JP2013084950A - Temporary fixing method of substrate, semiconductor device and temporary fixing composition - Google Patents

Temporary fixing method of substrate, semiconductor device and temporary fixing composition Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate-processing method capable of forming a temporary fixing material without floatation between a substrate or a support and a temporary fixing material when laminating a substrate and a support in a method for temporary fixing via a temporary fixing material having an adhesive layer and a peeling layer partially formed.SOLUTION: A substrate-temporary fixing method has steps of: (1) forming an adhesive layer and a peeling layer, in this order, on a substrate with a temporary fixing composition having a polymer (A) and a compound (B) substantially immiscible with the polymer (A); (2) temporarily fixing the above substrate and a support via an adhesive layer, except for a part of the above peeling layer; (4) forming the rest of the adhesive layer, the rest of the peeling layer and the support, in this order, on the substrate, except for a part of the above adhesive layer; and (5) peeling the substrate after processing from the support; in this order.

Description

本発明は、基材の仮固定方法、半導体装置、および基材を処理する際に、基材を支持体上に仮固定するために用いることができる仮固定材の形成に好適な原料組成物に関する。   The present invention relates to a method for temporarily fixing a base material, a semiconductor device, and a raw material composition suitable for forming a temporary fixing material that can be used to temporarily fix the base material on a support when the base material is processed. About.

半導体ウエハなどの基材を加工(例:ダイシング、裏面研削、フォトファブリケーション)や移動(例:ある装置から別の装置へ基材を移動)するに際して、支持体から基材がずれて動かないように、仮固定材などを用いて基材と支持体とを仮固定する必要がある。そして、加工および/または移動終了後は、基材を支持体から剥離する必要がある。
例えば、特許文献1には、基材や支持体の周縁部で基材と支持体とを接着層を介して接着し、それ以外の部分は、基材を支持体から剥離するのに有利な機能を有する層(例えば、剥離剤で形成された層:剥離層)を有する仮固定材を用いた仮固定する方法が提案されていた。
When processing a substrate such as a semiconductor wafer (eg: dicing, back grinding, photofabrication) or moving (eg: moving a substrate from one device to another), the substrate is displaced from the support and does not move. Thus, it is necessary to temporarily fix the base material and the support using a temporary fixing material or the like. And after a process and / or a movement end, it is necessary to peel a base material from a support body.
For example, in Patent Document 1, the base material and the support are bonded to each other at the peripheral portion of the base material or the support through an adhesive layer, and the other portions are advantageous for peeling the base from the support. A method of temporarily fixing using a temporary fixing material having a layer having a function (for example, a layer formed of a release agent: a release layer) has been proposed.

このような仮固定材を形成するための手段として、接着層および剥離層は、各々別に形成する方法、例えば、1)支持体の周縁部以外の部分に剥離層を形成し、また、基材の全面に接着層を形成し、その後、支持体と基材とを、剥離層と接着層が向かい合うように貼り合わせることで形成する方法、2)基材上に接着層を形成し、次いで、接着層上の周縁部以外の部分に剥離層を形成し、その後、支持体と基材とを、接着層および剥離層を介して貼り合わせることで形成する方法、3)基材上の周縁部以外の部分に剥離層を形成し、次いで、周縁部に接着層を分注して形成し、その後、支持体と基材とを、接着層および剥離層を介して貼り合わせることで形成する方法、が提案されていた。   As a means for forming such a temporary fixing material, the adhesive layer and the release layer are formed separately, for example, 1) a release layer is formed on a portion other than the peripheral portion of the support, and the substrate A method of forming an adhesive layer on the entire surface of the substrate, and then bonding the support and the substrate so that the release layer and the adhesive layer face each other. 2) Forming the adhesive layer on the substrate, A method in which a release layer is formed on a portion other than the peripheral portion on the adhesive layer, and then the support and the base material are bonded together via the adhesive layer and the release layer. 3) The peripheral portion on the base material A method in which a release layer is formed on a portion other than the substrate, and then an adhesive layer is dispensed on the peripheral portion, and then the support and the substrate are bonded together via the adhesive layer and the release layer. , Was proposed.

特表2011−510518号公報Special table 2011-510518 gazette

ところで、剥離層を塗布により形成する際、基材の種類によっては、塗布液と基材がはじき、基材上に均一に剥離層を形成することが困難である。また、剥離層を塗布により形成する際、基材上に均一に薄く剥離層を形成することは困難であるため、剥離層は厚膜で形成することになる。このため、基材と支持体を貼り合わせる際、剥離層が不均一であることや、剥離層が厚膜であることにより、基材や支持体と、仮固定材との間で浮きが生じ、基材の加工の際に、この浮きが原因で支持体から基材が脱落するという課題がある。特に基材が、大きかったり、重かったりする場合は、支持体から基材が脱落するという課題が顕著に出てくる。   By the way, when forming a peeling layer by application | coating, depending on the kind of base material, a coating liquid and a base material repel, and it is difficult to form a peeling layer uniformly on a base material. Further, when the release layer is formed by coating, it is difficult to form the release layer uniformly and thinly on the base material. Therefore, the release layer is formed as a thick film. For this reason, when the base material and the support are bonded together, the release layer is non-uniform or the release layer is a thick film, so that floating occurs between the base material and the support and the temporary fixing material. When processing the base material, there is a problem that the base material falls off from the support due to the floating. In particular, when the base material is large or heavy, the problem that the base material falls off from the support becomes prominent.

本発明の課題は、特許文献1の基材の仮固定方法のように、部分的に形成した接着層と剥離層とを有する仮固定材を介して仮固定する方法において、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できる基材の仮固定方法を提供すること、ならびに前記基材の仮固定方法に関連した仮固定用組成物および半導体装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a substrate and a support in a method of temporarily fixing via a temporarily fixing material having a partially formed adhesive layer and a release layer, as in the method of temporarily fixing a substrate of Patent Document 1. Providing a temporary fixing method of a base material that can form a temporary fixing material without floating between the base material or the support and the temporary fixing material, and related to the temporary fixing method of the base material The object is to provide a temporary fixing composition and a semiconductor device.

本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有する基材の仮固定方法により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、例えば以下の[1]〜[8]に関する。   The present inventors have intensively studied to solve the above problems. As a result, it has been found that the above problems can be solved by a temporary fixing method of a substrate having the following configuration, and the present invention has been completed. That is, the present invention relates to the following [1] to [8], for example.

[1](1)重合体(A)、および前記重合体(A)と実質的に非混和性の化合物(B)を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程;
(2)前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程;
(4)前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程;ならびに
(5)支持体から加工後の基材を剥離する工程;
をこの順で有する基材の仮固定方法。
[2]前記接着層が、シクロオレフィン系重合体(A1)を含有する接着層である前記[1]の基材の仮固定方法。
[3]前記工程(4)が、前記接着層の一部を炭化水素系溶剤に溶解させることで除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程;である前記[2]の基材の仮固定方法。
[4]前記剥離層の膜厚が、1〜1000nmである前記[1]の基材の仮固定方法。
[5]前記[1]〜[4]の基材の仮固定方法に用いられる仮固定用組成物であって、重合体(A)、および前記重合体(A)と実質的に非混和性の化合物(B)を含有する仮固定用組成物。
[6]前記重合体(A)が、シクロオレフィン系重合体(A1)である前記[5]の仮固定用組成物。
[7]シクロオレフィン系重合体(A1)100質量部と、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体(B1)を1〜30質量部含有する組成物。
[8]前記[1]の基材の仮固定方法により得られる半導体装置。
[1] (1) An adhesive layer and a release layer on a substrate by a temporary fixing composition containing the polymer (A) and the compound (B) substantially immiscible with the polymer (A). Forming the layers in this order;
(2) A step of temporarily fixing the base material and the support through the adhesive layer except for a part of the release layer;
(4) A step of forming a remaining part of the adhesive layer, a remaining part of the release layer, and a support in this order on the substrate, excluding a part of the adhesive layer; and (5) peeling the processed substrate from the support. The step of:
A method for temporarily fixing a base material in this order.
[2] The method for temporarily fixing a base material according to [1], wherein the adhesive layer is an adhesive layer containing a cycloolefin polymer (A1).
[3] In step (4), a part of the adhesive layer is removed by dissolving in a hydrocarbon solvent, and the remaining part of the adhesive layer, the remaining part of the release layer, and the support are formed in this order on the substrate. The method for temporarily fixing a base material according to [2], wherein:
[4] The method for temporarily fixing a substrate according to [1], wherein the release layer has a thickness of 1 to 1000 nm.
[5] A composition for temporary fixing used in the method for temporarily fixing a substrate according to the above [1] to [4], which is substantially immiscible with the polymer (A) and the polymer (A). The composition for temporary fixing containing the compound (B).
[6] The temporarily fixing composition according to [5], wherein the polymer (A) is a cycloolefin polymer (A1).
[7] A composition containing 1 to 30 parts by mass of 100 parts by mass of a cycloolefin polymer (A1) and a polymer (B1) having a repeating unit having a fluorine atom.
[8] A semiconductor device obtained by the method for temporarily fixing a substrate according to [1].

本発明によれば、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できる基材の仮固定方法を提供すること、ならびに前記基材の仮固定方法に関連した仮固定用組成物および半導体装置を提供することができる。   According to the present invention, when the base material and the support are bonded together, a temporary fixing method of the base material that can form the temporary fixing material without floating between the base material and the support and the temporary fixing material is provided. In addition, a temporary fixing composition and a semiconductor device related to the temporary fixing method of the substrate can be provided.

基材の仮固定方法の一実施態様の模式図。The schematic diagram of one embodiment of the temporary fixing method of a base material. 基材の仮固定方法の一実施態様の模式図。The schematic diagram of one embodiment of the temporary fixing method of a base material. 基材の仮固定方法の一実施態様の模式図。The schematic diagram of one embodiment of the temporary fixing method of a base material.

以下、本発明の基材の仮固定方法、前記基材の仮固定方法に関連した仮固定用組成物、および前記基材の仮固定方法によって得られる半導体装置について説明する。
本発明において仮固定用組成物とは、仮固定材を形成するための組成物である。仮固定材とは、半導体ウエハなどの基材を加工(例:ダイシング、裏面研削、フォトファブリケーション(例:レジストパターンの形成、メッキ等による金属バンプ形成、化学気相成長等による膜形成、RIEなどによる加工))や移動(例:ある装置から別の装置へ基材を移動)するに際して、支持体から基材がずれて動かないように基材を仮固定するために用いられる仮固定材のことである。
Hereinafter, the temporary fixing method of the base material of the present invention, the temporary fixing composition related to the temporary fixing method of the base material, and the semiconductor device obtained by the temporary fixing method of the base material will be described.
In the present invention, the temporary fixing composition is a composition for forming a temporary fixing material. Temporary fixing material refers to processing a substrate such as a semiconductor wafer (eg dicing, back grinding, photofabrication (eg resist pattern formation, metal bump formation by plating, film formation by chemical vapor deposition, RIE) Temporary fixing material used to temporarily fix the base material so that the base material is not displaced and moved from the support when moving the base material from one device to another device) That is.

