JP2013152677A - Information processor and start control method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、CPUを有する情報処理装置に関し、例えば情報処理装置の起動制御に関する。 The present application relates to an information processing apparatus having a CPU, for example, activation control of the information processing apparatus.
CPU(Central Processing Unit)を有する情報処理装置の起動時に使用される起動情報を、書き換え可能な不揮発性メモリ(e.g. フラッシュメモリ、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory))に保持しておくことが知られている。なお、CPUを有する情報処理装置は、マイクロコンピュータ又はマイクロコントローラと呼ばれる場合もある。CPUは、マイクロプロセッサ又はMPU(Micro-Processing Unit)とも呼ばれる。 Activation information used when an information processing apparatus having a CPU (Central Processing Unit) is activated may be held in a rewritable nonvolatile memory (eg flash memory, EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)). Are known. An information processing apparatus having a CPU may be called a microcomputer or a microcontroller. The CPU is also called a microprocessor or MPU (Micro-Processing Unit).
特許文献1及び2は、情報処理装置に内蔵されたアナログ回路(e.g. 内部電圧生成回路、クロック回路)を情報処理装置の起動時に制御するための起動情報を不揮発性メモリに保持することについて記載している。また、特許文献1及び2は、不揮発性メモリに保持される起動情報がユーザによって書き換え可能であることを記載している。
具体的には、特許文献1に記載された情報処理装置は、ユーザによって指定されたCPUリセット電圧に関する起動情報を不揮発性メモリに格納する。そして、特許文献1に記載された情報処理装置は、不揮発性メモリに保持された起動情報に従って、CPUリセット電圧を設定する。
Specifically, the information processing apparatus described in
特許文献2に記載された情報処理装置は、ユーザによって指定されたクロック安定化時間に関する起動情報を不揮発性メモリに格納する。そして、特許文献2に記載された情報処理装置は、不揮発性メモリに保持された起動情報に従って、情報処理装置の起動時におけるクロック回路(e.g. 水晶発振器、PLL(Phase Locked Loop)回路)の出力クロック信号が安定化するまでの待ち時間を調整する。
The information processing apparatus described in
しかしながら、特許文献1及び2に記載された情報処理装置は、情報処理装置に内蔵されたアナログ回路を情報処理装置の起動時に制御する際に、過去に情報処理装置が動作していたときに計測された情報処理装置の内部状態又は環境状態を利用していないという問題がある。なお、その他の課題・問題、又は新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
However, the information processing apparatuses described in
一実施の形態において、情報処理装置は、情報処理装置が動作しているときに計測された情報処理装置の内部状態及び環境状態の少なくとも一方が反映された起動情報を不揮発性メモリに記憶しておき、将来の起動の際に、不揮発性メモリに格納された起動情報に従ってアナログ回路を制御する。 In one embodiment, the information processing apparatus stores in the nonvolatile memory startup information that reflects at least one of the internal state and the environmental state of the information processing apparatus measured when the information processing apparatus is operating. In the future startup, the analog circuit is controlled according to the startup information stored in the nonvolatile memory.
上述した一実施の形態は、情報処理装置の起動時において、過去に情報処理装置が動作していたときの情報処理装置の内部状態又は環境状態を利用してアナログ回路を制御することができる。 In the above-described embodiment, when the information processing apparatus is activated, the analog circuit can be controlled using the internal state or the environmental state of the information processing apparatus when the information processing apparatus has been operating in the past.
以下では、具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図面において、同一又は対応する要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略される。 Hereinafter, specific embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In each drawing, the same or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted as necessary for clarification of the description.
<実施の形態1>
図1は、本実施の形態に係る情報処理装置1の構成例を示している。情報処理装置1は、CPU111を含む主要ブロック11を有する。主要ブロック11は、CPU111と結合された他の要素を含んでもよい。例えは、主要ブロック11は、RAM(Random Access Memory)、DMA(Direct Memory Access)コントローラ、及びフラッシュメモリモジュール等を含んでもよい。つまり、本実施の形態に係る情報処理装置1は、マイクロコンピュータ又はマイクロコントローラと呼ばれるコンピュータシステムである。
<
FIG. 1 shows a configuration example of an
アナログ回路12は、主要ブロック11と電気的に結合される。アナログ回路12は、主要ブロック11の動作に必要な信号(信号群)を主要ブロック11に供給する。図1の例では、アナログ回路12は、内部電源回路121及びクロック回路122を含む。内部電源回路121は、主要ブロック11に供給される内部電圧を外部電圧から生成する。典型的には、クロック回路122は、主要ブロック11において必要とされる電圧レベルの異なる複数の内部電圧を生成する。クロック回路122は、クロック生成機能を有し、生成したクロック信号を主要ブロック11に供給する。典型的には、クロック回路122は、主要ブロック11において必要とされる周波数の異なる複数のクロック信号を生成する。例えば、クロック回路122は、PLL(Phase Locked Loop)回路有し、情報処理装置1の外部から供給される外部クロックに基づいてクロック信号を生成してもよい。なお、図1の構成は一例であり、アナログ回路12は、電源回路121及びクロック回路122に加えて他のアナログ回路を含んでいてもよい。
情報処理装置1は、情報処理装置1が起動されているときに計測された情報処理装置1の内部状態及び環境状態の少なくとも一方が反映された起動情報130を起動情報メモリ13に記憶しておく。そして、情報処理装置1は、将来の起動の際に、起動情報メモリ13に格納された起動情報130に従ってアナログ回路12を制御する。なお、起動情報メモリ13は、書き換え可能な不揮発性メモリである。起動情報メモリ13は、例えば、フラッシュメモリとすればよい。また、起動情報メモリ13は、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)であってもよいし、ハードディスクドライブ等の磁気記録媒体であってもよい。
The
起動情報130に反映される情報処理装置1の内部状態は、例えば、(i) 内部電源回路121の出力が安定化するまでの電圧安定化時間、(ii) クロック回路122の出力が安定化するまでのクロック安定化時間、(iii) 情報処理装置1内の最大電流、(iv) 情報処理装置1内の平均電流、及び (v) 情報処理装置1内の電圧降下、のうち少なくとも1つを含む。また、起動情報130に反映される情報処理装置1の環境状態は、例えば、(i) 温度、及び (ii) 外部電圧レベル、のうち少なくとも1つを含む。
The internal state of the
