JP2013164395A - Semiconductor optical element and semiconductor optical device - Google Patents
Semiconductor optical element and semiconductor optical device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013164395A JP2013164395A JP2012028679A JP2012028679A JP2013164395A JP 2013164395 A JP2013164395 A JP 2013164395A JP 2012028679 A JP2012028679 A JP 2012028679A JP 2012028679 A JP2012028679 A JP 2012028679A JP 2013164395 A JP2013164395 A JP 2013164395A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- absorber
- wavelength
- light
- semiconductor optical
- absorption
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 109
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 13
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体光素子および半導体光装置に関し、特に、熱型の赤外線センサおよび赤外線センサアレイに関する。 The present invention relates to a semiconductor optical device and a semiconductor optical device, and more particularly to a thermal infrared sensor and an infrared sensor array.
熱型の赤外線センサ素子では、センサに入射した赤外線を熱に変換し、温度変化による物性値の変化を電気信号として読み出している。このような赤外線センサ素子において、ある特定の波長の赤外線を選択的に検知する場合には、赤外線センサ素子の前に光学フィルタを装着していた。また、赤外線を吸収する吸収体の表面に凹凸を設けて特定の波長の入射光を選択的に増強させることにより、特定の波長のみを選択的に吸収する構造も知られている(例えば、特許文献1)。 In the thermal infrared sensor element, infrared light incident on the sensor is converted into heat, and changes in physical property values due to temperature changes are read out as electrical signals. In such an infrared sensor element, when an infrared ray having a specific wavelength is selectively detected, an optical filter is mounted in front of the infrared sensor element. In addition, a structure that selectively absorbs only a specific wavelength by providing unevenness on the surface of an absorber that absorbs infrared rays and selectively enhancing incident light of a specific wavelength is also known (for example, a patent) Reference 1).
しかしながら、検知波長を制御する構造を吸収体の表面のみに設けると、迷光や、吸収体の下の基板で反射した光が、吸収体の裏面から入射し、意図した検知波長以外の波長で光の吸収量が増加するという問題があった。 However, if a structure for controlling the detection wavelength is provided only on the surface of the absorber, stray light or light reflected by the substrate under the absorber enters from the back surface of the absorber and is emitted at a wavelength other than the intended detection wavelength. There was a problem that the amount of absorption increased.
そこで、本発明は、検知波長の選択性を向上させた半導体光素子および半導体光装置の提供を目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor optical device and a semiconductor optical device with improved detection wavelength selectivity.
本発明は、表面に波長選択構造部を備え所定の波長の光を選択的に吸収する吸収体と、吸収体の裏面に設けられ光の吸収を防止する吸収防止膜と、吸収体と熱的に接続され温度を検知する温度検知部とを備えた半導体光素子である。 The present invention includes an absorber having a wavelength selection structure portion on the surface, selectively absorbing light of a predetermined wavelength, an absorption preventing film provided on the back surface of the absorber to prevent light absorption, an absorber and a thermal And a temperature detection unit that detects the temperature.
また、本発明は、本発明にかかる半導体光素子をアレイ状に配置した半導体光装置でもある。 The present invention is also a semiconductor optical device in which the semiconductor optical elements according to the present invention are arranged in an array.
本発明にかかる赤外線センサによれば、
表面に波長選択構造部を備え所定の波長の光を選択的に吸収する吸収体と、吸収体の裏面に設けられ光の吸収を防止する吸収防止膜と、吸収体と熱的に接続され温度を検知する温度検知部とを備えるので、吸収体裏面で所定の波長以外の波長の光が吸収されることを防止し、検知波長の選択性を向上させることが可能になる。
According to the infrared sensor of the present invention,
An absorber that has a wavelength selection structure on the surface and selectively absorbs light of a predetermined wavelength, an absorption prevention film that is provided on the back surface of the absorber to prevent light absorption, and is thermally connected to the absorber and temperature Therefore, it is possible to prevent light having a wavelength other than the predetermined wavelength from being absorbed on the back surface of the absorber and improve the selectivity of the detection wavelength.
実施の形態1.