1.基材の仮固定方法
本発明の基材の仮固定方法は、
(1)重合体(A)、および前記重合体(A)と実質的に非混和性の化合物(B)を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程;
(2)前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程;
(4)前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程;ならびに
(5)支持体から加工後の基材を剥離する工程;
をこの順で有する。以下、上記各工程をそれぞれ、工程(1)〜工程(5)ともいう。
1. Temporary fixing method of substrate The temporary fixing method of the substrate of the present invention is:
(1) A temporary fixing composition containing the polymer (A) and the compound (B) substantially immiscible with the polymer (A) is used to form an adhesive layer and a release layer on the substrate. Forming in order;
(2) A step of temporarily fixing the base material and the support through the adhesive layer except for a part of the release layer;
(4) A step of forming a remaining part of the adhesive layer, a remaining part of the release layer, and a support in this order on the substrate, excluding a part of the adhesive layer; and (5) peeling the processed substrate from the support. The step of:
In this order. Hereinafter, each said process is also called process (1)-process (5), respectively.

本発明では、重合体(A)、および重合体(A)と実質的に非混和性の化合物(B)を含有する仮固定用組成物から、基材上に、接着層および剥離層を形成することから、接着層上に、均一に薄く剥離層を形成することができる。ここから、剥離層の一部を除去することで、接着部、剥離層の残部および接着層の残部を有する仮固定材を形成することができる。このため、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、基材と支持体とを貼り合わせることができる。   In the present invention, an adhesive layer and a release layer are formed on a base material from a temporary fixing composition containing a polymer (A) and a compound (B) substantially immiscible with the polymer (A). Therefore, the release layer can be uniformly and thinly formed on the adhesive layer. From this, by removing a part of the release layer, it is possible to form a temporary fixing material having an adhesive part, a remaining part of the release layer, and a remaining part of the adhesive layer. For this reason, a base material and a support body can be bonded together without floating between a base material, a support body, and a temporary fixing material.

1−1.工程(1)
工程(1)の模式図を、図1(a)および図1(b)に示す。工程(1)は、基材10上に、重合体(A)、および前記重合体(A)と実質的に非混和性の化合物(B)を含有する仮固定用組成物を塗布することで、仮固定用組成物からなる塗膜20を形成し、次いで、塗膜20から、重合体(A)と化合物(B)が層分離することで、重合体(A)をより多く含有する接着層21、および化合物(B)をより多く含有する剥離層22を基板10上に形成する。
1-1. Process (1)
A schematic diagram of the step (1) is shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b). In the step (1), a temporary fixing composition containing the polymer (A) and the compound (B) substantially immiscible with the polymer (A) is applied onto the substrate 10. Then, the coating film 20 made of the temporary fixing composition is formed, and then the polymer (A) and the compound (B) are separated from the coating film 20 so as to contain more polymer (A). The layer 21 and the release layer 22 containing more compound (B) are formed on the substrate 10.

加工の対象物である基材10としては、例えば、半導体ウエハ、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、金属箔を有する基板が挙げられる。半導体ウエハには、通常はバンプや配線、絶縁膜などが形成されている。樹脂塗膜としては、例えば、有機成分を主成分として含有する層が挙げられ;具体的には、感光性材料から形成される感光性樹脂層、絶縁性材料から形成される絶縁性樹脂層、感光性絶縁樹脂材料から形成される感光性絶縁樹脂層などが挙げられる。   Examples of the base material 10 that is an object to be processed include a semiconductor wafer, a glass substrate, a resin substrate, a metal substrate, and a substrate having a metal foil. A semiconductor wafer is usually formed with bumps, wirings, insulating films, and the like. Examples of the resin coating include a layer containing an organic component as a main component; specifically, a photosensitive resin layer formed from a photosensitive material, an insulating resin layer formed from an insulating material, Examples thereof include a photosensitive insulating resin layer formed from a photosensitive insulating resin material.

基材上に塗膜20形成するに際して、塗膜20を面内で均一に形成するため、基材表面を予め表面処理することもできる。表面処理の方法としては、例えば、基材表面に予め表面処理剤を塗布する方法が挙げられる。   When the coating film 20 is formed on the base material, the surface of the base material can be pretreated in order to form the coating film 20 uniformly in the surface. Examples of the surface treatment method include a method of previously applying a surface treatment agent to the surface of the substrate.

表面処理剤としては、例えば、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンなどのシリコン系化合物が挙げられる。これらは、スピンコート法や、ガス状にして基材上に形成する。 Examples of the surface treatment agent include silicon compounds such as 3-aminopropyltrimethoxysilane and hexamethyldisilazane. These are formed on the substrate by spin coating or in the form of gas.

仮固定用組成物の塗布方法としては、スピンコート法、等の従来公知の塗布方法を用いることができる。スピンコート法では、基材の大きさにより適宜決められ、例えば、12インチのシリコンウエハの場合、通常、回転速度が300〜3,500rpm(好ましくは500〜1,500rpm)、加速度が500〜15,000rpm/秒、回転時間が30〜300秒という条件で行われる。 As a method for applying the temporary fixing composition, a conventionally known coating method such as a spin coating method can be used. In the spin coating method, it is appropriately determined depending on the size of the substrate. For example, in the case of a 12-inch silicon wafer, the rotation speed is usually 300 to 3,500 rpm (preferably 500 to 1,500 rpm) and the acceleration is 500 to 15. , 1,000 rpm / second, and rotation time of 30 to 300 seconds.

仮固定用組成物を塗布して塗膜20を形成した後は、接着層21と剥離層22の形成を促進するために、および、仮固定用組成物中に溶剤を含む場合は、溶剤を蒸発させるためにホットプレート等で加熱処理を行うことができる。加熱処理の温度は、通常150〜275℃、好ましくは150〜260℃であり、時間が2〜15分、より好ましくは3〜10分である。塗膜20の膜厚は、通常、5〜500μmである。 After the temporary fixing composition is applied and the coating film 20 is formed, in order to promote the formation of the adhesive layer 21 and the release layer 22 and when the temporary fixing composition contains a solvent, the solvent is added. In order to evaporate, heat treatment can be performed with a hot plate or the like. The temperature of heat processing is 150-275 degreeC normally, Preferably it is 150-260 degreeC, Time is 2 to 15 minutes, More preferably, it is 3 to 10 minutes. The film thickness of the coating film 20 is usually 5 to 500 μm.

後述のとおり、化合物(B)は、重合体(A)よりも低い表面エネルギーを有していることから、層分離により、化合物(B)は塗膜20の表面に偏在する。この偏在により、重合体(A)をより多く含む接着層21と、化合物(B)をより多く含む剥離層22が形成される。なお、ここで剥離層22とは、化合物(B)が、60重量%以上含む層を示し、接着層21とは、塗膜から形成する層において、剥離層22以外の層を示す。
なお、剥離層中に含まれる化合物(B)の含有量は、X線電子分光法(ESCA:Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)にて測定した値である。
As described later, since the compound (B) has a lower surface energy than the polymer (A), the compound (B) is unevenly distributed on the surface of the coating film 20 by layer separation. Due to this uneven distribution, an adhesive layer 21 containing more polymer (A) and a release layer 22 containing more compound (B) are formed. In addition, the peeling layer 22 shows the layer which a compound (B) contains 60weight% or more here, and the contact bonding layer 21 shows layers other than the peeling layer 22 in the layer formed from a coating film.
In addition, content of the compound (B) contained in a peeling layer is the value measured by X-ray electron spectroscopy (ESCA: Electron Spectroscopy for Chemical Analysis).

接着層21の膜厚は、通常、5〜500μmである。また、基材10の接着層21形成面側に、バンプなどの突起物がある場合、当該突起物を保護するために、接着層で突起物を覆うことがある。このことから、突起物の高さにより接着層21の膜厚は適宜決めることができるが、突起物を有する場合、突起物の高さ1に対して、通常、接着層21の膜厚は、1.5以上で形成する。 The film thickness of the adhesive layer 21 is usually 5 to 500 μm. In addition, when there are protrusions such as bumps on the surface of the substrate 10 where the adhesive layer 21 is formed, the protrusions may be covered with the adhesive layer in order to protect the protrusions. From this, the film thickness of the adhesive layer 21 can be determined as appropriate depending on the height of the protrusions. However, when the protrusions are provided, the film thickness of the adhesive layer 21 is usually smaller than the height 1 of the protrusions. It is formed at 1.5 or more.

剥離層22の膜厚は、通常、1〜1000nmであり、好ましくは、5〜900nm、より好ましくは10〜800nmである。 The thickness of the release layer 22 is usually 1 to 1000 nm, preferably 5 to 900 nm, and more preferably 10 to 800 nm.

1−1−1.仮固定用組成物
仮固定用組成物は、重合体(A)と、および前記重合体(A)と実質的に非混和性の化合物(B)を含有する。また、必要に応じて溶剤(C)を含有する。
1-1-1. Temporary Fixing Composition The temporary fixing composition contains the polymer (A) and a compound (B) that is substantially immiscible with the polymer (A). Moreover, a solvent (C) is contained as needed.

<重合体(A)>
重合体(A)は、熱硬化性樹脂でも、熱可塑性樹脂でも、どのような重合体であってもよい。これらの中でも、工程(4)において、接着層の一部を、溶剤にて容易に除去するためには、熱可塑性樹脂が好ましい。
<Polymer (A)>
The polymer (A) may be any polymer such as a thermosetting resin or a thermoplastic resin. Among these, a thermoplastic resin is preferable in order to easily remove a part of the adhesive layer with a solvent in the step (4).

熱可塑性樹脂としては、シクロオレフィン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリイミド系樹脂などの溶融温度の高い樹脂;ノボラック樹脂、C5系石油樹脂、C9系石油樹脂、C5系/C9系混合石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、ビニル置換芳香族化合物の重合体、オレフィンとビニル置換芳香族化合物との共重合体、シクロペンタジエン系化合物とビニル置換芳香族化合物との共重合体、これらの水素添加物などの溶融温度の低い樹脂;を挙げられる。熱可塑性樹脂は、2種以上組み合わせて使うことができる。例えば、溶融温度の高い樹脂と溶融温度の低い樹脂を組み合わせることで、接着層の溶融温度を制御することができる。これらの中でも、シクロオレフィン系樹脂(A1)が好ましい。   Thermoplastic resins include cycloolefin resins, polyether resins, polycarbonate resins, polyimide resins, and other high melting temperatures; novolak resins, C5 petroleum resins, C9 petroleum resins, and C5 / C9 mixtures. Petroleum resin, cyclopentadiene resin, polymer of vinyl-substituted aromatic compound, copolymer of olefin and vinyl-substituted aromatic compound, copolymer of cyclopentadiene compound and vinyl-substituted aromatic compound, hydrogenation of these A resin having a low melting temperature such as a product. Two or more thermoplastic resins can be used in combination. For example, the melting temperature of the adhesive layer can be controlled by combining a resin having a high melting temperature and a resin having a low melting temperature. Among these, cycloolefin resin (A1) is preferable.