起動情報130は、例えば、情報処理装置1の内部状態又は環境状態の計測値である。また、起動情報は、情報処理装置1の内部状態又は環境状態の計測値に基づいて生成されるアナログ回路12の制御値であってもよい。アナログ回路12の制御値は、アナログ回路制御部15又はアナログ回路12による演算処理に適した値とすればよい。
The
一般的に、情報処理装置が保証する動作条件の範囲は広い。したがって、情報処理装置が有するアナログ回路の起動に関連する様々なパラメータ(e.g. 電圧安定化時間、クロック安定化時間、最大電流)には、最悪の動作条件を考慮した十分に大きなマージンが設定される。しかしながら、情報処理装置は、ある限られた環境下で使用されること、又はある限られた用途で使用されることが想定される。また、情報処理装置が起動される際の動作条件は、過去に起動されたときの動作条件と同様であることが多いと想定される。これに対して、本実施の形態に係る情報処理装置1は、情報処理装置1が過去に起動されていたときに計測された内部状態又は環境状態が反映された起動情報に従ってアナログ回路12の起動時の制御を実施できる。よって、例えば、情報処理装置1は、不要なマージンを排除し、情報処理装置の実際の動作条件に適応したアナログ回路12の起動制御を行うことができる。
In general, the range of operating conditions guaranteed by the information processing apparatus is wide. Therefore, a sufficiently large margin is set for various parameters (eg voltage stabilization time, clock stabilization time, maximum current) related to the start of the analog circuit of the information processing device in consideration of the worst operating conditions. . However, it is assumed that the information processing apparatus is used in a limited environment or used for a limited application. In addition, it is assumed that the operating condition when the information processing apparatus is activated is often the same as the operating condition when activated in the past. On the other hand, the
例えば、情報処理装置1が過去に起動されていたときに計測された内部状態として、過去に起動した時の「電源安定時間」を起動情報として起動してよい。そして、アナログ回路制御部15は、内部電源回路121の起動待ち時間、又はクロック回路122の起動時の待ち時間(クロック安定化時間)を当該起動情報に基づいて決定してもよい。
For example, as the internal state measured when the
また、例えば、一般的な情報処理装置において、起動時のアナログ回路の制御に環境状態(e.g. 温度、外部電圧レベル)を利用するためには、環境状態を計測するためのセンサが安定化するまで待機する必要がある。よって、センサ安定化までの待機時間の分だけ、情報処理装置の起動に要する時間が長くなるおそれがある。これに対して、本実施の形態に係る情報処理装置1は、例えば、情報処理装置1が過去に起動されていたときの環境状態が反映された起動情報(e.g. 環境温度の計測値、環境温度の計測値に基づく制御パラメータ)を将来の起動時に利用することができる。よって、情報処理装置1は、例えば、センサの安定化に先立って起動情報130を用いてアナログ回路12の制御を開始することができる。
Further, for example, in a general information processing apparatus, in order to use an environmental state (eg temperature, external voltage level) for controlling an analog circuit at start-up, until a sensor for measuring the environmental state is stabilized. I need to wait. Therefore, there is a possibility that the time required for starting up the information processing apparatus is increased by the standby time until the sensor is stabilized. In contrast, the
以下では、起動情報メモリ13への起動情報130の格納と、起動情報130を利用したアナログ回路12の制御に関する構成及び動作について詳細に説明する。図1に示された起動情報作成部14は、情報処理装置1の将来の起動のために、起動情報メモリ13に起動情報130を格納する。起動情報130は、情報処理装置1が動作しているときの情報処理装置1の内部状態及び環境状態の少なくとも一方が反映されている。より、具体的には、起動情報130は、情報処理装置1が動作しているときに計測された情報処理装置1の内部状態及び環境状態の少なくとも一方が反映されている。図1の例では、起動情報作成部14は、センサ16の出力を用いて起動情報130を生成する。
Hereinafter, the configuration and operation related to the storage of the
起動情報作成部14が起動情報130を生成して起動情報メモリ13に格納するタイミングは、情報処理装置1が動作中であればよく、特に制限されない。例えば、起動情報作成部14は、情報処理装置1の起動シーケンスにおいて、起動情報130を起動情報メモリ13に格納してもよい。起動情報作成部14は、センサ16の安定化後であって主要ブロック11の通常動作の開始前に、起動情報130を起動情報メモリ13に格納してもよい。また、起動情報作成部14は、情報処理装置1の起動シーケンスが完了した後の主要ブロック11が通常動作を行なっている任意のタイミングにおいて、起動情報130を起動情報メモリ13に格納してもよい。
The timing at which the activation
センサ16は、情報処理装置1の内部状態及び環境状態の少なくとも一方を計測する。図1の例では、センサ16は、センサ161〜164を含む。外部電圧センサ161は、図示しない外部電源から情報処理装置1に供給される外部電圧の電圧レベルを計測し、外部電圧レベルに応じた信号を出力する。温度センサ162は、情報処理装置1の環境温度を計測し、環境温度に応じた信号を出力する。内部電圧センサ163は、アナログ回路12の一例としての内部電源回路121によって生成される内部電圧の電圧レベルを計測し、内部電圧レベルに応じた信号を出力する。時間センサ164は、内部電圧の安定化に要する時間(電圧安定化時間)若しくはクロック信号の安定化に要する時間(クロック安定化時間)、又はこれら両方を計測し、計測された時間に応じた信号を出力する。なお、センサ16は、上述したセンサ161〜164の一部のみを有して構成されてもよい。また、センサ16は、その他の内部状態又は環境状態を計測可能な他のセンサを含んでもよい。
The
アナログ回路制御部15は、情報処理装置1の起動時に、起動情報メモリ13に格納された起動情報130に従ってアナログ回路12を制御する。起動情報130を用いたアナログ回路12に対する制御には、様々なバリエーションが存在する。例えば、アナログ回路制御部15は、過去の外部電圧レベル又は環境温度が反映された起動情報130に従って、内部電源回路121が生成する内部電圧を調整してもよい。このような制御によれば、情報処理装置1は、情報処理装置1が過去に起動されていた時の環境温度に適応して、内部電圧の立ち上げを行うことができる。
The analog
また、アナログ回路制御部15は、過去の環境温度が反映された起動情報130に従って、内部電圧の位相補償のために内部電源回路121が有する位相補償容量の容量値を調整してもよい。このような制御によれば、情報処理装置1は、情報処理装置1が過去に起動されていた時の環境温度に適応して、位相補償容量を適切に調整することができる。
Further, the analog
また、アナログ回路制御部15は、過去の環境温度が反映された起動情報130に従って、内部電源回路121に与えるバイアス電圧を調整してもよい。このような制御によれば、情報処理装置1は、情報処理装置1が過去に起動されていた時の環境温度に適応して、バイアス電圧を適切に調整することができる。
Further, the analog
また、アナログ回路制御部15は、過去の外部電圧レベルが反映された起動情報130に従って、内部電源回路121により生成される内部電圧の外部電圧レベルに起因する変動を補償してもよい。このような制御によれば、情報処理装置1は、情報処理装置1が過去に起動されていた時の外部電圧レベルに適応して、内部電圧を適切に調整することができる。
Further, the analog
また、アナログ回路制御部15は、温度、外部電圧レベル、又は内部電圧レベルが反映された起動情報130に従って、クロック回路122の共振周波数の温度、外部電圧、又は内部電圧に起因する変動を補償してもよい。このような制御によれば、情報処理装置1は、情報処理装置1が過去に起動されていた時の温度、外部電圧レベル、又は内部電圧レベルに適応して、クロック信号を適切に調整することができる。
In addition, the analog