最初に本発明の実施の形態1における半導体光装置の構成について説明する。図1は、全体が1000で表される、本発明の実施の形態1にかかる半導体光装置の斜視図である。半導体光装置1000では、基板1の上に複数の半導体光素子100がX軸およびY軸方向にマトリックス状(アレイ状)に配置されており、Z軸に平行な方向から光が入射する。半導体光素子100の周囲には、半導体光素子100により検出した信号を処理して画像を検出する検出回路1010が設けられている。以下、本発明の実施の形態では、半導体光素子100の一例として、熱型の赤外線センサを用いて説明する。
Embodiment 1 FIG.
First, the configuration of the semiconductor optical device according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor optical device according to a first embodiment of the present invention, the whole being represented by 1000. In the semiconductor
図2は、全体が100で表される、本発明の実施の形態1にかかる熱型の赤外線センサの上面図である。また、図3は、吸収体10を除去した赤外線センサ100の上面図であり、明確化のために配線上の保護膜や反射膜は省略してある。また、図4は、図3の赤外線センサ100をA−A方向に見た場合の断面図(吸収体10等を含む)である。図5は赤外線センサ100の吸収体10の断面図である。
FIG. 2 is a top view of the thermal infrared sensor according to the first embodiment of the present invention, the whole being represented by 100. FIG. FIG. 3 is a top view of the
図2から図4に示すように、赤外線センサ100は、例えば、シリコンからなる基板1を含む。基板1には中空部2が設けられ、中空部2の上には、温度を検知する温度検知部4が支持脚3により支持されている。支持脚3は、ここでは2本であり、図3に示すように、上方から見るとL字型に折れ曲がったブリッジ形状となっている。支持脚3は薄膜金属配線6とこれを支える誘電体膜16を含んでいる。
As shown in FIGS. 2 to 4, the
温度検知部4は、検知膜5と薄膜金属配線6を含む。検知膜5は、例えば、結晶シリコンを用いたダイオードからなる。薄膜金属配線6は支持脚3にも設けられ、絶縁膜12で覆われたアルミニウム配線7と検知膜5とを電気的に接続している。薄膜金属配線6は、例えば、厚さ100nmのチタン合金からなる。検知膜5が出力した電気信号は、支持脚3に形成された薄膜金属配線6を経由してアルミニウム配線7に伝わり、検出回路(図1の1010)により取り出される。薄膜金属配線6と検知膜5の間、および薄膜金属配線6とアルミニウム配線7との間の電気的接続は、必要に応じて上下方向に延在する導電体(図示せず)を介して行っても良い。
The
赤外線を反射する反射膜8は、中空部2を覆うように配置されている。但し、反射膜8と温度検知部4は熱的に接続されない状態で、支持脚3の少なくとも一部の上方を覆うように配置されている。
The
温度検知部4の上には、図4に示すように、支持柱9が設けられ、支持柱9の上に吸収体10が支持されている。つまり、吸収体10は、温度検知部4の上に支持柱9で接続されている。また、吸収体10は、温度検知部4とは熱的に接続されており、吸収体10で生じた温度変化が温度検知部4に伝わるような構成となっている。
一方、吸収体10は、反射膜8とは熱的に接続されない状態で、反射膜8より上方に保持され、反射膜8の少なくとも一部を覆い隠すように側方に板状に広がっている。そのため、赤外線センサ100は、図2に示すように、上方から見ると吸収体10のみが見える。
As shown in FIG. 4, a support column 9 is provided on the
On the other hand, the
吸収体10は、赤外線センサ100の場合、一般的に、赤外線波長域に吸収が存在する材料を用いて形成される。例えば、吸収体10は、金属薄膜と、これを挟むように形成された酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiN)などの絶縁膜との積層構造により形成され、赤外線を吸収する。
In the case of the
吸収体10の表面には、図5に示すように、特定の波長の光の吸収を選択的に増加するような波長選択構造部11が設けられている。また、吸収体10の裏面、つまり支持柱9側には、裏面からの光の吸収を防止する吸収防止膜13が設けられている。このように構成することにより、吸収体10では、所定の波長の光を選択的に吸収することができる。なお、波長選択構造部11においても光の吸収が生じる場合があるので、本実施の形態では、波長選択構造部11を含めて吸収体10とした。