シクロオレフィン系重合体(A1)としては、例えば、環状オレフィンの付加共重合体、環状オレフィンの開環メタセシス重合体、前記開環メタセシス重合体を水素化して得られる重合体が挙げられる。このようなシクロオレフィン系重合体(A1)の重合方法は従来公知である。シクロオレフィン系重合体(A1)のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定される重量平均分子量(Mw)は、ポリスチレン換算で、通常5,000〜1,000,000、好ましくは10,000〜500,000である。   Examples of the cycloolefin polymer (A1) include cyclic olefin addition copolymers, cyclic olefin ring-opening metathesis polymers, and polymers obtained by hydrogenating the ring-opening metathesis polymers. Such a polymerization method of the cycloolefin polymer (A1) is conventionally known. The weight average molecular weight (Mw) measured by the gel permeation chromatography (GPC) method of the cycloolefin polymer (A1) is usually 5,000 to 1,000,000, preferably 10,000 in terms of polystyrene. ~ 500,000.

環状オレフィンとしては、例えば、ノルボルネン系オレフィン、テトラシクロドデセン系オレフィン、ジシクロペンタジエン系オレフィン、およびこれらの誘導体が挙げられる。前記誘導体としては、例えば、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜10のアルキル基)、アルキリデン基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜10のアルキリデン基)、アラルキル基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜18のアラルキル基)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜30、より好ましくは炭素数3〜18のシクロアルキル基)、ヒドロキシ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜10のアルコキシ基)、アセチル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、およびアリール基などによる置換誘導体が挙げられる。   Examples of the cyclic olefin include norbornene olefin, tetracyclododecene olefin, dicyclopentadiene olefin, and derivatives thereof. Examples of the derivative include an alkyl group (preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms) and an alkylidene group (preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms). Alkylidene group), an aralkyl group (preferably an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, more preferably an aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms), a cycloalkyl group (preferably having 3 to 30 carbon atoms, more preferably 3 to 18 carbon atoms). Cycloalkyl group), a hydroxy group, an alkoxy group (preferably an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms), an acetyl group, a cyano group, an amide group, an imide group, a silyl group, and an aryl group.

シクロオレフィン系重合体(A1)の市販品としては、例えば、日本ゼオン(株)製の「ZEONOR(ゼオノア)」や「ZEONEX(ゼオネックス)」、JSR(株)製の「ARTON(アートン)」、TOPAS ADVANCED POLYMERS社製の「TOPAS(トパス)」、三井化学(株)製の「APEL(アペル)」などが挙げられる。   Examples of commercially available cycloolefin polymers (A1) include “ZEONOR” and “ZEONEX” manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., “ARTON” manufactured by JSR Corporation, Examples include “TOPAS (Topas)” manufactured by TOPAS ADVANCED POLYMERS, “APEL” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., and the like.

<化合物(B)>
重合体(A)と実質的に非混和の化合物(B)とは、仮固定用組成物では重合体(A)や他の成分と均一に溶解もしくは分散しているが、仮固定用組成物から塗膜を形成するときに重合体(A)や他の成分との溶解性もしくは分散性が低下する化合物を示す。
<Compound (B)>
The polymer (A) and the substantially immiscible compound (B) are uniformly dissolved or dispersed in the polymer (A) and other components in the temporary fixing composition. The compound which the solubility or dispersibility with a polymer (A) or another component falls when forming a coating film from is shown.

化合物(B)は、重合体(A)よりも低い表面エネルギーを有している。このため、重合体(A)と化合物(B)を含有する塗膜において、化合物(B)は塗膜の表面に偏在し、剥離層を形成する。前記、表面エネルギーは、通常、重合体(A)の表面エネルギーよりも、0.01mN/m以上、好ましくは0.1mN/m以上低い。 The compound (B) has a lower surface energy than the polymer (A). For this reason, in the coating film containing the polymer (A) and the compound (B), the compound (B) is unevenly distributed on the surface of the coating film to form a release layer. The surface energy is usually 0.01 mN / m or more, preferably 0.1 mN / m or more lower than the surface energy of the polymer (A).

化合物(B)としては、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体(B1)であることが好ましい。このような繰り返し単位の具体例としては、特開2007−163606号公報、特開2011−095623号公報および特開2011−170284号公報に記載の重合体等が挙げられる。
化合物(B)としては、例えば、特開2007−163606号公報に記載の、珪素原子を有する化合物等を用いることもできる。
The compound (B) is preferably a polymer (B1) having a repeating unit having a fluorine atom. Specific examples of such repeating units include polymers described in JP 2007-163606 A, JP 2011-095623 A, and JP 2011-170284 A.
As the compound (B), for example, a compound having a silicon atom described in JP-A-2007-163606 can be used.

これらの中でも、下記一般式(b1)および/または(b2)で表される繰り返し単位を有する重合体(B1−1)が、良好に接着層21と剥離層22を形成でき、均一な剥離層を形成できることから、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できるため、好ましい。 Among these, the polymer (B1-1) having a repeating unit represented by the following general formula (b1) and / or (b2) can satisfactorily form the adhesive layer 21 and the release layer 22, and the uniform release layer. Therefore, when the base material and the support are bonded, the temporary fixing material can be formed without floating between the base material or the support and the temporary fixing material, which is preferable.

一般式(b1)および(b2)中、Rは、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。一般式(b1)中、Rfは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜30の炭化水素基を示す。一般式(b2)中、Rは、(n+1)価の連結基を示す。nは、1〜3の整数を示す。Rは、水素原子又は1価の有機基を示す。Rfは、相互に独立に、水素原子、電子吸引性基を示す。 In general formulas (b1) and (b2), R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group. In general formula (b1), Rf 1 represents a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. In general formula (b2), R 2 represents an (n + 1) -valent linking group. n shows the integer of 1-3. R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. Rf 2 independently represents a hydrogen atom or an electron-withdrawing group.

一般式(b1)中のRfの例としては、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜6の直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基や、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数4〜20の脂環式炭化水素基又はそれから誘導される基がある。 Examples of Rf 1 in the general formula (b1) include linear or branched aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 6 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and at least one hydrogen. There are alicyclic hydrocarbon groups having 4 to 20 carbon atoms in which atoms are substituted with fluorine atoms, or groups derived therefrom.

少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜6の直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基の例としては、メチル基、エチル基、1−プロピル基、2−プロピル基、1−ブチル基、2−ブチル基、2−(2−メチルプロピル)基、1−ペンチル基、2−ペンチル基、3−ペンチル基、1−(2−メチルブチル)基、1−(3−メチルブチル)基、2−(2−メチルブチル)基、2−(3−メチルブチル)基、ネオペンチル基、1−ヘキシル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基、1−(2−メチルペンチル)基、1−(3−メチルペンチル)基、1−(4−メチルペンチル)基、2−(2−メチルペンチル)基、2−(3−メチルペンチル)基、2−(4−メチルペンチル)基、3−(2−メチルペンチル)基、3−(3−メチルペンチル)基、又はこれらの部分フッ素化或いはこれらのパーフルオロアルキル化した基等を挙げることができる。   Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom include a methyl group, an ethyl group, a 1-propyl group, and a 2-propyl group. 1-butyl group, 2-butyl group, 2- (2-methylpropyl) group, 1-pentyl group, 2-pentyl group, 3-pentyl group, 1- (2-methylbutyl) group, 1- (3- Methylbutyl) group, 2- (2-methylbutyl) group, 2- (3-methylbutyl) group, neopentyl group, 1-hexyl group, 2-hexyl group, 3-hexyl group, 1- (2-methylpentyl) group, 1- (3-methylpentyl) group, 1- (4-methylpentyl) group, 2- (2-methylpentyl) group, 2- (3-methylpentyl) group, 2- (4-methylpentyl) group, 3- (2-methylpentyl) group, 3- (3-methyl Rupenchiru) group, or their partially fluorinated or can be exemplified those perfluorinated alkylated group.

また、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数4〜20の脂環式炭化水素基又はそれから誘導される基の例としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1−(1−シクロペンチルエチル)基、1−(2−シクロペンチルエチル)基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1−(1−シクロヘキシルエチル)基、1−(2−シクロヘキシルエチル基)、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1−(1−シクロヘプチルエチル)基、1−(2−シクロヘプチルエチル)基、2−ノルボルニル基等の脂環式炭化水素基、またはこれらの部分フッ素化或いはこれらのパーフルオロアルキル化した基等がある。   Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom or a group derived therefrom include a cyclopentyl group, a cyclopentylmethyl group, and 1- (1-cyclopentyl). Ethyl) group, 1- (2-cyclopentylethyl) group, cyclohexyl group, cyclohexylmethyl group, 1- (1-cyclohexylethyl) group, 1- (2-cyclohexylethyl group), cycloheptyl group, cycloheptylmethyl group, 1- (1-cycloheptylethyl) group, 1- (2-cycloheptylethyl) group, alicyclic hydrocarbon group such as 2-norbornyl group, or a partially fluorinated or perfluoroalkylated group thereof Etc.

一般式(b2)中、Rは、水素原子又は1価の有機基を示す。1価の有機基としては炭素数1〜30の1価の置換基を有していてもよい炭化水素基を挙げることができる。 In general formula (b2), R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. Examples of the monovalent organic group include a hydrocarbon group which may have a monovalent substituent having 1 to 30 carbon atoms.

炭素数1〜30の1価の炭化水素基の例としては、炭素数1〜10で直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基や炭素数3〜30の脂環式炭化水素基があり、炭素数1〜7の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基及び炭素数3〜7の脂環式炭化水素基が好ましい。   Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms and an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms. A linear or branched alkyl group having 1 to 7 carbon atoms and an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms are preferable.

炭素数1〜10で直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、1−プロピル基、2−プロピル基、1−ブチル基、2−ブチル基、2−(2−メチルプロピル)基、1−ペンチル基、2−ペンチル基、3−ペンチル基、1−(2−メチルブチル)基、1−(3−メチルブチル)基、2−(2−メチルブチル)基、2−(3−メチルブチル)基、ネオペンチル基、1−ヘキシル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基、1−(2−メチルペンチル)基、1−(3−メチルペンチル)基、1−(4−メチルペンチル)基、2−(2−メチルペンチル)基、2−(3−メチルペンチル)基、2−(4−メチルペンチル)基、3−(2−メチルペンチル)基、3−(3−メチルペンチル)基等を挙げることができる。また、炭素数3〜30の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1−(1−シクロペンチルエチル)基、1−(2−シクロペンチルエチル)基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘプチル基、2−ノルボルニル基等を挙げることができる。また、この炭化水素基は置換基を有していてもよい。   Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, 1-propyl group, 2-propyl group, 1-butyl group, 2-butyl group, 2- ( 2-methylpropyl) group, 1-pentyl group, 2-pentyl group, 3-pentyl group, 1- (2-methylbutyl) group, 1- (3-methylbutyl) group, 2- (2-methylbutyl) group, 2 -(3-methylbutyl) group, neopentyl group, 1-hexyl group, 2-hexyl group, 3-hexyl group, 1- (2-methylpentyl) group, 1- (3-methylpentyl) group, 1- (4 -Methylpentyl) group, 2- (2-methylpentyl) group, 2- (3-methylpentyl) group, 2- (4-methylpentyl) group, 3- (2-methylpentyl) group, 3- (3 -Methylpentyl) group and the like. Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms include a cyclopentyl group, a cyclopentylmethyl group, a 1- (1-cyclopentylethyl) group, a 1- (2-cyclopentylethyl) group, a cyclohexyl group, and a cyclohexylmethyl group. , Cycloheptyl group, 2-norbornyl group and the like. Moreover, this hydrocarbon group may have a substituent.

一般式(b2)中、Rは、(n+1)価の連結基を示す。連結基の例としては、単結合又は炭素数1〜30の(n+1)価の炭化水素基がある。また、これらの炭化水素基と、酸素原子、硫黄原子、イミノ基、カルボニル基、−CO−O−基、又は−CO−NH−基との組み合わせがある。 In general formula (b2), R 2 represents an (n + 1) -valent linking group. Examples of the linking group include a single bond or an (n + 1) -valent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms. Further, there are combinations of these hydrocarbon groups with an oxygen atom, a sulfur atom, an imino group, a carbonyl group, a —CO—O— group, or a —CO—NH— group.

一般式(b2)中、Rfは水素原子または電子吸引性基を示す。電子求引性基としては、フッ素原子、又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜30の炭化水素基、ニトロ基、シアノ基等を挙げることができる。少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜30の炭化水素基としては、前記Rfと同様のことがいえる。 In the formula (b2), Rf 2 represents a hydrogen atom or an electron-withdrawing group. Examples of the electron withdrawing group include a fluorine atom or a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, a nitro group, a cyano group, and the like. The at least one hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms which hydrogen atoms are substituted by fluorine atoms, the same is true with the Rf 1.

繰り返し単位(b1)および/または(b2)を有する重合体(B1−1)は、公知の方法、例えば、重合開始剤や連鎖移動剤の存在下、重合溶剤中で、繰り返し単位(b1)を与える単量体および/または繰り返し単位(b2)を与える単量体と、必要に応じて他の単量体(b3)を、ラジカル重合することによって合成できる。   The polymer (B1-1) having the repeating unit (b1) and / or (b2) is obtained by repeating the repeating unit (b1) in a known method, for example, in a polymerization solvent in the presence of a polymerization initiator or a chain transfer agent. The monomer to be provided and / or the monomer to give the repeating unit (b2) and, if necessary, another monomer (b3) can be synthesized by radical polymerization.

繰り返し単位(b1)を与える単量体としては、トリフルオロメチル(メタ)アクリル酸エステル、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロエチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロn−プロピル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロi−プロピル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロn−ブチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロi−ブチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロt−ブチル(メタ)アクリル酸エステル、2−(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロピル)(メタ)アクリル酸エステル、1−(2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンチル)(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチル(メタ)アクリル酸エステル、1−(2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル)(メタ)アクリル酸エステル、1−(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10−ヘプタデカフルオロデシル)(メタ)アクリル酸エステル、1−(5−トリフルオロメチル−3,3,4,4,5,6,6,6−オクタフルオロヘキシル)(メタ)アクリル酸エステル等がある。繰り返し単位(b1)を与える単量体は、市販品を用いることができる。   Examples of the monomer that gives the repeating unit (b1) include trifluoromethyl (meth) acrylic acid ester, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylic acid ester, perfluoroethyl (meth) acrylic acid ester, Fluoro n-propyl (meth) acrylate, perfluoro i-propyl (meth) acrylate, perfluoro n-butyl (meth) acrylate, perfluoro i-butyl (meth) acrylate, perfluoro t -Butyl (meth) acrylic acid ester, 2- (1,1,1,3,3,3-hexafluoropropyl) (meth) acrylic acid ester, 1- (2,2,3,3,4,4, 5,5-octafluoropentyl) (meth) acrylic ester, perfluorocyclohexylmethyl (meth) acryl Acid ester, 1- (2,2,3,3,3-pentafluoropropyl) (meth) acrylic acid ester, 1- (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7, 8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl) (meth) acrylic acid ester, 1- (5-trifluoromethyl-3,3,4,4,5,6,6,6 -Octafluorohexyl) (meth) acrylic acid ester and the like. A commercial item can be used for the monomer which gives a repeating unit (b1).

繰り返し単位(b2)を与える単量体としては、下記一般式(b2−m1)〜(b2−m5)に示す単量体がある。   Examples of the monomer that gives the repeating unit (b2) include monomers represented by the following general formulas (b2-m1) to (b2-m5).

一般式(b2−m1)〜(b2−m5)中、R及びRは、一般式(b2)中のR及びRと同じである。 In the formula (b2-m1) ~ (b2 -m5), R 1 and R 3 are the same as R 1 and R 3 in the general formula (b2).

前記他の単量体(b3)としては、下記一般式(b3−m1)〜(b3−m4)に示す単量体や、トリフルオロメチル(メタ)アクリル酸エステル、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロエチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロn−プロピル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロi−プロピル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロn−ブチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロi−ブチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロt−ブチル(メタ)アクリル酸エステル、2−(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロピル)(メタ)アクリル酸エステル、1−(2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンチル)(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチル(メタ)アクリル酸エステル、1−(2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル)(メタ)アクリル酸エステル、1−(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10−ヘプタデカフルオロデシル)(メタ)アクリル酸エステル、1−(5−トリフルオロメチル−3,3,4,4,5,6,6,6−オクタフルオロヘキシル)(メタ)アクリル酸エステル、(((トリフルオロメチル)スルホニル)アミノ)エチル−1−メタクリレート、2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)アミノ)エチル−1−アクリレート等を挙げることができる。   Examples of the other monomer (b3) include monomers represented by the following general formulas (b3-m1) to (b3-m4), trifluoromethyl (meth) acrylate, 2,2,2-trimethyl Fluoroethyl (meth) acrylic acid ester, perfluoroethyl (meth) acrylic acid ester, perfluoro n-propyl (meth) acrylic acid ester, perfluoro i-propyl (meth) acrylic acid ester, perfluoro n-butyl (meta ) Acrylic acid ester, perfluoro i-butyl (meth) acrylic acid ester, perfluoro t-butyl (meth) acrylic acid ester, 2- (1,1,1,3,3,3-hexafluoropropyl) (meta ) Acrylic acid ester, 1- (2,2,3,3,4,4,5,5-octafluoropentyl) (meth) acrylic acid ester, Fluorocyclohexylmethyl (meth) acrylic acid ester, 1- (2,2,3,3,3-pentafluoropropyl) (meth) acrylic acid ester, 1- (3,3,4,4,5,5,6 , 6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl) (meth) acrylic acid ester, 1- (5-trifluoromethyl-3,3,4,4, 5,6,6,6-octafluorohexyl) (meth) acrylic acid ester, (((trifluoromethyl) sulfonyl) amino) ethyl-1-methacrylate, 2-(((trifluoromethyl) sulfonyl) amino) ethyl Examples thereof include -1-acrylate.

重合体(B1−1)中に含まれる、繰り返し構造単位(b1)および繰り返し構造単位(b2)の含有割合は、重合体中の全繰り返し構造単位の合計を100mol%とした場合、通常100mol%以下であり、好ましくは50〜100mol%であり、より好ましくは60〜100mol%である。   The content ratio of the repeating structural unit (b1) and the repeating structural unit (b2) contained in the polymer (B1-1) is usually 100 mol% when the total of all repeating structural units in the polymer is 100 mol%. Or less, preferably 50 to 100 mol%, more preferably 60 to 100 mol%.

重合体(B1−1)のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定される重量平均分子量(Mw)は、ポリスチレン換算で、通常1000〜100000、好ましくは1000〜30000である。実施例の記載に従い測定した値である。   The weight average molecular weight (Mw) measured by the gel permeation chromatography (GPC) method of a polymer (B1-1) is 1000-100000 normally in polystyrene conversion, Preferably it is 1000-30000. It is the value measured according to the description of the examples.

化合物(B)の含有量は、重合体(A)100質量部に対して、通常、1〜50質量部、好ましくは2〜30質量部である。化合物(B)の含有量が前記範囲にあると、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できることから好ましい。
また、化合物(B)が、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体(B1)であり、重合体(A)が、シクロオレフィン系重合体(A1)の場合、シクロオレフィン系重合体(A1)100質量部に対して、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体(B1)は、1〜30質量部、好ましくは2〜20質量部、より好ましく3〜15質量部は含有するのが好ましい。フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体(B1)の含有量が前記範囲にあると、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できることから好ましい。
Content of a compound (B) is 1-50 mass parts normally with respect to 100 mass parts of polymers (A), Preferably it is 2-30 mass parts. When the content of the compound (B) is in the above range, it is preferable because the temporary fixing material can be formed without floating between the base material or the support and the temporary fixing material.
In addition, when the compound (B) is a polymer (B1) having a repeating unit having a fluorine atom and the polymer (A) is a cycloolefin polymer (A1), the cycloolefin polymer (A1) The polymer (B1) having a repeating unit having a fluorine atom with respect to 100 parts by mass contains 1 to 30 parts by mass, preferably 2 to 20 parts by mass, more preferably 3 to 15 parts by mass. When the content of the polymer (B1) having a repeating unit having a fluorine atom is in the above range, it is preferable that the temporary fixing material can be formed without floating between the base material or the support and the temporary fixing material.

