JP2013157424A - Organic el panel - Google Patents

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Toyoyasu Tadokoro
豊康 田所
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL panel capable of expressing arbitrary design without deteriorating appearance during non-emission.SOLUTION: An organic EL panel 10 includes an organic EL element formed on a support substrate 11, the organic EL element being formed by at least laminating organic light emitting layers 14b, 14c and an electron injection layer 14e between an anode 12 and a cathode 15. The electron injection layer is formed so as to express arbitrary design. The electron injection layer 14e is also formed to have a dot shape where dot size and/or dot density is partially different.

Description

本発明は、有機EL(Electro Luminescence)パネルに関する。   The present invention relates to an organic EL (Electro Luminescence) panel.

従来、有機材料によって形成される自発光素子として知られる有機EL素子は、例えば、陽極となるITO(Indium Tin Oxide)等からなる第1電極と、少なくとも発光層を有する有機層と、陰極となるアルミニウム(Al)等からなる非透光性の第2電極と、を順次積層してなるものである(例えば特許文献1参照)。   Conventionally, an organic EL element known as a self-luminous element formed of an organic material is, for example, a first electrode made of ITO (Indium Tin Oxide) or the like serving as an anode, an organic layer having at least a light emitting layer, and a cathode. A non-translucent second electrode made of aluminum (Al) or the like is sequentially laminated (for example, see Patent Document 1).

かかる有機EL素子は、第1電極から正孔を注入し、また、第2電極から電子を注入して正孔及び電子が前記発光層にて再結合することによって光を発するものである。有機EL素子はディスプレイに採用されるほか、近年では面発光照明としても開発が進められている。さらには、主に陰極に光反射性の高い材料が用いられることから、特許文献2等に開示されるように透光性基板上に有機EL素子を形成して自発光型のミラーとするものも知られている。   Such an organic EL element emits light by injecting holes from the first electrode and injecting electrons from the second electrode, and the holes and electrons recombine in the light emitting layer. In addition to being employed in displays, organic EL elements have also been developed as surface-emitting lighting in recent years. Furthermore, since a highly light-reflective material is mainly used for the cathode, an organic EL element is formed on a light-transmitting substrate as disclosed in Patent Document 2 or the like to form a self-luminous mirror. Is also known.

特開昭59−194393号公報JP 59-194393 A 特開2000−41807号公報JP 2000-41807 A

有機EL素子を用いた有機ELパネルにおいて、意匠を表現する簡易な方法としては、両電極間に絶縁膜を形成し、発光部を任意の形状とする方法が知られている(特許文献2参照)。   As a simple method for expressing a design in an organic EL panel using an organic EL element, a method is known in which an insulating film is formed between both electrodes and a light emitting portion is formed in an arbitrary shape (see Patent Document 2). ).

しかしながら、両電極間に絶縁膜を形成して発光部の形状を画定する方法においては、絶縁膜の色と膜厚とから非発光時に発光部と非発光部との境目が目立ち、見栄えを損なうという問題点があった。かかる問題は、特に有機ELパネルをミラーに用いる場合においては非発光時に鏡面の見栄えが均一とならないため問題となる。かといって、高精細ディスプレイに用いられるように、発光部をマトリクス状に配置する方法は、製造工程や駆動方法を含めてコストが高く、簡易的なディスプレイや照明に用いる場合には採用することができない。   However, in the method of defining the shape of the light emitting part by forming an insulating film between both electrodes, the boundary between the light emitting part and the non-light emitting part is noticeable at the time of non-light emission due to the color and film thickness of the insulating film, and the appearance is impaired. There was a problem. Such a problem becomes a problem particularly when an organic EL panel is used as a mirror because the appearance of the mirror surface is not uniform when no light is emitted. However, as used in high-definition displays, the method of arranging light-emitting parts in a matrix is expensive, including the manufacturing process and drive method, and should be used for simple displays and lighting. I can't.

そこで本発明は、この問題に鑑みてなされたものであり、非発光時の見栄えを損なうことなく、任意の意匠を表現することが可能な有機ELパネルを提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made in view of this problem, and an object thereof is to provide an organic EL panel capable of expressing an arbitrary design without impairing the appearance when no light is emitted.

本発明は、前述の課題を解決するために、陽極と陰極との間に有機発光層と電子注入層とを少なくとも積層形成してなる有機EL素子を支持基板上に形成してなる有機ELパネルであって、
前記電子注入層が所定の意匠を成すように形成されてなることを特徴とする。
In order to solve the above-described problems, the present invention provides an organic EL panel in which an organic EL element formed by laminating at least an organic light emitting layer and an electron injection layer between an anode and a cathode is formed on a support substrate. Because
The electron injection layer is formed so as to form a predetermined design.

また、前記電子注入層は、大きさ及び/あるいは密度が部分的に異なる網点状に形成されることを特徴とする。   In addition, the electron injection layer is formed in a halftone dot shape having partially different sizes and / or densities.

また、前記陽極と前記陰極との間に、前記電子注入層が形成されない個所の発光輝度が20cd/m以下となる電圧が印加されることを特徴とする。 Further, a voltage is applied between the anode and the cathode so that the light emission luminance of the portion where the electron injection layer is not formed is 20 cd / m 2 or less.

本発明によれば、非発光時の見栄えを損なうことなく、任意の意匠を表現することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to express an arbitrary design without impairing the appearance when no light is emitted.

本発明の実施形態である有機ELパネルを示す模式断面図。1 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL panel that is an embodiment of the present invention. 同上有機ELパネルの発光面を示す図。The figure which shows the light emission surface of an organic electroluminescent panel same as the above. 本発明の実施例1における第1の領域と第2の領域との輝度−電圧特性及び電流密度−電圧特性を示す図。The figure which shows the luminance-voltage characteristic and current density-voltage characteristic of the 1st area | region and 2nd area | region in Example 1 of this invention. 本発明の実施例2における第1の領域と第2の領域との輝度−電圧特性及び電流密度−電圧特性を示す図。The figure which shows the luminance-voltage characteristic and current density-voltage characteristic of the 1st area | region and 2nd area | region in Example 2 of this invention.