As shown in FIG. 5, a wavelength
波長選択構造部11とは、例えば、周期的な凹凸によって屈折率分布を制御する構造や、表面プラズモンを利用して表面に結合する光を選択することで検知波長を選択する構造、誘電体を多層に積層することにより吸収波長を選択する構造、などがあるが、これらに限らず、波長選択性のある構造であればよい。
The wavelength
以下、例として挙げた波長選択構造部11について詳しく説明する。まず、波長選択構造部11が周期的な凹凸構造の場合について説明する。吸収体10の表面、つまり光の入射面に周期的な凹凸を設け、凹の孔深さや孔径、周期を調整することによって、屈折率分布をコントロールすることができる。屈折率分布を調整することで、光の干渉効果あるいはフォトニックバンド効果により、所望の波長の光の透過量が増加する。その結果、吸収体10における該当波長の光の吸収量を増加させることができる。
Hereinafter, the wavelength
次に、波長選択構造部11が表面プラズモンを利用する構造の場合について説明する。光の入射面がAu,Agなどの金属の場合、入射光が特定の波長や入射角度のときに金属表面で光が吸収される。さらに、金属表面に周期構造を設けると、表面周期構造に応じた波長で表面プラズモンが生じ、光の吸収が生じる。そのため、吸収体10の表面を金属で形成することにより、入射光の波長や入射角度、金属表面の周期構造によって吸収体10の波長選択性を制御することができる。
Next, the case where the wavelength
最後に、波長選択構造部11が誘電体を多層に積層する構造の場合について説明する。誘電体を多層に積層した多層膜では、膜材料の屈折率と厚さによって光の多重干渉が生じる。そのため、吸収体10の表面に誘電体の多層膜を設け、多層膜の膜材料や厚さを調整して所望の波長における光の透過を増加させることにより、吸収体10における該当波長の光の吸収量を増加させることができる。
Finally, the case where the wavelength
吸収体10の表面に設けられた吸収防止膜13は、対象とする波長域において光の反射率の大きい材料を用いて形成された単層構造の層である。例えば、本実施の形態1ように、赤外線波長域を対象とする赤外線センサ100の場合、吸収体10の裏面には、Al,Au,Agなど、赤外線波長域において反射率の大きい材料を用いた平板状の金属膜をスパッタ法や蒸着等で形成する。吸収防止膜13の厚さは、対象とする波長域の光を透過しない厚さ(表皮厚さ)以上の厚さであれば特に問わない。このように、吸収体10の裏面に金属膜を形成することにより、裏面からの光の吸収を防止することができる。
The
通常、支持柱9と吸収体10とは一体構造からなる。この場合、吸収防止膜13は、吸収体10の裏面のうち支持柱9との接合部を除いた部分に設けられる。しかし、吸収防止膜13にも熱伝導性があり、熱的な接続が可能であれば、図4に示すように、支持柱9と吸収体10とが吸収防止膜13を介して接合されていても良い。
Usually, the support column 9 and the
ここで、吸収体の裏側に吸収防止膜を備えていない赤外線センサの動作について図を用いて説明する。図6(a)は吸収体の裏側に吸収防止膜を備えていない赤外線センサ200の断面図である。図6(b)は図6(a)の破線の四角で囲んだ部分の拡大図である。赤外線センサ200は、吸収体10の裏面に吸収防止膜13を備えていない点が本実施の形態の赤外線センサ100と異なる。
Here, the operation of the infrared sensor not provided with the absorption preventing film on the back side of the absorber will be described with reference to the drawings. FIG. 6A is a cross-sectional view of an
赤外線センサ200に入射した光は、主に吸収体10で吸収される。図6(b)にI1で示す矢印が、吸収体10の表面に入射する光である。吸収体10に吸収された光は熱に変換され、支持柱9を通って温度検知部4に伝わる。検知膜5の電気抵抗は温度により変化するため、温度検知部4に伝わった熱により検知膜5の電気抵抗が変化する。検知膜5の電気抵抗の変化は、外部に設けた検出回路で検出される。これにより、吸収体10に入射した光の量が電気信号として検出される。ここでは反射膜8を設けた構造を示したが、反射膜8はなくても良い。
The light incident on the
この場合、赤外線センサ200では、吸収体10の表面に波長選択構造部11が設けられているので、波長選択構造部11により選択される特定波長の光の吸収量が増加する。
In this case, in the