<溶剤(C)>
仮固定用組成物は、仮固定用組成物のハンドリング性を向上させるために、または、重合体(A)や化合物(B)などの、仮固定用組成物中に含まれる成分を均一に混合するために用いることができる。
<Solvent (C)>
In order to improve the handling properties of the temporary fixing composition, the temporary fixing composition is uniformly mixed with components contained in the temporary fixing composition such as the polymer (A) and the compound (B). Can be used to

溶剤(C)としては、重合体(A)および化合物(B)を溶解できる溶剤であればどのようなものでも良いが、例えば、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、1−tert−ブチル−3,5−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類、アニソール、4−メチル−2−ペンタノール、1−ブチルアルコール、2−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジグライム等のアルコール/エーテル類、酢酸エチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル/ラクトン類、シクロヘキサノン、等のケトン類、N−メチル−2−ピロリジノン等のアミド/ラクタム類が挙げられ、これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、重合体(A)としてシクロオレフィン系重合体(A1)を用いる場合、シクロオレフィン系重合体(A1)の溶解性等の観点から、炭化水素類が好ましい。 The solvent (C) may be any solvent that can dissolve the polymer (A) and the compound (B). For example, limonene, mesitylene, dipentene, pinene, bicyclohexyl, cyclododecene, 1-tert. -Hydrocarbons such as butyl-3,5-dimethylbenzene, butylcyclohexane, cyclooctane, cycloheptane, cyclohexane, methylcyclohexane, anisole, 4-methyl-2-pentanol, 1-butyl alcohol, 2-butyl alcohol, Isobutyl alcohol, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol methyl ether, alcohol / ethers such as diglyme, ethyl acetate, ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl Examples include esters / lactones such as ether acetate and γ-butyrolactone, ketones such as cyclohexanone, amides / lactams such as N-methyl-2-pyrrolidinone, and these may be used alone or in combination of two or more. May be used in combination. Among these, when the cycloolefin polymer (A1) is used as the polymer (A), hydrocarbons are preferable from the viewpoint of the solubility of the cycloolefin polymer (A1).

<その他の成分>
仮固定用組成物は、必要に応じて、さらに、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなど密着助剤を、仮固定材の伸びを向上させる目的で特開2003−191375号公報などに記載のエラストマーを、仮固定後剥離する際、露光により仮固定材を分解させ剥離を容易におこさせるために、ルシリンTPO(BASF社製)、イルガキュア651(BASF社製)およびカーボンブラックなどの紫外線吸収剤を、仮固定材の酸化を防止するために、TINUVIN479(BASF社製)などの酸化防止剤を、添加することができる。
<Other ingredients>
The temporary fixing composition may further include an adhesion assistant such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, if necessary, as described in JP-A No. 2003-191375 for the purpose of improving the elongation of the temporary fixing material. Ultraviolet absorbers such as Lucilin TPO (manufactured by BASF), Irgacure 651 (manufactured by BASF) and carbon black, in order to cause the temporary fixing material to be decomposed by exposure and easily peeled off when the elastomer is peeled after temporary fixing In order to prevent oxidation of the temporary fixing material, an antioxidant such as TINUVIN479 (manufactured by BASF) can be added.

<仮固定用組成物の調製>
仮固定用組成物の調製には、上記成分を均一に混合することで行う。また、不純物を除く目的で、適宜、濾過を行うこともできる。仮固定用組成物中に含まれる重合体(A)の含有量は、通常、5〜70重量%、化合物(B)の含有量は、通常、0.01〜10重量%である。
<Preparation of composition for temporary fixation>
The temporary fixing composition is prepared by mixing the above components uniformly. In addition, for the purpose of removing impurities, filtration can be appropriately performed. The content of the polymer (A) contained in the temporary fixing composition is usually 5 to 70% by weight, and the content of the compound (B) is usually 0.01 to 10% by weight.

1−2.工程(2)
工程(2)の模式図を、図1(c)、図2(a)、および図2(b)に示す。工程(2)は、剥離層22の一部を除くことで、接着層21の一部を表出させる。次いで、剥離層の残部24および接着層21を有する側から、支持体40を押し当てることで、剥離層の除去した部分30を接着層21の一部が占めることにより、接着層21の一部が接着部23となる。次いで、接着部23を介して基材10と支持体40を仮固定する。つまり、接着層21から形成した、接着部23、剥離層の残部24、接着層の残部25を有する仮固定材を介して、基材10と支持体40を仮固定する。
1-2. Process (2)
A schematic diagram of the step (2) is shown in FIG. 1 (c), FIG. 2 (a), and FIG. 2 (b). In the step (2), a part of the adhesive layer 21 is exposed by removing a part of the release layer 22. Next, by pressing the support 40 from the side having the remaining part 24 of the release layer and the adhesive layer 21, a part of the adhesive layer 21 occupies the part 30 from which the release layer has been removed, so that a part of the adhesive layer 21 Becomes the bonding portion 23. Next, the base material 10 and the support body 40 are temporarily fixed via the bonding portion 23. That is, the base material 10 and the support body 40 are temporarily fixed through the temporary fixing material formed from the adhesive layer 21 and having the adhesive portion 23, the peeling layer remaining portion 24, and the adhesive layer remaining portion 25.

剥離層22の除去は、通常、剥離層22を溶解可能な溶剤と接触させることにより除去する。剥離層22が溶解可能な溶剤であればどのような溶剤であってもよいが、通常、上述の仮固定用組成物で挙げた溶剤、または、上述の繰り返し構造単位(b2)のような極性基を有している場合は、水並びに水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液などを用いる。剥離層22と溶剤との接触時間および温度は、溶剤の種類、剥離層の厚さにより適宜選ばれ、通常、1〜10000秒、10〜40℃である。   The release layer 22 is usually removed by bringing the release layer 22 into contact with a soluble solvent. Any solvent may be used as long as the release layer 22 can be dissolved, but usually the polarity mentioned in the above-described temporary fixing composition or the repeating structural unit (b2). When it has a group, water and an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution are used. The contact time and temperature between the release layer 22 and the solvent are appropriately selected depending on the type of the solvent and the thickness of the release layer, and are usually 1 to 10000 seconds and 10 to 40 ° C.

剥離層22を除去する場所は、基材の周縁上方に形成した剥離層が好ましい。工程(4)において、接着部23が他の層や部材(基材、支持体およびその他の層や部など)によって囲まれていると、接着部を除去するのは非常に困難となる。剥離層22を除去した場所に接着部23が形成されることから、剥離層22を除去する場所は、接着部23が、接着部が基材、支持体およびその他の層や部によって囲まれない場所に形成できる、基材の周縁上方に形成した剥離層が好ましい。   The place where the release layer 22 is removed is preferably a release layer formed above the periphery of the substrate. In the step (4), if the bonding portion 23 is surrounded by other layers or members (base material, support, and other layers or portions), it is very difficult to remove the bonding portion. Since the adhesive part 23 is formed at the place where the release layer 22 is removed, the adhesive part 23 is not surrounded by the base material, the support, and other layers or parts at the place where the release layer 22 is removed. A release layer formed above the periphery of the substrate that can be formed in place is preferred.

また、工程(3)では、種々のプロセス溶剤が用いられることが多く、当該プロセス溶剤が仮固定材に接触することになる。接着部23を基材10の周縁部に形成することで、前記プロセス溶剤に対して相対的に耐性の劣る(溶解する)剥離層の残部24などを、接着部23により保護できる。したがって、前記プロセス溶剤による制限を受けることなく、剥離層の残部24の材質の選択を広げることができることから、剥離層22を除去する場所は、基材の周縁上に形成した剥離層が好ましい。 In step (3), various process solvents are often used, and the process solvents come into contact with the temporary fixing material. By forming the bonding portion 23 on the peripheral edge portion of the substrate 10, the remaining portion 24 of the peeling layer that is relatively inferior (dissolved) to the process solvent can be protected by the bonding portion 23. Therefore, since the selection of the material of the remaining portion 24 of the release layer can be expanded without being restricted by the process solvent, the release layer formed on the periphery of the base material is preferable as the place where the release layer 22 is removed.

前記支持体40としては、例えば、ガラスやシリコンなどの取扱いが容易で且つ硬くて平坦な面を有するものを用いられる。
支持体を、押し当てる際、接着層21は加熱しながら(通常、50〜350℃で10〜300秒)行っても良い。接着層21を加熱しながら行うことで、表出させた接着層21の表面30と支持体40との接着を容易に行うことができる。
As the support 40, for example, a material such as glass or silicon that is easy to handle and has a hard and flat surface is used.
When the support is pressed, the adhesive layer 21 may be heated (usually at 50 to 350 ° C. for 10 to 300 seconds). By performing the heating while heating the adhesive layer 21, the surface 30 of the exposed adhesive layer 21 and the support 40 can be easily bonded.

1−3.工程(3)
工程(3)の模式図を、図2(c)に示す。工程(3)は、前記基材10を加工する工程、つまり、支持体上に仮固定された基材10(被加工基材)を加工し、加工基材11を得る工程である。基材10の加工処理としては、例えば、基材の薄膜化(例:裏面研削);エッチング加工、スパッタ膜の形成、メッキ処理およびメッキリフロー処理などから選ばれる一以上の処理を含むフォトファブリケーション;ならびにダイシングが挙げられる。
1-3. Process (3)
A schematic diagram of the step (3) is shown in FIG. Step (3) is a step of processing the substrate 10, that is, a step of processing the substrate 10 (substrate to be processed) temporarily fixed on the support to obtain the processed substrate 11. The processing of the substrate 10 includes, for example, photofabrication including at least one processing selected from thinning of the substrate (eg, back grinding); etching processing, formation of a sputtered film, plating processing, and plating reflow processing. As well as dicing.

工程(3)では、種々のプロセス溶剤が用いられることが多く、当該プロセス溶剤が仮固定材に接触することになる。本発明では、当該プロセス溶剤に対して耐性を有する、シクロオレフィン系重合体(A1)を含有する接着層を用いることで、前記プロセス溶剤によりダメージを受けることなく基材の処理が可能となる。 In the step (3), various process solvents are often used, and the process solvents come into contact with the temporary fixing material. In the present invention, by using an adhesive layer containing a cycloolefin polymer (A1) having resistance to the process solvent, the substrate can be treated without being damaged by the process solvent.

また、工程(3)のフォトファブリケーションにおいては、メッキリフロー処理など高温処理を行われることが多く、仮固定材には耐熱性が必要となる。重合体(A)に耐熱性に優れたシクロオレフィン系重合体(A1)を用いることで、高温処理を行っても仮固定材はダメージを受けることなく基材の処理が可能となる。   Further, in the photofabrication in the step (3), high temperature processing such as plating reflow processing is often performed, and the temporary fixing material needs to have heat resistance. By using the cycloolefin polymer (A1) excellent in heat resistance as the polymer (A), the temporary fixing material can be treated without being damaged even if the high temperature treatment is performed.