以下、添付図面に基づいて本発明を有機ELパネルに適用した実施形態について説明する。   Hereinafter, embodiments in which the present invention is applied to an organic EL panel will be described with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明の実施形態である有機ELパネル10を示す図である。有機ELパネル10は、図1(a)に示すように、支持基板11と、透明電極である第1電極12と、絶縁膜13と、有機層14と、反射電極である第2電極15と、封止部材16と、から主に構成される。支持基板11上に形成される各部からなる積層体は有機EL素子を構成する。有機EL素子は両電極間に電圧を印加すると発光し、有機EL素子から発せられた光Lは、発光面である支持基板11の表面(視認者側の面)側から外部に出射される。すなわち、有機ELパネル10は、ボトムエミッション型の有機ELパネルである。   FIG. 1 is a diagram showing an organic EL panel 10 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1A, the organic EL panel 10 includes a support substrate 11, a first electrode 12 that is a transparent electrode, an insulating film 13, an organic layer 14, and a second electrode 15 that is a reflective electrode. The sealing member 16 is mainly configured. A laminated body composed of each part formed on the support substrate 11 constitutes an organic EL element. The organic EL element emits light when a voltage is applied between both electrodes, and the light L emitted from the organic EL element is emitted to the outside from the surface (the surface on the viewer side) of the support substrate 11 that is the light emitting surface. That is, the organic EL panel 10 is a bottom emission type organic EL panel.

支持基板11は、例えば透光性の無アルカリガラスからなる矩形状の基板である。なお、アルカリガラス等のその他のガラス基板を用いてもよく、ガラス厚についても特に限定されない。支持基板11上には、第1電極12、絶縁膜13、有機層14及び第2電極15が順に積層形成される。   The support substrate 11 is a rectangular substrate made of translucent non-alkali glass, for example. Other glass substrates such as alkali glass may be used, and the glass thickness is not particularly limited. On the support substrate 11, a first electrode 12, an insulating film 13, an organic layer 14, and a second electrode 15 are sequentially stacked.

第1電極12は、正孔を注入する陽極となるものであり、支持基板11上にITOあるいはAZO等の透明導電材料をスパッタリング法あるいは真空蒸着法等の手段によって50〜500nmの膜厚で層状に形成し、フォトリソグラフィー法等の手段によって所定の形状にパターニングしてなる透明電極である。また、第1電極12は、その表面がUV/O処理やプラズマ処理等の表面処理を施される。 The first electrode 12 serves as an anode for injecting holes, and a transparent conductive material such as ITO or AZO is formed on the support substrate 11 with a film thickness of 50 to 500 nm by means such as sputtering or vacuum deposition. And a transparent electrode formed by patterning into a predetermined shape by means such as photolithography. The surface of the first electrode 12 is subjected to a surface treatment such as UV / O 3 treatment or plasma treatment.

絶縁膜13は、第1電極12のエッジを含む支持基板11の周辺領域を覆うものであり、例えばポリイミド系やフェノール系の絶縁材料をスピンコート法等の手段によって層状に形成し、フォトリソグラフィー法で所望の形状にパターニングしてなる。なお、本実施形態において、絶縁膜13は、発光部の形状を画定するものではなく、単に周縁領域における両電極12、15の短絡を防止するためのものである。   The insulating film 13 covers the peripheral region of the support substrate 11 including the edge of the first electrode 12. For example, a polyimide-based or phenol-based insulating material is formed in a layer shape by means such as a spin coat method, and a photolithography method. And patterning to a desired shape. In the present embodiment, the insulating film 13 does not delimit the shape of the light emitting part, but merely for preventing a short circuit between the electrodes 12 and 15 in the peripheral region.

有機層14は、少なくとも有機材料からなる有機発光層を含む多層からなり、第1電極12上に形成されるものである。本実施形態においては、図1(b)に示すように、第1電極12側から順に正孔注入輸送層14a、第1の発光層14b、第2の発光層14c、電子輸送層14d及び電子注入層14eが順に積層形成されてなる。   The organic layer 14 is formed of a multilayer including at least an organic light emitting layer made of an organic material, and is formed on the first electrode 12. In this embodiment, as shown in FIG. 1B, the hole injection transport layer 14a, the first light emitting layer 14b, the second light emitting layer 14c, the electron transport layer 14d, and the electrons are sequentially formed from the first electrode 12 side. The injection layer 14e is formed by laminating sequentially.

正孔注入輸送層14aは、第1電極12から正孔を取り込み第1の発光層14bへ伝達する機能を有し、例えばアミン系化合物等の正孔輸送性有機材料を蒸着法等の手段によって膜厚15〜40nm程度の層状に形成してなる。正孔注入輸送層14aは、ガラス転移温度が130℃以上であり、エネルギーギャップは3.1eV程度である。   The hole injecting and transporting layer 14a has a function of taking holes from the first electrode 12 and transmitting them to the first light emitting layer 14b. For example, a hole transporting organic material such as an amine compound is deposited by means such as vapor deposition. It is formed in a layer shape with a film thickness of about 15 to 40 nm. The hole injecting and transporting layer 14a has a glass transition temperature of 130 ° C. or higher and an energy gap of about 3.1 eV.

第1の発光層14bは、有機材料からなり、例えば橙色発光を示すフルオランテン骨格又はペンタセン骨格を有する蛍光材料を蒸着法等の手段によって、膜厚5nm以下の層状に形成した薄膜層からなる。なお、第1の発光層14bとしては、蛍光材料のほか燐光材料や熱遅延蛍光材料を用いても良く、ホスト材料と発光ドーパントとの混合層であってもよい。   The first light emitting layer 14b is made of an organic material, for example, a thin film layer in which a fluorescent material having a fluoranthene skeleton or a pentacene skeleton that emits orange light is formed into a layer having a film thickness of 5 nm or less by means such as vapor deposition. As the first light emitting layer 14b, a phosphorescent material or a heat delay fluorescent material may be used in addition to a fluorescent material, or a mixed layer of a host material and a light emitting dopant may be used.

