JP2013162030A - Electronic device and electronic apparatus - Google Patents

Electronic device and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2013162030A
JP2013162030A JP2012024156A JP2012024156A JP2013162030A JP 2013162030 A JP2013162030 A JP 2013162030A JP 2012024156 A JP2012024156 A JP 2012024156A JP 2012024156 A JP2012024156 A JP 2012024156A JP 2013162030 A JP2013162030 A JP 2013162030A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
substrate
recess
electronic device
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012024156A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideyuki Sugano
英幸 菅野
Kyo Horie
協 堀江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2012024156A priority Critical patent/JP2013162030A/en
Publication of JP2013162030A publication Critical patent/JP2013162030A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device that is made compact and increased in manufacturing yield by preventing a package from being broken in a manufacturing process therefor, and an electronic apparatus including the same.SOLUTION: An electronic device (piezoelectric device 10) includes a package 12 having a first recessed part 16 in which an electronic component (piezoelectric vibration chip 72) is housed and a second recessed part 60 sharing a bottom part of the first recessed part 16 and opened to the opposite direction from the first recessed part 16, and a lid 84G sealing the opening part of the first recessed part 16, and is characterized in that an inner wall surface of the second recessed part 60 includes a groove 66 which partially extends along a depth of the second recessed part 60 and is arcuate in plane view, and the groove 66 is filled with metal bodies 68E and 68F.

Description

本発明は、電子デバイス、及び電子機器に関し、特に小型化された電子デバイスの製造工程中のパッケージの破損を防止する技術に関する。   The present invention relates to an electronic device and an electronic apparatus, and more particularly to a technique for preventing breakage of a package during a manufacturing process of a miniaturized electronic device.

従来より、発振器の小型化を目的として、振動を励起させる圧電振動片と、発振を制御する集積回路(IC)とを、積層方向に重ねて配置する構造が電子デバイスのうちの一つとして知られている。このような構造を有する電子デバイスの一例としては、図9に示すような、いわゆるH型断面を有するパッケージを備えたものが挙げられる(特許文献1、2参照)。   Conventionally, for the purpose of reducing the size of an oscillator, a structure in which a piezoelectric vibrating reed that excites vibration and an integrated circuit (IC) that controls oscillation are stacked in the stacking direction is known as one of electronic devices. It has been. As an example of an electronic device having such a structure, a device having a so-called H-shaped package as shown in FIG. 9 can be cited (see Patent Documents 1 and 2).

図9に従来技術の圧電デバイスの断面図を示し、図10に、図9の底面図を示す。なお、図9は、図10のA−A断面図となっている。図9に示すように、従来技術に係る圧電デバイス100は、積層構造のパッケージ102と、パッケージ102の上部の第1の凹部108に配置された圧電振動片114と、第1の凹部108の開口部を封止するリッド116を有している。パッケージ102は、圧電振動片114が搭載されるセンター基板104と、センター基板104の上面の周縁に接合され第1の凹部108を形成する第1枠状基板106と、センター基板104の下面の周縁に接合され第2の凹部112を形成する第2枠状基板110と、を有する。そして、第2の凹部112には、圧電振動片114と電気的に接続する集積回路118が配置されている。   FIG. 9 shows a sectional view of a conventional piezoelectric device, and FIG. 10 shows a bottom view of FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. As shown in FIG. 9, the piezoelectric device 100 according to the related art includes a package 102 having a laminated structure, a piezoelectric vibrating piece 114 disposed in a first recess 108 on the top of the package 102, and an opening of the first recess 108. A lid 116 for sealing the portion. The package 102 includes a center substrate 104 on which the piezoelectric vibrating piece 114 is mounted, a first frame substrate 106 bonded to the periphery of the upper surface of the center substrate 104 to form a first recess 108, and a periphery of the lower surface of the center substrate 104. And a second frame-like substrate 110 which is joined to form a second recess 112. In the second recess 112, an integrated circuit 118 that is electrically connected to the piezoelectric vibrating piece 114 is disposed.

図9、図10に示すように第2の凹部112の底面には、集積回路118のパッド電極120とバンプ128を介して接合する接続電極122が複数配置されている。接続電極122のうちの一部は、センター基板104を厚み方向に貫通する貫通電極(不図示)を介して圧電振動片114に電気的に接続される。また、残りの接続電極122は、第2枠状基板110を厚み方向に貫通する貫通電極124を介してパッケージ102の下端に配置された実装電極126と電気的に接続されている。   As shown in FIGS. 9 and 10, a plurality of connection electrodes 122 that are bonded to the bottom surface of the second recess 112 via the pad electrodes 120 of the integrated circuit 118 and the bumps 128 are disposed. A part of the connection electrode 122 is electrically connected to the piezoelectric vibrating piece 114 via a through electrode (not shown) penetrating the center substrate 104 in the thickness direction. Further, the remaining connection electrodes 122 are electrically connected to the mounting electrode 126 disposed at the lower end of the package 102 via a through electrode 124 that penetrates the second frame substrate 110 in the thickness direction.

圧電デバイス100の製造工程としては、まず、図9に示すようにセンター基板104、第1枠状基板106、第2枠状基板110により、断面がH型となるパッケージ102を構築する。そして、圧電振動片114を第1の凹部108に収容して実装し、パッケージ102の第1の凹部108の開口部の周囲となる位置と、リッド116と、をシーム溶接により接合し、第2の凹部112に集積回路118を収容して実装する工程を経ることになる。   As a manufacturing process of the piezoelectric device 100, first, as shown in FIG. 9, a package 102 having an H-shaped cross section is constructed by a center substrate 104, a first frame substrate 106, and a second frame substrate 110. Then, the piezoelectric vibrating piece 114 is accommodated and mounted in the first recess 108, the position around the opening of the first recess 108 of the package 102 and the lid 116 are joined by seam welding, and the second The integrated circuit 118 is accommodated in the recess 112 and mounted.

特開2000−138553号公報JP 2000-138553 A 特開2011−228978号公報JP 2011-228978 A

しかし、上述の圧電デバイス100に代表される電子デバイスを小型化するにつれ、図10に示す貫通基板124a、すなわち、第2枠状基板110の角部以外の部分の貫通電極124aの形成が困難となる。すなわち、その位置に貫通電極124aを形成しても、シーム溶接時の熱歪みを受けて貫通電極124a形成部分を基点として第2枠状基板110(パッケージ102)が破損するおそれがある。   However, as the electronic device typified by the piezoelectric device 100 described above is downsized, it is difficult to form the through electrode 124a shown in FIG. 10, that is, the through electrode 124a other than the corners of the second frame substrate 110. Become. That is, even if the through electrode 124a is formed at that position, the second frame substrate 110 (package 102) may be damaged with the through electrode 124a forming portion as a base point due to thermal distortion during seam welding.

そこで、本発明は、上記問題点に着目し、小型化された電子デバイスにおいて、その製造工程中のパッケージの破損を防止して製造歩留を高めた電子デバイス、及びこれを包含する電子機器を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention pays attention to the above-mentioned problems, and in an electronic device that is miniaturized, an electronic device that prevents the package from being damaged during the manufacturing process and increases the manufacturing yield, and an electronic apparatus including the electronic device. The purpose is to provide.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
[適用例1]電子部品を収容する第1の凹部と、前記第1の凹部の底部を共有し前記第1の凹部とは逆方向に開口した第2の凹部と、を有するパッケージと、前記第1の凹部の開口部を封止しているリッドと、を備えた電子デバイスであって、前記第2の凹部の内側の壁面は、その一部が前記第2の凹部の深さ方向に延びている平面視で円弧形の溝を有しており、前記溝は、金属体により充填されていることを特徴とする電子デバイス。
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following application examples.
Application Example 1 A package having a first recess that accommodates an electronic component, and a second recess that shares the bottom of the first recess and opens in a direction opposite to the first recess, A lid that seals the opening of the first recess, and a part of the inner wall surface of the second recess is in the depth direction of the second recess. An electronic device having an arcuate groove extending in a plan view, the groove being filled with a metal body.

上記構成により、第2の凹部の壁面を形成する部材の厚みをある程度確保することができるので、パッケージ全体の強度を高めることができる。また、このとき、金属体を配置した部分にリッドのシーム溶接に伴う熱歪みが集中する。しかし、金属体がその熱歪みを吸収することができる。したがって、パッケージの破損を防止して製造歩留を高めた電子デバイスとなる。   With the above configuration, the thickness of the member forming the wall surface of the second recess can be ensured to some extent, so that the strength of the entire package can be increased. At this time, the thermal strain accompanying the seam welding of the lid is concentrated on the portion where the metal body is disposed. However, the metal body can absorb the thermal strain. Therefore, the electronic device has an improved manufacturing yield by preventing breakage of the package.

[適用例2]前記パッケージは、センター基板と、前記センター基板の一方の主面の周縁に接続され、前記センター基板における前記周縁に囲まれた範囲を底部とした前記第1の凹部を形成するとともに前記リッドに接合する第1の枠状基板と、前記センター基板の他方の主面の周縁に接続され、前記センター基板における前記周縁に囲まれた範囲を底部とした前記第2の凹部を形成する第2の枠状基板と、を有することを特徴とする適用例1に記載の電子デバイス。
上記構成により、電子デバイスを積層構造により形成してコストを抑制することができる。
Application Example 2 The package is connected to a center substrate and a peripheral edge of one main surface of the center substrate, and forms the first recess having a bottom surrounded by the periphery of the center substrate. And a first frame-like substrate to be joined to the lid, and the second concave portion connected to the periphery of the other main surface of the center substrate and having a range surrounded by the periphery of the center substrate as a bottom. The electronic device according to Application Example 1, wherein the electronic device includes a second frame-shaped substrate.
With the above structure, the electronic device can be formed with a stacked structure to reduce costs.