また、既に述べたように、アナログ回路制御部15は、情報処理装置1の起動開始からセンサ16の動作安定化までは起動情報130に従ってアナログ回路12を制御し、センサ16の安定化後はセンサ16の出力に従ってアナログ回路12を制御してもよい。このような制御によれば、情報処理装置1は、センサ16の動作安定化を待つことなく、情報処理装置1の各要素(e.g. アナログ回路12、主要ブロック11)の起動手順を進めることができる。
Further, as already described, the analog
図1に示したアナログ回路制御部15は、論理回路、例えば組み合わせ論理回路によって構成することができる。具体的な構成例については、後述する他の実施の形態において詳細に説明する。起動情報作成部14も、CPU10とは独立した論理回路によって構成することができる。しかしながら、CPU10を含む主要ブロック11が、起動情報130を生成し、起動情報130を起動情報メモリ13に格納してもよい。言い換えると、図1に示された起動情報作成部14は必須の要素ではない。例えば、起動情報作成部14による起動情報130の生成および格納の処理は、主要ブロック11によって行われてもよい。
The analog
また、図1の構成例では、起動情報作成部14及びセンサ16に内部電圧が供給されている。しかしながら、起動情報作成部14及びセンサ16の少なくとも一方は、外部電圧によって動作するように実装されてもよい。
In the configuration example of FIG. 1, an internal voltage is supplied to the activation
図2は、情報処理装置1の起動手順の一例を示すフローチャートである。図2の手順は、情報処理装置1の電源投入後(e.g. 外部電圧およびリセット信号の供給後)に開始される。ステップS11では、アナログ回路制御部15は、起動情報メモリ13から読み出された起動情報130を取得する。ステップS12では、アナログ回路制御部15は、起動情報130に従ってアナログ回路12を制御する。ステップS13では、情報処理装置1は、アナログ回路12の安定化後に、CPU111を含む主要ブロック11を起動する。ステップS14では、起動情報作成部14は、情報処理装置1の次の起動時に使用するため、現在の内部状態又は環境状態を反映した新たな起動情報130を起動情報メモリ13に格納する。なお、ステップS14は、ステップS13の前に行われてもよいし、ステップS13と並行して行われてもよい。
FIG. 2 is a flowchart illustrating an example of a startup procedure of the
<実施の形態2>
本実施の形態では、情報処理装置1の起動時におけるアナログ回路12の制御の一例について説明する。具体的には、過去の外部電圧レベル及び環境温度の少なくとも一方が反映された起動情報130に従って、内部電源回路121によって生成される内部電圧を調整する例について説明する。
<
In the present embodiment, an example of control of the
図3は、情報処理装置1の起動時における内部電圧の調整例を示す表である。また、図4は、図3の調整例に従った内部電圧の過渡的な変化の一例を示すグラフである。図3及び図4は、内部電圧の高速立ち上げを行う動作モードに対応している。つまり、図3及び図4に示す例では、内部電圧の一時的なオーバーロードを許容することで、内部電圧がいち早く目標電圧レベルに到達するように内部電源回路121が制御される。
FIG. 3 is a table showing an example of adjusting the internal voltage when the
図3及び図4の時刻T1からT2の間において、内部電圧を目標電圧に速やかに近づけるために、アナログ回路制御部15は、内部電圧レベルが"目標電圧+α"となるように内部電源回路121を設定する。次に時刻T2からT3の間において、オーバーシュートした内部電圧レベルを速やかに下げるために、アナログ回路制御部15は、内部電圧レベルが"目標電圧−β"となるように内部電源回路121を設定する。そして、時刻T3からT4の間において、アンダーシュートした内部電圧レベルを速やかに上げるために、アナログ回路制御部15は、内部電圧レベルが"目標電圧+γ"となるように内部電源回路121を設定する。最後に、時刻T4の経過後において、アナログ回路制御部15は、内部電圧レベルが"目標電圧"となるように内部電源回路121を設定する。これにより、内部電圧レベルが目標電圧で安定化する。
In order to quickly bring the internal voltage close to the target voltage between times T1 and T2 in FIGS. 3 and 4, the analog
なお、目標電圧の調整に用いるオフセット値α、β、γの大小関係は、α>β>γとすればよい。つまり、オフセット値α、β、γの順で徐々に小さくなる。アナログ回路制御部15は、オフセット値α、β、γの大きさを、過去の外部電圧レベル及び環境温度の少なくとも一方が反映された起動情報130に従って決定すればよい。起動情報130は、過去の外部電圧レベル及び環境温度の少なくとも一方の測定値であってもよいし、これを用いて生成された制御値であってもよい。オフセット値α、β、γは、アナログ回路制御部15において起動情報130を用いて計算されてもよい。また、オフセット値α、β、γは、ルックアップテーブルとして予め記憶されてもよい。オフセット値α、β、γが予め記憶される場合、メモリ13に格納される起動情報130はオフセット値α、β、γであってもよい。
The magnitude relationship between the offset values α, β, and γ used for adjusting the target voltage may be α> β> γ. That is, the offset values α, β, and γ gradually decrease in the order. The analog
続いて以下では、内部電圧レベルを調整可能な内部電源回路121の構成例について説明する。図5は、内部電源回路121の構成例を示す回路図である。図5の構成例は、オペアンプOPAを用いた非反転増幅回路を含む。図5の内部電源回路121は、帰還経路に配置される帰還抵抗の大きさに応じて定まる増幅率によって基準電圧V_REFを増幅して出力する。帰還抵抗の大きさは、トランジスタスイッチN1〜N4によって直列抵抗Rの分圧点を変えることによって変更される。つまり、トランジスタスイッチN1〜N4のオン/オフを制御することで、図5の内部電源回路121は、図3及び図4に示したような出力電圧(内部電圧)の設定が可能となる。トランジスタスイッチN1〜N4のオン/オフは、出力電圧調整信号S2によって制御される。アナログ回路制御部15は、過去の外部電圧レベル及び環境温度の少なくとも一方が反映された起動情報130に従って出力電圧調整信号S2を生成し、内部電源回路121に供給する。
Subsequently, a configuration example of the internal
さらに、図5の構成例では、内部電源回路121は、温度特性調整回路1210を有する。温度特性調整回路1210は、オペアンプOPAの出力電圧(内部電圧)に温度依存性を持たせる。図6は、温度特性調整回路1210の構成例を示す回路図である。図6に示された回路1210は、基準となる温度特性の無い一定電圧が入力(IN)に印加されたとき、温度依存性(温度勾配)を持つ電圧を出力(OUT)に出力する。例えば、PチャネルトランジスタP11及びP12、P21及びP22、並びにP31及びP32が同一特性であって、NチャネルトランジスタN11、N21、及びN31のドレイン電流及びゲート電圧の関係(i.e. Id−Vg特性)において温度交点以上となるゲート電圧(i.e. 温度特性の無い一定電圧)を入力INに印加する場合を考える。このとき、トランジスタN11、N21、又はN31のゲート幅をトランジスタN12、N22、又はN32のゲート幅より大きくすると、(ただし、ゲート長は一定)、出力OUTに現れる電圧は正の温度特性を持つ。逆に、トランジスタN11、N21、又はN31のゲート幅をトランジスタN12、N22、又はN32のゲート幅より小さくすると、出力OUTに現れる電圧は負の温度特性を持つ。また、Nチャネルトランジスタ対N11及びN12、N21及びN22、並びにN31及びN32のサイズ比ではなく、Pチャネルトランジスタ対P11及びP12、P21及びP22、並びにP31及びP32のサイズ比を変えることによって、内部電源回路121の出力電圧の温度特性を変更してもよい。
Further, in the configuration example of FIG. 5, the internal
例えば、温度特性調整回路1210の動作は、起動情報130によって示される過去の環境温度と、ユーザによって指定される情報処理装置1の動作モードとに応じて決定するとよい。
(1)高速優先モード(電源の高速立ち上げを優先する動作モード)が指定された場合、温度特性調整回路1210は、起動情報130によって示される過去の環境温度が高温であるときに、内部電源回路121の出力電圧を高くすればよい。一般的なデバイスは、高温時に動作遅延が大きくなるため、電圧を上げることによって動作速度を補うことができる。ただし、最近の低電圧向け微細デバイスには低温時に動作遅延が大きくなる傾向を持つものがある。このようなデバイスに関しは、温度特性調整回路1210は、起動情報130によって示される過去の環境温度が低温であるときに、内部電源回路121の出力電圧を高くすればよい。
(2)低電力優先モード(高速立ち上げより低電力を優先する動作モード)が指定された場合、温度特性調整回路1210は、起動情報130によって示される過去の環境温度が低温であるときに、内部電源回路121の出力電圧を低くすればよい。ただし、上述したように、最近のデバイスにおいては、温度特性調整回路1210は、起動情報130によって示される過去の環境温度が高温または常温であるときに、内部電源回路121の出力電圧を下げてもよい。また、温度特性調整回路1210は、高速優先モードが指定された場合に比べて、内部電源回路121の出力電圧を全体的に(直流(DC:Direct Current)的に)下げてもよい。
