体層と低反射膜55(第1低反射膜、第2低反射膜)とによって電気容量(第1電気容量、第2電気容量)を構成することができる。なお、電気容量を構成しない場合、反射膜41と低反射膜55とを積層して形成するようにしてもよい。また、この積層された膜を電気容量の一方の電極として使用するようにしてもよい。
(Modification 5)
As described above, the insulating layer is not limited to be disposed between the reflective film 41 and the low reflective film 55. For example, a dielectric layer may be disposed. According to this, an electric capacity (first electric capacity) is formed by the reflective film 41 (first reflective film, second reflective film), the dielectric layer, and the low reflective film 55 (first low reflective film, second low reflective film). , Second electric capacity). In the case where the electric capacity is not configured, the reflective film 41 and the low reflective film 55 may be laminated. Further, this laminated film may be used as one electrode of electric capacity.

(変形例6)
上記したように、有機EL装置11にカラーフィルター62を含めているが、カラーフィルター62を除いた有機EL装置に適用するようにしてもよい。
(Modification 6)
As described above, the color filter 62 is included in the organic EL device 11. However, the color filter 62 may be applied to the organic EL device excluding the color filter 62.

(変形例7)
上記したように、反射膜41の配置位置を変えて光路長を調整することに限定されず、例えば、画素電極24の厚みで光路長を調整してもよいし、発光層や正孔注入層などの厚みで光路長を調整するようにしてもよい。
(Modification 7)
As described above, it is not limited to adjusting the optical path length by changing the arrangement position of the reflective film 41. For example, the optical path length may be adjusted by the thickness of the pixel electrode 24, or the light emitting layer or the hole injection layer. The optical path length may be adjusted by a thickness such as

11,111…有機EL装置、12…走査線、13…データ線、14…電源線、15…データ線駆動回路、16…走査線駆動回路、21…スイッチング用TFT、22…保持容量、23…TFT素子、24…画素電極、25…対向電極、26…発光機能層、27,27B,27G,27R…発光素子、31…第1基材、32…表示領域、32a…実表示領域、32b…ダミー領域、33…非表示領域、34…サブ画素、35…検査回路、36…フレキシブル基板、37…駆動用IC、41,41R,41G,41B,141,141R,141G,141B…反射膜、42…絶縁層、51…素子基板、52…アレイ基板、55…低反射膜、56…絶縁膜としてのバンク、61…カラーフィルター基板、62…カラーフィルター、62B…青色用カラーフィルター、62G…緑色用カラーフィルター、62R…赤色用カラーフィルター、63…遮光膜、64…開口、65…封止層、71…スマートフォン、72…表示部、73…アイコン、101,102,103…開口部(発光領域)。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11,111 ... Organic EL device, 12 ... Scan line, 13 ... Data line, 14 ... Power supply line, 15 ... Data line drive circuit, 16 ... Scan line drive circuit, 21 ... Switching TFT, 22 ... Retention capacity, 23 ... TFT element 24... Pixel electrode 25. Counter electrode 26. Light emitting functional layer 27 27 B 27 G 27 R Light emitting element 31 First substrate 32 Display area 32 a Actual display area 32 b Dummy area 33 ... non-display area 34 ... sub-pixel 35 ... inspection circuit 36 ... flexible substrate 37 ... driving IC 41, 41R, 41G, 41B, 141, 141R, 141G, 141B ... reflective film 42 Insulating layer, 51 ... Element substrate, 52 ... Array substrate, 55 ... Low reflection film, 56 ... Bank as insulating film, 61 ... Color filter substrate, 62 ... Color filter, 62B ... Blue Color filter, 62G ... Green color filter, 62R ... Red color filter, 63 ... Light shielding film, 64 ... Opening, 65 ... Sealing layer, 71 ... Smartphone, 72 ... Display unit, 73 ... Icon, 101, 102, 103 ... opening (light emitting area).

Claims (7)

第1反射膜、第1画素電極、第1発光層、及び対向電極を有し、前記第1反射膜と前記対向電極との間で第1色の光を共振させる第1画素と、
前記第1画素電極上に発光領域を規定する第1開口部を有する絶縁膜と、
を備え、
前記第1反射膜の周縁における少なくとも一部は、平面的に前記第1開口部より内側に配置されていることを特徴とする有機EL装置。
A first pixel having a first reflective film, a first pixel electrode, a first light emitting layer, and a counter electrode, and resonating light of a first color between the first reflective film and the counter electrode;
An insulating film having a first opening defining a light emitting region on the first pixel electrode;
With
At least a part of the periphery of the first reflective film is disposed on the inner side of the first opening in a plan view.
請求項1に記載の有機EL装置であって、
前記第1開口部の長辺側に沿う前記第1反射膜の部分は、平面的に前記第1開口部より内側に配置されていることを特徴とする有機EL装置。
The organic EL device according to claim 1,
The organic EL device according to claim 1, wherein a portion of the first reflective film along the long side of the first opening is disposed inside the first opening in plan view.
請求項1に記載の有機EL装置であって、
前記第1反射膜の少なくとも一部は、平面的に前記絶縁膜の傾斜面と平面的に重ならないことを特徴とする有機EL装置。
The organic EL device according to claim 1,
At least a part of the first reflective film does not overlap with the inclined surface of the insulating film in a planar manner.
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の有機EL装置であって、
第2反射膜、第2画素電極、第2発光層、及び前記対向電極を有し、前記第2反射膜と前記対向電極との間で前記第1色より長波長側の色である第2色の光を共振させる第2画素と、
前記第2画素電極上に発光領域を規定する第2開口部を有する前記絶縁膜と、
を備え、
前記第1反射膜の周縁と前記第1開口部との隙間は、前記第2反射膜の周縁と前記第2開口部との隙間に比べて広くなるように形成されていることを特徴とする有機EL装置。
An organic EL device according to any one of claims 1 to 3,
A second reflective film, a second pixel electrode, a second light emitting layer, and the counter electrode, and a second color that is longer in wavelength than the first color between the second reflective film and the counter electrode. A second pixel that resonates the color light;
The insulating film having a second opening defining a light emitting region on the second pixel electrode;
With
The gap between the peripheral edge of the first reflective film and the first opening is formed to be wider than the gap between the peripheral edge of the second reflective film and the second opening. Organic EL device.
請求項4に記載の有機EL装置であって、
前記第1反射膜における前記第1発光層と反対側に、平面的に前記第1反射膜の形状より大きく前記第1反射膜より低い反射性を有する第1低反射膜を備え、
前記第2反射膜における前記第2発光層と反対側に、平面的に前記第2反射膜の形状より大きく前記第2反射膜より低い反射性を有する第2低反射膜を備えることを特徴とする有機EL装置。
The organic EL device according to claim 4,
On the opposite side of the first reflective film from the first light emitting layer, a first low reflective film having a planarity larger than the shape of the first reflective film and lower than the first reflective film is provided.
A second low reflection film having a reflectivity that is larger than the shape of the second reflection film and lower than the second reflection film in a plane is provided on the opposite side of the second reflection film from the second light emitting layer. Organic EL device.
請求項5に記載の有機EL装置であって、
前記第1反射膜と前記第1低反射膜とは、第1容量回路の一部を構成し、
前記第2反射膜と前記第2低反射膜とは、第2容量回路の一部を構成することを特徴とする有機EL装置。
The organic EL device according to claim 5,
The first reflective film and the first low reflective film constitute a part of the first capacitance circuit,
The organic EL device, wherein the second reflective film and the second low reflective film constitute a part of a second capacitance circuit.
請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の有機EL装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the organic EL device according to any one of claims 1 to 6.
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