[適用例3]前記パッケージの材料は、セラミックであることを特徴とする適用例1または2に記載の電子デバイス。
上記構成により、パッケージ材料をセラミックとしても、金属体にシーム溶接に伴う熱歪みを集中させることができるので、パッケージ材料のコストを抑制しつつ、製造歩留を高めた電子デバイスとなる。
[Application Example 3] The electronic device according to Application Example 1 or 2, wherein a material of the package is ceramic.
With the above configuration, even if the package material is ceramic, the thermal strain accompanying seam welding can be concentrated on the metal body, so that the electronic device can be manufactured with increased manufacturing yield while suppressing the cost of the package material.

[適用例4]前記溝は、前記壁面の幅方向の中央となる位置から前記壁面の幅方向の端部側に離間した位置に配置されていることを特徴とする適用例1乃至3のいずれか1例に記載の電子デバイス。   [Application Example 4] Any one of Application Examples 1 to 3, wherein the groove is disposed at a position separated from a center position in the width direction of the wall surface toward an end portion side in the width direction of the wall surface. Or an electronic device as described in one example.

第2の凹部の壁面の幅方向の中央となる位置は、シーム溶接に伴う熱歪みが集中する場所である。よって、上記構成のように、金属体をその位置から離間した位置に配置することにより、熱歪みの集中箇所を、パッケージの第2の凹部の壁面の幅方向の中央となる位置と、金属体と、に分散させることができる。したがって、パッケージ全体の熱歪みに対する耐久性を高めることができる。   The central position in the width direction of the wall surface of the second recess is a place where thermal strain accompanying seam welding is concentrated. Therefore, by arranging the metal body at a position away from the position as in the above configuration, the location where the thermal strain concentration portion becomes the center in the width direction of the wall surface of the second recess of the package, and the metal body And can be dispersed. Therefore, durability against thermal distortion of the entire package can be enhanced.

[適用例5]前記溝は、前記壁面に複数配置されていることを特徴とする適用例1乃至4のいずれか1例に記載の電子デバイス。
上記構成により、熱歪みの集中箇所を複数の金属体に分散させることができるので、パッケージ全体の熱歪みに対する耐久性をさらに高めることができる。
Application Example 5 The electronic device according to any one of Application Examples 1 to 4, wherein a plurality of the grooves are arranged on the wall surface.
With the above-described configuration, the location where thermal strain is concentrated can be dispersed in a plurality of metal bodies, so that the durability of the entire package against thermal strain can be further improved.

[適用例6]前記第2の凹部の開口部の周囲には、実装端子が設けられ、前記溝及び前記金属体は、前記第2の凹部の開口部の縁まで延出して前記金属体が前記実装端子に接続していることを特徴とする適用例1乃至5のいずれか1例に記載の電子デバイス。   Application Example 6 A mounting terminal is provided around the opening of the second recess, and the groove and the metal body extend to an edge of the opening of the second recess so that the metal body The electronic device according to any one of Application Examples 1 to 5, wherein the electronic device is connected to the mounting terminal.

上記構成により、金属体を、電子デバイスを構成する電極の一部として用いることができるとともに、実装電極が実装先の基板から受ける応力を金属体に集中させ、パッケージが実装先の基板から受ける応力を低減させることができる。   With the above configuration, the metal body can be used as a part of the electrodes constituting the electronic device, and the stress that the mounting electrode receives from the mounting substrate is concentrated on the metal body, and the stress that the package receives from the mounting substrate. Can be reduced.

[適用例7]前記第2の凹部には、第2の電子部品が配置され、前記金属体は、前記第2の電子部品に電気的に接続されていることを特徴とする適用例6に記載の電子デバイス。
上記構成により、第2の電子部品に接続電極の個数に応じて金属体を形成することができるので、パッケージ全体の強度を維持することができる。
Application Example 7 In Application Example 6, in which the second electronic component is disposed in the second recess, and the metal body is electrically connected to the second electronic component. The electronic device described.
With the above configuration, the metal body can be formed on the second electronic component in accordance with the number of connection electrodes, so that the strength of the entire package can be maintained.

[適用例8]適用例1乃至7のいずれか1例に記載の電子デバイスを搭載していることを特徴とする電子機器。
適用例1と同様の理由により、パッケージの破損を防止して製造歩留を高めた電子機器となる。
[Application Example 8] An electronic apparatus including the electronic device according to any one of Application Examples 1 to 7.
For the same reason as in Application Example 1, the electronic device has an improved manufacturing yield by preventing package damage.

本実施形態の圧電デバイスの分解斜視図(その1)である。It is a disassembled perspective view (the 1) of the piezoelectric device of this embodiment. 本実施形態の圧電デバイスの分解斜視図(その2)である。It is a disassembled perspective view (the 2) of the piezoelectric device of this embodiment. 図1、図2のA−A線断面図である。It is the sectional view on the AA line of FIG. 1, FIG. 本実施形態の圧電デバイスの平面図である。It is a top view of the piezoelectric device of this embodiment. 本実施形態のセンター基板の底面図である。It is a bottom view of the center board | substrate of this embodiment. 本実施形態の圧電デバイスの底面図(集積回路実装前)である。It is a bottom view (before integrated circuit mounting) of the piezoelectric device of this embodiment. 本実施形態の圧電デバイスの底面図(集積回路実装後)である。It is a bottom view (after integrated circuit mounting) of the piezoelectric device of this embodiment. 本実施形態の圧電デバイスを搭載した電子機器の模式図である。It is a schematic diagram of the electronic device carrying the piezoelectric device of this embodiment. 従来技術の圧電デバイスの断面図である。It is sectional drawing of the piezoelectric device of a prior art. 図9の底面図である。FIG. 10 is a bottom view of FIG. 9.

以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments shown in the drawings. However, the components, types, combinations, shapes, relative arrangements, and the like described in this embodiment are merely illustrative examples and not intended to limit the scope of the present invention only unless otherwise specified. .

図1、図2に本実施形態の圧電デバイスの分解斜視図を示す。図3に、図1、図2のA−A断面図を示し、図4に、本実施形態の圧電デバイスの平面図(リッドを省略)を示す。図5に、本実施形態のセンター基板の底面図を示す。図6に、本実施形態の圧電デバイスの底面図(集積回路実装前)を示し、図7に、本実施形態の圧電デバイスの底面図(集積回路実装後)を示す。   1 and 2 are exploded perspective views of the piezoelectric device of this embodiment. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIGS. 1 and 2, and FIG. 4 is a plan view of the piezoelectric device of the present embodiment (with the lid omitted). In FIG. 5, the bottom view of the center board | substrate of this embodiment is shown. FIG. 6 shows a bottom view (before the integrated circuit is mounted) of the piezoelectric device of the present embodiment, and FIG. 7 shows a bottom view (after the integrated circuit is mounted) of the piezoelectric device of the present embodiment.

ここで、図1、図2は、図3において下向きとなる面が見える角度から(−Z軸方向から)各構成要素を分解した状態を記載している。よって、図1、図2においては、実線により上向きの面として見える面が各構成要素の下面となっており、破線により下向きの面として見える面が各構成要素の上面となっている。図3は、図4乃至図7のA−A線断面図にも対応する。また、図において、X軸、Y軸、Z軸は互いに直交するものとする。   Here, FIG. 1 and FIG. 2 describe a state in which each component is disassembled from an angle at which a downward surface can be seen in FIG. 3 (from the −Z axis direction). Therefore, in FIGS. 1 and 2, the surface that appears as an upward surface by a solid line is the lower surface of each component, and the surface that appears as a downward surface by a broken line is the upper surface of each component. FIG. 3 also corresponds to a cross-sectional view taken along line AA in FIGS. In the figure, the X, Y, and Z axes are orthogonal to each other.

図1乃至図3に示すように、本実施形態の圧電デバイス10(電子デバイス)は、断面がH型(図3参照)となるパッケージ12と、パッケージ12の第1の凹部16に収容された圧電振動片72(電子部品)と、第1の凹部16の開口部を封止する金属のリッド84Gと、パッケージ12の第2の凹部60に収容された集積回路54(第2の電子部品)等により全体の外形が構築されている。よって、図3に示すように、第1の凹部16と、第2の凹部60とは、その底部を共有する形となっており、開口する向きが互いに逆方向となっている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the piezoelectric device 10 (electronic device) of the present embodiment is housed in a package 12 whose cross section is H-shaped (see FIG. 3) and a first recess 16 of the package 12. Piezoelectric vibrating piece 72 (electronic component), metal lid 84G that seals the opening of first recess 16, and integrated circuit 54 (second electronic component) housed in second recess 60 of package 12 The whole outline is constructed by the above. Therefore, as shown in FIG. 3, the first recess 16 and the second recess 60 share the bottom, and the opening directions are opposite to each other.