一方、一般的に、赤外線センサ200に入射した光の一部は、迷光となり、吸収体10の裏面側にも回りこむ。回りこんだ光は、反射膜8で反射され、吸収体10の裏面から入射して吸収される。図6(b)にI2で示す矢印が、吸収体10の裏面に回りこんで反射膜8で反射された光である。また、吸収体10の表面に入射した光I1の一部は、吸収体10を透過し、反射膜8で反射され、吸収体10の裏面から入射して吸収される。図6(b)にI3で示す矢印が、吸収体10を透過して反射膜8で反射された光である。特許文献1のような構造においても、同様に、裏面側に回りこんだ光が、センサシステムあるいはパッケージ内で乱反射され、吸収体(受光膜)の裏面から入射して吸収される。仮に、反射膜8のない構造であっても、裏面側に回りこんだ光は、吸収体10の裏面方向にある基板1などの構造物によって反射され、吸収体10に到達する。また、赤外線センサ200がアレイ化された場合には、赤外線センサ200と赤外線センサ200との間から入射した光が、乱反射し、吸収体10の裏面に到達して吸収される。
On the other hand, in general, a part of the light incident on the
吸収体10の裏側に回りこんで反射膜8で反射された光I2には、波長選択構造部11により選択される特定波長以外の波長の光が含まれる。吸収体10を透過して反射面8で反射された光I3についても、同様に、波長選択構造部11が特定波長の光のみ完全に選択する場合を除いて、特定波長以外の波長の光が含まれる。しかし、赤外線センサ200においては、吸収体10の裏面に波長選択構造部11がないので、波長選択構造部11により選択される所定の波長とは異なる波長の光が、吸収体10の裏面から入射して吸収される。そのため、吸収体10の裏側に吸収防止膜13を設けていない赤外線センサ200では、意図しない波長の光の吸収が発生する。
The light I2 that wraps around the back side of the
例えば、吸収体10の材料がSiN、SiO2の場合には、材料自体が波長8〜14μm付近の赤外線を吸収する。このとき、検知波長が10μmになるように波長選択構造部11を設定すると、吸収体10の表面から入射した光のうち、波長10μmの赤外線が選択的に吸収される。しかし、赤外線センサ200に入射した光が吸収体10の裏面側に回りこみ、波長選択構造部11のない裏面側から吸収体10に入射すると、波長選択構造部11で設定した10μmだけではなく、8〜14μm付近の波長の光が吸収体10で検知され、検知波長の選択性が低下する。また、吸収体10の材料自体の吸収があることから、選択波長以外の波長の吸収も完全には0%にならない。このため、選択波長以外の光も吸収体10を透過し、同様に吸収体10の裏面から再入射し、吸収体10で吸収されるため、波長選択性が劣化する。
他の材料においても、同様に、波長選択構造部11で決定される特定の波長以外の吸収波長が吸収体10に存在する場合、意図した検知波長以外の波長の光が吸収体10で吸収される。
For example, when the material of the
Similarly, in other materials, when an absorption wavelength other than the specific wavelength determined by the
これに対し、本実施の形態の赤外線センサ100では、吸収体10の裏面に吸収防止膜13を備えているので、吸収体10の裏面に到達した光が吸収防止膜13、つまり金属のミラーによって反射される。その結果、表面に設けた波長選択構造部11によって設定した所定の検知波長の入射光のみが吸収体10で吸収され、裏面からの吸収に起因する、検知波長以外の波長の光の吸収を防止することが可能になり、検知波長の選択性が向上する。
On the other hand, in the
また、波長選択構造部11により選択された特定波長であっても、吸収されずに吸収体10を透過した光が、吸収体10の裏面に設けられた吸収防止膜13で反射して折り返され、再び吸収体10に入射する。これにより、従来、吸収体10を透過していた光が、吸収体10で吸収されるようになる。このため、吸収体10の裏面における光の透過率が1.0未満になることを考慮すると、一旦、吸収体10を透過して反射膜8などで反射された光が、再び裏面から吸収体10に入射し、さらに吸収体10を透過しつつ吸収される場合と比較して、特定波長の光の吸収量がさらに増加する。
In addition, even if the specific wavelength is selected by the wavelength
以上のように、赤外線センサ100においては、吸収体10の裏面に吸収防止膜13を備えたことにより、波長選択構造部11で選択した波長とは異なる波長の光が吸収体10の裏面から入射したとしても、吸収防止膜13で反射され、吸収体10で吸収されることはない。そのため、赤外線センサ100の波長選択性を向上させることができる。
As described above, in the
実施の形態2.