第2の発光層14cは、ホスト材料と発光ドーパントとを共蒸着等の手段によって混合した膜厚15〜60nmの混合層からなる。
前記ホスト材料は、正孔及び電子の輸送が可能であり、その分子内で正孔及び電子が再結合することで前記発光ドーパントを発光させる機能を有する。前記ホスト材料は、3.3eV程度のエネルギーギャップを持ち、ガラス転移温度が120℃程度である。具体的には例えばアントラセン誘導体からなる。
前記発光ドーパントは、正孔と電子との再結合に反応して発光する機能を有し、前述の前記第1の発光層14bとは異なる所定の発光色を示す有機材料からなる。本実施形態では例えば青色発光を示すスチリルアミン、アミン置換スチリルアミン化合物からなる蛍光材料で濃度消光を起こさない程度のドーピング量で用いる。なお、前記発光ドーパントとしては、蛍光材料のほか燐光材料あるいは熱遅延蛍光材料を用いてもよい。
The 2nd light emitting layer 14c consists of a mixed layer with a film thickness of 15-60 nm which mixed host material and the light emission dopant by means, such as co-evaporation.
The host material can transport holes and electrons, and has a function of causing the luminescent dopant to emit light by recombination of holes and electrons in the molecule. The host material has an energy gap of about 3.3 eV and a glass transition temperature of about 120 ° C. Specifically, it consists of an anthracene derivative, for example.
The light-emitting dopant has a function of emitting light in response to recombination of holes and electrons, and is made of an organic material that exhibits a predetermined emission color different from that of the first light-emitting layer 14b. In this embodiment, for example, a fluorescent material made of styrylamine or an amine-substituted styrylamine compound that emits blue light is used in a doping amount that does not cause concentration quenching. In addition to the fluorescent material, a phosphorescent material or a thermally delayed fluorescent material may be used as the light emitting dopant.

電子輸送層14dは、電子を第2の発光層14cへ伝達する機能を有し、例えばアルミニウムキノリン(Alq)やトリアジン系化合物等からなる電子輸送性材料を膜厚8〜30nm程度の層状に形成してなるものである。 The electron transport layer 14d has a function of transmitting electrons to the second light-emitting layer 14c. For example, an electron transport material made of aluminum quinoline (Alq 3 ), a triazine compound, or the like is formed into a layer having a thickness of about 8 to 30 nm. It is formed.

電子注入層14eは、第2電極15から電子を取り込む機能を有し、例えばフッ化リチウム(LiF)やリチウムキノリン(Liq)を蒸着法等の手段によって膜厚1nm程度の網点状に形成してなるものである。ここで、電子注入層14eを網点状に形成する方法として、蒸着法においては網点状の開口部を有する蒸着マスクを介して電子注入層14eとなる材料を支持基板11に蒸着する。また、電子注入層14eは、全体として前記蒸着マスクの開口部のパターンによって定められる所定の意匠を成すように形成される。ここで「意匠」とは、具体的には有機ELパネル10の発光面側から見て、数字、文字、図形、模様、画像、キャラクターあるいはこれらの組み合わせを表すものである。網点状の電子注入層14eが所定の意匠を成す、とは、網点である電子注入層14eによって意匠が描画されている状態を指す。また、網点状の電子注入層14eは、その大きさ及び/あるいは密度が部分的に異なるように形成されている。すなわち、網点の大きさを変更するAMスクリーニング法、網点の密度を変更するFMスクリーニング法または両者を併用するハイブリッドスクリーニング法により、網点状の電子注入層14eが成す意匠にグラデーション(濃淡)が施されている。電子注入層14eの形成に用いられる前記蒸着マスクは、電子注入層14eが成す意匠の精細度によって適宜加工方法が選択して作製される。意匠が比較的荒い(解像度が低い)場合には、基材となるSUS304にレーザー加工で網点状の前記開口部を形成し、レーザーメタルマスクを作製する。また、意匠の解像度を上げる場合は、フォトマスクを使用しSUS304にエッチングによって網点状の前記開口部を形成し、エッチングメタルマスクを作製する。エッチングメタルマスクで形成できる前記開口部は正方形状として一辺が100μm程度であるが、さらに意匠を高精細にするマスクとしては基材にNiを用いたアクティブメタルマスクがある。例えば、アクティブメタルマスクを用いれば、前記開口部として、一辺が52μmの正方形状の開口部と一辺が36μmの正方形状の開口部と一辺が24μmの正方形状の開口部とそれぞれ形成して網点状の電子注入層14eの大きさを部分的に変更し、AMスクリーニング法により意匠に高精細な濃淡を施すことが可能である。   The electron injection layer 14e has a function of taking electrons from the second electrode 15. For example, lithium fluoride (LiF) or lithium quinoline (Liq) is formed in a halftone dot shape with a film thickness of about 1 nm by means such as vapor deposition. It will be. Here, as a method for forming the electron injection layer 14e in a dot pattern, in the vapor deposition method, a material to be the electron injection layer 14e is vapor-deposited on the support substrate 11 through a vapor deposition mask having a dot-shaped opening. Moreover, the electron injection layer 14e is formed so that the predetermined design defined by the pattern of the opening part of the said vapor deposition mask may be comprised as a whole. Here, the “design” specifically represents a number, a character, a figure, a pattern, an image, a character, or a combination thereof when viewed from the light emitting surface side of the organic EL panel 10. The halftone dot electron injection layer 14e forms a predetermined design means that the design is drawn by the electron injection layer 14e which is a halftone dot. The dot-like electron injection layer 14e is formed so that the size and / or density thereof is partially different. That is, gradation (shading) is applied to the design formed by the dot-shaped electron injection layer 14e by the AM screening method for changing the dot size, the FM screening method for changing the dot density, or the hybrid screening method using both in combination. Is given. The vapor deposition mask used for the formation of the electron injection layer 14e is manufactured by appropriately selecting a processing method according to the definition of the design formed by the electron injection layer 14e. When the design is relatively rough (resolution is low), the dot-shaped openings are formed by laser processing on SUS304 serving as a base material to produce a laser metal mask. Further, in order to increase the resolution of the design, a photomask is used to form the dot-shaped openings in SUS304 by etching, thereby producing an etching metal mask. The opening that can be formed with an etching metal mask is square and has a side of about 100 μm. As a mask that further refines the design, there is an active metal mask using Ni as a base material. For example, if an active metal mask is used, the openings are formed as a square opening having a side of 52 μm, a square opening having a side of 36 μm, and a square opening having a side of 24 μm. It is possible to partially change the size of the electron-injecting layer 14e and apply high-definition shading to the design by the AM screening method.

