JP2013143017A - Reference voltage generator circuit - Google Patents

Reference voltage generator circuit Download PDF

Info

Publication number
JP2013143017A
JP2013143017A JP2012003107A JP2012003107A JP2013143017A JP 2013143017 A JP2013143017 A JP 2013143017A JP 2012003107 A JP2012003107 A JP 2012003107A JP 2012003107 A JP2012003107 A JP 2012003107A JP 2013143017 A JP2013143017 A JP 2013143017A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diode
reference voltage
voltage
capacitor
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012003107A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Osamu Kawatoko
修 川床
Akio Kawai
章生 河合
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitutoyo Corp
Mitsutoyo Kiko Co Ltd
Original Assignee
Mitutoyo Corp
Mitsutoyo Kiko Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitutoyo Corp, Mitsutoyo Kiko Co Ltd filed Critical Mitutoyo Corp
Priority to JP2012003107A priority Critical patent/JP2013143017A/en
Publication of JP2013143017A publication Critical patent/JP2013143017A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reference voltage source which can be realized in a general CMS process that do not allow inclusion of depletion MOS having appropriate properties, can operate on low voltage and generate low reference voltage, and can save power consumption and circuit space.SOLUTION: Current flow per unit area at the junction of a first diode D1 gets smaller than current flow per unit area at the junction of a second diode D2. Reference voltage is generated by a differential amplifier 3 in accordance with voltage corresponding to electrical charge accumulated in a first capacitor C1, connected to anodes of the first and second diodes D1, D2, by the voltage difference therebetween. There is no need to do such things as obtaining forward voltage levels of the two diodes D1, D2 in terms of current and adding the two diodes (adder circuit) and then converting the result to voltage (current/voltage converter circuit), which reduces current consumption and the number of elements.

Description

本発明は、基準電圧発生回路に係り、特に2つのダイオードの順方向電圧の差に従って、基準電圧源を得るようにされた基準電圧発生回路の改良に関する。   The present invention relates to a reference voltage generation circuit, and more particularly to an improvement of a reference voltage generation circuit configured to obtain a reference voltage source according to a difference between forward voltages of two diodes.

半導体内蔵のアナログ回路では、ADコンバータやDAコンバータの参照電圧や、電池電圧低下の検出などに、温度や電源変動に影響を受け難い基準電圧を必要とすることが多い。なお、基準電圧発生回路からこのような基準電圧を出力するために、該基準電圧発生回路内で用いられる電圧源を基準電圧源とする。   In an analog circuit with a built-in semiconductor, a reference voltage that is hardly affected by temperature and power supply fluctuation is often required for detection of a reference voltage of an AD converter or a DA converter, or a battery voltage drop. In order to output such a reference voltage from the reference voltage generation circuit, a voltage source used in the reference voltage generation circuit is used as a reference voltage source.

一般的に、ボタン電池1個(1.5V)や太陽電池1セルの低電圧電源で動作するアナログ回路では、エンハンスメントMOS(Metal Oxide Semiconductor)とデプレッションMOSのスレッショールド電圧の差電圧を基準電圧として利用される。しかしながら、基準電圧源に使える適切な特性を持つデプレッションMOSが形成できるIC(Integrated Circuit)プロセスは少ない。   In general, in an analog circuit that operates with a low voltage power source of one button battery (1.5V) or one solar battery cell, the difference voltage between the threshold voltage of the enhancement MOS (Metal Oxide Semiconductor) and the depletion MOS is used as a reference voltage. Used as However, there are few integrated circuit (IC) processes that can form a depletion MOS having appropriate characteristics that can be used as a reference voltage source.

一方、リチウム電池のような3V電源を使う場合は、一般のCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)プロセスで実現できる、ダイオードの順方向電圧とその温度特性を補償する電圧を加算して得られるバンドギャップリファレンス回路が利用されることが多い。   On the other hand, when a 3V power source such as a lithium battery is used, a band gap reference obtained by adding a diode forward voltage and a voltage that compensates for its temperature characteristics, which can be realized by a general CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) process. Circuits are often used.

一般的にバンドギャップリファレンス回路の出力電圧の基準電圧は1.2V程度となり、この電圧を使うためのアナログ回路は、それより0.2V程度高い1.4Vを超える電源電圧を必要とする。しかしながら、ボタン電池1個や太陽電池1セルの低電圧電源では、電池電圧の低下検出や、システムリセットのための電源投入検出は、1.4Vよりも低い電源電圧まで動作することが求められる。   Generally, the reference voltage of the output voltage of the band gap reference circuit is about 1.2V, and an analog circuit for using this voltage requires a power supply voltage exceeding 1.4V, which is about 0.2V higher than that. However, in the case of a low voltage power source of one button battery or one solar cell, the detection of a decrease in battery voltage or the detection of power-on for system reset is required to operate up to a power supply voltage lower than 1.4V.

ここで、より低い基準電圧源を得るため、2つのダイオードの順方向電圧の差に従って、基準電圧源を得ることが行われている。順方向電圧の差により得ることで、順方向電圧そのものより低い基準電圧を得ることができる。ダイオードの順方向電圧は、PN接合の電流密度に依存する。従って、PN接合の電流密度を異ならせることで、ダイオードの順方向電圧を異ならせることができる。   Here, in order to obtain a lower reference voltage source, a reference voltage source is obtained according to a difference in forward voltage between two diodes. By obtaining the difference in the forward voltage, a reference voltage lower than the forward voltage itself can be obtained. The forward voltage of the diode depends on the current density of the PN junction. Therefore, the forward voltage of the diode can be varied by varying the current density of the PN junction.

特許文献1では、PN接合の順方向電圧の差を電流量の加算により求め、基準電圧となる電圧に変換することで、温度依存性、電源電圧依存性が少ない基準電圧を1.25V以下で得るようにしている。電圧の和や差は、通常対応する電流の和や差として得るようにしている。このため、この特許文献1などでは、電流による加算回路や電流/電圧変換回路を要し、これらの回路は相当の消費電力及び回路スペースを要する。   In Patent Document 1, the difference in the forward voltage of the PN junction is obtained by adding the amount of current, and converted to a voltage that becomes a reference voltage, so that the reference voltage with less temperature dependency and power supply voltage dependency is 1.25 V or less. Trying to get. The sum and difference of voltages are usually obtained as the sum and difference of corresponding currents. For this reason, in this patent document 1, etc., an addition circuit by current and a current / voltage conversion circuit are required, and these circuits require considerable power consumption and circuit space.

更に、特許文献2では、順方向電圧の差ΔVbeの正の温度特性により、順方向電圧Vbe2の負の温度特性を相殺することで、基準電圧Vrefの温度特性の最適化を図るための、倍率Kaの補正をする第1抵抗R1や第2抵抗R2の微調整可能なトリミング手段を備えている。   Further, in Patent Document 2, a magnification for optimizing the temperature characteristic of the reference voltage Vref by offsetting the negative temperature characteristic of the forward voltage Vbe2 by the positive temperature characteristic of the forward voltage difference ΔVbe. Trimming means capable of fine adjustment of the first resistor R1 and the second resistor R2 for correcting Ka is provided.

又、特許文献3では、電流密度を変えた一対の接合型素子の順方向電圧の差を、これらに比例する電流の差として得て電圧変換した電圧を、接合型素子の順方向電圧から減じ、基準電圧を得ることで、バンドギャップ電圧より低く、かつバンドギャップ温度特性を有する基準電圧を発生するようにしている。   Further, in Patent Document 3, a voltage obtained by converting a forward voltage difference between a pair of junction elements with different current densities as a current difference proportional to these and subtracting the voltage from the forward voltage of the junction element is subtracted. By obtaining the reference voltage, a reference voltage lower than the band gap voltage and having band gap temperature characteristics is generated.

特許文献4では、負の1次温度係数をもつ順方向電圧Vbe0と、正の1次温度係数をもつ、電流密度の異なるp−n接合ダイオードの順方向電圧の差(Vptat=Vben−Vbe0)、又、抵抗R10とバイポーラのトランジスタQ10〜Q13からなる電流生成部により、正の2次温度係数をもった基準電圧を生成するようにしている。   In Patent Document 4, the difference between the forward voltage Vbe0 having a negative primary temperature coefficient and the forward voltage of a pn junction diode having a positive primary temperature coefficient and different current densities (Vptat = Vben−Vbe0). In addition, a reference voltage having a positive secondary temperature coefficient is generated by a current generator including a resistor R10 and bipolar transistors Q10 to Q13.

特開平11−45125号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-45125 特開2002−91589号公報JP 2002-91589 A 特開2011−123605号公報JP 2011-123605 A 特開2011−165103号公報JP 2011-165103 A

しかしながら、基準電圧発生回路は、低電圧動作の要求と併せて、省電力が求められている。特に、携帯機器に内蔵される場合、電源はボタン電池などであり消費電力の低減の要求は強い。又、携行性の面で回路スペースの縮小の要求もある。   However, the reference voltage generation circuit is required to save power in addition to the requirement for low voltage operation. In particular, when incorporated in a portable device, the power source is a button battery or the like, and there is a strong demand for reducing power consumption. There is also a demand for reducing circuit space in terms of portability.

本発明は、前記従来の問題点を解決するべくなされたもので、基準電圧源に使える適切な特性を持つデプレッションMOSを作り込めない、一般のCMOSプロセスであっても実現可能な、低電圧動作及び低電圧の基準電圧出力が可能で、省電力や回路スペース縮小が可能な基準電圧源を提供することを課題とする。   The present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional problems, and can be realized even in a general CMOS process, in which a depletion MOS having appropriate characteristics that can be used as a reference voltage source cannot be produced. Another object of the present invention is to provide a reference voltage source that can output a low-voltage reference voltage and can save power and reduce circuit space.

本発明は、第1のダイオードには第1の電流源から電流が流され、第2のダイオードには第2の電流源から電流が流され、これら第1のダイオード及び第2のダイオードの、カソード又はアノードが相互に接続されて同電位点とされると共に、前記第1のダイオードの接合の単位面積当たりの電流が、前記第2のダイオードの接合の単位面積当たりの電流より小とされ、前記第1のダイオード及び前記第2のダイオードにおける前記同電位点とは反対側の、アノード又はカソードに跨って接続される、これら接続点間の差電圧に従って充電される第1のコンデンサの電荷に応じた電圧に基づいて、基準電圧を出力するようにしたことにより、前記課題を解決したものである。   In the present invention, the first diode is supplied with a current from a first current source, and the second diode is supplied with a current from a second current source, and the first diode and the second diode, The cathode or anode is connected to each other to be at the same potential point, and the current per unit area of the first diode junction is smaller than the current per unit area of the second diode junction, The first capacitor and the second diode are connected across the anode or cathode on the opposite side of the same potential point, and are charged according to the voltage difference between the connection points. The above-mentioned problem is solved by outputting the reference voltage based on the corresponding voltage.

ここで、前記第1のダイオード及び前記第2のダイオードの前記接続点の内の一方と、前記同電位点とに跨って接続され、充電される第2のコンデンサを更に備え、前記第1のコンデンサの電荷、及び前記第2のコンデンサの電荷の和に応じた電圧に基づいて、基準電圧を出力することができる。   Here, the first capacitor further includes a second capacitor which is connected and charged across one of the connection points of the first diode and the second diode and the same potential point, and the first capacitor A reference voltage can be output based on a voltage corresponding to the sum of the charge of the capacitor and the charge of the second capacitor.

又、前記電荷に応じた電圧が入力され、負帰還経路に第3のコンデンサが直列に挿入された負帰還型増幅回路を更に備え、該負帰還型増幅回路の出力から、基準電圧を出力することができる。   Further, a voltage corresponding to the electric charge is input, and a negative feedback amplifier circuit in which a third capacitor is inserted in series in the negative feedback path is further provided, and a reference voltage is output from the output of the negative feedback amplifier circuit. be able to.

更には、オン時に、前記第1のダイオードには前記第1の電流源から電流を流すと共に、前記第2のダイオードには前記第2の電流源から電流を流す回路を形成する、複数のアナログスイッチによる第1のスイッチ群と、オン時に、基準電圧を前記負帰還型増幅回路から増幅出力する回路を形成する、複数のアナログスイッチによる第2のスイッチ群と、を備えることができる。これら第1のスイッチ群及び第2のスイッチ群は、排他的にオンオフするものである。   Furthermore, a plurality of analogs are formed which, when turned on, form a circuit for flowing current from the first current source to the first diode and flowing current from the second current source to the second diode. A first switch group including a switch and a second switch group including a plurality of analog switches forming a circuit that amplifies and outputs a reference voltage from the negative feedback amplifier circuit when the switch is turned on can be provided. These first switch group and second switch group are exclusively turned on and off.

本発明によれば、2つのダイオードの順方向電圧の差を、これらダイオードに跨るコンデンサに蓄積される電荷に基づいて得ると共に、該電荷に基づいて基準電圧を発生する。このため、これら順方向電圧に相当する電流をそれぞれ得てから合算し(加算回路)、後に電圧変換する(電流/電圧変換回路)といった必要がなく、従って、少ない消費電流、又少ない素子数で基準電圧源を提供することができ、基準電圧の低電圧化、基準電圧源の低動作電圧化、低消費電力化、回路の小型化を図ることができる。   According to the present invention, the difference between the forward voltages of the two diodes is obtained based on the charge accumulated in the capacitor across the diodes, and the reference voltage is generated based on the charge. For this reason, it is not necessary to add the currents corresponding to the forward voltages (summing circuit) and then perform voltage conversion (current / voltage conversion circuit) afterwards, and therefore, with less current consumption and fewer elements. A reference voltage source can be provided, and the reference voltage can be reduced, the reference voltage source can be operated at a low voltage, the power consumption can be reduced, and the circuit can be downsized.

本発明の第1実施形態の基準電圧発生回路の回路図1 is a circuit diagram of a reference voltage generation circuit according to a first embodiment of the present invention. 上記基準電圧発生回路における基準電圧源・充電動作ステップを示す回路図Circuit diagram showing reference voltage source / charging operation step in the reference voltage generating circuit 上記基準電圧発生回路における基準電圧・増幅出力動作ステップを示す回路図Circuit diagram showing reference voltage / amplified output operation step in the reference voltage generating circuit 本発明の第2実施形態の基準電圧発生回路の回路図The circuit diagram of the reference voltage generation circuit of 2nd Embodiment of this invention 上記基準電圧発生回路における基準電圧源・充電動作ステップを示す回路図Circuit diagram showing reference voltage source / charging operation step in the reference voltage generating circuit 上記基準電圧発生回路における基準電圧・増幅出力動作ステップを示す回路図Circuit diagram showing reference voltage / amplified output operation step in the reference voltage generating circuit 前記第1実施形態の変形例である、電流源をダイオードのカソード側に設けた本発明の第3実施形態の基準電圧発生回路の回路図A circuit diagram of a reference voltage generation circuit according to a third embodiment of the present invention, which is a modification of the first embodiment, in which a current source is provided on the cathode side of the diode. 前記第2実施形態の変形例である、電流源をダイオードのカソード側に設けた本発明の第4実施形態の基準電圧発生回路の回路図A circuit diagram of a reference voltage generation circuit according to a fourth embodiment of the present invention, which is a modification of the second embodiment, in which a current source is provided on the cathode side of the diode.

以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

従来から、バンドギャップリファレンス回路は、ダイオードの順方向電圧を得ると共にその温度特性を補償するため、2つのダイオード間の差電圧を増幅した上で加算して得られる、通常1.2V程度の基準電圧を発生する。しかしながら、ICを低電源電圧で動作させるためには、より低い基準電圧が得られることが望ましい。   Conventionally, a bandgap reference circuit obtains a forward voltage of a diode and compensates for its temperature characteristics, and a reference voltage of about 1.2V, which is usually obtained by amplifying a difference voltage between two diodes and adding them. Generate voltage. However, it is desirable to obtain a lower reference voltage in order to operate the IC with a low power supply voltage.

そこで、以下に述べる本発明のいずれの実施形態でも、2つのダイオードの順方向電圧を、差動増幅器3とスイッチトキャパシタ回路により、1倍未満に増幅し加算することで、1.2Vより低い基準電圧を作り出している。   Therefore, in any of the embodiments of the present invention described below, a reference voltage lower than 1.2 V is obtained by amplifying and adding the forward voltage of the two diodes to less than 1 times by the differential amplifier 3 and the switched capacitor circuit. Creating voltage.

図1は、本発明の第1実施形態の基準電圧発生回路の回路図である。まず、本実施形態の回路構成について説明する。   FIG. 1 is a circuit diagram of a reference voltage generating circuit according to the first embodiment of the present invention. First, the circuit configuration of this embodiment will be described.

電流源I1はダイオードD1のアノードに接続される。電流源I2はダイオードD2のアノードに接続される。これら電流源I1及び電流源I2は、それぞれ所定の定電流値I1及びI2の電流を高電位電源VDDから供給する。又、これらダイオードD1及びダイオードD2のカソードは、低電位電源(グランド)GNDに接続され、これらカソードは同電位になっている。   Current source I1 is connected to the anode of diode D1. Current source I2 is connected to the anode of diode D2. The current source I1 and the current source I2 supply currents of predetermined constant current values I1 and I2 from the high potential power supply VDD, respectively. The cathodes of the diode D1 and the diode D2 are connected to a low potential power supply (ground) GND, and these cathodes have the same potential.

ダイオードD1の接合の単位面積当たりに流れる電流は、ダイオードD2の接合の単位面積当たりに流れる電流よりも小さい。従って、ダイオードD1の順方向電圧は、ダイオードD2の順方向電圧よりも小さくなっている。   The current that flows per unit area of the junction of the diode D1 is smaller than the current that flows per unit area of the junction of the diode D2. Therefore, the forward voltage of the diode D1 is smaller than the forward voltage of the diode D2.

ダイオードD1のアノードからアナログスイッチS1を介して、コンデンサC1に接続され、該コンデンサC1のもう一端はダイオードD2のアノードに接続される。このようにコンデンサC1は、アナログスイッチS1がオンとなると、ダイオードD1のアノード及びダイオードD2のアノードに跨って接続される。   The anode of the diode D1 is connected to the capacitor C1 via the analog switch S1, and the other end of the capacitor C1 is connected to the anode of the diode D2. Thus, the capacitor C1 is connected across the anode of the diode D1 and the anode of the diode D2 when the analog switch S1 is turned on.

ダイオードD2のアノードは、差動増幅器3の非反転入力に接続するとともに、アナログスイッチS2を介して、コンデンサC2に接続され、該コンデンサC2のもう一端はアナログスイッチS3を介して、低電位電源(グランド)GNDに接続される。このようにコンデンサC2は、アナログスイッチS2及びS3がオンとなると、ダイオードD2のアノード、及び低電位電源GNDに跨って接続される。この低電位電源GNDは、このコンデンサC2の一端に加えてダイオードD1及びダイオードD2のカソードが接続され、これらカソード及びコンデンサC2の一端は同電位になっている。   The anode of the diode D2 is connected to the non-inverting input of the differential amplifier 3, and is connected to the capacitor C2 via the analog switch S2. The other end of the capacitor C2 is connected to the low potential power source (via the analog switch S3). Ground) Connected to GND. In this way, the capacitor C2 is connected across the anode of the diode D2 and the low potential power supply GND when the analog switches S2 and S3 are turned on. In this low potential power supply GND, in addition to one end of the capacitor C2, a diode D1 and a cathode of the diode D2 are connected, and the cathode and one end of the capacitor C2 are at the same potential.

ここで、差動増幅器3は、非反転入力(図中+入力)及び反転入力(図中−入力)の差電圧を増幅し出力するものである。該出力は以下において増幅器出力とも呼ぶ。本実施形態では、基準電圧発生回路における該差動増幅器3の増幅率は、(C1+C2)及びC3のキャパシタンス比その他に依存して定まる。   Here, the differential amplifier 3 amplifies and outputs a differential voltage between a non-inverting input (+ input in the figure) and an inverting input (-input in the figure). The output is also referred to as amplifier output below. In the present embodiment, the amplification factor of the differential amplifier 3 in the reference voltage generation circuit is determined depending on (C1 + C2), the capacitance ratio of C3, and the like.

コンデンサC1とダイオードD1の接続点はアナログスイッチS4を介して、該差動増幅器3の反転入力に接続される。コンデンサC2とアナログスイッチS2の接続点は、アナログスイッチS5を介して、該差動増幅器3の反転入力に接続される。又、コンデンサC2とアナログスイッチS3の接続点は、アナログスイッチS6を介してダイオードD2のアノードと接続される。   The connection point between the capacitor C1 and the diode D1 is connected to the inverting input of the differential amplifier 3 via the analog switch S4. The connection point between the capacitor C2 and the analog switch S2 is connected to the inverting input of the differential amplifier 3 via the analog switch S5. The connection point between the capacitor C2 and the analog switch S3 is connected to the anode of the diode D2 via the analog switch S6.

差動増幅器3の反転入力と出力の間、つまり該差動増幅器3の負帰還の帰還経路には、コンデンサC3とアナログスイッチS7が並列に接続される。   A capacitor C3 and an analog switch S7 are connected in parallel between the inverting input and output of the differential amplifier 3, that is, in the feedback path of the negative feedback of the differential amplifier 3.

ここで、アナログスイッチS1〜S3、S7は第1のスイッチ群であり、アナログスイッチS4〜S6は第2のスイッチ群である。これら第1のスイッチ群及び第2のスイッチ群は、互いに排他的にオンオフする。又、以下において、便宜上、第1のスイッチ群がオンとなるタイミングを基準電圧源・充電動作ステップ、第2のスイッチ群がオンとなるタイミングを基準電圧・増幅出力動作ステップと呼ぶ。   Here, the analog switches S1 to S3 and S7 are a first switch group, and the analog switches S4 to S6 are a second switch group. These first switch group and second switch group are exclusively turned on and off. In the following, for the sake of convenience, the timing at which the first switch group is turned on is referred to as a reference voltage source / charging operation step, and the timing at which the second switch group is turned on is referred to as a reference voltage / amplification output operation step.

次に、本実施形態の回路動作について説明する。   Next, the circuit operation of this embodiment will be described.

図2は、本実施形態の基準電圧発生回路において、第1のスイッチ群がオンとなる、基準電圧源・充電動作ステップを示す回路図である。又、図3は、第2のスイッチ群がオンとなる、該基準電圧発生回路における基準電圧・増幅出力動作ステップを示す回路図である。これら図2及び図3は、それぞれの動作状態を把握し易いように、図1に基づいて、それぞれの動作状態においてオフになっているアナログスイッチS1〜S7と、その回路を省くように図示したものである。   FIG. 2 is a circuit diagram showing a reference voltage source / charging operation step in which the first switch group is turned on in the reference voltage generation circuit of the present embodiment. FIG. 3 is a circuit diagram showing a reference voltage / amplified output operation step in the reference voltage generating circuit in which the second switch group is turned on. 2 and 3 are illustrated based on FIG. 1 so as to omit the analog switches S1 to S7 that are turned off in each operation state and the circuit thereof so that the operation states can be easily understood. Is.

アナログスイッチS1〜S3、S7(図2における基準電圧源・充電動作ステップ)と、アナログスイッチS4〜S6(図3における基準電圧・増幅出力動作ステップ)は排他的にオンオフを繰り返し、アナログスイッチS4、S5、S6がオンした時の差動増幅器3の出力電圧が、安定した基準電圧となる。   The analog switches S1 to S3, S7 (reference voltage source / charging operation step in FIG. 2) and the analog switches S4 to S6 (reference voltage / amplification output operation step in FIG. 3) are exclusively turned on and off, and the analog switch S4, The output voltage of the differential amplifier 3 when S5 and S6 are turned on becomes a stable reference voltage.

まず、図2では、コンデンサC1はダイオードD1のアノード及びダイオードD2のアノードに跨って接続され、該コンデンサC1には、ダイオードD1の順方向電圧及びダイオードD2の順方向電圧の差に従った電荷が充電される。又、コンデンサC2はダイオードD2のアノード及びカソードに跨って接続され、該コンデンサC2には、ダイオードD2の順方向電圧に従った電荷が充電される。なお、差動増幅器3は、アナログスイッチS7がオンで増幅器出力は反転入力に接続されて増幅率は1となり、ダイオードD2の順方向電圧と等しい電圧を出力する。   First, in FIG. 2, the capacitor C1 is connected across the anode of the diode D1 and the anode of the diode D2, and the capacitor C1 has a charge according to the difference between the forward voltage of the diode D1 and the forward voltage of the diode D2. Charged. The capacitor C2 is connected across the anode and cathode of the diode D2, and the capacitor C2 is charged with electric charge according to the forward voltage of the diode D2. In the differential amplifier 3, the analog switch S7 is turned on, the amplifier output is connected to the inverting input, the amplification factor is 1, and a voltage equal to the forward voltage of the diode D2 is output.

次に、図3では、コンデンサC1及びコンデンサC2が並列で、差動増幅器3の反転入力及び非反転入力に接続される。又、この非反転入力は、ダイオードD2により低電位電源(グランド)GNDに接続され、該低電位電源GNDよりダイオードD2の順方向電圧だけ高い電位となる。このため、差動増幅器3は、図2に示す回路動作で充電されたコンデンサC1及びコンデンサC2に蓄えられている電荷、(C1+C2)及びC3のキャパシタンス比、ダイオードD2による非反転入力の電位に応じた電圧を出力する。   Next, in FIG. 3, the capacitor C <b> 1 and the capacitor C <b> 2 are connected in parallel to the inverting input and the non-inverting input of the differential amplifier 3. This non-inverting input is connected to a low potential power supply (ground) GND by a diode D2, and becomes a potential higher than the low potential power supply GND by a forward voltage of the diode D2. Therefore, the differential amplifier 3 responds to the charges stored in the capacitors C1 and C2 charged by the circuit operation shown in FIG. 2, the capacitance ratio of (C1 + C2) and C3, and the potential of the non-inverting input by the diode D2. Output voltage.

そして、このような基準電圧・増幅出力動作ステップにおいて、定常状態乃至は略定常状態になった基準電圧を、サンプルホールド回路1でサンプリングすることで直流電圧が得られる。このサンプルホールド回路1は、アナログスイッチS8及びコンデンサC4により構成され、アナログスイッチS8のオン時に基準電圧がサンプリングされる。また、電流源I1、電流源I2、アナログスイッチS1〜S7と差動増幅器3を、サンプリング時にのみ間欠動作させる事で、低消費電力化が図れる。   In such a reference voltage / amplified output operation step, a DC voltage is obtained by sampling the reference voltage in a steady state or a substantially steady state by the sample hold circuit 1. The sample and hold circuit 1 includes an analog switch S8 and a capacitor C4, and a reference voltage is sampled when the analog switch S8 is turned on. Further, the power consumption can be reduced by intermittently operating the current source I1, the current source I2, the analog switches S1 to S7 and the differential amplifier 3 only during sampling.

続いて、コンデンサC1〜C3の容量の設計方法について説明する。   Next, a method for designing the capacitances of the capacitors C1 to C3 will be described.

ダイオードD1の順方向電圧をVD1、ダイオードD2の順方向電圧をVD2、これらの差(VD2−VD1)をΔVDとすると、基準電圧Vrefは、(1)式で表される。   When the forward voltage of the diode D1 is VD1, the forward voltage of the diode D2 is VD2, and the difference (VD2−VD1) is ΔVD, the reference voltage Vref is expressed by equation (1).

Vref=C1/C3×ΔVD+(1−C2/C3)×VD2 ・・・(1)         Vref = C1 / C3 × ΔVD + (1−C2 / C3) × VD2 (1)

ここで、ΔVDは正の温度依存性dΔVD/dTを、VD2は負の温度依存性dVD2/dTを持つので、Vrefの温度依存性dVref/dTが0となるような、コンデンサC2の条件を求めると(2)式が得られる。   Here, since ΔVD has a positive temperature dependency dΔVD / dT and VD2 has a negative temperature dependency dVD2 / dT, the condition of the capacitor C2 is determined such that the temperature dependency dVref / dT of Vref is zero. And (2) are obtained.

C2=C1×(dΔVD/dT)/(dVD2/dT)+C3 ・・・(2)         C2 = C1 × (dΔVD / dT) / (dVD2 / dT) + C3 (2)

(2)式を満足するように、コンデンサC1〜C3の容量を設計することで、1.2V以下を含む温度に依存しない任意のVrefが得られる。   By designing the capacitances of the capacitors C1 to C3 so as to satisfy the expression (2), an arbitrary Vref independent of the temperature including 1.2 V or less can be obtained.

次に、図4は、本発明の第2実施形態の基準電圧発生回路の回路図である。   Next, FIG. 4 is a circuit diagram of a reference voltage generating circuit according to the second embodiment of the present invention.

本第2実施形態も、第1実施形態と同様に1.2Vより低い基準電圧を作り出すことができる。   In the second embodiment, a reference voltage lower than 1.2 V can be created as in the first embodiment.

まず、第2実施形態の回路構成について説明する。   First, the circuit configuration of the second embodiment will be described.

電流源I1はダイオードD1のアノードに接続される。電流源I2はダイオードD2のアノードに接続される。これらダイオードD1及びダイオードD2のカソードは、低電位電源(グランド)GNDに接続され、これらカソードは同電位になっている。   Current source I1 is connected to the anode of diode D1. Current source I2 is connected to the anode of diode D2. The cathodes of these diodes D1 and D2 are connected to a low potential power supply (ground) GND, and these cathodes are at the same potential.

ダイオードD1の接合の単位面積当たりに流れる電流は、ダイオードD2の接合の単位面積当たりに流れる電流よりも小さい。従って、ダイオードD1の順方向電圧は、ダイオードD2の順方向電圧よりも小さくなっている。   The current that flows per unit area of the junction of the diode D1 is smaller than the current that flows per unit area of the junction of the diode D2. Therefore, the forward voltage of the diode D1 is smaller than the forward voltage of the diode D2.

ダイオードD1のアノードからアナログスイッチS1を介して、コンデンサC1に接続され、該コンデンサC1のもう一端はアナログスイッチS9、S10に接続される。コンデンサC1は、アナログスイッチS9を介して、ダイオードD2のアノードに接続される。コンデンサC1は、アナログスイッチS10を介して、ダイオードD1のアノードに接続される。このようにコンデンサC1は、アナログスイッチS1及びS9がオンとなると、ダイオードD1のアノード及びダイオードD2のアノードに跨って接続される。   The anode of the diode D1 is connected to the capacitor C1 via the analog switch S1, and the other end of the capacitor C1 is connected to the analog switches S9 and S10. The capacitor C1 is connected to the anode of the diode D2 through the analog switch S9. The capacitor C1 is connected to the anode of the diode D1 via the analog switch S10. Thus, the capacitor C1 is connected across the anode of the diode D1 and the anode of the diode D2 when the analog switches S1 and S9 are turned on.

ダイオードD1のアノードは、差動増幅器3の非反転入力に接続するとともに、アナログスイッチS2を介して、コンデンサC2に接続され、該コンデンサC2のもう一端はアナログスイッチS3を介して、低電位電源(グランド)GNDに接続される。このようにコンデンサC2は、アナログスイッチS2及びS3がオンとなると、ダイオードD2のアノード、及び低電位電源GNDに跨って接続される。この低電位電源GNDは、このコンデンサC2の一端に加えてダイオードD1及びダイオードD2のカソードが共に接続され、これらカソード及びコンデンサC2の一端は同電位になっている。   The anode of the diode D1 is connected to the non-inverting input of the differential amplifier 3, and is connected to the capacitor C2 via the analog switch S2. The other end of the capacitor C2 is connected to the low potential power source (via the analog switch S3). Ground) Connected to GND. In this way, the capacitor C2 is connected across the anode of the diode D2 and the low potential power supply GND when the analog switches S2 and S3 are turned on. In this low potential power supply GND, in addition to one end of the capacitor C2, the cathodes of the diode D1 and the diode D2 are connected together, and the cathode and one end of the capacitor C2 are at the same potential.

コンデンサC1とダイオードD1の接続点はアナログスイッチS4を介して、該差動増幅器3の反転入力に接続される。コンデンサC2とアナログスイッチS2の接続点は、アナログスイッチS5を介して、該差動増幅器3の反転入力に接続される。又、コンデンサC2とアナログスイッチS3の接続点は、アナログスイッチS6を介してダイオードD1のアノードと接続される。   The connection point between the capacitor C1 and the diode D1 is connected to the inverting input of the differential amplifier 3 via the analog switch S4. The connection point between the capacitor C2 and the analog switch S2 is connected to the inverting input of the differential amplifier 3 via the analog switch S5. The connection point between the capacitor C2 and the analog switch S3 is connected to the anode of the diode D1 via the analog switch S6.

差動増幅器3の反転入力と増幅器出力の間、つまり該差動増幅器3の負帰還の帰還経路には、コンデンサC3とアナログスイッチS7が並列に接続される。   A capacitor C3 and an analog switch S7 are connected in parallel between the inverting input and the amplifier output of the differential amplifier 3, that is, in the feedback path of the negative feedback of the differential amplifier 3.

ここで、アナログスイッチS1〜S3、S7、S9は第1のスイッチ群であり、アナログスイッチS4〜S6、S10は第2のスイッチ群である。これら第1のスイッチ群及び第2のスイッチ群は、互いに排他的にオンオフする。   Here, the analog switches S1 to S3, S7, and S9 are a first switch group, and the analog switches S4 to S6 and S10 are a second switch group. These first switch group and second switch group are exclusively turned on and off.

次に、本実施形態の回路動作について説明する。   Next, the circuit operation of this embodiment will be described.

図5は、本実施形態の基準電圧発生回路において、第1のスイッチ群がオンとなる、基準電圧源・充電動作ステップを示す回路図である。又、図6は、第2のスイッチ群がオンとなる、該基準電圧発生回路における基準電圧・増幅出力動作ステップを示す回路図である。これら図5及び図6は、それぞれの動作状態を把握し易いように、図4に基づいて、それぞれの動作状態においてオフになっているアナログスイッチS1〜S7と、その回路を省くように図示したものである。   FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a reference voltage source / charging operation step in which the first switch group is turned on in the reference voltage generation circuit of the present embodiment. FIG. 6 is a circuit diagram showing a reference voltage / amplified output operation step in the reference voltage generating circuit in which the second switch group is turned on. 5 and FIG. 6 are illustrated so as to omit the analog switches S1 to S7 that are turned off in each operation state and the circuit thereof based on FIG. 4 so that the operation states can be easily grasped. Is.

アナログスイッチS1〜S3、S7、S9(図5における基準電圧源・充電動作ステップ)と、アナログスイッチS4〜S6、S10(図6における基準電圧・増幅出力動作ステップ)は排他的にオンオフを繰り返し、アナログスイッチS4〜S6、S10がオンした時の差動増幅器3の出力電圧が、安定した基準電圧となる。   The analog switches S1 to S3, S7, S9 (reference voltage source / charging operation step in FIG. 5) and the analog switches S4 to S6, S10 (reference voltage / amplification output operation step in FIG. 6) are exclusively turned on and off, The output voltage of the differential amplifier 3 when the analog switches S4 to S6 and S10 are turned on becomes a stable reference voltage.

まず、図5では、コンデンサC1はダイオードD1のアノード及びダイオードD2のアノードに跨って接続され、該コンデンサC1には、ダイオードD1の順方向電圧及びダイオードD2の順方向電圧の差に従った電荷が充電される。又、コンデンサC2はダイオードD2のアノード及びカソードに跨って接続され、該コンデンサC2には、ダイオードD2の順方向電圧に従った電荷が充電される。なお、差動増幅器3は、アナログスイッチS7がオンで増幅器出力は反転入力に接続されて増幅率は1となり、ダイオードD2の順方向電圧と等しい電圧を出力する。   First, in FIG. 5, the capacitor C1 is connected across the anode of the diode D1 and the anode of the diode D2, and the capacitor C1 has a charge according to the difference between the forward voltage of the diode D1 and the forward voltage of the diode D2. Charged. The capacitor C2 is connected across the anode and cathode of the diode D2, and the capacitor C2 is charged with electric charge according to the forward voltage of the diode D2. In the differential amplifier 3, the analog switch S7 is turned on, the amplifier output is connected to the inverting input, the amplification factor is 1, and a voltage equal to the forward voltage of the diode D2 is output.

次に、図6では、コンデンサC1及びコンデンサC2が並列で、差動増幅器3の反転入力及び非反転入力に接続される。又、この非反転入力は、ダイオードD1により低電位電源(グランド)GNDに接続され、該低電位電源GNDよりダイオードD1の順方向電圧だけ高い電位となる。このため、差動増幅器3は、図5に示す回路動作で充電されたコンデンサC1及びコンデンサC2に蓄えられている電荷、(C1+C2)及びC3のキャパシタンス比、ダイオードD1による非反転入力の電位に応じた電圧を出力する。   Next, in FIG. 6, the capacitor C <b> 1 and the capacitor C <b> 2 are connected in parallel to the inverting input and the non-inverting input of the differential amplifier 3. The non-inverting input is connected to a low potential power supply (ground) GND by a diode D1, and becomes a potential higher than the low potential power supply GND by a forward voltage of the diode D1. Therefore, the differential amplifier 3 responds to the charges stored in the capacitors C1 and C2 charged by the circuit operation shown in FIG. 5, the capacitance ratio of (C1 + C2) and C3, and the potential of the non-inverting input by the diode D1. Output voltage.

そして、このような基準電圧・増幅出力動作ステップにおいて、定常状態乃至は略定常状態になった基準電圧を、サンプルホールド回路1でサンプリングすることで直流電圧が得られる。このサンプルホールド回路1は、アナログスイッチS8及びコンデンサC4により構成され、アナログスイッチS8のオン時に基準電圧がサンプリングされる。また、電流源I1、電流源I2、アナログスイッチS1〜S7、S9、S10と差動増幅器3を、サンプリング時にのみ間欠動作させる事で、低消費電力化が図れる。   In such a reference voltage / amplified output operation step, a DC voltage is obtained by sampling the reference voltage in a steady state or a substantially steady state by the sample hold circuit 1. The sample and hold circuit 1 includes an analog switch S8 and a capacitor C4, and a reference voltage is sampled when the analog switch S8 is turned on. Further, the power consumption can be reduced by intermittently operating the current source I1, the current source I2, the analog switches S1 to S7, S9, and S10 and the differential amplifier 3 only at the time of sampling.

続いて、コンデンサC1〜C3の容量の設計方法について説明する。   Next, a method for designing the capacitances of the capacitors C1 to C3 will be described.

ダイオードD1の順方向電圧をVD1、ダイオードD2の順方向電圧をVD2、これらの差(VD2−VD1)をΔVDとすると、基準電圧Vrefは、(3)式で表される。   When the forward voltage of the diode D1 is VD1, the forward voltage of the diode D2 is VD2, and the difference (VD2−VD1) is ΔVD, the reference voltage Vref is expressed by equation (3).

Vref=C1/C3×ΔVD+(1−C2/C3)×VD1 ・・・(3)         Vref = C1 / C3 × ΔVD + (1−C2 / C3) × VD1 (3)

ここで、ΔVDは正の温度依存性dΔVD/dTを、VD2は負の温度依存性dVD2/dTを持つので、Vrefの温度依存性dVref/dTが0となるような、コンデンサC2の条件を求めると(4)式が得られる。   Here, since ΔVD has a positive temperature dependency dΔVD / dT and VD2 has a negative temperature dependency dVD2 / dT, the condition of the capacitor C2 is determined such that the temperature dependency dVref / dT of Vref is zero. And (4) are obtained.

C2=C1×(dΔVD/dT)/(dVD1/dT)+C3 ・・・(4)         C2 = C1 × (dΔVD / dT) / (dVD1 / dT) + C3 (4)

(4)式を満足するように、コンデンサC1〜C3の容量を設計することで、1.2V以下を含む温度に依存しない任意のVrefが得られる。   By designing the capacitances of the capacitors C1 to C3 so as to satisfy the expression (4), an arbitrary Vref that does not depend on the temperature including 1.2 V or less can be obtained.

ここで、図7は、前述の第1実施形態の変形例である本発明の第3実施形態の基準電圧発生回路の回路図であり、図8は、第2実施形態の変形例である第4実施形態の基準電圧発生回路の回路図である。これら第3実施形態及び第4実施形態は、いずれもそれぞれ第1実施形態及び第2実施形態においてダイオードのアノード側に設けられた電流源を、カソード側に設けた変形例である。これに伴って、アナログスイッチS3の一端、コンデンサC4の一端は、高電位電源VDDに接続される。   Here, FIG. 7 is a circuit diagram of a reference voltage generating circuit according to the third embodiment of the present invention, which is a modification of the first embodiment, and FIG. 8 is a modification of the second embodiment. It is a circuit diagram of the reference voltage generation circuit of 4 embodiment. Each of the third embodiment and the fourth embodiment is a modification in which the current source provided on the anode side of the diode in the first embodiment and the second embodiment is provided on the cathode side. Accordingly, one end of the analog switch S3 and one end of the capacitor C4 are connected to the high potential power supply VDD.

前述の第1実施形態及び第2実施形態では、それぞれ図1及び図4に示されるように、電流源I1はダイオードD1のアノードに、電流源I2はダイオードD2のアノードに接続される。これに対して、第3実施形態及び第4実施形態では、それぞれ図7及び図8に示すように、電流源I1はダイオードD1のカソードに、電流源I2はダイオードD2のカソードに接続され、全体として同様の動作をすることができる。又、これら第3実施形態及び第4実施形態で出力される基準電圧Vref’は、高電位電源VDDに対する基準電圧となるので、第1実施形態及び第2実施形態で出力される基準電圧Vrefとは、以下のような関係になる。   In the first and second embodiments described above, the current source I1 is connected to the anode of the diode D1, and the current source I2 is connected to the anode of the diode D2, as shown in FIGS. On the other hand, in the third and fourth embodiments, as shown in FIGS. 7 and 8, respectively, the current source I1 is connected to the cathode of the diode D1, and the current source I2 is connected to the cathode of the diode D2. The same operation can be performed. Further, since the reference voltage Vref ′ output in the third and fourth embodiments is a reference voltage for the high potential power supply VDD, the reference voltage Vref output in the first and second embodiments is the same as the reference voltage Vref output in the first and second embodiments. Has the following relationship.

Vref’=VDD−Vref ・・・(5)        Vref ′ = VDD−Vref (5)

以上に説明したように、本発明の実施形態は、いずれも、基準電圧源は、2つのダイオードの順方向電圧の差により求めているので、バンドギャップリファレンス回路の出力電圧より低く設定することができる。順方向電圧の差を求める際には、該順方向電圧の差における正の温度依存性に対して、順方向電圧自体の負の温度依存性を作用させて、温度補償することができる。   As described above, in all of the embodiments of the present invention, since the reference voltage source is obtained from the difference between the forward voltages of the two diodes, it can be set lower than the output voltage of the bandgap reference circuit. it can. When obtaining the forward voltage difference, the temperature compensation can be performed by applying the negative temperature dependence of the forward voltage itself to the positive temperature dependence of the forward voltage difference.

更に、特許文献1のような多数の回路素子を要する電流加算回路や、電流/電圧変換回路を特に必要とせず、この順方向電圧の差は、コンデンサC1を中心とする回路動作により得ることができ、同時に、温度補償のための、ダイオードD2の順方向電圧VD2の負の温度依存性は、コンデンサC2を中心とする回路動作によって作用させることができる。従って、省電力及び省スペースの面で非常に有利である。   Further, a current adding circuit requiring a large number of circuit elements and a current / voltage conversion circuit as in Patent Document 1 are not particularly required, and this forward voltage difference can be obtained by a circuit operation centered on the capacitor C1. At the same time, the negative temperature dependence of the forward voltage VD2 of the diode D2 for temperature compensation can be caused by a circuit operation centered on the capacitor C2. Therefore, it is very advantageous in terms of power saving and space saving.

又、スイッチトキャパシタ回路により、増幅回路の増幅率設定などを行っているので、この面でも、省電力を図ることが可能になる。   Further, since the amplification factor of the amplifier circuit is set by the switched capacitor circuit, power saving can be achieved also in this aspect.

更には、順方向電圧の差電圧を求めるために用いるダイオードの内の1つと、温度補償の負の温度依存性を得るために用いるダイオードが共用されている。このため、温度環境が揃えられ、温度補償の特性も整合し易く、基準電圧の効果的な温度補償が可能となる。   Furthermore, one of the diodes used for obtaining the forward voltage difference voltage and the diode used for obtaining the negative temperature dependence of the temperature compensation are shared. Therefore, the temperature environment is uniform, the temperature compensation characteristics are easily matched, and the effective temperature compensation of the reference voltage becomes possible.

1…サンプルホールド回路
3…差動増幅器
C1〜C4…コンデンサ
D1、D2…ダイオード
S1〜S10…アナログスイッチ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sample hold circuit 3 ... Differential amplifier C1-C4 ... Capacitor D1, D2 ... Diode S1-S10 ... Analog switch

Claims (4)

第1のダイオードには第1の電流源から電流が流され、第2のダイオードには第2の電流源から電流が流され、これら第1のダイオード及び第2のダイオードの、カソード又はアノードが相互に接続されて同電位点とされると共に、
前記第1のダイオードの接合の単位面積当たりの電流が、前記第2のダイオードの接合の単位面積当たりの電流より小とされ、
前記第1のダイオード及び前記第2のダイオードにおける前記同電位点とは反対側の、アノード又はカソードに跨って接続される、これら接続点間の差電圧に従って充電される第1のコンデンサの電荷に応じた電圧に基づいて、基準電圧を出力するようにしたことを特徴とする基準電圧発生回路。
A current flows from the first current source to the first diode, and a current flows from the second current source to the second diode. The cathode or anode of the first diode and the second diode is connected to the first diode. Connected to each other and set to the same potential point,
A current per unit area of the junction of the first diode is smaller than a current per unit area of the junction of the second diode;
The first capacitor and the second diode are connected across the anode or cathode on the opposite side of the same potential point, and are charged according to the voltage difference between the connection points. A reference voltage generating circuit, characterized in that a reference voltage is output based on a corresponding voltage.
前記第1のダイオード及び前記第2のダイオードの前記接続点の内の一方と、前記同電位点とに跨って接続され、充電される第2のコンデンサを更に備え、
前記第1のコンデンサの電荷、及び前記第2のコンデンサの電荷の和に応じた電圧に基づいて、基準電圧を出力するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の基準電圧発生回路。
A second capacitor that is connected and charged across one of the connection points of the first diode and the second diode and the same potential point;
2. The reference voltage generation circuit according to claim 1, wherein a reference voltage is output based on a voltage corresponding to a sum of charges of the first capacitor and charges of the second capacitor.
前記電荷に応じた電圧が入力され、負帰還経路に第3のコンデンサが直列に挿入された負帰還型増幅回路を更に備え、
該負帰還型増幅回路の出力から、基準電圧を出力することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基準電圧発生回路。
A voltage corresponding to the electric charge is input, and further includes a negative feedback amplifier circuit in which a third capacitor is inserted in series in the negative feedback path,
3. The reference voltage generation circuit according to claim 1, wherein a reference voltage is output from an output of the negative feedback amplifier circuit.
オン時に、前記第1のダイオードには前記第1の電流源から電流を流すと共に、前記第2のダイオードには前記第2の電流源から電流を流す回路を形成する、複数のアナログスイッチによる第1のスイッチ群と、
オン時に、基準電圧を前記負帰還型増幅回路から増幅出力する回路を形成する、複数のアナログスイッチによる第2のスイッチ群と、を備え、
前記第1のスイッチ群及び前記第2のスイッチ群は、排他的にオンオフするものであることを特徴とする請求項3に記載の基準電圧発生回路。
When turned on, a current flows from the first current source to the first diode, and a circuit for flowing current from the second current source to the second diode is formed by a plurality of analog switches. 1 switch group,
A second switch group including a plurality of analog switches forming a circuit that amplifies and outputs a reference voltage from the negative feedback amplifier circuit when turned on, and
4. The reference voltage generation circuit according to claim 3, wherein the first switch group and the second switch group are exclusively turned on and off.
JP2012003107A 2012-01-11 2012-01-11 Reference voltage generator circuit Pending JP2013143017A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012003107A JP2013143017A (en) 2012-01-11 2012-01-11 Reference voltage generator circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012003107A JP2013143017A (en) 2012-01-11 2012-01-11 Reference voltage generator circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013143017A true JP2013143017A (en) 2013-07-22

Family

ID=49039552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012003107A Pending JP2013143017A (en) 2012-01-11 2012-01-11 Reference voltage generator circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013143017A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170081046A (en) * 2015-12-31 2017-07-11 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device, data driver and sample hold circuit
CN115016589A (en) * 2022-06-01 2022-09-06 南京英锐创电子科技有限公司 Band gap reference circuit
KR20230146760A (en) * 2022-04-13 2023-10-20 연세대학교 산학협력단 Time controlled reference volatge supply circuit and method for controlling the circuit

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170081046A (en) * 2015-12-31 2017-07-11 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device, data driver and sample hold circuit
KR102430386B1 (en) 2015-12-31 2022-08-09 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device, data driver and sample hold circuit
KR20230146760A (en) * 2022-04-13 2023-10-20 연세대학교 산학협력단 Time controlled reference volatge supply circuit and method for controlling the circuit
KR102664857B1 (en) 2022-04-13 2024-05-08 연세대학교 산학협력단 Time controlled reference volatge supply circuit and method for controlling the circuit
CN115016589A (en) * 2022-06-01 2022-09-06 南京英锐创电子科技有限公司 Band gap reference circuit
CN115016589B (en) * 2022-06-01 2023-11-10 南京英锐创电子科技有限公司 Band gap reference circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9785176B2 (en) Small-circuit-scale reference voltage generating circuit
JP5446529B2 (en) Low pass filter circuit, constant voltage circuit using the low pass filter circuit, and semiconductor device
CN202929513U (en) Circuit for generating reference band gap voltage
CN207198220U (en) Voltage comparator
US9342085B2 (en) Circuit for regulating startup and operation voltage of an electronic device
WO2013140852A1 (en) Reference-voltage circuit
JP2006262348A (en) Semiconductor circuit
TW201337497A (en) Immediate response low dropout regulation system and operation method of a low dropout regulation system
US7009374B2 (en) Low resistance bandgap reference circuit with resistive T-network
JP2017134756A (en) Voltage/current conversion circuit and switching regulator having the same
Tang et al. A 0.7 V Fully-on-Chip Pseudo-Digital LDO Regulator with 6.3 μA Quiescent Current and 100mV Dropout Voltage in 0.18-μm CMOS
US11108325B2 (en) Electronic circuit and method of controlling three-level switching converters
JP2013143017A (en) Reference voltage generator circuit
KR20130108174A (en) Voltage reference circuit
JP2010086056A (en) Constant current circuit
KR20170002135A (en) Battery management system
JP2010186360A (en) Bias current generating circuit
JP2005134939A (en) Reference voltage generation circuit and power supply device using it
JP6527106B2 (en) Power supply circuit
US20130063201A1 (en) Reference voltage circuit
CN107979285B (en) Power supply conversion circuit
JP2016187300A (en) Power supply circuit
JP6964585B2 (en) Switching regulator
CN105159381A (en) Band-gap reference voltage source with index compensation feature
TWI492015B (en) Bandgap reference voltage generating circuit and electronic system using the same