本発明の実施の形態2における赤外線センサの構成について説明する。図7は、本発明の実施の形態2にかかる熱型の赤外線センサの吸収体20を図3のA−A方向に相当する方向から見た場合の断面図である。
この実施の形態においては、吸収体20の表面だけでなく、吸収体20の裏面にも波長選択構造部21bを設けた点が実施の形態1と異なる。本実施の形態のこれ以外の構成は、上述した実施の形態1と同様であるので、同一の要素についてはその説明を繰り返さない。
The configuration of the infrared sensor according to
This embodiment is different from the first embodiment in that the
本発明の実施の形態2における赤外線センサの吸収体20の裏面には、表面に設けられた波長選択構造部21aと同じ構造の波長選択構造部21bが設けられている。これにより、吸収体20では、波長選択構造部21a,21bで設定した所定の波長の光が選択的に吸収される。また、吸収体20の裏面側に回りこんだ光が、吸収体20の裏面から入射した場合には、吸収体20では、表面に設けられた波長選択構造部21aで選択的に吸収された波長と同じ波長の光のみが吸収される。
On the back surface of the
また、本実施の形態2の赤外線センサでは、表面と裏面に波長選択構造部21a,21bを設けたことにより、吸収体20の裏面からも光を吸収することができるので、実施の形態1の赤外線センサ100と比較して、波長選択構造部21a,21bで設定した検知波長における光の吸収量が大きくなる。その結果、該当する検知波長における赤外線センサの感度を増加させることができる。
Moreover, in the infrared sensor of this
以上のように、本実施の形態1および2で述べたような、吸収体10の裏面に吸収防止膜13を備えた裏面吸収防止構造、および吸収体20の表と裏の両面に波長選択構造部21a,21bを設けた構造は、サーモパイル、ボロメータ等の他の熱型赤外線検知方式のセンサにおける吸収構造としても有効である。特に熱型赤外線センサは、断熱構造を実現するため、吸収部の下部を中空化する。このため、中空部分を通り抜けた光が乱反射し、吸収体裏面に到達する光は無視できない。
As described above, as described in the first and second embodiments, the back surface absorption preventing structure including the
また、本実施の形態1および2の構成は、赤外線以外の波長域、例えば可視、近赤外、THz領域の波長の光においても有効である。 The configurations of the first and second embodiments are also effective in light having a wavelength range other than infrared rays, for example, wavelengths in the visible, near infrared, and THz regions.
1 基板、2 中空部、3 支持脚、4 温度検知部、5 検知膜、6 薄膜金属配線、7 アルミニウム配線、8 反射膜、9 支持柱、10 吸収体、11 波長選択構造部、12 絶縁膜、13 吸収防止膜、20 吸収体、21a 波長選択構造部、21b 波長選択構造部、100 赤外線センサ、1000 赤外線センサアレイ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate, 2 Hollow part, 3 Support leg, 4 Temperature detection part, 5 Detection film | membrane, 6 Thin film metal wiring, 7 Aluminum wiring, 8 Reflective film, 9 Support pillar, 10 Absorber, 11 Wavelength selection structure part, 12 Insulating film , 13 Absorption prevention film, 20 Absorber, 21a Wavelength selection structure, 21b Wavelength selection structure, 100 infrared sensor, 1000 infrared sensor array.