第2電極15は、電子を注入する陰極となるものであり、電子注入層14eあるいは電子輸送層14d上に例えばAl,マグネシウム(Mg),コバルト(Co),Li,金(Au),銅(Cu),亜鉛(Zn)等の低抵抗導電材料をスパッタリング法や真空蒸着法等の手段によって膜厚50〜200nmの層状に形成した導電膜からなる反射電極である。   The second electrode 15 serves as a cathode for injecting electrons. On the electron injection layer 14e or the electron transport layer 14d, for example, Al, magnesium (Mg), cobalt (Co), Li, gold (Au), copper ( This is a reflective electrode made of a conductive film in which a low-resistance conductive material such as Cu) or zinc (Zn) is formed into a layer having a thickness of 50 to 200 nm by means such as sputtering or vacuum deposition.

封止部材16は、例えばガラス材料からなり、成型、サンドブラスト、切削あるいはエッチング等の適宜方法で凹形状に形成してなるものである。封止部材16は、例えば紫外線硬化性エポキシ樹脂からなる接着剤17を介して支持基板11上に気密的に配設され、有機EL素子が封止される。支持基板11と封止部材16とで形成される封止空間内には吸湿剤(図示しない)が配設される。なお、封止部材16は平板状であってもよく、その場合封止部材16はスペーサーを介して支持基板11上に配設される。   The sealing member 16 is made of, for example, a glass material, and is formed into a concave shape by an appropriate method such as molding, sandblasting, cutting, or etching. The sealing member 16 is hermetically disposed on the support substrate 11 via an adhesive 17 made of, for example, an ultraviolet curable epoxy resin, and the organic EL element is sealed. A hygroscopic agent (not shown) is disposed in a sealing space formed by the support substrate 11 and the sealing member 16. The sealing member 16 may have a flat plate shape. In this case, the sealing member 16 is disposed on the support substrate 11 via a spacer.

以上のように、有機ELパネル10が構成される。なお、支持基板11上に形成され、第1電極12あるいは第2電極15と接続される引き回し配線や端子等の周知の内容については説明を簡略にするために適宜省略した。   As described above, the organic EL panel 10 is configured. Note that well-known contents such as routing wirings and terminals formed on the support substrate 11 and connected to the first electrode 12 or the second electrode 15 are omitted as appropriate for the sake of simplicity.

図2は、有機ELパネル10の発光面を示す正面図である。本実施形態では、有機ELパネル10の発光面から見て、電子注入層14eが形成される第1の領域A1と電子注入層14eが形成されない第2の領域A2とが形成される。
有機EL素子は、電子注入層14eを形成する場合と電子注入層14eを形成しない場合とでは、電子注入層14eを形成する場合と比べて電子注入層14eを形成しない場合は電流が流れにくく、同じ値の電圧を印加した場合の発光輝度が大きく異なる。本願発明者は、鋭意検討の結果、この特性を利用して電子注入層14eのみを所定の形状に形成することで任意の意匠を表現することが可能であることを見いだした。
すなわち、電子注入層14eが形成される第1の領域A1は電流効率が高い個所であるため発光輝度が高く、電子注入層14eが形成されない第2の領域A2は電流効率が低い個所であるため発光しないか発光輝度が極めて低いため、視認者は両領域A1、A2の輝度差により、網点状の第1の領域A1の発光によって描画される所定の意匠(図2においては数字の「1」)を視認することができる。なお、厳密には第2の領域A2も印加する電圧値によってはある程度の発光を示すため、視認者が意匠を良好に視認するためには印加する電圧値を第1の領域A1の発光輝度が1000cd/m程度である場合に第2の領域A2の発光輝度が20cd/m以下となる値とすることが望ましい。
さらに、本実施形態においては、電子注入層14eが網点状に形成され、電子注入層14eはその大きさ及び/あるいは密度が部分的に異なるように形成されている。図2においては、数字「1」の下方が電子注入層14eの密度が最も高く、上方に向かって徐々に電子注入層14eの密度が低くなるように形成されている。これによって、部分的に輝度を異ならせて意匠にグラデーション(濃淡)を表現することが可能となる。なお、図2においては便宜的に電子注入層14eの密度のみを部分的に変更した例を示したが、前述のように電子注入層14eの大きさを部分的に変更する、電子注入層14eの大きさ及び密度を部分的に変更してもよい。また、本実施形態において、グラデーションを表現しない場合は、電子注入層14eを単独であるいは複数の組み合わせで意匠を成すセグメント状に形成してもよい。また、輝度差(濃淡)によって意匠を視認することができれば、図2において背景となる数字「1」の周囲にも網点状の電子注入層14eが形成されてもよい。この場合、数字「1」の内側の電子注入層14eに対して、周囲の電子注入層14eはその大きさ及び/あるいは密度が十分に小さく形成されることとなる。
FIG. 2 is a front view showing the light emitting surface of the organic EL panel 10. In the present embodiment, when viewed from the light emitting surface of the organic EL panel 10, a first region A1 where the electron injection layer 14e is formed and a second region A2 where the electron injection layer 14e is not formed are formed.
In the organic EL element, when the electron injection layer 14e is formed and when the electron injection layer 14e is not formed, the current does not flow easily when the electron injection layer 14e is not formed as compared with the case where the electron injection layer 14e is formed. The light emission luminance is greatly different when the same voltage is applied. As a result of intensive studies, the inventor of the present application has found that an arbitrary design can be expressed by forming only the electron injection layer 14e into a predetermined shape using this characteristic.
That is, the first region A1 in which the electron injection layer 14e is formed is a portion with high current efficiency, so that the light emission luminance is high, and the second region A2 in which the electron injection layer 14e is not formed is a portion with low current efficiency. Since the light is not emitted or the light emission luminance is extremely low, the viewer is given a predetermined design drawn by light emission of the halftone dot first region A1 due to the luminance difference between the two regions A1 and A2 (in FIG. 2, the numeral “1”). )). Strictly speaking, since the second region A2 also exhibits a certain amount of light emission depending on the applied voltage value, in order for the viewer to see the design well, the applied voltage value is the light emission luminance of the first region A1. In the case of about 1000 cd / m 2 , it is desirable that the light emission luminance of the second region A2 be a value that is 20 cd / m 2 or less.
Furthermore, in this embodiment, the electron injection layer 14e is formed in a halftone dot shape, and the electron injection layer 14e is formed so that the size and / or density thereof is partially different. In FIG. 2, the number “1” is formed so that the density of the electron injection layer 14 e is the highest and the density of the electron injection layer 14 e gradually decreases upward. This makes it possible to express gradation (shading) in the design by partially varying the luminance. Although FIG. 2 shows an example in which only the density of the electron injection layer 14e is partially changed for convenience, the electron injection layer 14e in which the size of the electron injection layer 14e is partially changed as described above. The size and density may be partially changed. Moreover, in this embodiment, when gradation is not expressed, the electron injection layer 14e may be formed in a segment shape forming a design singly or in combination. Further, if the design can be visually recognized by the luminance difference (light / dark), a dot-like electron injection layer 14e may be formed around the number “1” as a background in FIG. In this case, the size and / or density of the surrounding electron injection layer 14e is sufficiently smaller than the electron injection layer 14e inside the numeral “1”.

本実施形態によれば、支持基板11上に積層形成される、第1電極12、正孔注入輸送層14a、第1の発光層14b、第2の発光層14c、電子輸送層14d、電子注入層14e及び第2電極15のうち、電子注入層14eのみを所定の意匠を成すように形成する簡素な方法により、任意の意匠を表現することが可能となる。また、電子注入層14eは1nm程度の薄膜であるため、絶縁膜によって発光形状を画定する方法のように非発光時に第1の領域A1と第2の領域A2との境界部分が視認者に視認されることがない。したがって、有機ELパネル10は発光時には簡易的なディスプレイや照明として用いるほか、非発光時にはパターンのない第2電極15が視認されるため全面を鏡面として利用することができる。また、電子注入層14eを有機ELパネル10の発光面の周辺部のみに形成し中央部に電子注入層14eを形成しない、あるいは支持基板11上に有機EL素子に隣接して第2電極15を構成する光反射性の材料を層状に形成した鏡面部を設けるなどすれば、有機ELパネル10を任意の意匠からなる照明を有するミラーとすることも可能である。   According to this embodiment, the first electrode 12, the hole injection transport layer 14 a, the first light emitting layer 14 b, the second light emitting layer 14 c, the electron transport layer 14 d, and the electron injection that are stacked on the support substrate 11. An arbitrary design can be expressed by a simple method of forming only the electron injection layer 14e out of the layer 14e and the second electrode 15 so as to form a predetermined design. Further, since the electron injection layer 14e is a thin film of about 1 nm, the boundary portion between the first region A1 and the second region A2 is visible to the viewer when no light is emitted as in the method of defining the light emission shape by the insulating film. It will not be done. Therefore, the organic EL panel 10 can be used as a simple display or illumination when emitting light, and the second electrode 15 without a pattern can be visually recognized when not emitting light, so that the entire surface can be used as a mirror surface. Further, the electron injection layer 14e is formed only in the peripheral portion of the light emitting surface of the organic EL panel 10, and the electron injection layer 14e is not formed in the central portion, or the second electrode 15 is formed on the support substrate 11 adjacent to the organic EL element. The organic EL panel 10 can be a mirror having illumination having an arbitrary design, for example, by providing a mirror surface portion in which the light-reflective material to be formed is formed in layers.

以上の説明は本発明を例示するものであって、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更、変形が可能であることは言うまでもない。本発明における有機EL素子の積層構造は本実施形態に限定されるものではなく、正孔注入輸送層14aに替えて第1電極12側より正孔注入層と正孔輸送層を形成してもよく、発光層が1層であったり、電子輸送層が複数層形成されるなどの構成であってもよい。   The above description exemplifies the present invention, and it goes without saying that various changes and modifications can be made without departing from the scope of the invention. The laminated structure of the organic EL element in the present invention is not limited to this embodiment, and the hole injection layer and the hole transport layer may be formed from the first electrode 12 side instead of the hole injection transport layer 14a. Alternatively, the light emitting layer may be a single layer, or a plurality of electron transport layers may be formed.

次に、実施例を挙げて本発明の効果を具体的に説明する。   Next, the effects of the present invention will be specifically described with reference to examples.