For example, the operation of the temperature
(1) When a high-speed priority mode (an operation mode that prioritizes high-speed power supply startup) is designated, the temperature
(2) When a low power priority mode (an operation mode in which low power is prioritized over high-speed start-up) is designated, the temperature
図7は、本実施の形態に係る情報処理装置1の起動手順の一例を示すタイミングチャートである。情報処理装置1の起動は、時刻T0において、(a)外部電圧および(b)リセット信号が情報処理装置1に供給されたことを契機として開始される。起動情報メモリ13は、(a)外部電圧および(b)リセット信号が供給されることによって動作を開始し、起動情報130を出力可能となる。図7の例では、(e)起動情報Aおよび(g)起動情報Bが起動情報130に対応する。(e)起動情報Aは、上述した内部電源回路121の温度特性の調整に利用される情報である。(g)起動情報Bは、上述した内部電源回路121の出力電圧の調整に利用される情報である。
FIG. 7 is a timing chart illustrating an example of a startup procedure of the
(a)外部電圧および(b)リセット信号が情報処理装置1に供給されてから所定の遅延時間が経過した後の時刻T1において、(c)起動情報イネーブル信号F_ENBが立ち上がる。(c)信号F_ENBは、起動情報130を用いたアナログ回路12の制御を有効化するための信号である。(c)信号F_ENBの立ち上がりまでの遅延時間は、起動情報メモリ13が起動情報130を出力可能となるまでに要する立ち上がり時間より長い時間に設定されればよい。例えば、(c)信号F_ENBは、(a)外部電圧および(b)リセット信号の論理積信号を遅延出力する遅延回路(不図示)からアナログ回路制御部15に供給されてもよい。
(A) The activation information enable signal F_ENB rises at time T1 after a predetermined delay time has elapsed since the external voltage and (b) reset signal were supplied to the
アナログ回路制御部15は、時刻T1において起動情報130(起動情報A及びB)を取得する。そして、アナログ回路制御部15は、起動情報130(起動情報A及びB)に従って内部電源回路121を制御する。図7の例では、アナログ回路制御部15は、(e)起動情報Aに従って(f)温度特性調整信号S1を生成し、これを温度特性調整回路1210に供給する。(f)温度特性調整信号S1は、温度特性調整を行うか否か(選択か非選択か)を示す。
The analog
また、図7の例では、アナログ回路制御部15は、(e)起動情報Bに従って(h)出力電圧調整信号S2を生成し、これをトランジスタスイッチN1〜N4に供給する。(h)出力電圧調整信号S2は、トランジスタスイッチN1〜N4を、N4、N1、N3、N2の順に1つずつオンすることで非反転増幅回路(オペアンプOPA)の増幅率を順次変更する。これにより、図3及び図4に対応した出力電圧(内部電圧)のシーケンス制御が実行される。
In the example of FIG. 7, the analog
さらに、図7の例では、起動情報メモリ13は、(d)動作モード情報を出力する。(d)動作モード情報は、情報処理装置1の動作モードを示す。動作モードは、少なくとも情報処理装置1の起動時の動作を規定する。起動情報メモリ13に保持される動作モード情報は、情報処理装置1のユーザによって指定できるようにしてもよい。動作モードは、例えば、高速起動モード、低電流起動モード、低電圧起動モードのうち少なくとも1つを含む。
Further, in the example of FIG. 7, the
アナログ回路制御部15は、動作モード情報に従ってアナログ回路12の制御内容を変更してもよい。例えば、アナログ回路制御部15は、高速起動モードが指定された場合に、図3及び図4に示したような制御、つまり内部電圧を高速に立ち上げるための内部電圧のシーケンス制御、を行なってもよい。一方、低電流起動モードが指定された場合、アナログ回路制御部15は、内部電圧のシーケンス制御を行わずに、内部電圧を緩やかに起動してもよい。これにより、低電流起動モードでは、高速起動に伴う無駄な電力消費を回避することができる。
The analog
さらにまた、図7の例では、時刻T5において、(i)完了ステータス信号が出力される。完了ステータス信号の出力は、アナログ回路制御部15が行えばよい。アナログ回路制御部15は、完了ステータスに対応付けられたフラグレジスタをセットすることで、完了ステータス信号の出力の出力を行なってもよい。完了ステータス信号の出力タイミングである時刻T5は、起動時のアナログ回路12の制御の完了時刻T4から所定の遅延時間が経過した時刻としてもよい。また、時刻T5は、アナログ回路12の制御完了をセンサ16によって検知したこと、例えば、内部電圧が安定化したことを内部電圧センサ163によって検知したこと、に基づいて定めてもよい。完了ステータス信号が有効(イネーブル)となることで、リセット信号が無効(ディセーブル)となり、これに応じてCPU111を含む主要ブロック11の起動が開始される。
Furthermore, in the example of FIG. 7, at time T5, (i) a completion status signal is output. The completion status signal may be output by the analog
上述したように、(i)完了ステータス信号は、起動時のアナログ回路12の制御が完了したことに応じて出力される。したがって、完了ステータス信号を用いることによって、最も過酷な動作条件に応じて定められた過剰な待機時間を待つこと無く、CPU111を含む主要ブロック11の起動を速やかに開始できる。
As described above, (i) the completion status signal is output in response to the completion of the control of the
<実施の形態3>
本実施の形態では、アナログ回路12の制御を、起動情報130を用いた制御からセンサ16の出力を用いた制御に切り替える例について説明する。実施の形態1で述べたように、このような制御によれば、情報処理装置1は、センサ16の動作安定化を待つことなく、情報処理装置1の各要素(e.g. アナログ回路12、主要ブロック11)の起動手順を進めることができる。
<Embodiment 3>
In the present embodiment, an example will be described in which the control of the
図8は、本実施の形態における情報処理装置1の起動手順の一例を示すフローチャートである。図8のステップS11、S12、S13、及びS14における処理・動作は、図2に示した同一符号のステップ群における処理・動作と同一とすればよい。図8の手順では、アナログ回路制御部15は、起動情報130に従ってアナログ回路12の制御を開始した後に、センサ16の動作が安定化したか否かを判定する(ステップS211)。センサ16が安定化した場合、アナログ回路制御部15は、起動情報130に代えてセンサ16の出力を用いて、アナログ回路12の制御を継続する。
FIG. 8 is a flowchart illustrating an example of a startup procedure of the
<実施の形態4>
本実施の形態では、情報処理装置1の起動時におけるアナログ回路12の制御の他の例について説明する。具体的には、過去の環境温度が反映された起動情報130に従って、内部電源回路121の位相補償容量を調整する例について説明する。また、本実施の形態では、実施の形態3(i.e. 起動情報130を用いた制御からセンサ16の出力を用いた制御に切り替える例)に対応したアナログ回路制御部15の構成例についても説明する。
<Embodiment 4>
In the present embodiment, another example of the control of the
図9は、アナログ回路12(具体的には内部電源回路121)の構成例を示す回路図である。図9の構成例では、オペアンプOPAは、差導増幅段及び出力段を有する。差動増幅段は、NチャネルトランジスタN41〜N43及びPチャネルトランジスタP41及びP42を含む。出力段は、NチャネルトランジスタN44及びPチャネルトランジスタP43を含む。 FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration example of the analog circuit 12 (specifically, the internal power supply circuit 121). In the configuration example of FIG. 9, the operational amplifier OPA includes a differential amplification stage and an output stage. The differential amplification stage includes N channel transistors N41 to N43 and P channel transistors P41 and P42. The output stage includes an N channel transistor N44 and a P channel transistor P43.
さらに、正帰還を有するオペアンプOPAの発振防止のために、オペアンプOPAの出力と接地電位の間に位相補償容量C0〜C2が並列に接続されている。オペアンプOPAの出力が有する負荷容量値を変化させることで、トランジスタN42のゲートに正帰還される出力電圧の位相を調整することができる。図9の構成例では、オペアンプOPAの出力が有する負荷容量値を変更可能とするために、位相補償容量C1及びC2と接地電位との間にトランジスタスイッチN45及びN46が配置されている。 Further, in order to prevent oscillation of the operational amplifier OPA having positive feedback, phase compensation capacitors C0 to C2 are connected in parallel between the output of the operational amplifier OPA and the ground potential. By changing the load capacitance value that the output of the operational amplifier OPA has, the phase of the output voltage that is positively fed back to the gate of the transistor N42 can be adjusted. In the configuration example of FIG. 9, transistor switches N45 and N46 are arranged between the phase compensation capacitors C1 and C2 and the ground potential so that the load capacitance value of the output of the operational amplifier OPA can be changed.
アナログ回路制御部15は、制御信号CC1及びCC2を内部電源回路121に供給することで、トランジスタスイッチN45及びN46のオン/オフを制御する。つまり、アナログ回路制御部15は、制御信号CC1及びCC2によって、位相補償容量値を調整できる。アナログ回路制御部15は、温度センサ162の出力または起動情報130に従って、制御信号CC1及びCC2を生成する。ここでの起動情報130は、過去に計測された環境温度を反映して作成されたものである。これにより、アナログ回路制御部15は、環境温度の変化に起因するオペアンプOPAの出力位相変動を補償することができる。
The analog
また、既に述べたように、アナログ回路制御部15は、温度センサ162の動作が安定化するまでは起動情報130に従って内部電源回路121の位相補償容量を調整し、温度センサ162の安定化後は温度センサ162の出力に従って内部電源回路121の位相補償容量を調整するとよい。このような制御によれば、情報処理装置1は、温度センサ162の動作安定化を待つことなく、情報処理装置1の各要素(e.g. アナログ回路12、主要ブロック11)の起動手順を進めることができる。
Further, as already described, the analog
なお、図9に示した位相補償用容量の配置は一例に過ぎない。例えば、オペアンプOPAの出力段の出力から入力への帰還経路(例えば、図9のノードAとノードBの間)に位相補償容量を設けてもよい。 Note that the arrangement of the phase compensation capacitors shown in FIG. 9 is merely an example. For example, a phase compensation capacitor may be provided in a feedback path (for example, between node A and node B in FIG. 9) from the output of the output stage of the operational amplifier OPA to the input.
図10は、環境温度、制御信号CC1及びCC2、及び位相補償容量値の関係の一例を示すテーブルである。なお、図10の例では、容量C0、C1、C2の容量値は、それぞれ100pF、50pF、25pFとされている。図10の例に従うと、温度が0℃未満の場合、制御信号CC1及びCC2はともに"1"とされ、トランジスタN45及びN46は共にオンする。これにより、容量C0〜C2の全てがオペアンプOPAの出力に接続され、位相補償容量は最大値(i.e. 175pF)となる。また、温度が100℃以上の場合、制御信号CC1及びCC2はともに"0"とされ、トランジスタN45及びN46は共にオフする。これにより、容量C0のみがオペアンプOPAの出力に接続され、位相補償容量は最小値(i.e. 100pF)となる。 FIG. 10 is a table showing an example of the relationship between the environmental temperature, the control signals CC1 and CC2, and the phase compensation capacitance value. In the example of FIG. 10, the capacitance values of the capacitors C0, C1, and C2 are 100 pF, 50 pF, and 25 pF, respectively. According to the example of FIG. 10, when the temperature is lower than 0 ° C., the control signals CC1 and CC2 are both “1”, and the transistors N45 and N46 are both turned on. As a result, all of the capacitors C0 to C2 are connected to the output of the operational amplifier OPA, and the phase compensation capacitance becomes the maximum value (i.e. 175 pF). When the temperature is 100 ° C. or higher, the control signals CC1 and CC2 are both “0”, and the transistors N45 and N46 are both turned off. As a result, only the capacitance C0 is connected to the output of the operational amplifier OPA, and the phase compensation capacitance becomes the minimum value (i.e. 100 pF).
続いて、図10のテーブルに示した制御を行うためのアナログ回路制御部15の構成例について説明する。図11は、アナログ回路制御部15の構成例を示す回路図である。図11に示されたアナログ回路制御部15は、組み合わせ論理回路によって構成されている。具体的には、図11のアナログ回路制御部15は、AND回路901〜905、OR回路911、NAND回路921〜923、NOR回路931〜932、XOR回路941、並びにセレクタ(マルチプレクサ)951〜952を含む。
Next, a configuration example of the analog
図11の例では、温度センサ162は、3つの温度センサ1621〜1623を含む。温度センサ1621の出力信号TS1は、温度が100℃以上のときに"1"であり、100℃未満のときに"0"である。温度センサ1622の出力信号TS2は、温度が50℃以上のときに"1"であり、50℃未満のときに"0"である。温度センサ1623の出力信号TS3は、温度が0℃以上のときに"1"であり、0℃未満のときに"0"である。温度センサ1621〜1623の3ビットの出力信号TS1〜TS3は、制御回路15内において2ビットの値TC1及びTC2に変換される。図12(a)は、(TS1,TS2,TS3)と(TC1,TC2)の対応関係を示す真理値表である。
In the example of FIG. 11, the
また、図11の例では、起動情報メモリ13から読み出される起動情報130は、2ビットの値FC1及びFC2を含む。(FC1,FC2)は、BOOST信号の値に基づいて(PC1,PC2)に変換される。BOOST信号は、内部電圧の高速立ち上げを行う動作モードであるか否かを示す。BOOST信号が"0"であるときは、内部電圧の高速立ち上げを行わない動作モードに対応し、(PC1,PC2)は(FC1,FC2)と同一の値となる。これに対して、BOOST信号が"1"であるときは、内部電圧の高速立ち上げを行う動作モードに対応する。したがって、(PC1,PC2)は、相対的に小さい位相補償容量が選択されるように(FC1,FC2)を変換した値とされる。図12(b)は、(BOOST,FC1,FC2)と(PC1,PC2)の対応関係を示す真理値表である。
In the example of FIG. 11, the
セレクタ951〜952は、起動情報選択信号F_SELに基づいて動作する。具体的には、セレクタ951〜952は、信号F_SELが"1"であるとき起動情報130に基づく値PC1及びPC2を選択し、信号F_SELが"0"であるとき温度センサ162に基づく値TC1及びTC2を選択する。信号F_SELは、温度センサ162が安定化するまで"1"、温度センサ162の安定化後は "0"とされる。起動情報選択信号F_SELが1から0に立ち下がるタイミングは、温度センサ162の安定化時間に基づいて予め設定されてもよいし、温度センサ162の出力のモニタ結果に基づいて動的に決定されてもよい。
The
起動情報イネーブル信号F_ENBは、既に述べた通り、起動情報130を用いたアナログ回路12の制御を有効化するための信号である。AND回路904及び905は、セレクタ951〜952の出力信号と起動情報イネーブル信号F_ENBとの論理積を演算し、制御信号CC1及びCC2として出力する。図12(c)は、(F_ENB、F_SEL)と(CC1、CC2)の対応関係を示す真理値表である。起動情報イネーブル信号F_ENBが"0"である間は、起動情報選択信号F_SELの値に依らず、制御信号(CC1,CC2)は初期値(0,0)に設定される。
The activation information enable signal F_ENB is a signal for enabling the control of the
図13は、本実施の形態に係る情報処理装置1の起動手順の一例を示すタイミングチャートである。図7に関して説明したのと同様に、情報処理装置1の起動は、時刻T0において、(a)外部電圧および(b)リセット信号が情報処理装置1に供給されたことを契機として開始される。そして、(a)外部電圧および(b)リセット信号が情報処理装置1に供給されてから所定の遅延時間が経過した後の時刻T1において、(c)起動情報イネーブル信号F_ENBが立ち上がる。
FIG. 13 is a timing chart illustrating an example of a startup procedure of the
図13の例では、(c)起動情報イネーブル信号F_ENBが立ち上がってから所定の遅延時間後の時刻T2まで、(d)BOOST信号が"1"に設定される。また、図13の例では、(d)BOOST信号が"0"に設定された時刻T2から所定の遅延時間後の時刻T3まで、(e)起動情報選択信号F_SELが"1"に設定される。時刻T3は、(g)温度センサ162の出力が安定化するまでの時間に基づいて予め決定すればよい。また、(g)温度センサ162の出力をモニタすることで当該出力の安定化したことを動的に判定してもよい。
In the example of FIG. 13, (d) the BOOST signal is set to “1” from time (c) when the activation information enable signal F_ENB rises to time T2 after a predetermined delay time. In the example of FIG. 13, (e) the activation information selection signal F_SEL is set to “1” from the time T2 when the BOOST signal is set to “0” to the time T3 after a predetermined delay time. . The time T3 may be determined in advance based on (g) the time until the output of the
アナログ回路制御部15は、時刻T1において(f)起動情報130を取得する。上述したように、(f)起動情報130は2ビットの値FC1及びFC2を含む。(e)起動情報選択信号F_SELが"1"である時刻T1から時刻T3までの間、アナログ回路制御部15は、起動情報(FC1,FC2)に基づいて決定された値(PC1,PC2)を制御信号(CC1,CC2)として出力する。ただし、BOOST信号が"1"から"0"に変化する時刻T2の前後において、起動情報(FC1,FC2)に基づく値(PC1,PC2)は変化する。図11及び図12を用いて説明したように、BOOST信号が"1"である時刻T1からT2までの間において、(PC1,PC2)は、相対的に小さい位相補償容量が選択されるように決定される。一方、BOOST信号が"0"である時刻T2からT3までの間において、(PC1,PC2)は(FC1,FC2)と同一の値となる。
The analog
次に、アナログ回路制御部15は、時刻T3において、温度センサ162の出力信号(TS1,TS2,TS3)を取得する。そして、時刻T3以降は、温度センサ162の出力信号(TS1,TS2,TS3)に従って制御信号CC1及びCC2を生成する。つまり、アナログ回路制御部15は、温度センサ162の出力信号(TS1,TS2,TS3)に基づいて決定された値(TC1,TC2)を制御信号(CC1,CC2)として出力する。
Next, the analog
図13の(i)位相補償容量値は、図10の具体例に従って選択される位相補償容量値を示している。また、(j)内部電源回路出力の例は、内部電源回路121の主力電圧の時間変化の一例を示している。
The (i) phase compensation capacitance value in FIG. 13 indicates the phase compensation capacitance value selected according to the specific example in FIG. The example of (j) internal power supply circuit output shows an example of the time change of the main voltage of the internal
図13の(k)完了ステータス信号は、図7に示した(i)完了ステータス信号と同様である。 The (k) completion status signal in FIG. 13 is the same as the (i) completion status signal shown in FIG.
<実施の形態5>
本実施の形態では、上述した実施の形態4の変形例について説明する。上述した実施の形態4では、過去の環境温度が反映された起動情報130に従って、内部電源回路121の位相補償容量を調整する例について説明した。しかしながら、内部電源回路121の制御は、位相補償容量の調整に限られない。実施の形態1にて既に述べた通り、アナログ回路制御部15は、内部電源回路121に対するバイアス電圧(e.g. 図9に示されたBIAS電圧)を調整してもよい。このような制御によれば、情報処理装置1は、情報処理装置1が過去に起動されていた時の環境温度に適応して、バイアス電圧を適切に調整することができる。
<Embodiment 5>
In the present embodiment, a modification of the above-described fourth embodiment will be described. In the fourth embodiment described above, the example in which the phase compensation capacitance of the internal
図14は、本実施の形態に係る情報処理装置1の起動手順の一例を示すタイミングチャートである。図14に示された波形(a)〜(g)は、図13に示した波形(a)〜(g)と同様である。(h)バイアス設定信号VBは、アナログ回路制御部15から内部電源回路121に供給される制御信号である。(d)BOOST信号が"1"である場合、アナログ回路制御部15は、時刻T1から時刻T2までの間、バイアス電圧値が(f)起動情報130によって決まる値よりも高い値になるようにバイアス設定信号VBを生成する(VB_A)。(d)BOOST信号が"0"である場合、時刻T2から時刻T3までの間、アナログ回路制御部15は、バイアス電圧値が(f)起動情報130によって決まる値となるようにバイアス設定信号VBを生成する(VB_B)。そして、(e)起動情報選択信号F_SELが"0"である時T3以降において、アナログ回路制御部15は、バイアス電圧値が(g)温度センサ162の出力によって決まる値となるようにバイアス設定信号VBを生成する(VB_C)。
FIG. 14 is a timing chart showing an example of a startup procedure of the
図14の(i)バイアス電圧の例は、BOOST信号が"1"とされ、内部電圧の高速立ち上げが行われる場合を示している。この場合、時刻T1から時刻T2までの間、相対的に高いバイアス電圧(e.g. 1.0V)が内部電源回路121に供給される。
The example of (i) bias voltage in FIG. 14 shows a case where the BOOST signal is set to “1” and the internal voltage is rapidly raised. In this case, a relatively high bias voltage (e.g. 1.0 V) is supplied to the internal
図14の(j)バイアス電圧の例は、BOOST信号が"0"とされ、内部電圧の高速立ち上げが行われない場合を示している。この場合には、低電力での立ち上げモードとしてもよい。つまり、図14の波形(j)のように、相対的に小さいバイアス電圧(e.g. 0.6V)を内部電源回路121に供給してもよい。
The example of (j) bias voltage in FIG. 14 shows a case where the BOOST signal is set to “0” and the internal voltage is not rapidly raised. In this case, a startup mode with low power may be used. That is, a relatively small bias voltage (e.g. 0.6 V) may be supplied to the internal
<実施の形態6>
本実施の形態では、起動情報メモリ13の構成例について説明する。図15は、起動情報メモリ13の構成例を示すブロック図である。図15の起動情報メモリ13は、フラッシュメモリである。始めに、フラッシュメモリである起動情報メモリ13の通常の読み出し動作及び書き込み動作について説明する。
<Embodiment 6>
In the present embodiment, a configuration example of the
メモリマトリクス131は、マトリクス状に配置された複数のメモリセルを含む。図15は、複数のメモリセルのうち同一行の2つのメモリセルMC1及びMC2を示している。図15の構成例では、メモリセルMC1及びMC2の各々は、2つのゲート電極、つまりコントロールゲートとメモリゲートを有する。コントロールゲートは、ワード線WLに接続される。また、メモリゲートは、メモリゲート選択線MGLに接続される。
The
通常のデータ読み出し時には、読み出し行セレクタ132は、アドレスバスに入力された読み出しアドレスに基づいてメモリマトリクス131の対象行を指定する。具体的には、セレクタ132は、読み出し対象行のワード線WLに対して電圧を印加する。読み出し時の列選択は、列セレクタ133により行われる。そして、メモリマトリクス131から読み出されたデータは、ベリファイセンスアンプ134、及び入出力回路135を介して出力データバスに供給される。
At the time of normal data reading, the read
通常のデータ書き込み時には、書き込み行セレクタ137は、アドレスバスに入力された読み出しアドレスに基づいてメモリマトリクス131の対象行を指定する。具体的には、セレクタ137は、書き込み対象行のワード線WLに対して電圧を印加する。書き込み時の列選択は、列セレクタ133により行われる。そして、入力データバスから供給される書き込みデータは、書き込みラッチ136を介して対象のメモリセルに供給される。
During normal data writing, the
電源回路138は、外部電圧を受信し、起動情報メモリ13の各部に供給される動作電圧を生成する。
The power supply circuit 138 receives an external voltage and generates an operating voltage supplied to each unit of the
さらに、図15の起動情報メモリ13は、内部電圧を用いることなく外部電圧によって起動情報130を出力できるよう構成されている。より詳しく述べると、図15の起動情報メモリ13は、アドレスバスを経由した読み出しアドレス入力に基づく通常の行選択および列選択を行うこと無く、外部電圧およびリセット信号が供給されたことに応じて起動情報130を出力できるよう構成されている。
Furthermore, the
具体的に述べると、起動情報130を格納するメモリセルMC1及びMC2のワード線WLは、OR回路1321を介してリセット信号線に接続されている。したがって、外部電圧およびリセット信号が供給されたことに応じて、メモリセルMC1及びMC2に格納された起動情報130が書き込みラッチ136に保持される。書き込みラッチ136は、リセット転送レジスタを兼ねている。つまり、書き込みラッチ(リセット転送レジスタ)136は、メモリセルMC1及びMC2から読み出された起動情報130をアナログ回路制御部15に供給する。
Specifically, the word lines WL of the memory cells MC1 and MC2 that store the
図15に示した構造を用いることによって、内部電源回路121を含むアナログ回路12の起動に使用される起動情報130を情報処理装置1内に格納することができる。また、図15に示した構造によれば、外部電圧及びリセット信号の供給のみによって、起動情報130を簡単に読み出すことができる。
By using the structure shown in FIG. 15,
<実施の形態7>
本実施の形態では、情報処理装置1をシングルチップ・マイクロコンピュータに適用する例について説明する。図16は、シングルチップ・マイクロコンピュータとしての情報処理装置1の構成例を示すブロック図である。図16に示されたCPU111、DMAコントローラ112、RAM113、バスインタフェース114、及びフラッシュメモリモジュール115は、主要ブロック11の具体例である。また、図16に示された内部電源回路121およびクロック回路122は、アナログ回路12の具体例である。完了ステータスフラグ151は、アナログ回路12の起動完了に応じてアナログ回路制御部15から出力される完了ステータスを保持するレジスタである。モードレジスタ152は、起動情報メモリ13から読み出された動作モード情報を保持する。これらの各構成要素の間は、周辺バス101及び高速バス102によって接続されている。
<Embodiment 7>
In the present embodiment, an example in which the
実施の形態1〜6で説明した情報処理装置1は、例えば、図16に示すようなシングルチップ・マイクロコンピュータに好適である。シングルチップ・マイクロコンピュータは、いわゆる組み込みシステムとして様々な用途及び環境にて使用される。したがって、実施の形態1〜6によれば、例えば、不要なマージンを排除し、シングルチップ・マイクロコンピュータの実際の動作条件に適応したアナログ回路12の起動制御を行うことができる。また、実施の形態1〜6によれば、例えば、センサ16の安定化に先立って起動情報130を用いてアナログ回路12の制御を開始することができる。
The
なお、上述した実施の形態1〜7は、適宜組み合わせて用いることができる。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は既に述べた実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることはいうまでもない。 In addition, Embodiment 1-7 mentioned above can be used in combination as appropriate. As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments. However, the present invention is not limited to the embodiments already described, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it is possible.
1 情報処理装置
11 主要ブロック
12 アナログ回路
13 起動情報メモリ
14 起動情報作成部
15 アナログ回路制御部
16 センサ
101 周辺バス
102 高速バス
111 CPU(Central Processing Unit)
112 DMA(Direct Memory Access)コントローラ
113 RAM(Random Access Memory)
114 バスインタフェース
115 フラッシュメモリモジュール
121 内部電源回路
122 クロック回路
130 起動情報
131 メモリマトリクス
132 読み出し行セレクタ
133 列セレクタ
134 ベリファイセンスアンプ
135 入出力回路
136 書きこみラッチ兼リセット転送レジスタ
137 書き込み行セレクタ
151 完了ステータスフラグ
152 モードレジスタ
161 外部電圧センサ
162 温度センサ
163 内部電圧センサ
164 時間センサ
901〜905 AND回路
911 OR回路
921〜923 NAND回路
931、932 NOR回路
941 XOR回路
951、952 セレクタ(マルチプレクサ)
1210 温度特性調整部
1321 OR回路
1621〜1623 温度センサ
ADJ#1〜ADJ#3 温度特性調整回路
OPA オペアンプ
CC1、CC2 アナログ回路制御信号
TS1、TS2、TS3 温度センサ信号
FC1、FC2 起動情報信号
MC1、MC2 メモリセル
WL ワード線
MGL メモリゲート選択線
DESCRIPTION OF
112 DMA (Direct Memory Access)
114
1210 Temperature
Claims (20)
CPU(Central Processing Unit)を含む主要ブロックと、
前記主要ブロックと電気的に結合されたアナログ回路と、
不揮発性メモリと、
前記情報処理装置が動作しているときに計測された前記情報処理装置の内部状態及び環境状態の少なくとも一方が反映された起動情報を、前記情報処理装置の将来の起動のために、前記不揮発性メモリに格納する起動情報作成部と、
前記将来の起動の際に、前記不揮発性メモリに格納された前記起動情報に従って前記アナログ回路を制御するアナログ回路制御部と、
を備える情報処理装置。 An information processing apparatus,
Main block including CPU (Central Processing Unit),
An analog circuit electrically coupled to the main block;
Non-volatile memory;
Startup information reflecting at least one of an internal state and an environmental state of the information processing device measured when the information processing device is operating is used for the non-volatile operation for future startup of the information processing device. A startup information creation unit stored in memory;
An analog circuit controller that controls the analog circuit according to the activation information stored in the nonvolatile memory at the time of the future activation;
An information processing apparatus comprising:
前記アナログ回路制御部による前記制御は、前記センサの動作安定化前は前記起動情報に従って前記アナログ回路を制御し、前記センサの安定化後は前記センサの出力に従って前記アナログ回路を制御することを含む、
請求項1に記載の情報処理装置。 A sensor for measuring the internal state or the environmental state;
The control by the analog circuit control unit includes controlling the analog circuit according to the activation information before stabilizing the operation of the sensor, and controlling the analog circuit according to the output of the sensor after stabilizing the sensor. ,
The information processing apparatus according to claim 1.
前記アナログ回路は、前記主要ブロックに供給される内部電圧を外部電圧から生成する電源回路を含み、
前記アナログ回路制御部による前記制御は、前記内部電圧を前記起動情報に従って調整することを含む、
請求項1又は2に記載の情報処理装置。 The startup information reflects at least one of the external voltage level and temperature as the environmental state,
The analog circuit includes a power supply circuit that generates an internal voltage supplied to the main block from an external voltage,
The control by the analog circuit control unit includes adjusting the internal voltage according to the startup information.
The information processing apparatus according to claim 1 or 2.
前記アナログ回路は、前記主要ブロックに供給される内部電圧を外部電圧から生成する電源回路を含み、
前記アナログ回路制御部による前記制御は、前記内部電圧の位相補償のために前記電源回路が有する補償容量の容量値を前記起動情報に従って調整することを含む、
請求項1又は2に記載の情報処理装置。 The startup information reflects the temperature as the environmental state,
The analog circuit includes a power supply circuit that generates an internal voltage supplied to the main block from an external voltage,
The control by the analog circuit control unit includes adjusting a capacitance value of a compensation capacitor included in the power supply circuit for phase compensation of the internal voltage according to the activation information.
The information processing apparatus according to claim 1 or 2.
前記アナログ回路は、前記主要ブロックに供給される内部電圧を外部電圧から生成する電源回路を含み、
前記アナログ回路制御部による前記制御は、前記電源回路に与えるバイアス電圧を前記起動情報に従って調整することを含む、
請求項1又は2に記載の情報処理装置。 The startup information reflects the temperature as the environmental state,
The analog circuit includes a power supply circuit that generates an internal voltage supplied to the main block from an external voltage,
The control by the analog circuit control unit includes adjusting a bias voltage applied to the power supply circuit according to the activation information.
The information processing apparatus according to claim 1 or 2.
前記不揮発性メモリは、前記内部電圧を用いることなく前記外部電圧によって前記起動情報を出力できるよう構成されている、
請求項1又は2に記載の情報処理装置。 The analog circuit includes a power supply circuit that generates an internal voltage supplied to the main block from an external voltage,
The nonvolatile memory is configured to be able to output the activation information by the external voltage without using the internal voltage.
The information processing apparatus according to claim 1 or 2.
前記情報処理装置は、CPU(Central Processing Unit)を含む主要ブロック、前記主要ブロックと電気的に結合されたアナログ回路、及び不揮発性メモリを含み、
前記方法は、
前記情報処理装置が動作しているときに計測された前記情報処理装置の内部状態及び環境状態の少なくとも一方が反映された起動情報を、前記情報処理装置の将来の起動のために、前記不揮発性メモリに格納すること、及び
前記将来の起動の際に、前記不揮発性メモリに格納された前記起動情報に従って前記アナログ回路を制御すること、
を備える起動制御方法。 An information processing apparatus activation control method comprising:
The information processing apparatus includes a main block including a CPU (Central Processing Unit), an analog circuit electrically coupled to the main block, and a nonvolatile memory,
The method
Startup information reflecting at least one of an internal state and an environmental state of the information processing device measured when the information processing device is operating is used for the non-volatile operation for future startup of the information processing device. Storing in memory, and controlling the analog circuit according to the activation information stored in the non-volatile memory during the future activation;
An activation control method comprising:
前記制御することは、前記センサの動作安定化前は前記起動情報に従って前記アナログ回路を制御し、前記センサの安定化後は前記センサの出力に従って前記アナログ回路を制御することを含む、
請求項10に記載の方法。 Further comprising measuring the internal state or the environmental state using a sensor included in the information processing apparatus,
The controlling includes controlling the analog circuit according to the activation information before stabilizing the operation of the sensor, and controlling the analog circuit according to the output of the sensor after stabilizing the sensor.
The method of claim 10.
前記アナログ回路は、前記主要ブロックに供給される内部電圧を外部電圧から生成する電源回路を含み、
前記制御することは、前記内部電圧を前記起動情報に従って調整することを含む、
請求項10又は11に記載の方法。 The startup information reflects at least one of the external voltage level and temperature as the environmental state,
The analog circuit includes a power supply circuit that generates an internal voltage supplied to the main block from an external voltage,
The controlling includes adjusting the internal voltage according to the activation information;
12. A method according to claim 10 or 11.
前記アナログ回路は、前記主要ブロックに供給される内部電圧を外部電圧から生成する電源回路を含み、
前記制御することは、前記内部電圧の位相補償のために前記電源回路が有する補償容量の容量値を前記起動情報に従って調整することを含む、
請求項10又は11に記載の方法。 The startup information reflects the temperature as the environmental state,
The analog circuit includes a power supply circuit that generates an internal voltage supplied to the main block from an external voltage,
The controlling includes adjusting a capacitance value of a compensation capacitor included in the power supply circuit for phase compensation of the internal voltage according to the activation information.
12. A method according to claim 10 or 11.
前記アナログ回路は、前記主要ブロックに供給される内部電圧を外部電圧から生成する電源回路を含み、
前記制御することは、前記電源回路に与えるバイアス電圧を前記起動情報に従って調整することを含む、
請求項10又は11に記載の方法。 The startup information reflects the temperature as the environmental state,
The analog circuit includes a power supply circuit that generates an internal voltage supplied to the main block from an external voltage,
The controlling includes adjusting a bias voltage applied to the power supply circuit according to the activation information.
12. A method according to claim 10 or 11.
CPU(Central Processing Unit)を含む主要ブロックと、
前記主要ブロックと電気的に結合されたアナログ回路と、
不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに格納された起動情報に従って前記アナログ回路を制御するアナログ回路制御部と、
を備え、
前記主要ブロックは、前記情報処理装置が動作しているときに計測された前記情報処理装置の内部状態及び環境状態の少なくとも一方が反映された起動情報を、前記情報処理装置の将来の起動のために、前記不揮発性メモリに格納するよう構成されている、
情報処理装置。 An information processing apparatus,
Main block including CPU (Central Processing Unit),
An analog circuit electrically coupled to the main block;
Non-volatile memory;
An analog circuit control unit for controlling the analog circuit according to the startup information stored in the nonvolatile memory;
With
The main block includes activation information that reflects at least one of an internal state and an environmental state of the information processing device measured when the information processing device is operating, for future activation of the information processing device. Is configured to store in the non-volatile memory,
Information processing device.
前記アナログ回路制御部による前記制御は、前記センサの動作安定化前は前記起動情報に従って前記アナログ回路を制御し、前記センサの安定化後は前記センサの出力に従って前記アナログ回路を制御することを含む、
請求項16に記載の情報処理装置。 A sensor for measuring the internal state or the environmental state;
The control by the analog circuit control unit includes controlling the analog circuit according to the activation information before stabilizing the operation of the sensor, and controlling the analog circuit according to the output of the sensor after stabilizing the sensor. ,
The information processing apparatus according to claim 16.
前記アナログ回路は、前記主要ブロックに供給される内部電圧を外部電圧から生成する電源回路を含み、
前記アナログ回路制御部による前記制御は、前記内部電圧を前記起動情報に従って調整することを含む、
請求項16又は17に記載の情報処理装置。 The startup information reflects at least one of the external voltage level and temperature as the environmental state,
The analog circuit includes a power supply circuit that generates an internal voltage supplied to the main block from an external voltage,
The control by the analog circuit control unit includes adjusting the internal voltage according to the startup information.
The information processing apparatus according to claim 16 or 17.
前記アナログ回路は、前記主要ブロックに供給される内部電圧を外部電圧から生成する電源回路を含み、
前記アナログ回路制御部による前記制御は、前記内部電圧の位相補償のために前記電源回路が有する補償容量の容量値を前記起動情報に従って調整することを含む、
請求項16又は17に記載の情報処理装置。 The startup information reflects the temperature as the environmental state,
The analog circuit includes a power supply circuit that generates an internal voltage supplied to the main block from an external voltage,
The control by the analog circuit control unit includes adjusting a capacitance value of a compensation capacitor included in the power supply circuit for phase compensation of the internal voltage according to the activation information.
The information processing apparatus according to claim 16 or 17.
前記アナログ回路は、前記主要ブロックに供給される内部電圧を外部電圧から生成する電源回路を含み、
前記アナログ回路制御部による前記制御は、前記電源回路に与えるバイアス電圧を前記起動情報に従って調整することを含む、
請求項16又は17に記載の情報処理装置。 The startup information reflects the temperature as the environmental state,
The analog circuit includes a power supply circuit that generates an internal voltage supplied to the main block from an external voltage,
The control by the analog circuit control unit includes adjusting a bias voltage applied to the power supply circuit according to the activation information.
The information processing apparatus according to claim 16 or 17.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2012013975A JP2013152677A (en) | 2012-01-26 | 2012-01-26 | Information processor and start control method thereof |
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JP2012013975A JP2013152677A (en) | 2012-01-26 | 2012-01-26 | Information processor and start control method thereof |
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JP2013152677A true JP2013152677A (en) | 2013-08-08 |
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JP (1) | JP2013152677A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016095761A (en) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 株式会社デンソー | Load driver |
-
2012
- 2012-01-26 JP JP2012013975A patent/JP2013152677A/en active Pending
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JP2016095761A (en) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 株式会社デンソー | Load driver |
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