Claims (4)
前記吸収体の裏面に設けられ前記光の吸収を防止する吸収防止膜と、
前記吸収体と熱的に接続され温度を検知する温度検知部と
を備えた半導体光素子。 An absorber having a wavelength selection structure on the surface and selectively absorbing light of a predetermined wavelength;
An absorption preventing film provided on the back surface of the absorber to prevent absorption of the light;
The semiconductor optical element provided with the temperature detection part which is thermally connected with the said absorber and detects temperature.
前記吸収体と熱的に接続され温度を検知する温度検知部と
を備えた半導体光素子。 An absorber that selectively absorbs light of a predetermined wavelength by providing wavelength selection structures on the front surface and the back surface;
The semiconductor optical element provided with the temperature detection part which is thermally connected with the said absorber and detects temperature.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012028679A JP5757254B2 (en) | 2012-02-13 | 2012-02-13 | Semiconductor optical device and semiconductor optical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012028679A JP5757254B2 (en) | 2012-02-13 | 2012-02-13 | Semiconductor optical device and semiconductor optical device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013164395A true JP2013164395A (en) | 2013-08-22 |
JP5757254B2 JP5757254B2 (en) | 2015-07-29 |
Family
ID=49175809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012028679A Active JP5757254B2 (en) | 2012-02-13 | 2012-02-13 | Semiconductor optical device and semiconductor optical device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5757254B2 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01142418A (en) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Toshiba Corp | Infrared-ray detecting element |
JPH07120307A (en) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Infrared detector |
JP2001153722A (en) * | 1999-09-16 | 2001-06-08 | Sharp Corp | Heat type infrared detecting element and image pickup device using same |
JP2012026861A (en) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Seiko Epson Corp | Thermal type detector, thermal type detection device and electronic equipment |
-
2012
- 2012-02-13 JP JP2012028679A patent/JP5757254B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01142418A (en) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Toshiba Corp | Infrared-ray detecting element |
JPH07120307A (en) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Infrared detector |
JP2001153722A (en) * | 1999-09-16 | 2001-06-08 | Sharp Corp | Heat type infrared detecting element and image pickup device using same |
JP2012026861A (en) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Seiko Epson Corp | Thermal type detector, thermal type detection device and electronic equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5757254B2 (en) | 2015-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3597069B2 (en) | Thermal infrared array sensor for detecting multiple infrared wavelength bands | |
JP6093921B1 (en) | Electromagnetic wave detector, electromagnetic wave detector array, and gas analyzer | |
US8642963B2 (en) | Thermal detector, thermal detection device, electronic instrument, and thermal detector manufacturing method | |
JP3514681B2 (en) | Infrared detector | |
WO2009039683A1 (en) | Infrared sensor, focal plane array and infrared imaging system thereof | |
JP6095856B2 (en) | Electromagnetic wave detector and gas analyzer | |
KR101427431B1 (en) | Infrared absorber and thermal infrared detector | |
US8039798B2 (en) | Dual-wavelength thermal infrared sensor | |
KR20190134635A (en) | Photodetector | |
JP6401647B2 (en) | Infrared sensor and infrared sensor array | |
JP5706174B2 (en) | Infrared sensor and infrared sensor array | |
JP5907011B2 (en) | Optical sensor | |
JP5757254B2 (en) | Semiconductor optical device and semiconductor optical device | |
CN114739519B (en) | Packaging cover plate of detector, preparation method of packaging cover plate and detector | |
JP6726087B2 (en) | Photo detector | |
JP6860755B1 (en) | Photodetector | |
JP2002071451A (en) | Thermal infrared detecting element and infrared image pickup device using it | |
JP6206810B2 (en) | Infrared gas sensor | |
JP2011123023A (en) | Photosensor | |
JP6202440B2 (en) | Infrared gas sensor | |
JP5861264B2 (en) | Infrared detector | |
JP5456810B2 (en) | Thermal infrared detector | |
JP2013253896A (en) | Photo detector, camera, and electronic apparatus | |
JP6230652B2 (en) | Infrared sensor | |
JP5877661B2 (en) | Infrared shutter mechanism and infrared measuring instrument |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131017 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140312 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20140326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140415 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150520 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5757254 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |