JP2013038323A - 太陽電池モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光が第1の太陽電池11に入射する経路に、(赤外線回折格子9を配置しない場合に比べて)第1の太陽電池11に入射する赤外線の入射角が大きくなるように、赤外線回折格子9を配置したので、第1の太陽電池11の温度上昇を抑制することができる。これにより、特別な冷却システムを用いることなく、従来より簡易な構成で、高い発電効率を実現することができる。また、第1の太陽電池11より赤外線の感度の高い第2の太陽電池13を、赤外線回折格子9による赤外線の回折側に配置したので、第2の太陽電池13には、多くの赤外線が入射する。第2の太陽電池13は、赤外線の感度が高い太陽電池であるので、極めて効率よく発電ができるという顕著な効果を奏する。
【選択図】図2
Description
例えば、太陽電池は、光の全波長域に対して同一の発電効率を持つわけではなく、材料自体の特性によって最大効率の波長域が異なるので、最大効率の波長域が異なる材料の太陽電池を薄膜状にして複数層重ねることによって、利用できる波長域を広げるようにした、所謂、複層太陽電池(タンデム太陽電池)が開発されている。
この対策として、即ち、Si太陽電池の温度上昇を抑制するために、例えばSi太陽電池に隣接して冷却システムを構成する方法などが考えられるが、その場合には、太陽電池モジュールの構造が複雑になったり、コストが上昇するなどの問題があるので、必ずしも十分ではない。
ここで、前記赤外線回折格子とは、入射した赤外線を所定方向に回折して出射する部材であり、この部材としては、例えば(赤外線の)ホログラムが挙げられる。
前記第1の太陽電池としては、温度上昇によって発電効率が低下する太陽電池、例えば波長が400〜1100nmの可視光から近赤外における発電効率が高いシリコン系の太陽電池(例えば結晶質のSi太陽電池などが挙げられる。
なお、前記光としては、太陽光などのように、赤外線や可視光以外に、紫外線等の可視光以外の波長の電磁波を含むものが挙げられる(以下同様)。
なお、前記第2の太陽電池は、第1の太陽電池に比べて、赤外線によって効率よく発電ができるものであり、例えばGeを主成分とするGe太陽電池やInGaAs系太陽電池が挙げられる。なお、Ge太陽電池としては、例えばp型Ge(Bドープ)基板に、n型Ge(Pドープ)を拡散形成したものが挙げられる。
本発明は、好ましい太陽電池モジュールの構成及び第2の太陽電池の配置を例示したものである。
(5)請求項5発明では、前記第1の太陽電池は平板状であり、前記赤外線回折格子による赤外線の回折角を、前記第1の太陽電池の平面方向における中央に近いほど大きくなるように設定したことを特徴とする。
本発明では、第1の太陽電池は両面受光太陽電池であるので、周囲の光を効率よく利用して発電を行うことができる。
前記波長変換部材としては、(波長変換を行う物質が添加された)透光性を有するフィルム、ガラス板、樹脂材等が挙げられる。フィルムの基材としては、例えば透光性を有するシリコーン樹脂等の樹脂を採用でき、ガラスとしては、例えばシリカ、酸化ホウ素系ガラスを採用でき、樹脂としては、例えばアクリル、ポリカーボネイトを採用できる。
図1及び図2に示す様に、本実施例の太陽電池モジュール1は、平面形状が長方形で板状の部材であり、その受光側(図2の上側)から、光(例えば太陽光)の波長を変換する波長変換板3と、透明な封止材層5と、バックシート7とを備えるとともに、封止材層5の内部には、4枚の赤外線回折格子9a、9b、9c、9d(9と総称する)と、左右一対の第1の太陽電池11a、11b(11と総称する)と、中央の第2の太陽電池13aとを備えている。
また、図1に示す様に、太陽電池モジュール1の平面方向において、同図上下方向の端部、詳しくは、波長変換板3と封止材層5との積層体6における一対の端部には、側方の第2の太陽電池13b、13c(13aも含め13と総称する)を備えている。また、前記一対の端部に対して平面方向において直交する他の一対の端部(同図左右方向の端部)には、Al反射膜15a、15b(15と総称する)が形成されている。
図2に示す様に、前記波長変換板3は、太陽光のうちの紫外線を、第1の太陽電池11の感度の高い可視光に波長変換する部材である。
この第1の太陽電池11は、図3に示す様な分光特性(各波長の光に対する光の強度:分校放射照度)を有している。即ち、第1の太陽電池11は、波長が0.4〜1.1μmの光に対して感度を有し、その波長の光を受光して発電することができる。
図2に戻り、前記第2の太陽電池13は、第1の太陽電池11より赤外線の感度の高い太陽電池、即ち、赤外線により(第1の太陽電池11より)効率良く発電することができる太陽電池である。
具体的には、中央の第2の太陽電池13aは、短冊状であり、左右の第1の太陽電池11に挟まれるとともに、この両第1の太陽電池11と同一の平面に配置されている。
従って、中央の第2の太陽電池13aは、赤外線回折格子9の真下(同図下方)ではなく、赤外線回折格子9の回折側(詳しくは左右方向の斜め下方)に配置されていることになり、同様に、側方の第2の太陽電池13b、13cも、赤外線回折格子9の真下(同図下方)ではなく、赤外線回折格子9の回折側(詳しくは左右方向)に配置されていることになる。
例えば太陽電池モジュール1の上方(同図上方)より太陽光が入射した場合を考えると、第1の赤外線回折格子9aは、同図の右側にゆくほど(即ち左側の第1の太陽電池11aの中心に近いほど)回折角が大きくなるように構成されている。