パッケージ12は、セラミック等の絶縁材料の積層構造により構築され、下から第2枠状基板58、第2センター基板38、第1センター基板24、第1枠状基板14の順に積層された4層構造となっている。   The package 12 is constructed by a laminated structure of insulating materials such as ceramics, and has four layers in which a second frame substrate 58, a second center substrate 38, a first center substrate 24, and a first frame substrate 14 are laminated in this order from the bottom. It has a structure.

第1センター基板24は、圧電振動片72が実装される矩形の基板であり、第1枠状基板14及び第2センター基板38に接合するものである。第2センター基板38は、集積回路54が実装されるとともに、第2枠状基板58及び第1センター基板24に接合するものである。   The first center substrate 24 is a rectangular substrate on which the piezoelectric vibrating piece 72 is mounted, and is bonded to the first frame substrate 14 and the second center substrate 38. The second center substrate 38 is mounted with the integrated circuit 54 and joined to the second frame substrate 58 and the first center substrate 24.

第1枠状基板14は、第1センター基板24の上面の周縁に接合される矩形のリング状の基板である。そして、第1枠状基板14は、第1センター基板24の周縁に接合されることにより、第1センター基板24の上面の第1枠状基板14と接合した部分(周縁)に囲まれた領域を底面とし、圧電振動片72を収容する第1の凹部16を形成する。   The first frame-shaped substrate 14 is a rectangular ring-shaped substrate bonded to the periphery of the upper surface of the first center substrate 24. And the 1st frame-shaped board | substrate 14 is joined to the periphery of the 1st center board | substrate 24, The area | region enclosed by the part (periphery) joined to the 1st frame-shaped board | substrate 14 of the upper surface of the 1st center board | substrate 24 Is used as a bottom surface, and the first recess 16 for accommodating the piezoelectric vibrating piece 72 is formed.

第2枠状基板58は、第2センター基板38の下面の周縁に接合される矩形のリング状の基板である。そして、第2枠状基板58は、第2センター基板38の周縁に接合されることにより、第2センター基板38の下面の第2枠状基板と接合した部分(周縁)に囲まれた領域を底面とし、集積回路54を収容する第2の凹部60を形成する。   The second frame-shaped substrate 58 is a rectangular ring-shaped substrate bonded to the periphery of the lower surface of the second center substrate 38. Then, the second frame substrate 58 is bonded to the periphery of the second center substrate 38, so that a region surrounded by a portion (periphery) bonded to the second frame substrate on the lower surface of the second center substrate 38 is formed. A second recess 60 for accommodating the integrated circuit 54 is formed on the bottom surface.

圧電デバイス10では、図1に示すように、第2の凹部60の内側の壁面に、第2の凹部60の深さ方向に長手方向を有し、平面視(Z軸方向からみた断面)で円弧形(半円形でもよい)の溝66が配置され、この溝66に金属体68E,68Fが充填されていることが特徴となっている。   In the piezoelectric device 10, as shown in FIG. 1, the inner wall surface of the second recess 60 has a longitudinal direction in the depth direction of the second recess 60, and is a plan view (cross section viewed from the Z-axis direction). An arc-shaped (may be semi-circular) groove 66 is arranged, and the groove 66 is filled with metal bodies 68E and 68F.

上記構成において、リッド84Gと、パッケージ12とは、シーム溶接により互いに接合されるが、シーム溶接は、接合部分が高熱となった状態で行なわれる。一方、リッド84G(金属)の熱膨張係数は、パッケージ12の熱膨張係数より大きいため、シーム溶接後に冷却するとリッド84Gの収縮量がパッケージ12の収縮量よりも大きくなる。よって、パッケージ12は、第1の凹部16の開口部を狭める方向にリッド84Gから熱歪みを受けることになる。これにより、第1センター基板24、第2センター基板38、第2枠状基板58はその周縁がリッド84G側に引っ張られる方向に熱歪みを受けて湾曲する。   In the above configuration, the lid 84G and the package 12 are joined to each other by seam welding, and the seam welding is performed in a state where the joining portion is heated. On the other hand, since the thermal expansion coefficient of the lid 84G (metal) is larger than the thermal expansion coefficient of the package 12, the shrinkage amount of the lid 84G becomes larger than the shrinkage amount of the package 12 when cooled after seam welding. Therefore, the package 12 receives thermal distortion from the lid 84 </ b> G in the direction of narrowing the opening of the first recess 16. As a result, the first center substrate 24, the second center substrate 38, and the second frame substrate 58 are curved by receiving thermal strain in the direction in which the peripheral edge is pulled toward the lid 84G.

よって、第2枠状基板58においては、第2の凹部60の開口部が拡がる方向に熱歪みを受けることになる。このとき、第2枠状基板58の角部と角部の間となる部分(図3、図6、図7の中心線が通る部分)は最も熱歪みが集中する部分となる。この部分に従来技術(図10)のように貫通電極124aを形成すると、その部分の強度が著しく弱くなり、第2枠状基板58に亀裂が入り破損することになる。   Therefore, the second frame substrate 58 is subjected to thermal strain in the direction in which the opening of the second recess 60 expands. At this time, the portion between the corner portions of the second frame-shaped substrate 58 (portion through which the center line in FIGS. 3, 6, and 7 passes) is a portion where the thermal strain is most concentrated. If the through electrode 124a is formed in this portion as in the prior art (FIG. 10), the strength of that portion is remarkably weakened, and the second frame substrate 58 is cracked and broken.

一方、本実施形態では、図1に示すように、第2枠状基板58の内側の壁面に、平面視(Z軸方向からみた断面)で円弧形の溝66を形成するに留まっている。これにより、第2枠状基板58の厚みをある程度確保することができるので、第2枠状基板58の強度を維持することができる。   On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, the arc-shaped groove 66 is formed on the inner wall surface of the second frame-shaped substrate 58 in a plan view (cross section viewed from the Z-axis direction). . Thereby, the thickness of the second frame substrate 58 can be secured to some extent, so that the strength of the second frame substrate 58 can be maintained.

また、この溝66には、金属体68E,68Fが埋め込まれている。金属体68E,68Fの材料である金属(例えば銅)は、セラミックよりも強度(ヤング率)が低い。よって、本実施形態では、シーム溶接後に金属体68E,68Fに熱歪みが集中することになり、第2枠状基板58に対する応力集中を回避することができる。そして、金属体68E,68Fの材料である金属は、展性(しなやかさ)を有するため、自ら変形して応力を吸収することができる。したがって、パッケージ12の破損を防止して製造歩留を高めた圧電デバイス10となる。   In addition, metal bodies 68E and 68F are embedded in the groove 66. The metal (for example, copper) which is the material of the metal bodies 68E and 68F has lower strength (Young's modulus) than ceramic. Therefore, in this embodiment, thermal strain concentrates on the metal bodies 68E and 68F after seam welding, and stress concentration on the second frame substrate 58 can be avoided. And since the metal which is the material of the metal bodies 68E and 68F has malleability (flexibility), it can deform | transform itself and can absorb stress. Therefore, the piezoelectric device 10 is obtained in which the package 12 is prevented from being damaged and the manufacturing yield is increased.

本実施形態では、溝66のZ軸方向から見た断面が円弧形となっている。これにより、溝66に角部が形成されないので、角部に対する応力集中を回避してパッケージ12の耐久性を維持することができる。   In the present embodiment, the cross section of the groove 66 viewed from the Z-axis direction has an arc shape. Thereby, since a corner | angular part is not formed in the groove | channel 66, the stress concentration with respect to a corner | angular part can be avoided and the durability of the package 12 can be maintained.

本実施形態では、金属体68E,68Fを、第2枠状基板58の内側の壁面の幅方向の中央となる位置(図3、図6、図7の中央線Oに重なる位置)から、その幅方向に離間した位置に配置している。これにより、シーム溶接による熱歪みを、第2枠状基板58の内側壁面の幅方向の中央となる位置と、金属体68E,68Fと、に分散させることができる。したがって、パッケージ12全体の熱歪みに対する耐久性を高めることができる。もちろん、金属体を上述の中央線Oに重なる位置に配置しても、金属体を第2枠状基板58の内側の壁面に配置しない場合よりも第2枠状基板58の熱歪みに対する耐久性は向上する。   In the present embodiment, the metal bodies 68E and 68F are moved from the position in the center in the width direction of the inner wall surface of the second frame-shaped substrate 58 (the position overlapping the center line O in FIGS. 3, 6, and 7) It arrange | positions in the position spaced apart in the width direction. Thereby, the thermal strain by seam welding can be distributed to the position in the center in the width direction of the inner wall surface of the second frame-shaped substrate 58 and the metal bodies 68E and 68F. Therefore, durability against thermal distortion of the entire package 12 can be enhanced. Of course, even if the metal body is arranged at a position overlapping the above-described center line O, the durability against thermal distortion of the second frame-shaped substrate 58 is greater than when the metal body is not disposed on the inner wall surface of the second frame-shaped substrate 58. Will improve.

さらに、金属体68E,68Fは、第2の凹部60の開口部の縁、すなわち第2枠状基板58の下端まで延出して実装電極62E,62Fに接続されている。これにより、金属体68E,68Fを、圧電デバイス10を構成する電極の一部として用いることができるとともに、実装電極62E,62F(第2枠状基板58)が実装先の基板から受ける応力を金属体68E,68Fに集中させ、パッケージ12が実装先の基板から受ける応力を低減させることができる。   Furthermore, the metal bodies 68E and 68F extend to the edge of the opening of the second recess 60, that is, to the lower end of the second frame substrate 58, and are connected to the mounting electrodes 62E and 62F. Accordingly, the metal bodies 68E and 68F can be used as a part of the electrodes constituting the piezoelectric device 10, and the stress that the mounting electrodes 62E and 62F (second frame-shaped substrate 58) receive from the mounting destination substrate is metal. By concentrating on the bodies 68E and 68F, the stress that the package 12 receives from the mounting substrate can be reduced.

なお、図1、図6、図7では、第2枠状基板58の内側の長辺を形成する壁面に金属体68E,68Fを埋め込んでいるが、短辺に金属体を埋め込んでもよい。さらに、第2枠状基板58の内側の一つの壁面に複数の金属体を埋め込むことも可能であり、このような構成とすることにより、第2枠状基板58が受ける熱歪みを複数の金属体に分散させることができ、熱歪みに対する耐久性をさらに高めることができる。   1, 6, and 7, the metal bodies 68 </ b> E and 68 </ b> F are embedded in the wall surface forming the long side inside the second frame substrate 58, but the metal body may be embedded in the short side. Furthermore, it is also possible to embed a plurality of metal bodies on one wall surface inside the second frame-shaped substrate 58. With such a configuration, the thermal strain received by the second frame-shaped substrate 58 is a plurality of metals. It can be dispersed in the body, and the durability against thermal strain can be further enhanced.

金属体の個数は、集積回路54に搭載されたパッド電極56の個数に対応して増減させることが可能である。そして、集積回路54のパッド電極56に金属体を電気的に接続して、パッケージ12の耐久性を高める目的と集積回路54の電気的接続を行なう目的と、の両方を実現することができる。   The number of metal bodies can be increased or decreased according to the number of pad electrodes 56 mounted on the integrated circuit 54. Then, a metal body is electrically connected to the pad electrode 56 of the integrated circuit 54 to achieve both the purpose of improving the durability of the package 12 and the purpose of performing the electrical connection of the integrated circuit 54.

本実施形態では、パッケージ12の材料をセラミックとしている。しかし、材料をセラミックとしても、金属体にシーム溶接に伴う熱歪みを集中させることができるので、パッケージ12の材料のコストを抑制しつつ、製造歩留を高めた圧電デバイス10となる。
なお、本実施形態では、第1の凹部16に収容される電子部品は、圧電振動片72としていたが、圧電振動片72以外の他の電子素子であってもよい。
In the present embodiment, the material of the package 12 is ceramic. However, even if the material is ceramic, the thermal strain associated with seam welding can be concentrated on the metal body, so that the piezoelectric device 10 with an improved manufacturing yield can be obtained while suppressing the cost of the material of the package 12.
In the present embodiment, the electronic component housed in the first recess 16 is the piezoelectric vibrating piece 72, but other electronic elements other than the piezoelectric vibrating piece 72 may be used.

本実施形態の圧電デバイス10の構成について詳細に説明する。以下の説明において、電極等に付された符号に大文字のアルファベットが添えられているが、アルファベットが共通するものは電気的に互いに接続している。   The configuration of the piezoelectric device 10 of the present embodiment will be described in detail. In the following description, capital letters are attached to the reference numerals attached to the electrodes and the like, but those having common alphabets are electrically connected to each other.

図1、図3に示すように、第2枠状基板58の下面には、実装電極62(62A,62B,62E,62F,62G,62H)が配置されている。このうち、実装電極62A,62B,62G,62Hは、第2枠状基板58の角部に配置されている。また実装電極62Eは、実装電極62Aと実装電極62Gとの間に配置され、実装電極62Fは、実装電極62Bと実装電極62Hとの間に配置されている。   As shown in FIGS. 1 and 3, mounting electrodes 62 (62 </ b> A, 62 </ b> B, 62 </ b> E, 62 </ b> F, 62 </ b> G, 62 </ b> H) are disposed on the lower surface of the second frame-shaped substrate 58. Among these, the mounting electrodes 62 </ b> A, 62 </ b> B, 62 </ b> G, and 62 </ b> H are arranged at corners of the second frame-shaped substrate 58. The mounting electrode 62E is disposed between the mounting electrode 62A and the mounting electrode 62G, and the mounting electrode 62F is disposed between the mounting electrode 62B and the mounting electrode 62H.

第2枠状基板58の実装電極62A,62B,62G,62Hが配置された位置には、第2枠状基板58を厚み方向に貫通する貫通電極64(64A,64B,64G,64H)が配置されている。図1に示すように、第2枠状基板58の上面の貫通電極64が露出した位置には、貫通電極64と接続するように上面電極70A,70B,70G,70Hが配置されている。   A through electrode 64 (64A, 64B, 64G, 64H) penetrating through the second frame substrate 58 in the thickness direction is disposed at a position where the mounting electrodes 62A, 62B, 62G, 62H of the second frame substrate 58 are disposed. Has been. As shown in FIG. 1, upper surface electrodes 70 </ b> A, 70 </ b> B, 70 </ b> G, and 70 </ b> H are arranged at positions where the through electrodes 64 on the upper surface of the second frame substrate 58 are exposed so as to be connected to the through electrodes 64.

図1、図3等に示すように、第2枠状基板58の内側の壁面には、第2枠状基板58の厚み方向に長手方向を有し、断面が円弧形(半円形でもよい)の溝66が形成されており、この溝66に金属体68E,68Fが埋め込まれている。よって金属体68E、68Fも溝66の形状に倣って断面が円弧形の形状を有している。図3に示すように、溝66及び金属体68E,68Fは、第2の凹部60の内側の壁面のX軸方向の幅の中央となる中央線O(図3、図6、図7)から離間した位置に配置されている。   As shown in FIG. 1, FIG. 3, etc., the inner wall surface of the second frame-shaped substrate 58 has a longitudinal direction in the thickness direction of the second frame-shaped substrate 58, and the cross section may be arc-shaped (semi-circular may be used). ), And metal bodies 68E and 68F are embedded in the groove 66. Therefore, the metal bodies 68E and 68F also have a circular arc shape in cross section following the shape of the groove 66. As shown in FIG. 3, the groove 66 and the metal bodies 68 </ b> E and 68 </ b> F are formed from the center line O (FIGS. 3, 6, and 7) that is the center of the width in the X-axis direction of the inner wall surface of the second recess 60. It is arranged at a separated position.

図1に示すように、溝66は、第2枠状基板58の内側の壁面において第2枠状基板58の上面及び下面に達するように形成されている。これにより、金属体68Eの下端は、実装電極62Eに接続され、金属体68Fの下端は、実装電極62Fに接続されている。また金属体68E,68Fの第2枠状基板58の上面に露出した位置には、金属体68E,68Fと接続するように上面電極70E,70Fが配置されている。   As shown in FIG. 1, the groove 66 is formed to reach the upper surface and the lower surface of the second frame substrate 58 on the inner wall surface of the second frame substrate 58. Thereby, the lower end of the metal body 68E is connected to the mounting electrode 62E, and the lower end of the metal body 68F is connected to the mounting electrode 62F. Further, upper surface electrodes 70E and 70F are arranged at positions exposed on the upper surface of the second frame-shaped substrate 58 of the metal bodies 68E and 68F so as to be connected to the metal bodies 68E and 68F.

本実施形態の第2枠状基板58の製造工程としては、まず、第2枠状基板58の材料となる焼結前のセラミック材料を、型を用いて第2枠状基板58の外形に成型する。このとき、貫通電極64用の貫通孔と溝66を形成する。次に、貫通電極64及び金属体68E,68Fの材料となる金属ペーストを貫通電極64用の貫通孔及び溝66に埋め込んだ上でセラミック材料を金属ペーストとともに焼結させる。そしてスパッタやメッキを用いて各種電極を第2枠状基板58の表面に形成すればよい。   As a manufacturing process of the second frame-shaped substrate 58 of the present embodiment, first, a ceramic material before sintering, which is a material of the second frame-shaped substrate 58, is molded into the outer shape of the second frame-shaped substrate 58 using a mold. To do. At this time, a through hole and a groove 66 for the through electrode 64 are formed. Next, after the metal paste used as the material of the through electrode 64 and the metal bodies 68E and 68F is embedded in the through hole and the groove 66 for the through electrode 64, the ceramic material is sintered together with the metal paste. Then, various electrodes may be formed on the surface of the second frame substrate 58 using sputtering or plating.

各種電極や金属体68E,68Fの材料としては銅(Cu)が好ましい。そして第1センター基板24、第2センター基板38、第1枠状基板14も同様の製造工程を経て形成することができる。   Copper (Cu) is preferable as the material for the various electrodes and the metal bodies 68E and 68F. The first center substrate 24, the second center substrate 38, and the first frame substrate 14 can also be formed through the same manufacturing process.

貫通電極64を形成する代わりに、図1等に示すように、第2枠状基板58(第1センター基板24、第2センター基板38、第1枠状基板14においても同様)の角部に切欠き12a(キャスタレーション)を形成し、上面電極70A,70B,70G,70Hを、それぞれ切欠き12aの壁面を経由させて下面に延出させ、実装電極62A,62B,62G,62Hにそれぞれ接続するようにしてもよい。   Instead of forming the through electrode 64, as shown in FIG. 1 and the like, at the corner of the second frame substrate 58 (the same applies to the first center substrate 24, the second center substrate 38, and the first frame substrate 14). A notch 12a (castellation) is formed, and the upper surface electrodes 70A, 70B, 70G, and 70H are respectively extended to the lower surface via the wall surface of the notch 12a and connected to the mounting electrodes 62A, 62B, 62G, and 62H, respectively. You may make it do.

集積回路54は、圧電振動片72を発振源として駆動する発振回路や発振回路の発振信号の温度補償を行なう温度補償回路等が一体で形成されたものである。図1に示すように、集積回路54の能動面(+Z軸側の面)にはパッド電極56(56A〜56H)が配置されている。ここで、パッド電極56は、例えば以下のように設定されている。   The integrated circuit 54 is integrally formed with an oscillation circuit that drives the piezoelectric vibrating piece 72 as an oscillation source, a temperature compensation circuit that compensates the temperature of the oscillation signal of the oscillation circuit, and the like. As shown in FIG. 1, pad electrodes 56 (56 </ b> A to 56 </ b> H) are arranged on the active surface (+ Z-axis side surface) of the integrated circuit 54. Here, the pad electrode 56 is set as follows, for example.

パッド電極56Aは、発振周波数等を調整するための制御電圧印加端子(Vc)となっており、パッド電極56Bは、電源入力端子(Vcc)となっている。パッド電極56Cは、圧電振動片72に接続する接続端子(X1)となっており、パッド電極56Dも圧電振動片72に接続する接続端子(X2)となっている。パッド電極56E、パッド電極56Fは、プログラムの書き込みなどを行なう調整用端子となっている。パッド電極56Gは、グランド端子(GND)となっており、パッド電極56H、は発振信号の出力端子(O/P)となっている。   The pad electrode 56A is a control voltage application terminal (Vc) for adjusting the oscillation frequency and the like, and the pad electrode 56B is a power input terminal (Vcc). The pad electrode 56C is a connection terminal (X1) that is connected to the piezoelectric vibrating piece 72, and the pad electrode 56D is also a connection terminal (X2) that is connected to the piezoelectric vibrating piece 72. The pad electrode 56E and the pad electrode 56F serve as adjustment terminals for writing programs and the like. The pad electrode 56G is a ground terminal (GND), and the pad electrode 56H is an output terminal (O / P) for an oscillation signal.

図1、図5等に示すように、第2センター基板38の下面には、第1接続電極40(40A〜40H)、第2接続電極42A,42B,42E,42F,42G,42H、検査用電極46C、46D等が配置されている。第1接続電極40は、集積回路54の能動面に配置されたパッド電極56の位置に倣って配置されている。   As shown in FIGS. 1 and 5, the first connection electrode 40 (40 </ b> A to 40 </ b> H), the second connection electrodes 42 </ b> A, 42 </ b> B, 42 </ b> E, 42 </ b> F, 42 </ b> G, 42 </ b> H are provided on the lower surface of the second center substrate 38. Electrodes 46C, 46D and the like are arranged. The first connection electrode 40 is disposed following the position of the pad electrode 56 disposed on the active surface of the integrated circuit 54.

第2接続電極42A,42B,42E,42F,42G,42Hは、図1、図6に示すように、第2センター基板38と第2枠状基板58を接合したときに、それぞれ上面電極70A,70B,70E,70F,70G,70Hと接続可能となるように配置されている。検査用電極46C、46Dは、後述のように圧電振動片72を実装後に圧電振動片72の動作確認等を行なうための電極である。   As shown in FIGS. 1 and 6, the second connection electrodes 42A, 42B, 42E, 42F, 42G, and 42H are formed on the upper surface electrodes 70A and 70A, respectively, when the second center substrate 38 and the second frame substrate 58 are joined. It arrange | positions so that it can connect with 70B, 70E, 70F, 70G, and 70H. The inspection electrodes 46C and 46D are electrodes for confirming the operation of the piezoelectric vibrating piece 72 after mounting the piezoelectric vibrating piece 72 as will be described later.

第1接続電極40Aは、第2接続電極42Aと配線電極44Aにより電気的に接続され、第1接続電極40Bは、配線電極44Bを介して第2接続電極42Bと電気的に接続されている。第1接続電極40Cは、配線電極48Cを介して検査用電極46Cと電気的に接続され、第1接続電極40Dは、配線電極48Dを介して検査用電極46Dと電気的に接続されている。   The first connection electrode 40A is electrically connected to the second connection electrode 42A through the wiring electrode 44A, and the first connection electrode 40B is electrically connected to the second connection electrode 42B through the wiring electrode 44B. The first connection electrode 40C is electrically connected to the inspection electrode 46C via the wiring electrode 48C, and the first connection electrode 40D is electrically connected to the inspection electrode 46D via the wiring electrode 48D.

第1接続電極40Eは、配線電極44Eを介して第2接続電極42Eと電気的に接続され、第1接続電極40Fは、配線電極44Fを介して第2接続電極42Fと電気的に接続されている。第1接続電極40Gは、配線電極44Gを介して第2接続電極42Gと電気的に接続され、第1接続電極40Hは、配線電極44Hを介して第2接続電極42Hと電気的に接続されている。   The first connection electrode 40E is electrically connected to the second connection electrode 42E via the wiring electrode 44E, and the first connection electrode 40F is electrically connected to the second connection electrode 42F via the wiring electrode 44F. Yes. The first connection electrode 40G is electrically connected to the second connection electrode 42G via the wiring electrode 44G, and the first connection electrode 40H is electrically connected to the second connection electrode 42H via the wiring electrode 44H. Yes.

図3、図7に示すように、集積回路54のパッド電極56と、第1接続電極40とは、Au等で形成されたバンプ86により接合され、集積回路54は、所謂フェイスダウンボンディングにより第2センター基板38の下面に実装される。   As shown in FIGS. 3 and 7, the pad electrode 56 of the integrated circuit 54 and the first connection electrode 40 are joined by bumps 86 formed of Au or the like, and the integrated circuit 54 is formed by so-called face-down bonding. 2 Mounted on the lower surface of the center substrate 38.

よって、第2枠状基板58を第2センター基板38に接合することにより、パッド電極56A(Vc)は、第1接続電極40A、配線電極44A、第2接続電極42A、上面電極70A、貫通電極64Aを介して実装電極62Aに電気的に接続される。パッド電極56B(Vcc)は、第1接続電極40B、配線電極44B、第2接続電極42B、上面電極70B、貫通電極64Bを介して実装電極62Bに電気的に接続される。パッド電極56G(GND)は、第1接続電極40G、配線電極44G、第2接続電極42G、上面電極70G、貫通電極64Gを介して実装電極62Gに電気的に接続される。パッド電極56H(O/P)は、第1接続電極40H、配線電極44H、第2接続電極42H、上面電極70H、貫通電極64Hを介して実装電極62Hに電気的に接続される。   Therefore, by bonding the second frame-shaped substrate 58 to the second center substrate 38, the pad electrode 56A (Vc) becomes the first connection electrode 40A, the wiring electrode 44A, the second connection electrode 42A, the upper surface electrode 70A, the through electrode. It is electrically connected to the mounting electrode 62A via 64A. The pad electrode 56B (Vcc) is electrically connected to the mounting electrode 62B via the first connection electrode 40B, the wiring electrode 44B, the second connection electrode 42B, the upper surface electrode 70B, and the through electrode 64B. The pad electrode 56G (GND) is electrically connected to the mounting electrode 62G via the first connection electrode 40G, the wiring electrode 44G, the second connection electrode 42G, the upper surface electrode 70G, and the through electrode 64G. The pad electrode 56H (O / P) is electrically connected to the mounting electrode 62H via the first connection electrode 40H, the wiring electrode 44H, the second connection electrode 42H, the upper surface electrode 70H, and the through electrode 64H.

パッド電極56Eは、第1接続電極40E、配線電極44E、第2接続電極42E、上面電極70E、金属体68Eを介して実装電極62Eに電気的に接続される。パッド電極56Fは、第1接続電極40F、配線電極44F、第2接続電極42F、上面電極70F、金属体68Fを介して実装電極62Fに電気的に接続される。   The pad electrode 56E is electrically connected to the mounting electrode 62E via the first connection electrode 40E, the wiring electrode 44E, the second connection electrode 42E, the upper surface electrode 70E, and the metal body 68E. The pad electrode 56F is electrically connected to the mounting electrode 62F via the first connection electrode 40F, the wiring electrode 44F, the second connection electrode 42F, the upper surface electrode 70F, and the metal body 68F.

一方、第2センター基板38の上面の第1接続電極40Cに対向する位置には上面電極50Cが配置され、第2センター基板38の上面の第1接続電極40Dに対向する位置には上面電極50Dが配置されている。そして、上面電極50Cは、貫通電極52Cを介して第1接続電極40Cと電気的に接続され、上面電極50Dは、貫通電極52Dを介して第1接続電極40Dと電気的に接続されている。また第2センター基板38の上面の第2接続電極42Gに対向する位置には上面電極50Gが配置され、上面電極50Gは貫通電極52Gを介して第2接続電極42Gと電気的に接続されている。   On the other hand, the upper surface electrode 50C is disposed at a position facing the first connection electrode 40C on the upper surface of the second center substrate 38, and the upper surface electrode 50D is disposed at a position facing the first connection electrode 40D on the upper surface of the second center substrate 38. Is arranged. The upper surface electrode 50C is electrically connected to the first connection electrode 40C through the through electrode 52C, and the upper surface electrode 50D is electrically connected to the first connection electrode 40D through the through electrode 52D. Further, an upper surface electrode 50G is disposed on the upper surface of the second center substrate 38 at a position facing the second connection electrode 42G, and the upper surface electrode 50G is electrically connected to the second connection electrode 42G through the through electrode 52G. .

第1センター基板24の下面の上面電極50Cに対向する位置には再配置電極26Cが配置され、第1センター基板24の下面の上面電極50Dに対向する位置には再配置電極26Dが配置されている。よって、第1センター基板24と第2センター基板38を接合することにより、再配置電極26Cは、上面電極50Cと電気的に接続され、再配置電極26Dは、上面電極50Dと電気的に接続される。   A rearrangement electrode 26C is disposed at a position facing the upper surface electrode 50C on the lower surface of the first center substrate 24, and a rearrangement electrode 26D is disposed at a position facing the upper surface electrode 50D on the lower surface of the first center substrate 24. Yes. Therefore, by joining the first center substrate 24 and the second center substrate 38, the rearrangement electrode 26C is electrically connected to the upper surface electrode 50C, and the rearrangement electrode 26D is electrically connected to the upper surface electrode 50D. The

一方、第1センター基板24の上面には、マウント電極28C,28D(図4参照)が配置されている。このマウント電極28C,28Dには、それぞれ導電性接着剤82C、82D(図4参照)が塗布され、マウント電極28C,28Dと後述の引出電極80C、80Dとが電気的に接合される態様で圧電振動片72が第1センター基板24に片持ち支持状態で支持される。   On the other hand, on the upper surface of the first center substrate 24, mount electrodes 28C and 28D (see FIG. 4) are arranged. Conductive adhesives 82C and 82D (see FIG. 4) are applied to the mount electrodes 28C and 28D, respectively, and the mount electrodes 28C and 28D are electrically connected to the later-described extraction electrodes 80C and 80D. The vibrating piece 72 is supported on the first center substrate 24 in a cantilevered state.

第1センター基板24の下面のマウント電極28C、28Dに対向する位置には下面電極30C,30Dが配置されている。
下面電極30Cは、貫通電極32Cを介してマウント電極28Cと電気的に接続され、下面電極30Dは、貫通電極32Dを介してマウント電極28Dと電気的に接続されている。
Lower surface electrodes 30C and 30D are disposed at positions facing the mount electrodes 28C and 28D on the lower surface of the first center substrate 24.
The lower electrode 30C is electrically connected to the mount electrode 28C through the through electrode 32C, and the lower electrode 30D is electrically connected to the mount electrode 28D through the through electrode 32D.

下面電極30Cは、配線電極34Cを介して再配置電極26Cと電気的に接続され、下面電極30Dは、配線電極34Dを介して再配置電極26Dと電気的に接続されている。   The lower surface electrode 30C is electrically connected to the rearrangement electrode 26C via the wiring electrode 34C, and the lower surface electrode 30D is electrically connected to the rearrangement electrode 26D via the wiring electrode 34D.

第1センター基板24の下面において、第2センター基板38の上面電極50Gに対向する位置には、下面電極30Gが配置されている。第1センター基板24の下面電極30Gに対向する位置には上面電極36Gが配置されている。上面電極36Gは、貫通電極32Gを介して下面電極30Gと電気的に接続されている。   On the lower surface of the first center substrate 24, the lower surface electrode 30 </ b> G is disposed at a position facing the upper surface electrode 50 </ b> G of the second center substrate 38. An upper surface electrode 36G is disposed at a position facing the lower surface electrode 30G of the first center substrate 24. The upper surface electrode 36G is electrically connected to the lower surface electrode 30G through the through electrode 32G.

図2乃至図4に示すように、圧電振動片72は、水晶等の圧電材料により形成されている。本実施形態では、例えば水晶のATカット基板を用いた厚みすべり振動片としている。圧電振動片72は、厚みすべり振動をする振動部74と、第1センター基板24に接合されるマウント部76と、を有する。振動部74の下面には励振電極78C(図2、図3)が配置され、上面には励振電極78D(図3、図4)が配置されている。圧電振動片72は、所謂メサ構造を有し、振動部74が圧電振動片72の他の部分より厚みが増している。これにより、厚みすべり振動を振動部74に閉じ込め、励振効率を高めることができる。   As shown in FIGS. 2 to 4, the piezoelectric vibrating piece 72 is formed of a piezoelectric material such as quartz. In the present embodiment, for example, a thickness-shear vibrating piece using a quartz AT-cut substrate is used. The piezoelectric vibrating piece 72 includes a vibrating portion 74 that vibrates in thickness and a mount portion 76 that is bonded to the first center substrate 24. An excitation electrode 78C (FIGS. 2 and 3) is disposed on the lower surface of the vibration portion 74, and an excitation electrode 78D (FIGS. 3 and 4) is disposed on the upper surface. The piezoelectric vibrating piece 72 has a so-called mesa structure, and the vibrating portion 74 is thicker than other portions of the piezoelectric vibrating piece 72. Thereby, thickness shear vibration can be confined in the vibration part 74, and excitation efficiency can be improved.

励振電極78Cからは引出電極80Cが引き出され、励振電極78Dからは引出電極80Dが引き出されている。引出電極80Cは、マウント部76の下面、すなわち第1センター基板24側の面(−Z軸側の面)に引き出されている。引出電極80Dは、マウント部76の上面(+Z軸側の面)及び側面(−X軸側の面)を経由してマウント部76の下面に引き出されている。   An extraction electrode 80C is extracted from the excitation electrode 78C, and an extraction electrode 80D is extracted from the excitation electrode 78D. The extraction electrode 80 </ b> C is extracted to the lower surface of the mount portion 76, that is, the surface on the first center substrate 24 side (surface on the −Z axis side). The extraction electrode 80 </ b> D is drawn to the lower surface of the mount portion 76 via the upper surface (+ Z-axis side surface) and side surface (−X-axis side surface) of the mount portion 76.

マウント部76と第1センター基板24とは、導電性接着剤82C、82D(図4参照)により接合されている。このとき、引出電極80Cとマウント電極28Cとが導電性接着剤82Cにより電気的に接続され(図3参照)、引出電極80Dとマウント電極28Dとが導電性接着剤82Dにより電気的に接続されている。   The mount 76 and the first center substrate 24 are joined by conductive adhesives 82C and 82D (see FIG. 4). At this time, the lead electrode 80C and the mount electrode 28C are electrically connected by the conductive adhesive 82C (see FIG. 3), and the lead electrode 80D and the mount electrode 28D are electrically connected by the conductive adhesive 82D. Yes.

これにより圧電振動片72は、パッケージ12(第1センター基板24)に片持ち支持状態で支持されるとともに、パッケージ12側と電気的に接続される。
また、上記接続により、パッド電極56C(X1)は、第1接続電極40C、貫通電極52C、上面電極50C、再配置電極26C、配線電極34C、下面電極30C、貫通電極32C、マウント電極28C、引出電極80Cを介して励振電極78Cに電気的に接続される。また、パッド電極56D(X2)は、第1接続電極40D、貫通電極52D、上面電極50D、再配置電極26D、配線電極34D、下面電極30D、貫通電極32D、マウント電極28D、引出電極80Dを介して励振電極78Dに電気的に接続される。
Thus, the piezoelectric vibrating piece 72 is supported in a cantilevered state on the package 12 (first center substrate 24) and is electrically connected to the package 12 side.
Further, due to the above connection, the pad electrode 56C (X1) has the first connection electrode 40C, the through electrode 52C, the upper surface electrode 50C, the rearrangement electrode 26C, the wiring electrode 34C, the lower surface electrode 30C, the through electrode 32C, the mount electrode 28C, the lead It is electrically connected to the excitation electrode 78C via the electrode 80C. The pad electrode 56D (X2) is connected to the first connection electrode 40D, the through electrode 52D, the upper surface electrode 50D, the rearrangement electrode 26D, the wiring electrode 34D, the lower surface electrode 30D, the through electrode 32D, the mount electrode 28D, and the extraction electrode 80D. And electrically connected to the excitation electrode 78D.

したがって、集積回路54において、パッド電極56C(X1)、パッド電極56D(X2)から交流電圧を出力させることにより、圧電振動片72の振動部74は、所定の共振周波数で厚みすべり振動をする。なお、圧電振動片72としては、これ以外に音叉型振動片、双音叉型振動片、SAW共振片、ジャイロ振動片を適用できる。   Therefore, in the integrated circuit 54, by outputting an AC voltage from the pad electrode 56C (X1) and the pad electrode 56D (X2), the vibrating portion 74 of the piezoelectric vibrating piece 72 vibrates at a predetermined resonance frequency. As the piezoelectric vibrating piece 72, a tuning fork type vibrating piece, a double tuning fork type vibrating piece, a SAW resonance piece, and a gyro vibrating piece can be applied.

第1枠状基板14の下面の上面電極36Gに対向する位置には下面電極18Gが配置されている。よって、第1センター基板24と第1枠状基板14とを接合することにより、下面電極18Gは、上面電極36Gと電気的に接続する。
一方、第1枠状基板14の上面全体には上面電極20Gが配置され、上面電極20Gは、貫通電極22Gを介して下面電極18Gと電気的に接続されている。
A lower surface electrode 18G is arranged at a position facing the upper surface electrode 36G on the lower surface of the first frame-shaped substrate 14. Therefore, the lower surface electrode 18G is electrically connected to the upper surface electrode 36G by bonding the first center substrate 24 and the first frame substrate 14 together.
On the other hand, the upper surface electrode 20G is disposed on the entire upper surface of the first frame-shaped substrate 14, and the upper surface electrode 20G is electrically connected to the lower surface electrode 18G through the through electrode 22G.

リッド84Gは、金属の板により形成され、第1枠状基板14の第1の凹部16の開口部を封止して、圧電振動片72を気密封止するものである。またリッド84Gによる封止を真空環境下で行なうことにより、圧電振動片72を真空封止することができる。   The lid 84G is formed of a metal plate, and seals the opening of the first concave portion 16 of the first frame substrate 14 to hermetically seal the piezoelectric vibrating piece 72. Further, the piezoelectric vibrating piece 72 can be vacuum-sealed by sealing with the lid 84G in a vacuum environment.

リッド84Gは、上面電極20Gと電気的に接続している。よって、リッド84Gは、上面電極20G、貫通電極22G、下面電極18G、上面電極36G、貫通電極32G、下面電極30G、上面電極50G、貫通電極52G、第2接続電極42G、上面電極70G、貫通電極64Gを介して実装電極62Gに電気的に接続される。よって、実装電極62Gを接地することにより、リッド84Gを接地することが可能となる。よって、リッド84Gが圧電振動片72に対する静電遮蔽を行なうことができる。また実装電極62Gを接地することにより、実装電極62Gと電気的に接続されたパッド電極56Gも接地される。   The lid 84G is electrically connected to the upper surface electrode 20G. Therefore, the lid 84G includes the upper electrode 20G, the through electrode 22G, the lower electrode 18G, the upper electrode 36G, the through electrode 32G, the lower electrode 30G, the upper electrode 50G, the through electrode 52G, the second connection electrode 42G, the upper electrode 70G, and the through electrode. It is electrically connected to the mounting electrode 62G via 64G. Therefore, the lid 84G can be grounded by grounding the mounting electrode 62G. Therefore, the lid 84G can perform electrostatic shielding on the piezoelectric vibrating piece 72. Further, by grounding the mounting electrode 62G, the pad electrode 56G electrically connected to the mounting electrode 62G is also grounded.

本実施形態の圧電デバイス10の組立工程について説明する。
まず、接着剤等を用いて第2枠状基板58、第2センター基板38、第1センター基板24、第1枠状基板14の順に積層してパッケージ12を形成する。第1の凹部60に圧電振動片72を収容して圧電振動片72を導電性接着剤82C,82Dにより第1センター基板24に実装する。そして、真空環境下でシーム溶接によりリッド84Gと第1枠状基板14(上面電極20G)とを接合する。これにより圧電振動片72が真空封止される。
An assembly process of the piezoelectric device 10 of the present embodiment will be described.
First, the package 12 is formed by laminating the second frame substrate 58, the second center substrate 38, the first center substrate 24, and the first frame substrate 14 in this order using an adhesive or the like. The piezoelectric vibrating piece 72 is accommodated in the first recess 60, and the piezoelectric vibrating piece 72 is mounted on the first center substrate 24 by the conductive adhesives 82C and 82D. Then, the lid 84G and the first frame substrate 14 (upper surface electrode 20G) are joined by seam welding in a vacuum environment. Thereby, the piezoelectric vibrating piece 72 is vacuum-sealed.

第2センター基板38に第2枠状基板58を接合すると、図6に示すように、第1接続電極40とともに検査用電極46C、46Dが、第2の凹部60の底部に露出した状態となる。そこで、検査用電極46C,46Dにプローブを当て、圧電振動片72の動作確認を行なう。   When the second frame substrate 58 is joined to the second center substrate 38, the test electrodes 46C and 46D together with the first connection electrode 40 are exposed at the bottom of the second recess 60 as shown in FIG. . Therefore, a probe is applied to the inspection electrodes 46C and 46D to confirm the operation of the piezoelectric vibrating piece 72.

検査用電極46C,46Dは、第1接続電極40等よりも面積が大きく形成されている。これによりプローブの検査用電極46C,46Dへの接触作業を容易に行うことができる。そして、圧電振動片72が動作(発振)不能な場合、発振しても共振周波数やCI値等が設計値と著しく異なる場合などは、その圧電振動片72(パッケージ12)を除外し、適正な動作を行なう圧電振動片72(パッケージ12)のみを選択する。このとき、検査用電極46Cと第1接続電極40Cとを接続する配線電極48C、及び検査用電極46Dと第1接続電極40Dとを接続する配線電極48Dをレーザ等で切除して、検査用電極46C,46Dを、それぞれ第1接続電極40C、40Dから絶縁させてもよい。   The inspection electrodes 46C and 46D are formed to have a larger area than the first connection electrode 40 and the like. Thereby, the contact operation of the probe to the inspection electrodes 46C and 46D can be easily performed. If the piezoelectric vibrating piece 72 cannot be operated (oscillated), or if the resonance frequency, CI value, etc. are remarkably different from the design value even if it oscillates, the piezoelectric vibrating piece 72 (package 12) is excluded, and an appropriate Only the piezoelectric vibrating piece 72 (package 12) that performs the operation is selected. At this time, the wiring electrode 48C that connects the inspection electrode 46C and the first connection electrode 40C and the wiring electrode 48D that connects the inspection electrode 46D and the first connection electrode 40D are excised with a laser or the like, and the inspection electrode 46C and 46D may be insulated from the first connection electrodes 40C and 40D, respectively.

図7に示すように、第2の凹部60に集積回路54を収容し、集積回路54のパッド電極56と第1接続電極40とをバンプ86を用いてフェイスダウンボンディングすることにより圧電デバイス10が構築される。   As shown in FIG. 7, the integrated circuit 54 is accommodated in the second recess 60, and the pad electrode 56 and the first connection electrode 40 of the integrated circuit 54 are face-down bonded using bumps 86, whereby the piezoelectric device 10 is formed. Built.

図8に、本実施形態の圧電デバイスを搭載した電子機器(携帯端末)の模式図を示す。図8において、携帯端末88(PHSを含む)は、複数の操作ボタン90、受話口92及び送話口94を備え、操作ボタン90と受話口92との間には表示部96が配置されている。最近では、このような携帯端末88においてもGPS機能を備えている。そこで、携帯端末88には、GPS回路のクロック源として本実施形態の圧電デバイス10(電子デバイス)が内蔵されている。   FIG. 8 shows a schematic diagram of an electronic apparatus (mobile terminal) equipped with the piezoelectric device of the present embodiment. In FIG. 8, the portable terminal 88 (including PHS) includes a plurality of operation buttons 90, an earpiece 92, and a mouthpiece 94, and a display unit 96 is disposed between the operation buttons 90 and the earpiece 92. Yes. Recently, the portable terminal 88 has a GPS function. Therefore, the portable terminal 88 incorporates the piezoelectric device 10 (electronic device) of this embodiment as a clock source of the GPS circuit.

なお、本実施形態の圧電デバイス10を備える電子機器は、上述の携帯端末88のほかに、スマートフォン、デジタルスチルカメラ、パーソナルコンピュータ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、インクジェット式吐出装置、電子手帳、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレータ等に適用することができる。   The electronic apparatus including the piezoelectric device 10 according to the present embodiment includes a smartphone, a digital still camera, a personal computer, a laptop personal computer, a television, a video camera, a video tape recorder, and a car navigation system in addition to the above-described portable terminal 88. Devices, pagers, ink jet dispensing devices, electronic notebooks, calculators, electronic game devices, word processors, workstations, video phones, crime prevention TV monitors, electronic binoculars, POS terminals, medical devices (eg, electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters) It can be applied to electrocardiogram measuring devices, ultrasonic diagnostic devices, electronic endoscopes), fish detectors, various measuring instruments, instruments (for example, vehicles, aircraft, ship instruments), flight simulators, and the like.

10………圧電デバイス、12………パッケージ、12a………切欠き、14………第1枠状基板、16………第1の凹部、18G………下面電極、20G………上面電極、22G………貫通電極、24………第1センター基板、26C,26D………再配置電極、28C,28D………マウント電極、30C,30D、30G………下面電極、32C,32D、32G………貫通電極、34C,34D………配線電極、36G………上面電極、38………第2センター基板、40,40A,40B,40C,40D,40E,40F,40G,40H………第1接続電極、42A,42B,42E,42F,42G,42H………第2接続電極、44A,44B,44E,44F,44G,44H………配線電極、46C,46D………検査用電極、48C,48D………配線電極、50C,50D,50G………上面電極、52C,52D,52G………貫通電極、54………集積回路、56,56A,56B,56C,56D,56E,56F,56G,56H………パッド電極、58………第2枠状基板、60………第2の凹部、62,62A,62B,62E,62F,62G,62H………実装電極、64,64A,64B,64G,64H………貫通電極、66………溝、68E,68F………金属体、70A,70B,70E,70F,70G,70H………上面電極、72………圧電振動片、74………振動部、76………マウント部、78C、78D………励振電極、80C、80D………引出電極、82C、82D………導電性接着剤、84G………リッド、86………バンプ、88………携帯端末、90………操作ボタン、92………受話口、94………送話口、96………表示部、100………圧電デバイス、102………パッケージ、104………センター基板、106………第1枠状基板、108………第1の凹部、110………第2枠状基板、112………第2の凹部、114………圧電振動片、116………リッド、118………集積回路、120………パッド電極、122………接続電極、124………貫通電極、126………実装電極、128………バンプ。 10 ......... piezoelectric device, 12 ......... package, 12a ......... notch, 14 ......... first frame substrate, 16 ......... first recess, 18G ......... bottom electrode, 20G ......... Upper surface electrode, 22G ......... through electrode, 24 ......... first center substrate, 26C, 26D ......... relocation electrode, 28C, 28D ......... mount electrode, 30C, 30D, 30G ......... lower electrode, 32C , 32D, 32G ......... through electrode, 34C, 34D ......... wiring electrode, 36G ......... top electrode, 38 ......... second center substrate, 40, 40A, 40B, 40C, 40D, 40E, 40F, 40G , 40H ......... first connection electrode, 42A, 42B, 42E, 42F, 42G, 42H ......... second connection electrode, 44A, 44B, 44E, 44F, 44G, 44H ......... wiring electrode, 46C, 46D ... ...... Check Electrode, 48C, 48D ......... wiring electrode, 50C, 50D, 50G ......... top electrode, 52C, 52D, 52G ......... through electrode, 54 ......... integrated circuit, 56, 56A, 56B, 56C, 56D , 56E, 56F, 56G, 56H ......... Pad electrode, 58 ......... Second frame substrate, 60 ... Second recess, 62, 62A, 62B, 62E, 62F, 62G, 62H ......... Mounting Electrode, 64, 64A, 64B, 64G, 64H ......... Penetration electrode, 66 ......... Groove, 68E, 68F ......... Metal body, 70A, 70B, 70E, 70F, 70G, 70H ......... Top electrode, 72 ……… Piezoelectric vibrating piece, 74 ……… Vibrating portion, 76 ……… Mounting portion, 78C, 78D ……… Excitation electrode, 80C, 80D ……… Extraction electrode, 82C, 82D ……… Conductive adhesive, 84G ......... Lid 86... Bump, 88... Mobile terminal, 90... Operation button, 92... Earpiece, 94... Mouthpiece, 96. ......... Package, 104 ...... Center substrate, 106 ......... First frame substrate, 108 ......... First recess, 110 ......... Second frame substrate, 112 ......... Second recess, 114... Piezoelectric vibrating piece 116... Lid 118 118 Integrated circuit 120 Pad electrode 122 Connection electrode 124 Through electrode 126 Mounting electrode 128 ………bump.

Claims (8)

電子部品を収容する第1の凹部と、前記第1の凹部の底部を共有し前記第1の凹部とは逆方向に開口した第2の凹部と、を有するパッケージと、
前記第1の凹部の開口部を封止しているリッドと、を備えた電子デバイスであって、
前記第2の凹部の内側の壁面は、その一部が前記第2の凹部の深さ方向に延びている平面視で円弧形の溝を有しており、
前記溝は、
金属体により充填されていることを特徴とする電子デバイス。
A package having a first recess that accommodates an electronic component, and a second recess that shares a bottom of the first recess and opens in a direction opposite to the first recess;
A lid that seals the opening of the first recess, and an electronic device comprising:
The inner wall surface of the second recess has an arc-shaped groove in plan view, part of which extends in the depth direction of the second recess,
The groove is
An electronic device filled with a metal body.
前記パッケージは、
センター基板と、
前記センター基板の一方の主面の周縁に接続され、前記センター基板における前記周縁に囲まれた範囲を底部とした前記第1の凹部を形成するとともに前記リッドに接合する第1の枠状基板と、
前記センター基板の他方の主面の周縁に接続され、前記センター基板における前記周縁に囲まれた範囲を底部とした前記第2の凹部を形成する第2の枠状基板と、を有することを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。
The package is
A center board,
A first frame-like substrate that is connected to a peripheral edge of one main surface of the center substrate and forms the first recess having a bottom portion in a range surrounded by the peripheral edge of the center substrate and is bonded to the lid; ,
And a second frame-like substrate that is connected to the periphery of the other main surface of the center substrate and forms the second recess with a range surrounded by the periphery of the center substrate as a bottom. The electronic device according to claim 1.
前記パッケージの材料は、セラミックであることを特徴とする請求項1または2に記載の電子デバイス。   The electronic device according to claim 1, wherein a material of the package is ceramic. 前記溝は、
前記壁面の幅方向の中央となる位置から前記壁面の幅方向の端部側に離間した位置に配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子デバイス。
The groove is
The electronic device according to any one of claims 1 to 3, wherein the electronic device is disposed at a position spaced from a center position in the width direction of the wall surface toward an end portion side in the width direction of the wall surface.
前記溝は、
前記壁面に複数配置されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電子デバイス。
The groove is
The electronic device according to claim 1, wherein a plurality of the electronic devices are arranged on the wall surface.
前記第2の凹部の開口部の周囲には、実装端子が設けられ、
前記溝及び前記金属体は、前記第2の凹部の開口部の縁まで延出して前記金属体が前記実装端子に接続していることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子デバイス。
A mounting terminal is provided around the opening of the second recess,
The said groove | channel and the said metal body are extended to the edge of the opening part of the said 2nd recessed part, and the said metal body is connected to the said mounting terminal, The Claim 1 characterized by the above-mentioned. The electronic device described.
前記第2の凹部には、第2の電子部品が配置され、
前記金属体は、前記第2の電子部品に電気的に接続されていることを特徴とする請求項6に記載の電子デバイス。
A second electronic component is disposed in the second recess,
The electronic device according to claim 6, wherein the metal body is electrically connected to the second electronic component.
請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電子デバイスを搭載していることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electronic device according to any one of claims 1 to 7.
JP2012024156A 2012-02-07 2012-02-07 Electronic device and electronic apparatus Pending JP2013162030A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012024156A JP2013162030A (en) 2012-02-07 2012-02-07 Electronic device and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012024156A JP2013162030A (en) 2012-02-07 2012-02-07 Electronic device and electronic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013162030A true JP2013162030A (en) 2013-08-19

Family

ID=49174024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012024156A Pending JP2013162030A (en) 2012-02-07 2012-02-07 Electronic device and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013162030A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015195436A (en) * 2014-03-31 2015-11-05 日本電波工業株式会社 Electronic component package and piezoelectric device
JP2016082538A (en) * 2014-10-22 2016-05-16 京セラクリスタルデバイス株式会社 Piezoelectric device and method of manufacturing the same
WO2024047745A1 (en) * 2022-08-30 2024-03-07 京セラ株式会社 Vibration device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015195436A (en) * 2014-03-31 2015-11-05 日本電波工業株式会社 Electronic component package and piezoelectric device
JP2016082538A (en) * 2014-10-22 2016-05-16 京セラクリスタルデバイス株式会社 Piezoelectric device and method of manufacturing the same
WO2024047745A1 (en) * 2022-08-30 2024-03-07 京セラ株式会社 Vibration device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4600663B2 (en) Temperature compensated piezoelectric oscillator
JP5943187B2 (en) Vibration element, vibrator, electronic device, and electronic apparatus
US11342899B2 (en) Crystal resonator device
TWI493663B (en) Package, vibrator, oscillator, and electronic device
US11637544B2 (en) Piezoelectric resonator device and system-in-package module including the same
JP5452264B2 (en) Piezoelectric vibrator and oscillator using the same
KR20110091471A (en) Piezoelectric vibrator and oscillator using the same
JP2014068098A (en) Vibration piece, vibration device, electronic apparatus and moving body
JP2006332727A (en) Piezoelectric device
JP2013162030A (en) Electronic device and electronic apparatus
JP2013239943A (en) Electronic component manufacturing method, electronic component testing method, sheet substrate, electronic component and electronic apparatus
JP5377350B2 (en) Piezoelectric vibrator and oscillator using the same
JP4151711B2 (en) Piezoelectric device
JP2013239947A (en) Vibration device, vibration device module, electronic apparatus, and movable body
JP2010136243A (en) Vibrator
JP2019071550A (en) Piezoelectric device and package
JP5928985B2 (en) Electronic component manufacturing method, electronic component inspection method, sheet substrate, electronic component, and electronic apparatus
JP2013162004A (en) Manufacturing method of electronic device, manufacturing method of electronic apparatus, electronic device, and electronic apparatus
JP2011182306A (en) Piezoelectric device and method of manufacturing the same
JP2007142947A (en) Surface-mounting piezoelectric oscillator
JP2006197477A (en) Package for piezoelectric device and piezoelectric device using same
JP4833716B2 (en) Piezoelectric oscillator
CN116137518A (en) Vibration device
JP2008219123A (en) Temperature compensation piezoelectric oscillator
JP2007208537A (en) Junction structure for piezoelectric vibration chip, and piezoelectric device