1−4.工程(4)
工程(4)の模式図を、図3(a)に示す。工程(4)は、接着層の一部(接着部23を含む)を除き、基材上に、接着層の残部26、剥離層の残部27および支持体をこの順に形成する工程である。剥離層の残部27とは、接着部23を除いた後の剥離層の残部のことである。
1-4. Step (4)
A schematic diagram of the step (4) is shown in FIG. Step (4) is a step of forming the remaining part 26 of the adhesive layer, the remaining part 27 of the release layer, and the support in this order on the substrate except for a part of the adhesive layer (including the adhesive part 23). The remaining part 27 of the release layer is the remaining part of the release layer after removing the adhesive part 23.

接着部23を含む接着層の一部を除く方法として、例えば、溶剤で溶解させる方法などのウェットプロセスを用いた方法;プラズマ処理、アッシング処理またはオゾン処理などのドライプロセスを用いた方法が挙げられる。これらのなかでも、溶剤の種類を選択することで、被加工基材へのダメージを最小限に抑えることができることから、ウェットプロセスを用いた方法が好ましい。   Examples of a method for removing a part of the adhesive layer including the adhesive portion 23 include a method using a wet process such as a method of dissolving with a solvent; a method using a dry process such as a plasma treatment, an ashing treatment, or an ozone treatment. . Among these, a method using a wet process is preferable because damage to the substrate to be processed can be minimized by selecting the type of solvent.

前記溶剤としては、例えば、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、1−tert−ブチル−3,5−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール/エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸N−ブチル、乳酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル/ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類、N−メチル−2−ピロリジノン等のアミド/ラクタム類が挙げられる。   Examples of the solvent include hydrocarbons such as limonene, mesitylene, dipentene, pinene, bicyclohexyl, cyclododecene, 1-tert-butyl-3,5-dimethylbenzene, butylcyclohexane, cyclooctane, cycloheptane, cyclohexane, and methylcyclohexane. , Anisole, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol methyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diglyme and other alcohols / ethers, ethylene carbonate, ethyl acetate, N-butyl acetate, ethyl lactate, ethyl 3-ethoxypropionate, propylene Glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, esters / lactones such as propylene carbonate and γ-butyrolactone, Ropentanon, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone and 2-heptanone, amide / lactam such as N- methyl-2-pyrrolidinone.

これらの中でも、被加工基材へのダメージを抑えるためには、炭化水素類が好ましい。また、シクロオレフィン系重合体(A1)を含有する仮固定用組成物を用いれば、接続部にはシクロオレフィン系重合体(A1)を含有することになることから、シクロオレフィン系重合体(A1)を容易に溶解できる炭化水素類が好ましい。 Among these, hydrocarbons are preferable in order to suppress damage to the substrate to be processed. Moreover, if the composition for temporary fixing containing a cycloolefin type polymer (A1) is used, since a connection part will contain a cycloolefin type polymer (A1), a cycloolefin type polymer (A1). Hydrocarbons that can be easily dissolved) are preferred.

ウェットプロセスを用いた方法としては、例えば、溶剤に浸漬する方法、溶剤をスプレーする方法、溶剤に浸漬しながら超音波を加える方法が挙げられる。溶剤の温度は、通常20〜80℃、好ましくは20〜50℃である。浸漬時間は、通常、1〜180分である。 Examples of the method using a wet process include a method of immersing in a solvent, a method of spraying a solvent, and a method of applying ultrasonic waves while immersing in a solvent. The temperature of the solvent is usually 20 to 80 ° C, preferably 20 to 50 ° C. The immersion time is usually 1 to 180 minutes.

1−5.工程(5)
工程(5)の模式図を、図3(b)に示す。工程(5)は、支持体から加工後の基材を剥離する工程であり、通常、剥離層の残部27より剥離する。剥離する際に加える力の方向は、加工後の基材11がダメージを受けなければどのような方向でもよい。例えば、支持体と基材とを支持体の表面に略水平方向にずらす剪断処理(通常、0.1〜5N/cm)により、支持体から基材を剥離すればよく、あるいは、支持体の表面に対して略垂直方向に基材を引っ張ることで、支持体から基材を剥離すればよい。
1-5. Process (5)
A schematic diagram of the step (5) is shown in FIG. Step (5) is a step of peeling the processed substrate from the support, and the peeling is usually performed from the remaining portion 27 of the peeling layer. The direction of the force applied at the time of peeling may be any direction as long as the processed substrate 11 is not damaged. For example, the substrate may be peeled from the support by a shearing process (usually 0.1 to 5 N / cm 2 ) that shifts the support and the substrate substantially horizontally with respect to the surface of the support, or the support What is necessary is just to peel a base material from a support body by pulling a base material in the direction substantially perpendicular | vertical with respect to the surface of this.

例えば、基材を支持体の表面に対して水平方向にスライドさせると同時に、支持体を固定する、あるいは前記基材に付加される力に拮抗する力を支持体に付加することによって、基材を支持体から剥離する。なお、本発明において「剪断」とは、支持体と基材との仮固定面の略平行方向に力を作用させることをいう。   For example, the base material is slid in the horizontal direction with respect to the surface of the support, and at the same time, the support is fixed, or a force that antagonizes the force applied to the base is added to the support. Is peeled from the support. In the present invention, “shearing” refers to applying a force in a direction substantially parallel to the temporary fixing surface between the support and the substrate.

また、剥離層が熱や光により接着する力を下げるものである場合、剥離層の残部27に、加熱処理や露光処理を行った後、もしくは、加熱処理や露光処理を行いながら、剥離を行っても良い。   In addition, when the release layer lowers the adhesion force by heat or light, the remaining portion 27 of the release layer is peeled after being subjected to heat treatment or exposure treatment, or while being subjected to heat treatment or exposure treatment. May be.

剥離後の基材11には、通常、接着層や剥離層の残部が残存しているため、溶剤(通常、上述の仮固定用組成物を製造する際に使用されうる溶剤)で洗浄し、除去する。洗浄方法としては、基材を洗浄液に浸漬する方法、基材に洗浄液をスプレーする方法、基材を洗浄液に浸漬しながら超音波を加える方法などが挙げられる。洗浄液の温度は特に限定されないが、好ましくは20〜80℃、より好ましくは20〜50℃である。   Since the remaining part of the adhesive layer and the release layer usually remains on the substrate 11 after peeling, it is washed with a solvent (usually, a solvent that can be used when producing the above-described temporary fixing composition), Remove. Examples of the cleaning method include a method of immersing the substrate in the cleaning solution, a method of spraying the cleaning solution on the substrate, and a method of applying ultrasonic waves while immersing the substrate in the cleaning solution. The temperature of the cleaning liquid is not particularly limited, but is preferably 20 to 80 ° C, more preferably 20 to 50 ° C.

本発明の基材の仮固定方法は、基材の種類を選ばず、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成することができる。このため、現代の経済活動の場面で要求される様々な加工処理(例:各種材料表面の微細化加工処理、各種表面実装、半導体ウエハや半導体素子の運搬)等に好適である。 The temporary fixing method of the base material of the present invention can form the temporary fixing material without floating between the base material or the support and the temporary fixing material, regardless of the type of the base material. For this reason, it is suitable for various processing required in the scene of modern economic activities (for example, miniaturization processing of various material surfaces, various surface mounting, transportation of semiconductor wafers and semiconductor elements), and the like.

3.半導体装置
本発明の半導体装置は、本発明の基材の処理方法によって得られる。本発明の基材の処理方法は、基材の種類を選ばず、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成することができる。
このため、前記半導体素子等の半導体装置は仮固定材による汚染(例:シミ、焦げ)が極めて低減されたものとなっている。また、本発明の半導体装置は、基材自体や基材が有する各部材の破損・損耗が極めて低減されたものとなっている。
3. Semiconductor device The semiconductor device of the present invention is obtained by the substrate processing method of the present invention. The processing method of the base material of the present invention can form the temporarily fixing material without floating between the base material or the support and the temporarily fixing material, regardless of the type of the base material.
For this reason, in the semiconductor device such as the semiconductor element, the contamination (for example, spots and scorching) due to the temporary fixing material is extremely reduced. In the semiconductor device of the present invention, damage and wear of the base material itself and each member of the base material are extremely reduced.

以下、本発明の一実施態様を、実施例をもとにより具体的に説明する。   Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to examples.

1.化合物(B)の合成
[合成例1]化合物(B−1)の合成
46.8gのメタクリル酸(1,1,1−トリフルオロ−2−トリフルオロメチル−2−ヒドロキシ−4−ブチル)エステル(下記式(b2−m2−1))、及び4.5gの2,2’−アゾビス−(2−メチルプロピオン酸メチル)を40gのイソプロパノールに溶解させ、単量体溶液を調製した。窒素で置換したフラスコにイソプロパノール50gを準備し、フラスコ内を80℃に加熱しながら、前記単量体溶液を2時間かけて滴下した。滴下後、更に80℃で1時間加熱し、次いで、3.2gのビニルスルホン酸を含有するイソプロパノール溶液10gを30分かけて滴下した。その後、80℃で1時間加熱した後、冷却して共重合液を得た。得られた共重合液は、溶媒を4−メチル−2−ペンタノール溶液に置換し、化合物(B−1)の4−メチル−2−ペンタノール溶液を得た。化合物(B−1)の重量平均分子量(Mw)は10,000であった。13CNMRによる、下記式(b2−m2−1)の単量体由来の構造単位の含有割合は、化合物(B−1)中の全繰り返し構造単位の合計を100mol%とした場合、98mol%であった。
1. Synthesis of Compound (B) [Synthesis Example 1] Synthesis of Compound (B-1) 46.8 g of methacrylic acid (1,1,1-trifluoro-2-trifluoromethyl-2-hydroxy-4-butyl) ester (The following formula (b2-m2-1)) and 4.5 g of 2,2′-azobis- (methyl 2-methylpropionate) were dissolved in 40 g of isopropanol to prepare a monomer solution. 50 g of isopropanol was prepared in a flask substituted with nitrogen, and the monomer solution was added dropwise over 2 hours while heating the inside of the flask to 80 ° C. After dropping, the mixture was further heated at 80 ° C. for 1 hour, and then 10 g of an isopropanol solution containing 3.2 g of vinyl sulfonic acid was dropped over 30 minutes. Then, after heating at 80 degreeC for 1 hour, it cooled and the copolymer liquid was obtained. In the obtained copolymer solution, the solvent was replaced with a 4-methyl-2-pentanol solution to obtain a 4-methyl-2-pentanol solution of the compound (B-1). The weight average molecular weight (Mw) of the compound (B-1) was 10,000. The content ratio of the structural unit derived from the monomer of the following formula (b2-m2-1) by 13 CNMR is 98 mol% when the total of all repeating structural units in the compound (B-1) is 100 mol%. there were.