具体的には、下記の回折の式(1)に示す様に、回折格子周期dと回折角β等の関係があるので、この式(1)に基づいて、「同図の右側にゆくほど回折角が大きくなる」ように、回折角を設定する。
d(sinα+sinβ)=mλ ・・・(1)
ここで、d:開口の間隔(回折格子周期)
α:入射角(入射光と回折格子法線とのなす角)
β:回折角(回折光と回折格子法線とのなす角)
m:回折次数(0、±1、±2・・)
λ:波長
例えば、垂直入射(α=0)で、回折次数mを1とすると、βsin-1(λ/d)となるので、例えば波長λを1.5μm、回折格子間隔dを2μmとすると、回折角βは49度となる。また、回折格子間隔dを3μmとすると、回折角βは30度となる。
c)次に、本実施例の太陽電池モジュール1の製造方法について簡単に説明する。
その後、前記積層体6の側方の一対の端面(即ち側方の第2の太陽電池13b、13cが形成されていない側の端面)に、Alシート貼り付けたり、スパッタリングなどによってAl反射膜15を形成し、太陽電池モジュール1を完成する。
本実施例の太陽電池モジュール1では、前記図2の上方から波長変換板3に太陽光が入射すると、その波長変換板3に入射した光(太陽光)のうち、波長400〜1100nmの光(可視光)は、波長変換されず、そのまま又は赤外線回折格子9を透過して、第1の太陽電池11及び中央の第2の太陽電池13aに入射する。
本実施例では、光(太陽光)が第1の太陽電池11に入射する経路に、(赤外線回折格子9を配置しない場合に比べて)第1の太陽電池11に入射する赤外線の入射角が大きくなるように、赤外線回折格子9を配置したので、第1の太陽電池11の温度上昇を抑制することができる。これにより、特別な冷却システムを用いることなく、従来より簡易な構成で、高い発電効率を実現することができる。
a)図5に示す様に、本実施例の太陽電池モジュール21は、前記実施例1と同様に、下側から、バックシート23と、下側封止材層25cと、一対の第1の太陽電池27a、27b(27と総称する)及び中央の第2の太陽電池29aと、中央封止材層25bと、4枚の赤外線回折格子31a、31b、31c、31d(31と総称する)と、上側封止材層25aとを備えている。
また、本実施例では、保護板33の平面方向における両側面(同図左右)は、例えば内側に45度傾くように斜めに形成されて、保護板33は台形となっており、この斜面33a、33bには、Al反射膜37a、37b(37と総称する)が形成されている。
また、紫外線は、波長変換層35で可視光に波長変換され、その可視光は、そのまま、封止材層25、赤外線回折格子31を透過して、第1の太陽電池27に入射したり、保護板33の内側面やAl反射膜37等で反射して、封止材層25等を透過して、第1の太陽電池27に入射する。
a)図6に示す様に、本実施例の太陽電池モジュール41は、前記実施例1と同様に、その受光側(同図上側)から、波長変換板43と、上側封止材層45a及び中央封止材層45b及び下側封止材層45cからなる封止材層45と、バックシート47とを備えている。
b)本実施例では、波長変換板43に入射した可視光は、波長変換板43、封止材層45を透過して、(同図上側より)第1の太陽電池51に入射する。なお、太陽電池モジュール41内で反射した可視光は、(同図下側からも)第1の太陽電池51に入射する。
更に、赤外線は、波長変換板43、封止材層45、第1の太陽電池51を透過し、第2、第3の赤外線回折格子49b、49cによって、所定の回折角にて側方(同図左右方向)に回折され、バックシート47で反射し集光され、中央の第2の太陽電池53aや側方の第2の太陽電池53b、53cに入射する。
なお、以上、本発明の実施例について説明したが、本発明は上記の具体的な実施例に限定されず、本発明の範囲内でこの他にも種々の形態で実施することができる。
(2)波長変換板や波長変換層としては、周知の各種の材料を使用できる。
3、43…波長変換板
5、5a、5b、5c、25、25a、25b、25c、45、45a、45b、45c…封止材層
7、23、47…バックシート
9、9a、9b、9c、9d、31、31a、31b、31c、31d、49、49a、49b、49c、49d…赤外線回折格子
11、11a、11b、27、27a、27b、51、51a、51b…第1の太陽電池
13、13a、13b、13c、29、29a、29b、29c、53、53a、53b、53c…第2の太陽電池
33…保護板
35…波長変換層
Claims (8)
- 赤外線を含む光を受光して発電する第1の太陽電池を備えた太陽電池モジュールにおいて、
前記光が前記第1の太陽電池に入射する経路に、前記赤外線を回折する赤外線回折格子を配置するとともに、
該赤外線回折格子を配置しない場合に比べて前記第1の太陽電池に入射する赤外線の入射角が大きくなるように、該赤外線回折格子を配置したことを特徴とする太陽電池モジュール。 - 前記第1の太陽電池に加え、該第1の太陽電池より赤外線の感度の高い第2の太陽電池を備え、
前記赤外線回折格子による赤外線の回折側に、前記第2の太陽電池を配置したことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。 - 前記太陽電池モジュールは平板状であり、該太陽電池モジュールの平面方向における端面に、前記第2の太陽電池を備えたことを特徴とする請求項2に記載の太陽電池モジュール。