まず、ガラス材料からなる支持基板11上にスパッタリング法でITOを膜厚145nmで形成して第1電極12を形成した。
次に、大気暴露することなく、第1電極12上に正孔注入輸送層14aとして、正孔輸送性材料HT1を真空蒸着により膜厚30nmで形成した。正孔輸送性材料HT1は、ガラス転移温度Tg=132℃、Ip=5.4eV、μh=4×10−4cm/Vsである。
次に、正孔注入輸送層14a上に第1の発光層14bとして、橙色発光を示す蛍光材料AD1を真空蒸着により膜厚1nmで形成した。蛍光材料AD1は、Eg(エネルギーギャップ)=2.0eV、Ip(イオン化ポテンシャル)=5.2eV、ガラス転移温度Tg=156℃である。
次に、第1の発光層14b上に第2の発光層14cとして、ホスト材料EM1と青緑色発光を示す蛍光ドーパントBD1との混合層を、EM1:BD1=40:2のwt%比率で含有させて共蒸着により膜厚40nmで形成した。ホスト材料EM1は、Ip=5.9eV、Ea(LUMOエネルギー、すなわち電子親和力)=2.9eV、μe(電子移動度)=3×10−3cm/Vs、μh(正孔移動度)=2×10−3cm/Vs、ガラス転移温度Tg=130℃である。蛍光ドーパントBD1は、Eg=2.7eV、Ip=5.6eV、ガラス転移温度Tg=200℃である。
次に、第2の発光層14c上に電子輸送層14dとして、トリアジン誘導体である電子輸送性材料ET1を真空蒸着により膜厚20nmで形成した。電子輸送性材料ET1は、Ip=6.0eV、Ea=3.0eV、μe=4×10−4cm/Vs、ガラス転移温度Tg=136℃である。
次に、電子輸送層14d上に電子注入層14eとして、LiFを真空蒸着法により膜厚1nmで形成した。このとき、網点状の前記開口部のパターンを有する前記蒸着マスクを用い、電子注入層14eが開口率(電子注入層14e全体の面積/発光面全体の面積)が30%の網点状に形成されるとともに、電子注入層14eの全体で所定の意匠を成すように形成した。
次に、電子注入層14e上に第2電極15として、Alを真空蒸着により膜厚100nmで形成した。
その後、その後吸湿剤が塗布された封止部材16を支持基板11上に配設して封止し実施例1となる有機ELパネルを作製した。
実施例1は、非通電時は鏡面であり境界線などは視認されず、電圧を印加して通電すると第1の領域A1の白色発光による意匠が視認でき、発光輝度が1000cd/mである際の消費電力は12.9mW/cmであった。
First, the first electrode 12 was formed by forming ITO with a film thickness of 145 nm on the support substrate 11 made of a glass material by a sputtering method.
Next, a hole transporting material HT1 was formed as a hole injecting and transporting layer 14a on the first electrode 12 with a film thickness of 30 nm by vacuum deposition without being exposed to the atmosphere. The hole transporting material HT1 has a glass transition temperature Tg = 132 ° C., Ip = 5.4 eV, and μh = 4 × 10 −4 cm 2 / Vs.
Next, a fluorescent material AD1 exhibiting orange light emission was formed as a first light emitting layer 14b on the hole injecting and transporting layer 14a with a film thickness of 1 nm by vacuum deposition. The fluorescent material AD1 has Eg (energy gap) = 2.0 eV, Ip (ionization potential) = 5.2 eV, and a glass transition temperature Tg = 156 ° C.
Next, a mixed layer of a host material EM1 and a fluorescent dopant BD1 exhibiting blue-green light emission is contained as a second light-emitting layer 14c on the first light-emitting layer 14b at a weight percent ratio of EM1: BD1 = 40: 2. The film was formed by co-evaporation to a film thickness of 40 nm. The host material EM1 has Ip = 5.9 eV, Ea (LUMO energy, that is, electron affinity) = 2.9 eV, μe (electron mobility) = 3 × 10 −3 cm 2 / Vs, μh (hole mobility) = 2 × 10 −3 cm 2 / Vs, glass transition temperature Tg = 130 ° C. The fluorescent dopant BD1 has Eg = 2.7 eV, Ip = 5.6 eV, and a glass transition temperature Tg = 200 ° C.
Next, as the electron transport layer 14d, the electron transport material ET1 that is a triazine derivative was formed with a film thickness of 20 nm on the second light emitting layer 14c by vacuum deposition. The electron transport material ET1 has Ip = 6.0 eV, Ea = 3.0 eV, μe = 4 × 10 −4 cm 2 / Vs, and a glass transition temperature Tg = 136 ° C.
Next, LiF was formed on the electron transport layer 14d as the electron injection layer 14e with a film thickness of 1 nm by a vacuum deposition method. At this time, using the vapor deposition mask having the dot-like pattern of openings, the electron injection layer 14e has a halftone dot shape with an aperture ratio (area of the entire electron injection layer 14e / area of the entire light emitting surface) of 30%. In addition to being formed, the entire electron injection layer 14e was formed to form a predetermined design.
Next, Al was formed as a second electrode 15 on the electron injection layer 14e with a film thickness of 100 nm by vacuum deposition.
Thereafter, the sealing member 16 coated with a hygroscopic agent was then placed on the support substrate 11 and sealed to produce an organic EL panel as Example 1.
Example 1 is a mirror surface when not energized and the boundary line is not visually recognized. When a voltage is applied and energized, the design of the first region A1 by white light emission can be visually recognized, and the emission luminance is 1000 cd / m 2 . The power consumption at the time was 12.9 mW / cm 2 .

図3(a)は、実施例1における電子注入層14eが形成された個所である第1の領域A1と電子注入層14eが形成されない個所である第2の領域A2とにおける輝度−電圧(L−V)特性を示すものであり、図3(b)は実施例1における第1の領域A1と第2の領域とにおける電流密度−電圧(J−V)特性を示すものである。なお、輝度あるいは電流密度の測定に際しては、第1の領域A1と同様の積層構造を有する(すなわち電子注入層14eが形成される)有機EL素子と第2の領域A2と同様の積層構造を有する(すなわち電子注入層14eが形成されない)有機EL素子とを作製してその輝度あるいは電流密度を測定した。図3中、第1の領域A1を示す特性は「電子注入層あり」と表記し、第2の領域A2を示す特性は「電子注入層なし」と表記している。第1の領域A1においては、印加電圧4.2Vで10mA/cmの電流が流れ発光輝度は1000cd/mであるのに対し、第2の領域A2においては、印加電圧4.2Vで0.1mA/cmの電流が流れ発光輝度は4cd/cmであった。かかる結果によれば、第1の領域A1と第2の領域A2との輝度差は250倍であり、電子注入層14eのみを所定の形状とすることで任意の意匠を表現することが可能であることは図3からも明らかである。また、第2の領域A2は、第1の領域A1と比較して流れる電流が低いことがわかる。また、網点状の前記開口部を有する前記蒸着マスクは前記開口部が目詰まりを生じさせやすいが、実施例1は1nm程度の電子注入層14eの成膜に用いるのみであるので1シート作製時にマスクに堆積する材料は比較的少なく、前記蒸着マスクの目詰まりを生じさせることなく安定して作製することができた。前記開口部の大きさにもよるが、堆積膜厚0.1μmで交換すると仮定すると100シートを連続して生産することが可能となる。 FIG. 3A shows the luminance-voltage (L) in the first region A1 where the electron injection layer 14e is formed in Example 1 and the second region A2 where the electron injection layer 14e is not formed. -V) characteristics, and FIG. 3B shows the current density-voltage (J-V) characteristics in the first region A1 and the second region in the first embodiment. In measuring the luminance or current density, the organic EL element having the same stacked structure as the first region A1 (that is, the electron injection layer 14e is formed) and the same stacked structure as the second region A2. An organic EL element (that is, the electron injection layer 14e is not formed) was produced, and the luminance or current density was measured. In FIG. 3, the characteristic indicating the first region A1 is expressed as “with electron injection layer”, and the characteristic indicating the second region A2 is expressed as “without electron injection layer”. In the first region A1, a current of 10 mA / cm 2 flows at an applied voltage of 4.2 V, and the light emission luminance is 1000 cd / m 2 , whereas in the second region A2, 0 is applied at an applied voltage of 4.2 V. A current of 0.1 mA / cm 2 flowed, and the light emission luminance was 4 cd / cm 2 . According to this result, the luminance difference between the first region A1 and the second region A2 is 250 times, and it is possible to express an arbitrary design by making only the electron injection layer 14e a predetermined shape. It is clear from FIG. Further, it can be seen that the second region A2 has a lower current flowing than the first region A1. Moreover, although the said evaporation mask which has the said dot-shaped opening part tends to produce the said opening part clogging, since Example 1 is only used for film-forming of the electron injection layer 14e of about 1 nm, 1 sheet preparation At times, the material deposited on the mask was relatively small, and the deposition mask could be stably produced without causing clogging. Although it depends on the size of the opening, it is possible to continuously produce 100 sheets if it is assumed that the deposited film thickness is changed to 0.1 μm.

実施例2は有機発光層を第2の発光層14cのみの単層とした。
まず、ガラス材料からなる支持基板11上にスパッタリング法でITOを膜厚145nmで形成して第1電極12を形成した。
次に、大気暴露することなく、第1電極12上に正孔注入輸送層14aとして、正孔輸送性材料HT1を真空蒸着により膜厚80nmで形成した。
次に、正孔注入輸送層14a上に第2の発光層14cとして、ホスト材料EM1と青緑色発光を示す蛍光ドーパントBD1との混合層を、EM1:BD1=40:2のwt%比率で含有させて共蒸着により膜厚40nmで形成した。
次に、第2の発光層14c上に電子輸送層14dとして、Alqを真空蒸着により膜厚20nmで形成した。
次に、電子輸送層14d上に電子注入層14eとして、LiFを真空蒸着法により膜厚1nmで形成した。このとき、網点状の前記開口部のパターンを有する前記蒸着マスクを用い、電子注入層14eが開口率(電子注入層14eの面積/発光面全体の面積)が30%の網点状に形成されるとともに、電子注入層14eの全体で所定の意匠を成すように形成した。
次に、電子注入層14e上に第2電極15として、Alを真空蒸着により膜厚100nmで形成した。
その後、その後吸湿剤が塗布された封止部材16を支持基板11上に配設して封止し実施例2となる有機ELパネルを作製した。
実施例2は、非通電時は鏡面であり境界線などは視認されず、電圧を印加して通電すると第1の領域A1の青緑色発光による意匠が視認でき、発光輝度が1000cd/mである際の消費電力は24.4mW/cmであった。
In Example 2, the organic light emitting layer was a single layer consisting of only the second light emitting layer 14c.
First, the first electrode 12 was formed by forming ITO with a film thickness of 145 nm on the support substrate 11 made of a glass material by a sputtering method.
Next, a hole transporting material HT1 was formed as a hole injecting and transporting layer 14a on the first electrode 12 with a film thickness of 80 nm by vacuum deposition without being exposed to the atmosphere.
Next, a mixed layer of a host material EM1 and a fluorescent dopant BD1 exhibiting blue-green light emission is contained as a second light emitting layer 14c on the hole injecting and transporting layer 14a at a wt% ratio of EM1: BD1 = 40: 2. The film was formed by co-evaporation to a film thickness of 40 nm.
Next, Alq 3 was formed as an electron transport layer 14d on the second light-emitting layer 14c to a thickness of 20 nm by vacuum deposition.
Next, LiF was formed on the electron transport layer 14d as the electron injection layer 14e with a film thickness of 1 nm by a vacuum deposition method. At this time, using the vapor deposition mask having the dot-like pattern of openings, the electron injection layer 14e is formed in a dot shape with an aperture ratio (area of the electron injection layer 14e / area of the entire light emitting surface) of 30%. In addition, the entire electron injection layer 14e was formed to form a predetermined design.
Next, Al was formed as a second electrode 15 on the electron injection layer 14e with a film thickness of 100 nm by vacuum deposition.
Thereafter, the sealing member 16 coated with a hygroscopic agent was then placed on the support substrate 11 and sealed to produce an organic EL panel as Example 2.
In Example 2, the mirror surface is not visible when no current is applied, and the boundary line is not visually recognized. When a voltage is applied and the current is applied, the design of the first region A1 by blue-green light emission can be visually recognized, and the emission luminance is 1000 cd / m 2 . In some cases, power consumption was 24.4 mW / cm 2 .

図4(a)は、実施例2における電子注入層14eが形成された個所である第1の領域A1と電子注入層14eが形成されない個所である第2の領域A2とにおける輝度−電圧(L−V)特性を示すものであり、図4(b)は実施例2における第1の領域A1と第2の領域とにおける電流密度−電圧(J−V)特性を示すものである。なお、輝度あるいは電流密度の測定に際しては、第1の領域A1と同様の積層構造を有する(すなわち電子注入層14eが形成される)有機EL素子と第2の領域A2と同様の積層構造を有する(すなわち電子注入層14eが形成されない)有機EL素子とを作製してその輝度あるいは電流密度を測定した。図4中、第1の領域A1を示す特性は「電子注入層あり」と表記し、第2の領域A2を示す特性は「電子注入層なし」と表記している。第1の領域A1は、電圧7Vで9.3mA/cmの電流が流れ発光輝度は1000cd/mであるのに対し、第2の領域A2は、電圧7Vで1mA/cmの電流が流れ発光輝度は20cd/cmであった。かかる結果によれば、第1の領域A1と第2の領域A2との輝度差は50倍であり、電子注入層14eのみを所定の形状とすることで任意の意匠を表現することが可能であることは図4からも明らかである。また、第2の領域A2は、第1の領域A1と比較して流れる電流が低いことがわかる。 FIG. 4A shows the luminance-voltage (L) in the first region A1 where the electron injection layer 14e is formed in Example 2 and the second region A2 where the electron injection layer 14e is not formed. FIG. 4B shows the current density-voltage (JV) characteristics in the first region A1 and the second region in Example 2. FIG. In measuring the luminance or current density, the organic EL element having the same stacked structure as the first region A1 (that is, the electron injection layer 14e is formed) and the same stacked structure as the second region A2. An organic EL element (that is, the electron injection layer 14e is not formed) was produced, and the luminance or current density was measured. In FIG. 4, the characteristic indicating the first region A1 is expressed as “with electron injection layer”, and the characteristic indicating the second region A2 is expressed as “without electron injection layer”. In the first region A1, a current of 9.3 mA / cm 2 flows at a voltage of 7V and the light emission luminance is 1000 cd / m 2 , whereas in the second region A2, a current of 1 mA / cm 2 is applied at a voltage of 7V. The flow emission luminance was 20 cd / cm 2 . According to such a result, the luminance difference between the first region A1 and the second region A2 is 50 times, and it is possible to express any design by making only the electron injection layer 14e a predetermined shape. It is clear from FIG. Further, it can be seen that the second region A2 has a lower current flowing than the first region A1.

(比較例1)
電子注入層14eの形成時に網点状の開口パターンを有する蒸着マスクを用いず、電子輸送層14d上の全面に電子注入層14eを層状に形成したほかは実施例1と同様にして比較例1となる有機ELパネルを作製した。
比較例1においては、電圧を印加して通電すると全面が白色で発光し、発光輝度が1000cd/mである際の消費電力は42.0mW/cmであった。これにより、実施例1は、比較例1よりも消費電力は少なく低電力による発光が可能であることがわかる。これは、実施例1においては電子注入層14eを網点状にかつ所定の意匠を成すように形成したことで、図3(b)に示したように、電子注入層14eが形成されず、流れる電流が少ない個所が生じたことによる。
(Comparative Example 1)
Comparative Example 1 was carried out in the same manner as in Example 1 except that the electron injection layer 14e was formed on the entire surface of the electron transport layer 14d without using a vapor deposition mask having a dot-like opening pattern when forming the electron injection layer 14e. An organic EL panel was prepared.
In Comparative Example 1, when a voltage was applied and energized, the entire surface emitted white light, and the power consumption was 42.0 mW / cm 2 when the light emission luminance was 1000 cd / m 2 . Thus, it can be seen that Example 1 consumes less power than Comparative Example 1 and can emit light with low power. This is because, in Example 1, the electron injection layer 14e was formed in a halftone dot shape so as to form a predetermined design, so that the electron injection layer 14e was not formed as shown in FIG. This is due to the occurrence of a location with a small amount of flowing current.

(比較例2)
電子注入層14eの形成時に網点状の開口パターンを有する蒸着マスクを用いず、電子輸送層14d上の全面に電子注入層14eを層状に形成したほかは実施例2と同様にして比較例1となる有機ELパネルを作製した。
比較例1においては、電圧を印加して通電すると全面が白色で発光し、発光輝度が1000cd/mである際の消費電力は65.0mW/cmであった。これにより、実施例2は、比較例2よりも消費電力は少なく低電力による発光が可能であることがわかる。これは、実施例1と同様に実施例2においては電子注入層14eを網点状にかつ所定の意匠を成すように形成したことで、図4(b)に示したように、電子注入層14eが形成されず、流れる電流が少ない個所が生じたことによる。
(Comparative Example 2)
Comparative Example 1 was performed in the same manner as in Example 2 except that the electron injection layer 14e was formed on the entire surface of the electron transport layer 14d without using a vapor deposition mask having a dot-like opening pattern when forming the electron injection layer 14e. An organic EL panel was prepared.
In Comparative Example 1, when a voltage was applied and energized, the entire surface emitted white light, and the power consumption was 65.0 mW / cm 2 when the light emission luminance was 1000 cd / m 2 . Thus, it can be seen that Example 2 consumes less power than Comparative Example 2 and can emit light with low power. As in Example 1, in Example 2, the electron injection layer 14e is formed in a dot pattern and has a predetermined design, and as shown in FIG. 4B, the electron injection layer 14e is formed. This is because 14e is not formed and there is a portion where the flowing current is small.

本発明は、任意の意匠を表現する有機ELパネルに好適である。   The present invention is suitable for an organic EL panel that expresses an arbitrary design.

10 有機ELパネル
11 支持基板
12 第1電極(陽極)
14 有機層
14a 正孔注入輸送層
14b 第1の発光層(有機発光層)
14c 第2の発光層(有機発光層)
14d 電子輸送層
14e 電子注入層
15 第2電極(陰極)
A1 第1の領域
A2 第2の領域
10 Organic EL Panel 11 Support Substrate 12 First Electrode (Anode)
14 Organic layer 14a Hole injection transport layer 14b First light emitting layer (organic light emitting layer)
14c Second light emitting layer (organic light emitting layer)
14d Electron transport layer 14e Electron injection layer 15 Second electrode (cathode)
A1 first area A2 second area

Claims (3)

陽極と陰極との間に有機発光層と電子注入層とを少なくとも積層形成してなる有機EL素子を支持基板上に形成してなる有機ELパネルであって、
前記電子注入層が所定の意匠を成すように形成されてなることを特徴とする有機ELパネル。
An organic EL panel in which an organic EL element formed by laminating at least an organic light emitting layer and an electron injection layer between an anode and a cathode is formed on a support substrate,
An organic EL panel, wherein the electron injection layer is formed so as to form a predetermined design.
前記電子注入層は、大きさ及び/あるいは密度が部分的に異なる網点状に形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機ELパネル。 2. The organic EL panel according to claim 1, wherein the electron injection layer is formed in a halftone dot shape partially different in size and / or density. 前記陽極と前記陰極との間に、前記電子注入層が形成されない領域の発光輝度が20cd/m以下となる電圧が印加されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機ELパネル。
3. The organic material according to claim 1, wherein a voltage is applied between the anode and the cathode so that a light emission luminance in a region where the electron injection layer is not formed is 20 cd / m 2 or less. EL panel.
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