[合成例2]化合物(B−2)の合成
46.8gのメタクリル酸(1,1,1−トリフルオロ−2−トリフルオロメチル−2−ヒドロキシ−4−ブチル)エステル(前記式(b2−m2−1))、及び4.5gの2,2’−アゾビス−(2−メチルプロピオン酸メチル)を40gのイソプロパノールに溶解させ単量体溶液をフラスコ内に準備し、フラスコ内を80℃で4時間30分加熱した。その後、フラスコ内を30℃以下に冷却して、共重合液を得た。得られた共重合液をn−ヘキサンで精製後、4−メチル−2−ペンタノール溶液に置換し、化合物(B−2)の4−メチル−2−ペンタノール溶液を得た。化合物(B−2)の重量平均分子量(Mw)は10,000であった。
Synthesis Example 2 Synthesis of Compound (B-2) 46.8 g of methacrylic acid (1,1,1-trifluoro-2-trifluoromethyl-2-hydroxy-4-butyl) ester (formula (b2- m2-1)) and 4.5 g of 2,2′-azobis- (methyl 2-methylpropionate) were dissolved in 40 g of isopropanol to prepare a monomer solution in the flask, and the flask was heated at 80 ° C. Heated for 4 hours 30 minutes. Thereafter, the inside of the flask was cooled to 30 ° C. or lower to obtain a copolymer liquid. The obtained copolymer solution was purified with n-hexane and then substituted with a 4-methyl-2-pentanol solution to obtain a 4-methyl-2-pentanol solution of compound (B-2). The weight average molecular weight (Mw) of the compound (B-2) was 10,000.

なお、Mwは、下記の条件によるGPCにより測定した。
装置:HLC−8120(東ソー製)
カラム:G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本(以上、東ソー製)
溶出溶剤:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
標準物質:単分散ポリスチレン
Mw was measured by GPC under the following conditions.
Apparatus: HLC-8120 (manufactured by Tosoh)
Column: G2000H XL 2 this, G3000H XL 1 this, G4000H XL 1 this (or more, manufactured by Tosoh Corporation)
Elution solvent: Tetrahydrofuran Column temperature: 40 ° C
Flow rate: 1.0 mL / min Standard substance: Monodispersed polystyrene

1.仮固定用組成物の準備
[実施例1]仮固定用組成物1の調製
100質量部のシクロオレフィン重合体(商品名「ARTON R5300」、JSR(株)製)と、40質量部の水添C9系石油樹脂(商品名「アルコンP−140」、荒川化学工業(株)製)と、3質量部の商品名「TINUVIN 479」(BASF社製)と、7質量部の前記合成例1で得た化合物(B−1)と、25質量部の4−メチル−2−ペンタノールと、350質量部のメシチレンとを混合することにより、仮固定用組成物1を調製した。
1. Preparation of Temporary Fixing Composition [Example 1] Preparation of Temporary Fixing Composition 1 100 parts by mass of cycloolefin polymer (trade name “ARTON R5300”, manufactured by JSR Corporation) and 40 parts by mass of hydrogenated In C9 petroleum resin (trade name “Arcon P-140”, manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.), 3 parts by weight of product name “TINUVIN 479” (manufactured by BASF), and 7 parts by weight of Synthesis Example 1 A temporary fixing composition 1 was prepared by mixing the obtained compound (B-1), 25 parts by mass of 4-methyl-2-pentanol, and 350 parts by mass of mesitylene.

[実施例2]仮固定用組成物2の調製
100質量部のシクロオレフィン重合体(商品名「ARTON R5300」、JSR(株)製)と、40質量部の水添C9系石油樹脂(商品名「アルコンP−140」、荒川化学工業(株)製)と、3質量部の商品名「TINUVIN 479」(BASF社製)と、7質量部の前記合成例2で得た化合物(B−2)と、25質量部の4−メチル−2−ペンタノールと、350質量部のメシチレンとを混合することにより、仮固定用組成物2を調製した。
Example 2 Preparation of Temporary Fixing Composition 2 100 parts by mass of cycloolefin polymer (trade name “ARTON R5300”, manufactured by JSR Corporation) and 40 parts by mass of hydrogenated C9 petroleum resin (trade name) “Alcon P-140” (manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.), 3 parts by mass of the trade name “TINUVIN 479” (manufactured by BASF), and 7 parts by mass of the compound obtained in Synthesis Example 2 (B-2) ), 25 parts by mass of 4-methyl-2-pentanol, and 350 parts by mass of mesitylene were prepared to prepare temporary fixing composition 2.

[参考例1]組成物1の調製
100質量部のシクロオレフィン重合体(商品名「ARTON R5300」、JSR(株)製)と、40質量部の水添C9系石油樹脂(商品名「アルコンP−140」、荒川化学工業(株)製)と、3質量部の商品名「TINUVIN 479」(BASF社製)と、350質量部のメシチレンとを混合することにより、組成物1を調製した。
Reference Example 1 Preparation of Composition 1 100 parts by mass of cycloolefin polymer (trade name “ARTON R5300”, manufactured by JSR Corporation) and 40 parts by weight of hydrogenated C9 petroleum resin (trade name “Arcon P” -140 ", manufactured by Arakawa Chemical Industry Co., Ltd.), 3 parts by mass of the trade name" TINUVIN 479 "(manufactured by BASF), and 350 parts by mass of mesitylene were prepared.

[参考例2]組成物2
100質量部の前記合成例1で得た化合物(B−1)と、70質量部の4−メチル−2−ペンタノールとを混合することにより、組成物2を調製した。
[Reference Example 2] Composition 2
Composition 2 was prepared by mixing 100 parts by mass of the compound (B-1) obtained in Synthesis Example 1 and 70 parts by mass of 4-methyl-2-pentanol.

3.評価
[実施例3]
実施例1で調製した仮固定用組成物1を、スピンコート法で、直径8インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて160℃で5分間、さらに230℃で8分間加熱し、厚さ40μmの塗膜を得た。塗膜を有する基板を縦1cm、横1cmの正方形に切断した。次いで、切断した基板の塗膜上に、縦0.5cm、横0.5cmの正方形のマスキングテープを塗膜の表面の中央に貼り付けた。マスキングテープを貼り付けた基板を、4−メチル−2−ペンタノール(23℃)に10秒間浸漬後、マスキングテープをはがした。
次いで、マスキングテープをはがした後の基板と、ガラス基板(縦2cm、横2cm、正方形)とを、ダイボンダー装置を用いて、180℃で5Nの力を60秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定材を介して仮固定した。ガラス基板と、仮固定材との間に気泡なく、仮固定されていることを目視により確認できた。また、万能ボンドテスター(商品名「デイジ4000」、デイジ社製)を用いて、ガラス基板と平行方向に剪断力(500μm/秒の速度で、23℃で20N/cm)を加えたが、シリコンウエハおよびガラス基板はずれずに保持していることから、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく仮固定できていることを確認できた。
次いで、仮固定した基材を、メシチレン(23℃)に10分間浸漬し、その後、浸漬後の基材を万能ボンドテスター(商品名「デイジ4000」、デイジ社製)を用いて、ガラス基板と平行方向に剪断力(500μm/秒の速度で、23℃で5N/cm以下)を加えたところ、シリコンウエハをガラス基板から剥離することができた。
3. Evaluation [Example 3]
The temporary fixing composition 1 prepared in Example 1 was applied on a silicon wafer having a diameter of 8 inches by spin coating, and heated at 160 ° C. for 5 minutes and further at 230 ° C. for 8 minutes using a hot plate, A coating film having a thickness of 40 μm was obtained. The board | substrate which has a coating film was cut | disconnected in the square of 1 cm long and 1 cm wide. Next, a square masking tape having a length of 0.5 cm and a width of 0.5 cm was attached to the center of the surface of the coated film on the cut film of the substrate. The substrate with the masking tape attached was immersed in 4-methyl-2-pentanol (23 ° C.) for 10 seconds, and then the masking tape was peeled off.
Next, the substrate after the masking tape is peeled off and the glass substrate (2 cm long, 2 cm wide, square) are applied with a 5 N force at 180 ° C. for 60 seconds using a die bonder device. Was temporarily fixed via a temporary fixing material. It was confirmed visually that there was no air bubble between the glass substrate and the temporary fixing material. In addition, using a universal bond tester (trade name “Daily 4000”, manufactured by Daisy), a shear force (20 N / cm 2 at 23 ° C. at a speed of 500 μm / sec) was applied in a direction parallel to the glass substrate. Since the silicon wafer and the glass substrate were held without displacement, it was confirmed that the silicon wafer and the glass substrate could be temporarily fixed without floating between the base material or the support and the temporary fixing material.
Next, the temporarily fixed base material is immersed in mesitylene (23 ° C.) for 10 minutes, and then the base material after the immersion is used with a universal bond tester (trade name “Daily 4000”, manufactured by Daisy Corporation) When a shear force (5 N / cm 2 or less at 23 ° C. at a speed of 500 μm / second) was applied in the parallel direction, the silicon wafer could be peeled from the glass substrate.

[実施例4]
実施例2で調製した仮固定用組成物2を、スピンコート法で、直径8インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて160℃で5分間、さらに230℃で8分間加熱し、厚さ40μmの塗膜を得た。塗膜を有する基板を縦1cm、横1cmの正方形に切断した。次いで、切断した基板の塗膜上に、縦0.5cm、横0.5cmの正方形のマスキングテープを塗膜の表面の中央に貼り付けた。マスキングテープを貼り付けた基板を、4−メチル−2−ペンタノール(23℃)に10秒間浸漬後、マスキングテープをはがした。
次いで、マスキングテープをはがした後の基板と、ガラス基板(縦2cm、横2cm、正方形)とを、ダイボンダー装置を用いて、180℃で5Nの力を60秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定材を介して仮固定した。ガラス基板と、仮固定材との間に気泡なく、仮固定されていることを目視により確認できた。また、万能ボンドテスター(商品名「デイジ4000」、デイジ社製)を用いて、ガラス基板と平行方向に剪断力(500μm/秒の速度で、23℃で20N/cm)を加えたが、シリコンウエハおよびガラス基板はずれずに保持していることから、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく仮固定できていることを確認できた。
次いで、仮固定した基材を、メシチレン(23℃)に10分間浸漬し、その後、浸漬後の基材を万能ボンドテスター(商品名「デイジ4000」、デイジ社製)を用いて、ガラス基板と平行方向に剪断力(500μm/秒の速度で、23℃で5N/cm以下)を加えたところ、シリコンウエハをガラス基板から剥離することができた。
[Example 4]
The composition for temporary fixing 2 prepared in Example 2 was applied on a silicon wafer having a diameter of 8 inches by spin coating, and heated at 160 ° C. for 5 minutes and further at 230 ° C. for 8 minutes using a hot plate, A coating film having a thickness of 40 μm was obtained. The board | substrate which has a coating film was cut | disconnected in the square of 1 cm long and 1 cm wide. Next, a square masking tape having a length of 0.5 cm and a width of 0.5 cm was attached to the center of the surface of the coated film on the cut film of the substrate. The substrate with the masking tape attached was immersed in 4-methyl-2-pentanol (23 ° C.) for 10 seconds, and then the masking tape was peeled off.
Next, the substrate after the masking tape is peeled off and the glass substrate (2 cm long, 2 cm wide, square) are applied with a 5 N force at 180 ° C. for 60 seconds using a die bonder device. Was temporarily fixed via a temporary fixing material. It was confirmed visually that there was no air bubble between the glass substrate and the temporary fixing material. In addition, using a universal bond tester (trade name “Daily 4000”, manufactured by Daisy), a shear force (20 N / cm 2 at 23 ° C. at a speed of 500 μm / sec) was applied in a direction parallel to the glass substrate. Since the silicon wafer and the glass substrate were held without displacement, it was confirmed that the silicon wafer and the glass substrate could be temporarily fixed without floating between the base material or the support and the temporary fixing material.
Next, the temporarily fixed base material is immersed in mesitylene (23 ° C.) for 10 minutes, and then the base material after the immersion is used with a universal bond tester (trade name “Daily 4000”, manufactured by Daisy Corporation) When a shear force (5 N / cm 2 or less at 23 ° C. at a speed of 500 μm / second) was applied in the parallel direction, the silicon wafer could be peeled from the glass substrate.

[比較例1]
参考例1で調製した組成物1を、スピンコート法で、直径8インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて160℃で5分間、さらに230℃で8分間加熱し、厚さ40μmの塗膜を形成した。得られた基板を縦1cm、横1cmの正方形に切断し、組成物1から形成した塗膜を有する基板を得た。
縦0.7cm、横0.7cmの正方形のマスキングテープを貼った直径8インチのガラス基板上に、参考例2で調製した組成物2を、スピンコート法で塗布し、ホットプレートを用いて200℃で5分間加熱し、厚さ15μmの塗膜を形成した。マスキングテープが塗膜の表面の中央となるように、マスキングテープの周りを、縦2cm、横2cmの正方形に切断した。切断したガラス基板を、4−メチル−2−ペンタノール(23℃)に5分間浸漬後、マスキングテープを剥離し、縦0.7cm、横0.7cmの組成物2から形成した塗膜を有するガラス基板を得た。
組成物1から形成した塗膜を有する基板と、縦0.7cm、横0.7cmの組成物2から形成した塗膜を有するガラス基板とを、ダイボンダー装置を用いて、180℃で5Nの力を60秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定材を介して仮固定した。ガラス基板と、仮固定材との間に気泡を確認した。
[Comparative Example 1]
The composition 1 prepared in Reference Example 1 was applied onto a silicon wafer having a diameter of 8 inches by spin coating, heated at 160 ° C. for 5 minutes, and further at 230 ° C. for 8 minutes using a hot plate, and the thickness was 40 μm. The coating film was formed. The obtained substrate was cut into squares having a length of 1 cm and a width of 1 cm to obtain a substrate having a coating film formed from the composition 1.
The composition 2 prepared in Reference Example 2 was applied by spin coating on a glass substrate having a diameter of 0.7 cm and a square masking tape having a width of 0.7 cm and a square mask of 8 inches. The coating was heated for 5 minutes at 5 ° C. to form a 15 μm thick coating film. The masking tape was cut into a square of 2 cm length and 2 cm width so that the masking tape was in the center of the surface of the coating film. After the cut glass substrate is immersed in 4-methyl-2-pentanol (23 ° C.) for 5 minutes, the masking tape is peeled off to have a coating film formed from the composition 2 having a length of 0.7 cm and a width of 0.7 cm. A glass substrate was obtained.
A substrate having a coating film formed from composition 1 and a glass substrate having a coating film formed from composition 2 having a length of 0.7 cm and a width of 0.7 cm are subjected to a force of 5 N at 180 ° C. using a die bonder device. Was added for 60 seconds, and the silicon wafer and the glass substrate were temporarily fixed via a temporary fixing material. Air bubbles were confirmed between the glass substrate and the temporary fixing material.

[参考例3]
実施例1で調製した仮固定用組成物1を、スピンコート法で、直径8インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて160℃で5分間、さらに230℃で8分間加熱し、シリコンウエハと厚さ40μmの塗膜とを有する基板を得た。得られた基板を縦1cm、横1cmの正方形に切断した。
切断後の基板と、ガラス基板(縦2cm、横2cm、正方形)とを、ダイボンダー装置を用いて、220℃で15Nの力を120秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定用組成物1から形成した塗膜を介して仮固定した。
次いで、仮固定した基材を、密着強度試験器((株)山本鍍金試験器製)を用いて、ガラス基板と垂直方向に力(1mm/秒の速度で、23℃で14N/cm)を加えたところ、基板から、ガラス基板は剥離した。
[Reference Example 3]
The temporary fixing composition 1 prepared in Example 1 was applied on a silicon wafer having a diameter of 8 inches by spin coating, and heated at 160 ° C. for 5 minutes and further at 230 ° C. for 8 minutes using a hot plate, A substrate having a silicon wafer and a coating film having a thickness of 40 μm was obtained. The obtained substrate was cut into squares having a length of 1 cm and a width of 1 cm.
The substrate after cutting and the glass substrate (2 cm long, 2 cm wide, square) are applied with a force of 15 N at 220 ° C. for 120 seconds using a die bonder device, and the silicon wafer and the glass substrate are temporarily fixed composition 1 Was temporarily fixed through a coating film formed from
Next, the temporarily fixed base material was subjected to a force in a direction perpendicular to the glass substrate (14 N / cm 2 at 23 ° C. at a speed of 1 mm / second) using an adhesion strength tester (manufactured by Yamamoto Metal Testing Co., Ltd.). As a result, the glass substrate was peeled from the substrate.

[参考例4]
実施例1で調製した仮固定用組成物1を、スピンコート法で、直径8インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて160℃で5分間、さらに230℃で8分間加熱し、シリコンウエハと厚さ40μmの塗膜とを有する基板を得た。得られた基板を縦1cm、横1cmの正方形に切断した。次いで、切断した基板を、4−メチル−2−ペンタノール(23℃)に10秒間浸漬した。
浸漬後の基板と、ガラス基板(縦2cm、横2cm、正方形)とを、ダイボンダー装置を用いて、220℃で15Nの力を120秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定用組成物1から形成した塗膜を介して仮固定した。
次いで、仮固定した基材を、密着強度試験器((株)山本鍍金試験器製)を用いて、ガラス基板と垂直方向に力(1mm/秒の速度で、23℃で20N/cm)を加えたが、シリコンウエハおよびガラス基板はずれずに保持していることが確認できた。
[Reference Example 4]
The temporary fixing composition 1 prepared in Example 1 was applied on a silicon wafer having a diameter of 8 inches by spin coating, and heated at 160 ° C. for 5 minutes and further at 230 ° C. for 8 minutes using a hot plate, A substrate having a silicon wafer and a coating film having a thickness of 40 μm was obtained. The obtained substrate was cut into squares having a length of 1 cm and a width of 1 cm. Next, the cut substrate was immersed in 4-methyl-2-pentanol (23 ° C.) for 10 seconds.
A composition 1 for temporarily fixing a silicon wafer and a glass substrate by applying a force of 15 N at 220 ° C. for 120 seconds using a die bonder device on the substrate after immersion and a glass substrate (2 cm long, 2 cm wide, square). Was temporarily fixed through a coating film formed from
Next, the temporarily fixed base material was subjected to force in a direction perpendicular to the glass substrate (20 N / cm 2 at 23 ° C. at a speed of 1 mm / sec) using an adhesion strength tester (manufactured by Yamamoto Metal Tester Co., Ltd.). However, it was confirmed that the silicon wafer and the glass substrate were held without displacement.

参考例3および参考例4の結果より、実施例1および実施例2において、剥離層が形成しており、また、4−メチル−2−ペンタノールにより、剥離層を除去できることが推定できた。   From the results of Reference Example 3 and Reference Example 4, it was estimated that the release layer was formed in Example 1 and Example 2, and that the release layer could be removed by 4-methyl-2-pentanol.

Claims (8)

(1)重合体(A)、および前記重合体(A)と実質的に非混和性の化合物(B)を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程;
(2)前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程;
(4)前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程;ならびに
(5)支持体から加工後の基材を剥離する工程;
をこの順で有する基材の仮固定方法。
(1) A temporary fixing composition containing the polymer (A) and the compound (B) substantially immiscible with the polymer (A) is used to form an adhesive layer and a release layer on the substrate. Forming in order;
(2) A step of temporarily fixing the base material and the support through the adhesive layer except for a part of the release layer;
(4) A step of forming a remaining part of the adhesive layer, a remaining part of the release layer, and a support in this order on the substrate, excluding a part of the adhesive layer; and (5) peeling the processed substrate from the support. The step of:
A method for temporarily fixing a base material in this order.
重合体(A)が、シクロオレフィン系重合体(A1)である請求項1の基材の仮固定方法。   The method for temporarily fixing a base material according to claim 1, wherein the polymer (A) is a cycloolefin polymer (A1). 前記工程(4)が、前記接着層の一部を炭化水素系溶剤に溶解させることで除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程;である請求項2の基材の仮固定方法。   In the step (4), a part of the adhesive layer is removed by dissolving in a hydrocarbon-based solvent, and a remaining part of the adhesive layer, a remaining part of the release layer, and a support are formed in this order on the substrate. The temporary fixing method of the base material according to claim 2. 前記剥離層の膜厚が、1〜1000nmである請求項1の基材の仮固定方法。 The method for temporarily fixing a substrate according to claim 1, wherein the release layer has a thickness of 1 to 1000 nm. 請求項1〜請求項4の基材の処理方法に用いられる仮固定用組成物であって、重合体(A)、および前記重合体(A)と実質的に非混和性の化合物(B)を含有する仮固定用組成物。 It is a composition for temporary fixation used for the processing method of the base material of Claims 1-4, Comprising: A polymer (A) and the compound (B) substantially immiscible with the said polymer (A) The composition for temporary fixing containing this. 前記重合体(A)が、シクロオレフィン系重合体(A1)である請求項5の仮固定用組成物。   The temporary fixing composition according to claim 5, wherein the polymer (A) is a cycloolefin polymer (A1). シクロオレフィン系重合体(A1)100質量部と、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体(B1)を1〜30質量部含有する組成物。   The composition containing 1-30 mass parts of polymers (B1) which have 100 mass parts of cycloolefin type polymers (A1), and the repeating unit which has a fluorine atom. 請求項1の基材の仮固定方法を使って得られる半導体装置。   A semiconductor device obtained by using the method for temporarily fixing a substrate according to claim 1.
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