- 前記赤外線回折格子による赤外線の回折角を、該赤外線が入射する赤外線回折格子の表面における位置によって異なるように設定したことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第1の太陽電池は平板状であり、前記赤外線回折格子による赤外線の回折角を、前記第1の太陽電池の平面方向における中央に近いほど大きくなるように設定したことを特徴とする請求項4に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第1の太陽電池は平板状であり、その板厚方向の両側から光を受光して発電が可能な両面受光太陽電池であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第1の太陽電池の受光側に、光の波長を前記第1の太陽電池による発電が可能な又は一層効率よく発電が可能な波長に変換する波長変換部材を備えたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第1の太陽電池の受光側に、透光性を有する保護板と充填材とを備えるとともに、該保護板と充填材との間に、光の波長を前記第1の太陽電池による発電が可能な又は一層効率よく発電が可能な波長に変換する波長変換層を備えたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
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Cited By (9)
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WO2015033227A3 (en) * | 2013-09-03 | 2015-06-25 | Segton Adt Sas | Entire solar spectrum multiplying converting platform unit for an optimal light-to-electricity conversion |
WO2015025224A3 (en) * | 2013-08-20 | 2015-07-02 | Segton Adt Sas | Opto-electronic unit composed of an opto-photonic platform for light processing, photonic converters and one or more light-to-electricity converters to form a solar light converter |
WO2015103152A1 (en) * | 2014-01-03 | 2015-07-09 | Nitto Denko Corporation | A packaged luminescent solar concentrator panel for providing high efficiency low cost solar harvesting |
CN105637654A (zh) * | 2013-08-19 | 2016-06-01 | 特罗皮格拉斯科技有限公司 | 用于产生电能的装置 |
JP2017517155A (ja) * | 2014-06-05 | 2017-06-22 | エレクトリシテ・ドゥ・フランス | 光起電装置及びその製造方法 |
CN109119505A (zh) * | 2017-06-22 | 2019-01-01 | 北京汉能光伏投资有限公司 | 一种用于太阳能光伏瓦的太阳能电池组件及其制备方法 |
JP2019502270A (ja) * | 2015-10-30 | 2019-01-24 | トロピグラス テクノロジーズ リミテッド | 光を受光し電気を生成するためのパネル構造 |
JPWO2021009868A1 (ja) * | 2019-07-17 | 2021-01-21 | ||
JP7540466B2 (ja) | 2022-08-01 | 2024-08-27 | トヨタ自動車株式会社 | 透明太陽電池が設置された窓構造 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5323287A (en) * | 1976-08-16 | 1978-03-03 | Hiroyuki Sakaki | Photoelectric converting element |
-
2011
- 2011-08-10 JP JP2011175024A patent/JP5573797B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5323287A (en) * | 1976-08-16 | 1978-03-03 | Hiroyuki Sakaki | Photoelectric converting element |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3036773A4 (en) * | 2013-08-19 | 2016-08-24 | Tropiglas Technologies Ltd | DEVICE FOR GENERATING ELECTRICAL ENERGY |
US11162302B2 (en) | 2013-08-19 | 2021-11-02 | Tropiglas Technologies Ltd | Device for generating electric energy |
US10988978B2 (en) | 2013-08-19 | 2021-04-27 | Tropiglas Technologies Ltd | Device for generating electric energy |
CN105637654B (zh) * | 2013-08-19 | 2017-11-28 | 特罗皮格拉斯科技有限公司 | 用于产生电能的装置 |
CN105637654A (zh) * | 2013-08-19 | 2016-06-01 | 特罗皮格拉斯科技有限公司 | 用于产生电能的装置 |
JP2016528866A (ja) * | 2013-08-19 | 2016-09-15 | トロピグラス テクノロジーズ リミテッド | 電気エネルギー生成装置 |
CN105723523A (zh) * | 2013-08-20 | 2016-06-29 | 赛腾高新技术公司 | 由用于光处理的光电光子平台、光子转换器和用于形成太阳光转换器的一个或多个光电转换器构成的光电装置 |
US10971642B2 (en) | 2013-08-20 | 2021-04-06 | Segton Advanced Technology | Opto-electronic unit composed of an opto-photonic platform |
WO2015025224A3 (en) * | 2013-08-20 | 2015-07-02 | Segton Adt Sas | Opto-electronic unit composed of an opto-photonic platform for light processing, photonic converters and one or more light-to-electricity converters to form a solar light converter |
WO2015033227A3 (en) * | 2013-09-03 | 2015-06-25 | Segton Adt Sas | Entire solar spectrum multiplying converting platform unit for an optimal light-to-electricity conversion |
US11329180B2 (en) * | 2013-09-03 | 2022-05-10 | Segton Advanced Technology | Entire solar spectrum multiplying converting platform unit for an optimal light to electricity conversion |
CN105518874A (zh) * | 2013-09-03 | 2016-04-20 | 赛腾高新技术公司 | 用于最优光电转换的整个太阳光谱倍增转换平台单元 |
CN112885920A (zh) * | 2013-09-03 | 2021-06-01 | 赛腾高新技术公司 | 用于最优光电转换的整个太阳光谱倍增转换平台单元 |
US20160211398A1 (en) * | 2013-09-03 | 2016-07-21 | Segton Adt Sas | Entire solar spectrum multiplying converting platform unit for an optimal light to electricity conversion |
WO2015103152A1 (en) * | 2014-01-03 | 2015-07-09 | Nitto Denko Corporation | A packaged luminescent solar concentrator panel for providing high efficiency low cost solar harvesting |
JP2017517155A (ja) * | 2014-06-05 | 2017-06-22 | エレクトリシテ・ドゥ・フランス | 光起電装置及びその製造方法 |
JP2019502270A (ja) * | 2015-10-30 | 2019-01-24 | トロピグラス テクノロジーズ リミテッド | 光を受光し電気を生成するためのパネル構造 |
US11121276B2 (en) | 2015-10-30 | 2021-09-14 | Tropiglas Technologies Ltd. | Panel structure for receiving light and generating electricity |
CN109119505A (zh) * | 2017-06-22 | 2019-01-01 | 北京汉能光伏投资有限公司 | 一种用于太阳能光伏瓦的太阳能电池组件及其制备方法 |
WO2021009868A1 (ja) * | 2019-07-17 | 2021-01-21 | 株式会社東芝 | 太陽電池モジュールおよびタンデム型太陽電池 |
JPWO2021009868A1 (ja) * | 2019-07-17 | 2021-01-21 | ||
JP7540466B2 (ja) | 2022-08-01 | 2024-08-27 | トヨタ自動車株式会社 | 透明太陽電池が設置された窓構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5573797B2 (ja) | 2014-08-20 |
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